KR20210131633A - Method for preparing deuterated aromatic compounds - Google Patents
Method for preparing deuterated aromatic compounds Download PDFInfo
- Publication number
- KR20210131633A KR20210131633A KR1020200049975A KR20200049975A KR20210131633A KR 20210131633 A KR20210131633 A KR 20210131633A KR 1020200049975 A KR1020200049975 A KR 1020200049975A KR 20200049975 A KR20200049975 A KR 20200049975A KR 20210131633 A KR20210131633 A KR 20210131633A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- group
- aromatic compound
- present specification
- substituted
- ion
- Prior art date
Links
- 150000001491 aromatic compounds Chemical class 0.000 title claims abstract description 53
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 21
- YZCKVEUIGOORGS-OUBTZVSYSA-N Deuterium Chemical compound [2H] YZCKVEUIGOORGS-OUBTZVSYSA-N 0.000 claims abstract description 52
- 229910052805 deuterium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 51
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 51
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 51
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 37
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 claims abstract description 34
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 claims abstract description 33
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 claims abstract description 29
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 claims abstract description 28
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 9
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 12
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims description 4
- 150000001450 anions Chemical class 0.000 claims description 4
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 claims description 4
- CPELXLSAUQHCOX-UHFFFAOYSA-M Bromide Chemical compound [Br-] CPELXLSAUQHCOX-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 2
- BHPQYMZQTOCNFJ-UHFFFAOYSA-N Calcium cation Chemical compound [Ca+2] BHPQYMZQTOCNFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 2
- HBBGRARXTFLTSG-UHFFFAOYSA-N Lithium ion Chemical group [Li+] HBBGRARXTFLTSG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- NPYPAHLBTDXSSS-UHFFFAOYSA-N Potassium ion Chemical compound [K+] NPYPAHLBTDXSSS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- FKNQFGJONOIPTF-UHFFFAOYSA-N Sodium cation Chemical compound [Na+] FKNQFGJONOIPTF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910001422 barium ion Inorganic materials 0.000 claims description 2
- NCMHKCKGHRPLCM-UHFFFAOYSA-N caesium(1+) Chemical compound [Cs+] NCMHKCKGHRPLCM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910001424 calcium ion Inorganic materials 0.000 claims description 2
- XMBWDFGMSWQBCA-UHFFFAOYSA-M iodide Chemical compound [I-] XMBWDFGMSWQBCA-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 2
- 229910001416 lithium ion Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910001414 potassium ion Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910001419 rubidium ion Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910001415 sodium ion Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910001427 strontium ion Inorganic materials 0.000 claims description 2
- PWYYWQHXAPXYMF-UHFFFAOYSA-N strontium(2+) Chemical compound [Sr+2] PWYYWQHXAPXYMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 32
- UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N Naphthalene Chemical compound C1=CC=CC2=CC=CC=C21 UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 19
- MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N anthracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C21 MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 19
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 17
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 17
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 16
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 15
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 14
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 13
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 12
- -1 triethylsilyl group Chemical group 0.000 description 12
- UJOBWOGCFQCDNV-UHFFFAOYSA-N Carbazole Natural products C1=CC=C2C3=CC=CC=C3NC2=C1 UJOBWOGCFQCDNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 11
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 10
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 description 9
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 description 9
- IOLCXVTUBQKXJR-UHFFFAOYSA-M potassium bromide Chemical compound [K+].[Br-] IOLCXVTUBQKXJR-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 9
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 8
- XLYOFNOQVPJJNP-ZSJDYOACSA-N Heavy water Chemical compound [2H]O[2H] XLYOFNOQVPJJNP-ZSJDYOACSA-N 0.000 description 7
- 125000001072 heteroaryl group Chemical group 0.000 description 7
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N Dichloromethane Chemical compound ClCCl YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 150000001454 anthracenes Chemical group 0.000 description 6
- 239000001110 calcium chloride Substances 0.000 description 6
- 229910001628 calcium chloride Inorganic materials 0.000 description 6
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 6
- 125000000753 cycloalkyl group Chemical group 0.000 description 6
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 6
- UXVMQQNJUSDDNG-UHFFFAOYSA-L Calcium chloride Chemical compound [Cl-].[Cl-].[Ca+2] UXVMQQNJUSDDNG-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 5
- 238000005481 NMR spectroscopy Methods 0.000 description 5
- 125000000623 heterocyclic group Chemical group 0.000 description 5
- 125000002950 monocyclic group Chemical group 0.000 description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 5
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 description 4
- 125000005241 heteroarylamino group Chemical group 0.000 description 4
- 150000002790 naphthalenes Chemical group 0.000 description 4
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 4
- 125000003808 silyl group Chemical group [H][Si]([H])([H])[*] 0.000 description 4
- YXFVVABEGXRONW-JGUCLWPXSA-N toluene-d8 Chemical compound [2H]C1=C([2H])C([2H])=C(C([2H])([2H])[2H])C([2H])=C1[2H] YXFVVABEGXRONW-JGUCLWPXSA-N 0.000 description 4
- 238000005160 1H NMR spectroscopy Methods 0.000 description 3
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical group C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical group [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XQVWYOYUZDUNRW-UHFFFAOYSA-N N-Phenyl-1-naphthylamine Chemical group C=1C=CC2=CC=CC=C2C=1NC1=CC=CC=C1 XQVWYOYUZDUNRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000006267 biphenyl group Chemical group 0.000 description 3
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 3
- 150000001716 carbazoles Chemical class 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 239000012153 distilled water Substances 0.000 description 3
- 125000003983 fluorenyl group Chemical group C1(=CC=CC=2C3=CC=CC=C3CC12)* 0.000 description 3
- 239000002638 heterogeneous catalyst Substances 0.000 description 3
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 3
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 3
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 3
- 125000003367 polycyclic group Chemical group 0.000 description 3
- YJTKZCDBKVTVBY-UHFFFAOYSA-N 1,3-Diphenylbenzene Chemical group C1=CC=CC=C1C1=CC=CC(C=2C=CC=CC=2)=C1 YJTKZCDBKVTVBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MYKQKWIPLZEVOW-UHFFFAOYSA-N 11h-benzo[a]carbazole Chemical class C1=CC2=CC=CC=C2C2=C1C1=CC=CC=C1N2 MYKQKWIPLZEVOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- TXCDCPKCNAJMEE-UHFFFAOYSA-N Dibenzofuran Natural products C1=CC=C2C3=CC=CC=C3OC2=C1 TXCDCPKCNAJMEE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SIKJAQJRHWYJAI-UHFFFAOYSA-N Indole Chemical compound C1=CC=C2NC=CC2=C1 SIKJAQJRHWYJAI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CSNNHWWHGAXBCP-UHFFFAOYSA-L Magnesium sulfate Chemical compound [Mg+2].[O-][S+2]([O-])([O-])[O-] CSNNHWWHGAXBCP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- PMZURENOXWZQFD-UHFFFAOYSA-L Sodium Sulfate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]S([O-])(=O)=O PMZURENOXWZQFD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 description 2
- 125000003282 alkyl amino group Chemical group 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000005264 aryl amine group Chemical group 0.000 description 2
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- IYYZUPMFVPLQIF-ALWQSETLSA-N dibenzothiophene Chemical class C1=CC=CC=2[34S]C3=C(C=21)C=CC=C3 IYYZUPMFVPLQIF-ALWQSETLSA-N 0.000 description 2
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 description 2
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 2
- 238000005984 hydrogenation reaction Methods 0.000 description 2
- VVVPGLRKXQSQSZ-UHFFFAOYSA-N indolo[3,2-c]carbazole Chemical class C1=CC=CC2=NC3=C4C5=CC=CC=C5N=C4C=CC3=C21 VVVPGLRKXQSQSZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 2
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 2
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 2
- 238000007086 side reaction Methods 0.000 description 2
- 229910052938 sodium sulfate Inorganic materials 0.000 description 2
- 235000011152 sodium sulphate Nutrition 0.000 description 2
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 2
- RUFPHBVGCFYCNW-UHFFFAOYSA-N 1-naphthylamine Chemical compound C1=CC=C2C(N)=CC=CC2=C1 RUFPHBVGCFYCNW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LTBZJICGJURUBH-UHFFFAOYSA-N 10h-furo[3,2-a]carbazole Chemical class C12=CC=CC=C2NC2=C1C=CC1=C2C=CO1 LTBZJICGJURUBH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WONYVCKUEUULQN-UHFFFAOYSA-N 2-methyl-n-(2-methylphenyl)aniline Chemical group CC1=CC=CC=C1NC1=CC=CC=C1C WONYVCKUEUULQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JTMODJXOTWYBOZ-UHFFFAOYSA-N 2-methyl-n-phenylaniline Chemical group CC1=CC=CC=C1NC1=CC=CC=C1 JTMODJXOTWYBOZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BGEVROQFKHXUQA-UHFFFAOYSA-N 71012-25-4 Chemical class C12=CC=CC=C2C2=CC=CC=C2C2=C1C1=CC=CC=C1N2 BGEVROQFKHXUQA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 7553-56-2 Chemical compound [I] ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZHQNDEHZACHHTA-UHFFFAOYSA-N 9,9-dimethylfluorene Chemical group C1=CC=C2C(C)(C)C3=CC=CC=C3C2=C1 ZHQNDEHZACHHTA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BKQXUNGELBDWLS-UHFFFAOYSA-N 9,9-diphenylfluorene Chemical group C1=CC=CC=C1C1(C=2C=CC=CC=2)C2=CC=CC=C2C2=CC=CC=C21 BKQXUNGELBDWLS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QXDWMAODKPOTKK-UHFFFAOYSA-N 9-methylanthracen-1-amine Chemical group C1=CC(N)=C2C(C)=C(C=CC=C3)C3=CC2=C1 QXDWMAODKPOTKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N Bromine atom Chemical compound [Br] WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 1
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QUSNBJAOOMFDIB-UHFFFAOYSA-N Ethylamine Chemical group CCN QUSNBJAOOMFDIB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N Furan Chemical group C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NFTRAGGUIJBGHD-UHFFFAOYSA-N N-(9H-fluoren-1-yl)phenanthren-1-amine Chemical group C1(=CC=CC=2C3=CC=CC=C3C=CC1=2)NC1=CC=CC=2C3=CC=CC=C3CC1=2 NFTRAGGUIJBGHD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ACYWVHCCUGTDEW-UHFFFAOYSA-N N-naphthalen-1-yl-9H-fluoren-1-amine Chemical group C1(=CC=CC2=CC=CC=C12)NC1=CC=CC=2C3=CC=CC=C3CC12 ACYWVHCCUGTDEW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WJOZUXJBWJTHQQ-UHFFFAOYSA-N N-phenyl-2-(2-phenylphenyl)aniline Chemical group C1(=CC=CC=C1)NC=1C(=CC=CC=1)C=1C(=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 WJOZUXJBWJTHQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical class [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N Pyridine Chemical group C1=CC=NC=C1 JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N Thiophene Chemical group C=1C=CSC=1 YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XDLDASNSMGOEMX-RNISQCEUSA-N [2H]C1=C(C(=C(C(=C1[2H])[2H])[2H])[2H])[2H].C1(=C(C(=C(C(=C1[2H])[2H])[2H])[2H])[2H])[2H] Chemical compound [2H]C1=C(C(=C(C(=C1[2H])[2H])[2H])[2H])[2H].C1(=C(C(=C(C(=C1[2H])[2H])[2H])[2H])[2H])[2H] XDLDASNSMGOEMX-RNISQCEUSA-N 0.000 description 1
