KR20220003404A - Apparatus for measuring process environment in semiconductor fabrication - Google Patents

Apparatus for measuring process environment in semiconductor fabrication Download PDF

Info

Publication number
KR20220003404A
KR20220003404A KR1020200081177A KR20200081177A KR20220003404A KR 20220003404 A KR20220003404 A KR 20220003404A KR 1020200081177 A KR1020200081177 A KR 1020200081177A KR 20200081177 A KR20200081177 A KR 20200081177A KR 20220003404 A KR20220003404 A KR 20220003404A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
power
sensor wafer
power supply
sensor
wafer
Prior art date
Application number
KR1020200081177A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
이충우
박인규
장용석
전성연
Original Assignee
세메스 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 세메스 주식회사 filed Critical 세메스 주식회사
Priority to KR1020200081177A priority Critical patent/KR20220003404A/en
Publication of KR20220003404A publication Critical patent/KR20220003404A/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67742—Mechanical parts of transfer devices
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B25—HAND TOOLS; PORTABLE POWER-DRIVEN TOOLS; MANIPULATORS
    • B25J—MANIPULATORS; CHAMBERS PROVIDED WITH MANIPULATION DEVICES
    • B25J19/00—Accessories fitted to manipulators, e.g. for monitoring, for viewing; Safety devices combined with or specially adapted for use in connection with manipulators
    • B25J19/0025—Means for supplying energy to the end effector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67253—Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68707—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a robot blade, or gripped by a gripper for conveyance

Abstract

Embodiments of the present invention provide an apparatus for measuring a process environment in a semiconductor fabrication facility and a sensor wafer. The apparatus for measuring a process environment in a semiconductor fabrication facility according to an embodiment of the present invention, includes: a chamber that provides a space for processing a wafer; and a substrate transfer unit that transfers a sensor wafer including a sensor for measuring a state inside the chamber. The substrate transfer unit may include: a robot hand that supports a lower portion of the sensor wafer; and a power supply unit that is mounted on at least a part of a region where it makes contact with the sensor wafer in the robot hand to supply power to the sensor wafer. According to the embodiment of the present invention, it is possible to stably supply the power to the sensor wafer without limitation of temperature or process time.

Description

반도체 제조 설비에서 공정 환경을 측정하기 위한 장치{APPARATUS FOR MEASURING PROCESS ENVIRONMENT IN SEMICONDUCTOR FABRICATION}Apparatus for measuring process environments in semiconductor manufacturing facilities

본 발명은 반도체 제조 설비에서 공정 환경을 측정하기 위한 장치에 관한 것으로서, 보다 구체적으로 반도체 제조 설비에서 챔버 내 환경을 측정하면서 전력을 공급받을 수 있는 센서 웨이퍼 및 센서 웨이퍼로 전력을 공급하는 장치에 관한 것이다.The present invention relates to an apparatus for measuring a process environment in a semiconductor manufacturing facility, and more particularly, to a sensor wafer capable of receiving power while measuring an environment in a chamber in a semiconductor manufacturing facility, and an apparatus for supplying power to the sensor wafer will be.

반도체(또는 디스플레이) 제조 공정은 기판(예: 웨이퍼) 상에 반도체 소자를 제조하기 위한 공정으로서, 예를 들어 노광, 증착, 식각, 이온 주입, 세정 등을 포함한다. A semiconductor (or display) manufacturing process is a process for manufacturing a semiconductor device on a substrate (eg, a wafer), and includes, for example, exposure, deposition, etching, ion implantation, cleaning, and the like.

특히, 식각이나 증착과 같은 가스 처리 공정은 챔버 내 공정 가스를 공급하여 기판을 가스 처리한다. 이러한 가스 처리 공정은 온도, 처리 시간에 많은 영향을 받으며, 공정 조건에 따라 온도와 처리 시간이 다양할 수 있다.In particular, in a gas processing process such as etching or deposition, a substrate is gas-processed by supplying a process gas in a chamber. Such a gas treatment process is greatly affected by temperature and treatment time, and the temperature and treatment time may vary according to process conditions.

그리하여, 챔버 내 환경이 특정 공정에서 정의된 공정 조건을 만족하는지 여부를 확인하기 위하여, 기판 처리 공정에 앞서 챔버 내 환경에 대한 측정이 수행될 수 있다. 챔버 내 환경에 대한 측정을 위하여, 웨이퍼 형상을 갖는 기판에 센서들이 부착된 센서 웨이퍼가 사용될 수 있으며, 해당 센서 웨이퍼의 센서에 의해 측정된 측정 데이터로부터 챔버 내 환경이 검사될 수 있다. Thus, in order to confirm whether the environment in the chamber satisfies a process condition defined in a specific process, measurement of the environment in the chamber may be performed prior to the substrate processing process. For the measurement of the environment in the chamber, a sensor wafer having sensors attached to a substrate having a wafer shape may be used, and the environment in the chamber may be inspected from measurement data measured by the sensor of the sensor wafer.

이때 센서 웨이퍼에 설치된 센서의 동작을 위한 전력이 지속적으로 공급될 필요가 있다. 온도, 처리 시간과 같은 다양한 공정 조건에 대하여 안정적으로 센서 웨이퍼로 전력을 공급하기 위한 방안이 요구된다.At this time, power for operation of the sensor installed on the sensor wafer needs to be continuously supplied. A method for stably supplying power to a sensor wafer under various process conditions such as temperature and processing time is required.

따라서, 본 발명의 실시예는 다양한 공정 조건에 대하여 안정적으로 센서 웨이퍼로 전력을 공급할 수 있는 전력 공급부를 포함하는 장치 및 전력 공급부로부터 안정적으로 전력을 수신할 수 있는 센서 웨이퍼를 제공한다.Accordingly, an embodiment of the present invention provides an apparatus including a power supply unit capable of stably supplying power to the sensor wafer for various process conditions, and a sensor wafer capable of stably receiving power from the power supply unit.

본 발명의 해결과제는 이상에서 언급된 것들에 한정되지 않으며, 언급되지 아니한 다른 해결과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확히 이해될 수 있을 것이다. The problems to be solved of the present invention are not limited to those mentioned above, and other problems not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the following description.

