KR20220040175A - Substrate process processing heater - Google Patents

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Abstract

A heater for substrate processing is disclosed. The heater for substrate processing according to the present invention comprises: a heater body (110) formed of glass to correspond to the shape of a substrate; a transparent conductive coating layer (120) formed on the plate surface of the heater body (110); a plurality of resistance control patterns (130) etched on the plate surface of the transparent conductive coating layer (120) to constantly control a resistance value per unit area of the transparent conductive coating layer (120) to a reference value; a pair of electrode pads (140) provided on both sides of the heater body (110); and a pair of wires (150) coupled to the pair of electrode pads (140) to supply power. Here, it is preferable that the transparent conductive coating layer (120) is formed by depositing fluorine-doped tin oxide (FTO) on the surface of the heater body (110) or depositing an ITO thin film on the surface of the heater body (110), and the area of the resistance control pattern (130) etched into the transparent conductive coating layer (120) is differently controlled according to the thickness of the transparent conductive coating layer (120). In addition, it is preferable that the electrode pad (140) is coupled to the heater body (110) by double beam deposition of a silver alloy, and the pair of wires (150) is coupled to the pair of electrode pads (140) by brazing welding. Accordingly, it is possible to uniformly heat the entire area of the substrate.

Description

기판 공정처리용 히터{Substrate process processing heater}Heater for substrate process processing

본 발명은 기판 공정처리용 히터에 관한 것으로, 보다 자세히는 전 면적에 걸쳐 기판을 규일하게 가열할 수 있는 기판 공정처리용 히터에 관한 것이다. The present invention relates to a heater for processing a substrate, and more particularly, to a heater for processing a substrate capable of uniformly heating a substrate over an entire area.

반도체 기판의 제조과정 또는 OLED 패널의 제조과정에는 히팅과정이 요구되는 경우가 많다. 일례로 박막증착 공정, 와이어본딩 공정, 베이크 공정 및 어닐링 공정 등에 히팅과정이 요구된다.A heating process is often required in the process of manufacturing a semiconductor substrate or manufacturing an OLED panel. For example, a heating process is required in a thin film deposition process, a wire bonding process, a baking process, and an annealing process.

기판은 히터의 상부 또는 하부에 배치되어 가열된다. 이 과정에서 히터는 기판의 전영역을 복사열에 의해 가열하게 된다. The substrate is disposed above or below the heater to be heated. In this process, the heater heats the entire area of the substrate by radiant heat.

최근에는 기판 제조에 사용되는 히터로 FTO 투명전도막을 유리 표면에 형성한 투명발열 히터 형태가 사용된다. Recently, a transparent heating heater in which an FTO transparent conductive film is formed on a glass surface is used as a heater used for substrate manufacturing.

이러한 종래 투명 발열히터는 고온, 고전압에 대한 안전성이 높고 투명하며 전기를 통하는 소재로 각광받고 있으나, 유리 표면에 FTO 투명전도막을 형성할 때 전 영역에 두께가 균일하게 형성되지 않는 경우가 있다. Such a conventional transparent heating heater has high safety against high temperature and high voltage, and is in the spotlight as a transparent and electrically conducting material, but there are cases in which the thickness is not uniformly formed over the entire area when the FTO transparent conductive film is formed on the glass surface.

이렇게 FTO 투명전도막이 전 영역에 걸쳐 균일하게 형성되지 않는 경우, 단위면적당 저항값이 상이하여 기판의 전영역으로 열이 균일하게 전달되지 않는 문제가 있다. When the FTO transparent conductive film is not uniformly formed over the entire region, there is a problem in that heat is not uniformly transferred to the entire region of the substrate due to different resistance values per unit area.

문헌 1. 대한민국특허청, 특허공개번호 제10-2000-0075415호, "반도체 웨이퍼를 균일하게 가열하기 위한 베이크 오븐 시스템"Document 1. Korean Intellectual Property Office, Patent Publication No. 10-2000-0075415, "Bake oven system for uniformly heating semiconductor wafers" 문헌 2. 대한민국특허청, 특허공개번호 제10-2017-0100666호, "기판 처리 장치, 히터 및 반도체 장치의 제조방법"Document 2. Korean Intellectual Property Office, Patent Publication No. 10-2017-0100666, "Substrate processing apparatus, heater and manufacturing method of semiconductor device"

본 발명의 목적은 상술한 문제를 해결하기 위한 것으로, 기판의 전영역을 균일하게 가열할 수 있는 기판 공정처리용 히터를 제공하는 것이다. SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to solve the above problems, and to provide a heater for processing a substrate capable of uniformly heating an entire area of a substrate.

상술한 본 발명의 목적은 기판 공정처리용 히터에 의해 달성될 수 있다. 본 발명의 기판 공정처리용 히터는, 기판의 형상에 대응되게 유리로 형성되는 히터본체(110)와; 상기 히터본체(110)의 판면에 형성되는 투명도전성코팅층(120)과; 상기 투명도전성코팅층(120)의 판면에 식각되어 상기 투명도전성코팅층(120)의 단위면적당 저항값을 기준값으로 일정하게 조절하는 복수개의 저항조절패턴(130)과; 상기 히터본체(110)의 양측 표면에 구비된 한 쌍의 전극패드(140)와; 상기 한 쌍의 전극패드(140)에 결합되어 전원을 공급하는 한 쌍의 전선(150)을 포함한다. The above object of the present invention can be achieved by a heater for substrate processing. The heater for substrate processing of the present invention includes: a heater body 110 formed of glass to correspond to the shape of a substrate; a transparent conductive coating layer 120 formed on the plate surface of the heater body 110; a plurality of resistance control patterns 130 etched on the plate surface of the transparent conductive coating layer 120 to constantly adjust the resistance value per unit area of the transparent conductive coating layer 120 as a reference value; a pair of electrode pads 140 provided on both surfaces of the heater body 110; It includes a pair of wires 150 coupled to the pair of electrode pads 140 to supply power.

여기서, 상기 투명도전성코팅층(120)은 불소 도핑된 산화주석(FTO)를 상기 히터본체(110)의 표면에 증착하여 형성되거나, ITO 박막을 상기 히터본체(110)의 표면에 증착하여 형성되며, 상기 저항조절패턴(130)은 상기 투명도전성코팅층(120)의 두께에 따라 상기 투명도전성코팅층(120)에 식각되는 면적이 상이하게 조절되는 것이 바람직하다.Here, the transparent conductive coating layer 120 is formed by depositing fluorine-doped tin oxide (FTO) on the surface of the heater body 110, or is formed by depositing an ITO thin film on the surface of the heater body 110, It is preferable that the area etched on the transparent conductive coating layer 120 of the resistance control pattern 130 is different according to the thickness of the transparent conductive coating layer 120 .

또한, 상기 전극패드(140)는 은합금을 이빔 증착하여 상기 히터본체(110)에 결합되고, 상기 한 쌍의 전선(150)은 상기 한 쌍의 전극패드(140)에 브레이징 용접되어 결합되는 것이 바람직하다.In addition, the electrode pad 140 is coupled to the heater body 110 by e-beam deposition of a silver alloy, and the pair of wires 150 are brazed and welded to the pair of electrode pads 140 . desirable.

본 발명에 따른 기판 공정처리용 히터는 투명도전성코팅층을 히터표면에 형성하고, 투명도전성코팅층의 코팅두께에 따른 저항값 불균형을 저항조절패턴에 의해 일정하게 조절한다. The heater for substrate processing according to the present invention forms a transparent conductive coating layer on the heater surface, and uniformly controls the resistance value imbalance according to the coating thickness of the transparent conductive coating layer by a resistance control pattern.

복수개의 저항조절패턴을 투명도전성코팅층의 두께에 따라 작업자가 개별적으로 레이저로 차등적인 크기로 식각하여 단위면적당 저항값을 전 영역에 동일하게 조절한다.According to the thickness of the transparent conductive coating layer, a plurality of resistance control patterns are individually etched with a laser in different sizes to adjust the resistance value per unit area equally over the entire area.

이에 의해 기판의 전영역에 대한 균일한 히팅을 가능하게 구현할 수 있다. Thereby, it is possible to realize uniform heating of the entire area of the substrate.

도 1은 본 발명에 따른 히터의 구성을 도시한 사시도,
도 2는 본 발명에 따른 히터의 제조과정을 개략적으로 도시한 예시도,
도 3은 본 발명에 따른 히터의 저항조절패턴을 통한 저항조절과정을 도시한 예시도
도 4는 본 발명의 변형예에 따른 히터의 구성을 도시한 평면도이다.1 is a perspective view showing the configuration of a heater according to the present invention;
2 is an exemplary view schematically illustrating a manufacturing process of a heater according to the present invention;
3 is an exemplary view illustrating a resistance control process through a resistance control pattern of a heater according to the present invention;
4 is a plan view showing the configuration of a heater according to a modified example of the present invention.

이하에서는 본 발명의 바람직한 실시예 및 첨부하는 도면을 참조하여 본 발명을 상세히 설명하되, 도면의 동일한 참조부호는 동일한 구성요소를 지칭함을 전제하여 설명하기로 한다.Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to a preferred embodiment of the present invention and the accompanying drawings, but the same reference numerals in the drawings will be described on the premise that they refer to the same components.

발명의 상세한 설명 또는 특허청구범위에서 어느 하나의 구성요소가 다른 구성요소를 "포함"한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 당해 구성요소만으로 이루어지는 것으로 한정되어 해석되지 아니하며, 다른 구성요소들을 더 포함할 수 있는 것으로 이해되어야 한다.When it is said that any one component "includes" another component in the detailed description or claims of the invention, it is not construed as being limited to that component only unless otherwise stated, and other components are not construed as being limited thereto. It should be understood that more may be included.

도 1은 본 발명에 따른 기판 공정처리용 히터(100)의 구성을 도시한 사시도이다. 도시된 바와 같이 본 발명에 따른 히터(100)는 처리되는 기판에 대응되는 형상으로 형성된 히터본체(110)와, 히터본체(110)의 상면에 형성되는 투명도전성코팅층(120)과, 투명도전성코팅층(120)의 단위면적당 저항을 일정하게 조절하는 복수개의 저항조절패턴(130)과, 투명도전성코팅층(120)의 표면에 결합되는 한 쌍의 전극패드(140)와, 전극패드(140)로 전원을 공급하는 전선(150)을 포함한다. 1 is a perspective view showing the configuration of a heater 100 for processing a substrate according to the present invention. As shown, the heater 100 according to the present invention has a heater body 110 formed in a shape corresponding to the substrate to be processed, a transparent conductive coating layer 120 formed on the upper surface of the heater body 110, and a transparent conductive coating layer A plurality of resistance control patterns 130 for constantly adjusting the resistance per unit area of 120 , a pair of electrode pads 140 coupled to the surface of the transparent conductive coating layer 120 , and the electrode pad 140 , power supply Includes a wire 150 for supplying.

히터본체(110)는 기판의 형상에 대응되게 원형 형태로 구비된다. 히터본체(110)는 박판 글래스로 구비된다. 히터본체(110)는 세라믹계, 세라믹 합금계, 도핑계, 금속계, 탄소계, 유기계 및 유무기 하이브리드계 중 어느 하나일 수 있다. The heater body 110 is provided in a circular shape to correspond to the shape of the substrate. The heater body 110 is provided with thin glass. The heater body 110 may be any one of a ceramic type, a ceramic alloy type, a doping type, a metal type, a carbon type, an organic type, and an organic/inorganic hybrid type.

히터본체(110)는 휘어질 수 있는 소재로 형성될 수 있으며, 0.7mm, 0. 5mm. 0.3mm 등 다양한 두께로 형성될 수 있다. The heater body 110 may be formed of a material that can be bent, 0.7mm, 0.5mm. It may be formed in various thicknesses, such as 0.3 mm.

투명도전성코팅층(120)은 히터본체(110)의 일면에 형성되어 히터본체(110)에 전기전도성이 형성되게 한다. 투명도전성코팅층(120)은 SnO2, ZnO와 In2O3 등 같은 산화물 투명전도막, ITO (Indium Tin Oxide), ATO (Antimon Tin Oxide), ATO (Aluminum Tin Oxide), FTO(F-doped Tin Oxide) 등과 같은 합금계 (또는 도핑계) 투명전도막, 탄소나노튜브, 그래핀과 같은 탄소계 투명전도막, 금속박막, 금속나노입자, 금속나노와이어 등과 같은 금속계 투명전도막, 전도성 폴리머계열의 투명전도막 및 상술한 소재들의 유무기 하이브리드계 소재들 중 하나로 형성될 수 있다. The transparent conductive coating layer 120 is formed on one surface of the heater body 110 so that electrical conductivity is formed in the heater body 110 . The transparent conductive coating layer 120 is an oxide transparent conductive film such as SnO 2 , ZnO and In 2 O 3 , ITO (Indium Tin Oxide), ATO (Antimon Tin Oxide), ATO (Aluminum Tin Oxide), FTO (F-doped Tin) Alloy-based (or doped-based) transparent conductive films such as oxide), carbon-based transparent conductive films such as carbon nanotubes and graphene, metal-based transparent conductive films such as metal thin films, metal nanoparticles, metal nanowires, conductive polymers It may be formed of a transparent conductive film and one of organic/inorganic hybrid-based materials of the aforementioned materials.

도 2는 본 발명의 기판 공정처리용 히터(100)의 제조과정을 개략적으로 도시한 개략도이다. 도시된 바와 같이 기판 공정처리용 히터(100)를 제조하기 위해서는 도 2의 (a)에 도시된 바와 같이 먼저 히터본체(110)를 준비한다. 2 is a schematic diagram schematically illustrating a manufacturing process of the heater 100 for processing a substrate according to the present invention. In order to manufacture the heater 100 for processing the substrate as shown, the heater body 110 is first prepared as shown in (a) of FIG. 2 .

그리고, 히터본체(110)의 판면에 투명도전성코팅층(120)을 형성한다. 투명도전성코팅층(120)은 ITO, FTO, AZO, ATO 및 ZnO 중 어느 하나일 수 있으나, FTO 코팅을 수행하는 것을 일례로 설명한다. Then, a transparent conductive coating layer 120 is formed on the plate surface of the heater body 110 . The transparent conductive coating layer 120 may be any one of ITO, FTO, AZO, ATO, and ZnO, but performing FTO coating will be described as an example.

FTO 프리커서 용액은 SnCl45H20를 3차 증류수에 녹여 0.68M이 되게 하고, F 도핑제로서 NH4F를 에탄올 용매에 녹여 1.2M로 한 후, 이 두 용액을 혼합 교반시키고 필터링하여 제조한다. 그리고 코팅용액은 SnCl45H20를 순수한 D.I 물에 5%의 에탄올을 혼합한 용매에 0.68M이 되도록 혼합하고 교반하여 제조하였으며, F의 소스로는 NH4F를 F/Sn의 비가 1.76이 되도록 하여 합성할 수 있다. The FTO precursor solution is prepared by dissolving SnCl 4 5H 2 0 in tertiary distilled water to make 0.68M, and dissolving NH 4 F as an F dopant in an ethanol solvent to make 1.2M, mixing the two solutions, stirring, and filtering do. And the coating solution was prepared by mixing SnCl 4 5H 2 0 in a solvent mixed with pure DI water and 5% ethanol to 0.68M and stirring. As a source of F, NH 4 F and F/Sn ratio was 1.76. It can be synthesized as much as possible.

여기서, 상술한 용액 조성 이외에도 알콜류, 에틸렌 글리콜(Ethylene glycol)을 부수적으로 첨가할 수 있으며, F 도핑량을 조절하기 위하여 NH4F의 량을 0.1에서 3 M까지 변화시키거나 불산(HF)를 0-2M 첨가할 수도 있다.Here, in addition to the above-described solution composition, alcohols and ethylene glycol may be added incidentally, and the amount of NH 4 F is changed from 0.1 to 3 M or hydrofluoric acid (HF) is reduced to 0 in order to control the F doping amount. -2M may be added.

FTO 프리커서를 기상으로 무화시켜 프리커서 플로우를 얻기 위하여 프리커서 소스부에는 스프레이 코팅법, 초음파 분무 코팅법, 초음파 스프레이 분무법 3가지 장치가 별도로 연결될 수 있다. In order to atomize the FTO precursor into a gas phase to obtain a precursor flow, three devices may be separately connected to the precursor source unit: a spray coating method, an ultrasonic spray coating method, and an ultrasonic spray spray method.

이 세 가지 마이크로 액적 프리커서 형성 기술을 간단히 살펴보면, 스프레이 코팅법은 미세한 노즐부를 통하여 외부의 가스가 팽창되어 나갈 때 액체를 끌어당기는 힘이 생겨 액상 프리커서를 마이크로 액적으로 분무시키는 방법이다. Briefly looking at these three micro-droplet precursor formation techniques, the spray coating method is a method of spraying a liquid precursor into micro-droplets by generating a force to attract a liquid when an external gas expands through a fine nozzle unit.

초음파 분무법은 일반 초음파 가습기처럼 액상 전구체를 초음파 진동자로 진동시켜 무화 시킨 후 단순히 캐리어 기체로 운반시켜서 코팅하는 방법이다. Ultrasonic spraying is a method of coating a liquid precursor by vibrating it with an ultrasonic vibrator like a general ultrasonic humidifier to atomize it, and then simply transporting it with a carrier gas.

마지막으로 초음파 스프레이 분무법은 초음파 진동자 부분을 스프레이 노즐처럼 변화 시켜서 무화된 프리커서를 스프레이 원리에 의하여 분사 시켜서 코팅하는 방법이다.Lastly, the ultrasonic spray atomization method is a method of coating by changing the ultrasonic vibrator part like a spray nozzle and spraying the atomized precursor according to the spray principle.

조금 더 자세한 예를 들면 초음파 단자(1.6Hz) 1개를 이용하였을 경우(1개 노즐, 1개 배기 시스템), 분무 압력 0.15, 석션 압력 520W로 하여 분무량 및 박막의 증착 속도를 조절함과 동시에 막의 균질성을 위한 플로우 콘트롤이 가능하며, 이에 따른 FTO 투명도전성코팅층(120)의 증착시간은 약 25분이다. 이때, 히터본체(110)의 가열 온도는 350~550℃로 한다. For a more detailed example, when one ultrasonic terminal (1.6Hz) is used (one nozzle, one exhaust system), the spray pressure is 0.15 and the suction pressure is 520W to control the amount of spray and the deposition rate of the thin film and Flow control for homogeneity is possible, and thus the deposition time of the FTO transparent conductive coating layer 120 is about 25 minutes. At this time, the heating temperature of the heater body 110 is set to 350 ~ 550 ℃.

복수개의 저항조절패턴(130)은 투명도전성코팅층(120)의 판면에 전영역에 걸쳐 형성되어 투명도전성코팅층(120)의 전영역의 저항값을 동일하게 조절한다. The plurality of resistance control patterns 130 are formed over the entire region of the plate surface of the transparent conductive coating layer 120 to uniformly control the resistance value of the entire region of the transparent conductive coating layer 120 .

