KR20220056810A - Method for manufacturing printed wiring board - Google Patents

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KR20220056810A
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KR1020210143065A
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마사토시 와타나베
가즈히코 쓰루이
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아지노모토 가부시키가이샤
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Abstract

The present invention provides a method for manufacturing a printed wiring board which can have small-diameter via holes formed therein, have excellent smear removability, and suppress occurrence of a hollowing phenomenon. The method for manufacturing a printed wiring board comprises the processes of: (A) forming an opening part in an insulating layer containing a hardened material of a resin composition, by a laser; and (B) forming a via hole by subjecting the opening part to a sandblasting process using an abrasive grain.

Description

프린트 배선판의 제조방법{METHOD FOR MANUFACTURING PRINTED WIRING BOARD}The manufacturing method of a printed wiring board {METHOD FOR MANUFACTURING PRINTED WIRING BOARD}

본 발명은 프린트 배선판의 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method for manufacturing a printed wiring board.

최근, 프린트 배선판에서는, 빌드업층이 복층화되고, 배선의 미세화 및 고밀도화가 요구되고 있다. 빌드업층은, 절연층과 도체층을 교호하여 포개어 쌓는 빌드업 방식에 의해 형성되고, 빌드업 방식에 의한 제조방법에 있어서, 절연층은, 수지 조성물을 열경화시킴으로써 형성되는 것이 일반적이다.In recent years, in a printed wiring board, the buildup layer is multilayered, and refinement|miniaturization and density increase of wiring are calculated|required. The buildup layer is formed by the buildup method of alternately stacking the insulating layer and the conductor layer, and in the manufacturing method by the buildup method, it is common that the insulating layer is formed by thermosetting a resin composition.

내층 회로 기판의 절연층의 형성에 적합한 수지 조성물의 제안은, 예를 들어, 특허문헌 1에 기재되어 있는 수지 조성물을 포함하여 수많이 이루어지고 있다.Many proposals of a resin composition suitable for formation of the insulating layer of an inner-layer circuit board are made including the resin composition described in patent document 1, for example.

일본 공개특허공보 특개2017-59779호Japanese Patent Laid-Open No. 2017-59779

그런데, 프린트 배선판을 제조함에 있어서, 절연층에 비아홀을 형성하는 경우가 있다. 「비아홀」이란 통상, 절연층을 관통하는 구멍을 나타낸다. 비아홀을 형성하는 방법으로서, 레이저를 사용하는 방법을 생각할 수 있다.By the way, in manufacturing a printed wiring board, a via hole may be formed in an insulating layer. A "via hole" usually refers to a hole penetrating an insulating layer. As a method of forming a via hole, a method using a laser can be considered.

레이저로 비아홀을 형성하면, 비아홀 중에 스미어라고 불리는 수지 잔사가 형성될 수 있다. 이러한 스미어를 제거하기 위해, 레이저에 의한 비아홀의 형성 후에는, 약액을 사용하여 스미어를 제거하는 디스미어 처리를 행하는 것이 통상이다. 본 발명자는, 레이저를 조사하면 열이 발생하고, 이 열이, 절연층 및 내층 회로 기판의 하지(下地) 금속에 전달됨으로써 할로잉 현상이 생기는 것을 발견하였다. 할로잉 현상이란, 비아홀의 주위에서 절연층과 내층 회로 기판과의 사이에서 박리가 생기는 것을 말한다. 이러한 할로잉 현상은 통상, 비아홀의 주위의 수지가 열에 의해 열화되고, 그 열화된 부분이 조화액 등의 약액에 침식되어 생긴다. 또한, 상기 열화된 부분은 통상 변색부로서 관찰된다.When a via hole is formed with a laser, a resin residue called smear may be formed in the via hole. In order to remove such a smear, it is normal to perform the desmear process which removes a smear using a chemical|medical solution after formation of a via hole by a laser. The inventors of the present invention have discovered that heat is generated when laser is irradiated, and the heat is transmitted to the underlying metal of the insulating layer and the inner layer circuit board, thereby causing a hollowing phenomenon. The hollowing phenomenon means that peeling occurs between the insulating layer and the inner circuit board around the via hole. Such a hollowing phenomenon usually occurs when the resin around the via hole is deteriorated by heat, and the deteriorated portion is eroded by a chemical solution such as a roughening solution. Further, the deteriorated portion is usually observed as a discolored portion.

또한, 샌드 블라스트 처리를 이용해서 할로잉 현상을 억제하는 방법을 생각할 수 있는데, 샌드 블라스트 처리로 소직경의 비아홀을 형성하는 것이 곤란하고, 또한, 비아홀의 가공 속도가 느린 경우가 있다.Moreover, although the method of suppressing a hollowing phenomenon using a sandblasting process can be considered, it is difficult to form a small-diameter via-hole by sandblasting, and the processing speed of a via-hole may be slow.

본 발명은, 상기 사정을 감안하여 이루어진 것으로, 소직경의 비아홀을 형성할 수 있고, 스미어 제거성이 우수하고, 할로잉 현상의 발생이 억제된, 프린트 배선판의 제조방법을 제공하는 것이다.The present invention has been made in view of the above circumstances, and is to provide a method for manufacturing a printed wiring board in which a via hole of a small diameter can be formed, the smear removability is excellent, and the occurrence of a hollowing phenomenon is suppressed.

본 발명자는, 상기 과제를 해결하기 위해 예의 검토한 결과, 레이저에 의해 개구부를 형성한 후에 샌드 블라스트 처리로 비아홀을 형성함으로써, 스미어 제거성이 우수하고, 할로잉 현상을 억제할 수 있음을 발견하여, 본 발명을 완성시키기에 이르렀다.As a result of intensive studies to solve the above problems, the present inventors have found that the smear removability is excellent and the hollowing phenomenon can be suppressed by forming the via hole by sandblasting after forming the opening with the laser. , came to complete the present invention.

즉, 본 발명은, 하기의 내용을 포함한다.That is, the present invention includes the following contents.

[1] (A) 레이저에 의해, 수지 조성물의 경화물을 포함하는 절연층에 개구부를 형성하는 공정 및[1] (A) a step of forming an opening in an insulating layer containing a cured product of a resin composition by means of a laser;

(B) 개구부에, 지립(砥粒)을 사용하는 샌드 블라스트 처리를 행하여, 비아홀을 형성하는 공정을,(B) a step of forming a via hole by sandblasting the opening using an abrasive grain;

이러한 순서로 포함하는, 프린트 배선판의 제조방법.A method for manufacturing a printed wiring board, including in this order.

[2] 지립의 평균 입자 직경이 10㎛ 이하인, [1]에 기재된 프린트 배선판의 제조방법.[2] The method for manufacturing a printed wiring board according to [1], wherein the average particle diameter of the abrasive grains is 10 µm or less.

[3] 개구부의 깊이가 절연층의 두께의 50% 이상 95% 이하인, [1] 또는 [2]에 기재된 프린트 배선판의 제조방법.[3] The method for manufacturing a printed wiring board according to [1] or [2], wherein the depth of the opening is 50% or more and 95% or less of the thickness of the insulating layer.

[4] (B) 공정은, 마스크를 통해 개구부의 바닥면에 지립을 충돌시켜서 비아홀을 형성하는 공정이고,[4] Step (B) is a step of forming a via hole by colliding abrasive grains on the bottom surface of the opening through a mask,

마스크의 두께 및 개구부의 깊이의 합계값과, 비아홀의 개구 직경과의 비(합계값/개구 직경)가 3 이하인, [1] 내지 [3] 중 어느 하나에 기재된 프린트 배선판의 제조방법.The method for manufacturing a printed wiring board according to any one of [1] to [3], wherein the ratio (total value/opening diameter) of the sum of the thickness of the mask and the depth of the opening to the opening diameter of the via hole is 3 or less.

[5] 절연층의 23℃에서의 탄성율이 0.1GPa 이상인, [1] 내지 [4] 중 어느 하나에 기재된 프린트 배선판의 제조방법.[5] The method for manufacturing a printed wiring board according to any one of [1] to [4], wherein the insulating layer has an elastic modulus at 23°C of 0.1 GPa or more.

[6] 수지 조성물이 무기 충전재를 포함하는, [1] 내지 [5] 중 어느 하나에 기재된 프린트 배선판의 제조방법.[6] The method for producing a printed wiring board according to any one of [1] to [5], wherein the resin composition contains an inorganic filler.

[7] 무기 충전재의 함유량이, 수지 조성물 중의 불휘발 성분을 100질량%로 할 경우, 20질량% 이상인, [6]에 기재된 프린트 배선판의 제조방법.[7] The method for producing a printed wiring board according to [6], wherein the content of the inorganic filler is 20% by mass or more when the nonvolatile component in the resin composition is 100% by mass.

[8] 수지 조성물이 경화성 수지를 포함하는, [1] 내지 [7] 중 어느 하나에 기재된 프린트 배선판의 제조방법.[8] The method for producing a printed wiring board according to any one of [1] to [7], wherein the resin composition contains a curable resin.

[9] 경화성 수지의 함유량이, 수지 조성물 중의 불휘발 성분을 100질량%로 할 경우, 10질량% 이상인, [8]에 기재된 프린트 배선판의 제조방법.[9] The method for producing a printed wiring board according to [8], wherein the content of the curable resin is 10% by mass or more when the nonvolatile component in the resin composition is 100% by mass.

[10] 경화성 수지가 에폭시 수지 및 경화제를 포함하는, [8] 또는 [9]에 기재된 프린트 배선판의 제조방법.[10] The method for producing a printed wiring board according to [8] or [9], wherein the curable resin contains an epoxy resin and a curing agent.

[11] 경화제가 페놀계 수지, 활성 에스테르계 수지 및 시아네이트에스테르계 수지로부터 선택되는 1종 이상인, [10]에 기재된 프린트 배선판의 제조방법.[11] The method for producing a printed wiring board according to [10], wherein the curing agent is at least one selected from a phenol-based resin, an active ester-based resin and a cyanate ester-based resin.

[12] 레이저가 CO2 레이저 또는 UV-YAG 레이저인, [1] 내지 [11] 중 어느 하나에 기재된 프린트 배선판의 제조방법.[12] The method for manufacturing a printed wiring board according to any one of [1] to [11], wherein the laser is a CO 2 laser or a UV-YAG laser.

본 발명에 의하면, 소직경의 비아홀을 형성할 수 있고, 스미어 제거성이 우수하고, 할로잉 현상의 발생이 억제된, 프린트 배선판의 제조방법을 제공할 수 있다.ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, a via hole of a small diameter can be formed, it is excellent in smear removability, and the manufacturing method of the printed wiring board by which generation|occurrence|production of the hollowing phenomenon was suppressed can be provided.

[도 1] 도 1은, 내층 회로 기판의 주표면 위에 절연층 및 지지체를 형성시킨 모습의 일례를 나타내는 모식 단면도이다.
[도 2] 도 2는, 공정 (A)를 행한 후의 모습의 일례를 나타내는 모식 단면도이다.
[도 3] 도 3은, 공정 (B)를 행한 후의 모습의 일례를 나타내는 모식 단면도이다.
[도 4] 도 4는, 종래의 레이저 가공으로 비아홀이 형성되는 프린트 배선판의, 도체층을 형성하기 직전의 절연층을 모식적으로 나타내는 평면도이다.
[도 5] 도 5는, 종래의 레이저 가공으로 비아홀이 형성되는 프린트 배선판의, 도체층을 형성하기 직전의 절연층을 모식적으로 나타내는 단면도이다.
[도 6] 도 6은, 내층 회로 기판의 주표면 위에 절연층 및 금속박을 형성시킨 모습의 일례를 나타내는 모식 단면도이다.
[도 7] 도 7은, 금속박에 패턴 에칭 처리를 행한 후의 모습의 일례를 나타내는 모식 단면도이다.
[도 8] 도 8은, 공정 (A)를 행한 후의 모습의 일례를 나타내는 모식 단면도이다.
[도 9] 도 9는, 공정 (B)를 행한 후의 모습의 일례를 나타내는 모식 단면도이다.
[도 10] 도 10은, 필드 비아를 형성한 후의 모습의 일례를 나타내는 모식 단면도이다.
[도 11] 도 11은, 내층 회로 기판의 주표면 위에 절연층, 금속박 및 드라이 필름을 형성시킨 모습의 일례를 나타내는 모식 단면도이다.
[도 12] 도 12는, 노광, 현상한 후의 모습의 일례를 나타내는 모식 단면도이다.
[도 13] 도 13은, 공정 (A)를 행한 후의 모습의 일례를 나타내는 모식 단면도이다.
[도 14] 도 14는, 공정 (B)를 행한 후의 모습의 일례를 나타내는 모식 단면도이다.
[도 15] 도 15는, 필드 비아를 형성한 후의 모습의 일례를 나타내는 모식 단면도이다.
[도 16] 도 16은, 드라이 필름을 제거한 후의 모습의 일례를 나타내는 모식 단면도이다.
[도 17] 도 17은, 내층 회로 기판의 주표면 위에 절연층 및 드라이 필름을 형성시킨 모습의 일례를 나타내는 모식 단면도이다.
[도 18] 도 18은, 노광, 현상한 후의 모습의 일례를 나타내는 모식 단면도이다.
[도 19] 도 19는, 공정 (A)를 행한 후의 모습의 일례를 나타내는 모식 단면도이다.
[도 20] 도 20은, 공정 (B)를 행한 후의 모습의 일례를 나타내는 모식 단면도이다.
[도 21] 도 21은, 필드 비아를 형성한 후의 모습의 일례를 나타내는 모식 단면도이다.
1 is a schematic cross-sectional view showing an example of a mode in which an insulating layer and a support are formed on the main surface of an inner-layer circuit board.
Fig. 2 is a schematic cross-sectional view showing an example of a state after performing the step (A).
Fig. 3 is a schematic cross-sectional view showing an example of a state after performing the step (B).
4 : is a top view which shows typically the insulating layer immediately before forming a conductor layer of the printed wiring board in which the via hole is formed by the conventional laser processing.
5 : is sectional drawing which shows typically the insulating layer immediately before forming a conductor layer of the printed wiring board in which the via hole is formed by the conventional laser processing.
Fig. 6 is a schematic cross-sectional view showing an example of a mode in which an insulating layer and a metal foil are formed on the main surface of an inner-layer circuit board.
Fig. 7 is a schematic cross-sectional view showing an example of a state after performing a pattern etching process on metal foil.
Fig. 8 is a schematic cross-sectional view showing an example of a state after performing the step (A).
Fig. 9 is a schematic cross-sectional view showing an example of a state after performing the step (B).
[Fig. 10] Fig. 10 is a schematic cross-sectional view showing an example of a state after forming a filled via.
11 is a schematic cross-sectional view showing an example of a mode in which an insulating layer, a metal foil, and a dry film are formed on the main surface of an inner circuit board.
12 is a schematic cross-sectional view showing an example of a state after exposure and development.
13 : is a schematic sectional drawing which shows an example of a mode after performing a process (A).
Fig. 14 is a schematic cross-sectional view showing an example of a state after performing the step (B).
[Fig. 15] Fig. 15 is a schematic cross-sectional view showing an example of a state after forming a filled via.
Fig. 16 is a schematic cross-sectional view showing an example of a state after the dry film is removed.
[Fig. 17] Fig. 17 is a schematic cross-sectional view showing an example of a mode in which an insulating layer and a dry film are formed on the main surface of an inner-layer circuit board.
18 is a schematic cross-sectional view showing an example of a state after exposure and development.
Fig. 19 is a schematic cross-sectional view showing an example of a state after the step (A) is performed.
[ Fig. 20 ] Fig. 20 is a schematic cross-sectional view showing an example of a state after the step (B) is performed.
[Fig. 21] Fig. 21 is a schematic cross-sectional view showing an example of a state after forming a filled via.

이하, 실시형태 및 예시물을 나타내어, 본 발명에 대하여 상세히 설명한다. 단, 본 발명은, 이하에 예를 드는 실시형태 및 예시물에 한정되는 것은 아니고, 본 발명의 특허청구범위 및 그 균등한 범위를 일탈하지 않는 범위에서 임의로 변경해서 실시할 수 있다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, embodiment and an illustration are shown and this invention is demonstrated in detail. However, this invention is not limited to the embodiment and exemplification given below, It can be implemented by changing arbitrarily in the range which does not deviate from the range which does not deviate from the claim of this invention and its equivalent.

본 발명의 프린트 배선판의 제조방법에 대하여 상세히 설명하기 전에, 본 발명의 프린트 배선판의 제조방법에서 사용되는 「수지 조성물」 및 「지지체 부착 수지 시트」에 대하여 설명한다.Before demonstrating in detail the manufacturing method of the printed wiring board of this invention, the "resin composition" and "resin sheet with a support body" used by the manufacturing method of the printed wiring board of this invention are demonstrated.

[수지 조성물][resin composition]

경화체의 형성에 사용되는 수지 조성물은, 그 경화물인 절연층이 충분한 경도 및 절연성을 갖는 것일 수 있다. 일 실시형태에 있어서, 수지 조성물은 (a) 무기 충전재를 포함한다. 수지 조성물은, 필요에 따라서, (b) 경화성 수지, (c) 경화 촉진제, (d) 열가소성 수지, (e) 엘라스토머 및 (f) 기타 첨가제를 추가로 포함하고 있어도 좋다. 이하, 수지 조성물에 포함되는 각 성분에 대하여 상세히 설명한다.The resin composition used for forming the cured body may be one in which an insulating layer, which is a cured product, has sufficient hardness and insulating properties. In one embodiment, the resin composition includes (a) an inorganic filler. The resin composition may further contain (b) curable resin, (c) hardening accelerator, (d) thermoplastic resin, (e) elastomer, and (f) other additives as needed. Hereinafter, each component contained in a resin composition is demonstrated in detail.

<(a) 무기 충전재><(a) Inorganic filler>

수지 조성물은 (a) 무기 충전재를 함유한다. 무기 충전재의 재료로서는, 무기 화합물을 사용한다. 무기 충전재의 재료의 예로서는, 실리카, 알루미나, 알루미노실리케이트, 유리, 코디어라이트, 실리콘 산화물, 황산 바륨, 탄산 바륨, 탈크, 클레이, 운모분, 산화 아연, 하이드로탈사이트, 베마이트, 수산화 알루미늄, 수산화 마그네슘, 탄산 칼슘, 탄산 마그네슘, 산화 마그네슘, 질화 붕소, 질화 알루미늄, 질화 망간, 붕산 알루미늄, 탄산 스트론튬, 티탄산 스트론튬, 티탄산 칼슘, 티탄산 마그네슘, 티탄산 비스무트, 산화 티탄, 산화 지르코늄, 티탄산 바륨, 티탄산 지르콘산 바륨, 지르콘산 바륨, 지르콘산 칼슘, 인산 지르코늄 및 인산 텅스텐산 지르코늄 등을 들 수 있다. 이들 중에서도 탄산 칼슘, 실리카가 적합하고, 실리카가 특히 적합하다. 실리카로서는, 예를 들어, 무정형 실리카, 용융 실리카, 결정 실리카, 합성 실리카, 중공 실리카 등을 들 수 있다. 또한, 실리카로서는, 구상 실리카가 바람직하다. (a) 무기 충전재는, 1종류 단독으로 사용해도 좋고, 2종류 이상을 조합하여 사용해도 좋다.The resin composition contains (a) an inorganic filler. As the material of the inorganic filler, an inorganic compound is used. Examples of the inorganic filler material include silica, alumina, aluminosilicate, glass, cordierite, silicon oxide, barium sulfate, barium carbonate, talc, clay, mica powder, zinc oxide, hydrotalcite, boehmite, aluminum hydroxide, Magnesium hydroxide, calcium carbonate, magnesium carbonate, magnesium oxide, boron nitride, aluminum nitride, manganese nitride, aluminum borate, strontium carbonate, strontium titanate, calcium titanate, magnesium titanate, bismuth titanate, titanium oxide, zirconium oxide, barium titanate, zirconate titanate Barium acid, barium zirconate, calcium zirconate, zirconium phosphate, zirconium phosphate tungstate, etc. are mentioned. Among these, calcium carbonate and silica are suitable, and silica is especially suitable. Examples of the silica include amorphous silica, fused silica, crystalline silica, synthetic silica, and hollow silica. Moreover, as a silica, spherical silica is preferable. (a) An inorganic filler may be used individually by 1 type, and may be used in combination of 2 or more type.

(a) 성분의 시판품으로서는, 예를 들어, 덴카사 제조의 「UFP-30」, 「ASFP-20」; 닛테츠 케미컬 & 머티리얼사 제조의 「SP60-05」, 「SP507-05」, 「SPH516-05」; 아도마텍스사 제조 「YC100C」, 「YA050C」, 「YA050C-MJE」, 「YA010C」; 토쿠야마사 제조의 「실필 NSS-3N」, 「실필 NSS-4N」, 「실필 NSS-5N」; 아도마텍스사 제조의 「SC2500SQ」, 「SO-C4」, 「SO-C2」, 「SO-C1」 등을 들 수 있다.(a) As a commercial item of a component, For example, "UFP-30" by a Denka company, "ASFP-20"; "SP60-05", "SP507-05", "SPH516-05" manufactured by Nittetsu Chemical &Materials; "YC100C", "YA050C", "YA050C-MJE", "YA010C" manufactured by Adomatex Corporation; "Silly writing NSS-3N", "Silly writing NSS-4N", "Silly writing NSS-5N" by Tokuyama Corporation; "SC2500SQ", "SO-C4", "SO-C2", "SO-C1" by the Adomatex company, etc. are mentioned.

(a) 성분의 비표면적으로서는, 바람직하게는 1㎡/g 이상, 보다 바람직하게는 2㎡/g 이상, 특히 바람직하게는 3㎡/g 이상이다. 상한에 특단의 제한은 없지만, 바람직하게는 60㎡/g 이하, 50㎡/g 이하 또는 40㎡/g 이하이다. 비표면적은, BET법에 따라서, 비표면적 측정 장치(마운텍사 제조 Macsorb HM-1210)를 사용해서 시료 표면에 질소 가스를 흡착시키고, BET 다점법을 사용하여 비표면적을 산출함으로써 얻을 수 있다.(a) The specific surface area of the component is preferably 1 m 2 /g or more, more preferably 2 m 2 /g or more, particularly preferably 3 m 2 /g or more. Although there is no particular restriction on the upper limit, it is preferably 60 m 2 /g or less, 50 m 2 /g or less, or 40 m 2 /g or less. The specific surface area can be obtained by adsorbing nitrogen gas to the sample surface using a specific surface area measuring device (Macsorb HM-1210 manufactured by Mountec) according to the BET method, and calculating the specific surface area using the BET multi-point method.

(a) 성분의 평균 입자 직경은, 본 발명의 원하는 효과를 현저히 얻는 관점에서, 바람직하게는 0.01㎛ 이상, 보다 바람직하게는 0.05㎛ 이상, 더욱 바람직하게는 0.1㎛ 이상이고, 바람직하게는 5㎛ 이하, 보다 바람직하게는 2㎛ 이하, 더욱 바람직하게는 1㎛ 이하이다.The average particle diameter of the component (a) is preferably 0.01 µm or more, more preferably 0.05 µm or more, still more preferably 0.1 µm or more, and preferably 5 µm from the viewpoint of significantly obtaining the desired effect of the present invention. Hereinafter, more preferably, it is 2 micrometers or less, More preferably, it is 1 micrometer or less.

(a) 성분의 평균 입자 직경은, 미(Mie) 산란 이론에 기초하는 레이저 회절·산란법에 의해 측정할 수 있다. 구체적으로는, 레이저 회절 산란식 입자 직경 분포 측정 장치에 의해, 무기 충전재의 입자 직경 분포를 체적 기준으로 작성하고, 그 중간 직경을 평균 입자 직경으로 함으로써 측정할 수 있다. 측정 샘플은, 무기 충전재 100mg, 메틸에틸케톤 10g을 바이알병에 칭량하여 취하고, 초음파로 10분간 분산시킨 것을 사용할 수 있다. 측정 샘플을, 레이저 회절식 입자 직경 분포 측정 장치를 사용하여, 사용 광원 파장을 청색 및 적색으로 하고, 플로우 셀 방식으로 (a) 성분의 체적 기준의 입자 직경 분포를 측정하고, 얻어진 입자 직경 분포로부터 중간 직경으로서 평균 입자 직경을 산출할 수 있다. 레이저 회절식 입자 직경 분포 측정 장치로서는, 예를 들어 호리바 세사쿠쇼사 제조 「LA-960」 등을 들 수 있다.(a) The average particle diameter of the component can be measured by the laser diffraction/scattering method based on the Mie scattering theory. Specifically, it can measure by creating the particle diameter distribution of an inorganic filler on a volume basis with a laser diffraction scattering type particle diameter distribution measuring apparatus, and making the intermediate diameter into an average particle diameter. As the measurement sample, 100 mg of inorganic filler and 10 g of methyl ethyl ketone were weighed in a vial bottle, and what was dispersed for 10 minutes by ultrasonic wave can be used. Using a laser diffraction particle size distribution measuring device, the measurement sample was measured with a particle size distribution based on the volume of component (a) by a flow cell method using a light source wavelength of blue and red, and from the obtained particle size distribution As the median diameter, the average particle diameter can be calculated. As a laser diffraction type particle size distribution measuring apparatus, "LA-960" by Horiba Corporation, etc. are mentioned, for example.

(a) 성분은, 내습성 및 분산성을 높이는 관점에서, 표면 처리제로 처리되어 있는 것이 바람직하다. 표면 처리제로서는, 예를 들어, 비닐실란계 커플링제, (메타)아크릴계 커플링제, 불소 함유 실란 커플링제, 아미노실란계 커플링제, 에폭시실란계 커플링제, 머캅토실란계 커플링제, 실란계 커플링제, 알콕시실란, 오가노실라잔 화합물, 티타네이트계 커플링제 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 본 발명의 효과를 현저히 얻는 관점에서, 비닐실란계 커플링제, (메타)아크릴계 커플링제, 아미노실란계 커플링제가 바람직하고, 아미노실란계 커플링제가 보다 바람직하다. 또한, 표면 처리제는, 1종류 단독으로 사용해도 좋고, 2종류 이상을 임의로 조합하여 사용해도 좋다.It is preferable that the component (a) is treated with a surface treating agent from a viewpoint of improving moisture resistance and dispersibility. As the surface treatment agent, for example, a vinylsilane coupling agent, a (meth)acrylic coupling agent, a fluorine-containing silane coupling agent, an aminosilane coupling agent, an epoxysilane coupling agent, a mercaptosilane coupling agent, a silane coupling agent, An alkoxysilane, an organosilazane compound, a titanate type coupling agent, etc. are mentioned. Especially, from a viewpoint of acquiring the effect of this invention remarkably, a vinylsilane-type coupling agent, a (meth)acrylic-type coupling agent, and an aminosilane-type coupling agent are preferable, and an aminosilane-type coupling agent is more preferable. In addition, a surface treatment agent may be used individually by 1 type, and may be used combining two or more types arbitrarily.

표면 처리제의 시판품으로서는, 예를 들어, 신에츠 카가쿠코교사 제조 「KBM1003」(비닐트리에톡시실란), 신에츠 카가쿠코교사 제조 「KBM503」(3-메타크릴옥시프로필트리에톡시실란), 신에츠 카가쿠코교사 제조 「KBM403」(3-글리시독시프로필트리메톡시실란), 신에츠 카가쿠코교사 제조 「KBM803」(3-머캅토프로필트리메톡시실란), 신에츠 카가쿠코교사 제조 「KBE903」(3-아미노프로필트리에톡시실란), 신에츠 카가쿠코교사 제조 「KBM573」(N-페닐-3-아미노프로필트리메톡시실란), 신에츠 카가쿠코교사 제조 「SZ-31」(헥사메틸디실라잔), 신에츠 카가쿠코교사 제조 「KBM103」(페닐트리메톡시실란), 신에츠 카가쿠코교사 제조 「KBM-4803」(장쇄 에폭시형 실란 커플링제), 신에츠 카가쿠코교사 제조 「KBM-7103」(3,3,3-트리플루오로프로필트리메톡시실란)등을 들 수 있다.As a commercial item of a surface treatment agent, Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. make "KBM1003" (vinyl triethoxysilane), Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. make "KBM503" (3-methacryloxypropyl triethoxysilane), Shin-Etsu, for example, “KBM403” (3-glycidoxypropyltrimethoxysilane) manufactured by Chemical Industry Co., Ltd. “KBM803” (3-mercaptopropyltrimethoxysilane) manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. “KBE903” manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. ” (3-aminopropyltriethoxysilane), “KBM573” (N-phenyl-3-aminopropyltrimethoxysilane) manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. “SZ-31” (hexamethyl) manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Disilazane), Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. "KBM103" (phenyltrimethoxysilane), Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. "KBM-4803" (long-chain epoxy-type silane coupling agent), Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. "KBM" -7103" (3,3,3-trifluoropropyl trimethoxysilane), etc. are mentioned.

표면 처리제에 의한 표면 처리의 정도는, 무기 충전재의 분산성 향상의 관점에서, 소정의 범위로 들어가는 것이 바람직하다. 구체적으로는, 무기 충전재 100질량부는, 0.2질량부 내지 5질량부의 표면 처리제로 표면 처리되어 있는 것이 바람직하고, 0.2질량부 내지 3질량부로 표면 처리되어 있는 것이 바람직하고, 0.3질량부 내지 2질량부로 표면 처리되어 있는 것이 바람직하다.It is preferable that the grade of the surface treatment by a surface treating agent falls within a predetermined range from a viewpoint of the dispersibility improvement of an inorganic filler. Specifically, 100 parts by mass of the inorganic filler is preferably surface-treated with 0.2 parts by mass to 5 parts by mass of a surface treatment agent, preferably at 0.2 parts by mass to 3 parts by mass, and 0.3 parts by mass to 2 parts by mass. It is preferable that it is surface-treated.

표면 처리제에 의한 표면 처리의 정도는, 무기 충전재의 단위 표면적당 카본량에 의해 평가할 수 있다. 무기 충전재의 단위 표면적당 카본량은, 무기 충전재의 분산성 향상의 관점에서, 0.02mg/㎡ 이상이 바람직하고, 0.1mg/㎡ 이상이 보다 바람직하고, 0.2mg/㎡ 이상이 더욱 바람직하다. 또한, 수지 바니시의 용융 점도 및 시트 형태에서의 용융 점도의 상승을 억제하는 관점에서, 1mg/㎡ 이하가 바람직하고, 0.8mg/㎡ 이하가 보다 바람직하고, 0.5mg/㎡ 이하가 더욱 바람직하다.The grade of the surface treatment by a surface treating agent can be evaluated by the amount of carbon per unit surface area of an inorganic filler. From the viewpoint of improving the dispersibility of the inorganic filler, the amount of carbon per unit surface area of the inorganic filler is preferably 0.02 mg/m 2 or more, more preferably 0.1 mg/m 2 or more, and still more preferably 0.2 mg/m 2 or more. Further, from the viewpoint of suppressing an increase in the melt viscosity of the resin varnish and the melt viscosity in sheet form, 1 mg/m 2 or less is preferable, 0.8 mg/m 2 or less is more preferable, and 0.5 mg/m 2 or less is still more preferable.

무기 충전재의 단위 표면적당 카본량은, 표면 처리 후의 무기 충전재를 용제(예를 들어, 메틸에틸케톤(MEK))에 의해 세정 처리한 후에 측정할 수 있다. 구체적으로는, 용제로서 충분한 양의 MEK를 표면 처리제로 표면 처리된 무기 충전재에 첨가하여, 25℃에서 5분간 초음파 세정한다. 상청액을 제거하고, 고형분을 건조시킨 후, 카본 분석계를 이용해서 무기 충전재의 단위 표면적당 카본량을 측정할 수 있다. 카본 분석계로서는, 호리바 세사쿠쇼사 제조 「EMIA-320V」 등을 사용할 수 있다.The amount of carbon per unit surface area of an inorganic filler can be measured, after washing-processing the inorganic filler after surface treatment with a solvent (for example, methyl ethyl ketone (MEK)). Specifically, MEK in a sufficient amount as a solvent is added to the inorganic filler surface-treated with a surface treatment agent, followed by ultrasonic cleaning at 25°C for 5 minutes. After removing the supernatant and drying the solid content, the amount of carbon per unit surface area of the inorganic filler can be measured using a carbon analyzer. As a carbon analyzer, "EMIA-320V" by Horiba Corporation, etc. can be used.

(a) 성분의 함유량(질량%)은, 본 발명의 효과를 현저히 얻는 관점에서, 수지 조성물 중의 불휘발 성분을 100질량%로 할 경우, 바람직하게는 20질량% 이상, 보다 바람직하게는 30질량% 이상, 더욱 바람직하게는 40질량% 이상, 50질량% 이상이고, 바람직하게는 95질량% 이하, 보다 바람직하게는 90질량% 이하, 더욱 바람직하게는 85질량% 이하, 80질량% 이하이다. 또한, 본 발명에 있어서, 수지 조성물 중의 각 성분의 함유량은, 별도 명시가 없는 한, 수지 조성물 중의 불휘발 성분을 100질량%로 할 경우의 값이다.(a) The content (mass %) of the component is preferably 20 mass % or more, more preferably 30 mass %, when the non-volatile component in the resin composition is 100 mass % from the viewpoint of significantly obtaining the effect of the present invention. % or more, more preferably 40 mass % or more, and 50 mass % or more, preferably 95 mass % or less, more preferably 90 mass % or less, still more preferably 85 mass % or less, 80 mass % or less. In addition, in this invention, unless otherwise indicated, content of each component in a resin composition is a value at the time of making the non-volatile component in a resin composition 100 mass %.

(a) 성분의 함유량(체적%)은, 본 발명의 효과를 현저히 얻는 관점에서, 수지 조성물 중의 불휘발 성분을 100체적%로 할 경우, 바람직하게는 10체적% 이상이고, 보다 바람직하게는 30체적% 이상, 더욱 바람직하게는 50체적% 이상이며, 바람직하게는 90체적% 이하, 보다 바람직하게는 85체적% 이하, 더욱 바람직하게는 80체적% 이하이다.Content (vol%) of the component (a) is preferably 10% by volume or more, more preferably 30% by volume, when the nonvolatile component in the resin composition is 100% by volume from the viewpoint of significantly obtaining the effect of the present invention It is volume % or more, More preferably, it is 50 volume% or more, Preferably it is 90 volume% or less, More preferably, it is 85 volume% or less, More preferably, it is 80 volume% or less.

<(b) 경화성 수지><(b) curable resin>

수지 조성물은, (b) 경화성 수지를 함유하고 있어도 좋다. (b) 경화성 수지로서는, 프린트 배선판의 절연층을 형성할 때에 사용될 수 있는 경화성 수지를 사용할 수 있고, 열 경화성 수지가 바람직하다.The resin composition may contain (b) curable resin. (b) As curable resin, curable resin which can be used when forming the insulating layer of a printed wiring board can be used, A thermosetting resin is preferable.

열 경화성 수지로서는, 예를 들어, 에폭시 수지, 페놀계 수지, 나프톨계 수지, 벤조옥사진계 수지, 활성 에스테르계 수지, 시아네이트에스테르계 수지, 카보디이미드계 수지, 아민계 수지, 산 무수물계 수지 등을 들 수 있다. (b) 성분은, 1종류 단독으로 사용해도 좋고, 2종류 이상을 임의의 비율로 조합하여 사용해도 좋다. 이하, 페놀계 수지, 나프톨계 수지, 벤조옥사진계 수지, 활성 에스테르계 수지, 시아네이트에스테르계 수지, 카보디이미드계 수지, 아민계 수지, 산 무수물계 수지와 같이, 에폭시 수지와 반응해서 수지 조성물을 경화시킬 수 있는 수지를, 합해서 「경화제」라고 말하는 경우가 있다. 수지 조성물로서는, 유전 정접을 낮게 하는 관점에서, (b) 성분으로서, 에폭시 수지 및 경화제를 포함하는 것이 바람직하다.As the thermosetting resin, for example, an epoxy resin, a phenol-based resin, a naphthol-based resin, a benzoxazine-based resin, an active ester-based resin, a cyanate ester-based resin, a carbodiimide-based resin, an amine-based resin, an acid anhydride-based resin and the like. (b) A component may be used individually by 1 type, and may be used combining two or more types by arbitrary ratios. Hereinafter, like a phenol-based resin, a naphthol-based resin, a benzooxazine-based resin, an active ester-based resin, a cyanate ester-based resin, a carbodiimide-based resin, an amine-based resin, or an acid anhydride-based resin, the resin composition is reacted with an epoxy resin Resins that can harden are sometimes referred to as "curing agents" together. It is preferable that an epoxy resin and a hardening|curing agent are included as (b) component from a viewpoint of making a dielectric loss tangent low as a resin composition.

(b) 성분으로서의 에폭시 수지로서는, 예를 들어, 비크실레놀형 에폭시 수지, 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비스페놀 F형 에폭시 수지, 비스페놀 S형 에폭시 수지, 비스페놀 AF형 에폭시 수지, 디사이클로펜타디엔형 에폭시 수지, 트리스페놀형 에폭시 수지, 나프톨 노볼락형 에폭시 수지, 페놀 노볼락형 에폭시 수지, tert-부틸-카테콜형 에폭시 수지, 나프탈렌형 에폭시 수지, 나프톨형 에폭시 수지, 안트라센형 에폭시 수지, 글리시딜아민형 에폭시 수지, 글리시딜에스테르형 에폭시 수지, 글리시딜사이클로헥산형 에폭시 수지, 크레졸 노볼락형 에폭시 수지, 비페닐형 에폭시 수지, 선상 지방족 에폭시 수지, 부타디엔 구조를 갖는 에폭시 수지, 지환식 에폭시 수지, 복소환식 에폭시 수지, 스피로환 함유 에폭시 수지, 사이클로헥산형 에폭시 수지, 사이클로헥산디메탄올형 에폭시 수지, 나프틸렌에테르형 에폭시 수지, 트리메틸올형 에폭시 수지, 테트라페닐에탄형 에폭시 수지, 페놀프탈이미딘형 에폭시 수지 등을 들 수 있다. 에폭시 수지는, 1종류 단독으로 사용해도 좋고, 2종류 이상을 조합하여 사용해도 좋다.(b) As an epoxy resin as a component, For example, a bixylenol type epoxy resin, bisphenol A type epoxy resin, bisphenol F type epoxy resin, bisphenol S type epoxy resin, bisphenol AF type epoxy resin, dicyclopentadiene type epoxy resin , Trisphenol type epoxy resin, naphthol novolak type epoxy resin, phenol novolak type epoxy resin, tert-butyl-catechol type epoxy resin, naphthalene type epoxy resin, naphthol type epoxy resin, anthracene type epoxy resin, glycidylamine type Epoxy resin, glycidyl ester type epoxy resin, glycidyl cyclohexane type epoxy resin, cresol novolak type epoxy resin, biphenyl type epoxy resin, linear aliphatic epoxy resin, butadiene structure epoxy resin, alicyclic epoxy resin, Heterocyclic epoxy resin, spiro ring-containing epoxy resin, cyclohexane type epoxy resin, cyclohexanedimethanol type epoxy resin, naphthylene ether type epoxy resin, trimethylol type epoxy resin, tetraphenylethane type epoxy resin, phenolphthalimidine type epoxy resin and the like. An epoxy resin may be used individually by 1 type, and may be used in combination of 2 or more type.

