KR20220033385A - Visible parylene film for light extraction of organic light emitting diodes and manufacturing method thereof - Google Patents

Visible parylene film for light extraction of organic light emitting diodes and manufacturing method thereof Download PDF

Info

Publication number
KR20220033385A
KR20220033385A KR1020200115711A KR20200115711A KR20220033385A KR 20220033385 A KR20220033385 A KR 20220033385A KR 1020200115711 A KR1020200115711 A KR 1020200115711A KR 20200115711 A KR20200115711 A KR 20200115711A KR 20220033385 A KR20220033385 A KR 20220033385A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
decomposition
film
dimer
unit
light emitting
Prior art date
Application number
KR1020200115711A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR102500241B1 (en
Inventor
이재현
이종희
이예슬
Original Assignee
한밭대학교 산학협력단
한밭대학교 산학협력단
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 한밭대학교 산학협력단, 한밭대학교 산학협력단 filed Critical 한밭대학교 산학협력단
Priority to KR1020200115711A priority Critical patent/KR102500241B1/en
Publication of KR20220033385A publication Critical patent/KR20220033385A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR102500241B1 publication Critical patent/KR102500241B1/en

Links

Images

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/448Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/4412Details relating to the exhausts, e.g. pumps, filters, scrubbers, particle traps
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/448Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials
    • C23C16/4485Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials by evaporation without using carrier gas in contact with the source material
    • H01L51/5262
    • H01L51/56
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/85Arrangements for extracting light from the devices
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

The present invention relates to a visible perylene film for light extraction of an organic light emitting diode and a film forming process thereof, and more specifically, to a method of manufacturing a visible perylene film with excellent visibility and excellent light extraction efficiency on an upper portion of the organic light emitting diode. According to the present invention, the method comprises: a vaporization step (S10) of vaporizing dimer perylene in a temperature range of 190 to 270℃ by introducing dimer perylene in powder form into a vaporization unit (10); a first transfer step (S20) of transferring the vaporized dimer perylene to a decomposition unit (30) through a first transfer pipe (20) connected to the vaporization unit (10); a first decomposition step (S30) of heating the dimer perylene vaporized through the decomposition unit (30) and convert the heated dimer perylene into monomer perylene; a second transfer step (S40) of transferring the dimer perylene and the monomer perylene from the decomposition unit (30) to a deposition chamber (50) through a second transfer pipe (40); a first deposition step (S50) of forming a first polymer film layer (210) by diffusing the dimer perylene and the monomer perylene on an upper portion of the organic light emitting diode introduced into the deposition chamber (50); and a cooling step (S60) of condensing the perylene by-product transferred after the first deposition step (S50) through a cold trap (60).

Description

유기발광소자의 광추출용 가시성 페럴린 필름 및 이의 제조방법{VISIBLE PARYLENE FILM FOR LIGHT EXTRACTION OF ORGANIC LIGHT EMITTING DIODES AND MANUFACTURING METHOD THEREOF}Visible PARYLENE FILM FOR LIGHT EXTRACTION OF ORGANIC LIGHT EMITTING DIODES AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

본 발명은 유기발광소자의 광추출용 가시성 페럴린 필름 및 이의 제조방법에 관한 것으로, 유기발광소자의 상부에 직접 성막되어 접착성이 우수하면서 동시에 광추출 효율이 우수한 가시성 페럴린 필름 및 이의 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to a visible parallin film for light extraction of an organic light emitting device and a method for manufacturing the same, and a visible parallin film formed directly on the upper portion of the organic light emitting device to have excellent adhesion and light extraction efficiency, and a method for manufacturing the same is about

유기발광소자(OLED)는 친환경, 저가 소재인 유기소재를 이용한 다이오드 구조의 디바이스로서 소형, 중형 및 대형 디스플레이와 면광원 조명으로 적용 가능하고 고효율 특성으로 인하여 에너지 절감효과가 우수한 차세대 환경친화적인 발광소자로 주목받고 있다.An organic light emitting diode (OLED) is a diode-structured device using an eco-friendly and inexpensive organic material. It can be applied to small, medium and large displays and surface light source lighting. It is a next-generation environmentally friendly light emitting device with excellent energy saving effect due to its high efficiency characteristics. is attracting attention as

일반적인 유기발광소자(OLED)의 구조는 유리나 플라스틱 기판 위에 양극, 유기발광 반도체 소재층, 음극 등을 삽입하고 전압을 가해주면, 음극과 양극에서 각각 전자와 정공이 유기층 내로 주입되어 유기층 내에서 전자, 정공의 재결합 과정을 거쳐 빛이 발생되는 구조를 갖는다.In the structure of a general organic light emitting diode (OLED), when an anode, an organic light emitting semiconductor material layer, a cathode, etc. are inserted on a glass or plastic substrate and voltage is applied, electrons and holes from the cathode and anode are respectively injected into the organic layer, It has a structure in which light is generated through the recombination process of holes.

이러한 유기발광소자(OLED)는 낮은 소비전력과 높은 형태자유도로 인하여 차세대 친환경 조명 및 디스플레이 소자로 주목을 받고 있으며, 이에 따라서 유기발광소자 개발을 위한 장비 및 제조 기술에 대한 연구가 활발하게 진행되다.These organic light emitting devices (OLEDs) are attracting attention as next-generation eco-friendly lighting and display devices due to their low power consumption and high degree of freedom of shape, and accordingly, research on equipment and manufacturing technologies for organic light emitting device development is being actively conducted.

특히 전력 효율을 위하여 광 추출 효율을 향상시키기 위한 구조가 필요한 실정으로, 이를 위해서는 OLED의 광학 구조를 추가하여 전체 내부 반사로 인한 광 손실을 감소시키는 연구가 필요하다. In particular, a structure for improving light extraction efficiency is required for power efficiency, and for this purpose, research on reducing light loss due to total internal reflection by adding an optical structure of an OLED is required.

대한민국 등록실용신안 제20-0332237호(2003.10.27)Republic of Korea Registered Utility Model No. 20-0332237 (October 27, 2003)

본 발명은 상기와 같은 문제점을 감안하여 안출된 것으로, 본 발명의 목적은 유기발광소자의 상부에 직접 성막하여 광추출 효율을 높일 수 있는 유기발광소자의 광추출용 가시성 페럴린 필름 및 이의 제조방법을 제공하는 것이다.The present invention has been devised in view of the above problems, and an object of the present invention is to form a film directly on the upper portion of the organic light emitting device to increase the light extraction efficiency, a visible ferralin film for light extraction of an organic light emitting device, and a method for manufacturing the same is to provide

또한, 본 발명의 다른 목적은, 유기발광소자의 상부에 증착되되 접착성 또한 우수하여 상기 유기발광소자의 상부에 안정적으로 코팅된 상태를 유지할 수 있는 유기발광소자의 유기발광소자의 광추출용 가시성 페럴린 필름 및 이의 제조방법을 제공하는 것이다. In addition, another object of the present invention is the visibility for light extraction of the organic light emitting device of the organic light emitting device, which is deposited on the top of the organic light emitting device and has excellent adhesion to maintain a stable coating state on the upper portion of the organic light emitting device To provide a paraline film and a method for manufacturing the same.

상기한 바와 같은 목적을 달성하기 위한 특징에 따르면, 본 발명에 따른 유기발광소자의 광추출용 가시성 페럴린 필름의 성막공정은, 파우더 형태의 다이머 페럴린을 기화부에 투입하여 190 내지 270℃의 온도 범위에서 다이머 페럴린을 기화시키는 기화단계; 일측이 상기 기화부에 연결되고 타측이 분해부에 연결된 제1이송관을 통해 기화된 다이머 페럴린을 분해부로 이송하는 제1이송단계; 상기 분해부를 통해 기화된 다이머 페럴린을 가열하여 모노머 페럴린으로 변환시키는 제1분해단계; 일측이 분해부에 연결되고 타측이 증착챔버에 연결된 제2이송관을 통해 상기 분해부의 다이머 페럴린 및 모노머 페럴린을 증착챔버로 이송하는 제2이송단계; 상기 증착챔버에 투입된 유기발광소자의 상부에 다이머 페럴린 및 모노머 페럴린을 확산시켜 제1폴리머 필름막을 형성하는 제1증착단계; 및 상기 제1증착단계;를 마치고 페럴린 부산물을 콜드트랩에 이송하여 응축시키는 냉각단계;를 포함한다.According to the characteristics for achieving the above object, in the film forming process of the visible ferralin film for light extraction of the organic light emitting diode according to the present invention, dimer feralin in powder form is injected into the vaporization unit at a temperature of 190 to 270 ° C. A vaporization step of vaporizing the dimer feralin in a temperature range; a first transfer step of transferring the vaporized dimer feralin to the decomposing unit through a first transfer pipe having one side connected to the vaporization unit and the other side connected to the decomposing unit; a first decomposition step of heating the vaporized dimer feralin through the decomposition unit to convert it into monomeric feralin; a second transfer step of transferring the dimer feralin and the monomer feralin of the decomposing unit to the deposition chamber through a second transfer pipe having one side connected to the decomposition unit and the other end connected to the deposition chamber; a first deposition step of forming a first polymer film film by diffusing dimer ferralin and monomer ferralin on the organic light emitting device put into the deposition chamber; and a cooling step of condensing the paraline by-product by transferring it to a cold trap after completing the first deposition step.

