KR20220047169A - Cmp system for wafer - Google Patents

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KR20220047169A
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채희성
이승은
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주식회사 케이씨텍
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Abstract

An object of the present invention is to provide a substrate polishing system capable of efficiently performing a substrate polishing process. Disclosed is a substrate polishing system comprising: a cassette module for storing the substrate; a cleaning module for cleaning a surface of the substrate; at least one polishing module for polishing the surface of the substrate; and a transfer module for unloading the substrate from the polishing module. The polishing module includes: a plurality of polishing plates having a polishing pad thereon; and a carrier device for sequentially positioning the substrate on the plurality of polishing plates.

Description

기판 연마 시스템{CMP SYSTEM FOR WAFER}Substrate polishing system {CMP SYSTEM FOR WAFER}

아래의 실시 예는 기판 연마 시스템에 관한 것이다.The embodiments below relate to a substrate polishing system.

기판의 제조는 연마, 버핑 및 세정을 포함하는 화학적 기계적 평탄화(CMP, Chemical Mechanical Planarization) 작업이 요구된다. CMP 작업은 연마가 수행될 기판을 연마패드에 접촉하여 물리적으로 마모시키는 연마 공정을 포함하며, 연마 공정을 통해 기판의 표면 상태는 목표하는 프로파일에 도달하게 된다.Substrate manufacturing requires a chemical mechanical planarization (CMP) operation including polishing, buffing, and cleaning. The CMP operation includes a polishing process of physically abrading a substrate to be polished by contacting a polishing pad, and the surface state of the substrate reaches a target profile through the polishing process.

기판의 연마 과정에서, 기판의 표면에는 슬러리(Slurry)가 공급될 수 있다. 슬러리는 기판 및 연마패드 사이에 공급되어 기판 면에 대한 기계적 마찰을 통해 물리적 연마를 수행하는 동시에, 슬러리를 구성하는 조성물의 화학반응을 통해 기판의 표면을 화학적으로 연마할 수 있다.During the polishing process of the substrate, a slurry (Slurry) may be supplied to the surface of the substrate. The slurry is supplied between the substrate and the polishing pad to perform physical polishing through mechanical friction against the surface of the substrate, and at the same time, it is possible to chemically polish the surface of the substrate through a chemical reaction of the composition constituting the slurry.

기판의 연마는 서로 다른 복수의 공정을 요구하므로, 기판의 연마를 위해서는 각각의 공정을 수행하는 복수의 모듈이 요구된다. 기판은 복수의 모듈을 순차적으로 통과하게 되는데, 기판 연마 공정은 복수의 기판에 대해 수행되므로, 기판 제조의 생산성을 향상시키기 위해서는 모듈 간 기판의 전송을 최적화할 필요가 있다.Since polishing of a substrate requires a plurality of different processes, a plurality of modules for performing each process are required for polishing of a substrate. A substrate is sequentially passed through a plurality of modules, and since a substrate polishing process is performed on a plurality of substrates, it is necessary to optimize the transfer of the substrate between modules in order to improve the productivity of substrate manufacturing.

전술한 배경기술은 발명자가 본원의 개시 내용을 도출하는 과정에서 보유하거나 습득한 것으로서, 반드시 본 출원 전에 일반 공중에 공개된 공지기술이라고 할 수는 없다.The above-mentioned background art is possessed or acquired by the inventor in the process of deriving the disclosure of the present application, and it cannot necessarily be said to be a known technology disclosed to the general public prior to the present application.

일 실시 예에 따른 목적은, 기판 연마 공정을 효율적으로 수행할 수 있는 기판 연마 시스템을 제공하는 것이다.SUMMARY An object of an embodiment is to provide a substrate polishing system capable of efficiently performing a substrate polishing process.

일 실시 예에 따른 기판 연마 시스템은, 기판을 보관하기 위한 카세트 모듈; 상기 기판의 표면을 세정하기 위한 클리닝 모듈; 상기 기판의 표면을 연마하기 위한 적어도 한 개의 연마 모듈; 및 상기 연마 모듈로부터 기판을 반출하기 위한 트랜스퍼 모듈을 포함하고, 상기 연마 모듈은, 상부에 연마패드를 구비한 복수개의 연마정반; 및 상기 기판을 상기 복수개의 연마정반에 순차적으로 위치시키기 위한 캐리어 장치를 포함할 수 있다.A substrate polishing system according to an embodiment includes a cassette module for storing a substrate; a cleaning module for cleaning the surface of the substrate; at least one polishing module for polishing the surface of the substrate; and a transfer module for unloading the substrate from the polishing module, wherein the polishing module includes: a plurality of polishing plates having a polishing pad thereon; and a carrier device for sequentially positioning the substrate on the plurality of polishing plates.

상기 캐리어 장치는, 중심축을 중심으로 회전하는 회전부; 및 상기 회전부의 하측에 연결되고 상기 기판을 파지하는 파지부를 포함하고 상기 파지부는, 상기 회전부의 중심축으로부터 이격된 위치에 배치되며, 상기 회전부의 회전 작동에 의해 상기 회전부의 회전축을 중심으로 공전운동 할 수 있다.The carrier device may include: a rotating part rotating about a central axis; and a gripper connected to the lower side of the rotating part and gripping the substrate, wherein the holding part is disposed at a position spaced apart from the central axis of the rotating part, and revolves around the rotational axis of the rotating part by the rotational operation of the rotating part. can exercise

상기 연마 모듈은, 상기 파지부가 상기 기판을 파지하는 공간을 제공하는 기판 로딩부를 더 포함할 수 있다.The polishing module may further include a substrate loading unit that provides a space for the holding unit to hold the substrate.

상기 회전부의 회전 작동에 의해, 상기 파지부에 의해 파지된 기판이 상기 기판 로딩부 및 복수개의 연마정반에 순차적으로 위치될 수 있다.By the rotational operation of the rotating unit, the substrate held by the holding unit may be sequentially positioned on the substrate loading unit and the plurality of polishing plates.

상기 파지부는 복수개로 구비될 수 있다.The holding unit may be provided in plurality.

상기 복수개의 파지부 중 어느 하나가 상기 기판 로딩부에서 기판을 파지할 때, 상기 복수개의 파지부 중 적어도 다른 하나는 상기 연마정반에서 기판을 연마할 수 있다.When any one of the plurality of grippers grips the substrate in the substrate loading unit, at least another of the plurality of grippers may polish the substrate on the polishing platen.

상기 복수개의 파지부 중 어느 하나가 상기 복수개의 연마정반 중 어느 하나에서 기판을 연마할 때, 상기 복수개의 파지부 중 적어도 다른 하나는 상기 복수개의 연마정반 중 적어도 다른 하나에서 기판을 연마할 수 있다.When any one of the plurality of grippers polishes the substrate on any one of the plurality of polishing plates, at least the other of the plurality of grippers may polish the substrate on at least another one of the plurality of polishing plates .

상기 연마정반은 두 개로 구비될 수 있다.The polishing platen may be provided in two pieces.

상기 파지부는, 세 개로 구비되며, 상기 회전부의 중심축을 기준으로 120도의 각도를 형성하며 대칭되게 배치될 수 있다.The grip part is provided in three pieces, and forms an angle of 120 degrees with respect to the central axis of the rotation part and may be symmetrically disposed.

상기 세 개의 파지부 중 어느 하나가 상기 기판 로딩부에서 기판을 파지할 때, 상기 세 개의 파지부 중 적어도 다른 하나는 상기 두 개의 연마정반 중 어느 하나에서 기판을 연마하며, 상기 세 개의 파지부 중 나머지 하나는 상기 두 개의 연마정반 중 나머지 하나에서 기판을 연마할 수 있다.When any one of the three gripping parts grips the substrate in the substrate loading part, at least the other one of the three gripping parts grinds the substrate on any one of the two polishing platens, The other one may polish the substrate on the other one of the two polishing plates.

상기 연마 모듈은 두 개로 구비될 수 있다.The polishing module may be provided in two pieces.

일 실시 예에 따른 기판 연마 시스템은, 기판 연마 공정을 효율적으로 수행할 수 있다. The substrate polishing system according to an embodiment may efficiently perform a substrate polishing process.

일 실시 예에 따른 기판 연마 시스템의 효과는 이상에서 언급된 것들에 한정되지 않으며, 언급되지 아니한 다른 효과들은 아래의 기재로부터 통상의 기술자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.Effects of the substrate polishing system according to an embodiment are not limited to those mentioned above, and other effects not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the following description.

도 1은 일 실시 예에 따른 기판 연마 시스템의 개략적인 모식도이다.
도 2는 일 실시 예에 따른 기판 연마 시스템의 개략적인 사시도이다.
1 is a schematic diagram of a substrate polishing system according to an embodiment.
2 is a schematic perspective view of a substrate polishing system according to an embodiment.

