KR20210137041A - Adhesive composition, film-like adhesive, adhesive sheet, and method for manufacturing a semiconductor device - Google Patents

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KR20210137041A
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신타로 하시모토
타츠야 야하타
코헤이 타니구치
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쇼와덴코머티리얼즈가부시끼가이샤
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Abstract

열경화성 수지와, 경화제와, 엘라스토머와, 무기 필러를 함유하고, 경화제가 지환식 환을 갖는 페놀 수지를 포함하며, 엘라스토머의 함유량이, 열경화성 수지 100질량부에 대하여, 10~80질량부인, 접착제 조성물이 개시된다. 또, 이와 같은 접착제 조성물을 이용한 필름상 접착제가 개시된다. 또한, 이와 같은 필름상 접착제를 이용한 접착 시트 및 반도체 장치의 제조 방법이 개시된다.An adhesive composition containing a thermosetting resin, a curing agent, an elastomer, and an inorganic filler, wherein the curing agent contains a phenol resin having an alicyclic ring, and the content of the elastomer is 10 to 80 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the thermosetting resin. This is initiated. Moreover, the film-form adhesive agent using such an adhesive composition is disclosed. Moreover, the manufacturing method of the adhesive sheet and semiconductor device using such a film adhesive is disclosed.

Description

접착제 조성물, 필름상 접착제, 접착 시트, 및 반도체 장치의 제조 방법Adhesive composition, film-like adhesive, adhesive sheet, and method for manufacturing a semiconductor device

본 발명은, 접착제 조성물, 필름상 접착제, 접착 시트, 및 반도체 장치의 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to an adhesive composition, a film adhesive, an adhesive sheet, and a method for manufacturing a semiconductor device.

종래, 반도체 칩과 반도체 칩 탑재용 지지 부재의 접합에는, 주로 은 페이스트가 사용되고 있다. 그러나, 최근의 반도체 칩의 소형화, 집적화 등에 따라, 사용되는 지지 부재에도 소형화, 세밀화 등이 요구되도록 되고 있다. 한편, 은 페이스트를 이용하는 경우에서는, 페이스트의 돌출 또는 반도체 칩의 기울어짐에 기인하는 와이어 본딩 시에 있어서의 트러블의 발생, 막두께 제어의 곤란성, 보이드 발생 등의 문제가 발생하는 경우가 있다.DESCRIPTION OF RELATED ART Conventionally, silver paste is mainly used for bonding of a semiconductor chip and the support member for semiconductor chip mounting. However, in accordance with the recent miniaturization and integration of semiconductor chips, miniaturization, miniaturization, etc. are required for the supporting member used. On the other hand, in the case of using a silver paste, problems such as occurrence of trouble at the time of wire bonding due to protrusion of the paste or inclination of the semiconductor chip, difficulty in controlling the film thickness, and generation of voids may occur.

그 때문에, 최근, 반도체 칩과 지지 부재를 접합하기 위한 필름상 접착제가 사용되고 있다(예를 들면, 특허문헌 1 참조). 다이싱 테이프와 다이싱 테이프 상에 적층된 필름상 접착제를 구비하는 접착 시트를 이용하는 경우, 반도체 웨이퍼의 이면에 필름상 접착제를 첩부하고, 다이싱에 의하여 반도체 웨이퍼를 개편화함으로써, 필름상 접착제 부착 반도체 칩을 얻을 수 있다. 얻어진 필름상 접착제 부착 반도체 칩은, 필름상 접착제를 개재하여 지지 부재에 첩부하고, 열압착에 의하여 접합할 수 있다.Therefore, in recent years, the film adhesive for bonding a semiconductor chip and a support member is used (for example, refer patent document 1). When using an adhesive sheet comprising a dicing tape and a film adhesive laminated on the dicing tape, the film adhesive is adhered to the back surface of the semiconductor wafer, and the semiconductor wafer is divided into pieces by dicing, thereby attaching the film adhesive semiconductor chips can be obtained. The obtained semiconductor chip with a film adhesive can be affixed to a support member via a film adhesive, and can be joined by thermocompression bonding.

특허문헌 1: 일본 공개특허공보 2007-053240호Patent Document 1: Japanese Patent Application Laid-Open No. 2007-053240

그러나, 반도체 칩의 사이즈가 작아짐에 따라, 열압착 시에 단위 면적당에 가해지는 힘이 커져, 필름상 접착제가 반도체 칩으로부터 돌출되는, 블리드라는 현상이 발생하는 경우가 있다.However, as the size of the semiconductor chip decreases, the force applied per unit area at the time of thermocompression bonding increases, and a phenomenon called bleed may occur in which the film adhesive protrudes from the semiconductor chip.

또, 필름상 접착제를 와이어 매립형 필름상 접착제인 FOW(Film Over Wire) 또는 반도체 칩 매립형 필름상 접착제인 FOD(Film Over Die)로서 이용하는 경우는, 매립성을 향상시키는 관점에서, 열압착 시에 높은 유동성이 요구된다. 그 때문에, 블리드의 발생 빈도 및 양이 더 증대하는 경향이 있다. 경우에 따라서는, 블리드가 반도체 칩 상면에까지 발생하는 경우가 있으며, 이로써, 전기 불량 또는 와이어 본딩 불량으로 이어질 우려가 있다.In addition, when the film adhesive is used as FOW (Film Over Wire), which is a wire embedded film adhesive, or FOD (Film Over Die), which is a semiconductor chip embedded film adhesive, from the viewpoint of improving embedding properties, high Liquidity is required. Therefore, there is a tendency for the occurrence frequency and amount of bleed to further increase. In some cases, bleed may even occur on the upper surface of the semiconductor chip, which may lead to electrical failure or wire bonding failure.

본 발명은, 이와 같은 실정을 감안하여 이루어진 것이며, 열압착 시에 양호한 매립성을 가지면서, 블리드를 억제하는 것이 가능한 접착제 조성물을 제공하는 것을 주된 목적으로 한다.The present invention was made in view of such a situation, and its main object is to provide an adhesive composition capable of suppressing bleed while having good embedding properties at the time of thermocompression bonding.

본 발명의 일 측면은, 접착제 조성물을 제공한다. 당해 접착제 조성물은, 열경화성 수지와, 경화제와, 엘라스토머와, 무기 필러를 함유한다. 경화제는 지환식 환을 갖는 페놀 수지를 포함한다. 엘라스토머의 함유량은, 열경화성 수지 100질량부에 대하여, 10~80질량부이다. 이와 같은 접착제 조성물에 의하면, 열압착 시에 양호한 매립성을 가지면서, 블리드를 억제하는 것이 가능해진다.One aspect of the present invention provides an adhesive composition. The said adhesive composition contains a thermosetting resin, a hardening|curing agent, an elastomer, and an inorganic filler. The curing agent includes a phenol resin having an alicyclic ring. Content of an elastomer is 10-80 mass parts with respect to 100 mass parts of thermosetting resins. According to such an adhesive composition, it becomes possible to suppress bleed, having favorable embedding property at the time of thermocompression bonding.

열경화성 수지는, 에폭시 수지여도 된다. 에폭시 수지는, 비스페놀 F형 에폭시 수지를 포함하고 있어도 된다.An epoxy resin may be sufficient as a thermosetting resin. The epoxy resin may contain the bisphenol F-type epoxy resin.

엘라스토머는, 아크릴 수지여도 된다.An acrylic resin may be sufficient as an elastomer.

무기 필러는, 실리카여도 된다. 무기 필러의 함유량은, 접착제 조성물 전체량을 기준으로 하여, 25질량% 이상이어도 된다.Silica may be sufficient as an inorganic filler. 25 mass % or more may be sufficient as content of an inorganic filler on the basis of the adhesive composition whole quantity.

열경화성 수지, 경화제, 엘라스토머, 및 무기 필러의 합계의 함유량은, 접착제 조성물 전체량을 기준으로 하여, 95질량% 이상이어도 된다.95 mass % or more may be sufficient as content of the sum total of a thermosetting resin, a hardening|curing agent, an elastomer, and an inorganic filler on the basis of the adhesive composition whole quantity.

접착제 조성물은, 경화 촉진제를 더 함유하고 있어도 된다.The adhesive composition may further contain a hardening accelerator.

접착제 조성물은, 기판 상에 제1 와이어를 개재하여 제1 반도체 소자가 와이어 본딩 접속됨과 함께, 제1 반도체 소자 상에, 제2 반도체 소자가 압착되어 이루어지는 반도체 장치에 있어서, 제2 반도체 소자를 압착함과 함께 제1 와이어의 적어도 일부를 매립하기 위하여 이용되는 것이어도 된다.The adhesive composition is a semiconductor device in which a first semiconductor element is wire-bonded on a substrate via a first wire and a second semiconductor element is crimped onto the first semiconductor element. WHEREIN: In addition, it may be used for embedding at least a part of the first wire.

본 발명은 또한, 열경화성 수지와 경화제와 엘라스토머를 함유하고, 경화제가 지환식 환을 갖는 페놀 수지를 포함하는 조성물의, 기판 상에 제1 와이어를 개재하여 제1 반도체 소자가 와이어 본딩 접속됨과 함께, 제1 반도체 소자 상에, 제2 반도체 소자가 압착되어 이루어지는 반도체 장치에 있어서, 제2 반도체 소자를 압착함과 함께 제1 와이어의 적어도 일부를 매립하기 위하여 이용되는, 접착제로서의 응용 또는 접착제의 제조를 위한 응용에 관한 것이어도 된다.The present invention also provides a composition comprising a thermosetting resin, a curing agent, and an elastomer, wherein the curing agent includes a phenol resin having an alicyclic ring, a first semiconductor element is wire-bonded through a first wire on a substrate; In a semiconductor device in which a second semiconductor element is crimped onto a first semiconductor element, application as an adhesive or production of an adhesive used to bury at least a part of a first wire while crimping the second semiconductor element It may be related to the application for

본 발명의 다른 일 측면은, 상술한 접착제 조성물을 필름상으로 형성하여 이루어지는 필름상 접착제를 제공한다.Another aspect of the present invention provides a film adhesive formed by forming the above-described adhesive composition in a film shape.

본 발명의 다른 일 측면은, 기재와 기재 상에 마련된 상술한 필름상 접착제를 구비하는 접착 시트를 제공한다.Another aspect of the present invention provides an adhesive sheet comprising a substrate and the above-described film-like adhesive provided on the substrate.

기재는, 다이싱 테이프여도 된다. 또한, 본 명세서에 있어서, 기재가 다이싱 테이프인 접착 시트를 "다이싱 다이본딩 일체형 접착 시트"라고 하는 경우가 있다.A dicing tape may be sufficient as a base material. In addition, in this specification, the adhesive sheet whose base material is a dicing tape may be called "dicing die-bonding integrated adhesive sheet".

접착 시트는, 필름상 접착제의 기재와는 반대 측의 면에 적층된 보호 필름을 더 구비해도 된다.The adhesive sheet may further comprise the protective film laminated|stacked on the surface on the opposite side to the base material of the film adhesive.

본 발명의 다른 일 측면은, 기판 상에 제1 와이어를 개재하여 제1 반도체 소자를 전기적으로 접속하는 와이어 본딩 공정과, 제2 반도체 소자의 편면에, 상술한 필름상 접착제를 첩부하는 래미네이트 공정과, 필름상 접착제가 첩부된 제2 반도체 소자를, 필름상 접착제를 개재하여 압착함으로써, 제1 와이어의 적어도 일부를 필름상 접착제에 매립하는 다이본드 공정을 구비하는, 반도체 장치의 제조 방법을 제공한다.Another aspect of the present invention is a wire bonding process of electrically connecting a first semiconductor element on a substrate via a first wire, and a lamination process of attaching the above-described film-like adhesive to one side of the second semiconductor element. and a die bonding step of embedding at least a part of the first wire in the film adhesive by crimping the second semiconductor element to which the film adhesive is affixed through the film adhesive. do.

또한, 반도체 장치는, 반도체 기판 상에 제1 와이어를 개재하여 제1 반도체 칩이 와이어 본딩 접속됨과 함께, 제1 반도체 칩 상에, 제2 반도체 칩이 접착 필름을 개재하여 압착됨으로써, 제1 와이어의 적어도 일부가 접착 필름에 매립되어 이루어지는 와이어 매립형의 반도체 장치여도 되고, 제1 와이어 및 제1 반도체 칩이 접착 필름에 매립되어 이루어지는 칩 매립형의 반도체 장치여도 된다.Moreover, in a semiconductor device, while a 1st semiconductor chip is wire-bonded through a 1st wire on a semiconductor substrate, a 2nd semiconductor chip is crimped|bonded on a 1st semiconductor chip via an adhesive film, so that a 1st wire may be a wire-embedded semiconductor device in which at least a part is embedded in an adhesive film, or a chip-embedded semiconductor device in which a first wire and a first semiconductor chip are embedded in an adhesive film.

