KR102431636B1 - Organic light emitting display device - Google Patents

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Abstract

본 발명의 실시예에 따른 유기발광 표시장치는, 제1 발광층을 포함하는 제1 발광부와, 상기 제1 발광부 위에 있으며, 제2 발광층을 포함하는 제2 발광부를 포함하고, 상기 제1 발광층은 적어도 하나의 도펀트와 적어도 두 개의 호스트들을 포함하며, 상기 적어도 두 개의 호스트들은 전자이동도 및 정공이동도가 서로 다른 것을 특징으로 한다.An organic light emitting display device according to an embodiment of the present invention includes a first light emitting part including a first light emitting layer, a second light emitting part on the first light emitting part and including a second light emitting layer, and the first light emitting layer contains at least one dopant and at least two hosts, wherein the at least two hosts have different electron mobility and hole mobility.

Description

유기발광 표시장치 {ORGANIC LIGHT EMITTING DISPLAY DEVICE}Organic light emitting display device {ORGANIC LIGHT EMITTING DISPLAY DEVICE}

본 발명은 유기발광 표시장치에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 수명을 향상시킬 수 있는 유기발광 표시장치에 관한 것이다.The present invention relates to an organic light emitting display device, and more particularly, to an organic light emitting display device capable of improving lifespan.

최근 정보화 시대로 접어듦에 따라 전기적 정보신호를 시각적으로 표현하는 디스플레이(display) 분야가 급속도로 발전해 왔고, 이에 부응하여 박형화, 경량화, 저소비전력화의 우수한 성능을 지닌 여러 가지 다양한 표시장치(Display Device)가 개발되고 있다.Recently, as we enter the information age, the field of display that visually expresses electrical information signals has developed rapidly, and in response to this, various display devices with excellent performance such as thinness, light weight, and low power consumption have been developed. is being developed

이와 같은 표시장치의 구체적인 예로는 액정표시장치(Liquid Crystal Display device: LCD), 플라즈마 표시장치(Plasma Display Panel device: PDP), 전계방출 표시장치(Field Emission Display device: FED), 유기발광 표시장치(Organic Light Emitting Device: OLED) 등을 들 수 있다.Specific examples of such a display device include a liquid crystal display device (LCD), a plasma display panel device (PDP), a field emission display device (FED), an organic light emitting display device ( Organic Light Emitting Device (OLED), etc. are mentioned.

특히, 유기발광 표시장치는 자체 발광소자로서 다른 표시장치에 비해 응답속도가 빠르고 발광 효율, 휘도 및 시야각이 큰 장점이 있으므로 널리 주목받고 있다.In particular, as a self-luminous device, an organic light emitting diode display is receiving widespread attention because it has advantages of fast response speed, luminous efficiency, luminance, and viewing angle compared to other display devices.

[선행기술문헌][Prior art literature]

[특허문헌][Patent Literature]

1. [백색 유기 발광 소자] (특허출원번호 제 10-2009-0092596호)1. [White organic light emitting device] (Patent Application No. 10-2009-0092596)

유기 발광 소자는 기판 상에 애노드가 형성되어 있고, 애노드 상부에 정공수송층, 발광층, 전자수송층 및 캐소드가 형성되어 있는 구조로 구성한다. 정공 수송층, 발광층 및 전자수송층은 유기 화합물로 이루어진다. 애노드 및 캐소드 사이에 전압을 인가하면, 애노드로부터 주입된 정공은 정공수송층을 통하여 발광층으로 이동하고, 캐소드로부터 주입된 전자는 전자수송층을 통하여 발광층으로 이동한다. 캐리어들인 정공 및 전자는 발광층 내에서 재결합하여 여기자(exciton)를 생성하고, 이 여기자가 여기 상태(excited state)에서 기저 상태(ground state)로 변하면서 광이 생성된다. 여기서 정공과 전자가 재결합하는 영역을 재결합 영역(recombination area, recombination zone) 또는 발광 영역(emission area, emission zone)이라고 한다. The organic light emitting device has a structure in which an anode is formed on a substrate, and a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer, and a cathode are formed on the anode. The hole transport layer, the light emitting layer, and the electron transport layer are made of an organic compound. When a voltage is applied between the anode and the cathode, holes injected from the anode move to the light emitting layer through the hole transport layer, and electrons injected from the cathode move to the light emitting layer through the electron transport layer. Holes and electrons, which are carriers, recombine in the light emitting layer to generate excitons, and the excitons change from an excited state to a ground state to generate light. Here, a region where holes and electrons recombine is referred to as a recombination area or an emission zone.

발광층은 호스트와 도펀트를 포함한다. 호스트의 정공이동도 또는 전자이동도 중 어느 하나의 이동도가 빠른 경우, 정공과 전자가 재결합하는 영역인 재결합 영역이 발광층 내에 생성되지 못하고 여기자가 전자수송층과 발광층 사이의 계면이나, 정공수송층과 발광층 사이의 계면에 생성되는 문제점이 있다. 이로 인해, 발광층이 발광에 기여하지 못하고, 발광층에 인접한 정공수송층이나 전자수송층에 손상을 주게 되어 수명이 감소하게 된다. 그리고, 발광층으로의 전자의 전달이나 정공의 전달이 어려워 구동전압이 상승하게 된다. 구동전압을 감소시키기 위해 호스트의 재료를 변경하거나 호스트의 도핑량을 조절하는 방법도 있다. 그러나, 호스트 재료의 변경은 신뢰성 등의 검증이 필요하여 양산에 적용하기까지 시간이 많이 소요되며, 호스트의 함량의 조절은 정공과 전자의 균형을 조절하기 어려워 발광효율이 저하하게 된다. 그리고, 발광층의 호스트로 정공타입의 호스트와 전자타입의 호스트를 혼합한 호스트를 적용할 경우, 발광층 내에서 정공과 전자의 균형을 조절하기 어려운 문제점이 있다. The light emitting layer includes a host and a dopant. When any one of the host's hole mobility or electron mobility is fast, the recombination region, which is a region where holes and electrons recombine, is not generated in the light emitting layer, and excitons are the interface between the electron transport layer and the light emitting layer, or the hole transport layer and the light emitting layer There is a problem that is generated at the interface between them. For this reason, the light emitting layer does not contribute to light emission and damages the hole transport layer or the electron transport layer adjacent to the light emitting layer, thereby reducing the lifespan. In addition, it is difficult to transfer electrons or holes to the light emitting layer, so that the driving voltage is increased. In order to reduce the driving voltage, there is also a method of changing the material of the host or adjusting the doping amount of the host. However, the change of the host material requires verification of reliability and the like, so it takes a lot of time to apply it to mass production, and it is difficult to control the balance of holes and electrons to control the content of the host, so that the luminous efficiency is lowered. In addition, when a host in which a hole-type host and an electron-type host are mixed as the host of the light emitting layer is applied, there is a problem in that it is difficult to control the balance of holes and electrons in the light emitting layer.

이에 본 발명의 발명자들은 위에서 언급한 문제점들을 인식하고, 발광층에 포함된 호스트의 특성을 조절하여 수명을 향상시킬 수 있는 여러 실험을 하게 되었다. 여러 실험을 통하여 수명이 향상될수 있는 새로운 구조의 유기발광 표시장치를 발명하였다.Accordingly, the inventors of the present invention recognized the above-mentioned problems, and conducted various experiments to improve the lifespan by controlling the characteristics of the host included in the light emitting layer. Through various experiments, an organic light emitting display device having a new structure that can improve the lifespan was invented.

본 발명의 실시예에 따른 해결 과제는 발광층에 적어도 두 개의 호스트들을 구성하고 적어도 두 개의 호스트들은 전자이동도 및 정공이동도가 서로 다르도록 구성함으로써, 정공과 전자의 결합영역인 재결합 영역이 발광층 내에 위치하도록 하여 수명을 향상시킬 수 있는 유기발광 표시장치를 제공하는 것이다.The problem to be solved according to an embodiment of the present invention is to configure at least two hosts in the light emitting layer and configure the at least two hosts to have different electron mobility and hole mobility, so that the recombination region, which is a bonding region of holes and electrons, is formed in the light emitting layer. An object of the present invention is to provide an organic light emitting display device capable of improving the lifespan of the display device.

본 발명의 실시예에 따른 해결 과제들은 이상에서 언급한 과제들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The problems to be solved according to the embodiment of the present invention are not limited to the problems mentioned above, and other problems not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the following description.

본 발명의 실시예에 따른 유기발광 표시장치는, 제1 발광층을 포함하는 제1 발광부와, 상기 제1 발광부 위에 있으며, 제2 발광층을 포함하는 제2 발광부를 포함하고, 상기 제1 발광층은 적어도 하나의 도펀트와 적어도 두 개의 호스트들을 포함하며, 상기 적어도 두 개의 호스트들은 전자이동도 및 정공이동도가 서로 다른 것이다.An organic light emitting display device according to an embodiment of the present invention includes a first light emitting part including a first light emitting layer, a second light emitting part on the first light emitting part and including a second light emitting layer, and the first light emitting layer contains at least one dopant and at least two hosts, wherein the at least two hosts have different electron mobility and hole mobility.

상기 적어도 두 개의 호스트들은 제1 정공타입 호스트와 제1 전자타입 호스트를 포함하는 제1 호스트 및 제2 전자타입 호스트를 포함하는 제2 호스트로 구성될 수 있다. The at least two hosts may include a first host including a first hole type host and a first electron type host, and a second host including a second electron type host.

상기 제1 정공타입 호스트의 전자이동도는 상기 제1 전자타입 호스트의 전자이동도보다 크고, 상기 제1 정공타입 호스트의 정공이동도는 상기 제1 전자타입 호스트의 정공이동도보다 클 수 있다. The electron mobility of the first hole type host may be greater than that of the first electron type host, and the hole mobility of the first hole type host may be greater than that of the first electron type host.

상기 제1 정공타입 호스트의 전자이동도는 상기 제1 정공타입 호스트의 정공이동도보다 클 수 있다.The electron mobility of the first hole type host may be greater than the hole mobility of the first hole type host.

상기 제1 전자타입 호스트 및 상기 제2 전자타입 호스트의 전자이동도는 상기 제1 전자타입 호스트 및 상기 제2 전자타입 호스트의 정공이동도보다 클 수 있다.Electron mobility of the first electron type host and the second electron type host may be greater than hole mobility of the first electron type host and the second electron type host.

상기 제1 정공타입 호스트와 상기 제1 전자타입 호스트의 부피비는 5:5일 수 있다.A volume ratio of the first hole type host to the first electron type host may be 5:5.

상기 제1 호스트 및 상기 제2 호스트의 LUMO 에너지 레벨의 절대값은 3.0eV 내지 6.0eV이고, 상기 제1 호스트 및 상기 제2 호스트의 HOMO 에너지 레벨의 절대값은 1.0eV 내지 3.0eV일 수 있다.The absolute values of the LUMO energy levels of the first host and the second host may be 3.0 eV to 6.0 eV, and the absolute values of the HOMO energy levels of the first host and the second host may be 1.0 eV to 3.0 eV.

상기 제1 발광부는 정공전달층 및 전자전달층을 더 포함하며, 상기 제1 호스트는 상기 정공전달층에 인접하도록 배치되고, 상기 제2 호스트는 상기 전자전달층에 인접하도록 배치될 수 있다.The first light emitting part may further include a hole transport layer and an electron transport layer, wherein the first host is disposed adjacent to the hole transport layer, and the second host is disposed adjacent to the electron transport layer.

상기 제2 발광부 위에 있으며, 제3 발광층을 포함하는 제3 발광부를 더 포함하고, 상기 제3 발광층은 적어도 두 개의 호스트들을 포함하며, 상기 적어도 두 개의 호스트들은 전자이동도 및 정공이동도가 서로 다를 수 있다. It is disposed on the second light emitting unit and further comprises a third light emitting unit including a third light emitting layer, wherein the third light emitting layer includes at least two hosts, wherein the at least two hosts have electron mobility and hole mobility of each other. can be different.

상기 적어도 두 개의 호스트들은 제1 정공타입 호스트와 제1 전자타입 호스트를 포함하는 제1 호스트, 및 제2 전자타입 호스트를 포함하는 제2 호스트로 구성될 수 있다. The at least two hosts may include a first host including a first hole type host and a first electron type host, and a second host including a second electron type host.

상기 제3 발광부는 정공전달층 및 전자전달층을 더 포함하며, 상기 제1 호스트는 상기 정공전달층에 인접하도록 배치되고, 상기 제2 호스트는 상기 전자전달층에 인접하도록 배치될 수 있다. The third light emitting part may further include a hole transport layer and an electron transport layer, wherein the first host is disposed adjacent to the hole transport layer, and the second host is disposed adjacent to the electron transport layer.

본 발명의 실시예에 따른 유기발광 표시장치는, 애노드와 캐소드 사이에 위치하며, 복수의 발광층을 포함하는 복수의 발광부로 이루어진 유기발광 표시장치에 있어서, 상기 복수의 발광층 중 적어도 하나는 적어도 하나의 도펀트와 적어도 두 개의 호스트를 포함하며, 상기 적어도 두 개의 호스트는 제1 정공타입 호스트 및 제1 전자타입 호스트를 포함하는 제1 호스트 및 제2 전자타입 호스트를 포함하는 제2 호스트로 이루어진다. An organic light emitting diode display according to an embodiment of the present invention includes a plurality of light emitting units positioned between an anode and a cathode and including a plurality of light emitting layers, wherein at least one of the plurality of light emitting layers includes at least one a dopant and at least two hosts, wherein the at least two hosts include a first host including a first hole type host and a first electron type host, and a second host including a second electron type host.

상기 제1 정공타입 호스트의 전자이동도 및 정공이동도가 상기 제1 전자타입 호스트의 전자이동도 및 정공이동도보다 클 수 있다. The electron mobility and hole mobility of the first hole type host may be greater than the electron mobility and hole mobility of the first electron type host.

상기 제1 정공타입 호스트와 상기 제1 전자타입 호스트의 부피비는 5:5일 수 있다. A volume ratio of the first hole type host to the first electron type host may be 5:5.

상기 제1 호스트의 LUMO 에너지 레벨의 절대값과 상기 제2 호스트의 LUMO 에너지 레벨의 절대값은 동일하고, 상기 제1 호스트의 HOMO 에너지 레벨의 절대값과 상기 제2 호스트의 HOMO 에너지 레벨의 절대값은 동일할 수 있다. The absolute value of the LUMO energy level of the first host and the absolute value of the LUMO energy level of the second host are the same, and the absolute value of the HOMO energy level of the first host and the absolute value of the HOMO energy level of the second host may be the same.

상기 제1 호스트 및 상기 제2 호스트의 LUMO 에너지 레벨의 절대값은 3.0eV 내지 6.0eV이고, 상기 제1 호스트 및 상기 제2 호스트의 HOMO 에너지 레벨의 절대값은 1.0eV 내지 3.0eV일 수 있다. The absolute values of the LUMO energy levels of the first host and the second host may be 3.0 eV to 6.0 eV, and the absolute values of the HOMO energy levels of the first host and the second host may be 1.0 eV to 3.0 eV.

상기 복수의 발광부는 정공전달층 및 전자전달층을 더 포함하며, 상기 제1 호스트는 상기 정공전달층에 인접하여 배치되고, 상기 제2 호스트는 상기 전자전달층에 인접하여 배치될 수 있다.The plurality of light emitting units may further include a hole transport layer and an electron transport layer, wherein the first host is disposed adjacent to the hole transport layer, and the second host is disposed adjacent to the electron transport layer.

상기 복수의 발광층 중 적어도 하나는 청색 발광층이며, 상기 청색 발광층은 상기 제1 호스트 및 상기 제2 호스트를 포함할 수 있다.At least one of the plurality of emission layers may be a blue emission layer, and the blue emission layer may include the first host and the second host.

본 발명의 실시예에 따른 유기발광 표시장치는, 애노드와 캐소드 사이에 위치하며, 복수의 발광층을 포함하는 복수의 발광부로 이루어진 유기발광 표시장치에 있어서, 상기 복수의 발광층 중 적어도 하나는 두 개의 영역들을 포함하며, 상기 두 개의 영역들 중 제1 영역은 혼합 호스트를 포함하고, 제2 영역은 단일 호스트를 포함한다.The organic light emitting display device according to an embodiment of the present invention includes a plurality of light emitting units positioned between an anode and a cathode and including a plurality of light emitting layers, wherein at least one of the plurality of light emitting layers has two regions. and, among the two regions, a first region includes a mixed host, and a second region includes a single host.

상기 혼합호스트는 제1 정공타입 호스트와 제1 전자타입 호스트를 포함하고, 상기 단일호스트는 제2 전자타입 호스트를 포함할 수 있다.The mixed host may include a first hole type host and a first electron type host, and the single host may include a second electron type host.

상기 제1 정공타입 호스트의 전자이동도는 상기 제1 전자타입 호스트 전자이동도보다 크고, 상기 제1 정공타입 호스트의 정공이동도는 상기 제1 전자타입 호스트의 정공이동도보다 클 수 있다.The electron mobility of the first hole type host may be greater than that of the first electron type host, and the hole mobility of the first hole type host may be greater than that of the first electron type host.

상기 제1 정공타입 호스트의 전자이동도는 상기 제1 정공타입 호스트의 정공이동도보다 클 수 있다.The electron mobility of the first hole type host may be greater than the hole mobility of the first hole type host.