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000002490 anilino group Chemical group [H]N(*)C1=C([H])C([H])=C([H])C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- 239000010405 anode material Substances 0.000 description 1
- YUENFNPLGJCNRB-UHFFFAOYSA-N anthracen-1-amine Chemical group C1=CC=C2C=C3C(N)=CC=CC3=CC2=C1 YUENFNPLGJCNRB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000005577 anthracene group Chemical group 0.000 description 1
- 125000002178 anthracenyl group Chemical group C1(=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C12)* 0.000 description 1
- PYKYMHQGRFAEBM-UHFFFAOYSA-N anthraquinone Natural products CCC(=O)c1c(O)c2C(=O)C3C(C=CC=C3O)C(=O)c2cc1CC(=O)OC PYKYMHQGRFAEBM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004056 anthraquinones Chemical class 0.000 description 1
- 239000003849 aromatic solvent Substances 0.000 description 1
- 125000000732 arylene group Chemical group 0.000 description 1
- JKOSHCYVZPCHSJ-UHFFFAOYSA-N benzene;toluene Chemical compound C1=CC=CC=C1.C1=CC=CC=C1.CC1=CC=CC=C1 JKOSHCYVZPCHSJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001555 benzenes Chemical group 0.000 description 1
- 125000006616 biphenylamine group Chemical group 0.000 description 1
- GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N bromine Substances BrBr GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000000484 butyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 125000000609 carbazolyl group Chemical group C1(=CC=CC=2C3=CC=CC=C3NC12)* 0.000 description 1
- 150000001721 carbon Chemical group 0.000 description 1
- 239000010406 cathode material Substances 0.000 description 1
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000002676 chrysenyl group Chemical group C1(=CC=CC=2C3=CC=C4C=CC=CC4=C3C=CC12)* 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 150000001868 cobalt Chemical class 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 125000001995 cyclobutyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])(*)C1([H])[H] 0.000 description 1
- 125000000582 cycloheptyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])C1([H])[H] 0.000 description 1
- 125000000113 cyclohexyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])C1([H])[H] 0.000 description 1
- 125000000640 cyclooctyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])C([H])([H])C1([H])[H] 0.000 description 1
- 125000001511 cyclopentyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C1([H])[H] 0.000 description 1
- 125000001559 cyclopropyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C1([H])* 0.000 description 1
- 150000004826 dibenzofurans Chemical class 0.000 description 1
- IYYZUPMFVPLQIF-UHFFFAOYSA-N dibenzothiophene sulfoxide Natural products C1=CC=C2C3=CC=CC=C3SC2=C1 IYYZUPMFVPLQIF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001664 diethylamino group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])N(*)C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 125000002147 dimethylamino group Chemical group [H]C([H])([H])N(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 238000003618 dip coating Methods 0.000 description 1
- DMBHHRLKUKUOEG-UHFFFAOYSA-N diphenylamine Chemical group C=1C=CC=CC=1NC1=CC=CC=C1 DMBHHRLKUKUOEG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003814 drug Substances 0.000 description 1
- 229940079593 drug Drugs 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 238000004880 explosion Methods 0.000 description 1
- 150000002220 fluorenes Chemical group 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 125000003187 heptyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 125000005549 heteroarylene group Chemical group 0.000 description 1
- 125000005842 heteroatom Chemical group 0.000 description 1
- 125000004051 hexyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 1
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 1
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 1
- 125000002883 imidazolyl group Chemical group 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- WUNJCKOTXFSWBK-UHFFFAOYSA-N indeno[2,1-a]carbazole Chemical group C1=CC=C2C=C3C4=NC5=CC=CC=C5C4=CC=C3C2=C1 WUNJCKOTXFSWBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PZOUSPYUWWUPPK-UHFFFAOYSA-N indole Natural products CC1=CC=CC2=C1C=CN2 PZOUSPYUWWUPPK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RKJUIXBNRJVNHR-UHFFFAOYSA-N indolenine Natural products C1=CC=C2CC=NC2=C1 RKJUIXBNRJVNHR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229960005544 indolocarbazole Drugs 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 1
- 229910052740 iodine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011630 iodine Substances 0.000 description 1
- 150000002503 iridium Chemical class 0.000 description 1
- 125000000959 isobutyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000001449 isopropyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 238000002372 labelling Methods 0.000 description 1
- 238000004768 lowest unoccupied molecular orbital Methods 0.000 description 1
- 229910052943 magnesium sulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000019341 magnesium sulphate Nutrition 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000004060 metabolic process Effects 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000000250 methylamino group Chemical group [H]N(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- NJVSFOMTEFOHMI-UHFFFAOYSA-N n,2-diphenylaniline Chemical group C=1C=CC=C(C=2C=CC=CC=2)C=1NC1=CC=CC=C1 NJVSFOMTEFOHMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004108 n-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000003136 n-heptyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000001280 n-hexyl group Chemical group C(CCCCC)* 0.000 description 1
- 125000000740 n-pentyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- HCISEFFYVMEPNF-UHFFFAOYSA-N n-phenyl-9h-fluoren-1-amine Chemical group C=12CC3=CC=CC=C3C2=CC=CC=1NC1=CC=CC=C1 HCISEFFYVMEPNF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UMGBMWFOGBJCJA-UHFFFAOYSA-N n-phenylphenanthren-1-amine Chemical group C=1C=CC(C2=CC=CC=C2C=C2)=C2C=1NC1=CC=CC=C1 UMGBMWFOGBJCJA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004123 n-propyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- NYESPUIMUJRIAP-UHFFFAOYSA-N naphtho[1,2-e][1]benzofuran Chemical group C1=CC=CC2=C3C(C=CO4)=C4C=CC3=CC=C21 NYESPUIMUJRIAP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XRJUVKFVUBGLMG-UHFFFAOYSA-N naphtho[1,2-e][1]benzothiole Chemical group C1=CC=CC2=C3C(C=CS4)=C4C=CC3=CC=C21 XRJUVKFVUBGLMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001624 naphthyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000005184 naphthylamino group Chemical group C1(=CC=CC2=CC=CC=C12)N* 0.000 description 1
- 238000006386 neutralization reaction Methods 0.000 description 1
- 125000002560 nitrile group Chemical group 0.000 description 1
- 125000000449 nitro group Chemical group [O-][N+](*)=O 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000002347 octyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002940 palladium Chemical class 0.000 description 1
- 125000001147 pentyl group Chemical group C(CCCC)* 0.000 description 1
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 description 1
- 239000000575 pesticide Substances 0.000 description 1
- 125000001792 phenanthrenyl group Chemical group C1(=CC=CC=2C3=CC=CC=C3C=CC12)* 0.000 description 1
- XPPWLXNXHSNMKC-UHFFFAOYSA-N phenylboron Chemical group [B]C1=CC=CC=C1 XPPWLXNXHSNMKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003057 platinum Chemical class 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 125000001436 propyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 125000003226 pyrazolyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000001725 pyrenyl group Chemical group 0.000 description 1
- PBMFSQRYOILNGV-UHFFFAOYSA-N pyridazine Chemical group C1=CC=NN=C1 PBMFSQRYOILNGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000714 pyrimidinyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000000168 pyrrolyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000002943 quinolinyl group Chemical group N1=C(C=CC2=CC=CC=C12)* 0.000 description 1
- 230000035484 reaction time Effects 0.000 description 1
- 150000003283 rhodium Chemical class 0.000 description 1
- 150000003303 ruthenium Chemical class 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 125000003003 spiro group Chemical group 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010345 tape casting Methods 0.000 description 1
- 125000000999 tert-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C(*)(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- JLBRGNFGBDNNSF-UHFFFAOYSA-N tert-butyl(dimethyl)borane Chemical group CB(C)C(C)(C)C JLBRGNFGBDNNSF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001981 tert-butyldimethylsilyl group Chemical group [H]C([H])([H])[Si]([H])(C([H])([H])[H])[*]C(C([H])([H])[H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- LALRXNPLTWZJIJ-UHFFFAOYSA-N triethylborane Chemical group CCB(CC)CC LALRXNPLTWZJIJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WXRGABKACDFXMG-UHFFFAOYSA-N trimethylborane Chemical group CB(C)C WXRGABKACDFXMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000026 trimethylsilyl group Chemical group [H]C([H])([H])[Si]([*])(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 125000006617 triphenylamine group Chemical group 0.000 description 1
- MXSVLWZRHLXFKH-UHFFFAOYSA-N triphenylborane Chemical group C1=CC=CC=C1B(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 MXSVLWZRHLXFKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003960 triphenylenyl group Chemical group C1(=CC=CC=2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C3C12)* 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
- C07C7/00—Purification; Separation; Use of additives
- C07C7/148—Purification; Separation; Use of additives by treatment giving rise to a chemical modification of at least one compound
- C07C7/14833—Purification; Separation; Use of additives by treatment giving rise to a chemical modification of at least one compound with metals or their inorganic compounds
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07B—GENERAL METHODS OF ORGANIC CHEMISTRY; APPARATUS THEREFOR
- C07B59/00—Introduction of isotopes of elements into organic compounds ; Labelled organic compounds per se
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
- C07C15/00—Cyclic hydrocarbons containing only six-membered aromatic rings as cyclic parts
- C07C15/20—Polycyclic condensed hydrocarbons
- C07C15/24—Polycyclic condensed hydrocarbons containing two rings
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
- C07C15/00—Cyclic hydrocarbons containing only six-membered aromatic rings as cyclic parts
- C07C15/20—Polycyclic condensed hydrocarbons
- C07C15/27—Polycyclic condensed hydrocarbons containing three rings
- C07C15/28—Anthracenes
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07B—GENERAL METHODS OF ORGANIC CHEMISTRY; APPARATUS THEREFOR
- C07B2200/00—Indexing scheme relating to specific properties of organic compounds
- C07B2200/05—Isotopically modified compounds, e.g. labelled
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
- C07C2523/00—Catalysts comprising metals or metal oxides or hydroxides, not provided for in group C07C2521/00
- C07C2523/38—Catalysts comprising metals or metal oxides or hydroxides, not provided for in group C07C2521/00 of noble metals
- C07C2523/40—Catalysts comprising metals or metal oxides or hydroxides, not provided for in group C07C2521/00 of noble metals of the platinum group metals
- C07C2523/42—Platinum
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Oil, Petroleum & Natural Gas (AREA)
- Water Supply & Treatment (AREA)
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
Abstract
Description
본 명세서는 중수소화 방향족 화합물의 제조 방법에 관한 것이다.The present specification relates to a method for preparing a deuterated aromatic compound.
중수소를 포함하는 화합물은 다양한 목적을 위하여 사용하고 있다. 예를 들면, 화학 반응 메커니즘의 규명 또는 물질 대사 규명 등의 표지 화합물로 사용될 뿐만 아니라, 약, 살충제, 유기 EL 재료 및 기타의 목적을 위해서도 중수소를 포함한 화합물을 많이 이용하고 있다.Compounds containing deuterium are used for various purposes. For example, compounds containing deuterium are widely used not only as labeling compounds for identification of chemical reaction mechanisms or metabolism, but also for drugs, pesticides, organic EL materials, and other purposes.
유기 발광 소자(OLED) 물질의 수명 향상을 위해 방향족 화합물을 중수소 치환을 하는 방법이 알려져 있다. 이러한 효과의 원리는 중수소 치환 시 C-H bond 보다 C-D bond의 LUMO energy가 낮아지면서 OLED 물질의 수명 특성이 향상된다.A method of substituting deuterium for an aromatic compound to improve the lifespan of an organic light emitting diode (OLED) material is known. The principle of this effect is that the LUMO energy of the C-D bond is lower than that of the C-H bond when deuterium is substituted, and the lifespan characteristics of the OLED material are improved.
기존의 비균일계 촉매 반응을 이용하여 1개 이상의 방향족 화합물에 대해서 중수소화 반응을 진행하면, 부반응으로 인한 부산물이 계속해서 발생하는 문제가 발생했다. 이는 수소 기체에 의해 생성된 수소화 반응에 의한 것으로 이를 제거하기 위해 반응 후 정제 과정을 통해 순도를 높이는 시도도 했지만, 기존 물질과 녹는 점이나 용해도 측면에서 차이가 나지 않아 고순도를 갖기 어려웠다. 이를 개선하고자 수소 기체 없이 반응하려면 매우 높은 온도(약 220℃ 이상)에서 반응을 진행해야 하는데, 이는 공정에 있어서 안정성이 문제될 수 있다. When the deuterated reaction proceeds with respect to one or more aromatic compounds using the conventional heterogeneous catalyst reaction, there is a problem in that by-products due to side reactions are continuously generated. This is due to the hydrogenation reaction generated by hydrogen gas, and an attempt was made to increase the purity through the purification process after the reaction to remove it, but it was difficult to have high purity because there was no difference from the existing material in terms of melting point or solubility. In order to improve this, in order to react without hydrogen gas, the reaction must be carried out at a very high temperature (about 220° C. or higher), which may cause a problem in stability in the process.
본 명세서는 중수소화 방향족 화합물의 제조 방법을 제공한다.The present specification provides a method for preparing a deuterated aromatic compound.
본 명세서는 중수소원, 금속촉매, 산도(acidity)가 중성인 금속염 및 1개 이상의 방향족 고리를 포함하는 방향족 화합물을 포함하는 용액을 준비하는 단계; 및 상기 용액을 가열하여 상기 방향족 화합물의 중수소화 반응을 진행시키는 단계를 포함하는 중수소화 방향족 화합물의 제조 방법을 제공한다. The present specification includes the steps of preparing a solution containing a deuterium source, a metal catalyst, an aromatic compound including a metal salt having neutral acidity and one or more aromatic rings; and heating the solution to advance the deuterated reaction of the aromatic compound.
본 명세서에 따른 제1 실시상태의 제조방법은 불순물의 생성을 억제할 수 있다.The manufacturing method of the first embodiment according to the present specification can suppress the generation of impurities.
본 명세서에 따른 제2 실시상태의 제조방법은 중수소 치환율이 높은 장점이 있다. The manufacturing method of the second embodiment according to the present specification has an advantage of high deuterium substitution rate.
본 명세서에 따른 제3 실시상태의 제조방법은 수득된 화합물의 순도가 높은 장점이 있다.The manufacturing method of the third embodiment according to the present specification has the advantage of high purity of the obtained compound.
본 명세서에 따른 제4 실시상태의 제조방법은 보다 낮은 압력에서 반응이 가능하다.In the manufacturing method of the fourth embodiment according to the present specification, the reaction is possible at a lower pressure.
이하에서 본 명세서에 대하여 상세히 설명한다.Hereinafter, the present specification will be described in detail.
본 명세서는 중수소원, 금속촉매, 산도(acidity)가 중성인 금속염 및 1개 이상의 방향족 고리를 포함하는 방향족 화합물을 포함하는 용액을 준비하는 단계; 및 상기 용액을 가열하여 상기 방향족 화합물의 중수소화 반응을 진행시키는 단계를 포함하는 중수소화 방향족 화합물의 제조 방법을 제공한다.The present specification includes the steps of preparing a solution containing a deuterium source, a metal catalyst, an aromatic compound including a metal salt having neutral acidity and one or more aromatic rings; and heating the solution to advance the deuterated reaction of the aromatic compound.
본 명세서의 중수소화 방향족 화합물의 제조 방법은 수소 공급 단계가 없는 것이 특징이다.The method for producing a deuterated aromatic compound of the present specification is characterized in that there is no hydrogen supply step.
종래에는 중수소화 방향족 화합물을 제조하기 위해 첨가된 비균일계 촉매인 금속촉매를 활성화시키기 위해, 수소 기체를 공급했다. 수소를 공급하여 중수소화 반응을 진행시키면 수소 기체에 의해 수소화 반응이 진행되어 부반응으로 인한 부산물이 발생된다.Conventionally, hydrogen gas was supplied to activate a metal catalyst, which is a heterogeneous catalyst added to prepare deuterated aromatic compounds. When hydrogen is supplied to advance the deuterium reaction, the hydrogenation reaction proceeds with hydrogen gas, thereby generating by-products due to side reactions.
발생된 부산물을 제거하기 위해 반응 후 정제 과정을 통해 순도를 높이는 과정이 필요하며, 이와 같은 정제공정을 수행하더라도 부산물이 타겟 물질과 녹는점이나 용해도 측면에서 차이가 나지 않아 최종물을 고순도로 수득하기 어려웠다.In order to remove the generated by-products, it is necessary to increase the purity through the purification process after the reaction. It was difficult.
이를 개선하고자 수소 기체 없이 중수소화 반응을 진행하려면 매우 높은 온도(약 220℃ 이상)에서 반응을 진행해야 하는데, 반응 온도를 올리면 반응시 내부압력이 크게 상승하여 반응기가 폭발하는 등의 안정성의 문제가 발생할 수 있다. 또한, 높은 압력을 견디는 반응기 선정에 어려움이 있고, 관련 장비 및 시설의 비용이 증가한다.In order to improve this, in order to proceed with the deuterium reaction without hydrogen gas, the reaction must be carried out at a very high temperature (about 220° C. or higher). If the reaction temperature is raised, the internal pressure during the reaction greatly increases, causing stability problems such as explosion of the reactor. can occur In addition, it is difficult to select a reactor that can withstand high pressure, and the cost of related equipment and facilities increases.
본 명세서의 중수소화 방향족 화합물의 제조 방법은 산도(acidity)가 중성인 금속염을 반응물에 추가하여, 수소 기체없이 고온으로 중수소화 반응을 진행하더라도 금속염이 반응압력을 낮추어 안정성의 문제를 해결했다.In the method for producing a deuterated aromatic compound of the present specification, a metal salt having a neutral acidity is added to the reactant, and the metal salt lowers the reaction pressure even if the deuterated reaction proceeds at a high temperature without hydrogen gas, thereby solving the problem of stability.
상기 중수소원, 금속촉매, 산도(acidity)가 중성인 금속염 및 1개 이상의 방향족 고리를 포함하는 방향족 화합물을 포함하는 용액을 준비하는 단계는 반응기 내에 중수소원, 금속촉매, 산도(acidity)가 중성인 금속염 및 1개 이상의 방향족 고리를 포함하는 방향족 화합물을 포함하는 용액을 투입하거나, 중수소원, 금속촉매, 산도(acidity)가 중성인 금속염 및 1개 이상의 방향족 고리를 포함하는 방향족 화합물을 개별적으로 반응기에 투입하여 용액을 준비할 수 있다.The step of preparing a solution containing the deuterium source, the metal catalyst, the metal salt having neutral acidity and the aromatic compound including one or more aromatic rings is a deuterium source, the metal catalyst, and the acidity is neutral in the reactor. A solution containing a metal salt and an aromatic compound containing at least one aromatic ring is introduced, or a deuterium source, a metal catalyst, a metal salt having neutral acidity and an aromatic compound containing at least one aromatic ring are individually added to the reactor. The solution can be prepared by adding it.
상기 용액은 유기용매를 더 포함할 수 있다. 상기 유기용매는 상기 방향족 화합물을 용해할 수 있다면 특별히 한정하지 않고, 사용되는 방향족 화합물에 따라 선택될 수 있다. The solution may further include an organic solvent. The organic solvent is not particularly limited as long as it can dissolve the aromatic compound, and may be selected according to the aromatic compound used.
상기 중수소원으로 중수(D2O)를 사용하는 경우, 상기 유기용매는 중수와 친화도가 높지 않는, 즉 섞이지 않는 용매를 선택하는 것이 바람직하다.When using heavy water (D 2 O) as the deuterium source, it is preferable to select a solvent that does not have a high affinity for the organic solvent, that is, does not mix with heavy water.
상기 중수소원으로 톨루엔(Toluene)-d8과 같이 중수소화된 방향족 용매를 사용하는 경우, 추가의 유기용매를 첨가하지 않을 수 있다.When a deuterated aromatic solvent such as toluene-d8 is used as the deuterium source, an additional organic solvent may not be added.
본 명세서의 중수소화 방향족 화합물의 제조 방법은 상기 반응기의 내부공기를 질소 또는 불활성기체로 치환하는 단계를 더 포함할 수 있다.The method for producing a deuterated aromatic compound of the present specification may further include replacing the internal air of the reactor with nitrogen or an inert gas.
본 명세서에 따른 일 실시상태에 따르면, 상기 산도가 중성인 금속염은 pH가 약 7인 금속염으로서, 구체적으로 pH가 6 내지 8인 금속염일 수 있고, 더 구체적으로 pH가 6.5 내지 7.5인 금속염일 수 있다. According to an exemplary embodiment according to the present specification, the metal salt having a neutral acidity may be a metal salt having a pH of about 7, specifically, a metal salt having a pH of 6 to 8, and more specifically, a metal salt having a pH of 6.5 to 7.5. have.
본 명세서에 따른 일 실시상태에 따르면, 상기 산도가 중성인 금속염은 강산과 강염기의 중화반응으로 형성된 금속염일 수 있다. 구체적으로, 상기 산도가 중성인 금속염은 강염기로부터 유래된 양이온과 강산으로부터 유래된 음이온을 포함하고, 전기적으로 중성을 띠고, 산도도 중성인 금속염일 수 있다. According to an exemplary embodiment according to the present specification, the metal salt having a neutral acidity may be a metal salt formed by a neutralization reaction of a strong acid and a strong base. Specifically, the metal salt having a neutral acidity may be a metal salt containing a cation derived from a strong base and an anion derived from a strong acid, and having a neutral acidity and neutral acidity.
또한, 강산과 강염기로 형성된 금속염은 흡습성이 좋아 물에 매우 많은 양이 녹아 들어갈 수 있으며, 이는 반응 압력을 낮추는데 유리하다.In addition, a metal salt formed of a strong acid and a strong base has good hygroscopicity and can be dissolved in a very large amount in water, which is advantageous in lowering the reaction pressure.
예를 들면, 반응온도 250℃에서 중성 금속염없이는 반응개시를 위해 약 40bar의 압력이 가해지나, 같은 조건에서 중성 금속염을 첨가하면 약 3bar 수준으로 반응 압력을 낮출 수 있다.For example, at a reaction temperature of 250° C., a pressure of about 40 bar is applied to initiate the reaction without a neutral metal salt, but when a neutral metal salt is added under the same conditions, the reaction pressure can be lowered to about 3 bar.
따라서, 중성 금속염으로 인해 반응 압력 스펙을 낮출 수 있으며, 이로 인해 장비 및 공정 비용이 절감된다.Therefore, the reaction pressure specification can be lowered due to the neutral metal salt, which reduces equipment and process costs.
반대로, 금속염의 산도가 산성 또는 염기일 경우에는 불균일 촉매의 금속과 반응이 일어나 중수소화 대상 화합물의 반응기의 부식 등을 야기할 수 있다. Conversely, when the acidity of the metal salt is acidic or basic, a reaction with the metal of the heterogeneous catalyst may occur to cause corrosion of the reactor of the compound to be deuterated.
본 명세서에 따른 일 실시상태에 따르면, 상기 산도가 중성인 금속염의 양이온은 리튬이온, 나트륨이온, 칼륨이온, 루비듐이온, 세슘이온, 칼슘이온, 스트론튬이온 및 바륨이온 중 선택될 수 있다. According to an exemplary embodiment according to the present specification, the cation of the metal salt having a neutral acidity may be selected from lithium ion, sodium ion, potassium ion, rubidium ion, cesium ion, calcium ion, strontium ion and barium ion.
본 명세서에 따른 일 실시상태에 따르면, 상기 산도가 중성인 금속염의 음이온은 염소이온, 요오드이온, 브롬이온, SO4 2- 및 CF3SO3 - 중 선택될 수 있다.According to an exemplary embodiment according to the present specification, the anion of the metal salt having a neutral acidity may be selected from chlorine ion, iodine ion, bromine ion, SO 4 2- and CF 3 SO 3 − .
본 명세서에 따른 일 실시상태에 따르면, 상기 용매의 총 중량을 기준으로, 상기 산도가 중성인 금속염의 함량은 10wt% 이상 150wt% 이하일 수 있다. According to an exemplary embodiment according to the present specification, based on the total weight of the solvent, the content of the metal salt having a neutral acidity may be 10 wt% or more and 150 wt% or less.
본 명세서에 따른 일 실시상태에 따르면, 상기 금속촉매는 수소가스 또는 중수소가스와의 접촉에 의해 활성화된 촉매이거나, 활성화되지 않은 촉매일 수 있다. According to an exemplary embodiment according to the present specification, the metal catalyst may be a catalyst activated by contact with hydrogen gas or deuterium gas, or a non-activated catalyst.
본 명세서의 중수소화 방향족 화합물의 제조 방법은 상기 용액을 준비하는 단계 전에, 상기 금속촉매를 수소가스 또는 중수소가스와 접촉시켜 활성화시키는 단계를 더 포함할 수 있다. The method for producing a deuterated aromatic compound of the present specification may further include activating the metal catalyst by contacting it with hydrogen gas or deuterium gas before the step of preparing the solution.
상기 금속촉매는, 예를 들면, 활성화된 또는 활성화되지 않은 팔라듐 촉매, 활성화된 또는 활성화되지 않은 플라티늄 촉매, 활성화된 또는 활성화되지 않은 이리듐 촉매, 활성화된 또는 활성화되지 않은 로듐 촉매, 활성화된 또는 활성화되지 않은 루테늄 촉매, 활성화된 또는 활성화되지 않은 니켈 촉매 및 활성화된 또는 활성화되지 않은 코발트 촉매로 이루어진 군으로부터 선택된다. 상기 금속촉매는 탄소계 지지체에 담지될 수 있다.The metal catalyst may be, for example, activated or unactivated palladium catalyst, activated or unactivated platinum catalyst, activated or unactivated iridium catalyst, activated or unactivated rhodium catalyst, activated or unactivated unactivated ruthenium catalyst, activated or unactivated nickel catalyst and activated or unactivated cobalt catalyst. The metal catalyst may be supported on a carbon-based support.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 금속 촉매는 탄소계 지지체에 담지된 금속 촉매일 수 있다. 바람직하게는 상기 금속 촉매는 탄소계 지지체에 담지된 백금(Pt/C) 또는 탄소계 지지체에 담지된 팔라듐(Pd/C)일 수 있다.In an exemplary embodiment of the present specification, the metal catalyst may be a metal catalyst supported on a carbon-based support. Preferably, the metal catalyst may be platinum (Pt/C) supported on a carbon-based support or palladium (Pd/C) supported on a carbon-based support.
본 명세서에 따른 일 실시상태에 따르면, 상기 방향족 화합물의 총 중량을 기준으로, 상기 금속촉매의 함량은 0.5wt% 이상 50wt% 이하일 수 있다. According to an exemplary embodiment according to the present specification, based on the total weight of the aromatic compound, the content of the metal catalyst may be 0.5 wt% or more and 50 wt% or less.
상기 중수소원은 중수소 용매일 수 있으며, 예를 들면 중수(D2O), 벤젠-d6(Benzene-d6), 톨루엔-d8(Toluene-d8) 등일 수 있으며, 바람직하게는 중수(D2O) 또는 Toluene-d8일 수 있다. The deuterium source may be a deuterium solvent, for example, heavy water (D 2 O), benzene-d6 (Benzene-d6), toluene-d8 (Toluene-d8), etc., preferably heavy water (D 2 O) or Toluene-d8.
본 명세서에 따른 일 실시상태에 따르면, 상기 중수소원의 함량은 상기 방향족 화합물의 2배 이상 30배 이하일 수 있다. According to an exemplary embodiment according to the present specification, the content of the deuterium source may be 2 times or more and 30 times or less of the aromatic compound.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 방향족 화합물은 1개 이상의 방향족 고리를 포함하는 방향족 화합물이며, 구체적으로 1개 이상 30개 이하인 방향족 고리를 포함하는 방향족 화합물이다. 이때, 방향족 고리가 1개 이상이라는 의미는 단환, 다환 또는 이들의 조합의 방향족 고리가 1개 이상이거나, 기본 단위인 방향족 고리(예: 벤젠 고리)가 1개 이상일 수 있다. 예를 들면, 안트라센 고리는 하나의 방향족 고리를 의미하거나, 기본 단위인 벤젠 고리를 기준으로 3개의 벤젠 고리가 연결된 것을 의미할 수 있다.In an exemplary embodiment of the present specification, the aromatic compound is an aromatic compound including one or more aromatic rings, and specifically, an aromatic compound including one or more and 30 or less aromatic rings. In this case, the number of one or more aromatic rings may include one or more monocyclic, polycyclic, or a combination thereof, or one or more aromatic rings (eg, benzene rings) as a basic unit. For example, the anthracene ring may mean one aromatic ring or three benzene rings connected based on a benzene ring as a basic unit.
본 명세서에 따른 일 실시상태에 따르면, 상기 용매의 총 중량을 기준으로, 상기 방향족 화합물의 함량은 3wt% 이상 50wt% 이하일 수 있다. According to an exemplary embodiment according to the present specification, based on the total weight of the solvent, the content of the aromatic compound may be 3 wt% or more and 50 wt% or less.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 방향족 고리는 치환 또는 비치환되고 단환 또는 다환인 탄화수소 방향족 고리, 또는 치환 또는 비치환되고 단환 또는 다환인 헤테로 방향족 고리일 수 있다. 예를 들면, 상기 방향족 고리는 치환 또는 비치환된 벤젠 고리, 치환 또는 비치환된 나프탈렌 고리, 치환 또는 비치환된 안트라센 고리, 치환 또는 비치환된 디벤조퓨란, 치환 또는 비치환된 디벤조티오펜, 치환 또는 비치환된 카바졸 등일 수 있다. In one embodiment of the present specification, the aromatic ring may be a substituted or unsubstituted, monocyclic or polycyclic hydrocarbon aromatic ring, or a substituted or unsubstituted and monocyclic or polycyclic heteroaromatic ring. For example, the aromatic ring may be a substituted or unsubstituted benzene ring, a substituted or unsubstituted naphthalene ring, a substituted or unsubstituted anthracene ring, a substituted or unsubstituted dibenzofuran, or a substituted or unsubstituted dibenzothiophene. , and may be a substituted or unsubstituted carbazole.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 방향족 화합물은 카바졸계 화합물 또는 안트라센계 화합물일 수 있다.In the exemplary embodiment of the present specification, the aromatic compound may be a carbazole-based compound or an anthracene-based compound.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 방향족 화합물은 카바졸계 화합물일 수 있으며, 구체적으로 치환 또는 비치환된 카바졸; 또는 인접한 기가 결합된 추가의 고리를 갖고 치환 또는 비치환된 카바졸일 수 있다. In an exemplary embodiment of the present specification, the aromatic compound may be a carbazole-based compound, specifically substituted or unsubstituted carbazole; or a substituted or unsubstituted carbazole having an additional ring to which adjacent groups are attached.
상기 인접한 기가 결합된 추가의 고리를 갖는 카바졸은 치환 또는 비치환된 벤조카바졸; 치환 또는 비치환된 디벤조카바졸; 치환 또는 비치환된 퓨로카바졸; 또는 치환 또는 비치환된 인돌로카바졸일 수 있다. The carbazole having an additional ring to which the adjacent groups are bonded is substituted or unsubstituted benzocarbazole; substituted or unsubstituted dibenzocarbazole; substituted or unsubstituted furocarbazole; Or it may be a substituted or unsubstituted indolocarbazole.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 방향족 화합물은 벤젠; 톨루엔; 나프탈렌; 나프틸아민; 인돌; 카바졸; 안트라퀴논; 또는 디하이드로인돌로카바졸일 수 있다.In one embodiment of the present specification, the aromatic compound is benzene; toluene; naphthalene; naphthylamine; indole; carbazole; anthraquinone; or dihydroindolocarbazole.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 방향족 화합물은 안트라센계 화합물일 수 있으며, 구체적으로 치환 또는 비치환된 안트라센일 수 있다. In the exemplary embodiment of the present specification, the aromatic compound may be an anthracene-based compound, and specifically may be a substituted or unsubstituted anthracene.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 방향족 화합물은 하기 화학식 1의 화합물을 포함할 수 있다. In an exemplary embodiment of the present specification, the aromatic compound may include a compound of Formula 1 below.
