KR20220055136A - 초소수성 표면을 갖는 기판 제작 방법, 이를 이용하여 제조된 기판 및 기판을 갖춘 표면 구조물 - Google Patents

초소수성 표면을 갖는 기판 제작 방법, 이를 이용하여 제조된 기판 및 기판을 갖춘 표면 구조물 Download PDF

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Abstract

초소수성 표면을 갖는 기판 제작 방법 및 이를 이용하여 제조된 기판이 개시된다. 본 발명의 일 실시예에 따른 초소수성 표면을 갖는 기판 제작 방법은 기판의 표면을 RIE(Reactive Ion Etching) 공정을 이용하여 피라미드형 요철 구조를 형성하는 단계; 및 상기 요철 구조가 형성된 기판의 표면에 클러스터 소스 스퍼터 시스템을 사용하여 나노 금속박막을 증착하는 단계를 포함한다.

Description

초소수성 표면을 갖는 기판 제작 방법, 이를 이용하여 제조된 기판 및 기판을 갖춘 표면 구조물{SUBSTRATE MANUFACTURING METHOD WITH SUPER-HYDROPHOBIC SURFACE AND A SUBSTRATE FABRICATED BY IT AND SURFACE STRUCTURE HAVING THE SUBSTRATE}
본 발명의 실시예들은 초소수성 표면을 갖는 기판 제작 기술과 관련된다.
최근 몇 년 동안에 친수성과 소수성 연구가 많이 수행되었다. 이 분야는 차량의 윈도우, 차량의 표면, 가전제품의 표면, 디스플레이 패널, 터치패널, 센서의 경면, 바이오 의약기기 및 솔라셀 표면과 같은 다양한 디바이스에 먼지 방지, 지문방지, 오염방지를 위한 방오 구조에 응용되고 있다. 특히, 초소수성 구조는 오염을 최소화 할 수 있을 뿐만 아니라 오염시 물로 간단히 세척이 가능하므로 많은 연구가 진행되었다.
일반적으로 소수 특성은 물방울 접촉각이 90도 이상의 경우 소수성(hydrophobicity), 110°와 150° 사이에서는 고소수성(high-hydrophobicity), 그리고 150° 이상일때 초소수성(super-hydrophobicity)으로 구분된다. 초소수성 표면에서는 물방울이 쉽게 구르기 때문에, 방수, 방담(防曇), 방오(防汚), 방상(防霜, 착설 방지, 부식 방지 등의 기능을 가진다. 따라서 초소수성을 가지는 재료는 건축자재, 화장품, 섬유 처리, 전자용 부재, 화학 감지 등의 산업 공정 및 일상 생활에서 응용이 가능하다.
초소수성 표면은 나노 사이즈의 표면 거칠기와 낮은 표면 에너지를 가져야 하며, 초소수성 표면을 가지는 박막을 제조하기 위해서 현재 많은 방법들이 연구되고 있다. 기존의 초소수성 구조를 만들기 위하여는 나노임프란트리소그라피, E-beam 리소그라피 와 X-ray리소그라피와 같은 고가의 대형 장비들이 필요한 실정이다.
대한민국 공개특허공보 제10-2012-0033805호(2012.04.09.)
본 발명의 실시예는 기판 표면에 피라미드형 요철 구조를 형성하고, 나노 금속박막을 증착하여 초소수성 표면을 갖는 기판을 제작하고, SERS(Surface-enhanced Raman spectroscopy) 응답특성을 개선시키기 위한 것이다.
본 발명의 예시적인 실시예에 따르면, 기판의 표면을 RIE(Reactive Ion Etching) 공정을 이용하여 피라미드형 요철 구조를 형성하는 단계; 및 상기 요철 구조가 형성된 기판의 표면에 클러스터 소스 스퍼터(Cluster source sputter) 시스템을 사용하여 나노 금속박막을 증착하는 단계를 포함하는 초소수성 표면을 갖는 기판 제작 방법이 제공된다.
상기 피라미드형 요철 구조를 형성하는 단계는 상기 기판을 아세톤 및 메탄올에 각각 10분간 세척하고, 5wt% HF(불화수소) 용액에 5분간 식각하여 상기 기판의 자연 산화막을 제거하는 단계를 포함할 수 있다.
상기 요철 구조를 형성하는 단계는 금속 메쉬(metal mesh)를 통하여 상기 기판의 표면에 플라즈마를 인가하는 단계를 포함할 수 있다.
상기 금속 메쉬는 상기 인가되는 플라즈마와 상기 기판 사이에 장착되고, 상기 기판과 6 내지 8 mm 사이의 거리를 형성할 수 있다.
상기 금속 메쉬는 복수의 구멍들이 기 설정된 간격으로 전 영역에 균일하게 형성될 수 있다.
상기 금속 메쉬는 140 내지 160 ㎛의 직경의 구멍들이 180 내지 200㎛의 간격으로 전 영역에 균일하게 형성될 수 있다.
상기 RIE 공정의 공정 시간은 40분 내지 60분일 수 있다.
상기 나노 금속박막은 상기 기판의 표면에 1.4 내지 1.6 ㎛로 증착될 수 있다.
본 발명의 다른 예시적인 실시예에 따르면, 기판으로서, 상기 기판의 표면에 RIE(Reactive Ion Etching) 공정을 이용하여 형성되는 피라미드형 요철 구조; 및 상기 피라미드형 요철 구조의 표면에 클러스터 소스 스퍼터(Cluster source sputter) 시스템을 사용하여 증착되는 나노 금속박막을 포함하는 초소수성 표면을 갖는 기판이 제공된다.
상기 기판은 아세톤 및 메탄올에 각각 10분간 세척하고, 5wt% HF(불화수소) 용액에 5분간 식각하여 상기 기판의 자연 산화막이 제거될 수 있다.
상기 피라미드형 요철 구조는 상기 RIE 공정에서 금속 메쉬(metal mesh)를 통하여 상기 기판의 표면에 플라즈마가 인가되어 형성될 수 있다.
상기 금속 메쉬는 상기 인가되는 플라즈마와 상기 기판 사이에 장착되고, 상기 기판과 6 내지 8 mm 사이의 거리를 형성할 수 있다.
상기 금속 메쉬는 복수의 구멍들이 기 설정된 간격으로 전 영역에 균일하게 형성될 수 있다.
상기 금속 메쉬는 140 내지 160 ㎛의 직경의 구멍들이 180 내지 200㎛의 간격으로 전 영역에 균일하게 형성될 수 있다.
본 발명의 실시예들에 따르면, 기판 표면에 RIE(Reactive Ion Etching)공정을 이용하여 피라미드형 요철 구조를 형성하고, 클러스터 소스 스퍼터(Cluster source sputter) 시스템을 사용하여 나노 금속박막을 증착함으로써, 초소수성 표면을 갖는 기판을 제작하고, SERS(Surface-enhanced Raman spectroscopy) 응답특성을 개선할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 초소수성 표면을 갖는 기판 제작 방법을 설명하기 위한 흐름도
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 RIE(Reactive Ion Etching)공정을 설명하기 위한 도면
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 금속 메쉬의 구조를 설명하기 위한 도면
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 RIE(Reactive Ion Etching) 공정의 공정조건에 따른 요철구조 형성을 나타낸 도면
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 클러스터 소스 스퍼터링(Cluster source sputtering)에 제조된 은 금속박막을 비교하기 위한 도면
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 RIE(Reactive Ion Etching) 공정의 공정 조건에 따라 은 나노 금속박막을 증착한 기판의 표면을 나타낸 도면
도 7 및 도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 초소수성 표면을 갖는 기판 제작 방법에 의하여 제작된 기판의 라만 응답(Raman response) 특성을 측정한 도면
이하, 도면을 참조하여 본 발명의 구체적인 실시형태를 설명하기로 한다. 이하의 상세한 설명은 본 명세서에서 기술된 방법, 장치 및/또는 시스템에 대한 포괄적인 이해를 돕기 위해 제공된다. 그러나 이는 예시에 불과하며 본 발명은 이에 제한되지 않는다.
본 발명의 실시예들을 설명함에 있어서, 본 발명과 관련된 공지기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명을 생략하기로 한다. 그리고, 후술되는 용어들은 본 발명에서의 기능을 고려하여 정의된 용어들로서 이는 사용자, 운용자의 의도 또는 관례 등에 따라 달라질 수 있다. 그러므로 그 정의는 본 명세서 전반에 걸친 내용을 토대로 내려져야 할 것이다. 상세한 설명에서 사용되는 용어는 단지 본 발명의 실시예들을 기술하기 위한 것이며, 결코 제한적이어서는 안 된다. 명확하게 달리 사용되지 않는 한, 단수 형태의 표현은 복수 형태의 의미를 포함한다. 본 설명에서, "포함" 또는 "구비"와 같은 표현은 어떤 특성들, 숫자들, 단계들, 동작들, 요소들, 이들의 일부 또는 조합을 가리키기 위한 것이며, 기술된 것 이외에 하나 또는 그 이상의 다른 특성, 숫자, 단계, 동작, 요소, 이들의 일부 또는 조합의 존재 또는 가능성을 배제하도록 해석되어서는 안 된다.
또한, 제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성 요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성 요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성 요소를 다른 구성 요소로부터 구별하는 목적으로 사용될 수 있다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성 요소는 제2 구성 요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성 요소도 제1 구성 요소로 명명될 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 초소수성 표면을 갖는 기판 제작 방법을 설명하기 위한 흐름도이다.
도 1을 참조하면, 기판(110)의 표면에 RIE(Reactive Ion Etching)공정을 이용하여 피라미드형 요철 구조를 형성한다(S102).
본 발명에서 기판(110)은 10Х10mm2의 면적과 500±50㎛의 두께를 가지며, 1 내지 20Ω·cm의 비저항(resistivity)을 가지는 P-형의 4인치 단결정(single-crystalline) 실리콘(Si) 웨이퍼를 사용할 수 있다(본 발명에서는 웨이퍼를 "기판(110)"이라 한다).
이 때, 기판(110)은 아세톤과 메탄올에 각각 10분간 세척한 후 5wt% HF(불화수소) 용액에 5분간 식각하여 자연 산화막을 제거할 수 있다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 RIE(Reactive Ion Etching)공정을 설명하기 위한 도면이다.
도 2를 참조하면, 본 발명의 RIE 공정은 금속 메쉬(metal mesh)(120)를 통하여 기판(110)의 표면에 플라즈마를 인가할 수 있다. 즉, 금속 메쉬(120)가 장착된 RIE 장치(10)를 이용하여 기판(110)의 표면을 처리할 수 있다. 금속 메쉬(120)는 RIE 챔버 내부에 장착될 수 있다. 도 3과 같이, 금속 메쉬(120)는 플라즈마의 반응이온들의 산란 효과를 추가로 가지도록 균일한 구멍(hole)들이 기 설정된 간격으로 전 영역에 걸쳐 균일하게 형성되어 있는 구조로 형성될 수 있다. 금속 메쉬(120)는 140 내지 160 ㎛의 직경의 구멍들이 180 내지 200㎛의 간격으로 형성될 수 있다. 예를 들어, 구멍은 150㎛의 직경으로 형성되고, 기 설정된 간격은 190㎛일 수 있다. 이에, 기판(110)과 플라즈마 사이에 장착된 메쉬의 구멍 부분으로 플라즈마 내 이온들이 가속되어 기판(110)에 충돌되고 산란되면서 표면이 불균일 식각되어 피라미드형 요철구조가 형성될 수 있다. 이 때, 금속 메쉬(120)는 기판(110)과 플라즈마 사이에 장착되고, 금속 메쉬(120)와 기판(110) 사이의 거리는 6 내지 8 mm 일 수 있다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 RIE 공정의 공정조건에 따른 요철구조 형성을 나타낸 도면이다.
도 4를 참조하면, RIE 공정에서 하기 사항은 고정하고, RIE 공정의 공정시간 또는 전력을 변화하면서 공정을 진행한 경우, 공정시간 또는 전력이 증가함에 따라 표면에 형성된 요철구조의 크기가 증가하였다.
에칭 가스 : SF6/O2 = 20/24sccm
공정 압력 : 200mTorr
공정 온도 : 10℃
(a) 및 (b)와 같이, RIE 공정에서 RF 전력만 변화한 경우(200 W 에서 250 W로 증가) 피라미드형 요철구조의 크기는 0.45 μm에서 0.8 μm로 증가하였다. 또한, (b) 및 (c)와 같이, RIE 공정에서 공정 시간만 변화한 경우(40분에서 80분으로 증가) 피라미드형 요철구조의 크기는 0.8 μm에서 1.3 μm로 증가하였다.
즉, RIE 공정의 시간이 증가함에 따라 또는 RF 전력이 증가함에 따라 피라미드형 요철구조의 크기가 증가하였다. 이 때, 피라미드형 요철구조는 공정조건의 변화에 상관없이 기판(110) 전체에 걸쳐 균일하게 형성되는 것을 확인할 수 있다.
다시 도 1을 참조하면, 요철 구조가 형성된 기판(110)의 표면에 클러스터 소스 스퍼터(Cluster source sputter) 시스템을 사용하여 나노 금속박막을 증착한다(S104).
본 발명에서 클러스터 소스 스퍼터(Cluster source sputter) 시스템은 나노 클러스터가 생성되고 기판(110)상에 증착하기 위해 메인 챔버(main chamber)로 이송되는 클러스터 소스 부분과 나노 클러스터가 기판(110)에 증착되는 메인 챔버 부분으로 구성될 수 있다. 나노 금속박막의 증착률과 특성은 응결부 길이, 응결부 압력, gas 유량(flow rate), 메인 챔버 압력 등에 의존하게 된다. 여기서, 나노 금속박막은 금, 은, 백금 등의 금속을 이용할 수 있다. 또한, 나노 금속박막은 두께에 의한 라만 응답특성의 차이를 최소화하기 위하여 1.4 내지 1.6 μm로 증착할 수 있다. 예를 들어, 은 나노 금속박막을 1.5 μm로 증착할 수 있다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 클러스터 소스 스퍼터링에 제조된 나노 금속박막을 비교하기 위한 도면이다. 여기서는, 은을 이용하여 나노 금속박막을 증착하였다.
(a)일반 스퍼터링 공정조건은 DC 전력: 250 W, 챔버 압력: 30 mTorr, Ar 유량: 84 sccm, He 유량: 14 sccm 이며, (b)클러스터 소스 스퍼터링 공정조건은 DC 전력: 250 W, 클러스터 소스부 압력: 350 mTorr, 메인 챔버 압력: 30 mTorr, Ar 유량: 84 sccm, He 유량: 14 sccm일 수 있다. (a)에서 입자 크기가 100~200 nm 인 Ag 금속 막을 생성하는 반면, (b)에서는 보다 다공성인 금속 나노구조를 생성하는 것을 볼 수 있다. 증착된 은나노 금속박막은 약 80 %의 다공성을 가졌다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 RIE 공정의 공정 조건에 따라 은 나노 금속박막을 증착한 기판의 표면을 나타낸 도면이다.
도 6과 같이, Si 표면에 형성된 균일한 피라미드 형상의 요철구조를 따라 균일하게 증착되어, 금속박막 요철구조가 표면에 형성되었다. 표면 요철구조는 (b)80분 RIE 공정한 기판보다 (a)40분 RIE 공정한 시편의 요철구조가 더욱 조밀하게 형성되었다.
따라서, 본 발명의 일 실시예에 따른 초소수성 표면을 갖는 기판 제작 방법은 기판 표면에 RIE(Reactive Ion Etching)공정을 이용하여 피라미드형 요철 구조를 형성하고, 클러스터 소스 스퍼터(Cluster source sputter) 시스템을 사용하여 은나노를 증착함으로써, 초소수성 표면을 갖는 기판을 제작할 수 있다.
도 7 및 도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 초소수성 표면을 갖는 기판 제작 방법에 의하여 제작된 기판의 라만 응답(Raman response) 특성을 측정한 도면이다.
본 발명의 일 실시예에 따른 초소수성 표면을 갖는 기판 제작 방법에 의하여 제작된 기판의 SERS 기판으로 사용가능성을 확인하기 위해 바이오센서의 라만 응답특성 측정에 사용되는 Rhodamine 6G(R6G)에 대한 라만 응답특성을 측정하였다. 라만 응답 특성을 측정하기 위하여 마이크로 피펫으로 중앙 및 모서리 4곳, 총 5곳에 R6G 1 mM수용액 1 ul(1 Х 10-9 mol)를 떨어뜨린 후 20분간 상온 건조하였다. 사용된 R6G는 Sigma Aldrich사의 제품으로 탈이온수(deionized water)로 희석하여 1 mM 용액으로 제조하였다. 라만 측정은 각 지점에서 3번씩 측정하였으며, 한 시편당 총 15회 측정 후 평균값을 구하였다. 측정에 사용된 라만 측정기는 Ocean Optics QEPRO 이며, 레이져 파장과 출력전력은 785 nm 와 15 mW 이다.
도 7.(a)는 1 mM R6G 용액, 일반 기판 및 본 발명에 따라 제작된 기판의 400~2,000cm-1 에서의 라만 응답특성이다. 여기서, Si는 일반 기판 위에 은(Ag) 금속박막을 증착한 경우이고, R6G solution 은 1mM R6G자체의 라만 응답 특성이다. 1 mM R6G 자체에 대한 라만 응답 특성은 특성피크가 형성되지 않았으나, Si 및 제작된 기판에 대한 라만 응답특성은 1513/cm, 1364/cm, 1314/cm/ 1653/cm 및 612/cm 의 특성피크가 형성되었음을 확인할 수 있다.
도 7.(b)는 주 특성피크인 1513/cm 에서의 라만 응답 크기를 나타낸 것이다. 피라미드형 요철구조가 형성된 기판에 은나노 금속박막의 라만 강도는 일반 기판 표면에 형성된 은나노 금속박막보다 최대 19% 높은 라만 신호강도를 나타내었다. RIE 공정의 공정시간에 따른 라만 응답 특성은 1513/cm 에서 40분 공정시 52,743으로 Si 기판의 44,413, 라만 강도에 비해 가장 높은 라만 신호강도를 가졌으며, 공정시간 증가에 따라 단위 면적당 피라미드의 수가 감소됨에 따라 라만 검지 특성은 감소하였다.
도 8.(a)는 본 발명의 일 실시예에서 RIE 공정의 RF전력을 변화시켜 제작된 기판의 라만 응답 특성이다. 제작된 기판은 Si 기판보다 더 높은 라만 응답 특성을 보였으며, 주 특성피크 1513/cm 에서 라만 응답강도는 200W 공정 시 53,256으로, 250W의 52,743 경우보다 높은 라만 응답강도를 가졌다. RF 전력이 200W에서 250W 로 증가하면 파라미드형 요철구조의 크기는 0.45 μm에서 0.8 μm로 증가하였다.
즉, 라만 검지 특성은 피라미드형 요철구조의 크기와 단위면적당 피라미드형 요철 구조의 수에 영향을 받지만, 단위면적당 피라미드형 요철 구조의 수에 더 큰 영향을 받는 것을 확인할 수 있다.
이와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 초소수성 표면을 갖는 기판 제작 방법에 따라 제조된 기판은 초소수성 구조를 형성함으로써, 자동차의 윈도우, 차량의 표면, 디스플레이 패널, 터치 패널, 센서의 경면 및 솔라셀 표면과 같은 다양한 디바이스의 표면 구조에 먼지 방지, 지문 방지, 오염방지를 위하여 적용될 수 있다.
따라서, 본 발명의 일 실시예에 따른 초소수성 표면을 갖는 기판 제작 방법은 기판 표면에 RIE(Reactive Ion Etching)공정을 이용하여 피라미드형 요철 구조를 형성하고, 클러스터 소스 스퍼터(Cluster source sputter) 시스템을 사용하여 은나노를 증착함으로써, 초소수성 표면을 갖는 기판을 제작할 수 있으며, SERS(Surface-enhanced Raman spectroscopy) 응답특성을 개선할 수 있다.
이상에서 본 발명의 대표적인 실시예들을 상세하게 설명하였으나, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 상술한 실시예에 대하여 본 발명의 범주에서 벗어나지 않는 한도 내에서 다양한 변형이 가능함을 이해할 것이다. 그러므로 본 발명의 권리범위는 설명된 실시예에 국한되어 정해져서는 안 되며, 후술하는 특허청구범위뿐만 아니라 이 특허청구범위와 균등한 것들에 의해 정해져야 한다.
10 : RIE(Reactive Ion Etching)
110 : 기판
120 : 금속 메쉬

Claims (15)

  1. 기판의 표면을 RIE(Reactive Ion Etching) 공정을 이용하여 피라미드형 요철 구조를 형성하는 단계; 및
    상기 요철 구조가 형성된 기판의 표면에 클러스터 소스 스퍼터(Cluster source sputter) 시스템을 사용하여 나노 금속박막을 증착하는 단계를 포함하는, 초소수성 표면을 갖는 기판 제작 방법.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 피라미드형 요철 구조를 형성하는 단계는, 상기 기판을 아세톤 및 메탄올에 각각 10분간 세척하고, 5wt% HF(불화수소) 용액에 5분간 식각하여 상기 기판의 자연 산화막을 제거하는 단계를 포함하는, 초소수성 표면을 갖는 기판 제작 방법.
  3. 청구항 1에 있어서,
    상기 요철 구조를 형성하는 단계는,
    금속 메쉬(metal mesh)를 통하여 상기 기판의 표면에 플라즈마를 인가하는 단계를 포함하는, 초소수성 표면을 갖는 기판 제작 방법.
  4. 청구항 3에 있어서,
    상기 금속 메쉬는,
    상기 인가되는 플라즈마와 상기 기판 사이에 장착되고, 상기 기판과 6 내지 8 mm 사이의 거리를 형성하는, 초소수성 표면을 갖는 기판 제작 방법.
  5. 청구항 3에 있어서,
    상기 금속 메쉬는,
    복수의 구멍들이 기 설정된 간격으로 전 영역에 균일하게 형성되는, 초소수성 표면을 갖는 기판 제작 방법.
  6. 청구항 5에 있어서,
    상기 금속 메쉬는,
    140 내지 160 ㎛의 직경의 구멍들이 180 내지 200㎛의 간격으로 전 영역에 균일하게 형성되는, 초소수성 표면을 갖는 기판 제작 방법.
  7. 청구항 1에 있어서,
    상기 RIE 공정의 공정 시간은 40분 내지 60분인, 초소수성 표면을 갖는 기판 제작 방법.
  8. 청구항 1에 있어서,
    상기 나노 금속박막은,
    상기 기판의 표면에 1.4 내지 1.6 ㎛로 증착되는, 초소수성 표면을 갖는 기판 제작 방법.
  9. 기판으로서,
    상기 기판의 표면에 RIE(Reactive Ion Etching) 공정을 이용하여 형성되는 피라미드형 요철 구조; 및
    상기 피라미드형 요철 구조의 표면에 클러스터 소스 스퍼터(Cluster source sputter) 시스템을 사용하여 증착되는 나노 금속박막을 포함하는, 초소수성 표면을 갖는 기판.
  10. 청구항 9에 있어서,
    상기 기판은,
    아세톤 및 메탄올에 각각 10분간 세척하고, 5wt% HF(불화수소) 용액에 5분간 식각하여 상기 기판의 자연 산화막이 제거된, 초소수성 표면을 갖는 기판.
  11. 청구항 9에 있어서,
    상기 피라미드형 요철 구조는,
    상기 RIE 공정에서 금속 메쉬(metal mesh)를 통하여 상기 기판의 표면에 플라즈마가 인가되어 형성되는, 초소수성 표면을 갖는 기판.
  12. 청구항 11에 있어서,
    상기 금속 메쉬는,
    상기 인가되는 플라즈마와 상기 기판 사이에 장착되고, 상기 기판과 6 내지 8 mm 사이의 거리를 형성하는, 초소수성 표면을 갖는 기판.
  13. 청구항 11에 있어서,
    상기 금속 메쉬는,
    복수의 구멍들이 기 설정된 간격으로 전 영역에 균일하게 형성되는, 초소수성 표면을 갖는 기판.
  14. 청구항 13에 있어서,
    상기 금속 메쉬는,
    140 내지 160 ㎛의 직경의 구멍들이 180 내지 200㎛의 간격으로 전 영역에 균일하게 형성되는, 초소수성 표면을 갖는 기판.
  15. 청구항 1 내지 8 중 어느 한 항의 방법에 따라 형성된 초소수성 표면을 갖는 기판을 갖춘 표면 구조물.
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