KR20220011897A - Supporting apparatus - Google Patents

Supporting apparatus Download PDF

Info

Publication number
KR20220011897A
KR20220011897A KR1020200090717A KR20200090717A KR20220011897A KR 20220011897 A KR20220011897 A KR 20220011897A KR 1020200090717 A KR1020200090717 A KR 1020200090717A KR 20200090717 A KR20200090717 A KR 20200090717A KR 20220011897 A KR20220011897 A KR 20220011897A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
support
base
extension
coupled
substrate
Prior art date
Application number
KR1020200090717A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR102453108B1 (en
Inventor
최준혁
한완희
강한선
윤정민
Original Assignee
세메스 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 세메스 주식회사 filed Critical 세메스 주식회사
Priority to KR1020200090717A priority Critical patent/KR102453108B1/en
Publication of KR20220011897A publication Critical patent/KR20220011897A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR102453108B1 publication Critical patent/KR102453108B1/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68785—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by the mechanical construction of the susceptor, stage or support
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23Q—DETAILS, COMPONENTS, OR ACCESSORIES FOR MACHINE TOOLS, e.g. ARRANGEMENTS FOR COPYING OR CONTROLLING; MACHINE TOOLS IN GENERAL CHARACTERISED BY THE CONSTRUCTION OF PARTICULAR DETAILS OR COMPONENTS; COMBINATIONS OR ASSOCIATIONS OF METAL-WORKING MACHINES, NOT DIRECTED TO A PARTICULAR RESULT
    • B23Q3/00—Devices holding, supporting, or positioning work or tools, of a kind normally removable from the machine
    • B23Q3/15—Devices for holding work using magnetic or electric force acting directly on the work
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67103—Apparatus for thermal treatment mainly by conduction
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6831—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks
    • H01L21/6833—Details of electrostatic chucks
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68757—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a coating or a hardness or a material
    • H—ELECTRICITY
    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02N—ELECTRIC MACHINES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H02N13/00—Clutches or holding devices using electrostatic attraction, e.g. using Johnson-Rahbek effect

Abstract

A supporting apparatus is provided. The supporting apparatus includes: a base coupling part coupled to a base; a horizontal extension part having a long shape in a direction parallel to the surface of the base, and having one end coupled to the base coupling part; and a support coupling part having one end coupled to a substrate support part for supporting the substrate, the other end not coupled to the substrate support part and coupled to the other end of the horizontal extension part not coupled to the base coupling part. The horizontal extension part and the support coupling part have different coefficients of thermal expansion. An objective of the present invention is to provide a supporting apparatus for supporting a substrate support against a base.

Description

지지 장치{Supporting apparatus}Supporting apparatus

본 발명은 베이스에 대하여 기판 지지부를 지지하는 지지 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a support apparatus for supporting a substrate support relative to a base.

반도체 장치 또는 디스플레이 장치를 제조할 때에는, 사진, 식각, 애싱, 이온주입, 박막증착, 세정 등 다양한 공정이 실시된다. 여기서, 사진공정은 도포, 노광, 그리고 현상 공정을 포함한다. 기판 상에 감광액을 도포하고(즉, 도포 공정), 감광막이 형성된 기판 상에 회로 패턴을 노광하며(즉, 노광 공정), 기판의 노광처리된 영역을 선택적으로 현상한다(즉, 현상 공정).When manufacturing a semiconductor device or a display device, various processes such as photography, etching, ashing, ion implantation, thin film deposition, and cleaning are performed. Here, the photographic process includes coating, exposure, and developing processes. A photoresist is applied on a substrate (ie, a coating process), a circuit pattern is exposed on the substrate on which a photosensitive film is formed (ie, an exposure process), and an exposed area of the substrate is selectively developed (ie, a developing process).

기판에 대한 다양한 처리는 공정 챔버에서 수행될 수 있다. 공정 챔버에는 기판을 지지하는 기판 지지부를 포함하고 있으며, 기판 지지부는 기판의 처리에 대한 효율을 향상시키기 위하여 기판을 가열하거나 냉각시키기 위한 수단을 구비할 수 있다.Various processing of the substrate may be performed in the process chamber. The process chamber includes a substrate support for supporting the substrate, and the substrate support may include means for heating or cooling the substrate to improve efficiency for processing the substrate.

본 발명이 해결하고자 하는 과제는 베이스에 대하여 기판 지지부를 지지하는 지지 장치를 제공하는 것이다.SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a support device for supporting a substrate support with respect to a base.

본 발명의 과제들은 이상에서 언급한 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The problems of the present invention are not limited to the problems mentioned above, and other problems not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the following description.

상기 과제를 달성하기 위한 본 발명의 지지 장치의 일 면(aspect)은, 베이스에 결합된 베이스 결합부와, 상기 베이스의 표면에 평행한 방향으로 긴 형상을 갖고, 일측 말단이 상기 베이스 결합부에 결합된 수평 연장부, 및 일측 말단이 기판을 지지하는 기판 지지부에 결합되고, 상기 기판 지지부에 결합되지 않은 타측 말단이 상기 베이스 결합부에 결합되지 않은 상기 수평 연장부의 타측 말단에 결합된 지지 결합부를 포함하되, 상기 수평 연장부 및 상기 지지 결합부는 서로 다른 열팽창 계수를 갖는다.One side (aspect) of the support device of the present invention for achieving the above object has a long shape in a direction parallel to the surface of the base and a base coupling portion coupled to the base, and one end is at the base coupling portion A coupled horizontal extension portion, and one end coupled to a substrate support portion for supporting a substrate, the other end not coupled to the substrate support portion is a support coupling portion coupled to the other end of the horizontal extension portion not coupled to the base coupling portion However, the horizontal extension portion and the support coupling portion have different coefficients of thermal expansion.

상기 수평 연장부는 상기 베이스의 표면에 수직인 넓은 면을 갖는 연장 플레이트를 포함한다.The horizontal extension includes an extension plate having a wide surface perpendicular to the surface of the base.

상기 수평 연장부는 상기 지지 결합부의 일부를 수용 가능한 수용부를 포함한다.The horizontal extension portion includes a receiving portion capable of receiving a portion of the support coupling portion.

상기 수용부의 전체 길이 중 상기 지지 결합부가 삽입된 길이를 제외한 나머지 길이는 상기 지지 결합부의 전체 길이에 비하여 작게 형성된다.Among the total length of the accommodating part, the remaining length excluding the length into which the support coupling part is inserted is formed to be smaller than the total length of the support coupling part.

상기 수용부의 열팽창 계수는 상기 지지 결합부의 열팽창 계수에 비하여 크게 형성된다.The thermal expansion coefficient of the receiving portion is formed to be larger than the thermal expansion coefficient of the support coupling portion.

상기 기판 지지부는 상기 기판을 가열하기 위한 가열부를 포함한다.The substrate support unit includes a heating unit for heating the substrate.

상기 과제를 달성하기 위한 본 발명의 지지 장치의 다른 면(aspect)은, 베이스에 결합된 베이스 결합부와, 상기 베이스 결합부에서 상기 베이스의 표면에 수직한 방향으로 길게 연장된 수직 연장부와, 일측 말단이 기판을 지지하는 기판 지지부에 결합되고, 상기 베이스의 표면에 수직한 방향으로 긴 형상을 갖는 지지 결합부, 및 상기 베이스 결합부에 연결되지 않은 상기 수직 연장부의 타측 말단과 상기 기판 지지부에 결합되지 않은 상기 지지 결합부의 타측 말단을 연결하는 연결부를 포함하되, 상기 수직 연장부와 상기 지지 결합부는 서로 다른 열팽창 계수를 갖는다.Another aspect of the supporting device of the present invention for achieving the above object is a base coupling part coupled to a base, and a vertical extension part extending long in a direction perpendicular to the surface of the base in the base coupling part; One end is coupled to the substrate support for supporting the substrate, the support coupling portion having a long shape in a direction perpendicular to the surface of the base, and the other end of the vertical extension not connected to the base coupling portion and the substrate support portion and a connecting portion connecting the other end of the uncoupled support coupling portion, wherein the vertical extension portion and the support coupling portion have different coefficients of thermal expansion.

상기 수직 연장부의 길이는 상기 지지 결합부의 길이에 비하여 크게 형성된다.The length of the vertical extension portion is formed to be greater than the length of the support coupling portion.

상기 수직 연장부의 열팽창 계수는 상기 지지 결합부의 열팽창 계수에 비하여 작게 형성된다.The coefficient of thermal expansion of the vertical extension portion is formed to be smaller than the coefficient of thermal expansion of the support coupling portion.

상기 기판 지지부는 상기 기판을 가열하기 위한 가열부를 포함한다.The substrate support unit includes a heating unit for heating the substrate.

상기 연결부는 상기 수직 연장부 및 상기 지지 결합부에 비하여 낮은 열팽창 계수를 갖는다.The connection portion has a lower coefficient of thermal expansion than the vertical extension portion and the support coupling portion.

상기 과제를 달성하기 위한 본 발명의 지지 장치의 또 다른 면(aspect)은, 베이스에 결합된 베이스 결합부와, 상기 베이스의 표면에 평행한 방향으로 긴 형상을 갖고, 일측 말단이 상기 베이스 결합부에 결합된 수평 연장부와, 상기 수평 연장부에서 상기 베이스의 표면에 수직한 방향으로 길게 연장된 수직 연장부와, 일측 말단이 기판을 지지하는 기판 지지부에 결합되고, 상기 베이스의 표면에 수직한 방향으로 긴 형상을 갖는 지지 결합부, 및 상기 수평 연장부에 연결되지 않은 상기 수직 연장부의 타측 말단과 상기 기판 지지부에 결합되지 않은 상기 지지 결합부의 타측 말단을 연결하는 제1 연결부를 포함하되, 상기 수직 연장부와 상기 지지 결합부는 서로 다른 열팽창 계수를 갖는다.Another aspect of the supporting device of the present invention for achieving the above object is a base coupling portion coupled to a base, and has an elongated shape in a direction parallel to the surface of the base, one end of which is the base coupling portion A horizontal extension coupled to, a vertical extension elongated from the horizontal extension in a direction perpendicular to the surface of the base, and one end coupled to a substrate support for supporting a substrate, perpendicular to the surface of the base A support coupling portion having an elongated shape in the direction, and a first connection portion connecting the other end of the vertical extension not connected to the horizontal extension and the other end of the support coupling portion not coupled to the substrate support, wherein the The vertical extension portion and the support coupling portion have different coefficients of thermal expansion.

상기 수평 연장부는 상기 베이스의 표면에 수직인 넓은 면을 갖는 연장 플레이트를 포함한다.The horizontal extension includes an extension plate having a wide surface perpendicular to the surface of the base.

상기 수직 연장부의 길이는 상기 지지 결합부의 길이에 비하여 크게 형성된다.The length of the vertical extension portion is formed to be greater than the length of the support coupling portion.

상기 수직 연장부의 열팽창 계수는 상기 지지 결합부의 열팽창 계수에 비하여 작게 형성된다.The coefficient of thermal expansion of the vertical extension portion is formed to be smaller than the coefficient of thermal expansion of the support coupling portion.

상기 수평 연장부는, 상기 베이스 결합부에 결합된 연장 결합부와, 일측 말단이 상기 베이스 결합부에 결합된 제1 연장 플레이트와, 일측 말단이 상기 수직 연장부에 결합된 제2 연장 플레이트, 및 상기 베이스 결합부에 결합되지 않은 상기 제1 연장 플레이트의 타측 말단과 상기 수직 연장부에 결합되지 않은 상기 제2 연장 플레이트의 타측 말단을 연결하는 제2 연결부를 포함한다.The horizontal extension portion includes an extension coupling portion coupled to the base coupling portion, a first extension plate having one end coupled to the base coupling portion, a second extension plate having one end coupled to the vertical extension portion, and the and a second connection part connecting the other end of the first extension plate not coupled to the base coupling part and the other end of the second extension plate not coupled to the vertical extension part.

상기 제1 연장 플레이트의 길이는 상기 제2 연장 플레이트의 길이에 비하여 크게 형성된다.The length of the first extension plate is greater than the length of the second extension plate.

상기 제1 연장 플레이트의 열팽창 계수는 상기 제2 연장 플레이트의 열팽창 계수에 비하여 작게 형성된다.The coefficient of thermal expansion of the first extension plate is smaller than that of the second extension plate.

상기 기판 지지부는 상기 기판을 가열하기 위한 가열부를 포함한다.The substrate support unit includes a heating unit for heating the substrate.

상기 제1 연결부는 상기 수직 연장부 및 상기 지지 결합부에 비하여 낮은 열팽창 계수를 갖는다.The first connection portion has a lower coefficient of thermal expansion than the vertical extension portion and the support coupling portion.

기타 실시예들의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.The details of other embodiments are included in the detailed description and drawings.

도 1은 기판의 공정이 처리되는 기판 처리 장치를 나타낸 도면이다.
도 2 및 도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 지지 장치를 나타낸 도면이다.
도 4는 도 2 및 도 3에 도시된 지지 장치가 베이스에 대하여 기판 지지부를 지지하는 것을 나타낸 도면이다.
도 5 및 도 6은 도 2 및 도 3에 도시된 지지 장치의 수평 연장부의 기능을 설명하기 위한 도면이다.
도 7 및 도 8은 복수의 지지 장치에 의해 베이스에 대하여 기판 지지부가 지지된 것을 나타낸 도면이다.
도 9는 도 2 및 도 3에 도시된 지지 장치의 수용부 및 지지 결합부의 기능을 설명하기 위한 도면이다.
도 10은 본 발명의 다른 실시예에 따른 지지 장치를 나타낸 도면이다.
도 11은 도 10에 도시된 지지 장치에 의해 베이스에 대하여 기판 지지부가 지지된 것을 나타낸 도면이다.
도 12는 도 10에 도시된 지지 장치의 기능을 설명하기 위한 도면이다.
도 13은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 지지 장치를 나타낸 도면이다.
도 14는 도 13에 도시된 지지 장치에 의해 베이스에 대하여 기판 지지부가 지지된 것을 나타낸 도면이다.
도 15 및 도 16은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 지지 장치를 나타낸 도면이다.1 is a diagram illustrating a substrate processing apparatus in which a process of a substrate is processed.
2 and 3 are views showing a support device according to an embodiment of the present invention.
FIG. 4 is a view showing that the support device shown in FIGS. 2 and 3 supports the substrate support with respect to the base;
5 and 6 are views for explaining the function of the horizontal extension of the support device shown in FIGS. 2 and 3 .
7 and 8 are views illustrating that the substrate support is supported with respect to the base by a plurality of support devices.
9 is a view for explaining the functions of the receiving part and the support coupling part of the support device shown in FIGS. 2 and 3 .
10 is a view showing a support device according to another embodiment of the present invention.
FIG. 11 is a view showing that the substrate support is supported with respect to the base by the support device shown in FIG. 10 .
FIG. 12 is a view for explaining a function of the support device shown in FIG. 10 .
13 is a view showing a support device according to another embodiment of the present invention.
FIG. 14 is a view showing that the substrate support is supported with respect to the base by the support device shown in FIG. 13 .
15 and 16 are views showing a support device according to another embodiment of the present invention.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명한다. 본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시 예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 게시되는 실시 예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있으며, 단지 본 실시 예들은 본 발명의 게시가 완전하도록 하고, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. Advantages and features of the present invention, and a method for achieving them will become apparent with reference to the embodiments described below in detail in conjunction with the accompanying drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments published below, but may be implemented in various different forms, and only these embodiments allow the publication of the present invention to be complete, and common knowledge in the technical field to which the present invention pertains It is provided to fully inform the possessor of the scope of the invention, and the present invention is only defined by the scope of the claims. Like reference numerals refer to like elements throughout.

소자(elements) 또는 층이 다른 소자 또는 층의 "위(on)" 또는 "상(on)"으로 지칭되는 것은 다른 소자 또는 층의 바로 위뿐만 아니라 중간에 다른 층 또는 다른 소자를 개재한 경우를 모두 포함한다. 반면, 소자가 "직접 위(directly on)" 또는 "바로 위"로 지칭되는 것은 중간에 다른 소자 또는 층을 개재하지 않은 것을 나타낸다.Reference to an element or layer “on” or “on” another element or layer includes not only directly on the other element or layer, but also with other layers or other elements intervening. include all On the other hand, reference to an element "directly on" or "directly on" indicates that no intervening element or layer is interposed.

공간적으로 상대적인 용어인 "아래(below)", "아래(beneath)", "하부(lower)", "위(above)", "상부(upper)" 등은 도면에 도시되어 있는 바와 같이 하나의 소자 또는 구성 요소들과 다른 소자 또는 구성 요소들과의 상관관계를 용이하게 기술하기 위해 사용될 수 있다. 공간적으로 상대적인 용어는 도면에 도시되어 있는 방향에 더하여 사용시 또는 동작시 소자의 서로 다른 방향을 포함하는 용어로 이해되어야 한다. 예를 들면, 도면에 도시되어 있는 소자를 뒤집을 경우, 다른 소자의 "아래(below)" 또는 "아래(beneath)"로 기술된 소자는 다른 소자의 "위(above)"에 놓여질 수 있다. 따라서, 예시적인 용어인 "아래"는 아래와 위의 방향을 모두 포함할 수 있다. 소자는 다른 방향으로도 배향될 수 있고, 이에 따라 공간적으로 상대적인 용어들은 배향에 따라 해석될 수 있다.Spatially relative terms "below", "beneath", "lower", "above", "upper", etc. It can be used to easily describe the correlation between an element or components and other elements or components. The spatially relative terms should be understood as terms including different orientations of the device during use or operation in addition to the orientation shown in the drawings. For example, when an element shown in the figures is turned over, an element described as "beneath" or "beneath" another element may be placed "above" the other element. Accordingly, the exemplary term “below” may include both directions below and above. The device may also be oriented in other orientations, and thus spatially relative terms may be interpreted according to orientation.

비록 제1, 제2 등이 다양한 소자, 구성요소 및/또는 섹션들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 소자, 구성요소 및/또는 섹션들은 이들 용어에 의해 제한되지 않음은 물론이다. 이들 용어들은 단지 하나의 소자, 구성요소 또는 섹션들을 다른 소자, 구성요소 또는 섹션들과 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제1 소자, 제1 구성요소 또는 제1 섹션은 본 발명의 기술적 사상 내에서 제2 소자, 제2 구성요소 또는 제2 섹션일 수도 있음은 물론이다.It should be understood that although first, second, etc. are used to describe various elements, components, and/or sections, these elements, components, and/or sections are not limited by these terms. These terms are only used to distinguish one element, component, or sections from another. Accordingly, it goes without saying that the first element, the first element, or the first section mentioned below may be the second element, the second element, or the second section within the spirit of the present invention.

본 명세서에서 사용된 용어는 실시예들을 설명하기 위한 것이며 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다. 본 명세서에서, 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 복수형도 포함한다. 명세서에서 사용되는 "포함한다(comprises)" 및/또는 "포함하는(comprising)"은 언급된 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자는 하나 이상의 다른 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자의 존재 또는 추가를 배제하지 않는다.The terminology used herein is for the purpose of describing the embodiments and is not intended to limit the present invention. In this specification, the singular also includes the plural unless specifically stated otherwise in the phrase. As used herein, "comprises" and/or "comprising" refers to the presence of one or more other components, steps, operations and/or elements mentioned. or addition is not excluded.

다른 정의가 없다면, 본 명세서에서 사용되는 모든 용어(기술 및 과학적 용어를 포함)는 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 공통적으로 이해될 수 있는 의미로 사용될 수 있을 것이다. 또 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 용어들은 명백하게 특별히 정의되어 있지 않는 한 이상적으로 또는 과도하게 해석되지 않는다.Unless otherwise defined, all terms (including technical and scientific terms) used herein may be used with the meaning commonly understood by those of ordinary skill in the art to which the present invention belongs. In addition, terms defined in a commonly used dictionary are not to be interpreted ideally or excessively unless clearly defined in particular.

이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명하기로 하며, 첨부 도면을 참조하여 설명함에 있어 도면 부호에 상관없이 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 참조번호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. A description will be omitted.

도 1은 기판의 공정이 처리되는 기판 처리 장치를 나타낸 도면이다.1 is a diagram illustrating a substrate processing apparatus in which a process of a substrate is processed.

도 1을 참조하면, 기판 처리 장치(10)는 공정 챔버(100), 기판 지지부(200), 베이스(300), 전력 제공부(400), 플라즈마 발생부(500) 및 지지 장치(600)를 포함하여 구성된다.Referring to FIG. 1 , the substrate processing apparatus 10 includes a process chamber 100 , a substrate support unit 200 , a base 300 , a power supply unit 400 , a plasma generator 500 , and a support apparatus 600 . is comprised of

공정 챔버(100)는 기판(W)의 공정을 위한 공정 처리 공간을 제공할 수 있다. 기판(W)에 대한 공정은 식각 또는 증착일 수 있으나 이에 한정되지는 않는다. 공정 챔버(100)에는 기판 지지부(200)가 구비될 수 있다. 기판 지지부(200)는 공정 처리 공간의 하부에 배치되어 기판(W)을 지지할 수 있다. 기판 지지부(200)는 정전력으로 기판(W)을 고정시키는 정전 척일 수 있으나 본 발명의 기판 지지부(200)가 정전 척에 한정되지는 않는다.The process chamber 100 may provide a processing space for processing the substrate W. The process for the substrate W may be etching or deposition, but is not limited thereto. A substrate support 200 may be provided in the process chamber 100 . The substrate support 200 may be disposed below the processing space to support the substrate W. The substrate support 200 may be an electrostatic chuck for fixing the substrate W with an electrostatic force, but the substrate support 200 of the present invention is not limited to the electrostatic chuck.

베이스(300)는 공정 처리 공간에서 기판 지지부(200)를 지지하는 역할을 수행한다. 베이스(300)는 절연체일 수 있다.The base 300 serves to support the substrate support 200 in the processing space. The base 300 may be an insulator.

전력 제공부(400)는 RF 전력을 제공하는 역할을 수행한다. RF 전력은 플라즈마 발생부(500)로 제공될 수 있다. 전력 제공부(400)는 적어도 하나의 전력원을 포함할 수 있다. 복수의 전력원은 서로 다른 주파수의 RF 전력을 생산할 수 있다. 예를 들어, 제1 전력원은 400 kHz의 RF 전력을 생산하고, 제2 전력원은 9.8 MHz의 RF 전력을 생산하며, 제3 전력원은 60 MHz의 RF 전력을 생산할 수 있다. 복수의 전력원 중 적어도 하나의 전력원에 의하여 생산된 RF 전력이 플라즈마 발생부(500)로 제공될 수 있다. 플라즈마 발생부(500)는 하나의 전력원에 의해 생산된 RF 전력을 공급받거나 복수의 전력원에 의해 생산된 RF 전력을 공급받을 수 있다.The power providing unit 400 serves to provide RF power. RF power may be provided to the plasma generator 500 . The power providing unit 400 may include at least one power source. The plurality of power sources may generate RF power of different frequencies. For example, the first power source may generate RF power of 400 kHz, the second power source may produce RF power of 9.8 MHz, and the third power source may generate RF power of 60 MHz. RF power generated by at least one power source among the plurality of power sources may be provided to the plasma generator 500 . The plasma generator 500 may receive RF power generated by one power source or may receive RF power generated by a plurality of power sources.

기판(W)에 대한 공정을 위하여 공정 챔버(100)의 공정 처리 공간으로 공정 가스가 주입될 수 있다. 플라즈마 발생부(500)는 RF 전력을 이용하여 공정 처리 공간으로 유입된 공정 가스를 플라즈마(PL)로 여기시키는 역할을 수행한다. 예를 들어, 플라즈마 발생부(500)는 안테나 코일의 형태로 제공될 수 있다. 플라즈마 발생부(500)는 RF 전력을 공급받아 전자기장을 발생시킬 수 있다. 전자기장에 의해 공정 가스가 플라즈마 상태로 여기될 수 있다.In order to process the substrate W, a process gas may be injected into the process space of the process chamber 100 . The plasma generator 500 serves to excite the process gas introduced into the process space into the plasma PL using RF power. For example, the plasma generator 500 may be provided in the form of an antenna coil. The plasma generator 500 may receive RF power to generate an electromagnetic field. The process gas may be excited into a plasma state by the electromagnetic field.

한편, 안테나 코일의 형태로 플라즈마 발생부(500)가 제공됨에 따라 플라즈마 발생부(500)는 유도 결합 플라즈마(ICP; Inductively Coupled Plasma) 방식으로 플라즈마(PL)를 발생시킬 수 있다. 그러나, 본 발명의 플라즈마 발생부(500)의 플라즈마 발생 방식은 유도 결합 플라즈마 방식에 한정되지 않고, 용량 결합 플라즈마(CCP; Capacitively Coupled Plasma) 방식 또는 마이크로웨이브 플라즈마(Microwave Plasma) 방식일 수도 있다.Meanwhile, as the plasma generating unit 500 is provided in the form of an antenna coil, the plasma generating unit 500 may generate plasma PL in an Inductively Coupled Plasma (ICP) method. However, the plasma generation method of the plasma generator 500 of the present invention is not limited to the inductively coupled plasma method, and may be a capacitively coupled plasma (CCP) method or a microwave plasma method.

플라즈마(PL)는 기판(W)에 대한 공정 처리에 이용될 수 있다. 예를 들어, 플라즈마(PL)의 양이온이 기판(W)에 충돌하여 기판(W)에 대한 식각 공정이 수행될 수 있다.The plasma PL may be used to process the substrate W. For example, positive ions of the plasma PL collide with the substrate W to perform an etching process on the substrate W.

기판 지지부(200)에는 기판(W)을 가열하기 위한 가열부(210)가 구비될 수 있다. 가열부(210)가 기판(W)을 가열함으로써 기판(W)에 대한 공정이 보다 용이하게 수행될 수 있다.A heating unit 210 for heating the substrate W may be provided in the substrate support 200 . Since the heating unit 210 heats the substrate W, a process for the substrate W may be more easily performed.

베이스(300)에 대하여 기판 지지부(200)를 지지하기 위하여 지지 장치(600)가 이용될 수 있다. 지지 장치(600)는 베이스(300) 및 기판 지지부(200)의 사이에 배치되어 베이스(300)에 대하여 기판 지지부(200)를 지지할 수 있다. 한편, 가열부(210)에 의한 열이 지지 장치(600)로 전달되는 경우 지지 장치(600)의 열 변형으로 인해 베이스(300)에 대한 기판 지지부(200)의 자세가 변경될 수 있다. 본 발명의 실시예에 따른 지지 장치(600)는 가열부(210)에 의한 열이 전달되더라도 베이스(300)에 대한 기판 지지부(200)의 자세를 변경시키지 않고 기판 지지부(200)가 올바른 자세로 유지되도록 할 수 있다.The support device 600 may be used to support the substrate support 200 with respect to the base 300 . The support device 600 may be disposed between the base 300 and the substrate support 200 to support the substrate support 200 with respect to the base 300 . Meanwhile, when heat by the heating unit 210 is transferred to the supporting device 600 , the posture of the substrate supporting unit 200 with respect to the base 300 may be changed due to thermal deformation of the supporting device 600 . The support device 600 according to the embodiment of the present invention does not change the posture of the substrate support 200 with respect to the base 300 even though the heat by the heating unit 210 is transferred, and the substrate support 200 is moved to the correct posture. can be maintained.

이하, 도 2 내지 도 16을 통하여 본 발명의 실시예에 따른 지지 장치(600)에 대하여 설명하기로 한다.Hereinafter, a support device 600 according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 2 to 16 .

도 2 및 도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 지지 장치를 나타낸 도면이고, 도 4는 도 2 및 도 3에 도시된 지지 장치가 베이스에 대하여 기판 지지부를 지지하는 것을 나타낸 도면이다.2 and 3 are views illustrating a support apparatus according to an embodiment of the present invention, and FIG. 4 is a view illustrating that the support apparatus shown in FIGS. 2 and 3 supports the substrate support with respect to the base.

도 2 내지 도 4를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 지지 장치(600)는 베이스 결합부(610), 수평 연장부(620) 및 지지 결합부(630)를 포함하여 구성된다.2 to 4 , the support device 600 according to an embodiment of the present invention is configured to include a base coupling part 610 , a horizontal extension part 620 , and a support coupling part 630 .

베이스 결합부(610)는 베이스(300)에 결합될 수 있다. 예를 들어, 베이스 결합부(610)는 용접 또는 볼트에 의해 베이스(300)에 결합될 수 있다.The base coupling part 610 may be coupled to the base 300 . For example, the base coupling part 610 may be coupled to the base 300 by welding or bolts.

수평 연장부(620)는 베이스(300)의 표면에 평행한 방향으로 긴 형상으로 갖고, 일측 말단이 베이스 결합부(610)에 결합될 수 있다. 수평 연장부(620)는 연장 결합부(621), 연장 플레이트(622) 및 수용부(623)를 포함하여 구성된다.The horizontal extension part 620 may have a long shape in a direction parallel to the surface of the base 300 , and one end may be coupled to the base coupling part 610 . The horizontal extension portion 620 is configured to include an extension coupling portion 621 , an extension plate 622 , and a receiving portion 623 .

연장 결합부(621)는 베이스 결합부(610)에 결합될 수 있다. 예를 들어, 베이스 결합부(610)는 결합 돌기를 포함하고 연장 결합부(621)는 결합 돌기의 수용이 가능한 결합 홈을 포함할 수 있다. 그러나, 결합 돌기 및 결합 홈을 이용한 연장 결합부(621) 및 베이스 결합부(610) 간의 결합은 예시적인 것으로서, 연장 결합부(621) 및 베이스 결합부(610)는 용접 또는 볼트와 같은 다양한 형태로 결합될 수 있다.The extended coupling part 621 may be coupled to the base coupling part 610 . For example, the base coupling part 610 may include a coupling protrusion, and the extension coupling part 621 may include a coupling groove capable of accommodating the coupling protrusion. However, the coupling between the extended coupling part 621 and the base coupling part 610 using the coupling protrusion and coupling groove is exemplary, and the extended coupling part 621 and the base coupling part 610 may have various shapes such as welding or bolts. can be combined with

연장 플레이트(622)는 베이스(300)의 표면에 수직인 넓은 면을 갖고 연장 결합부(621)에서 일측 방향으로 연장 형성될 수 있다. 연장 플레이트(622)의 연장 방향은 베이스(300)의 표면에 평행한 방향일 수 있다.The extension plate 622 may have a wide surface perpendicular to the surface of the base 300 and may be formed to extend in one direction from the extension coupling part 621 . The extending direction of the extension plate 622 may be a direction parallel to the surface of the base 300 .

수용부(623)는 지지 결합부(630)에 결합될 수 있다. 특히, 수용부(623)는 지지 결합부(630)의 일부를 수용하면서 지지 결합부(630)에 결합될 수 있다. 이를 위하여, 수용부(623)에는 지지 결합부(630)의 일부를 수용하기 위한 수용 홈이 구비될 수 있다.The receiving part 623 may be coupled to the support coupling part 630 . In particular, the receiving part 623 may be coupled to the supporting coupling part 630 while receiving a part of the supporting coupling part 630 . To this end, the receiving portion 623 may be provided with a receiving groove for accommodating a portion of the support coupling portion (630).

지지 결합부(630)는 직접적으로 기판 지지부(200)에 밀착하여 수평 연장부(620)에 대하여 기판 지지부(200)를 지지할 수 있다. 지지 결합부(630)는 일측 말단이 기판(W)을 지지하는 기판 지지부(200)에 결합될 수 있다. 또한, 기판 지지부(200)에 결합되지 않은 지지 결합부(630)의 타측 말단은 베이스 결합부(610)에 결합되지 않은 수평 연장부(620)의 타측 말단에 결합될 수 있다.The support coupling part 630 may directly adhere to the substrate support part 200 to support the substrate support part 200 with respect to the horizontal extension part 620 . One end of the support coupling part 630 may be coupled to the substrate support part 200 supporting the substrate W. In addition, the other end of the support coupling part 630 not coupled to the substrate support 200 may be coupled to the other end of the horizontal extension part 620 not coupled to the base coupling part 610 .

지지 결합부(630)는 지지 판(631) 및 지지 로드(632)를 포함하여 구성된다. 지지 판(631)은 기판 지지부(200)에 결합될 수 있다. 예를 들어, 지지 판(631)은 용접 또는 볼트에 의해 기판 지지부(200)에 결합될 수 있다. 지지 로드(632)는 지지 판(631)에서 하측 방향으로 연장 형성될 수 있다. 예를 들어, 지지 로드(632)의 연장 방향은 베이스(300)의 표면에 대하여 수직 방향일 수 있다.The support coupling part 630 is configured to include a support plate 631 and a support rod 632 . The support plate 631 may be coupled to the substrate support 200 . For example, the support plate 631 may be coupled to the substrate support 200 by welding or bolts. The support rod 632 may extend downwardly from the support plate 631 . For example, the extension direction of the support rod 632 may be perpendicular to the surface of the base 300 .

지지 로드(632)는 수평 연장부(620)에 수용부(623)에 결합될 수 있다. 지지 로드(632)의 일부가 수용부(623)에 수용됨으로써 지지 로드(632)와 수용부(623) 간의 결합이 수행될 수 있다. 이 때, 용접 또는 볼트 등에 의해 지지 로드(632)와 수용부(623) 간의 견고한 결합이 수행될 수도 있다.The support rod 632 may be coupled to the receiving part 623 of the horizontal extension part 620 . A portion of the support rod 632 is accommodated in the receiving portion 623 , so that coupling between the support rod 632 and the receiving portion 623 may be performed. At this time, a strong coupling between the support rod 632 and the receiving part 623 may be performed by welding or bolts.

도 4에 도시된 바와 같이, 지지 장치(600)는 베이스(300)에 대하여 기판 지지부(200)를 지지할 수 있다. 지지 장치(600)에 의하여 기판 지지부(200)는 베이스(300)로부터 일정 거리만큼 이격된 상태를 유지할 수 있다.4 , the support device 600 may support the substrate support 200 with respect to the base 300 . By the support device 600 , the substrate support part 200 may maintain a state spaced apart from the base 300 by a predetermined distance.

본 발명에서 수평 연장부(620) 및 지지 결합부(630)는 서로 다른 열팽창 계수를 가질 수 있다. 예를 들어, 수평 연장부(620)의 열팽창 계수는 지지 결합부(630)의 열팽창 계수에 비하여 크게 형성될 수 있다. 서로 다른 열팽창 계수를 가지고 있음으로 인하여 가열부(210)에 의해 지지 장치(600)가 가열되더라도 베이스(300)에 대한 기판 지지부(200)의 자세가 올바르게 유지될 수 있다.In the present invention, the horizontal extension portion 620 and the support coupling portion 630 may have different coefficients of thermal expansion. For example, the coefficient of thermal expansion of the horizontal extension portion 620 may be greater than that of the support coupling portion 630 . Because they have different coefficients of thermal expansion, even when the support device 600 is heated by the heating part 210 , the posture of the substrate support part 200 with respect to the base 300 may be correctly maintained.

도 5 및 도 6은 도 2 및 도 3에 도시된 지지 장치의 수평 연장부의 기능을 설명하기 위한 도면이고, 도 7 및 도 8은 복수의 지지 장치에 의해 베이스에 대하여 기판 지지부가 지지된 것을 나타낸 도면이다.5 and 6 are views for explaining the function of the horizontal extension part of the support device shown in FIGS. 2 and 3, and FIGS. 7 and 8 show that the substrate support part is supported with respect to the base by a plurality of support devices. It is a drawing.

도 5 및 도 6을 참조하면, 지지 장치(600)의 수평 연장부(620)는 열 팽창할 수 있고, 일정 크기의 탄성력을 가질 수 있다.5 and 6 , the horizontal extension 620 of the support device 600 may thermally expand and may have a predetermined amount of elastic force.

수평 연장부(620)는 예를 들어, 알루미늄의 재질로 제공될 수 있다. 따라서, 가열부(210)의 열이 전달되는 경우 수평 연장부(620)는 열 팽창할 수 있다. 도 5는 수평 연장부(620)의 연장 플레이트(622)가 길이 방향으로 열 팽창하는 것을 도시하고 있다.The horizontal extension 620 may be made of, for example, aluminum. Accordingly, when heat from the heating unit 210 is transferred, the horizontal extension unit 620 may thermally expand. 5 illustrates that the extension plate 622 of the horizontal extension portion 620 thermally expands in the longitudinal direction.

또한, 수평 연장부(620)의 연장 플레이트(622)는 일정 크기의 탄성력을 가질 수 있다. 도 6은 연장 플레이트(622)가 휘어지는 것을 도시하고 있다. 외력에 의해 휘어진 연장 플레이트(622)는 외력이 제거된 경우 원래의 형태로 복원될 수 있다.In addition, the extension plate 622 of the horizontal extension part 620 may have a predetermined amount of elastic force. 6 shows that the extension plate 622 is bent. The extension plate 622 bent by the external force may be restored to its original shape when the external force is removed.

연장 플레이트(622)의 열 팽창 및 탄성력으로 인해 베이스(300)에 대한 기판 지지부(200)의 자세가 올바르게 유지될 수 있다.The posture of the substrate support 200 with respect to the base 300 may be correctly maintained due to the thermal expansion and elastic force of the extension plate 622 .

도 7 및 도 8을 참조하면, 복수의 지지 장치(600)가 베이스(300)에 대하여 기판 지지부(200)를 지지할 수 있다.7 and 8 , a plurality of support devices 600 may support the substrate support 200 with respect to the base 300 .

도 7 및 도 8은 3개의 지지 장치(600)가 베이스(300)에 대하여 기판 지지부(200)를 지지하고 있는 것을 도시하고 있으나, 이는 예시적인 것으로서, 4개 이상의 지지 장치(600)가 베이스(300)에 대하여 기판 지지부(200)를 지지할 수도 있다. 이하, 3개의 지지 장치(600)에 의해 베이스(300)에 대하여 기판 지지부(200)가 지지된 것을 위주로 설명하기로 한다.7 and 8 illustrate that three support devices 600 support the substrate support 200 with respect to the base 300, this is exemplary, and four or more support devices 600 are The substrate support 200 may be supported with respect to 300 . Hereinafter, the substrate support 200 will be mainly described with respect to the base 300 by the three support devices 600 .

3개의 지지 장치(600)는 베이스(300)의 서로 다른 지점에 배치되어 기판 지지부(200)를 지지할 수 있다. 각 지지 장치(600)의 베이스 결합부(610)와 기판 지지부(200)의 중심(CT) 간의 거리(D)는 모두 동일할 수 있다. 또한, 기판 지지부(200)의 중심(CT)에서 각 지지 장치(600)의 베이스 결합부(610)를 연결한 선 간의 각도는 모두 120도일 수 있다. 또한, 각 지지 장치(600)의 베이스 결합부(610)에 결합된 수평 연장부(620)의 연장 방향은 기판 지지부(200)의 동일한 원주 방향에 대응할 수 있다. 예를 들어, 각 지지 장치(600)의 수평 연장부(620)는 기판 지지부(200)의 중심(CT)을 기준으로 베이스 결합부(610)에서 시계 방향으로 연장될 수 있다.The three support devices 600 may be disposed at different points of the base 300 to support the substrate support 200 . The distance D between the base coupling part 610 of each support device 600 and the center CT of the substrate support part 200 may be the same. Also, all angles between the lines connecting the base coupling parts 610 of each support device 600 from the center CT of the substrate support part 200 may be 120 degrees. In addition, the extending direction of the horizontal extension portion 620 coupled to the base coupling portion 610 of each support device 600 may correspond to the same circumferential direction of the substrate support portion 200 . For example, the horizontal extension portion 620 of each support device 600 may extend in a clockwise direction from the base coupling portion 610 with respect to the center CT of the substrate support portion 200 .

기판 지지부(200)의 가열부(210)에 의해 열이 발생되는 경우 해당 열이 지지 장치(600)로 전달될 수 있다. 이 때, 수평 연장부(620)의 연장 플레이트(622)가 열에 의해 팽창할 수 있다. 연장 플레이트(622)의 열 팽창 방향은 길이 방향으로 형성될 수 있다. 모든 지지 장치(600)에 구비된 연장 플레이트(622)가 동일한 재질로 형성되어 있기 때문에 모든 연장 플레이트(622)의 팽창 길이는 동일하거나 유사하게 형성될 수 있다.When heat is generated by the heating unit 210 of the substrate support 200 , the heat may be transferred to the support device 600 . At this time, the extension plate 622 of the horizontal extension part 620 may expand by heat. The thermal expansion direction of the extension plate 622 may be formed in a longitudinal direction. Since the extension plates 622 provided in all the supporting devices 600 are made of the same material, the extension lengths of all the extension plates 622 may be the same or similar.

도 8에 도시된 바와 같이, 연장 플레이트(622)가 팽창하면서 지지 결합부(630)의 위치가 변경될 수 있다. 이 때, 연장 플레이트(622)가 일정 각도만큼 휘어지면서 베이스 결합부(610)와 지지 결합부(630)를 연결할 수 있다. 모든 지지 장치(600)에 구비된 연장 플레이트(622)의 변형이 동일하거나 유사하게 형성되기 때문에 가열부(210)에 의해 지지 장치(600)가 가열되더라도 기판 지지부(200)의 중심(CT)이 변경되지 않을 수 있게 된다.As shown in FIG. 8 , as the extension plate 622 expands, the position of the support coupling part 630 may be changed. At this time, the extension plate 622 may be bent by a predetermined angle to connect the base coupler 610 and the support coupler 630 . Since the deformation of the extension plate 622 provided in all the support devices 600 is the same or similar, even if the support device 600 is heated by the heating unit 210 , the center CT of the substrate support unit 200 is may not be changed.

도 9는 도 2 및 도 3에 도시된 지지 장치의 수용부 및 지지 결합부의 기능을 설명하기 위한 도면이다.9 is a view for explaining the functions of the receiving part and the support coupling part of the support device shown in FIGS. 2 and 3 .

도 9를 참조하면, 수평 연장부(620)와 지지 결합부(630)는 서로 결합될 수 있다.Referring to FIG. 9 , the horizontal extension part 620 and the support coupling part 630 may be coupled to each other.

수평 연장부(620)의 수용부(623)에 지지 결합부(630)의 지지 로드(632)가 삽입됨으로써 수평 연장부(620)와 지지 결합부(630) 간의 결합이 수행될 수 있다. 지지 로드(632)의 일부는 수용부(623)에 삽입되고, 나머지 일부는 수용부(623)의 외부에 노출될 수 있다.By inserting the support rod 632 of the support coupling part 630 into the receiving part 623 of the horizontal extension part 620 , coupling between the horizontal extension part 620 and the support coupling part 630 may be performed. A part of the support rod 632 may be inserted into the accommodating part 623 , and the remaining part may be exposed to the outside of the accommodating part 623 .

수용부(623)의 내부에서 지지 로드(632)의 말단이 밀착될 수 있다. 따라서, 수평 연장부(620)와 지지 결합부(630)에 의한 지지 높이(L3)는 수용부(623)의 전체 길이 중 지지 로드(632)가 삽입된 길이를 제외한 나머지 길이(L1)와 지지 결합부(630)의 전체 길이(L2)에 대응할 수 있다. 여기서, 수용부(623)의 전체 길이 중 지지 결합부(630)가 삽입된 길이(지지 로드가 삽입된 길이)를 제외한 나머지 길이(이하, 비삽입 길이라 한다)(L1)는 지지 결합부(630)의 전체 길이(L2)에 비하여 작게 형성될 수 있다. 전술한 바와 같이, 수평 연장부(620)의 열팽창 계수는 지지 결합부(630)의 열팽창 계수에 비하여 크게 형성될 수 있다. 다시 말해, 수용부(623)의 열팽창 계수는 지지 결합부(630)의 열팽창 계수에 비하여 크게 형성될 수 있는 것이다.The end of the support rod 632 may be in close contact with the inside of the receiving portion 623 . Accordingly, the support height L3 by the horizontal extension part 620 and the support coupling part 630 is supported by the remaining length L1 except for the length into which the support rod 632 is inserted among the entire length of the receiving part 623 . It may correspond to the total length L2 of the coupling part 630 . Here, the remaining length (hereinafter referred to as a non-inserted length) excluding the length into which the support coupling part 630 is inserted (the length in which the support rod is inserted) among the entire length of the receiving part 623 (L1) is the support coupling part ( It may be formed to be smaller than the overall length L2 of the 630 . As described above, the coefficient of thermal expansion of the horizontal extension portion 620 may be greater than that of the support coupling portion 630 . In other words, the coefficient of thermal expansion of the accommodating part 623 may be formed to be larger than the coefficient of thermal expansion of the support coupling part 630 .

수용부(623)의 비삽입 길이(L1)가 지지 결합부(630)의 길이(L2)에 비하여 작고, 수용부(623)의 열팽창 계수가 지지 결합부(630)의 열팽창 계수에 비하여 크기 때문에 열에 의한 지지 높이(L3)의 변화가 감소될 수 있다.Since the non-inserted length L1 of the receiving portion 623 is small compared to the length L2 of the supporting coupling portion 630 , the thermal expansion coefficient of the receiving portion 623 is large compared to the thermal expansion coefficient of the supporting coupling portion 630 . A change in the support height L3 due to heat may be reduced.

도 10은 본 발명의 다른 실시예에 따른 지지 장치를 나타낸 도면이고, 도 11은 도 10에 도시된 지지 장치에 의해 베이스에 대하여 기판 지지부가 지지된 것을 나타낸 도면이며, 도 12는 도 10에 도시된 지지 장치의 기능을 설명하기 위한 도면이다.10 is a view showing a supporting device according to another embodiment of the present invention, FIG. 11 is a view showing that the substrate support is supported with respect to the base by the supporting device shown in FIG. 10, FIG. 12 is shown in FIG. It is a drawing for explaining the function of the supported device.

도 10 및 도 11을 참조하면, 본 발명의 다른 실시예에 따른 지지 장치(700)는 베이스 결합부(710), 수직 연장부(720), 지지 결합부(730) 및 연결부(740)를 포함하여 구성된다.10 and 11 , the support device 700 according to another embodiment of the present invention includes a base coupling part 710 , a vertical extension part 720 , a support coupling part 730 , and a connection part 740 . is composed by

베이스 결합부(710)는 베이스(300)에 결합될 수 있다. 예를 들어, 베이스 결합부(710)는 용접 또는 볼트에 의해 베이스(300)에 결합될 수 있다.The base coupling part 710 may be coupled to the base 300 . For example, the base coupling portion 710 may be coupled to the base 300 by welding or bolts.

수직 연장부(720)는 베이스 결합부(710)에서 베이스(300)의 표면에 수직한 방향으로 길게 연장될 수 있다. 도 10 및 도 11에 도시된 바와 같이, 베이스 결합부(710)와 수직 연장부(720)는 일체형으로 형성될 수 있고, 별도의 부품으로 제공되어 서로 결합될 수도 있다.The vertical extension portion 720 may extend from the base coupling portion 710 in a direction perpendicular to the surface of the base 300 . As shown in FIGS. 10 and 11 , the base coupling part 710 and the vertical extension part 720 may be integrally formed, or may be provided as separate parts to be coupled to each other.

지지 결합부(730)는 직접적으로 기판 지지부(200)에 밀착하여 수직 연장부(720)에 대하여 기판 지지부(200)를 지지할 수 있다. 지지 결합부(730)는 일측 말단이 기판(W)을 지지하는 기판 지지부(200)에 결합될 수 있다. 또한, 지지 결합부(730)는 베이스(300)의 표면에 수직한 방향으로 긴 형상을 가질 수 있다.The support coupling part 730 may directly adhere to the substrate support part 200 to support the substrate support part 200 with respect to the vertical extension part 720 . One end of the support coupling part 730 may be coupled to the substrate support part 200 supporting the substrate (W). In addition, the support coupling portion 730 may have an elongated shape in a direction perpendicular to the surface of the base 300 .

지지 결합부(730)는 지지 판(731) 및 지지 로드(732)를 포함하여 구성된다. 지지 판(731)은 기판 지지부(200)에 결합될 수 있다. 예를 들어, 지지 판(731)은 용접 또는 볼트에 의해 기판 지지부(200)에 결합될 수 있다. 지지 로드(732)는 지지 판(731)에서 상측 방향으로 연장 형성될 수 있다. 예를 들어, 지지 로드(732)의 연장 방향은 베이스(300)의 표면에 대하여 수직 방향일 수 있다.The support coupling part 730 is configured to include a support plate 731 and a support rod 732 . The support plate 731 may be coupled to the substrate support 200 . For example, the support plate 731 may be coupled to the substrate support 200 by welding or bolts. The support rod 732 may be formed to extend upwardly from the support plate 731 . For example, the extending direction of the support rod 732 may be perpendicular to the surface of the base 300 .

연결부(740)는 베이스 결합부(710)에 연결되지 않은 수직 연장부(720)의 타측 말단과 기판 지지부(200)에 결합되지 않은 지지 결합부(730)의 타측 말단을 연결할 수 있다. 구체적으로, 연결부(740)는 수직 연장부(720)의 상측 말단과 지지 로드(732)의 상측 말단을 연결할 수 있다. 수직 연장부(720) 및 지지 로드(732)는 연결부(740)를 기준으로 하측으로 연장될 수 있다.The connection part 740 may connect the other end of the vertical extension part 720 not connected to the base coupling part 710 to the other end of the support coupling part 730 not coupled to the substrate support part 200 . Specifically, the connecting portion 740 may connect the upper end of the vertical extension 720 and the upper end of the support rod 732 . The vertical extension 720 and the support rod 732 may extend downward with respect to the connection part 740 .

수직 연장부(720)의 길이는 지지 결합부(730)의 길이에 비하여 크게 형성될 수 있다. 이에, 베이스(300)에 대하여 기판 지지부(200)가 일정 거리만큼 이격된 상태를 유지할 수 있다.The length of the vertical extension portion 720 may be greater than the length of the support coupling portion 730 . Accordingly, it is possible to maintain a state in which the substrate support 200 is spaced apart from the base 300 by a predetermined distance.

수직 연장부(720)와 지지 결합부(730)는 서로 다른 열팽창 계수를 가질 수 있다. 예를 들어, 수직 연장부(720)의 열팽창 계수는 지지 결합부(730)의 열팽창 계수에 비하여 작게 형성될 수 있다. 서로 다른 열팽창 계수를 가지고 있음으로 인하여 가열부(210)에 의해 지지 장치(700)가 가열되더라도 베이스(300)에 대한 기판 지지부(200)의 자세가 올바르게 유지될 수 있다.The vertical extension 720 and the support coupling portion 730 may have different coefficients of thermal expansion. For example, the coefficient of thermal expansion of the vertical extension portion 720 may be formed to be smaller than the coefficient of thermal expansion of the support coupling portion 730 . Because they have different coefficients of thermal expansion, even when the support device 700 is heated by the heating part 210 , the posture of the substrate support part 200 with respect to the base 300 may be correctly maintained.

도 12를 참조하면, 지지 장치(700)의 지지 높이는 일정하게 유지될 수 있다.Referring to FIG. 12 , the support height of the support device 700 may be constantly maintained.

도 12의 (a)는 가열되기 이전의 지지 장치(700)를 나타낸 도면이고, (b)는 가열된 이후의 지지 장치(700)를 나타낸 도면이다.Fig. 12 (a) is a view showing the support device 700 before being heated, and (b) is a view showing the support device 700 after being heated.

지지 장치(700)가 가열되기 이전에 수직 연장부(720) 및 지지 로드(732)의 길이는 각각 A1 및 B1일 수 있다. 이 때, 베이스(300)에 대한 기판 지지부(200)의 지지 높이는 C1일 수 있다.Before the support device 700 is heated, the lengths of the vertical extension 720 and the support rod 732 may be A1 and B1, respectively. In this case, the support height of the substrate support 200 with respect to the base 300 may be C1.

지지 장치(700)가 가열되는 경우 수직 연장부(720) 및 지지 로드(732)가 열 팽창하여 길이가 증가할 수 있다. 즉, 수직 연장부(720) 및 지지 로드(732)의 길이는 각각 A2 및 B2일 수 있다. 이 때, 베이스(300)에 대한 기판 지지부(200)의 지지 높이는 C2로 변경될 수 있다.When the support device 700 is heated, the vertical extension 720 and the support rod 732 may thermally expand to increase their length. That is, the lengths of the vertical extension 720 and the support rod 732 may be A2 and B2, respectively. At this time, the support height of the substrate support 200 with respect to the base 300 may be changed to C2.

지지 장치(700)가 가열되는 경우 수직 연장부(720)가 열 팽창함에 따라 베이스(300)에 대한 연결부(740)의 높이가 증가할 수 있다. 이 때, 지지 로드(732)가 열 팽창하여 연결부(740)와 지지 판(731) 간의 거리가 증가할 수 있다. 결국, 지지 장치(700)가 가열되기 이전의 지지 높이인 C1과 지지 장치(700)가 가열된 이후의 지지 높이 C2는 동일하거나 유사하게 형성될 수 있는 것이다. 특히, 본 발명에서 연결부(740)는 수직 연장부(720) 및 지지 결합부(730)에 비하여 낮은 열팽창 계수를 가질 수 있다. 이에, 연결부(740)의 열 팽창이 수행되더라도 연결부(740)에 의한 지지 높이의 영향은 없거나 감소될 수 있다.When the support device 700 is heated, the height of the connection part 740 with respect to the base 300 may increase as the vertical extension part 720 thermally expands. At this time, the support rod 732 may thermally expand to increase the distance between the connection part 740 and the support plate 731 . As a result, the support height C1 before the support device 700 is heated and the support height C2 after the support device 700 is heated may be formed to be the same or similar. In particular, in the present invention, the connection portion 740 may have a lower coefficient of thermal expansion than the vertical extension portion 720 and the support coupling portion 730 . Accordingly, even if the thermal expansion of the connection part 740 is performed, the influence of the support height by the connection part 740 may be reduced or not.

이러한 지지 높이의 유지는 서로 다른 가열 온도에 대해서도 동일하게 수행될 수 있다. 예를 들어, 기판 지지부(200)의 서로 다른 부분에 접한 복수의 지지 장치(700)는 서로 다른 온도의 열을 전달받을 수 있다. 서로 다른 온도의 열을 전달받더라도 각 지지 장치(700)의 수직 연장부(720)와 지지 로드(732)의 열 팽창의 차이는 유사하게 형성될 수 있다. 다시 말해, 각 지지 장치(700)에 대하여 A1과 B1 간의 차이와 A2와 B2 간의 차이는 유사하게 형성될 수 있는 것이다. 이에, 서로 다른 온도의 열이 각 지지 장치(700)로 전달되더라도 각 지지 장치(700)의 C1은 C2와 동일하거나 유사한 값을 가질 수 있게 되며, 기판 지지부(200)는 베이스 베이스(300)에 대하여 올바른 자세를 유지할 수 있게 된다.The maintenance of such a support height may be performed equally for different heating temperatures. For example, the plurality of support devices 700 in contact with different portions of the substrate support 200 may receive heat of different temperatures. Even when heat of different temperatures is transferred, a difference in thermal expansion between the vertical extension 720 of each support device 700 and the support rod 732 may be similarly formed. In other words, the difference between A1 and B1 and the difference between A2 and B2 may be similarly formed for each support device 700 . Accordingly, even when heat of different temperatures is transferred to each support device 700 , C1 of each support device 700 may have the same or similar value as C2 , and the substrate support part 200 is connected to the base base 300 . You will be able to maintain the correct posture.

도 13은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 지지 장치를 나타낸 도면이고, 도 14는 도 13에 도시된 지지 장치에 의해 베이스에 대하여 기판 지지부가 지지된 것을 나타낸 도면이다.13 is a view showing a support device according to another embodiment of the present invention, and FIG. 14 is a view showing that the substrate support part is supported with respect to the base by the support device shown in FIG. 13 .

도 13을 참조하면, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 지지 장치(800)는 베이스 결합부(810), 수평 연장부(820), 수직 연장부(830), 지지 결합부(840) 및 연결부(850)를 포함하여 구성된다.Referring to FIG. 13 , a support device 800 according to another embodiment of the present invention includes a base coupling part 810 , a horizontal extension part 820 , a vertical extension part 830 , a support coupling part 840 , and a connection part. 850 is included.

베이스 결합부(810)는 베이스(300)에 결합될 수 있다. 예를 들어, 베이스 결합부(810)는 용접 또는 볼트에 의해 베이스(300)에 결합될 수 있다.The base coupling part 810 may be coupled to the base 300 . For example, the base coupling part 810 may be coupled to the base 300 by welding or bolts.

수평 연장부(820)는 베이스(300)의 표면에 평행한 방향으로 긴 형상으로 갖고, 일측 말단이 베이스 결합부(810)에 결합될 수 있다. 수평 연장부(820)는 연장 결합부(821) 및 연장 플레이트(822)를 포함하여 구성된다.The horizontal extension part 820 may have a long shape in a direction parallel to the surface of the base 300 , and one end may be coupled to the base coupling part 810 . The horizontal extension portion 820 is configured to include an extension coupling portion 821 and an extension plate 822 .

연장 결합부(821)는 베이스 결합부(810)에 결합될 수 있다. 예를 들어, 베이스 결합부(810)는 결합 돌기를 포함하고 연장 결합부(821)는 결합 돌기의 수용이 가능한 결합 홈을 포함할 수 있다. 그러나, 결합 돌기 및 결합 홈을 이용한 연장 결합부(821) 및 베이스 결합부(810) 간의 결합은 예시적인 것으로서, 연장 결합부(821) 및 베이스 결합부(810)는 용접 또는 볼트와 같은 다양한 형태로 결합될 수 있다.The extended coupling part 821 may be coupled to the base coupling part 810 . For example, the base coupling part 810 may include a coupling protrusion, and the extended coupling part 821 may include a coupling groove capable of accommodating the coupling protrusion. However, the coupling between the extended coupling part 821 and the base coupling part 810 using the coupling protrusion and coupling groove is exemplary, and the extended coupling part 821 and the base coupling part 810 may have various shapes such as welding or bolts. can be combined with

연장 플레이트(822)는 베이스(300)의 표면에 수직인 넓은 면을 갖고 연장 결합부(821)에서 일측 방향으로 연장 형성될 수 있다. 연장 플레이트(822)의 연장 방향은 베이스(300)의 표면에 평행한 방향일 수 있다.The extension plate 822 may have a wide surface perpendicular to the surface of the base 300 and may be formed to extend in one direction from the extension coupling portion 821 . The extending direction of the extension plate 822 may be a direction parallel to the surface of the base 300 .

수직 연장부(830)는 수평 연장부(820)에서 베이스(300)의 표면에 수직한 방향으로 길게 연장될 수 있다.The vertical extension 830 may extend from the horizontal extension 820 in a direction perpendicular to the surface of the base 300 .

지지 결합부(840)는 직접적으로 기판 지지부(200)에 밀착하여 수직 연장부(830)에 대하여 기판 지지부(200)를 지지할 수 있다. 지지 결합부(840)는 일측 말단이 기판(W)을 지지하는 기판 지지부(200)에 결합될 수 있다. 또한, 지지 결합부(840)는 베이스(300)의 표면에 수직한 방향으로 긴 형상을 가질 수 있다.The support coupling part 840 may directly adhere to the substrate support part 200 to support the substrate support part 200 with respect to the vertical extension part 830 . One end of the support coupling part 840 may be coupled to the substrate support part 200 supporting the substrate W. In addition, the support coupling part 840 may have an elongated shape in a direction perpendicular to the surface of the base 300 .

지지 결합부(840)는 지지 판(841) 및 지지 로드(842)를 포함하여 구성된다. 지지 판(841)은 기판 지지부(200)에 결합될 수 있다. 예를 들어, 지지 판(841)은 용접 또는 볼트에 의해 기판 지지부(200)에 결합될 수 있다. 지지 로드(842)는 지지 판(841)에서 상측 방향으로 연장 형성될 수 있다. 예를 들어, 지지 로드(842)의 연장 방향은 베이스(300)의 표면에 대하여 수직 방향일 수 있다.The support coupling part 840 is configured to include a support plate 841 and a support rod 842 . The support plate 841 may be coupled to the substrate support 200 . For example, the support plate 841 may be coupled to the substrate support 200 by welding or bolts. The support rod 842 may be formed to extend upwardly from the support plate 841 . For example, the extension direction of the support rod 842 may be perpendicular to the surface of the base 300 .

연결부(850)는 수평 연장부(820)에 연결되지 않은 수직 연장부(830)의 타측 말단과 기판 지지부(200)에 결합되지 않은 지지 결합부(840)의 타측 말단을 연결할 수 있다. 구체적으로, 연결부(850)는 수직 연장부(830)의 상측 말단과 지지 로드(842)의 상측 말단을 연결할 수 있다. 수직 연장부(830) 및 지지 로드(842)는 연결부(850)를 기준으로 하측으로 연장될 수 있다.The connection part 850 may connect the other end of the vertical extension part 830 not connected to the horizontal extension part 820 and the other end of the support coupling part 840 not connected to the substrate support part 200 . Specifically, the connecting portion 850 may connect the upper end of the vertical extension portion 830 and the upper end of the support rod 842 . The vertical extension portion 830 and the support rod 842 may extend downward with respect to the connection portion 850 .

수직 연장부(830)의 길이는 지지 결합부(840)의 길이에 비하여 크게 형성될 수 있다. 또한, 수직 연장부(830)와 지지 결합부(840)는 서로 다른 열팽창 계수를 가질 수 있다. 예를 들어, 수직 연장부(830)의 열팽창 계수는 지지 결합부(840)의 열팽창 계수에 비하여 작게 형성될 수 있다.The length of the vertical extension portion 830 may be greater than the length of the support coupling portion 840 . In addition, the vertical extension portion 830 and the support coupling portion 840 may have different coefficients of thermal expansion. For example, the coefficient of thermal expansion of the vertical extension portion 830 may be smaller than that of the support coupling portion 840 .

도 14를 참조하면, 복수의 지지 장치(800)가 베이스(300)에 대하여 기판 지지부(200)를 지지할 수 있다.Referring to FIG. 14 , a plurality of support devices 800 may support the substrate support 200 with respect to the base 300 .

예를 들어, 3개의 지지 장치(800)가 베이스(300)의 서로 다른 지점에 배치되어 기판 지지부(200)를 지지할 수 있다. 각 지지 장치(800)의 베이스 결합부(810)와 기판 지지부(200)의 중심(CT) 간의 거리(D)는 모두 동일할 수 있다. 또한, 기판 지지부(200)의 중심(CT)에서 각 지지 장치(800)의 베이스 결합부(810)를 연결한 선 간의 각도는 모두 120도일 수 있다. 또한, 각 지지 장치(800)의 베이스 결합부(810)에 결합된 수평 연장부(820)의 연장 방향은 기판 지지부(200)의 동일한 원주 방향에 대응할 수 있다. 예를 들어, 각 지지 장치(800)의 수평 연장부(820)는 기판 지지부(200)의 중심(CT)을 기준으로 베이스 결합부(810)에서 시계 방향으로 연장될 수 있다.For example, three support devices 800 may be disposed at different points of the base 300 to support the substrate support 200 . The distance D between the base coupling part 810 of each support device 800 and the center CT of the substrate support part 200 may all be the same. Also, all angles between the lines connecting the base coupling parts 810 of each support device 800 from the center CT of the substrate support part 200 may be 120 degrees. In addition, the extending direction of the horizontal extension part 820 coupled to the base coupling part 810 of each support device 800 may correspond to the same circumferential direction of the substrate support part 200 . For example, the horizontal extension portion 820 of each support device 800 may extend in a clockwise direction from the base coupling portion 810 with respect to the center CT of the substrate support portion 200 .

베이스 결합부(810) 및 수평 연장부(820)의 기능은 도 2에 도시된 베이스 결합부(610) 및 수평 연장부(620)의 기능과 유사하거나 동일할 수 있다. 따라서, 가열부(210)에 의해 지지 장치(800)가 가열되더라도 연장 플레이트(822)가 일정 각도만큼 휘어지면서 베이스 결합부(810)와 지지 결합부(840)를 연결할 수 있다. 모든 지지 장치(800)에 구비된 연장 플레이트(822)의 변형이 동일하거나 유사하게 형성되기 때문에 가열부(210)에 의해 지지 장치(800)가 가열되더라도 기판 지지부(200)의 중심(CT)이 변경되지 않을 수 있게 된다.The functions of the base coupler 810 and the horizontal extension 820 may be similar to or the same as those of the base coupler 610 and the horizontal extension 620 illustrated in FIG. 2 . Accordingly, even when the support device 800 is heated by the heating unit 210 , the extension plate 822 may be bent by a predetermined angle to connect the base coupler 810 and the support coupler 840 . Since the deformations of the extension plates 822 provided in all the support devices 800 are identical or similar, even if the support device 800 is heated by the heating unit 210 , the center CT of the substrate support unit 200 is may not be changed.

수직 연장부(830), 지지 결합부(840) 및 연결부(850)의 기능은 도 10에 도시된 수직 연장부(720), 지지 결합부(730) 및 연결부(740)의 기능과 동일하거나 유사할 수 있다. 따라서, 복수의 지지 장치(800)가 서로 다른 온도의 열을 전달받더라도 베이스(300)에 대한 기판 지지부(200)의 자세가 올바르게 유지될 수 있다.The functions of the vertical extension part 830, the support coupling part 840, and the connection part 850 are the same as or similar to the functions of the vertical extension part 720, the support coupling part 730, and the connection part 740 shown in FIG. can do. Accordingly, even if the plurality of support devices 800 receive heat of different temperatures, the posture of the substrate support part 200 with respect to the base 300 may be correctly maintained.

도 15 및 도 16은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 지지 장치를 나타낸 도면이다.15 and 16 are views showing a support device according to another embodiment of the present invention.

도 15 및 도 16을 참조하면, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 지지 장치(900)는 베이스 결합부(910), 수평 연장부(920), 수직 연장부(930), 지지 결합부(940) 및 제1 연결부(950)를 포함하여 구성된다.15 and 16 , a support device 900 according to another embodiment of the present invention includes a base coupling part 910 , a horizontal extension part 920 , a vertical extension part 930 , and a support coupling part 940 . ) and a first connection part 950 .

베이스 결합부(910)는 베이스(300)에 결합될 수 있다. 예를 들어, 베이스 결합부(910)는 용접 또는 볼트에 의해 베이스(300)에 결합될 수 있다.The base coupling part 910 may be coupled to the base 300 . For example, the base coupling part 910 may be coupled to the base 300 by welding or bolts.

수평 연장부(920)는 베이스(300)의 표면에 평행한 방향으로 긴 형상으로 갖고, 일측 말단이 베이스 결합부(910)에 결합될 수 있다. 수평 연장부(920)는 연장 결합부(921), 제1 연장 플레이트(922a), 제2 연장 플레이트(922b) 및 제2 연결부(923)를 포함하여 구성된다.The horizontal extension part 920 may have a long shape in a direction parallel to the surface of the base 300 , and one end may be coupled to the base coupling part 910 . The horizontal extension portion 920 includes an extension coupling portion 921 , a first extension plate 922a , a second extension plate 922b , and a second connection portion 923 .

연장 결합부(921)는 베이스 결합부(910)에 결합될 수 있다. 예를 들어, 베이스 결합부(910)는 결합 돌기를 포함하고 연장 결합부(921)는 결합 돌기의 수용이 가능한 결합 홈을 포함할 수 있다. 그러나, 결합 돌기 및 결합 홈을 이용한 연장 결합부(921) 및 베이스 결합부(910) 간의 결합은 예시적인 것으로서, 연장 결합부(921) 및 베이스 결합부(910)는 용접 또는 볼트와 같은 다양한 형태로 결합될 수 있다.The extended coupling part 921 may be coupled to the base coupling part 910 . For example, the base coupling part 910 may include a coupling protrusion, and the extended coupling part 921 may include a coupling groove capable of accommodating the coupling protrusion. However, the coupling between the extended coupling part 921 and the base coupling part 910 using the coupling protrusion and coupling groove is exemplary, and the extended coupling part 921 and the base coupling part 910 may have various shapes such as welding or bolts. can be combined with

제1 연장 플레이트(922a)는 일측 말단이 연장 결합부(921)에 결합될 수 있다. 제2 연장 플레이트(922b)는 일측 말단이 수직 연장부(930)에 결합될 수 있다. 제2 연결부(923)는 베이스 결합부(910)에 결합되지 않은 제1 연장 플레이트(922a)의 타측 말단과 수직 연장부(930)에 결합되지 않은 제2 연장 플레이트(922b)의 타측 말단을 연결할 수 있다.One end of the first extension plate 922a may be coupled to the extension coupling part 921 . One end of the second extension plate 922b may be coupled to the vertical extension 930 . The second connection part 923 connects the other end of the first extension plate 922a not coupled to the base coupling part 910 to the other end of the second extension plate 922b not coupled to the vertical extension part 930. can

제1 연장 플레이트(922a) 및 제2 연장 플레이트(922b)는 베이스(300)의 표면에 수직인 넓은 면을 가질 수 있다. 또한, 제1 연장 플레이트(922a) 및 제2 연장 플레이트(922b)의 연장 방향은 베이스(300)의 표면에 평행한 방향일 수 있다. 제1 연장 플레이트(922a)의 길이는 제2 연장 플레이트(922b)의 길이에 비하여 크게 형성될 수 있다. 제1 연장 플레이트(922a)의 열팽창 계수는 제2 연장 플레이트(922b)의 열팽창 계수에 비하여 작게 형성될 수 있다.The first extension plate 922a and the second extension plate 922b may have a wide surface perpendicular to the surface of the base 300 . In addition, the extending directions of the first and second extension plates 922a and 922b may be parallel to the surface of the base 300 . The length of the first extension plate 922a may be greater than the length of the second extension plate 922b. The coefficient of thermal expansion of the first extension plate 922a may be smaller than that of the second extension plate 922b.

지지 장치(900)로 가열부(210)의 열이 전달되는 경우 제2 연결부(923)를 기준으로 제1 연장 플레이트(922a) 및 제2 연장 플레이트(922b)가 동시에 길이가 연장되어 베이스 결합부(910)에 대한 수직 연장부(930)의 위치가 일정하게 유지될 수 있다. 이 때, 제1 연장 플레이트(922a) 및 제2 연장 플레이트(922b)는 일정 각도만큼 휘어질 수 있다. 특히, 본 발명에서 제2 연결부(923)는 제1 연장 플레이트(922a) 및 제2 연장 플레이트(922b)에 비하여 낮은 열팽창 계수를 가질 수 있다. 이에, 제2 연결부(923)의 열 팽창이 수행되더라도 제2 연결부(923)에 의한 수직 연장부(930)의 위치 변경의 영향은 없거나 감소될 수 있다.When the heat of the heating unit 210 is transferred to the support device 900 , the length of the first extension plate 922a and the second extension plate 922b is simultaneously extended based on the second connection part 923 to form the base coupling part. The position of the vertical extension 930 with respect to 910 may be kept constant. In this case, the first extension plate 922a and the second extension plate 922b may be bent by a predetermined angle. In particular, in the present invention, the second connection portion 923 may have a lower coefficient of thermal expansion compared to the first extension plate 922a and the second extension plate 922b. Accordingly, even if thermal expansion of the second connection part 923 is performed, the influence of the position change of the vertical extension part 930 by the second connection part 923 may be reduced or not.

수직 연장부(930)는 수평 연장부(920)에서 베이스(300)의 표면에 수직한 방향으로 길게 연장될 수 있다. 수직 연장부(930)는 수평 연장부(920)의 제2 연장 플레이트(922b)에 결합될 수 있다.The vertical extension 930 may extend from the horizontal extension 920 in a direction perpendicular to the surface of the base 300 . The vertical extension 930 may be coupled to the second extension plate 922b of the horizontal extension 920 .

지지 결합부(940)는 직접적으로 기판 지지부(200)에 밀착하여 수직 연장부(930)에 대하여 기판 지지부(200)를 지지할 수 있다. 지지 결합부(940)는 일측 말단이 기판(W)을 지지하는 기판 지지부(200)에 결합될 수 있다. 또한, 지지 결합부(940)는 베이스(300)의 표면에 수직한 방향으로 긴 형상을 가질 수 있다.The support coupling part 940 may directly adhere to the substrate support part 200 to support the substrate support part 200 with respect to the vertical extension part 930 . One end of the support coupling part 940 may be coupled to the substrate support part 200 supporting the substrate (W). In addition, the support coupling part 940 may have an elongated shape in a direction perpendicular to the surface of the base 300 .

지지 결합부(940)는 지지 판(941) 및 지지 로드(942)를 포함하여 구성된다. 지지 판(941)은 기판 지지부(200)에 결합될 수 있다. 예를 들어, 지지 판(941)은 용접 또는 볼트에 의해 기판 지지부(200)에 결합될 수 있다. 지지 로드(942)는 지지 판(941)에서 상측 방향으로 연장 형성될 수 있다. 예를 들어, 지지 로드(942)의 연장 방향은 베이스(300)의 표면에 대하여 수직 방향일 수 있다.The support coupling portion 940 is configured to include a support plate 941 and a support rod 942 . The support plate 941 may be coupled to the substrate support 200 . For example, the support plate 941 may be coupled to the substrate support 200 by welding or bolts. The support rod 942 may be formed to extend upwardly from the support plate 941 . For example, the extending direction of the support rod 942 may be perpendicular to the surface of the base 300 .

제1 연결부(950)는 수평 연장부(920)에 연결되지 않은 수직 연장부(930)의 타측 말단과 기판 지지부(200)에 결합되지 않은 지지 결합부(940)의 타측 말단을 연결할 수 있다. 구체적으로, 연결부는 수직 연장부(930)의 상측 말단과 지지 로드(942)의 상측 말단을 연결할 수 있다. 수직 연장부(930) 및 지지 로드(942)는 연결부를 기준으로 하측으로 연장될 수 있다.The first connector 950 may connect the other end of the vertical extension 930 not connected to the horizontal extension 920 and the other end of the support coupler 940 not connected to the substrate support 200 . Specifically, the connecting portion may connect the upper end of the vertical extension portion 930 and the upper end of the support rod 942 . The vertical extension portion 930 and the support rod 942 may extend downward based on the connection portion.

수직 연장부(930)의 길이는 지지 결합부(940)의 길이에 비하여 크게 형성될 수 있다. 또한, 수직 연장부(930)와 지지 결합부(940)는 서로 다른 열팽창 계수를 가질 수 있다. 예를 들어, 수직 연장부(930)의 열팽창 계수는 지지 결합부(940)의 열팽창 계수에 비하여 작게 형성될 수 있다.The length of the vertical extension portion 930 may be greater than the length of the support coupling portion 940 . Also, the vertical extension portion 930 and the support coupling portion 940 may have different coefficients of thermal expansion. For example, the coefficient of thermal expansion of the vertical extension portion 930 may be smaller than that of the support coupling portion 940 .

수직 연장부(930), 지지 결합부(940) 및 제1 연결부(950)의 형태 및 기능은 전술한 수직 연장부(720, 830), 지지 결합부(730, 840) 및 연결부(740, 850)의 형태 및 기능과 동일하거나 유사하므로 자세한 설명은 생략하기로 한다.The shape and function of the vertical extension portion 930, the support coupling portion 940, and the first connection portion 950 are the aforementioned vertical extension portions 720 and 830, the support coupling portions 730 and 840 and the connection portions 740 and 850. ) is the same as or similar to the form and function, and thus a detailed description thereof will be omitted.

이상과 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.Although embodiments of the present invention have been described with reference to the above and the accompanying drawings, those of ordinary skill in the art to which the present invention pertains can practice the present invention in other specific forms without changing its technical spirit or essential features. You will understand that there is Therefore, it should be understood that the embodiments described above are illustrative in all respects and not restrictive.

10: 기판 처리 장치 100: 공정 챔버
200: 기판 지지부 210: 가열부
300: 베이스 400: 전력 제공부
500: 플라즈마 발생부 600, 700, 800, 900: 지지 장치
610, 710, 810, 910: 베이스 결합부
620, 820, 920: 수평 연장부 621, 821, 921: 연장 결합부
622, 822: 연장 플레이트 623: 수용부
630, 730, 840, 940: 지지 결합부
631, 731, 841, 941: 지지 판 632, 732, 842, 942: 지지 로드
720, 830, 930: 수직 연장부 740, 850: 연결부
922a: 제1 연장 플레이트 922b: 제2 연장 플레이트
923: 제2 연결부 950: 제1 연결부10: substrate processing apparatus 100: process chamber
200: substrate support 210: heating unit
300: base 400: power supply unit
500: plasma generating unit 600, 700, 800, 900: support device
610, 710, 810, 910: base coupling part
620, 820, 920: horizontal extension portion 621, 821, 921: extension coupling portion
622, 822: extension plate 623: receiving part
630, 730, 840, 940: support coupling portion
631, 731, 841, 941: support plate 632, 732, 842, 942: support rod
720, 830, 930: vertical extension 740, 850: connection
922a: first extension plate 922b: second extension plate
923: second connection part 950: first connection part

Claims (20)

베이스에 결합된 베이스 결합부;
상기 베이스의 표면에 평행한 방향으로 긴 형상을 갖고, 일측 말단이 상기 베이스 결합부에 결합된 수평 연장부; 및
일측 말단이 기판을 지지하는 기판 지지부에 결합되고, 상기 기판 지지부에 결합되지 않은 타측 말단이 상기 베이스 결합부에 결합되지 않은 상기 수평 연장부의 타측 말단에 결합된 지지 결합부를 포함하되,
상기 수평 연장부 및 상기 지지 결합부는 서로 다른 열팽창 계수를 갖는 지지 장치.a base coupling unit coupled to the base;
a horizontal extension part having a long shape in a direction parallel to the surface of the base and having one end coupled to the base coupling part; and
One end is coupled to the substrate support for supporting the substrate, the other end not coupled to the substrate support comprising a support coupling portion coupled to the other end of the horizontal extension portion not coupled to the base coupling portion,
The horizontal extension portion and the support coupling portion have different coefficients of thermal expansion. 제1 항에 있어서,
상기 수평 연장부는 상기 베이스의 표면에 수직인 넓은 면을 갖는 연장 플레이트를 포함하는 지지 장치.According to claim 1,
and the horizontal extension portion includes an extension plate having a wide surface perpendicular to the surface of the base. 제1 항에 있어서,
상기 수평 연장부는 상기 지지 결합부의 일부를 수용 가능한 수용부를 포함하는 지지 장치.According to claim 1,
and the horizontal extension portion includes a receiving portion accommodating a portion of the support coupling portion. 제3 항에 있어서,
상기 수용부의 전체 길이 중 상기 지지 결합부가 삽입된 길이를 제외한 나머지 길이는 상기 지지 결합부의 전체 길이에 비하여 작게 형성되는 지지 장치.4. The method of claim 3,
Among the total length of the accommodating part, the remaining length excluding the length into which the support coupling part is inserted is formed to be smaller than the total length of the support coupling part. 제4 항에 있어서,
상기 수용부의 열팽창 계수는 상기 지지 결합부의 열팽창 계수에 비하여 크게 형성되는 지지 장치.5. The method of claim 4,
A support device in which a coefficient of thermal expansion of the receiving portion is larger than a coefficient of thermal expansion of the support coupling portion. 제1 항에 있어서,
상기 기판 지지부는 상기 기판을 가열하기 위한 가열부를 포함하는 지지 장치.According to claim 1,
The substrate support unit includes a heating unit for heating the substrate. 베이스에 결합된 베이스 결합부;
상기 베이스 결합부에서 상기 베이스의 표면에 수직한 방향으로 길게 연장된 수직 연장부;
일측 말단이 기판을 지지하는 기판 지지부에 결합되고, 상기 베이스의 표면에 수직한 방향으로 긴 형상을 갖는 지지 결합부; 및
상기 베이스 결합부에 연결되지 않은 상기 수직 연장부의 타측 말단과 상기 기판 지지부에 결합되지 않은 상기 지지 결합부의 타측 말단을 연결하는 연결부를 포함하되,
상기 수직 연장부와 상기 지지 결합부는 서로 다른 열팽창 계수를 갖는 지지 장치.a base coupling unit coupled to the base;
a vertical extension part extending long in a direction perpendicular to the surface of the base from the base coupling part;
a support coupling part having one end coupled to the substrate support part for supporting the substrate, and having an elongated shape in a direction perpendicular to the surface of the base; and
Comprising a connection part connecting the other end of the vertical extension part not connected to the base coupling part and the other end of the support coupling part not coupled to the substrate support part,
The vertical extension portion and the support coupling portion have different coefficients of thermal expansion. 제7 항에 있어서,
상기 수직 연장부의 길이는 상기 지지 결합부의 길이에 비하여 크게 형성되는 지지 장치.8. The method of claim 7,
The length of the vertical extension portion is formed to be larger than the length of the support coupling portion. 제8 항에 있어서,
상기 수직 연장부의 열팽창 계수는 상기 지지 결합부의 열팽창 계수에 비하여 작게 형성되는 지지 장치.9. The method of claim 8,
A support device in which the coefficient of thermal expansion of the vertically extended portion is formed to be smaller than the coefficient of thermal expansion of the support coupling portion. 제7 항에 있어서,
상기 기판 지지부는 상기 기판을 가열하기 위한 가열부를 포함하는 지지 장치.8. The method of claim 7,
The substrate support unit includes a heating unit for heating the substrate. 제7 항에 있어서,
상기 연결부는 상기 수직 연장부 및 상기 지지 결합부에 비하여 낮은 열팽창 계수를 갖는 지지 장치.8. The method of claim 7,
The connecting portion has a lower coefficient of thermal expansion than the vertical extension portion and the support coupling portion. 베이스에 결합된 베이스 결합부;
상기 베이스의 표면에 평행한 방향으로 긴 형상을 갖고, 일측 말단이 상기 베이스 결합부에 결합된 수평 연장부;
상기 수평 연장부에서 상기 베이스의 표면에 수직한 방향으로 길게 연장된 수직 연장부;
일측 말단이 기판을 지지하는 기판 지지부에 결합되고, 상기 베이스의 표면에 수직한 방향으로 긴 형상을 갖는 지지 결합부; 및
상기 수평 연장부에 연결되지 않은 상기 수직 연장부의 타측 말단과 상기 기판 지지부에 결합되지 않은 상기 지지 결합부의 타측 말단을 연결하는 제1 연결부를 포함하되,
상기 수직 연장부와 상기 지지 결합부는 서로 다른 열팽창 계수를 갖는 지지 장치.a base coupling unit coupled to the base;
a horizontal extension part having a long shape in a direction parallel to the surface of the base and having one end coupled to the base coupling part;
a vertical extension extending from the horizontal extension in a direction perpendicular to the surface of the base;
a support coupling part having one end coupled to the substrate support part for supporting the substrate, and having an elongated shape in a direction perpendicular to the surface of the base; and
Comprising a first connecting portion connecting the other end of the vertical extension not connected to the horizontal extension and the other end of the support coupling portion not coupled to the substrate support,
The vertical extension portion and the support coupling portion have different coefficients of thermal expansion. 제12 항에 있어서,
상기 수평 연장부는 상기 베이스의 표면에 수직인 넓은 면을 갖는 연장 플레이트를 포함하는 지지 장치.13. The method of claim 12,
and the horizontal extension portion includes an extension plate having a wide surface perpendicular to the surface of the base. 제12 항에 있어서,
상기 수직 연장부의 길이는 상기 지지 결합부의 길이에 비하여 크게 형성되는 지지 장치.13. The method of claim 12,
The length of the vertical extension portion is formed to be larger than the length of the support coupling portion. 제14 항에 있어서,
상기 수직 연장부의 열팽창 계수는 상기 지지 결합부의 열팽창 계수에 비하여 작게 형성되는 지지 장치.15. The method of claim 14,
A support device in which the coefficient of thermal expansion of the vertically extended portion is formed to be smaller than the coefficient of thermal expansion of the support coupling portion. 제12 항에 있어서,
상기 수평 연장부는,
상기 베이스 결합부에 결합된 연장 결합부;
일측 말단이 상기 연장 결합부에 결합된 제1 연장 플레이트;
일측 말단이 상기 수직 연장부에 결합된 제2 연장 플레이트; 및
상기 베이스 결합부에 결합되지 않은 상기 제1 연장 플레이트의 타측 말단과 상기 수직 연장부에 결합되지 않은 상기 제2 연장 플레이트의 타측 말단을 연결하는 제2 연결부를 포함하는 지지 장치.13. The method of claim 12,
The horizontal extension portion,
an extension coupling part coupled to the base coupling part;
a first extension plate having one end coupled to the extension coupling part;
a second extension plate having one end coupled to the vertical extension; and
and a second connection part connecting the other end of the first extension plate not coupled to the base coupling part and the other end of the second extension plate not coupled to the vertical extension part. 제16 항에 있어서,
상기 제1 연장 플레이트의 길이는 상기 제2 연장 플레이트의 길이에 비하여 크게 형성되는 지지 장치.17. The method of claim 16,
The length of the first extension plate is larger than the length of the second extension plate. 제17 항에 있어서,
상기 제1 연장 플레이트의 열팽창 계수는 상기 제2 연장 플레이트의 열팽창 계수에 비하여 작게 형성되는 지지 장치.18. The method of claim 17,
A support device in which a coefficient of thermal expansion of the first extension plate is smaller than a coefficient of thermal expansion of the second extension plate. 제12 항에 있어서,
상기 기판 지지부는 상기 기판을 가열하기 위한 가열부를 포함하는 지지 장치.13. The method of claim 12,
The substrate support unit includes a heating unit for heating the substrate. 제12 항에 있어서,
상기 제1 연결부는 상기 수직 연장부 및 상기 지지 결합부에 비하여 낮은 열팽창 계수를 갖는 지지 장치.13. The method of claim 12,
The first connection portion has a lower coefficient of thermal expansion than the vertical extension portion and the support coupling portion.
KR1020200090717A 2020-07-22 2020-07-22 Supporting apparatus KR102453108B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020200090717A KR102453108B1 (en) 2020-07-22 2020-07-22 Supporting apparatus

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020200090717A KR102453108B1 (en) 2020-07-22 2020-07-22 Supporting apparatus

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20220011897A true KR20220011897A (en) 2022-02-03
KR102453108B1 KR102453108B1 (en) 2022-10-07

Family

ID=80268854

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020200090717A KR102453108B1 (en) 2020-07-22 2020-07-22 Supporting apparatus

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR102453108B1 (en)

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20100023401A (en) * 2008-08-22 2010-03-04 세크론 주식회사 Apparatus for heating a substrate
KR20150118025A (en) * 2014-04-11 2015-10-21 주식회사 좋은기술 heating apparatus for substrate
KR20160117454A (en) * 2014-02-03 2016-10-10 플란제 에스이 Supporting system for a heating element

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20100023401A (en) * 2008-08-22 2010-03-04 세크론 주식회사 Apparatus for heating a substrate
KR20160117454A (en) * 2014-02-03 2016-10-10 플란제 에스이 Supporting system for a heating element
KR20150118025A (en) * 2014-04-11 2015-10-21 주식회사 좋은기술 heating apparatus for substrate

Also Published As

Publication number Publication date
KR102453108B1 (en) 2022-10-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8100082B2 (en) Method and system for introducing process fluid through a chamber component
KR100808694B1 (en) Cluster tool and method for process integration in manufacturing of a photomask
KR101565174B1 (en) Substrate processing method
WO2007117741A2 (en) A reduced contaminant gas injection system and method of using
JP7384792B2 (en) Multi-zone cooling of plasma heated windows
CN101410941A (en) Post-etch treatment system for removing residue on a substrate
TW201432390A (en) Electrostatic clamp
KR20170028849A (en) Focus ring and substrate processing apparatus
KR20200051494A (en) Placing table, positioning method of edge ring and substrate processing apparatus
US11133759B2 (en) Electrostatic chuck, substrate processing apparatus, and substrate holding method
US20060121210A1 (en) Plasma processing equipment and method of operating the same
TW202032739A (en) Reticle sub-field thermal control
US10217616B2 (en) Method of controlling temperature and plasma processing apparatus
KR102453108B1 (en) Supporting apparatus
US10858735B2 (en) Alignment systems employing actuators providing relative displacement between lid assemblies of process chambers and substrates, and related methods
US10151988B2 (en) Component for a lithography tool, a lithography apparatus, an inspection tool and a method of manufacturing a device
KR102277801B1 (en) Apparatus for processing substrate
JP5665265B2 (en) Method and system for introducing process fluid through chamber components
US20190057910A1 (en) Metrology systems for substrate stress and deformation measurement
KR102336731B1 (en) Apparatus for treating substrate
TW202101641A (en) Split double sided wafer and reticle clamps
KR102344256B1 (en) Apparatus for treating substrate
KR100951475B1 (en) Plasma etching apparatus and plasma etching method thereof
KR102322189B1 (en) Apparatus for processing substrate
US20230207282A1 (en) Plasma processing apparatus

Legal Events

Date Code Title Description
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant