KR20210146722A

KR20210146722A - 복수의 안테나 모듈을 포함하는 전자 장치 및 그 구동 방법

Info

Publication number: KR20210146722A
Application number: KR1020200063884A
Authority: KR
Inventors: 이영민; 나효석; 이한엽; 최현석
Original assignee: 삼성전자주식회사
Priority date: 2020-05-27
Filing date: 2020-05-27
Publication date: 2021-12-06
Also published as: US20230088646A1; WO2021242019A1

Abstract

전자 장치는, 트랜시버, 통신 모듈, 적어도 하나의 안테나 모듈, 프로세서 및 메모리를 포함할 수 있다. 상기 트랜시버는 적어도 하나의 송신(Tx) 체인 및 적어도 하나의 수신(Rx) 체인을 포함할 수 있다. 상기 통신 모듈은 상기 트랜시버와 전기적으로 연결된 복수의 프론트앤드를 포함할 수 있다. 상기 적어도 하나의 안테나 모듈은 상기 복수의 프론트앤드 각각과 연결될 수 있다. 상기 프로세서는 상기 통신 모듈과 작동적으로 연결될 수 있다. 상기 메모리는 상기 프로세서와 작동적으로 연결될 수 있다. 상기 메모리는, 실행 시에, 상기 프로세서가, 상기 적어도 하나의 송신 체인의 출력 신호의 세기에 기초하여 상기 적어도 하나의 수신(Rx) 체인의 전원 변경 및/또는 회로 구동을 변경할 수 있다.

Description

복수의 안테나 모듈을 포함하는 전자 장치 및 그 구동 방법 {ELECTRONIC DEVICE WITH A PLURALITY OF ANTENNA MOUDULEA AND A METHOD FOR DRIVING THE SAME}

본 개시의 다양한 실시 예들은, 복수의 안테나 모듈을 포함하는 전자 장치 및 그 구동 방법에 관한 것이다.

4G(4th-generation) 통신 시스템 상용화 이후 증가 추세에 있는 무선 데이터 트래픽 수요를 충족시키기 위해, 차세대(예: 5th-generation 또는 pre-5G) 통신 시스템의 상용화를 위한 노력이 이루어지고 있다. 예를 들어, 5G 통신 시스템 또는 pre-5G 통신 시스템은 4G 네트워크 이후 (beyond 4G network) 통신 시스템 또는 LTE 시스템 이후 (post LTE)의 시스템이라 불리고 있다. 전자 장치는 다양 무선 통신 시스템(예: LTE 통신 시스템, 5G 통신 시스템, WIFI 통신 시스템)을 지원하는 복수의 안테나들, 및 프론트엔드들을 포함할 수 있다.

전자 장치가 송신(Tx) 경로를 통해 송신 신호를 출력할 때, Tx 출력 신호의 일부가 누설되어 Rx 체인으로 유입될 수 있다. Rx 체인은 유입된 송신 신호로 인한 신호 처리 성능의 열화를 방지하기 위해 높은 세기의 누설 Tx 신호를 처리할 수 있도록 설정될 수 있다. 이로 인해 Rx 체인에서 높은 소모 전류가 발생할 수 있다.

본 개시의 다양한 실시 예들은, 송신 체인의 송신 신호의 세기에 따라서 수신 체인을 구성하는 회로의 적어도 일부의 설정을 조정하여, 수신 체인의 소모 전류를 줄일 수 있는 전자 장치 및 그 제어 방법을 제공할 수 있다.

본 개시의 다양한 실시 예에 따른 전자 장치는, 트랜시버, 통신 모듈, 적어도 하나의 안테나 모듈, 프로세서 및 메모리를 포함할 수 있다. 상기 트랜시버는 적어도 하나의 송신(Tx) 체인 및 적어도 하나의 수신(Rx) 체인을 포함할 수 있다. 상기 통신 모듈은 상기 트랜시버와 전기적으로 연결된 복수의 프론트앤드를 포함할 수 있다. 상기 적어도 하나의 안테나 모듈은 상기 복수의 프론트앤드 각각과 연결될 수 있다. 상기 프로세서는 상기 통신 모듈과 작동적으로 연결될 수 있다. 상기 메모리는 상기 프로세서와 작동적으로 연결될 수 있다. 상기 메모리는, 실행 시에, 상기 프로세서가, 상기 적어도 하나의 송신 체인의 출력 신호의 세기에 기초하여 상기 적어도 하나의 수신(Rx) 체인의 전원 변경 및/또는 회로 구동을 변경할 수 있다.

본 개시의 다양한 실시 예들에 따르면, 송신 체인의 송신 신호의 전력에 따라서 수신 체인을 구성하는 회로의 적어도 일부의 설정을 조정하여 송신 체인의 전류 소모를 줄일 수 있다.

본 개시의 다양한 실시 예들에 따르면, 와이파이(WiFi) 및/또는 블루투스 모듈의 구동 여부에 따라서 수신 체인을 구성하는 회로의 적어도 일부의 설정을 조정하여 수신 체인의 전류 소모를 줄일 수 있다.

본 개시의 다양한 실시 예들에 따르면, 전자 장치의 폴딩에 따라서 수신 체인을 구성하는 회로의 적어도 일부의 설정을 조정하여 수신 체인의 전류 소모를 줄일 수 있다.

이 외에, 본 문서를 통해 직접적 또는 간접적으로 파악되는 다양한 효과들이 제공될 수 있다.

도 1은 다양한 실시 예들에 따른, 네트워크 환경 내의 전자 장치의 블럭도이다.
도 2는 다양한 실시 예들에 따른, 전자 장치에서 다수의 무선 네트워크와의 통신을 지원하는 통신 모듈의 블록 구성을 도시한 도면이다.
도 3은 다양한 실시 예들에 따른, 전자 장치를 나타내는 도면이다.
도 4a는 다양한 실시 예에 따른, 전자 장치의 트랜시버를 나타내는 도면이다.
도 4b는 다양한 실시 예에 따른, 전자 장치의 Tx 경로의 출력 신호가 Rx 경로로 유입되는 것을 나타내는 도면이다.
도 5a는 Rx 체인의 설정을 변경하는 일 예를 나타내는 도면이다.
도 5b는 Tx 출력 신호의 세기를 기준으로 Rx 체인의 설정을 변경하는 방법의 일 예를 나타내는 도면이다.
도 6은 일부 능동 저역통과 필터(Active LPF)를 off한 경우, Rx 체인 별 전류를 나타내는 도면이다.
도 7은 믹서의 버퍼의 전압 또는 LNA의 VDD 전압 값을 하향 조정한 경우, Rx 게인(Gain) 및 각 Rx 체인 별 전류를 나타내는 도면이다.
도 8a는 전자 장치의 폴딩 시 근접하는 안테나 모듈의 일 예를 나타내는 도면이다.
도 8b는 전자 장치의 폴딩 시 안테나들이 근접하게 되는 것을 고려하여 Rx 체인의 설정을 변경하는 것을 나타내는 도면이다.
도 9는 다양한 실시 예들에 따른, 전자 장치를 나타내는 도면이다.
도 10은 다양한 실시 예들에 따른, EN-DC 방식을 지원하는 전자 장치를 나타내는 도면이다.
도 11은 Tx 출력 신호의 세기에 따라서 Rx 체인의 설정을 변경하는 방법의 일 예를 나타내는 도면이다.
도 12는 Tx 출력 신호의 세기에 따라서 Rx 체인의 설정을 변경하는 방법의 일 예를 나타내는 도면이다.
도 13은 다양한 실시 예들에 따른, 전자 장치를 나타내는 도면이다.
도면의 설명과 관련하여, 동일 또는 유사한 구성요소에 대해서는 동일 또는 유사한 참조 부호가 사용될 수 있다.

이하 다양한 실시 예들이 첨부된 도면을 참고하여 상세히 설명된다.

도 1은 다양한 실시 예들에 따른 네트워크 환경(100) 내의 전자 장치(101)의 블록도이다. 도 1을 참고하면, 네트워크 환경(100)에서 전자 장치(101)는 제1 네트워크(198)(예: 근거리 무선 통신 네트워크)를 통하여 전자 장치(102)와 통신하거나, 또는 제2 네트워크(199)(예: 원거리 무선 통신 네트워크)를 통하여 전자 장치(104) 또는 서버(108)와 통신할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 전자 장치(101)는 서버(108)를 통하여 전자 장치(104)와 통신할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 전자 장치(101)는 프로세서(120), 메모리(130), 입력 장치(150), 음향 출력 장치(155), 표시 장치(160), 오디오 모듈(170), 센서 모듈(176), 인터페이스(177), 햅틱 모듈(179), 카메라 모듈(180), 전력 관리 모듈(188), 배터리(189), 통신 모듈(190), 가입자 식별 모듈(196), 또는 안테나 모듈(197)을 포함할 수 있다. 어떤 실시 예에서는, 전자 장치(101)에는, 이 구성요소들 중 적어도 하나(예: 표시 장치(160) 또는 카메라 모듈(180))가 생략되거나, 하나 이상의 다른 구성요소가 추가될 수 있다. 어떤 실시 예에서는, 이 구성요소들 중 일부들은 하나의 통합된 회로로 구현될 수 있다. 예를 들면, 센서 모듈(176)(예: 지문 센서, 홍채 센서, 또는 조도 센서)은 표시 장치(160)(예: 디스플레이)에 임베디드 (embedded)된 채 구현될 수 있다.

프로세서(120)는, 예를 들면, 소프트웨어(예: 프로그램(140))를 실행하여 프로세서(120)에 연결된 전자 장치(101)의 적어도 하나의 다른 구성요소 (예: 하드웨어 또는 소프트웨어 구성요소)를 제어할 수 있고, 다양한 데이터 처리 또는 연산을 수행할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 데이터 처리 또는 연산의 적어도 일부로서, 프로세서(120)는 다른 구성요소(예: 센서 모듈(176) 또는 통신 모듈(190))로부터 수신된 명령 또는 데이터를 휘발성 메모리(132)에 로드하고, 휘발성 메모리(132)에 저장된 명령 또는 데이터를 처리하고, 결과 데이터를 비휘발성 메모리(134)에 저장할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 프로세서(120)는 메인 프로세서(121)(예: 중앙 처리 장치 또는 어플리케이션 프로세서), 및 이와는 독립적으로 또는 함께 운영 가능한 보조 프로세서(123)(예: 그래픽 처리 장치, 이미지 시그널 프로세서, 센서 허브 프로세서, 또는 커뮤니케이션 프로세서 (communication processor, CP)를 포함할 수 있다. 추가적으로 또는 대체적으로, 보조 프로세서(123)는 메인 프로세서(121)보다 저전력을 사용하거나, 또는 지정된 기능에 특화되도록 설정될 수 있다. 보조 프로세서(123)는 메인 프로세서(121)와 별개로, 또는 그 일부로서 구현될 수 있다.

보조 프로세서(123)는, 예를 들면, 메인 프로세서(121)가 인액티브 (예: 슬립) 상태에 있는 동안 메인 프로세서(121)를 대신하여, 또는 메인 프로세서(121)가 액티브 (예: 어플리케이션 실행) 상태에 있는 동안 메인 프로세서(121)와 함께, 전자 장치(101)의 구성요소들 중 적어도 하나의 구성요소 (예: 표시 장치(160), 센서 모듈(176), 또는 통신 모듈(190))와 관련된 기능 또는 상태들의 적어도 일부를 제어할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 보조 프로세서(123)(예: 이미지 시그널 프로세서 또는 CP)는 기능적으로 관련 있는 다른 구성요소 (예: 카메라 모듈(180) 또는 통신 모듈(190))의 일부로서 구현될 수 있다.

메모리(130)는, 전자 장치(101)의 적어도 하나의 구성요소 (예: 프로세서(120) 또는 센서 모듈(176))에 의해 사용되는 다양한 데이터를 저장할 수 있다. 데이터는, 예를 들어, 소프트웨어(예: 프로그램(140)) 및, 이와 관련된 명령에 대한 입력 데이터 또는 출력 데이터를 포함할 수 있다. 메모리(130)는, 휘발성 메모리(132) 또는 비휘발성 메모리(134)를 포함할 수 있다.

프로그램(140)은 메모리(130)에 소프트웨어로서 저장될 수 있으며, 예를 들면, 운영 체제(142), 미들웨어(144) 또는 어플리케이션(146)을 포함할 수 있다.

입력 장치(150)는, 전자 장치(101)의 구성요소 (예: 프로세서(120))에 사용될 명령 또는 데이터를 전자 장치(101)의 외부 (예: 사용자)로부터 수신할 수 있다. 입력 장치(150)는, 예를 들면, 마이크, 마우스, 키보드 또는 디지털 펜 (예: 스타일러스 펜)을 포함할 수 있다.

음향 출력 장치(155)는 음향 신호를 전자 장치(101)의 외부로 출력할 수 있다. 음향 출력 장치(155)는, 예를 들면, 스피커 또는 리시버를 포함할 수 있다. 스피커는 멀티미디어 재생 또는 녹음 재생과 같이 일반적인 용도로 사용될 수 있고, 리시버는 착신 전화를 수신하기 위해 사용될 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 리시버는 스피커와 별개로, 또는 그 일부로서 구현될 수 있다.

표시 장치(160)는 전자 장치(101)의 외부 (예: 사용자)로 정보를 시각적으로 제공할 수 있다. 표시 장치(160)는, 예를 들면, 디스플레이, 홀로그램 장치, 또는 프로젝터 및 해당 장치를 제어하기 위한 제어 회로를 포함할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 표시 장치(160)는 터치를 감지하도록 설정된 터치 회로 (touch circuitry), 또는 터치에 의해 발생되는 힘의 세기를 측정하도록 설정된 센서 회로(예: 압력 센서)를 포함할 수 있다.

오디오 모듈(170)은 소리를 전기 신호로 변환시키거나, 반대로 전기 신호를 소리로 변환시킬 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 오디오 모듈(170)은, 입력 장치(150)를 통해 소리를 획득하거나, 음향 출력 장치(155), 또는 전자 장치(101)와 직접 또는 무선으로 연결된 외부 전자 장치 (예: 전자 장치(102))(예: 스피커 또는 헤드폰))를 통해 소리를 출력할 수 있다.

센서 모듈(176)은 전자 장치(101)의 작동 상태 (예: 전력 또는 온도), 또는 외부의 환경 상태 (예: 사용자 상태)를 감지하고, 감지된 상태에 대응하는 전기 신호 또는 데이터 값을 생성할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 센서 모듈(176)은, 예를 들면, 제스처 센서, 자이로 센서, 기압 센서, 마그네틱 센서, 가속도 센서, 그립 센서, 근접 센서, 컬러 센서, IR (infrared) 센서, 생체 센서, 온도 센서, 습도 센서, 또는 조도 센서를 포함할 수 있다.

인터페이스(177)는 전자 장치(101)가 외부 전자 장치(예: 전자 장치(102))와 직접 또는 무선으로 연결되기 위해 사용될 수 있는 적어도 하나의 지정된 프로토콜들을 지원할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 인터페이스(177)는, 예를 들면, HDMI (high definition multimedia interface), USB (universal serial bus) 인터페이스, SD 카드 인터페이스, 또는 오디오 인터페이스를 포함할 수 있다.

연결 단자(178)는, 그를 통해서 전자 장치(101)가 외부 전자 장치 (예: 전자 장치(102))와 물리적으로 연결될 수 있는 커넥터를 포함할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 연결 단자(178)는, 예를 들면, HDMI 커넥터, USB 커넥터, SD 카드 커넥터, 또는 오디오 커넥터(예: 헤드폰 커넥터)를 포함할 수 있다.

햅틱 모듈(179)은 전기적 신호를 사용자가 촉각 또는 운동 감각을 통해서 인지할 수 있는 기계적인 자극(예: 진동 또는 움직임) 또는 전기적인 자극으로 변환할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 햅틱 모듈(179)은, 예를 들면, 모터, 압전 소자, 또는 전기 자극 장치를 포함할 수 있다.

카메라 모듈(180)은 정지 영상 및 동영상을 촬영할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 카메라 모듈(180)은 적어도 하나의 렌즈들, 이미지 센서들, 이미지 시그널 프로세서들, 또는 플래시들을 포함할 수 있다.

전력 관리 모듈(188)은 전자 장치(101)에 공급되는 전력을 관리할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 전력 관리 모듈(188)은, 예를 들면, PMIC (power management integrated circuit)의 적어도 일부로서 구현될 수 있다.

배터리(189)는 전자 장치(101)의 적어도 하나의 구성요소에 전력을 공급할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 배터리(189)는, 예를 들면, 재충전 불가능한 1차 전지, 재충전 가능한 2차 전지 또는 연료 전지를 포함할 수 있다.

통신 모듈(190)은 전자 장치(101)와 외부 전자 장치(예: 전자 장치(102), 전자 장치(104), 또는 서버(108))간의 직접(예: 유선) 통신 채널 또는 무선 통신 채널의 수립, 및 수립된 통신 채널을 통한 통신 수행을 지원할 수 있다. 통신 모듈(190)은 프로세서(120)(예: 어플리케이션 프로세서)와 독립적으로 운영되고, 직접 (예: 유선) 통신 또는 무선 통신을 지원하는 적어도 하나의 CP를 포함할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 통신 모듈(190)은 무선 통신 모듈(192)(예: 셀룰러 통신 모듈, 근거리 무선 통신 모듈, 또는 GNSS (global navigation satellite system) 통신 모듈) 또는 유선 통신 모듈(194)(예: LAN (local area network) 통신 모듈, 또는 전력선 통신 모듈)을 포함할 수 있다. 이들 통신 모듈 중 해당하는 통신 모듈은 제1 네트워크(198)(예: 블루투스, WiFi direct 또는 IrDA (infrared data association) 같은 근거리 통신 네트워크) 또는 제2 네트워크(199)(예: 셀룰러 네트워크, 인터넷, 또는 컴퓨터 네트워크 (예: LAN 또는 WAN)와 같은 원거리 통신 네트워크)를 통하여 외부 전자 장치(104)와 통신할 수 있다. 이런 여러 종류의 통신 모듈들은 하나의 구성요소 (예: 단일 칩)으로 통합되거나, 또는 서로 별도의 복수의 구성요소들(예: 복수 칩들)로 구현될 수 있다. 무선 통신 모듈(192)은 가입자 식별 모듈(196)에 저장된 가입자 정보 (예: 국제 모바일 가입자 식별자 (IMSI))를 이용하여 제1 네트워크(198) 또는 제2 네트워크(199)와 같은 통신 네트워크 내에서 전자 장치(101)를 확인 및 인증할 수 있다.

안테나 모듈(197)은 신호 또는 전력을 외부 (예: 외부 전자 장치)로 송신하거나 외부로부터 수신할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 안테나 모듈은 서브스트레이트 (예: PCB) 위에 형성된 도전체 또는 도전성 패턴으로 이루어진 방사체를 포함하는 하나의 안테나를 포함할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 안테나 모듈(197)은 복수의 안테나들을 포함할 수 있다. 이런 경우, 제1 네트워크(198) 또는 제2 네트워크(199)와 같은 통신 네트워크에서 사용되는 통신 방식에 적합한 적어도 하나의 안테나가, 예를 들면, 통신 모듈(190)에 의하여 상기 복수의 안테나들 중에서 선택될 수 있다. 신호 또는 전력은 상기 선택된 적어도 하나의 안테나를 통하여 통신 모듈(190)과 외부 전자 장치 간에 송신되거나 수신될 수 있다. 어떤 실시 예에 따르면, 방사체 이외에 다른 부품 (예: (radio frequency integrated circuit, RFIC)이 추가로 안테나 모듈(197)의 일부로 형성될 수 있다.

