KR20220018411A - Mother substrate, display panel, and method of manufacturing the same - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 원장 기판, 표시 패널 및 그 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to a mother substrate, a display panel, and a method for manufacturing the same.
전계 발광 표시장치는 발광층의 재료에 따라 무기 발광 표시장치와 유기 발광 표시장치로 대별된다. 액티브 매트릭스 타입(active matrix type)의 유기 발광 표시장치는 스스로 발광하는 유기 발광 다이오드(Organic Light Emitting Diode: 이하, "OLED"라 함)를 포함하며, 응답속도가 빠르고 발광효율, 휘도 및 시야각이 큰 장점이 있다. 유기 발광 표시장치는 OLED(Organic Light Emitting Diode, OLED"라 함)가 픽셀들 각각에 형성된다. 유기 발광 표시장치는 응답속도가 빠르고 발광효율, 휘도, 시야각 등이 우수할 뿐 아니라, 블랙 계조를 완전한 블랙으로 표현할 수 있기 때문에 명암비(contrast ratio)와 색 재현율이 우수하다.The electroluminescent display device is roughly classified into an inorganic light emitting display device and an organic light emitting display device according to the material of the light emitting layer. The active matrix type organic light emitting diode display includes an organic light emitting diode (hereinafter, referred to as "OLED") that emits light by itself, and has a fast response speed and high luminous efficiency, luminance and viewing angle. There are advantages. In the organic light emitting display device, an OLED (Organic Light Emitting Diode, referred to as "OLED") is formed in each pixel. The organic light emitting display device has a fast response speed, excellent luminous efficiency, luminance, and viewing angle, as well as a black gradation. Because it can be expressed in complete black, the contrast ratio and color reproduction are excellent.
유기 발광 표시장치는 백라이트 유닛(Backlight unit)이 필요 없고, 플렉시블(flexible) 소재인 플라스틱 기판, 박형 유리 기판, 금속 기판 상에 구현될 수 있다. 따라서, 플렉시블 디스플레이는 유기 발광 표시 장치로 구현될 수 있다. The organic light emitting diode display does not require a backlight unit and may be implemented on a plastic substrate, a thin glass substrate, or a metal substrate, which are flexible materials. Accordingly, the flexible display may be implemented as an organic light emitting display device.
플렉시블 디스플레이는 플렉시블 패널을 감거나 접고 구부리는 방법으로 화면의 크기가 가변될 수 있다. 플렉시블 디스플레이는 롤러블 디스플레이(rollable display), 폴더블 디스플레이(foldable display), 벤더블(bendable) 디스플레이, 슬라이더블 디스플레이(slidable display) 등으로 구현될 수 있다. 이러한 플렉시블 디스플레이는 스마트폰과 태블릿 PC와 같은 모바일 기기뿐만 아니라 TV, 차량용 디스플레이, 웨어러블 기기 등에 적용될 수 있고 그 응용 분야가 확대되고 있다.In the flexible display, the size of the screen may be changed by winding, folding, or bending the flexible panel. The flexible display may be implemented as a rollable display, a foldable display, a bendable display, a slideable display, and the like. Such a flexible display can be applied to not only mobile devices such as smartphones and tablet PCs, but also TVs, in-vehicle displays, and wearable devices, and the field of application is expanding.
플렉시블 디스플레이는 유연한 패널 구조를 이용하여 비표시 영역을 접어 베젤 영역이 최소화된 베젤 벤디드 디스플레이(Bezel bended display)를 구현할 수 있다. 또한, 플렉시블 디스플레이는 화면의 크기를 가변할 수 있는 구조로 정보 기기에 결합될 수 있다. 정보 기기는 플렉시블 디스플레이를 채용하여 화면의 크기가 커질 수 있기 때문에 둘 이상의 어플리케이션이나 컨텐츠를 실행하여 멀티 태스킹(Multi-tasking)을 가능하게 한다. The flexible display may implement a bezel bended display in which the bezel area is minimized by folding the non-display area using a flexible panel structure. In addition, the flexible display may be coupled to an information device in a structure capable of changing the size of the screen. Since the information device employs a flexible display to increase the size of the screen, it enables multi-tasking by executing two or more applications or contents.
플렉시블 디스플레이에 이용되는 플렉시블 기판은 유연한 재질 예를 들어 PI(Polyimide) 필름 기판으로 제작될 수 있다. 플렉시블 표시패널의 제조 공정에서, PI 필름 기판 아래에 강성이 크고 내열성을 가지는 캐리어 기판(Carrier substrate)이 접합된 상태에서 PI 필름 상에 회로층과 발광소자 등이 형성될 수 있다. 캐리어 기판은 제조 공정에서만 필요하기 때문에 PI 필름 상에 픽셀 구동에 필요한 모든 층들이 형성된 후에 PI 필름 기판과 분리될 수 있다. 캐리어 기판과 PI 필름 기판은 레이저 장비를 이용한 레이저 리프트 오프(Laser lift off) 공정으로 분리될 수 있다. The flexible substrate used for the flexible display may be made of a flexible material, for example, a PI (Polyimide) film substrate. In the manufacturing process of a flexible display panel, a circuit layer and a light emitting device may be formed on the PI film in a state in which a carrier substrate having high rigidity and heat resistance is bonded under the PI film substrate. Since the carrier substrate is only required in the manufacturing process, it can be separated from the PI film substrate after all layers necessary for driving the pixels are formed on the PI film. The carrier substrate and the PI film substrate may be separated by a laser lift off process using a laser device.
플렉시블 표시패널의 제조 공정은 고가의 레이저 장비로 인하여 제조 단가가 높고, 기판 전면에 레이저를 조사하여 PI 필름 기판을 박리할 때 발생되는 이물과 PI 필름 표면의 거칠기 등으로 인하여 이후 공정시 불량이 초래될 수 있다. The manufacturing process of the flexible display panel has a high manufacturing cost due to expensive laser equipment, and defects are caused in subsequent processes due to foreign substances and roughness of the PI film surface, etc. can be
또한, 기존의 플렉시블 표시패널이 유연하게 구부러지도록 유기물을 이용하여 폴딩부를 구성할 수 있다. 이 경우, 폴딩부의 강성이 약하여 접힌 자국(crease) 또는 힌지(hinge) 얼룩이 보일 수 있다. In addition, the folding part may be configured using an organic material so that the existing flexible display panel can be flexibly bent. In this case, since the rigidity of the folding part is weak, crease or hinge stains may be seen.
본 발명은 전술한 필요성 및/또는 문제점을 해결하는 것을 목적으로 한다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention aims to solve the above-mentioned needs and/or problems.
본 발명의 실시예에 따른 원장기판은 복수의 커팅라인을 갖는 글래스 기판; 상기 글래스 기판 상에서 상기 복수의 커팅라인과 중첩되도록 배치되는 유기막; 및 상기 글래스 기판 상에서 상기 커팅라인을 사이에 두고 서로 이격된 복수의 셀들을 포함할 수 있다.A mother substrate according to an embodiment of the present invention includes a glass substrate having a plurality of cutting lines; an organic layer disposed on the glass substrate to overlap the plurality of cutting lines; and a plurality of cells spaced apart from each other on the glass substrate with the cutting line interposed therebetween.
상기 유기막은 상기 복수의 셀들 및 상기 복수의 커팅라인과 중첩되도록 배치될 수 있다. The organic layer may be disposed to overlap the plurality of cells and the plurality of cutting lines.
상기 글래스 기판은 상기 복수의 셀들 각각에 설정된 적어도 하나의 벤딩라인을 더 포함하며, 상기 유기막은, 상기 복수의 셀들 사이에서 상기 커팅라인과 중첩되도록 상기 글래스 기판 상에 배치되는 제1 유기막; 및 상기 적어도 하나의 벤딩라인과 중첩되도록 상기 글래스 기판 상에 배치되는 제2 유기막을 포함할 수 있다. The glass substrate further includes at least one bending line set in each of the plurality of cells, and the organic layer includes: a first organic layer disposed on the glass substrate to overlap the cutting line between the plurality of cells; and a second organic layer disposed on the glass substrate to overlap the at least one bending line.
상기 셀들 각각은, 상기 글래스 기판 상에 배치되어 픽셀을 구동하는 회로층; 상기 회로층 상에 배치되는 제1 전극, 상기 제1 전극 상에 배치되어 발광 영역을 정의하는 뱅크, 상기 발광 영역에서 상기 제1 전극 상에 배치되는 유기 화합물층, 및 상기 유기 화합물층 상에 배치된 제2 전극을 포함 발광 소자층; 상기 발광 소자층을 덮는 봉지층; 및 상기 봉지층 상에 배치된 편광판을 포함하고, 상기 유기막은 상기 글래스 기판과 회로층 사이에 배치되며, 상기 유기막과 상기 뱅크는 동일한 물질을 포함할 수 있다.Each of the cells may include a circuit layer disposed on the glass substrate to drive a pixel; a first electrode disposed on the circuit layer, a bank disposed on the first electrode to define an emission region, an organic compound layer disposed on the first electrode in the emission region, and a first electrode disposed on the organic compound layer a light emitting device layer including two electrodes; an encapsulation layer covering the light emitting device layer; and a polarizing plate disposed on the encapsulation layer, wherein the organic layer is disposed between the glass substrate and the circuit layer, and the organic layer and the bank may include the same material.
서로 이웃한 셀들 사이의 글래스 기판 상에는 상기 복수의 커팅라인과 중첩되도록 상기 유기막과 상기 편광판이 순차적으로 적층될 수 있다.The organic layer and the polarizing plate may be sequentially stacked on the glass substrate between adjacent cells to overlap the plurality of cutting lines.
상기 제1 유기막 및 상기 제2 유기막은 폴리이미드(polyimide)막을 포함할 수 있다.The first organic layer and the second organic layer may include a polyimide layer.
상기 글래스 기판은, 상기 복수의 커팅라인과 중첩되는 위치에서 상기 제1 유기막을 노출시키는 제1 개구부; 및 상기 적어도 하나의 벤딩라인과 중첩되는 위치에서 상기 제2 유기막을 노출시키는 제2 개구부를 포함하고, 상기 글래스 기판의 배면과 상기 제1 및 제2 개구부의 적어도 일부에는 코팅층이 배치될 수 있다.The glass substrate may include: a first opening exposing the first organic layer at a position overlapping the plurality of cutting lines; and a second opening exposing the second organic layer at a position overlapping the at least one bending line, wherein a coating layer may be disposed on a rear surface of the glass substrate and at least a portion of the first and second openings.
본 발명의 일 실시예에 따른 표시패널은 글래스 기판; 상기 글래스 기판 상에 배치되어 픽셀을 구동하는 회로층; 상기 회로층 상에 배치되고 제1전극, 상기 제1전극 상에 배치된 유기화합물층, 및 상기 유기화합물층 상에 배치된 제2전극을 포함하는 발광 소자를 포함하는 발광 소자층; 상기 회로층과 상기 발광 소자층을 덮는 봉지층; 상기 봉지층 상에 배치된 편광판; 및 상기 글래스 기판 상에 배치된 유기막을 포함할 수 있다.A display panel according to an embodiment of the present invention includes a glass substrate; a circuit layer disposed on the glass substrate to drive pixels; a light emitting device layer disposed on the circuit layer and including a light emitting device including a first electrode, an organic compound layer disposed on the first electrode, and a second electrode disposed on the organic compound layer; an encapsulation layer covering the circuit layer and the light emitting device layer; a polarizing plate disposed on the encapsulation layer; and an organic layer disposed on the glass substrate.
상기 제1전극 상에 배치되어 발광 영역을 정의하는 뱅크를 더 포함하고, 상기 유기막과 상기 뱅크는 동일한 물질을 포함할 수 있다.The bank may further include a bank disposed on the first electrode to define an emission region, and the organic layer and the bank may include the same material.
상기 표시패널은 상기 표시패널이 접히는 적어도 하나의 벤딩라인을 더 포함하며, 상기 유기막은, 상기 글래스 기판의 가장자리에 배치된 제1 유기막; 및 상기 적어도 하나의 벤딩라인과 중첩되도록 상기 글래스 기판 상에 배치되는 제2 유기막을 포함할 수 있다.The display panel further includes at least one bending line through which the display panel is folded, and the organic layer includes: a first organic layer disposed on an edge of the glass substrate; and a second organic layer disposed on the glass substrate to overlap the at least one bending line.
상기 글래스 기판은 상기 적어도 하나의 벤딩라인과 중첩되는 영역에서 상기 제2 유기막을 노출시키는 개구부를 포함할 수 있다.The glass substrate may include an opening exposing the second organic layer in a region overlapping the at least one bending line.
상기 글래스 기판의 배면과 상기 개구부의 적어도 일부에는 코팅층이 배치될 수 있다.A coating layer may be disposed on the rear surface of the glass substrate and at least a portion of the opening.
상기 글래스 기판의 가장자리 측벽은 상하로 대칭인 웨지(wedge) 형상의 테이퍼 면을 포함하여 상기 측벽의 끝단으로 갈수록 두께가 얇게 형성될 수 있다.The edge sidewall of the glass substrate may include a wedge-shaped tapered surface symmetrical up and down, and may be formed to have a thinner thickness toward an end of the sidewall.
상기 테이퍼 면은 상기 회로층 밖으로 돌출될 수 있다.The tapered surface may protrude out of the circuit layer.
상기 테이퍼 면의 길이는 상기 글래스 기판의 두께에 대하여 반비례할 수 있다.A length of the tapered surface may be inversely proportional to a thickness of the glass substrate.
본 발명의 일 실시예에 따른 표시패널의 제조방법은, 유기막을 포함하는 원장 글래스 기판 상에 배치된 복수의 셀들로부터, 표시패널을 제조하는 방법으로서, 상기 복수의 셀들 사이에 커팅라인을 세팅하는 단계; 상기 원장 글래스 기판의 일면에 형성되어 상기 커팅라인 이외의 영역을 덮는 마스크를 형성하는 단계; 상기 마스크를 통해 노출된 원장 글래스 기판을 식각하여 제1 개구부를 형성하는 단계; 상기 마스크를 제거하는 단계; 및 상기 커팅라인과 중첩된 상기 유기막에 레이저를 조사하여 상기 유기막을 커팅함으로써 상기 복수의 셀들을 분리하는 단계를 포함할 수 있다.A method of manufacturing a display panel according to an embodiment of the present invention is a method of manufacturing a display panel from a plurality of cells disposed on a mother glass substrate including an organic film, and includes setting a cutting line between the plurality of cells. step; forming a mask formed on one surface of the mother glass substrate to cover an area other than the cutting line; forming a first opening by etching the mother glass substrate exposed through the mask; removing the mask; and separating the plurality of cells by cutting the organic layer by irradiating a laser to the organic layer overlapping the cutting line.
상기 복수의 셀들 사이에 커팅라인을 세팅하는 단계에서 상기 복수의 셀들 각각에 상기 표시패널이 접히는 적어도 하나의 벤딩라인을 세팅하고, 상기 마스크를 형성하는 단계에서 상기 마스크가 상기 적어도 하나의 벤딩라인을 덮지 않게 형성하고, 상기 마스크를 통해 노출된 원장 글래스 기판을 식각하여 제2 개구부를 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.In the step of setting the cutting line between the plurality of cells, at least one bending line on which the display panel is folded is set in each of the plurality of cells, and in the step of forming the mask, the mask forms the at least one bending line The method may further include forming the second opening by etching the mother glass substrate exposed through the mask and not covering it.
상기 유기막은, 상기 복수의 셀들 사이의 상기 커팅라인과 중첩되도록 상기 원장 글래스 기판 상에 배치되는 제1 유기막; 및 상기 적어도 하나의 벤딩라인과 중첩되도록 상기 원장 글래스 기판 상에 배치되는 제2 유기막을 포함할 수 있다.The organic layer may include a first organic layer disposed on the mother glass substrate to overlap the cutting lines between the plurality of cells; and a second organic layer disposed on the mother glass substrate to overlap the at least one bending line.
상기 마스크 제거 후 상기 원장 글래스 기판의 타면에 코팅층을 형성하는 단계를 더 포함하며, 상기 복수의 셀들을 분리하는 단계에서 상기 레이저를 조사하여 상기 코팅층을 커팅할 수 있다. The method may further include forming a coating layer on the other surface of the mother glass substrate after removing the mask, and in the step of separating the plurality of cells, the coating layer may be cut by irradiating the laser.
상기 원장 글래스 기판의 식각은 습식 식각을 포함할 수 있다.The etching of the mother glass substrate may include wet etching.
실시예는 원장기판으로부터 표시패널을 분리할 때, 레이저 리프트 오프(Laser lift off) 공정을 이용하지 않으므로 PI 필름 기판을 박리할 때 발생되는 이물과 PI 필름 표면의 거칠기 등으로 인하여 인한 불량을 방지할 수 있고, 비용을 낮출 수 있다. Since the embodiment does not use a laser lift off process when separating the display panel from the mother substrate, it is possible to prevent defects due to foreign substances and roughness of the surface of the PI film that are generated when peeling the PI film substrate. and can lower the cost.
실시예는 표시패널을 글래스 기판 기반으로 제작하여 폴딩 영역의 힌지 얼룩이 발생하는 것을 방지할 수 있고, 내구성이 강화될 수 있다.In the embodiment, since the display panel is manufactured based on a glass substrate, it is possible to prevent the hinge from staining in the folding area, and durability can be enhanced.
더 나아가, 글래스 기판의 가장자리를 웨지 타입으로 제작하여 기판의 파손을 방지할 수 있다. Furthermore, it is possible to prevent damage to the substrate by manufacturing the edge of the glass substrate in a wedge type.
본 발명의 효과들은 이상에서 언급한 효과들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 효과들은 청구범위의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.Effects of the present invention are not limited to the effects mentioned above, and other effects not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the description of the claims.
도 1 내지 도 3은 벤딩부를 포함한 표시패널들을 보여 주는 도면들이다.
도 4는 일 실시예에 따른 표시패널의 평면도이다.
도 5a 내지 도 5d는 도 4에서 선 Ⅰ-Ⅰ'를 따라 절취한 단면도이다.
도 6a 및 도 6b는 도 4에서 선 Ⅱ-Ⅱ'를 따라 절취한 단면도이다.
도 7은 다른 실시예에 따른 표시패널의 평면도이다.
도 8a 내지 도 8d는 도 7에서 선 Ⅰ-Ⅰ'를 따라 절취한 단면도이다.
도 9a 및 도 9b는 도 7에서 선 Ⅱ-Ⅱ'를 따라 절취한 단면도이다.
도 10은 또 다른 실시예에 따른 표시패널의 평면도이다.
도 11a 내지 도 11d는 도 10에서 선 Ⅰ-Ⅰ'를 따라 절취한 단면도이다.
도 12a 및 도 12b는 도 10에서 선 Ⅱ-Ⅱ'를 따라 절취한 단면도이다.
도 13은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시패널의 단면도이다.
도 14는 도 13에서 웨지 타입의 기판 측벽 부분(A)을 확대한 도면이다.
도 15는 본 발명의 실시예에 따른 원장 기판을 나타낸 도면이다.
도 16은 일 실시예에 따른 표시패널의 제조과정을 나타내는 도면이다.
도 17은 일 실시예에 따른 표시패널의 제조과정을 나타내는 도면이다.
도 18은 다른 실시예에 따른 표시패널의 제조과정을 나타내는 도면이다.
도 19는 다른 실시예에 따른 표시패널의 제조과정을 나타내는 도면이다.
도 20은 도 15에서 선 C-C'를 따라 절취한 단면도이다.
도 21은 원장 글래스 기판의 식각 과정을 나타내는 도면이다.
도 22는 글래스 기판(10) 측벽에 형성된 테이퍼 면의 단면 사진이다.
도 23은 글래스 기판의 웨지 타입 측벽의 다양한 예를 보여 주는 도면이다.
도 24는 글래스 기판의 식각 공정에 의해 기판 두께가 감소될 때 테이퍼 면을 보여 주는 글래스 기판의 단면 사진이다.
도 25는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치의 일 예를 보여 주는 블록도이다.
도 26은 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시장치의 일 예를 보여 주는 블록도이다.
도 27a 및 도 27b는 도 26에 도시된 표시장치가 접히는 예를 보여 주는 도면들이다.
도 28은 드라이브 IC 구성을 개략적으로 보여 주는 블록도이다.
도 29는 픽셀 회로의 일 예를 보여 주는 회로도이다.
도 30은 도 29에 도시된 픽셀 회로의 구동 방법을 보여 주는 도면이다.
도 31은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시패널의 단면을 상세히 보여 주는 단면도이다.1 to 3 are views illustrating display panels including a bending part.
4 is a plan view of a display panel according to an exemplary embodiment.
5A to 5D are cross-sectional views taken along line I-I' in FIG. 4 .
6A and 6B are cross-sectional views taken along line II-II' in FIG. 4 .
7 is a plan view of a display panel according to another exemplary embodiment.
8A to 8D are cross-sectional views taken along line I-I' in FIG. 7 .
9A and 9B are cross-sectional views taken along the line II-II' in FIG. 7 .
10 is a plan view of a display panel according to another exemplary embodiment.
11A to 11D are cross-sectional views taken along line I-I' in FIG. 10 .
12A and 12B are cross-sectional views taken along the line II-II' in FIG. 10 .
13 is a cross-sectional view of a display panel according to an exemplary embodiment.
FIG. 14 is an enlarged view of a wedge-type substrate sidewall portion A in FIG. 13 .
15 is a view showing a mother substrate according to an embodiment of the present invention.
16 is a diagram illustrating a manufacturing process of a display panel according to an exemplary embodiment.
17 is a diagram illustrating a manufacturing process of a display panel according to an exemplary embodiment.
18 is a diagram illustrating a manufacturing process of a display panel according to another exemplary embodiment.
19 is a diagram illustrating a manufacturing process of a display panel according to another exemplary embodiment.
20 is a cross-sectional view taken along line C-C' in FIG. 15 .
21 is a diagram illustrating an etching process of a mother glass substrate.
22 is a cross-sectional photograph of a tapered surface formed on a sidewall of the
23 is a view showing various examples of wedge-type sidewalls of a glass substrate.
24 is a cross-sectional photograph of a glass substrate showing a tapered surface when the thickness of the substrate is reduced by an etching process of the glass substrate.
25 is a block diagram illustrating an example of a display device according to an embodiment of the present invention.
26 is a block diagram illustrating an example of a display device according to another embodiment of the present invention.
27A and 27B are views illustrating an example in which the display device shown in FIG. 26 is folded.
28 is a block diagram schematically showing the configuration of a drive IC.
29 is a circuit diagram illustrating an example of a pixel circuit.
30 is a diagram illustrating a method of driving the pixel circuit shown in FIG. 29 .
31 is a cross-sectional view illustrating in detail a cross-section of a display panel according to an embodiment of the present invention.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해 질 것이다. 그러나, 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려 주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. Advantages and features of the present invention, and a method of achieving them will become apparent with reference to the embodiments described below in detail in conjunction with the accompanying drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments disclosed below, but will be embodied in various different forms, and only these embodiments allow the disclosure of the present invention to be complete, and common knowledge in the art to which the present invention pertains It is provided to fully inform those who have the scope of the invention, and the present invention is only defined by the scope of the claims.
본 발명의 실시예를 설명하기 위한 도면에 개시된 형상, 크기, 비율, 각도, 개수 등은 예시적인 것이므로 본 발명이 도시된 사항에 한정되는 것은 아니다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명은 생략한다. The shapes, sizes, proportions, angles, numbers, etc. disclosed in the drawings for explaining the embodiments of the present invention are illustrative and the present invention is not limited to the illustrated matters. Like reference numerals refer to like elements throughout. In addition, in describing the present invention, if it is determined that a detailed description of a related known technology may unnecessarily obscure the gist of the present invention, the detailed description thereof will be omitted.
본 명세서 상에서 언급된 '포함한다', '갖는다', '이루어진다' 등이 사용되는 경우 ' ~ 만'이 사용되지 않는 이상 다른 부분이 추가될 수 있다. 구성 요소를 단수로 표현한 경우에 특별히 명시적인 기재 사항이 없는 한 복수를 포함하는 경우를 포함한다. When 'including', 'having', 'consisting', etc. mentioned in this specification are used, other parts may be added unless 'only' is used. When a component is expressed in the singular, the case in which the plural is included is included unless otherwise explicitly stated.
구성 요소를 해석함에 있어서, 별도의 명시적 기재가 없더라도 오차 범위를 포함하는 것으로 해석한다.In interpreting the components, it is construed as including an error range even if there is no separate explicit description.
위치 관계에 대한 설명일 경우, 예를 들어, ' ~ 상에', ' ~ 상부에', ' ~ 하부에', ' ~ 옆에' 등으로 두 부분의 위치 관계가 설명되는 경우, '바로' 또는 '직접'이 사용되지 않는 이상 두 부분 사이에 하나 이상의 다른 부분이 위치할 수도 있다. In the case of a description of the positional relationship, for example, when the positional relationship of two parts is described as 'on', 'on', 'on', 'next to', etc., 'right' Alternatively, one or more other parts may be positioned between two parts unless 'directly' is used.
실시예 설명에서, 제1, 제2 등이 다양한 구성 요소들을 서술하기 위해서 사용되지만, 이들 구성 요소들은 이들 용어에 의해 제한되지 않는다. 이들 용어들은 단지 하나의 구성 요소를 다른 구성요소와 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제1 구성 요소는 본 발명의 기술적 사상 내에서 제2 구성요소일 수도 있다.In the description of the embodiments, first, second, etc. are used to describe various components, but these components are not limited by these terms. These terms are only used to distinguish one component from another. Accordingly, the first component mentioned below may be the second component within the spirit of the present invention.
명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.Like reference numerals refer to like elements throughout.
여러 실시예들의 특징들이 부분적으로 또는 전체적으로 서로 결합 또는 조합 가능하며, 기술적으로 다양한 연동 및 구동이 가능하며, 각 실시예들이 서로에 대하여 독립적으로 실시 가능할 수도 있고 연관 관계로 함께 실시 가능할 수도 있다. Features of various embodiments may be partially or wholly combined or combined with each other, technically various interlocking and driving are possible, and each embodiment may be implemented independently of each other or may be implemented together in a related relationship.
이하에서 "벤딩부(bending part)"는 표시패널에서 구부러지는 부분을 나타낸다. 벤딩부는 예를 들어 플랙서블 표시패널에서 구부러지는 구성일 수도 있고, 드라이브 IC를 표시장치의 배면에 배치하기 위하여 구부러지는 구성일 수도 있으며, 다면 표시장치(multi display)를 구현하기 위하여 구부러지는 구성일 수도 있다. 이에 한정되지 않는다.Hereinafter, a “bending part” refers to a bent part of the display panel. The bending part may be configured to be bent, for example, in a flexible display panel, to be bent to place the drive IC on the rear surface of the display device, or to be bent to implement a multi-display device may be However, the present invention is not limited thereto.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 다양한 실시예들을 상세히 설명한다.Hereinafter, various embodiments will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
실시예의 표시패널은 구부러질 수 있는 글래스 필름 기판(glass film)을 기반으로 제작된다. 글래스 필름 기판은 0.2mm 두께 이하의 글래스 필름일 수 있다. 글래스 필름은 시판되는 강화 글래스 필름으로 이용될 수 있다. 이하에서 글래스 기판은 글래스 필름 기판으로 해석될 수 있다. The display panel of the embodiment is manufactured based on a bendable glass film substrate. The glass film substrate may be a glass film having a thickness of 0.2 mm or less. The glass film may be used as a commercially available tempered glass film. Hereinafter, the glass substrate may be interpreted as a glass film substrate.
도 1에 도시된 바와 같이 표시패널(100)은 예를 들면, X 축 방향의 폭, Y축 방향의 길이, 그리고 Z축 방향의 일정한 두께를 갖는다. 표시패널(100)은 글래스 기판 상에 회로층과 발광 소자층이 배치될 수 있기 때문에 그 두께는 글래스 기판 보다 두껍다. 표시패널(100)의 폭과 길이는 표시장치의 응용 분야에 따라 다양한 설계치로 설정될 수 있다. 표시패널(100)은 도 1과 같이 대략 장방형의 사각 판상으로 제작될 수 있으나 이에 한정되지 않는다. 예를 들어, 표시패널(100)은 곡선부를 포함한 이형 패널로 제작될 수 있다. As shown in FIG. 1 , the
표시패널(100)은 비벤딩부들(101, 102) 그리고 그 사이에 배치된 벤딩부(100f)를 포함할 수 있다. 벤딩부(100f)는 길이 방향(Y) 또는 폭 방향(X)을 따라 표시패널의 일측 끝단으로부터 타측 끝단까지 가로 지르는 벤딩 라인으로 형성될 수 있다. 표시패널(100)은 외력에 의해 벤딩부(100f)를 중심으로 구부러지거나 접혀질 수 있다. 표시패널(100)의 글래스 기판 두께가 얇으면 작은 힘으로도 충분히 큰 곡률로 유연하게 구부러질 수 있다. The
벤딩부(100f)의 글래스 기판은 비벤딩부들(101, 102)의 글래스 기판 보다 작은 두께를 가질 수 있다. 이로써 폴딩부(100f)의 강성을 향상시키고 벤딩부(100f)와 비벤딩부들(101, 102) 간의 굴절률 차이를 줄일 수 있다.The glass substrate of the bending
실시예는 표시패널(100)이 벤딩부(100f)에서 쉽게 구부러질 수 있도록 벤딩부(100f)의 적어도 일부에 유기물을 포함하는 유기막을 추가할 수 있다. 유기물로는, 신축성이 좋은 수지(resin) 재료 예를 들어, 폴리이미드, 폴리우레탄, 아크릴, 실리콘 합성고무 중 하나 또는 둘 이상의 혼합 물질이 적용될 수 있다. 실리콘 합성고무의 일 예로, PDMS(Polydimethylsiloxane)가 가능하다. In an embodiment, an organic layer including an organic material may be added to at least a portion of the bending
표시패널(100)은 벤딩부(100f)와 비벤딩부들(101, 102)을 포함할 수 있다. 비벤딩부들(101, 102) 중 하나 이상은 입력 영상이 재현되는 표시영역를 포함할 수 있다. 비벤딩부들(101, 102)은 서로 크기가 다를 수 있다. The
도 1을 참조하면, 비벤딩부들(101, 102)은 제1 영역(101)과 제2 영역(102)을 포함할 수 있다. 일 실시예로, 제1 영역(101)은 영상이 표시되는 픽셀 어레이를 포함하고, 제2 영역(102)은 픽셀들을 구동하기 위한 드라이브 IC(Integrated Circuit)가 실장되는 IC 실장 영역을 포함할 수 있다. 다른 실시예로 제1 영역(101)은 영상이 표시되는 픽셀 어레이를 포함하고, 제2 영역(102)은 적어도 일부가 영상 또는 미리 설정된 부가 정보가 표시되는 픽셀 어레이를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 1 , the
제2 영역(102)이 IC 실장 영역으로 이용되는 경우, 제2 영역(102)은 벤딩부(100f)에서 높은 곡률로 구부러져 영상이 표시되는 표시면의 반대면 예를 들어, 제1 영역(101)의 표시면 뒤로 접혀질 수 있다. 다시 말해, 제2 영역(102)은 벤딩부(100f)를 중심으로 구부러져 제1 영역(101)과 180도를 이룰 수 있다. When the
도 2 및 도 3의 예는 폴더블 디스플레이에서 세 개의 비벤딩부들(101, 102, 103) 사이에 배치된 벤딩부들(100f)을 보여 준다. 비벤딩부들(101, 102, 103) 각각은 영상이나 정보가 표시되는 픽셀 어레이를 포함한다. 벤딩부들(100f)은 전술한 바와 같이 글래스와 유기막을 포함할 수 있다.2 and 3
도 4는 제1 실시예에 따른 표시패널의 평면도이다.4 is a plan view of a display panel according to the first exemplary embodiment.
도 5a 내지 도 5d는 도 4에서 선 Ⅰ-Ⅰ'를 따라 절취한 예들을 도시한 단면도이다. 5A to 5D are cross-sectional views illustrating examples taken along line I-I' in FIG. 4 .
도 6a 및 도 6b는 도 4에서 선 Ⅱ-Ⅱ'를 따라 절취한 단면도로서, 도 6a는 도 5a의 예에 대응하는 단면도이고, 도 6b는 도 5b 및 도 5c에 대응하는 단면도이다. 6A and 6B are cross-sectional views taken along the line II-II' in FIG. 4 . FIG. 6A is a cross-sectional view corresponding to the example of FIG. 5A, and FIG. 6B is a cross-sectional view corresponding to FIGS. 5B and 5C.
도 4를 참조하면, 제1 실시예에 따른 표시패널(100)은 벤딩부(100f)와 비벤딩부들(101, 102)를 포함할 수 있다. 비벤딩부들(101, 102)은 제1 영역(101) 및 제2 영역(102)을 포함할 수 있다. 제1 영역(101)은 표시영역일 수 있다. 제2 영역(102)은 제1 영역(101)을 구동하기 위한 드라이브 IC가 배치되는 IC 영역일 수 있다. 그러나 이에 한정되는 것은 아니고, 전술한 바와 같이, 제2 영역(102)은 서브 표시영역일 수 있다. 벤딩부(100f)는 평면상에서 보았을 때, 일 방향으로 연장된 벤딩라인을 형성할 수 있다. 제1 영역(101)과 제2 영역은 벤딩라인을 중심으로 소정 각도 벤딩될 수 있다. Referring to FIG. 4 , the
이하에서는 도 5a 내지 도 5d 및 도 6a, 도 6b를 참조하여 제1 실시예에 따른 표시패널(100)의 적층 구조에 대하여 자세히 설명한다. Hereinafter, the stacked structure of the
도 5a 및 도 6a를 참조하면, 표시패널(100)은 글래스 기판(10), 글래스 기판(10) 위에 배치된 유기막(12), 유기막(12) 상에 순차 적층된 회로층(14) 및 발광 소자층(16)을 포함한다. 표시패널(100)은 회로층(14)과 발광 소자층(16)을 덮는 봉지층(encapsulation layer)(18), 접착제(19)에 의해 봉지층(18)에 부착되는 편광판(20), 및 편광판(20) 상의 커버 윈도우(22)를 더 포함할 수 있다. 도면에 생략되어 있으나, 표시패널(100)에는 터치 센서들이 배열된 터치 스크린이 구현될 수 있다. 예를 들어, 터치 센서들은 봉지층(18)과 편광판(20) 사이에 배치될 수 있다. 5A and 6A , the
유기막(12)은 폴리 이미드계 고분자, 폴리에스터계 고분자, 실리콘계 고분자, 아크릴계 고분자, 폴리올레핀계 고분자 및 이들의 공중합체로 이루어진 군에서 선택된 하나를 포함하는 필름일 수 있다. 폴리이미드는 내산성과 내열성을 가지므로 회로층(14)과 발광 소자층(16)을 형성하기 위한 고온 공정에 적용될 수 있다. 유기막(12)은 후술되는 실시예와 같이 글래스 기판(10) 상에 회로층(14)이 직접 형성될 수 있기 때문에 생략 가능하다. The
회로층(14)은 데이터 라인들, 게이트 라인들과 전원 라인들에 연결된 픽셀 회로, 게이트 라인들에 연결된 게이트 구동부 등을 포함할 수 있다. 픽셀 회로와 게이트 구동부는 TFT(Thin Film Transistor)와 커패시터 등의 회로 소자를 포함할 수 있다. 벤딩부(100f)가 구부러질 때 회로층(14)에 가해지는 인장력과 응력을 줄이기 위하여 회로층(14)은 벤딩부(100f)에서 데이터 라인, 게이트 라인, 전원 라인 들의 배선만 포함할 수 있다. The
발광 소자층(16)은 픽셀 회로의 구동 소자에 의해 구동되는 OLED를 포함할 수 있다. OLED는 애노드와 캐소드 사이에 형성된 유기 화합물층을 포함한다. 유기 화합물층은 정공주입층(Hole Injection layer, HIL), 정공수송층(Hole transport layer, HTL), 발광층(Emission layer, EML), 전자수송층(Electron transport layer, ETL) 및 전자주입층(Electron Injection layer, EIL)을 포함할 수 있으나 이에 한정되지 않는다. OLED의 애노드와 캐소드에 전압이 인가되면 정공수송층(HTL)을 통과한 정공과 전자수송층(ETL)을 통과한 전자가 발광층(EML)으로 이동되어 여기자를 형성하고, 그 결과 발광층(EML)에서 가시광이 방출된다. 발광 소자층(16)은 적색, 녹색 및 청색의 파장을 선택적으로 투과시키는 컬러 필터 어레이를 더 포함할 수 있다. The light emitting
발광 소자층(16)과 회로층(14)은 도면에서 생략된 보호층에 의해 덮여질 수 있다. 보호층과 봉지층(18)은 유리, 금속, 산화 알루미늄(AlOx) 또는 실리콘(Si) 계열 물질로 이루어진 무기막으로 구성되거나, 또는 유기막과 무기막이 교대로 적층된 구조일 수도 있다. 무기막은 수분이나 산소의 침투를 차단한다. 유기막은 무기막의 표면을 평탄화한다. 유기막과 무기막이 여러 겹으로 적층되면, 단일 층에 비해 수분이나 산소의 이동 경로가 길어져 발광 소자층(16)에 영향을 주는 수분/산소의 침투가 효과적으로 차단될 수 있다. The light emitting
봉지층(18) 상에 접착제(19)로 편광판(20)이 접착될 수 있다. 편광판(20)은 외부회로에 연결되는 패드들이 형성되는 영역을 제외한 나머지 가장자리 영역에서절곡 연장되어 유기막(12)의 상면과 접촉하도록 배치될 수 있다. 편광판(20)은 표시장치의 야외 시인성을 개선한다. 편광판(20)은 표시패널(100)의 표면으로부터 반사되는 빛을 줄이고, 회로층의 금속으로부터 반사되는 빛을 차단하여 픽셀들의 밝기를 향상시킨다. 편광판(20)은 선편광판과 위상지연필름이 접합된 편광판 또는 원편광판으로 구현될 수 있다. 편광판(20) 상에 투명한 커버 윈도우(22)가 배치될 수 있다. The
글래스 기판(10)은 판상의 무 알칼리 글래스(Alkali-free glass) 또는 비 알칼리(Non-Alkali glass) 글래스로 제작될 수 있다. 글래스 기판(10)은 벤딩부(100f)와 비벤딩부들(101, 102)로 나뉘어질 수 있다. 비벤딩부들(101, 102)는 제1 영역(101)과 제2 영역(102)을 포함할 수 있다. The
일 실시예로 제1 영역(101)은 영상이 표시되는 픽셀 어레이를 포함하고, 제2 영역(102)은 픽셀들을 구동하기 위한 드라이브 IC(Integrated Circuit)가 실장되는 IC 실장 영역을 포함할 수 있다. 다른 실시예로 제1 영역(101)은 영상이 표시되는 픽셀 어레이를 포함하고, 제2 영역(102)은 적어도 일부가 영상 또는 미리 설정된 부가 정보가 표시되는 픽셀 어레이를 포함할 수 있다. 도 4에는 제2 영역(102)이 IC 실장 영역인 것으로 나타나 있으나 이는 예시적인 것에 불과하다.In an embodiment, the
도 5a를 참조하면 글래스 기판(10)은 벤딩부(100f)의 영역에서제거될 수 있다. 다시 말해, 글래스 기판(10)은 벤딩부(100f)에 위치하는 유기막(12)을 표시패널(100)의 배면으로 노출하도록 형성될 수 있다. 유기막(12)은 전술한 바와 같이 폴리에스터계 고분자, 실리콘계 고분자, 아크릴계 고분자, 폴리올레핀계 고분자 및 이들의 공중합체로 이루어진 군에서 선택된 하나를 포함하는 필름일 수 있다. Referring to FIG. 5A , the
벤딩부(100f)에서 글래스 기판(10)이 제거되는 경우, 표시패널(100)의 벤딩을 용이하게 할 수 있다는 이점을 가질 수 있다. 즉, 벤딩부(100f) 하부에 유기막(12)만 존재하는 경우 표시패널의 벤딩시 표시패널에 가해지는 스트레스를 최소화할 수 있다는 이점을 가질 수 있다. When the
도 5b 내지 도 5d와 도 6b를 참조하면, 표시패널(100)은 도 5a의 글래스 기판(10) 배면에 코팅층(30)을 추가로 더 포함할 수 있다. 5B to 5D and 6B , the
코팅층(30)은 도 5b에 도시된 바와 같이, 유기막(12)을 노출시키는 글래스 기판(10)의 개구부를 채우도록 글래스 기판(10)의 전체 배면에 형성될 수 있다. 즉, 코팅층(30)은 패드부와 패드부에 인접한 영역을 포함한 기판의 배면 전체에 형성될 수 있다. 이 때 편광판(20)은 패드부에 형성되지 않을 수 있다. 다른 실시예에서, 코팅층(30)은 벤딩부(100f)에만 형성될 수도 있다. 또 다른 실시예에서, 코팅층(30)은 글래스 기판(10)의 배면을 평탄화시키도록 형성될 수도 있다.As shown in FIG. 5B , the
코팅층(30)은 또한 도 5c에 도시된 바와 같이, 글래스 기판(10)의 개구부와 패드부에 인접한 영역과 중첩되지 않도록 글래스 기판(10) 배면에 형성될 수도 있다. 이 때 편광판(20)은 패드부에 형성되지 않을 수 있다.The
코팅층(30)은 또한 도 5d에 도시된 바와 같이, 글래스 기판(10)의 개구부와 패드부에 인접한 영역 및 패드부와 중첩되지 않도록 글래스 기판(10) 배면에 형성될 수도 있다. 이 때 편광판(20)은 패드부에 형성되지 않을 수 있다.As shown in FIG. 5D , the
코팅층(30)은 표시패널의 벤딩 특성을 높이기 위해 글래스 기판(10)을 얇게 할 경우 강성(rigidity)이 저하되는 것을 방지할 수 있는 연신능력이 양호한 재료를 이용하여 형성될 수 있다. 이와 달리, 코팅층(30)은 글래스 기판(10)에 스크래치가 발생하는 것을 방지할 수 있는 강화막의 형태로 형성될 수도 있다. The
코팅층(30)은 예를 들면, 폴리에스터계 고분자, 아크릴계 고분자를 포함하는 유기물질로 형성될 수 있다. The
도 7은 제2 실시예에 따른 표시패널의 평면도이다.7 is a plan view of a display panel according to a second exemplary embodiment.
도 8a 내지 도 8d는 도 7에서 선 Ⅰ-Ⅰ'를 따라 절취한 예들을 도시한 단면도이다. 8A to 8D are cross-sectional views illustrating examples taken along line I-I' in FIG. 7 .
도 9a 및 도 9b는 도 7에서 선 Ⅱ-Ⅱ'를 따라 절취한 단면도로서, 도 9a는 도 8a의 예에 대응하는 단면도이고, 도 9b는 도 8b 내지 도 8d에 대응하는 단면도이다. 9A and 9B are cross-sectional views taken along the line II-II' in FIG. 7 . FIG. 9A is a cross-sectional view corresponding to the example of FIG. 8A, and FIG. 9B is a cross-sectional view corresponding to FIGS. 8B to 8D.
이하에서는 도7 내지 도 9b를 참조하여 제2 실시예에 따른 표시패널(100)에 대하여 설명한다. 제1 실시예와 실질적으로 동일한 구성 요소에 대하여는 동일한 도면 부호를 붙이고 그에 대한 설명은 간략히 하고 차이점을 중심으로 설명한다. Hereinafter, the
도 7을 참조하면, 제2 실시예에 따른 표시패널(100)은 벤딩부(100f)와 비벤딩부들(101, 102)를 포함할 수 있다. 비벤딩부들(101, 102)은 제1 영역(101) 및 제2 영역(102)을 포함할 수 있다. 제1 영역(101)은 표시영역일 수 있다. 제2 영역(102)은 제1 영역(101)을 구동하기 위한 드라이브 IC가 배치되는 IC 영역일 수 있다. 그러나 이에 한정되는 것은 아니고, 전술한 바와 같이, 제2 영역(102)은 서브 표시영역일 수 있다. 제2 실시예에 따른 표시패널(100)은 제1 영역(101)의 일부, 벤딩부(100f), 및 제2 영역(102)에 걸쳐 형성되는 부분 유기막(13-1)을 포함할 수 있다. Referring to FIG. 7 , the
이하에서는 도 8a 내지 도 8d 및 도 9a, 도9b를 참조하여 제2 실시예에 따른 표시패널(100)의 적층 구조에 대하여 자세히 설명한다. Hereinafter, the stacked structure of the
도 8a 및 도 9a를 참조하면, 표시패널(100)은 글래스 기판(10), 글래스 기판(10) 위에 순차 배치된 회로층(14) 및 발광 소자층(16)을 포함한다. 표시패널(100)은 회로층(14)과 발광 소자층(16)을 덮는 봉지층(encapsulation layer)(18), 접착제(19)에 의해 봉지층(18)에 부착되는 편광판(20), 및 편광판(20) 상의 커버 윈도우(22)를 더 포함할 수 있다. 8A and 9A , the
제2 실시예에 따른 표시패널(100)은 글래스 기판(10)과 회로층(14) 사이에 배치된 부분 유기막(13-1)을 더 포함할 수 있다. 보다 구체적으로, 부분 유기막(13-1)은 제2 영역(102)과 벤딩부(100f) 및 벤딩부(100f)와 인접한 제1 영역(101)의 일부에서 글래스 기판(10)과 회로층(14) 사이에 배치될 수 있다. The
제2 실시예에 따른 표시패널(100)은 글래스 기판(10)과 회로층(14) 사이에 배치된 보호 유기막(13-2)을 더 포함할 수 있다. 보다 구체적으로, 보호 유기막(13-2)은 도 7에 도시된 바와 같이 글래스 기판(10) 상에서 제1 영역(101)의 가장자리를 따라 배치될 수 있다. 보호 유기막(13-2)의 역할에 대해서는 후술하도록 한다. The
편광판(20)은 제1 실시예에서와 유사하게 외부회로에 연결되는 패드들이 형성되는 영역을 제외한 나머지 가장자리 영역에서 절곡 연장되어 부분 유기막(13-1) 및 보호 유기막(13-2)의 상면과 접촉하도록 배치될 수 있다.The
제1 실시예에 따른 표시패널(100)과 마찬가지로, 글래스 기판(10)은 벤딩부(100f)에서 제거될 수 있다. 다시 말해, 글래스 기판(10)은 벤딩부(100f)에 위치하는 부분 유기막(13-1)을 표시패널(100)의 배면으로 노출하도록 형성될 수 있다. 부분 유기막(13-1)은 폴리에스터계 고분자, 실리콘계 고분자, 아크릴계 고분자, 폴리올레핀계 고분자 및 이들의 공중합체로 이루어진 군에서 선택된 하나를 포함하는 필름일 수 있다. Like the
벤딩부(100f)에서 글래스 기판(10)이 제거되는 경우, 표시패널(100)의 벤딩을 용이하게 할 수 있다는 이점을 가질 수 있다. 즉, 벤딩부(100f) 하부에 부분 유기막(13-1)만 존재하는 경우 표시패널의 벤딩시 표시패널에 가해지는 스트레스를 최소화할 수 있다는 이점을 가질 수 있다.When the
도 8b 내지 도 8d와 도 9b를 참조하면, 표시패널(100)은 도 8a의 글래스 기판(10) 배면에 코팅층(30)을 추가로 더 포함할 수 있다. 8B to 8D and 9B , the
코팅층(30)은 도 8b에 도시된 바와 같이, 부분 유기막(13-1)을 노출시키는 글래스 기판(10)의 개구부를 채우도록 글래스 기판(10)의 전체 배면에 형성될 수 있다. 즉, 코팅층(30)은 패드부와 패드부에 인접한 영역을 포함한 기판의 배면 전체에 형성될 수 있다. 이 때 편광판(20)은 패드부에 형성되지 않을 수 있다.As shown in FIG. 8B , the
코팅층(30)은 또한 도 8c에 도시된 바와 같이, 글래스 기판(10)의 개구부와 패드부에 인접한 영역과 중첩되지 않도록 글래스 기판(10)의 배면에 형성될 수도 있다. 이 때 편광판(20)은 패드부에 형성되지 않을 수 있다.The
코팅층(30)은 또한 도 8d에 도시된 바와 같이, 글래스 기판(10)의 개구부와 패드부에 인접한 영역, 및 패드부와 중첩되지 않도록 글래스 기판(10)의 배면에 형성될 수도 있다. 이 때 편광판(20)은 패드부에 형성되지 않을 수 있다.The
코팅층(30)을 형성하는 재료 및 그 기능은 도 5b 내지 도 5d에서 설명한 것과 동일하므로 중복 설명을 피하기 위해 생략한다. The material for forming the
도 10은 제3 실시예에 따른 표시패널의 평면도이다.10 is a plan view of a display panel according to a third exemplary embodiment.
도 11a 내지 도 10d은 도 10에서 선 Ⅰ-Ⅰ'를 따라 절취한 예들을 도시한 단면도이다. 11A to 10D are cross-sectional views illustrating examples taken along line I-I' in FIG. 10 .
도 12a 및 도 12b는 도 10에서 선 Ⅱ-Ⅱ'를 따라 절취한 단면도로서, 도 12a는 도 11a의 예에 대응하는 단면도이고, 도 12b는 도 11b 내지 도 11d에 대응하는 단면도이다. 12A and 12B are cross-sectional views taken along the line II-II' in FIG. 10, wherein FIG. 12A is a cross-sectional view corresponding to the example of FIG. 11A, and FIG. 12B is a cross-sectional view corresponding to FIGS. 11B to 11D.
이하에서는 도 10 내지 도 12b를 참조하여 제3 실시예에 따른 표시패널(100)에 대하여 설명한다. 제1 실시예와 실질적으로 동일한 구성 요소에 대하여는 동일한 도면 부호를 붙이고 그에 대한 설명은 간략히 하고 차이점을 중심으로 설명한다.Hereinafter, the
도 10을 참조하면, 제3 실시예에 따른 표시패널(100)은 벤딩부(100f)와 비벤딩부들(101, 102)를 포함할 수 있다. 비벤딩부들(101, 102)은 제1 영역(101) 및 제2 영역(102)을 포함할 수 있다. 제1 영역(101)은 표시영역일 수 있다. 제2 영역(102)은 제1 영역(101)을 구동하기 위한 드라이브 IC가 배치되는 IC 영역일 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다. Referring to FIG. 10 , the
이하에서는 도 11a 내지 도 11d 및 도 12a, 도 12b를 참조하여 제3 실시예에 따른 표시패널(100)의 적층 구조에 대하여 설명한다. Hereinafter, a stacked structure of the
도 11a 및 도 12a를 참조하면, 표시패널(100)은 글래스 기판(10), 글래스 기판(10) 위에 순차 배치된 회로층(14) 및 발광 소자층(16)을 포함한다. 표시패널(100)은 회로층(14)과 발광 소자층(16)을 덮는 봉지층(encapsulation layer)(18), 접착제(19)에 의해 봉지층(18)에 부착되는 편광판(20), 및 편광판(20) 상의 커버 윈도우(22)를 더 포함할 수 있다. 11A and 12A , the
제3 실시예에 따른 표시패널(100)은 글래스 기판(10)과 회로층(14) 사이에 배치된 보호 유기막(13-2)을 더 포함할 수 있다. 보다 구체적으로, 보호 제2 유기막(13-2)은 제1 영역(101)의 가장자리에 배치될 수 있다. 보호 유기막(13-2)의 역할에 대해서는 후술하도록 한다.The
편광판(20)은 제1 실시예에서와 유사하게 외부회로에 연결되는 패드들이 형성되는 영역을 제외한 나머지 가장자리 영역에서 절곡 연장되어 보호 유기막(13-2)의 상면과 접촉하도록 배치될 수 있다.Similar to the first embodiment, the
제1 실시예 및 제2 실시예에 따른 표시패널(100)과 달리, 제3 실시예에 따른 표시패널(100)은 벤딩부(100f)에서 글래스 기판(10)을 제거하지 않을 수 있다. 벤딩부(100f)에서 글래스 기판(10)이 제거되지 않더라도, 글래스 기판(10)을 충분히 얇게 형성한다면 글래스 기판(10)만으로도 충분히 큰 곡률로 벤딩이 가능하다. 얇은 글래스 기판(10)은 유연하게 구부러질 수 있고 내산성, 내열성 특성을 가질 수 있다. 따라서, 제3 실시예는 얇은 글래스 기판(10) 상에 회로층(14)이 직접 실장될 수 있다.Unlike the
변형예로, 도11a 내지 도 11d에 도시되지는 않았으나, 벤딩부(100f) 하부의 글래스 기판(10)과 비벤딩부들(101, 102) 하단의 글래스 기판(10)의 두께를 달리 형성할 수도 있다. 예를 들어, 벤딩을 용이하게 하기 위하여 벤딩부(100f)의 글래스 기판(10)은 비벤딩부들(101, 102)의 글래스 기판(10) 보다 더 얇게 형성할 수 있다. As a modification, although not shown in FIGS. 11A to 11D , the thickness of the
제3 실시예에 따른 표시패널(100)은 글래스 기판(10)과 회로층(14) 사이에 배치된 보호 유기막(13-2)을 더 포함할 수 있다. 보다 구체적으로, 보호 유기막(13-2)은 도 10에 도시된 바와 같이 글래스 기판(10) 상에서 제2 영역(102)과 벤딩부(100f)의 서로 대향하는 가장자리, 및 제1 영역(101)의 가장자리를 따라 배치될 수 있다. 보호 유기막(13-2)의 역할에 대해서는 후술하도록 한다. The
도 11b 내지 도 11d와 도 12b를 참조하면, 표시패널(100)은 도 11a의 글래스 기판(10) 배면에 코팅층(30)을 추가로 더 포함할 수 있다. 11B to 11D and 12B , the
코팅층(30)은 도 11b에 도시된 바와 같이, 유기막(12)을 노출시키는 글래스 기판(10)의 개구부를 채우도록 글래스 기판(10)의 전체 배면에 형성될 수 있다. 즉, 코팅층(30)은 패드부와 패드부에 인접한 영역을 포함한 기판의 배면 전체에 형성될 수 있다. 이 때 편광판(20)은 패드부에 형성되지 않을 수 있다.As shown in FIG. 11B , the
코팅층(30)은 또한 도 11c에 도시된 바와 같이, 글래스 기판(10)의 개구부와 패드부에 인접한 영역과 중첩되지 않도록 글래스 기판(10)의 배면에 형성될 수도 있다. 이 때 편광판(20)은 패드부에 형성되지 않을 수 있다. The
코팅층(30)은 또한 도 11d에 도시된 바와 같이, 글래스 기판(10)의 개구부와 패드부에 인접한 영역 및 패드부와 중첩되지 않도록 글래스 기판(10)의 배면에 형성될 수도 있다. 이 때 편광판(20)은 패드부에 형성되지 않을 수 있다.As shown in FIG. 11D , the
코팅층(30)을 형성하는 재료 및 그 기능은 도 5b 내지 도 5d에서 설명한 것과 동일하므로 중복 설명을 피하기 위해 생략한다. 전술한 실시예에 따른 표시패널은 플랙서블 디스플레이 패널로 사용될 수 있다. 이 경우, 글래스 기판(10)이 응용 제품의 요구 곡률로 구부러질 있도록 충분히 얇은 두께로 제작될 수 있다. The material for forming the
얇은 글래스 기판(10)은 유연하지만 가장자리 측벽과 코너부에 충격이 가해지면, 크랙이 발생되거나 파손될 수 있다. 이러한 얇은 글래스 기판(10)의 취약 부분에서 외부로부터 가해지는 충격이나 응력을 분산하기 위하여, 글래스 기판(10)의 가장자리 측벽을 웨지(wedge) 타입으로 가공할 수 있다. Although the
도 13은 본 발명의 제4 실시예에 따른 표시패널의 단면도이다.13 is a cross-sectional view of a display panel according to a fourth exemplary embodiment of the present invention.
도 14는 도 13에서 웨지 타입의 기판 측벽 부분(A)을 확대한 도면이다.FIG. 14 is an enlarged view of a wedge-type substrate sidewall portion A in FIG. 13 .
도 13의 제4 실시예는 웨지 타입의 기판을 적용한 표시패널의 실시예로서, 도 13의 웨지 타입 글래스 기판은 상술한 제1 내지 제3 실시예의 기판 대신 적용될 수 있다. The fourth embodiment of FIG. 13 is an embodiment of a display panel to which a wedge-type substrate is applied, and the wedge-type glass substrate of FIG. 13 may be applied instead of the substrates of the first to third embodiments.
도 13 및 도 14를 참조하면, 제4 실시예의 표시패널(100)은 글래스 기판(10), 글래스 기판(10) 상에 적층된 회로층(14) 및 발광 소자층(16)을 포함한다. 표시패널(100)은 회로층(14)과 발광 소자층(16)을 덮는 봉지층(18), 편광판(20), 및 커버 윈도우(22)를 더 포함할 수 있다. 표시패널(100)은 봉지층(18)과 편광판(20) 사이에 배치된 터치 센서층(13)을 더 포함할 수 있다. 터치 센서층(13)에는 터치 센서들과 터치 센서들을 터치 센서 구동부에 연결하는 터치 센서 배선들이 형성될 수 있다.13 and 14 , the
글래스 기판(10)은 유연하게 구부러질 수 있도록 얇은 두께 예를 들어 200μm 이하의 두께를 갖는 것이 바람직하다. 도면에 도시하지는 않았으나, 전술한 실시예에서와 같이, 글래스 기판(10)상에 유기막(12)이 배치되거나, 글래스 기판(10) 상의 가장자리에 보호 유기막(13-2)이 배치될 수 있다. 또는 전술한 실시예에서와 같이 글래스 기판(10) 상의 제1 영역(101)과 제2 영역(102) 사이 즉, 벤딩부(100f)에 부분 유기막(13-1)이 배치될 수 있다. The
글래스 기판(10)에서 가장자리 측벽은 웨지 타입으로 가공될 수 있다. 글래스 기판(10)에서 두 변이 만나는 코너부의 측벽도 웨지 타입으로 가공될 수 있다. 웨지 타입은 글래스 기판(10)의 가장자리 단면에서 볼 때 도 14에 도시된 바와 같이 글래스 기판(10)의 두께 중심(REF)을 기준으로 글래스 기판(10)의 상부 1/2 두께 부분과, 하부 1/2 두께 부분 각각의 테이퍼 면이 대칭적인 형상을 의미한다. 따라서, 글래스 기판(10)은 가장자리에서 측벽으로 갈수록 상/하 대칭적인 테이퍼 면(10w)으로 인하여 두께가 점진적으로 얇아진다. 글래스 기판(10)에서 테이퍼진 부분은 회로층(14) 밖으로 돌출되고, 글래스 기판(10)의 측벽 끝단으로 갈수록 두께가 얇아진다.In the
글래스 기판(10)의 전체 배면에는 코팅층(30)이 형성될 수 있다. 코팅층(30)은 웨치 타입 글래스 기판(10)이 얇게 형성될 경우 강성을 보강하고, 글래스 기판(10)에 스크래치가 생기는 것을 방지할 수 있다. A
이하에서는 도 15 내지 도 20을 참조하여, 실시예에 따른 표시패널을 제조하는 방법에 대하여 설명한다. Hereinafter, a method of manufacturing a display panel according to an exemplary embodiment will be described with reference to FIGS. 15 to 20 .
도 15는 본 발명의 실시예에 따른 원장 기판을 나타낸 도면이다. 15 is a view showing a mother substrate according to an embodiment of the present invention.
도 15를 참조하면, 실시예에 따른 표시패널(100)은 대형 글래스 기판인 원장 기판(mother glass)(1000) 상에 다수의 셀들(CELL)(1100)에 박막을 형성하는 공정이 동시에 형성된다. 이하에서는 설명의 편의를 위해, 실시예에 따른 원장 기판(1000)을 원장 글래스 기판(1110)이라 한다. 여기서, 하나의 셀(1100)은 하나의 표시패널을 의미한다. Referring to FIG. 15 , in the
다수의 표시패널들(100)이 원가 절감을 위하여 다면취 공정으로 동시에 제조될 수 있다. 먼저 원장기판(1000) 상에 다수의 셀(1100)이 형성될 수 있다. 다수의 셀(1100)이 형성된 이후, 원장 기판(1000) 상에 커팅라인(1000c)을 설정할 수 있다. 각각의 셀(1100)들은 커팅라인(1000c)을 기준으로 원장 기판(1000)으로부터 분리(또는 커팅)되어 표시패널(100)을 형성할 수 있다. A plurality of
커팅라인(1000c)을 설정한 후, 또는 동시에, 원장 기판(1000) 상에 벤딩라인(1000f)을 설정할 수 있다. 벤딩라인(1000f)은 셀(1100)들이 원장기판(1000)으로부터 분리된 이후, 각 표시패널에서 전술한 벤딩부(100f)를 이루는 구성일 수 있다. 따라서 벤딩라인(1000f)은 셀(1100)들이 분리된 후 비폴딩부들을 이루게 될 비폴딩부 형성영역(1001, 1002) 사이에 설정될 수 있다. After setting the
도 16은 제1 실시예에 따른 표시패널의 제조과정을 나타내는 도면으로서 도 15에서 선 A-A'를 따라 절취한 단면도이다. FIG. 16 is a view showing a manufacturing process of the display panel according to the first exemplary embodiment, and is a cross-sectional view taken along line A-A' in FIG. 15 .
도 16을 참조하여, 원장기판(1000)을 커팅라인(1000c)에 따라 커팅하는 방법에 대하여 설명한다.
도 16(a)를 참조하면, 아직 커팅되기 전의 글래스 기판인 원장 글래스 기판(1110) 상에 유기막(12)이 형성된다. 유기막(12)은 각 셀(1100)들 상에 배치된 셀 유기막과 커팅라인(1000c) 영역에 배치된 커팅라인 유기막을 포함한다. 셀 유기막과 커팅라인 유기막은 서로 연결된 하나의 막이다. 즉, 유기막(12)은 원장 글래스 기판(1110) 상에 유기물질을 전면 도포하여 형성할 수 있다. 전술한 바와 같이 유기막(12) 상에는 회로층(14)이 형성되고, 회로층(14) 상에 발광 소자층(16)이 형성된다. 발광소자층 상에 봉지층(18)이 형성되고, 봉지층(18) 상에 편광판(20)이 형성된다. 편광판(20)은 외부회로에 연결되는 패드들이 형성되는 영역을 제외한 나머지 가장자리 영역에서 절곡 연장되어 유기막(12)의 상면과 접촉하도록 배치될 수 있다. 여기에서, 편광판(20)은 코팅 방식으로 형성된 코티드(Coated) 편광판일 수 있지만, 이에 한정되는 것은 아니고 필름 타입의 편광판일 수도 있다. 편광판(20)과 봉지층(18) 사이에 접착제(19)가 도포될 수 있다. A method of cutting the
이 후, 원장 글래스 기판(1110)의 배면에 마스크(1120)를 형성할 수 있다. 마스크(1120)는 커팅라인(1000c)에서 원장 글래스 기판(1110)을 노출할 수 있다. 다시 말해, 마스크(1120)는 커팅라인(1000c)에서 원장 글래스 기판(1110)을 노출하는 개구공을 포함할 수 있다. Thereafter, a
원장 글래스 기판(1110)의 배면에 형성된 마스크(1120)에 형성된 개구공에 식각액을 공급하여 원장 글래스 기판(1110)을 습식 식각할 수 있다. 원장 글래스 기판(1110) 상에 배치된 유기막(12)은 식각액이 회로층(14)으로 침투하는 것을 방지한다. 즉, 유기막(12)은 에치 스토퍼(etch stopper) 역할을 할 수 있다. 식각액은 불산 계열의 식각액을 이용할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. The
도 16(b)을 참조하면, 커팅라인(1000c) 부근의 원장 글래스 기판(1110)을 식각한 후, 마스크(1120)를 원장 글래스 기판(1110)으로부터 제거하고, 원장 글래스 기판(1110)의 배면에 코팅층(30)을 형성할 수 있다. 이 후 커팅라인(1000c)에 위치하는 레이어들(예를 들면, 편광판(20), 유기막(12) 및 코팅층(30))에 레이저를 조사하여 커팅함으로써 원장 기판(1000)으로부터 각 셀(1100)들을 최종적으로 분리하고, 편광판(20) 상에 커버 윈도우(22)를 형성하면 도 16(c)와 같은 표시패널(100)이 완성될 수 있다. Referring to FIG. 16B , after etching the
도 17은 제1 실시예에 따른 표시패널의 제조과정을 나타내는 도면으로서 도 15의 선 B-B'를 따라 절취한 단면도이다. FIG. 17 is a view showing a manufacturing process of the display panel according to the first embodiment, and is a cross-sectional view taken along the line B-B' of FIG. 15 .
도 17을 참조하여, 원장 기판(1000)에 설정된 벤딩라인(1000f)을 따라 원장 글래스 기판(1110)의 일부를 식각하는 방법에 대하여 설명한다. 전술한 바와 같이, 원장 글래스 기판(1110)을 벤딩라인(1000f) 영역에서 식각하는 이유는, 벤딩을 용이하게 하기 위함이다. A method of etching a part of the
도 17(a)를 참조하면, 원장 글래스 기판(1110)의 배면에 마스크(1120)를 형성할 수 있다. 마스크(1120)는 벤딩라인(1000f)에서 원장 글래스 기판(1110)을 노출할 수 있다. 다시 말해, 마스크(1120)는 벤딩라인(1000f)에서 원장 글래스 기판(1110)을 노출하는 개구공을 포함할 수 있다. Referring to FIG. 17A , a
원장 글래스 기판(1110)의 배면에 형성된 마스크(1120)에 형성된 개구공에 식각액을 공급하여 원장 글래스 기판(1110)을 습식 식각할 수 있다. 원장 글래스 기판(1110) 상에 배치된 유기막(12)은 식각액이 회로층(14)으로 침투하는 것을 방지한다. 즉, 유기막(12)은 에치 스토퍼(etch stopper) 역할을 할 수 있다. 식각액은 불산 계열의 식각액을 이용할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. The
도 17(b)을 참조하면, 벤딩라인(1000f) 부근의 원장 글래스 기판(1110)을 식각한 후, 마스크(1120)를 원장 글래스 기판(1110)으로부터 제거하고, 원장 글래스 기판(1110)의 배면에 코팅층(30)을 형성할 수 있다. 이 후 편광판(20) 상에 커버 윈도우(22)를 형성할 수 있다. Referring to FIG. 17B , after etching the
커팅라인(1000c)과 벤딩라인(1000f)에서 원장 글래스 기판(1110)을 노출하는 마스크(1120)는 동일한 마스크이고, 동일한 공정에 의해 형성될 수 있다. 또한 커팅라인(1000c)과 벤딩라인(1000f)에서 원장 글래스 기판(1110)을 식각하는 공정은 동일한 공정이며 동시에 진행될 수 있다. The
도 18은 제2실시예에 따른 표시패널의 제조과정을 나타내는 도면으로서 도 15에서 선 A-A'를 따라 절취한 단면도이다. 도 20은 도 15에서 선 C-C'를 따라 절취한 단면도이다. 18 is a view illustrating a manufacturing process of a display panel according to the second exemplary embodiment, and is a cross-sectional view taken along line A-A' in FIG. 15 . 20 is a cross-sectional view taken along line C-C' in FIG. 15 .
도 18 및 도 20을 참조하여 제2 실시예의 원장기판(1000)을 커팅라인(1000c)에 따라 커팅하는 방법에 대하여 설명한다.A method of cutting the
도 18(a)를 참조하면, 아직 커팅되기 전의 글래스 기판인 원장 글래스 기판(1110) 상에 보호 유기막(13-2)이 형성된다. 도 20을 참조하면 보호 유기막(13-2)은 셀(1100)과 셀(1100) 사이 경계영역에 형성될 수 있다. 원장 글래스 기판(1110) 상에는 회로층(14)이 형성되고, 회로층(14) 상에 발광 소자층(16)이 형성된다. 발광소자층 상에 봉지층(18)이 형성되고, 봉지층(18) 상에 편광판(20)이 형성된다. 편광판(20)과 봉지층(18) 사이에 접착제(19)가 도포될 수 있다. 편광판(20)은 외부회로에 연결되는 패드들이 형성되는 영역을 제외한 나머지 가장자리 영역에서 절곡 연장되어 보호 유기막(13-2)의 상면과 접촉하도록 형성될 수 있다.Referring to FIG. 18A , a protective organic layer 13 - 2 is formed on a
이 후, 원장 글래스 기판(1110)의 배면에 마스크(1120)를 형성할 수 있다. 마스크(1120)는 커팅라인(1000c)에서 원장 글래스 기판(1110)을 노출할 수 있다. 다시 말해, 마스크(1120)는 커팅라인(1000c)에서 원장 글래스 기판(1110)을 노출하는 개구공을 포함할 수 있다. Thereafter, a
원장 글래스 기판(1110)의 배면에 형성된 마스크(1120)에 형성된 개구공에 식각액을 공급하여 원장 글래스 기판(1110)을 습식 식각할 수 있다. 원장 글래스 기판(1110) 상에 배치된 보호 유기막(13-2)은 식각액이 회로층(14)으로 침투하는 것을 방지한다. 즉, 보호 유기막(13-2)은 에치 스토퍼(etch stopper) 역할을 할 수 있다. 식각액은 불산 계열의 식각액을 이용할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. The
도 18(b)을 참조하면, 커팅라인(1000c) 부근의 원장 글래스 기판(1110)을 식각한 후, 마스크(1120)를 원장 글래스 기판(1110)으로부터 제거하고, 원장 글래스 기판(1110)의 배면에 코팅층(30)을 형성할 수 있다. 이 후 커팅라인(1000c)상에 위치하는 레이어들(예를 들면, 편광판(20) ,유기막(12) 및 코팅층(30))에 레이저 조사하여 커팅함으로써 원장 기판(1000)으로부터 각 셀(1100)들을 최종적으로 분리하고, 편광판(20) 상에 커버 윈도우(22)를 형성하면 도 18(c)와 같은 표시패널(100)이 완성될 수 있다. Referring to FIG. 18B , after etching the
도 19는 제2 실시예에 따른 표시패널의 제조과정을 나타내는 도면으로서 도 16에서 선 B-B'를 따라 절취한 단면도이다. 19 is a view showing a manufacturing process of a display panel according to the second exemplary embodiment, and is a cross-sectional view taken along line B-B' in FIG. 16 .
도 19를 참조하여, 원장 기판(1000)에 설정된 벤딩라인(1000f)을 따라 원장 글래스 기판(1110)의 일부를 식각하는 방법에 대하여 설명한다. A method of etching a portion of the
도 19(a)를 참조하면, 제2 실시예는 원장 글래스 기판(1110) 상에 배치된 부분 유기막(13-1)을 포함한다. 부분 유기막(13-1)은 비폴딩부 형성영역(1001, 1002)의 일부와 벤딩라인(1000f)에 걸쳐 형성될 수 있다. Referring to FIG. 19A , the second embodiment includes a partial organic layer 13 - 1 disposed on a
원장 글래스 기판(1110)의 배면에 마스크(1120)를 형성할 수 있다. 마스크(1120)는 벤딩라인(1000f)에서 원장 글래스 기판(1110)을 노출할 수 있다. 다시 말해, 마스크(1120)는 벤딩라인(1000f)에서 원장 글래스 기판(1110)을 노출하는 개구공을 포함할 수 있다. A
원장 글래스 기판(1110)의 배면에 형성된 마스크(1120)에 형성된 개구공에 식각액을 공급하여 원장 글래스 기판(1110)을 습식 식각할 수 있다. 원장 글래스 기판(1110) 상에 배치된 부분 유기막(13-1)은 식각액이 회로층(14)으로 침투하는 것을 방지한다. 즉, 부분 유기막(13-1)은 에치 스토퍼(etch stopper) 역할을 할 수 있다. 식각액은 불산 계열의 식각액을 이용할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. The
도 19(b)을 참조하면, 벤딩라인(1000f) 부근의 원장 글래스 기판(1110)을 식각한 후, 마스크(1120)를 원장 글래스 기판(1110)으로부터 제거하고, 원장 글래스 기판(1110)의 배면에 코팅층(30)을 형성할 수 있다. 이 후 편광판(20) 상에 커버 윈도우(22)를 형성할 수 있다. Referring to FIG. 19B , after etching the
커팅라인(1000c)과 벤딩라인(1000f)에서 원장 글래스 기판(1110)을 노출하는 마스크(1120)는 동일한 마스크이고, 동일한 공정에 의해 형성될 수 있다. 또한 커팅라인(1000c)과 벤딩라인(1000f)에서 원장 글래스 기판(1110)을 식각하는 공정은 동일한 공정이며 동시에 진행될 수 있다. The
제3 실시예에 따른 표시패널은 부분 유기막(13-1)을 가지지 않으므로, 벤딩라인(1000f)에서 원장 글래스 기판(1110)을 식각하는 과정이 없다는 점 외에는 제2 실시예와 동일한 방법으로 제조될 수 있다. Since the display panel according to the third embodiment does not have the partial organic layer 13 - 1 , it is manufactured in the same manner as in the second embodiment except that there is no process of etching the
도 20은 도 15에서 선 C-C'를 따라 절취한 단면도이다. 20 is a cross-sectional view taken along line C-C' in FIG. 15 .
도 20을 참조하여, 실시예에 따른 보호 유기막(13-2)의 역할에 대하여 설명한다. 습식 식각을 이용하여 원장 글래스 기판(1110)을 식각할 때, 식각 방지막 즉 에치 스토퍼(etch stopper)가 없으면 기판 위에 있는 회로층(14) 및 발광 소자층(16)에 식각액이 침투하여 데미지를 줄 수 있다. 제1 실시예와 같이 유기막(12)이 전면에 도포되는 경우, 유기막(12)이 에치 스토퍼 역할을 할 수 있어 문제가 되지 않으나, 제2 실시예와 같이 부분 유기막(13-1)을 사용하거나, 제3 실시예와 같이 기본적으로 유기막을 사용하지 않는 패널의 경우, 식각 공정에서 회로층(14)과 발광 소자층(16)에 식각액이 침투하여 데미지를 줄 수 있다. 본 발명의 실시예들은 식각이 진행될 커팅라인(1000c)에 보호 유기막(13-2) 또는 부분 유기막(13-1) 등 에치 스토퍼 역할을 할 수 있는 구성을 구비함으로써 전술한 문제를 방지할 수 있다. The role of the protective organic layer 13 - 2 according to the embodiment will be described with reference to FIG. 20 . When the
정리하면, 보호 유기막(13-2)은 습식 식각 공정에서 회로층(14) 및 발광 소자층(16)으로 식각액이 유입되어 손상을 주는 것을 막기 위한 구성이다. 식각액이 회로층(14) 발광 소자층(16)으로 침투되는 것을 방지 하기 위하여, 커팅라인(1000c)에 형성되며, 원장 글래스 기판(1110)상에 배치될 수 있다. In summary, the protective organic layer 13 - 2 is configured to prevent the etchant from flowing into the
보호 유기막(13-2)은 폴리 이미드계 고분자, 폴리에스터계 고분자, 실리콘계 고분자, 아크릴계 고분자, 폴리올레핀계 고분자 및 이들의 공중합체로 이루어진 군에서 선택된 하나를 포함하는 필름일 수 있다. The protective organic layer 13 - 2 may be a film including one selected from the group consisting of a polyimide-based polymer, a polyester-based polymer, a silicone-based polymer, an acrylic polymer, a polyolefin-based polymer, and a copolymer thereof.
보호 유기막(13-2)은 필요에 따라 복수의 층을 가질 수 있다. 일 실시예로, 도 20에 도시된 바와 같이, 제1유기막(13-2(a)) 및 제2유기막(13-2(b))을 포함할 수 있다. 제1유기막(13-2(a))과 제2유기막(13-2(b))은 표시패널(100) 상의 다른 층과 동일한 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 제2유기막(13-2(b))은 표시패널(100) 상의 뱅크(Bank)와 동일한 물질로 이루어질 수 있다. 그러나 이에 한정되는 것은 아니고, 유기물질을 포함하고 에치 스토퍼의 역할을 할 수 있는 물질이라면 모두 사용될 수 있다. The protective organic layer 13 - 2 may have a plurality of layers as needed. In one embodiment, as shown in FIG. 20 , the first organic layer 13 - 2 (a) and the second organic layer 13 - 2 (b) may be included. The first organic layer 13 - 2 (a) and the second organic layer 13 - 2 (b) may include the same material as other layers on the
이하에서는 실시예에 따른 원장 글래스 기판(1110)을 식각하는 방법에 보다 대하여 상세히 설명한다. Hereinafter, a method of etching the
실시예는 글래스 원장 기판(1110) 상에 배열된 셀들(1100)을 분리하거나, 벤딩부(100f) 내지는 벤딩라인(1000f)을 형성하기 위하여 습식 식각 방법으로 원장 글래스 기판(1110)의 일부를 식각할 수 있다. 이에 더하여, 실시예는 글래스 기판(10)의 가장자리 측벽을 원하는 형상으로 가공하기 위하여 습식 식각 방법으로 원장 글래스 기판(1110)을 식각할 수 있다. In the embodiment, a part of the
도 21는 원장 글래스 기판의 식각 과정을 나타내는 도면으로서, 원장 글래스 기판을 뒤집어 배면에서 바라본 도면이다. 21 is a view illustrating an etching process of the mother glass substrate, as viewed from the rear side of the mother glass substrate.
도 21을 참조하면, 원장 글래스 기판(1110)의 일면에 마스크(1120)가 배치되고, 원장 글래스 기판(1110)의 타면에 식각 방지막(12, 13-2)이 배치될 수 있다. 식각 방지막(12, 13-2) 상에는 회로층 및 유기발광층 등이 배치되나 설명의 편의를 위해 생략하였다. 마스크(1120)와 식각 방지막(12, 13-2)은 원장 글래스 기판(1110)에 도포되거나 접착되는 유기막일 수 있다. 식각 방지막(12, 13-2)은 식각 공정에서 식각 스토퍼(etch stopper) 역할을 하며, 전술한 실시예의 유기막(12) 또는 보호 유기막(13-2)일 수 있다. 마스크(1120)는 식각액에 글래스를 노출시키는 개구공을 포함할 수 있다. 개구공의 형상과 간격과 식각 공정 시간에 따라 글래스 패턴의 형상, 두께, 간격 등이 결정될 수 있다. 마스크(1120)는 식각 공정 후에 제거될 수 있다.Referring to FIG. 21 , a
본 발명은 마스크(1120)가 접합된 원장 글래스 기판(1110)에 식각액을 분사하거나 침지(deeping) 방법으로 원장 글래스 기판(1110)을 식각액이 담긴 수조에 넣어 원장 글래스 기판(1110)을 식각할 수 있다. In the present invention, the
글래스 식각액이 마스크(1120)의 개구공을 통해 원장 글래스 기판(1110)에 공급된다. 마스크(1120)의 개구공에 노출된 원장 글래스 기판(1110)은 도 21의 (a)와 같이 글래스 식각액에 반응하여 식각되기 시작한다. 도 21의 (b)와 같이 식각액에 노출된 글래스가 식각되어 원장 글래스 기판(1110)에 개구부가 형성되고, 식각 공정 시간이 경과할수록 개구부의 깊이가 도 21의 (c)와 같이 깊어진다. 식각 공정에서 식각 공정 시간이 더 길어지면, 도 21의 (d) 및 (e)에 도시된 바와 같이 식각액이 원장 글래스 기판(1110)과 식각 방지막(50) 사이와, 원장 글래스 기판(1110)과 마스크(1120) 사이로 침투되어 개구부의 측벽 글래스에 테이퍼면(tapered surface)이 형성될 수 있다. The glass etchant is supplied to the
식각 공정 시간이 길어짐에 따라, 식각액에 노출되는 원장 글래스 기판(1110)의 가장자리에 테이퍼 면이 형성되기 시작하고 공정 시간이 더 길어지면 테이퍼 면이 길어진다. 식각 공정에서 글래스 기판(10)의 하부 면이 식각액에 노출되면 글래스 기판(10)의 두께가 낮아지면서 테이퍼 면이 길어진다. 설계치의 글래스 기판 두께와 단면의 웨지 형상에 도달할 때 식각 공정이 중지된다.As the etching process time increases, a tapered surface begins to form on the edge of the
도 22는 글래스 기판(10) 측벽에 형성된 테이퍼 면의 단면 사진이다. 도 23은 글래스 기판(10)의 웨지 타입 측벽의 다양한 예를 보여 주는 도면이다. 도 23은 글래스 기판(10)의 식각 공정에 의해 기판 두께가 감소될 때 테이퍼 면을 보여 주는 글래스 기판의 단면 사진이다. 22 is a cross-sectional photograph of a tapered surface formed on a sidewall of the
도 22를 참조하면, 글래스 기판(10)의 측벽은 테이퍼 면을 포함할 수 있다. 다시 말해, 실시예에 따른 글래스 기판(10) 가장자리 측벽의 두께는 기판 가장자리에서가 기판 중심부에서보다 작을 수 있다. 즉, 글래스 기판(10)의 가장자리 두께는 중심부에서의 거리에 반비례할 수 있다. 이러한 기판 가장자리 측벽의 형상은 도 22에 나타낸 실시예들과 같이 다양하게 나타날 수 있다. 도 22에 나타낸 실시예들은 글래스 기판(10)의 두께 중심을 기준으로 상하 비대칭의 테이퍼면을 가진다. 테이퍼 면의 형상은 이에 한정되지 않고, 도 23 및 24에 나타낸 바와 같이 글래스 기판(10)의 두께 중심을 기준으로 상하 대칭일 수 있다. Referring to FIG. 22 , the sidewall of the
도 23 및 도 24을 참조하면, 글래스 기판(10)의 웨지 타입 측벽은 글래스 기판(10)의 두께 중심(REF)을 기준으로 상하 대칭의 테이퍼 면(10w)이 형성된다. 도 24의 사진과 같이 글래스 기판(10)의 두께가 얇을수록 테이퍼 면(10w)의 길이(L)가 길어질 수 있다. 다시 말해, 테이퍼 면(10w)의 길이(L)는 글래스 기판(10)의 두께에 대하여 반비례 관계일 수 있다.23 and 24 , on the wedge-type sidewall of the
도 25는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치의 일 예를 보여 주는 블록도이다. 도 26은 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시장치의 일 예를 보여 주는 블록도이다. 도 27a 및 도 27b는 도 25에 도시된 표시장치가 접히는 예를 보여 주는 도면들이다. 도 28은 드라이브 IC 구성을 개략적으로 보여 주는 블록도이다.25 is a block diagram illustrating an example of a display device according to an embodiment of the present invention. 26 is a block diagram illustrating an example of a display device according to another embodiment of the present invention. 27A and 27B are views illustrating an example in which the display device of FIG. 25 is folded. 28 is a block diagram schematically showing the configuration of a drive IC.
도 25에 도시된 표시장치에서, 제1 및 제2 영역(101, 102) 사이의 벤딩부(100f)를 중심으로 표시패널(100)이 접어질 수 있다. 제1 영역(101)은 영상이 재현되는 화면의 픽셀 어레이를 포함한다. 제2 영역(102)은 픽셀 어레이를 포함하지 않는다. 드라이브 IC(300)는 제2 영역(102)에 실장되고, 제2 영역(102)은 제1 영역(101)의 뒤로 접혀질 수 있다. In the display device illustrated in FIG. 25 , the
도 26에 도시된 표시장치에서, 표시패널(100)은 벤딩부(100f)를 중심으로 접혀지는 비벤딩부들(101, 102)을 포함한다. 이 표시패널(100)에서 벤딩부(100f)와 비벤딩부들(101, 102)은 입력 영상이 재현되는 픽셀 어레이를 포함할 수 있다. 도 25에 도시되 표시장치는 표시패널(100)이 펴질 때 표시패널(100)의 화면 전체가 활성화되어 최대 화면 상에 영상을 표시할 수 있다. 표시패널(100)이 접혀질 때 화면의 일부가 활성화되어 최대 화면 보다 작은 활성화 영역 상에 영상을 표시하고 비활성화 영역 상에 블랙(black) 컬러가 표시하거나 이전 영상이 유지될 수 있다. In the display device illustrated in FIG. 26 , the
도 25 내지 도 28을 참조하면, 표시장치는 화면 상에 픽셀 어레이가 배치된 표시패널(100)과, 표시패널 구동부를 포함한다. 25 to 28 , the display device includes a
표시패널(100)의 픽셀 어레이는 데이터 라인들(DL), 데이터 라인들(DL)과 교차되는 게이트 라인들(GL), 및 데이터 라인들(DL)과 게이트 라인들(GL)에 의해 정의된 매트릭스 형태로 배열된 픽셀들(P)을 포함한다. 이 표시패널(100)의 구조는 전술한 실시예들과 같이 글래스 기판(10) 상에 적층된 회로층과 발광 소자층을 포함한다. 발광 소자층은 픽셀 회로의 발광 소자를 포함한다.The pixel array of the
도 26에 도시된 표시패널(100)은 도 27a에 도시된 인 폴딩(infolding) 방식 또는 도 27b에 도시된 아웃 폴딩(out folding) 방식으로 접혀질 수 있다. 인폴딩 방법에서 영상이 표시되는 화면이 표시패널(100)에서 접혀지는 안쪽면이다. 따라서, 인폴딩 방법에서 표시패널(100)이 접혀지면 화면이 외부에 노출되지 않는다. 아웃폴딩 방법에서 표시패널(100)은 도 27b에 도시된 바와 같이 표시패널(100)이 접혀질 때 화면이 외부에 노출된 바깥면이다.The
픽셀들(P) 각각은 컬러 구현을 위하여 컬러가 다른 서브 픽셀들을 포함한다. 서브 픽셀들은 적색(Red, 이하 "R 서브 픽셀"이라 함), 녹색(Green, 이하 "G 서브 픽셀"이라 함), 및 청색(Blue, 이하 "B 서브 픽셀"이라 함)을 포함한다. 도시하지 않았으나 픽셀들(P) 각각은 백색 서브 픽셀이 더 포함될 수 있다. 이하에서 픽셀은 별도의 정의가 없으면 서브 픽셀로 해석될 수 있다. 서브 픽셀들 각각은 픽셀 회로를 포함할 수 있다. Each of the pixels P includes sub-pixels having different colors for color implementation. The sub-pixels include red (hereinafter referred to as “R sub-pixel”), green (hereinafter referred to as “G sub-pixel”), and blue (hereinafter referred to as “B sub-pixel”). Although not shown, each of the pixels P may further include a white sub-pixel. Hereinafter, a pixel may be interpreted as a sub-pixel unless otherwise defined. Each of the sub-pixels may include a pixel circuit.
픽셀 회로는 발광 소자, 발광 소자에 전류를 공급하는 구동 소자, 구동 소자의 도통 조건을 프로그래밍하고 구동 소자와 발광 소자의 전류 패스(current path)를 스위칭하는 복수의 스위치 소자, 구동 소자의 게이트 전압을 유지하는 커패시터 등을 포함할 수 있다.The pixel circuit includes a light emitting device, a driving device for supplying current to the light emitting device, a plurality of switch devices for programming a conduction condition of the driving device and switching current paths between the driving device and the light emitting device, and a gate voltage of the driving device. It may include a capacitor to hold it.
표시패널 구동부는 입력 영상의 픽셀 데이터를 픽셀들(P)에 기입한다. 표시패널 구동부는 픽셀 데이터의 데이터 전압을 데이터 라인들(DL)에 공급하는 데이터 구동부(306)와, 게이트 펄스를 게이트 라인들(GL)에 순차적으로 공급하는 게이트 구동부(120)를 포함한다. 데이터 구동부(306)는 드라이브 IC(300)에 집적될 수 있다. The display panel driver writes the pixel data of the input image to the pixels P. The display panel driver includes a
드라이브 IC(300)는 표시패널(100) 상에 접착될 수 있다. 드라이브 IC(300)는 호스트 시스템(200)으로부터 입력 영상의 픽셀 데이터와 타이밍 신호를 입력 받아 픽셀들에 픽셀 데이터의 데이터 전압을 공급하고, 데이터 구동부(306)와 게이트 구동부(120)를 동기시킨다. The
드라이브 IC(300)는 데이터 출력 채널들을 통해 데이터 라인들(DL1~DL6)에 연결되어 데이터 라인들에 데이터 신호의 전압을 공급한다. 드라이브 IC(300)는 게이트 타이밍 신호 출력 채널들을 통해 게이트 구동부(120)를 제어하기 위한 게이트 타이밍 신호를 출력할 수 있다. 타이밍 콘트롤러(303)로부터 발생된 게이트 타이밍 신호는 스타트 펄스(Gate start pulse, VST), 시프트 클럭(Gate shift clock, CLK) 등을 포함할 수 있다. 스타트 펄스(VST)와 시프트 클럭(CLK)은 게이트 온 전압(VGL)과 게이트 오프 전압(VGH) 사이에서 스윙한다. 레벨 시프터(307)로부터 출력된 게이트 타이밍 신호(VST, CLK)는 게이트 구동부(120)에 인가되어 게이트 구동부(120)의 시프트 동작을 제어한다. The
게이트 구동부(120)는 픽셀 어레이와 함께 표시패널(100)의 회로층에 형성되는 시프트 레지스터(shift register)를 포함할 수 있다. 게이트 구동부(120)의 시프트 레지스터는 타이밍 콘트롤러의 제어 하에 게이트 신호를 게이트 라인들(GL)에 순차적으로 공급한다. 게이트 신호는 스캔 펄스와, 발광 신호의 EM 펄스를 포함할 수 있다. 시프트 레지스터는 스캔 펄스를 출력하는 스캔 구동부와, EM 펄스를 출력하는 EM 구동부를 포함할 수 있다. 도 27에서 GVST와 GCLK은 스캔 구동부에 입력되는 게이트 타이밍 신호이다. EVST와 ECLK은 EM 구동부에 입력되는 게이트 타이밍 신호이다.The
드라이브 IC(300)는 호스트 시스템(200), 제1 메모리(301), 및 표시패널(100)에 연결될 수 있다. 드라이브 IC(300)는 데이터 수신 및 연산부(308), 타이밍 콘트롤러(303), 데이터 구동부(306), 감마 보상 전압 발생부(305), 전원부(304), 제2 메모리(302) 등을 포함할 수 있다. The
데이터 수신 및 연산부(308)는 호스트 시스템(200)으로부터 디지털 신호로 입력된 픽셀 데이터를 수신하는 수신부와, 수신부를 통해 입력된 픽셀 데이터를 처리하여 화질을 향상시키는 데이터 연산부를 포함한다. 데이터 연산부는 압축된 픽셀 데이터를 디코딩(Decoding)하여 복원하는 데이터 복원부와, 미리 설정된 광학 보상값을 픽셀 데이터에 더하는 광학 보상부 등을 포함할 수 있다. 광학 보상값은 제조 공정에서 촬영된 카메라 영상을 바탕으로 측정된 화면의 휘도를 바탕으로 픽셀 데이터 각각의 휘도를 보정하기 위한 값으로 설정될 수 있다. The data receiving and calculating
타이밍 콘트롤러(303)는 호스트 시스템(200)으로부터 수신되는 입력 영상의 픽셀 데이터를 데이터 구동부(306)에 제공한다. 타이밍 콘트롤러(303)는 게이트 구동부(120)를 제어하기 위한 게이트 타이밍 신호와, 데이터 구동부(306)를 제어하기 위한 소스 타이밍 신호를 발생하여 게이트 구동부(120)와 데이터 구동부(306)의 동작 타이밍을 제어한다. The
데이터 구동부(306)는 디지털-아날로그 변환기(Digital to Analog converter, 이하 "DAC"라 함)를 통해 타이밍 콘트롤러(303)로부터 수신된 픽셀 데이터(디지털 신호)를 감마 보상 전압으로 변환하여 데이터 신호(DATA1~DATA6)의 전압(이하, "데이터 전압"이라 함)을 출력한다. 데이터 구동부(306)로부터 출력된 데이터 전압은 드라이브 IC(300)의 데이터 채널에 연결된 출력 버퍼(Source AMP)를 통해 픽셀 어레이의 데이터 라인들(DL1~DL6)에 공급된다.The
감마 보상 전압 발생부(305)는 전원부(304)로부터의 감마 기준 전압을 분압 회로를 통해 분압하여 계조별 감마 보상 전압을 발생한다. 감마 보상 전압은 픽셀 데이터의 계조별로 전압이 설정된 아날로그 전압이다. 감마 보상 전압 발생부(305)로부터 출력된 감마 보상 전압은 데이터 구동부(306)에 제공된다. The gamma
전원부(304)는 직류-직류 변환기(DC-DC Converter)를 이용하여 표시패널(100)의 픽셀 어레이, 게이트 구동부(120), 및 드라이브 IC(300)의 구동에 필요한 전원을 발생한다. 직류-직류 변환기는 차지 펌프(Charge pump), 레귤레이터(Regulator), 벅 변환기(Buck Converter), 부스트 변환기(Boost Converter) 등을 포함할 수 있다. 전원부(304)는 호스트 시스템(200)으로부터의 직류 입력 전압을 조정하여 감마 기준 전압, 게이트 온 전압(VGL). 게이트 오프 전압(VGH), 픽셀 구동 전압(ELVDD), 저전위 전원 전압(ELVSS), 초기화 전압(Vini) 등의 직류 전원을 발생할 수 있다. 감마 기준 전압은 감마 보상 전압 발생부(305)에 공급된다. 게이트 온 전압(VGL)과 게이트 오프 전압(VGH)은 레벨 시프터(307)와 게이트 구동부(120)에 공급된다. 픽셀 구동 전압(ELVDD), 저전위 전원 전압(ELVSS), 초기화 전압(Vini) 등의 픽셀 전원은 픽셀들(P)에 공통으로 공급된다. 초기화 전압(Vini)은 픽셀 구동 전압(ELVDD)보다 낮고 발광 소자(OLED)의 문턱 전압 보다 낮은 직류 전압으로 설정되어 발광 소자(OLED)의 발광을 억제한다. The
제2 메모리(302)는 드라이브 IC(300)에 전원이 입력될 때 제1 메모리(301)로부터 수신된 보상값, 레지스터 설정 데이터 등을 저장한다. 보상값은 화질 향상을 한 다양한 알고리즘에 적용될 수 있다. 보상값은 광학 보상값을 포함할 수 있다. 레지스터 설정 데이터는 데이터 구동부(306), 타이밍 콘트롤러(303), 감마 보상 전압 발생부(305) 등의 동작을 정의한다. 제1 메모리(301)는 플래시 메모리(Flash memory)를 포함할 수 있다. 제2 메모리(302)는 SRAM(Static RAM)을 포함할 수 있다.The
호스트 시스템(200)은 AP(Application Processor)로 구현될 수 있다. 호스트 시스템(200)은 MIPI(Mobile Industry Processor Interface)를 통해 드라이브 IC(300)에 입력 영상의 픽셀 데이터를 전송할 수 있다. 호스트 시스템(200)은 가요성 인쇄 회로 예를 들면, FPC(Flexible Printed Circuit) 를 통해 드라이브 IC(300)에 연결될 수 있다.The
호스트 시스템(200)은 센서를 이용하여 도 25에 도시된 표시패널(100)의 폴딩 및 언폴딩 상태를 감지하고, 폴딩 각도를 센싱할 수 있다. The
본 발명의 표시장치에서 픽셀 회로와 게이트 구동부는 복수의 트랜지스터들을 포함할 수 있다. 트랜지스터들은 산화물 반도체를 포함한 Oxide TFT(Thin Film Transistor), 저온 폴리 실리콘(Low Temperature Poly Silicon, LTPS)을 포함한 LTPS TFT 등으로 구현될 수 있다. 트랜지스터들 각각은 p 채널 TFT 또는 n 채널 TFT로 구현될 수 있다. 실시예에서 픽셀 회로의 트랜지스터들이 p 채널 TFT로 구현된 예를 중심으로 설명되지만 본 발명은 이에 한정되지 않는다. In the display device of the present invention, the pixel circuit and the gate driver may include a plurality of transistors. The transistors may be implemented as an oxide TFT (Thin Film Transistor) including an oxide semiconductor, an LTPS TFT including a Low Temperature Poly Silicon (LTPS), or the like. Each of the transistors may be implemented as a p-channel TFT or an n-channel TFT. In the embodiment, the description will be focused on an example in which the transistors of the pixel circuit are implemented as p-channel TFTs, but the present invention is not limited thereto.
트랜지스터는 게이트(gate), 소스(source) 및 드레인(drain)을 포함한 3 전극 소자이다. 소스는 캐리어(carrier)를 트랜지스터에 공급하는 전극이다. 트랜지스터 내에서 캐리어는 소스로부터 흐르기 시작한다. 드레인은 트랜지스터에서 캐리어가 외부로 나가는 전극이다. 트랜지스터에서 캐리어의 흐름은 소스로부터 드레인으로 흐른다. n 채널 트랜지스터의 경우, 캐리어가 전자(electron)이기 때문에 소스로부터 드레인으로 전자가 흐를 수 있도록 소스 전압이 드레인 전압보다 낮은 전압을 가진다. n 채널 트랜지스터에서 전류의 방향은 드레인으로부터 소스 쪽으로 흐른다. p 채널 트랜지스터(PMOS)의 경우, 캐리어가 정공(hole)이기 때문에 소스로부터 드레인으로 정공이 흐를 수 있도록 소스 전압이 드레인 전압보다 높다. p 채널 트랜지스터에서 정공이 소스로부터 드레인 쪽으로 흐르기 때문에 전류가 소스로부터 드레인 쪽으로 흐른다. 트랜지스터의 소스와 드레인은 고정된 것이 아니라는 것에 주의하여야 한다. 예컨대, 소스와 드레인은 인가 전압에 따라 변경될 수 있다. 따라서, 트랜지스터의 소스와 드레인으로 인하여 발명이 제한되지 않는다. 이하의 설명에서 트랜지스터의 소스와 드레인을 제1 및 제2 전극으로 칭하기로 한다.A transistor is a three-electrode device including a gate, a source, and a drain. The source is an electrode that supplies a carrier to the transistor. In the transistor, carriers begin to flow from the source. The drain is an electrode through which carriers exit the transistor. In a transistor, the flow of carriers flows from source to drain. In the case of an n-channel transistor, the source voltage is lower than the drain voltage so that electrons can flow from the source to the drain because carriers are electrons. In an n-channel transistor, the direction of current flows from drain to source. In the case of a p-channel transistor (PMOS), since carriers are holes, the source voltage is higher than the drain voltage so that holes can flow from the source to the drain. In a p-channel transistor, current flows from the source to the drain because holes flow from the source to the drain. It should be noted that the source and drain of the transistor are not fixed. For example, the source and drain may be changed according to an applied voltage. Accordingly, the invention is not limited by the source and drain of the transistor. In the following description, the source and drain of the transistor will be referred to as first and second electrodes.
게이트 펄스는 게이트 온 전압(Gate On Voltage)과 게이트 오프 전압(Gate Off Voltage) 사이에서 스윙(swing)한다. 게이트 온 전압은 트랜지스터의 문턱 전압 보다 높은 전압으로 설정되며, 게이트 오프 전압은 트랜지스터의 문턱 전압 보다 낮은 전압으로 설정된다. 트랜지스터는 게이트 온 전압에 응답하여 턴온(turn-on)되는 반면, 게이트 오프 전압에 응답하여 턴오프(turn-off)된다. n 채널 트랜지스터의 경우에, 게이트 온 전압은 게이트 하이 전압(Gate High Voltage, VGH)이고, 게이트 오프 전압은 게이트 로우 전압(Gate Low Voltage, VGL)일 수 있다. p 채널 트랜지스터의 경우에, 게이트 온 전압은 게이트 로우 전압(VGL)이고, 게이트 오프 전압은 게이트 하이 전압(VGH)일 수 있다.The gate pulse swings between a gate on voltage and a gate off voltage. The gate-on voltage is set to a voltage higher than the threshold voltage of the transistor, and the gate-off voltage is set to a voltage lower than the threshold voltage of the transistor. The transistor is turned on in response to the gate-on voltage, while turned off in response to the gate-off voltage. In the case of an n-channel transistor, the gate-on voltage may be a gate high voltage (VGH), and the gate-off voltage may be a gate low voltage (VGL). In the case of the p-channel transistor, the gate-on voltage may be the gate low voltage VGL, and the gate-off voltage may be the gate high voltage VGH.
픽셀들 각각에서 구동 소자는 트랜지스터로 구현될 수 있다. 구동 소자는 모든 픽셀들 간에 그 전기적 특성이 균일하여야 하지만 공정 편차와 소자 특성 편차로 인하여 픽셀들 간에 차이가 있을 수 있고 디스플레이 구동 시간의 경과에 따라 변할 수 있다. 이러한 구동 소자의 전기적 특성 편차를 보상하기 위해, 표시장치는 내부 보상 회로와 외부 보상 회로를 포함할 수 있다. 내부 보상 회로는 서브 픽셀들 각각에서 픽셀 회로에 추가되어 구동 소자의 전기적 특성에 따라 변하는 구동 소자의 문턱 전압(Vth) 및/또는 이동도(μ)를 샘플링하고 그 변화를 실시간 보상한다. 외부 보상 회로는 서브 픽셀들 각각에 연결된 센싱 라인을 통해 센싱된 구동 소자의 문턱 전압 및/또는 이동도를 외부의 보상부로 전송한다. 외부 보상 회로의 보상부는 센싱 결과를 반영하여 입력 영상의 픽셀 데이터를 변조함으로써 구동 소자의 전기적 특성 변화를 보상한다. 외부 보상 구동 소자의 전기적 특성에 따라 변하는 픽셀의 전압을 센싱하고, 센싱된 전압을 바탕으로 외부 회로에서 입력 영상의 데이터를 변조함으로써 픽셀들 간 구동 소자의 전기적 특성 편차를 보상한다.A driving element in each of the pixels may be implemented as a transistor. Although the driving device should have uniform electrical characteristics among all pixels, there may be differences between pixels due to process variations and device characteristics variations and may change with the lapse of display driving time. In order to compensate for the deviation in the electrical characteristics of the driving element, the display device may include an internal compensation circuit and an external compensation circuit. The internal compensation circuit is added to the pixel circuit in each of the sub-pixels to sample the threshold voltage (Vth) and/or mobility (μ) of the driving device that change according to the electrical characteristics of the driving device, and compensate for the change in real time. The external compensation circuit transmits the threshold voltage and/or mobility of the driving device sensed through a sensing line connected to each of the sub-pixels to an external compensator. The compensator of the external compensation circuit compensates for changes in electrical characteristics of the driving element by modulating pixel data of the input image by reflecting the sensing result. The voltage of the pixel that changes according to the electrical characteristics of the external compensation driving element is sensed, and the electric characteristic deviation of the driving element between pixels is compensated by modulating the input image data in an external circuit based on the sensed voltage.
도 29는 픽셀 회로의 일 예를 보여 주는 회로도이다. 도 29은 도 28에 도시된 픽셀 회로의 구동 방법을 보여 주는 도면이다. 본 발명에 적용 가능한 픽셀 회로는 도 29 및 도 30에 한정되지 않는다.29 is a circuit diagram illustrating an example of a pixel circuit. FIG. 29 is a diagram illustrating a method of driving the pixel circuit shown in FIG. 28 . The pixel circuit applicable to the present invention is not limited to FIGS. 29 and 30 .
도 29 및 도 30을 참조하면, 픽셀 회로는 발광 소자(OLED), 발광 소자(OLED)에 전류를 공급하는 구동 소자(DT), 및 복수의 스위치 소자들(M1~M6)을 이용하여 구동 소자(DT)의 문턱 전압(Vth)을 샘플링하여 구동 소자(DT)의 문턱 전압(Vth)만큼 구동 소자(DT)의 게이트 전압을 보상하는 내부 보상 회로를 포함한다. 구동 소자(DT)와 스위치 소자들(M1~M6) 각각은 p 채널 TFT로 구현될 수 있다.29 and 30 , the pixel circuit is a driving device using a light emitting device OLED, a driving device DT for supplying current to the light emitting device OLED, and a plurality of switch devices M1 to M6 . and an internal compensation circuit for sampling the threshold voltage Vth of DT and compensating for the gate voltage of the driving device DT by the threshold voltage Vth of the driving device DT. Each of the driving element DT and the switch elements M1 to M6 may be implemented as a p-channel TFT.
내부 보상 회로를 이용한 픽셀 회로의 구동 기간은 초기화 기간(Tini), 샘플링 기간(Tsam), 데이터 기입 기간(Twr), 및 발광 기간(Tem)으로 나뉘어질 수 있다. The driving period of the pixel circuit using the internal compensation circuit may be divided into an initialization period Tini, a sampling period Tsam, a data writing period Twr, and a light emission period Tem.
초기화 기간(Tini) 동안, 제N-1 스캔 신호[SCAN(N-1)]가 게이트 온 전압(VGL)의 펄스로 발생되고, 제N 스캔 신호[SCAN(N)]와 발광 신호[EM(N)] 각각의 전압이 게이트 오프 전압(VGH)이다. 샘플링 기간 동안(Tsam), 제N 스캔 신호[SCAN(N)]가 게이트 온 전압(VGL)의 펄스로 발생되고, 제N-1 스캔 신호[SCAN(N-1)]와 발광 신호[EM(N)] 각각의 전압이 게이트 오프 전압(VGH)이다. 데이터 기입 기간(Twr) 동안, 제N-1 스캔 신호[SCAN(N-1)], 제N 스캔 신호[SCAN(N)], 및 발광 신호[EM(N)] 각각의 전압이 게이트 오프 전압(VGH)이다. 발광 기간(Tem)의 적어도 일부 기간 동안 발광 신호[EM(N)]가 게이트 온 전압(VGL)으로 발생되고, 제N-1 스캔 신호[SCAN(N-1)]와 제N 스캔 신호[SCAN(N)] 각각의 전압이 게이트 오프 전압(VGH)으로 발생된다.During the initialization period Tini, the N-1 th scan signal [SCAN(N-1)] is generated as a pulse of the gate-on voltage VGL, and the N-th scan signal [SCAN(N)] and the light emission signal [EM( N)] each voltage is the gate-off voltage VGH. During the sampling period (Tsam), the N-th scan signal [SCAN(N)] is generated as a pulse of the gate-on voltage (VGL), and the N-1th scan signal [SCAN(N-1)] and the emission signal [EM( N)] each voltage is the gate-off voltage VGH. During the data writing period Twr, voltages of the N-1 th scan signal [SCAN(N-1)], the N-th scan signal [SCAN(N)], and the light emission signal [EM(N)] are respectively a gate-off voltage (VGH). The emission signal EM(N) is generated as the gate-on voltage VGL during at least a part of the emission period Tem, and the N-1th scan signal SCAN(N-1) and the Nth scan signal SCAN (N)] Each voltage is generated as a gate-off voltage VGH.
초기화 기간(Tin) 동안, 제N-1 스캔 신호[SCAN(N-1)]의 게이트 온 전압(VGL)에 따라 제5 및 제6 스위치 소자들(M5, M6)이 턴-온되어 픽셀 회로를 초기화한다. 샘플링 기간(Tsam) 동안, 제N 스캔 신호[SCAN(N)]의 게이트 온 전압(VGL)에 따라 제1 및 제2 스위치 소자들(M1, M2)이 턴-온되어 구동 소자(DT)의 문턱 전압이 샘플링되어 커패시터(Cst)에 저장된다. 데이터 기입 기간(Twr) 동안, 제1 내지 제6 스위치 소자들(M1~M6)이 오프 상태를 유지한다. 발광 기간(Tem) 동안, 제3 및 제4 스위치 소자들(M1, M2)이 턴-온되어 발광 소자(OLED)가 발광된다. 발광 기간(Tem)은 저 계조의 휘도를 정밀하게 발광 신호[EM(N)]의 듀티비(duty ration)로 정밀하게 표현하기 위하여, 발광 신호[EM(N)]가 게이트 온 전압(VGL)과 게이트 오프 전압(VGH) 사이에서 소정의 듀티비로 스윙하여 제3 및 제4 스위치 소자들(M1, M2)이 온/오프를 반복할 수 있다. During the initialization period Tin, the fifth and sixth switch elements M5 and M6 are turned on according to the gate-on voltage VGL of the N-1 th scan signal SCAN(N-1) to turn on the pixel circuit to initialize During the sampling period Tsam, the first and second switch elements M1 and M2 are turned on according to the gate-on voltage VGL of the N-th scan signal SCAN(N) so that the driving element DT is turned on. The threshold voltage is sampled and stored in the capacitor Cst. During the data writing period Twr, the first to sixth switch elements M1 to M6 maintain an off state. During the light emission period Tem, the third and fourth switch elements M1 and M2 are turned on to emit light. In the light emission period Tem, the light emission signal [EM(N)] is the gate-on voltage (VGL) in order to precisely express the luminance of the low grayscale as the duty ratio of the light emission signal [EM(N)]. The third and fourth switch elements M1 and M2 may repeatedly turn on/off by swinging at a predetermined duty ratio between the gate-off voltage VGH.
발광 소자(OLED)는 유기 발광 다이오드로 구현되거나 무기 발광 다이오드로 구현될 수 있다. 이하에서 발광 소자(OLED)가 유기 발광 다이오드로 구현된 예를 설명하기로 한다. The light emitting device OLED may be implemented as an organic light emitting diode or as an inorganic light emitting diode. Hereinafter, an example in which the light emitting device (OLED) is implemented as an organic light emitting diode will be described.
발광 소자(OLED)는 애노드와 캐소드 사이에 형성된 유기 화합물층을 포함할 수 있다. 유기 화합물층은 정공주입층(Hole Injection layer, HIL), 정공수송층(Hole transport layer, HTL), 발광층(Emission layer, EML), 전자수송층(Electron transport layer, ETL) 및 전자주입층(Electron Injection layer, EIL)을 포함할 수 있으나 이에 한정되지 않는다. OLED의 애노드와 캐소드에 전압이 인가되면 정공수송층(HTL)을 통과한 정공과 전자수송층(ETL)을 통과한 전자가 발광층(EML)으로 이동되어 여기자가 형성되어 발광층(EML)에서 가시광이 방출된다.The light emitting device OLED may include an organic compound layer formed between an anode and a cathode. The organic compound layer includes a hole injection layer (HIL), a hole transport layer (HTL), an emission layer (EML), an electron transport layer (ETL) and an electron injection layer (Electron Injection layer, EIL), but is not limited thereto. When a voltage is applied to the anode and cathode of the OLED, holes passing through the hole transport layer (HTL) and electrons passing through the electron transport layer (ETL) are moved to the light emitting layer (EML), excitons are formed, and visible light is emitted from the light emitting layer (EML). .
발광 소자(OLED)의 애노드는 제4 및 제6 스위치 소자들(M4, M6) 사이의 제4 노드(n4)에 연결된다. 제4 노드(n4)는 발광 소자(OLED)의 애노드, 제4 스위치 소자(M4)의 제2 전극, 및 제6 스위치 소자(M6)의 제2 전극에 연결된다. 발광 소자(OLED)의 캐소드는 저전위 전원 전압(VSS)이 인가되는 VSS 전극(PL3)에 연결된다. 발광 소자(OLED)는 구동 소자(DT)의 게이트-소스간 전압(Vgs)에 따라 흐르는 전류(Ids)로 발광된다. 발광 소자(OLED)의 전류 패스는 제3 및 제4 스위치 소자(M3, M4)에 의해 스위칭된다.The anode of the light emitting element OLED is connected to the fourth node n4 between the fourth and sixth switch elements M4 and M6. The fourth node n4 is connected to the anode of the light emitting element OLED, the second electrode of the fourth switch element M4, and the second electrode of the sixth switch element M6. The cathode of the light emitting device OLED is connected to the VSS electrode PL3 to which the low potential power voltage VSS is applied. The light emitting device OLED emits light with a current Ids flowing according to the gate-source voltage Vgs of the driving device DT. A current path of the light emitting element OLED is switched by the third and fourth switch elements M3 and M4.
스토리지 커패시터(Cst)는 VDD 라인(PL1)과 제1 노드(n1) 사이에 연결된다. 구동 소자(DT)의 문턱 전압(Vth) 만큼 보상된 데이터 전압(Vdata)이 스토리지 커패시터(Cst)에 충전된다. 서브 픽셀들 각각에서 데이터 전압(Vdata)이 구동 소자(DT)의 문턱 전압(Vth) 만큼 보상되기 때문에 서브 픽셀들에서 구동 소자(DT)의 특성 편차가 보상된다. The storage capacitor Cst is connected between the VDD line PL1 and the first node n1. The data voltage Vdata compensated by the threshold voltage Vth of the driving element DT is charged in the storage capacitor Cst. Since the data voltage Vdata in each of the sub-pixels is compensated by the threshold voltage Vth of the driving device DT, the characteristic deviation of the driving device DT in the sub-pixels is compensated.
제1 스위치 소자(M1)는 제N 스캔 펄스[SCAN(N)]의 게이트 온 전압(VGL)에 응답하여 턴-온되어 제2 노드(n2)와 제3 노드(n3)를 연결한다. 제2 노드(n2)는 구동 소자(DT)의 게이트, 스토리지 커패시터(Cst)의 제1 전극, 및 제1 스위치 소자(M1)의 제1 전극에 연결된다. 제3 노드(n3)는 구동 소자(DT)의 제2 전극, 제1 스위치 소자(M1)의 제2 전극, 및 제4 스위치 소자(M4)의 제1 전극에 연결된다. 제1 스위치 소자(M1)의 게이트는 제1 게이트 라인(GL1)에 연결되어 제N 스캔 펄스[SCAN(N)]를 공급 받는다. 제1 스위치 소자(M1)의 제1 전극은 제2 노드(n2)에 연결되고, 제1 스위치 소자(M1)의 제2 전극은 제3 노드(n3)에 연결된다.The first switch element M1 is turned on in response to the gate-on voltage VGL of the N-th scan pulse SCAN(N) to connect the second node n2 and the third node n3. The second node n2 is connected to the gate of the driving element DT, the first electrode of the storage capacitor Cst, and the first electrode of the first switch element M1 . The third node n3 is connected to the second electrode of the driving element DT, the second electrode of the first switch element M1, and the first electrode of the fourth switch element M4. The gate of the first switch element M1 is connected to the first gate line GL1 to receive the N-th scan pulse SCAN(N). The first electrode of the first switch element M1 is connected to the second node n2 , and the second electrode of the first switch element M1 is connected to the third node n3 .
제2 스위치 소자(M2)는 제N 스캔 펄스[SCAN(N)]의 게이트 온 전압(VGL)에 응답하여 턴-온되어 데이터 전압(Vdata)을 제1 노드(n1)에 공급한다. 제2 스위치 소자(M2)의 게이트는 제1 게이트 라인(GL1)에 연결되어 제N 스캔 펄스[SCAN(N)]를 공급 받는다. 제2 스위치 소자(M2)의 제1 전극은 제1 노드(n1)에 연결된다. 제2 스위치 소자(M2)의 제2 전극은 데이터 전압(Vdata)이 인가되는 데이터 라인(DL)에 연결된다. 제1 노드(n1)는 제2 스위치 소자(M2)의 제1 전극, 제3 스위치 소자(M3)의 제2 전극, 및 구동 소자(DT)의 제1 전극에 연결된다.The second switch element M2 is turned on in response to the gate-on voltage VGL of the N-th scan pulse SCAN(N) to supply the data voltage Vdata to the first node n1 . The gate of the second switch element M2 is connected to the first gate line GL1 to receive the N-th scan pulse SCAN(N). The first electrode of the second switch element M2 is connected to the first node n1. The second electrode of the second switch element M2 is connected to the data line DL to which the data voltage Vdata is applied. The first node n1 is connected to the first electrode of the second switch element M2 , the second electrode of the third switch element M3 , and the first electrode of the driving element DT.
제3 스위치 소자(M3)는 발광 신호[EM(N)]의 게이트 온 전압(VGL)에 응답하여 턴-온되어 VDD 라인(PL1)을 제1 노드(n1)에 연결한다. 제3 스위치 소자(M3)의 게이트는 제3 게이트 라인(GL3)에 연결되어 발광 신호[EM(N)]를 공급 받는다. 제3 스위치 소자(M3)의 제1 전극은 VDD 라인(PL1)에 연결된다. 제3 스위치 소자(M3)의 제2 전극은 제1 노드(n1)에 연결된다. The third switch element M3 is turned on in response to the gate-on voltage VGL of the light emitting signal EM(N) to connect the VDD line PL1 to the first node n1 . The gate of the third switch element M3 is connected to the third gate line GL3 to receive the light emission signal EM(N). The first electrode of the third switch element M3 is connected to the VDD line PL1. The second electrode of the third switch element M3 is connected to the first node n1 .
제4 스위치 소자(M4)는 발광 신호[EM(N)]의 게이트 온 전압(VGL)에 응답하여 턴-온되어 제3 노드(n3)를 발광 소자(OLED)의 애노드에 연결한다. 제4 스위치 소자(M4)의 게이트는 제3 게이트 라인(GL3)에 연결되어 발광 신호[EM(N)]를 공급 받는다. 제4 스위치 소자(M4)의 제1 전극은 제3 노드(n3)에 연결되고, 제2 전극은 제4 노드(n4)에 연결된다. The fourth switch element M4 is turned on in response to the gate-on voltage VGL of the light emitting signal EM(N) to connect the third node n3 to the anode of the light emitting element OLED. The gate of the fourth switch element M4 is connected to the third gate line GL3 to receive the light emission signal EM(N). The first electrode of the fourth switch element M4 is connected to the third node n3 , and the second electrode is connected to the fourth node n4 .
제5 스위치 소자(M5)는 제N-1 스캔 펄스[SCAN(N-1)]의 게이트 온 전압(VGL)에 응답하여 턴-온되어 제2 노드(n2)를 Vini 라인(PL2)에 연결한다. 제5 스위치 소자(M5)의 게이트는 제2 게이트 라인(GL2)에 연결되어 제N-1 스캔 펄스[SCAN(N-1)]를 공급 받는다. 제5 스위치 소자(M5)의 제1 전극은 제2 노드(n2)에 연결되고, 제2 전극은 Vini 라인(PL2)에 연결된다. The fifth switch element M5 is turned on in response to the gate-on voltage VGL of the N-1 th scan pulse [SCAN(N-1)] to connect the second node n2 to the Vini line PL2 do. The gate of the fifth switch element M5 is connected to the second gate line GL2 to receive the N-1th scan pulse SCAN(N-1). The first electrode of the fifth switch element M5 is connected to the second node n2 , and the second electrode is connected to the Vini line PL2 .
제6 스위치 소자(M6)는 제N-1 스캔 펄스[SCAN(N-1)]의 게이트 온 전압(VGL)에 응답하여 턴-온되어 Vini 라인(PL2)을 제4 노드(n4)에 연결한다. 제6 스위치 소자(M6)의 게이트는 제2 게이트 라인(GL2)에 연결되어 제N-1 스캔 펄스[SCAN(N-1)]를 공급 받는다. 제6 스위치 소자(M6)의 제1 전극은 Vini 라인(PL2)에 연결되고, 제2 전극은 제4 노드(n4)에 연결된다. The sixth switch element M6 is turned on in response to the gate-on voltage VGL of the N-1 th scan pulse SCAN(N-1) to connect the Vini line PL2 to the fourth node n4. do. The gate of the sixth switch element M6 is connected to the second gate line GL2 to receive the N-1th scan pulse SCAN(N-1). A first electrode of the sixth switch element M6 is connected to the Vini line PL2 , and a second electrode of the sixth switch element M6 is connected to the fourth node n4 .
구동 소자(DT)는 게이트-소스간 전압(Vgs)에 따라 발광 소자(OLED)에 흐르는 전류(Ids)를 조절하여 발광 소자(OLED)를 구동한다. 구동 소자(DT)는 제2 노드(n2)에 연결된 게이트, 제1 노드(n1)에 연결된 제1 전극, 및 제3 노드(n3)에 연결된 제2 전극을 포함한다.The driving device DT drives the light emitting device OLED by controlling the current Ids flowing through the light emitting device OLED according to the gate-source voltage Vgs. The driving element DT includes a gate connected to the second node n2 , a first electrode connected to the first node n1 , and a second electrode connected to the third node n3 .
초기화 기간(Tini) 동안 제N-1 스캔 펄스[SCAN(N-1)]가 게이트 온 전압(VGL)으로 발생된다. 제N 스캔 펄스[SCAN(N)]와 발광 신호[EM(N)]는 초기화 기간(Tini) 동안 게이트 오프 전압(VGH)을 유지한다. 따라서, 초기화 기간(Tini) 동안 제5 및 제6 스위치 소자들(M5, M6)이 턴-온(turn-on)되어 제2 및 제4 노드(n2, n4)가 Vini로 초기화된다. 초기화 기간(Tini)과 샘플링 기간(Tsam) 사이에 홀드 기간(Th)이 설정될 수 있다. 홀드 기간(Th)에서 게이트 펄스[SCAN(N-1), SCAN(N), EM(N)]는 이전 상태를 유지한다.During the initialization period Tini, the N-1 th scan pulse SCAN(N-1) is generated as the gate-on voltage VGL. The N-th scan pulse SCAN(N) and the emission signal EM(N) maintain the gate-off voltage VGH during the initialization period Tini. Accordingly, during the initialization period Tini, the fifth and sixth switch elements M5 and M6 are turned on, and the second and fourth nodes n2 and n4 are initialized to Vini. A hold period Th may be set between the initialization period Tini and the sampling period Tsam. In the hold period Th, the gate pulses SCAN(N-1), SCAN(N), EM(N) maintain their previous states.
샘플링 기간(Tsam) 동안 제N 스캔 펄스[SCAN(N)]가 게이트 온 전압(VGL)으로 발생된다. 제N 스캔 펄스[SCAN(N)]의 펄스는 제N 픽셀 라인의 데이터 전압(Vdata)에 동기된다. 제N-1 스캔 펄스[SCAN(N-1)]와 발광 신호[EM(N)]는 샘플링 기간(Tsam) 동안 게이트 오프 전압(VGH)을 유지한다. 따라서, 샘플링 기간(Tsam) 동안 제1 및 제2 스위치 소자들(M1, M2)이 턴-온된다.During the sampling period Tsam, the N-th scan pulse SCAN(N) is generated as the gate-on voltage VGL. The pulse of the Nth scan pulse SCAN(N) is synchronized with the data voltage Vdata of the Nth pixel line. The N-1th scan pulse SCAN(N-1) and the emission signal EM(N) maintain the gate-off voltage VGH during the sampling period Tsam. Accordingly, the first and second switch elements M1 and M2 are turned on during the sampling period Tsam.
샘플링 기간(Tsam) 동안 구동 소자(DT)의 게이트 전압(DTG)이 제1 및 제2 스위치 소자(M1, M2)를 통해 흐르는 전류에 의해 상승된다. 구동 소자(DT)가 턴-오프될 때 구동 소자(DT)가 턴-오프(turn-off)되기 때문에 게이트 노드 전압(DTG)이 Vdata - |Vth|이다. 이 때, 제1 노드(n)의 전압도 Vdata - |Vth|이다. 샘플링 기간(Tsam)에 구동 소자(DT)의 게이트-소스간 전압(Vgs)은 |Vgs| = Vdata -(Vdata-|Vth|) = |Vth|이다. During the sampling period Tsam, the gate voltage DTG of the driving element DT is increased by the current flowing through the first and second switch elements M1 and M2. Since the driving element DT is turned off when the driving element DT is turned off, the gate node voltage DTG is Vdata - |Vth|. At this time, the voltage of the first node n is also Vdata - |Vth|. In the sampling period Tsam, the gate-source voltage Vgs of the driving element DT is |Vgs| = Vdata -(Vdata-|Vth|) = |Vth|
데이터 기입 기간(Twr) 동안 제N 스캔 펄스[SCAN(N)]가 게이트 오프 전압(VGH)으로 반전된다. 제N-1 스캔 펄스[SCAN(N-1)]와 발광 신호[EM(N)]는 데이터 기입 기간(Twr) 동안 게이트 오프 전압(VGH)을 유지한다. 따라서, 데이터 기입 기간(Twr) 동안 모든 스위치 소자들(M1~M6)이 오프 상태를 유지한다. During the data writing period Twr, the N-th scan pulse SCAN(N) is inverted to the gate-off voltage VGH. The N-1th scan pulse SCAN(N-1) and the emission signal EM(N) maintain the gate-off voltage VGH during the data writing period Twr. Accordingly, all the switch elements M1 to M6 maintain an off state during the data writing period Twr.
발광 기간(Tem) 동안, 발광 신호[EM(N)]가 게이트 오프 전압(VGH)으로 발생될 수 있다. 발광 기간(Tem) 동안, 저계조 표현력을 개선하기 위하여 발광 신호[EM(N)]가 소정의 듀티비로 온/오프되어 게이트 온 전압(VGL)과 게이트 오프 전압(VGH) 사이에서 스윙(swing)할 수 있다. 따라서, 발광 신호[EM(N)]는 발광 기간(Tem)의 적어도 일부 기간 동안 게이트 온 전압(VGL)으로 발생될 수 있다. During the emission period Tem, the emission signal EM(N) may be generated as a gate-off voltage VGH. During the light emission period Tem, the light emission signal EM(N) is turned on/off at a predetermined duty ratio in order to improve low grayscale expression power to swing between the gate-on voltage VGL and the gate-off voltage VGH. can do. Accordingly, the emission signal EM(N) may be generated as the gate-on voltage VGL during at least a part of the emission period Tem.
발광 신호[EM(N)]가 게이트 온 전압(VGL)일 때 ELVDD와 발광 소자(OLED) 사이에 전류가 흘러 발광 소자(OLED)가 발광될 수 있다. 발광 기간(Tem) 동안, 제N-1 및 제N 스캔 펄스[SCAN(N-1), SCAN(N)는 게이트 오프 전압(VGH)을 유지한다. 발광 기간(Tem) 동안, 제3 및 제4 스위치 소자들(M3, M4)은 발광 신호(EM)의 전압 따라 온/오프를 반복한다. 발광 신호[EM(N)]가 게이트 온 전압(VGL)일 때 제3 및 제4 스위치 소자들(M3, M4)이 턴-온되어 발광 소자(OLED)에 전류가 흐른다. 이 때, 구동 소자(DT)의 Vgs는 |Vgs| = ELVDD - (Vdata-|Vth|)이고, 발광 소자(OLED)에 흐르는 전류는 K(ELVDD-Vdata)2이다. K는 구동 소자(DT)의 전하 이동도, 기생 커패시턴스 및 채널 용량 등에 의해 결정되는 상수 값이다.When the light emitting signal EM(N) is the gate-on voltage VGL, a current flows between the ELVDD and the light emitting device OLED so that the light emitting device OLED may emit light. During the light emission period Tem, the N-1 th and N th scan pulses SCAN(N-1) and SCAN(N) maintain the gate-off voltage VGH. During the light emission period Tem, the third and fourth switch elements M3 and M4 are repeatedly turned on/off according to the voltage of the light emission signal EM. When the light emitting signal EM(N) is the gate-on voltage VGL, the third and fourth switch elements M3 and M4 are turned on so that a current flows through the light emitting element OLED. At this time, Vgs of the driving element DT is |Vgs| = ELVDD - (Vdata-|Vth|), and the current flowing through the light emitting device OLED is K(ELVDD-Vdata)2. K is a constant value determined by the charge mobility, parasitic capacitance, and channel capacitance of the driving element DT.
도 31은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시패널(100)의 단면을 상세히 보여 주는 단면도이다. 도 31에 도시된 표시패널(100)의 단면 구조는 일 예일 뿐, 본 발명은 이에 한정되지 않는다는 것에 주의하여야 한다.31 is a cross-sectional view illustrating in detail a cross section of the
도 31을 참조하면, 회로층, 발광 소자층, 봉지층 등이 전술한 바와 같이 글래스 기판(GLS) 상에 적층될 수 있다. Referring to FIG. 31 , a circuit layer, a light emitting device layer, an encapsulation layer, and the like may be stacked on the glass substrate GLS as described above.
제1 버퍼층(BUF1)이 글래스 기판(GLS) 상에 형성될 수 있다. 제1 버퍼층(BUF1) 상에 제1 금속층(LC)이 형성될 수 있고, 제1 금속층(LS) 상에 제2 버퍼층(BUF2)이 형성될 수 있다. 제1 및 제2 버퍼층(BUF1, BUF2) 각각은 무기 절연재료로 형성되고 하나 이상의 절연층으로 이루어질 수 있다. 제1 금속층(LS)은 TFT의 아래에 배치되어 TFT의 반도체 채널층으로 조사되는 빛을 차단하는 금속 패턴을 포함할 수 있다.A first buffer layer BUF1 may be formed on the glass substrate GLS. A first metal layer LC may be formed on the first buffer layer BUF1 , and a second buffer layer BUF2 may be formed on the first metal layer LS. Each of the first and second buffer layers BUF1 and BUF2 may be formed of an inorganic insulating material and may include one or more insulating layers. The first metal layer LS may include a metal pattern disposed under the TFT to block light irradiated to the semiconductor channel layer of the TFT.
액티브층(ACT)이 제1 버퍼층(BUF2) 상에 형성될 수 있다. 액티브층(ACT)은 픽셀 회로의 TFT들과 게이트 구동부의 TFT 각각의 반도체 패턴을 포함한다. TFT가 Oxide TFT로 구현된 경우, 반도체 패턴은 IGZO(Indium gallium zinc oxide)를 포함할 수 있다. An active layer ACT may be formed on the first buffer layer BUF2 . The active layer ACT includes semiconductor patterns of TFTs of the pixel circuit and TFTs of the gate driver. When the TFT is implemented as an oxide TFT, the semiconductor pattern may include indium gallium zinc oxide (IGZO).
게이트 절연막(GI)이 액티브층(ACT) 상에 형성될 수 있다. 게이트 절연막(GI)은 무기 절연재료로 이루어진 절연층이다. 제2 금속층(GATE)이 제2 게이트 절연막(GI) 상에 형성될 수 있다. 제2 금속층(GATE)은 TFT의 게이트 전극, 게이트 전극에 연결된 게이트 라인을 포함할 수 있다. A gate insulating layer GI may be formed on the active layer ACT. The gate insulating film GI is an insulating layer made of an inorganic insulating material. A second metal layer GATE may be formed on the second gate insulating layer GI. The second metal layer GATE may include a gate electrode of the TFT and a gate line connected to the gate electrode.
제1 층간 절연막(ILD1)이 제2 금속층(GATE)을 덮을 수 있다. 제1 층간 절연막(ILD2) 상에 제3 금속층(TM)이 형성되고, 제2 층간 절연막(ILD2)이 제3 금속층(TM)을 덮을 수 있다. 픽셀 회로의 커패시터(Cst)는 제2 금속층(GATE), 제1 층간 절연막(ILD1), 및 제3 금속층(TM)이 중첩된 부분에 형성될 수 있다. 제1 및 제2 층간 절연막들(ILD1, ILD2)은 무기 절연재료를 포함할 수 있다.The first interlayer insulating layer ILD1 may cover the second metal layer GATE. A third metal layer TM may be formed on the first interlayer insulating layer ILD2 , and the second interlayer insulating layer ILD2 may cover the third metal layer TM. The capacitor Cst of the pixel circuit may be formed in a portion where the second metal layer GATE, the first interlayer insulating layer ILD1, and the third metal layer TM overlap. The first and second interlayer insulating layers ILD1 and ILD2 may include an inorganic insulating material.
제2 층간 절연막(ILD2) 상에 제4 금속층(SD1)이 형성되고, 그 위에 무기 절연막(PAS1)과 제1 평탄화층(PLN1)이 적층될 수 있다. 제5 금속층(SD2)이 제1 평탄화층(PLN2) 상에 형성될 수 있다. 제5 금속층(SD2)의 일부 패턴은 제1 평탄화층(PLN1)과 무기 절연막(PAS1)을 관통하는 콘택홀(Contact hole)을 통해 제4 금속층(SD1)에 연결될 수 있다. 제1 및 제2 평탄화층(PLN1, PLN2)은 표면을 평탄하게 하는 유기 절연재료로 이루어진다. A fourth metal layer SD1 may be formed on the second interlayer insulating layer ILD2 , and an inorganic insulating layer PAS1 and a first planarization layer PLN1 may be stacked thereon. A fifth metal layer SD2 may be formed on the first planarization layer PLN2 . A partial pattern of the fifth metal layer SD2 may be connected to the fourth metal layer SD1 through a contact hole penetrating the first planarization layer PLN1 and the inorganic insulating layer PAS1 . The first and second planarization layers PLN1 and PLN2 are made of an organic insulating material for flattening surfaces.
제4 금속층(SD1)은 제2 층간 절연막(ILD2)을 관통하는 콘택홀(Contact hole)을 통해 TFT의 반도체 패턴에 연결되는 TFT의 제1 및 제2 전극을 포함할 수 있다. 데이터 라인(DL)과, 전원 배선(PL1, PL2)은 제4 금속층(SD1) 또는 제5 금속층(SD2)을 패터닝하여 구현될 수 있다. The fourth metal layer SD1 may include first and second electrodes of the TFT connected to the semiconductor pattern of the TFT through a contact hole penetrating the second interlayer insulating layer ILD2 . The data line DL and the power lines PL1 and PL2 may be implemented by patterning the fourth metal layer SD1 or the fifth metal layer SD2 .
발광 소자(OLED)의 애노드 전극(AND)은 제2 평탄화층(PLN2) 상에 형성될 수 있다. 애노드 전극(AND)은 제2 평탄화층(PLN2)을 관통하는 콘택홀을 통해 스위치 소자 또는 구동 소자로 이용되는 TFT의 전극에 연결될 수 있다. 애노드 전극(AND)은 투명 또는 반투명 전극 물질로 이루어질 수 있다. The anode electrode AND of the light emitting device OLED may be formed on the second planarization layer PLN2 . The anode electrode AND may be connected to an electrode of the TFT used as a switch element or a driving element through a contact hole passing through the second planarization layer PLN2 . The anode electrode AND may be made of a transparent or semi-transparent electrode material.
픽셀 정의막(BNK)은 발광 소자(OLED)의 애노드 전극(AND)을 덮을 수 있다. 픽셀 정의막(BNK)은 픽셀들 각각에서 외부로 빛이 통과되는 발광 영역(또는 개구 영역)을 정의하는 패턴으로 형성된다. 픽셀 정의막(BNK) 상에 스페이서(SPC)가 형성될 수 있다. 픽셀 정의막(BNK)과 스페이서(SPC)는 동일한 유기 절연 재료로 일체화될 수 있다. 스페이서(SPC)는 유기 화합물(EL)의 증착 공정에서 FMM(Fine Metal Mask)가 애노드 전극(AND)과 접촉되지 않도록 FMM과 애노드 전극(AND) 사이의 갭(gap)을 확보한다. The pixel defining layer BNK may cover the anode electrode AND of the light emitting device OLED. The pixel defining layer BNK is formed in a pattern defining a light emitting area (or an opening area) through which light passes from each of the pixels to the outside. A spacer SPC may be formed on the pixel defining layer BNK. The pixel defining layer BNK and the spacer SPC may be integrated with the same organic insulating material. The spacer SPC secures a gap between the FMM and the anode AND so that the fine metal mask (FMM) does not come into contact with the anode AND during the deposition process of the organic compound EL.
픽셀 정의막(BNK)에 의해 정의된 픽셀들 각각의 발광 영역에 유기 화합물(EL)이 형성된다. 발광 소자(OLED)의 캐소드 전극(CAT)이 픽셀 정의막(BNK), 스페이서(SPC), 및 유기 화합물(EL)을 덮도록 표시패널(100)의 전면에 형성된다. 캐소드 전극(CAT)은 그 하부의 금속층들 중 어느 하나로 형성된 VSS 전극(PL3)에 연결될 수 있다. 캡핑층(CPL)은 캐소드 전극(CAT)을 덮을 수 있다. 캡핑층(CPL)은 캐소드 전극(CAT)을 무기 절연재료로 형성되어 공기(air)와 캡핑층(CPL) 상에 도포되는 유기 절연재료의 아웃 개싱(out gassing)의 침투를 차단하여 캐소드 전극(CAT)을 보호한다. 무기 절연막(PAS2)이 캡핑층(CPL)을 덮고, 무기 절연막(PAS2) 상에 평탄화층(PCL)이 형성될 수 있다. 평탄화층(PCL)은 유기 절연 재료를 포함할 수 있다. 봉지층의 무기 절연막(PAS2)이 평탄화층(PCL) 상에 형성될 수 있다. The organic compound EL is formed in the light emitting area of each of the pixels defined by the pixel defining layer BNK. The cathode electrode CAT of the light emitting element OLED is formed on the entire surface of the
본 발명의 실시예들은 단독으로 적용되거나 실시예들의 조합이 가능하다는 것에 주의하여야 한다. It should be noted that the embodiments of the present invention may be applied alone or combinations of embodiments are possible.
이상에서 해결하고자 하는 과제, 과제 해결 수단, 효과에 기재한 명세서의 내용이 청구항의 필수적인 특징을 특정하는 것은 아니므로, 청구항의 권리범위는 명세서의 내용에 기재된 사항에 의하여 제한되지 않는다.Since the contents of the specification described in the problems, problem solving means, and effects to be solved above do not specify essential features of the claims, the scope of the claims is not limited by the matters described in the contents of the specification.
이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 더욱 상세하게 설명하였으나, 본 발명은 반드시 이러한 실시예로 국한되는 것은 아니고, 본 발명의 기술사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양하게 변형 실시될 수 있다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 그러므로, 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 본 발명의 보호 범위는 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.Although embodiments of the present invention have been described in more detail with reference to the accompanying drawings, the present invention is not necessarily limited to these embodiments, and various modifications may be made within the scope without departing from the technical spirit of the present invention. . Accordingly, the embodiments disclosed in the present invention are not intended to limit the technical spirit of the present invention, but to explain, and the scope of the technical spirit of the present invention is not limited by these embodiments. Therefore, it should be understood that the embodiments described above are illustrative in all respects and not restrictive. The protection scope of the present invention should be construed by the claims, and all technical ideas within the scope equivalent thereto should be construed as being included in the scope of the present invention.
10, GLS: 글래스 기판
12: 유기막
13-1 : 부분 유기막
13-2 : 보호 유기막
14: 회로층
16: 발광 소자층
18: 봉지층
19: 접착제
20: 편광판
22: 커버 윈도우
30: 코팅층
100: 표시패널
100f: 벤딩부
101, 102, 103 : 비벤딩부
1000 : 원장기판
1000c : 커팅라인
1000f: 벤딩라인
1001, 1002 : 비폴딩부 형성영역
1100 : 셀
1110: 원장 글래스 기판
1120 : 마스크10, GLS: glass substrate 12: organic film
13-1: partial organic film 13-2: protective organic film
14: circuit layer 16: light emitting element layer
18: encapsulation layer 19: adhesive
20: polarizer 22: cover window
30: coating layer 100: display panel
100f: bending
1000: led
1000f: bending
1100: cell 1110: ledger glass substrate
1120: mask
Claims (20)
상기 글래스 기판 상에서 상기 복수의 커팅라인과 중첩되도록 배치되는 유기막; 및
상기 글래스 기판 상에서 상기 커팅라인을 사이에 두고 서로 이격된 복수의 셀들을 포함하는 원장기판.a glass substrate having a plurality of cutting lines;
an organic layer disposed on the glass substrate to overlap the plurality of cutting lines; and
A mother substrate including a plurality of cells spaced apart from each other on the glass substrate with the cutting line interposed therebetween.
상기 유기막은 상기 복수의 셀들 및 상기 복수의 커팅라인과 중첩되도록 배치되는 원장기판.The method of claim 1,
The organic layer is disposed to overlap the plurality of cells and the plurality of cutting lines.
상기 글래스 기판은 상기 복수의 셀들 각각에 설정된 적어도 하나의 벤딩라인을 더 포함하며,
상기 유기막은,
상기 복수의 셀들 사이에서 상기 커팅라인과 중첩되도록 상기 글래스 기판 상에 배치되는 제1 유기막; 및
상기 적어도 하나의 벤딩라인과 중첩되도록 상기 글래스 기판 상에 배치되는 제2 유기막을 포함하는 원장기판.3. The method of claim 2,
The glass substrate further includes at least one bending line set in each of the plurality of cells,
The organic film is
a first organic layer disposed on the glass substrate to overlap the cutting line between the plurality of cells; and
and a second organic layer disposed on the glass substrate to overlap the at least one bending line.
상기 셀들 각각은,
상기 글래스 기판 상에 배치되어 픽셀을 구동하는 회로층;
상기 회로층 상에 배치되는 제1 전극, 상기 제1 전극 상에 배치되어 발광 영역을 정의하는 뱅크, 상기 발광 영역에서 상기 제1 전극 상에 배치되는 유기 화합물층, 및 상기 유기 화합물층 상에 배치된 제2 전극을 포함 발광 소자층;
상기 발광 소자층을 덮는 봉지층; 및
상기 봉지층 상에 배치된 편광판을 포함하고,
상기 유기막은 상기 글래스 기판과 회로층 사이에 배치되며, 상기 유기막과 상기 뱅크는 동일한 물질을 포함하는 원장기판.The method of claim 1,
Each of the cells is
a circuit layer disposed on the glass substrate to drive pixels;
a first electrode disposed on the circuit layer, a bank disposed on the first electrode to define an emission region, an organic compound layer disposed on the first electrode in the emission region, and a first electrode disposed on the organic compound layer a light emitting device layer including two electrodes;
an encapsulation layer covering the light emitting device layer; and
and a polarizing plate disposed on the encapsulation layer,
The organic layer is disposed between the glass substrate and the circuit layer, and the organic layer and the bank include the same material.
서로 이웃한 셀들 사이의 글래스 기판 상에는 상기 복수의 커팅라인과 중첩되도록 상기 유기막과 상기 편광판이 순차적으로 적층된 원장기판.5. The method of claim 4,
A mother substrate in which the organic layer and the polarizing plate are sequentially stacked on a glass substrate between adjacent cells so as to overlap the plurality of cutting lines.
상기 제1 유기막 및 상기 제2 유기막은 폴리이미드(polyimide)막을 포함하는 원장기판.4. The method of claim 3,
The first organic layer and the second organic layer include a polyimide layer.
상기 글래스 기판은,
상기 복수의 커팅라인과 중첩되는 위치에서 상기 제1 유기막을 노출시키는 제1 개구부; 및
상기 적어도 하나의 벤딩라인과 중첩되는 위치에서 상기 제2 유기막을 노출시키는 제2 개구부를 포함하고,
상기 글래스 기판의 배면과 상기 제1 및 제2 개구부의 적어도 일부에는 코팅층이 배치되는 원장기판.4. The method of claim 3,
The glass substrate is
a first opening exposing the first organic layer at a position overlapping the plurality of cutting lines; and
a second opening exposing the second organic layer at a position overlapping the at least one bending line;
A mother substrate having a coating layer disposed on a rear surface of the glass substrate and at least a portion of the first and second openings.
상기 글래스 기판 상에 배치되어 픽셀을 구동하는 회로층;
상기 회로층 상에 배치되고 제1전극, 상기 제1전극 상에 배치된 유기화합물층, 및 상기 유기화합물층 상에 배치된 제2전극을 포함하는 발광 소자를 포함하는 발광 소자층;
상기 회로층과 상기 발광 소자층을 덮는 봉지층;
상기 봉지층 상에 배치된 편광판; 및
상기 글래스 기판 상에 배치된 유기막을 포함하는 표시패널.glass substrate;
a circuit layer disposed on the glass substrate to drive pixels;
a light emitting device layer disposed on the circuit layer and including a light emitting device including a first electrode, an organic compound layer disposed on the first electrode, and a second electrode disposed on the organic compound layer;
an encapsulation layer covering the circuit layer and the light emitting device layer;
a polarizing plate disposed on the encapsulation layer; and
A display panel comprising an organic layer disposed on the glass substrate.
상기 제1전극 상에 배치되어 발광 영역을 정의하는 뱅크를 더 포함하고,
상기 유기막과 상기 뱅크는 동일한 물질을 포함하는 표시패널.9. The method of claim 8,
Further comprising a bank disposed on the first electrode to define a light emitting area,
The organic layer and the bank include the same material.
상기 표시패널은 상기 표시패널이 접히는 적어도 하나의 벤딩라인을 더 포함하며,
상기 유기막은,
상기 글래스 기판의 가장자리에 배치된 제1 유기막; 및
상기 적어도 하나의 벤딩라인과 중첩되도록 상기 글래스 기판 상에 배치되는 제2 유기막을 포함하는 표시패널.9. The method of claim 8,
The display panel further includes at least one bending line through which the display panel is folded,
The organic film is
a first organic layer disposed on an edge of the glass substrate; and
and a second organic layer disposed on the glass substrate to overlap the at least one bending line.
상기 글래스 기판은 상기 적어도 하나의 벤딩라인과 중첩되는 영역에서 상기 제2 유기막을 노출시키는 개구부를 포함하는 표시패널.11. The method of claim 10,
The glass substrate includes an opening exposing the second organic layer in a region overlapping the at least one bending line.
상기 글래스 기판의 배면과 상기 개구부의 적어도 일부에는 코팅층이 배치되는 표시패널.12. The method of claim 11,
A coating layer is disposed on a rear surface of the glass substrate and at least a portion of the opening.
상기 글래스 기판의 가장자리 측벽은 상하로 대칭인 웨지(wedge) 형상의 테이퍼 면을 포함하여 상기 측벽의 끝단으로 갈수록 두께가 얇은 표시패널.9. The method of claim 8,
The edge sidewall of the glass substrate includes a wedge-shaped tapered surface symmetrical up and down, and the thickness is thinner toward an end of the sidewall.
상기 테이퍼 면이 상기 회로층 밖으로 돌출된 표시패널.14. The method of claim 13,
A display panel in which the tapered surface protrudes out of the circuit layer.
상기 테이퍼 면의 길이는 상기 글래스 기판의 두께에 대하여 반비례인 표시패널. 14. The method of claim 13,
A length of the tapered surface is in inverse proportion to a thickness of the glass substrate.
상기 복수의 셀들 사이에 커팅라인을 세팅하는 단계;
상기 원장 글래스 기판의 일면에 형성되어 상기 커팅라인 이외의 영역을 덮는 마스크를 형성하는 단계;
상기 마스크를 통해 노출된 원장 글래스 기판을 식각하여 제1 개구부를 형성하는 단계;
상기 마스크를 제거하는 단계; 및
상기 커팅라인과 중첩된 상기 유기막에 레이저를 조사하여 상기 유기막을 커팅함으로써 상기 복수의 셀들을 분리하는 단계;를 포함하는 표시패널 제조방법.A method of manufacturing a display panel from a plurality of cells disposed on a mother glass substrate including an organic layer, the method comprising:
setting a cutting line between the plurality of cells;
forming a mask formed on one surface of the mother glass substrate to cover an area other than the cutting line;
forming a first opening by etching the mother glass substrate exposed through the mask;
removing the mask; and
and separating the plurality of cells by cutting the organic layer by irradiating a laser to the organic layer overlapping the cutting line.
상기 복수의 셀들 사이에 커팅라인을 세팅하는 단계에서
상기 복수의 셀들 각각에 상기 표시패널이 접히는 적어도 하나의 벤딩라인을 세팅하고,
상기 마스크를 형성하는 단계에서 상기 마스크가 상기 적어도 하나의 벤딩라인을 덮지 않게 형성하고, 상기 마스크를 통해 노출된 원장 글래스 기판을 식각하여 제2 개구부를 형성하는 단계를 더 포함하는 표시패널 제조방법.17. The method of claim 16,
In the step of setting a cutting line between the plurality of cells
at least one bending line on which the display panel is folded is set in each of the plurality of cells;
and forming the mask so as not to cover the at least one bending line in the forming of the mask, and etching the mother glass substrate exposed through the mask to form a second opening.
상기 유기막은,
상기 복수의 셀들 사이의 상기 커팅라인과 중첩되도록 상기 원장 글래스 기판 상에 배치되는 제1 유기막; 및
상기 적어도 하나의 벤딩라인과 중첩되도록 상기 원장 글래스 기판 상에 배치되는 제2 유기막을 포함하는 표시패널 제조방법.18. The method of claim 17,
The organic film is
a first organic layer disposed on the mother glass substrate to overlap the cutting line between the plurality of cells; and
and a second organic layer disposed on the mother glass substrate to overlap the at least one bending line.
상기 마스크 제거 후 상기 원장 글래스 기판의 타면에 코팅층을 형성하는 단계를 더 포함하며,
상기 복수의 셀들을 분리하는 단계에서 상기 레이저를 조사하여 상기 코팅층을 커팅하는 표시패널 제조방법.17. The method of claim 16,
After removing the mask, further comprising the step of forming a coating layer on the other surface of the mother glass substrate,
A method of manufacturing a display panel for cutting the coating layer by irradiating the laser in the step of separating the plurality of cells.
상기 원장 글래스 기판의 식각은 습식 식각을 포함하는 표시패널 제조방법.17. The method of claim 16,
The method of manufacturing a display panel, wherein the etching of the mother glass substrate includes wet etching.
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