KR20220001048A - Apparatus for manufacturing a display device - Google Patents

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KR20220001048A
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KR1020200078808A
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정진수
차민철
김지혜
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삼성디스플레이 주식회사
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Abstract

The present invention provides a manufacturing device of a display device which comprises: a crucible containing a deposition material; a nozzle disposed on one side of the crucible to guide a path through which a deposition material is sprayed toward a substrate; and a cover disposed on a surface of the deposition material accommodated in the crucible.

Description

표시 장치의 제조 장치{Apparatus for manufacturing a display device}Apparatus for manufacturing a display device

본 발명은 제조 장치에 관한 것으로서, 더 상세하게는 증착 균일도가 향상된 표시 장치의 제조 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a manufacturing apparatus, and more particularly, to an apparatus for manufacturing a display device having improved deposition uniformity.

예컨대 유기 발광 표시 장치의 박막 형성과 같은 박막 제조 공정에는 증착 물질을 증발시켜서 기판의 표면에 달라붙게 하는 증착 공정이 많이 이용된다. 즉, 기판 위에 마스크를 대고, 증착 물질의 증기를 마스크의 개구로 통과시켜서 원하는 패턴의 박막이 기판 상에 형성되게 하는 증착 공정이 이용된다.For example, in a thin film manufacturing process such as forming a thin film of an organic light emitting diode display, a deposition process in which a deposition material is evaporated to adhere to the surface of a substrate is widely used. That is, a deposition process is used in which a mask is placed on a substrate and vapor of a deposition material is passed through an opening of the mask to form a thin film having a desired pattern on the substrate.

본 발명의 실시예들은 증착 균일도가 향상된 표시 장치의 제조 장치를 제공하고자 한다.SUMMARY Embodiments of the present invention provide an apparatus for manufacturing a display device having improved deposition uniformity.

본 발명의 일 관점에 따르면, 증착 물질이 수용되는 도가니; 상기 도가니의 일측에 배치되어 상기 증착 물질이 기판을 향하여 분사되는 경로를 가이드하는 노즐; 및 상기 도가니에 수용된 상기 증착 물질의 표면에 배치되는 커버;를 구비하는, 표시 장치의 제조 장치가 제공된다.According to one aspect of the present invention, a crucible in which the deposition material is accommodated; a nozzle disposed on one side of the crucible to guide a path through which the deposition material is sprayed toward the substrate; and a cover disposed on a surface of the deposition material accommodated in the crucible.

본 실시예에 있어서, 상기 커버는 상기 도가니에 수용된 상기 증착 물질의 표면에 직접 배치될 수 있다.In this embodiment, the cover may be disposed directly on the surface of the deposition material accommodated in the crucible.

본 실시예에 있어서, 상기 도가니에 수용된 상기 증착 물질은 제1 면적을 가지고, 상기 커버는 상기 제1 면적보다 작은 제2 면적을 가질 수 있다.In this embodiment, the deposition material accommodated in the crucible may have a first area, and the cover may have a second area smaller than the first area.

본 실시예에 있어서, 상기 커버는 상기 도가니에 수용된 상기 증착 물질의 표면의 적어도 일부를 노출시킬 수 있다.In this embodiment, the cover may expose at least a portion of the surface of the deposition material accommodated in the crucible.

본 실시예에 있어서, 상기 적어도 일부가 노출된 상기 증착 물질의 표면은 상기 증착 물질의 표면의 총 면적의 10% 내지 50%일 수 있다.In this embodiment, the surface of the deposition material to which the at least part is exposed may be 10% to 50% of the total area of the surface of the deposition material.

본 실시예에 있어서, 상기 도가니에 수용된 상기 증착 물질은 제1 비중을 가지고, 상기 커버는 상기 제1 비중보다 작은 제2 비중을 가질 수 있다.In this embodiment, the deposition material accommodated in the crucible may have a first specific gravity, and the cover may have a second specific gravity smaller than the first specific gravity.

본 실시예에 있어서, 상기 도가니에 수용된 상기 증착 물질은 은(Ag)을 포함할 수 있다.In this embodiment, the deposition material accommodated in the crucible may include silver (Ag).

본 실시예에 있어서, 상기 커버는 탄소, 흑연, 열분해 질화붕소, 열분해 흑연, 및 뮬라이트 중 적어도 하나의 물질을 포함할 수 있다.In this embodiment, the cover may include at least one of carbon, graphite, pyrolytic boron nitride, pyrolytic graphite, and mullite.

본 실시예에 있어서, 상기 커버는 원형 형상으로 구비될 수 있다.In this embodiment, the cover may be provided in a circular shape.

본 실시예에 있어서, 상기 커버는 다각형 형상으로 구비될 수 있다.In this embodiment, the cover may be provided in a polygonal shape.

본 실시예에 있어서, 상기 커버는 상기 노즐과 마주보는 표면에 요철이 형성될 수 있다.In this embodiment, the cover may have irregularities formed on the surface facing the nozzle.

본 실시예에 있어서, 상기 도가니는 원통형 형상으로 구비될 수 있다.In this embodiment, the crucible may be provided in a cylindrical shape.

본 실시예에 있어서, 상기 도가니에 수용된 상기 증착 물질을 가열시키는 히터를 더 포함할 수 있다.In this embodiment, a heater for heating the deposition material accommodated in the crucible may be further included.

본 실시예에 있어서, 상기 도가니에 수용된 상기 증착 물질은 상기 히터에 의해 가열되어 상기 기판을 향하여 분사될 수 있다.In this embodiment, the deposition material accommodated in the crucible may be heated by the heater and sprayed toward the substrate.

본 발명의 다른 관점에 따르면, 개구를 포함하는 마스크; 증착 물질이 수용되는 도가니; 상기 도가니의 일측에 배치되어 상기 증착 물질이 기판을 향하여 분사되는 경로를 가이드하는 노즐; 및 상기 도가니에 수용된 상기 증착 물질의 표면에 배치되는 커버;를 구비하고, 상기 도가니에 수용된 상기 증착 물질은 상기 노즐을 통해 분사되고 상기 개구를 통과하여 상기 기판에 증착되는, 표시 장치의 제조 장치가 제공된다.According to another aspect of the present invention, there is provided a mask comprising: a mask comprising an opening; a crucible containing a deposition material; a nozzle disposed on one side of the crucible to guide a path through which the deposition material is sprayed toward the substrate; and a cover disposed on a surface of the deposition material accommodated in the crucible, wherein the deposition material accommodated in the crucible is sprayed through the nozzle and passed through the opening to be deposited on the substrate; provided

본 실시예에 있어서, 상기 커버는 상기 도가니에 수용된 상기 증착 물질의 표면에 직접 배치될 수 있다.In this embodiment, the cover may be disposed directly on the surface of the deposition material accommodated in the crucible.

본 실시예에 있어서, 상기 도가니에 수용된 상기 증착 물질의 표면은 제1 면적을 가지고, 상기 커버는 상기 제1 면적보다 작은 제2 면적을 가질 수 있다.In this embodiment, the surface of the deposition material accommodated in the crucible may have a first area, and the cover may have a second area smaller than the first area.

본 실시예에 있어서, 상기 도가니에 수용된 상기 증착 물질은 제1 비중을 가지고, 상기 커버는 상기 제1 비중보다 작은 제2 비중을 가질 수 있다.In this embodiment, the deposition material accommodated in the crucible may have a first specific gravity, and the cover may have a second specific gravity smaller than the first specific gravity.

본 실시예에 있어서, 상기 도가니에 수용된 상기 증착 물질은 은(Ag)을 포함할 수 있다.In this embodiment, the deposition material accommodated in the crucible may include silver (Ag).

본 실시예에 있어서, 상기 커버는 탄소, 흑연, 열분해 질화붕소, 열분해 흑연, 및 뮬라이트 중 적어도 하나의 물질을 포함할 수 있다.In this embodiment, the cover may include at least one of carbon, graphite, pyrolytic boron nitride, pyrolytic graphite, and mullite.

전술한 것 외의 다른 측면, 특징, 이점은 이하의 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용, 청구범위 및 도면으로부터 명확해질 것이다.Other aspects, features and advantages other than those described above will become apparent from the following detailed description, claims and drawings for carrying out the invention.

상기한 바와 같이 이루어진 본 발명의 일 실시예에 따르면, 도가니 내에 수용된 증착 물질의 표면에 커버를 배치하여, 스플래쉬(Splash) 불량이 발생하는 것을 방지함으로써, 증착 균일도가 향상된 표시 장치의 제조 장치를 구현할 수 있다. 물론 이러한 효과에 의해 본 발명의 범위가 한정된 것은 아니다.According to an embodiment of the present invention made as described above, a cover is disposed on the surface of the deposition material accommodated in the crucible to prevent a splash defect from occurring, thereby realizing an apparatus for manufacturing a display device with improved deposition uniformity. can Of course, the scope of the present invention is not limited by these effects.

도 1은 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 장치를 개략적으로 도시한 평면도이다.
도 2는 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 장치를 개략적으로 도시한 사시도이다.
도 3은 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 장치를 개략적으로 도시한 사시도이다.
도 4는 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 장치를 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 5는 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 장치를 개략적으로 도시한 평면도이다.
도 6은 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 장치를 개략적으로 도시한 평면도이다.
도 7은 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 장치를 개략적으로 도시한 평면도이다.
도 8은 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 장치를 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 9는 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 장치로 제조된 표시 장치를 개략적으로 도시한 사시도이다.
도 10은 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 장치로 제조된 표시 장치를 개략적으로 도시한 단면도이다.
1 is a plan view schematically illustrating an apparatus for manufacturing a display device according to an exemplary embodiment.
2 is a perspective view schematically illustrating an apparatus for manufacturing a display device according to an exemplary embodiment.
3 is a perspective view schematically illustrating an apparatus for manufacturing a display device according to an exemplary embodiment.
4 is a cross-sectional view schematically illustrating an apparatus for manufacturing a display device according to an exemplary embodiment.
5 is a plan view schematically illustrating an apparatus for manufacturing a display device according to an exemplary embodiment.
6 is a plan view schematically illustrating an apparatus for manufacturing a display device according to an exemplary embodiment.
7 is a plan view schematically illustrating an apparatus for manufacturing a display device according to an exemplary embodiment.
8 is a cross-sectional view schematically illustrating an apparatus for manufacturing a display device according to an exemplary embodiment.
9 is a perspective view schematically illustrating a display device manufactured by using the device for manufacturing a display device according to an exemplary embodiment.
10 is a cross-sectional view schematically illustrating a display device manufactured by using an apparatus for manufacturing a display device according to an exemplary embodiment.

본 발명은 다양한 변환을 가할 수 있고 여러 가지 실시예를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 상세한 설명에 상세하게 설명하고자 한다. 본 발명의 효과 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 다양한 형태로 구현될 수 있다. Since the present invention can apply various transformations and can have various embodiments, specific embodiments are illustrated in the drawings and described in detail in the detailed description. Effects and features of the present invention, and a method for achieving them will become apparent with reference to the embodiments described below in detail in conjunction with the drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments disclosed below and may be implemented in various forms.

이하의 실시예에서, 제1, 제2 등의 용어는 한정적인 의미가 아니라 하나의 구성 요소를 다른 구성 요소와 구별하는 목적으로 사용되었다.In the following embodiments, terms such as first, second, etc. are used for the purpose of distinguishing one component from another, not in a limiting sense.

이하의 실시예에서, 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. In the following examples, the singular expression includes the plural expression unless the context clearly dictates otherwise.

이하의 실시예에서, 포함하다 또는 가지다 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 또는 구성요소가 존재함을 의미하는 것이고, 하나 이상의 다른 특징들 또는 구성요소가 부가될 가능성을 미리 배제하는 것은 아니다. In the following embodiments, terms such as include or have means that the features or components described in the specification are present, and the possibility that one or more other features or components will be added is not excluded in advance.

이하의 실시예에서, 막, 영역, 구성 요소 등의 부분이 다른 부분 위에 또는 상에 있다고 할 때, 다른 부분의 바로 위에 있는 경우뿐만 아니라, 그 중간에 다른 막, 영역, 구성 요소 등이 개재되어 있는 경우도 포함한다. In the following embodiments, when it is said that a part such as a film, region, or component is on or on another part, not only when it is directly on the other part, but also another film, region, component, etc. is interposed therebetween. Including cases where there is

도면에서는 설명의 편의를 위하여 구성 요소들이 그 크기가 과장 또는 축소될 수 있다. 예를 들어, 도면에서 나타난 각 구성의 크기 및 두께는 설명의 편의를 위해 임의로 나타내었으므로, 본 발명이 반드시 도시된 바에 한정되지 않는다.In the drawings, the size of the components may be exaggerated or reduced for convenience of description. For example, since the size and thickness of each component shown in the drawings are arbitrarily indicated for convenience of description, the present invention is not necessarily limited to the illustrated bar.

본 명세서에서 "A 및/또는 B"는 A이거나, B이거나, A와 B인 경우를 나타낸다. 또한, 본 명세서에서 "A 및 B 중 적어도 어느 하나"는 A이거나, B이거나, A와 B인 경우를 나타낸다.In the present specification, "A and/or B" refers to A, B, or A and B. Also, in the present specification, "at least one of A and B" refers to A, B, or A and B.

이하의 실시예에서, 배선이 "제1 방향 또는 제2 방향으로 연장된다"는 의미는 직선 형상으로 연장되는 것뿐 아니라, 제1 방향 또는 제2 방향을 따라 지그재그 또는 곡선으로 연장되는 것도 포함한다.In the following embodiments, the meaning of the wiring "extending in the first direction or the second direction" includes not only extending linearly, but also extending in a zigzag or curved manner along the first or second direction .

이하의 실시예들에서, "평면상"이라 할 때, 이는 대상 부분을 위에서 보았을 때를 의미하며, "단면상"이라 할 때, 이는 대상 부분을 수직으로 자른 단면을 옆에서 보았을 때를 의미한다. 이하의 실시예들에서, "중첩"이라 할 때, 이는 "평면상" 및 "단면상" 중첩을 포함한다. In the following embodiments, when "on a plane", it means when the target part is viewed from above, and when "in cross-section", it means when viewed from the side of a cross section cut vertically of the target part. In the following examples, when referring to "overlap", it includes "on a plane" and "on a cross-section" overlap.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명하기로 하며, 도면을 참조하여 설명할 때 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 도면부호를 부여하기로 한다.DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings, and the same or corresponding components are given the same reference numerals when described with reference to the drawings.

도 1은 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 장치를 개략적으로 도시한 평면도이다.1 is a plan view schematically illustrating an apparatus for manufacturing a display device according to an exemplary embodiment.

도 1을 참조하면, 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 장치(300)는 챔버(301), 마스크(310), 자기력생성부(320), 비젼부(330), 압력조절부(390), 및 증착원(400)을 포함할 수 있다.Referring to FIG. 1 , an apparatus 300 for manufacturing a display device according to an exemplary embodiment includes a chamber 301 , a mask 310 , a magnetic force generator 320 , a vision unit 330 , a pressure control unit 390 , and an evaporation source 400 .

챔버(301)는 내부에 공간이 형성될 수 있다. 도시되지는 않았으나, 챔버(301)는 일부분이 개구되도록 형성될 수 있으며, 개구된 챔버(301) 부분에는 게이트벨브 등이 배치되어 챔버(301)의 개구된 부분을 개방하거나 차폐시킬 수 있다.The chamber 301 may have a space formed therein. Although not shown, the chamber 301 may be formed to be partially opened, and a gate valve or the like may be disposed in the opened portion of the chamber 301 to open or shield the opened portion of the chamber 301 .

마스크(310)는 증착 물질이 통과할 수 있는 개구를 포함할 수 있다. 일 실시예로, 마스크(310)는 마스크 시트, 및 마스크 시트와 고정되는 마스크 프레임을 포함할 수 있다. 마스크 프레임에는 하나의 마스크 시트 또는 복수 개의 마스크 시트가 고정될 수 있다.The mask 310 may include an opening through which the deposition material may pass. In one embodiment, the mask 310 may include a mask sheet and a mask frame fixed to the mask sheet. One mask sheet or a plurality of mask sheets may be fixed to the mask frame.

마스크(310) 상에는 증착 물질이 증착되는 기판(100)이 배치될 수 있고, 기판(100) 상에는 도시되지는 않았으나 정전척이 배치될 수 있다. 정전척은 정전기력을 이용하여 기판(100)을 고정시키고, 기판(100)을 마스크(310)에 밀착시키는 역할을 할 수 있다. 정전척은 기판(100)과 결합되어 얼라인(Align), 및 증착 물질의 증착 시 기판(100)이 움직이는 것을 방지할 수 있다. 또한, 정전척과 기판(100) 사이에 충진된 기체가 밖으로 새어 나와 상기 기체에 의해 기판(100)이 들려지는 것을 방지할 수 있다.A substrate 100 on which a deposition material is deposited may be disposed on the mask 310 , and an electrostatic chuck (not shown) may be disposed on the substrate 100 . The electrostatic chuck may serve to fix the substrate 100 using an electrostatic force and to attach the substrate 100 to the mask 310 . The electrostatic chuck may be coupled to the substrate 100 to prevent the substrate 100 from moving during alignment and deposition of a deposition material. Also, it is possible to prevent the gas filled between the electrostatic chuck and the substrate 100 from leaking out and lifting the substrate 100 by the gas.

자기력생성부(320)는 챔버(301)에 배치되어 마스크(310)를 기판(100)에 밀착시킬 수 있다. 자기력생성부(320)는 정전척과 중첩되도록 배치될 수 있다. 자기력생성부(320)가 정전척과 중첩되도록 배치함으로써, 정전력 뿐만 아니라, 자기력에 의해서 기판(100)과 마스크(310)를 밀착시킬 수 있다. 자기력생성부(320)를 이용하여 자기력에 의해 마스크(310)를 끌어당김으로써, 기판(100)과 마스크(310)가 처지는 것을 방지할 수 있다.The magnetic force generator 320 may be disposed in the chamber 301 to attach the mask 310 to the substrate 100 . The magnetic force generator 320 may be disposed to overlap the electrostatic chuck. By disposing the magnetic force generator 320 to overlap the electrostatic chuck, the substrate 100 and the mask 310 can be brought into close contact with each other by not only electrostatic force but also magnetic force. By using the magnetic force generating unit 320 to attract the mask 310 by magnetic force, it is possible to prevent the substrate 100 and the mask 310 from sagging.

비젼부(330)는 챔버(301)에 배치되어 기판(100), 마스크(310), 및 증착원(400)의 위치를 촬영할 수 있다. 비젼부(330)에서 촬영된 기판(100), 마스크(310), 및 증착원(400)의 위치에 근거하여 기판(100), 마스크(310), 및 증착원(400)을 얼라인할 수 있다.The vision unit 330 may be disposed in the chamber 301 to photograph positions of the substrate 100 , the mask 310 , and the deposition source 400 . Based on the positions of the substrate 100 , the mask 310 , and the deposition source 400 photographed by the vision unit 330 , the substrate 100 , the mask 310 , and the deposition source 400 may be aligned. have.

압력조절부(390)는 챔버(301)와 연결되어 챔버(301) 내부의 압력을 조절할 수 있다. 이때, 압력조절부(390)는 챔버(301)와 연결되는 연결배관(391), 및 연결배관(391)에 배치되는 펌프(393)를 포함할 수 있다. 이러한 경우 연결배관(391)은 외부의 오염물질제거를 수행할 수 있는 별도의 장치에 연결될 수 있다.The pressure adjusting unit 390 may be connected to the chamber 301 to adjust the pressure inside the chamber 301 . In this case, the pressure control unit 390 may include a connection pipe 391 connected to the chamber 301 , and a pump 393 disposed in the connection pipe 391 . In this case, the connecting pipe 391 may be connected to a separate device capable of removing external contaminants.

일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 장치(300)는 증착원(400)을 더 포함할 수 있다. 증착원(380)은 챔버(301)의 내부에 배치될 수 있다. 증착원(400)의 내부에는 증착 물질이 수납될 수 있다.The apparatus 300 for manufacturing a display device according to an embodiment may further include an evaporation source 400 . The deposition source 380 may be disposed inside the chamber 301 . A deposition material may be accommodated in the deposition source 400 .

도 2는 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 장치를 개략적으로 도시한 사시도이고, 도 3은 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 장치를 개략적으로 도시한 사시도이며, 도 4는 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 장치를 개략적으로 도시한 단면도이다.2 is a perspective view schematically illustrating an apparatus for manufacturing a display device according to an exemplary embodiment, FIG. 3 is a perspective view schematically illustrating an apparatus for manufacturing a display device according to an exemplary embodiment, and FIG. 4 is an exemplary embodiment. It is a cross-sectional view schematically illustrating an apparatus for manufacturing a display device.

보다 구체적으로, 도 2, 및 도 3은 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 장치(300)에 포함된 증착원(400)을 개략적으로 도시한 사시도이고, 도 4는 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 장치(300)에 포함된 증착원(400)을 개략적으로 도시한 단면도이다.More specifically, FIGS. 2 and 3 are perspective views schematically illustrating an evaporation source 400 included in an apparatus 300 for manufacturing a display device according to an exemplary embodiment, and FIG. 4 is a display device according to an exemplary embodiment. It is a cross-sectional view schematically showing the deposition source 400 included in the manufacturing apparatus 300 of the

도 2, 도 3, 및 도 4를 참조하면, 일 실시예에 따른 증착원(400)은 증착 물질(450)이 수용되는 도가니(410), 도가니(410)의 상부에 배치되어 증착 물질(450)이 기판(100)을 향하여 분사되는 경로를 가이드하는 노즐(430), 도가니(410)의 측면 및/또는 하면에 위치하며 도가니(410)에 수용된 증착 물질(450)을 가열시키는 히터(480)를 포함할 수 있다.2, 3, and 4 , the deposition source 400 according to an exemplary embodiment includes a crucible 410 in which the deposition material 450 is accommodated, and is disposed on the crucible 410 to accommodate the deposition material 450 . ) is located on the side and/or lower surface of the nozzle 430, the crucible 410, and a nozzle 430 for guiding the path to be sprayed toward the substrate 100, and a heater 480 for heating the deposition material 450 accommodated in the crucible 410. may include

일 실시예로, 증착원(400)은 도가니(410), 노즐(430), 및 히터(480)를 수납하기 위한 하우징(490)을 포함할 수 있다. 하우징(490) 내에는 복수 개의 도가니(410)가 수납될 수 있다.In an embodiment, the deposition source 400 may include a crucible 410 , a nozzle 430 , and a housing 490 for accommodating the heater 480 . A plurality of crucibles 410 may be accommodated in the housing 490 .

여기서, 일 실시예에 따른 제조 장치(300)는 증착원(400)이 챔버(301)의 하부에 위치함에 따라 도가니(410)의 상부가 개구되는 것으로 설명하고 있으나, 도가니(410)의 개구되는 부분은 증착원(400)의 위치에 따라 측부 또는 하부일 수 있다.Here, the manufacturing apparatus 300 according to an embodiment describes that the upper portion of the crucible 410 is opened as the deposition source 400 is located at the lower portion of the chamber 301 , but the opening of the crucible 410 is The portion may be a side or a lower portion depending on the location of the deposition source 400 .

도가니(410)는 내부에 공간이 형성되어 증착 물질(450)이 수납될 수 있으며, 일측이 개구되도록 형성될 수 있다. 이때, 증착 물질(450)은 유기물 또는 금속을 포함할 수 있다. 예컨대, 증착 물질(450)은 은(Ag)을 포함할 수 있다.The crucible 410 may have a space formed therein to accommodate the deposition material 450 , and may be formed such that one side thereof is opened. In this case, the deposition material 450 may include an organic material or a metal. For example, the deposition material 450 may include silver (Ag).

일 실시예로, 도 3에 도시된 바와 같이, 도가니(410)는 원통형 형상으로 구비될 수 있다. 다만, 도가니(410)는 원통형 형상 이외에도 다양한 형상으로 구비될 수도 있다.In one embodiment, as shown in FIG. 3 , the crucible 410 may be provided in a cylindrical shape. However, the crucible 410 may be provided in various shapes other than the cylindrical shape.

히터(480)는 도가니(410)의 측면 및/또는 하면 중 적어도 하나에 배치될 수 있다. 히터(480)는 도가니(410)에 열을 가하여, 도가니(410) 내에 수용된 증착 물질(450)을 가열할 수 있다. 도가니(410) 내에 수용된 증착 물질(450)은 히터(480)에 의해 가열되어 융해, 기화, 또는 승화될 수 있다. 히터(480)를 통해 도가니(410) 내에 수용된 증착 물질(450)의 가열 시, 도가니(410) 내의 압력이 증가하여, 융해, 기화, 또는 승화된 증착 물질이 기판(100, 도 1)을 향하여 분사될 수 있다. The heater 480 may be disposed on at least one of a side surface and/or a lower surface of the crucible 410 . The heater 480 may heat the deposition material 450 accommodated in the crucible 410 by applying heat to the crucible 410 . The deposition material 450 accommodated in the crucible 410 may be heated by the heater 480 to be melted, vaporized, or sublimed. When the deposition material 450 accommodated in the crucible 410 is heated through the heater 480, the pressure in the crucible 410 increases, so that the molten, vaporized, or sublimed deposition material is directed toward the substrate 100 (FIG. 1) can be sprayed.

도가니(410)의 개구된 일측에는 노즐(430)이 배치될 수 있다. 노즐(430)은 도가니(410)의 상부에 배치되어 증착 물질(450)이 기판(100, 도 1)을 향하여 분사되는 경로를 가이드할 수 있다. 도 4에서는 하나의 도가니(410)에 대응되는 하나의 노즐(430)이 구비된 것으로 도시되었으나, 하나의 도가니(410)에 대응되도록 복수 개의 노즐(430)이 구비될 수 있다. 노즐(430)은 연결부재에 의해 도가니(410)에 연결될 수 있다.A nozzle 430 may be disposed on one opened side of the crucible 410 . The nozzle 430 may be disposed on the crucible 410 to guide a path through which the deposition material 450 is sprayed toward the substrate 100 ( FIG. 1 ). Although one nozzle 430 corresponding to one crucible 410 is illustrated in FIG. 4 , a plurality of nozzles 430 may be provided to correspond to one crucible 410 . The nozzle 430 may be connected to the crucible 410 by a connecting member.

일 실시예로, 도 4에 도시된 바와 같이, 노즐(430)의 적어도 일부분은 도가니(410) 내부에 삽입될 수 있다. 다른 실시예로, 노즐(430)은 도가니(410)의 상부에 배치될 수도 있다.In one embodiment, as shown in FIG. 4 , at least a portion of the nozzle 430 may be inserted into the crucible 410 . In another embodiment, the nozzle 430 may be disposed on the crucible 410 .

도 4에 있어서, 노즐(430)은 가운데 부분이 들어간 형상으로 구비된 것으로 도시되어 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 노즐(430)의 형상은 원통형 형상 등 다양한 형상으로 구비될 수 있다.In FIG. 4 , the nozzle 430 is illustrated as having a shape in which a middle part is inserted, but is not limited thereto. The shape of the nozzle 430 may be provided in various shapes, such as a cylindrical shape.

일반적으로 히터를 통해 도가니를 가열하여, 도가니 내에 수용된 증착 물질을 기화시킴으로써, 기판에 증착 물질을 증착할 수 있다. 다만, 도가니에 수용된 증착 물질을 가열하여 기판에 증착 물질을 증착하는 경우, 스플래쉬(Splash) 불량이 발생하는 문제점이 존재한다. 보다 구체적으로, 도가니에 수용된 증착 물질을 가열하면 증착 물질 내부에서 기포가 발생하는데, 증착 물질의 내부에서 발생한 기포가 증착 물질의 표면에서 터져 액체 상태의 증착 물질이 기판에 증착되는 불량이 발생하는 경우가 존재하였다. 또한, 기판을 향하여 분사되지 않고 노즐에 응결된 증착 물질이 낙하하여 액체 상태의 증착 물질이 기판에 증착되어 불량이 발생하는 경우가 존재하였다.In general, the deposition material may be deposited on the substrate by heating the crucible through a heater to vaporize the deposition material accommodated in the crucible. However, when the deposition material contained in the crucible is heated to deposit the deposition material on the substrate, there is a problem in that a splash defect occurs. More specifically, when the deposition material accommodated in the crucible is heated, bubbles are generated inside the deposition material, and when the bubbles generated inside the deposition material burst on the surface of the deposition material, a defect in which the deposition material in a liquid state is deposited on the substrate occurs was present. In addition, there existed a case where the deposition material condensed on the nozzle fell without being sprayed toward the substrate, and the deposition material in a liquid state was deposited on the substrate, resulting in a defect.

일 실시예로, 도가니(410)에 수용된 증착 물질(450) 상에는 커버(460)가 배치될 수 있다. 커버(460)는 도가니(410) 내에 수용된 증착 물질(450)의 표면(451)에 직접 배치될 수 있다. 도가니(410) 내에 수용된 증착 물질(450)의 표면(451)에 커버(460)가 배치됨으로써, 스플래쉬(Splash) 불량이 발생하는 것을 방지하여 표시 장치의 제조 장치(300)의 증착 균일도를 향상시킬 수 있다.In an embodiment, a cover 460 may be disposed on the deposition material 450 accommodated in the crucible 410 . The cover 460 may be disposed directly on the surface 451 of the deposition material 450 accommodated in the crucible 410 . By disposing the cover 460 on the surface 451 of the deposition material 450 accommodated in the crucible 410, it is possible to prevent a splash defect from occurring, thereby improving the deposition uniformity of the apparatus 300 for manufacturing a display device. can

보다 구체적으로, 도가니(410) 내에 수용된 증착 물질(450)의 표면(451)에 커버(460)가 배치됨으로써, 증착 물질(450)의 내부에서 발생한 기포가 증착 물질(450)의 표면(451)에서 터져 액체 상태의 증착 물질(450)이 기판(100, 도 1)에 증착되는 것을 방지할 수 있고, 기판(100, 도 1)을 향하여 분사되지 않고 노즐(430)에 응결된 증착 물질(450)이 낙하하여 액체 상태의 증착 물질(450)이 기판(100, 도 1)에 증착되어 불량이 발생하는 것을 방지하여, 표시 장치의 제조 장치(300)의 증착 균일도를 향상시킬 수 있다.More specifically, by disposing the cover 460 on the surface 451 of the deposition material 450 accommodated in the crucible 410 , bubbles generated inside the deposition material 450 are removed from the surface 451 of the deposition material 450 . It is possible to prevent the deposition material 450 in a liquid state from being exploded from being deposited on the substrate 100 ( FIG. 1 ), and the deposition material 450 condensed on the nozzle 430 without being sprayed toward the substrate 100 ( FIG. 1 ). ) is dropped and the deposition material 450 in a liquid state is deposited on the substrate 100 ( FIG. 1 ) to prevent defects from occurring, thereby improving the deposition uniformity of the apparatus 300 for manufacturing a display device.

일 실시예로, 커버(460)는 도가니(410)에 수용된 증착 물질(450)보다 낮은 열전도율을 가질 수 있다. 또한, 커버(460)는 도가니(41)에 수용된 증착 물질(450)보다 낮은 비중을 가질 수 있다. 예컨대, 도가니(410)에 수용된 증착 물질(450)은 제1 비중을 가지고, 증착 물질(450) 상에 배치된 커버(460)는 제1 비중보다 작은 제2 비중을 가질 수 있다. 커버(460)는 도가니(410)에 수용된 증착 물질(450)이 응고된 후, 고체 상태의 증착 물질(450)로부터 쉽게 분리되는 물질로 구비될 수 있다. 예컨대, 커버(460)는 탄소, 흑연, 열분해 질화붕소(PBN, Pyrolytic Boron Nitride), 열분해 흑연(PG, Pyrolytic Graphite), 및 뮬라이트(Mullite) 중 적어도 하나의 물질을 포함할 수 있다.In an embodiment, the cover 460 may have a lower thermal conductivity than the deposition material 450 accommodated in the crucible 410 . In addition, the cover 460 may have a lower specific gravity than the deposition material 450 accommodated in the crucible 41 . For example, the deposition material 450 accommodated in the crucible 410 may have a first specific gravity, and the cover 460 disposed on the deposition material 450 may have a second specific gravity smaller than the first specific gravity. The cover 460 may be made of a material that is easily separated from the deposition material 450 in a solid state after the deposition material 450 contained in the crucible 410 is solidified. For example, the cover 460 may include at least one of carbon, graphite, pyrolytic boron nitride (PBN), pyrolytic graphite (PG), and mullite.

일 실시예로, 커버(460)는 흑연, 열분해 질화붕소(PBN, Pyrolytic Boron Nitride), 및 뮬라이트(Mullite) 중 적어도 하나의 물질을 포함하고, 커버(460)의 표면이 열분해 흑연(PG, Pyrolytic Graphite)으로 코팅될 수 있다.In one embodiment, the cover 460 includes at least one of graphite, pyrolytic boron nitride (PBN), and mullite, and the surface of the cover 460 is pyrolytic graphite (PG, Pyrolytic). Graphite) may be coated.

도 5는 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 장치를 개략적으로 도시한 평면도이고, 도 6은 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 장치를 개략적으로 도시한 평면도이며, 도 7은 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 장치를 개략적으로 도시한 평면도이다.5 is a plan view schematically illustrating an apparatus for manufacturing a display device according to an exemplary embodiment, FIG. 6 is a plan view schematically illustrating an apparatus for manufacturing a display device according to an exemplary embodiment, and FIG. 7 is an exemplary embodiment It is a plan view schematically illustrating an apparatus for manufacturing a display device.

보다 구체적으로, 도 5, 도 6, 및 도 7은 도가니에 수용된 증착 물질의 면적과 커버의 면적을 비교, 및 커버의 형상을 설명하기 위해 도시한 도면이다.More specifically, FIGS. 5, 6, and 7 are diagrams for comparing the area of the deposition material accommodated in the crucible with the area of the cover, and for explaining the shape of the cover.

도 5를 참조하면, 일 실시예로, 커버(460)의 면적은 도가니(410)에 수용된 증착 물질(450)의 면적에 비해 작게 구비될 수 있다. 보다 구체적으로, 도가니(410)에 수용된 증착 물질(450)은 제1 면적(A1)을 가지고, 커버(460)는 제1 면적(A1)보다 작은 제2 면적(A2)을 가질 수 있다.Referring to FIG. 5 , in an embodiment, the area of the cover 460 may be smaller than the area of the deposition material 450 accommodated in the crucible 410 . More specifically, the deposition material 450 accommodated in the crucible 410 may have a first area A1 , and the cover 460 may have a second area A2 smaller than the first area A1 .

커버(460)가 도가니(410)에 수용된 증착 물질(450)의 면적에 비해 작은 면적을 가짐으로써, 커버(460)는 도가니(410)에 수용된 증착 물질(450)의 표면의 적어도 일부를 노출시킬 수 있다. 이때, 커버(460)에 의해 적어도 일부가 노출된 증착 물질(450)의 표면은 증착 물질(450)의 표면의 총 면적의 5% 내지 60%일 수 있고, 5% 내지 50%일 수 있으며, 10% 내지 60%일 수 있는 등 다양한 변형이 가능하다. 예컨대, 커버(460)에 의해 적어도 일부가 노출된 증착 물질(450)의 표면은 증착 물질(450)의 표면의 총 면적의 10% 내지 50%일 수 있다.Since the cover 460 has a small area compared to the area of the deposition material 450 accommodated in the crucible 410 , the cover 460 exposes at least a portion of the surface of the deposition material 450 accommodated in the crucible 410 . can At this time, the surface of the deposition material 450 exposed at least in part by the cover 460 may be 5% to 60% of the total area of the surface of the deposition material 450, 5% to 50%, Various variations are possible, such as being 10% to 60%. For example, the surface of the deposition material 450 exposed at least in part by the cover 460 may be 10% to 50% of the total area of the surface of the deposition material 450 .

커버(460)에 의해 적어도 일부가 노출된 증착 물질(450)의 표면을 통해 증착 물질이 기화되어 기판을 향하여 분사될 수 있다.The deposition material may be vaporized and sprayed toward the substrate through the surface of the deposition material 450 exposed at least in part by the cover 460 .

일 실시예로, 도가니(410)에 수용된 증착 물질(450) 상에 배치된 커버(460)는 도 5에 도시된 바와 같이, 원형 형상으로 구비될 수 있고, 도 6에 도시된 바와 같이 사각형 형상으로 구비될 수 있으며, 도 7에 도시된 바와 같이 십자가 모양으로 구비될 수 있는 등 다양한 변형이 가능하다. 예컨대, 도가니(410)에 수용된 증착 물질(450) 상에 배치된 커버(460)는 타원 또는 다각형 형상으로도 구비될 수도 있다.In one embodiment, the cover 460 disposed on the deposition material 450 accommodated in the crucible 410 may be provided in a circular shape, as shown in FIG. 5 , and a rectangular shape as shown in FIG. 6 . Various modifications are possible, such as being provided in a cross shape as shown in FIG. 7 . For example, the cover 460 disposed on the deposition material 450 accommodated in the crucible 410 may also have an elliptical or polygonal shape.

도 8은 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 장치를 개략적으로 도시한 단면도이다.8 is a cross-sectional view schematically illustrating an apparatus for manufacturing a display device according to an exemplary embodiment.

도 8의 실시예는 커버(460)의 표면(461)에 요철이 형성되어 있다는 점에서 도 4의 실시예와 차이가 있다. 이하에서는, 차이점을 중심으로 설명한다. 그 밖의 구성은 전술한 실시예와 동일 또는 유사하다.The embodiment of FIG. 8 is different from the embodiment of FIG. 4 in that irregularities are formed on the surface 461 of the cover 460 . Hereinafter, the differences will be mainly described. Other configurations are the same as or similar to those of the above-described embodiment.

도 8을 참조하면, 도가니(410)에 수용된 증착 물질(450) 상에 배치된 커버(460)의 표면(461)에는 요철(463)이 형성될 수 있다. 보다 구체적으로, 도가니(410)에 수용된 증착 물질(450) 상에 배치된 커버(460)는 노즐(430)과 마주보는 표면(461)에 형성된 복수 개의 요철(463)을 포함할 수 있다.Referring to FIG. 8 , irregularities 463 may be formed on the surface 461 of the cover 460 disposed on the deposition material 450 accommodated in the crucible 410 . More specifically, the cover 460 disposed on the deposition material 450 accommodated in the crucible 410 may include a plurality of irregularities 463 formed on the surface 461 facing the nozzle 430 .

도가니(410)에 수용된 증착 물질(450) 상에 배치된 커버(460)의 표면(461)에 요철(463)이 형성됨으로써, 노즐(430)에 응결되어 낙하하는 증착 물질(450)에 의한 스플래쉬(Splash) 불량이 발생하는 것을 방지할 수 있다.As irregularities 463 are formed on the surface 461 of the cover 460 disposed on the deposition material 450 accommodated in the crucible 410 , splash by the deposition material 450 that is condensed and falls on the nozzle 430 . (Splash) It can prevent defects from occurring.

도 9는 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 장치로 제조된 표시 장치를 개략적으로 도시한 사시도이고, 도 10은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 장치로 제조된 표시 장치를 개략적으로 도시한 단면도이다. 도 10은 도 9의 I-I' 선을 따라 취한 단면도에 해당한다.9 is a perspective view schematically illustrating a display device manufactured by using the apparatus for manufacturing a display device according to an exemplary embodiment, and FIG. 10 is a schematic diagram of a display device manufactured by using the apparatus for manufacturing a display device according to an exemplary embodiment of the present invention. It is a cross-sectional view shown. FIG. 10 corresponds to a cross-sectional view taken along line I-I' of FIG. 9 .

도 9를 참조하면, 표시 장치(1)는 표시영역(DA), 및 표시영역(DA)의 주변에 배치되는 비표시영역(NDA)을 포함할 수 있다. 비표시영역(NDA)은 표시영역(DA)을 둘러쌀 수 있다. 표시 장치(1)는 표시영역(DA)에 배치된 복수의 화소(P)들에서 방출되는 빛을 이용하여 이미지를 제공할 수 있으며, 비표시영역(NDA)은 이미지가 표시되지 않는 영역일 수 있다.Referring to FIG. 9 , the display device 1 may include a display area DA and a non-display area NDA disposed around the display area DA. The non-display area NDA may surround the display area DA. The display device 1 may provide an image using light emitted from a plurality of pixels P disposed in the display area DA, and the non-display area NDA may be an area in which an image is not displayed. have.

이하에서는, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치(1)로서, 유기 발광 표시 장치를 예로 하여 설명하지만, 본 발명의 표시 장치는 이에 제한되지 않는다. 일 실시예로서, 본 발명의 표시 장치(1)는 무기 발광 표시 장치(Inorganic Light Emitting Display 또는 무기 EL Display)이거나, 양자점 발광 표시 장치(Quantum dot Light Emitting Display)와 같은 표시 장치일 수 있다. 예컨대, 표시 장치(1)에 구비된 표시요소의 발광층은 유기물을 포함하거나, 무기물을 포함하거나, 양자점을 포함하거나, 유기물과 양자점을 포함하거나, 무기물과 양자점을 포함할 수 있다.Hereinafter, an organic light emitting diode display will be described as the display device 1 according to an exemplary embodiment, but the display device of the present invention is not limited thereto. As an embodiment, the display device 1 of the present invention may be an inorganic light emitting display device (an organic light emitting display or an inorganic EL display) or a display device such as a quantum dot light emitting display device. For example, the light emitting layer of the display element included in the display device 1 may include an organic material, an inorganic material, a quantum dot, an organic material and a quantum dot, or an inorganic material and a quantum dot.

도 9에서는 플랫한 표시면을 구비한 표시 장치(1)를 도시하였으나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 일 실시예로, 표시 장치(1)는 입체형 표시면 또는 커브드 표시면을 포함할 수도 있다.9 illustrates the display device 1 having a flat display surface, but the present invention is not limited thereto. As an embodiment, the display device 1 may include a three-dimensional display surface or a curved display surface.

표시 장치(1)가 입체형 표시면을 포함하는 경우, 표시 장치(1)는 서로 다른 방향을 지시하는 복수 개의 표시영역들을 포함하고, 예컨대, 다각 기둥형 표시면을 포함할 수도 있다. 일 실시예로, 표시 장치(1)가 커브드 표시면을 포함하는 경우, 표시 장치(1)는 플렉서블, 폴더블, 롤러블 표시 장치 등 다양한 형태로 구현될 수 있다.When the display device 1 includes a three-dimensional display surface, the display device 1 includes a plurality of display areas indicating different directions, and may include, for example, a polygonal columnar display surface. As an embodiment, when the display device 1 includes a curved display surface, the display device 1 may be implemented in various forms, such as a flexible, foldable, or rollable display device.

도 9에서는 핸드폰 단말기에 적용될 수 있는 표시 장치(1)를 도시하였다. 도시하지는 않았으나, 메인보드에 실장된 전자모듈들, 카메라 모듈, 전원모듈 등이 표시 장치(1)와 함께 브라켓/케이스 등에 배치됨으로써 핸드폰 단말기를 구성할 수 있다. 특히, 본 발명에 따른 표시 장치(1)는 텔레비전, 모니터 등과 같은 대형 전자장치를 비롯하여, 태블릿, 자동차 네비게이션, 게임기, 스마트 와치 등과 같은 중소형 전자장치 등에 적용될 수 있다.9 illustrates a display device 1 applicable to a mobile phone terminal. Although not shown, electronic modules, camera modules, power modules, etc. mounted on the main board are disposed together with the display device 1 in a bracket/case, etc., thereby configuring a mobile phone terminal. In particular, the display device 1 according to the present invention can be applied to large electronic devices such as televisions and monitors, as well as small and medium-sized electronic devices such as tablets, car navigation systems, game consoles, and smart watches.

도 9에서는 표시 장치(1)의 표시영역(DA)이 사각형인 경우를 도시하였으나, 표시영역(DA)의 형상은 원형, 타원 또는 삼각형이나 오각형 등과 같은 다각형일 수 있다.Although FIG. 9 illustrates a case in which the display area DA of the display device 1 has a rectangular shape, the shape of the display area DA may be a circle, an ellipse, or a polygon such as a triangle or a pentagon.

표시 장치(1)는 표시영역(DA)에 배치된 복수의 화소(P)들을 포함한다. 복수의 화소(P)들 각각은 유기발광다이오드(Organic Light-Emitting Diode, OLED)를 포함할 수 있다. 복수의 화소(P)들 각각은 유기발광다이오드(OLED)를 통해 예컨대, 적색, 녹색, 청색 또는 백색의 빛을 방출할 수 있다. 본 명세서에서의 화소(P)라 함은 전술한 바와 같이 적색, 녹색, 청색, 백색 중 어느 하나의 색상의 빛을 방출하는 화소로 이해할 수 있다.The display device 1 includes a plurality of pixels P disposed in the display area DA. Each of the plurality of pixels P may include an organic light-emitting diode (OLED). Each of the plurality of pixels P may emit, for example, red, green, blue, or white light through the organic light emitting diode OLED. As described above, the pixel P in the present specification may be understood as a pixel emitting light of any one color among red, green, blue, and white.

도 10을 참조하면, 기판(100) 상에는 화소(P)가 배치될 수 있다. 화소(P)는 박막트랜지스터(TFT), 및 유기발광다이오드(OLED)를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 10 , a pixel P may be disposed on the substrate 100 . The pixel P may include a thin film transistor (TFT) and an organic light emitting diode (OLED).

기판(100)은 글래스 또는 고분자 수지를 포함할 수 있다. 고분자 수지는 폴리에테르술폰(polyethersulfone), 폴리아크릴레이트(polyacrylate), 폴리에테르 이미드(polyether imide), 폴리에틸렌 나프탈레이트(polyethylene naphthalate), 폴리에틸렌 테레프탈레이트(polyethylene terephthalate), 폴리페닐렌 설파이드(polyphenylene sulfide), 폴리아릴레이트(polyarylate), 폴리이미드(polyimide), 폴리카보네이트(polycarbonate) 또는 셀룰로오스 아세테이트 프로피오네이트(cellulose acetate propionate) 등을 포함할 수 있다. 고분자 수지를 포함하는 기판(100)은 플렉서블, 롤러블 또는 벤더블 특성을 가질 수 있다. 기판(100)은 전술한 고분자 수지를 포함하는 층 및 무기층(미도시)을 포함하는 다층 구조일 수 있다.The substrate 100 may include glass or a polymer resin. Polymer resins include polyethersulfone, polyacrylate, polyether imide, polyethylene naphthalate, polyethylene terephthalate, and polyphenylene sulfide. , polyarylate, polyimide, polycarbonate, or cellulose acetate propionate. The substrate 100 including the polymer resin may have flexible, rollable, or bendable properties. The substrate 100 may have a multilayer structure including a layer including the above-described polymer resin and an inorganic layer (not shown).

기판(100) 상에는 버퍼층(101)이 배치될 수 있다. 버퍼층(101)은 기판(100) 상에 위치하여 기판(100)의 하부로부터 이물, 습기 또는 외기의 침투를 감소 또는 차단할 수 있고, 기판(100) 상에 평탄면을 제공할 수 있다. 버퍼층(101)은 산화물 또는 질화물과 같은 무기물, 또는 유기물, 또는 유무기 복합물을 포함할 수 있으며, 무기물과 유기물의 단층 또는 다층 구조로 이루어질 수 있다.A buffer layer 101 may be disposed on the substrate 100 . The buffer layer 101 may be positioned on the substrate 100 to reduce or block penetration of foreign substances, moisture, or external air from the lower portion of the substrate 100 , and may provide a flat surface on the substrate 100 . The buffer layer 101 may include an inorganic material such as an oxide or a nitride, an organic material, or an organic/inorganic composite, and may have a single-layer or multi-layer structure of an inorganic material and an organic material.

버퍼층(101) 상에는 박막트랜지스터(TFT)가 배치될 수 있다. 박막트랜지스터(TFT)는 반도체층(134), 반도체층(134)과 중첩하는 게이트전극(136), 및 반도체층(134)과 전기적으로 연결되는 연결전극을 포함할 수 있다. 박막트랜지스터(TFT)는 유기발광다이오드(OLED)와 연결되어 유기발광다이오드(OLED)를 구동할 수 있다.A thin film transistor (TFT) may be disposed on the buffer layer 101 . The thin film transistor TFT may include a semiconductor layer 134 , a gate electrode 136 overlapping the semiconductor layer 134 , and a connection electrode electrically connected to the semiconductor layer 134 . The thin film transistor TFT may be connected to the organic light emitting diode OLED to drive the organic light emitting diode OLED.

반도체층(134)은 버퍼층(101) 상에 배치되며, 게이트전극(136)과 중첩하는 채널영역(131), 및 채널영역(131)의 양측에 배치되되 채널영역(131)보다 고농도의 불순물을 포함하는 소스영역(132), 및 드레인영역(133)을 포함할 수 있다. 여기서, 불순물은 N형 불순물 또는 P형 불순물을 포함할 수 있다. 소스영역(132)과 드레인영역(133)은 연결전극과 전기적으로 연결될 수 있다.The semiconductor layer 134 is disposed on the buffer layer 101 , the channel region 131 overlaps with the gate electrode 136 , and is disposed on both sides of the channel region 131 and contains impurities having a higher concentration than the channel region 131 . It may include a source region 132 including a drain region 133 . Here, the impurity may include an N-type impurity or a P-type impurity. The source region 132 and the drain region 133 may be electrically connected to the connection electrode.

반도체층(134)은 산화물반도체 및/또는 실리콘반도체를 포함할 수 있다. 반도체층(134)이 산화물반도체로 형성되는 경우, 예컨대 인듐(In), 갈륨(Ga), 주석(Sn), 지르코늄(Zr), 바나듐(V), 하프늄(Hf), 카드뮴(Cd), 게르마늄(Ge), 크로뮴(Cr), 티타늄(Ti) 및 아연(Zn)을 포함하는 군에서 선택된 적어도 하나 이상의 물질의 산화물을 포함할 수 있다. 예를 들어, 반도체층(134)은 ITZO(InSnZnO), IGZO(InGaZnO) 등일 수 있다. 반도체층(134)이 실리콘반도체로 형성되는 경우, 예컨대 아모퍼스 실리콘(a-Si) 또는 아모퍼스 실리콘(a-Si)을 결정화한 저온 폴리 실리콘(Low Temperature Poly-Silicon; LTPS)을 포함할 수 있다.The semiconductor layer 134 may include an oxide semiconductor and/or a silicon semiconductor. When the semiconductor layer 134 is formed of an oxide semiconductor, for example, indium (In), gallium (Ga), tin (Sn), zirconium (Zr), vanadium (V), hafnium (Hf), cadmium (Cd), germanium It may include an oxide of at least one material selected from the group consisting of (Ge), chromium (Cr), titanium (Ti), and zinc (Zn). For example, the semiconductor layer 134 may be ITZO (InSnZnO), IGZO (InGaZnO), or the like. When the semiconductor layer 134 is formed of a silicon semiconductor, it may include, for example, amorphous silicon (a-Si) or low temperature poly-silicon (LTPS) obtained by crystallizing amorphous silicon (a-Si). have.

반도체층(134) 상에는 제1 절연층(103)이 배치될 수 있다. 제1 절연층(103)은 실리콘산화물(SiO2), 실리콘질화물(SiNx), 실리콘산질화물(SiOXNY), 알루미늄산화물(Al2O3), 티타늄산화물(TiO2), 탄탈산화물(Ta2O5), 하프늄산화물(HfO2) 또는 아연산화물(ZnO2)을 포함하는 그룹에서 선택된 적어도 하나 이상의 무기 절연물을 포함할 수 있다. 제1 절연층(103)은 전술한 무기 절연물을 포함하는 단일층 또는 다층일 수 있다.A first insulating layer 103 may be disposed on the semiconductor layer 134 . The first insulating layer 103 is silicon oxide (SiO 2), silicon nitride (SiN x), silicon oxynitride (SiO X N Y), aluminum oxide (Al 2 O 3), titanium oxide (TiO 2), tantalum oxide (Ta 2 O 5 ), hafnium oxide (HfO 2 ), or zinc oxide (ZnO 2 ) It may include at least one inorganic insulating material selected from the group consisting of. The first insulating layer 103 may be a single layer or a multilayer including the aforementioned inorganic insulating material.

제1 절연층(103) 상에는 게이트전극(136)이 배치될 수 있다. 게이트전극(136)은 알루미늄(Al), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 은(Ag), 마그네슘(Mg), 금(Au), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 이리듐(Ir), 크로뮴(Cr), 리튬(Li), 칼슘(Ca), 몰리브덴(Mo), 티타늄(Ti), 텅스텐(W), 구리(Cu) 가운데 선택된 하나 이상의 금속으로 단층 또는 다층으로 형성될 수 있다. 게이트전극(136)은 게이트전극(136)에 전기적 신호를 인가하는 게이트라인과 연결될 수 있다.A gate electrode 136 may be disposed on the first insulating layer 103 . The gate electrode 136 includes aluminum (Al), platinum (Pt), palladium (Pd), silver (Ag), magnesium (Mg), gold (Au), nickel (Ni), neodymium (Nd), and iridium (Ir). , chromium (Cr), lithium (Li), calcium (Ca), molybdenum (Mo), titanium (Ti), tungsten (W), copper (Cu) may be formed as a single layer or multiple layers of one or more metals selected from the group consisting of. The gate electrode 136 may be connected to a gate line for applying an electrical signal to the gate electrode 136 .

게이트전극(136) 상에는 제2 절연층(105)이 배치될 수 있다. 제2 절연층(105)은 실리콘산화물(SiO2), 실리콘질화물(SiNx), 실리콘산질화물(SiOXNY), 알루미늄산화물(Al2O3), 티타늄산화물(TiO2), 탄탈산화물(Ta2O5), 하프늄산화물(HfO2) 또는 아연산화물(ZnO2)을 포함하는 그룹에서 선택된 적어도 하나 이상의 무기 절연물을 포함할 수 있다. 제2 절연층(105)은 전술한 무기 절연물을 포함하는 단일층 또는 다층일 수 있다.A second insulating layer 105 may be disposed on the gate electrode 136 . A second insulating layer 105 is silicon oxide (SiO 2), silicon nitride (SiN x), silicon oxynitride (SiO X N Y), aluminum oxide (Al 2 O 3), titanium oxide (TiO 2), tantalum oxide (Ta 2 O 5 ), hafnium oxide (HfO 2 ), or zinc oxide (ZnO 2 ) It may include at least one inorganic insulating material selected from the group consisting of. The second insulating layer 105 may be a single layer or a multilayer including the aforementioned inorganic insulating material.

제1 절연층(103) 상에는 스토리지 커패시터(Cst)가 배치될 수 있다. 스토리지 커패시터(Cst)는 하부전극(144), 및 하부전극(144)과 중첩되는 상부전극(146)을 포함할 수 있다. 스토리지 커패시터(Cst)의 하부전극(144)과 상부전극(146)은 제2 절연층(105)을 사이에 두고 중첩될 수 있다.A storage capacitor Cst may be disposed on the first insulating layer 103 . The storage capacitor Cst may include a lower electrode 144 and an upper electrode 146 overlapping the lower electrode 144 . The lower electrode 144 and the upper electrode 146 of the storage capacitor Cst may overlap with the second insulating layer 105 interposed therebetween.

스토리지 커패시터(Cst)의 하부전극(144)은 박막트랜지스터(TFT)의 게이트전극(136)과 중첩되며, 스토리지 커패시터(Cst)의 하부전극(144)이 박막트랜지스터(TFT)의 게이트전극(136)과 일체(一體)로서 배치될 수 있다. 일 실시예로, 스토리지 커패시터(Cst)는 박막트랜지스터(TFT)와 중첩하지 않을 수 있으며, 스토리지 커패시터(Cst)의 하부전극(144)은 박막트랜지스터(TFT)의 게이트전극(136)과 별개의 독립된 구성요소일 수 있다.The lower electrode 144 of the storage capacitor Cst overlaps the gate electrode 136 of the thin film transistor TFT, and the lower electrode 144 of the storage capacitor Cst is the gate electrode 136 of the thin film transistor TFT. and may be disposed as one body. In an embodiment, the storage capacitor Cst may not overlap the thin film transistor TFT, and the lower electrode 144 of the storage capacitor Cst is independent from the gate electrode 136 of the thin film transistor TFT. It can be a component.

스토리지 커패시터(Cst)의 상부전극(146)은 알루미늄(Al), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 은(Ag), 마그네슘(Mg), 금(Au), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 이리듐(Ir), 크로뮴(Cr), 리튬(Li), 칼슘(Ca), 몰리브덴(Mo), 티타늄(Ti), 텅스텐(W), 및/또는 구리(Cu)를 포함할 수 있으며, 전술한 물질의 단일층 또는 다층일 수 있다.The upper electrode 146 of the storage capacitor Cst is formed of aluminum (Al), platinum (Pt), palladium (Pd), silver (Ag), magnesium (Mg), gold (Au), nickel (Ni), and neodymium (Nd). ), iridium (Ir), chromium (Cr), lithium (Li), calcium (Ca), molybdenum (Mo), titanium (Ti), tungsten (W), and/or copper (Cu), It may be a single layer or multiple layers of the aforementioned materials.

스토리지 커패시터(Cst)의 상부전극(146) 상에는 제3 절연층(107)이 배치될 수 있다. 제3 절연층(107)은 실리콘산화물(SiO2), 실리콘질화물(SiNx), 실리콘산질화물(SiOXNY), 알루미늄산화물(Al2O3), 티타늄산화물(TiO2), 탄탈산화물(Ta2O5), 하프늄산화물(HfO2) 또는 아연산화물(ZnO2)을 포함하는 그룹에서 선택된 적어도 하나 이상의 무기 절연물을 포함할 수 있다. 제3 절연층(107)은 전술한 무기 절연물을 포함하는 단일층 또는 다층일 수 있다.A third insulating layer 107 may be disposed on the upper electrode 146 of the storage capacitor Cst. The third insulating layer 107 is silicon oxide (SiO 2), silicon nitride (SiN x), silicon oxynitride (SiO X N Y), aluminum oxide (Al 2 O 3), titanium oxide (TiO 2), tantalum oxide (Ta 2 O 5 ), hafnium oxide (HfO 2 ), or zinc oxide (ZnO 2 ) It may include at least one inorganic insulating material selected from the group consisting of. The third insulating layer 107 may be a single layer or a multilayer including the aforementioned inorganic insulating material.

제3 절연층(107) 상에는 연결전극인 소스전극(137), 및 드레인전극(138)이 배치될 수 있다. 소스전극(137), 및 드레인전극(138)은 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 구리(Cu), 티타늄(Ti) 등을 포함하는 도전 물질을 포함할 수 있고, 상기의 재료를 포함하는 다층 또는 단층으로 형성될 수 있다. 소스전극(137), 및 드레인전극(138)은 Ti/Al/Ti의 다층 구조로 이루어질 수 있다.A source electrode 137 and a drain electrode 138 serving as connection electrodes may be disposed on the third insulating layer 107 . The source electrode 137 and the drain electrode 138 may include a conductive material including molybdenum (Mo), aluminum (Al), copper (Cu), titanium (Ti), etc. It may be formed in multiple layers or a single layer. The source electrode 137 and the drain electrode 138 may have a multilayer structure of Ti/Al/Ti.

소스전극(137), 및 드레인전극(138) 상에는 제1 평탄화층(111)이 배치될 수 있다. 제1 평탄화층(111)은 유기 물질 또는 무기 물질로 이루어진 막이 단층 또는 다층으로 형성될 수 있다. 일 실시예로, 제1 평탄화층(111)은 벤조시클로부텐(Benzocyclobutene, BCB), 폴리이미드(polyimide, PI), 헥사메틸디실록산(Hexamethyldisiloxane, HMDSO), 폴리메틸 메타크릴레이트(Polymethy lmethacrylate, PMMA)나, 폴리스타이렌(Polystyrene, PS)과 같은 일반 범용고분자, 페놀계 그룹을 갖는 고분자 유도체, 아크릴계 고분자, 이미드계 고분자, 아릴에테르계 고분자, 아마이드계 고분자, 불소계고분자, p-자일렌계 고분자, 비닐알콜계 고분자 및 이들의 블렌드 등을 포함할 수 있다. 한편, 제1 평탄화층(111)은 실리콘산화물(SiO2), 실리콘질화물(SiNx), 실리콘산질화물(SiOXNY), 알루미늄산화물(Al2O3), 티타늄산화물(TiO2), 탄탈산화물(Ta2O5), 하프늄산화물(HfO2) 또는 아연산화물(ZnO2)등을 포함할 수 있다. 제1 평탄화층(111)을 형성한 후, 평탄한 상면을 제공하기 위해서 화학적 기계적 폴리싱이 수행될 수 있다.A first planarization layer 111 may be disposed on the source electrode 137 and the drain electrode 138 . The first planarization layer 111 may be formed as a single layer or a multilayer film made of an organic material or an inorganic material. In one embodiment, the first planarization layer 111 is benzocyclobutene (BCB), polyimide (PI), hexamethyldisiloxane (HMDSO), polymethyl methacrylate (Polymethy lmethacrylate, PMMA) ), general-purpose polymers such as polystyrene (PS), polymer derivatives with phenolic groups, acrylic polymers, imide-based polymers, arylether-based polymers, amide-based polymers, fluorine-based polymers, p-xylene-based polymers, vinyl alcohol polymers and blends thereof, and the like. On the other hand, the first planarizing layer 111 is a silicon oxide (SiO 2), silicon nitride (SiN x), silicon oxynitride (SiO X N Y), aluminum oxide (Al 2 O 3), titanium oxide (TiO 2), It may include tantalum oxide (Ta 2 O 5 ), hafnium oxide (HfO 2 ), or zinc oxide (ZnO 2 ). After the first planarization layer 111 is formed, chemical mechanical polishing may be performed to provide a flat top surface.

제1 평탄화층(111) 상에는 컨택메탈층(CM)이 배치될 수 있다. 컨택메탈층(CM)은 알루미늄(Al), 구리(Cu), 티타늄(Ti) 등을 포함하며, 다층 또는 단층으로 형성될 수 있다. 컨택메탈층(CM)은 Ti/Al/Ti의 다층 구조로 이루어질 수 있다.A contact metal layer CM may be disposed on the first planarization layer 111 . The contact metal layer CM includes aluminum (Al), copper (Cu), titanium (Ti), and the like, and may be formed as a multi-layer or a single layer. The contact metal layer CM may have a multilayer structure of Ti/Al/Ti.

컨택메탈층(CM) 상에는 제2 평탄화층(113)이 배치될 수 있다. 제2 평탄화층(113)은 유기 물질 또는 무기 물질로 이루어진 막이 단층 또는 다층으로 형성될 수 있다. 일 실시예로, 제2 평탄화층(113)은 벤조시클로부텐(Benzocyclobutene, BCB), 폴리이미드(polyimide, PI), 헥사메틸디실록산(Hexamethyldisiloxane, HMDSO), 폴리메틸 메타크릴레이트(Poly(methy lmethacrylate), PMMA)나, 폴리스타이렌(Polystyrene, PS)과 같은 일반 범용고분자, 페놀계 그룹을 갖는 고분자 유도체, 아크릴계 고분자, 이미드계 고분자, 아릴에테르계 고분자, 아마이드계 고분자, 불소계고분자, p-자일렌계 고분자, 비닐알콜계 고분자 및 이들의 블렌드 등을 포함할 수 있다. 한편, 제2 평탄화층(113)은 실리콘산화물(SiO2), 실리콘질화물(SiNx), 실리콘산질화물(SiOXNY), 알루미늄산화물(Al2O3), 티타늄산화물(TiO2), 탄탈산화물(Ta2O5), 하프늄산화물(HfO2) 또는 아연산화물(ZnO2)등을 포함할 수 있다. 제2 평탄화층(113)을 형성한 후, 평탄한 상면을 제공하기 위해서 화학적 기계적 폴리싱이 수행될 수 있다. 일 실시예로, 제2 평탄화층(113)은 생략될 수 있다.A second planarization layer 113 may be disposed on the contact metal layer CM. The second planarization layer 113 may be formed as a single layer or a multilayer film made of an organic material or an inorganic material. In an embodiment, the second planarization layer 113 may include benzocyclobutene (BCB), polyimide (PI), hexamethyldisiloxane (HMDSO), and poly(methy lmethacrylate). ), PMMA), general-purpose polymers such as polystyrene (PS), polymer derivatives with phenolic groups, acrylic polymers, imide-based polymers, arylether-based polymers, amide-based polymers, fluorine-based polymers, p-xylene-based polymers , vinyl alcohol-based polymers and blends thereof, and the like. On the other hand, the second planarizing layer 113 of silicon oxide (SiO 2), silicon nitride (SiN x), silicon oxynitride (SiO X N Y), aluminum oxide (Al 2 O 3), titanium oxide (TiO 2), It may include tantalum oxide (Ta 2 O 5 ), hafnium oxide (HfO 2 ), or zinc oxide (ZnO 2 ). After the second planarization layer 113 is formed, chemical mechanical polishing may be performed to provide a flat top surface. In an embodiment, the second planarization layer 113 may be omitted.

제2 평탄화층(113) 상에는 화소전극(210), 중간층(220), 및 대향전극(230)을 포함하는 유기발광다이오드(OLED)가 배치될 수 있다. 화소전극(210)은 제2 평탄화층(113)을 관통하는 컨택홀을 통해 컨택메탈층(CM)과 전기적으로 연결되고, 컨택메탈층(CM)은 제1 평탄화층(111)을 관통하는 컨택홀을 통해 박막트랜지스터(TFT)의 연결전극인 소스전극(137), 및 드레인전극(138)과 전기적으로 연결되어, 유기발광다이오드(OLED)는 박막트랜지스터(TFT)와 전기적으로 연결될 수 있다.An organic light emitting diode (OLED) including a pixel electrode 210 , an intermediate layer 220 , and a counter electrode 230 may be disposed on the second planarization layer 113 . The pixel electrode 210 is electrically connected to the contact metal layer CM through a contact hole penetrating the second planarization layer 113 , and the contact metal layer CM is a contact penetrating the first planarization layer 111 . The organic light emitting diode OLED may be electrically connected to the thin film transistor TFT by being electrically connected to the source electrode 137 and the drain electrode 138 that are the connection electrodes of the thin film transistor TFT through the hole.

제2 평탄화층(113) 상에는 화소전극(210)이 배치될 수 있다. 화소전극(210)은 (반)투광성 전극 또는 반사 전극일 수 있다. 화소전극(210)은 알루미늄(Al), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 은(Ag), 마그네슘(Mg), 금(Au), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 이리듐(Ir), 크로뮴(Cr), 리튬(Li), 칼슘(Ca), 몰리브덴(Mo), 티타늄(Ti), 텅스텐(W), 구리(Cu) 및 이들의 화합물 등으로 형성된 반사막과, 반사막 상에 형성된 투명 또는 반투명 전극층을 구비할 수 있다. 투명 또는 반투명 전극층은 인듐틴산화물(ITO; indium tin oxide), 인듐아연산화물(IZO; indium zinc oxide), 아연산화물(ZnO; zinc oxide), 인듐산화물(In2O3; indium oxide), 인듐갈륨산화물(IGO; indium gallium oxide) 및 알루미늄아연산화물(AZO; aluminum zinc oxide)을 포함하는 그룹에서 선택된 적어도 하나 이상을 구비할 수 있다. 화소전극(210)은 ITO/Ag/ITO로 적층된 구조로 구비될 수 있다.A pixel electrode 210 may be disposed on the second planarization layer 113 . The pixel electrode 210 may be a (semi)transmissive electrode or a reflective electrode. The pixel electrode 210 includes aluminum (Al), platinum (Pt), palladium (Pd), silver (Ag), magnesium (Mg), gold (Au), nickel (Ni), neodymium (Nd), and iridium (Ir). , chromium (Cr), lithium (Li), calcium (Ca), molybdenum (Mo), titanium (Ti), tungsten (W), copper (Cu) and a reflective film formed of a compound thereof, and a transparent film formed on the reflective film Alternatively, a translucent electrode layer may be provided. The transparent or translucent electrode layer includes indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), zinc oxide (ZnO), indium oxide (In 2 O 3 ; indium oxide), and indium gallium. At least one selected from the group consisting of indium gallium oxide (IGO) and aluminum zinc oxide (AZO) may be included. The pixel electrode 210 may be provided in a stacked structure of ITO/Ag/ITO.

제2 평탄화층(113) 상에는 화소정의막(180)이 배치될 수 있으며, 화소정의막(180)은 화소전극(210)의 적어도 일부를 노출하는 개구를 가질 수 있다. 화소정의막(180)의 개구에 의해 노출된 영역을 발광영역(EA)으로 정의할 수 있다. 발광영역(EA)들의 주변은 비발광영역(NEA)으로서, 비발광영역(NEA)은 발광영역(EA)들을 둘러쌀 수 있다. 즉, 표시영역(DA)은 복수의 발광영역(EA)들 및 이들을 둘러싸는 비발광영역(NEA)을 포함할 수 있다. 화소정의막(180)은 화소전극(210) 상부의 대향전극(230) 사이의 거리를 증가시킴으로써, 화소전극(210)의 가장자리에서 아크 등이 발생하는 것을 방지할 수 있다. 화소정의막(180)은 예컨대, 폴리이미드, 폴리아마이드, 아크릴 수지, 벤조사이클로부텐, HMDSO(hexamethyldisiloxane) 및 페놀 수지 등과 같은 유기 절연 물질로, 스핀 코팅 등의 방법으로 형성될 수 있다.A pixel defining layer 180 may be disposed on the second planarization layer 113 , and the pixel defining layer 180 may have an opening exposing at least a portion of the pixel electrode 210 . An area exposed by the opening of the pixel defining layer 180 may be defined as the emission area EA. A periphery of the light-emitting areas EA may be a non-emission area NEA, and the non-emission area NEA may surround the light-emitting areas EA. That is, the display area DA may include a plurality of light-emitting areas EA and a non-emission area NEA surrounding them. The pixel defining layer 180 may prevent an arc from occurring at the edge of the pixel electrode 210 by increasing the distance between the counter electrode 230 on the pixel electrode 210 . The pixel defining layer 180 is made of, for example, an organic insulating material such as polyimide, polyamide, acrylic resin, benzocyclobutene, hexamethyldisiloxane (HMDSO), and phenol resin, and may be formed by spin coating or the like.

화소정의막(180)에 의해 적어도 일부가 노출된 화소전극(210) 상에는 중간층(220)이 배치될 수 있다. 중간층(220)은 발광층(220b)을 포함할 수 있으며, 발광층(220b)의 아래 및 위에는, 제1 기능층(220a), 및/또는 제2 기능층(220c)이 선택적으로 배치될 수 있다.The intermediate layer 220 may be disposed on the pixel electrode 210 at least partially exposed by the pixel defining layer 180 . The intermediate layer 220 may include an emission layer 220b, and a first functional layer 220a and/or a second functional layer 220c may be selectively disposed below and above the emission layer 220b.

일 실시예로, 중간층(220)은 화소정의막(180)에 의해 적어도 일부가 노출된 화소전극(210) 상에 형성될 수 있다. 보다 구체적으로, 중간층(220)의 발광층(220b)은 화소정의막(180)에 의해 적어도 일부가 노출된 화소전극(210) 상에 형성될 수 있다.In an embodiment, the intermediate layer 220 may be formed on the pixel electrode 210 at least partially exposed by the pixel defining layer 180 . More specifically, the emission layer 220b of the intermediate layer 220 may be formed on the pixel electrode 210 at least partially exposed by the pixel defining layer 180 .

제1 기능층(220a)은 정공 주입층(HIL: hole injection layer) 및/또는 정공 수송층(HTL: hole transport layer)을 포함할 수 있으며, 제2 기능층(220c)은 전자 수송층(ETL: electron transport layer) 및/또는 전자 주입층(EIL: electron injection layer)을 포함할 수 있다.The first functional layer 220a may include a hole injection layer (HIL) and/or a hole transport layer (HTL), and the second functional layer 220c is an electron transport layer (ETL). transport layer) and/or an electron injection layer (EIL).

발광층(220b)은 적색, 녹색, 청색, 또는 백색의 빛을 방출하는 형광 또는 인광 물질을 포함하는 유기물을 포함할 수 있다. 발광층(220b)은 저분자 유기물 또는 고분자 유기물일 수 있다.The emission layer 220b may include an organic material including a fluorescent or phosphorescent material emitting red, green, blue, or white light. The light emitting layer 220b may be formed of a low molecular weight organic material or a high molecular weight organic material.

발광층(220b)이 저분자 유기물을 포함할 경우, 중간층(220)은 홀 주입층, 홀 수송층, 발광층, 전자 수송층, 전자 주입층 등이 단일 혹은 복합의 구조로 적층된 구조를 가질 수 있으며, 저분자 유기물로 구리 프탈로시아닌(CuPc: copper phthalocyanine), N,N'-디(나프탈렌-1-일)-N,N'-디페닐-벤지딘(N,N'-Di(napthalene-1-yl)-N,N'-diphenyl-benzidine: NPB) , 트리스-8-하이드록시퀴놀린 알루미늄((tris-8-hydroxyquinoline aluminum)(Alq3)) 등을 비롯해 다양한 유기물질을 포함할 수 있다. 이러한 층들은 진공증착의 방법으로 형성될 수 있다.When the light emitting layer 220b includes a low molecular weight organic material, the intermediate layer 220 may have a structure in which a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer, an electron injection layer, etc. are stacked in a single or complex structure, and a low molecular weight organic material Copper phthalocyanine (CuPc: copper phthalocyanine), N,N'-di(naphthalen-1-yl)-N,N'-diphenyl-benzidine (N,N'-Di(napthalene-1-yl)-N, N'-diphenyl-benzidine: NPB) , tris-8-hydroxyquinoline aluminum ((tris-8-hydroxyquinoline aluminum) (Alq 3 )), and the like may include various organic substances. These layers can be formed by a method of vacuum deposition.

발광층(220b)이 고분자 유기물을 포함할 경우에는 중간층(220)은 대개 홀 수송층, 및 발광층(220b)을 포함하는 구조를 가질 수 있다. 이 때, 홀 수송층은 PEDOT을 포함하고, 발광층은 PPV(Poly-Phenylene vinylene)계 및 폴리플루오렌(Polyfluorene)계 등 고분자 물질을 포함할 수 있다. 이러한 발광층은 스크린 인쇄나 잉크젯 인쇄방법, 레이저열전사방법(LITI; Laser induced thermal imaging) 등으로 형성할 수 있다.When the light emitting layer 220b includes a polymer organic material, the intermediate layer 220 may have a structure including a hole transport layer and a light emitting layer 220b. In this case, the hole transport layer may include PEDOT, and the light emitting layer may include a polymer material such as poly-phenylene vinylene (PPV) and polyfluorene. The light emitting layer may be formed by screen printing, inkjet printing, laser induced thermal imaging (LITI), or the like.

중간층(220) 상에는 대향전극(230)이 배치될 수 있다. 일 실시예로, 표시 장치(1)의 대향전극(230)은 전술한 제조 장치(300, 도 1)를 이용하여 중간층(220) 상에 형성될 수 있다. 대향전극(230)은 중간층(220) 상에 배치되되, 중간층(220)의 전부를 덮는 형태로 배치될 수 있다. 대향전극(230)은 표시영역(DA) 상부에 배치되되, 표시영역(DA)의 전부를 덮는 형태로 배치될 수 있다. 즉, 대향전극(230)은 오픈 마스크를 이용하여 표시영역(DA)에 배치된 복수의 화소(P)들을 커버하도록 표시 패널 전체에 일체(一體)로 형성될 수 있다.The counter electrode 230 may be disposed on the intermediate layer 220 . In an embodiment, the counter electrode 230 of the display device 1 may be formed on the intermediate layer 220 using the above-described manufacturing device 300 ( FIG. 1 ). The counter electrode 230 is disposed on the intermediate layer 220 , and may be disposed to cover the entirety of the intermediate layer 220 . The counter electrode 230 is disposed on the display area DA, and may be disposed to cover the entire display area DA. That is, the counter electrode 230 may be integrally formed throughout the display panel to cover the plurality of pixels P disposed in the display area DA using an open mask.

대향전극(230)은 일함수가 낮은 도전성 물질을 포함할 수 있다. 예컨대, 대향전극(230)은 은(Ag), 마그네슘(Mg), 알루미늄(Al), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 금(Au), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 이리듐(Ir), 크로뮴(Cr), 리튬(Li), 칼슘(Ca) 또는 이들의 합금 등을 포함하는 (반)투명층을 포함할 수 있다. 또는, 대향전극(230)은 전술한 물질을 포함하는 (반)투명층 상에 ITO, IZO, ZnO 또는 In2O3과 같은 층을 더 포함할 수 있다.The counter electrode 230 may include a conductive material having a low work function. For example, the counter electrode 230 may include silver (Ag), magnesium (Mg), aluminum (Al), platinum (Pt), palladium (Pd), gold (Au), nickel (Ni), neodymium (Nd), iridium ( Ir), chromium (Cr), lithium (Li), calcium (Ca), or an alloy thereof may include a (semi) transparent layer. Alternatively, the counter electrode 230 may further include a layer such as ITO, IZO, ZnO, or In 2 O 3 on the (semi)transparent layer including the aforementioned material.

일 실시예에 따르면, 표시 장치에서, 스플래쉬(Splash) 불량으로 인해 증착 균일성이 저하되는 등의 문제점등을 해결하기 위하여, 도가니(410) 내에 수용된 증착 물질(450)의 표면(451)에 커버(460)를 배치함으로써, 증착 물질 내부에서 발생한 기포로 인해 스플래쉬(Splash) 불량이 발생하는 것을 방지하고, 노즐에 응결된 증착 물질이 낙하하여 스플래쉬(Splash) 불량이 발생하는 것을 방지하여 증착 균일도를 향상시킬 수 있다.According to an embodiment, in the display device, in order to solve problems such as a decrease in deposition uniformity due to a splash defect, a cover on the surface 451 of the deposition material 450 accommodated in the crucible 410 . By disposing the 460, it is possible to prevent a splash defect from occurring due to air bubbles generated inside the deposition material, and to prevent a splash failure from occurring due to the deposition material condensed on the nozzle falling, thereby improving deposition uniformity. can be improved

본 발명은 도면에 도시된 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 다른 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것이다.Although the present invention has been described with reference to the embodiments shown in the drawings, which are merely exemplary, those skilled in the art will understand that various modifications and equivalent other embodiments are possible therefrom. Therefore, the true technical protection scope of the present invention should be determined by the technical spirit of the appended claims.

1: 표시 장치
100: 기판
300: 제조 장치
400: 증착원
410: 도가니
430: 노즐
450: 증착 물질
460: 커버
1: display device
100: substrate
300: manufacturing device
400: evaporation source
410: crucible
430: nozzle
450: deposition material
460: cover

Claims (20)

증착 물질이 수용되는 도가니;
상기 도가니의 일측에 배치되어 상기 증착 물질이 기판을 향하여 분사되는 경로를 가이드하는 노즐; 및
상기 도가니에 수용된 상기 증착 물질의 표면에 배치되는 커버;
를 구비하는, 표시 장치의 제조 장치.
a crucible containing a deposition material;
a nozzle disposed on one side of the crucible to guide a path through which the deposition material is sprayed toward the substrate; and
a cover disposed on the surface of the deposition material accommodated in the crucible;
A manufacturing apparatus for a display device comprising:
제1항에 있어서,
상기 커버는 상기 도가니에 수용된 상기 증착 물질의 표면에 직접 배치되는, 표시 장치의 제조 장치.
According to claim 1,
and the cover is disposed directly on a surface of the deposition material accommodated in the crucible.
제1항에 있어서,
상기 도가니에 수용된 상기 증착 물질은 제1 면적을 가지고, 상기 커버는 상기 제1 면적보다 작은 제2 면적을 가지는, 표시 장치의 제조 장치.
According to claim 1,
The deposition material accommodated in the crucible has a first area, and the cover has a second area smaller than the first area.
제3항에 있어서,
상기 커버는 상기 도가니에 수용된 상기 증착 물질의 표면의 적어도 일부를 노출시키는, 표시 장치의 제조 장치.
4. The method of claim 3,
and the cover exposes at least a portion of a surface of the deposition material accommodated in the crucible.
제4항에 있어서,
상기 적어도 일부가 노출된 상기 증착 물질의 표면은 상기 증착 물질의 표면의 총 면적의 10% 내지 50%인, 표시 장치의 제조 장치.
5. The method of claim 4,
The surface of the deposition material to which the at least part is exposed is 10% to 50% of a total area of the surface of the deposition material.
제1항에 있어서,
상기 도가니에 수용된 상기 증착 물질은 제1 비중을 가지고, 상기 커버는 상기 제1 비중보다 작은 제2 비중을 가지는, 표시 장치의 제조 장치.
According to claim 1,
The deposition material accommodated in the crucible has a first specific gravity, and the cover has a second specific gravity smaller than the first specific gravity.
제1항에 있어서,
상기 도가니에 수용된 상기 증착 물질은 은(Ag)을 포함하는, 표시 장치의 제조 장치.
According to claim 1,
The deposition material accommodated in the crucible includes silver (Ag).
제1항에 있어서,
상기 커버는 탄소, 흑연, 열분해 질화붕소, 열분해 흑연, 및 뮬라이트 중 적어도 하나의 물질을 포함하는, 표시 장치의 제조 장치.
According to claim 1,
and the cover includes at least one of carbon, graphite, pyrolytic boron nitride, pyrolytic graphite, and mullite.
제1항에 있어서,
상기 커버는 원형 형상으로 구비되는, 표시 장치의 제조 장치.
According to claim 1,
The cover is provided in a circular shape.
제1항에 있어서,
상기 커버는 다각형 형상으로 구비되는, 표시 장치의 제조 장치.
According to claim 1,
and the cover is provided in a polygonal shape.
제1항에 있어서,
상기 커버는 상기 노즐과 마주보는 표면에 요철이 형성된, 표시 장치의 제조 장치.
According to claim 1,
and wherein the cover has irregularities formed on a surface facing the nozzle.
제1항에 있어서,
상기 도가니는 원통형 형상으로 구비되는, 표시 장치의 제조 장치.
According to claim 1,
The crucible is provided in a cylindrical shape.
제1항에 있어서,
상기 도가니에 수용된 상기 증착 물질을 가열시키는 히터를 더 포함하는, 표시 장치의 제조 장치.
According to claim 1,
and a heater configured to heat the deposition material accommodated in the crucible.
제13항에 있어서,
상기 도가니에 수용된 상기 증착 물질은 상기 히터에 의해 가열되어 상기 기판을 향하여 분사되는, 표시 장치의 제조 장치.
14. The method of claim 13,
and the deposition material accommodated in the crucible is heated by the heater and sprayed toward the substrate.
개구를 포함하는 마스크;
증착 물질이 수용되는 도가니;
상기 도가니의 일측에 배치되어 상기 증착 물질이 기판을 향하여 분사되는 경로를 가이드하는 노즐; 및
상기 도가니에 수용된 상기 증착 물질의 표면에 배치되는 커버;
를 구비하고,
상기 도가니에 수용된 상기 증착 물질은 상기 노즐을 통해 분사되고 상기 개구를 통과하여 상기 기판에 증착되는, 표시 장치의 제조 장치.
a mask comprising an opening;
a crucible containing a deposition material;
a nozzle disposed on one side of the crucible to guide a path through which the deposition material is sprayed toward the substrate; and
a cover disposed on the surface of the deposition material accommodated in the crucible;
to provide
The deposition material accommodated in the crucible is sprayed through the nozzle and passed through the opening to be deposited on the substrate.
제15항에 있어서,
상기 커버는 상기 도가니에 수용된 상기 증착 물질의 표면에 직접 배치되는, 표시 장치의 제조 장치.
16. The method of claim 15,
and the cover is disposed directly on a surface of the deposition material accommodated in the crucible.
제15항에 있어서,
상기 도가니에 수용된 상기 증착 물질의 표면은 제1 면적을 가지고, 상기 커버는 상기 제1 면적보다 작은 제2 면적을 가지는, 표시 장치의 제조 장치.
16. The method of claim 15,
A surface of the deposition material accommodated in the crucible has a first area, and the cover has a second area that is smaller than the first area.
제15항에 있어서,
상기 도가니에 수용된 상기 증착 물질은 제1 비중을 가지고, 상기 커버는 상기 제1 비중보다 작은 제2 비중을 가지는, 표시 장치의 제조 장치.
16. The method of claim 15,
The deposition material accommodated in the crucible has a first specific gravity, and the cover has a second specific gravity smaller than the first specific gravity.
제15항에 있어서,
상기 도가니에 수용된 상기 증착 물질은 은(Ag)을 포함하는, 표시 장치의 제조 장치.
16. The method of claim 15,
The deposition material accommodated in the crucible includes silver (Ag).
제15항에 있어서,
상기 커버는 탄소, 흑연, 열분해 질화붕소, 열분해 흑연, 및 뮬라이트 중 적어도 하나의 물질을 포함하는, 표시 장치의 제조 장치.
16. The method of claim 15,
and the cover includes at least one of carbon, graphite, pyrolytic boron nitride, pyrolytic graphite, and mullite.
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