이하에서, 첨부된 도면을 참조하여 실시예들을 상세하게 설명한다. 그러나, 실시 예들에는 다양한 변경이 가해질 수 있어서 특허출원의 권리 범위가 이러한 실시예들에 의해 제한되거나 한정되는 것은 아니다. 실시예들에 대한 모든 변경, 균등물 내지 대체물이 권리 범위에 포함되는 것으로 이해되어야 한다.Hereinafter, embodiments will be described in detail with reference to the accompanying drawings. However, since various changes may be made to the embodiments, the scope of the patent application is not limited or limited by these embodiments. It should be understood that all modifications, equivalents and substitutes for the embodiments are included in the scope of the rights.

실시예에서 사용한 용어는 단지 설명을 목적으로 사용된 것으로, 한정하려는 의도로 해석되어서는 안 된다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 명세서에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.Terms used in the examples are used for the purpose of description only, and should not be construed as limiting. The singular expression includes the plural expression unless the context clearly dictates otherwise. In the present specification, terms such as "comprise" or "have" are intended to designate that a feature, number, step, operation, component, part, or combination thereof described in the specification exists, but one or more other features It should be understood that this does not preclude the existence or addition of numbers, steps, operations, components, parts, or combinations thereof.

다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 실시예가 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가지고 있다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥 상 가지는 의미와 일치하는 의미를 가지는 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.Unless defined otherwise, all terms used herein, including technical or scientific terms, have the same meaning as commonly understood by one of ordinary skill in the art to which the embodiment belongs. Terms such as those defined in commonly used dictionaries should be interpreted as having a meaning consistent with the meaning in the context of the related art, and should not be interpreted in an ideal or excessively formal meaning unless explicitly defined in the present application. does not

또한, 첨부 도면을 참조하여 설명함에 있어, 도면 부호에 관계없이 동일한 구성 요소는 동일한 참조부호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다. 실시예를 설명함에 있어서 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 실시예의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명을 생략한다.In addition, in the description with reference to the accompanying drawings, the same components are given the same reference numerals regardless of the reference numerals, and the overlapping description thereof will be omitted. In describing the embodiment, if it is determined that a detailed description of a related known technology may unnecessarily obscure the gist of the embodiment, the detailed description thereof will be omitted.

또한, 실시 예의 구성 요소를 설명하는 데 있어서, 제1, 제 2, A, B, (a), (b) 등의 용어를 사용할 수 있다. 이러한 용어는 그 구성 요소를 다른 구성 요소와 구별하기 위한 것일 뿐, 그 용어에 의해 해당 구성 요소의 본질이나 차례 또는 순서 등이 한정되지 않는다. 어떤 구성 요소가 다른 구성요소에 "연결", "결합" 또는 "접속"된다고 기재된 경우, 그 구성 요소는 그 다른 구성요소에 직접적으로 연결되거나 접속될 수 있지만, 각 구성 요소 사이에 또 다른 구성 요소가 "연결", "결합" 또는 "접속"될 수도 있다고 이해되어야 할 것이다. In addition, in describing the components of the embodiment, terms such as first, second, A, B, (a), (b), etc. may be used. These terms are only for distinguishing the elements from other elements, and the essence, order, or order of the elements are not limited by the terms. When it is described that a component is “connected”, “coupled” or “connected” to another component, the component may be directly connected or connected to the other component, but another component is between each component. It will be understood that may also be "connected", "coupled" or "connected".

어느 하나의 실시 예에 포함된 구성요소와, 공통적인 기능을 포함하는 구성요소는, 다른 실시 예에서 동일한 명칭을 사용하여 설명하기로 한다. 반대되는 기재가 없는 이상, 어느 하나의 실시 예에 기재한 설명은 다른 실시 예에도 적용될 수 있으며, 중복되는 범위에서 구체적인 설명은 생략하기로 한다.Components included in one embodiment and components having a common function will be described using the same names in other embodiments. Unless otherwise stated, descriptions described in one embodiment may be applied to other embodiments as well, and detailed descriptions within the overlapping range will be omitted.

도 1은 일 실시 예에 따른 기판 연마 시스템(1)의 개략적인 모식도이며, 도 2는 일 실시 예에 따른 기판 연마 시스템(1)의 개략적인 사시도이다.1 is a schematic schematic diagram of a substrate polishing system 1 according to an embodiment, and FIG. 2 is a schematic perspective view of a substrate polishing system 1 according to an embodiment.