[화학식 1][Formula 1]
상기 화학식 1에서, In Formula 1,
L21 내지 L23은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립으로 직접결합; 또는 치환 또는 비치환된 아릴렌기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴렌기이고, L21 to L23 are the same as or different from each other, and are each independently a direct bond; Or a substituted or unsubstituted arylene group; Or a substituted or unsubstituted heteroarylene group,
R21 내지 R27은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 실릴기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기이며,R21 to R27 are the same as or different from each other, and each independently hydrogen; a substituted or unsubstituted alkyl group; a substituted or unsubstituted cycloalkyl group; a substituted or unsubstituted silyl group; a substituted or unsubstituted aryl group; Or a substituted or unsubstituted heteroaryl group,
Ar21 내지 Ar23은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기이고, Ar21 to Ar23 are the same as or different from each other, and each independently a substituted or unsubstituted aryl group; Or a substituted or unsubstituted heteroaryl group,
a은 0 또는 1이다.a is 0 or 1.
본 명세서에서 치환기의 예시들은 아래에서 설명하나, 이에 한정되는 것은 아니다.Examples of substituents in the present specification are described below, but are not limited thereto.
상기 “치환” 이라는 용어는 화합물의 탄소 원자에 결합된 수소 원자가 다른 치환기로 바뀌는 것을 의미하며, 치환되는 위치는 수소 원자가 치환되는 위치 즉, 치환기가 치환 가능한 위치라면 한정하지 않으며, 2 이상 치환되는 경우, 2 이상의 치환기는 서로 동일하거나 상이할 수 있다.The term “substituted” means that a hydrogen atom bonded to a carbon atom of a compound is replaced with another substituent, and the position to be substituted is not limited as long as the position at which the hydrogen atom is substituted, that is, a position where the substituent is substitutable, is not limited, and when two or more are substituted , two or more substituents may be the same as or different from each other.
본 명세서에서 “치환 또는 비치환된” 이라는 용어는 할로겐기; 니트릴기; 니트로기; 히드록시기; 아민기; 실릴기; 붕소기; 알콕시기; 알킬기; 시클로알킬기; 아릴기; 및 헤테로고리기로 이루어진 군에서 선택된 1 또는 2 이상의 치환기로 치환되었거나 상기 예시된 치환기 중 2 이상의 치환기가 연결된 치환기로 치환되거나, 또는 어떠한 치환기도 갖지 않는 것을 의미한다. 예컨대, “2 이상의 치환기가 연결된 치환기”는 바이페닐기일 수 있다. 즉, 바이페닐기는 아릴기일 수도 있고, 2개의 페닐기가 연결된 치환기로 해석될 수도 있다.As used herein, the term “substituted or unsubstituted” refers to a halogen group; nitrile group; nitro group; hydroxyl group; amine group; silyl group; boron group; alkoxy group; an alkyl group; cycloalkyl group; aryl group; And it means that it is substituted with one or two or more substituents selected from the group consisting of a heterocyclic group, is substituted with a substituent to which two or more of the above-exemplified substituents are connected, or does not have any substituents. For example, “a substituent in which two or more substituents are connected” may be a biphenyl group. That is, the biphenyl group may be an aryl group or may be interpreted as a substituent in which two phenyl groups are connected.
본 명세서에 있어서, 할로겐기의 예로는 불소(-F), 염소(-Cl), 브롬(-Br) 또는 요오드(-I)가 있다.In the present specification, examples of the halogen group include fluorine (-F), chlorine (-Cl), bromine (-Br), or iodine (-I).
본 명세서에 있어서, 실릴기는 -SiYaYbYc의 화학식으로 표시될 수 있고, 상기 Ya, Yb 및 Yc는 각각 수소; 치환 또는 비치환된 알킬기; 또는 치환 또는 비치환된 아릴기일 수 있다. 상기 실릴기는 구체적으로 트리메틸실릴기, 트리에틸실릴기, tert-부틸디메틸실릴기, 비닐디메틸실릴기, 프로필디메틸실릴기, 트리페닐실릴기, 디페닐실릴기, 페닐실릴기 등이 있으나 이에 한정되지 않는다. In the present specification, the silyl group may be represented by the formula of -SiY a Y b Y c , wherein Y a , Y b and Y c are each hydrogen; a substituted or unsubstituted alkyl group; Or it may be a substituted or unsubstituted aryl group. The silyl group specifically includes, but is not limited to, a trimethylsilyl group, a triethylsilyl group, a tert-butyldimethylsilyl group, a vinyldimethylsilyl group, a propyldimethylsilyl group, a triphenylsilyl group, a diphenylsilyl group, a phenylsilyl group, and the like. does not
본 명세서에 있어서, 붕소기는 -BYdYe의 화학식으로 표시될 수 있고, 상기 Yd 및 Ye는 각각 수소; 치환 또는 비치환된 알킬기; 또는 치환 또는 비치환된 아릴기일 수 있다. 상기 붕소기는 구체적으로 트리메틸붕소기, 트리에틸붕소기, tert-부틸디메틸붕소기, 트리페닐붕소기, 페닐붕소기 등이 있으나 이에 한정되지 않는다.In the present specification, the boron group may be represented by the formula of -BY d Y e , wherein Y d and Y e are each hydrogen; a substituted or unsubstituted alkyl group; Or it may be a substituted or unsubstituted aryl group. Specifically, the boron group includes, but is not limited to, a trimethylboron group, a triethylboron group, a tert-butyldimethylboron group, a triphenylboron group, a phenylboron group, and the like.
본 명세서에 있어서, 상기 알킬기는 직쇄 또는 분지쇄일 수 있고, 탄소수는 특별히 한정되지 않으나 1 내지 60인 것이 바람직하다. 일 실시상태에 따르면, 상기 알킬기의 탄소수는 1 내지 30이다. 또 하나의 실시상태에 따르면, 상기 알킬기의 탄소수는 1 내지 20이다. 또 하나의 실시상태에 따르면, 상기 알킬기의 탄소수는 1 내지 10이다. 알킬기의 구체적인 예로는 메틸기, 에틸기, 프로필기, n-프로필기, 이소프로필기, 부틸기, n-부틸기, 이소부틸기, tert-부틸기, 펜틸기, n-펜틸기, 헥실기, n-헥실기, 헵틸기, n-헵틸기, 옥틸기, n-옥틸기 등이 있으나, 이들에 한정되지 않는다.In the present specification, the alkyl group may be linear or branched, and the number of carbon atoms is not particularly limited, but is preferably 1 to 60. According to an exemplary embodiment, the number of carbon atoms in the alkyl group is 1 to 30. According to another exemplary embodiment, the alkyl group has 1 to 20 carbon atoms. According to another exemplary embodiment, the alkyl group has 1 to 10 carbon atoms. Specific examples of the alkyl group include methyl group, ethyl group, propyl group, n-propyl group, isopropyl group, butyl group, n-butyl group, isobutyl group, tert-butyl group, pentyl group, n-pentyl group, hexyl group, n -hexyl group, heptyl group, n-heptyl group, octyl group, n-octyl group, etc., but are not limited thereto.
본 명세서에 있어서, 상기 알콕시기는 직쇄, 분지쇄 또는 고리쇄일 수 있다. 알콕시기의 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 탄소수 1 내지 20인 것이 바람직하다. 구체적으로, 메톡시, 에톡시, n-프로폭시, 이소프로폭시, i-프로필옥시, n-부톡시, 이소부톡시, tert-부톡시, sec-부톡시, n-펜틸옥시, 네오펜틸옥시, 이소펜틸옥시, n-헥실옥시, 3,3-디메틸부틸옥시, 2-에틸부틸옥시, n-옥틸옥시, n-노닐옥시, n-데실옥시 등이 될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.In the present specification, the alkoxy group may be a straight chain, branched chain or cyclic chain. Although carbon number of an alkoxy group is not specifically limited, It is preferable that it is C1-C20. Specifically, methoxy, ethoxy, n-propoxy, isopropoxy, i-propyloxy, n-butoxy, isobutoxy, tert-butoxy, sec-butoxy, n-pentyloxy, neopentyloxy, isopentyloxy, n-hexyloxy, 3,3-dimethylbutyloxy, 2-ethylbutyloxy, n-octyloxy, n-nonyloxy, n-decyloxy, and the like, but is not limited thereto. .
본 명세서에 기재된 알킬기, 알콕시기 및 그 외 알킬기 부분을 포함하는 치환체는 직쇄 또는 분쇄 형태를 모두 포함한다.The substituents containing an alkyl group, an alkoxy group and other alkyl group moieties described herein include both straight-chain or pulverized forms.
본 명세서에 있어서, 시클로알킬기는 특별히 한정되지 않으나, 탄소수 3 내지 60인 것이 바람직하며, 일 실시상태에 따르면, 상기 시클로알킬기의 탄소수는 3 내지 30이다. 또 하나의 실시상태에 따르면, 상기 시클로알킬기의 탄소수는 3 내지 20이다. 또 하나의 실시상태에 따르면, 상기 시클로알킬기의 탄소수는 3 내지 6이다. 구체적으로 시클로프로필기, 시클로부틸기, 시클로펜틸기, 시클로헥실기, 시클로헵틸기, 시클로옥틸기 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다. In the present specification, the cycloalkyl group is not particularly limited, but preferably has 3 to 60 carbon atoms, and according to an exemplary embodiment, the cycloalkyl group has 3 to 30 carbon atoms. According to another exemplary embodiment, the carbon number of the cycloalkyl group is 3 to 20. According to another exemplary embodiment, the cycloalkyl group has 3 to 6 carbon atoms. Specifically, there are a cyclopropyl group, a cyclobutyl group, a cyclopentyl group, a cyclohexyl group, a cycloheptyl group, a cyclooctyl group, and the like, but is not limited thereto.
본 명세서에 있어서, 아릴기는 특별히 한정되지 않으나 탄소수 6 내지 60인 것이 바람직하며, 단환식 아릴기 또는 다환식 아릴기일 수 있다. 일 실시상태에 따르면, 상기 아릴기의 탄소수는 6 내지 39이다. 일 실시상태에 따르면, 상기 아릴기의 탄소수는 6 내지 30이다. 상기 아릴기가 단환식 아릴기로는 페닐기, 바이페닐기, 터페닐기, 쿼터페닐기 등이 될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 다환식 아릴기로는 나프틸기, 안트라세닐기, 페난트레닐기, 파이레닐기, 페릴레닐기, 트리페닐기, 크라이세닐기, 플루오레닐기, 트리페닐레닐기 등이 될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.In the present specification, the aryl group is not particularly limited, but preferably has 6 to 60 carbon atoms, and may be a monocyclic aryl group or a polycyclic aryl group. According to an exemplary embodiment, the carbon number of the aryl group is 6 to 39. According to an exemplary embodiment, the carbon number of the aryl group is 6 to 30. The aryl group may be a monocyclic aryl group such as a phenyl group, a biphenyl group, a terphenyl group, or a quaterphenyl group, but is not limited thereto. The polycyclic aryl group may be a naphthyl group, anthracenyl group, phenanthrenyl group, pyrenyl group, perylenyl group, triphenyl group, chrysenyl group, fluorenyl group, triphenylenyl group, etc., but is not limited thereto no.
