KR20210153328A - Solder resist resin composition, solder resist structure, dry film, and printed wiring board - Google Patents

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Abstract

The present invention relates to a resin composition having excellent dispersity, sedimentation stability, and agglomeration stability. Furthermore, the present invention relates to a solder resist structure, a dry film, and a printed wiring board. The solder resist structure is formed of the resin composition and exhibits high average reflectance and reflectance at a wavelength of 450 nm before and after a reflow process without requiring a reflector. According to the present invention, a photosensitive resin composition and a thermosetting resin composition comprise: (B) rutile titanium oxide; (C) a phosphor; and (D) a colorant, wherein the (C) a phosphor is coated with the (D) a colorant.

Description

솔더 레지스트 수지 조성물, 솔더 레지스트 구조체, 드라이 필름 및 인쇄 배선판 {SOLDER RESIST RESIN COMPOSITION, SOLDER RESIST STRUCTURE, DRY FILM, AND PRINTED WIRING BOARD}Solder resist resin composition, solder resist structure, dry film, and printed wiring board {SOLDER RESIST RESIN COMPOSITION, SOLDER RESIST STRUCTURE, DRY FILM, AND PRINTED WIRING BOARD}

본 발명은 분산도, 침강 안정성 및 응집 안정성이 우수한 솔더 레지스트 수지 조성물에 관한 것이다. 또한, 본 발명은 상기 솔더 레지스트 수지 조성물로부터 형성되고, 반사판 없이도 리플로우 공정 전후의 평균 반사율 및 450 nm 파장에서의 반사율이 높게 나타나는 솔더 레지스트 구조체, 드라이 필름 및 인쇄 배선판에 관한 것이다.The present invention relates to a solder resist resin composition having excellent dispersion, sedimentation stability, and cohesive stability. In addition, the present invention relates to a solder resist structure formed from the above solder resist resin composition and exhibiting high average reflectance before and after a reflow process and a high reflectance at a wavelength of 450 nm without a reflector, a dry film, and a printed wiring board.

종래, 인쇄 배선판에 있어서는, 필요한 부분으로의 땜납의 부착을 방지함과 함께, 회로의 도체가 노출되어 산화나 습기에 의해 부식되는 것을 방지하기 위한 보호막으로서, 회로 패턴이 형성된 기판 상의 접속 구멍을 제외한 영역에, 솔더 레지스트 구조체가 형성되었다. 솔더 레지스트 구조체는 회로 기판의 영구 보호막으로서도 기능하므로, 솔더 레지스트 조성물에는 알칼리 현상성이나 땜납 내열성 등의 다양한 성능을 구비하는 것이 요구되었다. 또한, 솔더 레지스트 조성물로 형성된 건조 도막에는 지촉 건조성(무점착성)도 요구되었다.Conventionally, in a printed wiring board, as a protective film for preventing the adhesion of solder to a necessary part and for preventing the conductor of the circuit from being exposed and corroded by oxidation or moisture, except for the connection hole on the board on which the circuit pattern is formed. In the region, a solder resist structure was formed. Since a soldering resist structure also functions as a permanent protective film of a circuit board, it was calculated|required by a soldering resist composition to be equipped with various performances, such as alkali developability and solder heat resistance. In addition, dry to touch properties (non-tackiness) were also required for the dry coating film formed from the solder resist composition.

또한, 백색 솔더 레지스트 구조체의 경우, 솔더 레지스트 구조체로서의 요구 특성에 더하여, 높은 반사율을 가짐과 함께, 열이나 광에 노출됨으로써 경화물의 황변이 발생하지 않는 것도 중요해진다.Moreover, in the case of a white soldering resist structure, while having a high reflectance in addition to the required characteristic as a soldering resist structure, it becomes important that yellowing of hardened|cured material does not generate|occur|produce by exposure to heat or light.

특허문헌 1 은 높은 반사율을 가지는 인쇄 배선판을 제공하기 위한 발명으로, 백색 알칼리 현상형 감광성 수지 조성물로 이루어지는 층과, 이 층에 중첩되도록 설치한 백색 열경화성 수지 조성물로 이루어지는 층을 포함하는 인쇄 배선판을 개시하고 있다. 그러나, 두께가 60 ㎛ (각 층 30 ㎛) 인 도막을 사용하였음에도 불구하고 평균 반사율이 91 % 에 불과하다. 게다가, 두꺼운 도막을 제조해야 하므로 경제적이지 못하고 후공정에서 내크랙성에 취약할 수 있는 문제점을 가지고 있다.Patent Document 1 discloses a printed wiring board comprising a layer made of a white alkali developing type photosensitive resin composition and a layer made of a white thermosetting resin composition provided so as to overlap this layer as an invention for providing a printed wiring board having a high reflectance. are doing However, in spite of using a coating film having a thickness of 60 µm (30 µm for each layer), the average reflectance is only 91%. In addition, since it is necessary to manufacture a thick coating film, it is not economical and has a problem in that it may be vulnerable to crack resistance in a post-process.

특허문헌 2 는 백색 착색제와 광 여기성 무기 충전제를 포함한 경화성 수지 조성물을 사용하고 수지 조성물의 pH 를 최적화함으로써 고반사율의 도막을 구현하고자 한다. 그러나, 광 여기성 무기 충전제는 10-7 초 내지 수 분의 발광 수명을 가지므로 잔광이 남을 수 있다는 문제점이 있으며, 산성 액체로 표면 처리를 해야 하는 번거로움이 있다. 뿐만 아니라, 광 여기성 무기 충전제는 리플로우 공정 시 분해되어 반사율이 저하될 가능성이 높다.Patent Document 2 uses a curable resin composition including a white colorant and a light excitable inorganic filler and attempts to implement a high reflectance coating film by optimizing the pH of the resin composition. However, since the photo-excitable inorganic filler has a light emission lifetime of 10 -7 seconds to several minutes, there is a problem that an afterglow may remain, and it is inconvenient to have to treat the surface with an acidic liquid. In addition, the photo-excitable inorganic filler is highly likely to be decomposed during the reflow process, thereby reducing the reflectance.

특허문헌 3 은 감광성 수지, 백색 안료, 파장 400 nm 이상의 광으로 활성화하는 광중합 개시제 및 형광 염료를 함유하는 솔더 레지스트 조성물을 제공함으로써 높은 광반사성을 가지는 솔더 레지스트 구조체를 형성하고자 한다. 그러나, 솔더 레지스트 구조체가 리플로우 공정을 거친 후에도 평균 반사율 및 450 nm 파장에서의 반사율이 높게 유지될 수 있는지 불분명하다.Patent Document 3 intends to form a solder resist structure having high light reflectivity by providing a solder resist composition containing a photosensitive resin, a white pigment, a photopolymerization initiator activated by light having a wavelength of 400 nm or more, and a fluorescent dye. However, it is unclear whether the average reflectance and reflectance at a wavelength of 450 nm can be maintained high even after the solder resist structure undergoes a reflow process.

종래 감광성 수지 조성물로 이루어지는 층 및 열 경화성 조성물로 이루어지는 층을 포함하는 솔더 레지스트 구조체는 파장 450 nm 에서의 반사율이 낮으므로, OLED 디스플레이의 백 라이트 유닛에 적용 시 반사판을 사용할 필요가 있었다. 그러나, 반사판이 포함됨으로 인해 OLED 디스플레이의 제조 공정이 복잡해지고 비용이 많이 소모되는 문제가 발생하였다.Since the conventional solder resist structure including a layer made of a photosensitive resin composition and a layer made of a thermosetting composition has a low reflectance at a wavelength of 450 nm, it was necessary to use a reflector when applied to a backlight unit of an OLED display. However, due to the inclusion of the reflector, the manufacturing process of the OLED display is complicated and there is a problem that a lot of cost is consumed.

공개특허공보 제 10-2011-0023798 호Laid-Open Patent Publication No. 10-2011-0023798 공개특허공보 제 10-2016-0042151 호Laid-open Patent Publication No. 10-2016-0042151 일본 특허공보 제 5513965 호Japanese Patent Publication No. 5513965

본 발명의 목적은 분산도, 침강 안정성 및 응집 안정성이 우수한 솔더 레지스트 수지 조성물과, 상기 수지 조성물로부터 형성되고, 반사판 없이도 리플로우 공정 전후에의 평균 반사율 및 450 nm 파장에서의 반사율이 높게 나타나는 솔더 레지스트 구조체, 드라이 필름 및 인쇄 배선판을 제공하는 것이다.An object of the present invention is a solder resist resin composition having excellent dispersion, sedimentation stability, and cohesive stability, and a solder resist formed from the resin composition and exhibiting high average reflectance before and after the reflow process and reflectance at 450 nm wavelength without a reflector To provide a structure, a dry film, and a printed wiring board.

본 발명자들은 하기 솔더 레지스트 수지 조성물, 솔더 레지스트 구조체, 드라이 필름 및 인쇄 배선판에 의해 상기 과제를 해결할 수 있는 것을 발견하였다.MEANS TO SOLVE THE PROBLEM The present inventors discovered that the said subject could be solved with the following soldering resist resin composition, a soldering resist structure, a dry film, and a printed wiring board.

<1> (A-1) 감광성 수지, (B) 루틸형 산화티타늄, (C) 형광체 및 (D) 착색제를 포함하는 것을 특징으로 하는 수지 조성물.<1> (A-1) photosensitive resin, (B) rutile-type titanium oxide, (C) a phosphor, and (D) a colorant are included, The resin composition characterized by the above-mentioned.

<2> (A-2) 열 경화성 수지, (B) 루틸형 산화티타늄, (C) 형광체 및 (D) 착색제를 포함하는 것을 특징으로 하는 수지 조성물.<2> (A-2) A resin composition comprising a thermosetting resin, (B) rutile titanium oxide, (C) a phosphor, and (D) a colorant.

<3> 상기 (C) 형광체는 흡수 피크 (Absorption peak) 가 440 nm 이하이고, 발광 피크 (Emission peak) 가 445 내지 455 nm 인 수지 조성물.<3> The resin composition of the phosphor (C) having an absorption peak of 440 nm or less and an emission peak of 445 to 455 nm.

<4> 상기 (C) 형광체가 1,4-비스(2-벤조옥사졸릴)나프탈렌 및 4,4'-비스[2-(2-메톡시페닐)에테닐]-1,1'-비페닐 중 하나 이상을 포함하는 수지 조성물.<4> The (C) phosphor is 1,4-bis(2-benzooxazolyl)naphthalene and 4,4'-bis[2-(2-methoxyphenyl)ethenyl]-1,1'-biphenyl A resin composition comprising at least one of.

<5> 상기 (C) 형광체를 전체 조성물에 대하여 0.01 내지 3 질량% 포함하는 수지 조성물.<5> A resin composition comprising 0.01 to 3% by mass of the phosphor (C) based on the total composition.

<6> 상기 (D) 착색제가 1,4-비스(부틸아미노)안트라센-9,10-디온, 2,2'-비스(2,3-디하이드로-3-옥소인돌릴덴) 및 3,7-비스(디메틸아미노)페노싸이아진-5-이움 클로라이드 중 하나 이상을 포함하는 수지 조성물.<6> the (D) colorant is 1,4-bis(butylamino)anthracene-9,10-dione, 2,2'-bis(2,3-dihydro-3-oxoindolyldene) and 3; A resin composition comprising at least one of 7-bis(dimethylamino)phenothiazine-5-ium chloride.

<7> 상기 (D) 착색제를 전체 조성물에 대하여 0.001 내지 1 질량% 포함하는 수지 조성물.<7> A resin composition comprising 0.001 to 1 mass % of the (D) colorant based on the total composition.

<8> 하나 이상의 층을 포함하는 솔더 레지스트 구조체로서, 상기 감광성 수지 조성물로 이루어진 감광성 수지층을 적어도 하나 포함하는 솔더 레지스트 구조체.<8> A solder resist structure including one or more layers, the solder resist structure comprising at least one photosensitive resin layer made of the photosensitive resin composition.

<9> 상기 감광성 수지층을 적어도 하나 포함하는 솔더 레지스트 구조체가 단층인 경우, 층의 두께가 10 내지 60 μm 인 솔더 레지스트 구조체.<9> When the solder resist structure including at least one photosensitive resin layer is a single layer, the thickness of the solder resist structure is 10 to 60 µm.

<10> 상기 감광성 수지층을 적어도 하나 포함하는 솔더 레지스트 구조체가 복층인 경우, 각 층의 두께가 독립적으로 10 내지 60 μm 인 솔더 레지스트 구조체.<10> When the solder resist structure including at least one photosensitive resin layer is a multilayer, each layer has a thickness of 10 to 60 µm independently.

<11> 하나 이상의 층을 포함하는 솔더 레지스트 구조체로서, 상기 열 경화성 수지 조성물로 이루어진 열 경화성 수지층을 적어도 하나 포함하는 솔더 레지스트 구조체.<11> A solder resist structure comprising one or more layers, the solder resist structure comprising at least one thermosetting resin layer made of the thermosetting resin composition.

<12> 상기 열 경화성 수지층을 적어도 하나 포함하는 솔더 레지스트 구조체가 단층인 경우, 층의 두께가 10 내지 60 μm 인 솔더 레지스트 구조체.<12> When the solder resist structure including at least one thermosetting resin layer is a single layer, the thickness of the solder resist structure is 10 to 60 µm.