도 1 및 도 2를 참조하면, 일 실시 예에 따른 기판 연마 시스템(1)은 기판의 화학적 기계적 평탄화 공정(CMP, Chemical Mechanical Planarization)에 사용될 수 있다. 기판 연마 시스템(1)은 기판 표면의 연마도가 목표 프로파일에 도달하도록 기판의 표면을 물리적, 화학적으로 연마할 수 있다.1 and 2 , a substrate polishing system 1 according to an exemplary embodiment may be used for chemical mechanical planarization (CMP) of a substrate. The substrate polishing system 1 may physically and chemically polish the surface of the substrate so that the polishing degree of the substrate surface reaches a target profile.

기판 연마 시스템(1)을 통해 연마가 수행되는 기판은 반도체 장치(semiconductor)용 실리콘 웨이퍼(silicon wafer)일 수 있다. 그러나, 기판의 종류가 이에 한정되는 것은 아니며, 기판은 LCD(liquid crystal display), PDP(plasma display panel)과 같은 평판 디스플레이 장치(flat panel display device, FPD)용 글라스일 수도 있다.A substrate to be polished through the substrate polishing system 1 may be a silicon wafer for a semiconductor device. However, the type of the substrate is not limited thereto, and the substrate may be glass for a flat panel display device (FPD) such as a liquid crystal display (LCD) or a plasma display panel (PDP).

기판 연마 시스템(1)은 기판이 보관되는 카세트 모듈(11); 기판의 표면을 세정하는 클리닝 모듈(12); 기판의 표면을 연마하는 연마 모듈(13); 및 기판을 이송하는 트랜스퍼 모듈(14)을 포함할 수 있다.The substrate polishing system 1 includes a cassette module 11 in which a substrate is stored; a cleaning module 12 for cleaning the surface of the substrate; a polishing module 13 for polishing the surface of the substrate; and a transfer module 14 for transferring the substrate.

카세트 모듈(11)은 기판을 보관할 수 있다. 카세트 모듈(11)은 기판을 처리하는 여러 공정 모듈로 기판을 반송하고, 처리가 수행된 기판을 반입하여 보관할 수 있다. 카세트 모듈(11)은 예를 들어, EFEM(END-FRONT EQUIMENT MODULE)일 수 있다. 카세트 모듈(11)은 기판이 적재되는 기판 카세트; 카세트로부터 기판을 반출하거나 기판을 반입하는 기판 이송부를 포함할 수 있다. The cassette module 11 may store a substrate. The cassette module 11 may transport the substrate to various process modules that process the substrate, and may carry and store the processed substrate. The cassette module 11 may be, for example, an END-FRONT EQUIMENT MODULE (EFEM). The cassette module 11 includes a substrate cassette on which a substrate is loaded; It may include a substrate transfer unit for unloading the substrate from the cassette or loading the substrate.

기판 이송부는 기판을 지지하고, 지지된 기판을 이동시키는 이송 로봇을 포함할 수 있다. 이송 로봇은 연마 대상 기판을 카세트로부터 반출하고, 반출된 기판을 후술하는 클리닝 모듈(12)로 이송시킬 수 있다.The substrate transfer unit may include a transfer robot that supports the substrate and moves the supported substrate. The transfer robot may unload the substrate to be polished from the cassette, and transfer the transported substrate to a cleaning module 12 to be described later.

클리닝 모듈(12)은 기판의 표면을 세정할 수 있다. 클리닝 모듈(12)은 기판을 지지하는 기판 지지부와, 지지된 기판의 표면을 세정하는 기판 세정부; 및 기판 표면에 세정액을 분사하는 세정액 분사부를 포함할 수 있다.The cleaning module 12 may clean the surface of the substrate. The cleaning module 12 includes: a substrate support for supporting a substrate; and a substrate cleaning unit for cleaning a surface of the supported substrate; and a cleaning liquid spraying unit that sprays the cleaning liquid on the surface of the substrate.

기판 지지부는 기판을 파지하고, 기판을 회전시킬 수 있다. 예를 들어, 기판 지지부는 기판 엣지의 복수 지점을 지지하고, 축을 중심으로 회전하는 복수의 스핀들을 포함할 수 있다.The substrate support may hold the substrate and rotate the substrate. For example, the substrate support may include a plurality of spindles that support multiple points of the edge of the substrate and rotate about an axis.

기판 세정부는 기판 표면을 세정할 수 있다. 기판 세정부가 수행하는 세정은, 기판의 표면으로부터 이물질 또는 먼지를 제거하는 공정과, 기판의 연마에 앞서 기판 표면을 문지르는 버핑 공정을 포함할 수 있다. 기판 세정부는 기판의 표면에 접촉되는 브러쉬를 포함할 수 있다.The substrate cleaning unit may clean the surface of the substrate. The cleaning performed by the substrate cleaning unit may include a process of removing foreign substances or dust from the surface of the substrate, and a buffing process of rubbing the surface of the substrate prior to polishing the substrate. The substrate cleaning unit may include a brush in contact with the surface of the substrate.

세정액 분사부는 기판 표면으로 유체를 분사할 수 있다. 세정액 분사부가 분사하는 유체는 세정액 및, 세정액을 기판 표면으로부터 제거하기 위한 순수, 기판 표면으로부터 유체를 제거하기 위한 불활성 기체등을 포함할 수 있다.The cleaning liquid spraying unit may spray a fluid onto the surface of the substrate. The fluid sprayed by the cleaning liquid spraying unit may include a cleaning liquid, pure water for removing the cleaning liquid from the substrate surface, an inert gas for removing the fluid from the substrate surface, and the like.

연마 모듈(13)은 기판을 연마할 수 있다. 연마 모듈(13)은 한 쌍으로 구비될 수 있다. 예를 들어, 연마 모듈(13a, 13b)은 두 개로 구비될 수 있다. 각각의 연마 모듈(13a, 13b)은 서로 다른 기판의 연마를 수행할 수 있다. 다시 말해서, 연마 대상 기판은 한 쌍의 연마 모듈(13a, 13b) 중 하나의 연마 모듈(예: 13a)을 통해 연마될 수 있다.The polishing module 13 may polish a substrate. The polishing module 13 may be provided as a pair. For example, two polishing modules 13a and 13b may be provided. Each of the polishing modules 13a and 13b may perform polishing of different substrates. In other words, the polishing target substrate may be polished through one polishing module (eg, 13a) among the pair of polishing modules 13a and 13b.

연마 모듈(13)은 기판 로딩부(133), 복수개의 연마정반(131) 및 캐리어 장치를 포함할 수 있다.The polishing module 13 may include a substrate loading unit 133 , a plurality of polishing plates 131 , and a carrier device.

기판 로딩부(133)에는 연마 모듈(13)로 반입된 기판이 위치할 수 있다. 기판 로딩부(133)는 연마 모듈(13)에 대한 기판의 반입 및 반출의 기준 위치가 될 수 있다. 후술하는 트랜스퍼 모듈(14)은 연마 대상 기판을 연마 모듈(13)로 반입하여 기판 로딩부(133) 상에 로딩할 수 있다. 기판 로딩부(133)에 로딩된 기판은 후술하는 캐리어 장치에 의해 복수개의 연마정반(131)에 순차적으로 위치할 수 있다. 따라서 기판 로딩부(133)는 캐리어 장치의 파지부(1322)가 기판을 파지하는 공간을 제공할 수 있다.The substrate loaded into the polishing module 13 may be positioned in the substrate loading unit 133 . The substrate loading unit 133 may be a reference position for loading and unloading a substrate with respect to the polishing module 13 . The transfer module 14 to be described later may load a substrate to be polished onto the substrate loading unit 133 by loading the substrate to be polished into the polishing module 13 . The substrates loaded on the substrate loading unit 133 may be sequentially positioned on the plurality of polishing plates 131 by a carrier device to be described later. Accordingly, the substrate loading unit 133 may provide a space in which the holding unit 1322 of the carrier device grips the substrate.

연마가 완료된 기판은 다시 기판 로딩부(133)에 위치되고, 트랜스퍼 모듈(14)은 기판 로딩부(133)로부터 기판을 언로딩하여 연마 모듈(13)로부터 반출할 수 있다. 다시 말하면, 기판 로딩부(133)는 연마 모듈(13)에 대한 기판 반입 및 반출의 기준 위치가 될 수 있다.The polished substrate may be placed again in the substrate loading unit 133 , and the transfer module 14 may unload the substrate from the substrate loading unit 133 to be unloaded from the polishing module 13 . In other words, the substrate loading unit 133 may be a reference position for loading and unloading a substrate with respect to the polishing module 13 .

복수개의 연마정반(131)은 기판의 표면을 연마할 수 있다. 각각의 연마정반(131)의 상부에는 기판의 표면을 연마하기 위한 연마패드가 구비될 수 있다. 각각의 연마정반(131)은 지면에 수직한 축을 중심으로 회전 작동할 수 있다.The plurality of polishing plates 131 may polish the surface of the substrate. A polishing pad for polishing the surface of the substrate may be provided on each polishing plate 131 . Each polishing plate 131 may rotate about an axis perpendicular to the ground.

캐리어 장치는 기판을 파지하여 연마 모듈(13) 내에서 이송할 수 있다. 캐리어 장치는 중심축(A)을 중심으로 회전하는 회전부와, 회전부의 하측에 연결되고 기판을 파지하는 파지부(1322)를 포함할 수 있다.The carrier device may grip the substrate and transport it within the polishing module 13 . The carrier device may include a rotating unit rotating about the central axis (A), and a holding unit 1322 connected to a lower side of the rotating unit and holding the substrate.

파지부(1322)는 회전부의 중심축(A)으로부터 이격된 위치에 배치될 수 있다. 이와 같은 구조에 의하면, 파지부(1322)는 회전부의 회전 작동에 의해, 회전부의 회전축(A)을 중심으로 공전운동을 할 수 있다. 파지부(1322)는 회전부의 회전에 따른 공전과정에서 기판 로딩부(133), 복수개의 연마정반(131)의 상부를 순차적으로 통과할 수 있다. 다시 말하면, 파지부(1322)는 회전부의 작동에 따라 기판 로딩부(133), 복수개의 연마정반(131)을 순환할 수 있다. 따라서, 파지부(1322)가 파지한 기판은 순차적으로 기판 로딩부(133), 복수개의 연마정반을 통과할 수 있다.The gripping part 1322 may be disposed at a position spaced apart from the central axis A of the rotating part. According to such a structure, the holding part 1322 can make an orbital motion about the rotational axis (A) of the rotating part by the rotational operation of the rotating part. The gripping unit 1322 may sequentially pass through the substrate loading unit 133 and the upper portions of the plurality of polishing plates 131 in an orbiting process according to the rotation of the rotating unit. In other words, the holding unit 1322 may cycle through the substrate loading unit 133 and the plurality of polishing plates 131 according to the operation of the rotating unit. Accordingly, the substrate held by the gripper 1322 may sequentially pass through the substrate loading portion 133 and the plurality of polishing plates.

파지부(1322)는 지면에 대한 기판의 높이를 조절할 수 있다. 파지부(1322)는 기판 로딩부(133)에 놓여진 기판을 파지하여 기판 로딩부(133)로부터 이격시키고, 연마정반(131)으로 기판을 이송하여 연마패드에 접촉시킬 수 있다. The gripper 1322 may adjust the height of the substrate with respect to the ground. The gripper 1322 may grip the substrate placed on the substrate loading part 133 to separate it from the substrate loading part 133 , and transfer the substrate to the polishing platen 131 to contact the polishing pad.

파지부(1322)는 회전부와 독립적으로 자전운동을 할 수 있다. 파지부(1322)는 파지된 기판을 연마정반(131)에 접촉시켜 연마할 수 있다. The gripping unit 1322 may rotate independently of the rotating unit. The gripper 1322 may be polished by bringing the gripped substrate into contact with the polishing platen 131 .

하나의 회전부에는 복수의 파지부(1322)가 구비될 수 있다. 복수개의 파지부(1322) 중 어느 하나가 기판 로딩부(133)에서 기판을 파지할 때, 복수개의 파지부(1322) 중 적어도 다른 하나는 연마정반(131)에서 기판을 연마할 수 있다. 또한, 복수개의 파지부(1322) 중 어느 하나가 복수개의 연마정반 중 어느 하나에서 기판을 연마할 때, 복수개의 파지부(1322) 중 적어도 다른 하나는 복수개의 연마정반 중 적어도 다른 하나에서 기판을 연마할 수 있다. A plurality of gripping parts 1322 may be provided in one rotating part. When any one of the plurality of grippers 1322 grips the substrate by the substrate loading unit 133 , at least another of the plurality of grippers 1322 may polish the substrate on the polishing platen 131 . In addition, when any one of the plurality of holding units 1322 polishes the substrate on any one of the plurality of polishing plates, at least the other of the plurality of holding units 1322 holds the substrate on at least the other of the plurality of polishing plates. can be polished

예를 들어, 연마정반(131a, 131b)은 두 개로 구비될 수 있다. 또한, 예를 들어, 하나의 회전부에는 세 개의 파지부(1322a, 1322b, 1322c)가 배치될 수 있다. 세 개의 파지부(1322a, 1322b, 1322c)는 회전부의 중심축(A)을 기준으로 120도의 각도를 형성하며 대칭되게 배치될 수 있다. 따라서, 세 개의 파지부(1322a, 1322b, 1322c) 중 어느 하나(1322a)가 기판 로딩부(133)에서 기판을 파지할 때, 세 개의 파지부(1322a, 1322b, 1322c) 중 적어도 다른 하나(1322b)는 두 개의 연마정반(131a, 131b) 중 어느 하나(131a)에서 기판을 연마하며, 세 개의 파지부(1322a, 1322b, 1322c) 중 나머지 하나(1322c)는 두 개의 연마정반 중 나머지 하나(131b)에서 기판을 연마할 수 있다. 이 경우, 세 개의 파지부(1322a, 1322b, 1322c) 각각은 기판 로딩부(133), 두 개의 연마정반(131a, 132b) 중 어느 하나에 놓여질 수 있으며, 회전부의 작동에 따라 기판 로딩부(133), 복수개의 연마정반(131a, 131b)을 순차적으로 순환할 수 있다. For example, two polishing plates 131a and 131b may be provided. Also, for example, three gripping parts 1322a, 1322b, and 1322c may be disposed on one rotating part. The three gripping parts 1322a, 1322b, and 1322c may be symmetrically disposed while forming an angle of 120 degrees with respect to the central axis A of the rotating part. Accordingly, when any one 1322a of the three gripping parts 1322a, 1322b, and 1322c grips the substrate in the substrate loading part 133, at least the other 1322b of the three gripping parts 1322a, 1322b, and 1322c. ) polishes the substrate on any one of the two polishing plates 131a and 131b, and the other one 1322c of the three holding parts 1322a, 1322b, 1322c is the other one of the two polishing plates 131b. ) to polish the substrate. In this case, each of the three holding parts 1322a, 1322b, 1322c may be placed on any one of the substrate loading part 133 and the two polishing plates 131a and 132b, and the substrate loading part 133 according to the operation of the rotating part. ), the plurality of polishing plates 131a and 131b may be sequentially circulated.

이와 같은 구조를 통해, 연마 모듈(13)은 복수의 기판을 연속적으로 연마할 수 있다. Through such a structure, the polishing module 13 may continuously polish a plurality of substrates.

연마 모듈(13)에 반입된 기판은 기판 로딩부(133)에 놓여지고, 파지부(1322)에 의해 파지되어 복수개의 연마정반(131)을 순차적으로 통과하며 연마되어 다시 기판 로딩부(133)에 위치하게 된다. 이후, 기판은 트랜스퍼 모듈(14)에 의해 연마 모듈(13)로부터 반출되어 다시 카세트 모듈(11)로 이송될 수 있다.The substrate loaded into the polishing module 13 is placed on the substrate loading unit 133 , is held by the holding unit 1322 , passes sequentially through a plurality of polishing plates 131 , and is polished again by the substrate loading unit 133 . will be located in Thereafter, the substrate may be taken out from the polishing module 13 by the transfer module 14 and transferred back to the cassette module 11 .

이상과 같이 실시예들이 비록 한정된 도면에 의해 설명되었으나, 해당 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 상기를 기초로 다양한 기술적 수정 및 변형을 적용할 수 있다. 예를 들어, 설명된 기술들이 설명된 방법과 다른 순서로 수행되거나, 및/또는 설명된 시스템, 구조, 장치, 회로 등의 구성요소들이 설명된 방법과 다른 형태로 결합 또는 조합되거나, 다른 구성요소 또는 균등물에 의하여 대치되거나 치환되더라도 적절한 결과가 달성될 수 있다.As described above, although the embodiments have been described with reference to the limited drawings, those skilled in the art may apply various technical modifications and variations based on the above. For example, the described techniques are performed in an order different from the described method, and/or the described components of the system, structure, apparatus, circuit, etc. are combined or combined in a different form than the described method, or other components Or substituted or substituted by equivalents may achieve an appropriate result.

그러므로, 다른 구현들, 다른 실시예들 및 특허청구범위와 균등한 것들도 후술하는 청구범위의 범위에 속한다.Therefore, other implementations, other embodiments, and equivalents to the claims are also within the scope of the following claims.

1: 기판 연마 시스템
11: 카세트 모듈
12: 클리닝 모듈
13: 연마 모듈
14: 트랜스퍼 모듈
1: Substrate polishing system
11: Cassette module
12: cleaning module
13: polishing module
14: transfer module

Claims (11)

기판을 보관하기 위한 카세트 모듈;
상기 기판의 표면을 세정하기 위한 클리닝 모듈;
상기 기판의 표면을 연마하기 위한 적어도 한 개의 연마 모듈; 및
상기 연마 모듈로부터 기판을 반출하기 위한 트랜스퍼 모듈을 포함하고,
상기 연마 모듈은,
상부에 연마패드를 구비한 복수개의 연마정반; 및
상기 기판을 상기 복수개의 연마정반에 순차적으로 위치시키기 위한 캐리어 장치를 포함하는, 기판 연마 시스템.
a cassette module for storing the substrate;
a cleaning module for cleaning the surface of the substrate;
at least one polishing module for polishing the surface of the substrate; and
A transfer module for unloading the substrate from the polishing module,
The polishing module,
a plurality of polishing plates having a polishing pad thereon; and
and a carrier device for sequentially positioning the substrate on the plurality of polishing plates.
제1항에 있어서,
상기 캐리어 장치는,
중심축을 중심으로 회전하는 회전부; 및
상기 회전부의 하측에 연결되고 상기 기판을 파지하는 파지부를 포함하고
상기 파지부는,
상기 회전부의 중심축으로부터 이격된 위치에 배치되며, 상기 회전부의 회전 작동에 의해 상기 회전부의 회전축을 중심으로 공전운동 하는, 기판 연마 시스템.
According to claim 1,
The carrier device,
Rotating part rotating about the central axis; and
and a gripper connected to the lower side of the rotating part and gripping the substrate,
The grip part,
The substrate polishing system is disposed at a position spaced apart from the central axis of the rotating unit, and revolves around the rotating axis of the rotating unit by the rotational operation of the rotating unit.
제2항에 있어서,
상기 연마 모듈은,
상기 파지부가 상기 기판을 파지하는 공간을 제공하는 기판 로딩부를 더 포함하는, 기판 연마 시스템.
3. The method of claim 2,
The polishing module,
The substrate polishing system, further comprising a substrate loading unit that provides a space in which the holding unit grips the substrate.
제3항에 있어서,
상기 회전부의 회전 작동에 의해, 상기 파지부에 의해 파지된 기판이 상기 기판 로딩부 및 복수개의 연마정반에 순차적으로 위치되는, 기판 연마 시스템.
4. The method of claim 3,
By the rotational operation of the rotating unit, the substrate held by the holding unit is sequentially positioned on the substrate loading unit and the plurality of polishing plates.
제4항에 있어서,
상기 파지부는 복수개로 구비되는, 기판 연마 시스템.
5. The method of claim 4,
The grip part is provided in plurality, the substrate polishing system.
제5항에 있어서,
상기 복수개의 파지부 중 어느 하나가 상기 기판 로딩부에서 기판을 파지할 때, 상기 복수개의 파지부 중 적어도 다른 하나는 상기 연마정반에서 기판을 연마하는, 기판 연마 시스템.
6. The method of claim 5,
When any one of the plurality of grippers grips the substrate in the substrate loading part, at least another one of the plurality of grippers polishes the substrate on the polishing platen.
제6항에 있어서,
상기 복수개의 파지부 중 어느 하나가 상기 복수개의 연마정반 중 어느 하나에서 기판을 연마할 때, 상기 복수개의 파지부 중 적어도 다른 하나는 상기 복수개의 연마정반 중 적어도 다른 하나에서 기판을 연마하는, 기판 연마 시스템.
7. The method of claim 6,
When any one of the plurality of grippers polishes the substrate on any one of the plurality of polishing plates, at least the other one of the plurality of grippers grinds the substrate on at least another one of the plurality of polishing plates, the substrate grinding system.
제7항에 있어서,
상기 연마정반은 두 개로 구비되는, 기판 연마 시스템.
8. The method of claim 7,
The polishing platen is provided in two, the substrate polishing system.
제8항에 있어서,
상기 파지부는,
세 개로 구비되며, 상기 회전부의 중심축을 기준으로 120도의 각도를 형성하며 대칭되게 배치되는, 기판 연마 시스템.
9. The method of claim 8,
The grip part,
It is provided with three, and forms an angle of 120 degrees with respect to the central axis of the rotating part and is symmetrically disposed, the substrate polishing system.
제9항에 있어서,
상기 세 개의 파지부 중 어느 하나가 상기 기판 로딩부에서 기판을 파지할 때, 상기 세 개의 파지부 중 적어도 다른 하나는 상기 두 개의 연마정반 중 어느 하나에서 기판을 연마하며, 상기 세 개의 파지부 중 나머지 하나는 상기 두 개의 연마정반 중 나머지 하나에서 기판을 연마하는, 기판 연마 시스템.
10. The method of claim 9,
When any one of the three gripping parts grips the substrate in the substrate loading part, at least the other one of the three gripping parts grinds the substrate on any one of the two polishing platens, and the other one grinds the substrate on the other one of the two polishing plates.
제1항에 있어서,
상기 연마 모듈은 두 개로 구비되는, 기판 연마 시스템.
According to claim 1,
The polishing module is provided in two, the substrate polishing system.
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