복수개의 저항조절패턴(130)은 도 2의 (c)에 도시된 바와 같이 투명도전성코팅층(120)에 식각되어 형성된다. 여기서, 본 발명의 저항조절패턴(130)은 형성되는 위치의 투명도전성코팅층(120)의 두께에 따라 상이한 크기로 형성되어 단위면적당 저항값이 일정해지게 조절한다. The plurality of resistance control patterns 130 are formed by etching the transparent conductive coating layer 120 as shown in FIG. 2C . Here, the resistance control pattern 130 of the present invention is formed to have different sizes depending on the thickness of the transparent conductive coating layer 120 at the formed position, so that the resistance value per unit area is adjusted to be constant.

이를 위해 작업자는 레이저를 이용해 각각의 저항조절패턴(130)을 개별적으로 식각한다. To this end, the operator individually etches each resistance control pattern 130 using a laser.

도 3은 작업자가 저항조절패턴(130)을 형성하며 단위면적당 저항값이 같아지게 조절하는 과정을 도시한 예시도들이다. 3 is an exemplary diagram illustrating a process in which an operator forms the resistance adjustment pattern 130 and adjusts the resistance value per unit area to be the same.

여기서, 본 발명에 따른 저항조절패턴(130)은 단면이 육각형 형태로 형성된다. 이는 육각형이 전영역으로 균일하게 열전달이 가능한 형태이기 때문이다. 그러나, 경우에 따라 저항조절패턴(130)은 사각형을 비롯한 다양한 다각형 형태로 형성되거나, 원형으로 형성될 수도 있다. Here, the resistance control pattern 130 according to the present invention is formed in a hexagonal cross-section. This is because the hexagon is a form in which heat can be uniformly transferred to the entire area. However, in some cases, the resistance control pattern 130 may be formed in various polygonal shapes including a square, or may be formed in a circular shape.

저항조절패턴(130)은 도 3의 (a)에 도시된 바와 같이 투명도전성코팅층(120)의 두께에 따라 크기가 상이하게 형성되어 저항값을 조절할 수 있다. 작업자는 저항측정장비를 이용하여 각 영역별로 저항을 측정하고, 기준 저항값이 나오도록 해당 영역에 저항조절패턴(130)을 식각한다. As shown in (a) of FIG. 3 , the resistance control pattern 130 is formed to have a different size depending on the thickness of the transparent conductive coating layer 120 to adjust the resistance value. The operator measures the resistance for each area using a resistance measuring device, and etches the resistance control pattern 130 in the corresponding area to obtain a reference resistance value.

작업자는 점 형태의 최소 크기의 저항조절패턴(130)을 처음에 식각하고, 측정된 저항값에 따라 점차 저항조절패턴(130)의 크기를 크게 식각한다. 이에 따라 투명도전성코팅층(120)의 두께가 두꺼울수록 저항조절패턴(130)의 크기가 커지게 된다. The operator initially etches the resistance control pattern 130 of the minimum size in the shape of a dot, and gradually increases the size of the resistance control pattern 130 according to the measured resistance value. Accordingly, as the thickness of the transparent conductive coating layer 120 increases, the size of the resistance control pattern 130 increases.

일례로, 인접하게 배치된 제1저항조절패턴(130a), 제2저항조절패턴(130b) 및 제3저항조절패턴(130c)를 형성할 때, 이들이 위치된 투명도전성코팅층(120)의 각 영역의 제1두께(d1), 제2두께(d2) 및 제3두께(d3)가 서로 상이하게 형성된다(d2<d1<d3). For example, when forming the first resistance control pattern 130a, the second resistance control pattern 130b, and the third resistance control pattern 130c disposed adjacent to each other, each region of the transparent conductive coating layer 120 in which they are located The first thickness d1, the second thickness d2, and the third thickness d3 are formed to be different from each other (d2<d1<d3).

두께에 정확하게 비례하지는 않지면 작업자는 각 영역별로 측정된 저항값을 기준으로 각 영역의 저항조절패턴을 점차 커지게 식각하고, 식각된 저항조절패턴들의 크기는 제3저항조절패턴(130c), 제1저항조절패턴(130a), 제2저항조절패턴(130b) 순으로 형성된다(ℓ3>ℓ1>ℓ2).If it is not precisely proportional to the thickness, the operator gradually etches the resistance control pattern of each area based on the resistance value measured for each area, and the sizes of the etched resistance control patterns are the third resistance control pattern 130c, the second The first resistance control pattern 130a and the second resistance control pattern 130b are formed in this order (ℓ3>ℓ1>ℓ2).

이렇게 서로 크기가 다른 저항조절패턴(130a,130b,130c)가 형성된 각 영역의 저항값은 모두 동일하게 일치된다. In this way, the resistance values of the regions in which the resistance control patterns 130a, 130b, and 130c having different sizes are formed are all identical.

이에 따라 히터(100)로 전원이 인가될 경우 동일하게 발열되어 기판을 균일하게 히팅할 수 있게 된다. Accordingly, when power is applied to the heater 100, the same heat is generated to uniformly heat the substrate.

한편, 저항조절패턴(130)은 투명도전성코팅층(120)의 두께에 따라 서로 다른 크기로 식각될 수도 있으나, 경우에 따라 도 3의 (b)에 도시된 바와 같이 크기는 서로 동일하고(ℓ로 동일) 영역별도 저항조절패턴(130)의 식각 깊이가 상이하게 형성될 수도 있다. On the other hand, the resistance control pattern 130 may be etched to have different sizes depending on the thickness of the transparent conductive coating layer 120, but in some cases, the sizes are the same as shown in FIG. The same) may be formed to have different etch depths of the resistance control pattern 130 for each region.

즉, 제1두께(d1), 제2두께(d2) 및 제3두께(d3)가 서로 상이하게 형성된 경우(d2<d1<d3), 제1저항조절패턴(130a), 제2저항조절패턴(130b) 및 제3저항조절패턴(130c)의 식각 깊이가 상이하게 형성될 수 있다(W2<W1<W3).That is, when the first thickness d1, the second thickness d2, and the third thickness d3 are formed to be different from each other (d2 < d1 < d3), the first resistance control pattern 130a, and the second resistance control pattern The etching depths of 130b and the third resistance control pattern 130c may be different (W2<W1<W3).

투명도전성코팅층(120)의 코팅두께가 두꺼울 수록 저항조절패턴의 식각 깊이를 점차 깊게 식각하여 모든 영역의 단위면적당 저항값이 목표값에 도달하게 조절할 수 있다. As the coating thickness of the transparent conductive coating layer 120 becomes thicker, the etch depth of the resistance control pattern may be gradually etched deeper so that the resistance value per unit area of all regions reaches a target value.

히터(100)의 투명도전성코팅층(120)의 양측에는 한 쌍의 전극패드(140)가 구비된다. 전극패드(140)는 전선(150)과 결합되어 투명도전성코팅층(120)으로 전원이 공급되게 한다. 투명도전성코팅층(120)은 고온에도 안정적으로 사용될 수 있으나, 전극패드(140)는 상대적으로 열저항성이 낮아 고온에서 박리되어 탈루될 수 있다. A pair of electrode pads 140 are provided on both sides of the transparent conductive coating layer 120 of the heater 100 . The electrode pad 140 is coupled to the electric wire 150 so that power is supplied to the transparent conductive coating layer 120 . The transparent conductive coating layer 120 can be used stably even at high temperatures, but the electrode pad 140 has relatively low thermal resistance, so it can be peeled off at a high temperature and escaped.

이에 따라 본 발명의 전극패드(140)는 고온에서 견딜 수 있도록 열저항성을 갖는 Ag 합금으로 형성된다. 전극패드(140)는 본딩을 할 경우 박리될 수 있으므로 이빔과정을 거쳐 진공에서 증착한다. Accordingly, the electrode pad 140 of the present invention is formed of an Ag alloy having thermal resistance to withstand high temperatures. Since the electrode pad 140 may be peeled off during bonding, it is deposited in a vacuum through an e-beam process.

또한, 한 쌍의 전선(150)은 전극패드(140)에 블레이징 용접에 의해 결합된다. 블레이징 용접을 하기 위해서는 베이스가 되는 모재가 두꺼워야 하므로 본 발명의 전극패드(140)는 일반적인 전극패드에 비해 상대적으로 두께가 두껍게 형성된다. In addition, the pair of wires 150 is coupled to the electrode pad 140 by blazing welding. In order to perform blazing welding, since the base material as the base must be thick, the electrode pad 140 of the present invention is formed to be relatively thick compared to a general electrode pad.

이러한 구성을 갖는 본 발명의 기판 공정처리용 히터(100)의 제조과정과 사용과정을 도 1 내지 도 3을 참조하여 설명한다. A manufacturing process and a use process of the heater 100 for processing a substrate of the present invention having such a configuration will be described with reference to FIGS. 1 to 3 .

히터(100)의 제조를 위해 도 2의 (a)에 도시된 바와 같이 히터본체(110)를 준비한다. 그리고, 히터본체(110)의 일면에 도 2의 (b)에 도시된 바와 같이 투명도전성코팅층(120)을 형성한다. For the manufacture of the heater 100, the heater body 110 is prepared as shown in (a) of FIG. 2 . Then, a transparent conductive coating layer 120 is formed on one surface of the heater body 110 as shown in (b) of FIG. 2 .

그리고, 도 2의 (c)에 도시된 바와 같이 투명도전성코팅층(120)에 복수개의 저항조절패턴(130)을 식각하여 형성한다. 이 때, 작업자는 레이저를 이용해 각각의 저항조절패턴(130)을 개별적으로 식각하며, 단위면적당 저항값이 기준값에 일치되도록 저항조절패턴(130)의 식각크기를 차등적으로 조절한다. Then, as shown in (c) of FIG. 2 , a plurality of resistance control patterns 130 are etched on the transparent conductive coating layer 120 to form. At this time, the operator individually etches each resistance control pattern 130 using a laser, and differentially adjusts the etching size of the resistance control pattern 130 so that the resistance value per unit area matches the reference value.

작업자는 도 3의 (a)에 도시된 바와 같이 투명도전성코팅층(120)의 두께에 따라 저항조절패턴(130)의 크기를 차등적으로 조절하여 식각한다. 이에 의해 히터본체(110)에 형성된 투명도전성코팅층(120)의 전영역의 단위면적당 저항값이 기준값으로 일치될 수 있다. As shown in (a) of FIG. 3 , the operator differentially adjusts the size of the resistance control pattern 130 according to the thickness of the transparent conductive coating layer 120 and etches it. Accordingly, the resistance value per unit area of the entire region of the transparent conductive coating layer 120 formed on the heater body 110 may be matched as a reference value.

저항조절패턴(130)의 식각과정과 저항값 조절과정이 완료되면, 도 2의 (d)에 도시된 바와 같이 전극패드(140)와 전선(150)을 결합시켜 제조과정을 종료한다. When the etching process of the resistance control pattern 130 and the resistance value adjustment process are completed, as shown in FIG. 2D , the electrode pad 140 and the electric wire 150 are combined to end the manufacturing process.

이렇게 제조된 본 발명의 기판 공정처리용 히터(100)는 기판 제조를 위한 다양한 공정에 사용된다. 이 때, 히터본체(110)의 투명도전성코팅층(120)의 저항값이 전영역에 균일하게 조절되므로 기판으로 가해지는 히팅량도 전면적에 균일해진다. 이에 의해 공정 품질이 향상될 수 있다. The heater 100 for substrate processing of the present invention manufactured in this way is used in various processes for substrate manufacturing. At this time, since the resistance value of the transparent conductive coating layer 120 of the heater body 110 is uniformly adjusted over the entire area, the amount of heating applied to the substrate becomes uniform over the entire area. Thereby, process quality can be improved.

한편, 앞서 설명한 기판 공정처리용 히터(100)는 기판을 처리하기 위한 것이나, 경우에 따라 도 4에 도시된 바와 같이 디스플레이 패널용으로 사각형 형태의 히터(100a)로 제조될 수 있다. On the other hand, the heater 100 for processing the substrate described above is for processing the substrate, but in some cases, as shown in FIG. 4 , it may be manufactured as a heater 100a having a rectangular shape for a display panel.

이 경우에도 전영역에 차등적인 크기의 저항조절패턴(130)이 형성되어 저항값이 일정하게 조절된다.Also in this case, the resistance control pattern 130 of a differential size is formed in the entire region, so that the resistance value is constantly adjusted.

이상에서 살펴본 바와 같이 본 발명에 따른 기판 공정처리용 히터는 투명도전성코팅층을 히터표면에 형성하고, 투명도전성코팅층의 코팅두께에 따른 저항값 불균형을 저항조절패턴에 의해 일정하게 조절한다. As described above, in the heater for substrate processing according to the present invention, a transparent conductive coating layer is formed on the heater surface, and the resistance value imbalance according to the coating thickness of the transparent conductive coating layer is uniformly controlled by the resistance control pattern.

복수개의 저항조절패턴을 투명도전성코팅층의 두께에 따라 작업자가 개별적으로 레이저로 차등적인 크기로 식각하여 단위면적당 저항값을 전 영역에 동일하게 조절한다.According to the thickness of the transparent conductive coating layer, a plurality of resistance control patterns are individually etched with a laser in different sizes to adjust the resistance value per unit area equally over the entire area.

이에 의해 기판의 전영역에 대한 균일한 히팅을 가능하게 구현할 수 있다. Thereby, it is possible to realize uniform heating of the entire area of the substrate.

이상 몇 가지의 실시예를 통해 본 발명의 기술적 사상을 살펴보았다.The technical idea of the present invention has been reviewed through the above several embodiments.

본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명의 기재사항으로부터 상기 살펴본 실시예를 다양하게 변형하거나 변경할 수 있음은 자명하다. 또한, 비록 명시적으로 도시되거나 설명되지 아니하였다 하여도 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명의 기재사항으로부터 본 발명에 의한 기술적 사상을 포함하는 다양한 형태의 변형을 할 수 있음은 자명하며, 이는 여전히 본 발명의 권리범위에 속한다. 첨부하는 도면을 참조하여 설명된 상기의 실시예들은 본 발명을 설명하기 위한 목적으로 기술된 것이며 본 발명의 권리범위는 이러한 실시예에 국한되지 아니한다.It is apparent that those of ordinary skill in the art to which the present invention pertains can variously modify or change the above-described embodiments from the description of the present invention. In addition, even if not explicitly shown or described, a person of ordinary skill in the art to which the present invention pertains may make various modifications including the technical idea according to the present invention from the description of the present invention. is self-evident, which still falls within the scope of the present invention. The above embodiments described with reference to the accompanying drawings have been described for the purpose of explaining the present invention, and the scope of the present invention is not limited to these embodiments.

100 : 기판 공정처리용 히터 110 : 히터본체
120 : 투명도전성코팅층 130 : 저항조절패턴
140 : 전극패드 150 : 전선
151 : 용접비드100: heater for substrate processing 110: heater body
120: transparent conductive coating layer 130: resistance control pattern
140: electrode pad 150: electric wire
151: welding bead

Claims (3)

기판 공정처리용 히터에 있어서,
기판의 형상에 대응되게 유리로 형성되는 히터본체(110)와;
상기 히터본체(110)의 판면에 형성되는 투명도전성코팅층(120)과;
상기 투명도전성코팅층(120)의 판면에 식각되어 상기 투명도전성코팅층(120)의 단위면적당 저항값을 기준값으로 일정하게 조절하는 복수개의 저항조절패턴(130)과;
상기 히터본체(110)의 양측 표면에 구비된 한 쌍의 전극패드(140)와;
상기 한 쌍의 전극패드(140)에 결합되어 전원을 공급하는 한 쌍의 전선(150)을 포함하며,
상기 투명도전성코팅층(120)은 불소 도핑된 산화주석(FTO)를 상기 히터본체(110)의 표면에 증착하여 형성되거나, ITO 박막을 상기 히터본체(110)의 표면에 증착하여 형성되며,
상기 저항조절패턴(130)은 상기 투명도전성코팅층(120)의 두께에 따라 상기 투명도전성코팅층(120)에 식각되는 면적이 상이하게 조절되며,
상기 전극패드(140)는 은합금을 이빔 증착하여 상기 히터본체(110)에 결합되고,
상기 한 쌍의 전선(150)은 상기 한 쌍의 전극패드(140)에 브레이징 용접되어 결합되는 것을 특징으로 하는 기판 공정처리용 히터.
In the heater for substrate processing,
a heater body 110 formed of glass to correspond to the shape of the substrate;
a transparent conductive coating layer 120 formed on the plate surface of the heater body 110;
a plurality of resistance control patterns 130 etched on the plate surface of the transparent conductive coating layer 120 to constantly adjust the resistance value per unit area of the transparent conductive coating layer 120 as a reference value;
a pair of electrode pads 140 provided on both surfaces of the heater body 110;
It includes a pair of wires 150 coupled to the pair of electrode pads 140 to supply power,
The transparent conductive coating layer 120 is formed by depositing fluorine-doped tin oxide (FTO) on the surface of the heater body 110, or is formed by depositing an ITO thin film on the surface of the heater body 110,
In the resistance control pattern 130 , the area etched on the transparent conductive coating layer 120 is adjusted differently according to the thickness of the transparent conductive coating layer 120 ,
The electrode pad 140 is coupled to the heater body 110 by E-beam deposition of a silver alloy,
The pair of electric wires (150) are brazed welded to the pair of electrode pads (140), characterized in that the substrate processing heater.
 제1항에 있어서,
상기 복수개의 저항조절패턴(130)은 단면이 육각형 형상으로 상기 히터본체(110)의 영역별로 크기가 상이하게 형성되며,
상기 히터본체(110)에 증착된 상기 투명도전성코팅층(120)의 두께가 두꺼울수록 상기 저항조절패턴(130)의 크기가 커지게 식각되는 것을 특징으로 하는 기판 공정처리용 히터.
The method of claim 1,
The plurality of resistance control patterns 130 have a hexagonal cross section and are formed in different sizes for each area of the heater body 110 ,
Heater for substrate processing, characterized in that the larger the thickness of the transparent conductive coating layer (120) deposited on the heater body (110), the larger the size of the resistance control pattern (130) is etched.
 제2항에 있어서,
상기 복수개의 저항조절패턴(130)은 단면이 육각형 형상으로 상기 히터본체(110)의 전면적에 동일한 크기로 형성되며,
상기 히터본체(110)에 증착된 상기 투명도전성코팅층(120)의 두께가 두꺼울수록 상기 저항조절패턴(130)의 깊이가 깊게 식각되는 것을 특징으로 하는 기판 공정처리용 히터. 3. The method of claim 2,
The plurality of resistance control patterns 130 have a hexagonal cross-section and are formed in the same size over the entire area of the heater body 110,
A heater for substrate processing, characterized in that the deeper the thickness of the transparent conductive coating layer (120) deposited on the heater body (110) is, the deeper the depth of the resistance control pattern (130) is etched.
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