상기 구성요소들 중 적어도 일부는 주변 기기들간 통신 방식(예: 버스, GPIO (general purpose input and output), SPI (serial peripheral interface), 또는 MIPI (mobile industry processor interface))을 통해 서로 연결되고 신호 (예: 명령 또는 데이터)를 상호간에 교환할 수 있다.

일 실시 예에 따르면, 명령 또는 데이터는 제2 네트워크(199)에 연결된 서버(108)를 통해서 전자 장치(101)와 외부의 전자 장치(104)간에 송신 또는 수신될 수 있다. 외부 전자 장치(102, 104)는 전자 장치(101)와 동일한 또는 다른 종류의 장치일 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 전자 장치(101)에서 실행되는 동작들의 전부 또는 일부는 외부 전자 장치들(102, 104, 또는 108) 중 적어도 하나의 외부 전자 장치에서 실행될 수 있다. 예를 들면, 전자 장치(101)가 어떤 기능이나 서비스를 자동으로, 또는 사용자 또는 다른 장치로부터의 요청에 반응하여 수행해야 할 경우에, 전자 장치(101)는 기능 또는 서비스를 자체적으로 실행시키는 대신에 또는 추가적으로, 적어도 하나의 외부 전자 장치에게 그 기능 또는 그 서비스의 적어도 일부를 수행하라고 요청할 수 있다. 요청을 수신한 적어도 하나의 외부 전자 장치는 요청된 기능 또는 서비스의 적어도 일부, 또는 요청과 관련된 추가 기능 또는 서비스를 실행하고, 그 실행의 결과를 전자 장치(101)로 전달할 수 있다. 전자 장치(101)는 결과를, 그대로 또는 추가적으로 처리하여, 요청에 대한 응답의 적어도 일부로서 제공할 수 있다. 이를 위하여, 예를 들면, 클라우드 컴퓨팅, 분산 컴퓨팅, 또는 클라이언트-서버 컴퓨팅 기술이 이용될 수 있다.

도 2는 다양한 실시 예들에 따른, 전자 장치(101)에서 다수의 무선 네트워크와의 통신을 지원하는 통신 모듈(200)의 블록 구성을 도시한 도면이다.

도 2를 참조하면, 전자 장치(101)는 제 1 CP(212), 제 2 CP(214), 제 1 RFIC(222), 제 2 RFIC(224), 제 3 RFIC(226), 제 4 RFIC(228), 제 1 무선 주파수 프론트엔드(radio frequency front end, RFFE)(232), 제 2 RFFE(234), 제 1 안테나 모듈(242), 제 2 안테나 모듈(244), 및 안테나(248)을 포함할 수 있다. 전자 장치(101)는 프로세서(120) 및 메모리(130)를 더 포함할 수 있다. 제 2 네트워크(199)는 제 1 셀룰러 네트워크(292)와 제 2 셀룰러 네트워크(294)를 포함할 수 있다. 다른 실시 예에 따르면, 전자 장치(101)는 도 1에 기재된 부품들 중 적어도 하나의 부품을 더 포함할 수 있고, 제 2 네트워크(199)는 적어도 하나의 다른 네트워크를 더 포함할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 제 1 CP(212), 제 2 CP(214), 제 1 RFIC(222), 제 2 RFIC(224), 제 4 RFIC(228), 제 1 RFFE(232), 및 제 2 RFFE(234)는 무선 통신 모듈(192)의 적어도 일부를 형성할 수 있다. 다른 실시 예에 따르면, 제 4 RFIC(228)는 생략되거나, 제 3 RFIC(226)의 일부로서 포함될 수 있다.

제 1 CP(212)는 제 1 셀룰러 네트워크(292)와의 무선 통신에 사용될 대역의 통신 채널의 수립, 및 수립된 통신 채널을 통한 레거시 네트워크 통신을 지원할 수 있다. 다양한 실시 예들에 따르면, 제 1 셀룰러 네트워크(292)는 2세대(2G), 3G, 4G, 또는 long term evolution (LTE) 네트워크를 포함하는 레거시 네트워크일 수 있다. 제 2 CP(214)는 제 2 셀룰러 네트워크(294)와의 무선 통신에 사용될 대역 중 지정된 대역 (예: 약 6GHz ~ 약 60GHz)에 대응하는 통신 채널의 수립, 및 수립된 통신 채널을 통한 5G 네크워크 통신을 지원할 수 있다. 다양한 실시 예들에 따르면, 제 2 셀룰러 네트워크(294)는 3GPP에서 정의하는 5G 네트워크일 수 있다. 추가적으로, 일 실시 예에 따르면, 제 1 CP(212) 또는 제 2 CP(214)는 제 2 셀룰러 네트워크(294)와의 무선 통신에 사용될 대역 중 다른 지정된 대역(예: 약 6GHz 이하)에 대응하는 통신 채널의 수립, 및 수립된 통신 채널을 통한 5G 네크워크 통신을 지원할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 제 1 CP(212)와 제 2 CP(214)는 단일(single) 칩 또는 단일 패키지 내에 구현될 수 있다. 다양한 실시 예들에 따르면, 제 1 CP(212) 또는 제 2 CP(214)는 프로세서(120), 보조 프로세서(123), 또는 통신 모듈(190)과 단일 칩 또는 단일 패키지 내에 형성될 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 제 1 CP(212)와 제 2 CP(214)는 인터페이스 (미도시)에 의해 직접적으로 또는 간접적으로 서로 연결되어, 어느 한 방향으로 또는 양 방향으로 데이터 또는 제어 신호를 제공하거나 받을 수 있다.

제 1 RFIC(222)는, 송신 시에, 제 1 CP(212)에 의해 생성된 기저대역(baseband, BB) 신호를 제 1 셀룰러 네트워크(292)(예: 레거시 네트워크)에 사용되는 약 700MHz 내지 약 3GHz의 라디오 주파수(RF: radio frequency) 신호로 변환할 수 있다. 수신 시에는, RF 신호가 안테나 (예: 제 1 안테나 모듈(242))를 통해 제 1 셀룰러 네트워크(292)(예: 레거시 네트워크)로부터 획득되고, RFFE (예: 제 1 RFFE(232))를 통해 전 처리 (preprocess)될 수 있다. 제 1 RFIC(222)는 전 처리된 RF 신호를 제 1 CP(212)에 의해 처리될 수 있도록 BB 신호로 변환할 수 있다.

제 2 RFIC(224)는, 송신 시에, 제 1 CP(212) 또는 제 2 CP(214)에 의해 생성된 BB 신호를 제 2 셀룰러 네트워크(294)(예: 5G 네트워크)에 사용되는 Sub6 대역(예: 약 6GHz 이하)의 RF 신호(이하, 5G Sub6 RF 신호)로 변환할 수 있다. 수신 시에는, 5G Sub6 RF 신호가 안테나(예: 제 2 안테나 모듈(244))를 통해 제 2 셀룰러 네트워크(294)(예: 5G 네트워크)로부터 획득되고, RFFE(예: 제 2 RFFE(234))를 통해 전처리될 수 있다. 제 2 RFIC(224)는 전처리된 5G Sub6 RF 신호를 제 1 CP(212) 또는 제 2 CP(214) 중 대응하는 CP에 의해 처리될 수 있도록 BB 신호로 변환할 수 있다.

송신 시, 제 3 RFIC(226)는 제 2 CP(214)에 의해 생성된 BB 신호를 제 2 셀룰러 네트워크(294)(예: 5G 네트워크)에서 사용될 5G Above6 대역 (예: 약 6GHz ~ 약 60GHz)의 RF 신호 (이하, 5G Above6 RF 신호)로 변환할 수 있다. 수신 시, 제 3 RFIC(226)는 안테나 (예: 안테나(248))를 통해 제 2 셀룰러 네트워크(294)(예: 5G 네트워크)로부터 획득한 5G Above6 RF 신호를 전 처리하고, 상기 전 처리된 5G Above6 RF 신호를 제 2 CP(214)에 의해 처리될 수 있도록 BB 신호로 변환할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 제 3 RFFE(236)는 제 3 RFIC(226)의 일부로서 형성될 수 있다.

전자 장치(101)는, 일 실시 예에 따르면, 제 3 RFIC(226)와 별개로 또는 적어도 그 일부로서, 제 4 RFIC(228)를 포함할 수 있다. 이런 경우, 제 4 RFIC(228)는 제 2 CP(214)에 의해 생성된 BB 신호를 중간 주파수 (intermediate frequency, IF) 대역(예: 약 9GHz ~ 약 11GHz)의 RF 신호(이하, IF 신호)로 변환한 뒤, 상기 IF 신호를 제 3 RFIC(226)로 전달할 수 있다. 제 3 RFIC(226)는 IF 신호를 5G Above6 RF 신호로 변환할 수 있다. 수신 시에, 5G Above6 RF 신호가 안테나(예: 안테나(248))를 통해 제 2 셀룰러 네트워크(294)(예: 5G 네트워크)로부터 수신되고, 제 3 RFIC(226)에 의해 IF 신호로 변환될 수 있다. 제 4 RFIC(228)는 IF 신호를 제 2 CP(214)가 처리할 수 있도록 BB 신호로 변환할 수 있다.

일 실시 예에 따르면, 제 1 RFIC(222)와 제 2 RFIC(224)는 단일 칩 또는 단일 패키지의 적어도 일부로 구현될 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 제 1 RFFE(232)와 제 2 RFFE(234)는 단일 칩 또는 단일 패키지의 적어도 일부로 구현될 수 있다. 일 실시예에 따르면, 제 1 안테나 모듈(242) 또는 제 2 안테나 모듈(244) 중 적어도 하나의 안테나 모듈은 생략되거나 다른 안테나 모듈과 결합되어 대응하는 복수의 주파수 대역들의 RF 신호들을 처리할 수 있다.

일 실시 예에 따르면, 제 3 RFIC(226)와 안테나(248)는 동일한 서브스트레이트에 배치되어 제 3 안테나 모듈(246)을 형성할 수 있다. 예를 들어, 무선 통신 모듈(192) 또는 프로세서(120)가 제 1 서브스트레이트(예: 주 PCB, 제1 인쇄 회로 기판)에 배치될 수 있다. 이런 경우, 제 1 서브스트레이트와 별도의 제 2 서브스트레이트(예: 서브 PCB, 제2 인쇄 회로 기판)의 일부 영역(예: 하면 (下面))에 제 3 RFIC(226)가, 다른 일부 영역(예: 상면 (上面))에 안테나(248)가 배치되어, 제 3 안테나 모듈(246)이 형성될 수 있다. 제 3 RFIC(226)와 안테나(248)를 동일한 서브스트레이트에 배치함으로써, 그 사이의 전송 선로의 길이를 줄이는 것이 가능하다. 이는, 예를 들면, 5G 네트워크 통신에 사용되는 고주파 대역(예: 약 6GHz ~ 약 60GHz)의 신호가 전송 선로에 의해 손실 (예: 감쇄)되는 것을 줄일 수 있다. 이로 인해, 전자 장치(101)는 제 2 셀룰러 네트워크(294)(예: 5G 네트워크)와의 통신의 품질 또는 속도를 향상시킬 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 포함된 제3 RFFE(236)는 제 3 RFIC(226)에서 분리되어 별도의 칩으로 형성될 수 있다. 예를 들어, 제3 안테나 모듈(246)은 제2 서브스트레이트에 제3 RFFE(236), 및 안테나(248)를 포함할 수 있다. 예컨대, 제3 RFFE(236)이 분리된 제3 RFIC(226)은 제3 안테나 모듈(246)은 제2 서브스트레이트에 배치되거나, 배치되지 않을 수도 있다.

일 실시 예에 따르면, 안테나(248)는 빔포밍에 사용될 수 있는 복수개의 안테나 엘리먼트들을 포함하는 안테나 어레이로 형성될 수 있다. 이런 경우, 제 3 RFIC(226)는, 예를 들면, 제 3 RFFE(236)의 일부로서, 복수개의 안테나 엘리먼트들에 대응하는 복수개의 위상 변환기(phase shifter)(238)들을 포함할 수 있다. 송신 시에, 복수개의 위상 변환기(238)들은 대응하는 안테나 엘리먼트를 통해 전자 장치(101)의 외부(예: 5G 네트워크의 베이스 스테이션)로 송신될 5G Above6 RF 신호의 위상을 변환할 수 있다. 수신 시에, 복수개의 위상 변환기(238)들은 대응하는 안테나 엘리먼트를 통해 상기 외부로부터 수신된 5G Above6 RF 신호의 위상을 동일한 또는 실질적으로 동일한 위상으로 변환할 수 있다. 이것은 전자 장치(101)와 상기 외부 간의 빔포밍을 통한 송신 또는 수신을 가능하게 한다.

일 실시 예에 따르면, 제3 안테나 모듈(246)은 제2 커뮤니케이션 프로세서(214)에 의해 제공된 베이스밴드의 송신 신호를 상향 변환 (up conversion)할 수 있다. 상기 제3 안테나 모듈 (246)은 상향 변환에 의해 생성한 RF 송신 신호를 다수의 안테나 엘리먼트들(248) 중 적어도 두 개의 송수신 안테나 엘리먼트들을 통해 송신할 수 있다. 상기 제3 안테나 모듈(246)은 다수의 안테나 엘리먼트들(248) 중 적어도 두 개의 송수신 안테나 엘리먼트들과 적어도 두 개의 수신 안테나 엘리먼트들을 통해 RF 수신 신호를 수신할 수 있다. 상기 제3 안테나 모듈(246)은 상기 RF 수신 신호를 하향 변환 (down conversion)하여 베이스밴드의 수신 신호를 생성할 수 있다. 상기 제3 안테나 모듈(246)은 하향 변환에 의해 생성한 베이스밴드의 수신 신호를 제2 커뮤니케이션 프로세서(214)로 출력할 수 있다. 상기 제3 안테나 모듈(246)은 적어도 두 개의 송수신 안테나 엘리먼트들과 일대일 대응하는 적어도 두 개의 송수신 회로들과 적어도 두 개의 수신 안테나 엘리먼트들과 일대일 대응하는 적어도 두 개의 수신 회로들을 포함할 수 있다.

제 2 셀룰러 네트워크(294)(예: 5G 네트워크)는 제 1 셀룰러 네트워크(292)(예: 레거시 네트워크)와 독립적으로 운영 (예: Stand-Alone (SA))되거나, 연결되어 운영 (예: Non-Stand Alone (NSA))될 수 있다. 예를 들면, 5G 네트워크에는 액세스 네트워크 (예: 5G radio access network (RAN) 또는 next generation RAN (NG RAN))만 있고, 코어 네트워크 (예: next generation core (NGC))는 없을 수 있다. 이런 경우, 전자 장치(101)는 5G 네트워크의 액세스 네트워크에 액세스한 후, 레거시 네트워크의 코어 네트워크 (예: evolved packed core (EPC))의 제어 하에 외부 네트워크 (예: 인터넷)에 액세스할 수 있다. 레거시 네트워크와 통신을 위한 프로토콜 정보 (예: LTE 프로토콜 정보) 또는 5G 네트워크와 통신을 위한 프로토콜 정보 (예: new radio (NR) 프로토콜 정보)는 메모리(230)에 저장되어, 다른 부품 (예: 프로세서(120), 제 1 CP(212), 또는 제 2 CP(214))에 의해 액세스될 수 있다.

다양한 실시 예들에 따르면, 전자 장치(101)의 프로세서(120)는 메모리(130) 내에 저장된 하나 이상의 인스트럭션을 실행할 수 있다. 프로세서(120)는 데이터를 처리하기 위한 회로, 예를 들어, IC (integrated circuit), ALU(arithmetic logic unit), FPGA (field programmable gate array) 및 LSI (large scale integration) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 메모리(130)는 전자 장치(101)와 관련된 데이터를 저장할 수 있다. 메모리(130)는 SRAM (static random access memory) 또는 DRAM (dynamic RAM) 등을 포함하는 RAM (random access memory)과 같은 휘발성 메모리를 포함하거나, ROM (read only memory), MRAM (magneto-resistive RAM), STT-MRAM (spin-transfer torque MRAM), PRAM (phase-change RAM), RRAM (resistive RAM), FeRAM (ferroelectric RAM) 뿐만 아니라 플래시 메모리, eMMC (embedded multimedia card), SSD (solid state drive) 등과 같은 비휘발성 메모리를 포함할 수 있다.

다양한 실시예들에 따르면, 메모리(130)는 어플리케이션과 관련된 인스트럭션 및 운영 체제(operating system, OS)와 관련된 인스트럭션을 저장할 수 있다. 운영 체제는 프로세서(120)에 의해 실행되는 시스템 소프트웨어이다. 프로세서(120)는 운영 체제를 실행함으로써, 전자 장치(101)에 포함된 하드웨어 컴포넌트들을 관리할 수 있다. 운영 체제는 시스템 소프트웨어를 제외한 나머지 소프트웨어인 어플리케이션으로 API (application programming interface)를 제공할 수 있다.

다양한 실시예들에 따르면, 메모리(130) 내에서, 복수의 인스트럭션들의 집합인 어플리케이션이 하나 이상 설치될 수 있다. 어플리케이션이 메모리(130) 내에 설치되었다는 것은, 어플리케이션이 메모리(130)에 연결된 프로세서(120)에 의해 실행될 수 있는 형태 (format)로 저장되었음을 의미할 수 있다.

도 3은 다양한 실시 예들에 따른, 전자 장치(300)를 나타내는 도면이다.

도 3을 참조하면, 다양한 실시 예들에 따른 전자 장치(300)는, 모뎀(modem, 310), 트랜시버(transceiver, 320), 제1 프론트앤드(330), 제2 프론트앤드(340), 제3 프론트앤드(350), 제4 프론트앤드(360), 제1 안테나 모듈(335), 제2 안테나 모듈(345), 제3 안테나 모듈(355), 및 제4 안테나 모듈(365)를 포함할 수 있다. 제1 안테나 모듈(335), 제2 안테나 모듈(345), 제3 안테나 모듈(355), 및 제4 안테나 모듈(365)은 전자 장치(300)의 케이스(301)(또는, 하우징)의 적어도 일부, 외부 또는 내부에 배치될 수 있으며, 도 3에 개시된 예시에 한정되지 않음을 당업자는 용이하게 이해할 것이다. 예를 들어, 제1 안테나 모듈(335), 제2 안테나 모듈(345), 제3 안테나 모듈(355), 및 제4 안테나 모듈(365)은 케이스(301) 내부 또는 케이스(301)의 적어도 일부에 포함될 수 있다.

한 실시 예로서, 모뎀(310)은 전자 장치(300)의 송신/수신 동작과 관련한 신호의 전달과 처리를 수행할 수 있다. 한 실시 예로서, 모뎀(310)은 제1 내지 제4 안테나 모듈(335, 345, 355, 365)을 통하여 송출할 신호를 변조할 수 있다. 모뎀(310)은 제1 내지 제4 안테나 모듈(335, 345, 355, 365)을 통해 수신된 신호의 복호화를 처리할 수 있다.

한 실시 예로서, 트랜시버(320)는 송신 기저대역 신호를 RF 신호를 변환하거나, 수신 RF 신호를 기저대역 신호로 변환할 수 있다. 트랜시버(320)는 송신 RF(Tx) 신호를 통신 방식에 기반한 경로를 선택하여 제1 프론트 앤드(330)에 전달할 수 있다. 트랜시버(320)는 제1 내지 제4 안테나 모듈(335, 345, 355, 365) 및 프론트앤드(예: 제1 프론트앤드(330))를 통해 수신된 수신 RF 신호가 전송되는 적어도 하나의 수신(Rx) 체인을 포함할 수 있다. 다양한 실시 예에 따르면, 트랜시버(320)는 기저대역 신호를 다양한 대역의 RF 신호로 변환할 수 있다. 트랜시버(320)는 기저대역 신호를 6GHz 대역 이하의 5G 기반의 RF(radio frequency) 신호로 변환하거나, 2G, 3G, 및 4G 기반의 RF 신호로 변환할 수 있다. 트랜시버(320)는 기저대역 신호를 6GHz 대역 이상의 5G 기반의 RF 신호로 변환하거나 초고주파 대역의 RF 신호로 변환할 수 있다. 트랜시버(320)는 제1 프론트앤드(330)로부터 출력되는 Tx 신호의 일부를 FBRx(feedback Rx) 방식으로 피드백 받아, Tx 신호의 세기 값(예: 전력 값)을 확인할 수 있다. 트랜시버(320)는 Tx 신호의 세기 값을 프로세서(예: 도 1의 프로세서(120))로 전달할 수 있다. Tx 신호(또는, 송신 신호, Tx 출력 신호)의 세기에 따라서 Tx 경로에서 Rx 경로로 일정 값의 Tx 신호가 누설(또는 유입)됨으로, 프로세서(120)는 Tx 신호의 세기에 기초하여 Rx 체인으로 유입되는 Tx 신호의 세기를 추정할 수 있다.

한 실시 예로서, 제1 프론트앤드(330)는 프라이머리(또는, 메인) 프론트앤드로서 송신 회로 및 수신 회로를 포함할 수 있다. 제1 프론트앤드(330)는 듀플렉서(duplexer), 복수의 LNA(low noise amplifier), 복수의 Rx 필터, 복수의 전력 증폭기 및 복수의 스위치를 포함하는 LPAMID(LNA power amplifier module in duplexer) 프론트앤드일 수 있다. 한 실시 예로서, 제2 프론트앤드(340)는 프라이머리 프론트앤드로서 수신 회로를 포함할 수 있다. 제2 프론트앤드(340)는 4Rx의 일부로서 다이버시티 프론트앤드로 동작할 수 있다. 제2 프론트앤드(340)는 복수의 LNA(low noise amplifier), 복수의 Rx 필터, 및 복수의 스위치를 포함하는 LFEM(LNA front end module) 프론트앤드일 수 있다. 한 실시 예로서, 제3 프론트앤드(350)는 다이버시티 프론트앤드로서 수신 회로를 포함할 수 있다. 제3 프론트앤드(350)는 복수의 LNA(low noise amplifier), 복수의 Rx 필터, 및 복수의 스위치를 포함하는 LFEM 프론트앤드일 수 있다. 한 실시 예로서, 제4 프론트앤드(360)는 다이버시티 프론트앤드로서 수신 회로를 포함할 수 있다. 제4 프론트앤드(360)는 복수의 LNA(low noise amplifier), 복수의 Rx 필터, 및 복수의 스위치를 포함하는 LFEM 프론트앤드일 수 있다.

한 실시 예로서, 제1 프론트앤드(330)와 제1 안테나 모듈(335)은 전기적으로 연결될 수 있다. 제2 프론트앤드(340)와 제2 안테나 모듈(345)은 전기적으로 연결될 수 있다. 제3 프론트앤드(350)와 제3 안테나 모듈(355)은 전기적으로 연결될 수 있다. 제4 프론트앤드(360)와 제4 안테나 모듈(365)은 전기적으로 연결될 수 있다.

한 실시 예로서, 전자 장치(300)는 복수의 프라이머리 수신 경로(primary Rx path; PRX) 및 복수의 다이버시티 수신 경로(diversity Rx path; DRX)를 포함할 수 있다. PRX1 경로는, 예를 들어, 제1 안테나 모듈(335)을 통해 6GHz 대역 이하의 5G 기반의 RF(radio frequency) 신호, 또는 2G, 3G, 및 4G 기반의 RF 신호, 또는 6GHz 대역 이상의 5G 기반의 RF 신호를 송신 및 수신하기 위해서 사용될 수 있다. PRX2 경로는 제2 안테나 모듈(345)을 통해 6GHz 대역 이하의 5G 기반의 RF(radio frequency) 신호, 또는 2G, 3G, 및 4G 기반의 RF 신호, 또는 6GHz 대역 이상의 5G 기반의 RF 신호를 수신하기 위해서 사용될 수 있다. DRX1 경로는 제3 안테나 모듈(355)을 통해 6GHz 대역 이하의 5G 기반의 RF(radio frequency) 신호, 또는 2G, 3G, 및 4G 기반의 RF 신호, 또는 6GHz 대역 이상의 5G 기반의 RF 신호를 수신하기 위해 사용될 수 있다. DRX2 경로는 제4 안테나 모듈(365)를 통해 6GHz 대역 이하의 5G 기반의 RF(radio frequency) 신호, 또는 2G, 3G, 및 4G 기반의 RF 신호, 또는 6GHz 대역 이상의 5G 기반의 RF 신호를 수신하기 위해 사용될 수 있다.

한 실시 예로서, 제1 안테나 모듈(335), 제2 안테나 모듈(345), 제3 안테나 모듈(355), 및 제4 안테나 모듈(365)은 도 1에 도시된 안테나 모듈(197), 도 2의 제1 안테나 모듈(242), 제2 안테나 모듈(244) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 제1 안테나 모듈(335), 제2 안테나 모듈(345), 제3 안테나 모듈(355), 및 제4 안테나 모듈(365)은 신호 또는 전력을 외부 (예: 외부 전자 장치)로 송신하거나 외부로부터 수신할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 제1 안테나 모듈(335), 제2 안테나 모듈(345), 제3 안테나 모듈(355), 및 제4 안테나 모듈(365)은 서브스트레이트 (예: PCB) 위에 형성될 수 있다.

한 실시 예로서, 전자 장치(300)는 논-폴더블(non-foldable) 장치일 수 있다.

한 실시 예로서, 전자 장치(300)는 폴더블(foldable) 장치일 수 있다. 전자 장치(300)가 폴더블 장치인 경우, 케이스(301)는 폴더블 구조체(미도시)(예: 힌지)를 포함할 수 있다. 케이스(301)는 폴더블 구조체에 의해 접히는 폴드 위치(fold position)을 포함할 수 있다. 예를 들어, 전자 장치(300)의 케이스(301)은 접었을 때 fold position을 기준으로 하우징(301)의 일 부분과 나머지 부분이 서로 마주보며 근접할 수 있다.

도 4a는 다양한 실시 예에 따른, 전자 장치(300)의 트랜시버(400)를 나타내는 도면이다. 도 4b는 다양한 실시 예에 따른, 전자 장치(300)의 Tx 체인의 출력 신호가 Rx 체인으로 유입되는 것을 나타내는 도면이다.

도 4a 및 도 4b를 참조하면, 한 실시 예로서, 트랜시버(400)(예: 도 3의 트랜시버(320))는 적어도 하나의 RF 프론트앤드(예: 도 3의 제1 프론트앤드(330), 제2 프론트앤드(340), 제3 프론트앤드(350), 및/또는 제4 프론트앤드(360))와 전기적으로 연결될 수 있다. 도 4b에서는 트랜시버(400), 제1 프론트앤드(330) 및 안테나 모듈(335)이 전기적으로 연결된 것을 일 예로 도시하고 있다.

본 발명의 다양한 실시예에서, “Tx 경로(Tx path)”라 함은 예를 들어, 트랜시버(400)에 포함된 Tx 체인(410), 프론트앤드(330) 및 안테나 모듈(335)에서 송신 신호가 이동하는 모든 경로의 적어도 일부분을 지칭할 수 있다. 본 발명의 다양한 실시예에서, “Rx 경로(Rx path)”라 함은 안테나 모듈(335), 프론트앤드(330) 및 트랜시버(400)에 포함된 Rx 체인(420)에서 수신 신호가 이동하는 모든 경로의 적어도 일부분을 지칭할 수 있다.

한 실시 예로서, 제1 프론트앤드(330)는 듀플렉서(duplexer, 332), 커플러(coupler, 334), 송신 신호 증폭기(336) 및 수신 신호 증폭기(338)를 포함할 수 있다. 듀플렉서(332)는 송수신 주파수를 분리하여 트랜시버(400)로부터 수신된 Tx 신호를 안테나 모듈(335)로 전달할 수 있다. 듀플렉서(332)는 안테나 모듈(335)로부터의 Rx 신호를 트랜시버(400)로 전달할 수 있다. 커플러(334)는 Tx 신호의 일부를 간섭 없이 분기하여 트랜시버(400)로 전달할 수 있다. 송신 신호 증폭기(336)는 트랜시버(400)의 Tx 체인(410)으로부터 전달된 송신 신호를 증폭할 수 있다. 일 예에서, 송신 신호 증폭기(336)는 전력 증폭기를 포함할 수 있으나 제한은 없다. 수신 신호 증폭기(338)는 안테나 모듈(335)로부터 전달된 수신 신호를 증폭하여 트랜시버(400)로 전달할 수 있다. 일 예에서, 수신 신호 증폭기(338)는 LNA를 포함할 수 있으나 제한은 없다.

한 실시 예로서, 트랜시버(400)는 적어도 하나의 Tx 체인(410) 및 적어도 하나의 Rx 체인(420)을 포함할 수 있다. Tx 체인(410)은 전력 증폭기(미도시)를 포함할 수 있으며, 송신 기저대역 신호를 6GHz 대역 이하의 5G 기반의 RF 신호로 변환하거나, 2G, 3G, 및 4G 기반의 RF 신호로 변환하거나, 또는 6GHz 대역 이상의 5G 기반의 RF 신호로 변환하여 출력할 수 있다.

한 실시 예로서, Rx 체인(420)은 LNA(Low Noise Amplifier, 422), 믹서(mixer, 424), 믹서(424)의 LO(local oscillator, 424a), 베이스밴드 블록(baseband block, 426)을 포함할 수 있다. 베이스밴드 블록(426)은 트랜스 임피던스 증폭기(trans-impedance amplifier, 426a), 능동 저역통과 필터(Active LPF(Low Pass Filter), 426b), 가변이득 증폭기(variable gain amplifier, 426c)를 포함할 수 있다.

한 실시 예로서, LNA(422)는 수신된 RF 신호에서 노이즈(noise)를 저감하고, 신호를 증폭하여 출력할 수 있다. 믹서(424)는 RF의 고주파 신호를 베이스밴드(baseband)로 다운 컨버팅(Down-converting)하고, 다운 컨버팅된 RF 신호를 출력할 수 있다. 믹서(424)는 differential 구조의 CMOS I/Q 믹서를 사용할 수 있다. differential 구조의 CMOS I/Q 믹서가 적용되면, 출력 신호로 전압(voltage)이 아닌 전류(current) 신호가 출력될 수 있다. 이경우, 전류 출력 신호를 다시 전압 신호로 변환시켜 주기 위하여 베이스밴드 블록(426)에서 트랜스 임피던스 증폭기를 사용할 수 있다.

한 실시 예로서, 베이스밴드로 떨어진 신호는 능동 저역통과 필터(Active LPF, 426b)를 거칠 수 있다. 능동 저역통과 필터(Active LPF, 426b)는 Tx 경로로부터 누설되는 Tx 누설(leakage) 신호를 감소시킬 수 있다.

본 발명의 일 실시예에 따르면, Tx 경로의 Tx 출력 신호가 Rx 경로로 누설(leakage)될 수 있다. 여기서, Tx 출력 신호에 따라 일정 비율의 출력 신호가 Tx 경로에서 Rx 체인(420)으로 누설될 수 있다. Rx 체인(420)으로 누설된 Tx 신호의 전력 값은 원래의 Tx 신호의 전력 값 대비 작은 값을 가질 수 있다. 여기서, Rx 체인(420)에서 Rx 신호가 증폭될 때, 누설된 Tx 신호도 함께 증폭될 수 있다. 프로세서(예: 도 1의 프로세서(120), 도 2의 제1 커뮤니케이션 프로세서(212), 또는 도 2의 제 2 커뮤니케이션 프로세서(214))는 Tx 출력 신호의 세기를 통해 Rx 체인으로 유입되는 Tx 신호의 세기를 추정할 수 있다.

일 실시예에 따르면, 전자 장치(300)는 Tx 출력 신호의 세기(Tx-power, 이하, 'Tx-po'라 함)에 기반하여 Rx 체인(420)의 LNA(422), 믹서(424), 및/또는 능동 저역통과 필터(Active LPF, 426b)에서 적어도 일부의 전원 변경 및 회로의 구동을 변경할 수 있다. 여기서, Rx 체인(420)의 LNA(422), 믹서(424), 및/또는 능동 저역통과 필터(Active LPF, 426b)의 전원(예: 전압)의 변경 및/또는 회로 구동의 변경은 프로세서(예: 도 1의 프로세서(120), 도 2의 제1 커뮤니케이션 프로세서(212), 또는 도 2의 제 2 커뮤니케이션 프로세서(214))에 의해 수행될 수 있다. Rx 체인(420)의 LNA(422), 믹서(424), 및/또는 능동 저역통과 필터(Active LPF, 426b)의 전원의 변경 및/또는 회로 구동의 변경을 통해, 전자 장치(300)의 Tx 체인(410)의 Tx 출력 신호의 세기에 연동하여 Rx 체인(420)에서 소모하는 전류를 줄일 수 있다.

한 실시 예로서, 전자 장치(300)는 Tx 체인(410)의 Tx 출력 신호의 세기에 기초하여 Rx 체인(420)의 LNA(422)의 VDD(voltage drain) 전압 값을 조정할 수 있다. 한 실시 예로서, Tx 체인(410)의 Tx 출력 신호의 세기에 기초하여 Rx 체인(420)의 믹서(424)의 LO(local oscillator, 424a)의 전압 값을 조정할 수 있다. 한 실시 예로서, 전자 장치(300)는 Tx 체인(410)의 Tx 출력 신호의 세기에 기초하여 Rx 체인(420)의 능동 LPF(426b)에 포함된 복수의 LPF의 온(on), 오프(off)를 조정할 수 있다. 한 실시 예로서, 전자 장치(300)는 Tx 체인(410)의 출력 신호의 세기에 기초하여 Rx 체인(420)의 LNA(422)의 VDD 전압 값을 조정, Rx 체인의 믹서(424)의 LO 전압 값을 조정, 및 능동 LPF(426b)에 포함된 복수의 LPF의 on, off를 조정하는 동작들 중에서 적어도 하나를 수행할 수 있다.

한 실시 예로서, 일련의 동작을 도 4b에 도시된 그래프(a) 내지 그래프(d)를 참조하면, 그래프(a)는 트랜시버(400)의 Tx 체인(410)에서 출력되어 제1 프론트앤드(330)의 송신 신호 증폭기(336)를 통해 증폭되어 출력된 송신 신호의 세기(Tx_po)를 나타낸다. 일 예에서, 송신 신호 증폭기(336)를 통해 출력된 송신 신호가 듀플렉서(332)를 통과할 때, 송신 신호의 일부가 Rx 경로로 유입될 수 있다. 일 예에서, 송신 신호의 세기(Tx_po)가 클수록 Rx 체인(420)으로 유입되는 신호의 세기가 클 수 있다. 그래프(b)는 송신 신호로부터 Rx 경로로 유입된 신호(Tx_po, 이하, 유입 신호) 및 안테나 모듈(335) 및 듀플렉서(332)를 통해 트랜시버(400)으로 전달되는 수신 신호(Rx_cell)의 세기를 나타낸다. 듀플렉서(332)를 통해 출력된 수신 신호 및 유입 신호는 수신 신호 증폭기(338)를 통하며 증폭될 수 있다. 그래프(c)는 수신 신호 증폭기(338)를 통해 증폭되어 트랜시버(400)로 전달된 수신 신호 및 유입 신호를 세기를 나타낸다. 그래프(c)의 수신 신호 및 유입 신호는 증폭기를 통해 신호의 세기가 그래프(b)보다 커진 것을 확인할 수 있다. 그래프(d)는 트랜시버(400)로 전달된 송신 신호 및 유입 신호가 LNA(422), 믹서(424) 및 베이스밴드 블록(426)을 통과한 후의 신호의 세기를 나타낸다. 유입 신호는 LNA(422), 믹서(424) 및 베이스밴드 블록(426)을 통해 신호의 세기가 작아질 수 있다. 전자 장치(300)는 송신 신호의 세기(Tx-po)에 기초하여 트랜시버(400)의 Rx 체인(420)에 포함된 적어도 하나의 구성 요소의 설정(예: 믹서(424)의 LO(424a) 전압 값)을 조정함으로써, 유입 신호의 세기를 낮추면서 Rx 체인(420)에서 소모하는 전류를 줄일 수 있다.

도 5a는 Rx 체인의 설정을 변경하는 일 예를 나타내는 도면이다.

도 2, 도 4a 내지 도 5a을 참조하면, 프로세서(예: 도 1의 프로세서(120), 도 2의 제1 커뮤니케이션 프로세서(212) 또는 도 2의 제2 커뮤니케이션 프로세서(214))는 Rx 체인(420)에 포함된 구성 요소 중 적어도 하나의 전원의 변경 및 회로 구동을 변경하기 위한 Tx 출력 신호의 세기의 기준 값(예: 기준점)을 설정할 수 있다.

도 4b, 도 5a의 (a)와 표 1을 참조하면, 한 실시 예로서, Tx 체인(410)의 Tx 신호의 세기(Tx-po)가 제1 기준 값보다 작은 경우에는 Rx 체인(420)으로 유입되는 Tx 신호(예: 유입 신호)의 파워도 작을 수 있다. 예로서, 프로세서(120)는 제1 기준 값을 20dBm으로 설정하고, Tx 체인(410)의 Tx 신호의 세기(Tx-po)가 20dBm보다 작은지 확인할 수 있다. 프로세서(120)는 Tx 신호의 세기(Tx-po)가 제1 기준 값보다 작은 경우, LNA(422)의 VDD(voltage drain) 전압 값을 하향 조정할 수 있다. 이와 같이, LNA(422)의 LDO(저전압 강하(low-dropout)) 전원 변경을 통하여 Rx 체인(420)에서 소모하는 전류를 개선할 수 있다.

한 실시 예로서, Tx 출력 신호의 세기(Tx-po)가 제1 기준 값보다 큰 경우에는 Rx 체인(420)으로 유입되는 Tx 출력 신호(예: 유입 신호)의 세기(Tx-po)가 커질 수 있다.프로세서(120)는 Tx 출력 신호의 세기(Tx-po)가 제1 기준 값보다 큰 경우, LNA(422)의 VDD 전압 값을 상향 조정할 수 있다. 이에 한정되지 않고, 프로세서(120)는 Tx 출력 신호의 세기(Tx-po)가 제1 기준 값보다 큰 경우, LNA(422)의 VDD 전압 값을 변경하지 않고, 초기에 설정한 값을 유지할 수도 있다.

도 4b, 도 5a의 (b)와 표 1을 참조하면, Tx 출력 신호의 세기(Tx-po)가 제1 기준 값보다 작은 경우에는 Rx 체인(420)으로 유입되는 Tx 출력 신호(예: 유입 신호)의 세기가 작아질 수 있다. 프로세서(120)는 Tx 출력 신호의 세기(Tx-po)가 제1 기준 값보다 작은 경우, 믹서(424)의 LO(local oscillator, 424a)의 전압 값(424b)을 하향 조정할 수 있다. 이와 같이, 믹서(424)의 LO(424a)의 구동 강도(Driven strength) 변경(예: 전압 값 또는 버퍼 바이어스(Buffer Bias) 변경)을 통하여 Rx 체인(420)에서 소모하는 전류를 개선할 수 있다.

한 실시 예로서, Tx 출력 신호의 세기(Tx-po)가 제1 기준 값보다 큰 경우에는 Rx 체인으로 유입되는 Tx 출력 신호(예: 유입 신호)의 세기가 커질 수 있다. 프로세서(120)는 Tx 출력 신호의 세기가 제1 기준 값보다 큰 경우, 믹서(424)의 LO(424a)의 전압 값(예: 버퍼 바이어스)를 상향 조정할 수 있다. 이에 한정되지 않고, 프로세서(120)는 Tx 출력 신호의 세기(Tx-po)가 제1 기준 값보다 큰 경우, 믹서(424)의 LO(424a)의 전압 값을 변경하지 않고, 초기에 설정한 값을 유지할 수 있다.

도 4b, 도 5a의 (c)와 표 1을 참조하면, 한 실시 예로서, Tx 체인(410)의 Tx 출력 신호의 세기(Tx-po)가 제1 기준 값보다 작은 경우에는 Rx 체인으로 유입되는 Tx 신호(예: 유입 신호)의 세기가 작아지게 될 수 있다. 프로세서(120)는 Tx 출력 신호의 세기(Tx-po)가 제1 기준 값보다 작은 경우, 베이스밴드 블록(426)에 포함된 복수의 능동 저역통과 필터(Active LPF, 426b) 중에서 Tx 누설을 감쇄하는 능동 저역통과 필터(Active LPF, 426b)의 적어도 일부를 off할 수 있다. 이와 같이, 복수의 능동 저역통과 필터(Active LPF, 426b) 중에서 일부의 능동 저역통과 필터(Active LPF, 426b)(예: Tx 누설을 감쇄하는 LPF)를 off하여 Rx 체인(420)에서 소모하는 전류를 개선할 수 있다.

한 실시 예로서, Tx 출력 신호의 세기(Tx-po)가 제1 기준 값보다 큰 경우에는 Rx 체인(420)으로 유입되는 Tx 출력 신호의 세기가 커질 수 있다. 프로세서(120)는 Tx 출력 신호의 세기(Tx-po)가 제1 기준 값보다 큰 경우, 베이스밴드 블록(426)에 포함된 모든 능동 저역통과 필터(Active LPF, 426b)를 on할 수 있다.

도 5b는 Tx 출력 신호의 세기를 기준으로 Rx 체인의 설정을 변경하는 방법의 일 예를 나타내는 도면(500)이다. 여기서, RX 체인의 게인(gain) 특성은 변경되지 않고 그대로 유지할 수 있다. RSRP(Reference Signal Received Power, 기준 신호 수신 전력) 보상은 수행하지 않을 수 있다.

도 4b, 도 5b를 참조하면, 한 실시 예로서, 510 동작에서, 프로세서(예: 도 1의 프로세서(120), 도 2의 제1 커뮤니케이션 프로세서(212) 또는 제2 커뮤니케이션 프로세서(214))는 Rx 체인(420)에 포함된 구성 요소의 적어도 하나의 전원을 변경 및 회로 구동을 변경하기 위한 기준 값(예: 제1 기준 값)을 설정할 수 있다.

한 실시 예로서, 520 동작에서, 프로세서(120)는 프론트앤드(예: 도 3의 제1 프론트앤드(330)) 를 통해서 출력되는 Tx 출력 신호의 세기(Tx-po)를 확인할 수 있다.

한 실시 예로서, 530 동작에서, 프로세서(120)는 Tx 출력 신호의 세기(Tx-po)가 기준 값보다 큰지 판단할 수 있다.

한 실시 예로서, 540 동작에서, Tx 출력 신호의 세기(Tx-po)가 기준 값보다 크면, 프로세서(120)는 LNA의 VDD 전압 값, LO 버퍼의 전압 값을 조정하지 않고, 베이스밴드 블록의 모든 LPF를 on할 수 있다. 이에 한정되지 않고, Tx 출력 신호의 세기(Tx-po)가 기준 값보다 크면, 프로세서(120)는 LNA VDD 전압 값 및 LO 버퍼의 전압 값을 상향 조정하고, 베이스밴드 블록의 모든 LPF를 on할 수도 있다.

한 실시 예로서, 550 동작에서, Tx 출력 신호의 세기(Tx-po)가 기준 값보다 크지 않으면, 프로세서(120)는 베이스밴드 블록의 일부 LPF를 off할 수 있다.

한 실시 예로서, 560 동작에서, Tx 출력 신호의 세기(Tx-po)가 기준 값보다 크지 않으면, 프로세서(120)는 LO 버퍼의 전압 값을 하향 조정할 수 있다.

한 실시 예로서, 570 동작에서, Tx 출력 신호의 세기(Tx-po)가 기준 값보다 크지 않으면, LNA의 VDD 전압 값을 하향 조정할 수 있다.

프로세서(120)는 550, 560, 570 동작들 중에서 하나만을 수행할 수도 있다. 프로세서(120)는 550, 560, 570 동작들 중에서 2개를 수행할 수도 있다. 프로세서(120)는 550, 560, 570 동작들 모두를 수행할 수도 있다.

도 6은 일부 능동 저역통과 필터(Active LPF)를 off한 경우, Rx 체인 별 전류를 나타내는 도면이다.

도 2 및 도 6을 참조하면, 도 6의 (a)는 비교 예에 따라, Tx 신호의 세기가 높을 때(Tx mode-high) 및 낮을 때(Tx mode-low), Rx 신호의 세기에 대한 Rx 체인 전류 값을 나타낸다. 도 6의 (b)는 한 실시예에 따라, Tx 신호의 세기가 높을 때(Tx mode-high) 및 Tx 신호의 세기가 낮을 때(Tx mode-low), Rx 신호의 세기에 대한 Rx 체인 전류 값을 나타낸다. 프로세서(120)(예: 도 1의 프로세서(120), 도 2의 제1 커뮤니케이션 프로세서(212) 또는 제2 커뮤니케이션 프로세서(214))는 수신 신호의 세기에 따라 강전계, 중전계, 약전계로 분류할 수 있다. 수신 신호의 세기(강전계, 중전계, 약전계)에 따라서 Rx 내부 LNA(422)의 게인 모드(gain mode) 설정을 변경하여 전체 Rx 셀(cell)에 대한 동적 범위(dynamic range)를 유지할 수 있다. 프로세서(120)는 수신 신호의 세기(강전계, 중전계, 약전계)에 따라 RFIC 내부 게인 모드 및 각 Rx 체인 별 전류를 조절할 수 있다.

일 실시예에 따르면, 도 2의 프로세서(120)는 Tx 체인의 Tx 출력 신호의 세기가 제1 기준 값보다 작은 경우(Tx mode-low), 일부 능동 저역통과 필터(Active LPF)를 off할 수 있다. 일부 능동 저역통과 필터(Active LPF)를 off한 경우 도 6 (b)와 같이 Rx 전류를 개선할 수 있다.

도 7은 믹서의 버퍼의 전압 또는 LNA의 VDD 전압 값을 하향 조정한 경우, Rx 게인(Gain) 및 각 Rx 체인 별 전류를 나타내는 도면이다.

도 7를 참조하면, 도 7의 (a)는 비교 예에 따라, Tx 신호의 세기가 높을 때(Tx mode-high) 및 낮을 때(Tx mode-low), Rx 신호의 세기에 대한 Rx 체인 전류 값을 나타낸다. 도 7의 (b)는 한 실시예에 따라, Tx 신호의 세기가 높을 때(Tx mode-high) 및 Tx 신호의 세기가 낮을 때(Tx mode-low), Rx 신호의 세기에 대한 Rx 체인 전류 값을 나타낸다. 프로세서(120)는 수신 신호의 세기(강전계, 중전계, 약전계)에 따라서 믹서(424) 내부의 LO(424)의 전압 값(예: LO 버퍼의 전압 값) 및 LNA(422)의 LDO 전압 값을 조정할 수 있다. 프로세서(120)는 Tx 체인의 Tx 출력 신호의 세기가 제1 기준 값보다 작은 경우, 믹서(424) 내부의 LO(424)의 전압(예: 버퍼 바이어스) 값을 하향 조정, 및 LNA(422)의 LDO 전압을 하향 조정할 수 있다. 믹서(424) 내부의 LO(424)의 전압을 하향 조정, 및 LNA(422)의 LDO 전압을 하향 조정하면, Rx 게인을 1~2dB 감소시킴과 아울러 Rx 전류를 줄이면서도 수신 성능을 유지할 수 있다. 이에 한정되지 않고, 수신 신호의 세기(강전계, 중전계, 약전계)에 영향 없이 믹서(424) 내부의 LO(424)의 전압 값을 하향 조정, 및 LNA(422)의 LDO 전압을 하향 조정함으로써 Rx 전류를 줄이면서도 수신 성능을 유지할 수 있다.

한 실시 예로서, 전자 장치(300)의 수신 성능을 유지하기 위하여 게인을 감소시킬 만금 RFIC 내부 전압을 조절하지는 않을 수 있다. 또는 Tx 출력 신호의 세기를 세분화하여 Rx 체인에 포함된 구성 요소 중 적어도 하나의 전원을 변경 및 회로 구동을 세분화할 수도 있다. 다양한 Tx 출력 신호의 세기에 따른 Rx 체인에 포함된 구성 요소 중 적어도 하나의 전원을 변경 및 회로 구동을 변경하는 값들을 룩업(look-up) 테이블에 기록하고, Tx 체인의 전원을 변경 및 회로 구동을 변경하는 값들을 세분화하여 적용할 수 있다. 또는, 실시간으로 변하는 Tx 출력 신호의 세기에 맞춰 Tx 체인의 전원을 변경 및 회로 구동을 변경하는 값들을 실시간으로 적용할 수 있다.

한 실시 예로서, 4x4 또는 CA(Carrier Aggregation, 주파수 묶음기술)가 적용되는 경우에 Tx 출력 신호의 세기에 따라서 RFIC의 설정을 변경할 수 있다. 전자 장치(300) 내에서 안테나 격리(Antenna Isolation)를 확보하기 어려워 PRX에서 변경되는 기준과 동일한 Tx 출력 신호의 세기를 기준으로 RFIC의 설정을 변경할 수 있다.

도 8a는 전자 장치(300)의 폴딩 시 근접하는 안테나 모듈의 일 예를 나타내는 도면이다. 도 8b는 전자 장치(300)의 폴딩 시 안테나 모듈들이 근접하게 되는 것을 고려하여 Rx 체인(810, 820, 830, 840)의 설정을 변경하는 것을 나타내는 도면이다.

도 3, 도 8a 및 도 8b를 참조하면, 일 실시예에 따른 전자 장치(300)(예: 도 3의 전자 장치(300))는 폴더블 장치일 수 있다. 전자 장치(300)는 제1 안테나 모듈(335), 제2 안테나 모듈(345), 제3 안테나 모듈 (355) 및 제4 안테나 모듈(365)을 포함할 수 있다. 제1 안테나 모듈(335) 내지 제4 안테나 모듈(365)은 전자 장치(300)를 정면(예컨대, 디스플레이가 노출된 면)에서 볼 때, 좌측 하단에 제1 안테나 모듈(335), 우측 하단에 제2 안테나 모듈(345), 좌측 상단에 제3 안테나 모듈(355), 우측 상단에 제4 안테나 모듈(365)이 위치할 수 있다. 제1 안테나 내지 제4 안테나 중 적어도 하나는 하우징(또는, 케이스(예: 도 3의 케이스(301))의 적어도 일부에 포함될 수 있다. 예를 들어, 도전성을 갖는 메탈 소재로 구성된 케이스의 적어도 일부가 안테나 모듈(335, 345, 355, 365)로서 이용될 수 있다.

일 실시예에 따르면, 전자 장치(300)를 정면에서 볼 때, 전자 장치(300)를 좌우로 가로지르는 폴드 선을 기준으로 전자 장치(300)를 폴딩시키면, 전자 장치(300)의 정면을 기준으로 한 제1 측면에서 바라볼 때의 예시와 같이 제1 안테나 모듈(335) 및 제3 안테나 모듈(355)이 서로 근접할 수 있다. 전자 장치(300)의 정면을 기준으로 한 제2 측면에서 바라볼 때의 예시와 같이 제2 안테나 모듈(345) 및 제4 안테나 모듈(365)이 서로 근접하거나 맞닿을 수 있다. 일 실시예에서, 전자 장치(300)의 폴딩 구조에 따라 전자 장치(300)의 일부 안테나 모듈들(예: 제1 안테나 모듈(335) 및 제3 안테나 모듈(355))은 서로 적어도 일부 영역이 근접하거나 맞닿을 수도 있다. 일 실시예에서, 전자 장치(300)의 폴딩 구조에 따라 전자 장치(300)의 일부 안테나 모듈들(예: 제2 안테나 모듈(345) 및 제4 안테나 모듈(365))은 서로 적어도 일부 영역이 근접하거나 맞닿을 수도 있다.

일 실시예에 따르면, 전자 장치(300)는 트랜시버(800)(예: 도 4b의 트랜시버(400))를 포함할 수 있다. 트랜시버(800)(예: 도 4b의 트랜시버(400))는 제1 안테나 모듈(335)과 연결된 제1 프론트앤드(337)(예: 도 4b의 프론트앤드(330)), 제2 안테나 모듈(345)과 연결된 제2 프론트앤드(347), 제3 안테나 모듈(355)과 연결된 제3 프론트앤드(357), 제4 안테나 모듈(365)과 연결된 제4 프론트앤드(367), Tx 체인(805), 제1 Rx 체인(810), 제2 Rx 체인(820), 제3 Rx 체인(830) 및 제4 Rx 체인(840)을 포함할 수 있다. 도 8b는 설명의 편의를 위해 도 8a의 전자 장치(300)을 폴딩시킬 때, 서로 근접하는 안테나 모듈들을 근접하게 도시한 것으로 실제 안테나 모듈들의 배치를 나타내는 것이 아님을 유의해야할 것이다. 예를 들어, 8a의 전자 장치(300)을 폴딩 선을 기준으로 폴딩 시켰을 때, 제1 안테나 모듈(335) 및 제3 안테나 모듈(355)이 서로 근접하거나 맞닿을 수 있고, 제 2 안테나 모듈(345) 및 제4 안테나 모듈(365)이 서로 근접하거나 맞닿을 수 있다.

일 실시예에 따르면, 안테나 모듈들이 서로 근접하거나 맞닿을 때, 안테나 모듈이 출력하는 송신 신호의 일부가 근접하지 않았을 때보다 더 많이 다른 근접한 안테나로 유입될 수 있다. 예를 들어, 전자 장치(300)가 폴딩된 상태에서, 트랜시버(800)의 Tx 체인(805)로부터 출력되어 제1 프론트앤드(337)를 통해 제1 안테나 모듈(335)로 출력된 송신 신호의 일부가 폴딩되지 않았을 때보다 더 많이 제3 안테나 모듈(355)의 Rx 경로 유입될 수 있다. 제3 안테나 모듈(355)을 통해 유입된 유입 신호는 제3 프론트앤드(357)을 통해 트랜시버(800)의 제3 Rx 체인(830)으로 전송될 수 있다. 전자 장치(300)는 제3 Rx 체인(830)에 포함된 구성요소들 중 적어도 일부를 이용하여 제3 Rx 체인(830)으로 유입되는 유입 신호의 세기를 낮출 수 있다.

일 실시예에 따르면, 전자 장치(300)가 폴딩된 상태에서, 제1 안테나 모듈(335) 및 제4 안테나 모듈(365)의 거리가 폴딩되지 않았을 때에 비해 근접하거나 맞닿을 수 있다. 이에 따라, 제1 안테나 모듈(335)을 통해 출력되는 송신 신호의 일부가 제3 안테나 모듈(335)뿐만 제4 안테나 모듈(365)에도 유입될 수 있다. 예를 들어, 제3 안테나 모듈(355)을 통해 유입되는 신호보다 작은 세기의 유입 신호가 제4 안테나 모듈(365)을 통해 유입될 수 있다. 일 예에서는, 제2 안테나 모듈(345)이, 제3 안테나 모듈(355) 및/또는 제4 안테나 모듈(365)의 간섭으로 인해 폴딩되지 않았을 때에 비해 유입 신호를 수신할 수도 있다. 안테나 모듈들 간의 간섭은 상술한 예에 제한되지 않고 안테나 모듈들의 형태, 배치, 폴딩 방향, 및/또는 폴딩 각도에 따라 다를 수 있음을 당업자는 용이하게 이해할 것이다.

일 실시예에 따르면, 전자 장치(300)는 폴딩 여부 및/또는 폴딩 각도를 감지하고, 폴딩 여부 및/또는 폴딩 각도 중 적어도 하나에 기반하여 제1 Rx 체인(810) 내지 제4 Rx 체인(840) 중 적어도 하나에 포함된 구성요소의 설정을 변경할 수 있다. 예를 들어, 전자 장치(300)는 폴딩 여부에 기반하여 유입 신호가 가장 크게 입력되는 제3 Rx 체인(830)의 구성요소와 가장 작게 입력되는 제2 Rx 체인(820)을 다르게 설정할 수 있다. 예를 들어, 전자 장치(300)는 제2 Rx 체인(820)에 포함된 믹서의 LO의 전압 값(예: LO 버퍼의 전압 값)을 제3 Rx 체인에 포함된 LO의 버퍼의 전압 값 보다 낮게 하향 조정할 수 있다.

일 실시예에 따르면, 전자 장치(300)는 전자 장치(300)에 배치된 근접 센서(미도시) 또는 홀 센서(예: 도 1의 센서 모듈(176))를 이용하여 전자 장치(300)의 폴딩을 감지할 수 있다. 이에 한정되지 않고, 전자 장치(300)는 자이로 센서, 자력 센서, 가속도 센서를 더 이용하여 전자 장치(300)의 폴딩을 감지할 수도 있다.

일 실시예에 따르면, 전자 장치(300)가 폴딩되면(또는, 기준 각도 이하로 되면), 프로세서(예: 도2의 프로세서(120))는 Tx 출력 신호의 세기의 기준 값(예: 기준점)을 제2 기준 값으로 설정할 수 있다. 일 예에서, 제2 기준 값은 전자 장치(300)가 폴딩되지 않았을 때의 Tx 출력 신호의 세기의 기준 값인 제1 기준 값 보다 낮은 값일 수 있다. 프로세서(120)는 제2 기준 값에 기반하여 전자 장치(300)의 폴딩에 의해 거리가 가까워지는 적어도 하나의 안테나 모듈에 전기적으로 연결된 Rx 체인의 구성 요소 중 적어도 하나의 전원 변경 및 회로 구동을 변경할 수 있다.

일 실시예에 따르면, 전자 장치(300)의 폴딩 시, 적어도 하나의 센서(예: 근접 센서, 홀 센서)를 이용하여 기준 각도(예: 15도) 이하로 폴딩 된 것을 판단할 수 있다. 전자 장치(300)가 기준 각도(예: 15도) 이하로 폴딩되면, Tx 체인에서 낮은 세기의 신호가 출력되더라도, Rx 체인으로 높은 Tx 신호가 누설될 수 있다. 따라서, 프로세서(예: 도2의 프로세서(120))는 Rx 체인에 유입되는 Tx 출력 신호에 따른 성능 열화를 방지하거나 및/또는 Rx체인의 소모 전류를 감소시키기 위해 적어도 하나의 Rx 체인의 전원 변경 및 회로 구동을 변경할 수 있다.

도 8a 및 표 2를 참조하면, 전자 장치(300)가 폴딩되면, 프로세서(120)는 Rx 체인의 설정을 변경하기 위한 기준 값을 변경할 수 있다. 여기서, 프로세서(120)는 Rx 체인의 설정을 변경하기 위한 기준 값을 폴더블 장치가 폴딩되지 않을 때 적용하는 제1 기준 값보다 낮은 제2 기준 값을 설정할 수 있다.

한 실시 예로서, 프로세서(120)는 Tx 출력 신호의 세기가 제2 기준 값보다 작은 경우, LNA의 VDD 전압 값을 하향 조정할 수 있다. 프로세서(120)는 Tx 출력 신호의 세기가 제2 기준 값보다 작은 경우, 믹서의 LO(local oscillator)의 버퍼의 전압 값을 하향 조정할 수 있다. 프로세서(120)는 Tx 출력 신호의 세기가 제2 기준 값보다 작은 경우, 베이스밴드 블록에 포함된 복수의 능동 저역통과 필터(Active LPF) 중에서 Tx 출력 신호의 누설을 감쇄하는 능동 저역통과 필터(Active LPF)를 off할 수 있다. 이와 같이, 전자 장치(300)의 폴딩 시, 서로 근접하게되는 적어도 하나의 안테나 모듈의 Rx 체인의 구성 요소 중 적어도 하나의 전원을 변경 및 회로 구동을 변경함으로써, Rx 체인에서 소모하는 전류를 개선할 수 있다.

한 실시 예로서, 프로세서(120)는 LNA의 VDD 전압 값 조절, 믹서의 LO(local oscillator)의 버퍼의 전압 값을 조절, 및 능동 저역통과 필터(Active LPF)의 on/off 중에서 하나만을 수행할 수도 있고, 2개 이상 또는 모두를 수행할 수도 있다.

한 실시 예로서, 프로세서(120)는 Tx 출력 신호의 세기(Tx-po)가 제2 기준 값보다 큰 경우에는 Rx 체인으로 유입되는 Tx 출력 신호(예: 유입 신호)의 세기가 커질 수 있다. 따라서, 프로세서(120)는 Tx 출력 신호의 세기(Tx-po)가 제2 기준 값보다 큰 경우, LNA의 VDD 전압 값을 상향 조정할 수 있다. 이에 한정되지 않고, 프로세서(120)는 Tx 출력 신호의 세기(Tx-po)가 제2 기준 값보다 큰 경우, LNA(422)의 VDD 전압 값을 변경하지 않고, 초기에 설정한 값을 유지할 수도 있다.

한 실시 예로서, 프로세서(120)는 Tx 출력 신호의 세기(Tx-po)가 제2 기준 값보다 큰 경우, 믹서의 LO(local oscillator)의 버퍼의 전압 값을 상향 조정할 수 있다. 이에 한정되지 않고, 프로세서(120)는 Tx 출력 신호의 세기(Tx-po)가 제2 기준 값보다 큰 경우, 믹서의 LO(local oscillator)의 버퍼의 전압 값을 변경하지 않고, 초기에 설정한 값을 유지할 수 있다. 또한, 프로세서(120)는 Tx 출력 신호의 세기가 제2 기준 값보다 큰 경우, 베이스밴드 블록에 포함된 모든 능동 저역통과 필터(Active LPF)를 on할 수 있다.

다른 실시 예로서, 전자 장치(300)의 폴딩 시, Tx 출력 신호의 세기(Tx-po)에 상관없이 표 3에 기재된 바와 같이, Rx 체인의 설정을 변경할 수 있다. 전자 장치(300)의 폴딩 시, 프로세서(120)는 Tx 출력 신호의 세기(Tx-po)에 상관없이 LNA의 VDD 전원 값을 상향 조정하고, 믹서의 LO(local oscillator)의 버퍼의 전압 값을 상향 조정하고, 베이스밴드 블록에 포함된 모든 능동 저역통과 필터(Active LPF)를 on할 수 있다. 이에 한정되지 않고, 전자 장치(300)의 폴딩 시, Tx 출력 신호의 세기(Tx-po)에 상관없이 LNA의 VDD 전원 값을 초기에 설정한 값으로 유지하고, 믹서의 LO(local oscillator)의 버퍼의 전압 값을 초기에 설정한 값으로 유지하고, 베이스밴드 블록에 포함된 모든 능동 저역통과 필터(Active LPF)를 on할 수도 있다.

도 9는 다양한 실시 예들에 따른, 전자 장치(900)를 나타내는 도면이다. 도 9의 전자 장치(900)를 설명함에 있어서 도 3의 전자 장치(300)와 동일한 내용을 생략될 수 있다.

도 9를 참조하면, 다양한 실시 예들에 따른 전자 장치(900)는, 모뎀(modem, 910), 트랜시버(transceiver, 920), 제1 프론트앤드(930), 제2 프론트앤드(940), 제3 프론트앤드(950), 제4 프론트앤드(960), 제1 안테나 모듈(935), 제2 안테나 모듈(945), 제3 안테나 모듈(955), 제4 안테나 모듈(965), 및 와이파이 모듈(970)(예: 근거리 통신 용 프론트앤드)을 포함할 수 있다. 제1 안테나 모듈(935), 제2 안테나 모듈(945), 제3 안테나 모듈(955), 및 제4 안테나 모듈(965)은 전자 장치(900)의 케이스(901)의 외부 또는 내부에 배치될 수 있으며, 도 9에 개시된 예시에 한정되지 않음을 당업자는 용이하게 이해할 것이다. 예를 들어, 제1 안테나 모듈(935), 제2 안테나 모듈(945), 제3 안테나 모듈(955), 및 제4 안테나 모듈(965)은 케이스(901) 내부 또는 케이스(901)의 적어도 일부에 포함될 수 있다.

한 실시 예로서, 와이파이(Wifi) 모듈(970)은 와이파이 통신을 지원하는 와이파이 회로를 예로 들었지만 이에 제한하는 것은 아니다. 예를 들어, 와이파이(Wifi) 모듈(970)은 블루투스 통신을 지원하는 블루투스 회로를 포함할 수 있다. 제1 프론트앤드(930)는 프라이머리 프론트앤드로서 송신 회로 및 수신 회로를 포함할 수 있다. 제2 프론트앤드(940)는 프라이머리 프론트앤드로서 수신 회로를 포함할 수 있다. 한 실시 예로서, 제3 프론트앤드(950)는 다이버시티(또는, 서브) 프론트앤드로서 수신 회로를 포함할 수 있다. 제4 프론트앤드(960)는 다이버시티 프론트앤드로서 수신 회로를 포함할 수 있다.

한 실시 예로서, 제1 프론트앤드(930)와 제1 안테나 모듈(935)은 전기적으로 연결될 수 있다. 제2 프론트앤드(940)와 제2 안테나 모듈(945)은 전기적으로 연결될 수 있다. 제3 프론트앤드(950)와 제3 안테나 모듈(955)은 전기적으로 연결될 수 있다. 제4 프론트앤드(960)와 제4 안테나 모듈(965)은 전기적으로 연결될 수 있다.

한 실시 예로서, 와이파이 모듈(970)이 제3 안테나 모듈(955) 및 제4 안테나 모듈(965)과 근접하게 배치되어 있어, 와이파이 모듈(970)의 구동 시 제3 안테나 모듈(955) 및 제4 안테나 모듈(965)과의 간섭이 발생할 수 있다. 또한, 전자 장치(900)이 폴딩 시, 와이파이 모듈(970)이 제1 안테나 모듈(935) 및 제2 안테나 모듈(945)과 근접하게 되어, 와이파이 모듈(970)의 구동 시 제1 안테나 모듈(935) 및 제2 안테나 모듈(945)과의 간섭이 발생할 수 있다.

한 실시 예로서, 와이파이 모듈(970)이 동작(예: 와이파이/블루투스 중 적어도 하나가 동작)하는 경우, 프로세서(도 2의 프로세서(120))는 와이파이 모듈(970)과 인접한 적어도 하나의 안테나 모듈의 Rx 체인의 설정을 변경할 수 있다. 예를 들어, 와이파이 모듈(970)과 인접한 안테나 모듈과 전기적으로 연결된 Rx 체인에는 와이파이 모듈(970)로부터 출력되는 Tx 송신 신호가 유입될 수 있다. 프로세서(120)는 와이파이 모듈(970)과 인접한 적어도 하나의 안테나 모듈과 대응하는 Rx 체인의 설정을 변경할 수 있다.

표 4를 참조하면, 한 실시 예로서, 와이파이 모듈(970)이 동작 시, 프로세서(120)는 와이파이 모듈(970)과 인접한 적어도 하나의 Rx 체인의 LNA의 VDD 전압 값을 상향 조정할 수 있다. 와이파이 모듈(970)이 동작 시, 프로세서(120)는 와이파이 모듈(970)과 인접한 적어도 하나의 Rx 체인의 믹서의 LO(local oscillator)의 버퍼의 전압 값을 상향 조정할 수 있다. 와이파이 모듈(970)이 동작 시, 프로세서(120)는 와이파이 모듈(970)과 인접한 적어도 하나의 Rx 체인의 베이스밴드 블록에 포함된 모든 능동 저역통과 필터(Active LPF)를 on할 수 있다. 여기서, 와이파이 모듈(970)이 동작 시, 프로세서(120)는 Rx 체인의 LNA의 VDD 전압 값을 상향 조정, Rx 체인의 믹서의 LO의 버퍼의 전압 값을 상향 조정, 및 Rx 체인의 베이스밴드 블록에 포함된 모든 능동 저역통과 필터(Active LPF)를 on하는 동작 중 한가지를 수행할 수도 있고, 두가지를 수행할 수도 있고, 세가지 모두를 수행할 수도 있다.

한 실시 예로서, 전자 장치(900)의 폴딩 시, 와이파이 모듈(970)이 동작하면 표 3에 기재된 바와 같이, Rx 체인의 설정을 변경할 수 있다. 또한, 와이파이 모듈(970)의 동작 유무에 상관없이 표 3에 기재된 바와 같이, Rx 체인의 설정을 변경할 수 있다. 전자 장치(900)의 폴딩 시, 프로세서(120)는 LNA의 VDD 전원 값을 상향 조정하고, 믹서의 LO(local oscillator)의 버퍼의 전압 값을 상향 조정하고, 베이스밴드 블록에 포함된 모든 능동 저역통과 필터(Active LPF)를 on할 수 있다. 이에 한정되지 않고, 전자 장치(900)의 폴딩 시, LNA의 VDD 전원 값을 초기에 설정한 값으로 유지하고, 믹서의 LO(local oscillator)의 버퍼의 전압 값을 초기에 설정한 값으로 유지하고, 베이스밴드 블록에 포함된 모든 능동 저역통과 필터(Active LPF)를 on할 수도 있다.

도 10은 다양한 실시 예들에 따른, 전자 장치(1000)를 나타내는 도면이다. 도 10의 전자 장치(1000)를 설명함에 있어서 도 3의 전자 장치(300)와 동일한 내용을 생략될 수 있다.

도 10을 참조하면, 다양한 실시 예들에 따른 전자 장치(1000)는, 모뎀(modem, 1010), 트랜시버(transceiver, 1020), 제1 프론트앤드(1030), 제2 프론트앤드(1040), 제3 프론트앤드(1050), 제4 프론트앤드(1060), 제1 안테나 모듈(1035), 제2 안테나 모듈(1045), 제3 안테나 모듈(1055), 및 제4 안테나 모듈(1065)를 포함할 수 있다. 제1 안테나 모듈(1035), 제2 안테나 모듈(1045), 제3 안테나 모듈(1055), 및 제4 안테나 모듈(1065)은 전자 장치(1000)의 케이스(1001)의 외부 또는 내부에 배치될 수 있으며, 도 10에 개시된 예시에 한정되지 않음을 당업자는 용이하게 이해할 것이다. 예를 들어, 제1 안테나 모듈(1035), 제2 안테나 모듈(1045), 제3 안테나 모듈(1055), 및 제4 안테나 모듈(1065)은 케이스(1001) 내부에 포함될 수 있다.

한 실시 예로서, 제1 프론트앤드(1030)는 제1 EN-DC((E-UTRA NR Dual Connectivity)) 프론트앤드로 동작할 수 있다. 제1 프론트앤드(1030)는 레거시 통신(예: LTE)의 송신(Tx) 및 수신(예: PRX) 경로와 NR(new radio)(예: 5G)의 수신(예: DRX2) 경로를 동시에 지원하는 프론트앤드일 수 있다. 한 실시 예로서, 제2 프론트앤드(1040)는 제2 EN-DC 프론앤드로 동작할 수 있다. 제2 프론트앤드(1040)는 LTE의 수신(예: PRX) 경로와 NR의 수신(예: DRX) 경로를 동시에 지원하는 프론트앤드로 동작할 수 있다. 한 실시 예로서, 제3 프론트앤드(1050)는 제3 EN-DC 프론트앤드로 동작할 수 있다. 제3 프론트앤드(1050)는 LTE의 수신(예: DRX2) 경로와 NR의 송신(Tx) 및 수신(예: PRX) 경로를 동시에 지원하는 프론트앤드로 동작할 수 있다. 한 실시 예로서, 제4 프론트앤드(1060)는 제4 EN-DC 프론트앤드로 동작할 수 있다. 제4 프론트앤드(1060)는 LTE의 수신(예: DRX) 경로와 NR의 수신(예: PRX2) 경로를 동시에 지원하는 프론트앤드로 동작할 수 있다.

한 실시 예로서, 제1 프론트앤드(1030)와 제1 안테나 모듈(1035)은 전기적으로 연결될 수 있다. 제2 프론트앤드(1040)와 제2 안테나 모듈(1045)은 전기적으로 연결될 수 있다. 제3 프론트앤드와(1050)와 제3 안테나 모듈(1055)은 전기적으로 연결될 수 있다. 제4 프론트앤드(1060)와 제4 안테나 모듈(1065)은 전기적으로 연결될 수 있다.

한 실시 예로서, 전자 장치(100)가 EN-DC(E-UTRA NR Dual Connectivity)로 동작 시, (1) 유사 주파수 밴드의 경우와, (2) 서로 다른 주파수 밴드의 경우를 구분하여 Rx 체인에 포함된 구성 요소 중 적어도 하나의 전원을 변경 및 회로 구동을 변경할 수 있다.

한 실시 예로서, EN-DC 적용 시 유사 주파수 (예를 들어, MB(middle band)-MB(middle band))밴드에 대해서, 프로세서(120)는 표 5에 기재된 바와 같이, 크게 4가지 케이스(case#1~case#4)로 구분하여 Rx 체인에 포함된 구성 요소 중 적어도 하나의 전원을 변경 및 회로 구동을 변경할 수 있다.

한 실시 예로서, 프로세서(120)는 Rx 체인에 포함된 구성 요소 중 적어도 하나의 전원을 변경 및 회로 구동을 변경하기 위한 LTE의 Tx 출력 신호의 세기의 기준 값(예: 기준점)을 제3 기준 값으로 설정할 수 있다. 프로세서(120)는 Rx 체인에 포함된 구성 요소 중 적어도 하나의 전원을 변경 및 회로 구동을 변경하기 위한 NR의 Tx 출력 신호의 세기의 기준 값을 제4 기준 값으로 설정할 수 있다.

표 5의 case#1을 살펴보면, 한 실시 예로서, 프로세서(120)는 LTE의 Tx 출력 신호의 세기(Tx-po)가 제3 기준 값보다 작은 경우, 낮은 세기의 Tx 출력 신호(예: 유입 신호)가 제1 Rx 체인에 유입될 수 있다. 프로세서(120)는 LTE Rx 체인에 위치하는 제1 Rx 체인에 포함된 구성 요소 중 적어도 하나의 전원을 변경 및 회로 구동을 변경할 수 있다. 프로세서(120)는 낮은 세기의 Tx 출력 신호(예: 유입 신호)가 제1 Rx 체인에 유입되는 경우, LTE 경로에서 제1 Rx 체인의 LNA(예: 도 4의 LNA(422))의 VDD 전압 값을 하향 조정하고, 제1 Rx 체인의 믹서의 LO(예: 도 4의 LO(424a)) 버퍼의 전압 값을 하향 조정하고, 제1 Rx 체인의 일부 LPF(예: 도 4의 active LPF(426b))를 off할 수 있다. 여기서, 프로세서(120)는 Rx 체인의 LNA의 VDD 전압 값을 하향 조정, Rx 체인의 믹서의 LO의 버퍼의 전압 값을 하향 조정, 및 Rx 체인의 베이스밴드 블록에 포함된 일부 LPF를 off하는 동작 중 한가지를 수행할 수도 있고, 두가지를 수행할 수도 있고, 세가지 모두를 수행할 수도 있다.

한 실시 예로서, 프로세서(120)는 NR의 Tx 출력 신호의 세기(Tx-po)가 제4 기준 값보다 작은 경우, 낮은 세기의 Tx 출력 신호(예: 유입 신호)가 제2 Rx 체인에 유입될 수 있다. 따라서, 프로세서(120)는 낮은 세기의 Tx 출력 신호(예: 유입 신호)가 Rx 체인에 유입되는 경우, NR Rx 경로에 위치하는 제2 Rx 체인에 포함된 구성 요소 중 적어도 하나의 전원을 변경 및 회로 구동을 변경할 수 있다. 프로세서(120)는 NR 경로에서 제2 Rx 체인의 LNA의 VDD 전압 값을 하향 조정하고, 제2 Rx 체인의 믹서의 LO 버퍼의 전압 값을 하향 조정하고, 제2 Rx 체인의 일부 LPF를 off할 수 있다. 여기서, 프로세서(120)는 Rx 체인의 LNA의 VDD 전압 값을 하향 조정, Rx 체인의 믹서의 LO의 버퍼의 전압 값을 하향 조정, 및 Rx 체인의 베이스밴드 블록에 포함된 일부 LPF를 off하는 동작 중 한가지를 수행할 수도 있고, 두가지를 수행할 수도 있고, 세가지 모두를 수행할 수도 있다.

표 5의 case#2를 살펴보면, 한 실시 예로서, 프로세서(120)는 LTE의 Tx 출력 신호의 세기(Tx-po)가 제3 기준 값보다 큰 경우, LTE Rx 경로에 위치하는 제1 Rx 체인에 포함된 구성 요소 중 적어도 하나의 전원을 변경 및 회로 구동을 변경할 수 있다. 높은 세기의 Tx 출력 신호(예: 유입 신호)가 제1 Rx 체인에 유입될 수 있다. 프로세서(120)는 높은 세기의 Tx 출력 신호(예: 유입 신호)가 제1 Rx 체인에 유입되는 경우, LTE 경로에서 제1 Rx 체인의 LNA의 VDD 전압 값을 상향 조정(또는 초기 설정된 전압 값을 유지)하고, 제1 Rx 체인의 믹서의 LO 버퍼의 전압 값을 상향 조정(또는 초기 설정된 전압 값을 유지)하고, 제1 Rx 체인의 모든 LPF를 on할 수 있다. 여기서, 프로세서(120)는 Rx 체인의 LNA의 VDD 전압 값을 상향 조정(또는 초기 설정된 전압 값을 유지), Rx 체인의 믹서의 LO의 버퍼의 전압 값을 상향 조정(또는 초기 설정된 전압 값을 유지), 및 Rx 체인의 베이스밴드 블록에 포함된 모든 LPF를 on하는 동작 중 한가지를 수행할 수도 있고, 두가지를 수행할 수도 있고, 세가지 모두를 수행할 수도 있다.

한 실시 예로서, 프로세서(120)는 NR의 Tx 출력 신호의 세기(Tx-po)가 제4 기준 값보다 작은 경우, NR Rx 경로에 위치하는 제2 Rx 체인의 전원을 변경 및 회로 구동을 변경할 수 있다. NR의 Tx 출력 신호의 세기(Tx-po)가 제4 기준 값보다 작더라도 LTE의 Tx 출력 신호의 세기(Tx-po)가 제3 기준 값보다 큰 경우에는 높은 세기의 Tx 출력 신호(예: 유입 신호)가 제2 Rx 체인에 유입될 수 있다. 따라서, 프로세서(120)는 높은 세기의 Tx 출력 신호(예: 유입 신호)가 제2 Rx 체인에 유입되는 경우, NR 경로에서 제2 Rx 체인의 LNA의 VDD 전압 값을 상향 조정(또는 초기 설정된 전압 값을 유지)하고, 제2 Rx 체인의 믹서의 LO 버퍼의 전압 값을 상향 조정(또는 초기 설정된 전압 값을 유지)하고, 제2 Rx 체인의 모든 LPF를 on 수 있다. 여기서, 프로세서(120)는 Rx 체인의 LNA의 VDD 전압 값을 상향 조정(또는 초기 설정된 전압 값을 유지), Rx 체인의 믹서의 LO의 버퍼의 전압 값을 상향 조정(또는 초기 설정된 전압 값을 유지), 및 Rx 체인의 베이스밴드 블록에 포함된 모든 LPF를 on하는 동작 중 한가지를 수행할 수도 있고, 두가지를 수행할 수도 있고, 세가지 모두를 수행할 수도 있다.

표 5의 case#3을 살펴보면, 한 실시 예로서, 프로세서(120)는 LTE의 Tx 출력 신호의 세기(Tx-po)가 제3 기준 값보다 작은 경우, LTE Rx 경로에 위치하는 제1 Rx 체인에 포함된 구성 요소 중 적어도 하나의 전원을 변경 및 회로 구동을 변경할 수 있다. LE의 Tx 출력 신호의 세기(Tx-po)가 제3 기준 값보다 작더라도 NR의 Tx 출력 신호의 세기(Tx-po)가 제4 기준 값보다 큰 경우에는 높은 세기의 Tx 출력 신호(예: 유입 신호)가 제1 Rx 체인에 유입될 수 있다. 따라서, 프로세서(120)는 높은 세기의 Tx 출력 신호(예: 유입 신호)가 제1 Rx 체인에 유입되는 경우, LTE 경로에서 제1 Rx 체인의 LNA의 VDD 전압 값을 상향 조정(또는 초기 설정된 전압 값을 유지)하고, 제1 Rx 체인의 믹서의 LO 버퍼의 전압 값을 상향 조정(또는 초기 설정된 전압 값을 유지)하고, 제1 Rx 체인의 모든 LPF를 on할 수 있다. 여기서, 프로세서(120)는 Rx 체인의 LNA의 VDD 전압 값을 상향 조정(또는 초기 설정된 전압 값을 유지), Rx 체인의 믹서의 LO의 버퍼의 전압 값을 상향 조정(또는 초기 설정된 전압 값을 유지), 및 Rx 체인의 베이스밴드 블록에 포함된 모든 LPF를 on하는 동작 중 한가지를 수행할 수도 있고, 두가지를 수행할 수도 있고, 세가지 모두를 수행할 수도 있다.

한 실시 예로서, 프로세서(120)는 NR의 Tx 출력 신호의 세기(Tx-po)가 제4 기준 값보다 큰 경우, NR Rx 경로에 위치하는 제2 Rx 체인에 포함된 구성 요소 중 적어도 하나의 전원을 변경 및 회로 구동을 변경할 수 있다. NR의 Tx 출력 신호의 세기(Tx-po)가 제4 기준 값보다 큰 경우에는 높은 세기의 Tx 출력 신호가 제2 Rx 체인에 유입될 수 있다. 따라서, 프로세서(120)는 높은 세기의 Tx 출력 신호가 제2 Rx 체인에 유입되는 경우, NR 경로에서 제2 Rx 체인의 LNA의 VDD 전압 값을 상향 조정(또는 초기 설정된 전압 값을 유지)하고, 제2 Rx 체인의 믹서의 LO 버퍼의 전압 값을 상향 조정(또는 초기 설정된 전압 값을 유지)하고, 제2 Rx 체인의 모든 LPF를 on할 수 있다. 여기서, 프로세서(120)는 Rx 체인의 LNA의 VDD 전압 값을 상향 조정(또는 초기 설정된 전압 값을 유지), Rx 체인의 믹서의 LO의 버퍼의 전압 값을 상향 조정(또는 초기 설정된 전압 값을 유지), 및 Rx 체인의 베이스밴드 블록에 포함된 모든 LPF를 on하는 동작 중 한가지를 수행할 수도 있고, 두가지를 수행할 수도 있고, 세가지 모두를 수행할 수도 있다.

표 5의 case#4을 살펴보면, 한 실시 예로서, 프로세서(120)는 LTE의 Tx 출력 신호의 세기(Tx-po)가 제3 기준 값보다 큰 경우, LTE Rx 경로에 위치하는 제1 Rx 체인에 포함된 구성 요소 중 적어도 하나의 전원을 변경 및 회로 구동을 변경할 수 있다. LTE의 Tx 출력 신호의 세기(Tx-po)가 제3 기준 값보다 큰 경우에는 높은 세기의 Tx 출력 신호(예: 유입 신호)가 제1 Rx 체인에 유입될 수 있다. 따라서, 프로세서(120)는 높은 세기의 Tx 출력 신호(예: 유입 신호)가 제1 Rx 체인에 유입되는 경우, LTE 경로에서 제1 Rx 체인의 LNA의 VDD 전압 값을 상향 조정(또는 초기 설정된 전압 값을 유지)하고, 제1 Rx 체인의 믹서의 LO 버퍼의 전압 값을 상향 조정(또는 초기 설정된 전압 값을 유지)하고, 제1 Rx 체인의 모든 LPF를 on할 수 있다. 여기서, 프로세서(120)는 Rx 체인의 LNA의 VDD 전압 값을 상향 조정(또는 초기 설정된 전압 값을 유지), Rx 체인의 믹서의 LO의 버퍼의 전압 값을 상향 조정(또는 초기 설정된 전압 값을 유지), 및 Rx 체인의 베이스밴드 블록에 포함된 모든 LPF를 on하는 동작 중 한가지를 수행할 수도 있고, 두가지를 수행할 수도 있고, 세가지 모두를 수행할 수도 있다.

한 실시 예로서, 5G EN-DC 적용 시 서로 다른 밴드(예: MB(middle band), LB(low band)와 같이 주파수 영역이 서로 다른 밴드)에 대해서, 프로세서(120)는 표 6에 기재된 바와 같이, 크게 4가지 케이스(case#1~case#4)로 구분하여 Rx 체인의 설정을 변경할 수 있다.

표 6의 case#1을 살펴보면, 한 실시 예로서, 프로세서(120)는 LTE의 Tx 출력 신호의 세기(Tx-po)가 제3 기준 값보다 작은 경우, LTE Rx 경로에 위치하는 제1 Rx 체인에 포함된 구성 요소 중 적어도 하나의 전원을 변경 및 회로 구동을 변경할 수 있다. LTE의 Tx 출력 신호의 세기(Tx-po)가 제3 기준 값보다 작은 경우, 낮은 세기의 Tx 출력 신호(예: 유입 신호)가 제1 Rx 체인에 유입될 수 있다. 따라서, 프로세서(120)는 낮은 세기의 Tx 출력 신호(예: 유입 신호)가 제1 Rx 체인에 유입되는 경우, LTE 경로에서 제1 Rx 체인의 LNA의 VDD 전압 값을 하향 조정하고, 제1 Rx 체인의 믹서의 LO 버퍼의 전압 값을 하향 조정하고, 제1 Rx 체인의 일부 LPF를 off할 수 있다. 여기서, 프로세서(120)는 Rx 체인의 LNA의 VDD 전압 값을 하향 조정, Rx 체인의 믹서의 LO의 버퍼의 전압 값을 하향 조정, 및 Rx 체인의 베이스밴드 블록에 포함된 일부 LPF를 off하는 동작 중 한가지를 수행할 수도 있고, 두가지를 수행할 수도 있고, 세가지 모두를 수행할 수도 있다.

한 실시 예로서, 프로세서(120)는 NR의 Tx 출력 신호의 세기(Tx-po)가 제4 기준 값보다 작은 경우, NR Rx 경로에 위치하는 제2 Rx 체인의 전원을 변경 및 회로 구동을 변경할 수 있다. NR의 Tx 출력 신호의 세기(Tx-po)가 제4 기준 값보다 작은 경우, 낮은 세기의 Tx 출력 신호(예: 유입 신호)가 제2 Rx 체인에 유입될 수 있다. 따라서, 프로세서(120)는 낮은 세기의 Tx 출력 신호(예: 유입 신호)가 제2 Rx 체인에 유입되는 경우, NR 경로에서 제2 Rx 체인의 LNA의 VDD 전압 값을 하향 조정하고, 제2 Rx 체인의 믹서의 LO 버퍼의 전압 값을 하향 조정하고, 제2 Rx 체인의 일부 LPF를 off할 수 있다. 여기서, 프로세서(120)는 Rx 체인의 LNA의 VDD 전압 값을 하향 조정, Rx 체인의 믹서의 LO의 버퍼의 전압 값을 하향 조정, 및 Rx 체인의 베이스밴드 블록에 포함된 일부 LPF를 off하는 동작 중 한가지를 수행할 수도 있고, 두가지를 수행할 수도 있고, 세가지 모두를 수행할 수도 있다.

표 6의 case#2를 살펴보면, 한 실시 예로서, 프로세서(120)는 LTE의 Tx 출력 신호의 세기(Tx-po)가 제3 기준 값보다 큰 경우, LTE Rx 경로에 위치하는 제1 Rx 체인에 포함된 구성 요소 중 적어도 하나의 전원을 변경 및 회로 구동을 변경할 수 있다. LTE의 Tx 출력 신호의 세기(Tx-po)가 제3 기준 값보다 큰 경우에는 높은 세기의 Tx 출력 신호(예: 유입 신호)가 제1 Rx 체인에 유입될 수 있다. 따라서, 프로세서(120)는 높은 세기의 Tx 출력 신호(예: 유입 신호)가 제1 Rx 체인에 유입되는 경우, LTE 경로에서 제1 Rx 체인의 LNA의 VDD 전압 값을 상향 조정(또는 초기 설정된 전압 값을 유지)하고, 제1 Rx 체인의 믹서의 LO 버퍼의 전압 값을 상향 조정(또는 초기 설정된 전압 값을 유지)하고, 제1 Rx 체인의 모든 LPF를 on할 수 있다. 여기서, 프로세서(120)는 Rx 체인의 LNA의 VDD 전압 값을 상향 조정(또는 초기 설정된 전압 값을 유지), Rx 체인의 믹서의 LO의 버퍼의 전압 값을 상향 조정(또는 초기 설정된 전압 값을 유지), 및 Rx 체인의 베이스밴드 블록에 포함된 모든 LPF를 on하는 동작 중 한가지를 수행할 수도 있고, 두가지를 수행할 수도 있고, 세가지 모두를 수행할 수도 있다.

한 실시 예로서, 프로세서(120)는 NR의 Tx 출력 신호의 세기(Tx-po)가 제4 기준 값보다 작은 경우, NR Rx 경로에 위치하는 제2 Rx 체인에 포함된 구성 요소 중 적어도 하나의 전원을 변경 및 회로 구동을 변경할 수 있다. NR의 Tx 출력 신호의 세기(Tx-po)가 제4 기준 값보다 작은 경우에는 낮은 세기의 Tx 출력 신호(예: 유입 신호)가 제2 Rx 체인에 유입될 수 있다. 따라서, 프로세서(120)는 낮은 세기의 Tx 출력 신호(예: 유입 신호)가 제2 Rx 체인에 유입되는 경우, NR 경로에서 제2 Rx 체인의 LNA의 VDD 전압 값을 하향 조정하고, 제2 Rx 체인의 믹서의 LO 버퍼의 전압 값을 하향 조정하고, 제2 Rx 체인의 일부 LPF를 off할 수 있다. 여기서, 프로세서(120)는 Rx 체인의 LNA의 VDD 전압 값을 하향 조정, Rx 체인의 믹서의 LO의 버퍼의 전압 값을 하향 조정, 및 Rx 체인의 베이스밴드 블록에 포함된 일부 LPF를 off하는 동작 중 한가지를 수행할 수도 있고, 두가지를 수행할 수도 있고, 세가지 모두를 수행할 수도 있다.

표 6의 case#3을 살펴보면, 한 실시 예로서, 프로세서(120)는 LTE의 Tx 출력 신호의 세기(Tx-po)가 제3 기준 값보다 작은 경우, LTE Rx 경로에 위치하는 제1 Rx 체인에 포함된 구성 요소 중 적어도 하나의 전원을 변경 및 회로 구동을 변경할 수 있다. LTE의 Tx 출력 신호의 세기(Tx-po)가 제3 기준 값보다 작은 경우에는 낮은 세기의 Tx 출력 신호(예: 유입 신호)가 제1 Rx 체인에 유입될 수 있다. 따라서, 프로세서(120)는 낮은 세기의 Tx 출력 신호(예: 유입 신호)가 제1 Rx 체인에 유입되는 경우, LTE 경로에서 제1 Rx 체인의 LNA의 VDD 전압 값을 하향 조정하고, 제1 Rx 체인의 믹서의 LO 버퍼의 전압 값을 하향 조정하고, 제1 Rx 체인의 일부 LPF를 off할 수 있다. 여기서, 프로세서(120)는 Rx 체인의 LNA의 VDD 전압 값을 하향 조정, Rx 체인의 믹서의 LO의 버퍼의 전압 값을 하향 조정, 및 Rx 체인의 베이스밴드 블록에 포함된 일부 LPF를 off하는 동작 중 한가지를 수행할 수도 있고, 두가지를 수행할 수도 있고, 세가지 모두를 수행할 수도 있다.

한 실시 예로서, 프로세서(120)는 NR의 Tx 출력 신호의 세기(Tx-po)가 제4 기준 값보다 큰 경우, NR Rx 경로에 위치하는 제2 Rx 체인에 포함된 구성 요소 중 적어도 하나의 전원을 변경 및 회로 구동을 변경할 수 있다. NR의 Tx 출력 신호의 세기(Tx-po)가 제4 기준 값보다 큰 경우에는 높은 세기의 Tx 출력 신호(예: 유입 신호)가 제2 Rx 체인에 유입될 수 있다. 따라서, 프로세서(120)는 높은 세기의 Tx 출력 신호(예: 유입 신호)가 제2 Rx 체인에 유입되는 경우, NR 경로에서 제2 Rx 체인의 LNA의 VDD 전압 값을 상향 조정(또는 초기 설정된 전압 값을 유지)하고, 제2 Rx 체인의 믹서의 LO 버퍼의 전압 값을 상향 조정(또는 초기 설정된 전압 값을 유지)하고, 제2 Rx 체인의 모든 LPF를 on할 수 있다. 여기서, 프로세서(120)는 Rx 체인의 LNA의 VDD 전압 값을 상향 조정(또는 초기 설정된 전압 값을 유지), Rx 체인의 믹서의 LO의 버퍼의 전압 값을 상향 조정(또는 초기 설정된 전압 값을 유지), 및 Rx 체인의 베이스밴드 블록에 포함된 모든 LPF를 on하는 동작 중 한가지를 수행할 수도 있고, 두가지를 수행할 수도 있고, 세가지 모두를 수행할 수도 있다.

표 6의 case#4을 살펴보면, 한 실시 예로서, 프로세서(120)는 LTE의 Tx 출력 신호의 세기(Tx-po)가 제3 기준 값보다 큰 경우, LTE Rx 경로에 위치하는 제1 Rx 체인에 포함된 구성 요소 중 적어도 하나의 전원을 변경 및 회로 구동을 변경할 수 있다. LTE의 Tx 출력 신호의 세기(Tx-po)가 제3 기준 값보다 큰 경우에는 높은 세기의 Tx 출력 신호(예: 유입 신호)가 제1 Rx에 유입될 수 있다. 따라서, 프로세서(120)는 높은 세기의 Tx 출력 신호(예: 유입 신호)가 제1 Rx에 유입되는 경우, LTE 경로에서 제1 Rx 체인의 LNA의 VDD 전압 값을 상향 조정(또는 초기 설정된 전압 값을 유지)하고, 제1 Rx 체인의 믹서의 LO 버퍼의 전압 값을 상향 조정(또는 초기 설정된 전압 값을 유지)하고, 제1 Rx 체인의 모든 LPF를 on할 수 있다. 여기서, 프로세서(120)는 Rx 체인의 LNA의 VDD 전압 값을 상향 조정(또는 초기 설정된 전압 값을 유지), Rx 체인의 믹서의 LO의 버퍼의 전압 값을 상향 조정(또는 초기 설정된 전압 값을 유지), 및 Rx 체인의 베이스밴드 블록에 포함된 모든 LPF를 on하는 동작 중 한가지를 수행할 수도 있고, 두가지를 수행할 수도 있고, 세가지 모두를 수행할 수도 있다.

도 11은 Tx 출력 신호의 세기에 따라서 Rx 체인의 설정을 변경하는 방법의 일 예를 나타내는 도면(1100)이다.

도 11을 참조하면, 1110 동작에서, 프로세서(예: 도 2의 프로세서(120))는 Rx 신호의 세기(Rx-po)를 확인할 수 있다.

1120 동작에서, 프로세서(120)는 각 Tx 체인에서 출력되는 Tx 출력 신호의 세기(Tx-po)를 확인할 수 있다.

1130 동작에서, 프로세서(120)는 Rx 신호의 세기(Rx-po)가 기 설정된 제1 기준 값보다 큰지(Rx-po > 제1 기준 값) 판단할 수 있다.

1130 동작의 판단결과, Rx 신호의 세기(Rx-po)가 기 설정된 제1 기준 값보다 크지 않으면 1140 동작을 수행할 수 있다.

1140 동작에서, 프로세서(120)는 LNA VDD 값을 조정하지 않고 초기에 설정된 전압 값을 유지하고, LO 버퍼의 전압 값을 조정하지 않고 초기에 설정된 전압 값을 유지하고, 베이스밴드 블록의 모든 LPF를 on하고, RSRP(Reference Signal Received Power, 기준 신호 수신 전력) offset을 적용할 수 있다. 여기서, RSRP offset은 룩업 테이블 형태로 설정될 수 있으며, 모뎀(예: 도 3의 모뎀(310))의 메모리에 저장될 수 있다. 프로세서(120)는 룩업 테이블 형태의 RSRP offset을 메모리에서 읽어와 적용할 수 있다.

1130 동작의 판단결과, Rx 신호의 세기(Rx-po)가 기 설정된 제1 기준 값보다 큰 경우, 1150 동작을 수행할 수 있다.

1150 동작에서, 프로세서(120)는 Tx 출력 신호의 세기(Tx-po)가 기 설정된 제2 기준 값보다 큰지(Tx-po > 제2 기준 값) 판단할 수 있다.

1150 동작의 판단 결과, Tx 출력 신호의 세기(Tx-po)가 기 설정된 제2 기준 값보다 크면 1140 동작을 수행할 수 있다.

1150 동작의 판단 결과, Tx 출력 신호의 세기(Tx-po)가 기 설정된 제2 기준 값보다 크지 않으면 프로세서(120)는 1160 동작을 수행할 수 있다.

1160 동작에서, 프로세서(120)는 LNA VDD 전압 값을 하향 조정하고, LO 버퍼의 전압 값을 하향 조정하고, 베이스밴드 블록의 일부 LPF를 off하고, RSRP offset을 적용할 수 있다. 믹서(예: 도 4의 믹서(424))의 LO 버퍼의 전압 값을 조정하거나, 또는 LNA(예: 도 4의 LNA(422))의 VDD 값을 변경하면 게인(gain)의 변화가 발생할 수 있다. 따라서, 프로세서(120)는 1160 동작 시 RSRP 보상이 이루어지도록 기 설정된 RSRP offset을 모뎀(예: 도 3의 모뎀(310))의 메모리에서 읽어와 적용할 수 있다. 이를 통해, Tx 출력 신호의 세기에 따라서 게인(gain) 편차가 발생하여도 동일한 RSRP를 나타낼 수 있다.

도 12는 Tx 출력 신호의 세기에 따라서 Rx 체인의 설정을 변경하는 방법의 일 예를 나타내는 도면(1200)이다.

도 12를 참조하면, 1210 동작에서, 프로세서(예: 도 2의 프로세서(120))는 Rx 신호의 세기(Rx-po)를 확인할 수 있다.

1220 동작에서, 프로세서(120)는 Tx 체인에서 출력되는 Tx 출력 신호의 세기(Tx-po)를 확인할 수 있다.

1230 동작에서, 프로세서(120)는 Rx 신호의 세기(Rx-po)가 기 설정된 제1 기준 값보다 큰지(Rx-po > 제1 기준 값) 판단할 수 있다.

1230 동작의 판단 결과, Rx 신호의 세기(Rx-po)가 기 설정된 제1 기준 값보다 크지 않으면 1240 동작을 수행할 수 있다.

1240 동작에서, 프로세서(120)는 LNA VDD 값을 상향 조정하고, LO 버퍼의 전압 값을 상향 조정하고, 베이스밴드 블록의 모든 LPF를 on하고, RSRP(Reference Signal Received Power, 기준 신호 수신 전력) offset을 적용할 수 있다. 여기서, RSRP offset은 룩업 테이블 형태로 설정될 수 있으며, 모뎀(예: 도 3의 모뎀(310))의 메모리에 저장될 수 있다. 프로세서(120)는 룩업 테이블 형태의 RSRP offset을 로딩하여 적용할 수 있다.

1230 동작의 판단 결과, Rx 신호의 세기(Rx-po)가 기 설정된 제1 기준 값보다 크면 1250 동작을 수행할 수 있다.

1250 동작에서, 프로세서(120)는 Tx 출력 신호의 세기(Tx-po)가 기 설정된 제2 기준 값보다 큰지(Tx-po > 제2 기준 값) 판단할 수 있다.

1250 동작의 판단 결과, Tx 출력 신호의 세기(Tx-po)가 기 설정된 제2 기준 값보다 크면 1240 동작을 수행할 수 있다.

1250 동작의 판단 결과, Tx 출력 신호의 세기(Tx-po)가 기 설정된 제2 기준 값보다 크지 않으면 프로세서(120)는 1260 동작을 수행할 수 있다.

1260 동작에서, 프로세서(120)는 LNA VDD 전압 값을 하향 조정하고, LO 버퍼의 전압 값을 하향 조정하고, 베이스밴드 블록의 일부 LPF를 off하고, RSRP offset을 적용할 수 있다. 믹서(예: 도 4의 믹서(424))의 LO 버퍼의 전압 값을 조정하거나, 또는 LNA(예: 도 4의 LNA(422))의 VDD 값을 변경하면 게인(gain)의 변화가 발생할 수 있다. 따라서, 프로세서(120)는 1260 동작 시 RSRP 보상이 이루어지도록 기 설정된 RSRP offset을 모뎀(예: 도 3의 모뎀(310))의 메모리에서 읽어와 적용할 수 있다. 이를 통해, Tx 출력 신호의 세기에 따라서 게인(gain) 편차가 발생하여도 동일한 RSRP를 나타낼 수 있다.

도 13은 다양한 실시 예들에 따른, 전자 장치(1300)를 나타내는 도면이다. 도 13의 전자 장치(1300)를 설명함에 있어서 도 3의 전자 장치(300)와 동일한 내용을 생략될 수 있다.

도 5a 및 도 13을 참조하면, 다양한 실시 예들에 따른 전자 장치(1300)는 폴더블 장치일 수 있다. 전자 장치(1300)는 폴드 위치(fold position)을 포함할 수 있다. 예를 들어, 전자 장치(1300)는 접었을 때 폴드 위치를 기준으로 전자 장치(1300)의 일 부분과 나머지 부분이 서로 마주보며 근접할 수 있다.

한 실시 예로서, 전자 장치(1300)는 모뎀(예: 도 3의 모뎀(310), 트랜시버(예: 도 3의 트랜시버(320), 제1 프론트앤드(예: 도 3의 제1 프론트앤드(330), 제2 프론트앤드(예: 도 3의 제2 프론트앤드(340), 와이파이 모듈(예: 도 9의 와아파이 모듈(970)), 및 복수의 서브 프론트앤드를 할 수 있다. 또한, 전자 장치(1300)는 제1 안테나 모듈(1310, 제1 메인 안테나 모듈), 제2 안테나 모듈(1315, 제2 메인 안테나 모듈), 제3 안테나 모듈(1320, 서브1 안테나 모듈), 제4 안테나 모듈(1325, 예: 서브2 안테나 모듈), 제5 안테나 모듈(1330, 예: 서브3 안테나 모듈), 제6 안테나 모듈(1335, 예: 서브4 안테나 모듈), 제7 안테나 모듈(1340, 예: 서브 5 안테나 모듈), 제 8 안테나 모듈(1345, 예: 서브 6 안테나 모듈), 제9 안테나 모듈(1360, 예: LTE B40 안테나 모듈), 제1 와이파이 안테나 모듈(1350), 및 제2 와이파이 안테나 모듈(1355)을 포함할 수 있다.

한 실시 예로서, 와이파이(Wifi) 모듈은 와이파이 통신을 지원하는 와이파이 회로를 예로 들었지만 이에 제한하는 것은 아니다. 예를 들어, 블루투스 통신을 지원하는 블루투스 회로를 포함할 수 있다. 제1 프론트앤드는 프라이머리 프론트앤드로서 송신 회로 및 수신 회로를 포함할 수 있다. 제2 프론트앤드는 프라이머리 프론트앤드로서 수신 회로를 포함할 수 있다.

한 실시 예로서, 전자 장치(1300)는 복수의 안테나 모듈(1310~1360)을 포함하고 있어, 복수의 안테나 모듈들(1310~1360) 간의 간격이 좁게 배치될 수 있다. 따라서,

적어도 하나의 Tx 경로의 Tx 출력 신호(예: 유입 신호)가 적어도 하나의 Rx 체인으로 유입(또는 누설)될 수 있다. 전자 장치(1300)가 폴딩되지 않았을 때에는 안테나들 간에 격리가 이루어졌던 안테나들이, 전자 장치(1300)의 폴딩으로 인해 안테나들 간에 거리가 가까워져 상호간에 간섭을 일으킬 수 있다. 이와 같이, 전자 장치(1300)의 폴딩 시 안테나 격리를 확보하기 어렵고, 이에 따서 Tx 경로의 출력 신호가 Rx체인으로 유입될 수 있다. 여기서, 프로세서(예: 도 1의 프로세서(120))는 전자 장치(1300)에 배치된 근접 센서(예: 도1의 센서 모듈176)를 이용하여 전자 장치(1300)의 폴딩 및/또는 폴딩 각도를 감지할 수 있다.

본 발명의 다양한 실시 예에 따른 전자 장치(101, 300, 900, 1000, 1300), 트랜시버(320, 400, 920, 1020), 통신 모듈(190, 200), 적어도 하나의 안테나 모듈(335, 345, 355, 365), 프로세서(120) 및 메모리(130)를 포함할 수 있다. 상기 트랜시버(320, 400, 920, 1020)는 적어도 하나의 송신(Tx) 체인(410) 및 적어도 하나의 수신(Rx) 체인(420)을 포함할 수 있다. 상기 통신 모듈(190, 200)은 상기 트랜시버(320, 400, 920, 1020)와 전기적으로 연결된 복수의 프론트앤드(330, 340, 350, 360, 337, 347, 357, 367)를 포함할 수 있다. 상기 적어도 하나의 안테나 모듈(335, 345, 355, 365)은 상기 복수의 프론트앤드(330, 340, 350, 360, 337, 347, 357, 367) 각각과 연결될 수 있다. 상기 프로세서(120)는 상기 통신 모듈(190, 200)과 작동적으로 연결될 수 있다. 상기 메모리(130)는 상기 프로세서(120)와 작동적으로 연결될 수 있다. 상기 메모리(130)는, 실행 시에, 상기 프로세서(120)가, 상기 적어도 하나의 송신 체인(410)의 출력 신호의 세기에 기초하여 상기 적어도 하나의 수신(Rx) 체인(420)의 전원 변경 및/또는 회로 구동을 변경할 수 있다.

본 발명의 다양한 실시 예에 따른 전자 장치의 상기 프로세서(120)는, 상기 복수의 프론트앤드(330, 340, 350, 360, 337, 347, 357, 367) 중 제1 프론트앤드(330, 340, 350, 360, 337, 347, 357, 367)의 송신 체인(410) 체인의 출력 신호의 세기가 기 설정된 제1 기준 값보다 같거나 작은 경우, 상기 적어도 하나의 수신 체인(420)에 포함된 저잡음 증폭기(422)의 VDD(voltage drain) 전압 값을 하향 조정할 수 있다.

전자 장치(101, 300, 900, 1000, 1300)가 폴딩되는 경우, 상기 프로세서(120)는, 상기 제1 기준 값보다 작은 제2 기준 값을 설정할 수 있다. 상기 복수의 프론트앤드(330, 340, 350, 360, 337, 347, 357, 367) 중 제2 프론트앤드(330, 340, 350, 360, 337, 347, 357, 367)와 근접하는 상기 제1 프론트앤드(330, 340, 350, 360, 337, 347, 357, 367)의 송신 체인(410)의 출력 신호의 세기가 상기 제2 기준 값보다 같거나 작은 경우, 상기 적어도 하나의 수신 체인(420)에 포함된 저잡음 증폭기(422)의 VDD 전압 값을 하향 조정할 수 있다.

본 발명의 다양한 실시 예에 따른 전자 장치의 상기 프로세서(120)는, 상기 복수의 프론트앤드(330, 340, 350, 360, 337, 347, 357, 367) 중 제1 프론트앤드(330, 340, 350, 360, 337, 347, 357, 367)의 송신 체인(410)의 출력 신호의 세기가 기 설정된 제1 기준 값보다 같거나 작은 경우, 상기 적어도 하나의 수신 체인(420)에 포함된 믹서(424)의 LO(local oscillator)의 전압 값을 하향 조정할 수 있다.

전자 장치(101, 300, 900, 1000, 1300)가 폴딩되는 경우, 상기 프로세서(120)는, 상기 제1 기준 값보다 작은 제2 기준 값을 설정할 수 있다. 상기 복수의 프론트앤드(330, 340, 350, 360, 337, 347, 357, 367) 중 제2 프론트앤드(330, 340, 350, 360, 337, 347, 357, 367)와 근접하는 상기 제1 프론트앤드(330, 340, 350, 360, 337, 347, 357, 367)의 송신 체인(410)의 출력 신호의 세기가 상기 제2 기준 값보다 같거나 작은 경우, 상기 적어도 하나의 수신 체인(420)에 포함된 믹서(424)의 LO(424A)의 전압 값을 하향 조정할 수 있다.

본 발명의 다양한 실시 예에 따른 전자 장치의 상기 프로세서(120)는, 상기 복수의 프론트앤드(330, 340, 350, 360, 337, 347, 357, 367) 중 제1 프론트앤드(330, 340, 350, 360, 337, 347, 357, 367)의 송신 체인(410)의 출력 신호의 세기가 기 설정된 제1 기준 값보다 같거나 작은 경우, 상기 적어도 하나의 수신 체인(420)에 포함된 복수의 능동 저역통과 필터(426b) 중 일부를 off할 수 있다.

전자 장치(101, 300, 900, 1000, 1300)가 폴딩되는 경우, 상기 프로세서(120)는, 상기 제1 기준 값보다 작은 제2 기준 값을 설정할 수 있다. 상기 복수의 프론트앤드(330, 340, 350, 360, 337, 347, 357, 367) 중 제2 프론트앤드(330, 340, 350, 360, 337, 347, 357, 367)와 근접하는 상기 제1 프론트앤드(330, 340, 350, 360, 337, 347, 357, 367)의 송신 체인(410)의 출력 신호의 세기가 상기 제2 기준 값보다 같거나 작은 경우, 상기 적어도 하나의 수신 체인(420)에 포함된 복수의 능동 저역통과 필터(426b) 중 일부를 off할 수 있다.

본 발명의 다양한 실시 예에 따른 전자 장치의 상기 프로세서(120)는, 상기 복수의 프론트앤드(330, 340, 350, 360, 337, 347, 357, 367) 중 제1 프론트앤드(330, 340, 350, 360, 337, 347, 357, 367)의 송신 체인(410)의 출력 신호의 세기가 기 설정된 제1 기준 값보다 큰 경우, 상기 적어도 하나의 수신 체인(420)에 포함된 저잡음 증폭기(422)의 VDD 전압 값을 상향 조정하거나 또는 초기 설정된 전압 값을 유지할 수 있다.

본 발명의 다양한 실시 예에 따른 전자 장치의 상기 프로세서(120)는, 상기 복수의 프론트앤드(330, 340, 350, 360, 337, 347, 357, 367) 중 제1 프론트앤드(330, 340, 350, 360, 337, 347, 357, 367)의 송신 체인(410)의 출력 신호의 세기가 기 설정된 제1 기준 값보다 큰 경우, 상기 적어도 하나의 수신 체인(420)에 포함된 믹서(424)의 LO(424A)의 전압 값을 상향 조정하거나 또는 초기 설정된 전압 값을 유지할 수 있다.

본 발명의 다양한 실시 예에 따른 전자 장치의 상기 프로세서(120)는, 상기 복수의 프론트앤드(330, 340, 350, 360, 337, 347, 357, 367) 중 제1 프론트앤드(330, 340, 350, 360, 337, 347, 357, 367)의 송신 체인(410)의 출력 신호의 세기가 기 설정된 제1 기준 값보다 큰 경우, 상기 적어도 하나의 수신 체인(420)에 포함된 복수의 능동 저역통과 필터(426b)를 on할 수 있다.

본 발명의 다양한 실시 예에 따른 전자 장치(101, 300, 900, 1000, 1300), 와이파이 및/또는 블루투스 통신을 지원하는 근거리 통신용 프론트앤드(970)를 더 포함할 수 있다. 상기 프로세서(120)는, 상기 근거리 통신용 프론트앤드(970)의 동작 시, 상기 복수의 프론트앤드(330, 340, 350, 360, 337, 347, 357, 367) 중 상기 근거리 통신용 프론트앤드(970)와 인접한 제2 프론트앤드(330, 340, 350, 360, 337, 347, 357, 367)와 연결된 상기 트랜시버(320, 400, 920, 1020)의 수신 체인(420)에 포함된 저잡음 증폭기(422)의 VDD 전압 값을 상향 조정할 수 있다.

본 발명의 다양한 실시 예에 따른 전자 장치(101, 300, 900, 1000, 1300) 와이파이 및/또는 블루투스 통신을 지원하는 근거리 통신용 프론트앤드(970)를 더 포함할 수 있다. 상기 프로세서(120)는, 상기 근거리 통신용 프론트앤드(970)의 동작 시, 상기 복수의 프론트앤드(330, 340, 350, 360, 337, 347, 357, 367) 중 상기 근거리 통신용 프론트앤드(970)와 인접한 제2 프론트앤드(330, 340, 350, 360, 337, 347, 357, 367)와 연결된 상기 트랜시버(320, 400, 920, 1020)의 수신 체인(420)에 포함된 믹서(424)의 국부 발진기의 전압 값을 상향 조정할 수 있다.

본 발명의 다양한 실시 예에 따른 전자 장치(101, 300, 900, 1000, 1300), 와이파이 및/또는 블루투스 통신을 지원하는 근거리 통신용 프론트앤드(970)를 더 포함할 수 있다. 상기 프로세서(120)는, 상기 근거리 통신용 프론트앤드(970)의 동작 시, 상기 복수의 프론트앤드(330, 340, 350, 360, 337, 347, 357, 367) 중 상기 근거리 통신용 프론트앤드(970)와 인접한 제2 프론트앤드(330, 340, 350, 360, 337, 347, 357, 367)와 연결된 상기 트랜시버(320, 400, 920, 1020)의 수신 체인(420)에 포함된 복수의 능동 저역통과 필터(426b)를 on할 수 있다.

