KR20220001788A - Display apparatus and manufacturing of the same - Google Patents

Display apparatus and manufacturing of the same Download PDF

Info

Publication number
KR20220001788A
KR20220001788A KR1020200080152A KR20200080152A KR20220001788A KR 20220001788 A KR20220001788 A KR 20220001788A KR 1020200080152 A KR1020200080152 A KR 1020200080152A KR 20200080152 A KR20200080152 A KR 20200080152A KR 20220001788 A KR20220001788 A KR 20220001788A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
color conversion
layer
conversion layer
led
light
Prior art date
Application number
KR1020200080152A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
곽용석
강민재
Original Assignee
엘지디스플레이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엘지디스플레이 주식회사 filed Critical 엘지디스플레이 주식회사
Priority to KR1020200080152A priority Critical patent/KR20220001788A/en
Priority to CN202180029575.4A priority patent/CN115428147A/en
Priority to EP21833230.2A priority patent/EP4174942A1/en
Priority to US17/919,727 priority patent/US20230238491A1/en
Priority to PCT/KR2021/005499 priority patent/WO2022005005A1/en
Publication of KR20220001788A publication Critical patent/KR20220001788A/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
    • H01L33/502—Wavelength conversion materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
    • H01L33/502—Wavelength conversion materials
    • H01L33/504—Elements with two or more wavelength conversion materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/16—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
    • H01L25/167—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits comprising optoelectronic devices, e.g. LED, photodiodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1248—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition or shape of the interlayer dielectric specially adapted to the circuit arrangement
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/16—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular crystal structure or orientation, e.g. polycrystalline, amorphous or porous
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/26—Materials of the light emitting region
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/505—Wavelength conversion elements characterised by the shape, e.g. plate or foil
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/0041—Processes relating to semiconductor body packages relating to wavelength conversion elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/0066—Processes relating to semiconductor body packages relating to arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body

Abstract

According to an embodiment of the present invention, a display device converts light of a first color emitted from a LED into light of a second color, and comprises a color conversion layer and a color conversion substrate for emitting light in all directions. The present invention can reduce a LED transfer process by including the color conversion layer, and can increase luminous efficiency by using side light emitted from the LED. The display device comprises: a thin film transistor; a LED; a first color conversion layer; and a color conversion substrate.

Description

표시장치 및 그 제조방법{DISPLAY APPARATUS AND MANUFACTURING OF THE SAME}Display device and manufacturing method thereof

본 명세서는 표시장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 LED에서 출사되는 광의 색상을, 특정 색상으로 변환하여 출사하는 표시장치에 관한 것이다.The present specification relates to a display device, and more particularly, to a display device that converts a color of light emitted from an LED into a specific color and emits it.

현재까지 이용되고 있는 액정 표시장치(Liquid Crystal Display Device; LCD)에 이어, 최근 유기 발광 표시장치(Organic Light Emitting Display Device; OLED)의 이용 및 적용 범위가 점차 확대되고 있다.Following the liquid crystal display device (LCD) that has been used up to now, the use and application range of the organic light emitting display device (OLED) is gradually expanding.

표시장치들은 이미지를 구현하기 위하여 복수의 발광 소자 및 액정을 표시장치의 기판 상에 배치하고, 각각의 발광 소자 및 액정의 동작을 개별적으로 제어하기 위해 구동 신호를 공급하는 구동 소자를 발광 소자와 함께 기판 상에 배치하여, 기판 상에 배치된 복수의 발광 소자 및 액정을 표시하고자 하는 정보대로 기판 상에 표시하도록 한다.In display devices, a plurality of light emitting devices and liquid crystals are disposed on a substrate of the display device to realize an image, and a driving device for supplying a driving signal to individually control the operation of each light emitting device and liquid crystal is provided together with the light emitting device. It is arranged on the substrate, so that a plurality of light emitting devices and liquid crystals arranged on the substrate are displayed on the substrate according to the information to be displayed.

액정 표시장치는 자체 발광 방식이 아니므로 액정 표시장치의 후면에 빛을 발광하도록 배치된 백라이트 유닛이 필요하다. 백라이트 유닛은 액정 표시장치의 두께를 증가시키고, 플렉서블 하거나 원형 등과 같은 다양한 형태의 디자인으로 표시장치를 구현하는데 제한이 있으며, 휘도 및 응답 속도가 저하될 수 있다.Since the liquid crystal display is not a self-luminous method, a backlight unit disposed to emit light on the rear surface of the liquid crystal display is required. The backlight unit increases the thickness of the liquid crystal display, and has limitations in implementing the display device in various designs such as flexible or circular designs, and luminance and response speed may be reduced.

한편, 자체 발광 소자가 있는 표시장치는 광원을 내장하는 표시장치보다 얇게 구현될 수 있으므로, 플렉서블하고 접을 수 있는 표시장치를 구현할 수 있다. 자체 발광 소자가 있는 표시장치는 활성층으로 유기물을 포함하는 유기 발광 표시장치가 있을 수 있는데, 유기 발광 표시장치는 자체 발광으로 별도의 광원이 필요 없기 때문에 더욱 얇거나 다양한 형태의 표시장치로 활용될 수 있다.On the other hand, a display device having a self-luminous element can be implemented to be thinner than a display device having a built-in light source, and thus a flexible and foldable display device can be implemented. A display device having a self-light emitting device may include an organic light emitting display device including an organic material as an active layer. Since the organic light emitting display device is self-luminous and does not require a separate light source, it can be used as a thinner or various types of display devices. have.

그러나, 유기물을 사용하는 유기 발광 표시장치는 수분과 산소의 침투에 의한 유기 활성층과 전극 간의 산화현상 등 불량 화소가 발생되기 쉬우므로 산소와 수분의 침투를 최소화하기 위한 다양한 기술적 구성이 추가적으로 요구된다.However, since the organic light emitting display device using an organic material tends to generate bad pixels such as oxidation between the organic active layer and the electrode due to the penetration of moisture and oxygen, various technical configurations are additionally required to minimize the penetration of oxygen and moisture.

따라서, 최근에는 액정표시장치 및/또는 유기 발광 표시장치의 위와 같은 문제점들을 극복하기 위해, 발광소자로서 LED(Light emitting diode)를 사용하는 LED 표시장치가 제안되었다.Accordingly, in order to overcome the above problems of the liquid crystal display and/or the organic light emitting display, an LED display using a light emitting diode (LED) as a light emitting device has been proposed.

이러한 표시장치는 무기물을 발광소자로 사용한 미니 또는 마이크로 크기의 초소형 LED를 부화소에 배치시킨 표시장치로서, 무기물을 발광소자로 사용하여 고화질의 영상 구현, 수분 침투와 같은 불량에 강한 고신뢰성 및 장수명의 표시장치를 구현할 수 있다.Such a display device is a display device in which a mini or micro-sized ultra-small LED using an inorganic material as a light emitting element is placed in a sub-pixel. Using an inorganic material as a light emitting element, high-definition image is realized, high reliability and long lifespan resistant to defects such as moisture penetration. display device can be implemented.

일반적으로 LED 표시장치는 LED를 사파이어 기판 상에서 성장시키고, 사파이어 기판에서 LED를 분리하고, 트랜지스터 기판에 전사시켜 구현한다.In general, an LED display device is implemented by growing an LED on a sapphire substrate, separating the LED from the sapphire substrate, and transferring it to a transistor substrate.

이때, LED의 크기가 매우 작아 LED의 분리, 전사 공정의 난이도가 높기 때문에, 공정의 정확도 및 수율을 향상시키기 어려운 문제점이 존재한다.In this case, since the size of the LED is very small and the difficulty of the separation and transfer process of the LED is high, there is a problem in that it is difficult to improve the accuracy and the yield of the process.

또한, LED에서 발생된 광은 상부, 측부, 하부를 포함한 전방향으로 진행되나, 상부로 향하는 광만이 외부로 표출되어 이미지를 표시하고, 나머지 방향의 광은 표시장치 내부에서 소멸되어 발광 효율이 저하되는 문제점이 있었다.In addition, the light generated from the LED proceeds in all directions including the upper part, the side part, and the lower part, but only the upper light is exposed to the outside to display an image, and the light in the other direction is extinguished inside the display device, so that the luminous efficiency is lowered There was a problem being

본 명세서는 LED를 사용하는 표시장치의 발광 효율을 향상시키고, 전사 공정을 단순화 할 수 있는 구조를 제안하는 것을 목적으로 한다. An object of the present specification is to improve the luminous efficiency of a display device using an LED and to propose a structure capable of simplifying a transfer process.

본 명세서의 과제는 이상에서 언급한 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The tasks of the present specification are not limited to the tasks mentioned above, and other tasks not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the following description.

본 명세서의 실시예에 따른 표시장치는, 기판 상에 박막 트랜지스터 및 LED를 배치시키고, LED에서 출사되는 제1 색상의 광을 제2 색상으로 변환하는 제1 색변환층을 포함하여 구성할 수 있다. 그리고, 제1 색변환층에 무기물질로 이루어진 나노 형광체를 포함시켜, LED에서 출사된 특정 파장의 광을 흡수하여 다른 파장의 광으로 전방위 출사할 수 있게 한다. 따라서, 청색 LED에서 출사하여 측면으로 향하는 광을, 제1 색변환층에서 흡수하고 적색광으로 변환하여, 상부로 발광할 수 있어, 발광효율을 높일 수 있다.A display device according to an embodiment of the present specification may include a first color conversion layer for disposing a thin film transistor and an LED on a substrate and converting light of a first color emitted from the LED into a second color. . And, by including the nano-phosphor made of an inorganic material in the first color conversion layer, it is possible to absorb light of a specific wavelength emitted from the LED and emit light of a different wavelength in all directions. Accordingly, the light emitted from the blue LED and directed to the side may be absorbed by the first color conversion layer and converted into red light, thereby emitting light upwards, thereby increasing luminous efficiency.

그리고, 청색광을 적색광으로 변환하는 제1 색변환층을 적용하면, 청색 LED를 청색 부화소 영역 및 적색 부화소 영역에 한번에 전사할 수 있다. 기존의 적색 LED를 적색 부화소에 전사하는 공정을 생략할 수 있어, 제조 비용 저감 및 수율 측면에서 장점을 갖게 된다. 또한, 청색 LED를 적색 부화소 영역, 청색 부화소 영역 및 녹색 부화소 영역에 전사하고, 청색광을 적색광으로 변환하는 제1 적색 색변환층과 청색광을 녹색광을 변환하는 제1 녹색 색변환층을 적용할 수도 있다.In addition, if the first color conversion layer for converting blue light into red light is applied, the blue LED may be transferred to the blue sub-pixel area and the red sub-pixel area at once. Since the process of transferring the existing red LED to the red sub-pixel can be omitted, it has advantages in terms of reduction in manufacturing cost and yield. In addition, the blue LED is transferred to the red sub-pixel area, the blue sub-pixel area, and the green sub-pixel area, and a first red color conversion layer that converts blue light into red light and a first green color conversion layer that converts blue light into green light are applied You may.

그리고, 표시기판 상에 색변환기판을 배치할 수 있다. 색변환기판은 제1 색변환층에서 흡수되지 않고 통과된 광을 흡수하여 발광하는 것으로, 제1 색변환층과 동일한 기능을 할 수 있다.In addition, a color conversion substrate may be disposed on the display substrate. The color conversion substrate emits light by absorbing light that has passed without being absorbed by the first color conversion layer, and may have the same function as the first color conversion layer.

색변환기판은 제1 색변환층과 대응되는 위치에 제2 색변환층을 구성하고, 제2 색변환층의 상부에는 투명필름을 배치하고, 하부에는 접착층을 배치하여 구성할 수 있다. 색변환기판은 하부의 접착층으로, 제1 색변환층 상에 부착할 수 있다.The color conversion substrate may be configured by configuring a second color conversion layer at a position corresponding to the first color conversion layer, disposing a transparent film on the second color conversion layer, and disposing an adhesive layer below. The color conversion substrate is an adhesive layer underneath and may be attached on the first color conversion layer.

기타 실시예의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.Details of other embodiments are included in the detailed description and drawings.

본 명세서의 실시예에 의하면, LED를 둘러싸는 제1 색변환층과, 제1 색변환층과 대응되는 위치에 제2 색변환층을 배치시켜, 양측부로 향하는 LED 광을 재사용하여 발광 효율을 향상 시킬 수 있다.According to the embodiment of the present specification, the first color conversion layer surrounding the LED and the second color conversion layer are disposed at a position corresponding to the first color conversion layer, and the LED light directed to both sides is reused to improve the luminous efficiency. can do it

또한, 본 명세서의 실시예에 의하면 LED 전사 공정을 감소 시켜 제조 비용을 줄이고, 수율을 향상시킬 수 있다.In addition, according to the embodiment of the present specification, by reducing the LED transfer process, it is possible to reduce the manufacturing cost and improve the yield.

도 1a는 본 명세서의 실시예에 따른 표시장치를 구현하는 1차 전사를 나타낸 도면이다.
도 1b는 본 명세서의 실시예에 따른 표시장치를 구현하는 2차 전사를 나타낸 도면이다.
도 2는 본 명세서의 일 실시예에 따른 표시장치의 구조를 구체적으로 나타낸 단면도이다.
도 3은 본 명세서의 LED의 방향에 따른 발광 비율을 나타낸 도면이다.
도 4는 본 명세서의 실시예에 따른 하나의 화소 구성을 나타낸 단면도이다.
도 5는 본 명세서의 다른 실시예에 따른 하나의 화소 구성을 나타낸 단면도이다.
도 6a는 본 명세서의 색변환층에 있어서, 색변환층 두께와 나노형광체 농도에 따라, 청색광에서 적색광으로 변환되는 변환율을 나타낸 도면이다.
도 6b는 본 명세서의 색변환층에 있어서, 색변환층 두께와 나노형광체 농도에 따라, 변경되는 청색광 흡수율을 나타낸 도면이다.
도 6c는 본 명세서의 나노형광체 농도에 따른 색변환물질의 점도를 나타낸 도면이다.
도 7a는 본 명세서의 다른 실시예에 따른 표시장치의 색변환기판을 나타낸 단면도이다.
도 7b는 본 명세서의 다른 실시예에 따른 표시장치의 색변환기판을 나타낸 단면도이다.
도 8a 내지 도 8h는 본 명세서의 실시예에 따른 표시장치를 제조하는 공정을 나타낸 도면이다.
도 9a 내지 도 9e는 본 명세서의 실시예에 따른 표시장치의 색변환기판을 제조하는 공정을 나타낸 도면이다.1A is a diagram illustrating a primary transfer for implementing a display device according to an exemplary embodiment of the present specification.
1B is a diagram illustrating secondary transfer for implementing a display device according to an exemplary embodiment of the present specification.
2 is a cross-sectional view specifically illustrating a structure of a display device according to an exemplary embodiment of the present specification.
3 is a view showing the light emission ratio according to the direction of the LED of the present specification.
4 is a cross-sectional view illustrating one pixel configuration according to an embodiment of the present specification.
5 is a cross-sectional view illustrating a configuration of one pixel according to another exemplary embodiment of the present specification.
FIG. 6A is a view showing a conversion rate from blue light to red light according to the color conversion layer thickness and the nanophosphor concentration in the color conversion layer of the present specification.
FIG. 6b is a diagram illustrating a blue light absorption rate that is changed according to a thickness of a color conversion layer and a concentration of a nanophosphor in the color conversion layer of the present specification.
6c is a view showing the viscosity of the color conversion material according to the concentration of the nano-phosphor of the present specification.
7A is a cross-sectional view illustrating a color conversion substrate of a display device according to another exemplary embodiment of the present specification.
7B is a cross-sectional view illustrating a color conversion substrate of a display device according to another exemplary embodiment of the present specification.
8A to 8H are diagrams illustrating a process of manufacturing a display device according to an exemplary embodiment of the present specification.
9A to 9E are diagrams illustrating a process of manufacturing a color conversion substrate of a display device according to an exemplary embodiment of the present specification.

본 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용은, 도면과 함께 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나, 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 실시예들은 본 명세서의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.Specific details for carrying out the present invention will become clear with reference to the embodiments described below in conjunction with the drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments disclosed below, but will be implemented in various different forms, and only the embodiments allow the disclosure of the present specification to be complete, and common knowledge in the technical field to which the present invention belongs It is provided to fully inform the possessor of the scope of the invention, and the present invention is only defined by the scope of the claims.

본 발명의 실시예를 설명하기 위한 도면에 개시된 형상, 크기, 비율, 각도, 개수 등은 예시적인 것이므로 본 발명이 도시된 사항에 한정되는 것은 아니다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 명세서의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명은 생략한다. 본 명세서 상에서 언급된 '포함한다', '갖는다', '이루어진다' 등이 사용되는 경우 '~만'이 사용되지 않는 이상 다른 부분이 추가될 수 있다. 구성 요소를 단수로 표현한 경우에 특별히 명시적인 기재 사항이 없는 한 복수를 포함하는 경우를 포함한다. The shapes, sizes, proportions, angles, numbers, etc. disclosed in the drawings for explaining the embodiments of the present invention are illustrative and the present invention is not limited to the illustrated matters. Like reference numerals refer to like elements throughout. In addition, in describing the present invention, if it is determined that a detailed description of a related known technology may unnecessarily obscure the subject matter of the present specification, the detailed description thereof will be omitted. When 'including', 'having', 'consisting', etc. mentioned in this specification are used, other parts may be added unless 'only' is used. When a component is expressed in the singular, cases including the plural are included unless otherwise explicitly stated.

구성 요소를 해석함에 있어서, 별도의 명시적 기재가 없더라도 오차 범위를 포함하는 것으로 해석한다.In interpreting the components, it is construed as including an error range even if there is no separate explicit description.

위치 관계에 대한 설명일 경우, 예를 들어, '~상에', '~상부에', '~하부에', '~옆에' 등으로 두 부분의 위치 관계가 설명되는 경우, '바로' 또는 '직접'이 사용되지 않는 이상 두 부분 사이에 하나 이상의 다른 부분이 위치할 수도 있다. In the case of a description of the positional relationship, for example, when the positional relationship of two parts is described as 'on', 'on', 'on', 'beside', etc., 'right' Alternatively, one or more other parts may be positioned between two parts unless 'directly' is used.

소자 또는 층이 다른 소자 또는 층 "위 (on)"로 지칭되는 것은 다른 소자 바로 위에 또는 중간에 다른 층 또는 다른 소자를 개재한 경우를 모두 포함한다.Reference to a device or layer “on” another device or layer includes any intervening layer or other device directly on or in the middle of the other device or layer.

비록 제1, 제2 등이 다양한 구성요소들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 구성요소들은 이들 용어에 의해 제한되지 않는다. 이들 용어들은 단지 하나의 구성요소를 다른 구성요소와 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제1 구성요소는 본 명세서의 기술적 사상 내에서 제2 구성요소일 수도 있다.Although first, second, etc. are used to describe various elements, these elements are not limited by these terms. These terms are only used to distinguish one component from another. Accordingly, the first component mentioned below may be the second component within the spirit of the present specification.

명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.Like reference numerals refer to like elements throughout.

도면에서 나타난 각 구성의 크기 및 두께는 설명의 편의를 위해 도시된 것이며, 본 발명이 도시된 구성의 크기 및 두께에 반드시 한정되는 것은 아니다.The size and thickness of each component shown in the drawings are illustrated for convenience of description, and the present invention is not necessarily limited to the size and thickness of the illustrated component.

본 명세서의 여러 실시예들의 각각 특징들이 부분적으로 또는 전체적으로 서로 결합 또는 조합 가능하며, 당업자가 충분히 이해할 수 있듯이 기술적으로 다양한 연동 및 구동이 가능하며, 각 실시예들이 서로에 대하여 독립적으로 실시 가능할 수도 있고 연관 관계로 함께 실시 가능할 수도 있다.Each feature of the various embodiments of the present specification may be partially or wholly combined or combined with each other, and as those skilled in the art will fully understand, technically various interlocking and driving are possible, and each embodiment may be independently implemented with respect to each other, It may be possible to implement together in a related relationship.

본 명세서의 표시장치는 LED 표시장치에 적용될 수 있으나, 이에 제한되지 않으며, 다양한 표시장치에 적용될 수 있다.The display device of the present specification may be applied to an LED display device, but is not limited thereto, and may be applied to various display devices.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 명세서의 실시예에 따른 표시장치에 대하여 설명한다.Hereinafter, a display device according to an embodiment of the present specification will be described with reference to the accompanying drawings.

도 1a와 도 1b는 본 명세서의 실시예에 따른 표시기판(110) 상에 배치되어, 부화소로 사용되는 LED(130)의 전사 방법을 나타낸 것이다. 여기서, LED(130)는 본 명세서의 실시예에 따른 표시장치에 사용되는 모든 LED(130)를 의미한다. 즉, LED(130)는 청색 LED(130b)와 적색 LED(130g)를 모두 포함한다.1A and 1B illustrate a method of transferring an LED 130 disposed on the display substrate 110 and used as a sub-pixel according to an embodiment of the present specification. Here, the LED 130 means all the LEDs 130 used in the display device according to the embodiment of the present specification. That is, the LED 130 includes both a blue LED 130b and a red LED 130g.

표시기판(110) 상에 LED(130)를 전사하기 위해서는, 도 1a의 사파이어나 실리콘과 같은 웨이퍼(10g, 10b)를 준비한 후 유기금속 화학기상증착법(Metal Organic Chemical Vapor Deposition:MOCVD)에 의한 에피택셜(epitaxial) 성장법 등으로 웨이퍼(10g,10b) 상에 n형 전극, n형층, 다중 양자 우물 구조의 활성층, p형층 및 p형 전극을 순차적으로 성장시켜, 녹색 LED(130g)와 청색 LED(130b)를 형성한다. 즉, 녹색 웨이퍼(10g)에는 녹색 LED(130g)가 형성되고, 청색 웨이퍼(10b)에는 청색 LED(130b)가 형성된다. 웨이퍼(10g, 10b)에 형성된 각각의 녹색 LED(130g)와 청색 LED(130b)를 각각의 도너기판(50g,50b)에 1차 전사한다.In order to transfer the LED 130 onto the display substrate 110, after preparing the wafers 10g and 10b such as sapphire or silicon of FIG. 1a, an epitaxial metal organic chemical vapor deposition (MOCVD) method is used. An n-type electrode, an n-type layer, an active layer having a multi-quantum well structure, a p-type layer, and a p-type electrode are sequentially grown on the wafers 10g and 10b by an epitaxial growth method, etc., so that a green LED 130g and a blue LED are grown. (130b) is formed. That is, the green LED 130g is formed on the green wafer 10g, and the blue LED 130b is formed on the blue wafer 10b. Each of the green LEDs 130g and the blue LEDs 130b formed on the wafers 10g and 10b is first transferred to each of the donor substrates 50g and 50b.

이어서, 도 1b를 참조하면, 각각의 도너기판(50g,50b)에 전사된 녹색 LED(130g)와 청색 LED(130b)를 박막 트랜지스터 및 각종 배선이 형성된 하나의 표시기판(110)에 각각 2차 전사하고, 연결배선으로 LED를 박막 트랜지스터와 공통배선에 연결함으로써 표시장치를 제조한다.Next, referring to FIG. 1B , the green LED 130g and the blue LED 130b transferred to each donor substrate 50g and 50b are respectively secondary to one display substrate 110 on which a thin film transistor and various wirings are formed. A display device is manufactured by transferring and connecting the LED to the thin film transistor and the common wiring with a connecting wiring.

상술한 바와 같이, 본 명세서의 표시장치는 박막 트랜지스터와 각종 배선이 형성되는 표시기판(110)과 LED(130)를 별도로 제작한 후, 제작된 LED(130)를 표시기판(110)에 전사함으로써 형성될 수 있다. 즉, 사파이어나 실리콘으로 이루어진 웨이퍼(10) 상에 복수의 LED(130)를 제작하여 도너기판(50)에 1차 전사하고, 다시 도너기판(50)에서 표시기판(110)으로 2차 전사함으로써 표시장치가 완성된다.As described above, in the display device of the present specification, the display substrate 110 and the LED 130 on which the thin film transistor and various wirings are formed are separately manufactured, and then the manufactured LED 130 is transferred to the display substrate 110 by can be formed. That is, by manufacturing a plurality of LEDs 130 on a wafer 10 made of sapphire or silicon, primary transfer to the donor substrate 50, and secondary transfer from the donor substrate 50 to the display substrate 110 The display device is completed.

표시기판(110) 상에 전사된 각각의 LED(130)는 하나의 화소를 구성하는 복수의 부화소 영역에 전사되어 부화소가 된다. 부화소 영역은 부화소로 사용되는 LED와 구동회로가 배치되는 영역으로, 본 명세서의 실시예는 적색 부화소 영역, 녹색 부화소 영역 및 청색 부화소 영역을 포함한다. 복수의 부화소의 조합으로 하나의 화소에서 다양한 색상의 광을 출사할 수 있으며, 복수의 화소를 조합하여 다양한 이미지를 표시할 수 있게 된다.Each of the LEDs 130 transferred onto the display substrate 110 is transferred to a plurality of sub-pixel regions constituting one pixel to become sub-pixels. The sub-pixel area is an area in which an LED used as a sub-pixel and a driving circuit are disposed, and the embodiment of the present specification includes a red sub-pixel area, a green sub-pixel area, and a blue sub-pixel area. By combining a plurality of sub-pixels, one pixel may emit light of various colors, and various images may be displayed by combining a plurality of pixels.

도 1b와 도 4를 참조하면, 표시기판(110) 상에는 복수의 녹색 LED(130g)와 청색 LED(130b)가 전사된다. 구체적으로, 복수의 녹색 LED(130g)는 녹색 부화소 영역에 전사되고, 복수의 청색 LED(130b)는 청색 부화소 영역과 적색 부화소 영역에 전사된다. 전사 순서는 녹색 LED가 녹색 부화소 영역에 우선 전사된 후, 청색 LED가 청색 부화소 영역과 적색 부화소 영역에 동시에 전사될 수 있으며, 반대 순서로 전사하는 것도 가능하다. 1B and 4 , a plurality of green LEDs 130g and blue LEDs 130b are transferred on the display substrate 110 . Specifically, the plurality of green LEDs 130g are transferred to the green subpixel area, and the plurality of blue LEDs 130b are transferred to the blue subpixel area and the red subpixel area. In the transfer order, after the green LED is first transferred to the green sub-pixel region, the blue LED may be simultaneously transferred to the blue sub-pixel region and the red sub-pixel region, and it is also possible to transfer in the reverse order.

복수의 청색 LED가 청색 부화소 영역 및 적색 부화소 영역에 한번에 전사하게 되면, 기존의 적색 LED를 적색 부화소 영역에 전사하는 공정을 생략할 수 있어, 제조 비용 저감 및 수율 측면에서 장점을 갖게 된다.When a plurality of blue LEDs are transferred to the blue sub-pixel region and the red sub-pixel region at once, the process of transferring the existing red LED to the red sub-pixel region can be omitted, which has advantages in terms of manufacturing cost reduction and yield. .

또한, 도 5에 도시된 바와 같이, 복수의 청색 LED(230b)가 적색 부화소 영역, 청색 부화소 영역 및 녹색 부화소 영역에 전사되는 경우, 기존의 녹색 LED 및 적색 LED를 전사하는 공정을 모두 생략할 수 있어, 더 많은 장점을 갖게 된다.In addition, as shown in FIG. 5 , when the plurality of blue LEDs 230b are transferred to the red sub-pixel region, the blue sub-pixel region, and the green sub-pixel region, all of the existing processes of transferring the green LED and the red LED are performed. It can be omitted, which gives more advantages.

이와 같이, 전사 공정을 줄이기 위해서는 복수의 청색 LED(130b)에서 발광하는 청색광을 적색광 또는 녹색광으로 변환하기 위한 색변환층이 추가로 구성되어야 한다. As such, in order to reduce the transfer process, a color conversion layer for converting blue light emitted from the plurality of blue LEDs 130b into red light or green light should be additionally configured.

도 2는 본 명세서의 실시예에 따른 색변환층이 포함된 표시장치의 구조를 나타낸 단면도이다.2 is a cross-sectional view illustrating a structure of a display device including a color conversion layer according to an embodiment of the present specification.

도 2를 참조하면, 표시장치(100)의 적색 발광영역에는 청색 LED(130b), 제1 색변환층(143)과 제2 색변환층(152)이 배치되어 있다. 색변환층의 구체적인 내용은 후술하기로 하며, 우선 청색 LED(130b)의 하부 또는 측부에 배치되어 있는 구동 회로와 LED(130b)에 대하여 구체적으로 설명한다.Referring to FIG. 2 , a blue LED 130b, a first color conversion layer 143 and a second color conversion layer 152 are disposed in the red emission region of the display device 100 . The specific content of the color conversion layer will be described later, and first, the driving circuit and the LED 130b disposed below or on the side of the blue LED 130b will be described in detail.

구동 회로는 표시기판(110)의 상부 또는 하부에 배치될 수 있으며, 구동 회로는 다수의 박막 트랜지스터(120)와 커패시터(미도시)로 구성될 수 있다. 다수의 박막 트랜지스터(120)는 스위칭 박막 트랜지스터와 구동 박막 트랜지스터로 구성될 수 있다.The driving circuit may be disposed above or below the display substrate 110 , and the driving circuit may include a plurality of thin film transistors 120 and a capacitor (not shown). The plurality of thin film transistors 120 may include a switching thin film transistor and a driving thin film transistor.

박막 트랜지스터(120)는 게이트 전극(121), 액티브층(123), 소스 전극(124) 및 드레인 전극(125)으로 구성된다. 구체적으로, 기판(110) 상에 게이트 전극(121)이 배치되고, 게이트 전극(121) 상에 액티브층(123)이 배치된다. 게이트 전극(121)과 액티브층(123) 사이에는 게이트 전극(121)과 액티브층(123)을 절연시키기 위한 게이트 절연층(122)이 배치된다. 액티브층(123) 상에는 소스 전극(124) 및 드레인 전극(125)이 배치된다. The thin film transistor 120 includes a gate electrode 121 , an active layer 123 , a source electrode 124 , and a drain electrode 125 . Specifically, the gate electrode 121 is disposed on the substrate 110 , and the active layer 123 is disposed on the gate electrode 121 . A gate insulating layer 122 for insulating the gate electrode 121 and the active layer 123 is disposed between the gate electrode 121 and the active layer 123 . A source electrode 124 and a drain electrode 125 are disposed on the active layer 123 .

도 2에서는 상술한 바와 같이 바텀 게이트(bottom gate) 방식의 박막 트랜지스터를 도시하였으나, 본 명세서의 실시예가 이에 제한되는 것은 아니다. 예를 들면, 바텀 게이트 방식뿐만 아니라 탑 게이트(top gate) 방식의 박막 트랜지스터 등 다양한 구조의 박막 트랜지스터가 적용될 수 있다.2 illustrates a bottom gate type thin film transistor as described above, but the embodiment of the present specification is not limited thereto. For example, thin film transistors having various structures such as top gate type thin film transistors as well as bottom gate type thin film transistors may be applied.

박막 트랜지스터(120)의 측면에는 게이트 전극 물질 또는 소스 전극/드레인 전극 물질과 동일한 물질로 공통배선(CL)이 배치된다.A common wiring CL is disposed on a side surface of the thin film transistor 120 using the same material as the gate electrode material or the source electrode/drain electrode material.

공통배선(CL)은 공통으로 사용하는 제1 전원전압(Vss)을 LED(130)에 전달한다. 구체적으로, 공통배선(CL)은 제1 전원전압(Vss)을 후술할 LED(130)의 n형 전극으로 전달한다.The common line CL transfers the commonly used first power voltage Vss to the LED 130 . Specifically, the common wiring CL transfers the first power voltage Vss to the n-type electrode of the LED 130 to be described later.

그리고, 소스 전극(124), 드레인 전극(125) 및 공통배선(CL) 상에는 박막 트랜지스터(120)를 보호하고 평탄화하기 위한 제1 평탄화층(111)이 배치된다.A first planarization layer 111 for protecting and planarizing the thin film transistor 120 is disposed on the source electrode 124 , the drain electrode 125 , and the common wiring CL.

그리고, 제1 평탄화층(111) 상에는, 도 1에서 상술한 전사 공정을 통해 LED(130)가 배치된다. In addition, the LED 130 is disposed on the first planarization layer 111 through the transfer process described above with reference to FIG. 1 .

이하에서는 LED(130)에 대하여 구체적으로 설명한다. Hereinafter, the LED 130 will be described in detail.

LED(130)는 n형 전극(131), n형층(132), 활성층(133), p형층(134) 및 p형 전극(135)을 포함한다. LED(130)의 세부 배치구조는, n형층(132) 상부에 n형 전극(131)과 활성층(133)이 위치하고, 활성층(133) 상부에 p형층(134)과 p형 전극(135)이 순차적으로 위치하는 구조로, 레터럴(lateral) 형태의 LED의 구조이다. 이하에서는, LED(130)의 구조가 레터럴(lateral) 형태인 것으로 설명하나, LED(130)의 구조가 이에 제한되는 것은 아니고 버티컬(vertical) 또는 플립(flip) 형태도 가능하다. 그리고, LED(130)는 마이크로 LED(칩 크기가 100 μm 이하) 또는, 미니 LED(칩 크기가 수 백 μm)일 수 있다.The LED 130 includes an n-type electrode 131 , an n-type layer 132 , an active layer 133 , a p-type layer 134 , and a p-type electrode 135 . In the detailed arrangement structure of the LED 130 , the n-type electrode 131 and the active layer 133 are positioned on the n-type layer 132 , and the p-type layer 134 and the p-type electrode 135 are positioned on the active layer 133 . It is a structure that is sequentially located, and is a structure of a lateral type LED. Hereinafter, the structure of the LED 130 is described as having a lateral shape, but the structure of the LED 130 is not limited thereto, and a vertical or flip shape is also possible. In addition, the LED 130 may be a micro LED (a chip size of 100 μm or less) or a mini LED (a chip size of several hundred μm).

LED(130)의 구성요소 중 최상층에 위치한 p형 전극(135)은 박막 트랜지스터(120)의 소스 전극(124)에 연결되어, 데이터 전압에 따른 제2 전원전압(Vdd)이 인가된다. 제2 전원전압(Vdd)은 양의 부하를 p형 전극(135)에 제공한다.The p-type electrode 135 located in the uppermost layer among the elements of the LED 130 is connected to the source electrode 124 of the thin film transistor 120 , and a second power voltage Vdd according to the data voltage is applied thereto. The second power voltage Vdd provides a positive load to the p-type electrode 135 .

p형 전극(135) 하부에 위치한 p형층(134)은 p형 전극으로부터 전공을 공급받으며, 양의 전하를 가지는 정공이 캐리어로서 이동하여 전류가 생기는 반도체층으로, p-GaN계 물질로 이루어질 수 있다. p-GaN계 물질은 GaN, AlGaN, InGaN, AlInGaN 등일 수 있고, p형 반도체층의 도핑에 사용되는 불순물로는 Mg, Zn, Be 등이 사용될 수 있다.The p-type layer 134 located under the p-type electrode 135 is a semiconductor layer in which holes are supplied from the p-type electrode and positively charged holes move as carriers to generate a current, and may be made of a p-GaN-based material. have. The p-GaN-based material may be GaN, AlGaN, InGaN, AlInGaN, or the like, and Mg, Zn, Be, etc. may be used as impurities used for doping the p-type semiconductor layer.

p형층(134)의 하부에는 활성층(133)이 배치된다. 활성층(133)은 n형층(132) 상에 배치되고, 우물층과 우물층보다 밴드 갭이 높은 장벽층을 갖는 다중 양자 우물(MQW; Multi Quantum Well) 구조를 가질 수 있다. 예를 들어, 활성층(133)은 AlGaInP, GaInP, InGaN, GaN 등의 다중 양자 우물 구조를 가질 수 있다.An active layer 133 is disposed under the p-type layer 134 . The active layer 133 is disposed on the n-type layer 132 and may have a multi-quantum well (MQW) structure including a well layer and a barrier layer having a higher band gap than the well layer. For example, the active layer 133 may have a multi-quantum well structure such as AlGaInP, GaInP, InGaN, or GaN.

활성층(133)의 하부에 위치한 n형층(132)은, n형 전극(131)으로부터 전자를 공급받으며, 음의 전하를 가지는 자유 전자가 캐리어로서 이동하여 전류가 생기는 반도체층으로, n-GaN계 물질로 이루어질 수 있다. n-GaN계 물질은 GaN, AlGaN, InGaN, AlInGaN 등일 수 있고, n형층(132)의 도핑에 사용되는 불순물로는 Si, Ge, Se, Te, C 등이 사용될 수 있다. n형층은 활성층의 외측으로 돌출된다. 다르게 말하면, 활성층(133) 및 p형층(134)은 n형층(132)의 상면을 노출시키도록 n형층(132) 보다 작은 면적을 가질 수 있다. The n-type layer 132 located under the active layer 133 is a semiconductor layer that receives electrons from the n-type electrode 131 and moves free electrons having negative charges as carriers to generate a current. It can be made of material. The n-GaN-based material may be GaN, AlGaN, InGaN, AlInGaN, or the like, and Si, Ge, Se, Te, C, etc. may be used as impurities used for doping the n-type layer 132 . The n-type layer protrudes to the outside of the active layer. In other words, the active layer 133 and the p-type layer 134 may have a smaller area than the n-type layer 132 to expose the top surface of the n-type layer 132 .

n형층(132) 중 활성층(133)의 바깥으로 돌출된 부분에는 n형 전극(131)이 배치된다. n형 전극(131)은 공통배선(CL)에 연결되어, 제1 전원전압(Vss)이 인가된다. 공통배선(CL)은 각각의 LED(130)에 공통으로 연결되어 일정한 전압을 인가한다. 공통배선(CL)은 음의 부하를 n형 전극(131)에 제공한다.The n-type electrode 131 is disposed on a portion of the n-type layer 132 that protrudes to the outside of the active layer 133 . The n-type electrode 131 is connected to the common line CL, and a first power voltage Vss is applied thereto. The common wiring CL is commonly connected to each LED 130 to apply a constant voltage. The common wiring CL provides a negative load to the n-type electrode 131 .

상술한 바와 같이, 복수의 부화소로 LED(130)가 사용되며, LED(130)는 녹색 LED(130g) 및 청색 LED(130b)로 이루어질 수 있다. 각각의 LED에서 다른 색상을 발광하기 위해서는 LED의 n형층, 활성층, p형층을 다른 재질로 구성하여야 되며, 다른 제조공정을 사용하게 되므로 제조공정이 복잡하게 된다. As described above, the LED 130 is used as a plurality of sub-pixels, and the LED 130 may include a green LED 130g and a blue LED 130b. In order to emit different colors from each LED, the n-type layer, active layer, and p-type layer of the LED must be made of different materials, and different manufacturing processes are used, which makes the manufacturing process complicated.

한편, 도 3의 방향에 따른 LED 발광 비율을 참조하면, LED(130)에서 발생된 광은 상부, 하부 및 측부를 향하여 전방위 출사되며, 각 방향에서의 발광 비율은 상부(UL)와 하부(DL)로 각각 15%씩 출사되고, LED를 둘러싸는 측부(LL)로 70%가 출사된다. 이중 상부로 출사되는 광만이 디스플레이를 하는데 사용되며, 측부 및 하부로 출사되는 광은 표시장치의 내부 구성요소에 의해 흡수되어 소멸되게 된다. 즉, LED에서 발광하는 광 중 상부로 향하는 15%의 광만이 이미지를 표시하는데 사용하게 된다.On the other hand, referring to the LED emission ratio along the direction of FIG. 3 , the light generated by the LED 130 is emitted in all directions toward the upper part, the lower part, and the side part, and the emission ratio in each direction is the upper part (UL) and the lower part (DL). ) is emitted by 15%, respectively, and 70% is emitted to the side (LL) surrounding the LED. Of these, only the light emitted to the upper portion is used for display, and the light emitted to the side and the lower portion is absorbed by the internal components of the display device and disappears. That is, of the light emitted from the LED, only 15% of the light directed upward is used to display an image.

따라서, 상술한 표시장치의 제조공정을 단순하게 하고, LED에서 발광하는 광 중 측부(LL)로 발광하여 소멸되는 광을 재사용 하기 위해서, 본 명세서의 실시예에 따른 색변환층을 배치시킬 수 있다. Therefore, in order to simplify the manufacturing process of the above-described display device and reuse the light emitted by the side LL among the light emitted from the LED, the color conversion layer according to the embodiment of the present specification may be disposed. .

이하에서는, 도 2를 참조하여 색변환층에 대하여 상세히 설명한다.Hereinafter, the color conversion layer will be described in detail with reference to FIG. 2 .

도 2를 참조하면, 색변환층은 제1 색변환층(143) 및 제2 색변환층(152)을 포함할 수 있다. 제1 색변환층(143)은 청색 LED(130b)의 상부면과 측면을 일정 두께로 둘러싸고 있으며, 청색 LED(130b)에서 출사되는 제1 색상의 광을 흡수하여 제2 색상의 광으로 변환하여 발광하는 역할과, 청색 LED(130b)에서 출사되는 제1 색상의 광을 흡수하여 외부로 출사되는 것을 막는 역할을 한다. 제2 색변환층(152)은 제1 색변환층(143)과 대응되는 위치에 배치하며, 제1 색변환층(143)에서 변환되지 않거나 흡수되지 않고 통과하는 제1 색상의 광을 제2 색상의 광으로 변환하거나 또는 흡수하여 소멸시키는 역할을 한다.Referring to FIG. 2 , the color conversion layer may include a first color conversion layer 143 and a second color conversion layer 152 . The first color conversion layer 143 surrounds the upper surface and the side surface of the blue LED 130b with a predetermined thickness, and absorbs the light of the first color emitted from the blue LED 130b and converts it into light of the second color. It serves to emit light, and to absorb the light of the first color emitted from the blue LED 130b to prevent the light from being emitted to the outside. The second color conversion layer 152 is disposed at a position corresponding to the first color conversion layer 143 and transmits light of the first color passing through without being converted or absorbed by the first color conversion layer 143 to the second color conversion layer 143 . It plays a role in converting or absorbing color light and extinguishing it.

도 2를 참조하면, 제1 색변환층(143)은 나노 형광체, 유기 형광체 또는 양자점 등의 제1 색상의 광, 즉, 제1 파장의 광을 흡수하여 제2 색상의 광, 즉, 제2 파장의 광으로 발광하는 포토루미네센스(PL) 물질을 포함할 수 있다. 포토루미네센스(PL)물질을 포함하는 제1 색변환층(143)은 청색 LED(130b)에서 출사하여 측부(LL)로 향하는 청색광을 흡수하여 상부를 포함한 전방위로 발광할 수 있다. 즉, 기존의 표시장치 내부에서 소멸되는 측부로 향하는 광을 흡수하여 상부로 발광하는 것으로, 발광 효율을 높일 수 있다.Referring to FIG. 2 , the first color conversion layer 143 absorbs light of a first color, ie, light of a first wavelength, such as a nano phosphor, an organic phosphor, or quantum dots, to absorb light of a second color, that is, a second color. It may include a photoluminescent (PL) material that emits light of a wavelength. The first color conversion layer 143 including a photoluminescence (PL) material may absorb blue light emitted from the blue LED 130b and directed toward the side LL to emit light in all directions including the upper portion. That is, by absorbing light directed toward the side that is extinguished in the conventional display device and emitting light upward, luminous efficiency can be increased.

또한, 상술한 나노 형광체, 유기 형광체 또는 양자점 등의 포토루미네센스(PL) 재료가 분산된 색변환층을 적용하면, 청색 LED(130b)를 사용하여 다른 색상의 광을 발광할 수 있다. 예를 들어, 청색 LED(130b)를 사용하여 적색광을 발광하거나, 녹색광을 발광할 수 있다. 즉, 색변환층을 사용하면 각각의 부화소마다 다른 LED를 사용한 기존의 구성에서, 2개 이상의 부화소에 동일한 LED를 사용하여 다른 색상의 광을 발광할 수 있어, 상술한 바와 같이 LED 전사 공정을 감소시킬 수 있다.In addition, when a color conversion layer in which a photoluminescence (PL) material such as the above-described nano phosphor, organic phosphor, or quantum dots is dispersed is applied, light of a different color may be emitted using the blue LED 130b. For example, the blue LED 130b may be used to emit red light or green light. That is, if the color conversion layer is used, different colors of light can be emitted using the same LED in two or more sub-pixels in the existing configuration using different LEDs for each sub-pixel, and as described above, the LED transfer process can reduce

색변환층에 포함되는 나노 형광체는 발광기능을 하는 활성제(activator)와 상기 활성제가 수용되는 호스트 물질로 구성된다. 활성제(activator)는 유로퓸(Eu), 망간(Mn), 세륨(Ce), 테르븀(Tb), 에르븀(Er), 스트론튬(Sr) 또는 스칸듐(Sc) 등이 사용될 수 있고, 호스트 물질은 칼륨(K) 화합물, 스트론튬(Sr) 화합물, 칼슘(Ca) 화합물, 규소(Si) 화합물 및 갈륨(Ga) 화합물 등이 사용될 수 있다. 상술한 물질을 조합하여, 나노 형광체는 K2SiF6:Mn4+, Sr1-XCaxAlSiN3:Eu2+, CaAlSiN3:Eu2+, CaS:Eu2+, Sr2Si5N8:Eu2+ , (Sr,Ba)Si2O2N2:Eu2+, α,β-SiAlON:Eu2+,GaS:Eu2+ 등으로 사용될 수 있다. 나노 형광체는 직경이 100nm 내지 1.5um의 크기로 제조된다.The nano-phosphor included in the color conversion layer is composed of an activator having a light-emitting function and a host material in which the activator is accommodated. The activator may include europium (Eu), manganese (Mn), cerium (Ce), terbium (Tb), erbium (Er), strontium (Sr) or scandium (Sc), and the host material is potassium ( K) compound, strontium (Sr) compound, calcium (Ca) compound, silicon (Si) compound, gallium (Ga) compound, etc. may be used. By combining the above-mentioned materials, the nano phosphor is K 2 SiF 6 :Mn 4+ , Sr 1-X Ca x AlSiN 3 :Eu 2+ , CaAlSiN 3 :Eu 2+ , CaS:Eu 2+ , Sr 2 Si 5 N 8 :Eu 2+ , (Sr,Ba)Si 2 O 2 N 2 :Eu 2+ , α,β-SiAlON:Eu 2+ , GaS:Eu 2+ , and the like may be used. The nano-phosphor is manufactured to have a diameter of 100 nm to 1.5 μm.

구체적으로, 나노 형광체는 포토루미네센스(PL) 물질로 광학적으로 투과, 반사 및 흡수 특성을 모두 가지고 있으며, 흡수된 파장은 대부분 다른 파장의 색상으로 변환되어 전방위로 발광하고, 기타 흡수된 광은 열로 소멸하는 특징을 갖고 있다.Specifically, the nano-phosphor is a photoluminescent (PL) material and has both optical transmission, reflection and absorption characteristics, and most of the absorbed wavelength is converted to a color of another wavelength to emit light in all directions, and other absorbed light is It has the characteristic of dissipating with heat.

청색 LED(130b)를 둘러싸는 제1 색변환층(143)의 제조 방법은, 나노 형광체, 유기 형광체 또는 양자점 등의 물질이 분포된 감광성 건조 필름을 표시기판 상에 라미네이션하여 색변환물질층을 형성하고, 포토리소그래피 공정을 통해 LED의 측면을 둘러싸는 영역 외의 나머지 영역에 형성된 색변환물질층을 제거하여 형성할 수 있다. 또는, 아크릴 기반이나, 에폭시 기반의 용액에 나노 형광체를 분산시켜 표시기판에 도포한 후 경화시켜 색변환물질층을 형성시키고 포토리소그래피 공정으로 색변환물질층을 형성할 수 있다. 구체적으로 색변환물질층의 재료는 나노 형광체가 분포된 포토 아크릴(Photo Acryl) 등을 사용할 수 있다. 또는, 잉크젯 프린팅 방식 등으로 LED(130) 주위에만 액상의 색변환물질을 도포하고 경화시켜, 제1 색변환층(143)을 형성할 수도 있다.In the manufacturing method of the first color conversion layer 143 surrounding the blue LED 130b, a photosensitive dry film in which a material such as a nano phosphor, an organic phosphor, or a quantum dot is distributed is laminated on a display substrate to form a color conversion material layer. And, it can be formed by removing the color conversion material layer formed in the remaining area other than the area surrounding the side of the LED through a photolithography process. Alternatively, the nano-phosphor may be dispersed in an acrylic or epoxy-based solution, applied to a display substrate, and cured to form a color conversion material layer and a color conversion material layer may be formed by a photolithography process. Specifically, as the material of the color conversion material layer, photo acryl, etc. in which the nano phosphor is distributed may be used. Alternatively, the first color conversion layer 143 may be formed by applying and curing a liquid color conversion material only around the LED 130 by an inkjet printing method or the like.

색변환기판(150)에 형성되는 제2 색변환층(152)도 제1 색변환층(143)과 동일한 방법으로 형성할 수 있으나, 색변환기판(150)에 격벽 형태의 제2 블랙매트릭스(156)가 형성되어 있어, 제2 블랙매트릭스(156) 사이를 잉크젯 프린팅 방식으로 채워 넣는 방법으로 형성한다.The second color conversion layer 152 formed on the color conversion substrate 150 may also be formed in the same way as the first color conversion layer 143 , but the second black matrix ( 156 is formed, and is formed by filling in the space between the second black matrices 156 by inkjet printing.

한편, 색변환층은 두께와 나노 형광체 농도에 따라, 색변환율과 색흡수율이 다르게 나타나는 특성을 가지고 있어, 색변환층의 두께와 농도에 대한 최적 조건을 도출하여 적용할 수 있다. 여기서, 농도는 색변환층을 제조하기 위한 액상의 색변환물질 내에 분산된 나노 형광체의 비율을 의미한다. 농도는 중량 %로 표시하며, 중량 %는 용액 100g 중에 분산되어 있는 나노 형광체의 중량을 의미한다.On the other hand, the color conversion layer has a characteristic that the color conversion rate and the color absorption rate are different depending on the thickness and the concentration of the nano phosphor, so it is possible to derive and apply the optimal conditions for the thickness and the density of the color conversion layer. Here, the concentration means the ratio of the nano-phosphor dispersed in the liquid color conversion material for preparing the color conversion layer. The concentration is expressed in weight %, and the weight % means the weight of the nano-phosphor dispersed in 100 g of the solution.

도 6a는 색변환층 두께와 나노형광체 농도에 따라 청색 LED(130b)의 광이 색변환층에서 적색광으로 변환되는 비율을 나타내는 색변환율에 대한 도면이다. 도 6a의 X축은 색변환층 두께를 나타내는 것으로, 도 2의 제1 색변환층(143) 중 LED 상부에 위치한 제1 색변환층 두께(A)와 제2 색변환층(152) 두께(B)를 합한 두께(A+B)이다. Y축의 색변환율은 색변환층 두께를 1㎛ 내지 40㎛ 로 변경하면서, 각각의 두께에서 나노 형광체 농도를 30 중량%, 35 중량%, 40 중량% 및 45 중량% 로 변경하여 적용한 경우에 나타나는 색변환율이다.FIG. 6A is a diagram of a color conversion rate indicating a rate at which light of the blue LED 130b is converted into red light in the color conversion layer according to the thickness of the color conversion layer and the concentration of the nanophosphor. The X-axis of FIG. 6A represents the thickness of the color conversion layer, and among the first color conversion layer 143 of FIG. 2 , the thickness of the first color conversion layer (A) and the thickness of the second color conversion layer 152 (B) located above the LED ) is the sum of the thickness (A+B). The color conversion rate of the Y-axis is the color that appears when the thickness of the color conversion layer is changed from 1 μm to 40 μm, and the nano phosphor concentration is changed to 30 wt %, 35 wt %, 40 wt % and 45 wt % at each thickness is the conversion rate.

도 6a와 도 6b는 효율적인 결과 도출을 위해, 기존 데이터를 바탕으로 최적의 결과가 도출될 것으로 판단되는 범위에서 중점적으로 테스트한 결과로, 전체 범위에서의 결과값은 생략되었다.6A and 6B are results of intensive testing in a range in which it is determined that an optimal result will be derived based on existing data for efficient result derivation, and result values in the entire range are omitted.

도 6a에서는, 두께가 15㎛인 경우에 색변환율이 30% 이상으로 가장 높은 색변환율 수치를 보여주고 있으며, 나노 형광체의 농도 변경에 따라서는 색변환율의 차이가 크지 않은 것으로 나타나고 있다.In FIG. 6A , when the thickness is 15 μm, the color conversion rate is 30% or more, showing the highest color conversion rate value, and it is shown that the difference in color conversion rate is not large according to the change in the concentration of the nano phosphor.

도 6b는 도 6a와 동일한 두께와 농도 조건에 따라, 청색 LED(130b)의 광이 색변환층에서 흡수되는 비율을 나타내는 색흡수율에 대한 도면이다. 두께가 30㎛ 이상인 경우 색흡수율이 100%로 나타났으며, 30㎛ 이상의 두께에서 농도 변경에 따른 색변환율은 크게 차이가 나지 않고 있다. 두께가 15㎛인 경우 색흡수율은 93% 이상으로 나타나고 있으며, 농도가 40 중량% 인 경우 색흡수율은 97% 이상으로 나타나고 있다.FIG. 6B is a diagram illustrating a color absorption rate indicating a rate at which light of the blue LED 130b is absorbed in a color conversion layer according to the same thickness and density conditions as those of FIG. 6A . When the thickness is 30㎛ or more, the color absorption rate is 100%, and there is no significant difference in the color conversion rate according to the change of the density at the thickness of 30㎛ or more. When the thickness is 15 μm, the color absorption rate is 93% or more, and when the concentration is 40 wt%, the color absorption rate is 97% or more.

도 6c는 농도 변화에 따라 변경되는 점도를 나타내는 도면이다. 도 6c의 X축은 나노 형광체의 농도(중량%)를 나타내고, Y축은 액상의 색변환물질 농도 변경에 따른 점도(cp)를 나타내는 것으로, 농도가 낮을수록 점도는 낮고, 농도가 높을수록 점도는 높아지는 특징을 보이고 있다. 액상의 색변환물질 점도는 잉크젯 또는 디스펜서 장치의 노즐에서 액상의 색변환물질이 토출될 때, 노즐에서 맺히지 않고 흘러내리는 것을 방지하기 위해, 일정 수준 이상의 점도를 가져야 한다. 또한, 제조공정 측면에서 액상의 색변환물질을 원하는 형태로 제어할 수 있도록, 일정 수준 이하의 점도를 가져야 한다.6C is a diagram illustrating a viscosity that changes according to a change in concentration. 6c, the X-axis represents the concentration (wt%) of the nano-phosphor, and the Y-axis represents the viscosity (cp) according to the change in the concentration of the liquid color conversion material. The lower the concentration, the lower the viscosity, and the higher the concentration, the higher the viscosity. features are shown. The viscosity of the liquid color conversion material should have a viscosity above a certain level in order to prevent the liquid color conversion material from flowing down from the nozzle when the liquid color conversion material is discharged from the nozzle of the inkjet or dispenser device. In addition, in terms of the manufacturing process, it should have a viscosity below a certain level so that the liquid color conversion material can be controlled in a desired shape.

도 6c의 A로 표시한 범위가 액상의 색변환물질이 가지는 허용된 점도로 10cp 내지 25cp의 범위를 갖는다. 허용된 범위의 점도를 갖는 액상의 색변환물질 농도는 30 중량% 내지 35 중량%로, 도 6c의 B의 범위이다. 이때 점도는 17cp 내지 22cp를 갖는다. 도 6c의 C의 범위에 포함된 색변환물질의 농도는 40 중량% 이상으로, 점도는 25cp를 초과하는 점성으로, 표시장치의 제조공정에서 사용하기 어려운 점도를 가지고 있다. The range indicated by A in FIG. 6c is the allowable viscosity of the liquid color conversion material, and has a range of 10cp to 25cp. The concentration of the color conversion material in the liquid phase having a viscosity in the allowed range is 30 wt% to 35 wt%, which is in the range of B of FIG. 6C. At this time, the viscosity has a 17cp to 22cp. The concentration of the color conversion material included in the range C of FIG. 6C is 40 wt % or more, and the viscosity is more than 25 cp, and has a viscosity that is difficult to use in the manufacturing process of the display device.

따라서, 도 6a, 도 6b 및 도 6c의 결과를 종합하면, 색변환율, 색흡수율 및 제조공정 측면에서 색변환물질층의 두께는 15㎛ 내지 30㎛ 가 적당하고, 색변환물질층의 농도는 30 중량% 내지 35 중량% 가 적당하다.Therefore, combining the results of FIGS. 6A, 6B and 6C, the thickness of the color conversion material layer is 15 μm to 30 μm suitable in terms of color conversion rate, color absorption rate and manufacturing process, and the concentration of the color conversion material layer is 30 Weight % to 35 weight % are suitable.

색변환물질은 표시기판 상에 토출되어 색변환물질층을 형성하는 것으로, 색변환물질층과 동일한 특성을 가지고 있다. 액상의 색변환물질층은 자외선광(UV)을 이용하여 경화하므로, 액상의 색변환물질층과 경화된 색변환물질층의 농도 및 두께의 차이는 미미하다. 경화된 색변환물질층(143m)을 제1 색변환층(143) 또는 제2 색변환층(152)으로 패터닝(patterning) 하여도 농도 및 두께의 변화는 거의 없다. The color conversion material is discharged on the display substrate to form a color conversion material layer, and has the same characteristics as the color conversion material layer. Since the liquid color conversion material layer is cured using ultraviolet light (UV), the difference between the concentration and thickness of the liquid color conversion material layer and the cured color conversion material layer is insignificant. Even when the cured color conversion material layer 143m is patterned as the first color conversion layer 143 or the second color conversion layer 152, there is little change in density and thickness.

또한, 제1 색변환층(143)과 제2 색변환층(152)의 농도를 다르게 구성할 수도 있다. 예를 들어, 제1 색변환층(143)의 경우 제조공정을 감안하여, 농도를 30 중량% 이하로 설정할 수 있고, 제2 색변환층(152)의 경우 색흡수율을 높이기 위해, 농도를 45 중량% 이하로 설정할 수 있다.Also, different concentrations of the first color conversion layer 143 and the second color conversion layer 152 may be configured. For example, in the case of the first color conversion layer 143, in consideration of the manufacturing process, the density may be set to 30% by weight or less, and in the case of the second color conversion layer 152, in order to increase the color absorption rate, the density is 45%. It can be set to less than or equal to % by weight.

이하에서는, 도 2, 도 4 및 도 5에 도시된 표시장치의 전체적인 구조에 대하여 상세히 설명한다.Hereinafter, the overall structure of the display device shown in FIGS. 2, 4 and 5 will be described in detail.

본 명세서의 실시예에 따른 표시장치(100)는 표시기판(110) 및 표시기판(110) 상에 배치된 LED(130)를 포함한다. 표시기판(110)은 표시장치(100)의 상부에 배치되는 구성요소들을 지지하는 기판으로, 절연기판일 수 있다. 예를 들어, 표시기판(110)은 유리 또는 플라스틱 등의 투명한 물질로 이루어질 수 있으며, 유연성을 가지는 유리 또는 플라스틱 물질로 이루어질 수도 있다.The display device 100 according to the embodiment of the present specification includes a display substrate 110 and an LED 130 disposed on the display substrate 110 . The display substrate 110 is a substrate that supports components disposed on the display device 100 , and may be an insulating substrate. For example, the display substrate 110 may be made of a transparent material such as glass or plastic, or may be made of a flexible glass or plastic material.

표시기판(110) 상에는 화소 영역이 정의될 수 있다. 화소 영역은 부화소 영역을 포함하고 있으며, 각각의 부화소 영역에는 부화소로 사용되는 녹색 LED(130g) 또는 청색 LED(130b)가 배치되거나, 또는 청색 LED(130b)만이 배치되어 있을 수 있다. 또한, 부화소 영역에는 각각의 LED(130)를 구동하기 위한 박막 트랜지스터(120)와 각종 배선들이 형성될 수 있다. 박막 트랜지스터(120)는 각각의 LED(130)를 제어하며, 턴온되면 배선을 통해 외부로부터 입력된 구동신호가 LED(130)에 인가되어 발광하고 화상을 구현한다.A pixel area may be defined on the display substrate 110 . The pixel area includes a sub-pixel area, and a green LED 130g or a blue LED 130b used as a sub-pixel may be disposed in each sub-pixel area, or only the blue LED 130b may be disposed. In addition, the thin film transistor 120 and various wirings for driving each LED 130 may be formed in the subpixel region. The thin film transistor 120 controls each LED 130 , and when turned on, a driving signal input from the outside through a wiring is applied to the LED 130 to emit light and implement an image.

박막 트랜지스터(120)의 상부에는 박막 트랜지스터(120) 상면을 평탄화하도록 제1 평탄화층(111)이 배치된다. 제1 평탄화층(111)은 박막 트랜지스터(120)가 배치된 영역 및 제1 컨택홀을 제외한 영역에서 상부를 평탄화하도록 형성될 수 있다. 제1 평탄화층(111)은 포토 아크릴(Photo Acryl), 투광성 에폭시, 실리콘 산화물(SiOx) 또는 실리콘 질화물(SiNx)의 단일층 또는 복층으로 구성될 수 있으나, 이에 제한되지 않는다.A first planarization layer 111 is disposed on the thin film transistor 120 to planarize the top surface of the thin film transistor 120 . The first planarization layer 111 may be formed to planarize an upper portion in a region excluding the region where the thin film transistor 120 is disposed and the first contact hole. The first planarization layer 111 may be formed of a single layer or a multilayer of photo acryl, light-transmitting epoxy, silicon oxide (SiOx), or silicon nitride (SiNx), but is not limited thereto.

제1 평탄화층(111)에는 박막 트랜지스터(120)의 소스 전극(124) 일부와 공통배선(CL)의 일부를 노출시키는 제1 컨택홀이 형성되고, 제1 컨택홀에는 복수의 연결부가 배치된다. 복수의 연결부는 제1 연결부(126)와 제2 연결부(127)를 포함한다. 제1 연결부(126)의 일단은 박막 트랜지스터의 소스 전극(124)에 연결되어 있으며, 타단은 제1 연결배선(141)을 통해 LED(130)의 p형 전극(135)에 연결되게 된다. 제2 연결부(127)의 일단은 공통배선(CL)에 연결되어 있으며, 타단은 제2 연결배선(142)으로 LED의 n형 전극(131)에 연결된다.A first contact hole exposing a portion of the source electrode 124 of the thin film transistor 120 and a portion of the common wiring CL is formed in the first planarization layer 111 , and a plurality of connection portions are disposed in the first contact hole . The plurality of connection parts includes a first connection part 126 and a second connection part 127 . One end of the first connection part 126 is connected to the source electrode 124 of the thin film transistor, and the other end is connected to the p-type electrode 135 of the LED 130 through the first connection wire 141 . One end of the second connection part 127 is connected to the common wiring CL, and the other end is connected to the n-type electrode 131 of the LED through the second connection wiring 142 .

제1 평탄화층(111) 상에는 상술한 전사 공정을 통해 LED(130)가 배치될 수 있다. 색상 변환이 필요한 LED(130)의 주변에는 제1 색변환층(143)이 LED(130)의 상부와 측부를 둘러싸도록 배치될 수 있다. 그리고, LED(130)의 전기적인 연결을 위해, 제1 색변환층(143) 상부에는 LED(130)의 p형 전극(135)과 n형 전극(131)을 노출하는 복수의 제2 컨택홀이 형성된다.The LED 130 may be disposed on the first planarization layer 111 through the above-described transfer process. A first color conversion layer 143 may be disposed around the LED 130 requiring color conversion to surround the upper portion and the side portion of the LED 130 . In addition, in order to electrically connect the LED 130 , the first color conversion layer 143 has a plurality of second contact holes exposing the p-type electrode 135 and the n-type electrode 131 of the LED 130 on the upper portion of the first color conversion layer 143 . this is formed

제1 색변환층(143)의 측부 및 제1 색변환층(143)이 형성되지 않은 LED(130) 주변부에는 제2 평탄화층(145)이 배치될 수 있다. 제2 평탄화층(145)은 제1 평탄화층(111) 상에 형성된 LED(130)를 포함한 모든 구성요소 사이 공간을 채워 넣어 LED(130) 및 제1 색변환층(143) 등의 상부표면을 평탄화할 수 있다. 제2 평탄화층(145)은 제1 평탄화층(111)과 유사하게 포토 아크릴(Photo Acryl), 투광성 에폭시, 실리콘 산화물(SiOx) 또는 실리콘 질화물(SiNx)의 단일층 또는 복층으로 구성될 수 있다.A second planarization layer 145 may be disposed on the side of the first color conversion layer 143 and on the peripheral portion of the LED 130 where the first color conversion layer 143 is not formed. The second planarization layer 145 fills the space between all components including the LED 130 formed on the first planarization layer 111 to cover the upper surface of the LED 130 and the first color conversion layer 143 . can be flattened. Similar to the first planarization layer 111 , the second planarization layer 145 may be formed of a single layer or multiple layers of photo acryl, light-transmitting epoxy, silicon oxide (SiOx), or silicon nitride (SiNx).

그리고, 제2 평탄화층(145) 중 제1 연결부(126)와 제2 연결부(127)가 위치하는 영역에 제3 컨택홀을 형성하여 제1 연결부(126)와 제2 연결부(127)를 노출시킨다.Then, a third contact hole is formed in a region where the first connection part 126 and the second connection part 127 of the second planarization layer 145 are located to expose the first connection part 126 and the second connection part 127 . make it

제3 컨택홀을 통해 노출된 제1 연결부(126)와 LED의 p형 전극(135)을 전기적으로 연결시키기 위해 제1 연결배선(141)을 배치하고, 제3 컨택홀을 통해 노출된 제2 연결부(127)와 LED(130)의 n형 전극(131)을 전기적으로 연결시키기 위해 제2 연결배선(142)을 배치할 수 있다. 구체적으로, 제1 연결배선(141)의 일단은 LED(130)의 p형 전극(135)에 접촉되고, 타단은 제1 연결부(126)에 접촉될 수 있다. 제2 연결배선(142)의 일단은 LED(130)의 n형 전극(131)에 연결되고, 타단은 제2 연결부(127)에 접촉될 수 있다.The first connection wiring 141 is disposed to electrically connect the first connection portion 126 exposed through the third contact hole and the p-type electrode 135 of the LED, and the second connection line 141 exposed through the third contact hole. A second connection wiring 142 may be disposed to electrically connect the connection part 127 and the n-type electrode 131 of the LED 130 . Specifically, one end of the first connecting wire 141 may be in contact with the p-type electrode 135 of the LED 130 , and the other end may be in contact with the first connecting portion 126 . One end of the second connection wiring 142 may be connected to the n-type electrode 131 of the LED 130 , and the other end may be in contact with the second connection unit 127 .

제1 연결부(126)와 제2 연결부(127)가 형성되지 않은 구조인 경우, 제1 연결배선(141)은 박막 트랜지스터(120)의 소스 전극(124)에 직접 연결될 수 있고, 제2 연결배선(142)은 공통배선(CL)에 직접 연결될 수 있다. When the first connection part 126 and the second connection part 127 are not formed, the first connection wiring 141 may be directly connected to the source electrode 124 of the thin film transistor 120 , and the second connection wiring 142 may be directly connected to the common wiring CL.

제1 연결배선(141), 제2 연결배선(142), 제2 평탄화층(145) 및 제1 색변환층(143)의 일부 상에 제1 블랙매트릭스(144)가 배치된다. 제1 블랙매트릭스(144)는 부화소인 LED(130) 사이의 경계에 배치될 수 있다. 제1 블랙매트릭스(144)는 LED(130) 각각으로부터 발광된 광 중 다른 LED(130)로 향하는 광을 차폐할 수 있고, 광의 혼색을 저감할 수 있다. 제1 블랙매트릭스(144)는 카본 블랙 재료가 혼합된 포토레지스트 물질을 사용하여, 표시기판 상에 전체적으로 도포하고, 포토리소그래피 공정을 통해 형성할 수 있다. 그리고, 색변환기판(150)에 형성되는 제2 블랙매트릭스(156)는 카본 블랙 재료가 포함된 감광성 폴리이미드 드라이 필름(PID) 도는 아크릴 기반의 드라이 필름을 라미네이션 공정과 포토리소그래피 공정을 통해 형성할 수 있다.A first black matrix 144 is disposed on a portion of the first connection wiring 141 , the second connection wiring 142 , the second planarization layer 145 , and the first color conversion layer 143 . The first black matrix 144 may be disposed at a boundary between the LEDs 130 that are sub-pixels. The first black matrix 144 may block the light directed to the other LED 130 among the light emitted from each of the LEDs 130 , and may reduce the color mixture of the light. The first black matrix 144 may be entirely coated on the display substrate using a photoresist material mixed with a carbon black material, and may be formed through a photolithography process. In addition, the second black matrix 156 formed on the color conversion substrate 150 is a photosensitive polyimide dry film (PID) or an acryl-based dry film containing carbon black material through a lamination process and a photolithography process. can

제2 평탄화층(145) 상에 형성된 제1 블랙매트릭스(144)를 제1 색변환층(143) 상부 끝단 높이와 동일하게 형성하면, 전체 표면을 평탄하게 할 수 있어, 후술할 제3 평탄화층을 형성하지 않을 수 있다.When the first black matrix 144 formed on the second planarization layer 145 is formed to have the same height as the upper end of the first color conversion layer 143, the entire surface can be flattened, and a third planarization layer to be described later may not form.

제1 블랙매트릭스(144), 제1 색변환층(143), 제1 연결배선(141) 및 제2 연결배선(142) 상에는 제3 평탄화층(146)이 배치되어, 표시기판(110) 상부 전체를 덮도록 형성될 수 있다.A third planarization layer 146 is disposed on the first black matrix 144 , the first color conversion layer 143 , the first connection wiring 141 , and the second connection wiring 142 , and the display substrate 110 is upper part. It may be formed to cover the entirety.

제3 평탄화층(146)은 표시기판(110) 상의 LED(130)를 보호하고, 후술할 색변환기판(150)과의 부착을 용이하게 하기 위한 층이다. 제3 평탄화층(146)은 제1 평탄화층(111)과 유사하게 포토 아크릴(Photo Acryl), 투광성 에폭시, 실리콘 산화물(SiOx) 또는 실리콘 질화물(SiNx)의 단일층 또는 복층으로 구성될 수 있다.The third planarization layer 146 is a layer for protecting the LED 130 on the display substrate 110 and facilitating attachment to the color conversion substrate 150 to be described later. Similar to the first planarization layer 111 , the third planarization layer 146 may be formed of a single layer or multiple layers of photo acryl, light-transmitting epoxy, silicon oxide (SiOx), or silicon nitride (SiNx).

상술한 제1 블랙매트릭스(144)로 전체 표면이 평탄화 된 경우 제3 평탄화층(146)은 배치하지 않아도 된다.When the entire surface is planarized with the above-described first black matrix 144 , the third planarization layer 146 does not need to be disposed.

제3 평탄화층(146) 상에는 색변환기판(150)이 배치된다. 색변환기판(150)은 투명필름(157), 제2 색변환층(152), 제2 블랙매트릭스(156), 투명층(153) 및 접착층(151)을 포함하여 구성한다. 하부에 접착층(151)이 배치되고, 접착층 상에는 복수의 제2 색변환층(152)이 제1 색변환층(143) 위치에 대응하여 배치된다. 제2 색변환층(152) 상에는 투명필름(157)이 배치된다.A color conversion substrate 150 is disposed on the third planarization layer 146 . The color conversion substrate 150 includes a transparent film 157 , a second color conversion layer 152 , a second black matrix 156 , a transparent layer 153 , and an adhesive layer 151 . An adhesive layer 151 is disposed on the lower portion, and a plurality of second color conversion layers 152 are disposed on the adhesive layer to correspond to positions of the first color conversion layers 143 . A transparent film 157 is disposed on the second color conversion layer 152 .

접착층(151)은 접착력이 뛰어나면서도 시인성을 향상할 수 있는 광학성 투명 접착레진(OCR:Optical Clear Resin), 광학성 투명 접착체(OCA:Optically Clear Adhesive), 또는 PSA(Pressure Sensitive Adhesive)를 포함할 수 있다.The adhesive layer 151 includes an optically clear adhesive resin (OCR), an optically clear adhesive (OCA), or a pressure sensitive adhesive (PSA) capable of improving visibility while having excellent adhesion. can do.

색변환기판(150)은 표시기판(110)과 별도로 제조하여, 제3 평탄화층(146)에 접착층으로 접착하여 제조할 수 있다. 접착층(151) 없이 제3 평탄화층(146) 상에 직접 형성하는 것도 가능하다.The color conversion substrate 150 may be manufactured separately from the display substrate 110 and adhered to the third planarization layer 146 with an adhesive layer. It is also possible to directly form on the third planarization layer 146 without the adhesive layer 151 .

제2 색변환층(152)은 제1 색변환층(143)과 동일한 나노 형광체, 유기 형광체 또는 양자점 등을 포함할 수 있으며, 도 7a에 도시된 바와 같이, 탄소화합물로 이루어진 안료 또는 염료를 포함하는 컬러필터(352)로 이루어질 수 있다. 컬러필터는 나노 형광체와는 다르게 불필요한 색상의 광을 흡수하는 기능만 하므로, 발광 효율은 낮아질 수 있다. 또한, 도 7b에 도시된 바와 같이, 탄소 화합물로 이루어진 컬러필터층(452a) 및 무기물질로 이루어진 나노 형광체층(452b)을 적층하여 이루어질 수도 있다. The second color conversion layer 152 may include the same nano phosphor, organic phosphor, or quantum dots as the first color conversion layer 143 , and as shown in FIG. 7A , includes a pigment or dye made of a carbon compound. It may be formed of a color filter 352 that Since the color filter only functions to absorb light of an unnecessary color, unlike the nano phosphor, luminous efficiency may be lowered. In addition, as shown in FIG. 7B , a color filter layer 452a made of a carbon compound and a nano phosphor layer 452b made of an inorganic material may be stacked.

도 4 및 도 5를 참조하면, 복수의 제2 색변환층(152,252) 사이에는 하나 이상의 제2 블랙매트릭스(156,256)가 배치될 수 있다. 그리고, 복수의 제2 블랙매트릭스(156,256) 사이에는 하나 이상의 투명층(153,253)이 배치될 수 있다. 그리고, 제2 색변환층(152,252), 제2 블랙매트릭스(156,256) 및 투명층(153,253) 상에는 투명필름(157,257)이 배치된다. 4 and 5 , one or more second black matrices 156 and 256 may be disposed between the plurality of second color conversion layers 152 and 252 . In addition, one or more transparent layers 153 and 253 may be disposed between the plurality of second black matrices 156 and 256 . In addition, transparent films 157 and 257 are disposed on the second color conversion layers 152 and 252 , the second black matrices 156 and 256 , and the transparent layers 153 and 253 .

도 4는 도 2의 적색 부화소 영역이 포함된 전체 화소 영역에 대한 실시예를 나타낸다.4 illustrates an exemplary embodiment of the entire pixel area including the red sub-pixel area of FIG. 2 .

도 4를 참조하면, 제1 평탄화층(111) 상의 녹색 부화소 영역에는 녹색 LED(130g)가 배치되고, 청색 부화소 영역 및 적색 부화소 영역에는 청색 LED(130b)가 배치된다. 적색 부화소 영역의 청색 LED(130b)의 둘레에는 청색광을 적색광으로 변환하는 제1 색변환층(143)이 배치되고, 색변환기판(150)의 제2 색변환층(152)이 제1 색변환층(143)에 대응하여 배치된다. 제2 색변환층(152)은 제1 색변환층(143)과 동일하게 청색광을 적색광으로 변환한다. Referring to FIG. 4 , a green LED 130g is disposed in a green subpixel area on the first planarization layer 111 , and a blue LED 130b is disposed in a blue subpixel area and a red subpixel area. A first color conversion layer 143 that converts blue light into red light is disposed around the blue LED 130b of the red sub-pixel region, and the second color conversion layer 152 of the color conversion substrate 150 is formed with a first color It is disposed to correspond to the conversion layer 143 . The second color conversion layer 152 converts blue light into red light in the same way as the first color conversion layer 143 .

녹색 부화소 영역에 배치된 녹색 LED(130g) 및 청색 부화소 영역에 배치된 청색 LED(130b) 주변에는 제1 색변환층(143)이 배치되지 않으며, 색변환기판(150)에도 제2 색변환층(151)이 배치되지 않고 투명층(153)이 녹색 LED(130g) 및 청색 LED(130g)에 대응하여 배치된다. The first color conversion layer 143 is not disposed around the green LED 130g disposed in the green subpixel area and the blue LED 130b disposed in the blue subpixel area, and the second color conversion layer 150 is also on the color conversion substrate 150 . The conversion layer 151 is not disposed and the transparent layer 153 is disposed corresponding to the green LED 130g and the blue LED 130g.

그리고, 색변환기판(150)의 제2 블랙매트릭스(156)는 제2 색변환층(152)과 투명층(153) 사이 및 복수의 투명층(153) 사이에 배치된다.In addition, the second black matrix 156 of the color conversion substrate 150 is disposed between the second color conversion layer 152 and the transparent layer 153 and between the plurality of transparent layers 153 .

도 5는 화소 영역에 대한 다른 실시예로, 제1 평탄화층(211) 상의 적색 부화소 영역, 녹색 부화소 영역 및 청색 부화소 영역에는 청색 LED(230b)가 배치된다. 적색 부화소 영역의 청색 LED(230b) 둘레에는 청색광을 적색광으로 변환하는 제1 적색 색변환층(243r)이 배치되고, 녹색 부화소 영역의 청색 LED(230b) 둘레에는 청색광을 녹색광으로 변환하는 제1 녹색 색변환층(243g)이 배치된다. 그리고, 청색 부화소 영역에 배치된 청색 LED(230b)에는 제1 색변환층(243r, 243g)이 배치되지 않으며, 색변환기판(250)의 투명층(253)이 청색 부화소 영역에 대응하여 배치된다. 색변환기판(250)의 제2 색변환층(252r, 252g) 배치는, 청색 LED(230b)가 위치한 적색 부화소 영역에 대응하여, 제2 적색 색변환층(252r)이 배치되고, 청색 LED(230b)가 위치한 녹색 부화소 영역에 대응하여, 제2 녹색 색변환층(252g)이 배치된다.5 illustrates another embodiment of the pixel area, blue LEDs 230b are disposed in the red sub-pixel area, the green sub-pixel area, and the blue sub-pixel area on the first planarization layer 211 . A first red color conversion layer 243r for converting blue light into red light is disposed around the blue LED 230b in the red subpixel area, and a first red color conversion layer 243r for converting blue light into green light around the blue LED 230b in the green subpixel area 1 A green color conversion layer 243g is disposed. In addition, the first color conversion layers 243r and 243g are not disposed on the blue LED 230b disposed in the blue subpixel area, and the transparent layer 253 of the color conversion substrate 250 is disposed to correspond to the blue subpixel area do. The arrangement of the second color conversion layers 252r and 252g of the color conversion substrate 250 corresponds to the red sub-pixel area in which the blue LED 230b is located, the second red color conversion layer 252r is disposed, and the blue LED is disposed. A second green color conversion layer 252g is disposed corresponding to the green sub-pixel area in which 230b is located.

그리고, 색변환기판(150)의 제2 블랙매트릭스(156)는 제2 적색 색변환층(252r)과 제2 녹색 색변환층(252g) 사이 및 투명층(153)과 제2 색변환층(252r,252g) 사이에 배치된다.In addition, the second black matrix 156 of the color conversion substrate 150 is formed between the second red color conversion layer 252r and the second green color conversion layer 252g and between the transparent layer 153 and the second color conversion layer 252r. , 252 g).

한편, 도 4와 도 5를 참조하면, 제2 색변환층, 제2 블랙매트릭스 및 투명층 상에는 투명필름(157,257)이 배치된다. 투명필름(157,257)은 투명한 유리 또는 투명한 플라스틱 재질로 이루어질 수 있으며, PET(폴리에틸렌 테레프탈레이트), PC(폴리카보네이트), PEN(폴리에틸렌 나프탈레이트), 폴리이미드(polyimide), 폴리아크릴레이트(polyacrylate)로 구성된 필름으로 만들어질 수 있다.Meanwhile, referring to FIGS. 4 and 5 , transparent films 157 and 257 are disposed on the second color conversion layer, the second black matrix, and the transparent layer. The transparent films 157 and 257 may be made of transparent glass or a transparent plastic material, and may be made of PET (polyethylene terephthalate), PC (polycarbonate), PEN (polyethylene naphthalate), polyimide, or polyacrylate. It can be made of a film composed of

이하에서는, 도 8a 내지 도 8h를 참조하여, 본 명세서의 실시예에 따른 표시장치(100)의 제조 방법을 상세히 설명하기로 한다. Hereinafter, a method of manufacturing the display device 100 according to an exemplary embodiment of the present specification will be described in detail with reference to FIGS. 8A to 8H .

도 8a 내지 도 8h는 청색 LED(130b)에서 발광한 청색광을 적색광으로 변환하여 사용하는 일 실시예에 대한 도면이다. 본 실시예의 표시장치는 청색 LED(130b)와 녹색 LED(130g)가 적용되며, 일부의 청색 LED(130b)에 제1 색변환층(143)을 형성하여 청색 LED(130b)에서 출사한 청색광을 적색광으로 변환하여 출사하는 구조이다.8A to 8H are diagrams illustrating an embodiment in which blue light emitted from the blue LED 130b is converted into red light. A blue LED 130b and a green LED 130g are applied to the display device of this embodiment, and a first color conversion layer 143 is formed on some of the blue LEDs 130b to emit blue light emitted from the blue LED 130b. It is a structure that converts and emits red light.

도 8a를 참조하면, 표시장치(100)를 구동하기 위해, 표시기판(110) 상에 게이트 전극(121), 액티브층(123), 소스 전극(124) 및 드레인 전극(125)으로 구성된 박막 트랜지스터(TFT)를 형성한다. 박막 트랜지스터는 게이트 전극(121)이 액티브층(123) 보다 하부에 위치하는 바텀 게이트 구조, 또는 게이트 전극(121)이 액티브층(123) 보다 상부에 위치하는 탑 게이트(top gate) 구조의 박막 트랜지스터 등 다양한 구조의 박막 트랜지스터(120)를 형성할 수 있다. 제2 전원전압(Vdd)을 인가하는 공통배선(CL)은 소스 전극(124) 및 드레인 전극(125)과 동일한 금속물질로 동일 순서에 형성한다. 소스 전극(124), 드레인 전극(125) 및 공통배선(CL) 상에는 표면을 평탄화하는 제1 평탄화층(111)을 형성한다. Referring to FIG. 8A , a thin film transistor including a gate electrode 121 , an active layer 123 , a source electrode 124 , and a drain electrode 125 on the display substrate 110 to drive the display device 100 . (TFT) is formed. The thin film transistor has a bottom gate structure in which the gate electrode 121 is positioned lower than the active layer 123 or a top gate structure in which the gate electrode 121 is positioned higher than the active layer 123 . It is possible to form the thin film transistor 120 of various structures such as The common wiring CL for applying the second power voltage Vdd is formed of the same metal material as the source electrode 124 and the drain electrode 125 in the same order. A first planarization layer 111 for planarizing a surface is formed on the source electrode 124 , the drain electrode 125 , and the common wiring CL.

제1 평탄화층(111)을 형성한 후에는 포토리소그래피 공정을 통해 소스 전극(124)과 공통배선(CL)을 노출시키는 복수의 제1 컨택홀을 형성한다. 복수의 제1 컨택홀 내에는 도전성 물질을 채워 제1 연결부(126)와 제2 연결부(127)를 형성할 수 있다. 구체적으로, 제1 연결부(126)와 제2 연결부(127)로는 구리(Cu), 알루미늄(Al), 은(Ag), 몰리브덴(Mo), 크롬(Cr), 탄탈륨(Ta), 티타늄(Ti)의 단일물질 또는 2가지 물질을 결합한 합금의 저저항 불투명 도전물질을 사용할 수 있다. After the first planarization layer 111 is formed, a plurality of first contact holes exposing the source electrode 124 and the common wiring CL are formed through a photolithography process. The first connection part 126 and the second connection part 127 may be formed by filling the plurality of first contact holes with a conductive material. Specifically, as the first connection part 126 and the second connection part 127 , copper (Cu), aluminum (Al), silver (Ag), molybdenum (Mo), chromium (Cr), tantalum (Ta), titanium (Ti) ) of a single material or a low-resistance opaque conductive material of an alloy combining two materials can be used.

다음으로, 도 8b에 도시된 바와 같이, 청색 LED(130b)를 제1 절연층(111) 상에 전사시킨다. 청색 LED(130b)를 포함한 전체 LED(130)를 제1 절연층(111)상에 고정시키기 위해 LED(130) 하부에 접착체 등을 사용할 수 있다. LED(130)를 고정한 후 나노 형광체가 분포된 아크릴 기반의 용액을 전체적으로 도포하고, 경화하여 색변환물질층(143m)을 형성할 수 있다. 색변환물질층(143m)은 나노 형광체가 분포된 아크릴 기반의 건조 필름을 전체적으로 라미네이션하는 방법으로도 형성할 수 있다.Next, as shown in FIG. 8B , the blue LED 130b is transferred onto the first insulating layer 111 . In order to fix the entire LED 130 including the blue LED 130b on the first insulating layer 111 , an adhesive or the like may be used under the LED 130 . After fixing the LED 130 , an acryl-based solution in which the nano-phosphor is distributed may be applied to the entirety, and the color conversion material layer 143m may be formed by curing. The color conversion material layer 143m may also be formed by laminating an acrylic-based dry film in which the nano-phosphor is distributed as a whole.

다음으로, 도 8c에 도시된 바와 같이, 경화된 색변환물질층(143m)은 포토리소그래피 공정을 통해 청색 LED(130b) 측면을 둘러싸는 부분은 남겨놓고, 나머지 부분은 제거하여, 제1 색변환층(143)을 형성할 수 있다. 그리고, LED(130b)의 p형 전극(135)과 n형 전극(131) 상부의 색변환물질층(143m)도 제거하여, 제2 컨택홀을 형성하며, 청색 LED(130b)를 제1 전원전압(Vss)과 제2 전원전압(Vdd)에 연결할 수 있도록 한다.Next, as shown in FIG. 8C , the cured color conversion material layer 143m leaves a portion surrounding the side surface of the blue LED 130b through a photolithography process, and removes the remaining portion, the first color conversion layer (143) can be formed. Then, the color conversion material layer 143m on the p-type electrode 135 and the n-type electrode 131 of the LED 130b is also removed to form a second contact hole, and the blue LED 130b is connected to the first power source. The voltage Vss and the second power voltage Vdd are connected to each other.

다음으로, 도 8d에 도시된 바와 같이, 제2 평탄화층(145)을 제1 평탄화층(111) 상부 전체에 형성한 후 제1 연결부(126)와 제2 연결부(127) 상의 제2 평탄화층(145)을 제거하여, 제1 연결부(126)와 제2 연결부(127)를 노출시키는 제3 컨택홀을 형성한다. 제2 평탄화층(145)은 제1 색변환층(143)보다 얇은 두께로 형성하여, 제2 평탄화층(145) 상에 후술할 제1 블랙매트릭스(144)를 형성시킬 수 있다.Next, as shown in FIG. 8D , after the second planarization layer 145 is formed on the entire upper part of the first planarization layer 111 , the second planarization layer is formed on the first connection part 126 and the second connection part 127 . By removing 145 , a third contact hole exposing the first connection part 126 and the second connection part 127 is formed. The second planarization layer 145 may be formed to have a thickness smaller than that of the first color conversion layer 143 to form a first black matrix 144 to be described later on the second planarization layer 145 .

다음으로, 도 8e에 도시된 바와 같이, 제2 평탄화층(145)이 제거되어 노출된 제1 연결부(126)와 제2 연결부(127)를 청색 LED(130b)에 연결하는 제1 연결배선(141)과 제2 연결배선(142)를 형성한다. 구체적으로, 제1 연결배선(141)은 제3 컨택홀을 통해 노출된 제1 연결부(126)와 제2 컨택홀을 통해 노출된 청색 LED(130b)의 p형 전극(135)을 전기적으로 연결시키고, 제2 연결배선(142)은 제3 컨택홀을 통해 노출된 제2 연결부(127)와 제2 컨택홀을 통해 노출된 청색 LED(130b)의 n형 전극(131)을 전기적으로 연결시키도록 형성될 수 있다. 연결배선의 형성구조는 청색 LED(130b)를 포함한 LED(130)에 동일하게 적용한다.Next, as shown in FIG. 8E , a first connection wiring connecting the first connection part 126 and the second connection part 127 exposed by removing the second planarization layer 145 to the blue LED 130b ( 141) and the second connection wiring 142 are formed. Specifically, the first connection wiring 141 electrically connects the first connection part 126 exposed through the third contact hole and the p-type electrode 135 of the blue LED 130b exposed through the second contact hole. and the second connection wiring 142 electrically connects the second connection portion 127 exposed through the third contact hole and the n-type electrode 131 of the blue LED 130b exposed through the second contact hole. can be formed to The formation structure of the connecting wiring is equally applied to the LED 130 including the blue LED 130b.

제1 연결배선(141)과 제2 연결배선(142)은 포토리소그래피 공정 또는 리프트 오프(lift-off) 공정을 통해 형성될 수 있다. 리프트 오프(lift-off) 공정은 연결배선이 형성되는 부분을 제외한 영역에 포토레지스트(PR)를 형성하고, 연결배선 금속을 전체 영역에 형성한 후 포토레지스트를 제거하면, 포토레지스트 영역에 형성된 연결배선 금속은 제거되고, 포토레지스트가 형성되지 않은 영역에 연결배선 금속이 남게 되어 연결배선이 형성되는 공정이다.The first connection wiring 141 and the second connection wiring 142 may be formed through a photolithography process or a lift-off process. In the lift-off process, a photoresist (PR) is formed in an area except for a portion where a connection wiring is formed, a connection wiring metal is formed over the entire area, and then the photoresist is removed, and the connection formed in the photoresist area is removed. It is a process in which the interconnection metal is removed, and the interconnection metal is left in a region where the photoresist is not formed to form the interconnection wire.

다음으로, 도 8f에 도시된 바와 같이, 청색 LED(130b)와 제1 색변환층(143)이 배치되지 않은 제2 평탄화층(145) 상에 제1 블랙매트릭스(144)를 형성한다. 제1 블랙매트릭스(144)는 포토리소그래피 등의 공정으로 형성할 수 있으며, 제1 색변환층(143)의 상부 끝단 높이와 동일하게 형성하여, 전체 표면을 평탄하게 할 수 있다. 제1 블랙매트릭스(144)로 표면을 평탄하게 하는 경우, 후술할 제3 평탄화층(146)의 역할을 제1 블랙매트릭스(144)가 할 수 있게 되어, 제3 평탄화층(146)이 필요 없게 된다.Next, as shown in FIG. 8F , a first black matrix 144 is formed on the second planarization layer 145 on which the blue LED 130b and the first color conversion layer 143 are not disposed. The first black matrix 144 may be formed by a process such as photolithography, and may be formed to have the same height as the upper end of the first color conversion layer 143 to make the entire surface flat. When the surface is flattened with the first black matrix 144 , the first black matrix 144 can serve as a third planarization layer 146 , which will be described later, so that the third planarization layer 146 is not required. do.

제1 블랙매트릭스(144)는 제1 연결부(126)와 제2 연결부(127)를 노출하기 위해 형성한 제3 컨택홀에도 채워져, 평탄화의 역할과 제3 컨택홀에 형성된 제1 연결배선(141)과 제2 연결배선(142)이 시인되는 것을 방지하는 역할을 할 수 있다.The first black matrix 144 is also filled in the third contact hole formed to expose the first connection part 126 and the second connection part 127 to serve as planarization and the first connection wiring 141 formed in the third contact hole. ) and the second connection wiring 142 may serve to prevent the recognition.

다음으로, 도 8g에 도시된 바와 같이, 제1 블랙매트릭스(144)와 제1 색변환층(143)이 형성된 표면 상에 제3 평탄화층(146)을 형성할 수 있다. 제3 평탄화층(146)은 포토 아크릴(Photo Acryl), 투광성 에폭시, 실리콘 산화물(SiOx) 또는 실리콘 질화물(SiNx) 등으로 구성될 수 있다. 제3 평탄화층(146)은 후술할 색변환기판(150)의 부착을 용이하게 하기 위해 제1 블랙매트릭스(144), 제1 색변환층(143) 및 LED(130) 상에 형성하여 표면을 평탄하게 하는 것으로, 상술한 제1 블랙매트릭스(144)에 의해 표면을 평탄하게 형성한 경우 제3 평탄화층(146)은 형성하지 않아도 된다.Next, as shown in FIG. 8G , a third planarization layer 146 may be formed on the surface on which the first black matrix 144 and the first color conversion layer 143 are formed. The third planarization layer 146 may be made of photo acryl, light-transmitting epoxy, silicon oxide (SiOx), or silicon nitride (SiNx). The third planarization layer 146 is formed on the first black matrix 144, the first color conversion layer 143, and the LED 130 to facilitate the attachment of the color conversion substrate 150, which will be described later, to form a surface. By flattening, the third planarization layer 146 does not need to be formed when the surface is flattened by the above-described first black matrix 144 .

마지막으로, 도 8h에 도시된 바와 같이, 색변환기판(150)을 제3 평탄화층(146)에 부착하여 표시장치(100)를 제조 할수 있다. 제3 평탄화층(146)이 형성되지 않은 구조인 경우는 LED(130), 제1 색변환층(143) 및 제1 블랙매트릭스(144) 상에 색변환기판(150)을 부착하여 표시장치를 제조할 수 있다.Finally, as shown in FIG. 8H , the display device 100 may be manufactured by attaching the color conversion substrate 150 to the third planarization layer 146 . In the case of a structure in which the third planarization layer 146 is not formed, the display device is formed by attaching the color conversion substrate 150 on the LED 130 , the first color conversion layer 143 , and the first black matrix 144 . can be manufactured.

또한, 상술한 색변환기판(150)은 도 9a 내지 9e에 도시된 순서로 제조될 수 있다. In addition, the above-described color conversion substrate 150 may be manufactured in the order shown in FIGS. 9A to 9E .

도 9a를 참조하면, 색변환기판(150)을 제조하기 위해 유리 또는 웨이퍼로 형성된 캐리어기판(158)에 투명한 유리 또는 플라스틱 재질의 투명필름(157)을 적당한 온도의 진공 환경에서 라미네이션을 통해 부착한다. 캐리어기판(158)은 색변환기판(150)을 제조하기 위해 임시로 사용되는 기판으로, 투명필름 등을 지지하기 위해 사용되며, 마지막 단계에서 색변환기판(150)과 분리되어 제거된다.Referring to FIG. 9A , a transparent film 157 made of transparent glass or plastic material is attached to a carrier substrate 158 formed of glass or wafer in order to manufacture the color conversion substrate 150 through lamination in a vacuum environment at an appropriate temperature. . The carrier substrate 158 is a substrate temporarily used for manufacturing the color conversion substrate 150 , and is used to support a transparent film and the like, and is separated from the color conversion substrate 150 and removed in the last step.

도 9b를 참조하면, 투명필름(157) 상에 감광성 재질의 블랙매트릭스 필름(156m)을 적당한 온도의 진공환경에서 라미네이션을 통해 부착한다.Referring to FIG. 9B , a black matrix film 156m made of a photosensitive material is attached to the transparent film 157 through lamination in a vacuum environment at an appropriate temperature.

도 9c를 참조하면, 투명필름(157) 상에 부착된 감광성 재질의 블랙매트릭스 필름(156m)을 마스크를 통해 노광 후 현상하여, 격벽 구조의 제2 블랙매트릭스(156)를 형성한다.Referring to FIG. 9C , the black matrix film 156m made of a photosensitive material attached to the transparent film 157 is exposed through a mask and then developed to form the second black matrix 156 having a barrier rib structure.

도 9d를 참조하면, 격벽 구조의 제2 블랙매트릭스(156) 사이 빈 공간 중 제2 색변환층(152)이 위치해야 되는 공간에, 액상의 색변환물질을 잉크젯 프린팅 공정 등으로 채워 넣는다. 구체적으로, 액상의 색변환물질을 제1 색변환층(143)에 대응하여 색변환이 필요한 부화소 영역에 위치시키고, 경화시켜 제2 색변환층(152)을 형성하고, 제2 색변환층(152)이 필요없는 부화소 영역에는 TiO2 등의 물질이 분산된 광경화성 용액을 채워 넣어 투명층(153)을 형성한다.Referring to FIG. 9D , a liquid color conversion material is filled in a space where the second color conversion layer 152 is to be located among the empty spaces between the second black matrices 156 of the barrier rib structure by an inkjet printing process or the like. Specifically, a liquid color conversion material is placed in a sub-pixel region that requires color conversion to correspond to the first color conversion layer 143 and cured to form a second color conversion layer 152 , and a second color conversion layer The transparent layer 153 is formed by filling the sub-pixel region where 152 is not required with a photocurable solution in which a material such as TiO 2 is dispersed.

도 9e는, 투명필름(157)의 하부에 부착된 캐리어기판(158)을 분리하고, 투명필름(157) 상부의 제2 블랙매트릭스(156), 제2 색변환층(152) 및 투명층(153) 상에 광학성 투명 접착체(OCA) 등의 접착층(151)을 도포하여 최종적인 색변환기판(150)을 제조한 도면이다.9E, the carrier substrate 158 attached to the lower part of the transparent film 157 is separated, and the second black matrix 156, the second color conversion layer 152 and the transparent layer 153 on the transparent film 157 are separated. ) by applying an adhesive layer 151 such as an optically transparent adhesive (OCA) on the final color conversion substrate 150 is a view.

상술한 공정을 통해 제조된 색변환기판(150)은 유연성을 가지고 있어, LED(130)가 형성된 표시기판 상에 용이하게 부착할 수 있다.The color conversion substrate 150 manufactured through the above-described process has flexibility and can be easily attached to the display substrate on which the LED 130 is formed.

본 명세서의 실시예에서 LED(130)는 마이크로 LED 또는 미니 LED를 사용할 수 있다. 마이크로 LED와 미니 LED는 크기 및 성장기판으로 사용되는 사파이어기판의 제거 여부에 따라 구별할 수 있으며, 구체적으로 LED의 크기가 100㎛ 이하이고, 성장기판이 제거된 형태의 LED를 마이크로 LED로 구분하고, LED의 크기가 수백 ㎛이고, 성장기판이 제거되지 않은 형태의 LED를 미니 LED로 구분한다. 그리고, 상용화되어 일반적인 조명에 사용되는 패키지 LED는 크기가 500㎛ 이상이고, 형광물질이 LED칩에 도포된 구조로, 상부에 렌즈가 배치될 수 있는 구조이다.In the embodiment of the present specification, the LED 130 may use a micro LED or a mini LED. Micro LED and mini LED can be distinguished according to the size and whether the sapphire substrate used as the growth substrate is removed. , LEDs with a size of several hundred μm and in which the growth substrate is not removed are classified as mini-LEDs. In addition, the commercially available packaged LED used for general lighting has a size of 500 μm or more, a fluorescent material is applied to the LED chip, and has a structure in which a lens can be disposed on the LED chip.

이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 더욱 상세하게 설명하였으나, 본 발명은 반드시 이러한 실시예로 국한되는 것은 아니고, 본 발명의 기술사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양하게 변형 실시될 수 있다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 그러므로, 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 본 발명의 보호 범위는 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.Although embodiments of the present invention have been described in more detail with reference to the accompanying drawings, the present invention is not necessarily limited to these embodiments, and various modifications may be made within the scope without departing from the technical spirit of the present invention. . Accordingly, the embodiments disclosed in the present invention are not intended to limit the technical spirit of the present invention, but to explain, and the scope of the technical spirit of the present invention is not limited by these embodiments. Therefore, it should be understood that the embodiments described above are illustrative in all respects and not restrictive. The protection scope of the present invention should be construed by the claims, and all technical ideas within the scope equivalent thereto should be construed as being included in the scope of the present invention.

100 : 표시장치
110 : 표시기판
130b : 청색 LED
130g : 녹색 LED
130r : 적색 LED
143 : 제1 색변환층
152 : 제2 색변환층
120 : 박막 트랜지스터
121 : 게이트 전극
122 : 게이트 절연층
123 : 액티브층
124 : 소스 전극
125 : 드레인 전극
111,211 : 제1 평탄화층
145,245 : 제2 평탄화층
146,246 : 제3 평탄화층
126 : 제1 연결부
127 : 제2 연결부
141 : 제1 연결배선
142 : 제2 연결배선
143 : 제1 색변환층
152 : 제2 색변환층
144,244 : 제1 블랙매트릭스
156,256 : 제2 블랙매트릭스
131 : n형 전극
132 : n형층
133 : 활성층
134 : p형층
135 : p형 전극
150 : 색변환기판
151 : 접착층
153 : 투명층
157 : 투명필름
CL : 공통배선
352 : 컬러필터100: display device
110: display board
130b: Blue LED
130g: Green LED
130r : Red LED
143: first color conversion layer
152: second color conversion layer
120: thin film transistor
121: gate electrode
122: gate insulating layer
123: active layer
124: source electrode
125: drain electrode
111,211: first planarization layer
145,245: second planarization layer
146,246: third planarization layer
126: first connection part
127: second connection part
141: first connection wiring
142: second connection wiring
143: first color conversion layer
152: second color conversion layer
144,244: first black matrix
156,256: 2nd black matrix
131: n-type electrode
132: n-type layer
133: active layer
134: p-type layer
135: p-type electrode
150: color conversion board
151: adhesive layer
153: transparent layer
157: transparent film
CL: common wiring
352: color filter

Claims (18)

기판 상에 있으며, 액티브층, 게이트 전극, 소스 전극 및 드레인 전극을 갖는 박막 트랜지스터;
상기 박막 트랜지스터 상에 있으며, P형 전극, N형 전극 및 발광층을 포함하여 구성되고, 상기 박막 트랜지스터에 전기적으로 연결되는 LED;
상기 LED를 둘러싸고, 상기 LED에서 출사되는 제1 색상의 광을 제2 색상의 광으로 변환하는 제1 색변환층; 및
상기 제1 색변환층에 대응되는 위치에 제2 색변환층을 갖는 색변환기판을 포함하는, 표시장치.a thin film transistor on a substrate and having an active layer, a gate electrode, a source electrode, and a drain electrode;
an LED on the thin film transistor, comprising a P-type electrode, an N-type electrode, and a light emitting layer, and electrically connected to the thin film transistor;
a first color conversion layer surrounding the LED and converting light of a first color emitted from the LED into light of a second color; and
and a color conversion substrate having a second color conversion layer at a position corresponding to the first color conversion layer. 제1 항에 있어서,
상기 색변환기판은 상기 제2 색변환층의 상부에 있는 투명필름; 및
상기 제2 색변환층의 하부에 있는 접착층을 포함하는, 표시장치.According to claim 1,
The color conversion substrate may include a transparent film on the second color conversion layer; and
and an adhesive layer under the second color conversion layer. 제1 항에 있어서,
상기 제1 색변환층과 상기 LED가 위치한 영역을 제외한 영역에 배치되는 평탄화층; 및
상기 평탄화층 상에 배치되는 제1 블랙매트릭스를 더 포함하는, 표시장치. According to claim 1,
a planarization layer disposed in an area other than the first color conversion layer and an area in which the LED is located; and
The display device further comprising a first black matrix disposed on the planarization layer. 제3 항에 있어서,
상기 박막 트랜지스터와 상기 LED를 전기적으로 연결하는 연결배선을 더 포함하고,
상기 연결배선은 상기 제1 색변환층과 상기 평탄화층 사이에 위치하고,
상기 제1 블랙매트릭스 하부에 위치하는, 표시장치.4. The method of claim 3,
Further comprising a connection wiring electrically connecting the thin film transistor and the LED,
The connection wiring is located between the first color conversion layer and the planarization layer,
A display device positioned under the first black matrix. 제1 항에 있어서,
상기 LED는 청색광을 출사하는 청색 LED 이며,
상기 제1 색변환층 및 상기 제2 색변환층은 상기 LED 에서 출사한 청색광을 적색광 또는 녹색광으로 변환하는, 표시장치.According to claim 1,
The LED is a blue LED emitting blue light,
The first color conversion layer and the second color conversion layer convert the blue light emitted from the LED into red light or green light. 제1 항에 있어서,
상기 제1 색변환층 및 상기 제2 색변환층 중 적어도 하나 이상은 무기물질로 이루어진 나노 형광체를 포함하며,
상기 나노 형광체는 상기 LED에서 출사된 특정 파장의 광을 흡수하여 다른 파장의 광으로 출사하는, 표시장치. According to claim 1,
At least one of the first color conversion layer and the second color conversion layer includes a nano phosphor made of an inorganic material,
The nano-phosphor absorbs light of a specific wavelength emitted from the LED and emits light of a different wavelength. 제6 항에 있어서,
상기 나노 형광체는 발광기능을 하는 활성제(activator)와 상기 활성제가 수용되는 호스트 물질로 구성되며,
상기 활성제는 유로퓸(Eu), 망간(Mn), 세륨(Ce), 테르븀(Tb), 에르븀(Er), 스트론튬(Sr) 및 스칸듐(Sc) 중에서 하나 이상이고,
상기 호스트 물질은 칼륨(K) 화합물, 스트론튬(Sr) 화합물, 칼슘(Ca) 화합물, 규소(Si) 화합물 및 갈륨(Ga) 화합물 중에서 하나 이상이고,
상기 나노 형광체의 크기는 100nm 내지 1.5um인, 표시장치.7. The method of claim 6,
The nano-phosphor is composed of an activator having a light-emitting function and a host material in which the activator is accommodated,
The activator is at least one of europium (Eu), manganese (Mn), cerium (Ce), terbium (Tb), erbium (Er), strontium (Sr) and scandium (Sc);
The host material is at least one of a potassium (K) compound, a strontium (Sr) compound, a calcium (Ca) compound, a silicon (Si) compound, and a gallium (Ga) compound;
The size of the nano-phosphor is 100nm to 1.5um, a display device. 제6 항에 있어서,
상기 제1 색변환층 중 상기 LED의 발광층 상부에 위치한 제1 색변환층 두께와 상기 제2 색변환층 두께의 합은 15um 내지 30um 인, 표시장치. 7. The method of claim 6,
The sum of the thickness of the first color conversion layer positioned above the light emitting layer of the LED among the first color conversion layer and the thickness of the second color conversion layer is 15 μm to 30 μm, the display device. 제6 항에 있어서,
상기 제1 색변환층 및 상기 제2 색변환층은, 상기 무기물질로 이루어진 나노 형광체가 아크릴 계열 또는 에폭시 계열의 감광성 물질에 분산되어 구성되며,
상기 제1 색변환층 및 상기 제2 색변환층에 포함된 나노 형광체 농도는 30 중량% 내지 35 중량% 인, 표시장치.7. The method of claim 6,
In the first color conversion layer and the second color conversion layer, the nano phosphor made of the inorganic material is dispersed in an acryl-based or epoxy-based photosensitive material,
The concentration of the nano-phosphor included in the first color conversion layer and the second color conversion layer is 30 wt% to 35 wt%, the display device. 제6 항에 있어서,
상기 제1 색변환층은, 상기 무기물질로 이루어진 나노 형광체가 아크릴 계열 또는 에폭시 계열의 감광성 물질에 분산되어 구성되며,
상기 제1 색변환층의 나노 형광체 농도는 30 중량% 이하인, 표시장치.7. The method of claim 6,
The first color conversion layer is configured by dispersing the nano-phosphor made of the inorganic material in an acryl-based or epoxy-based photosensitive material,
The nano-phosphor concentration of the first color conversion layer is 30% by weight or less, the display device. 제6 항에 있어서,
상기 제2 색변환층은, 상기 무기물질로 이루어진 나노 형광체가 아크릴 계열 또는 에폭시 계열의 감광성 물질에 분산되어 구성되며,
상기 제2 색변환층의 나노 형광체 농도는 45 중량% 이하인, 표시장치.7. The method of claim 6,
The second color conversion layer is configured by dispersing the nano-phosphor made of the inorganic material in an acryl-based or epoxy-based photosensitive material,
The nano-phosphor concentration of the second color conversion layer is 45% by weight or less, the display device. 제1 항에 있어서,
상기 제1 색변환층 및 상기 제2 색변환층 중 적어도 하나 이상은, 탄소화합물로 이루어진 안료 또는 염료를 포함하는 컬러필터인, 표시장치.According to claim 1,
At least one of the first color conversion layer and the second color conversion layer is a color filter including a pigment or a dye made of a carbon compound. 제1 항에 있어서,
상기 제2 색변환층은 탄소 화합물로 이루어진 컬러필터층 및 무기물질로 이루어진 나노 형광체층을 포함하는, 표시장치.According to claim 1,
The second color conversion layer includes a color filter layer made of a carbon compound and a nano phosphor layer made of an inorganic material. 제1 항에 있어서,
상기 색변환기판은 복수개의 제2 색변환층들을 포함하고,
상기 복수개의 제2 색변환층들 사이에는 제2 블랙매트릭스 및 투명층이 배치되는, 표시장치.According to claim 1,
The color conversion substrate includes a plurality of second color conversion layers,
A second black matrix and a transparent layer are disposed between the plurality of second color conversion layers. 기판 상에 액티브층, 게이트 전극, 소스 전극 및 드레인 전극을 갖는 박막 트랜지스터를 형성하는 단계;
상기 박막 트랜지스터 상에 P형 전극, N형 전극 및 발광층을 갖는 LED를 전사하는 단계;
제1 색변환층으로 상기 LED를 덮는 단계;
상기 제1 색변환층의 측면에 평탄화층을 형성하는 단계;
상기 박막 트랜지스터의 소스 전극 또는 드레인 전극과 상기 LED의 P형 전극을 연결배선으로 연결하는 단계;
상기 연결배선 상에 제1 블랙매트릭스를 형성하는 단계; 및
상기 제1 블랙매트릭스와 제1 색변환층 상에 색변환기판을 부착하는 단계; 를 포함하는, 표시장치의 제조방법.forming a thin film transistor having an active layer, a gate electrode, a source electrode, and a drain electrode on a substrate;
transferring an LED having a P-type electrode, an N-type electrode, and a light emitting layer on the thin film transistor;
covering the LED with a first color conversion layer;
forming a planarization layer on a side surface of the first color conversion layer;
connecting the source electrode or the drain electrode of the thin film transistor and the P-type electrode of the LED with a connecting wire;
forming a first black matrix on the connection wiring; and
attaching a color conversion substrate to the first black matrix and the first color conversion layer; A method of manufacturing a display device comprising: 제15 항에 있어서,
상기 제1 색변환층으로 상기 LED를 덮는 단계는,
나노형광체가 포함된 아크릴 기반의 건조필름으로 덮는 단계이거나, 나노형광체가 포함된 아크릴 기반의 액체를 도포하고 경화시키는 단계인, 표시장치의 제조방법. 16. The method of claim 15,
The step of covering the LED with the first color conversion layer,
A method of manufacturing a display device, which is a step of covering with an acrylic-based dry film containing a nano-phosphor, or a step of applying and curing an acrylic-based liquid containing a nano-phosphor. 제15 항에 있어서,
상기 제1 블랙매트릭스를 형성하는 단계는,
블랙매트릭스 물질을 상기 제1 색변환층, 평탄화층 및 연결배선 상에 형성하는 단계; 및
상기 제1 색변환층 상의 블랙매트릭스 물질을 제거하는 단계를 포함하는, 표시장치의 제조방법.16. The method of claim 15,
Forming the first black matrix comprises:
forming a black matrix material on the first color conversion layer, the planarization layer, and the connecting wiring; and
and removing the black matrix material on the first color conversion layer. 제15 항에 있어서,
상기 제1 블랙매트릭스를 형성하는 단계와 상기 색변환기판을 부착하는 단계 사이에는, 색변환기판을 제작하는 단계를 더 포함하며,
상기 색변환기판을 제작하는 단계는,
투명필름 상에 블랙매트릭스 필름을 라미네이션하는 단계;
상기 라미네이션된 블랙매트릭스 필름을 패터닝하여, 제2 블랙매트릭스를 형성하는 단계;
상기 패터닝된 제2 블랙매트릭스의 사이 공간에 나노형광체가 포함된 잉크를 프린팅하여, 제2 색변환층을 형성하는 단계; 및
상기 제2 블랙매트릭스 및 상기 제2 색변환층 상에 접착층을 라미네이션하는 단계를 포함하는, 표시장치의 제조방법.16. The method of claim 15,
Between the step of forming the first black matrix and the step of attaching the color conversion substrate, it further comprises the step of manufacturing a color conversion substrate,
The step of producing the color conversion substrate,
laminating a black matrix film on a transparent film;
forming a second black matrix by patterning the laminated black matrix film;
forming a second color conversion layer by printing an ink containing a nano phosphor in the space between the patterned second black matrices; and
and laminating an adhesive layer on the second black matrix and the second color conversion layer.
KR1020200080152A 2020-06-30 2020-06-30 Display apparatus and manufacturing of the same KR20220001788A (en)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020200080152A KR20220001788A (en) 2020-06-30 2020-06-30 Display apparatus and manufacturing of the same
CN202180029575.4A CN115428147A (en) 2020-06-30 2021-04-30 Display device and method for manufacturing the same
EP21833230.2A EP4174942A1 (en) 2020-06-30 2021-04-30 Display device and method for producing same
US17/919,727 US20230238491A1 (en) 2020-06-30 2021-04-30 Display device and manufacturing method thereof
PCT/KR2021/005499 WO2022005005A1 (en) 2020-06-30 2021-04-30 Display device and method for producing same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020200080152A KR20220001788A (en) 2020-06-30 2020-06-30 Display apparatus and manufacturing of the same

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20220001788A true KR20220001788A (en) 2022-01-06

Family

ID=79316351

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020200080152A KR20220001788A (en) 2020-06-30 2020-06-30 Display apparatus and manufacturing of the same

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20230238491A1 (en)
EP (1) EP4174942A1 (en)
KR (1) KR20220001788A (en)
CN (1) CN115428147A (en)
WO (1) WO2022005005A1 (en)

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20090033201A1 (en) * 2006-02-02 2009-02-05 Mitsubishi Chemical Corporation Complex oxynitride phosphor, light-emitting device using same, image display, illuminating device, phosphor-containing composition and complex oxynitride
KR101476207B1 (en) * 2012-06-08 2014-12-24 엘지전자 주식회사 Display device using semiconductor light emitting device
US9991471B2 (en) * 2014-12-26 2018-06-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element, light-emitting device, display device, and electronic device
KR102610028B1 (en) * 2016-04-12 2023-12-06 삼성디스플레이 주식회사 Display device
KR20190099149A (en) * 2019-08-06 2019-08-26 엘지전자 주식회사 Display device using micro-led

Also Published As

Publication number Publication date
CN115428147A (en) 2022-12-02
EP4174942A1 (en) 2023-05-03
US20230238491A1 (en) 2023-07-27
WO2022005005A1 (en) 2022-01-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102651097B1 (en) Light emitting diode display apparatus
US9997561B2 (en) Light emitting diode module, display panel having the same and method of manufacturing the same
EP3076442B1 (en) Display device using semiconductor light emitting device
JP6357349B2 (en) Display device
US11088301B2 (en) Display device using semiconductor light-emitting element
US10943532B2 (en) Monolithic full-color light-emitting diode display panel
US20240055556A1 (en) Display device and method of fabricating the same
US10833229B2 (en) Display device using semiconductor light emitting element and method for manufacturing same
EP4033532B1 (en) Display apparatus using semiconductor light emitting device
US20200083415A1 (en) Display apparatus using semi-conductor light-emitting device
CN111509025A (en) Display panel based on quantum dots, preparation method thereof and display device
CN213845301U (en) Light emitting element for display and unit pixel having the same
CN111668249A (en) Display panel and manufacturing method thereof
EP3979341A1 (en) Light emitting element having cantilever electrode, display panel having same, and display device
EP4174942A1 (en) Display device and method for producing same
CN112614828B (en) Display panel and manufacturing method thereof
US20230068483A1 (en) Micro led display device
KR20220050808A (en) Display apparatus and manufacturing method of the same
US20230197915A1 (en) Light-emitting device and method for manufacturing the same
EP4340028A1 (en) Light-emitting module and display device having same
EP4304304A1 (en) Circuit board having multiple solder resist and display device having same
KR102655336B1 (en) Display apparatus and manufacturing method of the same
CN116190365A (en) Display device and manufacturing method of red light chip
KR20230077031A (en) Color conversion substrate and display device including the same
JP2023093281A (en) Light-emitting device and manufacturing method thereof