KR20220014881A - Substrate processing method and substrate processing apparatus - Google Patents

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가부시키가이샤 스크린 홀딩스
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Abstract

스핀 척(5)에 의해 중앙부가 지지되어 있는 기판(W)을, 회전축선(A1) 둘레로 회전시킨다. 외주부 에칭 공정에서는, 회전하고 있는 기판(W)의 상면 외주부(102)에 설치된 착액 위치(105)를 향하여, 처리액 노즐(6)의 토출구(6a)로부터 에칭액을 토출한다. 외주부 에칭 공정에 있어서, 상면 외주부(102)의 높이(상면 외주부(102)의 높이 변형(HD))를 감시하고, 구해진 상면 외주부(102)의 높이 변형(HD)에 의거하여 경방향(RD)으로 착액 위치(105)를 이동시킨다(높이 변형 감시 공정(S6) & 착액 위치 이동 공정(S7)). 이에 의해, 착액 위치(105)에 공급되는 에칭액에 의해 형성되는 액막(LF)의 내주 위치(LFa)가, 소기 위치에 가까워지도록 조정된다.The substrate W on which the central portion is supported by the spin chuck 5 is rotated around the rotation axis A1. In the outer peripheral portion etching step, the etching liquid is discharged from the discharge port 6a of the processing liquid nozzle 6 toward the liquid landing position 105 provided on the upper surface outer peripheral portion 102 of the rotating substrate W . In the outer peripheral portion etching step, the height of the upper surface outer peripheral portion 102 (height deformation (HD) of the upper surface outer peripheral portion 102) is monitored, and based on the obtained height deformation (HD) of the upper surface outer peripheral portion 102 in the radial direction (RD) to move the liquid landing position 105 (height deformation monitoring step (S6) & liquid landing position moving step (S7)). Thereby, the inner peripheral position LFa of the liquid film LF formed by the etching liquid supplied to the liquid landing position 105 is adjusted so that it may approach the scavenging position.

Description

기판 처리 방법 및 기판 처리 장치Substrate processing method and substrate processing apparatus

이 출원은, 2019년 5월 29일 제출된 일본국 특허 출원 2019-100238호에 의거하는 우선권을 주장하고 있으며, 이 출원의 전체 내용은 여기에 인용에 의해 편입되는 것으로 한다.This application claims priority based on Japanese Patent Application No. 2019-100238 filed on May 29, 2019, and the entire content of this application is incorporated herein by reference.

이 발명은, 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치에 관한 것이다. 처리 대상이 되는 기판의 예에는, 반도체 웨이퍼, 액정 표시 장치용 기판, 유기 EL(Electroluminescence) 표시 장치 등의 FPD(Flat Panel Display)용 기판, 광 디스크용 기판, 자기 디스크용 기판, 광자기 디스크용 기판, 포토마스크용 기판, 세라믹 기판, 태양전지용 기판 등이 포함된다.The present invention relates to a substrate processing method and a substrate processing apparatus. Examples of the substrate to be processed include a semiconductor wafer, a substrate for a liquid crystal display device, a substrate for an FPD (Flat Panel Display) such as an organic EL (Electroluminescence) display device, a substrate for an optical disk, a substrate for a magnetic disk, a substrate for a magneto-optical disk A substrate, a substrate for a photomask, a ceramic substrate, a substrate for a solar cell, and the like are included.

반도체 장치나 액정 표시 장치 등의 제조 공정에서는, 반도체 웨이퍼나 액정 표시 장치용 유리 기판 등의 기판의 외주부에 대해 에칭액을 이용한 처리(외주부 에칭)가 행해진다. 기판을 1장씩 처리하는 매엽식 기판 처리 장치는, 예를 들면, 기판을 수평으로 유지하여 회전시키는 스핀 척과, 스핀 척에 유지되어 있는 기판의 상면 외주부를 향하여 에칭액을 토출하는 처리액 노즐을 구비하고 있다(하기 특허 문헌 1 참조).In the manufacturing process of a semiconductor device, a liquid crystal display device, etc., the process (outer peripheral part etching) using an etching liquid is performed with respect to the outer peripheral part of board|substrates, such as a semiconductor wafer and the glass substrate for liquid crystal display devices. A single-wafer substrate processing apparatus for processing substrates one by one includes, for example, a spin chuck for rotating the substrate while holding it horizontally, and a processing liquid nozzle for discharging the etching solution toward the outer periphery of the upper surface of the substrate held by the spin chuck, There is (see Patent Document 1 below).

스핀 척에 지지되어 있는 기판에 휨이 발생하는 경우가 있다. 기판에 휨이 발생하면, 기판의 외주부가, 기판의 중앙부(이 경우, 기판의 중심 부근)에 대해, 상하 방향으로 변위하고 있다. 바꾸어 말하면, 기판의 외주부의 높이 위치가, 기판의 중앙에 대해, 상하 방향으로 변위하고 있다. 기판의 표면 외주부의 높이 위치가, 소기의 높이 위치로부터 어긋나 있으면, 기판의 표면 외주부에 있어서의 에칭 폭이, 소기 폭으로부터 어긋날 우려가 있다.Warpage may occur in the substrate supported by the spin chuck. When warpage occurs in the substrate, the outer periphery of the substrate is displaced in the vertical direction with respect to the central portion of the substrate (in this case, near the center of the substrate). In other words, the height position of the outer periphery of the substrate is displaced in the vertical direction with respect to the center of the substrate. When the height position of the surface outer periphery of a board|substrate deviates from a desired height position, there exists a possibility that the etching width in the surface outer periphery of a board|substrate may deviate|deviate from an expected width.

하기 특허 문헌 1에는, 실제의 에칭 폭을 소기 폭에 일치시키기 위해, 기판의 상면 외주부의 각 부의 높이 변형의 크기에 따라, 토출구로부터 토출되는 처리액의 토출 방향(기판의 상면 외주부에 설정된 착액(着液) 위치에 있어서의 입사 각도)을 변경하는 것이 기재되어 있다.In Patent Document 1 below, in order to match the actual etching width with the desired width, the discharge direction of the processing liquid discharged from the discharge port according to the magnitude of the height deformation of each part of the upper surface outer periphery of the substrate (着液) changing the angle of incidence at the position) is described.

일본국 특허공개 2018-46105호 공보Japanese Patent Laid-Open No. 2018-46105

그러나, 착액 위치에 있어서의 입사 각도는, 외주부 에칭 후의 파티클 성능을 최적으로 유지할 수 있는 각도로 설정되어 있다. 그 때문에, 특허 문헌 1과 같이, 기판의 표면 외주부의 각 부의 높이 변형의 크기를 검출하고, 검출한 각 부의 높이 변동에 따라 착액 위치에 있어서의 입사 각도를 변경하도록 하면, 에칭 폭(즉, 처리 폭)의 균일성을 유지할 수 있는 반면, 외주부 처리(외주부 에칭) 후의 파티클 성능을 최적으로 유지할 수 없을 우려가 있다.However, the incident angle at the liquid landing position is set to an angle that can optimally maintain the particle performance after the outer peripheral portion etching. Therefore, as in Patent Document 1, if the magnitude of the height deformation of each part of the outer peripheral part of the surface of the substrate is detected and the incident angle at the liquid landing position is changed according to the detected height fluctuation of each part, the etching width (that is, processing While the uniformity of the width) can be maintained, there is a possibility that the particle performance after the outer peripheral portion treatment (outer peripheral portion etching) cannot be optimally maintained.

이 발명은, 그러한 배경 하에서 이루어진 것이며, 기판의 표면 외주부에 있어서의 처리 폭을 정밀하게 제어할 수 있고, 또한 외주부 처리 후에 있어서의 기판의 표면 외주부로의 파티클의 부착을 억제 또는 방지할 수 있는 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치를 제공하는 것이다.This invention has been made under such a background, and it is possible to precisely control the processing width at the outer periphery of the surface of the substrate, and to suppress or prevent the adhesion of particles to the outer periphery of the surface of the substrate after the treatment of the outer periphery of the substrate. It is to provide a processing method and a substrate processing apparatus.

본 발명의 일 실시 형태는, 기판 유지 유닛에 의해 유지되어 있는 기판을, 상기 기판의 중앙부를 지나는 회전축선 둘레로 회전시키는 기판 회전 공정과, 상기 기판 회전 공정에 병행하여, 상기 기판의 표면 외주부에 설정된 착액 위치에 대해 상기 기판의 회전 반경 방향의 내측에 배치된 토출구로부터 상기 착액 위치를 향하여 처리액을 토출하여, 상기 표면 외주부를, 처리액을 이용하여 처리하는 외주부 처리 공정과, 상기 기판의 상기 표면 외주부의 높이 변형을 취득하는 높이 변형 취득 공정과, 상기 토출구로부터 토출되는 처리액의 토출 방향을 일정하게 유지하면서, 상기 착액 위치에 공급되는 처리액의 내주 위치를 상기 높이 변형 취득 공정에 의해 취득된 높이 변형에 의거하여 조정하는 내주 위치 조정 공정을 포함하는, 기판 처리 방법을 제공한다.An embodiment of the present invention provides a substrate rotation step of rotating a substrate held by a substrate holding unit around a rotation axis passing through a central portion of the substrate, and in parallel with the substrate rotation step, a an outer periphery treatment step of discharging a treatment liquid toward the liquid landing position from a discharge port disposed inside a rotational radial direction of the substrate with respect to a set liquid landing position, and treating the outer periphery of the surface using the treatment liquid; A height deformation acquiring step of acquiring a height deformation of the outer peripheral portion of the surface; and an inner peripheral position of the processing liquid supplied to the liquid landing position while maintaining a constant discharge direction of the processing liquid discharged from the discharge port is acquired by the height deformation acquiring step A substrate processing method is provided, including an inner periphery position adjustment step of adjusting based on the height deformation.

이 방법에 의하면, 취득된 표면 외주부의 높이 변형에 의거하여, 착액 위치에 공급되는 처리액(이하, 간단히 「착액 처리액」이라고 하는 경우가 있다)의 내주 위치가 조정된다. 그 때문에, 착액 처리액의 내주 위치를, 기판의 휨 상태에 따른 위치로 조정하는 것이 가능하다. 이 조정에 의해, 착액 처리액에 의해 형성되는 액막의 폭(이하, 간단히 「액폭」이라고 한다)을 정밀하게 제어하는 것이 가능하다.According to this method, the inner peripheral position of the processing liquid (hereinafter, simply referred to as "liquid landing processing liquid") supplied to the liquid landing position is adjusted based on the acquired height deformation of the outer peripheral part of the surface. Therefore, it is possible to adjust the inner peripheral position of the liquid landing treatment liquid to a position corresponding to the bending state of the substrate. By this adjustment, it is possible to precisely control the width of the liquid film formed by the liquid landing treatment liquid (hereinafter simply referred to as "liquid width").

또, 처리액의 토출 방향을 일정하게 유지하면서, 착액 처리액의 내주 위치를 조정하므로, 토출구로부터 토출되는 처리액이 착액 위치에 입사할 때의 입사 각도를, 파티클 성능이 높은 최적의 각도의 근방 각도로 계속 유지하는 것이 가능하다. 따라서, 외주부 처리 후에 있어서의, 기판의 표면 외주부로의 파티클의 부착을 억제 또는 방지하는 것이 가능하다.In addition, since the inner peripheral position of the liquid landing treatment liquid is adjusted while the discharge direction of the treatment liquid is kept constant, the incident angle when the treatment liquid discharged from the discharge port enters the liquid landing position is set near the optimum angle with high particle performance. It is possible to keep it at an angle. Therefore, it is possible to suppress or prevent the adhesion of particles to the outer peripheral portion of the surface of the substrate after the outer peripheral portion treatment.

이에 의해, 기판의 표면 외주부에 있어서의 처리 폭을 정밀하게 제어할 수 있고, 또한 외주부 처리 후에 있어서의 기판의 표면 외주부로의 파티클의 부착을 억제 또는 방지할 수 있는 기판 처리 방법을 제공할 수 있다.Thereby, it is possible to precisely control the processing width in the outer peripheral portion of the surface of the substrate, and it is possible to provide a substrate processing method capable of suppressing or preventing the adhesion of particles to the outer peripheral portion of the surface of the substrate after the outer peripheral portion treatment. .

상기 높이 변형 취득 공정은, 상기 토출구로부터 토출된 처리액이 상기 기판의 상기 표면 외주부에 공급되기 전에, 상기 기판의 상기 표면 외주부의 높이 변형을 취득하는 「처리 전」 높이 변형 취득 공정과, 상기 토출구가 상기 기판의 상기 표면 외주부를 향하여 처리액을 토출하고 있을 때에, 상기 기판의 상기 표면 외주부의 높이 변형을 취득하는 「처리 중」 높이 변형 취득 공정 중 적어도 한쪽을 포함한다.The height deformation acquisition step includes a “before processing” height deformation acquisition step of acquiring a height deformation of the surface outer periphery of the substrate before the processing liquid discharged from the discharge port is supplied to the surface outer periphery of the substrate; and at least one of an "in-process" height deformation acquisition step of acquiring a height deformation of the surface outer periphery of the substrate when the processing liquid is discharged toward the outer peripheral portion of the surface of the substrate.

마찬가지로, 상기 내주 위치 조정 공정은, 상기 토출구로부터 토출된 처리액이 상기 기판의 상기 표면 외주부에 공급되기 전에, 상기 토출구로부터 토출되는 처리액의 토출 방향을 일정하게 유지하면서, 상기 높이 변형 취득 공정에 의해 취득된 높이 변형에 의거하여 상기 착액 위치에 공급되는 처리액의 내주 위치를 조정하는 「처리 전」 내주 위치 조정 공정과, 상기 토출구가 상기 기판의 상기 표면 외주부를 향하여 처리액을 토출하고 있을 때에, 상기 토출구로부터 토출되는 처리액의 토출 방향을 일정하게 유지하면서, 상기 높이 변형 취득 공정에 의해 취득된 높이 변형에 의거하여 상기 착액 위치에 공급되는 처리액의 내주 위치를 조정하는 「처리 중」 내주 위치 조정 공정 중 적어도 한쪽을 포함한다.Similarly, in the inner periphery position adjustment step, before the treatment liquid discharged from the discharge port is supplied to the outer peripheral portion of the surface of the substrate, while maintaining the discharge direction of the treatment liquid discharged from the discharge port constant, in the height deformation acquisition step a "before processing" inner periphery position adjustment step of adjusting the inner periphery position of the processing liquid supplied to the liquid landing position based on the height deformation obtained by the , while maintaining the discharge direction of the treatment liquid discharged from the discharge port constant, based on the height deformation acquired by the height deformation acquisition step, the inner circumference position of the treatment liquid supplied to the liquid landing position is adjusted. At least one of the positioning steps is included.

이 발명의 일 실시 형태에서는, 상기 내주 위치 조정 공정이, 상기 토출 방향을 일정하게 유지하면서, 상기 착액 위치를, 상기 기판의 표면을 따르는 방향이며 당해 착액 위치에 있어서의 접선 방향에 교차하는 이동 방향으로 이동시키는 공정을 포함한다.In one embodiment of the present invention, in the inner periphery position adjustment step, while maintaining the discharge direction constant, the liquid landing position moves in a direction along the surface of the substrate and intersecting the tangential direction at the liquid landing position. It includes the process of moving to

이 방법에 의하면, 취득된 표면 외주부의 높이 변형에 의거하여, 착액 위치가 이동 방향으로 이동된다. 이동 방향으로의 착액 위치의 이동에 의해, 착액 처리액의 내주 위치를 비교적 용이하게 조정할 수 있다. 이에 의해, 착액 처리액의 내주 위치의 정밀한 제어를, 비교적 용이하게 실현할 수 있다.According to this method, the liquid landing position is moved in a movement direction based on the height deformation|transformation of the acquired surface outer peripheral part. By moving the liquid landing position in the movement direction, the inner peripheral position of the liquid landing processing liquid can be adjusted relatively easily. Thereby, precise control of the inner peripheral position of the liquid landing processing liquid can be realized relatively easily.

이 발명의 일 실시 형태에서는, 상기 내주 위치 조정 공정이, 상기 토출 방향을 일정하게 유지하면서, 상기 토출구로부터 토출되는 처리액의 유량을 변경하는 공정을 포함한다.In one embodiment of the present invention, the inner periphery position adjustment step includes a step of changing the flow rate of the processing liquid discharged from the discharge port while maintaining the discharge direction constant.

이 방법에 의하면, 취득된 표면 외주부의 높이 변형에 의거하여, 처리액의 토출 유량이 변경된다. 처리액의 토출 유량의 변경에 의해, 착액 처리액의 내주 위치를 비교적 용이하게 조정할 수 있다. 이에 의해, 착액 처리액의 내주 위치의 정밀한 제어를, 비교적 용이하게 실현할 수 있다.According to this method, the discharge flow rate of the processing liquid is changed based on the acquired height deformation of the outer peripheral portion of the surface. By changing the discharge flow rate of the processing liquid, the inner peripheral position of the landing liquid processing liquid can be adjusted relatively easily. Thereby, precise control of the inner peripheral position of the liquid landing processing liquid can be realized relatively easily.

이 발명의 일 실시 형태에서는, 상기 내주 위치 조정 공정이, 상기 토출 방향을 일정하게 유지하면서, 상기 표면 외주부에 있는 처리액에 상기 기판의 회전 반경 방향의 내측으로부터 내뿜어지는 기체의 유량을 변경하는 공정을 포함한다.In one embodiment of the present invention, the inner periphery position adjusting step is a step of changing the flow rate of the gas blown out from the inside in the rotational radial direction of the substrate to the processing liquid in the outer peripheral portion of the surface while maintaining the discharge direction constant includes

이 방법에 의하면, 취득된 표면 외주부의 높이 변형에 의거하여, 기판의 회전 반경 방향의 내측으로부터 착액 처리액에 내뿜어지는 기체의 분사 유량이 변경된다. 분사 유량의 변경에 의해, 착액 처리액의 내주 위치를 비교적 용이하게 조정할 수 있다. 이에 의해, 착액 처리액의 내주 위치의 정밀한 제어를, 비교적 용이하게 실현할 수 있다.According to this method, based on the acquired height deformation of the outer peripheral part of the surface, the injection flow rate of the gas injected into the liquid landing treatment liquid from the inside in the rotational radial direction of a board|substrate is changed. By changing the injection flow rate, the inner peripheral position of the liquid landing treatment liquid can be adjusted relatively easily. Thereby, precise control of the inner peripheral position of the liquid landing processing liquid can be realized relatively easily.

이 발명의 일 실시 형태에서는, 상기 높이 변형 취득 공정이, 상기 기판의 원주 방향으로 떨어진, 상기 표면 외주부 내의 복수의 위치 각각에 있어서의 높이 변형의 평균을 높이 변형으로서 취득하는 공정을 포함한다.In one embodiment of this invention, the said height distortion acquisition process includes the process of acquiring as a height distortion the average of the height distortion in each of a plurality of positions in the outer peripheral part of the said surface separated in the circumferential direction of the said board|substrate.

기판 유지 유닛에 유지되어 있는 기판의 휨 상태나 휨의 방향이, 기판의 원주 방향에 관하여 불규칙한 경우가 있다.The warpage state or the warpage direction of the board|substrate hold|maintained by the board|substrate holding unit may be irregular with respect to the circumferential direction of a board|substrate.

이 방법에 의하면, 표면 외주부의 원주 방향의 복수 위치에 있어서의 높이 변형의 평균이, 기판의 표면 외주부의 높이 변형으로서 취득된다. 그 때문에, 기판의 휨 상태나 휨의 방향이, 기판의 원주 방향에 관하여 불규칙한 경우이어도, 상면 외주부의 높이 변형으로서, 최적의 값을 취득할 수 있다.According to this method, the average of the height deformation in the plurality of positions in the circumferential direction of the outer peripheral portion of the surface is obtained as the deformation in height of the outer peripheral portion of the surface of the substrate. Therefore, even when the warpage state or the warpage direction of the substrate is irregular with respect to the circumferential direction of the substrate, it is possible to obtain an optimal value as the height deformation of the upper surface outer periphery.

이 발명의 일 실시 형태에서는, 상기 기판 처리 방법은, 상기 기판 회전 공정 및 상기 외주부 처리 공정에 병행하여, 상기 기판 중 적어도 외주부를 가열하는 기판 가열 공정을 추가로 포함하고, 상기 높이 변형 취득 공정이, 상기 기판 가열 공정의 진행에 수반하는 상기 기판의 휨에 기인하는 높이 변형을 취득하는 공정을 포함한다.In one embodiment of the present invention, the substrate processing method further includes a substrate heating step of heating at least an outer peripheral portion of the substrate in parallel to the substrate rotating step and the outer peripheral portion processing step, wherein the height deformation acquiring step is , acquiring a height deformation resulting from warpage of the substrate accompanying the progress of the substrate heating step.

이 방법에 의하면, 기판 가열 공정의 진행에 수반하는 기판의 휨에 기인하는 높이 변형이 취득된다. 기판의 휨은, 기판 가열 공정의 진행에 수반하여, 즉, 기판이 가열되는 시간이 증가함에 따라 변화한다. 기판의 표면 외주부의 높이 변형도, 기판 가열 공정의 진행에 수반하여 변화한다. 이러한 높이 변형에 의거하여 착액 처리액의 내주 위치가 조정된다.According to this method, the height distortion resulting from the curvature of the board|substrate accompanying advancing of a board|substrate heating process is acquired. The warpage of the substrate changes with the progress of the substrate heating process, that is, as the time during which the substrate is heated increases. The height deformation of the outer peripheral portion of the surface of the substrate also changes with the progress of the substrate heating step. The inner peripheral position of the liquid landing treatment liquid is adjusted based on this height deformation.

기판 가열 공정의 진행에 수반하여, 기판의 휨량이 증대하고, 높이 변형이 변화(예를 들면 증대)한다. 기판의 가열에 의해 높이 변형이 변화하는 경우에도, 취득된 높이 변형에 의거하여 착액 처리액의 내주 위치를 조정하면, 기판의 휨의 증대에 관계없이, 착액 처리액의 내주 위치를 소기 위치에 유지하는 것이 가능하다. 이에 의해, 착액 처리액의 내주 위치의 정밀한 제어를, 양호하게 실현할 수 있다.As the substrate heating process progresses, the amount of warpage of the substrate increases and the height deformation changes (eg, increases). Even when the height deformation is changed by heating the substrate, if the inner peripheral position of the liquid landing processing liquid is adjusted based on the acquired height deformation, the inner peripheral position of the liquid landing processing liquid is maintained at the scavenging position regardless of increase in the warpage of the substrate it is possible to do Thereby, precise control of the inner peripheral position of the liquid landing processing liquid can be realized favorably.

이 발명의 일 실시 형태에서는, 상기 기판 가열 공정이, 상기 기판을 당해 기판의 이면측으로부터 적어도 복사열에 의해 가열 가능한 가열 위치에 히터를 배치하는 히터 배치 공정을 포함한다.In one embodiment of the present invention, the substrate heating step includes a heater arrangement step of arranging the heater at a heating position where the substrate can be heated by at least radiant heat from the back side of the substrate.

이 방법에 의하면, 히터가 가열 위치에 배치됨으로써, 기판이, 적어도 복사열에 의해, 기판의 이면측으로부터 가열된다. 이에 의해, 기판의 표면 외주부에 있어서의 처리 레이트를 향상시킬 수 있다.According to this method, by placing the heater at the heating position, the substrate is heated from the back side of the substrate by at least radiant heat. Thereby, the processing rate in the surface outer peripheral part of a board|substrate can be improved.

이 발명의 일 실시 형태에서는, 상기 높이 변형 취득 공정이, 상기 기판 가열 공정에 병행하여, 상기 표면 외주부의 높이 변형을 감시하는 높이 변형 감시 공정을 포함한다. 그리고, 상기 내주 위치 조정 공정이, 상기 기판 회전 공정 및 상기 외주부 처리 공정에 병행하여, 상기 높이 변형 감시 공정에 있어서의 높이 변형의 감시 결과에 의거하여 상기 내주 위치를 조정하는 공정을 포함한다.In one embodiment of this invention, the said height distortion acquisition process includes the height distortion monitoring process of monitoring the height distortion of the said surface outer peripheral part in parallel with the said board|substrate heating process. And the said inner peripheral position adjustment process includes the process of adjusting the said inner peripheral position based on the monitoring result of the height distortion in the said height deformation monitoring process in parallel with the said board|substrate rotation process and the said outer peripheral part processing process.

이 방법에 의하면, 외주부 처리 공정에 있어서, 표면 외주부의 높이 변형이 감시된다. 그리고, 높이 변형의 감시 결과에 의거하여, 착액 처리액의 내주 위치가 조정된다. 즉, 표면 외주부의 높이 변형의 변화에 따라, 착액 처리액의 내주 위치를 리얼타임으로 조정할 수 있다. 실제의 계측에 의거하여 착액 처리액의 내주 위치를 조정하므로, 착액 처리액의 내주 위치를 정밀도 좋게 조정할 수 있다.According to this method, in the outer periphery processing step, the height deformation of the outer periphery of the surface is monitored. And based on the monitoring result of height deformation, the inner peripheral position of the liquid landing treatment liquid is adjusted. That is, the inner peripheral position of the liquid landing treatment liquid can be adjusted in real time in accordance with the change in the height deformation of the outer peripheral portion of the surface. Since the inner peripheral position of the liquid landing processing liquid is adjusted based on actual measurement, the inner peripheral position of the liquid landing processing liquid can be adjusted with high precision.

이 발명의 일 실시 형태에서는, 상기 높이 변형 취득 공정이, 상기 기판 가열 공정의 개시로부터의 경과 시간에 의거하여, 상기 표면 외주부의 높이 변형을 연산하는 가열 높이 변형 연산 공정을 포함한다. 그리고, 상기 내주 위치 조정 공정이, 상기 가열 높이 변형 연산 공정에 의해 구해진 높이 변형에 의거하여 상기 내주 위치를 조정하는 공정을 포함한다.In one embodiment of this invention, the said height distortion acquisition process includes the heating height deformation calculation process of calculating the height distortion of the said surface outer periphery based on the elapsed time from the start of the said board|substrate heating process. And the said inner periphery position adjustment process includes the process of adjusting the said inner periphery position based on the height distortion calculated|required by the said heating height deformation calculation process.

이 방법에 의하면, 표면 외주부의 높이 변형을, 기판 가열 공정의 개시로부터의 경과 시간에 의거하여 연산에 의해 구한다. 즉, 외주부 처리 공정에 있어서, 표면 외주부의 높이 변형을 감시해 둘 필요가 없다. 즉, 외주부 처리 공정에 있어서 표면 외주부의 높이 변형을 계측하지 않고, 착액 처리액의 내주 위치를 고정밀도로 조정하는 것이 가능하다.According to this method, the height distortion of a surface outer peripheral part is calculated|required by calculation based on the elapsed time from the start of a board|substrate heating process. That is, in the outer periphery treatment step, it is not necessary to monitor the height deformation of the outer periphery of the surface. That is, it is possible to adjust the inner peripheral position of the liquid landing treatment liquid with high precision without measuring the height deformation of the surface outer peripheral portion in the outer peripheral portion treatment step.

이 발명의 일 실시 형태에서는, 상기 가열 높이 변형 연산 공정이, 상기 기판 가열 공정의 개시로부터의 경과 시간과 상기 표면 외주부의 높이 변형의 대응 관계를 참조하여, 높이 변형을 구하는 공정을 포함한다.In one embodiment of the present invention, the heating height deformation calculation step includes a step of determining the height deformation with reference to the correspondence relation between the elapsed time from the start of the substrate heating step and the height deformation of the outer peripheral portion of the surface.

이 방법에 의하면, 대응 관계를 참조함으로써, 표면 외주부의 높이 변형이 산출된다. 이에 의해, 표면 외주부의 높이 변형을 계측하지 않고, 표면 외주부의 높이 변형을 취득하는 것이 가능하다.According to this method, the height deformation of the outer periphery of the surface is calculated by referring to the correspondence relationship. Thereby, it is possible to acquire the height distortion of a surface outer periphery without measuring the height distortion of a surface outer periphery.

이 발명의 일 실시 형태에서는, 상기 대응 관계가, 상기 기판 처리 방법을 실행하는 기판 처리 장치를 이용한 실험에 의해 구해져 있다.In one embodiment of this invention, the said correspondence relationship is calculated|required by the experiment using the substrate processing apparatus which implements the said substrate processing method.

이 방법에 의하면, 기판 처리 방법이 실현되는 기판 처리 장치를 이용한 실험에 의해 대응 관계가 구해져 있으므로, 표면 외주부의 높이 변형을, 보다 한층 더 정밀도 좋게 취득할 수 있다.According to this method, since the correspondence relationship is calculated|required by the experiment using the substrate processing apparatus which implement|achieves the substrate processing method, the height deformation|transformation of the surface outer periphery can be acquired with further precision.

