KR20220026761A - Reference power supply circuit with minimized noise pixel amplifier circuit having same - Google Patents
Reference power supply circuit with minimized noise pixel amplifier circuit having same Download PDFInfo
- Publication number
- KR20220026761A KR20220026761A KR1020200107672A KR20200107672A KR20220026761A KR 20220026761 A KR20220026761 A KR 20220026761A KR 1020200107672 A KR1020200107672 A KR 1020200107672A KR 20200107672 A KR20200107672 A KR 20200107672A KR 20220026761 A KR20220026761 A KR 20220026761A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- reference power
- power supply
- pixel
- supply circuit
- resistor
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/709—Circuitry for control of the power supply
-
- H04N5/3698—
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
- H02M3/00—Conversion of dc power input into dc power output
- H02M3/02—Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac
- H02M3/04—Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac by static converters
- H02M3/06—Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac by static converters using resistors or capacitors, e.g. potential divider
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/005—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements using switched capacitors, e.g. dynamic amplifiers; using switched capacitors as resistors in differential amplifiers
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/45—Differential amplifiers
- H03F3/45071—Differential amplifiers with semiconductor devices only
- H03F3/45076—Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of implementation of the active amplifying circuit in the differential amplifier
- H03F3/45475—Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of implementation of the active amplifying circuit in the differential amplifier using IC blocks as the active amplifying circuit
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/71—Charge-coupled device [CCD] sensors; Charge-transfer registers specially adapted for CCD sensors
- H04N25/75—Circuitry for providing, modifying or processing image signals from the pixel array
-
- H04N5/378—
Abstract
Description
본 발명은 참조전원 공급 회로에 관한 것으로, 높은 클럭으로 동작하는 픽셀 증폭 회로에 참조전원 공급 시, 참조전원이 흔들리는 것을 최소화시키기 위한 참조전원 공급 회로에 관한 것이다.The present invention relates to a reference power supply circuit, and to a reference power supply circuit for minimizing shaking of the reference power when the reference power is supplied to a pixel amplifying circuit operating at a high clock.
이미지 센서는 픽셀 어레이에서 출력되는 아날로그 신호를 양자화시켜 디지털로 변환시킨다. 도 1은 일반적인 이미지 센서에서 사용되는 컬럼 패러럴(Column Parallel) 구조를 도시하는 도면이다.The image sensor quantizes the analog signal output from the pixel array and converts it to digital. 1 is a diagram illustrating a column parallel structure used in a general image sensor.
도 1에 도시된 바와 같이, 일반적인 이미지 센서는 입사광에 상응하는 픽셀 신호를 출력하는 픽셀 어레이(10)와 리드아웃 회로부(70)를 포함할 수 있다. 픽셀 신호를 증폭시키기 위한 증폭부(90), 증폭부(90)에 참조전원(Vref)을 생성하여 제공하기 위한 참조전원 공급 회로(80), 리드아웃 회로부(70)는 픽셀 어레이(10)로부터 출력되는 픽셀 신호의 값과 외부로부터 인가되는 램프 신호(VRAMP)의 값을 외부로부터 전달받은 비교기 제어 신호에 따라 각각 비교하는 비교부(20)와, 비교부(20)로부터의 출력 신호를 각각 카운팅하는 카운팅부(30)와, 카운팅부(30)로부터의 카운팅 정보를 각각 저장하는 메모리부(40)와, 카운팅부(30)와 메모리부(40)의 동작을 제어하는 컬럼 제어부(50) 및 메모리부(40)에 저장되었다가 출력되는 데이터에 상응하는 신호를 증폭하여 픽셀 데이터를 출력하는 센스 증폭부(60)를 포함한다.As shown in FIG. 1 , a typical image sensor may include a
여기서, 증폭부(90)는 복수의 컬럼 이득 증폭기(90-1 ~ 90-n, 이하 증폭기라 함)를 포함하고, 비교부(20)는 복수의 비교기(20-1 ~ 20-n)를 포함하고, 카운팅부(30)는 복수의 업/다운 카운터(30-1 ~ 30-n, 이하 카운터라 함)를 포함하며, 메모리부(40)는 복수의 메모리(40-1 ~ 40-n)를 포함한다. 여기서, 다른 실시예로 카운터(31 내지 33) 대신에 메모리를 사용하여 구현할 수도 있다.Here, the
다음으로, 하나의 비교기(20-1)와 카운터(30-1)와 메모리(40-1)의 동작(아날로그-디지털 변환 동작)을 예를 들어 살펴보면, 다음과 같다.Next, the operations (analog-digital conversion operation) of one comparator 20-1, the counter 30-1, and the memory 40-1 will be described as follows.
비교기1(20-1)은 픽셀 어레이(10)의 첫 번째 컬럼 픽셀로부터 출력되는 픽셀 신호1을 일측 단자로 입력 받고, 외부의 전압 발생부로부터 인가되는 램프 신호(VRAMP)를 타측 단자로 입력받아 외부의 CIS 제어기로부터 전달받은 비교기 제어 신호(Comp_ctrl)에 따라 두 신호의 값을 비교한다.The
이때, 램프 신호(VRAMP)는 시간이 지남에 따라 전압 레벨이 감소 또는 증가하는 신호이기 때문에, 결국 비교기1(20-1)에 입력되는 두 신호의 값이 일치하는 시점이 생기게 된다. 이렇게 일치하는 시점을 지나게 되면서 비교기1(20-1)에서 출력되는 값에 반전이 일어난다.At this time, since the ramp signal VRAMP is a signal whose voltage level decreases or increases over time, a point in time at which the values of the two signals input to the first comparator 20-1 coincide with each other occurs. As this coincidence time passes, the value output from comparator 1 (20-1) is inverted.
그에 따라, 카운터1(30-1)은 램프 신호(VRAMP)가 하강하는 시점부터 비교기1(20-1)의 출력이 반전되는 순간까지를 카운팅한다.Accordingly, the counter 1 ( 30 - 1 ) counts from the time when the ramp signal VRAMP falls to the moment when the output of the comparator 1 ( 20 - 1 ) is inverted.
그리고 메모리1(40-1)은 카운터1(30-1)에서 카운팅된 값(카운팅 정보)을 저장하고 있다가 출력한다.And, the memory 1 (40-1) stores the value (counting information) counted by the counter 1 ( 30-1) and outputs it.
이처럼, 컬럼 패러럴 구조는 컬럼 각각에 아날로그-디지털 변환 장치(ADC: Analog to Digital Converter)를 구비하고 있으며, 각 픽셀로부터 출력되는 픽셀 신호의 값과 외부의 전압 발생부로부터 인가되는 램프 신호(VRAMP)의 값을 외부의 CIS 제어기로부터 전달받은 비교기 제어 신호(Comp_ctrl)에 따라 각각 비교하여 각 비교기(Comparator)가 저지(Judge)할 때까지 카운팅하여 그 값을 출력하는 구조를 가지고 있다.As such, the column parallel structure includes an analog-to-digital converter (ADC) in each column, and a value of a pixel signal output from each pixel and a ramp signal (VRAMP) applied from an external voltage generator It has a structure in which the value of is compared according to the comparator control signal (Comp_ctrl) received from the external CIS controller, counts until each comparator judges, and outputs the value.
도 2는 도 1에 도시된 n 번째 증폭기(90-n, 픽셀 증폭 회로)를 도시하는 도면이다.FIG. 2 is a diagram showing the n-th amplifier 90-n (pixel amplification circuit) shown in FIG. 1 .
증폭기(90-1 ~ 90-n)는 각 픽셀의 출력 신호를 증폭하여 출력한다. 픽셀의 출력 신호의 크기가 크기 않기 때문에 비교기(20-1 ~ 20-n)에 인가되기 전에 픽셀의 출력 신호를 증폭해주는 역할을 한다.The amplifiers 90-1 to 90-n amplify and output the output signal of each pixel. Since the size of the output signal of the pixel is not large, it serves to amplify the output signal of the pixel before being applied to the comparators 20-1 to 20-n.
증폭기(90-n) 구조를 살펴보면, 픽셀 출력신호(200, Pixel out_n)는 입력 커패시터 C1(202)을 통하여 op-amp(201)의 (-) 입력단으로 입력된다.Looking at the structure of the amplifier 90-n, the pixel output signal 200 (Pixel out_n) is input to the (-) input terminal of the op-
op-amp(201)의 출력단은 (-) 입력단으로 출력 커패시터 C2(203)을 통하여 피드백된다. 그리고 출력 커패시터 C2(203)의 양단은 스위치(204)의 개패에 의해서 개방되거나 단락 될 수 있다.The output terminal of the op-
op-amp(201)의 (+) 입력단은 참조전원 Vref가 입력될 수 있다.A reference power V ref may be input to the (+) input terminal of the op-
n 번째 픽셀 출력신호(200)는 증폭기(90-n)을 거치면서 증폭되어 출력(Vout_n)된다. 증폭된 후 스위치가 닫히면 참조전원(Vref)에 의해서 출력(Vout_n)이 리셋될 수 있다. 리셋되는 출력(Vout_n)의 값은 참조전원(Vref)의 값에 영향을 받기 때문에, 참조전원(Vref)의 값이 불안정할 경우 전체 시스템의 성능에 영향이 있을 수 있다.The n-th
도 3은 일반적인 방법의 참조전원 공급 회로(80)의 구조를 도시하는 도면이다.3 is a diagram showing the structure of the reference
도시된 도면에서와 같이, 소스 전압(VS)와 접지 사이에 전류원(301)과 저항(302)이 직렬로 연결되어, 저항(302) 양단에 전압차이를 발생시킨다. 저항(302)의 일단은 접지와 연결되고, 타단(303, 이하 중간 노드라 함)은 전류원과 연결된다. 중간 노드(303)는 접지를 기준으로 저항(302)의 양단 전압차 만큼의 전압이 생성되므로, 이렇게 생성된 전압을 참조전원(Vref)으로 공급할 수 있다.As shown in the figure, the
이렇게 생성되는 참조전원(Vref)는 아래 수학식 1의 옴의 법칙에 의해서 계산될 수 있다.The reference power V ref generated in this way can be calculated by Ohm's law of
리드아웃 회로부(70)의 경우 높은 클럭으로 동작하기 때문에, 상술한 참조전원(Vref)이 안정적으로 유지되기 어렵다. 불안정한 참조전원(Vref)으로 인하여 실제 독출되어야 하는 픽셀값에 노이즈가 발생하는 문제점이 존재한다. 이때 발생되는 노이즈는, 가로줄 노이즈(row noise)나 가로 밴딩 노이즈(row banding noise)등이 있을 수 있다.Since the
이에 따라, 높은 클럭 속도로 동작되는 리드아웃 회로부(70)에 안정적인 참조전원을 공급할 수 있는 참조전원 공급 회로(80)에 대한 연구가 요구되는 실정이다.Accordingly, research on the reference
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 높은 클럭 속도로 동작하는 이미지 센서의 픽셀 리드아웃 회로에 안정적인 참조전원을 공급하는 회로를 제공하는 것이다.An object of the present invention is to provide a circuit for supplying a stable reference power to a pixel readout circuit of an image sensor operating at a high clock speed.
본 발명이 해결하고자 하는 다른 과제는 픽셀로부터 출력되는 신호를 읽어들이는 리드아웃 회로의 동작 주파수에 최적화된 참조전원 공급 회로를 제공하는 것이다.Another object of the present invention is to provide a reference power supply circuit optimized for the operating frequency of a readout circuit that reads a signal output from a pixel.
본 발명이 해결하고자 하는 또 다른 과제는 가로줄 노이즈와 가로 밴딩 노이즈를 최소화시킬 수 있는 참조전원 공급 회로를 제공하는 것이다.Another object to be solved by the present invention is to provide a reference power supply circuit capable of minimizing horizontal line noise and horizontal banding noise.
본 발명에서 이루고자 하는 기술적 과제들은 이상에서 언급한 기술적 과제들로 제한되지 않으며, 언급하지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The technical problems to be achieved in the present invention are not limited to the technical problems mentioned above, and other technical problems not mentioned will be clearly understood by those of ordinary skill in the art to which the present invention belongs from the description below. will be able
상기 또는 다른 목적을 달성하기 위해 본 발명의 일 측면에 따르면, 일단이 접지와 연결된 저항; 상기 저항에 전류를 공급하여 상기 저항의 양단에 전압차를 발생시키는 전류원; 및 상기 저항에 병렬로 연결되는 커패시터를 포함하는 것을 특징으로 하는, 참조전원 공급 회로를 제공한다.According to an aspect of the present invention to achieve the above or other objects, one end of the resistor connected to the ground; a current source for supplying a current to the resistor to generate a voltage difference across the resistor; And it provides a reference power supply circuit, characterized in that it comprises a capacitor connected in parallel to the resistor.
상기 발생된 전압차는 픽셀 증폭 회로의 참조전원을 공급될 수 있다.The generated voltage difference may supply a reference power of the pixel amplifying circuit.
상기 픽셀 증폭 회로의 동작 주파수를 감지하기 위한 주파수 감지부를 더 구비할 수 있다.A frequency sensing unit for sensing an operating frequency of the pixel amplifying circuit may be further provided.
상기 커패시터는, 가변 커패시터 일 수 있다.The capacitor may be a variable capacitor.
상기 주파수 감지부에 의해서 감지된 상기 동작 주파수에 기초하여 상기 가변 커패시터의 가변값을 조정하는 제어부를 더 구비할 수 있다.The control unit may further include a control unit for adjusting the variable value of the variable capacitor based on the operating frequency sensed by the frequency sensing unit.
상기 또는 다른 목적을 달성하기 위해 본 발명의 다른 측면에 따르면, 상기 픽셀로부터 출력을 입력 받기 위한 증폭기; 상기 증폭기에 참조전원을 제공하기 위한 참조전원 공급회로; 및 상기 증폭기의 출력 신호를 리셋하기 위한 스위치를 포함하되, 상기 참조전원 공급회로는, 일단이 접지와 연결된 저항; 상기 저항에 전류를 공급하여 상기 저항의 양단에 전압차를 발생시키는 전류원; 및 상기 저항에 병렬로 연결되는 커패시터를 포함하는 것을 특징으로 하는, 픽셀 증폭 회로를 제공한다.According to another aspect of the present invention to achieve the above or other object, an amplifier for receiving an output from the pixel; a reference power supply circuit for providing a reference power supply to the amplifier; and a switch for resetting the output signal of the amplifier, wherein the reference power supply circuit includes: a resistor having one end connected to a ground; a current source for supplying a current to the resistor to generate a voltage difference across the resistor; and a capacitor connected in parallel to the resistor.
상기 증폭기의 동작 주파수를 감지하기 위한 주파수 감지부를 더 구비할 수 있다.It may further include a frequency detection unit for detecting the operating frequency of the amplifier.
상기 커패시터는, 가변 커패시터 일 수 있다.The capacitor may be a variable capacitor.
상기 주파수 감지부에 의해서 감지된 상기 동작 주파수에 기초하여 상기 가변 커패시터의 가변값을 조정하는 제어부를 더 구비할 수 있다.The control unit may further include a control unit for adjusting the variable value of the variable capacitor based on the operating frequency sensed by the frequency sensing unit.
본 발명에 따른 참조전원 공급 회로의 효과에 대해 설명하면 다음과 같다.The effect of the reference power supply circuit according to the present invention will be described as follows.
본 발명의 실시 예들 중 적어도 하나에 의하면, 안정적으로 참조전원을 공급할 수 있다는 장점이 있다.According to at least one of the embodiments of the present invention, there is an advantage that the reference power can be stably supplied.
본 발명의 실시 예들 중 적어도 하나에 의하면, 가로줄 노이즈 또는 가로 밴딩 노이즈를 최소화시킬 수 있다.According to at least one of the embodiments of the present invention, horizontal line noise or horizontal banding noise may be minimized.
또한, 본 발명의 실시 예들 중 적어도 하나에 의하면, 픽셀로부터 출력되는 신호를 읽어내는 리드아웃 회로의 동작 주파수에 최적의 참조전원 공급 회로를 제공할 수 있다는 장점이 있다.In addition, according to at least one of the embodiments of the present invention, It is possible to provide an optimal reference power supply circuit for the operating frequency of the readout circuit that reads the signal output from the pixel. There is an advantage that
본 발명의 적용 가능성의 추가적인 범위는 이하 상세한 설명으로부터 명백해질 것이다. 그러나 본 발명의 사상 및 범위 내에서 다양한 변경 및 수정은 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있으므로, 상세한 설명에 기술되어 있는 특정 실시 예는 단지 예시로 주어진 것으로 이해되어야 한다.Further scope of applicability of the present invention will become apparent from the following detailed description. However, since various changes and modifications within the spirit and scope of the present invention can be clearly understood by those skilled in the art to which the present invention pertains, the specific embodiments described in the detailed description are given by way of example only. should be understood
도 1은 일반적인 이미지 센서에서 사용되는 컬럼 패러럴(Column Parallel) 구조를 도시하는 도면이다.
도 2는 도 1에 도시된 n 번째 증폭기(90-n)를 도시하는 도면이다.
도 3은 일반적인 방법의 참조전원 공급 회로(80)의 구조를 도시하는 도면이다.
도 4는 본 발명의 일실시예에 따른 참조전원 공급 회로(80)를 도시하는 도면이다.
도 5는 본 발명의 일실시예에 따른 참조전원 공급 회로(80) 입력(VS) 대 증폭기(90-1 ~ 90-n)의 출력(Vout1 ~ Voutn)의 주파수 응답을 도시하는 도면이다.
도 6은 본 발명의 일실시예에 따른 주파수 감지부(601)를 더 구비하는 참조전원 공급 회로(80)를 도시하는 도면이다.
도 7은 증폭시간(amplifying time, Ta)의 개념을 설명하기 위한 도면이다.
도 8은 로우 광원에 의하여 발생되는 일반적인 밴딩 노이즈를 설명하기 위한 파형을 도시하는 도면이다.
도 9은 본 발명의 일실시예에 따른 커패시터의 효과를 확인하기 위한 파형을 도시한다.1 is a diagram illustrating a column parallel structure used in a general image sensor.
FIG. 2 is a diagram illustrating the n-th amplifier 90-n shown in FIG. 1 .
3 is a diagram showing the structure of the reference
4 is a diagram illustrating a reference
5 is a diagram showing the frequency response of the reference
6 is a diagram illustrating a reference
7 is a diagram for explaining the concept of amplifying time (T a ).
8 is a diagram for explaining general banding noise generated by a low light source; It is a figure which shows a waveform.
9 shows a waveform for confirming the effect of the capacitor according to an embodiment of the present invention.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 명세서에 개시된 실시 예를 상세히 설명하되, 도면 부호에 관계없이 동일하거나 유사한 구성요소는 동일한 참조 번호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다. 이하의 설명에서 사용되는 구성요소에 대한 접미사 "모듈" 및 "부"는 명세서 작성의 용이함만이 고려되어 부여되거나 혼용되는 것으로서, 그 자체로 서로 구별되는 의미 또는 역할을 갖는 것은 아니다. 또한, 본 명세서에 개시된 실시 예를 설명함에 있어서 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 명세서에 개시된 실시 예의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명을 생략한다. 또한, 첨부된 도면은 본 명세서에 개시된 실시 예를 쉽게 이해할 수 있도록 하기 위한 것일 뿐, 첨부된 도면에 의해 본 명세서에 개시된 기술적 사상이 제한되지 않으며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. Hereinafter, the embodiments disclosed in the present specification will be described in detail with reference to the accompanying drawings, but the same or similar components are assigned the same reference numbers regardless of reference numerals, and redundant description thereof will be omitted. The suffixes "module" and "part" for the components used in the following description are given or mixed in consideration of only the ease of writing the specification, and do not have distinct meanings or roles by themselves. In addition, in describing the embodiments disclosed in the present specification, if it is determined that detailed descriptions of related known technologies may obscure the gist of the embodiments disclosed in the present specification, the detailed description thereof will be omitted. In addition, the accompanying drawings are only for easy understanding of the embodiments disclosed in the present specification, and the technical idea disclosed herein is not limited by the accompanying drawings, and all changes included in the spirit and scope of the present invention , should be understood to include equivalents or substitutes.
제1, 제2 등과 같이 서수를 포함하는 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되지는 않는다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다.Terms including an ordinal number such as 1st, 2nd, etc. may be used to describe various elements, but the elements are not limited by the terms. The above terms are used only for the purpose of distinguishing one component from another.
어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "연결되어" 있다거나 "접속되어" 있다고 언급된 때에는, 그 다른 구성요소에 직접적으로 연결되어 있거나 또는 접속되어 있을 수도 있지만, 중간에 다른 구성요소가 존재할 수도 있다고 이해되어야 할 것이다. 반면에, 어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "직접 연결되어" 있다거나 "직접 접속되어" 있다고 언급된 때에는, 중간에 다른 구성요소가 존재하지 않는 것으로 이해되어야 할 것이다.When an element is referred to as being “connected” or “connected” to another element, it is understood that it may be directly connected or connected to the other element, but other elements may exist in between. it should be On the other hand, when it is said that a certain element is "directly connected" or "directly connected" to another element, it should be understood that the other element does not exist in the middle.
단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. The singular expression includes the plural expression unless the context clearly dictates otherwise.
본 출원에서, "포함한다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.In the present application, terms such as "comprises" or "have" are intended to designate that the features, numbers, steps, operations, components, parts, or combinations thereof described in the specification exist, but one or more other features It should be understood that this does not preclude the existence or addition of numbers, steps, operations, components, parts, or combinations thereof.
상술한 바와 같이, 높은 클럭으로 동작하는 리드아웃 회로부(70)에 참조전원이 공급되는 경우, 높은 클럭에 의한 영향으로 참조전원이 안정적이지 못하다는 문제가 발생할 수 있다.As described above, when the reference power is supplied to the
이에 따라 본 발명에서는, 높은 클럭 속도로 동작하는 리드아웃 회로부(70)에 안정적으로 참조전원(Vref)을 공급할 수 있는, 참조전원 공급 회로(80)의 새로운 구조를 제안한다. 이하에서 후술하는 참조전원 공급 회로(80)은 컬럼 이득 증폭기(90-1 ~ 90-n)에 참조전원(Vref)의 공급을 예시로 설명하고 있으나, 이에 한정되지 않고 안정적인 참조전원(Vref)이 필요한 다양한 구성에 공급할 수 있음은 자명할 것이다.Accordingly, the present invention proposes a new structure of the reference
도 4는 본 발명의 일실시예에 따른 참조전원 공급 회로(80)를 도시하는 도면이다.4 is a diagram illustrating a reference
도 3과 공통되는 구성에 대해서는 설명을 생략한다. 본 발명의 일실시예에 따른 참조전원 공급 회로(80)는 상술한 저항(302)과 병렬로 연결되는 커패시터(401)를 더 구비하도록 제안한다. 참조전원 공급 회로(80)가 동작하는 동안에 커패시터(401)에는 참조전원(Vref)에 대응되는 만큼의 전하가 충전될 수 있으며, 이렇게 충전되는 전하에 의해서 참조전원(Vref)이 안정적으로 동작할 수 있도록 완충시키는 효과가 있을 것이다.A description of the configuration common to FIG. 3 will be omitted. The reference
상기 커패시터(401)에는, 반도체 도선에 의한 저항이나 커패시터 자체에 존재하는 저항 성분을 고려하는 등가 저항(402, RC)을 더 고려해야 한다.In the
도 5는 본 발명의 일실시예에 따른 참조전원 공급 회로(80) 입력(VS) 대 증폭기(90-1 ~ 90-n)의 출력(Vout1 ~ Voutn)의 주파수 응답을 도시하는 도면이다. 이하 증폭기(90-1 ~ 90-n)의 각 출력(Vout1 ~ Voutn)을 포괄하여 출력(Vout)이라 한다. x축은 동작 주파수(Hz, 로그 스케일), y축은 주파수 응답 Vout/Vs(dB)이며 파란색으로 도시된 그래프는 커패시터(401)가 없는 일반적인 참조전원 공급 회로(80)의 응답을, 주황색으로 도시된 그래프는 커패시터(401)가 있는 본 발명의 참조전원 공급 회로(80)의 응답이다.5 is a diagram showing the frequency response of the reference
도시된 도면을 참조하면, 동작 주파수가 높아짐에 따라서 높아지는 주파수 응답이, 커패시터(401)에 의해서 생긴 극점과 영점에 의해서 상대적으로 낮게 유지되는 것을 확인할 수 있다. 약 30 ~ 40 Hz에 형성된 극점(Pole, 501)에 의해서 주파수 응답이 아래로 꺾이는 형태로 동작하며, 약 100 ~ 110 Hz에 형성된 영점(Zero, 502)에 의해서 주파수 응답이 수평하게 유지된다. 즉, 커패시터(401)에 의해서 주파수 응답에 극점(501)과 영점(502)이 형성되고, 이렇게 형성된 극점(501) 및 영점(502)에 의해서 100 ~ 1,000,000 Hz 대역 상에서의 주파수 응답이 약 10dB 만큼 감소(503)하는 것을 확인할 수 있다.Referring to the illustrated drawings, it can be seen that the frequency response, which increases as the operating frequency increases, is maintained relatively low due to the poles and zeros generated by the
극점(501)과 영점(502)는 각각 아래 수학식 2 및 수학식 3에 의해서 결정된다.The
상기 수학식 2 및 3에 의하면 극점(501)과 영점(502)의 위치는 커패시터(401)의 커패시턴스값(Cadd)에 의해서 변한다. 즉 Cadd의 값이 커지면 좌측으로 이동하며, 반대로 Cadd의 작아지면 우측으로 이동할 것이다. According to Equations 2 and 3, the positions of the
이에 따라 본 발명에서는 극점(501)의 위치에 대해서 1 ~ 100 Hz로 설정되고, 영점(502)은 100 ~ 1000 Hz로 설정되도록 커패시터(401)의 값을 조정할 수 있을 것이다. 왜냐하면, 극점(501) 및 영점(502)이 상기 범위로 설정됨에 따라서, 유효한 동작 주파수 범위(100 ~ 1,000,000 Hz) 내에서 올바른 주파수 크기로 동작할 수 있기 때문이다.Accordingly, in the present invention, the value of the
본 발명의 다른 실시예에서는 동작 주파수 에 값에 따라서 최적의 값으로 극점(501)과 영점(502)이 설정될 수 있도록, 상기 커패시터(401)가 가변 커패시터로 구성되도록 제안한다.In another embodiment of the present invention, the operating frequency It is proposed that the
특히, 상기 가변으로 동작하는 커패시터(401)의 최적 커패시턴스값을 설정할 수 있도록, 동작 주파수 를 감지하기 위한 주파수 감지부를 더 구비하도록 제안한다. 이러한 실시예에 대해서 도 6을 참조하여 설명한다.In particular, to set the optimum capacitance value of the variable-operated
도 6은 본 발명의 일실시예에 따른 주파수 감지부(601)를 더 구비하는 참조전원 공급 회로(80)를 도시하는 도면이다.6 is a diagram illustrating a reference
상기 도 4에서 이미 설명한 구성에 대해서는 설명을 중복하지 않고, 새로 추가된 구성에 대해서만 설명한다.The description of the configuration already described in FIG. 4 is not repeated, and only the newly added configuration will be described.
도시된 바와 같이, 본 발명의 다른 실시예에서는 리드아웃 회로부(70) 또는 증폭부(90)의 동작 주파수 를 감지하고, 감지된 동작 주파수 에 대응하는 커패시터(401)의 값을 가변시키도록 제안한다. 이 경우, 커패시터(401)는 가변 커패시터 일 것이다.As shown, in another embodiment of the present invention, the operating frequency of the
즉 주파수 감지부(601)는 동작 주파수 를 감지하고, 감지된 동작 주파수 에 최적화될 수 있도록, 커패시터(401)의 값을 제어한다.That is, the
도 5에 도시된 바와 같이, 영점(502)의 좌우 위치 이동에 의해서 주파수 응답의 크기가 결정될 수 있다. 영점(502)이 극점(501)과 가까워지는 왼쪽 방향으로 이동 시 주파수 응답의 크기가 커지며, 반대로 영점(502)이 극점(501)과 멀어지는 오른쪽 방향으로 이동 시 주파수 응답의 크기가 작아질 것이다.As shown in FIG. 5 , the magnitude of the frequency response may be determined by moving the left and right positions of the zero
이에 따라 주파수 감지부(601)는, 동작 주파수 에 최적화되도록 극점(501) 및 영점(502)의 좌우 이동을 제어하여, 주파수 응답을 최적화시킬 수 있을 것이다. 이때 극점(501) 및 영점(502)의 이동은 커패시터(401)의 가변 커패시턴스값의 제어를 통하여 이루어질 수 있음은 상술한 바와 같다.Accordingly, the
도 7은 증폭시간(amplifying time, Ta)의 개념을 설명하기 위한 도면이다.7 is a diagram for explaining the concept of amplifying time (T a ).
도 7에 도시된 바와 같이 증폭시간(701, Ta)이란 도 2에 도시된 증폭기가 증폭을 수행하는 시간을 의미한다. 본 발명의 일실시예에서는, 상기 증폭시간(701, Ta)의 값에 대응하여 가변 커패시터의 값을 제어하도록 제안한다.As shown in FIG. 7 , the
보다 구체적으로 본 발명의 일실시예에서는, 아래 수학식 4에 기초하여 최적의 커패시턴스의 값을 산출하고, 산출된 값으로 커패시터 값을 설정하도록 제안한다.More specifically, in one embodiment of the present invention, it is proposed to calculate an optimal capacitance value based on Equation 4 below, and to set the capacitor value to the calculated value.
이때 k는 상수로, 한 주기 T와 실제 증폭시간(701, Ta)간의 비율을 의미한다. 본 발명에서의 일예시에서는 k를 약 1,000 정도로 설정하였다. 즉, 의 값을 적어도 값 보다 크게 설정한다는 의미이다.At this time, k is a constant, meaning the ratio between one cycle T and the actual amplification time (701, T a ). In one example in the present invention, k was set to about 1,000. in other words, at least the value of It means to set it larger than the value.
상기 수학식 4는, 아래 수학식 5에 의한 조건인 경우를 가정하여 산출되었다.Equation 4 was calculated assuming the condition according to Equation 5 below.
여기서 r0는, 전류원(301)의 내부 임피던스(저항)를 의미한다. Here, r 0 means the internal impedance (resistance) of the
노드에서 에 대한 주파수 응답은 아래 수학식 6에 의해서 결정된다. at node The frequency response for ? is determined by Equation 6 below.
여기서 분모에 조건을 적용한 후 주파수 s에 관한 식으로 수학식 7로 정리할 수 있다.here in the denominator After applying the condition, it can be summarized in Equation 7 as an expression related to the frequency s.
한 주기 T와 실제 증폭시간(701, Ta)간의 비율을 대략 k라고 설정하였으며, 이를 정리하면 아래와 수학식 8과 같이 도출된다.The ratio between one period T and the actual amplification time (701, T a ) was set to be approximately k, and if this is summarized, it is derived as shown in Equation 8 below.
상기 수학식 8을 정리하면, 상기 수학식 4의 결과를 얻을 수 있다.By rearranging Equation 8, the result of Equation 4 can be obtained.
수학식 4에 따라 커패시터 의 값을 계산하는 예시는 다음 수학식 9와 같다. 예시에서 이고, 이다. Capacitor according to equation (4) An example of calculating the value of is shown in Equation 9 below. in the example ego, am.
즉, 는 보다 큰 값으로 설정될 경우, 효과적으로 동작(예를 들어 으로 설정)할 수 있다.in other words, Is When set to a larger value, it effectively behaves (e.g. can be set to ).
한편 본 발명의 실시예에 따르면, 높은 클럭 동작 속도에 안정적인 참조전원의 공급이 가능하기 때문에, 로우 노이즈 현상까지 최소화시킬 수 있다는 장점이 존재한다.Meanwhile, according to the embodiment of the present invention, since it is possible to supply a stable reference power at a high clock operating speed, there is an advantage that even a low noise phenomenon can be minimized.
더 나아가 본 발명에서는 로우 밴딩 노이즈를 제거할 수 있는 방법에 대해서 더 제안하고자 한다.Furthermore, the present invention intends to further propose a method capable of removing low-banding noise.
도 8은 로우 광원에 의하여 발생되는 일반적인 밴딩 노이즈를 설명하기 위한 파형을 도시하는 도면이다.8 is a diagram for explaining general banding noise generated by a low light source; It is a figure which shows a waveform.
로우(row) 광원이란, 광원이 좌우로 길게 형성된 경우를 의미한다. 도시된 도면에 따르면, 일반적인 경우(801, normal, 로우 광원이 없는 경우)와, 로우 광원이 약한 경우(802), 로우 광원이 센 경우(803)의 파형이 증폭시간(701, Ta) 동안 파형이 상이하다는 것을 확인할 수 있다. 이는 로우 광원에 의하여 발생되는 노이즈에 의한 파형의 변화에 따른 것이다.A row light source means a case in which the light source is formed to be long left and right. According to the drawing, the waveforms in the general case (801, normal, when there is no low light source), when the low light source is weak (802), and when the low light source is strong (803) are generated during the amplification time (701, Ta ). It can be seen that the waveforms are different. This is due to a change in the waveform due to noise generated by the raw light source.
상기 노이즈는 도 2의 증폭기에 참조전원 의 노이즈 성분()이 인가되기 때문이다. 도 2에 도시된 바와 같이 참조전원 는 op-amp의 (+) 입력단에 입력되기 때문에, 아래 수학식 10에서와 같이 출력에 마치 비반전 증폭기(non-inverting amplifier)에 의한 증폭 효과를 제공한다.The noise is a reference power supply to the amplifier of FIG. of the noise component ( ) is accepted. As shown in Fig. 2, the reference power supply Since is input to the (+) input terminal of the op-amp, an amplification effect by a non-inverting amplifier is provided to the output as in
이와 같이 참조 전원 의 노이즈 성분 에 의하여 로우 밴딩 노이즈 현상이 발생하기 때문에, 참조 전원의 노이즈 성분인 를 최소화시켜야 할 것이다. 즉, 본원 발명에 따라 커패시터를 구비하는 방식으로 참조 전원의 노이즈 성분 를 최소화시킬 경우, 상술한 로우 밴딩 노이즈를 감소할 수 있다. As such, the reference power noise component of Because the low-banding noise phenomenon occurs by should be minimized. That is, the noise component of the reference power supply in such a way that the capacitor according to the present invention is provided. is minimized, the above-described low-banding noise can be reduced.
이를 위해서 본 발명에서는 값에 기초하여 가변 커패시터의 값을 더 제어하도록 제안한다.For this purpose, in the present invention It is proposed to further control the value of the variable capacitor based on the value.
커패시터에 대한 시간 상수(time constant)는 아래 수학식 11과 같이 표현된다.A time constant for the capacitor is expressed as in Equation 11 below.
상술한 시간 동안 안정화가 가능한 커패시터 의 값은 아래 수학식 12와 같이 표현된다.the above Capacitors capable of stabilizing over time The value of is expressed as in Equation 12 below.
예를 들어 라고 할 때, 커패시터 의 최소값은 아래 수학식 13과 같을 것이다.E.g When said, the capacitor The minimum value of will be as in Equation 13 below.
즉, 가변 커패시터의 값을 조정하여 상기 수학식 13에서의 최소값보다 더 크게 설정할 경우, 로우 밴딩 노이즈를 효과적으로 제거할 수 있다.That is, when the value of the variable capacitor is adjusted to be greater than the minimum value in Equation 13, low banding noise can be effectively removed.
이러한 효과에 대해서 도 9를 참조하여 실험적으로 확인한다.This effect is confirmed experimentally with reference to FIG. 9 .
도 9은 본 발명의 일실시예에 따른 커패시터의 효과를 확인하기 위한 파형을 도시한다.9 shows a waveform for confirming the effect of the capacitor according to an embodiment of the present invention.
도시된 파형을 참조하면, 로우 광원이 약한 경우(802), 로우 광원이 센 경우(803) 모두 증폭시간(701, Ta) 동안 파형이 도 8에서의 일반적인 경우(801)와 거의 차이가 없는 것을 확인할 수 있다.Referring to the illustrated waveform, when the low light source is weak (802) and when the low light source is strong (803), the waveform has little difference from the general case (801) in FIG. 8 during the amplification time (701, Ta ) can check that
이상으로 본 발명에 따른 참조전원 공급 회로의 실시예를 설시하였으나 이는 적어도 하나의 실시예로서 설명되는 것이며, 이에 의하여 본 발명의 기술적 사상과 그 구성 및 작용이 제한되지는 아니하는 것으로, 본 발명의 기술적 사상의 범위가 도면 또는 도면을 참조한 설명에 의해 한정/제한되지는 아니하는 것이다. 또한 본 발명에서 제시된 발명의 개념과 실시예가 본 발명의 동일 목적을 수행하기 위하여 다른 구조로 수정하거나 설계하기 위한 기초로써 본 발명이 속하는 기술분야의 통상의 지식을 가진 자에 의해 사용되어질 수 있을 것인데, 본 발명이 속하는 기술분야의 통상의 지식을 가진 자에 의한 수정 또는 변경된 등가 구조는 청구범위에서 기술되는 본 발명의 기술적 범위에 구속되는 것으로서, 청구범위에서 기술한 발명의 사상이나 범위를 벗어나지 않는 한도 내에서 다양한 변화, 치환 및 변경이 가능한 것이다.Although the embodiment of the reference power supply circuit according to the present invention has been described above, it is described as at least one embodiment, and the technical spirit of the present invention and its configuration and operation are not limited thereby. The scope of the technical idea is not limited / limited by the drawings or the description with reference to the drawings. In addition, the concept and embodiment of the present invention presented in the present invention can be used by those of ordinary skill in the art as a basis for modifying or designing other structures in order to perform the same purpose of the present invention. , an equivalent structure modified or changed by a person of ordinary skill in the art to which the present invention belongs is bound by the technical scope of the present invention described in the claims, and does not depart from the spirit or scope of the invention described in the claims Various changes, substitutions and changes are possible within the limits.
Claims (9)
상기 저항에 전류를 공급하여 상기 저항의 양단에 전압차를 발생시키는 전류원; 및
상기 저항에 병렬로 연결되는 커패시터를 포함하는 것을 특징으로 하는,
참조전원 공급 회로.
Once this resistor is connected to ground;
a current source for supplying a current to the resistor to generate a voltage difference across the resistor; and
characterized in that it comprises a capacitor connected in parallel to the resistor,
Reference power supply circuit.
상기 발생된 전압차는 픽셀 증폭 회로의 참조전원을 공급되는 것을 특징으로 하는,
참조전원 공급 회로.
The method of claim 1,
The generated voltage difference is characterized in that the reference power of the pixel amplification circuit is supplied,
Reference power supply circuit.
상기 픽셀의 출력신호를 증폭시키기 위한 증폭부의 동작 주파수를 감지하기 위한 주파수 감지부를 더 구비하는 것을 특징으로 하는,
참조전원 공급 회로.
3. The method of claim 2,
Characterized in that it further comprises a frequency detection unit for detecting the operating frequency of the amplifier for amplifying the output signal of the pixel,
Reference power supply circuit.
상기 커패시터는, 가변 커패시터인 것을 특징으로 하는,
참조전원 공급 회로.
4. The method of claim 3,
The capacitor, characterized in that the variable capacitor,
Reference power supply circuit.
상기 주파수 감지부에 의해서 감지된 상기 동작 주파수에 기초하여 상기 가변 커패시터의 가변값을 조정하는 제어부를 더 구비하는 것을 특징으로 하는,
참조전원 공급 회로.
5. The method of claim 4,
Based on the operating frequency sensed by the frequency sensing unit, characterized in that it further comprises a control unit for adjusting the variable value of the variable capacitor,
Reference power supply circuit.
상기 픽셀로부터 출력을 입력 받기 위한 증폭기;
상기 증폭기에 참조전원을 제공하기 위한 참조전원 공급회로; 및
상기 증폭기의 출력 신호를 리셋하기 위한 스위치를 포함하되,
상기 참조전원 공급회로는,
일단이 접지와 연결된 저항;
상기 저항에 전류를 공급하여 상기 저항의 양단에 전압차를 발생시키는 전류원; 및
상기 저항에 병렬로 연결되는 커패시터를 포함하는 것을 특징으로 하는,
픽셀 증폭 회로.
A pixel amplifying circuit for amplifying a signal output from a pixel, the pixel amplifying circuit comprising:
an amplifier for receiving an output from the pixel;
a reference power supply circuit for providing a reference power supply to the amplifier; and
a switch for resetting the output signal of the amplifier;
The reference power supply circuit,
Once this resistor is connected to ground;
a current source for supplying a current to the resistor to generate a voltage difference across the resistor; and
characterized in that it comprises a capacitor connected in parallel to the resistor,
pixel amplification circuit.
상기 증폭기의 동작 주파수를 감지하기 위한 주파수 감지부를 더 구비하는 것을 특징으로 하는,
픽셀 증폭 회로.
7. The method of claim 6,
Characterized in that it further comprises a frequency detection unit for detecting the operating frequency of the amplifier,
pixel amplification circuit.
상기 커패시터는, 가변 커패시터인 것을 특징으로 하는,
픽셀 증폭 회로.
8. The method of claim 7,
The capacitor, characterized in that the variable capacitor,
pixel amplification circuit.
상기 주파수 감지부에 의해서 감지된 상기 동작 주파수에 기초하여 상기 가변 커패시터의 가변값을 조정하는 제어부를 더 구비하는 것을 특징으로 하는,
픽셀 증폭 회로.
9. The method of claim 8,
Based on the operating frequency sensed by the frequency sensing unit, characterized in that it further comprises a control unit for adjusting the variable value of the variable capacitor,
pixel amplification circuit.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020200107672A KR102372444B1 (en) | 2020-08-26 | 2020-08-26 | Reference power supply circuit with minimized noise pixel amplifier circuit having same |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020200107672A KR102372444B1 (en) | 2020-08-26 | 2020-08-26 | Reference power supply circuit with minimized noise pixel amplifier circuit having same |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20220026761A true KR20220026761A (en) | 2022-03-07 |
KR102372444B1 KR102372444B1 (en) | 2022-03-10 |
Family
ID=80816142
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020200107672A KR102372444B1 (en) | 2020-08-26 | 2020-08-26 | Reference power supply circuit with minimized noise pixel amplifier circuit having same |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR102372444B1 (en) |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20050078898A (en) * | 2004-02-03 | 2005-08-08 | 삼성전자주식회사 | Correlated double sampling circuit for improving signal to noise ratio and signal converting method using the same |
KR20180004530A (en) * | 2016-07-04 | 2018-01-12 | 금오공과대학교 산학협력단 | Cmos image sensor having generating ramp signal |
KR20200098163A (en) * | 2019-02-12 | 2020-08-20 | 삼성전자주식회사 | Pixel array included in image sensor and image sensor including the same |
-
2020
- 2020-08-26 KR KR1020200107672A patent/KR102372444B1/en active IP Right Grant
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20050078898A (en) * | 2004-02-03 | 2005-08-08 | 삼성전자주식회사 | Correlated double sampling circuit for improving signal to noise ratio and signal converting method using the same |
KR20180004530A (en) * | 2016-07-04 | 2018-01-12 | 금오공과대학교 산학협력단 | Cmos image sensor having generating ramp signal |
KR20200098163A (en) * | 2019-02-12 | 2020-08-20 | 삼성전자주식회사 | Pixel array included in image sensor and image sensor including the same |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR102372444B1 (en) | 2022-03-10 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR102469080B1 (en) | Comparator, and cmos image sensor thereof | |
KR101814661B1 (en) | Operating amplifier, image sensor having the same, and method for compensating frequency response of the same | |
CN104869330B (en) | Photoelectric conversion device and image capture system | |
US9143119B2 (en) | Comparator and analog-to-digital converter using the same | |
JP5893573B2 (en) | Solid-state imaging device | |
US9232166B2 (en) | Photoelectric conversion apparatus, method for driving the same, and photoelectric conversion system using first and second analog-to-digital converters to convert analog signal from respective plural electrical signal supply units based on signal change | |
US10224355B2 (en) | Comparator for low-banding noise and CMOS image sensor including the same | |
WO2011021320A1 (en) | Voltage generation circuit, digital-analog converter, ramp wave generation circuit, analog-digital converter, image sensor system and voltage generation method | |
US20140320330A1 (en) | Successive-approximation-register analog-to-digital converter for programmably amplifying amplitude of input signal and method thereof | |
KR20170079091A (en) | Ramp Signal Generator, and CMOS Image Sensor Using That | |
US10142559B2 (en) | Pixel signal transfer device and method thereof and CMOS image sensor including the same | |
CN109698918B (en) | Single slope comparison device, analog-to-digital conversion device comprising same and CMOS image sensor | |
KR20160112415A (en) | Comparator with current addition function, and analog-digital converting system using that | |
KR102148801B1 (en) | Ramp Signal Generator, and CMOS Image Sensor Using That | |
US9071778B2 (en) | Ad converting circuit, photoelectric converting apparatus, image pickup system, and driving method for ad converting circuit | |
US20170339365A1 (en) | Image pickup apparatus, image pickup system, and method of driving image pickup apparatus | |
KR102446723B1 (en) | Image sensing device and method of driving the same | |
US9143151B2 (en) | Pulse generator and analog-digital converter including the same | |
JP4781985B2 (en) | Solid-state imaging device | |
US20160118978A1 (en) | Reference voltage generator having noise cancelling function and cmos image sensor using the same | |
KR102372444B1 (en) | Reference power supply circuit with minimized noise pixel amplifier circuit having same | |
JP2020120310A (en) | Solid state image sensor | |
KR102174179B1 (en) | Pixel Power Noise Generator Using Pixel Modeling | |
JPH11304584A (en) | Optical sensor circuit | |
US10805568B2 (en) | Ramp signal generation device and CMOS image sensor using the same |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
GRNT | Written decision to grant |