KR20220008568A - Dicing die bonding film - Google Patents

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Abstract

The present invention relates to a dicing film capable of more easily picking up a diced wafer or a dicing die-bonding film including the same. The present invention can stably dice a filter wafer.

Description

다이싱 다이본딩 필름{DICING DIE BONDING FILM}Dicing die bonding film {DICING DIE BONDING FILM}

본 발명은 다이싱 다이본딩 필름에 관한 것이다.The present invention relates to a dicing die-bonding film.

일반적으로 반도체 칩의 제조 공정은 웨이퍼에 미세한 패턴을 형성하는 공정 및 최종 장치의 규격에 맞도록 웨이퍼를 연마하여 패키징(packaging)하는 공정을 포함한다.In general, a manufacturing process of a semiconductor chip includes a process of forming a fine pattern on a wafer and a process of packaging the wafer by polishing it to meet the specifications of a final device.

패키징 공정은 반도체 칩의 불량을 검사하는 웨이퍼 검사 공정; 웨이퍼를 절단하여 낱개의 칩으로 분리하는 다이싱 공정; 분리된 칩을 회로 필름(circuit film) 또는 리드 프레임의 탑재판에 부착시키는 다이본딩 공정; 반도체 칩 상에 구비된 칩 패드와 회로 필름 또는 리드 프레임의 회로 패턴을 와이어와 같은 전기적 접속 수단으로 연결시키는 와이어 본딩 공정; 반도체 칩의 내부 회로와 그 외의 부품을 보호하기 위해 봉지재로 외부를 감싸는 몰딩 공정; 리드와 리드를 연결하고 있는 댐바를 절단하는 트림 공정; 리드를 원하는 형태로 구부리는 포밍 공정; 및 완성된 패키지의 불량을 검사하는 완성품 검사공정 등을 포함한다.The packaging process includes: a wafer inspection process for inspecting defects of a semiconductor chip; a dicing process of cutting the wafer and separating it into individual chips; a die bonding process of attaching the separated chip to a mounting plate of a circuit film or lead frame; a wire bonding process of connecting a chip pad provided on a semiconductor chip and a circuit pattern of a circuit film or a lead frame with an electrical connection means such as a wire; a molding process of encapsulating the outside with an encapsulant to protect the internal circuit and other components of the semiconductor chip; A trim process of cutting the lead and the damp bar connecting the leads; a forming process that bends the lead into a desired shape; and a finished product inspection process for inspecting defects in the finished package.

상기 다이싱 공정을 통해, 복수개의 칩들이 형성된 반도체 웨이퍼로부터 서로 분리된 개별칩들이 제조된다. 광의적으로 다이싱 공정은 반도체 웨이퍼의 후면을 그라인딩(grinding)하고, 칩들 사이의 다이싱 라인을 따라 반도체 웨이퍼를 절단함으로써 서로 분리된 복수개의 개별칩들을 제조하는 공정이다. 구체적으로, 다이싱 다이본딩 필름의 접착층에 웨이퍼를 부착하여 다이싱 공정을 수행한다. 이후 다이싱 공정이 완료되면, 다이싱된 웨이퍼가 부착된 접착층을 다이싱 필름으로부터 박리하는 개별칩 픽업 공정을 수행하였다.Through the dicing process, individual chips separated from each other from the semiconductor wafer on which the plurality of chips are formed are manufactured. Broadly speaking, the dicing process is a process of manufacturing a plurality of individual chips separated from each other by grinding the back surface of a semiconductor wafer and cutting the semiconductor wafer along a dicing line between the chips. Specifically, the dicing process is performed by attaching the wafer to the adhesive layer of the dicing die-bonding film. After the dicing process is completed, an individual chip pickup process of peeling the adhesive layer to which the diced wafer is attached is performed from the dicing film.

최근에는 크기가 작고 두께가 얇은 반도체 칩이 개발되고 있으며, 이에 따라 반도체 칩 사이에 구비되는 접착층의 두께 또한 얇아 지고 있다. 다만, 반도체 칩과 접착층의 두께가 얇아 짐에 따라, 다이싱된 반도체 웨이퍼의 픽업 공정 난이도가 높아지고, 픽업 공정 시에 반도체 웨이퍼가 훼손, 변형되는 등 픽업 품질이 저하되는 문제가 있었다.Recently, a semiconductor chip having a small size and a thin thickness has been developed, and accordingly, the thickness of an adhesive layer provided between the semiconductor chips is also decreasing. However, as the thickness of the semiconductor chip and the adhesive layer becomes thinner, the difficulty of the pick-up process of the diced semiconductor wafer increases, and the pickup quality deteriorates such as damage or deformation of the semiconductor wafer during the pick-up process.

이에, 웨이퍼의 다이싱 공정 후에 픽업 공정을 용이하게 수행할 수 있는 기술이 필요한 실정이다.Accordingly, there is a need for a technology capable of easily performing a pickup process after a wafer dicing process.

본 발명은 다이싱이 완료된 웨이퍼를 보다 용이하게 픽업할 수 있는 다이싱 다이본딩 필름을 제공하는 것이다.An object of the present invention is to provide a dicing die-bonding film capable of more easily picking up a diced wafer.

다만, 본 발명이 해결하고자 하는 과제는 상기 언급한 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 하기의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.However, the problems to be solved by the present invention are not limited to the above-mentioned problems, and other problems not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the following description.

본 발명의 일 실시상태는, 기재필름; 상기 기재필름의 일면 상에 구비되며, 점착 조성물을 포함하는 점착층; 및 상기 점착층의 일면 상에 구비되며, 접착 조성물을 포함하는 접착층;을 포함하고, 상기 접착 조성물은 열경화성 수지, 열가소성 수지, 경화제, 자성물질 및 용제를 포함하고, 상기 접착층의 용융점도는 2,600 Pa·s 초과 3,400 Pa·s 미만인 다이싱 다이본딩 필름을 제공한다.An exemplary embodiment of the present invention, a base film; an adhesive layer provided on one surface of the base film and comprising an adhesive composition; and an adhesive layer provided on one surface of the adhesive layer and including an adhesive composition, wherein the adhesive composition includes a thermosetting resin, a thermoplastic resin, a curing agent, a magnetic material and a solvent, and the melt viscosity of the adhesive layer is 2,600 Pa Provided is a dicing die-bonding film that is greater than ·s and less than 3,400 Pa·s.

본 발명의 일 실시상태에 따른 다이싱 다이본딩 필름을 이용하여 웨이퍼를 안정적으로 다이싱할 수 있고, 다이싱이 완료된 웨이퍼의 픽업 공정을 용이하게 수행할 수 있다.A wafer can be stably diced using the dicing die-bonding film according to an exemplary embodiment of the present invention, and a pick-up process of the diced wafer can be easily performed.

본 발명의 효과는 상술한 효과로 한정되는 것은 아니며, 언급되지 아니한 효과들은 본원 명세서 및 첨부된 도면으로부터 당업자에게 명확히 이해될 수 있을 것이다.Effects of the present invention are not limited to the above-described effects, and effects not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the present specification and accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 일 실시상태에 따른 다이싱 다이본딩 필름을 나타낸 도면이다.
도 2a는 본 발명의 일 실시상태에 따른 다이싱 다이본딩 필름을 이용하여 웨이퍼를 다이싱하는 것을 나타낸 도면이고, 도 2b는 본 발명의 일 실시상태에 따른 다이싱 다이본딩 필름을 이용하여 다이싱된 웨이퍼를 픽업하는 것을 나타낸 도면이다.
1 is a view showing a dicing die-bonding film according to an embodiment of the present invention.
2A is a view showing dicing a wafer using a dicing die bonding film according to an exemplary embodiment of the present invention, and FIG. 2B is a dicing using a dicing die bonding film according to an exemplary embodiment of the present invention. It is a diagram showing the pickup of the old wafer.

본원 명세서 전체에서, 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함"한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있음을 의미한다.Throughout this specification, when a part "includes" a certain element, it means that other elements may be further included, rather than excluding other elements, unless otherwise stated.

본원 명세서 전체에서, 어떤 부재가 다른 부재 "상에" 위치하고 있다고 할 때, 이는 어떤 부재가 다른 부재에 접해 있는 경우뿐 아니라 두 부재 사이에 또 다른 부재가 존재하는 경우도 포함한다.Throughout this specification, when a member is said to be located “on” another member, this includes not only a case in which a member is in contact with another member but also a case in which another member is present between the two members.

본원 명세서 전체에서, 단위 "중량부"는 각 성분간의 중량의 비율을 의미할 수 있다.Throughout this specification, the unit "part by weight" may mean a ratio of weight between each component.

본원 명세서 전체에서, "(메트)아크릴레이트"는 아크릴레이트 및 메타크릴레이트를 통칭하는 의미로 사용된다.Throughout this specification, "(meth)acrylate" is used in the collective sense of acrylate and methacrylate.

이하, 본 명세서에 대하여 더욱 상세하게 설명한다.Hereinafter, the present specification will be described in more detail.

본 발명의 일 실시상태는, 기재필름; 상기 기재필름의 일면 상에 구비되며, 점착 조성물을 포함하는 점착층; 및 상기 점착층의 일면 상에 구비되며, 접착 조성물을 포함하는 접착층;을 포함하고, 상기 접착 조성물은 열경화성 수지, 열가소성 수지, 경화제, 자성물질 및 용제를 포함하고, 상기 접착층의 용융점도는 2,600 Pa·s 초과 3,400 Pa·s 미만인 다이싱 다이본딩 필름을 제공한다.An exemplary embodiment of the present invention, a base film; an adhesive layer provided on one surface of the base film and comprising an adhesive composition; and an adhesive layer provided on one surface of the adhesive layer and including an adhesive composition, wherein the adhesive composition includes a thermosetting resin, a thermoplastic resin, a curing agent, a magnetic material and a solvent, and the melt viscosity of the adhesive layer is 2,600 Pa Provided is a dicing die-bonding film that is greater than ·s and less than 3,400 Pa·s.

본 발명의 일 실시상태에 따른 다이싱 다이본딩 필름을 이용하여 웨이퍼를 안정적으로 다이싱할 수 있고, 다이싱이 완료된 웨이퍼의 픽업 공정을 용이하게 수행할 수 있다.A wafer can be stably diced using the dicing die-bonding film according to an exemplary embodiment of the present invention, and a pick-up process of the diced wafer can be easily performed.

도 1은 본 발명의 일 실시상태에 따른 다이싱 다이본딩 필름을 나타낸 도면이다.1 is a view showing a dicing die-bonding film according to an embodiment of the present invention.

도 1을 참고하면, 본 발명의 일 실시상태에 따른 다이싱 다이본딩 필름(100)은 기재필름(10), 기재필름(10)의 일면에 구비되는 점착층(20), 및 점착층(20)의 일면에 구비되는 접착층(30)을 포함할 수 있다. 접착층(30)은 자성물질(35)을 포함할 수 있다.Referring to FIG. 1 , a dicing die bonding film 100 according to an exemplary embodiment of the present invention includes a base film 10 , an adhesive layer 20 provided on one surface of the base film 10 , and an adhesive layer 20 . ) may include an adhesive layer 30 provided on one surface. The adhesive layer 30 may include a magnetic material 35 .

도 1을 참고하면, 본 발명의 일 실시상태에서 기재필름(10)과 점착층(20)의 크기는 동일하고, 접착층(30)의 크기는 기재필름(10)과 점착층(20)의 크기보다 작을 수 있다. 즉, 점착층(20)의 일부분에 접착층(30)이 구비될 수 있다. 본 발명에서 크기가 동일하다는 것은 크기가 실질적으로 동일한 것뿐만 아니라, 공정 상에서 발생하는 오차를 포함하여 크기에 미소한 차이가 있는 것을 포함하는 의미일 수 있다. 한편, 도 1에 도시된 바와 달리, 기재필름(10), 점착층(20) 및 접착층(30)의 크기는 동일할 수도 있다.Referring to FIG. 1 , in an exemplary embodiment of the present invention, the size of the base film 10 and the adhesive layer 20 is the same, and the size of the adhesive layer 30 is the size of the base film 10 and the adhesive layer 20 . may be smaller than That is, the adhesive layer 30 may be provided on a portion of the adhesive layer 20 . In the present invention, the same size may mean that the size is substantially the same as well as that there is a slight difference in size including an error occurring during a process. Meanwhile, unlike shown in FIG. 1 , the sizes of the base film 10 , the adhesive layer 20 , and the adhesive layer 30 may be the same.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 접착층에 상기 자성물질이 포함됨에 따라, 후술하는 픽업 공정 시에 다이싱된 웨이퍼가 부착된 상기 접착층을 상기 점착층으로부터 용이하게 분리시킬 수 있다. 즉, 상기 자성물질이 포함된 접착층을 포함하는 상기 다이싱 다이본딩 필름을 이용함으로써, 다이싱된 웨이퍼의 픽업 품질 및 픽업 효율을 보다 향상시킬 수 있다.According to an exemplary embodiment of the present invention, since the magnetic material is included in the adhesive layer, the adhesive layer to which a diced wafer is attached can be easily separated from the adhesive layer during a pickup process to be described later. That is, by using the dicing die-bonding film including the adhesive layer including the magnetic material, the pickup quality and pickup efficiency of the diced wafer may be further improved.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 접착층의 용융점도는 2,600 Pa·s 초과 3,400 Pa·s 미만일 수 있다. 구체적으로, 상기 접착층의 용융점도는 2,650 Pa·s 이상 3,380 Pa·s 이하, 2,700 Pa·s 이상 3,350 Pa·s 이하, 2,750 Pa·s 이상 3,300 Pa·s 이하, 2,800 Pa·s 이상 3,300 Pa·s 이하, 2,700 Pa·s 이상 3,200 Pa·s 이하, 2,750 Pa·s 이상 3,150 Pa·s 이하, 2,800 Pa·s 이상 3,100 Pa·s 이하, 3,000 Pa·s 이상 3,350 Pa·s 이하, 3,050 Pa·s 이상 3,300 Pa·s 이하, 또는 3,100 Pa·s 이상 3,300 Pa·s 이하일 수 있다.According to an exemplary embodiment of the present invention, the melt viscosity of the adhesive layer may be greater than 2,600 Pa·s and less than 3,400 Pa·s. Specifically, the melt viscosity of the adhesive layer is 2,650 Pa·s or more and 3,380 Pa·s or less, 2,700 Pa·s or more and 3,350 Pa·s or less, 2,750 Pa·s or more and 3,300 Pa·s or less, 2,800 Pa·s or more 3,300 Pa·s s or less, 2,700 Pa s or more and 3,200 Pa s or less, 2,750 Pa s or more and 3,150 Pa s or less, 2,800 Pa s or more and 3,100 Pa s or less, 3,000 Pa s or more and 3,350 Pa s or less, 3,050 Pa s s or more and 3,300 Pa·s or less, or 3,100 Pa·s or more and 3,300 Pa·s or less.

상기 접착층의 용융점도가 전술한 범위 내인 경우, 후술하는 웨이퍼의 픽업 공정 시에 상기 접착층이 상기 자성물질을 안정적으로 지지할 수 있다. 이를 통해, 다이싱된 웨이퍼의 픽업 공정을 용이하게 수행할 수 있고, 픽업 품질을 보다 개선시킬 수 있다. 또한, 상기 접착층의 용융점도를 전술한 범위 내로 조절함으로써, 웨이퍼에 대한 상기 접착층의 접착력이 저하되는 것을 효과적으로 방지할 수 있다. 또한, 상기 접착층의 용융점도가 전술한 범위 내인 경우, 상기 접착층이 경시변화되는 것을 효과적으로 억제할 수 있다.When the melt viscosity of the adhesive layer is within the aforementioned range, the adhesive layer may stably support the magnetic material during a wafer pickup process to be described later. Through this, the pick-up process of the diced wafer can be easily performed, and pick-up quality can be further improved. In addition, by adjusting the melt viscosity of the adhesive layer within the above-described range, it is possible to effectively prevent the adhesive strength of the adhesive layer to the wafer from being lowered. In addition, when the melt viscosity of the adhesive layer is within the above range, it is possible to effectively suppress the change over time of the adhesive layer.

본 발명에 있어서, "용융점도"는 ARES(advanced rheometric expansion system, TA社)를 이용하여, 5 rad/s의 전단 속도, 온도 범위 25 ℃ 내지 200 ℃, 승온 속도 10 ℃/min에서의 점도값의 변화를 측정하고, 측정된 점도값 중에서 가장 낮은 값을 의미한다.In the present invention, "melt viscosity" is a viscosity value at a shear rate of 5 rad/s, a temperature range of 25 °C to 200 °C, and a temperature increase rate of 10 °C/min using ARES (advanced rheometric expansion system, TA) Measures the change of , and means the lowest value among the measured viscosity values.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 접착층은 상기 접착 조성물을 포함할 수 있다. 구체적으로, 상기 접착층은 접착 조성물의 건조물(또는 열경화물)을 포함할 수 있다. 상기 접착 조성물은 열경화성 수지, 열가소성 수지, 경화제, 자성물질 및 용제를 포함할 수 있다.According to an exemplary embodiment of the present invention, the adhesive layer may include the adhesive composition. Specifically, the adhesive layer may include a dried product (or a thermosetting product) of the adhesive composition. The adhesive composition may include a thermosetting resin, a thermoplastic resin, a curing agent, a magnetic material, and a solvent.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 점착층의 일면 상에 접착층을 형성하는 방법은 특별히 한정되지 않는다. 예를 들어 상기 점착층 상에 상기 접착 조성물을 도포하고 건조하여 접착층을 형성하는 방법, 또는 이형필름 상에 상기 접착 조성물을 도포하고 건조하여 상기 접착층을 형성하고 상기 이형필름을 사용하여 접착층을 점착층에 전사하는 방법 등을 사용할 수 있다.According to an exemplary embodiment of the present invention, a method of forming an adhesive layer on one surface of the adhesive layer is not particularly limited. For example, a method of applying the adhesive composition on the adhesive layer and drying to form an adhesive layer, or applying the adhesive composition on a release film and drying to form the adhesive layer, and using the release film to apply the adhesive layer to the adhesive layer A method of transferring to , etc. can be used.

이때, 접착 조성물을 도포 및 건조하는 방법은 특별히 한정되지 않으며, 예를 들어 상기 접착 조성물 그대로, 또는 적당한 유기 용제에 희석하여 코마 코터, 그라비아 코터, 다이 코터 또는 리버스 코터 등의 공지의 수단으로 도포한 후, 접착 조성물을 건조시키는 방법을 사용할 수 있다. 또한, 상기 과정에서 접착층의 충분한 가교 반응을 진행시키기 위한 에이징(aging) 공정을 추가적으로 수행할 수도 있다.At this time, the method of applying and drying the adhesive composition is not particularly limited, and for example, the adhesive composition as it is or diluted in a suitable organic solvent and applied by a known means such as a comb coater, gravure coater, die coater or reverse coater. Then, a method of drying the adhesive composition may be used. In addition, in the above process, an aging process may be additionally performed for a sufficient crosslinking reaction of the adhesive layer to proceed.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 열경화성 수지는 고상 에폭시계 수지 및 액상 에폭시계 수지 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 에폭시 수지는 경화 공정을 통해 하드한 가교 구조를 형성하여, 탁월한 접착성, 내열성 및 기계적 강도를 나타낼 수 있다. 구체적으로 상기 에폭시 수지는 100 내지 1,000의 평균 에폭시 당량을 가질 수 있다. 상기 에폭시 수지의 에폭시 당량이 전술한 범위 내인 경우, 가교 밀도가 지나치게 높아져서 접착층이 전체적으로 딱딱해지는 것을 억제할 수 있고, 내열성이 저하되는 것을 방지할 수 있다. 상기 평균 에폭시 당량은 상기 에폭시계 수지에 포함되는 각각의 에폭시 수지의 중량 비율 및 에폭시 당량을 바탕으로 구할 수 있다.According to an exemplary embodiment of the present invention, the thermosetting resin may include at least one of a solid epoxy-based resin and a liquid epoxy-based resin. The epoxy resin may form a hard cross-linked structure through a curing process, thereby exhibiting excellent adhesion, heat resistance and mechanical strength. Specifically, the epoxy resin may have an average epoxy equivalent weight of 100 to 1,000. When the epoxy equivalent of the epoxy resin is within the above range, it is possible to suppress that the crosslinking density is excessively high and the adhesive layer becomes hard as a whole, and it is possible to prevent deterioration of heat resistance. The average epoxy equivalent can be obtained based on the weight ratio and the epoxy equivalent of each epoxy resin included in the epoxy resin.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 에폭시 수지로서 당업계에서 사용되는 에폭시 수지를 사용할 수 있다. 구체적으로, 상기 에폭시 수지는, 비스페놀 A 에폭시 수지 또는 비스페놀 F 에폭시 수지 등의 이관능성 에폭시 수지, 크레졸 노볼락 에폭시 수지, 페놀 노볼락 에폭시 수지 등의 노볼락 에폭시 수지, 4관능성 에폭시 수지, 비페닐형 에폭시 수지, 트리페놀메탄형 에폭시 수지, 알킬 변성 트리페놀메탄형 에폭시 수지, 나프탈렌형 에폭시 수지, 디시클로펜타디엔형 에폭시 수지 또는 디시클로펜타디엔 변성 페놀형 에폭시 수지 등의 3개 이상의 관능기를 가지는 다관능성 에폭시 수지 중 적어도 하나를 포함할 수 있으나, 상기 에폭시 수지의 종류를 한정하는 것은 아니다.According to an exemplary embodiment of the present invention, an epoxy resin used in the art may be used as the epoxy resin. Specifically, the epoxy resin is a bifunctional epoxy resin such as bisphenol A epoxy resin or bisphenol F epoxy resin, cresol novolac epoxy resin, novolac epoxy resin such as phenol novolac epoxy resin, tetrafunctional epoxy resin, biphenyl Having three or more functional groups, such as a type epoxy resin, a triphenolmethane type epoxy resin, an alkyl modified triphenolmethane type epoxy resin, a naphthalene type epoxy resin, a dicyclopentadiene type epoxy resin, or a dicyclopentadiene type epoxy resin At least one of polyfunctional epoxy resins may be included, but the type of the epoxy resin is not limited.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 에폭시 수지로서 이관능성 에폭시 수지 및 다관능성 에폭시 수지의 혼합 에폭시 수지를 사용할 수 있다. 본 발명에서 용어 "다관능성 에폭시 수지"는 3개 이상의 관능기를 가지는 에폭시 수지를 의미한다. 즉, 일반적으로 이관능성 에폭시 수지는 유연성 및 고온에서의 흐름성 등은 우수하나, 내열성 및 경화 속도가 떨어지는 반면, 관능기가 3개 이상인 다관능성 에폭시 수지는 경화 속도가 빠르고, 높은 가교 밀도로 인해 탁월한 내열성을 보이나, 유연성 및 흐름성이 떨어진다. 따라서, 상기 두 종류의 수지를 적절히 혼합하여 사용함으로써, 접착층의 탄성률 및 택(tack) 특성을 제어하면서도, 다이싱 공정 시에 칩의 비산이나 버의 발생을 억제할 수 있다.According to an exemplary embodiment of the present invention, a mixed epoxy resin of a bifunctional epoxy resin and a polyfunctional epoxy resin may be used as the epoxy resin. In the present invention, the term "polyfunctional epoxy resin" means an epoxy resin having three or more functional groups. That is, in general, bifunctional epoxy resins have excellent flexibility and flowability at high temperatures, but have poor heat resistance and curing rate, whereas polyfunctional epoxy resins having three or more functional groups have a fast curing rate and excellent crosslinking density due to their high crosslinking density. It shows heat resistance, but has poor flexibility and flowability. Therefore, by appropriately mixing the two types of resins, it is possible to control the elastic modulus and tack characteristics of the adhesive layer, while suppressing chip scattering or burrs during the dicing process.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 열가소성 수지는 폴리이미드계 수지, 폴리에테르 이미드계 수지, 폴리에스테르 이미드계 수지, 폴리아미드계 수지, 폴리에테르 술폰계 수지, 폴리에테르 케톤계 수지, 폴리올레핀계 수지, 폴리염화비닐계 수지, 페녹시계 수지, 부타디엔계 고무, 스티렌-부타디엔계 고무, 변성 부타디엔계 고무, 반응성 부타디엔 아크릴로 니트릴 공중합 고무 및 (메트)아크릴레이트계 수지 중 적어도 하나의 고분자 수지를 포함할 수 있다. 상술한 것으로부터 상기 열가소성 수지를 선택함으로써, 에폭시 수지와의 상용성을 증가시키고, 다이싱 공정 시에 칩의 비산이나 버의 발생을 효과적으로 억제할 수 있다. 또한, 반도체 패키지에서 생기는 스트레스를 감소시킬 수 있다.According to an exemplary embodiment of the present invention, the thermoplastic resin is a polyimide-based resin, a polyether imide-based resin, a polyester imide-based resin, a polyamide-based resin, a polyether sulfone-based resin, a polyether ketone-based resin, and a polyolefin-based resin. , polyvinyl chloride-based resin, phenoxy-based resin, butadiene-based rubber, styrene-butadiene-based rubber, modified butadiene-based rubber, reactive butadiene acrylonitrile copolymer rubber, and (meth) acrylate-based resin containing at least one polymer resin can By selecting the thermoplastic resin from the above, compatibility with the epoxy resin can be increased, and scattering of chips or generation of burrs can be effectively suppressed during the dicing process. In addition, stress generated in the semiconductor package may be reduced.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 열가소성 수지는 -10 내지 30 ℃의 유리전이온도 및 50,000 g/mol 내지 1,000,000 g/mol의 중량평균분자량을 갖는 (메트)아크릴레이트계 수지를 포함할 수 있다. 전술한 유리전이온도 및 중량평균분자량을 갖는 (메트)아크릴레이트계 수지를 포함하는 열가소성 수지를 사용함으로써, 다이싱 공정 시에 칩의 비산이나 버의 발생을 효과적으로 억제할 수 있다. 또한, 상기 (메트)아크릴레이트계 수지는 에폭시 수지와의 상용성과 접착력이 충분하고, 경화에 의한 점도 상승 속도가 적절하여 반도체 소자의 열압착 공정에서 솔더 범프의 접합 및 매립이 충분히 이루어질 수 있다.According to an exemplary embodiment of the present invention, the thermoplastic resin may include a (meth)acrylate-based resin having a glass transition temperature of -10 to 30° C. and a weight average molecular weight of 50,000 g/mol to 1,000,000 g/mol. . By using the thermoplastic resin including the (meth)acrylate-based resin having the above-described glass transition temperature and weight average molecular weight, scattering of chips or generation of burrs during the dicing process can be effectively suppressed. In addition, since the (meth)acrylate-based resin has sufficient compatibility and adhesion with the epoxy resin, and an appropriate viscosity increase rate due to curing, bonding and embedding of solder bumps in the thermocompression bonding process of a semiconductor device can be sufficiently performed.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 열가소성 수지의 함량은, 상기 열경화성 수지 100 중량부에 대하여 5 중량부 이상 350 중량부 이하일 수 있다. 구체적으로, 상기 열경화성 수지 100 중량부에 대하여 상기 열가소성 수지의 함량은 10 중량부 이상 300 중량부 이하, 25 중량부 이상 250 중량부 이하, 50 중량부 이상 200 중량부 이하, 100 중량부 이상 150 중량부 이하, 5 중량부 이상 200 중량부 이하, 7.5 중량부 이상 180 중량부 이하, 15 중량부 이상 160 중량부 이하, 30 중량부 이상 150 중량부 이하, 50 중량부 이상 125 중량부 이하, 75 중량부 이상 100 중량부 이하, 100 중량부 이상 350 중량부 이하, 100 중량부 이상 300 중량부 이하, 100 중량부 이상 250 중량부 이하, 100 중량부 이상 200 중량부 이하, 125 중량부 이상 180 중량부 이하, 또는 150 중량부 이상 155 중량부 이하일 수 있다.According to an exemplary embodiment of the present invention, the content of the thermoplastic resin may be 5 parts by weight or more and 350 parts by weight or less based on 100 parts by weight of the thermosetting resin. Specifically, the content of the thermoplastic resin with respect to 100 parts by weight of the thermosetting resin is 10 parts by weight or more and 300 parts by weight or less, 25 parts by weight or more and 250 parts by weight or less, 50 parts by weight or more and 200 parts by weight or less, 100 parts by weight or more and 150 parts by weight or more. parts by weight or less, 5 parts by weight or more and 200 parts by weight or less, 7.5 parts by weight or more and 180 parts by weight or less, 15 parts by weight or more and 160 parts by weight or less, 30 parts by weight or more and 150 parts by weight or less, 50 parts by weight or more and 125 parts by weight or less, 75 parts by weight parts by weight or more and 100 parts by weight or more, 100 parts by weight or more and 350 parts by weight or less, 100 parts by weight or more and 300 parts by weight or less, 100 parts by weight or more and 250 parts by weight or less, 100 parts by weight or more and 200 parts by weight or less, 125 parts by weight or more and 180 parts by weight or less, or 150 parts by weight or more and 155 parts by weight or less.

상기 열가소성 수지의 함량이 전술한 범위 내인 경우, 상기 열경화성 수지와의 상용성을 높이고, 상기 접착층은 다이싱 공정 시에 반도체 칩(웨이퍼)에 비산이나 버의 발생을 효과적으로 억제할 수 있다. 또한, 상기 열가소성 수지의 함량이 전술한 범위 내인 경우, 상기 접착층의 경시변화를 억제할 수 있고, 반도체 패키지에서 생기는 스트레스를 효과적으로 감소시킬 수 있다.When the content of the thermoplastic resin is within the above-described range, compatibility with the thermosetting resin may be improved, and the adhesive layer may effectively suppress scattering or burrs in the semiconductor chip (wafer) during a dicing process. In addition, when the content of the thermoplastic resin is within the above-described range, it is possible to suppress the change over time of the adhesive layer, and it is possible to effectively reduce the stress generated in the semiconductor package.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 경화제는 아민계 화합물, 산무수물계 화합물, 아미드계 화합물 및 페놀계 화합물 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 구체적으로 상기 아민계 화합물은 디아미노디페닐메탄, 디에틸렌트리아민, 트리에틸렌트트라아민, 디아미노디페닐술폰, 이소포론디아민, 또는 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나인 것일 수 있다. 상기 산무수물계 화합물은 무수 프탈산, 무수 트리멜리트산, 무수피로멜리트산, 무수말레인산, 테트라히드로 무수 프탈산, 메틸테트라히드로무수프탈산, 무수메틸나딕산, 헥사히드로무수프탈산, 메틸헥사히드로무수프탈산 또는 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나인 것일 수 있다. 상기 아미드계 화합물로는 디시안디아미드, 리놀렌산의 2량체와 에틸렌디아민으로부터 합성되는 폴리아미드 수지일 수 있다. 상기 페놀계 화합물은 비스페놀 A, 비스페놀 F, 비스페놀 S, 플루오렌비스페놀, 테르펜디페놀 등의 다가 페놀류; 페놀류와 알데히드류, 케톤류 또는 디엔류 등의 축합에 의해 수득되는 페놀 수지; 페놀류 및/또는 페놀 수지의 변성물; 테트라브로모비스페놀 A, 브롬화 페놀 수지 등의 할로겐화 페놀류; 기타 이미다졸류, BF3-아민 착체, 구아니딘 유도체일 수 있다. 상술한 것으로부터 상기 경화제를 선택함으로써, 에폭시 수지의 경화도를 조절하는 동시에 접착층의 기계적 물성을 향상시킬 수 있다.According to an exemplary embodiment of the present invention, the curing agent may include at least one of an amine-based compound, an acid anhydride-based compound, an amide-based compound, and a phenol-based compound. Specifically, the amine-based compound may be one selected from the group consisting of diaminodiphenylmethane, diethylenetriamine, triethylenetriamine, diaminodiphenylsulfone, isophoronediamine, or a combination thereof. The acid anhydride-based compound is phthalic anhydride, trimellitic anhydride, pyromellitic anhydride, maleic anhydride, tetrahydrophthalic anhydride, methyltetrahydrophthalic anhydride, methylnadic anhydride, hexahydrophthalic anhydride, methylhexahydrophthalic anhydride, or these It may be one selected from the group consisting of a combination of The amide-based compound may be a polyamide resin synthesized from dicyandiamide, a dimer of linolenic acid, and ethylenediamine. The said phenolic compound is polyhydric phenols, such as bisphenol A, bisphenol F, bisphenol S, fluorenebisphenol, and terpene diphenol; phenol resins obtained by condensation of phenols with aldehydes, ketones or dienes; phenols and/or modified products of phenol resins; halogenated phenols such as tetrabromobisphenol A and brominated phenol resins; Other imidazoles, BF 3 -amine complex, may be a guanidine derivative. By selecting the curing agent from the above, it is possible to control the degree of curing of the epoxy resin and improve the mechanical properties of the adhesive layer.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 경화제는 60 ℃ 이상의 연화점을 갖는 페놀계 수지를 포함할 수 있다. 구체적으로, 상기 페놀계 수지의 연화점은 60 ℃ 이상 150 ℃ 이하, 65 ℃ 이상 145 ℃ 이하, 또는 70 ℃ 이상 140 ℃ 이하일 수 있다. 상술한 범위 내에서 연화점을 갖는 페놀계 수지를 포함함으로써, 접착 조성물의 경화 후 내열성, 강도 및 접착성이 향상될 수 있고, 반도체 제조 공정에서 접착층 내부에 보이드(void)가 생성되는 것을 방지할 수 있다.According to an exemplary embodiment of the present invention, the curing agent may include a phenol-based resin having a softening point of 60° C. or higher. Specifically, the softening point of the phenol-based resin may be 60 °C or more and 150 °C or less, 65 °C or more and 145 °C or less, or 70 °C or more and 140 °C or less. By including the phenolic resin having a softening point within the above range, heat resistance, strength, and adhesion after curing of the adhesive composition can be improved, and voids can be prevented from being generated inside the adhesive layer in the semiconductor manufacturing process. have.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 경화제는 노볼락계 페놀 수지를 포함할 수 있다. 상기 노볼락계 페놀 수지는 반응성 작용기 사이에 고리가 위치하는 화학 구조를 갖는다. 이러한 구조적 특성으로 인하여, 상기 노볼락계 페놀 수지는 상기 접착층의 흡습성을 보다 낮출 수 있으며, 고온의 압착 공정에서 안정성을 보다 높일 수 있어서, 접착층의 박리 현상 등을 방지하는 역할을 할 수 있다.According to an exemplary embodiment of the present invention, the curing agent may include a novolak-based phenol resin. The novolak-based phenolic resin has a chemical structure in which a ring is positioned between reactive functional groups. Due to these structural characteristics, the novolac-based phenolic resin can lower the hygroscopicity of the adhesive layer, and can further increase stability in a high-temperature compression process, thereby preventing peeling of the adhesive layer.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 경화제의 함량은, 상기 열경화성 수지 100 중량부에 대하여 10 중량부 이상 500 중량부 이하일 수 있다. 구체적으로, 상기 열경화성 수지 100 중량부에 대하여 상기 경화제의 함량은 25 중량부 이상 450 중량부 이하, 50 중량부 이상 400 중량부 이하, 75 중량부 이상 300 중량부 이하, 100 중량부 이상 200 중량부 이하, 10 중량부 이상 300 중량부 이하, 15 중량부 이상 275 중량부 이하, 30 중량부 이상 250 중량부 이하, 55 중량부 이상 220 중량부 이하, 70 중량부 이상 200 중량부 이하, 85 중량부 이상 175 중량부 이하, 100 중량부 이상 150 중량부 이하, 100 중량부 이상 500 중량부 이하, 100 중량부 이상 400 중량부 이하, 100 중량부 이상 300 중량부 이하, 125 중량부 이상 275 중량부 이하, 150 중량부 이상 250 중량부 이하, 또는 175 중량부 이상 20 중량부 이하일 수 있다. 상기 경화제의 함량을 전술한 범위로 조절함으로써, 상기 접착 조성물의 경화 후 내열성, 강도 및 접착성을 향상시킬 수 있다.According to an exemplary embodiment of the present invention, the content of the curing agent may be 10 parts by weight or more and 500 parts by weight or less based on 100 parts by weight of the thermosetting resin. Specifically, the content of the curing agent is 25 parts by weight or more and 450 parts by weight or less, 50 parts by weight or more and 400 parts by weight or less, 75 parts by weight or more and 300 parts by weight or less, 100 parts by weight or more and 200 parts by weight based on 100 parts by weight of the thermosetting resin. 10 parts by weight or more and 300 parts by weight or less, 15 parts by weight or more and 275 parts by weight or less, 30 parts by weight or more and 250 parts by weight or less, 55 parts by weight or more and 220 parts by weight or less, 70 parts by weight or more and 200 parts by weight or less, 85 parts by weight 175 parts by weight or more, 100 parts by weight or more and 150 parts by weight or less, 100 parts by weight or more and 500 parts by weight or less, 100 parts by weight or more and 400 parts by weight or less, 100 parts by weight or more and 300 parts by weight or less, 125 parts by weight or more and 275 parts by weight or less , 150 parts by weight or more and 250 parts by weight or less, or 175 parts by weight or more and 20 parts by weight or less. By adjusting the content of the curing agent to the above-described range, heat resistance, strength, and adhesiveness after curing of the adhesive composition may be improved.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 기재필름에서 상기 접착층을 향하는 방향을 따라, 상기 자성물질은 일측으로 편향되어 자화된 것일 수 있다. 구체적으로, 기재필름에서 접착층을 향하는 방향을 따라, 자성물질의 자극(예를 들어, N극 또는 S극)이 일측으로 편향될 수 있다. 도 1을 참고하면, 기재필름(10)에서 접착층(30)을 향하는 방향(A)을 따라, 자성물질(35)의 자극(S극)이 기재필름측으로 편향될 수 있다. 한편, 도 1에 도시된 바와 달리, 기재필름에서 접착층을 향하는 방향을 따라, 자성물질의 자극(S극)이 접착층의 표면측으로 편향될 수도 있다. 상기 접착층에 포함된 상기 자성물질의 자화 방향을 일측으로 편향되게 함으로써, 후술하는 웨이퍼의 픽업 공정 시에 상기 접착층을 상기 점착층으로부터 보다 용이하게 박리시킬 수 있다. 즉, 상기 다이싱 다이본딩 필름을 이용함으로써, 웨이퍼의 픽업 공정 난이도를 효과적으로 낮출 수 있고, 픽업 품질을 보다 개선시킬 수 있다. 이를 통해, 크기 및 두께가 얇은 웨이퍼에 대한 다이싱 공정 및 픽업 공정을 용이하게 수행할 수 있다.According to an exemplary embodiment of the present invention, along a direction from the base film toward the adhesive layer, the magnetic material may be deflected to one side and magnetized. Specifically, along the direction from the base film toward the adhesive layer, the magnetic pole (eg, N pole or S pole) of the magnetic material may be deflected to one side. Referring to FIG. 1 , along the direction A from the base film 10 toward the adhesive layer 30 , the magnetic pole (S pole) of the magnetic material 35 may be deflected toward the base film. Meanwhile, unlike shown in FIG. 1 , along the direction from the base film toward the adhesive layer, the magnetic pole (S pole) of the magnetic material may be deflected toward the surface of the adhesive layer. By deflecting the magnetization direction of the magnetic material included in the adhesive layer to one side, the adhesive layer may be more easily peeled from the adhesive layer during a wafer pickup process to be described later. That is, by using the dicing die-bonding film, the difficulty of the wafer pickup process can be effectively reduced, and pickup quality can be further improved. Through this, a dicing process and a pickup process for a wafer having a small size and thickness may be easily performed.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 접착 조성물에 포함된 자성물질을 일측으로 편향되게 자화시킨 후, 상기 접착 조성물을 건조 또는 열경화하여 상기 접착층을 형성할 수 있다. 당업계에서 자성물질을 자화시키는 방법을 이용하여, 상기 접착 조성물에 포함된 상기 자성물질을 자화시킬 수 있다. 예를 들어, 상기 접착 조성물에 외부 자기장을 인가하여, 상기 자성물질의 자화 방향을 일측으로 편향되게 한 후, 상기 접착 조성물을 건조 또는 열경화할 수 있다.According to an exemplary embodiment of the present invention, after the magnetic material included in the adhesive composition is magnetized to be biased to one side, the adhesive composition may be dried or thermally cured to form the adhesive layer. Using a method of magnetizing a magnetic material in the art, the magnetic material included in the adhesive composition may be magnetized. For example, by applying an external magnetic field to the adhesive composition to deflect the magnetization direction of the magnetic material to one side, the adhesive composition may be dried or thermally cured.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 자성물질은 강자성체를 포함할 수 있다. 상기 자성물질은 반자성체 등이 아닌 강자성체를 포함함으로써, 접착층에 자성을 효과적으로 부여할 수 있다. 이를 통해, 후술하는 픽업 공정 시에 상기 접착층을 상기 점착층으로부터 용이하게 분리시킬 수 있다.According to an exemplary embodiment of the present invention, the magnetic material may include a ferromagnetic material. Since the magnetic material includes a ferromagnetic material other than a diamagnetic material, magnetism can be effectively imparted to the adhesive layer. Through this, the adhesive layer can be easily separated from the adhesive layer during a pickup process to be described later.

상기 강자성체는 당업계에서 사용되는 것을 사용할 수 있다. 예를 들어, 상기 강자성체는 니켈, 코발트, 망간, 규소, 철, 이들의 합금, 이들의 산화물과 탄화철, 페라이트(ferrite), 주석화망간, 산화철(Ⅲ) 중 적어도 하나를 포함할 수 있으나, 상기 자성체의 종류를 한정하는 것은 아니다. The ferromagnetic material may be used in the art. For example, the ferromagnetic material may include at least one of nickel, cobalt, manganese, silicon, iron, alloys thereof, oxides thereof, iron carbide, ferrite, manganese tin oxide, and iron (III) oxide, The type of magnetic material is not limited.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 자성물질의 함량은, 상기 열경화성 수지 100 중량부에 대하여 100 중량부 초과 500 중량부 미만일 수 있다. 구체적으로, 상기 열경화성 수지 100 중량부에 대하여 상기 자성물질의 함량은 105 중량부 이상 495 중량부 이하, 110 중량부 이상 485 중량부 이하, 115 중량부 이상 470 중량부 이하, 120 중량부 이상 460 중량부 이하, 125 중량부 이상 450 중량부 이하, 150 중량부 이상 400 중량부 이하, 175 중량부 이상 350 중량부 이하, 200 중량부 이상 300 중량부 이하, 100 중량부 이상 350 중량부 이하, 130 중량부 이상 320 중량부 이하, 155 중량부 이상 280 중량부 이하, 180 중량부 이상 250 중량부 이하, 200 중량부 이상 500 중량부 이하, 200 중량부 이상 400 중량부 이하, 200 중량부 이상 350 중량부 이하, 또는 200 중량부 이상 300 중량부 이하일 수 있다.According to an exemplary embodiment of the present invention, the content of the magnetic material may be more than 100 parts by weight and less than 500 parts by weight based on 100 parts by weight of the thermosetting resin. Specifically, the content of the magnetic material with respect to 100 parts by weight of the thermosetting resin is 105 parts by weight or more and 495 parts by weight or less, 110 parts by weight or more and 485 parts by weight or less, 115 parts by weight or more and 470 parts by weight or less, 120 parts by weight or more and 460 parts by weight. parts by weight or less, 125 parts by weight or more and 450 parts by weight or less, 150 parts by weight or more and 400 parts by weight or less, 175 parts by weight or more and 350 parts by weight or less, 200 parts by weight or more and 300 parts by weight or less, 100 parts by weight or more and 350 parts by weight or less, 130 parts by weight parts by weight or more and 320 parts by weight or more, 155 parts by weight or more and 280 parts by weight or less, 180 parts by weight or more and 250 parts by weight or less, 200 parts by weight or more and 500 parts by weight or less, 200 parts by weight or more and 400 parts by weight or less, 200 parts by weight or more and 350 parts by weight or less, or 200 parts by weight or more and 300 parts by weight or less.

상기 자성물질의 함량을 전술한 범위로 조절함으로써, 상기 접착층의 물성을 저하시키지 않으면서 상기 접착층에 자성을 효과적으로 부여할 수 있다. 또한, 상기 자성물질의 함량이 전술한 범위 내인 경우, 후술하는 픽업 공정 시에 상기 접착층을 상기 점착층으로부터 용이하게 분리시킬 수 있다.By controlling the content of the magnetic material within the above-described range, magnetism can be effectively imparted to the adhesive layer without degrading the physical properties of the adhesive layer. In addition, when the content of the magnetic material is within the above range, the adhesive layer may be easily separated from the adhesive layer during a pickup process to be described later.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 접착 조성물은 용제를 포함할 수 있다. 상기 용제로서 당업계에서 사용되는 용제를 제한없이 사용할 수 있다. 예를 들어, 상기 용제는 메틸에틸케톤, 에틸아세테이트, 톨루엔, 크실렌, 벤젠, 사이클로헥산, 및 사이클로헵탄 중 적어도 하나를 포함할 수 있으나, 상기 용제의 종류를 한정하는 것은 아니다.According to an exemplary embodiment of the present invention, the adhesive composition may include a solvent. As the solvent, any solvent used in the art may be used without limitation. For example, the solvent may include at least one of methyl ethyl ketone, ethyl acetate, toluene, xylene, benzene, cyclohexane, and cycloheptane, but the type of the solvent is not limited thereto.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 용제의 함량은, 상기 열경화성 수지 100 중량부에 대하여 50 중량부 이상 350 중량부 이하일 수 있다. 구체적으로, 상기 열경화성 수지 100 중량부에 대하여 상기 용제의 함량은 75 중량부 이상 300 중량부 이하, 100 중량부 이상 275 중량부 이하, 150 중량부 이상 250 중량부 이하, 200 중량부 이상 225 중량부 이하, 50 중량부 이상 300 중량부 이하, 80 중량부 이상 280 중량부 이하, 100 중량부 이상 260 중량부 이하, 125 중량부 이상 250 중량부 이하, 160 중량부 이상 230 중량부 이하, 180 중량부 이상 200 중량부 이하, 150 중량부 이상 350 중량부 이하, 160 중량부 이상 320 중량부 이하, 175 중량부 이상 300 중량부 이하, 185 중량부 이상 275 중량부 이하, 또는 200 중량부 이상 250 중량부 이하일 수 있다.According to an exemplary embodiment of the present invention, the content of the solvent may be 50 parts by weight or more and 350 parts by weight or less based on 100 parts by weight of the thermosetting resin. Specifically, the content of the solvent is 75 parts by weight or more and 300 parts by weight or less, 100 parts by weight or more and 275 parts by weight or less, 150 parts by weight or more and 250 parts by weight or less, 200 parts by weight or more and 225 parts by weight based on 100 parts by weight of the thermosetting resin. 50 parts by weight or more and 300 parts by weight or less, 80 parts by weight or more and 280 parts by weight or less, 100 parts by weight or more and 260 parts by weight or less, 125 parts by weight or more and 250 parts by weight or less, 160 parts by weight or more and 230 parts by weight or less, 180 parts by weight 200 parts by weight or more, 150 parts by weight or more and 350 parts by weight or less, 160 parts by weight or more and 320 parts by weight or less, 175 parts by weight or more and 300 parts by weight or less, 185 parts by weight or more and 275 parts by weight or less, or 200 parts by weight or more and 250 parts by weight or more. may be below.

상기 용제의 함량을 전술한 범위로 조절함으로써, 상기 접착 조성물에 포함되는 상기 열경화성 수지, 열가소성 수지, 경화제 및 자성물질을 보다 균질하게 혼합할 수 있다. 또한, 상기 용제의 함량이 전술한 범위 내인 경우, 상기 접착층의 물성을 변화시키지 않으며 상기 접착 조성물의 점도를 후술하는 범위로 용이하게 조절할 수 있다.By adjusting the content of the solvent to the above-described range, the thermosetting resin, the thermoplastic resin, the curing agent and the magnetic material included in the adhesive composition may be more homogeneously mixed. In addition, when the content of the solvent is within the above range, the viscosity of the adhesive composition may be easily adjusted within the range to be described later without changing the physical properties of the adhesive layer.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 접착 조성물은 무기필러 및 경화 촉매를 더 포함할 수 있다. 상기 무기필러는 실리카, 이산화티탄, 수산화알루미늄, 탄산칼슘, 수산화마그네슘, 산화알루미늄, 활석 및 질화알루미늄 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 전술한 종류의 무기필러를 사용함으로써, 접착층의 접착력을 향상시키고, 반도체 패키지의 크랙을 방지할 수 있다.According to an exemplary embodiment of the present invention, the adhesive composition may further include an inorganic filler and a curing catalyst. The inorganic filler may include at least one of silica, titanium dioxide, aluminum hydroxide, calcium carbonate, magnesium hydroxide, aluminum oxide, talc, and aluminum nitride. By using the above type of inorganic filler, it is possible to improve the adhesion of the adhesive layer and prevent cracks in the semiconductor package.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 무기필러의 평균입경은 0.03 ㎛ 이상 3㎛ 이하일 수 있다. 구체적으로 상기 무기필러의 평균입경은 0.04㎛ 이상 2.5㎛ 이하, 또는 0.05㎛ 이상 2㎛ 이하일 수 있다. 상기 무기필러의 평균입경이 전술한 범위 내인 경우, 상기 접착 조성물 내의 무기필러의 분산도를 향상시킬 수 있다.According to an exemplary embodiment of the present invention, the average particle diameter of the inorganic filler may be 0.03 μm or more and 3 μm or less. Specifically, the inorganic filler may have an average particle diameter of 0.04 μm or more and 2.5 μm or less, or 0.05 μm or more and 2 μm or less. When the average particle diameter of the inorganic filler is within the above range, the dispersion degree of the inorganic filler in the adhesive composition may be improved.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 무기필러의 함량은 상기 열경화성 수지 100 중량부 기준으로, 10 중량부 이상 400 중량부 이하인 것일 수 있다. 구체적으로 상기 무기필러의 함량은 상기 열경화성 수지 100 중량부 대비 25 중량부 이상 380 중량부 이하, 50 중량부 이상 350 중량부 이하, 75 중량부 이상 320 중량부 이하, 100 중량부 이상 300 중량부 이하, 150 중량부 이상 270 중량부 이하, 또는 180 중량부 이상 250 중량부 이하일 수 있다. 상기 무기필러의 함량을 전술한 범위로 조절함으로써, 접착층의 기계적 물성을 향상시킬 수 있고, 반도체 웨이퍼의 열팽창 계수의 미스매치(mismatch)를 줄여 신뢰성을 향상시킬 수 있다.According to an exemplary embodiment of the present invention, the content of the inorganic filler may be 10 parts by weight or more and 400 parts by weight or less, based on 100 parts by weight of the thermosetting resin. Specifically, the content of the inorganic filler is 25 parts by weight or more and 380 parts by weight or less, 50 parts by weight or more and 350 parts by weight or less, 75 parts by weight or more and 320 parts by weight or less, 100 parts by weight or more and 300 parts by weight or less relative to 100 parts by weight of the thermosetting resin. , 150 parts by weight or more and 270 parts by weight or less, or 180 parts by weight or more and 250 parts by weight or less. By adjusting the content of the inorganic filler to the above-mentioned range, the mechanical properties of the adhesive layer can be improved, and reliability can be improved by reducing the mismatch of the thermal expansion coefficient of the semiconductor wafer.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 경화 촉매는 인계 화합물, 붕소계 화합물, 인-붕소계 화합물 및 이미다졸계 화합물 중 적어도 하나를 포함할 수 있으나, 이에 제한되지 않는다. 상기 경화 촉매를 사용함으로써, 상기 경화제의 작용이나 상기 접착 조성물의 경화를 촉진시킬 수 있다. 또한, 상기 경화 촉매의 사용량은 최종 제조되는 접착층의 물성 등을 고려하여 적절히 선택할 수 있다. 예를 들어, 상기 경화 촉매의 함량은 상기 열경화성 수지 100 중량부 대비, 1 중량부 이상 50 중량부 이하일 수 있다.According to an exemplary embodiment of the present invention, the curing catalyst may include at least one of a phosphorus-based compound, a boron-based compound, a phosphorus-boron-based compound, and an imidazole-based compound, but is not limited thereto. By using the curing catalyst, the action of the curing agent and curing of the adhesive composition can be accelerated. In addition, the amount of the curing catalyst used may be appropriately selected in consideration of the physical properties of the finally prepared adhesive layer. For example, the content of the curing catalyst may be 1 part by weight or more and 50 parts by weight or less, based on 100 parts by weight of the thermosetting resin.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 접착 조성물의 점도는 75 Pa·s 이상 1,000 Pa·s 이하일 수 있다. 구체적으로, 상기 접착 조성물의 점도는 25 ℃에서 75 Pa·s 이상 1,000 Pa·s 이하일 수 있다. 보다 구체적으로, 25 ℃에서 상기 접착 조성물의 점도는 80 Pa·s 이상 950 Pa·s 이하, 100 Pa·s 이상 900 Pa·s 이하, 150 Pa·s 이상 850 Pa·s 이하, 200 Pa·s 이상 800 Pa·s 이하, 250 Pa·s 이상 750 Pa·s 이하, 300 Pa·s 이상 700 Pa·s 이하, 350 Pa·s 이상 650 Pa·s 이하, 400 Pa·s 이상 600 Pa·s 이하, 450 Pa·s 이상 550 Pa·s 이하, 480 Pa·s 이상 500 Pa·s 이하, 75 Pa·s 이상 850 Pa·s 이하, 90 Pa·s 이상 825 Pa·s 이하, 110 Pa·s 이상 790 Pa·s 이하, 130 Pa·s 이상 760 Pa·s 이하, 160 Pa·s 이상 730 Pa·s 이하, 210 Pa·s 이상 680 Pa·s 이하, 260 Pa·s 이상 620 Pa·s 이하, 310 Pa·s 이상 580 Pa·s 이하, 340 Pa·s 이상 560 Pa·s 이하, 380 Pa·s 이상 530 Pa·s 이하, 100 Pa·s 이상 600 Pa·s 이하, 150 Pa·s 이상 570 Pa·s 이하, 200 Pa·s 이상 550 Pa·s 이하, 220 Pa·s 이상 530 Pa·s 이하, 또는 250 Pa·s 이상 500 Pa·s 이하일 수 있다.According to an exemplary embodiment of the present invention, the viscosity of the adhesive composition may be 75 Pa·s or more and 1,000 Pa·s or less. Specifically, the viscosity of the adhesive composition may be 75 Pa·s or more and 1,000 Pa·s or less at 25°C. More specifically, the viscosity of the adhesive composition at 25° C. is 80 Pa·s or more and 950 Pa·s or less, 100 Pa·s or more and 900 Pa·s or less, 150 Pa·s or more and 850 Pa·s or less, 200 Pa·s or more. 800 Pa·s or more, 250 Pa·s or more and 750 Pa·s or less, 300 Pa·s or more and 700 Pa·s or less, 350 Pa·s or more and 650 Pa·s or less, 400 Pa·s or more and 600 Pa·s or less , 450 Pa·s or more and 550 Pa·s or less, 480 Pa·s or more and 500 Pa·s or less, 75 Pa·s or more and 850 Pa·s or less, 90 Pa·s or more and 825 Pa·s or less, 110 Pa·s or more 790 Pa·s or less, 130 Pa·s or more and 760 Pa·s or less, 160 Pa·s or more and 730 Pa·s or less, 210 Pa·s or more and 680 Pa·s or less, 260 Pa·s or more and 620 Pa·s or less, 310 Pa·s or more and 580 Pa·s or less, 340 Pa·s or more and 560 Pa·s or less, 380 Pa·s or more and 530 Pa·s or less, 100 Pa·s or more and 600 Pa·s or less, 150 Pa·s or more and 570 Pa·s or less, 200 Pa·s or more and 550 Pa·s or less, 220 Pa·s or more and 530 Pa·s or less, or 250 Pa·s or more and 500 Pa·s or less.

상기 접착 조성물의 점도를 전술한 범위로 조절함으로써, 상기 접착 조성물에 포함된 상기 자성물질을 효과적으로 자화시킬 수 있다. 구체적으로, 상기 접착 조성물의 점도가 전술한 범위 내인 경우, 상기 자성물질을 자화시키는 과정에서 상기 자성물질의 자화 방향을 일측으로 보다 용이하게 편향시킬 수 있다. 또한, 상기 접착 조성물의 점도가 전술한 범위 내인 경우, 상기 접착 조성물의 건조 또는 열경화 과정에서 일측으로 편향되어 자화된 자성물질의 위치가 변경되는 것을 효과적으로 억제할 수 있다. By adjusting the viscosity of the adhesive composition in the above-described range, the magnetic material included in the adhesive composition may be effectively magnetized. Specifically, when the viscosity of the adhesive composition is within the aforementioned range, the magnetization direction of the magnetic material may be more easily deflected to one side in the process of magnetizing the magnetic material. In addition, when the viscosity of the adhesive composition is within the above range, it is possible to effectively suppress a change in the position of the magnetic material deflected to one side during drying or thermal curing of the adhesive composition.

본원 명세서 전체에서, 점도는 해당 온도에서 브룩필드 점도계로 측정한 값일 수 있다. 구체적으로, 접착 조성물을 기포가 없는 상태로 탈포한 후, 5 mL 주사기를 이용하여 0.5 mL 샘플링하여 브룩필드(Brook field) HB 40번 스핀들(spindle)로 25 ℃에서 항온을 유지하고 10 분간 점도를 측정하여, 점도 변화가 없는 시점의 Pa·s값을 측정한다.Throughout this specification, the viscosity may be a value measured with a Brookfield viscometer at the corresponding temperature. Specifically, after defoaming the adhesive composition in a bubble-free state, sample 0.5 mL using a 5 mL syringe, maintain constant temperature at 25 ° C with a Brook field HB No. 40 spindle, and increase the viscosity for 10 minutes measurement, and the Pa·s value at the time of no change in viscosity is measured.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 접착층의 두께는 10 ㎛ 이상 200 ㎛ 이하일 수 있다. 구체적으로, 상기 접착층의 두께는 15 ㎛ 이상 150 ㎛ 이하, 20 ㎛ 이상 100 ㎛ 이하, 35 ㎛ 이상 75 ㎛ 이하, 10 ㎛ 이상 100 ㎛ 이하, 15 ㎛ 이상 70 ㎛ 이하, 또는 20 ㎛ 이상 50 ㎛ 이하일 수 있다. According to an exemplary embodiment of the present invention, the thickness of the adhesive layer may be 10 μm or more and 200 μm or less. Specifically, the thickness of the adhesive layer is 15 μm or more and 150 μm or less, 20 μm or more 100 μm or less, 35 μm or more and 75 μm or less, 10 μm or more and 100 μm or less, 15 μm or more and 70 μm or less, or 20 μm or more and 50 μm or less. can

상기 접착층의 두께가 전술한 범위 내인 경우, 다이싱 공정 중에 웨이퍼를 안정적으로 지지할 수 있으며, 픽업 공정 시에 접착층이 변형되는 것을 효과적으로 방지할 수 있다.When the thickness of the adhesive layer is within the above range, it is possible to stably support the wafer during the dicing process, and it is possible to effectively prevent the adhesive layer from being deformed during the pickup process.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 접착 조성물은 필요에 따라 레벨링제, 커플링제 및 분산제 중 적어도 하나를 포함하는 첨가제를 더 포함할 수 있다.According to an exemplary embodiment of the present invention, the adhesive composition may further include an additive including at least one of a leveling agent, a coupling agent, and a dispersing agent, if necessary.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 기재필름은 폴리올레핀 필름, 폴리에스테르 필름, 폴리카보네이트 필름, 폴리염화비닐 필름, 폴리테트라플루오로에틸렌 필름, 폴리부텐 필름, 폴리부타디엔 필름, 염화비닐 공중합체 필름, 에틸렌-초산비닐 공중합체 필름, 에틸렌-프로필렌 공중합체 필름 및 에틸렌-알킬아크릴레이트 공중합체 필름 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 다만, 상기 기재필름의 종류를 한정하는 것은 아니고 당업계에서 사용되는 기재필름을 제한 없이 사용할 수 있다.According to an exemplary embodiment of the present invention, the base film is a polyolefin film, a polyester film, a polycarbonate film, a polyvinyl chloride film, a polytetrafluoroethylene film, a polybutene film, a polybutadiene film, a vinyl chloride copolymer film, It may include at least one of an ethylene-vinyl acetate copolymer film, an ethylene-propylene copolymer film, and an ethylene-alkyl acrylate copolymer film. However, the type of the base film is not limited, and the base film used in the art may be used without limitation.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 기재필름의 두께는 10 ㎛ 이상 200 ㎛ 이하일 수 있다. 구체적으로, 상기 기재필름의 두께는 20 ㎛ 이상 180 ㎛ 이하, 50 ㎛ 이상 150 ㎛ 이하, 70 ㎛ 이상 130 ㎛ 이하, 90 ㎛ 이상 120 ㎛ 이하, 10 ㎛ 이상 150 ㎛ 이하, 25 ㎛ 이상 125 ㎛ 이하, 50 ㎛ 이상 100 ㎛ 이하, 70 ㎛ 이상 90 ㎛ 이하, 100 ㎛ 이상 200 ㎛ 이하, 120 ㎛ 이상 180 ㎛ 이하, 또는 140 ㎛ 이상 160 ㎛ 이하일 수 있다. 상기 기재필름의 두께가 전술한 범위 내인 경우, 다이싱 공정 중에 상기 웨이퍼를 안정적으로 지지할 수 있으며, 다이싱 완료 후에 상기 웨이퍼를 용이하게 픽업할 수 있다.According to an exemplary embodiment of the present invention, the thickness of the base film may be 10 μm or more and 200 μm or less. Specifically, the thickness of the base film is 20 μm or more and 180 μm or less, 50 μm or more and 150 μm or less, 70 μm or more and 130 μm or less, 90 μm or more and 120 μm or less, 10 μm or more and 150 μm or less, 25 μm or more and 125 μm or less. , 50 μm or more and 100 μm or less, 70 μm or more and 90 μm or less, 100 μm or more and 200 μm or less, 120 μm or more and 180 μm or less, or 140 μm or more and 160 μm or less. When the thickness of the base film is within the above range, the wafer may be stably supported during the dicing process, and the wafer may be easily picked up after dicing is completed.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 점착층은 상기 점착 조성물을 포함할 수 있다. 구체적으로, 상기 점착층은 상기 점착 조성물의 건조물(또는 열경화물)을 포함할 수 있다.According to an exemplary embodiment of the present invention, the pressure-sensitive adhesive layer may include the pressure-sensitive adhesive composition. Specifically, the pressure-sensitive adhesive layer may include a dried product (or a thermosetting product) of the pressure-sensitive adhesive composition.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 기재필름의 일면 상에 점착층을 형성하는 방법은 특별히 한정되지 않는다. 예를 들어 상기 기재필름 상에 상기 점착 조성물을 도포하고 건조하여 점착층을 형성하는 방법, 또는 이형필름 상에 상기 점착 조성물을 도포하고 건조하여 상기 점착층을 형성하고 상기 이형필름을 사용하여 점착층을 기재필름에 전사하는 방법 등을 사용할 수 있다.According to an exemplary embodiment of the present invention, a method of forming an adhesive layer on one surface of the base film is not particularly limited. For example, a method of coating the adhesive composition on the base film and drying it to form an adhesive layer, or applying the adhesive composition on a release film and drying to form the adhesive layer and using the release film to form the adhesive layer A method of transferring to a base film, etc. can be used.

이때, 점착 조성물을 도포 및 건조하는 방법은 특별히 한정되지 않으며, 예를 들어 상기 점착 조성물 그대로, 또는 적당한 유기 용제에 희석하여 코마 코터, 그라비아 코터, 다이 코터 또는 리버스 코터 등의 공지의 수단으로 도포한 후, 용제를 건조시키는 방법을 사용할 수 있다. 또한, 상기 과정에서 점착층의 충분한 가교 반응을 진행시키기 위한 에이징(aging) 공정을 추가적으로 수행할 수도 있다.At this time, the method for applying and drying the pressure-sensitive adhesive composition is not particularly limited, and for example, the pressure-sensitive adhesive composition as it is, or diluted in a suitable organic solvent, applied by known means such as a comb coater, gravure coater, die coater or reverse coater. After that, a method of drying the solvent may be used. In addition, in the above process, an aging process may be additionally performed for a sufficient crosslinking reaction of the adhesive layer to proceed.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 점착 조성물은 (메트)아크릴레이트계 수지, 가교제 및 광개시제를 포함할 수 있다.According to an exemplary embodiment of the present invention, the pressure-sensitive adhesive composition may include a (meth)acrylate-based resin, a crosslinking agent, and a photoinitiator.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 (메트)아크릴레이트계 수지는 (메트)아크릴레이트계 단량체 및 가교성 관능기 함유 단량체의 공중합체일 수 있다. 상기 (메트)아크릴레이트계 단량체는 탄소수 1 내지 12의 알킬기를 가지는 단량체로서, 메틸 (메트)아크릴레이트, 에틸 (메트)아크릴레이트, 프로필 (메트)아크릴레이트, 부틸 (메트)아크릴레이트, 펜틸 (메트)아크릴레이트, 헥실 (메트)아크릴레이트, n-옥틸 (메트)아크릴레이트, 이소옥틸 (메트)아크릴레이트, 2-에틸헥실 (메트)아크릴레이트, 도데실 (메트)아크릴레이트 및 데실 (메트)아크릴레이트 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 (메트)아크릴레이트계 단량체에 포함된 알킬의 탄소수가 많아질수록 최종 공중합체의 유리전이온도가 낮아지므로, 목적하는 유리전이온도에 따라 적절한 단량체를 선택할 수 있다.According to an exemplary embodiment of the present invention, the (meth)acrylate-based resin may be a copolymer of a (meth)acrylate-based monomer and a crosslinkable functional group-containing monomer. The (meth) acrylate-based monomer is a monomer having an alkyl group having 1 to 12 carbon atoms, methyl (meth) acrylate, ethyl (meth) acrylate, propyl (meth) acrylate, butyl (meth) acrylate, pentyl ( Meth)acrylate, hexyl (meth)acrylate, n-octyl (meth)acrylate, isooctyl (meth)acrylate, 2-ethylhexyl (meth)acrylate, dodecyl (meth)acrylate and decyl (meth)acrylate ) may include at least one of acrylates. Since the glass transition temperature of the final copolymer decreases as the number of carbon atoms of the alkyl contained in the (meth)acrylate-based monomer increases, an appropriate monomer may be selected according to the desired glass transition temperature.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 가교성 관능기 함유 단량체는 히드록시기 함유 단량체, 카복실기 함유 단량체 및 질소 함유 단량체 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 구체적으로, 히드록시기 함유 단량체는 2-히드록시에틸 (메트)아크릴레이트 및 2-히드록시프로필 (메트)아크릴레이트 중 적어도 하나를 포함할 수 있고, 카복실기 함유 단량체는 (메트)아크릴산을 포함할 수 있으며, 질소 함유 단량체는 (메트)아크릴로니트릴, N-비닐 피롤리돈 및 N-비닐 카프로락탐 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 다만, 상기 히드록시기 함유 단량체, 카복실기 함유 단량체 및 질소 함유 단량체의 종류를 한정하는 것은 아니다. According to an exemplary embodiment of the present invention, the crosslinkable functional group-containing monomer may include at least one of a hydroxyl group-containing monomer, a carboxyl group-containing monomer, and a nitrogen-containing monomer. Specifically, the hydroxyl group-containing monomer may include at least one of 2-hydroxyethyl (meth)acrylate and 2-hydroxypropyl (meth)acrylate, and the carboxyl group-containing monomer may include (meth)acrylic acid. and the nitrogen-containing monomer may include at least one of (meth)acrylonitrile, N-vinyl pyrrolidone, and N-vinyl caprolactam. However, the types of the hydroxyl group-containing monomer, the carboxyl group-containing monomer and the nitrogen-containing monomer are not limited.

또한, 상기 (메트)아크릴레이트계 수지에는 상용성 등의 기타 기능성 향상의 관점에서, 초산비닐, 스틸렌 또는 아크릴로니트릴 탄소-탄소 이중 결합함유 저분자량 화합물 등이 추가로 포함될 수 있다.In addition, from the viewpoint of improving other functionalities such as compatibility, the (meth)acrylate-based resin may further include vinyl acetate, styrene or acrylonitrile carbon-carbon double bond-containing low molecular weight compounds.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 (메트)아크릴레이트계 수지의 중량평균분자량은 100,000 g/mol 이상 1,500,000 g/mol 이하일 수 있다. 구체적으로, 상기 (메트)아크릴레이트계 수지의 중량평균분자량은 150,000 g/mol 이상 1,300,000 g/mol 이하, 300,000 g/mol 이상 1,100,000 g/mol 이하, 500,000 g/mol 이상 900,000 g/mol 이하, 700,000 g/mol 이상 850,000 g/mol 이하, 450,000 g/mol 이상 1,300,000 g/mol 이하, 550,000 g/mol 이상 1,200,000 g/mol 이하, 650,000 g/mol 이상 1,000,000 g/mol 이하, 700,000 g/mol 이상 950,000 g/mol 이하, 또는 750,000 g/mol 이상 850,000 g/mol 이하일 수 있다. 상기 (메트)아크릴레이트계 수지의 중량평균분자량이 전술한 범위를 만족하는 경우, 웨이퍼의 픽업 공정 시에 점착층이 파괴되거나 변형되는 것을 효과적으로 방지할 수 있으며, 점착층이 기재필름 및 접착층에서 박리되는 것을 효과적으로 방지할 수 있다.According to an exemplary embodiment of the present invention, the weight average molecular weight of the (meth)acrylate-based resin may be 100,000 g/mol or more and 1,500,000 g/mol or less. Specifically, the (meth) acrylate-based resin has a weight average molecular weight of 150,000 g/mol or more and 1,300,000 g/mol or less, 300,000 g/mol or more and 1,100,000 g/mol or less, 500,000 g/mol or more and 900,000 g/mol or less, 700,000 g/mol or more and 850,000 g/mol or more, 450,000 g/mol or more and 1,300,000 g/mol or less, 550,000 g/mol or more and 1,200,000 g/mol or less, 650,000 g/mol or more and 1,000,000 g/mol or less, 700,000 g/mol or more and 950,000 g /mol or less, or 750,000 g/mol or more and 850,000 g/mol or less. When the weight average molecular weight of the (meth)acrylate-based resin satisfies the aforementioned range, it is possible to effectively prevent the adhesive layer from being destroyed or deformed during the wafer pickup process, and the adhesive layer can be peeled off from the base film and the adhesive layer can be effectively prevented.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 점착 조성물은 자외선 경화형 화합물을 더 포함할 수 있다. 구체적으로, 상기 자외선 경화형 화합물은 첨가형으로 사용될 수 있다. 즉, 상기 점착 조성물은 상기 (메트)아크릴레이트계 수지, 가교제 및 광개시제 이외에 상기 자외선 경화형 화합물(첨가형)을 추가적으로 포함할 수 있다. 상기 자외선 경화형 화합물의 분자량(중량평균분자량)은 500 g/mol 이상 300,000 g/mol 이하일 수 있다. 상기 자외선 경화형 화합물은 (메트)아크릴레이트계 이소시아네이트 화합물, 다관능성 우레탄 (메트)아크릴레이트계 화합물, 다관능성 (메트)아크릴레이트계 단량체 및 다관능성 (메트)아크릴레이트계 올리고머 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 다만, 상기 자외선 경화형 화합물의 종류를 한정하는 것은 아니고, 목적하는 용도에 따라 당업계에서 사용되는 적절한 화합물을 선택하여 사용할 수 있다.According to an exemplary embodiment of the present invention, the pressure-sensitive adhesive composition may further include an ultraviolet curable compound. Specifically, the UV-curable compound may be used as an additive type. That is, the pressure-sensitive adhesive composition may additionally include the UV-curable compound (additive type) in addition to the (meth)acrylate-based resin, crosslinking agent, and photoinitiator. The molecular weight (weight average molecular weight) of the UV-curable compound may be 500 g/mol or more and 300,000 g/mol or less. The ultraviolet curable compound may include at least one of a (meth)acrylate-based isocyanate compound, a polyfunctional urethane (meth)acrylate-based compound, a polyfunctional (meth)acrylate-based monomer, and a polyfunctional (meth)acrylate-based oligomer. can However, the type of the UV-curable compound is not limited, and an appropriate compound used in the art may be selected and used according to the intended use.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 (메트)아크릴레이트계 수지는 주쇄에 상기 자외선 경화형 화합물이 측쇄로 결합될 수 있다. 구체적으로, 상기 자외선 경화형 화합물은 결합형으로 사용될 수 있다. 즉, 점착 조성물은 상기 자외선 경화형 화합물을 별도로 포함하지 않고, 상기 자외선 경화형 화합물(결합형)이 결합된 (메트)아크릴레이트계 수지를 포함할 수 있다. 상기 (메트)아크릴레이트계 수지의 주쇄에 결합되는 상기 자외선 경화형 화합물은, 광경화성 관능기(예를 들어, 자외선 중합성 탄소-탄소 이중결합)를 분자당 1개 내지 5개, 구체적으로 1개 또는 2개 포함할 수 있다. 또한, 상기 자외선 경화형 화합물의 종류는, 상기 (메트)아크릴레이트계 수지의 주쇄에 포함되는 가교성 관능기와 반응할 수 있는 관능기를 가지는 한 특별히 제한되지는 아니한다. 이때, 상기 자외선 경화형 화합물은, 상기 (메트)아크릴레이트계 수지 주쇄의 가교성 관능기와 반응할 수 있는 관능기인 이소시아네이트기 또는 에폭시기 등을 포함할 수 있다. 다만, 상기 자외선 경화형 화합물에 포함되는 관능기의 종류를 한정하는 것은 아니다.According to an exemplary embodiment of the present invention, in the (meth)acrylate-based resin, the ultraviolet curable compound may be bonded to a main chain as a side chain. Specifically, the UV-curable compound may be used as a bonding type. That is, the pressure-sensitive adhesive composition does not separately include the UV-curable compound, but may include a (meth)acrylate-based resin to which the UV-curable compound (binding type) is bonded. The UV-curable compound bonded to the main chain of the (meth)acrylate-based resin has 1 to 5 photocurable functional groups (eg, UV-polymerizable carbon-carbon double bond) per molecule, specifically 1 or Can contain two. In addition, the type of the UV-curable compound is not particularly limited as long as it has a functional group capable of reacting with a crosslinkable functional group included in the main chain of the (meth)acrylate-based resin. In this case, the ultraviolet curable compound may include an isocyanate group or an epoxy group, which is a functional group capable of reacting with a crosslinkable functional group of the (meth)acrylate-based resin main chain. However, the type of the functional group included in the UV-curable compound is not limited.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 (메트)아크릴레이트계 수지 주쇄에 히드록시기가 포함되는 경우, 상기 자외선 경화형 화합물은 아크릴 이소시아네이트, (메트)아크릴로일옥시 이소시아네이트, (메트)아크릴로일옥시 메틸 이소시아네이트, 2-(메트)아크릴로일옥시 에틸 이소시아네이트, 3-(메트)아크릴로일옥시 프로필 이소시아네이트, 4-(메트)아크릴로일옥시 부틸 이소시아네이트, m-프로페닐-α, α-디메틸벤질이소시아네이트, 메타크릴로일이소시아네이트, 또는 알릴 이소시아네이트; 디이소시아네이트 화합물 또는 폴리이소시아네이트 화합물을 (메트)아크릴산 2-히드록시에틸과 반응시켜 얻어지는 아크릴로일 모노이소시아네이트 화합물; 디이소시아네이트 화합물 또는 폴리이소시아네이트화합물과 폴리올화합물 및 (메트)아크릴산 2-히드록시에틸을 반응시켜 얻어지는 아크릴로일 모노이소시아네이트 화합물; 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 한편, 상기 (메트)아크릴레이트계 수지 주쇄에 카복실기가 포함되는 경우, 상기 자외선 경화형 화합물은 글리시딜(메트)아크릴레이트 및 알릴 글리시딜 에테르 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.According to an exemplary embodiment of the present invention, when a hydroxyl group is included in the (meth)acrylate-based resin main chain, the UV-curable compound is acrylic isocyanate, (meth)acryloyloxy isocyanate, (meth)acryloyloxymethyl Isocyanate, 2-(meth)acryloyloxy ethyl isocyanate, 3-(meth)acryloyloxy propyl isocyanate, 4-(meth)acryloyloxy butyl isocyanate, m-propenyl-α, α-dimethylbenzylisocyanate , methacryloyl isocyanate, or allyl isocyanate; an acryloyl monoisocyanate compound obtained by reacting a diisocyanate compound or a polyisocyanate compound with 2-hydroxyethyl (meth)acrylic acid; an acryloyl monoisocyanate compound obtained by reacting a diisocyanate compound or a polyisocyanate compound with a polyol compound and 2-hydroxyethyl (meth)acrylic acid; may include at least one of Meanwhile, when the (meth)acrylate-based resin main chain includes a carboxyl group, the UV-curable compound may include at least one of glycidyl (meth)acrylate and allyl glycidyl ether.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 자외선 경화형 화합물의 함량은 상기 (메트)아크릴레이트계 수지 100 중량부 기준으로, 5 중량부 이상 400 중량부 이하일 수 있다. 구체적으로, 전술한 자외선 경화형 화합물의 함량은, 상기 자외선 경화형 화합물이 첨가형으로 사용되는 경우와 결합형으로 사용되는 경우 각각의 함량을 의미한다. 보다 구체적으로, 상기 (메트)아크릴레이트계 수지 100 중량부 기준으로, 상기 자외선 경화형 화합물의 함량은 7.5 중량부 이상 350 중량부 이하, 10 중량부 이상 200 중량부 이하, 5 중량부 이상 50 중량부 이하, 6.5 중량부 이상 40 중량부 이하, 7 중량부 이상 35 중량부 이하, 8.5 중량부 이상 25 중량부 이하, 또는 10 중량부 이상 20 중량부 이하일 수 있다. 상기 자외선 경화형 화합물의 함량이 전술한 범위 내인 경우, 웨이퍼의 다이싱 공정 중에 상기 점착층은 기재필름에 대하여 우수한 점착력을 가지며, 광 조사 이후에는 상기 점착층의 점착력이 적절히 감소되어 웨이퍼의 픽업성이 저하되는 것을 억제할 수 있다.According to an exemplary embodiment of the present invention, the content of the ultraviolet curable compound may be 5 parts by weight or more and 400 parts by weight or less, based on 100 parts by weight of the (meth)acrylate-based resin. Specifically, the content of the above-described UV-curable compound means the respective content when the UV-curable compound is used as an additive type and when used as a bonding type. More specifically, based on 100 parts by weight of the (meth)acrylate-based resin, the content of the UV-curable compound is 7.5 parts by weight or more and 350 parts by weight or less, 10 parts by weight or more and 200 parts by weight or less, 5 parts by weight or more and 50 parts by weight. or less, 6.5 parts by weight or more and 40 parts by weight or less, 7 parts by weight or more and 35 parts by weight or less, 8.5 parts by weight or more and 25 parts by weight or less, or 10 parts by weight or more and 20 parts by weight or less. When the content of the UV-curable compound is within the above range, the adhesive layer has excellent adhesion to the base film during the dicing process of the wafer, and after light irradiation, the adhesion of the adhesive layer is appropriately reduced, so that the pick-up property of the wafer is deterioration can be prevented.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 가교제는 이소시아네이트계 화합물, 아지리딘계 화합물, 에폭시계 화합물 및 금속 킬레이트계 화합물 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 다만, 상기 가교제의 종류를 한정하는 것은 아니고, 당업계에서 사용되는 가교제를 선택하여 사용할 수 있다.According to an exemplary embodiment of the present invention, the crosslinking agent may include at least one of an isocyanate-based compound, an aziridine-based compound, an epoxy-based compound, and a metal chelate-based compound. However, the type of the crosslinking agent is not limited, and a crosslinking agent used in the art may be selected and used.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 가교제의 함량은 상기 (메트)아크릴레이트계 수지 100 중량부 기준으로, 5 중량부 이상 20 중량부 이하일 수 있다. 구체적으로, 상기 (메트)아크릴레이트계 수지 100 중량부 기준으로, 상기 가교제의 함량은 7.5 중량부 이상 18.5 중량부 이하, 또는 10 중량부 이상 15 중량부 이하일 수 있다. 상기 가교제의 함량이 전술한 범위 내인 경우, 상기 점착층은 우수한 응집력을 가질 수 있고, 광 조사 전에 기재필름 및 제2 점착층에 대한 우수한 점착력을 유지하여 칩 비산이 발생되는 것을 억제할 수 있다. 또한, 상기 가교제의 함량을 전술한 범위로 조절함으로써, 광 조사에 의하여 상기 제1 점착층이 안정적으로 경화되어 보다 우수한 픽업성을 구현할 수 있다.According to an exemplary embodiment of the present invention, the content of the crosslinking agent may be 5 parts by weight or more and 20 parts by weight or less, based on 100 parts by weight of the (meth)acrylate-based resin. Specifically, based on 100 parts by weight of the (meth)acrylate-based resin, the content of the crosslinking agent may be 7.5 parts by weight or more and 18.5 parts by weight or less, or 10 parts by weight or more and 15 parts by weight or less. When the content of the crosslinking agent is within the above-mentioned range, the adhesive layer may have excellent cohesive strength, and may suppress chip scattering by maintaining excellent adhesive strength to the base film and the second adhesive layer before light irradiation. In addition, by adjusting the content of the crosslinking agent to the above-described range, the first adhesive layer is stably cured by light irradiation, thereby implementing better pickup properties.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 광개시제로 당업계에서 사용되는 광개시제를 사용할 수 있다. 상기 광개시제의 함량은 상기 (메트)아크릴레이트계 수지 100 중량부 기준으로, 0.1 중량부 이상 20 중량부 이하, 0.3 중량부 이상 15 중량부 이하, 0.5 중량부 이상 10 중량부 이하, 0.8 중량부 이상 7.5 중량부 이하, 또는 1 중량부 이상 5 중량부 이하일 수 있다. 상기 광개시제의 함량을 전술한 범위로 조절함으로써, 광 조사에 따라 상기 점착층의 경화 반응이 부족하여 웨이퍼의 픽업성이 저하되는 것을 방지할 수 있다. 또한, 상기 광개시제의 함량이 전술한 범위 내인 경우, 광 조사 후에 점착층의 점착력이 적절하게 감소되어 기재필름에 대한 점착력을 유지하여, 웨이퍼의 픽업성을 보다 향상시킬 수 있다.According to an exemplary embodiment of the present invention, a photoinitiator used in the art may be used as the photoinitiator. The content of the photoinitiator is based on 100 parts by weight of the (meth)acrylate-based resin, 0.1 parts by weight or more and 20 parts by weight or less, 0.3 parts by weight or more and 15 parts by weight or less, 0.5 parts by weight or more and 10 parts by weight or more, 0.8 parts by weight or more It may be 7.5 parts by weight or less, or 1 part by weight or more and 5 parts by weight or less. By adjusting the content of the photoinitiator to the above-mentioned range, it is possible to prevent a decrease in the pick-up property of the wafer due to insufficient curing reaction of the adhesive layer according to light irradiation. In addition, when the content of the photoinitiator is within the above range, the adhesive force of the adhesive layer is appropriately reduced after light irradiation to maintain the adhesive force to the base film, thereby further improving the pickup property of the wafer.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 점착층에는 로진 수지, 터펜(terpene) 수지, 페놀 수지, 스티렌 수지, 지방족 석유 수지, 방향족 석유 수지 또는 지방족 방향족 공중합 석유 수지 등의 점착 부여제가 적절히 포함될 수 있다.According to an exemplary embodiment of the present invention, the adhesive layer may include a tackifier such as a rosin resin, a terpene resin, a phenol resin, a styrene resin, an aliphatic petroleum resin, an aromatic petroleum resin, or an aliphatic aromatic copolymerized petroleum resin. .

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 점착층의 두께는 5 ㎛ 이상 100 ㎛ 이하일 수 있다. 구체적으로, 상기 점착층의 두께는 7.5 ㎛ 이상 75 ㎛ 이하, 7.5 ㎛ 이상 75 ㎛ 이하, 10 ㎛ 이상 50 ㎛ 이하, 20 ㎛ 이상 35 ㎛ 이하, 5 ㎛ 이상 50 ㎛ 이하, 7 ㎛ 이상 30 ㎛ 이하 또는 10 ㎛ 이상 20 ㎛ 이하일 수 있다. 상기 점착층의 두께가 전술한 범위 내인 경우, 다이싱 공정 시에 웨이퍼를 기재필름에 대하여 안정적으로 고정시킬 수 있다. 또한, 상기 점착층의 두께를 전술한 범위로 조절함으로써, 웨이퍼의 픽업 공정 시에 상기 점착층이 기재필름 및 접착층에서 박리되는 것을 효과적으로 방지할 수 있다.According to an exemplary embodiment of the present invention, the thickness of the adhesive layer may be 5 μm or more and 100 μm or less. Specifically, the thickness of the adhesive layer is 7.5 μm or more and 75 μm or less, 7.5 μm or more and 75 μm or less, 10 μm or more and 50 μm or less, 20 μm or more and 35 μm or less, 5 μm or more and 50 μm or less, 7 μm or more and 30 μm or less. Or it may be 10 μm or more and 20 μm or less. When the thickness of the adhesive layer is within the aforementioned range, the wafer may be stably fixed to the base film during the dicing process. In addition, by adjusting the thickness of the adhesive layer in the above-described range, it is possible to effectively prevent the adhesive layer from being peeled from the base film and the adhesive layer during the wafer pickup process.

도 2a는 본 발명의 일 실시상태에 따른 다이싱 다이본딩 필름을 이용하여 웨이퍼를 다이싱하는 것을 나타낸 도면이고, 도 2b는 본 발명의 일 실시상태에 따른 다이싱 다이본딩 필름을 이용하여 다이싱된 웨이퍼를 픽업하는 것을 나타낸 도면이다.2A is a view showing dicing a wafer using a dicing die bonding film according to an exemplary embodiment of the present invention, and FIG. 2B is a dicing using a dicing die bonding film according to an exemplary embodiment of the present invention. It is a diagram showing the pickup of the old wafer.

구체적으로, 도 2a는 다이싱 다이본딩 필름의 접착층(30)에 웨이퍼(W)를 부착하고, 웨이퍼(W)를 다이싱한 것을 나타낸 도면이다. 도 2b는 다이싱 완료된 웨이퍼(W)가 부착된 접착층(30)을 점착층(20)으로부터 픽업 하는 것을 나타낸 도면이다.Specifically, FIG. 2A is a view illustrating that the wafer W is attached to the adhesive layer 30 of the dicing die-bonding film, and the wafer W is diced. FIG. 2B is a diagram illustrating pickup of the adhesive layer 30 to which the diced wafer W is attached from the adhesive layer 20 .

본 발명의 일 실시상태는 상기 다이싱 다이본딩 필름을 이용하여, 반도체 패키지를 제조하는 방법을 제공한다.An exemplary embodiment of the present invention provides a method of manufacturing a semiconductor package using the dicing die bonding film.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 반도체 패키지를 제조하는 방법은, 상기 다이싱 다이본딩 필름의 접착층에 웨이퍼를 부착하는 단계, 상기 웨이퍼를 소정의 형태로 다이싱하는 단계, 상기 다이싱 다이본딩 필름의 점착층에 광을 조사하여 점착층을 경화시키는 단계, 및 다이싱된 상기 웨이퍼가 부착된 상기 접착층을 상기 점착층으로부터 픽업하는 단계를 포함하고, 상기 픽업하는 단계는 상기 접착층에 대하여 척력이 작용되는 푸쉬 유닛을 이용하는 것일 수 있다.According to an exemplary embodiment of the present invention, the method for manufacturing the semiconductor package includes attaching a wafer to an adhesive layer of the dicing die bonding film, dicing the wafer into a predetermined shape, and the dicing die bonding A step of curing the adhesive layer by irradiating light to the adhesive layer of the film, and picking up the adhesive layer to which the diced wafer is attached from the adhesive layer, wherein the picking up has a repulsive force with respect to the adhesive layer. It may be to use an actuated push unit.

도 2a를 참고하면, 다이싱 다이본딩 필름의 접착층(30)에 웨이퍼(W)를 부착하고, 다이싱을 통해 웨이퍼(W), 접착층(30) 및 점착층(20)을 소정의 형태로 재단할 수 있다. 이후, 다이싱 다이본딩 필름에 UV를 조사하여, 점착층(20)을 광경화시킬 수 있다. 다이싱 다이본딩 필름에 조사되는 UV의 파장값과 광량 등의 조건은 상기 점착층에 포함된 광개시제 등의 물성을 고려하여 설정될 수 있다.Referring to FIG. 2A , the wafer W is attached to the adhesive layer 30 of the dicing die-bonding film, and the wafer W, the adhesive layer 30 and the adhesive layer 20 are cut into a predetermined shape through dicing. can do. Thereafter, by irradiating UV to the dicing die-bonding film, the adhesive layer 20 may be photocured. Conditions such as a wavelength value and light amount of UV irradiated to the dicing die-bonding film may be set in consideration of physical properties such as a photoinitiator included in the adhesive layer.

도 2b에 도시된 바와 같이, 웨이퍼(W)의 픽업 단계는 푸쉬 유닛(1)과 픽업 유닛(2)을 이용하여 수행될 수 있다. 푸쉬 유닛(1)은 상기 접착층(30)에 포함된 자성물질(35)에 대하여 척력이 작용되도록 자화될 수 있다. 도 2b를 참고하면, 다이싱 다이본딩 필름의 기재필름(10)에서 접착층(30)을 향하는 방향으로, 접착층(30)의 하측이 S극으로 자화되어 있고, 푸쉬 유닛(1)의 상측이 S극으로 자화될 수 있다. 이때, 푸쉬 유닛(1)을 상기 A방향으로 이동시키는 경우, 척력에 의하여 접착층(30)이 점착층(20)으로부터 용이하게 분리될 수 있다. 픽업 유닛(2)은 진공을 형성하여 다이싱된 웨이퍼(W)를 흡착할 수 있다. 한편, 도 2b에 도시된 바와 달리, 접착층(30)의 하측이 N극으로 자화되어 있고, 푸쉬 유닛(1)의 상측이 N극으로 자화될 수도 있다.As shown in FIG. 2B , the step of picking up the wafer W may be performed using the push unit 1 and the pick-up unit 2 . The push unit 1 may be magnetized so that a repulsive force is applied to the magnetic material 35 included in the adhesive layer 30 . Referring to FIG. 2b, in the direction from the base film 10 of the dicing die bonding film to the adhesive layer 30, the lower side of the adhesive layer 30 is magnetized to the S pole, and the upper side of the push unit 1 is S can be polarized. At this time, when the push unit 1 is moved in the A direction, the adhesive layer 30 may be easily separated from the adhesive layer 20 by the repulsive force. The pickup unit 2 may adsorb the diced wafer W by forming a vacuum. Meanwhile, unlike shown in FIG. 2B , the lower side of the adhesive layer 30 may be magnetized to the N pole, and the upper side of the push unit 1 may be magnetized to the N pole.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 푸쉬 유닛의 상측 면적이 다이싱된 접착층의 면적보다 작을 수 있다. 이를 통해, 푸쉬 유닛과 접착층 사이에 작용하는 척력이 주변에 배치된 접착층에 영향을 주는 것을 효과적으로 저감할 수 있다.According to an exemplary embodiment of the present invention, the upper area of the push unit may be smaller than the area of the diced adhesive layer. Through this, it is possible to effectively reduce the repulsive force acting between the push unit and the adhesive layer from affecting the adhesive layer disposed in the vicinity.

이하, 본 발명을 구체적으로 설명하기 위해 실시예를 들어 상세하게 설명하기로 한다. 그러나, 본 발명에 따른 실시예들은 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 기술하는 실시예들에 한정되는 것으로 해석되지 않는다. 본 명세서의 실시예들은 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다.Hereinafter, examples will be given to describe the present invention in detail. However, the embodiments according to the present invention may be modified in various other forms, and the scope of the present invention is not to be construed as being limited to the embodiments described below. The embodiments of the present specification are provided to more completely explain the present invention to those of ordinary skill in the art.

실시예 1Example 1

점착 조성물의 제조Preparation of adhesive composition

2-에틸헥실 아크릴레이트 75g, 2-에틸헥실 메타아크릴레이트 10g, 및 2-하이드록시에틸 아크릴레이트 15g을 에틸아크릴레이트 용매 300g 하에서 공중합하여 중량평균분자량이 850,000 g/mol인 제1 (메트)아크릴레이트계 수지를 수득하였다. 이후, 수득한 (메트)아크릴레이트계 수지 100 중량부에 자외선 경화형 화합물인 아크릴 이소시아네이트 화합물을 10 중량부를 첨가하여 반응 생성물을 얻었다. A first (meth)acrylic having a weight average molecular weight of 850,000 g/mol by copolymerizing 75 g of 2-ethylhexyl acrylate, 10 g of 2-ethylhexyl methacrylate, and 15 g of 2-hydroxyethyl acrylate in 300 g of an ethyl acrylate solvent A rate-based resin was obtained. Then, 10 parts by weight of an acrylic isocyanate compound, which is an ultraviolet curable compound, was added to 100 parts by weight of the obtained (meth)acrylate-based resin to obtain a reaction product.

이후, 반응 생성물에 가교제로서 다관능 이소시아네이트 올리고머와 광개시제로서 다로커 TPO를 혼합하여, 점착 조성물을 제조하였다. 이때, 상기 수득한 (메트)아크릴레이트계 수지 100 중량부 기준으로, 가교제의 함량은 10 중량부이었고, 광개시제의 함량은 1 중량부이었다.Thereafter, the reaction product was mixed with a polyfunctional isocyanate oligomer as a crosslinking agent and Daroker TPO as a photoinitiator to prepare an adhesive composition. At this time, based on 100 parts by weight of the obtained (meth)acrylate-based resin, the content of the crosslinking agent was 10 parts by weight, and the content of the photoinitiator was 1 part by weight.

접착 조성물의 제조Preparation of adhesive composition

열경화성 수지로서 액상 에폭시 수지(RE-310S, 일본 화약, 비스페놀 A 에폭시 수지, 에폭시 당량 180 g/eq) 100 중량부, 열가소성 수지로서 아크릴레이트 수지(KG-3015, 글리시딜메타크릴레이트계 반복단위 3중량% 포함, 중량평균분자량 900,000 g/mol, 유리전이온도 10 ℃) 100 중량부, 경화제로서 페놀 수지(KH-6021, DIC, 비스페놀 A 노볼락 수지, 수산기 당량 121 g/eq, 연화점 133 ℃) 100 중량부, 자성물질로서 강자성체인 산화철(Ⅲ; HF-03C, 노피온) 200 중량부, 경화 촉매로서 2-메틸 이미다졸(Curezol 2MZ-H, SHIKOKU) 4 중량부, 무기필러로서 구상 실리카(SC-2020, 아드마텍, 평균 입경 약 400 nm) 200 중량부, 커플링제로서 3-글리시독시프로필 트리메톡시실란 (KBM-403, Shin-Etsu chemical) 2 중량부, 용제로서 메틸에틸케톤 200 중량부를 교반 혼합하여 접착 조성물(고형분 40 중량%)을 제조하였다.100 parts by weight of a liquid epoxy resin as a thermosetting resin (RE-310S, Nippon Chemicals, bisphenol A epoxy resin, an epoxy equivalent of 180 g/eq), an acrylate resin (KG-3015, a glycidyl methacrylate repeating unit as a thermoplastic resin) Including 3% by weight, weight average molecular weight 900,000 g/mol, glass transition temperature 10° C.) 100 parts by weight, as a curing agent phenol resin (KH-6021, DIC, bisphenol A novolac resin, hydroxyl equivalent weight 121 g/eq, softening point 133° C.) ) 100 parts by weight, 200 parts by weight of ferromagnetic iron oxide (III; HF-03C, Nofion) as a magnetic material, 4 parts by weight of 2-methylimidazole (Curezol 2MZ-H, SHIKOKU) as a curing catalyst, spherical silica as an inorganic filler (SC-2020, Admatec, average particle diameter about 400 nm) 200 parts by weight, 3-glycidoxypropyl trimethoxysilane (KBM-403, Shin-Etsu chemical) 2 parts by weight as a solvent, methyl ethyl ketone as a coupling agent 200 parts by weight were stirred and mixed to prepare an adhesive composition (solid content: 40% by weight).

다이싱 필름의 제조Manufacture of dicing film

제조된 점착 조성물을 이형 처리된 두께 38 ㎛의 PET 필름 위에 건조 후의 두께가 10 ㎛가 되도록 도포하고, 110 ℃에서 3분간 건조하여 점착층을 제조하였다. 이후, 제조된 점착층을 두께 100 ㎛의 폴리올레핀 기재필름에 라미네이트하였다.The prepared pressure-sensitive adhesive composition was applied to a release-treated PET film having a thickness of 38 µm to a thickness of 10 µm after drying, and dried at 110° C. for 3 minutes to prepare an adhesive layer. Thereafter, the prepared adhesive layer was laminated on a polyolefin base film having a thickness of 100 μm.

다이싱 다이본딩 필름의 제조Manufacture of dicing die bonding film

제조된 접착 조성물을 이형 처리된 두께 38 ㎛의 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET) 필름 위에 도포하고, 접착 조성물이 도포된 PET 필름을 2개의 패널 사이로 통과시켜, 자성물질이 일측으로 편향되도록 자화시킨 후 110 ℃에서 3분간 건조하여 약 50 ㎛ 두께의 접착층을 제조하였다.The prepared adhesive composition is applied on a release-treated polyethylene terephthalate (PET) film having a thickness of 38 μm, and the PET film coated with the adhesive composition is passed between two panels to deflect the magnetic material to one side. and dried for 3 minutes to prepare an adhesive layer with a thickness of about 50 μm.

이때, 2개의 패널 각각은 가로가 40 cm, 세로가 40 cm이다. 또한, 1개의 패널을 접착 조성물이 도포된 PET 필름의 상측(접착 조성물 측)에 1 cm 간격으로 이격되도록 위치시키고, 다른 1개의 패널을 접착 조성물이 도포된 PET 필름의 하측(PET 필름 측)과 1 cm 간격으로 이격되도록 위치시키고, 2개의 패널에 10 V의 직류 전압을 인가하였다. 또한, 접착 조성물이 도포된 PET 필름이 2개의 패널 사이를 통과하는 시간을 약 20 초로 조절하였다.At this time, each of the two panels has a width of 40 cm and a length of 40 cm. In addition, one panel is placed on the upper side (adhesive composition side) of the PET film coated with the adhesive composition at intervals of 1 cm, and the other panel is placed on the lower side of the PET film coated with the adhesive composition (PET film side) and They were positioned to be spaced apart by an interval of 1 cm, and a DC voltage of 10 V was applied to the two panels. In addition, the time for the PET film coated with the adhesive composition to pass between the two panels was adjusted to about 20 seconds.

이후, 상기에서 제조된 다이싱 필름의 점착층 상에 제조된 접착층을 폴라미네이터(Fujishoko사)를 이용하여 30 ℃에서 5 kgf/cm2의 조건으로 라미네이트하고 원형으로 절단하여, 기재필름, 점착층, 및 접착층이 순차적으로 구비된 다이싱 다이본딩 필름을 제조하였다.Thereafter, the adhesive layer prepared on the adhesive layer of the dicing film prepared above is laminated at 30° C. under the conditions of 5 kgf/cm 2 using a polarminator (Fujishoko) and cut in a circle, the base film, the adhesive layer , and a dicing die-bonding film provided with an adhesive layer sequentially was prepared.

실시예 2Example 2

상기 실시예 1에서 접착 조성물에 포함된 강자성체로서 페라이트(ferrite)을 사용한 것을 제외하고, 상기 실시예 1과 동일한 방법으로, 점착 조성물, 접착 조성물, 다이싱 필름 및 다이싱 다이본딩 필름을 제조하였다.An adhesive composition, an adhesive composition, a dicing film, and a dicing die-bonding film were prepared in the same manner as in Example 1, except that ferrite was used as the ferromagnetic material included in the adhesive composition in Example 1.

비교예 1Comparative Example 1

상기 실시예 1에서 접착 조성물에 포함된 메틸에틸케톤의 함량을 400 중량부로 조절한 것을 제외하고, 상기 실시예 1과 동일한 방법으로, 점착 조성물, 접착 조성물, 다이싱 필름 및 다이싱 다이본딩 필름을 제조하였다.A pressure-sensitive adhesive composition, an adhesive composition, a dicing film, and a dicing die-bonding film were prepared in the same manner as in Example 1, except that the content of methyl ethyl ketone included in the adhesive composition in Example 1 was adjusted to 400 parts by weight. prepared.

비교예 2Comparative Example 2

상기 실시예 1에서 접착 조성물에 포함된 메틸에틸케톤의 함량을 40 중량부로 조절한 것을 제외하고, 상기 실시예 1과 동일한 방법으로, 점착 조성물, 접착 조성물, 다이싱 필름 및 다이싱 다이본딩 필름을 제조하였다.A pressure-sensitive adhesive composition, an adhesive composition, a dicing film, and a dicing die-bonding film were prepared in the same manner as in Example 1, except that the content of methyl ethyl ketone included in the adhesive composition in Example 1 was adjusted to 40 parts by weight. prepared.

비교예 3Comparative Example 3

상기 실시예 1에서 접착 조성물에 포함된 자성물질의 함량을 100 중량부로 조절한 것을 제외하고, 상기 실시예 1과 동일한 방법으로, 점착 조성물, 접착 조성물, 다이싱 필름 및 다이싱 다이본딩 필름을 제조하였다.A pressure-sensitive adhesive composition, an adhesive composition, a dicing film, and a dicing die-bonding film were prepared in the same manner as in Example 1, except that the content of the magnetic material included in the adhesive composition in Example 1 was adjusted to 100 parts by weight. did

비교예 4Comparative Example 4

상기 실시예 1에서 접착 조성물에 포함된 자성물질의 함량을 500 중량부로 조절한 것을 제외하고, 상기 실시예 1과 동일한 방법으로, 점착 조성물, 접착 조성물, 다이싱 필름 및 다이싱 다이본딩 필름을 제조하였다.An adhesive composition, an adhesive composition, a dicing film, and a dicing die-bonding film were prepared in the same manner as in Example 1, except that the content of the magnetic material included in the adhesive composition in Example 1 was adjusted to 500 parts by weight. did

실험예Experimental example

1. 접착 조성물의 점도 측정1. Viscosity Measurement of Adhesive Compositions

실시예 1 내지 실시예 2, 비교예 1 내지 비교예 4에서 제조된 접착 조성물의 점도를 측정하였다. 구제척으로, 접착 조성물을 기포가 없는 상태로 탈포한 후, 5 mL 주사기를 이용하여 0.5 mL 샘플링하여 브룩필드(Brook field) HB 40번 스핀들(spindle)로 25 ℃에서 항온을 유지하고 10 분간 점도를 측정하여, 점도 변화가 없는 시점의 Pa·s값을 측정하고, 측정된 점도 값을 하기 표 1에 나타내었다.The viscosity of the adhesive compositions prepared in Examples 1 to 2 and Comparative Examples 1 to 4 was measured. For extermination, after defoaming the adhesive composition in a bubble-free state, sample 0.5 mL using a 5 mL syringe, maintain constant temperature at 25 ° C with a Brook field HB No. 40 spindle, and maintain the viscosity for 10 minutes was measured to measure the Pa·s value at the point in time when there was no change in viscosity, and the measured viscosity values are shown in Table 1 below.

2. 접착층의 용융점도 측정2. Measurement of melt viscosity of adhesive layer

실시예 1에서 제조된 접착층을 두께 600 ㎛가 되도록 중첩하여 적층하고, 60 ℃의 라미네이터를 이용하여 라미네이트하여 시편을 제조하였다. 이후, 제조된 시편을 지름 8 mm의 원형으로 성형하고, ARES(TA社) 5 rad/s의 전단 속도, 온도 범위 25 ℃ 내지 200 ℃, 승온 속도 10 ℃/min에서의 점도값의 변화를 측정하고, 측정된 점도값 중에서 가장 낮은 값을 용융점도로 구하였다.The adhesive layer prepared in Example 1 was overlapped to have a thickness of 600 μm, and laminated using a laminator at 60° C. to prepare a specimen. Thereafter, the prepared specimen was molded into a circle having a diameter of 8 mm, and the change in viscosity was measured at a shear rate of 5 rad/s by ARES (TA), a temperature range of 25° C. to 200° C., and a temperature increase rate of 10° C./min. and the lowest value among the measured viscosity values was obtained as the melt viscosity.

실시예 2, 비교예 1 내지 비교예 4에서 제조된 접착층에 대해서도 상기와 동일한 방법으로 용융점도를 구하고, 하기 표 1에 나타내었다.For the adhesive layers prepared in Example 2 and Comparative Examples 1 to 4, melt viscosities were obtained in the same manner as above, and are shown in Table 1 below.

3. 자화 평가3. Magnetization evaluation

실시예 1 내지 실시예 2, 비교예 1 내지 비교예 4에서 제조된 접착층에 대한 자화 평가를 하기와 같이 수행하였다.Magnetization evaluation of the adhesive layers prepared in Examples 1 to 2 and Comparative Examples 1 to 4 was performed as follows.

구체적으로, 실시예 1에서 제조된 접착층을 1 cm ⅹ 1 cm의 크기로 재단한 후, 네오디움 자석을 갖다 대어, 1 mm 이상의 이동이 관측되는 경우에는 "O"로 평가하고, 이동 거리가 1 mm 미만인 경우에는 "△"로 평가하고, 이동이 없는 경우에는 "X"로 평가하였다.Specifically, after cutting the adhesive layer prepared in Example 1 to a size of 1 cm × 1 cm, a neodymium magnet is applied to it, and when a movement of 1 mm or more is observed, it is evaluated as "O", and the movement distance is 1 If it was less than mm, it was evaluated as "Δ", and if there was no movement, it was evaluated as "X".

또한, 실시예 2, 비교예 1 내지 비교예 4에서 제조된 접착층에 대해서도 상기와 동일한 방법으로 자화 평가를 수행하고, 그 결과를 하기 표 1에 나타내었다.In addition, the adhesive layers prepared in Example 2 and Comparative Examples 1 to 4 were also subjected to magnetization evaluation in the same manner as above, and the results are shown in Table 1 below.

4. 픽업 평가4. Pickup Rating

실시예 1 내지 실시예 2, 비교예 1 내지 비교예 4에서 제조된 다이싱 다이본딩 필름의 웨이퍼 픽업 평가를 하기와 같이 수행하였다.Wafer pickup evaluation of the dicing die-bonding films prepared in Examples 1 to 2 and Comparative Examples 1 to 4 was performed as follows.

구체적으로, 실시예 1에서 제조된 다이싱 다이본딩 필름을 준비하고, 다이싱 다이본딩 필름의 접착층에 미러 웨이퍼(8인치, 두께 60 ㎛)를 온도 60 ℃에서 마운팅한 후 칩 크기가 1 mm x 1 mm가 되도록 하기 조건으로 다이싱을 실시하였다. 이후, 다이싱된 샘플에 광량 300 mJ/cm2 조건의 자외선을 다이싱 다이본딩 필름의 기재필름 측에 조사하여 픽업성 측정 샘플을 준비하였다.Specifically, the dicing die-bonding film prepared in Example 1 was prepared, and a mirror wafer (8 inches, 60 μm thick) was mounted on the adhesive layer of the dicing die-bonding film at a temperature of 60° C., and then the chip size was 1 mm x Dicing was performed under the following conditions so as to be 1 mm. Thereafter, the diced sample was irradiated with ultraviolet rays with a light quantity of 300 mJ/cm 2 to the base film side of the dicing die-bonding film to prepare a pick-up measurement sample.

상기 준비된 샘플을 SPA-400(SHINKAWA) 이용하여 하기의 조건으로 픽업을 수행하였고, 픽업 성공률이 100%를 달성하는 최소 니들 핀 높이(needle pin height)를 측정하였다.Pickup was performed on the prepared sample using SPA-400 (SHINKAWA) under the following conditions, and the minimum needle pin height for achieving 100% pickup success rate was measured.

또한, 실시예 2, 비교예 1 내지 비교예 4에서 제조된 다이싱 다이본딩 필름에 대해서도 상기와 동일한 방법으로 픽업 평가를 수행하고, 그 결과를 하기 표 1에 나타내었다.In addition, the pick-up evaluation was performed in the same manner as above for the dicing die-bonding films prepared in Example 2 and Comparative Examples 1 to 4, and the results are shown in Table 1 below.

<다이싱 조건><Dicing conditions>

기기: DFD-650(DISCO)Instrument: DFD-650 (DISCO)

블레이드 타입: 27HEBB(DISCO)Blade type: 27HEBB (DISCO)

커팅 블레이드 높이(cut depth): 80 umCutting blade height: 80 um

다이싱 스피드: 50 mm/sDicing speed: 50 mm/s

블레이드 회전수: 40,000 rpmBlade speed: 40,000 rpm

<픽업 조건><Pick-up conditions>

기기: SPA-400(SHINKAWA)Device: SPA-400 (SHINKAWA)

익스펜딩 높이: 3.5 mmExpanding height: 3.5 mm

니들 개수: 20 개Number of needles: 20

니들 올림 속도(needle plunge up speed): 10 mm/sNeedle plunge up speed: 10 mm/s

5. 상온 경시변화 평가5. Evaluation of changes over time at room temperature

실시예 1 내지 실시예 2, 비교예 1 내지 비교예 4에서 제조된 접착층의 상온 경시변화를 하기와 같이 평가하였다.Examples 1 to 2 and Comparative Examples 1 to 4 were evaluated as follows.

구체적으로, 실시예 1에서 제조된 접착필름(PET 필름에 접착층이 형성)을 25 ℃에 방치 후, 일별로 시차열분석기(DSC)를 이용하여 △H의 피크변화량을 게산하였고, 상기 "2. 접착층의 용융점도 측정"에서의 용융점도 측정방법을 통해 용융점도 변화량을 계산하였다. Specifically, after the adhesive film prepared in Example 1 (the adhesive layer is formed on the PET film) was left at 25 ° C., the amount of change in the peak of ΔH was calculated using a differential thermal analyzer (DSC) for each day, and the “2. The amount of change in melt viscosity was calculated through the melt viscosity measurement method in "Measurement of the melt viscosity of the adhesive layer".

이때, △H의 피크 변화율이 20% 이상, 용융점도의 변화율이 50% 이상이면 경시변화가 있는 것으로 판단하였다. 4주 후에 경시변화가 없으면 합격(O)으로 평가하고, 경시변화가 발생하면 불합격(X)으로 평가하였다.At this time, when the peak change rate of ΔH was 20% or more and the change rate of the melt viscosity was 50% or more, it was determined that there was a change with time. If there was no change over time after 4 weeks, it was evaluated as pass (O), and if there was no change over time, it was evaluated as fail (X).

실시예 2, 비교예 1 내지 비교예 4에서 제조된 접착층에 대해서도 상기와 동일한 방법으로 상온 경시변화를 평가하였고, 하기 표 1에 나타내었다.For the adhesive layers prepared in Example 2 and Comparative Examples 1 to 4, the change over time at room temperature was evaluated in the same manner as above, and is shown in Table 1 below.

6. 매립 특성 평가6. Assessment of landfill properties

실시예 1 내지 실시예 2, 비교예 1 내지 비교예 4에서 제조된 접착층의 매립 특성 평가를 하기와 같이 평가하였다.The embedding properties of the adhesive layers prepared in Examples 1 to 2 and Comparative Examples 1 to 4 were evaluated as follows.

구체적으로, 실시예 1에서 제조된 접착필름(PET 필름에 접착층이 형성)의 접착층에 미러 웨이퍼(8인치, 두께 60 ㎛)를 온도 60 ℃에서 마운팅한 후 칩 크기가 1 mm x 1 mm가 되도록 하기 조건으로 다이싱을 실시하였다. 이후, 다이싱된 샘플에 광량 300 mJ/cm2 조건의 자외선을 접착필름의 PET 필름 측에 조사하여 매립 특성 측정 샘플을 준비하였다. 상기 준비된 샘플을 SPA-400(SHINKAWA) 이용하여 하기의 조건으로 Pick-up & Place를 수행하였다. Specifically, after mounting a mirror wafer (8 inches, thickness 60 μm) on the adhesive layer of the adhesive film (the adhesive layer is formed on the PET film) prepared in Example 1 at a temperature of 60 ° C, the chip size is 1 mm x 1 mm Dicing was performed under the following conditions. Thereafter, the diced sample was irradiated with ultraviolet light with a light quantity of 300 mJ/cm 2 to the PET film side of the adhesive film to prepare a sample for measuring embedding properties. Pick-up & Place was performed on the prepared sample using SPA-400 (SHINKAWA) under the following conditions.

이때, 다이싱된 개별 칩은 40 ㎛의 두께를 가지는 Controller (4 mm x 4 mm) 상에 다이 본딩(1.5 kg, 1.5 s, 120 ℃)되었고, 이후 140 ℃ 및 7 기압 조건에서 30 분간 경화시켰다. 이후, 초음파현미경 장비(SONIX)를 이용하여 Controller 주변부에 보이드(Void)가 제거되었는지 확인하였고, 보이드가 모두 제거된 경우에는 합격(O)으로 평가하고, 미매립되어 보이드가 남아 있는 경우에는 불합격(X)으로 평가하였다.At this time, the diced individual chips were die-bonded (1.5 kg, 1.5 s, 120 °C) on a controller (4 mm x 4 mm) having a thickness of 40 µm, and then cured at 140 °C and 7 atmospheres for 30 minutes. . After that, it was checked whether voids were removed around the controller using ultrasonic microscope equipment (SONIX). X) was evaluated.

실시예 2, 비교예 1 내지 비교예 4에서 제조된 접착층에 대해서도 상기와 동일한 방법으로 매립 특성 평가를 수행하였고, 그 결과를 하기 표 1에 나타내었다.For the adhesive layers prepared in Example 2 and Comparative Examples 1 to 4, embedding properties were evaluated in the same manner as above, and the results are shown in Table 1 below.

<다이싱 조건><Dicing conditions>

기기: DFD-650(DISCO)Instrument: DFD-650 (DISCO)

블레이드 타입: 27HEBB(DISCO)Blade type: 27HEBB (DISCO)

커팅 블레이드 높이(cut depth): 80 umCutting blade height: 80 um

다이싱 스피드: 50 mm/sDicing speed: 50 mm/s

블레이드 회전수: 40,000 rpmBlade speed: 40,000 rpm

<픽업 조건><Pick-up conditions>

기기: SPA-400(SHINKAWA)Device: SPA-400 (SHINKAWA)

익스펜딩 높이: 3.5 mmExpanding height: 3.5 mm

니들 개수: 20 개Number of needles: 20

니들 올림 높이(needle plunge up height): 0.2 mmNeedle plunge up height: 0.2 mm

니들 올림 속도(needle plunge up speed): 10 mm/sNeedle plunge up speed: 10 mm/s

실시예 1Example 1 실시예 2Example 2 비교예 1Comparative Example 1 비교예 2Comparative Example 2 비교예 3Comparative Example 3 비교예 4Comparative Example 4 점도 (Pa·s)Viscosity (Pa s) 480480 500500 7474 1,3701,370 210210 890890 용융점도 (Pa·s)Melt Viscosity (Pa s) 3,3003,300 3,1003,100 2,6002,600 3,4003,400 1,2001,200 7,9507,950 자화 평가magnetization evaluation OO OO XX XX XX OO 픽업 평가Pickup Rating 0.120.12 0.130.13 0.400.40 0.400.40 0.340.34 0.150.15 경시변화 평가Evaluation of changes over time OO OO OO OO OO OO 매립특성 평가Assessment of landfill characteristics OO OO OO OO OO XX

상기 표 1을 참고하면, 접착 조성물의 점도와 접착층의 용융점도가 전술한 범위를 만족하는 실시예 1 및 실시예 2는, 전술한 점도 범위와 용융점도 범위를 벗어나는 비교예 1 내지 비교예 4 대비하여, 자화 평가 및 픽업 평가 결과가 우수한 것을 확인하였다. 또한, 실시예 1 및 실시예 2의 접착층은 경시변화가 효과적으로 억제되고, 매립 특성이 우수한 것을 확인하였다.Referring to Table 1, Examples 1 and 2, in which the viscosity of the adhesive composition and the melt viscosity of the adhesive layer satisfy the above-described ranges, are compared to Comparative Examples 1 to 4, which are out of the aforementioned viscosity range and melt viscosity range. Thus, it was confirmed that the magnetization evaluation and pickup evaluation results were excellent. In addition, it was confirmed that the adhesive layers of Examples 1 and 2 were effectively suppressed from aging and had excellent embedding properties.

따라서, 본 발명의 일 실시상태에 따른 다이싱 다이본딩 필름을 이용하여, 다이싱이 완료된 웨이퍼의 픽업 공정을 용이하게 수행할 수 있음을 알 수 있다.Therefore, it can be seen that the pick-up process of the diced wafer can be easily performed using the dicing die-bonding film according to an exemplary embodiment of the present invention.

100: 다이싱 다이본딩 필름
10: 기재필름
20: 점착층
30: 접착층
35: 자성물질
1: 푸쉬 유닛
2: 픽업 유닛
W: 웨이퍼
100: dicing die bonding film
10: base film
20: adhesive layer
30: adhesive layer
35: magnetic material
1: Push unit
2: Pickup unit
W: Wafer

Claims (12)

기재필름;
상기 기재필름의 일면 상에 구비되며, 점착 조성물을 포함하는 점착층; 및
상기 점착층의 일면 상에 구비되며, 접착 조성물을 포함하는 접착층;을 포함하고,
상기 접착 조성물은 열경화성 수지, 열가소성 수지, 경화제, 자성물질 및 용제를 포함하고,
상기 접착층의 용융점도는 2,600 Pa·s 초과 3,400 Pa·s 미만인 다이싱 다이본딩 필름.
base film;
an adhesive layer provided on one surface of the base film and comprising an adhesive composition; and
It is provided on one surface of the adhesive layer, and includes an adhesive layer comprising an adhesive composition;
The adhesive composition includes a thermosetting resin, a thermoplastic resin, a curing agent, a magnetic material and a solvent,
A dicing die-bonding film having a melt viscosity of the adhesive layer greater than 2,600 Pa·s and less than 3,400 Pa·s.
청구항 1에 있어서,
상기 접착 조성물의 점도는 75 Pa·s 이상 1,000 Pa·s 이하인 다이싱 다이본딩 필름.
The method according to claim 1,
The viscosity of the adhesive composition is 75 Pa·s or more and 1,000 Pa·s or less of a dicing die-bonding film.
청구항 1에 있어서,
상기 열경화성 수지는 고상 에폭시 수지 및 액상 에폭시 수지 중 적어도 하나를 포함하는 것인 다이싱 다이본딩 필름.
The method according to claim 1,
The thermosetting resin is a dicing die-bonding film comprising at least one of a solid epoxy resin and a liquid epoxy resin.
청구항 1에 있어서,
상기 열가소성 수지는 폴리이미드계 수지, 폴리에테르 이미드계 수지, 폴리에스테르 이미드계 수지, 폴리아미드계 수지, 폴리에테르 술폰계 수지, 폴리에테르 케톤계 수지, 폴리올레핀계 수지, 폴리염화비닐계 수지, 페녹시계 수지, 부타디엔계 고무, 스티렌-부타디엔계 고무, 변성 부타디엔계 고무, 반응성 부타디엔 아크릴로 니트릴 공중합 고무 및 (메타)아크릴레이트계 수지 중 적어도 하나를 포함하는 것인 다이싱 다이본딩 필름.
The method according to claim 1,
The thermoplastic resin is a polyimide-based resin, a polyether imide-based resin, a polyester imide-based resin, a polyamide-based resin, a polyether sulfone-based resin, a polyether ketone-based resin, a polyolefin-based resin, a polyvinyl chloride-based resin, and a phenoxy group. A dicing die-bonding film comprising at least one of a resin, a butadiene-based rubber, a styrene-butadiene-based rubber, a modified butadiene-based rubber, a reactive butadiene acrylonitrile copolymer rubber, and a (meth)acrylate-based resin.
청구항 1에 있어서,
상기 열가소성 수지의 함량은, 상기 열경화성 수지 100 중량부에 대하여 5 중량부 이상 350 중량부 이하인 것인 다이싱 다이본딩 필름.
The method according to claim 1,
The content of the thermoplastic resin, the dicing die-bonding film will be 5 parts by weight or more and 350 parts by weight or less based on 100 parts by weight of the thermosetting resin.
청구항 1에 있어서,
상기 경화제의 함량은, 상기 열경화성 수지 100 중량부에 대하여 10 중량부 이상 500 중량부 이하인 것인 다이싱 다이본딩 필름.
The method according to claim 1,
The content of the curing agent, the dicing die-bonding film will be 10 parts by weight or more and 500 parts by weight or less based on 100 parts by weight of the thermosetting resin.
청구항 1에 있어서,
상기 기재필름에서 상기 접착층을 향하는 방향을 따라, 상기 자성물질은 일측으로 편향되어 자화된 것인 다이싱 다이본딩 필름.
The method according to claim 1,
In a direction from the base film toward the adhesive layer, the magnetic material is deflected to one side and is magnetized. A dicing die-bonding film.
청구항 1에 있어서,
상기 자성물질은 강자성체를 포함하는 것인 다이싱 다이본딩 필름.
The method according to claim 1,
The magnetic material is a dicing die-bonding film comprising a ferromagnetic material.
청구항 1에 있어서,
상기 자성물질의 함량은, 상기 열경화성 수지 100 중량부에 대하여 100 중량부 초과 500 중량부 미만인 것인 다이싱 다이본딩 필름.
The method according to claim 1,
The content of the magnetic material, the dicing die-bonding film that exceeds 100 parts by weight and less than 500 parts by weight based on 100 parts by weight of the thermosetting resin.
청구항 1에 있어서,
상기 용제의 함량은, 상기 열경화성 수지 100 중량부에 대하여 50 중량부 이상 350 중량부 이하인 것인 다이싱 다이본딩 필름.
The method according to claim 1,
The content of the solvent, the dicing die-bonding film will be 50 parts by weight or more and 350 parts by weight or less based on 100 parts by weight of the thermosetting resin.
청구항 1에 있어서,
상기 접착층의 두께는 10 ㎛ 이상 200 ㎛ 이하인 것인 다이싱 다이본딩 필름.
The method according to claim 1,
The thickness of the adhesive layer is a dicing die-bonding film of 10 μm or more and 200 μm or less.
청구항 1에 있어서,
상기 점착 조성물은 (메트)아크릴레이트계 수지, 가교제 및 광개시제를 포함하는 것인 다이싱 다이본딩 필름.
The method according to claim 1,
The adhesive composition is a dicing die-bonding film comprising a (meth)acrylate-based resin, a crosslinking agent, and a photoinitiator.
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