KR20220026299A - Novel compound, coating composition comprising same, organic light emitting device using same and method of manufacturing same - Google Patents

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KR20220026299A KR1020200107151A KR20200107151A KR20220026299A KR 20220026299 A KR20220026299 A KR 20220026299A KR 1020200107151 A KR1020200107151 A KR 1020200107151A KR 20200107151 A KR20200107151 A KR 20200107151A KR 20220026299 A KR20220026299 A KR 20220026299A
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배재순
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Abstract

The present specification relates to a compound represented by chemical formula 1, a coating composition including a compound represented by chemical formula 1, an organic light emitting element using the same, and a manufacturing method thereof. According to the present invention, a solution process is possible, so that the element can be enlarged.

Description

신규한 화합물, 이를 포함하는 코팅 조성물, 이를 이용한 유기 발광 소자 및 이의 제조방법 {NOVEL COMPOUND, COATING COMPOSITION COMPRISING SAME, ORGANIC LIGHT EMITTING DEVICE USING SAME AND METHOD OF MANUFACTURING SAME}A novel compound, a coating composition comprising the same, an organic light emitting device using the same, and a manufacturing method thereof {NOVEL COMPOUND, COATING COMPOSITION COMPRISING SAME, ORGANIC LIGHT EMITTING DEVICE USING SAME AND METHOD OF MANUFACTURING SAME}

본 명세서는 신규한 화합물, 상기 화합물을 포함하는 코팅 조성물, 상기 코팅 조성물을 이용하여 형성된 유기 발광 소자 및 이의 제조 방법에 관한 것이다.The present specification relates to a novel compound, a coating composition including the compound, an organic light emitting device formed using the coating composition, and a method for manufacturing the same.

유기 발광 현상은 특정 유기 분자의 내부 프로세스에 의하여 전류가 가시광으로 전환되는 예의 하나이다. 유기 발광 현상의 원리는 다음과 같다. 애노드와 캐소드 사이에 유기물 층을 위치시켰을 때 두 전극 사이에 전류를 걸어주게 되면 캐소드와 애노드로부터 각각 전자와 정공이 유기물 층으로 주입된다. 유기물 층으로 주입된 전자와 정공은 재결합하여 엑시톤(exciton)을 형성하고, 이 엑시톤이 다시 바닥 상태로 떨어지면서 빛이 나게 된다. 이러한 원리를 이용하는 유기 발광 소자는 일반적으로 캐소드와 애노드 및 그 사이에 위치한 유기물층, 예컨대 정공주입층, 정공수송층, 발광층, 전자주입층 전자수송층으로 구성될 수 있다.The organic light emitting phenomenon is one example in which electric current is converted into visible light by an internal process of a specific organic molecule. The principle of the organic light emitting phenomenon is as follows. When an organic material layer is placed between the anode and the cathode, if a current is applied between the two electrodes, electrons and holes are respectively injected into the organic material layer from the cathode and the anode. Electrons and holes injected into the organic material layer recombine to form excitons, and the excitons fall back to the ground state and emit light. An organic light emitting device using this principle may generally include a cathode, an anode, and an organic material layer disposed therebetween, for example, a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, an electron injection layer, and an electron transport layer.

종래에는 유기 발광 소자를 제조하기 위하여 증착 공정을 주로 사용해 왔다. 그러나, 증착 공정으로 유기 발광 소자의 제조 시, 재료의 손실이 많이 발생한다는 문제점과 대면적의 소자를 제조하기 어렵다는 문제점이 있으며, 이를 해결하기 위하여, 용액 공정을 이용한 소자가 개발되고 있다.Conventionally, a deposition process has been mainly used to manufacture an organic light emitting device. However, there are problems in that a lot of material loss occurs and it is difficult to manufacture a device having a large area when manufacturing an organic light emitting device through the deposition process. To solve these problems, a device using a solution process is being developed.

따라서, 용액 공정용 재료에 대한 개발이 요구되고 있다.Accordingly, there is a demand for development of materials for solution processing.

한국 특허공개공보 제10-2000-0051826호Korean Patent Publication No. 10-2000-0051826

본 명세서는 신규한 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자를 제공하는 것이 목적이다.An object of the present specification is to provide a novel compound and an organic light emitting device including the same.

하기 화학식 1로 표시되는 화합물을 제공한다.A compound represented by the following formula (1) is provided.

[화학식 1][Formula 1]

Figure pat00001
Figure pat00001

상기 화학식 1에 있어서,In Formula 1,

R1 내지 R11은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소, 중수소, 할로겐기, 치환 또는 비치환된 알킬기, 치환 또는 비치환된 알콕시기, 치환 또는 비치환된 아릴기 또는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기이며,R1 to R11 are the same as or different from each other, and each independently represents hydrogen, deuterium, a halogen group, a substituted or unsubstituted alkyl group, a substituted or unsubstituted alkoxy group, a substituted or unsubstituted aryl group, or a substituted or unsubstituted heteroaryl group. is a flag,

Ar1 및 Ar2는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 아릴기 또는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기이며,Ar1 and Ar2 are the same as or different from each other, and are each independently a substituted or unsubstituted aryl group or a substituted or unsubstituted heteroaryl group,

n1 내지 n7은 각각 0 내지 4의 정수이고, n8 및 n9는 각각 0 내지 5의 정수이며, n10 및 n11은 각각 0 내지 7의 정수이고, 상기 n1 내지 n11이 각각 2 이상인 경우 2 이상의 괄호 내의 치환기는 서로 같거나 상이하다.n1 to n7 are each an integer from 0 to 4, n8 and n9 are each an integer from 0 to 5, n10 and n11 are each an integer from 0 to 7, and when n1 to n11 are each 2 or more, 2 or more substituents in parentheses are the same or different from each other.

본 명세서는 상기 화합물을 포함하는 코팅 조성물을 제공한다.The present specification provides a coating composition comprising the compound.

본 명세서는 또한, 제1 전극; 제2 전극; 및 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 구비되는 1층 이상의 유기물층을 포함하고, 상기 1층 이상의 유기물층 중 1층 이상은 전술한 코팅 조성물 또는 이의 경화물을 포함하는 유기 발광 소자를 제공한다.The present specification also includes a first electrode; a second electrode; and one or more organic material layers provided between the first electrode and the second electrode, wherein one or more of the one or more organic material layers provides an organic light emitting device including the above-described coating composition or a cured product thereof.

마지막으로, 본 명세서는 제1 전극을 준비하는 단계; 상기 제1 전극 상에 1층 이상의 유기물층을 형성하는 단계; 및 상기 1층 이상의 유기물층 상에 제2 전극을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 1층 이상의 유기물층을 형성하는 단계는 상기 코팅 조성물을 이용하여 1층 이상의 유기물층을 형성하는 단계를 포함하는 것인 유기 발광 소자의 제조 방법을 제공한다.Finally, the present specification includes the steps of preparing a first electrode; forming one or more organic material layers on the first electrode; and forming a second electrode on the one or more organic material layers, wherein the forming of the one or more organic material layers includes forming one or more organic material layers using the coating composition. A method of manufacturing a device is provided.

본 발명의 화학식 1의 화합물은 유기 발광 소자의 유기물층의 재료로 사용될 수 있으며, 소자에 적용 시 낮은 구동전압과 우수한 발광효율 및 수명특성을 갖는 소자를 얻을 수 있고, 용액 공정이 가능하여 소자의 대면적화가 가능하다.The compound of Formula 1 of the present invention can be used as a material for an organic material layer of an organic light emitting device, and when applied to a device, a device having a low driving voltage, excellent luminous efficiency and lifespan characteristics can be obtained, and a solution process is possible, which makes the device large area is possible.

본 발명의 일 실시상태에 따라, 상기 화학식 1을 포함하는 코팅 조성물을 이용하여 유기 발광 소자의 유기물층을 형성하는 경우, 화합물 내의 경화성기로 인하여 중합체를 형성하게 되므로, 경화성기가 결합되지 않은 단분자 화합물에 비해 코팅성이 우수하다는 이점이 있다.According to an exemplary embodiment of the present invention, when the organic material layer of the organic light emitting device is formed by using the coating composition comprising Formula 1, the polymer is formed due to the curable group in the compound, so that the curable group is not bound to the monomolecular compound. Compared to that, there is an advantage in that the coating property is excellent.

또한, 본 발명의 화학식 1의 화합물을 포함하는 유기물층을 형성한 후 상층부의 유기물층을 용액 공정을 통하여 형성하는 경우, 상기 화학식 1의 화합물을 포함하는 유기물층은 상층부의 용액 공정 용매에 대하여 용해되지 않으므로 소자의 성능이 저하되지 않는다는 이점이 있다.In addition, when the organic material layer containing the compound of Formula 1 of the present invention is formed through a solution process and then the organic material layer of the upper layer is formed through a solution process, the organic layer containing the compound of Formula 1 does not dissolve in the solution process solvent of the upper layer, so the device The advantage is that the performance of the

도 1은 본 명세서의 일 실시상태에 따른 유기 발광 소자의 예를 도시한 것이다.
도 2는 화합물 1-2의 NMR 데이터를 나타낸 도이다.
도 3은 화합물 1-3의 NMR 데이터를 나타낸 도이다.
도 4는 화합물 1의 NMR 데이터를 나타낸 도이다.
1 illustrates an example of an organic light emitting device according to an exemplary embodiment of the present specification.
2 is a diagram showing NMR data of Compound 1-2.
3 is a diagram showing NMR data of compound 1-3.
4 is a diagram showing NMR data of Compound 1.

이하, 본 명세서를 상세히 설명한다.Hereinafter, the present specification will be described in detail.

본 명세서에 있어서, 어떤 부재(층)가 다른 부재(층) “상에” 위치하고 있다고 할 때, 이는 어떤 부재(층)가 다른 부재에 접해 있는 경우 뿐 아니라 두 부재(층) 사이에 또 다른 부재(층)가 존재하는 경우도 포함한다.In the present specification, when a member (layer) is said to be located “on” another member (layer), this is not only when a member (layer) is in contact with another member but also between two members (layers). (layer) is also included.

본 명세서에 있어서, 어떤 부분이 어떤 구성요소를 “포함”한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성 요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.In the present specification, when a part "includes" a certain component, this means that other components may be further included, rather than excluding other components, unless otherwise stated.

본 명세서에서 “경화성기”란 광경화성기 또는 열경화성기를 의미하며, 열 및/또는 광에 노출시킴으로써 화합물 간에 가교를 시키는 반응성 치환기를 의미할 수 있다. 가교는 열처리 또는 광조사에 의하여, 탄소-탄소 다중결합 또는 환형 구조가 분해되면서 생성된 라디칼이 연결되면서 생성될 수 있다.As used herein, the term “curable group” refers to a photocurable group or a thermosetting group, and may refer to a reactive substituent for crosslinking between compounds by exposure to heat and/or light. Crosslinking may be generated while radicals generated while decomposing carbon-carbon multiple bonds or cyclic structures are connected by heat treatment or light irradiation.

이하, 본 명세서의 치환기를 상세하게 설명한다.Hereinafter, the substituents of the present specification will be described in detail.

본 명세서에 있어서, 상기 “치환”이라는 용어는 화합물의 탄소 원자에 결합된 수소 원자가 다른 치환기로 바뀌는 것을 의미하며, 치환되는 위치는 수소 원자가 치환되는 위치 즉, 치환기가 치환 가능한 위치라면 한정하지 않으며, 2 이상 치환되는 경우, 2 이상의 치환기는 서로 동일하거나 상이할 수 있다.As used herein, the term "substitution" means that a hydrogen atom bonded to a carbon atom of a compound is replaced with another substituent, and the position to be substituted is not limited as long as the position at which the hydrogen atom is substituted, that is, the position where the substituent is substitutable, is not limited, When two or more substituents are substituted, two or more substituents may be the same as or different from each other.

본 명세서에서 “치환 또는 비치환된”이라는 용어는 중수소, 할로겐기, 니트릴기, 알킬기, 시클로알킬기, 알콕시기, 아릴기 및 헤테로아릴기로 이루어진 군에서 선택된 1개 이상의 치환기로 치환 또는 비치환되거나, 상기 예시된 치환기 중 2 이상의 치환기가 연결된 치환기로 치환 또는 비치환된 것을 의미한다. 예컨대, "2 이상의 치환기가 연결된 치환기"는 바이페닐기일 수 있다. 즉, 바이페닐기는 아릴기일 수도 있고, 2개의 페닐기가 연결된 치환기로 해석될 수 있다.As used herein, the term "substituted or unsubstituted" is substituted or unsubstituted with one or more substituents selected from the group consisting of deuterium, a halogen group, a nitrile group, an alkyl group, a cycloalkyl group, an alkoxy group, an aryl group, and a heteroaryl group, It means that it is unsubstituted or substituted with a substituent to which two or more substituents are connected among the above-exemplified substituents. For example, "a substituent in which two or more substituents are connected" may be a biphenyl group. That is, the biphenyl group may be an aryl group, and may be interpreted as a substituent in which two phenyl groups are connected.

또한, 본 명세서에서 “치환 또는 비치환된”이라는 용어는 중수소, 할로겐기, 탄소수 1 내지 20의 알킬기, 탄소수 6 내지 60의 아릴기 및 탄소수 2 내지 60의 헤테로아릴기로 이루어진 군에서 선택된 1개 이상의 치환기로 치환 또는 비치환된거나, 상기 예시된 치환기 중 2 이상의 치환기가 연결된 치환기로 치환 또는 비치환된 것을 의미한다.In addition, as used herein, the term “substituted or unsubstituted” refers to at least one selected from the group consisting of deuterium, a halogen group, an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, an aryl group having 6 to 60 carbon atoms, and a heteroaryl group having 2 to 60 carbon atoms. It means that it is unsubstituted or substituted with a substituent, or substituted or unsubstituted with a substituent to which two or more of the above-exemplified substituents are connected.