본 명세서에 있어서, 플루오렌기는 치환될 수 있고, 치환기 2개가 서로 결합하여 스피로 구조를 형성할 수 있다.In the present specification, the fluorene group may be substituted, and two substituents may be bonded to each other to form a spiro structure.
상기 플루오렌기가 치환되는 경우, , 등의 스피로플루오렌기, (9,9-디메틸플루오렌기), 및 (9,9-디페닐플루오렌기) 등의 치환된 플루오렌기가 될 수 있다. 다만, 이에 한정되는 것은 아니다.When the fluorene group is substituted, , spirofluorene groups such as (9,9-dimethylfluorene group), and It may be a substituted fluorene group such as (9,9-diphenylfluorene group). However, the present invention is not limited thereto.
본 명세서에 있어서, 헤테로고리기는 이종원자로 N, O, P, S, Si 및 Se 중 1개 이상을 포함하는 고리기로서, 탄소수는 특별히 한정되지 않으나 탄소수 2 내지 60인 것이 바람직하다. 일 실시상태에 따르면, 상기 헤테로고리기의 탄소수는 2 내지 36이다. 헤테로 고리기의 예로는 예로는 피리딘기, 피롤기, 피리미딘기, 퀴놀린기, 피리다진기, 퓨란기, 티오펜기, 이미다졸기, 피라졸기, 디벤조퓨란기, 디벤조티오펜기, 카바졸기, 벤조카바졸기, 벤조나프토퓨란기, 벤조나프토티오펜기, 인데노카바졸기, 인돌로카바졸기 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.In the present specification, the heterocyclic group is a cyclic group including at least one of N, O, P, S, Si and Se as a heteroatom, and the number of carbon atoms is not particularly limited, but it is preferably from 2 to 60 carbon atoms. According to an exemplary embodiment, the heterocyclic group has 2 to 36 carbon atoms. Examples of the heterocyclic group include a pyridine group, a pyrrole group, a pyrimidine group, a quinoline group, a pyridazine group, a furan group, a thiophene group, an imidazole group, a pyrazole group, a dibenzofuran group, a dibenzothiophene group, A carbazole group, a benzocarbazole group, a benzonaphthofuran group, a benzonaphthothiophene group, an indenocarbazole group, an indolocarbazole group, etc., but are not limited thereto.
본 명세서에 있어서, 헤테로아릴기는 방향족인 것을 제외하고는 전술한 헤테로고리기에 관한 설명이 적용될 수 있다.In the present specification, the description of the above-mentioned heterocyclic group may be applied except that the heteroaryl group is aromatic.
본 명세서에 있어서, 아민기는 -NH2; 알킬아민기; N-알킬아릴아민기; 아릴아민기; N-아릴헤테로아릴아민기; N-알킬헤테로아릴아민기 및 헤테로아릴아민기로 이루어진 군으로부터 선택될 수 있으며, 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 1 내지 30인 것이 바람직하다. 아민기의 구체적인 예로는 메틸아민기, 디메틸아민기, 에틸아민기, 디에틸아민기, 페닐아민기, 나프틸아민기, 바이페닐아민기, 안트라세닐아민기, 9-메틸-안트라세닐아민기, 디페닐아민기, N-페닐나프틸아민기, 디톨릴아민기, N-페닐톨릴아민기, 트리페닐아민기, N-페닐바이페닐아민기, N-페닐나프틸아민기, N-바이페닐나프틸아민기, N-나프틸플루오레닐아민기, N-페닐페난트레닐아민기, N-바이페닐페난트레닐아민기, N-페닐플루오레닐아민기, N-페닐터페닐아민기, N-페난트레닐플루오레닐아민기, N-바이페닐플루오레닐아민기 등이 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.In the present specification, the amine group is -NH 2 ; an alkylamine group; N-alkylarylamine group; arylamine group; N-aryl heteroarylamine group; It may be selected from the group consisting of an N-alkylheteroarylamine group and a heteroarylamine group, and the number of carbon atoms is not particularly limited, but is preferably 1 to 30. Specific examples of the amine group include a methylamine group, a dimethylamine group, an ethylamine group, a diethylamine group, a phenylamine group, a naphthylamine group, a biphenylamine group, an anthracenylamine group, and a 9-methyl-anthracenylamine group. , diphenylamine group, N-phenylnaphthylamine group, ditolylamine group, N-phenyltolylamine group, triphenylamine group, N-phenylbiphenylamine group, N-phenylnaphthylamine group, N-bi Phenylnaphthylamine group, N-naphthylfluorenylamine group, N-phenylphenanthrenylamine group, N-biphenylphenanthrenylamine group, N-phenylfluorenylamine group, N-phenylterphenylamine group group, N-phenanthrenylfluorenylamine group, N-biphenylfluorenylamine group, and the like, but is not limited thereto.
본 명세서에 있어서, N-알킬아릴아민기는 아민기의 N에 알킬기 및 아릴기가 치환된 아민기를 의미한다.In the present specification, the N-alkylarylamine group refers to an amine group in which an alkyl group and an aryl group are substituted with N of the amine group.
본 명세서에 있어서, N-아릴헤테로아릴아민기는 아민기의 N에 아릴기 및 헤테로아릴기가 치환된 아민기를 의미한다.In the present specification, the N-arylheteroarylamine group refers to an amine group in which an aryl group and a heteroaryl group are substituted with N of the amine group.
본 명세서에 있어서, N-알킬헤테로아릴아민기는 아민기의 N에 알킬기 및 헤테로아릴기가 치환된 아민기를 의미한다.In the present specification, the N-alkylheteroarylamine group refers to an amine group in which an alkyl group and a heteroaryl group are substituted with N of the amine group.
본 명세서에 있어서, 알킬아민기; N-알킬아릴아민기; 아릴아민기; N-아릴헤테로아릴아민기; N-알킬헤테로아릴아민기 및 헤테로아릴아민기 중의 알킬기, 아릴기 및 헤테로아릴기는 각각 전술한 알킬기, 아릴기 및 헤테로아릴기의 예시와 같다.In the present specification, an alkylamine group; N-alkylarylamine group; arylamine group; N-aryl heteroarylamine group; The alkyl group, the aryl group and the heteroaryl group in the N-alkylheteroarylamine group and the heteroarylamine group are the same as the examples of the alkyl group, the aryl group and the heteroaryl group, respectively.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 방향족 화합물은 하기 구조 중 어느 하나일 수 있다.In the exemplary embodiment of the present specification, the aromatic compound may have any one of the following structures.
상기 반응기를 가열하여 방향족 화합물의 중수소화를 진행시키는 단계는 상기 반응기를 150℃ 이상, 160℃ 이상, 170℃ 이상, 180℃ 이상, 190℃ 이상, 200℃ 이상, 210℃ 이상 또는 220℃ 이상의 온도로 가열하는 단계이고, 또한, 250℃ 이하, 240℃ 이하 또는 230℃ 이하의 온도로 가열하는 단계일 수 있다.In the step of heating the reactor to proceed deuterium of the aromatic compound, the reactor is heated to a temperature of 150 °C or higher, 160 °C or higher, 170 °C or higher, 180 °C or higher, 190 °C or higher, 200 °C or higher, 210 °C or higher, or 220 °C or higher. It is a step of heating, and may also be a step of heating to a temperature of 250 ℃ or less, 240 ℃ or less, or 230 ℃ or less.
상기 반응기를 가열하여 방향족 화합물의 중수소화를 진행시키는 단계는 상기 반응기를 220℃ 이상 250℃ 이하의 온도로 가열하는 단계일 수 있다. 이 경우, 수소를 공급하여 촉매를 활성화시키지 않더라도 중수소화를 진행시킬 수 있으며, 이때, 산도가 중성인 금속염에 의해 압력이 낮아져 고온에서 안정적인 반응을 진행시킬 수 있다.The step of heating the reactor to proceed deuterium of the aromatic compound may be a step of heating the reactor to a temperature of 220°C or higher and 250°C or lower. In this case, deuterium can be performed without activating the catalyst by supplying hydrogen. At this time, the pressure is lowered by the metal salt having a neutral acidity, so that a stable reaction can proceed at a high temperature.
이때, 상기 중수소 반응시간은 승온을 완료한 뒤 3 시간 이상 동안 반응시킨다. 구체적으로, 상기 중수소 반응을 승온을 완료한 뒤 3 시간 이상 24 시간 이하 동안 반응시킬 수 있으며, 바람직하게는 6 시간 이상 18 시간 이하 동안 반응시킨다.At this time, the deuterium reaction time is reacted for 3 hours or more after the temperature rise is completed. Specifically, the deuterium reaction may be reacted for 3 hours or more and 24 hours or less after the temperature rise is completed, and preferably for 6 hours or more and 18 hours or less.
본 명세서의 중수소화 방향족 화합물의 제조 방법은 상기 중수소화를 진행시키는 단계 이후에, 상기 중수소화된 방향족 화합물을 수득하는 단계를 더 포함한다. 수득하는 방법은 당 기술분야에서 알려진 방법으로 수행할 수 있으며, 특별히 한정하지 않는다. The method for producing a deuterated aromatic compound of the present specification further includes the step of obtaining the deuterated aromatic compound after the step of proceeding with the deuteration. The obtained method may be carried out by a method known in the art, and is not particularly limited.
상기 수득된 중수소화된 방향족 화합물의 중수소 치환율은 높을수록 좋으며, 구체적으로, 상기 수득된 중수소화된 방향족 화합물의 중수소 치환율은 50% 이상, 60% 이상, 70% 이상, 80% 이상, 85% 이상, 90% 이상, 91% 이상, 92% 이상, 93% 이상, 94% 이상, 95% 이상, 96% 이상, 97% 이상, 98% 이상, 99% 이상 또는 100%일 수 있다. The higher the deuterated substitution rate of the obtained deuterated aromatic compound, the better, specifically, the deuterium substitution rate of the obtained deuterated aromatic compound is 50% or more, 60% or more, 70% or more, 80% or more, 85% or more , 90% or more, 91% or more, 92% or more, 93% or more, 94% or more, 95% or more, 96% or more, 97% or more, 98% or more, 99% or more, or 100% or more.
상기 수득된 중수소화된 방향족 화합물의 순도는 높을수록 좋으며, 구체적으로, 상기 수득된 중수소화된 방향족 화합물의 순도는 90% 이상, 91% 이상, 92% 이상, 93% 이상, 94% 이상, 95% 이상, 96% 이상, 97% 이상, 98% 이상, 99% 이상 또는 100%일 수 있다.The higher the purity of the obtained deuterated aromatic compound is, the better, specifically, the purity of the obtained deuterated aromatic compound is 90% or more, 91% or more, 92% or more, 93% or more, 94% or more, 95% or more. % or more, 96% or more, 97% or more, 98% or more, 99% or more, or 100%.