그리고 상기 제1분해단계에서, 상기 분해부는 450 내지 550℃의 온도 범위에서 다이머 페럴린을 가열하여 모노머 페럴린으로 변환시킬 수도 있다.And in the first decomposition step, the decomposition unit may be converted into monomer feralin by heating the dimer feralin in a temperature range of 450 to 550 ℃.

또한, 상기 제1분해단계에서 상기 분해부의 온도는 650 내지 750℃로 이루어질 수 있고, 상기 제1증착단계를 마치고, 상기 기화부를 통해 기화된 다이머 페럴린을 상기 분해부로 이송하여 350 내지 450℃의 온도 범위에서 가열하여 모노머 페럴린으로 변환시키는 제2분해단계를 진행한 후 상기 증착챔버로 이송하여 상기 증착챔버에서 제1폴리머 필름막의 상면에 제2폴리머 필름막을 형성하는 제2증착단계와, 상기 기화부를 통해 기화된 다이머 페럴린을 상기 분해부로 이송하여 650 내지 750℃의 온도 범위에서 가열하여 모노머 페럴린으로 변환시키는 제3분해단계를 진행한 후 상기 증착챔버로 이송하여 상기 증착챔버에서 제2폴리머 필름막의 상면에 제2폴리머 필름막을 형성하는 제3증착단계를 더 포함할 수도 있다.In addition, in the first decomposition step, the temperature of the decomposition part may be 650 to 750 ° C., after the first deposition step is completed, the dimer ferralin vaporized through the vaporization part is transferred to the decomposition part to a temperature of 350 to 450 ° C. A second deposition step of forming a second polymer film film on an upper surface of the first polymer film film in the deposition chamber by transferring it to the deposition chamber after performing a second decomposition step of heating in a temperature range to convert the monomer ferralin; The vaporized dimer feralin is transferred to the decomposition unit through the vaporization unit, heated in a temperature range of 650 to 750° C. to perform a third decomposition step of converting it into monomer ferralin, and then transferred to the deposition chamber and transferred to the second deposition chamber A third deposition step of forming a second polymer film film on the upper surface of the polymer film film may be further included.

이때, 상기 분해부는, 일단이 상기 기화부에 각각 연결되되 독립적인 온도 제어가 가능한 제1분해챔버 및 제2분해챔버로 구성되고, 상기 제1분해챔버는 650 내지 750℃의 온도로 제어되고, 상기 제2분해챔버는 350 내지 450℃의 온도로 제어되어, 상기 제2분해단계는, 상기 제2분해챔버를 통해 다이머 페럴린을 모노머 페럴린으로 변환시키고 상기 제1분해단계 및 제3분해단계는, 상기 제1분해챔버를 통해 다이머 페럴린을 모노머 페럴린으로 변환시킬 수 있다.At this time, the decomposition unit is composed of a first decomposition chamber and a second decomposition chamber each having one end connected to the vaporization unit and capable of independent temperature control, and the first decomposition chamber is controlled at a temperature of 650 to 750 °C, The second decomposition chamber is controlled at a temperature of 350 to 450° C., and the second decomposition step includes converting dimer feralin to monomeric feralin through the second decomposition chamber, and the first decomposition step and the third decomposition step. may convert dimer feralin into monomeric feralin through the first decomposition chamber.

아울러, 상기 제1이송관 및 상기 제2이송관의 내부 온도는 150℃ 내지 250℃로 이루어질 수 있다.In addition, the internal temperature of the first transfer tube and the second transfer tube may be made of 150 ℃ to 250 ℃.

그리고 본 발명에 따른 유기발광소자의 광추출용 가시성 페럴린 필름은 앞서 설명한 성막공정으로 제조된 것을 특징으로 한다.And the visible ferralin film for light extraction of the organic light emitting diode according to the present invention is characterized in that it was manufactured by the above-described film forming process.

본 발명에 따른 유기발광소자의 광추출용 가시성 페럴린 필름 및 이의 제조방법에 의하면, 유기발광소자의 상부에 직접 성막하여 유기발광소자의 광추출 효율을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.According to the visible ferralin film for light extraction of an organic light emitting device according to the present invention and a method for manufacturing the same, there is an effect of improving the light extraction efficiency of the organic light emitting device by forming a film directly on the organic light emitting device.

또한, 본 발명에 의하면, 분해부의 온도를 최적의 조건을 제어하여 유기발광소자의 상부에 광추출 효율과 접착력이 모두 우수한 유기발광소자용 필름을 성막할 수 있는 효과가 있다.In addition, according to the present invention, there is an effect that can form a film for an organic light emitting device excellent in both light extraction efficiency and adhesion on the upper portion of the organic light emitting device by controlling the temperature of the decomposition part to the optimum condition.

그리고 본 발명에 의하면, 유기발광소자의 상부에 접착성이 우수한 페럴린 필름과, 가시성이 우수한 페럴린 필름을 다층구조로 성막하여, 광추출 효율과 유기발광소자의 상부에 대한 접착력이 모두 우수하도록 제조할 수 있는 이점이 있다.And, according to the present invention, a paralin film with excellent adhesion and a paraline film with excellent visibility are formed on the upper part of the organic light emitting device in a multi-layer structure so that both light extraction efficiency and adhesion to the upper portion of the organic light emitting device are excellent. There are advantages to manufacturing.

또한, 본 발명에 의하면, 페럴린 재료를 기화부에서 분해부, 분해부에서 증착챔버로 이송하는 이송관의 온도를 제어하여, 배관 내부에 페럴린이 성막되는 것을 방지할 수 있는 장점이 있다. In addition, according to the present invention, there is an advantage in that it is possible to prevent the formation of a film inside the pipe by controlling the temperature of the transfer pipe that transports the ferralin material from the vaporization unit to the decomposition unit and from the decomposition unit to the deposition chamber.

도 1은 본 발명에 따른 유기발광소자의 광추출용 가시성 페럴린 필름 제조과정을 도시한 순서도,
도 2는 본 발명의 실시예 1에 따른 유기발광소자의 광추출용 가시성 페럴린 필름 제조과정을 도시한 개념도,
도 3은 본 발명의 실시예 1에 따른 유기발광소자의 광추출용 가시성 페럴린 필름 제조과정의 순서를 도시한 작동도,
도 4는 본 발명의 실시예 1에 따라 제조된 유기발광소자의 광추출용 가시성 페럴린 필름을 도시한 개념도,
도 5는 분해부의 온도에 따른 광 추출 효율과 접착성을 도시한 그래프,
도 6은 본 발명의 실시예 2에 따른 유기발광소자의 광추출용 가시성 페럴린 필름 성막공정을 도시한 개념도,
도 7 내지 8은 본 발명의 실시예 2에 따른 유기발광소자의 광추출용 가시성 페럴린 필름 성막공정의 진행을 도시한 작동도,
도 9는 본 발명의 실시예 2에 따라 제조된 다층 구조의 페럴린 필름을 도시한 개념도,
도 10 및 도 11은 본 발명에 따라 제조된 페럴린 필름의 광학 특성을 측정한 그래프이다.
도 12는 본 발명에 따른 가시성 페럴린 필름이 코팅되지 않은 OLED와 가시성 페럴린 필름이 코팅된 OLED의 J-V-L 그래프이다.
1 is a flow chart showing a manufacturing process of a visible ferralin film for light extraction of an organic light emitting diode according to the present invention;
2 is a conceptual diagram illustrating a manufacturing process of a visible parallin film for light extraction of an organic light emitting diode according to Example 1 of the present invention;
Figure 3 is an operational diagram showing the sequence of the manufacturing process of the visible paraline film for light extraction of the organic light emitting device according to Example 1 of the present invention;
4 is a conceptual diagram illustrating a visible ferrine film for light extraction of an organic light emitting device manufactured according to Example 1 of the present invention;
5 is a graph showing light extraction efficiency and adhesion according to the temperature of the decomposition part;
6 is a conceptual diagram illustrating a process for forming a visible paralin film for light extraction of an organic light emitting diode according to Example 2 of the present invention;
7 to 8 are operational diagrams showing the progress of the film forming process of the visible paraline film for light extraction of the organic light emitting device according to Example 2 of the present invention;
9 is a conceptual diagram showing a multi-layered parallin film prepared according to Example 2 of the present invention;
10 and 11 are graphs measuring the optical properties of the paralin film prepared according to the present invention.
12 is a JVL graph of an OLED on which a visible ferralin film is not coated and an OLED on which a visible ferralin film is coated according to the present invention.

본 발명의 특징과 장점은 첨부된 도면에 의하여 설명되는 실시 예에 의하여 보다 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The features and advantages of the present invention will be more clearly understood by the embodiments described with reference to the accompanying drawings.

