KR20210130441A - 프로브 카드 - Google Patents

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KR20210130441A
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안범모
박승호
변성현
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(주)포인트엔지니어링
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Abstract

본 발명에 따른 프로브 카드에 있어서, 회로 기판; 가이드 플레이트를 구비하고, 복수개의 프로브가 관통되는 프로브 헤드; 및 상기 회로 기판과 상기 프로브를 전기적으로 연결하는 접속부재를 포함하고, 상기 접속부재의 절연부와 상기 가이드 플레이트는 모재인 금속을 양극 산화하여 형성된 양극산화막 재질로 형성되는 것을 특징으로 하는 프로브 카드가 제공될 수 있다.

Description

프로브 카드{PROBE CARD}
본 발명은 프로브 카드에 관한 것으로서, 보다 구체적으로는 회로 기판과 프로브를 연결하는 접속부재와 프로브 헤드의 절연부를 동일한 소재로 형성함으로써 열변형을 최소화하여 온도 변화가 발생하여도 웨이퍼의 검사 오류를 방지하는 프로브 카드에 관한 것이다.
일반적으로 반도체 제작 공정은 웨이퍼 상에 패턴을 형성시키는 패브리케이션(fabrication) 공정과, 웨이퍼를 구성하고 있는 각각의 칩의 전기적 특성을 검사하는 EDS(Electrical Die Sorting, EDS) 공정과, 패턴이 형성된 웨이퍼를 각각의 칩으로 조립하는 어셈블리(assembly) 공정을 통해서 제조된다.
여기서 EDS 공정은 웨이퍼를 구성하고 있는 칩들 중에서도 불량 칩을 판별하기 위해 수행된다. EDS 공정에는 웨이퍼를 구성하는 칩들에 전기적 신호를 인가시켜 인가된 전기적 신호로부터 체크되는 신호에 의해서 불량을 판단하는 프로브 카드가 주로 사용되고 있다.
프로브 카드는 반도체 소자의 동작을 검사하기 위해 반도체 웨이퍼(또는 반도체 소자)와 검사 장비를 연결하는 장치로서, 프로브 카드에 구비된 프로브를 웨이퍼에 접속하면서 전기를 보내고, 그 때 들어오는 신호에 따라 불량 반도체 칩을 선별하는 역할을 한다.
반도체 소자의 전기적 검사에 이용되는 프로브 카드는 회로 기판, 접속부재, 프로브 헤드 및 프로브를 포함하여 구성될 수 있다. 이러한 프로브 카드는 회로 기판, 접속부재 및 프로브 헤드의 순서를 통해 전기 경로가 마련되어 웨이퍼와 직접 접촉하는 프로브에 의해 웨이퍼의 패턴을 검사할 수 있다.
구체적으로, 프로브 카드는 웨이퍼와 접촉하는 프로브가 프로브 헤드의 절연부를 관통하고, 접속부재를 통해 회로 기판과 프로브가 전기적으로 연결되어 웨이퍼의 패턴을 검사할 수 있다.
일반적으로, EDS 공정의 경우 고온의 환경에서 수행될 수 있다. 따라서, 공정 수행 시 프로브 카드의 전체적인 온도가 올라가게 된다. 이때, 프로브가 관통하는 프로브 헤드의 절연부와, 프로브와 연결되는 접속부재가 상이한 재질로 형성될 경우, 프로브 헤드의 절연부와 접속부재는 상이한 열팽창율을 갖게 된다. 즉, 프로브 카드의 전체적인 온도가 올라갈 경우, 접속부재와 프로브 헤드의 절연부는 서로 다른 정도로 팽창하게 된다. 이에 따라, 프로브의 간격과 프로브 및 회로 기판을 연결하는 배선의 간격이 달라지게 되어 회로 기판과 프로브의 연결이 끊어질 수 있다. 즉, 웨이퍼의 검사에 오류가 발생할 수 있다.
이러한 프로브 카드의 문제점을 최소화하기 위한 특허로는 한국등록특허 제1167509호(이하, '종래기술'이라 한다)에 기재된 것이 공지되어 있다.
종래기술의 프로브 카드는 인터포저와, 프로브가 관통하는 프로브 블록을 세라믹 또는 플라스틱의 동일한 소재로 형성한다. 이에 따라, 인터포저와 프로브 블록은 고온의 경우 동일하게 팽창할 수 있다. 그러나, 기존 세라믹 또는 플라스틱은 열팽창율이 높은 소재로서, 프로브 카드가 고온의 환경에 제공될 경우, 프로브 블록 및 인터포저는 열변형되어 프로브 및 프로브를 연결하는 도전 소재를 고정하지 못하게 된다. 또한, 기존 세라믹 또는 플라스틱은 프로브를 관통시키는 관통홀을 형성하기 위해 레이저 또는 드릴 가공 등의 기계적 가공을 수행함으로써 잔류응력이 형성되어 프로브 카드 사용시 내구성이 저하되는 문제가 발생할 수 있다.
한국등록특허 제1167509호
이에 본 발명은 종래기술의 상기와 같은 문제를 해결하기 위해 제안된 것으로서, 접속부재와 프로브 헤드의 절연부를 동일한 소재로 형성함으로써 열변형을 최소화하여 온도 변화가 발생하여도 웨이퍼의 검사 오류를 방지하는 프로브 카드를 제공하는 것을 그 목적으로 한다.
또한, 웨이퍼의 전극 패드의 협피치에 대응하는 프로브 카드를 제공하는 것을 그 목적으로 한다.
본 발명의 일측면에 따르면, 회로 기판; 가이드 플레이트를 구비하고, 복수개의 프로브가 관통되는 프로브 헤드; 및 상기 회로 기판과 상기 프로브를 전기적으로 연결하는 접속부재를 포함하고, 상기 접속부재의 절연부와 상기 가이드 플레이트는 모재인 금속을 양극 산화하여 형성된 양극산화막 재질로 형성되는 것을 특징으로 하는 프로브 카드가 제공될 수 있다.
또한, 상기 접속부재는 공간변환기로 제공되는 것을 특징으로 하는 프로브 카드가 제공될 수 있다.
또한, 상기 접속부재는 복수개의 단위 양극산화막 시트가 적층되어 구성되는 것을 특징으로 하는 프로브 카드가 제공될 수 있다.
또한, 상기 접속부재는 인터포저(Interposer)로 제공되는 것을 특징으로 하는 프로브 카드가 제공될 수 있다.
또한, 상기 접속부재는 복수개의 단위 양극산화막 시트가 적층되어 구성되는 것을 특징으로 하는 프로브 카드가 제공될 수 있다.
이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명에 의한 프로브 카드는, 접속부재와 프로브 헤드의 절연부를 동일한 소재로 형성함으로써 열변형을 최소화하여 온도 변화가 발생하여도 웨이퍼의 검사 오류를 방지할 수 있다.
또한, 웨이퍼의 전극 패드의 협피치에 대응할 수 있다.
도 1은 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 프로브 카드를 개략적으로 도시한 도.
도 2는 도 1의 중간부 가이드 플레이트의 제조 방법을 보여주는 도.
도 3 및 도 4는 도 2의 중간부 가이드 플레이트의 적층된 모습을 보여주는 도.
도 5는 도 1의 변형된 프로브 카드를 개략적으로 도시한 도.
도 6은 본 발명의 제2 실시 예에 따른 프로브 카드를 개략적으로 도시한 도.
도 7은 도 6의 변형된 프로브 카드를 개략적으로 도시한 도.
이하의 내용은 단지 발명의 원리를 예시한다. 그러므로 당업자는 비록 본 명세서에 명확히 설명되거나 도시되지 않았지만 발명의 원리를 구현하고 발명의 개념과 범위에 포함된 다양한 장치를 발명할 수 있는 것이다. 또한, 본 명세서에 열거된 모든 조건부 용어 및 실시 예들은 원칙적으로, 발명의 개념이 이해되도록 하기 위한 목적으로만 명백히 의도되고, 이와 같이 특별히 열거된 실시 예들 및 상태들에 제한적이지 않는 것으로 이해되어야 한다.
상술한 목적, 특징 및 장점은 첨부된 도면과 관련한 다음의 상세한 설명을 통하여 보다 분명해질 것이며, 그에 따라 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 발명의 기술적 사상을 용이하게 실시할 수 있을 것이다.
본 명세서에서 기술하는 실시 예들은 본 발명의 이상적인 예시 도인 단면도 및/또는 사시도들을 참고하여 설명될 것이다. 이러한 도면들에 도시된 부재들 및 영역들의 두께 및 폭 등은 기술적 내용의 효과적인 설명을 위해 과장된 것이다. 제조 기술 및/또는 허용 오차 등에 의해 예시도의 형태가 변형될 수 있다.
또한, 도면에 도시된 홀의 개수는 예시적으로 일부만을 도면에 도시한 것이다. 따라서, 본 발명의 실시 예들은 도시된 특정 형태로 제한되는 것이 아니라 제조 공정에 따라 생성되는 형태의 변화도 포함하는 것이다.
다양한 실시 예들을 설명함에 있어서, 동일한 기능을 수행하는 구성요소에 대해서는 실시 예가 다르더라도 편의상 동일한 명칭 및 동일한 참조 번호를 부여하기로 한다. 또한, 이미 다른 실시 예에서 설명된 구성 및 작동에 대해서는 편의상 생략하기로 한다.
이하, 본 발명의 바람직한 실시 예들을 첨부 도면을 참조하여 상세히 설명하면 다음과 같다.
도 1은 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 프로브 카드(100)를 개략적으로 도시한 도이다. 이 경우, 설명의 편의상 복수개의 프로브(80)의 개수 및 크기는 과장되게 도시된다.
프로브 카드(100)는 프로브(80)를 접속부재(140, ST)에 설치하는 구조 및 프로브(80)의 구조에 따라 수직형 프로브 카드(VERTICAL TYPE PROBE CARD), 컨틸레버형 프로브 카드(CANTILEVER TYPE PROBE CARD), 멤스 프로브 카드(MEMS PROBE CARD(100)로 구분될 수 있다. 본 발명에서는 하나의 예로서 수직형 프로브 카드(100)를 도시하여 접속부재(140)(ST)와 주변 다른 부품간의 결합 구조를 설명한다. 본 발명의 접속부재(140)(ST)와 주변 다른 부품간의 결합 구조가 구현되는 프로브 카드의 종류는 이에 한정되지 않으며 멤스 프로브 카드 및 컨틸레버형 프로브 카드에 구현될 수도 있다.
도 1은 웨이퍼(W)의 전극패드(WP)가 접촉된 상태를 도시한 도이다. 반도체 소자의 전기적 특성 시험은 배선 기판상에 다수의 프로브(80)를 형성한 프로브 카드(100)에 반도체 웨이퍼(W)를 접근해 각 프로브(80)를 반도체 웨이퍼(W)상의 대응하는 전극 패드(WP)에 접촉시킴으로써 수행된다. 프로브(80)가 전극 패드(WP)에 접촉되는 위치까지 도달한 다음, 프로브 카드(100) 측으로 웨이퍼(W)를 소정높이 추가 상승시킬 수 있다. 이와 같은 과정이 오버 드라이브일 수 있다.
도 1에 도시된 바와 같이, 본 발명의 프로브 카드(100)는 양극산화막(101) 재질로 구성되고, 수직 배선부(2)와, 수직 배선부(2)와 연결되도록 구비되는 수평 배선부(3) 및 복수개의 프로브(80)와 전기적으로 연결되는 프로브 접속 패드(130)를 포함하는 접속부재(140)(ST) 및 일단(150a)이 공간변환기(ST)의 표면에 고정되고 타단(150b)이 접속부재(140)(ST)의 상측에 구비되는 회로 기판(160)에 결합되는 결합부재(150)를 포함하여 구성될 수 있다. 이때, 결합부재(150)는 볼트로 제공될 수 있으나, 결합부재(150)는 이에 한정되지 않는다.
도 1에 도시된 바와 같이, 접속부재(140)는 공간변환기(ST)로 제공될 수 있다. 공간변환기(140)(ST)는 상측에 회로 기판(160)이 구비되고, 하측에 복수개의 프로브(80)가 구비되는 프로브 헤드(1)가 구비될 수 있다. 다시 말해, 공간변환기(140)(ST)는 회로 기판(160)과 프로브 헤드(1) 사이에 위치할 수 있다. 이러한 공간변환기(ST)는 결합부재(150)에 의해 주변 부품에 결합될 수 있다.
위와 같은 구조로 결합부재(150)에 의해 회로 기판(160)에 결합된 공간변환기(140)(ST)는 회로 기판(160)과 공간변환기(140)(ST) 사이에 연결부재(170)를 구비하여 서로 전기적으로 연결될 수 있다. 구체적으로, 공간변환기(140)(ST)의 상부 표면에는 제1 연결부재 접속 패드(110)가 구비되고, 회로 기판(160)의 하부 표면에는 제2 연결부재 접속 패드(120)가 구비될 수 있다. 따라서, 공간변환기(140)(ST)와 회로 기판(160) 사이에 위치하는 연결부재(170)는 제1 연결부재 접속 패드(110) 및 제2 연결부재 접속 패드(120)에 접합되어 공간변환기(ST)와 회로 기판(160)의 전기적인 연결을 수행할 수 있다.
공간변환기(140)(ST)의 절연부(141)는 양극산화막(101) 재질로 구성될 수 있다. 양극산화막(101)은 모재인 금속을 양극 산화하여 형성된 막을 의미하고, 기공홀(101a)은 금속을 양극 산화하여 양극산화막(101)을 형성하는 과정에서 형성되는 구멍을 의미한다. 예를 들어, 모재인 금속이 알루미늄(Al) 또는 알루미늄 합금인 경우, 모재를 양극 산화하면 모재의 표면(SF)에 양극산화알루미늄(Al2O3) 재질의 양극산화막(101)이 형성된다. 이와 같이 형성되는 양극산화막(101)은 내부에 기공홀(101a)이 형성되지 않은 배리어층(BL)과, 내부에 기공홀(101a)이 형성된 다공층(PL)으로 구분된다. 배리어층(BL)은 모재의 상부에 위치하고, 다공층(PL)은 배리어층(BL)의 상부에 위치한다. 이처럼 배리어층(BL)과 다공층(PL)을 갖는 양극산화막(101)이 표면(SF)에 형성된 모재에서, 모재를 제거하게 되면, 양극산화알루미늄(Al2O3) 재질의 양극산화막(101)만이 남게 된다. 양극산화막(101)은, 지름은 균일하고 수직한 형태로 형성되면서 규칙적인 배열을 갖는 기공홀(101a)을 갖게 된다. 이 경우, 배리어층(BL)을 제거하면, 기공홀(101a)이 상, 하로 수직하게 관통된 구조가 형성된다.
양극산화막(101)은 2~3ppm/℃의 열팽창 계수를 갖는다. 이로 인해 온도에 의한 변형이 적다는 이점이 있다. 또한, 양극산화막(101)의 열팽창 계수는 검사 대상물인 반도체 웨이퍼(W)의 열팽창 계수에 근접하므로, 고온의 환경에서도 프로브(80)와 전극 패드(WP) 간의 위치 틀어짐을 최소화할 수 있다.
본 발명은 이러한 양극산화막(101) 재질로 공간변환기(140)(ST)를 구성함으로써 고온의 환경에서 열변형이 적은 공간변환기(140)(ST)를 구현할 수 있다.
공간변환기(140)(ST)는 복수의 층이 적층된 구조로 형성될 수 있다. 구체적으로, 공간변환기(140)(ST)의 각 층에 수직 배선부(2)가 구비되고, 상측의 수직 배선부(2)와 하측의 수직 배선부(2)는 수평 배선부(3)를 통해 전기적으로 연결될 수 있다. 이때, 가장 상측에 제공되는 수직 배선부(2)의 간격은 회로 기판(160)에 구비된 제2 연결부재 접속 패드(120)의 간격과 동일할 수 있고, 하측으로 갈수록 수직 배선부(2)의 간격은 좁아질 수 있다. 이때, 가장 하측에 제공되는 수직 배선부(2)의 간격은 공간변환기(140)(ST)의 하측에 구비된 프로브 접속 패드(130)의 간격과 동일할 수 있다. 이에 따라, 공간 변환기(140)(ST)의 하측에 구비되는 프로브 접속 패드(130)의 간격은 상측에 구비되는 제2 연결부재 접속 패드(120)의 간격보다 좁을 수 있다. 다시 말해, 공간변환기(140)(ST)를 회로 기판(160)과 프로브 헤드(1)의 사이에 구비함으로써, 복수의 프로브(80)는 보다 좁은 간격으로 배치될 수 있다. 즉, 공간변환기(140)(ST)를 통해 프로브(80)의 협피치화가 가능할 수 있다.
공간변환기(140)(ST)의 하부에는 프로브 헤드(1)가 구비된다. 프로브 헤드(1)는 프로브(80)를 지지하는 것으로서, 가이드 구멍(GH)을 구비하는 복수의 가이드 플레이트(GP)를 포함한다. 프로브 헤드(1)는 하나의 예로서 볼트 체결에 의해 결합될 수 있다.
프로브 헤드(1)는 상부 가이드 플레이트(40) 및 하부 가이드 플레이트(50)가 순차적으로 구비되는 구조로 형성될 수 있다. 이때, 상부 가이드 플레이트(40) 또는 하부 가이드 플레이트(50) 중 적어도 하나는 양극산화막(101) 재질로 구성될 수 있다.
상부 가이드 플레이트(40) 및 하부 가이드 플레이트(50)는 제1 플레이트(10) 및 제2 플레이트(20)를 통해 지지될 수 있다. 구체적으로, 제1 플레이트(10)의 하부에 제2 플레이트(20)가 구비될 수 있으며, 제1 플레이트(10)와 제2 플레이트(20)의 중앙에는 프로브(80)가 관통되는 공간이 형성될 수 있다.
구체적으로, 제1 플레이트(10)의 상면에 구비된 상부 안착 영역(15)에는 상부 가이드 플레이트(40)가 구비될 수 있고, 제2 플레이트(20)의 하면에 구비된 하부 안착 영역(25)에는 하부 가이드 플레이트(50)가 구비될 수 있다. 이 경우, 상부 안착 영역(15)은 제1 플레이트(10)의 상면에서 오목한 홈으로 구성될 수 있고, 하부 안착 영역(25)은 제2 플레이트(20)의 하면에서 오목한 홈으로 구성될 수 있다. 다만, 상부 안착 영역(15) 및 하부 안착 영역(25)의 오목한 홈 형상은 하나의 예로서 도시된 것이므로 그 구성의 형상에 대한 한정은 없다. 따라서, 상부 안착 영역(15) 및 하부 안착 영역(25)은 제1 플레이트(10)의 상면 및 제2 플레이트(20)의 하면에서 상부 가이드 플레이트(40) 및 하부 가이드 플레이트(50)를 보다 안정적으로 구비할 수 있는 적합한 형태로 구비될 수 있다.
도 2는 도 1의 중간부 가이드 플레이트의 제조 방법을 보여주는 도이다.
도 2a 내지 도 2d에 도시된 가이드 플레이트(GP)는 상부 가이드 플레이트(40) 및 하부 가이드 플레이트(50) 중 적어도 어느 하나일 수 있고, 이하에서는 하나의 예로서 하부 가이드 플레이트(50)인 것으로 설명한다. 도 2에서는 설명의 편의상 하부 가이드 구멍(54)을 구비하는 하부 가이드 플레이트(50)의 일부가 확대되어 개략적으로 도시된다.
도 2a에 도시된 바와 같이, 기공홀(101a)이 포함된 양극산화막(101)이 구비될 수 있다. 그런 다음 도 2b에 도시된 바와 같이, 양극산화막(101)의 하부에 필름(5)이 구비될 수 있다. 이때, 양극산화막(101)은 배리어층(BL)이 제거되지 않은 상태로 구비될 수 있으며, 필름(5)이 구비되지 않은 양극산화막(101)의 상부 표면(180)에 배리어층(BL)이 구비될 수 있다. 즉, 배리어층(BL)과 필름(5)의 사이에 다공층(PL)이 구비될 수 있다. 하부 가이드 플레이트(50)의 상부 표면(180)이 배리어층(BL)으로 형성됨에 따라, 파티클이 기공홀(101a)을 통해 하부 가이드 플레이트(50)의 내부로 유입되는 문제가 방지될 수 있다. 또한, 프로브(80)의 삽입 과정에 있어서 프로브(80) 선단이 가장 먼저 삽입되는 가이드 플레이트(GP)의 개구 내벽이 밀도가 높은 배리어층(BL)으로 구성되어 내구성이 높을 수 있다. 이로 인해 프로브(80)의 삽입과 동시에 발생할 수 있는 가이드 구멍(GH)의 개구의 내벽 마모를 방지할 수 있다. 그 결과 가이드 구멍(GH)의 개구의 내벽 마모로 인한 파티클 발생 문제를 최소화할 수 있다.
도 2c에 도시된 바와 같이, 필름(5)은 포토 공정에 의해 적어도 일부가 패터닝될 수 있다. 즉, 필름(5)에는 복수의 필름홀(5a)이 형성될 수 있다.
도 2d에 도시된 바와 같이, 양극산화막(101)은 패터닝 과정에 의해 제거된 영역인 필름홀(5a)을 통해 에칭 공정이 수행될 수 있다. 따라서, 양극산화막(101)은 이와 같은 에칭 공정에 의해 필름홀(5a)에 대응하는 복수의 하부 가이드 구멍(54)을 형성할 수 있다. 즉, 하부 가이드 구멍(54)은 필름홀(5a)과 동일한 크기의 홀일 수 있다.
하부 가이드 구멍(54)이 형성된 하부 가이드 플레이트(50)는 필름(5)이 제거된 후 제2 플레이트(20)에 구비될 수 있다. 그러나, 하부 가이드 플레이트(50)는 이에 한정되지 않으며, 필름(5)이 구비된 채 제2 플레이트(20)에 제공될 수도 있다.
필름(5)은 감광성 재료로 구비될 수 있으며, 바람직하게는, 필름(5)이 리소그래피가 가능한 감광성 필름일 수 있다. 또한, 필름(5)은 접착이 가능한 소재일 수 있으며, 이에 딸, 양극산화막(101)과 필름(5)은 별도의 접착 수단 없이 접착이 가능할 수 있다. 필름(5)은 에폭시, PI, Acrylate 기반의 포토레지스트일 수 있다. 보다 구체적인 예로서, 필름(5)은 단일분자에 8개의 에폭시 그룹이 포함된 에폭시 기반의 레지스트인 SU-8일 수 있다.
종래의 가이드 플레이트는 레이저 또는 드릴 가공 등의 기계적 가공을 통해 프로브의 삽입 구멍을 형성하였다. 따라서, 가이드 플레이트에 프로브의 삽입 구멍을 기계적 가공을 수행함으로써 잔류응력이 형성되어 프로브 카드 사용시 내구성이 저하되는 문제가 발생하였다. 또한, 레이저 가공에 의해 형성된 구멍은 수직하지 않으므로, 프로브의 삽입 후 유격이 발생하는 문제점이 있었다. 이에 반해, 본 발명의 하부 가이드 플레이트(50)는 에칭 공정에 의해 하부 가이드 구멍(54)을 형성함으로써, 기계적 가공에 의해 발생하는 문제를 방지할 수 있으며, 내벽이 일직선 형태로 수직한 하부 가이드 구멍(54)을 형성할 수 있다. 이에 따라, 하부 가이드 플레이트(50)는 광투과성 재질이므로 프로브(80)의 삽입이 용이하고, 하부 가이드 구멍(54)의 내벽이 일직선이므로 유격을 방지할 수 있다.
도 3 및 도 4는 도 2의 중간부 가이드 플레이트의 적층된 모습을 보여주는 도이다.
도 3 및 도 4에 도시된 바와 같이, 하부 가이드 플레이트(50)는 복수개의 단위 양극산화막 시트(200)가 적층되어 구성될 수 있다. 이 경우, 하부 가이드 플레이트(50)의 상, 하부 표면(180, 190)은 금속을 양극산화하여 형성되어 규칙적으로 배열된 기공홀(101a)이 구비되는 다공층(PL)의 하부에 형성되어 기공홀(101a)의 일단을 폐쇄하는 배리어층(BL)으로 이루어질 수 있다.
단위 양극산화막 시트(200)의 경우, 양극산화막(101)으로 구성되어 기공홀(101a)이 구비되는 다공층(PL)과, 다공층(PL)의 하부에 형성되어 기공홀(101a)의 일단을 폐쇄하는 배리어층(BL)을 포함하여 이루어질 수 있다. 따라서 단위 양극산화막 시트(200)의 상, 하부 표면이 비대칭되는 구조일 수 있다.
기공홀(101a)이 존재하지 않는 배리어층(BL)과, 규칙적으로 배열된 기공홀(101a)이 존재하는 다공층(PL)의 경우 밀도 차이가 존재할 수 있다. 따라서, 비대칭 구조를 갖는 하나의 단위 양극산화막 시트(200)만을 이용하여 상부 가이드 플레이트(40) 또는 하부 가이드 플레이트(50)를 구비할 경우, 고온의 환경에서 휨 변형이 발생할 수 있다.
또한, 하부 가이드 플레이트(50)에는 프로브(80)를 삽입하는 하부 가이드 구멍(54)이 형성될 수 있다. 그런데 하부 가이드 플레이트(50)의 표면(SF)이 기공홀(101a)을 포함하는 다공층(PL)으로 구성될 경우, 미세한 파티클이 포집되어 가이드 구멍(GH)을 통한 프로브(80)의 삽입과 함께 배출되는 문제가 발생할 수 있다.
또한, 하부 가이드 플레이트(50)의 표면(SF)이 다공층(PL)으로 형성될 경우, 가이드 구멍(GH)을 통한 프로브(80) 삽입 과정에서 밀도가 낮아 상대적으로 내구성이 취약한 다공층(PL)이 마모되어 파티클이 발생할 수 있다. 이러한 파티클은 프로브(80)와 함께 배출되어 프로브 카드(100)의 검사 기능 불량 문제를 발생시킬 수 있다.
따라서, 본 발명은 프로브(80)를 삽입하는 가이드 구멍(GH)이 각각 구비되는 하부 가이드 플레이트(50)를 복수개의 단위 양극산화막 시트(200)로 적층하여 구성하되, 그 표면(SF)이 배리어층(BL)으로 대칭되는 구조로 이루어지도록 구비할 수 있다.
이로 인해, 하부 가이드 플레이트(50)는 상, 하부 표면(180, 190)의 밀도가 균일하여 휨 변형이 발생하지 않을 수 있다.
또한, 하부 가이드 플레이트(50)의 표면(SF)에 배리어층(BL)이 존재함으로써 파티클이 기공홀(101a)을 통해 하부 가이드 플레이트(50) 내부로 유입되는 문제가 방지될 수 있다.
또한, 프로브(80) 삽입 과정에 있어서 프로브(80) 선단이 가장 먼저 삽입되는 가이드 구멍(GH)의 개구 내벽이 밀도가 높은 배리어층(BL)으로 구성되어 내구성이 높을 수 있다. 이로 인해 프로브(80) 삽입과 동시에 발생할 수 있는 가이드 구멍(GH)의 개구의 내벽 마모를 방지할 수 있다. 그 결과 가이드 구멍(GH)의 개구의 내벽 마모로 인한 파티클 발생 문제를 최소화할 수 있다.
복수개의 단위 양극산화막 시트(200)는 단위 양극산화막 시트(200)를 접합하는 적합한 방법에 의해 접합될 수 있다. 하나의 예로서 단위 양극산화막 시트(200)를 접합하는 필름(5)에 의해 서로 접합될 수 있다.
도 3은 하부 가이드 플레이트 하부 가이드 플레이트(50)가 짝수개의 단위 양극산화막 시트(200)로 구성될 경우의 적층 구조이다. 일 예로, 제1 및 제2 단위 양극산화막 시트(201, 202)가 순차적으로 적층될 수 있다.
또한, 도 4는 하부 가이드 플레이트(50)가 홀수개의 단위 양극산화막 시트(200)로 구성될 경우의 적층 구조에 대한 다양한 실시 예를 도시한 도이다. 일 예로, 제1 내지 제3 단위 양극산화막 시트(201, 202, 203)가 순차적으로 적층될 수 있다.
도 4a에 도시된 바와 같이, 하부 가이드 플레이트(50)는 하부 표면(190)을 형성하는 제1단위 양극산화막 시트(201)가 기공홀(101a)을 포함하는 다공층(PL)과, 다공층(PL)의 하부에 배리어층(BL)이 구비되는 양극산화막(101)으로 구성되어 구비될 수 있다. 또한, 상부 표면(180)을 형성하는 제3 단위 양극산화막 시트(203)가 다공층(PL)의 상부에 배리어층(BL)이 구비되어 양극산화막(101)으로 구성되어 구비될 수 있다. 그런 다음 배리어층(BL)이 구비되는 제2 단위 양극산화막 시트(202)가 제1 및 제3 단위 양극산화막 시트(201, 203) 사이에 구비될 수 있다.
도 4a에 도시된 바와 같이, 하부 가이드 플레이트(50)는 제1 단위 양극산화막 시트(201)가 다공층(PL)의 하부에 배리어층(BL)이 위치하도록 구비되고, 제1 단위 양극산화막 시트(201)의 상부에 제2 단위 양극산화막 시트(202)가 다공층(PL)의 하부에 배리어층(BL)이 위치하도록 적층되며, 제2 단위 양극산화막 시트(202)의 상부에 제3 단위 양극산화막 시트(203)가 다공층(PL)의 상부에 배리어층(BL)이 위치하도록 구비되는 구조로 이루어질 수 있다.
하부 가이드 플레이트(50)는 제1 및 제3 단위 양극산화막 시트(201, 203)에 의하여 상, 하부 표면(180, 190)이 배리어층(BL)으로 형성된 구조로 이루어질 수 있다.
또한, 도 4b에 도시된 바와 같이, 제2 단위 양극산화막 시트(202)는 배리어층(BL)이 제거되어 구비될 수 있다. 즉, 제2 단위 양극산화막 시트(202)는 다공층(PL)만 구비되도록 제1 및 제3 단위 양극산화막 시트(201, 203)의 사이에 제공될 수 있으며, 제2 단위 양극산화막 시트(202)의 다공층(PL)은 제1 및 제3 단위 양극산화막 시트(201, 203)에 의해 밀폐될 수 있다.
이처럼 하부 가이드 플레이트(50)는 상, 하부 표면(180, 190)을 포함하는 표면(SF)을 형성하는 제1 및 제3단위 양극 산화막 시트(201, 203)의 구조는 배리어층(BL)이 서로 대칭되는 구조로 구비하고, 제1 및 제3 단위 양극 산화막 시트(201, 203)의 사이에 구비되는 제2 단위 양극산화막 시트(202)의 구조만을 달리하여 다양한 형태로 실시될 수 있다.
도 3 및 도 4에 도시된 바와 같이, 하부 가이드 플레이트(50)는 표면(SF)을 배리어층(BL)이 대칭되는 구조를 이루도로 구성되어 하부 가이드 플레이트(50)의 상, 하면 밀도를 균일하게 할 수 있다. 이로 인해 휨 변형 문제가 방지될 수 있다.
또한, 하부 가이드 플레이트(50)의 하부 가이드 구멍(54)을 제외한 나머지 표면(SF)이 배리어층(BL)에 의해 폐쇄되는 구조이므로 파티클이 하부 가이드 플레이트(50) 내부로 유입되는 문제가 방지될 수 있다.
또한, 하부 가이드 구멍(54)을 통한 프로브(80)의 삽입 시 하부 가이드 구멍(54)의 개구 내벽이 밀도가 높은 배리어층(BL)으로 구성되어 마모에 대한 내구성이 상대적으로 높을 수 있다. 이로 인해 프로브(80)의 삽입 시 발생되는 파티클 문제가 최소화될 수 있다.
본 실시 예에서는, 설명의 편의를 위해 하부 가이드 플레이트(50)의 적층 방법만 설명하였으나, 상부 가이드 플레이트(40)는 하부 가이드 플레이트(50)와 동일한 적층 구조로 형성될 수 있다.
다시, 도 1을 참조하면 본 발명은 양극산화막(101) 재질로 구성된 접속부재(140)의 상부에 회로 기판(160)을 구비하고, 하부에 양극산화막(101) 재질로 구성된 상, 하부 가이드 플레이트(40, 50)을 포함하는 프로브 헤드(1)를 구비할 수 있다.
접속부재(140)는 양극산화막(101) 재질로 구성됨으로써, 복수의 단위 양극산화막 시트(200)로 제공될 수 있다. 구체적으로, 접속부재(140)는 상, 하부 가이드 플레이트(40, 50)와 동일한 방법을 통해 형성될 수 있으며, 상, 하부 가이드 플레이트(40, 50)와 같이 제1 내지 제3 단위 양극산화막 시트가 적층된 구조로 형성될 수 있으나, 접속부재(140)의 구조는 이에 한정되지 않는다.
본 발명은 접속부재(140)인 공간변환기(ST)의 표면에 결합부재(150)의 일단(150a)이 고정되고 타단(150b)이 회로 기판(160)에 결합되는 구조를 형성하여 이와 같은 구조가 공간변환기(ST)의 평탄도 조절 및 공간변환기(ST) 지탱의 기능을 동시에 수행하도록 할 수 있다. 이로 인해 공간변환기(ST)의 평탄도 조절 및 지탱의 기능 수행하는 별도의 구성을 각각 구비할 필요없는 효율적인 구조가 형성될 수 있다.
본 발명은 위와 같은 구조에서 실질적인 프로빙 과정을 수행하는 프로브(80)와 직접적으로 관계되는 공간변환기(ST) 및 상, 하부 가이드 플레이트(40, 50)를 양극산화막(101) 재질의 동일한 재질로 구성하여 구조적 효율성은 높고, 고온의 환경에서 열변형이 최소화되어 열변형으로 인한 기능적 오류(구체적으로, 프로브(80) 및 공간변환기(ST)에 구비되는 프로브 접속 패드(130)간의 얼라인이 어긋나면서 발생하는 검사 오류)가 최소화되는 효과를 발휘할 수 있다.
도 5는 도 1의 변형된 프로브 카드를 개략적으로 도시한 도이다.
도 5에 도시된 바와 같이, 상부 가이드 플레이트(40) 및 하부 가이드 플레이트(50)의 사이에는 중간부 가이드 플레이트(60)가 구비된다. 구체적으로, 중간부 가이드 플레이트(60)는 제2 플레이트(20)의 일측에 구비될 수 있다. 그러나, 중간부 가이드 플레이트(60)의 위치는 이에 한정되지 않으며, 제1 플레이트(10)의 일측에 구비될 수도 있다.
프로브(80)는 상부 가이드 플레이트(40)와 중간부 가이드 플레이트(60) 및 하부 가이드 플레이트(50)를 순차적으로 관통하여 웨이퍼(W) 측에 제공될 수 있다. 이때, 프로브(80)는 수직한 형태로 가이드 플레이트(GP)를 관통한 후, 도 5와 같이 일측으로 탄성 변형될 수 있다.
구체적으로, 가이드 플레이트(GP)에 수직한 형태의 프로브(80)가 관통되면, 중간부 가이드 플레이트(60)는 일측으로 이동될 수 있다. 따라서, 중간부 가이드 플레이트(60)의 위치 이동을 따라 프로브(80)가 탄성 변형될 수 있다. 본 실시예에서는, 중간부 가이드 플레이트(60)가 우측으로 이동되고, 이에 따라, 프로브(80)의 중간부가 우측으로 변형되는 것을 예로 도시하였으나, 중간부 가이드 플레이트(60)의 이동 방향은 이에 한정되지 않는다.
프로브 카드(100)는 상부 가이드 플레이트(40) 및 하부 가이드 플레이트(50)의 사이에 중간부 가이드 플레이트(60)를 구비함으로써, 프로브(80)를 더욱 효과적으로 지지할 수 있다.
이하, 본 발명의 제2 실시예에 대해 살펴본다. 단, 이하 설명되는 제2 실시예는 제1 실시예와 비교하여 접속부재의 형태에 있어서 차이가 있으므로, 차이점을 위주로 설명하며 동일한 부분에 대하여는 제1 실시예의 설명과 도면 부호를 원용한다.
도 6은 본 발명의 제2 실시 예에 따른 프로브 카드를 개략적으로 도시한 도이다.
도 6을 참조하면, 프로브 카드(100')는 프로브 헤드(1')와 회로 기판(160')의 사이에 접속부재(140')를 구비한다. 이때, 접속부재(140')는 인터포저(Interposer)로 제공된다.
접속부재(140')의 절연부(141')는 양극산화막(101')으로 제공될 수 있다. 이때, 접속부재(140')는 복수개의 양극산화막 시트가 적층된 구조로 형성될 수 있다.
접속부재(140')는 복수의 관통홀(142')을 형성할 수 있다. 관통홀(142')은 와이어(6')가 관통되는 공간으로서, 일정한 간격을 두고 복수개 형성될 수 있다. 또한, 접속부재(140')의 적층된 각 층에는 동일한 개수의 관통홀(142')이 형성될 수 있다. 본 실시 예에서는, 복수의 층이 적층된 접속부재(140')에 동일한 간격으로 관통홀(142')이 형성되어 복수의 관통홀(142')이 수직하게 연결되는 것을 예로 도시하였다. 그러나, 접속부재(140')의 관통홀(142')의 형태는 이에 한정되지 않으며, 각 층의 관통홀(142')은 상이한 간격으로 형성될 수 있다. 일 예로, 접속부재(140')의 가장 상부 층의 관통홀(142')의 간격은 가장 하부 층의 관통홀(142')의 간격보다 넓게 형성될 수 있다.
양극산화막(101')으로 제공되는 접속부재(140')는 에칭 공정을 통해 관통홀(142')을 형성할 수 있다. 이에 따라, 접속부재(140')는 기계적 가공에 의해 발생되는 문제를 방지할 수 있으며, 내벽이 일직선 형태로 수직한 관통홀(142')을 형성할 수 있다.
접속부재(140')와 회로 기판(160')은 와이어(6')를 통해 전기적으로 연결될 수 있다. 구체적으로, 회로 기판(160')과 접속부재(140')는 결합부재(150')를 통해 일측이 결합될 수 있고, 회로 기판(160')을 관통한 와이어(6')가 접속부재(140')를 관통할 수 있다. 즉, 와이어(6')의 일단이 회로 기판(160')에 제공되고, 와이어(6')의 타단이 접속부재(140')에 제공될 수 있다. 이때, 접속부재(140')를 관통한 와이어(6')의 타단은 프로브(80')와 접촉될 수 있다. 즉, 와이어(6')를 통해 회로 회로 기판(160')과 프로브(80')가 전기적으로 연결될 수 있다.
와이어(6')의 일단은 회로 기판(160')에 고정될 수 있다. 일 예로, 와이어(6')의 일단은 회로 기판(160')에 납땜으로 고정될 수 있으나, 회로 기판(160')과 와이어(6')의 고정 방법은 이에 한정되지 않는다.
와이어(6')는 회로 기판(160)을 관통한 후, 접속부재(140')의 관통홀(142')을 관통할 수 있다. 구체적으로, 와이어(6')는 적층된 접속부재(140')의 각 층의 관통홀(142')을 순차적으로 관통할 수 있다.
관통홀(142')에 와이어(6')가 관통된 후, 관통홀(142')은 충전부(143')를 통해 채워질 수 있다. 와이어(6')는 관통홀(142') 보다 얇게 형성되므로, 관통홀(142') 내에서 와이어(6')는 고정되지 못할 수 있다. 따라서, 와이어(6')를 제외한 관통홀(142')의 공간을 별도의 충전부(143')로 채워넣음으로써, 관통홀(142') 내에서 와이어(6')를 효과적으로 고정할 수 있다.
충전부(143')는 와이어(6')를 보다 효과적으로 고정하기 위하여 에폭시 계열의 접착제로 제공될 수 있으나, 충전부(143')는 이에 한정되지 않는다.
회로 기판(160')의 와이어(6') 관통홀(미도시)은 접속부재(140')의 관통홀(142') 보다 넓은 간격으로 형성될 수 있다. 이에 따라, 회로 기판(160')을 관통한 와이어(6')가 접속부재(140')의 관통홀(142')을 관통하기 위하여, 회로 기판(160)과 접속부재(140')의 사이 공간에서 와이어(6')는 일 방향으로 꺾인 형태로 제공될 수 있다. 즉, 접속부재(140')에 관통되는 와이어(6')의 간격은 회로 기판(160')에서의 간격 보다 좁게 형성될 수 있고, 이에 따라, 프로브(80')의 간격이 좁아짐으로써, 프로브 헤드(1')의 협피치화가 가능할 수 있다.
또한, 인터포저로 제공되는 접속부재(140')와 프로브 프로브 헤드(1')의 가이드 플레이트(GP)를 모두 양극산화막(101')으로 구성하여 구조적 효율성은 높고, 고온의 환경에서 열변형이 최소화되어 열변형으로 인한 기능적 오류(구체적으로, 프로브(80') 및 인터포저(140')에 구비되는 와이어(6') 간의 얼라인이 어긋나면서 발생하는 검사 오류)가 최소화되는 효과를 발휘할 수 있다.
도 7은 도 6의 변형된 프로브 카드를 개략적으로 도시한 도이다.
도 7에 도시된 바와 같이, 상부 가이드 플레이트(40')와 하부 가이드 플레이트(50')의 사이에는 중간부 가이드 플레이트(60')가 구비된다. 구체적으로, 중간부 가이드 플레이트(60')는 제2 플레이트(20')의 일측에 구비될 수 있다. 그러나, 중간부 가이드 플레이트(60')의 위치는 이에 한정되지 않으며, 제1 플레이트(10')의 일측에 구비될 수도 있다.
프로브(80')는 상부 가이드 플레이트(40')와 중간부 가이드 플레이트(60') 및 하부 가이드 플레이트(50')를 순차적으로 관통하여 웨이퍼(W) 측에 제공될 수 있다. 이때, 프로브(80')는 수직한 형태로 가이드 플레이트(GP)를 관통한 후, 도 7과 같이 일측으로 탄성 변형될 수 있다.
구체적으로, 가이드 플레이트(GP)에 수직한 형태의 프로브(80')가 관통되면, 중간부 가이드 플레이트(60')는 일측으로 이동될 수 있다. 따라서, 중간부 가이드 플레이트(60')의 위치 이동을 따라 프로브(80')가 탄성 변형될 수 있다. 본 실시예에서는, 중간부 가이드 플레이트(60')가 우측으로 이동되고, 이에 따라, 프로브(80')의 중간부가 우측으로 변형되는 것을 예로 도시하였으나, 중간부 가이드 플레이트(60')의 이동 방향은 이에 한정되지 않는다.
프로브 카드(100')는 상부 가이드 플레이트(40') 및 하부 가이드 플레이트(50')의 사이에 중간부 가이드 플레이트(60')를 구비함으로써, 프로브(80')를 더욱 효과적으로 지지할 수 있다.
이상 본 발명의 실시예에 따른 프로브 카드를 구체적인 실시 형태로서 설명하였으나, 이는 예시에 불과한 것으로서, 본 발명은 이에 한정되지 않는 것이며, 본 명세서에 개시된 기초 사상에 따르는 최광의 범위를 갖는 것으로 해석되어야 한다. 당업자는 개시된 실시형태들을 조합, 치환하여 적시되지 않은 형상의 패턴을 실시할 수 있으나, 이 역시 본 발명의 범위를 벗어나지 않는 것이다. 이외에도 당업자는 본 명세서에 기초하여 개시된 실시형태를 용이하게 변경 또는 변형할 수 있으며, 이러한 변경 또는 변형도 본 발명의 권리범위에 속함은 명백하다.
1, 1': 프로브 헤드 100, 100': 프로브 카드
101, 101': 양극산화막 101a, 101a': 기공홀
110: 제1 연결부재 접속 패드 120: 제2 연결부재 접속패드
130: 프로브 접속 패드 140, 140': 접속부재
150, 150': 결합부재 160, 160': 회로 기판
170: 연결부재 180: 상부 표면
190: 하부 표면 2: 수직 배선부
20, 20': 고정 부재 3: 수평 배선부
40, 40': 상부 가이드 플레이트
50, 50': 하부 가이드 플레이트
60, 60': 중간부 가이드 플레이트
80, 80': 프로브
BL: 배리어층 GH: 가이드 구멍
GP: 가이드 플레이트 PL: 다공층
SF: 표면 ST: 공간변환기
W: 웨이퍼 WP: 전극 패드

Claims (5)

  1. 회로 기판;
    가이드 플레이트를 구비하고, 복수개의 프로브가 관통되는 프로브 헤드; 및
    상기 회로 기판과 상기 프로브를 전기적으로 연결하는 접속부재를 포함하고,
    상기 접속부재의 절연부와 상기 가이드 플레이트는 모재인 금속을 양극 산화하여 형성된 양극산화막 재질로 형성되는 것을 특징으로 하는 프로브 카드.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 접속부재는 공간변환기로 제공되는 것을 특징으로 하는 프로브 카드.
  3. 제2 항에 있어서,
    상기 접속부재는 복수개의 단위 양극산화막 시트가 적층되어 구성되는 것을 특징으로 하는 프로브 카드.
  4. 제1 항에 있어서,
    상기 접속부재는 인터포저(Interposer)로 제공되는 것을 특징으로 하는 프로브 카드.
  5. 제4 항에 있어서,
    상기 접속부재는 복수개의 단위 양극산화막 시트가 적층되어 구성되는 것을 특징으로 하는 프로브 카드.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102652266B1 (ko) * 2019-01-31 2024-03-28 (주)포인트엔지니어링 다층 배선 기판 및 이를 포함하는 프로브 카드

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101167509B1 (ko) 2010-01-26 2012-07-20 리노공업주식회사 프로브 카드 및 이의 제조방법

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007171140A (ja) * 2005-12-26 2007-07-05 Apex Inc プローブカード、インターポーザおよびインターポーザの製造方法
CN101971037A (zh) * 2008-03-14 2011-02-09 富士胶片株式会社 探针卡
US9535091B2 (en) * 2015-03-16 2017-01-03 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Probe head, probe card assembly using the same, and manufacturing method thereof
KR101823527B1 (ko) * 2016-06-09 2018-01-30 (주)포인트엔지니어링 프로브 카드용 기판 및 이를 이용한 프로브 카드

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101167509B1 (ko) 2010-01-26 2012-07-20 리노공업주식회사 프로브 카드 및 이의 제조방법

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