KR20220036411A - Apparatus and method of processing stripping a substrate - Google Patents

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서용준
김선미
손상현
안동옥
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세메스 주식회사
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Abstract

The present invention relates to a substrate processing device. The substrate processing device according to one embodiment of the present invention can comprise: a process chamber having a processing space; a spin chuck provided in the processing space and having a substrate placed; a nozzle supplying an ozone processing fluid comprising ozone gas on the substrate placed on the spin chuck; and a cooling member for lowering the temperature of the substrate placed on the spin chuck.

Description

기판 처리 방법 및 기판 처리 장치{APPARATUS AND METHOD OF PROCESSING STRIPPING A SUBSTRATE}Substrate processing method and substrate processing apparatus TECHNICAL FIELD

본 발명은 기판 처리 장치에 관한 것으로 보다 상세하게는 기판에서 불필요한 포토레지스트(photoresist;PR)를 제거하는 기판 스트립 방법 및 장치에 관한 것이다. The present invention relates to a substrate processing apparatus, and more particularly, to a substrate stripping method and apparatus for removing unnecessary photoresist (PR) from a substrate.

일반적으로 평판 표시 소자 제조나 반도체 제조 공정에서 유리 기판이나 웨이퍼를 처리하는 공정에는 감광액 도포 공정(photoresist coating process), 현상 공정(developing process), 식각 공정(etching process), 애싱 공정(ashing process) 등 다양한 공정이 수행된다. In general, a process of treating a glass substrate or a wafer in a flat panel display device manufacturing process or a semiconductor manufacturing process includes a photoresist coating process, a developing process, an etching process, an ashing process, etc. Various processes are performed.

특히, 반도체 사진공정에서 기판은 스핀코팅(Spin Coating), 소프트 베이크(Soft Bake), 정렬과 노출, 현상, 세척 및 건조, 하드 베이크(Hard Bake), 식각 그리고 포토레지스트 제거와 같은 공정을 순차적으로 거치게 된다. 결국 사진공정은 포토레지스트를 마스킹 막질로 이용하여 노광, 현상 및 식각을 수행하고, 기판 상의 포토레지스트는 마스킹 막질로써의 용도가 완료된 후에는 불필요하기 때문에 제거된다 포토레지스트의 제거는 보통 스트립 공정을 통하여 이루어진다. In particular, in the semiconductor photographic process, the substrate is sequentially subjected to processes such as spin coating, soft bake, alignment and exposure, development, washing and drying, hard bake, etching, and photoresist removal. will go through In the end, in the photographic process, exposure, development and etching are performed using photoresist as a masking layer, and the photoresist on the substrate is removed after its use as a masking layer is completed because it is unnecessary. is done

최근 스트립 공정에서는 황산이나 인산과 같은 고온에서 사용되는 케미칼 수용액인 SPM 용액(H2SO4 + H2O2) 또는 DSP(H2SO4 + HF + H2O2)을 이용하여 포토레지스트를 제거하고 있다. In recent stripping processes, photoresist is removed using SPM solution (H2SO4 + H2O2) or DSP (H2SO4 + HF + H2O2), which are chemical aqueous solutions used at high temperatures such as sulfuric acid or phosphoric acid.

그러나, 기존의 스트립 공정은 다음과 같은 문제점들을 갖고 있다. However, the existing strip process has the following problems.

SPM 용액을 일 예로 들면, 황산과 과산화수소가 반응하여 생성되는 중간생성물(H2SO5)은 반응성이 크고 물을 생성하기 때문에 용액의 농도를 희석시켜 수명을 단축시키는 단점이 있다. 그리고, SPM 용액내의 과산화수소는 매우 불안정하여 계속 공급해주어야 하는 단점이 있다. 결과적으로 SPM 용액의 사용량이 증가함에 따라 폐수량이 증가하고 그에 따른 폐수 처리 비용 증가로 환경적인 문제점을 야기시키고 있다. Taking the SPM solution as an example, the intermediate product (H2SO5) generated by the reaction of sulfuric acid and hydrogen peroxide has a high reactivity and generates water, so there is a disadvantage of diluting the concentration of the solution to shorten the lifespan. In addition, hydrogen peroxide in the SPM solution is very unstable and has a disadvantage that it must be continuously supplied. As a result, as the amount of SPM solution is increased, the amount of wastewater increases, and consequently, the cost of wastewater treatment increases, causing environmental problems.

또한, 기존의 스트립 공정은 황산과 과산화수소를 혼합하는 혼합 탱크와, 혼합된 스트립 용액을 고온(90-150℃)으로 유지시켜야 하는 가열 장치 등이 필수적으로 요구된다 그렇기 때문에, 기존의 스트립 용액을 사용하는 스트립 장치는 반도체 청정실 내부에 큰 점유율(footprint)을 차지하고 있으며, 공정 간 클러스터링(clustering)의 요구를 만족시키기 어렵다는 단점을 갖고 있다. In addition, the existing stripping process essentially requires a mixing tank for mixing sulfuric acid and hydrogen peroxide and a heating device to maintain the mixed strip solution at a high temperature (90-150°C). Therefore, using the existing strip solution A strip device that occupies a large footprint in a semiconductor clean room, has a disadvantage in that it is difficult to satisfy the demand for clustering between processes.

이러한 공정을 개선하기 위한 방법으로 산화제 오존(O3)을 DIW에 용해시켜 PR을 제거하는 방법들이 연구 중이다. As a method to improve this process, methods for removing PR by dissolving ozone (O3) as an oxidizer in DIW are being studied.

도면 4에서와 같이, 오존의 농도가 높을수록 PR 스트립 비율(strip rate)이 향상되는 것을 알 수 있다. DIW내 오존의 용해도는 온도가 낮을수록 그리고 압력이 높을수록 증가하여 공정 균일성을 가지기 위해서는 온도와 압력이 일정하게 제어되어야 한다.As shown in Figure 4, it can be seen that the higher the ozone concentration, the higher the PR strip rate (strip rate). The solubility of ozone in DIW increases as the temperature is lowered and the pressure is higher. In order to have process uniformity, the temperature and pressure must be constantly controlled.

오존을 통해 PR을 제거하는 설비 구성은 침지식 세정 공정과 매엽식이 있으며, 최근 공정 미세화와 환경 이슈 등으로 매엽식으로 개발이 진행되는 추세이다. 매엽식에선 오존수를 고농도로 만들어 보내는데 토출 시 압력은 대기압이므로 고농도의 오존을 유지하는데 제한적이다. There are two types of equipment for removing PR through ozone: an immersion cleaning process and a single-wafer system. In the single-wafer type, ozone water is produced and sent in high concentration, but the pressure at the time of discharge is atmospheric pressure, so it is limited in maintaining high concentration of ozone.

본 발명은 오존수 사용에서 오존을 고농도로 유지할 수 있는 기판 처리 방법 및 장치를 제공하고자 한다.An object of the present invention is to provide a substrate processing method and apparatus capable of maintaining ozone at a high concentration in the use of ozone water.

본 발명은 감광막 및 유기 잔여물 제거 효율을 향상시킬 수 있는 기판 처리 방법 및 장치를 제공하고자 한다.An object of the present invention is to provide a substrate processing method and apparatus capable of improving photoresist and organic residue removal efficiency.

본 발명이 해결하고자 하는 과제는 여기에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다. The problems to be solved by the present invention are not limited thereto, and other problems not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the following description.

본 발명의 일 측면에 따르면, 처리 공간을 갖는 공정 챔버; 상기 처리 공간에 제공되고, 기판이 놓여지는 스핀척; 상기 스핀척에 놓여진 기판상으로 오존가스가 포함된 오존 처리 유체를 공급하는 노즐; 및 상기 스핀척에 놓여진 기판의 온도를 낮추기 위한 냉각 부재를 포함하는 기판 처리 장치를 제공할 수 있다. According to one aspect of the present invention, a process chamber having a processing space; a spin chuck provided in the processing space and on which a substrate is placed; a nozzle for supplying an ozone treatment fluid containing ozone gas onto the substrate placed on the spin chuck; and a cooling member for lowering a temperature of the substrate placed on the spin chuck.

또한, 상기 냉각부재는 상기 스핀척 내부의 제공되는 유로에 냉각매체를 공급하는 냉각매체 공급부를 포함할 수 있다.In addition, the cooling member may include a cooling medium supply unit for supplying a cooling medium to a flow path provided inside the spin chuck.

또한, 상기 냉각부재는 상기 스핀척에 설치되는 열전소자를 포함할 수 있다.In addition, the cooling member may include a thermoelectric element installed on the spin chuck.

또한, 상기 공정 챔버의 처리 공간을 가압하기 위한 가압 수단을 더 포함할 수 있다.In addition, it may further include a pressurizing means for pressurizing the processing space of the process chamber.

또한, 상기 가압 수단은 상기 밀폐된 처리 공간으로 가압 가스를 공급하는 가스 공급부를 포함할 수 있다.In addition, the pressurization means may include a gas supply unit for supplying pressurized gas to the closed processing space.

또한, 상기 가압 가스는 불활성 가스 또는 산소 피드 가스(O2 feed gas)를 포함할 수 있다.In addition, the pressurized gas may include an inert gas or an oxygen feed gas (O2 feed gas).

또한, 상기 가압 가스는 불활성 가스와 산소 피드 가스(O2 feed gas)가 혼합된 가스를 포함할 수 있다.In addition, the pressurized gas may include a gas in which an inert gas and an oxygen feed gas (O2 feed gas) are mixed.

본 발명의 다른 측면에 따르면, 오존 가스가 포함된 오존 처리 유체를 생성하는 처리 유체 생성 단계; 및 상기 처리 유체를 공정 챔버의 밀폐 공간에 위치한 기판 표면으로 공급하는 처리 유체 공급 단계를 포함하되; 상기 처리 유체 공급 단계 전에 상기 기판의 온도를 낮추기 위한 기판 쿨링 단계를 포함하는 기판 처리 방법을 제공할 수 있다.According to another aspect of the present invention, there is provided a treatment fluid generating step of generating an ozone treatment fluid containing ozone gas; and supplying the processing fluid to the substrate surface located in the closed space of the process chamber; The method may include a substrate cooling step for lowering a temperature of the substrate before the step of supplying the processing fluid.

또한, 상기 처리 유체 공급 단계 전에 상기 공정 챔버의 상기 밀폐 공간을 가압하는 가압 단계를 더 포함하며, 상기 처리 유체는 상기 밀폐 공간이 가압된 상태 및 상기 기판이 쿨링된 상태에서 상기 기판으로 공급될 수 있다.The method may further include a pressurizing step of pressurizing the sealed space of the process chamber before the supplying of the processing fluid, wherein the processing fluid may be supplied to the substrate in a state in which the sealed space is pressurized and the substrate is cooled. there is.

또한, 상기 처리 유체 공급 단계에서 상기 기판은 회전될 수 있다.In addition, in the step of supplying the processing fluid, the substrate may be rotated.

또한, 상기 가압 단계는 불활성 가스 및 산소 피드 가스(O2 feed gas) 중 적어도 어느 하나를 포함하는 가압 가스를 공급하여 상기 밀폐 공간을 가압할 수 있다.In addition, in the pressurizing step, the closed space may be pressurized by supplying a pressurized gas including at least one of an inert gas and an oxygen feed gas (O2 feed gas).

또한, 상기 기판 쿨링 단계는 상기 기판이 놓여지는 스핀척을 냉각할 수 있다.In addition, the cooling of the substrate may cool the spin chuck on which the substrate is placed.

또한, 상기 처리 유체는 오존 가스가 탈이온수에 용존된 오존수일 수 있다.In addition, the treatment fluid may be ozone water in which ozone gas is dissolved in deionized water.

또한, 상기 처리 유체는 상기 기판 표면의 감광막 또는 유기 잔여물을 제거할 수 있다. In addition, the processing fluid may remove the photoresist film or organic residue from the surface of the substrate.

본 발명의 일 실시 예에 의하면, 공정 챔버에 압력을 상승시킨 후 오존수(DIO3)를 기판 상으로 토출하여 압력 하락에 의한 용존 오존 농도 감소를 감소시킬 수 있다.According to an embodiment of the present invention, after increasing the pressure in the process chamber, ozone water (DIO 3 ) is discharged onto the substrate to reduce the decrease in the dissolved ozone concentration due to the pressure drop.

본 발명의 일 실시 예에 의하면, 기판 표면을 낮은 온도로 균일하게 만듬으로써, 기판 표면 전체 오존농도를 균일하게 유지해주며, 공정 챔버 내 존재하는 오존의 재용해를 통해 동일 압력대비 높은 오존 농도로 처리 시간을 향상시킬 수 있다.According to an embodiment of the present invention, by making the surface of the substrate uniform at a low temperature, the ozone concentration on the entire surface of the substrate is maintained uniformly, and the ozone concentration present in the process chamber is re-dissolved to have a high ozone concentration compared to the same pressure. time can be improved.

본 발명의 일 실시 예에 의하면, O3와 같이 산소 피드 가스(O2 feed gas)를 공정 챔버에 공급함으로써, 오존수의 용존 오존농도를 높게 유지가능한 각별한 효과를 갖는다. According to an embodiment of the present invention, by supplying an oxygen feed gas (O2 feed gas) such as O3 to the process chamber, it has a special effect of maintaining a high dissolved ozone concentration in ozone water.

본 발명의 효과가 상술한 효과들로 제한되는 것은 아니며, 언급되지 아니한 효과들은 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확히 이해될 수 있을 것이다.The effects of the present invention are not limited to the above-described effects, and the effects not mentioned will be clearly understood by those of ordinary skill in the art to which the present invention belongs from the present specification and accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 일 예에 따른 기판 처리 장치가 제공된 기판 처리 설비의 일 예를 개략적으로 나타낸 평면도이다.
도 2는 도 1의 기판 처리 장치의 구성도이다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 장치에서의 스트립 공정을 설명하기 위한 도면이다.
도 4는 온도에 따른 오존 용해도와 PR 스트립 비율을 보여주는 그래프이다.1 is a plan view schematically illustrating an example of a substrate processing facility provided with a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a block diagram of the substrate processing apparatus of FIG. 1 .
3 is a view for explaining a strip process in a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
4 is a graph showing ozone solubility and PR strip ratio according to temperature.

본 발명은 다양한 변환을 가할 수 있고 여러 가지 실시 예를 가질 수 있는 바, 특정 실시 예들을 도면에 예시하고 상세한 설명에서 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 실시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변환, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 본 발명을 설명함에 있어서 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명을 생략한다. Since the present invention can apply various transformations and can have various embodiments, specific embodiments are illustrated in the drawings and described in detail in the detailed description. However, this is not intended to limit the present invention to specific embodiments, and should be understood to include all modifications, equivalents, and substitutes included in the spirit and scope of the present invention. In describing the present invention, if it is determined that a detailed description of a related known technology may obscure the gist of the present invention, the detailed description thereof will be omitted.

본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.The terms used in the present application are only used to describe specific embodiments, and are not intended to limit the present invention. The singular expression includes the plural expression unless the context clearly dictates otherwise. In the present application, terms such as “comprise” or “have” are intended to designate that a feature, number, step, operation, component, part, or combination thereof described in the specification exists, but one or more other features It should be understood that this does not preclude the existence or addition of numbers, steps, operations, components, parts, or combinations thereof.

제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다.Terms such as first, second, etc. may be used to describe various elements, but the elements should not be limited by the terms. The above terms are used only for the purpose of distinguishing one component from another.

이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명에 따른 실시예들을 상세히 설명하기로 하며, 첨부 도면을 참조하여 설명함에 있어 도면 부호에 상관없이 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 참조번호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다. Hereinafter, embodiments according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings, and in the description with reference to the accompanying drawings, the same or corresponding components, regardless of reference numerals, are given the same reference numbers and overlapped therewith. A description will be omitted.

도 1은 본 발명의 기판 처리 설비(1)를 개략적으로 나타낸 평면도이다. 1 is a plan view schematically showing a substrate processing facility 1 of the present invention.

도 1을 참조하면, 기판 처리 설비(1)는 인덱스 모듈(1000)과 공정 처리 모듈(2000)을 포함한다. 인덱스 모듈(1000)은 로드포트(1200) 및 이송프레임(1400)을 포함한다. 로드포트(1200), 이송프레임(1400), 그리고 공정 처리 모듈(2000)은 순차적으로 일렬로 배열된다. Referring to FIG. 1 , a substrate processing facility 1 includes an index module 1000 and a process processing module 2000 . The index module 1000 includes a load port 1200 and a transfer frame 1400 . The load port 1200, the transfer frame 1400, and the process processing module 2000 are sequentially arranged in a line.

이하, 로드포트(1200), 이송프레임(1400), 그리고 공정 처리 모듈(2000)이 배열된 방향을 제1방향(12)이라 한다. 그리고 상부에서 바라볼 때 제1방향(12)과 수직한 방향을 제2방향(14)이라 하고, 제1방향(12)과 제2방향(14)을 포함한 평면에 수직인 방향을 제3방향(16)이라 한다.Hereinafter, a direction in which the load port 1200 , the transfer frame 1400 , and the process processing module 2000 are arranged is referred to as a first direction 12 . And when viewed from the top, a direction perpendicular to the first direction 12 is referred to as a second direction 14 , and a direction perpendicular to a plane including the first direction 12 and the second direction 14 is referred to as a third direction. It is called (16).

로드포트(1200)에는 기판(W)이 수납된 캐리어(1300)가 안착된다. 로드포트(1200)는 복수 개가 제공되며 이들은 제2방향(14)을 따라 일렬로 배치된다. 도 1에서는 네 개의 로드포트(1200)가 제공된 것으로 도시하였다. 그러나 로드포트(1200)의 개수는 공정 처리 모듈(2000)의 공정효율 및 풋 프린트 등의 조건에 따라 증가하거나 감소할 수도 있다. 캐리어(1300)에는 기판(W)의 가장자리를 지지하도록 제공된 슬롯(도시되지 않음)이 형성된다. 슬롯은 제3방향(16)으로 복수 개가 제공된다. 기판(W)은 제3방향(16)을 따라 서로 이격된 상태로 적층되게 캐리어(1300)내에 위치된다. 캐리어(1300)로는 전면 개방 일체형 포드(Front Opening Unified Pod;FOUP)가 사용될 수 있다.The carrier 1300 in which the substrate W is accommodated is seated on the load port 1200 . A plurality of load ports 1200 are provided and these are arranged in a line along the second direction 14 . In FIG. 1, it is shown that four load ports 1200 are provided. However, the number of load ports 1200 may increase or decrease according to conditions such as process efficiency and footprint of the process processing module 2000 . A slot (not shown) provided to support the edge of the substrate W is formed in the carrier 1300 . A plurality of slots are provided in the third direction 16 . The substrates W are positioned in the carrier 1300 to be stacked apart from each other along the third direction 16 . A Front Opening Unified Pod (FOUP) may be used as the carrier 1300 .

