KR20220055735A - Apparatus for controlling current driving circuit and Apparatus for driving voice coil motor - Google Patents

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Abstract

The present invention relates to a device for controlling a current operating circuit and a device for operating a voice coil motor. According to an embodiment of the present invention, the device for controlling a current operating circuit can improve accuracy and/or control linearity on a current operating circuit. According to the embodiment of the present invention, the device for controlling a current operating circuit includes: a first circuit connected to a first operating semiconductor circuit element so that a current corresponding to the current of the first operating semiconductor circuit element in the current operating circuit flows, wherein the current operating circuit includes at least four operating semiconductor circuit elements connected in a bridge structure; and a second circuit connected to a second operating semiconductor circuit element so that a voltage or the current between the first operating semiconductor circuit element and the second operating semiconductor circuit element of the current operating circuit is close to the corresponding voltage or the corresponding current, based on the current corresponding to the current of the first operating semiconductor circuit element or the voltage corresponding to the corresponding current in the first circuit.

Description

전류 구동 회로 제어 장치 및 보이스 코일 모터 구동 장치{Apparatus for controlling current driving circuit and Apparatus for driving voice coil motor}Apparatus for controlling current driving circuit and Apparatus for driving voice coil motor

본 발명은 전류 구동 회로 제어 장치 및 보이스 코일 모터 구동 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a current driving circuit control device and a voice coil motor driving device.

최근의 전자기기에서 카메라는 필수에 가까운 기능 중 하나이며, 그 성능 또한 높아짐에 따라서 수백만 화소에서 천만 화소 이상까지의 고성능의 카메라 모듈이 장착되어 출시되고 있다.In recent electronic devices, a camera is one of the most essential functions, and as its performance increases, high-performance camera modules ranging from millions of pixels to more than 10 million pixels are installed and released.

그러나, 이러한 고화소의 카메라 모듈에 비하여 모바일 기기와 같이 소형화가 요구되는 전자기기에 사용되는 카메라 모듈은 전자기기에서 사용할 수 있는 공간이 제한적일 수 있다.However, a camera module used in an electronic device requiring miniaturization, such as a mobile device, may have a limited space available in the electronic device compared to such a high-pixel camera module.

이에 따라, 카메라 모듈은 작은 렌즈의 구경 및 작은 이미지 픽셀 사이즈 등으로 인해 이미지 촬영시 외부의 진동이나 손떨림 등과 같은 미세한 움직임에도 이미지 열화가 발생할 수 있어 광학 이미지 안정화 (Optical Image Stabilization; OIS) 기능을 채용할 수 있고, 고화질의 이미지를 보다 용이하게 촬상하기 위해 오토 포커스(Auto Focus) 기능을 채용할 수도 있다.Accordingly, the camera module adopts the Optical Image Stabilization (OIS) function, as image degradation may occur even with minute movements such as external vibration or hand shake during image shooting due to the small lens aperture and small image pixel size. In order to more easily capture high-quality images, an Auto Focus function may be employed.

상술한 광학 이미지 안정화 기능 또는 오토 포커스 기능 등을 수행하기 위해, 카메라 모듈은 렌즈를 이송시키기 위한 보이스 코일 모터(Voice Coil Motor)를 사용할 수 있다.In order to perform the above-described optical image stabilization function or autofocus function, the camera module may use a voice coil motor for transferring the lens.

보이스 코일 모터와 같은 전류 구동 대상을 제어하기 위한 구조도 점차 소형화가 요구되고 있으며, 크기 대비 효율적이고 안정적인 제어/구동 성능도 요구되고 있다.A structure for controlling a current driven object such as a voice coil motor is also required to be miniaturized, and efficient and stable control/drive performance compared to its size is also required.

일본 공개특허공보 특개2008-29137호Japanese Patent Laid-Open No. 2008-29137

본 발명은 전류 구동 회로 제어 장치 및 보이스 코일 모터 구동 장치를 제공한다.The present invention provides a current driving circuit control device and a voice coil motor driving device.

본 발명의 일 실시 예에 따른 전류 구동 회로 제어 장치는, 브리지(bridge) 구조로 결합된 적어도 4개의 구동 반도체회로요소를 포함하는 전류 구동 회로의 제1 구동 반도체회로요소의 전류에 대응되는 전류가 흐르도록 상기 제1 구동 반도체회로요소에 결합된 제1 회로; 및 상기 제1 회로에서 상기 제1 구동 반도체회로요소의 전류에 대응되는 전류 또는 상기 대응되는 전류에 대응되는 전압에 기반하여, 상기 제1 구동 반도체회로요소와 상기 전류 구동 회로의 제2 구동 반도체회로요소 사이의 전압 또는 전류가 상기 대응되는 전압 또는 상기 대응되는 전류에 가까워지도록 상기 제2 구동 반도체회로요소에 결합된 제2 회로; 를 포함할 수 있다.In the current driving circuit control apparatus according to an embodiment of the present invention, the current corresponding to the current of the first driving semiconductor circuit element of the current driving circuit including at least four driving semiconductor circuit elements coupled in a bridge structure a first circuit coupled to the first driving semiconductor circuit element to flow; and a second driving semiconductor circuit of the first driving semiconductor circuit element and the current driving circuit based on a current corresponding to the current of the first driving semiconductor circuit element or a voltage corresponding to the corresponding current in the first circuit a second circuit coupled to the second driving semiconductor circuit element such that a voltage or current between the elements approaches the corresponding voltage or corresponding current; may include

본 발명의 일 실시 예에 따른 보이스 코일 모터 구동 장치는, 상기 전류 구동 회로 제어 장치; 및 보이스 코일 모터(voice coil motor)에 흐르는 출력 전류를 출력하는 상기 전류 구동 회로; 를 포함할 수 있다.A voice coil motor driving apparatus according to an embodiment of the present invention includes: the current driving circuit control device; and the current driving circuit for outputting an output current flowing through a voice coil motor; may include

본 발명의 일 실시 예에 따른 전류 구동 회로 제어 장치 및 보이스 코일 모터 구동 장치는, 전류 구동 회로에 대한 제어 선형성 및/또는 정확성을 더욱 향상시킬 수 있다.The apparatus for controlling a current driving circuit and the apparatus for driving a voice coil motor according to an embodiment of the present invention may further improve control linearity and/or accuracy of the current driving circuit.

본 발명의 일 실시 예에 따른 전류 구동 회로 제어 장치 및 보이스 코일 모터 구동 장치는, 전류 구동 회로에 대한 제어 선형성 및/또는 정확성을 향상시키는 구조의 전력소모를 줄일 수 있다.The apparatus for controlling a current driving circuit and the apparatus for driving a voice coil motor according to an embodiment of the present invention can reduce power consumption of a structure that improves control linearity and/or accuracy of the current driving circuit.

