KR20220028216A - A Reflector Plate For Heat Treatment Chamber - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 열처리 챔버용 반사 플레이트에 관한 것으로, 보다 상세하게는 높은 반사율을 가지며 특히 특정 파장에서 높은 반사율을 가지며, 제조가 용이하고 제조 비용이 절감되는 열처리 챔버용 반사 플레이트에 관한 것이다.The present invention relates to a reflective plate for a heat treatment chamber, and more particularly, to a reflective plate for a heat treatment chamber that has a high reflectance, particularly a high reflectance at a specific wavelength, and is easy to manufacture and reduces manufacturing cost.
반도체 제조 중에 기판들을 어닐링하기(어닐링 프로세스) 위해 열처리, 특히 급속 열처리(RTP)를 실시한다. 이러한 어닐링 프로세스 중에, 열 복사선을 이용하여 기판을 제어된 분위기에서 상온보다 높은 온도(예를 들면, 900℃ 초과)까지 급속하게 가열하며, 프로세스에 따라서 가열된 온도에서 1초 미만으로부터 내지 몇 분까지 유지된다.To anneal substrates (annealing process) during semiconductor manufacturing, heat treatment, particularly rapid heat treatment (RTP), is performed. During this annealing process, thermal radiation is used to rapidly heat the substrate to a temperature above room temperature (eg, greater than 900° C.) in a controlled atmosphere, from less than a second to several minutes at the heated temperature, depending on the process. maintain.
대한민국 등록번호 제10-1855091호 등록특허공보 도 2에는 급속 열처리를 위한 열처리 챔버가 도시되어 있다. 열처리 챔버에 설치되는 반사 플레이트는 웨이퍼의 후방에 설치되어 웨이퍼의 후방으로 방출된 열 복사선을 웨이퍼를 향해서 다시 반사하는 작용을 한다. 반사기 플레이트에는 고온계 도파관들을 수용하기 위한 복수의 도파관 개구들이 형성되며, 승강핀이 삽입되는 격리공이 형성된다. 상기와 같은 반사 플레이트는 코팅된 반사층(SiO2 등)을 가지고 있으며, 반사층은 350℃ 이상의 온도에서 가열되어 형성된다.Republic of Korea Registration No. 10-1855091 Patent Publication No. 2 shows a heat treatment chamber for rapid heat treatment. The reflective plate installed in the heat treatment chamber is installed at the rear of the wafer to reflect the thermal radiation emitted to the rear of the wafer back toward the wafer. A plurality of waveguide openings for accommodating the pyrometer waveguides are formed in the reflector plate, and an isolation hole into which a lifting pin is inserted is formed. The reflective plate as described above has a coated reflective layer (such as SiO 2 ), and the reflective layer is formed by heating at a temperature of 350° C. or higher.
상기와 같은 반사 플레이트로 알루미늄 반사 플레이트가 있으나 반사 코팅 작업이 복잡하고, 제조가 어렵고 비용이 많이 소요되며, 최대 150℃의 동작 온도 한계를 가지고 있으며 코팅층이 박리(Peeling)되기 쉬운 문제점이 있었다.Although there is an aluminum reflective plate as the reflective plate as described above, the reflective coating operation is complicated, manufacturing is difficult and costly, has an operating temperature limit of up to 150° C., and there is a problem in that the coating layer is easy to peel.
상기의 알루미늄 반사 플레이트 문제점을 해결하기 위하여 반사기 플레이트 본체를 석영, 사파이어 또는 투명한 YAG와 같은 광학적으로 투명한 재료로 제조하기도 하였다. 그러나 다루기가 용이하지 않고, 제조 비용이 고가이며, 반사율, 특히 특정 파장에서의 반사율이 충분하게 확보되지 않는 문제점이 있었다. In order to solve the above problem of the aluminum reflection plate, the reflector plate body was made of an optically transparent material such as quartz, sapphire, or transparent YAG. However, it is not easy to handle, the manufacturing cost is high, and there are problems in that reflectance, particularly, reflectance at a specific wavelength is not sufficiently secured.
본 발명은 상기와 같은 종래 기술이 가지는 문제점을 해결하기 위하여 제안된 것으로, 제조가 용이하며, 제조 비용이 저렴하고, 반사율이 높고, 특히 특정 파장에서의 반사율이 높은 열처리 챔버용 반사 플레이트를 제공하는 것을 목적으로 한다. The present invention has been proposed to solve the problems of the prior art as described above, and provides a reflective plate for a heat treatment chamber that is easy to manufacture, has low manufacturing cost, has high reflectance, and has particularly high reflectance at a specific wavelength. aim to
상기와 같은 목적을 위하여 본 발명은 모재와, 상기 모재에 적층되는 반사코팅층을 포함하며; 상기 모재는 알루미늄이고, 상기 반사코팅층은 SiO2층과, TiO2층이 교대로 적층된 것을 특징으로 하는 열처리 챔버용 반사 플레이트를 제공한다.For the above purpose, the present invention includes a base material and a reflective coating layer laminated on the base material; The base material is aluminum, and the reflective coating layer provides a reflective plate for a heat treatment chamber, characterized in that a SiO 2 layer and a TiO 2 layer are alternately stacked.
상기에서, 반사코팅층은 SiO2층과, TiO2층 및 Al2O3층 중 2개 이상이 선택되어 교대로 적층된 것을 특징으로 한다.In the above, the reflective coating layer is characterized in that two or more of the SiO 2 layer, the TiO 2 layer, and the Al 2 O 3 layer are selected and stacked alternately.
상기에서, 모재와 반사코팅층 사이에는 니켈도금층이 더 포함되어, 상기 반사코팅층은 니켈도금층 위에 적층되는 것을 특징으로 한다.In the above, a nickel plated layer is further included between the base material and the reflective coating layer, and the reflective coating layer is laminated on the nickel plated layer.
상기에서, 니켈도금층과 반사코팅층 사이에는 니켈도금층 위로 코팅되어 적층된 알루미늄코팅층이 더 포함되어, 상기 반사코팅층은 알루미늄코팅층 위로 적층된 것을 특징으로 한다.In the above, between the nickel plated layer and the reflective coating layer, the aluminum coating layer coated and laminated on the nickel plated layer is further included, and the reflective coating layer is laminated on the aluminum coating layer.
상기에서, SiO2층과 TiO2층은 교대로 적층되며 각각 8∼12층 범위로 적층되는 것을 특징으로 한다.In the above, the SiO 2 layer and the TiO 2 layer are alternately stacked and each stacked in the range of 8 to 12 layers.
상기에서, SiO2층과 TiO2층의 두께는 0.01∼0.8㎛ 범위로 형성되고, 알루미늄코팅층은 0.05∼0.5㎛ 범위로 형성되며; 알루미늄코팅층과 반사코팅층의 두께의 합은 0.5∼1.5㎛범위인 것을 특징으로 한다.In the above, the thickness of the SiO 2 layer and the TiO 2 layer is formed in the range of 0.01 to 0.8 μm, the aluminum coating layer is formed in the range of 0.05 to 0.5 μm; The sum of the thicknesses of the aluminum coating layer and the reflective coating layer is characterized in that it is in the range of 0.5 to 1.5 μm.
본 발명에 따르는 열처리 챔버용 반사 플레이트에 의하면, 제조가 용이하며, 제조 비용이 저렴하며, 반사율이 높고, 특히 600∼1,200㎚ 범위의 파장에서 95％ 이상, 800∼1,000㎚ 범위의 파장에서는 98％이상으로 반사율이 높은 효과가 있다. According to the reflective plate for a heat treatment chamber according to the present invention, it is easy to manufacture, the manufacturing cost is low, and the reflectance is high, especially 95% or more in the wavelength range of 600 to 1,200 nm, and 98% in the wavelength range of 800 to 1,000 nm There is an effect that the reflectance is higher than the above.
도 1은 본 발명에 따르는 열처리 챔버용 반사 플레이트의 제조 공정을 설명하기 위하여 도시한 순서도이며,
도 2는 발명에 따르는 열처리 챔버용 반사 플레이트를 도시한 사시도이다.1 is a flowchart illustrating a manufacturing process of a reflective plate for a heat treatment chamber according to the present invention,
2 is a perspective view illustrating a reflective plate for a heat treatment chamber according to the present invention.
이하에서 첨부된 도면을 참조하여, 본 발명에 따르는 열처리 챔버용 반사 플레이트 및 그 제조 방법에 대하여 상세하게 설명한다. Hereinafter, with reference to the accompanying drawings, a reflective plate for a heat treatment chamber and a manufacturing method thereof according to the present invention will be described in detail.
도 1은 본 발명에 따르는 열처리 챔버용 반사 플레이트의 제조 공정을 설명하기 위하여 도시한 순서도이며, 도 2는 발명에 따르는 열처리 챔버용 반사 플레이트를 도시한 사시도이다.1 is a flowchart illustrating a manufacturing process of a reflective plate for a heat treatment chamber according to the present invention, and FIG. 2 is a perspective view illustrating a reflective plate for a heat treatment chamber according to the present invention.
도 2에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따르는 열처리 챔버용 반사 플레이트(100)는 원판형으로 구비된다. 상기 반사 플레이트(100)에는 승강핀이 삽입되는 복수의 승강핀공(101)과, 도파관을 수용하기 위한 복수의 도파관공(103)이 관통 형성되며, 상기 반사 플레이트(100)의 일측면에는 오목한 홈(Dint)이 복수개 연장 형성된다.2, the
상기 반사 플레이트(100)는 모재와, 니켈도금층과, 알루미늄코팅층과, 반사코팅층을 포함하여 이루어진다.The
상기 모재는 원판형이며, 알루미늄 재질로 구비된다.The base material has a disk shape and is made of an aluminum material.
상기 니켈도금층은 상기 모재에 적층되어 구비된다. 상기 니켈도금층은 상기 모재 위로 30∼35㎛ 범위의 두께로 형성된다.The nickel plating layer is provided by being laminated on the base material. The nickel plating layer is formed on the base material to a thickness in the range of 30 to 35㎛.
상기 니켈도금층의 니켈도금의 방법으로는 전기 니켈도금 또는 무전해 니켈도금이 사용된다. 전기 니켈도금은 황산니켈 또는 염화니켈 등을 첨가한 용액을 사용하여 니켈을 양극으로 하고 모재를 음극으로 해서 전류를 흐르게 하여 모재에 적층되도록 하는 방법이고, 무전해 니켈도금은 환원작용을 이용해 자가촉매반응을 촉진시켜 모재 표면에 니켈을 도금하는 방법이다.Electronic nickel plating or electroless nickel plating is used as a method of nickel plating of the nickel plating layer. Electronic nickel plating is a method that uses a solution to which nickel sulfate or nickel chloride is added, with nickel as the anode and the base material as the cathode, to flow an electric current so that it is laminated on the base material. It is a method of plating nickel on the surface of the base material by accelerating the reaction.
본 발명에서 상기 니켈도금층은 무전해 니켈도금방법으로 이루어지는 것이 더 바람직하다. 상기 니켈도금층이 무전해 니켈도금방법으로 이루어짐으로써 니켈도금층에 인(P)이 7∼10％ 범위만큼 함유된다. 그로 인하여 상기 반사 플레이트(100)는 모재에 니켈도금층이 적층됨으로써 강도가 증가되며(비커스경도 HV450 이상), 반사코팅층의 박리가 방지되는 효과가 있다.In the present invention, the nickel plating layer is more preferably made of an electroless nickel plating method. Since the nickel plating layer is formed by an electroless nickel plating method, phosphorus (P) is contained in the nickel plating layer by 7 to 10%. As a result, the strength of the
상기 알루미늄코팅층은 상기 니켈도금층 위로 코팅되어 적층된다. 상기 알루미늄코팅층은 0.05∼0.5㎛ 범위의 두께로 형성된다. 상기 알루미늄코팅층은 에바포레이터(Evaporator), 화학기상성장법(CVD; Chemical Vapor Deposition), 스퍼터링(Sputtering) 등의 증착 방법을 사용하여 증착된다.The aluminum coating layer is coated and laminated on the nickel plating layer. The aluminum coating layer is formed to a thickness in the range of 0.05 to 0.5㎛. The aluminum coating layer is deposited using a deposition method such as an evaporator, chemical vapor deposition (CVD), or sputtering.
상기 알루미늄코팅층이 구비됨으로써 반사 플레이트(100)로부터 웨이퍼로 반사되는 복사 파장의 반사율이 높아진다. 상기 알루미늄코팅층이 구비되지 않는 경우, 90％ 이상의 높은 반사율이 나오지 않는다.Since the aluminum coating layer is provided, the reflectance of the radiation wavelength reflected from the
상기 반사코팅층은 상기 알루미늄코팅층 위로 코팅되어 적층 형성된다. 상기 반사코팅층은 에바포레이터(Evaporator), 화학기상성장법(CVD; Chemical Vapor Deposition), 스퍼터링(Sputtering) 등의 증착 방법을 사용하여 증착된다.The reflective coating layer is coated on the aluminum coating layer to be laminated. The reflective coating layer is deposited using a deposition method such as an evaporator, chemical vapor deposition (CVD), or sputtering.
상기 반사코팅층은 상온(25℃)에서 실시되고, 코팅 공정에서 이빔에 의한 온도 상승에 대해서도 분위기 온도가 100℃이하로 유지되도록 한다. 분위기 온도는 질소 가스나 아르곤 가스에 의한 냉각을 예로 들 수 있다. 제조 과정에서 확인 결과 코팅 분위기 온도가 100℃보다 높아지는 경우 알루미늄코팅층의 변색과 반사코팅층의 박리 현상이 발생하였다. The reflective coating layer is performed at room temperature (25° C.), and the ambient temperature is maintained at 100° C. or less even with respect to the temperature increase by the E-beam in the coating process. As for the ambient temperature, for example, cooling by nitrogen gas or argon gas is exemplified. As a result of checking during the manufacturing process, when the coating atmosphere temperature was higher than 100°C, discoloration of the aluminum coating layer and peeling of the reflective coating layer occurred.
상기 반사코팅층은 SiO2층과, TiO2층이 교대로 적층된다. 상기 반사코팅층은 SiO2층과, TiO2층 및 Al2O3층 중 2개 이상이 선택되어 교대로 적층될 수도 있다. 이하에서는 SiO2층과 TiO2층이 교대로 적층되는 것을 예로 설명한다. The reflective coating layer is an SiO 2 layer and a TiO 2 layer is alternately stacked. The reflective coating layer may be alternately laminated by selecting two or more of a SiO 2 layer, a TiO 2 layer, and an Al 2 O 3 layer. Hereinafter, an example in which a SiO 2 layer and a TiO 2 layer are alternately stacked will be described.
상기 반사코팅층은 상기 SiO2층과 TiO2층이 교대로 적층되며 각각 8∼12층 범위로 적층된다. 상기 반사코팅층은 바람직하게는 SiO2층과 TiO2층이 각각 10개 층이 교대로 적층된다. SiO2층과 TiO2층이 각각 10개 층이 교대로 적층된 경우 복사 파장이 600∼1,200㎚ 범위에서, 더 특정하면 800∼1,000㎚ 범위에서 반사율이 커지게 된다.In the reflective coating layer, the SiO 2 layer and the TiO 2 layer are alternately stacked and each stacked in a range of 8 to 12 layers. The reflective coating layer is preferably a SiO 2 layer and a TiO 2 layer, each of 10 layers are alternately stacked. When the SiO 2 layer and the TiO 2 layer are each alternately stacked with 10 layers, the reflectance is increased in the range of 600 to 1,200 nm at the radiation wavelength, and more specifically, in the range of 800 to 1,000 nm.
상기 반사코팅층은 SiO2층과 TiO2층의 적층 개수에 따라 특정 파장의 복사열의 반사율과 관련이 있었다. 기판의 열처리와 관련하여, 특정 파장의 복사열을 반사하는 것이 중요하였으며, 600∼1,200㎚ 범위의 파장이 복사열을 반사하였다. 복사열의 반사율을 높이는 경우 품질 불량이 없고 효율이 크다. 특히 800∼1,000㎚ 범위의 파장이 복사열을 반사하는 경우에 품질 안정화에 더 영향이 큰 것이 확인되었다.The reflective coating layer was related to the reflectivity of radiant heat of a specific wavelength according to the number of stacked layers of SiO 2 and TiO 2 layers. With respect to the heat treatment of the substrate, it was important to reflect radiation of a specific wavelength, and wavelengths in the range of 600 to 1,200 nm reflected the radiation. When the reflectance of radiant heat is increased, there is no quality defect and the efficiency is high. In particular, it was confirmed that the wavelength in the range of 800 to 1,000 nm had a greater effect on quality stabilization when the radiation was reflected.
상기 반사코팅층인 SiO2층과 TiO2층의 두께는 0.01∼0.8㎛ 범위로 형성된다. 상기 반사코팅층과 알루미늄코팅층의 두께의 합은 0.5∼1.5㎛범위로 이루어진다.The thickness of the SiO 2 layer and the TiO 2 layer as the reflective coating layer is in the range of 0.01 μm to 0.8 μm. The sum of the thicknesses of the reflective coating layer and the aluminum coating layer is in the range of 0.5 to 1.5 μm.
상기 알루미늄코팅층은 0.05∼0.5㎛ 범위이고, 상기 SiO2층과 TiO2층은 각각 10개 층이며, SiO2층과 TiO2층 각각의 두께가 0.01∼0.8㎛ 범위일 때, 상기 알루미늄코팅층과 반사코팅층의 두께의 합이 1.2㎛인 경우, 복사 파장이 600∼1,200㎚ 범위에서 반사율은 95％ 이상, 더 특정하여 800∼1,000㎚ 범위에서 반사율은 98％ 이상이 되는 것으로 확인되었다.The aluminum coating layer is in the range of 0.05 to 0.5 μm, the SiO 2 layer and the TiO 2 layer are each 10 layers, and when the thickness of each of the SiO 2 layer and the TiO 2 layer is in the range of 0.01 to 0.8 μm, the aluminum coating layer and the reflection When the sum of the thicknesses of the coating layers was 1.2 µm, it was confirmed that the reflectance was 95% or more in the range of 600 to 1,200 nm of the radiation wavelength, and more specifically, the reflectance was 98% or more in the range of 800 to 1,000 nm.
이하에서는 본 발명에 따르는 반사 플레이트(100)의 제조방법에 대하여 설명한다. 상기 반사 플레이트(100)의 제조방법은 원자재 준비단계(ST-110), 가공단계(ST-120), 연마단계(ST-130), 도금단계(ST-140), 2차연마단계(ST-150), 코팅단계(ST-160)로 이루어진다.Hereinafter, a method of manufacturing the
상기 원자재 준비단계(ST-110)에서는 모재인 알루미늄을 원판형태로 준비한다.In the raw material preparation step (ST-110), aluminum as a base material is prepared in the form of a disk.
상기 가공단계(ST-120)에서는 상기 원형인 알루미늄판에 복수의 승강핀공(101)과 도파관공(103)이 형성되며, 일측면에 오목한 홈(Dint)이 형성된다. 상기 복수의 승강핀공(101)과 도파관공(103)은 서로 이격되어 형성된다.In the processing step ST-120, a plurality of lifting
상기 연마단계(ST-130)에서는 승강핀공(101)과 도파관공(103)의 사이즈가 정밀 가공되며, 모재인 원형인 알루미늄판의 양측 표면도 정밀하게 다듬는다. 이때 표면의 평면도는 5㎛ 이하가 되도록 한다.In the polishing step (ST-130), the sizes of the elevating
상기 도금단계(ST-140)에서는 모재인 알루미늄판에 니켈이 도금된다. 상기 도금단계(ST-140)에서 니켈도금은 무전해 니켈도금방법으로 이루어진다. 상기 니켈도금층은 상기 모재인 알루미늄판 위로 30∼35㎛ 범위의 두께로 형성된다.In the plating step (ST-140), nickel is plated on the aluminum plate as a base material. In the plating step (ST-140), nickel plating is performed by an electroless nickel plating method. The nickel plating layer is formed to a thickness in the range of 30 to 35㎛ on the aluminum plate as the base material.
상기 2차연마단계(ST-150)에서는 상기 알루미늄판 위로 30∼35㎛ 범위의 두께로 형성된 니켈도금층을 10㎛만큼 연마한다. 상기 2차연마단계(ST-150)에서는 니켈도금층 연마와 함께 니켈도금층의 박리 유무를 확인한다.In the second polishing step (ST-150), the nickel plating layer formed on the aluminum plate to a thickness in the range of 30 to 35 μm is polished by 10 μm. In the second polishing step (ST-150), it is checked whether the nickel plating layer is peeled off along with polishing the nickel plating layer.
상기 코팅단계(ST-160)에서는 상기 니켈도금층 위로 알루미늄이 코팅되어 알루미늄코팅층이 적층되는 1차코팅단계(ST-161)와, 알루미늄코팅층 위로 반사코팅층이 적층되는 2차코팅단계(ST-163)가 차례로 이루어진다.In the coating step (ST-160), a first coating step (ST-161) in which aluminum is coated on the nickel plating layer and an aluminum coating layer is laminated, and a secondary coating step (ST-163) in which a reflective coating layer is stacked on the aluminum coating layer (ST-163) is done in turn.
상기 1차코팅단계(ST-161)에서 알루미늄코팅층은 상기 니켈도금층 위로 코팅되어 적층된다. 상기 알루미늄코팅층은 니켈도금층 위로 증착되어 코팅되며, 0.05∼0.5㎛ 범위의 두께로 형성된다.In the first coating step (ST-161), the aluminum coating layer is coated and laminated on the nickel plating layer. The aluminum coating layer is deposited and coated on the nickel plating layer, and has a thickness in the range of 0.05 to 0.5 μm.
상기 2차코팅단계(ST-163)에서 반사코팅층은 SiO2층과 TiO2층으로 이루어진다. 상기 SiO2층과 TiO2층이 교대로 적층되며 각각 8∼12층 범위로 적층된다. 상기 반사코팅층은 바람직하게는 SiO2층과 TiO2층이 각각 10개 층이 교대로 적층된다. 상기 반사코팅층인 SiO2층과 TiO2층 각각의 두께는 0.01∼0.8㎛ 범위로 형성되며, 상기 반사코팅층과 알루미늄코팅층의 두께의 합은 0.5∼1.5㎛ 범위로 이루어진다.In the secondary coating step (ST-163), the reflective coating layer is composed of a SiO 2 layer and a TiO 2 layer. The SiO 2 layer and the TiO 2 layer are alternately stacked and each stacked in the range of 8 to 12 layers. The reflective coating layer is preferably a SiO 2 layer and a TiO 2 layer, each of 10 layers are alternately stacked. The thickness of each of the SiO 2 layer and the TiO 2 layer as the reflective coating layer is in the range of 0.01 to 0.8 μm, and the sum of the thicknesses of the reflective coating layer and the aluminum coating layer is in the range of 0.5 to 1.5 μm.
예를 들어, 상기 1차코팅단계(ST-161)에서 알루미늄코팅층은 0.3㎛ 두께로 형성되고, 2차코팅단계(ST-163)에서 알루미늄코팅층 위로 0.05㎛ 두께인 SiO2층 10개와, 0.05㎛ 두께인 TiO2층 10개가 교대로 번갈아 적층된다.For example, in the first coating step (ST-161), the aluminum coating layer is formed to a thickness of 0.3 μm, and in the second coating step (ST-163), 10 SiO 2 layers having a thickness of 0.05 μm on the aluminum coating layer, and 0.05 μm Ten thick TiO 2 layers are alternately stacked.
상기 2차코팅단계(ST-163)에서 반사코팅층은 SiO2층, TiO2층, Al2O3층 중 2개 이상이 선택되어 이루어질 수도 있다. 상기 반사코팅층이 SiO2층, TiO2층, Al2O3로 형성된 경우, SiO2층, TiO2층, Al2O3층은 차례로 증착되거나 교차로 증착될 수 있다.In the secondary coating step (ST-163), the reflective coating layer may be formed by selecting two or more of a SiO 2 layer, a TiO 2 layer, and an Al 2 O 3 layer. When the reflective coating layer is formed of a SiO 2 layer, a TiO 2 layer, and an Al 2 O 3 , the SiO 2 layer, the TiO 2 layer, and the Al 2 O 3 layer may be sequentially deposited or alternately deposited.
지금까지 본 발명에 따르는 열처리 챔버용 반사 플레이트는 도면에 도시된 실시 예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 당업자라면 누구든지 이로부터 다양한 변형 및 균등한 다른 실시 예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 진정한 기술적 보호범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것이다.So far, the reflective plate for a heat treatment chamber according to the present invention has been described with reference to the embodiment shown in the drawings, but this is only an example, and it will be understood by those skilled in the art that various modifications and equivalent other embodiments are possible therefrom. . Accordingly, the true technical protection scope should be determined by the technical spirit of the appended claims.
100: 반사 플레이트
101: 승강핀공
103: 도파관공
ST-110: 원자재 준비단계
ST-120: 가공단계
ST-130: 연마단계
ST-140: 도금단계
ST-150: 2차연마단계
ST-160: 코팅단계100: reflective plate
101: elevating pin hole 103: waveguide hole
ST-110: raw material preparation stage ST-120: processing stage
ST-130: polishing step ST-140: plating step
ST-150: Second polishing step ST-160: Coating step
Claims (6)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020200108941A KR20220028216A (en) | 2020-08-28 | 2020-08-28 | A Reflector Plate For Heat Treatment Chamber |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020200108941A KR20220028216A (en) | 2020-08-28 | 2020-08-28 | A Reflector Plate For Heat Treatment Chamber |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20220028216A true KR20220028216A (en) | 2022-03-08 |
Family
ID=80812549
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020200108941A KR20220028216A (en) | 2020-08-28 | 2020-08-28 | A Reflector Plate For Heat Treatment Chamber |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR20220028216A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2024054351A1 (en) * | 2022-09-06 | 2024-03-14 | Applied Materials, Inc. | Reflector plate for substrate processing |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101855091B1 (en) | 2010-08-09 | 2018-05-08 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | Transparent reflector plate for rapid thermal processing chamber |
-
2020
- 2020-08-28 KR KR1020200108941A patent/KR20220028216A/en not_active IP Right Cessation
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101855091B1 (en) | 2010-08-09 | 2018-05-08 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | Transparent reflector plate for rapid thermal processing chamber |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| WO2024054351A1 (en) * | 2022-09-06 | 2024-03-14 | Applied Materials, Inc. | Reflector plate for substrate processing |
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