본 명세서에 있어서, 할로겐기는 플루오로기(-F), 클로로기(-Cl), 브로모기(-Br) 또는 아이오도기(-I)이다.In the present specification, the halogen group is a fluoro group (-F), a chloro group (-Cl), a bromo group (-Br) or an iodo group (-I).

본 명세서에 있어서, 상기 알킬기는 직쇄 또는 분지쇄일 수 있고, 탄소수는 특별히 한정되지 않으나 1 내지 20일 수 있다. 또 하나의 실시상태에 따르면, 상기 알킬기의 탄소수는 1 내지 10이다. 상기 알킬기의 구체적인 예로는 메틸기, 에틸기, n-프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, 이소부틸기, tert-부틸기, n-펜틸기, n-헥실기, n-헵틸기 등이 있으나, 이들에 한정되지 않는다.In the present specification, the alkyl group may be linear or branched, and the number of carbon atoms is not particularly limited, but may be 1 to 20. According to another exemplary embodiment, the number of carbon atoms in the alkyl group is 1 to 10. Specific examples of the alkyl group include a methyl group, ethyl group, n-propyl group, isopropyl group, n-butyl group, isobutyl group, tert-butyl group, n-pentyl group, n-hexyl group, n-heptyl group, etc. , but not limited to these.

본 명세서에 있어서, 시클로알킬기는 특별히 한정되지 않으나, 탄소수 3 내지 60일 수 있고, 일 실시상태에 따르면, 상기 시클로알킬기의 탄소수는 3 내지 30이다. 또 하나의 일 실시상태에 따르면, 상기 시클로알킬기의 탄소수는 3 내지 20이다. 상기 시클로알킬기의 구체적인 예로는 시클로프로필기, 시클로부틸기, 시클로펜틸기, 시클로헥실기, 시클로헵틸기, 시클로옥틸기 등이 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.In the present specification, the cycloalkyl group is not particularly limited, but may have 3 to 60 carbon atoms, and according to an exemplary embodiment, the cycloalkyl group may have 3 to 30 carbon atoms. According to another exemplary embodiment, the carbon number of the cycloalkyl group is 3 to 20. Specific examples of the cycloalkyl group include, but are not limited to, a cyclopropyl group, a cyclobutyl group, a cyclopentyl group, a cyclohexyl group, a cycloheptyl group, a cyclooctyl group, and the like.

본 명세서에 있어서, 상기 알콕시기는 직쇄 또는 분지쇄일 수 있다. 상기 알콕시기의 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 탄소수 1 내지 20일 수 있다. 상기 알콕시기의 구체적인 예로는 메톡시기, 에톡시기, n-프로폭시기, n-부톡시기, tert-부톡시기, n-펜틸옥시기, n-헥실옥시기, n-옥틸옥시기, n-노닐옥시기, n-데실옥시기, 등이 될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.In the present specification, the alkoxy group may be linear or branched. The number of carbon atoms of the alkoxy group is not particularly limited, but may be 1 to 20 carbon atoms. Specific examples of the alkoxy group include a methoxy group, an ethoxy group, n-propoxy group, n-butoxy group, tert-butoxy group, n-pentyloxy group, n-hexyloxy group, n-octyloxy group, n-no It may be a nyloxy group, an n-decyloxy group, etc., but is not limited thereto.

본 명세서에 있어서, 상기 아릴기는 특별히 한정되지 않으나 탄소수 6 내지 60일 수 있으며, 단환식 아릴기 또는 다환식 아릴기일 수 있다. 일 실시상태에 따르면, 상기 아릴기의 탄소수는 6 내지 30이다. 일 실시상태에 따르면, 상기 아릴기의 탄소수는 6 내지 20이다. 상기 아릴기가 단환식 아릴기로는 페닐기, 비페닐기, 터페닐기 등이 될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 다환식 아릴기로는 나프틸기, 안트라세닐기, 페난트레닐기, 파이레닐기, 페릴레닐기, 트리페닐레닐기, 크라이세닐기, 플루오레닐기 등이 될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.In the present specification, the aryl group is not particularly limited, but may have 6 to 60 carbon atoms, and may be a monocyclic aryl group or a polycyclic aryl group. According to an exemplary embodiment, the carbon number of the aryl group is 6 to 30. According to an exemplary embodiment, the carbon number of the aryl group is 6 to 20. The aryl group may be a monocyclic aryl group, such as a phenyl group, a biphenyl group, or a terphenyl group, but is not limited thereto. The polycyclic aryl group may be a naphthyl group, an anthracenyl group, a phenanthrenyl group, a pyrenyl group, a perylenyl group, a triphenylenyl group, a chrysenyl group, a fluorenyl group, and the like, but is not limited thereto.

본 명세서에 있어서, 플루오레닐기는 치환될 수 있고, 치환기 2개가 서로 결합하여 스피로 구조를 형성할 수 있다.In the present specification, the fluorenyl group may be substituted, and two substituents may be bonded to each other to form a spiro structure.

상기 플루오레닐기가 치환되는 경우,

Figure pat00002
,
Figure pat00003
등의 스피로플루오레닐기,
Figure pat00004
(9,9-디메틸플루오레닐기), 및
Figure pat00005
(9,9-디페닐플루오레닐기) 등의 치환된 플루오레닐기가 될 수 있다. 다만, 이에 한정되는 것은 아니다.When the fluorenyl group is substituted,
Figure pat00002
,
Figure pat00003
spirofluorenyl groups such as
Figure pat00004
(9,9-dimethyl fluorenyl group), and
Figure pat00005
a substituted fluorenyl group such as (9,9-diphenylfluorenyl group). However, the present invention is not limited thereto.

본 명세서에 있어서, 헤테로아릴기는 이종원자로 N, O, P, S, Si 및 Se 중 1개 이상을 포함하는 방향족고리기로서, 탄소수는 특별히 한정되지 않으나 탄소수 2 내지 60일 수 있다. 일 실시상태에 따르면, 상기 헤테로아릴기의 탄소수는 2 내지 30이다. 상기 헤테로아릴기의 예로는 피리딘기, 피롤기, 피리미딘기, 피리다진기, 퓨란기, 티오펜기, 벤조티오펜기, 벤조퓨란기, 디벤조티오펜기, 디벤조퓨란기, 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.In the present specification, the heteroaryl group is an aromatic ring group including at least one of N, O, P, S, Si and Se as a heteroatom, and the number of carbon atoms is not particularly limited, but may be from 2 to 60 carbon atoms. According to an exemplary embodiment, the heteroaryl group has 2 to 30 carbon atoms. Examples of the heteroaryl group include a pyridine group, a pyrrole group, a pyrimidine group, a pyridazine group, a furan group, a thiophene group, a benzothiophene group, a benzofuran group, a dibenzothiophene group, a dibenzofuran group, and the like. However, the present invention is not limited thereto.

본 명세서는 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 제공한다.The present specification provides a compound represented by Formula 1 above.

본 명세서의 일 실시상태는 상기 화학식 1의 화합물은 적당한 유기용매에 대해 용해성을 갖는 화합물들이 바람직하다.In an exemplary embodiment of the present specification, the compound of Formula 1 is preferably a compound having solubility in a suitable organic solvent.

또한, 본 명세서의 일 실시상태에 따른 화합물의 경우, 용액 도포법에 의하여 유기 발광 소자를 제조할 수 있어 소자의 대면적화가 가능할 수 있다.In addition, in the case of the compound according to an exemplary embodiment of the present specification, an organic light emitting device may be manufactured by a solution coating method, and thus a large area of the device may be possible.

상기 화학식 1의 화합물은 2개의 아민 사이의 링커로 터페닐렌이 결합됨으로써, 화합물 내의 컨쥬게이션을 늘려주어 에너지 레벨을 조절할 수 있으며, 이를 통하여 소자 내 유기물층에 적용시, 인접층과의 에너지 밸런스를 이루어 정공의 이동을 용이하게 하는 이점이 있다.In the compound of Formula 1, terphenylene is bonded as a linker between two amines, thereby increasing conjugation in the compound to control the energy level. This has the advantage of facilitating the movement of holes.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 R1 내지 R3는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소, 중수소, 할로겐기, 치환 또는 비치환된 C1-20의 알킬기, 치환 또는 비치환된 C1-20의 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C6-30의 아릴기 또는 치환 또는 비치환된 C2-30의 헤테로아릴기이다.According to an exemplary embodiment of the present specification, R1 to R3 are the same as or different from each other, and each independently hydrogen, deuterium, a halogen group, a substituted or unsubstituted C 1-20 alkyl group, a substituted or unsubstituted C 1 - 20 is an alkoxy group, a substituted or unsubstituted C 6-30 aryl group, or a substituted or unsubstituted C 2-30 heteroaryl group.

또 하나의 일 실시상태에 있어서, 상기 R1 내지 R3는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소 또는 치환 또는 비치환된 C1-20의 알킬기이다.In another exemplary embodiment, R1 to R3 are the same as or different from each other, and each independently represent hydrogen or a substituted or unsubstituted C 1-20 alkyl group.

또 하나의 일 실시상태에 있어서, 상기 R1 내지 R3는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소 또는 치환 또는 비치환된 헥실기이다.In another exemplary embodiment, R1 to R3 are the same as or different from each other, and each independently represents hydrogen or a substituted or unsubstituted hexyl group.

또 하나의 일 실시상태에 있어서, 상기 R1 내지 R3는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소 또는 헥실기이다.In another exemplary embodiment, R1 to R3 are the same as or different from each other, and each independently represents a hydrogen or a hexyl group.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 n1 내지 n3는 각각 0 내지 2의 정수이고, n1 내지 n3가 각각 2인 경우 2개의 괄호 내의 치환기는 서로 같거나 상이하다.According to an exemplary embodiment of the present specification, each of the n1 to n3 is an integer of 0 to 2, and when n1 to n3 are each 2, the substituents in the two parentheses are the same as or different from each other.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 1은 하기 화학식 2로 표시된다.According to an exemplary embodiment of the present specification, Chemical Formula 1 is represented by Chemical Formula 2 below.

[화학식 2][Formula 2]

Figure pat00006
Figure pat00006

상기 화학식 2에 있어서,In Formula 2,

R1, R3 내지 R11, n1, n3 내지 n11, Ar1 및 Ar2의 정의는 화학식 1에서와 같고,R1, R3 to R11, n1, n3 to n11, Ar1 and Ar2 have the same definitions as in Formula 1,

R21 및 R22는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 알킬기이다. R21 and R22 are the same as or different from each other and each independently represent a substituted or unsubstituted alkyl group.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R21 및 R22는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C1-20의 알킬기이다.In an exemplary embodiment of the present specification, R21 and R22 are the same as or different from each other, and each independently represents a substituted or unsubstituted C 1-20 alkyl group.

또 하나의 일 실시상태에 따르면, 상기 R21 및 R22는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 헥실기이다.According to another exemplary embodiment, R21 and R22 are the same as or different from each other, and each independently represent a substituted or unsubstituted hexyl group.

또 하나의 일 실시상태에 따르면, 상기 R21 및 R22는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 헥실기이다.According to another exemplary embodiment, R21 and R22 are the same as or different from each other, and each independently represents a hexyl group.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 Ar1 및 Ar2는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C6-30의 아릴기 또는 치환 또는 비치환된 C2-30의 헤테로아릴기이다.According to an exemplary embodiment of the present specification, Ar1 and Ar2 are the same as or different from each other, and are each independently a substituted or unsubstituted C 6-30 aryl group or a substituted or unsubstituted C 2-30 heteroaryl group .

또 하나의 일 실시상태에 따르면 상기 Ar1 및 Ar2는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 1 이상의 할로겐기로 치환 또는 비치환된 아릴기이다.According to another exemplary embodiment, Ar1 and Ar2 are the same as or different from each other, and each independently represent an aryl group unsubstituted or substituted with one or more halogen groups.

또 하나의 일 실시상태에 따르면, 상기 Ar1 및 Ar2는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 1 이상의 할로겐기로 치환 또는 비치환된 C6-30의 아릴기이다.According to another exemplary embodiment, Ar1 and Ar2 are the same as or different from each other, and each independently represent a C 6-30 aryl group unsubstituted or substituted with one or more halogen groups.

또 하나의 일 실시상태에 따르면, 상기 Ar1 및 Ar2는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 1 이상의 플루오로기로 치환 또는 비치환된 C6-30의 아릴기이다.According to another exemplary embodiment, Ar1 and Ar2 are the same as or different from each other, and each independently represents a C 6-30 aryl group unsubstituted or substituted with one or more fluoro groups.

또 하나의 일 실시상태에 있어서, 상기 Ar1 및 Ar2는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 페닐기, 치환 또는 비치환된 비페닐기 또는 치환 또는 비치환된 터페닐기이다.In another exemplary embodiment, Ar1 and Ar2 are the same as or different from each other, and each independently represents a substituted or unsubstituted phenyl group, a substituted or unsubstituted biphenyl group, or a substituted or unsubstituted terphenyl group.

또 하나의 일 실시상태에 따르면, 상기 Ar1 및 Ar2는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 1 이상의 할로겐기로 치환 또는 비치환된 페닐기, 1 이상의 할로겐기로 치환 또는 비치환된 비페닐기, 또는 1 이상의 할로겐기로 치환 또는 비치환된 터페닐기이다.According to another exemplary embodiment, Ar1 and Ar2 are the same as or different from each other, and each independently a phenyl group substituted or unsubstituted with one or more halogen groups, a biphenyl group unsubstituted or substituted with one or more halogen groups, or one or more halogen groups. It is a terphenyl group unsubstituted or substituted with a group.

또 하나의 일 실시상태에 따르면, 상기 Ar1 및 Ar2는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 1 이상의 플루오로기로 치환 또는 비치환된 페닐기, 1 이상의 플루오로기로 치환 또는 비치환된 비페닐기, 또는 1 이상의 플루오로기로 치환 또는 비치환된 터페닐기이다.According to another exemplary embodiment, Ar1 and Ar2 are the same as or different from each other, and each independently a phenyl group unsubstituted or substituted with one or more fluoro groups, a biphenyl group unsubstituted or substituted with one or more fluoro groups, or 1 It is a terphenyl group unsubstituted or substituted with the above fluoro group.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 1은 하기 화학식 3으로 표시된다.In an exemplary embodiment of the present specification, Formula 1 is represented by Formula 3 below.

[화학식 3][Formula 3]

Figure pat00007
Figure pat00007

상기 화학식 3에 있어서,In Formula 3,

R1 내지 R11, n1 내지 n11, Ar1 및 Ar2의 정의는 화학식 1에서와 같다.Definitions of R1 to R11, n1 to n11, Ar1 and Ar2 are the same as in Formula 1.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 R4 내지 R11은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소, 중수소, 할로겐기, 치환 또는 비치환된 C1-20의 알킬기, 치환 또는 비치환된 C1-20의 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C6-30의 아릴기 또는 치환 또는 비치환된 C2-30의 헤테로아릴기이다.According to an exemplary embodiment of the present specification, R4 to R11 are the same as or different from each other, and each independently hydrogen, deuterium, a halogen group, a substituted or unsubstituted C 1-20 alkyl group, a substituted or unsubstituted C 1 - 20 is an alkoxy group, a substituted or unsubstituted C 6-30 aryl group, or a substituted or unsubstituted C 2-30 heteroaryl group.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 R4 내지 R7, R10 및 R11은 각각 수소이다.According to an exemplary embodiment of the present specification, R4 to R7, R10 and R11 are each hydrogen.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 R8 및 R9는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C1-20의 알킬기이다. 상기 R8 및 R9가 알킬기인 경우, 화학식 1의 화합물의 용해도를 높여주며 유기물층 형성시 반응 중간체의 부반응을 막아준다.According to an exemplary embodiment of the present specification, R8 and R9 are the same as or different from each other, and each independently represents a substituted or unsubstituted C 1-20 alkyl group. When R8 and R9 are an alkyl group, the solubility of the compound of Formula 1 is increased and a side reaction of the reaction intermediate is prevented when the organic layer is formed.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 R8 및 R9는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 메틸기이다. According to an exemplary embodiment of the present specification, R8 and R9 are the same as or different from each other, and each independently represents a substituted or unsubstituted methyl group.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 R8 및 R9는 각각 메틸기이다.According to an exemplary embodiment of the present specification, R8 and R9 are each a methyl group.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 n4 내지 n11은 각각 0 내지 2의 정수이고, n4 내지 n11이 각각 2인 경우 2개의 괄호 내의 치환기는 서로 같거나 상이하다.According to an exemplary embodiment of the present specification, n4 to n11 are each an integer of 0 to 2, and when n4 to n11 are each 2, the substituents in the two parentheses are the same as or different from each other.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 1은 하기 화학식 4로 표시된다.In an exemplary embodiment of the present specification, Chemical Formula 1 is represented by Chemical Formula 4 below.

[화학식 4][Formula 4]

Figure pat00008
Figure pat00008

상기 화학식 4에 있어서,In Formula 4,

R1, R3 내지 R7, R10, R11, n1, n3 내지 n7, n10, n11, Ar1 및 Ar2의 정의는 화학식 1에서와 같고,R1, R3 to R7, R10, R11, n1, n3 to n7, n10, n11, Ar1 and Ar2 have the same definitions as in Formula 1,

R21 및 R22는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 알킬기이며,R21 and R22 are the same as or different from each other, and each independently represents a substituted or unsubstituted alkyl group,

R31 내지 R34는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 알킬기이다.R31 to R34 are the same as or different from each other, and each independently represent a substituted or unsubstituted alkyl group.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 R31 내지 R34는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C1-20의 알킬기이다.According to an exemplary embodiment of the present specification, R31 to R34 are the same as or different from each other, and each independently represents a substituted or unsubstituted C 1-20 alkyl group.

또 하나의 일 실시상태에 따르면, 상기 R31 내지 R34는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 메틸기이다.According to another exemplary embodiment, R31 to R34 are the same as or different from each other, and each independently represent a substituted or unsubstituted methyl group.

또 하나의 일 실시상태에 있어서, 상기 R31 내지 R34는 각각 메틸기이다.In another exemplary embodiment, R31 to R34 are each a methyl group.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 1은 하기 화합물들 중 어느 하나로 표시될 수 있다.In an exemplary embodiment of the present specification, Chemical Formula 1 may be represented by any one of the following compounds.

Figure pat00009
Figure pat00009

Figure pat00010
Figure pat00010

Figure pat00011
Figure pat00011

Figure pat00012
Figure pat00012

Figure pat00013
Figure pat00013

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 1의 화합물은 후술하는 제조예와 같이 코어구조가 제조될 수 있다. 또한, 치환기는 당 기술분야에 알려져 있는 방법에 의하여 결합될 수 있으며, 치환기의 종류, 위치 또는 개수는 당 기술분야에 알려져 있는 기술에 따라 변경될 수 있다.According to an exemplary embodiment of the present specification, the compound of Formula 1 may have a core structure as in Preparation Examples to be described later. In addition, the substituents may be combined by a method known in the art, and the type, position or number of the substituents may be changed according to a method known in the art.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 전술한 화학식 1의 화합물을 포함하는 코팅 조성물을 제공한다.In one embodiment of the present specification, there is provided a coating composition comprising the compound of Formula 1 described above.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 코팅 조성물은 상기 화학식 1의 화합물 및 용매를 포함한다.In an exemplary embodiment of the present specification, the coating composition includes the compound of Formula 1 and a solvent.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 코팅 조성물은 액상일 수 있다. 상기 "액상"은 상온 및 상압에서 액체 상태인 것을 의미한다.In one embodiment of the present specification, the coating composition may be in a liquid state. The "liquid phase" means a liquid state at room temperature and pressure.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 용매는 예컨대, 클로로포름, 염화메틸렌, 1,2-디클로로에탄, 1,1,2-트리클로로에탄, 클로로벤젠, o-디클로로벤젠 등의 염소계 용매; 테트라히드로푸란, 디옥산 등의 에테르계 용매; 톨루엔, 크실렌, 트리메틸벤젠, 메시틸렌 등의 방향족 탄화수소계 용매; 시클로헥산, 메틸시클로헥산, n-펜탄, n-헥산, n-헵탄, n-옥탄, n-노난, n-데칸 등의 지방족 탄화수소계 용매; 아세톤, 메틸에틸케톤, 시클로헥사논, 이소포론(Isophorone), 테트랄론(Tetralone), 데칼론(Decalone), 아세틸아세톤(Acetylacetone) 등의 케톤계 용매; 아세트산에틸, 아세트산부틸, 에틸셀로솔브아세테이트 등의 에스테르계 용매; 에틸렌글리콜, 에틸렌글리콜모노부틸에테르, 에틸렌글리콜모노에틸에테르, 에틸렌글리콜모노메틸에테르, 디메톡시에탄, 프로필렌글리콜, 디에톡시메탄, 트리에틸렌글리콜모노에틸에테르, 글리세린, 1,2-헥산디올 등의 다가 알코올 및 그의 유도체; 메탄올, 에탄올, 프로판올, 이소프로판올, 시클로헥산올 등의 알코올계 용매; 디메틸술폭시드 등의 술폭시드계 용매; 및 N-메틸-2-피롤리돈, N,N-디메틸포름아미드 등의 아미드계 용매; 테트랄린 등의 용매가 예시되나, 본 발명의 일 실시상태에 따른 화학식 1의 화합물을 용해 또는 분산시킬 수 있는 용매면 족하고, 이들을 한정하지 않는다.In one embodiment of the present specification, the solvent is, for example, a chlorine-based solvent such as chloroform, methylene chloride, 1,2-dichloroethane, 1,1,2-trichloroethane, chlorobenzene, o-dichlorobenzene; ether solvents such as tetrahydrofuran and dioxane; aromatic hydrocarbon solvents such as toluene, xylene, trimethylbenzene, and mesitylene; aliphatic hydrocarbon solvents such as cyclohexane, methylcyclohexane, n-pentane, n-hexane, n-heptane, n-octane, n-nonane, and n-decane; ketone solvents such as acetone, methyl ethyl ketone, cyclohexanone, Isophorone, Tetralone, Decalone, and Acetylacetone; ester solvents such as ethyl acetate, butyl acetate, and ethyl cellosolve acetate; Polyvalents such as ethylene glycol, ethylene glycol monobutyl ether, ethylene glycol monoethyl ether, ethylene glycol monomethyl ether, dimethoxyethane, propylene glycol, diethoxymethane, triethylene glycol monoethyl ether, glycerin, and 1,2-hexanediol alcohols and derivatives thereof; alcohol solvents such as methanol, ethanol, propanol, isopropanol and cyclohexanol; sulfoxide solvents such as dimethyl sulfoxide; and amide solvents such as N-methyl-2-pyrrolidone and N,N-dimethylformamide; A solvent such as tetralin is exemplified, but any solvent capable of dissolving or dispersing the compound of Formula 1 according to an exemplary embodiment of the present invention is sufficient, and the present invention is not limited thereto.

또 하나의 실시상태에 있어서, 상기 용매는 1종 단독으로 사용하거나, 또는 2종 이상의 용매를 혼합하여 사용할 수 있다.In another exemplary embodiment, the solvent may be used alone or as a mixture of two or more solvents.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 코팅 조성물은 p 도핑 물질을 더 포함하지 않는다. In one embodiment of the present specification, the coating composition does not further include a p-doping material.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 코팅 조성물은 p 도핑 물질을 더 포함한다.In one embodiment of the present specification, the coating composition further comprises a p-doping material.

본 명세서에서 상기 p 도핑 물질이란, 호스트 물질을 p 반도체 특성을 갖도록 하는 물질을 의미한다. p 반도체 특성이란 HOMO(highest occupied molecular orbital) 에너지 준위로 정공을 주입받거나 수송하는 특성 즉, 정공의 전도도가 큰 물질의 특성을 의미한다.In the present specification, the p-doped material refers to a material that allows the host material to have p-semiconductor properties. The p-semiconductor property refers to the property of receiving or transporting holes at the highest occupied molecular orbital (HOMO) energy level, that is, the property of a material having high hole conductivity.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 p 도핑 물질의 함량은 상기 화학식 1의 화합물을 기준으로 0 중량% 내지 50 중량%이다.In the exemplary embodiment of the present specification, the content of the p-doping material is 0 wt% to 50 wt% based on the compound of Formula 1 above.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 p 도핑 물질의 함량은 상기 코팅 조성물의 전체 고형분 함량을 기준으로 0 내지 30 중량%를 포함한다. 본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 p 도핑 물질의 함량은 상기 코팅 조성물의 전체 고형분 함량을 기준으로 1 내지 30 중량%를 포함하는 것이 바람직하며, 또 하나의 실시상태에 있어서, 상기 p 도핑 물질의 함량은 상기 코팅 조성물의 전체 고형분 함량을 기준으로 10 내지 30 중량%를 포함하는 것이 더욱 바람직하다.In an exemplary embodiment of the present specification, the content of the p doping material includes 0 to 30% by weight based on the total solid content of the coating composition. In an exemplary embodiment of the present specification, the content of the p doping material is preferably 1 to 30% by weight based on the total solid content of the coating composition, and in another exemplary embodiment, the p doping material The content of the coating composition more preferably includes 10 to 30% by weight based on the total solid content of the coating composition.

또 다른 실시상태에 있어서, 상기 코팅 조성물은 광경화성기 및/또는 열경화성기를 포함하는 단분자; 또는 열에 의한 폴리머 형성이 가능한 말단기를 포함하는 단분자를 더 포함할 수 있다. 상기와 같이 광경화성기 및/또는 열경화성기를 포함하는 단분자; 또는 열에 의한 폴리머 형성이 가능한 말단기를 포함하는 단분자의 분자량은 3,000 g/mol이하의 화합물일 수 있다.In another embodiment, the coating composition is a single molecule comprising a photocurable group and / or thermosetting group; Alternatively, it may further include a single molecule including a terminal group capable of forming a polymer by heat. Monomolecules containing a photocurable group and/or a thermosetting group as described above; Alternatively, the molecular weight of a single molecule including a terminal group capable of forming a polymer by heat may be a compound of 3,000 g/mol or less.

상기 광경화성기 및/또는 열경화성기를 포함하는 단분자; 또는 열에 의한 폴리머 형성이 가능한 말단기를 포함하는 단분자는 페닐, 비페닐, 플루오렌, 나프탈렌 등의 아릴; 아릴아민; 또는 플루오렌에 광경화성기 및/또는 열경화성기 또는 열에 의한 폴리머 형성이 가능한 말단기가 치환된 단분자를 의미할 수 있다.a single molecule comprising the photocurable group and/or the thermosetting group; Alternatively, a single molecule including a terminal group capable of forming a polymer by heat may be aryl such as phenyl, biphenyl, fluorene, or naphthalene; arylamine; Alternatively, it may refer to a single molecule in which a photocurable group and/or a thermosetting group or a terminal group capable of forming a polymer by heat is substituted with fluorene.

또 하나의 실시상태에 있어서, 상기 코팅 조성물의 점도는 상온에서 1 cP 내지 20 cP이다.In another exemplary embodiment, the viscosity of the coating composition is 1 cP to 20 cP at room temperature.

상기 점도를 만족하는 경우 소자 제조에 용이하다.When the above viscosity is satisfied, it is easy to manufacture a device.

본 명세서는 또한, 상기 코팅 조성물을 이용하여 형성된 유기 발광 소자를 제공한다.The present specification also provides an organic light emitting device formed using the coating composition.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 제1 전극; 제2 전극; 및 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 구비되는 1층 이상의 유기물층을 포함하고, 상기 층 이상의 유기물층 중 1층 이상은 상기 코팅 조성물 또는 이의 경화물을 포함하며, 상기 코팅 조성물의 경화물은 상기 코팅 조성물이 열처리 또는 광처리에 의하여 경화된 상태이다.In one embodiment of the present specification, the first electrode; a second electrode; and at least one organic material layer provided between the first electrode and the second electrode, wherein at least one organic material layer of the at least one layer contains the coating composition or a cured product thereof, and the cured product of the coating composition is the The coating composition is in a cured state by heat treatment or light treatment.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 코팅 조성물 또는 이의 경화물을 포함하는 유기물층은 정공수송층 또는 정공주입층이다.In an exemplary embodiment of the present specification, the organic material layer including the coating composition or a cured product thereof is a hole transport layer or a hole injection layer.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 코팅 조성물 또는 이의 경화물을 포함하는 유기물층은 전자수송층 또는 전자주입층이다.In an exemplary embodiment of the present specification, the organic material layer including the coating composition or a cured product thereof is an electron transport layer or an electron injection layer.

또 다른 실시상태에 있어서, 상기 코팅 조성물 또는 이의 경화물을 포함하는 유기물층은 발광층이다.In another exemplary embodiment, the organic material layer including the coating composition or a cured product thereof is a light emitting layer.

또 하나의 실시상태에 있어서, 상기 코팅 조성물 또는 이의 경화물을 포함하는 유기물층은 발광층이고, 상기 발광층은 상기 화학식 1의 화합물을 발광층의 호스트로서 포함한다.In another exemplary embodiment, the organic material layer including the coating composition or a cured product thereof is an emission layer, and the emission layer includes the compound of Formula 1 as a host of the emission layer.

또 하나의 실시상태에 있어서, 상기 코팅 조성물 또는 이의 경화물을 포함하는 유기물층은 발광층이고, 상기 발광층은 상기 화학식 1의 화합물을 발광층의 도펀트로서 포함한다.In another exemplary embodiment, the organic material layer including the coating composition or a cured product thereof is a light emitting layer, and the light emitting layer includes the compound of Formula 1 as a dopant of the light emitting layer.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 유기 발광 소자는 정공주입층, 정공수송층. 전자수송층, 전자주입층, 전자저지층, 정공저지층, 정공주입 및 수송층 및 전자수송 및 주입층으로 이루어진 군에서 선택되는 1층 또는 2층 이상을 더 포함한다.In an exemplary embodiment of the present specification, the organic light emitting device includes a hole injection layer and a hole transport layer. It further includes one or more layers selected from the group consisting of an electron transport layer, an electron injection layer, an electron blocking layer, a hole blocking layer, a hole injection and transport layer, and an electron transport and injection layer.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 제1 전극은 애노드이고, 제2 전극은 캐소드이다.In the exemplary embodiment of the present specification, the first electrode is an anode, and the second electrode is a cathode.

또 하나의 일 실시상태에 따르면, 상기 제1 전극은 캐소드이고, 제2 전극은 애노드이다.According to another exemplary embodiment, the first electrode is a cathode, and the second electrode is an anode.

또 하나의 실시상태에 있어서, 유기 발광 소자는 기판 상에 애노드, 1층 이상의 유기물층 및 캐소드가 순차적으로 적층된 구조(normal type)의 유기 발광 소자일 수 있다.In another exemplary embodiment, the organic light emitting device may be a normal type organic light emitting device in which an anode, one or more organic material layers, and a cathode are sequentially stacked on a substrate.

또 하나의 실시상태에 있어서, 유기 발광 소자는 기판 상에 캐소드, 1층 이상의 유기물층 및 애노드가 순차적으로 적층된 역방향 구조(inverted type)의 유기 발광 소자일 수 있다.In another exemplary embodiment, the organic light emitting device may be an inverted type organic light emitting device in which a cathode, one or more organic material layers, and an anode are sequentially stacked on a substrate.

본 명세서의 유기 발광 소자의 유기물층은 단층 구조로 이루어질 수도 있으나, 2층 이상의 유기물층이 적층된 다층 구조로 이루어질 수 있다. 예컨대, 본 발명의 유기 발광 소자는 유기물층으로서 정공주입층, 정공수송층, 발광층, 전자수송층, 전자주입층, 정공주입 및 수송층, 전자주입 및 수송층 등을 포함하는 구조를 가질 수 있다. 그러나 유기 발광 소자의 구조는 이에 한정되지 않고 더 적은 수의 유기층을 포함할 수 있다.The organic material layer of the organic light emitting device of the present specification may have a single-layer structure, but may have a multi-layer structure in which two or more organic material layers are stacked. For example, the organic light emitting device of the present invention may have a structure including a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer, an electron injection layer, a hole injection and transport layer, an electron injection and transport layer, etc. as an organic material layer. However, the structure of the organic light emitting device is not limited thereto and may include a smaller number of organic layers.

예컨대, 본 명세서의 일 실시상태에 따른 유기 발광 소자의 구조는 도 1에 예시되어 있다.For example, the structure of the organic light emitting device according to an exemplary embodiment of the present specification is illustrated in FIG. 1 .

도 1에는 기판(101) 상에 제1 전극(201), 정공주입층(301), 정공수송층(401), 발광층(501), 전자주입 및 수송층(601) 및 제2 전극(701)이 순차적으로 적층된 유기 발광 소자의 구조가 예시되어 있다. 여기서 전자주입 및 수송층은 전자 주입과 전자 수송을 동시에 하는 층을 의미한다. 상기 도 1의 정공주입층(301) 및/또는 정공수송층(401)은 전술한 화학식 1의 화합물을 포함하는 코팅 조성물을 이용하여 형성될 수 있다.1, a first electrode 201, a hole injection layer 301, a hole transport layer 401, a light emitting layer 501, an electron injection and transport layer 601 and a second electrode 701 are sequentially shown on a substrate 101 The structure of the organic light-emitting device stacked with Here, the electron injection and transport layer means a layer that simultaneously injects and transports electrons. The hole injection layer 301 and/or the hole transport layer 401 of FIG. 1 may be formed using a coating composition including the compound of Formula 1 described above.

상기 도 1은 유기 발광 소자를 예시한 것이며 이에 한정되지 않는다.1 illustrates an organic light emitting device, but is not limited thereto.

상기 유기 발광 소자가 복수 개의 유기물층을 포함하는 경우, 상기 유기물층은 동일한 물질 또는 다른 물질로 형성될 수 있다.When the organic light emitting device includes a plurality of organic material layers, the organic material layers may be formed of the same material or different materials.

본 명세서의 유기 발광 소자는 유기물층 중 1층 이상이 상기 화학식 1의 화합물을 포함하는 코팅 조성물을 이용하여 형성하는 것을 제외하고는 당 기술분야에 알려져 있는 재료와 방법으로 제조될 수 있다.The organic light emitting device of the present specification may be manufactured using materials and methods known in the art, except that at least one layer of the organic material layer is formed using a coating composition including the compound of Formula 1 above.

예컨대, 본 명세서의 유기 발광 소자는 기판 상에 애노드, 유기물층 및 캐소드를 순차적으로 적층시킴으로써 제조할 수 있다. 이 때 스퍼터링법(sputtering)이나 전자빔 증발법(e-beam evaporation)과 같은 PVD(physical Vapor Deposition)방법을 이용하여, 기판 상에 금속 또는 전도성을 가지는 금속 산화물 또는 이들의 합금을 증착시켜 애노드를 형성하고, 그 위에 정공주입층, 정공수송층, 발광층, 전자주입층, 전자수송층, 정공주입 및 수송층 및 전자주입 및 수송층 중 1층 이상을 포함하는 유기물층 용액 공정, 증착 공정 등을 통하여 형성한 후, 그 위에 캐소드로 사용할 수 있는 물질을 증착시킴으로써 제조될 수 있다. 이와 같은 방법 외에도, 기판 상에 캐소드 물질부터 유기물층, 애노드 물질을 차례로 증착시켜 유기 발광 소자를 만들 수 있다.For example, the organic light emitting device of the present specification may be manufactured by sequentially stacking an anode, an organic material layer, and a cathode on a substrate. At this time, by using a PVD (physical vapor deposition) method such as sputtering or e-beam evaporation, a metal or conductive metal oxide or an alloy thereof is deposited on a substrate to form an anode. and an organic material layer including at least one layer of a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, an electron injection layer, an electron transport layer, a hole injection and transport layer, and an electron injection and transport layer thereon. It can be prepared by depositing a material that can be used as a cathode on it. In addition to this method, an organic light emitting device may be manufactured by sequentially depositing a cathode material, an organic material layer, and an anode material on a substrate.

본 명세서는 또한, 상기 코팅 조성물을 이용하여 형성된 유기 발광 소자의 제조 방법을 제공한다.The present specification also provides a method of manufacturing an organic light emitting device formed using the coating composition.

구체적으로 본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 제1 전극을 준비하는 단계; 상기 제1 전극 상에 1층 이상의 유기물층을 형성하는 단계; 및 상기 1층 이상의 유기물층 상에 제2 전극을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 1층 이상의 유기물층을 형성하는 단계는 상기 코팅 조성물을 이용하여 1층 이상의 유기물층을 형성하는 단계를 포함한다.Specifically, in one embodiment of the present specification, the steps of preparing a first electrode; forming one or more organic material layers on the first electrode; and forming a second electrode on the one or more organic material layers, wherein the forming of the one or more organic material layers includes forming one or more organic material layers using the coating composition.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 코팅 조성물을 이용하여 1층 이상의 유기물층을 형성하는 단계는 스핀 코팅 방법을 이용한다.In one embodiment of the present specification, the step of forming one or more organic material layers using the coating composition uses a spin coating method.

또 다른 실시상태에 있어서, 상기 코팅 조성물을 이용하여 1층 이상의 유기물층을 형성하는 단계는 인쇄법을 이용한다.In another embodiment, the step of forming one or more organic material layers using the coating composition uses a printing method.

본 명세서의 상태에 있어서, 상기 인쇄법은 예컨대, 잉크젯 프린팅, 노즐 프린팅, 오프셋 프린팅, 전사 프린팅 또는 스크린 프린팅 등이 있으나, 이를 한정하지 않는다.In the present specification, the printing method includes, for example, inkjet printing, nozzle printing, offset printing, transfer printing, or screen printing, but is not limited thereto.

본 명세서의 일 실시상태에 따른 코팅 조성물은 구조적인 특성으로 용액 공정이 적합하여 인쇄법에 의하여 형성될 수 있으므로 소자의 제조 시에 시간 및 비용적으로 경제적인 효과가 있다.Since the coating composition according to an exemplary embodiment of the present specification is suitable for a solution process due to its structural characteristics, it can be formed by a printing method, thereby having an economical effect in terms of time and cost in manufacturing the device.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 코팅 조성물을 이용하여 1층 이상의 유기물층을 형성하는 단계는 상기 제1 전극 또는 1층 이상의 유기물층 상에 코팅 조성물을 코팅하는 단계; 및 상기 코팅된 코팅 조성물을 열처리 또는 광처리하는 단계를 포함한다. In one embodiment of the present specification, the step of forming one or more organic material layers using the coating composition comprises: coating the coating composition on the first electrode or one or more organic material layers; and heat-treating or light-treating the coated coating composition.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 열처리하는 단계는 열처리를 통하여 행해질 수 있으며, 열처리하는 단계에서의 열처리 온도는 60 ℃ 내지 250 ℃이고, 일 실시상태에 따르면 100 ℃ 내지 250 ℃일 수 있으며, 또 하나의 일 실시상태에 있어서, 150 ℃ 내지 250℃일 수 있다. In an exemplary embodiment of the present specification, the heat treatment may be performed through heat treatment, and the heat treatment temperature in the heat treatment step may be from 60° C. to 250° C., and according to an exemplary embodiment, from 100° C. to 250° C., In another exemplary embodiment, it may be 150 °C to 250 °C.

또 하나의 실시상태에 있어서, 상기 열처리하는 단계에서의 열처리 시간은 1분 내지 2시간이고, 일 실시상태에 따르면 1분 내지 1시간일 수 있으며, 또 하나의 일 실시상태에 있어서, 30분 내지 1시간일 수 있다. In another exemplary embodiment, the heat treatment time in the heat treatment step is 1 minute to 2 hours, according to an exemplary embodiment may be 1 minute to 1 hour, in another exemplary embodiment, 30 minutes to It can be 1 hour.

상기 코팅 조성물을 이용하여 형성된 1층 이상의 유기물층을 형성하는 단계에서 상기 열처리 또는 광처리 단계를 포함하는 경우에는 코팅 조성물에 포함된 복수 개의 상기 화합물이 가교를 형성하여 박막화된 구조가 포함된 유기물층을 제공할 수 있다. 이 경우, 상기 코팅 조성물을 이용하여 형성된 유기물층의 표면 위에 다른 층을 적층할 시, 다른 층의 용매에 의하여 용해되거나, 형태학적으로 영향을 받거나 분해되는 것을 방지할 수 있다.When the step of forming one or more organic material layers formed by using the coating composition includes the heat treatment or light treatment step, a plurality of the compounds included in the coating composition form cross-linking to provide an organic material layer including a thinned structure. can In this case, when another layer is laminated on the surface of the organic material layer formed using the coating composition, it can be prevented from being dissolved, morphologically affected, or decomposed by the solvent of the other layer.

따라서, 상기 코팅 조성물을 이용하여 형성된 유기물층이 열처리 또는 광처리 단계를 포함하여 형성된 경우에는 용매에 대한 저항성이 증가하여 용액 증착 및 가교 방법을 반복 수행하여 다층을 형성할 수 있으며, 안정성이 증가하여 소자의 수명 특성을 증가시킬 수 있다.Therefore, when the organic material layer formed by using the coating composition is formed including a heat treatment or light treatment step, resistance to solvent increases, so that a multilayer can be formed by repeatedly performing solution deposition and crosslinking methods, and stability of the device is increased Lifespan characteristics can be increased.

상기 애노드 물질로는 통상 유기물층으로 정공 주입이 원활할 수 있도록 일함수가 큰 물질이 바람직하다. 본 발명에서 사용될 수 있는 애노드 물질의 구체적인 예로는 바나듐, 크롬, 구리, 아연, 금과 같은 금속 또는 이들의 합금; 아연 산화물, 인듐 산화물, 인듐주석 산화물(ITO), 인듐아연 산화물(IZO)과 같은 금속 산화물; ZnO:Al 또는 SnO2 : Sb와 같은 금속과 산화물의 조합; 폴리(3-메틸티오펜), 폴리[3,4-(에틸렌-1,2-디옥시)티오펜](PEDOT), 폴리피롤 및 폴리아닐린과 같은 전도성 고분자 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.As the anode material, a material having a large work function is generally preferred so that holes can be smoothly injected into the organic material layer. Specific examples of the anode material that can be used in the present invention include metals such as vanadium, chromium, copper, zinc, gold, or alloys thereof; metal oxides such as zinc oxide, indium oxide, indium tin oxide (ITO), and indium zinc oxide (IZO); ZnO:Al or SnO 2 : a combination of a metal such as Sb and an oxide; conductive polymers such as poly(3-methylthiophene), poly[3,4-(ethylene-1,2-dioxy)thiophene](PEDOT), polypyrrole, and polyaniline, but are not limited thereto.

상기 캐소드 물질로는 통상 유기물층으로 전자 주입이 용이하도록 일함수가 작은 물질인 것이 바람직하다. 캐소드 물질의 구체적인 예로는 바륨, 마그네슘, 칼슘, 나트륨, 칼륨, 티타늄, 인듐, 이트륨, 리튬, 가돌리늄, 알루미늄, 은, 주석 및 납과 같은 금속 또는 이들의 합금; LiF/Al 또는 LiO2/Al과 같은 다층 구조 물질 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.The cathode material is preferably a material having a small work function to facilitate electron injection into the organic material layer. Specific examples of the cathode material include metals such as barium, magnesium, calcium, sodium, potassium, titanium, indium, yttrium, lithium, gadolinium, aluminum, silver, tin and lead, or alloys thereof; and a multi-layered material such as LiF/Al or LiO 2 /Al, but is not limited thereto.

상기 정공주입층은 전극으로부터 정공을 주입하는 층으로, 정공 주입 물질로는 정공을 수송하는 능력을 가져 애노드에서의 정공 주입효과, 발광층 또는 발광재료에 대하여 우수한 정공 주입 효과를 갖고, 발광층에서 생성된 여기자의 전자주입층 또는 전자주입재료에의 이동을 방지하며, 또한, 박막 형성 능력이 우수한 화합물이 바람직하다. 정공 주입 물질의 HOMO(highest occupied molecular orbital)가 애노드 물질의 일함수와 주변 유기물층의 HOMO 사이인 것이 바람직하다. 정공 주입 물질의 구체적인 예로는 전술한 화학식 1의 화합물, 금속 포피린(porphyrin), 올리고티오펜, 아릴아민 계열의 유기물, 헥사니트릴헥사아자트리페닐렌 계열의 유기물, 퀴나크리돈(quinacridone)계열의 유기물, 페릴렌(perylene) 계열의 유기물, 안트라퀴논 및 폴리아닐린과 폴리티오펜 계열의 전도성 고분자 등이 있으나, 이들에만 한정 되는 것은 아니다.The hole injection layer is a layer for injecting holes from the electrode, and as a hole injection material, it has the ability to transport holes, so it has a hole injection effect at the anode, an excellent hole injection effect on the light emitting layer or the light emitting material, and is produced in the light emitting layer A compound which prevents the movement of excitons to the electron injection layer or the electron injection material and is excellent in the ability to form a thin film is preferable. It is preferable that the highest occupied molecular orbital (HOMO) of the hole injection material is between the work function of the anode material and the HOMO of the surrounding organic material layer. Specific examples of the hole injection material include the compound of Formula 1, metal porphyrin, oligothiophene, an arylamine-based organic material, a hexanitrile hexaazatriphenylene-based organic material, and a quinacridone-based organic material. , perylene-based organic materials, anthraquinone, polyaniline, and polythiophene-based conductive polymers, but are not limited thereto.

상기 정공수송층은 정공주입층으로부터 정공을 수취하여 발광층까지 정공을 수송하는 층으로, 정공 수송 물질로는 애노드나 정공주입층으로부터 정공을 수송 받아 발광층으로 옮겨줄 수 있는 물질로 정공에 대한 이동성이 큰 물질이 적합하다. 구체적인 예로는 아릴아민 계열의 유기물, 전도성 고분자, 및 공액 부분과 비공액 부분이 함께 있는 블록 공중합체 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.The hole transport layer is a layer that receives holes from the hole injection layer and transports them to the light emitting layer. The hole transport material is a material capable of transporting holes from the anode or hole injection layer to the light emitting layer and has high hole mobility. material is suitable. Specific examples include, but are not limited to, an arylamine-based organic material, a conductive polymer, and a block copolymer having a conjugated portion and a non-conjugated portion together.

상기 정공주입 및 수송층은 전술한 정공수송층 및/또는 정공주입층의 재료를 포함할 수 있다.The hole injection and transport layer may include the material of the hole transport layer and/or the hole injection layer described above.

상기 발광 물질로는 정공수송층과 전자수송층으로부터 정공과 전자를 각각 수송받아 결합시킴으로써 가시광선 영역의 빛을 낼 수 있는 물질로서, 형광이나 인광에 대한 양자 효율이 좋은 물질이 바람직하다. 구체적인 예로는 8-히드록시-퀴놀린 알루미늄 착물(Alq3); 카르바졸 계열 화합물; 이량체화 스티릴(dimerized styryl) 화합물; BAlq; 10-히드록시벤조 퀴놀린-금속 화합물; 벤족사졸, 벤즈티아졸 및 벤즈이미다졸 계열의 화합물; 폴리(p-페닐렌비닐렌)(PPV) 계열의 고분자; 스피로(spiro) 화합물; 폴리플루오렌, 루브렌 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.The light emitting material is a material capable of emitting light in the visible ray region by transporting and combining holes and electrons from the hole transport layer and the electron transport layer, respectively, and a material having good quantum efficiency for fluorescence or phosphorescence is preferable. Specific examples include 8-hydroxy-quinoline aluminum complex (Alq 3 ); carbazole-based compounds; dimerized styryl compounds; BAlq; 10-hydroxybenzo quinoline-metal compounds; compounds of the benzoxazole, benzthiazole and benzimidazole series; Poly(p-phenylenevinylene) (PPV)-based polymers; spiro compounds; polyfluorene, rubrene, and the like, but is not limited thereto.

상기 발광층은 호스트 재료 및 도펀트 재료를 포함할 수 있다. 호스트 재료는 축합 방향족환 유도체 또는 헤테로환 함유 화합물 등이 있다. 구체적으로 축합방향족환 유도체로는 안트라센 유도체, 피렌 유도체, 나프탈렌 유도체, 펜타센 유도체, 페난트렌 화합물, 플루오란텐 화합물 등이 있고, 헤테로환 함유 화합물로는 카바졸 유도체, 디벤조퓨란 유도체, 래더형 퓨란 화합물, 피리미딘 유도체 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다.The emission layer may include a host material and a dopant material. The host material includes a condensed aromatic ring derivative or a heterocyclic compound containing compound. Specifically, condensed aromatic ring derivatives include anthracene derivatives, pyrene derivatives, naphthalene derivatives, pentacene derivatives, phenanthrene compounds, fluoranthene compounds, etc., and heterocyclic-containing compounds include carbazole derivatives, dibenzofuran derivatives, ladder type Furan compounds, pyrimidine derivatives, and the like, but are not limited thereto.

도펀트 재료로는 방향족 아민 유도체, 스트릴아민 화합물, 붕소 착체, 플루오란텐 화합물, 금속 착체 등이 있다. 구체적으로 방향족 아민 유도체로는 치환 또는 비치환된 아릴아미노기를 갖는 축합 방향족환 유도체로서, 아릴아미노기를 갖는 피렌, 안트라센, 크리센, 페리플란텐 등이 있으며, 스티릴아민 화합물로는 치환 또는 비치환된 아릴아민에 적어도 1개의 아릴비닐기가 치환되어 있는 화합물로, 아릴기, 실릴기, 알킬기, 시클로알킬기 및 아릴아미노기로 이루어진 군에서 1 또는 2 이상 선택되는 치환기가 치환 또는 비치환된다. 구체적으로 스티릴아민, 스티릴디아민, 스티릴트리아민, 스티릴테트라아민 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다. 또한, 금속 착체로는 이리듐 착체, 백금 착체 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다.Examples of the dopant material include an aromatic amine derivative, a strylamine compound, a boron complex, a fluoranthene compound, and a metal complex. Specifically, the aromatic amine derivative is a condensed aromatic ring derivative having a substituted or unsubstituted arylamino group, and includes pyrene, anthracene, chrysene, periflanthene, and the like, having an arylamino group. As the styrylamine compound, a substituted or unsubstituted As a compound in which at least one arylvinyl group is substituted in the arylamine, one or two or more substituents selected from the group consisting of an aryl group, a silyl group, an alkyl group, a cycloalkyl group and an arylamino group are substituted or unsubstituted. Specifically, there are styrylamine, styryldiamine, styryltriamine, styryltetraamine, and the like, but is not limited thereto. In addition, examples of the metal complex include, but are not limited to, an iridium complex and a platinum complex.

상기 전자수송층은 전자주입층으로부터 전자를 수취하여 발광층까지 전자를 수송하는 층으로 전자 수송 물질로는 캐소드로부터 전자를 잘 주입 받아 발광층으로 옮겨줄 수 있는 물질로서, 전자에 대한 이동성이 큰 물질이 적합하다. 구체적인 예로는 8-히드록시퀴놀린의 Al착물; Alq3를 포함한 착물; 유기 라디칼 화합물; 히드록시플라본-금속 착물 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다. 전자 수송층은 종래기술에 따라 사용된 바와 같이 임의의 원하는 캐소드 물질과 함께 사용할 수 있다. 특히, 적절한 캐소드 물질의 예는 낮은 일함수를 가지고 알루미늄층 또는 실버층이 뒤따르는 통상적인 물질이다. 구체적으로 세슘, 바륨, 칼슘, 이테르븀 및 사마륨이고, 각 경우 알루미늄 층 또는 실버층이 뒤따른다.The electron transport layer is a layer that receives electrons from the electron injection layer and transports electrons to the light emitting layer. Do. Specific examples include Al complex of 8-hydroxyquinoline; complexes containing Alq 3 ; organic radical compounds; hydroxyflavone-metal complexes, and the like, but are not limited thereto. The electron transport layer may be used with any desired cathode material as used in accordance with the prior art. In particular, examples of suitable cathode materials are conventional materials having a low work function and followed by a layer of aluminum or silver. Specifically cesium, barium, calcium, ytterbium and samarium, followed in each case by an aluminum layer or a silver layer.

상기 전자주입층은 전극으로부터 전자를 주입하는 층으로, 전자 주입 물질로는 전자를 수송하는 능력을 갖고, 캐소드로부터의 전자주입 효과, 발광층 또는 발광 재료에 대하여 우수한 전자주입 효과를 가지며, 발광층에서 생성된 여기자의 정공주입층에의 이동을 방지하고, 또한, 박막 형성 능력이 우수한 화합물이 바람직하다. 구체적으로는 플루오레논, 안트라퀴노다이메탄, 다이페노퀴논, 티오피란 다이옥사이드, 옥사졸, 옥사다이아졸, 트리아졸, 이미다졸, 페릴렌테트라카복실산, 프레오레닐리덴 메탄, 안트론 등과 그들의 유도체, 금속 착체 화합물 및 함질소 5원환 유도체 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다.The electron injection layer is a layer that injects electrons from the electrode, has the ability to transport electrons as an electron injection material, has an electron injection effect from the cathode, has an excellent electron injection effect on the light emitting layer or the light emitting material, and is generated in the light emitting layer A compound that prevents the excitons from moving to the hole injection layer and is excellent in the ability to form a thin film is preferable. Specifically, fluorenone, anthraquinodimethane, diphenoquinone, thiopyran dioxide, oxazole, oxadiazole, triazole, imidazole, perylenetetracarboxylic acid, preorenylidene methane, anthrone, etc., derivatives thereof, metals complex compounds and nitrogen-containing 5-membered ring derivatives, but are not limited thereto.

상기 전자주입 및 수송층은 전술한 전자수송층 및/또는 전자주입층의 재료를 포함할 수 있다.The electron injection and transport layer may include the above-described material for the electron transport layer and/or the electron injection layer.

상기 금속 착체 화합물로서는 8-하이드록시퀴놀리나토 리튬, 비스(8-하이드록시퀴놀리나토)아연, 비스(8-하이드록시퀴놀리나토)구리, 비스(8-하이드록시퀴놀리나토)망간, 트리스(8-하이드록시퀴놀리나토)알루미늄, 트리스(2-메틸-8-하이드록시퀴놀리나토)알루미늄, 트리스(8-하이드록시퀴놀리나토)갈륨, 비스(10-하이드록시벤조[h]퀴놀리나토)베릴륨, 비스(10-하이드록시벤조[h]퀴놀리나토)아연, 비스(2-메틸-8-퀴놀리나토)클로로갈륨, 비스(2-메틸-8-퀴놀리나토)(o-크레졸라토)갈륨, 비스(2-메틸-8-퀴놀리나토)(1-나프톨라토)알루미늄, 비스(2-메틸-8-퀴놀리나토)(2-나프톨라토)갈륨 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다.Examples of the metal complex compound include 8-hydroxyquinolinato lithium, bis(8-hydroxyquinolinato)zinc, bis(8-hydroxyquinolinato)copper, bis(8-hydroxyquinolinato)manganese, Tris(8-hydroxyquinolinato)aluminum, tris(2-methyl-8-hydroxyquinolinato)aluminum, tris(8-hydroxyquinolinato)gallium, bis(10-hydroxybenzo[h] Quinolinato) beryllium, bis (10-hydroxybenzo [h] quinolinato) zinc, bis (2-methyl-8-quinolinato) chlorogallium, bis (2-methyl-8-quinolinato) ( o-crezolato)gallium, bis(2-methyl-8-quinolinato)(1-naphtolato)aluminum, bis(2-methyl-8-quinolinato)(2-naphtolato)gallium, etc. However, the present invention is not limited thereto.

상기 정공저지층은 정공의 캐소드 도달을 저지하는 층으로, 일반적으로 정공주입층과 동일한 조건으로 형성될 수 있다. 구체적으로 옥사디아졸 유도체나 트리아졸 유도체, 페난트롤린 유도체, BCP, 알루미늄 착물 (aluminum complex) 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다.The hole blocking layer is a layer that blocks the holes from reaching the cathode, and may be generally formed under the same conditions as the hole injection layer. Specifically, there are oxadiazole derivatives, triazole derivatives, phenanthroline derivatives, BCP, aluminum complex, and the like, but is not limited thereto.

상기 전자저지층은 전자의 애노드 도달을 저지하는 층으로, 당 기술분야에서 알려진 물질을 사용할 수 있다.The electron blocking layer is a layer that blocks electrons from reaching the anode, and a material known in the art may be used.

본 명세서에 따른 유기 발광 소자는 사용되는 재료에 따라 전면 발광형, 후면 발광형 또는 양면 발광형일 수 있다.The organic light emitting device according to the present specification may be a top emission type, a back emission type, or a double side emission type depending on the material used.

이하, 본 명세서를 구체적으로 설명하기 위해 실시예를 들어 상세하게 설명하기로 한다. 그러나, 본 명세서에 따른 실시예들은 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 명세서의 범위가 아래에서 기술하는 실시예들에 한정되는 것으로 해석되지 않는다. 본 명세서의 실시예들은 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 명세서를 보다 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다.Hereinafter, examples will be given to describe the present specification in detail. However, the embodiments according to the present specification may be modified in various other forms, and the scope of the present specification is not to be construed as being limited to the embodiments described below. The embodiments of the present specification are provided to more completely explain the present specification to those of ordinary skill in the art.

<< 제조예production example >>

제조예production example 1. 화합물 1의 제조 1. Preparation of compound 1

1) One)

Figure pat00014
Figure pat00014

둥근 바닥 플라스크에 상기 화합물 1-1(12g, 27.2mmol)과 nitrobenzaldehye (4.52g, 29.9mmol)을 넣고 Cs2CO3(2.437g, 7.48mmol), Cu(OAc)2 (247mg, 1.36mmol)을 첨가 후 N2 치환하였다. 디메틸포름아마이드(DMF) (140 mL) 첨가 후 100℃에서 밤새 교반하였다. H2O 첨가 후 증발시킨 후 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 상기 화합물 1-2를 제조하였다. 이때, 제조된 화합물 1-2의 NMR 데이터를 하기 도 2에 나타내었다.Put the compound 1-1 (12g, 27.2mmol) and nitrobenzaldehye (4.52g, 29.9mmol) in a round bottom flask, Cs 2 CO 3 (2.437g, 7.48mmol), Cu(OAc) 2 (247mg, 1.36mmol) After addition, N 2 was substituted. After addition of dimethylformamide (DMF) (140 mL), the mixture was stirred at 100° C. overnight. After the addition of H 2 O, the mixture was evaporated and purified by column chromatography to prepare the compound 1-2. At this time, the NMR data of the prepared compound 1-2 are shown in FIG. 2 below.

2) 2)

Figure pat00015
Figure pat00015

둥근 바닥 플라스크에 CH3PPh3Br 2eq 과 테트라하이드로퓨란(THF)를 넣고 아이스 배쓰(ice bath)에 넣었다. KOtBu 2eq 을 O℃에서 넣고 20분간 교반한 후, 다른 둥근 바닥 플라스크에 화합물 1-2를 넣고 THF로 녹여놓은 것을 캐뉼라로 첨가해주었다. 1시간 후 H2O 첨가하여 ?칭하고 추출한 후 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 상기 화합물 1-3을 제조하였다. 이때, 제조된 화합물 1-3의 NMR 데이터를 하기 도 3에 나타내었다.CH 3 PPh 3 Br 2eq and tetrahydrofuran (THF) were added to a round bottom flask and placed in an ice bath. After putting 2eq of KOtBu at O°C and stirring for 20 minutes, compound 1-2 was put into another round bottom flask and dissolved in THF was added by cannula. After 1 hour, H 2 O was added, quenched, extracted, and purified by column chromatography to prepare compound 1-3. At this time, the NMR data of the prepared compound 1-3 are shown in FIG. 3 below.

3) 3)

Figure pat00016
Figure pat00016

둥근 바닥 플라스크에 상기 화합물 SM-NH(1.6g, 2.18mmol )와 화합물 1-3 (2.39g, 4.4mmol)을 넣고 NaOtBu(629mg, 6.54mmol), 톨루엔(40 mL) 및 Pd(tBu3P)2(5 mol%)를 투입한 후 70℃에서 1시간 반 동안 교반하였다. 이어, 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 상기 화합물 1를 제조하였다. 이때, 제조된 화합물 1의 NMR 데이터를 하기 도 4에 나타내었다.Put the compound SM-NH (1.6 g, 2.18 mmol) and compound 1-3 (2.39 g, 4.4 mmol) in a round bottom flask, NaOtBu (629 mg, 6.54 mmol), toluene (40 mL) and Pd (tBu 3 P) 2 (5 mol%) was added and stirred at 70° C. for an hour and a half. Then, the compound 1 was prepared by purification by column chromatography. At this time, the NMR data of the prepared compound 1 is shown in FIG. 4 below.

제조예production example 2. 화합물 2의 제조 2. Preparation of compound 2

Figure pat00017
Figure pat00017

둥근 바닥 플라스크에 상기 화합물 SM-NH1(1.68g, 2.18mmol)과 화합물 1-3을 넣고 NaOtBu(629mg, 6.54mmol), 톨루엔(40 mL) 및 Pd(tBu3P)2(5 mol%)를 투입한 후 70℃에서 1시간 반 동안 교반하였다. 이어, 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 상기 화합물 2를 제조하였다.Put the compound SM-NH1 (1.68 g, 2.18 mmol) and compound 1-3 in a round bottom flask, NaOtBu (629 mg, 6.54 mmol), toluene (40 mL) and Pd (tBu 3 P) 2 (5 mol%) After the addition, the mixture was stirred at 70° C. for an hour and a half. Then, the compound 2 was prepared by purification by column chromatography.

제조예production example 3. P-1의 제조 3. Preparation of P-1

단계 1) 화합물 3-1'의 제조Step 1) Preparation of compound 3-1'

Figure pat00018
Figure pat00018

100 mL 둥근 바닥 플라스크에 질소 분위기 하에서 Mg(193 mg, 7.92 mmol), I2(4 mg) 및 THF(10 mL)를 넣고 30분 동안 교반하였다. 4-브로모스티렌(1.04 mL, 7.92 mmol)을 넣고 30℃ 물 수조를 둥근 바닥 플라스크 아래에 놓고 하루 동안 교반하였다. 반응 용액이 검은색이 되며 Mg이 녹아 들어간 것을 확인하였다. 에테르(5 mL)를 첨가하여 반응 용액을 묽게 만들어 주었다. 트리스(펜타플루오로페닐)보란(1 g, 3.96 mmol)을 에테르(5 mL)에 녹여 30분 동안 천천히 반응 용액에 첨가하였다. 하루 동안 용액을 교반하였다. Na2CO3(0.1 M, 80 mL, 8.0 mmol)을 천천히 반응 용액에 첨가해 주었다. 에틸 아세테이트(20 mL × 3)를 사용하여 유기 용매를 추출하고 MgSO4로 잔여 물을 제거하였다. 추가적으로 잔여한 물과 불순물을 제거하기 위해 딘-스탁(Dean-stock)을 이용하여 벤젠으로 증류하였다. 용매가 10 mL 정도 남았을 때 용액을 식히고 여과하여 화합물 3-1'(1.6 g, 수율 64 %)를 제조하였다.Mg (193 mg, 7.92 mmol), I 2 (4 mg) and THF (10 mL) were added to a 100 mL round bottom flask under a nitrogen atmosphere and stirred for 30 minutes. 4-Bromostyrene (1.04 mL, 7.92 mmol) was added, and a 30°C water bath was placed under the round bottom flask and stirred for one day. It was confirmed that the reaction solution became black and Mg was dissolved. Ether (5 mL) was added to dilute the reaction solution. Tris(pentafluorophenyl)borane (1 g, 3.96 mmol) was dissolved in ether (5 mL) and slowly added to the reaction solution for 30 minutes. The solution was stirred for one day. Na 2 CO 3 (0.1 M, 80 mL, 8.0 mmol) was slowly added to the reaction solution. The organic solvent was extracted using ethyl acetate (20 mL × 3) and the residue was removed with MgSO 4 . In order to additionally remove residual water and impurities, it was distilled with benzene using Dean-stock. When about 10 mL of the solvent remained, the solution was cooled and filtered to prepare compound 3-1' (1.6 g, yield 64%).

단계 2) 화합물 P-1의 제조Step 2) Preparation of compound P-1

Figure pat00019
Figure pat00019

25 mL 둥근 바닥 플라스크에 화합물 3-1'(100 mg, 0.16 mmol), 증류수(10 mL) 및 Ph2ICl(60 mg, 0.19 mmol)을 넣고 1시간 동안 교반하였다. 반응 용액에 아세톤(15 mL)를 가하여 침전이 생기게 하고 상기 침전물을 필터하고 건조하여 화합물 P-1(140 mg, 수율 100 %)을 제조하였다. Compound 3-1' (100 mg, 0.16 mmol), distilled water (10 mL), and Ph 2 ICl (60 mg, 0.19 mmol) were added to a 25 mL round bottom flask and stirred for 1 hour. Acetone (15 mL) was added to the reaction solution to cause a precipitate, and the precipitate was filtered and dried to prepare compound P-1 (140 mg, yield 100%).

MS: [M-H]- = 615 (negative mode)MS: [MH] - = 615 (negative mode)

MS: [M+H]+ = 281 (positive mode)MS: [M+H] + = 281 (positive mode)

제조예production example 4. P-2의 제조 4. Preparation of P-2

단계 1) 화합물 3-2'의 제조Step 1) Preparation of compound 3-2'

Figure pat00020
Figure pat00020

250 mL 둥근 바닥 플라스크에 메틸트리페닐 포타슘 브로마이드(13.90 g, 38.91 mmol)과 THF(100 mL)를 넣고 0℃에서 30분 동안 교반하였다. 반응 용액에 n-BuLi(15.6 mL, 38.91 mmol, 2.5 M in Hexane)을 천천히 첨가해 주고 0℃에서 30분 동안 교반하였다. 0℃에서 반응 용액에 4-포르밀-2,3,5,6-테트라플루오로 -1-브로모벤젠(5.0 g, 19.47 mmol, in 30 mL THF)를 천천히 첨가하였다. 반응 용액을 천천히 상온으로 온도를 올려주면서 교반해 주었다. 3시간 후 반응 용액에 에테르(100 mL)와 NH4Cl 포화 용액(400 mL)을 가하였다. 에테르(200 mL × 2)를 사용하여 유기 용매를 추출하고 MgSO4로 잔여 물을 제거하였다. 에틸 아세테이트:헥산 = 1:9(v:v)로 컬럼하여 화합물 3-2'(1.29 g, 수율 26%)을 제조하였다. Methyltriphenyl potassium bromide (13.90 g, 38.91 mmol) and THF (100 mL) were added to a 250 mL round bottom flask, and the mixture was stirred at 0° C. for 30 minutes. n-BuLi (15.6 mL, 38.91 mmol, 2.5 M in Hexane) was slowly added to the reaction solution and stirred at 0° C. for 30 minutes. To the reaction solution at 0° C., 4-formyl-2,3,5,6-tetrafluoro-1-bromobenzene (5.0 g, 19.47 mmol, in 30 mL THF) was slowly added. The reaction solution was stirred while slowly raising the temperature to room temperature. After 3 hours, ether (100 mL) and a saturated NH 4 Cl solution (400 mL) were added to the reaction solution. The organic solvent was extracted using ether (200 mL × 2) and the residue was removed with MgSO 4 . Compound 3-2' (1.29 g, yield 26%) was prepared by column with ethyl acetate:hexane = 1:9 (v:v).

단계 2) 화합물 3-2''의 제조Step 2) Preparation of compound 3-2''

Figure pat00021
Figure pat00021

25 mL 둥근 바닥 플라스크에 Mg(95 mg, 3.92 mmol), THF(10 mL) 및 I2(4 mg)을 넣어주고 교반하였다. 화합물 3-2'(1.0 g, 3.92 mmol)을 반응 용액에 넣고 상온에서 교반하였다. 10시간 뒤 용액이 검은색으로 Mg이 완전히 녹아 들어가는 것을 확인하고 에테르(10 mL)와 BCl3(1.3 mL, 1.3 mmol, 헥산 용액 중 1M)을 30분에 걸쳐 첨가하였다. 하루 동안 반응 용액을 교반한 후 Na2CO3(30 mL, 3.0 mmol, 0.1 M in H2O)를 첨가하였다. 에틸 아세테이트(10 mL × 3)로 합성 물질을 추출해 낸 후 MgSO4로 잔여 물을 제거하였다. 용매를 모두 제거한 후 벤젠을 사용하여 딘-스탁(Dean-stock)으로 물을 완전히 제거하고 고체를 여과하여 화합물 3-2''(340 mg, 수율 28%)을 제조하였다. Mg (95 mg, 3.92 mmol), THF (10 mL) and I 2 (4 mg) were added to a 25 mL round bottom flask and stirred. Compound 3-2' (1.0 g, 3.92 mmol) was added to the reaction solution and stirred at room temperature. After 10 hours, the solution turned black and Mg was completely dissolved, and ether (10 mL) and BCl 3 (1.3 mL, 1.3 mmol, 1M in hexane solution) were added over 30 minutes. After stirring the reaction solution for one day, Na 2 CO 3 (30 mL, 3.0 mmol, 0.1 M in H 2 O) was added. After extracting the synthetic material with ethyl acetate (10 mL × 3), the residue was removed with MgSO 4 . After removing all the solvents, water was completely removed using benzene using Dean-stock, and the solid was filtered to prepare compound 3-2'' (340 mg, yield 28%).

단계 3) 화합물 P-2의 제조Step 3) Preparation of compound P-2

Figure pat00022
Figure pat00022

25 mL 둥근 바닥 플라스크에 화합물 3-2''(200 mg, 0.27 mmol), 1-(4-비닐벤질)피리딘-1-이움 클로라이드(69 mg, 0.30 mmol), H2O(10 mL), 메틸렌 클로라이드(10 mL)를 넣어주고 격렬하게 30분 동안 교반하였다. 에테르(10 mL × 3)를 사용하여 유기 용매를 추출하고 MgSO4로 잔여 물을 제거하였다. 용매를 제거하고 진공 건조하여 화합물 P-2(247 mg, 수율 100%)을 제조하였다. In a 25 mL round bottom flask, compound 3-2'' (200 mg, 0.27 mmol), 1-(4-vinylbenzyl)pyridin-1-ium chloride (69 mg, 0.30 mmol), H 2 O (10 mL), Methylene chloride (10 mL) was added and stirred vigorously for 30 minutes. The organic solvent was extracted using ether (10 mL × 3) and the residue was removed with MgSO 4 . The solvent was removed and vacuum dried to prepare compound P-2 (247 mg, yield 100%).

MS: [M-H]- = 711 (negative mode)MS: [MH] - = 711 (negative mode)

MS: [M+H]+ = 196 (positive mode)MS: [M+H] + = 196 (positive mode)

제조예production example 5. P-3의 제조 5. Preparation of P-3

단계 1) 화합물 3-3'의 제조Step 1) Preparation of compound 3-3'

Figure pat00023
Figure pat00023

50 mL 둥근 바닥 플라스크에 1-브로모-2,3,5,6-테트라플르오르-4-(1,2,2-트라이플르오르바이닐)벤젠(2 g, 7.84 mmol)을 THF(20 mL)에 넣어주고 -78℃에서 30분 동안 교반하였다. 용액에 천천히 n-BuLi in hexane(3.45 mL, 8.63 mmol, 2.5 M)을 넣고 -78℃에서 30분 동안 교반하였다. 반응 용액에 BCl3(2.6 mL, 2.61 mmol, 헥산 용액 중 1 M)을 -78℃에서 15분에 걸쳐 첨가하였다. 상온으로 천천히 승온하며 하루 동안 반응 용액을 교반한 후 물(30 mL)을 첨가하였다. 에틸 아세테이트(10 mL × 3)로 합성 물질을 추출해 낸 후 용매를 모두 제거하였다. 벤젠을 사용하여 딘-스탁(Dean-stock)으로 물을 완전히 제거하고 고체를 여과하여 화합물 3-3'(800 mg, 수율 43%)을 제조하였다. In a 50 mL round bottom flask, add 1-bromo-2,3,5,6-tetrafluoro-4-(1,2,2-trifluorovinyl)benzene (2 g, 7.84 mmol) in THF (20 mL) ) and stirred at -78°C for 30 minutes. n-BuLi in hexane (3.45 mL, 8.63 mmol, 2.5 M) was slowly added to the solution and stirred at -78°C for 30 minutes. To the reaction solution was added BCl 3 (2.6 mL, 2.61 mmol, 1 M in hexanes solution) at -78°C over 15 min. After slowly raising the temperature to room temperature and stirring the reaction solution for one day, water (30 mL) was added. After extracting the synthetic material with ethyl acetate (10 mL × 3), all of the solvent was removed. Benzene was used to completely remove water with Dean-stock, and the solid was filtered to prepare compound 3-3' (800 mg, yield 43%).

단계 2) 화합물 P-3의 제조Step 2) Preparation of compound P-3

Figure pat00024
Figure pat00024

25 mL 둥근 바닥 플라스크에 화합물 3-3'(400 mg, 0.56 mmol), 다이페닐아이오도늄 클로라이드(176 mg, 0.56 mmol), 물(10 mL), 아세톤(10 mL)을 넣어주고 격렬하게 30분 동안 교반하였다. 디클로로메테인(10 mL × 3)을 사용하여 추출하여 용매를 제거하고 건조하여 화합물 P-3(552 mg, 수율 100%)을 제조하였다. In a 25 mL round-bottom flask, add compound 3-3' (400 mg, 0.56 mmol), diphenyliodonium chloride (176 mg, 0.56 mmol), water (10 mL), and acetone (10 mL), and vigorously 30 stirred for minutes. The solvent was removed by extraction using dichloromethane (10 mL × 3) and dried to prepare compound P-3 (552 mg, yield 100%).

MS: [M-H]- = 711 (negative mode)MS: [MH] - = 711 (negative mode)

MS: [M+H]+ = 281 (positive mode)MS: [M+H] + = 281 (positive mode)

제조예production example 6. P-4의 제조 6. Preparation of P-4

단계 1) 화합물 3-4'의 제조Step 1) Preparation of compound 3-4'

Figure pat00025
Figure pat00025

500 mL 둥근 바닥 플라스크에 포타슘 카보네이트(10.4 g, 75.3 mmol)을 넣고 DMF(200 ml)를 넣어주었다. 플라스크에 2,3,5,6-테트라플루오로페놀(10.0 g, 60.22 mmol)을 넣고 60℃에서 30분 동안 교반하였다. 반응 용액에 4-비닐벤질클로라이드(7.66 g, 50.18 mmol)를 천천히 첨가해주고 60℃에서 16시간 동안 교반하였다. 이후 물(300 mL), 에틸 아세테이트(200 ml)를 가하였다. 에틸 아세테이트(200 mL × 2)를 사용하여 유기층을 추출하고 MgSO4로 잔여 물을 제거하였다. 에틸 아세테이트:헥산 = 1:9(v:v)로 컬럼하여 화합물 3-4'(11.2 g, 수율 79%)를 제조하였다. Potassium carbonate (10.4 g, 75.3 mmol) was added to a 500 mL round bottom flask, and DMF (200 ml) was added thereto. 2,3,5,6-tetrafluorophenol (10.0 g, 60.22 mmol) was placed in a flask and stirred at 60° C. for 30 minutes. 4-vinylbenzyl chloride (7.66 g, 50.18 mmol) was slowly added to the reaction solution and stirred at 60° C. for 16 hours. Then water (300 mL) and ethyl acetate (200 ml) were added. The organic layer was extracted using ethyl acetate (200 mL × 2), and the residue was removed with MgSO 4 . Compound 3-4' (11.2 g, yield 79%) was prepared by column with ethyl acetate:hexane = 1:9 (v:v).

단계 2) 화합물 3-4''의 제조Step 2) Preparation of compound 3-4''

Figure pat00026
Figure pat00026

250 ml 둥근 바닥 플라스크에 화합물 3-4'(10 g, 35.43 mmol)을 넣고 에테르(130 ml)를 넣어주고 교반하였다. -78℃로 반응 용액을 냉각시키고 30분 동안 교반하였다. n-BuLi(17 ml, 42.52 mmol, 2.5 M in Hexane)을 30분에 걸쳐서 천천히 주입하였다. 이후 1시간 동안 교반하였다. BCl3(8.15 ml, 8.15 mmol, 1 M in Hexane)을 30분에 걸쳐서 천천히 투입하였다. 반응 용액을 천천히 상온으로 승온시켰다. 하루 동안 반응 용액을 교반한 후 물(200 ml)을 첨가하였다. 에테르(100 mL × 3)로 합성 물질을 추출해 낸 후 용매를 모두 제거하였다. 이후 벤젠을 사용하여 딘-스탁(Dean-stock)으로 물을 완전히 제거하고 고체를 여과하여 화합물 3-4''(6.2 g, 수율 66%)을 제조하였다. Compound 3-4' (10 g, 35.43 mmol) was added to a 250 ml round bottom flask, and ether (130 ml) was added thereto, followed by stirring. The reaction solution was cooled to -78°C and stirred for 30 minutes. n-BuLi (17 ml, 42.52 mmol, 2.5 M in Hexane) was slowly injected over 30 minutes. It was then stirred for 1 hour. BCl 3 (8.15 ml, 8.15 mmol, 1 M in Hexane) was slowly added over 30 minutes. The reaction solution was slowly heated to room temperature. After stirring the reaction solution for one day, water (200 ml) was added. After extracting the synthetic material with ether (100 mL × 3), all solvents were removed. Thereafter, water was completely removed using benzene using Dean-stock, and the solid was filtered to prepare compound 3-4'' (6.2 g, yield 66%).

단계 3) 화합물 P-4의 제조Step 3) Preparation of compound P-4

Figure pat00027
Figure pat00027

25 mL 둥근 바닥 플라스크에 화합물 3-4''(6.2 g, 5.42 mmol), 디페닐아이도오늄 클로라이드(2.57 g, 8.13 mmol), 물(50 mL), 아세톤(10 mL)을 넣어주고 격렬하게 30분 동안 교반하였다. 메틸렌 클로라이드(20 mL × 3)를 사용하여 유기 용매를 추출하고 용매를 제거하였다. 메틸렌 클로라이드:아세톤 = 9:1(v:v)로 컬럼하여 화합물 P-4(5.0 g, 수율 65%)를 제조하였다. In a 25 mL round-bottom flask, add compound 3-4'' (6.2 g, 5.42 mmol), diphenylidonium chloride (2.57 g, 8.13 mmol), water (50 mL), and acetone (10 mL), and vigorously Stir for 30 minutes. The organic solvent was extracted using methylene chloride (20 mL × 3) and the solvent was removed. Compound P-4 (5.0 g, yield 65%) was prepared by column with methylene chloride:acetone = 9:1 (v:v).

MS: [M-H]- = 1135 (negative mode)MS: [MH] - = 1135 (negative mode)

MS: [M+H]+ = 281 (positive mode)MS: [M+H] + = 281 (positive mode)

<실험예><Experimental example>

실험예 1.Experimental Example 1.

ITO(indium tin oxide)가 1,500 Å의 두께로 박막 코팅된 유리 기판을 세제를 녹인 증류수에 넣고 초음파로 세척하였다. 이때, 세제는 피셔사(Fischer Co.) 제품을 사용하였으며, 증류수는 2차로 걸러진 증류수를 사용하였다. ITO를 30분간 세척한 후, 증류수로 2회 반복하여 초음파 세척을 10분간 진행하였다. 증류수 세척이 끝난 후, 이소프로필알콜, 아세톤의 용제로 초음파 세척을 하고 건조시킨 후, 상기 기판을 5분간 세정한 후 글로브박스로 기판을 수송시켰다.A glass substrate coated with indium tin oxide (ITO) to a thickness of 1,500 Å was placed in distilled water in which detergent was dissolved and washed with ultrasonic waves. In this case, the detergent used was a product of Fischer Co., and the distilled water that had been secondarily filtered was used as the distilled water. After washing ITO for 30 minutes, ultrasonic washing was performed for 10 minutes by repeating twice with distilled water. After washing with distilled water, ultrasonic cleaning was performed with a solvent of isopropyl alcohol and acetone and dried. After washing the substrate for 5 minutes, the substrate was transported to a glove box.

상기와 같이 준비된 ITO 투명 전극 위에 앞서 제조예 1에서 제조한 화합물 1을 호스트로, 화합물 P-1을 도펀트로 하여 호스트와 도펀트를 8:2의 중량비로 포함하는 2 wt% 사이클로헥사논 용액을 스핀 코팅하고 230℃에서 30분간 열처리하여 400 Å 두께의 정공주입층을 형성하였다. 상기 정공주입층 위에 하기 a-NPD 화합물의 2 wt% 톨루엔(toluene) 용액을 스핀 코팅하여 120℃에서 10분간 열처리하여 200 Å 두께의 정공수송층을 형성하였다. Spin the 2 wt% cyclohexanone solution containing the host and the dopant in a weight ratio of 8:2 using the compound 1 prepared in Preparation Example 1 as the host and the compound P-1 as the dopant on the ITO transparent electrode prepared as described above. After coating and heat treatment at 230°C for 30 minutes, a hole injection layer having a thickness of 400 Å was formed. A 2 wt% toluene solution of the following a-NPD compound was spin-coated on the hole injection layer and heat-treated at 120° C. for 10 minutes to form a hole transport layer having a thickness of 200 Å.

이후 진공증착기로 이송한 후, 상기 정공수송층 위에 하기 화합물 A와 하기 화합물 B를 9:1의 중량비로 진공 증착하여 300 Å 두께의 발광층을 형성하였다. 상기 발광층 위에 하기 화합물 C를 진공 증착하여 400 Å 두께의 전자주입 및 수송층을 형성하였다. 상기 전자주입 및 수송층 위에 순차적으로 두께 5 Å의 LiF와 두께 1000 Å의 알루미늄을 증착하여 캐소드를 형성하였다.After transferring to a vacuum evaporator, the following compound A and the following compound B were vacuum-deposited at a weight ratio of 9:1 on the hole transport layer to form a light emitting layer having a thickness of 300 Å. The following compound C was vacuum deposited on the light emitting layer to form an electron injection and transport layer having a thickness of 400 Å. LiF having a thickness of 5 Å and aluminum having a thickness of 1000 Å were sequentially deposited on the electron injection and transport layer to form a cathode.

Figure pat00028
Figure pat00028

상기의 과정에서 유기물의 증착 속도는 0.4 ~ 1.0 Å/sec를 유지하였고, 캐소드의 LiF는 0.3 Å/sec, 알루미늄은 2 Å/sec의 증착 속도를 유지하였으며 증착시 진공도는 2×10-8 ~ 5×10-6 torr를 유지하였다.In the above process, the deposition rate of organic material was maintained at 0.4 ~ 1.0 Å/sec, the deposition rate of LiF of the cathode was 0.3 Å/sec, and the deposition rate of aluminum was 2 Å/sec, and the vacuum degree during deposition was 2×10 -8 ~ 5×10 -6 torr was maintained.

실험예 2 내지 6.Experimental Examples 2 to 6.

정공주입층 형성시 하기 표 1에 기재된 화합물을 사용하는 것을 제외하고, 상기 실험예 1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제조하였다.An organic light emitting diode was manufactured in the same manner as in Experimental Example 1, except that the compounds shown in Table 1 were used when the hole injection layer was formed.

Figure pat00029
Figure pat00029

[화합물 1] [Compound 1]

Figure pat00030
Figure pat00030

[화합물 2] [Compound 2]

Figure pat00031
Figure pat00031

[화합물 3] [Compound 3]

Figure pat00032
Figure pat00032

[화합물 4] [Compound 4]

Figure pat00033
Figure pat00033

[화합물 5] [Compound 5]

Figure pat00034
Figure pat00034

[화합물 6] [Compound 6]

비교실험예Comparative experiment example 1 내지 2. 1 to 2.

정공주입층 형성시 하기 표 1에 기재된 화합물을 사용하는 것을 제외하고, 상기 실험예 1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제조하였다.An organic light emitting diode was manufactured in the same manner as in Experimental Example 1, except that the compounds shown in Table 1 were used when the hole injection layer was formed.

Figure pat00035
Figure pat00035

[비교화합물 1] [Comparative compound 1]

Figure pat00036
Figure pat00036

[비교화합물 2] [Comparative compound 2]

상기 실험예 및 비교실험예에서 제조한 유기 발광 소자에서 10 mA/cm2의 전류 밀도에서 구동전압, 발광효율, 전력효율, 외부양자효율(QE), 휘도 및 색좌표를 측정하여 하기 표 1에 나타내었다. 상기 외부양자효율은 (방출된 광자 수)/(주입된 전하운반체 수)로 구하였고, 상기 색좌표는 C.I.E 색도도(Commission Internationale de L'Eclairage, 1931)에 따른 x 및 y 좌표이다. The driving voltage, luminous efficiency, power efficiency, external quantum efficiency (QE), luminance and color coordinates were measured at a current density of 10 mA/cm 2 in the organic light emitting device prepared in the Experimental Examples and Comparative Experimental Examples, and are shown in Table 1 below. it was The external quantum efficiency was calculated as (number of emitted photons)/(number of injected charge carriers), and the color coordinates are x and y coordinates according to the CIE chromaticity diagram (Commission Internationale de L'Eclairage, 1931).

정공주입층
(호스트)
hole injection layer
(host)
구동전압
(V)
drive voltage
(V)
발광효율
(cd/A)
luminous efficiency
(cd/A)
전력효율
(lm/W)
power efficiency
(lm/W)
QE
(%)
QE
(%)
휘도
(cd/m2)
luminance
(cd/m 2 )
CIExCIEx CIEyCIEy
실험예 1Experimental Example 1 화합물 1/ dopant P-3compound 1/ dopant P-3 5.135.13 4.454.45 2.722.72 5.465.46 466466 0.1380.138 0.1050.105 실험예 2Experimental Example 2 화합물 2/ dopant P-4compound 2/ dopant P-4 5.015.01 4.684.68 2.932.93 5.455.45 468468 0.1370.137 0.1050.105 실험예 3Experimental Example 3 화합물 3/ dopant P-2compound 3/ dopant P-2 5.005.00 4.654.65 2.922.92 5.695.69 478478 0.1370.137 0.1060.106 실험예 4Experimental Example 4 화합물 4/ dopant P-1compound 4/ dopant P-1 4.804.80 4.74.7 3.073.07 5.435.43 462462 0.1370.137 0.1100.110 실험예 5Experimental Example 5 화합물 5/ dopant P-1compound 5/ dopant P-1 4.994.99 4.684.68 2.942.94 5.665.66 468468 0.1380.138 0.1050.105 실험예 6Experimental Example 6 화합물 6/ dopant P-2compound 6/ dopant P-2 4.784.78 4.724.72 3.103.10 5.385.38 455455 0.1390.139 0.1000.100 비교실험예 1Comparative Experimental Example 1 비교화합물 1/ dopant P-3Comparative compound 1/ dopant P-3 5.545.54 4.204.20 2.382.38 3.123.12 420420 0.1370.137 0.1060.106 비교실험예 2Comparative Experimental Example 2 비교화합물 2/ dopant P-4Comparative compound 2/ dopant P-4 5.335.33 4.284.28 2.522.52 3.233.23 428428 0.1370.137 0.1060.106

상기 표 1의 실험결과로부터, 본 발명의 유기 발광 소자인 실험예 1 내지 6이 비교실험예 1 및 2 보다 소자의 특성이 우수한 것을 확인할 수 있다. 상기 비교실험예 1은 아민기 사이의 링커가 바이페닐릴렌인 비교화합물 1을 사용하였으며, 상기 비교실험예 2는 플루오렌에 결합된 경화기의 구조가 본 발명의 화학식 1과 상이한 비교화합물 2를 사용하였다.From the experimental results in Table 1, it can be confirmed that Experimental Examples 1 to 6, which are organic light emitting devices of the present invention, have superior device characteristics than Comparative Experimental Examples 1 and 2. Comparative Experimental Example 1 used Comparative Compound 1 in which the linker between the amine groups was biphenylrylene, and Comparative Experimental Example 2 used Comparative Compound 2 in which the structure of the curing group bonded to fluorene was different from Chemical Formula 1 of the present invention did

101: 기판
201: 제1 전극
301: 정공주입층
401: 정공수송층
501: 발광층
601: 전자주입 및 수송층
701: 제2 전극
101: substrate
201: first electrode
301: hole injection layer
401: hole transport layer
501: light emitting layer
601: electron injection and transport layer
701: second electrode

Claims (10)

하기 화학식 1로 표시되는 화합물:
[화학식 1]
Figure pat00037

상기 화학식 1에 있어서,
R1 내지 R11은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소, 중수소, 할로겐기, 치환 또는 비치환된 알킬기, 치환 또는 비치환된 알콕시기, 치환 또는 비치환된 아릴기 또는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기이며,
Ar1 및 Ar2는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 아릴기 또는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기이며,
n1 내지 n7은 각각 0 내지 4의 정수이고, n8 및 n9는 각각 0 내지 5의 정수이며, n10 및 n11은 각각 0 내지 7의 정수이고, 상기 n1 내지 n11이 각각 2 이상인 경우 2 이상의 괄호 내의 치환기는 서로 같거나 상이하다.
A compound represented by the following formula (1):
[Formula 1]
Figure pat00037

In Formula 1,
R1 to R11 are the same as or different from each other, and each independently represents hydrogen, deuterium, a halogen group, a substituted or unsubstituted alkyl group, a substituted or unsubstituted alkoxy group, a substituted or unsubstituted aryl group, or a substituted or unsubstituted heteroaryl group. is a flag,
Ar1 and Ar2 are the same as or different from each other, and are each independently a substituted or unsubstituted aryl group or a substituted or unsubstituted heteroaryl group,
n1 to n7 are each an integer of 0 to 4, n8 and n9 are each an integer of 0 to 5, n10 and n11 are each an integer of 0 to 7, and when n1 to n11 are each 2 or more, 2 or more substituents in parentheses are the same or different from each other.
청구항 1에 있어서,
상기 화학식 1은 하기 화학식 2로 표시되는 화합물:
[화학식 2]
Figure pat00038

상기 화학식 2에 있어서,
R1, R3 내지 R11, n1, n3 내지 n11, Ar1 및 Ar2의 정의는 화학식 1에서와 같고,
R21 및 R22는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 알킬기이다.
The method according to claim 1,
Formula 1 is a compound represented by Formula 2 below:
[Formula 2]
Figure pat00038

In Formula 2,
R1, R3 to R11, n1, n3 to n11, Ar1 and Ar2 have the same definitions as in Formula 1,
R21 and R22 are the same as or different from each other and each independently represent a substituted or unsubstituted alkyl group.
청구항 1에 있어서,
상기 화학식 1은 하기 화학식 3으로 표시되는 화합물:
[화학식 3]
Figure pat00039

상기 화학식 3에 있어서,
R1 내지 R11, n1 내지 n11, Ar1 및 Ar2의 정의는 화학식 1에서와 같다.
The method according to claim 1,
Formula 1 is a compound represented by Formula 3 below:
[Formula 3]
Figure pat00039

In Formula 3,
Definitions of R1 to R11, n1 to n11, Ar1 and Ar2 are the same as in Formula 1.
청구항 1에 있어서,
상기 Ar1 및 Ar2는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 페닐기, 치환 또는 비치환된 비페닐기 또는 치환 또는 비치환된 터페닐기인 화합물.
The method according to claim 1,
Wherein Ar1 and Ar2 are the same as or different from each other, and each independently represents a substituted or unsubstituted phenyl group, a substituted or unsubstituted biphenyl group, or a substituted or unsubstituted terphenyl group.
청구항 1에 있어서,
상기 화학식 1은 하기 화합물들 중 어느 하나로 표시되는 것인 화합물:
Figure pat00040

Figure pat00041

Figure pat00042

Figure pat00043

Figure pat00044
.
The method according to claim 1,
The compound of Formula 1 is represented by any one of the following compounds:
Figure pat00040

Figure pat00041

Figure pat00042

Figure pat00043

Figure pat00044
.
청구항 1 내지 5 중 어느 한 항에 따른 화합물을 포함하는 코팅 조성물.A coating composition comprising a compound according to any one of claims 1 to 5. 제1 전극;
제2 전극; 및
상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 구비되는 1층 이상의 유기물층을 포함하고,
상기 1층 이상의 유기물층 중 1층 이상은 청구항 6의 코팅 조성물 또는 이의 경화물을 포함하는 것인 유기 발광 소자.
a first electrode;
a second electrode; and
At least one organic material layer provided between the first electrode and the second electrode,
At least one of the at least one organic material layer is an organic light emitting device comprising the coating composition of claim 6 or a cured product thereof.
청구항 7에 있어서,
상기 코팅 조성물 또는 이의 경화물을 포함하는 유기물층은 정공수송층 또는 정공주입층인 것인 유기 발광 소자.
8. The method of claim 7,
The organic material layer comprising the coating composition or a cured product thereof is an organic light emitting device that is a hole transport layer or a hole injection layer.
제1 전극을 준비하는 단계;
상기 제1 전극 상에 1층 이상의 유기물층을 형성하는 단계; 및
상기 1층 이상의 유기물층 상에 제2 전극을 형성하는 단계를 포함하고,
상기 1층 이상의 유기물층을 형성하는 단계는 청구항 6의 코팅 조성물을 이용하여 유기물층을 형성하는 단계를 포함하는 것인 유기 발광 소자의 제조방법.
preparing a first electrode;
forming one or more organic material layers on the first electrode; and
Comprising the step of forming a second electrode on the at least one organic material layer,
The method of manufacturing an organic light emitting device, wherein the step of forming the at least one organic material layer comprises the step of forming the organic material layer using the coating composition of claim 6 .
청구항 9에 있어서,
상기 코팅 조성물을 이용하여 유기물층을 형성하는 단계는
상기 제1 전극 또는 1층 이상의 유기물층 상에 상기 코팅 조성물을 코팅하는 단계; 및
상기 코팅된 코팅 조성물을 열처리 또는 광처리하는 단계를 포함하는 것인 유기 발광 소자의 제조 방법.
10. The method of claim 9,
The step of forming an organic material layer using the coating composition is
coating the coating composition on the first electrode or one or more organic material layers; and
Method of manufacturing an organic light-emitting device comprising the step of heat-treating or light-treating the coated coating composition.
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