KR20210094319A - Compound, coating composition comprising same, organic light emitting device using same and method of manufacturing same - Google Patents

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KR20210094319A
KR20210094319A KR1020200007931A KR20200007931A KR20210094319A KR 20210094319 A KR20210094319 A KR 20210094319A KR 1020200007931 A KR1020200007931 A KR 1020200007931A KR 20200007931 A KR20200007931 A KR 20200007931A KR 20210094319 A KR20210094319 A KR 20210094319A
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Abstract

The present specification relates to a compound represented by a chemical formula 1, a coating composition comprising the compound represented by the chemical formula 1, an organic light emitting device using the same, and a method for manufacturing the same. An object of the present specification is to provide the compound that can be used in manufacturing the organic light emitting device by a solution process and the organic light emitting device including the same.

Description

화합물, 이를 포함하는 코팅 조성물, 이를 이용한 유기 발광 소자 및 이의 제조방법 {COMPOUND, COATING COMPOSITION COMPRISING SAME, ORGANIC LIGHT EMITTING DEVICE USING SAME AND METHOD OF MANUFACTURING SAME}Compound, coating composition containing same, organic light emitting device using same, and manufacturing method thereof

본 명세서는 화합물, 상기 화합물을 포함하는 코팅 조성물, 상기 코팅 조성물을 이용하여 형성된 유기 발광 소자 및 이의 제조 방법에 관한 것이다.The present specification relates to a compound, a coating composition including the compound, an organic light emitting device formed using the coating composition, and a method for manufacturing the same.

유기 발광 현상은 특정 유기 분자의 내부 프로세스에 의하여 전류가 가시광으로 전환되는 예의 하나이다. 유기 발광 현상의 원리는 다음과 같다. 애노드와 캐소드 사이에 유기물 층을 위치시켰을 때 두 전극 사이에 전류를 걸어주게 되면 캐소드와 애노드로부터 각각 전자와 정공이 유기물 층으로 주입된다. 유기물 층으로 주입된 전자와 정공은 재결합하여 엑시톤(exciton)을 형성하고, 이 엑시톤이 다시 바닥 상태로 떨어지면서 빛이 나게 된다. 이러한 원리를 이용하는 유기 발광 소자는 일반적으로 캐소드와 애노드 및 그 사이에 위치한 유기물층, 예컨대 정공주입층, 정공수송층, 발광층, 전자수송층, 전자주입층 등을 포함하는 유기물층으로 구성될 수 있다.The organic light emitting phenomenon is one example in which electric current is converted into visible light by an internal process of a specific organic molecule. The principle of the organic light emitting phenomenon is as follows. When an organic material layer is placed between the anode and the cathode, when a current is applied between the two electrodes, electrons and holes are respectively injected into the organic material layer from the cathode and the anode. Electrons and holes injected into the organic layer recombine to form excitons, and the excitons fall back to the ground state and emit light. An organic light emitting device using this principle is generally a cathode, an anode, and an organic material layer positioned therebetween, for example, an organic material layer including a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer, an electron injection layer, and the like.

종래에는 유기 발광 소자를 제조하기 위하여 증착 공정을 주로 사용해 왔다. 그러나, 증착 공정으로 유기 발광 소자의 제조 시, 재료의 손실이 많이 발생한다는 문제점이 있어, 이를 해결하기 위하여, 재료의 손실이 적어 생산 효율을 증대 시킬 수 있는 용액 공정을 통하여 소자를 제조하는 기술이 개발되고 있으며, 용액 공정 시 사용될 수 있는 물질의 개발이 요구되고 있다.Conventionally, a deposition process has been mainly used to manufacture an organic light emitting device. However, there is a problem that a lot of material loss occurs when manufacturing an organic light emitting device through the deposition process. It is being developed, and the development of a material that can be used in a solution process is required.

한국 특허공개공보 2012-0112277호Korean Patent Publication No. 2012-0112277

본 명세서는 용액 공정으로 유기 발광 소자를 제조시 사용 가능한 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자를 제공하는 것이 목적이다.An object of the present specification is to provide a compound that can be used in manufacturing an organic light emitting device by a solution process and an organic light emitting device including the same.

본 명세서는 하기 화학식 1로 표시되는 화합물을 제공한다.The present specification provides a compound represented by the following formula (1).

[화학식 1][Formula 1]

Figure pat00001
Figure pat00001

상기 화학식 1에 있어서,In Formula 1,

L1 내지 L4는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 직접결합; 치환 또는 비치환된 알킬렌기; 치환 또는 비치환된 시클로알킬렌기; 치환 또는 비치환된 아릴렌기; 치환 또는 비치환된 헤테로아릴렌기; 또는 -O-이며,L1 to L4 are the same as or different from each other, and each independently a direct bond; a substituted or unsubstituted alkylene group; a substituted or unsubstituted cycloalkylene group; a substituted or unsubstituted arylene group; a substituted or unsubstituted heteroarylene group; or -O-;

Ar1 내지 Ar4 및 R1 내지 R8은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐기; 니트릴기; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로고리기이며,Ar1 to Ar4 and R1 to R8 are the same as or different from each other, and each independently hydrogen; heavy hydrogen; halogen group; nitrile group; a substituted or unsubstituted alkyl group; a substituted or unsubstituted cycloalkyl group; a substituted or unsubstituted aryl group; Or a substituted or unsubstituted heterocyclic group,

X1 내지 X4는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 경화성기이며,X1 to X4 are the same as or different from each other, and each independently a curable group,

a1 내지 a4는 각각 0 내지 5의 정수이고, a1 내지 a4가 각각 2 이상인 경우 괄호 내의 치환기는 서로 같거나 상이하며,a1 to a4 are each an integer of 0 to 5, and when a1 to a4 are each 2 or more, the substituents in parentheses are the same as or different from each other,

n1 내지 n4는 각각 0 내지 3의 정수이고, n5 내지 n8은 각각 0 내지 8의 정수이며, n1 내지 n8이 각각 2 이상인 경우 괄호 내의 치환기는 서로 같거나 상이하다.n1 to n4 are each an integer of 0 to 3, n5 to n8 are each an integer of 0 to 8, and when n1 to n8 are each 2 or more, the substituents in parentheses are the same as or different from each other.

본 명세서는 전술한 화합물을 포함하는 코팅 조성물을 제공한다.The present specification provides a coating composition comprising the aforementioned compound.

본 명세서는 또한, 제1 전극; 제2 전극; 및 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 구비되는 1층 이상의 유기물층을 포함하고, 상기 유기물층 중 1층 이상은 전술한 코팅 조성물 또는 이의 경화물을 포함하는 것인 유기 발광 소자를 제공한다.The present specification also includes a first electrode; a second electrode; and at least one organic material layer provided between the first electrode and the second electrode, wherein at least one of the organic material layers includes the above-described coating composition or a cured product thereof.

마지막으로, 본 명세서는 기판을 준비하는 단계; 상기 기판 상에 제1 전극을 형성하는 단계; 상기 제1 전극 상에 1층 이상의 유기물층을 형성하는 단계; 및 상기 유기물층 상에 제2 전극을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 유기물층을 형성하는 단계는 전술한 코팅 조성물을 이용하여 1층 이상의 유기물층을 형성하는 단계를 포함하는 것인 유기 발광 소자의 제조 방법을 제공한다.Finally, the present specification includes the steps of preparing a substrate; forming a first electrode on the substrate; forming one or more organic material layers on the first electrode; and forming a second electrode on the organic material layer, wherein the forming of the organic material layer includes forming one or more organic material layers using the above-described coating composition. to provide.

본 발명의 일 실시상태에 따른 화합물은 유기 발광 소자의 유기물층의 재료로 사용될 수 있으며, 용액 공정에 사용될 수 있어 대면적 소자를 제조할 수 있을 뿐만 아니라, 낮은 구동전압, 높은 발광 효율 및 높은 수명 특성을 갖는 소자를 제공할 수 있다.The compound according to an exemplary embodiment of the present invention can be used as a material for an organic material layer of an organic light-emitting device, and can be used in a solution process to manufacture a large-area device, as well as low driving voltage, high luminous efficiency, and high lifespan characteristics. It is possible to provide a device having

도 1은 본 명세서의 일 실시상태에 따른 유기 발광 소자의 예를 도시한 것이다.1 illustrates an example of an organic light emitting device according to an exemplary embodiment of the present specification.

이하, 본 명세서를 상세히 설명한다.Hereinafter, the present specification will be described in detail.

본 명세서의 일 실시상태는 하기 화학식 1로 표시되는 화합물을 제공한다.An exemplary embodiment of the present specification provides a compound represented by the following formula (1).

[화학식 1][Formula 1]

Figure pat00002
Figure pat00002

상기 화학식 1에 있어서,In Formula 1,

L1 내지 L4는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 직접결합; 치환 또는 비치환된 알킬렌기; 치환 또는 비치환된 시클로알킬렌기; 치환 또는 비치환된 아릴렌기; 치환 또는 비치환된 헤테로아릴렌기; 또는 -O-이며,L1 to L4 are the same as or different from each other, and each independently a direct bond; a substituted or unsubstituted alkylene group; a substituted or unsubstituted cycloalkylene group; a substituted or unsubstituted arylene group; a substituted or unsubstituted heteroarylene group; or -O-;

Ar1 내지 Ar4 및 R1 내지 R8은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐기; 니트릴기; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로고리기이며,Ar1 to Ar4 and R1 to R8 are the same as or different from each other, and each independently hydrogen; heavy hydrogen; halogen group; nitrile group; a substituted or unsubstituted alkyl group; a substituted or unsubstituted cycloalkyl group; a substituted or unsubstituted aryl group; Or a substituted or unsubstituted heterocyclic group,

X1 내지 X4는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 경화성기이며,X1 to X4 are the same as or different from each other, and each independently a curable group,

a1 내지 a4는 각각 0 내지 5의 정수이고, a1 내지 a4가 각각 2 이상인 경우 괄호 내의 치환기는 서로 같거나 상이하며,a1 to a4 are each an integer of 0 to 5, and when a1 to a4 are each 2 or more, the substituents in parentheses are the same as or different from each other,

n1 내지 n4는 각각 0 내지 3의 정수이고, n5 내지 n8은 각각 0 내지 8의 정수이며, n1 내지 n8이 각각 2 이상인 경우 괄호 내의 치환기는 서로 같거나 상이하다.n1 to n4 are each an integer of 0 to 3, n5 to n8 are each an integer of 0 to 8, and when n1 to n8 are each 2 or more, the substituents in parentheses are the same as or different from each other.

상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 스피로비플루오렌 코어(spirobifluorene core)에 경화기가 결합된 플루오렌이 아민기를 통하여 연결된 구조를 가지며, 상기 플루오렌이 결합된 아민기 4개가 코어에 결합되는 것이 특징이다.The compound represented by Formula 1 has a structure in which fluorene to which a curing group is bonded to a spirobifluorene core is connected through an amine group, and four amine groups to which fluorene is bonded are characterized in that the core is bonded to the core. .

상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 화합물 내에 경화성기를 포함함으로써, 상기 화합물을 포함하는 코팅 조성물을 열 또는 광처리하여 제작한 박막 위에 추가의 층을 형성하는 추가 공정의 용매에 대한 내성이 우수하다. 또한, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 스피로비플루오렌 코어에 플루오렌이 결합된 아민기 4개가 연결되어 단단한(rigid) 구조를 가지며, 이로 인해 높은 열 안정성을 가지므로, 소자에 적용시 우수한 성능을 갖는다.The compound represented by Formula 1 has excellent resistance to the solvent of the additional process of forming an additional layer on the thin film produced by heat or light treatment of the coating composition containing the compound by including a curable group in the compound. In addition, the compound represented by Chemical Formula 1 has a rigid structure in which four amine groups to which fluorene is bonded are connected to the spirobifluorene core, and thus has high thermal stability, so excellent performance when applied to devices has

본 명세서에 있어서, 어떤 부재가 다른 부재 “상에” 위치하고 있다고 할 때, 이는 어떤 부재가 다른 부재에 접해 있는 경우뿐 아니라 두 부재 사이에 또 다른 부재가 존재하는 경우도 포함한다.In the present specification, when a member is said to be located “on” another member, this includes not only a case in which a member is in contact with another member but also a case in which another member exists between the two members.

본 명세서에 있어서, 어떤 부분이 어떤 구성요소를 “포함”한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성 요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.In the present specification, when a part "includes" a certain component, this means that other components may be further included, rather than excluding other components, unless otherwise stated.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 적당한 유기용매에 대해 용해성을 갖는 화합물들이 바람직하다.According to an exemplary embodiment of the present specification, the compound represented by Formula 1 is preferably a compound having solubility in a suitable organic solvent.

또한, 본 명세서의 일 실시상태에 따른 화학식 1로 표시되는 화합물의 경우, 용액 도포법에 의하여 유기 발광 소자를 제조할 수 있어 소자의 대면적화가 가능할 수 있다.In addition, in the case of the compound represented by Formula 1 according to an exemplary embodiment of the present specification, an organic light emitting device may be manufactured by a solution coating method, and thus a large area of the device may be possible.

본 명세서에서 “경화성기”는 “광경화성기” 또는 “열경화성기”를 의미하며, 이는 열 및/또는 광에 노출시킴으로써, 화합물 간에 가교를 시키는 반응성 치환기를 의미할 수 있다. 가교는 열처리 또는 광조사에 의하여, 탄소-탄소 다중결합, 환형 구조가 분해되면서 생성된 라디칼이 연결되면서 생성될 수 있다.As used herein, the term “curable group” refers to a “photocurable group” or “thermosetting group”, which may mean a reactive substituent for crosslinking between compounds by exposure to heat and/or light. Crosslinking may be generated by connecting radicals generated while decomposing carbon-carbon multiple bonds and cyclic structures by heat treatment or light irradiation.

이하, 본 명세서의 치환기를 상세하게 설명한다.Hereinafter, the substituents of the present specification will be described in detail.

본 명세서에 있어서, 상기 “치환”이라는 용어는 화합물의 탄소 원자에 결합된 수소 원자가 다른 치환기로 바뀌는 것을 의미하며, 치환되는 위치는 수소 원자가 결합되는 위치 즉, 치환기가 치환 가능한 위치라면 한정하지 않으며, 2 이상 치환되는 경우, 2 이상의 치환기는 서로 동일하거나 상이할 수 있다.In the present specification, the term "substitution" means that a hydrogen atom bonded to a carbon atom of a compound is changed to another substituent, and the position to be substituted is not limited as long as the position to which the hydrogen atom is bonded, that is, a position where the substituent is substitutable, is not limited, When two or more substituents are substituted, two or more substituents may be the same as or different from each other.

본 명세서에서 “치환 또는 비치환된”이라는 용어는 중수소; 할로겐기; 니트릴기; 실릴기; 붕소기; 알킬기; 시클로알킬기; 알콕시기; 아릴기; 및 헤테로고리기로 이루어진 군에서 선택된 1개 이상의 치환기로 치환 또는 비치환되거나, 상기 예시된 치환기 중 2 이상의 치환기가 연결된 치환 또는 비치환된 것을 의미한다. 예컨대, "2 이상의 치환기가 연결된 치환기"는 비페닐기일 수 있다. 즉, 비페닐기는 아릴기일 수도 있고, 2개의 페닐기가 연결된 치환기로 해석될 수 있다.As used herein, the term “substituted or unsubstituted” refers to deuterium; halogen group; nitrile group; silyl group; boron group; an alkyl group; cycloalkyl group; alkoxy group; aryl group; and substituted or unsubstituted by one or more substituents selected from the group consisting of a heterocyclic group, or substituted or unsubstituted in which two or more substituents among the above-exemplified substituents are connected. For example, "a substituent in which two or more substituents are connected" may be a biphenyl group. That is, the biphenyl group may be an aryl group, and may be interpreted as a substituent in which two phenyl groups are connected.

본 명세서에 있어서, 할로겐기는 불소(F), 염소(Cl), 브롬(Br) 또는 요오드(I)이다.In the present specification, the halogen group is fluorine (F), chlorine (Cl), bromine (Br) or iodine (I).

본 명세서에 있어서, 실릴기는 -SiRaRbRc의 화학식으로 표시될 수 있고, 상기 Ra, Rb 및 Rc는 각각 수소, 치환 또는 비치환된 알킬기, 치환 또는 비치환된 아릴기 등일 수 있다. 상기 실릴기는 구체적으로 트리메틸실릴기, 트리에틸실릴기, tert-부틸디메틸실릴기, 비닐디메틸실릴기, 프로필디메틸실릴기, 트리페닐실릴기, 디페닐실릴기, 페닐실릴기 등이 있으나 이에 한정되지 않는다. In the present specification, the silyl group may be represented by the formula of -SiRaRbRc, and Ra, Rb and Rc may each be hydrogen, a substituted or unsubstituted alkyl group, a substituted or unsubstituted aryl group, or the like. The silyl group specifically includes, but is not limited to, a trimethylsilyl group, a triethylsilyl group, a tert-butyldimethylsilyl group, a vinyldimethylsilyl group, a propyldimethylsilyl group, a triphenylsilyl group, a diphenylsilyl group, a phenylsilyl group, and the like. does not

본 명세서에 있어서, 붕소기는 -BRdRe의 화학식으로 표시될 수 있고, 상기 Rd 및 Re는 각각 수소, 치환 또는 비치환된 알킬기, 또는 치환 또는 비치환된 아릴기 등일 수 있다. 상기 붕소기는 구체적으로 트리메틸붕소기, 트리에틸붕소기, tert-부틸디메틸붕소기, 트리페닐붕소기, 페닐붕소기 등이 있으나 이에 한정되지 않는다.In the present specification, the boron group may be represented by the formula of -BRdRe, and Rd and Re may each be hydrogen, a substituted or unsubstituted alkyl group, or a substituted or unsubstituted aryl group. Specifically, the boron group includes, but is not limited to, a trimethylboron group, a triethylboron group, a tert-butyldimethylboron group, a triphenylboron group, a phenylboron group, and the like.

본 명세서에 있어서, 상기 알킬기는 직쇄 또는 분지쇄일 수 있고, 탄소수는 특별히 한정되지 않으나 1 내지 60일 수 있고, 또 하나의 일 실시상태에 따르면, 상기 알킬기의 탄소수는 1 내지 30, 1 내지 20, 또는 1 내지 10일 수 있다. 상기 알킬기의 구체적인 예로는 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, 이소부틸기, tert-부틸기, n-펜틸기, n-헥실기, n-헵틸기 등이 있으나, 이들에 한정되지 않는다.In the present specification, the alkyl group may be a straight chain or branched chain, and the number of carbon atoms is not particularly limited, but may be 1 to 60, and according to another exemplary embodiment, the number of carbon atoms of the alkyl group is 1 to 30, 1 to 20, or 1 to 10. Specific examples of the alkyl group include methyl group, ethyl group, propyl group, isopropyl group, n-butyl group, isobutyl group, tert-butyl group, n-pentyl group, n-hexyl group, n-heptyl group, etc., but these is not limited to

본 명세서에 있어서, 시클로알킬기는 특별히 한정되지 않으나, 탄소수 3 내지 60일 수 있고, 또 하나의 일 실시상태에 따르면, 상기 시클로알킬기의 탄소수는 3 내지 40, 또는 3 내지 20이다. 상기 시클로알킬기의 구체적인 예로는 시클로프로필기, 시클로부틸기, 시클로펜틸기, 시클로헥실기, 시클로헵틸기, 시클로옥틸기 등이 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.In the present specification, the cycloalkyl group is not particularly limited, but may have 3 to 60 carbon atoms, and according to another exemplary embodiment, the cycloalkyl group has 3 to 40, or 3 to 20 carbon atoms. Specific examples of the cycloalkyl group include, but are not limited to, a cyclopropyl group, a cyclobutyl group, a cyclopentyl group, a cyclohexyl group, a cycloheptyl group, and a cyclooctyl group.

본 명세서에 있어서, 상기 알콕시기는 직쇄, 분지쇄 또는 고리쇄일 수 있다. 상기 알콕시기의 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 탄소수 1 내지 20일 수 있다. 상기 알콕시기의 구체적인 예로는 메톡시기, 에톡시기, n-프로폭시기, n-부톡시기, tert-부톡시기, n-펜틸옥시기, n-헥실옥시기, n-옥틸옥시기, n-노닐옥시기, n-데실옥시기 등이 될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.In the present specification, the alkoxy group may be a straight chain, branched chain or cyclic chain. The number of carbon atoms of the alkoxy group is not particularly limited, but may be 1 to 20 carbon atoms. Specific examples of the alkoxy group include a methoxy group, an ethoxy group, n-propoxy group, n-butoxy group, tert-butoxy group, n-pentyloxy group, n-hexyloxy group, n-octyloxy group, n-no It may be a nyloxy group, an n-decyloxy group, or the like, but is not limited thereto.

본 명세서에 있어서, 상기 아릴기는 특별히 한정되지 않으나 탄소수 6 내지 60일 수 있으며, 단환식 아릴기 또는 다환식 아릴기일 수 있다. 또 하나의 일 실시상태에 따르면, 상기 아릴기의 탄소수는 6 내지 30, 또는 6 내지 20이다. 상기 아릴기가 단환식 아릴기로는 페닐기, 비페닐기, 터페닐기 등이 될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 다환식 아릴기로는 나프틸기, 안트라세닐기, 페난트레닐기, 파이레닐기, 페릴레닐기, 트리페닐기, 크라이세닐기, 플루오레닐기 등이 될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.In the present specification, the aryl group is not particularly limited, but may have 6 to 60 carbon atoms, and may be a monocyclic aryl group or a polycyclic aryl group. According to another exemplary embodiment, the carbon number of the aryl group is 6 to 30, or 6 to 20. The aryl group may be a monocyclic aryl group, such as a phenyl group, a biphenyl group, or a terphenyl group, but is not limited thereto. The polycyclic aryl group may be a naphthyl group, an anthracenyl group, a phenanthrenyl group, a pyrenyl group, a perylenyl group, a triphenyl group, a chrysenyl group, a fluorenyl group, and the like, but is not limited thereto.

본 명세서에 있어서, 플루오레닐기는 치환될 수 있고, 치환기 2개가 서로 결합하여 스피로 구조를 형성할 수 있다.In the present specification, the fluorenyl group may be substituted, and two substituents may be bonded to each other to form a spiro structure.

상기 플루오레닐기가 치환되는 경우,

Figure pat00003
,
Figure pat00004
(스피로비플루오레닐기) 등의 스피로플루오레닐기,
Figure pat00005
(9,9-디메틸플루오레닐기), 및
Figure pat00006
(9,9-디페닐플루오레닐기) 등의 치환된 플루오레닐기가 될 수 있다. 다만, 이에 한정되는 것은 아니다.When the fluorenyl group is substituted,
Figure pat00003
,
Figure pat00004
spirofluorenyl groups such as (spirobifluorenyl group);
Figure pat00005
(9,9-dimethyl fluorenyl group), and
Figure pat00006
a substituted fluorenyl group such as (9,9-diphenylfluorenyl group). However, the present invention is not limited thereto.

본 명세서에 있어서, 헤테로고리기는 이종원자로 N, O, P, S, Si 및 Se 중 1개 이상을 포함하는 헤테로고리기로서, 탄소수는 특별히 한정되지 않으나 탄소수 2 내지 60일 수 있다. 일 실시상태에 따르면, 상기 헤테로고리기의 탄소수는 2 내지 30이다. 또 하나의 일 실시상태에 따르면, 상기 헤테로고리기의 탄소수는 2 내지 20이다. 헤테로고리기의 예로는 피리딜기, 피롤기, 피리미딜기, 피리다지닐기, 퓨라닐기, 티오펜기, 벤조티오펜기, 벤조퓨란기, 디벤조티오펜기, 디벤조퓨란기 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.In the present specification, the heterocyclic group is a heterocyclic group including at least one of N, O, P, S, Si and Se as a heteroatom, and the number of carbon atoms is not particularly limited, but may have 2 to 60 carbon atoms. According to an exemplary embodiment, the heterocyclic group has 2 to 30 carbon atoms. According to another exemplary embodiment, the heterocyclic group has 2 to 20 carbon atoms. Examples of the heterocyclic group include a pyridyl group, a pyrrole group, a pyrimidyl group, a pyridazinyl group, a furanyl group, a thiophene group, a benzothiophene group, a benzofuran group, a dibenzothiophene group, a dibenzofuran group, etc. , but is not limited to these.

본 명세서에 있어서, 헤테로아릴기는 방향족인 것을 제외하고는 전술한 헤테로고리기에 관한 설명이 적용될 수 있다.In the present specification, the description of the above-mentioned heterocyclic group may be applied except that the heteroaryl group is aromatic.

본 명세서에 있어서, 상기 아릴렌기는 2가기인 것을 제외하고는, 전술한 아릴기에 관한 설명이 적용된다.In the present specification, the description of the above-described aryl group is applied, except that the arylene group is a divalent group.

본 명세서에 있어서, 상기 알킬렌기는 2가기인 것을 제외하고는, 전술한 알킬기에 관한 설명이 적용된다.In the present specification, except that the alkylene group is a divalent group, the description of the above-described alkyl group is applied.

본 명세서에 있어서, 상기 시클로알킬렌기는 2가기인 것을 제외하고는, 전술한 시클로알킬기에 관한 설명이 적용된다.In the present specification, the description of the above-described cycloalkyl group is applied, except that the cycloalkylene group is a divalent group.

본 명세서에 있어서, 상기 헤테로아릴렌기는 2가기인 것을 제외하고는, 전술한 헤테로아릴기에 관한 설명이 적용된다.In the present specification, the description of the above-described heteroaryl group is applied, except that the heteroarylene group is a divalent group.

본 명세서에 있어서, 상기 “-O-“에서 O는 산소원자를 의미하고, -는 직접결합(단일결합)을 의미한다.In the present specification, O in "-O-" means an oxygen atom, and - means a direct bond (single bond).

본 명세서에 있어서, 상기 “-S-“에서 S는 황원자를 의미하고, -는 직접결합(단일결합)을 의미한다.In the present specification, in "-S-", S means a sulfur atom, and - means a direct bond (single bond).

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 1은 하기 화학식 8로 표시된다.In an exemplary embodiment of the present specification, Chemical Formula 1 is represented by the following Chemical Formula 8.

[화학식 8][Formula 8]

Figure pat00007
Figure pat00007

상기 화학식 8에 있어서,In the formula (8),

L1 내지 L4, X1 내지 X4, Ar1 내지 Ar4, R1 내지 R8, a1 내지 a4, 및 n1 내지 n8은 화학식 1에서 정의한 바와 같다.L1 to L4, X1 to X4, Ar1 to Ar4, R1 to R8, a1 to a4, and n1 to n8 are as defined in Formula 1.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 “-(L1)a1-X1, -(L2)a2-X2, -(L3)a3-X3 및 -(L4)a4-X4”는 각각 플루오렌의 9번 탄소에 결합된다. According to an exemplary embodiment of the present specification, the "-(L1) a1 -X1, -(L2) a2 -X2, -(L3) a3 -X3 and -(L4) a4 -X4" are each 9 times of fluorene bonded to carbon

상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 스피로비플루오렌 코어구조와 컨쥬게이션이 끊어진 플루오렌의 9번 탄소 위치에 경화기를 도입함으로써, 경화기가 결합된 플루오렌과 스피로비플루오렌 핵심골격으로 이어지는 부분의 박막 상 상호작용에 대한 간섭을 줄일 수 있으며, 이러한 핵심골격의 분자궤도함수에 바람직하지 않은 영향을 최소화시킬 수 있으므로, 보다 장수명의 유기 발광 소자를 제조할 수 있다.The compound represented by Formula 1 introduces a curing group at the 9th carbon position of fluorene where the spirobifluorene core structure and the conjugation are broken, and the thin film of the portion leading to the core skeleton of fluorene and spirobifluorene to which the curing group is bonded Interference with the phase interaction can be reduced and undesirable effects on the molecular orbital function of the core skeleton can be minimized, so that an organic light emitting device having a longer lifespan can be manufactured.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 1은 하기 화학식 2로 표시된다.In an exemplary embodiment of the present specification, Formula 1 is represented by Formula 2 below.

[화학식 2][Formula 2]

Figure pat00008
Figure pat00008

상기 화학식 2에 있어서,In Formula 2,

L1 내지 L4, X1 내지 X4, Ar1 내지 Ar4, R1 내지 R4, a1 내지 a4, 및 n1 내지 n4는 화학식 1에서 정의한 바와 같고,L1 to L4, X1 to X4, Ar1 to Ar4, R1 to R4, a1 to a4, and n1 to n4 are as defined in Formula 1,

R11 내지 R18은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐기; 니트릴기; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로고리기이며,R11 to R18 are the same as or different from each other, and each independently hydrogen; heavy hydrogen; halogen group; nitrile group; a substituted or unsubstituted alkyl group; a substituted or unsubstituted cycloalkyl group; a substituted or unsubstituted aryl group; Or a substituted or unsubstituted heterocyclic group,

m1 내지 m4는 각각 0 내지 7의 정수이고, m1 내지 m4가 각각 2 이상인 경우 괄호 내의 치환기는 서로 같거나 상이하다.m1 to m4 are each an integer of 0 to 7, and when m1 to m4 are each 2 or more, the substituents in parentheses are the same as or different from each other.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 2는 하기 화학식 2-1로 표시된다.In the exemplary embodiment of the present specification, Chemical Formula 2 is represented by the following Chemical Formula 2-1.

[화학식 2-1][Formula 2-1]

Figure pat00009
Figure pat00009

L1 내지 L4, X1 내지 X4, Ar1 내지 Ar4, R1 내지 R4, a1 내지 a4, n1 내지 n4, R11 내지 R18 및 m1 내지 m4는 화학식 2에서 정의한 바와 같다.L1 to L4, X1 to X4, Ar1 to Ar4, R1 to R4, a1 to a4, n1 to n4, R11 to R18, and m1 to m4 are as defined in Formula 2.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 a1 내지 a4는 각각 0 내지 2의 정수이고, a1 내지 a4가 각각 2 인 경우 괄호 내의 치환기는 서로 같거나 상이하다.In the exemplary embodiment of the present specification, a1 to a4 are each an integer of 0 to 2, and when a1 to a4 are each 2, the substituents in parentheses are the same as or different from each other.

또 하나의 일 실시상태에 따르면, 상기 a1 내지 a4는 0이다.According to another exemplary embodiment, a1 to a4 are 0.

또 하나의 일 실시상태에 따르면, 상기 a1 내지 a4는 1이다.According to another exemplary embodiment, a1 to a4 are 1.

또 하나의 일 실시상태에 따르면, 상기 a1 내지 a4는 2이다.According to another exemplary embodiment, a1 to a4 are 2.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 L1 내지 L4는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 직접결합; 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 10의 알킬렌기; 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 30의 시클로알킬렌기; 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴렌기; 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 30의 헤테로아릴렌기; 또는 -O-이다.In an exemplary embodiment of the present specification, L1 to L4 are the same as or different from each other, and each independently a direct bond; a substituted or unsubstituted C 1 to C 10 alkylene group; a substituted or unsubstituted C 3 to C 30 cycloalkylene group; a substituted or unsubstituted arylene group having 6 to 30 carbon atoms; a substituted or unsubstituted C 2 to C 30 heteroarylene group; or -O-.

또 하나의 일 실시상태에 따르면, 상기 L1 내지 L4는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 직접결합; 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 5의 알킬렌기; 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 20의 아릴렌기; 또는 -O-이다.According to another exemplary embodiment, L1 to L4 are the same as or different from each other, and each independently a direct bond; a substituted or unsubstituted C 1 to C 5 alkylene group; a substituted or unsubstituted arylene group having 6 to 20 carbon atoms; or -O-.

또 하나의 일 실시상태에 있어서, 상기 L1 내지 L4는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 직접결합; 메틸렌기; 페닐렌기; 또는 -O-이다.In another exemplary embodiment, L1 to L4 are the same as or different from each other, and each independently a direct bond; methylene group; phenylene group; or -O-.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 1은 하기 화학식 3 또는 4로 표시된다.According to an exemplary embodiment of the present specification, Chemical Formula 1 is represented by the following Chemical Formula 3 or 4.

[화학식 3][Formula 3]

Figure pat00010
Figure pat00010

[화학식 4][Formula 4]

Figure pat00011
Figure pat00011

상기 화학식 3 및 4에 있어서,In Formulas 3 and 4,

X1 내지 X4, Ar1 내지 Ar4, R1 내지 R4, 및 n1 내지 n4는 화학식 1에서 정의한 바와 같고,X1 to X4, Ar1 to Ar4, R1 to R4, and n1 to n4 are as defined in Formula 1,

R11 내지 R18은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐기; 니트릴기; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로고리기이며,R11 to R18 are the same as or different from each other, and each independently hydrogen; heavy hydrogen; halogen group; nitrile group; a substituted or unsubstituted alkyl group; a substituted or unsubstituted cycloalkyl group; a substituted or unsubstituted aryl group; Or a substituted or unsubstituted heterocyclic group,

m1 내지 m4는 각각 0 내지 7의 정수이고, m1 내지 m4가 각각 2 이상인 경우 괄호 내의 치환기는 서로 같거나 상이하며,m1 to m4 are each an integer of 0 to 7, and when m1 to m4 are each 2 or more, the substituents in parentheses are the same as or different from each other,

b1 내지 b4는 각각 0 또는 1이다.b1 to b4 are 0 or 1, respectively.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 b1 내지 b4는 1이다.According to an exemplary embodiment of the present specification, b1 to b4 are 1.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 b1 내지 b4는 0이다.According to an exemplary embodiment of the present specification, b1 to b4 are 0.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 1은 하기 화학식 5 내지 7 중 어느 하나로 표시된다.In an exemplary embodiment of the present specification, Chemical Formula 1 is represented by any one of Chemical Formulas 5 to 7 below.

[화학식 5][Formula 5]

Figure pat00012
Figure pat00012

[화학식 6][Formula 6]

Figure pat00013
Figure pat00013

[화학식 7][Formula 7]

Figure pat00014
Figure pat00014

상기 화학식 5 내지 7에 있어서,In Formulas 5 to 7,

X1 내지 X4, Ar1 내지 Ar4, R1 내지 R4, 및 n1 내지 n4는 화학식 1에서 정의한 바와 같고,X1 to X4, Ar1 to Ar4, R1 to R4, and n1 to n4 are as defined in Formula 1,

R11 내지 R18은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐기; 니트릴기; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로고리기이며,R11 to R18 are the same as or different from each other, and each independently hydrogen; heavy hydrogen; halogen group; nitrile group; a substituted or unsubstituted alkyl group; a substituted or unsubstituted cycloalkyl group; a substituted or unsubstituted aryl group; Or a substituted or unsubstituted heterocyclic group,

m1 내지 m4는 각각 0 내지 7의 정수이고, m1 내지 m4가 각각 2 이상인 경우 괄호 내의 치환기는 서로 같거나 상이하다.m1 to m4 are each an integer of 0 to 7, and when m1 to m4 are each 2 or more, the substituents in parentheses are the same as or different from each other.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 X1 내지 X4는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 경화성기이다.In an exemplary embodiment of the present specification, X1 to X4 are the same as or different from each other, and are each independently a curable group.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 경화성기는 하기 구조들 중 어느 하나이다.According to an exemplary embodiment of the present specification, the curable group is any one of the following structures.

Figure pat00015
Figure pat00015

상기 구조들에 있어서,In the above structures,

L은 직접결합; -O-; -S-; 치환 또는 비치환된 알킬렌기; 치환 또는 비치환된 아릴렌기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴렌기이고,L is a direct bond; -O-; -S-; a substituted or unsubstituted alkylene group; a substituted or unsubstituted arylene group; Or a substituted or unsubstituted heteroarylene group,

R21은 수소; 또는 치환 또는 비치환된 알킬기이며,R21 is hydrogen; Or a substituted or unsubstituted alkyl group,

k는 1 또는 2이다.k is 1 or 2.

상기 구조들에 있어서,

Figure pat00016
는 다른 구조에 결합되는 위치를 의미한다.In the above structures,
Figure pat00016
denotes a position where it is bound to another structure.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 L은 직접결합; -O-; -S-; 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 알킬렌기; 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴렌기; 또는 치환 또는 비치화된 탄소수 2 내지 30의 헤테로아릴렌기이다.In one embodiment of the present specification, L is a direct bond; -O-; -S-; a substituted or unsubstituted C1-C30 alkylene group; a substituted or unsubstituted arylene group having 6 to 30 carbon atoms; Or a substituted or unsubstituted heteroarylene group having 2 to 30 carbon atoms.

또 하나의 일 실시상태에 따르면, 상기 L은 직접결합; -O-; -S-; 탄소수 1 내지 30의 알킬렌기; 탄소수 6 내지 30의 아릴렌기; 또는 탄소수 2 내지 30의 헤테로아릴렌기이다.According to another exemplary embodiment, L is a direct bond; -O-; -S-; an alkylene group having 1 to 30 carbon atoms; an arylene group having 6 to 30 carbon atoms; or a heteroarylene group having 2 to 30 carbon atoms.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R21은 수소; 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 20의 알킬기이다.In an exemplary embodiment of the present specification, R21 is hydrogen; or a substituted or unsubstituted C 1 to C 20 alkyl group.

또 하나의 일 실시상태에 따르면, 상기 R21은 수소; 또는 탄소수 1 내지 10의 알킬기이다.According to another exemplary embodiment, R21 is hydrogen; or an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 경화성기는 스타이렌(

Figure pat00017
)을 사용하는 경우, 소자 내에 적용시 보다 우수한 효과를 나타낸다.According to an exemplary embodiment of the present specification, the curable group is styrene (
Figure pat00017
), it exhibits a better effect when applied within the device.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 Ar1 내지 Ar4는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐기; 니트릴기; 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 20의 알킬기; 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 30의 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 60의 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 이종원소로 O, S 및 N 중 1 이상을 포함하는 탄소수 2 내지 60의 헤테로고리기이다.According to an exemplary embodiment of the present specification, Ar1 to Ar4 are the same as or different from each other, and each independently hydrogen; heavy hydrogen; halogen group; nitrile group; a substituted or unsubstituted C 1 to C 20 alkyl group; a substituted or unsubstituted C 3 to C 30 cycloalkyl group; a substituted or unsubstituted C 6 to C 60 aryl group; Or a heterocyclic group having 2 to 60 carbon atoms including at least one of O, S and N as a substituted or unsubstituted heteroelement.

또 하나의 일 실시상태에 있어서, 상기 Ar1 내지 Ar4는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 할로겐기 및 탄소수 1 내지 10의 알킬기로 이루어진 군으로부터 선택된 1 이상의 치환기로 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 60의 아릴기이다.In another exemplary embodiment, Ar1 to Ar4 are the same as or different from each other, and each independently has 6 to 60 carbon atoms substituted or unsubstituted with one or more substituents selected from the group consisting of a halogen group and an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms. is the aryl group of

또 하나의 일 실시상태에 따르면, 상기 Ar1 내지 Ar4는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 할로겐기 및 탄소수 1 내지 10의 알킬기로 이루어진 군으로부터 선택된 1 이상의 치환기로 치환 또는 비치환된 페닐기; 또는 할로겐기 및 탄소수 1 내지 10의 알킬기로 이루어진 군으로부터 선택된 1 이상의 치환기로 치환 또는 비치환된 비페닐기이다.According to another exemplary embodiment, Ar1 to Ar4 are the same as or different from each other, and each independently a phenyl group unsubstituted or substituted with one or more substituents selected from the group consisting of a halogen group and an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms; or a biphenyl group unsubstituted or substituted with one or more substituents selected from the group consisting of a halogen group and an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms.

또 하나의 일 실시상태에 있어서, 상기 Ar1 내지 Ar4는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 -F, 메틸기 및 프로필기로 이루어진 군으로부터 선택된 1 이상의 치환기로 치환 또는 비치환된 페닐기; 또는 -F, 메틸기 및 프로필기로 이루어진 군으로부터 선택된 1 이상의 치환기로 치환 또는 비치환된 비페닐기이다.In another exemplary embodiment, Ar1 to Ar4 are the same as or different from each other, and each independently -F, a phenyl group unsubstituted or substituted with one or more substituents selected from the group consisting of a methyl group and a propyl group; or -F, a biphenyl group unsubstituted or substituted with one or more substituents selected from the group consisting of a methyl group and a propyl group.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 R1 내지 R8은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐기; 니트릴기; 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 20의 알킬기; 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 30의 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 60의 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 이종원소로 O, S 및 N 중 1 이상을 포함하는 탄소수 2 내지 60의 헤테로고리기이다.According to an exemplary embodiment of the present specification, R1 to R8 are the same as or different from each other, and each independently hydrogen; heavy hydrogen; halogen group; nitrile group; a substituted or unsubstituted C 1 to C 20 alkyl group; a substituted or unsubstituted C 3 to C 30 cycloalkyl group; a substituted or unsubstituted C 6 to C 60 aryl group; or a heterocyclic group having 2 to 60 carbon atoms including at least one of O, S and N as a substituted or unsubstituted heteroelement.

또 하나의 일 실시상태에 따르면, 상기 R1 내지 R4는 수소이다.According to another exemplary embodiment, R1 to R4 are hydrogen.

또 하나의 일 실시상태에 따르면, 상기 R5 내지 R8은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴기이다.According to another exemplary embodiment, R5 to R8 are the same as or different from each other, and each independently represent a substituted or unsubstituted C6-C30 aryl group.

또 하나의 일 실시상태에 따르면, 상기 R5 내지 R8은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 페닐기이다.According to another exemplary embodiment, R5 to R8 are the same as or different from each other, and each independently represents a substituted or unsubstituted phenyl group.

또 하나의 일 실시상태에 따르면, 상기 R5 내지 R8은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 탄소수 1 내지 10의 알킬기로 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴기이다.According to another exemplary embodiment, R5 to R8 are the same as or different from each other, and each independently represents an aryl group having 6 to 30 carbon atoms that is unsubstituted or substituted with an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms.

또 하나의 일 실시상태에 따르면, 상기 R5 내지 R8은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 탄소수 1 내지 10의 알킬기로 치환 또는 비치환된 페닐기이다.According to another exemplary embodiment, R5 to R8 are the same as or different from each other, and each independently represents a phenyl group unsubstituted or substituted with an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 n1 내지 n4는 각각 0 또는 1이다.In the exemplary embodiment of the present specification, n1 to n4 are 0 or 1, respectively.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 n5 내지 n8은 각각 0 내지 2이고, 상기 n5 내지 n8가 각각 2인 경우 괄호 내의 치환기는 서로 같거나 상이하다.According to an exemplary embodiment of the present specification, n5 to n8 are each 0 to 2, and when n5 to n8 are 2 respectively, the substituents in parentheses are the same as or different from each other.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R11 내지 R14는 수소; 중수소; 할로겐기; 니트릴기; 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 20의 알킬기; 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 30의 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 60의 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 이종원소로 O, S 및 N 중 1 이상을 포함하는 탄소수 2 내지 60의 헤테로고리기이다.In an exemplary embodiment of the present specification, R11 to R14 are hydrogen; heavy hydrogen; halogen group; nitrile group; a substituted or unsubstituted C 1 to C 20 alkyl group; a substituted or unsubstituted C 3 to C 30 cycloalkyl group; a substituted or unsubstituted C 6 to C 60 aryl group; or a heterocyclic group having 2 to 60 carbon atoms including at least one of O, S and N as a substituted or unsubstituted heteroelement.

또 하나의 일 실시상태에 따르면, 상기 R11 내지 R14는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴기이다.According to another exemplary embodiment, R11 to R14 are the same as or different from each other, and each independently represent a substituted or unsubstituted C6-C30 aryl group.

또 하나의 일 실시상태에 따르면, 상기 R11 내지 R14는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 페닐기이다.According to another exemplary embodiment, R11 to R14 are the same as or different from each other, and each independently represents a substituted or unsubstituted phenyl group.

또 하나의 일 실시상태에 따르면, 상기 R11 내지 R14는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 탄소수 1 내지 10의 알킬기로 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴기이다.According to another exemplary embodiment, R11 to R14 are the same as or different from each other, and each independently represents an aryl group having 6 to 30 carbon atoms that is unsubstituted or substituted with an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms.

또 하나의 일 실시상태에 따르면, 상기 R11 내지 R14는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 탄소수 1 내지 10의 알킬기로 치환 또는 비치환된 페닐기이다.According to another exemplary embodiment, R11 to R14 are the same as or different from each other, and each independently represents a phenyl group unsubstituted or substituted with an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R15 내지 R18은 수소; 중수소; 할로겐기; 니트릴기; 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 20의 알킬기; 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 30의 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 60의 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 이종원소로 O, S 및 N 중 1 이상을 포함하는 탄소수 2 내지 60의 헤테로고리기이다.In an exemplary embodiment of the present specification, R15 to R18 are hydrogen; heavy hydrogen; halogen group; nitrile group; a substituted or unsubstituted C 1 to C 20 alkyl group; a substituted or unsubstituted C 3 to C 30 cycloalkyl group; a substituted or unsubstituted C 6 to C 60 aryl group; Or a heterocyclic group having 2 to 60 carbon atoms including at least one of O, S and N as a substituted or unsubstituted heteroelement.

또 하나의 일 실시상태에 따르면, 상기 R15 내지 R18은 수소이다.According to another exemplary embodiment, R15 to R18 are hydrogen.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 m1 내지 m4는 각각 0 또는 1이다.According to an exemplary embodiment of the present specification, m1 to m4 are 0 or 1, respectively.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 1은 하기 구조들 중 어느 하나로 표시된다.In an exemplary embodiment of the present specification, Chemical Formula 1 is represented by any one of the following structures.

Figure pat00018
Figure pat00018

Figure pat00019
Figure pat00019

Figure pat00020
Figure pat00020

본 명세서의 일 실시상태에 따른 화학식 1로 표시되는 화합물은 후술하는 제조방법으로 제조될 수 있다. The compound represented by Formula 1 according to an exemplary embodiment of the present specification may be prepared by a manufacturing method described below.

예컨대, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물의 일 예인 화학식 2-1은 하기 반응식 1과 같이 코어구조가 제조될 수 있다. 치환기는 당 기술분야에 알려져 있는 방법에 의하여 결합될 수 있으며, 치환기의 종류, 위치 또는 개수는 당 기술분야에 알려져 있는 기술에 따라 변경될 수 있다.For example, in Chemical Formula 2-1, which is an example of the compound represented by Chemical Formula 1, a core structure may be prepared as shown in Scheme 1 below. Substituents may be combined by methods known in the art, and the type, position or number of substituents may be changed according to techniques known in the art.

<반응식 1><Scheme 1>

Figure pat00021
Figure pat00021

상기 반응식 1의 치환기 정의는 화학식 2-1에서와 같다.The definition of the substituent in Scheme 1 is the same as in Formula 2-1.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 전술한 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는 코팅 조성물을 제공한다.In an exemplary embodiment of the present specification, there is provided a coating composition comprising a compound represented by the above-described formula (1).

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 코팅 조성물은 상기 화학식 1로 표시되는 화합물 및 용매를 포함한다.In an exemplary embodiment of the present specification, the coating composition includes a compound represented by Formula 1 and a solvent.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 코팅 조성물은 액상일 수 있다. 상기 "액상"은 상온 및 상압에서 액체 상태인 것을 의미한다.In one embodiment of the present specification, the coating composition may be in a liquid state. The "liquid phase" means a liquid state at room temperature and pressure.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 용매는 예컨대, 클로로포름, 염화메틸렌, 1,2-디클로로에탄, 1,1,2-트리클로로에탄, 클로로벤젠, o-디클로로벤젠 등의 염소계 용매; 테트라히드로푸란, 디옥산 등의 에테르계 용매; 톨루엔, 크실렌, 트리메틸벤젠, 메시틸렌 등의 방향족 탄화수소계 용매; 시클로헥산, 메틸시클로헥산, n-펜탄, n-헥산, n-헵탄, n-옥탄, n-노난, n-데칸 등의 지방족 탄화수소계 용매; 아세톤, 메틸에틸케톤, 시클로헥사논, 이소포론(Isophorone), 테트랄론(Tetralone), 데칼론(Decalone), 아세틸아세톤(Acetylacetone) 등의 케톤계 용매; 아세트산에틸, 아세트산부틸, 에틸셀로솔브아세테이트 등의 에스테르계 용매; 에틸렌글리콜, 에틸렌글리콜모노부틸에테르, 에틸렌글리콜모노에틸에테르, 에틸렌글리콜모노메틸에테르, 디메톡시에탄, 프로필렌글리콜, 디에톡시메탄, 트리에틸렌글리콜모노에틸에테르, 글리세린, 1,2-헥산디올 등의 다가 알코올 및 그의 유도체; 메탄올, 에탄올, 프로판올, 이소프로판올, 시클로헥산올 등의 알코올계 용매; 디메틸술폭시드 등의 술폭시드계 용매; 및 N-메틸-2-피롤리돈, N,N-디메틸포름아미드 등의 아미드계 용매; 테트랄린 등의 용매가 예시되나, 본원 발명의 일 실시상태에 따른 화학식 1의 화합물을 용해 또는 분산시킬 수 있는 용매면 족하고, 이들을 한정하지 않는다.In one embodiment of the present specification, the solvent is, for example, a chlorine-based solvent such as chloroform, methylene chloride, 1,2-dichloroethane, 1,1,2-trichloroethane, chlorobenzene, o-dichlorobenzene; ether solvents such as tetrahydrofuran and dioxane; aromatic hydrocarbon solvents such as toluene, xylene, trimethylbenzene, and mesitylene; aliphatic hydrocarbon solvents such as cyclohexane, methylcyclohexane, n-pentane, n-hexane, n-heptane, n-octane, n-nonane, and n-decane; ketone solvents such as acetone, methyl ethyl ketone, cyclohexanone, Isophorone, Tetralone, Decalone, and Acetylacetone; ester solvents such as ethyl acetate, butyl acetate, and ethyl cellosolve acetate; Polyvalents such as ethylene glycol, ethylene glycol monobutyl ether, ethylene glycol monoethyl ether, ethylene glycol monomethyl ether, dimethoxyethane, propylene glycol, diethoxymethane, triethylene glycol monoethyl ether, glycerin, and 1,2-hexanediol alcohols and derivatives thereof; alcohol solvents such as methanol, ethanol, propanol, isopropanol and cyclohexanol; sulfoxide solvents such as dimethyl sulfoxide; and amide solvents such as N-methyl-2-pyrrolidone and N,N-dimethylformamide; A solvent such as tetralin is exemplified, but any solvent capable of dissolving or dispersing the compound of Formula 1 according to an exemplary embodiment of the present invention is sufficient, and the present invention is not limited thereto.

또 하나의 실시상태에 있어서, 상기 용매는 1 종 단독으로 사용하거나, 2 종 이상의 용매를 혼합하여 사용할 수 있다.In another exemplary embodiment, the solvent may be used alone or as a mixture of two or more solvents.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 코팅 조성물은 p 도핑 물질을 더 포함하지 않는다. In one embodiment of the present specification, the coating composition does not further include a p-doping material.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 코팅 조성물은 p 도핑 물질을 더 포함한다.In one embodiment of the present specification, the coating composition further comprises a p-doping material.

본 명세서에서 상기 p 도핑 물질이란, 호스트 물질을 p 반도체 특성을 갖도록 하는 물질을 의미한다. p 반도체 특성이란 HOMO(highest occupied molecular orbital) 에너지 준위로 정공을 주입받거나 수송하는 특성 즉, 정공의 전도도가 큰 물질의 특성을 의미한다.In the present specification, the p-doped material refers to a material that allows the host material to have p-semiconductor properties. The p-semiconductor property refers to the property of receiving or transporting holes at the highest occupied molecular orbital (HOMO) energy level, that is, the property of a material having high hole conductivity.

본 명세서에서 상기 p 도핑 물질은 p 반도체 특성을 갖도록 하는 물질이면 족하고, 1종 또는 2종 이상을 사용할 수 있으며, 이의 종류를 한정하지 않는다.In the present specification, the p-doping material is sufficient as long as it has a p-semiconductor characteristic, and one or two or more types may be used, and the type thereof is not limited.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 p 도핑 물질의 함량은 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 기준으로 0 중량% 내지 50 중량%이다.In an exemplary embodiment of the present specification, the content of the p-doping material is 0% to 50% by weight based on the compound represented by Formula 1 above.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 p 도핑 물질의 함량은 상기 코팅 조성물의 전체 고형분 함량을 기준으로 0 내지 30 중량%를 포함한다. 본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 p 도핑 물질의 함량은 상기 코팅 조성물의 전체 고형분 함량을 기준으로 1 내지 30 중량%를 포함하는 것이 바람직하며, 또 하나의 실시상태에 있어서, 상기 p 도핑 물질의 함량은 상기 코팅 조성물의 전체 고형분 함량을 기준으로 10 내지 30 중량%를 포함하는 것이 더욱 바람직하다.In an exemplary embodiment of the present specification, the content of the p doping material includes 0 to 30% by weight based on the total solid content of the coating composition. In an exemplary embodiment of the present specification, the content of the p-doping material is preferably 1 to 30% by weight based on the total solid content of the coating composition, and in another exemplary embodiment, the p-doping material It is more preferable that the content of the coating composition comprises 10 to 30% by weight based on the total solid content of the coating composition.

또 다른 실시상태에 있어서, 상기 코팅 조성물은 열경화성기 또는 광경화성기를 포함하는 단분자; 또는 열에 의한 폴리머 형성이 가능한 말단기를 포함하는 단분자를 더 포함할 수 있다. 상기와 같이 열경화성기 광경화성기를 포함하는 단분자; 또는 열에 의한 폴리머 형성이 가능한 말단기를 포함하는 단분자의 분자량은 4,000 g/mol이하의 화합물일 수 있다.In another embodiment, the coating composition is a single molecule comprising a thermosetting group or a photocurable group; Alternatively, it may further include a single molecule including a terminal group capable of forming a polymer by heat. Monomolecules containing a thermosetting group and a photocurable group as described above; Alternatively, the molecular weight of a single molecule including a terminal group capable of forming a polymer by heat may be a compound of 4,000 g/mol or less.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 코팅 조성물은 분자량은 4,000 g/mol이하이고, 열경화성기 및/또는 광경화성기를 포함하는 단분자; 또는 열에 의한 폴리머 형성이 가능한 말단기를 포함하는 단분자를 더 포함한다.In an exemplary embodiment of the present specification, the coating composition has a molecular weight of 4,000 g/mol or less, and a single molecule including a thermosetting group and/or a photocurable group; Or it further includes a monomolecular containing a terminal group capable of forming a polymer by heat.

상기 열경화성기 또는 광경화성기를 포함하는 단분자; 또는 열에 의한 폴리머 형성이 가능한 말단기를 포함하는 단분자는 페닐, 비페닐, 플루오렌, 나프탈렌의 아릴; 아릴아민; 또는 플루오렌에 열경화성기, 광경화성기 또는 열에 의한 폴리머 형성이 가능한 말단기가 치환된 단분자를 의미할 수 있다.a single molecule comprising the thermosetting group or the photocurable group; Or a single molecule including a terminal group capable of forming a polymer by heat is an aryl of phenyl, biphenyl, fluorene, or naphthalene; arylamine; Alternatively, it may refer to a single molecule in which fluorene is substituted with a thermosetting group, a photocurable group, or a terminal group capable of forming a polymer by heat.

또 하나의 실시상태에 있어서, 상기 코팅 조성물의 점도는 2 cP 내지 15 cP이다. 상기 점도를 만족하는 경우 소제 제조에 용이하다.In another embodiment, the viscosity of the coating composition is 2 cP to 15 cP. When the above viscosity is satisfied, it is easy to manufacture a cleaning agent.

본 명세서는 또한, 상기 코팅 조성물을 이용하여 형성된 유기 발광 소자를 제공한다.The present specification also provides an organic light emitting device formed using the coating composition.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 제1 전극; 제2 전극; 및 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 구비되는 1층 이상의 유기물층을 포함하고, 상기 유기물층 중 1층 이상은 상기 코팅 조성물 또는 이의 경화물을 포함한다.In one embodiment of the present specification, the first electrode; a second electrode; and at least one organic material layer provided between the first electrode and the second electrode, wherein at least one organic material layer includes the coating composition or a cured product thereof.

상기 코팅 조성물의 경화물은 상기 코팅 조성물이 열처리 또는 광처리에 의하여 경화된 상태이다.The cured product of the coating composition is in a state in which the coating composition is cured by heat treatment or light treatment.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 코팅 조성물 또는 이의 경화물을 포함하는 유기물층은 정공주입층이다. 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 화합물 내에 4개의 아민을 포함함으로써, HOMO level이 높게 형성되어 정공주입층에 적절하다.In an exemplary embodiment of the present specification, the organic material layer including the coating composition or a cured product thereof is a hole injection layer. The compound represented by Formula 1 includes four amines in the compound, and thus the HOMO level is high and is suitable for the hole injection layer.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 코팅 조성물 또는 이의 경화물을 포함하는 유기물층은 정공수송층, 발광층, 전자수송층 또는 전자주입층이다.In an exemplary embodiment of the present specification, the organic material layer including the coating composition or a cured product thereof is a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer or an electron injection layer.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 유기 발광 소자는 정공주입층, 정공수송층, 정공주입 및 정공수송을 동시에 하는 층, 전자수송층, 전자주입층, 전자주입 및 전자수송을 동시에 하는 층, 전자저지층 및 정공저지층으로 이루어진 군에서 선택되는 1층 또는 2층 이상을 더 포함한다.In an exemplary embodiment of the present specification, the organic light emitting device is a hole injection layer, a hole transport layer, a layer for hole injection and hole transport at the same time, an electron transport layer, an electron injection layer, a layer for simultaneously injecting and transporting electrons, an electron blocking layer It further includes one or more layers selected from the group consisting of a layer and a hole blocking layer.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 제1 전극은 애노드이고, 상기 제2 전극은 캐소드이다.In the exemplary embodiment of the present specification, the first electrode is an anode, and the second electrode is a cathode.

또 하나의 일 실시상태에 따르면, 상기 제1 전극은 캐소드이고, 상기 제2 전극은 애노드이다.According to another exemplary embodiment, the first electrode is a cathode, and the second electrode is an anode.

또 하나의 실시상태에 있어서, 유기 발광 소자는 기판 상에 애노드, 1층 이상의 유기물층 및 캐소드가 순차적으로 적층된 구조(normal type)의 유기 발광 소자일 수 있다.In another exemplary embodiment, the organic light emitting device may be a normal type organic light emitting device in which an anode, one or more organic material layers, and a cathode are sequentially stacked on a substrate.

또 하나의 실시상태에 있어서, 유기 발광 소자는 기판 상에 캐소드, 1층 이상의 유기물층 및 애노드가 순차적으로 적층된 역방향 구조(inverted type)의 유기 발광 소자일 수 있다.In another exemplary embodiment, the organic light emitting device may be an inverted type organic light emitting device in which a cathode, one or more organic material layers, and an anode are sequentially stacked on a substrate.

본 명세서의 유기 발광 소자의 유기물층은 단층 구조로 이루어질 수도 있으나, 2층 이상의 유기물층이 적층된 다층 구조로 이루어질 수 있다. 예컨대, 본 발명의 유기 발광 소자는 유기물층으로서 정공주입층, 정공수송층, 정공주입 및 정공수송을 동시에 하는 층, 발광층, 전자수송층, 전자주입층, 전자주입 및 전자수송을 동시에 하는층, 전자저지층, 정공저지층 등을 포함하는 구조를 가질 수 있다. 그러나 유기 발광 소자의 구조는 이에 한정되지 않고 더 적은 수의 유기층을 포함할 수 있다.The organic material layer of the organic light emitting device of the present specification may have a single-layer structure, but may have a multi-layer structure in which two or more organic material layers are stacked. For example, the organic light emitting device of the present invention is an organic material layer, a hole injection layer, a hole transport layer, a layer that injects and transports holes at the same time, a light emitting layer, an electron transport layer, an electron injection layer, a layer that injects and transports electrons at the same time, an electron blocking layer , and may have a structure including a hole blocking layer. However, the structure of the organic light emitting device is not limited thereto and may include a smaller number of organic layers.

예컨대, 본 명세서의 일 실시상태에 따른 유기 발광 소자의 구조는 도 1에 예시되어 있다.For example, the structure of the organic light emitting device according to an exemplary embodiment of the present specification is illustrated in FIG. 1 .

도 1에는 기판(101) 상에 애노드(201), 정공주입층(301), 정공수송층(401), 발광층(501), 전자주입 및 수송을 동시에 하는 층(601) 및 캐소드(701)가 순차적으로 적층된 유기 발광 소자의 구조가 예시되어 있다.1, an anode 201, a hole injection layer 301, a hole transport layer 401, a light emitting layer 501, a layer 601 for injecting and transporting electrons at the same time, and a cathode 701 are sequentially shown on a substrate 101 The structure of the organic light emitting device stacked with

상기 도 1은 유기 발광 소자를 예시한 것이며 이에 한정되지 않는다.1 illustrates an organic light emitting device, but is not limited thereto.

상기 유기 발광 소자가 복수 개의 유기물층을 포함하는 경우, 상기 유기물층은 동일한 물질 또는 다른 물질로 형성될 수 있다.When the organic light emitting device includes a plurality of organic material layers, the organic material layers may be formed of the same material or different materials.

본 명세서의 유기 발광 소자는 유기물층 중 1층 이상이 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는 코팅 조성물을 이용하여 형성하는 것을 제외하고는 당 기술분야에 알려져 있는 재료와 방법으로 제조될 수 있다.The organic light emitting device of the present specification may be manufactured using materials and methods known in the art, except that at least one of the organic material layers is formed using a coating composition including the compound represented by Formula 1 above.

예컨대, 본 명세서의 유기 발광 소자는 기판 상에 애노드, 유기물층 및 캐소드를 순차적으로 적층시킴으로써 제조할 수 있다. 이 때 스퍼터링법(sputtering)이나 전자빔 증발법(e-beam evaporation)과 같은 PVD(physical Vapor Deposition)방법을 이용하여, 기판 상에 금속 또는 전도성을 가지는 금속 산화물 또는 이들의 합금을 증착시켜 애노드를 형성하고, 그 위에 정공주입층, 정공수송층, 발광층, 및 전자주입 및 전자수송을 동시에 하는 층 중 1 이상을 포함하는 유기물층을 형성한 후, 그 위에 캐소드로 사용할 수 있는 물질을 증착시킴으로써 제조될 수 있다. For example, the organic light emitting device of the present specification may be manufactured by sequentially stacking an anode, an organic material layer, and a cathode on a substrate. At this time, using a PVD (physical vapor deposition) method such as sputtering or e-beam evaporation, a metal or conductive metal oxide or an alloy thereof is deposited on a substrate to form an anode. and forming an organic material layer including at least one of a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, and a layer that simultaneously injects and transports electrons thereon, and then deposits a material that can be used as a cathode thereon. .

본 명세서는 또한, 상기 코팅 조성물을 이용하여 형성된 유기 발광 소자의 제조 방법을 제공한다.The present specification also provides a method of manufacturing an organic light emitting device formed using the coating composition.

구체적으로 본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 기판을 준비하는 단계; 상기 기판 상에 제1 전극을 형성하는 단계; 상기 제1 전극 상에 1층 이상의 유기물층을 형성하는 단계; 및 상기 유기물층 상에 제2 전극을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 유기물층을 형성하는 단계는 상기 코팅 조성물을 이용하여 1층 이상의 유기물층을 형성하는 단계를 포함한다.Specifically, in one embodiment of the present specification, preparing a substrate; forming a first electrode on the substrate; forming one or more organic material layers on the first electrode; and forming a second electrode on the organic material layer, wherein the forming of the organic material layer includes forming one or more organic material layers using the coating composition.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 코팅 조성물을 이용하여 1층 이상의 유기물층을 형성하는 단계는 스핀 코팅 방법을 이용한다.In one embodiment of the present specification, the step of forming one or more organic material layers using the coating composition uses a spin coating method.

또 다른 실시상태에 있어서, 상기 코팅 조성물을 이용하여 1층 이상의 유기물층을 형성하는 단계는 인쇄법을 이용한다.In another embodiment, the step of forming one or more organic material layers using the coating composition uses a printing method.

본 명세서의 상태에 있어서, 상기 인쇄법은 예컨대, 잉크젯 프린팅, 노즐 프린팅, 오프셋 프린팅, 전사 프린팅 또는 스크린 프린팅 등이 있으나, 이를 한정하지 않는다.In the present specification, the printing method includes, for example, inkjet printing, nozzle printing, offset printing, transfer printing, or screen printing, but is not limited thereto.

본 명세서의 일 실시상태에 따른 코팅 조성물은 구조적인 특성으로 용액 공정이 적합하여 인쇄법에 의하여 형성될 수 있으므로 소자의 제조 시에 시간 및 비용적으로 경제적인 효과가 있다.Since the coating composition according to an exemplary embodiment of the present specification is suitable for a solution process due to its structural characteristics, it can be formed by a printing method, thereby having an economical effect in terms of time and cost in manufacturing the device.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 코팅 조성물을 이용하여 1층 이상의 유기물층을 형성하는 단계는 상기 제1 전극 또는 1층 이상의 유기물층 상에 코팅 조성물을 코팅하는 단계; 및 상기 코팅된 코팅 조성물을 열처리 또는 광처리하는 단계를 포함한다. In an exemplary embodiment of the present specification, the step of forming one or more organic material layers using the coating composition comprises: coating the coating composition on the first electrode or one or more organic material layers; and heat-treating or light-treating the coated coating composition.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 열처리하는 단계는 열처리를 통하여 행해질 수 있으며, 열처리하는 단계에서의 열처리 온도는 85 ℃ 내지 250 ℃이고, 일 실시상태에 따르면 100 ℃ 내지 250 ℃일 수 있으며, 또 하나의 일 실시상태에 있어서, 150 ℃ 내지 250℃일 수 있다. In an exemplary embodiment of the present specification, the heat treatment may be performed through heat treatment, and the heat treatment temperature in the heat treatment step may be 85° C. to 250° C., and 100° C. to 250° C. according to an exemplary embodiment, In another exemplary embodiment, it may be 150 °C to 250 °C.

또 하나의 실시상태에 있어서, 상기 열처리하는 단계에서의 열처리 시간은 1분 내지 2시간이고, 일 실시상태에 따르면 1분 내지 1시간일 수 있으며, 또 하나의 일 실시상태에 있어서, 30분 내지 1시간일 수 있다. In another exemplary embodiment, the heat treatment time in the heat treatment step is 1 minute to 2 hours, according to an exemplary embodiment may be 1 minute to 1 hour, in another exemplary embodiment, 30 minutes to It can be 1 hour.

상기 코팅 조성물을 이용하여 형성된 유기물층을 형성하는 단계에서 상기 열처리 또는 광처리 단계를 포함하는 경우에는 코팅 조성물에 포함된 복수 개의 상기 화합물이 가교를 형성하여 박막화된 구조가 포함된 유기물층을 제공할 수 있다. 이 경우, 상기 코팅 조성물을 이용하여 형성된 유기물층의 표면 위에 다른 층을 적층할 시, 용매에 의하여 용해되거나, 형태학적으로 영향을 받거나 분해되는 것을 방지할 수 있다.When the step of forming the organic material layer formed using the coating composition includes the heat treatment or light treatment step, a plurality of the compounds included in the coating composition form cross-linking to provide an organic material layer including a thinned structure. In this case, when another layer is laminated on the surface of the organic material layer formed by using the coating composition, it can be prevented from being dissolved, morphologically affected, or decomposed by a solvent.

따라서, 상기 코팅 조성물을 이용하여 형성된 유기물층이 열처리 또는 광처리 단계를 포함하여 형성된 경우에는 용매에 대한 저항성이 증가하여 용액 증착 및 가교 방법을 반복 수행하여 다층을 형성할 수 있으며, 안정성이 증가하여 소자의 수명 특성을 증가시킬 수 있다.Therefore, when the organic material layer formed by using the coating composition is formed including a heat treatment or light treatment step, resistance to solvents increases, so that a multilayer can be formed by repeatedly performing solution deposition and crosslinking methods, and stability of the device is increased Lifespan characteristics can be increased.

상기 애노드 물질로는 통상 유기물층으로 정공 주입이 원활할 수 있도록 일함수가 큰 물질이 바람직하다. 본 발명에서 사용될 수 있는 애노드 물질의 구체적인 예로는 바나듐, 크롬, 구리, 아연, 금과 같은 금속 또는 이들의 합금; 아연 산화물, 인듐 산화물, 인듐주석 산화물(ITO), 인듐아연 산화물(IZO)과 같은 금속 산화물; ZnO:Al 또는 SNO2 : Sb와 같은 금속과 산화물의 조합; 폴리(3-메틸티오펜), 폴리[3,4-(에틸렌-1,2-디옥시)티오펜](PEDOT), 폴리피롤 및 폴리아닐린과 같은 전도성 고분자 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.As the anode material, a material having a large work function is generally preferred so that holes can be smoothly injected into the organic material layer. Specific examples of the anode material that can be used in the present invention include metals such as vanadium, chromium, copper, zinc, gold, or alloys thereof; metal oxides such as zinc oxide, indium oxide, indium tin oxide (ITO), and indium zinc oxide (IZO); ZnO:Al or SNO 2 : a combination of metal and oxide such as Sb; conductive polymers such as poly(3-methylthiophene), poly[3,4-(ethylene-1,2-dioxy)thiophene](PEDOT), polypyrrole, and polyaniline, but are not limited thereto.

상기 캐소드 물질로는 통상 유기물층으로 전자 주입이 용이하도록 일함수가 작은 물질인 것이 바람직하다. 캐소드 물질의 구체적인 예로는 바륨, 마그네슘, 칼슘, 나트륨, 칼륨, 티타늄, 인듐, 이트륨, 리튬, 가돌리늄, 알루미늄, 은, 주석 및 납과 같은 금속 또는 이들의 합금; LiF/Al 또는 LiO2/Al과 같은 다층 구조 물질 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.The cathode material is preferably a material having a small work function to facilitate electron injection into the organic material layer. Specific examples of the cathode material include metals such as barium, magnesium, calcium, sodium, potassium, titanium, indium, yttrium, lithium, gadolinium, aluminum, silver, tin and lead, or alloys thereof; and a multilayer structure material such as LiF/Al or LiO 2 /Al, but is not limited thereto.

상기 정공주입층은 전극으로부터 정공을 주입하는 층으로, 정공주입 물질로는 정공을 수송하는 능력을 가져 애노드에서의 정공 주입효과, 발광층 또는 발광재료에 대하여 우수한 정공주입 효과를 갖고, 발광층에서 생성된 여기자의 전자주입층 또는 전자주입 재료에의 이동을 방지하며, 또한, 박막 형성 능력이 우수한 화합물이 바람직하다. 정공 주입 물질의 HOMO(highest occupied molecular orbital)가 애노드 물질의 일함수와 주변 유기물층의 HOMO 사이인 것이 바람직하다. 정공주입 물질의 구체적인 예로는 금속 포피린(porphyrin), 올리고티오펜, 아릴아민 계열의 유기물, 헥사니트릴헥사아자트리페닐렌 계열의 유기물, 퀴나크리돈(quinacridone)계열의 유기물, 페릴렌(perylene) 계열의 유기물, 안트라퀴논 및 폴리아닐린과 폴리티오펜 계열의 전도성 고분자 등이 있으나, 이들에만 한정 되는 것은 아니다.The hole injection layer is a layer for injecting holes from the electrode, and as a hole injection material, it has the ability to transport holes, so it has a hole injection effect at the anode, an excellent hole injection effect on the light emitting layer or the light emitting material, and is produced in the light emitting layer A compound which prevents the movement of excitons to the electron injection layer or the electron injection material and is excellent in the ability to form a thin film is preferred. It is preferable that the highest occupied molecular orbital (HOMO) of the hole injection material is between the work function of the anode material and the HOMO of the surrounding organic material layer. Specific examples of the hole injection material include metal porphyrin, oligothiophene, arylamine-based organic material, hexanitrile hexaazatriphenylene-based organic material, quinacridone-based organic material, and perylene-based organic material. of organic substances, anthraquinones, polyaniline and polythiophene-based conductive polymers, and the like, but are not limited thereto.

상기 정공수송층은 정공주입층으로부터 정공을 수취하여 발광층까지 정공을 수송하는 층으로, 정공 수송 물질로는 애노드나 정공주입층으로부터 정공을 수송 받아 발광층으로 옮겨줄 수 있는 물질로 정공에 대한 이동성이 큰 물질이 적합하다. 구체적인 예로는 아릴아민 계열의 유기물, 전도성 고분자, 및 공액 부분과 비공액 부분이 함께 있는 블록 공중합체 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.The hole transport layer is a layer that receives holes from the hole injection layer and transports the holes to the light emitting layer. material is suitable. Specific examples include, but are not limited to, an arylamine-based organic material, a conductive polymer, and a block copolymer having a conjugated portion and a non-conjugated portion together.

상기 발광 물질로는 정공수송층과 전자수송층으로부터 정공과 전자를 각각 수송받아 결합시킴으로써 가시광선 영역의 빛을 낼 수 있는 물질로서, 형광이나 인광에 대한 양자 효율이 좋은 물질이 바람직하다. 구체적인 예로는 8-히드록시-퀴놀린 알루미늄 착물(Alq3); 카르바졸 계열 화합물; 이량체화 스티릴(dimerized styryl) 화합물; BAlq; 10-히드록시벤조 퀴놀린-금속 화합물; 벤족사졸, 벤즈티아졸 및 벤즈이미다졸 계열의 화합물; 폴리(p-페닐렌비닐렌)(PPV) 계열의 고분자; 스피로(spiro) 화합물; 폴리플루오렌, 루브렌 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.The light emitting material is a material capable of emitting light in the visible ray region by receiving and combining holes and electrons from the hole transport layer and the electron transport layer, respectively, and a material having good quantum efficiency for fluorescence or phosphorescence is preferable. Specific examples include 8-hydroxy-quinoline aluminum complex (Alq 3 ); carbazole-based compounds; dimerized styryl compounds; BAlq; 10-hydroxybenzo quinoline-metal compounds; compounds of the benzoxazole, benzthiazole and benzimidazole series; Poly(p-phenylenevinylene) (PPV)-based polymers; spiro compounds; polyfluorene, rubrene, etc., but is not limited thereto.

상기 발광층은 호스트 재료 및 도펀트 재료를 포함할 수 있다. 상기 호스트 재료는 축합 방향족환 유도체 또는 헤테로환 함유 화합물 등이 있다. 구체적으로 축합방향족환 유도체로는 안트라센 유도체, 피렌 유도체, 나프탈렌 유도체, 펜타센 유도체, 페난트렌 화합물, 플루오란텐 화합물 등이 있고, 헤테로환 함유 화합물로는 카바졸 유도체, 디벤조퓨란 유도체, 래더형 퓨란 화합물, 피리미딘 유도체 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다.The emission layer may include a host material and a dopant material. The host material may be a condensed aromatic ring derivative or a heterocyclic compound containing compound. Specifically, condensed aromatic ring derivatives include anthracene derivatives, pyrene derivatives, naphthalene derivatives, pentacene derivatives, phenanthrene compounds, fluoranthene compounds, etc., and heterocyclic-containing compounds include carbazole derivatives, dibenzofuran derivatives, ladder type Furan compounds, pyrimidine derivatives, and the like, but are not limited thereto.

상기 도펀트 재료로는 방향족 아민 유도체, 스트릴아민 화합물, 붕소 착체, 플루오란텐 화합물, 금속 착체 등이 있다. 구체적으로 방향족 아민 유도체로는 치환 또는 비치환된 아릴아미노기를 갖는 축합 방향족환 유도체로서, 아릴아미노기를 갖는 피렌, 안트라센, 크리센, 페리플란텐 등이 있으며, 스티릴아민 화합물로는 치환 또는 비치환된 아릴아민에 적어도 1개의 아릴비닐기가 치환되어 있는 화합물로, 아릴기, 실릴기, 알킬기, 시클로알킬기 및 아릴아미노기로 이루어진 군에서 1 또는 2이상 선택되는 치환기가 치환 또는 비치환된다. 구체적으로 스티릴아민, 스티릴디아민, 스티릴트리아민, 스티릴테트라아민 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다. 또한, 금속 착체로는 이리듐 착체, 백금 착체 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다.Examples of the dopant material include an aromatic amine derivative, a strylamine compound, a boron complex, a fluoranthene compound, and a metal complex. Specifically, the aromatic amine derivative is a condensed aromatic ring derivative having a substituted or unsubstituted arylamino group, and includes pyrene, anthracene, chrysene, and periflanthene having an arylamino group, and the styrylamine compound is a substituted or unsubstituted derivative. It is a compound in which at least one arylvinyl group is substituted in the arylamine, and one or two or more substituents selected from the group consisting of an aryl group, a silyl group, an alkyl group, a cycloalkyl group and an arylamino group are substituted or unsubstituted. Specifically, there are styrylamine, styryldiamine, styryltriamine, styryltetraamine, and the like, but is not limited thereto. In addition, the metal complex includes an iridium complex, a platinum complex, and the like, but is not limited thereto.

상기 전자수송층은 전자주입층으로부터 전자를 수취하여 발광층까지 전자를 수송하는 층으로 전자수송 물질로는 캐소드로부터 전자를 잘 주입 받아 발광층으로 옮겨줄 수 있는 물질로서, 전자에 대한 이동성이 큰 물질이 적합하다. 구체적인 예로는 8-히드록시퀴놀린의 Al착물; Alq3를 포함한 착물; 유기 라디칼 화합물; 히드록시플라본-금속 착물 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다. 전자 수송층은 종래기술에 따라 사용된 바와 같이 임의의 원하는 캐소드 물질과 함께 사용할 수 있다. 특히, 적절한 캐소드 물질의 예는 낮은 일함수를 가지고 알루미늄층 또는 실버층이 뒤따르는 통상적인 물질이다. 구체적으로 세슘, 바륨, 칼슘, 이테르븀 및 사마륨이고, 각 경우 알루미늄 층 또는 실버층이 뒤따른다.The electron transport layer is a layer that receives electrons from the electron injection layer and transports electrons to the light emitting layer. do. Specific examples include Al complex of 8-hydroxyquinoline; complexes containing Alq 3 ; organic radical compounds; hydroxyflavone-metal complexes, and the like, but are not limited thereto. The electron transport layer may be used with any desired cathode material as used in accordance with the prior art. In particular, examples of suitable cathode materials are conventional materials having a low work function and followed by a layer of aluminum or silver. Specifically cesium, barium, calcium, ytterbium and samarium, followed in each case by an aluminum layer or a silver layer.

상기 전자주입층은 전극으로부터 전자를 주입하는 층으로, 전자를 수송하는 능력을 갖고, 캐소드로부터의 전자주입 효과, 발광층 또는 발광 재료에 대하여 우수한 전자주입 효과를 가지며, 발광층에서 생성된 여기자의 정공 주입층에의 이동을 방지하고, 또한, 박막형성능력이 우수한 화합물이 바람직하다. 구체적으로는 플루오레논, 안트라퀴노다이메탄, 다이페노퀴논, 티오피란 다이옥사이드, 옥사졸, 옥사다이아졸, 트리아졸, 이미다졸, 페릴렌테트라카복실산, 프레오레닐리덴 메탄, 안트론 등과 그들의 유도체, 금속 착체 화합물 및 함질소 5원환 유도체 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다.The electron injection layer is a layer that injects electrons from the electrode, has the ability to transport electrons, has an electron injection effect from the cathode, an excellent electron injection effect on the light emitting layer or the light emitting material, and hole injection of excitons generated in the light emitting layer A compound which prevents movement to a layer and is excellent in the ability to form a thin film is preferable. Specifically, fluorenone, anthraquinodimethane, diphenoquinone, thiopyran dioxide, oxazole, oxadiazole, triazole, imidazole, perylenetetracarboxylic acid, preorenylidene methane, anthrone, etc., derivatives thereof, metals complex compounds and nitrogen-containing 5-membered ring derivatives, but are not limited thereto.

상기 금속 착체 화합물로서는 8-하이드록시퀴놀리나토 리튬, 비스(8-하이드록시퀴놀리나토)아연, 비스(8-하이드록시퀴놀리나토)구리, 비스(8-하이드록시퀴놀리나토)망간, 트리스(8-하이드록시퀴놀리나토)알루미늄, 트리스(2-메틸-8-하이드록시퀴놀리나토)알루미늄, 트리스(8-하이드록시퀴놀리나토)갈륨, 비스(10-하이드록시벤조[h]퀴놀리나토)베릴륨, 비스(10-하이드록시벤조[h]퀴놀리나토)아연, 비스(2-메틸-8-퀴놀리나토)클로로갈륨, 비스(2-메틸-8-퀴놀리나토)(o-크레졸라토)갈륨, 비스(2-메틸-8-퀴놀리나토)(1-나프톨라토)알루미늄, 비스(2-메틸-8-퀴놀리나토)(2-나프톨라토)갈륨 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다.Examples of the metal complex compound include 8-hydroxyquinolinato lithium, bis(8-hydroxyquinolinato)zinc, bis(8-hydroxyquinolinato)copper, bis(8-hydroxyquinolinato)manganese, Tris(8-hydroxyquinolinato)aluminum, tris(2-methyl-8-hydroxyquinolinato)aluminum, tris(8-hydroxyquinolinato)gallium, bis(10-hydroxybenzo[h] Quinolinato) beryllium, bis (10-hydroxybenzo [h] quinolinato) zinc, bis (2-methyl-8-quinolinato) chlorogallium, bis (2-methyl-8-quinolinato) ( o-crezolato)gallium, bis(2-methyl-8-quinolinato)(1-naphtolato)aluminum, bis(2-methyl-8-quinolinato)(2-naphtolato)gallium, etc. However, the present invention is not limited thereto.

상기 정공저지층은 정공의 캐소드 도달을 저지하는 층으로, 일반적으로 정공주입층과 동일한 조건으로 형성될 수 있다. 구체적으로 옥사디아졸 유도체나 트리아졸 유도체, 페난트롤린 유도체, BCP, 알루미늄 착물 (aluminum complex) 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다.The hole blocking layer is a layer that blocks the holes from reaching the cathode, and may be generally formed under the same conditions as the hole injection layer. Specifically, there are oxadiazole derivatives, triazole derivatives, phenanthroline derivatives, BCP, aluminum complex, and the like, but is not limited thereto.

본 명세서에 따른 유기 발광 소자는 사용되는 재료에 따라 전면 발광형, 후면 발광형 또는 양면 발광형일 수 있다.The organic light emitting device according to the present specification may be a top emission type, a back emission type, or a double side emission type depending on the material used.

이하, 본 명세서를 구체적으로 설명하기 위해 실시예를 들어 상세하게 설명하기로 한다. 그러나, 본 명세서에 따른 실시예들은 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 명세서의 범위가 아래에서 기술하는 실시예들에 한정되는 것으로 해석되지 않는다. 본 명세서의 실시예들은 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 명세서를 보다 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다.Hereinafter, examples will be given to describe the present specification in detail. However, the embodiments according to the present specification may be modified in various other forms, and the scope of the present specification is not to be construed as being limited to the embodiments described below. The embodiments of the present specification are provided to more completely explain the present specification to those of ordinary skill in the art.

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제조예manufacturing example 1. 화합물 A의 합성 1. Synthesis of Compound A

Figure pat00022
Figure pat00022

A-Int 합성: L1 (7.00 g, 15.5 mmol), aniline (3.54 mL, 38.8 mmol), NaOtBu (2.24 g, 23.3 mmol)을 둥근 바닥 플라스크(RBF)에 담은 뒤, toluene (150 mL)을 투입하였다. Pd(tBu3P)2 (0.396 g, 0.775 mmol) 투입 후 80 ℃에서 1 시간 동안 교반하였다. 이후, 물을 첨가하고, 에틸아세테이트(EA)로 유기층을 추출한 뒤, MgSO4로 건조하였으며, 에틸아세테이트/헥산 컬럼정제하여 A-Int (6.00 g)을 수득하였다.A-Int synthesis: L1 (7.00 g, 15.5 mmol), aniline (3.54 mL, 38.8 mmol) and NaOtBu (2.24 g, 23.3 mmol) were placed in a round bottom flask (RBF), and toluene (150 mL) was added thereto. After adding Pd( t Bu 3 P) 2 (0.396 g, 0.775 mmol), the mixture was stirred at 80° C. for 1 hour. Then, water was added, the organic layer was extracted with ethyl acetate (EA), dried over MgSO 4 , and purified by ethyl acetate/hexane column to obtain A-Int (6.00 g).

A 합성: 2,2',7,7'-tetrabromo-9,9'-spirobi[fluorene] (1.00 g, 1.58 mmol), A-Int (3.30 g, 7.12 mmol), NaOtBu (0.304 g, 3.17 mmol)을 RBF에 담은 뒤, toluene (30 mL)을 투입하였다. 100 ℃로 승온 후, Pd(tBu3P)2 (0.0674 g, 0.132 mmol) 투입하고 5 시간 동안 교반하였다. 물을 첨가하고, 디클로로메탄(DCM)으로 유기층을 추출한 뒤, MgSO4로 건조하였으며, 디클로로메탄/헥산 컬럼정제하여 고순도의 화합물 A (1.62 g)를 수득하였다. [M+H]+=2162Synthesis A: 2,2',7,7'-tetrabromo-9,9'-spirobi[fluorene] (1.00 g, 1.58 mmol), A-Int (3.30 g, 7.12 mmol), NaOtBu (0.304 g, 3.17 mmol) ) was put in RBF, and toluene (30 mL) was added. After raising the temperature to 100 °C, Pd( t Bu 3 P) 2 (0.0674 g, 0.132 mmol) was added and stirred for 5 hours. Water was added, and the organic layer was extracted with dichloromethane (DCM), dried over MgSO 4 , and purified by dichloromethane/hexane column to obtain high purity Compound A (1.62) g) was obtained. [M+H] + =2162

1H NMR : δ 7.66 - 7.65 (m, 4H), 7.54 - 7.53 (m, 4H), 7.43 - 7.41 (m, 4H), 7.36 - 7.34 (m, 4H), 7.30 - 7.28 (m, 4H), 7.24 - 7.21 (m, 12H), 7.15 - 7.07 (m, 20H), 6.90 - 6.88 (m, 28H), 6.84 - 6.83 (m, 4H), 6.69 - 6.63 (dd, 4H), 6.61 - 6.60 (m, 4H), 5.71 - 5.67 (d, 4H), 5.20 - 5.18 (d, 4H), 2.11 - 2.10 (m, 12H), 1.53 (br s, 12H). 1 H NMR: δ 7.66 - 7.65 (m, 4H), 7.54 - 7.53 (m, 4H), 7.43 - 7.41 (m, 4H), 7.36 - 7.34 (m, 4H), 7.30 - 7.28 (m, 4H), 7.24 - 7.21 (m, 12H), 7.15 - 7.07 (m, 20H), 6.90 - 6.88 (m, 28H), 6.84 - 6.83 (m, 4H), 6.69 - 6.63 (dd, 4H), 6.61 - 6.60 (m) , 4H), 5.71 - 5.67 (d, 4H), 5.20 - 5.18 (d, 4H), 2.11 - 2.10 (m, 12H), 1.53 (br s, 12H).

제조예manufacturing example 2. 화합물 B의 합성 2. Synthesis of compound B

Figure pat00023
Figure pat00023

B-Int 합성: L2 (5.00 g, 8.75 mmol), 4-fluoroaniline (2.07 mL, 21.9 mmol), NaOtBu (1.26 g, 13.1 mmol)을 RBF에 담은 뒤, toluene (87 mL)을 투입하였다. Pd(tBu3P)2 (0.224 g, 0.437 mmol) 투입 후 90 ℃에서 1 시간 동안 교반하였다. 물을 첨가하고, 에틸아세테이트(EA)로 유기층을 추출한 뒤, MgSO4로 건조하였으며, 에틸아세테이트/헥산 컬럼정제하여 B-Int (3.57 g)을 수득하였다.B-Int synthesis: L2 (5.00 g, 8.75 mmol), 4-fluoroaniline (2.07 mL, 21.9 mmol) and NaOtBu (1.26 g, 13.1 mmol) were placed in RBF, and toluene (87 mL) was added thereto. Pd(tBu3P)2 (0.224 g, 0.437 mmol) was added and stirred at 90 °C for 1 hour. After adding water and extracting the organic layer with ethyl acetate (EA), MgSO4It was dried with ethyl acetate/hexane column and purified to obtain B-Int (3.57 g).

B 합성: 2,2',7,7'-tetrabromo-9,9'-spirobi[fluorene] (0.800 g, 1.27 mmol), B-Int (3.32 g, 5.70 mmol), NaOtBu (0.243 g, 2.53 mmol)을 RBF에 담은 뒤, toluene (25 mL)을 투입하였다. 100 ℃ 승온 후, Pd(tBu3P)2 (0.0453 g, 0.089 mmol) 투입하고 6 시간 동안 교반하였다. 이후 물을 첨가하고, 디클로로메탄(DCM)으로 유기층을 추출한 뒤, MgSO4로 건조하였으며, 디클로로메탄/헥산 컬럼정제하여 고순도의 화합물 B (1.72 g)을 수득하였다. [M+H]+=2714Synthesis B: 2,2',7,7'-tetrabromo-9,9'-spirobi[fluorene] (0.800 g, 1.27 mmol), B-Int (3.32 g, 5.70 mmol), NaOtBu (0.243 g, 2.53 mmol) ) was put in RBF, and toluene (25 mL) was added. After raising the temperature to 100 °C, Pd( t Bu 3 P) 2 (0.0453 g, 0.089 mmol) was added and stirred for 6 hours. Thereafter, water was added, the organic layer was extracted with dichloromethane (DCM), dried over MgSO 4 , and purified by dichloromethane/hexane column to obtain high-purity compound B (1.72). g) was obtained. [M+H] + =2714

1H NMR : δ 7.67 - 7.66 (m, 4H), 7.52 - 7.50 (m, 4H), 7.39 - 7.38 (m, 4H), 7.36 - 7.34 (m, 4H), 7.32 - 7.31 (m, 8H), 7.29 - 7.25 (m, 4H), 7.24 - 7.21 (m, 12H), 7.18 - 7.07 (m, 20H), 6.92 - 6.88 (m, 28H), 6.82 - 6.81 (m, 4H), 6.74 - 6.73 (m, 8H), 6.70 - 6.65 (dd, 4H), 6.61 - 6.60 (m, 4H), 5.75 - 5.72 (d, 4H), 5.21 - 5.19 (d, 4H), 1.34 (br s, 36H). 1 H NMR: δ 7.67 - 7.66 (m, 4H), 7.52 - 7.50 (m, 4H), 7.39 - 7.38 (m, 4H), 7.36 - 7.34 (m, 4H), 7.32 - 7.31 (m, 8H), 7.29 - 7.25 (m, 4H), 7.24 - 7.21 (m, 12H), 7.18 - 7.07 (m, 20H), 6.92 - 6.88 (m, 28H), 6.82 - 6.81 (m, 4H), 6.74 - 6.73 (m) , 8H), 6.70 - 6.65 (dd, 4H), 6.61 - 6.60 (m, 4H), 5.75 - 5.72 (d, 4H), 5.21 - 5.19 (d, 4H), 1.34 (br s, 36H).

제조예manufacturing example 3: 화합물 C의 합성 3: Synthesis of compound C

Figure pat00024
Figure pat00024

C-Int 합성: L3 (6.00 g, 13.3 mmol), 4'-propyl-[1,1'-biphenyl]-4-amine (7.02 g, 33.2 mmol), NaOtBu (1.92 g, 19.9 mmol)을 RBF에 담은 뒤, toluene (133 mL)을 투입하였다. Pd(tBu3P)2 (0.340 g, 0.665 mmol) 투입 후 90 ℃에서 1 시간 동안 교반하였다. 물을 첨가하고, 에틸아세테이트(EA)로 유기층을 추출한 뒤, MgSO4로 건조하였으며, 에틸아세테이트/헥산 컬럼정제하여 C-Int (5.41 g)을 수득하였다.C-Int synthesis: L3 (6.00 g, 13.3 mmol), 4'-propyl-[1,1'-biphenyl]-4-amine (7.02 g, 33.2 mmol) and NaOtBu (1.92 g, 19.9 mmol) were placed in RBF, and toluene (133 mL) was added thereto. After adding Pd( t Bu 3 P) 2 (0.340 g, 0.665 mmol), the mixture was stirred at 90° C. for 1 hour. Water was added, and the organic layer was extracted with ethyl acetate (EA), dried over MgSO 4 , and purified by ethyl acetate/hexane column to obtain C-Int (5.41 g).

C 합성: 2,2',7,7'-tetrabromo-9,9'-spirobi[fluorene] (0.900 g, 1.42 mmol), C-Int (3.73 g, 6.41 mmol), NaOtBu (0.273 g, 2.85 mmol)을 RBF에 담은 뒤, toluene (28 mL)을 투입하였다. 100 ℃ 승온 후, Pd(tBu3P)2 (0.0509 g, 0.100 mmol) 투입하고 6 시간 동안 교반하였다. 그후, 물을 첨가하고, 디클로로메탄(DCM)으로 유기층을 추출한 뒤, MgSO4로 건조하였으며, 디클로로메탄/헥산 컬럼정제하여 고순도의 화합물 C (1.88 g)을 수득하였다. [M+H]+=2634Synthesis of C: 2,2',7,7'-tetrabromo-9,9'-spirobi[fluorene] (0.900 g, 1.42 mmol), C-Int (3.73 g, 6.41 mmol), NaOtBu (0.273 g, 2.85 mmol) ) was put in RBF, and toluene (28 mL) was added. After the temperature was raised to 100 °C, Pd( t Bu 3 P) 2 (0.0509 g, 0.100 mmol) was added and stirred for 6 hours. Then, water was added, and the organic layer was extracted with dichloromethane (DCM), dried over MgSO 4 , and purified by dichloromethane/hexane column to obtain high purity Compound C (1.88). g) was obtained. [M+H] + =2634

1H NMR : δ 7.68 - 7.67 (m, 4H), 7.55 - 7.54 (m, 4H), 7.51 - 7.50 (m, 4H), 7.38 - 7.37 (m, 8H), 7.33 - 7.31 (m, 4H), 7.30 - 7.28 (m, 4H), 7.26 - 7.22 (m, 12H), 7.19 - 7.11 (m, 20H), 7.04 - 7.03 (m, 8H), 6.98 - 6.94 (m, 28H), 6.85 - 6.83 (m, 4H), 6.71 - 6.67 (dd, 4H), 6.66 - 6.65 (m, 4H), 6.00 - 5.97 (d, 4H), 5.32 - 5.30 (d, 4H), 3.58 - 3.57 (d, 4H), 3.31 - 3.30 (d, 4H), 2.59 - 2.57 (t, 8H), 2.21 - 2.18 (m, 12H), 1.56 - 1.55 (m, 8H), 1.05 - 1.04 (t, 12H) 1 H NMR: δ 7.68 - 7.67 (m, 4H), 7.55 - 7.54 (m, 4H), 7.51 - 7.50 (m, 4H), 7.38 - 7.37 (m, 8H), 7.33 - 7.31 (m, 4H), 7.30 - 7.28 (m, 4H), 7.26 - 7.22 (m, 12H), 7.19 - 7.11 (m, 20H), 7.04 - 7.03 (m, 8H), 6.98 - 6.94 (m, 28H), 6.85 - 6.83 (m) , 4H), 6.71 - 6.67 (dd, 4H), 6.66 - 6.65 (m, 4H), 6.00 - 5.97 (d, 4H), 5.32 - 5.30 (d, 4H), 3.58 - 3.57 (d, 4H), 3.31 - 3.30 (d, 4H), 2.59 - 2.57 (t, 8H), 2.21 - 2.18 (m, 12H), 1.56 - 1.55 (m, 8H), 1.05 - 1.04 (t, 12H)

<< 실시예Example >>

실시예Example 1 One

ITO(indium tin oxide)가 1,500Å의 두께로 박막 코팅된 유리 기판을 세제를 녹인 증류수에 넣고 초음파로 세척하였다. 이때, 세제로는 피셔사(Fischer Co.) 제품을 사용하였으며, 증류수로는 밀리포어사(Millipore Co.) 제품의 필터(Filter)로 2차로 걸러진 증류수를 사용하였다. ITO를 30분간 세척한 후, 증류수로 2회 반복하여 초음파 세척을 10분간 진행하였다. 증류수 세척이 끝난 후, 이소프로필알콜, 아세톤의 용제로 초음파 세척을 하고 건조시킨 후, 상기 기판을 5분간 세정한 후 글로브박스로 기판을 수송시켰다.A glass substrate coated with indium tin oxide (ITO) to a thickness of 1,500 Å was placed in distilled water in which detergent was dissolved and washed with ultrasonic waves. In this case, a product manufactured by Fischer Co. was used as the detergent, and distilled water that was secondarily filtered with a filter manufactured by Millipore Co. was used as the distilled water. After washing ITO for 30 minutes, ultrasonic washing was performed for 10 minutes by repeating twice with distilled water. After washing with distilled water, ultrasonic cleaning was performed with a solvent of isopropyl alcohol and acetone and dried. After washing the substrate for 5 minutes, the substrate was transported to a glove box.

상기와 같이 준비된 ITO 투명 전극 위에 앞서 제조예 1에서 제조한 화합물 A과 하기 화합물 P의 중량비(화합물 A:화합물 P)가 8:2로 포함하는 1.5 wt% 시클로헥사논 잉크를 ITO 표면 위에 스핀 코팅하고 220℃에서 30분간 열처리(경화)하여 30 nm 두께로 정공주입층을 형성하였다. 상기 정공주입층 위에 하기 α-NPD 화합물의 2 wt% 톨루엔 잉크를 스핀 코팅하여 정공수송층을 40 nm 두께로 형성하였다. 이후, 진공증착기로 이송한 후, 상기 정공수송층 위에 하기 ADN 화합물과 하기 DPAVBi 화합물의 중량비(ADN:DPAVBi)를 20:1으로 하여 20 nm 두께로 진공 증착하여 발광층을 형성하였다. 상기 발광층 위에 하기 BCP 화합물을 35 nm의 두께로 진공 증착하여 전자주입 및 전자수송을 동시에 하는 층을 형성하였다. 상기 전자주입 및 전자수송을 동시에 하는 층 위에 순차적으로 1 nm 두께로 LiF와 100 nm 두께로 알루미늄을 증착하여 캐소드를 형성하였다.On the ITO transparent electrode prepared as described above, 1.5 wt% cyclohexanone ink containing the compound A prepared in Preparation Example 1 and the following compound P in a weight ratio of 8:2 (compound A:compound P) was spin-coated on the ITO surface. and heat treatment (curing) at 220° C. for 30 minutes to form a hole injection layer with a thickness of 30 nm. A hole transport layer was formed to a thickness of 40 nm by spin coating 2 wt% toluene ink of the following α-NPD compound on the hole injection layer. Thereafter, after transferring to a vacuum evaporator, the weight ratio (ADN:DPAVBi) of the following ADN compound and the following DPAVBi compound was 20:1 on the hole transport layer, and vacuum deposition was performed to a thickness of 20 nm to form a light emitting layer. On the light emitting layer, the following BCP compound was vacuum-deposited to a thickness of 35 nm to form a layer that simultaneously injects and transports electrons. A cathode was formed by sequentially depositing LiF with a thickness of 1 nm and aluminum with a thickness of 100 nm on the layer for simultaneously injecting and transporting electrons.

Figure pat00025
Figure pat00025

상기의 과정에서 유기물의 증착 속도는 0.4 ~ 0.7 Å/sec를 유지하였고, 캐소드의 리튬플루오라이드는 0.3 Å/sec, 알루미늄은 2 Å/sec의 증착 속도를 유지하였으며, 증착시 진공도는 2ⅹ10-7 ~ 5ⅹ10-6 torr를 유지하였다.In the above process, the deposition rate of the organic material was maintained at 0.4 to 0.7 Å/sec, the deposition rate of lithium fluoride at the cathode was 0.3 Å/sec, and the deposition rate of aluminum was maintained at 2 Å/sec, and the vacuum degree during deposition was 2×10 -7 ~ 5×10 -6 torr was maintained.

<< 실시예Example 2> 2>

화합물 A 대신 화합물 B를 사용한 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제조하였다.An organic light emitting diode was manufactured in the same manner as in Example 1, except that Compound B was used instead of Compound A.

<< 실시예Example 3> 3>

화합물 A 대신 화합물 C를 사용한 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제조하였다.An organic light emitting diode was manufactured in the same manner as in Example 1, except that Compound C was used instead of Compound A.

<< 비교예comparative example 1> 1>

화합물 A 대신 하기 화합물을 사용한 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제조하였다. An organic light emitting diode was manufactured in the same manner as in Example 1, except that the following compound was used instead of Compound A.

Figure pat00026
Figure pat00026

<< 비교예comparative example 2> 2>

화합물 A 대신 하기 화합물을 사용한 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제조하였다. An organic light emitting diode was manufactured in the same manner as in Example 1, except that the following compound was used instead of Compound A.

Figure pat00027
Figure pat00027

상기 실시예 및 비교예에서 제조한 유기 발광 소자에 대해 10 mA/cm2의 전류 밀도에서 구동 전압, 외부 양자 효율(external quantum efficiency, EQE) 및 수명을 측정하고, 그 결과를 하기 표 1에 나타내었다. 상기 외부양자효율은 (방출된 광자 수)/(주입된 전하운반체 수)로 구하였다. T95는 휘도가 초기 휘도(1000 nit)에서 95%로 감소되는데 소요되는 시간을 의미한다. The driving voltage, external quantum efficiency (EQE), and lifetime were measured at a current density of 10 mA/cm 2 for the organic light emitting devices prepared in Examples and Comparative Examples, and the results are shown in Table 1 below. It was. The external quantum efficiency was calculated as (number of emitted photons)/(number of injected charge carriers). T95 denotes a time required for the luminance to decrease from the initial luminance (1000 nit) to 95%.

구동전압(V)Driving voltage (V) EQE(%)EQE (%) T95(hr)T95(hr) 실시예 1Example 1 4.104.10 6.136.13 110110 실시예 2Example 2 4.234.23 5.985.98 9898 실시예 3Example 3 4.064.06 6.056.05 120120 비교예 1Comparative Example 1 측정불가not measurable 측정불가not measurable 측정불가not measurable 비교예 2Comparative Example 2 4.854.85 4.414.41 5757

본원 화합물을 이용하여 유기물층을 형성한 실시예 1 내지 3은 본원 화합물과 구조가 상이한 화합물을 이용하여 유기물층을 형성한 비교예 1 및 2 보다, 구동전압이 낮고, 외부 양자 효율 및 수명 특성이 우수함을 확인할 수 있다. Examples 1 to 3 in which an organic material layer was formed using the compound of the present application had lower driving voltage and excellent external quantum efficiency and lifespan characteristics than Comparative Examples 1 and 2 in which an organic material layer was formed using a compound having a structure different from the present compound. can be checked

구체적으로, 비교예 1에서 사용된 화합물은 스피로비플루오렌 코어를 중심으로 4개의 아민기가 결합되어 있으나, 경화성기를 포함하지 않으므로 이후 공정(정공수송층 형성 공정) 단계에서 사용되는 용매에 대한 내성이 낮으며, 이로 인하여 이후 공정 단계에서 정공주입층 재료와 섞이게 되어 안정적인 소자를 얻을 수 없다.Specifically, the compound used in Comparative Example 1 has four amine groups bonded with the spirobifluorene core as the center, but does not include a curable group, so the resistance to the solvent used in the subsequent process (hole transport layer forming process) step is low. and, due to this, it is mixed with the hole injection layer material in a subsequent process step, and thus a stable device cannot be obtained.

또한, 비교예 2는 스피로비플루오렌 코어를 중심으로 4개의 아민기가 결합되어 있으나, 아민기의 치환기로 플루오렌이 결합되지 않는 화합물을 소자 내에 사용함으로써, 본원 실시예 1 내지 3보다 소자의 특성이 낮음을 확인할 수 있다.In Comparative Example 2, four amine groups are bonded to the spirobifluorene core as the center, but by using a compound in which fluorene is not bonded as a substituent of the amine group in the device, the device characteristics than Examples 1 to 3 of the present application It can be seen that this is low.

101: 기판
201: 애노드
301: 정공주입층
401: 정공수송층
501: 발광층
601: 전자주입 및 전자수송을 동시에 하는 층
701: 캐소드
101: substrate
201: anode
301: hole injection layer
401: hole transport layer
501: light emitting layer
601: layer that simultaneously injects and transports electrons
701: cathode

Claims (16)

하기 화학식 1로 표시되는 화합물:
[화학식 1]
Figure pat00028

상기 화학식 1에 있어서,
L1 내지 L4는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 직접결합; 치환 또는 비치환된 알킬렌기; 치환 또는 비치환된 시클로알킬렌기; 치환 또는 비치환된 아릴렌기; 치환 또는 비치환된 헤테로아릴렌기; 또는 -O-이며,
Ar1 내지 Ar4 및 R1 내지 R8은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐기; 니트릴기; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로고리기이며,
X1 내지 X4는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 경화성기이며,
a1 내지 a4는 각각 0 내지 5의 정수이고, a1 내지 a4가 각각 2 이상인 경우 괄호 내의 치환기는 서로 같거나 상이하며,
n1 내지 n4는 각각 0 내지 3의 정수이고, n5 내지 n8은 각각 0 내지 8의 정수이며, n1 내지 n8이 각각 2 이상인 경우 괄호 내의 치환기는 서로 같거나 상이하다.
A compound represented by the following formula (1):
[Formula 1]
Figure pat00028

In Formula 1,
L1 to L4 are the same as or different from each other, and each independently a direct bond; a substituted or unsubstituted alkylene group; a substituted or unsubstituted cycloalkylene group; a substituted or unsubstituted arylene group; a substituted or unsubstituted heteroarylene group; or -O-;
Ar1 to Ar4 and R1 to R8 are the same as or different from each other, and each independently hydrogen; heavy hydrogen; halogen group; nitrile group; a substituted or unsubstituted alkyl group; a substituted or unsubstituted cycloalkyl group; a substituted or unsubstituted aryl group; Or a substituted or unsubstituted heterocyclic group,
X1 to X4 are the same as or different from each other, and each independently a curable group,
a1 to a4 are each an integer of 0 to 5, and when a1 to a4 are each 2 or more, the substituents in parentheses are the same as or different from each other,
n1 to n4 are each an integer of 0 to 3, n5 to n8 are each an integer of 0 to 8, and when n1 to n8 are each 2 or more, the substituents in parentheses are the same as or different from each other.
청구항 1에 있어서,
상기 화학식 1은 하기 화학식 2로 표시되는 것인 화합물:
[화학식 2]
Figure pat00029

상기 화학식 2에 있어서,
L1 내지 L4, X1 내지 X4, Ar1 내지 Ar4, R1 내지 R4, a1 내지 a4, 및 n1 내지 n4는 화학식 1에서 정의한 바와 같고,
R11 내지 R18은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐기; 니트릴기; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로고리기이며,
m1 내지 m4는 각각 0 내지 7의 정수이고, m1 내지 m4가 각각 2 이상인 경우 괄호 내의 치환기는 서로 같거나 상이하다.
The method according to claim 1,
The compound of Formula 1 is represented by Formula 2 below:
[Formula 2]
Figure pat00029

In Formula 2,
L1 to L4, X1 to X4, Ar1 to Ar4, R1 to R4, a1 to a4, and n1 to n4 are as defined in Formula 1,
R11 to R18 are the same as or different from each other, and each independently hydrogen; heavy hydrogen; halogen group; nitrile group; a substituted or unsubstituted alkyl group; a substituted or unsubstituted cycloalkyl group; a substituted or unsubstituted aryl group; Or a substituted or unsubstituted heterocyclic group,
m1 to m4 are each an integer of 0 to 7, and when m1 to m4 are each 2 or more, the substituents in parentheses are the same as or different from each other.
청구항 1에 있어서,
상기 화학식 1은 하기 화학식 3 또는 4로 표시되는 것인 화합물:
[화학식 3]
Figure pat00030

[화학식 4]
Figure pat00031

상기 화학식 3 및 4에 있어서,
X1 내지 X4, Ar1 내지 Ar4, R1 내지 R4, 및 n1 내지 n4는 화학식 1에서 정의한 바와 같고,
R11 내지 R18은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐기; 니트릴기; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로고리기이며,
m1 내지 m4는 각각 0 내지 7의 정수이고, m1 내지 m4가 각각 2 이상인 경우 괄호 내의 치환기는 서로 같거나 상이하며,
b1 내지 b4는 각각 0 또는 1이다.
The method according to claim 1,
The compound of formula 1 is represented by the following formula 3 or 4:
[Formula 3]
Figure pat00030

[Formula 4]
Figure pat00031

In Formulas 3 and 4,
X1 to X4, Ar1 to Ar4, R1 to R4, and n1 to n4 are as defined in Formula 1,
R11 to R18 are the same as or different from each other, and each independently hydrogen; heavy hydrogen; halogen group; nitrile group; a substituted or unsubstituted alkyl group; a substituted or unsubstituted cycloalkyl group; a substituted or unsubstituted aryl group; Or a substituted or unsubstituted heterocyclic group,
m1 to m4 are each an integer of 0 to 7, and when m1 to m4 are each 2 or more, the substituents in parentheses are the same as or different from each other,
b1 to b4 are 0 or 1, respectively.
청구항 1에 있어서,
상기 화학식 1은 하기 화학식 5 내지 7 중 어느 하나로 표시되는 것인 화합물:
[화학식 5]
Figure pat00032

[화학식 6]
Figure pat00033

[화학식 7]
Figure pat00034

상기 화학식 5 내지 7에 있어서,
X1 내지 X4, Ar1 내지 Ar4, R1 내지 R4, 및 n1 내지 n4는 화학식 1에서 정의한 바와 같고,
R11 내지 R18은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐기; 니트릴기; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로고리기이며,
m1 내지 m4는 각각 0 내지 7의 정수이고, m1 내지 m4가 각각 2 이상인 경우 괄호 내의 치환기는 서로 같거나 상이하다.
The method according to claim 1,
Formula 1 is a compound represented by any one of the following Formulas 5 to 7:
[Formula 5]
Figure pat00032

[Formula 6]
Figure pat00033

[Formula 7]
Figure pat00034

In Formulas 5 to 7,
X1 to X4, Ar1 to Ar4, R1 to R4, and n1 to n4 are as defined in Formula 1,
R11 to R18 are the same as or different from each other, and each independently hydrogen; heavy hydrogen; halogen group; nitrile group; a substituted or unsubstituted alkyl group; a substituted or unsubstituted cycloalkyl group; a substituted or unsubstituted aryl group; Or a substituted or unsubstituted heterocyclic group,
m1 to m4 are each an integer of 0 to 7, and when m1 to m4 are each 2 or more, the substituents in parentheses are the same as or different from each other.
청구항 1에 있어서,
상기 화학식 1은 하기 화학식 8로 표시되는 것인 화합물:
[화학식 8]
Figure pat00035

상기 화학식 8에 있어서,
L1 내지 L4, X1 내지 X4, Ar1 내지 Ar4, R1 내지 R8, a1 내지 a4, 및 n1 내지 n8은 화학식 1에서 정의한 바와 같다.
The method according to claim 1,
The compound of Formula 1 is represented by the following Formula 8:
[Formula 8]
Figure pat00035

In the formula (8),
L1 to L4, X1 to X4, Ar1 to Ar4, R1 to R8, a1 to a4, and n1 to n8 are as defined in Formula 1.
청구항 2에 있어서,
상기 화학식 2는 하기 화학식 2-1로 표시되는 것인 화합물:
[화학식 2-1]
Figure pat00036

L1 내지 L4, X1 내지 X4, Ar1 내지 Ar4, R1 내지 R4, a1 내지 a4, n1 내지 n4, R11 내지 R18 및 m1 내지 m4는 화학식 2에서 정의한 바와 같다.
3. The method according to claim 2,
The compound of Formula 2 is represented by the following Formula 2-1:
[Formula 2-1]
Figure pat00036

L1 to L4, X1 to X4, Ar1 to Ar4, R1 to R4, a1 to a4, n1 to n4, R11 to R18, and m1 to m4 are as defined in Formula 2.
청구항 1에 있어서,
상기 경화성기는 하기 구조들 중 어느 하나인 것인 화합물:
Figure pat00037

상기 구조들에 있어서,
L은 직접결합; -O-; -S-; 치환 또는 비치환된 알킬렌기; 치환 또는 비치환된 아릴렌기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴렌기이고,
R21은 수소; 또는 치환 또는 비치환된 알킬기이며,
k는 1 또는 2이다.
The method according to claim 1,
A compound wherein the curable group is any one of the following structures:
Figure pat00037

In the above structures,
L is a direct bond; -O-; -S-; a substituted or unsubstituted alkylene group; a substituted or unsubstituted arylene group; Or a substituted or unsubstituted heteroarylene group,
R21 is hydrogen; Or a substituted or unsubstituted alkyl group,
k is 1 or 2.
청구항 1에 있어서,
상기 화학식 1은 하기 구조들 중 어느 하나로 표시되는 것인 화합물:
Figure pat00038

Figure pat00039

Figure pat00040
.
The method according to claim 1,
The compound of Formula 1 is represented by any one of the following structures:
Figure pat00038

Figure pat00039

Figure pat00040
.
청구항 1 내지 8 중 어느 한 항에 따른 화합물을 포함하는 코팅 조성물.A coating composition comprising a compound according to any one of claims 1 to 8. 청구항 9에 있어서, 상기 코팅 조성물은 p 도핑 물질을 더 포함하는 것인 코팅 조성물.The coating composition of claim 9 , wherein the coating composition further comprises a p-doping material. 제1 전극;
제2 전극; 및
상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 구비되는 1층 이상의 유기물층을 포함하고,
상기 유기물층 중 1층 이상은 청구항 9의 코팅 조성물 또는 이의 경화물을 포함하는 것인 유기 발광 소자.
a first electrode;
a second electrode; and
At least one organic material layer provided between the first electrode and the second electrode,
At least one layer of the organic material layer is an organic light emitting device comprising the coating composition of claim 9 or a cured product thereof.
청구항 11에 있어서,
상기 코팅 조성물의 경화물은 상기 코팅 조성물이 열처리 또는 광처리에 의하여 경화된 상태인 것인 유기 발광 소자.
12. The method of claim 11,
The cured product of the coating composition is an organic light emitting device in a state in which the coating composition is cured by heat treatment or light treatment.
청구항 11에 있어서,
상기 코팅 조성물 또는 이의 경화물을 포함하는 유기물층은 정공주입층인 것인 유기 발광 소자.
12. The method of claim 11,
The organic material layer including the coating composition or a cured product thereof is an organic light emitting device that is a hole injection layer.
기판을 준비하는 단계;
상기 기판 상에 제1 전극을 형성하는 단계;
상기 제1 전극 상에 1층 이상의 유기물층을 형성하는 단계; 및
상기 유기물층 상에 제2 전극을 형성하는 단계를 포함하고,
상기 유기물층을 형성하는 단계는 청구항 9의 코팅 조성물을 이용하여 1층 이상의 유기물층을 형성하는 단계를 포함하는 것인 유기 발광 소자의 제조 방법.
preparing a substrate;
forming a first electrode on the substrate;
forming one or more organic material layers on the first electrode; and
Forming a second electrode on the organic material layer,
The step of forming the organic material layer is a method of manufacturing an organic light emitting device comprising the step of forming one or more organic material layer using the coating composition of claim 9.
청구항 14에 있어서,
상기 코팅 조성물을 이용하여 1층 이상의 유기물층을 형성하는 단계는 스핀 코팅 방법을 이용하는 것인 유기 발광 소자의 제조 방법.
15. The method of claim 14,
The step of forming one or more organic material layers using the coating composition is a method of manufacturing an organic light emitting device using a spin coating method.
청구항 14에 있어서,
상기 코팅 조성물을 이용하여 1층 이상의 유기물층을 형성하는 단계는
상기 제1 전극 또는 1층 이상의 유기물층 상에 상기 코팅 조성물을 코팅하는 단계; 및
상기 코팅된 코팅 조성물을 열처리 또는 광처리하는 단계를 포함하는 것인 유기 발광 소자의 제조 방법.
15. The method of claim 14,
The step of forming one or more organic material layers using the coating composition
coating the coating composition on the first electrode or one or more organic material layers; and
Method of manufacturing an organic light emitting device comprising the step of heat-treating or light-treating the coated coating composition.
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