본 발명의 실시 예에 기재되거나 도면에 도시된 구성요소들의 구성 및 배열에 의해 본 발명의 응용이 제한되는 것은 아니다. 본 발명은 다른 실시 예들로 구현될 수 있고, 다양한 방법으로 수행될 수 있다. 또한, 장치 또는 요소의 방향 등과 같은 용어들에 관하여 실시 예에 사용된 표현 및 술어는 단지 본 발명의 설명을 단순화하기 위해 사용되며, 관련된 장치 또는 요소가 단순히 특정 방향을 가져야 함을 나타내거나 의미하지 않는다. 예를 들면, "제1", "제2"와 같은 용어가 본 발명을 설명하는 실시 예와 청구항에 사용되는데, 이러한 용어가 상대적인 중요성 또는 취지를 나타내거나 의미하는 것으로 의도되지 않는다.The application of the present invention is not limited by the configuration and arrangement of components described in the embodiments of the present invention or shown in the drawings. The present invention may be embodied in other embodiments and may be practiced in various ways. In addition, expressions and predicates used in the embodiments with respect to terms such as the orientation of devices or elements are used only to simplify the description of the present invention, and do not indicate or imply that the related devices or elements simply have to have a specific orientation. does not For example, although terms such as "first" and "second" are used in the embodiments and claims describing the present invention, such terms are not intended to indicate or imply relative importance or spirit.

또한, 본 명세서 및 청구범위에 사용된 용어나 단어는 통상적이거나 사전적인 의미로 한정하여 해석되어서는 아니되며, 발명자가 발명의 용어와 개념을 가장 최선의 방법으로 설명하기 위하여 본 발명의 기술적 사상에 부합하는 의미와 개념에 입각하여 기재한 것으로 해석하여야 한다.In addition, the terms or words used in the present specification and claims are not to be construed as being limited to conventional or dictionary meanings, and the inventors are in the technical spirit of the present invention in order to explain the terms and concepts of the invention in the best way. It should be interpreted as written based on the corresponding meaning and concept.

따라서 본 발명은 제시되는 실시 예에 한정되지 않으며, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의하여 본 발명의 기술 사상과 아래에 기재될 특허청구 범위에 기재된 기술상의 균등한 범위 내에서 다양한 수정 및 변경이 가능하다.Therefore, the present invention is not limited to the presented embodiment, and within the technical spirit of the present invention and the technical equivalents described in the claims to be described below by those of ordinary skill in the art to which the present invention pertains. Various modifications and changes are possible.

[실시예 1][Example 1]

다음에서 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 유기발광소자의 광추출용 가시성 페럴린 필름의 성막공정에 대하여 실시예 1를 상세하게 설명한다.Next, with reference to the accompanying drawings, Example 1 will be described in detail with respect to the film-forming process of the visible paraline film for light extraction of the organic light-emitting device according to the present invention.

도 1은 본 발명에 따른 유기발광소자의 광추출용 가시성 페럴린 필름의 제조방법을 도시한 블록도, 도 2는 본 발명의 실시예 1에 따른 유기발광소자의 광추출용 가시성 페럴린 필름 성막공정을 도시한 개념도, 도 3은 본 발명의 실시예 1에 따른 유기발광소자의 광추출용 가시성 페럴린 필름 성막공정의 순서를 도시한 작동도이다.1 is a block diagram illustrating a method of manufacturing a visible ferralin film for light extraction of an organic light emitting device according to the present invention, and FIG. 3 is a conceptual diagram illustrating the process, and FIG. 3 is an operational diagram illustrating the process of forming a visible paraline film for light extraction of an organic light emitting diode according to Example 1 of the present invention.

도 1 내지 도 3에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 유기발광소자의 광추출용 가시성 페럴린 필름의 제조방법은, 유기발광소자(100)의 상부에 가시성 페럴린 필름이 최적의 공정 조건으로 코팅되어 유기발광소자(100)의 광 추출 효율을 향상시킬 수 있는 성막공정을 제시한다.As shown in FIGS. 1 to 3 , in the method for manufacturing a visible ferralin film for light extraction of an organic light emitting device according to the present invention, the visible ferralin film on the organic light emitting device 100 is optimally processed. A film forming process capable of being coated to improve light extraction efficiency of the organic light emitting device 100 is presented.

이를 위해 본 발명은 기본적으로, 기화단계(S10), 제1이송단계(S20), 제1분해단계(S30), 제2이송단계(S40), 제1증착단계(S50), 냉각단계(S60)를 포함하여 이루어질 수 있다.To this end, the present invention is basically a vaporization step (S10), a first transfer step (S20), a first decomposition step (S30), a second transfer step (S40), a first deposition step (S50), a cooling step (S60) ) can be included.

그리고 도 2에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 가시성 페럴린 필름을 성막하는 장비는 기본적으로, 기화부(10), 분해부(30), 증착챔버(50), 콜드트랩(60), 진공펌프(70)를 포함하여 구성된다.And as shown in FIG. 2 , the equipment for forming a visible paraline film according to the present invention is basically a vaporization unit 10 , a decomposition unit 30 , a deposition chamber 50 , a cold trap 60 , a vacuum It is configured to include a pump (70).

유기발광소자용 페럴린 필름의 성막과정에 대하여 구체적으로 살펴보면, 상기 기화단계(S10)는, 파우더 형태의 다이머 페럴린을 기화부(10)에 투입하여 190 내지 270℃의 온도 범위에서 다이머 페럴린을 기화시키는 단계이다.Looking in detail with respect to the film formation process of the paralin film for an organic light emitting device, in the vaporization step (S10), dimer paralin in powder form is introduced into the vaporization unit 10 and dimer paralin in a temperature range of 190 to 270 ° C. is the vaporization step.

여기서 상기 기화부(10)는, 기화챔버로서 제1이송관(20)이 연결되어 후술되는 구성인 분해부(30)에 기화된 다이머 페럴린을 공급할 수 있다.Here, the vaporization unit 10 may supply vaporized dimer ferrelin to the decomposition unit 30 , which is a configuration to be described later, to which the first transfer pipe 20 is connected as a vaporization chamber.

이때, 상기 기화부(10)가 190℃보다 낮은 온도로 제어되면, 기화된 다이머 페럴린이 후술되는 구성인 분해부(30)를 통과하는 시간이 오래 걸리기 때문에 분해부(30)의 온도를 더욱 낮게 설정해야 하는 문제점이 발생한다.At this time, when the vaporization unit 10 is controlled to a temperature lower than 190° C., it takes a long time for the vaporized dimer ferralin to pass through the decomposition unit 30, which is a configuration to be described later, so that the temperature of the decomposition unit 30 is lowered. There is a problem that needs to be set.

그리고 상기 기화부(10)가 270℃보다 높은 온도로 제어되면, 기화된 다이머 페럴린이 후술되는 구성인 분해부(30)를 통과하는 시간이 매우 짧게 이루어지기 때문에 분해부(30)의 온도를 더 높여야 하는 문제점이 발생한다.And when the vaporization unit 10 is controlled to a temperature higher than 270 ° C., since the time for the vaporized dimer feralin to pass through the decomposition unit 30, which will be described later, is made very short, the temperature of the decomposition unit 30 is further increased. There is a problem that needs to be raised.

그리고 상기 제1이송단계(S20)는, 일단이 상기 기화부(10)에 연결되고 타단이 분해부(30)에 연결된 제1이송관(20)을 통해 기화된 다이머 페럴린을 분해부(30)로 이송하는 단계이다.And in the first transfer step (S20), one end is connected to the vaporization unit 10 and the other end is connected to the decomposition unit 30 through the first transfer pipe 20 connected to the vaporized dimer feralin decomposition unit 30 ) is transferred to

이때, 상기 제1이송관(20)의 내부 온도는 150℃ 내지 250℃로 제어되는 것이 바람직하다. 이를 통해, 다이머 페럴린이 승화되어 상기 분해부(30)로 이동하지 못하고 페럴린이 성막되어 제1이송관(20)의 내부에 페럴린이 뭉치는 것을 방지할 수 있다.At this time, it is preferable that the internal temperature of the first transfer pipe 20 is controlled to 150 °C to 250 °C. Through this, it is possible to prevent the dimer feralin from sublimating and not moving to the decomposing unit 30 , and from forming a film of ferrelin, thereby preventing aggregation of the ferrelin in the first transfer tube 20 .

다음으로, 상기 제1분해단계(S30)는, 상기 분해부(30)를 통해 기화된 다이머 페럴린을 가열하여 모노머 페럴린으로 변환시키는 단계이다. 여기서 분해부(30)는, 다이머 페럴린을 모노머 페럴린으로 변환시키는 분해챔버이다.Next, in the first decomposition step ( S30 ), the dimer feralin vaporized through the decomposition unit 30 is heated to convert it into the monomer ferralin. Here, the decomposition part 30 is a decomposition chamber which converts dimer feralin into monomeric feralin.

