KR20220050297A - Quantum dot, preparing method thereof, and qd-led comprising the same - Google Patents
Quantum dot, preparing method thereof, and qd-led comprising the same Download PDFInfo
- Publication number
- KR20220050297A KR20220050297A KR1020200133701A KR20200133701A KR20220050297A KR 20220050297 A KR20220050297 A KR 20220050297A KR 1020200133701 A KR1020200133701 A KR 1020200133701A KR 20200133701 A KR20200133701 A KR 20200133701A KR 20220050297 A KR20220050297 A KR 20220050297A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- independently
- quantum dot
- group
- carbon atoms
- ligand
- Prior art date
Links
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 title claims abstract description 97
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 29
- 239000003446 ligand Substances 0.000 claims abstract description 50
- AKZWRTCWNXHHFR-PDIZUQLASA-N [(3S)-oxolan-3-yl] N-[(2S,3S)-4-[(5S)-5-benzyl-3-[(2R)-2-carbamoyloxy-2,3-dihydro-1H-inden-1-yl]-4-oxo-3H-pyrrol-5-yl]-3-hydroxy-1-phenylbutan-2-yl]carbamate Chemical compound NC(=O)O[C@@H]1Cc2ccccc2C1C1C=N[C@](C[C@H](O)[C@H](Cc2ccccc2)NC(=O)O[C@H]2CCOC2)(Cc2ccccc2)C1=O AKZWRTCWNXHHFR-PDIZUQLASA-N 0.000 claims abstract description 12
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 12
- -1 amine compound Chemical class 0.000 claims description 21
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims description 21
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims description 16
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 claims description 16
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 claims description 8
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 6
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 5
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 claims description 5
- YBNMDCCMCLUHBL-UHFFFAOYSA-N (2,5-dioxopyrrolidin-1-yl) 4-pyren-1-ylbutanoate Chemical compound C=1C=C(C2=C34)C=CC3=CC=CC4=CC=C2C=1CCCC(=O)ON1C(=O)CCC1=O YBNMDCCMCLUHBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910017115 AlSb Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910004613 CdTe Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910005540 GaP Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910005542 GaSb Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910000673 Indium arsenide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910002665 PbTe Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910007709 ZnTe Inorganic materials 0.000 claims description 3
- UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N cadmium(2+);selenium(2-) Chemical compound [Se-2].[Cd+2] UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N indium arsenide Chemical compound [In]#[As] RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N selenium;zinc Chemical compound [Se]=[Zn] SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- OCGWQDWYSQAFTO-UHFFFAOYSA-N tellanylidenelead Chemical compound [Pb]=[Te] OCGWQDWYSQAFTO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 37
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 15
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 15
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 15
- 238000005424 photoluminescence Methods 0.000 description 11
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 8
- HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N Chloroform Chemical compound ClC(Cl)Cl HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 7
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 6
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 6
- QGLWBTPVKHMVHM-KTKRTIGZSA-N (z)-octadec-9-en-1-amine Chemical compound CCCCCCCC\C=C/CCCCCCCCN QGLWBTPVKHMVHM-KTKRTIGZSA-N 0.000 description 5
- VZSRBBMJRBPUNF-UHFFFAOYSA-N 2-(2,3-dihydro-1H-inden-2-ylamino)-N-[3-oxo-3-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)propyl]pyrimidine-5-carboxamide Chemical compound C1C(CC2=CC=CC=C12)NC1=NC=C(C=N1)C(=O)NCCC(N1CC2=C(CC1)NN=N2)=O VZSRBBMJRBPUNF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000002835 absorbance Methods 0.000 description 5
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 5
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 5
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 5
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 5
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000001194 electroluminescence spectrum Methods 0.000 description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 description 3
- 238000002189 fluorescence spectrum Methods 0.000 description 3
- 238000004770 highest occupied molecular orbital Methods 0.000 description 3
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical compound CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 3
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 3
- 238000000425 proton nuclear magnetic resonance spectrum Methods 0.000 description 3
- JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N pyridine Substances C1=CC=NC=C1 JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- ZMBHCYHQLYEYDV-UHFFFAOYSA-N trioctylphosphine oxide Chemical compound CCCCCCCCP(=O)(CCCCCCCC)CCCCCCCC ZMBHCYHQLYEYDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- WRIDQFICGBMAFQ-UHFFFAOYSA-N (E)-8-Octadecenoic acid Natural products CCCCCCCCCC=CCCCCCCC(O)=O WRIDQFICGBMAFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XNCMQRWVMWLODV-UHFFFAOYSA-N 1-phenylbenzimidazole Chemical compound C1=NC2=CC=CC=C2N1C1=CC=CC=C1 XNCMQRWVMWLODV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LQJBNNIYVWPHFW-UHFFFAOYSA-N 20:1omega9c fatty acid Natural products CCCCCCCCCCC=CCCCCCCCC(O)=O LQJBNNIYVWPHFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YLZOPXRUQYQQID-UHFFFAOYSA-N 3-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)-1-[4-[2-[[3-(trifluoromethoxy)phenyl]methylamino]pyrimidin-5-yl]piperazin-1-yl]propan-1-one Chemical compound N1N=NC=2CN(CCC=21)CCC(=O)N1CCN(CC1)C=1C=NC(=NC=1)NCC1=CC(=CC=C1)OC(F)(F)F YLZOPXRUQYQQID-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QSBYPNXLFMSGKH-UHFFFAOYSA-N 9-Heptadecensaeure Natural products CCCCCCCC=CCCCCCCCC(O)=O QSBYPNXLFMSGKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KXDHJXZQYSOELW-UHFFFAOYSA-M Carbamate Chemical compound NC([O-])=O KXDHJXZQYSOELW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- AFCARXCZXQIEQB-UHFFFAOYSA-N N-[3-oxo-3-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)propyl]-2-[[3-(trifluoromethoxy)phenyl]methylamino]pyrimidine-5-carboxamide Chemical compound O=C(CCNC(=O)C=1C=NC(=NC=1)NCC1=CC(=CC=C1)OC(F)(F)F)N1CC2=C(CC1)NN=N2 AFCARXCZXQIEQB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZQPPMHVWECSIRJ-UHFFFAOYSA-N Oleic acid Natural products CCCCCCCCC=CCCCCCCCC(O)=O ZQPPMHVWECSIRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000005642 Oleic acid Substances 0.000 description 2
- 229920000144 PEDOT:PSS Polymers 0.000 description 2
- 229920002873 Polyethylenimine Polymers 0.000 description 2
- 239000007983 Tris buffer Substances 0.000 description 2
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 2
- QXJSBBXBKPUZAA-UHFFFAOYSA-N isooleic acid Natural products CCCCCCCC=CCCCCCCCCC(O)=O QXJSBBXBKPUZAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZQPPMHVWECSIRJ-KTKRTIGZSA-N oleic acid Chemical compound CCCCCCCC\C=C/CCCCCCCC(O)=O ZQPPMHVWECSIRJ-KTKRTIGZSA-N 0.000 description 2
- SYMBXRCEZJREBU-UHFFFAOYSA-N phenyl carbamodithioate Chemical compound NC(=S)SC1=CC=CC=C1 SYMBXRCEZJREBU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920003227 poly(N-vinyl carbazole) Polymers 0.000 description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 2
- UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N pyridine Natural products COC1=CC=CN=C1 UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000002207 thermal evaporation Methods 0.000 description 2
- 238000002411 thermogravimetry Methods 0.000 description 2
- KJDAVSJXEYEFCD-UHFFFAOYSA-N (4-methylphenyl)carbamodithioic acid Chemical compound CC1=CC=C(NC(S)=S)C=C1 KJDAVSJXEYEFCD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KWKAKUADMBZCLK-UHFFFAOYSA-N 1-octene Chemical compound CCCCCCC=C KWKAKUADMBZCLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LGDCSNDMFFFSHY-UHFFFAOYSA-N 4-butyl-n,n-diphenylaniline Chemical compound C1=CC(CCCC)=CC=C1N(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 LGDCSNDMFFFSHY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KFDVPJUYSDEJTH-UHFFFAOYSA-N 4-ethenylpyridine Chemical compound C=CC1=CC=NC=C1 KFDVPJUYSDEJTH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WWZKQHOCKIZLMA-UHFFFAOYSA-N Caprylic acid Natural products CCCCCCCC(O)=O WWZKQHOCKIZLMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIPNSKYNPDTRPC-UHFFFAOYSA-N N-[2-oxo-2-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)ethyl]-2-[[3-(trifluoromethoxy)phenyl]methylamino]pyrimidine-5-carboxamide Chemical compound O=C(CNC(=O)C=1C=NC(=NC=1)NCC1=CC(=CC=C1)OC(F)(F)F)N1CC2=C(CC1)NN=N2 NIPNSKYNPDTRPC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005481 NMR spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 238000000862 absorption spectrum Methods 0.000 description 1
- 238000004220 aggregation Methods 0.000 description 1
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- HFACYLZERDEVSX-UHFFFAOYSA-N benzidine Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1C1=CC=C(N)C=C1 HFACYLZERDEVSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GONOPSZTUGRENK-UHFFFAOYSA-N benzyl(trichloro)silane Chemical compound Cl[Si](Cl)(Cl)CC1=CC=CC=C1 GONOPSZTUGRENK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 150000004657 carbamic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 150000001735 carboxylic acids Chemical class 0.000 description 1
- 239000011258 core-shell material Substances 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 125000006575 electron-withdrawing group Chemical group 0.000 description 1
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 1
- 230000002401 inhibitory effect Effects 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N n-hexanoic acid Natural products CCCCCC(O)=O FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004433 nitrogen atom Chemical group N* 0.000 description 1
- KZCOBXFFBQJQHH-UHFFFAOYSA-N octane-1-thiol Chemical compound CCCCCCCCS KZCOBXFFBQJQHH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 229920000075 poly(4-vinylpyridine) Polymers 0.000 description 1
- 238000006862 quantum yield reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/02—Use of particular materials as binders, particle coatings or suspension media therefor
- C09K11/025—Use of particular materials as binders, particle coatings or suspension media therefor non-luminescent particle coatings or suspension media
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
- C08K5/00—Use of organic ingredients
- C08K5/16—Nitrogen-containing compounds
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Medicinal Chemistry (AREA)
- Polymers & Plastics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
Description
본 발명은 양자점, 이의 제조방법 및 이를 포함하는 QD-LED 소자 에 관한 것이다.The present invention relates to a quantum dot, a method for manufacturing the same, and a QD-LED device including the same.
양자점은 수 나노미터 크기의 입자로서, 양자효과로 인하여 스스로 빛을 내는 반도체 결정체를 의미한다. 양자점을 이용하여 고성능 디스플레이 소자를 제조하기 위해서는 높은 색순도 및 양자 효율을 갖는 양자점을 합성하는 것이 매우 중요하다.Quantum dots are particles of several nanometers in size and refer to semiconductor crystals that emit light by themselves due to quantum effects. In order to manufacture a high-performance display device using quantum dots, it is very important to synthesize quantum dots having high color purity and quantum efficiency.
도 1은 양자점의 구조와 에너지 준위를 나타낸 것이다. 양자점은 코어(core), 쉘(shell) 및 리간드(ligand)로 이루어져 있다. 양자점 코어의 크기에 따라 발광 파장이 결정되며, 효과적인 양자 구속 효과를 받기 위해서는 양자점 코어가 엑시톤 보어 반경(exciton Bohr radius)보다 작아야 한다. 쉘은 코어의 양자 구속 효과를 촉진하고 산화 반응과 코어 양자점 표면의 트랩을 제어하여 양자점의 안정성 및 양자 효율을 향상시키는 역할을 한다. 리간드는 양자점의 분산성을 높여주며 양자점의 응집을 막아주는 역할을 한다. 최근 특정 기능을 갖는 리간드를 이용하여 양자점의 전기적, 광학적 성질을 변화시켜주는 연구가 활발히 진행되고 있다. 1 shows the structure and energy level of a quantum dot. Quantum dots consist of a core, a shell, and a ligand. The emission wavelength is determined according to the size of the quantum dot core, and in order to receive an effective quantum confinement effect, the quantum dot core must be smaller than the exciton Bohr radius. The shell promotes the quantum confinement effect of the core and controls the oxidation reaction and trapping of the surface of the core quantum dot, thereby improving the stability and quantum efficiency of the quantum dot. The ligand increases the dispersibility of the quantum dots and serves to prevent aggregation of the quantum dots. Recently, research on changing the electrical and optical properties of quantum dots by using a ligand having a specific function is being actively conducted.
코어와 쉘로 합성한 양자점은 열적 안정성이 높고 색순도가 높으며 넓은 가시광 영역의 빛을 발광한다. 이러한 특성을 갖는 양자점은 디스플레이 영역에서 차세대 재료로 주목 받고 있으며 이미 놀라운 성과들이 보고되고 있다. 양자점을 디스플레이에 적용하기 위한 연구는 양자점을 LED로 여기시켜 빛을 내는 광발광(photoluminescence, PL) 방식과 전기적으로 여기시켜 빛을 내게 하는 전계발광(electroluminescence, EL) 방식의 두 가지 방향으로 진행되고 있다. 양자점 광발광을 이용한 대표적인 디스플레이 부품은 2013년 Nanosys사와 3M사에 의해 개발된 QDEF(quantum dot enhanced film)가 있다. QDEF를 LCD의 백라이트 유닛(back light unit, BLU)에 적용하면 색변환을 통하여 높은 색순도를 갖는 LCD를 구현할 수 있다. 한편, 양자점의 전계발광 특성을 이용한 디스플레이 소자로는 QD-LED(quantum dot light emitting device) 디스플레이가 개발되고 있다. 최근 유기발광다이오드(organic light emitting diode, OLED)에 버금가는 성능의 연구 결과들이 발표되고 있지만, QD-LED는 기존의 OLED에 비해 소자 안정성, 청색 구현의 어려움, 발광 효율, 정공과 전자의 주입 불균형 등 부족한 부분이 있어 성능을 향상 위해서는 해결되어야 하는 문제점이 있다. Quantum dots synthesized with a core and a shell have high thermal stability, high color purity, and emit light in a wide range of visible light. Quantum dots with these characteristics are attracting attention as a next-generation material in the display area, and surprising results have already been reported. Research to apply quantum dots to displays is carried out in two directions: the photoluminescence (PL) method, which emits light by exciting the quantum dots with an LED, and the electroluminescence (EL) method, which emits light by electrically exciting them. there is. A typical display component using quantum dot photoluminescence is a quantum dot enhanced film (QDEF) developed by Nanosys and 3M in 2013. When QDEF is applied to a backlight unit (BLU) of an LCD, an LCD having high color purity can be realized through color conversion. Meanwhile, a quantum dot light emitting device (QD-LED) display is being developed as a display device using the electroluminescence characteristics of quantum dots. Although research results with performance comparable to that of organic light emitting diode (OLED) have recently been published, QD-LED has compared device stability, difficulty in realizing blue color, luminous efficiency, and hole and electron injection imbalance compared to conventional OLEDs. There is a problem that needs to be solved in order to improve performance.
도 2는 전계 발광 방식의 conventional 구조의 QD-LED를 도시한 것이다. 전계 발광 방식의 QD-LED는 효율을 향상시키기 위해 최적화된 소자 구조에 대한 연구가 필수적이다. 도 2를 참조하면, 일반적으로 conventional 구조의 QD-LED는 양극과 음극의 두 전극 사이에 정공과 전자가 주입되어 이동할 수 있는 정공 주입층(hole injection layer, HIL)과 정공 수송층(hole transport layer, HTL), 주입된 정공과 전자가 만나서 빛을 발광하는 발광층(emission layer, EML), 그리고 전자가 이동할 수 있는 전자 수송층(electron transport layer, ETL)으로 이루어져 있으며, 이는 OLED의 소자 구조와 유사하다. 한편, 양극 위에 ETL을 먼저 형성하고, EML, HTL, HIL 그리고 음극의 순서로 형성된 소자는 inverted QD-LED라 한다. HTL과 ETL를 전하 수송층(charge transport layer, CTL)이라 지칭하며 현재 가장 높은 효율을 보이는 소자 구조에는 유기물 HTL과 무기물 ETL 전하 수송층 조합이 알려져 있다. 2 shows a QD-LED having a conventional structure of an electroluminescence method. In order to improve the efficiency of the electroluminescent QD-LED, research on an optimized device structure is essential. Referring to FIG. 2 , in general, in a conventional QD-LED, a hole injection layer (HIL) and a hole transport layer (HIL) and a hole transport layer to which holes and electrons are injected between two electrodes of an anode and a cathode to move HTL), an emission layer (EML) that emits light when injected holes and electrons meet, and an electron transport layer (ETL) through which electrons can move, which is similar to the device structure of an OLED. On the other hand, ETL is first formed on the anode, and the device formed in the order of EML, HTL, HIL, and then the cathode is called an inverted QD-LED. HTL and ETL are referred to as a charge transport layer (CTL), and a combination of an organic HTL and an inorganic ETL charge transport layer is known as the device structure that currently exhibits the highest efficiency.