본 발명에 의하면, 열압착 시에 양호한 매립성을 가지면서, 블리드를 억제하는 것이 가능한 접착제 조성물이 제공된다. 그 때문에, 당해 접착제 조성물을 필름상으로 형성하여 이루어지는 필름상 접착제는, 반도체 칩 매립형 필름상 접착제인 FOD(Film Over Die) 또는 와이어 매립형 필름상 접착제인 FOW(Film Over Wire)로서 유용해질 수 있다. 또, 본 발명에 의하면, 이와 같은 필름상 접착제를 이용한 접착 시트 및 반도체 장치의 제조 방법이 제공된다.ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the adhesive composition which can suppress bleed while having favorable embedding property at the time of thermocompression bonding is provided. Therefore, the film adhesive formed by forming the adhesive composition in a film form can be useful as FOD (Film Over Die), which is a semiconductor chip embedded film adhesive, or FOW (Film Over Wire), which is a wire embedded film adhesive. Moreover, according to this invention, the manufacturing method of the adhesive sheet and semiconductor device using such a film adhesive is provided.

도 1은 일 실시형태에 관한 필름상 접착제를 나타내는 모식 단면도이다.
도 2는 일 실시형태에 관한 접착 시트를 나타내는 모식 단면도이다.
도 3은 다른 실시형태에 관한 접착 시트를 나타내는 모식 단면도이다.
도 4는 일 실시형태에 관한 반도체 장치를 나타내는 모식 단면도이다.
도 5는 일 실시형태에 관한 반도체 장치의 제조 방법의 일련의 공정을 나타내는 모식 단면도이다.
도 6은 일 실시형태에 관한 반도체 장치의 제조 방법의 일련의 공정을 나타내는 모식 단면도이다.
도 7은 일 실시형태에 관한 반도체 장치의 제조 방법의 일련의 공정을 나타내는 모식 단면도이다.
도 8은 일 실시형태에 관한 반도체 장치의 제조 방법의 일련의 공정을 나타내는 모식 단면도이다.
도 9는 일 실시형태에 관한 반도체 장치의 제조 방법의 일련의 공정을 나타내는 모식 단면도이다.
BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS It is a schematic sectional drawing which shows the film adhesive which concerns on one Embodiment.
2 is a schematic cross-sectional view showing an adhesive sheet according to an embodiment.
3 is a schematic cross-sectional view showing an adhesive sheet according to another embodiment.
4 is a schematic cross-sectional view showing a semiconductor device according to an embodiment.
5 is a schematic cross-sectional view showing a series of steps of a method for manufacturing a semiconductor device according to an embodiment.
6 is a schematic cross-sectional view showing a series of steps of a method for manufacturing a semiconductor device according to an embodiment.
7 is a schematic cross-sectional view showing a series of steps of a method for manufacturing a semiconductor device according to an embodiment.
8 is a schematic cross-sectional view showing a series of steps of a method for manufacturing a semiconductor device according to an embodiment.
9 is a schematic cross-sectional view showing a series of steps of a method for manufacturing a semiconductor device according to an embodiment.

이하, 도면을 적절히 참조하면서, 본 발명의 실시형태에 대하여 설명한다. 단, 본 발명은 이하의 실시형태에 한정되는 것은 아니다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, embodiment of this invention is described, referring drawings suitably. However, this invention is not limited to the following embodiment.

본 명세서에 있어서, (메트)아크릴산은 아크릴산 또는 그에 대응하는 메타크릴산을 의미한다. (메트)아크릴로일기 등의 다른 유사 표현에 대해서도 동일하다.In the present specification, (meth)acrylic acid means acrylic acid or methacrylic acid corresponding thereto. The same applies to other analogous expressions such as (meth)acryloyl group.

[접착제 조성물][Adhesive composition]

본 실시형태에 관한 접착제 조성물은, (A) 열경화성 수지와, (B) 경화제와, (C) 엘라스토머와, (D) 무기 필러를 함유한다. 접착제 조성물은, 열경화성이며, 반(半)경화(B 스테이지) 상태를 거쳐, 경화 처리 후에 완전 경화물(C 스테이지) 상태가 될 수 있다.The adhesive composition which concerns on this embodiment contains (A) thermosetting resin, (B) hardening|curing agent, (C) elastomer, and (D) inorganic filler. The adhesive composition is thermosetting and can be in a fully cured product (C stage) state after a curing treatment through a semi-cured (B-stage) state.

<(A) 성분: 열경화성 수지><(A) component: thermosetting resin>

(A) 성분은, 접착성의 관점에서, 에폭시 수지여도 된다. 에폭시 수지는, 분자 내에 에폭시기를 갖는 화합물이면 특별히 제한되지 않고 이용할 수 있다. 에폭시 수지로서는, 예를 들면, 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비스페놀 F형 에폭시 수지, 비스페놀 S형 에폭시 수지, 페놀 노볼락형 에폭시 수지, 크레졸 노볼락형 에폭시 수지, 비스페놀 A 노볼락형 에폭시 수지, 비스페놀 F 노볼락형 에폭시 수지, 스틸벤형 에폭시 수지, 트라이아진 골격 함유 에폭시 수지, 플루오렌 골격 함유 에폭시 수지, 트라이페놀메테인형 에폭시 수지, 바이페닐형 에폭시 수지, 자일릴렌형 에폭시 수지, 바이페닐아랄킬형 에폭시 수지, 나프탈렌형 에폭시 수지, 지환식 환을 갖는 에폭시 수지 등을 들 수 있다. 이들은, 1종을 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 이용해도 된다. 이들 중에서도, 에폭시 수지는, 비스페놀 F형 에폭시 수지를 포함하고 있어도 된다. 에폭시 수지가, 비스페놀 F형 에폭시 수지를 포함함으로써, 매립성이 향상되는 경향이 있다. 또, 에폭시 수지는, 유동성의 관점에서, 지환식 환을 갖는 에폭시 수지를 포함하고 있어도 되고, 지환식 환을 갖는 에폭시 수지는, 다이사이클로펜타다이엔형 에폭시 수지(다이사이클로펜타다이엔 구조를 갖는 에폭시 수지)여도 된다.(A) An epoxy resin may be sufficient as a component from an adhesive viewpoint. The epoxy resin can be used without particular limitation as long as it is a compound having an epoxy group in the molecule. Examples of the epoxy resin include bisphenol A epoxy resin, bisphenol F epoxy resin, bisphenol S epoxy resin, phenol novolak epoxy resin, cresol novolak epoxy resin, bisphenol A novolak epoxy resin, bisphenol F Novolak-type epoxy resin, stilbene-type epoxy resin, triazine skeleton-containing epoxy resin, fluorene skeleton-containing epoxy resin, triphenolmethane-type epoxy resin, biphenyl-type epoxy resin, xylylene-type epoxy resin, biphenyl aralkyl-type epoxy resin , a naphthalene-type epoxy resin, an epoxy resin having an alicyclic ring, and the like. These may be used individually by 1 type or in combination of 2 or more type. Among these, the epoxy resin may contain the bisphenol F-type epoxy resin. When an epoxy resin contains a bisphenol F-type epoxy resin, there exists a tendency for embedding property to improve. Moreover, the epoxy resin may contain the epoxy resin which has an alicyclic ring from a fluid viewpoint, and the epoxy resin which has an alicyclic ring is a dicyclopentadiene type epoxy resin (having a dicyclopentadiene structure epoxy resin).

(A) 성분의 에폭시 당량은, 특별히 제한되지 않지만, 90~600g/eq, 100~500g/eq, 또는 120~450g/eq여도 된다. (A) 성분의 에폭시 당량이 이와 같은 범위에 있으면, 양호한 반응성과 유동성이 얻어지는 경향이 있다. (A) 성분이 비스페놀 F형 에폭시 수지를 포함하는 경우, 비스페놀 F형 에폭시 수지의 에폭시 당량은, 매립성의 관점에서, 180g/eq 미만이어도 되고, 170g/eq 또는 160g/eq 이하여도 된다. 비스페놀 F형 에폭시 수지의 에폭시 당량은, 90g/eq 이상, 100g/eq 이상, 또는 120g/eq 이상이어도 된다.Although the epoxy equivalent in particular of (A) component is not restrict|limited, 90-600 g/eq, 100-500 g/eq, or 120-450 g/eq may be sufficient. (A) When the epoxy equivalent of component exists in such a range, there exists a tendency for favorable reactivity and fluidity|liquidity to be acquired. (A) When component contains a bisphenol F-type epoxy resin, the epoxy equivalent of a bisphenol F-type epoxy resin may be less than 180 g/eq from a viewpoint of embedding property, and 170 g/eq or 160 g/eq or less may be sufficient as it. The epoxy equivalent of the bisphenol F-type epoxy resin may be 90 g/eq or more, 100 g/eq or more, or 120 g/eq or more.

<(B) 성분: 경화제><(B) component: curing agent>

(B) 성분은, 지환식 환을 갖는 페놀 수지 (B-1)을 포함한다.(B) Component contains the phenol resin (B-1) which has an alicyclic ring.

(B-1) 성분은, 분자 내에 지환식 환 및 수산기를 갖는 화합물이다. 수산기는, 당해 화합물의 지환식 환 또는 지환식 환 이외의 부위에, 단결합 또는 연결기(예를 들면, 알킬렌기, 옥시알킬렌기 등)를 개재하여 결합되어 있어도 된다. 경화제로서 (B-1) 성분을 포함함으로써, 열압착 시에 양호한 매립성을 가지면서, 블리드를 억제하는 것이 가능해진다.(B-1) A component is a compound which has an alicyclic ring and a hydroxyl group in a molecule|numerator. The hydroxyl group may be bonded to an alicyclic ring or a site other than the alicyclic ring of the compound via a single bond or a linking group (eg, an alkylene group, an oxyalkylene group, etc.). By including component (B-1) as a hardening|curing agent, it becomes possible to suppress bleed, having favorable embedding property at the time of thermocompression bonding.

(B-1) 성분은, 예를 들면, 하기 일반식 (1)로 나타나는 페놀 수지여도 된다.(B-1) The phenol resin represented by the following general formula (1) may be sufficient as a component, for example.

[화학식 1][Formula 1]

Figure pct00001
Figure pct00001

식 (1) 중, E는 지환식 환을 나타내고, G는 단결합 또는 알킬렌기를 나타내며, R1은 각각 독립적으로 수소 원자 또는 1가의 탄화 수소기를 나타낸다. n1은 1~10의 정수를 나타내고, m은 1~3의 정수를 나타낸다.In the formula (1), E represents an alicyclic ring, G represents a single bond or an alkylene group, and R 1 each independently represents a hydrogen atom or a monovalent hydrocarbon group. n1 represents the integer of 1-10, m represents the integer of 1-3.

E의 탄소 원자수는, 4~12, 5~11, 또는 6~10이어도 된다. E는, 단환이어도 되고, 다환이어도 되지만, 다환인 것이 바람직하고, 다이사이클로펜타다이엔환인 것이 보다 바람직하다. G에 있어서의 알킬렌기는, 메틸렌기, 에틸렌기, 프로필렌기, 뷰틸렌기, 펜틸렌기 등의 탄소수 1~5의 알킬렌기여도 된다. G는, 단결합인 것이 바람직하다. R1에 있어서의 1가의 탄화 수소기는, 예를 들면, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 뷰틸기, 펜틸기 등의 알킬기, 페닐기, 나프틸기 등의 아릴기, 피리딜기 등의 헤테로아릴기여도 된다. R1은, 수소 원자인 것이 바람직하다.The number of carbon atoms of E may be 4-12, 5-11, or 6-10. Although monocyclic or polycyclic may be sufficient as E, it is preferable that it is polycyclic, and it is more preferable that it is a dicyclopentadiene ring. The alkylene group in G may be a C1-C5 alkylene group, such as a methylene group, an ethylene group, a propylene group, a butylene group, and a pentylene group. It is preferable that G is a single bond. The monovalent hydrocarbon group for R 1 may be, for example, an alkyl group such as a methyl group, an ethyl group, a propyl group, a butyl group, or a pentyl group, an aryl group such as a phenyl group or a naphthyl group, or a heteroaryl group such as a pyridyl group. It is preferable that R<1> is a hydrogen atom.

일반식 (1)로 나타나는 페놀 수지는, 하기 일반식 (1a)로 나타나는 페놀 수지여도 된다.The phenol resin represented by the following general formula (1a) may be sufficient as the phenol resin represented by General formula (1).

[화학식 2][Formula 2]

Figure pct00002
Figure pct00002

식 (1a) 중, n1은 상기와 동일한 의미이다.In formula (1a), n1 has the same meaning as above.

일반식 (1a)로 나타나는 에폭시 수지의 시판품으로서는, 예를 들면, J-DPP-85, J-DPP-95, J-DPP-115(모두 JFE 케미컬 주식회사제) 등을 들 수 있다.As a commercial item of the epoxy resin represented by General formula (1a), J-DPP-85, J-DPP-95, J-DPP-115 (all are the JFE Chemical Corporation make) etc. are mentioned, for example.

(B-1) 성분의 수산기 당량은, 특별히 제한되지 않지만, 80~400g/eq, 90~350g/eq, 또는 100~300g/eq여도 된다. (B-1) 성분의 수산기 당량이 이와 같은 범위에 있으면, 양호한 반응성 및 유동성이 얻어지는 경향이 있다.(B-1) Although the hydroxyl equivalent in particular of a component is not restrict|limited, 80-400 g/eq, 90-350 g/eq, or 100-300 g/eq may be sufficient. (B-1) When the hydroxyl equivalent of a component exists in such a range, there exists a tendency for favorable reactivity and fluidity|liquidity to be acquired.

(B-1) 성분의 함유량은, 접착제 조성물 전체량을 기준으로 하여, 5질량% 이상, 10질량% 이상, 또는 15질량% 이상이어도 된다. (B-1) 성분의 함유량은, 접착제 조성물 전체량을 기준으로 하여, 5질량% 이상이면, 열압착 시에 보다 양호한 매립성을 가지면서, 블리드를 양호하게 억제할 수 있는 경향이 있다. (B-1) 성분의 함유량은, 접착제 조성물 전체량을 기준으로 하여, 50질량% 이하, 40질량% 이하, 또는 30질량% 이하여도 된다.(B-1) Content of the component may be 5 mass % or more, 10 mass % or more, or 15 mass % or more on the basis of the adhesive composition whole quantity. (B-1) When content of component is 5 mass % or more on the basis of the adhesive composition whole quantity as a reference, there exists a tendency which can suppress bleed favorably, having better embedding property at the time of thermocompression bonding. (B-1) Content of component may be 50 mass % or less, 40 mass % or less, or 30 mass % or less on the basis of the adhesive composition whole quantity as a reference.

(B) 성분은, (B-1) 성분에 더하여, 지환식 환을 갖지 않는 페놀 수지 (B-2)를 더 포함하고 있어도 된다. (B-2) 성분으로서는, 예를 들면, 예를 들면, 페놀, 크레졸, 레조신, 카테콜, 비스페놀 A, 비스페놀 F, 페닐페놀, 아미노페놀 등의 페놀류 및/또는 α-나프톨, β-나프톨, 다이하이드록시나프탈렌 등의 나프톨류와 폼알데하이드 등의 알데하이드기를 갖는 화합물을 산성 촉매하에서 축합 또는 공축합시켜 얻어지는 노볼락형 페놀 수지, 알릴화 비스페놀 A, 알릴화 비스페놀 F, 알릴화 나프탈렌다이올, 페놀 노볼락, 페놀 등의 페놀류 및/또는 나프톨류와 다이메톡시파라자일렌 또는 비스(메톡시메틸)바이페닐로부터 합성되는 페놀아랄킬 수지, 나프톨아랄킬 수지, 바이페닐아랄킬형 페놀 수지, 페닐아랄킬형 페놀 수지 등을 들 수 있다. 이들은, 1종을 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 이용해도 된다.(B) component may further contain the phenol resin (B-2) which does not have an alicyclic ring in addition to (B-1) component. As the component (B-2), for example, phenols such as phenol, cresol, resorcin, catechol, bisphenol A, bisphenol F, phenylphenol, aminophenol and/or α-naphthol, β-naphthol , Novolac-type phenol resin obtained by condensing or co-condensing naphthols such as dihydroxynaphthalene and a compound having an aldehyde group such as formaldehyde under an acidic catalyst, allylated bisphenol A, allylated bisphenol F, allylated naphthalenediol, phenol Phenol aralkyl resin, naphthol aralkyl resin, biphenyl aralkyl type phenol resin, phenyl aralkyl synthesized from phenols and/or naphthols such as novolac and phenol and dimethoxyparaxylene or bis(methoxymethyl)biphenyl Kill type phenol resin etc. are mentioned. These may be used individually by 1 type or in combination of 2 or more type.

(B-2) 성분의 수산기 당량은, 특별히 제한되지 않지만, 80~400g/eq, 90~350g/eq, 또는 100~300g/eq여도 된다. (B-1) 성분의 수산기 당량이 이와 같은 범위에 있으면, 양호한 반응성 및 유동성이 얻어지는 경향이 있다.(B-2) Although the hydroxyl equivalent in particular of a component is not restrict|limited, 80-400 g/eq, 90-350 g/eq, or 100-300 g/eq may be sufficient. (B-1) When the hydroxyl equivalent of a component exists in such a range, there exists a tendency for favorable reactivity and fluidity|liquidity to be acquired.

(B-1) 성분의 함유량은, (B) 성분 전체량을 기준으로 하여, 50~100질량%여도 된다. (B-1) 성분의 함유량은, (B) 성분 전체량을 기준으로 하여, 60질량% 이상 또는 70질량% 이상이어도 된다. (B-2) 성분의 함유량은, (B) 성분 전체량을 기준으로 하여, 0~50질량%여도 된다. (B-2) 성분의 함유량은, (B) 성분 전체량을 기준으로 하여, 40질량% 이하 또는 30질량% 이하여도 된다.(B-1) Content of component may be 50-100 mass % on the basis of (B) component whole quantity. (B-1) Content of component may be 60 mass % or more or 70 mass % or more on the basis of (B) component whole quantity. (B-2) Content of component may be 0-50 mass % on the basis of (B) component whole quantity. (B-2) Content of component may be 40 mass % or less or 30 mass % or less on the basis of (B) component whole quantity.

(A) 성분이 에폭시 수지인 경우의 에폭시 수지의 에폭시 당량과 (B) 성분의 수산기 당량의 비(에폭시 수지의 에폭시 당량/페놀 수지의 수산기 당량)는, 경화성의 관점에서, 0.30/0.70~0.70/0.30, 0.35/0.65~0.65/0.35, 0.40/0.60~0.60/0.40, 또는 0.45/0.55~0.55/0.45여도 된다. 당해 당량비가 0.30/0.70 이상이면, 보다 충분한 경화성이 얻어지는 경향이 있다. 당해 당량비가 0.70/0.30 이하이면, 점도가 과도하게 높아지는 것을 방지할 수 있어, 보다 충분한 유동성을 얻을 수 있다.(A) The ratio of the epoxy equivalent of the epoxy resin and the hydroxyl equivalent of the component (B) when the component is an epoxy resin (epoxy equivalent of the epoxy resin / the hydroxyl equivalent of the phenol resin) is 0.30/0.70 to 0.70 from the viewpoint of curability /0.30, 0.35/0.65-0.65/0.35, 0.40/0.60-0.60/0.40, or 0.45/0.55-0.55/0.45 may be sufficient. There exists a tendency for more sufficient sclerosis|hardenability to be obtained as the said equivalent ratio is 0.30/0.70 or more. If the equivalence ratio is 0.70/0.30 or less, it is possible to prevent the viscosity from becoming excessively high, and more sufficient fluidity can be obtained.

(A) 성분 및 (B) 성분의 합계의 함유량은, 접착제 조성물 전체량을 기준으로 하여, 30~70질량%여도 된다. (A) 성분 및 (B) 성분의 합계의 함유량은, 33질량% 이상, 36질량% 이상, 또는 40질량% 이상이어도 되고, 65질량% 이하, 60질량% 이하, 또는 55질량% 이하여도 된다. (A) 성분 및 (B) 성분의 합계의 함유량이, 접착제 조성물 전체량을 기준으로 하여, 30질량% 이상이면, 접착성이 향상되는 경향이 있다. (A) 성분 및 (B) 성분의 합계의 함유량이, 접착제 조성물 전체량을 기준으로 하여, 70질량% 이하이면, 점도가 과도하게 낮아지는 것을 방지할 수 있어, 블리드를 보다 억제할 수 있는 경향이 있다.30-70 mass % may be sufficient as content of the sum total of (A) component and (B) component on the basis of adhesive composition whole quantity. (A) Content of the total of component and (B) component may be 33 mass % or more, 36 mass % or more, or 40 mass % or more, 65 mass % or less, 60 mass % or less, or 55 mass % or less may be sufficient. . Adhesiveness tends to improve that content of the sum total of (A) component and (B) component is 30 mass % or more on the basis of adhesive composition whole quantity. When the content of the total of the component (A) and the component (B) is 70% by mass or less based on the total amount of the adhesive composition, the viscosity can be prevented from becoming excessively low, and the tendency to further suppress bleed There is this.

<(C) 성분: 엘라스토머><(C) component: elastomer>

본 실시형태에 관한 접착제 조성물은, (C) 엘라스토머를 함유한다. (C) 성분은, 엘라스토머를 구성하는 중합체의 유리 전이 온도(Tg)가 50℃ 이하인 것이 바람직하다.The adhesive composition which concerns on this embodiment contains (C) an elastomer. As for component (C), it is preferable that the glass transition temperature (Tg) of the polymer which comprises an elastomer is 50 degrees C or less.

(C) 성분으로서는, 예를 들면, 아크릴 수지, 폴리에스터 수지, 폴리아마이드 수지, 폴리이미드 수지, 실리콘 수지, 뷰타다이엔 수지, 아크릴로나이트릴 수지 및 이들의 변성체 등을 들 수 있다.(C) As a component, an acrylic resin, a polyester resin, a polyamide resin, a polyimide resin, a silicone resin, a butadiene resin, an acrylonitrile resin, these modified bodies etc. are mentioned, for example.

(C) 성분은, 용제에 대한 용해성, 유동성의 관점에서, 아크릴 수지를 포함하고 있어도 된다. 여기에서, 아크릴 수지란, (메트)아크릴산 에스터에서 유래하는 구성 단위를 포함하는 폴리머를 의미한다. 아크릴 수지는, 구성 단위로서, 에폭시기, 알코올성 또는 페놀성 수산기, 카복실기 등의 가교성 관능기를 갖는 (메트)아크릴산 에스터에서 유래하는 구성 단위를 포함하는 폴리머인 것이 바람직하다. 또, 아크릴 수지는, (메트)아크릴산 에스터와 아크릴로나이트릴의 공중합체 등의 아크릴 고무여도 된다.(C) Component may contain the acrylic resin from a viewpoint of the solubility with respect to a solvent, and fluidity|liquidity. Here, an acrylic resin means the polymer containing the structural unit derived from (meth)acrylic acid ester. It is preferable that an acrylic resin is a polymer containing the structural unit derived from the (meth)acrylic acid ester which has crosslinkable functional groups, such as an epoxy group, alcoholic or phenolic hydroxyl group, and a carboxyl group, as a structural unit. Moreover, acrylic rubber, such as a copolymer of (meth)acrylic acid ester and acrylonitrile, may be sufficient as an acrylic resin.

아크릴 수지의 유리 전이 온도(Tg)는, -50~50℃ 또는 -30~30℃여도 된다. 아크릴 수지의 Tg가 -50℃ 이상이면, 접착제 조성물의 유연성이 과도하게 높아지는 것을 방지할 수 있는 경향이 있다. 이로써, 웨이퍼 다이싱 시에 필름상 접착제를 절단하기 쉬워져, 버(burr)의 발생을 방지하는 것이 가능해진다. 아크릴 수지의 Tg가 50℃ 이하이면, 접착제 조성물의 유연성의 저하를 억제할 수 있는 경향이 있다. 이로써, 필름상 접착제를 웨이퍼에 첩부할 때에, 보이드를 충분히 매립하기 쉬워지는 경향이 있다. 또, 웨이퍼의 밀착성의 저하에 의한 다이싱 시의 치핑을 방지하는 것이 가능해진다. 여기에서, 유리 전이 온도(Tg)는, TMA 시험 장치(티·에이·인스트루먼츠사제, TMA400Q)를 이용하여 측정한 값을 의미한다.-50-50 degreeC or -30-30 degreeC may be sufficient as the glass transition temperature (Tg) of an acrylic resin. There exists a tendency which can prevent that the softness|flexibility of an adhesive composition becomes high that Tg of an acrylic resin is -50 degreeC or more. Thereby, it becomes easy to cut|disconnect a film adhesive at the time of wafer dicing, and it becomes possible to prevent generation|occurrence|production of a burr. There exists a tendency for the fall of the softness|flexibility of an adhesive composition to be suppressed that Tg of an acrylic resin is 50 degrees C or less. Thereby, when affixing a film adhesive to a wafer, there exists a tendency for a void to become fully easy to fill. Moreover, it becomes possible to prevent the chipping at the time of dicing by the fall of the adhesiveness of a wafer. Here, the glass transition temperature (Tg) means a value measured using a TMA testing apparatus (manufactured by TAA Instruments, TMA400Q).

아크릴 수지의 중량 평균 분자량(Mw)은, 10만~300만 또는 50만~200만이어도 된다. 아크릴 수지의 Mw가 이와 같은 범위에 있으면, 필름 형성성, 필름상에 있어서의 강도, 가요성, 택킹(tacking)성 등을 적절히 제어할 수 있음과 함께, 리플로성이 우수하여, 매립성을 향상시킬 수 있다. 여기에서, Mw는, 젤 퍼미에이션 크로마토그래피(GPC)로 측정하고, 표준 폴리스타이렌에 의한 검량선을 이용하여 환산한 값을 의미한다.100,000-3 million or 500,000-2 million may be sufficient as the weight average molecular weight (Mw) of an acrylic resin. When the Mw of the acrylic resin is in such a range, the film formability, the strength on the film, flexibility, tacking property, etc. can be appropriately controlled, and the reflow property is excellent and the embedding property is excellent. can be improved Here, Mw means the value measured by gel permeation chromatography (GPC) and converted using the calibration curve by standard polystyrene.

아크릴 수지의 시판품으로서는, 예를 들면, SG-70L, SG-708-6, WS-023 EK30, SG-280 EK23, SG-P3 용제 변경품(모두 나가세 켐텍스 주식회사제)을 들 수 있다.As a commercial item of an acrylic resin, SG-70L, SG-708-6, WS-023 EK30, SG-280 EK23, SG-P3 solvent modified product (all are Nagase Chemtex Corporation make) are mentioned, for example.

(C) 성분의 함유량은, (A) 성분 100질량부에 대하여, 10~80질량부이다. (C) 성분의 함유량은, (A) 성분 100질량부에 대하여, 20질량부 이상, 30질량부 이상, 35질량부 이상, 40질량부 이상, 또는 42질량부 이상이어도 되고, 75질량부 이하, 72질량부 이하, 70질량부 이하, 또는 68질량부 이하여도 된다. (C) 성분의 함유량이, (A) 성분 100질량부에 대하여, 10질량부 이상이면, 필름상 접착제의 취급성(예를 들면 절곡성 등)이 양호해지는 경향이 있다. (C) 성분의 함유량이, (A) 성분 100질량부에 대하여, 80질량부 이하이면, 접착제 조성물의 유연성이 과도하게 높아지는 것을 방지할 수 있는 경향이 있다. 이로써, 웨이퍼 다이싱 시에 필름상 접착제를 절단하기 쉬워져, 버의 발생을 방지하는 것이 가능해진다. 또, (C) 성분의 함유량이, (A) 성분 100질량부에 대하여, 80질량부 이하이면, 와이어 또는 반도체 칩의 매립성이 향상되는 경향이 있다.(C) Content of component is 10-80 mass parts with respect to 100 mass parts of (A) component. (C) Content of component may be 20 mass parts or more, 30 mass parts or more, 35 mass parts or more, 40 mass parts or more, or 42 mass parts or more with respect to 100 mass parts of (A) component, 75 mass parts or less , 72 parts by mass or less, 70 parts by mass or less, or 68 parts by mass or less may be sufficient. (C) When content of component is 10 mass parts or more with respect to 100 mass parts of (A) component, there exists a tendency for the handleability (for example, bendability etc.) of a film adhesive to become favorable. (C) There exists a tendency which can prevent that the softness|flexibility of an adhesive composition becomes high that content of component is 80 mass parts or less with respect to 100 mass parts of (A) component. Thereby, it becomes easy to cut|disconnect a film adhesive at the time of wafer dicing, and it becomes possible to prevent generation|occurrence|production of a burr. Moreover, there exists a tendency for embedding property of a wire or a semiconductor chip to improve that content of (C)component is 80 mass parts or less with respect to 100 mass parts of (A) component.

(C) 성분의 함유량은, (A) 성분 및 (B) 성분의 총량 100질량부에 대하여, 10질량부 이상, 20질량부 이상, 또는 30질량부 이상이면 되고, 80질량부 이하, 75질량부 이하, 60질량부 이하, 또는 55질량부 이하여도 된다. (C) 성분의 함유량이 (A) 성분 및 (B) 성분의 총량 100질량부에 대하여, 10질량부 이상이면, 필름상 접착제의 취급성(예를 들면 절곡성 등)이 보다 양호해지는 경향이 있다. (C) 성분의 함유량이 (A) 성분 및 (B) 성분의 총량 100질량부에 대하여, 80질량부 이하이면, 접착제 조성물의 유연성이 과도하게 높아지는 것을 보다 방지할 수 있는 경향이 있다. 이로써, 웨이퍼 다이싱 시에 필름상 접착제를 절단하기 쉬워져, 버의 발생을 방지하는 것이 보다 한층 가능해지는 경향이 있다.(C) Content of component should just be 10 mass parts or more, 20 mass parts or more, or 30 mass parts or more with respect to 100 mass parts of total amounts of (A) component and (B) component, 80 mass parts or less, 75 mass A part or less, 60 mass parts or less, or 55 mass parts or less may be sufficient. (C) When the content of the component is 10 parts by mass or more with respect to 100 parts by mass of the total amount of the component (A) and the component (B), the handleability (for example, bendability, etc.) of the film adhesive tends to become more favorable. have. (C) When content of component is 80 mass parts or less with respect to 100 mass parts of total amounts of (A) component and (B) component, there exists a tendency which can prevent more that the softness|flexibility of an adhesive composition becomes high too much. Thereby, it becomes easy to cut|disconnect a film adhesive at the time of wafer dicing, and it exists in the tendency which becomes further possible to prevent generation|occurrence|production of a burr.

<(D) 성분: 무기 필러><(D) component: inorganic filler>

무기 필러로서는, 예를 들면, 수산화 알루미늄, 수산화 마그네슘, 탄산 칼슘, 탄산 마그네슘, 규산 칼슘, 규산 마그네슘, 산화 칼슘, 산화 마그네슘, 산화 알루미늄, 질화 알루미늄, 붕산 알루미늄 위스커, 질화 붕소, 결정성 실리카, 비정성 실리카 등을 들 수 있다. 이들은 1종을 단독으로 이용해도 되고, 2종 이상을 조합하여 이용해도 된다. 얻어지는 필름상 접착제의 열전도성이 보다 향상되는 관점에서, 무기 필러는, 산화 알루미늄, 질화 알루미늄, 질화 붕소, 결정성 실리카 또는 비정성 실리카를 포함하고 있어도 된다. 또, 접착제 조성물의 용융 점도를 조정하는 관점 및 접착제 조성물에 틱소트로픽성을 부여하는 관점에서, 무기 필러는, 수산화 알루미늄, 수산화 마그네슘, 탄산 칼슘, 탄산 마그네슘, 규산 칼슘, 규산 마그네슘, 산화 칼슘, 산화 마그네슘, 산화 알루미늄, 결정성 실리카, 또는 비정성 실리카여도 되고, 실리카(결정성 실리카 또는 비정성 실리카)여도 된다.Examples of the inorganic filler include aluminum hydroxide, magnesium hydroxide, calcium carbonate, magnesium carbonate, calcium silicate, magnesium silicate, calcium oxide, magnesium oxide, aluminum oxide, aluminum nitride, aluminum borate whisker, boron nitride, crystalline silica, non Qualitative silica etc. are mentioned. These may be used individually by 1 type, and may be used in combination of 2 or more type. From the viewpoint of further improving the thermal conductivity of the obtained film adhesive, the inorganic filler may contain aluminum oxide, aluminum nitride, boron nitride, crystalline silica, or amorphous silica. Further, from the viewpoint of adjusting the melt viscosity of the adhesive composition and from the viewpoint of imparting thixotropic properties to the adhesive composition, the inorganic filler is aluminum hydroxide, magnesium hydroxide, calcium carbonate, magnesium carbonate, calcium silicate, magnesium silicate, calcium oxide, oxide Magnesium, aluminum oxide, crystalline silica, or amorphous silica may be sufficient, and silica (crystalline silica or amorphous silica) may be sufficient.

(D) 성분의 평균 입경은, 접착성이 보다 향상되는 관점에서, 0.005~0.5μm 또는 0.05~0.3μm여도 된다. 여기에서, 평균 입경은, BET 비표면적으로부터 환산함으로써 구해지는 값을 의미한다.(D) The average particle diameter of component may be 0.005-0.5 micrometer or 0.05-0.3 micrometer from a viewpoint that adhesiveness improves more. Here, an average particle diameter means the value calculated|required by converting from a BET specific surface area.

(D) 성분은, 그 표면과 용제, 다른 성분 등과의 상용성, 접착 강도의 관점에서 표면 처리제에 의하여 표면 처리되어 있어도 된다. 표면 처리제로서는, 예를 들면, 실레인 커플링제 등을 들 수 있다. 실레인 커플링제의 관능기로서는, 예를 들면, 바이닐기, (메트)아크릴로일기, 에폭시기, 머캅토기, 아미노기, 다이아미노기, 알콕시기, 에톡시기 등을 들 수 있다.(D) The component may be surface-treated with the surface treatment agent from the viewpoint of the compatibility with the surface, a solvent, another component, and adhesive strength. As a surface treatment agent, a silane coupling agent etc. are mentioned, for example. As a functional group of a silane coupling agent, a vinyl group, a (meth)acryloyl group, an epoxy group, a mercapto group, an amino group, a diamino group, an alkoxy group, an ethoxy group etc. are mentioned, for example.

(D) 성분의 함유량은, 접착제 조성물 전체량을 기준으로 하여, 25질량% 이상이면 되고, 28질량% 이상 또는 30질량% 이상이어도 된다. (D) 성분의 함유량이, 접착제 조성물 전체량을 기준으로 하여, 25질량% 이상이면, 경화 전의 접착층의 다이싱성이 향상되고, 경화 후의 접착층의 접착력이 향상되는 경향이 있다. 이로써, 예를 들면, FOD/FOW 용도의 비교적 두께가 있는(예를 들면, 20μm 이상, 바람직하게는 30μm 이상의) 필름상 접착제에 있어서도 충분한 다이싱성이 확보된다. (D) 성분의 함유량의 상한은, 특별히 제한되지 않지만, 접착제 조성물 전체량을 기준으로 하여, 60질량% 이하, 50질량% 이하, 또는 40질량% 이하여도 된다. (D) 성분의 함유량이, 접착제 조성물 전체량을 기준으로 하여, 60질량% 이하이면, 유동성의 저하를 억제할 수 있어, 경화 후의 필름상 접착제의 탄성률이 과도하게 높아지는 것을 방지하는 것이 가능해진다.(D) Content of component should just be 25 mass % or more on the basis of adhesive composition whole quantity, 28 mass % or more, or 30 mass % or more may be sufficient as it. If the content of the component (D) is 25% by mass or more based on the total amount of the adhesive composition, the dicing property of the adhesive layer before curing is improved, and the adhesive strength of the adhesive layer after curing tends to be improved. Thereby, sufficient dicing property is ensured also in the film adhesive with a comparatively thick (for example, 20 micrometers or more, preferably 30 micrometers or more) for FOD/FOW use, for example. (D) Although the upper limit in particular of content of component is not restrict|limited, 60 mass % or less, 50 mass % or less, or 40 mass % or less may be sufficient on the basis of the adhesive composition whole quantity. (D) When content of component is 60 mass % or less based on the adhesive composition whole quantity as a reference, the fall of fluidity|liquidity can be suppressed and it becomes possible to prevent that the elasticity modulus of the film adhesive after hardening becomes high too much.

본 실시형태에 관한 접착제 조성물은, (A) 성분, (B) 성분, (C) 성분, 및 (D) 성분이 주성분이며, (A) 성분, (B) 성분, (C) 성분, 및 (D) 성분의 합계의 함유량은, 접착제 조성물 전체량을 기준으로 하여, 95질량% 이상 또는 97질량% 이상이면 되고, 100질량% 이하 또는 99질량% 이하여도 된다.In the adhesive composition according to the present embodiment, (A) component, (B) component, (C) component, and (D) component are main components, (A) component, (B) component, (C) component, and ( D) Content of the sum total of components should just be 95 mass % or more or 97 mass % or more on the basis of adhesive composition whole quantity, and may be 100 mass % or less or 99 mass % or less.

