KR20210136835A - Display module having glass substrate formed side wirings and manufacturing method as the same - Google Patents
Display module having glass substrate formed side wirings and manufacturing method as the same Download PDFInfo
- Publication number
- KR20210136835A KR20210136835A KR1020210028573A KR20210028573A KR20210136835A KR 20210136835 A KR20210136835 A KR 20210136835A KR 1020210028573 A KR1020210028573 A KR 1020210028573A KR 20210028573 A KR20210028573 A KR 20210028573A KR 20210136835 A KR20210136835 A KR 20210136835A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- glass substrate
- side wiring
- layer
- display module
- edge zone
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission
- H01L27/153—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
- H01L27/156—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars two-dimensional arrays
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
- H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/1218—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition or structure of the substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/1259—Multistep manufacturing methods
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
Description
본 개시는 디스플레이 모듈 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는, 글라스 기판의 에지 영역에 측면 배선을 형성한 디스플레이 모듈 및 그 제조 방법에 관한 것이다.The present disclosure relates to a display module and a manufacturing method thereof, and more particularly, to a display module in which side wirings are formed in an edge region of a glass substrate, and a manufacturing method thereof.
자발광 디스플레이 소자는 컬러 필터 및 백 라이트 없이 영상을 표시하는 것으로, 스스로 빛을 내는 LED 무기 자발광 소자를 이용할 수 있다.The self-luminous display device displays an image without a color filter and a backlight, and an inorganic self-luminous LED device that emits light by itself may be used.
디스플레이 모듈은 LED 무기 자발광 소자로 이루어진 픽셀 또는 서브 픽셀 단위로 동작이 되면서 다양한 색을 표현하고 있으며, 각각의 픽셀 또는 서브 픽셀은 TFT(Thin Film Transistor)에 의해 동작이 제어된다. 복수의 TFT는 연성 가능한 기판, 글라스 기판 또는 플라스틱 기판에 배열되며, 이를 TFT 기판이라고 한다.The display module expresses various colors while operating in units of pixels or sub-pixels made of LED inorganic light-emitting devices, and the operation of each pixel or sub-pixel is controlled by a TFT (Thin Film Transistor). A plurality of TFTs are arranged on a flexible substrate, a glass substrate or a plastic substrate, which is called a TFT substrate.
이와 같은 TFT 기판은 플렉서블(flexible) 디바이스 및 웨어러블 디바이스(예를 들면, Wearable Watch 등)와 같은 소형에서부터 수십 인치에 이르는 대형 TV에 적용되어 디스플레이를 구동하는 기판으로써 활용되고 있다. TFT 기판을 구동하기 위해서는 TFT 기판에 전류를 인가할 수 있는 외부 회로(External IC) 또는 구동 회로(Driver IC)와 연결한다. 일반적으로 TFT 기판과 각 회로는 COG(Chip on Glass) 본딩이나 FOG(Film on Glass) 본딩 등을 통해 연결된다. 이러한 연결을 위해서는 TFT 기판의 가장자리에 일정한 면적을 가지는 영역 즉, 베젤 영역(bezel area)이 확보되어야 한다.Such a TFT substrate is applied to large TVs ranging from small to several tens of inches, such as flexible devices and wearable devices (eg, Wearable Watch), and is utilized as a substrate for driving a display. In order to drive the TFT substrate, it is connected to an external circuit (External IC) or a driver IC capable of applying a current to the TFT substrate. In general, the TFT substrate and each circuit are connected through COG (Chip on Glass) bonding or FOG (Film on Glass) bonding. For this connection, a region having a certain area, ie, a bezel area, must be secured at the edge of the TFT substrate.
최근 들어 TFT 기판을 채용한 디스플레이 패널에서 영상이 표시되는 영역인 액티브 영역(Active area)을 최대화할 수 있도록 베젤 영역을 최소화하는 베젤 리스(bezel-less) 기술에 대한 연구 및 개발이 진행되고 있다.Recently, research and development on a bezel-less technology that minimizes the bezel area so as to maximize the active area, which is an area in which an image is displayed in a display panel employing a TFT substrate, is being researched and developed.
본 개시의 목적은 글라스 기판에 형성된 측면 배선의 단선율을 최소화할 수 있는 디스플레이 모듈 및 그 제조 방법을 제공하는데 있다.An object of the present disclosure is to provide a display module capable of minimizing the disconnection rate of side wiring formed on a glass substrate and a method of manufacturing the same.
본 개시의 다른 목적은 글라스 기판에 형성된 측면 배선을 외부 충격으로부터 보호할 수 있는 구조를 포함하는 디스플레이 모듈 및 그 제조 방법을 제공하는데 있다.Another object of the present disclosure is to provide a display module including a structure capable of protecting side wiring formed on a glass substrate from external impact, and a method for manufacturing the same.
본 개시의 또 다른 목적은 측면 배선이 글라스 기판 상의 접촉 면적을 최대한 넓혀 글라스 기판에 안정적으로 결합될 수 있는 디스플레이 모듈을 제공하는 데 있다.Another object of the present disclosure is to provide a display module in which side wirings can be stably coupled to a glass substrate by maximizing a contact area on the glass substrate.
상기 목적을 달성하기 위해 본 개시는, 전면(front surface)에 TFT(Thin Film Transistor) 층이 배치되고 후면(rear surface)에 상기 TFT층을 구동하기 위한 구동 회로가 배치되며, 측면에 대응하는 제1 에지 존과 상기 측면에 인접한 상기 전면 일부에 대응하는 제2 에지 존과 상기 측면에 인접한 상기 후면 일부에 대응하는 제3 에지 존으로 이루어지는 에지 영역을 포함하는 글라스 기판; 상기 글라스 기판의 TFT 층에 전기적으로 연결된 다수의 LED(Light Emitting Diode); 상기 제2 에지 존에 간격을 두고 배치되며 다수의 제1 금속 배선을 통해 상기 TFT 층에 구비된 TFT 회로와 전기적으로 연결된 다수의 제1 접속 패드; 상기 제3 에지 존에 간격을 두고 배치되며 다수의 제2 금속 배선을 통해 상기 구동 회로와 전기적으로 연결된 다수의 제2 접속 패드; 및 일단부가 대응하는 상기 제1 접속 패드를 완전히 덮고 타단부가 대응하는 제2 접속 패드를 완전히 덮는 다수의 측면 배선;을 포함하고, 측면 배선의 일단부 및 타단부 중 적어도 어느 하나가 상기 글라스 기판에 형성된 절연층의 일부를 덮는 디스플레이 모듈을 제공한다.In order to achieve the above object, the present disclosure provides a TFT (Thin Film Transistor) layer disposed on a front surface and a driving circuit for driving the TFT layer disposed on a rear surface, and a first corresponding to the side surface. a glass substrate including an edge region including one edge zone, a second edge zone corresponding to a portion of the front surface adjacent to the side surface, and a third edge zone corresponding to a portion of the rear surface adjacent to the side surface; a plurality of LEDs (Light Emitting Diodes) electrically connected to the TFT layer of the glass substrate; a plurality of first connection pads disposed at intervals in the second edge zone and electrically connected to a TFT circuit provided in the TFT layer through a plurality of first metal wirings; a plurality of second connection pads disposed at intervals in the third edge zone and electrically connected to the driving circuit through a plurality of second metal wires; and a plurality of side wirings having one end completely covering the corresponding first connection pad and the other end completely covering the corresponding second connection pad, wherein at least one of one end and the other end of the side wiring is the glass substrate To provide a display module covering a portion of the insulating layer formed on the.
상기 절연층은 상기 글라스 기판의 전면 및 후면에 형성된 유기 절연막 또는 무기 절연막일 수 있다.The insulating layer may be an organic insulating layer or an inorganic insulating layer formed on the front and back surfaces of the glass substrate.
상기 절연층은 상기 제1 접속 패드 또는 상기 제2 접속 패드에 간격을 두고 인접하게 배치될 수 있다.The insulating layer may be disposed adjacent to the first connection pad or the second connection pad with a gap therebetween.
상기 절연층은 상기 제1 접속 패드 또는 상기 제2 접속 패드의 일부를 덮을 수 있다.The insulating layer may cover a portion of the first connection pad or the second connection pad.
상기 제1 접속 패드는 상기 제1 금속 배선 상에 형성되고, 상기 제2 접속 패드는 상기 제2 금속 배선 상에 형성될 수 있다.The first connection pad may be formed on the first metal wiring, and the second connection pad may be formed on the second metal wiring.
상기 글라스 기판은 상기 제2 에지 존에 요철이 형성되고, 상기 요철 상에 순차적으로 적층된 상기 제1 금속 배선, 상기 제1 접속 패드 및 상기 측면 배선의 일단부는 요철 형상을 가질 수 있다.The glass substrate may have concavities and convexities formed in the second edge zone, and one end of the first metal wiring, the first connection pad, and the side wiring sequentially stacked on the concavities and convexities may have an uneven shape.
상기 제1 접속 패드는 요철이 형성되고, 상기 요철 상에 적층되는 상기 측면 배선의 일단부는 요철 형상을 가질 수 있다.The first connection pad may have an uneven shape, and one end of the side wiring stacked on the unevenness may have an uneven shape.
상기 제1 접속 패드는 레이저 공정 또는 에칭 공정에 의해 형성된 요철을 형성하고, 상기 측면 배선은 금속 증착 공정을 통해 상기 글라스 기판에 형성하여 상기 요철 상에 형성된 상기 측면 배선의 일부는 요철 형상을 가질 수 있다.The first connection pad may form an unevenness formed by a laser process or an etching process, and the side wiring may be formed on the glass substrate through a metal deposition process, and a portion of the side wiring formed on the unevenness may have an uneven shape. have.
상기 제1 접속 패드 상에 절연 재질의 비아 구조가 형성되고, 상기 비아 구조 상에 형성된 상기 측면 배선의 일부는 요철 형상을 가지며 상기 제1 접속 패드와 전기적으로 연결될 수 있다.A via structure made of an insulating material may be formed on the first connection pad, and a portion of the side wiring formed on the via structure may have a concave-convex shape and may be electrically connected to the first connection pad.
상기 글라스 기판은 측면에 대응하는 제1 에지 존과 상기 측면에 인접한 상기 전면 일부에 대응하는 제2 에지 존과 상기 측면에 인접한 상기 후면 일부에 대응하는 제3 에지 존으로 이루어지는 에지 영역을 포함하며, 상기 다수의 측면 배선은 일정한 간격을 두고 배치되고, 각 측면 배선은 상기 제1 에지 존의 형성된 제1 부분의 폭이 상기 제2 에지 존에 형성된 제2 부분의 폭 및 상기 제3 에지 존에 형성된 제3 부분의 폭보다 클 수 있다.The glass substrate includes an edge region comprising a first edge zone corresponding to a side surface, a second edge zone corresponding to a portion of the front surface adjacent to the side surface, and a third edge zone corresponding to a portion of the rear surface adjacent to the side surface, The plurality of side wirings are arranged at regular intervals, and each side wiring has a width of a first portion formed in the first edge zone, a width of a second portion formed in the second edge zone, and a width formed in the third edge zone It may be larger than the width of the third portion.
서로 인접한 상기 측면 배선들의 제1 부분 사이의 간격은 상기 제2 및 제3 부분의 각각의 폭 보다 작을 수 있다.A distance between the first portions of the side interconnections adjacent to each other may be smaller than the respective widths of the second and third portions.
서로 인접한 상기 측면 배선들의 제1 부분 사이의 간격은 서로 인접한 상기 측면 배선들의 제2 부분 사이의 간격 및 서로 인접한 상기 측면 배선들의 제3 부분 사이의 간격보다 작을 수 있다.An interval between the first portions of the side wirings adjacent to each other may be smaller than a spacing between the second portions of the side wirings adjacent to each other and a distance between the third portions of the side wirings adjacent to each other.
상기 측면 배선의 제1 부분은 상기 제2 부분에 연결되는 지점부터 제2 부분으로부터 멀어지는 일정한 거리까지 점진적으로 확장되는 구간과, 상기 제3 부분에 연결되는 지점부터 제3 부분으로부터 멀어지는 일정한 거리까지 점진적으로 확장되는 구간을 포함할 수 있다.The first portion of the side wiring gradually extends from the point connected to the second portion to a predetermined distance away from the second portion, and gradually from the point connected to the third portion to a predetermined distance away from the third portion. It may include a section extending to .
상기 측면 배선의 제1 부분은 양측의 확장되는 구간 사이에 일정한 폭으로 형성되는 구간을 포함할 수 있다.The first portion of the side wiring may include a section formed with a constant width between the extended sections on both sides.
상기 글라스 기판은 상기 제1 및 제2 에지 존 사이에 형성된 제1 챔퍼면과, 상기 제1 및 제3 에지 존 사이에 형성된 제2 챔퍼면을 더 포함할 수 있다.The glass substrate may further include a first chamfered surface formed between the first and second edge zones and a second chamfered surface formed between the first and third edge zones.
상기 측면 배선은 상기 제2 에지 존, 상기 제1 챔퍼면, 상기 제1 에지 존, 상기 제2 챔퍼면 및 상기 제3 에지 존을 따라 이어지도록 형성될 수 있다.The side wiring may be formed to extend along the second edge zone, the first chamfered surface, the first edge zone, the second chamfered surface, and the third edge zone.
상기 글라스 기판의 제1 에지 존에는 서로 인접한 상기 측면 배선들의 제1 부분 사이의 면상 거리를 증가시키는 트렌치가 형성될 수 있다.A trench may be formed in the first edge zone of the glass substrate to increase the in-plane distance between the first portions of the side wirings adjacent to each other.
상기 글라스 기판은 상기 트렌치를 따라 결합된 절연 부재를 더 포함하며, 상기 절연 부재는 상기 글라스 기판의 측면으로부터 상기 측면 배선의 제1 부분보다 더 높게 돌출될 수 있다.The glass substrate may further include an insulating member coupled along the trench, and the insulating member may protrude higher than the first portion of the side wiring from a side surface of the glass substrate.
상기 글라스 기판은 상기 글라스 기판의 측면 전체를 덮는 보호층을 더 포함할 수 있다.The glass substrate may further include a protective layer covering the entire side surface of the glass substrate.
또한, 본 개시는 전면(front surface)에 TFT(Thin Film Transistor) 층이 배치되고 후면(rear surface)에 상기 TFT층을 구동하기 위한 구동 회로가 배치되며, 측면에 대응하는 제1 에지 존과 상기 측면에 인접한 상기 전면 일부에 대응하는 제2 에지 존과 상기 측면에 인접한 상기 후면 일부에 대응하는 제3 에지 존으로 이루어지는 에지 영역을 포함하는 글라스 기판; 상기 글라스 기판의 TFT 층에 전기적으로 연결된 다수의 LED(Light Emitting Diode); 상기 제2 에지 존에 간격을 두고 배치되며 다수의 제1 금속 배선을 통해 상기 TFT 층에 구비된 TFT 회로와 전기적으로 연결된 다수의 제1 접속 패드; 상기 제3 에지 존에 간격을 두고 배치되며 다수의 제2 금속 배선을 통해 상기 구동 회로와 전기적으로 연결된 다수의 제2 접속 패드; 및 상기 다수의 제1 접속 패드 및 상기 다수의 제2 접속 패드를 전기적으로 연결하는 다수의 측면 배선;을 포함하고, 하나의 측면 배선은 일단부가 서로 인접하게 배열된 2 이상의 제1 접속 패드를 완전히 덮고 타단부가 서로 인접하게 배열된 2 이상의 제2 접속 패드를 완전히 덮고, 상기 하나의 측면 배선의 일단부 및 타단부 중 적어도 어느 하나가 상기 글라스 기판에 형성된 절연층의 일부를 덮는 디스플레이 모듈을 제공함으로써, 상기 목적을 달성할 수 있다.In addition, according to the present disclosure, a thin film transistor (TFT) layer is disposed on a front surface and a driving circuit for driving the TFT layer is disposed on a rear surface, a first edge zone corresponding to the side surface and the a glass substrate including an edge region including a second edge zone corresponding to a portion of the front surface adjacent to a side surface and a third edge zone corresponding to a portion of the rear surface adjacent to the side surface; a plurality of LEDs (Light Emitting Diodes) electrically connected to the TFT layer of the glass substrate; a plurality of first connection pads disposed at intervals in the second edge zone and electrically connected to a TFT circuit provided in the TFT layer through a plurality of first metal wirings; a plurality of second connection pads disposed at intervals in the third edge zone and electrically connected to the driving circuit through a plurality of second metal wires; and a plurality of side wirings electrically connecting the plurality of first connection pads and the plurality of second connection pads, wherein one side wiring completely covers two or more first connection pads arranged adjacent to each other at one end. A display module in which at least one of one end and the other end of the one side wiring completely covers a portion of the insulating layer formed on the glass substrate By doing so, the above object can be achieved.