<13> 상기 열 경화성 수지층을 적어도 하나 포함하는 솔더 레지스트 구조체가 복층인 경우, 상층이 열 경화성 수지층이고, 각 층의 두께가 독립적으로 10 내지 60 μm 인 솔더 레지스트 구조체.<13> When the solder resist structure including at least one thermosetting resin layer is a multilayer, the upper layer is a thermosetting resin layer, and the thickness of each layer is independently 10 to 60 μm.

<14> 상기 감광성 수지 조성물로 이루어진 감광성 수지층 및 상기 열 경화성 수지 조성물로 이루어진 열 경화성 수지층을 포함하고, 열 경화성 수지층이 감광성 수지층의 상층에 위치하는 솔더 레지스트 구조체.<14> A solder resist structure comprising a photosensitive resin layer made of the photosensitive resin composition and a thermosetting resin layer made of the thermosetting resin composition, wherein the thermosetting resin layer is positioned above the photosensitive resin layer.

<15> 감광성 수지층의 두께는 10 내지 60 μm 이고, 열 경화성 수지층의 두께는 10 내지 60 μm 인 솔더 레지스트 구조체.<15> The thickness of the photosensitive resin layer is 10 to 60 µm, and the thickness of the thermosetting resin layer is 10 to 60 µm, the solder resist structure.

<16> 상기 수지 조성물 중 어느 하나를 도포, 건조하여 얻어지는 드라이 필름.<16> A dry film obtained by coating and drying any one of the above resin compositions.

<17> 상기 솔더 레지스트 구조체 중 어느 하나를 포함하는 인쇄 배선판.<17> A printed wiring board comprising any one of the above solder resist structures.

본 발명의 솔더 레지스트 수지 조성물은 분산도, 침강 안정성 및 응집 안정성이 우수하고, 상기 수지 조성물로부터 형성되는 솔더 레지스트 구조체, 드라이 필름 및 인쇄 배선판은 리플로우 공정 전후에의 평균 반사율 및 450 nm 파장에서의 반사율이 높게 나타나는 바, OLED 디스플레이의 백 라이트 유닛에 적용 시 반사판 없이도 LED 광을 효율적으로 반사시킬 수 있다.The solder resist resin composition of the present invention has excellent dispersion, sedimentation stability and cohesive stability, and the solder resist structure, dry film and printed wiring board formed from the resin composition have average reflectance before and after the reflow process and at a wavelength of 450 nm. Since the reflectance is high, when applied to the backlight unit of an OLED display, it is possible to efficiently reflect the LED light without a reflector.

도 1 은 형광체와 형광 입자의 UV-VIS 흡수 스펙트럼을 나타낸다.
도 2 는 형광체와 형광 입자의 형광 스펙트럼을 나타낸다.
도 3 은 감광성 수지 조성물 잉크 또는 열 경화성 수지 조성물 잉크로부터 형성된 단층 도막의 구조를 도식화하여 나타낸 것이다 (건조 후 도막의 두께: 25 ㎛).
도 4 는 감광성 수지 조성물 잉크로부터 형성된 수지층 및/또는 열 경화성 수지 조성물 잉크로부터 형성된 수지층을 포함하는 복층 도막의 구조를 도식화하여 나타낸 것이다 (건조 후 도막의 두께: 상층 25 ㎛, 하층 25 ㎛).
도 5 는 본 발명의 비교예 1 과 실시예 1 내지 3 의 복층 도막의 형광 이미지를 리플로우 공정 전후에 측정한 결과를 나타낸 것이다.
1 shows UV-VIS absorption spectra of a phosphor and a fluorescent particle.
2 shows fluorescence spectra of a phosphor and a fluorescent particle.
3 schematically shows the structure of a single-layer coating film formed from a photosensitive resin composition ink or a thermosetting resin composition ink (thickness of the coating film after drying: 25 µm).
4 schematically shows the structure of a multilayer coating film including a resin layer formed from a photosensitive resin composition ink and/or a resin layer formed from a thermosetting resin composition ink (thickness of the coating film after drying: upper layer 25 μm, lower layer 25 μm) .
5 shows the results of measurement of fluorescence images of the multilayer coating films of Comparative Example 1 and Examples 1 to 3 of the present invention before and after the reflow process.

이하, 본 발명의 실시 형태를 상세하게 설명한다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, embodiment of this invention is described in detail.

본 발명에서 (A-1) 감광성 수지, (B) 루틸형 산화티타늄, (C) 형광체 및 (D) 착색제를 포함하는 수지 조성물은 "감광성 수지 조성물"로 기재한다. 본 발명에서 (A-2) 열 경화성 수지, (B) 루틸형 산화티타늄, (C) 형광체 및 (D) 착색제를 포함하는 수지 조성물은 "열 경화성 수지 조성물"로 기재한다. 본 발명에서 상기 감광성 수지 조성물과 열 경화성 수지 조성물을 포함하는 수지 조성물을 "솔더 레지스트 수지 조성물"로 기재한다.In the present invention, a resin composition comprising (A-1) photosensitive resin, (B) rutile titanium oxide, (C) phosphor, and (D) colorant is described as “photosensitive resin composition”. In the present invention, the resin composition comprising (A-2) thermosetting resin, (B) rutile titanium oxide, (C) phosphor, and (D) colorant is described as “thermosetting resin composition”. In the present invention, a resin composition including the photosensitive resin composition and the thermosetting resin composition is referred to as a "solder resist resin composition".

감광성 수지photosensitive resin

본 발명의 감광성 수지 조성물은 (A-1) 감광성 수지를 포함할 수 있다.The photosensitive resin composition of this invention may contain (A-1) photosensitive resin.

(A-1) 감광성 수지로서는, 활성 에너지선 조사에 의해 경화하여 전기 절연성을 나타내는 수지이면 되고, 특히, 본 발명에 있어서는, 분자 중에 1개 이상의 에틸렌성 불포화 결합을 갖는 화합물이 바람직하게 사용된다.(A-1) As photosensitive resin, what is necessary is just resin which hardens|cures by active energy ray irradiation and shows electrical insulation, In particular, in this invention, the compound which has one or more ethylenically unsaturated bond in a molecule|numerator is used preferably.

에틸렌성 불포화 결합을 갖는 화합물로서는, 공지 관용의 광중합성 올리고머 및 광중합성 비닐 단량체 등이 사용된다. 이 중, 광중합성 올리고머로서는, 불포화 폴리에스테르계 올리고머, (메트)아크릴레이트계 올리고머 등을 들 수 있다. (메트)아크릴레이트계 올리고머로서는, 페놀 노볼락 에폭시(메트)아크릴레이트, 크레졸 노볼락 에폭시(메트)아크릴레이트, 비스페놀형 에폭시(메트)아크릴레이트 등의 에폭시(메트)아크릴레이트, 우레탄(메트)아크릴레이트, 에폭시우레탄(메트)아크릴레이트, 폴리에스테르(메트)아크릴레이트, 폴리에테르(메트)아크릴레이트, 폴리부타디엔 변성 (메트)아크릴레이트 등을 들 수 있다.As a compound which has an ethylenically unsaturated bond, a well-known and usual photopolymerizable oligomer, a photopolymerizable vinyl monomer, etc. are used. Among these, as a photopolymerizable oligomer, an unsaturated polyester type oligomer, a (meth)acrylate type oligomer, etc. are mentioned. Examples of the (meth)acrylate oligomer include epoxy (meth)acrylates such as phenol novolac epoxy (meth)acrylate, cresol novolac epoxy (meth)acrylate, and bisphenol type epoxy (meth)acrylate, urethane (meth) Acrylate, epoxy urethane (meth)acrylate, polyester (meth)acrylate, polyether (meth)acrylate, polybutadiene modified (meth)acrylate, etc. are mentioned.

광중합성 비닐 단량체로서는, 공지 관용의 것, 예를 들어 스티렌, 클로로스티렌, α-메틸스티렌 등의 스티렌 유도체; 아세트산비닐, 부티르산비닐 또는 벤조산비닐 등의 비닐에스테르류; 비닐이소부틸에테르, 비닐-n-부틸에테르, 비닐-t-부틸에테르, 비닐-n-아밀에테르, 비닐이소아밀에테르, 비닐-n-옥타데실에테르, 비닐시클로헥실에테르, 에틸렌글리콜모노부틸비닐에테르, 트리에틸렌글리콜모노메틸비닐에테르 등의 비닐에테르류; 아크릴아미드, 메타크릴아미드, N-히드록시메틸아크릴아미드, N-히드록시메틸메타크릴아미드, N-메톡시메틸아크릴아미드, N-에톡시메틸아크릴아미드, N-부톡시메틸아크릴아미드 등의 (메트)아크릴아미드류; 트리알릴이소시아누레이트, 프탈산디알릴, 이소프탈산디알릴 등의 알릴 화합물; 2-에틸헥실(메트)아크릴레이트, 라우릴(메트)아크릴레이트, 테트라히드로푸르푸릴(메트)아크릴레이트, 이소보르닐(메트)아크릴레이트, 페닐(메트)아크릴레이트, 페녹시에틸(메트)아크릴레이트 등의 (메트)아크릴산의 에스테르류; 히드록시에틸(메트)아크릴레이트, 히드록시프로필(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨트리(메트)아크릴레이트 등의 히드록시알킬(메트)아크릴레이트류; 메톡시에틸(메트)아크릴레이트, 에톡시에틸(메트)아크릴레이트 등의 알콕시알킬렌글리콜모노(메트)아크릴레이트류; 에틸렌글리콜디(메트)아크릴레이트, 부탄디올디(메트)아크릴레이트류, 네오펜틸글리콜디(메트)아크릴레이트, 1,6-헥산디올디(메트)아크릴레이트, 트리메틸올프로판트리(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨테트라(메트)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨헥사(메트)아크릴레이트 등의 알킬렌폴리올폴리(메트)아크릴레이트; 디에틸렌글리콜디(메트)아크릴레이트, 트리에틸렌글리콜디(메트)아크릴레이트, 에톡시화 트리메틸올프로판트리아크릴레이트, 프로폭시화 트리메틸올프로판트리(메트)아크릴레이트 등의 폴리옥시알킬렌글리콜폴리(메트)아크릴레이트류; 히드록시피발산네오펜틸글리콜에스테르디(메트)아크릴레이트 등의 폴리(메트)아크릴레이트류; 트리스[(메트)아크릴옥시에틸]이소시아누레이트 등의 이소시아누레이트형 폴리(메트)아크릴레이트류 등을 들 수 있다. 이들은 요구 특성에 맞추어, 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다.As a photopolymerizable vinyl monomer, A well-known and usual thing, For example, Styrene derivatives, such as styrene, chlorostyrene, (alpha)-methylstyrene; vinyl esters such as vinyl acetate, vinyl butyrate, or vinyl benzoate; Vinyl isobutyl ether, vinyl-n-butyl ether, vinyl-t-butyl ether, vinyl-n-amyl ether, vinyl isoamyl ether, vinyl-n-octadecyl ether, vinyl cyclohexyl ether, ethylene glycol monobutyl vinyl vinyl ethers such as ether and triethylene glycol monomethyl vinyl ether; (acrylamide, methacrylamide, N-hydroxymethylacrylamide, N-hydroxymethylmethacrylamide, N-methoxymethylacrylamide, N-ethoxymethylacrylamide, N-butoxymethylacrylamide, etc.) meth)acrylamides; allyl compounds such as triallyl isocyanurate, diallyl phthalate, and diallyl isophthalate; 2-ethylhexyl (meth) acrylate, lauryl (meth) acrylate, tetrahydrofurfuryl (meth) acrylate, isobornyl (meth) acrylate, phenyl (meth) acrylate, phenoxyethyl (meth) esters of (meth)acrylic acid such as acrylates; hydroxyalkyl (meth)acrylates such as hydroxyethyl (meth)acrylate, hydroxypropyl (meth)acrylate, and pentaerythritol tri(meth)acrylate; Alkoxyalkylene glycol mono(meth)acrylates, such as methoxyethyl (meth)acrylate and ethoxyethyl (meth)acrylate; Ethylene glycol di(meth)acrylate, butanediol di(meth)acrylates, neopentyl glycol di(meth)acrylate, 1,6-hexanediol di(meth)acrylate, trimethylolpropane tri(meth)acrylate , pentaerythritol tetra(meth)acrylate, and alkylene polyol poly(meth)acrylates such as dipentaerythritol hexa(meth)acrylate; Polyoxyalkylene glycol poly(es) such as diethylene glycol di(meth)acrylate, triethylene glycol di(meth)acrylate, ethoxylated trimethylolpropane triacrylate, and propoxylated trimethylolpropane tri(meth)acrylate meth) acrylates; poly(meth)acrylates such as hydroxypivalic acid neopentyl glycol ester di(meth)acrylate; Isocyanurate-type poly(meth)acrylates, such as tris[(meth)acryloxyethyl] isocyanurate, etc. are mentioned. These can be used individually or in combination of 2 or more types according to a required characteristic.

본 발명의 솔더 레지스트 수지 조성물은, 예를 들어 하기 구조식의 감광성 수지를 포함할 수 있으나, 이에 제한되지 않는다. The solder resist resin composition of the present invention may include, for example, a photosensitive resin of the following structural formula, but is not limited thereto.