수지 조성물은, (b) 성분으로서, 1분자 중에 2개 이상의 에폭시기를 갖는 에폭시 수지를 포함하는 것이 바람직하다. 본 발명의 원하는 효과를 현저히 얻는 관점에서, (b) 성분의 불휘발 성분 100질량%에 대하여, 1분자 중에 2개 이상의 에폭시기를 갖는 에폭시 수지의 비율은, 바람직하게는 50질량% 이상, 보다 바람직하게는 60질량% 이상, 특히 바람직하게는 70질량% 이상이다.It is preferable that the resin composition contains the epoxy resin which has two or more epoxy groups in 1 molecule as (b) component. From the viewpoint of significantly obtaining the desired effect of the present invention, the ratio of the epoxy resin having two or more epoxy groups in one molecule to 100% by mass of the nonvolatile component of component (b) is preferably 50% by mass or more, more preferably Preferably it is 60 mass % or more, Especially preferably, it is 70 mass % or more.

에폭시 수지에는, 온도 20℃에서 액상인 에폭시 수지(이하, 「액상 에폭시 수지」라고 말하는 경우가 있음)와, 온도 20℃에서 고체상인 에폭시 수지(이하, 「고체상 에폭시 수지」라고 말하는 경우가 있음)가 있다. 수지 조성물은, (b) 성분으로서, 액상 에폭시 수지만을 포함하고 있어도 좋고, 고체상 에폭시 수지만을 포함하고 있어도 좋고, 액상 에폭시 수지와 고체상 에폭시 수지를 조합하여 포함하고 있어도 좋다.The epoxy resin includes an epoxy resin that is liquid at a temperature of 20°C (hereinafter sometimes referred to as “liquid epoxy resin”) and an epoxy resin that is solid at a temperature of 20°C (hereinafter, may be referred to as “solid epoxy resin”). there is The resin composition may contain only the liquid epoxy resin, may contain only the solid epoxy resin, and may contain it combining the liquid epoxy resin and the solid epoxy resin as (b) component.

액상 에폭시 수지로서는, 1분자 중에 2개 이상의 에폭시기를 갖는 액상 에폭시 수지가 바람직하다.As a liquid epoxy resin, the liquid epoxy resin which has two or more epoxy groups in 1 molecule is preferable.

액상 에폭시 수지로서는, 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비스페놀 F형 에폭시 수지, 비스페놀 AF형 에폭시 수지, 나프탈렌형 에폭시 수지, 글리시딜에스테르형 에폭시 수지, 글리시딜아민형 에폭시 수지, 페놀 노볼락형 에폭시 수지, 에스테르 골격을 갖는 지환식 에폭시 수지, 사이클로헥산형 에폭시 수지, 사이클로헥산디메탄올형 에폭시 수지, 글리시딜아민형 에폭시 수지 및 부타디엔 구조를 갖는 에폭시 수지, 글리시딜사이클로헥산형 에폭시 수지, 페놀프탈이미딘형 에폭시 수지가 바람직하고, 비스페놀 A형 에폭시 수지, 글리시딜사이클로헥산형 에폭시 수지, 페놀프탈이미딘형 에폭시 수지가 보다 바람직하다.Examples of the liquid epoxy resin include bisphenol A epoxy resin, bisphenol F type epoxy resin, bisphenol AF type epoxy resin, naphthalene type epoxy resin, glycidyl ester type epoxy resin, glycidylamine type epoxy resin, phenol novolac type epoxy resin , alicyclic epoxy resin having an ester skeleton, cyclohexane type epoxy resin, cyclohexanedimethanol type epoxy resin, glycidylamine type epoxy resin, and butadiene structure epoxy resin, glycidylcyclohexane type epoxy resin, phenolphthal An imidine type epoxy resin is preferable, and a bisphenol A type epoxy resin, a glycidyl cyclohexane type epoxy resin, and a phenol phthalimidine type epoxy resin are more preferable.

액상 에폭시 수지의 구체예로서는, DIC사 제조의 「HP4032」, 「HP4032D」, 「HP4032SS」(나프탈렌형 에폭시 수지); 미츠비시 케미컬사 제조의 「828US」, 「jER828EL」, 「825」, 「에피코트 828EL」(비스페놀 A형 에폭시 수지); 미츠비시 케미컬사 제조의 「jER807」, 「1750」(비스페놀 F형 에폭시 수지); 미츠비시 케미컬사 제조의 「jER152」(페놀 노볼락형 에폭시 수지); 미츠비시 케미컬사 제조의 「630」, 「630LSD」(글리시딜아민형 에폭시 수지); 닛테츠 케미컬 & 머티리얼사 제조의 「ZX1059」(비스페놀 A형 에폭시 수지와 비스페놀 F형 에폭시 수지의 혼합품); 나가세 켐텍스사 제조의 「EX-721」(글리시딜에스테르형 에폭시 수지); 다이셀사 제조의 「셀록사이드 2021P」(에스테르 골격을 갖는 지환식 에폭시 수지); 다이셀사 제조의 「PB-3600」(부타디엔 구조를 갖는 에폭시 수지); 닛테츠 케미컬 & 머티리얼사 제조의 「ZX1658」, 「ZX1658GS」(액상 1,4-글리시딜사이클로헥산형 에폭시 수지) 등을 들 수 있다. 이들은, 1종류 단독으로 사용해도 좋고, 2종류 이상을 조합하여 사용해도 좋다.As a specific example of a liquid epoxy resin, "HP4032", "HP4032D", "HP4032SS" by DIC company (naphthalene type epoxy resin); "828US", "jER828EL", "825", "Epicoat 828EL" by Mitsubishi Chemical Corporation (bisphenol A epoxy resin); "jER807", "1750" by Mitsubishi Chemical Corporation (bisphenol F-type epoxy resin); "jER152" by Mitsubishi Chemical (phenol novolak type epoxy resin); "630" and "630LSD" by Mitsubishi Chemical (glycidylamine type epoxy resin); "ZX1059" (mixture of a bisphenol A epoxy resin and a bisphenol F type epoxy resin) by the Nitetsu Chemical & Materials company; "EX-721" by the Nagase Chemtex company (glycidyl ester type epoxy resin); "Celoxide 2021P" by Daicel (alicyclic epoxy resin which has ester skeleton); "PB-3600" by Daicel (epoxy resin which has a butadiene structure); "ZX1658", "ZX1658GS" (liquid 1, 4- glycidyl cyclohexane type epoxy resin) by the Nitetsu Chemical & Materials company, etc. are mentioned. These may be used individually by 1 type, and may be used in combination of 2 or more type.

고체상 에폭시 수지로서는, 1분자 중에 3개 이상의 에폭시기를 갖는 고체상 에폭시 수지가 바람직하고, 1분자 중에 3개 이상의 에폭시기를 갖는 방향족계 고체상 에폭시 수지가 보다 바람직하다.As a solid epoxy resin, the solid epoxy resin which has 3 or more epoxy groups in 1 molecule is preferable, and the aromatic solid epoxy resin which has 3 or more epoxy groups in 1 molecule is more preferable.

고체상 에폭시 수지로서는, 비크실레놀형 에폭시 수지, 나프탈렌형 에폭시 수지, 나프탈렌형 4관능 에폭시 수지, 크레졸 노볼락형 에폭시 수지, 디사이클로펜타디엔형 에폭시 수지, 트리스페놀형 에폭시 수지, 나프톨형 에폭시 수지, 비페닐형 에폭시 수지, 나프틸렌에테르형 에폭시 수지, 안트라센형 에폭시 수지, 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비스페놀 AF형 에폭시 수지, 테트라페닐에탄형 에폭시 수지가 바람직하고, 비페닐형 에폭시 수지, 비크실레놀형 에폭시 수지, 테트라페닐에탄형 에폭시 수지, 나프탈렌형 에폭시 수지, 나프틸렌에테르형 에폭시 수지가 보다 바람직하다.Examples of the solid-state epoxy resin include a bixylenol-type epoxy resin, a naphthalene-type epoxy resin, a naphthalene-type tetrafunctional epoxy resin, a cresol novolac-type epoxy resin, a dicyclopentadiene-type epoxy resin, a trisphenol-type epoxy resin, a naphthol-type epoxy resin, and a non Phenyl-type epoxy resins, naphthylene ether-type epoxy resins, anthracene-type epoxy resins, bisphenol A-type epoxy resins, bisphenol AF-type epoxy resins, and tetraphenylethane-type epoxy resins are preferable, and biphenyl-type epoxy resins and bixylenol-type epoxy resins , a tetraphenylethane type epoxy resin, a naphthalene type epoxy resin, and a naphthylene ether type epoxy resin are more preferable.

고체상 에폭시 수지로서는, 나프탈렌형 4관능 에폭시 수지, 크레졸 노볼락형 에폭시 수지, 디사이클로펜타디엔형 에폭시 수지, 트리스페놀형 에폭시 수지, 나프톨형 에폭시 수지, 비페닐형 에폭시 수지, 나프틸렌에테르형 에폭시 수지, 안트라센형 에폭시 수지, 비스페놀 A형 에폭시 수지, 테트라페닐에탄형 에폭시 수지가 바람직하고, 나프탈렌형 4관능 에폭시 수지, 나프톨형 에폭시 수지 및 비페닐형 에폭시 수지가 보다 바람직하다. 고체상 에폭시 수지의 구체예로서는, DIC사 제조의 「HP4032H」(나프탈렌형 에폭시 수지), 「HP-4700」, 「HP-4710」(나프탈렌형 4관능 에폭시 수지), 「N-690」(크레졸 노볼락형 에폭시 수지), 「N-695」(크레졸 노볼락형 에폭시 수지), 「HP-7200」, 「HP-7200HH」, 「HP-7200H」(디사이클로펜타디엔형 에폭시 수지), 「EXA-7311」, 「EXA-7311-G3」, 「EXA-7311-G4」, 「EXA-7311-G4S」, 「HP6000」(나프틸렌에테르형 에폭시 수지); 닛폰 카야쿠사 제조의 「EPPN-502H」(트리스페놀형 에폭시 수지), 「NC7000L」(나프톨 노볼락형 에폭시 수지), 「NC3000H」, 「NC3000」, 「NC3000L」, 「NC3100」(비페닐형 에폭시 수지);닛테츠 케미컬 & 머티리얼사 제조의 「ESN475V」(나프탈렌형 에폭시 수지), 「ESN485」(나프톨 노볼락형 에폭시 수지); 미츠비시 케미컬사 제조의 「YX4000H」, 「YL6121」(비페닐형 에폭시 수지), 「YX4000HK」(비크실레놀형 에폭시 수지), 「YX8800」(안트라센형 에폭시 수지); 오사카 가스 케미컬사 제조의 「PG-100」, 「CG-500」, 미츠비시 케미컬사 제조의 「YL7760」(비스페놀 AF형 에폭시 수지), 「YL7800」(플루오렌형 에폭시 수지), 「jER1010」(고체상 비스페놀 A형 에폭시 수지), 「jER1031S」(테트라페닐에탄형 에폭시 수지); 닛폰 카야쿠사 제조의 「WHR-991S」 (페놀프탈이미딘형 에폭시 수지) 등을 들 수 있다. 이들은 1종 단독으로 사용해도 좋고, 2종 이상을 조합하여 사용해도 좋다.Examples of the solid-state epoxy resin include a naphthalene-type tetrafunctional epoxy resin, a cresol novolac-type epoxy resin, a dicyclopentadiene-type epoxy resin, a trisphenol-type epoxy resin, a naphthol-type epoxy resin, a biphenyl-type epoxy resin, and a naphthylene ether-type epoxy resin. , an anthracene-type epoxy resin, a bisphenol A-type epoxy resin, and a tetraphenylethane-type epoxy resin are preferable, and a naphthalene-type tetrafunctional epoxy resin, a naphthol-type epoxy resin, and a biphenyl-type epoxy resin are more preferable. As a specific example of a solid-state epoxy resin, "HP4032H" (naphthalene type epoxy resin) manufactured by DIC, "HP-4700", "HP-4710" (naphthalene type tetrafunctional epoxy resin), "N-690" (cresol novolac) type epoxy resin), “N-695” (cresol novolac type epoxy resin), “HP-7200”, “HP-7200HH”, “HP-7200H” (dicyclopentadiene type epoxy resin), “EXA-7311” ", "EXA-7311-G3", "EXA-7311-G4", "EXA-7311-G4S", "HP6000" (naphthylene ether type epoxy resin); "EPPN-502H" (trisphenol type epoxy resin), "NC7000L" (naphthol novolac type epoxy resin), "NC3000H", "NC3000", "NC3000L", "NC3100" (biphenyl type epoxy resin) manufactured by Nippon Kayaku Corporation resin); "ESN475V" (naphthalene-type epoxy resin), "ESN485" (naphthol novolak-type epoxy resin) by a Nittetsu Chemical & Materials company; "YX4000H", "YL6121" (biphenyl type epoxy resin), "YX4000HK" (bixylenol type epoxy resin), "YX8800" (anthracene type epoxy resin) by Mitsubishi Chemical Corporation; "PG-100", "CG-500" manufactured by Osaka Gas Chemical, "YL7760" (bisphenol AF type epoxy resin) manufactured by Mitsubishi Chemical, "YL7800" (fluorene type epoxy resin), "jER1010" (solid phase) bisphenol A type epoxy resin), "jER1031S" (tetraphenylethane type epoxy resin); "WHR-991S" (phenolphthalimidine type epoxy resin) by a Nippon Kayaku company, etc. are mentioned. These may be used individually by 1 type, and may be used in combination of 2 or more type.

(b) 성분으로서 액상 에폭시 수지와 고체상 에폭시 수지를 조합하여 사용하는 경우, 이들의 양비(액상 에폭시 수지:고체상 에폭시 수지)는, 질량비로, 바람직하게는 1:0.1 내지 1:20, 보다 바람직하게는 1:0.3 내지 1:10, 특히 바람직하게는 1:0.5 내지 1:5이다. 액상 에폭시 수지와 고체상 에폭시 수지의 양비가 이러한 범위에 있는 것에 의해, 본 발명의 원하는 효과를 현저히 얻을 수 있다. 또한, 통상은, 지지체 부착 수지 시트 형태로 사용하는 경우에, 적당한 점착성이 형성된다. 또한, 통상은, 지지체 부착 수지 시트 형태로 사용하는 경우에, 충분한 가요성을 얻을 수 있고, 취급성이 향상된다. 또한, 통상은, 충분한 파단 강도를 갖는 경화물을 얻을 수 있다.(b) When a liquid epoxy resin and a solid epoxy resin are used in combination as a component, their ratio (liquid epoxy resin: solid epoxy resin) is a mass ratio, preferably 1:0.1 to 1:20, more preferably is 1:0.3 to 1:10, particularly preferably 1:0.5 to 1:5. When the amount ratio of the liquid epoxy resin and the solid epoxy resin is within such a range, the desired effect of the present invention can be significantly obtained. Moreover, when using in the form of a resin sheet with a support body normally, moderate adhesiveness is formed. Moreover, when using normally in the form of a resin sheet with a support body, sufficient flexibility can be acquired and handleability improves. Moreover, usually, the hardened|cured material which has sufficient breaking strength can be obtained.

(b) 성분으로서의 에폭시 수지의 에폭시 당량은, 바람직하게는 50g/eq. 내지 5,000g/eq., 보다 바람직하게는 50g/eq. 내지 3,000g/eq., 더욱 바람직하게는 80g/eq. 내지 2,000g/eq., 보다 더 바람직하게는 110g/eq. 내지 1,000g/eq.이다. 이러한 범위가 됨으로써, 수지 조성물의 경화물의 가교 밀도가 충분한 경화체를 형성할 수 있다. 에폭시 당량은, 1당량의 에폭시기를 포함하는 에폭시 수지의 질량이다. 이러한 에폭시 당량은, JIS K7236에 따라서 측정할 수 있다.(b) The epoxy equivalent of the epoxy resin as a component becomes like this. Preferably it is 50 g/eq. to 5,000 g/eq., more preferably 50 g/eq. to 3,000 g/eq., more preferably 80 g/eq. to 2,000 g/eq., even more preferably 110 g/eq. to 1,000 g/eq. By being in such a range, the hardening body with sufficient crosslinking density of the hardened|cured material of a resin composition can be formed. Epoxy equivalent is the mass of the epoxy resin containing 1 equivalent of an epoxy group. Such an epoxy equivalent can be measured according to JISK7236.

(b) 성분으로서의 에폭시 수지의 중량 평균 분자량(Mw)은, 본 발명의 원하는 효과를 현저히 얻는 관점에서, 바람직하게는 100 내지 5,000, 보다 바람직하게는 250 내지 3,000, 더욱 바람직하게는 400 내지 1,500이다. 에폭시 수지의 중량 평균 분자량은, 겔 투과 크로마토그래피(GPC)법에 의해 측정되는 폴리스티렌 환산의 중량 평균 분자량이다.(b) The weight average molecular weight (Mw) of the epoxy resin as a component is preferably 100 to 5,000, more preferably 250 to 3,000, still more preferably 400 to 1,500 from the viewpoint of significantly obtaining the desired effect of the present invention. . The weight average molecular weight of the epoxy resin is a weight average molecular weight in terms of polystyrene measured by a gel permeation chromatography (GPC) method.

(b) 성분으로서의 에폭시 수지의 함유량은, 양호한 기계 강도, 절연 신뢰성을 나타내는 경화체를 얻는 관점에서, 수지 조성물 중의 불휘발 성분을 100질량%로 할 경우, 바람직하게는 1질량% 이상, 보다 바람직하게는 3질량% 이상, 더욱 바람직하게는 5질량% 이상이다. 에폭시 수지의 함유량의 상한은, 본 발명의 원하는 효과를 현저히 얻는 관점에서, 바람직하게는 50질량% 이하, 보다 바람직하게는 45질량% 이하, 특히 바람직하게는 40질량% 이하이다.(b) The content of the epoxy resin as a component, from the viewpoint of obtaining a cured product exhibiting good mechanical strength and insulation reliability, when the non-volatile component in the resin composition is 100% by mass, preferably 1% by mass or more, more preferably is 3% by mass or more, more preferably 5% by mass or more. The upper limit of the content of the epoxy resin is preferably 50% by mass or less, more preferably 45% by mass or less, particularly preferably 40% by mass or less from the viewpoint of significantly obtaining the desired effect of the present invention.

(b) 성분으로서의 활성 에스테르계 수지로서는, 1분자 중에 1개 이상의 활성 에스테르기를 갖는 수지를 사용할 수 있다. 그 중에서도, 활성 에스테르계 수지로서는, 페놀에스테르류, 티오페놀에스테르류, N-하이드록시아민에스테르류, 복소환 하이드록시 화합물의 에스테르류 등의, 반응 활성이 높은 에스테르기를 1분자 중에 2개 이상 갖는 수지가 바람직하다. 상기 활성 에스테르계 수지는, 카복실산 화합물 및/또는 티오카복실산 화합물과 하이드록시 화합물 및/또는 티올 화합물과의 축합 반응에 의해 얻어지는 것이 바람직하다. 특히, 내열성 향상의 관점에서, 카복실산 화합물과 하이드록시 화합물로부터 얻어지는 활성 에스테르계 수지가 바람직하고, 카복실산 화합물과 페놀 화합물 및/또는 나프톨 화합물로부터 얻어지는 활성 에스테르계 수지가 보다 바람직하다.(b) As the active ester-based resin as a component, a resin having one or more active ester groups in one molecule can be used. Among them, as the active ester-based resin, phenol esters, thiophenol esters, N-hydroxyamine esters, and esters of heterocyclic hydroxy compounds having two or more ester groups with high reactive activity in one molecule Resin is preferred. It is preferable that the said active ester resin is obtained by the condensation reaction of a carboxylic acid compound and/or a thiocarboxylic acid compound, and a hydroxy compound and/or a thiol compound. In particular, from the viewpoint of improving heat resistance, an active ester resin obtained from a carboxylic acid compound and a hydroxy compound is preferable, and an active ester resin obtained from a carboxylic acid compound, a phenol compound and/or a naphthol compound is more preferable.

카복실산 화합물로서는, 예를 들어, 벤조산, 아세트산, 석신산, 말레산, 이타콘산, 프탈산, 이소프탈산, 테레프탈산, 피로멜리트산 등을 들 수 있다.Examples of the carboxylic acid compound include benzoic acid, acetic acid, succinic acid, maleic acid, itaconic acid, phthalic acid, isophthalic acid, terephthalic acid, and pyromellitic acid.

페놀 화합물 또는 나프톨 화합물로서는, 예를 들어, 하이드로퀴논, 레조르신, 비스페놀 A, 비스페놀 F, 비스페놀 S, 페놀프탈린, 메틸화 비스페놀 A, 메틸화 비스페놀 F, 메틸화 비스페놀 S, 페놀, o-크레졸, m-크레졸, p-크레졸, 카테콜, α-나프톨, β-나프톨, 1,5-디하이드록시나프탈렌, 1,6-디하이드록시나프탈렌, 2,6-디하이드록시나프탈렌, 디하이드록시벤조페논, 트리하이드록시벤조페논, 테트라하이드록시벤조페논, 플로로글루신, 벤젠트리올, 디사이클로펜타디엔형 디페놀 화합물, 페놀 노볼락 등을 들 수 있다. 여기서, 「디사이클로펜타디엔형 디페놀 화합물」이란, 디사이클로펜타디엔 1분자에 페놀 2분자가 축합해서 얻어지는 디페놀 화합물을 말한다.Examples of the phenol compound or naphthol compound include hydroquinone, resorcin, bisphenol A, bisphenol F, bisphenol S, phenolphthaline, methylated bisphenol A, methylated bisphenol F, methylated bisphenol S, phenol, o-cresol, m- Cresol, p-cresol, catechol, α-naphthol, β-naphthol, 1,5-dihydroxynaphthalene, 1,6-dihydroxynaphthalene, 2,6-dihydroxynaphthalene, dihydroxybenzophenone, trihydroxybenzophenone, tetrahydroxybenzophenone, phloroglucin, benzenetriol, dicyclopentadiene type diphenol compound, phenol novolac, etc. are mentioned. Here, the "dicyclopentadiene type diphenol compound" refers to a diphenol compound obtained by condensing two molecules of phenol to one molecule of dicyclopentadiene.

활성 에스테르계 수지의 바람직한 구체예로서는, 디사이클로펜타디엔형 디페놀 구조를 포함하는 활성 에스테르계 수지, 나프탈렌 구조를 포함하는 활성 에스테르계 수지, 페놀 노볼락의 아세틸화물을 포함하는 활성 에스테르계 수지, 페놀 노볼락의 벤조일화물을 포함하는 활성 에스테르계 수지를 들 수 있다. 그 중에서도, 나프탈렌 구조를 포함하는 활성 에스테르계 수지, 디사이클로펜타디엔형 디페놀 구조를 포함하는 활성 에스테르계 수지가 보다 바람직하다. 「디사이클로펜타디엔형 디페놀 구조」란, 페닐렌-디사이클로펜틸렌-페닐렌으로 이루어진 2가의 구조 단위를 나타낸다.Preferred specific examples of the active ester resin include an active ester resin containing a dicyclopentadiene-type diphenol structure, an active ester resin containing a naphthalene structure, an active ester resin containing an acetylated product of phenol novolac, phenol and an active ester-based resin containing a novolac benzoyl product. Among them, an active ester-based resin containing a naphthalene structure and an active ester-based resin containing a dicyclopentadiene-type diphenol structure are more preferable. "Dicyclopentadiene-type diphenol structure" represents a divalent structural unit consisting of phenylene-dicyclopentylene-phenylene.

활성 에스테르계 수지의 시판품으로서는, 디사이클로펜타디엔형 디페놀 구조를 포함하는 활성 에스테르계 수지로서, 「EXB9451」, 「EXB9460」, 「EXB9460S」, 「HPC-8000-65T」, 「HPC-8000H-65TM」, 「EXB-8000L-65TM」(DIC사 제조); 나프탈렌 구조를 포함하는 활성 에스테르계 수지로서 「EXB9416-70BK」, 「EXB-8150-65T」(DIC사 제조); 페놀 노볼락의 아세틸화물을 포함하는 활성 에스테르계 수지로서 「DC808」(미츠비시 케미컬사 제조); 페놀 노볼락의 벤조일화물을 포함하는 활성 에스테르계 수지로서 「YLH1026」(미츠비시 케미컬사 제조); 페놀 노볼락의 아세틸화물인 활성 에스테르계 수지로서 「DC808」(미츠비시 케미컬사 제조); 페놀 노볼락의 벤조일화물인 활성 에스테르계 수지로서 「YLH1026」(미츠비시 케미컬사 제조), 「YLH1030」(미츠비시 케미컬사 제조), 「YLH1048」(미츠비시 케미컬사 제조) 등을 들 수 있다.Commercially available active ester resins are active ester resins containing a dicyclopentadiene type diphenol structure, such as "EXB9451", "EXB9460", "EXB9460S", "HPC-8000-65T", "HPC-8000H- 65TM", "EXB-8000L-65TM" (manufactured by DIC Corporation); "EXB9416-70BK" and "EXB-8150-65T" (manufactured by DIC Corporation) as active ester-based resins containing a naphthalene structure; "DC808" (made by Mitsubishi Chemical Co., Ltd.) as an active ester resin containing the acetylated product of phenol novolac; "YLH1026" (made by Mitsubishi Chemical Co., Ltd.) as an active ester-type resin containing the benzoyl compound of phenol novolac; "DC808" (manufactured by Mitsubishi Chemical) as an active ester-based resin that is an acetylated product of phenol novolac; Examples of the active ester resin that is a benzoyl product of phenol novolac include "YLH1026" (manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation), "YLH1030" (manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation), and "YLH1048" (manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation).

(b) 성분으로서의 페놀계 수지 및 나프톨계 수지로서는, 내열성 및 내수성의 관점에서 노볼락 구조를 갖는 것이 바람직하다. 또한, 도체층과의 밀착성의 관점에서, 함질소 페놀계 경화제가 바람직하고, 트리아진 골격 함유 페놀계 수지가 보다 바람직하다.(b) As a phenol-type resin and a naphthol-type resin as a component, what has a novolak structure from a viewpoint of heat resistance and water resistance is preferable. Moreover, from a viewpoint of adhesiveness with a conductor layer, a nitrogen-containing phenol-type hardening|curing agent is preferable, and a triazine skeleton containing phenol-type resin is more preferable.

페놀계 수지 및 나프톨계 수지의 구체예로서는, 예를 들어, 메이와 카세이사 제조의 「MEH-7700」, 「MEH-7810」, 「MEH-7851」, 닛폰 카야쿠사 제조의 「NHN」, 「CBN」, 「GPH」, 닛테츠 케미컬 & 머티리얼사 제조의 「SN170」, 「SN180」, 「SN190」, 「SN475」, 「SN485」, 「SN495」, 「SN-495V」, 「SN375」, 「SN395」, DIC사 제조의 「TD-2090」, 「LA-7052」, 「LA-7054」, 「LA-1356」, 「LA-3018-50P」, 「EXB-9500」등을 들 수 있다.As a specific example of a phenol-type resin and a naphthol-type resin, "MEH-7700", "MEH-7810", "MEH-7851" by Meiwa Kasei Corporation, "NHN" by a Nippon Kayaku Corporation, "CBN", for example, ”, “GPH”, “SN170”, “SN180”, “SN190”, “SN475”, “SN485”, “SN495”, “SN-495V”, “SN375”, “SN395” manufactured by Nittetsu Chemical & Materials Co., Ltd. ', "TD-2090", "LA-7052", "LA-7054", "LA-1356", "LA-3018-50P", "EXB-9500" by DIC company etc. are mentioned.

(b) 성분으로서의 벤조옥사진계 수지의 구체예로서는, JFE 케미컬사 제조의 「JBZ-OD100」(벤조옥사진환 당량 218), 「JBZ-OP100D」(벤조옥사진환 당량 218), 「ODA-BOZ」(벤조옥사진환 당량 218); 시코쿠 카세이코교사 제조의 「P-d」(벤조옥사진환 당량 217), 「F-a」(벤조옥사진환 당량 217); 쇼와 코분시사 제조의 「HFB2006M」(벤조옥사진환 당량 432) 등을 들 수 있다.(b) As a specific example of the benzoxazine-based resin as a component, "JBZ-OD100" (benzoxazine ring equivalent 218), "JBZ-OP100D" (benzoxazine ring equivalent 218), "ODA-BOZ" ( benzoxazine ring equivalent 218); "P-d" (benzoxazine ring equivalent 217), "F-a" (benzooxazine ring equivalent 217) manufactured by Shikoku Chemical Co., Ltd.; "HFB2006M" by Showa Kobunshi (benzoxazine ring equivalent 432) etc. are mentioned.

(b) 성분으로서의 시아네이트에스테르계 수지로서는, 예를 들어, 비스페놀 A 디시아네이트, 폴리페놀시아네이트, 올리고(3-메틸렌-1,5-페닐렌시아네이트), 4,4'-메틸렌비스(2,6-디메틸페닐시아네이트), 4,4'-에틸리덴디페닐디시아네이트, 헥사플루오로비스페놀 A 디시아네이트, 2,2-비스(4-시아네이트)페닐프로판, 1,1-비스(4-시아네이트페닐메탄), 비스(4-시아네이트-3,5-디메틸페닐)메탄, 1,3-비스(4-시아네이트페닐-1-(메틸에틸리덴))벤젠, 비스(4-시아네이트페닐)티오에테르 및 비스(4-시아네이트페닐)에테르 등의 2관능 시아네이트 수지; 페놀 노볼락 및 크레졸 노볼락 등으로부터 유도되는 다관능 시아네이트 수지; 이들 시아네이트 수지가 일부 트리아진화된 프리폴리머 등을 들 수 있다. 시아네이트에스테르계 수지의 구체예로서는, 론자 재팬사 제조의 「PT30」, 「PT30S」및 「PT60」(페놀 노볼락형 다관능 시아네이트에스테르 수지); 「ULL-950S」(다관능 시아네이트에스테르 수지); 「BA230」, 「BA230S75」(비스페놀 A 디시아네이트의 일부 또는 전부가 트리아진화되어 3량체가 된 프리폴리머), 「BADCy」(비스페놀 A 디시아네이트) 등을 들 수 있다.(b) As cyanate ester-type resin as a component, bisphenol A dicyanate, polyphenol cyanate, oligo (3-methylene-1,5-phenylene cyanate), 4,4'- methylene bis is, for example. (2,6-dimethylphenylcyanate), 4,4'-ethylidenediphenyldicyanate, hexafluorobisphenol A dicyanate, 2,2-bis(4-cyanate)phenylpropane, 1,1 -bis(4-cyanatephenylmethane), bis(4-cyanate-3,5-dimethylphenyl)methane, 1,3-bis(4-cyanatephenyl-1-(methylethylidene))benzene; bifunctional cyanate resins such as bis(4-cyanatephenyl)thioether and bis(4-cyanatephenyl)ether; polyfunctional cyanate resins derived from phenol novolac and cresol novolac; and prepolymers in which these cyanate resins are partially triazined. As a specific example of cyanate ester-type resin, "PT30", "PT30S" and "PT60" by Ronza Japan (phenol novolak-type polyfunctional cyanate ester resin); "ULL-950S" (polyfunctional cyanate ester resin); "BA230", "BA230S75" (a prepolymer in which a part or all of bisphenol A dicyanate was triazine-ized and became a trimer), "BADCy" (bisphenol A dicyanate), etc. are mentioned.

(b) 성분으로서의 카보디이미드계 수지의 구체예로서는, 닛신보 케미컬사 제조의 카보디라이트(등록상표) V-03(카보디이미드기 당량: 216, V-05(카보디이미드기 당량: 216), V-07(카보디이미드기 당량: 200); V-09(카보디이미드기 당량: 200); 라인 케미사 제조의 스타바쿠졸(등록상표)P(카보이미드기 당량: 302)를 들 수 있다.(b) As a specific example of the carbodiimide-based resin as a component, Nisshinbo Chemical Co., Ltd. Carbodilite (registered trademark) V-03 (carbodiimide group equivalent: 216, V-05 (carbodiimide group equivalent: 216) ), V-07 (carbodiimide group equivalent: 200); V-09 (carbodiimide group equivalent: 200); Stavacuzol (registered trademark) P (carboimide group equivalent: 302) manufactured by Rhein Chemis Co., Ltd. can be heard

(b) 성분으로서의 아민계 수지로서는, 1분자내 중에 1개 이상의 아미노기를 갖는 수지를 들 수 있고, 예를 들어, 지방족 아민류, 폴리에테르아민류, 지환식 아민류, 방향족 아민류 등을 들 수 있고, 그 중에서도, 본 발명의 원하는 효과를 나타내는 관점에서, 방향족 아민류가 바람직하다. 아민계 수지는, 제1급 아민 또는 제2급 아민이 바람직하고, 제1급 아민이 보다 바람직하다. 아민계 경화제의 구체예로서는, 4,4'-메틸렌비스(2,6-디메틸아닐린), 디페닐디아미노설폰, 4,4'-디아미노디페닐메탄, 4,4'-디아미노디페닐설폰, 3,3'-디아미노디페닐설폰, m-페닐렌디아민, m-크실릴렌디아민, 디에틸톨루엔디아민, 4,4'-디아미노디페닐에테르, 3,3'-디메틸-4,4'-디아미노비페닐, 2,2'-디메틸-4,4'-디아미노비페닐, 3,3'-디하이드록시벤지딘, 2,2-비스(3-아미노-4-하이드록시페닐)프로판, 3,3-디메틸-5,5-디에틸-4,4-디페닐메탄디아민, 2,2-비스(4-아미노페닐)프로판, 2,2-비스(4-(4-아미노페녹시)페닐)프로판, 1,3-비스(3-아미노페녹시)벤젠, 1,3-비스(4-아미노페녹시)벤젠, 1,4-비스(4-아미노페녹시)벤젠, 4,4'-비스(4-아미노페녹시)비페닐, 비스(4-(4-아미노페녹시)페닐)설폰, 비스(4-(3-아미노페녹시)페닐)설폰 등을 들 수 있다. 아민계 수지는 시판품을 사용해도 좋고, 예를 들어, 닛폰 카야쿠사 제조의 「KAYABOND C-200S」, 「KAYABOND C-100」, 「카야하드 A-A」, 「카야하드 A-B」, 「카야하드 A-S」, 미츠비시 케미컬사 제조의 「에피큐어 W」 등을 들 수 있다.(b) Examples of the amine-based resin as a component include resins having at least one amino group in one molecule, for example, aliphatic amines, polyetheramines, alicyclic amines, aromatic amines, and the like. Among them, aromatic amines are preferable from the viewpoint of exhibiting the desired effect of the present invention. Primary amine or secondary amine is preferable and, as for amine-type resin, primary amine is more preferable. Specific examples of the amine curing agent include 4,4'-methylenebis(2,6-dimethylaniline), diphenyldiaminosulfone, 4,4'-diaminodiphenylmethane, 4,4'-diaminodiphenylsulfone , 3,3'-diaminodiphenylsulfone, m-phenylenediamine, m-xylylenediamine, diethyltoluenediamine, 4,4'-diaminodiphenyl ether, 3,3'-dimethyl-4, 4'-diaminobiphenyl, 2,2'-dimethyl-4,4'-diaminobiphenyl, 3,3'-dihydroxybenzidine, 2,2-bis(3-amino-4-hydroxyphenyl ) propane, 3,3-dimethyl-5,5-diethyl-4,4-diphenylmethanediamine, 2,2-bis (4-aminophenyl) propane, 2,2-bis (4- (4-amino) Phenoxy) phenyl) propane, 1,3-bis (3-aminophenoxy) benzene, 1,3-bis (4-aminophenoxy) benzene, 1,4-bis (4-aminophenoxy) benzene, 4 ,4'-bis(4-aminophenoxy)biphenyl, bis(4-(4-aminophenoxy)phenyl)sulfone, bis(4-(3-aminophenoxy)phenyl)sulfone, etc. are mentioned. Commercially available amine resins may be used, for example, "KAYABOND C-200S", "KAYABOND C-100", "Kayahard A-A", "Kayahard A-B", "Kayahard A-S" manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd. , "Epicure W" by Mitsubishi Chemical Corporation, etc. are mentioned.