또한, 본 개시는 전면에 TFT 층이 마련되고 적어도 하나의 에지 영역을 포함하는 글라스 기판을 형성하는 단계; 상기 글라스 기판의 전면 및 후면을 덮도록 형성되며 상기 글라스 기판의 측면에 인접한 상기 글라스 기판의 전면 및 후면의 일부는 요철 형상으로 덮는 마스크층을 형성하는 단계; 상기 글라스 기판의 측면과 상기 글라스 기판의 전면 및 후면에서 상기 마스크층에 의해 덮이지 않은 영역에 박막 도전층을 형성하는 단계; 상기 박막 도전층의 일부를 제거하여 일정한 간격을 유지하는 다수의 측면 배선을 형성하는 단계; 및 상기 마스크층을 제거하는 단계를 포함하며, 상기 글라스 기판의 측면에 형성된 측면 배선의 제1 부분의 폭을 상기 마스크의 요철 형상에 의해 형성되는 측면 배선의 제2 및 제3 부분의 폭보다 크게 형성하는 디스플레이 모듈의 제조 방법을 제공함으로써, 상기 목적을 달성할 수 있다.In addition, the present disclosure includes the steps of forming a glass substrate provided with a TFT layer on the front surface and including at least one edge region; forming a mask layer formed to cover the front surface and the rear surface of the glass substrate and covering a portion of the front surface and the rear surface of the glass substrate adjacent to the side surface of the glass substrate in a concave-convex shape; forming a thin conductive layer on a side surface of the glass substrate and on an area not covered by the mask layer on the front and rear surfaces of the glass substrate; forming a plurality of side wirings at regular intervals by removing a portion of the thin conductive layer; and removing the mask layer, wherein the width of the first portion of the side wiring formed on the side surface of the glass substrate is greater than the width of the second and third portions of the side wiring formed by the concavo-convex shape of the mask. By providing a method of manufacturing a display module to be formed, it is possible to achieve the above object.
상기 박막 도전층에서 제거한 부분의 폭에 따라 상기 상기 글라스 기판의 측면에 형성된 측면 배선의 제1 부분의 폭이 결정될 수 있다.The width of the first portion of the side wiring formed on the side surface of the glass substrate may be determined according to the width of the portion removed from the thin conductive layer.
상기 박막 도전층은 스퍼터링에 의해 상기 글라스 기판에 증착 형성하고, 상기 글라스 기판의 측면에 형성된 박막 도전층의 일부는 레이저 트리밍에 의해 제거될 수 있다.The thin conductive layer may be deposited on the glass substrate by sputtering, and a portion of the thin conductive layer formed on the side surface of the glass substrate may be removed by laser trimming.
상기 글라스 기판의 측면에 형성된 박막 도전층의 일부가 제거되는 부분에 트렌치를 형성할 수 있다.A trench may be formed in a portion from which a portion of the thin conductive layer formed on the side surface of the glass substrate is removed.
상기 디스플레이 모듈의 제조 방법은 상기 글라스 기판의 측면 전체를 덮는 보호층을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.The method of manufacturing the display module may further include forming a protective layer covering the entire side surface of the glass substrate.
상기 디스플레이 모듈의 제조 방법은 상기 트렌치에 절연 부재를 형성하는 단계를 더 포함하며, 상기 절연 부재는 상기 글라스 기판의 측면으로부터 상기 측면 배선의 제1 부분보다 더 높게 돌출 형성할 수 있다.The method of manufacturing the display module may further include forming an insulating member in the trench, wherein the insulating member may protrude higher than the first portion of the side wiring from a side surface of the glass substrate.
상기 디스플레이 모듈의 제조 방법은 상기 글라스 기판의 측면 전체를 덮는 보호층을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.The method of manufacturing the display module may further include forming a protective layer covering the entire side surface of the glass substrate.
상기 디스플레이 모듈의 제조 방법은 상기 글라스 기판의 전면과 측면이 만나 형성되는 모서리를 가공하여 제1 챔퍼면을 형성하는 단계; 및 상기 글라스 기판의 후면과 측면이 만나 형성되는 모서리를 가공하여 제2 챔퍼면을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.The manufacturing method of the display module may include: forming a first chamfered surface by processing an edge formed by meeting a front surface and a side surface of the glass substrate; and forming a second chamfered surface by processing an edge formed by meeting the rear surface and the side surface of the glass substrate.
또한, 본 개시는, 전면에 TFT 층이 마련되고 적어도 하나의 에지 영역을 포함하는 글라스 기판을 형성하는 단계; 상기 글라스 기판의 전면 및 후면을 덮도록 형성되며 상기 글라스 기판의 측면에 인접한 상기 글라스 기판의 전면 및 후면의 일부는 요철 형상으로 덮는 마스크층을 형성하는 단계; 상기 글라스 기판의 측면에 간격을 두고 미세 마스크 라인을 형성하는 단계; 상기 글라스 기판의 측면과 상기 글라스 기판의 전면 및 후면에서 상기 마스크층에 의해 덮이지 않은 영역에 박막 도전층을 형성하는 단계; 및 상기 마스크층 및 상기 미세 마스크 라인을 제거하는 단계를 포함하며, 상기 글라스 기판의 측면에 형성된 측면 배선의 제1 부분의 폭을 상기 마스크의 요철 형상에 의해 형성되는 측면 배선의 제2 및 제3 부분의 폭보다 크게 형성하는 디스플레이 모듈의 제조 방법을 제공함으로써, 상기 목적을 달성할 수 있다.In addition, the present disclosure includes the steps of: forming a glass substrate having a TFT layer provided on its front surface and including at least one edge region; forming a mask layer formed to cover the front surface and the rear surface of the glass substrate and covering a portion of the front surface and the rear surface of the glass substrate adjacent to the side surface of the glass substrate in a concave-convex shape; forming fine mask lines at intervals on the side surfaces of the glass substrate; forming a thin conductive layer on a side surface of the glass substrate and on an area not covered by the mask layer on the front and rear surfaces of the glass substrate; and removing the mask layer and the fine mask line, wherein the width of the first portion of the side wiring formed on the side surface of the glass substrate is adjusted to the second and third widths of the side wiring formed by the concavo-convex shape of the mask. By providing a method of manufacturing a display module that is formed to be larger than the width of the portion, the above object can be achieved.
서로 인접한 상기 측면 배선들의 제1 부분 사이의 간격은 상기 미세 마스크 라인의 폭에 의해 결정될 수 있다.A distance between the first portions of the side wirings adjacent to each other may be determined by a width of the fine mask line.
도 1은 본 개시의 일 실시 예에 따른 디스플레이 모듈을 개략적으로 나타낸 평면도이다.
도 2는 TFT 층에 배열된 픽셀을 나타낸 개략도이다.
도 3은 본 개시의 일 실시 예에 따른 디스플레이 모듈을 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 4a는 본 개시의 일 실시 예에 따른 글라스 기판의 측면을 따라 다수의 측면 배선이 간격을 두고 형성된 예를 나타낸 도면으로, 글라스 기판의 전면의 일부를 확대하여 나타낸 사시도이다.
도 4b는 도 4a에 도시된 글라스 기판의 후면의 일부를 확대하여 사시도이다.
도 5 및 도 6은 글라스 기판의 측면에 형성된 측면 배선의 일부를 나타낸 확대도들이다.
도 7은 본 개시의 일 실시 예에 따른 디스플레이 모듈의 제조 공정을 개략적으로 나타낸 흐름도이다.
도 8은 글라스 기판의 에지 영역에 측면 배선을 형성하는 공정을 나타낸 흐름도이다.
도 9 내지 도 16은 측면 배선을 형성하는 공정을 순차적으로 나타낸 도면들이다.
도 17은 글라스 기판의 측면에 형성된 트렌치에 절연 부재를 결합한 예를 나타낸 사시도이다.
도 18은 글라스 기판의 측면에 보호층을 형성한 예를 나타낸 평면도이다.
도 19는 글라스 기판의 에지 영역에 측면 배선을 형성하는 공정의 다른 예를 나타낸 흐름도이다.
도 20은 측면 배선이 글라스 기판의 전면 및 후면에 형성된 절연층의 일부까지 덮는 예를 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 21은 인접한 측면 배선들이 각각 대응하는 접속 패드를 덮는 예를 나타낸 평면도이다.
도 22는 도 21에 표시된 A-A선을 따라 나타낸 단면도이다.
도 23은 하나의 측면 배선이 인접하게 배치된 다수의 접속 패드를 덮는 예를 나타낸 평면도이다.
도 24는 글라스 기판에 요철을 형성한 후 접속 패드 및 측면 배선을 형성한 예를 나타낸 단면도이다.
도 25는 금속 배선에 요철을 형성한 후 접속 패드 및 측면 배선을 형성한 예를 나타낸 단면도이다.
도 26는 접속 패드에 다수의 요홈을 형성한 후 측면 배선을 형성한 예를 나타낸 단면도이다.
도 27은 도 26에 도시된 접속 패드를 나타낸 사시도이다.
도 28은 접속 패드에 다수의 돌기를 형성한 예를 나타낸 사시도이다.
도 29는 접속 패드 상부에 형성된 유기 절연막에 다수의 비아 홀을 형성한 후 측면 배선을 형성한 예를 나타낸 단면도이다.
도 30은 측면 배선 상에 레이저 빔을 조사한 용접 영역을 나타낸 평면도이다.
도 31은 접속 패드의 일부가 절연층에 의해 덮이고 측면 배선이 접속 패드 및 절연층의 에지부를 함께 덮은 예를 나타낸 평면도이다.
도 32는 도 31에 표시된 B-B선을 따라 나타낸 단면도이다.1 is a plan view schematically illustrating a display module according to an embodiment of the present disclosure.
Fig. 2 is a schematic diagram showing pixels arranged in a TFT layer;
3 is a cross-sectional view schematically illustrating a display module according to an embodiment of the present disclosure.
4A is a view illustrating an example in which a plurality of side wirings are formed at intervals along the side surface of the glass substrate according to an embodiment of the present disclosure, and is an enlarged perspective view of a part of the front surface of the glass substrate.
4B is an enlarged perspective view of a portion of the rear surface of the glass substrate shown in FIG. 4A .
5 and 6 are enlarged views illustrating a part of a side wiring formed on a side surface of a glass substrate.
7 is a flowchart schematically illustrating a manufacturing process of a display module according to an embodiment of the present disclosure.
8 is a flowchart illustrating a process of forming a side wiring in an edge region of a glass substrate.
9 to 16 are views sequentially illustrating a process of forming a side wiring.
17 is a perspective view illustrating an example in which an insulating member is coupled to a trench formed on a side surface of a glass substrate.
18 is a plan view illustrating an example in which a protective layer is formed on a side surface of a glass substrate.
19 is a flowchart illustrating another example of a process of forming a side wiring in an edge region of a glass substrate.
20 is a cross-sectional view schematically illustrating an example in which side wiring covers up to a portion of the insulating layer formed on the front and rear surfaces of the glass substrate.
21 is a plan view illustrating an example in which adjacent side wirings respectively cover corresponding connection pads.
22 is a cross-sectional view taken along line AA shown in FIG. 21 .
23 is a plan view illustrating an example in which one side wiring covers a plurality of adjacently arranged connection pads.
24 is a cross-sectional view illustrating an example in which connection pads and side wirings are formed after forming concavities and convexities on a glass substrate.
25 is a cross-sectional view illustrating an example in which a connection pad and a side wiring are formed after irregularities are formed on the metal wiring.
26 is a cross-sectional view illustrating an example in which side wiring is formed after a plurality of grooves are formed in a connection pad.
FIG. 27 is a perspective view illustrating the connection pad shown in FIG. 26;
28 is a perspective view illustrating an example in which a plurality of protrusions are formed on a connection pad.
29 is a cross-sectional view illustrating an example of forming a side wiring after forming a plurality of via holes in an organic insulating layer formed on an upper portion of a connection pad.
30 is a plan view illustrating a welding area irradiated with a laser beam on a side wiring.
Fig. 31 is a plan view showing an example in which a part of the connection pad is covered by the insulating layer and the side wiring covers the connection pad and the edge portion of the insulating layer together.
FIG. 32 is a cross-sectional view taken along line BB shown in FIG. 31 .
이하에서는 첨부된 도면을 참조하여 다양한 실시 예를 보다 상세하게 설명한다. 본 명세서에 기재된 실시 예는 다양하게 변형될 수 있다. 특정한 실시 예가 도면에서 묘사되고 상세한 설명에서 자세하게 설명될 수 있다. 그러나, 첨부된 도면에 개시된 특정한 실시 예는 다양한 실시 예를 쉽게 이해하도록 하기 위한 것일 뿐이다. 따라서, 첨부된 도면에 개시된 특정 실시 예에 의해 기술적 사상이 제한되는 것은 아니며, 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 균등물 또는 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.Hereinafter, various embodiments will be described in more detail with reference to the accompanying drawings. The embodiments described herein may be variously modified. Certain embodiments may be depicted in the drawings and described in detail in the detailed description. However, the specific embodiments disclosed in the accompanying drawings are only provided to facilitate understanding of the various embodiments. Therefore, the technical spirit is not limited by the specific embodiments disclosed in the accompanying drawings, and it should be understood to include all equivalents or substitutes included in the spirit and scope of the invention.
제1, 제2 등과 같이 서수를 포함하는 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 이러한 구성요소들은 상술한 용어에 의해 한정되지는 않는다. 상술한 용어는 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다.Terms including an ordinal number, such as first, second, etc., may be used to describe various elements, but these elements are not limited by the above-described terms. The above terminology is used only for the purpose of distinguishing one component from another component.
본 명세서에서, "포함한다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다. 어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "연결되어" 있다거나 "접속되어" 있다고 언급된 때에는, 그 다른 구성요소에 직접적으로 연결되어 있거나 또는 접속되어 있을 수도 있지만, 중간에 다른 구성요소가 존재할 수도 있다고 이해되어야 할 것이다. 반면에, 어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "직접 연결되어" 있다거나 "직접 접속되어" 있다고 언급된 때에는, 중간에 다른 구성요소가 존재하지 않는 것으로 이해되어야 할 것이다.In this specification, terms such as "comprises" or "have" are intended to designate that the features, numbers, steps, operations, components, parts, or combinations thereof described in the specification exist, but one or more other features It should be understood that this does not preclude the existence or addition of numbers, steps, operations, components, parts, or combinations thereof. When a component is referred to as being “connected” or “connected” to another component, it is understood that the other component may be directly connected or connected to the other component, but other components may exist in between. it should be On the other hand, when it is mentioned that a certain element is "directly connected" or "directly connected" to another element, it should be understood that the other element does not exist in the middle.
본 개시에서, '동일하다'는 표현은 완전하게 일치하는 것뿐만 아니라, 가공 오차 범위를 감안한 정도의 상이함을 포함한다는 것을 의미한다.In the present disclosure, the expression 'the same' means not only to completely match, but also includes differences in a degree taking into account the processing error range.
그 밖에도, 본 개시를 설명함에 있어서, 관련된 공지 기능 혹은 구성에 대한 구체적인 설명이 본 개시의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우, 그에 대한 상세한 설명은 축약하거나 생략한다.In addition, in describing the present disclosure, when it is determined that a detailed description of a related known function or configuration may unnecessarily obscure the subject matter of the present disclosure, the detailed description thereof will be abbreviated or omitted.