상기 제1 전자타입 호스트 및 상기 제2 전자타입 호스트의 전자이동도는 상기 제1 전자타입 호스트 및 상기 제2 전자타입 호스트의 정공이동도보다 클 수 있다.Electron mobility of the first electron type host and the second electron type host may be greater than hole mobility of the first electron type host and the second electron type host.

상기 제1 정공타입 호스트와 상기 제1 전자타입 호스트의 부피비는 5:5일 수 있다.A volume ratio of the first hole type host to the first electron type host may be 5:5.

상기 복수의 발광부는 정공전달층 및 전자전달층을 더 포함하며, 상기 혼합 호스트는 상기 정공전달층에 인접하여 배치되고, 상기 단일 호스트는 상기 전자전달층에 인접하여 배치될 수 있다. The plurality of light emitting units may further include a hole transport layer and an electron transport layer, the mixed host may be disposed adjacent to the hole transport layer, and the single host may be disposed adjacent to the electron transport layer.

상기 적어도 두 개의 영역을 포함하는 발광층은 청색 발광층일 수 있다.The light emitting layer including the at least two regions may be a blue light emitting layer.

본 발명의 실시예에 따른 유기발광 표시장치는, 애노드와 캐소드 사이에 위치하며, 발광층들이 적층된 유기발광 표시장치에 있어서, 상기 발광층들은 청색 발광층을 포함하며, 상기 청색 발광층은 두 개의 호스트들로 구성되어, 단일 호스트의 청색 발광층에 비하여 전자이동도 및 정공이동도가 향상되어 구동전압이 감소된다. The organic light emitting display device according to an embodiment of the present invention is located between an anode and a cathode, and in which the light emitting layers are stacked, wherein the light emitting layers include a blue light emitting layer, and the blue light emitting layer includes two hosts. As compared to the blue light emitting layer of a single host, electron mobility and hole mobility are improved, and thus the driving voltage is reduced.

상기 두 개의 호스트들은 제1 정공타입 호스트와 제1 전자타입 호스트를 포함하는 제1 호스트, 및 제2 전자타입 호스트를 포함하는 제2 호스트로 구성될 수 있다.The two hosts may include a first host including a first hole type host and a first electron type host, and a second host including a second electron type host.

상기 제1 정공타입 호스트의 전자이동도는 상기 제1 전자타입 호스트 전자이동도보다 크고, 상기 제1 정공타입 호스트의 정공이동도는 상기 제1 전자타입 호스트의 정공이동도보다 클 수 있다.The electron mobility of the first hole type host may be greater than that of the first electron type host, and the hole mobility of the first hole type host may be greater than that of the first electron type host.

상기 제1 정공타입 호스트의 전자이동도는 상기 제1 정공타입 호스트의 정공이동도보다 클 수 있다.The electron mobility of the first hole type host may be greater than the hole mobility of the first hole type host.

상기 제1 전자타입 호스트 및 상기 제2 전자타입 호스트의 전자이동도는 상기 제1 전자타입 호스트 및 상기 제2 전자타입 호스트의 정공이동도보다 클 수 있다.Electron mobility of the first electron type host and the second electron type host may be greater than hole mobility of the first electron type host and the second electron type host.

상기 제1 정공타입 호스트와 상기 제1 전자타입 호스트의 부피비는 5:5일 수 있다. A volume ratio of the first hole type host to the first electron type host may be 5:5.

기타 실시예의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.The details of other embodiments are included in the detailed description and drawings.

본 발명은 적어도 두 개의 호스트들을 포함하는 청색 발광층으로 구성하고, 적어도 두 개의 호스트들은 전자이동도 및 정공이동도가 서로 다르도록 구성함으로써, 발광층의 정공과 전자의 균형을 맞추어 효율이 향상되고, 구동전압이 감소된 유기발광 표시장치를 제공할 수 있다. The present invention is composed of a blue light emitting layer including at least two hosts, and the at least two hosts have different electron mobility and hole mobility, thereby balancing holes and electrons in the light emitting layer to improve efficiency, and drive An organic light emitting display device having a reduced voltage may be provided.

또한, 본 발명은 청색 발광층에 포함된 호스트 중, 전자타입 호스트 및 정공타입 호스트를 포함하는 혼합 호스트를 정공전달층에 인접하도록 구성함으로써, 청색 발광층의 정공과 전자의 균형을 맞출 수 있으므로, 유기발광 표시장치의 구동전압을 감소시킬 수 있다. In addition, the present invention can balance the holes and electrons of the blue light emitting layer by configuring the mixed host including the electron type host and the hole type host among the hosts included in the blue light emitting layer to be adjacent to the hole transport layer, so that the organic light emitting layer The driving voltage of the display device may be reduced.

또한, 본 발명은 청색 발광층에 포함된 호스트 중, 전자타입 호스트를 포함하는 단일 호스트를 전자전달층에 인접하도록 구성함으로써, 청색 발광층의 정공과 전자의 균형을 맞출 수 있으므로, 유기발광 표시장치의 구동전압을 감소시킬 수 있다. In addition, according to the present invention, by configuring a single host including an electron type host among hosts included in the blue light emitting layer to be adjacent to the electron transport layer, holes and electrons of the blue light emitting layer can be balanced, so that the driving of the organic light emitting display device voltage can be reduced.

또한, 본 발명은 전자이동도 및 정공이동도가 서로 다른 적어도 두 개의 호스트들을 포함하는 청색 발광층을 구성함으로써, 단일 호스트의 청색 발광층에 비하여 구동전압이 감소된 유기발광 표시장치를 제공할 수 있다.In addition, the present invention can provide an organic light emitting display device having a reduced driving voltage compared to a blue light emitting layer of a single host by configuring a blue light emitting layer including at least two hosts having different electron mobility and hole mobility.

본 발명의 효과는 이상에서 언급한 효과에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 효과는 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The effects of the present invention are not limited to the above-mentioned effects, and other effects not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the following description.

이상에서 해결하고자 하는 과제, 과제 해결 수단, 효과에 기재한 발명의 내용이 청구항의 필수적인 특징을 특정하는 것은 아니므로, 청구항의 권리 범위는 발명의 내용에 기재된 사항에 의하여 제한되지 않는다.Since the content of the invention described in the problems to be solved above, the means for solving the problems, and the effects do not specify the essential characteristics of the claims, the scope of the claims is not limited by the matters described in the content of the invention.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 유기발광 표시장치를 나타내는 도면이다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 유기발광 소자를 나타내는 도면이다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 발광층을 형성하는 방법을 나타내는 도면이다.
도 4는 비교예 및 본 발명의 실시예에 따른 전광 특성 결과를 나타내는 표이다.
1 is a diagram illustrating an organic light emitting display device according to an embodiment of the present invention.
2 is a view showing an organic light emitting device according to an embodiment of the present invention.
3 is a view showing a method of forming a light emitting layer according to an embodiment of the present invention.
4 is a table showing results of electro-optical characteristics according to Comparative Examples and Examples of the present invention.

본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. Advantages and features of the present invention and methods of achieving them will become apparent with reference to the embodiments described below in detail in conjunction with the accompanying drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments disclosed below, but will be implemented in various different forms, and only these embodiments allow the disclosure of the present invention to be complete, and common knowledge in the technical field to which the present invention belongs It is provided to fully inform the possessor of the scope of the invention, and the present invention is only defined by the scope of the claims.

본 발명의 실시예를 설명하기 위한 도면에 개시된 형상, 크기, 비율, 각도, 개수 등은 예시적인 것이므로 본 발명이 도시된 사항에 한정되는 것은 아니다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명은 생략한다. 본 명세서 상에서 언급한 '포함한다', '갖는다', '이루어진다' 등이 사용되는 경우 '~만'이 사용되지 않는 이상 다른 부분이 추가될 수 있다. 구성 요소를 단수로 표현한 경우에 특별히 명시적인 기재 사항이 없는 한 복수를 포함하는 경우를 포함한다.The shapes, sizes, proportions, angles, numbers, etc. disclosed in the drawings for explaining the embodiments of the present invention are illustrative and the present invention is not limited to the illustrated matters. Like reference numerals refer to like elements throughout. In addition, in describing the present invention, if it is determined that a detailed description of a related known technology may unnecessarily obscure the subject matter of the present invention, the detailed description thereof will be omitted. When 'including', 'having', 'consisting', etc. mentioned in this specification are used, other parts may be added unless 'only' is used. When a component is expressed in the singular, the case in which the plural is included is included unless specifically stated otherwise.

구성 요소를 해석함에 있어서, 별도의 명시적 기재가 없더라도 오차 범위를 포함하는 것으로 해석한다.In interpreting the components, it is interpreted as including an error range even if there is no separate explicit description.

위치 관계에 대한 설명일 경우, 예를 들어, '~상에', '~상부에', '~하부에', '~옆에' 등으로 두 부분의 위치 관계가 설명되는 경우, '바로' 또는 '직접'이 사용되지 않는 이상 두 부분 사이에 하나 이상의 다른 부분이 위치할 수도 있다.In the case of a description of the positional relationship, for example, when the positional relationship of two parts is described as 'on', 'on', 'on', 'beside', etc., 'right' Alternatively, one or more other parts may be positioned between the two parts unless 'directly' is used.

시간 관계에 대한 설명일 경우, 예를 들어, '~후에', '~에 이어서', '~다음에', '~전에' 등으로 시간적 선후 관계가 설명되는 경우, '바로' 또는 '직접'이 사용되지 않는 이상 연속적이지 않은 경우도 포함할 수 있다.In the case of a description of a temporal relationship, for example, 'immediately' or 'directly' when a temporal relationship is described as 'after', 'following', 'after', 'before', etc. It may include cases that are not continuous unless this is used.

제1, 제2 등이 다양한 구성요소들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 구성요소들은 이들 용어에 의해 제한되지 않는다. 이들 용어들은 단지 하나의 구성 요소를 다른 구성요소와 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제1 구성요소는 본 발명의 기술적 사상 내에서 제2 구성요소일 수도 있다.Although the first, second, etc. are used to describe various components, these components are not limited by these terms. These terms are only used to distinguish one component from another. Accordingly, the first component mentioned below may be the second component within the spirit of the present invention.

본 발명의 여러 실시예들의 각각 특징들이 부분적으로 또는 전체적으로 서로 결합 또는 조합 가능하고, 기술적으로 다양한 연동 및 구동이 가능하며, 각 실시예들이 서로에 대하여 독립적으로 실시 가능할 수도 있고 연관 관계로 함께 실시할 수도 있다.Each feature of the various embodiments of the present invention may be partially or wholly combined or combined with each other, technically various interlocking and driving are possible, and each of the embodiments may be implemented independently of each other or may be implemented together in a related relationship. may be

이하, 첨부된 도면 및 실시예를 통해 본 발명의 실시예를 구체적으로 살펴보면 다음과 같다.Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings and examples.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 유기발광 표시장치(1000)를 나타내는 도면이다.1 is a diagram illustrating an organic light emitting display device 1000 according to an embodiment of the present invention.

도 1을 참고하면, 유기발광 표시장치(1000)는 기판(101), 제1 전극(102), 발광부(1180) 및 제2 전극(104)을 포함한다. 유기발광 표시장치(1000)는 복수의 화소(pixel, P)를 포함한다. 화소(P)는 실제 빛이 발광되는 최소 단위의 영역을 말하며, 서브-화소 또는 화소 영역으로 지칭될 수 있다. 또한, 복수의 화소(P)가 모여 백색의 광을 표현할 수 있는 최소의 군(group)이 될 수 있으며, 예를 들어, 세 개의 화소가 하나의 군으로서, 적색 화소(red pixel), 녹색 화소(green pixel) 및 청색 화소(blue pixel)가 하나의 군을 이룰 수 있다. 또는, 네 개의 화소가 하나의 군으로서, 적색 화소(red pixel), 녹색 화소(green pixel), 청색 화소(blue pixel) 및 백색 화소(white pixel)가 하나의 군을 이룰 수도 있다. 그러나, 이에 한정된 것은 아니며, 다양한 화소 설계가 가능하다. 도 1에서는 설명의 편의를 위하여, 하나의 화소(P) 만을 도시하였다.Referring to FIG. 1 , the organic light emitting diode display 1000 includes a substrate 101 , a first electrode 102 , a light emitting unit 1180 , and a second electrode 104 . The organic light emitting display device 1000 includes a plurality of pixels (P). The pixel P refers to an area of a minimum unit in which actual light is emitted, and may be referred to as a sub-pixel or a pixel area. In addition, a plurality of pixels P may be gathered to form a minimum group capable of expressing white light. For example, three pixels are one group, a red pixel and a green pixel. (green pixel) and blue pixel (blue pixel) may form one group. Alternatively, four pixels may form a group, and a red pixel, a green pixel, a blue pixel, and a white pixel may form a group. However, the present invention is not limited thereto, and various pixel designs are possible. In FIG. 1, only one pixel P is illustrated for convenience of explanation.

박막트랜지스터(TFT)는 게이트 전극(1115), 게이트 절연층(1120), 반도체층(1131), 소스 전극(1133) 및 드레인 전극(1135)을 포함한다. 박막 트랜지스터(TFT)는 기판(101) 상에 배치되며, 제1 전극(102), 발광부(1180), 및 제2 전극(104)를 포함하는 유기발광소자로 신호를 공급한다. 도 1에 도시된 박막트랜지스터(TFT)는 제1 전극(102)과 연결된 구동 박막트랜지스터일 수 있다. 기판(101) 상에는 유기발광소자를 구동하기 위한 스위칭 박막트랜지스터 또는 커패시터 등이 더 배치될 수 있다. 그리고, 도 1에서는 박막 트랜지스터(TFT)가 인버티드 스태거드(inverted staggered) 구조로 도시되었으나, 코플라나(coplanar) 구조로 형성할 수도 있다.The thin film transistor TFT includes a gate electrode 1115 , a gate insulating layer 1120 , a semiconductor layer 1131 , a source electrode 1133 , and a drain electrode 1135 . The thin film transistor TFT is disposed on the substrate 101 and supplies a signal to the organic light emitting diode including the first electrode 102 , the light emitting unit 1180 , and the second electrode 104 . The thin film transistor TFT shown in FIG. 1 may be a driving thin film transistor connected to the first electrode 102 . A switching thin film transistor or a capacitor for driving the organic light emitting diode may be further disposed on the substrate 101 . In addition, although the thin film transistor TFT is illustrated in FIG. 1 as an inverted staggered structure, it may be formed in a coplanar structure.

기판(101)은 절연 물질, 또는 유연성(flexibility)을 가지는 재료로 구성될 수 있다. 유리, 금속, 또는 플라스틱 등으로 이루어질 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 유기발광 표시장치가 플렉서블(flexible) 유기발광 표시장치인 경우에는 플라스틱 등과 같은 유연한 재질로 이루어질 수도 있다. 또한, 플렉서블(flexible) 구현에 용이한 유기발광소자를 차량용 조명장치에 적용할 경우, 차량의 구조나 외관의 형상에 맞춰 차량용 조명장치의 다양한 설계 및 디자인의 자유도가 확보될 수 있다.The substrate 101 may be made of an insulating material or a material having flexibility. It may be made of glass, metal, or plastic, but is not limited thereto. When the organic light emitting display device is a flexible organic light emitting display device, it may be made of a flexible material such as plastic. In addition, when an organic light emitting device that is easy to implement flexible is applied to a vehicle lighting device, various designs and degrees of freedom in design of the vehicle lighting device can be secured according to the structure or exterior shape of the vehicle.

게이트 전극(1115)은 기판(101) 위에 형성되며, 게이트 라인에 연결된다. 상기 게이트 전극(1115)은 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 금(Au), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd) 및 구리(Cu) 중 어느 하나 또는 이들의 합금으로 이루어진 다중층일 수 있다.The gate electrode 1115 is formed on the substrate 101 and is connected to the gate line. The gate electrode 1115 may include any one of molybdenum (Mo), aluminum (Al), chromium (Cr), gold (Au), titanium (Ti), nickel (Ni), neodymium (Nd), and copper (Cu) or It may be a multilayer made of alloys thereof.

게이트 절연층(1120)은 게이트 전극(1115) 위에 형성된다. 게이트 절연층(1120)은 실리콘 산화막(SiOx), 실리콘 질화막(SiNx) 또는 이들의 다중층일 수 있으나, 이에 한정되지는 않는다.The gate insulating layer 1120 is formed on the gate electrode 1115 . The gate insulating layer 1120 may be a silicon oxide layer (SiOx), a silicon nitride layer (SiNx), or a multilayer thereof, but is not limited thereto.

반도체층(1131)은 게이트 절연층(1120) 위에 형성된다. 반도체층(1131)은 비정질 실리콘(amorphous silicon, a-Si), 다결정 실리콘(polycrystalline silicon, poly-Si), 산화물(oxide) 반도체 또는 유기물 (organic) 반도체 등으로 형성될 수 있다. 반도체층을 산화물 반도체로 형성할 경우, ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide), 또는 ITZO(Indium Tin Zinc Oxide) 등으로 형성할 수 있으나, 이에 한정하는 것은 아니다. 그리고, 에치 스토퍼는 상기 반도체층(1131) 위에 형성되어 반도체층(1131)을 보호하는 기능을 할 수 있으나 소자의 구성에 따라서 생략될 수도 있다.The semiconductor layer 1131 is formed on the gate insulating layer 1120 . The semiconductor layer 1131 may be formed of amorphous silicon (a-Si), polycrystalline silicon (poly-Si), an oxide semiconductor, or an organic semiconductor. When the semiconductor layer is formed of an oxide semiconductor, it may be formed of indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), or indium tin zinc oxide (ITZO), but is not limited thereto. The etch stopper may be formed on the semiconductor layer 1131 to protect the semiconductor layer 1131 , but may be omitted depending on the configuration of the device.