본 발명의 실시예들은 반도체 제조 설비에서 공정 환경을 측정하기 위한 장치 및 센서 웨이퍼를 제공한다. 본 발명의 실시예에 따른 반도체 제조 설비에서 공정 환경을 측정하기 위한 장치는, 웨이퍼를 처리하기 위한 공간을 제공하는 챔버와, 상기 챔버 내 상태를 측정하기 위한 센서를 포함하는 센서 웨이퍼를 반송하는 기판 반송부를 포함한다. 여기서 상기 기판 반송부는, 상기 센서 웨이퍼의 하부를 지지하는 로봇 핸드와, 상기 로봇 핸드에서 상기 센서 웨이퍼와 접촉되는 영역의 적어도 일부에 장착되어 상기 센서 웨이퍼로 전력을 공급하는 전력 공급부를 포함할 수 있다.SUMMARY Embodiments of the present invention provide an apparatus and a sensor wafer for measuring a process environment in a semiconductor manufacturing facility. An apparatus for measuring a process environment in a semiconductor manufacturing facility according to an embodiment of the present invention includes a chamber providing a space for processing a wafer, and a substrate carrying a sensor wafer including a sensor for measuring a state in the chamber Includes a transport unit. Here, the substrate transfer unit may include a robot hand supporting a lower portion of the sensor wafer, and a power supply unit mounted on at least a portion of an area in contact with the sensor wafer in the robot hand to supply power to the sensor wafer. .

일 실시예에서, 상기 전력 공급부는 상기 센서 웨이퍼에 장착된 전력 수신부로 전력을 공급하는 것을 특징으로 하는 장치.In an embodiment, the power supply unit supplies power to a power receiver mounted on the sensor wafer.

일 실시예에서, 상기 전력 공급부는 상기 전력 수신부보다 큰 면적을 가질 수 있다.In an embodiment, the power supply unit may have a larger area than the power receiver.

일 실시예에서, 상기 로봇 핸드는 로봇 암(robot arm)으로부터 분기되는 복수개의 돌출부들을 포함한다. 상기 전력 공급부는, 상기 돌출부들 각각에 설치되는 전력 공급단과, 상기 전력 공급단과 전원을 전기적으로 연결하는 전력 공급 와이어를 포함할 수 있다.In one embodiment, the robot hand includes a plurality of protrusions that branch off from a robot arm. The power supply unit may include a power supply terminal installed on each of the protrusions, and a power supply wire electrically connecting the power supply terminal and a power source.

일 실시예에서, 상기 전력 공급단은 상기 로봇 핸드의 전력 수신단과 접촉함으로써 전력을 공급할 수 있다. In one embodiment, the power supply end may supply power by contacting the power receiving end of the robot hand.

일 실시예에서, 상기 센서 웨이퍼와 상기 로봇 핸드가 접촉함으로써 상기 센서 웨이퍼로 전력이 공급되는 상태에서 상기 챔버 내 환경에 대한 측정이 수행될 수 있다.In an embodiment, the measurement of the environment in the chamber may be performed in a state in which power is supplied to the sensor wafer by the contact between the sensor wafer and the robot hand.

본 발명의 실시예에 따른 센서 웨이퍼는, 웨이퍼 형상을 갖는 베이스 플레이트와, 상기 베이스 플레이트에 설치되어 챔버 내 상태를 측정하기 위한 센서와, 상기 센서의 동작을 위한 전력을 수신하는 전력 수신부를 포함한다. 여기서 상기 전력 수신부는 상기 베이스 플레이트와 상기 베이스 플레이트를 반송하는 기판 반송부가 접촉하는 영역의 적어도 일부에 장착될 수 있다.A sensor wafer according to an embodiment of the present invention includes a base plate having a wafer shape, a sensor installed on the base plate to measure a state in a chamber, and a power receiver configured to receive power for operation of the sensor . Here, the power receiver may be mounted on at least a portion of an area in which the base plate and the substrate transport unit transporting the base plate contact each other.

일 실시예에서, 상기 전력 수신부는 상기 기판 반송부에 장착된 전력 공급부로부터 전력을 수신할 수 있다.In an embodiment, the power receiver may receive power from a power supply mounted on the substrate transfer unit.

일 실시예에서, 상기 전력 수신부는 상기 전력 공급부보다 작은 면적을 가질 수 있다.In an embodiment, the power receiver may have a smaller area than the power supply.

일 실시예에서, 상기 전력 수신부는 상기 기판 반송부에 형성된 복수의 돌출부들에 각각 설치된 전력 공급단에 대응하는 위치에 각각 설치되는 전력 수신단을 포함할 수 있다.In an embodiment, the power receiver may include a power receiver respectively installed at positions corresponding to the power supply ends respectively installed on the plurality of protrusions formed in the substrate transfer unit.

일 실시예에서, 상기 전력 수신단이 상기 전력 공급단에 접촉함으로써 전력이 수신되는 상태에서 상기 챔버 내 환경에 대한 측정이 수행될 수 있다.In an embodiment, the measurement of the environment in the chamber may be performed in a state in which power is received by the power receiving end contacting the power supplying end.

본 발명의 실시예에 따르면, 기판 반송부에 설치된 전력 공급부를 통해 센서 웨이퍼로 전력을 공급하면서 측정을 수행함으로써 온도 또는 공정 시간에 대한 제한없이 안정적으로 공급할 수 있다.According to an embodiment of the present invention, by performing measurement while supplying power to the sensor wafer through a power supply unit installed in the substrate transfer unit, it is possible to stably supply power without restrictions on temperature or process time.

본 발명의 효과는 이상에서 언급된 것들에 한정되지 않으며, 언급되지 아니한 다른 효과들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다. Effects of the present invention are not limited to those mentioned above, and other effects not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the following description.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 반도체 제조 설비를 개략적으로 나타낸 평면도이다.
도 2 및 도 3은 본 발명의 실시예에 따른 반도체 제조 설비에서 공정 환경을 측정하기 위한 센서 웨이퍼 및 센서 웨이퍼를 반송하는 기판 반송부의 일 예를 도시한다.
도 4 및 도 5는 본 발명의 실시예에 따른 반도체 제조 설비에서 공정 환경을 측정하기 위한 센서 웨이퍼 및 센서 웨이퍼를 반송하는 기판 반송부의 다른 예를 도시한다.1 is a plan view schematically illustrating a semiconductor manufacturing facility according to an embodiment of the present invention.
2 and 3 illustrate an example of a sensor wafer for measuring a process environment in a semiconductor manufacturing facility according to an embodiment of the present invention, and a substrate transfer unit carrying the sensor wafer.
4 and 5 illustrate another example of a sensor wafer for measuring a process environment in a semiconductor manufacturing facility according to an embodiment of the present invention, and a substrate transfer unit carrying the sensor wafer.

이하, 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예들에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예들에 한정되지 않는다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings, the embodiments of the present invention will be described in detail so that those of ordinary skill in the art to which the present invention pertains can easily implement them. The present invention may be embodied in several different forms and is not limited to the embodiments described herein.

본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 동일 또는 유사한 구성요소에 대해서는 동일한 참조 부호를 붙이도록 한다.In order to clearly explain the present invention, parts irrelevant to the description are omitted, and the same reference numerals are assigned to the same or similar components throughout the specification.

또한, 여러 실시예들에 있어서, 동일한 구성을 가지는 구성요소에 대해서는 동일한 부호를 사용하여 대표적인 실시예에서만 설명하고, 그 외의 다른 실시예에서는 대표적인 실시예와 다른 구성에 대해서만 설명하기로 한다.In addition, in various embodiments, components having the same configuration will be described using the same reference numerals only in the representative embodiment, and only configurations different from the representative embodiment will be described in other embodiments.

명세서 전체에서, 어떤 부분이 다른 부분과 "연결(또는 결합)"되어 있다고 할 때, 이는 "직접적으로 연결(또는 결합)"되어 있는 경우뿐만 아니라, 다른 부재를 사이에 두고 "간접적으로 연결(또는 결합)"된 것도 포함한다. 또한, 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함"한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.Throughout the specification, when it is said that a part is "connected (or coupled)" with another part, it is not only "directly connected (or coupled)" but also "indirectly connected (or connected)" with another member therebetween. combined)" is also included. In addition, when a part "includes" a certain component, this means that other components may be further included rather than excluding other components unless otherwise stated.

다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가지고 있다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥 상 가지는 의미와 일치하는 의미를 가지는 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.Unless defined otherwise, all terms used herein, including technical and scientific terms, have the same meaning as commonly understood by one of ordinary skill in the art to which this invention belongs. Terms such as those defined in commonly used dictionaries should be interpreted as having a meaning consistent with the meaning in the context of the related art, and should not be interpreted in an ideal or excessively formal meaning unless explicitly defined in the present application. does not

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 반도체 제조 설비를 개략적으로 나타낸 평면도이다. 도 1을 참조하면, 반도체 제조 설비(1)는 인덱스 모듈(10), 로딩 모듈(30), 그리고 공정 모듈(20)을 가지고, 인덱스 모듈(10)은 로드 포트(120), 이송 프레임(140), 그리고 버퍼 유닛(2000)을 가진다. 로드 포트(120), 이송 프레임(140), 그리고 공정 모듈(20)은 순차적으로 일렬로 배열된다. 이하, 로드 포트(120), 이송 프레임(140), 로딩 모듈(30), 그리고 공정 모듈(20)이 배열된 방향을 제1 방향(12)이라 하고, 상부에서 바라볼 때, 제1 방향(12)과 수직한 방향을 제2 방향(14)이라 하며, 제1 방향(12)과 제2 방향(14)을 포함한 평면에 수직인 방향을 제3 방향(16)이라 칭한다.1 is a plan view schematically illustrating a semiconductor manufacturing facility according to an embodiment of the present invention. Referring to FIG. 1 , a semiconductor manufacturing facility 1 has an index module 10 , a loading module 30 , and a process module 20 , and the index module 10 includes a load port 120 and a transfer frame 140 . ), and a buffer unit 2000 . The load port 120 , the transfer frame 140 , and the process module 20 are sequentially arranged in a line. Hereinafter, the direction in which the load port 120 , the transfer frame 140 , the loading module 30 , and the process module 20 are arranged is referred to as a first direction 12 , and when viewed from the top, the first direction ( A direction perpendicular to 12 ) is referred to as a second direction 14 , and a direction perpendicular to a plane including the first direction 12 and the second direction 14 is referred to as a third direction 16 .

로드 포트(120)에는 복수 개의 웨이퍼들(W)이 수납된 캐리어(18)가 안착된다. 로드 포트(120)는 복수 개가 제공되며 이들은 제2 방향(14)을 따라 일렬로 배치된다. 도 1에서는 3 개의 로드 포트(120)가 제공된 것으로 도시하였다. 그러나 로드 포트(120)의 개수는 공정 모듈(20)의 공정효율 및 풋 프린트 등의 조건에 따라 증가하거나 감소할 수도 있다. 캐리어(18)에는 기판의 가장자리를 지지하도록 제공된 슬롯(도시되지 않음)이 형성된다. 슬롯은 제3 방향(16)을 따라 복수 개가 제공되고, 기판은 제3 방향(16)을 따라 서로 이격된 상태로 적층되게 캐리어 내에 위치된다. 캐리어(18)로는 전면 개방 일체형 포드(Front Opening Unified Pod;FOUP)가 사용될 수 있다.A carrier 18 accommodating a plurality of wafers W is mounted on the load port 120 . A plurality of load ports 120 are provided and they are arranged in a line along the second direction 14 . 1 shows that three load ports 120 are provided. However, the number of load ports 120 may increase or decrease according to conditions such as process efficiency and footprint of the process module 20 . The carrier 18 is formed with a slot (not shown) provided to support the edge of the substrate. A plurality of slots are provided along the third direction 16 , and the substrates are positioned in the carrier to be stacked apart from each other along the third direction 16 . As the carrier 18 , a Front Opening Unified Pod (FOUP) may be used.

이송 프레임(140)은 로드 포트(120)에 안착된 캐리어(18), 버퍼 유닛(2000), 그리고 로딩 모듈(30) 간에 웨이퍼(W)를 반송한다. 이송 프레임(140)에는 인덱스 레일(142)과 인덱스 로봇(144)이 제공된다. 인덱스 레일(142)은 그 길이 방향이 제2 방향(14)과 나란하게 제공된다. 인덱스 로봇(144)은 인덱스 레일(142) 상에 설치되며, 인덱스 레일(142)을 따라 제2 방향(14)으로 직선 이동된다. 인덱스 로봇(144)은 베이스(144a), 몸체(144b), 그리고 인덱스암(144c)을 가진다. 베이스(144a)는 인덱스 레일(142)을 따라 이동 가능하도록 설치된다. 몸체(144b)는 베이스(144a)에 결합된다. 몸체(144b)는 베이스(144a) 상에서 제3 방향(16)을 따라 이동 가능하도록 제공된다. 또한, 몸체(144b)는 베이스(144a) 상에서 회전 가능하도록 제공된다. 인덱스암(144c)은 몸체(144b)에 결합되고, 몸체(144b)에 대해 전진 및 후진 이동 가능하도록 제공된다. 인덱스암(144c)은 복수 개 제공되어 각각 개별 구동되도록 제공된다. 인덱스암(144c)들은 제3 방향(16)을 따라 서로 이격된 상태로 적층되게 배치된다. 인덱스암(144c)들 중 일부는 공정 모듈(20)에서 캐리어(18)로 웨이퍼(W)를 반송할 때 사용되고, 다른 일부는 캐리어(18)에서 공정 모듈(20)로 웨이퍼(W)를 반송할 때 사용될 수 있다. 이는 인덱스 로봇(144)이 웨이퍼(W)를 반입 및 반출하는 과정에서 공정 처리 전의 웨이퍼(W)으로부터 발생된 파티클이 공정 처리 후의 웨이퍼(W)에 부착되는 것을 방지할 수 있다.The transfer frame 140 transfers the wafer W between the carrier 18 seated on the load port 120 , the buffer unit 2000 , and the loading module 30 . The transfer frame 140 is provided with an index rail 142 and an index robot 144 . The index rail 142 is provided in a longitudinal direction parallel to the second direction 14 . The index robot 144 is installed on the index rail 142 and linearly moves in the second direction 14 along the index rail 142 . The index robot 144 has a base 144a, a body 144b, and an index arm 144c. The base 144a is installed to be movable along the index rail 142 . The body 144b is coupled to the base 144a. The body 144b is provided to be movable along the third direction 16 on the base 144a. In addition, the body 144b is provided to be rotatable on the base 144a. The index arm 144c is coupled to the body 144b and is provided to be movable forward and backward with respect to the body 144b. A plurality of index arms 144c are provided to be individually driven. The index arms 144c are arranged to be stacked in a state spaced apart from each other in the third direction 16 . Some of the index arms 144c are used when transferring the wafer W from the process module 20 to the carrier 18 , and other parts of the index arms 144c transfer the wafer W from the carrier 18 to the process module 20 . can be used when This can prevent particles generated from the wafer W before the process from adhering to the wafer W after the process in the process of the index robot 144 loading and unloading the wafer W.

버퍼 유닛(2000)은 웨이퍼(W)를 임시 보관한다. 버퍼 유닛(2000)에서 웨이퍼(W) 상에 잔류되는 공정 부산물은 제거된다. 버퍼 유닛(2000)에서 공정 부산물의 제거는 버퍼 유닛(2000) 내로 퍼지 가스를 공급함으로써 이루어진다. 버퍼 유닛(2000)은 복수 개로 제공될 수 있다. 예컨대, 버퍼 유닛(2000)은 2개가 제공될 수 있다. 2개의 버퍼 유닛(2000)은 이송 프레임(140)의 양측에 각각 제공되어, 이송 프레임(140)을 사이에 두고 서로 대향되게 위치될 수 있다. 선택적으로 버퍼 유닛(2000)은 이송 프레임(140)의 일측에 1개만 제공될 수 있다.The buffer unit 2000 temporarily stores the wafer W. In the buffer unit 2000 , process byproducts remaining on the wafer W are removed. The removal of process by-products in the buffer unit 2000 is performed by supplying a purge gas into the buffer unit 2000 . A plurality of buffer units 2000 may be provided. For example, two buffer units 2000 may be provided. The two buffer units 2000 are provided on both sides of the transport frame 140 , respectively, and may be positioned to face each other with the transport frame 140 interposed therebetween. Optionally, only one buffer unit 2000 may be provided on one side of the transfer frame 140 .

로딩 모듈(30)은 이송 프레임(140)과 반송 챔버(250) 사이에 배치된다. 로딩 모듈(30)은 반송 챔버(250)와 이송 프레임(140) 간에 웨이퍼(W)가 반송되기 전에 웨이퍼(W)가 머무르는 공간을 제공한다. 로딩 모듈(30)은 로드락 챔버(32) 및 언로드락 챔버(34)를 포함한다. 로드락 챔버(32) 및 언로드락 챔버(34)는 각각 그 내부가 진공 분위기와 상압 분위기 간에 전환 가능하도록 제공된다.The loading module 30 is disposed between the transfer frame 140 and the transfer chamber 250 . The loading module 30 provides a space in which the wafer W stays before the wafer W is transferred between the transfer chamber 250 and the transfer frame 140 . The loading module 30 includes a load lock chamber 32 and an unload lock chamber 34 . The load lock chamber 32 and the unload lock chamber 34 are provided so that the inside thereof can be switched between a vacuum atmosphere and an atmospheric pressure atmosphere, respectively.

로드락 챔버(32)는 인덱스 모듈(10)에서 공정 모듈(20)로 반송되는 웨이퍼(W)가 임시로 머무른다. 로드락 챔버(32)에 웨이퍼(W)가 반입되면, 내부 공간을 인덱스 모듈(10)과 공정 모듈(20) 각각에 대해 밀폐한다. 이후 로드락 챔버(32)의 내부 공간을 상압 분위기에서 진공 분위기로 전환하고, 인덱스 모듈(10)에 대해 밀폐가 유지된 상태에서 공정 모듈(20)에 대해 개방된다.In the load lock chamber 32 , the wafer W transferred from the index module 10 to the process module 20 temporarily stays there. When the wafer W is loaded into the load lock chamber 32 , the internal space is sealed with respect to each of the index module 10 and the process module 20 . Thereafter, the internal space of the load lock chamber 32 is switched from the atmospheric pressure atmosphere to the vacuum atmosphere, and is opened to the process module 20 in a state in which the seal is maintained with respect to the index module 10 .

언로드락 챔버(34)는 공정 모듈(20)에서 인덱스 모듈(10)로 반송되는 웨이퍼(W)가 임시로 머무른다. 언로드락 챔버(34)에 웨이퍼(W)가 반입되면, 내부 공간을 인덱스 모듈(10)과 공정 모듈(20) 각각에 대해 밀폐한다. 이후 언로드락 챔버(34)의 내부 공간을 진공 분위기에서 상압 분위기로 전환하고, 공정 모듈(20)에 대해 밀폐가 유지된 상태에서 인덱스 모듈(10)에 대해 개방된다.In the unload lock chamber 34 , the wafer W transferred from the process module 20 to the index module 10 temporarily stays there. When the wafer W is loaded into the unload lock chamber 34 , the inner space is sealed with respect to each of the index module 10 and the process module 20 . Thereafter, the inner space of the unloading lock chamber 34 is switched from a vacuum atmosphere to an atmospheric pressure atmosphere, and is opened to the index module 10 in a state in which the seal is maintained with respect to the process module 20 .

공정 모듈(20)은 반송 챔버(250) 및 복수 개의 공정 챔버들(260)을 포함한다.The process module 20 includes a transfer chamber 250 and a plurality of process chambers 260 .

반송 챔버(250)는 로드락 챔버(32), 언로드락 챔버(34), 그리고 복수 개의 공정 챔버들(260) 간에 웨이퍼(W)를 반송한다. 반송 챔버(250)는 상부에서 바라볼 때 육각의 형상으로 제공될 수 있다. 선택적으로 반송 챔버(250)는 직사각 또는 오각의 형상으로 제공될 수 있다. 반송 챔버(250)의 둘레에는 로드락 챔버(32), 언로드락 챔버(34), 그리고 복수 개의 공정 챔버들(260)이 위치된다. 반송 챔버(250) 내에 반송 로봇(242)이 제공된다. 반송 로봇(242)은 반송 챔버(250)의 중앙부에 위치될 수 있다. 반송 로봇(242)은 수평, 수직 방향으로 이동할 수 있고, 수평면 상에서 전진, 후진 또는 회전이 가능한 복수 개의 기판 반송부들(252)을 가질 수 있다. 각 기판 반송부들(252)은 독립 구동이 가능하며, 웨이퍼(W)는 기판 반송부(252)에 수평 상태로 안착될 수 있다.The transfer chamber 250 transfers the wafer W between the load lock chamber 32 , the unload lock chamber 34 , and the plurality of process chambers 260 . The transfer chamber 250 may be provided in a hexagonal shape when viewed from above. Optionally, the transfer chamber 250 may be provided in a rectangular or pentagonal shape. A load lock chamber 32 , an unload lock chamber 34 , and a plurality of process chambers 260 are positioned around the transfer chamber 250 . A transfer robot 242 is provided in the transfer chamber 250 . The transfer robot 242 may be located in the center of the transfer chamber 250 . The transfer robot 242 may move in horizontal and vertical directions, and may include a plurality of substrate transfer units 252 capable of moving forward, backward, or rotating on a horizontal plane. Each of the substrate transfer units 252 may be driven independently, and the wafer W may be mounted on the substrate transfer unit 252 in a horizontal state.

이하, 본 발명의 실시예에 따른 센서 웨이퍼를 사용한 챔버 내 환경을 측정하기 위하여 센서 웨이퍼로 전력을 공급하기 위한 기법에 대해 설명한다. Hereinafter, a technique for supplying power to the sensor wafer in order to measure the environment in the chamber using the sensor wafer according to an embodiment of the present invention will be described.

센서 웨이퍼는 웨이퍼 형상으로 제공되며, 챔버 내 환경을 측정하기 위한 하나 또는 그 이상의 센서들이 설치될 수 있다. 센서 웨이퍼에 설치되는 센서로서 온도 센서, 기압 센서 등이 사용될 수 있다. 센서 웨이퍼의 전면 또는 후면의 여러 부분에 센서들이 부착될 수 있으며, 센서 웨이퍼 내부에 센서가 내장될 수 있다. 예를 들어, 센서 웨이퍼의 센서 영역에서 엣지 영역까지 온도 센서들이 방사형으로 배치될 수 있다. 센서 웨이퍼는 기판 반송부(252)에 의해 공정 챔버(260)의 내부에 위치할 수 있으며, 공정 챔버 내 공정 환경에 대한 측정을 수행할 수 있다.The sensor wafer is provided in a wafer shape, and one or more sensors for measuring the environment in the chamber may be installed. As a sensor installed on the sensor wafer, a temperature sensor, a barometric pressure sensor, or the like may be used. Sensors may be attached to various portions of the front or rear surface of the sensor wafer, and the sensor may be embedded in the sensor wafer. For example, temperature sensors may be disposed radially from the sensor area to the edge area of the sensor wafer. The sensor wafer may be positioned inside the process chamber 260 by the substrate transfer unit 252 , and may measure a process environment in the process chamber.

센서 웨이퍼의 전력원으로서, 배터리(전력 저장 장치)가 센서 웨이퍼에 내장될 수 있다. 센서 웨이퍼가 동작하지 않을 때 배터리로 전력을 충전하고, 배터리에 충전된 전력을 사용하여 센서 웨이퍼는 챔버 내 환경에 대한 측정을 수행할 수 있다. 그러나, 배터리를 사용할 경우, 사용 시간과 온도에 있어서 제약이 발생한다. 일반적인 리튬-이온 배터리의 동작 온도는 15~60도 정도이며, 이는 고온의 환경을 요구하는 반도체 제조 공정에 부적합하다.As the power source of the sensor wafer, a battery (power storage device) may be embedded in the sensor wafer. When the sensor wafer is not in operation, power is charged to the battery, and the sensor wafer can measure the environment in the chamber by using the power charged in the battery. However, when a battery is used, there are restrictions in terms of use time and temperature. The operating temperature of a typical lithium-ion battery is about 15 to 60 degrees, which is unsuitable for a semiconductor manufacturing process that requires a high temperature environment.

따라서, 본 발명의 실시예는 배터리를 사용하지 않음으로써 사용 시간과 온도의 제한없이 센서 웨이퍼로 전력을 안정적으로 공급할 수 있는 장치를 제공한다. 본 발명의 실시예로서, 접촉 단자를 이용하여 센서 웨이퍼로 전력을 공급하는 방법과, 무선 전력 전송 방식을 사용하여 센서 웨이퍼로 전력을 공급하는 방법을 제공한다. 센서 웨이퍼는 기판 반송부(252)의 전력 공급부로부터 접촉 또는 비접촉식으로 전력을 공급받으면서 공정 챔버(260) 내 공정 환경을 측정할 수 있고, 그리하여 사용 시간과 온도의 제약없이 전력을 공급받으면서 동작할 수 있다. Accordingly, an embodiment of the present invention provides an apparatus capable of stably supplying power to a sensor wafer without limitation of use time and temperature by not using a battery. As an embodiment of the present invention, a method of supplying power to a sensor wafer using a contact terminal and a method of supplying power to a sensor wafer using a wireless power transmission method are provided. The sensor wafer can measure the process environment in the process chamber 260 while being supplied with power in a contact or non-contact manner from the power supply of the substrate transfer unit 252, and thus can operate while receiving power without restrictions on use time and temperature. have.

본 발명의 실시예에 따르면, 반도체 제조 설비(1)에서 공정 환경을 측정하기 위한 장치는 웨이퍼(W)를 처리하기 위한 공간을 제공하는 챔버(260)와, 챔버(260) 내 상태를 측정하기 위한 센서를 포함하는 센서 웨이퍼를 반송하는 기판 반송부(252)를 포함한다. 이하, 기판 반송부(252) 및 센서 웨이퍼의 구조에 대해 보다 구체적으로 설명한다.According to an embodiment of the present invention, the apparatus for measuring the process environment in the semiconductor manufacturing facility 1 includes a chamber 260 providing a space for processing the wafer W, and measuring the state in the chamber 260 . and a substrate transfer unit 252 for transferring a sensor wafer including a sensor for Hereinafter, the structures of the substrate transfer unit 252 and the sensor wafer will be described in more detail.

도 2 및 도 3은 본 발명의 실시예에 따른 반도체 제조 설비에서 공정 환경을 측정하기 위한 센서 웨이퍼 및 센서 웨이퍼를 반송하는 기판 반송부의 일 예를 도시한다. 도 2 및 도 3을 참조하면, 챔버(260) 내 상태를 측정하기 위한 센서를 구비한 센서 웨이퍼(300)와, 센서 웨이퍼(300)를 반송하는 기판 반송부(252)가 제공된다. 본 발명의 실시예에 따르면 센서 웨이퍼(300)의 후면에 전력 수신부(301)가 설치되고, 기판 반송부(252)에 센서 웨이퍼(300)로 전력을 공급하기 위한 전력 공급부(2522)가 설치된다. 2 and 3 illustrate an example of a sensor wafer for measuring a process environment in a semiconductor manufacturing facility according to an embodiment of the present invention, and a substrate transfer unit carrying the sensor wafer. 2 and 3 , a sensor wafer 300 having a sensor for measuring a state in the chamber 260 , and a substrate transfer unit 252 carrying the sensor wafer 300 are provided. According to an embodiment of the present invention, the power receiving unit 301 is installed on the rear surface of the sensor wafer 300 , and the power supplying unit 2522 for supplying power to the sensor wafer 300 is installed in the substrate transfer unit 252 . .

본 발명의 실시예에 따르면, 기판 반송부(252)는 센서 웨이퍼(300)의 하부를 지지하는 로봇 핸드와, 로봇 핸드에서 센서 웨이퍼(300)와 접촉되는 영역의 적어도 일부에 장착되어 센서 웨이퍼(300)로 전력을 공급하는 전력 공급부(2522)를 포함한다. 전력 공급부(2522)는 센서 웨이퍼(300)에 장착된 전력 수신부(301)로 전력을 공급할 수 있다. 전력 공급부(2522)로부터 전력을 수신한 전력 수신부(301)는 센서 웨이퍼(300) 내 센서로 전력을 공급하여 센서가 동작할 수 있도록 할 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the substrate transfer unit 252 is mounted on at least a portion of a robot hand that supports the lower portion of the sensor wafer 300 and an area in contact with the sensor wafer 300 in the robot hand, so that the sensor wafer ( and a power supply 2522 for supplying power to 300). The power supply unit 2522 may supply power to the power receiver 301 mounted on the sensor wafer 300 . The power receiving unit 301 receiving power from the power supplying unit 2522 may supply power to the sensor in the sensor wafer 300 so that the sensor operates.

일 실시예에 따르면, 전력 공급부(2522)는 전력 수신부(301)보다 큰 면적을 가질 수 있다. 전력 공급부(2522)를 전력 수신부(301)보다 큰 면적으로 제공함으로써, 웨이퍼(W)가 기판 반송부(252)의 로봇 핸드에 약간 틀어진 상태로 안착된 경우에도 접촉을 유지하여 전력이 공급될 수 있다.According to an embodiment, the power supply unit 2522 may have a larger area than the power receiver 301 . By providing the power supply unit 2522 with a larger area than the power receiving unit 301 , power can be supplied by maintaining contact even when the wafer W is seated in a slightly twisted state on the robot hand of the substrate transfer unit 252 . have.

일 실시예에 따르면, 로봇 핸드는 로봇 암(robot arm)으로부터 분기되는 복수개의 돌출부들을 포함한다. 전력 공급부(2522)는 로봇 핸드의 돌출부들 각각에 설치되는 전력 공급단과 전력 공급과 전원을 전기적으로 연결하는 전력 공급 와이어를 포함할 수 있다. 전력 공급단은 로봇 핸드의 전력 수신단과 접촉함으로써 전력을 공급할 수 있다. 로봇 핸드의 돌출부들에서 웨이퍼(W)와 접촉되는 영역에 전력 공급단이 형성되고, 전원으로부터 전력 공급단으로 전기적 신호를 전달하기 위한 전력 공급 와이어가 제공될 수 있다. 전력 공급 와이어는 로봇 핸드 내부에 삽입되거나, 로봇 핸드 표면에 설치될 수 있다. According to one embodiment, the robot hand includes a plurality of protrusions that branch off from a robot arm. The power supply unit 2522 may include a power supply terminal installed on each of the protrusions of the robot hand, and a power supply wire electrically connecting the power supply and power. The power supply end may supply power by contacting the power receiving end of the robot hand. A power supply end is formed in a region in contact with the wafer W in the protrusions of the robot hand, and a power supply wire for transmitting an electrical signal from the power source to the power supply end may be provided. The power supply wire may be inserted into the robot hand or installed on the surface of the robot hand.

센서 웨이퍼(300)와 로봇 핸드가 접촉함으로써 센서 웨이퍼로 전력이 공급되는 상태에서 챔버(260) 내 환경에 대한 측정이 수행될 수 있다. 그리하여, 전력 공급부(2522)를 통해 배터리 사용에 따른 사용 시간과 온도의 제한 없이 지속적으로 전력이 센서 웨이퍼(300)로 전력이 공급되고, 전력이 지속적으로 공급된 상태로 센서 웨이퍼(300)는 챔버(260) 내 환경에 대한 측정을 수행할 수 있다.Measurement of the environment in the chamber 260 may be performed in a state in which power is supplied to the sensor wafer by contact between the sensor wafer 300 and the robot hand. Thus, power is continuously supplied to the sensor wafer 300 without limitation of the usage time and temperature according to the use of the battery through the power supply unit 2522 , and the sensor wafer 300 is in a state in which power is continuously supplied to the chamber (260) It is possible to measure my environment.

본 발명의 실시예에 따른 센서 웨이퍼(300)는, 웨이퍼 형상을 갖는 베이스 플레이트와, 베이스 플레이트에 설치되어 챔버 내 상태를 측정하기 위한 센서와, 센서의 동작을 위한 전력을 수신하는 전력 수신부를 포함한다. 전력 수신부(301)는 베이스 플레이트와 베이스 플레이트를 반송하는 기판 반송부(2522)가 접촉하는 영역의 적어도 일부에 장착될 수 있다.The sensor wafer 300 according to an embodiment of the present invention includes a base plate having a wafer shape, a sensor installed on the base plate to measure a state in a chamber, and a power receiver configured to receive power for operation of the sensor do. The power receiver 301 may be mounted on at least a portion of an area in which the base plate and the substrate transfer unit 2522 carrying the base plate contact each other.

일 실시예에서, 전력 수신부(301)는 기판 반송부(252)에 장착된 전력 공급부(2522)로부터 전력을 수신할 수 있다.In an embodiment, the power receiver 301 may receive power from the power supply unit 2522 mounted on the substrate transfer unit 252 .

일 실시예에서, 전력 수신부(301)는 전력 공급부(2522)보다 작은 면적을 가질 수 있다.In an embodiment, the power receiving unit 301 may have a smaller area than the power supplying unit 2522 .

일 실시예에서, 전력 수신부(301)는 기판 반송부(252)에 형성된 복수의 돌출부들에 각각 설치된 전력 공급단에 대응하는 위치에 각각 설치되는 전력 수신단을 포함할 수 있다.In an embodiment, the power receiving unit 301 may include a power receiving end installed at a position corresponding to a power supplying end respectively installed on a plurality of protrusions formed in the substrate transport unit 252 .

일 실시예에서, 전력 수신단이 전력 공급단에 접촉함으로써 전력이 수신되는 상태에서 챔버(260) 내 환경에 대한 측정이 수행될 수 있다.In an embodiment, the measurement of the environment in the chamber 260 may be performed in a state in which power is received by the power receiving end contacting the power supplying end.

도 4 및 도 5는 본 발명의 실시예에 따른 반도체 제조 설비에서 공정 환경을 측정하기 위한 센서 웨이퍼 및 센서 웨이퍼를 반송하는 기판 반송부의 다른 예를 도시한다.4 and 5 illustrate another example of a sensor wafer for measuring a process environment in a semiconductor manufacturing facility according to an embodiment of the present invention and a substrate transfer unit carrying the sensor wafer.

본 발명의 다른 실시예는 도 4 및 도 5에 도시된 것과 같이, 기판 반송부(252)에 전력 공급을 위한 전력 공급부(2524)로서 무선 전력 전송 모듈(예: 무선 충전 송신기)이 장착될 수 있다. 센서 웨이퍼(300)에는 전력 전송 모듈로부터 방출되는 전력을 수신하는 수신 모듈(예: 무선 충전 수신기)이 전력 수신부(302)로서 장착될 수 있다. 센서 웨이퍼(300)는 무선으로 공급되는 전력을 이용하여 구동하며 별도의 배터리를 장착하지 않는다. 무선 전력 공급은 접촉 단자 사용에 비하여 복잡성 증가의 요인이 되지만 내구성 및 적용 방법 등에 자유도가 좋다는 장점이 있다.In another embodiment of the present invention, as shown in FIGS. 4 and 5 , a wireless power transmission module (eg, a wireless charging transmitter) may be mounted as a power supply unit 2524 for supplying power to the substrate transfer unit 252 . have. A receiving module (eg, a wireless charging receiver) for receiving power emitted from the power transmitting module may be mounted on the sensor wafer 300 as the power receiving unit 302 . The sensor wafer 300 is driven using power supplied wirelessly, and a separate battery is not installed. Wireless power supply is a factor of increased complexity compared to the use of contact terminals, but has the advantage of good freedom in durability and application method.

이상에서 본 발명의 여러 실시예에 대하여 설명하였으나, 지금까지 참조한 도면과 기재된 발명의 상세한 설명은 단지 본 발명의 예시적인 것으로서, 이는 단지 본 발명을 설명하기 위한 목적에서 사용된 것이지 의미 한정이나 특허청구범위에 기재된 본 발명의 범위를 제한하기 위하여 사용된 것은 아니다. 그러므로 본 기술 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의해 정해져야 할 것이다.Although various embodiments of the present invention have been described above, the drawings and the detailed description of the described invention referenced so far are merely exemplary of the present invention, which are only used for the purpose of explaining the present invention and are not intended to limit meaning or claim claims. It is not intended to limit the scope of the invention described in the scope. Therefore, it will be understood by those skilled in the art that various modifications and equivalent other embodiments are possible therefrom. Accordingly, the true technical protection scope of the present invention should be defined by the technical spirit of the appended claims.

Claims (11)

반도체 제조 설비에서 공정 환경을 측정하기 위한 장치에 있어서,
웨이퍼를 처리하기 위한 공간을 제공하는 챔버; 및
상기 챔버 내 상태를 측정하기 위한 센서를 포함하는 센서 웨이퍼를 반송하는 기판 반송부를 포함하고,
상기 기판 반송부는,
상기 센서 웨이퍼의 하부를 지지하는 로봇 핸드; 및
상기 로봇 핸드에서 상기 센서 웨이퍼와 접촉되는 영역의 적어도 일부에 장착되어 상기 센서 웨이퍼로 전력을 공급하는 전력 공급부를 포함하는 것을 특징으로 하는 장치.
An apparatus for measuring a process environment in a semiconductor manufacturing facility, comprising:
a chamber providing a space for processing wafers; and
and a substrate transfer unit for transferring a sensor wafer including a sensor for measuring the state in the chamber,
The substrate transfer unit,
a robot hand supporting a lower portion of the sensor wafer; and
and a power supply unit mounted on at least a part of an area in contact with the sensor wafer in the robot hand to supply power to the sensor wafer.
 제1항에 있어서,
상기 전력 공급부는 상기 센서 웨이퍼에 장착된 전력 수신부로 전력을 공급하는 것을 특징으로 하는 장치.
According to claim 1,
The power supply unit supplies power to a power receiver mounted on the sensor wafer.
 제2항에 있어서,
상기 전력 공급부는 상기 전력 수신부보다 큰 면적을 갖는 것을 특징으로 하는 장치.
3. The method of claim 2,
The power supply unit, characterized in that having a larger area than the power receiving unit.
 제2항에 있어서,
상기 로봇 핸드는 로봇 암(robot arm)으로부터 분기되는 복수개의 돌출부들을 포함하고,
상기 전력 공급부는,
상기 돌출부들 각각에 설치되는 전력 공급단; 및
상기 전력 공급단과 전원을 전기적으로 연결하는 전력 공급 와이어를 포함하는 것을 특징으로 하는 장치.
3. The method of claim 2,
The robot hand includes a plurality of protrusions branching from a robot arm,
The power supply unit,
a power supply stage installed on each of the protrusions; and
and a power supply wire electrically connecting the power supply terminal and a power source.
 제4항에 있어서,
상기 전력 공급단은 상기 로봇 핸드의 전력 수신단과 접촉함으로써 전력을 공급하는 것을 특징으로 하는 장치.
5. The method of claim 4,
The power supply terminal is an apparatus, characterized in that for supplying power by contacting the power receiving terminal of the robot hand.
 제5항에 있어서,
상기 센서 웨이퍼와 상기 로봇 핸드가 접촉함으로써 상기 센서 웨이퍼로 전력이 공급되는 상태에서 상기 챔버 내 환경에 대한 측정이 수행되는 것을 특징으로 하는 장치.
6. The method of claim 5,
The apparatus according to claim 1, wherein the measurement of the environment in the chamber is performed in a state in which electric power is supplied to the sensor wafer by the contact between the sensor wafer and the robot hand.
 웨이퍼 형상을 갖는 베이스 플레이트;
상기 베이스 플레이트에 설치되어, 챔버 내 상태를 측정하기 위한 센서;
상기 센서의 동작을 위한 전력을 수신하는 전력 수신부를 포함하고,
상기 전력 수신부는 상기 베이스 플레이트와 상기 베이스 플레이트를 반송하는 기판 반송부가 접촉하는 영역의 적어도 일부에 장착되는 것을 특징으로 하는 센서 웨이퍼.
a base plate having a wafer shape;
a sensor installed on the base plate to measure a condition in the chamber;
Comprising a power receiver for receiving power for the operation of the sensor,
The sensor wafer, characterized in that the power receiver is mounted on at least a portion of a region in which the base plate and the substrate transport unit transporting the base plate contact each other.
 제7항에 있어서,
상기 전력 수신부는 상기 기판 반송부에 장착된 전력 공급부로부터 전력을 수신하는 것을 특징으로 하는 센서 웨이퍼.
8. The method of claim 7,
The sensor wafer, characterized in that the power receiver receives power from a power supply unit mounted on the substrate transfer unit.
 제8항에 있어서,
상기 전력 수신부는 상기 전력 공급부보다 작은 면적을 갖는 것을 특징으로 하는 센서 웨이퍼.
9. The method of claim 8,
The sensor wafer, characterized in that the power receiver has a smaller area than the power supply.
 제7항에 있어서,
상기 전력 수신부는 상기 기판 반송부에 형성된 복수의 돌출부들에 각각 설치된 전력 공급단에 대응하는 위치에 각각 설치되는 전력 수신단을 포함하는 것을 특징으로 하는 센서 웨이퍼.
8. The method of claim 7,
The power receiver comprises a power receiver respectively installed at positions corresponding to the power supply ends respectively installed on the plurality of protrusions formed in the substrate transfer unit.
 제10항에 있어서,
상기 전력 수신단이 상기 전력 공급단에 접촉함으로써 전력이 수신되는 상태에서 상기 챔버 내 환경에 대한 측정이 수행되는 것을 특징으로 하는 센서 웨이퍼.11. The method of claim 10,
The sensor wafer, characterized in that the measurement of the environment in the chamber is performed in a state in which the power is received by the power receiving end contacting the power supplying end.
KR1020200081177A 2020-07-01 2020-07-01 Apparatus for measuring process environment in semiconductor fabrication KR20220003404A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020200081177A KR20220003404A (en) 2020-07-01 2020-07-01 Apparatus for measuring process environment in semiconductor fabrication

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020200081177A KR20220003404A (en) 2020-07-01 2020-07-01 Apparatus for measuring process environment in semiconductor fabrication

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20220003404A true KR20220003404A (en) 2022-01-10

Family

ID=79347332

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020200081177A KR20220003404A (en) 2020-07-01 2020-07-01 Apparatus for measuring process environment in semiconductor fabrication

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20220003404A (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN117316835A (en) * 2023-11-28 2023-12-29 泓浒(苏州)半导体科技有限公司 Environment detection and early warning method for semiconductor wafer transmission under ultrahigh vacuum environment

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN117316835A (en) * 2023-11-28 2023-12-29 泓浒(苏州)半导体科技有限公司 Environment detection and early warning method for semiconductor wafer transmission under ultrahigh vacuum environment
CN117316835B (en) * 2023-11-28 2024-02-02 泓浒(苏州)半导体科技有限公司 Environment detection and early warning method for semiconductor wafer transmission under ultrahigh vacuum environment

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US20190041454A1 (en) Inspection system
US20130121792A1 (en) Semiconductor manufacturing process module
US20210278456A1 (en) Inspection apparatus
US20100156434A1 (en) Testing Apparatus
JP2010186998A6 (en) Semiconductor wafer testing equipment
KR20150051935A (en) System architecture for vacuum processing
JP2010186998A (en) Semiconductor wafer testing apparatus
US11208725B2 (en) Substrate processing apparatus
CN103026479A (en) Substrate conveyance method and substrate conveyance system
CN104396002A (en) Multi-cell rotary end effector mechanism
KR20070095098A (en) Apparatus and method for transfering semiconductor substrates
KR20100030052A (en) Multi-chamber system for manufacturing semiconductor device and method for substrate processing in the system
JP2004265894A (en) Substrate treating device
JP2013171872A (en) Substrate processing device and substrate processing method
KR20220003404A (en) Apparatus for measuring process environment in semiconductor fabrication
KR20070052660A (en) Substrate treatment apparatus and substrate treatment method
CN114823445A (en) Wafer transmission device, wafer pre-pumping device and rapid transmission piece system
KR20070013866A (en) Plasma processing system of cluster type and processing method thereby
US7361920B2 (en) Substrate processing apparatus and transfer positioning method thereof
KR100896472B1 (en) Multi-chamber system for manufacturing semiconductor device and method for treating substrate
CN114664692A (en) Substrate transfer apparatus, substrate processing system, and substrate processing method
US20220148857A1 (en) Detection device, processing system, and transfer method
JPH06349931A (en) Processing system
KR102338237B1 (en) Transfer device and control method thereof
KR101471752B1 (en) Apparatus for inspecting display cells