(b) 성분으로서의 산 무수물계 수지로서는, 1분자내 중에 1개 이상의 산 무수물기를 갖는 수지를 들 수 있다. 산 무수물계 수지의 구체예로서는, 무수 프탈산, 테트라하이드로 무수 프탈산, 헥사하이드로 무수 프탈산, 메틸테트라하이드로 무수 프탈산, 메틸헥사하이드로 무수 프탈산, 메틸나딕산 무수물, 수소화 메틸나딕산 무수물, 트리알킬테트라하이드로 무수 프탈산, 도데세닐 무수 석신산, 5-(2,5-디옥소테트라하이드로-3-푸라닐)-3-메틸-3-사이클로헥센-1,2-디카복실산 무수물, 무수 트리멜리트산, 무수 피로멜리트산, 벤조페논테트라카복실산 2무수물, 비페닐테트라카복실산 2무수물, 나프탈렌테트라카복실산 2무수물, 옥시디프탈산 2무수물, 3,3'-4,4'-디페닐설폰테트라카복실산 2무수물, 1,3,3a,4,5,9b-헥사하이드로-5-(테트라하이드로-2,5-디옥소-3-푸라닐)-나프토[1,2-C]푸란-1,3-디온, 에틸렌글리콜비스(안하이드로트리멜리테이트), 스티렌과 말레산이 공중합한 스티렌·말레산 수지 등의 폴리머형 산 무수물 등을 들 수 있다.(b) Examples of the acid anhydride-based resin as a component include resins having at least one acid anhydride group in one molecule. Specific examples of the acid anhydride resin include phthalic anhydride, tetrahydrophthalic anhydride, hexahydrophthalic anhydride, methyltetrahydrophthalic anhydride, methylhexahydrophthalic anhydride, methylnadic anhydride, hydrogenated methylnadic anhydride, and trialkyltetrahydrophthalic anhydride. , dodecenyl succinic anhydride, 5-(2,5-dioxotetrahydro-3-furanyl)-3-methyl-3-cyclohexene-1,2-dicarboxylic acid anhydride, trimellitic anhydride, pyromelli anhydride Tonic acid, benzophenone tetracarboxylic dianhydride, biphenyltetracarboxylic dianhydride, naphthalenetetracarboxylic dianhydride, oxydiphthalic dianhydride, 3,3'-4,4'-diphenylsulfone tetracarboxylic dianhydride, 1,3, 3a,4,5,9b-hexahydro-5-(tetrahydro-2,5-dioxo-3-furanyl)-naphtho[1,2-C]furan-1,3-dione, ethylene glycol bis (anhydrotrimellitate), polymer type acid anhydrides, such as styrene maleic acid resin which copolymerized styrene and maleic acid, etc. are mentioned.

(b) 성분으로서의 경화제로서는, 페놀계 수지, 나프톨계 수지, 벤조옥사진계 수지, 활성 에스테르계 수지, 시아네이트에스테르계 수지, 카보디이미드계 수지, 아민계 수지 및 산 무수물계 수지 중 어느 하나가 바람직하고, 활성 에스테르계 수지, 페놀계 수지, 카보디이미드계 수지 및 나프톨계 수지 중 어느 하나가 바람직하고, 페놀계 수지, 활성 에스테르계 수지 및 시아네이트에스테르계 수지로부터 선택되는 1종 이상인 것이 보다 바람직하다.(b) As the curing agent as a component, any one of a phenol-based resin, a naphthol-based resin, a benzoxazine-based resin, an active ester-based resin, a cyanate ester-based resin, a carbodiimide-based resin, an amine-based resin, and an acid anhydride-based resin Preferably, any one of an active ester-based resin, a phenol-based resin, a carbodiimide-based resin, and a naphthol-based resin is preferable, and at least one selected from a phenol-based resin, an active ester-based resin and a cyanate ester-based resin is more desirable.

(b) 성분으로서 에폭시 수지 및 경화제를 함유하는 경우, 에폭시 수지와 모든 경화제의 양비는, [에폭시 수지의 에폭시기의 합계 수]:[경화제의 반응기의 합계 수]의 비율로, 1:0.01 내지 1:5의 범위가 바람직하고, 1:0.1 내지 1:3이 보다 바람직하고, 1:0.3 내지 1:2가 더욱 바람직하다. 여기서, 「에폭시 수지의 에폭시기 수」란, 수지 조성물 중에 존재하는 에폭시 수지의 불휘발 성분의 질량을 에폭시 당량으로 나눈 값을 전부 합계한 값이다. 또한, 「경화제의 활성기 수」란, 수지 조성물 중에 존재하는 경화제의 불휘발 성분의 질량을 활성기 당량으로 나눈 값을 전부 합계한 값이다. (b) 성분으로서, 에폭시 수지와 경화제의 양비를 이러한 범위 내로 함으로써, 유연성이 우수한 경화체를 얻을 수 있다.(b) In the case of containing an epoxy resin and a curing agent as a component, the amount ratio of the epoxy resin and all curing agents is [the total number of epoxy groups in the epoxy resin]: [the total number of reactive groups in the curing agent] in a ratio of 1:0.01 to 1 The range of :5 is preferable, 1:0.1 - 1:3 are more preferable, and 1:0.3 - 1:2 are still more preferable. Here, "the number of epoxy groups of an epoxy resin" is the value which added all the value obtained by dividing the mass of the nonvolatile component of the epoxy resin present in the resin composition by the epoxy equivalent. In addition, "the number of active groups of a hardening|curing agent" is the value which added all the value obtained by dividing the mass of the nonvolatile component of the hardening|curing agent which exists in a resin composition by the active group equivalent. (b) As a component, by making the ratio of an epoxy resin and a hardening|curing agent into this range, the hardening body excellent in flexibility can be obtained.

(b) 성분으로서의 경화제의 함유량은, 유연성이 우수한 경화체를 얻는 관점에서, 수지 조성물 중의 불휘발 성분 100질량%에 대하여, 바람직하게는 1질량% 이상, 보다 바람직하게는 3질량% 이상, 더욱 바람직하게는 5질량% 이상이고, 바람직하게는 40질량% 이하, 보다 바람직하게는 30질량% 이하, 더욱 바람직하게는 20질량% 이하이다.(b) The content of the curing agent as a component is preferably 1% by mass or more, more preferably 3% by mass or more, more preferably 1% by mass or more with respect to 100% by mass of the nonvolatile component in the resin composition from the viewpoint of obtaining a cured product having excellent flexibility. Preferably it is 5 mass % or more, Preferably it is 40 mass % or less, More preferably, it is 30 mass % or less, More preferably, it is 20 mass % or less.

(b) 성분의 함유량은, 본 발명의 효과를 현저히 얻는 관점에서, 수지 조성물 중의 불휘발 성분 100질량%에 대하여, 바람직하게는 10질량% 이상, 보다 바람직하게는 13질량% 이상, 더욱 바람직하게는 15질량% 이상이고, 바람직하게는 50질량% 이하, 보다 바람직하게는 45질량% 이하, 더욱 바람직하게는 40질량% 이하이다.(b) The content of the component, from the viewpoint of significantly obtaining the effect of the present invention, with respect to 100 mass% of the nonvolatile component in the resin composition, preferably 10 mass% or more, more preferably 13 mass% or more, still more preferably is 15 mass % or more, Preferably it is 50 mass % or less, More preferably, it is 45 mass % or less, More preferably, it is 40 mass % or less.

<(c) 경화 촉진제><(c) curing accelerator>

수지 조성물은, 임의의 성분으로서 (c) 경화 촉진제를 함유하고 있어도 좋다. 경화 촉진제로서는, 예를 들어, 인계 경화 촉진제, 아민계 경화 촉진제, 이미다졸계 경화 촉진제, 구아니딘계 경화 촉진제, 금속계 경화 촉진제 등을 들 수 있고, 아민계 경화 촉진제, 이미다졸계 경화 촉진제가 바람직하고, 아민계 경화 촉진제가 보다 바람직하다. 경화 촉진제는, 1종 단독으로 사용해도 좋고, 2종 이상을 조합하여 사용해도 좋다. The resin composition may contain the (c) hardening accelerator as an arbitrary component. Examples of the curing accelerator include phosphorus-based curing accelerators, amine-based curing accelerators, imidazole-based curing accelerators, guanidine-based curing accelerators, and metal-based curing accelerators, and amine-based curing accelerators and imidazole-based curing accelerators are preferred. , an amine-based curing accelerator is more preferable. A hardening accelerator may be used individually by 1 type, and may be used in combination of 2 or more type.

인계 경화 촉진제로서는, 예를 들어, 트리페닐포스핀, 포스포늄보레이트 화합물, 테트라페닐포스포늄테트라페닐보레이트, n-부틸포스포늄테트라페닐보레이트, 테트라부틸포스포늄데칸산염, (4-메틸페닐)트리페닐포스포늄티오시아네이트, 테트라페닐포스포늄티오시아네이트, 부틸트리페닐포스포늄티오시아네이트 등을 들 수 있고, 트리페닐포스핀, 테트라부틸포스포늄데칸산염이 바람직하다.Examples of the phosphorus curing accelerator include triphenylphosphine, phosphonium borate compound, tetraphenylphosphonium tetraphenylborate, n-butylphosphonium tetraphenylborate, tetrabutylphosphoniumdecanoate, (4-methylphenyl)triphenyl Phosphonium thiocyanate, tetraphenyl phosphonium thiocyanate, butyl triphenyl phosphonium thiocyanate, etc. are mentioned, Triphenyl phosphine and tetrabutyl phosphonium decanoate are preferable.

아민계 경화 촉진제로서는, 예를 들어, 트리에틸아민, 트리부틸아민 등의 트리알킬아민, 4-디메틸아미노피리딘, 벤질디메틸아민, 2,4,6-트리스(디메틸아미노메틸)페놀, 1,8-디아자바이사이클로(5,4,0)-운데센 등을 들 수 있고, 4-디메틸아미노피리딘, 1,8-디아자바이사이클로(5,4,0)-운데센이 바람직하다.Examples of the amine curing accelerator include trialkylamines such as triethylamine and tributylamine, 4-dimethylaminopyridine, benzyldimethylamine, 2,4,6-tris(dimethylaminomethyl)phenol, 1,8 -diazabicyclo(5,4,0)-undecene etc. are mentioned, 4-dimethylaminopyridine and 1,8- diazabicyclo(5,4,0)- undecene are preferable.

이미다졸계 경화 촉진제로서는, 예를 들어, 2-메틸이미다졸, 2-운데실이미다졸, 2-헵타데실이미다졸, 1,2-디메틸이미다졸, 2-에틸-4-메틸이미다졸, 1,2-디메틸이미다졸, 2-에틸-4-메틸이미다졸, 2-페닐이미다졸, 2-페닐-4-메틸이미다졸, 1-벤 질-2-메틸이미다졸, 1-벤질-2-페닐이미다졸, 1-시아노에틸-2-메틸이미다졸, 1-시아노에틸-2-운데실이미다졸, 1-시아노에틸-2-에틸-4-메틸이미다졸, 1-시아노에틸-2-페닐이미다졸, 1-시아노에틸-2-운데실이미다졸륨트리멜리테이트, 1-시아노에틸-2-페닐이미다졸륨트리멜리테이트, 2,4-디아미노-6-[2'-메틸이미다졸릴-(1')]-에틸-s-트리아진, 2,4-디아미노-6-[2'-운데실이미다졸릴-(1')]-에틸-s-트리아진, 2,4-디아미노-6-[2'-에틸-4'-메틸이미다졸릴-(1')]-에틸-s-트리아진, 2,4-디아미노-6-[2'-메틸이미다졸릴-(1')]-에틸-s-트리아진이소시아누르산 부가물, 2-페닐이미다졸이소시아누르산 부가물, 2-페닐-4,5-디하이드록시메틸이미다졸, 2-페닐-4-메틸-5-하이드록시메틸이미다졸, 2,3-디하이드로-1H-피롤로[1,2-a]벤즈이미다졸, 1-도데실-2-메틸-3-벤질이미다졸륨클로라이드, 2-메틸이미다졸린, 2-페닐이미다졸린 등의 이미다졸 화합물 및 이미다졸 화합물과 에폭시 수지의 어덕트체를 들 수 있고, 2-에틸-4-메틸이미다졸, 1-벤질-2-페닐이미다졸이 바람직하다.Examples of the imidazole-based curing accelerator include 2-methylimidazole, 2-undecylimidazole, 2-heptadecylimidazole, 1,2-dimethylimidazole, and 2-ethyl-4-methyl. Imidazole, 1,2-dimethylimidazole, 2-ethyl-4-methylimidazole, 2-phenylimidazole, 2-phenyl-4-methylimidazole, 1-benzyl-2-methyl Imidazole, 1-benzyl-2-phenylimidazole, 1-cyanoethyl-2-methylimidazole, 1-cyanoethyl-2-undecylimidazole, 1-cyanoethyl-2- Ethyl-4-methylimidazole, 1-cyanoethyl-2-phenylimidazole, 1-cyanoethyl-2-undecylimidazolium trimellitate, 1-cyanoethyl-2-phenylimida Zolium trimellitate, 2,4-diamino-6-[2'-methylimidazolyl-(1')]-ethyl-s-triazine, 2,4-diamino-6-[2'-unde Silimidazolyl-(1′)]-ethyl-s-triazine, 2,4-diamino-6-[2′-ethyl-4′-methylimidazolyl-(1′)]-ethyl-s -triazine, 2,4-diamino-6-[2'-methylimidazolyl-(1')]-ethyl-s-triazineisocyanuric acid adduct, 2-phenylimidazoleisocyanuric acid adduct, 2-phenyl-4,5-dihydroxymethylimidazole, 2-phenyl-4-methyl-5-hydroxymethylimidazole, 2,3-dihydro-1H-pyrrolo[1, 2-a] imidazole compounds such as benzimidazole, 1-dodecyl-2-methyl-3-benzylimidazolium chloride, 2-methylimidazoline and 2-phenylimidazoline, imidazole compounds and epoxy resins of adducts, and 2-ethyl-4-methylimidazole and 1-benzyl-2-phenylimidazole are preferable.

이미다졸계 경화 촉진제로서는, 시판품을 사용해도 좋고, 예를 들어, 미츠비시 케미컬사 제조의 「P200-H50」 등을 들 수 있다.As an imidazole type hardening accelerator, you may use a commercial item, for example, "P200-H50" by a Mitsubishi Chemical company, etc. are mentioned.

구아니딘계 경화 촉진제로서는, 예를 들어, 디시안디아미드, 1-메틸구아니딘, 1-에틸구아니딘, 1-사이클로헥실구아니딘, 1-페닐구아니딘, 1-(o-톨릴)구아니딘, 디메틸구아니딘, 디페닐구아니딘, 트리메틸구아니딘, 테트라메틸구아니딘, 펜타메틸구아니딘, 1,5,7-트리아자바이사이클로[4.4.0]데카-5-엔, 7-메틸-1,5,7-트리아자바이사이클로[4.4.0]데카-5-엔, 1-메틸비구아니드, 1-에틸비구아니드, 1-n-부틸비구아니드, 1-n-옥타데실비구아니드, 1,1-디메틸비구아니드, 1,1-디에틸비구아니드, 1-사이클로헥실비구아니드, 1-알릴비구아니드, 1-페닐비구아니드, 1-(o-톨릴)비구아니드 등을 들 수 있고, 디시안디아미드, 1,5,7-트리아자바이사이클로[4.4.0]데카-5-엔이 바람직하다.Examples of the guanidine-based curing accelerator include dicyandiamide, 1-methylguanidine, 1-ethylguanidine, 1-cyclohexylguanidine, 1-phenylguanidine, 1-(o-tolyl)guanidine, dimethylguanidine, diphenylguanidine. , trimethylguanidine, tetramethylguanidine, pentamethylguanidine, 1,5,7-triazabicyclo[4.4.0]deca-5-ene, 7-methyl-1,5,7-triazabicyclo[4.4.0] Deca-5-ene, 1-methylbiguanide, 1-ethylbiguanide, 1-n-butylbiguanide, 1-n-octadecylbiguanide, 1,1-dimethylbiguanide, 1, 1-diethylbiguanide, 1-cyclohexylbiguanide, 1-allylbiguanide, 1-phenylbiguanide, 1-(o-tolyl)biguanide, etc. are mentioned, dicyandiamide, 1,5,7-triazabicyclo[4.4.0]deca-5-ene is preferred.

금속계 경화 촉진제로서는, 예를 들어, 코발트, 구리, 아연, 철, 니켈, 망간, 주석 등의 금속의, 유기 금속 착체 또는 유기 금속염을 들 수 있다. 유기 금속 착체의 구체예로서는, 코발트(II)아세틸아세토네이트, 코발트(III)아세틸아세토네이트 등의 유기 코발트 착체, 구리(II)아세틸아세토네이트 등의 유기 구리 착체, 아연(II)아세틸아세토네이트 등의 유기 아연 착체, 철(III)아세틸아세토네이트 등 의 유기 철 착체, 니켈(II)아세틸아세토네이트 등의 유기 니켈 착체, 망간(II)아세틸아세토네이트 등의 유기 망간 착체 등을 들 수 있다. 유기 금속염으로서는, 예를 들어, 옥틸산 아연, 옥틸산 주석, 나프텐산 아연, 나프텐산 코발트, 스테아르산 주석, 스테아르산 아연 등을 들 수 있다.As a metal type hardening accelerator, the organometallic complex or organometallic salt of metals, such as cobalt, copper, zinc, iron, nickel, manganese, and tin, is mentioned, for example. Specific examples of the organometallic complex include organocobalt complexes such as cobalt(II)acetylacetonate and cobalt(III)acetylacetonate, organocopper complexes such as copper(II)acetylacetonate, zinc(II)acetylacetonate, and the like. organic zinc complexes, organic iron complexes such as iron (III) acetylacetonate, organic nickel complexes such as nickel (II) acetylacetonate, and organic manganese complexes such as manganese (II) acetylacetonate. Examples of the organometallic salt include zinc octylate, tin octylate, zinc naphthenate, cobalt naphthenate, tin stearate, and zinc stearate.

(c) 경화 촉진제의 함유량은, 수지 조성물 중의 불휘발 성분을 100질량%로 할 경우, 바람직하게는 0.01질량% 이상, 보다 바람직하게는 0.02질량% 이상, 특히 바람직하게는 0.03질량% 이상이고, 바람직하게는 3질량% 이하, 보다 바람직하게는 1질량% 이하, 특히 바람직하게는 0.5질량% 이하이다.(c) the content of the curing accelerator is preferably 0.01% by mass or more, more preferably 0.02% by mass or more, particularly preferably 0.03% by mass or more, when the nonvolatile component in the resin composition is 100% by mass, Preferably it is 3 mass % or less, More preferably, it is 1 mass % or less, Especially preferably, it is 0.5 mass % or less.

또한, (b) 성분으로서의 경화제를 포함하지 않을 경우, (c) 경화 촉진제의 함유량은, 수지 조성물 중의 불휘발 성분을 100질량%로 할 경우, 바람직하게는 0.01질량% 이상, 보다 바람직하게는 0.02질량% 이상, 특히 바람직하게는 0.03질량% 이상이고, 바람직하게는 3질량% 이하, 보다 바람직하게는 1질량% 이하, 특히 바람직하게는 0.5질량% 이하이다.In addition, when the curing agent as the component (b) is not included, the content of the curing accelerator (c) is preferably 0.01% by mass or more, more preferably 0.02% by mass or more, when the nonvolatile component in the resin composition is 100% by mass. It is mass % or more, Especially preferably, it is 0.03 mass % or more, Preferably it is 3 mass % or less, More preferably, it is 1 mass % or less, Especially preferably, it is 0.5 mass % or less.

<(d) 열가소성 수지><(d) Thermoplastic resin>

수지 조성물은, 임의의 성분으로서 (d) 열가소성 수지를 함유하고 있어도 좋다. (d) 열가소성 수지로서는, 예를 들어, 페녹시 수지, 폴리비닐아세탈 수지, 폴리올레핀 수지, 폴리이미드 수지, 폴리아미드이미드 수지, 폴리에테르이미드 수지, 폴리설폰 수지, 폴리에테르설폰 수지, 폴리페닐렌에테르 수지, 폴리에테르에테르케톤 수지, 폴리에스테르 수지 등을 들 수 있고, 페녹시 수지가 바람직하다. 열가소성 수지는, 1종 단독으로 사용해도 좋고, 또는 2종 이상을 조합하여 사용해도 좋다.The resin composition may contain the (d) thermoplastic resin as an arbitrary component. (d) As the thermoplastic resin, for example, phenoxy resin, polyvinyl acetal resin, polyolefin resin, polyimide resin, polyamideimide resin, polyetherimide resin, polysulfone resin, polyethersulfone resin, polyphenylene ether Resin, polyether ether ketone resin, polyester resin, etc. are mentioned, A phenoxy resin is preferable. A thermoplastic resin may be used individually by 1 type, or may be used in combination of 2 or more type.

(d) 열가소성 수지의 폴리스티렌 환산의 중량 평균 분자량은, 바람직하게는 10,000 이상, 보다 바람직하게는 15,000 이상, 더욱 바람직하게는 20,000 이상이다. 상한은, 바람직하게는 100,000 이하, 보다 바람직하게는 70,000 이하, 더욱 바람직하게는 60,000 이하이다. (d) 열가소성 수지의 폴리스티렌 환산의 중량 평균 분자량은, 겔 투과 크로마토그래피(GPC)법으로 측정된다. 구체적으로는, (d) 열가소성 수지의 폴리스티렌 환산의 중량 평균 분자량은, 측정 장치로서 시마즈 세사쿠쇼사 제조 LC-9A/RID-6A를, 칼럼으로서 쇼와 덴코사 제조 Shodex K-800P/K-804L/K-804L을, 이동상으로서 클로로포름 등을 사용하고, 칼럼 온도를 40℃에서 측정하고, 표준 폴리스티렌의 검량선을 사용하여 산출할 수 있다.(d) The weight average molecular weight of a thermoplastic resin in terms of polystyrene becomes like this. Preferably it is 10,000 or more, More preferably, it is 15,000 or more, More preferably, it is 20,000 or more. The upper limit is preferably 100,000 or less, more preferably 70,000 or less, still more preferably 60,000 or less. (d) The weight average molecular weight in terms of polystyrene of the thermoplastic resin is measured by a gel permeation chromatography (GPC) method. Specifically, (d) the weight average molecular weight in terms of polystyrene of the thermoplastic resin is LC-9A/RID-6A manufactured by Shimadzu Corporation as a measuring device and Shodex K-800P/K-804L manufactured by Showa Denko as a column. It can calculate /K-804L using chloroform etc. as a mobile phase, measuring a column temperature at 40 degreeC, and using the standard polystyrene calibration curve.

페녹시 수지로서는, 예를 들어, 비스페놀 A 골격, 비스페놀 F 골격, 비스페놀 S 골격, 비스페놀아세토페논 골격, 노볼락 골격, 비페닐 골격, 플루오렌 골격, 디사이클로펜타디엔 골격, 노르보르넨 골격, 나프탈렌 골격, 안트라센 골격, 아다만탄 골격, 테르펜 골격 및 트리메틸사이클로헥산 골격으로 이루어지는 그룹으로부터 선택되는 1종 이상의 골격을 갖는 페녹시 수지를 들 수 있다. 페녹시 수지의 말단은, 페놀성 수산기, 에폭시기 등의 어느 관능기라도 좋다. 페녹시 수지는 1종 단독으로 사용해도 좋고, 2종 이상을 조합하여 사용해도 좋다. 페녹시 수지의 구체예로서는, 미츠비시 케미컬사 제조의 「1256」 및 「4250」(모두 비스페놀 A 골격 함유 페녹시 수지), 「YX8100」(비스페놀 S 골격 함유 페녹시 수지) 및 「YX6954」 (비스페놀아세토페논 골격 함유 페녹시 수지)를 들 수 있고, 그 밖에도, 닛테츠 케미컬 & 머티리얼사 제조의 「FX280」 및 「FX293」, 미츠비시 케미컬사 제조의 「YL7500BH30」, 「YX6954BH30」, 「YX7553」, 「YX7553BH30」, 「YL7553BH30」, 「YL7769BH30」, 「YL6794」, 「YL7213」, 「YL7290」 및 「YL7482」 등을 들 수 있다.Examples of the phenoxy resin include bisphenol A skeleton, bisphenol F skeleton, bisphenol S skeleton, bisphenolacetophenone skeleton, novolak skeleton, biphenyl skeleton, fluorene skeleton, dicyclopentadiene skeleton, norbornene skeleton, naphthalene. and phenoxy resins having at least one skeleton selected from the group consisting of skeleton, anthracene skeleton, adamantane skeleton, terpene skeleton and trimethylcyclohexane skeleton. Any functional group, such as a phenolic hydroxyl group and an epoxy group, may be sufficient as the terminal of a phenoxy resin. A phenoxy resin may be used individually by 1 type, and may be used in combination of 2 or more type. Specific examples of the phenoxy resin include "1256" and "4250" (both bisphenol A skeleton-containing phenoxy resins), "YX8100" (bisphenol S skeleton-containing phenoxy resin) and "YX6954" (bisphenol acetophenone manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation) skeleton-containing phenoxy resin), in addition to "FX280" and "FX293" by Nittetsu Chemical & Materials, "YL7500BH30", "YX6954BH30" by Mitsubishi Chemical, "YX7553", "YX7553BH30" , "YL7553BH30", "YL7769BH30", "YL6794", "YL7213", "YL7290", "YL7482", etc. are mentioned.

폴리비닐아세탈 수지로서는, 예를 들어, 폴리비닐포르말 수지, 폴리비닐부티랄 수지를 들 수 있고, 폴리비닐부티랄 수지가 바람직하다. 폴리비닐아세탈 수지의 구체예로서는, 예를 들어, 덴키 카가쿠코교사 제조의 「덴카 부티랄 4000-2」, 「덴카 부티랄 5000-A」, 「덴카 부티랄 6000-C」, 「덴카 부티랄 6000-EP」, 세키스이 카가쿠코교사 제조의 에스렉 BH 시리즈, BX 시리즈(예를 들어 BX-5Z), KS시리즈(예를 들어 KS-1), BL 시리즈, BM 시리즈 등을 들 수 있다.As polyvinyl acetal resin, polyvinyl formal resin and polyvinyl butyral resin are mentioned, for example, Polyvinyl butyral resin is preferable. As a specific example of polyvinyl acetal resin, "Denka Butyral 4000-2", "Denka Butyral 5000-A", "Denka Butyral 6000-C", "Denka Butyral" manufactured by Denki Chemical Co., Ltd. as a specific example, for example, 6000-EP", Sekisui Chemical Co., Ltd. S-Rec BH series, BX series (eg BX-5Z), KS series (eg KS-1), BL series, BM series, etc. are mentioned. .

폴리이미드 수지의 구체예로서는, 신닛폰 리카사 제조의 「리카코트 SN20」 및 「리카코트 PN20」을 들 수 있다. 폴리이미드 수지의 구체예로서는 또한, 2관능성 하이드록실기 말단 폴리부타디엔, 디이소시아네이트 화합물 및 4염기산 무수물을 반응시켜서 얻어지는 선상 폴리이미드(일본 공개특허공보 특개2006-37083호에 기재된 폴리이미드), 폴리실록산 골격 함유 폴리이미드(일본 공개특허공보 특개2002-12667호 및 특개2000-319386호 등에 기재된 폴리이미드) 등의 변성 폴리이미드를 들 수 있다.As a specific example of polyimide resin, "Ricacoat SN20" and "Ricacoat PN20" by a New Nippon Rica company are mentioned. Specific examples of the polyimide resin include a linear polyimide obtained by reacting a difunctional hydroxyl-terminated polybutadiene, a diisocyanate compound, and a tetrabasic acid anhydride (polyimide described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2006-37083), polysiloxane Modified polyimides, such as skeleton containing polyimide (The polyimide described in Unexamined-Japanese-Patent No. 2002-12667, Unexamined-Japanese-Patent No. 2000-319386, etc.) are mentioned.

폴리아미드이미드 수지의 구체예로서는, 토요보사 제조의 「바이로막스 HR11NN」 및 「바이로막스 HR16NN」을 들 수 있다. 폴리아미드이미드 수지의 구체예로서는 또한, 히타치 카세이코교사 제조의 「KS9100」, 「KS9300」(폴리실록산 골격 함유 폴리아미드이미드) 등의 변성 폴리아미드이미드를 들 수 있다.As a specific example of polyamideimide resin, "Viromax HR11NN" and "Viromax HR16NN" by Toyobo Co., Ltd. are mentioned. Specific examples of the polyamideimide resin include modified polyamideimides such as "KS9100" and "KS9300" (polyamideimide containing polysiloxane skeleton) manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd.

폴리에테르설폰 수지의 구체예로서는, 스미토모 카가쿠사 제조의 「PES5003P」 등을 들 수 있다. 폴리페닐렌에테르 수지의 구체예로서는, 미츠비시 가스 카가쿠사 제조의 올리고페닐렌에테르·스티렌 수지 「OPE-2St 1200」 등을 들 수 있다. 폴리에테르에테르케톤 수지의 구체예로서는, 스미토모 카가쿠사 제조의 「스미프로이 K」 등을 들 수 있다. 폴리에테르이미드 수지의 구체예로서는, GE사 제조의 「우르템」 등을 들 수 있다.As a specific example of polyether sulfone resin, the Sumitomo Chemical Company "PES5003P" etc. are mentioned. As a specific example of polyphenylene ether resin, the oligophenylene ether styrene resin "OPE-2St1200" by Mitsubishi Gas Chemical Company, etc. are mentioned. As a specific example of polyether ether ketone resin, the Sumitomo Chemical Company "Sumiproy K" etc. are mentioned. Specific examples of the polyetherimide resin include "Urtem" manufactured by GE Corporation.

폴리설폰 수지의 구체예로서는, 솔베이 어드밴스트 폴리머즈사 제조의 폴리설폰 「P1700」, 「P3500」 등을 들 수 있다.As a specific example of polysulfone resin, the polysulfone "P1700" by Solvay Advanced Polymers, "P3500", etc. are mentioned.

폴리올레핀 수지로서는, 예를 들어 저밀도 폴리에틸렌, 초저밀도 폴리에틸렌, 고밀도 폴리에틸렌, 에틸렌-아세트산 비닐 공중합체, 에틸렌-아크릴산 에틸 공중합체, 에틸렌-아크릴산 메틸 공중합체 등의 에틸렌계 공중합 수지; 폴리프로필렌, 에틸렌-프로필렌 블록 공중합체 등의 폴리올레핀계 엘라스토머 등을 들 수 있다.Examples of the polyolefin resin include ethylene-based copolymer resins such as low-density polyethylene, ultra-low-density polyethylene, high-density polyethylene, ethylene-vinyl acetate copolymer, ethylene-ethyl acrylate copolymer, and ethylene-methyl acrylate copolymer; Polyolefin type elastomers, such as a polypropylene and an ethylene-propylene block copolymer, etc. are mentioned.

폴리에스테르 수지로서는, 예를 들어 폴리에틸렌테레프탈레이트 수지, 폴리에틸렌나프탈레이트 수지, 폴리부틸렌테레프탈레이트 수지, 폴리부틸렌나프탈레이트 수지, 폴리트리메틸렌테레프탈레이트 수지, 폴리트리메틸렌나프탈레이트 수지, 폴리사이클로헥산디메틸테레프탈레이트 수지 등을 들 수 있다.Examples of the polyester resin include polyethylene terephthalate resin, polyethylene naphthalate resin, polybutylene terephthalate resin, polybutylene naphthalate resin, polytrimethylene terephthalate resin, polytrimethylene naphthalate resin, polycyclohexanedimethyl tere. A phthalate resin etc. are mentioned.

그 중에서도, (d) 열가소성 수지로서는, 페녹시 수지, 폴리비닐아세탈 수지가 바람직하다. 따라서, 적합한 일 실시형태에 있어서, 열가소성 수지는, 페녹시 수지 및 폴리비닐아세탈 수지로 이루어지는 그룹으로부터 선택되는 1종 이상을 포함한다. 그 중에서도, 열가소성 수지로서는, 페녹시 수지가 바람직하고, 중량 평균 분자량이 10,000 이상인 페녹시 수지가 특히 바람직하다.Especially, as (d) a thermoplastic resin, a phenoxy resin and polyvinyl acetal resin are preferable. Therefore, in one suitable embodiment, the thermoplastic resin includes at least one selected from the group consisting of a phenoxy resin and a polyvinyl acetal resin. Especially, as a thermoplastic resin, a phenoxy resin is preferable, and a phenoxy resin with a weight average molecular weight of 10,000 or more is especially preferable.

(d) 열가소성 수지의 함유량은, 수지 조성물 중의 불휘발 성분을 100질량%로 할 경우, 바람직하게는 0.1질량% 이상, 보다 바람직하게는 0.3질량% 이상, 더욱 바람직하게는 0.5질량% 이상이다. 상한은, 바람직하게는 5질량% 이하, 보다 바람직하게는 4질량% 이하, 더욱 바람직하게는 3질량% 이하이다.(d) When content of a thermoplastic resin makes the non-volatile component in a resin composition 100 mass %, Preferably it is 0.1 mass % or more, More preferably, it is 0.3 mass % or more, More preferably, it is 0.5 mass % or more. An upper limit becomes like this. Preferably it is 5 mass % or less, More preferably, it is 4 mass % or less, More preferably, it is 3 mass % or less.

<(e) 엘라스토머><(e) elastomer>

수지 조성물은, 상기 성분 이외에, 임의의 성분으로서, (e) 엘라스토머를 사용해도 좋다. (e) 성분은 1종 단독으로 사용해도 좋고, 2종 이상을 병용해도 좋다.The resin composition may use the (e) elastomer as an arbitrary component other than the said component. (e) A component may be used individually by 1 type, and may use 2 or more types together.

(e) 성분으로서는, 분자 내에, 폴리부타디엔 구조, 폴리실록산 구조, 폴리(메타)아크릴레이트 구조, 폴리알킬렌 구조, 폴리알킬렌옥시 구조, 폴리이소프렌 구조, 폴리이소부틸렌 구조, 폴리에스테르 구조 및 폴리카보네이트 구조로부터 선택되는 1종 이상의 구조를 갖는 수지인 것이 바람직하고, 분자 내에, 폴리부타디엔 구조, 폴리(메타)아크릴레이트 구조, 폴리알킬렌옥시 구조, 폴리이소프렌 구조, 폴리에스테르 구조 또는 폴리카보네이트 구조로부터 선택되는 1종 또는 2종 이상의 구조를 갖는 수지인 것이 보다 바람직하고, 분자 내에, 폴리부타디엔 구조, 폴리에스테르 구조 및 폴리카보네이트 구조 중 어느 하나를 갖는 수지인 것이 더욱 바람직하다. 또한, 「(메타)아크릴레이트」란, 메타크릴레이트 및 아크릴레이트 및 이들의 조합을 포함하는 용어이다. 이들 구조는, 엘라스토머 분자의 주쇄에 포함되어 있어도 측쇄에 포함되어 있어도 좋다.(e) As a component, in a molecule|numerator, a polybutadiene structure, a polysiloxane structure, a poly(meth)acrylate structure, a polyalkylene structure, a polyalkyleneoxy structure, a polyisoprene structure, a polyisobutylene structure, a polyester structure, and a poly It is preferable that it is a resin having at least one structure selected from a carbonate structure, and in the molecule, a polybutadiene structure, a poly(meth)acrylate structure, a polyalkyleneoxy structure, a polyisoprene structure, a polyester structure, or a polycarbonate structure It is more preferable that it is a resin which has 1 type(s) or 2 or more types of structures selected, and it is more preferable that it is a resin which has any one of a polybutadiene structure, a polyester structure, and a polycarbonate structure in a molecule|numerator. In addition, "(meth)acrylate" is a term including a methacrylate, an acrylate, and a combination thereof. These structures may be contained in the main chain of the elastomer molecule or may be contained in the side chain.

(e) 성분은, 본 발명의 효과를 현저히 얻는 관점에서, 고분자량인 것이 바람직하다. (e) 성분의 수 평균 분자량(Mn)은, 바람직하게는 1,000 이상, 보다 바람직하게는 1,500 이상, 더욱 바람직하게는 3,000 이상, 5,000 이상이다. 상한은, 바람직하게는 1,000,000 이하, 보다 바람직하게는 900,000 이하이다. 수 평균 분자량(Mn)은, GPC(겔 투과 크로마토그래피)를 사용해서 측정되는 폴리스티렌 환산의 수 평균 분자량이다.(e) It is preferable that a component has a high molecular weight from a viewpoint of acquiring the effect of this invention remarkably. (e) The number average molecular weight (Mn) of the component is preferably 1,000 or more, more preferably 1,500 or more, still more preferably 3,000 or more and 5,000 or more. The upper limit is preferably 1,000,000 or less, more preferably 900,000 or less. A number average molecular weight (Mn) is a polystyrene conversion number average molecular weight measured using GPC (gel permeation chromatography).

(e) 성분은, 본 발명의 효과를 현저히 얻는 관점에서, 유리 전이 온도(Tg)가 낮은 것이 바람직하다. (e) 성분의 유리 전이 온도(Tg)는, 바람직하게는 30℃ 이하, 보다 바람직하게는 20℃ 이하, 더욱 바람직하게는 10℃ 이하이다. 바람직하게는 -60℃ 이상, 보다 바람직하게는 -50℃ 이상, 더욱 바람직하게는 -45℃ 이상이다.It is preferable that (e) component has a low glass transition temperature (Tg) from a viewpoint of acquiring the effect of this invention remarkably. (e) The glass transition temperature (Tg) of component becomes like this. Preferably it is 30 degrees C or less, More preferably, it is 20 degrees C or less, More preferably, it is 10 degrees C or less. Preferably it is -60 degreeC or more, More preferably, it is -50 degreeC or more, More preferably, it is -45 degreeC or more.

(e) 성분은, (b) 성분으로서의 에폭시 수지와 반응해서 수지 조성물을 경화시켜서 박리 강도를 높인다는 관점에서, (b) 성분으로서의 에폭시 수지와 반응할 수 있는 관능기를 갖는 것이 바람직하다. 또한, 에폭시 수지와 반응할 수 있는 관능기로서는, 가열에 의해 나타나는 관능기도 포함시키는 것으로 한다.It is preferable that (e) component has a functional group which can react with the epoxy resin as (b) component from a viewpoint of reacting with the epoxy resin as (b) component, hardening a resin composition, and raising peeling strength. In addition, as a functional group which can react with an epoxy resin, the functional group shown by heating shall be included.

적합한 일 실시형태에 있어서, (b) 성분으로서의 에폭시 수지와 반응할 수 있는 관능기는, 하이드록시기, 카복시기, 산 무수물기, 페놀성 수산기, 에폭시기, 이소시아네이트기 및 우레탄기로 이루어지는 그룹으로부터 선택되는 1종 이상의 관능기이다. 그 중에서도, 상기 관능기로서는, 하이드록시기, 산 무수물기, 페놀성 수산기, 에폭시기, 이소시아네이트기 및 우레탄기가 바람직하고, 하이드록시기, 산 무수물기, 페놀성 수산기, 에폭시기가 보다 바람직하고, 페놀성 수산기가 특히 바람직하다. 단, 관능기로서 에폭시기를 포함하는 경우, (e) 성분의 중량 평균 분자량(Mw)은 5,000 이상인 것이 바람직하다.In one suitable embodiment, the functional group capable of reacting with the epoxy resin as component (b) is 1 selected from the group consisting of a hydroxyl group, a carboxy group, an acid anhydride group, a phenolic hydroxyl group, an epoxy group, an isocyanate group, and a urethane group It is more than a species of functional group. Among them, the functional group is preferably a hydroxyl group, an acid anhydride group, a phenolic hydroxyl group, an epoxy group, an isocyanate group and a urethane group, more preferably a hydroxyl group, an acid anhydride group, a phenolic hydroxyl group, or an epoxy group, and a phenolic hydroxyl group is particularly preferred. However, when an epoxy group is included as a functional group, it is preferable that the weight average molecular weight (Mw) of (e) component is 5,000 or more.

(e) 성분의 적합한 실시형태는, 폴리부타디엔 구조를 함유하는 수지이며, 폴리부타디엔 구조는 주쇄에 포함되어 있어도, 측쇄에 포함되어 있어도 좋다. 또한, 폴리부타디엔 구조는, 일부 또는 전부가 수소 첨가되어 있어도 좋다. 폴리부타디엔 구조를 함유하는 수지를 폴리부타디엔 수지라고 한다.(e) A preferred embodiment of the component is a resin containing a polybutadiene structure, and the polybutadiene structure may be contained in the main chain or may be contained in the side chain. In addition, a part or all of polybutadiene structure may be hydrogenated. A resin containing a polybutadiene structure is called a polybutadiene resin.

폴리부타디엔 수지의 구체예로서는, 클레이 발레사 제조의 「Ricon 130MA8」, 「Ricon 130MA13」, 「Ricon 130MA20」, 「Ricon 131MA5」, 「Ricon 131MA10」, 「Ricon 131MA17」, 「Ricon 131MA20」, 「Ricon 184MA6」(산 무수물기 함유 폴리부타디엔), 닛폰 소다사 제조의 「GQ-1000」(수산기, 카복실기 도입 폴리부타디엔), 「G-1000」, 「G-2000」, 「G-3000」(양 말단 수산기 폴리부타디엔), 「GI-1000」, 「GI-2000」, 「GI-3000」(양 말단 수산기 수소화 폴리부타디엔), 나가세 켐텍스사 제조의 「FCA-061L」(수소화 폴리부타디엔 골격 에폭시 수지) 등을 들 수 있다. 일 실시형태로서, 하이드록실기 말단 폴리부타디엔, 디이소시아네이트 화합물 및 4염기산 무수물을 원료로 하는 선상 폴리이미드(일본 공개특허공보 특개2006-37083호, 국제공개 제2008/153208호에 기재된 폴리이미드), 페놀성 수산기 함유 부타디엔 등을 들 수 있다. 상기 폴리이미드 수지의 부타디엔 구조의 함유율은, 바람직하게는 60질량% 내지 95질량%, 보다 바람직하게는 75질량% 내지 85질량%이다. 상기 폴리이미드 수지의 상세는, 일본 공개특허공보 특개2006-37083호, 국제공개 제2008/153208호의 기재를 참작할 수 있고, 이의 내용은 본 명세서에 편입된다.Specific examples of the polybutadiene resin include "Ricon 130MA8", "Ricon 130MA13", "Ricon 130MA20", "Ricon 131MA5", "Ricon 131MA10", "Ricon 131MA17", "Ricon 131MA20", "Ricon 184MA6" manufactured by Clay Valle. ” (polybutadiene containing an acid anhydride group), “GQ-1000” (polybutadiene introduced with hydroxyl groups and carboxyl groups) manufactured by Nippon Soda Corporation, “G-1000”, “G-2000”, “G-3000” (both terminals) Hydroxyl group polybutadiene), "GI-1000", "GI-2000", "GI-3000" (polybutadiene hydrogenated with hydroxyl groups at both ends), "FCA-061L" (hydrogenated polybutadiene skeleton epoxy resin) manufactured by Nagase Chemtex and the like. As an embodiment, a linear polyimide using a hydroxyl group-terminated polybutadiene, a diisocyanate compound, and a tetrabasic acid anhydride as raw materials (a polyimide described in Japanese Patent Application Laid-Open Nos. 2006-37083 and International Publication No. 2008/153208) and phenolic hydroxyl group-containing butadiene. The content rate of the butadiene structure of the said polyimide resin becomes like this. Preferably it is 60 mass % - 95 mass %, More preferably, it is 75 mass % - 85 mass %. For the details of the polyimide resin, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2006-37083 and International Publication No. 2008/153208 can be considered, the contents of which are incorporated herein by reference.

(e) 성분의 적합한 실시형태는, 폴리(메타)아크릴레이트 구조를 함유하는 수지이다. 폴리(메타)아크릴레이트 구조를 함유하는 수지를 폴리(메타)아크릴 수지라고 한다. 폴리(메타)아크릴 수지로서는, 나가세 켐텍스사 제조의 테이산 레진, 네가미 코교사 제조의 「ME-2000」, 「W-116.3」, 「W-197C」, 「KG-25」, 「KG-3000」 등을 들 수 있다.A suitable embodiment of the component (e) is a resin containing a poly(meth)acrylate structure. A resin containing a poly(meth)acrylate structure is called a poly(meth)acrylic resin. As poly(meth)acrylic resin, "ME-2000", "W-116.3", "W-197C", "KG-25", "KG by Nagase Chemtex Co., Ltd. Teisan Resin, Negami Kogyo Co., Ltd. make -3000" and the like.

(e) 성분의 적합한 실시형태는, 폴리카보네이트 구조를 함유하는 수지이다. 폴리카보네이트 구조를 함유하는 수지를 폴리카보네이트 수지라고 한다. 폴리카보네이트 수지로서는, 아사히 카세이사 제조의 「T6002」, 「T6001」(폴리카보네이트디올), 쿠라레사 제조의 「C-1090」, 「C-2090」, 「C-3090」(폴리카보네이트디올)등을 들 수 있다. 또한, 하이드록실기 말단 폴리카보네이트, 디이소시아네이트 화합물 및 4염기산 무수물을 원료로 하는 선상 폴리이미드를 사용할 수도 있다. 상기 폴리이미드 수지의 카보네이트 구조의 함유율은, 바람직하게는 60질량% 내지 95질량%, 보다 바람직하게는 75질량% 내지 85질량%이다. 상기 폴리이미드 수지의 상세는, 국제공개 제2016/129541호의 기재를 참작할 수 있고, 이의 내용은 본 명세서에 편입된다.A preferred embodiment of the component (e) is a resin containing a polycarbonate structure. A resin containing a polycarbonate structure is called a polycarbonate resin. As polycarbonate resin, "T6002", "T6001" (polycarbonate diol) by Asahi Kasei Corporation, "C-1090", "C-2090", "C-3090" (polycarbonate diol) by Kuraray Corporation, etc. can be heard Moreover, the linear polyimide which uses a hydroxyl-terminated polycarbonate, a diisocyanate compound, and a tetrabasic acid anhydride as raw materials can also be used. The content rate of the carbonate structure of the said polyimide resin becomes like this. Preferably it is 60 mass % - 95 mass %, More preferably, it is 75 mass % - 85 mass %. For details of the polyimide resin, the description of International Publication No. 2016/129541 may be taken into consideration, the content of which is incorporated herein by reference.

또한, (e) 성분의 다른 실시형태로서는, 폴리실록산 구조를 함유하는 수지이다. 폴리실록산 구조를 함유하는 수지를 실록산 수지라고 한다. 실록산 수지로서는, 예를 들어, 신에츠 실리콘사 제조의 「SMP-2006」, 「SMP-2003PGMEA」, 「SMP-5005PGMEA」, 아민기 말단 폴리실록산 및 4염기산 무수물을 원료로 하는 선상 폴리이미드(국제공개 제2010/053185호, 일본 공개특허공보 특개2002-12667호 및 특개2000-319386호) 등을 들 수 있다.Moreover, as another embodiment of (e) component, it is resin containing a polysiloxane structure. A resin containing a polysiloxane structure is referred to as a siloxane resin. As the siloxane resin, for example, "SMP-2006", "SMP-2003PGMEA", "SMP-5005PGMEA" manufactured by Shin-Etsu Silicone Co., Ltd., an amine group-terminated polysiloxane, and a linear polyimide using a tetrabasic acid anhydride as raw materials (International Publication) 2010/053185, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2002-12667, and Japanese Patent Application Laid-Open No. 2000-319386) and the like.

(e) 성분의 다른 실시형태로서는, 폴리알킬렌 구조, 폴리알킬렌옥시 구조를 함유하는 수지이다. 폴리알킬렌 구조를 함유하는 수지를 폴리알킬렌 수지라고 하고, 폴리알킬렌옥시 구조를 함유하는 수지를 폴리알킬렌옥시 수지라고 한다. 폴리알킬렌옥시 구조는, 탄소 원자수 2 내지 15의 폴리알킬렌옥시 구조가 바람직하고, 탄소 원자수 3 내지 10의 폴리알킬렌옥시 구조가 보다 바람직하고, 탄소 원자수 5 내지 6의 폴리알킬렌옥시 구조가 더욱 바람직하다. 폴리알킬렌 수지, 폴리알킬렌옥시 수지의 구체예로서는, 아사히 카세이 센이사 제조의 「PTXG-1000」, 「PTXG-1800」등을 들 수 있다.(e) As another embodiment of a component, it is resin containing a polyalkylene structure and a polyalkyleneoxy structure. A resin containing a polyalkylene structure is called a polyalkylene resin, and a resin containing a polyalkyleneoxy structure is called a polyalkyleneoxy resin. The polyalkyleneoxy structure preferably has a polyalkyleneoxy structure having 2 to 15 carbon atoms, more preferably a polyalkyleneoxy structure having 3 to 10 carbon atoms, and polyalkylene having 5 to 6 carbon atoms. The oxy structure is more preferred. As a specific example of polyalkylene resin and polyalkyleneoxy resin, "PTXG-1000", "PTXG-1800" by Asahi Kasei Seni Co., Ltd., etc. are mentioned.

(e) 성분의 다른 실시형태로서는, 폴리이소프렌 구조를 함유하는 수지이다. 폴리이소프렌 구조를 함유하는 수지를 폴리이소프렌 수지라고 한다. 폴리이소프렌 수지의 구체예로서는, 쿠라레사 제조의 「KL-610」, 「KL613」 등을 들 수 있다.(e) Another embodiment of the component is a resin containing a polyisoprene structure. A resin containing a polyisoprene structure is called a polyisoprene resin. As a specific example of polyisoprene resin, "KL-610", "KL613" by a Kuraray company, etc. are mentioned.

(e) 성분의 다른 실시형태로서는, 폴리이소부틸렌 구조를 함유하는 수지이다. 폴리이소부틸렌 구조를 함유하는 수지를 폴리이소부틸렌 수지라고 한다. 폴리이소부틸렌 수지의 구체예로서는, 카네카사 제조의 「SIBSTAR-073T」(스티렌-이소부틸렌-스티렌 트리블록 공중합체), 「SIBSTAR-042D」(스티렌-이소부틸렌 디블록 공중합체) 등을 들 수 있다.(e) As another embodiment of a component, it is resin containing a polyisobutylene structure. A resin containing a polyisobutylene structure is called a polyisobutylene resin. Specific examples of the polyisobutylene resin include "SIBSTAR-073T" (styrene-isobutylene-styrene triblock copolymer) manufactured by Kaneka Corporation, "SIBSTAR-042D" (styrene-isobutylene diblock copolymer), etc. can be heard

(e) 성분의 적합한 실시형태는, 폴리에스테르 구조를 함유하는 수지이다. 폴리에스테르 구조를 함유하는 수지를 폴리에스테르 수지라고 한다. 폴리에스테르 수지로서는, 토요보사 제조의 「바이런 600」, 「바이런 560」, 「바이런 230」, 「바이런 GK-360」, 「바이런 BX-1001」, 미츠비시 케미컬사 제조의 「LP-035」, 「LP-011」, 「TP-220」, 「TP-249」, 「SP-185」 등을 들 수 있다.(e) A preferred embodiment of the component is a resin containing a polyester structure. A resin containing a polyester structure is called a polyester resin. As a polyester resin, "Byron 600", "Byron 560", "Byron 230" by Toyobo Corporation, "Byron GK-360", "Byron BX-1001", "LP-035" by Mitsubishi Chemical Corporation, " LP-011", "TP-220", "TP-249", "SP-185", etc. are mentioned.

(e) 엘라스토머의 함유량은, 본 발명의 효과를 현저히 얻는 관점에서, 수지 조성물 중의 불휘발 성분을 100질량%로 할 경우, 바람직하게는 5질량% 이상, 보다 바람직하게는 10질량% 이상, 더욱 바람직하게는 15질량% 이상이다. 상한은, 바람직하게는 50질량% 이하, 보다 바람직하게는 45질량% 이하, 더욱 바람직하게는 40질량% 이하이다.(e) the content of the elastomer is preferably 5% by mass or more, more preferably 10% by mass or more, when the nonvolatile component in the resin composition is 100% by mass from the viewpoint of significantly obtaining the effect of the present invention Preferably it is 15 mass % or more. An upper limit becomes like this. Preferably it is 50 mass % or less, More preferably, it is 45 mass % or less, More preferably, it is 40 mass % or less.

<(f) 기타 첨가제><(f) other additives>

수지 조성물은, 상기 성분 이외에, 임의의 성분으로서, 기타 첨가제를 추가로 포함하고 있어도 좋다. 이러한 첨가제로서는, 예를 들어, 난연제; 유기 충전 재; 유기 구리 화합물, 유기 아연 화합물 및 유기 코발트 화합물 등의 유기 금속 화합물; 증점제; 소포제; 레벨링제; 밀착성 부여제; 착색제 등의 수지 첨가제를 들 수 있다. 이들 첨가제는, 1종류를 단독으로 사용해도 좋고, 2종류 이상을 임의의 비율로 조합하여 사용해도 좋다.The resin composition may further contain other additives as arbitrary components other than the said component. Examples of such additives include flame retardants; organic fillings; organometallic compounds such as organocopper compounds, organozinc compounds and organocobalt compounds; thickener; antifoam; leveling agent; adhesion imparting agent; Resin additives, such as a coloring agent, are mentioned. These additives may be used individually by 1 type, and may be used combining two or more types by arbitrary ratios.

난연제로서는, 예를 들어, 포스파젠 화합물, 유기 인계 난연제, 유기계 질소함유 인 화합물, 질소 화합물, 실리콘계 난연제, 금속 수산화물 등을 들 수 있고, 포스파젠 화합물이 바람직하다. 난연제는 1종 단독으로 사용해도 좋고, 또는 2종 이상을 병용해도 좋다.Examples of the flame retardant include a phosphazene compound, an organophosphorus flame retardant, an organic nitrogen-containing phosphorus compound, a nitrogen compound, a silicone flame retardant, and a metal hydroxide, and a phosphazene compound is preferable. A flame retardant may be used individually by 1 type, or may use 2 or more types together.

포스파젠 화합물은, 질소와 인을 구성 원소로 하는 환상 화합물이면 특별히 한정되지 않지만, 포스파젠 화합물은, 페놀성 수산기를 갖는 포스파젠 화합물인 것이 바람직하다.Although a phosphazene compound will not be specifically limited if it is a cyclic compound which has nitrogen and phosphorus as structural elements, It is preferable that a phosphazene compound is a phosphazene compound which has a phenolic hydroxyl group.

포스파젠 화합물의 구체예로서는, 예를 들어, 오츠카 카가쿠사 제조의 「SPH-100」, 「SPS-100」, 「SPB-100」 「SPE-100」, 후시미 세야쿠쇼사 제조의 「FP-100」, 「FP-110」, 「FP-300」, 「FP-400」 등을 들 수 있고, 오츠카 카가쿠사 제조의 「SPH-100」이 바람직하다.As a specific example of a phosphazene compound, "SPH-100", "SPS-100", "SPB-100" "SPE-100" by Otsuka Chemical Co., Ltd. make, "FP-100" by Fushimi Seyakusho Corporation, for example, as a specific example of a phosphazene compound, ', "FP-110", "FP-300", "FP-400", etc. are mentioned, "SPH-100" by the Otsuka Chemical Company is preferable.

포스파젠 화합물 이외의 난연제로서는, 시판품을 사용해도 좋고, 예를 들어, 산코사 제조의 「HCA-HQ」, 다이하치 카가쿠코교사 제조의 「PX-200」 등을 들 수 있다. 난연제로서는 가수분해하기 어려운 것이 바람직하고, 예를 들어, 10-(2,5-디하이드록시페닐)-10-하이드로-9-옥사-10-포스파페난트렌-10-옥사이드 등이 바람직하다.As a flame retardant other than a phosphazene compound, you may use a commercial item, For example, "HCA-HQ" by Sanko Corporation, "PX-200" by a Daihachi Chemical Industry, etc. are mentioned. As the flame retardant, one that is difficult to hydrolyze is preferable, and for example, 10-(2,5-dihydroxyphenyl)-10-hydro-9-oxa-10-phosphaphenanthrene-10-oxide and the like are preferable.

난연제의 함유량은, 수지 조성물 중의 불휘발 성분을 100질량%로 할 경우, 바람직하게는 0.1질량% 이상, 보다 바람직하게는 0.2질량% 이상, 더욱 바람직하게는 0.3질량% 이상이다. 상한은, 바람직하게는 15질량% 이하, 보다 바람직하게는 10질량% 이하, 더욱 바람직하게는 5질량% 이하이다.When content of a flame retardant makes the nonvolatile component in a resin composition 100 mass %, Preferably it is 0.1 mass % or more, More preferably, it is 0.2 mass % or more, More preferably, it is 0.3 mass % or more. An upper limit becomes like this. Preferably it is 15 mass % or less, More preferably, it is 10 mass % or less, More preferably, it is 5 mass % or less.

유기 충전재로서는, 프린트 배선판의 절연층을 형성할 때에 사용할 수 있는 임의의 유기 충전재를 사용해도 좋고, 예를 들어, 고무 입자, 폴리아미드 미립자, 실리콘 입자 등을 들 수 있다. 고무 입자로서는, 시판품을 사용해도 좋고, 예를 들어, 다우 케미컬 닛폰사 제조의 「EXL2655」, 아이카 코교사 제조의 「AC3401N」, 「AC3816N」 등을 들 수 있다. 유기 충전재는 1종 단독으로 사용해도 좋고, 또는 2종 이상을 병용해도 좋다.As an organic filler, you may use arbitrary organic fillers which can be used when forming the insulating layer of a printed wiring board, For example, a rubber particle, polyamide microparticles|fine-particles, a silicone particle, etc. are mentioned. As a rubber particle, you may use a commercial item, For example, "EXL2655" by a Dow Chemical Nippon company, "AC3401N" by Aika Corporation, "AC3816N", etc. are mentioned. An organic filler may be used individually by 1 type, or may use 2 or more types together.

유기 충전재의 함유량은, 수지 조성물 중의 불휘발 성분을 100질량%로 할 경우, 바람직하게는 0.1질량% 이상, 보다 바람직하게는 0.15질량% 이상, 더욱 바람직하게는 0.2질량% 이상이다. 상한은, 바람직하게는 10질량% 이하, 보다 바람직하게는 5질량% 이하, 더욱 바람직하게는 3질량% 이하이다.When content of an organic filler makes the nonvolatile component in a resin composition 100 mass %, Preferably it is 0.1 mass % or more, More preferably, it is 0.15 mass % or more, More preferably, it is 0.2 mass % or more. An upper limit becomes like this. Preferably it is 10 mass % or less, More preferably, it is 5 mass % or less, More preferably, it is 3 mass % or less.

수지 조성물의 조제 방법은, 특별히 한정되는 것은 아니고, 예를 들어, 배합 성분을, 필요에 따라 용매 등과 함께, 회전 믹서 등을 사용하여 혼합·분산하는 방법 등을 들 수 있다.The preparation method of a resin composition is not specifically limited, For example, the method of mixing and dispersing a compounding component using a rotary mixer etc. with a solvent etc. as needed is mentioned.

[지지체 부착 수지 시트][Resin Sheet with Support]

지지체 부착 수지 시트는, 지지체와, 상기 지지체 위에 제공된, 수지 조성물로 형성된 수지 조성물 층을 포함한다. 수지 조성물은, [수지 조성물]란에서 설명한 바와 같다.The resin sheet with a support body contains a support body, and the resin composition layer provided on the said support body and formed from the resin composition. The resin composition is as described in the [Resin composition] column.

수지 조성물 층의 두께는, 프린트 배선판의 박형화 및 상기 수지 조성물의 경화물이 박막이라도 절연성이 우수한 경화물을 제공할 수 있다는 관점에서, 바람직하게는 150㎛ 이하, 보다 바람직하게는 100㎛ 이하, 더욱 바람직하게는 50㎛ 이하이다. 수지 조성물 층의 두께의 하한은, 특별히 한정되지 않지만, 통상 1㎛ 이상, 5㎛ 이상 등으로 할 수 있다.The thickness of the resin composition layer is preferably 150 µm or less, more preferably 100 µm or less, more preferably 150 µm or less, more preferably 100 µm or less, from the viewpoint of reducing the thickness of the printed wiring board and providing a cured product excellent in insulation even if the cured product of the resin composition is a thin film. Preferably it is 50 micrometers or less. Although the lower limit of the thickness of a resin composition layer is not specifically limited, Usually, it can be 1 micrometer or more, 5 micrometers or more, etc.

지지체로서는, 예를 들어, 플라스틱 재료로 이루어진 필름, 금속박, 이형지를 들 수 있고, 플라스틱 재료로 이루어진 필름, 금속박이 바람직하다.As a support body, the film which consists of a plastic material, metal foil, and a release paper are mentioned, for example, The film which consists of a plastic material, and metal foil are preferable.

지지체로서 플라스틱 재료로 이루어진 필름을 사용하는 경우, 플라스틱 재료로서는, 예를 들어, 폴리에틸렌테레프탈레이트(이하, 「PET」라고 약칭하는 경우가 있음), 폴리에틸렌나프탈레이트(이하, 「PEN」이라고 약칭하는 경우가 있음) 등의 폴리에스테르, 폴리카보네이트(이하, 「PC」라고 약칭하는 경우가 있음), 폴리메틸메타크릴레이트(PMMA) 등의 아크릴, 환상 폴리올레핀, 트리아세틸셀룰로오스(TAC), 폴리에테르설파이드(PES), 폴리에테르케톤, 폴리이미드 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌나프탈레이트가 바람직하고, 저렴한 폴리에틸렌테레프탈레이트가 특히 바람직하다.When a film made of a plastic material is used as the support, the plastic material is, for example, polyethylene terephthalate (hereinafter, may be abbreviated as “PET”), polyethylene naphthalate (hereinafter, abbreviated as “PEN”). Polyester such as ), polycarbonate (hereinafter, may be abbreviated as “PC”), acrylic such as polymethyl methacrylate (PMMA), cyclic polyolefin, triacetyl cellulose (TAC), polyether sulfide ( PES), polyether ketone, polyimide, etc. are mentioned. Among them, polyethylene terephthalate and polyethylene naphthalate are preferable, and inexpensive polyethylene terephthalate is particularly preferable.

지지체로서 금속박을 사용하는 경우, 금속박으로서는, 예를 들어, 동박, 알루미늄박 등을 들 수 있고, 동박이 바람직하다. 동박으로서는, 구리의 단금속으로 이루어진 박을 사용해도 좋고, 구리와 다른 금속(예를 들어, 주석, 크롬, 은, 마그네슘, 니켈, 지르코늄, 규소, 티탄 등)과의 합금으로 이루어진 박을 사용해도 좋다.When using metal foil as a support body, as metal foil, copper foil, aluminum foil, etc. are mentioned, for example, Copper foil is preferable. As the copper foil, a foil made of a single metal of copper may be used, or a foil made of an alloy of copper and another metal (eg, tin, chromium, silver, magnesium, nickel, zirconium, silicon, titanium, etc.) may be used. good.

지지체는, 수지 조성물 층과 접합하는 면에 매트 처리, 코로나 처리, 대전 방지 처리를 실시해도 좋다.A support body may give a mat treatment, a corona treatment, and an antistatic treatment to the surface to join with the resin composition layer.

또한, 지지체로서는, 수지 조성물 층과 접합하는 면에 이형층을 갖는 이형층 부착 지지체를 사용해도 좋다. 이형층 부착 지지체의 이형층에 사용하는 이형제로서는, 예를 들어, 알키드 수지, 폴리올레핀 수지, 우레탄 수지 및 실리콘 수지로 이루어지는 그룹으로부터 선택되는 1종 이상의 이형제를 들 수 있다. 이형층 부착 지지체는, 시판품을 사용해도 좋고, 예를 들어, 린텍사 제조의 「SK-1」, 「AL-5」, 「AL-7」, 토레사 제조의 「루미라 T60」, 테이진사 제조의 「퓨렉스」, 유니치카사 제조의 「유니필」 등의 알키드 수지계 이형제를 주성분으로 하는 이형층을 갖는 PET 필름; 듀폰 필름사 제조의 「U2-NR1」 등을 들 수 있다.Moreover, as a support body, you may use the support body with a mold release layer which has a mold release layer on the surface to join with the resin composition layer. As a mold release agent used for the mold release layer of a support body with a mold release layer, 1 or more types of mold release agents are mentioned from the group which consists of an alkyd resin, a polyolefin resin, a urethane resin, and a silicone resin, for example. A commercial item may be used for the support body with a mold release layer, For example, "SK-1", "AL-5", "AL-7" by Lintec Corporation, "Lumira T60" by Tore Corporation, Teijin Corporation PET film which has a mold release layer which has alkyd resin mold release agents, such as "Purex" manufactured by manufacture and "Uni-Peel" by a Unichika company, as a main component; "U2-NR1" by DuPont Films, etc. are mentioned.

지지체의 두께로서는, 특별히 한정되지 않지만, 5㎛ 내지 75㎛의 범위가 바람직하고, 10㎛ 내지 60㎛의 범위가 보다 바람직하다. 또한, 이형층 부착 지지체를 사용하는 경우, 이형층 부착 지지체 전체의 두께가 상기 범위인 것이 바람직하다.Although it does not specifically limit as thickness of a support body, The range of 5 micrometers - 75 micrometers is preferable, and the range of 10 micrometers - 60 micrometers is more preferable. Moreover, when using a support body with a mold release layer, it is preferable that the thickness of the whole support body with a mold release layer is the said range.

일 실시형태에 있어서, 지지체 부착 수지 시트는, 필요에 따라서, 기타 층을 추가로 포함하고 있어도 좋다. 이러한 기타 층으로서는, 예를 들어, 수지 조성물 층의 지지체와 접합하고 있지 않은 면(즉, 지지체와는 반대측의 면)에 제공된, 지지체에 준한 보호 필름 등을 들 수 있다. 보호 필름의 두께는, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 예를 들어, 1㎛ 내지 40㎛다. 보호 필름을 적층함으로써, 수지 조성물 층의 표면으로의 먼지 등의 부착이나 흠집을 억제할 수 있다.In one embodiment, the resin sheet with a support body may further contain the other layer as needed. As such another layer, the protective film according to the support body etc. which were provided on the surface which is not joined to the support body of a resin composition layer (namely, the surface on the opposite side to a support body), etc. are mentioned, for example. Although the thickness of a protective film is not specifically limited, For example, they are 1 micrometer - 40 micrometers. By laminating|stacking a protective film, adhesion of dust, etc. to the surface of a resin composition layer, and a flaw can be suppressed.

지지체 부착 수지 시트는, 예를 들어, 유기 용제에 수지 조성물을 용해한 수지 바니시를 조제하고, 이 수지 바니시를, 다이코터 등을 사용하여 지지체 위에 도포하고, 추가로 건조시켜서 수지 조성물 층을 형성시킴으로써 제조할 수 있다.A resin sheet with a support is prepared by, for example, preparing a resin varnish in which a resin composition is dissolved in an organic solvent, applying this resin varnish on a support using a die coater or the like, and further drying to form a resin composition layer can do.

유기 용제로서는, 예를 들어, 아세톤, 메틸에틸케톤(MEK) 및 사이클로헥사논 등의 케톤류; 아세트산 에틸, 아세트산 부틸, 셀로솔브아세테이트, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트 및 카르비톨아세테이트 등의 아세트산 에스테르류; 셀로솔브 및 부틸카르비톨 등의 카르비톨류; 톨루엔 및 크실렌 등의 방향족 탄화수소류; 디메틸포름아미드, 디메틸아세트아미드(DMAc) 및 N-메틸피롤리돈 등의 아미드계 용제 등을 들 수 있다. 유기 용제는 1종 단독으로 사용해도 좋고, 2종 이상을 조합하여 사용해도 좋다.As an organic solvent, For example, ketones, such as acetone, methyl ethyl ketone (MEK), and cyclohexanone; acetic acid esters such as ethyl acetate, butyl acetate, cellosolve acetate, propylene glycol monomethyl ether acetate, and carbitol acetate; carbitols such as cellosolve and butyl carbitol; aromatic hydrocarbons such as toluene and xylene; and amide solvents such as dimethylformamide, dimethylacetamide (DMAc) and N-methylpyrrolidone. An organic solvent may be used individually by 1 type, and may be used in combination of 2 or more type.

건조는, 가열, 열풍 분사 등의 공지의 방법에 의해 실시해도 좋다. 건조 조건은 특별히 한정되지 않지만, 수지 조성물 층 중의 유기 용제의 함유량이 10질량% 이하, 바람직하게는 5질량% 이하가 되도록 건조시킨다. 수지 바니시 중의 유기 용제의 비점에 의해서도 다르지만, 예를 들어 30질량% 내지 60질량%의 유기 용제를 포함하는 수지 바니시를 사용하는 경우, 50℃ 내지 150℃에서 3분간 내지 10분간 건조시킴으로써 수지 조성물 층을 형성할 수 있다.You may perform drying by well-known methods, such as a heating and hot air spraying. Although drying conditions are not specifically limited, Content of the organic solvent in a resin composition layer is 10 mass % or less, Preferably it is made to dry so that it may become 5 mass % or less. Although it also varies depending on the boiling point of the organic solvent in the resin varnish, for example, when using a resin varnish containing 30% by mass to 60% by mass of an organic solvent, the resin composition layer is dried at 50°C to 150°C for 3 minutes to 10 minutes. can form.

지지체 부착 수지 시트는, 롤 형상으로 권취하여 보존하는 것이 가능하다. 지지체 부착 수지 시트가 보호 필름을 갖는 경우, 보호 필름을 벗김으로써 사용 가능해진다.The resin sheet with a support body can be wound up and preserve|saved in roll shape. When the resin sheet with a support body has a protective film, it becomes usable by peeling off a protective film.

[프린트 배선판의 제조방법][Manufacturing method of printed wiring board]

본 발명의 프린트 배선판의 제조방법은,The method for manufacturing a printed wiring board of the present invention comprises:

(A) 레이저에 의해, 수지 조성물의 경화물을 포함하는 절연층에 개구부를 형성하는 공정 및(A) a step of forming an opening in an insulating layer containing a cured product of a resin composition by means of a laser; and

(B) 개구부에, 지립을 사용하는 샌드 블라스트 처리를 행하여, 비아홀을 형성하는 공정을 이러한 순서로 포함한다.(B) Sandblasting the opening using an abrasive grain to form a via hole in this order.

상기하였지만, 절연층에 비아홀을 형성하는 방법으로서, 레이저를 사용하는 방법을 생각할 수 있다. 레이저만을 사용하여 비아홀을 형성하면, 레이저를 조사함으로써 발생하는 열에 의해 할로잉 현상이 생기는 경우가 있다. 또한, 레이저를 사용하여 비아홀을 형성하는 방법 이외에, 샌드 블라스트 처리로 비아홀을 형성하는 방법이 있다. 샌드 블라스트 처리만으로 비아홀을 형성하면, 할로잉 현상의 발생을 억제할 수 있지만, 소직경의 비아홀을 형성하는 것이 곤란하고, 또한, 비아홀의 가공 속도가 느린 경우가 있다.As described above, as a method of forming a via hole in the insulating layer, a method using a laser can be considered. When a via hole is formed using only a laser, a hollowing phenomenon may occur due to heat generated by irradiating the laser. In addition to the method of forming the via hole using a laser, there is a method of forming the via hole by sand blasting. If the via hole is formed only by sand blasting, the occurrence of the hollowing phenomenon can be suppressed, but it is difficult to form a small diameter via hole, and the processing speed of the via hole may be slow.

본 발명에서는, 우선, 레이저에 의해 절연층에 개구부를 형성하고, 다음에 샌드 블라스트 처리에 의해 개구부의 바닥면에 지립을 충돌시켜서 비아홀을 형성함으로써, 소직경의 비아홀을 형성할 수 있고, 스미어 제거성이 우수하고, 할로잉 현상의 발생이 억제하는 것이 가능해진다. 또한, 레이저에 의해 비아홀의 일부로서의 개구부를 형성하고, 비아홀의 전체를 형성하지 않기 때문에, 레이저의 쇼트 수를 줄일 수 있다. 또한, 레이저에 의해 형성한 개구부에 샌드 블라스트 처리에 의해 비아홀을 형성하기 때문에, 비아홀의 바닥부 주변에서의 수지의 열화를 억제할 수 있으므로, 할로잉 현상의 발생을 억제할 수 있고, 가공 시간을 단축하는 것도 가능해진다(비아 가공성).In the present invention, a small-diameter via hole can be formed by first forming an opening in the insulating layer by means of a laser, and then forming a via hole by colliding abrasive grains on the bottom surface of the opening by sandblasting. It is excellent in property, and it becomes possible to suppress generation|occurrence|production of a hollowing phenomenon. In addition, since the opening as a part of the via hole is formed by the laser and not the entire via hole is formed, the number of laser shots can be reduced. In addition, since the via hole is formed by sandblasting in the opening formed by the laser, deterioration of the resin around the bottom of the via hole can be suppressed, so the occurrence of the hollowing phenomenon can be suppressed, and the processing time can be reduced. It also becomes possible to shorten it (via workability).

공정 (A)를 행하기 전에, 프린트 배선판의 제조방법은,Before performing the step (A), the manufacturing method of the printed wiring board,

(1) 내층 회로 기판을 준비하는 공정 및(1) a process of preparing an inner-layer circuit board; and

(3) 내층 회로 기판의 주표면 위에 절연층을 형성하는 공정을 포함하고 있어도 좋다.(3) The step of forming an insulating layer on the main surface of the inner-layer circuit board may be included.

또한, 상기 공정 (3)에서의 절연층의 형성에 이용하기 위해, 프린트 배선판의 제조방법은,In addition, in order to use it for formation of the insulating layer in the said process (3), the manufacturing method of a printed wiring board,

(2) 지지체와, 상기 지지체 위에 제공된, 수지 조성물로 형성된 수지 조성물 층을 포함하는, 지지체 부착 수지 시트를 준비하는 공정을 추가로 포함하고 있어도 좋다.(2) The step of preparing a resin sheet with a support including a support and a resin composition layer provided on the support and formed of a resin composition may be further included.

이하, 프린트 배선판의 제조방법의 각 공정에 대하여 설명한다.Hereinafter, each process of the manufacturing method of a printed wiring board is demonstrated.

<공정 (1)><Process (1)>

공정 (1)은 내층 회로 기판을 준비하는 공정이다. 내층 회로 기판은 통상, 지지 기판과, 지지 기판의 표면에 제공된 금속층을 구비한다. 금속층은, 내층 회로 기판의 주표면에 노출되어 있고, 상기 금속층이 있는 영역에 비아홀이 형성된다. 따라서, 내층 회로 기판의 주표면에서 비아홀이 형성되는 영역은, 금속층으로 형성된다.Step (1) is a step of preparing an inner-layer circuit board. An inner-layer circuit board is usually provided with a support substrate and a metal layer provided on the surface of the support substrate. The metal layer is exposed on the main surface of the inner circuit board, and a via hole is formed in the region where the metal layer is located. Accordingly, the region in which the via hole is formed on the main surface of the inner-layer circuit board is formed of the metal layer.

지지 기판의 재료로서는, 예를 들어, 유리 에폭시 기판, 금속 기판, 폴리에스테르 기판, 폴리이미드 기판, BT 레진 기판, 열경화형 폴리페닐렌에테르 기판 등을 들 수 있다. 금속층의 재료로서는, 동박, 캐리어 부착 동박, 후술하는 도체층의 재료 등을 들 수 있고, 동박이 바람직하다.As a material of a support substrate, a glass epoxy board|substrate, a metal board|substrate, a polyester board|substrate, a polyimide board|substrate, a BT resin board|substrate, a thermosetting polyphenylene ether board|substrate etc. are mentioned, for example. As a material of a metal layer, copper foil, copper foil with a carrier, the material of the conductor layer mentioned later, etc. are mentioned, Copper foil is preferable.

내층 회로 기판의 주표면의 산술 평균 거칠기(Ra)로서는, 바람직하게는 500nm 이하, 보다 바람직하게는 450nm 이하, 더욱 바람직하게는 400nm 이하, 350nm 이하이다. 내층 회로 기판의 주표면의 산술 평균 거칠기(Ra)를 500nm 이하로 함으로써, 주표면 위에 형성된 절연층이 내층 회로 기판의 깊숙히까지 들어가는 것을 억제할 수 있고, 비아홀의 가공성을 향상시킬 수 있다. 하한에 대해서는 특별히 한정되지 않지만, 바람직하게는 10nm 이상, 보다 바람직하게는 50nm 이상, 더욱 바람직하게는 100nm 이상이다. 주표면의 산술 평균 거칠기(Ra)는, ISO 25178에 준거해서 측정된 값이며, 비접촉형 표면 조도계를 이용해서 측정할 수 있다. 내층 회로 기판의 주표면이란, 절연층이 제공되는 내층 회로 기판의 표면을 나타낸다.The arithmetic mean roughness Ra of the main surface of the inner circuit board is preferably 500 nm or less, more preferably 450 nm or less, still more preferably 400 nm or less and 350 nm or less. By setting the arithmetic mean roughness Ra of the main surface of the inner circuit board to 500 nm or less, it is possible to suppress the insulating layer formed on the main surface from entering deep into the inner circuit board, and it is possible to improve the workability of the via hole. Although it does not specifically limit about a lower limit, Preferably it is 10 nm or more, More preferably, it is 50 nm or more, More preferably, it is 100 nm or more. The arithmetic mean roughness (Ra) of the principal surface is a value measured based on ISO 25178, and can be measured using a non-contact type surface roughness meter. The main surface of the inner-layer circuit board refers to the surface of the inner-layer circuit board on which the insulating layer is provided.

또한, 상기 산술 평균 거칠기(Ra)가 주표면에서 일정하지 않은 경우, 금속층이 형성된 영역에서의 주표면의 산술 평균 거칠기(Ra)가 상기 범위에 있으면 좋고, 비아홀이 형성되는 영역에서의 주표면의 산술 평균 거칠기(Ra)가 상기 범위에 있는 것이 바람직하다.In addition, when the arithmetic mean roughness (Ra) is not constant in the main surface, the arithmetic mean roughness (Ra) of the main surface in the region where the metal layer is formed should just be in the above range, and the main surface in the region where the via hole is formed. It is preferable that the arithmetic mean roughness Ra is in the above range.

내층 회로 기판의 주표면의 10점 평균 거칠기(Rz)로서는, 바람직하게는 5,000nm 이하이고, 보다 바람직하게는 4,500nm 이하, 더욱 바람직하게는 4,000nm 이하이다. 내층 회로 기판의 주표면의 10점 평균 거칠기(Rz)를 5,000nm 이하로 함으로써, 주표면 위에 형성된 절연층이 내층 회로 기판의 깊숙히까지 들어가는 것을 억제할 수 있고, 절연 신뢰성을 향상시킬 수 있다. 하한에 대해서는 특별히 한정되지 않지만, 바람직하게는 50nm 이상, 보다 바람직하게는 100nm 이상, 더욱 바람직하게는 1,000nm 이상이다. 주표면의 10점 평균 거칠기(Rz)는, ISO 25178에 준거해서 측정된 값이며, 비접촉형 표면 조도계를 이용해서 측정할 수 있다.As a 10-point average roughness Rz of the main surface of an inner-layer circuit board, Preferably it is 5,000 nm or less, More preferably, it is 4,500 nm or less, More preferably, it is 4,000 nm or less. By setting the 10-point average roughness Rz of the main surface of the inner circuit board to 5,000 nm or less, the insulating layer formed on the main surface can be suppressed from entering deep into the inner circuit board, and the insulation reliability can be improved. Although it does not specifically limit about a minimum, Preferably it is 50 nm or more, More preferably, it is 100 nm or more, More preferably, it is 1,000 nm or more. The 10-point average roughness (Rz) of the main surface is a value measured based on ISO 25178, and can be measured using a non-contact type surface roughness meter.

또한, 상기 10점 평균 거칠기(Rz)가 주표면에서 일정하지 않은 경우, 금속층이 형성된 영역에서의 주표면의 10점 평균 거칠기(Rz)가 상기 범위에 있는 것이 바람직하고, 비아홀이 형성되는 영역에서의 주표면의 10점 평균 거칠기(Rz)가 상기 범위에 있는 것이 보다 바람직하다.In addition, when the 10-point average roughness Rz is not constant in the main surface, the 10-point average roughness Rz of the main surface in the region where the metal layer is formed is preferably in the above range, and in the region where the via hole is formed It is more preferable that the 10-point average roughness (Rz) of the main surface of is in the above range.

내층 회로 기판의 주표면은, 예를 들어 에칭 처리, 연마를 행함으로써 산술평균 거칠기(Ra) 및 10점 평균 거칠기(Rz)를 상기 범위로 조정할 수 있다.The main surface of the inner-layer circuit board can adjust the arithmetic mean roughness Ra and the 10-point mean roughness Rz to the above ranges by, for example, etching and polishing.

<공정 (2)><Process (2)>

공정 (2)는, 지지체와, 상기 지지체 위에 제공된, 수지 조성물로 형성된 수지 조성물 층을 포함하는, 지지체 부착 수지 시트를 준비하는 공정이다. 지지체 부착 수지 시트에 대해서는 상기에서 설명한 바와 같다.A process (2) is a process of preparing the resin sheet with a support body containing a support body and the resin composition layer provided on the said support body and formed from the resin composition. About the resin sheet with a support body, it is as having demonstrated above.

<공정 (3)><Process (3)>

공정 (3)은 내층 회로 기판의 주표면 위에 절연층을 형성하는 공정이다. 공정 (3)에서는, 예를 들어, 내층 회로 기판의 주표면 위에, 지지체 부착 수지 시트의 수지 조성물 층을 적층시켜, 수지 조성물 층을 열경화시킴으로써 절연층을 형성한다.Step (3) is a step of forming an insulating layer on the main surface of the inner-layer circuit board. At a process (3), for example, on the main surface of an inner-layer circuit board, the resin composition layer of the resin sheet with a support body is laminated|stacked, and an insulating layer is formed by thermosetting the resin composition layer.

도 1에 일례를 나타내는 바와 같이, 내층 회로 기판(10)은, 지지 기판(11) 및 지지 기판(11)의 표면에 제공된 금속층(12)을 구비한다. 공정 (3)에서는, 내층 회로 기판(10)의 주표면(10a) 위에 지지체 부착 수지 시트(도시하지 않음)를 적층 시켜, 수지 조성물 층을 열경화시킴으로써 절연층(22)을 형성한다. 통상, 금속층(12)의 표면 위에 절연층(22)이 제공되므로, 금속층(12)의 지지 기판(11)측의 표면과는 반대측의 표면이 주표면(10a)이다. 또한, 도 1에서는 금속층(12)은 지지 기판(11)의 한쪽의 표면에 제공되어 있지만, 지지 기판(11)의 양 표면에 제공되어 있어도 좋다.As an example is shown in FIG. 1 , the inner-layer circuit board 10 includes a support substrate 11 and a metal layer 12 provided on the surface of the support substrate 11 . In the step (3), the insulating layer 22 is formed by laminating a resin sheet (not shown) with a support body on the main surface 10a of the inner circuit board 10 and thermosetting the resin composition layer. Usually, since the insulating layer 22 is provided on the surface of the metal layer 12, the surface of the metal layer 12 on the opposite side to the surface on the side of the support substrate 11 is the main surface 10a. In addition, although the metal layer 12 is provided on one surface of the support substrate 11 in FIG. 1, you may provide on both surfaces of the support substrate 11. As shown in FIG.

내층 회로 기판과 지지체 부착 수지 시트의 적층은, 예를 들어, 지지체측으로부터 지지체 부착 수지 시트를 내층 회로 기판에 가열 압착함으로써 행할 수 있다. 지지체 부착 수지 시트를 내층 회로 기판에 가열 압착하는 부재(이하, 「가열 압착 부재」라고도 함)로서는, 예를 들어, 가열된 금속판(SUS 경판 등) 또는 금속 롤(SUS 롤) 등을 들 수 있다. 또한, 가열 압착 부재를 지지체 부착 수지 시트에 직접 프레스하는 것이 아니고, 내층 회로 기판의 표면 요철에 지지체 부착 수지 시트가 충분히 추종하도록, 내열 고무 등의 탄성재를 개재하여 프레스하는 것이 바람직하다.Lamination of the inner-layer circuit board and the resin sheet with a support can be performed by, for example, thermocompressing the resin sheet with a support to the inner-layer circuit board from the support side. As a member (hereinafter also referred to as "thermal compression member") for heat-bonding the resin sheet with a support to the inner circuit board, for example, a heated metal plate (SUS head plate, etc.) or metal roll (SUS roll), etc. are mentioned. . In addition, it is preferable not to press the thermocompression-bonding member directly to the resin sheet with a support, but to press through an elastic material, such as a heat-resistant rubber, so that the resin sheet with a support may fully follow the surface unevenness|corrugation of an inner-layer circuit board.

내층 회로 기판과 지지체 부착 수지 시트의 적층은, 진공 라미네이트법에 의해 실시해도 좋다. 진공 라미네이트법에 있어서, 가열 압착 온도는, 바람직하게는 60℃ 내지 160℃, 보다 바람직하게는 80℃ 내지 140℃의 범위이고, 가열 압착 압력은, 바람직하게는 0.098MPa 내지 1.77MPa, 보다 바람직하게는 0.29MPa 내지 1.47MPa의 범위이며, 가열 압착 시간은, 바람직하게는 20초간 내지 400초간, 보다 바람직하게는 30초간 내지 300초간의 범위이다. 적층은, 바람직하게는 압력 26.7hPa 이하의 감압 조건 하에서 실시한다.You may perform lamination|stacking of an inner-layer circuit board and the resin sheet with a support body by the vacuum lamination method. In the vacuum lamination method, the thermocompression bonding temperature is preferably in the range of 60°C to 160°C, more preferably 80°C to 140°C, and the thermocompression compression pressure is preferably 0.098 MPa to 1.77 MPa, more preferably is in the range of 0.29 MPa to 1.47 MPa, and the heat compression time is preferably in the range of 20 seconds to 400 seconds, more preferably in the range of 30 seconds to 300 seconds. Lamination|stacking becomes like this. Preferably it is performed under reduced pressure conditions of pressure 26.7 hPa or less.

적층은, 시판 진공 라미네이터에 의해 행할 수 있다. 시판 진공 라미네이터로서는, 예를 들어, 메이키 세사쿠쇼사 제조의 진공 가압식 라미네이터, 닛코 머티리얼즈사 제조의 베큠 어플리케이터, 배취식 진공 가압 라미네이터 등을 들 수 있다.Lamination can be performed with a commercially available vacuum laminator. As a commercially available vacuum laminator, the vacuum pressure laminator by the Meiki Sesakusho company, the vacuum applicator by the Nikko Materials company, a batch type vacuum pressure laminator etc. are mentioned, for example.

적층 후에, 상압 하(대기압 하), 예를 들어, 가열 압착 부재를 지지체측으로부터 프레스함으로써, 적층된 지지체 부착 수지 시트의 평활화 처리를 행하여도 좋다. 평활화 처리의 프레스 조건은, 상기 적층의 가열 압착 조건과 동일한 조건으로 할 수 있다. 평활화 처리는, 시판 라미네이터에 의해 행할 수 있다. 또한, 적층과 평활화 처리는, 상기 시판 진공 라미네이터를 사용하여 연속적으로 행하여도 좋다.After lamination, the laminated resin sheet with a support body may be smoothed under normal pressure (under atmospheric pressure), for example, by pressing the thermocompression bonding member from the support body side. The press conditions of the smoothing process can be made into the conditions similar to the thermocompression-bonding conditions of the said lamination|stacking. A smoothing process can be performed with a commercially available laminator. In addition, you may perform lamination|stacking and a smoothing process continuously using the said commercially available vacuum laminator.

지지체 부착 수지 시트를 내층 회로 기판에 적층한 후, 수지 조성물 층을 열경화해서 절연층을 형성한다. 수지 조성물 층의 열경화 조건은 특별히 한정되지 않고, 프린트 배선판의 절연층을 형성할 때에 통상 채용되는 조건을 사용해도 좋다.After laminating the resin sheet with a support body on an inner-layer circuit board, the resin composition layer is thermosetted and the insulating layer is formed. The thermosetting conditions of a resin composition layer are not specifically limited, When forming the insulating layer of a printed wiring board, you may use the conditions normally employ|adopted.

예를 들어, 수지 조성물 층의 열경화 조건은, 수지 조성물의 종류 등에 의해서도 다르지만, 경화 온도는 바람직하게는 120℃ 내지 240℃, 보다 바람직하게는 150℃ 내지 220℃, 더욱 바람직하게는 170℃ 내지 210℃이다. 경화 시간은 바람직하게는 5분간 내지 120분간, 보다 바람직하게는 10분간 내지 100분간, 더욱 바람직하게는 15분간 내지 100분간으로 할 수 있다.For example, although the thermosetting conditions of the resin composition layer also vary depending on the type of resin composition, etc., the curing temperature is preferably 120°C to 240°C, more preferably 150°C to 220°C, still more preferably 170°C to 210°C. The curing time is preferably 5 minutes to 120 minutes, more preferably 10 minutes to 100 minutes, still more preferably 15 minutes to 100 minutes.

수지 조성물 층을 열경화시키기 전에, 수지 조성물 층을 경화 온도보다도 낮은 온도에서 예비 가열해도 좋다. 예를 들어, 수지 조성물 층을 열경화시키기에 앞서, 50℃ 이상 120℃ 미만(바람직하게는 60℃ 이상 115℃ 이하, 보다 바람직하게는 70℃ 이상 110℃ 이하)의 온도에서, 수지 조성물 층을 5분간 이상(바람직하게는 5분간 내지 150분간, 보다 바람직하게는 15분간 내지 120분간, 더욱 바람직하게는 15분간 내지 100분간) 예비 가열해도 좋다.Before thermosetting the resin composition layer, the resin composition layer may be preheated at a temperature lower than the curing temperature. For example, prior to thermosetting the resin composition layer, at a temperature of 50 ° C or more and less than 120 ° C (preferably 60 ° C or more and 115 ° C or less, more preferably 70 ° C or more and 110 ° C or less), the resin composition layer is heated You may preheat for 5 minutes or more (preferably for 5 minutes - 150 minutes, More preferably, it is 15 minutes - 120 minutes, More preferably, it is 15 minutes - 100 minutes).

절연층의 두께로서는, 소직경의 비아홀을 형성하는 관점에서, 25㎛ 이하이고, 바람직하게는 20㎛ 이하, 보다 바람직하게는 15㎛ 이하, 더욱 바람직하게는 10㎛ 이하이다. 절연층의 두께의 하한은, 특별히 한정되지 않지만, 통상 1㎛ 이상, 5㎛ 이상 등으로 할 수 있다.The thickness of the insulating layer is 25 µm or less, preferably 20 µm or less, more preferably 15 µm or less, still more preferably 10 µm or less from the viewpoint of forming a small-diameter via hole. Although the lower limit of the thickness of an insulating layer is not specifically limited, Usually, it can be 1 micrometer or more, 5 micrometers or more, etc.

또한, 공정 (3)에서는, 수지 시트를 사용하는 방법 대신에, 내층 회로 기판의 주표면 위에 직접 수지 조성물을 도포하여 절연층을 형성해도 좋다. 이 때의 절연층을 형성하는 조건은, 지지체 부착 수지 시트를 사용하여 절연층을 형성하는 조건과 동일하다.In addition, in the process (3), instead of the method of using a resin sheet, you may apply|coat a resin composition directly on the main surface of an inner-layer circuit board, and you may form an insulating layer. The conditions for forming the insulating layer at this time are the same as the conditions for forming the insulating layer using the resin sheet with a support body.

수지 조성물 층을 200℃에서 90분간 경화시킨 절연층의 23℃에서의 탄성율은, 비어 가공성을 향상시키는 관점에서, 바람직하게는 0.1GPa 이상, 보다 바람직하게는 1GPa 이상, 보다 바람직하게는 3GPa 이상이고, 바람직하게는 30GPa 이하, 보다 바람직하게는 25GPa 이하, 더욱 바람직하게는 20GPa 이하이다. 탄성율은, 후술하는 실시예에 기재된 방법으로 측정할 수 있다.The elastic modulus at 23° C. of the insulating layer obtained by curing the resin composition layer at 200° C. for 90 minutes is preferably 0.1 GPa or more, more preferably 1 GPa or more, more preferably 3 GPa or more, from the viewpoint of improving the via processability. , Preferably it is 30 GPa or less, More preferably, it is 25 GPa or less, More preferably, it is 20 GPa or less. An elastic modulus can be measured by the method described in the Example mentioned later.

지지체는, 지지체 부착 수지 시트를 적층 후 열경화시키기 전에 제거해도 좋고, 공정 (A) 종료 후에 제거해도 좋고, 지지체 부착 수지 시트를 적층 후 열경화시킨 후에 제거해도 좋고, 공정 (B)의 샌드 블라스트 처리로 마스크로서 사용한 후에 제거해도 좋다.The support may be removed after laminating and thermosetting the resin sheet with a support, may be removed after completion of step (A), may be removed after laminating and thermosetting the resin sheet with support, or sandblasting in step (B) You may remove it after using it as a mask by a process.

<공정 (A)><Process (A)>

공정 (A)는, 레이저에 의해, 수지 조성물의 경화물을 포함하는 절연층에 개구부를 형성하는 공정이다. 공정 (A)의 일 실시형태로서, 도 2에 일례를 나타내는 바와 같이, 내층 회로 기판(10)의 주표면(10a) 위에 형성된 절연층(22)에 레이저를 조사하여 개구부(30)를 형성한다.A process (A) is a process of forming an opening part in the insulating layer containing the hardened|cured material of a resin composition with a laser. As an embodiment of the step (A), as an example is shown in FIG. 2 , a laser is irradiated to the insulating layer 22 formed on the main surface 10a of the inner circuit board 10 to form the opening 30 . .

레이저의 조사는, 절연층(22) 위에 샌드 블라스트 처리용 마스크를 설치한 상태에서 행하는 것이 바람직하다. 따라서, 공정 (A)는, 레이저의 조사 전에, 절연층(22) 위에 마스크를 형성하는 공정을 포함하고 있어도 좋다. 마스크로서는, 예를 들어, 드라이 필름, 금속박 및 이들의 조합 등을 들 수 있다. 이들 마스크는, 예를 들어, 지지체를 박리한 후에, 드라이 필름 및 금속박 중 어느 하나를 절연층 위에 라미네이트함으로써 절연층(22) 위에 제공할 수 있다.It is preferable to perform laser irradiation in the state which provided the mask for a sandblasting process on the insulating layer 22. Accordingly, the step (A) may include a step of forming a mask on the insulating layer 22 before laser irradiation. As a mask, a dry film, metal foil, these combinations, etc. are mentioned, for example. These masks can be provided on the insulating layer 22 by, for example, laminating either a dry film or a metal foil on the insulating layer after peeling the support.

드라이 필름으로서는, 노광 및 현상에 의해 패턴 드라이 필름을 얻을 수 있는 것이 바람직하고, 후술하는 공정 (B)에서의 샌드 블라스트 처리에 대하여 내성이 있는 필름이면 보다 바람직하다. 또한, 드라이 필름으로서는, 포토레지스트 조성물로 이루어진 감광성 드라이 필름을 사용할 수 있다. 이러한 드라이 필름으로서는, 예를 들어, 노볼락 수지, 아크릴 수지 등의 수지로 형성된 드라이 필름을 사용할 수 있다.As a dry film, a thing which can obtain a patterned dry film by exposure and image development is preferable, and if it is a film with tolerance with respect to the sandblasting process in the process (B) mentioned later, it is more preferable. Moreover, as a dry film, the photosensitive dry film which consists of a photoresist composition can be used. As such a dry film, the dry film formed from resin, such as a novolak resin and an acrylic resin, can be used, for example.

금속박으로서는, 예를 들어, 동박, 알루미늄박 등을 들 수 있고, 동박이 바람직하다. 동박으로서는, 구리의 단금속으로 이루어진 박을 사용해도 좋고, 구리와 다른 금속(예를 들어, 주석, 크롬, 은, 마그네슘, 니켈, 지르코늄, 규소, 티탄 등)과의 합금으로 이루어진 박을 사용해도 좋다.As metal foil, copper foil, aluminum foil, etc. are mentioned, for example, Copper foil is preferable. As the copper foil, a foil made of a single metal of copper may be used, or a foil made of an alloy of copper and another metal (eg, tin, chromium, silver, magnesium, nickel, zirconium, silicon, titanium, etc.) may be used. good.

드라이 필름의 마스크의 두께로서는, 비아홀의 가공성을 향상시키는 관점에서, 바람직하게는 10㎛ 이상, 보다 바람직하게는 15㎛ 이상, 더욱 바람직하게는 20㎛ 이상이고, 바람직하게는 100㎛ 이하, 보다 바람직하게는 70㎛ 이하, 더욱 바람직하게는 50㎛ 이하이다.The thickness of the mask of the dry film is preferably 10 µm or more, more preferably 15 µm or more, still more preferably 20 µm or more, preferably 100 µm or less, more preferably from the viewpoint of improving the workability of the via hole. Preferably it is 70 micrometers or less, More preferably, it is 50 micrometers or less.

금속박 등의 마스크의 두께로서는, 비아홀의 가공성을 향상시키는 관점에서, 바람직하게는 1㎛ 이상, 보다 바람직하게는 2㎛ 이상, 더욱 바람직하게는 3㎛ 이상이고, 바람직하게는 40㎛ 이하, 보다 바람직하게는 20㎛ 이하, 더욱 바람직하게는 15㎛ 이하이다.The thickness of the mask such as metal foil is preferably 1 µm or more, more preferably 2 µm or more, still more preferably 3 µm or more, preferably 40 µm or less, more preferably from the viewpoint of improving the workability of the via hole. Preferably it is 20 micrometers or less, More preferably, it is 15 micrometers or less.

또한, 마스크로서는 지지체(21)를 사용해도 좋다. 지지체(21)를 마스크로서 사용하는 경우, 지지체(21)와는 다른 마스크를 제공하는 공정을 생략할 수 있으므로, 제조방법을 간단히 할 수 있다. 본 실시형태에서는, 도 2에 나타내는 바와 같이, 지지체(21)를 마스크로서 사용한 예를 나타내어 설명한다.In addition, you may use the support body 21 as a mask. When the support body 21 is used as a mask, since the process of providing a mask different from the support body 21 can be omitted, the manufacturing method can be simplified. In this embodiment, as shown in FIG. 2, the example which used the support body 21 as a mask is shown and demonstrated.

개구부의 깊이(a)로서는, 본 발명의 효과를 현저히 얻는 관점에서, 절연층의 두께의 50% 이상인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 60% 이상, 더욱 바람직하게는 70% 이상이다. 상한으로서는, 절연층의 두께의 95% 이하인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 90% 이하, 더욱 바람직하게는 85% 이하이다. 개구부의 깊이란, 절연층의 마스크와 접하는 측의 표면(도 2에서는 지지체(21))로부터 개구부의 바닥부까지의 거리를 말한다. 개구부의 깊이는, 절연층의 비가공부와 가공부의 가장 깊은 부분의 차이를 단면 관찰해서 산출함으로써 구할 수 있다.The depth (a) of the opening is preferably 50% or more, more preferably 60% or more, still more preferably 70% or more of the thickness of the insulating layer from the viewpoint of significantly obtaining the effect of the present invention. As an upper limit, it is preferable that it is 95 % or less of the thickness of an insulating layer, More preferably, it is 90 % or less, More preferably, it is 85 % or less. The depth of the opening refers to the distance from the surface of the insulating layer on the side in contact with the mask (the support body 21 in FIG. 2 ) to the bottom of the opening. The depth of the opening can be obtained by observing the cross-section and calculating the difference between the deepest part of the non-processed part and the non-insulating part of the insulating layer.

개구부의 개구 직경(b)은, 비아홀의 개구 직경(비아 직경)이 될 수 있다. 개구 직경(b)으로서는, 소직경의 비아홀을 형성하는 관점에서, 바람직하게는 100㎛ 이하, 보다 바람직하게는 75㎛ 이하, 더욱 바람직하게는 55㎛ 이하이고, 바람직하게는, 5㎛ 이상, 보다 바람직하게는 10㎛ 이상, 더욱 바람직하게는 15㎛ 이상이다. 또한, 개구 직경(b)은, 도 2에 나타내는 바와 같이 절연층(22)의 상단에서의 직경을 나타낸다.The opening diameter (b) of the opening may be the opening diameter (via diameter) of the via hole. The opening diameter (b) is preferably 100 µm or less, more preferably 75 µm or less, still more preferably 55 µm or less, preferably 5 µm or more, more Preferably it is 10 micrometers or more, More preferably, it is 15 micrometers or more. In addition, the opening diameter b shows the diameter in the upper end of the insulating layer 22, as shown in FIG.

개구부의 깊이(a)와 개구부의 개구 직경(b)과의 비(개구부의 깊이(a)/개구부의 개구 직경(b))로서는, 본 발명의 효과를 현저히 얻는 관점에서, 바람직하게는 0.1 이상, 보다 바람직하게는 0.3 이상, 더욱 바람직하게는 0.5 이상이고, 바람직하게는 3 이하, 보다 바람직하게는 1 이하, 더욱 바람직하게는 0.7 이하이다.The ratio of the depth (a) of the opening to the diameter (b) of the opening (depth (a) of the opening/diameter (b) of the opening of the opening) is preferably 0.1 or more from the viewpoint of significantly obtaining the effects of the present invention. , More preferably, it is 0.3 or more, More preferably, it is 0.5 or more, Preferably it is 3 or less, More preferably, it is 1 or less, More preferably, it is 0.7 or less.

개구부의 형성에 사용될 수 있는 레이저 광원으로서는, 예를 들어, CO2 레이저(탄산 가스 레이저), UV-YAG 레이저, UV 레이저, YAG 레이저, 엑시머 레이저 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 가공 속도, 비용 관점에서, CO2 레이저 또는 UV-YAG 레이저가 바람직하다.As a laser light source which can be used for formation of an opening part, a CO2 laser (carbon dioxide gas laser), a UV-YAG laser, a UV laser, a YAG laser, an excimer laser, etc. are mentioned, for example. Among them, a CO 2 laser or a UV-YAG laser is preferable from the viewpoint of processing speed and cost.

CO2 레이저를 조사하는 경우, 쇼트 수로서는, 비아 가공성을 향상시키는 관점에서, 바람직하게는 2 이하, 보다 바람직하게는 1이다. 쇼트 수를 상기 범위 내로 하기 위해, CO2 레이저의 에너지 및 펄스폭을 일정값 이상으로 하는 것이 바람직하다. CO2 레이저의 에너지는, 바람직하게는 0.3W 이상, 보다 바람직하게는 0.5W 이상, 더욱 바람직하게는 1.0W 이상이고, 바람직하게는 30W 이하, 보다 바람직하게는 20W 이하, 더욱 바람직하게는 15W 이하이다. 또한, CO2 레이저의 펄스폭은, 바람직하게는 3μsec 이상, 보다 바람직하게는 5μsec 이상, 더욱 바람직하게는 8μsec 이상이고, 바람직하게는 40μsec 이하, 보다 바람직하게는 30μsec 이하, 더욱 바람직하게는 20μsec 이하이다.When irradiating a CO 2 laser, the number of shots is preferably 2 or less, more preferably 1, from the viewpoint of improving the via processability. In order to keep the number of shots within the above range, it is preferable to set the energy and pulse width of the CO 2 laser to a certain value or more. The energy of the CO 2 laser is preferably 0.3 W or more, more preferably 0.5 W or more, still more preferably 1.0 W or more, preferably 30 W or less, more preferably 20 W or less, still more preferably 15 W or less. am. Further, the pulse width of the CO 2 laser is preferably 3 μsec or more, more preferably 5 μsec or more, still more preferably 8 μsec or more, preferably 40 μsec or less, more preferably 30 μsec or less, still more preferably 20 μsec or less. am.

UV-YAG 레이저를 조사하는 경우, 쇼트 수로서는, 비아 가공성을 향상시키는 관점에서, 바람직하게는 20 이하, 보다 바람직하게는 15이다. 쇼트 수를 상기 범위 내로 하기 위해, UV-YAG 레이저의 에너지 및 펄스폭을 일정값 이상으로 하는 것이 바람직하다. UV-YAG 레이저의 에너지는, 바람직하게는 0.05W 이상, 보다 바람직하게는 0.10W 이상, 더욱 바람직하게는 0.15W 이상이고, 바람직하게는 20W 이하, 보다 바람직하게는 10W 이하, 더욱 바람직하게는 5W 이하이다.When irradiating a UV-YAG laser, the number of shots is preferably 20 or less, more preferably 15, from the viewpoint of improving the via processability. In order to keep the number of shots within the above range, it is preferable to set the energy and pulse width of the UV-YAG laser to a certain value or more. The energy of the UV-YAG laser is preferably 0.05 W or more, more preferably 0.10 W or more, still more preferably 0.15 W or more, preferably 20 W or less, more preferably 10 W or less, still more preferably 5 W or less. is below.

비아홀의 형성은, 시판되고 있는 레이저 장치를 이용해서 실시할 수 있다. 시판되고 있는 탄산 가스 레이저 장치로서는, 예를 들어, 히타치 비아메카닉스사 제조 「LC-2E21B/1C」, 미츠비시 덴키사 제조 「ML605GTWII」, 마츠시타 요세츠 시스템사 제조의 기판 천공 레이저 가공기를 들 수 있다. 또한, UV-YAG 레이저 장치로서는, 예를 들어, 비아 메카닉스사 제조 「LU-2L212/M50L」 등을 들 수 있다.The via hole can be formed using a commercially available laser device. As a commercially available carbon dioxide laser apparatus, "LC-2E21B/1C" by Hitachi Via Mechanics, "ML605GTWII" by Mitsubishi Electric Corporation, and a substrate punching laser processing machine by Matsushita Yosetsu Systems, Inc. are mentioned, for example. Moreover, as a UV-YAG laser apparatus, "LU-2L212/M50L" by Via Mechanics, etc. is mentioned, for example.

공정 (A)에서는, 상기한 바와 같이, 지지체(21) 등의 마스크가 설치된 절연층(22)에 레이저를 조사해서 개구부(30)를 형성하는 것이 바람직하다. 따라서, 바람직하게는, 개구부(30)는, 절연층(22)뿐만 아니라, 마스크에도 연통해서 형성된다. 따라서, 도 2에 나타내는 예와 같이 마스크로서 지지체(21)를 사용한 경우, 개구부(30)는, 절연층(22) 및 지지체(21)에 연속해서 형성될 수 있다. 이 경우, 마스크의 두께(도 2에서는 지지체(21)의 두께) 및 개구부의 깊이(a)의 합계값(c)과, 공정 (B)에 의해 형성되는 비아홀의 개구 직경과의 비(합계값(c)/개구 직경)는, 본 발명의 효과를 현저히 얻는 관점에서, 바람직하게는 3 이하, 보다 바람직하게는 2.5 이하, 더욱 바람직하게는 2 이하이고, 바람직하게는 0.1 이상, 보다 바람직하게는 0.3 이상, 더욱 바람직하게는 0.5 이상이다. 여기서, 마스크의 두께란, 공정 (B)를 행하기 전의 마스크의 두께를 말한다.In the step (A), as described above, it is preferable to form the opening 30 by irradiating a laser to the insulating layer 22 provided with a mask such as the support 21 . Therefore, preferably, the opening 30 is formed in communication with not only the insulating layer 22 but also the mask. Therefore, when the support body 21 is used as a mask like the example shown in FIG. 2, the opening part 30 can be formed continuously in the insulating layer 22 and the support body 21. As shown in FIG. In this case, the ratio (total value) of the total value (c) of the thickness of the mask (the thickness of the support body 21 in Fig. 2) and the depth (a) of the opening, and the diameter of the opening of the via hole formed in the step (B). (c)/aperture diameter) is preferably 3 or less, more preferably 2.5 or less, still more preferably 2 or less, preferably 0.1 or more, more preferably from the viewpoint of significantly obtaining the effect of the present invention. It is 0.3 or more, More preferably, it is 0.5 or more. Here, the thickness of a mask means the thickness of the mask before performing a process (B).

또한, 마스크의 두께 및 개구부의 깊이(a)의 합계값(c)과, 공정 (B) 전의 개구부(30)의 개구 직경(b)과의 비(합계값(c)/개구 직경(b))는, 본 발명의 효과를 현저히 얻는 관점에서, 바람직하게는 3 이하, 보다 바람직하게는 2.5 이하, 더욱 바람직하게는 2 이하이고, 바람직하게는 0.1 이상, 보다 바람직하게는 0.3 이상, 더욱 바람직하게는 0.5 이상이다.In addition, the ratio (sum value (c)/aperture diameter (b)) of the total value (c) of the thickness of the mask and the depth (a) of the opening, and the opening diameter (b) of the opening 30 before the step (B) ) is, from the viewpoint of significantly obtaining the effects of the present invention, preferably 3 or less, more preferably 2.5 or less, still more preferably 2 or less, preferably 0.1 or more, more preferably 0.3 or more, still more preferably is greater than or equal to 0.5.

마스크의 두께 및 개구부의 깊이의 합계값(c)으로서는, 본 발명의 효과를 현저히 얻는 관점에서, 마스크와 절연층의 합계 두께의 50% 이상인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 60% 이상, 더욱 바람직하게는 70% 이상이다. 상한으로서는, 마스크와 절연층의 합계 두께의 95% 이하인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 90% 이하, 더욱 바람직하게는 80% 이하이다.The total value (c) of the thickness of the mask and the depth of the opening is preferably 50% or more of the total thickness of the mask and the insulating layer from the viewpoint of significantly obtaining the effect of the present invention, more preferably 60% or more, still more preferably more than 70%. As an upper limit, it is preferable that it is 95 % or less of the total thickness of a mask and an insulating layer, More preferably, it is 90 % or less, More preferably, it is 80 % or less.

<공정 (B)><Process (B)>

공정 (B)는, 개구부에, 지립을 사용하는 샌드 블라스트 처리를 행하여 비아홀을 형성하는 공정이다. 공정 (B)의 상세한 일 실시형태로서, 마스크를 통하여 개구부의 바닥면에 지립을 충돌시켜서 비아홀을 형성한다. 마스크로서는, 공정 (A)에 의해 개구된 지지체, 드라이 필름 및 금속박 중 적어도 어느 하나인 것이 바람직하고, 지지체가 보다 바람직하다.The step (B) is a step of forming a via hole in the opening by sandblasting using an abrasive grain. As a detailed embodiment of the step (B), a via hole is formed by colliding an abrasive grain on the bottom surface of the opening through a mask. As a mask, it is preferable that it is at least any one of the support body opened by the process (A), a dry film, and metal foil, and a support body is more preferable.

공정 (B)는, 샌드 블라스트 처리를 행하여, 도 2에 나타낸 바와 같은 개구부(30)의 바닥면(즉, 절연층의 노출면)에 지립을 충돌시켜서 비아홀(40)을 형성한다(비아홀 형성 후의 일례를 나타낸다). 여기서, 샌드 블라스트 처리란, 지지체, 드라이 필름 또는 금속박 등의 마스크로 덮여 있지 않은 개소의 표면에, 소정의 압력으로 분사하는 에어에 의해 지립 또는 지립의 슬러리 용액을 노즐로부터 분사시키고, 이 지립을 절연층에 충돌시켜 비아홀을 형성하는 처리를 말한다. 공정 (B)에서의 샌드 블라스트 처리는, 지립을 내뿜는 드라이 블라스트 처리 및 지립의 슬러리 용액을 내뿜는 웨트 블라스트 처리 중 어느 것이라도 좋지만, 소직경의 비아홀을 형성하는 관점에서, 웨트 블라스트 처리인 것이 바람직하다.In the step (B), sand blasting is performed to make the abrasive grains collide with the bottom surface of the opening 30 (that is, the exposed surface of the insulating layer) as shown in FIG. 2 to form the via hole 40 (after the via hole formation). An example is shown). Here, in the sandblasting treatment, abrasive grains or slurry solutions of abrasive grains are sprayed from a nozzle on the surface of a location not covered by a mask such as a support, dry film, or metal foil by air sprayed at a predetermined pressure, and the abrasive grains are insulated It refers to a process in which a via hole is formed by colliding with a layer. The sand blasting treatment in the step (B) may be either a dry blasting treatment for spraying abrasive grains or a wet blasting treatment for spraying a slurry solution of abrasive grains, but from the viewpoint of forming small-diameter via holes, it is preferable to perform a wet blasting treatment. .

샌드 블라스트 처리에서 사용하는 지립의 수정 모스 경도로서는, 샌드 블라스트 처리에 의해 소직경의 비아홀을 형성하는 관점에서, 바람직하게는 1 이상, 보다 바람직하게는 5 이상, 더욱 바람직하게는 6 이상, 7 이상이다. 상한값은 통상 15 이하 등으로 할 수 있다. 지립의 수정 모스 경도는, 예를 들어 모스 경도계를 이용해서 측정할 수 있다.The modified Mohs hardness of the abrasive grains used in the sandblasting treatment is preferably 1 or more, more preferably 5 or more, still more preferably 6 or more, 7 or more from the viewpoint of forming a small-diameter via hole by the sandblasting treatment. am. The upper limit can be set to 15 or less normally. The crystal Mohs hardness of the abrasive grains can be measured using, for example, a Mohs hardness meter.

지립으로서는, 실리카, 유리 등의 무기 화합물; 스틸, 스테인리스, 아연, 구리 등의 금속 화합물; 가넷, 지르코니아, 탄화 규소, 알루미나, 붕소 카바이드 등의 세라믹스; 드라이 아이스 등을 주성분으로 한 입자 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 본 발명의 원하는 효과를 현저히 얻는 관점에서, 무기 화합물, 세라믹스가 바람직하고, 알루미나, 탄화 규소 및 실리카 중 어느 하나가 바람직하다. 실리카는, 결정 실리카가 바람직하다.Examples of the abrasive include inorganic compounds such as silica and glass; metal compounds such as steel, stainless steel, zinc and copper; ceramics such as garnet, zirconia, silicon carbide, alumina, and boron carbide; The particle|grains etc. which have dry ice etc. as a main component are mentioned. Among them, inorganic compounds and ceramics are preferable, and any one of alumina, silicon carbide, and silica is preferable from the viewpoint of remarkably obtaining the desired effect of the present invention. As for silica, crystalline silica is preferable.

지립은 시판품을 사용할 수 있다. 시판품으로서는, 예를 들어, 덴카사 제조 「DAW-03」, 닛테츠 케미컬 & 머티리얼사 제조 「AY2-75」(알루미나); 시나노 덴키 세렌사 제조 「GP#4000」, 「SER-A06」(탄화 규소); 타츠모리사 제조 「IMSIL A-8」(결정 실리카); 후지 세사쿠쇼 제조 「후지 랜덤 WA」(용융 알루미나)를 들 수 있다.A commercial item can be used for the abrasive grain. As a commercial item, For example, the Denka company make "DAW-03", the Nittetsu Chemical & Materials company make "AY2-75" (alumina); "GP#4000", "SER-A06" (silicon carbide) by Shinano Denki Seren Co., Ltd.; "IMSIL A-8" by Tatsumori (crystalline silica); "Fuji Random WA" by Fuji Sesakusho (melted alumina) is mentioned.

지립의 평균 입자 직경으로서는, 0.5㎛ 이상이고, 바람직하게는 1㎛ 이상, 보다 바람직하게는 2㎛ 이상이다. 지립의 평균 입자 직경의 하한값을 이러한 범위 내로 함으로써 비아 가공성을 향상시킬 수 있다. 또한, 샌드 블라스트 처리에서의 지립의 반대로 내뿜어짐을 억제할 수 있고, 마스크의 연삭을 억제하는 것이 가능해진다. 지립의 반대로 내뿜어짐은, 개구부에 내뿜어진 지립이, 개구부에 침입해서 되돌아오는 기류의 작용에 의해 충돌 속도를 저하시키는 현상을 말하고, 특히 평균 입자 직경이 작은 지립에서는 현저하다. 지립의 평균 입자 직경의 상한값은, 20㎛ 이하이고, 바람직하게는 15㎛ 이하, 보다 바람직하게는 10㎛ 이하이다. 지립의 평균 입자 직경의 상한값을 이러한 범위 내로 함으로써, 소직경의 비아홀의 가공성을 향상시킬 수 있다. 지립의 평균 입자 직경은, 예를 들어, 주사형 전자 현미경 관찰에 의해 측정할 수 있고, 상세는, 일본 공개특허공보 특개2008-41932호에 기재된 방법에 의해 행할 수 있다.As an average particle diameter of the abrasive grains, it is 0.5 micrometer or more, Preferably it is 1 micrometer or more, More preferably, it is 2 micrometers or more. Via workability can be improved by making the lower limit of the average particle diameter of an abrasive grain into this range. In addition, it is possible to suppress blowing against the abrasive grains in the sandblasting process, and it becomes possible to suppress grinding of the mask. The blowing in the opposite direction of the abrasive grains refers to a phenomenon in which the abrasive grains blown into the openings penetrate the openings and reduce the collision speed by the action of the returning airflow, and it is particularly remarkable in the case of abrasive grains having a small average particle diameter. The upper limit of the average particle diameter of the abrasive grains is 20 µm or less, preferably 15 µm or less, and more preferably 10 µm or less. By making the upper limit of the average particle diameter of the abrasive grains within such a range, the workability of the small-diameter via hole can be improved. The average particle diameter of an abrasive grain can be measured by scanning electron microscope observation, for example, The detail can be performed by the method of Unexamined-Japanese-Patent No. 2008-41932.

지립을 분사하는 압력(가공 압력)으로서는, 바람직하게는 0.05MPa 이상, 보다 바람직하게는 0.1MPa 이상, 더욱 바람직하게는 0.15MPa 이상이고, 바람직하게는 1MPa 이하, 보다 바람직하게는 0.8MPa 이하, 더욱 바람직하게는 0.5MPa 이하이다. 가공 압력을 이러한 범위 내로 함으로써, 가공 시간을 단축할 수 있다. 여기서의 가공 압력은, 절연층 표면에서의 값이다.The pressure (working pressure) for spraying the abrasive grains is preferably 0.05 MPa or more, more preferably 0.1 MPa or more, still more preferably 0.15 MPa or more, preferably 1 MPa or less, more preferably 0.8 MPa or less, further Preferably it is 0.5 MPa or less. By setting the processing pressure within this range, the processing time can be shortened. The working pressure here is a value on the surface of the insulating layer.

노즐과 마스크 간의 거리로서는, 바람직하게는 200mm 이하, 보다 바람직하게는 190mm 이하, 더욱 바람직하게는 180mm 이하이고, 바람직하게는 10mm 이상, 보다 바람직하게는 15mm 이상, 더욱 바람직하게는 20mm 이상이다. 상기 거리를 이러한 범위 내로 함으로써, 효율적으로 비아홀을 형성할 수 있다.The distance between the nozzle and the mask is preferably 200 mm or less, more preferably 190 mm or less, still more preferably 180 mm or less, preferably 10 mm or more, more preferably 15 mm or more, still more preferably 20 mm or more. By setting the distance within this range, the via hole can be efficiently formed.

본 발명의 제조방법을 이용하면, 통상 비아홀의 탑(top) 직경이 소직경의 비아홀이라도, 샌드 블라스트 처리의 가공 시간을 단축할 수 있다는 특성을 나타낸다. 가공 시간으로서는, 바람직하게는 10분 미만, 보다 바람직하게는 8분 이하, 더욱 바람직하게는 5분 이하, 5분 미만이다. 하한은 특별히 한정되지 않지만, 0.1분 이상 등으로 할 수 있다.When the manufacturing method of the present invention is used, it exhibits a characteristic that the processing time of the sand blasting process can be shortened even if the top diameter of the via hole is a small diameter via hole. The processing time is preferably less than 10 minutes, more preferably 8 minutes or less, still more preferably 5 minutes or less and less than 5 minutes. Although the lower limit is not particularly limited, it can be set to 0.1 minutes or more.

도 3에서는, 지지체(21)를 마스크로 하는 예를 나타냈지만, 지지체(21) 대신에 금속박 및 드라이 필름 중 어느 하나를 마스크로서 사용해도 좋다.Although the example which uses the support body 21 as a mask was shown in FIG. 3, instead of the support body 21, you may use any one of metal foil and a dry film as a mask.

<기타 공정><Other processes>

프린트 배선판을 제조할 때에는, 공정 (B) 종료 후, (C) 절연층을 조화 처리하는 공정, (D) 도체층을 형성하는 공정을 추가로 실시해도 좋다. 이들 공정 (C) 및 공정 (D)는, 프린트 배선판의 제조에 사용되는, 당업자에게 공지된 각종 방법에 따라서 실시해도 좋다. 또한, 필요에 따라서, 공정 (A) 내지 공정 (D)의 절연층 및 도체층의 형성을 반복해서 실시하여, 다층 배선판을 형성해도 좋다. 또한, 프린트 배선판의 제조방법은, 적절한 타이밍으로 마스크를 제거하는 공정을 포함하고 있어도 좋다. 통상, 마스크는 공정 (B) 후, 공정 (C) 전에 제거된다.When manufacturing a printed wiring board, after completion|finish of a process (B), you may further implement the process of (C) roughening an insulating layer, and the process of forming a conductor layer (D). You may implement these process (C) and process (D) according to various methods well-known to those skilled in the art used for manufacture of a printed wiring board. Moreover, you may form a multilayer wiring board by repeating formation of the insulating layer and conductor layer of a process (A) - a process (D) as needed. Moreover, the manufacturing method of a printed wiring board may include the process of removing a mask at an appropriate timing. Usually, a mask is removed after a process (B) and before a process (C).

공정 (C)는, 절연층을 조화 처리(디스미어 처리라고도 함)하는 공정이다. 통상, 이 공정 (C)에서 지립의 제거도 행하여진다. 조화 처리의 순서, 조건은 특별히 한정되지 않고, 프린트 배선판의 절연층을 형성할 때에 통상 사용되는 공지의 순서, 조건을 채용할 수 있다. 예를 들어, 팽윤액에 의한 팽윤 처리, 산화제에 의한 조화 처리, 중화액에 의한 중화 처리를 이러한 순서로 실시해서 절연층을 조화 처리할 수 있다. 조화 처리에 사용하는 팽윤액으로서는 특별히 한정되지 않지만, 알칼리 용액, 계면활성제 용액 등을 들 수 있고, 바람직하게는 알칼리 용액이고, 상기 알칼리 용액으로서는, 수산화 나트륨 용액, 수산화 칼륨 용액이 보다 바람직하다. 시판되고 있는 팽윤액으로서는, 예를 들어, 아토텍 재팬사 제조의 「스웰링 딥 세큐리간스 P」, 「스웰링 딥 세큐리간스 SBU」, 「스웰링 딥 세큐리간트 P」 등을 들 수 있다. 팽윤액에 의한 팽윤 처리는, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어, 30℃ 내지 90℃의 팽윤액에 절연층을 1분간 내지 20분간 침지함으로써 행할 수 있다. 절연층의 수지의 팽윤을 적당한 레벨로 억제하는 관점에서, 40℃ 내지 80℃의 팽윤액에 절연층을 5분간 내지 15분간 침지시키는 것이 바람직하다. 조화 처리에 사용하는 산화제로서는, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어, 수산화 나트륨의 수용액에 과망간산 칼륨이나 과망간산 나트륨을 용해한 알카리성 과망간산 용액을 들 수 있다. 알카리성 과망간산 용액 등의 산화제에 의한 조화 처리는, 60℃ 내지 100℃로 가열한 산화제 용액에 절연층을 10분간 내지 30분간 침지시켜서 행하는 것이 바람직하다. 또한, 알카리성 과망간산 용액에서의 과망간산염의 농도는 5질량% 내지 10질량%가 바람직하다. 시판되고 있는 산화제로서는, 예를 들어, 아토텍 재팬사 제조의 「콘센트레이트 컴팩트 CP」, 「도징 솔루션 세큐리간스 P」 등의 알카리성 과망간산 용액을 들 수 있다. 또한, 조화 처리에 사용하는 중화액으로서는, 산성 수용액이 바람직하고, 시판품으로서는, 예를 들어, 아토텍 재팬사 제조의 「리덕션 솔루션 세큐리간트 P」를 들 수 있다. 중화액에 의한 처리는, 산화제에 의한 조화 처리가 된 처리면을 30℃ 내지 80℃의 중화액에 1분간 내지 30분간 침지시킴으로써 행할 수 있다. 작업성 등의 점에서, 산화제에 의한 조화 처리가 된 대상물을, 40℃ 내지 70℃의 중화액에 5분간 내지 20분간 침지하는 방법이 바람직하다.A process (C) is a process of roughening an insulating layer (it is also mentioned a desmear process). Usually, the removal of the abrasive grain is also performed in this process (C). The procedure and conditions of a roughening process are not specifically limited, When forming the insulating layer of a printed wiring board, the well-known procedure and conditions normally used are employable. For example, the swelling process by a swelling liquid, the roughening process by an oxidizing agent, and the neutralization process by a neutralizing liquid can be performed in this order, and an insulating layer can be roughened. Although it does not specifically limit as a swelling liquid used for a roughening process, An alkali solution, surfactant solution, etc. are mentioned, Preferably it is an alkali solution, As said alkali solution, sodium hydroxide solution and potassium hydroxide solution are more preferable. As a commercially available swelling liquid, "Swelling Deep Securiganth P", "Swelling Deep Securiganth SBU", "Swelling Deep Securigant P" manufactured by Atotech Japan, etc. are mentioned, for example. there is. Although the swelling process by a swelling liquid is not specifically limited, For example, it can perform by immersing an insulating layer in 30 degreeC - 90 degreeC swelling liquid for 1 minute - 20 minutes. From the viewpoint of suppressing the swelling of the resin of the insulating layer to an appropriate level, it is preferable to immerse the insulating layer in a swelling solution at 40°C to 80°C for 5 minutes to 15 minutes. Although it does not specifically limit as an oxidizing agent used for a roughening process, For example, the alkaline permanganic acid solution which melt|dissolved potassium permanganate and sodium permanganate in the aqueous solution of sodium hydroxide is mentioned. It is preferable to perform the roughening process by oxidizing agents, such as alkaline permanganic acid solution, by making the insulating layer immerse for 10 minutes - 30 minutes in the oxidizing agent solution heated to 60 degreeC - 100 degreeC. Moreover, as for the density|concentration of the permanganate in an alkaline permanganic acid solution, 5 mass % - 10 mass % are preferable. As a commercially available oxidizing agent, alkaline permanganic acid solutions, such as "Concentrate Compact CP" by Atotech Japan, "Dosing Solution Securigans P", are mentioned, for example. Moreover, as a neutralization liquid used for a roughening process, acidic aqueous solution is preferable, and as a commercial item, "reduction solution securigant P" by Atotech Japan company is mentioned, for example. The treatment with the neutralizing solution can be performed by immersing the treated surface subjected to the roughening treatment with the oxidizing agent in a neutralizing solution at 30°C to 80°C for 1 minute to 30 minutes. The method of immersing the target object roughened by the oxidizing agent from points, such as workability|operativity, in the neutralization liquid of 40 degreeC - 70 degreeC for 5 minutes - 20 minutes is preferable.

일 실시형태에 있어서, 조화 처리 후의 절연층 표면의 산술 평균 거칠기(Ra)는, 바람직하게는 500nm 이하, 보다 바람직하게는 400nm 이하, 더욱 바람직하게는 300nm 이하이다. 하한에 대해서는 특별히 한정되지 않지만, 바람직하게는 30nm 이상, 보다 바람직하게는 40nm 이상, 더욱 바람직하게는 50nm 이상이다. 절연층 표면의 산술 평균 거칠기(Ra)는, 비접촉형 표면 조도계를 사용해서 측정할 수 있다.In one embodiment, arithmetic mean roughness Ra of the insulating layer surface after a roughening process becomes like this. Preferably it is 500 nm or less, More preferably, it is 400 nm or less, More preferably, it is 300 nm or less. Although it does not specifically limit about a lower limit, Preferably it is 30 nm or more, More preferably, it is 40 nm or more, More preferably, it is 50 nm or more. The arithmetic mean roughness (Ra) of the surface of the insulating layer can be measured using a non-contact type surface roughness meter.

공정 (D)는, 도체층을 형성하는 공정이며, 절연층 위에 도체층을 형성한다. 도체층에 사용하는 도체 재료는 특별히 한정되지 않는다. 적합한 실시형태에서는, 도체층은, 금, 백금, 팔라듐, 은, 구리, 알루미늄, 코발트, 크롬, 아연, 니켈, 티탄, 텅스텐, 철, 주석 및 인듐으로 이루어지는 그룹으로부터 선택되는 1종 이상의 금속을 포함한다. 도체층은, 단금속층이라도 합금층이라도 좋고, 합금층으로서는, 예를 들어, 상기 그룹으로부터 선택되는 2종 이상의 금속의 합금(예를 들어, 니켈·크롬 합금, 구리·니켈 합금 및 구리·티탄 합금)으로 형성된 층을 들 수 있다. 그 중에서도, 도체층 형성의 범용성, 비용, 패터닝의 용이성 등의 관점에서, 크롬, 니켈, 티탄, 알루미늄, 아연, 금, 팔라듐, 은 또는 구리의 단금속층 또는 니켈·크롬 합금, 구리·니켈 합금, 구리·티탄 합금의 합금층이 바람직하고, 크롬, 니켈, 티탄, 알루미늄, 아연, 금, 팔라듐, 은 또는 구리의 단금속층 또는 니켈·크롬 합금의 합금층이 보다 바람직하고, 구리의 단금속층이 더욱 바람직하다.A process (D) is a process of forming a conductor layer, and forms a conductor layer on an insulating layer. The conductor material used for a conductor layer is not specifically limited. In a suitable embodiment, the conductor layer comprises at least one metal selected from the group consisting of gold, platinum, palladium, silver, copper, aluminum, cobalt, chromium, zinc, nickel, titanium, tungsten, iron, tin and indium. do. The conductor layer may be a single metal layer or an alloy layer, and as the alloy layer, for example, an alloy of two or more metals selected from the group described above (for example, a nickel-chromium alloy, a copper-nickel alloy, and a copper-titanium alloy) ) can be mentioned. Among them, from the viewpoints of versatility of conductor layer formation, cost, ease of patterning, and the like, single metal layers of chromium, nickel, titanium, aluminum, zinc, gold, palladium, silver or copper or nickel-chromium alloys, copper-nickel alloys, An alloy layer of a copper/titanium alloy is preferable, a single metal layer of chromium, nickel, titanium, aluminum, zinc, gold, palladium, silver, or copper or an alloy layer of a nickel/chromium alloy is more preferable, and a single metal layer of copper is further desirable.

도체층은, 단층 구조라도, 다른 종류의 금속 또는 합금으로 이루어진 단금속층 또는 합금층이 2층 이상 적층된 복층 구조라도 좋다. 도체층이 복층 구조인 경우, 경화체와 접하는 층은, 크롬, 아연 또는 티탄의 단금속층 또는 니켈·크롬 합금의 합금층인 것이 바람직하다.The conductor layer may have a single layer structure or a multilayer structure in which two or more single metal layers or alloy layers made of different types of metals or alloys are laminated. When the conductor layer has a multilayer structure, the layer in contact with the hardening body is preferably a single metal layer of chromium, zinc or titanium, or an alloy layer of a nickel-chromium alloy.

도체층의 두께는, 원하는 프린트 배선판의 디자인에 따르지만, 일반적으로 3㎛ 내지 35㎛, 바람직하게는 5㎛ 내지 30㎛이다. Although the thickness of a conductor layer depends on the design of a desired printed wiring board, it is 3 micrometers - 35 micrometers generally, Preferably it is 5 micrometers - 30 micrometers.

일 실시형태에 있어서, 도체층은, 도금에 의해 형성해도 좋다. 예를 들어, 세미 어디티브법, 풀 어디티브법 등의 종래 공지의 기술에 의해 절연층의 표면에 도금하여, 원하는 배선 패턴을 갖는 도체층을 형성할 수 있고, 제조의 간편성의 관점에서, 세미 어디티브법에 의해 형성하는 것이 바람직하다. 이하, 도체층을 세미 어디티브법에 의해 형성하는 예를 나타낸다.In one embodiment, the conductor layer may be formed by plating. For example, by plating the surface of the insulating layer by a conventionally known technique such as a semi-additive method or a full additive method, a conductor layer having a desired wiring pattern can be formed. It is preferable to form by the additive method. Hereinafter, an example in which the conductor layer is formed by a semi-additive method is shown.

우선, 절연층의 표면에, 무전해 도금에 의해 도금 시드층을 형성한다. 그 다음에, 형성된 도금 시드층 위에, 원하는 배선 패턴에 대응해서 도금 시드층의 일부를 노출시키는 마스크 패턴을 형성한다. 노출한 도금 시드층 위에, 전해 도금에 의해 금속층을 형성한 후, 마스크 패턴을 제거한다. 그 후, 불필요한 도금 시드층을 에칭 등에 의해 제거하여, 원하는 배선 패턴을 갖는 도체층을 형성할 수 있다.First, a plating seed layer is formed on the surface of the insulating layer by electroless plating. Then, on the formed plating seed layer, a mask pattern for exposing a part of the plating seed layer corresponding to the desired wiring pattern is formed. After forming a metal layer by electrolytic plating on the exposed plating seed layer, the mask pattern is removed. Thereafter, the unnecessary plating seed layer is removed by etching or the like to form a conductor layer having a desired wiring pattern.

본 발명의 프린트 배선판의 제조방법은, 공정 (A) 및 공정 (B)를 행하므로, 소직경의 비아홀을 형성 가능하다는 특성을 나타낸다. 비아홀의 탑 직경(비아 직경)으로서는, 바람직하게는 100㎛ 이하, 보다 바람직하게는 75㎛ 이하, 더욱 바람직하게는 55㎛ 이하이고, 바람직하게는, 5㎛ 이상, 보다 바람직하게는 10㎛ 이상, 더욱 바람직하게는 15㎛ 이상이다. 비아 직경의 측정 방법, 평가의 상세는, 후술하는 실시예에 기재된 방법으로 행할 수 있다.Since the manufacturing method of the printed wiring board of this invention performs a process (A) and a process (B), it shows the characteristic that a via hole of a small diameter can be formed. The top diameter (via diameter) of the via hole is preferably 100 µm or less, more preferably 75 µm or less, still more preferably 55 µm or less, preferably 5 µm or more, more preferably 10 µm or more; More preferably, it is 15 micrometers or more. Details of the method for measuring the via diameter and evaluation can be performed by the method described in Examples to be described later.

본 발명의 프린트 배선판의 제조방법은, 공정 (A) 및 공정 (B)를 행하므로, 스미어 제거성이 우수하다는 특성을 나타낸다. 따라서, 본 발명의 방법에 의해 비아홀을 형성한 후, 팽윤액, 조화액 및 중화액의 순서로 침지시키는 디스미어 처리를 행하면, 비아홀 바닥부에 수지 잔사가 보이지 않는다. 스미어 제거성의 평가는, 후술하는 실시예에 기재된 방법으로 행할 수 있다.Since the manufacturing method of the printed wiring board of this invention performs a process (A) and a process (B), it shows the characteristic that it is excellent in smear removability. Therefore, after forming a via hole by the method of this invention, if the desmear process of immersing in this order of a swelling liquid, a roughening liquid, and a neutralizing liquid, a resin residue is not seen in the bottom part of a via hole. Evaluation of smear removability can be performed by the method as described in the Example mentioned later.

본 발명의 프린트 배선판의 제조방법은, 할로잉 현상이 억제된다는 특성을 나타낸다. 구체적으로는, 비아홀 직경이 상기 범위 내로 소직경이라도, 할로잉 현상을 억제할 수 있다. 이하, 할로잉 현상에 대하여, 도면을 참조하여 설명한다.The manufacturing method of the printed wiring board of this invention shows the characteristic that a hollowing phenomenon is suppressed. Specifically, even if the via hole diameter is small within the above range, the hollowing phenomenon can be suppressed. Hereinafter, the hollowing phenomenon will be described with reference to the drawings.

도 4는, 레이저로 비아홀이 형성된 종래의 프린트 배선판의, 도체층이 형성되기 직전의 절연층(22)의, 금속층(12)(도 4에서는 도시하지 않음)과는 반대측의 면(22U)을 모식적으로 나타내는 평면도이다. 도 5는, 레이저로 비아홀이 형성된 종래의 프린트 배선판의, 도체층이 형성되기 직전의 절연층(22)을, 내층 회로 기판의 금속층(12)과 함께 모식적으로 나타내는 단면도이다. 도 5에서는, 비아홀(40)의 비아 보텀(220)의 중심(220C)을 지나고 또한 절연층(22)의 두께 방향으로 평행한 평면에서, 절연층(22)을 절단한 단면을 나타낸다.4 shows a surface 22U of a conventional printed wiring board in which a via hole is formed with a laser, opposite to the metal layer 12 (not shown in FIG. 4) of the insulating layer 22 immediately before the conductor layer is formed. It is a schematic plan view. 5 : is sectional drawing which shows typically the insulating layer 22 just before the conductor layer is formed of the conventional printed wiring board in which the via hole was formed with a laser, together with the metal layer 12 of an inner-layer circuit board. In FIG. 5 , a cross-section of the insulating layer 22 is shown in a plane that passes through the center 220C of the via bottom 220 of the via hole 40 and is parallel to the thickness direction of the insulating layer 22 .

도 5에 나타내는 바와 같이, 레이저로 비아홀(40)을 형성하면, 레이저의 열에 의한 수지의 열화에 기인해서 변색부(240)가 생기는 경우가 있다. 이러한 변색부(240)는, 조화 처리시에 약제의 침식을 받아, 절연층(22)이 금속층(12)으로부터 박리되고, 비아 보텀(220)의 엣지(250)로부터 연속된 간극부(260)가 형성되는 경우가 있다(할로잉 현상).As shown in FIG. 5, when the via hole 40 is formed with a laser, the discoloration part 240 may arise due to the deterioration of resin by the heat of a laser. The discoloration portion 240 is subjected to chemical erosion during roughening, the insulating layer 22 is peeled off from the metal layer 12 , and a gap portion 260 continuous from the edge 250 of the via bottom 220 . may be formed (a hollowing phenomenon).

본 발명에서는, 레이저에 의해 개구부를 형성한 후에 열을 발생시키기 어려운 샌드 블라스트 처리를 채용하고 있으므로, 수지의 열화를 억제할 수 있다. 따라서, 금속층(12)으로부터의 절연층(22)의 박리를 억제할 수 있고, 간극부(260)의 사이즈를 작게 할 수 있다.In this invention, since the sandblasting process which hardly generates heat|fever after forming an opening part with a laser is employ|adopted, deterioration of resin can be suppressed. Therefore, peeling of the insulating layer 22 from the metal layer 12 can be suppressed, and the size of the gap part 260 can be made small.

비아 보텀(비아의 바닥(비아 바닥))(220)의 엣지(250)는, 간극부(260)의 내주측의 테두리부에 상당한다. 따라서, 비아 보텀(220)의 엣지(250)로부터, 간극부(260)의 외주측의 단부(즉, 비아 보텀(220)의 중심(220C)으로부터 먼 측의 단부)(270)까지의 거리(Wb)는, 간극부(260)의 면내 방향의 사이즈에 상당한다. 여기서, 면내 방향이란, 절연층(22)의 두께 방향으로 수직인 방향을 말한다. 또한, 이하의 설명에 있어서, 상기 거리(Wb)를, 비아홀(40)의 비아 보텀(220)의 엣지(250)로부터의 할로잉 거리(Wb)라고 말하는 경우가 있다. 이러한 비아 보텀(220)의 엣지(250)로부터의 할로잉 거리(Wb)에 의해, 할로잉 현상의 억제의 정도를 평가할 수 있다. 구체적으로는, 비아 보텀(220)의 엣지(250)로부터의 할로잉 거리(Wb)가 작을수록, 할로잉 현상을 효과적으로 억제할 수 있었다고 평가할 수 있다.The edge 250 of the via bottom (the bottom of the via (via bottom)) 220 corresponds to the inner peripheral edge of the gap portion 260 . Accordingly, the distance ( Wb) corresponds to the size of the gap portion 260 in the in-plane direction. Here, the in-plane direction refers to a direction perpendicular to the thickness direction of the insulating layer 22 . In the following description, the distance Wb is sometimes referred to as a hollowing distance Wb from the edge 250 of the via bottom 220 of the via hole 40 . The degree of suppression of the hollowing phenomenon can be evaluated by the hollowing distance Wb from the edge 250 of the via bottom 220 . Specifically, it can be evaluated that the hollowing phenomenon can be effectively suppressed as the hollowing distance Wb from the edge 250 of the via bottom 220 is smaller.

본 발명의 제조방법을 이용하면, 탑 직경이 50㎛ 이하인 비아홀을 형성해도, 절연층(22)의 비아홀(40)의 비아 보텀(220)의 엣지(250)로부터의 할로잉 거리(Wb)를, 바람직하게는 5㎛ 이하, 보다 바람직하게는 4㎛ 이하, 더욱 바람직하게는 3㎛ 이하로 할 수 있다. 하한은 특별히 제한은 없지만, 0㎛ 이상, 0.1㎛ 이상 등으로 할 수 있다.Using the manufacturing method of the present invention, even when a via hole having a top diameter of 50 μm or less is formed, the hollowing distance Wb of the via hole 40 of the insulating layer 22 from the edge 250 of the via bottom 220 is , preferably 5 µm or less, more preferably 4 µm or less, still more preferably 3 µm or less. The lower limit is not particularly limited, but may be 0 µm or more, 0.1 µm or more, or the like.

본 발명의 제조방법은, 도 6 내지 도 10에 일례를 나타내는 바와 같이, 비아홀과 트렌치를 갖는 프린트 배선판을 제조할 수 있다. 상세는, 도 6에 일례를 나타내는 바와 같이, 공정 (A)를 행하기 전에 내층 회로 기판(10) 위에 절연층(22)을 형성하고, 추가로 금속박(60)을 절연층(22) 위에 라미네이트한다. 금속박(60)을 라미네이트 후, 도 7에 일례를 나타내는 바와 같이 금속박(60)에 패턴 에칭 처리를 행하고, 금속박(60)의 일부를 제거하여 구멍(61)을 형성한다. 그 후, 도 8에 일례를 나타내는 바와 같이 금속박(60)의 소정의 개소에 레이저를 조사하는 공정 (A)를 행하여, 개구부(30)를 형성한다. 다음에, 도 9에 일례를 나타내는 바와 같이 공정 (B)를 행함으로써, 개구부(30)로부터 비아홀(40)이 형성되는 동시에, 샌드 블라스트 처리에 의해 구멍(61)의 바닥부에 지립을 충돌시켜서 트렌치(50)가 형성된다. 그 후, 도 10에 일례를 나타내는 바와 같이, 비아홀(40) 및 트렌치(50)를 전해 도금에 의해 매립하여, 필드 비아(80)을 형성한다. 필드 비아(80)의 형성 후, 필요에 따라서, 금속박(60)을 제거해도 좋다.The manufacturing method of this invention can manufacture the printed wiring board which has a via hole and a trench, as an example is shown in FIGS. In detail, as an example is shown in FIG. 6, the insulating layer 22 is formed on the inner-layer circuit board 10 before performing a process (A), and the metal foil 60 is further laminated on the insulating layer 22. do. After laminating the metal foil 60, as an example is shown in FIG. 7, the pattern etching process is performed to the metal foil 60, a part of the metal foil 60 is removed, and the hole 61 is formed. Then, as an example is shown in FIG. 8, the process (A) of irradiating a laser to the predetermined location of the metal foil 60 is performed, and the opening part 30 is formed. Next, as an example is shown in Fig. 9, by performing the step (B), the via hole 40 is formed from the opening 30 and the abrasive grains are collided with the bottom of the hole 61 by sand blasting. A trench 50 is formed. Thereafter, as an example is shown in FIG. 10 , the via hole 40 and the trench 50 are filled by electrolytic plating to form a filled via 80 . After the formation of the filled via 80 , the metal foil 60 may be removed if necessary.

또한, 지지체 부착 수지 시트의 수지 조성물 층에 금속박을 라미네이트하여 수지 조성물 층 부착 금속박을 얻고, 수지 조성물 층 부착 금속박을 내층 회로 기판에 라미네이트하여, 절연층 및 금속박을 내층 회로 기판 위에 형성해도 좋다.Alternatively, a metal foil may be laminated on the resin composition layer of the resin sheet with a support to obtain a metal foil with a resin composition layer, and the metal foil with a resin composition layer may be laminated on an inner circuit board to form an insulating layer and a metal foil on the inner circuit board.

또한, 본 발명의 제조방법은, 도 11 내지 도 16에 일례를 나타내는 바와 같이, 패턴 도체층을 갖는 프린트 배선판을 제조할 수 있다. 상세는, 도 11에 일례를 나타내는 바와 같이, 공정 (A)를 행하기 전에 내층 회로 기판(10) 위에 절연층(22)을 형성하고, 추가로 금속박(60) 및 드라이 필름(70)을 절연층(22) 위에 라미네이트한다. 금속박(60) 및 드라이 필름(70)을 라미네이트 후, 도 12에 일례를 나타내는 바와 같이, 드라이 필름(70)의 일부를 노광·현상함으로써 드라이 필름(70)의 일부를 제거한 구멍(71)을 형성한다. 그 후, 도 13에 일례를 나타내는 바와 같이 드라이 필름(70)의 소정의 개소에 레이저를 조사하는 공정 (A)를 행하여, 개구부(30)을 형성한다. 그 다음에, 도 14에 일례를 나타내는 바와 같이 공정 (B)를 행함으로써 개구부(30)로부터 비아홀(40)이 형성된다. 공정 (B) 종료 후, 도 15에 일례를 나타내는 바와 같이, 비아홀(40) 및 구멍(71)을 전해 도금에 의해 매립하여 필드 비아(80)를 형성하고, 도 16에 일례를 나타내는 바와 같이 드라이 필름(도시하지 않음)을 제거하여, 패턴 도체층을 형성한다. 상기 전해 도금의 도금 시드층으로서, 금속박(60)을 사용해도 좋다. Moreover, the manufacturing method of this invention can manufacture the printed wiring board which has a patterned conductor layer, as an example is shown to FIGS. In detail, as an example is shown in FIG. 11, the insulating layer 22 is formed on the inner-layer circuit board 10 before performing a process (A), and the metal foil 60 and the dry film 70 are further insulated. Laminate over layer 22 . After laminating the metal foil 60 and the dry film 70, as an example is shown in FIG. 12, a part of the dry film 70 is exposed and developed to form a hole 71 from which a part of the dry film 70 is removed. do. Then, as an example is shown in FIG. 13, the process (A) of irradiating a laser to the predetermined location of the dry film 70 is performed, and the opening part 30 is formed. Then, as an example is shown in FIG. 14 , a via hole 40 is formed from the opening 30 by performing the step (B). After the completion of the step (B), as shown in an example in FIG. 15 , the via holes 40 and the holes 71 are filled by electrolytic plating to form a filled via 80 , and dry as an example is shown in FIG. 16 . A film (not shown) is removed to form a patterned conductor layer. As the plating seed layer of the electrolytic plating, the metal foil 60 may be used.

드라이 필름을 제거하기 전에, 필요에 따라서 필드 비아(80)의 높이를 조정하기 위해 필드 비아(80)의 표면을 버프 연마 등으로 연마해도 좋다. Before removing the dry film, the surface of the filled via 80 may be polished by buffing or the like in order to adjust the height of the filled via 80 if necessary.

또한, 지지체 부착 수지 시트의 수지 조성물 층에 금속박을 라미네이트하여 수지 조성물 층 부착 금속박을 얻고, 수지 조성물 층 부착 금속박을 내층 회로 기판에 라미네이트하여, 절연층 및 금속박을 내층 회로 기판 위에 형성해도 좋다.Alternatively, a metal foil may be laminated on the resin composition layer of the resin sheet with a support to obtain a metal foil with a resin composition layer, and the metal foil with a resin composition layer may be laminated on an inner circuit board to form an insulating layer and a metal foil on the inner circuit board.

본 발명의 제조방법은, 도 17 내지 도 21에 일례를 나타내는 바와 같이, 비아홀과 트렌치를 갖는 프린트 배선판을 제조할 수 있다. 상세는, 도 17에 일례를 나타내는 바와 같이, 공정 (A)를 행하기 전에 내층 회로 기판(10) 위에 절연층(22)을 형성하고, 또한 드라이 필름(70)을 절연층(22) 위에 라미네이트한다. 드라이 필름(70)을 라미네이트 후, 도 18에 일례를 나타내는 바와 같이 드라이 필름(70)의 일부에 노광·현상함으로써 드라이 필름(70)의 일부를 제거한 구멍(71)을 형성한다. 그 후, 도 19에 일례를 나타내는 바와 같이 드라이 필름(70)의 소정의 개소에 레이저를 조사하는 공정 (A)를 행하여, 개구부(30)를 형성한다. 그 다음에, 도 20에 일례를 나타내는 바와 같이 공정 (B)를 행함으로써 개구부(30)로부터 비아홀(40)이 형성되는 동시에, 샌드 블라스트 처리에 의해 구멍(71)의 바닥부에 지립을 충돌시켜서 트렌치(50)가 형성된다. 그 후, 도 21에 일례를 나타내는 바와 같이, 비아홀(40) 및 트렌치(50)를 전해 도금에 의해 매립하여 필드 비아(80)를 형성한다. 필드 비아(80)의 형성 후, 필요에 따라서, 드라이 필름(70)을 제거해도 좋다. The manufacturing method of this invention can manufacture the printed wiring board which has a via hole and a trench, as an example is shown in FIGS. 17-21. In detail, as an example is shown in FIG. 17, the insulating layer 22 is formed on the inner-layer circuit board 10 before performing a process (A), and the dry film 70 is laminated on the insulating layer 22 further. do. After laminating the dry film 70, as an example is shown in FIG. 18, the hole 71 from which a part of the dry film 70 was removed by exposing and developing in a part of the dry film 70 is formed. Then, as an example is shown in FIG. 19, the process (A) of irradiating a laser to the predetermined location of the dry film 70 is performed, and the opening part 30 is formed. Then, as an example is shown in Fig. 20, the via hole 40 is formed from the opening 30 by performing the step (B), and at the same time, the abrasive grains are collided with the bottom of the hole 71 by sand blasting. A trench 50 is formed. Thereafter, as an example is shown in FIG. 21 , the via hole 40 and the trench 50 are filled by electrolytic plating to form a filled via 80 . After formation of the filled via 80 , the dry film 70 may be removed if necessary.

드라이 필름을 제거하기 전에, 필요에 따라서 필드 비아(80)의 높이를 조제하기 위해 필드 비아(80)의 표면을 버프 연마 등으로 연마해도 좋다.Before removing the dry film, if necessary, the surface of the filled via 80 may be polished by buffing or the like to adjust the height of the filled via 80 .

[반도체 장치][Semiconductor device]

본 발명의 반도체 장치는 프린트 배선판을 포함한다. 본 발명의 반도체 장치는, 본 발명의 제조방법에 의해 얻어진 프린트 배선판을 사용해서 제조할 수 있다.The semiconductor device of the present invention includes a printed wiring board. The semiconductor device of this invention can be manufactured using the printed wiring board obtained by the manufacturing method of this invention.

반도체 장치로서는, 전기 제품(예를 들어, 컴퓨터, 휴대전화, 디지털 카메라 및 텔레비전 등) 및 탈것(예를 들어, 자동 이륜차, 자동차, 전차, 선박 및 항공기등) 등에 제공되는 각종 반도체 장치를 들 수 있다.Examples of the semiconductor device include various semiconductor devices provided for electric products (eg, computers, mobile phones, digital cameras, televisions, etc.) and vehicles (eg, motorcycles, automobiles, trams, ships, and aircraft). there is.

본 발명의 반도체 장치는, 프린트 배선판의 도통 개소에, 부품(반도체 칩)을 실장함으로써 제조할 수 있다. 「도통 개소」란, 「프린트 배선판에서의 전기 신호를 전달하는 개소」로서, 그 장소는 표면이라도, 매립된 개소라도 어느 곳이라도 상관 없다. 또한, 반도체 칩은 반도체를 재료로 하는 전기 회로 소자이면 특별히 한정되지 않는다.The semiconductor device of this invention can be manufactured by mounting a component (semiconductor chip) in the conduction|electrical_connection location of a printed wiring board. A "conduction location" is "a location through which an electric signal is transmitted in a printed wiring board", and the location may be any place, be it a surface or a buried location. In addition, a semiconductor chip will not be specifically limited if it is an electric circuit element which uses a semiconductor as a material.

반도체 장치를 제조할 때의 반도체 칩의 실장 방법은, 반도체 칩이 유효하게 기능하기만 하면 특별히 한정되지 않지만, 구체적으로는, 와이어 본딩 실장 방법, 플립 칩 실장 방법, 범프리스 빌드업층(BBUL)에 의한 실장 방법, 이방성 도전 필름(ACF)에 의한 실장 방법, 비도전성 필름(NCF)에 의한 실장 방법 등을 들 수 있다. 여기서, 「범프리스 빌드업층(BBUL)에 의한 실장 방법」이란, 「반도체 칩을 프린트 배선판의 오목부에 직접 매립하고, 반도체 칩과 프린트 배선판 위의 배선을 접속시키는 실장 방법」을 말한다.The semiconductor chip mounting method for manufacturing a semiconductor device is not particularly limited as long as the semiconductor chip functions effectively, and specifically, a wire bonding mounting method, a flip chip mounting method, and a bump-free buildup layer (BBUL). The mounting method by this, the mounting method by the anisotropic conductive film (ACF), the mounting method by a non-conductive film (NCF), etc. are mentioned. Here, "a mounting method using a bumpless build-up layer (BBUL)" refers to "a mounting method in which a semiconductor chip is directly embedded in a recess of a printed wiring board, and the semiconductor chip and wiring on the printed wiring board are connected".

[실시예][Example]

이하, 본 발명을 실시예에 의해 구체적으로 설명한다. 본 발명은 이들 실시예에 한정되는 것은 아니다. 또한, 이하에 있어서, 양을 나타내는 「부」 및 「%」는, 별도 명시가 없는 한, 각각 「질량부」 및 「질량%」를 의미한다. 또한, 이하에 설명하는 조작은, 별도 명시가 없는 한, 상온 상압의 환경에서 행하였다.Hereinafter, the present invention will be specifically described by way of Examples. The present invention is not limited to these Examples. In addition, in the following, "part" and "%" which show quantity means "mass part" and "mass %", respectively, unless otherwise indicated. In addition, the operation demonstrated below was performed in the environment of normal temperature and normal pressure, unless otherwise indicated.

<합성예 1: 엘라스토머의 합성><Synthesis Example 1: Synthesis of elastomer>

반응 용기에, 2관능성 하이드록시기 말단 폴리부타디엔(닛폰 소다사 제조 「G-3000」, 수 평균 분자량 = 3,000, 하이드록시기 당량 = 1,800g/eq.) 69g과, 방향족 탄화수소계 혼합 용제(이데미츠 세키유 카가쿠사 제조 「이프졸 150」) 40g과, 디부틸주석라우레이트 0.005g를 넣고, 혼합해서 균일하게 용해시켰다. 균일해졌을 때 60℃로 승온하고, 추가로 교반하면서 이소포론디이소시아네이트(에보닉 데구사 재팬사 제조 「IPDI」, 이소시아네이트기 당량 = 113g/eq.) 8g을 첨가하여, 약 3시간 반응을 행하였다.In a reaction vessel, 69 g of bifunctional hydroxyl group-terminated polybutadiene ("G-3000" manufactured by Nippon Soda Co., Ltd., number average molecular weight = 3,000, hydroxyl group equivalent = 1,800 g/eq.), and an aromatic hydrocarbon-based mixed solvent ( 40 g of "Ifsol 150" manufactured by Idemitsu Sekiyu Chemical Co., Ltd.) and 0.005 g of dibutyltin laurate were added, mixed and uniformly dissolved. When it became uniform, the temperature was raised to 60°C, and 8 g of isophorone diisocyanate ("IPDI" manufactured by Evonik Degusa Japan, isocyanate group equivalent = 113 g/eq.) was added while further stirring, and the reaction was performed for about 3 hours. did

그 다음에 반응물에, 크레졸 노볼락 수지(DIC사 제조 「KA-1160」, 수산기 당량 = 117g/eq.) 23g과, 에틸디글리콜아세테이트(다이셀사 제조) 60g을 첨가하고, 교반하면서 150℃까지 승온하여, 약 10시간 반응을 행하였다. FT-IR에 의해 2,250cm-1의 NCO 피크의 소실의 확인을 행하였다. NCO 피크의 소실의 확인을 행하여 반응의 종점으로 간주하고, 반응물을 실온까지 강온하였다. 그리고, 반응물을 100메쉬의 여과포로 여과하여, 부타디엔 구조 및 페놀성 수산기를 갖는 엘라스토머(페놀성 수산기 함유 부타디엔 수지: 불휘발 성분 50질량%)를 얻었다. 엘라스토머의 수 평균 분자량은 5,900, 유리 전이점 온도는 -7℃였다.Then, 23 g of cresol novolac resin ("KA-1160" manufactured by DIC, hydroxyl equivalent = 117 g/eq.) and 60 g of ethyldiglycol acetate (made by Daicel) were added to the reaction product, and stirred to 150° C. The temperature was raised and the reaction was performed for about 10 hours. Disappearance of the 2,250 cm -1 NCO peak was confirmed by FT-IR. The disappearance of the NCO peak was confirmed and regarded as the end point of the reaction, and the reaction product was cooled to room temperature. Then, the reaction product was filtered with a 100-mesh filter cloth to obtain an elastomer having a butadiene structure and a phenolic hydroxyl group (phenolic hydroxyl group-containing butadiene resin: nonvolatile component 50% by mass). The number average molecular weight of the elastomer was 5,900, and the glass transition point temperature was -7 degreeC.

<지지체 부착 수지 시트 1의 제작><Production of resin sheet 1 with support>

비페닐형 에폭시 수지(닛폰 카야쿠사 제조 「NC-3000-L」, 에폭시 당량 약269g/eq.) 10부, 액상 1,4-글리시딜사이클로헥산(닛테츠 케미컬 & 머티리얼사 제조 「ZX1658」, 에폭시 당량 약 135g/eq.) 10부, 비크실레놀형 에폭시 수지(미츠비시 케미컬사 제조 「YX4000H」, 에폭시 당량 약 185g/eq.) 10부, 활성 에스테르 화합물(DIC사 제조 「HPC-8000-65T」, 활성기 당량 약 223g/eq., 불휘발 성분 65질량%의 톨루엔 용액) 50부, 트리아진 골격 함유 페놀계 경화제(DIC사 제조 「LA-3018-50P」, 수산기 당량 약 151g/eq., 고형분 50%의 2-메톡시프로판올 용액) 6부, 페녹시 수지(미츠비시 케미컬사 제조 「YX7553BH30」, 고형분 30질량%의 MEK와 사이클로헥사논의 1:1 용액) 10부, 카보디이미드 화합물(닛신보 케미컬사 제조 「V-03」, 활성기 당량 약 216g/eq., 고형분 50질량%의 톨루엔 용액) 10부, 아미노실란계 커플링제(신에츠 카가쿠코교사 제조 「KBM573」)로 표면 처리된 구형 실리카(평균 입자 직경 0.5㎛ 아도마텍스사 제조 「SO-C2」) 220부, 인계 난연제(산코사 제조 「HCA-HQ-HS」, 10-(2,5-디하이드록시페닐)-10-하이드로-9-옥사-10-포스파페난트렌-10-옥사이드)) 1부, 고무 입자(아이카 코교사 제조, 스타필로이드 AC3816N) 1부, 경화 촉진제(4-디메틸아미노피리딘(DMAP), 고형분 5질량%의 MEK 용액) 5부, 메틸에틸케톤 25부, 사이클로헥사논 15부를 혼합하고, 고속 회전 믹서로 균일하게 분산하여 수지 바니시 1을 제작하였다.10 parts of biphenyl-type epoxy resin ("NC-3000-L" manufactured by Nippon Kayaku, about 269 g/eq. of epoxy equivalent), liquid 1,4-glycidylcyclohexane ("ZX1658" manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.) , epoxy equivalent about 135 g/eq.) 10 parts, bixylenol type epoxy resin (“YX4000H” manufactured by Mitsubishi Chemical, epoxy equivalent about 185 g/eq.) 10 parts, active ester compound (“HPC-8000-65T” manufactured by DIC) , active group equivalent of about 223 g/eq., toluene solution containing 65 mass% of nonvolatile components) 50 parts, triazine skeleton-containing phenolic curing agent (“LA-3018-50P” manufactured by DIC Corporation, hydroxyl equivalent of about 151 g/eq., 6 parts of 2-methoxypropanol solution having a solid content of 50%), 10 parts of a phenoxy resin (“YX7553BH30” manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation, a 1:1 solution of MEK with a solid content of 30% by mass and cyclohexanone) 10 parts, a carbodiimide compound (Nit "V-03" manufactured by Shinbo Chemical, about 216 g/eq. active group equivalent, toluene solution having a solid content of 50% by mass) 10 parts, spherical surface treated with an aminosilane-based coupling agent ("KBM573" manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) 220 parts of silica (average particle diameter 0.5 μm, manufactured by Adomatex, “SO-C2”), phosphorus-based flame retardant (“HCA-HQ-HS” manufactured by Sanko Corporation, 10-(2,5-dihydroxyphenyl)-10- Hydro-9-oxa-10-phosphaphenanthrene-10-oxide)) 1 part, rubber particles (manufactured by Aika Kogyo, Staphyloid AC3816N) 1 part, curing accelerator (4-dimethylaminopyridine (DMAP), solid content 5 mass % MEK solution) 5 parts, 25 parts of methyl ethyl ketone, and 15 parts of cyclohexanone were mixed, it disperse|distributed uniformly with a high-speed rotation mixer, and the resin varnish 1 was produced.

그 다음에, 지지체인 이형 처리 부착 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름(린텍사 제조 「AL5」, 두께 38㎛)의 이형면 위에, 수지 조성물 층의 두께가 40㎛가 되도록 수지 바니시 1을 균일하게 도포하고, 80 내지 120℃(평균 100℃)에서 6분간 건조시켜서 지지체 부착 수지 시트 1을 제작하였다. 또한, 수지 바니시 1의 도포 두께를 변화시킴으로써 건조 후의 수지 조성물 층의 두께가 20㎛ 및 15㎛인 지지체 부착 수지 시트 1도 제작하였다.Next, on the release surface of the support body, a polyethylene terephthalate film with a release treatment ("AL5" manufactured by Lintec, 38 µm in thickness), the resin varnish 1 is uniformly applied so that the thickness of the resin composition layer is 40 µm, 80 The resin sheet 1 with a support body was produced by drying at thru|or 120 degreeC (average of 100 degreeC) for 6 minutes. Moreover, the resin sheet 1 with a support body whose thickness of the resin composition layer after drying is 20 micrometers and 15 micrometers was also produced by changing the application|coating thickness of the resin varnish 1.

<지지체 부착 수지 시트 2의 제작><Production of resin sheet 2 with support>

비페닐형 에폭시 수지(닛폰 카야쿠사 제조 「NC-3000-L」, 에폭시 당량 약 269g/eq.) 30부, 비스페놀 A형 에폭시 수지(미츠비시 케미컬사 제조 「828EL」, 에폭시 당량 약 180g/eq.) 20부, 테트라페닐에탄형 에폭시 수지(미츠비시 케미컬 제조 「jER1031S」, 에폭시 당량 약 198g/eq.) 5부, 트리아진 골격 함유 페놀 노볼락계 경화제(DIC사 제조 「LA-7054」, 수산기 당량 약 125g/eq., 고형분 60%의 MEK 용액) 10부, 페놀 노볼락계 경화제(DIC사 제조 「TD2090」, 수산기 당량 약 105g/eq.) 6부, 페녹시 수지(미츠비시 케미컬사 제조 「YX7553BH30」, 고형분 30질량%의 MEK와 사이클로헥사논의 1:1 용액) 8부, 아미노실란계 커플링제(신에츠 카가쿠코교사 제조 「KBM573」)로 표면 처리된 구형 실리카(평균 입자 직경 0.5㎛, 아도마텍스사 제조 「SO-C2」) 140부, 인계 난연제(산코사 제조 「HCA-HQ-HS」, 10-(2,5-디하이드록시페닐)-10-하이드로-9-옥사-10-포스파페난트렌-10-옥사이드) 5부, 경화 촉진제(4-디메틸아미노피리딘(DMAP), 고형분 5질량%의 MEK 용액) 3부, 메틸에틸케톤 25부, 사이클로헥사논 15부를 혼합하고, 고속 회전 믹서로 균일하게 분산하여 수지 바니시 2를 제작하였다.30 parts of biphenyl type epoxy resin ("NC-3000-L" manufactured by Nippon Kayaku Corporation, epoxy equivalent of about 269 g/eq.), bisphenol A type epoxy resin ("828EL" manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation, epoxy equivalent of about 180 g/eq. ) 20 parts, tetraphenylethane type epoxy resin (“jER1031S” manufactured by Mitsubishi Chemical, epoxy equivalent about 198 g/eq.) 5 parts, a phenol novolac curing agent containing a triazine skeleton (“LA-7054” manufactured by DIC, hydroxyl equivalent) About 125 g/eq., MEK solution having a solid content of 60%) 10 parts, phenol novolac curing agent (“TD2090” manufactured by DIC, about 105 g/eq. hydroxyl equivalent) 6 parts phenoxy resin (“YX7553BH30” manufactured by Mitsubishi Chemical) ', 8 parts of a 1:1 solution of MEK and cyclohexanone having a solid content of 30% by mass), spherical silica surface-treated with an aminosilane-based coupling agent (“KBM573” manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) (average particle diameter of 0.5 µm, 140 parts of Domatex "SO-C2"), phosphorus-based flame retardant ("HCA-HQ-HS" manufactured by Sanko Corporation, 10-(2,5-dihydroxyphenyl)-10-hydro-9-oxa-10- Phosphaphenanthrene-10-oxide) 5 parts, hardening accelerator (4-dimethylaminopyridine (DMAP), MEK solution with a solid content of 5 mass %) 3 parts, methyl ethyl ketone 25 parts, and cyclohexanone 15 parts are mixed, and high-speed It dispersed uniformly with a rotary mixer, and the resin varnish 2 was produced.

지지체 부착 수지 시트 1의 제작에 있어서, 수지 바니시 1을 수지 바니시 2로 바꾸었다. 이상의 사항 이외에는 지지체 부착 수지 시트 1의 제작과 동일하게 하여 지지체 부착 수지 시트 2를 제작하였다.Production of the resin sheet 1 with a support body WHEREIN: The resin varnish 1 was replaced with the resin varnish 2. Except for the above, it carried out similarly to preparation of the resin sheet 1 with a support body, and produced the resin sheet 2 with a support body.

<지지체 부착 수지 시트 3의 제작><Production of resin sheet 3 with support>

비스페놀 A형 에폭시 수지(미츠비시 케미컬사 제조 「828EL」, 에폭시 당량 약 180g/eq.) 20부, 나프톨형 에폭시 수지(닛테츠 케미컬 & 머티리얼사 제조 「ESN-475V」, 에폭시 당량 약 332g/eq.) 10부, 비크실레놀형 에폭시 수지(미츠비시 케미컬사 제조 「YX4000H」, 에폭시 당량 약 185g/eq.) 10부, 나프틸렌에테르형 에폭시 수지(DIC사 제조 「HP6000」, 에폭시 당량 약 260g/eq.) 20부, 시아네이트에스테르계 경화제(론자 재팬사 제조 「BA230S75」, 시아네이트 당량 약 235g/eq., 불휘발 성분 75질량%의 MEK 용액) 10부, 시아네이트에스테르계 경화제(론자 재팬사 제조 「BADCy」, 시아네이트 당량 약 142g/eq.) 10부, 활성 에스테르 화합물(DIC사 제조 「HPC-8000-65T」, 활성기 당량 약 223g/eq., 불휘발 성분 65질량%의 톨루엔 용액) 20부, 페녹시 수지(미츠비시 케미컬사 제조 「YX7553BH30」, 고형분 30질량%의 MEK와 사이클로헥사논의 1:1 용액) 8부, 아미노실란계 커플링제(신에츠 카가쿠코교사 제조 「KBM573」)로 표면 처리된 구형 실리카(평균 입자 직경 0.5㎛, 아도마텍스사 제조 「SO-C2」) 170부, 경화 촉진제(4-디메틸아미노피리딘(DMAP), 고형분 5질량%의 MEK 용액) 3부, 코발트(III)아세틸아세토네이트(토쿄 카세이사 제조)의 1질량%의 MEK 용액 5부, 메틸에틸케톤 40부, 사이클로헥사논 20부를 혼합하여, 고속회전 믹서로 균일하게 분산하여 수지 바니시 3을 제작하였다.20 parts of bisphenol A epoxy resin ("828EL" manufactured by Mitsubishi Chemical, about 180 g/eq. epoxy equivalent), naphthol-type epoxy resin ("ESN-475V" manufactured by Nittetsu Chemical & Materials, about 332 g/eq. epoxy equivalent). ) 10 parts, a bixylenol type epoxy resin ("YX4000H" manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation, epoxy equivalent of about 185 g/eq.) 10 parts, a naphthylene ether type epoxy resin ("HP6000" manufactured by DIC), epoxy equivalent of about 260 g/eq. ) 20 parts, cyanate ester curing agent ("BA230S75" manufactured by Lonza Japan, cyanate equivalent of about 235 g/eq., MEK solution containing 75 mass% of nonvolatile components) 10 parts, cyanate ester curing agent (manufactured by Lonza Japan) "BADCy", cyanate equivalent of about 142 g/eq.) 10 parts, active ester compound ("HPC-8000-65T" manufactured by DIC Corporation, active group equivalent of about 223 g/eq., toluene solution containing 65 mass% of nonvolatile components) 20 Part, 8 parts of phenoxy resin (“YX7553BH30” manufactured by Mitsubishi Chemical, 1:1 solution of MEK and cyclohexanone having a solid content of 30% by mass), an aminosilane-based coupling agent (“KBM573” manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) 170 parts of treated spherical silica (average particle diameter of 0.5 µm, "SO-C2" manufactured by Adomatex Corporation), 3 parts of a curing accelerator (4-dimethylaminopyridine (DMAP), MEK solution having a solid content of 5% by mass), cobalt ( III) 5 parts of 1 mass % MEK solution of acetylacetonate (made by Tokyo Kasei Co., Ltd.), 40 parts of methyl ethyl ketone, and 20 parts of cyclohexanone were mixed, and it disperse|distributed uniformly with a high-speed rotary mixer, and resin varnish 3 was produced.

지지체 부착 수지 시트 1의 제작에 있어서, 수지 바니시 1을 수지 바니시 3으로 바꾸었다. 이상의 사항 이외에는 지지체 부착 수지 시트 1의 제작과 동일하게 해서 지지체 부착 수지 시트 3을 제작하였다.Production of the resin sheet 1 with a support body WHEREIN: The resin varnish 1 was changed into the resin varnish 3. Except for the above, it carried out similarly to preparation of the resin sheet 1 with a support body, and produced the resin sheet 3 with a support body.

<지지체 부착 수지 시트 4의 제작><Production of resin sheet 4 with support>

페놀프탈이미딘형 에폭시 수지(닛폰 카야쿠사 제조 「WHR-991S」, 에폭시 당량 약 265g/eq.) 5부, 비페닐형 에폭시 수지(닛폰 카야쿠사 제조 「NC-3000-L」, 에폭시 당량 약 269g/eq.) 20부, 합성예 1에서 얻은 엘라스토머 50부, 메타크릴실란계 커플링제(신에츠 카가쿠코교사 제조 「KBM503」)로 표면 처리된 구형 실리카(평균 입자 직경 0.08㎛, 비표면적 30.7㎡/g, 덴카사 제조 「UFP-30」) 15부, 인계 난연제(산코사 제조 「HCA-HQ-HS」, 10-(2,5-디하이드록시페닐)-10-하이드로-9-옥사-10-포스파페난트렌-10-옥사이드) 5부, 경화 촉진제(1-벤질-2-페닐이미다졸(시코쿠 카세이코교사 제조 「1B2PZ」)의 고형분 10질량%의 메틸에틸케톤 용액) 2부, 메틸에틸케톤 20부를 혼합하고, 고속 회전 믹서로 균일하게 분산하여 수지 바니시 4를 제작하였다.5 parts of phenolphthalimidine type epoxy resin ("WHR-991S" manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd., epoxy equivalent about 265 g/eq.) 5 parts, biphenyl type epoxy resin ("NC-3000-L" manufactured by Nippon Kayaku, approx. 269 g of epoxy equivalent) /eq.) 20 parts, 50 parts of the elastomer obtained in Synthesis Example 1, and spherical silica surface-treated with a methacrylsilane-based coupling agent (“KBM503” manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) (average particle diameter of 0.08 µm, specific surface area of 30.7 m /g, Denka Corporation "UFP-30") 15 parts, phosphorus-based flame retardant (Sanko Corporation "HCA-HQ-HS", 10-(2,5-dihydroxyphenyl)-10-hydro-9-oxa- 10-phosphaphenanthrene-10-oxide) 5 parts, hardening accelerator (methyl ethyl ketone solution with a solid content of 10 mass % of 1-benzyl-2-phenylimidazole ("1B2PZ" manufactured by Shikoku Chemical Co., Ltd.)) 2 parts , 20 parts of methyl ethyl ketone were mixed and uniformly dispersed with a high-speed rotary mixer to prepare a resin varnish 4.

지지체 부착 수지 시트 1의 제작에 있어서, 수지 바니시 1을 수지 바니시 4로 바꾸었다. 이상의 사항 이외에는 지지체 부착 수지 시트 1의 제작과 동일하게 하여 지지체 부착 수지 시트 4를 제작하였다.Preparation of the resin sheet 1 with a support body WHEREIN: The resin varnish 1 was replaced with the resin varnish 4 . Except for the above, it carried out similarly to preparation of the resin sheet 1 with a support body, and produced the resin sheet 4 with a support body.

<지지체 부착 수지 시트 5의 제작><Preparation of the resin sheet 5 with a support body>

지지체 부착 수지 시트 1의 제작에 있어서,In the production of the resin sheet 1 with a support,

1) 아미노실란계 커플링제(신에츠 카가쿠코교사 제조 「KBM573」)로 표면 처리된 구형 실리카(평균 입자 직경 0.5㎛, 아도마텍스사 제조 「SO-C2」) 220부를, 아미노실란계 커플링제(신에츠 카가쿠코교사 제조 「KBM573」)로 표면 처리된 구형 알루미나(평균 입자 직경 5.3㎛, 덴카사 제조 「DAW-0525」) 270부로 바꾸고,1) 220 parts of spherical silica (average particle diameter of 0.5 µm, "SO-C2" manufactured by Adomatex) surface-treated with an aminosilane-based coupling agent (“KBM573” manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.), an aminosilane-based coupling agent 270 parts of spherical alumina (average particle diameter of 5.3 μm, “DAW-0525” manufactured by Denka Corporation) surface-treated with (“KBM573” manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.)

2) 추가로, 아미노실란계 커플링제(신에츠 카가쿠코교사 제조 「KBM573」)로 표면 처리된 구형 알루미나(평균 입자 직경 0.3㎛, 덴카사 제조 「ASFP-20」) 50부를 사용하였다.2) Furthermore, 50 parts of spherical alumina (average particle diameter of 0.3 µm, "ASFP-20" manufactured by Denka Corporation) surface-treated with an aminosilane-based coupling agent (“KBM573” manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) was used.

이상의 사항 이외에는 지지체 부착 수지 시트 1의 제작과 동일하게 하여 지지체 부착 수지 시트 5를 제작하였다.Except for the above, it carried out similarly to preparation of the resin sheet 1 with a support body, and produced the resin sheet 5 with a support body.

수지 바니시 1 내지 5의 조제에 사용한 성분과 그 배합량(불휘발분의 질량부)을 하기 표에 나타내었다. 또한, (a) 성분의 함유량은, 수지 조성물 중의 불휘발 성분을 100질량%로 할 경우의 함유량을 나타낸다.The components used for preparation of the resin varnishes 1-5 and the compounding quantity (mass part of a nonvolatile matter) are shown in the following table|surface. In addition, content of (a) component shows content in the case of making the non-volatile component in a resin composition 100 mass %.

Figure pat00001
Figure pat00001

<탄성율의 평가><Evaluation of modulus of elasticity>

(1) 평가용 경화물의 제작(1) Preparation of cured products for evaluation

이형제 처리된 PET필름(린텍사 제조 「501010」, 두께 38㎛, 240mm각(角))의 이형제 미처리면에, 유리포 기재 에폭시 수지 양면 동장 적층판(파나소닉사 제조 「R5715ES」, 두께 0.7mm, 255mm각)을 포개어 4변을 폴리이미드 접착 테이프(폭 10mm)로 고정하였다(이하, 「고정 PET 필름」이라고 말하는 경우가 있음).On the non-release agent-treated side of a PET film treated with a release agent (“501010” manufactured by Lintec, 38 μm thick, 240 mm square), a glass cloth-based epoxy resin double-sided copper clad laminate (“R5715ES” manufactured by Panasonic, 0.7 mm, 255 mm thick) Each) was superimposed and 4 sides were fixed with polyimide adhesive tape (10 mm in width) (Hereinafter, it may say "fixed PET film").

제작한 수지 두께 40㎛의 지지체 부착 수지 시트 1 내지 5를, 각각 상기 「고정 PET 필름」의 이형 처리면 위에 배취식 진공 가압 라미네이터(메이키사 제조, MVLP-500)를 사용하여 라미네이트하였다. 라미네이트는, 30초간 감압하여 기압을 13hPa 이하로 하고, 그 후 30초간, 100℃, 압력 0.74MPa로 프레스함으로써 행하였다.The prepared resin sheets 1 to 5 with a support having a resin thickness of 40 µm were laminated on the release-treated surface of the “fixed PET film”, respectively, using a batch-type vacuum pressure laminator (manufactured by Makey Co., Ltd., MVLP-500). Lamination was performed by pressure-reducing for 30 second, making atmospheric|air pressure 13 hPa or less, and pressing by 100 degreeC and pressure 0.74 MPa for 30 second after that.

그 다음에, 지지체를 박리하고, 190℃의 오븐에 투입 후 90분간의 경화 조건으로 지지체 부착 수지 시트를 열경화시켰다.Then, the support body was peeled, and the resin sheet with a support body was thermosetted on the curing conditions for 90 minutes after throwing-in to 190 degreeC oven.

열경화 후, 폴리이미드 접착 테이프를 벗기고, 경화물을 유리포 기재 에폭시 수지 양면 동장 적층판에서 떼어내고, 추가로 PET 필름(린텍사 제조 「501010」)도 박리하여 시트상의 경화물을 얻었다. 얻어진 경화물을 「평가용 경화물」이라고 칭한다.After thermosetting, the polyimide adhesive tape was peeled off, the cured product was peeled off from the glass cloth-based epoxy resin double-sided copper clad laminate, and the PET film ("501010" manufactured by Lintec Co., Ltd.) was also peeled off to obtain a sheet-like cured product. The obtained hardened|cured material is called "hardened|cured material for evaluation".

(2) 탄성율의 평가(2) Evaluation of modulus of elasticity

얻어진 평가용 경화물을, 일본 공업 규격(JIS K7127)에 준거하여, 텐시론 만능 시험기(A&D사 제조)에 의해 경화물의 인장 시험을 행하고, 23℃에서의 탄성율을 측정하였다.According to Japanese Industrial Standards (JIS K7127), the obtained cured product for evaluation was subjected to a tensile test of the cured product with a Tenshiron universal testing machine (manufactured by A&D), and the elastic modulus at 23°C was measured.

<실시예 1><Example 1>

(1) 지지체 부착 수지 시트의 라미네이트(1) Lamination of a resin sheet with a support body

제작한 수지 두께 40㎛ 지지체 부착 수지 시트 1을, 배취식 진공 가압 라미네이터(메이키사 제조, MVLP-500)를 사용하여, 마이크로에칭제(맥크사 제조 「CZ8201」)에 의해 구리 표면의 조화 처리를 행한 적층판의 양면에 수지 조성물 층이 접하도록 라미네이트하였다. 라미네이트는, 30초간 감압하여 기압을 13hPa 이하로 하고, 그 후 30초간, 100℃, 압력 0.74MPa로 프레스함으로써 행하였다. The produced resin sheet 1 with a resin thickness of 40 µm with a support was subjected to a micro-etching agent (“CZ8201” manufactured by Mack Corporation) using a batch vacuum pressurized laminator (manufactured by Makey, MVLP-500) to roughen the copper surface. It laminated so that the resin composition layer might contact on both surfaces of the performed laminated board. Lamination was performed by pressure-reducing for 30 second, making atmospheric|air pressure 13 hPa or less, and pressing by 100 degreeC and pressure 0.74 MPa for 30 second after that.

(2) 수지 조성물 층의 경화(2) curing of the resin composition layer

라미네이트된 지지체 부착 수지 시트를 180℃, 30분의 경화 조건으로 수지 조성물 층을 경화하여 절연층을 형성하였다. An insulating layer was formed by curing the resin composition layer of the laminated resin sheet with a support under curing conditions of 180° C. and 30 minutes.

(3) 비아홀의 형성(3) Formation of via hole

(3-1) 레이저에 의한 개구부의 형성(3-1) Formation of opening by laser

CO2 레이저 가공기(히타치 비아메카닉스사 제조 「LC-2E21B/1C」)를 사용하여 개구부를 형성하였다. 절연층 표면에서의 개구부의 탑 직경(직경)은 50㎛이고, 개구부의 깊이는 30㎛였다. 또한, 개구부의 깊이는, 절연층의 비가공부와 가공부의 가장 깊은 부분의 차이를 단면 관찰로 산출함으로써 구하였다.The opening was formed using a CO 2 laser processing machine (“LC-2E21B/1C” manufactured by Hitachi Via Mechanics). The top diameter (diameter) of the opening on the surface of the insulating layer was 50 mu m, and the depth of the opening was 30 mu m. In addition, the depth of the opening part was calculated|required by calculating the difference between the deepest part of an unprocessed part of an insulating layer and a processed part by cross-sectional observation.

(3-2) 샌드 블라스트 처리(3-2) Sandblasting

그 다음에, 지립으로서 #2000의 알루미나 지립 슬러리(평균 입자 직경 6.7㎛)를 사용하고, CO2 레이저에 의해 개구된 지지체를 마스크로 하고, 개구부에 샌드 블라스트 가공을 행하여, 비아홀(탑 직경(직경)은 50㎛)을 형성하였다. 샌드 블라스트 가공 후에 지지체를 박리하여 평가용 기판 1을 얻었다.Then, using #2000 alumina abrasive grain slurry (average particle diameter 6.7 µm) as abrasive grains, using the support body opened by the CO 2 laser as a mask, sandblasting the opening part, via hole (top diameter (diameter ) is 50㎛) was formed. The support body was peeled after sandblasting, and the board|substrate 1 for evaluation was obtained.

<실시예 2><Example 2>

실시예 1에 있어서, 지지체 부착 수지 시트 1을 지지체 부착 수지 시트 2로 바꾸었다. 이상의 사항 이외에는 실시예 1과 동일하게 하여 평가용 기판 2를 얻었다.In Example 1, the resin sheet 1 with a support body was replaced with the resin sheet 2 with a support body. Except for the above, it carried out similarly to Example 1, and obtained the board|substrate 2 for evaluation.

<실시예 3><Example 3>

실시예 1에 있어서, 지지체 부착 수지 시트 1을 지지체 부착 수지 시트 3으로 바꾸었다. 이상의 사항 이외에는 실시예 1과 동일하게 하여 평가용 기판 3을 얻었다.In Example 1, the resin sheet 1 with a support body was replaced with the resin sheet 3 with a support body. Except for the above, it carried out similarly to Example 1, and obtained the board|substrate 3 for evaluation.

<실시예 4><Example 4>

실시예 1에 있어서, 지지체 부착 수지 시트 1을 지지체 부착 수지 시트 4로 바꾸었다. 이상의 사항 이외에는 실시예 1과 동일하게 하여 평가용 기판 4를 얻었다.In Example 1, the resin sheet 1 with a support body was replaced with the resin sheet 4 with a support body. Except for the above, it carried out similarly to Example 1, and obtained the board|substrate 4 for evaluation.

<실시예 5><Example 5>

실시예 1에 있어서, 지지체 부착 수지 시트 1을 지지체 부착 수지 시트 5로 바꾸었다. 이상의 사항 이외에는 실시예 1과 동일하게 하여 평가용 기판 5를 얻었다.In Example 1, the resin sheet 1 with a support body was replaced with the resin sheet 5 with a support body. Except for the above, it carried out similarly to Example 1, and obtained the board|substrate 5 for evaluation.

<실시예 6><Example 6>

(1) 수지 조성물 층 부착 동박의 제작(1) Preparation of copper foil with a resin composition layer

캐리어 부착 동박(미츠이 킨조쿠코교사 제조, 마이크로신 MTEx, 동박의 두께 3㎛) 위에, 수지 조성물 층의 두께가 40㎛가 되도록 수지 바니시 1을 균일하게 도포하고, 80 내지 120℃(평균 100℃)에서 6분간 건조시켜서 수지 조성물 층 부착 동박을 제작하였다.On a copper foil with a carrier (Mitsui Kinzoku Co., Ltd., Microshin MTEx, copper foil thickness 3 µm), the resin varnish 1 is uniformly applied so that the thickness of the resin composition layer is 40 µm, and 80 to 120 ° C. (average 100 ° C.) ) and dried for 6 minutes to prepare a copper foil with a resin composition layer.

(2) 수지 조성물 층 부착 동박의 라미네이트(2) Lamination of copper foil with resin composition layer

얻어진 수지 조성물 층 부착 동박을, 마이크로에칭제(맥크사 제조 「CZ8201」)에 의해 구리 표면의 조화 처리를 행한 적층판의 양면에 진공 가압 라미네이터(메이키사 제조, MVLP-500)를 사용하여 수지 조성물 층이 적층판에 접하도록 라미네이트하였다. 라미네이트는, 30초간 감압하여 기압을 13hPa 이하로 하고, 그 후 30초간, 100℃, 압력 0.74MPa로 프레스함으로써 행하였다.The obtained copper foil with a resin composition layer was subjected to a vacuum pressurization laminator (manufactured by Makey Corporation, MVLP-500) on both sides of a laminate to which the copper surface was roughened with a micro-etching agent ("CZ8201" manufactured by Mack Corporation), and a resin composition layer It laminated so that it might be in contact with this laminated board. Lamination was performed by pressure-reducing for 30 second, making atmospheric|air pressure 13 hPa or less, and pressing by 100 degreeC and pressure 0.74 MPa for 30 second after that.

(3) 수지 조성물 층의 경화(3) curing of the resin composition layer

캐리어 부착 동박이 라미네이트된 수지 조성물 층을 180℃, 30분의 경화 조건으로 수지 조성물 층을 경화하여 절연층을 형성하였다.The resin composition layer on which the copper foil with a carrier was laminated was cured under the curing conditions of 180°C and 30 minutes to form an insulating layer.

(4) 비아홀의 형성(4) Formation of via hole

(4-1) 레이저에 의한 개구부의 형성(4-1) Formation of opening by laser

캐리어를 박리 후, CO2 레이저 가공기(히타치 비아메카닉스사 제조 「LC-2E21B/1C」)를 사용하여 개구부를 형성하였다. 절연층 표면에서의 개구부의 탑 직경(직경)은 50㎛이고, 개구부의 깊이는 30㎛였다.After peeling off the carrier, an opening was formed using a CO 2 laser processing machine (“LC-2E21B/1C” manufactured by Hitachi Via Mechanics). The top diameter (diameter) of the opening on the surface of the insulating layer was 50 mu m, and the depth of the opening was 30 mu m.

(4-2) 샌드 블라스트 처리(4-2) Sandblasting

그 다음에, 지립으로서 #2000의 알루미나 지립 슬러리(평균 입자 직경 6.7㎛)를 사용하고, CO2 레이저에 의해 개구된 동박을 마스크로 하고, 개구부의 샌드 블라스트 가공을 행하여, 비아홀(탑 직경(직경)은 50㎛)을 형성하였다. 샌드 블라스트 가공 후에 동박을 박리하여 평가용 기판 6을 얻었다.Next, using #2000 alumina abrasive grain slurry (average particle diameter 6.7 µm) as abrasive grains, using a copper foil opened by a CO 2 laser as a mask, sandblasting of the openings was performed, and via holes (top diameter (diameter ) is 50㎛) was formed. The copper foil was peeled off after sandblasting, and the board|substrate 6 for evaluation was obtained.

<실시예 7><Example 7>

(1) 지지체 부착 수지 시트의 라미네이트(1) Lamination of a resin sheet with a support body

제작한 수지 두께 40㎛의 지지체 부착 수지 시트 1을, 배취식 진공 가압 라미네이터(메이키사 제조, MVLP-500)를 사용하여, 캐리어 부착 동박(미츠이 킨조쿠코교)사 제조, 마이크로신 MTEx, 동박의 두께 3㎛)에 수지 조성물 층이 접하도록 라미네이트하였다. 라미네이트는, 30초간 감압하여 기압을 13hPa 이하로 하고, 그 후 30초간, 100℃, 압력 0.74MPa로 프레스함으로써 수지 조성물 층 부착 동박을 얻었다.The produced resin sheet 1 with a support having a resin thickness of 40 µm was subjected to a batch type vacuum pressurization laminator (manufactured by Meiki Corporation, MVLP-500), and copper foil with a carrier (manufactured by Mitsui Kinzoku Kogyo), Microshin MTEx, copper foil It was laminated so that the resin composition layer was in contact with the thickness of 3 micrometers). The lamination was pressure-reduced for 30 second, the atmospheric pressure was 13 hPa or less, After that, the copper foil with a resin composition layer was obtained by pressing at 100 degreeC and pressure 0.74 Mpa for 30 second.

