KR20220040123A - 반도체 접착용 수지 조성물, 반도체용 접착 필름 및 이를 이용한 다이싱 다이본딩 필름 - Google Patents

반도체 접착용 수지 조성물, 반도체용 접착 필름 및 이를 이용한 다이싱 다이본딩 필름 Download PDF

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Abstract

본 발명은 반도체 접착 수지 조성물, 반도체용 접착 필름 및 이를 이용한 다이싱 다이본딩 필름에 관한 것으로, 구체적으로 상기 반도체 접착 수지 조성물에 광흡수제를 포함함으로써, 반도체용 접착 필름의 자외선 투과를 억제하고, 장시간 경과하더라도 점착력을 유지하여 보관 안정성을 향상시킬 수 있는 반도체 접착 수지 조성물, 반도체용 접착 필름 및 이를 이용한 다이싱 다이본딩 필름에 관한 것이다.

Description

반도체 접착용 수지 조성물, 반도체용 접착 필름 및 이를 이용한 다이싱 다이본딩 필름{ADHESIVE RESIN COMPOSITION FOR SEMICONDUCTOR, ADHESIVE FILM FOR SEMICONDUCTOR, AND DICING DIE BONDING FILM USING THE SAME}
본 발명은 반도체 접착용 수지 조성물, 반도체용 접착 필름 및 이를 이용한 다이싱 다이본딩 필름에 관한 것으로, 구체적으로 상기 반도체 접착 수지 조성물에 광흡수제를 포함함으로써, 반도체용 접착 필름의 자외선 투과를 억제하고, 장시간 경과하더라도 점착력을 유지하여 보관 안정성을 향상시킬 수 있는 반도체 접착용 수지 조성물, 반도체용 접착 필름 및 이를 이용한 다이싱 다이본딩 필름에 관한 것이다.
최근 전자기기의 소형화, 고기능화, 대용량화 추세가 확대되고 이에 따른 반도체 패키지의 고밀도화, 고집적화에 대한 필요성이 급격히 커짐에 따라 반도체 칩 크기가 점점 커지고 있으며 집적도 측면에서도 개선하기 위하여 칩을 다단으로 적층하는 스택패키지 방법이 점차로 증가하고 있다.
이와 같이 다단의 반도체 스택 패키지의 사용에 따라서 칩의 두께는 얇아지고 회로의 집적도는 높아지고 있는데, 칩 자체의 모듈러스는 낮아져서 제조 공정이나 최종 제품의 신뢰성에 문제점을 야기 하고 있다. 이러한 문제점을 해결하기 위하여 반도체 패키징 과정에 사용되는 접착제의 물성을 강화시키는 방법들이 시도되어 왔다.
또한, 최근 반도체 칩의 두께가 얇아짐에 따라 기존의 블레이드 절삭 과정에서 칩이 손상되어 수율이 저하되는 문제가 있는데, 이를 해결하기 위하여 블레이드로 우선 반도체 칩을 절삭한 후 연마하는 제조 과정이 제시되고 있다. 이러한 제조 과정에서 접착제는 분단되어 있지 않으므로 레이저를 이용하여 접착제를 자른 후, 저온에서 기재필름의 익스펜딩 과정을 통하여 분단하고 있다. 또한 최근에는 칩 위의 회로를 보호하기 위하여 레이저를 이용하지 않고 오로지 저온 익스펜딩 과정과 열 수축과정을 통하여 접착제를 분단하는 공정을 적용하고 있다.
한편, 종래의 다이싱 다이본딩 필름을 장기간 보관하는 경우 자외선이 접착제면을 투과하고 이로 인하여 다이싱 필름과 접착제 층간의 점착력 변화로 인하여 공정상에 문제가 불량률이 증가하는 문제가 발생하였다. 이에 따라, 접착제에서 자외선을 투과하지 못하도록 방지하는 기술 개발에 대한 요구가 높아 지고 있다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 접착용 수지 조성물에 광흡수제를 포함함으로써, 다이싱 필름에 도달하는 자외선 등을 효과적으로 방지함으로써, 상기 다이싱 다이본딩 필름에 포함된 점착층의 점착력 변화를 최소하여 보관안정성을 향상시킬 수 있는 반도체 접착용 수지 조성물, 반도체용 접착 필름 및 이를 이용한 다이싱 다이본딩 필름을 제공하는 것이다.
다만, 본 발명이 해결하고자 하는 과제는 상기 언급한 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 하기의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
본 발명의 일 실시상태는 -10℃ 이상 20℃ 이하의 유리 전이 온도를 갖는 열가소성 수지; 100 ℃ 초과 160℃ 이하의 연화점을 갖는 페놀 수지를 포함한 경화제; 고상 에폭시 수지; 25℃에서 500 mPa·s 이상 20,000 mPa·s 이하의 점도를 갖는 액상 에폭시 수지; 및 광흡수제를 포함하는 것인 반도체 접착용 수지 조성물을 제공한다.
본 발명의 일 실시상태는 상기 반도체 접착용 수지 조성물을 포함하는 반도체용 접착 필름을 제공한다.
본 발명의 일 실시상태는 기재 필름; 상기 기재 필름 상에 구비되는 점착층; 및 상기 점착층상에 구비되고 상기 반도체용 접착 필름을 포함한 접착층;을 포함한 다이싱 다이본딩 필름을 제공한다.
본 발명의 일 실시상태에 따른 반도체 접착용 수지 조성물은 상기 조성물 내에 광흡수제를 포함함으로써, 다이싱 필름으로 도달하는 자외선 등을 효과적으로 방지할 수 있다.
본 발명의 일 실시상태에 따른 반도체용 접착 필름은 상기 다이싱 필름에 도달하는 자외선을 방지함으로써, 상기 점착층의 점착력 변화를 최소화할 수 있다.
본 발명의 일 실시상태에 따른 다이싱 다이본딩 필름은 상기 점착층에 점착력 변화를 방지하여 보관 안정성을 향상시키며 반도체 제조공정에서 불량률을 최소화할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시상태에 따른 다이싱 다이본딩 필름의 자외선 투과되는 모습을 나타낸 개략도이다.
본원 명세서 전체에서, 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함"한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있음을 의미한다.
본원 명세서 전체에서, 어떤 부재가 다른 부재 "상에" 위치하고 있다고 할 때, 이는 어떤 부재가 다른 부재에 접해 있는 경우뿐 아니라 두 부재 사이에 또 다른 부재가 존재하는 경우도 포함한다.
본원 명세서 전체에서, 단위 "중량부"는 각 성분간의 중량의 비율을 의미할 수 있다.