본 개시에서, 디스플레이 모듈은 마이크로 발광 다이오드(마이크로LED 또는 μLED) 디스플레이 패널일 수 있다. 디스플레이 모듈은 평판 디스플레이 패널 중 하나로 각각 100 마이크로미터 이하인 복수의 무기 발광 다이오드(inorganic LED)로 구성되어 있다. 백 라이트가 필요한 액정 디스플레이(LCD) 패널에 비해 마이크로LED 디스플레이 모듈은 더 나은 대비, 응답 시간 및 에너지 효율을 제공한다. 유기발광 다이오드(organic LED)와 무기 발광 소자인 마이크로 LED는 모두 에너지 효율이 좋지만 마이크로 LED는 OLED보다 밝기, 발광 효율, 수명이 길다. 마이크로 LED는 전원이 공급되는 경우 스스로 광을 발산할 수 있는 반도체 칩일 수 있다. 마이크로 LED는 빠른 반응속도, 낮은 전력, 높은 휘도를 가지고 있다. 구체적으로, 마이크로 LED는 기존 LCD(liquid crystal display) 또는 OLED(Organic Light Emitting Diode)에 비해 전기를 광자로 변환시키는 효율이 더 높다. 즉, 기존 LCD 또는 OLED 디스플레이에 비해 "와트당 밝기"가 더 높다. 이에 따라 마이크로 LED는 기존의 LED(가로, 세로, 높이가 각각 100㎛를 초과한다) 또는 OLED에 비해 약 절반 정도의 에너지로도 동일한 밝기를 낼 수 있게 된다. 이외에도 마이크로 LED는 높은 해상도, 우수한 색상, 명암 및 밝기 구현이 가능하여, 넓은 범위의 색상을 정확하게 표현할 수 있으며, 햇빛이 밝은 야외에서도 선명한 화면을 구현할 수 있다. 그리고 마이크로 LED는 번인(burn in) 현상에 강하고 발열이 적어 변형 없이 긴 수명이 보장된다.In the present disclosure, the display module may be a micro light emitting diode (microLED or μLED) display panel. The display module is one of the flat panel display panels and is composed of a plurality of inorganic light emitting diodes (inorganic LEDs), each of which is less than 100 micrometers. Compared to liquid crystal display (LCD) panels that require backlighting, microLED display modules offer better contrast, response time and energy efficiency. Both organic light emitting diodes (organic LEDs) and micro LEDs, which are inorganic light emitting devices, have high energy efficiency, but micro LEDs have longer brightness, luminous efficiency, and longer lifespan than OLEDs. A micro LED may be a semiconductor chip that can emit light by itself when power is supplied. Micro LED has fast response speed, low power, and high luminance. Specifically, the micro LED has a higher efficiency of converting electricity into photons than a conventional liquid crystal display (LCD) or organic light emitting diode (OLED). In other words, it has a higher “brightness per watt” compared to traditional LCD or OLED displays. Accordingly, the micro LED can produce the same brightness with about half the energy of conventional LEDs (each exceeding 100 μm in width, length, and height) or OLED. In addition, micro LED can realize high resolution, excellent color, contrast and brightness, so it can accurately express a wide range of colors, and can realize a clear screen even outdoors in bright sunlight. In addition, the micro LED is strong against burn-in and has low heat generation, so a long lifespan is guaranteed without deformation.
본 개시에서, 마이크로 LED는 애노드 및 캐소드 전극이 동일한 제1 면에 형성되고 발광면이 상기 전극들이 형성된 제1 면의 반대 측에 위치한 제2 면에 형성된 플립칩(Flip chip) 구조를 가질 수 있다.In the present disclosure, the micro LED may have a flip chip structure in which an anode and a cathode electrode are formed on the same first surface and a light emitting surface is formed on a second surface opposite to the first surface on which the electrodes are formed. .
본 개시에서, 글라스 기판은 전면(front surface)에 TFT(Thin Film Transistor) 회로가 형성된 TFT 층이 배치되고, 후면에 TFT 회로를 구동하기 위한 구동 회로가 배치될 수 있다. TFT 회로는 TFT 층에 배치된 다수의 픽셀을 구동할 수 있다. In the present disclosure, a TFT layer having a TFT (Thin Film Transistor) circuit formed on the front surface of the glass substrate may be disposed, and a driving circuit for driving the TFT circuit may be disposed on the rear surface of the glass substrate. The TFT circuitry may drive a number of pixels disposed in the TFT layer.
본 개시에서, 글라스 기판의 전면은 활성 영역과 비활성 영역으로 구분될 수 있다. 활성 영역은 글라스 기판의 전면에서 TFT 층이 점유하는 영역에 해당할 수 있고, 비활성 영역은 글라스 기판의 전면에서 TFT 층이 점유하는 영역을 제외한 영역일 수 있다.In the present disclosure, the front surface of the glass substrate may be divided into an active area and an inactive area. The active region may correspond to a region occupied by the TFT layer on the front surface of the glass substrate, and the inactive region may be a region excluding the region occupied by the TFT layer on the front surface of the glass substrate.
본 개시에서, 글라스 기판의 에지 영역은 글라스 기판의 최외곽일 수 있다. 또한 글라스 기판의 에지 영역은 글라스 기판의 회로가 형성된 영역을 제외한 나머지 영역일 수 있다. 또한 글라스 기판의 에지 영역은 글라스 기판의 측면과 이 측면에 인접한 글라스 기판의 전면 일부와 글라스 기판의 후면 일부를 포함할 수 있다. 글라스 기판은 사각형(quadrangle type)으로 형성될 수 있다. 구체적으로, 글라스 기판은 직사각형(rectangle) 또는 정사각형(square)으로 형성될 수 있다. 글라스 기판의 에지 영역은 글라스 기판의 4변 중 적어도 하나의 변을 포함할 수 있다. In the present disclosure, the edge region of the glass substrate may be the outermost portion of the glass substrate. Also, the edge region of the glass substrate may be a region remaining except for a region in which a circuit of the glass substrate is formed. Also, the edge region of the glass substrate may include a side surface of the glass substrate, a front portion of the glass substrate adjacent to the side surface, and a portion of the rear surface of the glass substrate. The glass substrate may be formed in a quadrangle type. Specifically, the glass substrate may be formed in a rectangular shape or a square shape. The edge region of the glass substrate may include at least one side of the four sides of the glass substrate.
본 개시에서, 글라스 기판의 에지 영역에는 다수의 측면 배선이 일정한 간격을 두고 형성될 수 있다. 다수의 측면 배선은 일단부가 글라스 기판의 전면에 포함되는 에지 영역에 형성된 다수의 제1 접속 패드와 전기적으로 연결될 수 있고, 타단부가 글라스 기판의 후면에 포함되는 에지 영역에 형성된 다수의 제2 접속 패드와 전기적으로 연결될 수 있다. 다수의 제1 접속 패드는 배선을 통해 글라스 기판의 전면에 배치된 TFT 회로와 연결될 수 있고, 다수의 제2 접속 패드는 배선을 통해 글라스 기판의 후면에 배치된 구동 회로와 연결될 수 있다.In the present disclosure, a plurality of side wirings may be formed at regular intervals in the edge region of the glass substrate. The plurality of side wirings may have one end electrically connected to the plurality of first connection pads formed in the edge region included in the front surface of the glass substrate, and the other ends of the plurality of second connection pads formed in the edge region included in the rear surface of the glass substrate. It may be electrically connected to the pad. The plurality of first connection pads may be connected to the TFT circuit disposed on the front surface of the glass substrate through wirings, and the plurality of second connection pads may be connected to the driving circuit disposed on the rear surface of the glass substrate through wirings.
본 개시에서, 디스플레이 모듈은 다수의 측며 배선을 형성함에 따라 TFT 기판의 전면에서 비활성 영역을 최소화하고 활성 영역을 최대화함으로써 베젤 리스화 할 수 있고 디스플레이 모듈에 대한 마이크로 LED의 실장 조밀도가 증가될 수 있다. 이와 같이 베젤 리스화를 구현하는 디스플레이 모듈은 다수를 연결하는 경우 활성 영역을 최대화할 수 있는 대형 디스플레이(LFD) 장치를 제공할 수 있다. 이 경우 각 디스플레이 모듈은 비활성 영역을 최소화함에 따라 서로 인접한 디스플레이 모듈의 각 픽셀들 간의 피치를 단일 디스플레이 모듈 내의 각 픽셀들 간의 피치와 동일하게 유지하도록 형성할 수 있다. 이에 따라 각 디스플레이 모듈 사이의 연결부분에서 심(seam)이 나타나는 것을 방지할 수 있다.In the present disclosure, the display module can be bezel-less by minimizing the inactive area and maximizing the active area on the front surface of the TFT substrate by forming a plurality of side wirings, and the mounting density of the micro LED for the display module can be increased. have. In this way, the display module implementing the bezel-less reduction can provide a large display (LFD) device capable of maximizing an active area when a plurality of them are connected. In this case, each display module may be formed to maintain a pitch between pixels of an adjacent display module to be the same as a pitch between pixels in a single display module by minimizing an inactive area. Accordingly, it is possible to prevent a seam from appearing in the connection portion between each display module.
본 개시에서, 글라스 기판의 비활성화 영역에 포함된 에지 영역에 있는 모서리는 챔퍼(chamfer) 가공되어 소정 각도를 가지는 챔퍼면이 형성될 수 있다. 챔퍼면은 글라스 기판의 전면과 측면 사이의 모서리와, 글라스 기판의 후면과 측면 사이의 모서리에 형성될 수 있다. 이러한 챔퍼면은 레이저 가공에 의해 측면 배선을 형성할 때, 레이저 빔의 조사 구간을 글라스 기판의 전면 및 후면으로부터 소정 간격 멀어지도록 하여 글라스 기판의 전면 및 후면에 실장된 각종 소자나 회로가 레이저 빔에 의해 파손되는 것을 방지할 수 있다.In the present disclosure, an edge in an edge region included in the inactive region of the glass substrate may be chamfered to form a chamfered surface having a predetermined angle. The chamfered surface may be formed at an edge between the front surface and the side surface of the glass substrate and at an edge between the rear surface and the side surface of the glass substrate. When forming the side wiring by laser processing, such a chamfer surface makes the laser beam irradiation section a predetermined distance away from the front and rear surfaces of the glass substrate so that various devices or circuits mounted on the front and rear surfaces of the glass substrate can be applied to the laser beam. damage can be prevented.
본 개시에서, 글라스 기판에 마련된 에지 영역이 글라스 기판의 4변에 중 2곳에만 다수의 측면 배선이 형성되는 것으로 설명하지만, 이제 제한되지 않고 필요에 따라 4변 중 1곳에만 다수의 측면 배선이 형성되나 3곳 이상에 형성될 수도 있다.In the present disclosure, it is described that a plurality of side wirings are formed only in two of the four sides of the edge region provided on the glass substrate, but the present disclosure is not limited and a plurality of side wirings are formed only in one of the four sides if necessary. It may be formed in three or more places.
본 개시에서, 디스플레이 모듈은 다수의 LED가 실장되고 측면 배선이 형성된 글라스 기판을 포함한다. 이와 같은 디스플레이 모듈은 단일 단위로 웨어러블 기기(wearable device), 포터블 기기(portable device), 핸드헬드 기기(handheld device) 및 각종 디스플레이가 필요가 전자 제품이나 전장에 설치되어 적용될 수 있으며, 메트릭스 타입으로 복수의 조립 배치를 통해 PC(personal computer)용 모니터, 고해상도 TV 및 사이니지(signage)(또는, 디지털 사이니지(digital signage)), 전광판(electronic display) 등과 같은 디스플레이 장치에 적용될 있다.In the present disclosure, the display module includes a glass substrate on which a plurality of LEDs are mounted and side wiring is formed. Such a display module can be installed and applied in electronic products or electric fields that require a wearable device, a portable device, a handheld device, and various displays as a single unit, and a plurality of matrix types Through the assembly arrangement of the PC (personal computer) monitor, high-resolution TV and signage (or digital signage), it can be applied to display devices such as electronic display (electronic display).
이하, 도면을 참조하여 본 개시의 일 실시 예에 따른 측면 배선이 형성된 글라스 기판을 구비한 디스플레이 모듈을 설명한다.Hereinafter, a display module including a glass substrate on which a side wiring is formed according to an embodiment of the present disclosure will be described with reference to the drawings.
도 1은 본 개시의 일 실시 예에 따른 디스플레이 모듈을 개략적으로 나타낸 평면도이고, 도 2는 TFT 층 상에 배열된 픽셀을 나타낸 개략도이고, 도 3은 본 개시의 일 실시 예에 따른 디스플레이 모듈을 개략적으로 나타낸 단면도이다.1 is a plan view schematically showing a display module according to an embodiment of the present disclosure, FIG. 2 is a schematic diagram showing pixels arranged on a TFT layer, and FIG. 3 is a schematic view of a display module according to an embodiment of the present disclosure It is a cross-sectional view indicated by
도 1 내지 3을 참조하면, 본 개시에 따른 디스플레이 모듈(1)은 TFT 기판(11)을 포함할 수 있다.1 to 3 , the
디스플레이 모듈(1)은 TFT 기판(11) 상에 배열된 다수의 마이크로 LED(20)를 포함할 수 있다. 다수의 마이크로 LED는 단일 픽셀을 이루는 서브 픽셀일 수 있다. 본 개시에서 마이크로 LED와 서브 픽셀은 같은 의미로서 사용한다.The
TFT 기판(11)은 글라스 기판(12)과, 글라스 기판(12)의 전면에 TFT(Thin Film Transistor) 회로가 포함된 TFT 층(13)과, TFT 층(13)의 TFT 회로와 글라스 기판(12)의 후면 배치된 회로들(미도시)을 전기적으로 연결하는 다수의 측면 배선(30)을 포함할 수 있다. TFT 기판(11)은 전면에 영상을 표현하는 활성 영역(active area)(11a)과 영상을 표현할 수 없는 비활성 영역(dummy area)(11b)을 포함한다.The
활성 영역(11a)은 다수의 픽셀이 각각 배열되는 다수의 픽셀 영역(13)으로 구획될 수 있다. 다수의 픽셀 영역(13)은 다양한 형태로 구획될 수 있으며, 일 예로서 매트릭스 형태로 구획될 수 있다. 각 픽셀 영역(13)은 다수의 서브 픽셀인 다색 마이크로 LED들이 실장되는 서브 픽셀 영역(15)과, 각 서브 픽셀을 구동하기 위한 픽셀 회로 영역(16)을 포함할 수 있다.The
다수의 마이크로 LED(20)는 TFT 층(11b)의 픽셀 회로 영역(16)에 전사되며, 각 마이크로 LED의 전극 패드들은 TFT 층(11b)에 형성된 전극 패드들(17a, 17b)에 각각 전기적으로 연결될 수 있다. 공통 전극 패드(17b)는 나란히 배열된 3개의 마이크로 LED(20)의 배열을 고려하여 직선 형태로 형성될 수 있다.A plurality of
본 개시의 일 실시 예에 따른 디스플레이 모듈(1)의 픽셀 구동 방식은 AM(Active Matrix) 구동 방식 또는 PM(Passive Matrix) 구동 방식일 수 있다. 디스플레이 모듈(1)은 AM 구동 방식 또는 PM 구동 방식에 따라 각 마이크로 LED가 전기적으로 접속되는 배선의 패턴을 형성할 수 있다.A pixel driving method of the
비활성 영역(11b)은 글라스 기판(12)의 에지 영역(edge area)에 포함될 수 있으며, 다수의 제1 접속 패드(18a)가 일정한 간격을 두고 배치될 수 있다. 다수의 제1 접속 패드(18a)는 각각 배선(18b)을 통해 각 서브 픽셀과 전기적으로 연결될 수 있다.The
비활성 영역(11b)에 형성되는 제1 접속 패드(18a)의 개수는 글라스 기판에 구현되는 픽셀의 개수에 따라 달라질 수 있고, 활성 영역(11a)에 배치된 TFT 회로의 구동 방식에 따라 달라질 수 있다. 예를 들면, 활성 영역(11a)에 배치된 TFT 회로가 가로 라인 및 세로 라인으로 다수의 픽셀을 구동하는 PM(Passive Matrix) 구동 방식인 경우에 비해 각 픽셀을 개별적으로 구동하는 AM(Active Matrix) 구동 방식이 더 많은 배선과 접속 패드가 필요할 수 있다.The number of
도 3에서는 편의상 단위 픽셀에 포함되는 3개의 서브 픽셀인 마이크로 LED들(20) 중 2개의 서브 픽셀들만 표시한다.In FIG. 3 , only two sub-pixels of the
디스플레이 모듈(1)은 다수의 마이크로 LED(20)가 각각 블랙 매트릭스(41)에 의해 구획될 수 있으며, 다수의 마이크로 LED(20)와 블랙 매트릭스(41)를 함께 보호하기 위한 투명 커버층(43)을 구비할 수 있다. 이 경우, 투명 커버층(36)의 일면에는 터치 스크린 패널(미도시)이 적층하여 배치될 수도 있다.In the
다수의 마이크로 LED(20)는 무기 발광물질로 이루어지고, 전원이 공급되는 경우 스스로 광을 발산할 수 있는 반도체 칩일 수 있다.The plurality of
다수의 마이크로 LED(20)는 소정의 두께를 가지며 폭과 길이가 동일한 정사각형이거나, 폭과 길이가 상이한 직사각형으로 이루어질 수 있다. 이와 같은 마이크로 LED는 Real HDR(High Dynamic Range) 구현이 가능하고 OLED 대비 휘도 및 블랙 표현력 향상 및 높은 명암비를 제공할 수 있다. 마이크로 LED의 크기는 100㎛이하이거나 바람직하게는 30㎛ 이하일 수 있다.The plurality of
다수의 마이크로 LED(20)는 애노드 및 캐소드 전극이 동일 면에 형성되고 발광면이 상기 전극들 반대편에 형성된 플립칩(Flip chip) 구조를 가질 수 있다.The plurality of
도 4a는 본 개시의 일 실시 예에 따른 TFT 기판의 측면을 따라 다수의 측면 배선이 간격을 두고 형성된 예를 나타낸 일부 확대 사시도이고, 도 4b는 도 4a에 도시된 TFT 기판의 후면을 보여주는 일부 확대 사시도이다.4A is a partially enlarged perspective view illustrating an example in which a plurality of side wirings are formed at intervals along the side surface of the TFT substrate according to an embodiment of the present disclosure, and FIG. 4B is a partially enlarged view showing the rear surface of the TFT substrate shown in FIG. 4A. is a perspective view.
도 4a 및 도 4b를 참조하면, 본 개시에서, 글라스 기판(12) 에지 영역은 글라스 기판(12)의 각 면에 위치하는 다수의 에지 존(edge zone)을 포함하는 것으로 정의할 수 있다.4A and 4B , in the present disclosure, the edge region of the
구체적으로, 글라스 기판(12)의 측면(SS) 전체에 대응하는 제1 에지 존과, 글라스 기판(12)의 측면(SS)에 인접한 글라스 기판의 전면(front surface)(FS) 일부에 대응하는 제2 에지 존과, 글라스 기판(12)의 측면(SS)에 인접한 글라스 기판(12)의 후면(rear surface)(RF) 일부에 대응하는 제3 에지 존을 포함할 수 있다. Specifically, a first edge zone corresponding to the entire side surface SS of the
이 경우, 제2 에지 존은 글라스 기판의 측면(SS)과 전면(FS) 사이에 챔퍼 가공된 제1 챔퍼면(CS1)을 포함할 수 있고, 제3 에지 존은 글라스 기판의 측면(SS)과 후면(RS) 사이에 챔퍼 가공된 제2 챔퍼면(CS2)을 포함할 수 있다.In this case, the second edge zone may include a first chamfered surface CS1 chamfered between the side surface SS and the front surface FS of the glass substrate, and the third edge zone is the side surface SS of the glass substrate. A chamfered second chamfered surface CS2 may be included between the rear surface RS and the rear surface RS.
측면 배선(30)은 제2 에지 존에 형성된 제1 접속 패드(18a)와 제3 에지 존에 형성된 제2 접속 패드(19a)를 전기적으로 연결할 수 있다.The
제1 접속 패드(18a)는 제2 에지 존을 따라 일정한 간격을 두고 다수 형성될 수 있다. 제1 접속 패드(18a)는 일부가 TFT 층(13)에 마련된 배선(18b)을 통해 전기적으로 연결될 수 있다. 이 경우, 배선(18b)은 TFT 층(13)의 게이트 신호 배선 또는 데이터 신호 배선일 수 있다.A plurality of
제2 접속 패드(19a)는 제3 에지 존을 따라 일정한 간격을 두고 다수 형성될 수 있다. 제2 접속 패드(19a)는 측면 배선(30)을 통해 제1 접속 패드(18a)와 연결되고, 배선(19b)을 통해 글라스 기판의 후면(RS)에 형성된 구동회로와 배선(19b)을 통해 연결될 수 있다.A plurality of
측면 배선(30)은 일단이 제1 접속 패드(18a)에 전기적으로 연결되고 타단이 제2 접속 패드(19a)에 전기적으로 연결될 수 있다.The
측면 배선(30)은 제1 에지 존에 형성된 제1 부분(31)과, 제2 에지 존에 형성된 제2 부분(32)과, 제3 에지 존에 형성된 제3 부분(33)으로 이루어질 수 있다. 제1, 제2 및 제3 부분(31, 32, 33)은 연속적으로 이어지게 형성된다.The
미세한 폭을 가지는 측면 배선(30)은 글라스 기판(12)을 가공하거나 운반 시 외부 충격에 의해 단선될 수 있다. 특히, 제1 에지 존에 형성된 측면 배선의 제1 부분(31)은 주변 구조물(예를 들면, 공정에 서용되는 장비 등)에 충돌하는 경우 긁히거나 찍히는 경우 쉽게 단선될 수 있다.The
이를 방지하기 위해, 측면 배선의 제1 부분(31)은 폭(W1)을 최대한 넓게 형성하는 것이 바람직하다. 이 경우, 측면 배선(30)은 인접한 다른 측면 배선의 제1 부분과 단락(short)되지 않을 정도 간격(G1)을 유지하는 것이 바람직하다. In order to prevent this, it is preferable that the width W1 of the
측면 배선의 제2 및 제3 부분(32, 33)의 폭은 서로 동일하게 형성될 수 있으며, 동일한 부재번호 W2를 부여한다. 여기서, 제2 및 제3 부분(32, 33)의 폭(W2)이 동일하다는 것은 측면 배선의 가공 시 발생하는 가공 오차 범위를 감안한 것이며 완전하게 동일하다는 의미로만 해석되지 않는다.The widths of the second and
측면 배선의 제1 부분(31)은 측면 배선의 제2 및 제3 부분(32, 33)의 폭(W2)보다 크게 형성될 수 있다.The
또한, 인접한 측면 배선의 제1 부분(31)들 사이의 제1 간격(G1)은 인접한 측면 배선의 제2 부분(32)들 사이의 제2 간격(G2)보다 작고 측면 배선의 제3 부분(32)들 사이의 제3 간격(G3)보다 작다. 한편, 측면 배선의 제1 부분(31)의 폭(W1)은 하기 수학식 1을 만족할 수 있다.In addition, the first interval G1 between the
(수학식 1)(Equation 1)
W1=W2+G2-G1W1=W2+G2-G1
이 경우, 측면 배선의 제1 부분(31)의 폭(W1)은 하기 수학식 2와 같은 범위 내에 있을 수 있다.In this case, the width W1 of the
(수학식 2)(Equation 2)
W2+G2-G1max ≤ W1< W2+G2-G1min W2+G2-G1 max ≤ W1< W2+G2-G1 min
여기서, G1의 최대값인 G1max과 G1의 최소값인 G1min은 하기 표 1에 나타낸 각 예시에 대응할 수 있다. 하지만 표 1은 G1의 범위에 대한 몇가지 예시를 나타내는 것이며, G1의 범위가 표 1에 한정될 필요는 없다. Here, G1 max which is the maximum value of G1 and G1 min which is the minimum value of G1 may correspond to each example shown in Table 1 below. However, Table 1 shows some examples of the range of G1, and the range of G1 is not necessarily limited to Table 1.
또한, 측면 배선의 제1 부분(31)의 폭(W1)은 하기 수학식 3을 만족할 수 있고, 측면 배선의 제1 부분(31)의 폭(W1)의 범위는 하기 수학식 4를 만족할 수 있다.In addition, the width W1 of the
(수학식 3)(Equation 3)
W1=W2+G3-G1W1=W2+G3-G1
(수학식 4) (Equation 4)
W2+G3-G1max ≤ W1< W2+G3-G1min W2+G3-G1 max ≤ W1< W2+G3-G1 min
도 5 및 도 6은 글라스 기판의 측면에 형성된 측면 배선의 일부를 나타낸 확대도들이다.5 and 6 are enlarged views illustrating a part of a side wiring formed on a side surface of a glass substrate.
도 5를 참조하면, 측면 배선의 제1 부분(31)은 제2 부분(32)에 연결되는 지점부터 제2 부분(32)으로부터 멀어지는 소정 거리(d1)까지 원호 형상(31a)을 이루면서 점진적으로 확장되는 구간을 포함할 수 있다. 마찬가지로 측면 배선의 제1 부분(31)은 제3 부분(33)에 연결되는 지점부터 제3 부분(33)으로부터 멀어지는 소정 거리까지 원호 형상을 이루면서 점진적으로 확장되는 구간을 포함할 수 있다. 이 경우, 제1 부분(31)은 양측의 확장되는 구간 사이에는 일정한 폭으로 형성되는 구간을 포함할 수 있다.Referring to FIG. 5 , the
측면 배선의 제1 부분(31)은 원호 형상(31a)은 후술하는 마스크(70)를 글라스 기판(12)에 형성하는 마스킹 공정에서 글라스 기판의 측면(SS) 일부를 덮는 경우 형성될 수 있다.The
측면 배선의 제1 부분(31)의 원호 형상(31a)은 후술하는 레이저 가공에 의해 측면 배선을 형성할 때 레이저 빔이 제1 챔퍼면(CS1)까지 침범하지 않고 글라스 기판의 측면(SS) 내에서만 가공할 수 있도록 유도할 수 있다. 이에 따라, 레이저 가공 시 글라스 기판의 제1 챔퍼면(CS1)에 레이저 빔이 주변 구조물로 반사됨에 따라 발생할 수 있는 각종 문제를 미연에 방지할 수 있다.The
도 6을 참조하면, 측면 배선의 제1 부분(31)은 제2 부분(32)에 연결되는 지점부터 제2 부분(32)으로 멀어지는 소정 거리(d2)까지 직선 형상(31b)을 이루면서 점진적으로 확장될 수도 있다.Referring to FIG. 6 , the
이하, 도면을 참조하여 본 개시의 일 실시 예에 따른 디스플레이 모듈의 제조 공정을 개략적으로 설명한다.Hereinafter, a manufacturing process of a display module according to an embodiment of the present disclosure will be schematically described with reference to the drawings.
도 7은 본 개시의 일 실시 예에 따른 디스플레이 모듈의 제조 공정을 개략적으로 나타낸 흐름도이다.7 is a flowchart schematically illustrating a manufacturing process of a display module according to an embodiment of the present disclosure.
먼저, 글라스 기판(12)에 TFT 층(13)을 형성하여 TFT 기판을 제작한다(S1). TFT 층(13)은 LTPS(Low Temperature Poly Silicon) TFT, a-Si TFT, Oxide TFT 중 어느 하나일 수 있다. 이 경우, TFT 층(13)은 글라스 기판(12)의 일면에 일체로 형성될 수 있다.First, a
한편, TFT 층(13)은 박막 필름 형태로 글라스 기판(12)과 별도 제작하여 라미네팅과 같은 코팅 공정을 통해 글라스 기판(12)의 일면에 견고하게 부착될 수도 있다.Meanwhile, the
글라스 기판(12)에 측면 배선이 형성될 에지 영역을 그라인딩하여 평탄화 처리한다(S2). 이는 글라스 기판의 에지 영역에 형성되는 측면 배선이 글라스 기판(12)으로부터 박리되지 않고 견고하게 형성될 수 있도록 하기 위함이다.An edge region in which a side wiring is to be formed on the
평탄화 처리 시, 글라스 기판(12)의 에지 영역에서 제1 및 제2 에지 존의 경계가 되는 모서리와 제1 및 제3 에지 존의 경계가 되는 모서리를 챔퍼링하여 제1 및 제2 챔퍼면(CS1, CS2)을 형성한다.In the planarization process, in the edge region of the
제1 및 제2 챔퍼면(CS1, CS2)은 레이저 가공에 의해 측면 배선을 형성할 때, 레이저 빔의 조사 구간을 글라스 기판의 전면(FS) 및 후면(RS)으로부터 소정 간격 멀어지도록 하여 글라스 기판의 전면(FS) 및 후면(RS)에 실장된 각종 소자나 회로가 레이저 빔에 의해 파손되는 것을 방지할 수 있다.The first and second chamfered surfaces CS1 and CS2 are separated by a predetermined distance from the front surface FS and the rear surface RS of the glass substrate so that the laser beam irradiation section is spaced apart when the side wiring is formed by laser processing. Various devices or circuits mounted on the front (FS) and rear (RS) of the device can be prevented from being damaged by the laser beam.
글라스 기판(12)의 에지 영역에 측면 배선(30)을 형성한다. 측면 배선(30)은 다양한 방식에 의해 형성될 수 있다. 예를 들면, 잉크 젯 방식, 스탬핑 방식, 스크린 인쇄 방식, 스프레이 방식 또는 스퍼터링에 의한 금속 증착 방식을 통해 글라스 기판의 에지 영역에 도전성 금속 물질을 도포하여 측면 배선(30)을 형성할 수 있다.A
이 경우, 측면 배선(30)은 글라스 기판의 에지 영역에 일정한 간격을 두고 동일한 형상으로 형성된다. 측면 배선(30)은 제1 에지 존에 형성된 제1 부분(31)이 제2 및 제3 에지 존에 형성된 제2 및 제3 부분(32, 33)보다 더 넓은 폭으로 형성될 수 있다.In this case, the
글라스 기판의 에지 영역에 측면 배선을 형성한 후, 전사용 기판에 배열된 다수의 마이크로 LED를 타겟 기판인 TFT 기판의 TFT 층에 전사한다(S4).After forming the side wiring in the edge region of the glass substrate, a plurality of micro LEDs arranged on the transfer substrate are transferred to the TFT layer of the TFT substrate, which is the target substrate (S4).
본 개시의 일 실시 예에 따른 디스플레이 모듈(1)은 상기 과정을 통해 제작될 수 있다. 이하에서는 글라스 기판의 에지 영역에 측면 배선을 형성하는 방법을 순차적으로 설명한다.The
도 8은 글라스 기판의 에지 영역에 측면 배선을 형성하는 공정을 나타낸 흐름도이고, 도 9 내지 도 16은 측면 배선을 형성하는 각 공정을 순차적으로 나타낸 도면들이다.8 is a flowchart illustrating a process of forming a side wiring in an edge region of a glass substrate, and FIGS. 9 to 16 are views sequentially illustrating each process of forming a side wiring.