(2) 수지 조성물 층 부착 동박의 라미네이트(2) Lamination of copper foil with resin composition layer

얻어진 수지 조성물 층 부착 동박을, 마이크로에칭제(맥크사 제조 「CZ8201」)에 의해 구리 표면의 조화 처리를 행한 적층판의 양면에 진공 가압 라미네이터(메이키사 제조, MVLP-500)를 사용하여 수지 조성물 층이 적층판에 접하도록 라미네이트하였다. 라미네이트는, 30초간 감압하여 기압을 13hPa 이하로 하고, 그 후 30초간, 100℃, 압력 0.74MPa로 프레스함으로써 행하였다.The obtained copper foil with a resin composition layer was subjected to a vacuum pressurization laminator (manufactured by Makey Corporation, MVLP-500) on both sides of a laminate to which the copper surface was roughened with a micro-etching agent ("CZ8201" manufactured by Mack Corporation), and a resin composition layer It laminated so that it might be in contact with this laminated board. Lamination was performed by pressure-reducing for 30 second, making atmospheric|air pressure 13 hPa or less, and pressing by 100 degreeC and pressure 0.74 MPa for 30 second after that.

(3) 수지 조성물 층의 경화(3) curing of the resin composition layer

수지 조성물 층을 180℃, 30분의 경화 조건으로 경화하여 절연층을 형성하였다.The resin composition layer was cured at 180° C. under curing conditions for 30 minutes to form an insulating layer.

(4) 동박의 개구부의 형성(4) Formation of openings in copper foil

상기 마이크로에칭제에 의해 에칭하여, 캐리어 부착 동박의 일부에, 트렌치 형성용 개구부를 형성하였다.It etched with the said micro-etching agent, and the opening part for trench formation was formed in a part of copper foil with a carrier.

(5) 비아홀의 형성(5) Formation of via hole

(5-1) 레이저에 의한 개구부의 형성(5-1) Formation of opening by laser

CO2 레이저 가공기(히타치 비아메카닉스사 제조 「LC-2E21B/1C」)를 사용하여 개구부를 형성하였다. 절연층 표면에서의 개구부의 탑 직경(직경)은 50㎛이고, 개구부의 깊이는 30㎛였다.The opening was formed using a CO 2 laser processing machine (“LC-2E21B/1C” manufactured by Hitachi Via Mechanics). The top diameter (diameter) of the opening on the surface of the insulating layer was 50 mu m, and the depth of the opening was 30 mu m.

(5-2) 샌드 블라스트 처리(5-2) Sandblasting

그 다음에, 지립으로서 #2000의 알루미나 지립 슬러리(평균 입자 직경 6.7㎛)를 사용하고, CO2 레이저에 의해 개구가 된 동박을 마스크로 하고, 개구부의 샌드 블라스트 가공을 행하여, 비아홀(탑 직경(직경)은 50㎛)을 형성하였다. 또한, 샌드 블라스트 가공에 의해, 트렌치 형성용 구멍이 형성된 부분이라도 절연층이 파내어져, 트렌치가 형성되었다. 샌드 블라스트 가공 후에 동박을 박리하여 평가용 기판 7을 얻었다.Next, using #2000 alumina abrasive grain slurry (average particle diameter 6.7 µm) as abrasive grains, using a copper foil opened by a CO 2 laser as a mask, sandblasting of the openings was performed, and via holes (top diameter ( diameter) was 50 μm). Moreover, the insulating layer was dug out even in the part in which the hole for trench formation was formed by sandblasting, and a trench was formed. The copper foil was peeled off after sandblasting, and the board|substrate 7 for evaluation was obtained.

<실시예 8><Example 8>

실시예 7에 있어서, (3) 수지 조성물 층의 경화 후에 이하의 조작을 행하여, (4) 동박의 개구부의 형성은 행하지 않았다. 이상의 사항 이외에는 실시예 7과 동일하게 하여 평가용 기판 8을 얻었다.In Example 7, (3) the following operation was performed after hardening of the resin composition layer, and formation of the opening part of (4) copper foil was not performed. Except for the above, it carried out similarly to Example 7, and obtained the board|substrate 8 for evaluation.

(4) 드라이 필름의 적층(4) Lamination of dry film

동박 표면에 드라이 필름(닛코 머티리얼즈사 제조, NCM325, 두께 25㎛)을 첩합하였다. 드라이 필름의 적층은, 배취식 진공 가압 라미네이터(메이키 세사쿠쇼사 제조 「MVLP-500」)를 사용하여, 30초간 감압하여 기압을 13hPa 이하로 한 후, 압력 0.1MPa, 온도 70℃에서, 20초간 가압하여 행하였다. 그 후, 트렌치 패턴을 갖는 유리 마스크를 드라이 필름의 보호층인 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름 위에 두고, UV 램프에 의해 조사 강도 20mJ/㎠로 UV 조사를 행하였다. UV 조사후, 25℃의 1% 탄산 나트륨 수용액을 사용하여 분사압 0.15MPa로 50초간 스프레이 처리했다. 그 후, 수세를 행하여 트렌치 패턴 형성용 개구부를 형성하였다.A dry film (the Nikko Materials company make, NCM325, thickness 25 micrometers) was pasted together on the copper foil surface. Lamination of the dry film was carried out using a batch-type vacuum pressurization laminator (“MVLP-500” manufactured by Meiki Sesakusho Co., Ltd.) for 30 seconds to reduce the pressure to 13 hPa or less, then at a pressure of 0.1 MPa and a temperature of 70° C., 20 It was carried out by pressing for a second. Then, the glass mask which has a trench pattern was put on the polyethylene terephthalate film which is a protective layer of a dry film, and UV irradiation was performed with the irradiation intensity|strength of 20 mJ/cm<2> with a UV lamp. After UV irradiation, a spray treatment was carried out for 50 seconds at a spray pressure of 0.15 MPa using a 1% sodium carbonate aqueous solution at 25°C. Thereafter, water washing was performed to form an opening for forming a trench pattern.

<실시예 9><Example 9>

(1) 수지 조성물 층 부착 동박의 제작(1) Preparation of copper foil with a resin composition layer

동박(JX 킨조쿠사 제조, JDLC, 두께 12㎛) 위에, 수지 조성물 층의 두께가 40㎛가 되도록 수지 바니시 1을 균일하게 도포하고, 80 내지 120℃(평균 100℃)에서 6분간 건조시켜서, 수지 조성물 층 부착 동박을 제작하였다.On a copper foil (JX Kinzoku Co., Ltd., JDLC, thickness 12 μm), the resin varnish 1 is uniformly applied so that the thickness of the resin composition layer is 40 μm, and the resin is dried at 80 to 120° C. (average 100° C.) for 6 minutes, and the resin A copper foil with a composition layer was produced.

(2) 동박 부착 수지 조성물 층 부착 동박의 라미네이트(2) Lamination of copper foil with a resin composition layer with copper foil

얻어진 수지 조성물 층 부착 동박을, 마이크로에칭제(맥크사 제조 「CZ8201」)에 의해 구리 표면의 조화 처리를 행한 적층판의 양면에 진공 가압 라미네이터(메이키사 제조, MVLP-500)를 사용하여 수지 조성물 층이 적층판에 접하도록 라미네이트하였다. 라미네이트는, 30초간 감압하여 기압을 13hPa 이하로 하고, 그 후 30초간, 100℃, 압력 0.74MPa로 프레스함으로써 행하였다.The obtained copper foil with a resin composition layer was subjected to a vacuum pressurization laminator (manufactured by Makey Corporation, MVLP-500) on both sides of a laminate to which the copper surface was roughened with a micro-etching agent ("CZ8201" manufactured by Mack Corporation), and a resin composition layer It laminated so that it might be in contact with this laminated board. Lamination was performed by pressure-reducing for 30 second, making atmospheric|air pressure 13 hPa or less, and pressing by 100 degreeC and pressure 0.74 MPa for 30 second after that.

(3) 수지 조성물 층의 경화(3) curing of the resin composition layer

수지 조성물 층 부착 동박이 라미네이트된 적층판을 180℃, 30분의 경화 조건으로 수지 조성물 층을 경화하여 절연층을 형성해서, 동박 및 경화층 부착 적층판을 얻었다.The resin composition layer was hardened|cured for the laminated board on which the copper foil with a resin composition layer was laminated on 180 degreeC and curing conditions for 30 minutes, the insulating layer was formed, and the copper foil and the laminated board with a hardened layer were obtained.

(4) 동박의 하프 에칭(4) Half etching of copper foil

동박 및 경화층 부착 적층판을 염화철 용액으로 침지함으로써 구리의 두께를 12㎛에서 5㎛로 하는 하프 에칭을 행하고, 부착된 염화철 용액을 순수로 씻어 버렸다.The copper foil and the laminated board with a hardened layer were immersed in the iron chloride solution, and the half-etching which made copper thickness from 12 micrometers to 5 micrometers was performed, and the adhering iron chloride solution was washed away with pure water.

(5) 레이저 가공의 전처리(5) Pretreatment of laser processing

계속해서, 레이저 가공용 전처리액(맥더미드 퍼포먼스 솔류션즈 재팬사 제조, 「MULTIBOND 100」)을 사용하여, 레이저 가공용 전처리 가공을 실시하였다.Then, the pre-processing for laser processing was performed using the pre-processing liquid for laser processing (the McDermid Performance Solutions Japan company make, "MULTIBOND 100").

(6) 비아홀의 형성(6) Formation of via hole

(6-1) 레이저에 의한 개구부의 형성(6-1) Formation of opening by laser

CO2 레이저 가공기(히타치 비아메카닉스사 제조 「LC-2E21B/1C」)를 사용하여 개구부를 형성하였다. 절연층 표면에서의 개구부의 탑 직경(직경)은 50㎛이고, 개구부의 깊이는 30㎛였다.The opening was formed using a CO 2 laser processing machine (“LC-2E21B/1C” manufactured by Hitachi Via Mechanics). The top diameter (diameter) of the opening on the surface of the insulating layer was 50 mu m, and the depth of the opening was 30 mu m.

(6-2) 샌드 블라스트 처리(6-2) Sandblasting

다음에, 지립으로서 #2000의 알루미나 지립 슬러리(평균 입자 직경 6.7㎛)를 사용하여, CO2 레이저에 의해 개구가 된 동박을 마스크로 하여, 개구부의 샌드 블라스트 가공을 행하여, 비아홀(탑 직경(직경)은 50㎛)을 형성하였다. 샌드 블라스트 가공 후에 동박을 박리하여 평가용 기판 9를 얻었다.Next, using alumina abrasive grain slurry (average particle diameter of 6.7 µm) of #2000 as abrasive grains, using the copper foil opened by the CO 2 laser as a mask, sandblasting of the openings is performed, and via holes (top diameter (diameter) ) is 50㎛) was formed. The copper foil was peeled off after sandblasting, and the board|substrate 9 for evaluation was obtained.

<실시예 10><Example 10>

실시예 9에 있어서, (4) 동박의 하프 에칭을 행하지 않았다. 이상의 사항 이외에는 실시예 9와 동일하게 하여 평가용 기판 10을 얻었다.In Example 9, (4) half-etching of the copper foil was not performed. Except for the above, it carried out similarly to Example 9, and obtained the board|substrate 10 for evaluation.

<실시예 11><Example 11>

실시예 1에 있어서, 수지 두께 40㎛의 지지체 부착 수지 시트 1을 수지 두께 20㎛의 지지체 부착 수지 시트 1로 바꾸고,In Example 1, the resin sheet 1 with a support body with a resin thickness of 40 micrometers was replaced with the resin sheet 1 with a support body with a resin thickness of 20 micrometers,

비아홀의 형성을 이하와 같이 행하였다. 이상의 사항 이외에는 실시예 1과 동일하게 하여 평가용 기판 11을 얻었다.The via hole was formed as follows. Except for the above, it carried out similarly to Example 1, and obtained the board|substrate 11 for evaluation.

(1) 비아홀의 형성(1) Formation of via hole

(1-1) 레이저에 의한 개구부의 형성(1-1) Formation of openings by laser

CO2 레이저 가공기(히타치 비아메카닉스사 제조 「LC-2E21B/1C」)를 사용하여 개구부를 형성하였다. 절연층 표면에서의 개구부의 탑 직경(직경)은 30㎛이고, 개구부의 깊이는 15㎛였다.The opening was formed using a CO 2 laser processing machine (“LC-2E21B/1C” manufactured by Hitachi Via Mechanics). The top diameter (diameter) of the opening on the surface of the insulating layer was 30 µm, and the depth of the opening was 15 µm.

(1-2) 샌드 블라스트 처리(1-2) Sandblasting

다음에, 지립으로서 #3000의 알루미나 지립 슬러리(평균 입자 직경 4.0㎛)를 사용하고, CO2 레이저에 의해 개구가 된 지지체를 마스크로 하고, 개구부의 샌드 블라스트 가공을 행하여, 비아홀(탑 직경(직경)은 30㎛)을 형성하였다. 샌드 블라스트 가공 후에 지지체를 박리하여 평가용 기판 11을 얻었다.Next, using an alumina abrasive grain slurry (average particle diameter of 4.0 µm) of #3000 as abrasive grains, using the support body opened by a CO 2 laser as a mask, sandblasting of the openings was performed, and via holes (top diameter (diameter ) is 30㎛) was formed. The support body was peeled off after sandblasting, and the board|substrate 11 for evaluation was obtained.

<실시예 12><Example 12>

실시예 7에 있어서, 수지 두께 40㎛의 지지체 부착 수지 시트 1을, 수지 두께 15㎛의 지지체 부착 수지 시트 1로 바꾸고,In Example 7, the resin sheet 1 with a support with a resin thickness of 40 micrometers was replaced with the resin sheet 1 with a support body with a resin thickness of 15 micrometers,

비아홀의 형성을 이하와 같이 행하였다. 이상의 사항 이외에는 실시예 7과 동일하게 하여 평가용 기판 12를 얻었다.The via hole was formed as follows. Except for the above, it carried out similarly to Example 7, and obtained the board|substrate 12 for evaluation.

(1) 비아홀의 형성(1) Formation of via hole

(1-1) 레이저에 의한 개구부의 형성(1-1) Formation of openings by laser

UV-YAG 레이저 가공기(비아메카닉스사 제조 「LU-2L212/M50L」)를 사용하여 개구부를 형성하였다. 절연층 표면에서의 개구부의 탑 직경(직경)은 20㎛이고, 개구부의 깊이는 12㎛였다.The opening was formed using a UV-YAG laser processing machine ("LU-2L212/M50L" manufactured by Via Mechanics). The top diameter (diameter) of the opening on the surface of the insulating layer was 20 mu m, and the depth of the opening was 12 mu m.

(1-2) 샌드 블라스트 처리(1-2) Sandblasting

다음에, 지립으로서 #3000의 알루미나 지립 슬러리(평균 입자 직경 4.0㎛)를 사용하고, UV-YAG 레이저에 의해 개구가 된 동박을 마스크로 하고, 개구부의 샌드 블라스트 가공을 행하여, 비아홀(탑 직경(직경)은 20㎛)을 형성하였다. 샌드 블라스트 가공 후에 동박을 박리하여 평가용 기판 12를 얻었다.Next, using #3000 alumina abrasive grain slurry (average particle diameter 4.0 µm) as abrasive grains, using the copper foil opened by UV-YAG laser as a mask, sandblasting of the openings was performed, and via holes (top diameter ( diameter) was 20 μm). The copper foil was peeled off after sandblasting, and the board|substrate 12 for evaluation was obtained.

<실시예 13><Example 13>

실시예 12에 있어서, 캐리어 부착 동박(미츠이 킨조쿠코교사 제조, 마이크로신 MTEx, 동박의 두께 3㎛)을, 드라이 필름(아사히 카세이사 제조, 상품명 「ATP-10VTDS」, 두께 10㎛)로 바꾸었다. 이상의 이외에는 실시예 12와 동일하게 하여 평가용 기판 13을 얻었다.In Example 12, copper foil with a carrier (manufactured by Mitsui Kinzoku Co., Ltd., Microshin MTEx, copper foil thickness 3 µm) was replaced with a dry film (manufactured by Asahi Kasei, trade name "ATP-10VTDS", thickness 10 µm) it was Except for the above, it carried out similarly to Example 12, and obtained the board|substrate 13 for evaluation.

<실시예 14><Example 14>

실시예 13에 있어서, UV-YAG 레이저로 개구부를 형성하기 전에, 마스크를 사용해서 드라이 필름에 트렌치 패턴용 개구부를 형성하였다. 이상의 사항 이외에는 실시예 13과 동일하게 평가용 기판 14를 얻었다.In Example 13, openings for trench patterns were formed in the dry film using a mask before forming the openings with the UV-YAG laser. A substrate 14 for evaluation was obtained in the same manner as in Example 13 except for the above.

<실시예 15><Example 15>

실시예 2에 있어서, 수지 두께 40㎛의 지지체 부착 수지 시트 2를 수지 두께 25㎛의 지지체 부착 수지 시트 2로 바꾸고,In Example 2, the resin sheet 2 with a support with a resin thickness of 40 µm was replaced with a resin sheet 2 with a support with a resin thickness of 25 µm,

비아홀의 형성을 이하와 같이 행하였다. 이상의 사항 이외는 실시예 2와 동일하게 하여 평가용 기판 15를 얻었다.The via hole was formed as follows. Except for the above, it carried out similarly to Example 2, and obtained the board|substrate 15 for evaluation.

(1) 비아홀의 형성(1) Formation of via hole

(1-1) 레이저에 의한 개구부의 형성(1-1) Formation of openings by laser

CO2 레이저 가공기(히타치 비아메카닉스사 제조 「LC-2E21B/1C」)를 사용하여 개구부를 형성하였다. 절연층 표면에서의 개구부의 탑 직경(직경)은 30㎛이고, 개구부의 깊이는 25㎛였다.The opening was formed using a CO 2 laser processing machine (“LC-2E21B/1C” manufactured by Hitachi Via Mechanics). The top diameter (diameter) of the opening on the surface of the insulating layer was 30 mu m, and the depth of the opening was 25 mu m.

(1-2) 샌드 블라스트에 의한 비아 가공(1-2) Via processing by sandblasting

다음에, 지립으로서 #3000의 알루미나 지립 슬러리(평균 입자 직경 4.0㎛)를 사용하고, CO2 레이저에 의해 개구가 된 지지체를 마스크로 하여, 개구부의 샌드 블라스트 가공을 행하여, 비아홀(탑 직경(직경)은 30㎛)을 형성하였다. 샌드 블라스트 가공 후에 지지체를 박리하여 평가용 기판 15를 얻었다.Next, using an alumina abrasive grain slurry (average particle diameter of 4.0 µm) of #3000 as the abrasive grain, sandblasting the openings using the support body opened by the CO 2 laser as a mask, via holes (top diameter (diameter) ) is 30㎛) was formed. The support body was peeled off after sandblasting, and the board|substrate 15 for evaluation was obtained.

<비교예 1><Comparative Example 1>

실시예 1에 있어서, 비아홀의 형성을 이하와 같이 행하였다. 이상의 사항 이외에는 실시예 1과 동일하게 하여 평가용 기판 16을 얻었다.In Example 1, the via hole was formed as follows. Except for the above, it carried out similarly to Example 1, and obtained the board|substrate 16 for evaluation.

(1) 비아홀의 형성(1) Formation of via hole

절연층을 형성 후, 지지체인 PET 필름을 박리하였다. 지지체를 박리한 절연층에 UV-YAG 레이저 가공기(비아메카닉스사 제조 「LU-2L212/M50L」)를 사용하고 비아홀을 형성하여, 평가용 기판 16을 얻었다. 또한, 절연층 표면에서의 비아홀의 탑 직경(직경)은 50㎛였다.After forming the insulating layer, the PET film as a support was peeled off. A via hole was formed in the insulating layer from which the support was peeled using a UV-YAG laser processing machine ("LU-2L212/M50L" manufactured by Via Mechanics) to obtain a substrate 16 for evaluation. Moreover, the top diameter (diameter) of the via hole in the surface of an insulating layer was 50 micrometers.

<비교예 2><Comparative Example 2>

실시예 1에 있어서, 비아홀의 형성을 이하와 같이 행하였다. 이상의 사항 이외에는 실시예 1과 동일하게 하여 평가용 기판 17을 얻었다.In Example 1, the via hole was formed as follows. Except for the above, it carried out similarly to Example 1, and obtained the board|substrate 17 for evaluation.

(1) 비아홀의 형성(1) Formation of via hole

CO2 레이저 가공기(히타치 비아메카닉스사 제조 「LC-2E21B/1C」)를 사용해서 비아홀을 형성하여, 평가용 기판 17을 얻었다. 또한, 절연층 표면에서의 비아홀의 탑 직경(직경)은 50㎛였다.Via holes were formed using a CO 2 laser processing machine (“LC-2E21B/1C” manufactured by Hitachi Via Mechanics) to obtain a substrate 17 for evaluation. Moreover, the top diameter (diameter) of the via hole in the surface of an insulating layer was 50 micrometers.

<비교예 3><Comparative Example 3>

실시예 1에 있어서, 비아홀의 형성을 이하와 같이 행하였다. 이상의 사항 이외에는 실시예 1과 동일하게 하여 평가용 기판 18을 얻었다.In Example 1, the via hole was formed as follows. Except for the above, it carried out similarly to Example 1, and obtained the board|substrate 18 for evaluation.

(1) 비아홀의 형성(1) Formation of via hole

(1-1) 레이저에 의한 개구부의 형성(1-1) Formation of openings by laser

CO2 레이저 가공기(히타치 비아메카닉스사 제조 「LC-2E21B/1C」)를 사용하여 개구부를 형성하였다. 절연층 표면에서의 개구부의 탑 직경(직경)은 50㎛이고, 개구부의 깊이는 35㎛였다. 이것을 기판으로 한다.The opening was formed using a CO 2 laser processing machine (“LC-2E21B/1C” manufactured by Hitachi Via Mechanics). The top diameter (diameter) of the opening on the surface of the insulating layer was 50 mu m, and the depth of the opening was 35 mu m. Let this be a board|substrate.

(1-2) 디스미어 처리(1-2) desmear processing

기판에, 팽윤액인, 아토텍 재팬사 제조의 디에틸렌글리콜모노부틸에테르 함유의 스웰링 딥 세큐리간드 P에 60℃에서 5분간 침지하고, 다음에 조화액으로서, 아토텍 재팬사 제조의 콘센트레이트 컴팩트 P(KMnO4: 60g/L, NaOH: 40g/L의 수용액)에 80℃에서 30분간 침지시키고, 마지막으로 중화액으로서, 아토텍 재팬사 제조의 리덕션 솔류신 세큐리간트 P에 40℃에서 5분간 침지함으로써 개구부의 바닥부를 깎아내어 비아홀을 형성하였다.The substrate is immersed in a swelling liquid, Diethylene glycol monobutyl ether-containing swelling deep-securigand P manufactured by Atotech Japan Co., Ltd., at 60° C. for 5 minutes, and then, as a roughening solution, Atotech Japan Concentrate Immerse in compact P (KMnO 4 : 60 g/L, NaOH: 40 g/L aqueous solution) at 80° C. for 30 minutes, and finally, as a neutralizing solution, at 40° C. in reduction Soleucine Securigant P manufactured by Atotech Japan. By immersing for 5 minutes, the bottom of the opening was scraped off to form a via hole.

<비교예 4><Comparative Example 4>

실시예 1에 있어서, 비아홀의 형성을 이하와 같이 행하였다. 이상의 사항 이외에는 실시예 1과 동일하게 하여 평가용 기판 19를 얻었다.In Example 1, the via hole was formed as follows. Except for the above, it carried out similarly to Example 1, and obtained the board|substrate 19 for evaluation.

(1) 비아홀의 형성(1) Formation of via hole

(1-1) 샌드 블라스트용 레지스트에 의한 비아 패턴의 형성(1-1) Formation of via pattern by sandblasting resist

절연층 표면에 샌드 블라스트용 레지스트(닛코 머티리얼즈사 제조, NCM250, 두께 50㎛)를 사용하여 직경 50㎛의 비아가 형성되도록 패터닝을 행하였다.Patterning was performed so that vias having a diameter of 50 mu m were formed on the surface of the insulating layer using a sandblasting resist (manufactured by Nikko Materials Co., Ltd., NCM250, thickness 50 mu m).

(1-2) 샌드 블라스트 처리(1-2) Sandblasting

다음에, 지립으로서 #2000의 알루미나 지립 슬러리(평균 입자 직경 6.7㎛)를 사용하고, 비아 패턴이 형성된 샌드 블라스트용 레지스트를 마스크로 하고, 비아 부분의 샌드 블라스트 가공을 행하여, 평가용 기판 19를 얻었다.Next, an alumina abrasive grain slurry of #2000 (average particle diameter of 6.7 µm) was used as the abrasive grain, and a sand blasting resist having a via pattern formed thereon was used as a mask, and the via portion was sandblasted to obtain a substrate 19 for evaluation. .

<비교예 5><Comparative Example 5>

비교예 4에 있어서, (1) 비아홀의 형성을 이하와 같이 행하였다. 이상의 사항 이외에는 비교예 4와 동일하게 하여 평가용 기판 20을 얻었다.In Comparative Example 4, (1) via holes were formed as follows. Except for the above, it carried out similarly to the comparative example 4, and obtained the board|substrate 20 for evaluation.

(1) 비아홀의 형성(1) Formation of via hole

(1-1) 샌드 블라스트용 레지스트에 의한 비아 패턴의 형성(1-1) Formation of via pattern by sandblasting resist

절연층 표면에 샌드 블라스트용 레지스트(닛코 머티리얼즈사 제조, NCM250, 두께 50㎛)를 사용하여 직경 150㎛의 비아가 형성되도록 패터닝을 행하였다.Patterning was performed so that vias having a diameter of 150 µm were formed on the surface of the insulating layer using a sand blasting resist (manufactured by Nikko Materials Co., Ltd., NCM250, thickness 50 µm).

(1-2) 샌드 블라스트에 의한 비아 가공(1-2) Via processing by sandblasting

다음에, 지립으로서 #1200의 알루미나 지립 슬러리(평균 입자 직경 9.5㎛)를 사용하고, 비아 패턴이 형성된 샌드 블라스트용 레지스트를 마스크로 하고, 비아 부분의 샌드 블라스트 가공을 행하여, 평가용 기판 20을 얻었다.Next, using an alumina abrasive grain slurry of #1200 (average particle diameter of 9.5 µm) as abrasive grains, using a sandblasting resist having a via pattern as a mask, sandblasting of the via portion was performed to obtain a substrate 20 for evaluation. .

<비아 직경의 평가><Evaluation of via diameter>

○: 100㎛ 이하의 개구 직경으로 비아홀의 형성이 가능한 것.(circle): Formation of a via hole is possible with an opening diameter of 100 micrometers or less.

×: 100㎛ 이하의 개구 직경으로 비아홀을 형성할 수 없는 것.x: A via hole cannot be formed with an opening diameter of 100 micrometers or less.

<스미어 제거성의 평가><Evaluation of smear removability>

실시예 및 비교예에서 얻어진 평가용 기판 1 내지 20을, 팽윤액인, 아토텍 재팬사 제조의 디에틸렌글리콜모노부틸에테르 함유의 스웰링 딥 세큐리간드 P에 60℃에서 5분간 침지하고, 다음에 조화액으로서, 아토텍 재팬사 제조의 콘센트레이트 컴팩트 P(KMnO4: 60g/L, NaOH: 40g/L의 수용액)에 80℃에서 15분간 침지시키고, 마지막으로 중화액으로서, 아토텍 재팬사 제조의 리덕션 솔루신 세큐리간트 P에 40℃에서 5분간 침지하였다. 그 후, 전자 현미경으로 비아홀을 관찰하여, 이하의 기준으로 평가하였다.Substrates 1 to 20 for evaluation obtained in Examples and Comparative Examples were immersed in Swelling Deep Securigand P containing diethylene glycol monobutyl ether manufactured by Atotech Japan, which is a swelling solution, at 60° C. for 5 minutes, and then As a roughening liquid, it was made to immerse in Atotech Japan Concentrate Compact P (KMnO4 : 60g/L, NaOH:40g/L aqueous solution) at 80 degreeC for 15 minutes, and finally, As a neutralizing liquid, Atotech Japan company make It was immersed in reduction Soleucine Securigant P at 40°C for 5 minutes. Then, the via hole was observed with the electron microscope, and the following reference|standard evaluated.

○: 비아홀 바닥부에 수지 잔사가 보이지 않는다.(circle): The resin residue is not seen in the bottom part of a via hole.

×: 비아홀 바닥부에 수지 잔사가 보인다.x: A resin residue is seen in the bottom part of a via hole.

<할로잉의 평가><Evaluation of Hollowing>

스미어 제거성의 평가 후의 평가용 기판을, FIB-SEM 복합 장치(SII 나노테크놀로지사 제조 「SMI3050SE」)를 사용하여, 단면 관찰을 행하였다. 상세하게는, FIB(집속 이온 빔)를 사용하여, 절연층을, 상기 절연층의 두께 방향에 평행하고 또한 비아홀의 비아 보텀의 중심을 지나는 단면이 나타나도록 깎아내었다. 상기 단면을 SEM에 의해 관찰하였다. 관찰된 화상에는, 비아 보텀의 엣지로부터 연속해서, 절연층이 내층 기판의 동박으로부터 박리되어 형성된 간극부가 보이는 것이 있었다. 그래서, 비아 보텀의 엣지로부터, 간극부의 외주측의 단부까지의 거리를 할로잉 거리로서 측정하여, 이하의 기준으로 평가하였다.Cross-sectional observation was performed for the board|substrate for evaluation after evaluation of smear removability using the FIB-SEM composite apparatus ("SMI3050SE" by SII nanotechnology company). In detail, using FIB (focused ion beam), the insulating layer was cut so that a cross section parallel to the thickness direction of the insulating layer and passing through the center of the via bottom of the via hole appeared. The cross section was observed by SEM. In the observed image, a gap portion formed by peeling the insulating layer from the copper foil of the inner layer substrate was visible continuously from the edge of the via bottom. Then, the distance from the edge of the via bottom to the edge part on the outer peripheral side of a clearance gap was measured as a hollowing distance, and the following reference|standard evaluated.

○: 할로잉 거리가 5㎛ 이하.(circle): A hollowing distance is 5 micrometers or less.

×: 할로잉 거리가 5㎛를 초과한다.x: The hollowing distance exceeds 5 micrometers.

<비아 가공성의 평가><Evaluation of via workability>

(1) CO2 레이저에 의한 비아 가공성 평가(1) Evaluation of via processability by CO 2 laser

CO2 레이저 가공에 의해 개구부의 깊이를 소정의 깊이로 하기 위해 필요한 쇼트 수로 평가하고, 이하의 기준으로 평가하였다.In order to make the depth of an opening part into a predetermined|prescribed depth by CO2 laser processing, the number of shots required was evaluated, and the following criteria evaluated.

◎: 쇼트 수가 1.◎: number of shots 1.

○: 쇼트 수가 2.○: number of shots 2.

×: 쇼트 수가 3 이상.x: The number of shots is 3 or more.

(2) UV-YAG 레이저에 의한 비아 가공성 평가(2) Evaluation of via processability by UV-YAG laser

UV-YAG 레이저 가공에 의해 개구부의 깊이를 소정의 깊이로 하기 위해 필요한 쇼트 수로 평가하여, 이하의 기준으로 평가하였다.The UV-YAG laser processing evaluated the number of shots required to set the depth of the opening to a predetermined depth, and evaluated according to the following criteria.

○: 쇼트 수가 20 이하.○: The number of shots is 20 or less.

×: 쇼트 수가 20을 초과한다.x: The number of shots exceeds 20.

(3) 샌드 블라스트에 의한 비아 가공성 평가(3) Evaluation of via workability by sand blasting

개구부 바닥부의 절연층을 제거하고, 적층판의 도체층이 노출될 때까지 필요한 샌드 블라스트 가공 시간으로 평가하여, 이하의 기준으로 평가하였다.The insulating layer at the bottom of the opening was removed, and the required sandblasting time until the conductor layer of the laminate was exposed was evaluated according to the following criteria.

◎: 가공 시간이 5분 미만.(double-circle): processing time is less than 5 minutes.

○: 가공 시간이 5분 이상 10분 미만.○: Processing time is 5 minutes or more and less than 10 minutes.

×: 가공 시간이 10분 이상.x: processing time is 10 minutes or more.

Figure pat00002
Figure pat00002

Figure pat00003
Figure pat00003

*표 중, 「WB」는 웨트 블라스트 처리를 의미한다. 무기 충전재의 함유량은, 수지 조성물 중의 불휘발 성분을 100질량%로 할 경우의 값이다.* In the table|surface, "WB" means a wet blast process. Content of an inorganic filler is a value at the time of making the nonvolatile component in a resin composition 100 mass %.

10 내층 회로 기판
11 지지 기판
12 금속층
10a 주표면
21 지지체
22 절연층
30 개구부
40 비아홀
50 트렌치
60 금속박
61 구멍
70 드라이 필름
71 구멍
80 필드 비아
22U 금속층과는 반대측의 절연층의 면
220 비아 보텀
220C 비아 보텀의 중심
240 변색부
250 비아홀의 비아 보텀의 엣지
260 간극부
270 간극부의 외주측의 단부
a 개구부의 깊이
b 개구부 직경(비아홀 직경)
c 마스크의 두께 및 개구부의 깊이의 합계값
Wb 비아 보텀의 엣지로부터의 할로잉 거리
10 inner layer circuit board
11 support substrate
12 metal layer
10a major surface
21 support
22 insulating layer
30 opening
40 via hole
50 trench
60 metal foil
61 holes
70 dry film
71 hole
80 field via
The surface of the insulating layer opposite to the 22U metal layer
220 via bottom
Center of 220C via bottom
240 discoloration
Edge of via bottom of 250 via hole
260 gap
270 End of the clearance part on the outer peripheral side
a Depth of the opening
b Opening diameter (via hole diameter)
c The sum of the thickness of the mask and the depth of the opening
Wb Hollowing distance from the edge of the via bottom

Claims (12)

(A) 레이저에 의해, 수지 조성물의 경화물을 포함하는 절연층에 개구부를 형성하는 공정 및
(B) 개구부에, 지립(砥粒)을 사용하는 샌드 블라스트 처리를 행하여, 비아홀을 형성하는 공정을,
이러한 순서로 포함하는, 프린트 배선판의 제조방법.
(A) a step of forming an opening in an insulating layer containing a cured product of a resin composition by means of a laser; and
(B) a step of forming a via hole by sandblasting the opening using an abrasive grain;
A method for manufacturing a printed wiring board, including in this order.
제1항에 있어서, 지립의 평균 입자 직경이 10㎛ 이하인, 프린트 배선판의 제조방법.The method for manufacturing a printed wiring board according to claim 1, wherein the abrasive grains have an average particle diameter of 10 µm or less. 제1항에 있어서, 개구부의 깊이가 절연층의 두께의 50% 이상 95% 이하인, 프린트 배선판의 제조방법.The method for manufacturing a printed wiring board according to claim 1, wherein the depth of the opening is 50% or more and 95% or less of the thickness of the insulating layer. 제1항에 있어서, (B) 공정은, 마스크를 통해 개구부의 저면에 지립을 충돌시켜서 비아홀을 형성하는 공정이고,
마스크의 두께 및 개구부의 깊이의 합계값과, 비아홀의 개구 직경과의 비(합계값/개구 직경)이 3 이하인, 프린트 배선판의 제조방법.
The method according to claim 1, wherein the step (B) is a step of forming a via hole by colliding an abrasive grain on the bottom surface of the opening through a mask,
The manufacturing method of the printed wiring board whose ratio (total value/opening diameter) of the sum total value of the thickness of a mask and the depth of an opening part, and the opening diameter of a via hole is 3 or less.
제1항에 있어서, 절연층의 23℃에서의 탄성율이 0.1GPa 이상인, 배선판의 제조방법.The method for manufacturing a wiring board according to claim 1, wherein the insulating layer has an elastic modulus at 23°C of 0.1 GPa or more. 제1항에 있어서, 수지 조성물이 무기 충전재를 포함하는, 프린트 배선판의 제조방법.The manufacturing method of the printed wiring board of Claim 1 in which the resin composition contains an inorganic filler. 제6항에 있어서, 무기 충전재의 함유량이, 수지 조성물 중의 불휘발 성분을 100질량%로 할 경우, 20질량% 이상인, 프린트 배선판의 제조방법.The manufacturing method of the printed wiring board of Claim 6 whose content of an inorganic filler makes the nonvolatile component in a resin composition 100 mass %, 20 mass % or more. 제1항에 있어서, 수지 조성물이 경화성 수지를 포함하는, 프린트 배선판의 제조방법.The method for manufacturing a printed wiring board according to claim 1, wherein the resin composition contains a curable resin. 제8항에 있어서, 경화성 수지의 함유량이, 수지 조성물 중의 불휘발 성분을 100질량%로 할 경우, 10질량% 이상인, 프린트 배선판의 제조방법.The manufacturing method of the printed wiring board of Claim 8 whose content of curable resin is 10 mass % or more, when the non-volatile component in a resin composition makes 100 mass %. 제8항에 있어서, 경화성 수지가 에폭시 수지 및 경화제를 포함하는, 프린트 배선판의 제조방법.The method for manufacturing a printed wiring board according to claim 8, wherein the curable resin contains an epoxy resin and a curing agent. 제10항에 있어서, 경화제가 페놀계 수지, 활성 에스테르계 수지 및 시아네이트에스테르계 수지로부터 선택되는 1종 이상인, 프린트 배선판의 제조방법.The method for manufacturing a printed wiring board according to claim 10, wherein the curing agent is at least one selected from a phenol-based resin, an active ester-based resin, and a cyanate ester-based resin. 제1항에 있어서, 레이저가 CO2 레이저 또는 UV-YAG 레이저인, 프린트 배선판의 제조방법.The method for manufacturing a printed wiring board according to claim 1, wherein the laser is a CO 2 laser or a UV-YAG laser.
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