KR20210125420A - 샤워헤드용 플러싱 고정구 - Google Patents
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Abstract
본 개시는 샤워헤드 어셈블리를 플러싱하기 위한 플러싱 고정구의 구현예에 관한 것이다. 플러싱 고정구는 두 개의 별개 공동, 내부 공동과 내부 공동을 둘러싸고 내부 공동에 유체 연결되지 않는 외부 공동을 포함한다. 플러싱 고정구가 샤워헤드에 장착되는 경우에, 내부 애퍼처는 내부 공동과 유체 연결되고, 하나 이상의 배기 구멍은 외부 공동과 유체 연결된다. 내부 애퍼처와 하나 이상의 배기 구멍에 별도로 접근함으로써, 샤워헤드를 적절하게 플러싱시킬 수 있다.
Description
본 개시는, 일반적으로 증기 분배 시스템에 사용될 수 있는 샤워헤드 어셈블리를 플러싱하기 위한, 플러싱 고정구에 관한 것이다.
화학 기상 증착(CVD), 플라즈마 강화 CVD(PECVD), 원자층 증착(ALD) 등과 같은 기상 반응기는, 기판 표면 상에 재료를 증착하고 에칭하는 것을 포함하여, 다양한 응용에 사용될 수 있다. 예를 들어, 기상 반응기는 반도체 소자, 평면 패널 디스플레이 장치, 광전지 소자, 마이크로전자기계시스템(MEMS) 등을 형성하기 위해 기판 상에 층을 증착하고/증착하거나 에칭하기 위해 사용될 수 있다.
전형적인 기상 반응기 시스템은 반응 챔버, 반응 챔버에 유동적으로 결합된 하나 이상의 전구체 증기 공급원, 반응 챔버에 유동적으로 결합된 하나 이상의 캐리어 또는 퍼지 가스 공급원, 가스(예, 전구체 증기(들) 및/또는 캐리어 또는 퍼지 가스(들))를 기판 표면으로 배달하는 증기 분배 시스템, 및 반응 챔버에 유동적으로 결합된 배기 공급원을 포함하는 반응기를 포함한다. 시스템은 전형적으로 공정 처리 동안 제자리에 기판을 유지하는 서셉터를 또한 포함한다. 서셉터는 기판 공정 처리 동안에 기판을 수용하기 위하여 상하로 움직이도록 구성될 수 있고/있거나 회전할 수 있다.
증기 분배 시스템은 증기(들)을 기판 표면에 분배하기 위하여 샤워헤드 어셈블리를 포함할 수 있다. 샤워헤드 어셈블리는 전형적으로 기판 위에 위치한다. 기판 공정 처리 동안, 증기(들)는 샤워헤드 어셈블리에서 기판을 향해 아래로 흐르고 그 이후 기판 위 반경 방향 바깥쪽으로 흐른다.
일 양태에서, 샤워헤드 어셈블리를 플러싱하기 위한 플러싱 고정구가 제공되고, 상기 플러싱 고정구는 상기 샤워헤드 어셈블리에 장착되도록 구성된 고정구 몸체를 포함하며, 상기 고정구 몸체는 상부 표면 및 상기 상부 표면에 대향하는 하부 표면을 갖는다. 상기 고정구 몸체는, 상기 고정구 몸체의 상기 하부 표면에서 노출된 내부 공동; 상기 고정구 몸체의 상기 하부 표면에서 노출되고 격벽에 의해 상기 내부 공동으로부터 분리된 외부 공동; 상기 내부 공동과 유체 연통하고, 상기 내부 공동으로부터 상기 상부 표면으로 연장되는 하나 이상의 내부 채널; 및 상기 외부 공동과 유체 연통하고, 상기 외부 공동으로부터 상기 상부 표면으로 연장되는 하나 이상의 외부 채널을 포함한다.
상기 외부 공동은, 상기 내부 공동을 적어도 부분적으로 둘러싸는 환형 공동을 포함한다. 상기 고정구 몸체는 중합체 재료를 포함할 수 있다. 다른 양태에서, 샤워헤드 어셈블리 플러싱용 시스템이 제공되고, 상기 시스템은, 전술한 플러싱 고정구; 및 내부 애퍼처와 하나 이상의 배기 구멍을 포함한 샤워헤드 플레이트를 포함하며, 상기 플러싱 고정구는 상기 샤워헤드에 장착되도록 구성되어 상기 내부 애퍼처가 상기 내부 공동과 유체 연통하고 상기 하나 이상의 배기 구멍이 상기 외부 공동과 유체 연통하도록 한다. 상기 샤워헤드는 금속 또는 금속 합금을 포함할 수 있다.
일부 구현에서, 상기 하나 이상의 내부 채널은, 상기 하나 이상의 내부 채널 안으로 플러싱 유체를 전달하도록 구성된, 내부 전달 배관에 유체 연결된다. 상기 하나 이상의 외부 채널은, 상기 하나 이상의 외부 채널 안으로 플러싱 유체를 전달하도록 구성된, 외부 전달 배관에 유체 연결될 수 있다. 상기 내부 전달 파이프와 상기 외부 전달 파이프 모두는 동일한 플러싱 유체 공급원에 연결될 수 있다. 상기 내부 전달 파이프와 상기 외부 전달 파이프는 별도의 플러싱 유체 공급원에 연결될 수 있다. 상기 시스템은, 상기 샤워헤드와 상기 플러싱 고정구 사이에 위치한 내부 가스켓을 추가로 포함할 수 있고, 상기 내부 가스켓은, 상기 플러싱 고정구의 연장 방향에 평행한 방향으로 상기 내부 공동을 둘러싸서, 상기 내부 공동 안으로 전달되는 플러싱 유체가 상기 외부 공동과 상기 하나 이상의 배기 구멍으로 진입하는 것을 방지하고, 그리고 상기 외부 공동 안으로 전달되는 플러싱 유체가 상기 내부 공동과 상기 내부 애퍼처로 진입하는 것을 방지한다. 상기 시스템은, 상기 샤워헤드와 상기 플러싱 고정구 사이에 위치한 외부 가스켓을 추가로 포함할 수 있고, 상기 외부 가스켓은, 상기 플러싱 고정구의 연장 방향에 평행한 방향으로 상기 외부 공동을 둘러싸서, 상기 외부 공동 안으로 전달되는 상기 플러싱 유체를 상기 하나 이상의 배기 구멍으로 유도한다.
상기 하나 이상의 배기 구멍은 상기 내부 애퍼처를 둘러싸도록 위치한다. 상기 하나 이상의 배기 구멍은, 상기 플러싱 고정구의 중심에 대해 내부 애퍼처 구멍으로부터 반경 방향 바깥 쪽에 위치할 수 있다. 각각의 배기 구멍은, 각각의 내부 애퍼처보다 직경이 더 클 수 있다. 상기 하나 이상의 배기 구멍과 상기 내부 애퍼처는 모두 원통형 중간부를 포함할 수 있고, 각 배기 구멍의 원통형 중간부의 직경은 각 내부 애퍼처의 원통형 중간부보다 클 수 있다. 상기 플러싱 고정구는, 커넥터에 의해 상기 샤워헤드 플레이트에 장착될 수 있다.
상기 시스템은 저장조를 추가로 포함할 수 있다. 상기 저장조는 드레인; 센서; 및 센서에 연결된 프로브를 포함할 수 있으며, 여기서 상기 플러싱 고정구와 상기 샤워헤드 플레이트는 상기 저장조에 장착되도록 구성되어, 상기 샤워헤드 플레이트를 통해 상기 플러싱 유체가 플러싱되는 경우에, 상기 유체는 상기 저장조 내로 드레인되고 상기 센서는 상기 프로브를 통해 전기적 특성을 감지한다.
다른 양태에서, 샤워헤드 어셈블리를 플러싱하기 위한 플러싱 고정구가 제공되고, 상기 플러싱 고정구는 상기 샤워헤드 어셈블리에 장착되도록 구성된 고정구 몸체를 포함하며, 상기 고정구 몸체는 상부 표면 및 상기 상부 표면에 대향하는 하부 표면을 갖는다. 상기 고정구 몸체는, 상기 고정구 몸체의 상기 하부 표면에서 노출된 내부 공동; 및 상기 고정구 몸체의 상기 하부 표면에서 노출되고 격벽에 의해 상기 내부 공동으로부터 분리된 외부 공동을 포함하며, 상기 외부 공동은 상기 내부 공동 주위로 연장된 환형 공동을 포함한다. 상기 고정구 몸체는, 상기 내부 공동과 유체 연통하고, 상기 내부 공동으로부터 상기 상부 표면으로 연장되는 하나 이상의 내부 채널; 및 상기 외부 공동과 유체 연통하고, 상기 외부 공동으로부터 상기 상부 표면으로 연장되는 하나 이상의 외부 채널을 추가로 포함할 수 있다.
또 다른 양태에서, 샤워헤드 어셈블리를 플러싱하는 방법이 제공되며, 상기 방법은, 플러싱 고정구를 샤워헤드 플레이트에 장착하여 상기 플러싱 고정구의 내부 공동이 상기 샤워헤드 플레이트의 복수의 내부 애퍼처와 유체 연통하고 상기 플러싱 고정구의 외부 공동이 상기 샤워헤드 플레이트의 하나 이상의 배기 구멍과 유체 연통하도록 하는 단계; 상기 내부 공동 및 상기 내부 애퍼처를 통해 하나 이상의 플러싱 유체를 전달하는 단계; 및 상기 하나 이상의 플러싱 유체를 상기 외부 공동 및 상기 하나 이상의 배기 구멍을 통해 전달하는 단계를 포함한다. 상기 방법은, 비저항 센서를 포함한 저장조 위에 상기 플러싱 고정구 및 샤워헤드를 위치시키는 단계; 및 상기 비저항 센서로 상기 저장조 내에 포획된 상기 플러싱 유체의 비저항을 측정하는 단계를 추가로 포함할 수 있되, 상기 측정된 비저항이 안정화할 때까지 상기 플러싱 고정구와 상기 샤워헤드 플레이트를 통해 플러싱 유체를 흘린다.
도 1은 예시적인 증기 분배 시스템을 나타낸 개략적인 측단면도이다.
도 2a는 플러싱 고정구의 일 구현예의 단면도를 나타낸다.
도 2b는 플러싱 고정구의 일 구현예의 상부도를 나타낸다.
도 3은, 샤워헤드 어셈블리를 플러싱하기 위한 시스템의 일 구현예의 단면도를 나타낸다.
도 4는, 샤워헤드 어셈블리를 플러싱하기 위한 시스템의 일 구현예의 단면도를 나타낸다.
도 5는, 샤워헤드 어셈블리를 플러싱하기 위한 예시적인 방법의 흐름도이다.
도 2a는 플러싱 고정구의 일 구현예의 단면도를 나타낸다.
도 2b는 플러싱 고정구의 일 구현예의 상부도를 나타낸다.
도 3은, 샤워헤드 어셈블리를 플러싱하기 위한 시스템의 일 구현예의 단면도를 나타낸다.
도 4는, 샤워헤드 어셈블리를 플러싱하기 위한 시스템의 일 구현예의 단면도를 나타낸다.
도 5는, 샤워헤드 어셈블리를 플러싱하기 위한 예시적인 방법의 흐름도이다.
아래에 제공된 예시적인 구현예의 설명은 단지 예시적인 것이고, 예시의 목적으로만 의도된 것이며; 다음의 설명은 본 개시의 범주 또는 청구 범위를 한정하고자 함이 아니다. 또한, 특징부를 기술한 다수 구현예를 인용하는 것이 추가적인 특징부를 갖는 다른 구현예 또는 명시된 특징부의 다른 조합을 포함한 다른 구현예를 배제하고자 함이 아니다.
일부 반도체 처리 장치에서, 증기 분배 시스템의 샤워헤드 어셈블리의 샤워헤드 플레이트를 제조, 수리 또는 서비스한 이후에, 샤워헤드의 애퍼처 및/또는 배기 구멍 내에 남아 있는 부스러기 또는 입자가 있을 수 있다. 이들 부스러기 또는 입자는, 공정 중에 샤워헤드 플레이트에서 웨이퍼로 전달될 수 있고, 웨이퍼 상에 입자를 남기고 원하지 않는 결함을 유발할 수 있다. 이들 부스러기 또는 입자는 또한, 불균일한 증기 분배를 초래할 수 있는 내부 공급 애퍼처의 막힘과 같이, 많은 방식으로 증기 분배에 부정적인 영향을 미칠 수 있다. 샤워헤드 내의 내부 공급 애퍼처는 일반적으로 현저하게 작으며, 따라서 심지어 작은 조각의 부스러기 또는 입자가 시스템 내의 증기 분배에 크게 영향을 미칠 수 있음을 주목한다. 부스러기 또는 입자는 또한, 샤워헤드 플레이트의 더 큰 외부 배기 애퍼처를 오염시킬 수 있으며, 이는 또한 증착 공정의 성능을 감소시킬 수 있다.
샤워헤드 어셈블리를 포함한 증기 분배 시스템은, 기상 반응기에서 반도체 웨이퍼와 같은 기판을 처리하는 데 사용될 수 있다. 예시적인 기상 반응기는, 화학 기상 증착(CVD) 반응기, 플라즈마 강화 CVD(PECVD) 반응기, 저압 CVD(LPCVD) 반응기, 및 원자층 증착(ALD) 반응기를 포함한다. 예시로서, 샤워헤드 어셈블리는 샤워헤드 유형 기상 반응기 시스템에 사용될 수 있으며, 여기서 증기는 일반적으로 샤워헤드로부터 기판을 향해 아래 방향으로 흐른다.
전술한 이유로 인해 남아 있을 수 있는 부스러기 및 입자를 플러싱 제거하기 위해, 제조 후에 샤워헤드를 청소하는 시스템을 갖는 것이 유리하다. 통상적인 샤워헤드 어셈블리는, 샤워헤드의 일 표면에 인접한 챔버를 갖는 샤워헤드, 및 챔버와 샤워헤드의 분배 표면(기판 측) 사이에 걸쳐 있는 복수의 내부 애퍼처를 포함한다. 일반적인 샤워헤드는 또한, 배기 증기(들)가 챔버의 내부로부터 빠져나갈 수 있도록 사용된, 내부 애퍼처의 외부 상의 배기 구멍을 포함할 수 있다. 배기 구멍은, 통상 각각의 내부 애퍼처보다 직경이 더 크다. 샤워 헤드의 내부 애퍼처 및 외부 배기 구멍 내에 있는 부스러기 및 입자는, 증착에 유해할 수 있으므로, 내부 애퍼처 및 외부 배기 구멍으로부터 부스러기와 입자를 철저하게 효율적으로 플러싱하는 것이 유리할 수 있다. 내부 애퍼처는 일반적으로 배기 구멍보다 훨씬 작다. 적어도 부분적으로 내부 애퍼처와 배기 구멍 사이의 크기 차이로 인해, 내부 애퍼처와 배기 구멍 둘 모두와 유체 연통하는 단일 공통 공동을 갖는 샤워헤드 어셈블리에 연결된, 플러싱 고정구는 샤워헤드 어셈블리를 적절히 플러싱하지 않는다. 배기 구멍은, 내부 애퍼처로부터 액체를 흡인하는 압력 차이를 생성하며, 그 이유는 배기 구멍이 내부 애퍼처보다 더 크기 때문이다. 따라서, 더 많은 양의 플러싱 액체가 배기 구멍을 통과하는 반면에, 내부 애퍼처는 더 적은 양의 플러싱 유체를 흡인하며, 이는 불균일한 플러싱을 초래한다. 따라서, 본원에 개시된 다양한 구현예에서, 배기 구멍에 유체 연결된 외부 공동, 및 내부 애퍼처에 별도로 유체 연결된 내부 공동을 갖는 시스템은, 유리하게는 제조 또는 유지보수 동안에 샤워헤드 플레이트의 균일하고, 철저하고, 효율적인 세정을 제공할 수 있다. 이러한 시스템은, 별도의 플러싱 유체가 내부 애퍼처 및 배기 구멍에 제공될 수 있게 하며, 따라서 내부 애퍼처 및 배기 구멍의 불균등한 크기로 인해 압력 차이를 갖는 문제를 완화시킨다.
도 1은, 샤워헤드 어셈블리를 사용한 증기 분배 시스템 예시를 나타낸다. 도 1은, 미국 특허 공개 제US 2017-0350011호의 도 8b에 또한 나타나 있고 이와 관련하여 설명된, 반도체 처리 장치(10)를 나타내며, 이의 전체 내용은 모든 목적을 위해 참조로 본원에 포함된다. 매니폴드(100)는 전체 반도체 처리 장치(10)의 일부이다. 매니폴드(100)는, 샤워헤드 어셈블리(820)를 포함한 분배 장치를 향해 증기를 하향 주입하는, 보어(130)를 포함할 수 있다. 매니폴드(100)는, 나타낸 바와 같이 함께 연결된 다수의 블록을 포함할 수 있거나, 하나의 단일체를 포함할 수 있음을 이해한다. 매니폴드(100)는 반응 챔버(810)의 상류에 연결될 수 있다. 특히, 보어(130)의 유출구는 반응물 인젝터, 특히 샤워헤드 어셈블리(820) 형태의 분배 장치와 연통할 수 있다. 샤워헤드 어셈블리(820)는, 플레이트(822) 위에 샤워헤드 플레넘(824) 또는 챔버를 정의한 샤워헤드(822)를 포함한다. 샤워헤드 어셈블리(820)는, 증기를 매니폴드(100)로부터 샤워헤드(820) 아래의 반응 공간(826)으로 전달한다. 반응 챔버(810)는, 반응 공간(826) 내에서 기판(829)(예, 반도체 웨이퍼)을 지지하도록 구성된, 기판 지지부(828)를 포함한다. 반응 챔버는, 진공원에 연결된 배기 개구(830)를 또한 포함한다. 단일 웨이퍼, 샤워헤드 유형의 반응 챔버로 나타나 있지만, 당업자는, 매니폴드가 다른 유형의 반응 챔버에 다른 유형의 인젝터, 예를 들어 배치형 또는 퍼니스형, 수평형 또는 교차 유동형 반응기, 클러스터형 반응기 등과 또한 연결될 수 있음을 이해할 것이다.
임의의 적절한 수 또는 유형의 반응물이 반응 챔버(810)에 공급될 수 있다. 본원에 개시된 다양한 구현예는, 금속 산화물 층(들)을 기판 상에 증착하도록 구성될 수 있다. 일부 구현예에서, 반응물 공급원 중 하나 이상은 자연 가스 ALD 반응물, 예컨대 H2, NH3, N2, O2, 또는 O3와 같은 질소 및 산소 전구체를 함유할 수 있다. 추가적으로 또는 대안적으로, 반응물 공급원 중 하나 이상은, 실온과 대기압에서 고체 또는 액체인 반응물을 기화시키기 위한 기화기를 포함할 수 있다. 기화기(들)는, 예를 들어 액체 버블러 또는 고체 승화 용기를 포함할 수 있다. 기화기 내에 유지되고 기화될 수 있는 고체 또는 액체 반응물의 예시는 다양한 HfO 및 TiN 반응물을 포함한다. 예를 들어, 보유되고 기화될 수 있는 고체 또는 액체 반응물은 제한 없이 기화된 금속 또는 반도체 전구체, 예컨대 트리메틸알루미늄(TMA), TEMAHf, 또는 TEMAZr와 같은 액체 유기금속 전구체; 디클로로실란(DCS), 트리클로로실란(TCS), 트리실란, 유기 실란, 또는 TiCl4와 같은 액체 반도체 전구체; 및 ZrCl4 또는 HfCl4와 같은 분말 전구체를 포함한다. 당업자라면, 구현예가 천연 가스, 고체 또는 액체 반응물 공급원의 임의의 원하는 조합 및 배열을 포함할 수 있음을 이해할 것이다.
반도체 처리 장치(10)는, 장치(10)의 다양한 구성 요소를 제어하기 위한 프로그래밍을 갖는 프로세서(들) 및 메모리를 포함한, 적어도 하나의 제어기(860)를 또한 포함할 수 있다. 반응 챔버(810)에 연결된 것으로 개략적으로 나타나 있지만, 당업자는 증착 공정을 수행하기 위해, 제어기(860)가 증기 제어 밸브, 가열 시스템, 게이트 밸브, 로봇 웨이퍼 캐리어 등과 같은 반응기의 다양한 구성 요소와 통신함을 이해할 것이다. 작동 시, 제어기(860)는 기판(829)(예컨대, 반도체 웨이퍼)이 기판 지지부(828) 상에 로딩되도록 배열될 수 있고, 반응 챔버(810)가 증착 공정, 특히 원자층 증착(ALD)을 위한 준비 상태로 폐쇄되고, 퍼지되고, 전형적으로 펌프 다운될 수 있다. 제어기(829)는 증착 순서를 제어하도록 추가 구성될 수 있다. 예를 들어, 제어기(829)는 반응물 밸브(들)로 제어 명령을 보내, 반응물 밸브(들)를 개방시켜 매니폴드(100)에 반응물 증기를 공급시킬 수 있다. 제어기(829)는, 또한 비활성 가스 밸브(들)에 제어 명령을 보내 비활성 가스 밸브(들)를 개방시켜 매니폴드(100)에 비활성 퍼지 가스를 공급시킬 수 있다. 제어기(829)는, 또한 프로세스의 다른 양태를 제어하도록 구성될 수 있다.
매니폴드(100)는 제1 반응물 증기와 제2 반응물 증기와 같은 다수의 반응물을 주입할 수 있어서, 동시에 혼합을 유도하거나 순차적으로 반응물 사이에서 순환시킬 수 있다. 일부 공정 동안에, 제1 반응물이 후속 주입된 제2 반응물 증기를 오염시키거나 이와 혼합되지 않도록, 제1 반응물 증기를 퍼지하기 위해 퍼지 가스가 보어(130)로부터 샤워헤드 어셈블리(820)까지 주입될 수 있다. 유사하게, 제2 반응물 증기의 증착 이후에 그리고 또 다른 반응물(예, 제1 반응물 증기 또는 상이한 반응물 증기)의 증착 이전에, 비활성 가스가 유입구(120)를 통해 샤워헤드 어셈블리(820) 및 반응 챔버(826)로 하향 전달되는 추가적인 퍼지 단계가 일어난다. 본원에 개시된 구현예는 도 1의 장치(10) 및 샤워헤드 어셈블리(820)와 관련하여 설명되지만, 본원에 설명된 상기 플러싱 고정구의 구현예는, 임의의 적절한 유형의 반도체 처리 장치 또는 시스템에 설치될 수 있는 임의의 적절한 샤워헤드 어셈블리와 함께, 사용될 수 있음을 이해해야 한다.
도 2a는, 예를 들어 도 1의 샤워헤드 어셈블리(820)와 같은, 샤워헤드 어셈블리를 플러싱하기 위한 플러싱 고정구(202)의 구현예의 단면도를 나타낸다. 상기 플러싱 고정구(202)는, 내부 공동(206) 및 외부 공동(204)을 갖는(예를 들어, 원통형 벌크 재료를 포함할 수 있는) 고정구 몸체(200)를 포함한다. 고정구 몸체(200)는, 상부 표면(201) 및 상부 표면(201)에 대향하는 하부 표면(203)을 가질 수 있다. 내부 공동(206)과 외부 공동(204)은 유체 연결되지 않은, 별개 공동일 수 있다. 예를 들어, 도 2a에 도시된 바와 같이, 내부 공동(206)은 격벽(205)에 의해 외부 공동(204)으로부터 분리될 수 있다. 격벽(205)은 고정구 몸체(200)의 일부분, 예를 들어 공동(206, 204) 사이에서 고정구 몸체로부터 하향 연장되는 돌출부를 포함할 수 있다. 또한, 내부 및 외부 공동(206, 204)은 고정구 몸체(200)의 하부 표면(203)에서 노출될 수 있다(또는 개방될 수 있음). 도 2a와 도 2b의 구현예에서, 외부 공동(204)은, 내부 공동(204)을 적어도 부분적으로 둘러쌀 수 있다. 예를 들어, 외부 공동(204)은, 내부 공동(204)을 둘러싸는(예를 들어, 완전히 둘러싸는) 환형 형상의 공동을 포함할 수 있다. 다른 구현예에서, 외부 공동(204)은 내부 공동(206)을 부분적으로만 둘러쌀 수 있다. 측단면(도 2a 참조)에 나타낸 바와 같이, 내부 공동(206)의 측방향 폭은 외부 공동(204)의 측방향 폭보다 더 넓을 수 있다.
하나 이상의 내부 채널(206a)은, 내부 공동(206)과 유체 연결될 수 있다. 나타낸 바와 같이, 내부 채널(206a)은 내부 공동(206)으로부터 고정구 몸체(200)의 상부 표면(201)까지 상향 연장될 수 있다. 네 개의 내부 채널이 도 2b에 나타나 있지만, 네 개 이상의 내부 채널이 있을 수 있다. 임의의 적절한 수의 내부 채널이 있을 수 있다. 도 2a에 나타낸 바와 같이, 내부 채널(206a)의 각각의 폭 또는 직경은 내부 공동(206)보다 작을 수 있다. 본원에서 설명된 바와 같이, 내부 채널(들)(206a)은 내부 공동(206)에 플러싱 유체를 전달하도록 크기 설정되고 배열될 수 있다. 내부 채널 각각의 주요 측방향 치수(예, 폭 또는 직경)는 약 1.5 인치일 수 있다. 일부 구현예에서, 내부 채널은, 예를 들어 플러싱 될 샤워헤드 어셈블리의 크기에 따라 직경이 1.5 인치 이상 또는 미만인 주요 측방향 치수를 가질 수 있다.
하나 이상의 외부 채널(204a)은 외부 공동(204)에 연결될 수 있다. 예를 들어, 나타낸 바와 같이, 하나 이상의 외부 채널(204a)은 외부 공동(204)으로부터 고정구 몸체(200)의 상부 표면(201)까지 상향 연장될 수 있다. 두 개의 외부 채널이 도 2b에 나타나 있지만, 두 개 초과의 외부 채널이 있을 수 있다. 외부 공동(204)에 연결된 하나의 외부 채널만이 있을 수도 있다. 내부 채널 각각의 주요 측방향 치수(예, 폭 또는 직경)는 약 0.5 인치일 수 있다. 일부 구현예에서, 외부 채널 각각의 주요 측방향 치수는, 예를 들어 샤워헤드 어셈블리의 크기에 따라 직경이 0.5 인치 이상 또는 미만인 주요 측방향 치수를 가질 수 있다. 외부 채널에 대한 내부 채널의 주요 측방향 치수는, 내부 채널과 외부 채널의 양, 그리고 샤워헤드의 내부 애퍼처와 배기 구멍에 대해 요구되는 플러싱의 양(도 3과 관련하여 보다 상세히 설명됨)에 기초하여 조절될 수 있다. 하나의 특정 구현예에서, 각각 1.5 인치 직경을 갖는 네(4) 개의 내부 채널, 및 각각 0.5 인치 직경을 갖는 두(2) 개의 외부 채널이 있을 수 있다.
일부 구현예에서, 내부 공동(206)은 원통형 공동(예, 하부 평면도에서 보았을 때 타원형 또는 원형 프로파일을 가짐)을 포함할 수 있다. 외부 공동(204)은, 내부 공동을 둘러싸는 환형 형상(예, 원형 형상 또는 타원형 레이스트랙 형상)을 포함할 수 있다. 일부 구현예에서, 내부 공동(206)은, 샤워헤드의 별도의 내부 애퍼처에 연결된, 별도의 공동으로 분할될 수 있다. 또한, 외부 공동은, 별도의 배기 구멍에 연결된, 별도의 공동으로 분할될 수 있다. 일부 구현예에서, 플러싱 고정구(202)는 샤워헤드의 재료보다 더 부드러운 재료로 제조될 수 있다. 예를 들어, 샤워헤드가 금속으로 만들어질 경우에, 플러싱 고정구 몸체(200)는 폴리프로필렌과 같은 중합체 또는 플라스틱으로 만들어질 수 있다. 다른 구현예에서, 고정구 몸체(200)는 금속을 포함할 수 있다. 더 부드러운 재료는, 장착될 시, 플러싱 고정구(202)가 샤워헤드를 손상시키는 것을 방지할 수 있게 한다.
도 2b는 도 2a의 플러싱 고정구(202)의 상부도를 나타낸다. 도 2b는, 도 2a와 참조 번호를 공유하고, 공유된 참조 번호의 설명은 도 2b에 적용 가능하다. 내부 공동(206)과 외부 공동(204)은, 용이한 예시를 위해 도 2b에서 파선으로 나타낸 바와 같이 분할된다. 나타낸 바와 같이, 내부 채널(206a)과 외부 채널(204a)은 둥근(예, 원형) 단면 형상을 가질 수 있다. 상기 플러싱 고정구(202)는, 커넥터 또는 나사가 배치될 수 있는 구멍(208)을 포함할 수도 있다. 커넥터 또는 나사는, 수평 고정구(202)로부터 샤워헤드를 분리할 수 있다. 플러싱 고정구는 또한, (도 3에 나타낸 바와 같이) 커넥터 또는 나사에 의해 플러싱 고정구(202)에 샤워헤드를 고정시키는 데 사용될 수 있는 구멍(210)을 포함할 수도 있다. 도 2a 또는 도 2b의 플러싱 고정구는 도 3에 나타낸 바와 같이 샤워헤드 어셈블리의 샤워헤드에 연결될 수 있다.
도 3은, 샤워헤드 어셈블리의 샤워헤드 플레이트(302)에 장착된 도 2a와 도 2b의 플러싱 고정구(202)를 나타낸다. 플러싱 고정구(202)의 세부 사항은, 도 2a 또는 도 2b와 관련하여 설명되고 반복되지 않는다. 하나 이상의 내부 채널(206a)은, 하나 이상의 내부 채널(206a) 안으로 플러싱 유체를 전달하도록 구성된, 내부 전달 배관(312)에 연결된다. 하나 이상의 외부 채널(204a)은, 하나 이상의 외부 채널(206a) 안으로 플러싱 유체를 전달하도록 구성된, 외부 전달 배관(310)에 연결된다. 내부 전달 파이프(312)와 외부 전달 파이프(310) 모두는 동일한 플러싱 유체 공급원 또는 별도의 플러싱 유체 공급원에 연결될 수 있다. 동일한 유형의 플러싱 유체 또는 상이한 유형의 플러싱 유체는 내부 또는 외부 공동(206, 204)에 전달될 수 있다.
샤워헤드 플레이트(302)는, 내부 애퍼처(306)와 배기 구멍(304) 둘 다를 포함한다. 배기 구멍(304)은 내부 애퍼처(306)를 둘러싸도록 위치하고, 샤워헤드(302)의 중심에 대해 내부 애퍼처(306)로부터 반경 방향 바깥 쪽에 위치한다. 내부 애퍼처(306)는 실질적으로 원통형 구멍일 수 있거나, 나팔 모양의 입력부 및/또는 출력부를 가질 수 있다. 내부 애퍼처(306)는 임의의 적절한 프로파일을 가질 수 있다. 유사하게, 외부 배기 구멍(304)은 실질적으로 원통형 구멍일 수 있거나, 또는 나팔형 입력부 및/또는 출력부를 가질 수 있다. 외부 배기 구멍(304)은 임의의 적절한 프로파일을 가질 수 있다. 각각의 내부 애퍼처(306)는, 각각의 배기 구멍(304)보다 실질적으로 더 작다. 예를 들어, 내부 애퍼처(306) 및 배기 구멍(304)이 실질적으로 원통형 구멍일 경우에, 배기 구멍(304)의 직경은 내부 애퍼처(306)의 직경보다 크다. 또한, 내부 애퍼처(306)가 나팔 모양의 입력부 및/또는 출력부를 갖고, 배기 구멍(304)이 나팔 모양의 입력부 및/또는 출력부를 갖는 경우에, 내부 애퍼처(306) 각각 및 배기 구멍(304) 각각은 원통형 중간부를 포함할 수 있다. 배기 구멍(304)의 원통형 중간부는, 내부 애퍼처(306)의 원통형 중간부보다 클 수 있다. 샤워헤드 플레이트(302) 및 샤워헤드 어셈블리가 반도체 처리 장치에 사용될 경우에, 가스(예, 반응물 및/또는 비활성 가스)가 내부 애퍼처(306)를 통해 반응기에 전달될 수 있다. 가스는 배기 구멍(304)을 통해 반응 챔버로부터 제거되거나 배기될 수 있다.
내부 애퍼처(306)가 내부 공동(206)과 유체 연통하고, 배기 구멍(304)이 외부 공동(204)과 유체 연통하도록, 플러싱 고정구(202)는 샤워헤드 플레이트(302)에 장착될 수 있다. 나타낸 바와 같이, 플러싱 고정구(202)는 하나 이상의 커넥터(308)(예, 하나 이상의 나사, 볼트, 또는 다른 적절한 패스너)에 의해 샤워헤드(302)에 장착될 수 있다. 플러싱 고정구(202)는 클램프와 같은 다른 패스너에 의해 샤워헤드 플레이트(302)에 장착될 수 있다. 내부 애퍼처(306) 및 배기 구멍(304)에 대한 별도의 엑세스를 제공함으로써, 내부 공동(206)은, 외부 공동(204)에 의해 배기 구멍(304)에 제공된 플러싱 유체로부터 독립적인, 내부 애퍼처(306)로의 플러싱 유체를 제공할 수 있다. 따라서, 더 큰 크기의 배기 구멍(304)은 내부 애퍼처(306)를 통과하는 플러싱 유체의 양에 영향을 미치지 않을 것이며, 이는 내부 애퍼처(306) 및 배기 구멍(304) 모두가 적절히 플러싱될 수 있게 한다.
내부 개스킷(314)은 플러싱 고정구(202)와 샤워헤드(302) 사이에 위치할 수 있고, 내부 공동(206)을 플러싱 고정구의 연장 방향에 평행한 방향으로 둘러쌀 수 있다. 플러싱 고정구(202)가 샤워헤드(302)에 장착될 경우에, 내부 개스킷(314)은, 내부 공동 내로 전달된 플러싱 유체가 외부 공동과 하나 이상의 배기 구멍으로 진입하는 것을 방지한다. 또한, 내부 개스킷은, 외부 공동 내로 전달된 플러싱 유체가 내부 공동과 내부 애퍼처로 진입하는 것을 방지한다. 외부 개스킷(316)은 또한 플러싱 고정구(202)와 샤워헤드(302) 사이에 위치할 수 있고, 외부 공동(204)을 플러싱 고정구의 연장 방향에 평행한 방향으로 둘러쌀 수 있다. 플러싱 고정구(202)가 샤워헤드(302)에 장착될 경우에, 외부 개스킷(316)은, 샤워헤드(302)와 플러싱 고정구(202)를 빠져나오는 플러싱 유체를 밀봉한다.
도 4는, 샤워헤드 어셈블리를 플러싱하기 위한 시스템(400)을 나타낸다. 시스템(400)은, 도 3의 샤워헤드 플레이트(302)에 장착된 플러싱 고정구(202)를 포함한다. 도 3의 특징부는 여기에서 반복되지 않는다. 저장조(404)는, 샤워헤드(206) 상에 장착된 플러싱 고정구(202) 아래에 위치한다. 저장조(404)는, 하나 이상의 클램프(402)에 의해 플러싱 고정구(202) 또는 샤워헤드 플레이트(302)에 고정될 수 있다. 저장조(404)는 또한, 나사 또는 볼트를 통해 플러싱 고정구(202) 또는 샤워헤드 플레이트(302)에 고정될 수 있거나, 또는 샤워헤드 플레이트(302)에 장착된 플러싱 고정구(202)는 고정되지 않은 채 저장조(404) 위에 배치될 수 있다. 저장조(404)는, 프로브(408)에 연결된 센서(406)를 포함한다. 센서(406)는 저장조(404) 외부에 있을 수 있는 반면에, 프로브(408)는 저장조(404) 내에 있을 수 있다. 대안적으로, 센서(406)는 저장조(404) 내에 위치할 수 있고 무선으로 측정값을 송신할 수 있다. 플러싱 유체가 플러싱 고정구(202) 및 샤워헤드 플레이트(302)를 통해 흐르는 동안에, 플러싱 유체(410)는 저장조(404)의 바닥에 모인다. 저장조(404)는, 샤워헤드(302)를 통해 플러싱 된 후에 플러싱 유체(410)를 드레인하는 데 사용될 수 있는, 드레인(412)을 포함한다.
플러싱 유체가 샤워헤드 플레이트(302)를 통해 흐르는 동안에, 플러싱 유체는 샤워헤드 플레이트(302)로부터 (예를 들어, 내부 애퍼처(306) 및 배기 구멍(304)으로부터) 입자 및/또는 부스러기를 제거한다. 플러싱 유체와 입자 및/또는 부스러기의 조합은, 플러싱 유체 자체와는 다른 특성을 갖는다. 따라서, 플러싱 유체(410)가 샤워헤드 플레이트(302)를 통해 플러싱된 후에 플러싱 유체의 특성을 측정함으로써, 샤워헤드 플레이트(302)로부터 제거되는 입자 및/또는 부스러기의 양을 모니터링할 수 있다. 센서(406)는, 프로브(408)를 통해서, 저장조(404) 내에 수집된 플러싱 유체(410)의 하나 이상의 특성을 모니터링하여, 샤워헤드 플레이트(302)로부터 제거되는 입자 및/또는 부스러기의 양을 결정할 수 있다. 상기 하나 이상의 특성은 비저항, 전도성, 인덕턴스, 커패시턴스와 같은 하나 이상의 전기적 특성 또는 자기성일 수 있다. 예를 들어, 입자 및/또는 부스러기가 금속일 경우에, 입자 및/또는 부스러기를 포함한 플러싱 유체(410)의 비저항은, 입자 및/또는 부스러기 없는 플러싱 유체(410)의 비저항보다 낮을 수 있다. 센서(406)는, 프로브(408)를 통해 플러싱 유체(410)의 비저항을 모니터링하도록 구성될 수 있다. 플러싱 유체가 먼저 상기 샤워헤드(302)로부터 입자 및/또는 부스러기를 플러싱하기 시작하는 경우에, 플러싱 유체(410)의 비저항은 플러싱 유체(410) 내의 많은 양의 입자 및/또는 부스러기 때문에 비교적 낮을 수 있다. 입자 및/또는 부스러기가 샤워헤드(302) 밖으로 플러싱 됨에 따라, 플러싱 유체(410)의 비저항이 증가할 수 있는데, 그 이유는 샤워헤드 플레이트(302)를 빠져나오는 플러싱 유체가, 비교적 적은 입자 및/또는 부스러기를 포함하기 때문이다. 이렇게 측정된 저항이 실질적으로 레벨 오프되거나 실질적으로 증가하는 것을 멈추는 경우에, 샤워헤드(302)를 빠져나오는 입자 및/또는 부스러기가 없기 때문에 플러싱을 중단할 수 있다.
도 5는, 샤워헤드 어셈블리를 플러싱하기 위한 예시적인 방법(500)의 흐름도를 나타낸다. 상기 방법은 도 4에 설명된 샤워헤드 어셈블리를 플러싱하기 위한 시스템(400)의 구성 요소를 사용할 수 있다. 블록(502)에서, 플러싱 고정구는 샤워헤드에 장착된다. 플러싱 고정구는, 도 2 내지 도 4에서 전술한 플러싱 고정구(202) 및 샤워헤드 플레이트(302)를 포함할 수 있다. 블록(504)에서, 플러싱 고정구 및 샤워헤드는 저장조 위에 위치한다. 저장조는, 도 4와 연관하여 설명된 저장조(402)를 포함할 수 있다. 저장조(402)는, 프로브(408)에 연결된 센서(406)를 포함할 수 있다.
블록(506)에서, 플러싱 유체는 플러싱 고정구 및 샤워헤드를 통해 저장조(402) 내로 전달된다. 전술한 바와 같이, 상기 플러싱 유체는 공통 공급원 또는 두 개의 별도 공급원으로부터 전달될 수 있다. 플러싱 유체는, 하나 이상의 내부 채널(206a)을 통해 내부 공동(206)에 전달될 수 있다. 플러싱 유체는, 하나 이상의 외부 채널(204a)을 통해 외부 공동(204)에 동시 전달될 수 있다. 내부 공동(206)으로부터의 유체는, 샤워헤드 플레이트(302)의 내부 애퍼처(306)를 통해 구동될 수 있다. 외부 공동(204)으로부터의 유체는 외부 배기 구멍(304)을 통해 구동될 수 있다. 내부 및 외부 공동(206, 204)이 서로 실질적으로 밀봉될 수 있기 때문에, 공동(206, 204) 내의 플러싱 유체의 압력은, 유체의 적절한 유동이 내부 애퍼처(306) 및 배기 구멍(304)을 통해 각각 구동될 수 있도록, 독립 제어될 수 있다. 유익하게는, 전술한 바와 같이, 고정구(202)를 사용하여 내부 애퍼처(306)와 외부 배기 구멍(304)을 독립적으로 플러싱하면, 내부 애퍼처(306)와 배기 구멍(304)이 철저하고 효율적인 방식으로 청소되는 것을 보장할 수 있다.
도 4에 나타낸 바와 같이, 플러싱 유체(410)는 저장조(402) 내에 수집되고 드레인(412)을 통해 빠져나간다. 블록(508)에서, 저장조(402) 내에 수집된 플러싱 유체의 비저항이 측정된다. 센서(406)는, 프로브를 통해 플러싱 유체(410)의 비저항을 감지하도록 구성될 수 있다. 입자 및/또는 부스러기가 금속성인 경우에, 플러싱 유체가 먼저 상기 샤워헤드(302)로부터 입자 및/또는 부스러기를 플러싱하기 시작하면서 플러싱 유체(410)의 비저항은 낮을 것이다. 그러나, 입자 및/또는 부스러기가 샤워헤드(302)를 덜 빠져나감에 따라, 플러싱 유체(410)의 비저항은 높아질 것이다. 따라서, 플러싱 유체(410)의 비저항이 실질적으로 레벨 오프되거나 실질적으로 증가하는 것을 멈추는 경우에, 샤워헤드(302)를 빠져나오는 입자 및/또는 부스러기가 실질적으로 없기 때문에 플러싱을 중단할 수 있다.
전술한 것이 명확성 및 이해의 목적을 위해 예시 및 구현예로서 상세하게 설명되었지만, 특정 변경 및 수정이 실시될 수 있음은 당업자에게 자명하다. 따라서, 설명 및 실시예가 본 발명의 범주를 본원에 기술된 특정 구현예 및 실시예로 제한하는 것으로 해석되어서는 안되며, 오히려 본 발명의 진정한 범주 및 사상에 따른 모든 변형 및 대안도 포함하는 것으로 해석되어야 한다. 또한, 본원에서 설명된 모든 특징, 양태 및 장점이 본 발명을 실시하기 위해 반드시 요구되는 것은 아니다.
Claims (21)
- 샤워헤드 어셈블리를 플러싱하기 위한 플러싱 고정구로서,
상기 샤워헤드 어셈블리에 장착되도록 구성된 고정구 몸체를 포함하며, 상기 고정구 몸체는 상부 표면, 및 상기 상부 표면에 대향하는 하부 표면을 갖되, 상기 고정구 몸체는,
상기 고정구 몸체의 상기 하부 표면에서 노출된 내부 공동;
상기 고정구 몸체의 상기 하부 표면에서 노출되고 격벽에 의해 상기 내부 공동으로부터 분리된 외부 공동;
상기 내부 공동과 유체 연통하며 상기 내부 공동으로부터 상기 상부 표면으로 연장된 하나 이상의 내부 채널; 및
상기 외부 공동과 유체 연통하며 상기 외부 공동으로부터 상기 상부 표면으로 연장된 하나 이상의 외부 채널을 포함하는, 플러싱 고정구. - 제1항에 있어서, 상기 외부 공동은, 상기 내부 공동을 적어도 부분적으로 둘러싼 환형 공동을 포함하는, 플러싱 고정구.
- 제1항에 있어서, 상기 고정구 몸체는 중합체 재료를 포함하는, 플러싱 고정구.
- 샤워헤드 어셈블리를 플러싱하기 위한 시스템으로서,
제1항의 플러싱 고정구; 및
내부 애퍼처와 하나 이상의 배기 구멍을 포함한 샤워헤드 플레이트를 포함하되,
상기 내부 애퍼처가 상기 내부 공동과 유체 연통하고 상기 하나 이상의 배기 구멍이 상기 외부 공동과 유체 연통하도록, 상기 플러싱 고정구를 상기 샤워헤드에 장착하도록 구성되는, 시스템. - 제4항에 있어서, 상기 샤워헤드는 금속 또는 금속 합금을 포함하는, 시스템.
- 제4항에 있어서, 상기 하나 이상의 내부 채널은, 상기 하나 이상의 내부 채널 안으로 플러싱 유체를 전달하도록 구성된, 내부 전달 배관에 유체 연결되는, 시스템.
- 제6항에 있어서, 상기 하나 이상의 외부 채널은, 상기 하나 이상의 외부 채널 안으로 플러싱 유체를 전달하도록 구성된, 외부 전달 배관에 유체 연결되는, 시스템.
- 제7항에 있어서, 상기 내부 전달 배관과 상기 외부 전달 배관 모두는 동일한 플러싱 유체 공급원에 연결되는, 시스템.
- 제7항에 있어서, 상기 내부 전달 배관과 상기 외부 전달 배관은 별도의 플러싱 유체 공급원에 연결되는, 시스템.
- 제4항에 있어서, 상기 샤워헤드와 상기 플러싱 고정구 사이에 위치한 내부 가스켓을 추가로 포함하고, 상기 내부 가스켓은, 상기 플러싱 고정구의 연장 방향에 평행한 방향으로 상기 내부 공동을 둘러싸서, 상기 내부 공동 안으로 전달된 플러싱 유체가 상기 외부 공동과 상기 하나 이상의 배기 구멍으로 진입하는 것을 방지하고, 그리고 상기 외부 공동 안으로 전달된 플러싱 유체가 상기 내부 공동과 상기 내부 애퍼처로 진입하는 것을 방지하는, 시스템.
- 제10항에 있어서, 상기 샤워헤드와 상기 플러싱 고정구 사이에 위치한 외부 가스켓을 추가로 포함하고, 상기 외부 가스켓은, 상기 플러싱 고정구의 연장 방향에 평행한 방향으로 상기 외부 공동을 둘러싸서, 상기 외부 공동 안으로 전달된 상기 플러싱 유체를 상기 하나 이상의 배기 구멍 안으로 유도하는, 시스템.
- 제4항에 있어서, 상기 하나 이상의 배기 구멍은 상기 내부 애퍼처를 둘러싸도록 위치하는, 시스템.
- 제12항에 있어서, 상기 하나 이상의 배기 구멍은, 상기 플러싱 고정구의 중심에 대해 상기 내부 애퍼처 구멍으로부터 반경 방향 바깥 쪽에 위치하는, 시스템.
- 제4항에 있어서, 각각의 배기 구멍은 상기 내부 애퍼처 각각보다 직경이 더 큰, 시스템.
- 제4항에 있어서, 상기 하나 이상의 배기 구멍과 상기 내부 애퍼처 모두는 원통형 중간부를 포함하고, 각 배기 구멍의 원통형 중간부의 직경은 각 내부 애퍼처의 원통형 중간부보다 더 큰, 시스템.
- 제4항에 있어서, 상기 플러싱 고정구는 커넥터에 의해 상기 샤워헤드 플레이트에 장착되는, 시스템.
- 제4항에 있어서, 상기 저장조를 추가로 포함하고,
상기 저장조는,
드레인;
센서; 및
상기 센서에 연결된 프로브를 포함하되,
상기 플러싱 고정구 및 샤워헤드 플레이트는 상기 저장조에 장착되도록 구성되어, 상기 샤워헤드 플레이트를 통해 상기 플러싱 유체가 플러싱되는 경우에, 상기 유체는 상기 저장조 안으로 드레인되고 상기 센서는 상기 프로브를 통해 전기적 특성을 감지하는, 시스템. - 샤워헤드 어셈블리를 플러싱하기 위한 플러싱 고정구로서,
상기 샤워헤드 어셈블리에 장착되도록 구성된 고정구 몸체를 포함하며, 상기 고정구 몸체는 상부 표면, 및 상기 상부 표면에 대향하는 하부 표면을 갖되, 상기 고정구 몸체는,
상기 고정구 몸체의 상기 하부 표면에서 노출된 내부 공동; 및
상기 고정구 몸체의 상기 하부 표면에서 노출되고 격벽에 의해 상기 내부 공동으로부터 분리된 외부 공동을 포함하며, 상기 외부 공동은 상기 내부 공동 주위로 연장된 환형 공동을 포함하는, 플러싱 고정구. - 제18항에 있어서,
상기 내부 공동과 유체 연통하며 상기 내부 공동으로부터 상기 상부 표면으로 연장된 하나 이상의 내부 채널; 및
상기 외부 공동과 유체 연통하며 상기 외부 공동으로부터 상기 상부 표면으로 연장된 하나 이상의 외부 채널을 포함하는, 플러싱 고정구. - 샤워헤드 어셈블리를 플러싱하는 방법으로서,
플러싱 고정구를 샤워헤드 플레이트에 장착하여 상기 플러싱 고정구의 내부 공동이 상기 샤워헤드 플레이트의 복수의 내부 애퍼처와 유체 연통하고 상기 플러싱 고정구의 외부 공동이 상기 샤워헤드 플레이트의 하나 이상의 배기 구멍과 유체 연통하도록 하는 단계;
상기 내부 공동과 상기 내부 애퍼처를 통해 하나 이상의 플러싱 유체를 전달하는 단계; 및
상기 외부 공동과 상기 하나 이상의 배기 구멍을 통해 상기 하나 이상의 플러싱 유체를 전달하는 단계를 포함하는, 방법. - 제20항에 있어서,
비저항 센서를 포함한 저장조 위에 상기 플러싱 고정구 및 샤워헤드를 위치시키는 단계; 및
상기 비저항 센서로 상기 저장조 내에 포획된 상기 플러싱 유체의 비저항을 측정하는 단계를 추가로 포함하되,
상기 측정된 비저항이 안정화할 때까지 상기 플러싱 고정구와 상기 샤워헤드 플레이트를 통해 플러싱 유체를 흘리는, 방법.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US202063006253P | 2020-04-07 | 2020-04-07 | |
US63/006,253 | 2020-04-07 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20210125420A true KR20210125420A (ko) | 2021-10-18 |
Family
ID=77922531
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020210038165A KR20210125420A (ko) | 2020-04-07 | 2021-03-24 | 샤워헤드용 플러싱 고정구 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20210310123A1 (ko) |
JP (1) | JP2021166286A (ko) |
KR (1) | KR20210125420A (ko) |
CN (1) | CN113493905A (ko) |
TW (1) | TW202141664A (ko) |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3089507A (en) * | 1963-05-14 | Air eject system control valve | ||
US2410420A (en) * | 1944-01-01 | 1946-11-05 | Robert B Bennett | Scraper |
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JP4303484B2 (ja) * | 2003-01-21 | 2009-07-29 | 大日本スクリーン製造株式会社 | メッキ装置 |
US10858737B2 (en) * | 2014-07-28 | 2020-12-08 | Asm Ip Holding B.V. | Showerhead assembly and components thereof |
-
2021
- 2021-03-24 KR KR1020210038165A patent/KR20210125420A/ko unknown
- 2021-03-25 US US17/212,821 patent/US20210310123A1/en active Pending
- 2021-03-30 TW TW110111540A patent/TW202141664A/zh unknown
- 2021-04-01 JP JP2021062739A patent/JP2021166286A/ja active Pending
- 2021-04-02 CN CN202110359919.XA patent/CN113493905A/zh active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW202141664A (zh) | 2021-11-01 |
US20210310123A1 (en) | 2021-10-07 |
CN113493905A (zh) | 2021-10-12 |
JP2021166286A (ja) | 2021-10-14 |
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