Figure pat00001
Figure pat00001

열 경화성 수지thermosetting resin

본 발명의 열 경화성 수지 조성물은 (A-2) 열 경화성 수지를 포함할 수 있다.The thermosetting resin composition of this invention may contain (A-2) thermosetting resin.

(A-2) 열 경화성 수지로서는, 가열에 의해 경화하여 전기 절연성을 나타내는 수지이면 되고, 예를 들어 에폭시 화합물, 옥세탄 화합물, 멜라민 수지, 실리콘 수지 등을 들 수 있다. 특히, 본 발명에 있어서는, 에폭시 화합물 및 옥세탄 화합물을 적절히 사용할 수 있고, 이들은 병용해도 된다.(A-2) As thermosetting resin, what is necessary is just resin which hardens|cures by heating and shows electrical insulation, For example, an epoxy compound, an oxetane compound, a melamine resin, a silicone resin, etc. are mentioned. In particular, in this invention, an epoxy compound and an oxetane compound can be used suitably, These may be used together.

상기 에폭시 화합물로서는, 1개 이상의 에폭시기를 갖는 공지 관용의 화합물을 사용할 수 있고, 그 중에서도, 2개 이상의 에폭시기를 갖는 화합물이 바람직하다. 예를 들어, 부틸글리시딜에테르, 페닐글리시딜에테르, 글리시딜(메트)아크릴레이트 등의 모노 에폭시 화합물, 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비스페놀 S형 에폭시 수지, 비스페놀 F형 에폭시 수지, 페놀 노볼락형 에폭시 수지, 크레졸 노볼락형 에폭시 수지, 지환식 에폭시 수지, 트리메틸올프로판폴리글리시딜에테르, 페닐-1,3-디글리시딜에테르, 비페닐-4,4'-디글리시딜에테르, 1,6-헥산디올디글리시딜에테르, 에틸렌글리콜 또는 프로필렌글리콜의 디글리시딜에테르, 소르비톨폴리글리시딜에테르, 트리스(2,3-에폭시프로필)이소시아누레이트, 트리글리시딜트리스(2-히드록시에틸)이소시아누레이트 등의 1분자 중에 2개 이상의 에폭시기를 갖는 화합물을 들 수 있다. 이들은 요구 특성에 맞추어, 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다.As said epoxy compound, the well-known and usual compound which has one or more epoxy groups can be used, Especially, the compound which has two or more epoxy groups is preferable. For example, mono epoxy compounds such as butyl glycidyl ether, phenyl glycidyl ether, glycidyl (meth) acrylate, bisphenol A type epoxy resin, bisphenol S type epoxy resin, bisphenol F type epoxy resin, phenol furnace Volak type epoxy resin, cresol novolak type epoxy resin, alicyclic epoxy resin, trimethylolpropane polyglycidyl ether, phenyl-1,3-diglycidyl ether, biphenyl-4,4'-diglycidyl Ether, 1,6-hexanediol diglycidyl ether, diglycidyl ether of ethylene glycol or propylene glycol, sorbitol polyglycidyl ether, tris(2,3-epoxypropyl) isocyanurate, triglycidyl The compound which has 2 or more epoxy groups in 1 molecule, such as tris (2-hydroxyethyl) isocyanurate, is mentioned. These can be used individually or in combination of 2 or more types according to a required characteristic.

상기 옥세탄 화합물로서는 하기 일반식As said oxetane compound, the following general formula

Figure pat00002
Figure pat00002

(식 중, R3은 수소 원자 또는 원자수 1 내지 6의 알킬기를 나타냄)에 의해 표시되는 옥세탄환을 함유하는 옥세탄 화합물의 구체예로서는, 3-에틸-3-히드록시메틸옥세탄(도아 고세이(주)제, 상품명 OXT-101), 3-에틸-3-(페녹시메틸)옥세탄(도아 고세이(주)제, 상품명 OXT-211), 3-에틸-3-(2-에틸헥실옥시메틸)옥세탄(도아 고세이(주)제, 상품명 OXT-212), 1,4-비스{[(3-에틸-3-옥세타닐)메톡시]메틸}벤젠(도아 고세이(주)제, 상품명 OXT-121), 비스(3-에틸-3-옥세타닐메틸)에테르(도아 고세이(주)제, 상품명 OXT-221) 등을 들 수 있다. 또한, 페놀 노볼락 타입의 옥세탄 화합물 등도 들 수 있다. 이들 옥세탄 화합물은 상기 에폭시 화합물과 병용해도 되고, 또한 단독으로 사용해도 된다.Specific examples of the oxetane compound containing the oxetane ring represented by (wherein, R 3 represents a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 6 atoms) include 3-ethyl-3-hydroxymethyloxetane (Toagosei Co., Ltd. product, brand name OXT-101), 3-ethyl-3-(phenoxymethyl)oxetane (Toagosei Co., Ltd. product, brand name OXT-211), 3-ethyl-3-(2-ethylhexyloxy) Methyl) oxetane (manufactured by Toagosei Co., Ltd., trade name OXT-212), 1,4-bis{[(3-ethyl-3-oxetanyl)methoxy]methyl}benzene (manufactured by Toagosei Co., Ltd.; trade name OXT-121), bis(3-ethyl-3-oxetanylmethyl) ether (Toagosei Co., Ltd. product, trade name OXT-221) etc. are mentioned. Moreover, the oxetane compound of a phenol novolak type, etc. are mentioned. These oxetane compounds may be used together with the said epoxy compound, and may be used independently.

본 발명의 솔더 레지스트 수지 조성물은, 예를 들어 에폭시 화합물, 옥세탄 화합물, 멜라민 수지, 실리콘 수지와 함께 스티렌/아크릴산/아크릴산 에스테르 화합물 등을 포함할 수 있으나, 이에 제한되지 않는다.The solder resist resin composition of the present invention may include, for example, an epoxy compound, an oxetane compound, a melamine resin, and a styrene/acrylic acid/acrylic acid ester compound together with a silicone resin, but is not limited thereto.

루틸형 산화티타늄Rutile Titanium Oxide

본 발명의 솔더 레지스트 수지 조성물은 (B) 루틸형 산화티타늄을 포함할 수 있다. (B) 루틸형 산화티타늄을 사용하면, 내열성을 보다 향상시킬 수 있음과 함께, 광 조사에 기인하는 변색을 일으키기 어려워져, 엄격한 사용 환경 하에서도 품질을 저하시키기 어렵게 할 수 있다.The solder resist resin composition of this invention may contain (B) rutile type titanium oxide. (B) When rutile-type titanium oxide is used, while heat resistance can be improved more, it becomes difficult to raise|generate the discoloration resulting from light irradiation, and it can make it difficult to reduce quality also under severe use environment.

특히, 알루미나 등의 알루미늄 산화물에 의해 표면 처리된 루틸형 산화티타늄을 사용함으로써 내열성을 더욱 향상시킬 수 있다. 상기 알루미늄 산화물에 의해 표면 처리된 루틸형 산화티타늄으로서는, 예를 들어 루틸형 염소법 산화티타늄인 이시하라 산교(주)제의 CR-58이나, 루틸형 황산법 산화티타늄인 동사제의 R-630 등을 들 수 있다. 또한, 규소 산화물에 의해 표면 처리된 루틸형 산화티타늄을 사용하는 것도 바람직하고, 이 경우도, 내열성을 더욱 향상시킬 수 있다. 또한, 알루미늄 산화물과 규소 산화물의 양쪽에 의해 표면 처리된 루틸형 산화티타늄을 사용하는 것도 바람직하고, 예를 들어 루틸형 염소법 산화티타늄인 이시하라 산교(주)제의 CR-90 등을 들 수 있다.In particular, heat resistance can be further improved by using rutile-type titanium oxide surface-treated with aluminum oxide such as alumina. As rutile-type titanium oxide surface-treated with the said aluminum oxide, Ishihara Sangyo Co., Ltd. product CR-58 which is a rutile-type chlorine method titanium oxide, R-630 manufactured by the company which is a rutile type sulfuric acid method titanium oxide, etc. are, for example. can be heard Moreover, it is also preferable to use the rutile-type titanium oxide surface-treated with silicon oxide, and also in this case, heat resistance can be improved further. It is also preferable to use rutile-type titanium oxide surface-treated with both aluminum oxide and silicon oxide, for example, CR-90 manufactured by Ishihara Sangyo Co., Ltd. which is a rutile-type chlorine-method titanium oxide. .

본 발명의 솔더 레지스트 수지 조성물은 이와 같은 (B) 루틸형 산화티타늄을 전체 조성물에 대하여 바람직하게는 5 내지 80 질량% 의 범위, 보다 바람직하게는 10 내지 70 질량% 의 범위로 포함할 수 있다.The soldering resist resin composition of this invention can contain such (B) rutile type titanium oxide with respect to the total composition, Preferably it is 5-80 mass %, More preferably, it can contain it in 10-70 mass %.

형광체phosphor

본 발명의 솔더 레지스트 수지 조성물은 (C) 형광체를 함유할 수 있다.The soldering resist resin composition of this invention can contain (C) fluorescent substance.

본 발명의 (C) 형광체는 200 ~ 400 nm 의 광을 흡수하고, 파장 400 ~ 500 nm 의 광을 방출한다. 보다 바람직하게는, 본 발명의 (C) 형광체는 흡수 피크 (Absorption peak) 가 파장 440 nm 이하이고, 발광 피크 (Emission peak) 가 또는 445 ~ 455 nm 일 수 있다. 본 발명의 (C) 형광체는 자외선 영역의 광을 흡수하고 청색 파장 영역의 광을 발하기 때문에, 이를 포함하는 솔더 레지스트 조성물로부터 형성된 솔더 레지스트 구조체의 청색 파장 영역의 반사율이 향상된다.The phosphor (C) of the present invention absorbs light having a wavelength of 200 to 400 nm and emits light having a wavelength of 400 to 500 nm. More preferably, in the phosphor (C) of the present invention, an absorption peak may have a wavelength of 440 nm or less, and an emission peak may be 445 to 455 nm. Since the phosphor (C) of the present invention absorbs light in the ultraviolet region and emits light in the blue wavelength region, the reflectance in the blue wavelength region of the solder resist structure formed from the solder resist composition including the same is improved.

이러한 (C) 형광체로서 나프탈렌을 치환기로서 가지는 벤조옥사조일 유도체, 티오펜을 치환기로서 가지는 벤조옥사조일 유도체, 스틸벤을 치환기로서 가지는 벤조옥사조일 유도체, 쿠마린 유도체, 스티렌 비페닐 유도체, 피라졸론 유도체, 비스(트리아지닐아미노) 스틸벤디술폰산 유도체 등을 들 수 있다. 본 발명의 (C) 형광체는, 예를 들어, 1,4-비스(2-벤조옥사졸릴)나프탈렌, 4,4'-비스[2-(2-메톡시페닐)에테닐]-1,1'-비페닐, 7-히드록시쿠마린-3-카르복실산, 4-브로모메틸-7-메톡시쿠마린, 5-디메틸아미노나프탈렌-1-술포닐 히드라진 (Dansyl hydrazine), N,N'-디-나프틸-N,N'-디페닐벤지딘, 4,4'-비스(2,2-디페닐비닐)비페닐, Alexa fluor 405, DAPI, 비스벤즈이미드 (Hoechst 33258), 비스벤즈이미드 (Hoechst 33342), SYTOX Blue 등을 포함할 수 있으나, 이에 제한되지 않는다.(C) as such a phosphor, a benzooxazoyl derivative having naphthalene as a substituent, a benzooxazoyl derivative having thiophene as a substituent, a benzooxazoyl derivative having stilbene as a substituent, a coumarin derivative, a styrene biphenyl derivative, a pyrazolone derivative; A bis(triazinylamino) stilbendisulfonic acid derivative etc. are mentioned. The phosphor (C) of the present invention is, for example, 1,4-bis(2-benzooxazolyl)naphthalene, 4,4'-bis[2-(2-methoxyphenyl)ethenyl]-1,1 '-Biphenyl, 7-hydroxycoumarin-3-carboxylic acid, 4-bromomethyl-7-methoxycoumarin, 5-dimethylaminonaphthalene-1-sulfonyl hydrazine (Dansyl hydrazine), N,N'- Di-naphthyl-N,N'-diphenylbenzidine, 4,4'-bis(2,2-diphenylvinyl)biphenyl, Alexa fluor 405, DAPI, bisbenzimide (Hoechst 33258), bisbenzimide ( Hoechst 33342), SYTOX Blue, and the like, but are not limited thereto.

본 발명의 솔더 레지스트 수지 조성물은 (C) 형광체 및 (D) 착색제를 포함할 수 있다. 본 발명의 일 실시예에서, 솔더 레지스트 수지 조성물은 균일하게 혼합된 (C) 형광체 및 (D) 착색제를 포함할 수 있다. 본 발명의 솔더 레지스트 수지 조성물은 (C) 형광체 및 (D) 착색제를 포함함으로써, 분산도, 침강 안정성 및 응집 안정성이 양호한 잉크의 제조에 사용될 수 있다.The solder resist resin composition of this invention may contain (C) a phosphor and (D) a colorant. In an embodiment of the present invention, the solder resist resin composition may include (C) a phosphor and (D) a colorant uniformly mixed. The solder resist resin composition of this invention can be used for manufacture of an ink with favorable dispersion degree, sedimentation stability, and cohesion stability by including (C) a phosphor and (D) a colorant.

본 발명의 솔더 레지스트 수지 조성물은 (D) 착색제로 코팅된 (C) 형광체를 포함할 수 있다. 본 발명의 일 실시예에서, (D) 착색제로 코팅된 (C) 형광체는 (C) 형광체를 포함하는 코어와, 코어의 표면 상에 부착된 (D) 착색제를 포함할 수 있다. 본 발명의 다른 실시예에서, (D) 착색제로 코팅된 (C) 형광체는 (C) 형광체를 포함하는 코어와, 코어를 둘러싸고 있는 층 구조를 포함할 수 있으며, 코어를 둘러싸고 있는 층 구조는 (D) 착색제를 포함할 수 있다. 본 발명의 (C) 형광체를 (D) 착색제로 코팅함으로써, 500 nm 이상 범위의 파장의 흡수율을 높이고, 400~500 nm 범위의 광의 방출량을 증가시킬 수 있다.The solder resist resin composition of the present invention may include (D) a phosphor coated with a colorant (C). In one embodiment of the present invention, the (C) phosphor coated with (D) the colorant may include (C) a core including the phosphor, and (D) the colorant attached to the surface of the core. In another embodiment of the present invention, the (C) phosphor coated with (D) a colorant may include a core including (C) the phosphor, and a layer structure surrounding the core, and the layer structure surrounding the core is ( D) may include a colorant. By coating (C) the phosphor of the present invention with the (D) colorant, the absorption rate of the wavelength in the range of 500 nm or more can be increased, and the amount of light emitted in the range of 400 to 500 nm can be increased.

본 발명의 솔더 레지스트 수지 조성물은 (C) 형광체 및 (D) 착색제를 포함하거나, (D) 착색제로 코팅된 (C) 형광체를 포함함으로써, 분산도, 침강 안정성 및 응집 안정성이 양호한 잉크의 제조에 사용될 수 있으며, 반사판 없이도 리플로우 공정 전후에의 평균 반사율 및 450 nm 파장에서의 반사율이 모두 높게 나타나는 솔더 레지스트 구조체, 드라이 필름 및 인쇄 배선판의 제조에 사용될 수 있다.The solder resist resin composition of the present invention contains (C) a phosphor and (D) a colorant, or (D) contains a (C) phosphor coated with a colorant. It can be used, and it can be used for manufacturing a solder resist structure, a dry film, and a printed wiring board, in which both the average reflectance before and after the reflow process and the reflectance at 450 nm wavelength are high, even without a reflector.

(C) 형광체의 양은 전체 조성물에 대하여 0.01 내지 3 질량% 의 범위인 것이 바람직하고, 0.05 내지 3 질량% 의 범위인 것이 보다 바람직하다. 본 발명의 솔더 레지스트 수지 조성물의 (C) 형광체의 함량이 상기 범위 내인 경우 잉크 물성에 영향을 미치지 않고 100 % 의 반사율을 나타낼 수 있다는 점에서 유리하다. 그러나 (C) 형광체의 함량이 상기 범위보다 적은 경우 반사율 증가 효과가 미미하고, 상기 범위보다 큰 경우 수지 조성물로부터 생성된 도막의 색채값 중 b 값이 너무 낮아져 차후 디스플레이의 색표현에 부정적인 영향을 줄 수 있으며, 수지 조성물 중 (C) 형광체의 함량이 증가됨으로 인해 수지 조성물에 포함된 수지의 함량이 감소하면서 크랙, 밀착성 불량 등의 문제가 발생할 수 있다.(C) The amount of the phosphor is preferably in the range of 0.01 to 3 mass%, more preferably in the range of 0.05 to 3 mass%, based on the total composition. When the content of (C) phosphor of the solder resist resin composition of the present invention is within the above range, it is advantageous in that 100% reflectance can be exhibited without affecting ink properties. However, (C) if the content of the phosphor is less than the above range, the effect of increasing the reflectance is insignificant, and if it is larger than the above range, the b value among the color values of the coating film produced from the resin composition is too low, which will negatively affect the color expression of the display in the future. In addition, as the content of the (C) phosphor in the resin composition is increased, the content of the resin included in the resin composition is reduced, and problems such as cracks and poor adhesion may occur.

본 발명의 (C) 형광체는 파우더 형태로 사용되거나 용제에 녹인 형태로 사용될 수 있다. (C) 형광체가 파우더 형태로 사용되는 경우, 입자의 크기는 0.1 내지 10 ㎛ 범위이고, 0.1 내지 5 ㎛ 범위인 것이 바람직하다. 입자의 크기가 상기 범위 내인 경우 솔더 레지스트 수지 조성물의 분산도, 침강안정성, 표면 레벨링의 측면에서 유리하나, 상기 범위를 벗어나면 솔더 레지스트 수지 조성물의 분산도, 침강안정성, 표면 레벨링의 측면에서 불리할 수 있다.(C) phosphor of the present invention may be used in the form of powder or dissolved in a solvent. (C) When the phosphor is used in powder form, the particle size is in the range of 0.1 to 10 μm, preferably in the range of 0.1 to 5 μm. When the particle size is within the above range, it is advantageous in terms of dispersion degree, sedimentation stability, and surface leveling of the solder resist resin composition. can

착색제coloring agent

본 발명의 솔더 레지스트 수지 조성물은 (D) 착색제를 함유할 수 있으며, 백색 이외의 착색제를 함유할 수 있다. 본 발명에서 "착색제"는 다른 정의가 없으면 백색 이외의 착색제를 의미한다. (D) 착색제는 적색, 청색, 녹색, 황색, 흑색 등의 관용 공지된 착색제를 포함하며, 안료, 염료, 색소 중 어느 것이어도 된다. 구체적으로는 컬러 인덱스 (C.I.; 더 소사이어티 오브 다이어즈 앤드 컬러리스츠 (The Society of Dyers and Colourists) 발행) 번호가 붙어 있는 것을 들 수 있다.The soldering resist resin composition of this invention can contain the (D) coloring agent, and can contain coloring agents other than white. In the present invention, "colorant" means a colorant other than white, unless otherwise defined. (D) The colorant includes commonly known colorants such as red, blue, green, yellow, and black, and any of a pigment, dye, and dye may be used. Specifically, a color index (C.I.; issued by The Society of Dyers and Colorists) numbered can be mentioned.

적색 착색제로서는 모노아조계, 디스아조계, 아조레이크계, 벤즈이미다졸론계, 페릴렌계, 디케토피롤로피롤계, 축합 아조계, 안트라퀴논계, 퀴나크리돈계 등을 들 수 있다. 청색 착색제로서는 금속 치환 또는 비치환된 프탈로시아닌계, 안트라퀴논계, 인돌릴리덴계가 있고, 안료계는 피그먼트(Pigment)로 분류되어 있는 화합물이 있다. 녹색 착색제로서는 마찬가지로 금속 치환 또는 비치환된 프탈로시아닌계, 안트라퀴논계, 페릴렌계가 있다. 황색 착색제로서는 모노아조계, 디스아조계, 축합 아조계, 벤즈이미다졸론계, 이소인돌리논계, 안트라퀴논계 등을 들 수 있다. 흑색 착색제로서는 티타늄 블랙계, 카본 블랙계, 흑연계, 산화철계, 안트라퀴논계, 산화코발트계, 산화구리계, 망간계, 산화안티몬계, 산화니켈계, 페릴렌계, 아닐린계의 안료, 황화몰리브덴, 황화 비스무트 등을 들 수 있다. 그 외에 색조를 조정할 목적으로 보라색, 오렌지, 갈색 등의 착색제를 첨가해도 된다.Examples of the red colorant include monoazo, disazo, azolake, benzimidazolone, perylene, diketopyrrolopyrrole, condensed azo, anthraquinone, and quinacridone. As the blue colorant, there are metal-substituted or unsubstituted phthalocyanine-based, anthraquinone-based, and indolylidene-based compounds, and pigment-based compounds classified as pigments. As a green colorant, there exist a metal-substituted or unsubstituted phthalocyanine type, anthraquinone type, and a perylene type similarly. Examples of the yellow colorant include monoazo, disazo, condensed azo, benzimidazolone, isoindolinone, and anthraquinone. Examples of the black colorant include titanium black, carbon black, graphite, iron oxide, anthraquinone, cobalt oxide, copper oxide, manganese, antimony oxide, nickel oxide, perylene and aniline pigments, molybdenum sulfide. , and bismuth sulfide. In addition, you may add colorants, such as purple, orange, and brown, for the purpose of adjusting a color tone.

본 발명의 (D) 착색제는 청색 착색제를 포함할 수 있다. 본 발명의 수지 조성물이 포함하는 (D) 착색제는 500 nm 이상 범위의 파장을 흡수할 수 있으며, 바람직하게는 600 nm 이상 범위의 파장을 흡수할 수 있다. (D) 착색제를 포함하는 본 발명의 수지 조성물은 평균 반사율이 향상된 솔더 레지스트 구조체 제조에 사용될 수 있다.The colorant (D) of the present invention may include a blue colorant. (D) the colorant included in the resin composition of the present invention can absorb a wavelength in the range of 500 nm or more, preferably can absorb a wavelength in the range of 600 nm or more. (D) The resin composition of the present invention comprising a colorant may be used to prepare a solder resist structure having improved average reflectance.

본 발명의 (D) 착색제는, 예를 들어, 1,4-비스(부틸아미노)안트라센-9,10-디온, 2,2'-비스(2,3-디하이드로-3-옥소인돌릴덴), 3,7-비스(디메틸아미노)페노싸이아진-5-이움 클로라이드, 프탈로시아닌 블루, 알시안 블루, 크레실 블루 BBS, 페닐렌 블루, 빅토리아 블루 B/FBR/BO/FGA/4R/R 등을 포함할 수 있으나, 이에 제한되지 않는다.The colorant (D) of the present invention is, for example, 1,4-bis(butylamino)anthracene-9,10-dione, 2,2'-bis(2,3-dihydro-3-oxoindolyldene) ), 3,7-bis(dimethylamino)phenothiazine-5-ium chloride, phthalocyanine blue, alcyan blue, cresyl blue BBS, phenylene blue, victoria blue B/FBR/BO/FGA/4R/R, etc. may include, but is not limited thereto.

본 발명의 (D) 착색제의 양은 전체 조성물에 대하여 0.001 ~ 1 질량% 인 것이 바람직하며, 0.001 내지 0.5 질량% 인 것이 보다 바람직하다. 본 발명의 수지 조성물의 (D) 착색제의 함량이 상기 범위보다 적은 경우 450 nm 파장에서의 발광 효과가 부족하고, 상기 범위보다 큰 경우 가시광선 영역의 흡수가 증가하여 평균반사율이 감소하는 문제가 있다.The amount of the colorant (D) of the present invention is preferably 0.001 to 1 mass%, more preferably 0.001 to 0.5 mass%, based on the total composition. When the content of (D) colorant in the resin composition of the present invention is less than the above range, the light emitting effect at a wavelength of 450 nm is insufficient, and when it is larger than the above range, absorption in the visible light region increases and the average reflectance decreases. .

기타Etc

본 발명의 감광성 수지 조성물은 광중합 개시제를 포함할 수 있다. 광중합 개시제로서는, 광중합 개시제나 광 라디칼 발생제로서 공지의 광중합 개시제이면, 어떤 것이든 사용할 수도 있다.The photosensitive resin composition of the present invention may include a photoinitiator. As a photoinitiator, if it is a well-known photoinitiator as a photoinitiator and a photoradical generator, any can also be used.

본 발명의 열 경화성 수지 조성물은 경화제 및/또는 경화 촉매를 더 함유할 수 있다. 경화제로서는, 다관능 페놀 화합물, 폴리카르복실산 및 그의 산 무수물, 지방족 또는 방향족의 1급 또는 2급 아민, 폴리아미드 수지, 폴리머캅토 화합물 등을 들 수 있다. 이들 중에서, 다관능 페놀 화합물 및 폴리카르복실산 및 그의 산 무수물이 작업성, 절연성의 면에서 바람직하게 사용된다. 또한, 경화 촉매는 에폭시 화합물 및/또는 옥세탄 화합물 등과 경화제와의 반응에 있어서 경화 촉매가 될 수 있는 화합물, 또는 경화제를 사용하지 않는 경우에 중합 촉매가 되는 화합물이다. 경화 촉매로서는, 구체적으로는, 예를 들어 3급 아민, 3급 아민염, 4급 오늄염, 3급 포스핀, 크라운에테르 착체 및 포스포늄일리드 등을 들 수 있고, 이들 중에서 임의로, 단독으로 또는 2종류 이상을 조합하여 사용할 수 있다. 본 발명의 일 실시예에서, 솔더 레지스트 수지 조성물은 광중합 개시제와 아민 경화제를 포함할 수 있다.The thermosetting resin composition of the present invention may further contain a curing agent and/or a curing catalyst. Examples of the curing agent include polyfunctional phenol compounds, polycarboxylic acids and acid anhydrides thereof, aliphatic or aromatic primary or secondary amines, polyamide resins, and polymercapto compounds. Among these, polyfunctional phenol compounds, polycarboxylic acids, and acid anhydrides thereof are preferably used in view of workability and insulating properties. Further, the curing catalyst is a compound that can serve as a curing catalyst in reaction with an epoxy compound and/or an oxetane compound and the like with a curing agent, or a compound that becomes a polymerization catalyst when a curing agent is not used. Specific examples of the curing catalyst include tertiary amines, tertiary amine salts, quaternary onium salts, tertiary phosphines, crown ether complexes, phosphonium ylide, and the like. Or it can be used in combination of 2 or more types. In one embodiment of the present invention, the solder resist resin composition may include a photopolymerization initiator and an amine curing agent.

본 발명의 솔더 레지스트 수지 조성물은 조성물의 제조나, 기판이나 캐리어 필름에 도포할 때의 점도 조정 등의 목적으로, 유기 용제를 포함할 수 있다. 유기 용제로서는, 에스테르류; 옥탄, 데칸 등의 지방족 탄화수소류; 석유 에테르, 석유 나프타, 솔벤트 나프타 등의 석유계 용제 등, 공지 관용의 유기 용제를 사용할 수 있다. 이들 유기 용제는 단독으로 또는 2종류 이상 조합하여 사용할 수 있다.The soldering resist resin composition of this invention can contain the organic solvent for the purpose of manufacture of a composition, viscosity adjustment at the time of apply|coating to a board|substrate or a carrier film, etc. Examples of the organic solvent include esters; aliphatic hydrocarbons such as octane and decane; A well-known and usual organic solvent, such as petroleum solvents, such as petroleum ether, petroleum naphtha, and solvent naphtha, can be used. These organic solvents can be used individually or in combination of 2 or more types.

본 발명의 솔더 레지스트 수지 조성물은 산화 방지제를 포함할 수 있다. 산화 방지제를 포함함으로써, 통상, 경화성 수지 등의 산화 열화를 방지하여, 변색을 억제하는 효과가 있으며, 내열성이 향상됨과 함께, 해상성(선폭 재현성)이 양호해지는 효과가 있다. 즉, 백색 착색제의 종류에 따라서는, 광을 반사하여 흡수함으로써, 해상성을 악화시키는 경우가 있지만, 산화 방지제를 함유시킴으로써, 백색 착색제의 종류에 의하지 않고, 양호한 해상성을 얻을 수 있게 된다.The solder resist resin composition of this invention may contain antioxidant. By containing antioxidant, oxidative deterioration of curable resin etc. is normally prevented, there exists an effect of suppressing discoloration, while heat resistance improves, there exists an effect that resolution (line width reproducibility) becomes favorable. That is, depending on the kind of the white colorant, the resolution may be deteriorated by reflecting and absorbing light. However, by containing the antioxidant, good resolution can be obtained regardless of the kind of the white colorant.

산화 방지제로는, 발생한 라디칼을 무효화하는 라디칼 포착제나, 발생한 과산화물을 무해한 물질로 분해하여 새로운 라디칼이 발생하지 않도록 하는 과산화물 분해제 등이 있고, 1종을 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상을 조합하여 사용해도 된다.Antioxidants include radical scavengers that invalidate generated radicals, peroxide decomposers that decompose generated peroxides into harmless substances to prevent new radicals from being generated, and the like, and may be used alone or in combination of two or more you can use it.

또한, 산화 방지제, 특히, 페놀계의 산화 방지제는 내열 안정제와 병용함으로써, 한층 더 효과를 발휘하는 경우가 있으므로, 본 발명의 솔더 레지스트 수지 조성물에는 내열 안정제를 배합해도 된다.Moreover, since antioxidant, especially a phenolic antioxidant, may exhibit a further effect by using together with a heat-resistant stabilizer, you may mix|blend a heat-resistant stabilizer with the soldering resist resin composition of this invention.

내열 안정제로서는, 인계, 히드록실아민계, 황계 내열 안정제 등을 들 수 있다. 상기 내열 안정제는 1종을 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상을 병용해도 된다.Examples of the heat-resistant stabilizer include phosphorus-based, hydroxylamine-based, and sulfur-based heat-resistant stabilizers. The said heat-resistant stabilizer may be used individually by 1 type, and may use 2 or more types together.

또한, 본 발명의 솔더 레지스트 수지 조성물에는 전자 재료의 분야에 있어서 공지 관용의 다른 첨가제를 배합해도 된다. 다른 첨가제로서는, 열중합 금지제, 자외선 흡수제, 실란 커플링제, 가소제, 난연제, 대전 방지제, 노화 예방제, 항균ㆍ방미제, 소포제, 레벨링제, 충전제, 증점제, 밀착성 부여제, 틱소트로픽성 부여제, 광 개시 보조제, 증감제, 경화 촉진제, 이형제, 표면 처리제, 분산제, 분산 보조제, 표면 개질제, 안정제 등을 들 수 있다.Moreover, you may mix|blend another well-known and usual additive with the soldering resist resin composition of this invention in the field|area of an electronic material. Examples of the other additives include a thermal polymerization inhibitor, an ultraviolet absorber, a silane coupling agent, a plasticizer, a flame retardant, an antistatic agent, an anti-aging agent, an antibacterial/mildew inhibitor, an antifoaming agent, a leveling agent, a filler, a thickener, an adhesion imparting agent, a thixotropic imparting agent, A photoinitiation auxiliary agent, a sensitizer, a hardening accelerator, a mold release agent, a surface treatment agent, a dispersing agent, a dispersion auxiliary agent, a surface modifier, a stabilizer, etc. are mentioned.

솔더 레지스트 구조체Solder resist structure

본 발명의 솔더 레지스트 구조체는 수지 조성물은 하나 이상의 층을 포함할 수 있다.In the solder resist structure of the present invention, the resin composition may include one or more layers.

본 발명의 솔더 레지스트 구조체는 감광성 수지 조성물로 이루어진 층, 즉 감광성 수지층을 적어도 하나 포함할 수 있다. 또는, 본 발명의 솔더 레지스트 구조체는 열 경화성 수지 조성물로 이루어진 층, 즉 열 경화성 수지층을 적어도 하나 포함할 수 있다.The solder resist structure of the present invention may include at least one layer made of the photosensitive resin composition, that is, the photosensitive resin layer. Alternatively, the solder resist structure of the present invention may include at least one layer made of a thermosetting resin composition, that is, a thermosetting resin layer.

본 발명의 솔더 레지스트 구조체에 포함되는 각 층의 두께는 10 내지 60 ㎛ 범위이고, 바람직하게는 10 내지 40 ㎛ 범위이다. 층의 두께가 얇으면 솔더 레지스트의 구조체의 반사율이 낮아지는 문제가 있으며, 층의 두께가 두꺼우면 솔더 레지스트 구조체의 제조 비용이 증가하여 경제적이지 못하고 내크랙성이 취약할 수 있다.The thickness of each layer included in the solder resist structure of the present invention is in the range of 10 to 60 μm, preferably in the range of 10 to 40 μm. When the thickness of the layer is thin, there is a problem in that the reflectance of the structure of the solder resist is lowered, and when the thickness of the layer is thick, the manufacturing cost of the structure of the solder resist increases, which is not economical and the crack resistance may be weak.

본 발명의 일 실시예에서, 솔더 레지스트 구조체는 하나의 층을 포함하는 단층 구조일 수 있다. 단층 구조의 솔더 레지스트 구조체는 감광성 수지층으로 이루어지거나 열 경화성 수지층으로 이루어질 수 있다. 이 경우, 층의 두께는 10 내지 60 ㎛ 범위이고, 바람직하게는 10 내지 40 ㎛ 범위이다.In one embodiment of the present invention, the solder resist structure may be a single-layer structure including one layer. The single-layered solder resist structure may be formed of a photosensitive resin layer or a thermosetting resin layer. In this case, the thickness of the layer is in the range from 10 to 60 μm, preferably in the range from 10 to 40 μm.

본 발명의 일 실시예에서, 솔더 레지스트 구조체는 상층 및 하층을 포함하는 복층 구조일 수 있다. 복층 구조의 솔더 레지스트 구조체는 감광성 수지층을 포함할 수 있고, 감광성 수지층은 구조체의 상층 또는 하층에 위치할 수 있다. 복층 구조의 솔더 레지스트 구조체는 열 경화성 수지층을 포함할 수 있고, 열 경화성 수지층은 상층에 위치하는 것이 바람직하다. 이 경우, 각 층의 두께는 10 내지 60 ㎛ 범위이고, 바람직하게는 10 내지 40 ㎛ 범위이다.In one embodiment of the present invention, the solder resist structure may be a multi-layer structure including an upper layer and a lower layer. The multi-layered solder resist structure may include a photosensitive resin layer, and the photosensitive resin layer may be positioned on an upper layer or a lower layer of the structure. The multi-layered solder resist structure may include a thermosetting resin layer, and the thermosetting resin layer is preferably located on the upper layer. In this case, the thickness of each layer is in the range of 10 to 60 μm, preferably in the range of 10 to 40 μm.

본 발명의 일 실시예에서, 솔더 레지스트 구조체는 감광성 수지층 및 열 경화성 수지층을 포함할 수 있고, 열 경화성 수지층은 감광성 수지층의 상층에 위치하는 것이 바람직하다. 이 경우, 감광성 수지층의 두께는 10 내지 60 ㎛, 바람직하게는 10 내지 40 ㎛ 범위이고, 열 경화성 수지층의 두께는 10 내지 60 ㎛, 바람직하게는 10 내지 40 ㎛ 범위이다.In an embodiment of the present invention, the solder resist structure may include a photosensitive resin layer and a thermosetting resin layer, and the thermosetting resin layer is preferably located on an upper layer of the photosensitive resin layer. In this case, the thickness of the photosensitive resin layer is in the range of 10 to 60 µm, preferably 10 to 40 µm, and the thickness of the thermosetting resin layer is in the range of 10 to 60 µm, preferably 10 to 40 µm.

본 발명의 솔더 레지스트 구조체는 백색으로 함으로써, 조명 기구나 휴대 단말기, 퍼스널 컴퓨터, 텔레비전 등의 액정 디스플레이의 백라이트 등에 있어서, 그의 광원으로서 사용되는 발광 다이오드(LED)나 전계 발광(EL)으로부터 발생되는 광을 반사하기 위해 사용될 수 있다.When the solder resist structure of the present invention is white, light generated from a light emitting diode (LED) or electroluminescence (EL) used as the light source in the backlight of a liquid crystal display such as a lighting fixture, a portable terminal, a personal computer, or a television. can be used to reflect

드라이 필름 및 인쇄 배선판 Dry Film and Printed Wiring Boards

본 발명의 드라이 필름은 상기 솔더 레지스트 수지 조성물을 도포, 건조하여 수득할 수 있다.The dry film of the present invention can be obtained by coating and drying the solder resist resin composition.

드라이 필름을 형성할 때에는, 먼저, 본 발명의 조성물을 상기 유기 용제로 희석하여 적절한 점도로 조정한 후, 콤마 코터, 블레이드 코터, 립 코터, 로드 코터, 스퀴즈 코터, 리버스 코터, 트랜스퍼 롤 코터, 그라비아 코터, 스프레이 코터 등에 의해, 캐리어 필름 상에 균일한 두께로 도포한다. 그 후, 도포된 조성물을, 통상 50 내지 130 oC 의 온도에서 1 내지 30 분간 건조함으로써, 수지층을 형성할 수 있다. 도포막 두께에 대해서는 특별히 제한은 없지만, 일반적으로, 건조 후의 막 두께로 10 내지 150 ㎛, 바람직하게는 10 내지 60 ㎛, 더욱 바람직하게는 10 내지 40 ㎛ 의 범위에서 적절히 선택된다.When forming a dry film, first, the composition of the present invention is diluted with the organic solvent and adjusted to an appropriate viscosity, and then a comma coater, a blade coater, a lip coater, a rod coater, a squeeze coater, a reverse coater, a transfer roll coater, a gravure It is apply|coated with a uniform thickness on a carrier film with a coater, a spray coater, etc. Thereafter, by drying the applied composition at a temperature of 50 to 130 o C for 1 to 30 minutes, a resin layer can be formed. Although there is no restriction|limiting in particular about the coating film thickness, Generally, the film thickness after drying is suitably selected from 10-150 micrometers, Preferably it is 10-60 micrometers, More preferably, it is 10-40 micrometers.

캐리어 필름으로서는, 플라스틱 필름이 사용되고, 예를 들어 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET) 등의 폴리에스테르 필름, 폴리이미드 필름, 폴리아미드이미드 필름, 폴리프로필렌 필름, 폴리스티렌 필름 등을 사용할 수 있다. 캐리어 필름의 두께에 대해서는 특별히 제한은 없지만, 일반적으로 10 내지 150 ㎛ 의 범위에서 적절히 선택된다.As a carrier film, a plastic film is used, For example, polyester films, such as a polyethylene terephthalate (PET), a polyimide film, a polyamideimide film, a polypropylene film, a polystyrene film, etc. can be used. Although there is no restriction|limiting in particular about the thickness of a carrier film, Generally, it selects suitably in the range of 10-150 micrometers.

캐리어 필름 상에 본 발명의 솔더 레지스트 수지 조성물을 포함하는 수지층을 형성한 후, 막의 표면에 티끌이 부착되는 것을 방지하는 등의 목적으로, 막의 표면에, 박리 가능한 커버 필름을 더 적층하는 것이 바람직하다. 박리 가능한 커버 필름으로서는, 예를 들어 폴리에틸렌 필름이나 폴리테트라플루오로에틸렌 필름, 폴리프로필렌 필름, 표면 처리한 종이 등을 사용할 수 있다. 커버 필름으로서는, 커버 필름을 박리할 때에, 수지층과 캐리어 필름과의 접착력보다도 작은 것이면 된다.After forming the resin layer containing the soldering resist resin composition of this invention on a carrier film, it is preferable to laminate|stack a peelable cover film on the surface of a film|membrane for the purpose of preventing dust from adhering to the surface of a film|membrane. do. As a peelable cover film, a polyethylene film, a polytetrafluoroethylene film, a polypropylene film, the surface-treated paper etc. can be used, for example. As a cover film, when peeling a cover film, what is necessary is just to be smaller than the adhesive force of a resin layer and a carrier film.

또한, 본 발명에 있어서는, 상기 커버 필름 상에 본 발명의 솔더 레지스트 수지 조성물을 도포, 건조시킴으로써 솔더 레지스트 수지층을 형성하고, 그의 표면에 캐리어 필름을 적층하는 것이어도 된다. 즉, 본 발명에 있어서 드라이 필름을 제조할 때에 본 발명의 솔더 레지스트 수지 조성물을 도포하는 필름으로서는, 캐리어 필름 및 커버 필름 중 어떤 것을 사용해도 된다.Moreover, in this invention, a soldering resist resin layer is formed by apply|coating and drying the soldering resist resin composition of this invention on the said cover film, and you may laminate|stack a carrier film on the surface. That is, when manufacturing a dry film in this invention, you may use any of a carrier film and a cover film as a film which apply|coats the soldering resist resin composition of this invention.

본 발명의 인쇄 배선판은 상기 솔더 레지스트 수지 조성물로부터 형성된 층을 하나 이상 포함하는 솔더 레지스트 구조체를 포함할 수 있다.The printed wiring board of the present invention may include a solder resist structure including one or more layers formed from the solder resist resin composition.

실시예Example

이하, 본 발명을 실시예를 이용하여 상세하게 설명한다.Hereinafter, the present invention will be described in detail using examples.

형광체 및 착색제를 포함하는 형광 입자의 제조Preparation of Fluorescent Particles Containing Phosphor and Colorant

90 ~ 92 질량% 의 형광체 1,4-비스(2-벤조옥사졸릴)나프탈렌, 7 ~ 8 질량% 의 4,4'-비스[2-(2-메톡시페닐)에테닐]-1,1'-비페닐을 포함하는 입자 형태의 형광체 혼합물 Phosphor Blue440 을 제조하였다.90 to 92 mass% of the phosphor 1,4-bis(2-benzooxazolyl)naphthalene, 7 to 8 mass% of 4,4'-bis[2-(2-methoxyphenyl)ethenyl]-1,1 Phosphor Blue440, a phosphor mixture in the form of particles containing '-biphenyl, was prepared.

상기 형광체 혼합물 Phosphor Blue440 을 착색제 1,4-비스(부틸아미노)안트라센-9,10-디온으로 코팅하여 형광 입자 Phosphor Blue OEF-BTS 를 제조하였다. 상기 형광체 혼합물 Phosphor Blue440 과 이를 코팅하는 착색제의 질량비는 100 : 0.2 로 하였다.The phosphor mixture Phosphor Blue440 was coated with a colorant 1,4-bis(butylamino)anthracene-9,10-dione to prepare fluorescent particles Phosphor Blue OEF-BTS. The mass ratio of the phosphor mixture Phosphor Blue440 to the colorant coating the same was 100:0.2.

형광체와 형광 입자의 크기Phosphor and Fluorescent Particle Size

형광체 (Phosphor Blue440) 와 형광 입자 (Phosphor Blue OEF-BTS) 의 크기 또는 지름은 입도 분석기, 그라인더 게이지 등을 이용해 측정할 수 있다. 상기 형광체 Phosphor Blue440 의 크기를 측정한 결과는 5 ㎛ 였다. 그리고 제조된 형광 입자 Phosphor Blue OEF-BTS 의 크기를 측정한 결과는 5 ㎛ 였다.The size or diameter of the phosphor (Phosphor Blue440) and the phosphor particles (Phosphor Blue OEF-BTS) can be measured using a particle size analyzer or a grinder gauge. The result of measuring the size of the phosphor Phosphor Blue440 was 5 μm. And the result of measuring the size of the prepared fluorescent particles Phosphor Blue OEF-BTS was 5 μm.

형광체와 형광 입자의 광특성 비교Comparison of optical properties of phosphors and fluorescent particles

형광체와 형광 입자의 광특성을 비교하기 위하여, UV-VIS 흡수 스펙트럼 및 형광 스펙트럼을 측정하였다.In order to compare the optical properties of the phosphor and the fluorescent particles, the UV-VIS absorption spectrum and the fluorescence spectrum were measured.

도 1 은 형광체와 형광 입자의 UV-VIS 흡수 스펙트럼을 나타내고, 도 2 는 형광체와 형광 입자의 형광 스펙트럼을 나타낸다.FIG. 1 shows UV-VIS absorption spectra of a phosphor and a fluorescent particle, and FIG. 2 shows a fluorescence spectrum of a phosphor and a fluorescent particle.

도 1 의 흡수 스펙트럼에 나타난 바와 같이, 형광체와 형광 입자는 모두 약 400 nm 파장에서 흡수 피크를 가지나, 500 nm 이상의 파장 영역에서 형광 입자가 형광체보다 현저히 높은 흡광을 나타냈다.As shown in the absorption spectrum of FIG. 1 , both the fluorescent material and the fluorescent particle have absorption peaks at a wavelength of about 400 nm, but the fluorescent particle exhibited significantly higher absorption than the fluorescent material in a wavelength region of 500 nm or more.

형광체와 형광 입자의 형광 스펙트럼은 흡광 파장을 각각 415 nm 및 409 nm 로 설정한 상태에서 측정되었다. 도 2 에 나타난 바와 같이, 형광체와 형광 입자 모두 452 nm 파장에서 최대 형광을 나타냈으나, 형광 입자가 훨씬 강한 형광을 나타냈다.The fluorescence spectra of the phosphor and the fluorescent particles were measured with absorption wavelengths set to 415 nm and 409 nm, respectively. As shown in FIG. 2 , both the phosphor and the fluorescent particles exhibited maximum fluorescence at a wavelength of 452 nm, but the fluorescent particles exhibited much stronger fluorescence.

도 1 및 도 2 로부터, 형광체와 함께 착색제를 함께 사용함으로써, 형광체만 사용하는 경우보다 더 넓은 파장 영역에서 흡광이 가능하며, 형광 효율이 향상되고 형광 세기가 증가됨을 확인할 수 있다.From FIGS. 1 and 2 , it can be confirmed that by using the colorant together with the phosphor, light absorption is possible in a wider wavelength region than when the phosphor alone is used, and the fluorescence efficiency is improved and the fluorescence intensity is increased.

감광성 수지 조성물 잉크의 제조Preparation of photosensitive resin composition ink

원료를 용기에 넣고 교반하여 필러가 고르게 분산된 것을 육안으로 확인한 후에 3본롤에 연육하여 감광성 수지 조성물 잉크 A-1-1 내지 A-1-8 을 제조하였다. 각 성분 함량은 하기 표 1 에 기재된 바와 같다.The raw materials were put in a container and stirred to visually confirm that the filler was evenly dispersed, and then stretched on 3 rolls to prepare photosensitive resin composition inks A-1-1 to A-1-8. The content of each component is as described in Table 1 below.

표 1: 감광성 수지 조성물 잉크의 각 성분 함량 (단위: 질량%)Table 1: Contents of each component of the photosensitive resin composition ink (unit: mass %)

Figure pat00003
Figure pat00003

상기 표 1 에 나타난 각 성분의 상세 내용은 다음과 같다.Details of each component shown in Table 1 are as follows.

감광성 수지: (1) CYCLOMER-P(ACA)Z250 (Daicel Corporation)Photosensitive resin: (1) CYCLOMER-P(ACA)Z250 (Daicel Corporation)

(2) CYCLOMER-P(ACA)Z254F (Daicel allnex) (2) CYCLOMER-P(ACA)Z254F (Daicel allnex)

소포제: KS-66 (Shin-Etsu CHEMICAL CO.,LTD.), BYK-1791 (BYK)Defoamer: KS-66 (Shin-Etsu CHEMICAL CO., LTD.), BYK-1791 (BYK)

분산제: DISPERBYK-111 (BYK)Dispersant: DISPERBYK-111 (BYK)

레벨링제: BYK-405 (BYK)Leveling agent: BYK-405 (BYK)

희석제: DOWANOL DPM (Dow chem)Thinner: DOWANOL DPM (Dow chem)

열경화제: KH-1600 (NINGXIA DARONG CHEMICALS), MELAMIN FUNSAI (JingShan Ink Material Manufacturing(Huai))Thermosetting agent: KH-1600 (NINGXIA DARONG CHEMICALS), MELAMIN FUNSAI (JingShan Ink Material Manufacturing (Huai))

광개시제: OMNIRAD 819 (IGM Resins B.V.), MOSAPHOTO 348 (UFC Corporation), OMNIRAD 907 (IGM Resins B.V.), Shoufu ITX (Zhejiang Shou&Fu Chemtrade Co., Ltd.)Photoinitiators: OMNIRAD 819 (IGM Resins B.V.), MOSAPHOTO 348 (UFC Corporation), OMNIRAD 907 (IGM Resins B.V.), Shoufu ITX (Zhejiang Shou&Fu Chemtrade Co., Ltd.)

산화티탄: Ti Pure R-706 (CHEMOURS)Titanium oxide: Ti Pure R-706 (CHEMOURS)

필러: NIPSIL L-300 (Tosoh Silica Corporation)Filler: NIPSIL L-300 (Tosoh Silica Corporation)

형광체: Phosphor Blue440 (Timerich)Phosphor: Phosphor Blue440 (Timerich)

착색제: 1,4-비스(부틸아미노)안트라센-9,10-디온Colorant: 1,4-bis(butylamino)anthracene-9,10-dione

상기 표 1 의 A-1-1 은 형광체와 착색제를 모두 포함하지 않는 감광성 수지 조성물 잉크이고, A-1-7 및 A-1-8 은 형광체 (Phosphor Blue440) 를 포함하나 착색제를 포함하지 않는 감광성 수지 조성물 잉크이다. 그리고 A-1-2 내지 A-1-6 은 형광체 (Phosphor Blue440) 가 착색제 (1,4-비스(부틸아미노)안트라센-9,10-디온)로 코팅된 형광 입자 (Phosphor Blue OEF-BTS) 를 포함하는 감광성 수지 조성물 잉크이다.A-1-1 of Table 1 is a photosensitive resin composition ink that does not contain both a phosphor and a colorant, and A-1-7 and A-1-8 are a photosensitive ink that contains a phosphor (Phosphor Blue440) but does not contain a colorant. It is a resin composition ink. And A-1-2 to A-1-6 are fluorescent particles (Phosphor Blue OEF-BTS) in which a phosphor (Phosphor Blue440) is coated with a colorant (1,4-bis(butylamino)anthracene-9,10-dione) It is a photosensitive resin composition ink comprising a.

열 경화성 수지 조성물 잉크의 제조Preparation of thermosetting resin composition ink

원료를 용기에 넣고 교반하여 필러가 고르게 분산된 것을 육안으로 확인한 후에 3본롤에 연육하여 열 경화성 수지 조성물 잉크 A-2-1 내지 A-2-5 를 제조하였다. 각 성분 함량은 하기 표 2 에 기재된 바와 같다.The raw material was put in a container and stirred to visually confirm that the filler was evenly dispersed, and then spread on three rolls to prepare thermosetting resin composition inks A-2-1 to A-2-5. The content of each component is as described in Table 2 below.

표 2: 열 경화성 수지 조성물 잉크의 각 성분 함량 (단위: 질량%)Table 2: Contents of each component of the thermosetting resin composition ink (unit: mass %)

Figure pat00004
Figure pat00004

상기 표 2 에 나타난 각 성분의 상세 내용은 다음과 같다.Details of each component shown in Table 2 are as follows.

열 경화성 수지: VB-5305DPM50 ((주) Nihon Cima)Thermosetting resin: VB-5305DPM50 (Nihon Cima Co., Ltd.)

소포제: KS-66Defoamer: KS-66

분산제: DISPERBYK-111Dispersant: DISPERBYK-111

열경화제: KH-1600, MELAMINE FUNSAIThermosetting agent: KH-1600, MELAMINE FUNSAI

희석제: DOWANOL TPM GLYCOL ETHER (DOW CHEM)Thinner: DOWANOL TPM GLYCOL ETHER (DOW CHEM)

산화티탄: TiONA 595 (TRONOX LLC)Titanium Oxide: TiONA 595 (TRONOX LLC)

필러: KHP-25 (KOCH), AEROSIL R974 (Evonik Resource Efficiency GmbH)Filler: KHP-25 (KOCH), AEROSIL R974 (Evonik Resource Efficiency GmbH)

형광체: Phosphor Blue440 (Timerich)Phosphor: Phosphor Blue440 (Timerich)

착색제: 1,4-비스(부틸아미노)안트라센-9,10-디온Colorant: 1,4-bis(butylamino)anthracene-9,10-dione

상기 표 2 의 A-2-1 은 형광체와 착색제를 모두 포함하지 않는 열 경화성 수지 조성물 잉크이며, A-2-5 는 형광체 (Phosphor Blue440) 를 포함하나 착색제를 포함하지 않는 열 경화성 수지 조성물 잉크이다. 그리고 A-2-2 내지 A-2-4 는 형광체 (Phosphor Blue440) 가 착색제 (1,4-비스(부틸아미노)안트라센-9,10-디온)로 코팅된 형광 입자 (Phosphor Blue OEF-BTS) 를 포함하는 열 경화성 수지 조성물 잉크이다.A-2-1 of Table 2 is a thermosetting resin composition ink that does not contain both a phosphor and a colorant, and A-2-5 is a thermosetting resin composition ink that includes a phosphor (Phosphor Blue440) but does not contain a colorant. . And A-2-2 to A-2-4 are fluorescent particles (Phosphor Blue OEF-BTS) in which a phosphor (Phosphor Blue440) is coated with a colorant (1,4-bis(butylamino)anthracene-9,10-dione) It is a thermosetting resin composition ink comprising a.

잉크의 평가Ink evaluation

상기 제조된 잉크의 분산도, 침강 안정성 및 응집 안정성을 평가하였다.The dispersion degree, sedimentation stability, and cohesive stability of the prepared ink were evaluated.

(그라인더 게이지를 이용한 잉크 분산도 평가 방법)(Ink dispersion evaluation method using grinder gauge)

측정시료를 희석제에 1:1 비율로 섞고, 소포제를 2-3방울 넣었다. 그리고 헤라로 시료, 희석제, 소포제를 비볐다. 그 후, grinder meter 상판에 측정시료를 채우고, Scraper로 날을 그라인더 게이지 상면에 수직이 되도록 하여 시료를 위에서 아래로 끌어 당겼다. 그 후 하기 방법에 따라 그라인더 게이지의 선을 카운트하였다.The measurement sample was mixed with a diluent in a 1:1 ratio, and 2-3 drops of an antifoaming agent were added. Then, the sample, diluent and antifoaming agent were rubbed with Hera. After that, the measurement sample was filled on the top plate of the grinder meter, and the blade was drawn perpendicular to the top surface of the grinder gauge with a scraper, and the sample was pulled from top to bottom. Thereafter, the lines of the grinder gauge were counted according to the following method.

Figure pat00005
Figure pat00005

잉크 분산도는 다음과 같은 기준으로 평가하였다.Ink dispersion was evaluated based on the following criteria.

O: 10 미만O: less than 10

△: 10 이상 15 미만△: 10 or more and less than 15

X: 15 이상X: 15 or more

(침강 안정성 평가 방법)(Method for evaluating sedimentation stability)

잉크를 희석 분산 뒤 2 주 후에 육안으로 침강 안정성을 평가하였다.Sedimentation stability was visually evaluated 2 weeks after the ink was diluted and dispersed.

침강 안정성은 다음과 같은 기준으로 평가하였다.Sedimentation stability was evaluated according to the following criteria.

O: 침강 상태 양호O: good sedimentation state

△: 침강 상태 보통△: Normal sedimentation

X: 침강 상태 나쁨X: poor sedimentation

(응집 안정성 평가 방법)(Method for Assessing Aggregation Stability)

잉크를 희석 분산 뒤 2 주 후에 말번 입도기 (Model: Malvern Panalytical Ltd사의 Mastersizer 3000, Principle: Laser light scattering, Analysis: Mie and Fraunhofer scattering, Data acquisition rate: 10kHz) 로 측정하였다.The ink was measured with a Malvern particle sizer (Model: Mastersizer 3000 by Malvern Panalytical Ltd, Principle: Laser light scattering, Analysis: Mie and Fraunhofer scattering, Data acquisition rate: 10 kHz) two weeks after dilution and dispersion.

응집 안정성은 D50 을 기준으로 다음과 같이 평가하였다.Aggregation stability was evaluated as follows based on D50.

O: 0.3 ㎛ 미만O: less than 0.3 μm

△: 0.3 ㎛ 이상 0.4 ㎛ 미만△: 0.3 µm or more and less than 0.4 µm

X: 0.4 ㎛ 이상X: 0.4 µm or more

상기 평가 방법에 따라 잉크의 분산도, 침강 안정성 및 응집 안정성을 확인한 결과는 표 3 및 표 4 에 기재된 바와 같다.The results of checking the dispersion degree, sedimentation stability, and cohesive stability of the ink according to the above evaluation method are as shown in Tables 3 and 4.

표 3: 감광성 수지 조성물 잉크의 평가 (A-1-1, A-1-3, A-1-5, A-1-6 및 A-1-7)Table 3: Evaluation of photosensitive resin composition ink (A-1-1, A-1-3, A-1-5, A-1-6 and A-1-7)

Figure pat00006
Figure pat00006

표 4: 열 경화성 수지 조성물 잉크의 평가 (A-2-1 ~ A-2-5)Table 4: Evaluation of thermosetting resin composition ink (A-2-1 to A-2-5)

Figure pat00007
Figure pat00007

형광체 및 착색제를 모두 포함하는 본 발명의 솔더 레지스트 수지 조성물 잉크는 잉크 분산도, 침강 안정성 및 응집 안정성이 양호하게 나타난다.The solder resist resin composition ink of the present invention containing both a phosphor and a colorant exhibits good ink dispersibility, sedimentation stability and cohesive stability.

도막 제조film manufacturing

상기 표 1 또는 표 2 의 수지 조성물 잉크를 PET 필름 상에 필름 형태로 제작하여 기판에 접합시킨 후 하기 방법으로 처리하였다.The resin composition ink of Table 1 or Table 2 was prepared in the form of a film on a PET film and bonded to a substrate, and then treated in the following manner.

상기 표 1 의 감광성 수지 조성물 잉크 A-1-1 내지 A-1-8 을 80mesh screen printing 후, 90 oC 에서 15 분 동안 전경화하고, 에너지 밀도 600 mJ/㎠ 의 조건에서 자외선을 조사하고, 150 oC 에서 30 분 동안 최종 경화하여, 감광성 도막 PSR1 내지 PSR8 을 제조하였다 (건조 후 도막의 두께: 25 ㎛).After 80 mesh screen printing of the photosensitive resin composition inks A-1-1 to A-1-8 of Table 1 , precured at 90 o C for 15 minutes, and irradiated with ultraviolet rays under the condition of an energy density of 600 mJ/cm 2 , 150 By final curing at o C for 30 minutes, photosensitive coating films PSR1 to PSR8 were prepared (thickness of the coating film after drying: 25 μm).

상기 표 2 의 열 경화성 수지 조성물 잉크 A-2-1 내지 A-2-5 를 80mesh screen printing 후, 150 oC 에서 60 분 동안 최종 경화하여, 열 경화성 도막 IR1 내지 IR5 를 제조하였다 (건조 후 도막의 두께: 25 ㎛).After 80mesh screen printing of the thermosetting resin composition inks A-2-1 to A-2-5 in Table 2 , final curing at 150 o C for 60 minutes to prepare thermosetting coating films IR1 to IR5 (coating after drying) thickness: 25 μm).

드라이 필름 기판 도포 방법은 다음과 같다.The dry film substrate application method is as follows.

(1) 테스트용 기판을 연마하고 세척을 한 후에 물기를 제거 하고 건조한다.(1) After grinding and cleaning the test board, remove the water and dry it.

(2) White DFSR을 테스트 기판 위에 놓은 다음, 진공 라미네이션 (니치코 몰턴사 장비) 장비를 이용하여 진공 라미네이션하여 드라이 필름을 테스트용 기판 위에 전사한다 (진공 라미네이션 조건: 1st chamber - 60 oC, 3.0hpa, 10sec. / 0.2Mpa, 10sec, 2nd chamber - 70 oC).(2) After placing White DFSR on the test board, vacuum lamination (Nichiko Molton) equipment is used for vacuum lamination to transfer the dry film onto the test board (vacuum lamination conditions: 1st chamber - 60 o C, 3.0 hpa, 10sec. / 0.2Mpa, 10sec, 2nd chamber - 70 o C).

(4) 드라이 필름이 전사된 기판을 DI노광기를 이용해서 UV 노광한다 (DI UV 노광 조건: SCREEN LEDIA5, 300 mJ/㎠).(4) The substrate onto which the dry film has been transferred is UV-exposed using a DI exposure machine (DI UV exposure conditions: SCREEN LEDIA5, 300 mJ/cm 2 ).

(5) UV 노광한 후, 실온에서 기판을 식힌 다음에, 현상기에 넣어서 현상한다 (현상 조건: 1 wt% Na2CO3, 30 oC, 2 kgf/㎠, 60 sec.).(5) After UV exposure, the substrate is cooled at room temperature, and then placed in a developer for development (development conditions: 1 wt% Na 2 CO 3 , 30 o C, 2 kgf/cm 2 , 60 sec.).

(6) 현상을 완료한 기판을 150 oC 의 오븐에서 1시간 최종 경화 (Post Cure) 하여, 기판 제작을 완료한다.(6) Final curing (Post Cure) the developed substrate in an oven at 150 o C for 1 hour to complete the substrate production.

도막의 반사율 - 1단 (단층)Reflectance of the coating film - 1 layer (single layer)

상기 표 1 의 감광성 수지 조성물 잉크 또는 상기 표 2 의 열 경화성 수지 조성물 잉크로부터 형성된 단층 도막의 구조를 도식화하여 도 3 에 나타냈다 (건조 후 도막의 두께: 25 ㎛). 여기서 PSR1 내지 PSR8 은 표 1 의 감광성 수지 조성물 잉크 A-1-1 내지 A-1-8 로부터 형성된 도막을 의미하고, IR1 내지 IR5 는 표 2 의 열 경화성 수지 조성물 잉크 A-2-1 내지 A-2-5 로부터 형성된 도막을 의미한다.The structure of a single-layer coating film formed from the photosensitive resin composition ink of Table 1 or the thermosetting resin composition ink of Table 2 is schematically shown in FIG. 3 (thickness of the coating film after drying: 25 µm). Here, PSR1 to PSR8 mean a coating film formed from the photosensitive resin composition inks A-1-1 to A-1-8 of Table 1, and IR1 to IR5 are the thermosetting resin composition inks A-2-1 to A- of Table 2 It means the coating film formed from 2-5.

상기 도 3 의 단층 도막에 대해 리플로우 공정을 3회 실시하기 전후의 평균 반사율 (평균) 과 450 nm 파장의 반사율 (450 nm) 을 측정하여 평과한 결과를 표 5 및 표 6 에 기재하였다.The average reflectance (average) and the reflectance (450 nm) of 450 nm wavelength were measured and evaluated for the single-layer coating film of FIG. 3 before and after the reflow process was performed three times. Tables 5 and 6 show the results.

평균 반사율은 다음과 같은 기준으로 평가하였다.The average reflectance was evaluated based on the following criteria.

◎: 87 % 이상◎: 87% or more

O: 86 % 이상 87 % 미만O: 86% or more and less than 87%

△: 85 % 이상 86 % 미만△: 85% or more and less than 86%

X: 85 % 미만X: less than 85%

450 nm 파장의 반사율은 다음과 같은 기준으로 평가하였다. The reflectance of the 450 nm wavelength was evaluated according to the following criteria.

◎: 89 % 이상◎: 89% or more

O: 88 % 이상 89 % 미만O: 88% or more and less than 89%

△: 87 % 이상 88 % 미만△: 87% or more and less than 88%

X: 86 % 미만X: less than 86%

표 5: PSR1, 3, 5, 6 및 7 단층의 리플로우 공정 전후 평균 반사율 및 450 nm 파장의 반사율Table 5: Average reflectance before and after reflow process of PSR1, 3, 5, 6 and 7 monolayers and reflectance at 450 nm wavelength

Figure pat00008
Figure pat00008

표 6: IR1 ~ IR5 단층의 리플로우 공정 전후 평균 반사율 및 450 nm 파장의 반사율Table 6: Average reflectance and reflectance of 450 nm wavelength before and after reflow process of IR1 ~ IR5 monolayer

Figure pat00009
Figure pat00009

형광체 및 착색제를 모두 포함하는 본 발명의 솔더 레지스트 수지 조성물 잉크를 사용하여 제조된 단층 도막은 리플로우 공정 전후의 평균 반사율 및 450 nm 파장에서의 반사율이 모두 높게 나타났다.The single-layer coating film prepared using the solder resist resin composition ink of the present invention including both a phosphor and a colorant showed high average reflectance before and after the reflow process and high reflectance at a wavelength of 450 nm.

그러나, 형광체 및 착색제를 모두 포함하지 않는 단층 도막 PSR1 및 IR1 은 리플로우 공정 전후의 평균 반사율 및 450 nm 파장에서의 반사율이 모두 불량하였다. 형광체를 포함하나 착색제를 포함하지 않는 단층 도막 PSR7 및 IR5 는 리플로우 공정 후의 평균 반사율 및 450 nm 파장에서의 반사율이 현저하게 낮았다.However, the single-layer coating films PSR1 and IR1 containing neither a phosphor nor a colorant had poor average reflectance before and after the reflow process and poor reflectance at a wavelength of 450 nm. The single-layer coating films PSR7 and IR5 containing a phosphor but not containing a colorant had remarkably low average reflectance and reflectance at a wavelength of 450 nm after the reflow process.

도막의 반사율 및 형광 이미지 - 2단 (복층)Reflectance and fluorescence image of coating film - 2 layers (double layer)

상층 또는 하층 중 하나 이상이 형광 입자를 포함하는 본 발명의 솔더 레지스트 수지 조성물로부터 형성된 도막인 복층 구조의 도막을 표 7 의 실시예 1 내지 12 에 나타냈다 (건조 후 도막의 두께: 상층 25 ㎛, 하층 25 ㎛).A coating film having a multilayer structure, which is a coating film formed from the solder resist resin composition of the present invention, wherein at least one of the upper layer or the lower layer contains fluorescent particles, is shown in Examples 1 to 12 of Table 7 (thickness of the coating film after drying: upper layer 25 µm, lower layer 25 μm).

표 7 의 실시예 1 내지 6 은 감광성 도막을 하층으로 포함하고, 열 경화성 도막을 상층으로 포함하는 복층 도막이다. 실시예 7 내지 12 는 상층과 하층이 모두 감광성 도막인 복층 도막이다.Examples 1 to 6 of Table 7 are multilayer coating films including a photosensitive coating film as a lower layer and a thermosetting coating film as an upper layer. Examples 7 to 12 are multilayer coating films in which both the upper and lower layers are photosensitive coating films.

비교예 1 및 2 는 형광체와 착색제를 포함하지 않는 수지 조성물로부터 형성된 복층 도막이다. 비교예 3 은 종래 450 nm 파장의 반사율을 높이기 위해 사용되는 상용 반사판이다.Comparative Examples 1 and 2 are multilayer coating films formed from a resin composition containing no phosphor and no colorant. Comparative Example 3 is a commercial reflector used to increase the reflectance of a conventional 450 nm wavelength.

표 7 의 실시예 1 내지 12 및 비교예 1 및 2 의 복층 도막의 구조를 도식화하여 도 4 에 나타냈다.The structures of the multilayer coating films of Examples 1 to 12 and Comparative Examples 1 and 2 in Table 7 are schematically shown in FIG. 4 .

표 7: 복층 도막의 구성Table 7: Composition of multilayer coating film

Figure pat00010
Figure pat00010

상기 표 7 의 복층 도막에 대해, 리플로우 공정을 3회 실시하기 전후의 평균 반사율과 450 nm 파장의 반사율을 측정하여 평가한 결과와, 상용반사판의 평균 반사율과 450 nm 파장의 반사율을 측정하여 평가한 결과를 표 8 에 기재하였다.For the multilayer coating film of Table 7, the average reflectance and the reflectance of 450 nm wavelength were measured and evaluated before and after the reflow process 3 times, and the average reflectance of the commercial reflector and the reflectance of the 450 nm wavelength were measured and evaluated The results are shown in Table 8.

평균 반사율은 다음과 같은 기준으로 평가하였다.The average reflectance was evaluated based on the following criteria.

◎: 94 % 이상◎: 94% or more

O: 93 % 이상 94 % 미만O: 93% or more and less than 94%

△: 92 % 이상 93 % 미만△: 92% or more and less than 93%

X: 90% 이상 92 % 미만X: More than 90% and less than 92%

XX: 90 % 미만XX: less than 90%

450 nm 파장의 반사율은 다음과 같은 기준으로 평가하였다. The reflectance of the 450 nm wavelength was evaluated according to the following criteria.

◎◎: 100 % 이상◎◎: 100% or more

◎: 98 % 이상 100 % 미만◎: 98% or more and less than 100%

OO: 97 % 이상 98 % 미만OO: 97% or more and less than 98%

O: 96 % 이상 97 % 미만O: 96% or more and less than 97%

△: 93 % 이상 96 % 미만△: 93% or more and less than 96%

X: 93 % 미만X: less than 93%

표 8: 리플로우 공정 전후 평균 반사율 및 450 nm 파장의 반사율Table 8: Average reflectance before and after reflow process and reflectance at 450 nm wavelength

Figure pat00011
Figure pat00011

형광체 및 착색제를 모두 포함하는 본 발명의 솔더 레지스트 수지 조성물로부터 형성된 상층 및/또는 하층을 포함하는 실시예 1 내지 12 의 복층 도막은, 비교예 3 의 상용 반사판보다 초기 평균 반사율이 우수하게 나타났으며, 비교예 1 및 2 의 복층 도막보다 리플로우 공정 전후의 평균 반사율이 우수하게 나타났다.The multilayer coating films of Examples 1 to 12 including an upper layer and/or a lower layer formed from the solder resist resin composition of the present invention containing both a phosphor and a colorant had better initial average reflectance than the commercial reflector of Comparative Example 3. , the average reflectance before and after the reflow process was superior to that of the multilayer coating films of Comparative Examples 1 and 2.

그리고 복층 도막 제조 시 본 발명의 감광성 수지 조성물이 하층에 사용될 경우, 상층에 사용되는 경우보다 산화 방지에 유리하여 리플로우 공정 후의 반사율이 보다 높게 나타났다.In addition, when the photosensitive resin composition of the present invention is used for the lower layer when manufacturing a multilayer coating film, it is advantageous for oxidation prevention than when used for the upper layer, and thus the reflectance after the reflow process is higher.

또한, 본 발명의 솔더 레지스트 수지 조성물로부터 형성된 상층 및/또는 하층을 포함하는 실시예 1 내지 12 의 복층 도막은, 비교예 3 의 상용 반사판보다 450 nm 파장에서의 초기 반사율이 우수하게 나타났으며, 비교예 1 및 2 의 복층 도막보다 리플로우 공정 전후의 450 nm 파장에서의 반사율이 우수하게 나타났다. 이와 관련하여, 표 8 의 실시예 1 내지 3 과 비교예 1 의 복층 도막의 형광 이미지를 리플로우 공정 전후에 측정한 결과를 도 5 에 나타냈다.In addition, the multilayer coating films of Examples 1 to 12 comprising an upper layer and/or a lower layer formed from the solder resist resin composition of the present invention exhibited superior initial reflectance at 450 nm wavelength than the commercial reflector of Comparative Example 3, The reflectance at a wavelength of 450 nm before and after the reflow process was superior to that of the multilayer coating films of Comparative Examples 1 and 2. In this regard, the results obtained by measuring the fluorescence images of the multilayer coating films of Examples 1 to 3 of Table 8 and Comparative Example 1 before and after the reflow process are shown in FIG. 5 .

도 5 에 나타난 바와 같이, 형광체 및 착색제를 모두 포함하는 본 발명의 솔더 레지스트 수지 조성물 잉크로부터 형성된 층을 포함하는 복층 도막은 리플로우 공정 후 형광 세기가 리플로우 공정 전의 형광 세기와 비교하였을 때 크게 감소하지 않는다. 그러나, 비교예 1 의 복층 도막은 리플로우 공정 전후 형광 세기가 실시예 1 내지 3 에 비해 매우 열등하게 나타난다.As shown in FIG. 5 , in the multilayer coating film including a layer formed from the solder resist resin composition ink of the present invention including both a phosphor and a colorant, the fluorescence intensity after the reflow process is greatly reduced compared to the fluorescence intensity before the reflow process I never do that. However, the multilayer coating film of Comparative Example 1 showed very inferior fluorescence intensity before and after the reflow process compared to Examples 1 to 3.

따라서, 본 발명의 솔더 레지스트 수지 조성물을 사용함으로써, 반사판을 사용하지 않고도 리플로우 공전 전후에 평균 반사율 및 450 nm 파장에서 반사율이 우수한 솔더 레지스트 구조체, 드라이 필름 및 인쇄 배선판을 제공할 수 있다.Therefore, by using the solder resist resin composition of the present invention, it is possible to provide a solder resist structure, a dry film, and a printed wiring board having excellent average reflectance and reflectance at a wavelength of 450 nm before and after reflow revolution without using a reflector.

Claims (17)

(A-1) 감광성 수지, (B) 루틸형 산화티타늄, (C) 형광체 및 (D) 착색제를 포함하는 것을 특징으로 하는 수지 조성물.(A-1) A photosensitive resin, (B) rutile titanium oxide, (C) a phosphor, and (D) a colorant. A resin composition comprising: (A-2) 열 경화성 수지, (B) 루틸형 산화티타늄, (C) 형광체 및 (D) 착색제를 포함하는 것을 특징으로 하는 수지 조성물.(A-2) A resin composition comprising a thermosetting resin, (B) rutile titanium oxide, (C) a phosphor, and (D) a colorant. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, (C) 형광체는 흡수 피크 (Absorption peak) 가 440 nm 이하이고, 발광 피크 (Emission peak) 가 445 내지 455 nm 인 수지 조성물.The resin composition according to claim 1 or 2, wherein (C) the phosphor has an absorption peak of 440 nm or less and an emission peak of 445 to 455 nm. 제 3 항에 있어서, (C) 형광체가 1,4-비스(2-벤조옥사졸릴)나프탈렌 및 4,4'-비스[2-(2-메톡시페닐)에테닐]-1,1'-비페닐 중 하나 이상을 포함하는 수지 조성물.4. The phosphor according to claim 3, wherein (C) the phosphor is 1,4-bis(2-benzooxazolyl)naphthalene and 4,4'-bis[2-(2-methoxyphenyl)ethenyl]-1,1'- A resin composition comprising at least one of biphenyls. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, (C) 형광체를 전체 조성물에 대하여 0.01 내지 3 질량% 포함하는 수지 조성물.The resin composition according to claim 1 or 2, wherein (C) the phosphor is contained in an amount of 0.01 to 3 mass% based on the total composition. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, (D) 착색제가 1,4-비스(부틸아미노)안트라센-9,10-디온, 2,2'-비스(2,3-디하이드로-3-옥소인돌릴덴) 및 3,7-비스(디메틸아미노)페노싸이아진-5-이움 클로라이드 중 하나 이상을 포함하는 수지 조성물.3. The colorant according to claim 1 or 2, wherein (D) the colorant is 1,4-bis(butylamino)anthracene-9,10-dione, 2,2'-bis(2,3-dihydro-3-oxo) dolylden) and 3,7-bis(dimethylamino)phenothiazine-5-ium chloride. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, (D) 착색제를 전체 조성물에 대하여 0.001 내지 1 질량% 포함하는 수지 조성물.The resin composition according to claim 1 or 2, wherein the (D) colorant is contained in an amount of 0.001 to 1 mass % with respect to the total composition. 하나 이상의 층을 포함하는 솔더 레지스트 구조체로서, 제 1 항의 수지 조성물로 이루어진 감광성 수지층을 적어도 하나 포함하는 솔더 레지스트 구조체.A solder resist structure comprising one or more layers, the solder resist structure comprising at least one photosensitive resin layer made of the resin composition of claim 1 . 제 8 항에 있어서, 상기 솔더 레지스트 구조체가 단층인 경우, 층의 두께가 10 내지 60 μm 인 솔더 레지스트 구조체.The solder resist structure according to claim 8, wherein, when the solder resist structure is a single layer, the thickness of the layer is 10 to 60 μm. 제 8 항에 있어서, 상기 솔더 레지스트 구조체가 복층인 경우, 각 층의 두께가 독립적으로 10 내지 60 μm 인 솔더 레지스트 구조체.The solder resist structure according to claim 8, wherein when the solder resist structure is a multi-layer, the thickness of each layer is independently 10 to 60 µm. 하나 이상의 층을 포함하는 솔더 레지스트 구조체로서, 제 2 항의 수지 조성물로 이루어진 열 경화성 수지층을 적어도 하나 포함하는 솔더 레지스트 구조체.A solder resist structure comprising one or more layers, the solder resist structure comprising at least one thermosetting resin layer made of the resin composition of claim 2 . 제 11 항에 있어서, 상기 솔더 레지스트 구조체가 단층인 경우, 층의 두께가 10 내지 60 μm 인 솔더 레지스트 구조체.The solder resist structure according to claim 11, wherein, when the solder resist structure is a single layer, the thickness of the layer is 10 to 60 μm. 제 11 항에 있어서, 상기 솔더 레지스트 구조체가 복층인 경우, 상층이 열 경화성 수지층이고, 각 층의 두께가 독립적으로 10 내지 60 μm 인 솔더 레지스트 구조체.The soldering resist structure according to claim 11, wherein when the solder resist structure is a multilayer, the upper layer is a thermosetting resin layer, and the thickness of each layer is independently 10 to 60 µm. 제 1 항의 수지 조성물로 이루어진 감광성 수지층 및 제 2 항의 수지 조성물로 이루어진 열 경화성 수지층을 포함하고, 열 경화성 수지층이 감광성 수지층의 상층에 위치하는 솔더 레지스트 구조체.A solder resist structure comprising a photosensitive resin layer made of the resin composition of claim 1 and a thermosetting resin layer made of the resin composition of claim 2, wherein the thermosetting resin layer is located above the photosensitive resin layer. 제 14 항에 있어서, 감광성 수지층의 두께는 10 내지 60 μm 이고, 열 경화성 수지층의 두께는 10 내지 60 μm 인 솔더 레지스트 구조체.15. The solder resist structure according to claim 14, wherein the thickness of the photosensitive resin layer is 10 to 60 μm, and the thickness of the thermosetting resin layer is 10 to 60 μm. 제 1 항 또는 제 2 항의 수지 조성물을 도포, 건조하여 얻어지는 드라이 필름.The dry film obtained by apply|coating and drying the resin composition of Claim 1 or 2. 제 8 항 내지 제 13 항 중 어느 한 항의 솔더 레지스트 구조체를 포함하는 인쇄 배선판.A printed wiring board comprising the solder resist structure according to any one of claims 8 to 13.
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