본 명세서는 상술한 제조 방법으로 제조된 중수소화 방향족 화합물을 제공한다.The present specification provides a deuterated aromatic compound prepared by the above-described preparation method.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 중수소화 방향족 화합물은 적어도 1 이상의 중수소로 치환된 방향족 화합물을 의미한다.In an exemplary embodiment of the present specification, the deuterated aromatic compound refers to an aromatic compound substituted with at least one deuterium.
본 명세서는 상술한 중수소화 방향족 화합물을 포함하는 유기 발광 소자를 제공한다.The present specification provides an organic light emitting device including the deuterated aromatic compound described above.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 유기 발광 소자는 제1 전극; 상기 제1 전극과 대향하여 구비된 제2 전극; 및 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 구비된 유기물층을 포함하고, 상기 유기물층은 상기 중수소화 방향족 화합물을 포함한다.In an exemplary embodiment of the present specification, the organic light emitting device includes a first electrode; a second electrode provided to face the first electrode; and an organic material layer provided between the first electrode and the second electrode, wherein the organic material layer includes the deuterated aromatic compound.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 유기물층은 상기 중수소화 방향족 화합물을 포함하는 발광층을 포함한다.In the exemplary embodiment of the present specification, the organic material layer includes a light emitting layer including the deuterated aromatic compound.
본 명세서의 유기 발광 소자의 유기물층은 단층 구조로 이루어질 수도 있으나, 2층 이상의 유기물층이 적층된 다층 구조로 이루어질 수 있다. 예컨대, 본 명세서의 유기물층은 1 내지 3층으로 구성되어 있을 수 있다. 또한, 본 명세서의 유기 발광 소자는 유기물층으로서 정공주입층, 정공수송층, 발광층, 전자수송층, 전자주입층 등을 포함하는 구조를 가질 수 있다. 그러나 유기 발광 소자의 구조는 이에 한정되지 않고 더 적은 수의 유기층을 포함할 수 있다.The organic material layer of the organic light emitting device of the present specification may have a single-layer structure, but may have a multi-layer structure in which two or more organic material layers are stacked. For example, the organic material layer of the present specification may be composed of 1 to 3 layers. In addition, the organic light emitting device of the present specification may have a structure including a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer, an electron injection layer, etc. as an organic material layer. However, the structure of the organic light emitting device is not limited thereto and may include a smaller number of organic layers.
상기 유기 발광 소자가 복수개의 유기물층을 포함하는 경우, 상기 유기물층은 동일한 물질 또는 다른 물질로 형성될 수 있다.When the organic light emitting device includes a plurality of organic material layers, the organic material layers may be formed of the same material or different materials.
예컨대, 본 명세서의 유기 발광 소자는 기판 상에 양극, 유기물층 및 음극을 순차적으로 적층시킴으로써 제조할 수 있다. 이 때 스퍼터링법(sputtering)이나 전자빔 증발법(e-beam evaporation)과 같은 PVD(physical Vapor Deposition)방법을 이용하여, 기판 상에 금속 또는 전도성을 가지는 금속 산화물 또는 이들의 합금을 증착시켜 양극을 형성하고, 그 위에 정공 주입층, 정공 수송층, 발광층 및 전자 수송층을 포함하는 유기물층을 형성한 후, 그 위에 음극으로 사용할 수 있는 물질을 증착시킴으로써 제조될 수 있다. 이와 같은 방법 외에도, 기판 상에 음극 물질부터 유기물층, 양극 물질을 차례로 증착시켜 유기 발광 소자를 만들 수 있다. For example, the organic light emitting device of the present specification may be manufactured by sequentially stacking an anode, an organic material layer, and a cathode on a substrate. At this time, by using a PVD (physical vapor deposition) method such as sputtering or e-beam evaporation, a metal or conductive metal oxide or an alloy thereof is deposited on a substrate to form an anode. and forming an organic material layer including a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer and an electron transport layer thereon, and then depositing a material that can be used as a cathode thereon. In addition to this method, an organic light emitting device may be manufactured by sequentially depositing a cathode material, an organic material layer, and an anode material on a substrate.
또한, 상기 화학식 1의 화합물은 유기 발광 소자의 제조시 진공 증착법 뿐만 아니라 용액 도포법에 의하여 유기물층으로 형성될 수 있다. 여기서, 용액 도포법이라 함은 스핀 코팅, 딥코팅, 닥터 블레이딩, 잉크젯프린팅, 스크린 프린팅, 스프레이법, 롤 코팅 등을 의미하지만, 이들만으로 한정되는 것은 아니다.In addition, the compound of Formula 1 may be formed as an organic material layer by a solution coating method as well as a vacuum deposition method when manufacturing an organic light emitting device. Here, the solution coating method refers to spin coating, dip coating, doctor blading, inkjet printing, screen printing, spraying, roll coating, and the like, but is not limited thereto.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 제1 전극은 양극이고, 제2 전극은 음극이다.In the exemplary embodiment of the present specification, the first electrode is an anode, and the second electrode is a cathode.
또 하나의 일 실시상태에 따르면, 상기 제1 전극은 음극이고, 제2 전극은 양극이다.According to another exemplary embodiment, the first electrode is a cathode, and the second electrode is an anode.
또 하나의 실시상태에 있어서, 유기 발광 소자는 기판 상에 양극, 1층 이상의 유기물층 및 음극이 순차적으로 적층된 구조(normal type)의 유기 발광 소자일 수 있다. In another exemplary embodiment, the organic light emitting device may be a normal type organic light emitting device in which an anode, one or more organic material layers, and a cathode are sequentially stacked on a substrate.
또 하나의 실시상태에 있어서, 유기 발광 소자는 기판 상에 음극, 1층 이상의 유기물층 및 양극이 순차적으로 적층된 역방향 구조(inverted type)의 유기 발광 소자일 수 있다. In another exemplary embodiment, the organic light emitting device may be an inverted type organic light emitting device in which a cathode, one or more organic material layers, and an anode are sequentially stacked on a substrate.
본 명세서에서, 상기 음극, 유기물층 및 양극의 재질은 유기물층 중 적어도 한 층에 중수소화된 방향족 화합물을 포함하는 것 외에 특별히 한정하지 않으며, 당 기술분야에서 알려진 물질을 사용할 수 있다.In the present specification, the material of the negative electrode, the organic material layer and the positive electrode is not particularly limited except for including a deuterated aromatic compound in at least one layer of the organic material layer, and a material known in the art may be used.
이하에서, 실시예를 통하여 본 명세서를 더욱 상세하게 설명한다. 그러나, 이하의 실시예는 본 명세서를 예시하기 위한 것일 뿐, 본 명세서를 한정하기 위한 것은 아니다.Hereinafter, the present specification will be described in more detail through examples. However, the following examples are only for illustrating the present specification, and not for limiting the present specification.
[실시예][Example]
[실시예 1][Example 1]
고압 반응기 안에 1g의 나프탈렌, 15ml 중수(D2O), 0.5g의 Pt/C(촉매 내 Pt의 함량은 10wt%) 및 염화칼슘(calcium chloride) 10g을 넣고 반응기의 헤드를 덮어 반응기 내부를 밀폐시켰다. 교반을 하면서 아르곤을 약 5분간 반응물 안에 불어 넣었다. 그 다음에 온도 220℃에서 18시간 동안 반응을 시켰다. 중수소 치환 반응 종료 후 온도를 낮추고 메틸렌 클로라이드(Methylene Chloride) 15ml와 물 50ml를 첨가 및 교반하고 필터링을 진행하여 촉매를 제거한다. 여기서, 유기 용매층만을 분리하여 황산 마그네슘(MgSO4)를 이용하여 잔존 수분을 제거 후, 필터를 한 다음에 진공 회전 농축기(rotary evaporator)를 이용하여 용매를 제거하여 중수소로 치환된 나프탈렌을 얻었다.1 g of naphthalene, 15 ml of heavy water (D 2 O), 0.5 g of Pt/C (the content of Pt in the catalyst is 10 wt %) and 10 g of calcium chloride were placed in a high-pressure reactor, and the head of the reactor was covered to seal the inside of the reactor. . Argon was blown into the reaction mass for about 5 minutes while stirring. Then, the reaction was carried out at a temperature of 220 °C for 18 hours. After the deuterium substitution reaction is completed, the temperature is lowered, and 15 ml of methylene chloride and 50 ml of water are added and stirred, followed by filtering to remove the catalyst. Here, only the organic solvent layer was separated , and the residual moisture was removed using magnesium sulfate (MgSO 4 ), filtered, and then the solvent was removed using a rotary evaporator to obtain deuterium-substituted naphthalene.
이때, 별도로 염화칼슘을 증류수에 녹여 pH 페이퍼에 접촉한 결과, 6~7로 중성임을 확인했다.At this time, as a result of separately dissolving calcium chloride in distilled water and contacting the pH paper, it was confirmed that it was neutral at 6-7.
[실시예 2][Example 2]
실시예 1과 같은 방법을 이용하여, 염화칼슘 대신 브롬화 칼륨(potassium bromide)을 첨가하여 중수소 치환 반응을 진행하여 중수소로 치환된 나프탈렌을 얻었다. Using the same method as in Example 1, potassium bromide (potassium bromide) was added instead of calcium chloride to perform a deuterium substitution reaction to obtain naphthalene substituted with deuterium.
이때, 별도로 브롬화 칼륨을 증류수에 녹여 pH 페이퍼에 접촉한 결과, 6~7로 중성임을 확인했다.At this time, as a result of separately dissolving potassium bromide in distilled water and contacting the pH paper, it was confirmed that it was neutral at 6-7.
[실시예 3][Example 3]
실시예 1과 같은 방법을 이용하여, 나프탈렌 대신 안트라센에 대한 중수소 치환 반응을 진행해 중수소로 치환된 안트라센을 얻었다. Anthracene substituted with deuterium was obtained by performing a deuterium substitution reaction for anthracene instead of naphthalene by using the same method as in Example 1.
[실시예 4][Example 4]
실시예 3과 같은 방법을 이용하여, 염화칼슘 대신 브롬화 칼륨을 첨가하여 안트라센에 대한 중수소 치환 반응을 진행해 중수소로 치환된 안트라센을 얻었다. Using the same method as in Example 3, potassium bromide was added instead of calcium chloride to perform a deuterium substitution reaction for anthracene to obtain anthracene substituted with deuterium.
[실시예 5][Example 5]
실시예 3과 같은 방법을 이용하되, 염화칼슘 대신 황산 나트륨(sodium sulfate)을 첨가하여 안트라센에 대한 중수소 치환 반응을 진행해 중수소로 치환된 안트라센을 얻었다. The same method as in Example 3 was used, except that sodium sulfate was added instead of calcium chloride to carry out a deuterium substitution reaction for anthracene to obtain anthracene substituted with deuterium.
이때, 별도로 황산 나트륨을 증류수에 녹여 pH 페이퍼에 접촉한 결과, 6~7로 중성임을 확인했다.At this time, as a result of separately dissolving sodium sulfate in distilled water and contacting the pH paper, it was confirmed that it was neutral at 6-7.
[비교예 1][Comparative Example 1]
고압 반응기 안에 1g의 나프탈렌, 15ml 중수(D2O) 및 0.5g의 Pt/C(촉매 내 Pt의 함량은 10wt%)을 넣고 반응기의 헤드를 덮어 반응기 내부를 밀폐시켰다. 교반을 하면서 아르곤을 약 5분간 반응물 안에 불어 넣었다. 그 다음에 온도 220℃에서 18시간 동안 반응을 시켰다. 중수소 치환 반응 종료 후 온도를 낮추고 메틸렌 클로라이드 15ml를 첨가 및 교반하고 필터를 진행하여 촉매를 제거한다. 이후 유기 용매층만을 분리하여 MgSO4를 이용하여 잔존 수분을 제거 후, 필터를 한 다음에 진공 회전 농축기(rotary evaporator)를 이용하여 용매를 제거하여 중수소로 치환된 나프탈렌을 얻었다. 1 g of naphthalene, 15 ml of heavy water (D 2 O), and 0.5 g of Pt/C (the content of Pt in the catalyst is 10 wt %) were put into the high-pressure reactor, and the head of the reactor was covered to seal the inside of the reactor. Argon was blown into the reaction mass for about 5 minutes while stirring. Then, the reaction was carried out at a temperature of 220 °C for 18 hours. After the deuterium substitution reaction is completed, the temperature is lowered, 15 ml of methylene chloride is added and stirred, and the catalyst is removed by filtering. Thereafter, only the organic solvent layer was separated and residual moisture was removed using MgSO 4 , filtered, and then the solvent was removed using a rotary evaporator to obtain deuterium-substituted naphthalene.
[비교예 2][Comparative Example 2]
비교예 1과 같은 방법을 이용하여, 나프탈렌 대신 안트라센에 대한 중수소 치환 반응을 진행해 중수소로 치환된 안트라센을 얻었다. Anthracene substituted with deuterium was obtained by performing a deuterium substitution reaction for anthracene instead of naphthalene by using the same method as in Comparative Example 1.
[실험예][Experimental example]
실시예 1 내지 5 및 비교예 1 내지 2에 대한 반응 압력 및 중수소 치환율을 측정했고, 그 결과를 하기 표 1 내지 표 3에 나타냈다.The reaction pressure and deuterium substitution rate for Examples 1 to 5 and Comparative Examples 1 to 2 were measured, and the results are shown in Tables 1 to 3 below.
중수소화 반응이 끝난 시료를 정량하여 NMR측정용 용매에 녹인 샘플시료, 및 상기 중수소화 반응 전 화합물과 피크가 겹치지 않는 임의의 화합물을 상기 시료와 동량으로 정량하여 동일한 NMR측정용 용매에 녹인 내부표준시료를 제작했다. 제작된 샘플시료와 내부표준시료에 대하여 각각 1H-NMR을 이용해서 NMR 측정 그래프를 얻었다.An internal standard dissolved in the same solvent for NMR measurement by quantifying the sample after the deuteration reaction has been completed and quantifying the sample sample dissolved in the solvent for NMR measurement, and quantifying any compound that does not overlap the peak with the compound before the deuteration reaction in the same amount as the sample samples were prepared. NMR measurement graphs were obtained using 1 H-NMR for each of the prepared sample sample and the internal standard sample.
1H-NMR peak을 배정(assign)할 때 내부표준피크(internal standard peak)를 1로 하여 중수소화 반응이 끝난 시료의 각 위치에 대한 상대적인 적분(integration)값을 구했다. When 1 H-NMR peak was assigned (assigned), the internal standard peak was set to 1 to obtain a relative integration value for each position of the sample after the deuteration reaction was completed.
만약, 중수소화 반응이 끝난 시료에서 모든 위치에 중수소로 치환되었다면, 수소와 관련된 피크가 전혀 나오지 않으며, 이 경우에는 중수소 치환율이 100% 라 판단한다. 반편, 모든 위치의 수소가 중수소로 치환되지 않았다면 중수소로 치환되지 못한 수소의 피크가 나타나게 된다. If deuterium is substituted at all positions in the sample after the deuterium reaction is completed, no peak related to hydrogen appears at all, and in this case, it is determined that the deuterium substitution rate is 100%. On the other hand, if hydrogens at all positions are not substituted with deuterium, a peak of hydrogen not substituted with deuterium appears.
이를 바탕으로, 본 실험에서, 중수소 치환율은 중수소가 치환되지 않은 내부표준시료의 NMR 측정 그래프에서 수소에 관련된 피크의 적분값에서, 샘플시료의 NMR 측정 그래프에서 치환되지 못한 수소에 의한 피크의 적분값을 뺀 값을 구한다. 이 값은 각 위치에 대한 상대적인 적분(integration)값이며, 중수소로 치환되어 해당 피크로 나타나지 않는 것으로, 중수소로 치환된 비율을 나타낸다. Based on this, in this experiment, the deuterium substitution rate is the integral value of the peak related to hydrogen in the NMR measurement graph of the internal standard sample in which deuterium is not substituted, and the integral value of the peak due to the unsubstituted hydrogen in the NMR measurement graph of the sample sample. to find the value minus This value is a relative integration value for each position, and does not appear as a corresponding peak because it is substituted with deuterium, and represents a ratio substituted with deuterium.
그런 다음에 1H-NMR 측정 샘플을 만들 때 사용한 시료의 무게와 내부표준(internal standard)의 무게, 상대적인 적분값을 이용해 시료의 각 위치별 치환율을 계산했다.Then, the weight of the sample used to make the 1 H-NMR measurement sample, the weight of the internal standard, and the relative integral value were used to calculate the substitution rate for each position of the sample.
(bar)reaction pressure
(bar)
치환율(%)heavy hydrogen
Substitution rate (%)
상기 표 1을 통해, 실시예 1 내지 5와 같이, 산도가 중성인 금속염을 추가하는 경우, 중수소 치환율은 유지되면서도 반응 압력을 현저히 낮출 수 있는 것을 확인할 수 있었다.Through Table 1, it was confirmed that, as in Examples 1 to 5, when a metal salt having a neutral acidity was added, the reaction pressure could be significantly lowered while maintaining the deuterium substitution ratio.
Claims (5)
상기 용액을 가열하여 상기 방향족 화합물의 중수소화 반응을 진행시키는 단계를 포함하는 중수소화 방향족 화합물의 제조 방법.preparing a solution containing a deuterium source, a metal catalyst, a metal salt having neutral acidity, and an aromatic compound including one or more aromatic rings; and
A method for producing a deuterated aromatic compound comprising the step of heating the solution to advance the deuterated reaction of the aromatic compound.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020200049975A KR102628729B1 (en) | 2020-04-24 | 2020-04-24 | Method for preparing deuterated aromatic compounds |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020200049975A KR102628729B1 (en) | 2020-04-24 | 2020-04-24 | Method for preparing deuterated aromatic compounds |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20210131633A true KR20210131633A (en) | 2021-11-03 |
KR102628729B1 KR102628729B1 (en) | 2024-01-23 |
Family
ID=78505302
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020200049975A KR102628729B1 (en) | 2020-04-24 | 2020-04-24 | Method for preparing deuterated aromatic compounds |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR102628729B1 (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN115784159A (en) * | 2022-11-30 | 2023-03-14 | 派瑞科技有限公司 | Method for preparing deuterium chloride |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20050030214A (en) * | 2002-07-26 | 2005-03-29 | 와코 쥰야꾸 고교 가부시키가이샤 | Method of deuterating aromatic ring |
JP2014111561A (en) * | 2012-08-10 | 2014-06-19 | Wako Pure Chem Ind Ltd | Deuteration method of aromatic compounds |
KR101978651B1 (en) * | 2018-10-30 | 2019-05-15 | 머티어리얼사이언스 주식회사 | Method for preparing deuterated orgarnic compounds and deuterated orgarnic compounds produced by the same |
-
2020
- 2020-04-24 KR KR1020200049975A patent/KR102628729B1/en active IP Right Grant
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20050030214A (en) * | 2002-07-26 | 2005-03-29 | 와코 쥰야꾸 고교 가부시키가이샤 | Method of deuterating aromatic ring |
JP2014111561A (en) * | 2012-08-10 | 2014-06-19 | Wako Pure Chem Ind Ltd | Deuteration method of aromatic compounds |
KR101978651B1 (en) * | 2018-10-30 | 2019-05-15 | 머티어리얼사이언스 주식회사 | Method for preparing deuterated orgarnic compounds and deuterated orgarnic compounds produced by the same |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
Photoredox-Catalyzed ~-Deuteration of Azaarenes with D2O(2019.06.28.) 1부.* * |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN115784159A (en) * | 2022-11-30 | 2023-03-14 | 派瑞科技有限公司 | Method for preparing deuterium chloride |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR102628729B1 (en) | 2024-01-23 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR102697564B1 (en) | Method of manufacturing deuterated anthracene compound, reactant composition, deuterated anthracene compound and composition | |
KR20200004266A (en) | Multicyclic compound and organic light emitting device comprising the same | |
KR102680848B1 (en) | Method for preparing deuterated aromatic compounds and reactant composition of deuteration | |
KR102666393B1 (en) | Method for preparing deuterated aromatic compounds and reactant composition of deuteration | |
KR102695265B1 (en) | Method of manufacturing deuterated anthracene compound, reactant composition, deuterated anthracene compound and composition | |
CN112745342A (en) | Fused heterocyclic compound and organic electroluminescent device thereof | |
KR102628729B1 (en) | Method for preparing deuterated aromatic compounds | |
KR20210067267A (en) | Method for preparing deuteated anthracene-based compound and organic light emitting device comprising deuteated anthracene-based compound manufactured using the same | |
KR102624288B1 (en) | Method for preparing deuterated aromatic compounds | |
KR102564939B1 (en) | Method for preparing deuterated aromatic compounds | |
KR102623205B1 (en) | Method for preparing deuterated aromatic compounds | |
KR102685715B1 (en) | Method for preparing deuterated aromatic compounds and reactant composition of deuteration | |
KR102685716B1 (en) | Method for preparing deuterated aromatic compounds and reactant composition of deuteration | |
KR102685714B1 (en) | Method for preparing deuterated aromatic compounds and reactant composition of deuteration | |
KR20210081965A (en) | Method for preparing deuterated aromatic compounds | |
KR20210081962A (en) | Method for preparing deuterated aromatic compounds, compounds manufactured thereby and organic light emitting device comprising the same | |
KR20220107767A (en) | Compound and organic light emitting device comprising the same | |
CN116368955A (en) | Organic light emitting device | |
KR20220107769A (en) | Compound and organic light emitting device comprising the same |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant |