KR20220048559A - 스토리지 장치, 래치 어셈블리 및 스토리지 장치 어셈블리 - Google Patents

스토리지 장치, 래치 어셈블리 및 스토리지 장치 어셈블리 Download PDF

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KR20220048559A
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허성철
김범준
김정수
홍영석
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Abstract

스토리지 장치, 래치 어셈블리 및 스토리지 장치 어셈블리가 제공된다. 스토리지 장치 어셈블리는, 래치 어셈블리, 및 래치 어셈블리에 결합되는 스토리지 장치를 포함하되, 래치 어셈블리는, 제1 파트와, 제1 파트로부터 제1 방향으로 연장되어 배치되고 그 상면이 제1 파트의 상면보다 낮은 제2 파트와, 제2 파트의 상면에 배치되고, 탄성을 갖는 후크로서, 그 일 단에 제2 파트의 상면 상으로 절곡되는 제1 결합부가 배치되고, 그 타 단에 제2 파트의 상면 상으로 절곡되는 제2 결합부가 배치되는 후크를 포함하고, 스토리지 장치는, 모듈 보드 및 모듈 보드의 일 측에 배치된 메모리 커넥터를 포함하는 메모리 모듈과, 메모리 모듈의 상부에 배치되고, 제1 결합부가 수용되는 제1 고정홀과, 제2 결합부가 수용되는 제2 고정홀이 형성된 제1 인클로저와, 메모리 모듈의 하부에 배치된 제2 인클로저를 포함한다.

Description

스토리지 장치, 래치 어셈블리 및 스토리지 장치 어셈블리{Storage device, latch assembly and storage assembly comprising the same}
본 발명은 스토리지 장치, 래치 어셈블리 및 스토리지 장치 어셈블리에 관한 것이다.
SSD(Solid State Drive)를 포함하는 스토리지 장치는 호스트로부터 데이터를 제공받아 저장하는 장치이다. 이러한 스토리지 장치는 데스크탑 PC, 태블릿 PC, 랩탑 PC 등의 전통적인 전자 기기 뿐만 아니라, 자동차, 드론, 항공기 등의 모빌리티 등에 관계된 전자 장치에도 널리 활용된다.
이러한 전자 장치에는 복수 개의 스토리지 장치가 사용될 수 있으며, 복수 개의 스토리지 장치는 필요에 따라 장착 또는 탈착될 수 있다. 따라서, 스토리지 장치의 장탈착 성능을 개선시키기 위한 연구가 필요하다.
본 발명이 해결하고자 하는 기술적 과제는 장탈착 성능이 향상된 스토리지 장치 어셈블리를 제공하는 것이다.
본 발명이 해결하고자 하는 기술적 과제는 장탈착 성능이 향상된 스토리지 장치를 제공하는 것이다.
본 발명이 해결하고자 하는 기술적 과제는 장탈착 성능이 향상된 래치 어셈블리를 제공하는 것이다.
본 발명의 기술적 과제들은 이상에서 언급한 기술적 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
상기 기술적 과제를 달성하기 위한 몇몇 실시예에 따른 스토리지 장치 어셈블리는, 래치 어셈블리, 및 래치 어셈블리에 결합되는 스토리지 장치를 포함하되, 래치 어셈블리는, 제1 파트와, 제1 파트로부터 제1 방향으로 연장되어 배치되고 그 상면이 제1 파트의 상면보다 낮은 제2 파트와, 제2 파트의 상면에 배치되고, 탄성을 갖는 후크로서, 그 일 단에 제2 파트의 상면 상으로 절곡되는 제1 결합부가 배치되고, 그 타 단에 제2 파트의 상면 상으로 절곡되는 제2 결합부가 배치되는 후크를 포함하고, 스토리지 장치는, 모듈 보드 및 모듈 보드의 일 측에 배치된 메모리 커넥터를 포함하는 메모리 모듈과, 메모리 모듈의 상부에 배치되고, 제1 결합부가 수용되는 제1 고정홀과, 제2 결합부가 수용되는 제2 고정홀이 형성된 제1 인클로저와, 메모리 모듈의 하부에 배치된 제2 인클로저를 포함한다.
상기 기술적 과제를 달성하기 위한 몇몇 실시예에 따른 스토리지 장치는, 모듈 보드 및 모듈 보드의 일 측에 배치된 메모리 커넥터를 포함하는 메모리 모듈, 메모리 모듈의 상부에 배치되는 제1 인클로저, 및 메모리 모듈의 하부에 배치된 제2 인클로저를 포함하고, 제1 인클로저는, 상부판과, 상부판의 제1 장변으로부터 제1 방향으로 연장된 제1 측벽과, 상부판의 제2 장변으로부터 제1 방향으로 연장된 제2 측벽을 포함하고, 상부판은 제1 및 제2 측벽의 일 단부보다 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 연장된 연장부를 포함하고, 연장부에는 제1 고정홀과 제2 고정홀이 형성되고, 제1 측벽은 제1 및 제2 방향과 교차하는 제3 방향으로 절곡된 제1 절곡부를 포함하고, 제2 인클로저는, 하부판을 포함하고, 하부판의 일 단은 제1 절곡부로부터 미리 정한 간격만큼 이격되어 배치된다.
상기 기술적 과제를 달성하기 위한 몇몇 실시예에 따른 래치 어셈블리는, 스토리지 장치에 결합되는 래치 어셈블리로서, 제1 파트, 제1 파트로부터 제1 방향으로 연장되어 배치되고 그 상면이 제1 파트의 상면보다 낮은 제2 파트, 제2 파트으로부터 제1 방향으로 연장되어 배치되고, 그 상면이 2 파트의 상면보다 낮은 제3 파트를 포함하고, 제3 파트는, 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 측정한 제1 폭을 갖는 제1 부분(portion)과, 제2 방향으로 측정한 제2 폭을 갖는 제2 부분을 포함하고, 제1 폭은 제2 폭보다 작다.
기타 실시예들의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.
도 1은 몇몇 실시예에 따른 호스트-스토리지 시스템을 도시한 블록도이다.
도 2는 몇몇 실시예에 따른 스토리지 어셈블리의 사시도이다.
도 3은 도 2의 스토리지 어셈블리의 분해 사시도이다.
도 4 및 도 5는 도 3의 스토리지 장치의 분해 사시도들이다.
도 6은 스토리지 장치의 고정홀을 확대 도시한 도면이다.
도 7은 도 3의 래치 어셈블리의 사시도이다.
도 8은 도 7의 A-A′ 선을 따라 절단한 단면도이다.
도 9는 스토리지 장치의 고정홀에 래치 어셈블리의 후크가 결합된 모습을 도시한 도면이다.
도 10는 몇몇 실시예에 따른 호스트의 부분 사시도이다.
도 11은 도 10의 단면도이다.
도 12는 스토리지 장치의 부분 사시도이다.
도 13은 몇몇 실시예에 따른 스토리지 어셈블리의 래치 어셈블리의 사시도이다.
도 14는 도 13의 래치 어셈블리의 평면도이다.
도 15는 몇몇 실시예에 따른 스토리지 장치의 인클로저 어셈블리를 도시한 도면이다.
도 16은 도 15의 평면도이다.
도 17은 몇몇 실시예에 따른 스토리지 어셈블리의 래치 어셈블리와 스토리지 장치가 결합된 상태를 도시한 도면이다.
도 18은 도 15의 래치 어셈블리와 스토리지 장치의 평면도이다.
도 19는 몇몇 실시예에 따른 스토리지 어셈블리의 래치 어셈블리의 사시도이다.
도 20은 몇몇 실시예에 따른 스토리지 어셈블리가 적용된 데이터 센터를 도시한 도면이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 기술적 사상에 따른 실시예들에 대해 설명한다.
도 1은 몇몇 실시예에 따른 호스트-스토리지 시스템을 도시한 블록도이다.
호스트-스토리지 시스템(10)은 호스트(100) 및 스토리지 장치(200)를 포함할 수 있다. 또한, 스토리지 장치(200)는 스토리지 컨트롤러(210) 및 비휘발성 메모리 (NVM, 220)를 포함할 수 있다. 또한, 몇몇 실시예에서, 호스트(100)는 호스트 컨트롤러(110) 및 호스트 메모리(120)를 포함할 수 있다. 호스트 메모리(120)는 스토리지 장치(200)로 전송될 데이터, 혹은 스토리지 장치(200)로부터 전송된 데이터를 임시로 저장하기 위한 버퍼 메모리로서 기능할 수 있다.
스토리지 장치(200)는 호스트(100)로부터의 요청에 따라 데이터를 저장하기 위한 저장 매체들을 포함할 수 있다. 예를 들어, 스토리지 장치(200)는 SSD(Solid State Drive), 임베디드(embedded) 메모리 및 착탈 가능한 외장(external) 메모리 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 스토리지 장치(200)가 SSD인 경우, 스토리지 장치(200)는 NVMe(non-volatile memory express) 표준을 따르는 장치일 수 있다. 스토리지 장치(200)가 임베디드 메모리 혹은 외장(external) 메모리인 경우, 스토리지 장치(200)는 UFS(universal flash storage) 혹은 eMMC(embedded multi-media card) 표준을 따르는 장치일 수 있다. 호스트(100)와 스토리지 장치(200)는 각각 채용된 표준 프로토콜에 따른 패킷을 생성하고 이를 전송할 수 있다.
스토리지 장치(200)의 비휘발성 메모리(220)가 플래시 메모리를 포함할 때, 이러한 플래시 메모리는 2D NAND 메모리 어레이나 3D(또는 수직형, Vertical) NAND(VNAND) 메모리 어레이를 포함할 수 있다. 다른 예로서, 스토리지 장치(200)는 다른 다양한 종류의 비휘발성 메모리들을 포함할 수도 있다. 예를 들어, 스토리지 장치(200)는 MRAM(Magnetic RAM), 스핀전달토크 MRAM(Spin-Transfer Torque MRAM), Conductive bridging RAM(CBRAM), FeRAM(Ferroelectric RAM), PRAM(Phase RAM), 저항 메모리(Resistive RAM) 및 다른 다양한 종류의 메모리가 적용될 수 있다.
몇몇 실시예에서, 호스트 컨트롤러(110)와 호스트 메모리(120)는 별도의 반도체 칩으로 구현될 수 있다. 또는, 몇몇 실시예에서, 호스트 컨트롤러(110)와 호스트 메모리(120)는 동일한 반도체 칩에 집적될 수 있다. 일 예로서, 호스트 컨트롤러(110)는 어플리케이션 프로세서(Application Processor)에 구비되는 다수의 모듈들 중 어느 하나일 수 있으며, 이러한 어플리케이션 프로세서는 시스템 온 칩(System on Chip, SoC)으로 구현될 수 있다. 또한, 호스트 메모리(120)는 어플리케이션 프로세서 내에 구비되는 임베디드 메모리이거나, 또는 어플리케이션 프로세서의 외부에 배치되는 비휘발성 메모리 또는 메모리 모듈일 수 있다.
호스트 컨트롤러(110)는 버퍼 영역의 데이터(예컨대, 기록 데이터)를 비휘발성 메모리(220)에 저장하거나, 비휘발성 메모리(220)의 데이터(예컨대, 독출 데이터)를 버퍼 영역에 저장하는 동작을 관리할 수 있다.
스토리지 컨트롤러(210)는 호스트 인터페이스(211), 메모리 인터페이스(212) 및 CPU(central processing unit, 213)를 포함할 수 있다. 또한, 스토리지 컨트롤러(210)는 플래시 변환 레이어(Flash Translation Layer(FTL), 214), 패킷 매니저(215), 버퍼 메모리(216), ECC(error correction code, 217) 엔진 및 AES(advanced encryption standard, 218) 엔진을 더 포함할 수 있다.