본원 명세서 전체에서, "(메트)아크릴레이트"는 아크릴레이트 및 메타크릴레이트를 통칭하는 의미로 사용된다.
본원 명세서 전체에서, "A 및/또는 B"는 "A 및 B, 또는 A 또는 B"를 의미한다.
본원 명세서 전체에서, 용어 “반복 단위”는 중합체 내에서 단량체가 반응되어 반복되는 형태를 의미할 수 있고, 구체적으로 그 단량체가 중합 반응을 거쳐서 그 중합체의 골격, 예를 들면, 주쇄 또는 측쇄를 형성하여 반복되고 있는 형태를 의미할 수 있다.
본원 명세서 전체에서, 어떤 화합물의 “중량평균분자량”은 그 화합물의 분자량과 분자량 분포를 이용하여 계산될 수 있다. 구체적으로, 1 ml의 유리병에 테트라하이드로퓨란(tetrahydrofuran, THF)와 화합물을 넣어 화합물의 농도가 1 wt%인 샘플 시료를 준비하고, 표준 시료(폴리스티렌, polystyrene)와 샘플 시료를 필터(포어 크기가 0.45㎛)를 통해 여과시킨 후, GPC 인젝터(injector)에 주입하여, 샘플 시료의 용리(elution) 시간을 표준 시료의 캘리브레이션(calibration) 곡선과 비교하여 화합물의 분자량 및 분자량 분포를 얻을 수 있다. 이 때, 측정 기기로 Infinity II 1260(Agilient 社)를 이용할 수 있고, 유속은 1.00 mL/min, 컬럼 온도는 40.0 ℃로 설정할 수 있다.
본원 명세서 전체에서, “유리전이온도(Glass Temperature, Tg)”는 시차주사열계량법(Differnetial Scanning Analysis, DSC)을 이용하여 측정할 수 있으며, 구체적으로 DSC(Differential Scanning Calorimeter, DSC-STAR3, METTLER TOLEDO社)를 이용하여, 시료를 -60 ℃ 내지 150 ℃ 의 온도 범위에서 가열속도 5 ℃/min으로 승온하며, 상기 구간에서 2 회(cycle)의 실험을 진행하여 열변화량이 있는 지점으로 작성된 DSC 곡선의 중간점을 측정하여 유리전이도를 구할 수 있다.
이하, 본 발명에 대하여 더욱 상세하게 설명한다.
본 발명의 일 실시상태는 -10℃ 이상 20℃ 이하의 유리 전이 온도를 갖는 열가소성 수지; 100 ℃ 초과 160℃ 이하의 연화점을 갖는 페놀 수지를 포함한 경화제; 고상 에폭시 수지; 25℃에서 500 mPa·s 이상 20,000 mPa·s 이하의 점도를 갖는 액상 에폭시 수지; 및 광흡수제를 포함하는 것인 반도체 접착용 수지 조성물을 제공한다.
본 발명의 일 실시상태에 따른 반도체 접착용 수지 조성물은 상기 조성물 내에 광흡수제를 포함함으로써, 다이싱 필름으로 도달하는 자외선 등을 효과적으로 방지할 수 있다.
본 발명의 일 실시상태에 따르면, -10℃ 이상 20℃ 이하의 유리 전이 온도를 갖는 열가소성 수지를 포함한다. 상기 반도체 접착용 수지 조성물의 경화루 모듈러스가 급격히 증가하는 것을 방지하며 B-stage 에서 조성물의 점도 증가하는 것을 방지할 수 있다.
본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 열가소성 수지는 폴리이미드, 폴리에테르 이미드, 폴리에스테르 이미드, 폴리아미드, 폴리에테르 술폰, 폴리에테르 케톤, 폴리올레핀, 폴리염화비닐, 페녹시, 반응성 부타디엔 아크릴로 니트릴 공중합 고무, (메타)아크릴레이트계 수지 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나인 것일 수 있다. 구체적으로 상기 열가소성 수지는 (메타)아크릴레이트계 수지인 것이 바람직하다.
본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 (메타)아크릴레이트계 수지는 에폭시계 작용기를 포함한 (메타)아크릴레이트계 반복 단위를 포함하고 -10℃ 이상 20℃ 이하의 유리 전이 온도를 갖는 (메타)아크릴레이트계 수지일 수 있다. 상술한 것과 같이 상기 에폭시계 작용기를 포함한 (메타)아크릴레이트계 반복 단위를 포함하고 -10℃ 내지 20℃의 유리 전이 온도를 갖는 (메타)아크릴레이트계 수지를 사용함으로써, 상기 반도체 접착용 수지 조성물은 반도체 접착용, 반도체에 포함되는 구성 성분의 접착용 또는 반도체 패키지용으로 사용할 수 있으며, 극박 웨이퍼의 다단적층시 높은 내충격성을 확보할 수 있으며 반도체 제조 이후 전기적 특성을 향상시킬 수 있는 반도체용 접착 필름 또는 반도체 패키지용 접착필름을 제공할 수 있다.
본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 에폭시계 작용기는 상기 (메타)아크릴레이트계 수지의 주쇄를 이루는 반복 단위에 1이상 치환될 수 있다.
본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 에폭시계 작용기는 에폭시기 또는 글리시딜기를 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 (메타)아크릴레이트계 수지는 상기 에폭시계 작용기를 포함한 (메타)아크릴레이트계 반복 단위를 0.1 중량% 내지 10 중량% 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 (메타)아크릴레이트계 수지는 -10℃ 내지 20℃의 유리 전이 온도를 가질 수 있다. 상술한 범위에서 유리 전이 온도를 갖는 (메타)아크릴레이트계 수지를 사용함으로써, 상기 반도체 접착용 수지 조성물이 충분한 유동성을 가질 수 있으며 최종 제조되는 접착 필름이 높은 접착력을 확보할 수 있고, 상기 반도체 접착용 수지 조성물을 이용하여 박막 필름 등의 형태로 제조하기가 용이하다.
본 발명의 일 실시상태에 따르면, 100 ℃ 초과 160℃ 이하의 연화점을 갖는 페놀 수지를 포함한 경화제를 포함한다. 상술한 범위에서 상기 연화점을 조절함으로써, 상기 액상 에폭시 수지 및 상기 -10℃ 내지 20℃의 유리 전이 온도를 갖는 열가소성 수지와 함께 접착 성분의 기재(또는 매트릭스)를 형성할 수 있으며, 상기 반도체 접착용 수지 조성물로부터 제조되는 접착 필름이 상온에서 보다 높은 인장 모듈러스와 우수한 접착력을 갖도록 하고 반도체에 최적화된 유동 특성을 갖도록 한다. 다만, 상기 페놀 수지의 연화점이 상술한 범위 미만인 경우, 상기 반도체 접착용 수지 조성물로부터 제조되는 접착 필름이 갖는 상온에서의 인장 모듈러스가 낮아지거나 상온 인장율이 크게 증가할 수 있으며, 또한 상기 필름이 갖는 용융 점도가 감소하거나 또는 모듈러스가 낮아지며, 이에 따라 다이싱 과정에서 발생하는 열에 의해 버(burr)가 보다 많이 발생하거나 분단성이나 픽업 효율이 저하될 수 있다. 또한 상기 접착 필름을 결합하는 과정이나 상기 접착 필름이 고온 조건에 장시간 노출되는 경우에 흘러내림(bleed out)이 다수발생할 수 있다.
본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 경화제의 함량은 상기 열가소성 수지 100 중량부 대비 80 중량부 이상 120 중량부 이하인 것일 수 있다. 상술한 범위 내에서 상기 경화제의 함량을 조절함으로써, 내열성을 향상시키며 경화가 완료된 후 미반응 상태의 페놀기가 잔류를 방지하여 흡습성을 낮게 유지할 수 있으며, 이에 따라 반도체 패키징 과정에서의 흡습 후 리플로우 과정에서 기판과 접착제 간의 박리 현상을 방지할 수 있다. 상기 경화제는 아민계 경화제, 및 산무수물계 경화제로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 화합물을 더 포함할 수 있다. 상기 경화제의 사용량은 최종 제조되는 접착 필름의 물성 등을 고려하여 적절히 선택할 수 있다.
본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 페놀 수지는 100 g/eq 이상 240 g/eq 이하의 수산기 당량을 갖는 것일 수 있다. 또는 100 g/eq 이상 178 g/eq 이하의 수산기 당량을 갖는 것일 수 있다. 또는 210 g/eq 내지 240 g/eq 수산기 당량을 가질 수 있다. 상기 페놀 수지가 상술한 수산기 당량 범위로 조절됨으로써, 짧은 경화시간에서도 경화도를 높일 수 있으며, 이에 따라 상기 반도체 접착용 수지 조성물로부터 제조되는 접착 필름이 상온에서 보다 높은 인장 모듈러스와 우수한 접착력의 특성을 부여할 수 있다.
본 발명의 일 실시상태에 따르면, 고상 에폭시 수지;를 포함한다. 상술한 것과 같이 고상 에폭시 수지를 포함함으로써, 상기 반도체 접착용 수지 조성물의 경화도 조절이나 접착 성능 등을 향상시킬 수 있다.
본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 고상 에폭시의 수지는 바이페닐계 에폭시 수지, 비스페놀 A 에폭시 수지, 비스페놀 F 에폭시 수지, 크레졸 노볼락 에폭시 수지, 페놀 노볼락 에폭시 수지, 4관능성 에폭시 수지, 트리페놀메탄형 에폭시 수지, 알킬 변성 트리페놀메탄형 에폭시 수지, 나프탈렌형 에폭시 수지, 디시클로펜타디엔형 에폭시 수지, 디시클로펜타디엔 변성 페놀형 에폭시 수지 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나일 수 있다.
본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 고상 에폭시 수지의 연화점은 50℃ 내지 120℃일 수 있다. 상술한 범위 내에서 상기 고상 에폭시 수지의 연화점을 조절함으로써 상기 반도체 접착용 수지 조성물의 점착력이 높아져서 다이싱 후 칩 픽업성이 저하되는 것을 방지하며, 상기 반도체 접착용 수지 조성물의 유동성이 저하를 방지하고 상기 반도체 접착용 수지 조성물로부터 제조되는 접착 필름의 접착력이 유지할 수 있다.
본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 고상 에폭시 수지는 100 내지 1,000의 에폭시 당량을 가질 수 있다.
본 발명의 일 실시상태에 따르면, 25℃에서 500 mPa·s 이상 20,000 mPa·s 이하의 점도를 갖는 액상 에폭시 수지를 포함한다. 상술한 범위에서 상기 액상 에폭시 수지의 점도를 조절함으로써, 상기 반도체 접착용 수지 조성물로부터 제조되는 접착 필름이 고온에서 낮은 점도를 가지면서도 높은 탄성, 우수한 기계적 물성 및 높은 접착력을 구현할 수 있다
본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 액상 에폭시 수지는 100 이상 1,000 이하의 에폭시 당량을 가질 수 있다.
본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 고상 에폭시 수지 및 액상 에폭시 수지의 총 함량은 상기 열가소성 수지 100 중량부 대비 200 중량부 이상 250 중량부 이하일 수 있다. 상술한 범위에서 상기 고상 에폭시 수지 및 액상 에폭시 수지의 총 함량을 조절함으로써, 상기 반도체 접착용 수지 조성물로부터 제조되는 접착 필름이 고온에서 낮은 점도를 가지면서도 높은 탄성, 우수한 기계적 물성 및 높은 접착력을 구현할 수 있다. 구체적으로 상기 열가소성 수지 대비 상기 고상 에폭시 수지 및 액상 에폭시 수지의 총 함량의 중량비가 상술한 범위보다 낮은 경우, 상기 반도체 접착용 수지 조성물로부터 제조되는 접착 필름 등이 고온에서 높은 점도를 나타내거나 또는 낮은 파단 강도 및 높은 파단 신율을 나타낼 수 있으며, 또한 고온 전단력 또한 낮아져서 분단성이 충분히 확보되지 않을 수 있다. 나아가, 상기 열가소성 수지 대비 상기 고상 에폭시 수지 및 액상 에폭시 수지의 총 함량이 상술한 범위를 초과하는 경우, 상기 반도체 접착용 수지 조성물로부터 제조되는 접착 필름을 상온에서 5% 내지 10% 신장시 발생하는 모듈러스가 매우 높아지고, 상기 접착 필름이 갖는 상온에서의 인장율은 매우 크게 낮아져서 작업성을 크게 저해할 수 있다. 또한 이로부터 제조된 접착 필름을 이용하여 제조된 다이싱 다이본딩 필름에서는 경화과정에서 점도의 상승 속도가 크게 높아져서 플름 내의 보이드 제거가 어려울 수 있으며, 이는 패키지의 신뢰성을 저해하는 요인으로 작용할 수 있다.
본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 액상 에폭시 수지의 함량은 상기 고상 에폭시 수지 100 중량부 대비 50 중량부 이상 80 중량부 이하인 것일 수 있다. 상기 액상 에폭시 수지의 함량이 상술한 범위를 초과하는 경우, 상기 반도체 접착용 수지 조성물 또는 이로부터 제조되는 접착제 또는 접착 필름의 파단 강도가 크게 증가하게 되고 상온에서의 인장 모듈러스가 낮아질 수 있고 저온 분단 과정에서의 분단성 또는 효율이 저하될 수 있다. 나아가, 상기 액상 에폭시 수지의 함량이 상술한 범위에 미달하는 경우, 상온에서 신장시 발생하는 모듈러스가 너무 높아지거나 상온에서의 인장율이 크게 저하되어 최종 제품의 제조 수율이 크게 저하될 수 있으며, 또한 상기 구현예의 반도체 접착용 수지 조성물 또는 이로부터 제조되는 접착제 또는 접착 필름이 웨이퍼에 대하여 충분한 밀착력을 갖지 못하여 제조 공정 중에서 웨이퍼와 접착 필름 간의 들뜸 현상이 발생할 수 있다.
본 발명의 일 실시상태에 따르면, 광흡수제를 포함한다. 상술한 것과 같이 광흡수제를 포함함으로써, 상기 반도체용 접착 필름을 투과하여 다이싱 필름에 도달하는 자외선 등을 효과적으로 차단할 수 있다.
본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 광흡수제는 벤조페논계 광흡수제, 살리실산계 광흡수제, 벤조트리아졸계 광흡수제, 카본블랙, 아닐린블랙, 퍼릴렌블랙, 티탄블랙 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나를 포함할 수 있다. 구체적으로 상기 광흡수제는 카본블랙, 벤조트리아졸 및 이들의 혼합물을 포함하는 것일 수 있다. 상술한 것으로부터 광흡수제를 선택함으로써, 상기 다이싱 다이본딩 필름의 물성을 저하시키지 않으면서 광차단효과를 향상시켜 보관안정성을 향상시킬 수 있다.
본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 광흡수제의 함량은 상기 열가소성 수지 100 중량부 대비 1 중량부 이상 10 중량부 이하인 것일 수 있다. 구체적으로 상기 광흡수제의 함량은 상기 열가소성 수지 100 중량부 대비 2 중량부 이상 9 중량부 이하, 3 중량부 이상 8 중량부 이하, 4 중량부 이상 7 중량부 이하 또는 5 중량부 이상 6 중량부 이하일 수 있다. 보다 구체적으로 상기 광흡수제의 함량은 상기 열가소성 수지 100 중량부 대비 3 중량부 이상 5 중량부 이하인 것이 바람직하다. 상술한 범위에서 상기 광흡수제의 함량을 조절함으로써, 상기 반도체 접착용 필름의 변성을 방지하며 보관안정성을 향상시킬 수 있다.
본 발명의 일 실시상태에 따르면, 경화 촉진제, 커플링제, 충진제 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나를 더 포함하는 것일 수 있다. 상술한 것을 상기 반도체용 접착 수지 조성물이 더 포함함으로써, 추가적인 물성을 확보할 수 있다.
본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 경화 촉진제의 함량은 상기 열가소성 수지 100 중량부 대비 0.1 중량부 이상 1.0 중량부 이하일 수 있다. 상술한 범위에서 상기 경화 촉진제의 함량을 조절함으로써, 상기 반도체 접착용 수지 조성물의 경화 속도를 조절하여 생산효율을 향상시킬 수 있다.
본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 충진제의 함량은 상기 열가소성 수지 100 중량부 대비 200 중량부 이상 300 중량부 이하일 수 있다. 상술한 범위에서 상기 충진제의 함량을 조절함으로써, 상기 반도체용 접착 필름의 접착력을 유지하는 동시에 물성을 향상시킬 수 있다.
본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 커플링제의 함량은 상기 열가소성 수지 100 중량부 대비 10 중량부 이상 15 중량부 이하일 수 있다. 상술한 범위에서 상기 커플링제의 함량을 조절함으로써, 상기 광흡수제 또는 충진제와 고분자 물질간의 결합력을 향상시킬 수 있다.
본 발명의 일 실시상태는 상기 반도체 접착용 수지 조성물을 포함하는 반도체용 접착 필름을 제공한다.
본 발명의 일 실시상태에 따른 반도체용 접착 필름은 상기 다이싱 필름에 도달하는 자외선을 방지함으로써, 상기 점착층의 점착력 변화를 최소화할 수 있다.
본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 반도체용 접착 필름은 각각 1 ㎛ 내지 300 ㎛의 두께를 가질 수 있다. 또한, 상기 반도체용 접착 필름은 각각 1 ㎛ 이상, 3 ㎛ 이상, 5 ㎛ 이상, 10 ㎛ 이상의 두께를 가질 수 있다. 또한, 상기 반도체용 접착 필름은 각각 300 ㎛ 이하, 또는 100 ㎛ 이하, 또는 90 ㎛ 이하, 또는 70 ㎛ 이하의 두께를 가질 수 있다.
본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 반도체용 접착 필름은 반도체 칩의 다단적층 구조의 패키지에 적용되어 보다 안정적인 구조 및 우수한 내열성 및 내충격성 등의 기계적 물성을 구현하며, 또한 리플로우 균열 등을 방지할 수 있고, 특히 반도체 제조 과정에서 적용되는 고온 조건에 장시간 노출되어도 보이드(void)가 실질적으로 발생하지 않을 수 있다.
본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 반도체용 접착 필름은 높은 파단 강도 및 낮은 파단 신율을 가져서 칼날을 이용한 웨이퍼 절단 방법뿐만 아니라 기타 비접촉식 접착제 절단 방법, 예를 들어 DBG(Dicing Before Grinding)에도 적용 가능하며, 또한 저온에서도 분단성이 우수하여 절단 후 실온에 방치하더라도 재점착 가능성이 낮아서 반도체 제조 공정의 신뢰성 및 효율을 높일 수 있다.
본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 접착 필름은 리드프레임 또는 기판과 다이를 접착하거나 다이와 다이를 접착하는 다이 어태치 필름(DAF)으로 사용될 수 있다. 이에 따라, 상기 접착 필름은 다이 본딩 필름 또는 다이싱 다이 본딩 필름 등의 형태로 가공될 수 있다.
본 발명의 일 실시상태는 기재 필름(111); 상기 기재 필름 상에 구비되는 점착층(113); 및 상기 점착층상에 구비되고 상기 반도체용 접착 필름을 포함한 접착층(120);을 포함한 다이싱 다이본딩 필름(100)을 제공한다.
본 발명의 일 실시상태에 따른 다이싱 다이본딩 필름은 상기 점착층에 점착력 변화를 방지하여 보관 안정성을 향상시키며 반도체 제조공정에서 불량률을 최소화할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시상태에 따른 다이싱 다이본딩 필름의 자외선 투과되는 모습을 나타낸 개략도이다. 도 1을 참고하면, 본 발명의 일 실시상태에 따르면, 기재 필름(111); 상기 기재 필름 상에 구비되는 점착층(113)을 포함하는 필름은 다이싱 필름(110)일 수 있다.
본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 다이싱 다이본딩 필름에 포함되는 기재필름의 종류는 특별히 제한되지 않으며, 예를 들면, 이 분야에서 공지된 플라스틱 필름 또는 금속박 등을 사용할 수 있다. 예를 들어, 상기 기재 필름은 저밀도 폴리에틸렌, 선형 폴리에틸렌, 중밀도 폴리에틸렌, 고밀도 폴리에틸렌, 초저밀도 폴리에틸렌, 폴리프로필렌의 랜덤 공중합체, 폴리프로필렌의 블록 공중합체, 호모폴리프로필렌, 폴리메틸펜텐(polymethylpentene), 에틸렌-초산비닐 공중합체, 에틸렌-메타크릴산 공중합체, 에틸렌-메틸메타크릴레이트 공중합체, 에틸렌-아이오노머 공중합체, 에틸렌-비닐알코올 공중합체, 폴리부텐, 스틸렌의 공중합체 또는 이들의 2종 이상의 혼합물을 들 수 있다. 상기에서 2종 이상의 고분자가 혼합물이 포함되는 기재 필름의 의미는, 전술한 고분자들을 각각 포함한 필름이 2층 이상 적층된 구조의 필름 또는 전술한 고분자들이 2이상 포함된 단일층이 필름을 모두 포함한다.
본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 기재 필름의 두께는 특별히 한정되지 않으며, 통상 10 ㎛내지 200 ㎛, 바람직하게는 50 ㎛내지 180㎛의 두께로 형성된다. 상기 두께가 10 ㎛미만이면, 다이싱 공정에서 절단 깊이(cut depth)의 조절이 불안해 질 우려가 있고, 200 ㎛를 초과 하면, 다이싱 공정에서 버(burr)가 다량 발생하게 되거나, 연신률이 떨어져서 익스펜딩 공정이 정확하게 이루어지지 않을 우려가 있다.
본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 기재필름에는 필요에 따라 매트처리, 코로나방전처리, 프라이머 처리 또는 가교 처리 등의 관용적인 물리적 또는 화학적 처리를 가할 수 있다.
본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 점착층은 자외선 경화형 점착제 또는 열 경화형 점착제를 포함할 수 있다. 자외선 경화형 점착제를 사용할 경우에는 기재 필름 측으로부터 자외선을 조사하여, 점착제의 응집력 및 유리전이온도를 올려 점착력을 저하시키고, 열 경화형 점착제의 경우는 온도를 가하여 점착력을 저하시킨다.
본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 자외선 경화형 점착제는 (메타)아크릴레이트계 수지, 자외선 경화형 화합물, 광개시제, 및 가교제를 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 (메타)아크릴레이트계 수지는 중량평균분자량이 10만 내지 150만, 바람직하게는 20만 내지 100만일 수 있다. 중량평균분자량이 10만 미만이면, 코팅성 또는 응집력이 저하되어, 박리 시에 피착체에 잔여물이 남거나, 또는 점착제 파괴 현상이 일어날 우려가 있다. 또한, 중량평균분자량이 150만을 초과하면, 베이스 수지가 자외선 경화형 화합물의 반응을 방해하여, 박리력 감소가 효율적으로 이루어지지 않을 우려가 있다.
본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 (메타)아크릴레이트계 수지는 예를 들면, (메타)아크릴산에스테르계 단량체 및 가교성 관능기 함유 단량체의 공중합체일 수 있다. 이 때 (메타)아크릴산에스테르계 단량체의 예로는 알킬 (메타)아크릴레이트를 들 수 있으며, 보다 구체적으로는 탄소수 1 내지 12의 알킬기를 가지는 단량체로서, 펜틸 (메타)아크릴레이트, n-부틸 (메타)아크릴레이트, 에틸 (메타)아크릴레이트, 메틸 (메타)아크릴레이트, 헥실 (메타)아크릴레이트, n-옥틸 (메타)아크릴레이트, 이소옥틸 (메타)아크릴레이트, 2-에틸 헥실 (메타)아크릴레이트, 도데실 (메타)아크릴레이트 또는 데실 (메타)아크릴레이트의 일종 또는 이종 이상의 혼합을 들 수 있다. 알킬의 탄소수가 큰 단량체를 사용할수록, 최종 공중합체의 유리전이온도가 낮아지므로, 목적하는 유리전이온도에 따라 적절한 단량체를 선택할 수 있다.
본 발명의 일 실시상태에 따르면, 가교성 관능기 함유 단량체의 예로는 히드록시기 함유 단량체, 카복실기 함유 단량체 또는 질소 함유 단량체의 일종 또는 이종 이상의 혼합을 들 수 있다. 이 때 히드록실기 함유 화합물의 예로는, 2-히드록시에틸 (메타)아크릴레이트 또는 2-히드록시프로필 (메타)아크릴레이트 등을 들 수 있고, 카복실기 함유 화합물의 예로는, (메타)아크릴산 등을 들 수 있으며, 질소 함유 단량체의 예로는 (메타)아크릴로니트릴, N-비닐 피롤리돈 또는 N-비닐 카프로락탐 등을 들 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 (메타)아크릴레이트계 수지에는 또한 상용성 등의 기타 기능성 향상의 관점에서, 초산비닐, 스틸렌 또는 아크릴로니트릴 탄소-탄소 이중결합함유 저분자량 화합물 등이 추가로 포함될 수 있다.
본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 자외선 경화형 화합물의 종류는 특별히 제한되지 않으며, 예를 들면, 중량평균분자량이 100 내지 300,000, 또는 500 내지 100,000 정도인 다관능성 화합물(ex. 다관능성 우레탄 아크릴레이트, 다관능성 아크릴레이트 단량체 또는 올리고머 등)을 사용할 수 있다. 이 분야의 평균적 기술자는 목적하는 용도에 따른 적절한 화합물을 용이하게 선택할 수 있다. 상기 중량 평균 분자량은 GPC법에 의해 측정한 폴리스티렌 환산의 중량 평균 분자량이다.
본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 자외선 경화형 화합물의 함량은 전술한 베이스 수지 100 중량부에 대하여, 5 중량부 내지 400 중량부, 바람직하게는 10 중량부 내지 200 중량부일 수 있다. 자외선 경화형 화합물의 함량이 5 중량부 미만이면, 경화 후 점착력 저하가 충분하지 않아 픽업성이 떨어질 우려가 있고, 400 중량부를 초과하면, 자외선 조사 전 점착제의 응집력이 부족하거나, 이형 필름 등과의 박리가 용이하게 이루어지지 않을 우려가 있다.
본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 광개시제의 종류 역시 특별히 한정되지 않고, 이 분야에서 알려진 일반적인 개시제의 사용이 가능하며, 그 함량은 상기 자외선 경화형 화합물 100 중량부에 대하여 0.05 중량부 내지 20 중량부일 수 있다. 광개시제의 함량이 0.05 중량부 미만이면, 자외선 조사에 의한 경화 반응이 부족해져 픽업성이 저하될 우려가 있고, 20 중량부를 초과하면 경화 과정에는 가교 반응이 짧은 단위로 일어나거나, 미반응 자외선 경화형 화합물이 발생하여 피착체 표면의 잔사에 원인이 되거나, 경화 후 박리력이 지나치게 낮아져 픽업성이 저하될 우려가 있다.
본 발명의 일 실시상태에 따르면, 점착부에 포함되어 접착력 및 응집력을 부여하기 위한 가교제의 종류 역시 특별히 한정되지 않으며, 이소시아네이트계 화합물, 아지리딘계 화합물, 에폭시계 화합물 또는 금속 킬레이트계 화합물 등의 통상의 화합물을 사용할 수 있다. 상기 가교제는 베이스 수지 100 중량부에 대하여 2 중량부 내지 40 중량부, 바람직하게는 2 중량부 내지 20 중량부의 양으로 포함될 수 있다. 상기 함량이 2 중량부 미만이면, 점착제의 응집력이 부족할 우려가 있고, 20 중량부를 초과하면, 자외선 조사 전 점착력이 부족하여, 칩 비산 등이 일어날 우려가 있다.
본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 점착층에는 또한 로진 수지, 터펜(terpene) 수지, 페놀 수지, 스티렌 수지, 지방족 석유 수지, 방향족 석유 수지 또는 지방족 방향족 공중합 석유 수지 등의 점착 부여제가 더 포함될 수 있다.
본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기와 같은 성분을 포함하는 점착층을 기재 필름 상에 형성하는 방법은 특별히 한정되지 않으며, 예를 들면 기재 필름 상에 직접 본 발명의 점착제 조성물을 도포하여 점착층을 형성하는 방법 또는 박리성 기재 상에 일단 점착제 조성물을 도포하여 점착층을 제조하고, 상기 박리성 기재를 사용하여 점착제층을 기재 필름 상에 전사하는 방법 등을 사용할 수 있다.
본 발명의 일 실시상태에 따르면, 점착제 조성물을 도포 및 건조하는 방법은 특별히 한정되지 않으며, 예를 들면 상기 각각의 성분을 포함하는 조성물을 그대로, 또는 적당한 유기용제에 희석하여 콤마 코터, 그라비아코터, 다이 코터 또는 리버스코터 등의 공지의 수단으로 도포한 후, 60 내지 200의 온도에서 10초 내지 30분 동안 용제를 건조시키는 방법을 사용할 수 있다. 또한, 상기 과정에서는 점착제의 충분한 가교 반응을 진행시키기 위한 에이징(aging) 공정을 추가적으로 수행할 수도 있다.
본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 점착층의 두께가 크게 한정되는 것은 아니나, 예를 들어 10 ㎛ 내지 500 ㎛의 범위일 수 있다.
본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 접착층은 상기 점착층 상에 형성되며 상술한 구현예의 반도체용 접착 필름을 포함할 수 있다. 상기 반도체용 접착 필름에 관한 내용은 상술한 사항을 모두 포함한다.
본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 접착층의 두께가 크게 한정되는 것은 아니나, 예를 들어 1 ㎛ 내지 100 ㎛, 또는 3 ㎛ 내지 50 ㎛의 범위일 수 있다.
본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 다이싱 다이본딩 필름은 또한, 상기 접착층 상에 형성된 이형필름을 추가로 포함할 수 있다. 사용될 수 있는 이형필름의 예로는 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름, 폴리테트라플루오로에틸렌 필름, 폴리에틸렌 필름, 폴리프로필렌 필름, 폴리부텐 필름, 폴리부타디엔 필름, 염화비닐공중합체 필름 또는 폴리이미드 필름 등의 일종 또는 이종 이상의 플라스틱 필름을 들 수 있다.
본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 이형필름의 표면은 알킬드계, 실리콘계, 불소계, 불포화에스테르계, 폴리올레핀계 또는 왁스계등 의 일종 또는 이종 이상으로 이형 처리되어 있을 수 있으며, 이중 특히 내열성을 가지는 알키드계, 실리콘계 또는 불소계 등의 이형제가 바람직하다.
본 발명의 일 실시상태에 따르면, 이형필름은 통상 10 ㎛내지 500 ㎛, 바람직하게는 20 ㎛내지 200 ㎛정도의 두께로 형성될 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상술한 다이싱 다이본딩 필름을 제조하는 방법은 특별히 한정되지 않으며, 예를 들면, 기재필름상에 점착부, 접착부 및 이형 필름(130)을 순차로 형성하는 방법, 또는 다이싱 필름(110, 기재필름+점착부) 및 다이본딩 필름 또는 접착부가 형성된 이형필름을 별도로 제조한 후, 이를 라미네이션 시키는 방법 등이 사용될 수 있다.
본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기에서 라미네이션 방법은 특별히 한정되지 않으며, 핫롤라미네이트 또는 적층프레스법을 사용할 수 있고, 이중 연속공정 가능성 및 효율성 측면에서 핫롤라미네이트법이 바람직하다. 핫롤라미네이트법은 10 내지 100의 온도에서 0.1 Kgf/㎠내지 10 Kgf/㎠의 압력으로 수행될 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
본 발명의 일 실시상태에 따르면, 다이싱 다이본딩 필름은 광학 밀도가 1 이상 10 이하인 것일 수 있다. 상술한 범위로 상기 광학 밀도를 구현함으로써, 상기 반도체용 접착 필름의 자외선 투과를 효과적으로 방지할 수 있다. 상기 광학 밀도는 다이싱 다이본딩 필름을 가로 5cm, 세로 5cm로 재단하고 상기 재단된 필름을 Transmission densitometry(X-rite 社, 341C)를 이용하여 측정된 것일 수 있다.
이하, 본 발명을 구체적으로 설명하기 위해 실시예를 들어 상세하게 설명하기로 한다. 그러나, 본 발명에 따른 실시예들은 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 기술하는 실시예들에 한정되는 것으로 해석되지 않는다. 본 명세서의 실시예들은 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다.
실시예 1
(1) 반도체 접착용 수지 조성물 용액의 제조
에폭시 수지의 경화제인 페놀 수지 KH-6021(DIC사, 비스페놀A 노볼락 수지, 수산기 당량 121 g/eq, 연화점: 125 ℃) 40g, 에폭시 수지 EOCN-104S(일본 화약 제품, 크레졸 노볼락형 에폭시 수지, 에폭시 당량 214 g/eq, 연화점: 83 ℃) 38g, 액상 에폭시 수지 RE-310S(일본 화학 제품, 비스페놀 A 에폭시 수지, 에폭시 당량 180 g/eq) 50g, 열가소성 아크릴레이트 수지 KG-3015(Mw: 90만, 유리전이온도: 10℃) 40g, 실란 커플링제 A-187(GE 도시바 실리콘, 감마-글리시독시프로필트리메톡시실란) 5g, 경화 촉진제 2PZ(시코쿠 화성, 2-페닐 이미다졸) 0.1g, 충진제 SC-2050(아드마텍, 구상 실리카, 평균 입경 약 400㎚) 100g, 카본블랙(Tokshiki 사, BK-8067) 0.5g을 메틸 에틸 케톤 용매에 혼합하여 반도체 접착용 수지 조성물 용액(고형분 20중량％ 농도)을 얻었다.
(2) 다이 본딩 필름의 제조
상기 제조된 반도체 접착용 수지 조성물 용액을 이형 처리된 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름(두께 38㎛) 상에 도포한 후 110℃에서 3분간 건조하여 약 60㎛ 두께의 반도체용 접착 필름(다이 본딩 필름)을 얻었다.
실시예 2 내지 3 및 비교예 1 내지 2
하기 표 1에 기재된 성분 및 사용량을 적용한 점을 제외하고 실시예 1과 동일한 방법으로 반도체 접착용 수지 조성물 용액(고형분 20중량％ 농도) 및 60㎛ 두께의 반도체용 접착 필름(다이 본딩 필름)을 얻었다
실시예 1
(중량부)		 실시예 2
(중량부)		 실시예 3
(중량부)		 비교예 1
(중량부)		 비교예 2
(중량부)
경화제 KH-6021 40 40 40 40 40
GPH-103 - - - - -
액상 에폭시 수지 RE-310S 50 50 50 50 50
고상 에폭시 수지 EOCN-104S 38 38 38 38 38
열가소성 수지 KG-3015P 40 40 40 40 40
경화 촉진제 2PZ 0.1 0.1 0.1 0.1 0.1
커플링제 A-187 5 5 5 5 5
충진제 SC-2050 100 100 100 100 100
광흡수제 BK-8067 1.2 2.0 - - 5.0
Tinuvin 327 - - 1.2 - -
- KH-6021(경화제): 비스페놀 A 노볼락 수지 (DIC사, 연화점: 약 125 ℃, 수산기당량: 118 g/eq)
- GPH-103(경화제): 바이페닐 노볼락 수지 (일본화약㈜, 연화점: 103℃, 수산기당량: 231 g/eq)
- KG-3015P(열가소성 수지): 아크릴레이트계 수지(글리시딜메타아크릴레이트계 반복 단위 3중량% 포함, 유리 전이 온도: 10 ℃, 중량평균분자량 90만)
- EOCN-104S(고상 에폭시 수지): 크레졸노볼락에폭시(일본화약㈜, 에폭시 당량: 180 g/eq, 연화점: 90℃)
- RE-310S(액상 에폭시 수지): 비스페놀 A 에폭시 액상 수지(Nippon KayaKu, 에폭시 당량: 약 180 g/eq, 25℃에서의 점도(viscosity):약 13000 내지 17000 mPa·s)
- 2PZ(경화 촉진제): 2-페닐 이미다졸(시코쿠 화성)
- A-187(커플링제): 감마-글리시독시프로필트리메톡시실란(GE 도시바 실리콘)
- SC-2050(충진제): 구상 실리카, 평균 입경 약 400㎚(아드마텍)
- BK-8067(광흡수제): 카본블랙(Tokshiki 사)
- Tinuvin 327(광흡수제): 벤조트리아졸(BASF 사)
(3) 다이싱 필름의 제조
2-에틸헥실 아크릴레이트 75g, 2-에틸헥실 메타아크릴레이트 10g, 및 2-하이드록시에틸 아크릴레이트 15g을 에틸아크릴레이트 용매 300g 하에서 공중합하여 중량평균분자량이 850,000 인 공중합체(유리전이온도가 10℃)를 수득한 후, 여기에 광경화 물질인 아크릴이소시아네이트 화합물 10g을 첨가하여 반응물을 얻었다. 그 후, 여기에 다관능 이소시아네이트 올리고머 10g과 광개시제로서 다로커 TPO를 1g 혼합하여 자외선 경화형 점착제 조성물을 제조하였다.
상기 자외선 경화형 점착제 조성물을 이형 처리된 두께 38㎛의 폴리에스테르 필름 위에 건조 후의 두께가 10 ㎛가 되도록 도포하고, 110℃에서 3분간 건조하였다. 건조된 점착층을 두께가 100 ㎛인 폴리올레핀필름에 라미네이트 하여 다이싱 필름을 제조하였다.
(4) 다이싱 다이본딩 필름의 제조
상기의 과정에서 얻은 점착층 및 상기 실시예 및 비교예에서 각각 얻어진 접착 필름(폭 18mm, 길이 10cm)을 합지하여 다이싱 다이본딩 필름을 제조하였다.
이후 상기 다이싱 다이본딩 필름을 다이본딩 면(접착필름 면)에 72 W의 형광등의 광이 조사되도록 배치하여 30일 간 방치하였다.
실험예 1(광학 밀도 측정)
상기 30일 간 방치된 다이싱 다이본딩 필름을 가로 5cm, 세로 5cm로 재단하고 상기 재단된 필름을 Transmission densitometry(X-rite 社, 341C)를 이용하여 광학 밀도를 측정하여 하기 표 2에 정리하였다.
실험예 2(반도체 칩 절단 평가)
100㎛의 웨이퍼 및 웨이퍼 링 마운터를 이용하여 50℃에서 상기 제조되고 30일간 방치된 각각의 다이싱 다이본딩 필름을 라미네이션 한 후, 다이싱 장비를 이용하여 40K rpm 및 20 ㎜/sec의 속도, 10㎜ X 10㎜의 칩 크기의 조건으로 웨이퍼를 절단하였으며, 상기 웨이퍼 절단시 칩이 떨어져 나가는 비율이 5% 미만이면 O, 5% 이상이면 X로 평가하여 하기 표 2에 정리하였다.
실시예 1 실시예 2 실시예 3 비교예 1 비교예 2
광학 밀도 2.62 4.75 1.0 0.2 5.0
반도체 칩 절단 평가 O O O X X
표 2를 참고하면, 실시예 1 내지 3(상기 반도체 접착용 수지 조성물에 광흡수제를 상기 열가소성 수지 100 중량부 대비 1 중량부 이상 3 중량부 이하로 포함)을 이용한 다이싱 다이 본딩 필름은 광학 밀도가 모두 1이상을 만족하는 동시에 웨이퍼 절단시 칩이 떨어져 나가는 비율이 웨이퍼 전체면적의 5% 미만에 해당함을 확인하였다.
이에 대하여, 상기 반도체 접착용 수지 조성물에 광흡수제를 포함하지 않는 비교예 1은 다이싱 테이프에 자외선이 도달하여 점착력 저하가 발생하고 그로 인하여 웨이퍼 절단시 칩이 떨어져 나가는 비율이 웨이퍼 전체면적의 5% 이상인 것을 확인하였다.
나아가, 상기 반도체 접착용 수지 조성물에 광흡수제가 과도하게 포함된 비교예 2는 웨이퍼 면이 광흡수제에 의하여 오염되는 문제가 발생하였으며, 상기 광흡수제의 영향으로 다이싱 필름의 점착력 저하가 발생하여 웨이퍼 절단시 칩이 떨어져 나가는 비율이 웨이퍼 전체면적의 5% 이상인 것을 확인하였다.
따라서, 상기 반도체 접착용 수지 조성물에 포함되는 광흡수제의 함량이 상기 열가소성 수지 100 중량부 대비 3 중량부 이상 5 중량부 이하를 만족함으로써, 자외선 등을 효과적으로 차단하여 다이싱 필름의 점착력을 유지하여 웨이퍼 절단시 불량을 최소화하고, 상기 다이싱 다이본딩 필름의 보관안정성을 향상시키는 것을 확인하였다.
이상에서 본 발명은 비록 한정된 실시예에 의해 설명되었으나, 본 발명은 이것에 의해 한정되지 않으며 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 본 발명의 기술사상과 아래에 기재될 특허청구범위의 균등범위 내에서 다양한 수정 및 변형이 가능함은 물론이다.
100: 다이싱 다이본딩 필름
110: 다이싱 필름
111: 기재 필름
113: 점착층
120: 접착층
130: 이형필름

Claims (15)

  1. -10℃ 이상 20℃ 이하의 유리 전이 온도를 갖는 열가소성 수지;
    100 ℃ 초과 160℃ 이하의 연화점을 갖는 페놀 수지를 포함한 경화제;
    고상 에폭시 수지;
    25℃에서 500 mPa·s 이상 20,000 mPa·s 이하의 점도를 갖는 액상 에폭시 수지; 및
    광흡수제;를 포함하는 것인,
    반도체 접착용 수지 조성물.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 광흡수제는 벤조페논계 광흡수제, 살리실산계 광흡수제, 벤조트리아졸계 광흡수제, 카본블랙, 아닐린블랙, 퍼릴렌블랙, 티탄블랙 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나를 포함하는 것인,
    반도체 접착용 수지 조성물.
  3. 청구항 1에 있어서,
    상기 광흡수제의 함량은 상기 열가소성 수지 100 중량부 대비 1 중량부 이상 10 중량부 이하인 것인,
    반도체 접착용 수지 조성물.
  4. 청구항 1에 있어서,
    상기 경화제의 함량은 상기 열가소성 수지 100 중량부 대비 80 중량부 이상 120 중량부 이하인 것이고,
    상기 고상 에폭시 수지 및 액상 에폭시 수지의 총 함량은 상기 열가소성 수지 100 중량부 대비 200 중량부 이상 250 중량부 이하이며,
    반도체 접착용 수지 조성물.
  5. 청구항 1에 있어서,
    상기 액상 에폭시 수지의 함량은 상기 고상 에폭시 수지 100 중량부 대비 50 중량부 이상 80 중량부 이하인 것인,
    반도체 접착용 수지 조성물.
  6. 청구항 1에 있어서,
    상기 액상 에폭시 수지는 100 이상 1,000 이하의 에폭시 당량을 갖는 것인,
    반도체 접착용 수지 조성물.
  7. 청구항 1에 있어서,
    상기 페놀 수지는 100 g/eq 이상 178 g/eq 이하의 수산기 당량을 갖는 것인,
    반도체 접착용 수지 조성물.
  8. 청구항 1에 있어서,
    상기 열가소성 수지는 폴리이미드, 폴리에테르 이미드, 폴리에스테르 이미드, 폴리아미드, 폴리에테르 술폰, 폴리에테르 케톤, 폴리올레핀, 폴리염화비닐, 페녹시, 반응성 부타디엔 아크릴로 니트릴 공중합 고무, (메타)아크릴레이트계 수지 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나인 것인,
    반도체 접착용 수지 조성물.
  9. 청구항 8에 있어서,
    상기 (메타)아크릴레이트계 수지는 에폭시계 작용기를 포함한 (메타)아크릴레이트계 반복 단위를 포함하고 -10℃ 이상 20℃ 이하의 유리 전이 온도를 갖는 것인,
    반도체 접착용 수지 조성물.
  10. 청구항 9에 있어서,
    상기 (메타)아크릴레이트계 수지는 에폭시계 작용기를 포함한 (메타)아크릴레이트계 반복 단위 0.1 중량% 이상 10 중량% 이하를 포함하는 것인,
    반도체 접착용 수지 조성물.
  11. 청구항 1에 있어서,
    경화 촉진제, 커플링제, 충진제 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나를 더 포함하는 것인,
    반도체 접착용 수지 조성물.
  12. 청구항 11에 있어서,
    상기 경화 촉진제의 함량은 상기 열가소성 수지 100 중량부 대비 0.1 중량부 이상 1.0 중량부 이하이며,
    상기 커플링제의 함량은 상기 열가소성 수지 100 중량부 대비 10 중량부 이상 15 중량부 이하이고,
    상기 충진제의 함량은 상기 열가소성 수지 100 중량부 대비 200 중량부 이상 300 중량부 이하인,
    반도체 접착용 수지 조성물.
  13. 청구항 1 내지 12의 반도체 접착용 수지 조성물을 포함하는 반도체용 접착 필름.
  14. 기재 필름;
    상기 기재 필름 상에 구비되는 점착층; 및
    상기 점착층상에 구비되고 청구항 13의 반도체용 접착 필름을 포함한 접착층;을 포함하는,
    다이싱 다이본딩 필름.
  15. 청구항 14에 있어서,
    광학 밀도가 1 이상 10 이하인 것인,
    다이싱 다이본딩 필름.
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