KR20220004374A - 전자 장치 및 그 전자 장치의 제어 방법 - Google Patents

전자 장치 및 그 전자 장치의 제어 방법 Download PDF

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권순규
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김민수
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Abstract

전자 장치는 배터리, 및 상기 배터리와 작동적으로 연결되고(operationally connected) 중앙 처리 장치(central processing unit, CPU) 및 복수의 블록(intellectual property block, IP block)들을 포함하는 프로세서를 포함하고, 상기 프로세서는, 상기 전자 장치의 상기 배터리의 전압 레벨을 획득하고, 상기 배터리의 상기 전압 레벨이 지정된 제1 전압 이하인 경우 상기 중앙 처리 장치에 공급되는 클럭 신호인 제1 클럭의 클럭 주파수를 감소시키고, 및 제1 시간이 경과한 후 상기 배터리의 상기 전압 레벨이 상기 제1 전압 이하인 경우 상기 중앙 처리 장치 및/또는 상기 복수의 블록들 각각에 설정된 복수의 최대 클럭 주파수들 중 적어도 하나의 최대 클럭 주파수를 감소시키도록 설정될 수 있다. 이 외에도 명세서를 통해 파악되는 다양한 실시 예가 가능하다.

Description

전자 장치 및 그 전자 장치의 제어 방법{An electronic device and a control method of the electronic device}
본 문서에서 개시되는 다양한 실시 예들은, 전자 장치 및 그 전자 장치의 제어 방법에 관한 것이다.
휴대용 단말기와 같은 전자 장치에는 SMPL(sudden momentary power loss) 리셋(reset)이 적용될 수 있다. SMPL 리셋은 전자 장치에 전류가 지정된 값 이상 흐르는 경우 전자 장치에 공급되는 전력을 차단하여 전자 장치를 턴-오프 하는 방법일 수 있다. SMPL 리셋은 전자 장치의 배터리의 전압이 지정된 값 이하인 경우 전자 장치를 턴-오프 하는 전원 오프 시뮬레이션 중 하나일 수 있다. SMPL 리셋은 전자 장치 내부의 회로 및/또는 배터리에서 단락(short)이 발생하거나 또는 전자 장치의 부하(load) 전류가 과도하게 흘러서 전자 장치의 회로 및/또는 배터리가 손상되는 것을 방지할 수 있다.
또한 배터리가 포함된 전자 장치에는 자동 선적 모드(auto ship mode)가 적용될 수 있다. 자동 선적 모드는 전자 장치의 배터리의 용량이 지정된 값 이하인 경우 전자 장치를 턴-오프 하는 기술일 수 있다. 자동 선적 모드는 배터리의 스웰링(swelling)을 방지할 수 있다. 자동 선적 모드는 전자 장치가 제조된 후 사용자에게 전달될 때까지 전자 장치를 보관할 수 있는 기간을 증가시킬 수 있다.
한편, 전자 장치의 사용 중 SMPL 리셋 및/또는 자동 선적 모드가 발생하는 경우 전자 장치가 사용 중 턴-오프 되어 사용자의 사용에 불편함이 발생할 수 있다. 전자 장치의 사용 중 SMPL 리셋 및/또는 자동 선적 모드이 발생하는 것을 감소시키기 위해 SMPL 경고 기능을 적용할 수 있다. SMPL 경고 기능은 전자 장치의 배터리의 전압이 SMPL 리셋이 발생하는 값 이하로 감소하기 전 프로세서가 중앙 처리 장치(CPU)에 공급되는 클럭을 하드웨어적으로 제어하여 SMPL 리셋을 방지하는 기능일 수 있다.
SMPL 경고 기능은 전자 장치의 배터리의 전압이 SMPL 리셋이 발생하는 값에 도달하기 이전에 프로세서의 클럭을 하드웨어적으로 1회 제어할 수 있다. SMPL 경고 기능은 전자 장치의 배터리의 전압이 순간적으로 감소하는 경우 SMPL 리셋을 1회적으로 방지할 수 있다. 전자 장치에 흐르는 부하 전류가 지속적으로 지정된 값 이상인 상태인 경우 전자 장치의 배터리의 전압이 지속적으로 지정된 값 이하일 수 있다. 전자 장치의 배터리의 전압이 지속적으로 지정된 값 이하인 상황에서는 SMPL 경고 기능을 이용하여 SMPL 리셋을 방지하는 것이 용이하지 않을 수 있다. 이에 따라 전자 장치의 사용 중 SMPL 리셋에 의하여 전자 장치가 턴-오프 되어 전자 장치의 사용 안정성이 감소할 수 있다.
또한, 저온 환경에서는 전자 장치의 배터리의 직류 저항(direct current resistance, DCR)이 증가할 수 있다. 저온 환경에서는 부하 전류가 증가하지 않더라도 직류 저항이 증가하여 배터리의 전압이 지속적으로 지정된 값 이하일 수 있다. 저온 환경에서는 배터리의 전압이 지정된 값 이하로 유지되어 자동 선적 모드가 발생할 수 있다. 저온 환경에서는 SMPL 경고 기능을 이용하여 자동 선적 모드에 의한 전자 장치의 턴-오프를 감소시키는 것이 용이하지 않을 수 있다.
또한, SMPL 경고 기능은 프로세서의 중앙 처리 장치에 공급되는 클럭을 제어할 수 있다. 그래픽 처리 장치(GPU), 신경 처리 장치(NPU), 버스(BUS)와 같은 프로세서의 다른 블록(IP block)들, 또는 디스플레이와 같은 전자 장치의 다른 구성 요소에 흐르는 전류가 증가하여 전압 강하(drop)가 증가하는 경우 배터리의 전압이 지정된 값 이하로 감소할 수 있다. SMPL 경고 기능은 프로세서의 다른 블록들에 흐르는 전류가 증가하여 배터리의 전압이 지정된 값 이하로 감소하는 경우 SMPL 리셋을 방지하는 것이 용이하지 않을 수 있다.
본 문서에 개시되는 다양한 실시 예들은, 전자 장치의 배터리의 전압이 지속적으로 지정된 값 이하인 상황에서도 SMPL 리셋에 의한 전자 장치의 턴-오프를 방지하는 전자 장치를 제공하고자 한다.
본 문서에 개시되는 일 실시 예에 따른 전자 장치는, 배터리, 및 상기 배터리와 작동적으로 연결되고(operationally connected) 중앙 처리 장치(central processing unit, CPU) 및 복수의 블록(intellectual property block, IP block)들을 포함하는 프로세서를 포함하고, 상기 프로세서는, 상기 전자 장치의 상기 배터리의 전압 레벨을 획득하고, 상기 배터리의 상기 전압 레벨이 지정된 제1 전압 이하인 경우 상기 중앙 처리 장치에 공급되는 클럭 신호인 제1 클럭의 클럭 주파수를 감소시키고, 및 제1 시간이 경과한 후 상기 배터리의 상기 전압 레벨이 상기 제1 전압 이하인 경우 상기 중앙 처리 장치 및/또는 상기 복수의 블록들 각각에 설정된 복수의 최대 클럭 주파수들 중 적어도 하나의 최대 클럭 주파수를 감소시키도록 설정될 수 있다.
또한, 본 문서에 개시되는 일 실시 예에 따른 전자 장치의 제어 방법은, 상기 전자 장치의 배터리의 전압 레벨을 획득하는 동작, 상기 배터리의 상기 전압 레벨이 지정된 제1 전압 이하인 경우 상기 전자 장치의 프로세서의 중앙 처리 장치에 공급되는 클럭 신호인 제1 클럭의 클럭 주파수를 감소시키는 동작, 및 제1 시간이 경과한 후 상기 배터리의 상기 전압 레벨이 상기 제1 전압 이하인 경우 상기 중앙 처리 장치 및/또는 상기 프로세서의 복수의 블록들 각각에 설정된 복수의 최대 클럭 주파수들 중 적어도 하나의 최대 클럭 주파수를 감소시키는 동작을 포함할 수 있다.
본 문서에 개시되는 실시 예들에 따르면, 전자 장치의 배터리의 전압 레벨이 제1 전압 이하인 경우 동적 전압 주파수 스케일링 상으로 설정된 최대 클럭 주파수를 감소시킬 수 있다. 배터리의 전압 레벨이 제1 전압 이하를 유지하는 경우 최대 클럭 주파수를 감소시켜 배터리의 전압 레벨 강하를 감소시킬 수 있다. 배터리의 전압 레벨 강하를 감소시켜 배터리의 전압 레벨을 SMPL 리셋이 발생하는 값보다 높게 유지하여 SMPL 리셋을 감소시킬 수 있다. 이에 따라 전자 장치의 사용 중 전자 장치가 턴-오프 되는 현상을 감소시켜 전자 장치의 사용 안정성을 증가시킬 수 있다.
또한, 본 문서에 개시되는 실시 예들에 따르면, 저온 환경에서는 배터리의 전압이 지정된 값 이하로 유지되는 경우에도 SMPL 리셋을 감소시킬 수 있다.
또한, 본 문서에 개시되는 실시 예들에 따르면, 프로세서의 다른 블록들 또는 디스플레이와 같은 전자 장치의 다른 구성 요소에 흐르는 전류가 증가하여 전압 강하가 증가하여 배터리의 전압이 지정된 값 이하로 감소하는 경우에도 SMPL 리셋을 감소시킬 수 있다.
이 외에, 본 문서를 통해 직접적 또는 간접적으로 파악되는 다양한 효과들이 제공될 수 있다.
도 1은 다양한 실시 예에 따른 네트워크 환경 내의 전자 장치의 블록도이다.
도 2는 일 실시 예에 따른 배터리 및 프로세서를 포함하는 전자 장치를 나타낸 도면이다.
도 3은 일 실시 예에 따른 전자 장치의 제어 방법을 나타낸 흐름도이다.
도 4는 일 실시 예에 따른 배터리, 전력 관리 모듈, 및 프로세서를 포함하는 전자 장치를 나타낸 도면이다.
도 5는 일 실시 예에 따른 전자 장치의 제어 방법을 나타낸 흐름도이다.
도 6은 일 실시 예에 따른 배터리, 전력 관리 모듈, 프로세서, 및 온도 측정부를 포함하는 전자 장치를 나타낸 도면이다.
도 7은 일 실시 예에 따른 전자 장치의 제어 방법을 나타낸 흐름도이다.
도 8은 일 실시 예에 따른 전자 장치의 제어 방법을 나타낸 흐름도이다.
도 9는 일 실시 예에 따른 배터리, 프로세서, 디스플레이 모듈, 카메라 모듈, 및 음향 출력 모듈을 포함하는 전자 장치를 나타낸 도면이다.
도면의 설명과 관련하여, 동일 또는 유사한 구성요소에 대해서는 동일 또는 유사한 참조 부호가 사용될 수 있다.
이하, 본 발명의 다양한 실시 예가 첨부된 도면을 참조하여 기재된다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 실시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 실시 예의 다양한 변경(modification), 균등물(equivalent), 및/또는 대체물(alternative)을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.
도 1은, 다양한 실시예들에 따른, 네트워크 환경(100) 내의 전자 장치(101)의 블록도이다. 도 1을 참조하면, 네트워크 환경(100)에서 전자 장치(101)는 제 1 네트워크(198)(예: 근거리 무선 통신 네트워크)를 통하여 전자 장치(102)와 통신하거나, 또는 제 2 네트워크(199)(예: 원거리 무선 통신 네트워크)를 통하여 전자 장치(104) 또는 서버(108)와 통신할 수 있다. 일실시예에 따르면, 전자 장치(101)는 서버(108)를 통하여 전자 장치(104)와 통신할 수 있다. 일실시예에 따르면, 전자 장치(101)는 프로세서(120), 메모리(130), 입력 모듈(150), 음향 출력 모듈(155), 디스플레이 모듈(160), 오디오 모듈(170), 센서 모듈(176), 인터페이스(177), 연결 단자(178), 햅틱 모듈(179), 카메라 모듈(180), 전력 관리 모듈(188), 배터리(189), 통신 모듈(190), 가입자 식별 모듈(196), 또는 안테나 모듈(197)을 포함할 수 있다. 어떤 실시예에서는, 전자 장치(101)에는, 이 구성요소들 중 적어도 하나(예: 연결 단자(178))가 생략되거나, 하나 이상의 다른 구성요소가 추가될 수 있다. 어떤 실시예에서는, 이 구성요소들 중 일부들(예: 센서 모듈(176), 카메라 모듈(180), 또는 안테나 모듈(197))은 하나의 구성요소(예: 디스플레이 모듈(160))로 통합될 수 있다.
프로세서(120)는, 예를 들면, 소프트웨어(예: 프로그램(140))를 실행하여 프로세서(120)에 연결된 전자 장치(101)의 적어도 하나의 다른 구성요소(예: 하드웨어 또는 소프트웨어 구성요소)를 제어할 수 있고, 다양한 데이터 처리 또는 연산을 수행할 수 있다. 일실시예에 따르면, 데이터 처리 또는 연산의 적어도 일부로서, 프로세서(120)는 다른 구성요소(예: 센서 모듈(176) 또는 통신 모듈(190))로부터 수신된 명령 또는 데이터를 휘발성 메모리(132)에 저장하고, 휘발성 메모리(132)에 저장된 명령 또는 데이터를 처리하고, 결과 데이터를 비휘발성 메모리(134)에 저장할 수 있다. 일실시예에 따르면, 프로세서(120)는 메인 프로세서(121)(예: 중앙 처리 장치 또는 어플리케이션 프로세서) 또는 이와는 독립적으로 또는 함께 운영 가능한 보조 프로세서(123)(예: 그래픽 처리 장치, 신경망 처리 장치(NPU: neural processing unit), 이미지 시그널 프로세서, 센서 허브 프로세서, 또는 커뮤니케이션 프로세서)를 포함할 수 있다. 예를 들어, 전자 장치(101)가 메인 프로세서(121) 및 보조 프로세서(123)를 포함하는 경우, 보조 프로세서(123)는 메인 프로세서(121)보다 저전력을 사용하거나, 지정된 기능에 특화되도록 설정될 수 있다. 보조 프로세서(123)는 메인 프로세서(121)와 별개로, 또는 그 일부로서 구현될 수 있다.
보조 프로세서(123)는, 예를 들면, 메인 프로세서(121)가 인액티브(예: 슬립) 상태에 있는 동안 메인 프로세서(121)를 대신하여, 또는 메인 프로세서(121)가 액티브(예: 어플리케이션 실행) 상태에 있는 동안 메인 프로세서(121)와 함께, 전자 장치(101)의 구성요소들 중 적어도 하나의 구성요소(예: 디스플레이 모듈(160), 센서 모듈(176), 또는 통신 모듈(190))와 관련된 기능 또는 상태들의 적어도 일부를 제어할 수 있다. 일실시예에 따르면, 보조 프로세서(123)(예: 이미지 시그널 프로세서 또는 커뮤니케이션 프로세서)는 기능적으로 관련 있는 다른 구성요소(예: 카메라 모듈(180) 또는 통신 모듈(190))의 일부로서 구현될 수 있다. 일실시예에 따르면, 보조 프로세서(123)(예: 신경망 처리 장치)는 인공지능 모델의 처리에 특화된 하드웨어 구조를 포함할 수 있다. 인공지능 모델은 기계 학습을 통해 생성될 수 있다. 이러한 학습은, 예를 들어, 인공지능이 수행되는 전자 장치(101) 자체에서 수행될 수 있고, 별도의 서버(예: 서버(108))를 통해 수행될 수도 있다. 학습 알고리즘은, 예를 들어, 지도형 학습(supervised learning), 비지도형 학습(unsupervised learning), 준지도형 학습(semi-supervised learning) 또는 강화 학습(reinforcement learning)을 포함할 수 있으나, 전술한 예에 한정되지 않는다. 인공지능 모델은, 복수의 인공 신경망 레이어들을 포함할 수 있다. 인공 신경망은 심층 신경망(DNN: deep neural network), CNN(convolutional neural network), RNN(recurrent neural network), RBM(restricted boltzmann machine), DBN(deep belief network), BRDNN(bidirectional recurrent deep neural network), 심층 Q-네트워크(deep Q-networks) 또는 상기 중 둘 이상의 조합 중 하나일 수 있으나, 전술한 예에 한정되지 않는다. 인공지능 모델은 하드웨어 구조 이외에, 추가적으로 또는 대체적으로, 소프트웨어 구조를 포함할 수 있다.
메모리(130)는, 전자 장치(101)의 적어도 하나의 구성요소(예: 프로세서(120) 또는 센서 모듈(176))에 의해 사용되는 다양한 데이터를 저장할 수 있다. 데이터는, 예를 들어, 소프트웨어(예: 프로그램(140)) 및, 이와 관련된 명령에 대한 입력 데이터 또는 출력 데이터를 포함할 수 있다. 메모리(130)는, 휘발성 메모리(132) 또는 비휘발성 메모리(134)를 포함할 수 있다.
프로그램(140)은 메모리(130)에 소프트웨어로서 저장될 수 있으며, 예를 들면, 운영 체제(142), 미들 웨어(144) 또는 어플리케이션(146)을 포함할 수 있다.
입력 모듈(150)은, 전자 장치(101)의 구성요소(예: 프로세서(120))에 사용될 명령 또는 데이터를 전자 장치(101)의 외부(예: 사용자)로부터 수신할 수 있다. 입력 모듈(150)은, 예를 들면, 마이크, 마우스, 키보드, 키(예: 버튼), 또는 디지털 펜(예: 스타일러스 펜)을 포함할 수 있다.
음향 출력 모듈(155)은 음향 신호를 전자 장치(101)의 외부로 출력할 수 있다. 음향 출력 모듈(155)은, 예를 들면, 스피커 또는 리시버를 포함할 수 있다. 스피커는 멀티미디어 재생 또는 녹음 재생과 같이 일반적인 용도로 사용될 수 있다. 리시버는 착신 전화를 수신하기 위해 사용될 수 있다. 일실시예에 따르면, 리시버는 스피커와 별개로, 또는 그 일부로서 구현될 수 있다.
디스플레이 모듈(160)은 전자 장치(101)의 외부(예: 사용자)로 정보를 시각적으로 제공할 수 있다. 디스플레이 모듈(160)은, 예를 들면, 디스플레이, 홀로그램 장치, 또는 프로젝터 및 해당 장치를 제어하기 위한 제어 회로를 포함할 수 있다. 일실시예에 따르면, 디스플레이 모듈(160)은 터치를 감지하도록 설정된 터치 센서, 또는 상기 터치에 의해 발생되는 힘의 세기를 측정하도록 설정된 압력 센서를 포함할 수 있다.
오디오 모듈(170)은 소리를 전기 신호로 변환시키거나, 반대로 전기 신호를 소리로 변환시킬 수 있다. 일실시예에 따르면, 오디오 모듈(170)은, 입력 모듈(150)을 통해 소리를 획득하거나, 음향 출력 모듈(155), 또는 전자 장치(101)와 직접 또는 무선으로 연결된 외부 전자 장치(예: 전자 장치(102))(예: 스피커 또는 헤드폰)를 통해 소리를 출력할 수 있다.
센서 모듈(176)은 전자 장치(101)의 작동 상태(예: 전력 또는 온도), 또는 외부의 환경 상태(예: 사용자 상태)를 감지하고, 감지된 상태에 대응하는 전기 신호 또는 데이터 값을 생성할 수 있다. 일실시예에 따르면, 센서 모듈(176)은, 예를 들면, 제스처 센서, 자이로 센서, 기압 센서, 마그네틱 센서, 가속도 센서, 그립 센서, 근접 센서, 컬러 센서, IR(infrared) 센서, 생체 센서, 온도 센서, 습도 센서, 또는 조도 센서를 포함할 수 있다.
인터페이스(177)는 전자 장치(101)가 외부 전자 장치(예: 전자 장치(102))와 직접 또는 무선으로 연결되기 위해 사용될 수 있는 하나 이상의 지정된 프로토콜들을 지원할 수 있다. 일실시예에 따르면, 인터페이스(177)는, 예를 들면, HDMI(high definition multimedia interface), USB(universal serial bus) 인터페이스, SD카드 인터페이스, 또는 오디오 인터페이스를 포함할 수 있다.
연결 단자(178)는, 그를 통해서 전자 장치(101)가 외부 전자 장치(예: 전자 장치(102))와 물리적으로 연결될 수 있는 커넥터를 포함할 수 있다. 일실시예에 따르면, 연결 단자(178)는, 예를 들면, HDMI 커넥터, USB 커넥터, SD 카드 커넥터, 또는 오디오 커넥터(예: 헤드폰 커넥터)를 포함할 수 있다.
햅틱 모듈(179)은 전기적 신호를 사용자가 촉각 또는 운동 감각을 통해서 인지할 수 있는 기계적인 자극(예: 진동 또는 움직임) 또는 전기적인 자극으로 변환할 수 있다. 일실시예에 따르면, 햅틱 모듈(179)은, 예를 들면, 모터, 압전 소자, 또는 전기 자극 장치를 포함할 수 있다.
카메라 모듈(180)은 정지 영상 및 동영상을 촬영할 수 있다. 일실시예에 따르면, 카메라 모듈(180)은 하나 이상의 렌즈들, 이미지 센서들, 이미지 시그널 프로세서들, 또는 플래시들을 포함할 수 있다.
전력 관리 모듈(188)은 전자 장치(101)에 공급되는 전력을 관리할 수 있다. 일실시예에 따르면, 전력 관리 모듈(188)은, 예를 들면, PMIC(power management integrated circuit)의 적어도 일부로서 구현될 수 있다.
배터리(189)는 전자 장치(101)의 적어도 하나의 구성요소에 전력을 공급할 수 있다. 일실시예에 따르면, 배터리(189)는, 예를 들면, 재충전 불가능한 1차 전지, 재충전 가능한 2차 전지 또는 연료 전지를 포함할 수 있다.
통신 모듈(190)은 전자 장치(101)와 외부 전자 장치(예: 전자 장치(102), 전자 장치(104), 또는 서버(108)) 간의 직접(예: 유선) 통신 채널 또는 무선 통신 채널의 수립, 및 수립된 통신 채널을 통한 통신 수행을 지원할 수 있다. 통신 모듈(190)은 프로세서(120)(예: 어플리케이션 프로세서)와 독립적으로 운영되고, 직접(예: 유선) 통신 또는 무선 통신을 지원하는 하나 이상의 커뮤니케이션 프로세서를 포함할 수 있다. 일실시예에 따르면, 통신 모듈(190)은 무선 통신 모듈(192)(예: 셀룰러 통신 모듈, 근거리 무선 통신 모듈, 또는 GNSS(global navigation satellite system) 통신 모듈) 또는 유선 통신 모듈(194)(예: LAN(local area network) 통신 모듈, 또는 전력선 통신 모듈)을 포함할 수 있다. 이들 통신 모듈 중 해당하는 통신 모듈은 제 1 네트워크(198)(예: 블루투스, WiFi(wireless fidelity) direct 또는 IrDA(infrared data association)와 같은 근거리 통신 네트워크) 또는 제 2 네트워크(199)(예: 레거시 셀룰러 네트워크, 5G 네트워크, 차세대 통신 네트워크, 인터넷, 또는 컴퓨터 네트워크(예: LAN 또는 WAN)와 같은 원거리 통신 네트워크)를 통하여 외부의 전자 장치(104)와 통신할 수 있다. 이런 여러 종류의 통신 모듈들은 하나의 구성요소(예: 단일 칩)로 통합되거나, 또는 서로 별도의 복수의 구성요소들(예: 복수 칩들)로 구현될 수 있다. 무선 통신 모듈(192)은 가입자 식별 모듈(196)에 저장된 가입자 정보(예: 국제 모바일 가입자 식별자(IMSI))를 이용하여 제 1 네트워크(198) 또는 제 2 네트워크(199)와 같은 통신 네트워크 내에서 전자 장치(101)를 확인 또는 인증할 수 있다.
무선 통신 모듈(192)은 4G 네트워크 이후의 5G 네트워크 및 차세대 통신 기술, 예를 들어, NR 접속 기술(new radio access technology)을 지원할 수 있다. NR 접속 기술은 고용량 데이터의 고속 전송(eMBB(enhanced mobile broadband)), 단말 전력 최소화와 다수 단말의 접속(mMTC(massive machine type communications)), 또는 고신뢰도와 저지연(URLLC(ultra-reliable and low-latency communications))을 지원할 수 있다. 무선 통신 모듈(192)은, 예를 들어, 높은 데이터 전송률 달성을 위해, 고주파 대역(예: mmWave 대역)을 지원할 수 있다. 무선 통신 모듈(192)은 고주파 대역에서의 성능 확보를 위한 다양한 기술들, 예를 들어, 빔포밍(beamforming), 거대 배열 다중 입출력(massive MIMO(multiple-input and multiple-output)), 전차원 다중입출력(FD-MIMO: full dimensional MIMO), 어레이 안테나(array antenna), 아날로그 빔형성(analog beam-forming), 또는 대규모 안테나(large scale antenna)와 같은 기술들을 지원할 수 있다. 무선 통신 모듈(192)은 전자 장치(101), 외부 전자 장치(예: 전자 장치(104)) 또는 네트워크 시스템(예: 제 2 네트워크(199))에 규정되는 다양한 요구사항을 지원할 수 있다. 일실시예에 따르면, 무선 통신 모듈(192)은 eMBB 실현을 위한 Peak data rate(예: 20Gbps 이상), mMTC 실현을 위한 손실 Coverage(예: 164dB 이하), 또는 URLLC 실현을 위한 U-plane latency(예: 다운링크(DL) 및 업링크(UL) 각각 0.5ms 이하, 또는 라운드 트립 1ms 이하)를 지원할 수 있다.
안테나 모듈(197)은 신호 또는 전력을 외부(예: 외부의 전자 장치)로 송신하거나 외부로부터 수신할 수 있다. 일실시예에 따르면, 안테나 모듈(197)은 서브스트레이트(예: PCB) 위에 형성된 도전체 또는 도전성 패턴으로 이루어진 방사체를 포함하는 안테나를 포함할 수 있다. 일실시예에 따르면, 안테나 모듈(197)은 복수의 안테나들(예: 어레이 안테나)을 포함할 수 있다. 이런 경우, 제 1 네트워크(198) 또는 제 2 네트워크(199)와 같은 통신 네트워크에서 사용되는 통신 방식에 적합한 적어도 하나의 안테나가, 예를 들면, 통신 모듈(190)에 의하여 상기 복수의 안테나들로부터 선택될 수 있다. 신호 또는 전력은 상기 선택된 적어도 하나의 안테나를 통하여 통신 모듈(190)과 외부의 전자 장치 간에 송신되거나 수신될 수 있다. 어떤 실시예에 따르면, 방사체 이외에 다른 부품(예: RFIC(radio frequency integrated circuit))이 추가로 안테나 모듈(197)의 일부로 형성될 수 있다.
다양한 실시예에 따르면, 안테나 모듈(197)은 mmWave 안테나 모듈을 형성할 수 있다. 일실시예에 따르면, mmWave 안테나 모듈은 인쇄 회로 기판, 상기 인쇄 회로 기판의 제 1 면(예: 아래 면)에 또는 그에 인접하여 배치되고 지정된 고주파 대역(예: mmWave 대역)을 지원할 수 있는 RFIC, 및 상기 인쇄 회로 기판의 제 2 면(예: 윗 면 또는 측 면)에 또는 그에 인접하여 배치되고 상기 지정된 고주파 대역의 신호를 송신 또는 수신할 수 있는 복수의 안테나들(예: 어레이 안테나)을 포함할 수 있다.
상기 구성요소들 중 적어도 일부는 주변 기기들간 통신 방식(예: 버스, GPIO(general purpose input and output), SPI(serial peripheral interface), 또는 MIPI(mobile industry processor interface))을 통해 서로 연결되고 신호(예: 명령 또는 데이터)를 상호간에 교환할 수 있다.
일실시예에 따르면, 명령 또는 데이터는 제 2 네트워크(199)에 연결된 서버(108)를 통해서 전자 장치(101)와 외부의 전자 장치(104)간에 송신 또는 수신될 수 있다. 외부의 전자 장치(102, 또는 104) 각각은 전자 장치(101)와 동일한 또는 다른 종류의 장치일 수 있다. 일실시예에 따르면, 전자 장치(101)에서 실행되는 동작들의 전부 또는 일부는 외부의 전자 장치들(102, 104, 또는 108) 중 하나 이상의 외부의 전자 장치들에서 실행될 수 있다. 예를 들면, 전자 장치(101)가 어떤 기능이나 서비스를 자동으로, 또는 사용자 또는 다른 장치로부터의 요청에 반응하여 수행해야 할 경우에, 전자 장치(101)는 기능 또는 서비스를 자체적으로 실행시키는 대신에 또는 추가적으로, 하나 이상의 외부의 전자 장치들에게 그 기능 또는 그 서비스의 적어도 일부를 수행하라고 요청할 수 있다. 상기 요청을 수신한 하나 이상의 외부의 전자 장치들은 요청된 기능 또는 서비스의 적어도 일부, 또는 상기 요청과 관련된 추가 기능 또는 서비스를 실행하고, 그 실행의 결과를 전자 장치(101)로 전달할 수 있다. 전자 장치(101)는 상기 결과를, 그대로 또는 추가적으로 처리하여, 상기 요청에 대한 응답의 적어도 일부로서 제공할 수 있다. 이를 위하여, 예를 들면, 클라우드 컴퓨팅, 분산 컴퓨팅, 모바일 에지 컴퓨팅(MEC: mobile edge computing), 또는 클라이언트-서버 컴퓨팅 기술이 이용될 수 있다. 전자 장치(101)는, 예를 들어, 분산 컴퓨팅 또는 모바일 에지 컴퓨팅을 이용하여 초저지연 서비스를 제공할 수 있다. 다른 실시예에 있어서, 외부의 전자 장치(104)는 IoT(internet of things) 기기를 포함할 수 있다. 서버(108)는 기계 학습 및/또는 신경망을 이용한 지능형 서버일 수 있다. 일실시예에 따르면, 외부의 전자 장치(104) 또는 서버(108)는 제 2 네트워크(199) 내에 포함될 수 있다. 전자 장치(101)는 5G 통신 기술 및 IoT 관련 기술을 기반으로 지능형 서비스(예: 스마트 홈, 스마트 시티, 스마트 카, 또는 헬스 케어)에 적용될 수 있다.
도 2는 일 실시 예에 따른 배터리(189) 및 프로세서(120)를 포함하는 전자 장치(101)를 나타낸 도면(200)이다. 프로세서(120)는 배터리(189)와 작동적으로 연결될(operationally connected) 수 있다. 일 실시 예에 따른 프로세서(120)는 전압 획득부(210), 전압 비교부(220), 클럭 제어부(230), 중앙 처리 장치(central processing unit, CPU)(240), 제1 블록(intellectual property block, IP block)(251), 제2 블록(252), 및/또는 제3 블록(253)을 포함할 수 있다. 제1 블록(251), 제2 블록(252), 및/또는 제3 블록(253)은 시스템 온 칩(system on chip, SOC)으로 구성된 프로세서(120)에서 지정된 기능을 수행하는 회로, 소자, 모듈, 및/또는 버스(BUS) 일 수 있다. 제1 블록(251)은 그래픽 처리 장치(graphic processing unit, GPU)일 수 있다. 제2 블록(252)은 신경망 처리 장치(neural processing unit, NPU)일 수 있다. 제3 블록(253)은 버스(BUS)일 수 있다. 그러나 이에 한정되지 않으며, 프로세서(120)는 MMC(multimedia card) 및/또는 UFS(universal flash storage)와 같은 복수의 블록들을 포함할 수 있다. 예를 들어, 프로세서(120)는 어플리케이션 프로세서(application processor, AP)일 수 있다.
일 실시 예에서, 제3 블록(253)(예: 버스(BUS))은 데이터 통신을 위한 신호선들의 집단을 포함할 수 있다. 예를 들어, 제3 블록(253)은 어드레스버스(address bus), 데이터 버스(data bus), 제어 버스(control bus)중 적어도 하나 또는 둘 이상의 조합을 포함할 수 있다.
일 실시 예에서, 전압 획득부(210)는 중앙 처리 장치(240)(예: 도 1의 메인 프로세서(121))로부터 제1 제어를 받을 수 있다. 제1 제어는 인터럽트 핸들러(interrupt handler)를 통해 수행할 수 있다. 인터럽트 핸들러는 중앙 처리 장치(240)에 의해 소프트웨어적으로 실행될 수 있다. 전압 획득부(210)는 배터리(189)의 전압 레벨을 획득할 수 있다. 전압 획득부(210)는 배터리(189)와 연결될 수 있다. 전압 획득부(210)는 배터리(189)의 전압 레벨과 관련된 정보를 수신할 수 있다. 전압 획득부(210)는 배터리(189)의 출력 단자로부터 분기된 전압 측정 회로일 수 있다. 프로세서(120)는 전압 획득부(210)를 이용하여 배터리(189)의 출력 단자의 전압을 측정할 수 있다. 프로세서(120)는 전압 획득부(210)를 이용하여 전자 장치(101)의 배터리(189)의 전압 레벨을 획득할 수 있다.
일 실시 예에서, 전압 획득부(210)는 중앙 처리 장치(240)로부터 제2 제어를 받을 수 있다. 제2 제어는 인터럽트 핸들러를 통해 수행할 수 있다. 전압 비교부(220)는 전압 획득부(210)가 획득한 배터리(189)의 전압 레벨을 수신할 수 있다. 전압 비교부(220)는 배터리(189)의 전압 레벨을 설정된 전압 레벨인 제1 전압과 비교할 수 있다. 제1 전압은 전자 장치(101)가 일반적인 동작을 수행하는 경우의 배터리(189)의 전압 레벨 이하의 전압 레벨일 수 있다. 제1 전압은 SMPL(sudden momentary power loss) 리셋(reset)이 발생하는 배터리(189)의 전압 레벨 이상의 전압 레벨일 수 있다. SMPL 리셋은 전자 장치에 전류가 지정된 값 이상 흐르는 경우 전자 장치에 공급되는 전력을 차단하여 전자 장치를 턴-오프 하는 방법일 수 있다. 제1 전압은 자동 선적 모드가 발생하는 배터리(189)의 전압 레벨 이상의 전압 레벨일 수 있다. 자동 선적 모드는 전자 장치의 배터리의 용량이 지정된 값 이하인 경우 전자 장치를 턴-오프 하는 기술일 수 있다. 전압 비교부(220)는 배터리(189)의 전압 레벨과 제1 전압의 비교 결과를 클럭 제어부(230)로 전달할 수 있다.
일 실시 예에서, 전압 획득부(210)는 중앙 처리 장치(240)로부터 제2 제어를 받을 수 있다. 제2 제어는 인터럽트 핸들러를 통해 수행할 수 있다. 클럭 제어부(230)는 배터리(189)의 전압 레벨과 제1 전압의 비교 결과를 수신할 수 있다. 클럭 제어부(230)는 제1 클럭의 최대 클럭 주파수, 제2 클럭의 최대 클럭 주파수, 제3 클럭의 최대 클럭 주파수, 및/또는 제4 클럭의 최대 클럭 주파수를 설정할 수 있다. 제1 클럭은 중앙 처리 장치(240)에 공급되는 클럭 신호일 수 있다. 제2 클럭은 제1 블록(251)에 공급되는 클럭 신호일 수 있다. 제3 클럭은 제2 블록(252)에 공급되는 클럭 신호일 수 있다. 제4 클럭은 제3 블록(253)에 공급되는 클럭 신호일 수 있다. 최대 클럭 주파수는 클럭 신호가 갖는 주파수 범위 중 동적 전압 주파수 스케일링(dynamic voltage frequency scaling, DVFS)을 통해 설정된 최대 클럭 주파수 값일 수 있다. 최대 클럭 주파수는 클럭 신호가 공급되는 중앙 처리 장치 및/또는 블록에 적용되는 동적 전압 주파수 스케일링 정책의 최대 클럭 주파수 값일 수 있다. 최대 클럭 주파수는 동적 전압 주파수 스케일링 자체와 별도로 설정되는 최대 값일 수 있다.
일 실시 예에서, 프로세서(120)는 배터리(189)의 전압 레벨이 지정된 제1 전압 이하인 경우 프로세서(120)의 중앙 처리 장치(240)에 공급되는 클럭 신호인 제1 클럭의 클럭 주파수를 감소시킬 수 있다. 프로세서(120)는 배터리(189)의 전압 레벨이 제1 전압 이하로 진입하는 경우 제1 클럭의 클럭 주파수를 감소시킬 수 있다. 프로세서(120)는 배터리(189)의 전압 레벨이 제1 전압 이하인 경우 프로세서(120) 내부의 레지스터(register)에 저장된 값 또는 설정된 비율만큼 제1 클럭의 클럭 주파수를 감소시킬 수 있다. 예를 들어, 프로세서(120)는 배터리(189)의 전압 레벨이 제1 전압 이하인 경우 제1 클럭의 클럭 주파수를 절반으로 감소시킬 수 있다. 다른 예를 들어, 프로세서(120)는 배터리(189)의 전압 레벨이 제1 전압 이하인 경우 제1 클럭의 클럭 주파수를 1/3, 2/3, 1/4, 3/4, 1/5, 2/5, 3/5, 또는 4/5로 감소시킬 수 있다.
일 실시 예에서, 클럭 제어부(230)는 중앙 처리 장치(240)로부터 제3 제어를 받을 수 있다. 제3 제어는 인터럽트 핸들러를 통해 수행할 수 있다.
일 실시 예에서, 중앙 처리 장치(240)는 제1 시간이 경과한 후 배터리(189)의 전압 레벨이 제1 전압 이하인 경우 클럭 제어부(230)를 제어하여 동적 전압 주파수 스케일링을 통해 설정된 복수의 최대 클럭 주파수들 중 적어도 하나의 최대 클럭 주파수를 감소시킬 수 있다. 프로세서(120)는 중앙 처리 장치(240)를 이용하여 제1 시간이 경과한 후 배터리(189)의 전압 레벨이 제1 전압 이하인 경우 중앙 처리 장치(240) 및/또는 복수의 블록들(예: 제1 블록(251), 제2 블록(252), 및 제3 블록(253)) 각각의 최대 클럭 주파수들 중 적어도 하나의 최대 클럭 주파수를 감소시킬 수 있다. 중앙 처리 장치(240)는 인터럽트 핸들러를 이용하여 제1 시간이 경과한 후 배터리(189)의 전압 레벨이 제1 전압 이하인 경우 제1 최대 클럭 주파수, 제2 최대 클럭 주파수, 제3 최대 클럭 주파수, 및/또는 제4 최대 클럭 주파수 중 적어도 하나를 감소시킬 수 있다.
일 실시 예에서, 중앙 처리 장치(240)는 복수의 최대 클럭 주파수들 각각을 동적 전압 주파수 스케일링을 통해 설정할 수 있다. 제1 최대 클럭 주파수는 중앙 처리 장치(240)에 설정된 최대 클럭 주파수일 수 있다. 제2 최대 클럭 주파수는 제1 블록(251)에 설정된 최대 클럭 주파수일 수 있다. 제3 최대 클럭 주파수는 제2 블록(252)에 설정된 최대 클럭 주파수일 수 있다. 제4 최대 클럭 주파수는 제3 블록(253)에 설정된 최대 클럭 주파수일 수 있다.
일 실시 예에서, 중앙 처리 장치(240)는 제1 시간이 경과한 후 배터리(189)의 전압 레벨이 제1 전압 이하인 경우 프로세서(120) 내부의 레지스터에 저장된 값 또는 설정된 비율만큼 제1 최대 클럭 주파수, 제2 최대 클럭 주파수, 제3 최대 클럭 주파수, 및/또는 제4 최대 클럭 주파수 중 적어도 하나를 감소시킬 수 있다. 예를 들어, 중앙 처리 장치(240)는 제1 시간이 경과한 후 배터리(189)의 전압 레벨이 제1 전압 이하인 경우 제1 최대 클럭 주파수, 제2 최대 클럭 주파수, 제3 최대 클럭 주파수, 및/또는 제4 최대 클럭 주파수 중 적어도 하나를 절반으로 감소시킬 수 있다.
일 실시 예에서, 중앙 처리 장치(240)는 제1 최대 클럭 주파수, 제2 최대 클럭 주파수, 제3 최대 클럭 주파수, 및/또는 제4 최대 클럭 주파수 중 적어도 하나를 감소시켜 중앙 처리 장치(240), 제1 블록(251), 제2 블록(252), 및/또는 제2 블록(253)에서 발생하는 전압 강하를 감소시킬 수 있다. 중앙 처리 장치(240)는 제1 최대 클럭 주파수, 제2 최대 클럭 주파수, 제3 최대 클럭 주파수, 및/또는 제4 최대 클럭 주파수 중 적어도 하나를 감소시켜 배터리(189)의 전압 강하를 감소시킬 수 있다. 중앙 처리 장치(240)는 배터리(189)의 전압 강하를 감소시켜 배터리(189)의 전압 레벨을 제1 전압보다 높게 유지할 수 있다. 중앙 처리 장치(240)는 배터리(189)의 전압 레벨을 제1 전압보다 높게 유지하여 SMPL 리셋을 감소시킬 수 있다. 중앙 처리 장치(240)는 배터리(189)의 전압 레벨을 제1 전압보다 높게 유지하여 자동 선적 모드가 발생하는 것을 감소시킬 수 있다. 이에 따라 중앙 처리 장치(240)는 전자 장치(101)의 사용 중 전자 장치(101)가 턴-오프 되는 현상을 감소시켜 전자 장치(101)의 사용 안정성을 증가시킬 수 있다.
도 3은 일 실시 예에 따른 전자 장치(예: 도 2의 전자 장치(101))의 제어 방법을 나타낸 흐름도(300)이다.
일 실시 예에 따른 전자 장치(101)의 프로세서(예: 도 2의 프로세서(120))는 동작 310에서, 전자 장치(101)의 배터리(예: 도 2의 배터리(189))의 전압 레벨을 획득할 수 있다. 프로세서(120)의 중앙 처리 장치((예: 도 2의 중앙 처리 장치(240)))는 프로세서(120) 내부의 전압 획득부(예: 도 2의 전압 획득부(210))에 제1 제어를 수행할 수 있다. 중앙 처리 장치(240)는 전압 획득부(210)를 이용하여 배터리(189)의 출력 단자의 전압을 측정할 수 있다.
일 실시 예에 따른 전자 장치(101)의 프로세서(120)는 동작 320에서, 배터리(189)의 전압 레벨이 지정된 제1 전압 이하인 경우 전자 장치(101)의 프로세서(120)의 중앙 처리 장치(240)에 공급되는 클럭 신호인 제1 클럭의 클럭 주파수를 감소시킬 수 있다. 프로세서(120)의 중앙 처리 장치(240)는 프로세서(120) 내부의 전압 비교부(예: 도 2의 전압 획득부(210))에 제2 제어를 수행할 수 있다. 프로세서(120)는 배터리(189)의 전압 레벨이 지정된 제1 전압 이하인 경우 프로세서(120) 내부의 레지스터에 저장된 값 또는 설정된 비율로 제1 클럭의 클럭 주파수를 감소시킬 수 있다.
일 실시 예에 따른 전자 장치(101)의 프로세서(120)는 동작 330에서, 제1 시간이 경과한 후 배터리(189)의 전압 레벨이 제1 전압 이하인 경우 중앙 처리 장치(240) 및/또는 복수의 블록들(예: 도 2의 제1 블록(251), 제2 블록(252), 및 제3 블록(253)) 각각에 설정된 복수의 최대 클럭 주파수들 중 적어도 하나의 최대 클럭 주파수를 감소시킬 수 있다. 프로세서(120)의 중앙 처리 장치(240)는 프로세서(120) 내부의 클럭 제어부(예: 도 2의 클럭 제어부(230))에 제3 제어를 수행할 수 있다. 중앙 처리 장치(240)는 제1 시간이 경과한 후 배터리(189)의 전압 레벨이 제1 전압 이하인 경우 클럭 제어부(230)를 이용하여 제1 최대 클럭 주파수, 제2 최대 클럭 주파수, 제3 최대 클럭 주파수, 및/또는 제4 최대 클럭 주파수 중 적어도 하나를 감소시킬 수 있다.
도 4는 일 실시 예에 따른 배터리(189), 전력 관리 모듈(188), 및 프로세서(120)를 포함하는 전자 장치(100)를 나타낸 도면(400)이다. 전력 관리 모듈(188)은 PMIC(power management integrated circuit)일 수 있다. 프로세서(120)는 인터럽트 획득부(410), 경고 신호 레벨 결정부(420), 클럭 제어부(230), 중앙 처리 장치(240), 제1 블록(251), 제2 블록(252), 및/또는 제3 블록(253)을 포함할 수 있다.
일 실시 예에서, 전력 관리 모듈(188)은 배터리(189)의 전압 레벨을 획득할 수 있다. 전력 관리 모듈(188)은 배터리(189)의 출력 단자의 전압을 측정할 수 있다. 전력 관리 모듈(188)은 배터리(189)의 전압 레벨과 관련된 인터럽트(interrupt) 신호를 생성할 수 있다. 전력 관리 모듈(188)은 인터럽트 신호를 프로세서(120)로 전달할 수 있다.
일 실시 예에서, 인터럽트 신호는 배터리(189)의 전압 레벨이 지정된 제1 전압 이하인 경우 인에이블 될 수 있다. 인터럽트 신호는 배터리(189)의 전압 레벨이 전자 장치(101)가 일반적인 동작을 수행하는 경우의 전압 레벨 범위인 경우 하이(high) 상태일 수 있다. 인터럽트 신호는 배터리(189)의 전압 레벨이 지정된 제1 전압 이하인 경우 로우(low) 상태로 변화하면서 인에이블 될 수 있다.
일 실시 예에서, 인터럽트 획득부(410)는 인터럽트 신호를 획득할 수 있다. 인터럽트 획득부(410)는 인터럽트 획득 핀(pin) 및/또는 단자로 구현될 수 있다. 프로세서(120)는 전력 관리 모듈로(188)부터 배터리(189)의 전압 레벨이 제1 전압 이하인 경우 인에이블 되는 인터럽트 신호를 획득하여 배터리(189)의 전압 레벨을 획득할 수 있다. 프로세서(120)는 인터럽트 신호가 인에이블 상태가 아닌 경우 배터리(189)의 전압 레벨이 제1 전압보다 높은 것으로 판단할 수 있다. 프로세서(120)는 인터럽트 신호가 인에이블 상태인 경우 배터리(189)의 전압 레벨이 제1 전압 이하인 것으로 판단할 수 있다. 인터럽트 획득부(410)는 인터럽트 신호를 경고 신호 레벨 결정부(420)로 전달할 수 있다.
일 실시 예에서, 경고 신호 레벨 결정부(420)는 중앙 처리 장치(240)로부터 제4 제어를 받을 수 있다. 예를 들어, 제4 제어는 인터럽트 핸들러를 통해 수행할 수 있다. 그러나 이에 한정되지 않으며, 중앙 처리 장치(240)는 제4 제어를 전력 관리 모듈(188)을 이용하여 수행할 수도 있다. 경고 신호 레벨 결정부(420)는 경고 신호의 레벨을 설정할 수 있다. 경고 신호는 배터리(189)의 전압이 제1 전압 이하인 경우를 알릴 수 있다. 경고 신호는 배터리(189)의 전압이 제1 전압 이하인 경우 SMPL 리셋이 적용될 수 있음을 알릴 수 있다. 경고 신호 레벨 결정부(420)는 배터리(189)의 전압이 제1 전압 이하인 경우 경고 신호의 레벨을 변화시킬 수 있다. 경고 신호 레벨 결정부(420)는 배터리(189)의 전압이 제1 전압 이하인 경우 경고 신호의 레벨을 하이 레벨에서 로우 레벨로 변화시킬 수 있다. 경고 신호 레벨 결정부(420)는 경고 신호를 클럭 제어부(230)로 전달할 수 있다.
일 실시 예에서, 클럭 제어부(230)는 중앙 처리 장치(240)로부터 제5 제어를 받을 수 있다. 예를 들어, 제5 제어는 인터럽트 핸들러를 통해 수행할 수 있다. 그러나 이에 한정되지 않으며, 중앙 처리 장치(240)는 제5 제어를 전력 관리 모듈(188)을 이용하여 수행할 수도 있다. 클럭 제어부(230)는 경고 신호를 수신할 수 있다. 클럭 제어부(230)는 경고 신호의 레벨에 따라 배터리(189)의 전압 레벨이 제1 전압 이하인지 여부를 판단할 수 있다. 클럭 제어부(230)는 배터리(189)의 전압 레벨이 제1 전압 이하인 것으로 판단한 경우 제1 최대 클럭 주파수, 제2 최대 클럭 주파수, 제3 최대 클럭 주파수, 및/또는 제4 최대 클럭 주파수 중 적어도 하나를 감소시킬 수 있다.
일 실시 예에서, 중앙 처리 장치(240)는 복수의 최대 클럭 주파수들 각각을 동적 전압 주파수 스케일링을 통해 설정할 수 있다. 클럭 제어부(230)는 중앙 처리 장치(240)에 대한 최대 클럭 주파수를 제1 최대 클럭 주파수로 설정할 수 있다. 클럭 제어부(230)는 중앙 처리 장치(240)에 공급되는 제1 클럭의 최대 클럭 주파수가 제1 최대 클럭 주파수를 넘지 않도록 제1 클럭을 제어할 수 있다. 클럭 제어부(230)는 제1 블록(251)에 대한 최대 클럭 주파수를 제2 최대 클럭 주파수로 설정할 수 있다. 클럭 제어부(230)는 제1 블록(251)에 공급되는 제2 클럭의 최대 클럭 주파수가 제2 최대 클럭 주파수를 넘지 않도록 제2 클럭을 제어할 수 있다. 클럭 제어부(230)는 제2 블록(252)에 대한 최대 클럭 주파수를 제2 최대 클럭 주파수로 설정할 수 있다. 클럭 제어부(230)는 제2 블록(252)에 공급되는 제3 클럭의 최대 클럭 주파수가 제3 최대 클럭 주파수를 넘지 않도록 제3 클럭을 제어할 수 있다. 클럭 제어부(230)는 제3 블록(253)에 대한 최대 클럭 주파수를 제4 최대 클럭 주파수로 설정할 수 있다. 클럭 제어부(230)는 제3 블록(253)에 공급되는 제4 클럭의 최대 클럭 주파수가 제4 최대 클럭 주파수를 넘지 않도록 제2 클럭을 제어할 수 있다. 클럭 제어부(230)는 제1 시간이 경과한 후 배터리(189)의 전압 레벨이 제1 전압 이하인 것으로 판단한 경우 제1 최대 클럭 주파수, 제2 최대 클럭 주파수, 제3 최대 클럭 주파수, 및/또는 제4 최대 클럭 주파수 중 적어도 하나를 감소시킬 수 있다.
도 5는 일 실시 예에 따른 전자 장치(예: 도 4의 전자 장치(101))의 제어 방법을 나타낸 흐름도(500)이다.
일 실시 예에 따른 전자 장치(101)의 프로세서(예: 도 4의 프로세서(120))는 동작 510에서, 전력 관리 모듈(예: 도 4의 전력 관리 모듈(188))로부터 인터럽트를 획득할 수 있다. 프로세서(120)는 인터럽트 신호의 레벨이 로우 레벨인 경우 배터리(189)의 전압이 제1 전압 이하인 것으로 판단할 수 있다.
일 실시 예에 따른 전자 장치(101)의 프로세서(120)는 동작 520에서, 인터럽트에 기반하여 경고 신호의 레벨을 결정할 수 있다. 프로세서(120)의 중앙 처리 장치(240)는 인터럽트에 기반하여 경고 신호 레벨 결정부(예: 도 4의 경고 신호 레벨 결정부(420))에 대한 제4 제어를 수행할 수 있다. 경고 신호 레벨 결정부(420)는 배터리(189)의 전압이 제1 전압 이하인 것으로 판단한 경우 경고 신호를 활성화시킬 수 있다. 경고 신호 레벨 결정부(420)는 인터럽트 신호의 레벨이 로우 레벨인 경우 경고 신호의 레벨을 로우 레벨로 변화시킬 수 있다.
일 실시 예에 따른 전자 장치(101)의 프로세서(120)는 동작 530에서, 경고 신호에 기반하여 복수의 최대 클럭 주파수들 중 적어도 하나의 최대 클럭 주파수를 감소시킬 수 있다. 프로세서(120)의 중앙 처리 장치(240)는 배터리(189)의 전압 레벨이 제1 전압 이하인 경우 클럭 제어부(예: 도 4의 클럭 제어부(230))에 대한 제5 제어를 수행할 수 있다. 클럭 제어부(230)는 프로세서(120) 내부의 레지스터에 저장된 값 또는 설정된 비율만큼 최대 클럭 주파수를 감소시킬 수 있다. 예를 들어, 클럭 제어부(230)는 배터리(189)의 전압 레벨이 제1 전압 이하인 경우 최대 클럭 주파수를 절반으로 감소시킬 수 있다.
도 6은 일 실시 예에 따른 배터리(189), 전력 관리 모듈(188), 프로세서(120), 및 온도 측정부(630)를 포함하는 전자 장치(101)를 나타낸 도면(600)이다.
일 실시 예에서, 전력 관리 모듈(189)은 배터리(189)의 전압 레벨을 측정할 수 있다. 전력 관리 모듈(189)은 배터리(189)의 전압 레벨이 제1 전압 이하인 경우 SMPL 경고 신호를 생성할 수 있다. SMPL 경고 신호는 SMPL 리셋이 발생하여 전자 장치(101)가 턴-오프 되기 이전에 프로세서(120)가 클럭을 조정하는 경고 신호일 수 있다. 배터리(189)의 전압 레벨이 제1 전압 이하인 경우 SMPL 경고 신호의 레벨이 변화할 수 있다. 예를 들어, 배터리(189)의 전압 레벨이 제1 전압 이하인 경우 SMPL 경고 신호의 레벨이 하이 레벨에서 로우 레벨로 변화할 수 있다. 전력 관리 모듈(189)은 프로세서(120)의 레지스터(610)에 SMPL 경고 신호를 전달할 수 있다.
일 실시 예에서, 레지스터(610)는 SMPL 경고 신호를 수신할 수 있다. 레지스터(610)는 SMPL 경고 신호의 레벨에 따라 SMPL 경고 인터럽트 요청(SMPL WARN IRQ)을 생성할 수 있다. 레지스터(610)는 SMPL 경고 인터럽트 요청을 프로세서(120)의 클럭 분주기(clock divider)(620)로 전달할 수 있다. 레지스터(610)는 SMPL 경고 인터럽트 요청을 클럭 제어부(230)로 전달할 수 있다.
일 실시 예에서, 클럭 분주기(620)는 SMPL 경고 인터럽트 요청에 대응하여 제1 클럭을 제어할 수 있다. 클럭 분주기(620)는 SMPL 경고 인터럽트 요청이 수신되는 경우 중앙 처리 장치(240)에 공급되는 제1 클럭의 클럭 주파수를 감소시킬 수 있다. 클럭 분주기(620)는 제1 클럭의 클럭 주파수를 절반으로 감소시킬 수 있다.
일 실시 예에서, 클럭 제어부(230)는 SMPL 경고 인터럽트 요청을 수신할 수 있다. 클럭 제어부(230)는 클럭 분주기(620)로부터 제1 클럭의 클럭 주파수를 절반으로 감소시킨 시점과 관련된 정보를 수신할 수 있다. 클럭 제어부(230)는 클럭 분주기(620)가 제1 클럭의 클럭 주파수를 절반으로 감소시킨 시점으로부터 제1 시간이 경과한 이후에 SMPL 경고 인터럽트 요청이 유지되는지 여부를 확인할 수 있다.
일 실시 예에서, 온도 측정부(630)는 배터리(189)의 온도를 측정할 수 있다. 온도 측정부(630)는 배터리(189)의 주변의 온도를 측정할 수 있다. 온도 측정부(630)는 서미스터(thermistor)를 포함할 수 있다. 온도 측정부(630)는 프로세서(120)와 별도로 배치될 수 있다. 온도 측정부(630)는 배터리(189)와 인접하도록 배치될 수 있다. 온도 측정부(630)는 배터리(189)의 온도를 주기 설정부(640)로 전달할 수 있다.
일 실시 예에서, 주기 설정부(640)는 제1 시간을 설정할 수 있다. 주기 설정부(640)는 프로세서(120)와 별도로 배치될 수 있다. 그러나 이에 한정되지 않으며, 주기 설정부(640)는 프로세서(120)에 포함될 수 있다. 주기 설정부(640)는 제1 시간을 배터리(189)의 온도를 수신할 수 있다. 주기 설정부(640)는 설정한 제1 시간을 타이머(650)로 전달할 수 있다.
일 실시 예에서, 주기 설정부(640)는 배터리(189)의 온도에 따라 제1 시간을 설정할 수 있다. 주기 설정부(640)는 배터리(189)의 온도가 제1 온도 이상인 경우 상온 상태로 판단할 수 있다. 주기 설정부(640)는 배터리(189)의 온도가 제1 온도 미만인 경우 저온 상태로 판단할 수 있다. 주기 설정부(640)는 상온 상태에서 제1 시간을 제1 값으로 설정할 수 있다. 주기 설정부(640)는 저온 상태에서 제1 시간을 제2 값으로 설정할 수 있다.
일 실시 예에서, 제1 값은 상온 상태에서 SMPL 리셋 동작 또는 자동 선적 모드에 의하여 전자 장치(101)가 턴-오프 되는 시간에 따라 설정될 수 있다. 제2 값은 저온 상태에서 SMPL 리셋 동작 또는 자동 선적 모드에 의하여 전자 장치(101)가 턴-오프 되는 시간에 따라 설정될 수 있다. 예를 들어, 상온 상태에서는 배터리(189)의 전압이 제1 전압보다 낮은 경우 약 100㎳ 이후 전자 장치(101)가 턴-오프 될 수 있다. 다른 예로, 저온 상태에서는 배터리(189)의 전압이 제1 전압보다 낮은 경우 약 1초 이후 전자 장치(101)가 턴-오프 될 수 있다. 주기 설정부(640)는 배터리(189)의 전압이 제1 전압보다 낮은 시간이 전자 장치(101)가 턴-오프 되는 시간의 약 10% 동안 유지되는 경우 제1 시간이 경과한 것으로 판단할 수 있다. 이에 따라, 주기 설정부(640)는 제1 값을 10㎳로 설정하고, 제2 값을 100㎳로 설정할 수 있다.
일 실시 예에서, 타이머(650)는 중앙 처리 장치(240)로부터 제6 제어를 받을 수 있다. 예를 들어, 제6 제어는 인터럽트 핸들러를 통해 수행할 수 있다. 그러나 이에 한정되지 않으며, 중앙 처리 장치(240)는 제6 제어를 전력 관리 모듈(188)을 이용하여 수행할 수도 있다. 타이머(650)는 주기 설정부(640)로부터 설정된 제1 시간을 수신할 수 있다. 타이머(650)는 프로세서(120) 내부에 포함될 수 있다. 그러나 이에 한정되지 않으며, 타이머(650)는 프로세서(120)와 별도로 배치될 수 있다. 타이머(650)는 주기 설정부(640)로부터 제1 시간을 수신한 시점부터 경과한 시간을 측정할 수 있다.
일 실시 예에서, 타이머(650)는 카운터(counter)로 대체되거나, 카운터와 같이 프로세서(120) 내에 배치될 수 있다. 카운터 (미도시)로 최대 클럭 주파수의 감소 횟수를 계산할 수 있다. 타이머(650)만 배치된 경우, 제1 시간을 수신한 시점부터 경과 시간을 연속적으로 측정할 수 있다. 카운터만 배치된 경우, 제1 시간을 수신한 시점부터 경과 시점을 불연속적으로 측정할 수 있다. 타이머(650) 및 카운터가 모두 포함된 경우, 제1 시간을 수신한 시점부터 경과 시간 및 임계 시점을 보다 정확하게 측정할 수 있다. 예를 들어, 카운터만 배치된 경우, 카운터는 주기 설정부(640)로부터 제1 시간을 수신한 시점부터 일정 주기가 경과할 때마다 증가하는 값을 가질 수 있다.
일 실시 예에서, 클럭 제어부(230)는 중앙 처리 장치(240)로부터 제7 제어를 받을 수 있다. 예를 들어, 제7 제어는 인터럽트 핸들러를 통해 수행할 수 있다. 그러나 이에 한정되지 않으며, 중앙 처리 장치(240)는 제7 제어를 전력 관리 모듈(188)을 이용하여 수행할 수도 있다. 클럭 제어부(230)는 제1 시간이 경과한 이후에도 SMPL 경고 인터럽트 요청이 유지되는 경우 중앙 처리 장치(240), 제1 블록(251), 제2 블록(252), 및 제3 블록(253) 중 적어도 하나 이상의 최대 클럭 주파수를 감소시킬 수 있다.
일 실시 예에서, 프로세서(120)의 중앙 처리 장치(240)는 클럭 제어부(230)를 이용하여 제1 시간이 경과하는 경우 중앙 처리 장치(240), 제1 블록(251), 제2 블록(252), 및 제3 블록(253) 중 적어도 하나 이상의 최대 클럭 주파수를 감소시킬 수 있다. 카운터(미도시)는 최대 클럭 주파수의 감소 횟수를 계산할 수 있다. 중앙 처리 장치(240)는 카운터에서 최대 클럭 주파수의 감소 횟수를 계산할 수 있다. 예를 들어, 타이머(650)는 최대 클럭 주파수가 1회 감소할 때마다 감소 횟수를 1회씩 증가시킬 수 있다.
일 실시 예에서, 프로세서(120)의 중앙 처리 장치(240)는 카운터에서 최대 클럭 주파수의 감소 횟수를 계산할 수 있다. 프로세서(120)의 중앙 처리 장치(240)는 카운터에서 측정한 감소 횟수가 지정된 제1 횟수 미만이고 제1 시간이 경과하는 경우 제1 최대 클럭 주파수를 감소시킬 수 있다. 중앙 처리 장치(240)는 카운터에서 감소 횟수가 지정된 제1 횟수 미만이고 제1 시간이 경과하는 경우 감소 횟수를 증가시킬 수 있다. 제1 횟수는 제1 최대 클럭 주파수를 감소시키도록 레지스터(610)에 미리 저장된 횟수일 수 있다. 예를 들어, 제1 최대 클럭 주파수를 10회 제어하는 것이 바람직한 경우, 레지스터(610)에는 제1 횟수를 10회로 저장할 수 있다. 중앙 처리 장치(240)는 타이머(650)에서 측정한 감소 횟수가 10회 미만인 경우 제1 최대 클럭 주파수를 감소시킬 수 있다.
일 실시 예에서, 프로세서(120)의 중앙 처리 장치(240)는 타이머(650)에서 측정한 최대 클럭 주파수의 감소 횟수가 제1 횟수 이상이고 제1 시간이 경과하는 경우 중앙 처리 장치(240), 제1 블록(251), 제2 블록(252), 및 제3 블록(253) 각각에 설정된 최대 클럭 주파수인 제1 최대 클럭 주파수, 제2 최대 클럭 주파수, 제3 최대 클럭 주파수, 및 제4 최대 클럭 주파수를 감소시킬 수 있다. 예를 들어, 중앙 처리 장치(240)는 카운터의 감소 횟수가 제1 횟수 이상인 경우 제1 최대 클럭 주파수, 제2 최대 클럭 주파수, 제3 최대 클럭 주파수, 및 제4 최대 클럭 주파수를 모두 감소시킬 수 있다. 중앙 처리 장치(240)는 카운터의 감소 횟수가 제1 카운트 이상이면서 배터리(189)의 전압 레벨이 제1 전압 이하인 경우 전자 장치(101)의 턴-오프를 방지하기 위해 중앙 처리 장치(240), 제1 블록(251), 제2 블록(252), 및 제3 블록(253) 모두 제어가 필요한 상태로 판단할 수 있다.
일 실시 예에서, 프로세서(120)의 중앙 처리 장치(240)는 카운터의 최대 클럭 주파수의 감소 횟수가 제1 횟수 이상이고 제1 횟수보다 큰 제2 횟수 이하이면서 배터리(189)의 전압 레벨이 제1 전압 이하인 경우 제1 최대 클럭 주파수 및 제2 최대 클럭 주파수를 감소시킬 수 있다. 중앙 처리 장치(240)는 카운터의 감소 횟수가 제2 횟수 이상이고 제2 횟수보다 큰 제3 횟수 이하이면서 배터리(189)의 전압 레벨이 제1 전압 이하인 경우 제1 최대 클럭 주파수, 제2 최대 클럭 주파수, 및 제3 최대 클럭 주파수를 감소시킬 수 있다. 중앙 처리 장치(240)는 카운터의 감소 횟수가 제3 횟수 이상이면서 배터리(189)의 전압 레벨이 제1 전압 이하인 경우 제1 최대 클럭 주파수, 제2 최대 클럭 주파수, 제3 최대 클럭 주파수, 및 제4 최대 클럭 주파수를 감소시킬 수 있다. 중앙 처리 장치(240)는 카운터의 최대 클럭 주파수의 감소 횟수가 증가할수록 전자 장치(101)의 턴-오프를 방지하기 위해 최대 클럭 주파수를 추가적으로 제어할 수 있다.
일 실시 예에서, 프로세서(120)의 중앙 처리 장치(240)는 제1 시간이 경과하는 횟수에 비례하여 적어도 하나의 최대 클럭 주파수를 단계적으로 감소시킬 수 있다. 중앙 처리 장치(240)는 레지스터(610)에 저장된 비율 또는 값만큼 적어도 하나의 최대 클럭 주파수를 1단계(step) 감소시킬 수 있다. 예를 들어, 중앙 처리 장치(240)는 제1 시간이 경과하는 횟수에 비례하여 적어도 하나의 최대 클럭 주파수를 절반으로 감소시킬 수 있다. 프로세서(120)는 제1 시간이 경과하는 횟수에 비례하여 제1 최대 클럭 주파수, 제2 최대 클럭 주파수, 제3 최대 클럭 주파수, 및 제4 최대 클럭 주파수 중 적어도 하나를 절반으로 감소시킬 수 있다.
일 실시 예에서, 프로세서(120)의 중앙 처리 장치(240)는 복수의 블록들(251, 252, 253) 중 소비 전류가 큰 블록에 설정된 최대 클럭 주파수를 감소시키도록 설정될 수 있다. 예를 들어, 제3 블록(253)이 가장 많은 전류를 소비하고, 제2 블록(252)이 다음으로 많은 전류를 소비하고, 제1 블록(251)이 가장 적은 전류를 소비할 수 있다. 중앙 처리 장치(240)는 카운터의 최대 클럭 주파수의 감소 횟수가 제1 횟수 이상이고 제1 횟수보다 큰 제2 횟수 이하이면서 배터리(189)의 전압 레벨이 제1 전압 이하인 경우 제3 블록(253)에 설정된 제4 최대 클럭 주파수를 감소시킬 수 있다. 중앙 처리 장치(240)는 카운터의 최대 클럭 주파수의 감소 횟수가 제2 횟수 이상이고 제2 횟수보다 큰 제3 횟수 이하이면서 배터리(189)의 전압 레벨이 제1 전압 이하인 경우 제2 블록(252)에 설정된 제3 최대 클럭 주파수를 추가적으로 감소시킬 수 있다. 중앙 처리 장치(240)는 카운터의 최대 클럭 주파수의 감소 횟수가 제3 횟수 이상이면서 배터리(189)의 전압 레벨이 제1 전압 이하인 경우 제1 블록(251)에 설정된 제2 최대 클럭 주파수를 추가적으로 감소시킬 수 있다.
도 7은 일 실시 예에 따른 전자 장치(예: 도 6의 전자 장치(101))의 제어 방법을 나타낸 흐름도(700)이다.
일 실시 예에 따른 전자 장치(101)의 프로세서(예: 도 6의 프로세서(120))는 동작 710에서, SMPL 경고 신호를 획득할 수 있다. 배터리(예: 도 6의 배터리(189))의 전압 레벨이 제1 전압 이하인 경우 전력 관리 모듈(188)에서 SMPL 경고 신호의 레벨을 변화시켜 SMPL 경고 신호를 활성화할 수 있다. 프로세서(120)의 중앙 처리 장치(240)는 활성화된 SMPL 경고 신호를 수신하는 경우 배터리(189)의 전압 레벨이 제1 전압 이하인 것으로 판단할 수 있다.
일 실시 예에 따른 전자 장치(101)는 동작 720에서, 배터리(189)의 온도에 기반하여 제1 시간을 설정할 수 있다. 온도 측정부(예: 도 6의 온도 측정부(630)는 배터리(189)의 온도를 측정할 수 있다. 주기 설정부(640)는 배터리(189)의 온도를 수신하여 제1 시간을 설정할 수 있다. 주기 설정부(640)는 배터리(189)의 온도에 따라 전자 장치(101)가 턴-오프 되기까지 소요되는 시간에 비례하도록 제1 시간을 설정할 수 있다. 예를 들어, 주기 설정부(640)는 배터리(189)가 상온 모드인 경우 전자 장치(101)가 턴-오프 되기까지 소요되는 시간이 약 1초인 경우 제1 시간을 100㎳로 설정할 수 있다. 다른 예로, 주기 설정부(640)는 배터리(189)가 저온 모드인 경우 전자 장치(101)가 턴-오프 되기까지 소요되는 시간이 약 100㎳인 경우 제1 시간을 10㎳로 설정할 수 있다.
일 실시 예에 따른 전자 장치(101)의 프로세서(120)는 동작 730에서, 제1 클럭의 최대 클럭 주파수를 감소시키면서 감소 횟수를 계산할 수 있다. 프로세서(120)의 중앙 처리 장치(240)는 배터리(189)의 전압이 제1 전압 이하인 경우 제1 최대 클럭 주파수를 감소시킬 수 있다. 중앙 처리 장치(240)는 제1 최대 클럭 주파수를 감소시킨 횟수를 카운터에서 계산할 수 있다.
일 실시 예에 따른 전자 장치(101)의 프로세서(120)는 동작 740에서, 카운터의 감소 횟수가 제1 횟수에 도달하는 경우 복수의 최대 클럭 주파수들을 추가적으로 감소시킬 수 있다. 프로세서(120)의 중앙 처리 장치(240)는 카운터의 최대 클럭 주파수의 감소 횟수가 제1 횟수에 도달할 때까지 배터리(189)의 전압이 제1 전압 이하인 경우 제1 블록(251), 제2 블록(252), 및 제3 블록(253)에 설정된 최대 클럭 주파수들에 대한 추가적인 제어를 수행할 수 있다.
도 8은 일 실시 예에 따른 전자 장치(예: 도 6의 전자 장치(101))의 제어 방법을 나타낸 흐름도(800)이다.
일 실시 예에 따른 전자 장치(101)는 동작 810에서, SMPL 경고 인터럽트 요청을 인에이블 할 수 있다. 전력 관리 모듈(예: 도 6의 전력 관리 모듈(188))은 배터리(예: 도 6의 배터리(189))의 전압을 측정할 수 있다. 전력 관리 모듈(188)은 배터리(189)의 전압 레벨이 제1 전압 이하인 경우 SMPL 리셋이 발생할 수 있다는 SMPL 경고 신호를 프로세서(예: 도 6의 프로세서(120))로 전달할 수 있다. 프로세서(120)는 SMPL 경고 신호를 수신하는 경우 SMPL 경고 인터럽트 요청의 레벨을 변화시킬 할 수 있다. 예를 들어, 프로세서(120)는 SMPL 경고 신호를 수신하는 경우 SMPL 경고 인터럽트 요청의 레벨을 하이 레벨에서 로우 레벨로 변화시킬 수 있다.
일 실시 예에 따른 전자 장치(101)는 동작 820에서, SMPL 경고 인터럽트 요청을 디스에이블 할 수 있다. 전자 장치(101)의 프로세서(120)는 SMPL 경고 인터럽트 요청을 수신한 경우 배터리(189)의 전압 레벨이 제1 전압 이하인 것을 알고 SMPL 경고 신호를 생성할 수 있다. 프로세서(120)는 SMPL 경고 신호를 생성한 경우 SMPL 경고 인터럽트 요청은 디스에이블 상태로 원복할 수 있다.
일 실시 예에 따른 전자 장치(101)는 동작 820에서, 하드웨어적으로 중앙 처리 장치(예: 도 6의 중앙 처리 장치(240)) 주파수를 감소시키고 타이머(예: 도 6의 타이머(650))를 시작할 수 있다. 프로세서(120)는 레지스터(예: 도 6의 레지스터(610))에 지정된 값 또는 지정된 비율만큼 중앙 처리 장치에 공급되는 클럭의 주파수를 감소시킬 수 있다. 프로세서(120)는 클럭의 최대 클럭 주파수에 대한 추가적인 제어를 수행하기 위한 타이머(650)의 카운터를 시작할 수 있다.
일 실시 예에 따른 전자 장치(101)는 동작 830에서, 제1 시간이 경과하는 동안 SMPL 경고가 로우 레벨을 유지하는지 여부를 확인할 수 있다. 배터리(189)의 전압 레벨이 제1 전압 이하인 상태를 유지하는 경우 SMPL 경고가 로우 레벨을 유지할 수 있다. 프로세서(120)의 중앙 처리 장치(240)는 SMPL 경고가 로우 레벨을 유지하는 경우 배터리(189)의 전압 레벨과 관련된 추가적인 제어가 필요한 경우로 판단할 수 있다. 중앙 처리 장치(240)는 제1 시간이 경과하는 동안 SMPL 경고가 로우 레벨을 유지하는 경우(동작 830 - YES) 동작 840으로 진행할 수 있다. 중앙 처리 장치(240)는 제1 시간이 경과하기 이전에 SMPL 경고가 하이 레벨로 변화하는 경우(동작 830 - NO) 동작 850으로 진행할 수 있다.
일 실시 예에 따른 전자 장치(101)는 동작 840에서, 중앙 처리 장치(240)의 최대 클럭 주파수를 감소시킬 수 있다. 프로세서(120)의 중앙 처리 장치(240)는 중앙 처리 장치(240)에 동적 전압 주파수 스케일링을 통해 설정된 제1 최대 클럭 주파수를 감소시킬 수 있다. 중앙 처리 장치(240)는 제1 최대 클럭 주파수를 제1 시간이 경과할 때마다 감소시킬 수 있다. 중앙 처리 장치(240)는 제1 최대 클럭 주파수를 지정된 값 또는 지정된 비율만큼 감소시킬 수 있다. 예를 들어, 중앙 처리 장치(240)는 제1 최대 클럭 주파수를 절반으로 감소시킬 수 있다.
일 실시 예에 따른 전자 장치(101)는 동작 840에서, 최대 클럭 주파수의 감소 횟수를 계산할 수 있다. 카운터는 최대 클럭 주파수의 감소 횟수를 계산할 수 있다. 프로세서(120)의 중앙 처리 장치(240)는 제1 최대 클럭 주파수를 감소시키는 경우 카운터에서 최대 클럭 주파수의 감소 횟수를 계산할 수 있다. 중앙 처리 장치(240)는 제1 시간이 경과하여 카운터의 감소 횟수를 1회 증가시킬 수 있다.
일 실시 예에 따른 전자 장치(101)는 동작 850에서, 최대 클럭 주파수들을 원복하고 타이머(650)를 초기화할 수 있다. 프로세서(120)의 중앙 처리 장치(240)는 SMPL 경고가 하이 레벨로 변화하는 경우 배터리(189)의 전압 레벨이 제1 전압을 초과하는 것으로 판단할 수 있다. 중앙 처리 장치(240)는 배터리(189)의 전압 레벨이 제1 전압을 초과하는 경우 배터리(189)의 전압이 정상 범위로 돌아온 것으로 판단할 수 있다. 중앙 처리 장치(240)는 배터리(189)의 전압 레벨이 제1 전압을 초과하는 경우 동적 전압 주파수 스케일링 상으로 설정된 복수의 최대 클럭 주파수들을 원복하도록 설정될 수 있다. 중앙 처리 장치(240)는 배터리(189)의 전압 레벨이 제1 전압을 초과하는 경우 중앙 처리 장치(240)에 설정된 최대 클럭 주파수를 원래 값으로 복원할 수 있다.
일 실시 예에 따른 전자 장치(101)는 동작 860에서, 감소 횟수가 제1 횟수에 도달하는 동안 SMPL 경고가 로우 레벨을 유지하는지 여부를 확인할 수 있다. 배터리(189)의 전압 레벨이 제1 전압 이하인 상태를 유지하는 경우 SMPL 경고가 로우 레벨을 유지할 수 있다. 프로세서(120)는 타이머(650)에서 측정한 최대 클럭 주파수의 감소 횟수가 제1 횟수에 도달할 때까지 SMPL 경고가 로우 레벨을 유지하는 경우 중앙 처리 장치(240)에 더하여 복수의 블록들(예: 도 6의 제1 블록(251), 제2 블록(252), 및 제3 블록(253)에 대한 추가적인 제어가 필요한 경우로 판단할 수 있다. 프로세서(120)는 감소 횟수가 제1 횟수에 도달하는 동안 SMPL 경고가 로우 레벨을 유지하는 경우(동작 860 - YES) 동작 870으로 진행할 수 있다. 프로세서(120)는 감소 횟수가 제1 횟수에 도달하기 이전에 SMPL 경고가 하이 레벨로 변화하는 경우(동작 860 - NO) 동작 850으로 진행할 수 있다.
일 실시 예에 따른 전자 장치(101)는 동작 870에서, 중앙 처리 장치(240)의 최대 클럭 주파수를 감소시킬 수 있다. 프로세서(120)의 중앙 처리 장치(240)는 중앙 처리 장치(240)에 동적 전압 주파수 스케일링으로 설정된 제1 최대 클럭 주파수를 감소시킬 수 있다. 중앙 처리 장치(240)는 제1 최대 클럭 주파수를 제1 시간이 경과할 때마다 감소시킬 수 있다. 중앙 처리 장치(240)는 제1 최대 클럭 주파수를 지정된 값 또는 지정된 비율만큼 감소시킬 수 있다. 예를 들어, 중앙 처리 장치(240)는 제1 최대 클럭 주파수를 절반으로 감소시킬 수 있다.
일 실시 예에 따른 전자 장치(101)는 동작 870에서, 그래픽 처리 장치(예: 도 6의 제1 블록(251))의 최대 클럭 주파수를 감소시킬 수 있다. 프로세서(120)의 중앙 처리 장치(240)는 그래픽 처리 장치(251)에 동적 전압 주파수 스케일링으로 설정된 제2 최대 클럭 주파수를 감소시킬 수 있다. 중앙 처리 장치(240)는 제2 최대 클럭 주파수를 제1 최대 클럭 주파수와 같이 감소시킬 수 있다. 그러나 이에 한정되지 않으며, 중앙 처리 장치(240)는 제2 최대 클럭 주파수를 제1 최대 클럭 주파수와 별도로 설정할 수 있다. 중앙 처리 장치(240)는 제2 최대 클럭 주파수를 제1 시간이 경과할 때마다 감소시킬 수 있다. 중앙 처리 장치(240)는 제2 최대 클럭 주파수를 지정된 값 또는 지정된 비율만큼 감소시킬 수 있다. 예를 들어, 중앙 처리 장치(240)는 제2 최대 클럭 주파수를 절반으로 감소시킬 수 있다.
일 실시 예에 따른 전자 장치(101)는 동작 870에서, 신경망 처리 장치(예: 도 6의 제2 블록(252))의 최대 클럭 주파수를 감소시킬 수 있다. 프로세서(120)의 중앙 처리 장치(240)는 신경망 처리 장치(252)에 동적 전압 주파수 스케일링으로 설정된 제3 최대 클럭 주파수를 감소시킬 수 있다. 중앙 처리 장치(240)는 제3 최대 클럭 주파수를 제1 최대 클럭 주파수 및 제2 최대 클럭 주파수와 같이 감소시킬 수 있다. 그러나 이에 한정되지 않으며, 중앙 처리 장치(240)는 제3 최대 클럭 주파수를 제1 최대 클럭 주파수 및/또는 제2 최대 클럭 주파수와 별도로 설정할 수 있다. 중앙 처리 장치(240)는 제3 최대 클럭 주파수를 제1 시간이 경과할 때마다 감소시킬 수 있다. 중앙 처리 장치(240)는 제3 최대 클럭 주파수를 지정된 값 또는 지정된 비율만큼 감소시킬 수 있다. 예를 들어, 중앙 처리 장치(240)는 제3 최대 클럭 주파수를 절반으로 감소시킬 수 있다.
일 실시 예에 따른 전자 장치(101)는 동작 870에서, 버스(예: 도 6의 제3 블록(253))의 최대 클럭 주파수를 감소시킬 수 있다. 프로세서(120)의 중앙 처리 장치(240)는 버스 (253)에 동적 전압 주파수 스케일링으로 설정된 제4 최대 클럭 주파수를 감소시킬 수 있다. 중앙 처리 장치(240)는 제4 최대 클럭 주파수를 제1 최대 클럭 주파수, 제2 최대 클럭 주파수, 및 제3 최대 클럭 주파수와 같이 감소시킬 수 있다. 그러나 이에 한정되지 않으며, 중앙 처리 장치(240)는 제4 최대 클럭 주파수를 제1 최대 클럭 주파수, 제2 최대 클럭 주파수, 및/또는 제3 최대 클럭 주파수와 별도로 설정할 수 있다. 중앙 처리 장치(240)는 제4 최대 클럭 주파수를 제1 시간이 경과할 때마다 감소시킬 수 있다. 중앙 처리 장치(240)는 제4 최대 클럭 주파수를 지정된 값 또는 지정된 비율만큼 감소시킬 수 있다. 예를 들어, 중앙 처리 장치(240)는 제4 최대 클럭 주파수를 절반으로 감소시킬 수 있다.
일 실시 예에 따른 전자 장치(101)는 동작 880에서, SMPL 경고가 하이 레벨로 변화하였는지 여부를 확인할 수 있다. 배터리(189)의 전압 레벨이 제1 전압보다 높게 변화하는 경우 SMPL 경고가 하이 레벨로 변화할 수 있다. SMPL 경고가 하이 레벨로 변화하는 경우 중앙 처리 장치(240) 및 복수의 블록들(예: 도 6의 제1 블록(251), 제2 블록(252), 및 제3 블록(253)에 대한 추가적인 제어가 더 이상 필요하지 않다고 판단할 수 있다. 프로세서(120)의 중앙 처리 장치(240)는 SMPL 경고가 하이 레벨로 변화하는 경우(동작 880 - YES) 동작 850으로 진행할 수 있다. 중앙 처리 장치(240)는 SMPL 경고가 로우 레벨을 유지하는 경우(동작 880 - NO) 동작 870으로 되돌아갈 수 있다. 중앙 처리 장치(240)는 SMPL 경고가 하이 레벨로 변화할 때까지 중앙 처리 장치(240) 및 복수의 블록들(251, 252, 253)에 설정된 클럭들의 최대 클럭 주파수를 감소시킬 수 있다.
일 실시예에 따르면, 타이머(도 6의 타이머(650))는 다른(another) 카운터(미도시)로 대체될 수도 있다. 예를 들어, 프로세서(120)는 프로세서(120)의 내부 또는 외부의 클럭을 세어서, 일정한 개수가 되면 다른(another) 카운터의 값을 증가시킬 수 있다. 예를 들어, 다른(another) 카우터가 지정된 횟수(예: 100회) 이상이고 배터리(189)의 전압 레벨이 제1 전압 이하인 경우 중앙 처리 장치(240) 및/또는 복수의 블록들(251, 252, 253) 각각에서 설정된 최대 클럭 주파수들 중 적어도 하나의 최대 클럭 주파수를 감소시킬 수 있다.
일 실시예에 따르면, 카운터(미도시)는 다른(another) 타이머로 대체될 수도 있다. 예를 들어, 프로세서(120)는 배터리(189)의 전압 레벨이 제2 전압 이하로 제2 시간이 경과하는 경우 복수의 블록들(251, 252, 253)의 최대 클럭 주파수들을 추가적으로 감소시킬 수 있다. 다른 예를 들어, 프로세서(120)는 배터리(189)의 전압 레벨이 제3 전압 이하로 제3 시간이 경과하는 경우 복수의 블록들(251, 252, 253)의 최대 클럭 주파수들을 추가적으로 감소시킬 수 있다.
도 9는 일 실시 예에 따른 배터리(189), 프로세서(120), 디스플레이 모듈(160), 카메라 모듈(180), 및 음향 출력 모듈(155)을 포함하는 전자 장치(101)를 나타낸 도면(900)이다.
일 실시 예에서, 전자 장치(101)는 디스플레이(예: 디스플레이 모듈(160), 카메라(예: 카메라 모듈(180)), 및 스피커(예: 음향 출력 모듈(155))를 더 포함할 수 있다. 전자 장치(101)는 다양한 기능을 수행하기 위한 다양한 모듈들을 가질 수 있다.
일 실시 예에서, 프로세서(120)는 배터리(189)의 전압 레벨을 획득할 수 있다. 프로세서(120)는 배터리(189)의 전압 레벨이 지정된 제1 전압 이하인 경우를 감지할 수 있다. 프로세서(120)는 배터리(189)의 전압 레벨이 제1 전압 이하로 된 시점부터 시간을 측정할 수 있다. 프로세서(120)는 배터리(189)의 전압 레벨이 제1 전압 이하로 제1 시간이 경과하였는지 여부를 판단할 수 있다.
일 실시 예에서, 프로세서(120)는 제1 시간이 경과한 후 배터리(189)의 전압 레벨이 제1 전압 이하인 경우 디스플레이(160)의 휘도, 카메라(180)의 해상도, 및 스피커(155)의 음량 중 적어도 하나 이상을 감소시키도록 설정될 수 있다. 일 실시 예에서, 프로세서(120)는 제1 시간이 경과한 후 배터리(189)의 전압 레벨이 제1 전압 이하인 경우 배터리(189)의 부하 전류를 감소시키기 위한 제어를 수행할 수 있다. 프로세서(120)는 배터리(189)의 부하 전류를 감소시키기 위하여 디스플레이(160)의 휘도를 감소시킬 수 있다. 프로세서(120)는 배터리(189)의 부하 전류를 감소시키기 위하여 카메라(180)의 해상도를 감소시킬 수 있다. 프로세서(120)는 배터리(189)의 부하 전류를 감소시키기 위하여 스피커(155)의 음량을 감소시킬 수 있다. 프로세서(120)는 배터리(189)의 부하 전류를 감소시켜 배터리(189)의 전압이 제1 전압보다 높은 상태를 유지하도록 디스플레이(160), 카메라(180), 및/또는 스피커(155)를 제어할 수 있다.
본 문서에 개시된 다양한 실시예들에 따른 전자 장치는 다양한 형태의 장치가 될 수 있다. 전자 장치는, 예를 들면, 휴대용 통신 장치(예: 스마트폰), 컴퓨터 장치, 휴대용 멀티미디어 장치, 휴대용 의료 기기, 카메라, 웨어러블 장치, 또는 가전 장치를 포함할 수 있다. 본 문서의 실시예에 따른 전자 장치는 전술한 기기들에 한정되지 않는다.
본 문서의 다양한 실시예들 및 이에 사용된 용어들은 본 문서에 기재된 기술적 특징들을 특정한 실시예들로 한정하려는 것이 아니며, 해당 실시예의 다양한 변경, 균등물, 또는 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 도면의 설명과 관련하여, 유사한 또는 관련된 구성요소에 대해서는 유사한 참조 부호가 사용될 수 있다. 아이템에 대응하는 명사의 단수 형은 관련된 문맥상 명백하게 다르게 지시하지 않는 한, 상기 아이템 한 개 또는 복수 개를 포함할 수 있다. 본 문서에서, "A 또는 B", "A 및 B 중 적어도 하나", "A 또는 B 중 적어도 하나", "A, B 또는 C", "A, B 및 C 중 적어도 하나", 및 "A, B, 또는 C 중 적어도 하나"와 같은 문구들 각각은 그 문구들 중 해당하는 문구에 함께 나열된 항목들 중 어느 하나, 또는 그들의 모든 가능한 조합을 포함할 수 있다. "제 1", "제 2", 또는 "첫째" 또는 "둘째"와 같은 용어들은 단순히 해당 구성요소를 다른 해당 구성요소와 구분하기 위해 사용될 수 있으며, 해당 구성요소들을 다른 측면(예: 중요성 또는 순서)에서 한정하지 않는다. 어떤(예: 제 1) 구성요소가 다른(예: 제 2) 구성요소에, "기능적으로" 또는 "통신적으로"라는 용어와 함께 또는 이런 용어 없이, "커플드" 또는 "커넥티드"라고 언급된 경우, 그것은 상기 어떤 구성요소가 상기 다른 구성요소에 직접적으로(예: 유선으로), 무선으로, 또는 제 3 구성요소를 통하여 연결될 수 있다는 것을 의미한다.
본 문서의 다양한 실시예들에서 사용된 용어 "모듈"은 하드웨어, 소프트웨어 또는 펌웨어로 구현된 유닛을 포함할 수 있으며, 예를 들면, 로직, 논리 블록, 부품, 또는 회로와 같은 용어와 상호 호환적으로 사용될 수 있다. 모듈은, 일체로 구성된 부품 또는 하나 또는 그 이상의 기능을 수행하는, 상기 부품의 최소 단위 또는 그 일부가 될 수 있다. 예를 들면, 일실시예에 따르면, 모듈은 ASIC(application-specific integrated circuit)의 형태로 구현될 수 있다.
본 문서의 다양한 실시예들은 기기(machine)(예: 전자 장치(101)) 의해 읽을 수 있는 저장 매체(storage medium)(예: 내장 메모리(136) 또는 외장 메모리(138))에 저장된 하나 이상의 명령어들을 포함하는 소프트웨어(예: 프로그램(140))로서 구현될 수 있다. 예를 들면, 기기(예: 전자 장치(101))의 프로세서(예: 프로세서(120))는, 저장 매체로부터 저장된 하나 이상의 명령어들 중 적어도 하나의 명령을 호출하고, 그것을 실행할 수 있다. 이것은 기기가 상기 호출된 적어도 하나의 명령어에 따라 적어도 하나의 기능을 수행하도록 운영되는 것을 가능하게 한다. 상기 하나 이상의 명령어들은 컴파일러에 의해 생성된 코드 또는 인터프리터에 의해 실행될 수 있는 코드를 포함할 수 있다. 기기로 읽을 수 있는 저장 매체는, 비일시적(non-transitory) 저장 매체의 형태로 제공될 수 있다. 여기서, ‘비일시적’은 저장 매체가 실재(tangible)하는 장치이고, 신호(signal)(예: 전자기파)를 포함하지 않는다는 것을 의미할 뿐이며, 이 용어는 데이터가 저장 매체에 반영구적으로 저장되는 경우와 임시적으로 저장되는 경우를 구분하지 않는다.
일실시예에 따르면, 본 문서에 개시된 다양한 실시예들에 따른 방법은 컴퓨터 프로그램 제품(computer program product)에 포함되어 제공될 수 있다. 컴퓨터 프로그램 제품은 상품으로서 판매자 및 구매자 간에 거래될 수 있다. 컴퓨터 프로그램 제품은 기기로 읽을 수 있는 저장 매체(예: compact disc read only memory(CD-ROM))의 형태로 배포되거나, 또는 어플리케이션 스토어(예: 플레이 스토어™)를 통해 또는 두 개의 사용자 장치들(예: 스마트 폰들) 간에 직접, 온라인으로 배포(예: 다운로드 또는 업로드)될 수 있다. 온라인 배포의 경우에, 컴퓨터 프로그램 제품의 적어도 일부는 제조사의 서버, 어플리케이션 스토어의 서버, 또는 중계 서버의 메모리와 같은 기기로 읽을 수 있는 저장 매체에 적어도 일시 저장되거나, 임시적으로 생성될 수 있다.
다양한 실시예들에 따르면, 상기 기술한 구성요소들의 각각의 구성요소(예: 모듈 또는 프로그램)는 단수 또는 복수의 개체를 포함할 수 있으며, 복수의 개체 중 일부는 다른 구성요소에 분리 배치될 수도 있다. 다양한 실시예들에 따르면, 전술한 해당 구성요소들 중 하나 이상의 구성요소들 또는 동작들이 생략되거나, 또는 하나 이상의 다른 구성요소들 또는 동작들이 추가될 수 있다. 대체적으로 또는 추가적으로, 복수의 구성요소들(예: 모듈 또는 프로그램)은 하나의 구성요소로 통합될 수 있다. 이런 경우, 통합된 구성요소는 상기 복수의 구성요소들 각각의 구성요소의 하나 이상의 기능들을 상기 통합 이전에 상기 복수의 구성요소들 중 해당 구성요소에 의해 수행되는 것과 동일 또는 유사하게 수행할 수 있다. 다양한 실시예들에 따르면, 모듈, 프로그램 또는 다른 구성요소에 의해 수행되는 동작들은 순차적으로, 병렬적으로, 반복적으로, 또는 휴리스틱하게 실행되거나, 상기 동작들 중 하나 이상이 다른 순서로 실행되거나, 생략되거나, 또는 하나 이상의 다른 동작들이 추가될 수 있다.

Claims (20)

  1. 전자 장치에 있어서,
    배터리; 및
    상기 배터리와 작동적으로 연결되고(operationally connected) 중앙 처리 장치(central processing unit, CPU) 및 복수의 블록(intellectual property block, IP block)들을 포함하는 프로세서를 포함하고,
    상기 프로세서는,
    상기 전자 장치의 상기 배터리의 전압 레벨을 획득하고,
    상기 배터리의 상기 전압 레벨이 지정된 제1 전압 이하인 경우 상기 중앙 처리 장치에 공급되는 클럭 신호인 제1 클럭의 클럭 주파수를 감소시키고, 및
    제1 시간이 경과한 후 상기 배터리의 상기 전압 레벨이 상기 제1 전압 이하인 경우 상기 중앙 처리 장치 및/또는 상기 복수의 블록들 각각에 설정된 복수의 최대 클럭 주파수들 중 적어도 하나의 최대 클럭 주파수를 감소시키도록 설정된 전자 장치.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 프로세서는 전압 획득부를 이용하여 상기 배터리의 출력 단자의 전압을 측정하여 상기 배터리의 상기 전압 레벨을 획득하도록 설정된 전자 장치.
  3. 청구항 1에 있어서,
    전력 관리 모듈을 더 포함하고,
    상기 프로세서는,
    상기 전력 관리 모듈로부터 상기 배터리의 전압 레벨이 상기 제1 전압 이하인 경우 인에이블 되는 인터럽트(interrupt) 신호를 획득하여 상기 배터리의 상기 전압 레벨을 획득하도록 설정된 전자 장치.
  4. 청구항 1에 있어서, 상기 프로세서는,
    상기 제1 시간을 상기 배터리의 온도에 기반하여 설정하는 전자 장치.
  5. 청구항 1에 있어서, 상기 프로세서는,
    상기 복수의 최대 클럭 주파수들 각각을 동적 전압 주파수 스케일링(dynamic voltage frequency scaling, DVFS)을 통해 설정하고,
    상기 제1 시간이 경과한 후 상기 배터리의 상기 전압 레벨이 상기 제1 전압 이하인 경우 상기 중앙 처리 장치에 설정된 제1 최대 클럭 주파수, 상기 복수의 블록들 중 그래픽 처리 장치(graphic processing unit, GPU)에 설정된 제2 최대 클럭 주파수, 상기 복수의 블록들 중 신경 처리 장치(neural processing unit, NPU)에 설정된 제3 최대 클럭 주파수, 및 상기 복수의 블록들 중 버스(BUS)에 설정된 제4 최대 클럭 주파수 중 적어도 하나 이상을 감소시키도록 설정된 전자 장치.
  6. 청구항 5에 있어서,
    상기 프로세서는,
    상기 제1 시간이 경과하는 경우 상기 제1 최대 클럭 주파수를 감소시키면서 상기 제1 최대 클럭 주파수의 감소 횟수를 계산하고,
    상기 감소 횟수가 지정된 제1 횟수 이상인 경우 상기 제1 최대 클럭 주파수, 상기 제2 최대 클럭 주파수, 상기 제3 최대 클럭 주파수, 및 상기 제4 최대 클럭 주파수를 감소시키도록 설정된 전자 장치.
  7. 청구항 1에 있어서,
    상기 프로세서는 상기 복수의 블록들 중 소비 전류가 큰 블록에 설정된 최대 클럭 주파수를 감소시키도록 설정된 전자 장치.
  8. 청구항 1에 있어서,
    상기 프로세서는 상기 제1 시간이 경과하는 횟수에 비례하여 상기 적어도 하나의 최대 클럭 주파수를 단계적으로 감소시키도록 설정된 전자 장치.
  9. 청구항 1에 있어서,
    상기 프로세서는 상기 배터리의 상기 전압 레벨이 상기 제1 전압을 초과하는 경우 상기 감소된 적어도 하나의 최대 클럭 주파수를 원복하도록 설정된 전자 장치.
  10. 청구항 1에 있어서,
    디스플레이;
    카메라; 및
    스피커를 더 포함하고,
    상기 프로세서는,
    상기 제1 시간이 경과한 후 상기 배터리의 상기 전압 레벨이 상기 제1 전압 이하인 경우 상기 디스플레이의 휘도, 상기 카메라의 해상도, 및 상기 스피커의 음량 중 적어도 하나 이상을 감소시키도록 설정된 전자 장치.
  11. 전자 장치의 제어 방법에 있어서,
    상기 전자 장치의 배터리의 전압 레벨을 획득하는 동작;
    상기 배터리의 상기 전압 레벨이 지정된 제1 전압 이하인 경우 상기 전자 장치의 프로세서의 중앙 처리 장치에 공급되는 클럭 신호인 제1 클럭의 클럭 주파수를 감소시키는 동작; 및
    제1 시간이 경과한 후 상기 배터리의 상기 전압 레벨이 상기 제1 전압 이하인 경우 상기 중앙 처리 장치 및/또는 상기 프로세서의 복수의 블록들 각각에 설정된 복수의 최대 클럭 주파수들 중 적어도 하나의 최대 클럭 주파수를 감소시키는 동작을 포함하는 방법.
  12. 청구항 11에 있어서, 상기 전압 레벨을 획득하는 동작은,
    상기 프로세서 내부의 전압 획득부를 이용하여 상기 배터리의 출력 단자의 전압을 측정하는 동작을 포함하는 방법.
  13. 청구항 11에 있어서, 상기 전압 레벨을 획득하는 동작은,
    상기 전자 장치의 전력 관리 모듈로부터 상기 배터리의 전압 레벨이 상기 제1 전압 이하인 경우 인에이블 되는 인터럽트 신호를 획득하는 동작을 포함하는 방법.
  14. 청구항 11에 있어서,
    상기 프로세서는 상기 제1 시간을 상기 배터리의 온도에 기반하여 설정하는 방법.
  15. 청구항 11에 있어서,
    상기 복수의 최대 클럭 주파수들 각각을 동적 전압 주파수 스케일링을 통해 설정하고,
    상기 제1 시간이 경과한 후 상기 배터리의 상기 전압 레벨이 상기 제1 전압 이하인 경우 상기 중앙 처리 장치에 설정된 제1 최대 클럭 주파수, 상기 복수의 블록들 중 그래픽 처리 장치에 설정된 제2 최대 클럭 주파수, 상기 복수의 블록들 중 신경 처리 장치에 설정된 제3 최대 클럭 주파수, 및 상기 복수의 블록들 중 버스에 설정된 제4 최대 클럭 주파수 중 적어도 하나 이상을 감소시키는 방법.
  16. 청구항 15에 있어서,
    상기 프로세서는 상기 제1 시간이 경과하는 경우마다 상기 제1 최대 클럭 주파수를 감소시키면서 상기 상기 제1 최대 클럭 주파수의 감소 횟수를 계산하고,
    상기 감소 횟수가 지정된 제1 횟수 이상인 경우 상기 제1 최대 클럭 주파수, 상기 제2 최대 클럭 주파수, 상기 제3 최대 클럭 주파수, 및 상기 제4 최대 클럭 주파수를 감소시키는 방법.
  17. 청구항 11에 있어서,
    상기 프로세서는 상기 복수의 블록들 중 소비 전류가 큰 블록에 설정된 최대 클럭 주파수를 감소시키는 방법.
  18. 청구항 11에 있어서,
    상기 제1 시간이 경과하는 횟수에 비례하여 상기 적어도 하나의 최대 클럭 주파수를 단계적으로 감소시키는 방법.
  19. 청구항 11에 있어서,
    상기 배터리의 상기 전압 레벨이 상기 제1 전압을 초과하는 경우 상기 프로세서가 상기 감소된 적어도 하나의 최대 클럭 주파수를 원복하는 방법.
  20. 청구항 11에 있어서,
    상기 제1 시간이 경과한 후 상기 배터리의 상기 전압 레벨이 상기 제1 전압 이하인 경우 상기 프로세서가 상기 전자 장치의 디스플레이의 휘도, 상기 전자 장치의 카메라의 해상도, 및 상기 전자 장치의 스피커의 음량 중 적어도 하나 이상을 감소시키는 방법.
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