스토리지 컨트롤러(210)는 플래시 변환 레이어(FTL, 214)가 로딩되는 워킹 메모리(미도시)를 더 포함할 수 있으며, CPU(211)가 플래시 변환 레이어를 실행하는 것에 의해 비휘발성 메모리에 대한 데이터 기록 및 독출 동작이 제어될 수 있다.
호스트 인터페이스(211)는 호스트(100)와 패킷(packet)을 송수신할 수 있다. 호스트(100)로부터 호스트 인터페이스(211)로 전송되는 패킷은 커맨드(command) 혹은 비휘발성 메모리(220)에 기록될 데이터 등을 포함할 수 있으며, 호스트 인터페이스(211)로부터 호스트(100)로 전송되는 패킷은 커맨드에 대한 응답(response) 혹은 비휘발성 메모리(220)로부터 독출된 데이터 등을 포함할 수 있다.
메모리 인터페이스(212)는 비휘발성 메모리(220)에 기록될 데이터를 비휘발성 메모리(220)로 송신하거나, 비휘발성 메모리(220)로부터 독출된 데이터를 수신할 수 있다. 이러한 메모리 인터페이스(212)는 토글(Toggle) 혹은 온파이(ONFI)와 같은 표준 규약을 준수하도록 구현될 수 있다.
플래시 변환 계층(214)은 어드레스 매핑(address mapping), 웨어-레벨링(wear-leveling), 가비지 콜렉션(garbage collection)과 같은 여러 기능을 수행할 수 있다. 어드레스 매핑 동작은 호스트로부터 수신한 논리 어드레스(logical address)를, 비휘발성 메모리(220) 내에 데이터를 실제로 저장하는 데 사용되는 물리 어드레스(physical address)로 바꾸는 동작이다. 웨어-레벨링은 비휘발성 메모리(220) 내의 블록(block)들이 균일하게 사용되도록 하여 특정 블록의 과도한 열화를 방지하기 위한 기술로, 예시적으로 물리 블록(physical block)들의 소거 카운트들을 밸런싱하는 펌웨어 기술을 통해 구현될 수 있다. 가비지 콜렉션은, 블록의 유효 데이터를 새 블록에 복사한 후 기존 블록을 소거(erase)하는 방식을 통해 비휘발성 메모리(220) 내에서 사용 가능한 용량을 확보하기 위한 기술이다.
패킷 매니저(215)는 호스트(100)와 협의된 인터페이스의 프로토콜에 따른 패킷(Packet)을 생성하거나, 호스트(100)로부터 수신된 패킷(Packet)으로부터 각종 정보를 파싱할 수 있다. 또한, 버퍼 메모리(216)는 비휘발성 메모리(220)에 기록될 데이터 혹은 비휘발성 메모리(220)로부터 독출될 데이터를 임시로 저장할 수 있다. 버퍼 메모리(216)는 스토리지 컨트롤러(210) 내에 구비되는 구성일 수 있으나, 스토리지 컨트롤러(210)의 외부에 배치되어도 무방하다.
ECC 엔진(217)은 비휘발성 메모리(220)로부터 독출되는 독출 데이터에 대한 오류 검출 및 정정 기능을 수행할 수 있다. 보다 구체적으로, ECC 엔진(217)은 비휘발성 메모리(220)에 기입될 기입 데이터에 대하여 패리티 비트(parity bit)들을 생성할 수 있으며, 이와 같이 생성된 패리티 비트들은 기입 데이터와 함께 비휘발성 메모리(220) 내에 저장될 수 있다. 비휘발성 메모리(220)로부터의 데이터 독출 시, ECC 엔진(217)은 독출 데이터와 함께 비휘발성 메모리(220)로부터 독출되는 패리티 비트들을 이용하여 독출 데이터의 에러를 정정하고, 에러가 정정된 독출 데이터를 출력할 수 있다.
AES 엔진(218)은, 스토리지 컨트롤러(210)로 입력되는 데이터에 대한 암호화(encryption) 동작과 복호화(decryption) 동작 중 적어도 하나를, 대칭 키 알고리즘(symmetric-key algorithm)를 이용하여 수행할 수 있다.
도 2는 몇몇 실시예에 따른 스토리지 어셈블리의 사시도이다. 도 3은 도 2의 스토리지 어셈블리의 분해 사시도이다.
도 2 및 도 3을 참조하면, 스토리지 어셈블리(SA1)는 스토리지 장치(200)와 래치 어셈블리(300)를 포함한다.
스토리지 장치(200)는 인클로저 어셈블리(260)를 포함할 수 있다. 인클로저 어셈블리(260)에는 고정홀(FH1, FH2)이 형성되며, 이러한 고정홀(FH1, FH2)을 통해 래치 어셈블리(300)와 결합될 수 있다.
구체적으로, 래치 어셈블리(300)에는 스토리지 장치(200)와 결합을 위한 후크(HOK)가 배치될 수 있으며, 후크(HOK)의 결합부(FP1, FP2)가 인클로저 어셈블리(260)의 고정홀(FH1, FH2)과 예를 들어, 스냅 핏(snap-fit) 결합함으로써, 스토리지 장치(200)와 래치 어셈블리(300)가 결합될 수 있다.
몇몇 실시예에서, 도시된 스토리지 장치(200)와 래치 어셈블리(300)는 결합된 상태로 호스트(도 1의 100)에 장착될 수 있다. 이에 관한 보다 구체적인 설명은 후술한다.
스토리지 장치(200)의 외관은 실질적인 직육면체 형상을 가질 수 있다. 도면에서는 직사각형 형상인 밑면의 장변(LS) 연장 방향을 제1 방향(X)으로, 단변(SS) 연장 방향을 제2 방향(Y)으로 표기하고, 직육면체의 두께 방향을 제3 방향(Z)으로 표기하고 있다. 2개의 방향에 의해 정의되는 평면은 각각 XY 평면, YZ 평면, ZX 평면으로 지칭될 수 있다. 이와 같은 기준에 의할 때, 스토리지 장치(200)의 밑면은 XY 평면 상에 놓인다. 본 명세서에서 다른 특별한 언급이 없다면, 특정 부재의 평면 형상 또는 평면도상 외관은 특정 부재가 XY 평면에 놓인 형상을 의미한다.
설명의 편의상 스토리지 장치(200)의 두 개의 밑면 중 제3 방향(Z) 일측(도면에서 상측)에 위치하는 면을 상면으로, 제3 방향(Z) 타측(도면에서 하측)에 위치하는 면을 하면으로 각각 지칭하며, 나아가, 다른 구성 부재에 대해서도 제3 방향(Z)을 기준으로 일측에 위치하면 상면으로, 타측에 위치하면 하면으로 지칭할 것이다.
그러나, 상면, 하면에서 '상', '하'는 상호 상대적인 위치에 있음을 구분하는 것에 불과하며, '상', '하'로 지칭된 것이라 하더라도 스토리지 장치(200)의 방향 전환에 따라 상하가 뒤바뀌거나 좌우, 또는 대각선 방향에 위치하게 될 수 있음은 자명하다.
스토리지 장치(200)의 외관은 규격화된 또는 임의의 폼 팩터(form factor)에 따를 수 있다. 직육면체 형상의 스토리지 장치(200)의 치수 또한 다양한 기준에 의해 변경 가능하다.
몇몇 실시예에서, 스토리지 장치(200)는 장변의 길이(제1 방향(X)의 폭)가 119mm이고, 단변의 길이(제2 방향(Y)의 폭)가 36.5mm이며, 높이(제3 방향(Z)의 폭)가 9.5mm인 롱 타입 치수 규격을 따를 수 있다. 또한, 다른 몇몇 실시예에서, 스토리지 장치(200)는 장변의 길이(제1 방향(X)의 폭)가 52mm이고, 단변의 길이(제2 방향(Y)의 폭)가 36.5mm이며, 높이(제3 방향(Z)의 폭)가 9.5mm인 쇼트 타입 치수 규격을 따를 수 있다. 이러한 치수 규격은 각 치수의 5% 이내의 공차를 허용할 수 있다. 예를 들어, 이러한 치수 규격은 ±0.25mm, ±0.35mm, ±0.45mm 등의 공차를 허용할 수 있다.
이하, 도 4 내지 도 6을 참조하여, 몇몇 실시예에 따른 스토리지 어셈블리(SA1)의 스토리지 장치(200)에 대해 설명한다.
도 4 및 도 5는 도 3의 스토리지 장치의 분해 사시도들이다. 도 6은 스토리지 장치의 고정홀을 확대 도시한 도면이다.
도 4 내지 도 6을 참조하면, 스토리지 장치(200)는 메모리 모듈(270) 및 메모리 모듈(270)을 수납하는 인클로저 어셈블리(260)를 포함한다. 인클로저 어셈블리(260)는 실질적으로 스토리지 장치(200)의 외관을 정의할 수 있다. 메모리 모듈(270)은 메모리 커넥터(MCN)가 위치하는 영역 등의 일부를 제외하고는 인클로저 어셈블리(260)에 의해 커버될 수 있다.
메모리 모듈(270)은 모듈 보드(BDH), 모듈 보드(BDH)의 적어도 일단에 마련된 메모리 커넥터(MCN) 및 모듈 보드(BDH)의 적어도 일면 상에 배치된 전자 소자(CHP)를 포함할 수 있다.
모듈 보드(BDH)는 하나 이상의 절연층과 배선층을 포함할 수 있다. 모듈 보드(BDH)는 예를 들어, 인쇄 회로 기판을 포함할 수 있다.
모듈 보드(BDH)는 판상 형상으로 이루어질 수 있다. 모듈 보드(BDH)는 대체로 XY 평면 상에 놓일 수 있다. 모듈 보드(BDH)의 전반적인 평면 형상은 스토리지 장치(200)의 평면 형상과 유사할 수 있다. 예를 들어, 스토리지 장치(200)가 평면도상 직사각형 또는 그에 유사한 외관을 가질 경우, 모듈 보드(BDH) 또한 직사각형 또는 그에 유사한 외관을 가질 수 있다.
평면도상 모듈 보드(BDH)의 크기는 스토리지 장치(200) 크기보다 작지만, 그에 근사할 수 있다. 예를 들어, 스토리지 장치(200)가 점유하는 면적 중 모듈 보드(BDH)가 차지하는 면적은 50% 내지 99%의 범위에 있을 수 있다.
평면도상 모듈 보드(BDH)는 스토리지 장치(200)의 중앙부를 차지하며, 모듈 보드(BDH)의 각 변은 스토리지 장치(200)의 대응하는 각 변으로부터 내측에 위치할 수 있다. 일부 구간을 제외하고 모듈 보드(BDH)의 각 변과 스토리지 장치(200)의 각 변 사이의 공간에는 인클로저 어셈블리(260)가 배치되어 모듈 보드(BDH)의 외부 노출을 방지한다.
모듈 보드(BDH)는 하나 이상의 모듈 체결홀(MH1-MH4)을 포함할 수 있다. 모듈 체결홀(MH1-MH4)이 복수일 경우, 각 모듈 체결홀(MH1-MH4)은 동일한 크기 및 형상을 가질 수 있지만, 이에 제한되는 것은 아니다.
