KR20220035598A - Layered compounds and nanosheets containing aluminum and antimony, and electrical devices using the same - Google Patents

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KR20220035598A KR1020200117534A KR20200117534A KR20220035598A KR 20220035598 A KR20220035598 A KR 20220035598A KR 1020200117534 A KR1020200117534 A KR 1020200117534A KR 20200117534 A KR20200117534 A KR 20200117534A KR 20220035598 A KR20220035598 A KR 20220035598A
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Abstract

The purpose of the present invention is to provide an aluminum antimonide layered structure compound containing an alkali metal, a nanosheet which can be made therethrough, and an electrical element including materials. In the present invention to achieve the above purpose, provided is the layered structure compound which can be represented by [Formula 1] M_(1-x)Al_ySb_z (M is at least one of group 1 elements, 0 < x <= 1.0, 0.75 <= y <= 1.25, 1.25 <= z <= 1.75).

Description

알루미늄과 안티몬을 포함하는 층상구조 화합물, 나노시트 및 이를 이용한 전기 소자{Layered compounds and nanosheets containing aluminum and antimony, and electrical devices using the same}Layered compounds and nanosheets containing aluminum and antimony, and electrical devices using the same}

본 발명은 알루미늄과 안티몬을 포함하는 층상구조 화합물과 나노시트 및 이를 이용한 전기 소자에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 알칼리금속을 포함하고 다양한 전기적 특성을 가지는 알루미늄과 안티몬을 포함하는 층상구조 화합물과 나노시트 및 이를 이용한 전기 소자에 관한 것이다. The present invention relates to a layered structure compound and nanosheet containing aluminum and antimony and an electrical device using the same. More specifically, the present invention relates to a layered structure compound and nanosheet containing aluminum and antimony that contain an alkali metal and have various electrical properties. and electric devices using the same.

층간(interlayer)에 반데르발스 결합을 통해 연결되는 층상구조 화합물은 다양한 특성을 나타낼 수 있고, 이를 물리적 또는 화학적 방법으로 분리함으로써 두께 수 나노미터에서 수백 나노미터 수준의 이차원(2D) 나노시트를 제조할 수 있어 이에 대한 연구가 활발하다.Layered structure compounds connected through van der Waals bonds between interlayers can exhibit various characteristics, and by separating them by physical or chemical methods, two-dimensional (2D) nanosheets with a thickness of several nanometers to hundreds of nanometers can be manufactured. It can be done, so research on this is active.

특히, 나노시트와 같은 저차원의 소재는 기존의 벌크 소재가 가지지 못하는 획기적인 신기능이 기대되고 기존소재를 대체할 차세대 미래 소재로서 가능성이 매우 크다.In particular, low-dimensional materials such as nanosheets are expected to have groundbreaking new functions that existing bulk materials do not have, and have great potential as next-generation future materials to replace existing materials.

하지만 2차원적 결정구조를 가지는 층상구조 화합물은 지금까지 흑연이나 전이금속 칼코겐화합물 등의 물질로 제한되어 다양한 조성의 재료로의 전개가 되지 않는 문제가 있었다. However, layered compounds with a two-dimensional crystal structure have so far been limited to materials such as graphite and transition metal chalcogenides, and have had the problem of not being developed into materials of various compositions.

한편, 안티몬화 알루미늄(Aluminum Antimonide)은 화합물 반도체 물질로서, 다양한 전기 소자에 사용될 수 있지만, 현재까지 층상구조를 가지는 안티몬화 알루미늄에 대해서는 알려진 바가 없다. Meanwhile, aluminum antimonide is a compound semiconductor material that can be used in various electrical devices, but to date, nothing is known about aluminum antimonide having a layered structure.

층상구조로 이루어진 안티몬화 알루미늄 화합물은 다른 결정구조를 가지는 기존의 안티몬화 알루미늄 화합물 보다 적용을 다양화시킬 수 있을 뿐 아니라, 기존에 적용되지 않았던 새로운 영역으로의 적용도 기대할 수 있다.Antimonized aluminum compounds with a layered structure not only have more diverse applications than existing antimonized aluminum compounds with different crystal structures, but can also be expected to be applied to new areas that have not been previously applied.

본 발명은 알칼리 금속을 포함하는 안티몬화 알루미늄 층상구조 화합물과 이를 통해 만들어질 수 있는 나노시트 및 상기 물질들을 포함하는 전기 소자를 제공하는 것을 목적으로 한다.The purpose of the present invention is to provide an antimonized aluminum layered structure compound containing an alkali metal, a nanosheet that can be made therefrom, and an electrical device containing the materials.

상기와 같은 목적을 달성하기 위해 본 발명에서는, [화학식 1] M1-xAlySbz (M은 1족 원소 중 하나 이상이고, 0<x≤1.0, 0.75≤y≤1.25, 1.25≤z≤1.75)로 표현되는 층상구조 화합물을 제공할 수 있다.In order to achieve the above object, in the present invention, [Formula 1] M 1-x Al y Sb z (M is one or more group 1 elements, 0<x≤1.0, 0.75≤y≤1.25, 1.25≤z ≤1.75) can be provided.

또한 본 발명에서는 상기 [화학식 1] M1-xAlySbz (M은 1족 원소 중 하나 이상이고, 0<x≤1.0, 0.75≤y≤1.25, 1.25≤z≤1.75)로 표현되는 조성물을 포함하고, 물리적 또는 화학적 박리 방법으로 만들어지는 나노시트를 제공할 수 있다.In addition, in the present invention, the composition expressed by [Formula 1] M 1-x Al y Sb z (M is one or more group 1 elements, 0<x≤1.0, 0.75≤y≤1.25, 1.25≤z≤1.75) It is possible to provide a nanosheet made by a physical or chemical peeling method.

또한, 본 발명에서는 상기와 같은 층상구조 화합물 또는 나노시트를 포함하는 전기소자를 제공할 수 있다.Additionally, the present invention can provide an electric device containing the layered structure compound or nanosheet as described above.

또한, 상기 전기소자는 멤리스터일 수 있다. Additionally, the electrical device may be a memristor.

본 발명을 통해 제공할 수 있는 층상구조 화합물과 나노시트는 다양한 전기적 특성을 가질 수 있고, 이를 통해 새로운 전기 소자의 개발이 가능하게 된다.The layered structure compounds and nanosheets that can be provided through the present invention can have various electrical properties, which makes it possible to develop new electrical devices.