소스 전극(1133) 및 드레인 전극(1135)은 반도체층(1131) 상에 형성될 수 있다. 소스 전극(1133) 및 드레인 전극(1135)은 단일층 또는 다중층으로 이루어질 수 있으며, 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 금(Au), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd) 및 구리(Cu) 중 어느 하나 또는 이들의 합금으로 이루어질 수 있다.The source electrode 1133 and the drain electrode 1135 may be formed on the semiconductor layer 1131 . The source electrode 1133 and the drain electrode 1135 may be formed of a single layer or multiple layers, and may include molybdenum (Mo), aluminum (Al), chromium (Cr), gold (Au), titanium (Ti), and nickel (Ni). ), neodymium (Nd), and copper (Cu), or an alloy thereof.

보호층(1140)은 상기 소스 전극(1133) 및 드레인 전극(1135) 상에 형성된다. 보호층(1140)은 실리콘 산화막(SiOx), 실리콘 질화막(SiNx) 또는 이들의 다중층으로 형성할 수 있다. 또는 보호층(1140)은 아크릴계(acryl) 수지, 폴리이미드(polyimide) 수지 등으로 형성될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.A protective layer 1140 is formed on the source electrode 1133 and the drain electrode 1135 . The passivation layer 1140 may be formed of a silicon oxide layer (SiOx), a silicon nitride layer (SiNx), or a multilayer thereof. Alternatively, the protective layer 1140 may be formed of an acryl resin, a polyimide resin, or the like, but is not limited thereto.

컬러층(1145)은 상기 보호층(1140) 상에 형성된다. 도면에서는 하나의 화소(P)만을 도시하였으나, 상기 컬러층(1145)은 적색 화소, 청색 화소 및 녹색 화소의 영역에 형성될 수 있다. 상기 컬러층(1145)은 화소 별로 패턴 형성된 적색(R) 컬러필터, 녹색(G) 컬러필터, 및 청색(B) 컬러필터를 포함하여 이루어질 수 있다. 상기 컬러층(1145)은 상기 발광부(1180)에서 방출되는 백색광 중에서 특정 파장의 광만을 투과시킨다.A color layer 1145 is formed on the passivation layer 1140 . Although only one pixel P is illustrated in the drawing, the color layer 1145 may be formed in regions of a red pixel, a blue pixel, and a green pixel. The color layer 1145 may include a red (R) color filter, a green (G) color filter, and a blue (B) color filter patterned for each pixel. The color layer 1145 transmits only light of a specific wavelength among white light emitted from the light emitting unit 1180 .

오버코팅층(1150)은 상기 컬러층(1145) 상에 형성된다. 오버코팅층(1150)은 아크릴계(acryl) 수지 또는 폴리이미드(polyimide) 수지, 산화막(SiOx), 실리콘 질화막(SiNx) 또는 이들의 다중층일 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.An overcoat layer 1150 is formed on the color layer 1145 . The overcoating layer 1150 may be an acrylic resin or polyimide resin, an oxide film (SiOx), a silicon nitride film (SiNx), or a multilayer thereof, but is not limited thereto.

제1 전극(102)은 상기 오버코팅층(1150) 상에 형성된다. 제1 전극(102)은 TCO(Transparent Conductive Oxide)와 같은 투명 도전 물질인 ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide) 등으로 형성될 수 있으나, 반드시 이에 한정되는 것은 아니다. 제1 전극(102)은 상기 보호층(1140)과 오버코팅층(1150)의 소정 영역의 콘택홀(CH)을 통해 상기 드레인 전극(1135)과 전기적으로 연결된다. 도 1에서는 드레인 전극(1135)과 제1 전극(102)이 전기적으로 연결되는 것으로 도시되었으나, 상기 보호층(1140)과 오버코팅층(1150)의 소정 영역의 콘택홀(CH)을 통해 소스 전극(1133)과 제1 전극(102)이 전기적으로 연결되는 것도 가능하다.The first electrode 102 is formed on the overcoat layer 1150 . The first electrode 102 may be formed of indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), etc., which are transparent conductive materials such as transparent conductive oxide (TCO), but is not necessarily limited thereto. The first electrode 102 is electrically connected to the drain electrode 1135 through a contact hole CH in a predetermined region of the passivation layer 1140 and the overcoat layer 1150 . In FIG. 1 , the drain electrode 1135 and the first electrode 102 are shown to be electrically connected, but the source electrode (CH) through a contact hole (CH) in a predetermined region of the protective layer 1140 and the overcoat layer 1150. 1133) and the first electrode 102 may be electrically connected.

도 1의 유기발광 표시장치(1000)는 하부 발광(bottom emission) 방식으로, 발광부(1180)로부터 발광된 광이 제1 전극(102)을 통과하여 하부 방향으로 방출될 수 있다. 그리고, 유기발광 표시장치(1000)가 상부 발광(top emission) 방식인 경우, 발광부(1180)로부터 발광된 광이 제2 전극(104)을 통과하여 상부 방향으로 방출될 수 있다. The organic light emitting diode display 1000 of FIG. 1 uses a bottom emission method, and light emitted from the light emitting unit 1180 may pass through the first electrode 102 and be emitted downward. In addition, when the organic light emitting diode display 1000 is a top emission type, light emitted from the light emitting unit 1180 may pass through the second electrode 104 and be emitted upward.

뱅크층(1170)은 상기 제1 전극(102) 상에 형성되며, 화소 영역을 정의할 수 있다. 즉, 상기 뱅크층(1170)이 복수의 화소들 사이의 경계 영역에 매트릭스 구조로 형성됨으로써, 상기 뱅크층(1170)에 의해서 화소 영역이 정의된다. 뱅크층(1170)은 벤조사이클로부텐(benzocyclobutene; BCB)계 수지, 아크릴계(acryl) 수지 또는 폴리이미드(polyimide) 수지 등의 유기물로 형성될 수 있다. 또는, 뱅크층(1170)은 검정색 안료를 포함하는 감광제로 형성될 수 있으며, 이 경우에는 뱅크층(1170)은 차광부재의 역할을 하게 된다.A bank layer 1170 is formed on the first electrode 102 and may define a pixel area. That is, since the bank layer 1170 is formed in a matrix structure in a boundary region between a plurality of pixels, a pixel region is defined by the bank layer 1170 . The bank layer 1170 may be formed of an organic material such as a benzocyclobutene (BCB)-based resin, an acryl-based resin, or a polyimide resin. Alternatively, the bank layer 1170 may be formed of a photosensitive material including a black pigment. In this case, the bank layer 1170 serves as a light blocking member.

발광부(1180)는 상기 뱅크층(1170) 및 제1 전극(102) 상에 형성된다. The light emitting part 1180 is formed on the bank layer 1170 and the first electrode 102 .

제2 전극(104)은 상기 발광부(1180) 상에 형성된다. 제2 전극(104)은 금(Au), 은(Ag), 알루미늄(Al), 몰리브덴(Mo), 마그네슘(Mg) 등으로 형성되거나, 이들의 합금으로 형성될 수 있으나, 반드시 이에 한정되는 것은 아니다.The second electrode 104 is formed on the light emitting part 1180 . The second electrode 104 may be formed of gold (Au), silver (Ag), aluminum (Al), molybdenum (Mo), magnesium (Mg), etc. or an alloy thereof, but is not necessarily limited thereto. not.

그리고, 봉지부가 상기 제2 전극(104) 상에 구성될 수 있다. 봉지부는 상기 발광부(1180) 내부로 수분이 침투하는 것을 방지하는 역할을 한다. 봉지부는 서로 상이한 무기물이 적층된 복수의 층으로 이루어질 수도 있고, 무기물과 유기물이 교대로 적층된 복수의 층으로 이루어질 수도 있다. 그리고, 봉지 기판이 봉지부 상에 추가로 구성될 수 있다. 봉지 기판은 유리 또는 플라스틱으로 이루어질 수도 있고, 금속으로 이루어질 수도 있다. 봉지 기판은 접착제에 의해서 봉지부에 접착될 수 있다.In addition, an encapsulation unit may be formed on the second electrode 104 . The encapsulation part serves to prevent moisture from penetrating into the light emitting part 1180 . The encapsulation unit may be formed of a plurality of layers in which different inorganic materials are stacked, or a plurality of layers in which inorganic materials and organic materials are alternately stacked. In addition, an encapsulation substrate may be additionally configured on the encapsulation unit. The encapsulation substrate may be made of glass or plastic, or may be made of metal. The encapsulation substrate may be adhered to the encapsulation unit by an adhesive.

도 2는 본 발명의 실시예에 따른 유기발광소자를 나타내는 도면이다. 2 is a view showing an organic light emitting device according to an embodiment of the present invention.

도 2에 도시된 유기발광소자는 기판(101), 제1 전극(102) 및 제2 전극(104), 제1 전극(102) 및 제2 전극(104) 사이에 제1 발광부(110), 제2 발광부(120) 및 제3 발광부(130)를 포함하는 발광부(1180)를 포함한다.The organic light emitting diode shown in FIG. 2 includes a substrate 101 , a first light emitting unit 110 between the first electrode 102 and the second electrode 104 , and the first electrode 102 and the second electrode 104 . , and a light emitting unit 1180 including a second light emitting unit 120 and a third light emitting unit 130 .

기판(101)은 절연 물질, 또는 유연성(flexibility)을 가지는 재료로 구성될 수 있다. 유리, 금속, 또는 플라스틱 등으로 이루어질 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 유기발광 표시장치가 플렉서블(flexible) 유기발광 표시장치인 경우에는 플라스틱 등과 같은 유연한 재질로 이루어질 수도 있다. 또한, 플렉서블(flexible) 구현에 용이한 유기발광소자를 차량용 조명장치에 적용할 경우, 차량의 구조나 외관의 형상에 맞춰 차량용 조명장치의 다양한 설계 및 디자인의 자유도가 확보될 수 있다.The substrate 101 may be made of an insulating material or a material having flexibility. It may be made of glass, metal, or plastic, but is not limited thereto. When the organic light emitting display device is a flexible organic light emitting display device, it may be made of a flexible material such as plastic. In addition, when an organic light emitting device that is easy to implement flexible is applied to a vehicle lighting device, various designs and degrees of freedom in design of the vehicle lighting device can be secured according to the structure or exterior shape of the vehicle.

제1 전극(102)은 정공(hole)을 공급하는 양극으로 TCO(Transparent Conductive Oxide)와 같은 투명 도전 물질인 ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide) 등으로 형성될 수 있으나, 반드시 이에 한정되는 것은 아니다.The first electrode 102 is an anode for supplying holes, and may be formed of indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), etc., which are transparent conductive materials such as transparent conductive oxide (TCO), but it must be It is not limited.

제2 전극(104)은 전자(electron)를 공급하는 음극으로 금속성 물질인 금(Au), 은(Ag), 알루미늄(Al), 몰리브덴(Mo), 마그네슘(Mg) 등으로 형성되거나, 이들의 합금으로 형성될 수 있으나, 반드시 이에 한정되는 것은 아니다.The second electrode 104 is a cathode for supplying electrons, and is formed of a metallic material such as gold (Au), silver (Ag), aluminum (Al), molybdenum (Mo), magnesium (Mg), or the like. It may be formed of an alloy, but is not necessarily limited thereto.

제1 전극(102)과 제2 전극(104)은 각각 애노드(anode) 또는 캐소드(cathode)로 지칭될 수 있다. 또는, 제1 전극(102)은 반투과 전극 또는 투명전극이고, 제2 전극(104)은 반사 전극으로 구성될 수 있다. 또는, 제1 전극(102)은 반사 전극이고, 제2 전극(104)은 반투과 전극 또는 투명 전극으로 구성될 수 있다. The first electrode 102 and the second electrode 104 may be referred to as an anode or a cathode, respectively. Alternatively, the first electrode 102 may be a transflective electrode or a transparent electrode, and the second electrode 104 may be a reflective electrode. Alternatively, the first electrode 102 may be a reflective electrode, and the second electrode 104 may be configured as a transflective electrode or a transparent electrode.

제1 발광부(110)는 제1 전극(102) 위에 제1 정공수송층(HTL; Hole Transport Layer)(112), 제1 발광층(EML; Emitting Layer)(114) 및 제1 전자수송층(ETL; Electron Transport Layer)(116)을 포함하여 이루어질 수 있다. The first light emitting unit 110 includes a first hole transport layer (HTL) 112, a first emitting layer (EML) 114 and a first electron transport layer (ETL) on the first electrode 102 ; Electron Transport Layer) 116 may be included.

상기 제1 전극(102) 위에 정공주입층(HIL)이 추가로 구성될 수 있으며, 정공주입층(HIL)은 제1 전극(102)으로부터의 정공(hole)을 제1 발광층(EML)(114)으로 원활하게 주입하는 역할을 한다. A hole injection layer (HIL) may be additionally configured on the first electrode 102 , and the hole injection layer (HIL) may form a hole from the first electrode 102 into a first light emitting layer (EML) 114 . ) plays a role in smooth injection.

제1 정공수송층(HTL)(112)은 정공주입층(HIL)으로부터의 정공을 제1 발광층(EML)(114)에 공급한다. 제1 전자수송층(ETL)(116)은 제2 전극(104)으로부터의 전자를 제1 발광층(EML)(114)에 공급한다. 따라서, 제1 발광층(EML)(114)에서는 제1 정공수송층(HTL)(112)을 통해 공급된 정공(hole)과 제1 전자수송층(ETL)(116)을 통해 공급된 전자(electron)들이 재결합되므로 여기자(exciton)가 생성된다. 여기자가 생성되는 영역은 재결합 영역(recombination zone, recombinazion area) 또는 발광 영역(emission zone, emission area)이라고 할 수 있다.The first hole transport layer (HTL) 112 supplies holes from the hole injection layer (HIL) to the first light emitting layer (EML) 114 . The first electron transport layer (ETL) 116 supplies electrons from the second electrode 104 to the first emission layer (EML) 114 . Accordingly, in the first light emitting layer (EML) 114 , holes supplied through the first hole transport layer (HTL) 112 and electrons supplied through the first electron transport layer (ETL) 116 are separated from each other. As they recombine, an exciton is created. The region in which excitons are generated may be referred to as a recombination zone (recombinazion area) or an emission zone (emission area).

제1 전자수송층(ETL)(116)은 2개 이상의 층이나 2개 이상의 재료를 적용하여 구성할 수 있다. 그리고, 제1 전자수송층(ETL)(116) 위에는 전자주입층(EIL)이 더 구성될 수도 있다. The first electron transport layer (ETL) 116 may be formed by applying two or more layers or two or more materials. In addition, an electron injection layer (EIL) may be further formed on the first electron transport layer (ETL) 116 .

제1 발광층(EML)(114) 위에 정공저지층(HBL)을 추가로 구성할 수 있다. 정공저지층(HBL)은 제1 발광층(EML)(114)에 주입된 정공이 제1 전자수송층(ETL)(116)으로 넘어오는 것을 방지함으로써 제1 발광층(EML)(114)에서 전자와 정공의 결합을 향상시켜 제1 발광층(EML)(114)의 발광 효율을 향상시킬 수 있다. 제1 전자수송층(ETL)(116)과 정공저지층(HBL)은 하나의 층으로도 구성될 수도 있다. 그리고, 제1 전자수송층(ETL)(116), 정공저지층(HBL), 및 전자주입층(EIL) 등은 전자전달층이라고 할 수 있다. 즉, 전자전달층은 전자를 주입하거나 전달하는 층이라고 할 수 있다. A hole blocking layer (HBL) may be additionally formed on the first light emitting layer (EML) 114 . The hole blocking layer (HBL) prevents the holes injected into the first light emitting layer (EML) 114 from passing over to the first electron transport layer (ETL) 116 , thereby forming electrons and holes in the first light emitting layer (EML) 114 . By improving the coupling of the first light emitting layer (EML) 114 may improve the luminous efficiency. The first electron transport layer (ETL) 116 and the hole blocking layer (HBL) may be configured as a single layer. In addition, the first electron transport layer (ETL) 116 , the hole blocking layer (HBL), and the electron injection layer (EIL) may be referred to as an electron transport layer. That is, the electron transport layer can be said to be a layer that injects or transports electrons.

제1 발광층(EML)(114) 아래에 전자저지층(EBL)을 추가로 구성할 수 있다. 상기 전자저지층(EBL)은 제1 발광층(EML)(114)에 주입된 전자가 제1 정공수송층(HTL)(112)으로 넘어오는 것을 방지함으로써 제1 발광층(EML)(114)에서 전자와 정공의 결합을 향상시켜 제1 발광층(EML)(114)의 발광 효율을 향상시킬 수 있다. 제1 정공수송층(HTL)(112)과 전자저지층(EBL)은 하나의 층으로도 구성될 수도 있다. 그리고, 제1 정공수송층(HTL)(112), 전자저지층(EBL), 및 정공주입층(HIL) 등은 정공전달층이라고 할 수 있다. 즉, 정공전달층은 정공을 주입하거나 전달하는 층이라고 할 수 있다. An electron blocking layer (EBL) may be additionally configured under the first light emitting layer (EML) 114 . The electron blocking layer (EBL) prevents electrons injected into the first light emitting layer (EML) 114 from passing over to the first hole transport layer (HTL) 112 , thereby preventing the electrons from passing through the first light emitting layer (EML) 114 . The luminous efficiency of the first light emitting layer (EML) 114 may be improved by improving hole coupling. The first hole transport layer (HTL) 112 and the electron blocking layer (EBL) may be configured as a single layer. In addition, the first hole transport layer (HTL) 112 , the electron blocking layer (EBL), and the hole injection layer (HIL) may be referred to as a hole transport layer. That is, the hole transport layer may be referred to as a layer for injecting or transporting holes.