공정 처리 모듈(2000)은 버퍼 유닛(2200), 이송챔버(2400), 그리고 처리 유닛(2600)을 포함한다. 이송챔버(2400)는 그 길이 방향이 제1방향(12)과 평행하게 배치된다. 제2방향(14)를 따라 이송챔버(2400)의 일측 및 타측에는 각각 처리 유닛들(2600)이 배치된다. 이송챔버(2400)의 일측에 위치한 처리 유닛들(2600)과 이송챔버(2400)의 타측에 위치한 처리 유닛들(2600)은 이송챔버(2400)를 기준으로 서로 대칭이 되도록 제공된다. 처리 유닛(2600)들 중 일부는 이송챔버(2400)의 길이 방향을 따라 배치된다. 또한, 처리 유닛(2600)들 중 일부는 서로 적층되게 배치된다. 즉, 이송챔버(2400)의 일측에는 처리 유닛(2600)들이 A X B(A와 B는 각각 1이상의 자연수)의 배열로 배치될 수 있다. 여기서 A는 제1방향(12)을 따라 일렬로 제공된 처리 유닛(2600)의 수이고, B는 제3방향(16)을 따라 일렬로 제공된 처리 유닛(2600)의 수이다. 이송챔버(2400)의 일측에 처리 유닛(2600)이 4개 또는 6개 제공되는 경우, 처리 유닛(2600)들은 2 X 2 또는 3 X 2의 배열로 배치될 수 있다. 처리 유닛(2600)의 개수는 증가하거나 감소할 수도 있다. 상술한 바와 달리, 처리 유닛(2600)은 이송챔버(2400)의 일측에만 제공될 수 있다. 또한, 상술한 바와 달리, 처리 유닛(2600)은 이송챔버(2400)의 일측 및 양측에 단층으로 제공될 수 있다.The process processing module 2000 includes a buffer unit 2200 , a transfer chamber 2400 , and a processing unit 2600 . The transfer chamber 2400 is arranged in a longitudinal direction parallel to the first direction (12). The processing units 2600 are respectively disposed on one side and the other side of the transfer chamber 2400 in the second direction 14 . The processing units 2600 located on one side of the transfer chamber 2400 and the processing units 2600 located on the other side of the transfer chamber 2400 are provided to be symmetrical to each other with respect to the transfer chamber 2400 . Some of the processing units 2600 are disposed along the longitudinal direction of the transfer chamber 2400 . Also, some of the processing units 2600 are arranged to be stacked on each other. That is, at one side of the transfer chamber 2400 , the processing units 2600 may be arranged in an arrangement of A X B (each of A and B being a natural number equal to or greater than 1). where A is the number of processing units 2600 provided in a row along the first direction 12 , and B is the number of processing units 2600 provided in a row along the third direction 16 . When four or six processing units 2600 are provided on one side of the transfer chamber 2400 , the processing units 2600 may be arranged in an arrangement of 2 X 2 or 3 X 2 . The number of processing units 2600 may increase or decrease. Unlike the above, the processing unit 2600 may be provided on only one side of the transfer chamber 2400 . Also, unlike the above, the processing unit 2600 may be provided on one side and both sides of the transfer chamber 2400 as a single layer.

버퍼 유닛(2200)은 이송프레임(1400)과 이송챔버(2400) 사이에 배치된다. 버퍼 유닛(2200)은 이송챔버(2400)와 이송프레임(1400) 간에 기판(W)이 반송되기 전에 기판(W)이 머무르는 공간을 제공한다. 버퍼 유닛(2200)은 그 내부에 기판(W)이 놓이는 슬롯(미도시)이 제공되며, 슬롯(미도시)들은 서로 간에 제3방향(16)을 따라 이격되도록 복수 개 제공된다. 버퍼 유닛(2200)에서 이송프레임(1400)과 마주보는 면과 이송챔버(2400)와 마주보는 면 각각이 개방된다. The buffer unit 2200 is disposed between the transfer frame 1400 and the transfer chamber 2400 . The buffer unit 2200 provides a space in which the substrate W stays before the substrate W is transferred between the transfer chamber 2400 and the transfer frame 1400 . The buffer unit 2200 is provided with a slot (not shown) in which the substrate W is placed, and a plurality of slots (not shown) are provided to be spaced apart from each other in the third direction 16 . In the buffer unit 2200 , a surface facing the transfer frame 1400 and a surface facing the transfer chamber 2400 are respectively opened.

이송프레임(1400)은 로드포트(1200)에 안착된 캐리어(1300)와 버퍼 유닛(2200) 간에 기판(W)을 반송한다. 이송프레임(1400)에는 인덱스 레일(1420)과 인덱스 로봇(1440)이 제공된다. 인덱스 레일(1420)은 그 길이 방향이 제2방향(14)과 나란하게 제공된다. 인덱스 로봇(1440)은 인덱스 레일(1420) 상에 설치되며, 인덱스 레일(1420)을 따라 제2방향(14)으로 직선 이동된다. 인덱스 로봇(1440)은 베이스(1441), 몸체(1442), 그리고 인덱스암(1443)을 가진다. 베이스(1441)는 인덱스 레일(1420)을 따라 이동 가능하도록 설치된다. 몸체(1442)는 베이스(1441)에 결합된다. 몸체(1442)는 베이스(1441) 상에서 제3방향(16)을 따라 이동 가능하도록 제공된다. 또한, 몸체(1442)는 베이스(1441) 상에서 회전 가능하도록 제공된다. 인덱스암(1443)은 몸체(1442)에 결합되고, 몸체(1442)에 대해 전진 및 후진 이동 가능하도록 제공된다. 인덱스암(1443)은 복수 개 제공되어 각각 개별 구동되도록 제공된다. 인덱스암(1443)들은 제3방향(16)을 따라 서로 이격된 상태로 적층되게 배치된다. 인덱스암(1443)들 중 일부는 공정 처리 모듈(2000)에서 캐리어(1300)로 기판(W)을 반송할 때 사용되고, 다른 일부는 캐리어(1300)에서 공정 처리 모듈(2000)로 기판(W)을 반송할 때 사용될 수 있다. 이는 인덱스 로봇(1440)이 기판(W)을 반입 및 반출하는 과정에서 공정 처리 전의 기판(W)으로부터 발생된 파티클이 공정 처리 후의 기판(W)에 부착되는 것을 방지할 수 있다. The transfer frame 1400 transfers the substrate W between the carrier 1300 seated on the load port 1200 and the buffer unit 2200 . The transfer frame 1400 is provided with an index rail 1420 and an index robot 1440 . The index rail 1420 is provided in a longitudinal direction parallel to the second direction 14 . The index robot 1440 is installed on the index rail 1420 and linearly moves in the second direction 14 along the index rail 1420 . The index robot 1440 has a base 1441 , a body 1442 , and an index arm 1443 . The base 1441 is installed to be movable along the index rail 1420 . The body 1442 is coupled to the base 1441 . The body 1442 is provided to be movable along the third direction 16 on the base 1441 . In addition, the body 1442 is provided to be rotatable on the base 1441 . The index arm 1443 is coupled to the body 1442 and is provided to be movable forward and backward with respect to the body 1442 . A plurality of index arms 1443 are provided to be individually driven. The index arms 1443 are arranged to be stacked apart from each other in the third direction 16 . Some of the index arms 1443 are used when transferring the substrate W from the process processing module 2000 to the carrier 1300 , and other parts of the index arms 1443 are used for transferring the substrate W from the carrier 1300 to the process processing module 2000 . It can be used when returning This may prevent particles generated from the substrate W before the process from adhering to the substrate W after the process in the process of the index robot 1440 loading and unloading the substrate W.

