KR20220023023A - Base plate and manufacturing method thereof - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 파워모듈 및 그 제조방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 고출력 전력 반도체 칩에서 발생하는 열을 효과적으로 배출할 수 있는 베이스 플레이트와 세라믹기판의 접합 구조를 갖는 파워모듈 및 그 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to a power module and a method for manufacturing the same, and more particularly, to a power module having a bonding structure of a base plate and a ceramic substrate capable of effectively discharging heat generated from a high-output power semiconductor chip, and a method for manufacturing the same. .
일반적으로 베이스 플레이트는 사각 플레이트 형상으로 형성되며 알루미늄 또는 구리 재질로 형성된다. 이러한 베이스 플레이트는 세라믹기판의 하면에 접합되어 방열판으로 사용될 수 있다. 이러한 베이스 플레이트는 방열에 유리하도록 세라믹기판의 하면에 솔더링 접합되거나 열전도도가 높은 은(Ag) 페이스트 등을 이용하여 접합된다.In general, the base plate is formed in a square plate shape and is made of aluminum or copper. Such a base plate may be used as a heat sink by being bonded to the lower surface of the ceramic substrate. Such a base plate is bonded to the lower surface of the ceramic substrate by soldering or by using a silver (Ag) paste having high thermal conductivity to be advantageous for heat dissipation.
그런데, 베이스 플레이트 및 세라믹기판이 대면적인 경우, 접합 면적이 넓어 열팽창의 차이로 인한 휨이 발생할 수 있다. 또한 높은 작동온도에서 은 페이스트가 녹아 베이스 플레이트의 휨, 결함 등이 유발될 수 있고 구리의 경우 200℃ 이상의 온도에서 휨이 발생하는 문제가 있다.However, when the base plate and the ceramic substrate have a large area, the bonding area is wide, and thus warpage may occur due to a difference in thermal expansion. In addition, the silver paste melts at a high operating temperature, which may cause warpage and defects of the base plate, and in the case of copper, there is a problem in that warpage occurs at a temperature of 200°C or higher.
이에 대한 해결 방안으로 AlSiC 또는 이와 유사한 재료로 250℃ 이하의 온도에서 세라믹기판과 베이스 플레이트를 접합한다.As a solution to this, the ceramic substrate and the base plate are joined with AlSiC or a similar material at a temperature of 250° C. or less.
도 1은 종래의 베이스 플레이트와 세라믹기판의 접합 구조가 도시되어 있다.1 shows a bonding structure of a conventional base plate and a ceramic substrate.
도 1에 도시된 바에 의하면, 베이스 플레이트(10)는 솔더프리폼(Solder Preform)(20)을 매개로 세라믹기판(30)에 솔더링 접합된다. 베이스 플레이트(10)는 CuMo 또는 Ni-Au 재질로 이루어지며, 솔더프리폼(20)은 Sn, Ag, Cu를 포함하는 조성으로 이루어지는 SAC305를 사용하며, 솔더링 온도는 230~350℃이다.As shown in FIG. 1 , the
그런데, 도 1에 도시된 종래의 접합 구조는 접합에 사용되는 솔더 페이스트와 솔더프리폼, 진공접합설비 등의 공정으로 인해 공정 비용이 상승하며, 접합 신뢰성과 수율 문제 등을 야기하고 있는 실정이다.However, in the conventional bonding structure shown in FIG. 1, the process cost increases due to processes such as solder paste, solder preform, and vacuum bonding equipment used for bonding, and the bonding reliability and yield problems are caused.
본 발명의 목적은 베이스 플레이트와 세라믹기판의 접합 신뢰성을 향상시키고, 다양한 베이스 플레이트에 대한 고신뢰성 접합이 가능하며, 공정 단순화 및 공정비용 절감이 가능한 파워모듈 및 그 제조방법을 제공하는 것이다. SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide a power module capable of improving bonding reliability between a base plate and a ceramic substrate, enabling high-reliability bonding to various base plates, simplifying processes and reducing process costs, and a manufacturing method thereof.
상기한 바와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 특징에 따르면, 본 발명은 베이스 플레이트와 베이스 플레이트의 상면에 배치되는 브레이징 필러층과 브레이징 필러층을 매개로 상기 베이스 플레이트의 상면에 브레이징 접합되는 세라믹기판을 포함하고, 브레이징 필러층은 베이스 플레이트의 상면에 복수 개가 분할 배치된다.According to a feature of the present invention for achieving the above object, the present invention provides a ceramic substrate that is brazed to the upper surface of the base plate via a base plate and a brazing filler layer disposed on the upper surface of the base plate and a brazing filler layer as a medium. Including, a plurality of brazing filler layers are dividedly arranged on the upper surface of the base plate.
복수 개의 브레이징 필러층은 2×1 배열 또는 2×2 배열 또는 4×4 배열 중 어느 하나의 형태로 분할 배치되고 분할된 면적이 동일하다.The plurality of brazing filler layers are dividedly arranged in any one of a 2×1 array, a 2×2 array, or a 4×4 array, and the divided areas are the same.
복수 개의 브레이징 필러층은 베이스 플레이트의 상면에 행렬 배치되고 일정 거리 이격된다.A plurality of brazing filler layers are arranged in a matrix on the upper surface of the base plate and are spaced apart from each other by a predetermined distance.
복수 개의 브레이징 필러층은 세라믹기판의 하면의 금속층의 부피 대비 85~115% 범위의 부피를 갖는 것이 바람직하다.The plurality of brazing filler layers preferably have a volume in the range of 85 to 115% of the volume of the metal layer on the lower surface of the ceramic substrate.
베이스 플레이트는 복수 개의 브레이징 필러층이 안착되는 요입홈이 형성될 수 있다.The base plate may be formed with a concave groove in which the plurality of brazing filler layers are seated.
브레이징 필러층은 AgCu 또는 AgCuTi를 포함하는 합금재료로 이루어질 수 있다.The brazing filler layer may be made of an alloy material including AgCu or AgCuTi.
베이스 플레이트는 Cu, Al, AlSiC, CuMo, CuW, Cu/CuMo/Cu, Cu/Mo/Cu, Cu/W/Cu 중 적어도 하나 또는 이들의 복합소재로 이루어질 수 있다.The base plate may be made of at least one of Cu, Al, AlSiC, CuMo, CuW, Cu/CuMo/Cu, Cu/Mo/Cu, Cu/W/Cu, or a composite material thereof.
세라믹기판은 세라믹기재와 상기 세라믹기재의 상면과 하면에 형성된 금속층을 포함하고, 금속층은 Cu, Cu합금, OFC, EPT Cu, Al 중 하나로 이루어질 수 있다.The ceramic substrate includes a ceramic substrate and a metal layer formed on upper and lower surfaces of the ceramic substrate, and the metal layer may be made of one of Cu, Cu alloy, OFC, EPT Cu, and Al.
상면에 분할 배치된 복수 개의 요입홈이 형성된 베이스 플레이트를 준비하는 단계와 세라믹기판을 준비하는 단계와 복수 개의 요입홈에 브레이징 필러층을 배치하는 단계와 브레이징 필러층이 배치된 상기 베이스 플레이트의 상면에 세라믹기판을 적층하고 브레이징하는 단계를 포함한다.The steps of preparing a base plate having a plurality of concave grooves dividedly arranged on the upper surface, preparing a ceramic substrate, disposing a brazing filler layer in the plurality of indentation grooves, and the upper surface of the base plate on which the brazing filler layer is disposed and laminating and brazing the ceramic substrate.
상면에 분할 배치된 복수 개의 요입홈이 형성된 베이스 플레이트를 준비하는 단계에서, 요입홈은 상기 베이스 플레이트를 하프 에칭하여 형성한다.In the step of preparing a base plate having a plurality of concave grooves dividedly arranged on the upper surface, the concave grooves are formed by half-etching the base plate.
복수 개의 요입홈에 브레이징 필러층을 배치하는 단계에서, 페이스트 도포, 포일(foil) 부착, P-fiiler 중 어느 하나의 방법으로 상기 복수 개의 요입홈에 5㎛ 이상 100㎛ 이하의 두께를 갖는 브레이징 필러층을 배치한다.In the step of arranging the brazing filler layer in the plurality of concave grooves, a brazing filler having a thickness of 5 µm or more and 100 µm or less in the plurality of indentation grooves by any one of paste application, foil attachment, and P-fiiler lay out the layers
브레이징 필러층은 AgCu 또는 AgCuTi를 포함하는 합금재료로 이루어진다.The brazing filler layer is made of an alloy material containing AgCu or AgCuTi.
브레이징하는 단계는 780~900℃에서 수행하고, 브레이징 중에 상부 중량 또는 가압을 실시한다.The brazing step is carried out at 780 ~ 900 °C, and the upper weight or pressurization is carried out during brazing.
본 발명은 베이스 플레이트를 세라믹기판에 브레이징 접합하는 것에서 접합강도가 높아지고, 솔더프리폼의 사용처럼 진공접합설비 등을 요구하지 않으므로 공정단순화가 가능하고, 상부 중량 또는 가압을 실시하는 것에서 기공 결함이 방지되고 접합강도가 더 높아지므로 접합 신뢰성을 높일 수 있는 효과가 있다. The present invention increases bonding strength in brazing bonding of a base plate to a ceramic substrate, and does not require vacuum bonding equipment like the use of solder preform, so process simplification is possible, and pore defects are prevented from carrying out upper weight or pressurization. Since the bonding strength is higher, there is an effect of increasing the bonding reliability.
또한, 본 발명은 이종 재질을 접합한 다층 구조의 베이스 플레이트를 적용하여, 방열에 유리한 두께를 확보할 수 있고 저열팽창 계수를 가지도록 제조하여 대면적 적용시 고온에서 휨 발생이 방지될 수 있는 효과가 있다. In addition, the present invention applies a base plate of a multi-layer structure in which dissimilar materials are joined to secure a thickness advantageous for heat dissipation and is manufactured to have a low coefficient of thermal expansion. there is
또한, 본 발명의 브레이징 필러층은 열의 이동을 용이하게 하여 세라믹기판의 열을 베이스 플레이트로 빠르게 이동하므로 방열 효과를 극대화할 수 있는 효과가 있다. In addition, the brazing filler layer of the present invention has the effect of maximizing the heat dissipation effect because the heat of the ceramic substrate is quickly moved to the base plate by facilitating the movement of heat.
또한, 본 발명은 세라믹기판의 금속층의 면적비 또는 부피부를 계산하여 접합하고자 하는 베이스 플레이트의 접합면적 및 부피를 계산하고 85~115% 범위에서 베이스 플레이트의 휨이 발생하지 않는 브레이징 필러층의 분할 패턴을 설계함으로써 고온에서 휨이 없는 세라믹기판과 베이스 플레이트의 접합이 가능한 효과가 있다.In addition, the present invention calculates the area ratio or volume part of the metal layer of the ceramic substrate to calculate the bonding area and volume of the base plate to be joined, and the division pattern of the brazing filler layer in which the bending of the base plate does not occur in the range of 85 to 115%. By designing this, there is an effect that it is possible to bond the ceramic substrate and the base plate without bending at high temperature.
도 1은 종래의 베이스 플레이트와 세라믹기판의 접합 구조이다.
도 2는 본 발명의 실시예에 의한 파워모듈용 베이스 플레이트와 세라믹기판의 접합 구조를 보인 분해 사시도이다.
도 3은 본 발명의 실시예에 의한 파워모듈용 베이스 플레이트와 세라믹기판의 접합 구조를 보인 단면도이다.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 의한 파워모듈용 베이스 플레이트와 세라믹기판의 접합 구조를 보인 단면도이다.
도 5는 본 발명의 또 다른 실시예에 의한 파워모듈용 베이스 플레이트와 세라믹기판의 접합 구조를 보인 단면도이다.
도 6 내지 도 8은 본 발명의 또 다른 실시예에 의한 파워모듈용 베이스 플레이트에 배치된 브레이징 필러층을 보인 평면도이다.1 is a bonding structure of a conventional base plate and a ceramic substrate.
2 is an exploded perspective view showing a bonding structure of a base plate for a power module and a ceramic substrate according to an embodiment of the present invention.
3 is a cross-sectional view showing a bonding structure of a base plate for a power module and a ceramic substrate according to an embodiment of the present invention.
4 is a cross-sectional view showing a bonding structure of a base plate for a power module and a ceramic substrate according to another embodiment of the present invention.
5 is a cross-sectional view showing a bonding structure of a base plate for a power module and a ceramic substrate according to another embodiment of the present invention.
6 to 8 are plan views showing a brazing filler layer disposed on a base plate for a power module according to another embodiment of the present invention.
이하 본 발명의 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 상세하게 설명하기로 한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
본 발명은 파워모듈에 포함되는 구성 중 베이스 플레이트와 세라믹기판의 접합 구조에 특징이 있으므로, 이를 중심으로 설명하기로 한다.Since the present invention is characterized in the bonding structure of the base plate and the ceramic substrate among the components included in the power module, it will be mainly described.
도 2는 본 발명의 실시예에 의한 파워모듈용 베이스 플레이트와 세라믹기판의 접합 구조를 보인 분해 사시도이고, 도 3은 본 발명의 실시예에 의한 파워모듈용 베이스 플레이트와 세라믹기판의 접합 구조를 보인 단면도이다.2 is an exploded perspective view showing a bonding structure of a base plate for a power module and a ceramic substrate according to an embodiment of the present invention, and FIG. 3 is an exploded perspective view showing a bonding structure of a base plate for a power module and a ceramic substrate according to an embodiment of the present invention It is a cross section.
도 2 및 도 3에 도시된 바에 의하면, 본 발명은 베이스 플레이트(100), 브레이징 필러층(200) 및 세라믹기판(300)을 포함한다. 2 and 3 , the present invention includes a
파워모듈은 상하 배치되는 두 개의 세라믹기판의 사이에 고출력 전력 반도체 칩이 위치된다. 두 개의 세라믹기판은 반도체 칩으로부터 발생하는 열의 방열 효율을 높일 수 있도록, 세라믹기재와 세라믹기재의 적어도 일면에 브레이징 접합된 금속층을 포함한다. 반도체 칩은 Si 또는 SiC 또는 GaN 반도체 칩일 수 있다. 세라믹기재(310)는 알루미나(Al2O3), AlN, SiN, Si3N4 중 어느 하나인 것을 일 예로 할 수 있고, 금속층(320,330)은 Cu, Cu합금, OFC, EPT Cu, Al 중 하나로 이루어지는 것을 일 예로 할 수 있다. OFC는 무산소동이다. In the power module, a high-output power semiconductor chip is positioned between two ceramic substrates disposed vertically. The two ceramic substrates include a ceramic substrate and a metal layer brazed to at least one surface of the ceramic substrate to increase heat dissipation efficiency of the semiconductor chip. The semiconductor chip may be a Si or SiC or GaN semiconductor chip. The ceramic substrate 310 may be, for example, any one of alumina (Al 2 O 3 ), AlN, SiN, and Si 3 N 4 , and the
베이스 플레이트(100)는 최하위 세라믹기판(300)의 하면에 접합되어 반도체 칩에서 발생하는 열을 방열하는 방열판으로 사용된다. The
베이스 플레이트(100)는 소정의 두께를 가지는 사각 플레이트 형상으로 형성될 수 있다. 베이스 플레이트(100)는 방열 효율을 높일 수 있는 소재로 형성된다. 일 예로, 베이스 플레이트(100)는 Cu, Al, AlSiC, CuMo, CuW, Cu/CuMo/Cu, Cu/Mo/Cu, Cu/W/Cu 중 적어도 하나 또는 이들의 복합소재로 이루어질 수 있다. Cu, Al, AlSiC, CuMo, CuW, Cu/CuMo/Cu, Cu/Mo/Cu 및 Cu/W/Cu의 소재는 열전도도가 우수하고, AlSiC, CuMo, CuW, Cu/CuMo/Cu, Cu/Mo/Cu 및 Cu/W/Cu의 소재는 저열팽창 계수룰 가져 세라믹기판(300)과 접합시 휨 발생이 방지되도록 한다.The
베이스 플레이트(100)는 상면에 하방으로 요입된 요입홈(101)이 형성된다. 요입홈(101)은 브레이징 필러층(200)을 배치하여 베이스 플레이트(100)와 세라믹기판(300)의 접합 특성을 높이기 위한 것이다. 요입홈(101)은 베이스 플레이트(100)의 상면의 소정 영역에 형성된다. 요입홈(101)은 복수 개가 형성된다. 실시예에서 요입홈(101)은 베이스 플레이트(100)의 상면에 2개가 소정 영역으로 형성된다. The
베이스 플레이트(100)의 요입홈(101)에 브레이징 필러층(200)이 배치된다. 브레이징 필러층(200)은 베이스 플레이트(100)와 세라믹기판(300) 간의 접합 특성을 확보하기 위한 것이다. 베이스 플레이트(100)와 세라믹기판(300) 간을 솔더링 접합할 수도 있으나, 솔더링 접합은 고온에서 휨 발생으로 인해 공극이 발생하고 그로 인해 접합 신뢰성이 낮다.A
브레이징 필러층(200)은 5㎛ 이상 100㎛ 이하의 두께를 가진다. The
브레이징 필러층(200)은 다층 구조의 박막으로 형성할 수 있다. 다층 구조의 박막은 부족한 성능을 보완하여 접합력을 높이기 위한 것이다. 브레이징 필러층(200)은 Ag, Cu, AgCu, AgCuTi 중 적어도 하나를 포함하는 합금재료로 이루어질 수 있다. Ag와 Cu는 열전도도가 높아 접합력을 높이는 역할과 동시에 세라믹기판(300)과 베이스 플레이트(100) 간 열 전달을 용이하게 하여 방열 효율을 높인다. Ti는 젖음성이 좋아 베이스 플레이트(100)에 Ag와 Cu의 부착을 용이하게 한다. The
일 예로, 브레이징 필러층(200)은 Ag층과 Ag층 상에 형성된 Cu층을 포함하는 2층 구조로 이루어질 수 있다. 또는 브레이징 필러층(200)은 Ti층(200a)과 Ti층(200a) 상에 형성된 Ag층(200b)과 Ag층(200b) 상에 형성된 Cu층(200c)을 포함하는 3층 구조로 이루어질 수 있다. For example, the
브레이징 필러층(200)이 배치되는 요입홈(101)의 높이는 브레이징 필러층(200)의 두께에 비해 작거나 같다. 요입홈(101)의 높이가 브레이징 필러층(200)의 두께에 비해 작거나 같아야 브레이징 필러층(200)이 베이스 플레이트(100)와 세라믹기판(300)의 접합을 가능하게 한다.The height of the
브레이징 필러층(200)은 베이스 플레이트(100)와 세라믹기판(300)의 접합에 사용되며, 브레이징 접합 후 그 경계가 모호하게 될 수 있다.The
실시예는 베이스 플레이트(100)의 상면의 소정 영역에 요입홈(101)을 형성하고, 요입홈(101)에 브레이징 필러층(200)을 배치한 후, 베이스 플레이트(100)와 세라믹기판(300) 간을 브레이징 접합한다. 그러나 베이스 플레이트(100)의 상면에 요입홈(101)을 형성하지 않고 브레이징 필러층(200)을 배치한 후, 베이스 플레이트(100)와 세라믹기판(300) 간을 브레이징 접합할 수도 있다. 그러나, 베이스 플레이트(100)의 상면에 요입홈(101)을 형성하고 요입홈(101)에 브레이징 필러층(200)을 배치한 후, 베이스 플레이트(100)와 세라믹기판(300) 간을 브레이징 접합하는 경우 접촉 면적 증가로 접합력이 더 우수하다. In the embodiment, the
한편, 파워모듈 제조방법으로서, 베이스 플레이트와 세라믹기판의 접합 방법은 상면에 요입홈(101)이 형성된 베이스 플레이트(100)를 준비하는 단계와, 세라믹기판(300)을 준비하는 단계와, 요입홈(101)에 브레이징 필러층(200)을 배치하는 단계와, 브레이징 필러층(200)이 배치된 베이스 플레이트(100)의 상면에 세라믹기판(300)을 적층하고 브레이징하는 단계를 포함한다.On the other hand, as a power module manufacturing method, the bonding method of the base plate and the ceramic substrate includes the steps of preparing the
상면에 요입홈이 형성된 베이스 플레이트를 준비하는 단계에서, 요입홈(101)은 베이스 플레이트(100)를 하프 에칭하여 형성한다. 베이스 플레이트(100)는 Cu, Al, AlSiC, CuMo, CuW, Cu/CuMo/Cu, Cu/Mo/Cu, Cu/W/Cu 중 적어도 하나 또는 이들의 복합소재로 이루어지는 플레이트를 준비한다. 바람직하게는 베이스 플레이트(100)는 AlSiC, CuMo, CuW, Cu/CuMo/Cu, Cu/Mo/Cu, Cu/W/Cu 중 적어도 하나 또는 이들의 복합소재로 이루어지는 플레이트를 준비한다. AlSiC, CuMo, CuW, Cu/CuMo/Cu, Cu/Mo/Cu, Cu/W/Cu 재질은 Cu와 Al에 비해 낮은 열팽창 계수를 가져 고온에서 열팽창 계수의 차이로 늘어나는 휨 현상을 방지할 수 있다.In the step of preparing the base plate having the concave groove formed on the upper surface, the
베이스 플레이트(100)의 두께는 1.0mm~3.0 범위일 수 있다. 바람직하게는 베이스 플레이트(100)의 두께는 2.0mm 이상으로 되어 방열에 유리하고 휨 발생이 방지되도록 할 수 있다. The thickness of the
세라믹기판을 준비하는 단계는, 세라믹기재(310)와 세라믹기재(310)의 적어도 일면에 브레이징 접합된 금속층(320,330)을 포함하는 세라믹기판(300)을 준비한다. 일 예로, 세라믹기판은 AMB 기판, DBC 기판, TPC 기판, DBA 기판 중 어느 하나를 준비할 수 있다.In the step of preparing the ceramic substrate, the
요입홈에 브레이징 필러층을 배치하는 단계는, 페이스트 도포, 포일(foil) 부착, P-fiiler 중 어느 하나의 방법으로 요입홈(101)에 5㎛ 이상 100㎛ 이하의 두께를 갖는 브레이징 필러층(200)을 배치한다. The step of arranging the brazing filler layer in the concave groove is a brazing filler layer having a thickness of 5 μm or more and 100 μm or less in the
브레이징 필러층(200)은 AgCu 또는 AgCuTi를 포함하는 합금재료로 형성할 수 있다. The
브레이징하는 단계는 450℃ 이상, 바람직하게는 780~900℃에서 수행하고, 브레이징 중에 접합력을 높이기 위해 상부 중량 또는 가압을 실시할 수 있다. The brazing step may be performed at 450° C. or higher, preferably 780 to 900° C., and upper weight or pressure may be applied to increase bonding strength during brazing.
일 예로, 브레이징 접합하는 단계는, 브레이징 필러층(p)이 형성한 제1 금속시트(110)의 상면에 제2 금속시트(120)를 배치하고, 다음으로 브레이징 필러층(p)을 형성한 제2 금속시트(120)의 상면에 제3 금속시트(130)를 배치된 제1 내지 제3 금속시트(110,120,130)의 적층체를 준비하고, 적층체를 브레이징로 내의 상부 가압지그와 하부 가압지그 사이에 배치하고 가열 중에 적층체의 상하면에서 가압하는 것이다. For example, in the brazing bonding step, the
또는 적층체를 브레이징로 내에 배치하고 적층체의 상면에 중량체를 배치하여 상부에서 가압하는 것이다. 브레이징 접합하는 단계에서 상부 중량 또는 가압을 실시하는 것은 보이드(Void)가 없는 접합을 위한 것이다. Alternatively, the laminate is placed in a brazing furnace and a weight is placed on the upper surface of the laminate and pressed from the top. In the step of brazing bonding, performing upper weight or pressure is for bonding without voids.
브레이징로는 가열 온도를 780℃ 이상, 바람직하게는 780~900℃ 범위로 제어하여 효율적인 브레이징 공정이 이루어지도록 한다. 일 예로, 바람직한 브레이징 온도는 870℃이다. The brazing furnace controls the heating temperature to 780° C. or higher, preferably in the range of 780 to 900° C. to achieve an efficient brazing process. For example, the preferred brazing temperature is 870°C.
브레이징 접합은 솔더프리폼의 사용처럼 진공접합설비 등을 요구하지 않으므로 공정단순화가 가능하고, 상부 중량 또는 가압을 실시하는 것에서 기공 결함이 방지되고 접합강도가 높아지므로 높은 접합 신뢰성을 갖는다.Since brazing bonding does not require vacuum bonding equipment like the use of solder preform, process simplification is possible, pore defects are prevented from performing upper weight or pressurization, and bonding strength is increased, so it has high bonding reliability.
브레이징하는 단계 후, 베이스 플레이트(100)는 세라믹기판(300)의 금속층(320)과 일체화된다. After the brazing step, the
전술한 실시예는 베이스 플레이트(100)가 단층 구조로 이루어진다. 그러나 베이스 플레이트는 저열팽창 계수(Low CTE)를 가지도록 다층 구조로 이루어질 수 있다.In the above-described embodiment, the
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 의한 파워모듈용 베이스 플레이트와 세라믹기판의 접합 구조를 보인 단면도이고, 도 5는 본 발명의 또 다른 실시예에 의한 파워모듈용 베이스 플레이트와 세라믹기판의 접합 구조를 보인 단면도이다. 다른 실시예와 또 다른 실시예는 전술한 실시예와 대비하여 베이스 플레이트가 다층 구조로 이루어지는 것에 차이가 있다. 4 is a cross-sectional view showing a bonding structure of a base plate for a power module and a ceramic substrate according to another embodiment of the present invention, and FIG. 5 is a bonding structure of a base plate for a power module and a ceramic substrate according to another embodiment of the present invention. is a cross-sectional view showing Another embodiment and another embodiment are different from the above-described embodiment in that the base plate has a multi-layered structure.
도 4에 도시된 바에 의하면, 베이스 플레이트(100)는 3층 이상의 적층 구조로 형성하여 두께가 1.0mm 이상이 되도록 할 수 있다. 일 예로, 베이스 플레이트(100)는 이종 재질의 금속시트를 적층하여 다층 구조로 형성하고 두께가 1.0mm 이상이 되도록 하여 방열에 유리하고 휨 발생이 방지되도록 할 수 있다. As shown in FIG. 4 , the
베이스 플레이트(100)는 제1 금속시트(110), 제2 금속시트(120) 및 제3 금속시트(130)를 포함한다. 제1 금속시트(110)의 상면에 제2 금속시트(120)가 형성되고, 제2 금속시트(120)의 상면에 제3 금속시트(130)가 형성된 3층 구조로 될 수 있다.The
제1 금속시트(110)와 제3 금속시트(130)는 동일 금속재질로 형성되고, 제2 금속시트(120)는 제1 금속시트(110) 및 제3 금속시트(130)와 다른 금속재질로 형성된다. 제2 금속시트(120)는 열팽창 계수가 낮은 금속재질로 형성되고, 제1 금속시트(110) 및 제3 금속시트(130)는 열전도도가 우수한 재질로 형성됨이 바람직하다. 열팽창 계수가 낮은 금속재질의 제2 금속시트(120)의 상면과 하면에 열전도도가 우수한 금속재질의 제1 금속시트(110)와 제3 금속시트(130)를 접합하여 저열팽창 계수를 가지는 베이스 플레이트를 제조할 수 있다. The
일 예로, 제1 금속시트(110)는 Cu 재질 금속시트로 이루어지고, 제2 금속시트(120)는 CuMo 재질 금속시트로 이루어지고, 제3 금속시트(130)는 Cu 재질 금속시트로 이루어질 수 있다. 또는 제1 금속시트(110)는 Cu 재질 금속시트로 이루어지고, 제2 금속시트(120)는 Mo 재질 금속시트로 이루어지고, 제3 금속시트(130)는 Cu 재질 금속시트로 이루어질 수 있다. 또는 제1 금속시트(110)는 Cu 재질 금속시트로 이루어지고, 제2 금속시트(120)는 W 재질 금속시트로 이루어지고, 제3 금속시트(130)는 Cu 재질 금속시트로 이루어질 수 있다. For example, the
제1 금속시트(110)가 Cu 재질 금속시트로 이루어지고, 제2 금속시트(120)가 CuMo 재질 금속시트로 이루어지고, 제3 금속시트(130)가 Cu 재질 금속시트로 이루어지는 Cu/CuMo/Cu의 3층 금속시트 구조로 형성되는 베이스 플레이트(100')에서 CuMo는 낮은 열팽창 계수로 휨 발생 방지를 위한 것이고, Cu는 방열을 위한 열전도도 확보를 위한 것이다.The
즉, 베이스 플레이트(100')는 열팽창 계수가 상대적으로 낮은 CuMo 재질 금속시트의 상면과 하면에 열팽창 계수는 상대적으로 높으나 열전도도가 높은 Cu 재질 금속시트를 접합한 3층 금속시트 구조로 형성하여, Cu 재질 금속시트의 휨을 CuMo 재질 금속시트가 흡수하여 고온에서 열팽창 계수의 차이로 늘어나는 휨 현상을 줄일 수 있도록 한다. That is, the base plate 100' is formed in a three-layer metal sheet structure in which a Cu material metal sheet having a relatively high thermal expansion coefficient but high thermal conductivity is bonded to the upper surface and the lower surface of a CuMo material sheet having a relatively low thermal expansion coefficient. The CuMo metal sheet absorbs the curvature of the Cu metal sheet, so that the warpage that is increased due to the difference in the coefficient of thermal expansion at high temperature can be reduced.
베이스 플레이트(100')는 CuMo 재질 금속시트를 용탕에 침투시켜 CuMo 재질 금속시트의 상면과 하면에 Cu층을 코팅한 다음, 압연하여 Cu/CuMo/Cu의 3층 구조로 형성할 수 있다. The base plate 100' may be formed in a three-layer structure of Cu/CuMo/Cu by infiltrating a CuMo metal sheet into the molten metal, coating the Cu layer on the upper and lower surfaces of the CuMo metal sheet, and then rolling.
또는, 도 5에 도시된 바와 같이, 베이스 플레이트(100")는 제1 금속시트(110)의 상면에 제2 금속시트(120)가 접합되고, 제2 금속시트(120)의 상면에 제3 금속시트(130)가 접합된 3층 구조로 될 수 있다. 제1 금속시트(110), 제2 금속시트(120) 및 제3 금속시트(130)를 접합하여 다층 구조로 형성하면 두께에 대한 임계점이 없이 원하는 두께의 베이스 플레이트(100")를 제조할 수 있다.Alternatively, as shown in FIG. 5 , in the
베이스 플레이트(100")는 제1 금속시트(110)의 상면에 브레이징 필러층(200)을 매개로 제2 금속시트(120)가 브레이징 접합되고, 제2 금속시트(120)의 상면에 브레이징 필러층(200)을 매개로 제3 금속시트(130)가 브레이징 접합된 3층의 적층형 구조일 수 있다. The
브레이징 필러층(200)은 AgCu 또는 AgCuTi를 포함하는 합금재료로 이루어질 수 있다. 일 예로, 브레이징 필러층(200)은 Ag층과 Ag층 상에 형성된 Cu층을 포함하는 2층 구조로 이루어질 수 있다. 또는 브레이징 필러층(200)은 Ti층(200a)과 Ti층(200a) 상에 형성된 Ag층(200b)과 Ag층(200b) 상에 형성된 Cu층(200c)을 포함하는 3층 구조로 이루어질 수 있다. The
그리고, 일 예로, CuMo 재질 금속시트의 상면과 하면에 브레이징 필러층(p)을 매개로 Cu 재질 금속시트를 접합하여 3층 구조 또는 다층 접합 구조로 형성하면 두께 2.0mm 이상인 베이스 플레이트(100")를 제조할 수 있다.And, as an example, when a Cu material metal sheet is bonded to the upper and lower surfaces of the CuMo material metal sheet via a brazing filler layer (p) to form a three-layer structure or a multi-layer bonding structure, a base plate having a thickness of 2.0 mm or more (100 ") can be manufactured.
베이스 플레이트(100")는 Cu/CuMo/Cu의 3층 접합 금속시트 구조로 형성하거나 AlSiC로 형성하는 경우 세라믹기판(300)과 접합에서 가장 우수한 접합 특성을 보였으며, 이때 열팽창 계수는 6.8~12ppm/K, 열전도도는 220~280W/m.K의 열특성을 가졌다. When the
또 다른 실시예로 베이스 플레이트의 상면에 배치되는 브레이징 필러층은 패턴 분할 형태로 배치될 수 있다.In another embodiment, the brazing filler layer disposed on the upper surface of the base plate may be disposed in a pattern division form.
도 6 내지 도 8은 본 발명의 또 다른 실시예에 의한 베이스 플레이트에 배치된 브레이징 필러층을 보인 평면도이다.6 to 8 are plan views showing a brazing filler layer disposed on a base plate according to another embodiment of the present invention.
도 6 내지 도 8에 도시된 바와 같이, 브레이징 필러층(200)은 베이스 플레이트(100)의 상면에 복수 개가 분할 배치될 수 있다. 브레이징 필러층(200)을 베이스 플레이트(100)의 상면에 분할 배치하여 휨 변화량을 제어할 수 있다. 6 to 8 , a plurality of brazing filler layers 200 may be dividedly disposed on the upper surface of the
복수 개의 브레이징 필러층은 2×1 배열 또는 2×2 배열(도 6 참조) 또는 4×4 배열(도 7 및 도 8 참조) 중 어느 하나의 형태로 분할 배치할 수 있다. 또한 복수 개의 브레이징 필러층(200)은 균일한 접합 면적을 제공할 수 있도록 분할된 면적이 동일한 것이 바람직하다. The plurality of brazing filler layers may be dividedly arranged in any one of a 2×1 array, a 2×2 array (see FIG. 6 ), or a 4×4 array (see FIGS. 7 and 8 ). In addition, it is preferable that the divided areas of the plurality of brazing filler layers 200 are the same to provide a uniform bonding area.
또한, 복수 개의 브레이징 필러층(200)은 베이스 플레이트(100)의 상면에 행렬 배치되고 일정 거리 이격된 것이 바람직하다. In addition, the plurality of brazing filler layers 200 are preferably arranged in a matrix on the upper surface of the
또한, 복수 개의 브레이징 필러층(200)은 세라믹기판(도 3의 도면 부호 300)의 하면의 금속층(320)의 부피 대비 85~115% 범위의 부피를 갖도록 하는 것이 바람직하다. 브레이징 필러층(200)의 부피는 접합 면적×높이를 의미한다. In addition, it is preferable that the plurality of brazing filler layers 200 have a volume in the range of 85 to 115% of the volume of the
베이스 플레이트(100)는 복수 개의 브레이징 필러층(200)이 안착되는 요입홈(101)이 형성된다. 베이스 플레이트(100)의 상면에 요입홈(101)을 분할 패턴 형태로 형성하고 요입홈(101)에 브레이징 필러층(200)을 배치하면 브레이징 필러층(200)의 균일 배치가 용이하고 접합력도 향상된다. The
브레이징 필러층(200)은 베이스 플레이트(100)의 열팽창 계수와 접합 면적 또는 부피를 계산하여 베이스 플레이트(100)의 휨 변화량을 사전 계산한 다음 패턴 설계할 수 있다. 더 상세하게는 세라믹기판(300)의 금속층(320)의 면적비 또는 부피부를 계산하여 접합하고자 하는 베이스 플레이트(100)의 접합면적 및 부피를 계산하고 85~115% 범위에서 베이스 플레이트(100)의 휨이 발생하지 않는 브레이징 필러층(200)의 분할 패턴을 설계할 수 있다. For the
베이스 플레이트(100)는 휨 변화량 제어를 위해 Cu, Al, AlSiC, CuMo, CuW, Cu/CuMo/Cu, Cu/Mo/Cu, Cu/W/Cu 중 적어도 하나 또는 이들의 복합소재로 이루어질 수 있다. The
베이스 플레이트(100)의 상면에 브레이징 필러층(200)의 분할 패턴을 설계할 경우, 베이스 플레이트와 세라믹기판의 접합 방법은 상면에 분할 배치된 복수 개의 요입홈(101)이 형성된 베이스 플레이트(100)를 준비하는 단계와 세라믹기판(300)을 준비하는 단계와 복수 개의 요입홈(101)에 브레이징 필러층(200)을 배치하는 단계와 브레이징 필러층(200)이 배치된 베이스 플레이트(100)의 상면에 세라믹기판(300)을 적층하고 브레이징하는 단계를 포함한다.When designing the split pattern of the
상면에 분할 배치된 복수 개의 요입홈이 형성된 베이스 플레이트를 준비하는 단계에서, 요입홈(101)은 베이스 플레이트(100)를 하프 에칭하여 형성한다.In the step of preparing the base plate having a plurality of concave grooves divided and arranged on the upper surface, the
복수 개의 요입홈에 브레이징 필러층을 배치하는 단계에서, 페이스트 도포, 포일(foil) 부착, P-fiiler 중 어느 하나의 방법으로 복수 개의 요입홈(101)에 5㎛ 이상 100㎛ 이하의 두께를 갖는 브레이징 필러층(200)을 배치한다.In the step of arranging the brazing filler layer in the plurality of concave grooves, the plurality of
브레이징 필러층(200)은 AgCu 또는 AgCuTi를 포함하는 합금재료로 형성한다.The
브레이징하는 단계는 780~900℃에서 수행하고, 브레이징 중에 상부 중량 또는 가압을 실시한다.The brazing step is carried out at 780 ~ 900 °C, and the upper weight or pressurization is carried out during brazing.
상술한 본 발명은 베이스 플레이트를 세라믹기판과 동시에 고온에서 브레이징 접합하므로 접합 신뢰성이 높아지고 공정 단순화가 가능하며 공정비용 절감에도 기여할 수 있다. According to the present invention described above, since the base plate is brazed at the same time as the ceramic substrate at a high temperature, the bonding reliability is increased, the process can be simplified, and it can contribute to the reduction of the process cost.
특히, 브레이징 접합은 종래의 솔더프리폼의 사용처럼 진공접합설비 등을 요구하지 않으므로 공정단순화가 가능하고, 상부 중량 또는 가압을 실시하는 것에서 기공 결함이 방지되고 접합강도가 높아지므로 접합 신뢰성을 높일 수 있다. In particular, since brazing bonding does not require vacuum bonding equipment, etc. like the use of conventional solder preforms, process simplification is possible, pore defects are prevented from performing upper weight or pressurization, and bonding strength is increased, so bonding reliability can be improved. .
또한, 베이스 플레이트는 열팽창 계수를 낮추어 고온에서 휨 발생을 방지할 수 있으며 우수한 열전도도를 가져 파워모듈에서 요구하는 고방열 조건을 만족할 수 있다. In addition, the base plate can prevent warpage at high temperatures by lowering the coefficient of thermal expansion, and has excellent thermal conductivity to satisfy high heat dissipation conditions required by the power module.
상술한 베이스 플레이트와 세라믹기판의 접합 구조는 파워모듈에 적용되는 것을 예로 들어 설명하였으나, 고신뢰성 접합이 요구되는 다양한 접합 구조에 적용 가능하다. Although the above-described bonding structure between the base plate and the ceramic substrate has been described as being applied to a power module as an example, it is applicable to various bonding structures requiring high-reliability bonding.
또한 본 발명은 실시예, 다른 실시예 및 또 다른 실시예로 분리하여 설명하였으나 이들을 혼용하여 적용 가능하다.In addition, although the present invention has been separately described as an embodiment, another embodiment, and another embodiment, it is possible to mix and apply them.
본 발명은 도면과 명세서에 최적의 실시예들이 개시되었다. 여기서, 특정한 용어들이 사용되었으나, 이는 단지 본 발명을 설명하기 위한 목적에서 사용된 것이지 의미 한정이나 청구범위에 기재된 본 발명의 범위를 제한하기 위하여 사용된 것은 아니다. 그러므로 본 발명은 기술분야의 통상의 지식을 가진 자라면, 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 권리범위는 첨부된 청구범위의 기술적 사상에 의해 정해져야 할 것이다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS The present invention is disclosed in the drawings and in the specification with preferred embodiments. Here, although specific terms have been used, they are used only for the purpose of describing the present invention and are not used to limit the meaning or the scope of the present invention described in the claims. Therefore, it will be understood by those skilled in the art that various modifications and equivalent other embodiments of the present invention are possible therefrom. Accordingly, the true technical scope of the present invention should be defined by the technical spirit of the appended claims.
100: 베이스 플레이트
101: 요입홈
200: 브레이징 필러층
200a: Ti층
200b: Ag층
200c: Cu층
300: 세라믹기판
310: 세라믹기재
320,330: 금속층
100': 베이스 플레이트
110: 제1 금속시트
120: 제2 금속시트
130: 제3 금속시트
p: 브레이징 필러층100: base plate 101: concave groove
200: brazing
200b:
300: ceramic substrate 310: ceramic substrate
320,330: metal layer 100': base plate
110: first metal sheet 120: second metal sheet
130: third metal sheet p: brazing filler layer
Claims (13)
상기 베이스 플레이트의 상면에 배치되는 브레이징 필러층; 및
상기 브레이징 필러층을 매개로 상기 베이스 플레이트의 상면에 브레이징 접합되는 세라믹기판;
을 포함하고,
상기 브레이징 필러층은 상기 베이스 플레이트의 상면에 복수 개가 분할 배치된 파워모듈. base plate;
a brazing filler layer disposed on the upper surface of the base plate; and
a ceramic substrate brazed to the upper surface of the base plate via the brazing filler layer;
including,
A plurality of the brazing filler layers are dividedly disposed on the upper surface of the base plate.
상기 복수 개의 브레이징 필러층은
2×1 배열 또는 2×2 배열 또는 4×4 배열 중 어느 하나의 형태로 분할 배치되고 분할된 면적이 동일한 파워모듈. According to claim 1,
The plurality of brazing filler layers are
A power module that is divided and arranged in either a 2×1 array, a 2×2 array, or a 4×4 array and has the same divided area.
상기 복수 개의 브레이징 필러층은
상기 베이스 플레이트의 상면에 행렬 배치되고 일정 거리 이격된 파워모듈. According to claim 1,
The plurality of brazing filler layers are
A power module arranged in a matrix on the upper surface of the base plate and spaced apart from each other by a predetermined distance.
상기 복수 개의 브레이징 필러층은
상기 세라믹기판의 하면의 금속층의 부피 대비 85~115% 범위의 부피를 갖는 파워모듈. The method of claim 1,
The plurality of brazing filler layers are
A power module having a volume in the range of 85 to 115% of the volume of the metal layer on the lower surface of the ceramic substrate.
상기 베이스 플레이트는 상기 복수 개의 브레이징 필러층이 안착되는 요입홈이 형성된 파워모듈. According to claim 1,
The base plate is a power module having a concave groove in which the plurality of brazing filler layers are seated.
상기 브레이징 필러층은 AgCu 또는 AgCuTi를 포함하는 합금재료로 이루어진 파워모듈.According to claim 1,
The brazing filler layer is made of an alloy material containing AgCu or AgCuTi.
상기 베이스 플레이트는
Cu, Al, AlSiC, CuMo, CuW, Cu/CuMo/Cu, Cu/Mo/Cu, Cu/W/Cu 중 적어도 하나 또는 이들의 복합소재로 이루어지는 파워모듈.According to claim 1,
The base plate is
A power module made of at least one of Cu, Al, AlSiC, CuMo, CuW, Cu/CuMo/Cu, Cu/Mo/Cu, Cu/W/Cu, or a composite material thereof.
상기 세라믹기판은
세라믹기재와 상기 세라믹기재의 상면과 하면에 형성된 금속층을 포함하고,
상기 금속층은 Cu, Cu합금, OFC, EPT Cu, Al 중 하나로 이루어지는 파워모듈. According to claim 1,
The ceramic substrate is
A ceramic substrate and a metal layer formed on the upper and lower surfaces of the ceramic substrate,
The metal layer is a power module made of one of Cu, Cu alloy, OFC, EPT Cu, Al.
세라믹기판을 준비하는 단계;
상기 복수 개의 요입홈에 브레이징 필러층을 배치하는 단계; 및
상기 브레이징 필러층이 배치된 상기 베이스 플레이트의 상면에 세라믹기판을 적층하고 브레이징하는 단계;
를 포함하는 파워모듈 제조방법. Preparing a base plate having a plurality of concave grooves dividedly arranged on the upper surface;
preparing a ceramic substrate;
disposing a brazing filler layer in the plurality of concave grooves; and
laminating and brazing a ceramic substrate on an upper surface of the base plate on which the brazing filler layer is disposed;
A power module manufacturing method comprising a.
상면에 분할 배치된 복수 개의 요입홈이 형성된 베이스 플레이트를 준비하는 단계에서,
상기 요입홈은 상기 베이스 플레이트를 하프 에칭하여 형성하는 파워모듈 제조방법. 10. The method of claim 9,
In the step of preparing a base plate having a plurality of concave grooves dividedly arranged on the upper surface,
The concave groove is formed by half-etching the base plate.
상기 복수 개의 요입홈에 브레이징 필러층을 배치하는 단계에서,
페이스트 도포, 포일(foil) 부착, P-fiiler 중 어느 하나의 방법으로 상기 복수 개의 요입홈에 5㎛ 이상 100㎛ 이하의 두께를 갖는 브레이징 필러층을 배치하는 파워모듈 제조방법.10. The method of claim 9,
In the step of disposing a brazing filler layer in the plurality of concave grooves,
A method of manufacturing a power module in which a brazing filler layer having a thickness of 5 μm or more and 100 μm or less is disposed in the plurality of concave grooves by any one of paste application, foil attachment, and P-filer.
상기 브레이징 필러층은 AgCu 또는 AgCuTi를 포함하는 합금재료로 이루어지는 파워모듈 제조방법.10. The method of claim 9,
The brazing filler layer is a power module manufacturing method made of an alloy material containing AgCu or AgCuTi.
상기 브레이징하는 단계는
780~900℃에서 수행하고, 브레이징 중에 상부 중량 또는 가압을 실시하는 파워모듈 제조방법.10. The method of claim 9,
The brazing step
A method of manufacturing a power module that is carried out at 780-900° C. and performs upper weight or pressurization during brazing.
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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KR1020200104433A KR20220023023A (en) | 2020-08-20 | 2020-08-20 | Base plate and manufacturing method thereof |
US18/022,256 US20230326828A1 (en) | 2020-08-19 | 2021-08-12 | Power module and manufacturing method therefor |
PCT/KR2021/010703 WO2022039441A1 (en) | 2020-08-19 | 2021-08-12 | Power module and manufacturing method therefor |
KR1020230080729A KR20230101766A (en) | 2020-08-20 | 2023-06-23 | Power module and manufacturing method thereof |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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KR1020200104433A KR20220023023A (en) | 2020-08-20 | 2020-08-20 | Base plate and manufacturing method thereof |
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KR1020230080729A Division KR20230101766A (en) | 2020-08-20 | 2023-06-23 | Power module and manufacturing method thereof |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20220023023A true KR20220023023A (en) | 2022-03-02 |
Family
ID=80815720
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020200104433A KR20220023023A (en) | 2020-08-19 | 2020-08-20 | Base plate and manufacturing method thereof |
KR1020230080729A KR20230101766A (en) | 2020-08-20 | 2023-06-23 | Power module and manufacturing method thereof |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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KR1020230080729A KR20230101766A (en) | 2020-08-20 | 2023-06-23 | Power module and manufacturing method thereof |
Country Status (1)
Country | Link |
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KR (2) | KR20220023023A (en) |
-
2020
- 2020-08-20 KR KR1020200104433A patent/KR20220023023A/en not_active Application Discontinuation
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Publication number | Publication date |
---|---|
KR20230101766A (en) | 2023-07-06 |
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