도 9를 참조하면, 에지 영역(제1, 제2 및 제3 에지 존)이 평탄화 처리된 글라스 기판(12)을 준비한다. Referring to FIG. 9 , a
이어서, 도 10과 같이, 글라스 기판(12)의 에지 영역에 측면 배선(30)이 형성될 부분을 제외한 글라스 기판(12)의 전면(FS) 및 후면(RS)을 덮는 마스크층(70)을 형성한다(S11). Next, as shown in FIG. 10 , a
마스크층(70)은 글라스 기판의 전면(FS)으로부터 제1 챔버면(CS1)까지 돌출된 다수의 돌기부(73)를 구비할 수 있다. 이 경우, 각 돌기부(73)는 글라스 기판의 측면(SS)의 일부까지 소정 거리만큼 연장된 단부(74)를 포함할 수 있다.The
또한 다수의 돌기부(73) 사이의 요입부(75)는 제1 접속 패드(18a)의 일부를 덮는다. 이 경우, 요입부(75)에 의해 덮이지 않은 제1 접속 패드(18a)의 나머지 부분은 박막 도전층(80)에 의해 덮이면서 박막 도전층(80)과 물리적 및 전기적으로 연결될 수 있다. 제2 접속 패드(19a) 역시 제1 접속 패드(18a)와 마찬가지로 요입부(75)에 의해 덮이지 않은 제2 접속 패드(19a)의 나머지 부분은 박막 도전층(80)에 의해 덮이면서 박막 도전층(80)과 물리적 및 전기적으로 연결될 수 있다.Also, the
다수의 돌기부(73)는 일정한 간격(G3)을 두고 배치되는데, 이는 이후에 형성될 측면 배선의 제2 부분(32)의 폭(W2, 도 4 참조)을 고려한 것이다. 즉, 각 돌기부들(73) 간의 간격(G3)은 각 측면 배선의 제2 부분(32)의 폭(W2)과 동일하다.The plurality of
마스크층(70)은 스크린 프린팅 공정, 테이핑 공정, 노광/현상 공정 중 어느 하나의 공정을 통해 형성할 수 있다.The
예를 들어, 마스크층(70)을 스크린 프린트 공정에 의해 형성하는 경우, 도 11과 같이 스크린(60)을 글라스 기판(12)의 전면(FS)에 소정 간격을 두고 배치한다.For example, when the
이어서, 스크린(60) 상에 마스크층(70)의 재료가 되는 페이스트(paste)를 바른 후, 스퀴즈(squeegee)(67)를 글라스 기판의 측면(SS)보다 조금 벗어난 위치로부터 글라스 기판의 전면(FS) 측으로 이동하면서 문지르면 페이스트가 스크린(60)에 형성된 패턴(61)을 통과하여 스크린(60) 하측에 배치된 글라스 기판(12)에 마스크층(70)이 프린트된다.Next, after applying a paste as a material of the
글라스 기판의 전면(FS)에 마스크층(70)을 형성한 후, 동일한 스크린 프린팅 공정을 통해 글라스 기판의 후면(SS)에도 마스크층(70)을 형성한다.After the
도 12를 참조하면, 스크린(60)에 형성된 패턴(61)은 마스크층(70)의 다수의 돌출부(73)를 형성하기 위해 다수의 요철 패턴(63)이 구비된다. 다수의 요철 패턴(63)은 돌출부와 요입부가 교대로 반복적으로 형성된다.Referring to FIG. 12 , the
스크린(60)을 글라스 기판의 전면에 대하여 소정 간격으로 이격 배치할 때, 다수의 요철 패턴(63)의 돌출부의 선단(64)은 대략 글라스 기판의 측면(SS)에 대응하는 위치에 배치되고, 요입부의 선단(65)은 제1 접속 패드(18a) 상에 배치될 수 있다. 글라스 기판(12)의 에지 영역의 제1 에지 존에는 다수의 요철 패턴(63)에 의해 마스크층의 다수의 돌기부(73)가 형성될 수 있다.When the
글라스 기판의 전면(FS)에서 제1 에지 존을 제외한 나머지 영역은 패턴(61)의 크기에 따라 마스크층(70)에 의해 전체가 덮이거나 일부만 덮일 수 있다. 이는 마스크층(70)이 글라스 기판의 전면 및 후면을 덮는 넓이는 후공정에 따라 달라질 수 있다. 예를 들면, 마스크층(70)을 형성한 후, 측면 배선을 형성하기 위해 스퍼터링과 같이 도전성 박막을 증착하는 경우 측면 배선을 형성하기 위한 영역만 남기고 글라스 기판의 전면(FS) 및 후면(RS) 전체를 마스크층(70)으로 덮는 것이 바람직하다. 또는 후공정이 잉크 젯 방식, 스탬핑 방식, 스크린 인쇄 방식 중 하나로 진행되는 경우 글라스 기판의 전면(FS) 및 후면(RS)에서 제1 에지 존에 인접한 영역까지 마스크층(70)을 형성할 수 있다.The remaining area on the front surface FS of the glass substrate except for the first edge zone may be entirely or partially covered by the
글라스 기판의 전면(FS)과 후면(RS)에 마스크층(70)을 형성할 때, 마스크층(70)의 다수의 돌기부(73)의 선단(74)이 글라스 기판의 측면(SS)으로 넘어가도록 형성할 수 있다. 이는 글라스 기판의 측면(SS)의 박막 도전층(90) 가공 시 글라스 기판의 전면(FS) 및 후면(RS)에 가해질 수 있는 데미지를 미연에 방지할 수 있다. 또한, 후술하는 레이저 트리밍 가공 영역을 축소함에 따라 레이저 트리밍 시간과 공수를 단축시킬 수 있는 이점이 있다.When the
도 13을 참조하면, 마스크층(70)을 형성한 후, 글라스 기판(12)의 에지 영역에서 마스크층(70)에 의해 덮이지 않은 부분에 측면 배선을 위한 박막 도전층(80)을 형성한다(S12).Referring to FIG. 13 , after forming the
박막 도전층(80)은 스퍼터링 방식에 의해 글라스 기판(12)의 에지 영역에 증착 형성될 수 있다. 본 개시에서는 스퍼터링 방식에 의해 박막 도전층(80)을 형성하는 것으로 설명하지만 이에 제한되지 않고 전술한 바와 같이 잉크 젯 방식, 스탬핑 방식, 스크린 인쇄 방식, 스프레이 방식 중 하나에 의해 형성될 수도 있다.The thin
박막 도전층(80)을 형성한 후, 레이저 트리밍을 통해 박막 도전층(80)에 조사하여 박막 도전층의 일부를 제거함으로써 측면 배선을 형성한다(S13).After forming the thin
구체적으로, 레이저 빔(91)은 박막 도전층(90)에서 각 측면 배선(30)의 경계가 되는 미리 설정된 가상의 라인을 따라 조사된다. 이에 따라, 도 14와 같이, 레이저 빔에 의해 박막 도전층(80)의 일부가 트리밍 되면서 각 측면 배선(30)이 일정한 간격(G1)을 두고 형성될 수 있다. 이와 같이 인접한 측면 배선(30) 간 간격(G1)은 레이저 빔의 포커싱 깊이에 따라 조절될 수 있다.Specifically, the
이때, 인접한 측면 배선(30) 사이에는 레이저 빔에 의해 박막 도전층(90)이 트리밍되면서 도 15와 같이 글라스 기판의 측면(SS)에 소정 깊이의 트렌치(93)가 형성될 수 있다.At this time, a
트렌치(93)의 깊이는 레이저 빔의 포커싱 조절을 통해 정해질 수 있다. 따라서 레이저 빔의 포커싱 조절에 의해 트렌치(93)가 형성되지 않고 인접한 측면 배선들(30)의 경계가 되는 부분의 박막 도전층만 제거될 수도 있다.The depth of the
글라스 기판의 측면(SS)에 형성된 트렌치(93)는 인접한 측면 배선들 사이의 면상 거리를 넓혀 줌에 따라, 레이져 트리밍에서의 리데포지션(Re-deposition)이나 다른 이물질에 의한 단락을 방지할 수 있다. 또한, 이물질이 글라스 기판의 측면(SS)에 흡착하는 경우, 공기 분사나 다른 물리적인 세척을 통해 이물질을 용이하게 제거할 수 있다. 또한, 글라스 기판의 측면(SS)에 절연 보호 필름 등을 부착하여 이물질이 기판에 흡착하는 것을 원천적으로 차단하는 것도 가능하다. 또한, 글라스 기판(12)과 측면 배선(30) 간 열팽창계수 차이에 의한 내구도 감소를 완충할 수 있어 디스플레이 모듈(1)의 내구성을 향상에 기여할 수 있다. The
레이저 트리밍 공정 후, 도 16과 같이 글라스 기판(12)으로부터 마스크층(70)을 제거함으로써 측면 배선 공정을 완료할 수 있다(S14). 또한, 레이저 트리밍 공정과 마스크층 제거 공정은 그 순서를 바꾸어 진행할 수도 있다.After the laser trimming process, the side wiring process may be completed by removing the
한편, 본 개시에서는 상기 박막 도전층을 증착 공정을 통해 형성하는 것으로 설명하지만 이에 한정되지 않는디, 예를 들어 박막 도전층은 잉크 젯 방식, 스탬핑 방식, 스프레이 방식, 스크린 인쇄 방식 중 하나를 통해 형성하는 경우, Au, Ag, Cu 기반의 전도성 잉크의 도포에 의해 글라스 기판의 에지 영역에 형성될 수 있다.Meanwhile, in the present disclosure, it is described that the thin conductive layer is formed through a deposition process, but is not limited thereto. For example, the thin conductive layer is formed through one of an ink jet method, a stamping method, a spray method, and a screen printing method. In this case, it may be formed on the edge region of the glass substrate by application of a conductive ink based on Au, Ag, or Cu.
도 17은 글라스 기판의 측면에 형성된 트렌치에 절연 부재를 형성한 예를 나타낸 사시도이고, 도 18은 글라스 기판의 측면에 보호층을 형성한 예를 나타낸 평면도이다.17 is a perspective view illustrating an example in which an insulating member is formed in a trench formed on a side surface of a glass substrate, and FIG. 18 is a plan view illustrating an example in which a protective layer is formed on a side surface of the glass substrate.
도 17을 참조하면, 측면 배선(30)을 외부 충격으로부터 보호하기 위해, 각 트렌치(93)에 절연 부재(100)를 형성할 수 있다. 절연 부재(100)의 길이는 적어도 트렌치(93)의 길이와 같거나 더 길게 형성할 수 있다.Referring to FIG. 17 , an insulating
절연 부재(100)는 미세 디스펜싱 공정 등에 의해 트렌치(93)이 도포될 수 있다. 이 경우, 절연 부재(100)는 글라스 기판의 측면(SS) 및 측면 배선(30)보다 더 돌출되도록 형성하는 것이 바람직하다. The
측면 배선의 제1 부분(31)은 글라스 기판의 측면(SS)과 절연 부재(100) 사이에 형성되는 단차에 의해 절연 부재(100)보다 상대적으로 더 낮 안쪽으로 위치하게 된다. 이에 따라, 글라스 기판(12)에 가해지는 외부의 충격으로부터 측면 배선(30)을 효과적으로 보호할 수 있어 디스플레이 모듈(1)의 내구성 향상을 도모할 수 있다.The
도 18을 참조하면, 측면 배선(30)을 보호하기 위한 추가 조치로서 글라스 기판의 측면(SS)을 덮는 보호층(110)을 형성할 수 있다. 보호층(110)은 절연 물질로 이루어질 수 있다.Referring to FIG. 18 , as an additional measure to protect the
이 경우, 다수의 절연 부재(100)는 보호층(110)과 접촉할 수 있는 면적을 증가시키는 것은 물론 글라스 기판의 측면(SS)으로부터 돌출되는 구조를 제공함에 따라, 글라스 기판의 측면(SS)과 보호층(110) 간의 접합력을 향상시킬 수 있다.In this case, the plurality of insulating
또한, 도면에 도시하지는 않았으나, 보호층(110)은 트렌치(93)에 절연 부재(100)가 형성되지 않은 상태에서 글라스 기판의 측면(SS) 전체를 덮도록 형성될 수 있다. 이 경우, 보호층(110)은 일부가 트렌치(93)에 인입됨에 따라 글라스 기판의 측면(SS)과 접촉 면적이 증가하여 글라스 기판의 측면(SS)과의 접합력을 향상시킬 수 있다.Also, although not shown in the drawings, the
한편, 상기에서는 측면 배선을 형성하는 방법을 설명함에 있어 레이저 트리밍 가공을 도입한 것을 설명하였으나, 이에 제한되지 않고 이하에서 설명하는 다른 방법으로 측면 배선을 형성하는 것도 물론 가능하다.Meanwhile, in the above description, laser trimming is introduced in the description of the method of forming the side wiring, but the present invention is not limited thereto, and it is of course possible to form the side wiring by another method described below.
도 19는 글라스 기판의 에지 영역에 측면 배선을 형성하는 공정의 다른 예를 나타낸 흐름도이다.19 is a flowchart illustrating another example of a process of forming a side wiring in an edge region of a glass substrate.
먼저, 전술한 측면 배선 방법과 동일하게 마스크층(70)을 글라스 기판(12)에 형성한다(S21).First, the
마스크층(70)을 형성한 후, 글라스 기판의 측면(SS)에 각 측면 배선(30)의 경계가 되는 미리 설정된 가상의 라인을 따라 다수의 미세 마스크 라인(미도시)을 일정한 간격을 두고 디스펜싱 한다(S22).After forming the
이 경우, 미세 마스크 라인의 폭이 인접한 측면 배선들(30) 간의 간격(G1)이 될 수 있다.In this case, the width of the fine mask line may be the interval G1 between the adjacent side wirings 30 .
미세 마스크 라인을 형성한 후, 글라스 기판(12)의 에지 영역에서 마스크층(70)에 의해 덮이지 않은 부분에 측면 배선을 위한 박막 도전층(80)을 형성한다(S23).After the fine mask line is formed, a thin
이 경우, 박막 도전층(80)은 글라스 기판(12)의 에지 영역에서 마스크층(70)에 의해 덮이지 않은 부분을 덮으면서 동시에 다수의 미세 마스크 라인도 함께 덮는다.In this case, the thin
박막 도전층(80)은 스퍼터링 방식에 의해 글라스 기판(12)의 에지 영역에 증착 형성되는 것으로 설명하였으나, 이에 제한되지 않고 잉크 젯 방식, 스탬핑 방식, 스프레이 방식, 스크린 인쇄 방식 중 하나에 의해 형성될 수도 있다.The thin
박막 도전층(80)을 형성한 후, 마스크층(70) 및 미세 마스크 라인을 함께 제거한다(S24).After the thin
이 경우, 미세 마스크 라인을 덮고 있던 박막 도전층(80)의 일부는 미세 마스크 라인과 함께 글라스 기판의 측면(SS)으로부터 제거되면서 인접한 측면 배선(30)이 일정한 간격(G1)을 두고 형성된다. In this case, a portion of the thin
도 20은 측면 배선이 글라스 기판의 전면 및 후면에 형성된 절연층의 일부까지 덮는 예를 개략적으로 나타낸 단면도이다.20 is a cross-sectional view schematically illustrating an example in which side wiring covers up to a portion of the insulating layer formed on the front and rear surfaces of the glass substrate.
