KR20220010689A - 발광 소자 및 이를 포함한 전자 장치 - Google Patents

발광 소자 및 이를 포함한 전자 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20220010689A
KR20220010689A KR1020200089154A KR20200089154A KR20220010689A KR 20220010689 A KR20220010689 A KR 20220010689A KR 1020200089154 A KR1020200089154 A KR 1020200089154A KR 20200089154 A KR20200089154 A KR 20200089154A KR 20220010689 A KR20220010689 A KR 20220010689A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
light emitting
electrode
light
layer
equation
Prior art date
Application number
KR1020200089154A
Other languages
English (en)
Inventor
김성욱
윤석규
김경식
김응도
유재진
조근욱
조현구
Original Assignee
삼성디스플레이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성디스플레이 주식회사 filed Critical 삼성디스플레이 주식회사
Priority to KR1020200089154A priority Critical patent/KR20220010689A/ko
Priority to US17/361,873 priority patent/US20220020950A1/en
Priority to CN202110788391.8A priority patent/CN113948651A/zh
Priority to EP21185661.2A priority patent/EP3940807A1/en
Publication of KR20220010689A publication Critical patent/KR20220010689A/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H10K50/81—Anodes
    • H10K50/818—Reflective anodes, e.g. ITO combined with thick metallic layers
    • H01L51/5012—
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/14—Carrier transporting layers
    • H10K50/15—Hole transporting layers
    • H01L51/0001—
    • H01L51/5048—
    • H01L51/5203—
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/14—Carrier transporting layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/14—Carrier transporting layers
    • H10K50/16—Electron transporting layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/19—Tandem OLEDs
    • H01L2251/30—
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301—Details of OLEDs
    • H10K2102/351—Thickness
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K50/856—Arrangements for extracting light from the devices comprising reflective means

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

제1전극; 상기 제1전극에 대향된 제2전극; 상기 제1전극과 상기 제2전극 사이에 배치된 발광층; 및 상기 발광층과 상기 제1전극 사이에 배치된 전하 수송 영역(charge transport region);을 포함하고, 상기 발광층으로부터 방출된 광은 상기 제2전극을 통과하여 외부로 취출되고, 상기 제1전극은 반사형 전극이고, 상기 제1전극은 투명막 및 반사막을 포함하고, i) 상기 제1전극의 투명막과 상기 전하 수송 영역 사이의 계면과 ii) 상기 발광층과 상기 전하 수송 영역 사이의 계면 간의 거리는, 상기 발광층으로부터 방출된 광의 1차 공진 거리이고, a) 상기 제1전극의 반사막과 상기 제1전극의 투명막 사이의 계면과 b) 상기 발광층과 상기 전하 수송 영역 사이의 계면 간의 거리는, 상기 발광층으로부터 방출된 광의 2차 공진 거리인, 발광 소자 및 상기 발광 소자를 포함한 전자 장치가 제공된다.

Description

발광 소자 및 이를 포함한 전자 장치{Light emitting device and electronic apparatus comprising the same}
발광 소자 및 이를 포함한 전자 장치에 관한 것이다.
발광 소자 중 유기 발광 소자(organic light emitting device)는 자발광형 소자로서, 종래 소자에 비하여, 시야각이 넓고 콘트라스트가 우수할 뿐만 아니라, 응답시간이 빠르며, 휘도, 구동전압 및 응답속도 특성이 우수하다.
상기 유기 발광 소자는 기판 상부에 제1전극이 배치되어 있고, 상기 제1전극 상부에 정공 수송 영역(hole transport region), 발광층, 전자 수송 영역(electron transport region) 및 제2전극이 순차적으로 배치되어 있는 구조를 가질 수 있다. 상기 제1전극으로부터 주입된 정공은 정공 수송 영역을 경유하여 발광층으로 이동하고, 제2전극으로부터 주입된 전자는 전자 수송 영역을 경유하여 발광층으로 이동한다. 상기 정공 및 전자와 같은 캐리어들은 발광층 영역에서 재결합하여 엑시톤(exciton)을 생성한다. 상기 엑시톤이 여기 상태에서 기저상태로 변하면서 광이 생성된다.
저구동 전압, 고발광 효율 및 장수명을 동시에 갖는 발광 소자 및 이를 포함한 전자 장치를 제공하는 것이다.
일 측면에 따르면,
제1전극;
상기 제1전극에 대향된 제2전극;
상기 제1전극과 상기 제2전극 사이에 배치된 발광층; 및
상기 발광층과 상기 제1전극 사이에 배치된 전하 수송 영역(charge transport region);
을 포함하고,
상기 발광층으로부터 방출된 광은 상기 제2전극을 통과하여 외부로 취출되고,
상기 제1전극은 반사형 전극이고,
상기 제1전극은 투명막 및 반사막을 포함하고,
하기 <식 1> 및 <식 2>를 만족한, 발광 소자가 제공된다:
<식 1>
L1 - a1 ≤ D1 ≤ L1 + a1
상기 식 1 중,
D1은 i) 상기 제1전극의 투명막과 상기 전하 수송 영역 사이의 계면과 ii) 상기 발광층과 상기 전하 수송 영역 사이의 계면 간의 거리이고,
L1은 상기 발광층으로부터 방출된 광의 1차 공진 거리이고,
a1은 0nm 내지 50nm 범위의 실수이고,
<식 2>
L2 - a2 ≤ D2 ≤ L2 + a2
상기 식 2 중,
D2는 a) 상기 제1전극의 반사막과 상기 제1전극의 투명막 사이의 계면과 b) 상기 발광층과 상기 전하 수송 영역 사이의 계면 간의 거리이고,
L2는 상기 발광층으로부터 방출된 광의 2차 공진 거리이고,
a2는 0nm 내지 50nm 범위의 실수이다.
다른 측면에 따르면,
제1전극;
상기 제1전극에 대향된 제2전극;
상기 제1전극과 상기 제2전극 사이에 적층된 x개의 발광 유닛들; 및
상기 x개의 발광 유닛들 중 서로 인접한 2개의 발광 유닛들 사이에 배치되고, n형 전하 생성층 및 p형 전하 생성층을 포함한, x-1개의 전하 생성층;
을 포함하고,
상기 x는 2 이상의 정수이고,
상기 각각의 발광 유닛은 상기 제1전극으로부터 차례로 배치된 전하 수송 영역 및 발광층을 각각 포함하고,
상기 발광 유닛들로부터 방출된 광은 상기 제2전극을 통과하여 외부로 취출되고,
상기 제1전극은 반사형 전극이고,
상기 제1전극은 투명막 및 반사막을 포함하고,
하기 <식 y> 및 <식 y+1>을 만족한, 발광 소자가 제공된다:
<식 y>
Ly - ay ≤ Dy ≤ Ly + ay
상기 식 y 중,
Dy는 i) 상기 제1전극의 투명막과 상기 x개의 발광 유닛들 중 y번째의 발광 유닛의 전하 수송 영역 사이의 계면과 ii) 상기 x개의 발광 유닛들 중 y번째의 발광 유닛의 발광층과 상기 x개의 발광 유닛들 중 y번째의 발광 유닛의 전하 수송 영역 사이의 계면 간의 거리이고,
Ly는 상기 x개의 발광 유닛들 중 y번째의 발광 유닛의 발광층으로부터 방출된 광의 y차 공진 거리이고,
ay는 0nm 내지 50nm 범위의 실수이고,
<식 y+1>
Ly+1 - ay+1 ≤ Dy+1 ≤ Ly+1 + ay+1
상기 식 y+1 중,
Dy+1은 a) 상기 제1전극의 반사막과 상기 제1전극의 투명막 사이의 계면과 b) 상기 x개의 발광 유닛들 중 y번째의 발광 유닛의 발광층과 상기 x개의 발광 유닛들 중 y번째의 발광 유닛의 전하 수송 영역 사이의 계면 간의 거리이고,
Ly+1은 상기 x개의 발광 유닛들 중 y번째의 발광 유닛의 발광층으로부터 방출된 광의 y+1차 공진 거리이고,
ay+1은 0nm 내지 50nm 범위의 실수이다.
또 다른 측면에 따르면,
제1전극;
상기 제1전극에 대향된 제2전극;
상기 제1전극과 상기 제2전극 사이에 배치된 제1발광 유닛;
상기 제1발광 유닛과 상기 제2전극 사이에 배치된 제2발광 유닛; 및
상기 제1발광 유닛과 상기 제2발광 유닛 사이에 배치되고, n형 전하 생성층 및 p형 전하 생성층을 포함한, 전하 생성층;
을 포함하고,
상기 제1발광 유닛은 상기 제1전극으로부터 차례로 배치된 제1전하 수송 영역 및 제1발광층을 포함하고,
상기 제2발광 유닛은 상기 제1전극으로부터 차례로 배치된 제2전하 수송 영역 및 제2발광층을 포함하고,
상기 제1발광 유닛 및 제2발광 유닛으로부터 방출된 광은 상기 제2전극을 통과하여 외부로 취출되고,
상기 제1전극은 반사형 전극이고,
상기 제1전극은 투명막 및 반사막을 포함하고,
하기 <식 11>, <식 12>, <식 22> 및 <식 23>을 만족한, 발광 소자가 제공된다:
<식 11>
L11 - a11 ≤ D11 ≤ L11 + a11
상기 식 11 중,
D11은 i) 상기 제1전극의 투명막과 상기 제1발광 유닛의 제1전하 수송 영역 사이의 계면과 ii) 상기 제1발광 유닛의 제1발광층과 상기 제1발광 유닛의 제1전하 수송 영역 사이의 계면 간의 거리이고,
L11은 상기 제1발광 유닛의 제1발광층으로부터 방출된 광의 1차 공진 거리이고,
a11은 0nm 내지 50nm 범위의 실수이고,
<식 12>
L12 - a12 ≤ D12 ≤ L12 + a12
상기 식 12 중,
D12는 a) 상기 제1전극의 반사막과 상기 제1전극의 투명막 사이의 계면과 b) 상기 제1발광 유닛의 제1발광층과 상기 제1발광 유닛의 제1전하 수송 영역 사이의 계면 간의 거리이고,
L12는 상기 제1발광 유닛의 제1발광층으로부터 방출된 광의 2차 공진 거리이고,
a12는 0nm 내지 50nm 범위의 실수이고,
<식 22>
L22 - a22 ≤ D22 ≤ L22 + a22
상기 식 22 중,
D22는 iii) 상기 제1전극의 투명막과 상기 제2발광 유닛의 제2전하 수송 영역 사이의 계면과 ii) 상기 제2발광 유닛의 제2발광층과 상기 제2발광 유닛의 제2전하 수송 영역 사이의 계면 간의 거리이고,
L22는 상기 제2발광 유닛의 제2발광층으로부터 방출된 광의 2차 공진 거리이고,
a22는 0nm 내지 50nm 범위의 실수이고,
<식 23>
L23 - a23 ≤ D23 ≤ L23 + a23
상기 식 23 중,
D23은 c) 상기 제1전극의 반사막과 상기 제1전극의 투명막 사이의 계면과 b) 상기 제2발광 유닛의 제2발광층과 상기 제2발광 유닛의 제2전하 수송 영역 사이의 계면 간의 거리이고,
L23은 상기 제2발광 유닛의 제2발광층으로부터 방출된 광의 3차 공진 거리이고,
a23은 0nm 내지 50nm 범위의 실수이다.
상기 발광 소자는 저구동 전압, 고발광 효율 및 장수명을 갖는 바, 상기 발광 소자를 이용하여 고품위 전자 장치를 구현할 수 있다.
도 1은 일 구현예를 따르는 발광 소자(10)의 구조를 개략적으로 각각 나타낸 도면이다.
도 2는 다른 구현예를 따르는 발광 소자(20)의 구조를 개략적으로 각각 나타낸 도면이다.
도 3은 또 다른 구현예를 따르는 발광 소자(30)의 구조를 개략적으로 각각 나타낸 도면이다.
도 1에 대한 설명
도 1의 발광 소자(10)는,
제1전극(AN);
상기 제1전극(AN)에 대향된 제2전극(CA);
상기 제1전극(AN)과 상기 제2전극(CA) 사이에 배치된 발광층(EM); 및
상기 발광층(EM)과 상기 제1전극(AN) 사이에 배치된 전하 수송 영역(charge transport region, CT)을 포함한다.
상기 전하 수송 영역(CT)은, i) 단일 물질로 이루어진(consist of) 단일층 구조, ii) 서로 상이한 2 이상의 물질을 포함한 단일층 구조, 또는 iii) 서로 상이한 물질을 포함한 다층 구조를 가질 수 있다.
상기 제1전극(AN)은 정공 주입 전극(즉, 애노드)이고, 상기 제2전극(CA)은 전자 주입 전극(즉, 캐소드)일 수 있다.
일 구현예에 따르면, 도 1의 제1전극(AN)은 정공 주입 전극이고, 상기 전하 수송 영역(CT)은 정공 수송 영역일 수 있다.
예를 들어, 상기 정공 수송 영역은, 정공 주입층, 정공 수송층, 전자 저지층, 버퍼층, 또는 이의 임의의 조합을 포함할 수 있다.
상기 정공 수송 영역은, 정공을 수송할 수 있는 임의의 화합물을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 정공 수송 영역은, 디벤조퓨란-함유 화합물, 디벤조티오펜-함유 화합물, 카바졸-함유 화합물, 플루오렌-함유 화합물, 아민-함유 화합물, p-도펀트, 또는 이의 임의의 조합을 포함할 수 있다.
도 1에 도시되어 있지는 않으나, 상기 발광층(EM)과 상기 제2전극(CA) 사이에 다른 전하 수송 영역(예를 들면, 전자 수송 영역)이 추가로 배치될 수 있다.
일 구현예에 따르면, 도 1의 상기 제1전극(AN)은 정공 주입 전극이고, 상기 전하 수송 영역(CT)은 정공 수송 영역이고, 상기 발광층(EM)과 상기 제2전극(CA) 사이에 전자 수송 영역이 추가로 배치될 수 있다.
상기 전자 수송 영역은, i) 단일 물질로 이루어진(consist of) 단일층 구조, ii) 서로 상이한 2 이상의 물질을 포함한 단일층 구조, 또는 iii) 서로 상이한 물질을 포함한 다층 구조를 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 전자 수송 영역은, 정공 저지층, 전자 수송층, 전자 주입층, 또는 이의 임의의 조합을 포함할 수 있다.
상기 발광층(EM)으로부터 방출된 광은 상기 제2전극(CA)을 통과하여 상기 발광 소자(10)의 외부로 취출될 수 있다.
상기 발광층(EM)은, 청색광, 녹색광, 적색광 또는 백색광을 방출할 수 있다.
예를 들어, 상기 발광층(EM)으로부터 방출된 광은 450nm 내지 495nm 범위의 최대 발광 파장을 갖는 청색광, 495nm 내지 570nm 범위의 최대 발광 파장을 갖는 녹색광 또는 590nm 내지 750nm 범위의 최대 발광 파장을 갖는 적색광일 수 있다.
일 구현예에 따르면, 상기 발광층(EM)으로부터 방출된 광은 청색광일 수 있다.
상기 제1전극(AN)은 반사형 전극이고, 상기 제1전극(AN)은 투명막(AT) 및 반사막(AR)을 포함할 수 있다.
일 구현예에 따르면, 도 1에 도시된 바와 같이, 상기 제1전극(AN)의 투명막(AR)은 상기 제1전극(AN)의 반사막(AR)과 상기 전하 수송 영역(CT) 사이에 배치될 수 있다.
상기 발광 소자(10)은 하기 <식 1>을 만족할 수 있다:
<식 1>
L1 - a1 ≤ D1 ≤ L1 + a1
상기 식 1 중,
D1은 i) 상기 제1전극(AN)의 투명막(AT)과 상기 전하 수송 영역(CT) 사이의 계면과 ii) 상기 발광층(EM)과 상기 전하 수송 영역(CT) 사이의 계면 간의 거리 이고,
L1은 상기 발광층(EM)으로부터 방출된 광의 1차 공진 거리이고,
a1은 0nm 내지 50nm 범위의 실수이다.
본 명세서 중 a1은, 예를 들어, 40nm 내지 50nm 범위의 실수, 30nm 내지 40nm 범위의 실수, 20nm 내지 30nm 범위의 실수, 10nm 내지 20nm 범위의 실수, 또는 0nm 내지 10nm 범위의 실수일 수 있다.
상기 발광 소자(10)는 상기 <식 1>을 만족함으로써, 실질적으로 유기물이 배치되는, i) 상기 제1전극(AN)의 투명막(AT)과 상기 전하 수송 영역(CT) 사이의 계면과 ii) 상기 발광층(EM)과 상기 전하 수송 영역(CT) 사이의 계면 사이의 영역의 두께가 상대적으로 얇게 유지되어, 저구동 전압 및 장수명을 가지면서, 동시에, 높은 외부 광취출 효율도 가질 수 있다.
또한, 상기 발광 소자(10)은 <식 2>를 만족할 수 있다:
<식 2>
L2 - a2 ≤ D2 ≤ L2 + a2
상기 식 2 중,
D2는 a) 상기 제1전극(AN)의 반사막(AR)과 상기 제1전극(AN)의 투명막(AT) 사이의 계면과 b) 상기 발광층(EM)과 상기 전하 수송 영역(CT) 사이의 계면 간의 거리이고,
L2는 상기 발광층(EM)으로부터 방출된 광의 2차 공진 거리이고,
a2는 0nm 내지 50nm 범위의 실수이다.
본 명세서 중 a2는, 예를 들어, 40nm 내지 50nm 범위의 실수, 30nm 내지 40nm 범위의 실수, 20nm 내지 30nm 범위의 실수, 10nm 내지 20nm 범위의 실수, 또는 0nm 내지 10nm 범위의 실수일 수 있다.
상기 발광 소자(10)는 상기 <식 2>를 만족함으로써, 발광층(EM)과 제1전극(AN)의 반사막(AR)이 서로 적정 거리로 이격되어, SPP (Surface Plasmon Polarizaion) 현상에 의한 퀀칭(quenching) 및 웨이브가이드(waveguide)가 유발하는 광(즉, 발광층(EM)으로부터 방출되는 광) 손실이 실질적으로 최소화될 수 있다. 따라서, 상기 발광 소자(10)는 높은 외부 광취출 효율을 달성할 수 있다.
일 구현예에 따르면, 식 1 중 L1은 하기 <식 1A>로 표시될 수 있다:
<식 1A>
L1 = {[(m1 - 1) + 0.5] x λ} / 2r1
상기 식 1A 중,
λ는 상기 발광층(EM)으로부터 방출된 광의 최대 발광 파장이고,
r1은 상기 제1전극(AN)의 투명막(AT)과 상기 발광층(EM) 사이에 배치된 영역의 유효 굴절률이고,
m1은 1이다.
상기 r1은 상기 제1전극(AN)의 투명막(AT)과 상기 발광층(EM) 사이에 배치된 영역에 포함된 화합물에 따라 상이할 것이나, 예를 들면, 1.5 내지 2.1일 수 있다.
상기 제1전극(AN)의 투명막(AT)과 상기 발광층(EM) 사이에 배치된 영역은, 예를 들면, 전하 수송 영역(CT)일 수 있다.
일 구현예에 따르면, 본 명세서에 기재된 "유효 굴절률"은 엘립소미터를 이용하여 평가된 것일 수 있다. 예를 들어, 상기 제1전극(AN)의 투명막(AT)과 상기 발광층(EM) 사이에 배치된 영역의 유효 굴절률은, 엘립소미터를 이용하여 평가될 수 있다. 일 구현예에 따르면, 유리 기판 상에, 상기 제1전극(AN)의 투명막(AT)과 상기 발광층(EM) 사이에 배치된 영역에 포함된 물질을 증착하여 형성된 소정 두께(예를 들면, 30nm의 두께)의 층에 대한 굴절률을 엘립소미터를 이용하여 측정함으로써, 상기 유효 굴절률을 평가할 수 있다.
다른 구현예에 따르면, 상기 식 2 중 L2는 하기 <식 2A>로 표시될 수 있다:
<식 2A>
L2 = {[(m2 - 1) + 0.5] x λ} / 2r2
상기 식 2A 중,
λ는 상기 발광층(EM)으로부터 방출된 광의 최대 발광 파장이고,
r2는 상기 제1전극(AN)의 반사막(AR)과 상기 발광층(EM) 사이에 배치된 영역의 유효 굴절률이고,
m2는 2이다.
상기 r2는, 상기 제1전극(AN)의 반사막(AR)과 상기 발광층(EM) 사이에 배치된 영역에 포함된 화합물에 따라 상이할 것이나, 예를 들면, 1.6 내지 2.5일 수 있다.
상기 상기 제1전극(AN)의 반사막(AR)과 상기 발광층(EM) 사이에 배치된 영역은, 예를 들면, 전하 수송 영역(CT) 및 제1전극(AN)의 투명막(AT)일 수 있다.
상기 제1전극(AN)의 반사막(AR)과 상기 발광층(EM) 사이에 배치된 영역의 유효 굴절률은 본 명세서에 기재된 방법을 참조하여 측정될 수 있다.
또 다른 구현예에 따르면, 상기 발광 소자(10)는, 하기 <식 3>을 만족할 수 있다:
<식 3>
n1 ≥ n2
상기 식 3 중,
n1은 상기 제1전극(AN)의 투명막(AT)의 굴절률이고,
n2는 상기 전하 수송 영역(CT)에 포함된 층 중 상기 제1전극(AN)의 투명막(AT)에 직접(directly) 접촉된 층의 굴절률이다.
또 다른 구현예에 따르면, 상기 발광 소자(10)는 하기 <식 4>를 만족할 수 있다:
<식 4>
n1 - n2 ≥ 0.1
상기 식 4 중 n1 및 n2에 대한 설명은 각각 본 명세서에 기재된 바를 참조한다.
또 다른 구현예에 따르면, 상기 발광층(EM)으로부터 방출된 광은 청색광(예를 들면, 450nm 내지 495nm 범위의 최대 발광 파장을 갖는 청색광)이고, 상기 <식 1>의 D1은 10nm 내지 60nm, 예를 들면, 30nm 내지 60nm일 수 있다.
또 다른 구현예에 따르면, 상기 발광층(EM)으로부터 방출된 광은 청색광(예를 들면, 450nm 내지 495nm 범위의 최대 발광 파장을 갖는 청색광)이고, 상기 <식 2>의 D2는 50nm 내지 180nm, 예를 들면, 100nm 내지 180nm일 수 있다.
또 다른 구현예에 따르면, 상기 발광층(EM)으로부터 방출된 광은 녹색광(예를 들면, 495nm 내지 570nm 범위의 최대 발광 파장을 갖는 녹색광)이고, 상기 <식 1>의 D1은 40nm 내지 95nm, 예를 들면, 50nm 내지 85nm일 수 있다.
또 다른 구현예에 따르면, 상기 발광층(EM)으로부터 방출된 광은 녹색광(예를 들면, 495nm 내지 570nm 범위의 최대 발광 파장을 갖는 녹색광)이고, 상기 <식 2>의 D2는 80nm 내지 215nm, 예를 들면, 100nm 내지 195nm일 수 있다.
또 다른 구현예에 따르면, 상기 발광층(EM)으로부터 방출된 광은 적색광(예를 들면, 590nm 내지 750nm 범위의 최대 발광 파장을 갖는 적색광)이고, 상기 <식 1>의 D1은 60nm 내지 145nm, 예를 들면, 60nm 내지 125nm일 수 있다.
또 다른 구현예에 따르면, 상기 발광층(EM)으로부터 방출된 광은 적색광(예를 들면, 590nm 내지 750nm 범위의 최대 발광 파장을 갖는 적색광)이고, 상기 <식 2>의 D2는 130nm 내지 225nm, 예를 들면, 150nm 내지 205nm일 수 있다.
또 다른 구현예에 따르면, 상기 제1전극(AN)의 투명막(AT) 두께는 40nm 내지 130nm, 예를 들어, 60nm 내지 120nm일 수 있다.
상기 제1전극(AN)은 전하(예를 들면, 정공)를 주입할 수 있도록, 전도성막일 수 있다.
상기 제1전극(AN)의 투명막(AT)은 금속 산화물막일 수 있다. 상기 금속 산화물막 중 금속은, 예를 들어, 인듐(In), 아연(Zn), 주석(Sn), 텅스텐(W), 몰리브데넘(Mo), 또는 이의 임의의 조합을 포함할 수 있다. 일 구현예에 따르면, 상기 금속 산화물막의 금속 산화물은, 산화인듐주석(ITO), 산화인듐아연(IZO), 산화주석(SnO2), 산화아연(ZnO), 산화텅스턴(WO3), 산화몰리브데넘(MO3), 또는 이의 임의의 조합일 수 있다. 다른 구현예에 따르면, 상기 제1전극(AN)의 투명막(AT)은 ITO막일 수 있다.
상기 제1전극(AN)의 반사막(AR)은 금속막일 수 있다. 예를 들어, 상기 금속막의 금속은, 마그네슘(Mg), 은(Ag), 알루미늄(Al), 리튬(Li), 칼슘(Ca), 인듐(In), 또는 이의 임의의 조합일 수 있다. 일 구현예에 따르면, 상기 제1전극(AN)의 반사막(AR)은 Al막, Ag막, 또는 Al-Ag 합금막일 수 있다.
도 2에 대한 설명
도 2의 발광 소자(20)는 텐덤 구조를 갖는다.
상기 발광 소자(20)는,
제1전극(AN);
상기 제1전극(AN)에 대향된 제2전극(CA);
상기 제1전극(AN)과 상기 제2전극(CA) 사이에 적층된 x개의 발광 유닛들(EU1,…, EUx-1, 및 EUx); 및
상기 x개의 발광 유닛들(EU1,…, EUx-1, 및 EUx) 중 서로 인접한 2개의 발광 유닛들 사이에 배치되고, n형 전하 생성층 및 p형 전하 생성층을 포함한, x-1개의 전하 생성층(CG1,…, CGx-1);
을 포함한다.
상기 x는 2 이상의 정수일 수 있다. 예를 들어, 상기 x는 2 또는 3일 수 있다.
상기 발광 소자(20)의 각각의 발광 유닛(EU1,…, EUx-1, 및 EUx)은 상기 제1전극(AN)으로부터 차례로 배치된 전하 수송 영역(CT1,…CTx-1, 및 CTx) 및 발광층(EM1,…EMx-1, 및 EMx)을 각각 포함한다. 발광 소자(20)에 포함된 전하 수송 영역(CT1,…CTx-1, 및 CTx) 및 발광층(EM1,…EMx-1, 및 EMx) 각각에 대한 설명은 도 1의 발광 소자(10)의 전하 수송 영역(CT) 및 발광층(EM)에 대한 설명을 참조한다.
상기 발광 유닛들(EU1,…, EUx-1, 및 EUx)로부터 방출된 광은 상기 제2전극(CA)을 통과하여 발광 소자(20)의 외부로 취출될 수 있다.
상기 제1전극(AN)은 반사형 전극이고, 상기 제1전극(AN)은 투명막(AT) 및 반사막(AR)을 포함할 수 있다. 상기 발광 소자(20)의 제1전극(AN) 및 제2전극(CA)에 대한 설명은 각각 도 1의 발광 소자(10)의 제1전극(AN) 및 제2전극(CA)에 대한 설명을 참조한다.
상기 발광 소자(20)는 하기 <식 y>를 만족할 수 있다:
<식 y>
Ly - ay ≤ Dy ≤ Ly + ay
상기 식 y 중,
Dy는 i) 상기 제1전극(AN)의 투명막(AT)과 상기 x개의 발광 유닛들(EU1,…, EUx-1, 및 EUx) 중 y번째의 발광 유닛의 전하 수송 영역 사이의 계면과 ii) 상기 x개의 발광 유닛들 중 y번째의 발광 유닛의 발광층과 상기 x개의 발광 유닛들 중 y번째의 발광 유닛의 전하 수송 영역 사이의 계면 간의 거리이고,
Ly는 상기 x개의 발광 유닛들(EU1,…, EUx-1, 및 EUx) 중 y번째의 발광 유닛의 발광층으로부터 방출된 광의 y차 공진 거리이고,
ay는 0nm 내지 50nm 범위의 실수이다. 상기 ay에 대한 설명은 도 1 중 a1에 대한 설명을 참조한다.
예를 들어, 도 2의 발광 소자(20) 중, i) 제1전극(AN)의 투명막(AT)과 x-1번째의 발광 유닛(EUx-1)의 전하 수송 영역(CTx-1) 사이의 계면과 ii) x-1번째의 발광 유닛(EUx-1)의 발광층(EMx-1)과 x-1번째의 발광 유닛(EUx-1)의 전하 수송 영역(CTx-1) 사이의 계면 간의 거리D(x-1)(x-1)는, x-1번째의 발광 유닛(EUx-1)의 발광층(EMx-1)으로부터 방출된 광의 x-1차 공진 거리 ㅁ a1일 수 있다.
또한, 상기 발광 소자(20)는 하기 <식 y+1>을 만족할 수 있다:
<식 y+1>
Ly+1 - ay+1 ≤ Dy+1 ≤ Ly+1 + ay+1
상기 식 y+1 중,
Dy+1은 a) 상기 제1전극(AN)의 반사막(AR)과 상기 제1전극(AN)의 투명막(AT) 사이의 계면과 b) 상기 x개의 발광 유닛들 중 y번째의 발광 유닛의 발광층과 상기 x개의 발광 유닛들 중 y번째의 발광 유닛의 전하 수송 영역 사이의 계면 간의 거리이고,
Ly+1은 상기 x개의 발광 유닛들 중 y번째의 발광 유닛의 발광층으로부터 방출된 광의 y+1차 공진 거리이고,
ay+1은 0nm 내지 50nm 범위의 실수이다. 상기 ay+1에 대한 설명은 도 1 중 a1에 대한 설명을 참조한다.
예를 들어, 도 2의 발광 소자(20) 중, a) 제1전극(AN)의 반사막(AR)과 상기 제1전극(AN)의 투명막(AT) 사이의 계면과 ii) x-1번째의 발광 유닛(EUx-1)의 발광층(EMx-1)과 x-1번째의 발광 유닛(EUx-1)의 전하 수송 영역(CTx-1) 사이의 계면 간의 거리D(x-1)x는, x-1번째의 발광 유닛(EUx-1)의 발광층(EMx-1)으로부터 방출된 광의 x차 공진 거리 ㅁ a1일 수 있다.
여기서, 상기 y는 1 내지 x 범위의 정수 중에서 선택된 변수일 수 있다.
일 구현예에 따르면, 상기 발광 소자(20)의 x개의 발광 유닛들(EU1,…, EUx-1, 및 EUx) 중 적어도 하나는 청색광을 방출할 수 있다.
예를 들어, 상기 발광 소자(20) 중 첫번째 발광 유닛(EU1)은 청색광을 방출할 수 있다.
상기 도 1의 발광 소자(10)에 대한 설명 중, 전자 수송 영역, 공진 거리 제어에 따른 효과, <식 1A>, <식 1B>, <식 3> 및 <식 4>에 대한 설명은 각각 도 2의 발광 소자(20)의 x개의 발광 유닛들(EU1,…, EUx-1, 및 EUx)에 적용될 수 있다.
도 3에 대한 설명
도 3의 발광 소자(30)는 도 2의 발광 소자(20)와 같이 텐덤 구조를 갖되, x가 2인 발광 소자이다.
도 3의 발광 소자(30)는,
제1전극(AN);
상기 제1전극(AN)에 대향된 제2전극(CA);
상기 제1전극(AN)과 상기 제2전극(CA) 사이에 배치된 제1발광 유닛(EU1);
상기 제1발광 유닛(EU1)과 상기 제2전극(CA) 사이에 배치된 제2발광 유닛(EU2); 및
상기 제1발광 유닛(EU1)과 상기 제2발광 유닛(EU2) 사이에 배치되고, n형 전하 생성층 및 p형 전하 생성층을 포함한, 전하 생성층(CG1);
을 포함한다.
상기 제1발광 유닛(EU1)은 상기 제1전극(AN)으로부터 차례로 배치된 제1전하 수송 영역(CT1) 및 제1발광층(EM1)을 포함할 수 있고, 상기 제2발광 유닛(EU2)은 상기 제1전극(AN)으로부터 차례로 배치된 제2전하 수송 영역(CT2) 및 제2발광층(EM2)을 포함할 수 있다. 상기 발광 소자(30)의 제1전하 수송 영역(CT1) 및 제2전하 수송 영역(CT2)에 대한 설명은 각각 도 1의 발광 소자(10)의 전하 수송 영역(CT)에 대한 설명을 참조하고, 제1발광층(EM1) 및 제2발광층(EM2)에 대한 설명은 각각 도 1의 발광 소자(10)의 발광층(EM)에 대한 설명을 참조한다.
상기 제1발광 유닛(EU1) 및 제2발광 유닛(EU2)으로부터 방출된 광은 상기 제2전극(CA)을 통과하여 발광 소자(30)의 외부로 취출될 수 있다.
상기 제1전극(AN)은 반사형 전극이고, 상기 제1전극(AN)은 투명막(AT) 및 반사막(AR)을 포함할 수 있다. 상기 발광 소자(20)의 제1전극(AN) 및 제2전극(CA)에 대한 설명은 각각 도 1의 발광 소자(10)의 제1전극(AN) 및 제2전극(CA)에 대한 설명을 참조한다.
상기 발광 소자(30)은 하기 <식 11>을 만족할 수 있다:
<식 11>
L11 - a11 ≤ D11 ≤ L11 + a11
상기 식 11 중,
D11은 i) 상기 제1전극(AN)의 투명막(AT)과 상기 제1발광 유닛(EU1)의 제1전하 수송 영역(CT1) 사이의 계면과 ii) 상기 제1발광 유닛(EU1)의 제1발광층(EM1)과 상기 제1발광 유닛(EU1)의 제1전하 수송 영역(CT1) 사이의 계면 간의 거리이고,
L11은 상기 제1발광 유닛(EU1)의 제1발광층(EM1)으로부터 방출된 광의 1차 공진 거리이고,
a11은 0nm 내지 50nm 범위의 실수이다. 상기 a11에 대한 설명은 도 1 중 a1에 대한 설명을 참조한다.
상기 발광 소자(30)가 상기 <식 11>을 만족함으로써, 실질적으로 유기물이 배치되는, i) 상기 제1전극(AN)의 투명막(AT)과 상기 제1발광 유닛(EU1)의 제1전하 수송 영역(CT1) 사이의 계면과 ii) 상기 제1발광 유닛(EU1)의 제1발광층(EM1)과 상기 제1발광 유닛(EU1)의 제1전하 수송 영역(CT1) 사이의 계면 사이의 영역의 두께가 상대적으로 얇게 유지되어 저구동 전압 및 장수명을 가지면서, 동시에, 높은 외부 광취출 효율도 갖는 발광 소자(30)을 구현할 수 있다.
예를 들어, 상기 식 11 중 L11은 하기 <식 11A>로 표시될 수 있다:
<식 11A>
L11 = {[(m11 - 1) + 0.5] x λ} / 2r11
상기 식 11A 중,
λ는 상기 제1발광 유닛(EU1)의 제1발광층(EM1)으로부터 방출된 광의 최대 발광 파장이고,
r11은 상기 제1전극(AN)의 투명막(AT)과 상기 제1발광 유닛(EU1)의 제1발광층(EM1) 사이에 배치된 영역의 유효 굴절률이고,
m11은 1이다.
또한, 상기 발광 소자(30)는, 하기 식 <12>를 만족할 수 있다:
<식 12>
L12 - a12 ≤ D12 ≤ L12 + a12
상기 식 12 중,
D12는 a) 상기 제1전극(AN)의 반사막(AR)과 상기 제1전극(AN)의 투명막(AT) 사이의 계면과 b) 상기 제1발광 유닛(EU1)의 제1발광층(EM1)과 상기 제1발광 유닛(EU1)의 제1전하 수송 영역(CT1) 사이의 계면 간의 거리이고,
L12는 상기 제1발광 유닛(EU1)의 제1발광층(EM1)으로부터 방출된 광의 2차 공진 거리이고,
a12는 0nm 내지 50nm 범위의 실수일 수 있다. 상기 a12에 대한 설명은 도 1 중 a1에 대한 설명을 참조한다.
상기 발광 소자(30)가 상기 <식 12>를 만족함으로써, 제1발광 유닛(EU1)의 제1발광층(EM1)과 제1전극(AN)의 반사막(AR)이 서로 적정 거리로 이격되어, SPP (Surface Plasmon Polarizaion) 현상에 의한 ??칭(quenching) 및 웨이브가이드(waveguide)가 유발하는 광(즉, 제1발광 유닛(EU1)의 제1발광층(EM1)으로부터 방출되는 광) 손실이 실질적으로 최소화될 수 있다. 따라서, 상기 발광 소자(30)는 높은 외부 광취출 효율을 달성할 수 있다.
예를 들어, 상기 식 12 중 L12는 하기 <식 12A>로 표시될 수 있다:
<식 12A>
L12 = {[(m12 - 1) + 0.5] x λ} / 2r12
상기 식 12A 중,
λ는 상기 제1발광 유닛(EU1)의 제1발광층(EM1)으로부터 방출된 광의 최대 발광 파장이고,
r12는 상기 제1전극(AN)의 반사막(AR)과 상기 제1발광 유닛(EU1)의 제1발광층(EM1) 사이에 배치된 영역의 유효 굴절률이고,
m12는 2이다.
또한, 상기 발광 소자(30)는 하기 <식 22>를 만족할 수 있다:
<식 22>
L22 - a22 ≤ D22 ≤ L22 + a22
상기 식 22 중,
D22는 iii) 상기 제1전극(AN)의 투명막(AT)과 상기 제2발광 유닛(EU2)의 제2전하 수송 영역(CT2) 사이의 계면과 ii) 상기 제2발광 유닛(EU2)의 제2발광층(EM2)과 상기 제2발광 유닛(EU2)의 제2전하 수송 영역(CT2) 사이의 계면 간의 거리이고,
L22는 상기 제2발광 유닛(EU2)의 제2발광층(EM2)으로부터 방출된 광의 2차 공진 거리이고,
a22는 0nm 내지 50nm 범위의 실수일 수 있다. 상기 a22에 대한 설명은 도 1 중 a1에 대한 설명을 참조한다.
상기 발광 소자(30)가 상기 <식 22>를 만족함으로써, 실질적으로 유기물이 배치되는, iii) 상기 제1전극(AN)의 투명막(AT)과 상기 제2발광 유닛(EU2)의 제2전하 수송 영역(CT2) 사이의 계면과 ii) 상기 제2발광 유닛(EU2)의 제2발광층(EM2)과 상기 제2발광 유닛(EU2)의 제2전하 수송 영역(CT2) 사이의 계면 사이의 영역의 두께가 상대적으로 얇게 유지되어 저구동 전압 및 장수명을 가지면서, 동시에, 높은 외부 광취출 효율도 갖는 발광 소자(30)을 구현할 수 있다.
예를 들어, 상기 식 22 중 L22는 하기 <식 22A>로 표시될 수 있다:
<식 22A>
L22 = {[(m22 - 1) + 0.5] x λ} / 2r22
상기 식 22A 중,
λ는 상기 제2발광 유닛(EU2)의 제2발광층(EM2)으로부터 방출된 광의 최대 발광 파장이고,
r22는 상기 제1전극(AN)의 투명막(AT)과 상기 제2발광 유닛(EU2)의 제2발광층(EM2) 사이에 배치된 영역의 유효 굴절률이고,
m22은 2이다.
나아가, 상기 발광 소자(30)는 하기 <식 23>을 만족할 수 있다:
<식 23>
L23 - a23 ≤ D23 ≤ L23 + a23
상기 식 23 중,
D23은 c) 상기 제1전극(AN)의 반사막(AR)과 상기 제1전극(AN)의 투명막(AT) 사이의 계면과 b) 상기 제2발광 유닛(EU2)의 제2발광층(EM2)과 상기 제2발광 유닛(EU2)의 제2전하 수송 영역(CT2) 사이의 계면 간의 거리이고,
L23은 상기 제2발광 유닛(EU2)의 제2발광층(EM2)으로부터 방출된 광의 3차 공진 거리이고,
a23은 0nm 내지 50nm 범위의 실수이다. 상기 a23에 대한 설명은 도 1 중 a1에 대한 설명을 참조한다.
상기 발광 소자(30)가 상기 <식 23>을 만족함으로써, 제2발광 유닛(EU2)의 제2발광층(EM2)과 제1전극(AN)의 반사막(AR)이 서로 적정 거리로 이격되어, SPP (Surface Plasmon Polarizaion) 현상에 의한 ??칭(quenching) 및 웨이브가이드(waveguide)가 유발하는 광(즉, 제2발광 유닛(EU2)의 제2발광층(EM2)으로부터 방출되는 광) 손실이 실질적으로 최소화될 수 있다. 따라서, 상기 발광 소자(30)는 높은 외부 광취출 효율을 달성할 수 있다.
예를 들어, 상기 식 23 중 L23은 하기 <식 23A>로 표시될 수 있다:
<식 23A>
L23 = {[(m23 - 1) + 0.5] x λ} / 2r23
상기 식 23A 중,
λ는 상기 제2발광 유닛(EU2)의 제2발광층(EM2)으로부터 방출된 광의 최대 발광 파장이고,
r23은 상기 제1전극(AN)의 반사막(AR)과 상기 제2발광 유닛(EU2)의 제2발광층(EM2) 사이에 배치된 영역의 유효 굴절률이고,
m23은 3이다.
일 구현예에 따르면, 상기 발광 소자(30)의 제1발광 유닛(EU1) 및 제2발광 유닛(EU2) 중 적어도 하나는 청색광을 방출할 수 있다.
예를 들어, 상기 발광 소자(30) 중 제1발광 유닛(EU1)은 청색광을 방출할 수 있다.
상기 도 1의 발광 소자(10)에 대한 설명 중, 전자 수송 영역 등에 대한 설명은 상기 발광 소자(30)의 제1발광 유닛(EU1) 및 제2발광 유닛(EU2) 각각에 적용될 수 있다.
또 다른 측면에 따르면, 상술한 바와 같은 발광 소자를 포함한 전자 장치가 제공된다. 상기 전자 장치는 박막 트랜지스터를 더 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 전자 장치는 소스 전극 및 드레인 전극을 포함한 박막 트랜지스터를 더 포함하고, 상기 발광 소자의 제1전극은 상기 소스 전극 또는 드레인 전극과 전기적으로 연결될 수 있다. 한편, 상기 전자 장치는, 컬러 필터, 색변환층, 터치스크린층, 편광층, 또는 이의 임의의 조합을 더 포함할 수 있다. 상기 전자 장치에 대한 보다 상세한 설명은 본 명세서에 기재된 바를 참조한다.
전자 장치
상기 발광 소자(10, 20, 30)는 각종 전자 장치에 포함될 수 있다. 예를 들어, 상기 발광 소자(10, 20, 30)를 포함한 전자 장치는, 발광 장치, 인증 장치 등일 수 있다.
상기 전자 장치(예를 들면, 발광 장치)는, 상기 발광 소자(10, 20, 30) 외에, i) 컬러 필터, ii) 색변환층, 또는 iii) 컬러 필터 및 색변환층을 더 포함할 수 있다. 상기 컬러 필터 및/또는 색변환층은 발광 소자(10, 20, 30)로부터 방출되는 광의 적어도 하나의 진행 방향 상에 배치될 수 있다. 예를 들어, 상기 발광 소자(10, 20, 30)로부터 방출되는 광은 청색광 또는 백색광일 수 있다. 상기 발광 소자(10, 20, 30)에 대한 설명은 상술한 바를 참조한다. 일 구현예에 따르면, 상기 색변환층은 양자점을 포함할 수 있다. 다른 구현예에 따르면, 탠덤형 발광 소자인 도 2 및 3에 도시된 발광 소자(20, 30)를 포함한 전자 장치는 색변환층을 더 포함하고, 상기 색변환층은 양자점을 포함할 수 있다.
상기 전자 장치는 제1기판을 포함할 수 있다. 상기 제1기판은 복수의 부화소 영역을 포함하고, 상기 컬러 필터는 상기 복수의 부화소 영역 각각 대응하는 복수의 컬러 필터 영역을 포함하고, 상기 색변환층은 상기 복수의 부화소 영역 각각 대응하는 복수의 색변환 영역을 포함할 수 있다.
상기 복수의 부화소 영역 사이에 화소 정의막이 배치되어 각각의 부화소 영역이 정의된다.
상기 컬러 필터는 복수의 컬러 필터 영역 및 복수의 컬러 필터 영역 사이에 배치된 차광 패턴을 더 포함할 수 있고, 상기 색변환층은 복수의 색변환 영역 및 복수의 색변환 영역 사이에 배치된 차광 패턴을 더 포함할 수 있다.
상기 복수의 컬러 필터 영역(또는, 복수의 색변환 영역)은, 제1색광을 방출하는 제1영역; 제2색광을 방출하는 제2영역; 및/또는 제3색광을 방출하는 제3영역을 포함하고, 상기 제1색광, 상기 제2색광 및/또는 상기 제3색광은 서로 상이한 최대 발광 파장을 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 제1색광은 적색광이고, 상기 제2색광은 녹색광이고, 상기 제3색광은 청색광일 수 있다. 예를 들어, 상기 복수의 컬러 필터 영역(또는, 복수의 색변환 영역)은 양자점을 포함할 수 있다. 구체적으로, 상기 제1영역은 적색 양자점을 포함하고, 상기 제2영역은 녹색 양자점을 포함하고, 상기 제3영역은 양자점을 포함하지 않을 수 있다. 양자점에 대한 설명은 본 명세서에 기재된 바를 참조한다. 상기 제1영역, 상기 제2영역 및/또는 상기 제3영역은 각각 산란체를 더 포함할 수 있다.
예를 들어, 상기 발광 소자(10, 20, 30)는 제1광을 방출하고, 상기 제1영역은 상기 제1광을 흡수하여, 제1-1색광을 방출하고, 상기 제2영역은 상기 제1광을 흡수하여, 제2-1색광을 방출하고, 상기 제3영역은 상기 제1광을 흡수하여, 제3-1색광을 방출할 수 있다. 이 때, 상기 제1-1색광, 상기 제2-1색광 및 상기 제3-1색광은 서로 상이한 최대 발광 파장을 가질 수 있다. 구체적으로, 상기 제1광은 청색광일 수 있고, 상기 제1-1색광은 적색광일 수 있고, 상기 제2-1색광은 녹색광일 수 있고, 상기 제3-1색광은 청색광일 수 있다.
상기 전자 장치는, 상술한 바와 같은 발광 소자(10, 20, 30) 외에 박막 트랜지스터를 더 포함할 수 있다. 상기 박막 트랜지스터는 소스 전극, 드레인 전극 및 활성층을 포함할 수 있고, 상기 소스 전극 및 드레인 전극 중 어느 하나와 상기 발광 소자(10, 20, 30)의 제1전극 및 제2전극 중 어느 하나는 전기적으로 연결될 수 있다.
상기 박막 트랜지스터는 게이트 전극, 게이트 절연막 등을 더 포함할 수 있다.
상기 활성층은 결정질 실리콘, 비정질 실리콘, 유기 반도체, 산화물 반도체 등을 포함할 수 있다.
상기 전자 장치는 발광 소자(10, 20, 30)를 밀봉하는 밀봉부를 더 포함할 수 있다. 상기 밀봉부는 상기 컬러 필터 및/또는 색변환층과 상기 발광 소자(10, 20, 30) 사이에 배치될 수 있다. 상기 밀봉부는 상기 발광 소자(10, 20, 30)로부터의 광이 외부로 취출될 수 있도록 하면서, 동시에 상기 발광 소자(10, 20, 30)로 외기 및 수분이 침투하는 것을 차단한다. 상기 밀봉부는 투명한 유리 기판 또는 플라스틱 기판을 포함하는 밀봉 기판일 수 있다. 상기 밀봉부는 유기층 및/또는 무기층을 1층 이상 포함하는 박막 봉지층일 수 있다. 상기 밀봉부가 박막 봉지층일 경우, 상기 전자 장치는 플렉시블할 수 있다.
상기 밀봉부 상에는, 상기 컬러 필터 및/또는 색변환층 외에, 상기 전자 장치의 용도에 따라 다양한 기능층이 추가로 배치될 수 있다. 상기 기능층의 예는, 터치스크린층, 편광층, 등을 포함할 수 있다. 상기 터치스크린층은, 감압식 터치스크린층, 정전식 터치스크린층 또는 적외선식 터치스크린층일 수 있다. 상기 인증 장치는, 예를 들면, 생체(예를 들어, 손가락 끝, 눈동자 등)의 생체 정보를 이용하여 개인을 인증하는 생체 인증 장치일 수 있다.
상기 인증 장치는 상술한 바와 같은 발광 소자(10, 20, 30) 외에 생체 정보 수집 수단을 더 포함할 수 있다.
상기 전자 장치는 각종 디스플레이, 광원, 조명, 퍼스널 컴퓨터(예를 들면, 모바일형 퍼스널 컴퓨터), 휴대 전화, 디지털 사진기, 전자 수첩, 전자 사전, 전자 게임기, 의료 기기(예를 들면, 전자 체온계, 혈압계, 혈당계, 맥박 계측 장치, 맥파 계측 장치, 심전표시 장치, 초음파 진단 장치, 내시경용 표시 장치), 어군 탐지기, 각종 측정 기기, 계기류(예를 들면, 차량, 항공기, 선박의 계기류), 프로젝터 등으로 응용될 수 있다.
표에 대한 설명
하기 표 1의 구조를 갖는 OLED B, OLED B-1 및 OLED B-2를 각각 제작하였다.
OLED B
(실시예)		 OLED B-1
(비교예)		 OLED B-2
(비교예)
제2전극
(캐소드 / AgMg막)		 10nm 10nm 10nm
전자 수송 영역 35nm 35nm 35nm
발광층
(최대 발광 파장이 450nm인 청색광을 방출함)		 20nm 20nm 20nm
정공 수송 영역
(유효 굴절률은 1.8임)		 56nm 136nm 6nm
제1전극
(애노드)		 ITO막
(투명막)		 100nm 10nm 140nm
Ag막
(반사막)		 100nm 100nm 100nm
L1 = 62.50nm
L2 = 168.75nm1
OLED B
(실시예)		 OLED B-1
(비교예)		 OLED B-2
(비교예)
<식 1> 만족 여부 O X X
<식 2> 만족 여부 O O O
1 : 정공 수송 영역과 ITO막을 합한 영역의 유효 굴절률은 2.0임
상기 표 1 및 2로부터, OLED B는 본 명세서에 기재된 <식 1> 및 <식 2>를 모두 만족하나, OLED B-1 및 B-2는 본 명세서에 기재된 <식 1> 및 <식 2> 중 적어도 하나를 만족하지 못함을 확인할 수 있다.
상기 OLED B, OLED B-1 및 OLED B-2 각각의 1000cd/m2에서의 구동 전압(V), 발광 효율(cd/A) 및 수명(T90)을 각각 Keithley MU 236 및 휘도계 PR650을 이용하여 측정하여, 그 결과를 표 3에 나타내었다. 수명(T90)은 초기 휘도 대비 90%의 휘도가 되는데 걸리는 시간(Hr)을 측정하여 평가하였다. 표 3 중 발광 효율 및 수명 각각은 상대값이다.
구동 전압
(V)		 발광 효율
(상대값, %)		 수명(T90)
(상대값, %)
OLED B (실시예) 3.0 140 120
OLED B-1 (비교예) 3.8 100 100
OLED B-2 (비교예) 3.1 95 70
상기 표 3으로부터, OLED B는 OLED B-1 및 OLED B-2에 비하여, 저구동 전압, 고발광 효율 및 장수명을 가짐을 확인할 수 있다.
이어서, 하기 표 4의 구조를 갖는 OLED G, OLED G-1 및 OLED G-2를 각각 제작하였다.
OLED G
(실시예)		 OLED G-1
(비교예)		 OLED G-2
(비교예)
제2전극
(캐소드 / AgMg막)		 10nm 10nm 10nm
전자 수송 영역 35nm 35nm 35nm
발광층
(최대 발광 파장이 525nm인 녹색광을 방출함)		 30nm 30nm 30nm
정공 수송 영역
(유효 굴절률은 1.8임)		 66nm 156nm 16nm
제1전극
(애노드)		 ITO막
(투명막)		 100nm 10nm 150nm
Ag막
(반사막)		 100nm 100nm 100nm
L1 = 72.92nm
L2 = 196.875nm2
OLED G
(실시예)		 OLED G-1
(비교예)		 OLED G-2
(비교예)
<식 1> 만족 여부 O X X
<식 2> 만족 여부 O O O
2 : 정공 수송 영역과 ITO막을 합한 영역의 유효 굴절률은 2.0임
상기 표 4 및 5로부터, OLED G는 본 명세서에 기재된 <식 1> 및 <식 2>를 모두 만족하나, OLED G-1 및 G-2는 본 명세서에 기재된 <식 1> 및 <식 2> 중 하나 이상을 만족하지 못함을 확인할 수 있다.
상기 OLED G, OLED G-1 및 OLED G-2 각각의 7000cd/m2에서의 구동 전압(V), 발광 효율(cd/A) 및 수명(T90)을 각각 Keithley MU 236 및 휘도계 PR650을 이용하여 측정하여, 그 결과를 표 6에 나타내었다. 수명(T90)은 초기 휘도 대비 90%의 휘도가 되는데 걸리는 시간(Hr)을 측정하여 평가하였다. 표 6 중 발광 효율 및 수명은 각각 상대값이다.
구동 전압
(V)		 발광 효율
(상대값, %)		 수명
(상대값, %)
OLED G (실시예) 3.3 130 115
OLED G-1 (비교예) 4.0 100 100
OLED G-2 (비교예) 3.2 80 80
상기 표 6으로부터, OLED G는 OLED G-1 및 OLED G-2에 비하여, 저구동 전압, 고발광 효율 및 장수명을 가짐을 확인할 수 있다.
다음으로, 하기 표 7의 구조를 갖는 OLED R, OLED R-1 및 OLED R-2를 각각 제작하였다.
OLED R
(실시예)		 OLED R-1
(비교예)		 OLED R-2
(비교예)
제2전극
(캐소드 / AgMg막)		 10nm 10nm 10nm
전자 수송 영역 35nm 35nm 35nm
발광층
(최대 발광 파장이 620nm인 적색광을 방출함)		 40nm 40nm 40nm
정공 수송 영역
(유효 굴절률은 1.8임)		 83nm 173nm 33nm
제1전극
(애노드)		 ITO막
(투명막)		 100nm 10nm 150nm
Ag막
(반사막)		 100nm 100nm 100nm
L1 = 86.11nm
L2 = 232.5nm3
OLED R
(실시예)		 OLED R-1
(비교예)		 OLED R-2
(비교예)
<식 1> 만족 여부 O X X
<식 2> 만족 여부 O O O
3 : 정공 수송 영역과 ITO막을 합한 영역의 유효 굴절률은 2.0임
상기 표 7 및 8로부터, OLED G는 본 명세서에 기재된 <식 1> 및 <식 2>를 모두 만족하나, OLED G-1 및 G-2는 본 명세서에 기재된 <식 1> 및 <식 2> 중 하나 이상을 만족하지 못함을 확인할 수 있다.
상기 OLED R, OLED R-1 및 OLED R-2 각각의 3500cd/m2에서의 구동 전압(V), 발광 효율(cd/A) 및 수명(T90)을 각각 Keithley MU 236 및 휘도계 PR650을 이용하여 측정하여, 그 결과를 표 9에 나타내었다. 수명(T90)은 초기 휘도 대비 90%의 휘도가 되는데 걸리는 시간(Hr)을 측정하여 평가하였다. 표 9 중 발광 효율 및 수명은 각각 상대값이다.
구동 전압
(V)		 발광 효율
(상대값, %)		 수명
(상대값, %)
OLED R (실시예) 3.4 130 110
OLED R-1 (비교예) 4.1 100 100
OLED R-2 (비교예) 3.2 90 80
상기 표 9로부터, OLED R는 OLED R-1 및 OLED R-2에 비하여, 저구동 전압, 고발광 효율 및 장수명을 가짐을 확인할 수 있다.
10 : 유기 발광 소자
AN : 제1전극
AR : 제1전극(AN)의 반사막
AT: 제1전극(AN)의 투명막
CT : 전하 수송 영역
EM : 발광층
CA : 제2전극

Claims (20)

  1. 제1전극;
    상기 제1전극에 대향된 제2전극;
    상기 제1전극과 상기 제2전극 사이에 배치된 발광층; 및
    상기 발광층과 상기 제1전극 사이에 배치된 전하 수송 영역(charge transport region);
    을 포함하고,
    상기 발광층으로부터 방출된 광은 상기 제2전극을 통과하여 외부로 취출되고,
    상기 제1전극은 반사형 전극이고,
    상기 제1전극은 투명막 및 반사막을 포함하고,
    하기 <식 1> 및 <식 2>를 만족한, 발광 소자:
    <식 1>
    L1 - a1 ≤ D1 ≤ L1 + a1
    상기 식 1 중,
    D1은 i) 상기 제1전극의 투명막과 상기 전하 수송 영역 사이의 계면과 ii) 상기 발광층과 상기 전하 수송 영역 사이의 계면 간의 거리이고,
    L1은 상기 발광층으로부터 방출된 광의 1차 공진 거리이고,
    a1은 0nm 내지 50nm 범위의 실수이고,
    <식 2>
    L2 - a2 ≤ D2 ≤ L2 + a2
    상기 식 2 중,
    D2는 a) 상기 제1전극의 반사막과 상기 제1전극의 투명막 사이의 계면과 b) 상기 발광층과 상기 전하 수송 영역 사이의 계면 간의 거리이고,
    L2는 상기 발광층으로부터 방출된 광의 2차 공진 거리이고,
    a2는 0nm 내지 50nm 범위의 실수이다.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 발광층으로부터 방출된 광이 440nm 내지 480nm 범위의 최대 발광 파장을 갖는 청색광, 510nm 내지 550nm 범위의 최대 발광 파장을 갖는 녹색광 또는 610nm 내지 640nm 범위의 최대 발광 파장을 갖는 적색광인, 발광 소자.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 식 1 중 L1이 하기 <식 1A>로 표시된, 발광 소자:
    <식 1A>
    L1 = {[(m1 - 1) + 0.5] x λ} / 2r1
    상기 식 1A 중,
    λ는 상기 발광층으로부터 방출된 광의 최대 발광 파장이고,
    r1은 상기 제1전극의 투명막과 상기 발광층 사이에 배치된 영역의 유효 굴절률이고,
    m1은 1이다.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 r1이 1.5 내지 2.1인, 발광 소자.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 식 2 중 L2가 하기 <식 2A>로 표시된, 발광 소자:
    <식 2A>
    L2 = {[(m2 - 1) + 0.5] x λ} / 2r2
    상기 식 2A 중,
    λ는 상기 발광층으로부터 방출된 광의 최대 발광 파장이고,
    r2는 상기 제1전극의 반사막과 상기 발광층 사이에 배치된 영역의 유효 굴절률이고,
    m2는 2이다.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 r2가 1.6 내지 2.5인, 발광 소자.
  7. 제1항에 있어서,
    하기 <식 3>을 만족한, 발광 소자:
    <식 3>
    n1 ≥ n2
    상기 식 3 중,
    n1은 상기 제1전극의 투명막의 굴절률이고,
    n2는 상기 전하 수송 영역에 포함된 층 중 상기 제1전극의 투명막에 직접(directly) 접촉된 층의 굴절률이다.
  8. 제1항에 있어서,
    하기 <식 4>를 만족한, 발광 소자:
    <식 4>
    n1 - n2 ≥ 0.1
    상기 식 4 중,
    n1은 상기 제1전극의 투명막의 굴절률이고,
    n2는 상기 전하 수송 영역에 포함된 층 중 상기 제1전극의 투명막에 직접(directly) 접촉된 층의 굴절률이다.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 발광층으로부터 방출된 광이 청색광이고,
    상기 <식 1>의 D1이 10nm 내지 60nm인, 발광 소자.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 발광층으로부터 방출된 광이 청색광이고,
    상기 <식 2>의 D2가 50nm 내지 180nm인, 발광 소자.
  11. 제1항에 있어서,
    상기 발광층으로부터 방출된 광이 녹색광이고,
    상기 <식 1>의 D1이 40nm 내지 95nm인, 발광 소자.
  12. 제1항에 있어서,
    상기 발광층으로부터 방출된 광이 녹색광이고,
    상기 <식 2>의 D2가 80nm 내지 215nm인, 발광 소자.
  13. 제1항에 있어서,
    상기 발광층으로부터 방출된 광이 적색광이고,
    상기 <식 1>의 D1이 60nm 내지 145nm인, 발광 소자.
  14. 제1항에 있어서,
    상기 발광층으로부터 방출된 광이 적색광이고,
    상기 <식 2>의 D2가 130nm 내지 225nm인, 발광 소자.
  15. 제1항에 있어서,
    상기 제1전극이 전도성막인, 발광 소자.
  16. 제1항에 있어서,
    상기 제1전극의 투명막이 금속 산화물막이고,
    상기 제1전극의 반사막이 금속막인, 발광 소자.
  17. 제1전극;
    상기 제1전극에 대향된 제2전극;
    상기 제1전극과 상기 제2전극 사이에 적층된 x개의 발광 유닛들; 및
    상기 x개의 발광 유닛들 중 서로 인접한 2개의 발광 유닛들 사이에 배치되고, n형 전하 생성층 및 p형 전하 생성층을 포함한, x-1개의 전하 생성층;
    을 포함하고,
    상기 x는 2 이상의 정수이고,
    상기 각각의 발광 유닛은 상기 제1전극으로부터 차례로 배치된 전하 수송 영역 및 발광층을 각각 포함하고,
    상기 발광 유닛들로부터 방출된 광은 상기 제2전극을 통과하여 외부로 취출되고,
    상기 제1전극은 반사형 전극이고,
    상기 제1전극은 투명막 및 반사막을 포함하고,
    하기 <식 y> 및 <식 y+1>을 만족한, 발광 소자:
    <식 y>
    Ly - ay ≤ Dy ≤ Ly + ay
    상기 식 y 중,
    Dy는 i) 상기 제1전극의 투명막과 상기 x개의 발광 유닛들 중 y번째의 발광 유닛의 전하 수송 영역 사이의 계면과 ii) 상기 x개의 발광 유닛들 중 y번째의 발광 유닛의 발광층과 상기 x개의 발광 유닛들 중 y번째의 발광 유닛의 전하 수송 영역 사이의 계면 간의 거리이고,
    Ly는 상기 x개의 발광 유닛들 중 y번째의 발광 유닛의 발광층으로부터 방출된 광의 y차 공진 거리이고,
    ay는 0nm 내지 50nm 범위의 실수이고,
    <식 y+1>
    Ly+1 - ay+1 ≤ Dy+1 ≤ Ly+1 + ay+1
    상기 식 y+1 중,
    Dy+1은 a) 상기 제1전극의 반사막과 상기 제1전극의 투명막 사이의 계면과 b) 상기 x개의 발광 유닛들 중 y번째의 발광 유닛의 발광층과 상기 x개의 발광 유닛들 중 y번째의 발광 유닛의 전하 수송 영역 사이의 계면 간의 거리이고,
    Ly+1은 상기 x개의 발광 유닛들 중 y번째의 발광 유닛의 발광층으로부터 방출된 광의 y+1차 공진 거리이고,
    ay+1은 0nm 내지 50nm 범위의 실수이다.
  18. 제17항에 있어서,
    상기 x가 2인, 발광 소자.
  19. 제1전극;
    상기 제1전극에 대향된 제2전극;
    상기 제1전극과 상기 제2전극 사이에 배치된 제1발광 유닛;
    상기 제1발광 유닛과 상기 제2전극 사이에 배치된 제2발광 유닛; 및
    상기 제1발광 유닛과 상기 제2발광 유닛 사이에 배치되고, n형 전하 생성층 및 p형 전하 생성층을 포함한, 전하 생성층;
    을 포함하고,
    상기 제1발광 유닛은 상기 제1전극으로부터 차례로 배치된 제1전하 수송 영역 및 제1발광층을 포함하고,
    상기 제2발광 유닛은 상기 제1전극으로부터 차례로 배치된 제2전하 수송 영역 및 제2발광층을 포함하고,
    상기 제1발광 유닛 및 제2발광 유닛으로부터 방출된 광은 상기 제2전극을 통과하여 외부로 취출되고,
    상기 제1전극은 반사형 전극이고,
    상기 제1전극은 투명막 및 반사막을 포함하고,
    하기 <식 11>, <식 12>, <식 22> 및 <식 23>을 만족한, 발광 소자:
    <식 11>
    L11 - a11 ≤ D11 ≤ L11 + a11
    상기 식 11 중,
    D11은 i) 상기 제1전극의 투명막과 상기 제1발광 유닛의 제1전하 수송 영역 사이의 계면과 ii) 상기 제1발광 유닛의 제1발광층과 상기 제1발광 유닛의 제1전하 수송 영역 사이의 계면 간의 거리이고,
    L11은 상기 제1발광 유닛의 제1발광층으로부터 방출된 광의 1차 공진 거리이고,
    a11은 0nm 내지 50nm 범위의 실수이고,
    <식 12>
    L12 - a12 ≤ D12 ≤ L12 + a12
    상기 식 12 중,
    D12는 a) 상기 제1전극의 반사막과 상기 제1전극의 투명막 사이의 계면과 b) 상기 제1발광 유닛의 제1발광층과 상기 제1발광 유닛의 제1전하 수송 영역 사이의 계면 간의 거리이고,
    L12는 상기 제1발광 유닛의 제1발광층으로부터 방출된 광의 2차 공진 거리이고,
    a12는 0nm 내지 50nm 범위의 실수이고,
    <식 22>
    L22 - a22 ≤ D22 ≤ L22 + a22
    상기 식 22 중,
    D22는 iii) 상기 제1전극의 투명막과 상기 제2발광 유닛의 제2전하 수송 영역 사이의 계면과 ii) 상기 제2발광 유닛의 제2발광층과 상기 제2발광 유닛의 제2전하 수송 영역 사이의 계면 간의 거리이고,
    L22는 상기 제2발광 유닛의 제2발광층으로부터 방출된 광의 2차 공진 거리이고,
    a22는 0nm 내지 50nm 범위의 실수이고,
    <식 23>
    L23 - a23 ≤ D23 ≤ L23 + a23
    상기 식 23 중,
    D23은 c) 상기 제1전극의 반사막과 상기 제1전극의 투명막 사이의 계면과 b) 상기 제2발광 유닛의 제2발광층과 상기 제2발광 유닛의 제2전하 수송 영역 사이의 계면 간의 거리이고,
    L23은 상기 제2발광 유닛의 제2발광층으로부터 방출된 광의 3차 공진 거리이고,
    a23은 0nm 내지 50nm 범위의 실수이다.
  20. 제1항 또는 제19항 중 어느 한 항의 발광 소자를 포함한, 전자 장치.
KR1020200089154A 2020-07-17 2020-07-17 발광 소자 및 이를 포함한 전자 장치 KR20220010689A (ko)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020200089154A KR20220010689A (ko) 2020-07-17 2020-07-17 발광 소자 및 이를 포함한 전자 장치
US17/361,873 US20220020950A1 (en) 2020-07-17 2021-06-29 Light-emitting device and electronic apparatus including same
CN202110788391.8A CN113948651A (zh) 2020-07-17 2021-07-13 发光器件和包括该发光器件的电子设备
EP21185661.2A EP3940807A1 (en) 2020-07-17 2021-07-14 Light emitting device and electronic apparatus including same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020200089154A KR20220010689A (ko) 2020-07-17 2020-07-17 발광 소자 및 이를 포함한 전자 장치

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20220010689A true KR20220010689A (ko) 2022-01-26

Family

ID=76942804

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020200089154A KR20220010689A (ko) 2020-07-17 2020-07-17 발광 소자 및 이를 포함한 전자 장치

Country Status (4)

Country Link
US (1) US20220020950A1 (ko)
EP (1) EP3940807A1 (ko)
KR (1) KR20220010689A (ko)
CN (1) CN113948651A (ko)

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009231274A (ja) * 2008-02-27 2009-10-08 Canon Inc 有機発光素子及び表示装置
WO2010002031A1 (en) * 2008-06-30 2010-01-07 Canon Kabushiki Kaisha Light emitting display apparatus
JP5783780B2 (ja) * 2010-06-03 2015-09-24 キヤノン株式会社 表示装置
KR102309894B1 (ko) * 2017-03-14 2021-10-07 삼성디스플레이 주식회사 발광 소자 및 이를 포함하는 표시 장치
US11917840B2 (en) * 2018-05-18 2024-02-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device with reflective electrode and light-emitting layer
JP2021044479A (ja) * 2019-09-13 2021-03-18 株式会社Ｊｏｌｅｄ 表示パネル及びその製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
US20220020950A1 (en) 2022-01-20
CN113948651A (zh) 2022-01-18
EP3940807A1 (en) 2022-01-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10347858B2 (en) White organic light emitting device
US9099681B2 (en) Display device, display, and electronic unit
US9245931B2 (en) Organic light-emitting diode (OLED) display
CN111261795B (zh) 有机发光二极管和有机发光二极管显示器
KR101458402B1 (ko) 유기전계 발광소자
KR101135539B1 (ko) 유기 발광 표시 장치
KR20150002249A (ko) 유기 발광 소자
KR102105996B1 (ko) 유기발광다이오드 및 이를 이용한 표시장치
KR102399953B1 (ko) 유기발광 표시장치
KR101084247B1 (ko) 유기 발광 표시 장치
KR102146104B1 (ko) 유기전계발광소자 및 이를 이용한 유기전계발광표시장치
KR102414017B1 (ko) 유기 발광 표시 장치
KR101074808B1 (ko) 청색 발광 소자 및 이를 포함하는 유기 발광 디스플레이
SG193601A1 (en) Method and apparatus for solid state lighting window by an at least partially transparent, one-side emitting oled
US10062862B2 (en) Organic light-emitting diode (OLED) display panel, electronic device and manufacturing method
KR102595367B1 (ko) 백색 유기 발광 소자
KR20140010306A (ko) 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법
US10910443B2 (en) Organic electroluminescence display device
US20160126485A1 (en) Organic light emitting display device and method of manufacturing the same
JP6612236B2 (ja) 表示装置および電子機器
KR20220010689A (ko) 발광 소자 및 이를 포함한 전자 장치
KR101692305B1 (ko) 유기전계발광소자
KR102113609B1 (ko) 유기 발광 표시 장치 및 그의 제조 방법
KR101891720B1 (ko) 유기발광표시장치 및 그 제조 방법
KR102366420B1 (ko) 유기발광다이오드 및 이를 포함하는 유기발광 표시장치