도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 전류 구동 회로 제어 장치 및 보이스 코일 모터 구동 장치를 나타낸 회로도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시 예에 따른 전류 구동 회로 제어 장치의 제2 회로의 변형 실시형태를 나타낸 도면이다.
도 3은 본 발명의 일 실시 예에 따른 전류 구동 회로 제어 장치의 제1 회로의 변형 실시형태를 나타낸 도면이다.
도 4는 본 발명의 일 실시 예에 따른 전류 구동 회로 제어 장치의 제2 회로의 DC-DC 컨버터 구조를 예시한 도면이다.
도 5는 본 발명의 일 실시 예에 따른 전류 구동 회로 제어 장치에 의해 제어되는 전류 구동 회로의 전압 및 전류를 나타낸 그래프이다.
도 6은 도 5에 도시된 전류의 특정 부분을 확대한 그래프이다.
도 7은 본 발명의 일 실시 예에 따른 전류 구동 회로의 전력 소모를 나타낸 그래프이다.
도 8은 본 발명의 일 실시 예에 따른 보이스 코일 모터 구동 장치가 카메라 모듈 제어 구조에 적용되는 것을 나타낸 도면이다.1 is a circuit diagram illustrating an apparatus for controlling a current driving circuit and a device for driving a voice coil motor according to an embodiment of the present invention.
2 is a diagram illustrating a modified embodiment of a second circuit of a current driving circuit control apparatus according to an embodiment of the present invention.
3 is a view showing a modified embodiment of the first circuit of the current driving circuit control apparatus according to an embodiment of the present invention.
4 is a diagram illustrating a structure of a DC-DC converter of a second circuit of an apparatus for controlling a current driving circuit according to an embodiment of the present invention.
5 is a graph illustrating voltage and current of a current driving circuit controlled by a current driving circuit control apparatus according to an embodiment of the present invention.
6 is an enlarged graph of a specific portion of the current shown in FIG. 5 .
7 is a graph illustrating power consumption of a current driving circuit according to an embodiment of the present invention.
8 is a view showing that the voice coil motor driving apparatus according to an embodiment of the present invention is applied to a camera module control structure.

후술하는 본 발명에 대한 상세한 설명은, 본 발명이 실시될 수 있는 특정 실시예를 예시로서 도시하는 첨부 도면을 참조한다. 본 발명의 다양한 실시예는 서로 다르지만 상호 배타적일 필요는 없음이 이해되어야 한다. 예를 들어, 여기에 기재되어 있는 특정 형상, 구조 및 특성은 일 실시예에 관련하여 본 발명의 정신 및 범위를 벗어나지 않으면서 다른 실시예로 구현될 수 있다. 또한, 각각의 개시된 실시예 내의 개별 구성요소의 위치 또는 배치는 본 발명의 정신 및 범위를 벗어나지 않으면서 변경될 수 있음이 이해되어야 한다. 따라서, 후술하는 상세한 설명은 한정적인 의미로서 취하려는 것이 아니며, 본 발명의 범위는, 적절하게 설명된다면, 그 청구항들이 주장하는 것과 균등한 모든 범위와 더불어 첨부된 청구항에 의해서만 한정된다. 도면에서 유사한 참조부호는 여러 측면에 걸쳐서 동일하거나 유사한 기능을 지칭한다.DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS [0012] DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS [0010] DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS [0010] Reference is made to the accompanying drawings, which show by way of illustration specific embodiments in which the present invention may be practiced. It should be understood that the various embodiments of the present invention are different but need not be mutually exclusive. For example, certain shapes, structures, and characteristics described herein with respect to one embodiment may be implemented in other embodiments without departing from the spirit and scope of the invention. In addition, it should be understood that the location or arrangement of individual components within each disclosed embodiment may be changed without departing from the spirit and scope of the present invention. Accordingly, the detailed description set forth below is not intended to be taken in a limiting sense, and the scope of the present invention, if properly described, is limited only by the appended claims, along with all scope equivalents as those claimed. Like reference numerals in the drawings refer to the same or similar functions throughout the various aspects.

이하에서는, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명을 용이하게 실시할 수 있도록 하기 위하여, 본 발명의 실시 예들에 관하여 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명하기로 한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings in order to enable those of ordinary skill in the art to easily practice the present invention.

도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 전류 구동 회로 제어 장치 및 보이스 코일 모터 구동 장치를 나타낸 회로도이다.1 is a circuit diagram illustrating an apparatus for controlling a current driving circuit and a device for driving a voice coil motor according to an embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시 예에 따른 전류 구동 회로 제어 장치는, 제1 회로(110a) 및 제2 회로(120a)를 포함할 수 있으며, 전류 구동 회로(150)를 제어할 수 있다. 본 발명의 일 실시 예에 따른 보이스 코일 모터 구동 장치는 상기 전류 구동 회로 제어 장치 및 전류 구동 회로(150)를 포함할 수 있으며, 보이스 코일 모터(230)를 구동할 수 있다.Referring to FIG. 1 , an apparatus for controlling a current driving circuit according to an embodiment of the present invention may include a first circuit 110a and a second circuit 120a, and may control the current driving circuit 150 . there is. The voice coil motor driving apparatus according to an embodiment of the present invention may include the current driving circuit control device and the current driving circuit 150 , and may drive the voice coil motor 230 .

예를 들어, 전류 구동 회로 제어 장치와 전류 구동 회로(150)는 적어도 하나의 반도체 집적회로로 구현될 수 있으며, 공급 전압(VM)과 접지(GND)를 공유할 수 있다. 접지(GND)는 0V이지만, 설계에 따라 음 전압으로 구현될 수도 있다.For example, the current driving circuit control device and the current driving circuit 150 may be implemented as at least one semiconductor integrated circuit, and may share the supply voltage VM and the ground GND. The ground (GND) is 0V, but may be implemented as a negative voltage depending on the design.

전류 구동 회로(150)는 브리지(bridge) 구조로 결합된 적어도 4개의 구동 반도체회로요소(MN1, MP1, MN2, MP2)를 포함할 수 있으며, 보이스 코일 모터(230)에 흐르는 출력 전류를 형성할 수 있다. 예를 들어, 상기 브리지 구조는 H-브리지, 하프(half)-브리지 및 풀(full)-브리지 중 하나일 수 있으며, 전류 구동 회로(150)의 구동 대상에 따라 달라질 수 있다. 상기 H-브리지는 보이스 코일 모터(230)의 구동에 효율적인 구조일 수 있다.The current driving circuit 150 may include at least four driving semiconductor circuit elements MN1 , MP1 , MN2 , MP2 coupled in a bridge structure to form an output current flowing through the voice coil motor 230 . can For example, the bridge structure may be one of an H-bridge, a half-bridge, and a full-bridge, and may vary depending on a driving target of the current driving circuit 150 . The H-bridge may have an efficient structure for driving the voice coil motor 230 .