도 20을 참조하면, 측면 배선(230)은 제2 부분(232)이 제1 접속 패드(240) 및 글라스 기판(212)의 전면에 형성된 제1 절연층(227)의 일부를 덮는다. 여기서, 제1 절연층(227)의 일부는 제1 접속 패드(240)에 인접한 제1 절연층(227)의 에지부 일 수 있다.Referring to FIG. 20 , the
제1 접속 패드(240)는 상면에 제1 접속 패드(240)의 산화를 방지하기 위해 박막의 산화 방지막(미도시)이 형성될 수 있다. 이 경우, 산화 방지막의 상면에는 측면 배선의 제2 부분(232)이 형성될 수 있으며, 제1 접속 패드(240)와 측면 배선의 제2 부분(232) 간의 전기적인 접속이 가능한 정도의 두께로 형성될 수 있다. An anti-oxidation film (not shown) of a thin film may be formed on an upper surface of the
제1 접속 패드(240)의 둘레에는 무기 절연막(243)이 형성될 수 있다. 이에 따라, 제1 접속 패드(240)는 둘레 부분을 따라 무기 절연막(243)에 의해 절연될 수 있다.An inorganic insulating
글라스 기판(212)의 전면에 형성된 제1 절연층(227)은 유기 절연막 또는 무기 절연막으로 형성되거나 무기 절연막과 유기 절연막이 적층된 구조일 수 있다. 제1 절연층(227)의 에지부는 제1 접속 패드(240)와 소정 간격으로 이격될 수 있다.The first insulating
측면 배선의 제2 부분(232)은 2개 영역(232a, 232b)으로 구분할 수 있다. 제1 영역(232a)은 측면 배선의 제1 부분(231)으로부터 연장되며 글라스 기판의 제1 챔퍼면(CS11)을 덮고 연속해서 제1 접속 패드(240)를 완전히 덮는 영역일 수 있다. 제2 영역(232b)은 제1 영역(232a)으로부터 연장되며 제1 접속 패드(240)에 인접한 제1 절연층(227)의 에지부를 덮는 영역일 수 있다.The
이와 같이, 측면 배선의 제2 부분(232)이 제1 절연층(227)의 에지부까지 덮는 경우, 측면 배선의 제2 부분(232) 제1 접속 패드(240)까지만 덮는 경우에 비해 더 넓은 접촉 면적을 확보할 수 있다. 이에 따라, 측면 배선의 제2 부분(232)이 글라스 기판(212)으로부터 박리되지 않고 안정적으로 글라스 기판(212)에 결합된 상태를 유지할 수 있다.As such, when the
측면 배선의 제3 부분(233)은 전술한 측면 배선의 제2 부분(232)과 마찬가지로 글라스 기판(212)의 후면에 형성된 제2 절연층(228)의 에지부를 덮을 수 있다.The
제2 접속 패드(250)의 상면에는 제2 접속 패드(245)의 산화를 방지하기 위해 박막의 산화 방지막(미도시)이 형성될 수 있다. 이 경우, 산화 방지막은 제2 접속 패드(250)와 측면 배선의 제3 부분(233) 간의 전기적인 접속이 가능한 정도의 두께로 형성될 수 있다. An anti-oxidation layer (not shown) of a thin film may be formed on the upper surface of the
제2 접속 패드(250)의 둘레에는 무기 절연막(253)이 형성될 수 있다. 이에 따라, 제2 접속 패드(250)는 둘레 부분을 따라 무기 절연막(253)에 의해 절연될 수 있다.An inorganic insulating
글라스 기판(212)의 후면에 형성된 제2 절연층(228)은 유기 절연막 또는 무기 절연막으로 형성되거나 무기 절연막과 유기 절연막이 적층된 구조일 수 있다. 제2 절연층(228)의 에지부는 제2 접속 패드(250)와 소정 간격으로 이격될 수 있다.The second
측면 배선의 제3 부분(233)은 2개 영역(233a, 233b)으로 구분할 수 있다. 제1 영역(233a)은 측면 배선의 제1 부분(231)으로부터 연장되며 글라스 기판의 제2 챔퍼면(CS12)을 덮고 연속해서 제2 접속 패드(250)를 완전히 덮는 영역일 수 있다. 제2 영역(233b)은 제1 영역(233a)으로부터 연장되며 제2 접속 패드(250)에 인접한 제2 절연층(228)의 에지부를 덮는 영역일 수 있다.The
이와 같이, 측면 배선의 제3 부분(233)이 제2 절연층(228)의 에지부까지 덮는 경우, 측면 배선의 제3 부분(233) 제2 접속 패드(250)까지만 덮는 경우에 비해 더 넓은 접촉 면적을 확보할 수 있다. 이에 따라, 측면 배선의 제3 부분(233)이 글라스 기판(212)으로부터 박리되지 않고 안정적으로 글라스 기판(212)에 결합된 상태를 유지할 수 있다.As such, when the
도 20과 같이, 측면 배선(230)은 제2 부분(232)이 제1 절연층(227)의 에지부까지 덮고 제3 부분(233)이 제2 절연층(228)의 에지부까지 덮는 것으로 설명하였으나, 이에 한정될 필요는 없다. 예를 들면, 측면 배선(230)은 제2 부분(232)이 제1 절연층(227)의 에지부까지 덮고 제3 부분(233)이 제2 접속 패드(240)까지만 덮도록 구성될 수 있다. 또한, 측면 배선(230)은 제2 부분(232)이 제2 접속 패드(250)까지만 덮고 제3 부분(233)이 제2 절연층(228)의 에지부까지 덮도록 구성될 수 있다.As shown in FIG. 20 , in the
도 20에서 미설명부호 SS10은 측면 배선의 제1 부분(231)이 결합되는 글라스 기판(212)의 측면을 가리킨다.In FIG. 20 , reference numeral SS10 denotes a side surface of the
도 21은 인접한 측면 배선들이 각각 대응하는 접속 패드를 덮는 예를 나타낸 평면도이고, 도 22는 도 21에 표시된 A-A선을 따라 나타낸 단면도이다.21 is a plan view illustrating an example in which adjacent side wirings respectively cover corresponding connection pads, and FIG. 22 is a cross-sectional view taken along line A-A shown in FIG. 21 .
본 개시에서, 서로 인접하게 배치된 측면 배선들은 양단부(제2 부분 및 제3 부분)가 각각 하나의 접속 패드에 대응하여 연결될 수 있다. In the present disclosure, both ends (the second part and the third part) of the side wirings disposed adjacent to each other may be connected to each other corresponding to one connection pad.
도 21 및 도 22를 참조하면, 제1 측면 배선의 제2 부분(232-1)은 하나의 제1 접속 패드(240-1) 상에 적층 형성되고, 제1 측면 배선의 제2 부분(232-1)에 인접하게 배치된 다른 제1 측면 배선의 제2 부분(232-2)은 하나의 다른 제1 접속 패드(240-1) 상에 적층 형성될 수 있다.21 and 22 , the second part 232-1 of the first side wiring is stacked on one first connection pad 240-1, and the
이 경우, 제1 접속 패드들(240-1, 240-2)에 인접한 제1 절연층(227)의 에지부는 측면 배선의 제2 부분들(232-1, 232-2)에 의해 덮일 수 있다. 제1 접속 패드들(240-1, 240-2)을 각각 둘러싸는 무기 절연막(243-1, 243-2) 역시 측면 배선의 제2 부분들(232-1, 232-2)에 의해 덮일 수 있다.In this case, the edge portion of the first insulating
제1 절연층(227)의 에지부에는 제1 접속 패드들(240-1, 240-2) 사이에 위치하는 돌출부들(227a)이 형성될 수 있다. 이에 따라, 제1 절연층(227)의 일부를 이루는 돌출부들(227a) 역시 측면 배선의 제2 부분들(232-2, 232-3)에 의해 덮일 수 있다.
도면에 도시하지 않았으나, 측면 배선의 제3 부분들 역시 측면 배선의 제2 부분들(232-1, 232-2)과 유사하게 각각 제2 접속 패드와 함께 글라스 기판의 후면에 형성된 제2 절연층의 에지부까지 덮을 수 있다.Although not shown in the drawing, the third portions of the side wiring also have a second insulating layer formed on the rear surface of the glass substrate together with the second connection pad similarly to the second portions 232-1 and 232-2 of the side wiring. It can cover up to the edge part of
도 23은 하나의 측면 배선이 인접하게 배치된 다수의 접속 패드를 덮는 예를 나타낸 평면도이다.23 is a plan view illustrating an example in which one side wiring covers a plurality of adjacently arranged connection pads.
적어도 2 이상의 제1 접속 패드가 단일 신호를 전송하는 경우, 측면 배선은 상기 적어도 2 이상의 제1 접속 패드를 모두 덮을 수 있다.When at least two or more first connection pads transmit a single signal, the side wiring may cover all of the at least two or more first connection pads.
도 23을 참조하면, 하나의 측면 배선의 제2 부분(237)은 다수의 제1 접속 패드(240-1, 240-2, 240-3)를 한꺼번에 덮을 수 있다. 또한, 측면 배선의 제2 부분(237)은 제1 절연층(227)의 에지부까지 덮을 수 있다.Referring to FIG. 23 , the
이 경우, 단일 신호를 전송하는 다수의 제1 접속 패드(240-1, 240-2, 240-3)는 서로 인접하게 배열될 수 있다.In this case, the plurality of first connection pads 240 - 1 , 240 - 2 and 240 - 3 transmitting a single signal may be arranged adjacent to each other.
측면 배선의 제2 부분(237)은 하나의 제1 접속 패드만을 덮는 경우보다 접촉 면적을 더 넓힐 수 있으므로, 측면 배선이 글라스 기판에 더욱 견고하게 결합될 수 있다. Since the
도면에 도시하지는 않았으나, 측면 배선의 제3 부분 역시 제2 부분과 유사하게 단일 신호를 전송하는 서로 인접한 다수의 제2 접속 패드를 한꺼번에 덮을 수 있다. 또한, 측면 배선의 제2 부분은 글라스 기판의 후면에 형성된 제2 절연층의 에지부까지 덮을 수 있다.Although not shown in the drawings, the third portion of the side wiring may also cover a plurality of adjacent second connection pads for transmitting a single signal at once similarly to the second portion. In addition, the second portion of the side wiring may cover up to an edge portion of the second insulating layer formed on the rear surface of the glass substrate.
이하에서는, 본 개시에서 접속 패드와 측면 배선 간 결합력을 요철 구조에 의해 더욱 견고하게 유지할 수 있는 실시 예들을 설명한다.Hereinafter, embodiments in which the coupling force between the connection pad and the side wiring can be more firmly maintained by the concavo-convex structure in the present disclosure will be described.
도 24는 글라스 기판에 요철을 형성한 후 접속 패드 및 측면 배선을 형성한 예를 나타낸 단면도이다.24 is a cross-sectional view illustrating an example in which connection pads and side wirings are formed after forming concavities and convexities on a glass substrate.
도 24를 참조하면, 제1 접속 패드들(1240-1, 1240-2)을 글라스 기판(1212)에 형성하기 전에 제1 접속 패드들(1240-1, 1240-2)이 각각 배치될 글라스 기판(1212)의 전면 일부 영역에 미세한 요철(1212a)을 형성한다. 글라스 기판(1212a)의 전면 일부 영역에 형성된 미세한 요철(1212a)은 에칭 공정을 통해 형성될 수 있다. 이 경우, 에칭제는 예를 들면 불산을 사용할 수 있다.Referring to FIG. 24 , before forming the first connection pads 1240-1 and 1240-2 on the
글라스 기판(1212)에 요철(1212a)을 형성한 후, 요철(1212a) 상에 제1 접속 패드들(1240-1, 1240-2)을 형성한다. 이 경우, 제1 접속 패드들(1240-1, 1240-2)은 스퍼터링과 같은 금속 증착 공정을 통해 요철(1212a) 상에 형성될 수 있다.After the concavo-convex 1212a is formed on the
제1 접속 패드들(1240-1, 1240-2)은 박막으로 형성됨에 따라, 요철(1212a)의 프로파일을 따라 증착 형성되므로 글라스 기판의 요철(1212a)과 유사한 요철 구조를 가질 수 있다.As the first connection pads 1240 - 1 and 1240 - 2 are formed as thin films, they are formed by deposition along the profile of the concavo-convex 1212a, and thus may have a concave-convex structure similar to the concavo-convex 1212a of the glass substrate.
이어서, 글라스 기판(1212)에 금속 증착 공정을 통해 측면 배선을 형성할 수 있다. 이 경우, 측면 배선의 제2 부분들(1232-1, 1232-2)은 각각 요철 구조를 가지는 제1 접속 패드들(1240-1, 1240-2) 상에 증착 형성됨에 따라 자연스럽게 요철 구조를 가진 상태로 제1 접속 패드들(1240-1, 1240-2) 상에 결합될 수 있다.Next, side wirings may be formed on the
이에 따라, 측면 배선의 제2 부분들(1232-1, 1232-2)은 제1 접속 패드들(1240-1, 1240-2)과 요철 결합되므로, 측면 배선의 제2 부분들(1232-1, 1232-2)과 제1 접속 패드들(1240-1, 1240-2) 간 접촉 면적은 증가할 수 있다.Accordingly, since the second portions 1232-1 and 1232-2 of the side wiring are unevenly coupled to the first connection pads 1240-1 and 1240-2, the second portions 1232-1 of the side wiring , 1232 - 2 ) and the first connection pads 1240 - 1 and 1240 - 2 may have an increased contact area.
도면에 도시하지는 않았으나, 측면 배선의 제3 부분들과 이에 대응하는 제2 접속 패드들 역시 전술한 측면 배선의 제2 부분들(1232-1, 1232-2) 및 제1 접속 패드들(1240-1, 1240-2) 간 요철 결합과 동일 또는 유사한 결합 상태를 이룰 수 있다.Although not shown in the drawing, the third portions of the side wiring and the corresponding second connection pads are also the second portions 1232-1 and 1232-2 and the first connection pads 1240- of the side wiring. 1, 1240-2) may achieve the same or similar bonding state as the concave-convex bonding between the two.
이러한 요철 결합에 의해 측면 배선은 더욱 견고하게 글라스 기판(1212)에 결합될 수 있다.The side wiring may be more firmly coupled to the
도 24에서 미설명부호 1227a는 제1 절연층의 돌출부들이다.In FIG. 24 ,
도 25는 금속 배선에 요철을 형성한 후 접속 패드 및 측면 배선을 형성한 예를 나타낸 단면도이다.25 is a cross-sectional view illustrating an example in which a connection pad and a side wiring are formed after irregularities are formed on the metal wiring.
도 25를 참조하면, 요철을 형성하지 않은 글라스 기판(2212)에 제1 접속 패드들(2240-1, 2240-2)을 형성한 후, 레이저 공정을 통해 제1 접속 패드들(2240-1, 2240-2) 상에 미세한 요철 구조를 형성한다.Referring to FIG. 25 , after forming the first connection pads 2240-1 and 2240-2 on the
이어서, 글라스 기판(2212)에 금속 증착 공정을 통해 측면 배선을 형성할 수 있다. 이 경우, 측면 배선의 제2 부분들(2232-1, 2232-2)은 각각 요철 구조를 가지는 제1 접속 패드들(2240-1, 2240-2)의 표면을 따라 증착 형성되므로 제1 접속 패드들(1240-1, 1240-2) 상에 요철 결합될 수 있다. 이에 따라, 측면 배선의 제2 부분들(2232-1, 2232-2)과 제1 접속 패드들(2240-1, 2240-2) 간 접촉 면적은 증가할 수 있다.Next, side wirings may be formed on the
도면에 도시하지는 않았으나, 측면 배선의 제3 부분들과 이에 대응하는 제2 접속 패드들 역시 전술한 측면 배선의 제2 부분들(2232-1, 2232-2) 및 제1 접속 패드들(2240-1, 2240-2) 간 요철 결합과 동일 또는 유사한 결합 상태를 이룰 수 있다.Although not shown in the drawings, the third portions of the side wiring and the corresponding second connection pads are also the second portions 2232-1 and 2232-2 and the first connection pads 2240- of the side wiring. 1, 2240-2) may achieve the same or similar bonding state as the concave-convex bonding between the two.
이러한 요철 결합에 의해 측면 배선은 더욱 견고하게 글라스 기판(2212)에 결합될 수 있다.Due to the concave-convex coupling, the side wiring may be more firmly coupled to the
도 25에서 미설명부호 2227a는 제1 절연층의 돌출부들이고, 2243-1 및 2243-2는 제1 접속 패드들(2240-1, 2240-2)을 각각 둘러싸는 무기 절연막이다.In FIG. 25 ,
도 26는 접속 패드에 다수의 요홈을 형성한 후 측면 배선을 형성한 예를 나타낸 단면도이고, 도 27은 도 26에 도시된 접속 패드를 나타낸 사시도이고, 도 28은 접속 패드에 다수의 돌기를 형성한 예를 나타낸 사시도이다. 26 is a cross-sectional view illustrating an example in which side wiring is formed after forming a plurality of grooves in the connection pad, FIG. 27 is a perspective view of the connection pad shown in FIG. 26, and FIG. 28 is a plurality of protrusions formed in the connection pad It is a perspective view showing an example.
도 26 및 도 27을 참조하면, 제1 접속 패드들(3240-1, 3240-2)은 각각 상면에 에칭 공정을 통해 일정한 형상의 요홈들(GV1, GV2, GV3)이 형성될 수 있다.26 and 27 , grooves GV1 , GV2 , and GV3 having a predetermined shape may be formed on the upper surfaces of the first connection pads 3240 - 1 and 3240 - 2 through an etching process, respectively.