이 발명의 일 실시 형태에서는, 상기 기판 유지 유닛이, 상기 기판의 외주부에 접촉하지 않고 상기 기판의 중앙부에 접촉하여 상기 기판을 유지하는 유닛을 포함한다.In one embodiment of the present invention, the substrate holding unit includes a unit that holds the substrate in contact with the central portion of the substrate without contacting the outer peripheral portion of the substrate.

이 방법에 의하면, 기판 유지 유닛에 의해 기판의 외주부가 아닌 기판의 중앙부가 지지된다. 기판의 외주부가 상하 방향으로 변위하고 있어도, 기판의 외주부가 기판 유지 유닛에 의해 지지되면, 기판 유지 유닛에 의한 지지에 의해, 기판의 외주부의 변위의 크기가, 약간 완화된다. 그러나, 기판의 중앙부가 기판 유지 유닛에 의해 지지되는 경우에는, 기판의 외주부의 변위의 크기가, 기판 유지 유닛에 의한 지지에 의해 완화되는 경우는 없다.According to this method, the central portion of the substrate is supported, not the outer peripheral portion of the substrate, by the substrate holding unit. Even if the outer periphery of the substrate is displaced in the vertical direction, if the outer periphery of the substrate is supported by the substrate holding unit, the size of the displacement of the outer periphery of the substrate is slightly alleviated by the support by the substrate holding unit. However, when the central portion of the substrate is supported by the substrate holding unit, the magnitude of the displacement of the outer peripheral portion of the substrate is not relieved by the support by the substrate holding unit.

이 경우이어도, 토출 방향을 일정하게 유지하면서, 취득된 표면 외주부의 높이 변형에 의거하여 착액 처리액의 내주 위치를 조정함으로써, 기판의 표면 외주부에 있어서의 처리 폭을 정밀하게 제어할 수 있고, 또한 외주부 처리 후에 있어서의 기판의 표면 외주부로의 파티클의 부착을 억제 또는 방지할 수 있다.Even in this case, by adjusting the inner periphery position of the liquid landing treatment liquid based on the acquired height deformation of the outer periphery of the surface while maintaining the discharge direction constant, the processing width in the outer periphery of the surface of the substrate can be precisely controlled, and It is possible to suppress or prevent the adhesion of particles to the outer peripheral portion of the surface of the substrate after the outer peripheral portion treatment.

본 발명의 다른 실시 형태는, 기판을 유지하는 기판 유지 유닛과, 상기 기판 유지 유닛에 의해 유지되어 있는 상기 기판을, 상기 기판의 중앙부를 지나는 회전축선 둘레로 회전시키는 기판 회전 유닛과, 상기 기판 유지 유닛에 의해 유지되어 있는 상기 기판의 표면 외주부에 대해, 상기 기판의 회전 반경 방향의 내측에 배치된 토출구를 갖는 처리액 노즐과, 상기 처리액 노즐에 처리액을 공급하는 처리액 공급 유닛과, 상기 기판의 상기 표면 외주부의 높이 변형을 취득하는 높이 변형 취득 유닛과, 상기 기판의 표면 외주부에 설정된 착액 위치에 공급된 처리액(즉, 착액 처리액)의 내주 위치를 조정하는 내주 위치 조정 유닛과, 상기 기판 회전 유닛, 상기 처리액 공급 유닛, 상기 높이 변형 취득 유닛 및 상기 내주 위치 조정 유닛을 제어하는 제어 장치를 포함하는, 기판 처리 장치를 제공한다.Another embodiment of the present invention includes: a substrate holding unit for holding a substrate; a substrate rotating unit for rotating the substrate held by the substrate holding unit around a rotation axis passing through a central portion of the substrate; a processing liquid nozzle having a discharge port disposed inside a rotational radial direction of the substrate with respect to the outer peripheral portion of the surface of the substrate held by the unit; and a processing liquid supply unit supplying the processing liquid to the processing liquid nozzle; a height deformation acquiring unit for acquiring the height deformation of the outer peripheral portion of the surface of the substrate; and an inner peripheral position adjusting unit for adjusting the inner peripheral position of the processing liquid (that is, liquid landing processing liquid) supplied to the liquid landing position set on the surface outer peripheral portion of the substrate; and a control device for controlling the substrate rotating unit, the processing liquid supply unit, the height deformation acquiring unit, and the inner peripheral position adjusting unit.

상기 제어 장치가, 상기 기판 유지 유닛에 의해 유지되어 있는 상기 기판을 상기 회전축선 둘레로 상기 기판 회전 유닛에 의해 회전시키는 기판 회전 공정과, 상기 기판 회전 공정에 병행하여, 상기 착액 위치를 향하여 상기 토출구로부터 처리액을 토출하여, 상기 표면 외주부를, 처리액을 이용하여 처리하는 외주부 처리 공정과, 상기 기판의 상기 표면 외주부의 높이 변형을, 상기 높이 변형 취득 유닛에 의해 취득하는 높이 변형 취득 공정과, 상기 토출구로부터 토출되는 처리액의 토출 방향을 일정하게 유지하면서, 상기 내주 위치 조정 유닛에 의해, 상기 착액 위치에 공급된 처리액(즉, 착액 처리액)의 내주 위치를 상기 높이 변형 취득 공정에 의해 취득된 높이 변형에 의거하여 조정하는 내주 위치 조정 공정을 실행한다.a substrate rotation step in which the control device rotates the substrate held by the substrate holding unit by the substrate rotation unit around the rotation axis, and parallel to the substrate rotation step, the discharge port toward the liquid landing position an outer periphery treatment step of discharging the treatment liquid from the outer periphery to treat the surface outer periphery using the treatment liquid, and a height deformation obtaining step of acquiring a height deformation of the surface outer periphery of the substrate by the height deformation obtaining unit; While maintaining the discharge direction of the processing liquid discharged from the discharge port constant, the inner peripheral position adjusting unit adjusts the inner peripheral position of the processing liquid (that is, liquid landing processing liquid) supplied to the liquid landing position by the height deformation acquisition step The inner periphery position adjustment process adjusted based on the acquired height deformation|transformation is performed.

이 구성에 의하면, 취득된 표면 외주부의 높이 변형에 의거하여, 착액 처리액의 내주 위치가 조정된다. 그 때문에, 착액 처리액의 내주 위치를, 기판의 휨 상태에 따른 위치로 조정하는 것이 가능하다. 이 조정에 의해, 액폭을 정밀하게 제어하는 것이 가능하다.According to this configuration, the inner peripheral position of the liquid landing treatment liquid is adjusted based on the acquired height deformation of the outer peripheral portion of the surface. Therefore, it is possible to adjust the inner peripheral position of the liquid landing treatment liquid to a position corresponding to the bending state of the substrate. By this adjustment, it is possible to precisely control the liquid width.

또, 처리액의 토출 방향을 일정하게 유지하면서, 착액 처리액의 내주 위치를 조정하므로, 토출구로부터 토출되는 처리액이 착액 위치에 입사할 때의 입사 각도를, 파티클 성능이 높은 최적의 각도의 근방 각도로 계속 유지하는 것이 가능하다. 따라서, 외주부 처리 후에 있어서의, 기판의 표면 외주부로의 파티클의 부착을 억제 또는 방지하는 것이 가능하다.In addition, since the inner peripheral position of the liquid landing treatment liquid is adjusted while the discharge direction of the treatment liquid is kept constant, the incident angle when the treatment liquid discharged from the discharge port enters the liquid landing position is set near the optimum angle with high particle performance. It is possible to keep it at an angle. Therefore, it is possible to suppress or prevent the adhesion of particles to the outer peripheral portion of the surface of the substrate after the outer peripheral portion treatment.

이에 의해, 기판의 표면 외주부에 있어서의 처리 폭을 정밀하게 제어할 수 있고, 또한 외주부 처리 후에 있어서의 기판의 표면 외주부로의 파티클의 부착을 억제 또는 방지할 수 있는 기판 처리 장치를 제공할 수 있다.Thereby, it is possible to provide a substrate processing apparatus capable of precisely controlling the processing width in the outer periphery of the surface of the substrate and suppressing or preventing adhesion of particles to the outer periphery of the surface of the substrate after the treatment of the outer periphery. .

본 발명에 있어서의 전술의, 또는 또 다른 목적, 특징 및 효과는, 첨부 도면을 참조하여 다음에 서술하는 실시 형태의 설명에 의해 분명하게 된다.The above-mentioned or another object, characteristic, and effect in this invention will become clear by description of embodiment described next with reference to an accompanying drawing.

도 1은, 본 발명의 제1의 실시 형태에 따른 기판 처리 장치의 내부의 레이아웃을 설명하기 위한 도해적인 평면도이다.
도 2는, 상기 기판 처리 장치에 구비된 처리 유닛의 구성예를 설명하기 위한 도해적인 단면도이다.
도 3은, 기판의 상면 외주부를 향하여 처리액 노즐로부터 처리액을 토출하고 있는 상태를 나타내는 단면도이다.
도 4는, 스핀 척에 유지되어야 하는 기판에 발생한 휨의 제1의 양태를 나타내는 단면도이다.
도 5는, 스핀 척에 유지되어야 하는 기판에 발생한 휨의 제2의 양태를 나타내는 단면도이다.
도 6a~6c는, 스핀 척에 유지되어야 하는 기판에 발생한 휨의 제3의 양태를 나타내는 도면이다.
도 7은, 제1의 양태를 나타내는 기판의 상면 외주부를 향하여 처리액 노즐로부터 처리액을 토출하고 있는 상태를 나타내는 단면도이다.
도 8은, 제2의 양태를 나타내는 기판의 상면 외주부를 향하여 처리액 노즐로부터 처리액을 토출하고 있는 상태를 나타내는 단면도이다.
도 9는, 기판의 상면 외주부의 처리 폭을 나타내는 요부 평면도이다.
도 10은, 상기 기판 처리 장치의 주요부의 전기적 구성을 설명하기 위한 블록도이다.
도 11은, 상기 처리 유닛에 의한 기판 처리예를 설명하기 위한 흐름도이다.
도 12는, 도 11에 나타내는 외주부 에칭 공정 전의 공정의 내용을 설명하기 위한 모식적인 도면이다.
도 13은, 상기 외주부 에칭 공정의 내용을 설명하기 위한 모식적인 도면이다.
도 14a는, 도 11에 나타내는 높이 변형 계측 공정의 내용을 설명하기 위한 흐름도이다.
도 14b는, 도 11에 나타내는 높이 변형 감시 공정 및 착액 위치 이동 공정의 내용을 설명하기 위한 흐름도이다.
도 15는, 상기 외주부 에칭 공정에 있어서의 에칭액의 토출 상태의 일례를 나타내는 단면도이다.
도 16은, 상기 외주부 에칭 공정에 있어서의 에칭액의 토출 상태의 다른 예를 나타내는 단면도이다.
도 17은, 본 발명의 제2의 실시 형태에 따른 기판 처리 장치의 주요부의 전기적 구성을 설명하기 위한 블록도이다.
도 18은, 도 17에 나타내는 가열 시간-높이 변형 대응 테이블 기억부에 기억되는 가열 시간-높이 변형 대응 테이블의 내용을 나타내는 도면이다.
도 19는, 제2의 실시 형태에 따른 처리 유닛에 의한 기판 처리예를 설명하기 위한 흐름도이다.
도 20은, 도 19에 나타내는 높이 변형 연산 공정 및 착액 위치 이동 공정의 내용을 설명하기 위한 흐름도이다.
도 21은, 상기 착액 위치 이동 공정의 제1의 변형예를 설명하기 위한 단면도이다.
도 22는, 상기 착액 위치 이동 공정의 제1의 변형예를 설명하기 위한 단면도이다.
도 23은, 제3의 실시 형태에 따른 기판 처리 장치에 있어서 실행되는 외주부 에칭 공정에 있어서의 에칭액의 토출 상태의 일례를 나타내는 단면도이다.
도 24는, 제3의 실시 형태에 따른 기판 처리 장치에 있어서 실행되는 외주부 에칭 공정에 있어서의 에칭액의 토출 상태의 일례를 나타내는 단면도이다.
도 25는, 제4의 실시 형태에 따른 기판 처리 장치에 있어서 실행되는 외주부 에칭 공정에 있어서의 에칭액의 토출 상태의 일례를 나타내는 단면도이다.
도 26은, 제4의 실시 형태에 따른 기판 처리 장치에 있어서 실행되는 외주부 에칭 공정에 있어서의 에칭액의 토출 상태의 일례를 나타내는 단면도이다.
도 27은, 제4의 실시 형태에 따른 기판 처리 장치에 있어서 실행되는 외주부 에칭 공정에 있어서의 에칭액의 토출 상태의 일례를 나타내는 단면도이다.
도 28은, 상기 착액 위치 이동 공정의 제2의 변형예를 설명하기 위한 단면도이다.
도 29는, 상기 착액 위치 이동 공정의 제2의 변형예를 설명하기 위한 단면도이다.
도 30은, 높이 변형 센서의 변형예를 나타내는 도면이다.1 is a schematic plan view for explaining the internal layout of a substrate processing apparatus according to a first embodiment of the present invention.
2 is a schematic cross-sectional view for explaining a configuration example of a processing unit included in the substrate processing apparatus.
3 is a cross-sectional view illustrating a state in which the processing liquid is discharged from the processing liquid nozzle toward the outer peripheral portion of the upper surface of the substrate.
Fig. 4 is a cross-sectional view showing a first aspect of warpage occurring in a substrate to be held by a spin chuck.
Fig. 5 is a cross-sectional view showing a second aspect of the warpage occurring in the substrate to be held by the spin chuck.
6A to 6C are diagrams illustrating a third aspect of warpage occurring in a substrate to be held by a spin chuck.
7 is a cross-sectional view illustrating a state in which the processing liquid is discharged from the processing liquid nozzle toward the outer peripheral portion of the upper surface of the substrate according to the first embodiment.
8 is a cross-sectional view illustrating a state in which the processing liquid is discharged from the processing liquid nozzle toward the outer peripheral portion of the upper surface of the substrate according to the second embodiment.
Fig. 9 is a main part plan view showing the processing width of the upper surface outer periphery of the substrate.
10 is a block diagram for explaining the electrical configuration of a main part of the substrate processing apparatus.
11 is a flowchart for explaining an example of substrate processing by the processing unit.
FIG. 12 is a schematic diagram for explaining the contents of a process before the outer peripheral part etching process shown in FIG. 11 .
13 : is a schematic diagram for demonstrating the content of the said outer peripheral part etching process.
It is a flowchart for demonstrating the content of the height distortion measuring process shown in FIG. 11. FIG.
Fig. 14B is a flowchart for explaining the contents of the height deformation monitoring step and the liquid landing position moving step shown in Fig. 11 .
15 : is sectional drawing which shows an example of the discharge state of the etching liquid in the said outer peripheral part etching process.
16 : is sectional drawing which shows the other example of the discharge state of the etching liquid in the said outer peripheral part etching process.
17 is a block diagram for explaining the electrical configuration of a main part of the substrate processing apparatus according to the second embodiment of the present invention.
Fig. 18 is a diagram showing the contents of the heating time-height deformation correspondence table stored in the heating time-height deformation correspondence table storage unit shown in Fig. 17;
19 is a flowchart for explaining an example of substrate processing by the processing unit according to the second embodiment.
20 : is a flowchart for demonstrating the content of the height deformation calculation process and liquid landing position movement process shown in FIG.
21 is a cross-sectional view for explaining a first modification of the liquid landing position moving step.
22 is a cross-sectional view for explaining a first modification of the liquid landing position moving step.
23 is a cross-sectional view illustrating an example of a discharge state of an etching solution in an outer periphery etching step performed in the substrate processing apparatus according to the third embodiment.
24 is a cross-sectional view showing an example of a discharge state of an etchant in an outer periphery etching step performed in the substrate processing apparatus according to the third embodiment.
25 is a cross-sectional view illustrating an example of a discharge state of an etching solution in an outer periphery etching step performed in the substrate processing apparatus according to the fourth embodiment.
26 is a cross-sectional view illustrating an example of a discharge state of an etching solution in an outer periphery etching step performed in the substrate processing apparatus according to the fourth embodiment.
27 is a cross-sectional view illustrating an example of a discharge state of an etching solution in an outer periphery etching step performed in the substrate processing apparatus according to the fourth embodiment.
28 is a cross-sectional view for explaining a second modified example of the liquid landing position moving step.
29 is a cross-sectional view for explaining a second modified example of the liquid landing position moving step.
30 : is a figure which shows the modified example of a height deformation sensor.

도 1은, 본 발명의 제1의 실시 형태에 따른 기판 처리 장치의 내부의 레이아웃을 설명하기 위한 도해적인 평면도이다. 기판 처리 장치(1)는, 반도체 웨이퍼 등의 원판 형상의 기판(W)을, 처리액이나 처리 가스를 이용하여 한 장씩 처리하는 매엽식 장치이다.1 is a schematic plan view for explaining the internal layout of a substrate processing apparatus according to a first embodiment of the present invention. The substrate processing apparatus 1 is a single-wafer type apparatus that processes a disk-shaped substrate W such as a semiconductor wafer one by one using a processing liquid or a processing gas.

기판 처리 장치(1)는, 처리액을 이용하여 기판(W)을 처리하는 복수의 처리 유닛(2)과, 처리 유닛(2)에서 처리되는 복수 장의 기판(W)을 수용하는 캐리어(C)가 재치(載置)되는 로드 포트(LP)와, 로드 포트(LP)와 처리 유닛(2) 사이에서 기판(W)을 반송하는 반송 로봇(IR 및 CR)과, 기판 처리 장치(1)를 제어하는 제어 장치(3)를 포함한다. 반송 로봇(IR)은, 캐리어(C)와 반송 로봇(CR) 사이에서 기판(W)을 반송한다. 반송 로봇(CR)은, 반송 로봇(IR)과 처리 유닛(2) 사이에서 기판(W)을 반송한다. 복수의 처리 유닛(2)은, 예를 들면, 동일한 구성을 갖고 있다.The substrate processing apparatus 1 includes a plurality of processing units 2 for processing a substrate W using a processing liquid, and a carrier C for accommodating a plurality of substrates W processed in the processing unit 2 . A load port LP on which the load port LP is placed, transfer robots IR and CR for transferring the substrate W between the load port LP and the processing unit 2 , and the substrate processing apparatus 1 . It includes a control device (3) for controlling. The transfer robot IR transfers the substrate W between the carrier C and the transfer robot CR. The transfer robot CR transfers the substrate W between the transfer robot IR and the processing unit 2 . The plurality of processing units 2 have, for example, the same configuration.

도 2는, 처리 유닛(2)의 구성예를 설명하기 위한 도해적인 단면도이다. 도 3은, 처리 위치에 배치되어 있는 처리액 노즐(6)로부터 처리액을 토출하고 있는 상태를 나타내는 단면도이다.2 is a schematic cross-sectional view for explaining a configuration example of the processing unit 2 . 3 is a cross-sectional view illustrating a state in which the processing liquid is discharged from the processing liquid nozzle 6 disposed at the processing position.

도 2에 나타내는 바와 같이, 처리 유닛(2)은, 기판(W)의 외주부(101)(도 3 등 참조)를, 보다 구체적으로는 기판(W)의 상면(표면(디바이스 형성면))의 외주부(101)(이하, 「상면 외주부(102)」(표면 외주부)라고 한다. 도 3 등 참조) 및 기판(W)의 주단(周端)면(103)(도 3 등 참조)을, 처리액(예를 들면, 약액 및 린스액)을 이용하여 처리하는(톱사이드 처리) 유닛이다. 이 실시 형태에서는, 외주부(101)란, 상면 외주부(102), 기판(W)의 주단면(103), 및 기판(W)의 하면(이면(비(非)디바이스 형성면))의 외주부를 포함한다. 또, 이 실시 형태에서는, 상면 외주부(102)는, 예를 들면, 기판(W)의 상면의 외주부 중, 기판(W)의 주단면(103)으로부터 콤마수밀리미터~수밀리미터 정도의 폭을 갖는 환상의 영역을 가리킨다.As shown in FIG. 2 , the processing unit 2 includes the outer peripheral portion 101 (refer to FIG. 3 and the like) of the substrate W, more specifically, the upper surface (surface (device formation surface)) of the substrate W. The outer peripheral portion 101 (hereinafter referred to as "upper surface outer peripheral portion 102" (surface outer peripheral portion). Refer to FIG. 3 etc.) and the peripheral surface 103 (refer to FIG. 3 etc.) of the board|substrate W, process It is a unit that processes (topside treatment) using a liquid (eg, a chemical liquid and a rinse liquid). In this embodiment, the outer peripheral portion 101 refers to the upper surface outer peripheral portion 102, the main end surface 103 of the substrate W, and the outer peripheral portion of the lower surface (rear surface (non-device formation surface)) of the substrate W. include In addition, in this embodiment, the upper surface outer peripheral portion 102 has a width of about several millimeters to several millimeters from the main end surface 103 of the substrate W among the outer peripheral portions of the upper surface of the substrate W, for example. It refers to the realm of fantasy.

도 2에 나타내는 바와 같이, 처리 유닛(2)은, 내부 공간을 갖는 상자형의 처리 챔버(4)와, 처리 챔버(4) 내에서 한 장의 기판(W)을 수평인 자세로 유지하고, 기판(W)의 중심을 지나는 연직인 회전축선(A1) 둘레로 기판(W)을 회전시키는 스핀 척(기판 유지 유닛)(5)과, 스핀 척(5)에 의해 유지되어 있는 기판(W)의 상면 외주부(102)를 향하여 처리액을 토출하기 위한 처리액 노즐(6)과, 약액의 일례로서의 에칭액을 처리액 노즐(6)에 공급하기 위한 에칭액 공급 유닛(처리액 공급 유닛)(7)과, 처리액 노즐(6)에 린스액을 공급하기 위한 린스액 공급 유닛(처리액 공급 유닛)(8)과, 스핀 척(5)에 의해 유지되어 있는 기판(W)의 상방에 배치된 차단 부재(9)와, 스핀 척(5)에 유지되어 있는 기판(W)의 하방에 배치된 핫 플레이트(히터)(10)와, 스핀 척(5)의 측방을 둘러싸는 통 형상의 처리 컵(11)과, 스핀 척(5)에 의해 유지되어 있는 기판(W)에 있어서의 상면 중앙부(이 경우, 기판(W)의 중심 부근)에 대한 상면 외주부(102)의 높이 변형(HD)(높이 위치)을 계측하기 위한 높이 변형 센서(12)를 포함한다.As shown in FIG. 2 , the processing unit 2 includes a box-shaped processing chamber 4 having an internal space, and a single substrate W in the processing chamber 4 held in a horizontal position, and the substrate A spin chuck (substrate holding unit) 5 for rotating the substrate W around a vertical rotation axis A1 passing through the center of W, and a substrate W held by the spin chuck 5 A processing liquid nozzle 6 for discharging the processing liquid toward the upper surface outer peripheral portion 102, and an etching liquid supply unit (processing liquid supply unit) 7 for supplying an etching liquid as an example of a chemical to the processing liquid nozzle 6; , a rinse liquid supply unit (treatment liquid supply unit) 8 for supplying a rinse liquid to the treatment liquid nozzle 6 , and a blocking member disposed above the substrate W held by the spin chuck 5 . (9), a hot plate (heater) 10 disposed below the substrate W held by the spin chuck 5, and a cylindrical processing cup 11 surrounding the side of the spin chuck 5 ) and the height deformation HD (height position) of the upper surface outer peripheral portion 102 with respect to the upper surface central portion (in this case, near the center of the substrate W) in the substrate W held by the spin chuck 5 (height position) ) includes a height deformation sensor 12 for measuring.

도 2에 나타내는 바와 같이, 처리 챔버(4)는, 상자 형상의 격벽(13)과, 격벽(13)의 상부로부터 격벽(13) 내(처리 챔버(4) 내에 상당)에 청정 공기를 보내는 송풍 유닛으로서의 FFU(팬·필터·유닛)(14)과, 격벽(13)의 하부로부터 처리 챔버(4) 내의 기체를 배출하는 배기 장치(도시하지 않음)를 포함한다.As shown in FIG. 2 , the processing chamber 4 includes a box-shaped partition wall 13 and a blower for sending clean air from the upper portion of the partition wall 13 to the inside of the partition 13 (corresponding to the inside of the processing chamber 4 ). It includes an FFU (fan filter unit) 14 as a unit, and an exhaust device (not shown) for discharging gas in the processing chamber 4 from the lower portion of the partition wall 13 .

도 2에 나타내는 바와 같이, FFU(14)은 격벽(13)의 상방에 배치되어 있으며, 격벽(13)의 천장에 장착되어 있다. FFU(14)은, 격벽(13)의 천장으로부터 처리 챔버(4) 내에 청정 공기를 보낸다. 배기 장치는, 처리 컵(11) 내에 접속된 배기 덕트(15)를 통해 처리 컵(11)의 바닥부에 접속되어 있으며, 처리 컵(11)의 바닥부로부터 처리 컵(11)의 내부를 흡인한다. FFU(14) 및 배기 장치에 의해, 처리 챔버(4) 내에 다운플로(하강류)가 형성된다.As shown in FIG. 2 , the FFU 14 is disposed above the partition wall 13 , and is attached to the ceiling of the partition wall 13 . The FFU 14 sends clean air into the processing chamber 4 from the ceiling of the partition wall 13 . The exhaust device is connected to the bottom of the processing cup 11 through an exhaust duct 15 connected to the inside of the processing cup 11 , and sucks the inside of the processing cup 11 from the bottom of the processing cup 11 . do. A downflow (downflow) is formed in the processing chamber 4 by the FFU 14 and the exhaust device.

도 2에 나타내는 바와 같이, 스핀 척(5)은, 이 실시 형태에서는, 진공 흡착식 척(진공 척)이다. 스핀 척(5)은, 기판(W)의 하면의 중앙부를 흡착 지지하고 있다. 스핀 척(5)은, 연직인 방향으로 연장된 스핀 축(16)과, 이 스핀 축(16)의 상단에 장착되고, 기판(W)을 수평인 자세로 그 하면을 흡착하여 유지하는 스핀 베이스(17)와, 스핀 축(16)과 동축에 결합된 회전축을 갖는 스핀 모터(기판 회전 유닛)(18)를 구비하고 있다. 스핀 베이스(17)는, 기판(W)의 외경보다 작은 외경을 갖는 수평인 원형의 상면(17a)을 포함한다. 기판(W)의 하면의 중앙부는, 기판(W)의 중심이 상면(17a)의 중심에 일치하도록 상면(17a)에 놓여진다. 기판(W)의 이면에 상당하는 기판(W)의 하면이 스핀 베이스(17)에 흡착 유지된 상태에서는, 기판(W)의 외주부(101)가, 스핀 베이스(17)의 주단 가장자리보다 외측으로 튀어나와 있다. 스핀 모터(18)가 구동됨으로써, 스핀 축(16)의 중심축선 둘레로 기판(W)이 회전된다.As shown in FIG. 2 , the spin chuck 5 is a vacuum suction chuck (vacuum chuck) in this embodiment. The spin chuck 5 adsorbs and supports the central portion of the lower surface of the substrate W. The spin chuck 5 includes a spin shaft 16 extending in a vertical direction, and a spin base mounted on the upper end of the spin shaft 16 to hold the lower surface of the substrate W by sucking and holding the substrate W in a horizontal position. 17 and a spin motor (substrate rotation unit) 18 having a rotation shaft coaxially coupled to the spin shaft 16 . The spin base 17 includes a horizontal circular upper surface 17a having an outer diameter smaller than the outer diameter of the substrate W. As shown in FIG. The central portion of the lower surface of the substrate W is placed on the upper surface 17a so that the center of the substrate W coincides with the center of the upper surface 17a. When the lower surface of the substrate W, which corresponds to the rear surface of the substrate W, is adsorbed and held by the spin base 17 , the outer periphery 101 of the substrate W is outward from the peripheral edge of the spin base 17 . is sticking out As the spin motor 18 is driven, the substrate W is rotated around the central axis of the spin shaft 16 .

도 2에 나타내는 바와 같이, 처리액 노즐(6)은, 예를 들면, 연속류의 상태로 액을 토출하는 스트레이트 노즐이다. 처리액 노즐(6)은, 처리액이 기판(W)의 상면에 충돌하는 착액 위치를 기판(W)의 상면 내에서 변경 가능한 스캔 노즐이다. 처리액 노즐(6)은, 거의 수평으로 연장된 노즐 아암(40)의 선단부에 장착되어 있다. 노즐 아암(40)에는, 노즐 아암(40)을, 스핀 척(5)의 측방에 설정된 연직인 요동축선 둘레로 요동시키는 아암 이동 유닛(토출구 위치 이동 유닛, 내주 위치 조정 유닛)(41)이 결합되어 있다. 아암 이동 유닛(41)은, 예를 들면 서보 모터이다. 아암 이동 유닛(41)의 구동에 의해 노즐 아암(40)을 상기의 요동축선 둘레로 수평면 내에서 요동시킬 수 있으며, 이에 의해, 처리액 노즐(6)을 회동시킬 수 있도록 되어 있다. 처리액 노즐(6)의 회동에 의해, 상면 외주부(102)에 있어서, 처리액 노즐(6)이 기판(W)의 회전 반경 방향(RD)(회전축선(A1)에 직교하는 방향. 이하, 간단히 「경방향(RD)」이라고 한다)을 따라 이동한다.As shown in FIG. 2 , the processing liquid nozzle 6 is, for example, a straight nozzle that discharges the liquid in a continuous flow state. The processing liquid nozzle 6 is a scan nozzle capable of changing the liquid landing position at which the processing liquid collides with the upper surface of the substrate W within the upper surface of the substrate W. The processing liquid nozzle 6 is attached to the distal end of the substantially horizontally extending nozzle arm 40 . An arm movement unit (discharge port position movement unit, inner circumference position adjustment unit) 41 that swings the nozzle arm 40 around a vertical rotation axis set on the side of the spin chuck 5 is coupled to the nozzle arm 40 . has been The arm moving unit 41 is, for example, a servo motor. By driving the arm moving unit 41 , the nozzle arm 40 can be oscillated in a horizontal plane around the oscillation axis, and thereby the processing liquid nozzle 6 can be rotated. Due to the rotation of the processing liquid nozzle 6 , in the upper surface outer peripheral portion 102 , the processing liquid nozzle 6 is rotated in the radial direction RD of the substrate W (direction orthogonal to the rotation axis A1 . Hereinafter, It simply moves along the "radial direction (RD)").

도 3에 나타내는 바와 같이, 처리액 노즐(6)은, 상면 외주부(102) 내의 착액 위치(이하, 간단히 「착액 위치(105)」라고 한다)를 향하여 처리액을 토출한다. 처리액 노즐(6)의 토출구(6a)는, 경방향(RD)에 있어서의 착액 위치(105)의 내측에 배치된다. 따라서, 처리액 노즐(6)은, 토출구(6a)로부터 착액 위치(105)를 향하여 비스듬히 밖으로 연장되는 토출 방향으로 처리액(약액 또는 린스액)을 하방에 토출한다. 기판(W)의 상면은, 디바이스가 형성되는 디바이스 형성면이며, 원환 형상의 상면 외주부(102)에 둘러싸인 기판(W)의 상면 내의 원형의 영역은, 디바이스가 형성되는 디바이스 형성 영역이다. 경방향(RD)의 내측으로부터 착액 위치(105)를 향하여 처리액이 토출되므로, 디바이스 형성 영역으로의 처리액의 액튐을 억제 또는 방지할 수 있다.As shown in FIG. 3 , the processing liquid nozzle 6 discharges the processing liquid toward the liquid landing position (hereinafter, simply referred to as “liquid landing position 105 ”) in the upper surface outer peripheral portion 102 . The discharge port 6a of the processing liquid nozzle 6 is disposed inside the liquid landing position 105 in the radial direction RD. Accordingly, the processing liquid nozzle 6 discharges the processing liquid (chemical liquid or rinsing liquid) downward in a discharge direction extending obliquely outward from the discharge port 6a toward the liquid landing position 105 . The upper surface of the substrate W is a device formation surface on which a device is formed, and a circular region in the upper surface of the substrate W surrounded by the annular upper surface outer periphery 102 is a device formation region on which a device is formed. Since the processing liquid is discharged from the inside in the radial direction RD toward the liquid landing position 105 , splashing of the processing liquid to the device formation region can be suppressed or prevented.

토출구(6a)로부터의 처리액의 토출 방향은, 평면에서 봤을 때 경방향(RD)을 따르는 방향이며, 또한 기판(W)의 상면에 대해 소정 각도(입사 각도)로 입사하는 방향이다. 이 입사 각도로서, 최적인 각도가, 실험 등을 행함으로써 결정되어 있다. 토출구(6a)로부터의 처리액의 토출 방향은, 휨이 없는 기판(W)을 스핀 척(5)에 의해 유지했을 경우에, 입사 각도가 최적인 각도가 되도록 설정되어 있다. 이 실시 형태에서는, 처리액 노즐(6)은, 그 자세를 변경할 수 없다. 기판(W)에 휨이 있었다고 해도, 그 양은 근소하다. 그 때문에, 착액 위치(105)에 입사하는 처리액의 각도(입사 각도)는, 기판(W)의 휨에 관계없이 일정하다.The discharge direction of the processing liquid from the discharge port 6a is a direction along the radial direction RD in a plan view, and is a direction incident to the upper surface of the substrate W at a predetermined angle (incident angle). As this incident angle, an optimal angle is determined by conducting an experiment or the like. The discharge direction of the processing liquid from the discharge port 6a is set so that the angle of incidence is optimal when the substrate W without bending is held by the spin chuck 5 . In this embodiment, the attitude of the processing liquid nozzle 6 cannot be changed. Even if there is a curvature in the board|substrate W, the amount is slight. Therefore, the angle (incident angle) of the processing liquid incident on the liquid landing position 105 is constant regardless of the warpage of the substrate W .

처리액 노즐(6)로부터 토출된 처리액은, 착액 위치(105)에 충돌한 후, 기판(W)의 상면을 따라 착액 위치(105)로부터 방사상으로 확산된다. 기판(W)이 회전하고 있는 경우는, 착액 위치(105)로부터 방사상으로 확산된 처리액이, 기판(W)의 경방향(RD)에 있어서의 외측으로 확산되면서, 기판(W)의 상면 외주부(102)를 따라 기판(W)의 회전 방향(R)에 있어서의 하류로 흐른다. 이에 의해, 원환 형상의 처리액의 액막(LF)이 상면 외주부(102)에 형성되고, 상면 외주부(102)에 유지된다.The processing liquid discharged from the processing liquid nozzle 6 collides with the liquid landing position 105 and then radially diffuses from the liquid landing position 105 along the upper surface of the substrate W. When the substrate W is rotating, the processing liquid radially diffused from the liquid landing position 105 is diffused outward in the radial direction RD of the substrate W, while the upper surface outer peripheral portion of the substrate W is rotated. It flows downstream in the rotation direction R of the board|substrate W along 102. As a result, the annular liquid film LF of the processing liquid is formed on the upper surface outer peripheral portion 102 and is held by the upper surface outer peripheral portion 102 .

처리액의 액막(LF)의 폭(W1)(이하, 「액폭(W1)」이라고 한다)은, 처리액의 액막(LF)이 기판(W)의 상면에 접촉하는 영역 중 경방향(RD)에 있어서의 가장 내측의 위치로부터 기판(W)의 주단면(103)까지의 기판(W)의 경방향(RD)으로의 길이를 의미한다. 액폭(W1)은, 처리 폭에 상당한다. 처리액의 액막(LF)의 내주 위치(착액 처리액의 내주 위치)(LFa)는, 처리액의 액막(LF)이 기판(W)의 상면에 접촉하는 영역 중 경방향(RD)에 있어서의 가장 내측의 위치를 의미한다. 내주 위치(LFa)는, 회전축선(A1)으로부터의 경방향(RD)으로의 거리가 일정한 원주 상에 배치된다.The width W1 of the liquid film LF of the processing liquid (hereinafter, referred to as “liquid width W1”) is in the radial direction RD among regions in which the liquid film LF of the processing liquid contacts the upper surface of the substrate W. It means the length in the radial direction RD of the board|substrate W from the innermost position in the main end surface 103 of the board|substrate W. The liquid width W1 corresponds to the processing width. The inner peripheral position (inner peripheral position of the processing liquid) LFa of the liquid film LF of the processing liquid is a region where the liquid film LF of the processing liquid contacts the upper surface of the substrate W in the radial direction RD. It means the innermost position. The inner circumferential position LFa is arranged on a circumference having a constant distance in the radial direction RD from the rotation axis A1.

착액 위치(105)에 따라, 처리액의 액막(LF)의 내주 위치(착액 처리액의 내주 위치)(LFa)가 변화하여, 액폭(W1)이 변화한다. 즉, 착액 위치(105)를 경방향(RD)에 있어서의 외측으로 이동시키면, 내주 위치(LFa)가 경방향(RD)에 있어서의 외측으로 이동하여, 액폭(W1)이 감소한다. 착액 위치(105)를 경방향(RD)에 있어서의 내측으로 이동시키면, 내주 위치(LFa)가 경방향(RD)에 있어서의 내측으로 이동하여, 액폭(W1)이 증가한다. 따라서, 착액 위치(105)를 정밀도 좋게 제어함으로써, 내주 위치(LFa) 및 액폭(W1)을 정밀도 좋게 제어할 수 있고, 나아가서는 처리 폭을 정밀도 좋게 제어할 수 있다.According to the liquid landing position 105 , the inner peripheral position (inner peripheral position of the liquid landing process liquid) LFa of the liquid film LF of the processing liquid changes, and the liquid width W1 changes. That is, when the liquid landing position 105 is moved outward in the radial direction RD, the inner peripheral position LFa moves outward in the radial direction RD, and the liquid width W1 decreases. When the liquid landing position 105 is moved inward in the radial direction RD, the inner peripheral position LFa moves inward in the radial direction RD, and the liquid width W1 increases. Therefore, by precisely controlling the liquid landing position 105, the inner peripheral position LFa and the liquid width W1 can be precisely controlled, and furthermore, the processing width can be precisely controlled.

도 2에 나타내는 바와 같이, 에칭액 공급 유닛(7)은, 처리액 노즐(6)에 접속되고, 에칭액 공급원으로부터의 에칭액을 처리액 노즐(6)에 공급하는 에칭액 배관(20)과, 에칭액 배관(20)의 도중부에 끼워 설치되고, 에칭액 배관(20)을 개폐하기 위한 에칭액 밸브(21)를 포함한다. 에칭액 공급원으로부터 공급되는 에칭액으로서는, 희(希)불화수소산(DHF)이나 버퍼드 불화수소산(BHF)이 이용된다. 또, 에칭액으로서, 농(濃)불화수소산(concHF), 불질산(불화수소산과 질산(HNO3)의 혼합액), 불화암모늄 등이 이용되어도 된다.As shown in FIG. 2 , the etching solution supply unit 7 is connected to the processing solution nozzle 6 and includes an etching solution pipe 20 for supplying the etching solution from the etching solution supply source to the processing solution nozzle 6 , and an etching solution pipe ( It is installed in the middle of the 20), and includes an etching solution valve 21 for opening and closing the etching solution pipe (20). As the etchant supplied from the etchant supply source, dilute hydrofluoric acid (DHF) or buffered hydrofluoric acid (BHF) is used. Moreover, as an etching liquid, concentrated hydrofluoric acid (concHF), hydrofluoric acid (a liquid mixture of hydrofluoric acid and nitric acid (HNO 3 )), ammonium fluoride, etc. may be used.

도 2에 나타내는 바와 같이, 린스액 공급 유닛(8)은, 처리액 노즐(6)에 접속되어, 린스액 공급원으로부터의 린스액을 처리액 노즐(6)에 공급하는 린스액 배관(22)과, 린스액 배관(22)의 도중부에 끼워 설치되고, 린스액 배관(22)을 개폐하기 위한 린스액 밸브(23)를 포함한다. 린스액 공급원으로부터 공급되는 린스액은, 예를 들면 물이다. 물의 일례로서, DIW(탈이온수)를 들 수 있다. 그러나, 물은, 탄산수, 전해 이온수, 수소수, 오존수, 희석 농도(예를 들면, 10~100ppm 정도)의 염산수, 환원수(수소수), 탈기수 등이어도 된다.2 , the rinse liquid supply unit 8 includes a rinse liquid pipe 22 connected to the treatment liquid nozzle 6 and supplying the rinse liquid from the rinse liquid supply source to the treatment liquid nozzle 6 ; , installed in the middle of the rinse solution pipe 22 , and includes a rinse solution valve 23 for opening and closing the rinse solution pipe 22 . The rinsing liquid supplied from the rinsing liquid supply source is, for example, water. As an example of water, DIW (deionized water) is mentioned. However, the water may be carbonated water, electrolytic ionized water, hydrogen water, ozone water, hydrochloric acid water having a dilution concentration (eg, about 10 to 100 ppm), reduced water (hydrogen water), degassed water, or the like.

린스액 밸브(23)가 닫혀진 상태로 에칭액 밸브(21)가 열리면, 에칭액 배관(20)으로부터 처리액 노즐(6)에 공급된 에칭액이, 처리액 노즐(6)의 하단에 설정된 토출구(6a)(도 3 참조)로부터 토출된다. 또, 에칭액 밸브(21)가 닫혀진 상태로 린스액 밸브(23)가 열리면, 린스액 배관(22)으로부터 처리액 노즐(6)에 공급된 린스액이 토출구(6a)로부터 토출된다.When the etchant valve 21 is opened with the rinse liquid valve 23 closed, the etchant supplied from the etchant pipe 20 to the processing liquid nozzle 6 is discharged through a discharge port 6a set at the lower end of the processing liquid nozzle 6 . (refer to Fig. 3) is discharged from. Also, when the rinse solution valve 23 is opened with the etching solution valve 21 closed, the rinse solution supplied from the rinse solution pipe 22 to the processing solution nozzle 6 is discharged from the discharge port 6a.

도 2에 나타내는 바와 같이, 차단 부재(9)는, 차단판(24)과, 차단판(24)의 중앙부를 상하 방향(V)(도 3 참조)으로 관통하는 상면 노즐(25)을 포함한다. 차단판(24)에는, 전동 모터 등을 포함하는 구성의 차단판 회전 유닛(26)이 결합되어 있다. 차단판 회전 유닛(26)은, 차단판(24)을, 회전축선(A1)과 동축의 회전축선(도시하지 않음) 둘레로 회전시킨다.As shown in FIG. 2 , the blocking member 9 includes a blocking plate 24 and an upper nozzle 25 penetrating the central portion of the blocking plate 24 in the vertical direction V (refer to FIG. 3 ). . A blocking plate rotating unit 26 having a configuration including an electric motor or the like is coupled to the blocking plate 24 . The blocking plate rotating unit 26 rotates the blocking plate 24 about a rotation axis (not shown) coaxial with the rotation axis A1.

차단판(24)은, 기판(W)의 외경보다 작은 외경을 갖고 있다. 차단판(24)은, 그 하면에, 기판(W)의 상면에 대향하는 원형의 기판 대향면(24a)을 갖고 있다. 기판 대향면(24a)의 중앙부에는, 차단판(24)을 상하로 관통하는 원통 형상의 관통 구멍(24b)이 형성되어 있다. 관통 구멍(24b)에, 상면 노즐(25)이 삽입통과하고 있다. 차단판(24)이 기판(W)보다 소경이기 때문에, 차단판(24)을 기판(W)의 상면에 근접한 상태에 있어서, 기판(W)의 상면 중앙부는 차단판(24)에 의해 덮이지만, 상면 외주부(102)는 노출되어 있다.The blocking plate 24 has an outer diameter smaller than the outer diameter of the substrate W. As shown in FIG. The blocking plate 24 has, on its lower surface, a circular substrate-facing surface 24a facing the upper surface of the substrate W. As shown in FIG. In the central portion of the substrate facing surface 24a, a cylindrical through-hole 24b penetrating the blocking plate 24 up and down is formed. The upper surface nozzle 25 is inserted through the through hole 24b. Since the blocking plate 24 has a smaller diameter than the substrate W, in a state in which the blocking plate 24 is close to the upper surface of the substrate W, the central portion of the upper surface of the substrate W is covered by the blocking plate 24 , but , the upper surface outer peripheral portion 102 is exposed.

상면 노즐(25)은, 차단판(24)에 일체 승강 이동 가능하게 장착되어 있다. 상면 노즐(25)은, 그 하단부에, 스핀 척(5)에 유지되어 있는 기판(W)의 상면 중앙부에 대향하는 토출구(25a)를 갖고 있다. 상면 노즐(25)에는, 기체 배관(28)이 접속되어 있다. 기체 배관(28)에는, 기체 배관(28)을 개폐하는 기체 밸브(29)가 끼워 설치되어 있다. 기체 배관(28)에 공급되는 기체는, 제습된 기체, 특히 불활성 가스이다. 불활성 가스는, 예를 들면, 질소 가스나 아르곤 가스를 포함한다. 기체 밸브(29)가 열림으로써, 상면 노즐(25)에 불활성 가스가 공급된다. 이에 의해, 토출구(25a)로부터 불활성 가스가 하향으로 토출되고, 토출된 불활성 가스가 기판(W)의 표면에 내뿜어진다. 또한, 기체는, 공기 등의 활성 가스이어도 된다.The upper surface nozzle 25 is attached to the blocking plate 24 so as to be able to move up and down integrally. The upper surface nozzle 25 has, at its lower end, a discharge port 25a facing the upper surface central portion of the substrate W held by the spin chuck 5 . A gas pipe 28 is connected to the upper surface nozzle 25 . A gas valve 29 for opening and closing the gas pipe 28 is sandwiched between the gas pipe 28 . The gas supplied to the gas pipe 28 is a dehumidified gas, particularly an inert gas. The inert gas includes, for example, nitrogen gas or argon gas. When the gas valve 29 is opened, an inert gas is supplied to the upper surface nozzle 25 . Thereby, the inert gas is discharged downward from the discharge port 25a, and the discharged inert gas is blown out to the surface of the substrate W. In addition, the gas may be an active gas such as air.

도 2에 나타내는 바와 같이, 차단 부재(9)에는, 전동 모터, 볼 나사 등을 포함하는 차단 부재 승강 유닛(27)이 결합되어 있다. 차단 부재 승강 유닛(27)은, 차단판(24) 및 상면 노즐(25)을 상하 방향(V)으로 승강한다. 차단 부재 승강 유닛(27)은, 차단 부재(9)를, 기판 대향면(24a)이 스핀 척(5)에 유지되어 있는 기판(W)의 상면 중앙부에 근접하는 차단 위치(도 13에 나타내는 위치)와, 차단 위치보다 크게 상방으로 퇴피한 퇴피 위치(도 2 및 도 12에 나타내는 위치) 사이에서 승강시킨다. 차단 부재 승강 유닛(27)은, 차단 위치 및 퇴피 위치의 쌍방에 있어서 차단판(24)을 유지 가능하다. 차단 부재(9)의 차단 위치는, 기판 대향면(24a)과 기판(W)의 표면 사이에 차단 공간이 형성되는 위치이다. 이 차단 공간은, 그 주위의 공간으로부터 완전하게 격리되어 있는 것은 아니지만, 당해 주위의 공간으로부터 차단 공간으로의 유체(기체 및 액체)의 유입은 없다. 즉, 이 차단 공간은, 실질적으로 그 주위의 공간과 차단되어 있다.As shown in FIG. 2, the blocking member raising/lowering unit 27 containing an electric motor, a ball screw, etc. is couple|bonded with the blocking member 9. As shown in FIG. The blocking member lifting unit 27 raises and lowers the blocking plate 24 and the upper surface nozzle 25 in the vertical direction V. As shown in FIG. The blocking member raising/lowering unit 27 moves the blocking member 9 to a blocking position (position shown in FIG. 13 ) close to the center of the upper surface of the substrate W with the substrate facing surface 24a held by the spin chuck 5 . ) and the evacuation position (position shown in FIG. 2 and FIG. 12) retracted upward larger than the blocking position. The blocking member raising/lowering unit 27 is capable of holding the blocking plate 24 in both the blocking position and the retracted position. The blocking position of the blocking member 9 is a position where a blocking space is formed between the substrate facing surface 24a and the surface of the substrate W. As shown in FIG. Although this blocked space is not completely isolated from the space around it, there is no inflow of fluid (gas and liquid) from the said surrounding space into the blocked space. That is, this blocking space is substantially blocked with the space around it.

도 2에 나타내는 바와 같이, 핫 플레이트(10)는, 원환 형상으로 형성되어 있으며, 스핀 척(5)의 외주를 둘러싸도록 설치되어 있다. 핫 플레이트(10)는, 상면(10a)을 갖고 있다. 핫 플레이트(10)는, 기판(W)의 외경과 동등한 외경을 갖고 있다. 핫 플레이트(10)의 상면(10a)의 외주부는, 스핀 척(5)에 유지된 기판(W)의 하면의 외주부의 모든 영역에 대향하고 있다. 핫 플레이트(10)에는, 내장 히터(31)가 내장되어 있다. 내장 히터(31)는, 줄 열을 발생시키는 히터이며, 예를 들면, 통전에 의해 발열하는 전열선이다. 스핀 척(5)이 회전해도, 핫 플레이트(10)는 회전하지 않는다. 핫 플레이트(10)의 상면(10a)의 온도는, 면내에서 균일하다. 핫 플레이트(10)로부터의 복사열에 의해 기판(W)의 외주부(101)가 균일하게 가열된다. 핫 플레이트(10)에 의해 기판(W)의 외주부(101)를 기판(W)의 하면측으로부터 가열함으로써, 상면 외주부(102)에 있어서의 처리 레이트(에칭 레이트(단위 시간당 에칭량))를 향상시킬 수 있다.As shown in FIG. 2 , the hot plate 10 is formed in an annular shape, and is provided so as to surround the outer periphery of the spin chuck 5 . The hot plate 10 has an upper surface 10a. The hot plate 10 has an outer diameter equal to the outer diameter of the substrate W. The outer periphery of the upper surface 10a of the hot plate 10 faces all regions of the outer periphery of the lower surface of the substrate W held by the spin chuck 5 . A built-in heater 31 is incorporated in the hot plate 10 . The built-in heater 31 is a heater that generates Joule heat, and is, for example, a heating wire that generates heat when energized. Even if the spin chuck 5 rotates, the hot plate 10 does not rotate. The temperature of the upper surface 10a of the hot plate 10 is uniform within the surface. The outer peripheral portion 101 of the substrate W is uniformly heated by the radiant heat from the hot plate 10 . By heating the outer peripheral portion 101 of the substrate W from the lower surface side of the substrate W by the hot plate 10, the processing rate (etching rate (etching amount per unit time)) in the upper surface outer peripheral portion 102 is improved can do it

도 2에 나타내는 바와 같이, 핫 플레이트(10)에는, 핫 플레이트(10)를 수평 자세인 채로 승강시키기 위한 핫 플레이트 승강 유닛(히터 이동 유닛)(32)이 결합되어 있다. 핫 플레이트 승강 유닛(32)은, 예를 들면 볼 나사나 모터에 의해 구성되어 있다. 핫 플레이트 승강 유닛(32)의 구동에 의해, 핫 플레이트(10)는, 기판(W)의 하면의 외주부에, 상면(10a)이 접근하는 가열 위치(도 13에 나타내는 위치)와, 가열 위치보다 하방에 설치된 퇴피 위치(도 12에 나타내는 위치) 사이에서 승강 가능하다. 핫 플레이트 승강 유닛(32)은, 가열 위치 및 퇴피 위치의 쌍방에 있어서 핫 플레이트(10)를 유지 가능하다.As shown in FIG. 2 , a hot plate raising/lowering unit (heater moving unit) 32 for raising and lowering the hot plate 10 in a horizontal posture is coupled to the hot plate 10 . The hot plate raising/lowering unit 32 is comprised by a ball screw or a motor, for example. By driving the hot plate raising/lowering unit 32 , the hot plate 10 is positioned on the outer periphery of the lower surface of the substrate W at the heating position (position shown in FIG. 13 ) where the upper surface 10a approaches, and the heating position is higher than the heating position. It can go up and down between the evacuation positions (positions shown in FIG. 12) provided below. The hot plate raising/lowering unit 32 is capable of holding the hot plate 10 in both the heating position and the retracted position.

핫 플레이트(10)가 가열 위치에 배치된 상태에서는, 핫 플레이트(10)로부터의 복사열이 기판(W)의 외주부(101)에 닿아, 외주부(101)가 가열된다. 한편, 핫 플레이트(10)가 퇴피 위치에 배치된 상태에서는, 핫 플레이트(10)로부터의 복사열이 기판(W)의 외주부(101)에 거의 닿지 않으며, 핫 플레이트(10)에 의해 외주부(101)는 가열되지 않는다. 또, 핫 플레이트(10)의 승강에 의해, 상면(10a)과 기판(W)의 하면의 간격이 변경된다.In the state in which the hot plate 10 is arrange|positioned at the heating position, radiant heat from the hot plate 10 hits the outer peripheral part 101 of the board|substrate W, and the outer peripheral part 101 is heated. On the other hand, in the state in which the hot plate 10 is arranged in the retracted position, the radiant heat from the hot plate 10 hardly touches the outer peripheral portion 101 of the substrate W, and the outer peripheral portion 101 is caused by the hot plate 10 . is not heated Moreover, the space|interval between the upper surface 10a and the lower surface of the board|substrate W is changed by raising/lowering of the hot plate 10. As shown in FIG.

도 2에 나타내는 바와 같이, 처리 컵(11)은, 스핀 척(5)에 유지되어 있는 기판(W)보다 외방(회전축선(A1)으로부터 떨어지는 방향)에 배치되어 있다. 처리 컵(11)은, 스핀 베이스(17)를 둘러싸고 있다. 스핀 척(5)이 기판(W)을 회전시키고 있는 상태로, 처리액이 기판(W)에 공급되면, 기판(W)에 공급된 처리액이 기판(W)의 주위에 떨쳐진다. 처리액이 기판(W)에 공급될 때, 상향으로 열린 처리 컵(11)의 상단부(11a)(도 2 참조)는, 스핀 베이스(17)보다 상방에 배치된다. 따라서, 기판(W)의 주위에 배출된 에칭액이나 린스액 등의 처리액은, 처리 컵(11)에 의해 받아내어진다. 그리고, 처리 컵(11)에 받아내어진 처리액은 배액 처리된다.As shown in FIG. 2 , the processing cup 11 is disposed outward (the direction away from the rotation axis A1 ) from the substrate W held by the spin chuck 5 . The processing cup 11 surrounds the spin base 17 . When the processing liquid is supplied to the substrate W while the spin chuck 5 is rotating the substrate W, the processing liquid supplied to the substrate W is scattered around the substrate W. When the processing liquid is supplied to the substrate W, the upper end 11a (refer to FIG. 2 ) of the processing cup 11 opened upward is disposed above the spin base 17 . Accordingly, the processing liquid such as the etching liquid or the rinse liquid discharged around the substrate W is received by the processing cup 11 . Then, the processing liquid received in the processing cup 11 is drained.

도 2에 나타내는 바와 같이, 높이 변형 센서(12)는, 이 실시 형태에서는, 상면 외주부(102)의 높이 위치를 검출하는 높이 위치 센서를 포함한다. 높이 변형 센서(12)는, 예를 들면, 반사형의 포토 센서이며, 투광부와, 수광부를 포함한다. 투광부로부터 나온 광을 상면 외주부(102)에서 반사시키고, 그 반사광을 수광부가 받는다. 높이 변형 센서(12)는, 수광부에 들어가는 광량에 의거하여, 상면 외주부(102)의 높이 위치를 계측한다. 높이 변형 센서(12)는, 거의 수평으로 연장된 센서 아암(33)의 선단부에 장착되어 있다.As shown in FIG. 2, the height deformation sensor 12 includes the height position sensor which detects the height position of the upper surface outer peripheral part 102 in this embodiment. The height deformation sensor 12 is, for example, a reflective photo sensor, and includes a light projecting unit and a light receiving unit. The light emitted from the light transmitting unit is reflected by the upper peripheral portion 102, and the reflected light is received by the light receiving unit. The height deformation sensor 12 measures the height position of the upper surface outer peripheral part 102 based on the amount of light entering the light receiving part. The height deformation sensor 12 is attached to the distal end of a sensor arm 33 extending substantially horizontally.

이 실시 형태에서는, 높이 변형 센서(12) 및 제어 장치(3)에 의해, 높이 변형(HD)(높이 변형(HD)의 크기 및 높이 변형(HD)의 방향)을 계측하는 높이 변형 계측 유닛(높이 변형 취득 유닛)이 구성되어 있다. 높이 변형(HD)(도 4, 도 5 및 도 6c 참조)은, 기판(W)의 상면 중앙부(이 경우, 기판(W)의 상면의 중심 부근)에 대한 상하 방향으로의 기판(W)의 상면 외주부(102)의 변위를 나타낸다. 높이 변형(HD)에는, 높이 변형(HD)의 크기 및 높이 변형(HD)의 방향(상측 방향 및 하측 방향)이 포함된다.In this embodiment, a height deformation measuring unit ( height deformation acquisition unit) is configured. The height deformation HD (refer to FIGS. 4, 5, and 6C) of the substrate W in the vertical direction with respect to the center portion of the upper surface of the substrate W (in this case, near the center of the upper surface of the substrate W). The displacement of the upper surface outer periphery 102 is shown. The height deformation HD includes the magnitude of the height deformation HD and the direction (upward direction and downward direction) of the height deformation HD.

센서 아암(33)에는, 센서 아암(33)을, 스핀 척(5)의 측방에 설정된 연직인 요동축선 둘레로 요동시키는 아암 이동 유닛(34)이 결합되어 있다. 아암 이동 유닛(34)은, 예를 들면 서보 모터이다. 아암 이동 유닛(34)의 구동에 의해 센서 아암(33)을 상기의 요동축선 둘레로 수평면 내에서 요동시킴으로써, 높이 변형 센서(12)를, 높이 변형 센서(12)가 상면 외주부(102)에 상하 방향으로 대향하는 계측 위치와, 스핀 척(5)의 측방에 설정된 퇴피 위치 사이에서 이동시킬 수 있다. 계측 위치는, 높이 변형(HD)의 크기가 큰 경우이어도, 높이 변형 센서(12)에 의해, 상면 외주부(102)의 높이를 검출 가능한 위치에 설정되어 있다.The sensor arm 33 is coupled to an arm moving unit 34 that swings the sensor arm 33 around a vertical swing axis set on the side of the spin chuck 5 . The arm moving unit 34 is, for example, a servo motor. By driving the arm moving unit 34 to swing the sensor arm 33 around the above-mentioned swing axis in a horizontal plane, the height strain sensor 12 is moved up and down on the upper surface outer periphery 102 . It can move between the measurement position which opposes in a direction, and the retraction position set to the side of the spin chuck 5. As shown in FIG. The measurement position is set to a position where the height of the upper surface outer peripheral portion 102 can be detected by the height deformation sensor 12 even when the size of the height deformation HD is large.

도 4는, 스핀 척(5)에 유지되어야 하는 기판(W)에 발생한 휨의 제1의 양태를 나타내는 단면도이다. 도 5는, 스핀 척(5)에 유지되어야 하는 기판(W)에 발생한 휨의 제2의 양태를 나타내는 단면도이다. 도 6a는, 스핀 척(5)에 유지되어야 하는 기판(W)에 발생한 휨의 제3의 양태를 나타내는 평면도이다. 도 6b는, 도 6a에 나타내는 절단선 VIB-VIB를 따르는 기판(W)의 단면도이다. 도 6c는, 도 6a에 나타내는 절단선 VIC-VIC를 따르는 기판(W)의 단면도이다.FIG. 4 is a cross-sectional view showing a first aspect of warpage occurring in the substrate W to be held by the spin chuck 5 . FIG. 5 is a cross-sectional view showing a second aspect of warpage occurring in the substrate W to be held by the spin chuck 5 . 6A is a plan view showing a third aspect of warpage occurring in the substrate W to be held by the spin chuck 5 . Fig. 6B is a cross-sectional view of the substrate W taken along the cutting line VIB-VIB shown in Fig. 6A. Fig. 6C is a cross-sectional view of the substrate W taken along the cutting line VIC-VIC shown in Fig. 6A.

도 4~도 6c에 나타내는 바와 같이, 처리 유닛(2)에 반입되는 기판(W)에, 휨이 발생한 경우가 있다. 근래의 기판(W)의 대경화나 기판(W)으로의 디바이스의 고집적화에 수반하여, 기판(W)의 휨이 현재(顯在)화해 오고 있다. 휨이 발생한 기판(W)에서는, 기판(W)의 외주부(101)가, 기판(W)의 중앙부(이 경우, 기판(W)의 중심 부근)에 대해, 상하 방향(V)으로 변위하고 있다. 기판(W)의 상면 중앙부에 대한 상면 외주부(102)의 변위가, 도 4에 나타내는 바와 같이 상측 방향으로의 변위인 경우, 상면 외주부(102)의 높이 변형(HD)은 양의 값이다. 한편, 기판(W)의 상면 중앙부에 대한 상면 외주부(102)의 변위가, 도 5에 나타내는 바와 같이 하측 방향으로의 변위인 경우, 상면 외주부(102)의 높이 변형(HD)은 음의 값이다.As shown to FIGS. 4-6C, curvature may generate|occur|produce in the board|substrate W carried in to the processing unit 2 . With the recent enlargement of the substrate W and the high integration of devices onto the substrate W, the curvature of the substrate W has become present. In the substrate W where the warpage has occurred, the outer peripheral portion 101 of the substrate W is displaced in the vertical direction V with respect to the central portion of the substrate W (in this case, near the center of the substrate W). . When the displacement of the upper surface outer peripheral portion 102 with respect to the upper surface central portion of the substrate W is a displacement in the upward direction as shown in FIG. 4 , the height deformation HD of the upper surface outer peripheral portion 102 is a positive value. On the other hand, when the displacement of the upper surface outer peripheral portion 102 with respect to the upper surface central portion of the substrate W is a displacement in the downward direction as shown in FIG. 5 , the height deformation HD of the upper surface outer peripheral portion 102 is a negative value. .

기판(W)에 발생하는 휨의 양태로서는, 기판(W)이 아래로 볼록한 주발 형상을 나타내는 제1의 양태(도 4 참조)와, 기판(W)이 위로 볼록한 주발 형상을 나타내는 제2의 양태(도 5 참조)가 있다. 제1의 양태에서는, 외주부(101)의 대략 전역이, 기판(W)의 중앙부(이 경우, 기판(W)의 중심 부근)에 대해, 표면(디바이스 형성면) 측(즉, 상방)으로 변위하고 있다. 또, 제2의 양태에서는, 외주부(101)의 대략 전역이, 기판(W)의 중앙부(이 경우, 기판(W)의 중심 부근)에 대해, 이면(디바이스 형성면과 반대면) 측(즉, 하방)으로 변위하고 있다.As an aspect of the warpage occurring in the substrate W, the first aspect (see Fig. 4) in which the substrate W exhibits a downward convex bowl shape, and the second aspect in which the substrate W exhibits an upward convex bowl shape. (see Fig. 5). In the first aspect, substantially the entire area of the outer peripheral portion 101 is displaced toward the surface (device formation surface) side (ie, upward) with respect to the central portion of the substrate W (in this case, near the center of the substrate W). are doing Moreover, in the second aspect, the substantially entire area of the outer peripheral portion 101 is on the back surface (the surface opposite to the device formation surface) side (that is, on the side opposite to the device formation surface) with respect to the central portion of the substrate W (in this case, near the center of the substrate W). , downward).

특히, 메모리 셀 어레이를 세로 방향으로 적층화하는 3D-NAND형에서는, 기판(W)에는, 기판(W)의 중심에 가까워짐에 따라 큰 하중이 작용한다. 그 때문에, 3D-NAND형에서는, 기판(W)이 제1의 양태를 나타내는 경우가 있다.In particular, in a 3D-NAND type in which memory cell arrays are stacked in the vertical direction, a large load acts on the substrate W as it approaches the center of the substrate W. Therefore, in 3D-NAND type, the board|substrate W may show the 1st aspect.

또, 기판(W)의 휨의 양태는, 더불어 주발 형상의 제1의 양태 및 제2의 양태에 한정되지 않는다. 기판(W)의 휨의 양태에는, 원주 방향의 일부가 기판(W)의 중앙부에 대해 상하 방향(V)으로 변위하고 있는 제3의 양태(도 6a~6c 참조)도 존재한다(이른바 포테이토칩형). 이 제3의 양태는, 기판(W)의 외주부(101)의 원주 방향의 일부가, 기판(W)의 중앙부에 대해 상방 및 하방 중 한쪽으로 변위하고, 기판(W)의 외주부(101)의 원주 방향의 다른 부분이, 기판(W)의 중앙부에 대해 상방 및 하방 중 다른 쪽으로 변위하는 양태도 포함한다.In addition, the aspect of the curvature of the board|substrate W is not limited to the 1st aspect and 2nd aspect of a bowl shape. A third aspect (see FIGS. 6A to 6C ) in which a part of the circumferential direction is displaced in the vertical direction V with respect to the central portion of the substrate W also exists in the aspect of the bending of the substrate W (so-called potato chip type) ). In this third aspect, a part of the circumferential direction of the outer peripheral portion 101 of the substrate W is displaced in one of the upper and lower directions with respect to the central portion of the substrate W, and the outer peripheral portion 101 of the substrate W is displaced. The aspect in which another part in the circumferential direction is displaced to the other of upward and downward with respect to the center part of the board|substrate W is also included.

또, 기판(W)을 유지하는 스핀 척(5)은, 기판(W)의 외주부(101)를 지지하지 않고 기판(W)의 중앙부(특히, 이 실시 형태에서는, 기판(W)의 중심을 포함하는 소경의 영역)를 지지함으로써, 기판(W)을 유지하는 타입의 것이다. 만일, 스핀 척(5)이 기판(W)의 중앙부가 아닌 기판(W)의 외주부(101)를 지지하는 경우에는, 기판(W)의 휨(즉, 높이 변형(HD)의 크기)이, 약간 완화된다. 그러나, 스핀 척(5)에 의해 기판(W)의 외주부(101)가 아닌 기판(W)의 중앙부가 지지되는 경우에는, 기판(W)의 휨(즉, 높이 변형(HD)의 크기)이, 스핀 척(5)에 의한 지지에 의해 완화되는 경우는 없다.In addition, the spin chuck 5 holding the substrate W does not support the outer periphery 101 of the substrate W, and the center portion of the substrate W (particularly, in this embodiment, the center of the substrate W) It is a type of holding the substrate W by supporting the small-diameter region including the If the spin chuck 5 supports the outer peripheral portion 101 of the substrate W instead of the central portion of the substrate W, the warpage of the substrate W (that is, the size of the height deformation HD) is, slightly relieved However, when the central portion of the substrate W, not the outer peripheral portion 101 of the substrate W, is supported by the spin chuck 5 , the warpage of the substrate W (that is, the size of the height deformation HD) is reduced. , is not relieved by the support by the spin chuck 5 .

그리고, 처리 유닛(2)에 있어서, 스핀 척(5)에 유지되어 있는 기판(W)을, 핫 플레이트(10) 등에 의해 가열하는 경우에는, 그 가열의 진행에 수반하여, 즉, 기판(W)의 가열 시간의 증가에 수반하여, 기판(W)에 발생하는 휨의 양(즉, 높이 변형(HD)의 크기)이 증대할 우려가 있다.Then, in the processing unit 2 , when the substrate W held by the spin chuck 5 is heated by the hot plate 10 or the like, with the progress of the heating, that is, the substrate W ), there is a fear that the amount of warpage (that is, the size of the height deformation HD) generated in the substrate W increases with an increase in the heating time.

도 7은, 제1의 양태를 나타내는 기판(W)의 상면 외주부(102)를 향하여 처리액 노즐(6)로부터 처리액을 토출하고 있는 상태를 나타내는 단면도이다. 도 8은, 제2의 양태를 나타내는 기판(W)의 상면 외주부(102)를 향하여 처리액 노즐(6)로부터 처리액을 토출하고 있는 상태를 나타내는 단면도이다. 도 9는, 기판(W)의 상면 외주부(102)의 처리 폭을 나타내는 요부 평면도이다.7 is a cross-sectional view illustrating a state in which the processing liquid is discharged from the processing liquid nozzle 6 toward the upper surface outer peripheral portion 102 of the substrate W according to the first embodiment. 8 is a cross-sectional view illustrating a state in which the processing liquid is discharged from the processing liquid nozzle 6 toward the upper surface outer peripheral portion 102 of the substrate W according to the second embodiment. 9 is a main part plan view showing the processing width of the upper surface outer peripheral portion 102 of the substrate W. As shown in FIG.

처리액 노즐(6)로부터의 처리액의 토출 방향이, 기판(W)의 상면에 대해 경사져 있으므로, 기판(W)의 외주부(101)가 기판(W)의 중앙부(이 경우, 기판(W)의 중심 부근)에 대해 상하 방향(V)으로 변위하고 있는 경우에는, 기판(W)의 외주부(101)의 변위(변위 방향 및 그 변위량)에 따라, 상면 외주부(102)에 있어서의 처리액의 착액 위치(105)가 경방향(RD)으로 변동한다.Since the discharge direction of the processing liquid from the processing liquid nozzle 6 is inclined with respect to the upper surface of the substrate W, the outer peripheral portion 101 of the substrate W is positioned at the center portion of the substrate W (in this case, the substrate W) When it is displaced in the vertical direction V with respect to the center of the substrate W, according to the displacement (displacement direction and its displacement) of the outer peripheral portion 101 of the substrate W, the processing liquid in the upper surface outer peripheral portion 102 is The liquid landing position 105 fluctuates in the radial direction RD.

구체적으로는, 기판(W)의 외주부(101)가 기판(W)의 중앙부(이 경우, 기판(W)의 중심 부근)에 대해 상측 방향으로 변위하고 있는 경우(도 4 및 도 6b 등 참조)에는, 도 7에 나타내는 바와 같이, 그러한 변위가 없는 경우(도 3 참조)와 비교하여, 착액 위치(105)가 기판(W)의 주단면(103)으로부터 이반(離反)하는 위치에 배치된다. 그리고, 액막(LF)의 내주 위치(LFa)가 비교적 내측 쪽에 위치하고, 그 결과, 액막(LF)의 액폭(LW)(액폭(W2))이 소기의 액폭(W1)보다 넓어진다(액폭(W2)＞액폭(W1)).Specifically, when the outer peripheral portion 101 of the substrate W is displaced upward with respect to the central portion of the substrate W (in this case, near the center of the substrate W) (see FIGS. 4 and 6B , etc.) 7, compared with the case where there is no such displacement (refer to FIG. 3), the liquid landing position 105 is arrange|positioned at the position away from the main end surface 103 of the board|substrate W. As shown in FIG. Then, the inner peripheral position LFa of the liquid film LF is located on the relatively inner side, and as a result, the liquid width LW (liquid width W2) of the liquid film LF becomes wider than the expected liquid width W1 (liquid width W2). ) > liquid width (W1)).

한편, 기판(W)의 외주부(101)가 기판(W)의 중앙부(이 경우, 기판(W)의 중심 부근)에 대해 하측 방향으로 변위하고 있는 경우(도 5 등 참조)에는, 도 8에 나타내는 바와 같이, 그러한 변위가 없는 경우(도 3 참조)와 비교하여, 착액 위치(105)가 기판(W)의 주단면(103)에 근접하는 위치에 배치된다. 그리고, 액막(LF)의 내주 위치(LFa)가 비교적 외측 쪽에 위치하고, 그 결과, 액막(LF)의 액폭(LW)(액폭(W3))이, 소기의 액폭(W1)보다 좁아진다(액폭(W3)＜액폭(W1)).On the other hand, when the outer peripheral portion 101 of the substrate W is displaced downward with respect to the central portion of the substrate W (in this case, near the center of the substrate W) (see FIG. 5 and the like), in FIG. As shown, compared with the case where there is no such displacement (refer to FIG. 3), the liquid landing position 105 is arrange|positioned at the position adjacent to the main end surface 103 of the board|substrate W. As shown in FIG. Then, the inner peripheral position LFa of the liquid film LF is located relatively outward, and as a result, the liquid width LW (liquid width W3) of the liquid film LF becomes narrower than the expected liquid width W1 (liquid width W1). W3) < liquid width (W1)).

그 결과, 도 9에 나타내는 바와 같이, 처리 폭(즉, 액막(LF)의 액폭(LW))은, 기판(W)의 외주부(101)가 기판(W)의 중앙부(이 경우, 기판(W)의 중심 부근)에 대해 상측 방향으로 변위하고 있는 경우(도 9에서 이점쇄선으로 처리 폭을 나타낸다)와, 기판(W)의 외주부(101)가 기판(W)의 중앙부(이 경우, 기판(W)의 중심 부근)에 대해 하측 방향으로 변위하고 있는 경우(도 9에서 일점쇄선으로 처리 폭을 나타낸다)와, 이러한 변위가 없는 경우(도 9에서 파선으로 처리 폭을 나타낸다)로, 상이하다.As a result, as shown in FIG. 9 , the processing width (that is, the liquid width LW of the liquid film LF) is the outer periphery 101 of the substrate W and the central portion of the substrate W (in this case, the substrate W ) is displaced upward (the processing width is indicated by a double-dashed line in Fig. 9), and the outer peripheral portion 101 of the substrate W is the central portion of the substrate W (in this case, the substrate ( W) is different from the case where it is displaced in the downward direction (the processing width is indicated by a dashed-dotted line in FIG. 9) and when there is no such displacement (the processing width is indicated by the broken line in FIG. 9).

도 10은, 기판 처리 장치(1)의 주요부의 전기적 구성을 설명하기 위한 블록도이다.10 is a block diagram for explaining the electrical configuration of a main part of the substrate processing apparatus 1 .

제어 장치(3)는, 예를 들면 마이크로 컴퓨터를 이용하여 구성되어 있다. 제어 장치(3)는 CPU 등의 연산 유닛(51), 고정 메모리 디바이스(도시하지 않음), 하드 디스크 드라이브 등의 기억 유닛(52), 출력 유닛(53) 및 입력 유닛(도시하지 않음)을 갖고 있다. 기억 유닛(52)에는, 연산 유닛(51)이 실행하는 프로그램이 기억되어 있다.The control device 3 is configured using, for example, a microcomputer. The control device 3 has an arithmetic unit 51 such as a CPU, a fixed memory device (not shown), a storage unit 52 such as a hard disk drive, an output unit 53, and an input unit (not shown), have. In the storage unit 52 , a program to be executed by the operation unit 51 is stored.

기억 유닛(52)은, 전기적으로 데이터를 고쳐쓰기 가능한 불휘발성 메모리로 이루어진다. 기억 유닛(52)은, 기판(W)에 대한 각 처리의 내용을 규정하는 레시피를 기억하는 레시피 기억부를 포함한다.The storage unit 52 is made of a nonvolatile memory in which data is electrically rewritable. The storage unit 52 includes a recipe storage unit that stores a recipe that prescribes the contents of each process on the substrate W.

제어 장치(3)에는, 스핀 모터(18), 아암 이동 유닛(41), 아암 이동 유닛(34), 내장 히터(31), 핫 플레이트 승강 유닛(32), 에칭액 밸브(21), 린스액 밸브(23), 기체 밸브(29) 등이 제어 대상으로서 접속되어 있다. 제어 장치(3)는, 스핀 모터(18), 아암 이동 유닛(41), 아암 이동 유닛(34), 내장 히터(31), 핫 플레이트 승강 유닛(32) 등의 동작을 제어한다. 또, 제어 장치(3)는, 에칭액 밸브(21), 린스액 밸브(23), 기체 밸브(29) 등을 개폐한다. 또, 제어 장치(3)에는, 높이 변형 센서(12)의 검출값이 입력되도록 되어 있다.The control device 3 includes a spin motor 18 , an arm moving unit 41 , an arm moving unit 34 , a built-in heater 31 , a hot plate lifting unit 32 , an etching solution valve 21 , and a rinse solution valve. (23), a gas valve 29, etc. are connected as a control object. The control device 3 controls the operations of the spin motor 18 , the arm moving unit 41 , the arm moving unit 34 , the built-in heater 31 , the hot plate raising/lowering unit 32 , and the like. Moreover, the control device 3 opens and closes the etching solution valve 21 , the rinse solution valve 23 , the gas valve 29 , and the like. Moreover, the detection value of the height distortion sensor 12 is input to the control device 3 .

도 11은, 처리 유닛(2)에 의한 기판 처리예를 설명하기 위한 흐름도이다. 도 12는, 외주부 에칭 공정(S5) 전의 공정의 내용을 설명하기 위한 모식적인 도면이다. 도 13은, 외주부 에칭 공정(S5)의 내용을 설명하기 위한 모식적인 도면이다. 도 14a는, 높이 변형 계측 공정(S4)의 내용을 설명하기 위한 흐름도이다. 도 14b는, 높이 변형 감시 공정(S6) 및 착액 위치 이동 공정(내주 위치 조정 공정. S7)의 내용을 설명하기 위한 흐름도이다. 도 15는, 외주부 에칭 공정(S5)에 있어서의 에칭액의 토출 상태의 일례를 나타내는 단면도이다. 도 16은, 외주부 에칭 공정(S5)에 있어서의 에칭액의 토출 상태의 다른 예를 나타내는 단면도이다.11 is a flowchart for explaining an example of substrate processing by the processing unit 2 . 12 : is a schematic diagram for demonstrating the content of the process before the outer peripheral part etching process S5. 13 : is a schematic diagram for demonstrating the content of the outer peripheral part etching process S5. 14A is a flowchart for explaining the content of the height strain measuring step S4. 14 : B is a flowchart for demonstrating the content of a height deformation monitoring process (S6) and a liquid landing position moving process (inner periphery position adjustment process. S7). 15 : is sectional drawing which shows an example of the discharge state of the etching liquid in outer peripheral part etching process S5. 16 : is sectional drawing which shows the other example of the discharge state of the etching liquid in outer peripheral part etching process S5.

이 기판 처리예에 대해, 도 1, 도 2, 도 10, 도 11 등을 참조하면서 설명한다. 도 3, 도 12~도 16에 대해서는 적절히 참조한다.This substrate processing example will be described with reference to Figs. 1, 2, 10, 11, and the like. 3 and 12 to 16 are referred to as appropriate.

우선, 미처리 기판(W)이, 처리 챔버(4)의 내부에 반입된다(도 11의 S1). 구체적으로는, 기판(W)을 유지하고 있는 반송 로봇(CR)의 핸드(H)를 처리 챔버(4)의 내부에 진입시킴으로써, 디바이스 형성면(표면)을 상방을 향한 상태로 기판(W)이, 스핀 척(5)에 수도(受渡)된다. 이 때, 처리액 노즐(6) 및 높이 변형 센서(12)가 퇴피 위치에 배치되어 있으며, 핫 플레이트(10)가 퇴피 위치에 배치되어 있다. 차단 부재(9)도 퇴피 위치에 배치되어 있다.First, the unprocessed substrate W is loaded into the processing chamber 4 ( S1 in FIG. 11 ). Specifically, by moving the hand H of the transfer robot CR holding the substrate W into the processing chamber 4, the device formation surface (surface) is directed upward to the substrate W. This is transferred to the spin chuck 5 . At this time, the processing liquid nozzle 6 and the height deformation sensor 12 are disposed at the retracted position, and the hot plate 10 is disposed at the retracted position. The blocking member 9 is also arranged in the retracted position.

그리고, 처리 챔버(4)의 내부로의 기판(W)의 반입 후에, 기판(W)의 하면(이면) 중앙부가 흡착 지지됨으로써, 스핀 척(5)에 의해 기판(W)이 유지된다(기판 회전 공정. 도 11의 S2).Then, after the substrate W is loaded into the processing chamber 4 , the central portion of the lower surface (rear surface) of the substrate W is adsorbed and supported, so that the substrate W is held by the spin chuck 5 (the substrate W). Rotation process (S2 in Fig. 11).

이어서, 제어 장치(3)가 스핀 모터(18)를 제어하여, 기판(W)을 회전 개시시킨다(도 11의 S3).Next, the control device 3 controls the spin motor 18 to start rotation of the substrate W (S3 in Fig. 11).

또, 제어 장치(3)는, 내장 히터(31)에 의해 줄 열을 발생시킴으로써, 핫 플레이트(10)의 상면(10a)을 소정의 고온까지 승온시키고, 그 고온으로 유지한다. 이 때, 도 12에 나타내는 바와 같이, 핫 플레이트(10)는, 퇴피 위치에 배치되어 있다.Moreover, the control apparatus 3 heats up the upper surface 10a of the hot plate 10 to a predetermined high temperature by generating Joule heat by the built-in heater 31, and maintains it at that high temperature. At this time, as shown in FIG. 12, the hot plate 10 is arrange|positioned at the retracted position.

또, 제어 장치(3)는, 아암 이동 유닛(34)을 제어하여, 높이 변형 센서(12)를 퇴피 위치로부터 계측 위치로 이동시킨다. 그 결과, 도 12에 나타내는 바와 같이, 높이 변형 센서(12)가 계측 위치에 배치된다.Moreover, the control device 3 controls the arm moving unit 34 to move the height deformation sensor 12 from the retracted position to the measurement position. As a result, as shown in FIG. 12, the height distortion sensor 12 is arrange|positioned at a measurement position.

기판(W)의 회전이 소정의 계측 속도(예를 들면 50rpm~200rpm)에 달하면, 제어 장치(3)는, 기판(W)의 회전 속도를 계측 속도로 유지하면서, 높이 변형 센서(12)를 이용하여, 상면 외주부(102)의 높이 변형(HD)의 계측을 개시한다(도 11의 S4：높이 변형 계측 공정). 구체적으로는, 제어 장치(3)는, 회전축선(A1) 둘레로 기판(W)을 회동시키면서, 높이 변형 센서(12)에 의해, 상면 외주부(102) 중 높이 변형 센서(12)의 하방에 위치하는 영역의 높이 변형(HD)을 계측한다. 높이 변형(HD)의 계측 개시 후, 기판(W)이 적어도 일주(360°) 회동을 끝내면, 제어 장치(3)는, 원주 방향의 각 부에 있어서의 높이 변형(HD)을 계측한 것으로서, 높이 변형(HD)의 계측을 종료한다.When the rotation of the substrate W reaches a predetermined measurement speed (for example, 50 rpm to 200 rpm), the control device 3 controls the height deformation sensor 12 while maintaining the rotation speed of the substrate W at the measurement speed. The measurement of the height distortion HD of the upper surface outer peripheral part 102 is started (S4 of FIG. 11: height distortion measurement process). Specifically, the control device 3 rotates the substrate W around the rotation axis A1 and is located below the height strain sensor 12 in the upper surface outer periphery 102 by the height strain sensor 12 . Measure the height deformation (HD) of the area where it is located. After the measurement of the height deformation (HD) is started, when the substrate W finishes rotating at least one circumference (360°), the control device 3 measures the height deformation (HD) at each part in the circumferential direction, Measurement of height deformation (HD) is finished.

구체적으로는, 도 14a에 나타내는 바와 같이, 높이 변형 계측 공정(S4)에 있어서, 제어 장치(3)는, 상면 외주부(102)의 각 부에 있어서의 높이 변형(HD)(높이 변형(HD)의 크기 및 높이 변형(HD)의 방향)을, 높이 변형 센서(12)를 이용하여 계측한다(도 14a의 S11). 그리고, 그 계측 결과에 의거하여, 제어 장치(3)는, 상면 외주부(102)의 각 부에 있어서의 높이 변형(HD)의 평균인 평균 높이 변형을 산출하고 있다(도 14a의 S12).Specifically, as shown in FIG. 14A , in the height deformation measurement step S4 , the control device 3 controls the height deformation HD (height deformation HD) in each portion of the upper surface outer peripheral portion 102 . The magnitude and the direction of the height deformation (HD)) are measured using the height deformation sensor 12 ( S11 in FIG. 14A ). And based on the measurement result, the control apparatus 3 calculates the average height distortion which is the average of the height distortion HD in each part of the upper surface outer peripheral part 102 (S12 of FIG. 14A).

높이 변형 계측 공정(S4)의 실행에 의해, 스핀 척(5)에 유지되어 있는 기판(W)(처리 챔버(4)에 반입된 기판(W))의 휨 상태(원주 방향의 각 부에 있어서의 높이 변형(HD))를, 제어 장치(3)가 파악할 수 있다. 높이 변형 계측 공정(S4)의 실행 시간은, 예를 들면 약 5초간이다.By executing the height strain measuring step S4 , the bending state (in each part in the circumferential direction) of the substrate W held by the spin chuck 5 (the substrate W loaded into the processing chamber 4 ) The height deformation (HD)) of , the control device 3 can be grasped. The execution time of height distortion measurement process S4 is about 5 second, for example.

높이 변형 계측 공정(S4)의 종료 후, 제어 장치(3)는, 스핀 모터(18)를 제어하여, 기판(W)을 처리 속도까지 가속시킨다.After completion of the height strain measuring step S4 , the control device 3 controls the spin motor 18 to accelerate the substrate W to the processing speed.

그리고, 기판(W)의 회전 속도가 미리 정하는 처리 속도(약 300rpm~약 1000rpm)에 달하면, 이어서, 제어 장치(3)는, 기판(W)의 외주부(101)를 에칭 처리하는 외주부 에칭 공정(외주부 처리 공정. 도 11의 S5)을 실행한다. 외주부 에칭 공정(S5)에 있어서, 기판(W)을 회전시키면서, 상면 외주부(102)를 향하여 처리액 노즐(6)로부터 에칭액이 토출된다.Then, when the rotational speed of the substrate W reaches a predetermined processing speed (about 300 rpm to about 1000 rpm), then, the control device 3 performs an outer peripheral etching process of etching the outer peripheral portion 101 of the substrate W ( The outer periphery processing step S5) of Fig. 11 is performed. In the outer peripheral portion etching step S5 , the etching liquid is discharged from the processing liquid nozzle 6 toward the upper surface outer peripheral portion 102 while the substrate W is rotated.

제어 장치(3)는, 외주부 에칭 공정(S5)의 개시에 앞서, 아암 이동 유닛(41)을 제어하여, 도 13에 나타내는 바와 같이 처리액 노즐(6)을, 퇴피 위치로부터 처리 위치(도 3 및 도 13에 나타내는 위치)로 이동시킨다. 그리고, 제어 장치(3)는, 린스액 밸브(23)를 닫은 채로 에칭액 밸브(21)를 여는 것으로, 처리액 노즐(6)의 토출구(6a)에 에칭액을 토출시킨다. 에칭액의 토출 개시에 의해, 외주부 에칭 공정(S5)이 개시된다.The control device 3 controls the arm moving unit 41 to move the processing liquid nozzle 6 from the retracted position to the processing position ( FIG. 3 ) prior to the start of the outer peripheral part etching process S5 , as shown in FIG. 13 . and the position shown in Fig. 13). Then, the control device 3 opens the etching liquid valve 21 with the rinse liquid valve 23 closed, thereby discharging the etching liquid to the discharge port 6a of the processing liquid nozzle 6 . By starting the discharge of the etching solution, the outer peripheral portion etching step S5 is started.

또, 외주부 에칭 공정(S5)의 개시에 있어서, 제어 장치(3)는, 핫 플레이트 승강 유닛(32)을 제어하여, 핫 플레이트(10)를, 퇴피 위치(도 12에 나타내는 위치)로부터 가열 위치(도 13에 나타내는 위치)로 상승시키고, 그 가열 위치에 있어서 유지한다(히터 배치 공정). 이에 의해, 핫 플레이트(10)에 의해 기판(W)의 외주부(101)가 가열된다(기판 가열 공정).Moreover, in the start of the outer peripheral part etching process S5, the control apparatus 3 controls the hot plate raising/lowering unit 32, and heats the hot plate 10 from the retracted position (the position shown in FIG. 12). It raises to (position shown in FIG. 13), and hold|maintains in the heating position (heater arrangement|positioning process). Thereby, the outer peripheral part 101 of the board|substrate W is heated by the hotplate 10 (substrate heating process).

또, 외주부 에칭 공정(S5)에서는, 제어 장치(3)가 기체 밸브(29)를 연다. 이에 의해, 토출구(25a)로부터 기체가 토출된다. 상면 노즐(25)로부터 토출되는 기체에 의해, 기판(W)의 상방에 있어서, 기판(W)의 중앙부로부터 외주부(101)를 향하여 흐르는 방사상 기류가 형성된다. 이에 의해, 외주부 에칭 공정(S5)에 있어서, 기판(W)의 상면 외주부(102)에 공급된 에칭액이, 기판(W)의 상면의 중앙부(디바이스 형성 영역)에 진입하는 것을, 보다 한층 더 효과적으로 억제 또는 방지할 수 있다.Moreover, in the outer peripheral part etching process S5, the control apparatus 3 opens the gas valve 29. As shown in FIG. Thereby, the gas is discharged from the discharge port 25a. The gas discharged from the upper surface nozzle 25 forms a radial airflow flowing from the central portion of the substrate W toward the outer peripheral portion 101 above the substrate W. As shown in FIG. Thereby, in the outer peripheral part etching process S5, the etching liquid supplied to the upper surface outer peripheral part 102 of the board|substrate W enters into the central part (device formation area) of the upper surface of the board|substrate W, even more effectively can be suppressed or prevented.

또, 제어 장치(3)는, 외주부 에칭 공정(S5)의 개시에 앞서, 차단 부재 승강 유닛(27)을 제어하여 차단 부재(9)를, 퇴피 위치(도 12에 나타내는 위치)로부터 차단 위치(도 13에 나타내는 위치)로 하강시키고, 그 차단 위치에 있어서 유지한다. 이에 의해, 기판(W)의 상면의 중앙부의 상방 공간이, 차단 부재(9)의 차단판(24)에 의해 그 주위로부터 차단된다. 이에 의해, 외주부 에칭 공정(S5)에 있어서, 기판(W)의 상면 외주부(102)에 공급된 에칭액이, 기판(W)의 상면의 중앙부(디바이스 형성 영역)에 진입하는 것을 효과적으로 억제 또는 방지할 수 있다. 또, 제어 장치(3)는, 차단판 회전 유닛(26)을 제어하여, 차단판(24)을 기판(W)의 회전과 같은 방향으로 동등한 속도로 회전시킨다.In addition, the control device 3 controls the blocking member elevating unit 27 to move the blocking member 9 from the retracted position (the position shown in Fig. 12) to the blocking position ( It descends to the position shown in FIG. 13), and hold|maintains in the cutoff position. Thereby, the space above the central part of the upper surface of the board|substrate W is blocked|blocked from the periphery by the blocking plate 24 of the blocking member 9. As shown in FIG. Thereby, in the outer peripheral portion etching step S5, the etching liquid supplied to the upper surface outer peripheral portion 102 of the substrate W is effectively suppressed or prevented from entering the central portion (device forming region) of the upper surface of the substrate W. can In addition, the control device 3 controls the blocking plate rotating unit 26 to rotate the blocking plate 24 in the same direction as the rotation of the substrate W at the same speed.

도 4~도 6c 중 어느 한쪽에 나타내어지는 휨이, 처리 유닛(2)에 반입되는 기판(W)에 발생한 경우에, 기판(W)의 휨에 기인하는 처리 폭(에칭 폭)의 변동을 억제하기 위해, 외주부 에칭 공정(S5)에 앞서, 높이 변형 계측 공정(S4)에 의해 구해진 상면 외주부(102)의 높이 변형(HD)에 의거하여, 처리액 노즐(6)의 처리 위치(이니셜의 처리 위치)를 경방향(RD)으로 이동시킨다. 이에 의해, 외주부 에칭 공정(S5)의 개시 직후에 있어서의 액막(LF)의 내주 위치(LFa)를, 소기 위치에 가까워지도록 조정할 수 있다.When the warpage shown in any one of FIGS. 4 to 6C occurs in the substrate W loaded into the processing unit 2 , the variation in the processing width (etching width) caused by the warpage of the substrate W is suppressed. In order to do this, before the outer peripheral part etching process S5, based on the height deformation HD of the upper surface outer peripheral part 102 obtained by the height deformation measuring process S4, the processing position of the processing liquid nozzle 6 (processing of initials) position) in the radial direction (RD). Thereby, the inner peripheral position LFa of the liquid film LF immediately after the start of the outer peripheral part etching process S5 can be adjusted so that it may become close to a scavenging position.

또, 외주부 에칭 공정(S5)에 있어서의 핫 플레이트(10)에 의한 기판(W)의 가열에 의해, 기판(W)에 발생한 휨의 양(즉, 높이 변형(HD)의 크기)이 증대할 우려가 있다. 이러한 휨의 증대에 대응하기 위해, 외주부 에칭 공정(S5)의 개시 후, 외주부 에칭 공정(S5)의 전체 기간에 걸쳐, 상면 외주부(102)의 높이 위치(즉, 높이 변형(HD))를 상시 감시하고, 감시하고 있는 높이 변형(HD)에 따라, 액막(LF)의 내주 위치(LFa)가 소기 위치에 가까워지도록 조정하고 있다. 즉, 상면 외주부(102)의 현재의 높이 변형(HD)에 따라, 액막(LF)의 내주 위치(LFa)를 리얼타임으로 조정하고 있다(높이 변형 감시 공정(S6) & 착액 위치 이동 공정(S7)).In addition, by heating the substrate W by the hot plate 10 in the outer periphery etching step S5, the amount of warpage generated in the substrate W (that is, the size of the height deformation HD) increases. There are concerns. In order to cope with this increase in warpage, after the start of the outer periphery etching process S5, over the entire period of the outer periphery etching process S5, the height position of the upper surface outer periphery 102 (that is, the height deformation (HD)) is constantly adjusted. It is monitored and adjusted so that the inner peripheral position LFa of the liquid film LF approaches the scavenging position according to the monitored height deformation HD. That is, the inner peripheral position LFa of the liquid film LF is adjusted in real time according to the current height deformation HD of the upper surface outer peripheral portion 102 (height deformation monitoring step S6 & liquid landing position moving step S7) )).

이하, 구체적으로, 설명한다. 도 14b에 나타내는 바와 같이, 높이 변형 감시 공정(S6) 및 착액 위치 이동 공정(S7)에 있어서, 제어 장치(3)는, 높이 변형 센서(12)에 의한 검출값을 상시 감시하고 있다. 이에 의해, 상면 외주부(102)의 각 부에 있어서의 높이 위치를 계측한다(도 14b의 S16). 구체적으로는, 제어 장치(3)(연산 유닛(51)(도 10 참조))는, 계측한 상면 외주부(102)의 각 부에 있어서의 높이 위치와, 기억 유닛(52)(도 10 참조)에 미리 기억되어 있는, 기판(W)의 상면의 중앙부의 높이 위치의 차에 의거하여, 상면 외주부(102)의 각 부에 있어서의 높이 변형(HD)(높이 변형(HD)의 크기 및 높이 변형(HD)의 방향)을 구한다.Hereinafter, it demonstrates concretely. As shown in FIG. 14B , in the height deformation monitoring step S6 and the liquid landing position movement step S7 , the control device 3 is constantly monitoring the detected value by the height deformation sensor 12 . Thereby, the height position in each part of the upper surface outer peripheral part 102 is measured (S16 of FIG. 14B). Specifically, the control device 3 (the arithmetic unit 51 (see FIG. 10 )) includes a measured height position in each portion of the upper surface outer peripheral portion 102 , and the storage unit 52 (see FIG. 10 ). Based on the difference in height position of the central portion of the upper surface of the substrate W stored in advance in the height deformation HD in each portion of the upper surface outer peripheral portion 102 (the size and height deformation of the height deformation HD) direction of (HD)).

그리고, 제어 장치(3)는, 산출한 상면 외주부(102)의 각 부에 있어서의 높이 변형(HD)에 의거하여, 상면 외주부(102)의 각 부에 있어서의 높이 변형(HD)의 평균인 현재의 평균 높이 변형을 연산한다(도 14b의 S17：가열 높이 변형 연산 공정).And the control device 3, based on the calculated height deformation (HD) in each portion of the upper surface outer peripheral portion (102), the average of the height deformation (HD) in each portion of the upper surface outer peripheral portion (102) The current average height deformation is calculated (S17 of Fig. 14B: heating height deformation calculation step).

또, 도 14b의 S16 및 S17의 각 공정은, 상면 외주부(102)의 각 부에 있어서의 높이 위치의 평균인 현재의 평균 높이 위치를 미리 구하도록 해도 된다. 이 경우, 그 평균 높이 위치와, 기억 유닛(52)(도 10 참조)에 미리 기억되어 있는, 기판(W)의 상면의 중앙부의 높이 위치의 차에 의거하여, 상면 외주부(102)의 각 부에 있어서의 높이 변형(HD)의 평균인 평균 높이 변형을 연산하도록 해도 된다.Moreover, in each process of S16 and S17 of FIG. 14B, you may make it calculate|require in advance the present average height position which is the average of the height positions in each part of the upper surface outer peripheral part 102. In addition, as shown in FIG. In this case, based on the difference between the average height position and the height position of the central portion of the upper surface of the substrate W stored in advance in the storage unit 52 (see FIG. 10 ), each portion of the upper surface outer peripheral portion 102 . You may make it compute the average height distortion which is the average of the height distortion HD in .

그리고, 산출한 현재의 평균 높이 변형의 크기가 역치 이상인 경우(도 14b의 S18에서 YES)에는, 토출구(6a)로부터 토출되는 에칭액의 토출 방향을 회전축선(A)에 대해 일정하게 유지하면서, 처리액 노즐(6)을 경방향(RD)으로 이동시킨다(도 14의 S19). 높이 변형 감시 공정(S6) 및 착액 위치 이동 공정(S7)의 각 공정은, 외주부 에칭 공정(S5)의 전체 기간에 걸쳐 행해진다.Then, when the calculated current average height deformation is equal to or greater than the threshold value (YES in S18 in FIG. 14B ), the process is performed while maintaining the discharge direction of the etching solution discharged from the discharge port 6a constant with respect to the rotation axis A The liquid nozzle 6 is moved in the radial direction RD (S19 in FIG. 14). Each process of the height distortion monitoring process S6 and the liquid landing position movement process S7 is performed over the whole period of the outer peripheral part etching process S5.

외주부 에칭 공정(S5)에 있어서, 기판(W)의 외주부(101)가 기판(W)의 중앙부(이 경우, 기판(W)의 중심 부근)에 대해 상측 방향으로 변위하고 있는 경우(도 4 및 도 6b 등 참조)에는, 제어 장치(3)는, 도 15에 나타내는 바와 같이, 그러한 변위가 없는 경우(도 3 참조)와 비교하여, 처리액 노즐(6)의 위치를, 원래의 위치(도 16에 파선으로 나타내는 위치)로부터 경방향(RD)의 외방을 향하여 이동시키고, 토출구(6a)로부터 토출되는 에칭액의 토출 방향을 일정하게 유지하면서, 기판(W)의 주단면(103)에 착액 위치(105)를 접근시킨다. 이 경우, 제어 장치(3)는, 액막(LF)의 내주 위치(LFa)를, 그러한 변위가 없는 경우(도 3 참조)와 동일한 위치에 배치시킨다. 그 결과, 액막(LF)의 액폭(LW)이 액폭(W1)으로 유지된다.In the outer peripheral portion etching step S5, when the outer peripheral portion 101 of the substrate W is displaced upward with respect to the central portion of the substrate W (in this case, near the center of the substrate W) (Fig. 4 and 6B and the like), the control device 3 sets the position of the processing liquid nozzle 6 to its original position (FIG. 16), the liquid landing position on the main end face 103 of the substrate W while moving it outward in the radial direction RD and maintaining the discharge direction of the etching liquid discharged from the discharge port 6a constant. (105) is approached. In this case, the control device 3 arranges the inner peripheral position LFa of the liquid film LF at the same position as in the case where there is no such displacement (refer to FIG. 3 ). As a result, the liquid width LW of the liquid film LF is maintained at the liquid width W1.

한편, 외주부 에칭 공정(S5)에 있어서, 기판(W)의 외주부(101)가 기판(W)의 중앙부(이 경우, 기판(W)의 중심 부근)에 대해 하측 방향으로 변위하고 있는 경우(도 5 등 참조)에는, 제어 장치(3)는, 도 16에 나타내는 바와 같이, 그러한 변위가 없는 경우(도 3 참조)와 비교하여, 처리액 노즐(6)의 위치를 원래의 위치(도 16에 파선으로 나타내는 위치)로부터 경방향(RD)의 내방을 향하여 이동시키고, 토출구(6a)로부터 토출되는 에칭액의 토출 방향을 일정하게 유지하면서, 기판(W)의 주단면(103)으로부터 착액 위치(105)를 이반시킨다. 이 경우, 액막(LF)의 내주 위치(LFa)를, 그러한 변위가 없는 경우(도 3 참조)와 동일한 위치에 배치할 수 있다. 그 결과, 액막(LF)의 액폭(LW)이 액폭(W1)으로 유지된다.On the other hand, in the outer peripheral portion etching step S5, the outer peripheral portion 101 of the substrate W is displaced downward with respect to the central portion of the substrate W (in this case, near the center of the substrate W) (Fig. 5 and the like), the control device 3 sets the position of the processing liquid nozzle 6 to its original position (see FIG. 16 ) compared to the case where there is no such displacement (see FIG. 3 ), as shown in FIG. 16 . The liquid landing position 105 from the main end face 103 of the substrate W while moving toward the inside in the radial direction RD from the position indicated by the broken line) and maintaining the discharge direction of the etching liquid discharged from the discharge port 6a constant. ) is displaced. In this case, the inner peripheral position LFa of the liquid film LF can be arranged at the same position as in the case where there is no such displacement (refer to FIG. 3 ). As a result, the liquid width LW of the liquid film LF is maintained at the liquid width W1.

외주부 에칭 공정(S5)에 있어서, 에칭액의 토출 개시로부터 미리 정하는 기간이 경과하면, 제어 장치(3)는, 에칭액 밸브(21)를 닫는다. 이에 의해, 처리액 노즐(6)로부터의 에칭액의 토출이 정지(종료)한다. 에칭액의 토출 종료에 의해, 외주부 에칭 공정(S5)이 종료된다.In the outer periphery etching step S5 , when a predetermined period elapses from the start of discharging the etching solution, the control device 3 closes the etching solution valve 21 . Accordingly, the discharge of the etching liquid from the processing liquid nozzle 6 is stopped (finished). When the discharging of the etching liquid is finished, the outer peripheral portion etching step S5 is completed.

또, 제어 장치(3)는, 핫 플레이트 승강 유닛(32)을 제어하여, 핫 플레이트(10)를, 가열 위치(도 13에 나타내는 위치)로부터 퇴피 위치(도 12에 나타내는 위치)로 하강시킨다. 제어 장치(3)는, 아암 이동 유닛(41) 및 아암 이동 유닛(34)을 제어하여, 처리액 노즐(6) 및 높이 변형 센서(12)를 각각 퇴피 위치로 퇴피시킨다.Moreover, the control apparatus 3 controls the hotplate raising/lowering unit 32, and makes the hotplate 10 fall from a heating position (position shown in FIG. 13) to a retracted position (position shown in FIG. 12). The control device 3 controls the arm moving unit 41 and the arm moving unit 34 to retract the processing liquid nozzle 6 and the height deformation sensor 12 to the retracted positions, respectively.

외주부 에칭 공정(S5)의 종료 후, 이어서, 제어 장치(3)는, 기판(W)의 외주부(101)를, 린스액을 이용하여 처리하는 외주부 린스 공정(도 11의 S8)을 실행한다. 외주부 린스 공정(S8)은, 기판(W)의 회전이 소정의 처리 속도(약 300rpm~약 1000rpm의 소정의 속도)에 있는 상태에서 실행된다. 구체적으로는, 기판(W)의 회전이 처리 속도에 달하면, 제어 장치(3)는, 에칭액 밸브(21)를 닫으면서 린스액 밸브(23)를 여는 것으로, 처리액 노즐(6)의 토출구(6a)로부터 린스액을 토출 개시시킨다. 린스액의 토출 개시에 의해, 외주부 린스 공정(S8)이 개시된다. 린스액의 토출 개시로부터 미리 정하는 기간이 경과하면, 제어 장치(3)는 린스액 밸브(23)가 닫혀진다. 이에 의해, 처리액 노즐(6)로부터의 린스액의 토출이 정지(종료)한다. 린스액의 토출 종료에 의해, 외주부 린스 공정(S8)이 종료된다.After the outer peripheral portion etching step S5 is finished, the control device 3 then performs an outer peripheral portion rinsing step (S8 in FIG. 11 ) in which the outer peripheral portion 101 of the substrate W is treated using a rinsing liquid. The outer peripheral portion rinsing step S8 is performed in a state where the rotation of the substrate W is at a predetermined processing speed (a predetermined speed of about 300 rpm to about 1000 rpm). Specifically, when the rotation of the substrate W reaches the processing speed, the control device 3 opens the rinse liquid valve 23 while closing the etching liquid valve 21 , so that the discharge port ( From 6a), the rinse liquid is started to be discharged. When the discharging of the rinsing liquid is started, the outer peripheral portion rinsing step (S8) is started. When a predetermined period elapses from the start of discharging the rinse liquid, the control device 3 closes the rinse liquid valve 23 . Accordingly, the discharge of the rinse liquid from the processing liquid nozzle 6 is stopped (finished). When the discharging of the rinsing liquid is finished, the outer peripheral part rinsing step S8 is finished.

이어서, 기판(W)을 건조시키는 스핀 드라이(도 11의 S9)가 행해진다. 구체적으로는, 제어 장치(3)는 스핀 모터(18)를 제어하여, S2~S8의 각 공정에 있어서의 회전 속도보다 큰 건조 속도(예를 들면 수천rpm)까지 기판(W)을 가속시키고, 그 건조 속도로 기판(W)을 회전시킨다. 또, 제어 장치(3)는, 차단판 회전 유닛(26)을 제어하여, 차단판(24)을 기판(W)과 같은 방향으로 동등한 속도로 회전시킨다.Next, spin drying (S9 in Fig. 11) for drying the substrate W is performed. Specifically, the control device 3 controls the spin motor 18 to accelerate the substrate W to a drying speed (for example, several thousand rpm) greater than the rotation speed in each step of S2 to S8, The substrate W is rotated at the drying speed. Further, the control device 3 controls the blocking plate rotating unit 26 to rotate the blocking plate 24 in the same direction as the substrate W at the same speed.

또, 이에 의해, 큰 원심력이 기판(W) 상의 액체에 가해져, 기판(W)의 외주부(101)에 부착되어 있는 액체가 기판(W)의 주위로 떨쳐진다. 이와 같이 하여, 기판(W)의 외주부(101)로부터 액체가 제거되고, 기판(W)의 외주부(101)가 건조된다.In addition, by this, a large centrifugal force is applied to the liquid on the substrate W, and the liquid adhering to the outer periphery 101 of the substrate W is shaken off around the substrate W. In this way, the liquid is removed from the outer peripheral portion 101 of the substrate W, and the outer peripheral portion 101 of the substrate W is dried.

기판(W)의 고속 회전의 개시로부터 소정 기간이 경과하면, 제어 장치(3)는, 스핀 모터(18)를 제어함으로써, 스핀 척(5)에 의한 기판(W)의 회전을 정지시킨다. 기판(W)의 회전 정지 후, 제어 장치(3)는, 차단 부재(9)를 퇴피 위치를 향하여 상승시키고, 또한 기체 밸브(29)를 닫는다. 또, 제어 장치(3)는, 차단판 회전 유닛(26)을 제어하여, 차단판(24)의 회전을 정지시킨다.When a predetermined period has elapsed from the start of the high-speed rotation of the substrate W, the control device 3 controls the spin motor 18 to stop the rotation of the substrate W by the spin chuck 5 . After the rotation of the substrate W is stopped, the control device 3 raises the blocking member 9 toward the retracted position, and further closes the gas valve 29 . Moreover, the control device 3 controls the blocking plate rotating unit 26 to stop the rotation of the blocking plate 24 .

그 후, 처리 챔버(4) 내로부터 기판(W)이 반출된다(도 11의 단계 S10). 구체적으로는, 제어 장치(3)는, 반송 로봇(CR)의 핸드(H)를 처리 챔버(4)의 내부에 진입시킨다. 그리고, 제어 장치(3)는, 스핀 척(5)에 의한 기판(W)의 흡착을 해제하고, 반송 로봇(CR)의 핸드(H)에 스핀 척(5) 상의 기판(W)을 유지시킨다. 그 후, 제어 장치(3)는, 반송 로봇(CR)의 핸드(H)를 처리 챔버(4) 내로부터 퇴피시킨다. 이에 의해, 처리 후의 기판(W)이 처리 챔버(4)로부터 반출된다.Thereafter, the substrate W is unloaded from the processing chamber 4 (step S10 in FIG. 11 ). Specifically, the control device 3 causes the hand H of the transfer robot CR to enter the processing chamber 4 . Then, the control device 3 cancels the suction of the substrate W by the spin chuck 5 and holds the substrate W on the spin chuck 5 by the hand H of the transfer robot CR. . Thereafter, the control device 3 retracts the hand H of the transfer robot CR from the inside of the processing chamber 4 . Accordingly, the processed substrate W is unloaded from the processing chamber 4 .

이상에 의해, 이 실시 형태에 의하면, 계측된 상면 외주부(102)의 높이 위치에 의거하여 경방향(RD)으로 착액 위치(105)를 이동시킴으로써, 착액 위치(105)에 공급되는 에칭액에 의해 형성되는 액막(LF)의 내주 위치(LFa)가 소기 위치에 가까워지도록 조정된다. 그 때문에, 액막(LF)의 내주 위치(LFa)를, 기판(W)의 휨 상태에 따른 위치로 조정하는 것이 가능하다. 이 조정에 의해, 액폭(LW)을 정밀하게 제어하는 것이 가능하다.As described above, according to this embodiment, by moving the liquid landing position 105 in the radial direction RD based on the measured height position of the upper surface outer peripheral portion 102, the liquid landing position 105 is formed by the etching solution supplied to the liquid landing position 105 The inner peripheral position LFa of the liquid film LF to be used is adjusted so that it approaches the scavenging position. Therefore, it is possible to adjust the inner peripheral position LFa of the liquid film LF to a position corresponding to the bending state of the substrate W. By this adjustment, it is possible to precisely control the liquid width LW.

또, 토출구(6a)로부터의 에칭액의 토출 방향을 일정하게 유지하면서, 액막(LF)의 내주 위치(LFa)를 조정하므로, 입사 각도를, 파티클 성능이 높은 최적 각도의 근방 각도로 계속 유지하는 것이 가능하다. 따라서, 외주부 에칭 공정(S5) 후에 있어서의 상면 외주부(102)의 파티클의 부착을 억제 또는 방지하는 것이 가능하다.In addition, since the inner peripheral position LFa of the liquid film LF is adjusted while the discharge direction of the etching liquid from the discharge port 6a is kept constant, it is better to keep the incident angle at an angle near the optimum angle with high particle performance. It is possible. Accordingly, it is possible to suppress or prevent the adhesion of particles to the upper surface outer peripheral portion 102 after the outer peripheral portion etching step S5.

이에 의해, 상면 외주부(102)에 있어서의 에칭 폭을 정밀하게 제어할 수 있고, 또한 외주부 에칭 공정(S5) 후에 있어서의 상면 외주부(102)에 있어서의 파티클의 부착을 억제 또는 방지할 수 있다.Thereby, the etching width in the upper surface outer peripheral portion 102 can be precisely controlled, and adhesion of particles to the upper surface outer peripheral portion 102 after the outer peripheral portion etching step S5 can be suppressed or prevented.

또, 경방향(RD)으로의 착액 위치(105)의 이동에 의해, 액막(LF)의 내주 위치(LFa)를 비교적 용이하게 조정할 수 있다. 이에 의해, 액폭(LW)의 정밀한 제어를, 비교적 용이하게 실현할 수 있다.In addition, by moving the liquid landing position 105 in the radial direction RD, the inner peripheral position LFa of the liquid film LF can be adjusted relatively easily. Thereby, precise control of the liquid width LW can be realized relatively easily.

또, 기판(W)의 휨 상태나 휨의 방향이, 기판(W)의 원주 방향에 관하여 불규칙한 경우가 있다. 제3의 양태(도 6a~6c 참조) 등의 경우에 한정되지 않으며, 기판(W)의 휨의 양태가 주발 형상(제1의 양태(도 4 참조)나 제2의 양태(도 4 참조))이어도, 이러한 편차가 존재하는 경우가 있다.Moreover, the curvature state of the board|substrate W and the direction of curvature may be irregular with respect to the circumferential direction of the board|substrate W. As shown in FIG. It is not limited to the case of the 3rd aspect (refer FIGS. 6A-6C), etc., The aspect of the curvature of the board|substrate W is a bowl shape (1st aspect (refer FIG. 4) or 2nd aspect (refer FIG. 4)) ), such a deviation may exist.

상면 외주부(102)의 원주 방향의 각 부에 있어서의 높이 변형(HD)의 평균이, 상면 외주부(102)의 높이 변형(HD)으로서 취득된다. 그 때문에, 기판(W)의 휨 상태나 휨의 방향이, 기판(W)의 원주 방향에 관하여 불규칙한 경우이어도, 상면 외주부(102)의 높이 변형(HD)으로서, 최적의 값을 취득할 수 있다.The average of the height deformations HD in each portion in the circumferential direction of the upper surface outer peripheral portion 102 is obtained as the height deformation HD of the upper surface outer peripheral portion 102 . Therefore, even when the bending state or bending direction of the substrate W is irregular with respect to the circumferential direction of the substrate W, an optimal value can be obtained as the height deformation HD of the upper surface outer periphery 102 . .

또, 외주부 에칭 공정(S5)에 있어서 기판(W)의 가열의 진행에 수반하여 증대하는 높이 변형(HD)이 취득되고, 취득된 높이 변형(HD)에 의거하여 액막(LF)의 내주 위치(LFa)가 조정된다. 기판(W)으로의 가열의 진행에 수반하여, 기판(W)의 휨량이 증대하고, 높이 변형(HD)이 변화(예를 들면 증대)한다. 기판(W)의 가열의 진행에 수반하는 높이 변형(HD)의 변동에 의거하여 액막(LF)의 내주 위치(LFa)를 조정함으로써, 기판(W)의 가열의 진행에 의한 기판(W)의 휨의 증대에 관계없이, 액막(LF)의 내주 위치(LFa)를 소기 위치에 유지하는 것이 가능하다. 이에 의해, 액폭(LW)의 정밀한 제어를, 양호하게 실현할 수 있다.In addition, in the outer periphery etching step S5, a height deformation HD that increases with the progress of heating of the substrate W is acquired, and based on the acquired height deformation HD, the inner peripheral position of the liquid film LF ( LFa) is adjusted. With the progress of heating to the substrate W, the amount of warpage of the substrate W increases, and the height deformation HD changes (eg, increases). By adjusting the inner peripheral position LFa of the liquid film LF based on the fluctuation of the height deformation HD accompanying the progress of heating of the substrate W, the Regardless of the increase in warpage, it is possible to keep the inner peripheral position LFa of the liquid film LF at the scavenging position. Thereby, precise control of the liquid width LW can be realized favorably.

또, 외주부 에칭 공정(S5)에 있어서, 상면 외주부(102)의 높이 변형(HD)이 감시된다. 그리고, 높이 변형(HD)의 감시 결과에 의거하여, 액막(LF)의 내주 위치(LFa)가 조정된다. 즉, 상면 외주부(102)의 높이 변형(HD)의 변화에 따라, 액막(LF)의 내주 위치(LFa)를 리얼타임으로 조정할 수 있다. 실제의 계측에 의거하여 액막(LF)의 내주 위치(LFa)를 조정하므로, 액막(LF)의 내주 위치(LFa)를 정밀도 좋게 조정할 수 있다.Moreover, in the outer peripheral part etching process S5, the height distortion HD of the upper surface outer peripheral part 102 is monitored. Then, based on the monitoring result of the height deformation HD, the inner peripheral position LFa of the liquid film LF is adjusted. That is, the inner peripheral position LFa of the liquid film LF can be adjusted in real time according to a change in the height deformation HD of the upper surface outer peripheral portion 102 . Since the inner peripheral position LFa of the liquid film LF is adjusted based on actual measurement, the inner peripheral position LFa of the liquid film LF can be precisely adjusted.

도 17은, 본 발명의 제2의 실시 형태에 따른 기판 처리 장치(201)의 주요부의 전기적 구성을 설명하기 위한 블록도이다. 도 18은, 도 17에 나타내는 가열 시간-높이 변형 대응 테이블 기억부(202)에 기억되는 가열 시간-높이 변형 대응 테이블(203)의 내용을 나타내는 도면이다.17 is a block diagram for explaining the electrical configuration of a main part of the substrate processing apparatus 201 according to the second embodiment of the present invention. Fig. 18 is a diagram showing the contents of the heating time-height deformation correspondence table 203 stored in the heating time-height deformation correspondence table storage unit 202 shown in Fig. 17 .

제2의 실시 형태에 있어서, 제1의 실시 형태(도 1~도 16에 나타내는 실시 형태)와 공통되는 부분에는, 도 1~도 16의 경우와 동일한 참조 부호를 붙이고 설명을 생략한다.In the second embodiment, parts common to the first embodiment (embodiment shown in Figs. 1 to 16) are denoted by the same reference numerals as in the case of Figs. 1 to 16, and description thereof is omitted.

기판 처리 장치(201)가, 제1의 실시 형태에 따른 기판 처리 장치(1)와 상이한 주된 점은, 기억 유닛(52)에, 가열 시간-높이 변형 대응 테이블 기억부(202)를 설치한 점이다. 가열 시간-높이 변형 대응 테이블 기억부(202)에는, 도 18에 나타내는 가열 시간-높이 변형 대응 테이블(203)이 저장되어 있다. 가열 시간-높이 변형 대응 테이블(203)은, 외주부 에칭 공정(S4)에 있어서의 기판(W)의 가열의 개시로부터의 경과 시간과, 상면 외주부(102)의 높이 변형(HD)의 대응 관계가 규정되어 있다.The main point that the substrate processing apparatus 201 differs from the substrate processing apparatus 1 according to the first embodiment is that the storage unit 52 is provided with a heating time-height deformation correspondence table storage unit 202 . to be. In the heating time-height deformation correspondence table storage unit 202, the heating time-height deformation correspondence table 203 shown in FIG. 18 is stored. In the heating time-height deformation correspondence table 203 , the correspondence relationship between the elapsed time from the start of heating of the substrate W in the outer peripheral portion etching step S4 and the height deformation HD of the upper surface outer peripheral portion 102 is It is stipulated

도 18에 나타내는 바와 같이, 가열 시간-높이 변형 대응 테이블(203)에는, 기판(W)의 가열의 개시로부터의 복수의 경과 시간과, 각 경과 시간에 대응하는, 상면 외주부(102)의 높이 변형(HD)이 규정되어 있다. 기판(W)의 가열의 개시로부터의 경과 시간은, 구체적으로는, 핫 플레이트(10)를 가열 위치로의 배치한 타이밍으로부터의 경과 시간이다. 가열 시간-높이 변형 대응 테이블(203)은, 기판 처리 장치(1)를 이용한 사전 실험에 의해 구해진다.As shown in FIG. 18 , in the heating time-height deformation correspondence table 203 , a plurality of elapsed times from the start of heating of the substrate W and the height deformation of the upper surface outer peripheral portion 102 corresponding to each elapsed time (HD) is defined. The elapsed time from the start of heating of the board|substrate W is specifically, elapsed time from the timing which arrange|positioned the hotplate 10 to a heating position. The heating time-height deformation correspondence table 203 is obtained by a prior experiment using the substrate processing apparatus 1 .

도 19는, 제2의 실시 형태에 따른 처리 유닛에 의한 기판 처리예를 설명하기 위한 흐름도이다. 도 20은, 도 19에 나타내는 높이 변형 연산 공정(S26) 및 착액 위치 이동 공정(내주 위치 조정 공정. S27)의 내용을 설명하기 위한 흐름도이다.19 is a flowchart for explaining an example of substrate processing by the processing unit according to the second embodiment. 20 : is a flowchart for demonstrating the content of the height deformation calculation process (S26) and liquid landing position movement process (inner periphery position adjustment process. S27) shown in FIG.

이 기판 처리예에 대해, 도 17~도 19 등을 참조하면서 설명한다. 도 20a, 20b에 대해서는 적절히 참조한다.This substrate processing example will be described with reference to FIGS. 17 to 19 and the like. Reference is made to FIGS. 20A and 20B as appropriate.

이 기판 처리예에서는, 미처리 기판(W)이, 처리 챔버(4)의 내부에 반입되고(도 19의 S21), 디바이스 형성면(표면)을 상방을 향한 상태로 스핀 척(5)에 수도된다. 그리고, 기판(W)의 하면(이면) 중앙부가 흡착 지지됨으로써, 스핀 척(5)에 의해 기판(W)이 유지된다(도 19의 S22). 이어서, 제어 장치(3)가 스핀 모터(18)를 제어하여, 기판(W)에 회전을 개시시킨다(도 19의 S23). 도 19의 S21~S23의 공정은, 각각, 전술의 도 11의 S1~S3의 공정과 동등한 공정이다.In this substrate processing example, the unprocessed substrate W is loaded into the processing chamber 4 ( S21 in FIG. 19 ) and transferred to the spin chuck 5 with the device formation surface (surface) facing upward. . Then, the central portion of the lower surface (rear surface) of the substrate W is adsorbed and supported, so that the substrate W is held by the spin chuck 5 (S22 in FIG. 19). Next, the control device 3 controls the spin motor 18 to start rotation of the substrate W (S23 in Fig. 19). Steps S21 to S23 in FIG. 19 are the same steps as steps S1 to S3 in FIG. 11 described above, respectively.

또, 제어 장치(3)는, 내장 히터(31)에 의해 줄 열을 발생시킴으로써, 핫 플레이트(10)의 상면(10a)을 소정의 고온까지 승온시키고, 그 고온으로 유지한다. 이 때, 핫 플레이트(10)는, 퇴피 위치에 배치되어 있다.Moreover, the control apparatus 3 heats up the upper surface 10a of the hot plate 10 to a predetermined high temperature by generating Joule heat by the built-in heater 31, and maintains it at that high temperature. At this time, the hot plate 10 is arrange|positioned at the retracted position.

또, 제어 장치(3)는, 아암 이동 유닛(34)을 제어하여, 높이 변형 센서(12)를 퇴피 위치로부터 계측 위치로 이동시킨다. 그리고, 제어 장치(3)는, 높이 변형 계측 공정(S24)을 실행한다. 도 19의 높이 변형 계측 공정(S24)은, 도 11의 높이 변형 계측 공정(S4)과 동등한 공정이다.Moreover, the control device 3 controls the arm moving unit 34 to move the height deformation sensor 12 from the retracted position to the measurement position. Then, the control device 3 executes the height strain measuring step S24. The height strain measuring process S24 of FIG. 19 is a process equivalent to the height distortion measuring process S4 of FIG.

높이 변형 계측 공정(S24)의 종료 후, 제어 장치(3)는, 아암 이동 유닛(34)을 제어하여, 높이 변형 센서(12)를 퇴피 위치로 퇴피시킨다. 또, 높이 변형 계측 공정(S24)의 종료 후, 제어 장치(3)는, 스핀 모터(18)를 제어하여, 기판(W)을 처리 속도까지 가속시킨다.After completion of the height strain measuring step S24 , the control device 3 controls the arm moving unit 34 to retract the height strain sensor 12 to the retracted position. In addition, after completion of the height strain measuring step S24 , the control device 3 controls the spin motor 18 to accelerate the substrate W to the processing speed.

그리고, 기판(W)의 회전 속도가 미리 정하는 처리 속도(약 300rpm~약 1000rpm)에 달하면, 이어서, 제어 장치(3)는, 기판(W)의 외주부(101)를 에칭 처리하는 외주부 에칭 공정(도 18의 S25)을 실행한다.Then, when the rotational speed of the substrate W reaches a predetermined processing speed (about 300 rpm to about 1000 rpm), then, the control device 3 performs an outer peripheral etching process of etching the outer peripheral portion 101 of the substrate W ( S25) of FIG. 18 is executed.

외주부 에칭 공정(도 18의 S25)에서는, 제어 장치(3)가 린스액 밸브(23)를 닫은 채로 에칭액 밸브(21)를 열어, 처리액 노즐(6)의 토출구(6a)에 에칭액을 토출시킨다. 또, 외주부 에칭 공정(S25)의 개시에 있어서, 제어 장치(3)는, 핫 플레이트 승강 유닛(32)을 제어하여, 핫 플레이트(10)를, 퇴피 위치(도 12에 나타내는 위치)로부터 가열 위치(도 13에 나타내는 위치)로 상승시키고, 그 가열 위치에 있어서 유지한다(히터 배치 공정). 또, 제어 장치(3)는, 외주부 에칭 공정(S25)의 개시에 앞서, 차단 부재 승강 유닛(27)을 제어하여 차단 부재(9)를, 퇴피 위치로부터 차단 위치(도 13에 나타내는 위치)로 하강시키고, 그 차단 위치에 있어서 유지한다. 이에 의해, 기판(W)의 상면의 중앙부의 상방 공간이, 차단 부재(9)의 차단판(24)에 의해 그 주위로부터 차단된다. 또, 제어 장치(3)는, 차단판 회전 유닛(26)을 제어하여, 차단판(24)을 기판(W)의 회전과 같은 방향으로 동등한 속도로 회전시킨다.In the outer peripheral etching step (S25 in FIG. 18 ), the controller 3 opens the etching solution valve 21 with the rinse solution valve 23 closed, and discharges the etching solution through the discharge port 6a of the processing solution nozzle 6 . . Moreover, in the start of the outer peripheral part etching process S25, the control apparatus 3 controls the hot plate raising/lowering unit 32, and heats the hot plate 10 from the retracted position (position shown in FIG. 12). It raises to (position shown in FIG. 13), and hold|maintains in the heating position (heater arrangement|positioning process). In addition, the control device 3 controls the blocking member lifting/lowering unit 27 to move the blocking member 9 from the retracted position to the blocking position (position shown in Fig. 13 ) prior to the start of the outer peripheral portion etching step S25 . Lower it and hold it in its blocked position. Thereby, the space above the central part of the upper surface of the board|substrate W is blocked|blocked from the periphery by the blocking plate 24 of the blocking member 9. As shown in FIG. In addition, the control device 3 controls the blocking plate rotating unit 26 to rotate the blocking plate 24 in the same direction as the rotation of the substrate W at the same speed.

외주부 에칭 공정(도 18의 S25)은, 제1의 실시 형태에 따른 외주부 에칭 공정(도 11의 S5)과 동등한 공정이다. 그 때문에, 외주부 에칭 공정(S25)에 대해서는, 제1의 실시 형태에 따른 외주부 에칭 공정(도 11의 S5)과 상이한 부분에 대해서만 설명한다.The outer peripheral part etching process (S25 in FIG. 18) is a process equivalent to the outer peripheral part etching process (S5 in FIG. 11) which concerns on 1st Embodiment. Therefore, about the outer peripheral part etching process S25, only the part different from the outer peripheral part etching process (S5 of FIG. 11) which concerns on 1st Embodiment is demonstrated.

제어 장치(3)는, 외주부 에칭 공정(S25)의 개시에 앞서, 아암 이동 유닛(41)을 제어하여, 처리액 노즐(6)을, 퇴피 위치로부터 처리 위치(도 3 및 도 13에 나타내는 위치)로 이동시킨다. 도 4~도 6c 중 어느 한쪽에 나타내어지는 휨이, 처리 유닛(2)에 반입되는 기판(W)에 발생한 경우에, 기판(W)의 휨에 기인하는 처리 폭(에칭 폭)의 변동을 억제하기 위해, 외주부 에칭 공정(S25)에 앞서, 높이 변형 계측 공정(S24)에 의해 구해진 상면 외주부(102)의 높이 변형(HD)에 의거하여, 처리액 노즐(6)의 처리 위치(이니셜의 처리 위치)를 경방향(RD)으로 이동시킨다. 이에 의해, 외주부 에칭 공정(S25)의 개시 직후에 있어서의 액막(LF)의 내주 위치(LFa)를, 소기 위치에 가까워지도록 조정할 수 있다.The control device 3 controls the arm moving unit 41 to move the processing liquid nozzle 6 from the retracted position to the processing position (positions shown in FIGS. 3 and 13 ) prior to the start of the outer periphery etching process S25 . ) to move When the warpage shown in any one of FIGS. 4 to 6C occurs in the substrate W loaded into the processing unit 2 , the variation in the processing width (etching width) caused by the warpage of the substrate W is suppressed. In order to do this, prior to the outer peripheral portion etching step S25 , based on the height deformation HD of the upper surface outer peripheral portion 102 obtained by the height deformation measuring step S24 , the processing position (processing of the initials) of the processing liquid nozzle 6 . position) in the radial direction (RD). Thereby, the inner peripheral position LFa of the liquid film LF immediately after the start of the outer peripheral part etching process S25 can be adjusted so that it may become close to a scavenging position.

또, 외주부 에칭 공정(S25)에 있어서의 핫 플레이트(10)에 의한 기판(W)의 가열에 의해 증대하는 기판(W)의 휨(즉, 높이 변형(HD))의 증대에 대응하기 위해, 외주부 에칭 공정(S25)의 개시 후, 외주부 에칭 공정(S25)의 전체 기간에 있어서 상면 외주부(102)의 높이 위치(즉, 높이 변형(HD))를 상시 감시하고, 감시하고 있는 높이 변형(HD)에 따라, 액막(LF)의 내주 위치(LFa)를, 미리 정하는 위치에 가까워지도록 조정하고 있다. 즉, 상면 외주부(102)의 높이 변형(HD)의 변동에 따라, 액막(LF)의 내주 위치(LFa)를 리얼타임으로 조정하고 있다(높이 변형 연산 공정(S26) & 착액 위치 이동 공정(S27)).In addition, in order to cope with the increase in the warpage (that is, the height deformation (HD)) of the substrate W increased by heating the substrate W by the hot plate 10 in the outer peripheral portion etching step S25, After the start of the outer periphery etching process S25, the height position of the upper surface outer periphery 102 (that is, the height deformation HD) is constantly monitored in the entire period of the outer periphery etching process S25, and the monitored height deformation HD ), the inner peripheral position LFa of the liquid film LF is adjusted so as to approach a predetermined position. That is, the inner peripheral position LFa of the liquid film LF is adjusted in real time according to the fluctuation of the height deformation HD of the upper surface outer peripheral portion 102 (height deformation calculation step S26 & liquid landing position movement step S27 ) )).

구체적으로는, 도 20에 나타내는 바와 같이, 높이 변형 연산 공정(S26)에 있어서, 제어 장치(3)는, 현재의 높이 변형(HD)을 상시 연산에 의해 구하고 있다. 구체적으로는, 제어 장치(3)는, 가열 개시로부터의 경과 시간과, 가열 시간-높이 변형 대응 테이블(203)에 의거하여, 가열 개시로부터의 높이 변형(HD)의 변동량을 연산에 의해 구한다. 그리고, 제어 장치(3)는, 높이 변형 계측 공정(S24)에 의해 계측한 이니셜의 평균 높이 변형에 높이 변형(HD)의 변동량을 더함으로써, 현재의 평균 높이 변형을 연산에 의해 구한다(도 20의 S31).As specifically, shown in FIG. 20, in height distortion calculation process S26, the control apparatus 3 is calculating|requiring the present height distortion HD by regular calculation. Specifically, based on the elapsed time from the start of heating and the heating time - height deformation correspondence table 203, the control apparatus 3 calculates|requires the fluctuation amount of the height deformation HD from a heating start by calculation. And the control apparatus 3 calculates|requires the present average height deformation by calculation by adding the fluctuation amount of height deformation HD to the average height deformation|transformation of the initial measured by the height deformation measurement process S24 (FIG. 20). S31).

그리고, 산출한 평균 높이 변형의 크기가 역치 이상인 경우(도 20의 S32에서 YES)에는, 토출구(6a)로부터 토출되는 에칭액의 토출 방향을 일정하게 유지하면서, 처리액 노즐(6)을 경방향(RD)으로 이동시킨다(도 19의 S26 및 도 20의 S33). 도 19의 높이 변형 연산 공정(S26) 및 착액 위치 이동 공정(S27)의 각 공정은, 외주부 에칭 공정(S25)의 전체 기간에 걸쳐 행해진다. 전술한 차이점을 제외하고, 높이 변형 연산 공정(S26) 및 착액 위치 이동 공정(S27)의 각 공정은, 높이 변형 감시 공정(S6) 및 착액 위치 이동 공정(S7)과 동등한 공정이다.Then, when the calculated average height deformation is equal to or greater than the threshold value (YES in S32 in FIG. 20 ), the processing liquid nozzle 6 is rotated in the radial direction while the etching liquid discharged from the discharge port 6a is kept constant. RD) (S26 in FIG. 19 and S33 in FIG. 20). Each step of the height deformation calculation step S26 and the liquid landing position shift step S27 of FIG. 19 is performed over the entire period of the outer peripheral portion etching step S25. Except for the differences described above, each step of the height deformation calculation step (S26) and the liquid landing position movement step (S27) is the same as the height deformation monitoring step (S6) and the liquid landing position movement step (S7).

외주부 에칭 공정(S25)의 종료 후, 이어서, 제어 장치(3)는, 기판(W)의 외주부(101)를, 린스액을 이용하여 처리하는 외주부 린스 공정(도 19의 S28)을 실행한다. 도 19의 높이 변형 계측 공정(S28)은, 도 11의 외주부 린스 공정(S8)과 동등한 공정이다.After the outer peripheral part etching step S25 is finished, the control device 3 then performs an outer peripheral part rinsing process (S28 in FIG. 19 ) of treating the outer peripheral part 101 of the substrate W using a rinsing liquid. The height strain measuring process S28 of FIG. 19 is a process equivalent to the outer peripheral part rinse process S8 of FIG.

외주부 린스 공정(S28)에 이어, 기판(W)을 건조시키는 스핀 드라이(도 19의 S9)가 행해진다. 도 19의 스핀 드라이(S29)는, 도 11의 스핀 드라이(S9)와 동등한 공정이다.Following the outer peripheral portion rinsing step (S28), spin drying (S9 in FIG. 19) for drying the substrate W is performed. The spin drying ( S29 ) of FIG. 19 is the same process as the spin drying ( S9 ) of FIG. 11 .

기판(W)의 고속 회전의 개시로부터 소정 기간이 경과하면, 제어 장치(3)는, 스핀 모터(18)를 제어함으로써, 스핀 척(5)에 의한 기판(W)의 회전을 정지시킨다. 기판(W)의 회전 정지 후, 제어 장치(3)는, 차단 부재(9)를 퇴피 위치를 향하여 상승시키고, 또한 기체 밸브(29)를 닫는다. 또, 제어 장치(3)는, 차단판 회전 유닛(26)을 제어하여, 차단판(24)의 회전을 정지시킨다.When a predetermined period has elapsed from the start of the high-speed rotation of the substrate W, the control device 3 controls the spin motor 18 to stop the rotation of the substrate W by the spin chuck 5 . After the rotation of the substrate W is stopped, the control device 3 raises the blocking member 9 toward the retracted position, and further closes the gas valve 29 . Moreover, the control device 3 controls the blocking plate rotating unit 26 to stop the rotation of the blocking plate 24 .

그 후, 처리 챔버(4) 내로부터 기판(W)이 반출된다(도 11의 단계 S30). 도 19의 S30의 공정은, 도 11의 스핀 드라이(S9)와 동등한 공정이다.Thereafter, the substrate W is unloaded from the processing chamber 4 (step S30 in FIG. 11 ). The step S30 of FIG. 19 is the same as the spin drying step S9 of FIG. 11 .

제2의 실시 형태에서는, 제1의 실시 형태에 더하여, 다음의 작용 효과를 나타낸다.In the second embodiment, in addition to the first embodiment, the following effects are shown.

즉, 높이 변형(HD)을, 가열 개시로부터의 경과 시간에 의거하여 연산에 의해 구한다. 즉, 외주부 에칭 공정(S25)에 있어서, 높이 변형(HD)을 감시해 둘 필요가 없다. 즉, 외주부 에칭 공정(S25)에 있어서 높이 변형(HD)을 계측하지 않고, 액막(LF)의 내주 위치(LFa)를 고정밀도로 조정하는 것이 가능하다.That is, the height distortion HD is calculated|required by calculation based on the elapsed time from a heating start. That is, in the outer periphery etching step S25, it is not necessary to monitor the height deformation HD. That is, it is possible to adjust the inner peripheral position LFa of the liquid film LF with high precision without measuring the height distortion HD in the outer peripheral part etching process S25.

또, 제어 장치(3)(연산 유닛(51))는, 가열 시간-높이 변형 대응 테이블 기억부(202)에 기억되어 있는 가열 시간-높이 변형 대응 테이블(203)을 참조함으로써, 높이 변형(HD)을 산출하고 있다. 이에 의해, 높이 변형(HD)을 양호하게 취득할 수 있다.In addition, the control device 3 (the calculation unit 51 ) refers to the heating time-height deformation correspondence table 203 stored in the heating time-height deformation correspondence table storage unit 202 , and thereby height deformation (HD). ) is calculated. Thereby, the height distortion HD can be acquired favorably.

또, 가열 시간-높이 변형 대응 테이블 기억부(202)가, 기판 처리 장치(201)를 이용한 실험에 의해 구해져 있다. 그 때문에, 높이 변형(HD)을, 보다 고정밀도로 취득할 수 있다.In addition, the heating time-height deformation correspondence table storage unit 202 is obtained by an experiment using the substrate processing apparatus 201 . Therefore, the height distortion HD can be acquired with high precision.

제1 및 제2의 실시 형태에 있어서, 처리액 노즐(6)의 위치를, 경방향(RD)이 아닌, 상하 방향(V)으로 이동시킴으로써, 토출구(6a)로부터 토출되는 에칭액의 토출 방향을 일정하게 유지하면서, 착액 위치(105)를 경방향(RD)으로 이동시키도록 해도 된다.In the first and second embodiments, the discharge direction of the etching liquid discharged from the discharge port 6a is changed by moving the position of the processing liquid nozzle 6 in the vertical direction V instead of in the radial direction RD. You may make it move the liquid landing position 105 in the radial direction RD, keeping constant.

구체적으로는, 외주부 에칭 공정(S5, S25)에 있어서, 기판(W)의 외주부(101)가 기판(W)의 중앙부(이 경우, 기판(W)의 중심 부근)에 대해 상측 방향으로 변위하고 있는 경우(도 4 및 도 6b 등 참조)에는, 제어 장치(3)는, 도 21에 나타내는 바와 같이, 그러한 변위가 없는 경우(도 3 참조)와 비교하여, 처리액 노즐(6)의 위치를, 원래의 위치(도 21에 파선으로 나타내는 위치)로부터 상측 방향을 향하여 이동시키고, 토출구(6a)로부터 토출되는 에칭액의 토출 방향을 일정하게 유지하면서, 기판(W)의 주단면(103)에 착액 위치(105)를 접근시킨다. 이 경우, 액막(LF)의 내주 위치(LFa)를, 그러한 변위가 없는 경우(도 3 참조)와 동일한 위치에 배치할 수 있다. 그 결과, 액막(LF)의 액폭(LW)이 액폭(W1)으로 유지된다.Specifically, in the outer peripheral portion etching steps S5 and S25, the outer peripheral portion 101 of the substrate W is displaced upward with respect to the central portion of the substrate W (in this case, near the center of the substrate W), In the case where there is (see FIGS. 4 and 6B, etc.), as shown in FIG. 21 , the control device 3 adjusts the position of the processing liquid nozzle 6 compared to the case where there is no such displacement (refer to FIG. 3 ). , is moved upward from the original position (a position indicated by a broken line in FIG. 21 ), and while maintaining the discharge direction of the etching solution discharged from the discharge port 6a constant, the liquid lands on the main end surface 103 of the substrate W Position 105 is approached. In this case, the inner peripheral position LFa of the liquid film LF can be arranged at the same position as in the case where there is no such displacement (refer to FIG. 3 ). As a result, the liquid width LW of the liquid film LF is maintained at the liquid width W1.

또, 외주부 에칭 공정(S5, S25)에 있어서, 기판(W)의 외주부(101)가 기판(W)의 중앙부(이 경우, 기판(W)의 중심 부근)에 대해 하측 방향으로 변위하고 있는 경우(도 5 등 참조)에는, 제어 장치(3)는, 도 22에 나타내는 바와 같이, 그러한 변위가 없는 경우(도 3 참조)와 비교하여, 처리액 노즐(6)의 위치를 원래의 위치(도 22에 파선으로 나타내는 위치)로부터, 하측 방향을 향하여 이동시키고, 토출구(6a)로부터 토출되는 에칭액의 토출 방향을 일정하게 유지하면서, 기판(W)의 주단면(103)으로부터 착액 위치(105)를 이반시킨다. 이 경우, 액막(LF)의 내주 위치(LFa)를, 그러한 변위가 없는 경우(도 3 참조)와 동일한 위치에 배치할 수 있다. 그 결과, 액막(LF)의 액폭(LW)이 액폭(W1)으로 유지된다.Further, in the outer peripheral portion etching steps S5 and S25, when the outer peripheral portion 101 of the substrate W is displaced downward with respect to the central portion of the substrate W (in this case, near the center of the substrate W) In (see FIG. 5 and the like), as shown in FIG. 22 , the control device 3 sets the position of the processing liquid nozzle 6 to the original position (see FIG. 3 ) compared to the case where there is no such displacement (see FIG. 3 ) 22) from the main end surface 103 of the substrate W, the liquid landing position 105 turn away In this case, the inner peripheral position LFa of the liquid film LF can be arranged at the same position as in the case where there is no such displacement (refer to FIG. 3 ). As a result, the liquid width LW of the liquid film LF is maintained at the liquid width W1.

제2의 실시 형태에 있어서, 기판(W)의 가열의 개시로부터의 복수의 경과 시간과, 각 경과 시간에 대응하는, 상면 외주부(102)의 높이 변형(HD)의 대응 관계가, 가열 시간-높이 변형 대응 테이블(203)에 나타내어지는 경우를 예로 들어 설명했는데, 경과 시간과 상면 외주부(102)의 높이 변형(HD)의 대응 관계가, 식 등에 규정되어 있으며, 그 식이 기억 유닛(52)에 기억되어 있어도 된다.In the second embodiment, the correspondence relationship between a plurality of elapsed times from the start of heating of the substrate W and the height deformation HD of the upper surface outer peripheral portion 102 corresponding to each elapsed time is the heating time- Although the case shown in the height deformation correspondence table 203 was described as an example, the correspondence relationship between the elapsed time and the height deformation HD of the upper surface outer peripheral part 102 is stipulated in an equation or the like, and the equation is stored in the storage unit 52 . may be remembered.

도 23 및 도 24는, 제3의 실시 형태에 따른 기판 처리 장치(301)에 있어서 실행되는 외주부 에칭 공정에 있어서의 에칭액의 토출 상태의 일례를 나타내는 단면도이다. 기판 처리 장치(301)에 있어서 실행되는 외주부 에칭 공정은, 도 11에 나타내는 외주부 에칭 공정(S5) 및 도 19에 나타내는 외주부 에칭 공정(S25)의 각각과 동등한 공정이다.23 and 24 are cross-sectional views illustrating an example of a discharge state of an etching solution in an outer peripheral etching step performed in the substrate processing apparatus 301 according to the third embodiment. The outer peripheral part etching process performed in the substrate processing apparatus 301 is a process equivalent to each of the outer peripheral part etching process S5 shown in FIG. 11 and the outer peripheral part etching process S25 shown in FIG.

제3의 실시 형태에 있어서, 제1의 실시 형태(도 1~도 16에 나타내는 실시 형태)와 공통되는 부분에는, 도 1~도 16의 경우와 동일한 참조 부호를 붙이고 설명을 생략한다.In the third embodiment, parts common to the first embodiment (embodiment shown in Figs. 1 to 16) are given the same reference numerals as in the case of Figs. 1 to 16, and description is omitted.

기판 처리 장치(301)가, 제1의 실시 형태에 따른 기판 처리 장치(1)와 상이한 주된 점은, 에칭액 배관(20)에, 처리액 노즐(6)에 공급되는 에칭액의 유량을 조정하기 위한 에칭액 유량 조정 밸브(302)를 끼워 설치한 점이다. 에칭액 유량 조정 밸브(302)는, 밸브 시트가 내부에 설치된 밸브 보디와, 밸브 시트를 개폐하는 밸브체와, 열린 위치와 닫힌 위치 사이에서 밸브체를 이동시키는 액추에이터를 포함한다. 제어 장치(3)는, 액추에이터에 밸브체를 이동시킴으로써, 에칭액 유량 조정 밸브(302)의 개도를 조정한다.The main difference between the substrate processing apparatus 301 and the substrate processing apparatus 1 according to the first embodiment is to adjust the flow rate of the etching liquid supplied to the etching liquid pipe 20 and the processing liquid nozzle 6 . It is a point installed by interposing the etching liquid flow control valve 302. The etching liquid flow control valve 302 includes a valve body having a valve seat installed therein, a valve body that opens and closes the valve seat, and an actuator that moves the valve body between an open position and a closed position. The control device 3 adjusts the opening degree of the etching liquid flow rate control valve 302 by moving the valve body to the actuator.

착액 위치(105)로의 에칭액(처리액)의 토출 유량이 많아짐에 따라, 액폭(LW)이 넓어지는 경향이 있다. 한편, 착액 위치(105)로의 에칭액(처리액)의 토출 유량이 적어짐에 따라, 액폭(LW)이 좁아지는 경향이 있다.As the discharge flow rate of the etching liquid (processing liquid) to the liquid landing position 105 increases, the liquid width LW tends to widen. On the other hand, as the discharge flow rate of the etching liquid (processing liquid) to the liquid landing position 105 decreases, the liquid width LW tends to become narrow.

제3의 실시 형태에서는, 기판(W)의 외주부(101)가 기판(W)의 중앙부(이 경우, 기판(W)의 중심 부근)에 대해 상하 방향(V)으로 변위하고 있는 경우에는, 취득된 높이 변형(HD)에 의거하여, 외주부 에칭 공정(S5, S25)에 있어서, 토출구(6a)로부터 토출되는 에칭액의 토출 방향을 일정하게 유지하면서, 토출구(6a)로부터 토출되는 에칭액의 토출 유량을 변경함으로써, 액막(LF)의 내주 위치(LFa)가 조정된다(내주 위치 조정 공정).In the third embodiment, when the outer peripheral portion 101 of the substrate W is displaced in the vertical direction V with respect to the central portion of the substrate W (in this case, near the center of the substrate W), acquisition Based on the height deformation HD, the discharge flow rate of the etching liquid discharged from the discharge port 6a is adjusted while maintaining the discharge direction of the etching liquid discharged from the discharge port 6a constant in the outer peripheral etching steps S5 and S25. By changing, the inner peripheral position LFa of the liquid film LF is adjusted (inner peripheral position adjustment step).

즉, 외주부 에칭 공정(S5, S25)에 있어서, 기판(W)의 외주부(101)가 기판(W)의 중앙부(이 경우, 기판(W)의 중심 부근)에 대해 상측 방향으로 변위하고 있는 경우(도 4 및 도 6b 등 참조)에는, 제어 장치(3)는, 도 23에 나타내는 바와 같이, 그러한 변위가 없는 경우(도 3 참조)와 비교하여, 에칭액 유량 조정 밸브(302)의 개도를 감소시킴으로써, 토출구(6a)로부터 토출되는 에칭액의 토출 방향을 일정하게 유지하면서, 토출구(6a)로부터 토출되는 에칭액의 토출 유량을 감소시킨다. 이 경우, 액막(LF)의 내주 위치(LFa)를, 그러한 변위가 없는 경우(도 3 참조)와 동일한 위치에 배치할 수 있다. 이것은, 착액 위치(105)로부터 경방향(RD)의 내측으로 확산되는 처리액의 범위가 감소하기 때문이다. 그 결과, 액막(LF)의 액폭(LW)이 액폭(W1)으로 유지된다.That is, in the outer peripheral portion etching steps S5 and S25, when the outer peripheral portion 101 of the substrate W is displaced upward with respect to the central portion of the substrate W (in this case, near the center of the substrate W) In (refer to FIGS. 4 and 6B, etc.), as shown in FIG. 23, the control apparatus 3 reduces the opening degree of the etching liquid flow control valve 302 compared with the case where there is no such displacement (refer FIG. 3). By doing so, the discharge flow rate of the etching liquid discharged from the discharge port 6a is reduced while maintaining the discharge direction of the etching liquid discharged from the discharge port 6a constant. In this case, the inner peripheral position LFa of the liquid film LF can be arranged at the same position as in the case where there is no such displacement (refer to FIG. 3 ). This is because the range of the processing liquid that diffuses inward from the liquid landing position 105 in the radial direction RD decreases. As a result, the liquid width LW of the liquid film LF is maintained at the liquid width W1.

또, 외주부 에칭 공정(S5, S25)에 있어서, 기판(W)의 외주부(101)가 기판(W)의 중앙부(이 경우, 기판(W)의 중심 부근)에 대해 하측 방향으로 변위하고 있는 경우(도 5 등 참조)에는, 제어 장치(3)는, 도 24에 나타내는 바와 같이, 그러한 변위가 없는 경우(도 3 참조)와 비교하여, 에칭액 유량 조정 밸브(302)의 개도를 증가시킴으로써, 토출구(6a)로부터 토출되는 에칭액의 토출 방향을 일정하게 유지하면서, 토출구(6a)로부터 토출되는 에칭액의 토출 유량을 증대시킨다. 이 경우, 액막(LF)의 내주 위치(LFa)를, 그러한 변위가 없는 경우(도 3 참조)와 동일한 위치에 배치할 수 있다. 이것은, 착액 위치(105)로부터 경방향(RD)의 내측으로 확산되는 처리액의 범위가 증가하기 때문이다. 그 결과, 액막(LF)의 액폭(LW)이 액폭(W1)으로 유지된다.Further, in the outer peripheral portion etching steps S5 and S25, when the outer peripheral portion 101 of the substrate W is displaced downward with respect to the central portion of the substrate W (in this case, near the center of the substrate W) In (refer to FIG. 5 etc.), as shown in FIG. 24, the control apparatus 3 increases the opening degree of the etching liquid flow control valve 302 compared with the case where there is no such displacement (refer FIG. 3), and the discharge port The discharge flow rate of the etching liquid discharged from the discharge port 6a is increased while maintaining the discharge direction of the etching liquid discharged from (6a) constant. In this case, the inner peripheral position LFa of the liquid film LF can be arranged at the same position as in the case where there is no such displacement (refer to FIG. 3 ). This is because the range of the processing liquid that diffuses inward from the liquid landing position 105 in the radial direction RD increases. As a result, the liquid width LW of the liquid film LF is maintained at the liquid width W1.

제3의 실시 형태에 의하면, 취득된 높이 변형(HD)에 의거하여, 에칭액의 토출 유량이 변경됨으로써, 액막(LF)의 내주 위치(LFa)를 비교적 용이하게 조정할 수 있다. 이에 의해, 액막(LF)의 내주 위치(LFa)의 정밀한 제어를, 비교적 용이하게 실현할 수 있다.According to the third embodiment, the inner peripheral position LFa of the liquid film LF can be adjusted relatively easily by changing the discharge flow rate of the etching liquid based on the acquired height deformation HD. Thereby, precise control of the inner peripheral position LFa of the liquid film LF can be realized relatively easily.

도 25~도 27은, 제4의 실시 형태에 따른 기판 처리 장치(401)에 있어서 실행되는 외주부 에칭 공정에 있어서의 에칭액의 토출 상태의 일례를 나타내는 단면도이다. 기판 처리 장치(401)에 있어서 실행되는 외주부 에칭 공정은, 도 11에 나타내는 외주부 에칭 공정(S5) 및 도 19에 나타내는 외주부 에칭 공정(S25)의 각각과 동등한 공정이다.25 to 27 are cross-sectional views illustrating an example of a discharge state of an etching solution in an outer peripheral etching step performed in the substrate processing apparatus 401 according to the fourth embodiment. The outer peripheral part etching process performed in the substrate processing apparatus 401 is a process equivalent to each of the outer peripheral part etching process S5 shown in FIG. 11 and the outer peripheral part etching process S25 shown in FIG.

제4의 실시 형태에 있어서, 제1의 실시 형태(도 1~도 16에 나타내는 실시 형태)와 공통되는 부분에는, 도 1~도 16의 경우와 동일한 참조 부호를 붙이고 설명을 생략한다.In the fourth embodiment, parts common to the first embodiment (embodiment shown in Figs. 1 to 16) are denoted by the same reference numerals as in the case of Figs. 1 to 16, and description thereof is omitted.

기판 처리 장치(401)가, 제1의 실시 형태에 따른 기판 처리 장치(1)와 상이한 주된 점은, 상면 외주부(102) 상의 처리액(에칭액)을 향하여, 경방향(RD)에 있어서의 당해 처리액의 내측으로부터, 기체의 일례로서의 불활성 가스를 내뿜는 기체 분사 유닛(402)이 기판 처리 장치(401)에 구비된 점이다.The main point that the substrate processing apparatus 401 differs from the substrate processing apparatus 1 according to the first embodiment is that the processing liquid (etching liquid) on the upper surface outer peripheral portion 102 is directed toward the processing liquid (etching liquid) in the radial direction RD. The point is that the substrate processing apparatus 401 is provided with a gas injection unit 402 that blows an inert gas as an example of a gas from the inside of the processing liquid.

기체 분사 유닛(402)은, 기체 노즐(403)과, 기체 노즐(403)에 접속된 기체 배관(404)과, 기체 배관(404)에 끼워 설치된 기체 밸브(405) 및 기체 유량 조정 밸브(406)와, 기체 노즐(403)을 이동시키는 노즐 이동 유닛(407)을 포함한다. 도시는 하지 않지만, 기체 유량 조정 밸브(406)는, 밸브 시트가 내부에 설치된 밸브 보디와, 밸브 시트를 개폐하는 밸브체와, 열린 위치와 닫힌 위치 사이에서 밸브체를 이동시키는 액추에이터를 포함한다. 기체 배관(404)에는, 불활성 가스 공급원으로부터의 불활성 가스가 공급되고 있다. 기체로서의 불활성 가스는, 예를 들면, 질소 가스인데, 질소 가스에 한정하지 않으며, 공기나 헬륨 가스, 아르곤 가스 등의 다른 불활성 가스이어도 된다.The gas injection unit 402 includes a gas nozzle 403 , a gas pipe 404 connected to the gas nozzle 403 , a gas valve 405 installed between the gas pipe 404 , and a gas flow rate control valve 406 . ) and a nozzle moving unit 407 for moving the gas nozzle 403 . Although not shown, the gas flow control valve 406 includes a valve body having a valve seat installed therein, a valve body that opens and closes the valve seat, and an actuator that moves the valve body between an open position and a closed position. An inert gas from an inert gas supply source is supplied to the gas pipe 404 . The inert gas as the gas is, for example, nitrogen gas, but is not limited to nitrogen gas, and other inert gas such as air, helium gas, or argon gas may be used.

기체 밸브(405)가 열리면, 기체 배관(404)으로부터 기체 노즐(403)에 공급된 불활성 가스가, 기체 노즐(403)의 하단에 형성된 기체 토출구(403a)로부터 토출된다. 노즐 이동 유닛(407)은, 기체 노즐(403)로부터 토출된 기체가 기판(W)의 상면 외주부(102)에 내뿜어지는 처리 위치와, 기체 노즐(403)이 평면에서 봤을 때 스핀 척(5)의 측방에 퇴피한 퇴피 위치 사이에서 기체 노즐(403)을 이동시킨다.When the gas valve 405 is opened, the inert gas supplied from the gas pipe 404 to the gas nozzle 403 is discharged from the gas discharge port 403a formed at the lower end of the gas nozzle 403 . The nozzle moving unit 407 includes a processing position where the gas discharged from the gas nozzle 403 is ejected onto the upper surface outer peripheral portion 102 of the substrate W, and the gas nozzle 403 in a plan view of the spin chuck 5 . The gas nozzle 403 is moved between the retracted retracted positions on the side of the .

기체 노즐(403)이 처리 위치에 배치되어 있는 상태에서 기체 밸브(405)가 열리면, 기체 토출구(403a)는, 상면 외주부(102) 상의 처리액(즉, 액막(LF)의 내주 위치(LFa))을 향하여, 경방향(RD)에 있어서의 당해 처리액의 내측의 위치로부터, 경방향(RD)에 있어서의 외향으로 기체(불활성 가스)를 토출한다.When the gas valve 405 is opened while the gas nozzle 403 is disposed at the processing position, the gas discharge port 403a moves to the processing liquid on the upper surface outer peripheral portion 102 (ie, the inner peripheral position LFa of the liquid film LF). ), a gas (inert gas) is discharged outward in the radial direction RD from a position inside the processing liquid in the radial direction RD.

제4의 실시 형태에서는, 기판(W)의 상면 외주부(102)를 향하여 처리액(에칭액)이 토출되고 있는 상태에서, 기체 밸브(405)가 열리면, 기체 노즐(403)은, 착액 위치(105)에 대해, 경방향(RD)의 내측에 위치하는 분사 영역(408)에 대해, 경방향(RD)의 내측으로부터 비스듬히 하향으로 기체를 토출한다. 기체 노즐(403)의 기체 토출구(403a)로부터 토출된 기체는, 분사 영역(408)에 내뿜어진 후, 기판(W)의 상면을 따라 경방향(RD)의 외측을 향하여 흐르고, 액막(LF)의 내주 위치(LFa)에서 액막(LF)에 충돌한다(내뿜어진다).In the fourth embodiment, when the gas valve 405 is opened while the processing liquid (etching liquid) is discharged toward the upper surface outer peripheral portion 102 of the substrate W, the gas nozzle 403 moves to the liquid landing position 105 . ), the gas is discharged obliquely downward from the inside of the radial direction RD with respect to the injection region 408 located inside the radial direction RD. The gas discharged from the gas discharge port 403a of the gas nozzle 403 is blown into the injection region 408 and then flows along the upper surface of the substrate W toward the outside in the radial direction RD, and the liquid film LF It collides with the liquid film LF at the inner peripheral position LFa of (spouts).

기체 토출구(403a)로부터 토출되는 기체의 유량(토출 유량)이 증대함에 따라, 액막(LF)의 내주 위치(LFa)에 내뿜어지는 기체의 유량(분사 유량)이 증대한다. 분사 유량의 증대에 따라, 액막(LF)의 내주 위치(LFa)가 주단면(103)에 접근하여, 액폭(LW)이 좁아지는 경향이 있다.As the flow rate (discharge flow rate) of the gas discharged from the gas discharge port 403a increases, the flow rate (injection flow rate) of the gas discharged to the inner peripheral position LFa of the liquid film LF increases. As the injection flow rate increases, the inner peripheral position LFa of the liquid film LF approaches the main end face 103, and the liquid width LW tends to become narrow.

한편, 기체 토출구(403a)로부터 토출되는 기체의 유량(토출 유량)이 감소함에 따라, 액막(LF)의 내주 위치(LFa)에 내뿜어지는 기체의 유량(분사 유량)이 감소한다. 분사 유량의 감소에 따라, 액막(LF)의 내주 위치(LFa)가 주단면(103)으로부터 이반하여, 액폭(LW)이 넓어지는 경향이 있다.On the other hand, as the flow rate (discharge flow rate) of the gas discharged from the gas discharge port 403a decreases, the flow rate (injection flow rate) of the gas discharged to the inner peripheral position LFa of the liquid film LF decreases. As the injection flow rate decreases, the inner peripheral position LFa of the liquid film LF moves away from the main end face 103 , and the liquid width LW tends to widen.

그 때문에, 제4의 실시 형태에서는, 외주부 에칭 공정(S5, S25)에 있어서, 기판(W)의 외주부(101)가 기판(W)의 중앙부(이 경우, 기판(W)의 중심 부근)에 대해 상하 방향(V)으로 변위하고 있는 경우에는, 취득된 높이 변형(HD)에 의거하여, 토출구(6a)로부터 토출되는 에칭액의 토출 방향을 일정하게 유지하면서, 액막(LF)의 내주 위치(LFa)에 내뿜어지는 기체의 유량을 변경함으로써, 액막(LF)의 내주 위치(LFa)가 조정된다(내주 위치 조정 공정).Therefore, in the fourth embodiment, in the outer periphery etching steps S5 and S25 , the outer periphery 101 of the substrate W is positioned at the center of the substrate W (in this case, near the center of the substrate W). When it is displaced in the vertical direction V with respect to the liquid film LF, the inner peripheral position LFa of the liquid film LF is maintained while the discharge direction of the etching liquid discharged from the discharge port 6a is kept constant based on the acquired height deformation HD. ), the inner periphery position LFa of the liquid film LF is adjusted (inner periphery position adjustment step) by changing the flow rate of the gas blown out.

또, 액막(LF)의 내주 위치(LFa)에 대해, 경방향(RD)의 내측으로부터 기체가 내뿜어지므로, 착액 위치(105)에 착액한 처리액(에칭액)이, 경방향(RD)의 내측을 향하여 비산하는 것을 억제할 수 있다. 이에 의해, 디바이스 형성 영역에 처리액이 진입하는 것을, 보다 효과적으로 억제할 수 있다.In addition, since gas is blown out from the inside in the radial direction RD with respect to the inner peripheral position LFa of the liquid film LF, the processing liquid (etching liquid) that has landed at the liquid landing position 105 is inside the radial direction RD. It is possible to suppress scattering toward the Thereby, it is possible to more effectively suppress the ingress of the processing liquid into the device formation region.

제4의 실시 형태에서는, 외주부 에칭 공정(S5, S25)에 있어서, 기판(W)의 외주부(101)가 기판(W)의 중앙부(이 경우, 기판(W)의 중심 부근)에 대해 상측 방향으로 변위하고 있는 경우(도 4 및 도 6b 등 참조)에는, 제어 장치(3)는, 도 26에 나타내는 바와 같이, 그러한 변위가 없는 경우(도 25 참조)와 비교하여, 기체 유량 조정 밸브(406)의 개도를 증가시킴으로써, 토출구(6a)로부터 토출되는 에칭액의 토출 방향을 일정하게 유지하면서, 액막(LF)의 내주 위치(LFa)에, 경방향(RD)의 내측으로부터 내뿜어지는 기체의 유량을 증대시킨다. 이 경우, 액막(LF)의 내주 위치(LFa)를, 그러한 변위가 없는 경우(도 25 참조)와 동일한 위치에 배치할 수 있다. 그 결과, 액막(LF)의 액폭(LW)이 액폭(W1)으로 유지된다.In the fourth embodiment, in the outer peripheral portion etching steps S5 and S25 , the outer peripheral portion 101 of the substrate W is directed upward with respect to the central portion of the substrate W (in this case, near the center of the substrate W). In the case of being displaced to (see FIGS. 4 and 6B, etc.), as shown in FIG. 26 , the control device 3 controls the gas flow control valve 406 as compared to the case where there is no such displacement (refer to FIG. 25 ). ) by increasing the opening degree, while maintaining the discharge direction of the etching liquid discharged from the discharge port 6a constant, the flow rate of the gas discharged from the inside in the radial direction RD to the inner peripheral position LFa of the liquid film LF increase In this case, the inner peripheral position LFa of the liquid film LF can be arranged at the same position as in the case where there is no such displacement (refer to FIG. 25 ). As a result, the liquid width LW of the liquid film LF is maintained at the liquid width W1.

또, 외주부 에칭 공정(S5, S25)에 있어서, 기판(W)의 외주부(101)가 기판(W)의 중앙부(이 경우, 기판(W)의 중심 부근)에 대해 하측 방향으로 변위하고 있는 경우(도 5 등 참조)에는, 제어 장치(3)는, 도 27에 나타내는 바와 같이, 그러한 변위가 없는 경우(도 25 참조)와 비교하여, 기체 유량 조정 밸브(406)의 개도를 감소시킴으로써, 토출구(6a)로부터 토출되는 에칭액의 토출 방향을 일정하게 유지하면서, 액막(LF)의 내주 위치(LFa)에, 경방향(RD)의 내측으로부터 내뿜어지는 기체의 유량을 감소시킨다. 이 경우, 액막(LF)의 내주 위치(LFa)를, 그러한 변위가 없는 경우(도 25 참조)와 동일한 위치에 배치할 수 있다. 그 결과, 액막(LF)의 액폭(LW)이 액폭(W1)으로 유지된다.Further, in the outer peripheral portion etching steps S5 and S25, when the outer peripheral portion 101 of the substrate W is displaced downward with respect to the central portion of the substrate W (in this case, near the center of the substrate W) In (refer to FIG. 5 etc.), as shown in FIG. 27, the control apparatus 3 reduces the opening degree of the gas flow control valve 406 compared with the case where there is no such displacement (refer FIG. 25), and the discharge port While the discharge direction of the etching liquid discharged from (6a) is kept constant, the flow rate of the gas discharged from the inside in the radial direction RD to the inner peripheral position LFa of the liquid film LF is reduced. In this case, the inner peripheral position LFa of the liquid film LF can be arranged at the same position as in the case where there is no such displacement (refer to FIG. 25 ). As a result, the liquid width LW of the liquid film LF is maintained at the liquid width W1.

제4의 실시 형태에 의하면, 취득된 높이 변형(HD)에 의거하여, 액막(LF)의 내주 위치(LFa)로의 경방향(RD)의 내측으로부터의 기체의 분사 유량이 변경됨으로써, 액막(LF)의 내주 위치(LFa)를 비교적 용이하게 조정할 수 있다. 이에 의해, 액막(LF)의 내주 위치(LFa)의 정밀한 제어를, 비교적 용이하게 실현할 수 있다.According to the fourth embodiment, the injection flow rate of the gas from the inside in the radial direction RD to the inner peripheral position LFa of the liquid film LF is changed based on the acquired height deformation HD, so that the liquid film LF is changed. ), the inner peripheral position LFa can be adjusted relatively easily. Thereby, precise control of the inner peripheral position LFa of the liquid film LF can be realized relatively easily.

제4의 실시 형태에 있어서, 기체 노즐(403)의 위치를 경방향(RD)으로 이동시킴으로써, 액막(LF)의 내주 위치(LFa)로의 경방향(RD)의 내측으로부터의 기체의 분사 유량을 조정하도록 해도 된다.In the fourth embodiment, by moving the position of the gas nozzle 403 in the radial direction RD, the injection flow rate of the gas from the inside of the radial direction RD to the inner peripheral position LFa of the liquid film LF is increased. You may adjust it.

기체 토출구(403a)가 주단면(103)에 접근함에 따라, 액막(LF)의 내주 위치(LFa)에 내뿜어지는 기체의 압력이 증대한다. 기체의 압력의 증대에 따라, 액막(LF)의 내주 위치(LFa)가 주단면(103)에 접근하여, 액폭(LW)이 좁아지는 경향이 있다.As the gas discharge port 403a approaches the main end face 103 , the pressure of the gas blown to the inner peripheral position LFa of the liquid film LF increases. As the pressure of the gas increases, the inner peripheral position LFa of the liquid film LF approaches the main end face 103, and the liquid width LW tends to narrow.

한편, 기체 토출구(403a)가 주단면(103)으로부터 이반함에 따라, 액막(LF)의 내주 위치(LFa)에 내뿜어지는 기체의 압력이 감소한다. 기체의 압력의 감소에 따라, 액막(LF)의 내주 위치(LFa)가 주단면(103)으로부터 이반하여, 액폭(LW)이 넓어지는 경향이 있다.On the other hand, as the gas discharge port 403a moves away from the main end face 103 , the pressure of the gas blown out to the inner peripheral position LFa of the liquid film LF decreases. As the pressure of the gas decreases, the inner peripheral position LFa of the liquid film LF moves away from the main end face 103, and the liquid width LW tends to widen.

즉, 경방향(RD)에 있어서의 기체 토출구(403a)의 위치를 변경하면, 기체 토출구(403a)로부터 토출되는 기체의 유량을 바꾸지 않고, 액막(LF)의 내주 위치(LFa)의 위치를 조정할 수 있다.That is, if the position of the gas discharge port 403a in the radial direction RD is changed, the position of the inner peripheral position LFa of the liquid film LF is adjusted without changing the flow rate of the gas discharged from the gas discharge port 403a. can

이 변형예에서는, 외주부 에칭 공정(S5, S25)에 있어서, 기판(W)의 외주부(101)가 기판(W)의 중앙부(이 경우, 기판(W)의 중심 부근)에 대해 상측 방향으로 변위하고 있는 경우(도 4 및 도 6b 등 참조)에는, 제어 장치(3)는, 도 28에 나타내는 바와 같이, 그러한 변위가 없는 경우(도 25 참조)와 비교하여, 기체 노즐(403)의 위치를 경방향(RD)의 외측으로 이동시키고 분사 영역(408)을 경방향(RD)의 외측으로 이동시킴으로써, 토출구(6a)로부터 토출되는 에칭액의 토출 방향을 일정하게 유지하면서, 액막(LF)의 내주 위치(LFa)에, 경방향(RD)의 내측으로부터 내뿜어지는 기체의 유량을 증대시킨다. 이 경우, 액막(LF)의 내주 위치(LFa)를, 그러한 변위가 없는 경우(도 25 참조)와 동일한 위치에 배치할 수 있다. 그 결과, 액막(LF)의 액폭(LW)이 액폭(W1)으로 유지된다.In this modification, in the outer peripheral portion etching steps S5 and S25, the outer peripheral portion 101 of the substrate W is displaced upward with respect to the central portion of the substrate W (in this case, near the center of the substrate W). In this case (refer to FIGS. 4 and 6B, etc.), the control device 3 adjusts the position of the gas nozzle 403, as shown in FIG. 28, compared to the case where there is no such displacement (refer to FIG. 25). By moving outward in the radial direction RD and moving the injection region 408 outward in the radial direction RD, the discharge direction of the etching solution discharged from the discharge port 6a is kept constant while maintaining the inner periphery of the liquid film LF. At the position LFa, the flow rate of the gas blown out from the inside in the radial direction RD is increased. In this case, the inner peripheral position LFa of the liquid film LF can be arranged at the same position as in the case where there is no such displacement (refer to FIG. 25 ). As a result, the liquid width LW of the liquid film LF is maintained at the liquid width W1.

또, 외주부 에칭 공정(S5, S25)에 있어서, 기판(W)의 외주부(101)가 기판(W)의 중앙부(이 경우, 기판(W)의 중심 부근)에 대해 하측 방향으로 변위하고 있는 경우(도 5 등 참조)에는, 제어 장치(3)는, 도 29에 나타내는 바와 같이, 그러한 변위가 없는 경우(도 25 참조)와 비교하여, 기체 배관(404)의 위치를 경방향(RD)의 외측으로 이동시키고 분사 영역(408)을 경방향(RD)의 외측으로 이동시킴으로써, 토출구(6a)로부터 토출되는 에칭액의 토출 방향을 일정하게 유지하면서, 액막(LF)의 내주 위치(LFa)에, 경방향(RD)의 내측으로부터 내뿜어지는 기체의 유량을 감소시킨다. 이 경우, 액막(LF)의 내주 위치(LFa)를, 그러한 변위가 없는 경우(도 25 참조)와 동일한 위치에 배치할 수 있다. 그 결과, 액막(LF)의 액폭(LW)이 액폭(W1)으로 유지된다.Further, in the outer peripheral portion etching steps S5 and S25, when the outer peripheral portion 101 of the substrate W is displaced downward with respect to the central portion of the substrate W (in this case, near the center of the substrate W) In (refer to FIG. 5 etc.), as shown in FIG. 29, compared with the case where there is no such displacement (refer FIG. 25), the control device 3 sets the position of the gas pipe 404 in the radial direction RD. By moving outward and moving the injection region 408 outward in the radial direction RD, while maintaining the discharge direction of the etching liquid discharged from the discharge port 6a constant, at the inner peripheral position LFa of the liquid film LF, The flow rate of the gas blown out from the inside in the radial direction RD is reduced. In this case, the inner peripheral position LFa of the liquid film LF can be arranged at the same position as in the case where there is no such displacement (refer to FIG. 25 ). As a result, the liquid width LW of the liquid film LF is maintained at the liquid width W1.

또, 도 26, 27에 나타내는 제4의 실시 형태와, 도 28, 29에 나타내는 변형예를 조합하도록 해도 된다. 즉, 기체 토출구(403a)로부터의 기체의 토출 유량 및 분사 영역(408)의 쌍방을 변경함으로써, 액막(LF)의 내주 위치(LFa)로의 기체의 분사 유량을 조정하도록 해도 된다.Further, the fourth embodiment shown in Figs. 26 and 27 and the modified example shown in Figs. 28 and 29 may be combined. That is, by changing both the gas discharge flow rate from the gas discharge port 403a and the injection region 408 , the gas injection flow rate to the inner peripheral position LFa of the liquid film LF may be adjusted.

이상, 이 발명의 4개의 형태에 대해 설명했는데, 이 발명은, 추가로 다른 형태로 실시할 수 있다.As mentioned above, although the four aspects of this invention were demonstrated, this invention can be implemented in another aspect further.

예를 들면, 도 30에 나타내는 변형예에서는, 상면 외주부(102)의 높이 변형(HD)(즉, 기판(W)의 휨 상태. 도 4 등 참조)을 계측하는 높이 변형 센서(502)가, 스핀 척(5)에 유지되어 있는 기판(W)의 편심 상태를 계측하기 위한 편심 센서와 겸용되고 있다.For example, in the modified example shown in Fig. 30, the height deformation sensor 502 for measuring the height deformation HD of the upper surface outer peripheral portion 102 (that is, the bending state of the substrate W. See Fig. 4 etc.) is, It is also used as an eccentricity sensor for measuring the eccentricity of the substrate W held by the spin chuck 5 .

스핀 척(5)에 대해 기판(W)이 편심되어 있으면, 즉, 기판(W)의 중심이 회전축선(A) 상에 위치하고 있지 않으면, 착액 위치(105)로부터 기판(W)의 주단면(103)까지의 경방향(RD)의 거리가, 기판(W)의 회전 각도에 따라 변화한다. 이 경우, 외주부 에칭 공정 S5, S25에 있어서, 기판(W)의 상면 외주부(102)에 있어서의 에칭 폭이 불규칙하여, 처리 폭의 균일성을 유지할 수 없다.If the substrate W is eccentric with respect to the spin chuck 5, that is, if the center of the substrate W is not located on the rotation axis A, the main cross-section of the substrate W from the liquid landing position 105 ( The distance in the radial direction RD to 103 changes according to the rotation angle of the substrate W. As shown in FIG. In this case, in the outer peripheral part etching steps S5 and S25, the etching width in the upper surface outer peripheral part 102 of the substrate W is irregular, and the uniformity of the processing width cannot be maintained.

제5의 실시 형태에서는, 기판(W)의 상면 외주부(102)에 있어서의 에칭 폭의 균일성을 향상시킬 수 있도록, 스핀 척(5)으로의 기판(W)의 유지 후에, 높이 변형 센서(502)에 의해 기판(W)의 편심 상태를 계측하고, 기판(W)이 편심되어 있는 경우에는, 센터링 기구를 이용하여 기판을 수평 방향으로 이동시켜 심(芯)맞춤하고 있다. 즉, 기판(W)의 중심을 회전축선(A)에 가깝게 하여, 회전축선(A) 또는 그 근방에 위치시킨다.In the fifth embodiment, after holding the substrate W by the spin chuck 5, the height strain sensor ( The eccentricity of the board|substrate W is measured by 502, and when the board|substrate W is eccentric, the board|substrate is moved horizontally using a centering mechanism, and it is center-fitting. That is, the center of the substrate W is brought close to the rotation axis A, and the substrate W is positioned at or near the rotation axis A.

높이 변형 센서(502)는, 상면 외주부(102)의 높이 변형(HD)을 검출하는 높이 변형 검출부(506)와, 스핀 척(5)에 의해 유지되어 있는 기판(W)의 주단면(103)의 경방향(RD)의 위치를 검출하기 위한 경방향 위치 검출부(507)를 포함한다. 경방향 위치 검출부(507)는, 기판(W)의 주단면(103)의 경방향(RD)의 위치를 검출하고 있다. 높이 변형 센서(502)는, 센서 아암(33)의 선단부에 장착되어 있다.The height deformation sensor 502 includes a height deformation detection unit 506 that detects a height deformation HD of the upper surface outer peripheral portion 102 , and a main end surface 103 of the substrate W held by the spin chuck 5 . and a radial position detection unit 507 for detecting the position in the radial direction RD of . The radial position detection unit 507 detects the position in the radial direction RD of the main end face 103 of the substrate W. As shown in FIG. The height deformation sensor 502 is attached to the front end of the sensor arm 33 .

높이 변형 센서(502)를 이용한 기판(W)의 편심 상태의 계측은, 높이 변형 계측 공정(도 11의 S4, 도 19의 S24)에 있어서 실행된다. 제어 장치(3)는, 높이 변형 계측 공정(S4, S24)에 있어서, 높이 변형 검출부(506)를 이용하여 상면 외주부(102)의 높이 변형(HD)을 계측함과 더불어, 경방향 위치 검출부(507)를 이용하여 기판(W)의 주단면(103)의 경방향(RD)의 위치가 계측된다. 이에 의해, 높이 변형 센서(502)에 의해, 높이 변형(HD)뿐만 아니라 기판(W)의 편심 상태를 계측할 수 있다.Measurement of the eccentric state of the board|substrate W using the height distortion sensor 502 is performed in the height distortion measurement process (S4 of FIG. 11, S24 of FIG. 19). The control device 3 measures the height deformation (HD) of the upper surface outer peripheral portion 102 using the height deformation detection unit 506 in the height deformation measurement steps S4 and S24, and a radial position detection unit ( The position in the radial direction RD of the main end face 103 of the substrate W is measured using 507 . Thereby, by the height distortion sensor 502, not only the height distortion HD but the eccentricity of the board|substrate W can be measured.

또, 전술의 각 실시 형태에서는, 높이 변형 센서(12, 502)가 센서 아암(33)의 선단부에 장착되어 있으며, 아암 이동 유닛(34)에 의해 높이 변형 센서(12)를 이동 가능한 구성으로 하여 설명했다. 전술의 각 실시 형태에 있어서, 높이 변형 센서(12, 502)가, 고정적으로 배치된 고정 타입의 센서이어도 된다.Further, in each of the above-described embodiments, the height deformation sensors 12 and 502 are attached to the tip end of the sensor arm 33, and the height deformation sensor 12 is movable by the arm moving unit 34, explained. In each of the above-described embodiments, the height deformation sensors 12 and 502 may be fixed type sensors that are fixedly arranged.

또, 높이 변형 센서(12, 502)가, 상면 외주부(102)의 높이 위치가 아닌, 기판(W)의 이면(하면)의 외주부의 높이 위치를 검출하는 것이어도 된다. 높이 변형 센서(12, 502)가, 상면 외주부(102)의 높이 위치를 검출하는 것이 아닌, 기준 위치로부터의 높이를 검출함으로써, 높이 변형(HD)을 다이렉트로 검출하는 것이어도 된다.Moreover, the height distortion sensors 12 and 502 may detect the height position of the outer peripheral part of the back surface (lower surface) of the board|substrate W, rather than the height position of the upper surface outer peripheral part 102. As shown in FIG. The height deformation sensors 12 and 502 may directly detect the height deformation HD by detecting the height from the reference position instead of detecting the height position of the upper surface outer peripheral portion 102 .

또, 높이 변형 센서(12, 502)가, 반사형이 아닌 투과형(즉, 수발광 분리형)의 포토 센서를 이용하여 구성되어 있어도 된다. 또한, 높이 변형 센서(12, 502)가, 포토 센서 이외의 센서(예를 들면, CCD 카메라)를 이용하여 구성되어 있어도 된다.Moreover, the height deformation sensors 12 and 502 may be comprised using the photo sensor of the transmissive type (that is, light-receiving separation type) rather than a reflection type. In addition, the height deformation sensors 12 and 502 may be comprised using sensors other than a photosensor (for example, CCD camera).

또, 전술의 각 실시 형태에 있어서, 기판(W)의 휨의 상태가, 기판 처리 장치(1, 201, 301, 401) 외의 소정의 장소에서 계측되고, 그 장소에서 계측된 높이 변형(HD)이 기판 처리 장치에 부여되도록 되어 있어도 된다.In addition, in each of the above-described embodiments, the bending state of the substrate W is measured at a predetermined place other than the substrate processing apparatuses 1, 201, 301, 401, and the height deformation (HD) measured at that place You may be provided with this substrate processing apparatus.

또, 전술의 제1 및 제2의 실시 형태에 있어서, 착액 위치(105)의 이동 방향을 경방향(RD)으로서 설명했는데, 착액 위치(105)의 이동 방향은, 기판(W)의 상면을 따라, 또한 착액 위치(105)에 있어서의 접선 방향에 교차하는 방향이면, 경방향(RD)에 대해 경사져 있어도 된다.Further, in the first and second embodiments described above, the movement direction of the liquid landing position 105 is described as the radial direction RD. The movement direction of the liquid landing position 105 is the upper surface of the substrate W. Accordingly, as long as it is a direction intersecting the tangential direction at the liquid landing position 105 , it may be inclined with respect to the radial direction RD.

또, 처리액 노즐(6)은, 원호 궤적을 그리면서 이동 가능한 스캔 타입의 것에 한정하지 않으며, 직선 형상으로 이동 가능한 직동 타입의 것이어도 된다.In addition, the processing liquid nozzle 6 is not limited to a scan type which can move while drawing an arc trajectory, but may be a linear type which can move linearly.

또, 제3 및 제4의 실시 형태를, 제1 및 제2의 실시 형태에 조합해도 된다. 즉, 토출구(6a)로부터의 에칭액의 토출 유량의 조정과, 착액 위치(105)의 조정을 조합함으로써, 액막(LD)의 내주 위치(LDa)를 조정해도 된다. 또, 내주 위치(LDa)로의 기체의 분사 유량의 조정과, 착액 위치(105)의 조정을 조합함으로써, 액막(LD)의 내주 위치(LDa)를 조정해도 된다. 또한, 토출구(6a)로부터의 에칭액의 토출 유량의 조정과, 내주 위치(LDa)로의 기체의 분사 유량의 조정과, 착액 위치(105)의 조정을 조합함으로써, 액막(LD)의 내주 위치(LDa)를 조정해도 된다.Moreover, you may combine 3rd and 4th embodiment with 1st and 2nd embodiment. That is, the inner peripheral position LDa of the liquid film LD may be adjusted by combining the adjustment of the discharge flow rate of the etching liquid from the discharge port 6a and the adjustment of the liquid landing position 105 . Moreover, you may adjust the inner peripheral position LDa of the liquid film LD by combining adjustment of the injection flow volume of the gas to the inner peripheral position LDa, and adjustment of the liquid landing position 105. FIG. In addition, by combining the adjustment of the discharge flow rate of the etching liquid from the discharge port 6a, the adjustment of the gas injection flow rate to the inner peripheral position LDa, and the adjustment of the liquid landing position 105, the inner peripheral position LDa of the liquid film LD ) can be adjusted.

또, 계측한 높이 변형(HD)에 의거하는 내주 위치(LDa)의 조정을, 외주부 에칭 공정(S5, S25)만에서 행하지 않고, 외주부 린스 공정(S6, S26)에 있어서 행해도 된다.Moreover, you may perform adjustment of the inner peripheral position LDa based on the measured height distortion HD in outer peripheral part rinse process S6, S26, instead of performing only in outer peripheral part etching process S5 and S25.

또, 전술의 각 실시 형태에 있어서, 처리액 노즐(6)을 에칭액 및 린스액의 쌍방을 토출하는 것을 예로 들어 설명했는데, 에칭액을 토출하기 위한 처리액 노즐(에칭액 노즐)과, 린스액을 토출하기 위한 처리액 노즐(린스액 노즐)이 개별적으로 설치되어 있어도 된다.Further, in each of the above embodiments, the processing liquid nozzle 6 has been described as an example of discharging both the etching liquid and the rinse liquid. Treatment liquid nozzles (rinsing liquid nozzles) may be provided separately.

또, 전술의 각 실시 형태에 있어서, 처리액 노즐(6)로부터 토출되는 약액이, 에칭액 이외의 약액이어도 된다. 그러한 액체는, 불화수소산, 황산, 아세트산, 질산, 염산, 버퍼드 불화수소산(BHF), 희불화수소산(DHF), 암모니아수, 과산화수소수, 유기산(예를 들면, 구연산, 옥살산 등), 유기 알칼리(예를 들면, TMAH：테트라메틸암모늄하이드로옥사이드 등), 유기용제(예를 들면 IPA(isopropyl alcohol) 등), 계면활성제, 부식 방지제 중 적어도 1개를 포함하는 액이어도 된다.In addition, in each of the above embodiments, the chemical liquid discharged from the processing liquid nozzle 6 may be a chemical liquid other than the etching liquid. Such liquids include hydrofluoric acid, sulfuric acid, acetic acid, nitric acid, hydrochloric acid, buffered hydrofluoric acid (BHF), dilute hydrofluoric acid (DHF), aqueous ammonia, hydrogen peroxide, organic acids (eg, citric acid, oxalic acid, etc.), organic alkalis ( For example, the liquid containing at least 1 of TMAH: tetramethylammonium hydroxide etc.), an organic solvent (For example, IPA (isopropyl alcohol) etc.), surfactant, and a corrosion inhibitor may be sufficient.

기판 처리 장치(1, 201, 301, 401)는, 원판 형상의 기판(W)을 처리하는 장치에 한정하지 않으며, FPD용 유리 기판 등의 다각형의 기판(W)을 처리하는 장치이어도 된다.The substrate processing apparatuses 1 , 201 , 301 , and 401 are not limited to the apparatus for processing the disk-shaped substrate W, and may be an apparatus for processing the polygonal substrate W such as a glass substrate for FPD.

본 발명의 실시 형태에 대해 상세하게 설명해 왔는데, 이들은 본 발명의 기술적 내용을 분명히 하기 위해 이용된 구체예에 지나지 않으며, 본 발명은 이들 구체예에 한정하여 해석되어야 하는 것은 아니고, 본 발명의 정신 및 범위는 첨부된 청구의 범위에 의해서만 한정된다.Although embodiments of the present invention have been described in detail, these are merely specific examples used to clarify the technical content of the present invention, and the present invention should not be construed as being limited to these specific examples, and the spirit and The scope is limited only by the appended claims.

1 ：기판 처리 장치
3 ：제어 장치(높이 변형 계측 유닛, 높이 변형 취득 유닛)
5 ：스핀 척(기판 유지 유닛)
6 ：처리액 노즐
6a ：토출구
7 ：에칭액 공급 유닛(처리액 공급 유닛)
10 ：핫 플레이트(히터)
12 ：높이 변형 센서(높이 변형 계측 유닛)
18 ：스핀 모터(기판 회전 유닛)
32 ：핫 플레이트 승강 유닛(히터 이동 유닛)
41 ：아암 이동 유닛(토출구 위치 이동 유닛)
102 ：상면 외주부(표면 외주부)
105 ：착액 위치
201 ：기판 처리 장치
203 ：가열 시간-높이 변형 대응 테이블(대응 관계)
301 ：기판 처리 장치
302 ：에칭액 유량 조정 밸브(토출 유량 변경 유닛, 높이 변형 취득 유닛)
401 ：기판 처리 장치
406 ：기체 유량 조정 밸브(분사 유량 변경 유닛, 내주 위치 조정 유닛)
407 ：노즐 이동 유닛(분사 유량 변경 유닛, 내주 위치 조정 유닛)
A1 ：회전축선
HD ：높이 변형
LFa ：액막의 내주 위치(착액 처리액의 내주 위치)
W ：기판1: Substrate processing device
3: Control device (height deformation measurement unit, height deformation acquisition unit)
5: Spin chuck (board holding unit)
6: Treatment liquid nozzle
6a: discharge port
7: Etching liquid supply unit (processing liquid supply unit)
10: hot plate (heater)
12: Height deformation sensor (height deformation measurement unit)
18: Spin motor (board rotation unit)
32: Hot plate lifting unit (heater moving unit)
41: arm movement unit (discharge port position movement unit)
102: upper surface outer periphery (surface outer periphery)
105: liquid landing position
201: substrate processing device
203: Heating time-height deformation correspondence table (correspondence relationship)
301: substrate processing device
302: Etching liquid flow control valve (discharge flow rate change unit, height deformation acquisition unit)
401: substrate processing device
406: gas flow control valve (injection flow rate change unit, inner peripheral position adjustment unit)
407: Nozzle moving unit (injection flow rate change unit, inner peripheral position adjustment unit)
A1 : Rotation axis
HD: height variation
LFa: inner peripheral position of liquid film (inner peripheral position of liquid landing treatment liquid)
W : substrate

Claims (13)

기판 유지 유닛에 의해 유지되어 있는 기판을, 상기 기판의 중앙부를 지나는 회전축선 둘레로 회전시키는 기판 회전 공정과,
상기 기판 회전 공정에 병행하여, 상기 기판의 표면 외주부에 설정된 착액(着液) 위치에 대해 상기 기판의 회전 반경 방향의 내측에 배치된 토출구로부터 상기 착액 위치를 향하여 처리액을 토출하여, 상기 표면 외주부를, 처리액을 이용하여 처리하는 외주부 처리 공정과,
상기 기판의 상기 표면 외주부의 높이 변형을 취득하는 높이 변형 취득 공정과,
상기 토출구로부터 토출되는 처리액의 토출 방향을 일정하게 유지하면서, 상기 착액 위치에 공급된 처리액의 내주 위치를 상기 높이 변형 취득 공정에 의해 취득된 높이 변형에 의거하여 조정하는 내주 위치 조정 공정을 포함하는, 기판 처리 방법.a substrate rotation step of rotating the substrate held by the substrate holding unit around a rotation axis passing through the central portion of the substrate;
In parallel with the substrate rotation step, the processing liquid is discharged toward the liquid landing position from a discharge port disposed on the inner side in the rotational radial direction of the substrate with respect to a liquid landing position set on the outer peripheral portion of the surface of the substrate, the surface outer peripheral portion An outer periphery treatment process of processing using a treatment liquid, and
a height deformation obtaining step of obtaining a height deformation of the outer peripheral portion of the surface of the substrate;
an inner periphery position adjustment step of adjusting the inner periphery position of the treatment liquid supplied to the liquid landing position based on the height deformation acquired by the height deformation acquisition step while maintaining the discharge direction of the treatment liquid discharged from the discharge port constant; which is a substrate processing method. 청구항 1에 있어서,
상기 내주 위치 조정 공정이, 상기 토출 방향을 일정하게 유지하면서, 상기 착액 위치를, 상기 기판의 표면을 따르는 방향이며 당해 착액 위치에 있어서의 접선 방향에 교차하는 이동 방향으로 이동시키는 공정을 포함하는, 기판 처리 방법.The method according to claim 1,
the inner periphery position adjustment step includes a step of moving the liquid landing position in a direction along the surface of the substrate and intersecting the tangential direction at the liquid landing position while maintaining the discharge direction constant; Substrate processing method. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
상기 내주 위치 조정 공정이, 상기 토출 방향을 일정하게 유지하면서, 상기 토출구로부터 토출되는 처리액의 유량을 변경하는 공정을 포함하는, 기판 처리 방법.The method according to claim 1 or 2,
The substrate processing method, wherein the inner peripheral position adjustment step includes a step of changing a flow rate of the processing liquid discharged from the discharge port while maintaining the discharge direction constant. 청구항 1 내지 청구항 3 중 어느 한 항에 있어서,
상기 내주 위치 조정 공정이, 상기 토출 방향을 일정하게 유지하면서, 상기 표면 외주부에 있는 처리액에 상기 기판의 회전 반경 방향의 내측으로부터 내뿜어지는 기체의 유량을 변경하는 공정을 포함하는, 기판 처리 방법.4. The method according to any one of claims 1 to 3,
The method of claim 1, wherein the inner peripheral position adjustment step includes a step of changing a flow rate of gas blown out from the inside in a rotational radial direction of the substrate to the processing liquid in the outer peripheral portion of the surface while maintaining the discharge direction constant. 청구항 1 내지 청구항 4 중 어느 한 항에 있어서,
상기 높이 변형 취득 공정이,
상기 기판의 원주 방향으로 떨어진, 상기 표면 외주부 내의 복수의 위치 각각에 있어서의 높이 변형의 평균을 높이 변형으로서 취득하는 공정을 포함하는, 기판 처리 방법.5. The method according to any one of claims 1 to 4,
The height deformation acquisition process,
and acquiring an average of the height deformation at each of a plurality of positions within the surface outer periphery of the substrate, separated in the circumferential direction, as the height deformation. 청구항 1 내지 청구항 5 중 어느 한 항에 있어서,
상기 기판 처리 방법은, 상기 기판 회전 공정 및 상기 외주부 처리 공정에 병행하여, 상기 기판 중 적어도 외주부를 가열하는 기판 가열 공정을 추가로 포함하고,
상기 높이 변형 취득 공정이, 상기 기판 가열 공정의 진행에 수반하는 상기 기판의 휨에 기인하는 높이 변형을 취득하는 공정을 포함하는, 기판 처리 방법.6. The method according to any one of claims 1 to 5,
The substrate processing method further includes a substrate heating process of heating at least an outer peripheral portion of the substrate in parallel to the substrate rotating process and the outer peripheral portion processing process,
The substrate processing method in which the said height distortion acquisition process includes the process of acquiring the height distortion resulting from the curvature of the said board|substrate accompanying advancing of the said board|substrate heating process. 청구항 6에 있어서,
상기 기판 가열 공정이, 상기 기판을 당해 기판의 이면측으로부터 적어도 복사열에 의해 가열 가능한 가열 위치에 히터를 배치하는 히터 배치 공정을 포함하는, 기판 처리 방법.7. The method of claim 6,
The substrate processing method, wherein the substrate heating step includes a heater arranging step of arranging a heater at a heating position capable of heating the substrate by at least radiant heat from the back surface side of the substrate. 청구항 6 또는 청구항 7에 있어서,
상기 높이 변형 취득 공정이, 상기 기판 가열 공정에 병행하여, 상기 표면 외주부의 높이 변형을 감시하는 높이 변형 감시 공정을 포함하고,
상기 내주 위치 조정 공정이, 상기 기판 회전 공정 및 상기 외주부 처리 공정에 병행하여, 상기 높이 변형 감시 공정에 있어서의 높이 변형의 감시 결과에 의거하여 상기 내주 위치를 조정하는 공정을 포함하는, 기판 처리 방법.8. The method according to claim 6 or 7,
The height deformation acquisition step includes a height deformation monitoring step of monitoring the height deformation of the outer periphery of the surface in parallel to the substrate heating step,
The said inner periphery position adjustment process includes the process of adjusting the said inner periphery position based on the monitoring result of the height distortion in the said height distortion monitoring process in parallel with the said board|substrate rotating process and the said outer periphery processing process. . 청구항 6 또는 청구항 7에 있어서,
상기 높이 변형 취득 공정이, 상기 기판 가열 공정의 개시로부터의 경과 시간에 의거하여, 상기 표면 외주부의 높이 변형을 연산하는 가열 높이 변형 연산 공정을 포함하고,
상기 내주 위치 조정 공정이, 상기 가열 높이 변형 연산 공정에 의해 구해진 높이 변형에 의거하여 상기 내주 위치를 조정하는 공정을 포함하는, 기판 처리 방법.8. The method according to claim 6 or 7,
The height deformation acquisition step includes a heating height deformation calculation step of calculating the height deformation of the outer peripheral portion of the surface based on the elapsed time from the start of the substrate heating step,
The substrate processing method in which the said inner periphery position adjustment process includes the process of adjusting the said inner periphery position based on the height distortion calculated|required by the said heating height deformation calculation process. 청구항 9에 있어서,
상기 가열 높이 변형 연산 공정이, 상기 기판 가열 공정의 개시로부터의 경과 시간과 상기 표면 외주부의 높이 변형의 대응 관계를 참조하여, 높이 변형을 구하는 공정을 포함하는, 기판 처리 방법.10. The method of claim 9,
The heating height deformation calculation step includes a step of calculating a height deformation with reference to a correspondence relationship between an elapsed time from the start of the substrate heating step and a height deformation of the outer peripheral portion of the surface. 청구항 10에 있어서,
상기 대응 관계가, 상기 기판 처리 방법을 실행하는 기판 처리 장치를 이용한 실험에 의해 구해져 있는, 기판 처리 방법.11. The method of claim 10,
The substrate processing method according to claim 1, wherein the correspondence relationship is obtained by an experiment using a substrate processing apparatus that executes the substrate processing method. 청구항 1 내지 청구항 11 중 어느 한 항에 있어서,
상기 기판 유지 유닛이, 상기 기판의 외주부에 접촉하지 않고 상기 기판의 중앙부에 접촉하여 상기 기판을 유지하는 유닛을 포함하는, 기판 처리 방법.12. The method according to any one of claims 1 to 11,
and the substrate holding unit includes a unit holding the substrate in contact with a central portion of the substrate without contacting an outer peripheral portion of the substrate. 기판을 유지하는 기판 유지 유닛과,
상기 기판 유지 유닛에 의해 유지되어 있는 상기 기판을, 상기 기판의 중앙부를 지나는 회전축선 둘레로 회전시키는 기판 회전 유닛과,
상기 기판 유지 유닛에 의해 유지되어 있는 상기 기판의 표면 외주부에 대해, 상기 기판의 회전 반경 방향의 내측에 배치된 토출구를 갖는 처리액 노즐과,
상기 처리액 노즐에 처리액을 공급하는 처리액 공급 유닛과,
상기 기판의 상기 표면 외주부의 높이 변형을 취득하는 높이 변형 취득 유닛과,
상기 기판의 표면 외주부에 설정된 착액 위치에 공급된 처리액의 내주 위치를 조정하는 내주 위치 조정 유닛과,
상기 기판 회전 유닛, 상기 처리액 공급 유닛, 상기 높이 변형 취득 유닛 및 상기 내주 위치 조정 유닛을 제어하는 제어 장치를 포함하고,
상기 제어 장치가, 상기 기판 유지 유닛에 의해 유지되어 있는 상기 기판을 상기 회전축선 둘레로 상기 기판 회전 유닛에 의해 회전시키는 기판 회전 공정과, 상기 기판 회전 공정에 병행하여, 상기 착액 위치를 향하여 상기 토출구로부터 처리액을 토출하여, 상기 표면 외주부를, 처리액을 이용하여 처리하는 외주부 처리 공정과, 상기 기판의 상기 표면 외주부의 높이 변형을, 상기 높이 변형 취득 유닛에 의해 취득하는 높이 변형 취득 공정과, 상기 토출구로부터 토출되는 처리액의 토출 방향을 일정하게 유지하면서, 상기 내주 위치 조정 유닛에 의해, 상기 착액 위치에 공급되는 처리액의 내주 위치를 상기 높이 변형 취득 공정에 의해 취득된 높이 변형에 의거하여 조정하는 내주 위치 조정 공정을 실행하는, 기판 처리 장치.
a substrate holding unit for holding the substrate;
a substrate rotation unit for rotating the substrate held by the substrate holding unit around a rotation axis passing through a central portion of the substrate;
a processing liquid nozzle having a discharge port disposed on the inner side in a rotational radial direction of the substrate with respect to the outer periphery of the surface of the substrate held by the substrate holding unit;
a processing liquid supply unit supplying the processing liquid to the processing liquid nozzle;
a height deformation acquisition unit for acquiring a height deformation of the outer peripheral portion of the surface of the substrate;
an inner periphery position adjusting unit for adjusting an inner periphery position of the processing liquid supplied to a liquid landing position set on the outer periphery of the surface of the substrate;
a control device for controlling the substrate rotation unit, the processing liquid supply unit, the height deformation acquisition unit, and the inner peripheral position adjustment unit;
a substrate rotation step in which the control device rotates the substrate held by the substrate holding unit by the substrate rotation unit around the rotation axis, and parallel to the substrate rotation step, the discharge port toward the liquid landing position an outer periphery treatment step of discharging a treatment liquid from the outer periphery of the substrate to treat the outer periphery of the surface using the treatment liquid, and a height deformation obtaining step of acquiring a height deformation of the outer periphery of the surface of the substrate by the height deformation obtaining unit; While maintaining the discharge direction of the treatment liquid discharged from the discharge port constant, the inner circumference position adjustment unit determines the inner circumference position of the treatment liquid supplied to the liquid landing position based on the height deformation acquired by the height deformation acquisition step. The substrate processing apparatus which performs the inner periphery position adjustment process to adjust.
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