도 1은 본 발명에 따라 만들어지는 층상구조 화합물과 나노시트에 대한 개념도이다.
도 2는 본 발명에 따른 층상구조 화합물에 대한 XRD 회절 패턴을 나타내는 그래프이다.
도 3은 본 발명에 따른 층상구조 화합물에 대한 SEM(Scanning Electron Microscope) 이미지 및 EDS(Energy Dispersive Spectroscopy) 분석결과를 나타낸다.
도 4는 본 발명에 따른 층상구조 화합물의 구조를 나타내는 모식도와 STEM(Scanning Transmission Electron Microscope) 분석 결과를 나타낸다.
도 5는 본 발명에 따른 층상구조 화합물에 대한 XRD 회절 패턴을 나타내는 그래프이다.
도 6은 본 발명에 따른 층상구조 화합물과 나노시트에 대한 SEM과 TEM(Transmission Electron Microscope) 이미지이다.
도 7은 본 발명에 따른 층상구조 화합물에 대한 SEM 이미지 및 EDS 분석결과를 나타낸다.
도 8은 본 발명에 따른 층상구조 화합물의 구조를 나타내는 모식도와 STEM 분석 결과를 나타낸다.
도 9는 본 발명에 따른 나노시트에 대한 AFM(Atomic Force Microscopy) 이미지 및 그에 따른 라인 프로파일(line profile)을 나타낸다.
도 10은 본 발명에 따른 나노시트에 대한 PFM(Piezoresponse Force Microscopy)을 통한 강유전 특성 평가 결과이다.
도 11은 본 발명에 따른 나노시트에 대한 TEM 이미지와 회절 패턴을 나타낸다.
Figure 1 is a conceptual diagram of a layered structure compound and nanosheet made according to the present invention.
Figure 2 is a graph showing the XRD diffraction pattern for the layered structure compound according to the present invention.
Figure 3 shows SEM (Scanning Electron Microscope) images and EDS (Energy Dispersive Spectroscopy) analysis results for the layered structure compound according to the present invention.
Figure 4 shows a schematic diagram showing the structure of the layered compound according to the present invention and the results of Scanning Transmission Electron Microscope (STEM) analysis.
Figure 5 is a graph showing the XRD diffraction pattern for the layered structure compound according to the present invention.
Figure 6 is an SEM and TEM (Transmission Electron Microscope) image of the layered structure compound and nanosheet according to the present invention.
Figure 7 shows SEM images and EDS analysis results for the layered structure compound according to the present invention.
Figure 8 shows a schematic diagram showing the structure of the layered compound according to the present invention and the results of STEM analysis.
Figure 9 shows an atomic force microscopy (AFM) image and the resulting line profile for the nanosheet according to the present invention.
Figure 10 shows the results of evaluating ferroelectric properties through PFM (Piezoresponse Force Microscopy) for the nanosheet according to the present invention.
Figure 11 shows a TEM image and diffraction pattern for the nanosheet according to the present invention.

이하 본 발명의 실시예에 대하여 첨부된 도면을 참고로 그 구성 및 작용을 설명하기로 한다. 하기에서 본 발명을 설명함에 있어, 관련된 공지 기능 또는 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명을 생략할 것이다. 또한, 어떤 부분이 어떤 구성요소를 '포함'한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.Hereinafter, the configuration and operation of an embodiment of the present invention will be described with reference to the attached drawings. In describing the present invention below, if a detailed description of a related known function or configuration is judged to unnecessarily obscure the gist of the present invention, the detailed description will be omitted. In addition, when a part is said to 'include' a certain component, this does not mean excluding other components, but may include other components, unless specifically stated to the contrary.

본 발명에 따르는 층상구조 화합물 또는 나노시트는, 하기 화학식 1로 표시될 수 있다.The layered structure compound or nanosheet according to the present invention may be represented by the following formula (1).

[화학식 1] M1-xAlySbz [Formula 1] M 1-x Al y Sb z

(M은 1족 원소 중 1종 이상이고, 0<x≤1.0, 0.75≤y≤1.25, 1.25≤z≤1.75)(M is one or more types of group 1 elements, 0<x≤1.0, 0.75≤y≤1.25, 1.25≤z≤1.75)

일반적으로 AlSb는 징크 블렌드(Zinc Blende) 결정구조로서 층상구조가 나타날 수 없고, 따라서 이를 박리해서 나노시트를 만들기도 불가능하였다. In general, AlSb has a zinc blende crystal structure and cannot exhibit a layered structure, so it was impossible to create nanosheets by exfoliating it.

이를 극복하기 위해 발명자들은 AlySbz 에 1족 원소(이하 "첨가원소"라 함)를 첨가함으로써 AlySbz 층간에 첨가원소를 위치시켜 결과적으로 AlySbz 층이 이어지는 층상구조 화합물을 만들 수 있게 되었다. 이러한 AlySbzz 층 사이에 위치하는 첨가원소는 AlySbz 층을 반데르발스 결합을 통해 약하게 결합시켜서, 이들 첨가원소가 위치하는 면은 이 면을 따라 쉽게 갈라지게 되는 벽개면을 이루게 된다.To overcome this, the inventors placed the added element between the Al y Sb z layers by adding a group 1 element (hereinafter referred to as “additional element”) to Al y Sb z , resulting in a layered structure compound with Al y Sb z layers connected. It was possible to make it. The added elements located between these Al y Sb z layers weakly bond the Al y Sb z layers through van der Waals bonds, so that the side where these added elements are located forms a cleavage plane that is easily split along this side.

이에 따라 본 발명에 따른 층상구조 화합물은 이러한 벽개면을 따라 AlySbz 층으로 쉽게 물리적 또는 화학적 방법 중 어느 하나 또는 둘 모두를 통해 박리될 수 있게 되는데, 이러한 박리는 첨가원소가 제거될 수록 더 쉽게 이루어진다. 따라서, 이러한 층상구조 화합물로부터 물리적 또는 화학적 박리 방법을 통해 쉽게 AlySbz 나노시트를 만들 수 있고, 여기서 AlySbz 나노시트에는 첨가원소가 일부 잔류할 수도 있다.Accordingly, the layered structure compound according to the present invention can be easily peeled off into the Al y Sb z layer along the cleavage plane through either or both physical or chemical methods. This peeling becomes easier as the additive element is removed. It comes true. Therefore, Al y Sb z nanosheets can be easily made from these layered structure compounds through physical or chemical peeling methods, where some additive elements may remain in the Al y Sb z nanosheets.

첨가원소를 지속적으로 제거하면 화합물에서 AlySbz 층간 거리가 점차 벌어져 층간의 결합력이 약화되고 결국 층 사이의 결합이 없어지면서 층 사이에 크랙(crack)을 나타낼 수 있다. 따라서, 본 발명에서 설명하는 층상구조 화합물의 층상구조는 반복되는 이차원의 AlySbz 층이 첨가원소에 의해 반데르발스 결합으로 층간에 결합이 이루어진 경우 뿐만 아니라 AlySbz 층 간의 결합력이 제거되어 층간의 거리가 벌어지면서 크랙을 나타내는 경우도 포함한다.If additional elements are continuously removed, the distance between Al y Sb z layers in the compound gradually widens, weakening the bonding between layers, and eventually cracks may appear between layers as bonding between layers disappears. Therefore, the layered structure of the layered compound described in the present invention not only occurs when repeated two-dimensional Al y Sb z layers are bonded between layers through van der Waals bonds by added elements, but also when the bonding force between Al y Sb z layers is removed. This includes cases where cracks appear as the distance between layers widens.

이러한 층상구조 화합물에서 박리되어 만들어지는 나노시트는 AlySbz 단일층일 수도 있지만, 복수의 층이 겹쳐져서 만들어질 수도 있기 때문에 수백 nm 두께일 수도 있다. 일반적으로 나노시트는 횡방향 너비 대비해서 두께가 일정 수준 이하이어야 2차원적인 형상에 따른 이방성을 나타낼 수 있는데, 이를 위해 나노시트의 너비(L) 대비 두께(d)의 비(d/L)는 0.1 이하인 것이 바람직하다. 본 발명을 통해 만들어지는 나노시트 너비는 5 ㎛ 이상도 가능하기 때문에, 나노시트의 두께는 500nm 이하인 것이 바람직하다. 여기서 AlySbz 나노시트에는 첨가원소가 일부 잔류할 수도 있다.The nanosheet created by peeling from such a layered structure compound may be a single layer of Al y Sb z , but since it may be made by overlapping multiple layers, it may be hundreds of nm thick. In general, a nanosheet can exhibit anisotropy according to its two-dimensional shape only when its thickness relative to the lateral width is below a certain level. For this, the ratio of the thickness (d) to the width (L) of the nanosheet (d/L) is It is preferable that it is 0.1 or less. Since the width of the nanosheet produced through the present invention can be 5 ㎛ or more, the thickness of the nanosheet is preferably 500 nm or less. Here, some added elements may remain in the Al y Sb z nanosheet.

이처럼 본 발명에 따르는 나노시트는 층상구조 화합물에서 물리적 또는 화학적 방법으로 박리되는 시트를 의미하며, AlySbz 층이 단일층인 경우뿐만 아니라 복수의 층으로 이루어지는 경우도 포함하게 된다.As such, the nanosheet according to the present invention refers to a sheet that is peeled off from a layered structure compound by physical or chemical methods, and includes not only cases where the Al y Sb z layer is a single layer, but also cases where the Al y Sb z layer is composed of a plurality of layers.

이러한 층상구조 화합물과 나노시트의 예에 대한 개념도는 도 1에서 나타내었는데, MAlySbz 의 AlySbz층(10) 사이에 첨가원소인 M(11)이 위치하여 AlySbz층(10) 간에 결합을 유지하는 것을 나타내고 있고, 여기서 M(11)이 제거되어 M1-xAlySbz 로 되면서 AlySbz층(10) 간의 결합이 약해지고, 이를 물리적 또는 화학적으로 박리하면 최종적으로 AlySbz 나노시트(20)로 만들어지는 것을 보여준다. 이렇게 만들어지는 나노시트에는 여전히 M(11)이 일부 포함될 수 있게 된다.A conceptual diagram of an example of such a layered structure compound and nanosheet is shown in Figure 1, where M(11), an additive element, is located between the Al y Sb z layers (10) of MA y Sb z , forming the Al y Sb z layer ( 10), where M(11) is removed to become M 1-x Al y Sb z , the bond between the Al y Sb z layers 10 is weakened, and when this is physically or chemically peeled off, the final It shows that it is made of Al y Sb z nanosheets (20). Nanosheets created in this way can still contain some M(11).

첨가원소가 제거되기 전의 층상구조 화합물은 종래에 알려진 P21/c의 공간군을 가지는 Na2Al2Sb3 또는 K2Al2Sb3 가 될 수 있고, 이를 통해 만들어질 수 있는 M1-xAlySbz 화학식의 층상구조 화합물은 본 발명의 범위에 포함된다고 할 수 있다.The layered structure compound before the added elements are removed may be Na 2 Al 2 Sb 3 or K 2 Al 2 Sb 3 having a space group of P2 1 /c, which is known in the art, and M 1-x that can be made through this. It can be said that a layered structure compound of the formula Al y Sb z is included within the scope of the present invention.

또한, 이외에도 계산을 통해 예측한 결과 Li, Na, K 등의 다양한 1족 원소를 이용하여 MAlySbz 화학식에 따르는 층상구조 화합물이 가능함을 알 수 있는데, 이를 통해 만들어질 수 있는 M1-xAlySbz 화학식의 층상구조 화합물 또는 나노시트도 본 발명의 범위에 속한다고 할 수 있다. In addition, as a result of predictions made through calculations, it can be seen that a layered structure compound according to the chemical formula MAl y Sb z is possible using various group 1 elements such as Li, Na, and K, which can be created through M 1-x Layered structure compounds or nanosheets of the formula Al y Sb z can also be said to fall within the scope of the present invention.

이러한 층상구조 화합물로부터 첨가원소를 완전히 제거하지 않고 일부 잔류하는 상태로도 층상구조 화합물과 이를 통한 나노시트를 만들 수 있는데, 이러한 잔류하는 첨가원소로 인해 층상구조 화합물과 나노시트는 다양한 전기적 특성을 나타낼 수 있게 된다.Layered structure compounds and nanosheets can be made even without completely removing the added elements from these layered structure compounds and with some remaining. Due to these remaining added elements, the layered structure compounds and nanosheets exhibit various electrical properties. It becomes possible.

한편, 첨가원소는 x가 0.95를 초과하여 과도하게 제거되면 MAlySbz 이 가지던 결정구조가 변하면서 비정질상을 나타낼 수도 있다. 이러한 경우에도 일부 첨가원소가 잔류하거나 제거된 면은 여전히 물리적 박리가 쉽게 일어나는 벽개면이 되거나 AlySbz 층 간의 결합력이 제거되어 층간의 거리가 벌어지면서 크랙을 나타내고 이에 따라 AlySbz 층은 이차원 층을 유지하게 되어 화합물은 층상구조를 가지게 되고, 이로부터 박리된 나노시트를 제조할 수 있다.On the other hand, if the added element is excessively removed when x exceeds 0.95, the crystal structure of MAl y Sb z may change and appear in an amorphous phase. Even in this case, the surface from which some additive elements remain or has been removed still becomes a cleavage surface where physical separation easily occurs, or the bonding force between the Al y Sb z layers is removed, causing cracks to appear as the distance between the layers widens, resulting in a two-dimensional Al y Sb z layer. By maintaining the layer, the compound has a layered structure, from which exfoliated nanosheets can be manufactured.

따라서, 본 발명에 따르는 층상구조 화합물 또는 나노시트는 박리가 쉽고 첨가원소 제거 전의 결정구조를 유지하면서 동시에 첨가원소에 의한 다양한 전기적 특성이 유지되도록 상술한 [화학식1]에서 x는 0.10≤x≤0.95일 수 있고, 더욱 바람직하게는 0.3≤x≤0.8 인 범위일 수 있다. Therefore, the layered structure compound or nanosheet according to the present invention is easy to peel, maintains the crystal structure before removal of the added element, and at the same time maintains various electrical properties due to the added element. In the above-mentioned [Chemical Formula 1], x is 0.10≤x≤0.95. It may be, and more preferably, it may be in the range of 0.3≤x≤0.8.

여기서 층상구조 화합물 또는 나노시트의 결정구조는 첨가원소를 제거하기 전의 결정구조인 P21/c의 공간군을 그대로 유지할 수 있다. Here, the crystal structure of the layered compound or nanosheet can maintain the space group of P2 1 /c, which is the crystal structure before removing the added element.

첨가원소의 제거는 질산이나 염산과 같은 강산을 이용할 수 있는데, 이러한 강산을 통해 첨가원소가 제거되면서 강산에 포함되는 수소 이온이 첨가원소가 제거된 자리로 치환되어 결합되면서 수소가 포함되는 층상구조 화합물과 이를 통한 나노시트를 제공할 수도 있게 된다. To remove the added element, a strong acid such as nitric acid or hydrochloric acid can be used. As the added element is removed through this strong acid, the hydrogen ion contained in the strong acid is replaced by the site where the added element was removed, forming a layered structure compound containing hydrogen. Through this, it is possible to provide nanosheets.

상술한 층상구조 화합물 또는 나노시트는 분석 결과 다양한 특성을 나타내는데, 이러한 특성을 아래에서 설명한다. 여기서 설명하는 층상구조 화합물 또는 나노시트는 첨가원소가 있는 경우와 없는 경우를 모두 포함한다.The above-described layered structure compound or nanosheet exhibits various characteristics as a result of analysis, and these characteristics are described below. The layered structure compound or nanosheet described herein includes both cases with and without additional elements.

CuKα선을 사용한 XRD 측정에서 상술한 층상구조 화합물 또는 나노시트는 P21/c인 공간군을 가질 수 있다. In XRD measurement using CuKα rays, the layered structure compound or nanosheet described above may have a space group of P2 1 /c.

또한, 첨가원소의 잔류량에 따라 층상구조 화합물은 비정질상을 포함할 수도 있다. Additionally, depending on the remaining amount of added elements, the layered structure compound may include an amorphous phase.

한편, 상술한 층상구조 화합물 또는 나노시트는, CuKα선을 사용한 XRD 측정에서 2θ = 25.1°± 0.50°, 29.1°±0.50°, 41.6°±0.50°, 49.2°±0.50°51.6°±0.50°의 위치에서 피크가 나타나지 않는 층상구조 화합물 또는 나노시트일 수 있다. 상기 피크는 가장 큰 강도를 가지는 피크 대비 5% 이상의 강도를 가지는 피크를 의미할 수 있다. On the other hand, the above-described layered structure compound or nanosheet has 2θ = 25.1° ± 0.50°, 29.1° ± 0.50°, 41.6° ± 0.50°, 49.2° ± 0.50° and 51.6° ± 0.50° in XRD measurement using CuKα line. It may be a layered structure compound or nanosheet with no peak at that location. The peak may mean a peak with an intensity of 5% or more compared to the peak with the greatest intensity.

일반적으로 자연적으로 존재하는 AlSb 화합물은 3차원의 징크 블렌드 구조로서 25.1°, 29.1°, 41.6°, 49.2°, 51.6°에서 회절 패턴이 나타나지만, 본 발명에 따르는 층상구조 화합물 또는 나노시트는 징크 블렌드 구조가 아니기 때문에 이러한 각도에서 회절 패턴이 나타나지 않게 된다.In general, naturally occurring AlSb compounds have a three-dimensional zinc blend structure and exhibit diffraction patterns at 25.1°, 29.1°, 41.6°, 49.2°, and 51.6°, but the layered structure compound or nanosheet according to the present invention has a zinc blend structure. Because it is not, the diffraction pattern does not appear at this angle.

상술한 바와 같은 층상구조 화합물 또는 나노시트는 고유의 층상구조와 잔류하는 첨가원소로 인해 다양한 전기적 특성을 나타낼 수 있게 된다.The layered structure compound or nanosheet as described above can exhibit various electrical properties due to its inherent layered structure and remaining additive elements.

우선, 본 발명에 따르는 층상구조 화합물 또는 나노시트는 강유전 유사(ferroelectric-like) 특성을 나타낸다. First, the layered structure compound or nanosheet according to the present invention exhibits ferroelectric-like properties.

강유전 특성은 일반적으로 페로브스카이트 구조의 BaTiO3와 같은 비대칭 구조의 산화물에서 나타나는 특성으로 중심에 위치하는 Ba의 위치의 변화에 따라 강유전특성이 나타나게 된다. Ferroelectric properties are generally found in oxides with an asymmetric structure, such as BaTiO 3 in the perovskite structure, and the ferroelectric properties appear according to changes in the position of Ba located at the center.

하지만, 본 발명에 따른 층상구조 화합물 또는 나노시트는 이러한 비대칭구조를 가지지 않는데, 그럼에도 불구하고 강유전 유사 특성을 나타내게 된다. 비대칭구조가 아님에도 강유전 유사 특성을 나타내는 이유는 잔류하는 첨가원소의 위치가 외부 전계에 따라 이동함에 따른 것으로 생각된다.However, the layered structure compound or nanosheet according to the present invention does not have such an asymmetric structure, but nevertheless exhibits ferroelectric-like properties. The reason it exhibits ferroelectric-like characteristics despite not having an asymmetric structure is thought to be because the position of the remaining additive element moves according to the external electric field.

이러한 본 발명에 따른 층상구조 화합물 또는 나노시트의 강유전 유사 특성을 통해 다양한 전기 소자에 적용이 가능하게 된다. The ferroelectric-like properties of the layered structure compound or nanosheet according to the present invention enable its application to various electrical devices.

또한, 본 발명에 따르는 층상구조 화합물 또는 나노시트는 저항 스위칭 특성을 나타낸다. Additionally, the layered structure compound or nanosheet according to the present invention exhibits resistance switching properties.

어떠한 물질이 저항 스위칭 특성을 가지면 그 물질에 인가하는 전압에 따라 선형적으로 전류가 증가하는 것이 아니라 초기 전압을 인가할 때는 물질이 고저항 상태를 유지하여 전류의 증가가 미미하다가 일정한 임계점에 도달하면 저저항 상태로 변하면서 급격하게 전류가 증가하게 된다.If a material has resistance switching characteristics, the current does not increase linearly according to the voltage applied to the material, but when the initial voltage is applied, the material maintains a high resistance state and the increase in current is minimal, but when a certain critical point is reached, the material maintains a high resistance state. As it changes to a low-resistance state, the current rapidly increases.

이러한 저항 스위칭 특성은 일반적으로 산화물에서 나타나는 특징으로 최근에는 이러한 특성을 이용하여 플래시 메모리와 같이 정보의 저장이 가능한 멤리스터(memristor)와 같은 메모리소자의 개발이 활발하고, 본 발명의 층상구조 화합물과 나노시트는 저항 스위칭 특성을 활용하여 이러한 멤리스터와 같은 메모리소자의 개발에 적극 활용될 수 있다.This resistance switching characteristic is generally a characteristic of oxides, and recently, the development of memory devices such as memristors capable of storing information such as flash memory has been actively developed using this characteristic, and the layered structure compound of the present invention and Nanosheets can be actively used in the development of memory devices such as memristors by utilizing their resistance switching characteristics.

[실시예][Example]

1) 층상 Na2Al2Sb3 합성1) Layered Na 2 Al 2 Sb 3 synthesis

Na와 Al, Sb 금속 조각을 몰비에 맞게 칭량하여 혼합 후 알루미나 도가니에 투입하였다. 이 후 쿼츠 튜브에 넣이 이중 밀봉하여 외부 공기를 차단하였다. 이 과정은 아르곤 분위기의 글로브 박스에서 진행하였다. 이후 박스로에서 750℃로 3시간 동안 승온하고 40시간 유지하였다. 이후 재결정화 및 결정 성장을 위해 상온까지 200시간 동안 천천히 냉각하여 Na2Al2Sb3 샘플을 얻을 수 있었다. Na, Al, and Sb metal pieces were weighed and mixed according to the molar ratio and then placed into an alumina crucible. Afterwards, it was placed in a quartz tube and double sealed to block external air. This process was carried out in a glove box with an argon atmosphere. Afterwards, the temperature was raised to 750°C in a box furnace for 3 hours and maintained for 40 hours. Afterwards, the Na 2 Al 2 Sb 3 sample was obtained by slowly cooling to room temperature for 200 hours for recrystallization and crystal growth.

2) Na의 제거2) Removal of Na

아세토니트릴(acetonitrile)에 0.05M 농도가 되도록 AlCl3을 녹이고 에탄올 베이스의 HCl 2ml를 추가로 넣어 용액을 제조한 후, 이 용액에서 시간별로 반응시켜 층상 Na2Al2Sb3 에서 Na를 제거하였다. 그 결과는 아래표에서 나타내었다. 표 1에서 잔류 Na는 EDS분석을 통해 얻은 결과를 나타낸다.AlCl 3 was dissolved in acetonitrile to a concentration of 0.05 M, and a solution was prepared by adding 2 ml of ethanol-based HCl. Then, the solution was reacted over time to remove Na from layered Na 2 Al 2 Sb 3 . The results are shown in the table below. In Table 1, residual Na represents the results obtained through EDS analysis.

샘플명sample name 반응시간reaction time 잔류 Na(at%)Residual Na (at%) 샘플 ASample A -- 28.528.5 샘플 BSample B 0.5시간0.5 hours 13.913.9 샘플 CSample C 2시간2 hours 8.88.8 샘플 DSample D 4시간4 hours 4.14.1 샘플 ESample E 12시간12 hours 0.250.25

3) 나노시트화 공정3) Nanosheeting process

상기 표 2와 같이 제조된 샘플들에 대해서 에탄올에서 초음파를 조사한 후 테이프를 이용하여 박리된 나노시트를 제조하였다.The samples prepared as shown in Table 2 above were irradiated with ultrasonic waves in ethanol and then peeled off using tape to produce nanosheets.

도 2는 XRD 회절 피크를 나타내는 그래프로 일반적인 징크 블렌드 구조의 비층상형 AlSb의 회절 피크(3D AlSb), Na2Al2Sb3 단결정의 레퍼런스 회절 피크(Na2Al2Sb3 Ref) 그리고 상술한 방법으로 만들어진 Na2Al2Sb3 (샘플 A)에 대한 회절 피크를 나타낸다. Figure 2 is a graph showing the XRD diffraction peaks, including the diffraction peak of non-layered AlSb of a general zinc blend structure (3D AlSb), the reference diffraction peak of Na 2 Al 2 Sb 3 single crystal (Na 2 Al 2 Sb 3 Ref), and the above-described method. Shows the diffraction peak for Na 2 Al 2 Sb 3 (sample A) made of.

샘플 A와 징크 블렌드 구조의 AlSb 회절 피크(3D AlSb)를 비교하면, 샘플 A에서는 징크 블렌드 구조에서 나타나는 25.1°, 29.1°, 41.6°, 49.2°, 51.6°에서 회절 피크가 나타나지 않는 것을 볼 수 있었다. Comparing the AlSb diffraction peaks (3D AlSb) of sample A and the zinc blend structure, it was seen that sample A did not have diffraction peaks at 25.1°, 29.1°, 41.6°, 49.2°, and 51.6° that appeared in the zinc blend structure. .

한편, Na2Al2Sb3 단결정의 레퍼런스 회절 피크(Na2Al2Sb3 Ref)와 샘플 A의 회절 피크를 비교하면 주요 피크에서 강도는 조금 차이가 있지만 주 피크가 나타나는 각도는 일치하는 것을 볼 수 있었다. 따라서, 상술한 합성 과정을 통해 합성된 샘플 A는 층상구조를 가지는 Na2Al2Sb3 임을 알 수 있었다.Meanwhile, when comparing the reference diffraction peak of Na 2 Al 2 Sb 3 single crystal (Na 2 Al 2 Sb 3 Ref) with the diffraction peak of sample A, it can be seen that the intensity of the main peak is slightly different, but the angle at which the main peak appears is the same. I was able to. Therefore, it was found that Sample A synthesized through the above-described synthesis process was Na 2 Al 2 Sb 3 with a layered structure.

또한, XRD 분석을 통해 합성된 샘플 A는 공간군인 P21/c인 단사정계 결정구조를 가지는 것을 확인하였다. In addition, it was confirmed through XRD analysis that the synthesized sample A had a monoclinic crystal structure of the space group P2 1 /c.

도 3은 합성된 샘플 A에 대한 SEM(Scanning Electron microscope) 이미지와 EDS(Energy Dispersive Spectroscopy) 결과를 나타낸다. 샘플 A는 SEM 이미지 상으로 층상구조가 확인되었고, EDS분석결과 Na:Al:Sb의 몰비는 이론 조성비인 2:2:3 에 근접하는 결과를 얻을 수 있었다. Figure 3 shows the SEM (Scanning Electron microscope) image and EDS (Energy Dispersive Spectroscopy) results for the synthesized sample A. Sample A's layered structure was confirmed in the SEM image, and as a result of EDS analysis, the molar ratio of Na:Al:Sb was obtained close to the theoretical composition ratio of 2:2:3.

도 4는 Na2Al2Sb3 의 구조를 나타내는 모식도와 샘플 A에 대한 [110] 방향으로의 STEM(Scanning Transmission Electron Microscope) 분석 결과 그리고 SAED(Selected Area Diffraction) 패턴을 나타낸다. SAED 패턴을 분석한 결과 측정된 (002)면 패턴의 면간 거리는 7.76Å, 측정된 (11-3)면 패턴의 면간거리는 4.01Å이었다.Figure 4 shows a schematic diagram showing the structure of Na 2 Al 2 Sb 3 , the results of a Scanning Transmission Electron Microscope (STEM) analysis in the [110] direction for sample A, and a Selected Area Diffraction (SAED) pattern. As a result of analyzing the SAED pattern, the measured interplanar distance of the (002) plane pattern was 7.76Å, and the measured (11-3) plane pattern was 7.76Å. The interplanar distance of the pattern was 4.01Å.

이론적으로 (200)면과 (002)면의 면간거리는 각각 7.776Å, 4.05Å이므로 상기 측정값은 이론값에 근접하였다. 그런데, 이러한 측정값은 비층상형 징크 블렌드 구조의 AlSb에서는 나올 수 없는 값으로 측정된 패턴은 P21/c 공간군에서만 나타는 패턴이다. SAED 패턴에서 존-엑시스(Zone-axis)는 패턴으로 측정된 면으로부터 외적을 통해서 구할 수 있으며, (002)와 (11-3)면의 외적을 통해서 구해지는 벡터는 [1-10]이다. 그러므로 존-엑시스(Zone-axis)는 [1-10]임을 확인할 수 있었고, [1-10]존으로부터 보이는 실제 측정된 STEM 이미지에서의 격자의 구조와 이론상으로 구해진 원자구조 모델의 형태를 비교해면 정확히 일치하였다. 이를 통해 합성된 샘플은 P21/c 공간군을 가지는 Na2Al2Sb3임을 확인하였다. Theoretically, the interplanar distance between the (200) plane and the (002) plane was 7.776 Å and 4.05 Å, respectively, so the measured value was close to the theoretical value. However, these measured values are values that cannot be obtained from AlSb with a non-layered zinc blend structure. The measured pattern is a pattern that appears only in the P2 1 /c space group. In the SAED pattern, the zone-axis can be obtained through the cross product from the surface measured by the pattern, and the vector obtained through the cross product of the (002) and (11-3) planes is [1-10]. Therefore, it was confirmed that the zone-axis is [1-10], and when comparing the lattice structure in the actually measured STEM image visible from the [1-10] zone and the shape of the atomic structure model obtained in theory, It matched exactly. Through this, it was confirmed that the synthesized sample was Na 2 Al 2 Sb 3 with a P2 1 /c space group.

이처럼 XRD, SEM, EDS, STEM 결과를 통해 샘플 A는 층상구조의 P21/c 공간군을 가지는 Na2Al2Sb3 임을 확인하였다. In this way, through XRD, SEM, EDS, and STEM results, it was confirmed that sample A was Na 2 Al 2 Sb 3 with a layered P2 1 /c space group.

도 5는 일반적인 징크 블렌드 구조의 비층상형 AlSb의 회절 피크(3D AlSb), 샘플 A의 회절 피크(샘플 A) 그리고 Na가 일부 제거된 샘플 C에 대한 회절 피크를 나타낸다. 샘플 C의 XRD 회절 패턴은 Na 제거에 따라 샘플 A와 비교했을 때 동일한 각도 범위에서 주요 피크를 나타내고 있어 샘플 A의 P21/c인 단사정계 결정구조를 여전히 유지하고 있는 것으로 판단되었다. Figure 5 shows the diffraction peak of non-layered AlSb (3D AlSb) of a typical zinc blend structure, the diffraction peak of sample A (sample A), and the diffraction peak of sample C from which Na has been partially removed. The XRD diffraction pattern of sample C showed major peaks in the same angle range compared to sample A due to Na removal, and it was determined that the monoclinic crystal structure of sample A, P2 1 /c, was still maintained.

도 6은 샘플 A에서 Na를 제거하여 샘플 C가 되고 이로부터 테이프를 이용하여 박리되어 만들어진 나노시트를 나타낸다. 샘플 A는 층간의 벽개면이 관찰되지만 샘플 C에서는 Na가 제거됨에 따라 벽개면뿐만 아니라 층 간격이 벌어져 크랙이 형성된 것을 볼 수 있었다.Figure 6 shows a nanosheet made by removing Na from Sample A to become Sample C and peeling it off using a tape. In sample A, cleavage surfaces between layers were observed, but in sample C, as Na was removed, not only the cleavage surfaces but also the gap between layers widened, forming cracks.

도 7은 샘플 C 및 샘플 D의 SEM(Scanning Electron microscope) 이미지와 EDS(Energy Dispersive Spectroscopy) 결과를 나타낸다. 샘플 C와 D는 모두 SEM 이미지 상으로 벽개면 또는 크랙을 가지는 층상구조가 확인되었고, EDS분석결과 Na의 함량은 각각 8.84 at%, 4.1 at%로 나타났다.Figure 7 shows SEM (Scanning Electron microscope) images and EDS (Energy Dispersive Spectroscopy) results of Sample C and Sample D. Samples C and D both had a layered structure with cleavage planes or cracks in SEM images, and EDS analysis showed that the Na content was 8.84 at% and 4.1 at%, respectively.

도 8은 Na를 선택적으로 제거한 후의 층상형 Na2-xAl2Sb3 원자 구조 모식도와 샘플 B에 대해서 [010] 방향에서의 STEM 이미지 그리고 SAED 패턴 이미지이다. SAED 분석결과 (002)면 회절패턴의 면간거리는 7.79Å, (020)면의 회절패턴의 면간거리는 3.63Å이었다. 이론적인 (002)면과 (020)면의 면간거리는 각각 7.776Å, 3.61Å인 것과 비교할 때 상기 측정값은 이론값과 같다고 볼 수 있었다. 이러한 측정값은 비층상형 징크 블렌드 구조의 AlSb에서는 나올 수 없는 값이다. 또한 모상구조 Na2Al2Sb3의 Na 비율은 28.5%이지만 측정된 Na2-xAl2Sb3의 Na 비율은 13.9%이므로 일부의 Na가 제거된 것을 확인할 수 있다. 또한 측정된 패턴은 P21/c 공간군에서만 나타는 패턴이다. SAED 패턴에서 존-엑시스는 패턴으로 측정된 면으로부터 외적을 통해서 구할 수 있으며, (002)와 (020)면의 외적을 통해서 구해지는 벡터는 [100]이다. 그러므로 존-엑시스는 [100]임을 확인할 수 있었고, [100]존으로부터 보이는 실제 측정된 STEM 이미지에서의 격자의 구조와 이론상으로 구해진 원자구조 모델의 형태를 비교해보면 정확히 일치하였다. 이를 통해 Na를 제거한 물질도 모상물질 Na2Al2Sb3의의 P21/c 공간군을 그대로 유지하는 것을 확인하였다.Figure 8 is a schematic diagram of the layered Na 2-x Al 2 Sb 3 atomic structure after selective removal of Na, a STEM image in the [010] direction, and a SAED pattern image for sample B. As a result of SAED analysis, the interplanar distance of the diffraction pattern of the (002) plane was 7.79Å, and the interplanar distance of the diffraction pattern of the (020) plane was 3.63Å. Compared to the theoretical interplanar distances of the (002) plane and (020) plane of 7.776 Å and 3.61 Å, respectively, the measured value was considered to be the same as the theoretical value. These measured values cannot be obtained from AlSb, which has a non-layered zinc blend structure. In addition, the Na ratio of the parent phase structure Na 2 Al 2 Sb 3 is 28.5%, but the measured Na ratio of Na 2-x Al 2 Sb 3 is 13.9%, so it can be confirmed that some Na has been removed. Additionally, the measured pattern is a pattern that appears only in the P2 1 /c space group. In the SAED pattern, the zone-axis can be obtained through the cross product from the surface measured by the pattern, and the vector obtained through the cross product of the (002) and (020) planes is [100]. Therefore, it was confirmed that the zone-axis was [100], and when comparing the lattice structure in the actually measured STEM image seen from the [100] zone and the shape of the atomic structure model obtained in theory, they matched exactly. Through this, it was confirmed that the material from which Na was removed also maintained the P2 1 /c space group of the parent material Na 2 Al 2 Sb 3 .

도 9는 샘플 C에서 박리된 나노시트에 대한 AFM(Atomic Force Microscopy) 이미지 및 그에 따른 라인 프로파일을 나타낸다. 20nm 이하의 두께를 가지는 나노시트로 박리되었음을 확인할 수 있었다. Figure 9 shows an atomic force microscopy (AFM) image of the nanosheet exfoliated from sample C and the resulting line profile. It was confirmed that it was exfoliated into nanosheets with a thickness of 20 nm or less.

또한, Na를 제거한 샘플 C에 대해서 나노시트를 만든 후 이에 대해 PFM(Piezoresponse Force Microscopy)을 통해 강유전 특성을 측정하였고 그에 따른 결과를 도 10에서 나타내었다. 이를 통해 강유전 유사 특성이 나타나고 있는 것을 관찰할 수 있었다. In addition, after making a nanosheet for Sample C from which Na was removed, the ferroelectric properties were measured through PFM (Piezoresponse Force Microscopy), and the results are shown in FIG. 10. Through this, it was observed that ferroelectric-like characteristics were appearing.

이러한 강유전 유사 특성을 이용하면 다양한 전기 소자로의 적용이 가능하고 최근 뉴로모픽 메모리 소자로 개발이 활발하게 이루어지고 있는 멤리스터 소자로 적용할 수 있음을 알 수 있었다.It was found that by using these ferroelectric-like characteristics, it can be applied to various electrical devices and to memristor devices, which have recently been actively developed as neuromorphic memory devices.

한편, Na를 과도하게 제거한 샘플 E에 대해서 TEM 분석을 진행하였고, 그 결과를 도 11 에서 나타내었다. TEM 분석결과에서 샘플 D로부터의 나노시트는 비정질상임을 알 수 있었다. Meanwhile, TEM analysis was performed on Sample E from which Na was excessively removed, and the results are shown in FIG. 11. TEM analysis results showed that the nanosheets from sample D were in an amorphous phase.

Claims (26)

하기 화학식 1로 표시되는 층상구조 화합물.
[화학식 1] M1-xAlySbz
(M은 1족 원소 중 하나 이상이고, 0<x≤1.0, 0.75≤y≤1.25, 1.25≤z≤1.75)
A layered structure compound represented by the following formula (1).
[Formula 1] M 1-x Al y Sb z
(M is one or more group 1 elements, 0<x≤1.0, 0.75≤y≤1.25, 1.25≤z≤1.75)
제 1 항에 있어서,
상기 x는 0.10≤x≤0.95 인, 층상구조 화합물.
According to claim 1,
Wherein x is 0.10≤x≤0.95, a layered structure compound.
제 1 항에 있어서,
상기 x는 0.3≤x≤0.8 인, 층상구조 화합물.
According to claim 1,
Wherein x is 0.3≤x≤0.8, a layered structure compound.
제 1 항에 있어서,
상기 M은 Na인, 층상구조 화합물.
According to claim 1,
Wherein M is Na, a layered structure compound.
제 1 항에 있어서,
상기 층상구조 화합물은 H를 더 포함하는, 층상구조 화합물.
According to claim 1,
The layered structure compound further contains H.
제 1 항에 있어서,
상기 x는 0.95<x 인, 층상구조 화합물.
According to claim 1,
Wherein x is 0.95<x, a layered structure compound.
제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 층상구조 화합물의 결정구조는 P21/c의 공간군을 나타내는, 층상구조 화합물.
The method according to any one of claims 1 to 5,
The crystal structure of the layered structure compound represents a space group of P2 1 /c.
제 6 항에 있어서,
상기 층상구조 화합물은 비정질상을 포함하는, 층상구조 화합물.
According to claim 6,
The layered structure compound includes an amorphous phase.
제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 층상구조 화합물은, CuKα선을 사용한 XRD 측정에서 2θ = 25.1°± 0.50°, 29.1°±0.50°, 41.6°±0.50°, 49.2°±0.50°, 51.6°±0.50°의 위치에서 피크가 나타나지 않고, 상기 피크는 가장 큰 강도를 가지는 피크 대비 3% 이상의 강도를 가지는 피크를 의미하는, 층상구조 화합물.
The method according to any one of claims 1 to 6,
The layered structure compound does not show peaks at the positions of 2θ = 25.1°±0.50°, 29.1°±0.50°, 41.6°±0.50°, 49.2°±0.50°, and 51.6°±0.50° in XRD measurement using CuKα rays. A layered structure compound, wherein the peak refers to a peak having an intensity of 3% or more compared to the peak with the highest intensity.
제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 층상구조 화합물은 강유전 유사(ferroelectric-like) 특성을 나타내는, 층상구조 화합물.
The method according to any one of claims 1 to 6,
The layered structure compound exhibits ferroelectric-like characteristics.
제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 층상구조 화합물은 저항 스위칭 특성을 나타내는, 층상구조 화합물.
The method according to any one of claims 1 to 6,
The layered structure compound exhibits resistance switching characteristics.
하기 화학식 1로 표시되는 조성물을 포함하고, 물리적 또는 화학적 박리 방법으로 만들어지는, 나노시트.
[화학식 1] M1-xAlySbz
(M은 1족 원소 중 하나 이상이고, 0<x≤1.0, 0.75≤y≤1.25, 1.25≤z≤1.75)
A nanosheet comprising a composition represented by the following formula (1) and made by a physical or chemical exfoliation method.
[Formula 1] M 1-x Al y Sb z
(M is one or more group 1 elements, 0<x≤1.0, 0.75≤y≤1.25, 1.25≤z≤1.75)
제 12 항에 있어서,
상기 x는 0.10≤x≤0.95 인, 나노시트.
According to claim 12,
The nanosheet where x is 0.10≤x≤0.95.
제 12 항에 있어서,
상기 x는 0.3≤x≤0.8 인, 나노시트.
According to claim 12,
The nanosheet where x is 0.3≤x≤0.8.
제 12 항에 있어서,
상기 M은 Na인, 나노시트.
According to claim 12,
Wherein M is Na, a nanosheet.
제 12 항에 있어서,
상기 조성물은 H를 더 포함하는, 나노시트.
According to claim 12,
The composition further comprises H.
제 12 항에 있어서,
상기 x는 0.95<x 인, 나노시트.
According to claim 12,
The x is 0.95<x, nanosheet.
제 12 항 내지 제 16 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 층상구조 화합물의 결정구조는 P21/c의 공간군을 나타내는, 나노시트.
The method according to any one of claims 12 to 16,
The crystal structure of the layered compound is a nanosheet showing a space group of P2 1 /c.
제 17 항에 있어서,
상기 조성물은 비정질상을 포함하는, 나노시트.
According to claim 17,
The composition is a nanosheet comprising an amorphous phase.
제 12 항 내지 제 17 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 층상구조 화합물은, CuKα선을 사용한 XRD 측정에서 2θ = 25.1°± 0.50°, 29.1°±0.50°, 41.6°±0.50°, 49.2°±0.50°, 51.6°±0.50°의 위치에서 피크가 나타나지 않고, 상기 피크는 가장 큰 강도를 가지는 피크 대비 3% 이상의 강도를 가지는 피크를 의미하는, 나노시트.
The method according to any one of claims 12 to 17,
The layered structure compound does not show peaks at the positions of 2θ = 25.1°±0.50°, 29.1°±0.50°, 41.6°±0.50°, 49.2°±0.50°, and 51.6°±0.50° in XRD measurement using CuKα rays. and the peak refers to a peak having an intensity of 3% or more compared to the peak with the greatest intensity.
제 12 항 내지 제 17 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 조성물은 강유전 유사 특성을 나타내는, 나노시트.
The method according to any one of claims 12 to 17,
The composition is a nanosheet that exhibits ferroelectric-like properties.
제 12 항 내지 제 17 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 조성물은 저항 스위칭 특성을 나타내는, 나노시트.
The method according to any one of claims 12 to 17,
The composition is a nanosheet that exhibits resistance switching properties.
제 12 항 내지 제 17 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 나노시트의 두께는 500nm 이하인, 나노시트.
The method according to any one of claims 12 to 17,
The thickness of the nanosheet is 500 nm or less, Nanosheet.
제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 기재된 층상형 화합물을 포함하는, 전기 소자.An electrical device comprising the layered compound according to any one of claims 1 to 6. 제 12 항 내지 제 17 항 중 어느 한 항에 기재된 나노시트를 포함하는, 전기 소자.An electrical device comprising the nanosheet according to any one of claims 12 to 17. 제 24 항 또는 제 25 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 전기 소자는 멤리스터인, 전기 소자.26. An electrical device according to claim 24 or 25, wherein the electrical device is a memristor.
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