요홈들(GV1, GV2, GV3)은 제1 접속 패드들(3240-1, 3240-2)의 면적에 따라 적어도 2 이상 형성될 수 있다. 또한, 요홈들(GV1, GV2, GV3)은 제1 접속 패드들(3240-1, 3240-2)의 길이 방향을 따라 1열로 배열되지만, 이에 제한될 필요는 없으며, 지그재그 방향 또는 불규칙한 배열을 이룰 수 있다.At least two grooves GV1 , GV2 , and GV3 may be formed according to the areas of the first connection pads 3240 - 1 and 3240 - 2 . In addition, the grooves GV1 , GV2 , and GV3 are arranged in one row along the length direction of the first connection pads 3240 - 1 and 3240 - 2 , but are not limited thereto, and may form a zigzag direction or an irregular arrangement. can
이에 따라, 측면 배선의 제2 부분들(3232-1, 3232-2)은 제1 접속 패드들(3240-1, 3240-2) 상에 증착 형성되면, 도 26과 같이 요홈들(GV1, GV2, GV3)에 의해 제1 접속 패드들(3240-1, 3240-2)과 요철 결합을 이룰 수 있다. Accordingly, when the second portions 3232 - 1 and 3232 - 2 of the side wiring are deposited on the first connection pads 3240 - 1 and 3240 - 2 , as shown in FIG. 26 , the grooves GV1 and GV2 are formed. , GV3) may form a concave-convex coupling with the first connection pads 3240 - 1 and 3240 - 2 .
이러한 요철 결합에 의해 측면 배선은 더욱 견고하게 글라스 기판(3212)에 결합될 수 있다.The side wiring may be more firmly coupled to the
측면 배선의 제2 부분들(3232-1, 3232-2)은 전술한 요홈들(GV1, GV2, GV3)이 아닌 돌기들을 통해 대응하는 제1 접속 패드들(3240-1, 3240-2)과 요철 결합을 할 수도 있다.The second portions 3232-1 and 3232-2 of the side wiring are connected to the corresponding first connection pads 3240-1 and 3240-2 through protrusions other than the aforementioned grooves GV1, GV2, and GV3. Concave-convex bonding is also possible.
예를 들면, 도 28과 같이 제1 접속 패드(3240-1a)는 상면에 소정 높이로 돌기들(P1, P2, P3)이 형성될 수 있다.For example, as shown in FIG. 28 , protrusions P1 , P2 , and P3 may be formed on the upper surface of the first connection pad 3240 - 1a at a predetermined height.
도면에 도시하지는 않았으나, 제2 접속 패드들 역시 전술한 요홈들(GV1, GV2, GV3) 또는 돌기들(P1, P2, P3)을 형성할 수 있다. 이 경우, 제2 접속 패드들에 증착 형성되는 측면 배선의 제3 부분들은 제2 접속 패드들과 요철 결합을 이룰 수 있다.Although not shown in the drawings, the second connection pads may also form the aforementioned recesses GV1 , GV2 , and GV3 or the protrusions P1 , P2 , and P3 . In this case, the third portions of the side wiring formed by deposition on the second connection pads may form a concave-convex coupling with the second connection pads.
도 26에서 미설명부호 3227a는 제1 절연층의 돌출부이고, 3243-1 및 3243-2는 제1 접속 패드들(3240-1, 3240-2)을 각각 둘러싸는 무기 절연막이다.In FIG. 26 ,
도 29는 접속 패드 상부에 형성된 유기 절연막에 다수의 비아 홀을 형성한 후 측면 배선을 형성한 예를 나타낸 단면도이다.29 is a cross-sectional view illustrating an example of forming a side wiring after forming a plurality of via holes in an organic insulating layer formed on an upper portion of a connection pad.
도 29를 참조하면, 제1 접속 패드(4240)를 완전히 덮도록 제1 접속 패드(4240) 상에 무기 절연막(4243)을 소정 두께로 형성한 후, 에칭 공정을 통해 무기 절연막(4243)에 비아홀들(4245)을 형성할 수 있다.Referring to FIG. 29 , after forming an inorganic insulating
제1 접속 패드(4240)는 비아홀들(4245)에 대응하는 영역이 무기 절연막(4243)의 의해 가려지지 않고 노출된다. 이 상태에서 금속 증착 공정을 통해 글라스 기판(4212)에 측면 배선을 형성하면, 측면 배선의 제2 부분(4232)은 무기 절연막(4243)에 소정 두께로 형성에 형성될 수 있다.In the
이 경우, 측면 배선의 제2 부분(4232)은 비아홀들(4245)을 통해 제1 접속 패드(4240)와 전기적으로 연결될 수 있다. 이러한 요철 결합에 의해 측면 배선은 더욱 견고하게 글라스 기판(4212)에 결합될 수 있다.In this case, the
도면에 도시하지는 않았으나, 측면 배선의 제3 부분과 이에 대응하는 제2 접속 패드 역시 전술한 측면 배선의 제2 부분(4232) 및 제1 접속 패드들(4240) 간 요철 결합과 동일 또는 유사한 결합 상태를 이룰 수 있다.Although not shown in the drawings, the third portion of the side wiring and the second connection pad corresponding thereto also have the same or similar coupling state to the concave-convex coupling between the
도 29에서 미설명부호 4227a는 제1 절연층의 돌출부들이다.In FIG. 29,
도 30은 측면 배선 상에 레이저 빔을 조사한 용접 영역을 나타낸 평면도이다.30 is a plan view illustrating a welding area irradiated with a laser beam on a side wiring.
도 30을 참조하면, 측면 배선의 제2 부분(5242)이 제1 접속 패드(5240) 및 제1 절연층(5227)의 에지부를 덮은 상태에서, 측면 배선의 제2 부분(5242)과 제1 접속 패드(5240)가 중첩되는 영역에 레이저 빔을 조사하여 용접부(5500)를 형성할 수 있다.Referring to FIG. 30 , in a state in which the
용접부(5500)는 전술한 도 25와 같이 측면 배선의 제2 부분(5242)과 제1 접속 패드(5240)에 요철 구조가 형성될 수 있다.In the
도면에 도시하지는 않았으나, 측면 배선의 제3 부분과 이에 대응하는 제2 접속 패드의 중첩되는 부분에 용접부(5500)를 형성하면, 측면 배선의 제3 부분과 이에 대응하는 제2 접속 패드는 전술한 측면 배선의 제2 부분(5232) 및 제1 접속 패드들(5240) 간 요철 결합과 동일 또는 유사한 결합 상태를 이룰 수 있다.Although not shown in the drawings, when the
도 30에서 미설명부호 5227a는 제1 절연층의 돌출부들이다.In FIG. 30 ,
도 31은 접속 패드의 일부가 절연층에 의해 덮이고 측면 배선이 접속 패드 및 절연층의 에지부를 함께 덮은 예를 나타낸 평면도이고, 도 32는 도 31에 표시된 B-B선을 따라 나타낸 단면도이다.31 is a plan view showing an example in which a part of the connection pad is covered by the insulating layer and the side wiring covers the connection pad and the edge portion of the insulating layer together, and FIG. 32 is a cross-sectional view taken along the line B-B shown in FIG. 31 .
제1 절연층(6227)은 경우에 따라서, 제1 접속 패드(6240)의 일부를 덮도록 형성될 수 있다. 예를 들면, 도 31과 같이 제1 접속 패드(6240)는 제1 접속 패드(6240)의 에지부에 의해 일부분이 덮이고 나머지 부분이 노출될 수 있다.In some cases, the first insulating
도 31 및 도 32를 참조하면, 측면 배선의 제2 부분(6232)은 제1 접속 패드(6240)와 제1 절연층(6227)의 에지부를 함께 덮을 수 있다. 측면 배선의 제2 부분(6232)의 중앙은 제1 접속 패드(6240)와 전기적으로 연결되고 양측은 제1 절연층(7227)의 돌기부들(6227a)을 덮을 수 있다.31 and 32 , the
도면에 도시하지는 않았으나, 글라스 기판(6212)의 후면에 형성되는 제2 절연층은 제2 접속 패드의 일부를 덮을 수 있다. 이 경우, 측면 배선의 제3 부분은 이에 대응하는 제2 접속 패드와 제2 절연층의 에지부를 함께 덮을 수 있다.Although not shown in the drawings, the second insulating layer formed on the rear surface of the
이러한 구조에 의해 측면 배선의 제2 및 제3 부분은 글라스 기판에 접촉되는 면적이 증가함에 따라 글라스 기판에 더 견고하게 결합될 수 있다. With this structure, the second and third portions of the side wiring may be more firmly coupled to the glass substrate as an area in contact with the glass substrate increases.
이상에서는 본 개시의 바람직한 실시 예에 대하여 도시하고 설명하였지만, 본 개시는 상술한 특정의 실시 예에 한정되지 아니하며, 청구범위에서 청구하는 본 개시의 요지를 벗어남이 없이 본 개시에 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 변형 실시가 가능한 것은 물론이고, 이러한 변형실시들은 본 개시의 기술적 사상이나 전망으로부터 개별적으로 이해되서는 안될 것이다.In the above, preferred embodiments of the present disclosure have been illustrated and described, but the present disclosure is not limited to the specific embodiments described above, and it is common in the technical field pertaining to the present disclosure without departing from the gist of the present disclosure as claimed in the claims. Various modifications may be made by those having the knowledge of
12: 글라스 기판
13: TFT 층
18a, 240, 1240, 2240, 3240, 4240, 5240, 6240: 제1 접속 패드
19a, 250: 제2 접속 패드
20: 마이크로 LED
30, 230: 측면 배선
31, 231: 측면 배선의 제1 부분
32, 232, 1232, 2232, 3232, 4232, 5232, 6232: 측면 배선의 제2 부분
33, 233: 측면 배선의 제3 부분
40: 절연 부재
50: 보호층
227, 1227, 2227, 3227, 4227, 5227, 6227제1 절연층
228: 제2 절연층
FS: 글라스 기판의 전면
RS: 글라스 기판의 후면
SS: 글라스 기판의 측면
CS1: 제1 챔퍼면
CS2: 제2 챔퍼면
GV1, GV2, GV3: 요홈
P1, P2, P3: 돌기부12: glass substrate
13: TFT layer
18a, 240, 1240, 2240, 3240, 4240, 5240, 6240: first contact pad
19a, 250: second contact pad
20: micro LED
30, 230: side wiring
31, 231: the first part of the side wiring
32, 232, 1232, 2232, 3232, 4232, 5232, 6232: second part of side wiring
33, 233: the third part of the side wiring
40: insulation member
50: protective layer
227, 1227, 2227, 3227, 4227, 5227, 6227 first insulating layer
228: second insulating layer
FS: Front of glass substrate
RS: the back side of the glass substrate
SS: the side of the glass substrate
CS1: 1st chamfered surface
CS2: 2nd chamfered surface
GV1, GV2, GV3: Groove
P1, P2, P3: protrusions
Claims (29)
상기 글라스 기판의 TFT 층에 전기적으로 연결된 다수의 LED(Light Emitting Diode);
상기 제2 에지 존에 간격을 두고 배치되며 배선을 통해 상기 TFT 층에 구비된 TFT 회로와 전기적으로 연결된 다수의 제1 접속 패드;
상기 제3 에지 존에 간격을 두고 배치되며 배선을 통해 상기 구동 회로와 전기적으로 연결된 다수의 제2 접속 패드; 및
일단부가 대응하는 상기 제1 접속 패드를 완전히 덮고 타단부가 대응하는 제2 접속 패드를 완전히 덮는 다수의 측면 배선;을 포함하고,
측면 배선의 일단부 및 타단부 중 적어도 어느 하나가 상기 글라스 기판에 형성된 절연층의 일부를 덮는, 디스플레이 모듈.A thin film transistor (TFT) layer is disposed on a front surface and a driving circuit for driving the TFT layer is disposed on a rear surface, a first edge zone corresponding to a side surface and the front surface adjacent to the side surface a glass substrate including an edge region comprising a second edge zone corresponding to a portion and a third edge zone corresponding to a portion of the rear surface adjacent to the side surface;
a plurality of LEDs (Light Emitting Diodes) electrically connected to the TFT layer of the glass substrate;
a plurality of first connection pads disposed at intervals in the second edge zone and electrically connected to a TFT circuit provided in the TFT layer through wirings;
a plurality of second connection pads disposed at intervals in the third edge zone and electrically connected to the driving circuit through wirings; and
a plurality of side wirings having one end completely covering the corresponding first connection pad and the other end completely covering the corresponding second connection pad; and
At least one of one end and the other end of the side wiring covers a part of the insulating layer formed on the glass substrate, the display module.
상기 절연층은 상기 글라스 기판의 전면 및 후면에 형성된 유기 절연막 또는 무기 절연막인, 디스플레이 모듈.According to claim 1,
The insulating layer is an organic insulating film or an inorganic insulating film formed on the front and rear surfaces of the glass substrate, the display module.
상기 절연층은 상기 제1 접속 패드 또는 상기 제2 접속 패드에 간격을 두고 인접하게 배치된, 디스플레이 모듈.According to claim 1,
and the insulating layer is disposed adjacent to the first connection pad or the second connection pad with a gap therebetween.
상기 절연층은 상기 제1 접속 패드 또는 상기 제2 접속 패드의 일부를 덮는, 디스플레이 모듈.According to claim 1,
and the insulating layer covers a part of the first connection pad or the second connection pad.
상기 글라스 기판은 상기 제2 에지 존에 요철이 형성되고,
상기 요철 상에 순차적으로 적층된 상기 제1 접속 패드 및 상기 측면 배선의 일단부는 요철 형상을 가지는, 디스플레이 모듈.According to claim 1,
The glass substrate has irregularities formed in the second edge zone,
One end of the first connection pad and the side wiring sequentially stacked on the unevenness has an uneven shape.
상기 제1 접속 패드는 요철이 형성되고,
상기 요철 상에 적층되는 상기 측면 배선의 일단부는 요철 형상을 가지는, 디스플레이 모듈.According to claim 1,
The first connection pad is formed with irregularities,
One end of the side wiring stacked on the unevenness has an uneven shape.
상기 제1 접속 패드는 레이저 공정 또는 에칭 공정에 의해 형성된 요철을 형성하고,
상기 측면 배선은 증착 공정을 통해 상기 글라스 기판에 형성하여 상기 요철 상에 형성된 상기 측면 배선의 일부는 요철 형상을 가지는, 디스플레이 모듈.According to claim 1,
The first connection pad forms an unevenness formed by a laser process or an etching process,
The side wiring is formed on the glass substrate through a deposition process, and a portion of the side wiring formed on the unevenness has a concave-convex shape.
상기 제1 접속 패드 상에 절연 재질의 비아 구조가 형성되고,
상기 비아 구조 상에 형성된 상기 측면 배선의 일부는 요철 형상을 가지며 상기 제1 접속 패드와 전기적으로 연결된, 디스플레이 모듈.According to claim 1,
a via structure made of an insulating material is formed on the first connection pad;
A portion of the side wiring formed on the via structure has a concave-convex shape and is electrically connected to the first connection pad.
상기 글라스 기판은 측면에 대응하는 제1 에지 존과 상기 측면에 인접한 상기 전면 일부에 대응하는 제2 에지 존과 상기 측면에 인접한 상기 후면 일부에 대응하는 제3 에지 존으로 이루어지는 에지 영역을 포함하며,
상기 다수의 측면 배선은 일정한 간격을 두고 배치되고,
각 측면 배선은 상기 제1 에지 존의 형성된 제1 부분의 폭이 상기 제2 에지 존에 형성된 제2 부분의 폭 및 상기 제3 에지 존에 형성된 제3 부분의 폭보다 큰 디스플레이 모듈.According to claim 1,
The glass substrate includes an edge region comprising a first edge zone corresponding to a side surface, a second edge zone corresponding to a portion of the front surface adjacent to the side surface, and a third edge zone corresponding to a portion of the rear surface adjacent to the side surface,
The plurality of side wirings are arranged at regular intervals,
In each side wiring, a width of the first portion formed in the first edge zone is greater than a width of a second portion formed in the second edge zone and a width of a third portion formed in the third edge zone.
서로 인접한 상기 측면 배선들의 제1 부분 사이의 간격은 상기 제2 및 제3 부분의 각각의 폭 보다 작은 디스플레이 모듈. 10. The method of claim 9,
A distance between the first portions of the adjacent side wirings is smaller than the respective widths of the second and third portions of the display module.
서로 인접한 상기 측면 배선들의 제1 부분 사이의 간격은 서로 인접한 상기 측면 배선들의 제2 부분 사이의 간격 및 서로 인접한 상기 측면 배선들의 제3 부분 사이의 간격보다 작은 디스플레이 모듈.10. The method of claim 9,
A distance between the first portions of the side wirings adjacent to each other is smaller than a spacing between the second portions of the side wirings adjacent to each other and a distance between the third portions of the side wirings adjacent to each other.
상기 측면 배선의 제1 부분은 상기 제2 부분에 연결되는 지점부터 제2 부분으로부터 멀어지는 일정한 거리까지 점진적으로 확장되는 구간과, 상기 제3 부분에 연결되는 지점부터 제3 부분으로부터 멀어지는 일정한 거리까지 점진적으로 확장되는 구간을 포함하는 디스플레이 모듈. 10. The method of claim 9,
The first portion of the side wiring gradually extends from a point connected to the second portion to a predetermined distance away from the second portion, and gradually from a point connected to the third portion to a predetermined distance away from the third portion. A display module including a section extending to .
상기 측면 배선의 제1 부분은 양측의 확장되는 구간 사이에 일정한 폭으로 형성되는 구간을 포함하는 디스플레이 모듈.13. The method of claim 12,
The first portion of the side wiring includes a section formed with a constant width between the extended sections on both sides.
상기 글라스 기판은 상기 제1 및 제2 에지 존 사이에 형성된 제1 챔퍼면과, 상기 제1 및 제3 에지 존 사이에 형성된 제2 챔퍼면을 더 포함하는 디스플레이 모듈.10. The method of claim 9,
The glass substrate further includes a first chamfered surface formed between the first and second edge zones, and a second chamfered surface formed between the first and third edge zones.
상기 측면 배선은 상기 제2 에지 존, 상기 제1 챔퍼면, 상기 제1 에지 존, 상기 제2 챔퍼면 및 상기 제3 에지 존을 따라 이어지도록 형성된 디스플레이 모듈.14. The method of claim 13,
The side wiring is formed to extend along the second edge zone, the first chamfered surface, the first edge zone, the second chamfered surface, and the third edge zone.
상기 글라스 기판의 제1 에지 존에는 서로 인접한 상기 측면 배선들의 제1 부분 사이의 면상 거리를 증가시키는 트렌치가 형성된 디스플레이 모듈.10. The method of claim 9,
A display module having a trench formed in the first edge zone of the glass substrate to increase the in-plane distance between the first portions of the side wirings adjacent to each other.
상기 글라스 기판은 상기 트렌치를 따라 결합된 절연 부재를 더 포함하며,
상기 절연 부재는 상기 글라스 기판의 측면으로부터 상기 측면 배선의 제1 부분보다 더 높게 돌출된 디스플레이 모듈.17. The method of claim 16,
The glass substrate further includes an insulating member coupled along the trench,
The insulating member protrudes higher than the first portion of the side wiring from the side surface of the glass substrate.
상기 글라스 기판은 상기 글라스 기판의 측면 전체를 덮는 보호층을 더 포함한 디스플레이 모듈.18. The method of claim 17,
The glass substrate further includes a protective layer covering the entire side surface of the glass substrate.
상기 글라스 기판의 TFT 층에 전기적으로 연결된 다수의 LED(Light Emitting Diode);
상기 제2 에지 존에 간격을 두고 배치되며 배선을 통해 상기 TFT 층에 구비된 TFT 회로와 전기적으로 연결된 다수의 제1 접속 패드;
상기 제3 에지 존에 간격을 두고 배치되며 배선을 통해 상기 구동 회로와 전기적으로 연결된 다수의 제2 접속 패드; 및
상기 다수의 제1 접속 패드 및 상기 다수의 제2 접속 패드를 전기적으로 연결하는 다수의 측면 배선;을 포함하고,
하나의 측면 배선은 일단부가 서로 인접하게 배열된 2 이상의 제1 접속 패드를 완전히 덮고 타단부가 서로 인접하게 배열된 2 이상의 제2 접속 패드를 완전히 덮고,
상기 하나의 측면 배선의 일단부 및 타단부 중 적어도 어느 하나가 상기 글라스 기판에 형성된 절연층의 일부를 덮는, 디스플레이 모듈.A thin film transistor (TFT) layer is disposed on a front surface and a driving circuit for driving the TFT layer is disposed on a rear surface, a first edge zone corresponding to a side surface and the front surface adjacent to the side surface a glass substrate including an edge region comprising a second edge zone corresponding to a portion and a third edge zone corresponding to a portion of the rear surface adjacent to the side surface;
a plurality of LEDs (Light Emitting Diodes) electrically connected to the TFT layer of the glass substrate;
a plurality of first connection pads disposed at intervals in the second edge zone and electrically connected to a TFT circuit provided in the TFT layer through wirings;
a plurality of second connection pads disposed at intervals in the third edge zone and electrically connected to the driving circuit through wirings; and
a plurality of side wirings electrically connecting the plurality of first connection pads and the plurality of second connection pads;
one side wiring completely covers two or more first connection pads arranged adjacent to each other at one end and completely covers two or more second connection pads arranged adjacent to each other at the other end;
At least one of one end and the other end of the one side wiring covers a portion of the insulating layer formed on the glass substrate.
상기 글라스 기판의 전면 및 후면을 덮도록 형성되며 상기 글라스 기판의 측면에 인접한 상기 글라스 기판의 전면 및 후면의 일부는 요철 형상으로 덮는 마스크층을 형성하는 단계;
상기 글라스 기판의 측면과 상기 글라스 기판의 전면 및 후면에서 상기 마스크층에 의해 덮이지 않은 영역에 박막 도전층을 형성하는 단계;
상기 박막 도전층의 일부를 제거하여 일정한 간격을 유지하는 다수의 측면 배선을 형성하는 단계; 및
상기 마스크층을 제거하는 단계;를 포함하며,
상기 글라스 기판의 측면에 형성된 측면 배선의 제1 부분의 폭을 상기 마스크의 요철 형상에 의해 형성되는 측면 배선의 제2 및 제3 부분의 폭보다 크게 형성하는 디스플레이 모듈의 제조 방법.forming a glass substrate provided with a TFT layer on its entire surface and including at least one edge region;
forming a mask layer formed to cover the front and rear surfaces of the glass substrate and covering portions of the front and rear surfaces of the glass substrate adjacent to the side surfaces of the glass substrate in a concave-convex shape;
forming a thin conductive layer on a side surface of the glass substrate and on an area not covered by the mask layer on the front and rear surfaces of the glass substrate;
forming a plurality of side wirings at regular intervals by removing a portion of the thin conductive layer; and
removing the mask layer;
A method of manufacturing a display module in which the width of the first portion of the side wiring formed on the side surface of the glass substrate is larger than the width of the second and third portions of the side wiring formed by the concavo-convex shape of the mask.
상기 박막 도전층에서 제거한 부분의 폭에 따라 상기 상기 글라스 기판의 측면에 형성된 측면 배선의 제1 부분의 폭이 결정되는 디스플레이 모듈의 제조 방법.21. The method of claim 20,
A method of manufacturing a display module in which a width of a first portion of a side wiring formed on a side surface of the glass substrate is determined according to a width of a portion removed from the thin conductive layer.
상기 박막 도전층은 스퍼터링에 의해 상기 글라스 기판에 증착 형성하고,
상기 글라스 기판의 측면에 형성된 박막 도전층의 일부는 레이저 트리밍에 의해 제거되는 디스플레이 모듈의 제조 방법.21. The method of claim 20,
The thin conductive layer is formed by deposition on the glass substrate by sputtering,
A method of manufacturing a display module in which a portion of the thin conductive layer formed on the side surface of the glass substrate is removed by laser trimming.
상기 글라스 기판의 측면에 형성된 박막 도전층의 일부가 제거되는 부분에 트렌치를 형성하는 디스플레이 모듈의 제조 방법.23. The method of claim 22,
A method of manufacturing a display module in which a trench is formed in a portion from which a part of the thin conductive layer formed on the side surface of the glass substrate is removed.
상기 글라스 기판의 측면 전체를 덮는 보호층을 형성하는 단계를 더 포함하는 디스플레이 모듈의 제조 방법.24. The method of claim 23,
The manufacturing method of the display module further comprising the step of forming a protective layer covering the entire side of the glass substrate.
상기 트렌치에 절연 부재를 형성하는 단계를 더 포함하며,
상기 절연 부재는 상기 글라스 기판의 측면으로부터 상기 측면 배선의 제1 부분보다 더 높게 돌출 형성하는 디스플레이 모듈의 제조 방법.24. The method of claim 23,
Further comprising the step of forming an insulating member in the trench,
The insulating member is formed to protrude higher than the first portion of the side wiring from a side surface of the glass substrate.
상기 글라스 기판의 측면 전체를 덮는 보호층을 형성하는 단계를 더 포함하는 디스플레이 모듈의 제조 방법.26. The method of claim 25,
The manufacturing method of the display module further comprising the step of forming a protective layer covering the entire side of the glass substrate.
상기 글라스 기판의 전면과 측면이 만나 형성되는 모서리를 가공하여 제1 챔퍼면을 형성하는 단계; 및
상기 글라스 기판의 후면과 측면이 만나 형성되는 모서리를 가공하여 제2 챔퍼면을 형성하는 단계;를 더 포함하는 디스플레이 모듈의 제조 방법.21. The method of claim 20,
forming a first chamfered surface by machining an edge formed by meeting the front and side surfaces of the glass substrate; and
The method of manufacturing a display module further comprising; machining an edge formed by meeting a rear surface and a side surface of the glass substrate to form a second chamfered surface.
상기 글라스 기판의 전면 및 후면을 덮도록 형성되며 상기 글라스 기판의 측면에 인접한 상기 글라스 기판의 전면 및 후면의 일부는 요철 형상으로 덮는 마스크층을 형성하는 단계;
상기 글라스 기판의 측면에 간격을 두고 미세 마스크 라인을 형성하는 단계;
상기 글라스 기판의 측면과 상기 글라스 기판의 전면 및 후면에서 상기 마스크층에 의해 덮이지 않은 영역에 박막 도전층을 형성하는 단계; 및
상기 마스크층 및 상기 미세 마스크 라인을 제거하는 단계;를 포함하며,
상기 글라스 기판의 측면에 형성된 측면 배선의 제1 부분의 폭을 상기 마스크의 요철 형상에 의해 형성되는 측면 배선의 제2 및 제3 부분의 폭보다 크게 형성하는 디스플레이 모듈의 제조 방법.forming a glass substrate provided with a TFT layer on its entire surface and including at least one edge region;
forming a mask layer formed to cover the front and rear surfaces of the glass substrate and covering portions of the front and rear surfaces of the glass substrate adjacent to the side surfaces of the glass substrate in a concave-convex shape;
forming fine mask lines at intervals on the side surfaces of the glass substrate;
forming a thin conductive layer on a side surface of the glass substrate and on an area not covered by the mask layer on the front and rear surfaces of the glass substrate; and
removing the mask layer and the fine mask line;
A method of manufacturing a display module in which the width of the first portion of the side wiring formed on the side surface of the glass substrate is larger than the width of the second and third portions of the side wiring formed by the concavo-convex shape of the mask.
서로 인접한 상기 측면 배선들의 제1 부분 사이의 간격은 상기 미세 마스크 라인의 폭에 의해 결정되는 디스플레이 모듈의 제조 방법.29. The method of claim 28,
A distance between the first portions of the side wirings adjacent to each other is determined by a width of the fine mask line.
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
PCT/KR2021/005551 WO2021225341A1 (en) | 2020-05-08 | 2021-05-03 | Display module including glass substrate having side wiring formed therein and manufacturing method therefor |
EP21800187.3A EP4068373A4 (en) | 2020-05-08 | 2021-05-03 | Display module including glass substrate having side wiring formed therein and manufacturing method therefor |
US17/512,126 US20220052080A1 (en) | 2020-05-08 | 2021-10-27 | Display module having glass substrate formed with side wirings and, method for manufacturing same |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020200054878 | 2020-05-08 | ||
KR20200054878 | 2020-05-08 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20210136835A true KR20210136835A (en) | 2021-11-17 |
KR102542344B1 KR102542344B1 (en) | 2023-06-13 |
Family
ID=78703187
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020210028573A KR102542344B1 (en) | 2020-05-08 | 2021-03-04 | Display module having glass substrate formed side wirings and manufacturing method as the same |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR102542344B1 (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN114188468A (en) * | 2021-12-02 | 2022-03-15 | Tcl华星光电技术有限公司 | Light emitting diode display and manufacturing method thereof |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20200004402A (en) * | 2018-02-28 | 2020-01-13 | 쿄세라 코포레이션 | Display Device, Glass Substrate and Manufacturing Method of Glass Substrate |
KR20200004751A (en) * | 2018-07-04 | 2020-01-14 | 삼성전자주식회사 | Display panel and large format display apparatus using the same |
-
2021
- 2021-03-04 KR KR1020210028573A patent/KR102542344B1/en active IP Right Grant
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20200004402A (en) * | 2018-02-28 | 2020-01-13 | 쿄세라 코포레이션 | Display Device, Glass Substrate and Manufacturing Method of Glass Substrate |
KR20200004751A (en) * | 2018-07-04 | 2020-01-14 | 삼성전자주식회사 | Display panel and large format display apparatus using the same |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN114188468A (en) * | 2021-12-02 | 2022-03-15 | Tcl华星光电技术有限公司 | Light emitting diode display and manufacturing method thereof |
CN114188468B (en) * | 2021-12-02 | 2024-02-13 | Tcl华星光电技术有限公司 | Light emitting diode display and manufacturing method thereof |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR102542344B1 (en) | 2023-06-13 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US11646400B2 (en) | Display module having glass substrate on which side wirings are formed and manufacturing method of the same | |
KR100926963B1 (en) | Image display device and manufacturing method thereof | |
CN102187461B (en) | Display device with embedded chip driving | |
WO2018086211A1 (en) | Flexible tft base plate and fabrication method therefor | |
KR20220141269A (en) | Led display panel and display device using the same | |
US11552231B2 (en) | Display device | |
KR20200004751A (en) | Display panel and large format display apparatus using the same | |
US20220223775A1 (en) | Driving backplane for display and method of manufacturing the same, display panel, and display apparatus | |
KR20190053347A (en) | Led display apparatus having tft substrate where led driving units formed | |
KR102655727B1 (en) | Display device and method of manufacturing of the same | |
KR20060042112A (en) | Electro-optical device, method of manufacturing electro-optical device, and electronic apparatus | |
JP2010161221A (en) | Method of manufacturing mounting substrate, mounting substrate, and light emitting device | |
CN113193024B (en) | Display panel, preparation method thereof and display device | |
KR20210068356A (en) | Display module having glass substrate fored side wiring and manufacturing mathod as the same | |
KR102542344B1 (en) | Display module having glass substrate formed side wirings and manufacturing method as the same | |
EP4068373A1 (en) | Display module including glass substrate having side wiring formed therein and manufacturing method therefor | |
US20220359574A1 (en) | Display module including glass substrate having side wirings, and display module manufacturing method | |
US20230290919A1 (en) | Display module, and method for manufacturing same | |
KR20190070038A (en) | Wiring film and display device including the same | |
CN110838500B (en) | Micro light-emitting diode display device | |
KR20210007705A (en) | Led devices transferring method and display module manufactured threrby | |
US20230168554A1 (en) | Display device and composite display device | |
WO2021020393A1 (en) | Method for manufacturing image display device and image display device | |
CN112771674B (en) | Electronic device substrate, manufacturing method thereof and electronic device | |
EP4181197A1 (en) | Display module and method for manufacturing same |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right |