모듈 체결홀(MH1-MH4)은 모듈 보드(BDH)를 제3 방향(Z)(두께 방향)으로 관통한다. 모듈 체결홀(MH1-MH4)은 스크류, 나사, 피스, 볼트 등과 같은 체결 부재가 삽입되는 공간을 제공한다. 이하에서는 체결 부재로서 스크류를 예시하지만, 스크류와 유사하게 홀이나 홈에 삽입하여 결합시키는 다양한 부재들이 동일하게 적용될 수 있음은 자명하다.
모듈 체결홀(MH1-MH4)은 모듈 보드(BDH)의 코너부에 배치될 수 있다. 모듈 체결홀(MH1-MH4)은 제1 코너부에 배치된 제1 모듈 체결홀(MH1), 제2 코너부에 배치된 제2 모듈 체결홀(MH2), 제3 코너부에 배치된 제3 모듈 체결홀(MH3), 및 제4 코너부에 배치된 제4 모듈 체결홀(MH3)을 포함할 수 있다. 그러나, 이에 제한되는 것은 아니며, 일부 코너부에서 모듈 체결홀(MH1-MH4)이 생략될 수도 있고, 코너부가 아닌 다른 영역(예컨대, 중앙부, 변 인접 영역)에 더 설치될 수도 있다.
몇몇 실시예에서, 각 모듈 체결홀(MH1-MH4)의 위치는 효율적인 결합력을 부여하기 위해 각 코너부의 코너를 기준으로 제1 방향(X)으로 이격된 거리들 및 제2 방향(Y)으로 이격된 거리들이 서로 동일하도록 설계될 수 있다. 이와 같은 실시예에서, 모듈 보드(BDH)의 각 코너가 일 직사각형의 꼭지점에 위치한다면 각 모듈 체결홀(MH1-MH4)을 연결한 도형은 직사각형을 정의할 것이다.
다른 몇몇 실시예에서, 각 모듈 체결홀(MH1-MH4)은 모듈 보드(BDH)의 배선 설계, 칩의 배치, 메모리 커넥터(MCN)의 위치 등에 따라 상술한 위치에서 변형될 수 있다. 예를 들어, 도면에 도시된 것처럼, 메모리 커넥터(MCN)가 제1 단변(SS1)에 위치하되, 전반적으로 제1 장변(LS1)보다 제2 장변(LS2)에 더 치우치도록 배치된 경우, 제4 모듈 체결홀(MH4)은 제1 모듈 체결홀(MH1)보다 제1 단변(SS1)으로부터 제1 방향(X)으로 더 멀리 이격되어 위치할 수 있다. 이 경우, 제1 모듈 체결홀(MH1)과 제4 모듈 체결홀(MH4)을 연결한 직선은 제2 방향(Y)에 대해 제1 각도(θ1)로 기울어질 수 있다.
메모리 커넥터(MCN)가 위치하지 않는 제2 단변(SS2) 근처에 배치된 제2 모듈 체결홀(MH2)과 제3 모듈 체결홀(MH3)의 경우, 제2 단변(SS2)으로부터 제1 방향(X)으로 이격된 거리가 동일할 수도 있지만, 제2 모듈 체결홀(MH2)의 이격 거리를 제3 모듈 체결홀(MH3)의 이격 거리보다 크게 설계함으로써 모듈 체결홀(MH1-MH4) 간 제1 방향(X)의 이격 거리 편차를 완화할 수도 있다. 이 경우, 제2 모듈 체결홀(MH2)과 제3 모듈 체결홀(MH3)을 연결한 직선은 제2 방향(Y)에 대해 제2 각도(θ2)로 기울어질 수 있다. 제2 각도(θ2)는 제1 각도(θ1)와 동일한 부호를 가질 수 있다. 제2 각도(θ2)는 제1 각도(θ1)보다 절대값이 작을 수 있지만, 이에 제한되는 것은 아니다. 몇몇 실시예에서, 각 모듈 체결홀(MH1-MH4)을 연결한 도형은 사다리꼴을 정의할 수 있다.
모듈 체결홀(MH1-MH4)은 평면도상 원형과 같은 폐곡선 형상을 가질 수 있다. 이 경우, 모듈 체결홀(MH1-MH4)은 평면도상 모듈 보드(BDH)에 의해 완전히 둘러싸인다. 몇몇 실시예에서, 모듈 체결홀(MH1-MH4)은 일부가 모듈 보드(BDH)의 변(예컨대, 장변) 측으로 개방될 수도 있다. 즉, 모듈 체결홀(MH1-MH4)이 모듈 보드(BDH)의 변 측에 더욱 근접하도록 배치되어, 모듈 보드(BDH)의 변이 모듈 체결홀(MH1-MH4)이 형성하는 가상의 원형 내에 배치됨으로써 모듈 체결홀(MH1-MH4)이 원형의 폐곡선 형상을 완성하지 못하고, 모듈 보드(BDH)의 변 측으로 수평 방향으로 개구할 수 있다. 이 경우에도 모듈 보드(BDH)의 변 측으로 개구된 폭은 상기 가상의 원형의 지름보다 작을 수 있다.
모듈 보드(BDH)의 일측 단부에는 메모리 커넥터(MCN)가 배치될 수 있다. 도면에서는 메모리 커넥터(MCN)가 모듈 보드(BDH)의 제1 단변(SS1)에 연결되고, 모듈 보드(BDH)의 제1 단변(SS1)으로부터 제1 방향(X) 외측으로 돌출되어 있는 경우를 도시하고 있지만, 이에 제한되지 않고, 다른 변에 배치되거나, 복수의 변에 배치될 수도 있다.
몇몇 실시예에서, 메모리 커넥터(MCN)의 제2 방향(Y)의 폭은 모듈 보드(BDH)의 제2 방향(Y)의 폭보다 작을 수 있다. 또한, 메모리 커넥터(MCN)는 모듈 보드(BDH)의 제1 장변(LS1)의 연장선 및/또는 제2 장변(LS2)의 연장선으로부터 이격되어 배치될 수 있다. 메모리 커넥터(MCN)는 전반적으로 제1 장변(LS1)보다 제2 장변(LS2)에 더 치우치도록 배치될 수 있다. 즉, 메모리 커넥터(MCN)와 모듈 보드(BDH) 제1 장변(LS1)의 연장선 사이의 거리는 메모리 커넥터(MCN)와 모듈 보드(BDH) 제2 장변(LS2)의 연장선 사이의 거리보다 클 수 있다. 그러나, 실시예들이 이에 제한되는 것은 아니고, 메모리 커넥터(MCN)가 모듈 보드(BDH)의 장변들에 대해 등거리에 위치할 수도 있다.
메모리 커넥터(MCN)는 모듈 보드(BDH)에 연결된다. 메모리 커넥터(MCN)는 모듈 보드(BDH)와 별도의 부재로 제공되어 모듈 보드(BDH)에 부착될 수도 있지만, 모듈 보드(BDH)와 일체형으로 제공될 수도 있다. 메모리 커넥터(MCN)가 모듈 보드(BDH)와 일체형으로 제공되는 경우, 메모리 커넥터(MCN)는 모듈 보드(BDH)의 일부를 외측으로 돌출시킨 모듈 보드(BDH) 돌출 영역에 마련될 수 있다.
메모리 커넥터(MCN)는 복수의 접속 단자(EL)를 포함할 수 있다. 복수의 접속 단자(EL)들은 제2 방향(Y)을 따라 이격되어 배열될 수 있다. 메모리 커넥터(MCN)의 각 접속 단자(EL)는 그에 상응하는 호스트 커넥터(도 11의 HCO)의 각 접속 단자(도 11의 176)에 연결될 수 있다. 메모리 커넥터(MCN)와 호스트 커넥터(도 11의 HCO)의 접속에 대한 상세한 설명은 후술하기로 한다.
메모리 커넥터(MCN)의 각 접속 단자(EL)는 모듈 보드(BDH)의 배선과 연결될 수 있다. 메모리 커넥터(MCN)가 모듈 보드(BDH)와 일체형으로 제공되는 경우, 메모리 커넥터(MCN)의 접속 단자(EL)는 모듈 보드(BDH)의 배선과 동일한 물질을 이용하여 동일한 층에 형성될 수 있다. 각 접속 단자(EL)는 모듈 보드(BDH)의 배선보다 폭이 넓어진 패드 전극의 형상을 가질 수 있다. 복수의 접속 단자(EL)는 적어도 부분적으로 절연층에 의해 덮이지 않은 채 외부로 노출될 수 있다.
복수의 접속 단자(EL)는 메모리 커넥터(MCN)의 상면에 배치될 수도 있고, 하면에 배치될 수도 있다. 경우에 따라, 복수의 접속 단자(EL)는 메모리 커넥터(MCN)의 상면과 하면에 모두 배치될 수도 있다. 나아가, 메모리 커넥터(MCN)는 두께 방향으로 분리된 복수의 층을 포함하고, 각 층의 적어도 일면에 복수의 접속 단자(EL)가 배치될 수도 있다.
상술한 메모리 커넥터(MCN)의 크기, 형상, 위치, 접속 단자(EL)들의 배열 등은 정해진 규격에 따를 수 있다. 예를 들어, 메모리 커넥터(MCN)의 크기, 형상, 위치, 접속 단자(EL)들의 배열 등은 E1.S, M.2, NF2 등과 같은 규격에 상응할 수 있다.
모듈 보드(BDH)의 상면 및/또는 하면 상에는 전자 소자(CHP)가 배치된다. 전자 소자(CHP)는 모듈 보드(BDH)와 별개의 칩 형태로 제조되어 모듈 보드(BDH) 상에 실장될 수 있다.
전자 소자(CHP)는 반도체 소자를 포함할 수 있다. 반도체 소자는 낸드 플래쉬 메모리나 DRAM 메모리와 같은 메모리 및 메모리를 제어하는 메모리 컨트롤러를 포함할 수 있다. 몇몇 실시예에서, 도 1에 도시된 스토리지 컨트롤러(210), 호스트 인터페이스(211), 메모리 인터페이스(212), CPU(213), 버퍼 메모리(216) 등은 이러한 전자 소자(CHP)의 형태로 제작되어 모듈 보드(BDH)에 실장될 수 있다. 몇몇 실시예에서, 전자 소자(CHP)는 커패시터 소자를 더 포함할 수 있다. 각 전자 소자(CHP)들은 모듈 보드(BDH)의 배선에 연결되어 전기적인 동작을 수행할 수 있다. 복수의 전자 소자(CHP)들은 서로 이격될 수 있다. 각 전자 소자(CHP)들 간 이격 공간에는 수평 갭이 정의될 수 있다. 수평 갭은 에어 등으로 채워질 수 있다.
인클로저 어셈블리(260)는 전반적으로 내부가 비어 있는 직육면체 형상을 갖는다. 인클로저 어셈블리(260)의 내부에는 메모리 모듈(270)이 수납된다. 인클로저 어셈블리(260)는 하우징의 역할을 할 수 있다.
인클로저 어셈블리(260)는 외관 상 상면, 하면과 측면을 포함할 수 있다. 인클로저 어셈블리(260)의 상면과 하면은 스토리지 장치(200)의 상면과 하면을 구성하고, 측면은 각각 스토리지 장치(200)의 측면을 구성할 수 있다. 스토리지 장치(200)의 일 측면에 해당하는 위치에서, 인클로저 어셈블리(260)는 제1 방향(X)으로 메모리 커넥터(MCN)를 노출하는 커넥터 개구(COP)를 포함할 수 있다.
인클로저 어셈블리(260)는 복수 부품들의 조립에 의해 제공될 수 있다. 구체적으로, 인클로저 어셈블리(260)는 상부에 위치하는 제1 인클로저(261)와 하부에 위치하는 제2 인클로저(162)를 포함할 수 있다. 제1 인클로저(261)와 제2 인클로저(162)는 상호 체결되어 적어도 부분적으로 밀봉된 공간을 정의할 수 있다. 상기 밀봉 공간 내에 메모리 모듈(270)이 수납될 수 있다.