적어도 4개의 구동 반도체회로요소(MN1, MP1, MN2, MP2)는 반도체 트랜지스터(예: MOSFET, BJT)나 다이오드로 구현될 수 있다. 예를 들어, 적어도 4개의 구동 반도체회로요소 중 제1 및 제3 구동 반도체회로요소(MN1, MN2)는 n형 반도체 트랜지스터일 수 있으며, 적어도 4개의 구동 반도체회로요소 중 제2 및 제4 구동 반도체회로요소(MP1, MP2)는 p형 반도체 트랜지스터일 수 있다.At least four driving semiconductor circuit elements MN1, MP1, MN2, and MP2 may be implemented as semiconductor transistors (eg, MOSFETs, BJTs) or diodes. For example, the first and third driving semiconductor circuit elements MN1 and MN2 among the at least four driving semiconductor circuit elements may be n-type semiconductor transistors, and the second and fourth driving semiconductor circuit elements among the at least four driving semiconductor circuit elements. The circuit elements MP1 and MP2 may be p-type semiconductor transistors.

도 1은 공급 전압(VM)에 가까운 반도체회로요소는 p형 트랜지스터이고, 접지(GND)에 가까운 반도체회로요소는 n형 트랜지스터임을 도시하나, 트랜지스터의 n형/p형 관계는 설계에 따라 도 1에 도시된 n형/p형 관계와 반대로 구현될 수도 있다.Figure 1 shows that the semiconductor circuit element close to the supply voltage VM is a p-type transistor, and the semiconductor circuit element close to the ground GND is an n-type transistor, but the n-type/p-type relationship of the transistor depends on the design in Figure 1 In contrast to the n-type/p-type relationship shown in Fig.

제1 모드로 동작할 때, 전류 구동 회로(150)는 제1 및 제4 구동 반도체회로요소(MN1, MP2)의 입력 전압(예: 게이트 단자 전압)이 높고 제2 및 제3 구동 반도체회로요소(MP1, MN2)의 입력 전압(예: 게이트 단자 전압)이 낮은 상태로 동작할 수 있다. 이에 따라, 제1 및 제2 구동 반도체회로요소(MN1, MP1)는 제1 출력 전류(Idrv)를 형성할 수 있다.When operating in the first mode, the current driving circuit 150 has a high input voltage (eg, a gate terminal voltage) of the first and fourth driving semiconductor circuit elements MN1 and MP2 and the second and third driving semiconductor circuit elements. The input voltage (eg, gate terminal voltage) of (MP1, MN2) may be operated in a low state. Accordingly, the first and second driving semiconductor circuit elements MN1 and MP1 may form a first output current Idrv.

제2 모드로 동작할 때, 전류 구동 회로(150)는 제1 및 제4 구동 반도체회로요소(MN1, MP2)의 입력 전압(예: 게이트 단자 전압)이 낮고 제2 및 제3 구동 반도체회로요소(MP1, MN2)의 입력 전압(예: 게이트 단자 전압)이 높은 상태로 동작할 수 있다. 이에 따라, 제3 및 제4 구동 반도체회로요소(MN2, MP2)는 제2 출력 전류를 형성할 수 있다. 제1 출력 전류(Idrv)의 방향과 제2 출력 전류의 방향은 서로 반대일 수 있다.When operating in the second mode, the current driving circuit 150 has a low input voltage (eg, a gate terminal voltage) of the first and fourth driving semiconductor circuit elements MN1 and MP2 and the second and third driving semiconductor circuit elements The input voltage (eg, gate terminal voltage) of (MP1, MN2) may be operated in a high state. Accordingly, the third and fourth driving semiconductor circuit elements MN2 and MP2 may form a second output current. A direction of the first output current Idrv and a direction of the second output current may be opposite to each other.

도 1은 제1 회로(110a) 및 제2 회로(120a)가 제1 및 제2 구동 반도체회로요소(MN1, MP1)에 결합된 구조만 도시하였으나, 제1 회로(110a) 및 제2 회로(120a)와 실질적으로 동일한 구조의 제3 및 제4 회로는 제3 및 제4 구동 반도체회로요소(MN2, MP2)에 결합될 수 있다. 예를 들어, 제1 회로(110a)의 입력단과 제3 회로의 입력단은 멀티플렉서(multiplexer)에 연결될 수 있으며, 멀티플렉서는 제어 신호를 차동적으로 제1 회로(110a) 및 제3 회로로 제공할 수 있다.1 shows only the structure in which the first circuit 110a and the second circuit 120a are coupled to the first and second driving semiconductor circuit elements MN1 and MP1, but the first circuit 110a and the second circuit 120a The third and fourth circuits having substantially the same structure as 120a) may be coupled to the third and fourth driving semiconductor circuit elements MN2 and MP2. For example, the input terminal of the first circuit 110a and the input terminal of the third circuit may be connected to a multiplexer, and the multiplexer may differentially provide a control signal to the first circuit 110a and the third circuit. there is.

제1 회로(110a)의 전류(Isrc)는 입력된 제어 신호에 기초할 수 있다. 예를 들어, 제1 회로(110a)는 디지털 제어 신호를 아날로그 전압 또는 전류로 변환하여 전류(Isrc)를 생성하도록 디지털-아날로그 컨버터(digital-analog converter)를 포함할 수 있다. 즉, 제1 회로(110a)는 입력된 제어 신호에 기초하여 전류 구동 회로(150)의 출력 전류를 제어하도록 구성될 수 있다. 예를 들어, 제1 회로(110a)의 전류(Isrc)는 상기 아날로그 전압을 게이트 단자를 통해 제공받아 드레인 단자와 소스 단자 사이의 전류를 형성함으로써 전류(Isrc)를 생성하는 트랜지스터를 포함할 수 있다.The current Isrc of the first circuit 110a may be based on an input control signal. For example, the first circuit 110a may include a digital-analog converter to convert a digital control signal into an analog voltage or current to generate a current Isrc. That is, the first circuit 110a may be configured to control the output current of the current driving circuit 150 based on the input control signal. For example, the current Isrc of the first circuit 110a may include a transistor that receives the analog voltage through a gate terminal and generates a current Isrc by forming a current between a drain terminal and a source terminal. .

제1 회로(110a)는 저항기(Rs)를 포함할 수 있으며, 저항기(Rs)의 전압강하는 전류(Isrc)에 대응되므로, 저항기(Rs)는 전류(Isrc)에 대응되는 전압(Vref)을 생성할 수 있다. 저항기(Rs)의 저항값은 저항기(Rs)에 걸리는 전압강하가 보이스 코일 모터(230)에 걸리는 전압강하에 동일하거나 이에 가깝도록 설정된 값일 수 있다.The first circuit 110a may include a resistor Rs, and since the voltage drop of the resistor Rs corresponds to the current Isrc, the resistor Rs generates a voltage Vref corresponding to the current Isrc. can create The resistance value of the resistor Rs may be a value set such that the voltage drop across the resistor Rs is equal to or close to the voltage drop across the voice coil motor 230 .

제1 회로(110a)는 제1 구동 반도체회로요소(MN1)의 제1 출력 전류(Idrv)에 대응되는 전류(Isrc)가 흐르도록 제1 구동 반도체회로요소(MN1)에 결합될 수 있다.The first circuit 110a may be coupled to the first driving semiconductor circuit element MN1 so that a current Isrc corresponding to the first output current Idrv of the first driving semiconductor circuit element MN1 flows.

예를 들어, 제1 회로(110a)는 대응되는 전류(Isrc)와 제1 출력 전류(Idrv)가 서로 대응되도록 제1 구동 반도체회로요소(MN1)에 대해 전류-미러(current-mirror) 구조로 결합된 전류-미러 반도체회로요소(MN1s)를 포함할 수 있다.For example, the first circuit 110a has a current-mirror structure with respect to the first driving semiconductor circuit element MN1 so that the corresponding current Isrc and the first output current Idrv correspond to each other. coupled current-mirror semiconductor circuit elements MN1s.

예를 들어, 제1 구동 반도체회로요소(MN1)와 전류-미러 반도체회로요소(MN1s)가 각각 트랜지스터일 경우, 제1 구동 반도체회로요소(MN1)와 전류-미러 반도체회로요소(MN1s) 중 하나는 게이트 단자와 드레인 단자가 서로 연결된 구조를 가질 수 있으며, 게이트 단자가 제1 구동 반도체회로요소(MN1)와 전류-미러 반도체회로요소(MN1s) 중 다른 하나의 게이트 단자에 연결된 구조를 가질 수 있다.For example, when the first driving semiconductor circuit element MN1 and the current-mirror semiconductor circuit element MN1s are each a transistor, one of the first driving semiconductor circuit element MN1 and the current-mirror semiconductor circuit element MN1s may have a structure in which a gate terminal and a drain terminal are connected to each other, and a gate terminal is connected to the other gate terminal of the first driving semiconductor circuit element MN1 and the current-mirror semiconductor circuit element MN1s. .

이에 따라, 제1 구동 반도체회로요소(MN1)와 전류-미러 반도체회로요소(MN1s) 중 하나는 다이오드처럼 게이트/드레인 단자의 전압에 대응되는 전류가 흐르도록 동작할 수 있으며, 제1 구동 반도체회로요소(MN1)와 전류-미러 반도체회로요소(MN1s) 중 하나와 다른 하나의 게이트 단자의 전압은 공유될 수 있으므로, 제1 구동 반도체회로요소(MN1)와 전류-미러 반도체회로요소(MN1s) 중 하나와 다른 하나의 전류는 서로 유사한 특성(예: 응답 특성, 온도 특성, 공정편차 특성)을 가질 수 있다. 따라서, 제1 구동 반도체회로요소(MN1)와 전류-미러 반도체회로요소(MN1s) 중 하나와 다른 하나의 전류는 서로 전류-미러 관계일 수 있다.Accordingly, one of the first driving semiconductor circuit element MN1 and the current-mirror semiconductor circuit element MN1s may operate like a diode such that a current corresponding to the voltage of the gate/drain terminal flows, and the first driving semiconductor circuit Since the voltage of the gate terminal of one of the element MN1 and the current-mirror semiconductor circuit element MN1s and the other one can be shared, among the first driving semiconductor circuit element MN1 and the current-mirror semiconductor circuit element MN1s One current and the other current may have characteristics similar to each other (eg, response characteristics, temperature characteristics, process deviation characteristics). Accordingly, the current of one of the first driving semiconductor circuit element MN1 and the current-mirror semiconductor circuit element MN1s and the other current may have a current-mirror relationship with each other.

제1 구동 반도체회로요소(MN1)와 전류-미러 반도체회로요소(MN1s) 중 하나와 다른 하나의 전류비율은 제1 구동 반도체회로요소(MN1)와 전류-미러 반도체회로요소(MN1s) 중 하나와 다른 하나의 채널폭(channel width)의 비율에 따라 결정될 수 있으며, 제1 구동 반도체회로요소(MN1)와 전류-미러 반도체회로요소(MN1s) 중 다른 하나의 채널길이변조(channel length modulation)에 따라 약간 달라질 수 있다.The current ratio of one of the first driving semiconductor circuit element MN1 and the current-mirror semiconductor circuit element MN1s to the other is the first driving semiconductor circuit element MN1 and one of the current-mirror semiconductor circuit element MN1s and It may be determined according to the ratio of the channel width of the other one, and according to the channel length modulation of the other one of the first driving semiconductor circuit element MN1 and the current-mirror semiconductor circuit element MN1s may vary slightly.

상기 채널길이변조로 인해, 제1 구동 반도체회로요소(MN1)와 전류-미러 반도체회로요소(MN1s) 중 하나와 다른 하나의 전류의 유사성은 제1 구동 반도체회로요소(MN1)와 전류-미러 반도체회로요소(MN1s) 중 드레인 단자와 게이트 단자가 서로 연결되지 않은 하나의 드레인 단자의 전압과 다른 하나의 드레인 단자의 전압 간의 유사성에 따라 결정될 수 있다.Due to the channel length modulation, the similarity of the current of one of the first driving semiconductor circuit element MN1 and the current-mirror semiconductor circuit element MN1s to the other is similar to that of the first driving semiconductor circuit element MN1 and the current-mirror semiconductor circuit element MN1. It may be determined according to the similarity between the voltage of one drain terminal of the circuit element MN1s, to which the drain terminal and the gate terminal are not connected to each other, and the voltage of the other drain terminal.

제1 구동 반도체회로요소(MN1)와 전류-미러 반도체회로요소(MN1s) 중 하나와 다른 하나의 전류의 유사성이 높을수록, 제1 회로(110a)는 입력된 제어 신호에 기초하여 전류 구동 회로(150)의 출력 전류를 더욱 정확하게 제어할 수 있으므로, 제1 회로(110a)의 전류 제어 선형성(Isrc의 변화에 따른 Idrv의 변화율의 Isrc에 따른 편차에 반비례하는 특성) 및/또는 정확성은 더욱 향상될 수 있다.The higher the similarity between the current of one of the first driving semiconductor circuit element MN1 and the current-mirror semiconductor circuit element MN1s and the other, the higher the first circuit 110a is based on the input control signal. 150), the current control linearity (a characteristic inversely proportional to the deviation according to Isrc of the rate of change of Idrv according to the change of Isrc) and/or the accuracy of the first circuit 110a can be further improved can

제2 회로(120a)는 제1 회로(110a)에서 제1 구동 반도체회로요소(MN1)의 전류에 대응되는 전류(Isrc) 또는 대응되는 전류(Isrc)에 대응되는 전압(Vref)에 기반하여, 제1 구동 반도체회로요소(MN1)와 제2 구동 반도체회로요소(MP1) 사이(a)의 전압 또는 출력 전류(Idrv)가 대응되는 전압(Vref) 또는 대응되는 전류(Isrc)에 가까워지도록 제2 구동 반도체회로요소(MP1)에 결합될 수 있다.The second circuit 120a is based on the current Isrc corresponding to the current of the first driving semiconductor circuit element MN1 in the first circuit 110a or the voltage Vref corresponding to the corresponding current Isrc, The second voltage or output current Idrv between the first driving semiconductor circuit element MN1 and the second driving semiconductor circuit element MP1 becomes close to the corresponding voltage Vref or the corresponding current Isrc. It may be coupled to the driving semiconductor circuit element MP1.

이에 따라, 제1 구동 반도체회로요소(MN1)의 드레인 단자(b)의 전압과 전류-미러 반도체회로요소(MN1s)의 드레인 단자(c)의 전압 간의 유사성은 더욱 높아질 수 있으므로, 제1 회로(110a)의 전류 제어 선형성 및/또는 정확성은 더욱 향상될 수 있다.Accordingly, the similarity between the voltage of the drain terminal b of the first driving semiconductor circuit element MN1 and the current-voltage of the drain terminal c of the mirror semiconductor circuit element MN1s may be further increased, so that the first circuit ( The current control linearity and/or accuracy of 110a) can be further improved.

예를 들어, 제2 회로(120a)는 제1 및 제2 구동 반도체회로요소(MN1, MP1) 사이(a)의 전압과, 제1 회로(110a)에서 대응되는 전압(Vref)의 비교 결과에 기반한 비교 전압을 제2 구동 반도체회로요소(MP1)의 게이트 단자로 출력하는 비교기(Amp)를 더 포함할 수 있다. 예를 들어, 비교기(Amp)는 증폭기로 구현될 수 있으며, 비교기(Amp)의 이득은 증폭기에 연결된 복수의 저항의 저항값 관계에 따라 결정될 수 있다.For example, the second circuit 120a is based on the result of comparison between the voltage (a) between the first and second driving semiconductor circuit elements MN1 and MP1 and the corresponding voltage Vref in the first circuit 110a. A comparator Amp for outputting the based comparison voltage to the gate terminal of the second driving semiconductor circuit element MP1 may be further included. For example, the comparator Amp may be implemented as an amplifier, and the gain of the comparator Amp may be determined according to a relationship between resistance values of a plurality of resistors connected to the amplifier.

대응되는 전압(Vref)은 하기의 수학식 1에 따라 결정될 수 있다. 여기서, Va는 a 노드의 전압이고, Vc는 c 노드의 전압이고, Rs는 저항의 저항값이다.The corresponding voltage Vref may be determined according to Equation 1 below. Here, Va is the voltage of node a, Vc is the voltage of node c, and Rs is the resistance value of the resistor.

[수학식 1] Vref = Isrc x Rs + Vc = Va[Equation 1] Vref = Isrc x Rs + Vc = Va

B 노드의 전압(Vb)은 하기의 수학식 2에 따라 결정될 수 있다. 여기서, R은 보이스 코일 모터(230)의 저항값이고, N은 제1 구동 반도체회로요소(MN1)와 전류-미러 반도체회로요소(MN1s) 간의 채널폭(channel width)의 비율일 수 있다The voltage Vb of the B node may be determined according to Equation 2 below. Here, R is a resistance value of the voice coil motor 230 , and N is a ratio of a channel width between the first driving semiconductor circuit element MN1 and the current-mirror semiconductor circuit element MN1s.

[수학식 2] Vb = Va - Irdv x R = (Isrc x Rs+Vc) - (Idrv x R) = (Idrv/N x N x R + Vc) - (Idrv x R) = Vc[Equation 2] Vb = Va - Irdv x R = (Isrc x Rs+Vc) - (Idrv x R) = (Idrv/N x N x R + Vc) - (Idrv x R) = Vc

전류-미러 반도체회로요소(MN1s)와 저항기(Rs)는 하기의 수학식 3에 따라 설계될 수 있다.The current-mirror semiconductor circuit element MN1s and the resistor Rs may be designed according to Equation 3 below.

[수학식 3] MN1s : MN1 = Isrc : Idrv = 1:N , Rs : R = N:1[Equation 3] MN1s: MN1 = Isrc: Idrv = 1:N , Rs: R = N:1

도 2는 본 발명의 일 실시 예에 따른 전류 구동 회로 제어 장치의 제2 회로의 변형 실시형태를 나타낸 도면이다.2 is a diagram illustrating a modified embodiment of a second circuit of a current driving circuit control apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 2를 참조하면, 제2 회로(120b)는 도 1에 도시된 제2 구동 반도체회로요소와 함께 DC-DC 컨버터의 구조를 이루도록 구성될 수 있다.Referring to FIG. 2 , the second circuit 120b may be configured to form a DC-DC converter structure together with the second driving semiconductor circuit element shown in FIG. 1 .

상기 DC-DC 컨버터는 제1 회로(110a)에서 대응되는 전압(Vref)을 DC-DC 변환하여 제1 및 제2 구동 반도체회로요소 사이(a)로 출력하도록 구성될 수 있다.The DC-DC converter may be configured to DC-DC convert the voltage Vref corresponding to the first circuit 110a and output it between the first and second driving semiconductor circuit elements (a).

공급 전압(VM)을 통해 입력되는 전류(Im)은 하기의 수학식 4에 따라 결정될 수 있다. 여기서, efficiency는 DC-DC 컨버터의 변환 효율이다.The current Im input through the supply voltage VM may be determined according to Equation 4 below. Here, efficiency is the conversion efficiency of the DC-DC converter.

[수학식 4] Im=Va/VM x Idrv x 1/efficiency[Equation 4] Im=Va/VM x Idrv x 1/efficiency

수학식 4에 따른 전류 구동 회로의 전력 소모(Pin)는 하기의 수학식 5에 따라 결정될 수 있다.The power consumption Pin of the current driving circuit according to Equation 4 may be determined according to Equation 5 below.

[수학식 5] Pin= VM x Im = VM x (Va/VM x Idrv x 1/efficiency) = Va x Idrv x 1/efficiency = {(Idrv)2 x R + Idrv x Vc } x 1/efficiency[Equation 5] Pin= VM x Im = VM x (Va/VM x Idrv x 1/efficiency) = Va x Idrv x 1/efficiency = {(Idrv)2 x R + Idrv x Vc } x 1/efficiency

즉, 제2 회로(120b)에 따른 전력소모는 도 1에 도시된 제2 회로에 따른 전력소모에 비해 더욱 작을 수 있다.That is, the power consumption according to the second circuit 120b may be smaller than the power consumption according to the second circuit shown in FIG. 1 .

도 3은 본 발명의 일 실시 예에 따른 전류 구동 회로 제어 장치의 제1 회로의 변형 실시형태를 나타낸 도면이다.3 is a view showing a modified embodiment of the first circuit of the current driving circuit control apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 3을 참조하면, 제1 회로(110b)는, 대응되는 전류(Isrc2)에 대응되는 제2 전류(Isrc1)가 흐르고 전류-미러 반도체회로요소(MN1s)에서 전류가 흐르는 양단의 전압 차이(Vc)보다 더 작은 전압 차이가 걸리도록 구성된 레벨 저하기(Vx)를 더 포함할 수 있다.Referring to FIG. 3 , in the first circuit 110b, the second current Isrc1 corresponding to the corresponding current Isrc2 flows and the voltage difference Vc between both ends through which the current flows in the current-mirror semiconductor circuit element MN1s. ) may further include a level lowering voltage (Vx) configured to apply a smaller voltage difference.

제2 회로(120b)는 제2 전류(Isrc1)와 레벨 저하기(Vx)의 전압의 조합에 기반한 전압(Vref)을 제공받을 수 있다.The second circuit 120b may receive the voltage Vref based on a combination of the second current Isrc1 and the voltage of the level lowering voltage Vx.

도 3의 구조를 수학식 5에 적용하면 하기의 수학식 6에 따라 전력 소모(Pin)를 계산할 수 있다.When the structure of FIG. 3 is applied to Equation 5, the power consumption Pin can be calculated according to Equation 6 below.

[수학식 6] Pin= Va x Idrv x 1/efficiency = {(Idrv)2 x R + Idrv x Vx } x 1/efficiency[Equation 6] Pin= Va x Idrv x 1/efficiency = {(Idrv)2 x R + Idrv x Vx } x 1/efficiency

즉, 제2 회로(120b)가 제공받는 전압(Vref)은 도 1 및 도 2에 도시된 대응되는 전압보다 낮을 수 있으므로, 제2 회로(120b)에 따른 전력소모는 도 1 및 도 2에 도시된 제2 회로에 따른 전력소모에 비해 더욱 작을 수 있다.That is, since the voltage Vref provided to the second circuit 120b may be lower than the corresponding voltage shown in FIGS. 1 and 2 , the power consumption according to the second circuit 120b is shown in FIGS. 1 and 2 . It may be smaller than the power consumption according to the second circuit.

도 4는 본 발명의 일 실시 예에 따른 전류 구동 회로 제어 장치의 제2 회로의 DC-DC 컨버터 구조를 예시한 도면이다.4 is a diagram illustrating a structure of a DC-DC converter of a second circuit of an apparatus for controlling a current driving circuit according to an embodiment of the present invention.

도 4를 참조하면, 제2 회로의 DC-DC 컨버터는 캐패시터와 인덕터와 다이오드와 제2 구동 반도체회로요소(MP1) 중 적어도 일부를 포함하는 벅(buck) 컨버터일 수 있으나, 제1 회로로부터 제공받는 대응되는 전압(Vref)에 따라 부스트(boost) 컨버터로 구현될 수도 있다.Referring to FIG. 4 , the DC-DC converter of the second circuit may be a buck converter including at least a portion of a capacitor, an inductor, a diode, and a second driving semiconductor circuit element MP1, but provided from the first circuit It may be implemented as a boost converter according to the corresponding voltage Vref received.

제2 구동 반도체회로요소(MP1)의 게이트 단자의 전압은 소정의 주기마다 하이(high) 전압과 로우(low) 전압이 반복되는 PWM(Pulse Width Modulation) 신호일 수 있다.The voltage of the gate terminal of the second driving semiconductor circuit element MP1 may be a pulse width modulation (PWM) signal in which a high voltage and a low voltage are repeated every predetermined period.

예를 들어, DC-DC 컨버터는 전압(Vref)과 a 노드의 전압의 비교결과에 기반한 비교 전압을 Pulse Width Modulation Gate driver로 출력하는 비교기(Amp)를 포함할 수 있으며, 비교기(Amp)의 출력에 기반하여 PWM 신호로 변환하는 Pulse Width Modulation Gate driver를 포함할 수 있다.For example, the DC-DC converter may include a comparator (Amp) that outputs a comparison voltage based on the comparison result of the voltage (Vref) and the voltage of the node a to the Pulse Width Modulation Gate driver, and the output of the comparator (Amp) It may include a Pulse Width Modulation Gate driver that converts it into a PWM signal based on

도 5는 본 발명의 일 실시 예에 따른 전류 구동 회로 제어 장치에 의해 제어되는 전류 구동 회로의 전압 및 전류를 나타낸 그래프이다.5 is a graph illustrating voltage and current of a current driving circuit controlled by a current driving circuit control apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 5를 참조하면, 공급 전압(VM)은 3V일 수 있고, 출력 전류(Idrv)는 0에서 100mA까지 증가할 수 있으며, 출력 전류(Idrv)가 전류(Isrc)의 400배가 되도록 반도체회로요소가 설계될 수 있다.Referring to FIG. 5 , the supply voltage VM may be 3V, the output current Idrv may increase from 0 to 100mA, and the semiconductor circuit element is configured such that the output current Idrv becomes 400 times the current Isrc. can be designed

도 1의 a 노드의 전압(Va)과 b 노드의 전압(Vb)은 c 노드의 전압에 가까워질 수 있으며, b 노드의 전압(Vb)은 c 노드의 전압과 거의 동일할 수 있다.In FIG. 1 , the voltage Va of the node a and the voltage Vb of the node b may be close to the voltage of the node c, and the voltage Vb of the node b may be substantially equal to the voltage of the node c.

도 6은 도 5에 도시된 전류의 특정 부분을 확대한 그래프이다.6 is an enlarged graph of a specific portion of the current shown in FIG. 5 .

도 6을 참조하면, 전류(Isrc)의 변화에 따른 출력 전류(Idrv)의 변화율은 전류(Isrc)가 변하더라도 실질적으로 동일하게 유지될 수 있다. 예를 들어, 전류(Isrc)가 100uA일 때, 출력 전류(Idrv)는 그 400배인 40mA일 수 있다.Referring to FIG. 6 , the rate of change of the output current Idrv according to the change of the current Isrc may be maintained substantially the same even if the current Isrc is changed. For example, when the current Isrc is 100uA, the output current Idrv may be 40mA, which is 400 times that.

도 7은 본 발명의 일 실시 예에 따른 전류 구동 회로의 전력 소모를 나타낸 그래프이다.7 is a graph illustrating power consumption of a current driving circuit according to an embodiment of the present invention.

도 7을 참조하면, 도 1에 도시된 전류 구동 회로의 전력 소모(P)는 공급 전압(VM)과 출력 전류(Idrv)의 곱과 동일할 수 있다. 도 2에 도시된 전류 구동 회로의 전력 소모(P)는 출력 전류(Idrv)와 저항의 저항값(R)과 출력 전류(Idrv)와 c 노드의 전압(Vc)에 기반하여 결정될 수 있으며, 도 1에 도시된 전류 구동 회로의 전력 소모(P)보다 작을 수 있다. 도 3에 도시된 전류 구동 회로의 전력 소모(P)는 출력 전류(Idrv)와 저항의 저항값(R)과 출력 전류(Idrv)와 레벨 저하기의 전압(Vx)에 기반하여 결정될 수 있으며, 도 2에 도시된 전류 구동 회로의 전력 소모(P)보다 작을 수 있다. 여기서, 저항의 저항값(R)은 20옴이고, DC-DC 컨버터의 효율은 1일 수 있다.Referring to FIG. 7 , the power consumption P of the current driving circuit illustrated in FIG. 1 may be equal to the product of the supply voltage VM and the output current Idrv. The power consumption P of the current driving circuit shown in FIG. 2 may be determined based on the output current Idrv, the resistance value R of the resistor, the output current Idrv, and the voltage Vc of the c node, FIG. It may be smaller than the power consumption (P) of the current driving circuit shown in 1 . The power consumption (P) of the current driving circuit shown in FIG. 3 may be determined based on the output current (Idrv), the resistance value (R) of the resistor, the output current (Idrv), and the voltage (Vx) under the level drop, It may be smaller than the power consumption P of the current driving circuit shown in FIG. 2 . Here, the resistance value (R) of the resistor may be 20 ohms, and the efficiency of the DC-DC converter may be 1.

도 8은 본 발명의 일 실시 예에 따른 보이스 코일 모터 구동 장치가 카메라 모듈 제어 구조에 적용되는 것을 나타낸 도면이다.8 is a view showing that the voice coil motor driving apparatus according to an embodiment of the present invention is applied to a camera module control structure.

도 8을 참조하면, 카메라 모듈 제어 구조는 홀 센서(300), 제어 신호 생성기(205), 본 발명의 일 실시 예에 따른 보이스 코일 모터 구동 장치(220) 및 보이스 코일 모터(230)를 포함할 수 있으며, 렌즈 모듈(210)의 위치 및/또는 움직임을 제어할 수 있다. Referring to FIG. 8 , the camera module control structure may include a Hall sensor 300 , a control signal generator 205 , a voice coil motor driving device 220 and a voice coil motor 230 according to an embodiment of the present invention. and may control the position and/or movement of the lens module 210 .

홀 센서(300)는 렌즈 모듈(210)의 움직임에 기반하여 렌즈 모듈(210)에 배치된 자기 부재(211)의 자속이 통과하도록 배치될 수 있다. 이에 따라, 홀 센서(300)는 렌즈 모듈(210)의 위치 및/또는 움직임에 대응되는 전압을 출력할 수 있다.The Hall sensor 300 may be disposed such that a magnetic flux of the magnetic member 211 disposed in the lens module 210 passes through the hall sensor 300 based on the movement of the lens module 210 . Accordingly, the Hall sensor 300 may output a voltage corresponding to the position and/or movement of the lens module 210 .

제어 신호 생성기(205)는 홀 센서(300)에서 출력되는 전압에 기초하여 제어 신호를 생성할 수 있으며, 제어 신호를 보이스 코일 모터 구동 장치(220)로 전달할 수 있다. 예를 들어, 제어 신호 생성기(205)와 보이스 코일 모터 구동 장치(220)는 적어도 하나의 반도체 집적회로로 구현될 수 있다.The control signal generator 205 may generate a control signal based on the voltage output from the Hall sensor 300 , and may transmit the control signal to the voice coil motor driving device 220 . For example, the control signal generator 205 and the voice coil motor driving apparatus 220 may be implemented as at least one semiconductor integrated circuit.

예를 들어, 제어 신호 생성기(205)는 OIS(Optical Image Stabilization) 제어 구조나 AF(Auto Focus) 제어 구조를 포함할 수 있으며, OIS 제어 구조 또는 AF 제어 구조에 기반하여 제어 신호를 생성할 수 있다. 즉, 제어 신호는 렌즈 모듈(210)의 현재 위치에 대응하여 렌즈 모듈(210)을 목표 위치로 이동시키도록 결정된 값을 가질 수 있다.For example, the control signal generator 205 may include an optical image stabilization (OIS) control structure or an auto focus (AF) control structure, and may generate a control signal based on the OIS control structure or the AF control structure. . That is, the control signal may have a value determined to move the lens module 210 to the target position corresponding to the current position of the lens module 210 .

따라서, 보이스 코일 모터 구동 장치(220)는 렌즈 모듈(210)의 현재 위치에 대응하여 렌즈 모듈(210)을 목표 위치로 이동시키도록 결정된 출력 전류를 보이스 코일 모터(230)로 출력할 수 있다.Accordingly, the voice coil motor driving apparatus 220 may output an output current determined to move the lens module 210 to the target position in response to the current position of the lens module 210 to the voice coil motor 230 .

보이스 코일 모터(230)는 상기 출력 전류에 기반하여 자속을 생성할 수 있으며, 렌즈 모듈(210)의 자기 부재(211)의 근처에 배치될 수 있다. 예를 들어, 보이스 코일 모터(230)와 홀 센서(300)는 제1 기판(240)에 배치될 수 있다. 제1 기판(240)은 제어 신호 생성기(205) 및/또는 보이스 코일 모터 구동 장치(220)의 배치공간도 제공할 수 있다. 설계에 따라, 제1 기판(240)은 생략될 수 있으며, 제어 신호 생성기(205) 및/또는 보이스 코일 모터 구동 장치(220)는 보이스 코일 모터(230)에 배치될 수 있다.The voice coil motor 230 may generate a magnetic flux based on the output current, and may be disposed near the magnetic member 211 of the lens module 210 . For example, the voice coil motor 230 and the Hall sensor 300 may be disposed on the first substrate 240 . The first substrate 240 may also provide an arrangement space for the control signal generator 205 and/or the voice coil motor driving device 220 . Depending on the design, the first substrate 240 may be omitted, and the control signal generator 205 and/or the voice coil motor driving device 220 may be disposed in the voice coil motor 230 .

설계에 따라, 홀 센서(300)는 집적회로 내장 형으로 구현될 수 있으며, 제어 신호 생성기(205) 및/또는 보이스 코일 모터 구동 장치(220)와 함께 단일 집적회로로 구현될 수 있다. 본 발명의 일 실시 예에 따른 전류 구동 회로 제어 장치 및 보이스 코일 모터 구동 장치는 간소화된 피드백 구조를 가져서 더욱 쉽게 소형화될 수 있으므로, 홀 센서(300)를 보다 쉽게 포함할 수 있다.Depending on the design, the Hall sensor 300 may be implemented as an integrated circuit built-in type, and may be implemented as a single integrated circuit together with the control signal generator 205 and/or the voice coil motor driving device 220 . Since the device for controlling the current driving circuit and the device for driving the voice coil motor according to an embodiment of the present invention have a simplified feedback structure and thus can be more easily downsized, the Hall sensor 300 can be more easily included.

렌즈 모듈(210)은 보이스 코일 모터(230)의 자속에 반응하여 자기 부재(211)가 받는 힘에 따라 움직일 수 있다. 이때, 렌즈 모듈(210)은 홀 센서(300)를 통과하는 자속의 변화와 반대방향으로 상기 자속이 변하도록 움직일 수 있다. 이에 따라, 렌즈 모듈(210)의 절대적 위치는 실질적으로 고정될 수 있으며, 렌즈 모듈(210)에 의해 획득되는 이미지는 안정적일 수 있다.The lens module 210 may move according to a force received by the magnetic member 211 in response to the magnetic flux of the voice coil motor 230 . In this case, the lens module 210 may move to change the magnetic flux in the opposite direction to the change in the magnetic flux passing through the Hall sensor 300 . Accordingly, the absolute position of the lens module 210 may be substantially fixed, and the image acquired by the lens module 210 may be stable.

한편, 프로세서(270)는 ISP(Image Signal Processor)로 구현될 수 있으며, 제1 지지 부재(261) 상의 이미지 센서(262)로부터 이미지 정보를 전달받을 수 있으며, 처리한 정보를 보이스 코일 모터 구동 장치(220)나 제어 신호 생성기(205)로 제공할 수 있다.Meanwhile, the processor 270 may be implemented as an image signal processor (ISP), may receive image information from the image sensor 262 on the first support member 261 , and use the processed information to drive the voice coil motor. 220 or the control signal generator 205 may provide.

렌즈 모듈(210)은 제2 지지 부재(213) 상의 복수의 가이드 볼(212)의 회전에 따라 1차원 또는 2차원적으로 움직일 수 있으며, 하우징(250)에 의해 둘러싸일 수 있다.The lens module 210 may move one-dimensionally or two-dimensionally according to the rotation of the plurality of guide balls 212 on the second support member 213 , and may be surrounded by the housing 250 .

렌즈 모듈(210)과, 렌즈 모듈(210)의 주변 구성요소와, 하우징(250)이 대부분 포함된 구조는 카메라 모듈로 정의될 수 있다.A structure including the lens module 210 , peripheral components of the lens module 210 , and the housing 250 may be defined as a camera module.

이상에서는 본 발명을 실시 예로써 설명하였으나, 본 발명은 상기한 실시 예에 한정되지 아니하며, 특허청구범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 누구든지 다양한 변형이 가능할 것이다.In the above, the present invention has been described as an embodiment, but the present invention is not limited to the above embodiment, and without departing from the gist of the present invention as claimed in the claims, those of ordinary skill in the art to which the invention pertains Anyone can make various modifications.

110a, 110b: 제1 회로
120a, 120b: 제2 회로
150: 전류 구동 회로
230: 보이스 코일 모터(voice coil motor)
Isrc: 대응되는 전류
MN1: 제1 구동 반도체회로요소
MN1s: 전류-미러 반도체회로요소
MP1: 제2 구동 반도체회로요소
Vref: 대응되는 전압
Vx: 레벨 저하기110a, 110b: first circuit
120a, 120b: second circuit
150: current driving circuit
230: voice coil motor (voice coil motor)
Isrc: the corresponding current
MN1: first driving semiconductor circuit element
MN1s: Current-mirror semiconductor circuit element
MP1: second driving semiconductor circuit element
Vref: Corresponding voltage
Vx: level down

Claims (6)

브리지(bridge) 구조로 결합된 적어도 4개의 구동 반도체회로요소를 포함하는 전류 구동 회로의 제1 구동 반도체회로요소의 전류에 대응되는 전류가 흐르도록 상기 제1 구동 반도체회로요소에 결합된 제1 회로; 및
상기 제1 회로에서 상기 제1 구동 반도체회로요소의 전류에 대응되는 전류 또는 상기 대응되는 전류에 대응되는 전압에 기반하여, 상기 제1 구동 반도체회로요소와 상기 전류 구동 회로의 제2 구동 반도체회로요소 사이의 전압 또는 전류가 상기 대응되는 전압 또는 상기 대응되는 전류에 가까워지도록 상기 제2 구동 반도체회로요소에 결합된 제2 회로; 를 포함하는 전류 구동 회로 제어 장치.
A first circuit coupled to the first driving semiconductor circuit element so that a current corresponding to the current of the first driving semiconductor circuit element of the current driving circuit including at least four driving semiconductor circuit elements coupled in a bridge structure flows ; and
Based on a current corresponding to the current of the first driving semiconductor circuit element in the first circuit or a voltage corresponding to the corresponding current, the first driving semiconductor circuit element and the second driving semiconductor circuit element of the current driving circuit a second circuit coupled to the second driving semiconductor circuit element such that a voltage or current therebetween approaches the corresponding voltage or corresponding current; Current driving circuit control device comprising a.
 제1항에 있어서, 상기 제2 회로는,
상기 제1 및 제2 구동 반도체회로요소 사이의 전압과, 상기 제1 회로에서 상기 대응되는 전압의 비교 결과에 기반한 비교 전압을 상기 제2 구동 반도체회로요소로 출력하는 비교기를 더 포함하는 전류 구동 회로 제어 장치.
The method of claim 1, wherein the second circuit comprises:
The current driving circuit further comprising a comparator outputting a comparison voltage based on a result of comparing the voltage between the first and second driving semiconductor circuit elements and the corresponding voltage in the first circuit to the second driving semiconductor circuit element. controller.
 제1항에 있어서, 상기 제1 회로는,
상기 대응되는 전류가 흐르도록 상기 제1 구동 반도체회로요소에 대해 전류-미러(current-mirror) 구조로 결합된 전류-미러 반도체회로요소를 포함하는 전류 구동 회로 제어 장치.
The method of claim 1, wherein the first circuit comprises:
and a current-mirror semiconductor circuit element coupled to the first driving semiconductor circuit element in a current-mirror structure so that the corresponding current flows.
 제3항에 있어서,
상기 제1 회로는, 상기 대응되는 전류에 대응되는 제2 전류가 흐르고 상기 전류-미러 반도체회로요소에서 전류가 흐르는 양단의 전압 차이보다 더 작은 전압 차이가 걸리도록 구성된 레벨 저하기를 더 포함하고,
상기 제2 회로는, 상기 제2 전류와 상기 레벨 저하기의 전압의 조합에 기반한 전압을 제공받는 전류 구동 회로 제어 장치.
4. The method of claim 3,
The first circuit further includes a level lowering configured such that a second current corresponding to the corresponding current flows and a voltage difference smaller than a voltage difference between both ends through which the current flows in the current-mirror semiconductor circuit element is applied,
The second circuit is a current driving circuit control device that receives a voltage based on a combination of the second current and the voltage to be lowered in level.
 제1항 또는 제4항에 있어서,
상기 제2 회로는 상기 제2 구동 반도체회로요소와 함께 DC-DC 컨버터의 구조를 이루도록 구성되고,
상기 DC-DC 컨버터는 상기 제1 회로에서 상기 대응되는 전압을 DC-DC 변환하여 상기 제1 및 제2 구동 반도체회로요소 사이 노드로 출력하도록 구성된 전류 구동 회로 제어 장치.
5. The method of claim 1 or 4,
The second circuit is configured to form a DC-DC converter structure together with the second driving semiconductor circuit element,
and the DC-DC converter is configured to DC-DC convert the corresponding voltage in the first circuit and output it to a node between the first and second driving semiconductor circuit elements.
 제1항 내지 제4항 중 하나의 전류 구동 회로 제어 장치; 및
보이스 코일 모터(voice coil motor)에 흐르는 출력 전류를 출력하는 상기 전류 구동 회로; 를 포함하는 보이스 코일 모터 구동 장치.A current driving circuit control device according to any one of claims 1 to 4; and
the current driving circuit for outputting an output current flowing through a voice coil motor; A voice coil motor drive device comprising a.
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KR20180131151A (en) * 2017-05-31 2018-12-10 삼성전기주식회사 Apparatus for Driving Voice Coil Motor

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