상기 제1분해단계(S30)에서, 상기 분해부(30)는 450 내지 550℃의 온도 범위에서 다이머 페럴린을 가열하여 모노머 페럴린으로 변환시키는 것이 바람직하고, 더욱 구체적으로 상기 분해부(30)의 온도는 490 내지 510℃로 제어될 수 있다.In the first decomposition step (S30), it is preferable that the decomposition unit 30 heats the dimer feralin in a temperature range of 450 to 550° C. to convert it into monomer feralin, and more specifically, the decomposition unit 30 The temperature may be controlled to 490 to 510 ℃.

이러한 분해부(30)의 온도는, 유기발광소자용 페럴린 필름 제조에 적용하였을 때 광추출 효율이 높으면서 유기발광소자(100)의 기판과의 접착력이 우수한 온도 조건이다.The temperature of the decomposition unit 30 is a temperature condition in which light extraction efficiency is high and adhesion of the organic light emitting device 100 to the substrate is excellent when applied to the manufacture of a paralin film for an organic light emitting device.

더욱 구체적으로, 도 5는 기화부(10)의 온도는 동일한 조건으로 진행하되 분해부(30)의 온도를 400 내지 700℃로 진행하여 페럴린 필름이 코팅된 OLED에 대하여 분해부(30)의 온도조건에 따른 광추출 효율과 접착력을 측정한 그래프를 나타낸 것이다.More specifically, in FIG. 5, the temperature of the vaporization unit 10 proceeds under the same conditions, but the temperature of the decomposition unit 30 is advanced to 400 to 700 ° C. The graph shows the measurement of light extraction efficiency and adhesion according to temperature conditions.

도 5에 나타난 바와 같이, 상기 분해부(30)의 온도가 450℃ 미만일 경우에는 접착성이 매우 낮아 OLED의 상부에 코팅된 상태를 안정적으로 유지할 수 없는 한계가 존재한다.As shown in FIG. 5 , when the temperature of the decomposition part 30 is less than 450° C., there is a limit in that the adhesiveness is very low, so that the state coated on the top of the OLED cannot be stably maintained.

그리고 상기 분해부(30)의 온도가 550℃를 초과한 경우에는 헤이즈가 점차 낮아지면서 광 추출 효율이 점차 낮아지는 문제점이 발생한다.In addition, when the temperature of the decomposing unit 30 exceeds 550° C., the haze gradually decreases and the light extraction efficiency gradually decreases.

즉, 유기발광소자(100)와의 접착성과 광추출 효율을 모두 만족할 수 있는 분해부(30)의 최적의 온도는 450 내지 550℃로서, 더욱 바람직하게는 500℃일 수 있다. That is, the optimum temperature of the decomposing unit 30 that can satisfy both adhesion and light extraction efficiency with the organic light emitting device 100 is 450 to 550 °C, and more preferably 500 °C.

그리고 상기 제2이송단계(S40)는, 일단이 분해부(30)에 연결되고 타단이 증착챔버(50)에 연결된 제2이송관(40)을 통해 상기 분해부(30)의 다이머 페럴린 및 모노머 페럴린을 증착챔버(50)로 이송하는 단계이다.And in the second transfer step (S40), the dimer ferralin of the decomposing unit 30 and This is a step of transferring the monomer ferralin to the deposition chamber 50 .

이때, 상기 제2이송관(40)의 내부 온도는 150℃ 이상으로 이루어질 수 있고, 구체적으로 150℃ 내지 250℃로 제어되는 것이 바람직하며, 이를 통해 제2이송관(30)의 내부에 페럴린이 성막되는 것을 방지할 수 있다.At this time, the internal temperature of the second transfer pipe 40 may be 150° C. or higher, and specifically, it is preferable to be controlled to 150° C. to 250° C., and through this, the ferrelin is introduced into the interior of the second conveying pipe 30 . film formation can be prevented.

상기 제1증착단계(S50)는, 상기 증착챔버(50)에 투입된 유기발광소자(100)의 상부에 다이머 페럴린 및 모노머 페럴린을 확산시켜 제1폴리머 필름막(210)을 형성하는 단계이다.The first deposition step ( S50 ) is a step of forming a first polymer film layer 210 by diffusing dimer feralin and monomer ferralin on the organic light emitting device 100 injected into the deposition chamber 50 .

상온조건으로 진행되는 증착단계(S50)에서 모노머 페럴린은 확산이 잘 이루어지지만 다이머 페럴린은 입자가 무거워 확산이 어렵기 때문에 상기 모노머 페럴린 및 다이머 페럴린의 균일한 확산이 어렵게 된다. In the deposition step (S50) carried out at room temperature, the monomeric feralin diffuses well, but the dimer feralin is difficult to diffuse because the particles are heavy, so uniform diffusion of the monomeric ferralin and the dimer ferralin is difficult.

이러한 다이머 페럴린 및 모노머 페럴린의 불균일한 확산을 방지하기 위하여, 상기 증착챔버(50)에는 다이머 페럴린 및 모노머 페럴린을 내부공간 전체에 균일하게 확산시키는 분배기(51)가 구비될 수 있다.In order to prevent the non-uniform diffusion of the dimer feralin and the monomeric feralin, the deposition chamber 50 may be provided with a distributor 51 for uniformly spreading the dimer feralin and the monomeric ferralin throughout the interior space.

그 다음으로는 냉각단계(S60)는, 콜드트랩(60)을 통해 제1증착단계(S50)를 마치고 이송된 페럴린 부산물을 응축시키는 단계이다.Next, the cooling step (S60) is a step of condensing the by-product of feralin transported after completing the first deposition step (S50) through the cold trap 60 .

상기 콜드트랩(60)은 증착챔버(50)의 페럴린 부산물을 공급받도록 일측이 증착챔버(50)에 연결되고 타측이 진공챔버에 연결될 수 있고, 상기 콜드트랩(60)은 -283 ~ 0℃의 온도범위로 냉각되는 것이 바람직하며, 더욱 구체적으로 상기 콜드트랩(60)은 -70℃ 미만의 온도로 이루어지는 것이 바람직하다.The cold trap 60 may have one side connected to the deposition chamber 50 and the other side connected to the vacuum chamber so as to receive the ferrelin by-product of the deposition chamber 50, and the cold trap 60 is -283 to 0°C. Preferably, it is cooled to a temperature range of

이러한 상기 냉각단계(S60)에서 상기 콜드트랩(60)을 통해 페럴린 부산물을 응축시키므로 상기 진공펌프(70)에 페럴린 부산물이 유입되지 않게 된다.In the cooling step (S60), since the by-product of feralin is condensed through the cold trap 60, the by-product of feralin does not flow into the vacuum pump 70.

그리고 상기 진공펌프(70)는 상기 기화부(10), 분해부(30), 증착챔버(50) 및 콜드트랩(60)의 진공을 유지하도록 제어한다.And the vacuum pump 70 controls to maintain the vacuum of the vaporization unit 10 , the decomposition unit 30 , the deposition chamber 50 , and the cold trap 60 .

도 4에 도시된 바와 같이, 페럴린 파우더는 기화부(10)에 투입되어 분해부(30)를 거쳐 증착챔버에 이송되어 유기발광소자(100)의 글라스 또는 플라스틱의 상부에 페럴린 필름(200)을 형성할 수 있다.As shown in FIG. 4 , the ferrelin powder is put into the vaporization unit 10 , passes through the decomposition unit 30 , and is transferred to the deposition chamber, and the ferralin film 200 is placed on the glass or plastic of the organic light emitting device 100 . ) can be formed.

그리고 본 발명에 따라 제조된 가시성 페럴린 필름(200)은, 유기발광소자의 전기적 특성에 영향을 미치지 않으면서 헤이즈를 증가시켜 가시성을 가짐으로써 빛 향상 특성을 증가시키는 효과가 있다.In addition, the visibility ferrulein film 200 manufactured according to the present invention has an effect of increasing the light-enhancing properties by increasing the haze without affecting the electrical properties of the organic light-emitting device to have visibility.

[실시예 2][Example 2]

다음에서 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 유기발광소자의 광추출용 가시성 페럴린 필름의 제조방법에 대하여 실시예 2를 상세하게 설명한다.Next, with reference to the accompanying drawings, Example 2 will be described in detail with respect to a method for manufacturing a visible ferralin film for light extraction of an organic light emitting device according to the present invention.

실시예 2에서는 실시예 1을 포함하여 대응되는 구성에 대해 동일한 도면부호를 사용하도록 한다.In the second embodiment, the same reference numerals are used for the corresponding components including the first embodiment.

도 6은 본 발명의 실시예 2에 따른 유기발광소자의 광추출용 가시성 페럴린 필름 성막공정을 도시한 개념도, 도 7 내지 8은 본 발명의 실시예 2에 따른 유기발광소자의 광추출용 가시성 페럴린 필름 성막공정의 진행을 도시한 작동도, 도 9는 본 발명의 실시예 2에 따라 제조된 다층 구조의 페럴린 필름을 도시한 개념도이다.6 is a conceptual diagram illustrating a process for forming a visible paralin film for light extraction of an organic light emitting device according to Example 2 of the present invention, and FIGS. 7 to 8 are visibility for light extraction of an organic light emitting device according to Example 2 of the present invention An operational diagram showing the progress of the paralin film forming process, FIG. 9 is a conceptual diagram illustrating a parallin film having a multilayer structure manufactured according to Example 2 of the present invention.

실시예 1은 하나의 분해부(30) 조건으로 성막된 단층구조의 필름으로 이루어졌으나, 실시예 2는 도 6 내지 도 9에 도시된 바와 같이 분해부(30)의 온도 조건이 서로 다르게 성막된 다층구조의 필름으로 구성된다.Example 1 was made of a film of a single-layer structure formed under the condition of one decomposing unit 30, but in Example 2, the temperature conditions of the decomposing unit 30 were different from each other as shown in FIGS. 6 to 9. It is composed of a multi-layered film.

이를 위해, 분해단계는, 상기 기화부(10)를 통해 190 내지 270℃에서 기화된 다이머 페럴린을 상기 분해부(30)로 이송하여 650 내지 750℃의 온도 범위에서 가열하여 모노머 페럴린으로 변환시키는 제1분해단계(S30)와, 상기 기화부(10)를 통해 190 내지 270℃에서 기화된 다이머 페럴린을 상기 분해부(30)로 이송하여 350 내지 450℃의 온도 범위에서 가열하여 모노머 페럴린으로 변환시키는 제2분해단계(S31)와, 상기 기화부(10)를 통해 190 내지 270℃에서 기화된 다이머 페럴린을 상기 분해부(30)로 이송하여 650 내지 750℃의 온도 범위에서 가열하여 모노머 페럴린으로 변환시키는 제3분해단계(S32)로 이루어질 수 있다.To this end, in the decomposition step, the dimer feralin vaporized at 190 to 270 ° C through the vaporization unit 10 is transferred to the decomposition unit 30 and heated in a temperature range of 650 to 750 ° C. In the first decomposition step (S30), the dimer ferralin vaporized at 190 to 270 ° C through the vaporization unit 10 is transferred to the decomposition unit 30 and heated in a temperature range of 350 to 450 ° C. to form a monomer ferrule In the second decomposition step (S31) of converting to lean, dimer feralin vaporized at 190 to 270 ° C through the vaporization unit 10 is transferred to the decomposition unit 30 and heated in a temperature range of 650 to 750 ° C. and a third decomposition step (S32) of converting it into the monomer ferralin.

그리고 증착단계는, 제1분해단계(S30)를 진행한 후 증착챔버(50)로 이송하여 유기발광소자(100)의 상부에 제1폴리머 필름막(210)을 형성하는 제1증착단계(S50)와, 제2분해단계(S31)를 진행한 후 증착챔버(50)로 이송하여 상기 제1폴리머 필름막(210)의 상부에 제2폴리머 필름막(220)을 형성하는 제2증착단계(S51)와, 제3분해단계(S32)를 진행한 후 증착챔버(50)로 이송하여 상기 제2폴리머 플림막(220)의 상부에 제3폴리머 필름막(230)을 형성하는 제3증착단계(S52)로 이루어질 수 있다.And the deposition step, after the first decomposition step (S30) is transferred to the deposition chamber 50 to form a first polymer film film 210 on top of the organic light emitting device 100 (S50) And, after the second decomposition step (S31) is transferred to the deposition chamber 50 to form a second polymer film film 220 on top of the first polymer film film 210 (S51) and , after performing the third decomposition step (S32), transfer to the deposition chamber 50 to form a third polymer film film 230 on the second polymer film 220 in the third deposition step (S52) can be done

즉, 650 내지 750℃의 온도로 이루어진 분해부(30)를 통과한 다이머 페럴린 및 모노머 페럴린을 이용하여 유기발광 소자의 상부에 제1폴리머 필름막(210)을 형성하는 제1증착단계(S50)를 마치고, 상기 기화부(10)를 통해 기화된 다이머 페럴린을 상기 분해부(30)로 이송하여 350 내지 450℃의 온도 범위에서 가열하여 모노머 페럴린으로 변환시키는 제2분해단계를 진행한 후 상기 증착챔버(50)로 이송하여 상기 증착챔버(50)에서 제1폴리머 필름막(210)의 상면에 제2폴리머 필름막(220)을 형성하는 제2증착단계(S51)를 더 진행할 수 있다.That is, a first deposition step (S50) of forming a first polymer film film 210 on the organic light emitting device using dimer feralin and monomer ferralin that have passed through the decomposition unit 30 at a temperature of 650 to 750°C (S50). ), the second decomposition step of transferring the vaporized dimer ferrelin through the vaporization unit 10 to the decomposition unit 30 and heating it at a temperature range of 350 to 450 ° C. Thereafter, the second deposition step ( S51 ) of forming a second polymer film film 220 on the upper surface of the first polymer film film 210 in the deposition chamber 50 may be further performed by transferring it to the deposition chamber 50 .

그리고 상기 제2증착단계(S51)를 마치고, 상기 기화부(10)를 통해 기화된 다이머 페럴린을 상기 분해부(30)로 이송하여 650 내지 750℃의 온도 범위에서 가열하여 모노머 페럴린으로 변환시키는 제3분해단계를 진행한 후 상기 증착챔버(50)로 이송하여 상기 증착챔버(50)에서 제2폴리머 필름막(220)의 상면에 제3폴리머 필름막(230)을 형성하는 제3증착단계(S52)를 더 진행할 수 있다.And after the second deposition step (S51) is completed, the dimer ferralin vaporized through the vaporization unit 10 is transferred to the decomposition unit 30 and heated in a temperature range of 650 to 750° C. A third deposition step of forming a third polymer film film 230 on the upper surface of the second polymer film 220 in the deposition chamber 50 by transferring it to the deposition chamber 50 after performing the third decomposition step ( S52) may be further performed.

이를 통해, 상기 유기발광소자(100)의 상면에는 다층의 필름막을 형성될 수 있다.Through this, a multi-layered film film may be formed on the upper surface of the organic light emitting device 100 .

더욱 구체적으로, 상기 유기발광소자(100)의 상면에는, 분해부(30)에서 온도가 650 내지 750℃로 진행되어 성막된 제1폴리머 필름막(210)과, 분해부(30)에서 온도가 350 내지 450℃로 진행되어 성막된 제2폴리머 필름막(220)과, 분해부(30)에서 온도가 650 내지 750℃로 진행된 제3폴리머 필름막(230)이, 하측에서 상측으로 순차적으로 적층될 수 있다.More specifically, on the upper surface of the organic light emitting device 100, the first polymer film film 210 formed by proceeding to a temperature of 650 to 750° C. in the decomposition unit 30, and a temperature of 350 in the decomposition unit 30 The second polymer film film 220 formed at a temperature of 450 to 450° C. and the third polymer film film 230 having a temperature of 650 to 750° C. in the decomposition unit 30 may be sequentially stacked from the lower side to the upper side. .

이를 통해 유기발광소자의 상면에 코팅된 상기 제1폴리머 필름막(210)은 접착력이 우수하여, 유기발광소자(100)의 글라스 또는 플라스틱 등의 기판에 코팅된 상태를 안정적으로 유지할 수 있다.Through this, the first polymer film film 210 coated on the upper surface of the organic light emitting device has excellent adhesion, so that it is possible to stably maintain the coated state on the substrate such as glass or plastic of the organic light emitting device 100 .

이때, 유기발광소자(100)의 상부기판은 글라스에 한정되지 않고 플라스틱 등 다양한 기판으로 이루어질 수 있다.In this case, the upper substrate of the organic light emitting device 100 is not limited to glass, but may be made of various substrates such as plastic.

더욱 구체적으로, 상기 제1폴리머 필름막(210)은 700℃, 제2폴리머 필름은 400℃, 제3폴리머 필름막(230)은 700℃에서 분해단계가 이루어지는 것이 바람직하다.More specifically, the decomposition step is preferably performed at 700°C for the first polymer film film 210 , 400°C for the second polymer film, and 700°C for the third polymer film film 230 .

이를 통해 상기 제1폴리머 필름막(210)은 접착성이 우수하여 유기발광소자(100)의 글라스의 상부에 증착된 상태를 안정적으로 유지할 수 있고 상기 제2폴리머 필름막(220)은 광 추출 효율을 만족할 수 있도록 하며, 상기 제3폴리머 필름막(230)은 가장 상측에 위치하고 내크래치성이 우수하여 공정 작업 중의 스크래치 발생을 방지할 수 있다.Through this, the first polymer film film 210 can stably maintain the deposited state on the glass of the organic light emitting device 100 due to excellent adhesion, and the second polymer film film 220 can satisfy light extraction efficiency. and the third polymer film film 230 is located on the uppermost side and has excellent scratch resistance, so that it is possible to prevent scratching during the process operation.

이와 같이 다층 구조의 필름을 효율적으로 형성하기 위한 일례로서, 상기 분해부(30)를 두 개의 챔버로 구성하여 각각 독립적인 온도 제어가 가능하도록 이루어질 수도 있다.As an example for efficiently forming a film having a multilayer structure as described above, the decomposition unit 30 may be configured in two chambers to enable independent temperature control.

더욱 구체적으로, 상기 분해부(30)는, 일단이 상기 기화부(10)에 각각 연결되되 독립적인 온도 제어가 가능한 제1분해챔버(31) 및 제2분해챔버(32)로 구성될 수 있다.More specifically, the decomposition unit 30 may include a first decomposition chamber 31 and a second decomposition chamber 32 each having one end connected to the vaporization unit 10 and capable of independent temperature control. .

이때, 상기 제1이송관(20)은 일단이 상기 기화부(10)에 연결되고 타단이 제1분해챔버(31)에 연결된 제1-1이송관(21)과, 일단이 상기 기화부(10)에 연결되고 타단이 제2분해챔버(32)에 연결된 제1-1이송관(22)으로 이루어질 수도 있다.At this time, the first transfer pipe 20 has a 1-1 transfer pipe 21, one end connected to the vaporization unit 10 and the other end connected to the first decomposition chamber 31, and one end connected to the vaporization unit ( 10) and the other end may be formed of a 1-1 transfer pipe 22 connected to the second decomposition chamber 32.

그리고 상기 제2이송관(40)은, 일단이 상기 제1분해챔버(31)에 연결되고 타단이 상기 증착챔버(50)에 연결되는 제2-1이송관(41)과, 일단이 상기 제2분해챔버(32)에 연결되고 타단이 상기 증착챔버(50)에 연결되는 제2-2이송관(42)으로 구성될 수 있다.In addition, the second transfer pipe 40 includes a 2-1 transfer pipe 41 having one end connected to the first decomposition chamber 31 and the other end connected to the deposition chamber 50 , and one end connected to the second transfer pipe 40 . It may be composed of a 2-2 second transfer pipe 42 connected to the second decomposition chamber 32 and the other end connected to the deposition chamber 50 .

이때, 상기 상기 제1분해챔버(31)는 650 내지 750℃의 온도로 제어되고, 상기 제2분해챔버(32)는 350 내지 450℃의 온도로 제어될 수 있다.In this case, the first decomposition chamber 31 may be controlled at a temperature of 650 to 750 °C, and the second decomposition chamber 32 may be controlled at a temperature of 350 to 450 °C.

즉, 제1증착단계(S50)는 상기 제1분해챔버(31)에서 변환된 모노머 페럴린을 통해 증착할 수 있고, 제2증착단계(S51)는 상기 제2분해챔버(32)에서 변환된 모노머 페럴린을 증착챔버(50)에 공급받아 증착할 수 있으며, 상기 제3증착단계(S52)는 상기 제1분해챔버(31)에서 변환된 모노머 페럴린을 증착챔버(50)에 전달받음으로써, 다층 구조의 필름막을 형성할 수 있다.That is, the first deposition step ( S50 ) may be performed through the monomer ferralin converted in the first decomposition chamber 31 , and the second deposition step ( S51 ) is performed in the second decomposition chamber 32 . The monomeric ferralin may be supplied to the deposition chamber 50 for deposition, and the third deposition step (S52) is performed by receiving the monomeric ferralin converted in the first decomposition chamber 31 to the deposition chamber 50. , it is possible to form a film film having a multilayer structure.

더불어, 상기 제2증착단계(S51), 제3증착단계(S52)를 마친 페럴린 부산물을 콜드트탭으로 이송하여 응축시키는 냉각단계(S60)를 더 진행할 수 있음은 당연하다.In addition, it is natural that the cooling step (S60) of transferring the by-product of ferralin after the second deposition step (S51) and the third deposition step (S52) to the cold tap and condensing it can be further performed.

아울러, 본 발명에서 페럴린 필름 성막에 사용되는 페럴린 성막 장치에는, 일단이 한 쌍의 제1이송관(20)에 연결되고 타단이 한 쌍의 분해챔버(31, 32)에 연결되어 기화된 다이머 페럴린의 흐름을 제어하는 한 쌍의 제1바이패스부(80. 80')와, 일단이 한 쌍의 제2이송관(40)에 연결되고 타단이 콜드트랩(60)에 연결되어 페럴린 및 모노머 페럴린의 흐름을 제어하는 한 쌍의 제2바이패스부(90, 90')가 더 구비될 수도 있다.In addition, in the paralin film forming apparatus used for forming a paralin film in the present invention, one end is connected to a pair of first transfer tubes 20 and the other end is connected to a pair of decomposition chambers 31 and 32 to be vaporized A pair of first bypass units 80 and 80 ′ for controlling the flow of dimer ferrulein, one end is connected to the pair of second transfer pipes 40 and the other end is connected to the cold trap 60 , so that the ferrule A pair of second bypass units 90 and 90 ′ for controlling the flow of lean and monomer ferralin may be further provided.

이러한 상기 제1바이패스부(80. 80')를 통해 기화부(10)에서 상기 제1분해챔버(31) 및 제2분해챔버(32)로 다이머 페럴린의 선택적인 공급이 가능하고 상기 제2바이패스부(90, 90')를 통해 상기 제1분해챔버(31) 및 제2분해챔버(32)에서 증착챔버(50)로 선택적인 공급이 이루어질 수 있다.It is possible to selectively supply dimer ferrelin from the vaporization unit 10 to the first decomposition chamber 31 and the second decomposition chamber 32 through the first bypass unit 80. 80', and The selective supply from the first decomposition chamber 31 and the second decomposition chamber 32 to the deposition chamber 50 may be made through the two bypass units 90 and 90 ′.

상기 제1이송단계에서 제1바이패스부(80. 80')를 통해 기화단계를 마치고 기화된 다이머 페럴린을 상기 제1분해챔버(31) 및 제2분해챔버(32)로 선택적으로 공급하는 제1바이패스단계를 더 포함할 수도 있다.In the first transfer step, after the vaporization step is completed through the first bypass unit 80. 80', the vaporized dimer ferralin is selectively supplied to the first decomposition chamber 31 and the second decomposition chamber 32 A first bypass step may be further included.

더불어, 상기 제2이송단계에서, 분해단계를 마치고 상기 제2바이패스부(90, 90')를 통해 상기 제1분해챔버(31) 또는 제2분해챔버(32)로부터 이송된 다이머 페럴린 및 모노머 페럴린을 응축시키는 냉각단계로 선택적으로 이송시키는 제2바이패스 단계를 더 포함할 수도 있다.In addition, in the second transfer step, after the decomposition step, the dimer ferralin transferred from the first decomposition chamber 31 or the second decomposition chamber 32 through the second bypass units 90 and 90 ′ and The method may further include a second bypass step of selectively transferring the monomer ferralin to a cooling step for condensing.

이러한 제2바이패스 단계를 통해, 상기 제1분해챔버(31) 또는 제2분해챔버(32)에서 변환된 모노머 페럴린을 증착챔버(50)로 이송하지 않고 상기 콜드트랩(60)으로 선택적으로 이송하여 상기 증착단계를 생략하고 냉각단계로 진행하게 된다.Through this second bypass step, the monomer ferralin converted in the first decomposition chamber 31 or the second decomposition chamber 32 is selectively transferred to the cold trap 60 without transferring it to the deposition chamber 50 . It is transferred to skip the deposition step and proceed to the cooling step.

즉, 제1분해챔버(31)와 및 제2분해챔버(32)의 동시 구동이 가능하면서 선택적인 사용이 가능하게 된다.That is, while simultaneously driving the first decomposition chamber 31 and the second decomposition chamber 32 is possible, selective use is possible.

제2바이패스 단계를 진행하여 상기 제2분해챔버(32)의 제2바이패스부(90')가 작동하게 되면, 상기 제2분해챔버(32)의 모노머 페럴린 및 다이머 페럴린이 상기 증착챔버(50)를 통과하지 않고 상기 콜드트랩(60)으로 바이패스되어 모노머 페럴린 및 다이머 페럴린이 응축되게 되고, 상기 제1분해챔버(31)의 재료 및 조건으로 생성된 모노머 페럴린 및 다이머 페럴린이 증착될 수 있다.When the second bypass unit 90' of the second decomposition chamber 32 is operated through the second bypass step, the monomer ferralin and the dimer ferralin of the second decomposition chamber 32 are transferred to the deposition chamber. It does not pass through 50 and is bypassed to the cold trap 60 to condense monomer ferralin and dimer feralin, and monomer ferralin and dimer ferralin generated by the materials and conditions of the first decomposition chamber 31 are can be deposited.

즉, 하나의 기화부(10)가 제1분해챔버(21) 및 제2분해챔버(22)로 이루어진 분해부(20)에 연결되고 상기 기화부(10)에서 기화된 다이머 페럴린의 흐름을 제어할 수 있고, 다층구조의 페럴린 필름으로 효율적으로 성막할 수 있다.That is, one vaporization unit 10 is connected to the decomposition unit 20 including the first decomposition chamber 21 and the second decomposition chamber 22 and controls the flow of dimer ferralin vaporized in the vaporization unit 10 . It can be controlled and can be efficiently formed into a multi-layered parallin film.

도면과 더불어 살펴보면, 도 7에 도시된 바와 같이, 상기 제1분해챔버(31)에서 분해된 재료만 증착챔버(50)에 이송될 수도 있고, 도 8에 도시된 바와 같이, 상기 제2분해챔버(32)에서 분해된 재료만 증착챔버(50)에 이송될 수도 있다.Referring together with the drawings, as shown in FIG. 7 , only the material decomposed in the first decomposition chamber 31 may be transferred to the deposition chamber 50 , and as shown in FIG. 8 , the second decomposition chamber Only the material decomposed in (32) may be transferred to the deposition chamber (50).

도 9에 도시된 바와 같이, 본 발명의 실시예 2에 따라 제조된 페럴린 필름은 유기발광소자의 상부에 다층 구조로 형성될 수 있고, 유기발광소자 GLASS의 상부에 제1폴리머 필름막(210), 제2폴리머 필름막(220), 제3폴리머 필름막(230)이 하측에서 상측으로 순차적으로 적층되도록 형성될 수 있다.As shown in FIG. 9 , the paralin film prepared according to Example 2 of the present invention may be formed in a multi-layer structure on top of the organic light emitting device, and a first polymer film film 210 on the organic light emitting device glass. , the second polymer film film 220 and the third polymer film film 230 may be sequentially stacked from the lower side to the upper side.

[[ 실험예Experimental example 1] One] 페럴린Ferroline 필름 film 증착여부에on deposition 따른 followed 유기발광소소자의organic light emitting device 광특성과optical properties 전기적 특성의 측정 Measurement of electrical properties

도 10은 분해부(30)의 온도를 400℃, 450℃, 500℃로 제어하여 형성한 페럴린 필름을 적용한 OLED의 EL 스펙트럼이고, 도 11은 페럴린 필름이 코팅된 OELD의 광 효율 증가 그래프(at 7V), 도 12는 본 발명에 따른 가시성 페럴린 필름이 코팅되지 않은 OLED와 가시성 페럴린 필름이 코팅된 OLED의 J-V-L 그래프이다.10 is an EL spectrum of an OLED to which a paralin film formed by controlling the temperature of the decomposition unit 30 to 400°C, 450°C, and 500°C, and FIG. (at 7V), FIG. 12 is a JVL graph of an OLED not coated with a visible feralin film and an OLED coated with a visible ferralin film according to the present invention.

이때, 실험에 사용된 OLED는 Aluminum(100nm), LiF(1.2nm), Alq3(70nm), NPB(90nm), MoO3(4nm), ITO, GLASS, Parylene이 순차적으로 적층된 구조로 이루어진다.At this time, the OLED used in the experiment has a structure in which Aluminum (100 nm), LiF (1.2 nm), Alq 3 (70 nm), NPB (90 nm), MoO 3 (4 nm), ITO, GLASS, and Parylene are sequentially stacked.

도 10 내지 도 12에서, Reference는 페럴린 필름이 코팅되지 않은 OLED 시료이고 with visible parylene은 페럴린 필름이 코팅된 OLED 시료를 의미한다.10 to 12 , Reference denotes an OLED sample on which a parylene film was not coated, and with visible parylene denotes an OLED sample on which a parylene film was coated.

도 10 및 도 11에 도시된 바와 같이, 페럴린 필름을 코팅한 OLED가 더 많은 빛을 방출하고, PR650 분광학측정기를 이용하여 7V의 구동 전압에서 측정하였을 때 페럴린 필름이 코팅되지 않은 OLED보다 페럴린 필름이 코팅된 OLED의 광 추출 효율이 현저하게 증가한 것으로 확인되었다.As shown in FIGS. 10 and 11 , the OLED coated with the ferralin film emits more light, and when measured at a driving voltage of 7V using a PR650 spectrophotometer, the ferrule film is more ferrule than the uncoated OLED. It was confirmed that the light extraction efficiency of the Lean film-coated OLED was significantly increased.

그리고 도 12에 도시된 바와 같이, 페럴린 필름이 코팅되지 않은 OLED와 페럴린 필름이 코팅된 OLED의 J-V가 일치하므로, 본 발명에 따른 OLED에 코팅된 가시성 페럴린 필름은, OLED의 전기적 특성에 영향을 미치지 않으면서 빛 향상 특성을 증가시키는 확인하였다.And, as shown in FIG. 12 , since the JV of the OLED on which the paralin film is not coated and the OLED on which the paralin film is coated match, the visible paralin film coated on the OLED according to the present invention has an effect on the electrical properties of the OLED. It was confirmed to increase the light-enhancing properties without affecting it.

본 발명의 권리는 위에서 설명된 실시예에 한정되지 않고 청구범위에 기재된 바에 의해 정의되며, 본 발명의 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 청구범위에 기재된 권리범위 내에서 다양한 변형과 개작을 할 수 있다는 것은 자명하다..The right of the present invention is not limited to the above-described embodiments, but is defined by the claims, and a person of ordinary skill in the art can make various modifications and adaptations within the scope of the claims. It is self-evident...

10 : 기화부 20 : 제1이송관
21 : 제1-1이송관 22 : 제1-2이송관
30 : 분해부 31 : 제1분해챔버
32 : 제2분해챔버 40 : 제2이송관
41 : 제2-1이송관 42 : 제2-2이송관
50 : 증착챔버 51 : 분배기
60 : 콜드트랩 70 : 진공펌프
80, 80' : 제1바이패스부 90, 90' : 제2바이패스부
100 : 유기발광소자 200 : 페럴린 필름
210 : 제1폴리머 필름막 220 : 제2폴리머 필름막
230 : 제3폴리머 필름막
10: vaporizer 20: first transfer pipe
21: No. 1-1 transfer pipe 22: No. 1-2 transfer pipe
30: decomposition unit 31: first decomposition chamber
32: second decomposition chamber 40: second transfer pipe
41: No. 2-1 transfer tube 42: No. 2-2 transfer tube
50: deposition chamber 51: distributor
60: cold trap 70: vacuum pump
80, 80': first bypass unit 90, 90': second bypass unit
100: organic light emitting device 200: paraline film
210: first polymer film film 220: second polymer film film
230: third polymer film film

Claims (6)

파우더 형태의 다이머 페럴린을 기화부(10)에 투입하여 190 내지 270℃의 온도 범위에서 다이머 페럴린을 기화시키는 기화단계(S10);
제1이송관(20)을 통해 기화된 다이머 페럴린을 분해부(30)로 이송하는 제1이송단계(S20);
상기 분해부(30)를 통해 기화된 다이머 페럴린을 가열하여 모노머 페럴린으로 변환시키는 제1분해단계(S30);
제2이송관(40)을 통해 상기 분해부(30)의 다이머 페럴린 및 모노머 페럴린을 증착챔버(50)로 이송하는 제2이송단계(S40);
상기 증착챔버(50)에 투입된 유기발광소자(100)의 상부에 다이머 페럴린 및 모노머 페럴린을 확산시켜 제1폴리머 필름막(210)을 형성하는 제1증착단계(S50); 및
상기 제1증착단계(S50)를 마치고 페럴린 부산물을 콜드트랩(60)에 이송하여 응축시키는 냉각단계(S60);를 포함하는 유기발광소자의 광추출용 가시성 페럴린 필름의 제조방법.
A vaporization step (S10) of injecting the dimer feralin in powder form into the vaporization unit 10 to vaporize the dimer ferrelin at a temperature range of 190 to 270°C;
A first transfer step (S20) of transferring the vaporized dimer feralin through the first transfer pipe (20) to the decomposition unit (30);
a first decomposition step (S30) of heating the dimer feralin vaporized through the decomposition unit 30 to convert it into monomer feralin;
a second transfer step (S40) of transferring the dimer feralin and the monomer feralin of the decomposing unit 30 to the deposition chamber 50 through the second transfer pipe 40;
a first deposition step (S50) of forming a first polymer film film 210 by diffusing dimer paralin and monomer paralin on the organic light emitting device 100 put into the deposition chamber 50; and
A method of manufacturing a visible ferralin film for light extraction of an organic light emitting diode comprising a; cooling step (S60) of condensing the paraline by-product by transferring it to the cold trap (60) after completing the first deposition step (S50).
제1항에 있어서,
상기 제1분해단계(S30)에서, 상기 분해부(30)는 450 내지 550℃의 온도 범위에서 다이머 페럴린을 가열하여 모노머 페럴린으로 변환시키는 것을 특징으로 하는 유기발광소자의 광추출용 가시성 페럴린 필름의 제조방법.
The method of claim 1,
In the first decomposition step (S30), the decomposition unit 30 heats the dimer ferrelin in a temperature range of 450 to 550° C. and converts it into monomer ferrelin. A method for manufacturing a lean film.
제1항에 있어서,
상기 제1분해단계(S30)에서 상기 분해부(30)의 온도는 650 내지 750℃로 이루어지고,
상기 제1증착단계(S50)를 마치고,
상기 기화부(10)를 통해 기화된 다이머 페럴린을 상기 분해부(30)로 이송하여 350 내지 450℃의 온도 범위에서 가열하여 모노머 페럴린으로 변환시키는 제2분해단계를 진행한 후 상기 증착챔버(50)로 이송하여 상기 증착챔버(50)에서 제1폴리머 필름막(210)의 상측에 제2폴리머 필름막(220)을 형성하는 제2증착단계와,
상기 기화부(10)를 통해 기화된 다이머 페럴린을 상기 분해부(30)로 이송하여 650 내지 750℃의 온도 범위에서 가열하여 모노머 페럴린으로 변환시키는 제3분해단계를 진행한 후 상기 증착챔버(50)로 이송하여 상기 증착챔버(50)에서 제2폴리머 필름막(220)의 상측에 제3폴리머 필름막(230)을 형성하는 제3증착단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광소자의 광추출용 가시성 페럴린 필름의 제조방법.
The method of claim 1,
The temperature of the decomposition unit 30 in the first decomposition step (S30) is made of 650 to 750 °C,
After the first deposition step (S50),
After carrying out the second decomposition step of transferring the vaporized dimer feralin through the vaporization unit 10 to the decomposing unit 30, heating it in a temperature range of 350 to 450° C. to convert it into monomeric feralin, the deposition chamber a second deposition step of transferring to (50) to form a second polymer film film 220 on the upper side of the first polymer film film 210 in the deposition chamber 50;
After carrying out the third decomposition step of transferring the dimer ferrelin vaporized through the vaporization unit 10 to the decomposition unit 30, heating it in a temperature range of 650 to 750° C. to convert it into monomer ferrelin, the deposition chamber The light of the organic light emitting device, characterized in that it further comprises a third deposition step of transferring to (50) and forming a third polymer film film (230) on the upper side of the second polymer film film (220) in the deposition chamber (50) A method for producing a visible ferralin film for extraction.
제3항에 있어서,
상기 분해부(30)는, 일단이 상기 기화부(10)에 각각 연결되되 독립적인 온도 제어가 가능한 제1분해챔버(31) 및 제2분해챔버(32)로 구성되고,
상기 제1분해챔버(31)는 650 내지 750℃의 온도로 제어되고, 상기 제2분해챔버(32)는 350 내지 450℃의 온도로 제어되어,
상기 제2분해단계는, 상기 제2분해챔버(32)를 통해 다이머 페럴린을 모노머 페럴린으로 변환시키고,
상기 제1분해단계 및 제3분해단계는, 상기 제1분해챔버(31)를 통해 다이머 페럴린을 모노머 페럴린으로 변환시키는 것을 특징으로 하는 유기발광소자의 광추출용 가시성 페럴린 필름의 제조방법.
4. The method of claim 3,
The decomposition unit 30 is composed of a first decomposition chamber 31 and a second decomposition chamber 32 each having one end connected to the vaporization unit 10 and capable of independent temperature control,
The first decomposition chamber 31 is controlled to a temperature of 650 to 750 ℃, the second decomposition chamber 32 is controlled to a temperature of 350 to 450 ℃,
In the second decomposition step, dimer feralin is converted into monomeric feralin through the second decomposition chamber 32,
In the first decomposition step and the third decomposition step, the dimer paralin is converted into the monomer paralin through the first decomposition chamber 31 . .
제1항에 있어서,
상기 제1이송관(20) 및 상기 제2이송관(40)의 내부 온도는 150℃ 내지 250℃로 제어되는 것을 특징으로 하는 유기발광소자의 광추출용 가시성 페럴린 필름의 제조방법.
The method of claim 1,
The method of manufacturing a visible parallin film for light extraction of an organic light emitting device, characterized in that the internal temperature of the first transfer tube 20 and the second transfer tube 40 is controlled to 150 ℃ to 250 ℃.
제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 따른 제조방법으로 제조되는 것을 특징으로 하는 유기발광소자의 광추출용 가시성 페럴린 필름.[Claim 6] Visible paraline film for light extraction of an organic light emitting device, characterized in that it is manufactured by the manufacturing method according to any one of claims 1 to 5.
KR1020200115711A 2020-09-09 2020-09-09 Visible parylene film for light extraction of organic light emitting diodes and manufacturing method thereof KR102500241B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020200115711A KR102500241B1 (en) 2020-09-09 2020-09-09 Visible parylene film for light extraction of organic light emitting diodes and manufacturing method thereof

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020200115711A KR102500241B1 (en) 2020-09-09 2020-09-09 Visible parylene film for light extraction of organic light emitting diodes and manufacturing method thereof

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20220033385A true KR20220033385A (en) 2022-03-16
KR102500241B1 KR102500241B1 (en) 2023-02-14

Family

ID=80937890

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020200115711A KR102500241B1 (en) 2020-09-09 2020-09-09 Visible parylene film for light extraction of organic light emitting diodes and manufacturing method thereof

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR102500241B1 (en)

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR200332237Y1 (en) 2003-08-07 2003-11-05 (주)누리셀 Parylene polymer film coating system
KR20050082060A (en) * 2004-02-17 2005-08-22 삼성에스디아이 주식회사 Oled whit thin film encapsulation layer, manufacturing method thereof, and forming apparatus for the film
KR20190060272A (en) * 2017-11-24 2019-06-03 주식회사 아이오에프 Vaporization device for parylene deposition apparatus enable to control dischare of vaporized parylene, method for operating the same, and parylene deposition apparatus having the same

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR200332237Y1 (en) 2003-08-07 2003-11-05 (주)누리셀 Parylene polymer film coating system
KR20050082060A (en) * 2004-02-17 2005-08-22 삼성에스디아이 주식회사 Oled whit thin film encapsulation layer, manufacturing method thereof, and forming apparatus for the film
KR20190060272A (en) * 2017-11-24 2019-06-03 주식회사 아이오에프 Vaporization device for parylene deposition apparatus enable to control dischare of vaporized parylene, method for operating the same, and parylene deposition apparatus having the same

Also Published As

Publication number Publication date
KR102500241B1 (en) 2023-02-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5656176B2 (en) Organic electronic device and method for producing organic electronic device
Zhang et al. All-solution processed composite hole transport layer for quantum dot light emitting diode
CN108417739B (en) A kind of perovskite light emitting diode and preparation method thereof based on spraying process
Hippola et al. Enhanced light extraction from OLEDs fabricated on patterned plastic substrates
WO2015107702A1 (en) Gas-barrier film
CN103165819A (en) Split electrode for organic devices
Huang et al. The influence of the hole transport layers on the performance of blue and color tunable quantum dot light‐emitting diodes
CN108565346A (en) A kind of double-colored full fluorescence white light OLED device
CN102683608A (en) Organic electroluminescent device and preparation method of organic electroluminescent device
CN103258965B (en) A kind of thin-film packing structure of top-illuminating OLED device and preparation method thereof
CN113285049B (en) Method for preparing tungsten trioxide OLED external light extraction layer with high light extraction efficiency by ultrasonic spraying
Chen et al. Enhancement and quenching of fluorescence by silver nanoparticles in organic light-emitting diodes
KR102500241B1 (en) Visible parylene film for light extraction of organic light emitting diodes and manufacturing method thereof
Xu et al. Polymer Gating White Flexible Field‐Induced Lighting Device
CN112750958B (en) White organic electroluminescent device realized by blue dye and exciplex
Park et al. Photoluminescence and Electroluminescence from Polymer-Like Organic Thin Films Deposited by Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition Using Para-Xylene as Precursor
CN109545914B (en) Multilayer film LED capable of adjusting wavelength by adjusting nano lamination ratio and preparation method thereof
Yun et al. Organic light-emitting diodes with low turn-on voltages and improved stability featuring a PTCDI-C13: CuPc mixed hole injection layer
Li et al. Thin film encapsulation of OLED displays with organic-inorganic composite film
Sohn et al. Effects of plasma polymerized para-xylene intermediate layers on characteristics of flexible organic light emitting diodes fabricated on polyethylene terephthalate substrates
KR100666568B1 (en) Fabricating method of inorganic layer and Fabricating method of organic electroluminesence dispaly device using inorganic layer
Hwang et al. 77‐4: High‐Efficiency Flexible Fiber‐Based Light‐Emitting Devices Processed by Phosphorescent Solution
Wen et al. White organic light-emitting diode based on organic quantum well structure
Murat et al. Highly performant organic top-emitting light-emitting diodes (OLEDs) by solution process
CN103915576A (en) Method for fabricating organic light emitting device

Legal Events

Date Code Title Description
E902 Notification of reason for refusal
AMND Amendment
E601 Decision to refuse application
AMND Amendment
X701 Decision to grant (after re-examination)
GRNT Written decision to grant