제1 인클로저(261)와 제2 인클로저(162)는 각각 스테인레스 스틸, 알루미늄(Al), 구리(Cu), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 또는 이들을 포함하는 합금 등과 같은 금속으로 이루어지거나, 폴리머 재료, 탄소계 재료 또는 이들이 복합된 복합 재료 등으로 이루어질 수 있다.
몇몇 실시예에서, 제1 인클로저(261)와 제2 인클로저(162)는 열 전달 물질(Thermal Interface Material, TIM), 상변화 물질(Phase Change Materal; PCM), 또는 캡슐화된 상변화 물질(encapsulated PCM; ePCM)을 포함할 수 있다. 이러한 물질들은 제1 인클로저(261)와 제2 인클로저(162)의 구성 물질에 혼합될 수도 있고, 제1 인클로저(261)와 제2 인클로저(162)의 내측면(제1 인클로저(261)의 경우 하면이고, 제2 인클로저(162)의 경우 상면임) 또는 양면에 코팅될 수도 있다. 또한, 별도의 필름 등으로 제조되어 제1 인클로저(261)와 제2 인클로저(162)의 내측면 또는 양면에 부착될 수도 있다.
이러한 열 전달 물질 등은 제1 인클로저(261) 및 제2 인클로저(162)가 열을 흡수하고 저장하거나, 퍼지게 하는 데에 도움을 줄 수 있다. 그에 따라, 인클로저 어셈블리(260) 및 이를 포함하는 스토리지 장치(200)의 열 용량을 증가시킬 수 있다. 몇몇 실시예에서, 제1 인클로저(261)와 제2 인클로저(162)의 재질은 동일할 수도 있고, 상이할 수도 있다.
제1 인클로저(261)는 상면 커버인 상부판(CVU) 및 사이드 커버인 제1 및 제2 측벽(ESW1, ESW2)을 포함한다.
상부판(CVU)은 XY 평면 상에 놓인다. 상부판(CVU)은 균일한 두께를 가질 수 있다.
상부판(CVU)은 평면도상 실질적인 직사각형 형상을 가질 수 있다. 상부판(CVU)의 평면 형상은 스토리지 장치(200)의 평면 형상과 실질적으로 동일할 수 있다. 스토리지 장치(200)의 장변 및 단변의 길이는 각각 상부판(CVU)의 장변 및 단변의 길이에 의해 결정될 수 있다.
상부판(CVU)은 메모리 모듈(270)의 모듈 보드(BDH) 뿐만 아니라 메모리 모듈(270)의 메모리 커넥터(MCN)까지 커버할 수 있다. 상부판(CVU)의 제1 단변(SS1)은 메모리 커넥터(MCN)의 단부에 정렬되거나 그로부터 외측에 배치될 수 있다.
제1 측벽(ESW1)과 제2 측벽(ESW2)은 상부판(CVU)과 연결되어 일체형으로 형성될 수 있다. 제1 측벽(ESW1)은 상부판(CVU)의 제1 장변(LS1)으로부터 절곡되어 제3 방향(Z)으로 연장되고, 제2 측벽(ESW2)은 상부판(CVU)의 제2 장변(LS2)으로부터 절곡되어 제3 방향(Z)으로 연장될 수 있다. 상부판(CVU)의 제1 단변(SS1) 측에는 커넥터 개구(COP)을 정의하기 위해 측벽이 존재하지 않을 수 있다.
제1 측벽(ESW1)과 제2 측벽(ESW2)은 동일한 두께를 가질 수 있고, 상부판(CVU)과도 그 두께가 동일할 수 있지만, 실시예들이 이에 제한되는 것은 아니다.
제1 측벽(ESW1)과 제2 측벽(ESW2)은 스토리지 장치(200)의 높이에 상응하는 높이를 가질 수 있다. 제1 측벽(ESW1)과 제2 측벽(ESW2)의 높이는 전반적으로 동일할 수 있다.
제1 인클로저(261)는 모듈 체결홀(MH1-MH4)과 공간적으로 연결되어 모듈 스크류(130)에 의해 체결되는 결합홈(CPG)을 포함할 수 있다. 제1 인클로저(261)의 결합홈(CPG)은 모듈 체결홀(MH1-MH4)과 동수로 배치될 수 있다. 제1 인클로저(261)의 결합홈(CPG)은 그에 상응하는 모듈 체결홀(MH1-MH4)에 중첩할 수 있다. 제1 인클로저(261)의 결합홈(CPG)과 모듈 체결홀(MH1-MH4)의 평면 형상은 동일할 수 있지만, 실시예들이 이에 제한되는 것은 아니다.
제1 인클로저(261)의 상부판(CVU)은 제1 측벽(ESW1)과 제2 측벽(ESW2)의 일 단부보다 제1 방향(X)으로 연장된 연장부(EXP)를 포함한다. 이러한 연장부(EXP)로 인해, 상부판(CVU)은 제1 측벽(ESW1)과 제2 측벽(ESW2)보다 제1 방향(X)으로 더 연장될 수 있다.
연장부(EXP)에는 앞서 설명한 래치 어셈블리(도 3의 300)와 결합을 위한 고정홀(FH1, FH2)이 형성될 수 있다.
도 6을 참조하면, 고정홀(FH1, FH2)은 제3 방향(Z)을 기준으로 중앙부에 위치하는 관통홀부(TRH)와 관통홀부(TRH) 상에 위치하고 관통홀부(TRH)를 둘러싸는 확장홀부(ENH)를 포함할 수 있다. 관통홀부(TRH)와 확장홀부(ENH)는 공간적으로 상호 연결될 수 있다.
관통홀부(TRH)와 확장홀부(ENH)는 각각 평면도상 원형일 수 있다. 확장홀부(ENH)는 관통홀부(TRH)보다 큰 내경을 가지며, 관통홀부(TRH)는 평면도상 확장홀부(ENH)의 내부에 배치될 수 있다. 관통홀부(TRH)의 평면 형상과 확장홀부(ENH)의 평면 형상은 동심원 관계에 있을 수 있다.
몇몇 실시예에서, 관통홀부(TRH)의 내경(DA1)은 2.6mm 내지 2.8mm일 수 있다. 그리고, 관통홀부(TRH)의 깊이(D1)는 0.9mm 내지 1.1mm일 수 있다. 그리고, 몇몇 실시예에서, 확장홀부(ENH)의 내경(DA2)은 4.6mm 내지 4.8mm일 수 있다. 그리고, 확장홀부(ENH)의 깊이(D2)는 1.1mm 내지 1.3mm일 수 있다.
관통홀부(TRH)와 확장홀부(ENH)의 경계부에서 확장홀부(ENH)는 XY 평면에 놓이는 저면을 포함할 수 있다. 확장홀부(ENH)의 저면은 래치 어셈블리(도 3의 300)의 후크(도 3의 HOK)의 결합부가 안착하는 안착면으로 기능할 수 있다.
이와 같은 구조의 고정홀(FH1, FH2)은 스토리지 장치(200)와 래치 어셈블리(도 3의 300)가 용이하게 장탈착되는데 기여할 수 있다. 앞서 설명한 것과 같이 확장홀부(ENH)의 저면이 관통홀부(TRH)를 관통한 후크(도 3의 HOK)의 결합부를 잘 안착시킴으로써 장탈착 용이성도 향상시키고, 결합의 신뢰성도 확보할 수 있다. 이에 대한 보다 구체적인 설명은 후술한다.
제1 인클로저(261)는 상부판(CVU)을 관통하는 적어도 하나의 클램핑 홀(CLH)을 더 포함할 수 있다. 클램핑 홀(CLH)은 후술할 호스트 커넥터(도 10의 HCO)에 접속할 때, 호스트 커넥터(도 10의 HCO)의 후크(도 10의 171)가 삽입되는 공간을 제공한다. 클램핑 홀(CLH)은 상부판(CVU)의 제1 단변(SS1)에 인접하도록 배치될 수 있다.
클램핑 홀(CLH)은 메모리 커넥터(MCN)와 중첩하는 위치에 배치될 수 있다. 클램핑 홀(CLH)은 평면도상 제2 방향(Y)이 장변인 직사각형 형상일 수 있다. 일 실시예에서, 클램핑 홀(CLH)의 제2 방향(Y)의 폭은 4.0mm이고, 제1 방향(X)의 폭은 2.5mm일 수 있다.
클램핑 홀(CLH)의 개수는 후술할 호스트 커넥터(도 10의 HCO)의 후크(도 10의 171)의 개수에 상응할 수 있다. 호스트 커넥터(도 10의 HCO)가 2개의 후크(도 10의 171)를 포함하는 경우, 클램핑 홀(CLH)의 개수 또한 2개일 수 있다. 복수의 클램핑 홀(CLH)은 제2 방향(Y)을 따라 배열될 수 있다.
몇몇 실시예에서, 하나의 클램핑 홀(CLH)은 상부판(CVU)의 제2 장변(LS2)으로부터 7.25mm 이격되어 배치되고, 다른 하나의 클램핑 홀(CLH)은 16.25mm 이격되어 배치될 수 있다. 클램핑 홀(CLH) 간 간격은 5.0mm일 수 있다.
제2 인클로저(162)는 하면 커버인 하부판(CVB)을 포함한다.
하부판(CVB)은 XY 평면 상에 놓인다. 하부판(CVB)은 상부판(CVU)과 동일한 두께를 가질 수 있지만, 실시예들이 이에 제한되는 것은 아니다.
하부판(CVB)은 상부판(CVU)보다 작은 면적을 가질 수 있다. 하부판(CVB)은 하부로부터 메모리 모듈(270)의 모듈 보드(BDH)를 모두 커버하되, 메모리 커넥터(MCN)는 커버하지 않고 노출할 수 있다. 하부판(CVB)의 제1 단변(SS1)은 상부판(CVU)의 제1 단변(SS1)보다 내측에 위치하고, 메모리 커넥터(MCN)의 단부보다 내측에 위치할 수 있다. 상부판(CVU)의 제1 단변(SS1)은 모듈 보드(BDH)의 제1 단변(SS1)에 정렬될 수 있지만, 실시예들이 이에 제한되는 것은 아니다.
제2 인클로저(162)는 모듈 체결홀(MH1-MH4)과 공간적으로 연결되어 모듈 스크류(130)에 의해 체결되는 결합홀(CPH)을 포함할 수 있다. 제2 인클로저(162)의 결합홀(CPH)은 모듈 체결홀(MH1-MH4)과 동수로 배치될 수 있다. 제2 인클로저(162)의 결합홀(CPH)은 그에 상응하는 모듈 체결홀(MH1-MH4) 및 제1 인클로저(261)의 결합홈(CPG)에 중첩할 수 있다. 제2 인클로저(162)의 결합홀(CPH)과 모듈 체결홀(MH1-MH4)의 평면 형상을 동일할 수 있지만, 이에 제한되는 것은 아니다.
제1 인클로저(261), 메모리 모듈(270) 및 제2 인클로저(162)는 스크류 바디와 스크류 헤드를 포함하는 모듈 스크류(130)에 의해 상호 체결될 수 있다. 모듈 스크류(130)는 제2 인클로저(162)의 하면으로부터 제2 인클로저(162)의 결합홀(CPH)과 모듈 체결홀(MH1-MH4)을 순차 통과하여 제1 인클로저(261)의 결합홈(CPG)에까지 삽입되어 이들을 상호 결합한다. 모듈 스크류(130)에 의한 체결을 원활하게 하기 위해 제2 인클로저(162)의 결합홀(CPH), 모듈 체결홀(MH1-MH4) 및/또는 제1 인클로저(261)의 결합홈(CPG) 내벽에는 동일 방향으로 회전하는 나사선이 배치될 수 있다. 체결된 스토리지 장치(200)에서, 모듈 스크류(130)의 헤드는 제2 인클로저(162)의 하부에 놓일 수도 있고, 제2 인클로저(162)의 결합홀(CPH) 내부에 배치될 수도 있다.
이하, 도 7 및 도 8을 참조하여, 몇몇 실시예에 따른 스토리지 어셈블리(SA1)의 래치 어셈블리(300)에 대해 설명한다.
도 7은 도 3의 래치 어셈블리의 사시도이다. 도 8은 도 7의 A-A′ 선을 따라 절단한 단면도이다.
도 7 및 도 8을 참조하면, 래치 어셈블리(300)는 제1 파트(P1)와 제2 파트(P2)를 포함한다.
제2 파트(P2)는 제1 파트(P1)로부터 제1 방향(X)으로 연장되어 배치될 수 있다. 도시된 것과 같이 제2 파트(P2)의 상면은 제1 파트(P1)의 상면보다 낮을 수 있다. 즉, 제1 파트(P1)와 제2 파트(P2)는 계단 형상을 이루며 서로 연결될 수 있다.
제2 파트(P2)의 상면에는 후크(HOK)가 배치될 수 있다. 몇몇 실시예에서, 후크(HOK)는 고정 스크류(FSC)를 이용하여 제2 파트(P2)의 상면에 고정될 수 있으나, 실시예들이 이에 제한되는 것은 아니다. 몇몇 실시예에서, 후크(HOK)는 예를 들어, 접착제 등을 이용하여 제2 파트(P2)의 상면에 고정될 수도 있다.
비록 도면에서는 1개의 고정 스크류(FDC)를 이용하여 후크(HOK)가 제2 파트(P2)의 상면에 고정된 것이 도시되어 있으나, 실시예들이 이에 제한되는 것은 아니다. 필요에 따라, 후크(HOK)를 제2 파트(P2)의 상면에 고정시키기 위한 고정 스크류(FDC)의 개수는 얼마든지 변형되어 실시될 수 있다.
후크(HOK)는 탄성을 가질 수 있다. 여기서, 탄성을 갖는다는 것은 후크(HOK)에 외압이 가해질 경우, 외압에 대한 복원력을 가짐을 의미한다. 몇몇 실시예에서, 후크(HOK)는 스테인레스 재질의 금속으로 프레스 공법, 다이 캐스팅 공법 또는 사출 공법 등으로 제작될 수 있으나, 실시예들이 이에 제한되는 것은 아니다.
후크(HOK)의 일 단부에는 제2 파트(P)의 상면 상으로(예를 들어, Z방향으로) 절곡되는 제1 결합부(FP1)가 형성되고, 타 단부에는 제2 파트(P)의 상면 상으로(예를 들어, Z방향으로) 절곡되는 제2 결합부(FP2)가 형성될 수 있다.
스토리지 장치(도 3의 200)와 래치 어셈블리(도 3의 300)가 결합될 때, 제1 결합부(FP1)는 제1 고정홀(FH1) 내에 수용되고, 제2 결합부(FP2)는 제2 고정홀(FH2) 내에 수용될 수 있다.
제1 결합부(FP1)는 후크(HOK)의 바디로부터 제3 방향(Z)으로 절곡되어 연장되는 제1 연장부(EX11)와, 제1 연장부(EX11)로부터 제2 방향(+Y)으로 절곡되어 연장되는 제2 연장부(EX12)와, 제2 연장부(EX12)로부터 제2 방향(-Y)으로 절곡되어 연장되는 제3 연장부(EX13)를 포함할 수 있다. 제2 결합부(FP2)는 후크(HOK)의 바디로부터 제3 방향(Z)으로 절곡되어 연장되는 제4 연장부(EX21)와, 제4 연장부(EX11)로부터 제2 방향(-Y)으로 절곡되어 연장되는 제5 연장부(EX22)와, 제5 연장부(EX22)로부터 제2 방향(+Y)으로 절곡되어 연장되는 제6 연장부(EX23)를 포함할 수 있다.
제1 결합부(FP1)와 제2 결합부(FP2)의 형상이 이러한 것은, 스토리지 장치(도 3의 200)와 래치 어셈블리(도 3의 300)가 결합될 때, 스토리지 장치(도 3의 200)와 래치 어셈블리(도 3의 300) 간의 결합 신뢰성을 향상시키기 위함이다.
몇몇 실시예에서, 후크(HOK)의 두께(T)는 0.1 mm 내지 0.5 mm일 수 있다. 이에 따라, 제1 결합부(FP1)와 제2 결합부(FP2)의 두께(T) 역시 0.1 mm 내지 0.5 mm일 수 있다. 이에 관한 보다 구체적인 설명은 후술한다.
도 9는 스토리지 장치의 고정홀에 래치 어셈블리의 후크가 결합된 모습을 도시한 도면이다.
도 9를 참조하면, 고정홀(FH2)은 관통홀부(TRH)와 확장홀부(ENH)를 포함할 수 있다. 결합부(FP2)는 제1 내지 제3 연장부(EX21~EX23)를 포함할 수 있다. 이러한 고정홀(FH2)과 결합부(FP2)에 관한 설명은 앞서 충분히 설명한 바 중복된 자세한 설명은 생략한다.
스토리지 장치(200)가 래치 어셈블리(300)와 결합될 때, 결합부(FP2)는 관통홀부(TRH)를 관통할 수 있다. 그리고, 확장홀부(ENH)는 결합부(FP2)의 일 단(예를 들어, 제3 연장부(EX23)의 일단)을 그 내부에 수용할 수 있다.
구체적으로, 제1 연장부(EX21)는 관통홀부(TRH)를 관통하고, 제2 연장부(EX22)는 제1 연장부(EX21)로부터 연장되되 확장홀부(ENH)의 내측벽을 향해 연장되고, 제3 연장부(EX23)는 제2 연장부(EX22)로부터 연장되되 확장홀부(ENH)의 중앙을 향해 연장될 수 있다.
몇몇 실시예에서, 제1 연장부(EX21)로부터 제2 방향(-Y)으로 절곡되어 연장되는 제2 연장부(EX22)는 도시된 것과 같이 관통홀부(TRH)의 내측벽과 접촉할 수 있다. 또한, 몇몇 실시예에서, 제2 연장부(EX22)는 확장홀부(ENH)의 하면에도 접촉할 수 있다.
비록 도면에는 고정홀(FH2)과 결합부(FP2)만 도시되어 있으나, 이상의 설명은 고정홀(FH1)과 결합부(FP1)에도 동일하게 적용될 수 있다.
앞서 설명한 것과 같이 후크(HOK)는 탄성을 가지므로, 제2 연장부(EX22)와 제2 연장부(EX23)를 제2 방향(+Y)으로 힘을 가한 상태에서 관통홀부(TRH)를 관통시켜 래치 어셈블리(300)에 스토리지 장치(200)를 장착할 수 있다. 이 후, 제2 연장부(EX22)는 탄성에 의해 관통홀부(TRH)의 내측벽 및/또는 확장홀부(ENH)의 하면에 제2 방향(-Y)으로 힘을 가하게 되므로, 래치 어셈블리(300)와 스토리지 장치(200)는 단단하게 고정될 수 있다. 이에 따라, 스토리지 장치(200)와 래치 어셈블리(300)의 결합 신뢰성이 향상될 수 있다.
한편, 스토리지 장치(200)로부터 래치 어셈블리(300)를 탈착할 경우, 제2 연장부(EX22)와 제2 연장부(EX23)에 제2 방향(+Y)으로 힘을 가하면, 제2 연장부(EX22)와 제2 연장부(EX23)가 관통홀부(TRH)를 통과할 수 있는 상태가 되므로, 스토리지 장치(200)로부터 래치 어셈블리(300)를 용이하게 탈착할 수 있다. 따라서, 예를 들어, 스크류 등을 이용하여 스토리지 장치(200)와 래치 어셈블리(300)를 장탈착 하는 구성에 비해, 훨씬 용이한 장탈착이 가능하다.
몇몇 실시예에서, 후크(HOK)의 두께(T)는 0.1 mm 내지 0.5 mm일 수 있다. 본 실시예에서는, 후크(HOK)의 두께(T)를 0.1 mm 이상으로 유지함으로써 장탈착 시 필요한 후크(HOK)의 적정 탄성을 유지할 수 있다. 또한, 본 실시예에서는, 후크(HOK)의 두께(T)를 0.5 mm 이하로 유지함으로써 스토리지 장치(200)가 래치 어셈블리(300)에 장착될 때, 스토리비 장치(200)의 하면이 래치 어셈블리(300)의 상면으로부터 지나치게 들뜨는 현상을 사전에 방지할 수 있다.
이하, 도 10 내지 도 12를 참조하여, 스토리지 장치(200)와 래치 어셈블리(300)가 결합된 상태로 호스트(도 1의 100)에 장착되는 과정에 대해 설명한다.
도 10는 몇몇 실시예에 따른 호스트의 부분 사시도이다. 도 11은 도 10의 단면도이다. 도 12는 스토리지 장치의 부분 사시도이다.
도 10 내지 도 12를 참조하면, 호스트(도 1의 100)는 호스트 커넥터(HCO) 및 시스템 보드(SBD)를 포함할 수 있다.
시스템 보드(SBD)는 인쇄회로기판(PCB)을 포함할 수 있다. 호스트 커넥터(HCO)는 시스템 보드(SBD)에 고정될 수 있다. 도면에서는 스크류를 통해 호스트 커넥터(HCO)가 시스템 보드(SBD) 사에 고정된 형상을 도시하였지만, 이들의 고정 방식은 예시된 바에 제한되지 않는다. 호스트 커넥터(HCO)와 시스템 보드(SBD)는 전기적으로 연결될 수 있다.
호스트 커넥터(HCO)는 커넥터 바디(HB), 커넥터 바디(HB) 내에 설치된 복수의 접속 단자(176), 및 커넥터 바디(HB)의 상면에 설치된 래치(170)를 포함할 수 있다.
커넥터 바디(HB)는 메인 바디와 바디 커버를 포함할 수 있다. 메인 바디의 정면에는 메모리 커넥터(MCN)를 수용하는 커넥터 홀(COH)이 배치된다. 메인 바디와 바디 커버는 별개의 부재로 제공된 후 상호 체결될 수도 있고, 일체형으로 형성되되 일부의 영역들이 이격된 공간을 정의하도록 형성됨으로써 상술한 바와 같은 슬롯을 정의할 수도 있다.
커넥터 홀(COH)은 메인 바디의 정면에 마련된다. 커넥터 홀(COH)의 수평 방향의 폭은 스토리지 장치(200)의 메모리 커넥터(MCN)의 수평 방향의 폭 이상이 되어 메모리 커넥터(MCN)를 수용할 수 있는 공간을 제공한다. 스토리지 장치(200)의 커넥터 홀(COH) 내부에는 복수의 접속 단자(176)가 배치될 수 있다. 스토리지 장치(200)의 메모리 커넥터(MCN)를 커넥터 홀(COH)에 삽입할 때, 메모리 커넥터(MCN)의 접속 단자(EL)와 호스트 커넥터(HCO)의 접속 단자(176)가 상호 전기적으로 연결되어 스토리지 장치(200)와 호스트를 상호 접속시킬 수 있다. 완전한 기밀을 위해 커넥터 홀(COH) 내에 삽입된 메모리 커넥터(MCN)의 측면, 상면, 하면 중 적어도 일부 또는 모두는 커넥터 홀(COH)의 내벽에 접촉할 수 있지만, 이에 제한되는 것은 아니다.
래치(170)는 래치 바디(170_BD) 및 래치 바디(170_BD)의 단부에 배치된 하나 이상의 후크(171)를 포함할 수 있다. 후크(171)의 개수 및 크기는 스토리지 장치(200)의 클램핑 홀(CLH)의 개수 및 크기에 상응할 수 있다.
평면도상 후크(171)는 래치 바디(210_BD)의 단부으로부터 외측으로 돌출할 수 있다. 단면도상 후크(171)의 외측면은 팁 방향으로 진행할수록 내측으로 기울어진 경사면을 가질 수 있다. 상기 경사면의 단면은 직선일 수도 있고, 볼록한 곡선일 수도 있다.
단면도상 후크(171)의 내측면은 직선 또는 오목한 곡선일 수 있다. 후크(171)의 내측면과 후크 바디가 이루는 각도의 절대값은 후크(171)의 외측면과 후크 바디가 이루는 각도의 절대값보다 클 수 있다.
래치(170)는 조인트(172)에 의해 커넥터 바디(HB)에 결합할 수 있다. 조인트(172)는 스프링을 포함하여 이루어질 수 있다. 스프링은 복원력을 가져 래치(170)가 외력에 의해 리프트 업되더라도, 외력이 제거되면 원래의 위치로 하강하도록 할 수 있다. 후크(171)가 조인트(172)에 의해 위에서 아래로(예를 들어, +Z방향에서 -Z방향으로) 스토리지 장치(200)의 클램핑 홀(CLH)에 끼워 맞춰지는 방식으로, 스토리지 장치(200)가 호스트 커넥터(HCO)에 결합될 수 있다.
이하, 도 13 내지 도 18을 참조하여, 다른 몇몇 실시예에 따른 스토리지 어셈블리에 대해 설명한다. 이하에서는 앞서 설명한 실시예와 중복된 설명은 생략하고 차이점을 위주로 설명한다.
먼저, 도 13 및 도 14를 참조하여, 래치 어셈블리에 대해 설명한다.
도 13은 몇몇 실시예에 따른 스토리지 어셈블리의 래치 어셈블리의 사시도이다. 도 14는 도 13의 래치 어셈블리의 평면도이다.
도 13 및 도 14를 참조하면, 래치 어셈블리(300a)는 제3 파트(P3)를 더 포함할 수 있다.
제3 파트(P3)는 제2 파트(P2)로부터 제1 방향(X)으로 연장되어 배치될 수 있다. 도시된 것과 같이 제3 파트(P3)의 상면은 제2 파트(P2)의 상면보다 낮을 수 있다. 즉, 제1 파트(P1), 제2 파트(P2), 제3 파트(P3)는 계단 형상을 이루며 서로 연결될 수 있다.
제3 파트(P3)는 제1 부분(portion)(PO1)과 제2 부분(PO2)을 포함할 수 있다. 제1 부분(PO1)은 제2 파트(P2)로부터 제1 방향(X)으로 연장되고, 제2 부분(PO2)은 제1 부분(PO1)으로부터 제1 방향(X)으로 연장될 수 있다. 즉, 제1 부분(PO)은 제2 부분(PO2)에 비해 제2 파트(P2)에 인접하여 배치될 수 있다.
제1 부분(PO1)과 제2 부분(PO2)은 제2 방향(Y)으로 측정하였을 때, 서로 다른 폭을 가질 수 있다.
구체적으로, 제1 부분(PO1)의 제2 방향(Y) 폭(W1)은 제2 부분(PO2)의 제2 방향(Y) 폭(W2)보다 작을 수 있다. 이에 따라, 제1 부분(PO1)의 측벽에는 제2 파트(P2)와 제2 부분(PO2)에 의한 도시된 것과 같은 홈이 형성될 수 있다.
한편, 제1 부분(PO1)과 제2 부분(PO2)은 제1 방향(X)으로 측정하였을 때, 서로 다른 두께를 가질 수 있다.
구체적으로, 제1 부분(PO1)의 제1 방향(X) 두께(TH1)는 예를 들어, 0.5 내지 0.7 mm이고, 제2 부분(PO2)의 제1 방향(X) 두께(TH2)는 예를 들어, 0.8 내지 1.2 mm일 수 있다. 제1 부분(PO1)의 제1 방향(X) 두께(TH1)와, 제2 부분(PO2)의 제1 방향(X) 두께(TH2)가 이러함은 래치 어셈블리(300a)가 스토리지 장치(도 15의 200a)에 결합될 때 결합 신뢰성을 높이기 위함이다. 이에 관한 보다 구체적인 설명은 후술한다.
다음, 도 15 및 도 16을 참조하여, 스토리지 장치에 대해 설명한다.
도 15는 몇몇 실시예에 따른 스토리지 장치의 인클로저 어셈블리를 도시한 도면이다. 도 16은 도 15의 평면도이다.
도 15 및 도 16을 참조하면, 스토리지 장치(200a)는 제1 인클로저(261)와 제2 인클로저(262)를 포함한다.
앞서 설명한 것과 같이, 제1 측벽(ESW1)은 제1 인클로저(261)의 상부판(CVU)의 제1 장변(LS1)으로부터 절곡되어 제3 방향(Z)으로 연장되고, 제2 측벽(ESW2)은 제1 인클로저(261)의 상부판(CVU)의 제2 장변(LS2)으로부터 절곡되어 제3 방향(Z)으로 연장된다.
본 실시예에서, 제1 측벽(ESW1)은 제2 방향(Y)으로 절곡된 제1 절곡부(FPP1)를 포함하고, 제2 측벽(ESW2)은 제2 방향(Y)으로 절곡된 제2 절곡부(FPP2)를 포함한다.
제2 인클로저(262)의 하부판(CVB)은 제1 절곡부(FPP1)와 제2 절곡부(FPP2)로부터 미리 정한 간격(DDP)만큼 이격되어 배치된다. 즉, 제2 인클로저(262)의 하부판(CVB)은 제1 절곡부(FPP1)와 제2 절곡부(FPP2)와 접촉하지 않고, 미리 정한 간격(DDP)만큼 떨어져서 배치된다. 이에 따라, 제1 절곡부(FPP1), 제1 측벽(ESW1) 및 하부판(CVB)에 의해 홈이 형성되고, 제2 절곡부(FPP2), 제2 측벽(ESW2) 및 하부판(CVB)에 의해 홈이 형성될 수 있다. 이 홈에는 앞서 설명한 래치 어셈블리(도 14의 300a)의 제2 부분(도 14의 PO2)이 결합될 수 있다.
몇몇 실시예에서, 제1 절곡부(FPP1)의 제1 방향(X) 두께(TH3)는 예를 들어, 0.5 내지 0.7 mm일 수 있다. 또한, 자세히 도시하지는 않았으나, 제2 절곡부(FPP2)의 제1 방향(X) 두께 역시 예를 들어, 0.5 내지 0.7 mm일 수 있다.
또한, 몇몇 실시예에서, 하부판(CVB)이 제1 절곡부(FPP1)와 제2 절곡부(FPP2)로부터 이격되는 간격(DDA)은 예를 들어, 0.8 내지 1.2 mm일 수 있다.
제1 및 제2 절곡부(FPP1, FPP2)의 제1 방향(X) 두께(TH3)와, 하부판(CVB)이 제1 절곡부(FPP1)와 제2 절곡부(FPP2)로부터 이격되는 간격(DDA)이 이러함은 스토리지 장치(200a)가 래치 어셈블리(도 13의 300a)에 결합될 때 결합 신뢰성을 높이기 위함이다. 이에 관한 보다 구체적인 설명은 후술한다.
다음, 도 17 및 도 18을 참조하여, 다른 몇몇 실시예에 따른 스토리지 어셈블리에서 래치 어셈블리와 스토리지 장치의 결합에 대해 설명한다.
도 17은 몇몇 실시예에 따른 스토리지 어셈블리의 래치 어셈블리와 스토리지 장치가 결합된 상태를 도시한 도면이다. 도 18은 도 15의 래치 어셈블리와 스토리지 장치의 평면도이다.
도 17 및 도 18을 참조하면, 래치 어셈블리(300a)와 스토리지 장치(200a)가 결합하여 스토리지 어셈블리(SA2)를 형성할 수 있다.
래치 어셈블리(300a)의 제1 부분(PO1)의 측벽에 형성된 홈에 스토리 장치(200a)의 측벽 중 일부인 제1 및 제2 절곡부(FPP1, FPP2)가 결합되고, 래치 어셈블리(300a)의 제2 부분(PO2)이 하부판(CVB)과 제1 및 제2 절곡부(FPP1, FPP2) 사이의 이격 공간에 결합되어, 래치 어셈블리(300a)와 스토리지 장치(200a)가 결합될 수 있다.
도 13 내지 도 18을 참조하면, 몇몇 실시예에서, 제1 부분(PO1)의 제1 방향(X) 두께(TH1)와 제1 및 제2 절곡부(FPP1, FPP2)의 제1 방향(X) 두께(TH3)를 유사하게 형성하고, 제2 부분(PO2)의 제1 방향(X) 두께(TH2)와 하부판(CVB)과 제1 및 제2 절곡부(FPP1, FPP2)의 이격 간격(DDA)을 유사하게 형성하여, 중간 끼워맞춤(transition fit) 형태로, 래치 어셈블리(300a)와 스토리지 장치(200a)를 결합시킬 수 있다.
또한, 몇몇 실시예에서, 제1 부분(PO1)의 제1 방향(X) 두께(TH1)를 제1 및 제2 절곡부(FPP1, FPP2)의 제1 방향(X) 두께(TH3) 보다 작게 형성하고, 하부판(CVB)과 제1 및 제2 절곡부(FPP1, FPP2)의 이격 간격(DDA)을 제2 부분(PO2)의 제1 방향(X) 두께(TH2)보다 작게 형성하여, 억지 끼워맞춤(interference fit) 형태로, 래치 어셈블리(300a)와 스토리지 장치(200a)를 결합시킬 수 있다.
또한, 몇몇 실시예에서, 제1 부분(PO1)의 제1 방향(X) 두께(TH1)를 제1 및 제2 절곡부(FPP1, FPP2)의 제1 방향(X) 두께(TH3) 보다 크게 형성하고, 하부판(CVB)과 제1 및 제2 절곡부(FPP1, FPP2)의 이격 간격(DDA)을 제2 부분(PO2)의 제1 방향(X) 두께(TH2)보다 크게 형성하여, 헐거운 끼워맞춤(clearance fit) 형태로, 래치 어셈블리(300a)와 스토리지 장치(200a)를 결합시킬 수 있다.
이와 같은 방법을 사용하게 될 경우, 스토리지 장치(200a)로부터 래치 어셈블리(300a)를 용이하게 장착하거나 탈착할 수 있다. 따라서, 예를 들어, 스크류 등을 이용하여 스토리지 장치(200a)와 래치 어셈블리(300a)를 장탈착 하는 구성에 비해, 훨씬 용이한 장탈착이 가능하다.
몇몇 실시예에서, 제2 부분(PO2)의 제1 방향(X) 두께(TH2)는 예를 들어, 0.8 내지 1.2 mm일 수 있다. 본 실시예에서는, 제2 부분(PO2)의 제1 방향(X) 두께(TH2)를 0.8 mm 이상으로 유지함으로써, 래치 어셈블리(300a)와 스토리지 장치(200a)가 결합될 때, 래치 어셈블리(300a)의 제2 부분(PO2)이 파손되는 것을 사전에 방지할 수 있다. 즉, 결합 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
또한, 본 실시예에서는, 제2 부분(PO2)의 제1 방향(X) 두께(TH2)를 1.2 mm 이상으로 유지함으로써, 인클로저 어셈블리(260) 내부에 배치되는 메모리 모듈(270)의 실장성을 유지시킬 수 있다.
이하, 도 19를 참조하여, 또 다른 몇몇 실시예에 따른 스토리지 어셈블리에 대해 설명한다.
도 19는 몇몇 실시예에 따른 스토리지 어셈블리의 래치 어셈블리의 사시도이다. 이하에서도 앞서 설명한 실시예들과 차이점을 위주로 설명한다.
도 19를 참조하면, 스토리지 어셈블리(SA3)는 래치 어셈블리(300b)를 포함할 수 있다.
래치 어셈블리(300b)는 제1 내지 제3 파트(P1, P2, P3)를 포함할 수 있다.
제2 파트(P2)는 제1 파트(P1)로부터 제1 방향(X)으로 연장되어 배치될 수 있다. 도시된 것과 같이 제2 파트(P2)의 상면은 제1 파트(P1)의 상면보다 낮을 수 있다.
제3 파트(P3)는 제2 파트(P2)로부터 제1 방향(X)으로 연장되어 배치될 수 있다. 도시된 것과 같이 제3 파트(P3)의 상면은 제2 파트(P2)의 상면보다 낮을 수 있다. 즉, 제1 파트(P1), 제2 파트(P2), 제3 파트(P3)는 계단 형상을 이루며 서로 연결될 수 있다.
제2 파트(P2)의 상면에는 후크(HOK)가 배치될 수 있다. 그리고, 제3 파트(P3)는 제1 부분(PO1)과 제2 부분(PO2)을 포함할 수 있다. 즉, 본 실시예에 따른 래치 어셈블리(300b)는 앞서 설명한 실시예들의 결합 구조를 모두 포함할 수 있다.
이러한 래치 어셈블리(300b)는 예를 들어, 도 15에 도시된 스토리지 장치(200a)에 결합될 수 있다. 래치 어셈블리(300b)의 후크(HOK)는 스토리지 장치(200a)의 결합부(FP1, FP2)에 결합되고, 제1 부분(PO1)의 측벽에 형성된 홈에 스토리 장치(200a)의 측벽 중 일부인 제1 및 제2 절곡부(FPP1, FPP2)가 결합되고, 래치 어셈블리(300b)의 제2 부분(PO2)이 하부판(CVB)과 제1 및 제2 절곡부(FPP1, FPP2) 사이의 이격 공간에 결합될 수 있다.
도 20은 몇몇 실시예에 따른 스토리지 어셈블리가 적용된 데이터 센터를 도시한 도면이다.
도 20을 참조하면, 데이터 센터(3000)는 각종 데이터를 모아두고 서비스를 제공하는 시설로서, 데이터 스토리지 센터라고 지칭될 수도 있다. 데이터 센터(3000)는 검색 엔진 및 데이터 베이스 운용을 위한 시스템일 수 있으며, 은행 등의 기업 또는 정부기관에서 사용되는 컴퓨팅 시스템일 수 있다. 데이터 센터(3000)는 어플리케이션 서버들(3100 내지 3100n) 및 스토리지 서버들(3200 내지 3200m)을 포함할 수 있다. 어플리케이션 서버들(3100 내지 3100n)의 개수 및 스토리지 서버들(3200 내지 3200m)의 개수는 실시예에 따라 다양하게 선택될 수 있고, 어플리케이션 서버들(3100 내지 3100n)의 개수 및 스토리지 서버들(3200 내지 3200m)의 개수는 서로 다를 수 있다.
어플리케이션 서버(3100) 또는 스토리지 서버(3200)는 프로세서(3110, 3210) 및 메모리(3120, 3220) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 스토리지 서버(3200)를 예시로 설명하면, 프로세서(3210)는 스토리지 서버(3200)의 전반적인 동작을 제어할 수 있고, 메모리(3220)에 액세스하여 메모리(3220)에 로딩된 명령어 및/또는 데이터를 실행할 수 있다. 메모리(3220)는 DDR SDRAM(Double Data Rate Synchronous DRAM), HBM(High Bandwidth Memory), HMC(Hybrid Memory Cube), DIMM(Dual In-line Memory Module), Optane DIMM 또는 NVMDIMM(Non-Volatile DIMM)일 수 있다. 실시예에 따라, 스토리지 서버(3200)에 포함되는 프로세서(3210)의 개수 및 메모리(3220)의 개수는 다양하게 선택될 수 있다.
일 실시예에서, 프로세서(3210)와 메모리(3220)는 프로세서-메모리 페어를 제공할 수 있다. 일 실시예에서, 프로세서(3210)와 메모리(3220)의 개수는 서로 다를 수도 있다. 프로세서(3210)는 단일 코어 프로세서 또는 다중 코어 프로세서를 포함할 수 있다. 스토리지 서버(3200)에 대한 상기 설명은, 어플리케이션 서버(3100)에도 유사하게 적용될 수 있다. 실시예에 따라, 어플리케이션 서버(3100)는 스토리지 장치(3150)를 포함하지 않을 수도 있다. 스토리지 서버(3200)는 적어도 하나 이상의 스토리지 장치(3250)를 포함할 수 있다. 스토리지 서버(3200)에 포함되는 스토리지 장치(3250)의 개수는 실시예에 따라 다양하게 선택될 수 있다.
앞서 설명한 스토리지 어셈블리는 하나의 스토리지 장치(3250)의 형태로 호스트인 스토리지 서버(3200)에 장착 또는 탈착될 수 있다.
어플리케이션 서버들(3100 내지 3100n) 및 스토리지 서버들(3200 내지 3200m)은 네트워크(3300)를 통해 서로 통신할 수 있다. 네트워크(3300)는 FC(Fibre Channel) 또는 이더넷(Ethernet) 등을 이용하여 구현될 수 있다. 이 때, FC는 상대적으로 고속의 데이터 전송에 사용되는 매체이며, 고성능/고가용성을 제공하는 광 스위치를 사용할 수 있다. 네트워크(3300)의 액세스 방식에 따라 스토리지 서버들(3200 내지 3200m)은 파일 스토리지, 블록 스토리지, 또는 오브젝트 스토리지로서 제공될 수 있다.
일 실시예에서, 네트워크(3300)는 SAN(Storage Area Network)와 같은 스토리지 전용 네트워크일 수 있다. 예를 들어, SAN은 FC 네트워크를 이용하고 FCP(FC Protocol)에 따라 구현된 FC-SAN일 수 있다. 다른 예를 들어, SAN은 TCP/IP 네트워크를 이용하고 iSCSI(SCSI over TCP/IP 또는 Internet SCSI) 프로토콜에 따라 구현된 IP-SAN일 수 있다. 다른 실시예에서, 네트워크(1300)는 TCP/IP 네트워크와 같은 일반 네트워크일 수 있다. 예를 들어, 네트워크(1300)는 FCoE(FC over Ethernet), NAS(Network Attached Storage), NVMe-oF(NVMe over Fabrics) 등의 프로토콜에 따라 구현될 수 있다.
이하에서는, 어플리케이션 서버(3100) 및 스토리지 서버(3200)를 중심으로 설명하기로 한다. 어플리케이션 서버(3100)에 대한 설명은 다른 어플리케이션 서버(3100n)에도 적용될 수 있고, 스토리지 서버(3200)에 대한 설명은 다른 스토리지 서버(3200m)에도 적용될 수 있다.
어플리케이션 서버(3100)는 사용자 또는 클라이언트가 저장 요청한 데이터를 네트워크(3300)를 통해 스토리지 서버들(3200 내지 3200m) 중 하나에 저장할 수 있다. 또한, 어플리케이션 서버(3100)는 사용자 또는 클라이언트가 독출 요청한 데이터를 스토리지 서버들(3200 내지 3200m) 중 하나로부터 네트워크(3300)를 통해 획득할 수 있다. 예를 들어, 어플리케이션 서버(3100)는 웹 서버 또는 DBMS(Database Management System) 등으로 구현될 수 있다.
어플리케이션 서버(3100)는 네트워크(3300)를 통해 다른 어플리케이션 서버(3100n)에 포함된 메모리(3120n) 또는 스토리지 장치(3150n)에 액세스할 수 있고, 또는 네트워크(3300)를 통해 스토리지 서버(3200-3200m)에 포함된 메모리(3220-3220m) 또는 스토리지 장치(3250-3250m)에 액세스할 수 있다. 이로써, 어플리케이션 서버(3100)는 어플리케이션 서버들(3100-3100n) 및/또는 스토리지 서버들(3200-3200m)에 저장된 데이터에 대해 다양한 동작들을 수행할 수 있다. 예를 들어, 어플리케이션 서버(3100)는 어플리케이션 서버들(3100-3100n) 및/또는 스토리지 서버들(3200-3200m) 사이에서 데이터를 이동 또는 카피(copy)하기 위한 명령어를 실행할 수 있다. 이 때 데이터는 스토리지 서버들(3200-3200m)의 스토리지 장치로(3250-3250m)부터 스토리지 서버들(3200-3200m)의 메모리들(3220-3220m)을 거쳐서, 또는 바로 어플리케이션 서버들(3100-3100n)의 메모리(3120-3120n)로 이동될 수 있다. 네트워크(3300)를 통해 이동하는 데이터는 보안 또는 프라이버시를 위해 암호화된 데이터일 수 있다.
스토리지 서버(3200)를 예시로 설명하면, 인터페이스(3254)는 프로세서(3210)와 컨트롤러(3251)의 물리적 연결 및 NIC(3240)와 컨트롤러(3251)의 물리적 연결을 제공할 수 있다. 예를 들어, 인터페이스(3254)는 스토리지 장치(3250)를 전용 케이블로 직접 접속하는 DAS(Direct Attached Storage) 방식으로 구현될 수 있다. 또한, 예를 들어, 인터페이스(3254)는 ATA(Advanced Technology Attachment), SATA(Serial ATA), e-SATA(external SATA), SCSI(Small Computer Small Interface), SAS(Serial Attached SCSI), PCI(Peripheral Component Interconnection), PCIe(PCI express), NVMe(NVM express), IEEE 1394, USB(universal serial bus), SD(secure digital) 카드, MMC(multi-media card), eMMC(embedded multi-media card), UFS(Universal Flash Storage), eUFS(embedded Universal Flash Storage), CF(compact flash) 카드 인터페이스 등과 같은 다양한 인터페이스 방식으로 구현될 수 있다.
스토리지 서버(3200)는 스위치(3230) 및 NIC(3240)을 더 포함할 수 있다. 스위치(3230)는 프로세서(3210)의 제어에 따라 프로세서(3210)와 스토리지 장치(3250)를 선택적으로 연결시키거나, NIC(3240)과 스토리지 장치(3250)를 선택적으로 연결시킬 수 있다.