제1 발광층(EML)(114)은 제1 색을 발광하는 발광층일 수 있다. 즉, 제1 발광층(EML)(214)은 청색(Blue) 발광층, 진청색(Deep Blue) 발광층, 또는 스카이 블루(Sky Blue) 발광층 중 하나를 포함할 수 있다. 제1 발광층(EML)(114)의 발광 영역은 440㎚ 내지 480㎚의 범위일 수 있다.The first emission layer (EML) 114 may be an emission layer that emits a first color. That is, the first emission layer (EML) 214 may include one of a blue emission layer, a deep blue emission layer, or a sky blue emission layer. The emission area of the first emission layer (EML) 114 may be in a range of 440 nm to 480 nm.

제1 발광층(EML)(114)은 다른 색을 발광할 수 있는 보조 발광층을 포함한 청색(Blue) 발광층으로 구성된다. 상기 보조 발광층은 황색-녹색(Yellow-Green) 발광층 또는 적색(Red) 발광층 중 하나로 구성되거나 이들의 조합으로 구성될 수 있다. 보조 발광층을 더 구성할 경우 녹색(Green)이나 적색(Red)의 효율이 더 향상될 수 있다. 보조 발광층을 포함하여 제1 발광층(EML)(114)을 구성하는 경우, 황색-녹색(Yellow-Green) 발광층 또는 적색(Red) 발광층 또는 녹색(Green) 발광층이 제1 발광층(EML)(114)의 위 또는 아래에 구성하는 것도 가능하다. 또한, 보조 발광층으로 황색-녹색(Yellow-Green) 발광층 또는 적색(Red) 발광층 또는 녹색(Green) 발광층이 제1 발광층(EML)(114)의 위 및 아래에 동일하게 구성하거나 다르게 구성할 수 있다. 발광층의 위치나 수 등은 소자의 구성 및 특성에 따라 선택적으로 배치하는 것이 가능하며, 반드시 이에 한정되는 것은 아니다. The first light emitting layer (EML) 114 includes a blue light emitting layer including an auxiliary light emitting layer capable of emitting light of another color. The auxiliary light emitting layer may be composed of one of a yellow-green light emitting layer, a red light emitting layer, or a combination thereof. When the auxiliary light emitting layer is further formed, the efficiency of green or red may be further improved. When the first light emitting layer (EML) 114 is configured by including the auxiliary light emitting layer, the yellow-green light emitting layer or the red light emitting layer or the green light emitting layer is the first light emitting layer (EML) 114 . It is also possible to configure above or below the . In addition, as the auxiliary light-emitting layer, a yellow-green light-emitting layer or a red light-emitting layer or a green light-emitting layer may be configured identically or differently above and below the first light-emitting layer (EML) 114 . . The position or number of the light emitting layers may be selectively disposed according to the configuration and characteristics of the device, but is not necessarily limited thereto.

제1 발광층(EML)(114)에 상기 보조 발광층을 구성할 경우, 제1 발광층(EML)(114)의 발광 영역은 440㎚ 내지 650㎚ 범위일 수 있다.When the auxiliary emission layer is formed on the first emission layer (EML) 114 , the emission area of the first emission layer (EML) 114 may be in a range of 440 nm to 650 nm.

상기 제1 발광부(110)를 구성하는 제1 정공수송층(HTL)(112), 제1 발광층(EML)(114), 제1 전자수송층(ETL)(116), 전자주입층(EIL), 정공주입층(HIL), 정공저지층(HBL), 전자저지층(EBL) 등은 유기층들이라고 할 수 있다.A first hole transport layer (HTL) 112 , a first light emitting layer (EML) 114 , a first electron transport layer (ETL) 116 , an electron injection layer (EIL) constituting the first light emitting part 110 , The hole injection layer (HIL), the hole blocking layer (HBL), and the electron blocking layer (EBL) may be referred to as organic layers.

상기 제1 발광층(EML)(114)을 하나의 호스트와 하나의 도펀트로 구성할 경우, 하나의 호스트는 정공타입 호스트 또는 전자타입 호스트로 구성된다. 정공타입 호스트 또는 전자타입 호스트로 구성할 때에 전자이동도나 정공이동도의 차이에 의해서 정공과 전자의 결합 영역인 재결합 영역(recombination zone, recombination area)이 제1 발광층(EML)(114) 내에 생성되지 못하고 제1 발광층(EML)(114)과 제1 정공수송층(HTL)(112)의 계면 또는 제1 발광층(EML)(114)과 제1 전자수송층(HTL)(116)의 계면에 생성된다. 또는, 정공타입 호스트가 제1 정공수송층(HTL)(112)에 인접하게 구성되고, 전자타입 호스트가 제1 전자수송층(ETL)(116)에 인접하게 구성될 경우, 정공타입 호스트의 정공이 빠르게 이동하여 제1 발광층(EML)(114)에서의 정공과 전자의 균형을 맞추기 어려워 효율이 저하하게 된다. 따라서, 본 발명에서는 정공과 전자의 결합 영역인 재결합 영역(recombination zone, recombination area)이 제1 발광층(EML)(114) 내에 있도록 제1 발광층(EML)(114)은 적어도 하나의 도펀트와 적어도 두 개 이상의 호스트들로 구성되고, 적어도 두 개 이상의 호스트들은 전자이동도 및 정공이동도가 서로 다르도록 구성된 것이다. 적어도 두 개 이상의 호스트 중 하나는 혼합 호스트(mixed host)이며, 혼합 호스트는 정공 수송 특성을 가진 정공타입 호스트(hole-type host)와 전자 수송 특성을 가진 전자타입 호스트(electron-type host)를 포함할 수 있다. 그리고, 적어도 두 개 이상의 호스트 중 다른 하나는 전자 수송 특성을 가진 전자타입 호스트(electron-type host)의 단일 호스트(single host)로 구성될 수 있다. 따라서, 제1 발광층(EML)(114)에 포함된 호스트는 제1 호스트(114a)는 제1 정공타입 호스트 및 제1 전자타입 호스트로 구성되고, 제2 호스트(114b)는 제2 전자타입 호스트로 구성될 수 있다. When the first light emitting layer (EML) 114 is formed of one host and one dopant, one host is formed of a hole type host or an electron type host. When a hole-type host or an electron-type host is configured, a recombination zone (recombination area), which is a bonding region of holes and electrons, is not generated in the first light emitting layer (EML) 114 due to differences in electron mobility or hole mobility. It is generated at the interface between the first light emitting layer (EML) 114 and the first hole transport layer (HTL) 112 or the interface between the first light emitting layer (EML) 114 and the first electron transport layer (HTL) 116 . Alternatively, when the hole-type host is configured adjacent to the first hole transport layer (HTL) 112 and the electron-type host is configured adjacent to the first electron transport layer (ETL) 116 , the holes of the hole-type host rapidly move It is difficult to balance the holes and electrons in the first light emitting layer (EML) 114 by movement, and thus efficiency is lowered. Accordingly, in the present invention, the first light emitting layer (EML) 114 includes at least one dopant and at least two dopants so that a recombination zone (recombination area), which is a bonding region for holes and electrons, is in the first light emitting layer (EML) 114 . It is composed of two or more hosts, and at least two or more hosts are configured such that electron mobility and hole mobility are different from each other. At least one of the two or more hosts is a mixed host, and the mixed host includes a hole-type host having a hole transport property and an electron-type host having an electron transport property. can do. In addition, the other one of the at least two hosts may be configured as a single host of an electron-type host having an electron transport characteristic. Accordingly, the host included in the first emission layer (EML) 114 includes the first host 114a including the first hole type host and the first electron type host, and the second host 114b as the second electron type host. can be composed of

제1 호스트(114a)의 제1 정공타입 호스트의 전자이동도와 정공이동도는 제1 전자타입 호스트의 전자이동도와 정공이동도보다 크도록 구성된다. 그리고, 제1 호스트(114a)의 제1 정공타입 호스트의 전자이동도는 제1 호스트(114a)의 제1 정공타입 호스트의 정공이동도보다 크도록 구성될 수 있다. 그리고, 제1 호스트(114a)의 제1 전자타입 호스트와 제2 호스트(114b)의 제2 전자타입 호스트의 전자이동도는 제1 호스트(114a)의 제1 전자타입 호스트와 제2 호스트(114b)의 제2 전자타입 호스트의 정공이동도보다 크도록 구성될 수 있다. 즉, 제1 호스트(114a)의 전자이동도와 정공이동도는 제2 호스트(114b)의 전자이동도와 정공이동도보다 크므로, 제1 정공수송층(HTL)(112)에서 제1 발광층(EML)(114)으로의 정공의 이동이나 주입이 향상될 수 있다. 그리고, 제2 호스트(114b)의 전자이동도는 제1 호스트(114a)의 전자이동도보다 작으므로 제1 전자수송층(ETL)(116)에서 제1 발광층(EML)(114)으로의 전자의 이동이나 주입을 느리게 하여 제1 발광층(EML)(114) 내에 전자가 있도록 할 수 있다. 따라서, 제1 발광층(EML)(114)의 발광영역이 제1 정공수송층(HTL)(112)과 제1 발광층(EML)(114) 사이의 계면에 생성되는 문제가 해결될 수 있다. The electron mobility and hole mobility of the first hole type host of the first host 114a are configured to be greater than the electron mobility and hole mobility of the first electron type host. Also, the electron mobility of the first hole type host of the first host 114a may be greater than the hole mobility of the first hole type host of the first host 114a. In addition, the electron mobility of the first electron type host of the first host 114a and the second electron type host of the second host 114b is the first electron type host of the first host 114a and the second host 114b of the first host 114a ) may be configured to be greater than the hole mobility of the second electron type host. That is, since the electron mobility and hole mobility of the first host 114a are greater than the electron mobility and hole mobility of the second host 114b, in the first hole transport layer (HTL) 112 , the first light emitting layer (EML) The transport or injection of holes into 114 can be improved. And, since the electron mobility of the second host 114b is smaller than that of the first host 114a, the electron mobility from the first electron transport layer (ETL) 116 to the first light emitting layer (EML) 114 is lower than that of the first host 114a. By slowing the movement or injection, electrons may be present in the first light emitting layer (EML) 114 . Accordingly, the problem that the emission region of the first emission layer (EML) 114 is generated at the interface between the first hole transport layer (HTL) 112 and the first emission layer (EML) 114 can be solved.

따라서, 제1 호스트(114a)와 제2 호스트(114b)의 전자이동도와 정공이동도를 서로 다르게 구성함으로써, 제1 발광층(EML)(114)에서 정공과 전자의 균형을 맞출 수 있으므로, 구동전압을 낮추고 수명을 향상시킬 수 있다. Therefore, by configuring the electron mobility and hole mobility of the first host 114a and the second host 114b differently from each other, the balance between holes and electrons in the first light emitting layer (EML) 114 can be balanced, so that the driving voltage can be reduced and lifespan can be improved.

제1 호스트(114a)의 제1 전자타입 호스트의 정공이동도는 1X10-8cm2/Vs 내지 1X10-9cm2/Vs 범위일 수 있다. 제1 호스트(114a)의 제1 전자타입 호스트의 전자이동도는 1X10-3cm2/Vs 내지 1X10-4cm2/Vs 범위일 수 있다. 그리고, 제1 호스트(114a)의 제1 정공타입 호스트의 정공이동도는 1X10-7cm2/Vs 내지 1X10-8cm2/Vs 범위일 수 있다. 제1 호스트(114a)의 제1 정공타입 호스트의 전자이동도는 1X10-2cm2/Vs 내지 1X10-3cm2/Vs 범위일 수 있다. The hole mobility of the first electron type host of the first host 114a may be in the range of 1X10 -8 cm 2 /Vs to 1X10 -9 cm 2 /Vs. The electron mobility of the first electron type host of the first host 114a may be in the range of 1X10 -3 cm 2 /Vs to 1X10 -4 cm 2 /Vs. In addition, the hole mobility of the first hole type host of the first host 114a may be in the range of 1X10 -7 cm 2 /Vs to 1X10 -8 cm 2 /Vs. The electron mobility of the first hole type host of the first host 114a may be in the range of 1X10 -2 cm 2 /Vs to 1X10 -3 cm 2 /Vs.

그리고, 제2 호스트(114b)의 제2 전자타입 호스트의 정공이동도는 1X10-8cm2/Vs 내지 1X10-9cm2/Vs 범위일 수 있다. 제2 호스트(114b)의 제2 전자타입 호스트의 전자이동도는 1X10-3cm2/Vs 내지 1X10-4cm2/Vs 범위일 수 있다.In addition, the hole mobility of the second electron type host of the second host 114b may be in the range of 1X10 -8 cm 2 /Vs to 1X10 -9 cm 2 /Vs. The electron mobility of the second electron type host of the second host 114b may be in the range of 1X10 -3 cm 2 /Vs to 1X10 -4 cm 2 /Vs.

제1 호스트(114a)의 제1 전자타입 호스트와 제2 호스트(114b)의 제2 전자타입 호스트는 동일한 범위의 정공이동도 및 전자이동도를 갖는 물질로 구성할 수도 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. The first electron type host of the first host 114a and the second electron type host of the second host 114b may be formed of a material having the same range of hole mobility and electron mobility, but is not limited thereto. .

그리고, 제1 호스트(114a)는 정공전달층인 제1 정공수송층(HTL)(112)에 인접하여 구성되고, 제2 호스트(114b)는 전자전달층인 제1 전자수송층(ETL)(116)에 인접하여 구성된다. 제1 호스트(114a)를 제1 정공수송층(HTL)(112)보다 제1 전자수송층(ETL)(116)에 인접하게 구성할 경우, 제1 호스트(114a)의 전자이동도와 정공이동도가 빠르므로, 제1 전자수송층(ETL)(116)에서의 전자가 제1 발광층(EML)(114)에 있지 않고 제1 정공수송층(HTL)(112)과 제1 발광층(EML)(114) 사이의 계면에 전자가 축적된다. 따라서, 제1 호스트(114a)를 제1 전자수송층(ETL)(116)보다 제1 정공수송층(HTL)(112)에 인접하게 구성함으로써, 제1 발광층(EML)(114)에서의 정공과 전자의 균형을 맞출 수 있으므로, 구동전압이 낮아지고 수명이 향상될 수 있다. 그리고, 제2 호스트(114b)를 제1 정공수송층(HTL)(112)보다 제1 전자수송층(ETL)(116)에 인접하게 구성함으로써, 전자 주입이나 이동을 조절하여 제1 발광층(EML)(114)에서의 정공과 전자의 균형을 맞출 수 있으므로, 구동전압이 낮아지고 수명이 향상될 수 있다.In addition, the first host 114a is configured adjacent to a first hole transport layer (HTL) 112 serving as a hole transport layer, and the second host 114b is a first electron transport layer (ETL) 116 serving as an electron transport layer. formed adjacent to When the first host 114a is configured to be adjacent to the first electron transport layer (ETL) 116 rather than the first hole transport layer (HTL) 112 , the electron mobility and hole mobility of the first host 114a are faster. Therefore, electrons in the first electron transport layer (ETL) 116 are not in the first emission layer (EML) 114 , but between the first hole transport layer (HTL) 112 and the first emission layer (EML) 114 . Electrons accumulate at the interface. Accordingly, by configuring the first host 114a to be adjacent to the first hole transport layer (HTL) 112 rather than to the first electron transport layer (ETL) 116 , holes and electrons in the first light emitting layer (EML) 114 are formed. can be balanced, so that the driving voltage can be lowered and the lifespan can be improved. In addition, by configuring the second host 114b to be adjacent to the first electron transport layer (ETL) 116 rather than the first hole transport layer (HTL) 112, electron injection or movement is controlled to control the electron injection or movement to the first light emitting layer (EML) ( 114), since the balance between the holes and electrons can be achieved, the driving voltage can be lowered and the lifespan can be improved.

그리고, 제1 발광층(EML)(114)은 두 개의 영역을 가질 수 있다. 구체적으로, 제1 발광층(EML)(114)은 동일한 두께를 가진 두 개의 영역을 가질 수 있다. 제1 발광층(EML)(114)의 두께는 10nm 내지 40nm일 수 있으며, 예를 들어 제1 발광층(EML)(114)의 두께가 10nm일 경우 두 개의 영역은 각각 5nm의 두께를 가질 수 있다. 제1 발광층(EML)(114)의 두 개의 영역 중 제1 영역은 혼합 호스트인 제1 호스트(114a)로 구성되고 제2 영역은 단일 호스트인 제2 호스트(114b)로 구성될 수 있다. 그리고, 제1 영역에 포함된 혼합 호스트인 제1 호스트(114a)는 제1 전자타입 호스트와 제1 정공타입 호스트로 구성되고, 제2 영역에 포함된 단일 호스트인 제2 호스트(114b)는 제2 전자타입 호스트로 구성될 수 있다. 또한, 제1 영역은 정공전달층에 인접하도록 구성되고, 제2 영역은 전자전달층에 인접하도록 구성될 수 있다.In addition, the first emission layer (EML) 114 may have two regions. Specifically, the first emission layer (EML) 114 may have two regions having the same thickness. The thickness of the first emission layer (EML) 114 may be 10 nm to 40 nm. For example, when the thickness of the first emission layer (EML) 114 is 10 nm, the two regions may each have a thickness of 5 nm. Among the two regions of the first emission layer (EML) 114 , a first region may be configured as a first host 114a as a mixed host, and a second region may be configured as a second host 114b as a single host. The first host 114a, which is a mixed host included in the first region, includes a first electron-type host and a first hole-type host, and the second host 114b, which is a single host included in the second region, is a second host. It can consist of two electron-type hosts. In addition, the first region may be configured to be adjacent to the hole transport layer, and the second region may be configured to be adjacent to the electron transport layer.

제1 호스트(114a)는 혼합 호스트로 구성되고 제1 정공수송층(HTL)(112)인 정공전달층에 인접하도록 구성되고, 제2 호스트(114b)는 단일 호스트로 구성하고 제1 전자수송층(ETL)(116)에 인접하도록 구성됨으로써, 제1 발광층(EML)(114)에서의 정공과 전자의 균형을 맞출 수 있다. 그리고, 제1 호스트(114a)에 포함된 혼합 호스트인 제1 정공타입 호스트와 제1 전자타입 호스트의 비율을 조절함으로써 제1 발광층(EML)(114) 내의 정공과 전자의 균형을 조절하여 유기발광소자의 구동전압이 낮아지고, 효율이 더 향상될 수 있다. 따라서, 제1 호스트(114a)에 포함된 제1 정공타입 호스트와 제1 전자타입 호스트의 비율은 동일한 비율로 할 수 있다. 즉, 제1 호스트(114a)에서 제1 정공타입 호스트와 제1 전자타입 호스트의 비율은 부피비로 5:5일 수 있다. 여기서 부피비는 어떤 층에서 어떤 물질이 차지하는 부분의 부피를 말하며, 부피비는 차지하는 부피의 합에 기초한다. The first host 114a is configured as a mixed host and is configured to be adjacent to a hole transport layer that is a first hole transport layer (HTL) 112 , and the second host 114b is configured as a single host and a first electron transport layer (ETL) ) 116 , it is possible to balance holes and electrons in the first light emitting layer (EML) 114 . In addition, organic light emitting by controlling the balance of holes and electrons in the first light emitting layer (EML) 114 by adjusting the ratio of the first hole type host and the first electron type host, which are mixed hosts included in the first host 114a . The driving voltage of the device may be lowered, and efficiency may be further improved. Accordingly, the ratio of the first hole type host and the first electron type host included in the first host 114a may be the same. That is, the ratio of the first hole type host to the first electron type host in the first host 114a may be 5:5 by volume. Here, the volume ratio refers to the volume of the portion occupied by a certain material in a layer, and the volume ratio is based on the sum of the occupied volumes.

제1 정공타입 호스트가 제1 전자타입 호스트보다 더 많은 비율로 혼합된 경우, 제1 정공타입 호스트의 전자이동도 및 정공이동도가 제1 전자타입 호스트의 전자이동도 및 정공이동도보다 빠르므로, 제1 정공수송층(HTL)(112)으로부터 정공이 제1 발광층(EML)(114)으로 더 많이 주입된다. 제1 발광층(EML)(114)으로 더 많이 주입된 정공은 제1 발광층(EML)(114)에 있지 않고 제1 발광층(EML)(114)과 제1 전자수송층(ETL)(116)의 계면에 축적된다. 따라서, 제1 발광층(EML)(114)의 정공과 전자의 균형이 깨어지므로 제1 발광층(EML)(114)의 발광 효율이 감소하게 된다. When the first hole type host is mixed in a higher ratio than the first electron type host, the electron mobility and hole mobility of the first hole type host are faster than the electron mobility and hole mobility of the first electron type host. , more holes are injected from the first hole transport layer (HTL) 112 into the first light emitting layer (EML) 114 . The more holes injected into the first light emitting layer (EML) 114 are not in the first light emitting layer (EML) 114 , but the interface between the first light emitting layer (EML) 114 and the first electron transport layer (ETL) 116 . is accumulated in Accordingly, the balance of holes and electrons of the first light emitting layer (EML) 114 is broken, so that the luminous efficiency of the first light emitting layer (EML) 114 is reduced.

그리고, 제1 전자타입 호스트가 제1 정공타입 호스트보다 더 많은 비율로 혼합된 경우, 제1 정공수송층(HTL)(112)으로부터 정공이 제1 전자타입 호스트와 제1 정공타입 호스트가 동일한 비율인 경우에 비하여 제1 발광층(EML)(114)으로 작게 주입된다. 이는 제1 정공타입 호스트의 양이 감소함으로 인해 정공의 이동경로가 더 감소하므로, 제1 발광층(EML)(114)의 정공과 전자의 균형이 이루어지지 않게 된다. 따라서, 제1 발광층(EML)(114)의 발광 영역은 제1 정공수송층(HTL)(112)으로 이동하게 된다. 이로 인해 구동전압이 증가하고 수명이 감소하는 문제가 발생된다. And, when the first electron-type host is mixed in a higher ratio than the first hole-type host, holes from the first hole transport layer (HTL) 112 are the first electron-type host and the first hole-type host in the same ratio It is injected into the first light emitting layer (EML) 114 smaller than the case. As the amount of the first hole type host decreases, the movement path of holes is further reduced, so that the balance between holes and electrons in the first light emitting layer (EML) 114 is not achieved. Accordingly, the emission region of the first emission layer (EML) 114 moves to the first hole transport layer (HTL) 112 . As a result, there is a problem in that the driving voltage increases and the lifespan decreases.

따라서, 제1 정공타입 호스트와 제1 전자타입 호스트의 비율이 달라지게 되면 제1 발광층(EML)(114)으로 전자와 정공의 이동이나 전달이 달라지게 되어 제1 발광층(EML)(114)의 발광 영역이 이동하므로 원하는 색좌표를 구현하기 어렵게 된다. 그리고, 전자와 정공의 균형이 이루어지지 않아서 수명이 감소하게 된다. 또한, 제1 전자타입 호스트가 제1 정공타입 호스트가 동일한 비율이 아닐 경우, 상대적으로 작게 포함된 호스트가 제1 발광층(EML)(114) 내부에 있지 못하고 제1 발광층(EML)(114) 내에서 띄엄띄엄하게 존재하게 되어 제1 호스트(114a)의 혼합 호스트로서의 기능을 상실하게 된다. Therefore, when the ratio of the first hole type host to the first electron type host is changed, the movement or transfer of electrons and holes to the first light emitting layer (EML) 114 is different, so that the first light emitting layer (EML) 114 is different. Since the light emitting region moves, it is difficult to implement a desired color coordinate. And, the balance of electrons and holes is not achieved, so that the lifespan is reduced. In addition, when the ratio of the first electron-type host to the first hole-type host is not the same, the relatively small host included in the first light-emitting layer (EML) 114 does not exist in the first light-emitting layer (EML) 114 . is sparsely present in the , and the function as a mixed host of the first host 114a is lost.

그리고, 제1 발광층(EML)(114)에서의 에너지 장벽(energy barrier)에 의해 정공과 전자의 이동이나 주입이 방해받지 않도록 제1 호스트(114a)의 LUMO (Lowest Unoccupied Molecular Orbitals) 에너지 레벨의 절대값과 HOMO (Highest Occupied Molecular Orbitals) 에너지 레벨의 절대값은 제2 호스트(114b)의 LUMO 에너지 레벨의 절대값과 HOMO 에너지 레벨의 절대값과 동일하도록 구성된다. 즉, 제1 호스트(114a) 및 제2 호스트(114b)의 LUMO 에너지 레벨의 절대값은 3.0eV 내지 6.0eV일 수 있다. 그리고, 제1 호스트(114a) 및 제2 호스트(114b)의 HOMO 에너지 레벨의 절대값은 1.0eV 내지 3.0eV일 수 있다. 제1 호스트(114a)와 제2 호스트(114b)의 LUMO 에너지 레벨의 절대값과 HOMO 에너지 레벨의 절대값이 동일할 경우, 제1 정공수송층(HTL)(112)으로부터 정공이 이동되는 과정에서 제1 정공수송층(HTL)(112)과 제1 발광층(EML)(114) 사이의 계면에 정공이 축적되는 것이 최소화될 수 있다. 그리고, 제1 전자수송층(ETL)(116)으로부터 전자가 이동되는 과정에서 제1 전자수송층(ETL)(116)과 제1 발광층(EML)(114) 사이의 계면에 전자가 축적되는 것이 최소화될 수 있다. 이에 따라 축적된 정공이나 전자에 의한 제1 정공수송층(HTL)(112) 또는 제1 전자수송층(ETL)(116)과 인접하여 배치된 제1 발광층(EML)(114) 사이의 계면이 열화되는 문제가 감소되므로, 유기발광 표시장치(1000)의 효율이 향상될 수 있고 구동전압이 감소될 수 있다. In addition, the absolute lowest unoccupied molecular orbitals (LUMO) energy level of the first host 114a is not blocked by an energy barrier in the first light emitting layer (EML) 114 to prevent movement or injection of holes and electrons. The value and the absolute value of the Highest Occupied Molecular Orbitals (HOMO) energy level are configured to be equal to the absolute value of the LUMO energy level of the second host 114b and the absolute value of the HOMO energy level. That is, absolute values of the LUMO energy levels of the first host 114a and the second host 114b may be 3.0 eV to 6.0 eV. In addition, absolute values of the HOMO energy levels of the first host 114a and the second host 114b may be 1.0 eV to 3.0 eV. When the absolute value of the LUMO energy level of the first host 114a and the absolute value of the HOMO energy level of the first host 114a and the second host 114b is the same, in the process of moving holes from the first hole transport layer (HTL) 112 , The accumulation of holes at the interface between the first hole transport layer (HTL) 112 and the first emission layer (EML) 114 may be minimized. In addition, accumulation of electrons at the interface between the first electron transport layer (ETL) 116 and the first light emitting layer (EML) 114 in the process of electron movement from the first electron transport layer (ETL) 116 is minimized. can Accordingly, the interface between the first hole transport layer (HTL) 112 or the first electron transport layer (ETL) 116 and the first light emitting layer (EML) 114 disposed adjacent to the accumulated holes or electrons is deteriorated. Since the problem is reduced, the efficiency of the organic light emitting diode display 1000 may be improved and the driving voltage may be reduced.

제1 정공타입 호스트는 예를 들면, 파이렌(pyrene) 계열 또는 디스티릴아릴렌(distyrylarylene) 계열 중 하나일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 그리고, 제1 전자타입 호스트와 제2 전자타입 호스트는 예를 들면, 안트라센(anthracene) 계열일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 그리고, 제1 발광층(EML)(114)에 포함되는 도펀트는 페릴렌(perylene) 계열 또는 DPAVBi(4,4'-bis[4-(di-p-tolylamini)styryl]biphenyl)일 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.The first hole type host may be, for example, one of a pyrene series and a distyrylarylene series, but is not limited thereto. In addition, the first electron type host and the second electron type host may be, for example, an anthracene series, but are not limited thereto. In addition, the dopant included in the first light emitting layer (EML) 114 may be perylene-based or DPAVBi(4,4'-bis[4-(di-p-tolylamini)styryl]biphenyl), but is limited thereto. it's not going to be

제1 발광층(EML)(114)의 제1 호스트(114a)와 제2 호스트(114b)를 형성하는 방법에 대해서 도 3을 참조하여 설명하면 아래와 같다. A method of forming the first host 114a and the second host 114b of the first emission layer (EML) 114 will be described with reference to FIG. 3 as follows.

도 3은 본 발명의 실시예에 따른 발광층을 형성하는 방법을 나타내는 도면이다.3 is a view showing a method of forming a light emitting layer according to an embodiment of the present invention.

제1 발광층(EML)(114)의 제1 호스트(114a)와 제2 호스트(114b)는 두 개의 챔버에서 형성한다. 제1 발광층(EML)(114)의 제1 호스트(114a)는 공증착법(co-deposition method)을 통해 형성 가능하다. 구체적으로 설명하면, 제1 물질이 구비된 제1 증착원(10), 제2 물질이 구비된 제2 증착원(11), 및 제3 물질이 구비된 제3 증착원(12)이 제1 챔버(20a)의 하부에 배치되고, 제1 호스트(114a)가 형성되어야 하는 기판(101)의 일 면이 증착원들(10,11,12)을 향하도록 제1 챔버(20a)의 상부에 배치된다. 이후, 기판(101)이 제1 챔버(20a)의 일 방향으로 이동(이동방향은 화살표로 표시)하면, 제1 증착원(10), 제2 증착원(11), 및 제3 증착원(12)으로부터 제1 물질, 제2 물질, 및 제3 물질이 분사된다. 기판(101)이 이동함에 따라, 제1 증착원(10)으로부터 증발되는 제1 물질인 도펀트가 기판(100)에 증착된다. 다음으로, 제2 증착원(11)으로부터 증발되는 제2 물질인 정공타입 호스트와 제2 증착원(11)으로부터 증발되는 제3 물질인 전자타입 호스트가 동시에 증착되어 제1 호스트(114a)가 형성된다. 또한, 제1 호스트(114a) 내의 제2 물질인 정공타입 호스트와 제3 물질인 전자타입 호스트의 비율은, 제2 증착원(11)과 제3 증착원(12)의 증착 속도(㎚/s)에 의해 조절이 가능하다. 예를 들어, 제2 증착원(11)의 증착 속도가 제3 증착원(12)의 증착 속도와 같은 경우, 제1 호스트(114a) 내의 제2 물질인 정공타입 호스트의 비율이 제3 물질인 전자타입 호스트의 비율과 동일하게 형성될 수 있다. 그리고, 제2 증착원(11)과 제3 증착원(12)은 기판(101)에 대하여 기울어지게 배치함으로써, 제2 물질인 정공타입 호스트와 제3 물질인 전자타입 호스트의 불균일한 증착을 방지할 수 있다. 제2 증착원(11)과 제3 증착원(12)이 기판(101)에 대하여 기울어지게 배치하기 위해서는 제1 증착원(10), 제2 증착원(11), 및 제3 증착원(12) 아래에는 스테이지가 더 구성되어 제1 증착원(10)에 대응하는 스테이지는 평탄하게 배치하고, 제2 증착원(11) 및 제3 증착원(12)에 대응하는 스테이지는 기울어지도록 배치할 수 있다. 그러나, 이에 한정되는 것은 아니다.The first host 114a and the second host 114b of the first emission layer (EML) 114 are formed in two chambers. The first host 114a of the first emission layer (EML) 114 may be formed through a co-deposition method. More specifically, the first deposition source 10 including the first material, the second deposition source 11 including the second material, and the third deposition source 12 including the third material are It is disposed in the lower part of the chamber 20a and is disposed on the upper part of the first chamber 20a so that one surface of the substrate 101 on which the first host 114a is to be formed faces the deposition sources 10 , 11 , and 12 . are placed Thereafter, when the substrate 101 moves in one direction of the first chamber 20a (the direction of movement is indicated by an arrow), the first deposition source 10 , the second deposition source 11 , and the third deposition source ( From 12) a first material, a second material, and a third material are sprayed. As the substrate 101 moves, a dopant that is a first material evaporated from the first deposition source 10 is deposited on the substrate 100 . Next, a hole-type host that is a second material evaporated from the second deposition source 11 and an electron-type host that is a third material that is evaporated from the second deposition source 11 are simultaneously deposited to form a first host 114a do. In addition, the ratio of the hole-type host, which is the second material, and the electron-type host, which is the third material, in the first host 114a is the deposition rate (nm/s) of the second deposition source 11 and the third deposition source 12 . ) can be adjusted by For example, when the deposition rate of the second deposition source 11 is the same as that of the third deposition source 12 , the ratio of the hole-type host as the second material in the first host 114a is the third material. It may be formed in the same proportion as the electron type host. In addition, the second deposition source 11 and the third deposition source 12 are disposed to be inclined with respect to the substrate 101 to prevent non-uniform deposition of the hole-type host as the second material and the electron-type host as the third material. can do. In order to arrange the second deposition source 11 and the third deposition source 12 to be inclined with respect to the substrate 101 , the first deposition source 10 , the second deposition source 11 , and the third deposition source 12 are disposed. ) below, a stage corresponding to the first deposition source 10 may be disposed flat, and stages corresponding to the second deposition source 11 and the third deposition source 12 may be disposed to be inclined. have. However, the present invention is not limited thereto.

제1 발광층(EML)(114)의 제2 호스트(114b)는 제2 챔버(20b)에서 형성한다. 구체적으로 설명하면, 제1 물질이 구비된 제1 증착원(10), 및 제3 물질이 구비된 제3 증착원(12)이 제2 챔버(20b)의 하부에 배치되고, 제2 호스트(114b)가 형성되어야 하는 기판(101)의 일 면이 증착원들(10, 12)을 향하도록 제2 챔버(20b)의 상부에 배치된다. 이후, 기판(101)이 제2 챔버(20b)의 일 방향으로 이동(이동방향은 화살표로 표시)하면, 제1 증착원(10) 및 제3 증착원(12)으로부터 제1 물질 및 제3 물질이 분사된다. 기판(101)이 이동함에 따라, 제1 증착원(10)으로부터 증발되는 제1 물질인 도펀트가 기판(100)에 증착된다. 다음으로, 제3 증착원(12)으로부터 증발되는 제3 물질인 전자타입 호스트가 증착되어 제2 호스트(114b)가 형성된다.The second host 114b of the first emission layer (EML) 114 is formed in the second chamber 20b. More specifically, the first deposition source 10 including the first material and the third deposition source 12 including the third material are disposed below the second chamber 20b, and the second host ( The one surface of the substrate 101 on which the 114b is to be formed is disposed above the second chamber 20b to face the deposition sources 10 and 12 . Thereafter, when the substrate 101 moves in one direction of the second chamber 20b (the direction of movement is indicated by an arrow), the first material and the third material from the first deposition source 10 and the third deposition source 12 are material is sprayed. As the substrate 101 moves, a dopant that is a first material evaporated from the first deposition source 10 is deposited on the substrate 100 . Next, an electron-type host, which is a third material evaporated from the third deposition source 12 , is deposited to form a second host 114b.

다시 도 2를 참조하여 유기발광소자의 제2 발광부(120) 및 제3 발광부(130)를 설명하면 아래와 같다.Referring again to FIG. 2 , the second light emitting unit 120 and the third light emitting unit 130 of the organic light emitting device will be described as follows.

제2 발광부(120)는 제2 정공수송층(HTL)(122), 제2 발광층(EML)(124), 및 제2 전자수송층(ETL)(126)을 포함하여 이루어진다.The second light emitting unit 120 includes a second hole transport layer (HTL) 122 , a second emission layer (EML) 124 , and a second electron transport layer (ETL) 126 .

제2 전자수송층(ETL)(126) 위에 전자주입층(EIL)을 추가로 구성할 수 있다. 또한, 제2 정공수송층(HTL)(122) 아래에 정공주입층(HIL)을 추가로 구성할 수 있다. 그리고, 제2 전자 수송층(ETL)(126)은 2개 이상의 층이나 상기 재료 중에서 2개 이상의 재료를 적용하여 구성할 수 있다.An electron injection layer (EIL) may be additionally formed on the second electron transport layer (ETL) 126 . In addition, a hole injection layer (HIL) may be additionally configured under the second hole transport layer (HTL) 122 . In addition, the second electron transport layer (ETL) 126 may be formed by applying two or more layers or two or more materials from among the above materials.

제2 발광층(EML)(124) 위에 정공저지층(HBL)을 추가로 구성할 수 있다. 정공저지층(HBL)은 제2 발광층(EML)(124)에 주입된 정공이 제2 전자수송층(ETL)(126)으로 넘어오는 것을 방지함으로써 제2 발광층(EML)(124)에서 전자와 정공의 결합을 향상시켜 제2 발광층(EML)(124)의 발광 효율을 향상시킬 수 있다. 제2 전자수송층(ETL)(126)과 정공저지층(HBL)은 하나의 층으로도 구성될 수 있다. 그리고, 제2 전자수송층(ETL)(126), 정공저지층(HBL), 및 전자주입층(EIL) 등은 전자전달층이라고 할 수 있다. 즉, 전자전달층은 전자를 주입하거나 전달하는 층이라고 할 수 있다. A hole blocking layer (HBL) may be additionally formed on the second light emitting layer (EML) 124 . The hole blocking layer (HBL) prevents the holes injected into the second light emitting layer (EML) 124 from flowing into the second electron transport layer (ETL) 126 , thereby forming electrons and holes in the second light emitting layer (EML) 124 . By improving the coupling of the light emitting layer (EML) 124 , the luminous efficiency of the second light emitting layer (EML) 124 may be improved. The second electron transport layer (ETL) 126 and the hole blocking layer (HBL) may be configured as a single layer. In addition, the second electron transport layer (ETL) 126 , the hole blocking layer (HBL), and the electron injection layer (EIL) may be referred to as an electron transport layer. That is, the electron transport layer can be said to be a layer that injects or transports electrons.

제2 발광층(EML)(124) 아래에 전자저지층(EBL)을 추가로 구성할 수 있다. 상기 전자저지층(EBL)은 제2 발광층(EML)(124)에 주입된 전자가 제2 정공수송층(HTL)(122)으로 넘어오는 것을 방지함으로써 제2 발광층(EML)(124)에서 전자와 정공의 결합을 향상시켜 제2 발광층(EML)(124)의 발광 효율을 향상시킬 수 있다. 제2 정공수송층(HTL)(122)과 전자저지층(EBL)은 하나의 층으로도 구성될 수 있다. 그리고, 제2 정공수송층(HTL)(122), 전자저지층(EBL), 및 정공주입층(HIL) 등은 정공전달층이라고 할 수 있다. 즉, 정공전달층은 정공을 주입하거나 전달하는 층이라고 할 수 있다.An electron blocking layer (EBL) may be additionally configured under the second light emitting layer (EML) 124 . The electron blocking layer (EBL) prevents electrons injected into the second light emitting layer (EML) 124 from passing over to the second hole transport layer (HTL) 122 , thereby preventing the electrons from passing through the second light emitting layer (EML) 124 . By improving hole coupling, the luminous efficiency of the second light emitting layer (EML) 124 may be improved. The second hole transport layer (HTL) 122 and the electron blocking layer (EBL) may be configured as a single layer. In addition, the second hole transport layer (HTL) 122 , the electron blocking layer (EBL), and the hole injection layer (HIL) may be referred to as a hole transport layer. That is, the hole transport layer may be referred to as a layer for injecting or transporting holes.

제2 발광층(EML)(124)에서는 제2 정공수송층(HTL)(122)을 통해 공급된 정공(hole)과 제2 전자수송층(ETL)(126)을 통해 공급된 전자(electron)들이 재결합되므로 여기자(exciton)가 생성된다. 여기자가 생성되는 영역은 재결합 영역(recombination zone, recombination area) 또는 발광 영역(emission zone, emission area)이라고 할 수 있다. In the second light emitting layer (EML) 124 , holes supplied through the second hole transport layer (HTL) 122 and electrons supplied through the second electron transport layer (ETL) 126 are recombined. An exciton is created. The region in which excitons are generated may be referred to as a recombination zone (recombination area) or an emission zone (emission area).

제2 발광층(EML)(124)은 제2 색을 발광하는 발광층일 수 있다. 즉, 제2 발광층(EML)(124)은 황색-녹색(Yellow-Green) 발광층 또는 녹색(Green) 발광층으로 구성한다. 제2 발광층(EML)(124)의 발광 영역은 510㎚ 내지 590㎚ 범위일 수 있다. 상기 제2 발광층(EML)(124)은 적어도 하나의 호스트와 도펀트로 구성될 수 있다. 또는, 상기 제2 발광층(EML)(124)은 두 개 이상의 호스트가 혼합된 혼합 호스트(mixed host)와 적어도 하나의 도펀트로 구성될 수도 있다. 상기 혼합 호스트는 정공 수송 특성을 가진 호스트와 전자 수송 특성을 가진 호스트가 포함될 수 있다. The second emission layer (EML) 124 may be an emission layer that emits a second color. That is, the second emission layer (EML) 124 includes a yellow-green emission layer or a green emission layer. The emission area of the second emission layer (EML) 124 may be in a range of 510 nm to 590 nm. The second emission layer (EML) 124 may include at least one host and a dopant. Alternatively, the second emission layer (EML) 124 may include a mixed host in which two or more hosts are mixed and at least one dopant. The mixed host may include a host having hole transport properties and a host having electron transport properties.

상기 제2 발광부(120)를 구성하는 제2 정공수송층(HTL)(122), 제2 발광층(EML)(124), 제2 전자수송층(ETL)(126), 전자주입층(EIL), 정공주입층(HIL), 정공저지층(HBL), 전자저지층(EBL) 등은 유기층들이라고 할 수 있다.A second hole transport layer (HTL) 122 , a second light emitting layer (EML) 124 , a second electron transport layer (ETL) 126 , an electron injection layer (EIL) constituting the second light emitting part 120 , The hole injection layer (HIL), the hole blocking layer (HBL), and the electron blocking layer (EBL) may be referred to as organic layers.

제1 발광부(110)와 상기 제2 발광부(120) 사이에는 제1 전하생성층(CGL; Charge Generation Layer)(140)이 더 구성된다. 제1 전하 생성층(CGL)(140)은 제1 발광부(110) 및 제2 발광부(120) 간의 전하 균형을 조절한다. 제1 전하생성층(140)은 제1 N형 전하생성층(N-CGL)과 제1 P형 전하생성층(P-CGL)을 포함할 수 있다. A first charge generation layer (CGL) 140 is further formed between the first light emitting unit 110 and the second light emitting unit 120 . The first charge generation layer (CGL) 140 adjusts the charge balance between the first light emitting unit 110 and the second light emitting unit 120 . The first charge generation layer 140 may include a first N-type charge generation layer (N-CGL) and a first P-type charge generation layer (P-CGL).

제1 N형 전하생성층(N-CGL)은 제1 발광부(110)로 전자(electron)를 주입해주는 역할을 하며, 제1 P형 전하생성층(P-CGL)은 제2 발광부(120)로 정공(hole)을 주입해주는 역할을 한다. The first N-type charge generation layer (N-CGL) serves to inject electrons into the first light-emitting unit 110 , and the first P-type charge generation layer (P-CGL) includes the second light-emitting unit ( 120) to inject holes.

제1 N형 전하 생성층(N-CGL)은 리튬(Li), 나트륨(Na), 칼륨(K), 또는 세슘(Cs)과 같은 알칼리 금속, 또는 마그네슘(Mg), 스트론튬(Sr), 바륨(Ba), 또는 라듐(Ra)과 같은 알칼리 토금속으로 도핑된 유기층으로 이루어질 수 있지만, 반드시 이에 한정되는 것은 아니다. The first N-type charge generation layer (N-CGL) is an alkali metal such as lithium (Li), sodium (Na), potassium (K), or cesium (Cs), or magnesium (Mg), strontium (Sr), barium (Ba) or an organic layer doped with an alkaline earth metal such as radium (Ra), but is not necessarily limited thereto.

제1 P형 전하생성층(P-CGL)은 P형 도펀트가 포함된 유기층으로 이루어질 수 있지만, 반드시 이에 한정되는 것은 아니다. 제1 전하생성층(CGL)(140)은 단일층으로 구성할 수도 있다.The first P-type charge generation layer (P-CGL) may be formed of an organic layer including a P-type dopant, but is not limited thereto. The first charge generation layer (CGL) 140 may be configured as a single layer.

상기 제3 발광부(130)는 상기 제2 발광부(120) 위에 제3 정공수송층(HTL)(132), 제3 발광층(EML)(134), 및 제3 전자수송층(ETL)(136)을 포함하여 이루어질 수 있다. The third light emitting unit 130 is formed on the second light emitting unit 120 on the third hole transport layer (HTL) 132 , the third light emitting layer (EML) 134 , and the third electron transport layer (ETL) 136 . may be included.

제3 전자수송층(ETL)(136) 위에 전자주입층(EIL)을 추가로 구성할 수 있다. 그리고, 제3 전자수송층(ETL)(136)은 2개 이상의 층이나 2개 이상의 재료를 적용하여 구성할 수 있다. 그리고, 제3 정공수송층(HTL)(132) 아래에 정공주입층(HIL)을 추가로 구성할 수 있다. An electron injection layer (EIL) may be additionally formed on the third electron transport layer (ETL) 136 . In addition, the third electron transport layer (ETL) 136 may be configured by applying two or more layers or two or more materials. In addition, a hole injection layer (HIL) may be additionally configured under the third hole transport layer (HTL) 132 .

제3 발광층(EML)(134) 위에 정공저지층(HBL)을 추가로 구성할 수 있다. 정공저지층(HBL)은 제3 발광층(EML)(134)에 주입된 정공이 제3 전자수송층(ETL)(136)으로 넘어오는 것을 방지함으로써 제3 발광층(EML)(134)에서 전자와 정공의 결합을 향상시켜 제3 발광층(EML)(134)의 발광 효율을 향상시킬 수 있다. 제3 전자수송층(ETL)(136)과 정공저지층(HBL)은 하나의 층으로도 구성될 수 있다. 그리고, 제3 전자수송층(ETL)(136), 정공저지층(HBL), 및 전자주입층(EIL) 등은 전자전달층이라고 할 수 있다. 즉, 전자전달층은 전자를 주입하거나 전달하는 층이라고 할 수 있다.A hole blocking layer (HBL) may be additionally formed on the third light emitting layer (EML) 134 . The hole blocking layer (HBL) prevents the holes injected into the third light emitting layer (EML) 134 from passing over to the third electron transport layer (ETL) 136 , thereby forming electrons and holes in the third light emitting layer (EML) 134 . By improving the coupling of the light emitting layer (EML) 134 , the luminous efficiency of the third light emitting layer (EML) 134 may be improved. The third electron transport layer (ETL) 136 and the hole blocking layer (HBL) may be configured as a single layer. In addition, the third electron transport layer (ETL) 136 , the hole blocking layer (HBL), and the electron injection layer (EIL) may be referred to as an electron transport layer. That is, the electron transport layer can be said to be a layer that injects or transports electrons.

제3 발광층(EML)(134) 아래에 전자저지층(EBL)을 추가로 구성할 수 있다. 전자저지층(EBL)은 제3 발광층(EML)(134)에 주입된 전자가 제3 정공수송층(HTL)(232)으로 넘어오는 것을 방지함으로써 제3 발광층(EML)(134)에서 전자와 정공의 결합을 향상시켜 제3 발광층(EML)(134)의 발광 효율을 향상시킬 수 있다. 제3 정공수송층(HTL)(132)과 전자저지층(EBL)은 하나의 층으로도 구성될 수 있다. 그리고, 제3 정공수송층(HTL)(132), 전자저지층(EBL), 및 정공주입층(HIL) 등은 정공전달층이라고 할 수 있다. 즉, 정공전달층은 정공을 주입하거나 전달하는 층이라고 할 수 있다.An electron blocking layer (EBL) may be additionally configured under the third light emitting layer (EML) 134 . The electron blocking layer (EBL) prevents electrons injected into the third light emitting layer (EML) 134 from passing over to the third hole transport layer (HTL) 232 , thereby forming electrons and holes in the third light emitting layer (EML) 134 . By improving the coupling of the light emitting layer (EML) 134 , the luminous efficiency of the third light emitting layer (EML) 134 may be improved. The third hole transport layer (HTL) 132 and the electron blocking layer (EBL) may be configured as a single layer. In addition, the third hole transport layer (HTL) 132 , the electron blocking layer (EBL), and the hole injection layer (HIL) may be referred to as a hole transport layer. That is, the hole transport layer may be referred to as a layer for injecting or transporting holes.

제3 발광층(EML)(134)에서는 제3 정공수송층(HTL)(132)을 통해 공급된 정공(hole)과 제3 전자수송층(ETL)(136)을 통해 공급된 전자(electron)들이 재결합되므로 여기자(exciton)가 생성된다. 여기자가 생성되는 영역은 재결합 영역(recombination zone, recombination area) 또는 발광 영역(emission zone, emission area)이라고 할 수 있다. In the third light emitting layer (EML) 134 , holes supplied through the third hole transport layer (HTL) 132 and electrons supplied through the third electron transport layer (ETL) 136 are recombined. An exciton is created. The region in which excitons are generated may be referred to as a recombination zone (recombination area) or an emission zone (emission area).

제3 발광층(EML)(134)은 제1 색과 동일한 색을 발광하는 발광층일 수 있다. 즉, 제3 발광층(EML)(134)은 청색(Blue) 발광층, 진청색(Deep Blue) 발광층, 또는 스카이 블루(Sky Blue) 발광층 중 하나를 포함할 수 있다. 제3 발광층(EML)(134)의 발광 영역은 440㎚ 내지 480㎚의 범위일 수 있다.The third emission layer (EML) 134 may be an emission layer that emits the same color as the first color. That is, the third emission layer (EML) 134 may include one of a blue emission layer, a deep blue emission layer, or a sky blue emission layer. The emission area of the third emission layer (EML) 134 may be in a range of 440 nm to 480 nm.

제3 발광층(EML)(134)은 다른 색을 발광할 수 있는 보조 발광층을 포함한 청색(Blue) 발광층으로 구성된다. 상기 보조 발광층으로는 황색-녹색(Yellow-Green) 발광층 또는 적색(Red) 발광층 중 하나로 구성되거나 이들의 조합으로 구성될 수 있다. 보조 발광층을 더 구성할 경우 녹색(Green)이나 적색(Red)의 효율이 더 향상될 수 있다. 보조 발광층을 포함하여 제3 발광층(EML)(134)을 구성하는 경우, 황색-녹색(Yellow-Green) 발광층 또는 적색(Red) 발광층 또는 녹색(Green) 발광층이 제3 발광층(EML)(134)의 위 또는 아래에 구성하는 것도 가능하다. 또한, 보조 발광층으로 황색-녹색(Yellow-Green) 발광층 또는 적색(Red) 발광층 또는 녹색(Green) 발광층이 제3 발광층(EML)(134)의 위 및 아래에 동일하게 구성하거나 다르게 구성할 수 있다. 발광층의 위치나 수 등은 소자의 구성 및 특성에 따라 선택적으로 배치하는 것이 가능하며, 반드시 이에 한정되는 것은 아니다. 제3 발광층(EML)(134)에 상기 보조 발광층을 구성할 경우, 제3 발광층(EML)(134)의 발광 영역은 440㎚ 내지 650㎚ 범위일 수 있다.The third light emitting layer (EML) 134 includes a blue light emitting layer including an auxiliary light emitting layer capable of emitting light of another color. The auxiliary light emitting layer may be composed of one of a yellow-green light emitting layer, a red light emitting layer, or a combination thereof. When the auxiliary light emitting layer is further formed, the efficiency of green or red may be further improved. When configuring the third light emitting layer (EML) 134 including the auxiliary light emitting layer, the yellow-green light emitting layer or the red light emitting layer or the green light emitting layer is the third light emitting layer (EML) 134 . It is also possible to configure above or below the . In addition, as the auxiliary light emitting layer, a yellow-green light emitting layer or a red light emitting layer or a green light emitting layer may be configured identically or differently above and below the third light emitting layer (EML) 134 . . The position or number of the light emitting layers may be selectively disposed according to the configuration and characteristics of the device, but is not necessarily limited thereto. When the auxiliary emission layer is formed in the third emission layer (EML) 134 , the emission area of the third emission layer (EML) 134 may be in a range of 440 nm to 650 nm.

상기 제3 발광부(130)를 구성하는 제3 정공수송층(HTL)(132), 제3 발광층(EML)(134), 제3 전자수송층(ETL)(136), 전자주입층(EIL), 정공 주입층(HIL), 정공저지층(HBL), 전자저지층(EBL) 등은 유기층들이라고 할 수 있다.A third hole transport layer (HTL) 132 , a third light emitting layer (EML) 134 , a third electron transport layer (ETL) 136 , an electron injection layer (EIL) constituting the third light emitting part 130 , The hole injection layer (HIL), the hole blocking layer (HBL), and the electron blocking layer (EBL) may be referred to as organic layers.

상기 제3 발광층(EML)(134)은 상기 제1 발광층(EML)(114)의 호스트와 동일하게 구성할 수 있다. 상기 제1 발광층(EML)(114)의 호스트에 대해서는 위에 설명한 바와 동일하므로 여기서는 상세한 설명을 생략한다. 따라서, 상기 제3 발광층(EML)(134)은 적어도 하나의 도펀트와 적어도 두 개 이상의 호스트들로 구성될 수 있으며, 적어도 두 개 이상의 호스트들 중 하나는 전자이동도 및 정공이동도가 서로 다른 것을 특징으로 한다. 적어도 두 개 이상의 호스트들 중 하나는 혼합 호스트(mixed host)이며, 정공 수송 특성을 가진 정공타입 호스트(hole-type host)와 전자 수송 특성을 가진 전자타입 호스트(electron-type host)가 포함될 수 있다. 그리고, 적어도 두 개 이상의 호스트들 중 다른 하나는 전자 수송 특성을 가진 전자타입 호스트(electron-type host)의 단일 호스트로 구성할 수 있다. 따라서, 제3 발광층(EML)(134)에 포함된 호스트는 제1 호스트는 제1 정공타입 호스트 및 제1 전자타입 호스트로 구성되고, 제2 호스트는 제2 전자타입 호스트로 구성될 수 있다. The third emission layer (EML) 134 may have the same configuration as the host of the first emission layer (EML) 114 . Since the host of the first light emitting layer (EML) 114 is the same as described above, a detailed description thereof will be omitted. Accordingly, the third light emitting layer (EML) 134 may include at least one dopant and at least two or more hosts, and one of the at least two or more hosts has different electron mobility and hole mobility. characterized. One of the at least two or more hosts is a mixed host, and may include a hole-type host having a hole transport characteristic and an electron-type host having an electron transport characteristic. . In addition, the other one of the at least two hosts may be configured as a single host of an electron-type host having an electron transport characteristic. Accordingly, the host included in the third emission layer (EML) 134 may include the first host as a first hole type host and a first electron type host, and the second host as a second electron type host.

그리고, 제3 발광층(EML)(134)은 두 개의 영역을 가진다고 할 수 있다. 두 개의 영역 중 제1 영역은 정공전달층에 인접하여 구성되고, 제2 영역은 전자전달층에 인접하여 구성될 수 있다. 제1 영역은 혼합 호스트인 제1 호스트로 구성하고 제2 영역은 단일 호스트인 제2 호스트로 구성할 수 있다.In addition, it can be said that the third light emitting layer (EML) 134 has two regions. Among the two regions, the first region may be configured adjacent to the hole transport layer, and the second region may be configured adjacent to the electron transport layer. The first region may include a first host that is a mixed host, and the second region may include a second host that is a single host.

그리고, 제3 발광층(EML)(134)의 형성방법은 도 3에서 설명한 방법과 동일한 방법일 수 있다. In addition, the method of forming the third light emitting layer (EML) 134 may be the same as the method described with reference to FIG. 3 .

따라서, 본 발명에서는 제1 발광층(EML)(114) 및 제3 발광층(EML)(134) 중 적어도 하나의 발광부에 두 개의 호스트들을 구성함으로써, 효율이 향상되고, 구동전압이 감소되고, 수명이 향상될 수 있는 유기발광 표시장치를 제공할 수 있다. Accordingly, in the present invention, by configuring two hosts in at least one light emitting part of the first light emitting layer (EML) 114 and the third light emitting layer (EML) 134 , efficiency is improved, driving voltage is reduced, and lifespan is reduced. It is possible to provide an organic light emitting display device that can be improved.

제2 발광부(120)와 제3 발광부(130) 사이에는 제2 전하생성층(CGL)(150)이 더 구성될 수 있다. 제2 전하생성층(150)은 상기 제2 및 제3 발광부(120,130) 간의 전하 균형을 조절한다. 제2 전하생성층(CGL)(150)은 제2 N형 전하생성층(N-CGL) 및 제2 P형 전하생성층(P-CGL)을 포함할 수 있다. A second charge generation layer (CGL) 150 may be further formed between the second light emitting unit 120 and the third light emitting unit 130 . The second charge generation layer 150 adjusts the charge balance between the second and third light emitting units 120 and 130 . The second charge generation layer (CGL) 150 may include a second N-type charge generation layer (N-CGL) and a second P-type charge generation layer (P-CGL).

제2 N형 전하생성층(N-CGL)은 제2 발광부(120)로 전자(electron)를 주입해주는 역할을 하며, 제2 P형 전하생성층(P-CGL)은 제3 발광부(130)로 정공(hole)을 주입해주는 역할을 한다. The second N-type charge generation layer (N-CGL) serves to inject electrons into the second light-emitting unit 120 , and the second P-type charge generation layer (P-CGL) is provided with the third light-emitting unit ( 130) to inject a hole.

제2 N형 전하생성층(N-CGL)은 각각 리튬(Li), 나트륨(Na), 칼륨(K), 또는 세슘(Cs)과 같은 알칼리 금속, 또는 마그네슘(Mg), 스트론튬(Sr), 바륨(Ba), 또는 라듐(Ra)과 같은 알칼리 토금속으로 도핑된 유기층으로 이루어질 수 있지만, 반드시 이에 한정되는 것은 아니다. The second N-type charge generating layer (N-CGL) is each formed of an alkali metal such as lithium (Li), sodium (Na), potassium (K), or cesium (Cs), or magnesium (Mg), strontium (Sr), The organic layer may be formed of an organic layer doped with an alkaline earth metal such as barium (Ba) or radium (Ra), but is not limited thereto.

제2 P형 전하생성층(P-CGL)은 P형 도펀트가 포함된 유기층으로 이루어질 수 있지만, 반드시 이에 한정되는 것은 아니다. 제2 전하생성층(CGL)(150)은 제1 전하생성층(CGL)(140)의 제1 N형 전하생성층(N-CGL)과 제1 P형 전하생성층(P-CGL)의 동일한 물질로 이루어질 수 있지만, 반드시 이에 한정되는 것은 아니다. 그리고, 제2 전하생성층(CGL)(150)은 단일층으로 형성할 수 있다.The second P-type charge generation layer (P-CGL) may be formed of an organic layer including a P-type dopant, but is not limited thereto. The second charge generation layer (CGL) 150 is formed of the first N-type charge generation layer (N-CGL) of the first charge generation layer (CGL) 140 and the first P-type charge generation layer (P-CGL) of the first charge generation layer (CGL) 140 . It may be made of the same material, but is not necessarily limited thereto. In addition, the second charge generation layer (CGL) 150 may be formed as a single layer.

본 발명의 실시예에 따른 유기발광소자는 하부 발광(Bottom Emission) 방식에 적용할 수 있다. 다만, 이에 한정되지 않고, 본 발명의 실시예에 따른 유기발광소자를 상부 발광(Top Emission) 방식, 또는 양부 발광(Dual Emission) 방식에 적용하는 것도 가능하다. 상부 발광 방식이나 양부 발광 방식에서는 소자의 특성이나 구조에 따라 발광층들의 위치 등이 달라질 수 있다. The organic light emitting diode according to an embodiment of the present invention can be applied to a bottom emission method. However, the present invention is not limited thereto, and the organic light emitting diode according to an embodiment of the present invention may be applied to a top emission method or a dual emission method. In the top emission type or the positive emission type, the positions of the emission layers may vary depending on the characteristics or structure of the device.

도 4는 비교예 및 본 발명의 실시예에 따른 전광 특성 결과를 나타내는 표이다. 비교예 및 본 발명의 실시예는 기판/제1 전극/정공수송층/청색 발광층/전자수송층/제2 전극에서 측정한 것이다. 비교예는 단일 호스트인 전자타입 호스트를 포함하는 청색 발광층이고, 실시예는 제1 정공타입 호스트 및 제1 전자타입 호스트를 포함하는 제1 호스트와 제2 전자타입 호스트를 포함하는 제2 호스트로 구성한 청색 발광층이다. 도 4에서 비교예의 전압(Volt, V), 효율(cd/A), 및 EQE(외부양자효율)가 100%인 경우 실시예의 구동전압(Volt, V), 효율(cd/A), 및 EQE(외부양자효율)을 나타낸 것이다. 4 is a table showing results of electro-optical characteristics according to Comparative Examples and Examples of the present invention. Comparative Examples and Examples of the present invention are measured on the substrate / first electrode / hole transport layer / blue light emitting layer / electron transport layer / second electrode. A comparative example is a blue light emitting layer including an electron-type host as a single host, and an embodiment includes a first host including a first hole-type host and a first electron-type host, and a second host including a second electron-type host. It is a blue light emitting layer. In FIG. 4, when the voltage (Volt, V), the efficiency (cd/A), and the EQE (external quantum efficiency) of the comparative example are 100% in FIG. 4, the driving voltage (Volt, V), the efficiency (cd/A), and the EQE of the embodiment (External quantum efficiency) is shown.

도 4에 나타낸 바와 같이, 단일 호스트로 구성한 비교예와 비교하여 본 발명의 실시예의 구동전압이 약 7.5% 감소함을 알 수 있다. 그리고, 효율(cd/A)은 비교예 및 본 발명의 실시예가 동등한 수준임을 알 수 있다. 그리고, 외부양자효율(EQE; External Quantum Efficiency)은 빛이 유기발광소자 외부로 나갈 때의 발광효율을 말하는 것으로, 발광효율이 비교예 및 본 발명의 실시예가 동등한 수준임을 알 수 있다.As shown in FIG. 4 , it can be seen that the driving voltage of the embodiment of the present invention is reduced by about 7.5% compared to the comparative example configured with a single host. And, it can be seen that the efficiency (cd/A) is at the same level in the comparative example and the example of the present invention. And, External Quantum Efficiency (EQE) refers to the luminous efficiency when light exits the organic light emitting device, and it can be seen that the luminous efficiency is at the same level in the comparative example and the embodiment of the present invention.

그리고, 색좌표(CIEx, CIEy)는 청색의 색좌표를 나타낸 것으로, 비교예 및 본 발명의 실시예가 거의 동등한 수준의 색좌표를 나타냄을 알 수 있다. 따라서, 본 발명의 실시예를 적용한 경우 구동전압은 감소하고 효율이나 외부양자효율이 감소하지 않는 유기발광 표시장치를 제공할 수 있다. 즉, 애노드와 캐소드 사이에 위치하는 청색 발광층은 단일 호스트가 아닌 두 개의 호스트로 구성되어, 전자이동도 및 정공이동도가 단일 호스트의 청색 발광층에 비하여 향상되어 구동전압이 감소된 유기발광 표시장치를 제공할 수 있다. In addition, the color coordinates CIEx and CIEy represent the color coordinates of blue, and it can be seen that the color coordinates of the comparative example and the embodiment of the present invention represent almost the same level of color coordinates. Accordingly, when the embodiment of the present invention is applied, it is possible to provide an organic light emitting display device in which the driving voltage is reduced and the efficiency or external quantum efficiency is not reduced. That is, the blue light emitting layer positioned between the anode and the cathode is composed of two hosts rather than a single host, so that the electron mobility and hole mobility are improved compared to the blue light emitting layer of a single host, thereby providing an organic light emitting display with reduced driving voltage. can provide

위에서 설명한 유기발광소자는 조명장치에 적용될 수도 있고, 액정표시장치의 광원으로 이용될 수도 있고 표시장치에 적용될 수도 있다. 본 발명의 실시예에 따른 유기발광소자를 포함하는 유기발광 표시장치는 제1 발광층을 포함하는 제1 발광부, 제2 발광층을 포함하는 제2 발광부, 및 제3 발광층을 포함하는 제3 발광부에 의해 백색광을 발광하는 백색 유기발광 표시장치일 수 있다. 따라서, 본 발명의 실시예에 따른 유기발광소자를 유기발광 표시장치에 적용할 경우, WRGB의 네 개의 화소를 가지는 백색 유기발광 표시장치로 구현할 수 있다. 그리고, 본 발명의 실시예에 따른 유기발광소자를 포함하는 유기발광 표시장치는 하부발광(bottom emission) 표시장치, 상부발광(top emission) 표시장치, 양면발광(dual emission) 표시장치, 및 차량용 조명장치 등에 적용할 수 있다. 차량용 조명장치는 전조등(headlights), 상향등(high beam), 후미등(taillights), 제동등(brake light), 후진등(back-up light), 정지등(brake light), 안개등(fog lamp), 방향지시등(turn signal light), 보조등(auxiliary lamp) 중 적어도 하나일 수 있으며, 반드시 이에 한정되는 것은 아니다. 또는, 운전자의 시야를 확보하고, 차량의 신호를 주고 받는 데 사용되는 모든 지시등에 다양하게 적용될 수 있다. 그리고, 본 발명의 실시예에 따른 유기발광소자를 포함하는 유기발광표시장치는 모바일, 모니터, TV 등에 적용할 수도 있다. The organic light emitting device described above may be applied to a lighting device, may be used as a light source of a liquid crystal display device, or may be applied to a display device. An organic light emitting display device including an organic light emitting device according to an embodiment of the present invention includes a first light emitting part including a first light emitting layer, a second light emitting part including a second light emitting layer, and a third light emitting device including a third light emitting layer It may be a white organic light emitting display device that emits white light by a portion. Accordingly, when the organic light emitting diode according to the embodiment of the present invention is applied to an organic light emitting display device, it can be implemented as a white organic light emitting display device having four WRGB pixels. In addition, the organic light emitting display device including the organic light emitting diode according to an embodiment of the present invention includes a bottom emission display device, a top emission display device, a dual emission display device, and a vehicle lighting device. Applicable to devices, etc. Vehicle lighting devices include headlights, high beams, taillights, brake lights, back-up lights, brake lights, fog lamps, and turn signals. (turn signal light), may be at least one of an auxiliary lamp (auxiliary lamp), but is not necessarily limited thereto. Alternatively, it may be variously applied to all indicator lights used to secure the driver's field of vision and transmit and receive vehicle signals. In addition, the organic light emitting display device including the organic light emitting device according to an embodiment of the present invention may be applied to a mobile device, a monitor, a TV, and the like.

이상 설명한 바와 같이, 본 발명은 적어도 두 개의 호스트들을 포함하는 청색 발광층으로 구성하고, 적어도 두 개의 호스트들은 전자이동도 및 정공이동도가 서로 다른 호스트로 구성함으로써, 발광층의 정공과 전자의 균형을 맞추어 효율이 향상되고, 구동 전압이 감소된 유기발광 표시장치를 제공할 수 있다. As described above, the present invention consists of a blue light emitting layer including at least two hosts, and at least two hosts are composed of hosts having different electron mobility and hole mobility, thereby balancing the holes and electrons of the light emitting layer. It is possible to provide an organic light emitting diode display with improved efficiency and reduced driving voltage.

또한, 본 발명은 청색 발광층에 포함된 호스트 중, 전자타입 호스트 및 정공타입 호스트를 포함하는 혼합 호스트를 정공전달층에 인접하도록 구성함으로써, 청색 발광층의 정공과 전자의 균형을 맞출 수 있으므로, 유기발광 표시장치의 구동전압을 감소시킬 수 있다. In addition, the present invention can balance the holes and electrons of the blue light emitting layer by configuring the mixed host including the electron type host and the hole type host among the hosts included in the blue light emitting layer to be adjacent to the hole transport layer. The driving voltage of the display device may be reduced.

또한, 본 발명은 청색 발광층에 포함된 호스트 중, 전자타입 호스트를 포함하는 단일 호스트를 전자전달층에 인접하도록 구성함으로써, 청색 발광층의 정공과 전자의 균형을 맞출 수 있으므로, 유기발광 표시장치의 구동전압을 감소시킬 수 있다. In addition, according to the present invention, by configuring a single host including an electron type host among hosts included in the blue light emitting layer to be adjacent to the electron transport layer, the balance between holes and electrons of the blue light emitting layer can be balanced, so that the driving of the organic light emitting display device voltage can be reduced.

또한, 본 발명은 전자이동도 및 정공이동도가 서로 다른 적어도 두 개의 호스트들을 포함하는 청색 발광층을 구성함으로써, 단일 호스트의 청색 발광층에 비하여 구동전압이 감소된 유기발광 표시장치를 제공할 수 있다.In addition, the present invention can provide an organic light emitting display device having a reduced driving voltage compared to a blue light emitting layer of a single host by configuring a blue light emitting layer including at least two hosts having different electron mobility and hole mobility.

이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 더욱 상세하게 설명하였으나, 본 발명은 반드시 이러한 실시예로 국한되는 것은 아니고, 본 발명의 기술사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양하게 변형 실시될 수 있다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 그러므로, 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 본 발명의 보호 범위는 청구 범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.Although the embodiments of the present invention have been described in more detail with reference to the accompanying drawings, the present invention is not necessarily limited to these embodiments, and various modifications may be made within the scope without departing from the technical spirit of the present invention. . Therefore, the embodiments disclosed in the present invention are not intended to limit the technical spirit of the present invention, but to explain, and the scope of the technical spirit of the present invention is not limited by these embodiments. Therefore, it should be understood that the embodiments described above are illustrative in all respects and not restrictive. The protection scope of the present invention should be interpreted by the claims, and all technical ideas within the scope equivalent thereto should be construed as being included in the scope of the present invention.

100: 유기 발광 소자
110: 제1 발광부 120: 제2 발광부
130: 제3 발광부 140, 150: 전하 생성층
112: 정공 수송층 116: 전자 수송층
114: 제1 발광층 124: 제2 발광층
134: 제3 발광층
100: organic light emitting device
110: first light emitting unit 120: second light emitting unit
130: third light emitting unit 140, 150: charge generation layer
112: hole transport layer 116: electron transport layer
114: first light-emitting layer 124: second light-emitting layer
134: third light emitting layer

Claims (32)

제1 발광층을 포함하는 제1 발광부; 및
상기 제1 발광부 위에 있으며, 제2 발광층을 포함하는 제2 발광부를 포함하고,
상기 제1 발광층은 적어도 하나의 도펀트와 적어도 두 개의 호스트들을 포함하며, 상기 적어도 두 개의 호스트들은 전자이동도 및 정공이동도가 서로 다르고,
상기 적어도 두 개의 호스트들은 제1 정공타입 호스트와 제1 전자타입 호스트를 포함하는 제1 호스트와, 제2 전자타입 호스트를 포함하는 제2 호스트로 구성되고,
상기 제1 정공타입 호스트의 전자이동도는 상기 제1 전자타입 호스트의 전자이동도보다 크고, 상기 제1 정공타입 호스트의 정공이동도는 상기 제1 전자타입 호스트의 정공이동도보다 큰, 유기발광 표시장치.
a first light emitting unit including a first light emitting layer; and
and a second light emitting unit on the first light emitting unit and including a second light emitting layer,
The first light emitting layer includes at least one dopant and at least two hosts, wherein the at least two hosts have different electron mobility and hole mobility,
the at least two hosts include a first host including a first hole-type host and a first electron-type host, and a second host including a second electron-type host,
The electron mobility of the first hole type host is greater than the electron mobility of the first electron type host, and the hole mobility of the first hole type host is greater than the hole mobility of the first electron type host. display device.
삭제delete 삭제delete 제 1 항에 있어서,
상기 제1 정공타입 호스트의 전자이동도는 상기 제1 정공타입 호스트의 정공이동도보다 큰, 유기발광 표시장치.
The method of claim 1,
and an electron mobility of the first hole type host is greater than a hole mobility of the first hole type host.
제 1 항에 있어서,
상기 제1 전자타입 호스트 및 상기 제2 전자타입 호스트의 전자이동도는 상기 제1 전자타입 호스트 및 상기 제2 전자타입 호스트의 정공이동도보다 큰, 유기발광 표시장치.
The method of claim 1,
and electron mobility of the first electron type host and the second electron type host are greater than hole mobility of the first electron type host and the second electron type host.
삭제delete 삭제delete 제 1 항에 있어서,
상기 제1 발광부는 정공전달층 및 전자전달층을 더 포함하며, 상기 제1 호스트는 상기 정공전달층에 인접하도록 배치되고, 상기 제2 호스트는 상기 전자전달층에 인접하도록 배치된, 유기발광 표시장치.
The method of claim 1,
The first light emitting part further includes a hole transport layer and an electron transport layer, wherein the first host is disposed adjacent to the hole transport layer, and the second host is disposed adjacent to the electron transport layer. Device.
제 1 항에 있어서,
상기 제2 발광부 위에 있으며, 제3 발광층을 포함하는 제3 발광부를 더 포함하고, 상기 제3 발광층은 적어도 두 개의 호스트들을 포함하며, 상기 적어도 두 개의 호스트들은 전자이동도 및 정공이동도가 서로 다른, 유기발광 표시장치.
The method of claim 1,
It is disposed on the second light emitting unit and further comprises a third light emitting unit including a third light emitting layer, wherein the third light emitting layer includes at least two hosts, wherein the at least two hosts have electron mobility and hole mobility of each other. Another, organic light emitting display device.
제 9 항에 있어서,
상기 적어도 두 개의 호스트들은 제1 정공타입 호스트와 제1 전자타입 호스트를 포함하는 제1 호스트 및 제2 전자타입 호스트를 포함하는 제2 호스트로 구성된, 유기발광 표시장치.
10. The method of claim 9,
The at least two hosts include a first host including a first hole type host and a first electron type host, and a second host including a second electron type host.
제 10 항에 있어서,
상기 제3 발광부는 정공전달층 및 전자전달층을 더 포함하며, 상기 제1 호스트는 상기 정공전달층에 인접하도록 배치되고, 상기 제2 호스트는 상기 전자전달층에 인접하도록 배치된, 유기발광 표시장치.
11. The method of claim 10,
The third light emitting unit further includes a hole transport layer and an electron transport layer, wherein the first host is disposed adjacent to the hole transport layer, and the second host is disposed adjacent to the electron transport layer. Device.
애노드와 캐소드 사이에 위치하며, 복수의 발광층을 포함하는 복수의 발광부로 이루어진 유기발광 표시장치에 있어서,
상기 복수의 발광층 중 적어도 하나는 적어도 하나의 도펀트와 적어도 두 개의 호스트들을 포함하며, 상기 적어도 두 개의 호스트들은 제1 정공타입 호스트 및 제1 전자타입 호스트를 포함하는 제1 호스트, 및 제2 전자타입 호스트를 포함하는 제2 호스트로 이루어지고,
상기 제1 정공타입 호스트의 전자이동도는 상기 제1 전자타입 호스트의 전자이동도보다 크고, 상기 제1 정공타입 호스트의 정공이동도는 상기 제1 전자타입 호스트의 정공이동도보다 큰, 유기발광 표시장치.
An organic light emitting display device disposed between an anode and a cathode and comprising a plurality of light emitting units including a plurality of light emitting layers, the organic light emitting display device comprising:
At least one of the plurality of light emitting layers includes at least one dopant and at least two hosts, wherein the at least two hosts include a first host including a first hole type host and a first electron type host, and a second electron type host. Consists of a second host including a host,
The electron mobility of the first hole type host is greater than the electron mobility of the first electron type host, and the hole mobility of the first hole type host is greater than the hole mobility of the first electron type host. display device.
삭제delete 삭제delete 제 12 항에 있어서,
상기 제1 호스트의 LUMO 에너지 레벨의 절대값과 상기 제2 호스트의 LUMO 에너지 레벨의 절대값은 동일하고, 상기 제1 호스트의 HOMO 에너지 레벨의 절대값과 상기 제2 호스트의 HOMO 에너지 레벨의 절대값은 동일한, 유기발광 표시장치.
13. The method of claim 12,
The absolute value of the LUMO energy level of the first host and the absolute value of the LUMO energy level of the second host are the same, and the absolute value of the HOMO energy level of the first host and the absolute value of the HOMO energy level of the second host is the same, an organic light emitting display device.
삭제delete 제 12 항에 있어서,
상기 복수의 발광부는 정공전달층 및 전자전달층을 더 포함하며, 상기 제1 호스트는 상기 정공전달층에 인접하여 배치되고, 상기 제2 호스트는 상기 전자전달층에 인접하여 배치된, 유기발광 표시장치.
13. The method of claim 12,
The plurality of light emitting units further include a hole transport layer and an electron transport layer, wherein the first host is disposed adjacent to the hole transport layer, and the second host is disposed adjacent to the electron transport layer. Device.
제 12 항에 있어서,
상기 복수의 발광층 중 적어도 하나는 청색 발광층이며, 상기 청색 발광층은 상기 제1 호스트 및 상기 제2 호스트를 포함하는, 유기발광 표시장치.
13. The method of claim 12,
At least one of the plurality of emission layers is a blue emission layer, and the blue emission layer includes the first host and the second host.
애노드와 캐소드 사이에 위치하며, 복수의 발광층을 포함하는 복수의 발광부로 이루어진 유기발광 표시장치에 있어서,
상기 복수의 발광층 중 적어도 하나는 두 개의 영역들을 포함하며, 상기 두 개 의 영역들 중 제1 영역은 혼합 호스트를 포함하고, 제2 영역은 단일 호스트를 포함하며,
상기 혼합 호스트는 제1 정공타입 호스트와 제1 전자타입 호스트를 포함하고, 상기 단일호스트는 제2 전자타입 호스트를 포함하며,
상기 제1 정공타입 호스트의 전자이동도는 상기 제1 전자타입 호스트의 전자이동도보다 크고, 상기 제1 정공타입 호스트의 정공이동도는 상기 제1 전자타입 호스트의 정공이동도보다 큰, 유기발광 표시장치.
An organic light emitting display device disposed between an anode and a cathode and comprising a plurality of light emitting units including a plurality of light emitting layers, the organic light emitting display device comprising:
at least one of the plurality of light emitting layers includes two regions, a first region of the two regions includes a mixed host, and a second region includes a single host,
The mixed host includes a first hole type host and a first electron type host, and the single host includes a second electron type host,
The electron mobility of the first hole type host is greater than the electron mobility of the first electron type host, and the hole mobility of the first hole type host is greater than the hole mobility of the first electron type host. display device.
삭제delete 삭제delete 제 19 항에 있어서,
상기 제1 정공타입 호스트의 전자이동도는 상기 제1 정공타입 호스트의 정공이동도보다 큰, 유기발광 표시장치.
20. The method of claim 19,
and an electron mobility of the first hole type host is greater than a hole mobility of the first hole type host.
제 19 항에 있어서,
상기 제1 전자타입 호스트 및 상기 제2 전자타입 호스트의 전자이동도는 상기 제1 전자타입 호스트 및 상기 제2 전자타입 호스트의 정공이동도보다 큰, 유기발광 표시장치.
20. The method of claim 19,
and electron mobility of the first electron type host and the second electron type host are greater than hole mobility of the first electron type host and the second electron type host.
삭제delete 제 19 항에 있어서,
상기 복수의 발광부는 정공전달층 및 전자전달층을 더 포함하며, 상기 혼합 호스트는 상기 정공전달층에 인접하여 배치되고, 상기 단일 호스트는 상기 전자전달층에 인접하여 배치된, 유기발광 표시장치.
20. The method of claim 19,
The plurality of light emitting units further include a hole transport layer and an electron transport layer, the mixed host is disposed adjacent to the hole transport layer, and the single host is disposed adjacent to the electron transport layer.
제 19 항에 있어서,
상기 두 개의 영역들을 포함하는 발광층은 청색 발광층인, 유기발광 표시장치.
20. The method of claim 19,
The light emitting layer including the two regions is a blue light emitting layer.
애노드와 캐소드 사이에 위치하며, 발광층들이 적층된 유기발광 표시장치에 있어서,
상기 발광층들은 청색 발광층을 포함하며, 상기 청색 발광층은 두 개의 호스트들로 구성되어, 단일 호스트의 청색 발광층에 비하여 전자이동도 및 정공이동도가 향상되어 구동전압이 감소되고,
상기 두 개의 호스트들은 제1 정공타입 호스트와 제1 전자타입 호스트를 포함하는 제1 호스트 및 제2 전자타입 호스트를 포함하는 제2 호스트로 구성되고,
상기 제1 정공타입 호스트의 전자이동도는 상기 제1 전자타입 호스트의 전자이동도보다 크고, 상기 제1 정공타입 호스트의 정공이동도는 상기 제1 전자타입 호스트의 정공이동도보다 큰, 유기발광 표시장치.
In the organic light emitting display device positioned between the anode and the cathode and in which light emitting layers are stacked,
The light emitting layers include a blue light emitting layer, and the blue light emitting layer is composed of two hosts, so that the electron mobility and hole mobility are improved compared to the blue light emitting layer of a single host, thereby reducing the driving voltage;
the two hosts include a first host including a first hole-type host and a first electron-type host, and a second host including a second electron-type host,
The electron mobility of the first hole type host is greater than the electron mobility of the first electron type host, and the hole mobility of the first hole type host is greater than the hole mobility of the first electron type host. display device.
삭제delete 삭제delete 제 27 항에 있어서,
상기 제1 정공타입 호스트의 전자이동도는 상기 제1 정공타입 호스트의 정공이동도보다 큰, 유기발광 표시장치.
28. The method of claim 27,
and an electron mobility of the first hole type host is greater than a hole mobility of the first hole type host.
제 27 항에 있어서,
상기 제1 전자타입 호스트 및 상기 제2 전자타입 호스트의 전자이동도는 상기 제1 전자타입 호스트 및 상기 제2 전자타입 호스트의 정공이동도보다 큰, 유기발광 표시장치.
28. The method of claim 27,
and electron mobility of the first electron type host and the second electron type host are greater than hole mobility of the first electron type host and the second electron type host.
삭제delete
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Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102273616B1 (en) * 2014-12-08 2021-07-06 엘지디스플레이 주식회사 Organic light emitting device
JP6726973B2 (en) * 2016-02-01 2020-07-22 株式会社ジャパンディスプレイ Display device
JP6999876B2 (en) * 2017-07-28 2022-01-19 セイコーエプソン株式会社 Light emitting elements, display devices, and electronic devices
KR20200070398A (en) * 2017-11-01 2020-06-17 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 Top emission type organic electroluminescence element, organic electroluminescence light emitting device, and electronic device
US10770673B2 (en) * 2017-11-28 2020-09-08 The Regents Of The University Of Michigan Highly reliable stacked white organic light emitting device
CN110010773B (en) * 2018-01-05 2023-08-18 固安鼎材科技有限公司 Luminous layer for adjusting carrier mobility and organic electroluminescent device
CN108649130A (en) * 2018-05-10 2018-10-12 重庆邮电大学 A kind of lamination blue light organic electroluminescence device and its manufacturing process
TWI676311B (en) * 2018-05-17 2019-11-01 友達光電股份有限公司 Electroluminescent device and forming method thereof
CN109713151A (en) * 2018-12-29 2019-05-03 武汉天马微电子有限公司 The preparation method and display device of display panel, light-emitting component
CN115132930A (en) * 2021-03-29 2022-09-30 京东方科技集团股份有限公司 Green light emitting device, light emitting substrate, and light emitting apparatus
KR20220140061A (en) * 2021-04-08 2022-10-18 삼성디스플레이 주식회사 Light emitting device and display apparatus including the same

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20120205687A1 (en) * 2011-02-16 2012-08-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting body, light-emitting layer, and light-emitting device
US20120248421A1 (en) * 2011-03-30 2012-10-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101691395B1 (en) * 2009-09-04 2017-01-02 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 Light-emitting element, light-emitting device, and method for manufacturing the same
KR101351410B1 (en) 2009-09-29 2014-01-14 엘지디스플레이 주식회사 White Organic Light Emitting Device
JP5475003B2 (en) * 2009-11-27 2014-04-16 シャープ株式会社 ORGANIC ELECTROLUMINESCENT ELEMENT, ITS MANUFACTURING METHOD, AND ORGANIC ELECTROLUMINESCENT DISPLAY DEVICE
KR101419249B1 (en) * 2011-10-12 2014-07-17 엘지디스플레이 주식회사 White Organic Light Emitting Device
US8884274B2 (en) * 2011-10-12 2014-11-11 Lg Display Co., Ltd. White organic light emitting device
KR101878328B1 (en) * 2011-12-22 2018-07-16 엘지디스플레이 주식회사 Organic electroluminescent Device
KR101268532B1 (en) * 2012-01-18 2013-05-28 한국전자통신연구원 Organic electroluminescent device

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20120205687A1 (en) * 2011-02-16 2012-08-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting body, light-emitting layer, and light-emitting device
US20120248421A1 (en) * 2011-03-30 2012-10-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element

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