일반적으로 p형 반도체 특성을 갖는 유기물 HTL에서 정공 이동도는 n형 반도체 특성을 갖는 무기물 ETL에서의 전자 이동도보다 작아 전하 불균형에 따른 발광 효율 저하의 원인이 된다. 또한 유기물 HTL의 HOMO(highest occupied molecular orbital) 레벨과 양자점 EML의 가전자대 최대값(valence band maximum, VBM) 간의 에너지 차이는 전자가 이동하는 무기물 ETL과 양자점 EML의 전도대 최소값(conduction band minimum, CBM) 간의 에너지 차이보다 크기 때문에, 정공과 전자의 주입에 불균형이 발생하여 소자 효율과 수명을 저하시키는 원인이 된다. 따라서 QD-LED에서 정공 수송층에서 양자점 발광층으로 정공을 용이하게 주입해야 하는 중대한 과제가 있다. In general, hole mobility in organic HTL having p-type semiconductor properties is smaller than electron mobility in inorganic ETL having n-type semiconductor properties, which causes a decrease in luminous efficiency due to charge imbalance. In addition, the energy difference between the highest occupied molecular orbital (HOMO) level of organic HTL and the valence band maximum (VBM) of quantum dot EML is the conduction band minimum (CBM) of inorganic ETL and quantum dot EML through which electrons move. Since it is larger than the difference in energy between the two, an imbalance occurs in the injection of holes and electrons, which reduces device efficiency and lifespan. Therefore, in QD-LED, there is a significant task of easily injecting holes from the hole transport layer to the quantum dot light emitting layer.
유기물 HTL과 무기물 ETL 구조의 QD-LED의 전하 불균형, 특히 낮은 정공 주입 효율을 해결하기 위해 CTL과 관련된 다양한 소재와 방법에 관한 아이디어가 보고되고 있다. 먼저 conventional 구조의 QD-LED의 구조적 문제를 해결하기 위해서 inverted 구조의 QD-LED를 도입하는 방법이 소개되었다. 도 3과 같이, 다양한 CTL 재료를 사용하여 계단 형태의 에너지 준위를 도입한 inverted 구조의 QD-LED를 제조함으로써 QD-LED의 효율과 수명을 늘렸을 뿐만 아니라, 양자점 발광층과 ETL 또는 HTL 사이에 폴리(4-비닐피리딘)(Poly(4-vinylpyridine), PVPy) 또는 에톡실화 폴리에틸렌이민(Polyethylenimine ethoxylated, PEIE) 층(interlayer)을 삽입하여 전자와 정공의 이동도를 조절하고, 최적의 소자 구조를 연구하여 소자의 효율과 수명을 상승시킨 연구 보고가 있다. In order to solve the charge imbalance of QD-LEDs of organic HTL and inorganic ETL structures, especially low hole injection efficiency, ideas about various materials and methods related to CTL have been reported. First, in order to solve the structural problem of QD-LED of conventional structure, a method of introducing QD-LED of inverted structure was introduced. As shown in Fig. 3, the efficiency and lifespan of QD-LEDs were increased by manufacturing QD-LEDs of inverted structure in which step-shaped energy levels were introduced using various CTL materials, as well as poly-columns between the quantum dot light emitting layer and ETL or HTL. (4-vinylpyridine) (Poly(4-vinylpyridine), PVPy) or ethoxylated polyethyleneimine (Polyethylenimine ethoxylated, PEIE) interlayer is inserted to control the mobility of electrons and holes, and to study the optimal device structure There is a study report that increased the efficiency and lifespan of the device by doing so.
또한, 도 4에 도시된 바와 같이, 양자점의 리간드를 직접적으로 치환하는 방법이 소개되었다. 이 방법은 inverted 구조의 QD-LED에서 양자점 발광층을 적층하고 정공 수송층 부분에 피리딘(Pyridine) 화합물을 적층하여 동일 전압에서 정공의 주입을 빠르게 유도함으로써 밝기와 전력효율과 전류효율을 증가시켰다. In addition, as shown in Figure 4, a method of directly substituting ligands of quantum dots was introduced. In this method, a quantum dot light emitting layer is stacked in an inverted QD-LED, and a pyridine compound is stacked on the hole transport layer to rapidly induce hole injection at the same voltage, thereby increasing brightness, power efficiency, and current efficiency.
또한, 도 5에 도시된 바와 같이, conventional 구조의 QD-LED에 있어서, 정공의 효율적인 주입과 전자의 이동도를 낮추기 위하여 다양한 CTL 재료를 소개하였다. HOMO 레벨이 다른 HTL 재료[Poly(N,N'-bis-4-butylphenyl-N,N'-bisphenyl)benzidine (Poly TPD)과 Poly(9-vinylcarbazole) (PVK)]를 적층하여 계단 형태의 에너지 준위를 도입하고, 양자점과 ETL 층 사이에 얇은 고분자 절연층[Poly(methyl methacrylate), PMMA]을 적층하는 방법으로 전자의 이동을 억제함으로써 정공과 전자의 균형 있는 주입을 유도하는 방법이 소개되었다. In addition, as shown in FIG. 5 , in the conventional QD-LED, various CTL materials were introduced in order to efficiently inject holes and lower the mobility of electrons. By stacking HTL materials with different HOMO levels [Poly(N,N'-bis-4-butylphenyl-N,N'-bisphenyl)benzidine (Poly TPD) and Poly(9-vinylcarbazole) (PVK)] A method of inducing balanced injection of holes and electrons by inhibiting electron movement by introducing a level and stacking a thin polymer insulating layer [Poly(methyl methacrylate), PMMA] between the quantum dots and the ETL layer was introduced.
또한, 양자점의 리간드를 치환하여 정공 주입 효율을 높인 conventional 구조의 QD-LED 연구도 보고되었다. 양자점 합성 시 가장 많이 사용되는 리간드로는 올레일아민(oleylamine), 트리옥틸포스핀 옥사이드(trioctylphosphine oxide, TOPO), 올레산과 같은 탄소수 16개 이상의 카르복실산(carboxylic acid) 등이 있다. 연구 보고에서는 이러한 긴 알킬 사슬을 갖는 리간드 보다 짧은 사슬을 갖는 리간드(옥탄티올(octanethiol) 또는 카프로산(hexanoic acid)))를 사용할 경우, 전하의 주입이 더 용이하다고 보고하고 있다. In addition, a conventional QD-LED study in which hole injection efficiency was improved by substituting a ligand for quantum dots was also reported. Ligands most frequently used in quantum dot synthesis include oleylamine, trioctylphosphine oxide (TOPO), and a carboxylic acid having 16 or more carbon atoms, such as oleic acid. In the research report, it is reported that charge injection is easier when a ligand having a short chain (octanethiol or hexanoic acid) is used than a ligand having a long alkyl chain.
고효율의 QD-LED 소자를 구현하기 위해서는 정공 및 전자 주입이 용이한 다층 박막 형태의 구조가 필요하며, 더불어 용액 공정에서 사용되는 용매에 의해 이웃한 공통층(interlayer)들이 손상되지 않는 기술의 개발이 필요하다. 즉, 용액 공정으로 QD-LED 소자를 제작할 경우, 양자점 상하위에 적층되는 성분들은 서로 직교(orthogonal) 용매 시스템으로 막을 형성하여 용매에 의한 막 손상을 방지한다. 따라서 QD-LED 소자용 고효율 신규 공통층 재료를 용액 공정으로 적층하는 방법은 용매의 선택에 제약이 따르고 많은 개발 시간과 노력이 필요하다. 따라서, 이러한 문제를 해결하고 기존 박막 구조를 유지하면서 QD-LED 소자 효율을 효과적으로 높이는 기술 개발이 필요하다. In order to realize a high-efficiency QD-LED device, a structure in the form of a multilayer thin film that facilitates hole and electron injection is required. In addition, the development of a technology in which adjacent interlayers are not damaged by the solvent used in the solution process is difficult. need. That is, when a QD-LED device is manufactured by a solution process, the components stacked on top and bottom of the quantum dots form a film in an orthogonal solvent system to prevent damage to the film by the solvent. Therefore, the method of laminating a high-efficiency novel common layer material for QD-LED device by a solution process is limited in the choice of solvent and requires a lot of development time and effort. Therefore, it is necessary to develop a technology to effectively increase the efficiency of the QD-LED device while solving these problems and maintaining the existing thin film structure.
본 발명은 리간드로서 카바메이트 유도체를 포함하는 양자점 및 이의 제조방법을 제공하기 위한 것이다. The present invention is to provide a quantum dot containing a carbamate derivative as a ligand and a method for preparing the same.
또한, 본 발명은 상기 양자점을 QD-LED 소자에 적용하여, 향상된 효율을 갖는 QD-LED 소자를 제공하기 위한 것이다. In addition, the present invention is to provide a QD-LED device having improved efficiency by applying the quantum dots to the QD-LED device.
본 발명의 일 구현예에 따르면, 코어부, 쉘부 및 상기 쉘부의 표면에 결합된 리간드를 포함하는 양자점으로서, 상기 리간드는 하기 화학식 1로 표시되는 카바메이트 유도체를 적어도 하나 이상 포함하는 것인 양자점이 제공된다:According to one embodiment of the present invention, a quantum dot comprising a core part, a shell part, and a ligand bound to the surface of the shell part, wherein the ligand includes at least one carbamate derivative represented by the following Chemical Formula 1 Provided:
[화학식 1][Formula 1]
(상기 화학식 1에서, (In
X1 및 X2는 각각 독립적으로 O, S, Se 또는 Te이고, X 1 and X 2 are each independently O, S, Se or Te,
M은 H, Li, Na, K, NR4, PR4 또는 SR3이고,M is H, Li, Na, K, NR 4 , PR 4 or SR 3 ,
R1 및 R2는 각각 독립적으로 H, F, Cl, Br, I, 탄소수 1 내지 50인 알킬기 또는 탄소수 6 내지 150인 아릴기이고, 상기 알킬기 또는 아릴기는 각각 독립적으로 -CR3, -NR2, -OR, -CF3, -CCl3, -CN, -NO2, -COR 및 -CONH2로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상의 치환기를 포함하거나 포함하지 않으며, R 1 and R 2 are each independently H, F, Cl, Br, I, an alkyl group having 1 to 50 carbon atoms or an aryl group having 6 to 150 carbon atoms, and the alkyl group or the aryl group is each independently —CR 3 , -NR 2 , -OR, -CF 3 , -CCl 3 , -CN, -NO 2 , -COR and -CONH 2 With or without one or more substituents selected from the group consisting of,
여기서, R은 각각 독립적으로 H, 탄소수 1 내지 50의 알킬기, 또는 탄소수 6 내지 150의 아릴기이고,Here, each R is independently H, an alkyl group having 1 to 50 carbon atoms, or an aryl group having 6 to 150 carbon atoms,
R1 및 R2는 서로 연결되어 고리를 형성할 수 있다.)R 1 and R 2 may be connected to each other to form a ring.)
본 발명의 일 구현예에 따르면, 코어부, 쉘부 및 상기 쉘부의 표면에 결합된 한자리 리간드를 포함하는 양자점을 준비하는 단계, 및 상기 한자리 리간드를 하기 화학식 1로 표시되는 적어도 하나의 카바메이트 유도체로 치환하는 단계를 포함하는 양자점 제조방법이 제공된다:According to an embodiment of the present invention, preparing quantum dots including a core part, a shell part, and a monodentate ligand bound to the surface of the shell part, and using the monodentate ligand as at least one carbamate derivative represented by the following Chemical Formula 1 A method for producing quantum dots comprising the step of substituting is provided:
[화학식 1][Formula 1]
(상기 화학식 1에서, (In
X1 및 X2는 각각 독립적으로 O, S, Se 또는 Te이고, X 1 and X 2 are each independently O, S, Se or Te,
M은 H, Li, Na, K, NR4, PR4 또는 SR3이고,M is H, Li, Na, K, NR 4 , PR 4 or SR 3 ,
R1 및 R2는 각각 독립적으로 H, F, Cl, Br, I, 탄소수 1 내지 50인 알킬기 또는 탄소수 6 내지 150인 아릴기이고, 상기 알킬기 또는 아릴기는 각각 독립적으로 -CR3, -NR2, -OR, -CF3, -CCl3, -CN, -NO2, -COR 및 -CONH2로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상의 치환기를 포함하거나 포함하지 않으며, R 1 and R 2 are each independently H, F, Cl, Br, I, an alkyl group having 1 to 50 carbon atoms or an aryl group having 6 to 150 carbon atoms, and the alkyl group or the aryl group is each independently —CR 3 , -NR 2 , -OR, -CF 3 , -CCl 3 , -CN, -NO 2 , -COR and -CONH 2 With or without one or more substituents selected from the group consisting of,
여기서, R은 각각 독립적으로 H, 탄소수 1 내지 50의 알킬기, 또는 탄소수 6 내지 150의 아릴기이고,Here, each R is independently H, an alkyl group having 1 to 50 carbon atoms, or an aryl group having 6 to 150 carbon atoms,
R1 및 R2는 서로 연결되어 고리를 형성할 수 있다.)R 1 and R 2 may be connected to each other to form a ring.)
본 발명의 일 구현예에 따르면, 상기 양자점을 포함하는 QD-LED 소자가 제공된다.According to one embodiment of the present invention, there is provided a QD-LED device including the quantum dots.
본 발명에 따르면, 리간드로서 카바메이트 유도체를 포함하는 양자점을 QD-LED 소자의 발광층에 사용함으로써, 향상된 휘도, 외부양자효율, 전류밀도를 갖는 QD-LED 소자를 제공할 수 있다.According to the present invention, a QD-LED device having improved luminance, external quantum efficiency, and current density can be provided by using quantum dots including carbamate derivatives as ligands in the emission layer of the QD-LED device.
도 1은 양자점의 구조와 에너지 준위를 나타낸 도면이다.
도 2는 전계 발광 방식의 conventional 구조의 QD-LED를 나타낸 도면이다.
도 3은 다양한 CTL 재료를 사용하여 계단 형태의 에너지 준위를 도입한 inverted 구조의 QD-LED를 나타낸 도면이다.
도 4는 양자점 발광층과 HTL 계면의 리간드를 피리딘으로 치환한 inverted 구조의 QD-LED를 나타낸 도면이다.
도 5는 두 종류의 HTL을 적층하고 양자점 발광층과 ZnO ETL 사이에 고분자 절연층(PMMA)을 삽입한 conventional 구조의 QD-LED를 나타낸 도면이다.
도 6은 대표적인 QD-LED 소자 구조를 나타낸 도면이다.
도 7은 본 발명에 따른 한자리 리간드를 카바메이트 유도체로 치환하는 반응을 나타낸 도면이다.
도 8은 본 발명의 실시예 및 비교예에서 제조된 양자점의 1H-NMR 스펙트럼을 나타낸 도면이다.
도 9는 본 발명의 실시예 및 비교예에서 제조된 양자점의 열중량분석 스펙트럼을 나타낸 도면이다.
도 10은 본 발명의 실시예 및 비교예에서 제조된 양자점의 흡광(absorbance) 및 형광(photoluminescence) 스펙트럼을 나타낸 도면이다.
도 11은 본 발명의 실시예 및 비교예에서 제작된 QD-LED 소자의 전기발광 스펙트럼을 나타낸 도면이다.
도 12는 본 발명의 실시예 및 비교예에서 제작된 QD-LED 소자의 전압 대 전류밀도와 휘도 그래프를 나타낸 도면이다.1 is a diagram showing the structure and energy level of a quantum dot.
2 is a view showing a QD-LED having a conventional structure of an electroluminescence method.
3 is a diagram illustrating an inverted structure QD-LED in which energy levels in a stepped shape are introduced using various CTL materials.
4 is a diagram illustrating an inverted QD-LED in which the ligand at the interface between the quantum dot light emitting layer and the HTL is substituted with pyridine.
5 is a view showing a conventional structure QD-LED in which two types of HTL are stacked and a polymer insulating layer (PMMA) is inserted between a quantum dot light emitting layer and a ZnO ETL.
6 is a diagram showing a typical QD-LED device structure.
7 is a diagram showing a reaction for substituting a carbamate derivative for a monodentate ligand according to the present invention.
8 is a view showing 1 H-NMR spectra of quantum dots prepared in Examples and Comparative Examples of the present invention.
9 is a view showing a thermogravimetric analysis spectrum of quantum dots prepared in Examples and Comparative Examples of the present invention.
10 is a view showing absorbance (absorbance) and fluorescence (photoluminescence) spectra of quantum dots prepared in Examples and Comparative Examples of the present invention.
11 is a view showing electroluminescence spectra of QD-LED devices manufactured in Examples and Comparative Examples of the present invention.
12 is a diagram illustrating voltage versus current density and luminance graphs of QD-LED devices manufactured in Examples and Comparative Examples of the present invention.
이하, 본 발명의 바람직한 실시 형태를 설명한다. 그러나 본 발명의 실시 형태는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 이하 설명하는 실시 형태로 한정되는 것은 아니다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described. However, the embodiment of the present invention may be modified in various other forms, and the scope of the present invention is not limited to the embodiments described below.
본 발명은 양자 효율이 향상된 양자점을 제공하기 위한 것이다. 본 발명에 따른 전계 발광 특성을 이용하는 모든 발광 소자 또는 디스플레이에 적용될 수 있으며, 특히 QD-LED 소자의 발광층에 적용될 수 있다. 도 6은 QD-LED 소자 구조를 나타낸 것이다. QD-LED 소자는 양극, 음극 및 발광층을 포함한다. 상기 발광층은 양자점을 포함하며, 음극과 발광층 사이, 그리고 양극과 발광층 사이에는 정공과 전자를 용이하게 주입하고 수송하기 위한 전자 주입층, 전자 수송층, 정공 수송층, 정공 주입층이 배치될 수 있다. The present invention is to provide a quantum dot with improved quantum efficiency. It can be applied to any light emitting device or display using the electroluminescent property according to the present invention, and in particular can be applied to the light emitting layer of the QD-LED device. 6 shows the structure of a QD-LED device. A QD-LED device includes an anode, a cathode and a light emitting layer. The light emitting layer includes quantum dots, and between the cathode and the light emitting layer and between the anode and the light emitting layer, an electron injection layer, an electron transport layer, a hole transport layer, and a hole injection layer for easily injecting and transporting holes and electrons may be disposed.
본 발명에 따르면 양자점은 코어-쉘 구조를 갖는 것으로, 코어부, 쉘부 및 상기 쉘부에 결합된 리간드를 포함할 수 있다.According to the present invention, the quantum dot has a core-shell structure, and may include a core part, a shell part, and a ligand bound to the shell part.
본 발명에서, 코어부 및 쉘부는 원소 주기율표의 IB족, IIB족, IIIB족, IVB족, VB족 및 VIB족으로 이루어지는 군으로부터 선택된 1종 이상일 수 있으며, 바람직하게는 IVB족, IIB족-VIB족, IVB족-VIB족, IIIB족-VB족 및 IB족-IIIB족-VIB족으로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상의 화합물일 수 있다.In the present invention, the core part and the shell part may be at least one selected from the group consisting of IB, IIB, IIIB, IVB, VB and VIB of the Periodic Table of the Elements, preferably IVB, IIB-VIB It may be at least one compound selected from the group consisting of Group, IVB-VIB, IIIB-VB and IB-IIIB-VIB.
예를 들어, 상기 코어부 및 쉘부는 각각 독립적으로 Si, Ge, SiC, CdS, CdSe, CdTe, ZnS, ZnSe, ZnTe, PbS, PbSe, PbTe, AlP, AlAs, AlSb, InN. InP, InAs, GaN, GaP, GaAs, GaSb, InGaP, AgGaS2, AgGaSe2, AgGaTe2, AgInS2, AgInSe2, AgInTe2, CuInS2, CuInSe2, CuInTe2, CuGaS2, CuGaSe2 및 CuGaTe2를 포함하는 군으로부터 선택된 1종 이상의 반도체 화합물일 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.For example, the core part and the shell part are each independently Si, Ge, SiC, CdS, CdSe, CdTe, ZnS, ZnSe, ZnTe, PbS, PbSe, PbTe, AlP, AlAs, AlSb, InN. InP, InAs, GaN, GaP, GaAs, GaSb, InGaP, AgGaS 2 , AgGaSe 2 , AgGaTe 2 , AgInS 2 , AgInSe 2 , AgInTe 2 , CuInS 2 , CuInSe 2 , CuInTe 2 , CuGaS 2 , CuGaSe 2 and CuGaTe 2 It may be one or more semiconductor compounds selected from the group comprising, but is not limited thereto.
본 발명에서 리간드는 한자리 리간드(monodentate ligand) 및 두자리 리간드(bidentate ligand) 중 하나 이상을 포함할 수 있고, 바람직하게는 한자리 리간드와 두자리 리간드를 모두 포함할 수 있다. In the present invention, the ligand may include at least one of a monodentate ligand and a bidentate ligand, and preferably include both a monodentate ligand and a bidentate ligand.
한자리 리간드는 전자쌍 공여체 원자가 1개인 리간드로서, 배위 능력(즉, 쉘부와의 결합력)이 상대적으로 약하기 때문에 다른 리간드로 쉽게 치환될 수 있다. 본 발명에서 한자리 리간드로는 아민 화합물, 카르복실산 화합물, 포스핀 옥사이드 화합물을 들 수 있으며, 예를 들어 올레일아민, 트리옥틸포스핀 옥사이드, 올레산 등이 있으나 이에 한정되지 않는다.A monodentate ligand is a ligand having one electron pair donor atom and can be easily substituted with another ligand because its coordination ability (ie, binding force with the shell moiety) is relatively weak. In the present invention, the monodentate ligand includes an amine compound, a carboxylic acid compound, and a phosphine oxide compound, for example, oleylamine, trioctylphosphine oxide, oleic acid, and the like, but is not limited thereto.
도 7을 참조하면, 양자점의 쉘부에 결합된 한자리 리간드는 전하의 주입 특성이 뛰어난 두자리 리간드로 치환될 수 있다. 두자리 리간드는 전자쌍 공여체 원자가 2개인 리간드를 의미한다.Referring to FIG. 7 , the monodentate ligand bound to the shell portion of the quantum dot may be substituted with a bidentate ligand having excellent charge injection properties. By bidentate ligand is meant a ligand having two electron pair donor atoms.
본 발명에 따르면, 두자리 리간드는 하기 화학식 1로 표시되는 카바메이트 유도체일 수 있다. According to the present invention, the bidentate ligand may be a carbamate derivative represented by the following formula (1).
[화학식 1][Formula 1]
상기 화학식 1에서, X1 및 X2는 각각 독립적으로 O, S, Se 또는 Te일 수 있다. In
또한, M은 H, Li, Na, K, NR4, PR4 또는 SR3일 수 있다. Also, M may be H, Li, Na, K, NR 4 , PR 4 or SR 3 .
또한, R1 및 R2는 각각 독립적으로 H, F, Cl, Br, I, 탄소수 1 내지 50인 알킬기 또는 탄소수 6 내지 150인 아릴기일 수 있다. 상기 알킬기 및 아릴기는 다양한 전기적 특성 및 입체적 특성을 갖는 치환기를 포함할 수 있고, 치환기의 종류에 따라 양자점 표면으로 주입되는 정공 및 전자를 정밀하게 제어할 수 있다. 이러한 치환기는 예를 들어, -CR3, -NR2, -OR과 같은 전자 주는 기(electron donating group), -CF3, -CCl3, -CN, -NO2, -COR, -CONH2와 같은 전자 끄는 기(electron withdrawing group)일 수 있다. In addition, R 1 and R 2 may each independently be H, F, Cl, Br, I, an alkyl group having 1 to 50 carbon atoms, or an aryl group having 6 to 150 carbon atoms. The alkyl group and the aryl group may include a substituent having various electrical and steric properties, and it is possible to precisely control the holes and electrons injected into the quantum dot surface according to the type of the substituent. Such substituents are, for example, electron donating groups such as -CR 3 , -NR 2 , -OR, -CF 3 , -CCl 3 , -CN, -NO 2 , -COR, -CONH 2 and It may be the same electron withdrawing group.
화학식 1의 M, R1 및 R2와 관련하여 설명된 치환기에서 R은 각각 독립적으로 H, 탄소수 1 내지 50의 알킬기, 또는 탄소수 6 내지 150의 아릴기일 수 있으며, 이중 결합, 삼중 결합 또는 이들 모두를 더 포함할 수도 있다.In the substituents described with respect to M, R 1 and R 2 in
또한, 상기 R1 및 R2는 서로 연결되어 고리를 형성할 수 있다.In addition, R 1 and R 2 may be connected to each other to form a ring.
본 발명에서, 상기 화학식 1로 표시되는 카바메이트 유도체에 있어서, M은 NR4, PR4 및 SR3 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. M이 NR4, PR4 및 SR3 중 적어도 하나를 포함하는 경우, 유기 용매에 대한 양자점의 용해도가 높아지게 되어 상기 양자점을 포함하는 소자 제조시 공정 안정성 측면에서 보다 바람직하다. In the present invention, in the carbamate derivative represented by
상기 화학식 1로 표시되는 카바메이트 유도체는 중량평균분자량(Mw)이 90 g/mol 내지 1,500 g/mol일 수 있다. 중량평균분자량이 90 g/mol 미만이면 양자점의 용해도가 낮아져 공정상 불리하고, 중량평균분자량이 1,500 g/mol을 초과하면 양자점 소자의 전하 주입 특성이 저하되어 바람직하지 않다. The carbamate derivative represented by
본 발명에서, 카바메이트 유도체는 하기 반응식 1과 같이 카바메이트 음이온을 형성하며, 카바메이트 음이온은 전기적 공명구조를 갖는다. In the present invention, the carbamate derivative forms a carbamate anion as shown in
[반응식 1][Scheme 1]
반응식 1로부터 알 수 있는 바와 같이, 카바메이트 음이온은 비편재화된 전자를 가지며, 이러한 구조적 특성으로 인해 양자점 표면으로 주입되는 정공 및 전자는 에너지적으로 안정한 엑시톤(exiton, 정공-전자쌍)을 형성할 수 있다. 이에 따라, 본 발명에 따른 양자점을 QD-LED 소자의 발광층으로 적용하는 경우 전하 주입이 용이하게 이루어져 QD-LED 소자 효율을 향상시킬 수 있다.As can be seen from
실시예Example
이하, 본 발명의 실시예에 대해 상세히 설명한다. 하기 실시예는 본 발명의 이해를 위한 것일 뿐, 본 발명을 한정하는 것은 아니다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail. The following examples are only for understanding of the present invention, and do not limit the present invention.
[양자점 제조][Quantum dot manufacturing]
실시예 1-1Example 1-1
하기 화학식 3의 구조를 갖는 페닐디티오카바메이트(phenyldithiocarbamate, DTC-A) 리간드 5 mg을 올레일아민(oleylamine, OLA)이 캡핑된 InP/ZnS 양자점 10 mg이 녹아있는 1 ml 클로로포름 반응 용액에 넣고 24시간 동안 반응시켰다. 반응이 끝난 용액에 과량의 메탄올을 넣어 양자점 고체를 침전시키고 반응하지 않고 남은 리간드를 분리하였다. 침전된 양자점 고체는 원심 분리기를 이용하여 용액으로부터 분리하였다. 분리된 양자점 고체를 헥산 용매에 다시 녹이고 과량의 메탄올로 침전시켜 순수한 고체 성분만을 분리 정제하였다. 정제된 고체를 진공 건조하여 순수한 양자점을 제조하였다.5 mg of a phenyldithiocarbamate (DTC-A) ligand having the structure of
[화학식 3][Formula 3]
실시예 1-2Example 1-2
하기 화학식 4의 구조를 갖는 p-톨릴디티오카바메이트(p-tolyldithiocarbamate, DTC-B) 리간드를 사용한 것을 제외하고는, 실시예 1-1과 동일한 방법으로 순수한 양자점을 제조하였다.A pure quantum dot was prepared in the same manner as in Example 1-1, except that a p-tolyldithiocarbamate (DTC-B) ligand having the structure of
[화학식 4][Formula 4]
실시예 1-3Examples 1-3
하기 화학식 5의 구조를 갖는 디헥실디티오카바메이트(dihexyldithiocarbamate, DTC-C) 리간드를 사용한 것을 제외하고는, 실시예 1-1과 동일한 방법으로 순수한 양자점을 제조하였다.A pure quantum dot was prepared in the same manner as in Example 1-1, except that a dihexyldithiocarbamate (DTC-C) ligand having a structure of the following
[화학식 5][Formula 5]
비교예 1Comparative Example 1
리간드 치환 반응을 실시하지 않은 것을 제외하고는, 실시예 1-1과 동일한 방법으로 순수한 양자점을 제조하였다. A pure quantum dot was prepared in the same manner as in Example 1-1, except that the ligand substitution reaction was not performed.
[양자점의 리간드 치환율 측정][Measurement of ligand substitution rate of quantum dots]
실시예 1-1 내지 1-3 및 비교예 1에서 제조된 양자점의 1H-NMR 스펙트럼과 열중량분석 스펙트럼을 도 8 및 도 9에 도시하였다. 1H-NMR 스펙트럼은 양자점을 d-클로로포름에 녹인 후 핵자기공명분광기(AVANCE III 400, Bruker, Germany)를 사용하여 측정하였다. 한편, 열중량분석 스펙트럼은 양자점 샘플 10-15 mg을 취하여 열중량분석기(TG 8121, Rigaku, Japan)를 사용하여 측정하였다. 1 H-NMR spectrum and thermogravimetric analysis spectrum of the quantum dots prepared in Examples 1-1 to 1-3 and Comparative Example 1 are shown in FIGS. 8 and 9 . 1 H-NMR spectrum was measured using a nuclear magnetic resonance spectrometer (
리간드 치환율은 약 52%~70%로 측정되었으며, 올레일아민 리간드가 카바메이트 리간드로 부분적으로 치환되었음을 확인할 수 있다. The ligand substitution ratio was measured to be about 52% to 70%, and it can be confirmed that the oleylamine ligand was partially substituted with the carbamate ligand.
[양자점의 흡광, 형광 스펙트럼 측정][Measurement of absorption and fluorescence spectra of quantum dots]
실시예 1-1 내지 1-3 및 비교예 1에서 제조된 양자점의 흡광(absorbance) 및 형광(photoluminescence) 스펙트럼을 도 10에 도시하였다. The absorbance (absorbance) and fluorescence (photoluminescence) spectra of the quantum dots prepared in Examples 1-1 to 1-3 and Comparative Example 1 are shown in FIG. 10 .
양자점을 0.1 wt%(1 mg/1 mL)의 농도가 되도록 클로로포름을 용매에 녹여 샘플을 제조한 후, 자외선-가시광선 분광기(UV-1601PC, Dong-il SHIMADZU Co., Korea)를 사용하여 흡광 스펙트럼을 측정하였다. 또한, 상기 동일한 조건의 샘플에 대해 형광 측정기(FP-6500, JASCO Co., Japan)을 사용하여 형광 스펙트럼을 측정하였다. After preparing a sample by dissolving chloroform in a solvent so that the quantum dots have a concentration of 0.1 wt% (1 mg/1 mL), absorbance using an ultraviolet-visible spectrometer (UV-1601PC, Dong-il SHIMADZU Co., Korea) The spectrum was measured. In addition, the fluorescence spectrum was measured for the sample under the same conditions using a fluorescence meter (FP-6500, JASCO Co., Japan).
도 10을 참조하면, 리간드 치환 후 방출 피크 파장이 장파장 쪽으로 약 5 내지 25 nm 조절되었으며, 형광 스펙트럼의 반치전폭(FWHM)은 7.6 내지 11.6 nm 줄어들었다. Referring to FIG. 10 , after ligand substitution, the emission peak wavelength was adjusted to about 5 to 25 nm toward the long wavelength, and the full width at half maximum (FWHM) of the fluorescence spectrum was reduced by 7.6 to 11.6 nm.
[양자점의 광발광효율(PLQY) 측정][Quantum Dot Photoluminescence Efficiency (PLQY) Measurement]
실시예 1-1 내지 1-3 및 비교예 1에서 제조된 양자점의 광발광효율을 측정하였다. The photoluminescence efficiency of the quantum dots prepared in Examples 1-1 to 1-3 and Comparative Example 1 was measured.
양자점을 0.1 wt%(1 mg/1 mL)의 농도가 되도록 클로로포름을 용매에 녹여 샘플을 제조한 후, 양자효율측정기(Quantaurus-QY Absolute PL quantum yield spectrometer, C11347-11, HAMAMATSU, Japan)를 사용하여 광발광효율을 측정하였다. After preparing a sample by dissolving chloroform in a solvent so that the quantum dots have a concentration of 0.1 wt% (1 mg/1 mL), a quantum efficiency meter (Quantaurus-QY Absolute PL quantum yield spectrometer, C11347-11, HAMAMATSU, Japan) is used. Thus, the photoluminescence efficiency was measured.
비교예 1에서 제조된 양자점의 광발광효율은 73.1%로 측정되었으며, 실시예 1-1 내지 실시예 1-3에서 제조된 양자점의 광발광효율은 각각 74.5%, 73.5%, 72.7%로 측정되었다.The photoluminescence efficiency of the quantum dots prepared in Comparative Example 1 was measured to be 73.1%, and the photoluminescence efficiency of the quantum dots prepared in Examples 1-1 to 1-3 was measured to be 74.5%, 73.5%, and 72.7%, respectively. .
[QD-LED 제작][Production of QD-LED]
실시예 2-1Example 2-1
세정된 ITO 기판 위에 폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜) 폴리스티렌 설포네이트(poly(3,4-ethylenedioxythiophene) polystyrene sulfonate, PEDOT:PSS)를 사용하여 스핀 코팅 공정으로 정공 주입층을 형성하고, 폴리(4-부틸- N,N-디페닐아닐린)(Poly(4-butyl-N,N-diphenylaniline), Poly-TPD)을 사용하여 스핀 코팅 공정으로 정공 수송층을 형성하였다. A hole injection layer was formed by a spin coating process using poly(3,4-ethylenedioxythiophene) polystyrene sulfonate (PEDOT:PSS) on the cleaned ITO substrate, and poly A hole transport layer was formed by a spin coating process using (4-butyl-N,N-diphenylaniline) (Poly(4-butyl-N,N-diphenylaniline), Poly-TPD).
실시예 1-1에서 제조된 양자점을 옥텐 용매에 녹인 후, 스핀 코팅 공정으로 박막 공정을 진행하여 정공 수송층 상에 발광층을 형성하였다. After dissolving the quantum dots prepared in Example 1-1 in an octene solvent, a thin film process was performed by a spin coating process to form a light emitting layer on the hole transport layer.
상기 발광층 상에 2,2',2"-(1,3,5-벤진트리일)-트리스(1-페닐-1-H-벤즈이미다졸)(2,2',2"-(1,3,5-Benzinetriyl)-tris(1-phenyl-1-H-benzimidazole), TPBi)을 사용하여 진공 열 증착 공정으로 전자 수송층을 형성한 후, 진공 열 증착 공정으로 알루미늄(Al) 전극을 형성하여 conventional 구조의 QD-LED를 제작하였다. 2,2′,2″-(1,3,5-Benzintriyl)-tris(1-phenyl-1-H-benzimidazole)(2,2′,2″-(1, 3,5-Benzinetriyl)-tris(1-phenyl-1-H-benzimidazole), TPBi) was used to form an electron transport layer by a vacuum thermal evaporation process, and then an aluminum (Al) electrode was formed by a vacuum thermal deposition process. A conventional structure QD-LED was manufactured.
실시예 2-2Example 2-2
실시예 1-2에서 제조된 양자점을 이용하여 발광층을 형성한 것을 제외하고, 실시예 2-1과 동일한 방법으로 conventional 구조의 QD-LED를 제작하였다.A QD-LED having a conventional structure was manufactured in the same manner as in Example 2-1, except that the light emitting layer was formed using the quantum dots prepared in Example 1-2.
실시예 2-3Example 2-3
실시예 1-3에서 제조된 양자점을 이용하여 발광층을 형성한 것을 제외하고, 실시예 2-1과 동일한 방법으로 conventional 구조의 QD-LED를 제작하였다.A QD-LED having a conventional structure was manufactured in the same manner as in Example 2-1, except that the light emitting layer was formed using the quantum dots prepared in Example 1-3.
비교예 2Comparative Example 2
비교예 1에서 제조된 양자점을 이용하여 발광층을 형성한 것을 제외하고, 실시예 2-1과 동일한 방법으로 conventional 구조의 QD-LED를 제작하였다.A QD-LED having a conventional structure was manufactured in the same manner as in Example 2-1, except that the light emitting layer was formed using the quantum dots prepared in Comparative Example 1.
[QD-LED 소자의 물성 측정][Measurement of physical properties of QD-LED devices]
실시예 2-1 내지 2-3, 비교예 2에서 제작된 QD-LED 소자의 전기발광 스펙트럼과 전압 대 전류밀도와 휘도 그래프를 도 11 및 도 12에 각각 도시하였다. 전기 발광 스펙트럼은 전기 발광 측정기(Spectra Scan PR655, Photo Research)를 이용하였으며 전압에 따른 전류 밀도와 휘도 특성은 Keithley 2400 Source measurement, Tektronic Company 장비를 사용하여 측정하였다. 전압은 0 V에서 12 V까지 측정하였다. The electroluminescence spectra, voltage versus current density, and luminance graphs of the QD-LED devices prepared in Examples 2-1 to 2-3 and Comparative Example 2 are shown in FIGS. 11 and 12, respectively. Electroluminescence spectrum was measured using an electroluminescence measuring instrument (Spectra Scan PR655, Photo Research), and current density and luminance characteristics according to voltage were measured using Keithley 2400 Source measurement, Tektronic Company equipment. The voltage was measured from 0 V to 12 V.
또한, 상기 제작된 QD-LED 소자에 대해 발광 피크 파장(ELλmax), 게이트 온 전압(Von), 최대 휘도, 최대 외부양자효율(External quantum efficiency, EQE), 전류밀도를 측정하여 하기 표 1에 나타내었다. 게이트 온 전압은 휘도 1000 cd/m2 값에서의 전압을 나타내었다. In addition, by measuring the emission peak wavelength (ELλ max ), gate-on voltage (V on ), maximum luminance, maximum external quantum efficiency (EQE), and current density for the manufactured QD-LED device, Table 1 shown in The gate-on voltage represents a voltage at a luminance value of 1000 cd/m 2 .
(nm)ELλ max
(nm)
(V)V on
(V)
(cd/m2)maximum luminance
(cd/m 2 )
(%)Max EQE
(%)
도 12 및 표 1을 참조하면, 실시예 2-1 내지 2-3의 QD-LED 소자는 비교예 2의 QD-LED 소자에 비해 휘도, 외부양자효율, 전류밀도 측면에서 향상된 결과를 나타내었음을 알 수 있다. 특히, 실시예 2-1 및 2-2의 경우 현저하게 향상된 최대 휘도, 최대 EQE, 전류밀도를 나타내었다. 이는 카바메이트 리간드의 질소 원자에 아릴기가 치환됨으로써 전자가 비편재화되어 에너지적으로 더욱 안정한 양자점이 형성되기 때문이다. 12 and Table 1, the QD-LED device of Examples 2-1 to 2-3 showed improved results in terms of luminance, external quantum efficiency, and current density compared to the QD-LED device of Comparative Example 2 Able to know. In particular, in the case of Examples 2-1 and 2-2, the maximum luminance, maximum EQE, and current density were significantly improved. This is because, by substitution of an aryl group on the nitrogen atom of the carbamate ligand, electrons are delocalized to form a more energetically stable quantum dot.
Claims (9)
상기 리간드는 하기 화학식 1로 표시되는 카바메이트 유도체를 적어도 하나 이상 포함하는 것인, 양자점.
[화학식 1]
(상기 화학식 1에서,
X1 및 X2는 각각 독립적으로 O, S, Se 또는 Te이고,
M은 H, Li, Na, K, NR4, PR4 또는 SR3이고,
R1 및 R2는 각각 독립적으로 H, F, Cl, Br, I, 탄소수 1 내지 50인 알킬기 또는 탄소수 6 내지 150인 아릴기이고, 상기 알킬기 또는 아릴기는 각각 독립적으로 -CR3, -NR2, -OR, -CF3, -CCl3, -CN, -NO2, -COR 및 -CONH2로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상의 치환기를 포함하거나 포함하지 않으며,
여기서, R은 각각 독립적으로 H, 탄소수 1 내지 50의 알킬기, 또는 탄소수 6 내지 150의 아릴기이고,
R1 및 R2는 서로 연결되어 고리를 형성할 수 있다.)
A quantum dot comprising a core part, a shell part, and a ligand bound to the surface of the shell part,
The ligand is a quantum dot comprising at least one carbamate derivative represented by the following formula (1).
[Formula 1]
(In Formula 1,
X 1 and X 2 are each independently O, S, Se or Te,
M is H, Li, Na, K, NR 4 , PR 4 or SR 3 ,
R 1 and R 2 are each independently H, F, Cl, Br, I, an alkyl group having 1 to 50 carbon atoms or an aryl group having 6 to 150 carbon atoms, and the alkyl group or the aryl group is each independently —CR 3 , -NR 2 , -OR, -CF 3 , -CCl 3 , -CN, -NO 2 , -COR and -CONH 2 With or without one or more substituents selected from the group consisting of,
Here, each R is independently H, an alkyl group having 1 to 50 carbon atoms, or an aryl group having 6 to 150 carbon atoms,
R 1 and R 2 may be connected to each other to form a ring.)
상기 화학식 1에서 M은 NR4, PR4 또는 SR3인 것을 특징으로 하는, 양자점.
The method of claim 1,
In Formula 1, M is NR 4 , PR 4 or SR 3 , characterized in that the quantum dot.
상기 리간드는 아민 화합물, 카르복실산 화합물 및 포스핀 옥사이드 화합물로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상의 화합물을 더 포함하는 것을 특징으로 하는, 양자점.
According to claim 1,
The ligand is characterized in that it further comprises at least one compound selected from the group consisting of an amine compound, a carboxylic acid compound, and a phosphine oxide compound.
상기 코어부 및 쉘부는 각각 독립적으로 Si, Ge, SiC, CdS, CdSe, CdTe, ZnS, ZnSe, ZnTe, PbS, PbSe, PbTe, AlP, AlAs, AlSb, InN. InP, InAs, GaN, GaP, GaAs, GaSb, InGaP, AgGaS2, AgGaSe2, AgGaTe2, AgInS2, AgInSe2, AgInTe2, CuInS2, CuInSe2, CuInTe2, CuGaS2, CuGaSe2 및 CuGaTe2를 포함하는 군으로부터 선택된 1종 이상의 반도체 화합물인 것을 특징으로 하는, 양자점.
According to claim 1,
The core part and the shell part are each independently Si, Ge, SiC, CdS, CdSe, CdTe, ZnS, ZnSe, ZnTe, PbS, PbSe, PbTe, AlP, AlAs, AlSb, InN. InP, InAs, GaN, GaP, GaAs, GaSb, InGaP, AgGaS 2 , AgGaSe 2 , AgGaTe 2 , AgInS 2 , AgInSe 2 , AgInTe 2 , CuInS 2 , CuInSe 2 , CuInTe 2 , CuGaS 2 , CuGaSe 2 and CuGaTe 2 Quantum dots, characterized in that at least one semiconductor compound selected from the group comprising.
상기 한자리 리간드를 하기 화학식 1로 표시되는 적어도 하나의 카바메이트 유도체로 치환하는 단계
를 포함하는, 양자점 제조방법.
[화학식 1]
(상기 화학식 1에서,
X1 및 X2는 각각 독립적으로 O, S, Se 또는 Te이고,
M은 H, Li, Na, K, NR4, PR4 또는 SR3이고,
R1 및 R2는 각각 독립적으로 H, F, Cl, Br, I, 탄소수 1 내지 50인 알킬기 또는 탄소수 6 내지 150인 아릴기이고, 상기 알킬기 또는 아릴기는 각각 독립적으로 -CR3, -NR2, -OR, -CF3, -CCl3, -CN, -NO2, -COR 및 -CONH2로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상의 치환기를 포함하거나 포함하지 않으며,
여기서, R은 각각 독립적으로 H, 탄소수 1 내지 50의 알킬기, 또는 탄소수 6 내지 150의 아릴기이고,
R1 및 R2는 서로 연결되어 고리를 형성할 수 있다.)
Preparing quantum dots comprising a core part, a shell part, and a monodentate ligand bound to the surface of the shell part, and
Substituting the monodentate ligand with at least one carbamate derivative represented by the following formula (1)
Including, a quantum dot manufacturing method.
[Formula 1]
(In Formula 1,
X 1 and X 2 are each independently O, S, Se or Te,
M is H, Li, Na, K, NR 4 , PR 4 or SR 3 ,
R 1 and R 2 are each independently H, F, Cl, Br, I, an alkyl group having 1 to 50 carbon atoms or an aryl group having 6 to 150 carbon atoms, and the alkyl group or the aryl group is each independently —CR 3 , -NR 2 , -OR, -CF 3 , -CCl 3 , -CN, -NO 2 , -COR and -CONH 2 With or without one or more substituents selected from the group consisting of,
Here, each R is independently H, an alkyl group having 1 to 50 carbon atoms, or an aryl group having 6 to 150 carbon atoms,
R 1 and R 2 may be connected to each other to form a ring.)
상기 화학식 1에서 M은 NR4, PR4 또는 SR3인 것을 특징으로 하는, 양자점 제조방법.
6. The method of claim 5,
In Formula 1, M is NR 4 , PR 4 or SR 3 A method for producing quantum dots, characterized in that it is.
상기 한자리 리간드는 아민 화합물, 카르복실산 화합물 및 포스핀 옥사이드 화합물로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상인 것을 특징으로 하는, 양자점 제조방법.
6. The method of claim 5,
The monodentate ligand is a quantum dot manufacturing method, characterized in that at least one selected from the group consisting of an amine compound, a carboxylic acid compound, and a phosphine oxide compound.
상기 코어부 및 쉘부는 각각 독립적으로 Si, Ge, SiC, CdS, CdSe, CdTe, ZnS, ZnSe, ZnTe, PbS, PbSe, PbTe, AlP, AlAs, AlSb, InN. InP, InAs, GaN, GaP, GaAs, GaSb, InGaP, AgGaS2, AgGaSe2, AgGaTe2, AgInS2, AgInSe2, AgInTe2, CuInS2, CuInSe2, CuInTe2, CuGaS2, CuGaSe2 및 CuGaTe2를 포함하는 군으로부터 선택된 1종 이상의 반도체 화합물인 것을 특징으로 하는, 양자점 제조방법.
6. The method of claim 5,
The core part and the shell part are each independently Si, Ge, SiC, CdS, CdSe, CdTe, ZnS, ZnSe, ZnTe, PbS, PbSe, PbTe, AlP, AlAs, AlSb, InN. InP, InAs, GaN, GaP, GaAs, GaSb, InGaP, AgGaS 2 , AgGaSe 2 , AgGaTe 2 , AgInS 2 , AgInSe 2 , AgInTe 2 , CuInS 2 , CuInSe 2 , CuInTe 2 , CuGaS 2 , CuGaSe 2 and CuGaTe 2 Quantum dot manufacturing method, characterized in that at least one semiconductor compound selected from the group comprising.
A QD-LED device comprising the quantum dots according to any one of claims 1 to 4.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020200133701A KR102564200B1 (en) | 2020-10-15 | 2020-10-15 | Quantum dot, preparing method thereof, and qd-led comprising the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020200133701A KR102564200B1 (en) | 2020-10-15 | 2020-10-15 | Quantum dot, preparing method thereof, and qd-led comprising the same |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20220050297A true KR20220050297A (en) | 2022-04-25 |
| KR102564200B1 KR102564200B1 (en) | 2023-08-08 |
Family
ID=81451885
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020200133701A KR102564200B1 (en) | 2020-10-15 | 2020-10-15 | Quantum dot, preparing method thereof, and qd-led comprising the same |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR102564200B1 (en) |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20160055094A (en) * | 2014-11-06 | 2016-05-17 | 포항공과대학교 산학협력단 | Method of manufacturing perovskite nanocrystal particle emitters with substituted organic ligand, nanocrystal particle emitters manufactured the same and electroluminescence devices using the same |
| KR20160113996A (en) * | 2015-03-23 | 2016-10-04 | 꼼미사리아 아 레네르지 아토미끄 에뜨 옥스 에너지스 앨터네이티브즈 | Process for increasing the photoluminescence internal quantum efficiency of nanocrystals, in particular of AgInS2-ZnS nanocrystals |
| KR20180059363A (en) * | 2016-11-25 | 2018-06-04 | 삼성전자주식회사 | Light emitting device and display device including quantum dot |
| JP2019023297A (en) * | 2014-02-07 | 2019-02-14 | ナノコ テクノロジーズ リミテッド | Quantum dot nanoparticles having enhanced stability and luminescence efficiency |
| KR20200005884A (en) * | 2018-07-09 | 2020-01-17 | 단국대학교 천안캠퍼스 산학협력단 | A light emitting nanocrystal using an electronically delocalized carbamate derivative |
-
2020
- 2020-10-15 KR KR1020200133701A patent/KR102564200B1/en active IP Right Grant
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2019023297A (en) * | 2014-02-07 | 2019-02-14 | ナノコ テクノロジーズ リミテッド | Quantum dot nanoparticles having enhanced stability and luminescence efficiency |
| KR20160055094A (en) * | 2014-11-06 | 2016-05-17 | 포항공과대학교 산학협력단 | Method of manufacturing perovskite nanocrystal particle emitters with substituted organic ligand, nanocrystal particle emitters manufactured the same and electroluminescence devices using the same |
| KR20160113996A (en) * | 2015-03-23 | 2016-10-04 | 꼼미사리아 아 레네르지 아토미끄 에뜨 옥스 에너지스 앨터네이티브즈 | Process for increasing the photoluminescence internal quantum efficiency of nanocrystals, in particular of AgInS2-ZnS nanocrystals |
| KR20180059363A (en) * | 2016-11-25 | 2018-06-04 | 삼성전자주식회사 | Light emitting device and display device including quantum dot |
| KR20200005884A (en) * | 2018-07-09 | 2020-01-17 | 단국대학교 천안캠퍼스 산학협력단 | A light emitting nanocrystal using an electronically delocalized carbamate derivative |
Non-Patent Citations (4)
| Title |
|---|
| "Partially pyridine-functionalized quantum dots for efficient red, green, and blue light-emitting diodes" J. Mater. Chem. C, 7, 2019, 3429-3435 |
| "전계구동 양자점 발광 다이오드", The Korean information display society, 17, 2, 2014, 1-11 |
| Materials Chemistry and Physics, Volume 253, 1 October 2020, 123415* * |
| Organic Electronics, Volume 87, December 2020, 1059552* * |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR102564200B1 (en) | 2023-08-08 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Li et al. | Lead‐free halide perovskites for light emission: recent advances and perspectives | |
| Zhang et al. | Two dimensional metal halide perovskites: Promising candidates for light-emitting diodes | |
| WO2018237385A1 (en) | Composition of matter for use in organic light-emitting diodes | |
| KR101497137B1 (en) | Compound for organic optoelectronic device, organic light emitting diode including the same and display including the organic light emitting diode | |
| CN110997866B (en) | Composition for use in organic light emitting diodes | |
| US11447473B2 (en) | Composition of matter for use in organic light-emitting diodes | |
| US10978659B2 (en) | Inorganic illuminant, light-emitting diode and light-emitting device having thereof | |
| JP2021521586A (en) | Electroluminescence display device and its manufacturing method | |
| EP3620497B1 (en) | Electroluminescent device, and display device comprising thereof | |
| US11575088B2 (en) | Composition of matter for use in organic light-emitting diodes | |
| US20240141231A1 (en) | Semiconductor nanocrystal, light-emitting film, production method of the light-emitting film, light emitting device, and display device | |
| KR20190061746A (en) | Organic compounds, lighe emitting diode and light emitting device having the compounds | |
| US11444250B2 (en) | Composition of matter for use in organic light-emitting diodes | |
| US10547014B2 (en) | Composition of matter for use in organic light-emitting diodes | |
| KR102564200B1 (en) | Quantum dot, preparing method thereof, and qd-led comprising the same | |
| US20180370993A1 (en) | Composition of matter for use in organic light-emitting diodes | |
| KR102703204B1 (en) | Quantum dot, preparing method thereof, and display comprising the same | |
| KR102703201B1 (en) | Quantum dot, preparing method thereof, and display comprising the same | |
| KR20230035534A (en) | organic light emitting device | |
| KR20070054890A (en) | Organic electroluminescent polymer having arylamine unit containing 9'-aryl-fluoren-9'-yl group and organic electroluminescent device manufactured using the same | |
| US20230051487A1 (en) | Compound, light-emitting material, and organic light-emitting device | |
| US20220416187A1 (en) | Display device and light emitting device | |
| US20230095786A1 (en) | Light emitting material, delayed phosphor, organic light emitting diode, screen, display and method for producing display | |
| US20240164129A1 (en) | Electroluminescent device and display device including the same | |
| Kim et al. | P‐197: Polymer Nanocomposite Blue‐Light‐Emitting Diodes |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant |