KR20210146898A - A semiconductor device having a dolmen structure, a manufacturing method therefor, a manufacturing method of a support piece, and laminated film for forming a support piece - Google Patents

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고우헤이 다니구치
다츠야 야하타
요시노부 오자키
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쇼와덴코머티리얼즈가부시끼가이샤
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Abstract

기판과, 기판 상에 배치된 제1 칩과, 기판 상이며 제1 칩의 주위에 배치된 복수의 지지편과, 복수의 지지편에 의하여 지지되고 또한 제1 칩을 덮도록 배치된 제2 칩을 포함하는 돌멘 구조를 갖는 반도체 장치의 제조 프로세스에 있어서 사용되는 지지편의 제조 방법으로서, (A) 기재 필름과, 점착층과, 적어도 금속층을 포함하는 다층 구조를 갖는 지지편 형성용 필름을 이 순서로 구비하는 적층 필름을 준비하는 공정과, (B) 지지편 형성용 필름을 개편화함으로써, 점착층의 표면 상에 복수의 지지편을 형성하는 공정과, (C) 점착층으로부터 지지편을 픽업하는 공정을 포함하는, 지지편의 제조 방법이 개시된다.a substrate, a first chip disposed on the substrate, a plurality of support pieces on the substrate and disposed around the first chip, and a second chip supported by the plurality of support pieces and disposed so as to cover the first chip A method for manufacturing a support piece used in a manufacturing process of a semiconductor device having a dolmen structure comprising: (A) a film for forming a support piece having a multilayer structure including a base film, an adhesive layer, and at least a metal layer in this order The process of preparing the laminated|multilayer film provided with, (B) the process of forming several support pieces on the surface of an adhesion layer by separating the film for support piece formation into pieces, (C) Picking up a support piece from an adhesion layer A method for manufacturing a support piece is disclosed, including the step of:

Description

돌멘 구조를 갖는 반도체 장치 및 그 제조 방법, 지지편의 제조 방법, 및, 지지편 형성용 적층 필름A semiconductor device having a dolmen structure, a manufacturing method therefor, a manufacturing method of a support piece, and laminated film for forming a support piece

본 개시는, 기판과, 기판 상에 배치된 제1 칩과, 기판 상이며 제1 칩의 주위에 배치된 복수의 지지편과, 복수의 지지편에 의하여 지지되고 또한 제1 칩을 덮도록 배치된 제2 칩을 포함하는 돌멘 구조를 갖는 반도체 장치의 제조 프로세스에 있어서 사용되는 지지편의 제조 방법에 관한 것이다. 또, 본 개시는, 돌멘 구조를 갖는 반도체 장치 및 그 제조 방법, 및, 지지편 형성용 적층 필름에 관한 것이다. 또한, 돌멘(dolmen, 지석묘(支石墓))은, 석분묘(石墳墓)의 일종이며, 복수의 지주석(支柱石)과, 그 위에 올려진 판상의 바위를 구비한다. 돌멘 구조를 갖는 반도체 장치에 있어서, 지지편이 "지주석"에 상당하고, 제2 칩이 "판상의 바위"에 상당한다.The present disclosure provides a substrate, a first chip disposed on the substrate, a plurality of support pieces on the substrate and disposed around the first chip, supported by the plurality of support pieces and arranged to cover the first chip The present invention relates to a method of manufacturing a support piece used in a manufacturing process of a semiconductor device having a dolmen structure including a second chip. Moreover, this indication relates to the semiconductor device which has a dolmen structure, its manufacturing method, and the laminated|multilayer film for support piece formation. In addition, a dolmen is a type of stone tomb, and includes a plurality of pilasters and a plate-shaped rock placed thereon. In a semiconductor device having a dolmen structure, the support piece corresponds to a "stallite" and the second chip corresponds to a "plate-shaped rock".

최근, 반도체 장치의 분야에 있어서, 고집적, 소형화 및 고속화가 요구되고 있다. 반도체 장치의 일 양태로서, 기판 상에 배치된 컨트롤러 칩 위에 반도체 칩을 적층시키는 구조가 주목을 받고 있다. 예를 들면, 특허문헌 1은, 컨트롤러 다이와, 컨트롤러 다이 위에 지지 부재에 의하여 지지된 메모리 다이를 포함하는 반도체 다이 어셈블리를 개시하고 있다. 특허문헌 1의 도 1a에 도시된 반도체 어셈블리(100)는 돌멘 구조를 갖는다고 할 수 있다. 즉, 반도체 어셈블리(100)는, 패키지 기판(102)과, 그 표면 상에 배치된 컨트롤러 다이(103)와, 컨트롤러 다이(103)의 상방에 배치된 메모리 다이(106a, 106b)와, 메모리 다이(106a)를 지지하는 지지 부재(130a, 130b)를 구비한다.In recent years, in the field of semiconductor devices, high integration, miniaturization, and high speed are required. As an aspect of a semiconductor device, a structure in which a semiconductor chip is stacked on a controller chip disposed on a substrate is attracting attention. For example, Patent Document 1 discloses a semiconductor die assembly including a controller die and a memory die supported by a support member on the controller die. The semiconductor assembly 100 illustrated in FIG. 1A of Patent Document 1 may have a dolmen structure. That is, the semiconductor assembly 100 includes a package substrate 102 , a controller die 103 disposed on a surface thereof, memory dies 106a and 106b disposed above the controller die 103 , and a memory die. Support members 130a and 130b for supporting the 106a are provided.

특허문헌 1: 일본 공표특허공보 2017-515306호Patent Document 1: Japanese Patent Publication No. 2017-515306

특허문헌 1은, 지지 부재(지지편)로서, 실리콘 등의 반도체 재료를 사용할 수 있는 것, 보다 구체적으로는 반도체 웨이퍼를 다이싱하여 얻어지는 반도체 재료의 단편(斷片)을 사용할 수 있는 것을 개시하고 있다(특허문헌 1의 [0012],[0014] 및 도 2 참조). 반도체 칩을 사용하여 돌멘 구조용의 지지편을 제조하기 위해서는, 통상의 반도체 칩의 제조와 동일하게, 예를 들면, 이하의 각 공정이 필요하다.Patent Document 1 discloses that a semiconductor material such as silicon can be used as a support member (support piece), and more specifically, a fragment of a semiconductor material obtained by dicing a semiconductor wafer can be used. (See [0012], [0014] and FIG. 2 of Patent Document 1). In order to manufacture the support piece for dolmen structures using a semiconductor chip, the following each process is required similarly to manufacture of a normal semiconductor chip, for example.

(1) 반도체 웨이퍼에 백그라인드 테이프를 첩부하는 공정(1) The step of pasting the backgrind tape on the semiconductor wafer

(2) 반도체 웨이퍼를 백그라인드하는 공정(2) Backgrinding the semiconductor wafer

(3) 다이싱 링과 그 중에 배치된 백그라인드 후의 반도체 웨이퍼에 대하여, 점착층과 접착제층을 갖는 필름(다이싱·다이본딩 일체형 필름)을 첩부하는 공정(3) A step of affixing a film having an adhesive layer and an adhesive layer (a dicing and die-bonding integrated film) to the dicing ring and the backgrinded semiconductor wafer disposed therein

(4) 반도체 웨이퍼로부터 백그라인드 테이프를 박리하는 공정(4) Step of peeling the backgrind tape from the semiconductor wafer

(5) 반도체 웨이퍼를 개편화하는 공정(5) The process of dividing the semiconductor wafer into pieces

(6) 반도체 칩과 접착제편의 적층체로 이루어지는 지지편을 점착층으로부터 픽업하는 공정(6) A step of picking up a support piece made of a laminate of a semiconductor chip and an adhesive piece from the adhesive layer

본 발명자들의 검토에 의하면, 반도체 칩 이외의 재료(예를 들면, 수지 재료)를 이용함으로써, 돌멘 구조를 갖는 반도체 장치의 제조 프로세스에 있어서 지지편을 제작하는 공정을 간략화할 수 있는 것을 알아냈다. 그런데, 통상의 반도체 칩의 제조에 이용되는 장치(예를 들면, 다이본더 등)를 사용하여, 점착층으로부터 지지편을 픽업하면, 픽업 대상인 지지편을 효율적으로 픽업할 수 없는 경우가 있다. 이 이유의 하나로서, 점착층으로부터 지지편을 픽업하는 공정 전에 있어서, 지지편의 다이본더 등의 장치에 부속되는 카메라에 의한 시인성이 충분하지 않은 것을 들 수 있다.According to examination of the present inventors, it discovered that the process of producing a support piece in the manufacturing process of the semiconductor device which has a dolmen structure can be simplified by using materials other than a semiconductor chip (for example, a resin material). By the way, when a support piece is picked up from an adhesive layer using the apparatus (for example, a die bonder etc.) used for manufacture of a normal semiconductor chip, the support piece which is a pick-up object may not be able to pick up efficiently in some cases. As one of these reasons, before the process of picking up a support piece from an adhesion layer, the visibility by the camera attached to apparatuses, such as a die bonder of a support piece, is not enough is mentioned.

따라서, 본 개시는, 카메라에 의한 시인성이 우수한 지지편을 효율적으로 제조하는 지지편의 제조 방법을 제공한다. 또, 본 개시는, 돌멘 구조를 갖는 반도체 장치 및 그 제조 방법, 및, 지지편 형성용 적층 필름을 제공한다.Therefore, this indication provides the manufacturing method of the support piece which manufactures efficiently the support piece excellent in visibility by a camera. Moreover, this indication provides the semiconductor device which has a dolmen structure, its manufacturing method, and the laminated film for support piece formation.

본 개시의 일 측면은, 돌멘 구조를 갖는 반도체 장치의 제조 프로세스에 있어서 사용되는 지지편의 제조 방법에 관한 것이다. 지지편의 제조 방법은 이하의 공정을 포함한다.One aspect of the present disclosure relates to a method of manufacturing a support piece used in a manufacturing process of a semiconductor device having a dolmen structure. The manufacturing method of a support piece includes the following processes.

(A) 기재 필름과, 점착층과, 적어도 금속층을 포함하는 다층 구조를 갖는 지지편 형성용 필름을 이 순서로 구비하는 적층 필름을 준비하는 공정(A) Process of preparing laminated|multilayer film provided with this order, the film for support piece formation which has a base film, an adhesion layer, and the multilayer structure containing at least a metal layer

(B) 지지편 형성용 필름을 개편화함으로써, 점착층의 표면 상에 복수의 지지편을 형성하는 공정(B) The process of forming a some support piece on the surface of an adhesion layer by separating the film for support piece formation into pieces

(C) 점착층으로부터 지지편을 픽업하는 공정(C) The step of picking up the support piece from the adhesive layer

본 개시의 일 측면에 관한 지지편의 제조 방법에 의하면, 지지편 형성용 필름을 개편화하여 지지편을 얻을 수 있다. 이로써, 지지편으로서, 반도체 웨이퍼를 다이싱하여 얻어지는 반도체 재료의 단편을 사용하는 종래의 제조 방법과 비교하면, 지지편을 제작하는 공정을 간략화할 수 있다. 즉, 종래, 상술한 (1)~(6)의 공정을 필요로 하고 있던 데 대하여, 지지편 형성용 필름은 반도체 웨이퍼를 포함하지 않기 때문에, 반도체 웨이퍼의 백그라인드에 관한 (1), (2) 및 (4)의 공정을 생략할 수 있다. 또, 수지 재료와 비교하여 고가의 반도체 웨이퍼를 사용하지 않기 때문에, 비용도 삭감할 수 있다.According to the method for manufacturing a support piece according to an aspect of the present disclosure, a support piece can be obtained by dividing the film for forming a support piece into pieces. Thereby, compared with the conventional manufacturing method using the fragment of the semiconductor material obtained by dicing a semiconductor wafer as a support piece, the process of manufacturing a support piece can be simplified. That is, in contrast to the conventionally required steps of (1) to (6), the film for forming a support piece does not contain a semiconductor wafer, so (1), (2) related to the backgrind of a semiconductor wafer ) and (4) may be omitted. Moreover, compared with a resin material, since expensive semiconductor wafer is not used, cost can also be reduced.

또, 본 개시의 일 측면에 관한 지지편의 제조 방법에 의하면, 점착층으로부터 지지편을 픽업하는 공정에 있어서, 카메라에 의한 시인성이 우수한 지지편을 효율적으로 제조하는 것이 가능해진다. 카메라에 의한 시인성이 향상되는 이유로서는, 예를 들면, 상기 지지편 형성용 필름이 금속층을 포함함으로써, 지지편 형성용 필름을 개편화했을 때에, 지지편에 포함되는 금속층의 금속 재료와 점착층의 수지 재료에 의하여, 광학적인 콘트라스트가 보다 높아지기 때문이라고 생각된다.Moreover, according to the manufacturing method of the support piece which concerns on an aspect of this indication, in the process of picking up a support piece from an adhesion layer, it becomes possible to manufacture efficiently the support piece excellent in visibility by a camera. As a reason that the visibility by a camera improves, when the said film for support piece formation contains a metal layer, for example, when the film for support piece formation is divided into pieces, the metal material of the metal layer contained in a support piece, and an adhesion layer It is thought that it is because optical contrast becomes higher with a resin material.

본 개시에 관한 지지편의 제조 방법은, (B) 공정과 (C) 공정의 사이에, 지지편의 위치를 카메라로 인식하는 공정을 포함하고 있어도 된다.The manufacturing method of the support piece which concerns on this indication may include the process of recognizing the position of a support piece with a camera between (B) process and (C) process.

(A) 공정에서 준비하는 적층 필름의 점착층은, 감압형이어도 되고, 자외선 경화형이어도 된다. 즉, 점착층은, 자외선 조사에 의하여 경화되는 것이어도 되고, 그렇지 않아도 되며, 환언하면, 광반응성을 갖는 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 수지를 함유해도 되고, 함유하지 않아도 된다. 또한, 감압형의 점착층이 광반응성을 갖는 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 수지를 함유해도 된다. 예를 들면, 점착층은, 그 소정의 영역에 자외선을 조사함으로써 당해 영역의 점착성을 저하시킨 것이어도 되고, 예를 들면, 광반응성을 갖는 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 수지가 잔존하고 있어도 된다. 점착층이 자외선 경화형인 경우, (B) 공정과 (C) 공정의 사이에, 점착층에 자외선을 조사하는 공정을 실시함으로써 점착층의 점착성을 저하시킬 수 있다.(A) Pressure-sensitive type may be sufficient as the adhesion layer of laminated|multilayer film prepared at a process, and an ultraviolet curing type may be sufficient as it. That is, the adhesive layer may or may not be cured by irradiation with ultraviolet rays, and in other words, may or may not contain a resin having a carbon-carbon double bond having photoreactivity. Further, the pressure-sensitive adhesive layer may contain a resin having a carbon-carbon double bond having photoreactivity. For example, the adhesive layer may have the adhesive layer lowered by irradiating ultraviolet rays to the predetermined area, and for example, a resin having a photoreactive carbon-carbon double bond may remain. When an adhesive layer is an ultraviolet curing type, the adhesiveness of an adhesive layer can be reduced by performing the process of irradiating an ultraviolet-ray to an adhesive layer between (B) process and (C) process.

본 개시의 일 측면은, 기판과, 기판 상에 배치된 제1 칩과, 기판 상이며 제1 칩의 주위에 배치된 복수의 지지편과, 복수의 지지편에 의하여 지지되고 또한 제1 칩을 덮도록 배치된 제2 칩을 포함하는 돌멘 구조를 갖는 반도체 장치의 제조 방법에 관한 것이다. 반도체 장치의 제조 방법은 이하의 공정을 포함한다.One aspect of the present disclosure includes a substrate, a first chip disposed on the substrate, a plurality of support pieces on the substrate and disposed around the first chip, and the first chip supported by the plurality of support pieces A method of manufacturing a semiconductor device having a dolmen structure including a second chip disposed to cover the semiconductor device. The manufacturing method of a semiconductor device includes the following processes.

(D) 기판 상에 제1 칩을 배치하는 공정(D) Step of arranging the first chip on the substrate

(E) 기판 상이며 제1 칩의 주위에 상기의 제조 방법에 의하여 얻어지는 복수의 지지편을 배치하는 공정(E) A step of arranging a plurality of support pieces on a substrate and obtained by the above manufacturing method around the first chip

(F) 제2 칩과, 제2 칩의 일방의 면 상에 마련된 접착제편을 구비하는 접착제편 부착 칩을 준비하는 공정(F) Step of preparing a chip with an adhesive piece comprising a second chip and an adhesive piece provided on one surface of the second chip

(G) 복수의 지지편의 표면 상에 접착제편 부착 칩을 배치함으로써 돌멘 구조를 구축하는 공정(G) Step of constructing a dolmen structure by arranging chips with adhesive pieces on the surfaces of the plurality of support pieces

지지편 형성용 필름이 열경화성 수지층을 포함하는 경우, 지지편 형성용 필름 또는 지지편을 가열하여 열경화성 수지층 또는 접착제편을 경화시키는 공정은 적절한 타이밍에 실시하면 되고, 예를 들면, (G) 공정보다 전에 실시하면 된다. 복수의 지지편의 표면에 접하도록 접착제편 부착 칩을 배치하는 단계에 있어서, 열경화성 수지층이 이미 경화되어 있음으로써 접착제편 부착 칩의 배치에 따라 지지편이 변형하는 것을 억제할 수 있다. 또한, 열경화성 수지층은 다른 부재(예를 들면, 기판)에 대하여 접착성을 갖기 때문에, 지지편에 접착제층 등을 별도 마련하지 않아도 된다.When the film for forming the support piece includes a thermosetting resin layer, the step of curing the thermosetting resin layer or the adhesive piece by heating the film or the support piece for forming the support piece may be performed at an appropriate timing, for example, (G) It should be carried out before the process. In the step of arranging the chip with the adhesive piece so as to be in contact with the surfaces of the plurality of support pieces, it is possible to suppress deformation of the support piece according to the arrangement of the chip with the adhesive piece because the thermosetting resin layer has already been cured. Moreover, since the thermosetting resin layer has adhesiveness with respect to another member (for example, a board|substrate), it is not necessary to provide an adhesive bond layer etc. separately for a support piece.

본 개시의 일 측면은, 돌멘 구조를 갖는 반도체 장치에 관한 것이다. 즉, 반도체 장치는, 기판과, 기판 상에 배치된 제1 칩과, 기판 상이며 제1 칩의 주위에 배치된 복수의 지지편과, 복수의 지지편에 의하여 지지되고 또한 제1 칩을 덮도록 배치된 제2 칩을 포함하며, 지지편이, 적어도 금속편을 포함한다.One aspect of the present disclosure relates to a semiconductor device having a dolmen structure. That is, the semiconductor device is supported by a substrate, a first chip disposed on the substrate, a plurality of support pieces on the substrate and disposed around the first chip, and supported by the plurality of support pieces and covers the first chip. and a second chip disposed so that the support piece includes at least a metal piece.

본 개시에 관한 상기 반도체 장치는, 제2 칩의 일방의 면 상에 마련되어 있고 또한 제2 칩과 복수의 지지편에 의하여 협지되어 있는 접착제편을 더 구비해도 된다. 이 경우, 상기 제1 칩은, 접착제편과 이간되어 있어도 되고, 접착제편과 접하고 있어도 된다.The semiconductor device according to the present disclosure may further include an adhesive piece provided on one surface of the second chip and held between the second chip and the plurality of support pieces. In this case, the said 1st chip|tip may be spaced apart from the adhesive bond piece, and may be in contact with the adhesive bond piece.

본 개시의 일 측면은, 기판과, 기판 상에 배치된 제1 칩과, 기판 상이며 제1 칩의 주위에 배치된 복수의 지지편과, 복수의 지지편에 의하여 지지되고 또한 제1 칩을 덮도록 배치된 제2 칩을 포함하는 돌멘 구조를 갖는 반도체 장치의 제조 프로세스에 있어서 사용되는 지지편 형성용 적층 필름에 관한 것이다. 지지편 형성용 적층 필름은, 기재 필름과, 점착층과, 적어도 금속층을 포함하는 다층 구조를 갖는 지지편 형성용 필름을 이 순서로 구비한다.One aspect of the present disclosure includes a substrate, a first chip disposed on the substrate, a plurality of support pieces on the substrate and disposed around the first chip, and the first chip supported by the plurality of support pieces It is related with the laminated|multilayer film for support piece formation used in the manufacturing process of the semiconductor device which has a dolmen structure including the 2nd chip|tip arrange|positioned so that it may cover. The laminated film for support piece formation is equipped with the film for support piece formation which has a multilayer structure containing a base film, an adhesion layer, and at least a metal layer in this order.

상기 지지편 형성용 필름의 두께는, 예를 들면, 5~180μm 또는 20~120μm여도 된다. 지지편 형성용 필름의 두께가 이 범위임으로써, 제1 칩(예를 들면, 컨트롤러 칩)에 대하여 적절한 높이의 돌멘 구조를 구축할 수 있다. 지지편 형성용 필름은 열경화성 수지층을 포함해도 된다. 열경화성 수지층은, 예를 들면, 에폭시 수지를 포함하고, 엘라스토머를 포함하는 것이 바람직하다. 지지편을 구성하는 열경화성 수지층이 엘라스토머를 포함함으로써 반도체 장치 내에 있어서의 응력을 완화할 수 있다.The thickness of the said film for support piece formation may be 5-180 micrometers or 20-120 micrometers, for example. When the thickness of the film for forming a support piece is within this range, it is possible to construct a dolmen structure having an appropriate height with respect to a first chip (eg, a controller chip). The film for support piece formation may also contain a thermosetting resin layer. It is preferable that a thermosetting resin layer contains an epoxy resin, and contains an elastomer, for example. When the thermosetting resin layer constituting the support piece contains the elastomer, the stress in the semiconductor device can be relieved.

본 개시의 일 측면은, 지지편 형성용 적층 필름의 제조 방법에 관한 것이다. 지지편 형성용 적층 필름의 제조 방법은, 기재 필름과, 그 일방의 면 상에 형성된 점착층을 갖는 점착 필름을 준비하는 공정과, 점착층의 표면 상에, 적어도 금속층을 포함하는 다층 구조를 갖는 지지편 형성용 필름을 적층하는 공정을 포함한다.One aspect of the present disclosure relates to a method of manufacturing a laminated film for forming a support piece. The manufacturing method of the laminated|multilayer film for support piece formation has the process of preparing the adhesive film which has a base film and the adhesive layer formed on the one side, On the surface of the adhesive layer, the multilayer structure containing at least a metal layer has A step of laminating the film for forming a support piece is included.

본 개시에 의하면, 카메라에 의한 시인성이 우수한 지지편을 효율적으로 제조하는 지지편의 제조 방법이 제공된다. 또, 본 개시에 의하면, 돌멘 구조를 갖는 반도체 장치 및 그 제조 방법, 및, 지지편 형성용 적층 필름이 제공된다.ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this indication, the manufacturing method of the support piece which manufactures efficiently the support piece excellent in the visibility by a camera is provided. Moreover, according to this indication, the semiconductor device which has a dolmen structure, its manufacturing method, and the laminated film for support piece formation are provided.

도 1은, 반도체 장치의 제1 실시형태를 모식적으로 나타내는 단면도이다.
도 2의 (a), 도 2의 (b), 및 도 2의 (c)는, 제1 칩과 복수의 지지편의 위치 관계의 예를 모식적으로 나타내는 평면도이다.
도 3의 (a)는, 지지편 형성용 적층 필름의 일 실시형태를 모식적으로 나타내는 평면도이며, 도 3의 (b)는, 도 3의 (a)의 b-b선에 있어서의 단면도이다.
도 4는, 점착층과 지지편 형성용 필름을 첩합하는 공정을 모식적으로 나타내는 단면도이다.
도 5의 (a), 도 5의 (b), 도 5의 (c), 및 도 5의 (d)는, 지지편의 제조 방법의 일 실시형태를 모식적으로 나타내는 단면도이다.
도 6의 (a)는, 개편화 후의 지지편 형성용 필름의 일 실시형태를 모식적으로 나타내는 평면도이며, 도 6의 (b)는, 도 6의 (a)의 부분 E에 있어서의 확대도이다.
도 7은, 기판 상이며 제1 칩의 주위에 복수의 지지편을 배치한 상태를 모식적으로 나타내는 단면도이다.
도 8은, 접착제편 부착 칩의 일례를 모식적으로 나타내는 단면도이다.
도 9는, 기판 상에 형성된 돌멘 구조를 모식적으로 나타내는 단면도이다.
도 10은, 반도체 장치의 제2 실시형태를 모식적으로 나타내는 단면도이다.
도 11은, 지지편 형성용 적층 필름의 다른 실시형태를 모식적으로 나타내는 단면도이다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS It is sectional drawing which shows typically 1st Embodiment of a semiconductor device.
Fig. 2(a), Fig. 2(b), and Fig. 2(c) are plan views schematically showing an example of the positional relationship between the first chip and the plurality of support pieces.
Fig. 3(a) is a plan view schematically showing one embodiment of the laminated film for forming a support piece, and Fig. 3(b) is a cross-sectional view taken along line bb in Fig. 3(a).
4 : is sectional drawing which shows typically the process of bonding an adhesion layer and the film for support piece formation.
Fig. 5 (a), Fig. 5 (b), Fig. 5 (c), and Fig. 5 (d) are cross-sectional views schematically showing one embodiment of a method for manufacturing a support piece.
Fig.6 (a) is a top view which shows typically one Embodiment of the film for support piece formation after segmentation, (b) is an enlarged view in part E of Fig.6 (a). am.
Fig. 7 is a cross-sectional view schematically showing a state in which a plurality of support pieces are arranged on a substrate and around the first chip.
8 is a cross-sectional view schematically showing an example of a chip with an adhesive piece.
9 : is sectional drawing which shows typically the dolmen structure formed on the board|substrate.
10 is a cross-sectional view schematically showing a second embodiment of a semiconductor device.
11 : is sectional drawing which shows typically other embodiment of the laminated|multilayer film for support piece formation.

이하, 도면을 참조하면서, 본 개시의 실시형태에 대하여 상세하게 설명한다. 단, 본 발명은 이하의 실시형태에 한정되는 것은 아니다. 또한, 본 명세서에 있어서, "(메트)아크릴산"이란, 아크릴산 또는 메타크릴산을 의미하고, "(메트)아크릴레이트"란, 아크릴레이트 또는 그에 대응하는 메타크릴레이트를 의미한다. "A 또는 B"란, A와 B 중 어느 일방을 포함하고 있으면 되고, 양방 모두 포함하고 있어도 된다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, embodiment of this indication is described in detail, referring drawings. However, this invention is not limited to the following embodiment. In addition, in this specification, "(meth)acrylic acid" means acrylic acid or methacrylic acid, and "(meth)acrylate" means an acrylate or a methacrylate corresponding thereto. "A or B" may include any one of A and B, and may include both.

본 명세서에 있어서 "층"이라는 용어는, 평면도로서 관찰했을 때에, 전면(全面)에 형성되어 있는 형상의 구조에 더하여, 일부에 형성되어 있는 형상의 구조도 포함된다. 또, 본 명세서에 있어서 "공정"이라는 용어는, 독립적인 공정뿐만 아니라, 다른 공정과 명확하게 구별할 수 없는 경우이더라도 그 공정의 소기 작용이 달성되면, 본 용어에 포함된다. 또, "~"를 이용하여 나타난 수치 범위는, "~"의 전후에 기재되는 수치를 각각 최솟값 및 최댓값으로서 포함하는 범위를 나타낸다.As used herein, the term "layer" includes a structure of a shape formed in a part in addition to a structure of a shape formed on the entire surface when viewed as a plan view. In addition, in this specification, the term "process" is included in this term as long as the desired action of the process is achieved even if it cannot be clearly distinguished from an independent process as well as other processes. In addition, the numerical range indicated using "-" shows the range which includes the numerical value described before and after "-" as a minimum value and a maximum value, respectively.

본 명세서에 있어서 조성물 중의 각 성분의 함유량은, 조성물 중에 각 성분에 해당하는 물질이 복수 존재하는 경우, 특별히 설명하지 않는 한, 조성물 중에 존재하는 당해 복수의 물질의 합계량을 의미한다. 또, 예시 재료는 특별히 설명하지 않는 한 단독으로 이용해도 되고, 2종 이상을 조합하여 이용해도 된다. 또, 본 명세서 중에 단계적으로 기재되어 있는 수치 범위에 있어서, 소정의 단계의 수치 범위의 상한값 또는 하한값은, 다른 단계의 수치 범위의 상한값 또는 하한값으로 치환해도 된다. 또, 본 명세서 중에 기재되어 있는 수치 범위에 있어서, 그 수치 범위의 상한값 또는 하한값은, 실시예에 나타나 있는 값으로 치환해도 된다.In the present specification, the content of each component in the composition means the total amount of the plurality of substances present in the composition, unless otherwise specified, when a plurality of substances corresponding to each component exist in the composition. In addition, unless otherwise indicated, an example material may be used independently and may be used in combination of 2 or more type. In addition, in the numerical range described step by step in this specification, the upper limit or lower limit of the numerical range of a predetermined step may be substituted with the upper limit or lower limit of the numerical range of another step. In addition, in the numerical range described in this specification, you may substitute the upper limit or lower limit of the numerical range with the value shown in an Example.

<제1 실시형태><First embodiment>

(반도체 장치)(Semiconductor device)

도 1은, 반도체 장치의 제1 실시형태를 모식적으로 나타내는 단면도이다. 도 1에 나타내는 반도체 장치(100)는, 기판(10)과, 기판(10)의 표면 상에 배치된 칩(T1)(제1 칩)과, 기판(10)의 표면 상이며 칩(T1)의 주위에 배치된 복수의 지지편(Dc)과, 칩(T1)의 상방에 배치된 칩(T2)(제2 칩)과, 칩(T2)과 복수의 지지편(Dc)에 의하여 협지되어 있는 접착제편(Tc)과, 칩(T2) 상에 적층된 칩(T3, T4)과, 기판(10)의 표면 상의 전극(도시하지 않음)과 칩(T1~T4)을 각각 전기적으로 접속하는 복수의 와이어(w)와, 칩(T1)과 칩(T2)의 간극 등에 충전된 밀봉재(50)를 구비한다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS It is sectional drawing which shows typically 1st Embodiment of a semiconductor device. The semiconductor device 100 shown in FIG. 1 includes a substrate 10 , a chip T1 (first chip) disposed on the surface of the substrate 10 , and a chip T1 on the surface of the substrate 10 . a plurality of support pieces Dc disposed around the chip T1, a chip T2 (second chip) disposed above the chip T1, and the chip T2 and the plurality of support pieces Dc The adhesive piece Tc, the chips T3 and T4 laminated on the chip T2, and the electrodes (not shown) on the surface of the substrate 10 and the chips T1 to T4 are electrically connected to each other. A plurality of wires w and a sealing material 50 filled with a gap between the chip T1 and the chip T2 and the like are provided.

본 실시형태에 있어서는, 복수의 지지편(Dc)과, 칩(T2)과, 지지편(Dc)과 칩(T2)의 사이에 위치하는 접착제편(Tc)에 의하여 기판(10) 상에 돌멘 구조가 구성되어 있다. 칩(T1)은, 접착제편(Tc)과 이간되어 있다. 지지편(Dc)의 두께를 적절히 설정함으로써, 칩(T1)의 상면과 기판(10)을 접속하는 와이어(w)를 위한 공간을 확보할 수 있다.In the present embodiment, a plurality of support pieces Dc, a chip T2, and an adhesive piece Tc positioned between the support pieces Dc and the chip T2 are placed on the substrate 10 for dolmen structure is made up. The chip T1 is separated from the adhesive piece Tc. By appropriately setting the thickness of the support piece Dc, a space for the wire w connecting the upper surface of the chip T1 and the substrate 10 can be secured.

기판(10)은, 유기 기판이어도 되고, 리드 프레임 등의 금속 기판이어도 된다. 기판(10)은, 반도체 장치(100)의 휨을 억제하는 관점에서, 기판(10)의 두께는, 예를 들면, 90~300μm이며, 90~210μm여도 된다.The substrate 10 may be an organic substrate or a metal substrate such as a lead frame. From the viewpoint of suppressing warpage of the semiconductor device 100 , the thickness of the substrate 10 is, for example, 90 to 300 µm, and may be 90 to 210 µm.

칩(T1)은, 예를 들면, 컨트롤러 칩이며, 접착제편(Tc)에 의하여 기판(10)에 접착되고 또한 와이어(w)에 의하여 기판(10)과 전기적으로 접속되어 있다. 평면시(平面視)에 있어서의 칩(T1)의 형상은, 예를 들면 사각형(정사각형 또는 직사각형)이다. 칩(T1)의 한 변의 길이는, 예를 들면, 5mm 이하이며, 2~5mm 또는 1~5mm여도 된다. 칩(T1)의 두께는, 예를 들면, 10~150μm이며, 20~100μm여도 된다.The chip T1 is, for example, a controller chip, which is adhered to the substrate 10 with an adhesive piece Tc and is electrically connected to the substrate 10 with a wire w. The shape of the chip T1 in plan view is, for example, a quadrangle (square or rectangle). The length of one side of the chip T1 is, for example, 5 mm or less, and may be 2 to 5 mm or 1 to 5 mm. The thickness of the chip T1 is, for example, 10 to 150 µm, and may be 20 to 100 µm.

칩(T2)은, 예를 들면, 메모리 칩이며, 접착제편(Tc)을 개재하여 지지편(Dc) 위에 접착되어 있다. 평면시에서 칩(T2)은, 칩(T1)보다 큰 사이즈를 갖는다. 평면시에 있어서의 칩(T2)의 형상은, 예를 들면, 사각형(정사각형 또는 직사각형)이다. 칩(T2)의 한 변의 길이는, 예를 들면, 20mm 이하이며, 4~20mm 또는 4~12mm여도 된다. 칩(T2)의 두께는, 예를 들면, 10~170μm이며, 20~120μm여도 된다. 또한, 칩(T3, T4)도, 예를 들면, 메모리 칩이며, 접착제편(Tc)을 개재하여 칩(T2) 위에 접착되어 있다. 칩(T3, T4)의 한 변의 길이는, 칩(T2)과 동일하면 되고, 칩(T3, T4)의 두께도 칩(T2)과 동일하면 된다.The chip T2 is, for example, a memory chip, and is adhered on the support piece Dc via an adhesive piece Tc. The chip T2 has a larger size than the chip T1 in plan view. The shape of the chip T2 in plan view is, for example, a quadrangle (square or rectangle). The length of one side of the chip T2 is, for example, 20 mm or less, and may be 4 to 20 mm or 4 to 12 mm. The thickness of the chip T2 is, for example, 10 to 170 µm, and may be 20 to 120 µm. Further, the chips T3 and T4 are, for example, memory chips, and are adhered on the chip T2 via an adhesive piece Tc. The length of one side of the chips T3 and T4 may be the same as that of the chip T2 , and the thickness of the chips T3 and T4 may also be the same as that of the chip T2 .

지지편(Dc)은, 칩(T1)의 주위에 공간을 형성하는 스페이서의 역할을 한다. 지지편(Dc)은, 금속편(6p)을 포함한다. 지지편(Dc)은, 2개의 접착제편(5c)과, 이들에 협지된 금속편(6p)에 의하여 구성되어 있다. 접착제편(5c)은 열경화성 수지 조성물(접착제편(5p))의 경화물로 이루어진다. 금속편(6p)은 금속 재료(예를 들면, 구리, 니켈, 타이타늄, 스테인리스, 알루미늄 등)로 이루어진다. 또한, 도 2의 (a)에 나타내는 바와 같이, 칩(T1)의 양측이 떨어진 위치에, 2개의 지지편(Dc)(형상: 직사각형)을 배치해도 되고, 도 2의 (b)에 나타내는 바와 같이, 칩(T1)의 모서리에 대응하는 위치에 각각 하나의 지지편(Dc)(형상: 정사각형, 합계 4개)을 배치해도 되며, 도 2의 (c)에 나타내는 바와 같이, 칩(T1)의 변에 대응하는 위치에 각각 하나의 지지편(Dc)(형상: 직사각형, 합계 4개)을 배치해도 된다. 평면시에 있어서의 지지편(Dc)의 한 변의 길이는, 예를 들면, 20mm 이하이며, 1~20mm 또는 1~12mm여도 된다. 지지편(Dc)의 두께(높이)는, 예를 들면, 10~180μm이며, 20~120μm여도 된다.The support piece Dc serves as a spacer that forms a space around the chip T1. The support piece Dc contains the metal piece 6p. The support piece Dc is comprised by the two adhesive bond pieces 5c and the metal piece 6p clamped by these. The adhesive piece 5c consists of a hardened|cured material of a thermosetting resin composition (adhesive piece 5p). The metal piece 6p is made of a metal material (for example, copper, nickel, titanium, stainless steel, aluminum, etc.). In addition, as shown in FIG.2(a), two support pieces Dc (shape: rectangle) may be arrange|positioned at the position where both sides of the chip|tip T1 are separated, and, as shown in FIG.2(b), Similarly, one support piece Dc (shape: square, total of four) may be arranged at a position corresponding to the edge of the chip T1, and as shown in Fig. 2(c), the chip T1 You may arrange|position one support piece Dc (shape: a rectangle, a total of four) each at the position corresponding to the side of. The length of one side of the support piece Dc in a planar view is 20 mm or less, for example, and 1-20 mm or 1-12 mm may be sufficient as it. The thickness (height) of the support piece Dc is, for example, 10-180 µm, and may be 20-120 µm.

(지지편의 제조 방법)(Manufacturing method of support piece)

지지편의 제조 방법의 일례에 대하여 설명한다. 본 실시형태에 관한 제조 방법은, 이하의 (A)~(C)의 공정을 포함한다.An example of the manufacturing method of a support piece is demonstrated. The manufacturing method which concerns on this embodiment includes the process of the following (A)-(C).

(A) 기재 필름(1)과, 점착층(2)과, 적어도 금속층(6)을 포함하는 다층 구조를 갖는 지지편 형성용 필름(D)을 이 순서로 구비하는 지지편 형성용 적층 필름(20)(이하, 경우에 따라 "적층 필름(20)"이라고 한다.)을 준비하는 공정(도 3, 도 4 참조)(A) Laminated film for support piece formation provided in this order with the base film 1, the adhesion layer 2, and the film (D) for support piece formation which has a multilayer structure containing at least the metal layer 6 ( 20) (hereinafter, referred to as “laminated film 20” in some cases.) A step of preparing (refer to FIGS. 3 and 4 )

(B) 지지편 형성용 필름(D)을 개편화함으로써, 점착층(2)의 표면 상에 복수의 지지편(Da)을 형성하는 공정(도 5의 (b) 참조)(B) Step of forming a plurality of support pieces Da on the surface of the adhesive layer 2 by separating the film (D) for forming a support piece into pieces (refer to Fig. 5(b))

(C) 점착층(2)으로부터 지지편(Da)을 픽업하는 공정(도 5의 (d) 참조)(C) Step of picking up the support piece Da from the pressure-sensitive adhesive layer 2 (see Fig. 5(d))

또한, 도 1에 나타내는 지지편(Dc)은, 이것에 포함되는 접착제편(열경화성 수지 조성물)이 경화된 후의 것이다. 한편, 지지편(Da)은, 이것에 포함되는 접착제편(열경화성 수지 조성물)이 완전히 경화되기 전의 상태의 것이다(예를 들면, 도 5의 (b) 참조).In addition, the support piece Dc shown in FIG. 1 is a thing after the adhesive bond piece (thermosetting resin composition) contained in this is hardened|cured. On the other hand, the support piece Da is in a state before the adhesive piece (thermosetting resin composition) contained in this is completely hardened (for example, refer FIG.5(b)).

(A)~(C)의 공정은, 복수의 지지편(Da)을 제조하는 프로세스이다. 이하, 도 3~5를 참조하면서, (A)~(C) 공정에 대하여 설명한다.The steps of (A) to (C) are processes for manufacturing the plurality of support pieces Da. Hereinafter, steps (A) to (C) will be described with reference to FIGS. 3 to 5 .

[(A) 공정][(A) Process]

(A) 공정은, 적층 필름(20)을 준비하는 공정이다. 적층 필름(20)은, 기재 필름(1)과, 점착층(2)과, 적어도 금속층(6)을 포함하는 다층 구조를 갖는 지지편 형성용 필름(D)을 구비한다. 기재 필름(1)은, 예를 들면, 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름(PET 필름)이다. 점착층(2)은, 펀칭 등에 의하여 원형으로 형성되어 있다(도 3의 (a) 참조). 점착층(2)은, 감압형의 점착제로 이루어지는 것이어도 되고, 자외선 경화형의 점착제로 이루어지는 것이어도 된다. 점착층(2)이 자외선 경화형의 점착제로 이루어지는 것인 경우, 점착층(2)은 자외선이 조사됨으로써 점착성이 저하되는 성질을 갖는다. 지지편 형성용 필름(D)은, 펀칭 등에 의하여 원형으로 형성되어 있고, 점착층(2)보다 작은 직경을 갖는다(도 3의 (a) 참조). 지지편 형성용 필름(D)은, 2개의 열경화성 수지층(5)과, 이들에 협지된 금속층(6)에 의하여 구성되어 있다.(A) A process is a process of preparing the laminated|multilayer film 20. The laminated|multilayer film 20 is equipped with the base film 1, the adhesion layer 2, and the film D for support piece formation which has a multilayer structure containing the metal layer 6 at least. The base film 1 is a polyethylene terephthalate film (PET film), for example. The adhesive layer 2 is formed circularly by punching etc. (refer FIG.3(a)). The adhesive layer 2 may consist of a pressure-sensitive adhesive, or may consist of an ultraviolet curing adhesive. When the pressure-sensitive adhesive layer 2 is made of a UV-curable pressure-sensitive adhesive, the adhesive layer 2 has a property of lowering the adhesiveness when irradiated with UV light. The film D for support piece formation is formed circularly by punching etc., and has a smaller diameter than the adhesion layer 2 (refer FIG.3(a)). The film D for support piece formation is comprised by the two thermosetting resin layers 5 and the metal layer 6 clamped by these.

열경화성 수지층(5)의 두께는, 예를 들면, 3~60μm이며, 5~40μm 또는 10~30μm여도 된다. 2개의 열경화성 수지층(5)의 두께는 동일해도 되고, 달라도 된다. 열경화성 수지층(5)은 열경화성 수지 조성물로 이루어진다. 열경화성 수지 조성물은, 반경화(B 스테이지) 상태를 거쳐, 그 후의 경화 처리에 의하여 완전 경화물(C 스테이지) 상태가 될 수 있는 것이다. 열경화성 수지 조성물은, 에폭시 수지와, 경화제와, 엘라스토머(예를 들면, 아크릴 수지)를 포함하고, 필요에 따라, 무기 필러 및 경화 촉진제 등을 더 포함한다. 2개의 열경화성 수지층(5)의 조성은 동일해도 되고, 달라도 된다. 열경화성 수지층(5)을 구성하는 열경화성 수지 조성물의 상세에 대해서는 후술한다.The thickness of the thermosetting resin layer 5 may be 3-60 micrometers, for example, and 5-40 micrometers or 10-30 micrometers may be sufficient as it. The thickness of the two thermosetting resin layers 5 may be the same or different. The thermosetting resin layer 5 consists of a thermosetting resin composition. The thermosetting resin composition can be in a fully cured product (C stage) state through a semi-cured (B-stage) state and subsequent curing treatment. A thermosetting resin composition contains an epoxy resin, a hardening|curing agent, and an elastomer (for example, an acrylic resin), and also contains an inorganic filler, a hardening accelerator, etc. as needed. The composition of the two thermosetting resin layers 5 may be the same or different. The detail of the thermosetting resin composition which comprises the thermosetting resin layer 5 is mentioned later.

금속층(6)의 두께는, 예를 들면, 5~100μm이며, 10~90μm 또는 20~80μm여도 된다. 금속층(6)의 두께가 상기 범위임으로써, 지지편(Da)을 픽업하는 공정에 있어서(도 5의 (d) 참조), 금속편(6p)이 스프링판과 같은 역할을 하여, 우수한 픽업성을 달성할 수 있다. 금속층(6)으로서는, 예를 들면, 구리층, 니켈층, 타이타늄층, 스테인리스층, 알루미늄층 등을 들 수 있다. 금속층(6)은, 구리층이어도 된다. 적층 필름(20)이 금속층(6)을 포함함으로써, 수지 재료와 금속 재료의 광학적인 콘트라스트에 의하여, 픽업 공정에 있어서 지지편(Da)의 카메라에 의한 시인성이 향상될 수 있다. 또, 구리, 알루미늄 등의 금속의 열전도율은, 반도체 칩을 구성하는 실리콘의 열전도율보다 큰 경향이 있기 때문에, 금속층(6)을 갖는 지지편(Da)을 이용하여 제조되는 반도체 장치는, 방열성이 우수한 것이 추측된다.The thickness of the metal layer 6 may be 5-100 micrometers, for example, and 10-90 micrometers or 20-80 micrometers may be sufficient as it. When the thickness of the metal layer 6 is within the above range, in the step of picking up the support piece Da (refer to FIG. 5(d) ), the metal piece 6p acts like a spring plate, and has excellent pickup properties. can be achieved As the metal layer 6, a copper layer, a nickel layer, a titanium layer, a stainless layer, an aluminum layer, etc. are mentioned, for example. The metal layer 6 may be a copper layer. When the laminated film 20 includes the metal layer 6, the optical contrast between the resin material and the metal material can improve the visibility of the support piece Da by the camera in the pickup process. In addition, since the thermal conductivity of metals such as copper and aluminum tends to be larger than that of silicon constituting the semiconductor chip, a semiconductor device manufactured using the support piece Da having the metal layer 6 has excellent heat dissipation properties. it is assumed

적층 필름(20)의 두께는, 예를 들면, 5~180μm 또는 20~120μm여도 된다. 적층 필름(20)의 두께가 이 범위임으로써, 제1 칩(예를 들면, 컨트롤러 칩)에 대하여 적절한 높이의 돌멘 구조를 구축할 수 있다.The thickness of the laminated|multilayer film 20 may be 5-180 micrometers or 20-120 micrometers, for example. When the thickness of the laminated film 20 is within this range, it is possible to construct a dolmen structure having an appropriate height with respect to the first chip (eg, a controller chip).

적층 필름(20)은, 예를 들면, 기재 필름(1)과 그 표면 상에 점착층(2)를 갖는 제1 적층 필름과, 커버 필름(3)과 그 표면 상에 지지편 형성용 필름(D)을 갖는 제2 적층 필름을 첩합함으로써 제작할 수 있다(도 4 참조). 제1 적층 필름은, 기재 필름(1)의 표면 상에 점착층을 도공에 의하여 형성하는 공정과, 점착층을 펀칭 등에 의하여 소정의 형상(예를 들면, 원형)으로 가공하는 공정을 거쳐 얻어진다. 제2 적층 필름은, 커버 필름(3)(예를 들면, PET 필름 또는 폴리에틸렌 필름)의 표면 상에 열경화성 수지층(5)을 도공에 의하여 형성하는 공정과, 열경화성 수지층(5)의 표면에 금속층(6)을 형성하는 공정과, 금속층(6)의 표면 상에 열경화성 수지층(5)을 도공에 의하여 형성하는 공정과, 이들 공정을 거쳐 형성된 지지편 형성용 필름을 펀칭 등에 의하여 소정의 형상(예를 들면, 원형)으로 가공하는 공정을 거쳐 얻어진다. 적층 필름(20)을 사용함에 있어서, 커버 필름(3)은 적당한 타이밍에 박리된다.The laminated film 20 is, for example, the base film 1 and the 1st laminated|multilayer film which has the adhesive layer 2 on the surface, the cover film 3, and the film for support piece formation on the surface ( It is producible by bonding together the 2nd laminated|multilayer film which has D) (refer FIG. 4). A 1st laminated|multilayer film is obtained through the process of forming an adhesion layer by coating on the surface of the base film 1, and the process of processing an adhesion layer into a predetermined shape (for example, circular) by punching etc. . The 2nd laminated|multilayer film includes the process of forming the thermosetting resin layer 5 by coating on the surface of the cover film 3 (for example, PET film or a polyethylene film), The thermosetting resin layer 5 on the surface of The process of forming the metal layer 6, the process of forming the thermosetting resin layer 5 by coating on the surface of the metal layer 6, The film for support piece formation formed through these processes is punched out to a predetermined shape by punching etc. (For example, it is obtained through the process of processing into a circular shape). In using the laminated film 20, the cover film 3 is peeled off at an appropriate timing.

[(B) 공정][(B) Process]

(B) 공정은, 지지편 형성용 필름(D)을 개편화함으로써, 점착층(2)의 표면 상에 복수의 지지편(Da)을 형성하는 공정이다. 도 5의 (a)에 나타나는 바와 같이, 적층 필름(20)에 다이싱링(DR)을 첩부한다. 즉, 적층 필름(20)의 점착층(2)에 다이싱링(DR)을 첩부하고, 다이싱링(DR)의 내측에 지지편 형성용 필름(D)이 배치된 상태로 한다. 지지편 형성용 필름(D)을 다이싱에 의하여 개편화한다(도 5의 (b) 참조). 이로써, 지지편 형성용 필름(D)으로부터 다수의 지지편(Da)이 얻어진다. 지지편(Da)은, 2개의 접착제편(5p)과, 이들에 협지된 금속편(6p)에 의하여 구성된다.(B) A process is a process of forming the some support piece Da on the surface of the adhesion layer 2 by separating the film D for support piece formation into pieces. As shown in FIG.5(a), the dicing ring DR is affixed to the laminated|multilayer film 20. As shown in FIG. That is, the dicing ring DR is affixed to the adhesion layer 2 of the laminated|multilayer film 20, and let the film D for support piece formation be arrange|positioned inside the dicing ring DR. The film (D) for support piece formation is diced into pieces (refer FIG.5(b)). Thereby, many support pieces Da are obtained from the film D for support piece formation. The support piece Da is constituted by two adhesive pieces 5p and a metal piece 6p sandwiched therebetween.

[(C) 공정][(C) Process]

(C) 공정은, 점착층(2)으로부터 지지편(Da)을 픽업하는 공정이다. 도 5의 (c)에 나타나는 바와 같이, 기재 필름(1)을 익스팬드함으로써, 지지편(Da)을 서로 이간시킨다. 이어서, 도 5의 (d)에 나타나는 바와 같이, 지지편(Da)을 밀어 올림 지그(42)로 밀어 올림으로써 점착층(2)으로부터 지지편(Da)을 박리시킴과 함께, 흡인 콜릿(44)으로 흡인하여 지지편(Da)을 픽업한다.(C) A process is a process of picking up the support piece Da from the adhesion layer 2 . As shown in FIG.5(c), by expanding the base film 1, the support piece Da is mutually spaced apart. Next, as shown in FIG.5(d), while pushing up the support piece Da with the pushing jig 42, while peeling the support piece Da from the adhesion layer 2, the suction collet 44 ) to pick up the support piece Da.

도 6의 (a)는, 개편화 후의 지지편 형성용 필름의 일 실시형태를 모식적으로 나타내는 평면도이며, 도 6의 (b)는, 도 6의 (a)의 부분 E에 있어서의 확대도이다. 본 명세서에 있어서, "카메라에 의한 시인성"은, 개편화 후의 지지편 형성용 필름을 통상의 반도체 칩의 제조에 이용되는 장치(예를 들면, 다이본더 등)에 부속되는 카메라에 의하여 관찰했을 때에, 점착층(2)에 대한 지지편(Da)의 확인의 용이성을 의미한다. 이 확인의 용이성은, 예를 들면, 점착층(2)과 지지편(Da)의 광학적인 콘트라스트를 높게 함(크게 함)으로써 향상될 수 있다.Fig.6 (a) is a top view which shows typically one Embodiment of the film for support piece formation after segmentation, (b) is an enlarged view in part E of Fig.6 (a). am. In this specification, "visibility by a camera" refers to when the film for forming a support piece after segmentation is observed with a camera attached to an apparatus (eg, die bonder, etc.) used for normal semiconductor chip manufacture. , means the ease of confirmation of the support piece Da with respect to the adhesive layer 2 . This easiness of confirmation can be improved, for example, by increasing (enlarging) the optical contrast between the adhesive layer 2 and the support piece Da.

본 실시형태에 관한 지지편의 제조 방법은, (B) 공정과 (C) 공정의 사이에, 지지편의 위치를 카메라로 인식하는 공정을 포함하고 있어도 된다.The manufacturing method of the support piece which concerns on this embodiment may include the process of recognizing the position of a support piece with a camera between (B) process and (C) process.

본 실시형태에 관한 지지편의 제조 방법에 의하면, 적층 필름(20)이 금속층(6)을 포함하는 점에서, 수지 재료와 금속 재료의 광학적인 콘트라스트가 보다 높아져, 지지편(Da)의 카메라에 의한 시인성이 향상되어, 지지편(Da)을 보다 효율적으로 픽업하는 것이 가능해진다.According to the manufacturing method of the support piece which concerns on this embodiment, since the laminated|multilayer film 20 contains the metal layer 6, the optical contrast of a resin material and a metallic material becomes higher, and the camera of the support piece Da Visibility improves and it becomes possible to pick up the support piece Da more efficiently.

(반도체 장치의 제조 방법)(Method for manufacturing semiconductor device)

반도체 장치(100)의 제조 방법에 대하여 설명한다. 본 실시형태에 관한 제조 방법은, 이하의 (D)~(H)의 공정을 포함한다.A method of manufacturing the semiconductor device 100 will be described. The manufacturing method which concerns on this embodiment includes the process of the following (D)-(H).

(D) 기판(10) 상에 제1 칩(T1)을 배치하는 공정(D) A process of arranging the first chip T1 on the substrate 10 .

(E) 기판(10) 상이며 제1 칩(T1)의 주위에 상기의 제조 방법에 의하여 얻어지는 복수의 지지편(Da)(적어도 금속편(6p)을 포함하는 지지편(Da))을 배치하는 공정(도 7 참조)(E) disposing a plurality of support pieces Da (support pieces Da including at least a metal piece 6p) on the substrate 10 and obtained by the above manufacturing method around the first chip T1 Process (see Fig. 7)

(F) 제2 칩(T2)과, 제2 칩(T2)의 일방의 면 상에 마련된 접착제편(Ta)을 구비하는 접착제편 부착 칩(T2a)을 준비하는 공정(도 8 참조)(F) A step of preparing a chip T2a with an adhesive piece having a second chip T2 and an adhesive piece Ta provided on one surface of the second chip T2 (refer to FIG. 8 )

(G) 복수의 지지편(Dc)의 표면 상에 접착제편 부착 칩(T2a)을 배치함으로써 돌멘 구조를 구축하는 공정(도 9 참조)(G) Step of constructing a dolmen structure by arranging the chips T2a with adhesive pieces on the surfaces of the plurality of support pieces Dc (refer to Fig. 9)

(H) 칩(T1)과 칩(T2) 의 간극 등을 밀봉재(50)로 밀봉하는 공정(도 1 참조)(H) Step of sealing the gap between the chip T1 and the chip T2 with the sealing material 50 (refer to FIG. 1)

(D)~(H) 공정은, 복수의 지지편(Da)을 사용하여 돌멘 구조를 기판(10) 상에 구축해 가는 프로세스이다. 이하, 도 7~9를 참조하면서, (D)~(H) 공정에 대하여 설명한다.Steps (D) to (H) are processes for constructing a dolmen structure on the substrate 10 using a plurality of support pieces Da. Hereinafter, steps (D) to (H) will be described with reference to FIGS. 7 to 9 .

[(D) 공정][(D) Process]

(D) 공정은, 기판(10) 상에 제1 칩(T1)을 배치하는 공정이다. 예를 들면, 먼저, 기판(10) 상의 소정의 위치에 접착제층(T1c)을 개재하여 칩(T1)을 배치한다. 그 후, 칩(T1)은 와이어(w)로 기판(10)과 전기적으로 접속된다.Step (D) is a step of disposing the first chip T1 on the substrate 10 . For example, first, the chip T1 is disposed at a predetermined position on the substrate 10 with the adhesive layer T1c interposed therebetween. Then, the chip T1 is electrically connected to the substrate 10 with a wire w.

[(E) 공정][(E) process]

(E) 공정은, 기판(10) 상이며 제1 칩(T1)의 주위에 복수의 지지편(Da)을 배치하는 공정이다. 이 공정을 거쳐, 도 7에 나타내는 구조체(30)가 제작된다. 구조체(30)는, 기판(10)과, 그 표면 상에 배치된 칩(T1)과, 복수의 지지편(Da)을 구비한다. 지지편(Da)의 배치는 압착 처리에 의하여 행하면 된다. 압착 처리는, 예를 들면, 80~180℃, 0.01~0.50MPa의 조건으로, 0.5~3.0초간에 걸쳐 실시하는 것이 바람직하다. 또한, 지지편(Da)은, 이것에 포함되는 접착제편(5p)이 (E) 공정의 시점에서 완전히 경화되어 지지편(Dc)이 되어 있어도 되고, 이 시점에서는 완전 경화되어 있지 않아도 된다. 지지편(Da)에 포함되는 접착제편(5p)은 (G) 공정의 개시 전의 시점에서 완전 경화되어 접착제편(5c)이 되어 있는 것이 바람직하다.Step (E) is a step of disposing a plurality of support pieces Da on the substrate 10 and around the first chip T1 . Through this process, the structure 30 shown in FIG. 7 is produced. The structure 30 includes a substrate 10 , a chip T1 disposed on the surface thereof, and a plurality of support pieces Da. What is necessary is just to arrange|position the support piece Da by crimping|compression-bonding process. It is preferable to perform crimping|compression-bonding process over 0.5 to 3.0 second on the conditions of 80-180 degreeC and 0.01-0.50 MPa, for example. In addition, as for the support piece Da, the adhesive bond piece 5p contained in this may be fully hardened|cured at the time of the (E) process, and it may become the support piece Dc, and it does not need to be fully hardened at this point. It is preferable that the adhesive bond piece 5p contained in the support piece Da is fully hardened|cured before the start of the (G) process, and becomes the adhesive bond piece 5c.

[(F) 공정][(F) Process]

(F) 공정은, 도 8에 나타내는 접착제편 부착 칩(T2a)을 준비하는 공정이다. 접착제편 부착 칩(T2a)은, 칩(T2)과, 그 일방의 표면에 마련된 접착제편(Ta)을 구비한다. 접착제편 부착 칩(T2a)은, 예를 들면, 반도체 웨이퍼 및 다이싱·다이본딩 일체형 필름을 사용하여, 다이싱 공정 및 픽업 공정을 거쳐 얻을 수 있다.(F) is a process of preparing the chip|tip T2a with an adhesive bond piece shown in FIG. The chip|tip T2a with an adhesive bond piece is equipped with the chip|tip T2 and the adhesive bond piece Ta provided in the one surface. The chip T2a with an adhesive piece can be obtained through a dicing process and a pick-up process using, for example, a semiconductor wafer and a dicing die-bonding integrated film.

[(G) 공정][(G) process]

(G) 공정은, 복수의 지지편(Dc)의 상면에 접착제편(Ta)이 접하도록, 칩(T1)의 상방에 접착제편 부착 칩(T2a)을 배치하는 공정이다. 구체적으로는, 지지편(Dc)의 상면에 접착제편(Ta)을 개재하여 칩(T2)을 압착한다. 이 압착 처리는, 예를 들면, 80~180℃, 0.01~0.50MPa의 조건으로, 0.5~3.0초간에 걸쳐 실시하는 것이 바람직하다. 다음으로, 가열에 의하여 접착제편(Ta)을 경화시킨다. 이 경화 처리는, 예를 들면, 60~175℃, 0.01~1.0MPa의 조건으로, 5분간 이상에 걸쳐서 실시하는 것이 바람직하다. 이로써, 접착제편(Ta)이 경화되어 접착제편(Tc)이 된다. 이 공정을 거쳐, 기판(10) 상에 돌멘 구조가 구축된다(도 9 참조).(G) Process is a process of arrange|positioning the chip|tip T2a with an adhesive bond piece above the chip|tip T1 so that the adhesive bond piece Ta may contact with the upper surface of the some support piece Dc. Specifically, the chip T2 is pressed onto the upper surface of the support piece Dc with the adhesive piece Ta interposed therebetween. It is preferable to implement this crimping|compression-bonding process over 0.5 to 3.0 second on the conditions of 80-180 degreeC and 0.01-0.50 MPa, for example. Next, the adhesive piece Ta is hardened by heating. It is preferable to perform this hardening process over 5 minutes or more on conditions of 60-175 degreeC and 0.01-1.0 MPa, for example. Thereby, the adhesive bond piece Ta is hardened|cured and it becomes the adhesive bond piece Tc. Through this process, a dolmen structure is constructed on the substrate 10 (refer to FIG. 9).

(G) 공정 후이며 (H) 공정 전에, 칩(T2) 위에 접착제편을 개재하여 칩(T3)을 배치하고, 또한, 칩(T3) 위에 접착제편을 개재하여 칩(T4)을 배치한다. 접착제편은 상술한 접착제편(Ta)과 동일한 열경화성 수지 조성물이면 되고, 가열 경화에 의하여 접착제편(Tc)이 된다(도 1 참조). 다른 한편, 칩(T2, T3, T4)과 기판(10)을 와이어(w)와 전기적으로 각각 접속한다. 또한, 칩(T1)의 상방에 적층하는 칩의 수는 본 실시형태의 3개에 한정되지 않고, 적절히 설정하면 된다.After the step (G) and before the step (H), the chip T3 is disposed on the chip T2 with an adhesive piece interposed therebetween, and the chip T4 is disposed on the chip T3 with the adhesive piece interposed therebetween. The adhesive piece may just be the same thermosetting resin composition as the above-mentioned adhesive piece Ta, and it will become the adhesive bond piece Tc by heat-hardening (refer FIG. 1). On the other hand, the chips T2 , T3 , and T4 and the substrate 10 are electrically connected to the wire w respectively. In addition, the number of chips laminated|stacked above the chip|tip T1 is not limited to three of this embodiment, What is necessary is just to set suitably.

[(H) 공정][(H) process]

(H) 공정은, 칩(T1)과 칩(T2)의 간극 등을 밀봉재(50)로 밀봉하는 공정이다. 이 공정을 거쳐 도 1에 나타내는 반도체 장치(100)가 완성된다.Step (H) is a step of sealing the gap between the chip T1 and the chip T2 with the sealing material 50 . Through this process, the semiconductor device 100 shown in FIG. 1 is completed.

(열경화성 수지 조성물)(thermosetting resin composition)

열경화성 수지층(5)을 구성하는 열경화성 수지 조성물은, 상술한 바와 같이, 에폭시 수지와, 경화제와, 엘라스토머를 포함하고, 필요에 따라, 무기 필러 및 경화 촉진제 등을 더 포함한다. 본 발명자들의 검토에 의하면, 지지편(Da) 및 경화 후의 지지편(Dc)은 이하의 특성을 갖는 것이 바람직하다.As mentioned above, the thermosetting resin composition which comprises the thermosetting resin layer 5 contains an epoxy resin, a hardening|curing agent, and an elastomer, and also contains an inorganic filler, a hardening accelerator, etc. as needed. According to examination by the present inventors, it is preferable that the support piece Da and the support piece Dc after hardening have the following characteristics.

·특성 1: 기판(10)의 소정의 위치에 지지편(Da)을 열압착했을 때 위치 어긋남이 발생하기 어려운 것(120℃에 있어서의 접착제편(5p)의 용융 점도(전단 점도)가, 예를 들면, 4300~50000Pa·s 또는 5000~40000Pa·s인 것)Characteristic 1: When the support piece Da is thermocompression-bonded at a predetermined position on the substrate 10, position shift is unlikely to occur (melt viscosity (shear viscosity) of the adhesive piece 5p at 120 ° C.) For example, 4300 to 50000 Pa·s or 5000 to 40000 Pa·s)

·특성 2: 반도체 장치(100) 내에 있어서 접착제편(5c)이 응력 완화성을 발휘하는 것(열경화성 수지 조성물이 엘라스토머(고무 성분)를 포함하는 것)Characteristic 2: The adhesive piece 5c exhibits stress relaxation properties in the semiconductor device 100 (the thermosetting resin composition contains an elastomer (rubber component))

·특성 3: 접착제편 부착 칩의 접착제편(Tc)과의 접착 강도가 충분히 높은 것(접착제편(Tc)에 대한 접착제편(5c)(즉, 열경화성 수지층으로 이루어지는 필름의 경화물)의 다이 시어 강도(시어 강도)가, 예를 들면, 2.0~7.0Mpa 또는 3.0~6.0Mpa인 것)Characteristic 3: Die of a chip with an adhesive piece having a sufficiently high adhesive strength with the adhesive piece Tc (that is, the adhesive piece 5c to the adhesive piece Tc (that is, a cured product of a film made of a thermosetting resin layer) Shear strength (shear strength) is, for example, 2.0 to 7.0 Mpa or 3.0 to 6.0 Mpa)

·특성 4: 경화에 따른 수축률이 충분히 작은 것Characteristic 4: Shrinkage rate due to curing is sufficiently small

·특성 5: 픽업 공정에 있어서 카메라에 의한 지지편(Da)의 시인성이 양호한 것(열경화성 수지 조성물이, 예를 들면, 착색료를 포함하고 있는 것)-Characteristic 5: Good visibility of the support piece Da by a camera in a pick-up process (The thermosetting resin composition contains a coloring agent, for example)

·특성 6: 접착제편(5c)이 충분한 기계적 강도를 갖는 것Characteristic 6: The adhesive piece 5c has sufficient mechanical strength

[에폭시 수지][Epoxy Resin]

에폭시 수지는, 경화되어 접착 작용을 갖는 것이면 특별히 한정되지 않는다. 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비스페놀 F형 에폭시 수지, 비스페놀 S형 에폭시 수지 등의 2관능 에폭시 수지, 페놀 노볼락형 에폭시 수지, 크레졸 노볼락형 에폭시 수지 등의 노볼락형 에폭시 수지 등을 사용할 수 있다. 또, 다관능 에폭시 수지, 글리시딜아민형 에폭시 수지, 복소환 함유 에폭시 수지, 지환식 에폭시 수지 등, 일반적으로 알려져 있는 것을 적용할 수 있다. 이들은 1종을 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상을 병용해도 된다.The epoxy resin is not particularly limited as long as it is cured and has an adhesive action. Bifunctional epoxy resins, such as a bisphenol A type epoxy resin, a bisphenol F type epoxy resin, and a bisphenol S type epoxy resin, a novolak type epoxy resin, such as a phenol novolak type epoxy resin, and a cresol novolak type epoxy resin, etc. can be used. Moreover, generally known things, such as a polyfunctional epoxy resin, a glycidylamine type epoxy resin, a heterocyclic-containing epoxy resin, and an alicyclic epoxy resin, are applicable. These may be used individually by 1 type, and may use 2 or more types together.

[경화제][hardener]

경화제로서는, 예를 들면, 페놀 수지, 에스터 화합물, 방향족 아민, 지방족 아민, 산무수물 등을 들 수 있다. 이들 중, 높은 다이 시어 강도(시어 강도)를 달성하는 관점에서, 페놀 수지가 바람직하다. 페놀 수지의 시판품으로서는, 예를 들면, DIC 주식회사제의 LF-4871(상품명, BPA 노볼락형 페놀 수지), 에어·워터 주식회사제의 HE-100C-30(상품명, 페닐아랄킬형 페놀 수지), DIC 주식회사제의 페놀라이트 KA 및 TD 시리즈, 미쓰이 가가쿠 주식회사제의 밀렉스 XLC-시리즈와 XL 시리즈(예를 들면, 밀렉스 XLC-LL), 에어·워터 주식회사제의 HE 시리즈(예를 들면, HE100C-30), 메이와 가세이 주식회사제의 MEHC-7800 시리즈(예를 들면 MEHC-7800-4S), JEF 케미컬 주식회사제의 JDPP 시리즈, 군에이 가가쿠 고교 주식회사제의 PSM 시리즈(예를 들면, PSM-4326) 등을 들 수 있다. 이들은 1종을 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상을 병용해도 된다.As a hardening|curing agent, a phenol resin, an ester compound, an aromatic amine, an aliphatic amine, an acid anhydride, etc. are mentioned, for example. Among these, a phenol resin is preferable from a viewpoint of achieving high die shear strength (shear strength). As a commercial item of a phenol resin, For example, LF-4871 (trade name, BPA novolak type phenol resin) manufactured by DIC Corporation, HE-100C-30 (trade name, phenyl aralkyl type phenol resin) manufactured by Air Water Corporation, DIC Phenolite KA and TD series manufactured by Mitsui Chemicals Co., Ltd. Milex XLC-series and XL series (eg, Milex XLC-LL) manufactured by Mitsui Chemicals Co., Ltd., HE series manufactured by Air Water Corporation (eg, HE100C) -30), MEHC-7800 series manufactured by Meiwa Kasei Co., Ltd. (eg MEHC-7800-4S), JDPP series manufactured by JEF Chemical Co., Ltd., PSM series manufactured by Gunei Chemical Co., Ltd. (eg PSM- 4326) and the like. These may be used individually by 1 type, and may use 2 or more types together.

에폭시 수지와 페놀 수지의 배합량은, 높은 다이 시어 강도(시어 강도)를 달성하는 관점에서, 각각 에폭시 당량과 수산기 당량의 당량비가 0.6~1.5인 것이 바람직하고, 0.7~1.4인 것이 보다 바람직하며, 0.8~1.3인 것이 더 바람직하다. 배합비가 상기 범위 내임으로써, 경화성 및 유동성의 양방을 충분히 고수준으로 달성하기 쉽다.From the viewpoint of achieving high die shear strength (shear strength), the compounding amount of the epoxy resin and the phenol resin is preferably 0.6 to 1.5, more preferably 0.7 to 1.4, and 0.8 1.3 is more preferred. When a compounding ratio is in the said range, it is easy to achieve both sclerosis|hardenability and fluidity|liquidity at a sufficiently high level.

[엘라스토머][Elastomer]

엘라스토머로서는, 예를 들면, 아크릴 수지, 폴리에스터 수지, 폴리아마이드 수지, 폴리이미드 수지, 실리콘 수지, 폴리뷰타다이엔, 아크릴로나이트릴, 에폭시 변성 폴리뷰타다이엔, 무수 말레산 변성 폴리뷰타다이엔, 페놀 변성 폴리뷰타다이엔, 카복시 변성 아크릴로나이트릴을 들 수 있다.Examples of the elastomer include acrylic resin, polyester resin, polyamide resin, polyimide resin, silicone resin, polybutadiene, acrylonitrile, epoxy-modified polybutadiene, maleic anhydride-modified polybutadiene. , phenol-modified polybutadiene, and carboxy-modified acrylonitrile.

높은 다이 시어 강도(시어 강도)를 달성하는 관점에서, 엘라스토머로서 아크릴계 수지가 바람직하고, 또한, 글리시딜아크릴레이트 또는 글리시딜메타크릴레이트 등의 에폭시기 또는 글리시딜기를 가교성 관능기로서 갖는 관능성 모노머를 중합하여 얻은 에폭시기 함유 (메트)아크릴 공중합체 등의 아크릴계 수지가 보다 바람직하다. 아크릴계 수지 중에서도 에폭시기 함유 (메트)아크릴산 에스터 공중합체 및 에폭시기 함유 아크릴 고무가 바람직하고, 에폭시기 함유 아크릴 고무가 보다 바람직하다. 에폭시기 함유 아크릴 고무는, 아크릴산 에스터를 주성분으로 하고, 주로, 뷰틸아크릴레이트와 아크릴로나이트릴 등의 공중합체, 에틸아크릴레이트와 아크릴로나이트릴 등의 공중합체 등으로 이루어지는, 에폭시기를 갖는 고무이다. 또한, 아크릴계 수지는, 에폭시기뿐만 아니라, 알코올성 또는 페놀성 수산기, 카복실기 등의 가교성 관능기를 갖고 있어도 된다.From the viewpoint of achieving high die shear strength (sheer strength), an acrylic resin is preferable as the elastomer, and an epoxy group such as glycidyl acrylate or glycidyl methacrylate or a glycidyl group as a crosslinkable functional group Acrylic resins, such as an epoxy-group containing (meth)acrylic copolymer obtained by superposing|polymerizing a sex monomer, are more preferable. Among the acrylic resins, an epoxy group-containing (meth)acrylic acid ester copolymer and an epoxy group-containing acrylic rubber are preferable, and an epoxy group-containing acrylic rubber is more preferable. The epoxy group-containing acrylic rubber has an acrylic acid ester as a main component, and is mainly composed of a copolymer such as butyl acrylate and acrylonitrile, a copolymer such as ethyl acrylate and acrylonitrile, and the like, and is a rubber having an epoxy group. Moreover, acrylic resin may have crosslinkable functional groups, such as not only an epoxy group but alcoholic or phenolic hydroxyl group, and a carboxyl group.

아크릴 수지의 시판품으로서는, 예를 들면, 나가세 켐텍스 주식회사제의 SG-70L, SG-708-6, WS-023 EK30, SG-280 EK23, SG-P3 용제 변경품(상품명, 아크릴 고무, 중량 평균 분자량: 80만, Tg: 12℃, 용제는 사이클로헥산온) 등을 들 수 있다.As a commercial item of an acrylic resin, For example, SG-70L, SG-708-6, WS-023 EK30, SG-280 EK23, SG-P3 solvent modified product (trade name, acrylic rubber, weight average manufactured by Nagase Chemtex Co., Ltd.) Molecular weight: 800,000, Tg: 12 degreeC, the solvent is cyclohexanone) etc. are mentioned.

아크릴 수지의 유리 전이 온도(Tg)는, 높은 다이 시어 강도(시어 강도)를 달성하는 관점에서, -50~50℃인 것이 바람직하고, -30~30℃인 것이 보다 바람직하다. 아크릴 수지의 중량 평균 분자량(Mw)은, 높은 다이 시어 강도(시어 강도)를 달성하는 관점에서, 10만~300만인 것이 바람직하고, 50만~200만인 것이 보다 바람직하다. 여기에서, Mw는, 젤 퍼미에이션 크로마토그래피(GPC)로 측정하고, 표준 폴리스타이렌에 의한 검량선을 이용하여 환산한 값을 의미한다. 또한, 분자량 분포가 좁은 아크릴 수지를 이용함으로써, 고탄성의 접착제편을 형성할 수 있는 경향이 있다.It is preferable that it is -50-50 degreeC, and, as for the glass transition temperature (Tg) of an acrylic resin, it is more preferable that it is -30-30 degreeC from a viewpoint of achieving high die shear strength (shear strength). It is preferable that it is 100,000-3 million, and, as for the weight average molecular weight (Mw) of an acrylic resin, it is more preferable that it is 500,000-2 million from a viewpoint of achieving high die shear strength (shear strength). Here, Mw means the value measured by gel permeation chromatography (GPC) and converted using the calibration curve by standard polystyrene. Moreover, there exists a tendency which can form a highly elastic adhesive bond piece by using an acrylic resin with a narrow molecular weight distribution.

열경화성 수지 조성물에 포함되는 아크릴 수지의 양은, 높은 다이 시어 강도(시어 강도)를 달성하는 관점에서, 에폭시 수지 및 에폭시 수지 경화제의 합계 100질량부에 대하여 10~200질량부인 것이 바람직하고, 20~100질량부인 것이 보다 바람직하다.The amount of the acrylic resin contained in the thermosetting resin composition is preferably 10 to 200 parts by mass based on 100 parts by mass in total of the epoxy resin and the epoxy resin curing agent from the viewpoint of achieving high die shear strength (shear strength), and 20 to 100 parts by mass. It is more preferable that it is a mass part.

[무기 필러][Inorganic Filler]

무기 필러로서는, 예를 들면, 수산화 알루미늄, 수산화 마그네슘, 탄산 칼슘, 탄산 마그네슘, 규산 칼슘, 규산 마그네슘, 산화 칼슘, 산화 마그네슘, 산화 알루미늄, 질화 알루미늄, 붕산 알루미늄 위스커, 질화 붕소, 결정성 실리카, 비정성 실리카 등을 들 수 있다. 이들은 1종을 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상을 병용해도 된다.Examples of the inorganic filler include aluminum hydroxide, magnesium hydroxide, calcium carbonate, magnesium carbonate, calcium silicate, magnesium silicate, calcium oxide, magnesium oxide, aluminum oxide, aluminum nitride, aluminum borate whisker, boron nitride, crystalline silica, non Qualitative silica etc. are mentioned. These may be used individually by 1 type, and may use 2 or more types together.

무기 필러의 평균 입경은, 높은 다이 시어 강도(시어 강도)를 달성하는 관점에서, 0.005μm~1.0μm가 바람직하고, 0.05~0.5μm가 보다 바람직하다. 무기 필러의 표면은, 높은 다이 시어 강도(시어 강도)를 달성하는 관점에서, 화학 수식되어 있는 것이 바람직하다. 표면을 화학 수식하는 재료로서는, 예를 들면, 실레인 커플링제 등을 들 수 있다. 실레인 커플링제의 관능기의 종류로서는, 예를 들면, 바이닐기, (메트)아크릴로일기, 에폭시기, 머캅토기, 아미노기, 다이아미노기, 알콕시기, 에톡시기 등을 들 수 있다.From the viewpoint of achieving high die shear strength (shear strength), the average particle diameter of the inorganic filler is preferably 0.005 μm to 1.0 μm, and more preferably 0.05 μm to 0.5 μm. The surface of the inorganic filler is preferably chemically modified from the viewpoint of achieving high die shear strength (shear strength). As a material which chemically modifies the surface, a silane coupling agent etc. are mentioned, for example. As a kind of functional group of a silane coupling agent, a vinyl group, a (meth)acryloyl group, an epoxy group, a mercapto group, an amino group, a diamino group, an alkoxy group, an ethoxy group etc. are mentioned, for example.

높은 다이 시어 강도(시어 강도)를 달성하는 관점에서, 열경화성 수지 조성물의 수지 성분 100질량부에 대하여, 무기 필러의 함유량은 20~200질량부인 것이 바람직하고, 30~100질량부인 것이 보다 바람직하다.From the viewpoint of achieving high die shear strength (shear strength), with respect to 100 parts by mass of the resin component of the thermosetting resin composition, the content of the inorganic filler is preferably 20 to 200 parts by mass, more preferably 30 to 100 parts by mass.

[경화 촉진제][curing accelerator]

경화 촉진제로서는, 예를 들면, 이미다졸류 및 그 유도체, 유기 인계 화합물, 제2급 아민류, 제3급 아민류, 제4급 암모늄염 등을 들 수 있다. 높은 다이 시어 강도(시어 강도)를 달성하는 관점에서, 이미다졸계의 화합물이 바람직하다. 이미다졸류로서는, 예를 들면, 2-메틸이미다졸, 1-벤질-2-메틸이미다졸, 1-사이아노에틸-2-페닐이미다졸, 1-사이아노에틸-2-메틸이미다졸 등을 들 수 있다. 이들은 1종을 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상을 병용해도 된다.Examples of the curing accelerator include imidazoles and derivatives thereof, organophosphorus compounds, secondary amines, tertiary amines, and quaternary ammonium salts. From the viewpoint of achieving high die shear strength (shear strength), an imidazole-based compound is preferable. Examples of the imidazoles include 2-methylimidazole, 1-benzyl-2-methylimidazole, 1-cyanoethyl-2-phenylimidazole, and 1-cyanoethyl-2-methyl. Midazole, etc. are mentioned. These may be used individually by 1 type, and may use 2 or more types together.

열경화성 수지 조성물에 있어서의 경화 촉진제의 함유량은, 높은 다이 시어 강도(시어 강도)를 달성하는 관점에서, 에폭시 수지 및 에폭시 수지 경화제의 합계 100질량부에 대하여 0.04~3질량부가 바람직하고, 0.04~0.2질량부가 보다 바람직하다.The content of the curing accelerator in the thermosetting resin composition is preferably 0.04 to 3 parts by mass, and 0.04 to 0.2 parts by mass relative to a total of 100 parts by mass of the epoxy resin and the epoxy resin curing agent from the viewpoint of achieving high die shear strength (shear strength). A mass part is more preferable.

<제2 실시형태><Second embodiment>

도 10은, 반도체 장치의 제2 실시형태를 모식적으로 나타내는 단면도이다. 제1 실시형태에 관한 반도체 장치(100)는 칩(T1)이 접착제편(Tc)과 이간되어 있는 양태인 데에 대하여, 본 실시형태에 관한 반도체 장치(200)는 칩(T1)이 접착제편(Tc)과 접하고 있다. 즉, 접착제편(Tc)은, 칩(T1)의 상면 및 지지편(Dc)의 상면에 접하고 있다. 예를 들면, 지지편 형성용 필름(D)의 두께를 적절히 설정함으로써, 칩(T1)의 상면의 위치와 지지편(Dc)의 상면의 위치를 일치시킬 수 있다.10 is a cross-sectional view schematically showing a second embodiment of a semiconductor device. In the semiconductor device 100 according to the first embodiment, the chip T1 is separated from the adhesive piece Tc, whereas in the semiconductor device 200 according to the present embodiment, the chip T1 is the adhesive piece Tc. (Tc) is in contact. That is, the adhesive piece Tc is in contact with the upper surface of the chip T1 and the upper surface of the support piece Dc. For example, by setting the thickness of the film D for support piece formation suitably, the position of the upper surface of the chip|tip T1 and the position of the upper surface of the support piece Dc can be made to match.

반도체 장치(200)에 있어서는, 칩(T1)이 기판(10)에 대하여, 와이어 본딩이 아닌, 플립 칩 접속되어 있다. 또한, 칩(T2)과 함께 접착제편 부착 칩(T2a)을 구성하는 접착제편(Ta)에 매립되는 구성으로 하면, 기판(10)에 칩(T1)이 와이어 본딩된 양태이더라도, 칩(T1)이 접착제편(Tc)과 접한 상태로 할 수 있다.In the semiconductor device 200 , the chip T1 is flip-chip connected to the substrate 10 rather than by wire bonding. Further, when the chip T2 and the chip T2 are embedded in the adhesive piece Ta constituting the chip T2a with the adhesive piece, even if the chip T1 is wire-bonded to the substrate 10, the chip T1 It can be set as the state in contact with this adhesive bond piece Tc.

이상, 본 개시의 적합한 실시형태에 대하여 상세하게 설명했지만, 본 발명은 상기 실시형태에 한정되는 것은 아니다.As mentioned above, although preferred embodiment of this indication was described in detail, this invention is not limited to the said embodiment.

상기 실시형태에 있어서는, 도 3의 (b)에 나타내는 바와 같이, 3층 구조의 지지편 형성용 필름(D)을 구비하는 지지편 형성용 적층 필름(20)을 예시하고 있지만, 지지편 형성용 적층 필름은 2층이어도 되고 4층 이상이어도 된다. 도 11에 나타내는 지지편 형성용 적층 필름(20A)은, 열경화성 수지층(5)과, 금속층(6)을 갖는 2층 필름(D2)(지지편 형성용 필름)을 갖는다. 즉, 지지편 형성용 적층 필름(20A)에 있어서는, 점착층(2)과 최외면의 금속층(6)의 사이에 열경화성 수지층(5)이 배치되어 있다.In the said embodiment, as shown to FIG.3(b), although the laminated|multilayer film 20 for support piece formation provided with the film D for support piece formation of a three-layer structure is illustrated, it is for support piece formation Two layers may be sufficient as laminated|multilayer film, and four or more layers may be sufficient as it. The laminated|multilayer film 20A for support piece formation shown in FIG. 11 has the two-layer film D2 (film for support piece formation) which has the thermosetting resin layer 5 and the metal layer 6 . That is, in 20 A of laminated|multilayer film for support piece formation, the thermosetting resin layer 5 is arrange|positioned between the adhesion layer 2 and the metal layer 6 of an outermost surface.

지지편 형성용 적층 필름(20A)은, 예를 들면, 이하의 공정을 거쳐 제조할 수 있다.20 A of laminated|multilayer film for support piece formation can be manufactured through the following processes, for example.

·기재 필름(1)과, 점착층(2)과, 열경화성 수지층(5)을 이 순서로 구비하는 적층 필름을 준비하는 공정- Process of preparing laminated|multilayer film provided with the base film 1, the adhesion layer 2, and the thermosetting resin layer 5 in this order

·상기 적층 필름의 표면에 금속층(6)을 첩합하는 공정- The process of bonding the metal layer 6 together on the surface of the said laminated|multilayer film

산업상 이용가능성Industrial Applicability

본 개시에 의하면, 점착층으로부터 지지편을 픽업하는 공정에 있어서, 픽업 대상인 지지편의 카메라에 의한 시인성을 향상시키는 것이 가능한 지지편의 제조 방법이 제공된다. 또, 본 개시에 의하면, 돌멘 구조를 갖는 반도체 장치 및 그 제조 방법, 및, 지지편 형성용 적층 필름 및 그 제조 방법이 제공된다.ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this indication, in the process of picking up a support piece from an adhesion layer, the manufacturing method of the support piece which can improve the visibility by the camera of the support piece which is a pick-up object is provided. Moreover, according to this indication, the semiconductor device which has a dolmen structure, its manufacturing method, the laminated film for support piece formation, and its manufacturing method are provided.

1…기재 필름
2…점착층
5…열경화성 수지층
5c…접착제편(경화물)
5p…접착제편
6…금속층
6p…금속편
10…기판
20, 20A…지지편 형성용 적층 필름
50…밀봉재
100, 200…반도체 장치
D…지지편 형성용 필름
D2…2층 필름(지지편 형성용 필름)
Da, Dc…지지편
T1…제1 칩
T2…제2 칩
T2a…접착제편 부착 칩
Ta, Tc…접착제편One… base film
2… adhesive layer
5… thermosetting resin layer
5c… Adhesive piece (hardened product)
5p… adhesive piece
6… metal layer
6p… metal piece
10… Board
20, 20A… Laminated film for forming a support piece
50… sealant
100, 200… semiconductor device
D… Film for forming support piece
D2… Two-layer film (film for forming a support piece)
Da, Dc… support
T1… first chip
T2… second chip
T2a… Chip with adhesive piece
Ta, Tc... adhesive piece

Claims (7)

기판과, 상기 기판 상에 배치된 제1 칩과, 상기 기판 상이며 상기 제1 칩의 주위에 배치된 복수의 지지편과, 상기 복수의 지지편에 의하여 지지되고 또한 상기 제1 칩을 덮도록 배치된 제2 칩을 포함하는 돌멘 구조를 갖는 반도체 장치의 제조 프로세스에 있어서 사용되는 지지편의 제조 방법으로서,
(A) 기재 필름과, 점착층과, 적어도 금속층을 포함하는 다층 구조를 갖는 지지편 형성용 필름을 이 순서로 구비하는 적층 필름을 준비하는 공정과,
(B) 상기 지지편 형성용 필름을 개편화함으로써, 상기 점착층의 표면 상에 복수의 지지편을 형성하는 공정과,
(C) 상기 점착층으로부터 상기 지지편을 픽업하는 공정을 포함하는, 지지편의 제조 방법.a substrate, a first chip disposed on the substrate, a plurality of support pieces on the substrate and disposed around the first chip, supported by the plurality of support pieces and covering the first chip A method of manufacturing a support piece used in a manufacturing process of a semiconductor device having a dolmen structure including an disposed second chip, the method comprising:
(A) a step of preparing a laminated film comprising a base film, an adhesive layer, and a film for forming a support piece having a multilayer structure including at least a metal layer in this order;
(B) the step of forming a plurality of support pieces on the surface of the pressure-sensitive adhesive layer by separating the film for forming the support pieces into pieces;
(C) The manufacturing method of the support piece including the process of picking up the said support piece from the said adhesion layer. 청구항 1에 있어서,
(B) 공정과 (C) 공정의 사이에, 상기 지지편의 위치를 카메라로 인식하는 공정을 포함하는, 지지편의 제조 방법.The method according to claim 1,
Between the (B) process and (C) process, the manufacturing method of the support piece including the process of recognizing the position of the said support piece with a camera. 기판과, 상기 기판 상에 배치된 제1 칩과, 상기 기판 상이며 상기 제1 칩의 주위에 배치된 복수의 지지편과, 상기 복수의 지지편에 의하여 지지되고 또한 상기 제1 칩을 덮도록 배치된 제2 칩을 포함하는 돌멘 구조를 갖는 반도체 장치의 제조 방법으로서,
(D) 기판 상에 제1 칩을 배치하는 공정과,
(E) 상기 기판 상이며 상기 제1 칩의 주위에 청구항 1 또는 청구항 2에 기재된 제조 방법에 의하여 얻어지는 복수의 지지편을 배치하는 공정과,
(F) 제2 칩과, 상기 제2 칩의 일방의 면 상에 마련된 접착제편을 구비하는 접착제편 부착 칩을 준비하는 공정과,
(G) 복수의 상기 지지편의 표면 상에 상기 접착제편 부착 칩을 배치함으로써 돌멘 구조를 구축하는 공정을 포함하는, 반도체 장치의 제조 방법.a substrate, a first chip disposed on the substrate, a plurality of support pieces on the substrate and disposed around the first chip, supported by the plurality of support pieces and covering the first chip A method of manufacturing a semiconductor device having a dolmen structure including a second chip disposed thereon, the method comprising:
(D) disposing the first chip on the substrate;
(E) arranging a plurality of support pieces on the substrate and around the first chip obtained by the manufacturing method according to claim 1 or 2;
(F) a step of preparing a chip with an adhesive piece comprising a second chip and an adhesive piece provided on one surface of the second chip;
(G) A method of manufacturing a semiconductor device comprising a step of constructing a dolmen structure by arranging the chips with adhesive pieces on the surfaces of the plurality of support pieces. 청구항 3에 있어서,
상기 지지편 형성용 필름이 열경화성 수지층을 포함하며,
(G) 공정보다 전에, 상기 지지편 형성용 필름 또는 상기 지지편을 가열하는 공정을 포함하는, 반도체 장치의 제조 방법.4. The method according to claim 3,
The film for forming the support piece includes a thermosetting resin layer,
(G) The manufacturing method of a semiconductor device including the process of heating the said support piece formation film or the said support piece before a process. 기판과,
상기 기판 상에 배치된 제1 칩과,
상기 기판 상이며 상기 제1 칩의 주위에 배치된 복수의 지지편과,
상기 복수의 지지편에 의하여 지지되고 또한 상기 제1 칩을 덮도록 배치된 제2 칩을 포함하며,
상기 지지편이, 적어도 금속편을 포함하는,
돌멘 구조를 갖는 반도체 장치.board and
a first chip disposed on the substrate;
a plurality of support pieces on the substrate and disposed around the first chip;
a second chip supported by the plurality of support pieces and disposed to cover the first chip;
The support piece comprises at least a metal piece,
A semiconductor device having a dolmen structure. 기판과, 상기 기판 상에 배치된 제1 칩과, 상기 기판 상이며 상기 제1 칩의 주위에 배치된 복수의 지지편과, 상기 복수의 지지편에 의하여 지지되고 또한 상기 제1 칩을 덮도록 배치된 제2 칩을 포함하는 돌멘 구조를 갖는 반도체 장치의 제조 프로세스에 있어서 사용되는 지지편 형성용 적층 필름으로서,
기재 필름과,
점착층과,
적어도 금속층을 포함하는 다층 구조를 갖는 지지편 형성용 필름을 이 순서로 구비하는, 지지편 형성용 적층 필름.a substrate, a first chip disposed on the substrate, a plurality of support pieces on the substrate and disposed around the first chip, supported by the plurality of support pieces and covering the first chip A laminated film for forming a support piece used in a manufacturing process of a semiconductor device having a dolmen structure including an disposed second chip, comprising:
a base film;
adhesive layer,
The laminated|multilayer film for support piece formation provided in this order with the film for support piece formation which has a multilayer structure containing at least a metal layer. 청구항 6에 있어서,
상기 지지편 형성용 필름이 열경화성 수지층을 포함하는, 지지편 형성용 적층 필름.7. The method of claim 6,
The laminated film for support piece formation in which the said film for support piece formation contains a thermosetting resin layer.
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