<(E) 성분: 경화 촉진제><(E) component: curing accelerator>

본 실시형태에 관한 접착제 조성물은, (E) 경화 촉진제를 함유하고 있어도 된다. 경화 촉진제는, 특별히 한정되지 않으며, 일반적으로 사용되는 것을 이용할 수 있다. (E) 성분으로서는, 예를 들면, 이미다졸류 및 그 유도체, 유기 인계 화합물, 제2급 아민류, 제3급 아민류, 제4급 암모늄염 등을 들 수 있다. 이들은, 1종을 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 이용해도 된다. 이들 중에서도, 반응성의 관점에서 (E) 성분은 이미다졸류 및 그 유도체여도 된다.The adhesive composition which concerns on this embodiment may contain the (E) hardening accelerator. A hardening accelerator is not specifically limited, A commonly used thing can be used. (E) As a component, imidazole and its derivative(s), organophosphorus type compound, secondary amines, tertiary amines, quaternary ammonium salt etc. are mentioned, for example. These may be used individually by 1 type or in combination of 2 or more type. Among these, imidazoles and its derivative(s) may be sufficient as (E) component from a reactive viewpoint.

이미다졸류로서는, 예를 들면, 2-메틸이미다졸, 1-벤질-2-메틸이미다졸, 1-사이아노에틸-2-페닐이미다졸, 1-사이아노에틸-2-메틸이미다졸 등을 들 수 있다. 이들은, 1종을 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 이용해도 된다.Examples of the imidazoles include 2-methylimidazole, 1-benzyl-2-methylimidazole, 1-cyanoethyl-2-phenylimidazole, and 1-cyanoethyl-2-methyl. Midazole, etc. are mentioned. These may be used individually by 1 type or in combination of 2 or more type.

(E) 성분의 함유량은, (A) 성분, (B) 성분, 및 (C) 성분의 총량 100질량부에 대하여, 0.01~3질량부 또는 0.03~1질량부여도 된다. (E) 성분의 함유량이 이와 같은 범위에 있으면, 경화성과 신뢰성을 양립시킬 수 있는 경향이 있다.0.01-3 mass parts or 0.03-1 mass part may be sufficient as content of (E) component with respect to 100 mass parts of total amounts of (A) component, (B) component, and (C)component. (E) When content of a component exists in such a range, there exists a tendency for sclerosis|hardenability and reliability to be compatible.

<그 외의 성분><Other ingredients>

본 실시형태에 관한 접착제 조성물은, 그 외의 성분으로서, 항산화제, 실레인 커플링제, 리올로지 컨트롤제 등을 더 함유하고 있어도 된다. 이들 성분의 함유량은, (A) 성분, (B) 성분, 및 (C) 성분의 총량 100질량부에 대하여, 0.01~3질량부여도 된다.The adhesive composition according to the present embodiment may further contain an antioxidant, a silane coupling agent, a rheology control agent, and the like as other components. 0.01-3 mass parts may be sufficient as content of these components with respect to 100 mass parts of total amounts of (A) component, (B) component, and (C)component.

본 실시형태에 관한 접착제 조성물은, 용제로 희석된 접착제 바니시로서 이용해도 된다. 용제는, (D) 성분 이외의 성분을 용해할 수 있는 것이면 특별히 제한되지 않는다. 용제로서는, 예를 들면, 톨루엔, 자일렌, 메시틸렌, 큐멘, p-사이멘 등의 방향족 탄화 수소; 헥세인, 헵테인 등의 지방족 탄화 수소; 메틸사이클로헥세인 등의 환상 알케인; 테트라하이드로퓨란, 1,4-다이옥세인 등의 환상 에터; 아세톤, 메틸에틸케톤, 메틸아이소뷰틸케톤, 사이클로헥산온, 4-하이드록시-4-메틸-2-펜탄온 등의 케톤; 아세트산 메틸, 아세트산 에틸, 아세트산 뷰틸, 락트산 메틸, 락트산 에틸, γ-뷰티로락톤 등의 에스터; 에틸렌카보네이트, 프로필렌카보네이트 등의 탄산 에스터; N,N-다이메틸폼아마이드, N,N-다이메틸아세트아마이드, N-메틸-2-피롤리돈 등의 아마이드 등을 들 수 있다. 이들은, 1종을 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 이용해도 된다. 이들 중, 용제는, 용해성 및 비점의 관점에서, 톨루엔, 자일렌, 메틸에틸케톤, 메틸아이소뷰틸케톤, 또는 사이클로헥산온이어도 된다.The adhesive composition according to the present embodiment may be used as an adhesive varnish diluted with a solvent. A solvent in particular will not be restrict|limited, as long as it can melt|dissolve components other than (D)component. As a solvent, For example, aromatic hydrocarbons, such as toluene, xylene, mesitylene, cumene, p-cymene; aliphatic hydrocarbons such as hexane and heptane; Cyclic alkanes, such as methylcyclohexane; cyclic ethers such as tetrahydrofuran and 1,4-dioxane; ketones such as acetone, methyl ethyl ketone, methyl isobutyl ketone, cyclohexanone, and 4-hydroxy-4-methyl-2-pentanone; esters such as methyl acetate, ethyl acetate, butyl acetate, methyl lactate, ethyl lactate, and γ-butyrolactone; carbonate esters such as ethylene carbonate and propylene carbonate; and amides such as N,N-dimethylformamide, N,N-dimethylacetamide, and N-methyl-2-pyrrolidone. These may be used individually by 1 type or in combination of 2 or more type. Among these, from a viewpoint of solubility and a boiling point, toluene, xylene, methyl ethyl ketone, methyl isobutyl ketone, or cyclohexanone may be sufficient as a solvent.

접착제 바니시 중의 고형 성분 농도는, 접착제 바니시의 전체 질량을 기준으로 하여, 10~80질량%여도 된다.The solid component concentration in the adhesive varnish may be 10-80 mass % based on the total mass of the adhesive varnish.

접착제 바니시는, (A) 성분, (B) 성분, (C) 성분, (D) 성분, 및 용제, 및, 필요에 따라, (E) 성분 및 그 외의 성분을 혼합, 혼련함으로써 조제할 수 있다. 혼합 및 혼련은, 통상의 교반기, 뇌궤기, 3롤, 볼 밀, 비즈 밀 등의 분산기를 적절히, 조합하여 행할 수 있다. (D) 성분을 혼합시키는 경우는, (D) 성분과 저분자량 성분을 미리 혼합한 후, 고분자량 성분을 배합함으로써, 혼합하는 시간을 단축할 수 있다. 또, 접착제 바니시를 조제한 후, 진공 탈기 등에 의하여 바니시 중의 기포를 제거해도 된다.The adhesive varnish can be prepared by mixing and kneading the component (A), the component (B), the component (C), the component (D), and the solvent, and, if necessary, the component (E) and other components. . Mixing and kneading can be performed by combining suitably a dispersion machine, such as a normal stirrer, a grinder, three rolls, a ball mill, and a bead mill. (D) When mixing a component, after mixing (D) component and a low molecular-weight component previously, mixing time can be shortened by mix|blending a high molecular weight component. Moreover, after preparing an adhesive agent varnish, you may remove the bubble in a varnish by vacuum deaeration etc.

[필름상 접착제][Film-like adhesive]

도 1은, 일 실시형태에 관한 필름상 접착제를 나타내는 모식 단면도이다. 필름상 접착제(10)는, 상술한 접착제 조성물을 필름상으로 형성하여 이루어지는 것이다. 필름상 접착제(10)는, 반경화(B 스테이지) 상태여도 된다. 이와 같은 필름상 접착제(10)는, 접착제 조성물을 지지 필름에 도포함으로써 형성할 수 있다. 접착제 바니시를 이용하는 경우는, 접착제 바니시를 지지 필름에 도포하고, 용제를 가열 건조하여 제거함으로써 필름상 접착제(10)를 형성할 수 있다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS It is a schematic sectional drawing which shows the film adhesive which concerns on one Embodiment. The film adhesive 10 is formed by forming the above-mentioned adhesive composition into a film shape. The film adhesive 10 may be in a semi-cured (B-stage) state. Such a film adhesive 10 can be formed by apply|coating an adhesive composition to a support film. When using an adhesive varnish, the film adhesive 10 can be formed by apply|coating an adhesive varnish to a support film, and heat-drying and removing a solvent.

지지 필름으로서는, 특별히 제한은 없으며, 예를 들면, 폴리테트라플루오로에틸렌, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리메틸펜텐, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리이미드 등의 필름을 들 수 있다. 지지 필름의 두께는, 예를 들면, 10~200μm 또는 20~170μm여도 된다.There is no restriction|limiting in particular as a support film, For example, films, such as polytetrafluoroethylene, polyethylene, a polypropylene, polymethylpentene, a polyethylene terephthalate, a polyimide, are mentioned. The thickness of the support film may be, for example, 10-200 µm or 20-170 µm.

접착제 바니시를 지지 필름에 도포하는 방법으로서는, 공지의 방법을 이용할 수 있으며, 예를 들면, 나이프 코트법, 롤 코트법, 스프레이 코트법, 그라비어 코트법, 바 코트법, 커튼 코트법 등을 들 수 있다. 가열 건조의 조건은, 사용한 용제가 충분히 휘발하는 조건이면 특별히 제한은 없지만, 예를 들면, 50~200℃에서 0.1~90분간이어도 된다.As a method of applying the adhesive varnish to the support film, a known method can be used, for example, a knife coat method, a roll coat method, a spray coat method, a gravure coat method, a bar coat method, a curtain coat method, etc. have. Although there will be no restriction|limiting in particular as long as the conditions of heat-drying are conditions in which the solvent used fully volatilizes, For example, 0.1 to 90 minutes may be sufficient at 50-200 degreeC.

필름상 접착제의 두께는, 용도에 맞추어, 적절히 조정할 수 있다. 필름상 접착제의 두께는, 반도체 칩, 와이어, 기판의 배선 회로 등의 요철 등을 충분히 매립하는 관점에서, 20~200μm, 30~200μm, 또는 40~150μm여도 된다.The thickness of a film adhesive can be suitably adjusted according to a use. The thickness of the film adhesive may be 20 to 200 µm, 30 to 200 µm, or 40 to 150 µm from the viewpoint of sufficiently embedding irregularities such as semiconductor chips, wires, and wiring circuits of the substrate.

[접착 시트][Adhesive sheet]

도 2는, 일 실시형태에 관한 접착 시트를 나타내는 모식 단면도이다. 접착 시트(100)는, 기재(20)와 기재 상에 마련된 상술한 필름상 접착제(10)를 구비한다.2 is a schematic cross-sectional view showing an adhesive sheet according to an embodiment. The adhesive sheet 100 is provided with the base material 20 and the above-mentioned film adhesive 10 provided on the base material.

기재(20)는, 특별히 제한되지 않지만, 기재 필름이어도 된다. 기재 필름은, 상술한 지지 필름과 동일한 것이어도 된다.Although the base material 20 in particular is not restrict|limited, A base film may be sufficient. The base film may be the same as the support film mentioned above.

기재(20)는, 다이싱 테이프여도 된다. 이와 같은 접착 시트는, 다이싱 다이본딩 일체형 접착 시트로서 사용할 수 있다. 이 경우, 반도체 웨이퍼에 대한 래미네이트 공정이 1회가 되는 점에서, 작업의 효율화가 가능하다.The base material 20 may be a dicing tape. Such an adhesive sheet can be used as a dicing die-bonding integrated adhesive sheet. In this case, since the lamination process with respect to a semiconductor wafer becomes one time, efficiency of an operation|work can be improved.

다이싱 테이프로서는, 예를 들면, 폴리테트라플루오로에틸렌 필름, 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름, 폴리에틸렌 필름, 폴리프로필렌 필름, 폴리메틸펜텐 필름, 폴리이미드 필름 등의 플라스틱 필름 등을 들 수 있다. 또, 다이싱 테이프는, 필요에 따라, 프라이머 도포, UV 처리, 코로나 방전 처리, 연마 처리, 에칭 처리 등의 표면 처리가 행해져 있어도 된다. 다이싱 테이프는, 점착성을 갖는 것인 것이 바람직하다. 이와 같은 다이싱 테이프는, 상술한 플라스틱 필름에 점착성을 부여한 것이어도 되고, 상술한 플라스틱 필름의 편면에 점착제층을 마련한 것이어도 된다.As a dicing tape, plastic films, such as a polytetrafluoroethylene film, a polyethylene terephthalate film, a polyethylene film, a polypropylene film, a polymethylpentene film, a polyimide film, etc. are mentioned, for example. Moreover, the dicing tape may be surface-treated, such as a primer application|coating, UV treatment, a corona discharge treatment, a grinding|polishing process, and an etching process, as needed. It is preferable that a dicing tape has adhesiveness. Such a dicing tape may be the one in which adhesiveness was provided to the above-mentioned plastic film, or the one in which the adhesive layer was provided in the single side|surface of the above-mentioned plastic film may be sufficient as it.

접착 시트(100)는, 상술한 필름상 접착제를 형성하는 방법과 동일하게, 접착제 조성물을 기재 필름에 도포함으로써 형성할 수 있다. 접착제 조성물을 기재(20)에 도포하는 방법은, 상술한 접착제 조성물을 지지 필름에 도포하는 방법과 동일해도 된다.The adhesive sheet 100 can be formed by apply|coating an adhesive composition to a base film similarly to the method of forming the film adhesive mentioned above. The method of apply|coating the adhesive composition to the base material 20 may be the same as the method of apply|coating the adhesive composition mentioned above to a support film.

접착 시트(100)는, 미리 제작한 필름상 접착제를 이용하여 형성해도 된다. 이 경우, 접착 시트(100)는, 롤 래미네이터, 진공 래미네이터 등을 이용하여 소정 조건(예를 들면, 실온(20℃) 또는 가열 상태)으로 래미네이팅함으로써 형성할 수 있다. 접착 시트(100)는, 연속적으로 제조를 할 수 있고, 효율이 양호한 점에서, 가열 상태에서 롤 래미네이터를 이용하여 형성하는 것이 바람직하다.The adhesive sheet 100 may be formed using a film-like adhesive prepared in advance. In this case, the adhesive sheet 100 can be formed by laminating under predetermined conditions (eg, room temperature (20°C) or heated state) using a roll laminator, a vacuum laminator, or the like. It is preferable to form the adhesive sheet 100 using a roll laminator in a heated state from a point which can manufacture continuously and has good efficiency.

필름상 접착제(10)의 두께는, 반도체 칩, 와이어, 기판의 배선 회로 등의 요철 등의 매립성의 관점에서, 20~200μm, 30~200μm, 또는 40~150μm여도 된다. 필름상 접착제(10)의 두께가 20μm 이상이면, 보다 충분한 접착력이 얻어지는 경향이 있으며, 필름상 접착제(10)의 두께가 200μm 이하이면, 경제적이고, 또한 반도체 장치의 소형화의 요구에 응하는 것이 가능해진다.The thickness of the film adhesive 10 may be 20-200 micrometers, 30-200 micrometers, or 40-150 micrometers from a viewpoint of embedding properties, such as unevenness|corrugation of a wiring circuit of a semiconductor chip, a wire, a board|substrate, etc. When the thickness of the film adhesive 10 is 20 μm or more, more sufficient adhesive force tends to be obtained. becomes

도 3은, 다른 실시형태에 관한 접착 시트를 나타내는 모식 단면도이다. 접착 시트(110)는, 필름상 접착제(10)의 기재(20)와는 반대 측의 면에 적층된 보호 필름(30)을 더 구비한다. 보호 필름(30)은, 상술한 지지 필름과 동일한 것이어도 된다. 보호 필름의 두께는, 예를 들면, 15~200μm 또는 70~170μm여도 된다.3 is a schematic cross-sectional view showing an adhesive sheet according to another embodiment. The adhesive sheet 110 further includes a protective film 30 laminated on the surface of the film adhesive 10 opposite to the base material 20 . The protective film 30 may be the same as the support film mentioned above. The thickness of a protective film may be 15-200 micrometers or 70-170 micrometers, for example.

[반도체 장치][Semiconductor device]

도 4는, 일 실시형태에 관한 반도체 장치를 나타내는 모식 단면도이다. 반도체 장치(200)는, 기판(14)에, 제1 와이어(88)를 개재하여 1단째의 제1 반도체 소자(Wa)가 와이어 본딩 접속됨과 함께, 제1 반도체 소자(Wa) 상에, 제2 반도체 소자(Waa)가 필름상 접착제(10)를 개재하여 압착됨으로써, 제1 와이어(88)의 적어도 일부가 필름상 접착제(10)에 매립되어 이루어지는 반도체 장치이다. 반도체 장치는, 제1 와이어(88)의 적어도 일부가 매립되어 이루어지는 와이어 매립형의 반도체 장치여도 되고, 제1 와이어(88) 및 제1 반도체 소자(Wa)가 매립되어 이루어지는 반도체 장치여도 된다. 또, 반도체 장치(200)에서는, 기판(14)과 제2 반도체 소자(Waa)가 추가로 제2 와이어(98)를 개재하여 전기적으로 접속됨과 함께, 제2 반도체 소자(Waa)가 밀봉재(42)에 의하여 밀봉되어 있다.4 is a schematic cross-sectional view showing a semiconductor device according to an embodiment. In the semiconductor device 200, the first semiconductor element Wa of the first stage is wire-bonded to the substrate 14 via the first wire 88, and the first semiconductor element Wa is connected to the first semiconductor element Wa. It is a semiconductor device in which the 2nd semiconductor element Waa is crimped|bonded through the film adhesive 10, and at least a part of the 1st wire 88 is embedded in the film adhesive 10. FIG. The semiconductor device may be a wire-embedded semiconductor device in which at least a part of the first wire 88 is embedded, or may be a semiconductor device in which the first wire 88 and the first semiconductor element Wa are embedded. Moreover, in the semiconductor device 200, the board|substrate 14 and the 2nd semiconductor element Waa are electrically connected via the 2nd wire 98 further, and while the 2nd semiconductor element Waa is the sealing material 42 ) is sealed by

제1 반도체 소자(Wa)의 두께는, 10~170μm여도 되고, 제2 반도체 소자(Waa)의 두께는, 20~400μm여도 된다. 필름상 접착제(10) 내부에 매립되어 있는 제1 반도체 소자(Wa)는, 반도체 장치(200)를 구동하기 위한 컨트롤러 칩이다.10-170 micrometers may be sufficient as the thickness of 1st semiconductor element Wa, and 20-400 micrometers may be sufficient as the thickness of 2nd semiconductor element Waa. The first semiconductor element Wa embedded in the film adhesive 10 is a controller chip for driving the semiconductor device 200 .

기판(14)은, 표면에 회로 패턴(84, 94)이 각각 2개소씩 형성된 유기 기판(90)으로 이루어진다. 제1 반도체 소자(Wa)는, 회로 패턴(94) 상에 접착제(41)를 개재하여 압착되어 있다. 제2 반도체 소자(Waa)는, 제1 반도체 소자(Wa)가 압착되어 있지 않은 회로 패턴(94), 제1 반도체 소자(Wa), 및 회로 패턴(84)의 일부가 덮이도록 필름상 접착제(10)를 개재하여 기판(14)에 압착되어 있다. 기판(14) 상의 회로 패턴(84, 94)에 기인하는 요철의 단차에는, 필름상 접착제(10)가 매립되어 있다. 그리고, 수지제의 밀봉재(42)에 의하여, 제2 반도체 소자(Waa), 회로 패턴(84) 및 제2 와이어(98)가 밀봉되어 있다.The board|substrate 14 consists of the organic board|substrate 90 in which the circuit patterns 84, 94 were formed in two places respectively on the surface. The first semiconductor element Wa is press-bonded on the circuit pattern 94 with an adhesive 41 interposed therebetween. The second semiconductor element Waa is formed with a film adhesive ( It is pressed against the substrate 14 via 10). A film adhesive 10 is embedded in the uneven step caused by the circuit patterns 84 and 94 on the substrate 14 . Then, the second semiconductor element Waa, the circuit pattern 84, and the second wire 98 are sealed by the resin sealing material 42 .

[반도체 장치의 제조 방법][Method for manufacturing semiconductor device]

본 실시형태에 관한 반도체 장치의 제조 방법은, 기판 상에 제1 와이어를 개재하여 제1 반도체 소자를 전기적으로 접속하는 제1 와이어 본딩 공정과, 제2 반도체 소자의 편면에, 상술한 필름상 접착제를 첩부하는 래미네이트 공정과, 필름상 접착제가 첩부된 제2 반도체 소자를, 필름상 접착제를 개재하여 압착함으로써, 제1 와이어의 적어도 일부를 필름상 접착제에 매립하는 다이본드 공정을 구비한다.The manufacturing method of the semiconductor device which concerns on this embodiment includes the 1st wire bonding process of electrically connecting a 1st semiconductor element on a board|substrate via a 1st wire, and the above-mentioned film adhesive on one side of a 2nd semiconductor element. a lamination process of affixing the film adhesive, and a die bonding process of embedding at least a part of the first wire in the film adhesive by crimping the second semiconductor element to which the film adhesive is affixed through the film adhesive.

도 5~9는, 일 실시형태에 관한 반도체 장치의 제조 방법의 일련의 공정을 나타내는 모식 단면도이다 본 실시형태에 관한 반도체 장치(200)는, 제1 와이어(88) 및 제1 반도체 소자(Wa)가 매립되어 이루어지는 반도체 장치이며, 이하의 수순에 의하여 제조된다. 먼저, 도 5에 나타내는 바와 같이, 기판(14) 상의 회로 패턴(94) 상에, 접착제(41)를 갖는 제1 반도체 소자(Wa)를 압착하고, 제1 와이어(88)를 개재하여 기판(14) 상의 회로 패턴(84)과 제1 반도체 소자(Wa)를 전기적으로 본딩 접속한다(제1 와이어 본딩 공정).5 to 9 are schematic cross-sectional views illustrating a series of steps of a method for manufacturing a semiconductor device according to an embodiment. A semiconductor device 200 according to the present embodiment includes a first wire 88 and a first semiconductor element Wa. ) is embedded in the semiconductor device, and is manufactured by the following procedure. First, as shown in FIG. 5 , a first semiconductor element Wa having an adhesive 41 is pressed onto a circuit pattern 94 on a substrate 14 , and a first wire 88 is interposed between the substrate ( 14) The circuit pattern 84 and the first semiconductor element Wa are electrically bonded to each other (first wire bonding process).

다음으로, 반도체 웨이퍼(예를 들면, 두께 100μm, 사이즈 8인치)의 편면에, 접착 시트(100)를 래미네이팅하고, 기재(20)를 박리함으로써, 반도체 웨이퍼의 편면에 필름상 접착제(10)(예를 들면, 두께 110μm)를 첩부한다. 그리고, 필름상 접착제(10)에 다이싱 테이프를 첩합한 후, 소정의 크기(예를 들면, 평방 7.5mm)로 다이싱함으로써, 도 6에 나타내는 바와 같이, 필름상 접착제(10)가 첩부된 제2 반도체 소자(Waa)를 얻는다(래미네이트 공정).Next, by laminating the adhesive sheet 100 on one side of a semiconductor wafer (for example, 100 μm in thickness, 8 inches in size), and peeling the base material 20, the film adhesive 10 on one side of the semiconductor wafer ) (for example, 110 µm in thickness) is affixed. And after bonding the dicing tape to the film adhesive 10, as shown in FIG. 6 by dicing to a predetermined size (for example, 7.5 mm square), the film adhesive 10 is affixed A second semiconductor element Waa is obtained (lamination process).

래미네이트 공정의 온도 조건은, 50~100℃ 또는 60~80℃여도 된다. 래미네이트 공정의 온도가 50℃ 이상이면, 반도체 웨이퍼와 양호한 밀착성을 얻을 수 있다. 래미네이트 공정의 온도가 100℃ 이하이면, 래미네이트 공정 중에 필름상 접착제(10)가 과도하게 유동되는 것이 억제되기 때문에, 두께의 변화 등을 일으키는 것을 방지할 수 있다.The temperature conditions of a lamination process may be 50-100 degreeC or 60-80 degreeC. A semiconductor wafer and favorable adhesiveness can be acquired that the temperature of a lamination process is 50 degreeC or more. If the temperature of the lamination process is 100 degrees C or less, since it is suppressed that the film adhesive 10 flows excessively during a lamination process, it can prevent that the change of thickness etc. arise.

다이싱 방법으로서는, 예를 들면, 회전 날을 이용하는 블레이드 다이싱, 레이저에 의하여 필름상 접착제 또는 웨이퍼와 필름상 접착제의 양방을 절단하는 방법 등을 들 수 있다.Examples of the dicing method include blade dicing using a rotating blade, and a method of cutting a film adhesive or both a wafer and a film adhesive with a laser.

그리고, 필름상 접착제(10)가 첩부된 제2 반도체 소자(Waa)를, 제1 반도체 소자(Wa)가 제1 와이어(88)를 개재하여 본딩 접속된 기판(14)에 압착한다. 구체적으로는, 도 7에 나타내는 바와 같이, 필름상 접착제(10)가 첩부된 제2 반도체 소자(Waa)를, 필름상 접착제(10)에 의하여 제1 와이어(88) 및 제1 반도체 소자(Wa)가 덮이도록 재치하고, 이어서, 도 8에 나타내는 바와 같이, 제2 반도체 소자(Waa)를 기판(14)에 압착시킴으로써 기판(14)에 제2 반도체 소자(Waa)를 고정한다(다이본드 공정). 다이본드 공정은, 필름상 접착제(10)를 80~180℃, 0.01~0.50MPa의 조건으로 0.5~3.0초간 압착하는 것이 바람직하다. 다이본드 공정 후, 필름상 접착제(10)를 60~175℃, 0.3~0.7MPa의 조건으로, 5분 이상 가압 및 가열한다.And the 2nd semiconductor element Waa to which the film adhesive 10 was affixed is crimped|bonded to the board|substrate 14 to which the 1st semiconductor element Wa was bonded via the 1st wire 88. As specifically, shown in FIG. 7, the 2nd semiconductor element Waa to which the film adhesive 10 was affixed is the 1st wire 88 and the 1st semiconductor element Wa by the film adhesive 10. ), and then, as shown in FIG. 8 , the second semiconductor element Waa is fixed to the substrate 14 by pressing the second semiconductor element Waa to the substrate 14 (die bonding process). ). It is preferable that a die-bonding process press-bonds the film adhesive 10 for 0.5 to 3.0 second under the conditions of 80-180 degreeC and 0.01-0.50 MPa. After the die-bonding process, the film adhesive 10 is pressurized and heated for 5 minutes or more on conditions of 60-175 degreeC and 0.3-0.7 MPa.

이어서, 도 9에 나타내는 바와 같이, 기판(14)과 제2 반도체 소자(Waa)를 제2 와이어(98)를 개재하여 전기적으로 접속한 후(제2 와이어 본딩 공정), 회로 패턴(84), 제2 와이어(98) 및 제2 반도체 소자(Waa)를 밀봉재(42)로 밀봉한다. 이와 같은 공정을 거침으로써 반도체 장치(200)를 제조할 수 있다.Next, as shown in Fig. 9, after the substrate 14 and the second semiconductor element Waa are electrically connected via the second wire 98 (second wire bonding step), the circuit pattern 84, The second wire 98 and the second semiconductor element Waa are sealed with a sealing material 42 . Through such a process, the semiconductor device 200 may be manufactured.

다른 실시형태로서, 반도체 장치는, 제1 와이어(88)의 적어도 일부가 매립되어 이루어지는 와이어 매립형의 반도체 장치여도 된다.As another embodiment, the semiconductor device may be a wire-embedded semiconductor device in which at least a part of the first wire 88 is embedded.

실시예Example

이하, 본 발명에 대하여 실시예를 들어 보다 구체적으로 설명한다. 단, 본 발명은 이들 실시예에 한정되는 것은 아니다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to Examples. However, the present invention is not limited to these Examples.

(실시예 1~8 및 비교예 1~4)(Examples 1 to 8 and Comparative Examples 1 to 4)

<접착 시트의 제작><Production of adhesive sheet>

이하에 나타내는 각 성분을 표 1 및 표 2에 나타낸 배합 비율(질량부)로 혼합하고, 용매로서 사이클로헥산온을 이용하여 고형분 40질량%의 접착제 조성물의 바니시를 조제했다. 다음으로, 얻어진 바니시를 100메시의 필터로 여과하고, 진공 탈포했다. 진공 탈포 후의 바니시를, 기재 필름으로 하여, 두께 38μm의 이형 처리를 실시한 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET) 필름 상에 도포했다. 도포한 바니시를, 90℃에서 5분간, 계속해서 140℃에서 5분간의 2단계로 가열 건조했다. 이와 같이 하여, 기재 필름 상에, 반경화(B 스테이지) 상태에 있는 두께 110μm의 필름상 접착제를 구비하는 접착 시트를 얻었다.Each component shown below was mixed at the compounding ratio (mass part) shown in Table 1 and Table 2, and the varnish of the adhesive composition of 40 mass % of solid content was prepared using cyclohexanone as a solvent. Next, the obtained varnish was filtered through a 100-mesh filter, and vacuum degassing|defoaming was carried out. The varnish after vacuum defoaming was used as a base film, and it apply|coated on the polyethylene terephthalate (PET) film which performed the mold release process of 38 micrometers in thickness. The apply|coated varnish was heat-dried at 90 degreeC for 5 minutes, then, at 140 degreeC for 5 minutes, two steps. In this way, the adhesive sheet provided with the 110-micrometer-thick film adhesive in a semi-hardened (B stage) state on a base film was obtained.

또한, 표 1 및 표 2 중의 각 성분은 이하와 같다.In addition, each component in Table 1 and Table 2 is as follows.

(A) 열경화성 수지(A) thermosetting resin

A-1: 다이사이클로펜타다이엔 구조를 갖는 에폭시 수지, DIC 주식회사제, 상품명: HP-7200L, 에폭시 당량: 250~280g/eqA-1: Epoxy resin having a dicyclopentadiene structure, manufactured by DIC Corporation, trade name: HP-7200L, epoxy equivalent: 250 to 280 g/eq

A-2: 다이사이클로펜타다이엔 구조를 갖는 에폭시 수지, 닛폰 가야쿠 주식회사제, 상품명: XD-1000, 에폭시 당량: 254g/eqA-2: Epoxy resin having a dicyclopentadiene structure, manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd., trade name: XD-1000, epoxy equivalent: 254 g/eq

A-3: 지환식 에폭시 수지, 다이셀 주식회사제, 상품명: EHPE3150, 에폭시 당량: 170~190g/eqA-3: alicyclic epoxy resin, manufactured by Daicel Corporation, trade name: EHPE3150, epoxy equivalent: 170 to 190 g/eq

A-4: 다관능 방향족 에폭시 수지, 주식회사 프린텍제, 상품명: VG3101L, 에폭시 당량: 210g/eqA-4: polyfunctional aromatic epoxy resin, manufactured by PRINTEC Co., Ltd., trade name: VG3101L, epoxy equivalent: 210 g/eq

A-5: 크레졸 노볼락형 에폭시 수지, 신닛테쓰 스미킨 가가쿠 주식회사제, 상품명: YDCN-700-10, 에폭시 당량: 209g/eqA-5: cresol novolak type epoxy resin, manufactured by Nippon-Sumikin Chemical Co., Ltd., trade name: YDCN-700-10, epoxy equivalent: 209 g/eq

A-6: 비스페놀 F형 에폭시 수지(25℃에서 액체), DIC 주식회사제, 상품명: EXA-830CRP, 에폭시 당량: 159g/eqA-6: Bisphenol F-type epoxy resin (liquid at 25°C), manufactured by DIC Corporation, brand name: EXA-830CRP, epoxy equivalent: 159 g/eq

(B) 경화제(B) curing agent

(B-1) 지환식 환을 갖는 페놀 수지(B-1) phenol resin having an alicyclic ring

B-1-1: 일반식 (1a)로 나타나는 다이사이클로펜타다이엔 구조를 갖는 페놀 수지, JFE 케미컬 주식회사제, 상품명: J-DPP-85, 수산기 당량: 164~167g/eq, 연화점 85~89℃B-1-1: phenol resin having a dicyclopentadiene structure represented by the general formula (1a), manufactured by JFE Chemicals, trade name: J-DPP-85, hydroxyl equivalent: 164 to 167 g/eq, softening point 85 to 89 ℃

B-1-2: 일반식 (1a)로 나타나는 다이사이클로펜타다이엔 구조를 갖는 페놀 수지, JFE 케미컬 주식회사제, 상품명: J-DPP-115, 수산기 당량: 177~181g/eq, 연화점 107~116℃B-1-2: phenol resin having a dicyclopentadiene structure represented by the general formula (1a), manufactured by JFE Chemicals, trade name: J-DPP-115, hydroxyl equivalent: 177 to 181 g/eq, softening point 107 to 116 ℃

(B-2) 지환식 환을 갖지 않는 페놀 수지(B-2) Phenolic resin having no alicyclic ring

B-2-1: 비스페놀 A 노볼락형 페놀 수지, DIC 주식회사제, 상품명: LF-4871, 수산기 당량: 118g/eqB-2-1: Bisphenol A novolac-type phenol resin, manufactured by DIC Corporation, trade name: LF-4871, hydroxyl equivalent: 118 g/eq

B-2-2: 페닐아랄킬형 페놀 수지, 미쓰이 가가쿠 주식회사제, 상품명: XLC-LL, 수산기 당량: 175g/eqB-2-2: Phenyl aralkyl type phenol resin, Mitsui Chemicals Co., Ltd. product name: XLC-LL, hydroxyl equivalent: 175 g/eq

B-2-3: 페닐아랄킬형 페놀 수지, 에어·워터 주식회사제, 상품명: HE100C-30, 수산기 당량: 170g/eqB-2-3: Phenyl aralkyl type phenol resin, manufactured by Air Water Corporation, trade name: HE100C-30, hydroxyl equivalent: 170 g/eq

(C) 엘라스토머(C) elastomer

C-1: 에폭시기 함유 아크릴 수지(아크릴 고무), 나가세 켐텍스 주식회사제, 상품명: SG-P3 용제 변경품, 중량 평균 분자량: 80만, 글리시딜 관능기 모노머 비율: 3%, Tg: -7℃C-1: Epoxy group-containing acrylic resin (acrylic rubber), manufactured by Nagase Chemtex Co., Ltd., brand name: SG-P3 solvent modified product, weight average molecular weight: 800,000, glycidyl functional group monomer ratio: 3%, Tg: -7°C

C-2: 아크릴 수지(아크릴 고무), 나가세 켐텍스 주식회사제, 상품명: SG-70L, 중량 평균 분자량: 90만, 산가: 5mgKOH/g, Tg: -13℃C-2: Acrylic resin (acrylic rubber), manufactured by Nagase Chemtex Co., Ltd., trade name: SG-70L, weight average molecular weight: 900,000, acid value: 5 mgKOH/g, Tg: -13°C

C-3: 카복실기 함유 아크릴 수지(아크릴 고무), 나가세 켐텍스 주식회사제, 상품명: SG-708-6, 중량 평균 분자량: 70만, 산가: 9mgKOH/g, Tg: 4℃C-3: carboxyl group-containing acrylic resin (acrylic rubber), manufactured by Nagase Chemtex Corporation, trade name: SG-708-6, weight average molecular weight: 700,000, acid value: 9 mgKOH/g, Tg: 4°C

(D) 무기 필러(D) inorganic filler

D-1: 실리카 필러 분산액, 용융 실리카, 아드마텍스 주식회사제, 상품명: SC2050-HLG, 평균 입경: 0.50μmD-1: silica filler dispersion, fused silica, manufactured by Admatex Corporation, trade name: SC2050-HLG, average particle diameter: 0.50 µm

(E) 경화 촉진제(E) curing accelerator

E-1: 1-사이아노에틸-2-페닐이미다졸, 시코쿠 가세이 고교 주식회사제, 상품명: 큐어졸 2PZ-CNE-1: 1-cyanoethyl-2-phenylimidazole, manufactured by Shikoku Kasei Kogyo Co., Ltd., trade name: Curesol 2PZ-CN

<각종 물성의 평가><Evaluation of various physical properties>

얻어진 접착 시트에 대하여, 매립성 및 블리드양의 평가를 행했다.About the obtained adhesive sheet, embedding property and bleed amount were evaluated.

[매립성 평가][Evaluation of burial property]

접착 시트의 매립성을 이하의 평가 샘플을 제작하여 평가했다. 상기에서 얻어진 필름상 접착제(두께 110μm)의 기재 필름을 박리하고, 다이싱 테이프에 첩부하여, 다이싱 다이본딩 일체형 접착 시트를 제작했다. 다음으로, 두께 100μm의 반도체 웨이퍼(8인치)를 준비하고, 이것을 다이싱 다이본딩 일체형 접착 시트의 접착제 측에, 70℃로 가열하여 첩부했다. 그 후, 이 반도체 웨이퍼를 평방 7.5mm로 다이싱함으로써, 반도체 칩 A를 얻었다. 다음으로, 두께 50μm의 반도체 웨이퍼(8인치) 및 상기와는 다른 다이싱 다이본딩 일체형 접착 시트(히타치 가세이 주식회사, 상품명: HR9004-10)(두께 10μm)를 준비하고, 반도체 웨이퍼를 다이싱 다이본딩 일체형 접착 시트의 접착제 측에, 70℃로 가열하여 첩부했다. 그 후, 이 반도체 웨이퍼를 평방 4.5mm로 다이싱함으로써, 다이본딩 필름 부착 반도체 칩 B를 얻었다. 이어서, 솔더 레지스트(다이요 닛산 주식회사, 상품명: AUS308)를 도포한 총 두께 260μm의 평가용 기판을 준비하고, 반도체 칩 B의 다이본딩 필름과 평가용 기판의 솔더 레지스트가 접하도록, 120℃, 0.20MPa, 2초간의 조건으로 압착했다. 그 후, 반도체 칩 A의 필름상 접착제와 반도체 칩 B의 반도체 웨이퍼가 접하도록, 120℃, 0.20MPa, 1.5초간의 조건으로 압착하여, 평가 샘플을 얻었다. 이때, 먼저 압착되어 있는 반도체 칩 B가 반도체 칩 A의 중앙이 되도록 위치 맞춤을 행했다. 이와 같이 하여 얻어진 평가 샘플을 초음파 디지털 화상 진단 장치(인사이트 주식회사제, 프로브: 75MHz)로 보이드의 관측의 유무를 관측하고, 보이드가 관측된 경우는, 단위 면적당 보이드의 면적의 비율을 산출하여, 이들 분석 결과를 매립성으로서 평가했다. 평가 기준은, 이하와 같다. 결과를 표 1 및 표 2에 나타낸다.The following evaluation samples were produced and evaluated for embedding property of an adhesive sheet. The base film of the film adhesive (110 micrometers in thickness) obtained above was peeled, and it affixed to the dicing tape, and produced the dicing die-bonding integrated adhesive sheet. Next, a 100-micrometer-thick semiconductor wafer (8 inches) was prepared, and this was heated at 70 degreeC and affixed to the adhesive agent side of the dicing die-bonding integrated adhesive sheet. Then, the semiconductor chip A was obtained by dicing this semiconductor wafer to 7.5 mm square. Next, a semiconductor wafer (8 inches) having a thickness of 50 µm and a dicing die-bonding integrated adhesive sheet different from the above (Hitachi Kasei Co., Ltd., trade name: HR9004-10) (thickness 10 µm) were prepared, and the semiconductor wafer was diced and die-bonded. It was affixed by heating at 70 degreeC on the adhesive agent side of the integrated adhesive sheet. Then, the semiconductor chip B with a die-bonding film was obtained by dicing this semiconductor wafer to 4.5 mm square. Next, prepare a substrate for evaluation with a total thickness of 260 μm coated with a solder resist (Taiyo Nissan Co., Ltd., trade name: AUS308), 120° C., 0.20 MPa so that the die bonding film of the semiconductor chip B and the solder resist of the substrate for evaluation are in contact , and crimping under the conditions of 2 seconds. Then, it crimped|bonded under the conditions for 120 degreeC, 0.20 MPa, 1.5 second so that the film adhesive of the semiconductor chip A and the semiconductor wafer of the semiconductor chip B might contact, and the evaluation sample was obtained. At this time, alignment was performed so that the semiconductor chip B previously crimped|bonded might become the center of the semiconductor chip A. For the evaluation sample thus obtained, the presence or absence of observation of voids is observed with an ultrasonic digital imaging apparatus (manufactured by Insight Corporation, probe: 75 MHz), and when voids are observed, the ratio of the area of voids per unit area is calculated, and these The analysis result was evaluated as embedding property. Evaluation criteria are as follows. A result is shown in Table 1 and Table 2.

A: 보이드가 관측되지 않았다.A: No voids were observed.

B: 보이드가 관측되었지만, 그 비율이 5면적% 미만이었다.B: Voids were observed, but the proportion was less than 5 area%.

C: 보이드가 관측되며, 그 비율이 5면적% 이상이었다.C: Voids were observed, and the ratio was 5 area% or more.

[블리드양 평가][Bleed amount evaluation]

상기 매립성 평가에서 "A" 또는 "B"였던 것에 대하여, 블리드양 평가를 행했다. 상기 매립성 평가에서 제작한 평가 샘플과 동일하게 하여, 블리드양 평가의 평가 샘플을 제작했다. 현미경을 이용하여, 평가 샘플의 4변의 중심으로부터, 필름상 접착제의 돌출량을 측장하고, 그 최댓값을 블리드양으로 했다. 결과를 표 1 및 표 2에 나타낸다.About what was "A" or "B" in the said embedding evaluation, bleed amount evaluation was performed. It carried out similarly to the evaluation sample produced by the said embedding evaluation, and produced the evaluation sample of bleed amount evaluation. Using a microscope, the protrusion amount of the film adhesive was measured from the center of 4 sides of the evaluation sample, and the maximum value was made into the bleed amount. A result is shown in Table 1 and Table 2.

[표 1][Table 1]

Figure pct00003
Figure pct00003

[표 2][Table 2]

Figure pct00004
Figure pct00004

표 1 및 표 2에 나타내는 바와 같이, 지환식 환을 갖는 페놀 수지를 포함하는 실시예 1~6은, 그것을 포함하지 않는 비교예 1~4에 비하여, 양호한 매립성을 유지하면서, 블리드를 억제할 수 있었다. 이들 결과로부터, 본 발명에 관한 접착제 조성물이, 열압착 시에 양호한 매립성을 가지면서, 블리드를 억제하는 것이 가능하다는 것이 확인되었다.As shown in Tables 1 and 2, Examples 1 to 6 containing the phenol resin having an alicyclic ring suppress bleed while maintaining good embedding properties compared to Comparative Examples 1 to 4 that do not contain it. could From these results, it was confirmed that it is possible to suppress bleed, while the adhesive composition which concerns on this invention has favorable embedding property at the time of thermocompression bonding.

산업상 이용가능성Industrial Applicability

이상의 결과와 같이, 본 발명에 관한 접착제 조성물은, 열압착 시의 매립성이 양호하고, 블리드를 억제할 수 있는 등의 점에서 우수하기 때문에, 접착제 조성물을 필름상으로 형성하여 이루어지는 필름상 접착제는, 칩 매립형 필름상 접착제인 FOD(Film Over Die) 또는 와이어 매립형 필름상 접착제인 FOW(Film Over Wire)로서 유용해질 수 있다.As described above, the adhesive composition according to the present invention has good embedding properties at the time of thermocompression bonding and is excellent in that it can suppress bleeding. , FOD (Film Over Die), which is a chip-embedded film adhesive, or FOW (Film Over Wire), which is a wire-embedded film-type adhesive.

10…필름상 접착제
14…기판
20…기재
30…보호 필름
41…접착제
42…밀봉재
84, 94…회로 패턴
88…제1 와이어
90…유기 기판
98…제2 와이어
100, 110…접착 시트
200…반도체 장치
Wa…제1 반도체 소자
Waa…제2 반도체 소자
10… film adhesive
14… Board
20… write
30… protective film
41… glue
42… sealant
84, 94... circuit pattern
88… first wire
90… organic substrate
98… second wire
100, 110… adhesive sheet
200… semiconductor device
Wow… first semiconductor element
Waa… second semiconductor element

Claims (13)

열경화성 수지와, 경화제와, 엘라스토머와, 무기 필러를 함유하고,
상기 경화제가 지환식 환을 갖는 페놀 수지를 포함하며,
상기 엘라스토머의 함유량이, 상기 열경화성 수지 100질량부에 대하여, 10~80질량부인, 접착제 조성물.
A thermosetting resin, a curing agent, an elastomer, and an inorganic filler,
The curing agent includes a phenol resin having an alicyclic ring,
Adhesive composition whose content of the said elastomer is 10-80 mass parts with respect to 100 mass parts of said thermosetting resins.
청구항 1에 있어서,
상기 열경화성 수지가 에폭시 수지인, 접착제 조성물.
The method according to claim 1,
The thermosetting resin is an epoxy resin, the adhesive composition.
청구항 2에 있어서,
상기 에폭시 수지가 비스페놀 F형 에폭시 수지를 포함하는, 접착제 조성물.
3. The method according to claim 2,
The adhesive composition in which the said epoxy resin contains a bisphenol F-type epoxy resin.
청구항 1 내지 청구항 3 중 어느 한 항에 있어서,
상기 엘라스토머가 아크릴 수지인, 접착제 조성물.
4. The method according to any one of claims 1 to 3,
The adhesive composition, wherein the elastomer is an acrylic resin.
청구항 1 내지 청구항 4 중 어느 한 항에 있어서,
무기 필러가 실리카인, 접착제 조성물.
5. The method according to any one of claims 1 to 4,
The adhesive composition, wherein the inorganic filler is silica.
청구항 1 내지 청구항 5 중 어느 한 항에 있어서,
상기 무기 필러의 함유량이, 접착제 조성물 전체량을 기준으로 하여, 25질량% 이상인, 접착제 조성물.
6. The method according to any one of claims 1 to 5,
Adhesive composition whose content of the said inorganic filler is 25 mass % or more on the basis of the adhesive composition whole quantity.
청구항 1 내지 청구항 6 중 어느 한 항에 있어서,
상기 열경화성 수지, 상기 경화제, 상기 엘라스토머, 및 상기 무기 필러의 합계의 함유량이, 접착제 조성물 전체량을 기준으로 하여, 95질량% 이상인, 접착제 조성물.
7. The method according to any one of claims 1 to 6,
The adhesive composition in which content of the sum total of the said thermosetting resin, the said hardening|curing agent, the said elastomer, and the said inorganic filler is 95 mass % or more on the basis of the adhesive composition whole quantity.
청구항 1 내지 청구항 7 중 어느 한 항에 있어서,
경화 촉진제를 더 함유하는, 접착제 조성물.
8. The method according to any one of claims 1 to 7,
An adhesive composition further comprising a curing accelerator.
청구항 1 내지 청구항 8 중 어느 한 항에 기재된 접착제 조성물을 필름상으로 형성하여 이루어지는, 필름상 접착제.A film adhesive formed by forming the adhesive composition according to any one of claims 1 to 8 in the form of a film. 기재와,
상기 기재 상에 마련된, 청구항 9에 기재된 필름상 접착제를 구비하는, 접착 시트.
description and,
The adhesive sheet provided on the said base material and provided with the film adhesive of Claim 9.
청구항 10에 있어서,
상기 기재가 다이싱 테이프인, 접착 시트.
11. The method of claim 10,
The adhesive sheet, wherein the substrate is a dicing tape.
청구항 10 또는 청구항 11에 있어서,
상기 필름상 접착제의 상기 기재와는 반대 측의 면에 적층된 보호 필름을 더 구비하는, 접착 시트.
12. The method of claim 10 or 11,
The adhesive sheet further comprising a protective film laminated on the side opposite to the base material of the film adhesive.
기판 상에 제1 와이어를 개재하여 제1 반도체 소자를 전기적으로 접속하는 와이어 본딩 공정과,
제2 반도체 소자의 편면에, 청구항 9에 기재된 필름상 접착제를 첩부하는 래미네이트 공정과,
상기 필름상 접착제가 첩부된 제2 반도체 소자를, 상기 필름상 접착제를 개재하여 압착함으로써, 상기 제1 와이어의 적어도 일부를 상기 필름상 접착제에 매립하는 다이본드 공정을 구비하는, 반도체 장치의 제조 방법.
A wire bonding process of electrically connecting a first semiconductor element on a substrate with a first wire interposed therebetween;
A lamination step of affixing the film adhesive according to claim 9 on one side of the second semiconductor element;
A method for manufacturing a semiconductor device comprising: a die bonding step of embedding at least a part of the first wire in the film adhesive by crimping a second semiconductor element to which the film adhesive is affixed through the film adhesive; .
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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPWO2022186285A1 (en) * 2021-03-05 2022-09-09
WO2023047594A1 (en) * 2021-09-27 2023-03-30 昭和電工マテリアルズ株式会社 Film adhesive, two-in-one dicing and die-bonding film, semiconductor device, and manufacturing method for same
JP7356534B1 (en) 2022-03-30 2023-10-04 株式会社レゾナック Adhesive film for semiconductors, dicing die bonding film, and method for manufacturing semiconductor devices

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007053240A (en) 2005-08-18 2007-03-01 Lintec Corp Sheet shared by dicing and die bonding, and manufacturing method of semiconductor device using the same

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004018718A (en) * 2002-06-18 2004-01-22 Mitsui Chemicals Inc Adhesive composition for semiconductor device
JP2004059859A (en) * 2002-07-31 2004-02-26 Mitsui Chemicals Inc Filmy adhesive, engineering process for adhering the same and semiconductor device by using the filmy adhesive
JP4112586B2 (en) * 2003-12-08 2008-07-02 積水化学工業株式会社 Thermosetting resin composition, resin sheet and resin sheet for insulating substrate
KR101082448B1 (en) * 2007-04-30 2011-11-11 주식회사 엘지화학 Adheisive resin composition and dicing die bonding film using the same
JP2010118554A (en) * 2008-11-13 2010-05-27 Nec Electronics Corp Semiconductor device and method of manufacturing the same
JP5499516B2 (en) * 2009-05-13 2014-05-21 日立化成株式会社 Adhesive composition, circuit member connecting adhesive sheet, and method for manufacturing semiconductor device
JP5754072B2 (en) * 2010-02-25 2015-07-22 日立化成株式会社 Adhesive composition, adhesive member sheet for connecting circuit members, and method for manufacturing semiconductor device
JP6135202B2 (en) * 2013-03-08 2017-05-31 日立化成株式会社 Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device
KR20160000360A (en) * 2014-06-24 2016-01-04 도레이첨단소재 주식회사 Adhesive composition for anti-migration properties and coverlay film and double-sided adhesive tape using the same

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007053240A (en) 2005-08-18 2007-03-01 Lintec Corp Sheet shared by dicing and die bonding, and manufacturing method of semiconductor device using the same

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