본 발명의 다양한 실시 예에 따른 전자 장치의 상기 복수의 프론트앤드(1030, 1040, 1050, 1060)는, LTE(long tern evolution) 통신의 송/수신 및 5G 통신의 수신을 지원하는 제1 프론트앤드(1030)와, 상기 LTE 통신의 수신 및 상기 5G 통신의 수신을 지원하는 제2 프론트앤드(1040)와, 상기 LTE 통신의 수신 및 상기 5G 통신의 송/수신을 지원하는 제3 프론트앤드(1050), 및 상기 LTE 통신의 수신 및 5G 통신의 수신을 지원하는 제4 프론트앤드(1060);를 포함할 수 있다. 상기 프로세서(120)는, 상기 제1 프론트앤드(1030)의 상기 LTE 통신과 상기 5G 통신이 유사 주파수 밴드를 이용하는 경우, 상기 제1 프론트앤드(1030)의 송신 체인(410)의 출력 신호의 세기에 기초하여 상기 적어도 하나의 수신 체인(420)의 전원 변경 및 회로 구동을 변경할 수 있다.

본 발명의 다양한 실시 예에 따른 전자 장치의 상기 프로세서(120)는, 상기 제1 프론트앤드(1030)의 LTE 통신의 송신 체인(410)의 출력 신호의 세기가 기 설정된 제3 기준 값보다 같거나 작은 경우, 상기 적어도 하나의 수신 체인(420)에 포함된 저잡음 증폭기(422)의 VDD 전압을 하향 조정할 수 있다.

본 발명의 다양한 실시 예에 따른 전자 장치의 상기 프로세서(120)는, 상기 제1 프론트앤드(1030)의 LTE 통신의 송신 체인(410)의 출력 신호의 세기가 기 설정된 제3 기준 값보다 같거나 작은 경우, 상기 적어도 하나의 수신 체인(420)에 포함된 믹서(424)의 국부 발진기의 전압 값을 하향 조정할 수 있다.

본 발명의 다양한 실시 예에 따른 전자 장치의 상기 프로세서(120)는, 상기 제1 프론트앤드(1030)의 LTE 통신의 송신 체인(410)의 출력 신호의 세기가 기 설정된 제3 기준 값보다 같거나 작은 경우, 상기 적어도 하나의 수신 체인(420)에 포함된 복수의 능동 저역통과 필터(426b) 중 일부를 off할 수 있다.

본 발명의 다양한 실시 예에 따른 전자 장치의 상기 프로세서(120)는, 상기 제1 프론트앤드(1030)의 5G 통신의 송신 체인(410)의 출력 신호의 세기가 기 설정된 제4 기준 값보다 같거나 작은 경우, 상기 적어도 하나의 수신 체인(420)에 포함된 저잡음 증폭기(422)의 VDD 전압을 하향 조정할 수 있다.

본 발명의 다양한 실시 예에 따른 전자 장치의 상기 프로세서(120)는, 상기 제1 프론트앤드(1030)의 5G 통신의 송신 체인(410)의 출력 신호의 세기가 기 설정된 제4 기준 값보다 같거나 작은 경우, 상기 적어도 하나의 수신 체인(420)에 포함된 복수의 능동 저역통과 필터(426b) 중 일부를 off할 수 있다.

본 문서에 개시된 다양한 실시 예들에 따른 전자 장치는 다양한 형태의 장치가 될 수 있다. 전자 장치는, 예P를 들면, 휴대용 통신 장치(예: 스마트폰), 컴퓨터 장치, 휴대용 멀티미디어 장치, 휴대용 의료 기기, 카메라, 웨어러블 장치, 또는 가전 장치를 포함할 수 있다. 본 문서의 실시 예에 따른 전자 장치는 전술한 기기들에 한정되지 않는다.

본 문서의 다양한 실시 예들 및 이에 사용된 용어들은 본 문서에 기재된 기술적 특징들을 특정한 실시 예들로 한정하려는 것이 아니며, 해당 실시 예의 다양한 변경, 균등물, 또는 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 도면의 설명과 관련하여, 유사한 또는 관련된 구성요소에 대해서는 유사한 참조 부호가 사용될 수 있다. 아이템에 대응하는 명사의 단수 형은 관련된 문맥상 명백하게 다르게 지시하지 않는 한, 상기 아이템 한 개 또는 복수 개를 포함할 수 있다. 본 문서에서, "A 또는 B", "A 및 B 중 적어도 하나", "A 또는 B 중 적어도 하나", "A, B 또는 C", "A, B 및 C 중 적어도 하나", 및 "A, B, 또는 C 중 적어도 하나"와 같은 문구들 각각은 그 문구들 중 해당하는 문구에 함께 나열된 항목들 중 어느 하나, 또는 그들의 모든 가능한 조합을 포함할 수 있다. "제1", "제2", 또는 "첫째", "둘째"와 같은 용어들은 단순히 해당 구성요소를 다른 해당 구성요소와 구분하기 위해 사용될 수 있으며, 해당 구성요소들을 다른 측면(예: 중요성 또는 순서)에서 한정하지 않는다. 어떤(예: 제1) 구성요소가 다른(예: 제2) 구성요소에, "기능적으로" 또는 "통신적으로"라는 용어와 함께 또는 이런 용어 없이, "커플드" 또는 "커넥티드"라고 언급된 경우, 그것은 상기 어떤 구성요소가 상기 다른 구성요소에 직접적으로(예: 유선으로), 무선으로, 또는 제3 구성요소를 통하여 연결될 수 있다는 것을 의미한다.

본 문서에서 사용된 용어 "모듈"은 하드웨어, 소프트웨어 또는 펌웨어로 구현된 유닛을 포함할 수 있으며, 예를 들면, 로직, 논리 블록, 부품, 또는 회로 등의 용어와 상호 호환적으로 사용될 수 있다. 모듈은, 일체로 구성된 부품 또는 하나 또는 그 이상의 기능을 수행하는, 상기 부품의 최소 단위 또는 그 일부가 될 수 있다. 예를 들면, 일 실시 예에 따르면, 모듈은 ASIC(application-specific integrated circuit)의 형태로 구현될 수 있다.

본 문서의 다양한 실시 예들은 기기(machine)(예: 전자 장치)에 의해 읽을 수 있는 저장 매체(storage medium)(예: 내장 메모리 또는 외장 메모리)에 저장된 하나 이상의 명령어들을 포함하는 소프트웨어(예: 프로그램)로서 구현될 수 있다. 예를 들면, 기기(예: 전자 장치)의 프로세서(예: 프로세서)는, 저장 매체로부터 저장된 하나 이상의 명령어들 중 적어도 하나의 명령을 호출하고, 그것을 실행할 수 있다. 이것은 기기가 상기 호출된 적어도 하나의 명령어에 따라 적어도 하나의 기능을 수행하도록 운영되는 것을 가능하게 한다. 상기 하나 이상의 명령어들은 컴파일러에 의해 생성된 코드 또는 인터프리터에 의해 실행될 수 있는 코드를 포함할 수 있다. 기기로 읽을 수 있는 저장 매체는, 비일시적(non-transitory) 저장 매체의 형태로 제공될 수 있다. 여기서, '비일시적'은 저장 매체가 실재(tangible)하는 장치이고, 신호(signal)(예: 전자기파)를 포함하지 않는다는 것을 의미할 뿐이며, 이 용어는 데이터가 저장 매체에 반영구적으로 저장되는 경우와 임시적으로 저장되는 경우를 구분하지 않는다.

일 실시 예에 따르면, 본 문서에 개시된 다양한 실시 예들에 따른 방법은 컴퓨터 프로그램 제품(computer program product)에 포함되어 제공될 수 있다. 컴퓨터 프로그램 제품은 상품으로서 판매자 및 구매자 간에 거래될 수 있다. 컴퓨터 프로그램 제품은 기기로 읽을 수 있는 저장 매체(예: compact disc read only memory(CD-ROM))의 형태로 배포되거나, 또는 어플리케이션 스토어(예: 플레이 스토어^TM)를 통해 또는 두개의 사용자 장치들(예: 스마트폰들) 간에 직접, 온라인으로 배포(예: 다운로드 또는 업로드)될 수 있다. 온라인 배포의 경우에, 컴퓨터 프로그램 제품의 적어도 일부는 제조사의 서버, 어플리케이션 스토어의 서버, 또는 중계 서버의 메모리와 같은 기기로 읽을 수 있는 저장 매체에 적어도 일시 저장되거나, 임시적으로 생성될 수 있다.

다양한 실시 예들에 따르면, 상기 기술한 구성요소들의 각각의 구성요소(예: 모듈 또는 프로그램)는 단수 또는 복수의 개체를 포함할 수 있다. 다양한 실시 예들에 따르면, 전술한 해당 구성요소들 중 하나 이상의 구성요소들 또는 동작들이 생략되거나, 또는 하나 이상의 다른 구성요소들 또는 동작들이 추가될 수 있다. 대체적으로 또는 추가적으로, 복수의 구성요소들(예: 모듈 또는 프로그램)은 하나의 구성요소로 통합될 수 있다. 이런 경우, 통합된 구성요소는 상기 복수의 구성요소들 각각의 구성요소의 하나 이상의 기능들을 상기 통합 이전에 상기 복수의 구성요소들 중 해당 구성요소에 의해 수행되는 것과 동일 또는 유사하게 수행할 수 있다. 다양한 실시 예들에 따르면, 모듈, 프로그램 또는 다른 구성요소에 의해 수행되는 동작들은 순차적으로, 병렬적으로, 반복적으로, 또는 휴리스틱하게 실행되거나, 상기 동작들 중 하나 이상이 다른 순서로 실행되거나, 생략되거나, 또는 하나 이상의 다른 동작들이 추가될 수 있다.

100, 101, 300: 전자 장치 120: 프로세서
190; 통신 모듈 212: 제1 CP
214: 제2 CP 222: 제1 RFIC
224: 제2 RFIC 226: 제3 RFIC
228: 제4 RFIC 232: 제1 RFFE
234: 제2 RFFE 310: 모뎀
320, 400: 트랜시버 330: 제1 프론트앤드
335: 제1 안테나 모듈 340: 제2 프론트앤드
345: 제2 안테나 모듈 350: 제3 프론트앤드
355: 제3 안테나 모듈 360: 제4 프론트앤드
365: 제4 안테나 모듈 410: Tx 체인
420: Rx 체인 422: LNA(Low Noise Amplifier)
424: 믹서 426: 베이스밴드 블록
426a: 트랜스 임피던스 증폭기 426b: 능동 저역통과 필터
426c: 가변이득 증폭기

Claims

적어도 하나의 송신(Tx) 체인 및 적어도 하나의 수신(Rx) 체인을 포함하는 트랜시버;
상기 트랜시버와 전기적으로 연결된 복수의 프론트앤드를 포함하는 통신 모듈;
상기 복수의 프론트앤드 각각과 연결된 적어도 하나의 안테나 모듈;
상기 통신 모듈과 작동적으로 연결된 프로세서; 및
상기 프로세서와 작동적으로 연결된 메모리;를 포함하고,
상기 메모리는, 실행 시에, 상기 프로세서가,
상기 적어도 하나의 송신 체인의 출력 신호의 세기에 기초하여 상기 적어도 하나의 수신(Rx) 체인의 전원 변경 및/또는 회로 구동을 변경하는,
전자 장치.
제1 항에 있어서,
상기 프로세서는,
상기 복수의 프론트앤드 중 제1 프론트앤드의 송신 체인 체인의 출력 신호의 세기가 기 설정된 제1 기준 값보다 같거나 작은 경우,
상기 적어도 하나의 수신 체인에 포함된 저잡음 증폭기의 VDD(voltage drain) 전압 값을 하향 조정하는,
전자 장치.
제2 항에 있어서,
상기 전자 장치가 폴딩되는 경우,
상기 프로세서는,
상기 제1 기준 값보다 작은 제2 기준 값을 설정하고,
상기 복수의 프론트앤드 중 제2 프론트앤드와 근접하는 상기 제1 프론트앤드의 송신 체인의 출력 신호의 세기가 상기 제2 기준 값보다 같거나 작은 경우,
상기 적어도 하나의 수신 체인에 포함된 저잡음 증폭기의 VDD 전압 값을 하향 조정하는,
전자 장치.
제1 항에 있어서,
상기 프로세서는,
상기 복수의 프론트앤드 중 제1 프론트앤드의 송신 체인의 출력 신호의 세기가 기 설정된 제1 기준 값보다 같거나 작은 경우,
상기 적어도 하나의 수신 체인에 포함된 믹서의 LO(local oscillator)의 전압 값을 하향 조정하는,
전자 장치.
제4 항에 있어서,
상기 전자 장치가 폴딩되는 경우,
상기 프로세서는,
상기 제1 기준 값보다 작은 제2 기준 값을 설정하고,
상기 복수의 프론트앤드 중 제2 프론트앤드와 근접하는 상기 제1 프론트앤드의 송신 체인의 출력 신호의 세기가 상기 제2 기준 값보다 같거나 작은 경우,
상기 적어도 하나의 수신 체인에 포함된 믹서의 LO의 전압 값을 하향 조정하는,
전자 장치.
제1 항에 있어서,
상기 프로세서는,
상기 복수의 프론트앤드 중 제1 프론트앤드의 송신 체인의 출력 신호의 세기가 기 설정된 제1 기준 값보다 같거나 작은 경우,
상기 적어도 하나의 수신 체인에 포함된 복수의 능동 저역통과 필터 중 일부를 off하는,
전자 장치.
제6 항에 있어서,
상기 전자 장치가 폴딩되는 경우,
상기 프로세서는,
상기 제1 기준 값보다 작은 제2 기준 값을 설정하고,
상기 복수의 프론트앤드 중 제2 프론트앤드와 근접하는 상기 제1 프론트앤드의 송신 체인의 출력 신호의 세기가 상기 제2 기준 값보다 같거나 작은 경우,
상기 적어도 하나의 수신 체인에 포함된 복수의 능동 저역통과 필터 중 일부를 off하는,
전자 장치.
제1 항에 있어서,
상기 프로세서는,
상기 복수의 프론트앤드 중 제1 프론트앤드의 송신 체인의 출력 신호의 세기가 기 설정된 제1 기준 값보다 큰 경우,
상기 적어도 하나의 수신 체인에 포함된 저잡음 증폭기의 VDD 전압 값을 상향 조정하거나 또는 초기 설정된 전압 값을 유지하는,
전자 장치.
제1 항에 있어서,
상기 프로세서는,
상기 복수의 프론트앤드 중 제1 프론트앤드의 송신 체인의 출력 신호의 세기가 기 설정된 제1 기준 값보다 큰 경우,
상기 적어도 하나의 수신 체인에 포함된 믹서의 LO의 전압 값을 상향 조정하거나 또는 초기 설정된 전압 값을 유지하는,
전자 장치.
제1 항에 있어서,
상기 프로세서는,
상기 복수의 프론트앤드 중 제1 프론트앤드의 송신 체인의 출력 신호의 세기가 기 설정된 제1 기준 값보다 큰 경우,
상기 적어도 하나의 수신 체인에 포함된 복수의 능동 저역통과 필터를 on하는,
전자 장치.
제1 항에 있어서,
와이파이 및/또는 블루투스 통신을 지원하는 근거리 통신용 프론트앤드를 더 포함하고,
상기 프로세서는, 상기 근거리 통신용 프론트앤드의 동작 시,
상기 복수의 프론트앤드 중 상기 근거리 통신용 프론트앤드와 인접한 제2 프론트앤드와 연결된 상기 트랜시버의 수신 체인에 포함된 저잡음 증폭기의 VDD 전압 값을 상향 조정하는,
전자 장치.
제1 항에 있어서,
와이파이 및/또는 블루투스 통신을 지원하는 근거리 통신용 프론트앤드를 더 포함하고,
상기 프로세서는, 상기 근거리 통신용 프론트앤드의 동작 시,
상기 복수의 프론트앤드 중 상기 근거리 통신용 프론트앤드와 인접한 제2 프론트앤드와 연결된 상기 트랜시버의 수신 체인에 포함된 믹서의 국부 발진기의 전압 값을 상향 조정하는,
전자 장치.
제1 항에 있어서,
와이파이 및/또는 블루투스 통신을 지원하는 근거리 통신용 프론트앤드를 더 포함하고,
상기 프로세서는, 상기 근거리 통신용 프론트앤드의 동작 시,
상기 복수의 프론트앤드 중 상기 근거리 통신용 프론트앤드와 인접한 제2 프론트앤드와 연결된 상기 트랜시버의 수신 체인에 포함된 복수의 능동 저역통과 필터를 on하는,
전자 장치.
제1 항에 있어서,
상기 복수의 프론트앤드는,
LTE(long tern evolution) 통신의 송/수신 및 5G 통신의 수신을 지원하는 제1 프론트앤드;
상기 LTE 통신의 수신 및 상기 5G 통신의 수신을 지원하는 제2 프론트앤드;
상기 LTE 통신의 수신 및 상기 5G 통신의 송/수신을 지원하는 제3 프론트앤드; 및
상기 LTE 통신의 수신 및 5G 통신의 수신을 지원하는 제4 프론트앤드;를 포함하고,
상기 프로세서는,
상기 제1 프론트앤드의 상기 LTE 통신과 상기 5G 통신이 유사 주파수 밴드를 이용하는 경우,
상기 제1 프론트앤드의 송신 체인의 출력 신호의 세기에 기초하여 상기 적어도 하나의 수신 체인의 전원 변경 및 회로 구동을 변경하는,
전자 장치.
제14 항에 있어서,
상기 프로세서는,
상기 제1 프론트앤드의 LTE 통신의 송신 체인의 출력 신호의 세기가 기 설정된 제3 기준 값보다 같거나 작은 경우,
상기 적어도 하나의 수신 체인에 포함된 저잡음 증폭기의 VDD 전압을 하향 조정하는,
전자 장치.
제14 항에 있어서,
상기 프로세서는,
상기 제1 프론트앤드의 LTE 통신의 송신 체인의 출력 신호의 세기가 기 설정된 제3 기준 값보다 같거나 작은 경우,
상기 적어도 하나의 수신 체인에 포함된 믹서의 국부 발진기의 전압 값을 하향 조정하는,
전자 장치.
제14 항에 있어서,
상기 프로세서는,
상기 제1 프론트앤드의 LTE 통신의 송신 체인의 출력 신호의 세기가 기 설정된 제3 기준 값보다 같거나 작은 경우,
상기 적어도 하나의 수신 체인에 포함된 복수의 능동 저역통과 필터 중 일부를 off하는,
전자 장치.
제14 항에 있어서,
상기 프로세서는,
상기 제1 프론트앤드의 5G 통신의 송신 체인의 출력 신호의 세기가 기 설정된 제4 기준 값보다 같거나 작은 경우,
상기 적어도 하나의 수신 체인에 포함된 저잡음 증폭기의 VDD 전압을 하향 조정하는,
전자 장치.
제14 항에 있어서,
상기 프로세서는,
상기 제1 프론트앤드의 5G 통신의 송신 체인의 출력 신호의 세기가 기 설정된 제4 기준 값보다 같거나 작은 경우,
상기 적어도 하나의 수신 체인에 포함된 저잡음 증폭기의 VDD 전압을 하향 조정하는,
전자 장치.
제14 항에 있어서,
상기 프로세서는,
상기 제1 프론트앤드의 5G 통신의 송신 체인의 출력 신호의 세기가 기 설정된 제4 기준 값보다 같거나 작은 경우,
상기 적어도 하나의 수신 체인에 포함된 복수의 능동 저역통과 필터 중 일부를 off하는,
전자 장치.