일 실시예에서 NIC(3240)는 네트워크 인터페이스 카드, 네트워크 어댑터 등을 포함할 수 있다. NIC(3240)는 유선 인터페이스, 무선 인터페이스, 블루투스 인터페이스, 광학 인터페이스 등에 의해 네트워크(3300)에 연결될 수 있다. NIC(3240)는 내부 메모리, DSP, 호스트 버스 인터페이스 등을 포함할 수 있으며, 호스트 버스 인터페이스를 통해 프로세서(3210) 및/또는 스위치(3230) 등과 연결될 수 있다. 호스트 버스 인터페이스는, 앞서 설명한 인터페이스(3254)의 예시들 중 하나로 구현될 수도 있다. 일 실시예에서, NIC(3240)는 프로세서(3210), 스위치(3230), 스토리지 장치(3250) 중 적어도 하나와 통합될 수도 있다.
스토리지 서버(3200-3200m) 또는 어플리케이션 서버(3100-3100n)에서 프로세서는 스토리지 장치(3130-3130n, 3250-3250m) 또는 메모리(3120-3120n, 3220-3220m)로 커맨드를 전송하여 데이터를 프로그램하거나 리드할 수 있다. 이 때 데이터는 ECC(Error Correction Code) 엔진을 통해 에러 정정된 데이터일 수 있다. 데이터는 데이터 버스 변환(Data Bus Inversion: DBI) 또는 데이터 마스킹(Data Masking: DM) 처리된 데이터로서, CRC(Cyclic Redundancy Code) 정보를 포함할 수 있다. 데이터는 보안 또는 프라이버시를 위해 암호화된 데이터일 수 있다.
스토리지 장치(3150-3150m, 3250-3250m)는 프로세서로부터 수신된 리드 커맨드에 응답하여, 제어 신호 및 커맨드/어드레스 신호를 NAND 플래시 메모리 장치(3252-3252m)로 전송할 수 있다. 이에 따라 NAND 플래시 메모리 장치(3252-3252m)로부터 데이터를 독출하는 경우, RE(Read Enable) 신호는 데이터 출력 제어 신호로 입력되어, 데이터를 DQ 버스로 출력하는 역할을 할 수 있다. RE 신호를 이용하여 DQS(Data Strobe)를 생성할 수 있다. 커맨드와 어드레스 신호는 WE(Write Enable) 신호의 상승 엣지 또는 하강 엣지에 따라 페이지 버퍼에 래치될 수 있다.
컨트롤러(3251)는 스토리지 장치(3250)의 동작을 전반적으로 제어할 수 있다. 일 실시예에서, 컨트롤러(3251)는 SRAM(Static Random Access Memory)을 포함할 수 있다. 컨트롤러(3251)는 기입 커맨드에 응답하여 낸드 플래시(3252)에 데이터를 기입할 수 있고, 또는 독출 커맨드에 응답하여 낸드 플래시(3252)로부터 데이터를 독출할 수 있다. 예를 들어, 기입 커맨드 및/또는 독출 커맨드는 스토리지 서버(3200) 내의 프로세서(3210), 다른 스토리지 서버(3200m) 내의 프로세서(3210m) 또는 어플리케이션 서버(3100, 3100n) 내의 프로세서(3110, 3110n)로부터 제공될 수 있다. DRAM(3253)은 낸드 플래시(3252)에 기입될 데이터 또는 낸드 플래시(3252)로부터 독출된 데이터를 임시 저장(버퍼링)할 수 있다. 또한, DRAM(3253)은 메타 데이터를 저장할 수 있다. 여기서, 메타 데이터는 사용자 데이터 또는 낸드 플래시(3252)를 관리하기 위해 컨트롤러(3251)에서 생성된 데이터이다. 스토리지 장치(3250)는 보안 또는 프라이버시를 위해 SE(Secure Element)를 포함할 수 있다.
이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 설명하였으나, 본 발명은 상기 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 제조될 수 있으며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.
200: 스토리지 장치
300: 래치 어셈블리(브래킷)
HCO: 호스트 커넥터

Claims (20)

  1. 래치 어셈블리; 및
    상기 래치 어셈블리에 결합되는 스토리지 장치를 포함하되,
    상기 래치 어셈블리는,
    제1 파트와,
    상기 제1 파트로부터 제1 방향으로 연장되어 배치되고 그 상면이 상기 제1 파트의 상면보다 낮은 제2 파트와,
    상기 제2 파트의 상면에 배치되고, 탄성을 갖는 후크로서, 그 일 단에 상기 제2 파트의 상면 상으로 절곡되는 제1 결합부가 배치되고, 그 타 단에 상기 제2 파트의 상면 상으로 절곡되는 제2 결합부가 배치되는 후크를 포함하고,
    상기 스토리지 장치는,
    모듈 보드 및 상기 모듈 보드의 일 측에 배치된 메모리 커넥터를 포함하는 메모리 모듈과,
    상기 메모리 모듈의 상부에 배치되고, 상기 제1 결합부가 수용되는 제1 고정홀과, 상기 제2 결합부가 수용되는 제2 고정홀이 형성된 제1 인클로저와,
    상기 메모리 모듈의 하부에 배치된 제2 인클로저를 포함하는 스토리지 장치 어셈블리.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제1 고정홀은,
    제1 내경을 갖고 상기 제1 결합부가 관통하는 제1 관통홀부와,
    상기 제1 관통홀부의 상부에 배치되어 상기 제1 관통홀부와 공간적으로 상호 연결되고, 상기 제1 내경보다 큰 제2 내경을 갖고, 상기 후크의 상기 일 단이 그 내부에 수용되는 제1 확장홀부를 포함하는 스토리지 장치 어셈블리.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 제1 결합부는,
    상기 제1 관통홀부를 관통하는 방향으로 연장되는 제1 연장부와,
    상기 제1 연장부로부터 연장되되, 상기 제1 확장홀부의 내측벽을 향해 연장되는 제2 연장부와,
    상기 제2 연장부로부터 연장되되, 상기 제1 확장홀부의 중앙을 향해 연장되는 제3 연장부를 포함하는 스토리지 장치 어셈블리.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 제2 연장부는 상기 제1 관통홀부의 내측벽과 접촉하는 스토리지 장치 어셈블리.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 후크의 두께는 0.1 mm 내지 0.5 mm인 스토리지 장치 어셈블리.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 제1 고정홀은,
    2.6mm 내지 2.8mm의 내경을 갖고, 그 깊이가 0.9mm 내지 1.1mm인 제1 관통홀부와,
    상기 제1 관통홀부의 상부에 배치되어 상기 제1 관통홀부와 공간적으로 상호 연결되고, 4.6mm 내지 4.8mm의 내경을 갖고, 그 깊이가 1.1mm 내지 1.3mm인 제1 확장홀부를 포함하는 스토리지 장치 어셈블리.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 제1 인클로저는,
    상부판과, 상기 상부판의 제1 장변으로부터 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 연장된 제1 측벽과,상기 상부판의 제2 장변으로부터 상기 제2 방향으로 연장된 제2 측벽을 포함하고,
    상기 상부판은 상기 제1 및 제2 측벽보다 상기 제1 방향으로 연장된 연장부를 포함하고,
    상기 제1 및 제2 고정홀은 상기 연장부에 형성되는 스토리지 장치 어셈블리.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 래치 어셈블리는,
    상기 제2 파트로부터 상기 제1 방향으로 연장되어 배치되고, 그 상면이 상기 2 파트의 상면보다 낮은 제3 파트을 더 포함하고,
    상기 제3 파트의 측벽은 홈을 포함하고,
    상기 제1 인클로저의 측벽 중 일부가 상기 홈에 결합되는 스토리지 장치 어셈블리.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 제1 인클로저는,
    상부판과, 상기 상부판의 제1 장변으로부터 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 연장된 제1 측벽과,상기 상부판의 제2 장변으로부터 상기 제2 방향으로 연장된 제2 측벽을 포함하고,
    상기 제1 측벽은 상기 제1 및 제2 방향과 교차하는 제3 방향으로 절곡된 절곡부를 포함하고,
    상기 절곡부는 상기 래치 어셈블리의 상기 홈에 결합되는 스토리지 장치 어셈블리.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 제2 인클로저는, 하부판을 포함하고,
    상기 하부판의 일 단은 상기 절곡부로부터 미리 정한 간격만큼 이격되어 배치되는 스토리지 장치 어셈블리.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 미리 정한 간격은 0.8 mm 내지 1.2 mm인 스토리지 장치 어셈블리.
  12. 모듈 보드 및 상기 모듈 보드의 일 측에 배치된 메모리 커넥터를 포함하는 메모리 모듈;
    상기 메모리 모듈의 상부에 배치되는 제1 인클로저; 및
    상기 메모리 모듈의 하부에 배치된 제2 인클로저를 포함하고,
    상기 제1 인클로저는, 상부판과, 상기 상부판의 제1 장변으로부터 제1 방향으로 연장된 제1 측벽과,상기 상부판의 제2 장변으로부터 상기 제1 방향으로 연장된 제2 측벽을 포함하고,
    상기 상부판은 상기 제1 및 제2 측벽의 일 단부보다 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 연장된 연장부를 포함하고,
    상기 연장부에는 제1 고정홀과 제2 고정홀이 형성되고,
    상기 제1 측벽은 상기 제1 및 제2 방향과 교차하는 제3 방향으로 절곡된 제1 절곡부를 포함하고,
    상기 제2 인클로저는, 하부판을 포함하고,
    상기 하부판의 일 단은 상기 제1 절곡부로부터 미리 정한 간격만큼 이격되어 배치되는 스토리지 장치.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 제2 측벽은 상기 제3 방향으로 절곡되고 상기 제1 절곡부와 마주보는 제2 절곡부를 포함하고,
    상기 제2 인클로저의 상기 하부판의 상기 일 단은 상기 제2 절곡부로부터 미리 정한 간격만큼 이격되어 배치되는 스토리지 장치.
  14. 제13항에 있어서,
    상기 미리 정한 간격은 0.8 mm 내지 1.2 mm인 스토리지 장치.
  15. 스토리지 장치에 결합되는 래치 어셈블리로서,
    제1 파트;
    상기 제1 파트로부터 제1 방향으로 연장되어 배치되고 그 상면이 상기 제1 파트의 상면보다 낮은 제2 파트;
    상기 제2 파트으로부터 상기 제1 방향으로 연장되어 배치되고, 그 상면이 상기 2 파트의 상면보다 낮은 제3 파트를 포함하고,
    상기 제3 파트는,
    상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 측정한 제1 폭을 갖는 제1 부분(portion)과,
    상기 제2 방향으로 측정한 제2 폭을 갖는 제2 부분을 포함하고,
    상기 제1 폭은 상기 제2 폭보다 작은 래치 어셈블리.
  16. 제15항에 있어서,
    상기 제1 부분은 상기 제2 부분에 비해 상기 제2 파트에 인접하여 배치되는 래치 어셈블리.
  17. 제16항에 있어서,
    상기 제2 부분의 상기 제1 방향으로 측정한 두께는 0.8 mm 내지 1.2 mm인 래치 어셈블리.
  18. 제15항에 있어서,
    상기 제2 파트의 상면에 배치되고, 탄성을 갖는 후크로서, 그 일 단에 상기 제2 파트의 상면 상으로 절곡되는 제1 결합부가 배치되고, 그 타 단에 상기 제2 파트의 상면 상으로 절곡되는 제2 결합부가 배치되는 후크를 더 포함하는 래치 어셈블리.
  19. 제18항에 있어서,
    상기 제1 결합부는,
    상기 제2 파트의 상면 상으로 연장되는 제1 연장부와,
    상기 제1 연장부로부터 절곡되어 연장되는 제2 연장부와,
    상기 제2 연장부로부터 절곡되어 연장되는 제3 연장부를 포함하는 래치 어셈블리.
  20. 제19항에 있어서,
    상기 후크의 두께는 0.1 mm 내지 0.5 mm인 래치 어셈블리.
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