KR20210158209A - 유기전자장치용 봉지재 및 이를 포함하는 유기전자장치 - Google Patents
유기전자장치용 봉지재 및 이를 포함하는 유기전자장치 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20210158209A KR20210158209A KR1020200076682A KR20200076682A KR20210158209A KR 20210158209 A KR20210158209 A KR 20210158209A KR 1020200076682 A KR1020200076682 A KR 1020200076682A KR 20200076682 A KR20200076682 A KR 20200076682A KR 20210158209 A KR20210158209 A KR 20210158209A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- encapsulant
- electronic device
- organic electronic
- weight
- layer
- Prior art date
Links
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 title claims abstract description 86
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 135
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 135
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims abstract description 35
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 34
- 239000002250 absorbent Substances 0.000 claims abstract description 21
- 230000002745 absorbent Effects 0.000 claims abstract description 21
- 239000008393 encapsulating agent Substances 0.000 claims description 174
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims description 47
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 44
- 230000035515 penetration Effects 0.000 claims description 38
- 239000003999 initiator Substances 0.000 claims description 33
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 23
- 125000003342 alkenyl group Chemical group 0.000 claims description 10
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 claims description 7
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims description 5
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 claims description 5
- 238000012360 testing method Methods 0.000 claims description 5
- 230000008569 process Effects 0.000 abstract description 13
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 13
- 239000010409 thin film Substances 0.000 abstract description 8
- 230000007547 defect Effects 0.000 abstract description 7
- 239000012535 impurity Substances 0.000 abstract description 7
- 230000032798 delamination Effects 0.000 abstract description 5
- 238000001723 curing Methods 0.000 description 49
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 30
- 239000002274 desiccant Substances 0.000 description 27
- 239000000463 material Substances 0.000 description 20
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 19
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 18
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 16
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 16
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 15
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 15
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 15
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 15
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 15
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 13
- -1 polyethylene Polymers 0.000 description 12
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 11
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 10
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 8
- 230000008859 change Effects 0.000 description 8
- 239000010408 film Substances 0.000 description 8
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 6
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 6
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 6
- ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N Calcium oxide Chemical compound [Ca]=O ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 5
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 5
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 5
- RSWGJHLUYNHPMX-UHFFFAOYSA-N Abietic-Saeure Natural products C12CCC(C(C)C)=CC2=CCC2C1(C)CCCC2(C)C(O)=O RSWGJHLUYNHPMX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- RRHGJUQNOFWUDK-UHFFFAOYSA-N Isoprene Chemical compound CC(=C)C=C RRHGJUQNOFWUDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- KHPCPRHQVVSZAH-HUOMCSJISA-N Rosin Natural products O(C/C=C/c1ccccc1)[C@H]1[C@H](O)[C@@H](O)[C@@H](O)[C@@H](CO)O1 KHPCPRHQVVSZAH-HUOMCSJISA-N 0.000 description 4
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 4
- XJHCXCQVJFPJIK-UHFFFAOYSA-M caesium fluoride Chemical compound [F-].[Cs+] XJHCXCQVJFPJIK-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 4
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 4
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 4
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 4
- 238000010025 steaming Methods 0.000 description 4
- KHPCPRHQVVSZAH-UHFFFAOYSA-N trans-cinnamyl beta-D-glucopyranoside Natural products OC1C(O)C(O)C(CO)OC1OCC=CC1=CC=CC=C1 KHPCPRHQVVSZAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000005856 abnormality Effects 0.000 description 3
- BRPQOXSCLDDYGP-UHFFFAOYSA-N calcium oxide Chemical compound [O-2].[Ca+2] BRPQOXSCLDDYGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000292 calcium oxide Substances 0.000 description 3
- 239000002775 capsule Substances 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 3
- 150000001993 dienes Chemical class 0.000 description 3
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 3
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 3
- 229920005604 random copolymer Polymers 0.000 description 3
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 3
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 3
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CSNNHWWHGAXBCP-UHFFFAOYSA-L Magnesium sulfate Chemical compound [Mg+2].[O-][S+2]([O-])([O-])[O-] CSNNHWWHGAXBCP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N Phosphine Natural products P XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- 229920002367 Polyisobutene Polymers 0.000 description 2
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 2
- 239000004820 Pressure-sensitive adhesive Substances 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 101710137710 Thioesterase 1/protease 1/lysophospholipase L1 Proteins 0.000 description 2
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000003848 UV Light-Curing Methods 0.000 description 2
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 2
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 2
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OSGAYBCDTDRGGQ-UHFFFAOYSA-L calcium sulfate Chemical compound [Ca+2].[O-]S([O-])(=O)=O OSGAYBCDTDRGGQ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 2
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 2
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 2
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 2
- 238000001879 gelation Methods 0.000 description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 2
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 2
- 238000011068 loading method Methods 0.000 description 2
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 2
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 2
- 229910000073 phosphorus hydride Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 229920005672 polyolefin resin Polymers 0.000 description 2
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 2
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 2
- JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N tellanylidenegermanium Chemical compound [Te]=[Ge] JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000003505 terpenes Chemical class 0.000 description 2
- 235000007586 terpenes Nutrition 0.000 description 2
- OBOSXEWFRARQPU-UHFFFAOYSA-N 2-n,2-n-dimethylpyridine-2,5-diamine Chemical compound CN(C)C1=CC=C(N)C=N1 OBOSXEWFRARQPU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CXMYWOCYTPKBPP-UHFFFAOYSA-N 3-(3-hydroxypropylamino)propan-1-ol Chemical compound OCCCNCCCO CXMYWOCYTPKBPP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M Acrylate Chemical compound [O-]C(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- VOZDORDSKQWLSK-UHFFFAOYSA-N C1(=CC=CC=C1)C(C(=O)O)=O.C(C=O)(=O)OC1=CC=CC=C1 Chemical compound C1(=CC=CC=C1)C(C(=O)O)=O.C(C=O)(=O)OC1=CC=CC=C1 VOZDORDSKQWLSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UXVMQQNJUSDDNG-UHFFFAOYSA-L Calcium chloride Chemical compound [Cl-].[Cl-].[Ca+2] UXVMQQNJUSDDNG-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- XTEGARKTQYYJKE-UHFFFAOYSA-M Chlorate Chemical class [O-]Cl(=O)=O XTEGARKTQYYJKE-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910020366 ClO 4 Inorganic materials 0.000 description 1
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TWRXJAOTZQYOKJ-UHFFFAOYSA-L Magnesium chloride Chemical compound [Mg+2].[Cl-].[Cl-] TWRXJAOTZQYOKJ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- MPCRDALPQLDDFX-UHFFFAOYSA-L Magnesium perchlorate Chemical compound [Mg+2].[O-]Cl(=O)(=O)=O.[O-]Cl(=O)(=O)=O MPCRDALPQLDDFX-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 101100496858 Mus musculus Colec12 gene Proteins 0.000 description 1
- 229910019800 NbF 5 Inorganic materials 0.000 description 1
- 241000080590 Niso Species 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 206010039729 Scotoma Diseases 0.000 description 1
- PMZURENOXWZQFD-UHFFFAOYSA-L Sodium Sulfate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]S([O-])(=O)=O PMZURENOXWZQFD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 238000005411 Van der Waals force Methods 0.000 description 1
- 229910021536 Zeolite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011358 absorbing material Substances 0.000 description 1
- 239000004840 adhesive resin Substances 0.000 description 1
- 229920006223 adhesive resin Polymers 0.000 description 1
- 125000002947 alkylene group Chemical group 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- SGUXGJPBTNFBAD-UHFFFAOYSA-L barium iodide Chemical compound [I-].[I-].[Ba+2] SGUXGJPBTNFBAD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N barium oxide Chemical compound [Ba]=O QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OOULUYZFLXDWDQ-UHFFFAOYSA-L barium perchlorate Chemical compound [Ba+2].[O-]Cl(=O)(=O)=O.[O-]Cl(=O)(=O)=O OOULUYZFLXDWDQ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 230000003139 buffering effect Effects 0.000 description 1
- LYQFWZFBNBDLEO-UHFFFAOYSA-M caesium bromide Chemical compound [Br-].[Cs+] LYQFWZFBNBDLEO-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 1
- WGEFECGEFUFIQW-UHFFFAOYSA-L calcium dibromide Chemical compound [Ca+2].[Br-].[Br-] WGEFECGEFUFIQW-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- KTVIXTQDYHMGHF-UHFFFAOYSA-L cobalt(2+) sulfate Chemical compound [Co+2].[O-]S([O-])(=O)=O KTVIXTQDYHMGHF-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- ORTQZVOHEJQUHG-UHFFFAOYSA-L copper(II) chloride Chemical compound Cl[Cu]Cl ORTQZVOHEJQUHG-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 1
- 239000003431 cross linking reagent Substances 0.000 description 1
- GUJOJGAPFQRJSV-UHFFFAOYSA-N dialuminum;dioxosilane;oxygen(2-);hydrate Chemical compound O.[O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3].O=[Si]=O.O=[Si]=O.O=[Si]=O.O=[Si]=O GUJOJGAPFQRJSV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000113 differential scanning calorimetry Methods 0.000 description 1
- XUCJHNOBJLKZNU-UHFFFAOYSA-M dilithium;hydroxide Chemical compound [Li+].[Li+].[OH-] XUCJHNOBJLKZNU-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- HNPSIPDUKPIQMN-UHFFFAOYSA-N dioxosilane;oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Si]=O.O=[Al]O[Al]=O HNPSIPDUKPIQMN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YWEUIGNSBFLMFL-UHFFFAOYSA-N diphosphonate Chemical compound O=P(=O)OP(=O)=O YWEUIGNSBFLMFL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- UHESRSKEBRADOO-UHFFFAOYSA-N ethyl carbamate;prop-2-enoic acid Chemical compound OC(=O)C=C.CCOC(N)=O UHESRSKEBRADOO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920005570 flexible polymer Polymers 0.000 description 1
- SBDRYJMIQMDXRH-UHFFFAOYSA-N gallium;sulfuric acid Chemical compound [Ga].OS(O)(=O)=O SBDRYJMIQMDXRH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- AMXOYNBUYSYVKV-UHFFFAOYSA-M lithium bromide Chemical compound [Li+].[Br-] AMXOYNBUYSYVKV-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- INHCSSUBVCNVSK-UHFFFAOYSA-L lithium sulfate Inorganic materials [Li+].[Li+].[O-]S([O-])(=O)=O INHCSSUBVCNVSK-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 1
- OTCKOJUMXQWKQG-UHFFFAOYSA-L magnesium bromide Chemical compound [Mg+2].[Br-].[Br-] OTCKOJUMXQWKQG-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- BLQJIBCZHWBKSL-UHFFFAOYSA-L magnesium iodide Chemical compound [Mg+2].[I-].[I-] BLQJIBCZHWBKSL-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910052943 magnesium sulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000019341 magnesium sulphate Nutrition 0.000 description 1
- 229910001507 metal halide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000005309 metal halides Chemical class 0.000 description 1
- 229910052901 montmorillonite Inorganic materials 0.000 description 1
- LGQLOGILCSXPEA-UHFFFAOYSA-L nickel sulfate Chemical compound [Ni+2].[O-]S([O-])(=O)=O LGQLOGILCSXPEA-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910000363 nickel(II) sulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- AOLPZAHRYHXPLR-UHFFFAOYSA-I pentafluoroniobium Chemical compound F[Nb](F)(F)(F)F AOLPZAHRYHXPLR-UHFFFAOYSA-I 0.000 description 1
- 239000003208 petroleum Substances 0.000 description 1
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 1
- DLYUQMMRRRQYAE-UHFFFAOYSA-N phosphorus pentoxide Inorganic materials O1P(O2)(=O)OP3(=O)OP1(=O)OP2(=O)O3 DLYUQMMRRRQYAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- KKCBUQHMOMHUOY-UHFFFAOYSA-N sodium oxide Chemical compound [O-2].[Na+].[Na+] KKCBUQHMOMHUOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052938 sodium sulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000011152 sodium sulphate Nutrition 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001631 strontium chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- AHBGXTDRMVNFER-UHFFFAOYSA-L strontium dichloride Chemical compound [Cl-].[Cl-].[Sr+2] AHBGXTDRMVNFER-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 150000003467 sulfuric acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- YRGLXIVYESZPLQ-UHFFFAOYSA-I tantalum pentafluoride Chemical compound F[Ta](F)(F)(F)F YRGLXIVYESZPLQ-UHFFFAOYSA-I 0.000 description 1
- RBTVSNLYYIMMKS-UHFFFAOYSA-N tert-butyl 3-aminoazetidine-1-carboxylate;hydrochloride Chemical compound Cl.CC(C)(C)OC(=O)N1CC(N)C1 RBTVSNLYYIMMKS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HDUMBHAAKGUHAR-UHFFFAOYSA-J titanium(4+);disulfate Chemical compound [Ti+4].[O-]S([O-])(=O)=O.[O-]S([O-])(=O)=O HDUMBHAAKGUHAR-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
- TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K tri(quinolin-8-yloxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- ZOYIPGHJSALYPY-UHFFFAOYSA-K vanadium(iii) bromide Chemical compound [V+3].[Br-].[Br-].[Br-] ZOYIPGHJSALYPY-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010457 zeolite Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/842—Containers
- H10K50/8426—Peripheral sealing arrangements, e.g. adhesives, sealants
-
- H01L51/5246—
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
- C08F2/00—Processes of polymerisation
- C08F2/46—Polymerisation initiated by wave energy or particle radiation
- C08F2/48—Polymerisation initiated by wave energy or particle radiation by ultraviolet or visible light
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
- C08K5/00—Use of organic ingredients
- C08K5/0008—Organic ingredients according to more than one of the "one dot" groups of C08K5/01 - C08K5/59
- C08K5/0025—Crosslinking or vulcanising agents; including accelerators
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
- C08L15/00—Compositions of rubber derivatives
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
- C08L9/00—Compositions of homopolymers or copolymers of conjugated diene hydrocarbons
-
- H01L2251/55—
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2101/00—Properties of the organic materials covered by group H10K85/00
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Medicinal Chemistry (AREA)
- Polymers & Plastics (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
본 발명은 유기전자장치용 봉지재 및 이를 포함하는 유기전자장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 유기전자장치에 수분, 불순물 등의 불량원인 물질이 접근하지 못하도록 제거 및 차단하고, 수분이 제거될 때 발생할 수 있는 층간 박리현상이 일어나지 않는 동시에 내습성 및 내열성이 우수한 효과가 있으며, 박막봉지공정(Thin Film Encapsulation)에 있어서 상온에서도 유기전자장치와 봉지재간의 합착이 우수한 유기전자장치용 봉지재 및 이를 포함하는 유기전자장치에 관한 것이다.
Description
본 발명은 유기전자장치용 봉지재 및 이를 포함하는 유기전자장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 유기전자장치에 수분, 불순물 등의 불량원인 물질이 접근하지 못하도록 제거 및 차단하고, 수분이 제거될 때 발생할 수 있는 층간 박리현상이 일어나지 않는 동시에 내습성 및 내열성이 우수한 효과가 있으며, 박막봉지공정(Thin Film Encapsulation)에 있어서 상온에서도 유기전자장치와 봉지재간의 합착이 우수한 유기전자장치용 봉지재 및 이를 포함하는 유기전자장치에 관한 것이다.
유기발광다이오드(OLED: Organic Light Emitting Diode)는 발광층이 박막의 유기 화합물로 이루어지는 발광 다이오드로서, 형광성 유기 화합물에 전류를 통과시켜 빛을 발생시키는 전계 발광 현상을 이용한다. 이러한 유기발광다이오드는 일반적으로 3색(Red, Green, Blue) 독립화소방식, 색변환 방식(CCM), 컬리 필터 방식 등으로 주요 컬러를 구현하며, 사용하는 발광재료에 포함된 유기물질의 양에 따라 저분자 유기발광다이오드와 고분자 유기발광다이오드로 구분된다. 또한, 구동방식에 따라 수동형 구동방식과 능동형 구동방식으로 구분될 수 있다.
이러한 유기발광다이오드는 자체 발광에 의한 고효율, 저전압 구동, 간단한 구동 등의 특징을 가지고 있어, 고화질의 동영상을 표현할 수 있는 장점이 있다. 또한, 유기물의 유연한 특성을 이용한 플렉서블 디스플레이 및 유기물 전자소자에 대한 응용도 기대되고 있는 실정이다.
유기발광다이오드는 기판 상에 발광층인 유기 화합물을 박막의 형태로 적층하는 형태로 제조된다. 그러나, 유기발광다이오드에 사용되는 유기 화합물은 불순물, 산소 및 수분에 매우 민감하여 외부 노출 또는 수분, 산소 침투에 의해 특성이 쉽게 열화되는 문제를 안고 있다. 이러한 유기물의 열화현상은 유기발광다이오드의 발광특성에 영향을 미치고, 수명을 단축시키게 된다. 이러한 현상을 방지하기 위하여 유기전자장치의 내부로 산소, 수분 등이 유입되는 것을 방지하기 위한 박막봉지공정(Thin Film Encapsulation)이 요구된다.
종래에는 금속 캔이나 유리를 홈을 가지도록 캡형태로 가공하여 그 홈에 수분 흡수를 위한 건습제를 파우더 형태로 탑재하였으나, 이러한 방법은 봉지된 유기전자장치로 투습을 목적하는 수준으로 제거하고, 유기전자장치에 수분, 불순물 등의 불량원인 물질이 접근하지 못하도록 차단하며, 수분이 제거될 때 발생할 수 있는 층간 박리현상이 일어나지 않고, 내습성 및 내열성이 우수한 효과를 동시에 가지기 어려운 문제가 있었다.
한편, 박막봉지공정(Thin Film Encapsulation)은 일반적으로 유기발광다이오드와 유기발광다이오드를 봉지하는 봉지재를 합착(=패키징)시키기 위해서, 40~60℃의 온도에서 공정이 진행된다. 그러나, 40~60℃의 온도에서 박막봉지공정이 진행된다면 기재 간 열팽창 계수(CTE) 차이에 의하여 휨(bending)이 발생하는 문제가 있었다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로, 본 발명의 해결하려는 과제는 유기전자장치에 수분, 불순물 등의 불량원인 물질이 접근하지 못하도록 제거 및 차단하고, 수분이 제거될 때 발생할 수 있는 층간 박리현상이 일어나지 않는 동시에 내습성 및 내열성이 우수한 효과가 있으며, 박막봉지공정에 있어서 상온에서도 유기전자장치와 봉지재간의 합착이 우수한 유기전자장치용 봉지재 및 이를 포함하는 유기전자장치를 제공하는데 있다.
상술한 과제를 해결하기 위하여, 본 발명의 유기전자장치용 봉지재는 봉지수지, 점착부여제 및 흡습제를 포함하여 형성된 봉지수지층을 포함할 수 있다.
본 발명의 바람직한 일실시예로서, 본 발명의 봉지수지층은 하기 관계식 1 및 2를 만족할 수 있다.
[관계식 1]
0.3㎛≤B-A2.0㎛
[관계식 2]
5%≤C≤45%
상기 관계식 1에 있어서, A는 나노인덴터(nano indentor)을 이용하여 25의 온도 조건에서 3mN/sec의 승압 속도로 30mN의 압력에 도달했을 때 측정한 경화된 상기 봉지수지층의 초기 인덴터 침투길이(㎛)이고, B는 30mN의 압력에 도달한 후, 상기 경화된 봉지수지층을 25℃에서 크리프(creep) 5초 유지한 후에 측정한 인덴터 침투길이(㎛)이며,
상기 관계식 2에 있어서, C는 하기 수학식 1에 의해 측정된 CIT이다.
[수학식 1]
상기 수학식 1에 있어서, A 및 B는 상기 관계식 1에서 정의된 바와 같다.
구체적으로, 상기 관계식 1에서 A 및 B는 아래와 같이 측정된 것이다.
봉지수지가 경화되어 형성된 봉지수지층을 25℃에서 나노인덴터를 이용하여 압입하되, 압력은 3mN/sec의 승압 속도로 최대 30mN까지 상승시킨다. A는 나노인덴터에 의한 압력이 30mN에 도달한 즉시 측정한 인덴터 침투길이(㎛)를 나타내며, 이를 초기 인덴터 침투길이라 한다.
나노인덴터에 의한 압력이 30mN에 도달한 후 25℃에서 상기 압력을 유지하고 있으면 봉지수지층에 크리프(creep) 현상이 일어나 침투 길이가 증가한다. 5초 동안 크리프 현상이 일어난 뒤에 침투길이를 측정한 것을 B라 한다.
본 발명의 바람직한 일실시예로서, 상기 관계식 1 및 2의 A는 4.1~12.1㎛ B는 4.6~12.6㎛일 수 있다.
본 발명은 상술한 과제를 해결하기 위한 다른 실시예로서, 봉지수지, 점착부여제 및 흡습제를 포함하여 형성된 봉지수지층을 포함하고,
상기 봉지수지층은 하기 관계식 3 및 4를 더 만족할 수 있다.
[관계식 3]
0.6㎛≤E-D≤3.0㎛
[관계식 4]
3%≤F≤40%
상기 관계식 3에 있어서, D는 나노인덴터(nano indentor)을 이용하여 50℃의 온도 조건에서 상술한 과제를 해결하기 위하여, 본 발명의 유기전자장치용 봉지재는 봉지수지, 점착부여제 및 흡습제를 포함하여 형성된 봉지수지층을 포함할 수 있다.
본 발명의 바람직한 일실시예로서, 본 발명의 봉지수지층은 하기 관계식 1 및 2를 만족할 수 있다.
[관계식 1]
0.3㎛≤B-A≤2.0㎛
[관계식 2]
5%≤C≤45%
상기 관계식 1에 있어서, A는 나노인덴터(nano indentor)을 이용하여 25℃의 온도 조건에서 3mN/sec의 승압 속도로 30mN의 압력에 도달했을 때 측정한 경화된 상기 봉지수지층의 초기 인덴터 침투길이(㎛)이고, B는 30mN의 압력에 도달한 후, 상기 경화된 봉지수지층을 25℃에서 크리프(creep) 5초 유지한 후에 측정한 인덴터 침투길이(㎛)이며,
상기 관계식 2에 있어서, C는 하기 수학식 1에 의해 측정된 CIT이다.
[수학식 1]
상기 수학식 1에 있어서, A 및 B는 상기 관계식 1에서 정의된 바와 같다.
구체적으로, 상기 관계식 1에서 A 및 B는 아래와 같이 측정된 것이다.
봉지수지가 경화되어 형성된 봉지수지층을 25℃에서 나노인덴터를 이용하여 압입하되, 압력은 3mN/sec의 승압 속도로 최대 30mN까지 상승시킨다. A는 나노인덴터에 의한 압력이 30mN에 도달한 즉시 측정한 인덴터 침투길이(㎛)를 나타내며, 이를 초기 인덴터 침투길이라 한다.
나노인덴터에 의한 압력이 30mN에 도달한 후 25℃에서 상기 압력을 유지하고 있으면 봉지수지층에 크리프(creep) 현상이 일어나 침투 길이가 증가한다. 5초 동안 크리프 현상이 일어난 뒤에 침투길이를 측정한 것을 B라 한다.
본 발명의 바람직한 일실시예로서, 상기 관계식 1 및 2의 A는 4.1~12.1㎛ B는 4.6~12.6㎛일 수 있다.
본 발명은 상술한 과제를 해결하기 위한 다른 실시예로서, 봉지수지, 점착부여제 및 흡습제를 포함하여 형성된 봉지수지층을 포함하고,
상기 봉지수지층은 하기 관계식 3 및 4를 만족하는 유기전자장치용 봉지재를 제공한다.
[관계식 3]
0.6㎛≤E-D≤3.0㎛
[관계식 4]
3%≤F≤40%
상기 관계식 3에 있어서, D는 나노인덴터(nano indentor)을 이용하여 50℃의 온도 조건에서 3mN/sec의 승압 속도로 30mN의 압력 도달 시 측정한 경화된 상기 봉지수지층의 초기 인덴터 침투길이(㎛)이고, E는 30mN의 압력에 도달한 후, 상기 경화된 봉지수지층을 50℃에서 크리프(creep) 5초 유지한 후에 측정한 인덴터 침투길이(㎛)이며,
상기 관계식 4에 있어서, F는 하기 수학식 2에 의해 측정된 CIT이다.
[수학식 2]
상기 수학식 2에 있어서, D 및 E는 상기 관계식 3에서 정의된 바와 같다.
구체적으로, 상기 관계식 3에서 D 및 E는 아래와 같이 측정된 것이다.
봉지수지가 경화되어 형성된 봉지수지층을 50℃에서 나노인덴터를 이용하여 압입하되, 압력은 3mN/sec의 승압 속도로 최대 30mN까지 상승시킨다. D는 나노인덴터에 의한 압력이 30mN에 도달한 즉시 측정한 인덴터 침투길이(㎛)를 나타내며, 이를 초기 인덴터 침투길이라 한다.
나노인덴터에 의한 압력이 30mN에 도달한 후 50℃에서 상기 압력을 유지하고 있으면 봉지수지층에 크리프(creep) 현상이 일어나 침투 길이가 증가한다. 5초 동안 크리프 현상이 일어난 뒤에 침투길이를 측정한 것을 E라 한다.
본 발명의 바람직한 일실시예로서, 상기 관계식 3 및 4의 D는 4.6~12.6㎛이고, E는 5.1~13.1㎛일 수 있다.
본 발명의 바람직한 일 실시예로서, 상기 봉지수지층은 하기 관계식 5를 더 만족할 수 있다.
[관계식 5]
상기 관계식 5에 있어서, A 및 B는 상기 관계식 1에서 정의된 바와 같고, D 및 E는 상기 관계식 3에서 정의된 바와 같다.
본 발명의 바람직한 일실시예로서, 본 발명의 봉지수지층은 하기 관계식 6을 더 만족할 수 있다.
[관계식 6]
0.5≤C/F≤2.0
상기 관계식 6에서, C는 상기 관계식 2에 정의된 바와 같고, F는 상기 관계식 4에서 정의된 바와 같다:
본 발명의 바람직한 일실시예로서, 본 발명의 봉지수지층은 하기 관계식 7을 더 만족할 수 있다.
[관계식 7]
1.1≤G/H≤4.0
상기 관계식 7에 있어서, G는 나노인덴터(nano indentor)를 이용하여 25℃의 온도 조건에서 3mN/sec의 승압 속도로 승압하며 30mN의 압력 도달 시 측정한 경화된 상기 봉지수지층의 복합 경도(N/㎟)이고, H는 50℃의 온도 조건에서 동일한 방법으로 측정한 복합 경도(N/㎟)이다.
본 발명의 바람직한 일실시예로서, 상기 G는 2.0~6.0 N/㎟이고, 상기 H는 0.5~3.5 N/㎟일 수 있다.
본 발명의 바람직한 일실시예로서, 본 발명의 봉지수지층은 하기 조건 (1) 및 (2)를 더 만족할 수 있다.
(1) 100≤I≤300
(2) 500≤J
상기 조건 (1)에 있어서, I는 ASTM D2979 규격(Probe Tack Test)에 따라 측정한 경화된 봉지수지층의 택포스(tack force, gf)이다.
상기 조건 (2)에 있어서, J는 UTM 장비를 이용하여 측정한 경화된 봉지수지층의 전단강도(shear strength, gf/6mm)이다.
본 발명의 바람직한 일실시예로서, 본 발명의 봉지수지층은 제1봉지수지층 및 상기 제1봉지수지층 일면에 형성된 제2봉지수지층을 포함할 수 있다.
본 발명의 바람직한 일실시예로서, 본 발명의 제1봉지수지층은 제1봉지수지층은 봉지수지 100 중량부에 대하여, 점착부여제 70~176 중량부 및 흡습제 6.0~11.2 중량부를 포함할 수 있다.
본 발명의 바람직한 일실시예로서, 본 발명의 제2봉지수지층은 봉지수지 100 중량부에 대하여, 점착부여제 57~107 중량부 및 흡습제 110~205 중량부를 포함할 수 있다.
본 발명의 바람직한 일실시예로서, 본 발명의 봉지수지는 하기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함할 수 있다.
[화학식 1]
상기 화학식 1에 있어서, R1은 수소원자, C3~C10의 직쇄형 알케닐기 또는 C4~C10의 분쇄형 알케닐기이고, n은 중량평균분자량 30,000~1,550,000을 만족하는 유리수이다.
본 발명의 바람직한 일실시예로서, 본 발명의 제1봉지수지층 및 제2봉지수지층은 각각 독립적으로 경화제 및 UV 개시제 중에서 선택된 1종 이상을 더 포함할 수 있다.
본 발명의 바람직한 일실시예로서, 본 발명의 제1봉지수지층은 봉지수지 100 중량부에 대하여, 경화제 28~52 중량부 및 UV 개시제 1.64~3.06 중량부를 포함할 수 있다.
본 발명의 바람직한 일실시예로서, 본 발명의 제2봉지수지층은 봉지수지 100 중량부에 대하여, 경화제 6.36~11.82 중량부 및 UV 개시제 1.27~2.37 중량부를 포함할 수 있다.
본 발명의 바람직한 일실시예로서, 본 발명의 제1봉지수지층의 경화제는 하기 화학식 2로 표시되는 화합물 및 하기 화학식 3으로 표시되는 화합물을 포함할 수 있다.
[화학식 2]
상기 화학식 2에 있어서, A1 및 A2는 각각 독립적으로 -CH2-, -CH2CH2-, -CH2CH2CH2-, -CH2CH2CH2CH2- 또는 -CH2CH2CH2CH2CH2CH2-이다.
[화학식 3]
상기 화학식 3에 있어서, A3는 -CH2-, -CH2CH2-, -CH2CH2CH2-, -CH2CH2CH2CH2- 또는 -CH2CH2CH2CH2CH2CH2-이다.
본 발명의 바람직한 일실시예로서, 본 발명의 제2봉지수지층의 경화제는 상기 화학식 2로 표시되는 화합물을 포함할 수 있다.
본 발명의 바람직한 일실시예로서, 본 발명의 제1봉지수지층의 경화제는 상기 화학식 2로 표시되는 화합물 및 상기 화학식 3으로 표시되는 화합물을 1:5.25~9.75 중량비로 포함할 수 있다.
본 발명의 바람직한 일실시예로서, 본 발명의 제1봉지수지층 및 제2봉지수지층은 1:2.8~5.2의 두께비를 가질 수 있다.
본 발명의 바람직한 일실시예로서, 본 발명의 제1봉지수지층은 1~20㎛의 두께를 가질 수 있다.
본 발명의 바람직한 일실시예로서, 본 발명의 제2봉지수지층은 30~60㎛의 두께를 가질 수 있다.
한편, 본 발명의 유기전자장치는 기판, 상기 기판의 적어도 일면에 형성된 유기전자장치 및 상기 유기전자장치를 패키징하는 본 발명의 유기전자장치용 봉지재를 포함할 수 있다.
이하, 본 발명에서 사용한 용어에 대해 설명한다.
본 발명에서 사용한 용어인 흡습제는 수분을 흡습제의 계면과 반데르발스힘 등의 물리적 또는 화학결합에 의해 흡착시킬 수 있으며, 수분의 흡착으로 인해 물질의 성분이 변화하지 않는 수분흡착 물질 및 화학적 반응을 통해 수분을 흡수하여 새로운 물질로 변화하는 수분흡수 물질을 모두 포함한다
또한, 본 발명에서 사용한 용어인 상온은 10~40℃, 바람직하게는 15~35℃, 바람직하게는 18~30℃의 온도를 말한다.
본 발명의 유기전자장치용 봉지재는 산소, 불순물, 수분을 차단함과 동시에 투습되는 수분을 효과적으로 제거하여 수분이 유기전자장치까지 도달하는 것을 현저히 저지할 수 있어 유기전자장치의 수명 및 내구성을 현저히 향상시킬 수 있다. 또한, 수분이 제거될 때 발생할 수 있는 층간 박리현상이 일어나지 않는 동시에 내습성 및 내열성이 우수한 효과가 있다. 이 뿐만 아니라, 유기전자장치에 봉지재를 패키징하는 박막봉지 공정에 있어서 상온에서도 유기전자장치와 봉지재간의 합착이 우수하다.
도 1은 본 발명의 바람직한 일실시예에 따른 유기전자장치용 봉지재의 단면도이다.
도 2는 본 발명의 바람직한 일실시예에 따른 유기전자장치의 단면도이다.
도 2는 본 발명의 바람직한 일실시예에 따른 유기전자장치의 단면도이다.
이하, 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다. 도면에서 본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 동일 또는 유사한 구성요소에 대해서는 동일한 참조부호를 부가한다.
도 1을 참조하여 설명하면, 본 발명의 유기전자장치용 봉지재는 봉지수지층(10)을 포함할 수 있다.
본 발명의 봉지수지층(10)은 봉지수지, 점착부여제 및 흡습제(40', 40")를 포함하여 형성될 수 있다.
먼저, 봉지수지는 감압점착제 조성물을 포함할 수 있고, 바람직하게는 폴리올레핀계 수지를 포함할 수 있으며, 폴리올리핀계 수지는 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리프로필렌, 폴리이소부틸렌(Polyisobutylene) 등의 폴리(C2~C6)알킬렌 수지; 및 에틸렌, 프로필렌 및/또는 디엔계 화합물이 공중합된 랜덤 공중합체 수지; 중에서 선택된 1종 또는 2종 이상을 포함할 수 있다.
바람직한 일례를 들면, 봉지수지는 하기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함할 수 있다.
하기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함할 수 있다.
[화학식 1]
상기 화학식 1에 있어서, R1은 수소원자, C3~C10의 직쇄형 알케닐기 또는 C4~C10의 분쇄형 알케닐기이고, 바람직하게는 R1은 수소원자, C4~C8의 직쇄형 알케닐기 또는 C4~C8의 분쇄형 알케닐기일 수 있다.
또한, 화학식 1의 R1이 수소원자, C3~C10의 직쇄형 알케닐기 또는 C4~C10의 분쇄형 알케닐기임에 따라 신뢰성이 더욱 우수할 수 있다.
또한, 화학식 1에 있어서, n은 중량평균분자량 30,000~1,550,000g/mol을 만족하는 유리수이고, 바람직하게는 중량평균분자량 40,000~1,500,000g/mol을 만족하는 유리수일 수 있다. 만일, 중량평균분자량이 30,000g/mol 미만이면 모듈러스 저하에 따른 패널 처짐 현상이 발생하는 문제가 있을 수 있고, 내열성이 저하되는 문제가 있을 수 있으며, 흡습제의 충진성이 저하됨에 따라 신뢰성이 저하되는 문제가 있을 수 있고, 기계적 물성이 저하되는 문제가 있을 수 있으며, 탄성 저하에 따른 흡습제 부피 팽창에 의한 기재와의 들뜸현상이 발생할 수 있는 문제가 있을 수 있다. 또한, 중량평균분자량이 1,550,000g/mol을 초과하면 젖음성 저하로 인해 기재와의 점착력이 저하되는 문제가 있을 수 있고, 모듈러스 증가에 따라 패널에 대한 합착성이 저하되는 문제가 있을 수 있다.
또한, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 하기 측정방법으로 측정시 100℃~140℃, 바람직하게는 110℃~130℃, 더욱 바람직하게는 115℃~125℃의 결정화 온도를 가질 수 있다.
[측정방법]
200℃ 에서 -150℃의 온도까지 10℃/min의 속도로 냉각시키면서 시차 주사 열량측정기(Differential Scanning Calorimetry, DSC)로 측정한 열류량의 냉각곡선의 피크 분석을 통하여 결정화 온도(Tc)를 측정함.
다음으로, 점착부여제는 통상적으로 유기전자장치용 봉지재에 사용되는 점착 수지라면 제한 없이 포함할 수 있으며, 바람직하게는 수첨 석유수지, 수첨 로진수지, 수첨 로진 에스테르 수지, 수첨 테르펜 수지, 수첨 테르펜 페놀 수지, 중합 로진 수지 및 중합 로진 에스테르 수지 중에서 선택된 1종 이상을 포함할 수 있다.
다음으로, 흡습제(40'. 40")는 통상적으로 유기전자장치의 패키징에 사용되는 흡습제라면 제한 없이 사용할 수 있고, 바람직하게는 제올라이트, 티타니아, 지르코니아 또는 몬모릴로나이트 등을 성분으로 포함하는 흡습제, 금속염 및 금속산화물 중 1종 이상을 포함할 수 있으며, 더욱 바람직하게는 금속산화물을 포함할 수 있다.
금속산화물은 실리카(SiO2), 알루미나(Al2O3), 산화리튬(Li2O), 산화나트륨(Na2O), 산화바륨(BaO), 산화칼슘(CaO) 또는 산화마그네슘(MgO) 등의 금속산화물, 유기 금속산화물 및 오산화인(P2O5) 중 1종 이상을 포함할 수 있다.
금속염은 황산리튬(Li2SO4), 황산나트륨(Na2SO4), 황산칼슘(CaSO4), 황산마그네슘(MgSO4), 황산코발트(CoSO4), 황산갈륨(Ga2(SO4)3), 황산티탄(Ti(SO4)2) 또는 황산니켈(NiSO4) 등의 황산염, 염화칼슘(CaCl2), 염화마그네슘(MgCl2), 염화스트론튬(SrCl2), 염화이트륨(YCl3), 염화구리(CuCl2), 불화세슘(CsF), 불화탄탈륨(TaF5), 불화니오븀(NbF5), 브롬화리튬(LiBr), 브롬화칼슘(CaBr2), 브롬화세슘(CeBr3), 브롬화셀레늄(SeBr4), 브롬화바나듐(VBr3), 브롬화마그네슘(MgBr2), 요오드화바륨(BaI2) 또는 요오드화마그네슘(MgI2) 등의 금속할로겐화물 및 과염소산바륨(Ba(ClO4)2) 또는 과염소산마그네슘(Mg(ClO4)2) 등의 금속염소산염 중 1종 이상을 포함할 수 있다.
흡습제는 순도가 95% 이상을 사용하는 것이 좋으며, 순도 95% 미만인 경우 수분 흡수기능이 저하될 뿐 아니라 흡습제에 포함되는 물질이 불순물로 작용해 봉지 필름의 불량을 야기할 수 있고, 유기전자장치에도 영향을 줄 수 있으나, 이에 제한되지는 않는다.
한편, 본 발명의 봉지수지층(10)은 경화제 및 UV 개시제 중에서 선택된 1종 이상을 더 포함할 수 있다.
경화제는 통상적으로 경화제로 사용될 수 있는 물질이라면 제한없이 포함할 수 있으며, 바람직하게는 가교제의 역할을 함으로써 봉지수지층의 충분한 가교밀도를 확보할 수 있는 물질을 포함할 수 있으며, 보다 바람직하게는 중량평균분자량이 100~1500g/mol인 우레탄 아크릴레이트계 경화제 및 중량평균분자량이 100~1500g/mol인 아크릴레이트계 경화제 중에서 선택된 1종 이상을 포함할 수 있다. 만일 경화제의 중량평균분자량이 100g/mol 미만이면 경도 증가에 의해 패널 합착성 및 기재와의 점착력 저하하며 미반응 경화제의 아웃가스(Outgas) 문제가 발생할 수 있고, 중량평균분자량이 1500g/mol를 초과하면 연화성(Softness)증가에 의해 기계적 물성이 저하되는 문제가 발생할 수 있다.
UV 개시제는 통상적으로 사용되는 UV 개시제로 사용되는 것이라면 제한 없이 포함할 수 있으며, 바람직한 일례를 들면, 모노 아실 포스파인(Mono Acyl Phosphine), 비스 아실 포스파인(Bis Acyl Phosphine), α-히드록시케톤(α-Hydroxyketone), α-아미노케톤(α-Aminoketone), 페닐글리옥실레이트(Phenyl glyoxylate), 벤질디메틸-케탈(Benzyl dimethyl-ketal) 중에서 선택된 1종 이상을 포함할 수 있다.
나아가, 본 발명의 봉지수지층(10)은 하기 관계식 1 및 2를 만족하는 것이다.
[관계식 1]
0.3㎛≤B-A≤2.0㎛
상기 관계식 1에서 B-A는 바람직하게는 0.58㎛≤B-A≤1.51㎛, 더 바람직하게는 0.66㎛≤B-A≤1.34㎛, 더욱 바람직하게는 0.78㎛≤B-A≤1.28㎛, 가장 바람직하게는 0.92㎛≤B-A≤1.10㎛일 수 있다.
상기 관계식 1에 있어서, A는 나노인덴터(nano indentor)을 이용하여 온도 조건에서 3mN/sec의 승압 속도로 30mN의 압력에 도달했을 때 측정한 경화된 상기 봉지수지층의 초기 인덴터 침투길이(㎛)이다.
또한, 상기 관계식 1에 있어서, B는 나노인덴터(nano indentor)를 이용하여 25℃의 온도, 0mN의 초기 압력 조건에서 3mN/sec의 승압 속도로 승압하여 30mN의 압력에 도달한 후, 상기 경화된 봉지수지층을 25℃에서 크리프(creep) 5초 유지한 후에 측정한 인덴터 침투길이(㎛)이다.
만일, B-A 가 0.3㎛ 미만이면 합착 시 단차 메꿈 부족으로 합착 품질 불량의 문제가 있을 수 있고, 2.0㎛을 초과하면 압력에 대한 저항 부족으로 점착제 변형의 문제가 있을 수 있다.
[관계식 2]
5%≤C≤45%
상기 관계식 2에서 C는 바람직하게는 7%≤C≤40%, 더 바람직하게는 10%≤C≤35%, 더욱 바람직하게는 12%≤C≤30%, 가장 바람직하게는 15%≤C≤25%를 만족할 수 있다.
상기 관계식 2에 있어서, C는 하기 수학식 1에 의해 측정된 CIT이다.
[수학식 1]
상기 수학식 1에서, A 및 B는 상기 관계식 1에서 정의된 바와 같다.
CIT는 크립 특성으로서, 일정 하중 인가 하에서 시간에 따른 침투길이 변화율을 뜻한다.
만일, C 가 5% 미만이면 압력에 대한 낮은 변형률로 인해 합착 품질 불량의 문제가 있을 수 있고, 45%을 초과하면 압력에 대한 높은 변형률로 인해 합착 시 찐 빠짐의 문제가 있을 수 있다.
한편, 상기 관계식 1 및 2의 A는 4.1~12.1㎛, 바람직하게는 4.5~10.5㎛, 더욱 바람직하게는 5.5~8.0㎛, 더더욱 바람직하게는 5.7~7.5㎛일 수 있으며, 만일 A가 4.1㎛ 미만이면 합착 시 패널과의 밀착력 부족으로 박리강도 저하의 문제가 있을 수 있고, 12.1㎛를 초과하면 보관 및 운송 중 제품 적재로 인한 점착제의 찐 빠짐 불량 등의 문제가 있을 수 있다.
또한, 상기 관계식 1 및 2의 B는 4.6~12.6㎛, 바람직하게는 5.1~10.7㎛, 더 바람직하게는 5.8~8.5㎛, 더욱 바람직하게는 6.1~8.0㎛일 수 있으며, 만일 B가 4.6㎛ 미만이면 합착 시 단차 메꿈 부족으로 합착 품질 불량의 문제가 있을 수 있고, 12.6㎛를 초과하면 압력에 대한 저항 부족으로 점착제의 변형의 문제가 있을 수 있다.
본 발명은 다른 실시예로서, 봉지수지, 점착부여제 및 흡습제를 포함하여 형성된 봉지수지층을 포함하고, 상기 봉지수지층(10)이 하기 관계식 3 및 4를 만족하는 유기전자장치용 봉지재를 제공한다.
[관계식 3]
0.6㎛≤E-D≤3.0㎛
상기 관계식 3에서 E-D는 바람직하게는 0.67㎛≤E-D≤1.9㎛, 더 바람직하게는 0.75㎛≤E-D≤1.6㎛, 더욱 바람직하게는 0.8㎛≤E-D≤1.2㎛, 가장 바람직하게는 0.83㎛≤E-D≤0.9㎛를 만족할 수 있다.
상기 관계식 3에 있어서, D는 나노인덴터(nano indentor)을 이용하여 50℃의 온도 조건에서 3mN/sec의 승압 속도로 30mN의 압력 도달 시 측정한 경화된 상기 봉지수지층의 초기 인덴터 침투길이(㎛)이다.
또한, 상기 관계식 3에 있어서, E는 나노인덴터(nano indentor)를 이용하여 50℃의 온도, 0mN의 초기 압력 조건에서 3mN/sec의 승압 속도로 승압하여 30mN의 압력에 도달한 후, 상기 경화된 봉지수지층을 50℃에서 크리프(creep) 5초 유지한 후에 측정한 인덴터 침투길이(㎛)이다.
만일, E-D 가 0.6㎛ 미만이면 외부 힘에 의한 완충 효과 부족에 따른 패널 화소불량의 문제가 있을 수 있고, 3.0㎛을 초과하면 점착제의 내열성 부족에 따른 신뢰성 저하의 문제가 있을 수 있다.
[관계식 4]
3%≤F≤40%
상기 관계식 4에 있어서, F는 하기 수학식 2에 의해 측정된 CIT이다.
[수학식 2]
상기 수학식 2에 있어서, D 및 E는 상기 관계식 3에서 정의된 바와 같다.
만일, F가 3% 미만이면 외부 힘에 의한 완충 효과 부족에 따른 패널 깨짐의 문제가 있을 수 있고, 40%을 초과하면 온도와 압력에 대한 저항 부족으로 패널 변형의 문제가 있을 수 있다.
상기 관계식 4에서 F는 바람직하게는 5%≤F≤35%, 더 바람직하게는 5%≤F≤30%, 더욱 바람직하게는 7%≤F≤20%, 가장 바람직하게는 9%≤F≤14%를 만족할 수 있다.
한편, 상기 관계식 3 및 4의 D는 4.6~12.6㎛, 바람직하게는 5.3~10.2㎛, 더 바람직하게는 6.0~9.4㎛, 더욱 바람직하게는 6.9~8.9㎛일 수 있으며, 만일 D가 4.6㎛ 미만이면 높은 경도에 따른 패널 깨짐 문제가 있을 수 있고, 12.6㎛를 초과하면 보관 및 운송 중 제품 적재로 인한 접착제의 찐 빠짐 불량의 문제가 있을 수 있다.
또한, 상기 관계식 3 및 4의 E는 5.1~13.1㎛, 바람직하게는 5.8~11.2㎛, 더욱 바람직하게는 6.5~9.7㎛, 더더욱 바람직하게는 7.4~8.8㎛일 수 있으며, 만일 E가 5.1㎛ 미만이면 합착 시 단차 메꿈 부족으로 합착 품질 불량의 문제가 있을 수 있고, 13.1㎛를 초과하면 압력에 대한 저항 부족으로 점착제의 변형의 문제가 있을 수 있다.
나아가, 본 발명의 봉지수지층(10)은 하기 관계식 5를 더 만족할 수 있다.
[관계식 5]
상기 관계식 5에 있어서, A 및 B는 상기 관계식 1에서 정의된 바와 같고, D 및 E는 상기 관계식 3에서 정의된 바와 같다.
또한, 본 발명의 봉지수지층(10)은 하기 관계식 6을 더 만족할 수 있다.
[관계식 6]
0.5≤C/F≤2.0
상기 관계식 6에서, C/F는 바람직하게는 0.8≤C/F≤1.9, 더 바람직하게는 1.0≤C/F≤1.8, 더욱 바람직하게는 1.1≤C/F≤1.7, 가장 바람직하게는 1.2≤C/F≤1.6을 만족할 수 있다.
상기 관계식 6에 있어서, C는 상기 관계식 2에서 정의된 바와 같고, F는 상기 관계식 4에서 정의된 바와 같다.
만일, C/F가 0.5 미만이면 고온 내열성의 저하로 패널 변형의 문제가 있을 수 있고, 2.0을 초과하면 압력에 대한 저항력 부족으로 점착제의 변형 및 찐 불량 발생의 문제가 있을 수 있다.
나아가, 본 발명의 봉지수지층(10)은 하기 관계식 7을 더 만족할 수 있다.
[관계식 7]
1.1≤G/H≤4.0
상기 관계식 7에서 G/H는 바람직하게는 1.14≤G/H≤3.15, 더 바람직하게는 1.17≤G/H≤2.40, 더욱 바람직하게는 1.19≤G/H≤1.88, 가장 바람직하게는 1.21≤G/H≤1.54를 만족할 수 있다.
상기 관계식 5에 있어서, G는 나노인덴터(nano indentor)를 이용하여 25℃의 온도 조건에서 3mN/sec의 승압 속도로 승압하며 30mN의 압력 도달 시 측정한 경화된 상기 봉지수지층의 복합 경도(N/㎟)이다.
또한, 상기 관계식 5에 있어서, H는 50℃의 온도 조건에서 동일한 방법으로 측정한 복합 경도(N/㎟)이다.
만일, G/H 가 1.1 미만이면 합착 시 단차 메꿈 부족으로 합착 품질 불량의 문제가 있을 수 있고, 4.0을 초과하면 온도에 대한 저항 부족으로 점착제 변형 및 찐 빠짐 불량의 문제가 있을 수 있다.
한편, 상기 관계식 5의 G는 1.0~6.0 N/㎟, 바람직하게는 1.12~4.5 N/㎟, 더 바람직하게는 1.22~2.1 N/㎟, 더욱 바람직하게는 1.30~1.8 N/㎟, 가장 바람직하게는 1.38~1.6 N/㎟일 수 있으며, 만일 G가 1.0 N/㎟ 미만이면 압력에 대한 저항 부족으로 점착제의 변형의 문제가 있을 수 있고, 6.0 N/㎟를 초과하면 패널 손상 및 단차 메꿈 부족으로 합착 품질 불량의 문제가 있을 수 있다.
또한, 상기 관계식 5의 H는 0.5~3.5 N/㎟, 바람직하게는 0.9~2.5 N/㎟, 더 바람직하게는 1.1~2.0 N/㎟, 더욱 바람직하게는 1.2~1.7 N/㎟, 가장 바람직하게는 1.22~1.55 N/㎟일 수 있으며, 만일 H가 0.5 N/㎟미만이면 온도에 대한 저항 부족으로 점착제 변형 및 찐 빠짐 불량의 문제가 있을 수 있고, 3.5 N/㎟를 초과하면 고온 박리강도 저하의 문제가 있을 수 있다.
나아가, 본 발명의 봉지수지층(10)은 하기 조건 (1) 및 (2)를 더 만족할 수 있다.
(1) 100≤I≤300
상기 I는 바람직하게는 150≤I≤250, 더 바람직하게는 180≤I≤230를 만족할 수 있다.
상기 조건 (1)에 있어서, I는 ASTM D2979 규격(Probe Tack Test)에 따라 측정한 경화된 봉지수지층의 택포스(tack force, gf)이며, 만일 I가 100 미만이면 합착 공정 중 슬립에 의한 얼라인(Align) 불량의 문제가 있을 수 있고, 300을 초과하면 합착 공정 중 높은 젖음성으로 인한 기포 트랩의 문제가 있을 수 있다.
(2) 500≤J
상기 J는 바람직하게는 1,000≤J≤9,000, 더 바람직하게는 4,000≤J≤7,000를 만족할 수 있다.
상기 조건 (2)에 있어서, J는 UTM 장비를 이용하여 측정한 경화된 봉지수지층의 전단강도(shear strength, gf/6mm)이며, 만일 J가 500 미만이면 점착력 저하에 따른 얼라인(Align) 불량 및 계면 박리의 문제가 있을 수 있다.
한편, 본 발명의 봉지수지층(10)은 제1봉지수지층(11) 및 상기 제1봉지수지층(11) 일면에 형성된 제2봉지수지층(12)을 포함할 수 있다.
또한, 본 발명의 상온에서 합착이 가능한 유기전자장치용 봉지재는 제1봉지수지층(11) 타면에 형성된 이형층(30)을 더 포함할 수 있고, 제2봉지수지층(12) 일면에 형성된 메탈층(20)을 더 포함할 수 있다.
먼저, 제1봉지수지층(11)은 유기전자장치(미도시)에 직접적으로 접촉하는 층으로써, 봉지수지, 점착부여제 및 흡습제(40")를 포함하여 형성될 수 있다.
제1봉지수지층(11)에 포함하는 봉지수지는 앞서 언급한 봉지수지와 동일한 물질을 포함할 수 있고, 제1봉지수지층(11)에 포함하는 점착부여제는 앞서 언급한 점착부여제와 동일한 물질을 포함할 수 있으며, 제1봉지수지층(11)에 포함하는 흡습제(40")는 앞서 언급한 흡습제와 동일한 물질을 포함할 수 있고, 바람직하게는 실리카(SiO2)를 포함할 수 있으며, 이로 인해 수분 제거 성능이 우수하고, 유기전자장치와 봉지재의 분리가 방지될 수 있으며, 유기전자장치의 내구성을 현저히 증가시킬 수 있다. 또한, 제1봉지수지층(11)에 포함하는 흡습제(40")는 형상이나 입경이 제한되지 않으나, 바람직하게는 형상은 무정형 또는 구형일 수 있고, 평균입경은 0.01~10㎛, 바람직하게는 0.1~5㎛, 더욱 바람직하게는 0.2~1㎛일 수 있고, 평균입경이 0.01㎛ 미만이면 분산력 저하에 따른 신뢰성 및 접착력 저하의 문제가 있을 수 있고, 10㎛를 초과하면 합착 공정 중 돌출된 입자에 의한 데미지로 인해 암점의 문제가 있을 수 있다.
한편, 본 발명의 제1봉지수지층(11)은 봉지수지 100 중량부에 대하여, 점착부여제 70~176 중량부, 바람직하게는 72~163 중량부, 더 바람직하게는 75~149 중량부, 더욱 바람직하게는 80~143 중량부를 포함할 수 있고, 만일, 70 중량부 미만으로 포함하면, 내습성이 좋지 않은 문제가 있을 수 있고, 176 중량부를 초과하여 포함하면, 탄성저하(Brittle)에 따른 내구성 및 내습성이 저하되는 문제가 있을 수 있다.
또한, 본 발명의 제1봉지수지층(11)은 봉지수지 100 중량부에 대하여, 흡습제(40") 6.0~11.2 중량부, 바람직하게는 6.5~9.8 중량부, 더욱 바람직하게는 6.7~8.3 중량부, 더더욱 바람직하게는 6.8~7.5 중량부를 포함할 수 있고, 만일, 6.0 중량부 미만으로 포함하는 경우 목적하는 제1봉지수지층(11)에서의 수분 제거 효과를 달성할 수 없어 유기전자장치의 내구성이 저하되는 문제가 있을 수 있고, 11.2 중량부를 초과하여 포함하는 경우 젖음성 부족으로 인해 유기전자장치와의 밀착력, 박리강도 등 합착 불량으로 유기전자장치의 신뢰성이 저하되는 문제점이 있을 수 있다.
나아가, 본 발명의 제1봉지수지층(11)은 봉지수지, 점착부여제 및 흡습제(40") 외에도, 경화제 및 UV 개시제 중에서 선택된 1종 이상을 더 포함하여 형성될 수 있고, 바람직하게는 경화제 및 UV 개시제를 더 포함하여 형성될 수 있다.
제1봉지수지층(11)에 포함하는 경화제는 앞서 언급한 경화제와 동일한 물질을 포함할 수 있고, 바람직하게는 하기 화학식 2로 표시되는 화합물 및 하기 화학식 3으로 표시되는 화합물 중에서 선택된 1종 이상을 포함할 수 있으며, 더욱 바람직하게는 하기 화학식 2로 표시되는 화합물 및 하기 화학식 3으로 표시되는 화합물을 포함할 수 있어, 이로 인해 충분한 경화 밀도 확보가 가능하며, 이를 통해 내습성 및 내열성이 우수한 장점이 있다. 또한 상온 젖음성 및 점착력이 우수하여 상온 합착 공정이 가능하다는 장점이 있다.
[화학식 2]
상기 화학식 2에 있어서, A1 및 A2는 각각 독립적으로 -CH2-, -CH2CH2-, -CH2CH2CH2-, -CH2CH2CH2CH2- 또는 -CH2CH2CH2CH2CH2CH2-이고, 바람직하게는 -CH2-, -CH2CH2- 또는 -CH2CH2CH2-이다.
[화학식 3]
상기 화학식 3에 있어서, A3는 -CH2-, -CH2CH2-, -CH2CH2CH2-, -CH2CH2CH2CH2- 또는 -CH2CH2CH2CH2CH2CH2-이고, 바람직하게는 -CH2-, -CH2CH2- 또는 -CH2CH2CH2-이다.
또한, 제1봉지수지층(11)에 포함하는 경화제는 상기 화학식 2로 표시되는 화합물 및 상기 화학식 3으로 표시되는 화합물을 1:5.25~9.75 중량비, 바람직하게는 1:6~9 중량비, 더 바람직하게는 1:6.75~8.25 중량비, 더욱 바람직하게는 1:7.12~7.88 중량비로 포함할 수 있으며, 만일 중량비가 5.25 미만이면 상온 점착력 저하에 따른 신뢰성이 저하되는 문제가 있을 수 있고, 9.75를 초과하면 봉지재의 찐 빠짐 및 내열성이 좋지 않은 문제가 있을 수 있다.
또한, 본 발명의 제1봉지수지층(11)은 봉지수지 100 중량부에 대하여, 경화제 28~52 중량부, 바람직하게는 29~46 중량부, 더욱 바람직하게는 30~38 중량부, 더더욱 바람직하게는 30~32 중량부를 포함할 수 있고, 만일 28 중량부 미만으로 포함할 경우 목적하는 겔화율 및 모듈러스를 달성할 수 없고, 탄성력이 저하되는 문제가 있을 수 있으며, 52 중량부를 초과하여 포함할 경우 높은 모듈러스 및 경도로 인해 패널 합착 불량, 젖음성 저하에 따른 점착력 저하의 문제가 있을 수 있다.
제1봉지수지층(11)에 포함하는 UV 개시제는 앞서 언급한 UV 개시제와 동일한 물질을 포함할 수 있다.
또한, 본 발명의 제1봉지수지층(11)은 봉지수지 100 중량부에 대하여, UV 개시제 1.64~3.06 중량부, 바람직하게는 1.75~2.83 중량부, 더욱 바람직하게는 1.84~2.48 중량부, 더더욱 바람직하게는 1.95~2.26 중량부를 포함할 수 있고, 만일 1.64 중량부 미만으로 포함하게 되면 UV 경화 불량에 따른 내열성이 좋지 않은 문제가 있을 수 있고, 3.06 중량부를 초과하여 포함하게 되면 경화밀도 저하에 따른 내열성이 좋지 않은 문제가 있을 수 있다.
다음으로, 제2봉지수지층(12)은 메탈층(20)에 직접적으로 접촉하는 층으로써, 봉지수지, 점착부여제 및 흡습제(40')를 포함하여 형성될 수 있다.
제2봉지수지층(12)에 포함하는 봉지수지는 앞서 언급한 봉지수지와 동일한 물질을 포함할 수 있고, 제2봉지수지층(12)에 포함하는 봉지수지는 점착부여제는 앞서 언급한 점착부여제와 동일한 물질을 포함할 수 있으며, 제2봉지수지층(12)에 포함하는 흡습제(40')는 앞서 언급한 흡습제와 동일한 물질을 포함할 수 있고, 바람직하게는 산화칼슘(CaO)을 포함할 수 있으며, 이로 인해 물리적인 흡습이 아닌 화학적인 반응을 통한 안정적인 수분 흡습이 가능하다는 장점이 있을 수 있다. 또한, 제2봉지수지층(12)에 포함하는 흡습제(40')는 형상이나 입경이 제한되지 않으나, 바람직하게는 형상은 무정형 또는 구형일 수 있고, 평균입경은 0.1~20㎛, 바람직하게는 0.5~10㎛, 더욱 바람직하게는 1.5~4㎛일 수 있고, 평균입경이 0.1㎛ 미만이면 분산력 저하에 따른 신뢰성 및 점착력 저하의 문제가 있을 수 있고, 20㎛를 초과하면 합착 공정 중 돌출된 입자에 의한 데미지로 인해 암점의 문제가 있을 수 있다.
한편, 본 발명의 제2봉지수지층(12)은 봉지수지 100 중량부에 대하여, 점착부여제 57~107 중량부, 바람직하게는 65~99 중량부, 더욱 바람직하게는 73~90 중량부, 더더욱 바람직하게는 77~86 중량부를 포함할 수 있고, 만일, 57 중량부 미만으로 포함하면, 내습성이 좋지 않은 문제가 있을 수 있고, 107 중량부를 초과하여 포함하면, 탄성저하(Brittle)에 따른 내구성 및 내습성이 저하되는 문제가 있을 수 있다.
또한, 본 발명의 제2봉지수지층(12)은 봉지수지 100 중량부에 대하여, 흡습제(40') 110~205 중량부, 바람직하게는 126~190 중량부, 더욱 바람직하게는 141~174 중량부, 가장 바람직하게는 149~166 중량부를 포함할 수 있고, 만일, 110 중량부 미만으로 포함하는 경우 목적하는 제2봉지수지층(12)에서의 수분 제거 효과를 달성할 수 없어 유기전자장치의 내구성이 저하되는 문제가 있을 수 있고, 205 중량부를 초과하여 포함하는 경우 점착 성능이 현저히 저하되고, 수분 흡습 시 과도한 부피팽창으로 인해 제1봉지수지층(11)과 제2봉지수지층(12) 및/또는 제2봉지수지층(12) 및 제1봉지수지층(11)을 포함하는 봉지수지층(10)이 유기전자장치에 들떠 그 사이로 수분이 급속히 침투하여 유기전자장치의 수명을 단축시키는 문제점이 있을 수 있다.
나아가, 본 발명의 제2봉지수지층(12)은 봉지수지, 점착부여제 및 흡습제(40') 외에도, 경화제 및 UV 개시제 중에서 선택된 1종 이상을 더 포함하여 형성될 수 있고, 바람직하게는 경화제 및 UV 개시제를 더 포함하여 형성될 수 있다.
제2봉지수지층(12)에 포함하는 경화제는 앞서 언급한 경화제와 동일한 물질을 포함할 수 있고, 바람직하게는 상기 화학식 2로 표시되는 화합물을 포함할 수 있다.
또한, 본 발명의 제2봉지수지층(12)은 봉지수지 100 중량부에 대하여, 경화제 6.3~11.7 중량부, 바람직하게는 7.2~10.8 중량부, 더욱 바람직하게는 8.1~10.0 중량부, 더더욱 바람직하게는 8.5~9.5 중량부를 포함할 수 있고, 만일 6.3 중량부 미만으로 포함할 경우 목적하는 겔화율 및 모듈러스를 달성할 수 없고, 탄성력이 저하되는 문제가 있을 수 있으며, 11.7 중량부를 초과하여 포함할 경우 높은 모듈러스 및 경도로 인해 패널 합착 불량, 젖음성 저하에 따른 점착력 저하의 문제가 있을 수 있다.
제2봉지수지층(12)에 포함하는 UV 개시제는 앞서 언급한 UV 개시제와 동일한 물질을 포함할 수 있다.
또한, 본 발명의 제2봉지수지층(12)은 봉지수지 100 중량부에 대하여, UV 개시제 1.27~2.37 중량부, 바람직하게는 1.45~2.21 중량부, 더욱 바람직하게는 1.63~2.14 중량부, 더더욱 바람직하게는 1.81~2.11 중량부를 포함할 수 있고, 만일 1.27 중량부 미만으로 포함하게 되면 UV 경화 불량에 따른 내열성이 좋지 않은 문제가 있을 수 있고, 2.37 중량부를 초과하여 포함하게 되면 경화밀도 저하에 따른 내열성이 좋지 않은 문제가 있을 수 있다.
한편, 제1봉지수지층(11) 및 제2봉지수지층(12)은 1:2.8~5.2의 두께비, 바람직하게는 1:3.2~4.8의 두께비, 더욱 바람직하게는 1:3.6~4.4의 두께비, 더더욱 바람직하게는 1:3.8~4.2의 두께비를 가질 수 있다. 만일 두께비가 1:2.8 미만이면 수분에 의한 신뢰성이 좋지 않은 문제가 있을 수 있고, 1:5.2를 초과하면 두께 증가에 따른 광경화 효율이 떨어지며, 이에 경화 밀도 저하에 따른 내열성 및 신뢰성이 저하되는 문제가 있을 수 있다.
또한, 본 발명의 제1봉지수지층(11)의 두께는 1~30㎛, 바람직하게는 7~13㎛, 더욱 바람직하게는 8~12㎛, 더더욱 바람직하게는 9~11㎛일 수 있고, 본 발명의 제2봉지수지층 (12)의 두께는 15~70㎛, 바람직하게는 28~52㎛, 더욱 바람직하게는 32~48㎛, 가장 바람직하게는 36~44㎛일 수 있다.
또한, 제1봉지수지층(11) 및 제2봉지수지층(12)은 건조된 상태의 봉지수지층 또는 경화된 상태의 봉지수지층일 수 있다.
본 발명의 메탈층(20)은 철(Fe), 비스무트(Bi), 주석(Sn), 인듐(In), 은(Ag), 구리(Cu), 아연(Zn), 안티몬(Sb), 니켈(Ni), 크롬(Cr) 및 이들의 합금 중에서 선택되는 1종 이상을 포함할 수 있다.
바람직한 일례를 들면, 비스무트(Bi), 주석(Sn), 인듐(In), 은(Ag), 구리(Cu), 아연(Zn), 안티몬(Sb), 니켈(Ni), 크롬(Cr) 등을 포함하는 스테인레스 스틸 재질의 메탈시트를 포함하며, 더욱 바람직하게는 니켈 34~38 중량% 및 잔량의 철(Fe)을 포함하는 합금을 포함하는 메탈시트(니켈, 철 외에 필수불가피한 불순물 포함)일 수 있다.
또한, 메탈층(20)의 두께는 60㎛~150㎛, 바람직하게는 70㎛~120㎛, 더욱 바람직하게는 75㎛~105㎛일 수 있다.
본 발명의 이형층(30)은 이형시트(liner sheet) 소재로 당업계에서 일반적으로 사용하는 이형시트 소재를 사용할 수 있으며, 바람직한 일례를 들면, PET(polyethylene terephthalate), 종이(Paper), PI(Poly Imide) 및 PE(Poly Ester) 중에서 선택된 1종 또는 2종 이상을 포함할 수 있다.
또한, 이형층(30)의 두께는 15㎛~75㎛, 바람직하게는 25㎛~60㎛, 더욱 바람직하게는 35㎛~55㎛일 수 있다.
나아가, 도 2를 참조하여 설명하면, 본 발명의 유기전자장치는 기판(1), 기판(1)의 적어도 일면에 형성된 유기전자장치(2) 및 상기 유기전자장치(2)를 패키징하는 본 발명의 상온에서 합착이 가능한 유기전자장치용 봉지재(10)를 포함할 수 있다.
기판(1)은 바람직하게는 유리기판, 수정기판, 사파이어 기판, 플라스틱 기판 및 구부릴 수 있는 유연한 폴리머 필름 중 어느 하나가 사용될 수 있다.
기판(1)의 적어도 일면에 형성된 유기전자장치(2)는 상기 기판(1) 상에 하부전극을 박막하고 그 위로 n형 반도체층, 활성층, p형 반도체층, 상부전극을 순차적으로 적층한 후 식각하여 형성되거나 또는 별도의 기판을 통해 제조된 후 상기 기판(1) 상에 배치시켜 형성시킬 수 있다. 이러한 유기전자장치(2)를 기판(1) 상에 형성시키는 구체적인 방법은 당업계의 공지관용의 방법에 의할 수 있는 바, 본 발명에서는 특별히 한정하지 않으며, 상기 유기전자장치(2)는 유기발광다이오드일 수 있다.
다음으로, 본 발명의 상온에서 합착이 가능한 유기전자장치용 봉지재(10)는 유기전자장치(2)를 패키징하며, 상기 패키징의 구체적 방법은 공지된 통상적인 방법에 의할 수 있고, 본 발명에서는 특별히 한정하지는 않는다. 이에 대한 비제한적인 예로써, 기판(1) 상에 형성된 유기전자장치(2)에 유기전자장치용 봉지재(10)의 제1봉지수지층(11)이 유기전자장치(2)와 직접적으로 접촉시킨 상태에서 진공 프레스 또는 진공라미네이터 등을 사용하여 열 및/또는 압력을 가해 수행할 수 있다. 또한, 유기전자장치용 봉지재(10)의 경화를 위해 열을 가할 수 있고, 광경화되는 봉지수지를 포함하는 봉지재의 경우 광이 조사되는 챔버로 이동시켜 경화과정을 더 거칠 수 있다.
이하, 본 발명을 하기 실시예들을 통해 설명한다. 이때, 하기 실시예들은 발명을 예시하기 위하여 제시된 것일 뿐, 본 발명의 권리범위가 하기 실시예들에 의해 한정되는 것은 아니다.
실시예 1: 유기전자장치용 봉지재의 제조
(1) 제1봉지수지층 제조
봉지수지 100 중량부에 대하여, 점착부여제 82 중량부, 경화제 31 중량부, UV 개시제 2 중량부 및 흡습제 7 중량부를 혼합하여 혼합물을 제조하였다.
이 때, 봉지수지로서 하기 화학식 1-1로 표시되는 화합물을 사용하였고, 점착부여제로서 SU-525(코오롱인더스트리 사)를 사용하였으며, 경화제로서 하기 화학식 2-1로 표시되는 화합물 및 하기 화학식 3-1로 표시되는 화합물을 1:7.5의 중량비로 혼합하여 사용하였다. UV 개시제로서 irgacure TPO(Ciba 사)를 사용하였고, 흡습제로서 평균입경이 0.5㎛인 실리카를 사용하였다.
제조한 혼합물은 20℃의 온도에서 점도 600cps로 맞추고, 캡슐 필터를 통과시켜 이물질을 제거한 후 두께가 38㎛인 중박리 대전방지 이형 PET(REL382, Toray)에 슬롯 다이 코터를 이용하여 도포하고, 이후 160℃의 온도로 건조시켜서 용매를 제거한 후 최종 두께 10 ㎛인 제1봉지수지층을 제조하였다.
[화학식 1-1]
상기 화학식 1-1에 있어서, 상기 R1은 이소프렌이고, 상기 n은 화학식 1-1로 표시되는 화합물의 중량평균분자량 400,000g/mol를 만족시키는 유리수이다.
[화학식 2-1]
[화학식 3-1]
(2) 제2봉지수지층 제조
봉지수지 100 중량부에 대하여, 점착부여제 82 중량부, 경화제 9 중량부, UV 개시제 2 중량부 및 흡습제 158 중량부를 혼합하여 혼합물을 제조하였다.
이 때, 봉지수지로서 하기 화학식 1-1로 표시되는 화합물을 사용하였고, 점착부여제로서 SU-525(코오롱인더스트리 사)를 사용하였으며, 경화제로서 하기 화학식 2-1로 표시되는 화합물을 사용하였고, UV 개시제로서 irgacure TPO(Ciba 사)를 사용하였고, 흡습제로서 평균입경이 3㎛인 산화칼슘을 사용하였다.
제조한 혼합물은 20℃의 온도에서 점도 600cps로 맞추고, 캡슐 필터를 통과시켜 이물질을 제거한 후 두께가 36㎛인 중박리 대전방지 이형 PET(TG65R, SKC)에 슬롯 다이 코터를 이용하여 도포하고, 이후 160℃의 온도로 건조시켜서 용매를 제거한 후 최종 두께 40 ㎛인 제2봉지수지층을 제조하였다.
[화학식 1-1]
상기 화학식 1-1에 있어서, 상기 R1은 이소프렌이고, 상기 n은 화학식 1-1로 표시되는 화합물의 중량평균분자량 400,000g/mol를 만족시키는 유리수이다.
[화학식 2-1]
(3) 봉지재의 제조
상기 제조된 제1봉지수지층에 제2봉지수지층이 대면하도록 합지하여 70℃ 라미롤을 통과시켜서 봉지재를 제조하였다.
실시예 2: 유기전자장치용 봉지재의 제조
실시예 1과 동일한 방법으로 봉지재를 제조하였다. 다만, 실시예 1과 달리, 제1봉지수지층의 경화제로서 상기 화학식 3-1로 표시되는 화합물만 18중량부를 사용하여 봉지재를 제조하였다.
비교예 1: 유기전자장치용 봉지재의 제조
(1) 제1봉지수지층 제조
봉지수지 100 중량부에 대하여, 디엔계 화합물이 공중합된 랜덤 공중합체 43 중량부, 제1점착부여제 133 중량부, 제2점착부여제 133 중량부, 경화제 33 중량부, UV 개시제 4 중량부 및 흡습제 36 중량부를 혼합하여 혼합물을 제조하였다.
이 때, 봉지수지로서 상기 화학식 1-1로 표시되는 화합물을 사용하였고, 제1점착부여제로서 SU-90(코오롱인더스트리 사)를 사용하였으며, 제2점착부여제로서 SU-100(코오롱인더스트리 사)를 사용하였다. 경화제로서 상기 화학식 2-1로 표시되는 화합물을 사용하였고, UV 개시제로서 irgacure TPO(Ciba 사)를 사용하였고, 흡습제로서 평균입경이 0.5㎛인 실리카를 사용하였다.
제조한 혼합물을 실시예 1과 동일한 방법으로 제1봉지수지층을 제조하였다.
(2) 제2봉지수지층 제조
봉지수지 100 중량부에 대하여, 디엔계 화합물이 공중합된 랜덤 공중합체 43 중량부, 제1점착부여제 67 중량부, 제2점착부여제 267 중량부, 경화제 48 중량부, UV 개시제 5 중량부 및 흡습제 529 중량부를 혼합하여 혼합물을 제조하였다.
이 때, 봉지수지로서 하기 화학식 1-1로 표시되는 화합물을 사용하였고, 제1점착부여제로서 SU-90(코오롱인더스트리 사)를, 제2점착부여제로서 SU-640(코오롱인더스트리 사)를 사용하였으며, 경화제로서 하기 화학식 2-1로 표시되는 화합물을 사용하였고, UV 개시제로서 irgacure TPO(Ciba 사)를 사용하였고, 흡습제로서 평균입경이 3㎛인 산화칼슘을 사용하였다.
제조한 혼합물을 실시예 1과 동일한 방법으로 제2봉지수지층을 제조하였다.
비교예 2: 유기전자장치용 봉지재의 제조
폴리이소부틸렌 B15(BASF 사) 100 중량부에 대하여, 점착부여제 67 중량부, 경화제 7 중량부, UV 개시제 2 중량부 및 19 중량부를 혼합하여 혼합물을 제조하였다.
이 때, SU-90(코오롱인더스트리 사)를, 경화제로서 하기 화학식 2-1로 표시되는 화합물을 사용하였고, UV 개시제로서 irgacure TPO(Ciba 사)를 사용하였고, 흡습제로서 평균입경이 3㎛인 산화칼슘을 사용하였다.
제조한 혼합물은 20℃의 온도에서 점도 600cps로 맞추고, 캡슐 필터를 통과시켜 이물질을 제거한 후 두께가 38㎛인 중박리 대전방지 이형 PET(REL382, Toray)에 슬롯 다이 코터를 이용하여 도포하고, 이후 160℃의 온도로 건조시켜서 용매를 제거한 후 최종 두께 50 ㎛인 봉지수지층을 제조하였다.
비교예 3: 유기전자장치용 봉지재의 제조
비교예 1과 동일한 방법으로 봉지재를 제조하였다. 다만, 비교예 1과 달리, 제1봉지수지층의 제2점착부여제를 SU-640(코오롱인더스트리 사)를 사용하여 봉지재를 제조하였다.
비교예 4: 유기전자장치용 봉지재의 제조
비교예 1과 동일한 방법으로 봉지재를 제조하였다. 다만, 비교예 1과 달리, 경화제 3 중량부를 사용하여 봉지재를 제조하였다.
비교예 5: 유기전자장치용 봉지재의 제조
비교예 1과 동일한 방법으로 봉지재를 제조하였다. 다만, 비교예 1과 달리, 제1봉지수지층의 봉지수지 100 중량부에 대하여, 제1점착부여제 267 중량부, 제2점착부여제 67중량부를 사용하여 봉지재를 제조하였다.
이 때, 제1점착부여제로서 SU-90(코오롱인더스트리 사)를, 제2점착부여제로서 SU-640(코오롱인더스트리 사)를 사용하였다.
비교예 6: 유기전자장치용 봉지재의 제조
(1) 제1봉지수지층 제조
봉지수지 100 중량부에 대하여, 점착부여제 135 중량부, 경화제 35 중량부, UV 개시제 2 중량부 및 흡습제 8 중량부를 혼합하여 혼합물을 제조하였다.
이 때, 봉지수지로서 하기 화학식 1-1로 표시되는 화합물을 사용하였고, 점착부여제로서 SU-100(코오롱인더스트리 사)를 사용하였고, 경화제로서 상기 과학식 3-1로 표시되는 화합물을 사용하였고, UV 개시제로서 irgacure TPO(Ciba 사)를 사용하였고, 흡습제로서 평균입경이 0.5㎛인 실리카를 사용하였다.
제조한 혼합물을 실시예 1과 동일한 방법으로 제1봉지수지층을 제조하였다.
(2) 제2봉지수지층 제조
봉지수지 100 중량부에 대하여, 점착부여제 82 중량부, 경화제 5 중량부, UV 개시제 2 중량부 및 흡습제 155 중량부를 혼합하여 혼합물을 제조하였다.
이 때, 봉지수지로서 하기 화학식 1-1로 표시되는 화합물을 사용하였고, 점착부여제로서 SU-525(코오롱인더스트리 사)를 사용하였으며, 경화제로서 상기 화학식 2-1로 표시되는 화합물을 사용하였고, UV 개시제로서 irgacure TPO(Ciba 사)를 사용하였고, 흡습제로서 평균입경이 3㎛인 산화칼슘을 사용하였다.
실험예 1
상기 실시예 및 비교예를 통해 제조된 봉지재에 대해 하기의 물성을 측정하여 하기 표 1에 나타내었다.
1. 봉지재의 수분 침투 평가
실시예 및 비교예에 따라 제조된 봉지재를 95mm×95mm 크기로 재단한 후 100mm×100mm 무알칼리 유리에 보호필름을 제거 한 후 무알칼리 유리의 4면의 가장자리 부위로부터 2.5mm 안쪽으로 시편이 위치될 수 있도록 잘 맞춘 후 65℃로 가열된 롤 라미네이터를 이용하여 부착하였다. 부착된 시편에 남아있는 이형필름을 제거한 후 또 다른 100mmХ100mm 무알칼리 유리를 덮어 진공라미기로 25℃(상온)에서 1분간 라미네이션 하여 기포 없이 합착된 샘플을 제작한다. 합착이 완료된 샘플은 85℃, 상대습도 85%로 세팅된 신뢰성 챔버에서 1000 시간 단위로 수분이 침투한 길이를 현미경으로 관찰하였다.
2. 봉지재의 부피 팽창 평가
30mm×20mm로 재단된 50㎛ 두께의 SUS 판에 실시예 및 비교예에 따라 제조된 봉지재의 이형필름을 제거한 후 약 65℃로 가열된 롤라미네이터를 이용하여 부착했다. 부착된 시편은 SUS 크기에 맞게 칼로 잘라 후 40mm×30mm 0.5T 무알카리 Glass에 65℃로 가열된 롤라미네이터를 이용하여 부착했다. Glass와 SUS 사이에 시편이 보이드(Void) 없이 잘 부착되었는지 확인한 후 85℃, 상대습도 85%로 세팅된 신뢰성 챔버에서 100시간 간격으로 1,000시간 동안 관찰하여 수분을 흡습한 부위에서 SUS를 기준으로 시편의 높이 변화를 광학현미경을 통해 관찰하였다.
관찰결과 수분 흡습 부위에 높이 변화가 12㎛ 미만인 경우 ◎, 수분 흡습 부위에 높이 변화가 12~14㎛ 미만인 경우 ○, 수분 흡습 부위에 높이 변화가 14~16㎛ 미만인 경우 △, 수분 흡습 부위에 높이 변화가 16㎛ 이상인 경우 ×로 나타내었다.
3. 봉지재의 내열성 평가
실시예 및 비교예에 따라 제조된 봉지재를 50mmХ80mm 크기로 재단하고, 이형 PET을 제거한 제2봉지수지층을 60mmХ150mm 0.08T Ni 합금에 80℃의 조건에서 롤라미네이터를 이용하여 부착하였다. 부착된 시편에 남아있는 이형 PET을 제거한 제1봉지수지층을 30mmХ70mm 0.5T 무알카리 Glass에 25℃의 조건에서 롤라미네이터를 이용하여 부착하였다. Glass에 부착된 시편을 100℃의 체임버(Chamber)에 수직으로 고정한 후, 1kg의 추를 매달아 흐름 유무를 파악하였다. 이 때, 평가결과 이상이 없는 경우 ○, 조금이라도 흐를 경우 ×로 나타내었다.
4. 글래스 점착력
평가
실시예 및 비교예에 따라 제조한 봉지재에 대하여, 2 kg 핸드롤러(2kg hand roller)을 통해 점착력 측정 테이프(7475, TESA)를 봉지재의 상면에 라미네이션하고, 봉지재를 폭 25㎜ 및 길이 120㎜로 재단한 후, 80℃에서 봉지재 하면을 무알칼리 글래스에 라미네이션한 후, 시료를 30분 동안 상온에서 방치하고, 만능재료시험기(UTM)을 통해 300㎜/min 속도로 글래스 점착력을 측정하였다.
5. 메탈 점착력 평가
실시예 및 비교예에 따라 제조한 봉지재에 대하여, 80℃에서 이형 PET을 제거한 제2봉지수지층을 두께 80㎛의 Ni 합금 시트에 롤라미네이션하고, 점착력 측정 테이프(7475, TESA)를 이형 PET을 제거한 제1봉지수지층에 라미네이션하여, 봉지재를 폭 25㎜ 및 길이 120㎜로 재단한 후, 준비된 봉지재를 30분동안 25℃에서 방치하고, 만능재료시험기(UTM)을 통해 300㎜/min 속도로 메탈 점착력을 측정하였다.
실험예 2
ITO 패턴이 있는 기판상에 유기발광소자(정공수송층 NPD/두께 800A, 발광층 Alq3/두께 300A, 전자주입층 LiF/두께 10A, 음극 Al + Liq/두께 1,000 A)를 증착 적층 후, 제작된 소자에 실시예 및 비교예에 따른 봉지재를 상온 라미네이션한 후 녹색을 발광하는 OLED 단위 시편을 제작하였다. 이후 시편에 대해 하기의 물성을 평가하여 표 1에 나타내었다.
1. 봉지재의 수분 침투에 따른 유기발광소자의 내구성 평가
실시예 및 비교예에 따라 제조된 봉지재를 85℃, 상대 습도 85% 의 환경에서 시간대별 발광부에서의 화소축소(Pixel shrinkage)와 다크스팟(Dark spot)의 생성 및/또는 성장을 ×100의 디지털 현미경으로 100시간 단위로 관찰하여 화소 축소가 50% 이상 발생 및/또는 다크 스팟이 생성되기까지 소요된 시간을 측정하였다.
이때, 화소축소 50% 이상 발생 및 다크스팟 생성 소요시간이 1,000 시간 이상 일 경우 ◎ 화소축소 50% 이상 발생 및 다크스팟 생성 소요시간이 1000시간 미만~800시간 이상일 경우 ○ 화소축소 50% 이상 발생 및 다크스팟 생성 소요시간이 800시간 미만~600시간 이상 일 경우 △ 화소축소 50% 이상 발생 및 다크스팟 생성 소요시간이 600시간 미만 일 경우 ×로 나타내었다.
2. 봉지재의 내구성 평가
실시예 및 비교예에 따라 제조된 봉지재를 85℃, 상대습도 85% 로 세팅된 신뢰성 챔버에서 100시간 간격으로 1,000시간 동안 관찰하여 유기전자장치와 봉지재간의 계면분리, 크랙 또는 봉지필름내 기포발생, 봉지층 간의 분리 등을 광학현미경을 통해 관찰하여 물리적 손상여부를 평가하였다. 평가결과 이상이 없는 경우 ○ 계면분리, 크랙 또는 봉지재 내의 기포발생, 제1 및 제2봉지수지층 간의 분리 등 어떠한 이상이라도 발생하는 경우 ×로 나타내었다.
실험예 3
상기 실시예 및 비교예를 통해 제조된 50㎛의 두께를 봉지재를 각각 가로 40mm, 세로 90mm로 재단한 후 이형PET를 제거한 제2봉지수지층을 유리(Glass)에 60℃의 조건에서 롤라미네이터를 이용하여 부착하였다(조건: 60℃, 갭 2mm, 속도 1). 그 후, 이형PET를 제거한 제1봉지수지층면을 나노인덴터 장비(picodentor HM500, fischel)를 이용하여, 하기 측정 조건으로 25℃ 및 50℃에서의 복합경도 및 크리프(creep) 전 및 크리프(creep) 5초 유지 후의 인덴터 침투길이 및 CIT(크립특성)을 측정하여 하기 표 1에 나타내었다.
[측정 조건]
초기 압력: 0mN
최종 압력: 30mN
승압 속도: 3mN/sec
Ball Tip size: 2mm
실험예 4
실시예 및 비교예를 통해 제조된 50㎛의 두께를 가지는 봉지재의 이형PET를 제거한 제2봉지수지층을 유리(Glass)에 60℃의 조건에서 롤라미네이터를 이용하여 부착하였다. 그 후, Probe Tack Test 장비(SurTA, Chemilab)를 이용하여 하기 측정 조건으로 이형 PET를 제거한 제1봉지수지층의 택포스(tack force, gf)을 측정하여 하기 표 1에 나타내었다.
[측정 조건]
Probe Tip size: 12.7mm
Load speed: 0.1 mm/sec(Load 값이 50gf로 인가될 시 5sec 유지)
Return speed: 0.5 mm/sec
실험예 5
실시예 및 비교예를 통해 제조된 50㎛의 두께를 가지는 봉지재를 6mm의 원형 지름을 가지도록 타발하였다. 봉지재의 제2봉지수지층에 부착된 이형 PET를 제거하고, 가로 40mm, 세로 150mm로 재단한 메탈시트(두께: 0.08mm)에 제2봉지수지층을 60℃의 조건에서 롤라미네이트 하였다. 또한, 봉지재의 제1봉지수지층에 부착된 이형 PET를 제거하고, 무알칼리 유리(크기: 가로 50mm, 세로 100mm)에 제1봉지수지층을 25℃의 조건에서 롤라미네이트 하였다. 그 후, UTM 장비(OTT-0006, OrientalTM)를 이용하여, 유리를 고정시킨 후 메탈시트를 위로 잡아당기며, 하기 측정 조건으로 전단강도를 측정하여 하기 표 1에 나타내었다.
[측정 조건]
박리 모드: 180° peel
측정 속도: 5mm/sec
박리 길이: 50mm(10sec)
구분 | 실시예 1 |
실시예 2 | 비교예 1 |
비교예 2 |
비교예 3 |
비교예 4 |
비교예 5 |
비교예 6 |
||
봉지 필름 |
침투 길이 (㎛) |
creep전 25℃ |
6.05 | 6.57 | 1.42 | 10.52 | 0.57 | 11.60 | 1.57 | 7.89 |
creep후 25℃ |
7.09 | 7.75 | 1.67 | 12.84 | 0.67 | 14.42 | 1.81 | 10.45 | ||
crepp전50℃ | 7.60 | 8.41 | 2.26 | 16.12 | 1.27 | 17.91 | 2.78 | 10.35 | ||
creep후50℃ | 8.46 | 9.21 | 2.88 | 19.24 | 1.66 | 21.82 | 3.67 | 11.9 | ||
B-A | 1.04 | 1.18 | 0.25 | 2.32 | 0.10 | 2.82 | 0.24 | 2.56 | ||
E-D | 0.86 | 0.8 | 0.62 | 3.12 | 0.35 | 3.91 | 0.89 | 1.55 | ||
(E-D)/(B-A) | 0.83 | 0.68 | 2.48 | 1.34 | 3.5 | 1.39 | 3.71 | 0.64 | ||
CIT (%) |
25℃ | 17 | 18 | 18 | 22 | 18 | 24 | 15 | 32 | |
50℃ | 11 | 10 | 27 | 19 | 28 | 22 | 32 | 16 | ||
C/F | 1.55 | 1.80 | 0.67 | 1.16 | 0.64 | 1.09 | 0.47 | 2.00 | ||
복합 경도 (N/㎟) |
25℃ | 1.57 | 1.51 | 14.89 | 0.88 | 16.51 | 0.81 | 12.56 | 1.78 | |
50℃ | 1.25 | 1.19 | 6.86 | 0.74 | 7.49 | 0.69 | 5.12 | 0.72 | ||
G/H | 1.26 | 1.27 | 2.17 | 1.19 | 2.20 | 1.17 | 2.45 | 2.47 | ||
택포스(gf) | 249.5 | 331.5 | 150.2 | 415.2 | 105.8 | 465.4 | 151.8 | 245.7 | ||
전단강도(gf/6mm) | 5,118 | 4.895 | 4,845 | 2,158 | 1,547 | 1,995 | 4.726 | 4,874 | ||
수분침투길이 (㎛) |
1.7 | 2.1 | 1.8 | 3.1 | 2.2 | 3.1 | 1.8 | 2.1 | ||
부피팽창평가 | ◎ | ○ | ◎ | ◎ | ◎ | ◎ | ◎ | ○ | ||
내열성 평가 | ○ | ○ | X | X | X | X | X | X | ||
글래스 점착력(gf/25mm) | 2,475 | 2,395 | 2,258 | 2,943 | 651 | 2,895 | 2,273 | 2,144 | ||
메탈 점착력(gf/25mm) | 2,410 | 2,255 | 1,195 | 2,515 | 714 | 2,536 | 1,547 | 1,662 | ||
OLED 시편 |
유기발광소자 내구성 평가 |
◎ | ○ | ◎ | X | ○ | X | ◎ | ◎ | |
봉지필름 내구성 평가 |
○ | ○ | ○ | ○ | X | ○ | ○ | ○ |
본 발명의 단순한 변형이나 변경은 이 분야의 통상의 지식을 가진자에 의해서 용이하게 실시될 수 있으며, 이러한 변형이나 변경은 모두 본 발명의 영역에 포함되는 것으로 볼 수 있다.
1: 기판
2: 유기전자장치
10: 봉지재
11: 제1봉지수지층
12: 제2봉지수지층
20: 메탈층
30: 이형층
40': 흡습제
40'': 흡습제
2: 유기전자장치
10: 봉지재
11: 제1봉지수지층
12: 제2봉지수지층
20: 메탈층
30: 이형층
40': 흡습제
40'': 흡습제
Claims (18)
- 봉지수지, 점착부여제 및 흡습제를 포함하여 형성된 봉지수지층을 포함하고,
상기 봉지수지층은 하기 관계식 1 및 2을 만족하는 것을 특징으로 하는 유기전자장치용 봉지재.
[관계식 1]
0.3㎛≤B-A≤2.0㎛
[관계식 2]
5%≤C≤45%
상기 관계식 1에 있어서, A는 나노인덴터(nano indentor)를 이용하여 25℃의 온도 조건에서 3mN/sec의 승압 속도로 30mN의 압력에 도달했을 때 측정한 경화된 상기 봉지수지층의 초기 인덴터 침투길이(㎛)이고, B는 30mN의 압력에 도달한 후, 상기 경화된 봉지수지층을 25℃에서 크리프(creep) 5초 유지한 후에 측정한 인덴터 침투길이(㎛)이며,
상기 관계식 2에 있어서, C는 하기 수학식 1에 의해 측정된 CIT이다.
[수학식 1]
상기 수학식 1에 있어서, A 및 B는 상기 관계식 1에서 정의된 바와 같다.
- 제1항에 있어서,
상기 A는 4.1~12.1㎛이고, 상기 B는 4.6~12.6㎛인 것을 특징으로 하는 유기전자장치용 봉지재.
- 봉지수지, 점착부여제 및 흡습제를 포함하여 형성된 봉지수지층을 포함하고,
상기 봉지수지층은 하기 관계식 3 및 4를 만족하는 것을 특징으로 하는 유기전자장치용 봉지재.
[관계식 3]
0.6㎛≤E-D≤3.0㎛
[관계식 4]
3%≤F≤40%
상기 관계식 3에 있어서, D는 나노인덴터(nano indentor)를 이용하여 50℃의 온도 조건에서 3mN/sec의 승압 속도로 30mN의 압력 도달 시 측정한 경화된 상기 봉지수지층의 초기 인덴터 침투길이(㎛)이고, E는 30mN의 압력에 도달한 후, 상기 경화된 봉지수지층을 50℃에서 크리프(creep) 5초 유지한 후에 측정한 인덴터 침투길이(㎛)이며,
상기 관계식 4에 있어서, F는 하기 수학식 2에 의해 측정된 CIT이다.
[수학식 2]
상기 수학식 2에 있어서, D 및 E는 상기 관계식 3에서 정의된 바와 같다.
- 제3항에 있어서,
상기 D는 4.6~12.6㎛이고, 상기 E는 5.1~13.1㎛인 것을 특징으로 하는 유기전자장치용 봉지재.
- 제1항에 있어서,
상기 봉지수지층은 하기 관계식 5를 더 만족하는 것을 특징으로 하는 유기전자장치용 봉지재:
[관계식 5]
0.7≤≤2.0
상기 관계식 5에 있어서, A 및 B는 상기 관계식 1에서 정의된 바와 같으며,
D는 나노인덴터(nano indentor)를 이용하여 50℃의 온도 조건에서 3mN/sec의 승압 속도로 30mN의 압력에 도달했을 때 측정한 경화된 상기 봉지수지층의 초기 인덴터 침투길이(㎛)이고, D는 30mN의 압력에 도달한 후, 상기 경화된 봉지수지층을 50℃에서 크리프(creep) 5초 유지한 후에 측정한 인덴터 침투길이(㎛)이다.
- 제1항에 있어서,
상기 봉지수지층은 하기 관계식 6을 더 만족하는 것을 특징으로 하는 유기전자장치용 봉지재:
[관계식 6]
0.5≤C/F≤2.0
상기 관계식 6에서, C는 상기 관계식 1에서 정의된 바와 같으며, F는 하기 수학식 2에 의해 측정된 CIT이다:
[수학식 2]
상기 수학식 2에 있어서, D는 나노인덴터(nano indentor)를 이용하여 50℃의 온도 조건에서 3mN/sec의 승압 속도로 30mN의 압력 도달 시 측정한 경화된 상기 봉지수지층의 초기 인덴터 침투길이(㎛)이고, E는 30mN의 압력에 도달한 후, 상기 경화된 봉지수지층을 50℃에서 크리프(creep) 5초 유지한 후에 측정한 인덴터 침투길이(㎛)이다.
- 제1항에 있어서,
상기 봉지수지층은 하기 관계식 7을 더 만족하는 것을 특징으로 하는 유기전자장치용 봉지재.
[관계식 7]
1.1≤G/H≤4.0
상기 관계식 7에 있어서, G는 나노인덴터(nano indentor)를 이용하여 25℃의 온도 조건에서 3mN/sec의 승압 속도로 승압하며 30mN의 압력 도달 시 측정한 경화된 상기 봉지수지층의 복합 경도(N/㎟)이고, H는 50℃의 온도 조건에서 동일한 방법으로 측정한 복합 경도(N/㎟)이다.
- 제7항에 있어서,
상기 G는 2.0~6.0 N/㎟이고, 상기 H는 0.5~3.5 N/㎟인 것을 특징으로 하는 유기전자장치용 봉지재.
- 제1항에 있어서,
상기 봉지수지층은 하기 조건 (1) 및 (2)를 더 만족하는 것을 특징으로 하는 유기전자장치용 봉지재.
(1) 100≤I≤300
(2) 500≤J
상기 조건 (1)에 있어서, I는 ASTM D2979 규격(Probe Tack Test)에 따라 측정한 경화된 봉지수지층의 택포스(tack force, gf)이고,
상기 조건 (2)에 있어서, J는 UTM 장비를 이용하여 측정한 경화된 봉지수지층의 전단강도(shear strength, gf/6mm)이다.
- 제1항에 있어서,
상기 봉지수지층은 제1봉지수지층; 및 상기 제1봉지수지층 일면에 형성된 제2봉지수지층;을 포함하고,
상기 제1봉지수지층은 봉지수지 100 중량부에 대하여, 점착부여제 70~176 중량부 및 흡습제 6.0~11.2 중량부를 포함하고,
상기 제2봉지수지층은 봉지수지 100 중량부에 대하여, 점착부여제 57~107 중량부 및 흡습제 110~205 중량부를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전자장치용 봉지재.
- 제10항에 있어서,
상기 제1봉지수지층 및 제2봉지수지층은 각각 독립적으로 경화제 및 UV 개시제 중에서 선택된 1종 이상을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전자장치용 봉지재.
- 제12항에 있어서,
상기 제1봉지수지층은 봉지수지 100 중량부에 대하여, 경화제 28~52 중량부 및 UV 개시제 1.64~3.06 중량부를 포함하고,
상기 제2봉지수지층은 봉지수지 100 중량부에 대하여, 경화제 6.36~11.82 중량부 및 UV 개시제 1.27~2.37 중량부를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전자장치용 봉지재.
- 제12항에 있어서,
상기 제1봉지수지층의 경화제는 하기 화학식 2로 표시되는 화합물 및 하기 화학식 3으로 표시되는 화합물을 포함하고,
상기 제2봉지수지층의 경화제는 하기 화학식 2로 표시되는 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전자장치용 봉지재.
[화학식 2]
상기 화학식 2에 있어서, A1 및 A2는 각각 독립적으로 -CH2-, -CH2CH2-, -CH2CH2CH2-, -CH2CH2CH2CH2- 또는 -CH2CH2CH2CH2CH2CH2-이고,
[화학식 3]
상기 화학식 3에 있어서, A3는 -CH2-, -CH2CH2-, -CH2CH2CH2-, -CH2CH2CH2CH2- 또는 -CH2CH2CH2CH2CH2CH2-이다.
- 제14항에 있어서,
상기 제1봉지수지층의 경화제는 상기 화학식 2로 표시되는 화합물 및 상기 화학식 3으로 표시되는 화합물을 1:5.25~9.75 중량비로 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전자장치용 봉지재.
- 제10항에 있어서,
상기 제1봉지수지층 및 제2봉지수지층은 1:2.8~5.2의 두께비를 가지는 것을 특징으로 하는 유기전자장치용 봉지재.
- 제16항에 있어서,
상기 제1봉지수지층은 1~20㎛의 두께를 가지고,
상기 제2봉지수지층은 30~60㎛의 두께를 가지는 것을 특징으로 하는 유기전자장치용 봉지재.
- 기판;
상기 기판의 적어도 일면에 형성된 유기전자장치; 및
상기 유기전자장치를 패키징하는 제1항 내지 제17항 중에서 선택된 어느 한 항의 유기전자장치용 봉지재;
를 포함하는 유기전자장치.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020200076682A KR102350361B1 (ko) | 2020-06-23 | 2020-06-23 | 유기전자장치용 봉지재 및 이를 포함하는 유기전자장치 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020200076682A KR102350361B1 (ko) | 2020-06-23 | 2020-06-23 | 유기전자장치용 봉지재 및 이를 포함하는 유기전자장치 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20210158209A true KR20210158209A (ko) | 2021-12-30 |
KR102350361B1 KR102350361B1 (ko) | 2022-01-12 |
Family
ID=79178777
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020200076682A KR102350361B1 (ko) | 2020-06-23 | 2020-06-23 | 유기전자장치용 봉지재 및 이를 포함하는 유기전자장치 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR102350361B1 (ko) |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20060030718A (ko) | 2004-10-06 | 2006-04-11 | 에스케이씨 주식회사 | 유기발광 다이오드 표시 소자 및 이의 봉지 방법 |
KR20140147763A (ko) * | 2013-06-19 | 2014-12-30 | 주식회사 엘지화학 | 봉지재 필름의 신뢰 수명을 평가하는 방법 및 상기 필름의 신뢰도 평가 장치 |
KR20190021001A (ko) * | 2017-08-22 | 2019-03-05 | (주)이녹스첨단소재 | 유기전자장치 봉지재용 접착필름 및 이를 포함하는 유기전자장치용 봉지재 |
KR20190021007A (ko) * | 2017-08-22 | 2019-03-05 | (주)이녹스첨단소재 | 유기전자장치 봉지재용 접착조성물 및 이를 포함하는 유기전자장치 봉지재용 접착필름 |
KR102059172B1 (ko) * | 2019-07-04 | 2019-12-24 | (주)이녹스첨단소재 | 유기전자장치 봉지재용 접착필름 및 이를 포함하는 유기전자장치용 봉지재 |
-
2020
- 2020-06-23 KR KR1020200076682A patent/KR102350361B1/ko active
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20060030718A (ko) | 2004-10-06 | 2006-04-11 | 에스케이씨 주식회사 | 유기발광 다이오드 표시 소자 및 이의 봉지 방법 |
KR20140147763A (ko) * | 2013-06-19 | 2014-12-30 | 주식회사 엘지화학 | 봉지재 필름의 신뢰 수명을 평가하는 방법 및 상기 필름의 신뢰도 평가 장치 |
KR20140147760A (ko) * | 2013-06-19 | 2014-12-30 | 주식회사 엘지화학 | 봉지재 필름 |
KR20190021001A (ko) * | 2017-08-22 | 2019-03-05 | (주)이녹스첨단소재 | 유기전자장치 봉지재용 접착필름 및 이를 포함하는 유기전자장치용 봉지재 |
KR20190021007A (ko) * | 2017-08-22 | 2019-03-05 | (주)이녹스첨단소재 | 유기전자장치 봉지재용 접착조성물 및 이를 포함하는 유기전자장치 봉지재용 접착필름 |
KR102059172B1 (ko) * | 2019-07-04 | 2019-12-24 | (주)이녹스첨단소재 | 유기전자장치 봉지재용 접착필름 및 이를 포함하는 유기전자장치용 봉지재 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR102350361B1 (ko) | 2022-01-12 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR101936600B1 (ko) | 유기전자장치용 접착필름 및 이를 포함하는 유기전자장치용 봉지재 | |
KR102183612B1 (ko) | 유기전자장치 봉지재용 접착필름 및 이를 포함하는 유기전자장치용 봉지재 | |
KR102059172B1 (ko) | 유기전자장치 봉지재용 접착필름 및 이를 포함하는 유기전자장치용 봉지재 | |
KR101962194B1 (ko) | 유기전자장치 봉지재용 접착필름 및 이를 포함하는 유기전자장치용 봉지재 | |
KR101936793B1 (ko) | 유기전자장치용 접착필름 및 이를 포함하는 유기전자장치용 봉지재 | |
KR101999792B1 (ko) | 유기전자장치 봉지재용 접착조성물 및 이를 포함하는 유기전자장치 봉지재용 접착필름 | |
KR102152247B1 (ko) | 유기전자장치용 봉지재 | |
KR102698631B1 (ko) | 유기전자장치용 봉지재 및 이를 포함하는 유기전자장치 | |
KR102325733B1 (ko) | 상온에서 합착이 가능한 유기전자장치용 봉지재 및 이를 포함하는 유기전자장치 | |
KR101962192B1 (ko) | 유기전자장치 봉지재용 접착필름 및 이를 포함하는 유기전자장치용 봉지재 | |
KR101962743B1 (ko) | 유기전자장치 봉지재용 접착필름 및 이를 포함하는 유기전자장치용 봉지재 | |
KR102350361B1 (ko) | 유기전자장치용 봉지재 및 이를 포함하는 유기전자장치 | |
KR20210098167A (ko) | 유기전자장치용 봉지재 및 이를 포함하는 유기전자장치 | |
KR102188089B1 (ko) | 유기전자장치용 접착필름 및 이를 포함하는 유기전자장치용 봉지재 | |
KR102325732B1 (ko) | 상온에서 합착이 가능한 유기전자장치용 봉지재 및 이를 포함하는 유기전자장치 | |
KR102261536B1 (ko) | 유기전자장치용 봉지재 및 이를 포함하는 유기전자장치 | |
KR102305020B1 (ko) | 유기전자장치용 봉지재 및 이를 포함하는 유기전자장치 | |
KR102325971B1 (ko) | 유기전자장치용 봉지재 및 이를 포함하는 유기전자장치 | |
KR101962195B1 (ko) | 유기전자장치 봉지재용 접착필름 및 이를 포함하는 유기전자장치용 봉지재 | |
CN114686133B (zh) | 有机电子装置用封装材料 | |
CN114670517B (zh) | 有机电子装置用封装材料及包含其的有机电子装置 | |
KR102248284B1 (ko) | 유기전자장치 봉지재용 접착필름 및 이를 포함하는 유기전자장치용 봉지재 | |
KR101961700B1 (ko) | 유기전자장치용 접착필름 및 이를 포함하는 유기전자장치용 봉지재 | |
CN112909198B (zh) | 能常温下贴合的有机电子装置用封装材料及有机电子装置 | |
KR101961699B1 (ko) | 유기전자장치용 접착필름 및 이를 포함하는 유기전자장치용 봉지재 |