이송챔버(2400)는 버퍼 유닛(2200)과 처리 유닛(2600) 간에, 그리고 처리 유닛(2600)들 간에 기판(W)을 반송한다. 이송챔버(2400)에는 가이드 레일(2420)과 메인로봇(2440)이 제공된다. 가이드 레일(2420)은 그 길이 방향이 제1방향(12)과 나란하도록 배치된다. 메인로봇(2440)은 가이드 레일(2420) 상에 설치되고, 가이드 레일(2420) 상에서 제1방향(12)을 따라 직선 이동된다. 메인로봇(2440)은 베이스(2441), 몸체(2442), 그리고 메인암(2443)을 가진다. 베이스(2441)는 가이드 레일(2420)을 따라 이동 가능하도록 설치된다. 몸체(2442)는 베이스(2441)에 결합된다. 몸체(2442)는 베이스(2441) 상에서 제3방향(16)을 따라 이동 가능하도록 제공된다. 또한, 몸체(2442)는 베이스(2441) 상에서 회전 가능하도록 제공된다. 메인암(2443)은 몸체(2442)에 결합되고, 이는 몸체(2442)에 대해 전진 및 후진 이동 가능하도록 제공된다. 메인암(2443)은 복수 개 제공되어 각각 개별 구동되도록 제공된다. 메인암(2443)들은 제3방향(16)을 따라 서로 이격된 상태로 적층되게 배치된다. 버퍼 유닛(2200)에서 처리유닛(2600)으로 기판(W)을 반송할 때 사용되는 메인암(2443)과 처리유닛(2600)에서 버퍼 유닛(2200)으로 기판(W)을 반송할 때 사용되는 메인암(2443)은 서로 상이할 수 있다. The transfer chamber 2400 transfers the substrate W between the buffer unit 2200 and the processing unit 2600 and between the processing units 2600 . A guide rail 2420 and a main robot 2440 are provided in the transfer chamber 2400 . The guide rail 2420 is disposed so that its longitudinal direction is parallel to the first direction 12 . The main robot 2440 is installed on the guide rail 2420 and linearly moved along the first direction 12 on the guide rail 2420 . The main robot 2440 has a base 2441 , a body 2442 , and a main arm 2443 . The base 2441 is installed to be movable along the guide rail 2420 . The body 2442 is coupled to the base 2441 . The body 2442 is provided to be movable along the third direction 16 on the base 2441 . In addition, the body 2442 is provided to be rotatable on the base 2441 . The main arm 2443 is coupled to the body 2442 , which is provided to be movable forward and backward with respect to the body 2442 . A plurality of main arms 2443 are provided to be individually driven. The main arms 2443 are disposed to be stacked in a state of being spaced apart from each other in the third direction 16 . The main arm 2443 used when transferring the substrate W from the buffer unit 2200 to the processing unit 2600 and the substrate W used when transferring the substrate W from the processing unit 2600 to the buffer unit 2200 The main arm 2443 may be different from each other.

처리 유닛(2600)에는 기판(W)에 대해 스트립(세정) 공정을 수행하는 기판 처리 장치(10)가 제공된다. 각각의 처리 유닛(2600)에 제공된 기판 처리 장치(10)는 수행하는 액처리 공정(스트립 공정)의 종류에 따라 상이한 구조를 가질 수 있다. 선택적으로 각각의 처리 유닛(2600) 내의 기판 처리 장치(10)는 동일한 구조를 가질 수 있다. 선택적으로 처리 유닛(2600)들은 복수 개의 그룹으로 구분되어, 동일한 그룹에 속하는 처리 유닛(2600)에 제공된 기판 처리 장치(10)들은 서로 동일한 구조를 가지고, 상이한 그룹에 속하는 처리 유닛(2600)에 제공된 기판 처리 장치(10)들은 서로 상이한 구조를 가질 수 있다. 예컨대, 처리 유닛(2600)가 2개의 그룹으로 나누어지는 경우, 이송챔버(2400)의 일측에는 제1그룹의 처리 유닛들(2600)이 제공되고, 이송챔버(2400)의 타측에는 제2그룹의 처리 유닛들(2600)이 제공될 수 있다. 선택적으로 이송챔버(2400)의 일측 및 타측 각각에서 하층에는 제1그룹의 처리 유닛(2600)들이 제공되고, 상층에는 제2그룹의 처리 유닛(2600)들이 제공될 수 있다. 제1그룹의 처리 유닛(2600)와 제2그룹의 처리 유닛(2600)는 각각 사용되는 처리 유체의 종류나, 세정 방식의 종류에 따라 구분될 수 있다. The processing unit 2600 is provided with a substrate processing apparatus 10 that performs a strip (cleaning) process on the substrate W. As shown in FIG. The substrate processing apparatus 10 provided in each processing unit 2600 may have a different structure depending on the type of the liquid processing process (strip process) performed. Alternatively, the substrate processing apparatus 10 in each processing unit 2600 may have the same structure. Optionally, the processing units 2600 are divided into a plurality of groups, so that the substrate processing apparatuses 10 provided to the processing units 2600 belonging to the same group have the same structure and are provided to the processing units 2600 belonging to different groups The substrate processing apparatuses 10 may have different structures. For example, when the processing unit 2600 is divided into two groups, a first group of processing units 2600 are provided on one side of the transfer chamber 2400 , and the second group of processing units 2600 are provided on the other side of the transfer chamber 2400 . Processing units 2600 may be provided. Optionally, a first group of processing units 2600 may be provided on a lower layer on one side and the other side of the transfer chamber 2400 , and a second group of processing units 2600 may be provided on an upper layer. The first group of processing units 2600 and the second group of processing units 2600 may be classified according to the type of processing fluid used or the type of cleaning method, respectively.

아래의 실시예에서는 오존이 포함된 오존 처리 유체, 린스액, 그리고 건조가스와 같은 처리 유체들과 가압 장치를 사용하여 기판(W) 스트립, 유기 잔여물(organic residue)을 제거하는 장치를 예를 들어 설명한다. In the embodiment below, an apparatus for removing a substrate W strip and organic residues using a pressurization device and an ozone treatment fluid containing ozone, a rinse liquid, and a drying gas, as an example. listen and explain

도 2는 도 1의 기판 처리 장치의 구성도이다.FIG. 2 is a block diagram of the substrate processing apparatus of FIG. 1 .

도 2를 참조하면, 기판 처리 장치(10)는 공정 챔버(800), 기판 지지 유닛(200), 처리 유체 공급 유닛(300), 공정 배기부(500) 그리고 가압 부재(900)를 포함할 수 있다. Referring to FIG. 2 , the substrate processing apparatus 10 may include a process chamber 800 , a substrate support unit 200 , a processing fluid supply unit 300 , a process exhaust unit 500 , and a pressing member 900 . there is.

공정 챔버(800)는 밀폐된 내부 공간(802)을 제공할 수 있다. 공정 챔버(800)는 하부 챔버(810)와 상부 챔버(820)로 구성될 수 있으며, 상부 챔버(820)는 기판의 반입 및 반출을 위해 승강될 수 있도록 제공될 수 있다. 내부 공간은 상부 챔버(820)와 하부 챔버(810)의 결합에 의해 밀폐될 수 있다. The process chamber 800 may provide an enclosed interior space 802 . The process chamber 800 may be composed of a lower chamber 810 and an upper chamber 820 , and the upper chamber 820 may be provided so as to be lifted for loading and unloading a substrate. The inner space may be sealed by the combination of the upper chamber 820 and the lower chamber 810 .

공정 배기부(500)는 공정 챔버(800) 내부의 배기를 담당한다. 일 예로, 공정 배기부(500)는 공정시 공정 챔버(800)의 내부 압력이 기설정된 고압력으로 유지될 수 있도록 배기압력을 제공할 수 있다. 공정 배기부(500)는 하부 챔버(810)와 연결되는 배기라인(510), 밸브(520) 그리고 히터(530)를 포함할 수 있다. 배기라인(510)은 배기펌프(미도시됨)로부터 배기압을 제공받으며 반도체 생산라인의 바닥 공간에 매설된 메인 배기라인과 연결될 수 있다. The process exhaust unit 500 is responsible for exhausting the inside of the process chamber 800 . For example, the process exhaust unit 500 may provide an exhaust pressure so that the internal pressure of the process chamber 800 may be maintained at a preset high pressure during the process. The process exhaust unit 500 may include an exhaust line 510 connected to the lower chamber 810 , a valve 520 , and a heater 530 . The exhaust line 510 receives exhaust pressure from an exhaust pump (not shown) and may be connected to a main exhaust line buried in the floor space of the semiconductor production line.

내부 공간(802)에는 기판 지지 유닛(200)이 위치된다. 기판 지지 유닛(200)은 공정 진행시 기판(W)을 지지한 상태에서 기판(W)을 회전시킨다. The substrate support unit 200 is located in the inner space 802 . The substrate support unit 200 rotates the substrate W while supporting the substrate W during the process.

기판 지지 유닛(200)은 공정 진행 중 기판(W)을 지지하며, 공정이 진행되는 동안 구동부(240)에 의해 회전될 수 있다. 일 예로, 기판 지지 유닛(200)은 스핀척(210), 회전부(230) 그리고 냉각 유닛(250)를 포함할 수 있다. The substrate support unit 200 supports the substrate W during the process, and may be rotated by the driving unit 240 during the process. For example, the substrate support unit 200 may include a spin chuck 210 , a rotation unit 230 , and a cooling unit 250 .

스핀 척(210)은 원형의 상부면을 가진다. 스핀 척(210)은 회전부(230)에 결합되어 회전될 수 있다. 회전부(230)는 중공형의 형상을 갖고, 스핀 척(210)과 결합하여 스핀 척(210)을 회전시킨다. 스핀척(210)에는 기판을 지지하는 지지핀들 및 기판을 고정하는 척킹 핀들이 제공될 수 있다. 본 실시예에서는 기판은 스핀척(210)의 상면으로부터 이격되어 제공되는 것으로 도시하였으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 기판은 빠른 냉각을 위해 스핀척(210)의 상면에 거의 밀착되도록 안착될 수 있다. The spin chuck 210 has a circular top surface. The spin chuck 210 may be rotated by being coupled to the rotating part 230 . The rotating part 230 has a hollow shape and is coupled to the spin chuck 210 to rotate the spin chuck 210 . The spin chuck 210 may be provided with support pins for supporting the substrate and chucking pins for fixing the substrate. In the present embodiment, the substrate is illustrated as being provided spaced apart from the upper surface of the spin chuck 210 , but the present invention is not limited thereto, and the substrate may be seated in close contact with the upper surface of the spin chuck 210 for rapid cooling.

냉각 유닛(250)은 스핀 척(210) 내부에 제공되는 유로(252)와 유로(252)에 냉매를 제공하는 냉매 공급부(254)를 포함할 수 있다. 공정 진행시 냉각 유닛(250)은 냉매를 유로(252)에 공급함으로써 스핀척(210)을 냉각시킬 수 있다. 냉각된 스핀척(210)은 기판의 표면 온도를 낮은 온도로 균일하게 유지시킨다. 스핀 척(210)을 냉각시키는 방식으로는 냉매를 이용한 방식 이외에도 열전소자(펠티어)를 이용한 냉각방식이 사용될 수 있다. 열전소자를 이용한 냉각 방식은 열전소자를 스핀척(210)에 설치하여 스핀척을 냉각한다. 이러한 방법은 기판의 표면 온도를 간접적으로 낮추는 방식이고, 기판 표면 온도를 직접적으로 낮추는 방식도 적용될 수 있다. 직접적인 냉각 방식은 낮은 온도로 냉각된 불활성 가스를 기판 저면으로 직접 분사하여 기판을 냉각하는 방식일 수 있다. The cooling unit 250 may include a flow path 252 provided inside the spin chuck 210 and a refrigerant supply unit 254 providing a refrigerant to the flow path 252 . During the process, the cooling unit 250 may cool the spin chuck 210 by supplying a refrigerant to the flow path 252 . The cooled spin chuck 210 maintains the surface temperature of the substrate uniformly at a low temperature. As a method of cooling the spin chuck 210, a cooling method using a thermoelectric element (Peltier) may be used in addition to a method using a refrigerant. In the cooling method using a thermoelectric element, a thermoelectric element is installed in the spin chuck 210 to cool the spin chuck. This method is a method of indirectly lowering the surface temperature of the substrate, and a method of directly lowering the surface temperature of the substrate may also be applied. The direct cooling method may be a method of cooling the substrate by directly injecting an inert gas cooled to a low temperature to the bottom surface of the substrate.

처리 유체 공급 유닛(300)은 기판(W) 표면의 불필요한 포토레지스트 및 유기 잔여물(organic residue)을 제거하기 위한 오존 처리 유체를 기판 상으로 제공한다. 일 예로, 오존 처리 유체는 오존과 탈이온수(DIW)를 포함하는 혼합 유체일 수 있다. 오존은 탈이온수에 혼합(용해)된 상태로 사용될 수 있으며, 필요에 따라 질소 가스와 이산화탄소가 촉매 가스로 추가될 수 있다. 오존 처리 유체는 오존 발생기(330)에서 발생된 오존가스를 혼합부(320)에서 탈이온수와 혼합한 후 제1공급라인(310)과 연결된 제1노즐(312)을 통해 기판 상으로 공급될 수 있다. 또한, 처리 유체 공급 유닛(300)은 오존 발생기(330)에서 생성된 오존 가스를 탈이온수와 혼합하지 않은 기체 상태로 제2노즐(314)을 통해 기판 상으로 공급할 수 있다. 도시하지 않았지만, 처리 유체 공급부(300)는 탈이온수를 기판 상으로 공급하기 위한 노즐 및 건조 기체를 기판 상으로 공급하기 위한 노즐을 더 포함할 수 있다. The treatment fluid supply unit 300 provides an ozone treatment fluid for removing unnecessary photoresist and organic residues on the surface of the substrate W onto the substrate. For example, the ozone treatment fluid may be a mixed fluid including ozone and deionized water (DIW). Ozone may be used in a mixed (dissolved) state in deionized water, and nitrogen gas and carbon dioxide may be added as catalyst gases as needed. The ozone treatment fluid may be supplied onto the substrate through the first nozzle 312 connected to the first supply line 310 after mixing ozone gas generated by the ozone generator 330 with deionized water in the mixing unit 320 . there is. Also, the processing fluid supply unit 300 may supply the ozone gas generated by the ozone generator 330 to the substrate through the second nozzle 314 in a gaseous state that is not mixed with deionized water. Although not shown, the processing fluid supply unit 300 may further include a nozzle for supplying deionized water onto the substrate and a nozzle for supplying drying gas onto the substrate.

본 실시예에서, 오존 처리 유체를 공급하는 노즐(312,314)이 공정 챔버(80))에 고정된 형태로 도시하고 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 또 다른 예로 공정 진행시 기판 상으로 처리 유체를 공급하는 노즐들은 스트립 공정이 진행되는 동안 기판의 중심과 가장자리 사이 구간을 스윙 이동하면서 처리 유체를 토출하도록 제공될 수 있다. In this embodiment, the nozzles 312 and 314 for supplying the ozone treatment fluid are illustrated as being fixed to the process chamber 80, but the present invention is not limited thereto. As another example, the processing fluid is supplied onto the substrate during the process. The nozzles may be provided to discharge the processing fluid while swinging a section between the center and the edge of the substrate during the stripping process.

가압 부재(900)는 공정 챔버(800)의 내부 공간(802)을 가압하기 위한 가압 가스를 공급하는 가스 공급부(910)를 포함할 수 있다. 가압 부재(900)는 오존(O3)과 같은 산소 피드 가스(O2 feed gas) 또는 질소가스, 아르곤가스와 같은 불활성 가스를 단독 또는 혼합하여 공급할 수 있다. 가압 부재(900)는 공정 챔버(800) 내부의 압력이 대기압에서 고압(1~10 bar) 수준으로 유지되도록 가압 가스를 공급할 수 있다. The pressurizing member 900 may include a gas supply unit 910 that supplies pressurized gas for pressurizing the internal space 802 of the process chamber 800 . The pressing member 900 may supply an oxygen feed gas (O2 feed gas) such as ozone (O3) or an inert gas such as nitrogen gas or argon gas alone or in combination. The pressurizing member 900 may supply pressurized gas so that the pressure inside the process chamber 800 is maintained at a high pressure (1 to 10 bar) level from atmospheric pressure.

도 3은 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 장치에서의 스트립 공정을 설명하기 위한 도면이다. 3 is a view for explaining a stripping process in a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 2 및 도 3을 참조하면, 기판 스트립 공정은 기판 로딩 단계(S100), 프리 웨이팅 단계(S200), 스트립 단계(S300), 린스/건조 단계(S400) 그리고 기판 언로딩 단계(S500)를 포함할 수 있다.2 and 3 , the substrate strip process includes a substrate loading step (S100), a pre-wetting step (S200), a stripping step (S300), a rinsing/drying step (S400), and a substrate unloading step (S500) can do.

기판 로딩 단계(S100)에서 기판은 기판 지지 유닛(200)에 로딩된다. 프리 웨이팅 단계(S200) 회전되는 기판 상으로 탈이온수를 공급하여 기판 표면을 웨이팅한다. 스트립 단계(S300) 회전되는 기판 표면으로 오존 처리 유체를 공급한다. 오존 처리 유체가 공급되기 전에 기판의 표면 온도를 균일하게 낮추기 위한 기판 쿨링 단계와 공정 챔버(800)의 내부 공간(802)을 가압하는 가압 단계가 선행될 수 있다. 오존 처리 유체는 내부 공간이 가압된 상태 그리고 기판 표면을 낮은 온도로 균일하게 쿨링된 상태에서 기판으로 공급될 수 있다.In the substrate loading step S100 , the substrate is loaded into the substrate supporting unit 200 . Pre-wetting step (S200) Deionized water is supplied onto the rotated substrate to weight the surface of the substrate. In the strip step (S300), an ozone treatment fluid is supplied to the surface of the substrate being rotated. Before the ozone treatment fluid is supplied, a substrate cooling step for uniformly lowering the surface temperature of the substrate and a pressurizing step of pressurizing the inner space 802 of the process chamber 800 may be preceded. The ozone treatment fluid may be supplied to the substrate while the internal space is pressurized and the substrate surface is uniformly cooled to a low temperature.

상기와 같이, 스트립 단계(S300)에서 공정 챔버(800)의 압력을 상승시킨 후 오존수(DIO3) 토출함으로써 압력 하락에 의한 용존 오존 농도 감소를 억제할 수 있다. 또한, 기판 표면을 낮은 온도로 균일하게 만듬으로써 일정한 농도의 오존 분포를 유지시킬 수 있다. 기판 표면 온도를 균일하게 하여 오존수를 공급하는 것은 표면 전체 오존농도를 균일하게 유지해주며, 공정 챔버 내 존재하는 오존의 재용해를 통해 동일 압력대비 높은 오존 농도로 처리 시간을 향상시킬수 있다. As described above, by discharging ozone water (DIO 3 ) after increasing the pressure of the process chamber 800 in the stripping step (S300), it is possible to suppress the decrease in the dissolved ozone concentration due to the pressure drop. In addition, it is possible to maintain a constant concentration of ozone distribution by making the surface of the substrate uniform at a low temperature. Supplying ozone water by making the substrate surface temperature uniform maintains the ozone concentration on the entire surface uniformly, and through re-dissolution of ozone in the process chamber, the treatment time can be improved with a high ozone concentration compared to the same pressure.

또한, 가압 부재(900)를 이용해 공정 챔버(800) 내부의 압력을 제어하여 오존수 용존 농도를 높게 유지할 수 있으며, 공정 조건에 맞게 오존수의 오존농도 또하느 제어하여 공정 균일성을 향상시킬 수 있다.In addition, the pressure inside the process chamber 800 can be controlled using the pressure member 900 to maintain a high dissolved concentration of ozone water, and process uniformity can be improved by controlling the ozone concentration of ozone water according to process conditions.

특히, 공정 챔버(800)의 가압에 사용되는 가압 가스는 오존(O3)과 같은 산소 피드 가스(O2 feed gas)를 사용할 수 있어, 공정 챔버(800) 내부의 오존 농도를 증가시킬 수 있다. In particular, the pressurized gas used for pressurizing the process chamber 800 may use an oxygen feed gas (O2 feed gas) such as ozone (O3), thereby increasing the ozone concentration in the process chamber 800 .

린스/건조 단계(S400) 린스액을 이용하여 기판 표면을 린스 처리한 후 건조 유체를 이용하여 기판 건조를 실시하게 된다. Rinsing/Drying Step (S400) After rinsing the substrate surface using a rinsing solution, the substrate is dried using a drying fluid.

이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내어 설명하는 것이며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 저술한 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 구현하기 위한 최선의 상태를 설명하는 것이며, 본 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.The above detailed description is illustrative of the present invention. In addition, the above description shows and describes preferred embodiments of the present invention, and the present invention can be used in various other combinations, modifications, and environments. That is, changes or modifications are possible within the scope of the concept of the invention disclosed herein, the scope equivalent to the written disclosure, and/or within the scope of skill or knowledge in the art. The written embodiment describes the best state for implementing the technical idea of the present invention, and various changes required in the specific application field and use of the present invention are possible. Accordingly, the detailed description of the present invention is not intended to limit the present invention to the disclosed embodiments. Also, the appended claims should be construed to include other embodiments.

10 : 기판 처리 장치
200 : 기판 지지 유닛
300 : 처리 유체 공급 유닛
500 : 공정 배기부
800 : 공정 챔버
900 : 가압 부재 10: substrate processing device
200: substrate support unit
300: processing fluid supply unit
500: process exhaust
800: process chamber
900: pressure member

Claims (14)

기판 처리 장치에 있어서:
처리 공간을 갖는 공정 챔버;
상기 처리 공간에 제공되고, 기판이 놓여지는 스핀척;
상기 스핀척에 놓여진 기판상으로 오존가스가 포함된 오존 처리 유체를 공급하는 노즐; 및
상기 스핀척에 놓여진 기판의 온도를 낮추기 위한 냉각 부재를 포함하는 기판 처리 장치.A substrate processing apparatus comprising:
a process chamber having a processing space;
a spin chuck provided in the processing space and on which a substrate is placed;
a nozzle for supplying an ozone treatment fluid containing ozone gas onto the substrate placed on the spin chuck; and
and a cooling member for lowering a temperature of the substrate placed on the spin chuck. 제1항에 있어서,
상기 냉각부재는
상기 스핀척 내부의 제공되는 유로에 냉각매체를 공급하는 냉각매체 공급부를 포함하는 기판 처리 장치.According to claim 1,
The cooling member is
and a cooling medium supply unit supplying a cooling medium to a flow path provided inside the spin chuck. 제2항에 있어서,
상기 냉각부재는
상기 스핀척에 설치되는 열전소자를 포함하는 기판 처리 장치. 3. The method of claim 2,
The cooling member
and a thermoelectric element installed on the spin chuck. 제1항에 있어서,
상기 공정 챔버의 처리 공간을 가압하기 위한 가압 수단을 더 포함하는 기판 처리 장치.According to claim 1,
and pressurizing means for pressurizing the processing space of the process chamber. 제4항에 있어서,
상기 가압 수단은
상기 밀폐된 처리 공간으로 가압 가스를 공급하는 가스 공급부를 포함하는 기판 처리 장치. 5. The method of claim 4,
The pressurizing means
and a gas supply unit supplying a pressurized gas to the sealed processing space. 제5항에 있어서,
상기 가압 가스는
불활성 가스 또는 산소 피드 가스(O2 feed gas)를 포함하는 기판 처리 장치.6. The method of claim 5,
The pressurized gas is
A substrate processing apparatus including an inert gas or an oxygen feed gas (O2 feed gas). 제5항에 있어서,
상기 가압 가스는
불활성 가스와 산소 피드 가스(O2 feed gas)가 혼합된 가스를 포함하는 기판 처리 장치.6. The method of claim 5,
The pressurized gas is
A substrate processing apparatus including a gas in which an inert gas and an oxygen feed gas are mixed. 기판 처리 방법에 있어서:
오존 가스가 포함된 오존 처리 유체를 생성하는 처리 유체 생성 단계; 및
상기 처리 유체를 공정 챔버의 밀폐 공간에 위치한 기판 표면으로 공급하는 처리 유체 공급 단계를 포함하되;
상기 처리 유체 공급 단계 전에
상기 기판의 온도를 낮추기 위한 기판 쿨링 단계를 포함하는 기판 처리 방법.A method for processing a substrate comprising:
A treatment fluid generating step of generating an ozone treatment fluid containing ozone gas; and
a processing fluid supply step of supplying the processing fluid to a substrate surface located in an enclosed space of a process chamber;
before the step of supplying the treatment fluid
and a substrate cooling step for lowering the temperature of the substrate. 제8항에 있어서,
상기 처리 유체 공급 단계 전에
상기 공정 챔버의 상기 밀폐 공간을 가압하는 가압 단계를 더 포함하며,
상기 처리 유체는 상기 밀폐 공간이 가압된 상태 및 상기 기판이 쿨링된 상태에서 상기 기판으로 공급되는 기판 처리 방법.9. The method of claim 8,
before the step of supplying the treatment fluid
Further comprising a pressurizing step of pressurizing the closed space of the process chamber,
The processing fluid is supplied to the substrate in a state in which the closed space is pressurized and in a state in which the substrate is cooled. 제9항에 있어서,
상기 처리 유체 공급 단계에서
상기 기판은 회전되는 기판 처리 방법.10. The method of claim 9,
In the process fluid supply step
wherein the substrate is rotated. 제9항에 있어서,
상기 가압 단계는
불활성 가스 및 산소 피드 가스(O2 feed gas) 중 적어도 어느 하나를 포함하는 가압 가스를 공급하여 상기 밀폐 공간을 가압하는 기판 처리 방법.10. The method of claim 9,
The pressurization step
A substrate processing method of supplying a pressurized gas including at least one of an inert gas and an oxygen feed gas (O2 feed gas) to pressurize the closed space. 제9항에 있어서,
상기 기판 쿨링 단계는 상기 기판이 놓여지는 스핀척을 냉각하는 기판 처리 방법.10. The method of claim 9,
The substrate cooling step is a substrate processing method of cooling the spin chuck on which the substrate is placed. 제9항에 있어서,
상기 처리 유체는 오존 가스가 탈이온수에 용존된 오존수인 기판 처리 방법.10. The method of claim 9,
wherein the treatment fluid is ozone water in which ozone gas is dissolved in deionized water. 제9항에 있어서,
상기 처리 유체는 상기 기판 표면의 감광막 또는 유기 잔여물을 제거하는 기판 처리 방법.
10. The method of claim 9,
and the processing fluid removes a photosensitive film or organic residue from the surface of the substrate.
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