KR20210118745A

KR20210118745A - Sputtering apparatus

Info

Publication number: KR20210118745A
Application number: KR1020210032177A
Authority: KR
Inventors: 쇼타 이시바시; 다츠오 히라사와; 히로유키 도시마; 히로유키 이와시타
Original assignee: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Priority date: 2020-03-23
Filing date: 2021-03-11
Publication date: 2021-10-01
Also published as: JP7482730B2; JP2021152204A

Abstract

The present invention provides a sputtering apparatus which desirably adjusts film thickness distribution. The sputtering apparatus comprises: a first and a second target which emit sputtering particles; a substrate support unit which supports a substrate; and a shielding plate which is placed between the first and the second target and the substrate, and has a penetration hole through which the sputtering particles pass. The penetration hole comprises a first aperture area through which sputtering particles emitted from the first target pass, a second aperture area through which sputtering particles emitted from the second target pass. The sputtering apparatus further comprises an impediment device which prevents the sputtering particles emitted from the first target from passing through the second aperture area and prevents the sputtering particles emitted from the second target from passing through the first aperture area.

Description

sputtering device {SPUTTERING APPARATUS}

본 개시는 스퍼터 장치에 관한 것이다.The present disclosure relates to a sputter device.

타겟으로부터 방출되는 스퍼터 입자를 웨이퍼 등의 기판에 입사시켜서 성막을 실행하는 스퍼터 장치가 알려져 있다.BACKGROUND ART A sputtering apparatus that forms a film by making sputtered particles emitted from a target incident on a substrate such as a wafer is known.

특허문헌 1에는, 처리 공간에서 서로 상이한 경사 방향으로 스퍼터 입자를 방출시키는 타겟을 각각 갖는 제 1 스퍼터 입자 방출부 및 제 2 스퍼터 입자 방출부와, 제 1 스퍼터 입자 방출부 및 제 2 스퍼터 입자 방출부로부터 방출된 상기 스퍼터 입자가 통과하는 통과 구멍을 갖는 스퍼터 입자 차폐판을 구비하는 성막 장치가 개시되어 있다.In Patent Document 1, a first sputtered particle emitting part and a second sputtered particle emitting part each having a target for emitting sputtered particles in different oblique directions in a processing space, and a first sputtered particle emitting part and a second sputtered particle emitting part Disclosed is a film forming apparatus comprising a sputtered particle shielding plate having a through hole through which the sputtered particles emitted from the spherical body pass.

일본 특허 공개 제 2020-026575 호 공보Japanese Patent Laid-Open No. 2020-026575

그런데, 스퍼터 입자를 방출하는 타겟을 복수 구비하는 구성에 있어서, 각각의 타겟으로부터 방출되는 스퍼터 입자에 의한 막두께 분포를 조정하기 위해서 통과 구멍의 형상을 수정하면, 양방의 타겟으로부터의 막두께 분포에 영향을 주기 때문에 조정이 어렵다.However, in a configuration having a plurality of targets for emitting sputtered particles, if the shape of the through hole is modified in order to adjust the film thickness distribution by the sputtered particles emitted from each target, the film thickness distribution from both targets is It is difficult to adjust because of the influence.

본 개시의 일 태양은 바람직하게 막두께 분포를 조정할 수 있는 스퍼터 장치를 제공한다.One aspect of the present disclosure preferably provides a sputtering device capable of adjusting the film thickness distribution.

본 개시의 일 태양에 따른 스퍼터 장치는 스퍼터 입자를 방출하는 제 1 및 제 2 타겟과, 기판을 지지하는 기판 지지부와, 상기 제 1 및 제 2 타겟과 상기 기판 사이에 배치되고, 상기 스퍼터 입자가 통과하는 통과 구멍을 갖는 차폐판을 구비하고, 상기 통과 구멍은 상기 제 1 타겟으로부터 방출된 스퍼터 입자를 통과시키는 제 1 개구 영역과, 상기 제 2 타겟으로부터 방출된 스퍼터 입자를 통과시키는 제 2 개구 영역을 갖고, 상기 제 1 타겟으로부터 방출된 스퍼터 입자가 제 2 개구 영역을 통과하는 것을 저해하고, 상기 제 2 타겟으로부터 방출된 스퍼터 입자가 제 1 개구 영역을 통과하는 것을 저해하는 저해 기구를 더 구비한다.A sputtering apparatus according to an aspect of the present disclosure includes first and second targets for emitting sputtered particles, a substrate support for supporting a substrate, and disposed between the first and second targets and the substrate, wherein the sputtered particles are disposed between the first and second targets and the substrate. a shielding plate having a passage hole through which the passage hole passes, a first opening area through which the sputtered particles emitted from the first target pass, and a second opening area through which the sputtered particles emitted from the second target pass through. and an inhibiting mechanism for inhibiting the sputtered particles emitted from the first target from passing through the second opening region, and inhibiting the sputtered particles emitted from the second target from passing through the first opening region. .

본 개시의 일 태양에 의하면, 바람직하게 막두께 분포를 조정할 수 있는 스퍼터 장치를 제공할 수 있다.According to one aspect of the present disclosure, it is possible to provide a sputtering device that can preferably adjust the film thickness distribution.

도 1은 제 1 실시형태에 따른 기판 처리 장치의 단면 모식도의 일례.
도 2는 제 1 실시형태에 따른 기판 처리 장치의 A-A 단면 모식도의 일례.
도 3은 스퍼터 입자 차폐판의 통과 구멍을 상방으로부터 바라본 평면도의 일례.
도 4는 타겟으로부터 방출되는 스퍼터 입자의 궤적을 모식적으로 도시하는 도면.
도 5는 제 2 실시형태에 따른 기판 처리 장치의 단면 모식도의 일례.
도 6은 스퍼터 입자 차폐판의 통과 구멍을 상방으로부터 바라본 평면도의 일례.
도 7은 타겟으로부터 방출되는 스퍼터 입자의 궤적을 모식적으로 도시하는 도면.
도 8은 제 1 변형예에 따른 기판 처리 장치에 있어서의 타겟으로부터 방출되는 스퍼터 입자의 궤적을 모식적으로 도시하는 도면.
도 9는 제 2 변형예에 따른 기판 처리 장치에 있어서의 타겟으로부터 방출되는 스퍼터 입자의 궤적을 모식적으로 도시하는 도면.
도 10은 제 3 실시형태에 따른 기판 처리 장치에 있어서의 스퍼터 입자 차폐판 및 타겟으로부터 방출되는 스퍼터 입자의 궤적을 모식적으로 도시하는 도면.
도 11은 스퍼터 입자 차폐판의 통과 구멍을 상방으로부터 바라본 평면도의 일례.
도 12는 기판의 볼록부에 입사하는 스퍼터 입자의 입사 방향의 일례를 도시하는 모식도.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS An example of a cross-sectional schematic diagram of the substrate processing apparatus which concerns on 1st Embodiment.
Fig. 2 is an example of a schematic cross-section AA of the substrate processing apparatus according to the first embodiment;
Fig. 3 is an example of a plan view of a passage hole of a sputtered particle shielding plate viewed from above;
Fig. 4 is a diagram schematically showing the trajectory of sputtered particles emitted from a target;
5 is an example of a schematic cross-sectional view of the substrate processing apparatus according to the second embodiment.
Fig. 6 is an example of a plan view of a passage hole of a sputtered particle shielding plate viewed from above;
Fig. 7 is a diagram schematically showing the trajectory of sputtered particles emitted from a target;
Fig. 8 is a diagram schematically showing the trajectory of sputtered particles emitted from a target in the substrate processing apparatus according to the first modification.
9 is a diagram schematically showing the trajectory of sputtered particles emitted from a target in the substrate processing apparatus according to the second modification.
Fig. 10 is a diagram schematically showing trajectories of sputtered particles emitted from a sputtered particle shielding plate and a target in the substrate processing apparatus according to the third embodiment;
Fig. 11 is an example of a plan view of a passage hole of a sputtered particle shielding plate viewed from above;
Fig. 12 is a schematic diagram showing an example of the incidence direction of sputtered particles incident on a convex portion of the substrate;

이하, 도면을 참조하여 본 개시를 실시하기 위한 형태에 대해서 설명한다. 각 도면에 있어서, 동일 구성 부분에는 동일 부호를 부여하고, 중복한 설명을 생략하는 경우가 있다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, the form for implementing this indication with reference to drawings is demonstrated. In each figure, the same code|symbol is attached|subjected to the same structural part, and the overlapping description may be abbreviate|omitted.

<제 1 실시형태><First embodiment>

제 1 실시형태에 따른 기판 처리 장치(스퍼터 장치)(1)에 대해서, 도 1 및 도 2를 이용하여 설명한다. 도 1은 제 1 실시형태에 따른 기판 처리 장치(1)의 단면 모식도의 일례이다. 도 2는 제 1 실시형태에 따른 기판 처리 장치(1)의 A-A 단면 모식도의 일례이다. 또한, 이하의 설명에 있어서, 수평한 일방향을 X방향으로 하고, 수평 또한 X방향과 직교하는 방향을 Y방향으로 하고, 수직 방향을 Z방향으로 하여 설명한다.The substrate processing apparatus (sputter apparatus) 1 which concerns on 1st Embodiment is demonstrated using FIG.1 and FIG.2. 1 is an example of a cross-sectional schematic diagram of the substrate processing apparatus 1 which concerns on 1st Embodiment. FIG. 2 is an example of a schematic A-A cross-sectional view of the substrate processing apparatus 1 according to the first embodiment. In addition, in the following description, let one horizontal direction be an X direction, let the direction orthogonal to a horizontal and X direction be a Y direction, and let a vertical direction be a Z direction, and it demonstrates.

기판 처리 장치(1)는 처리 챔버(10)와, 스퍼터 입자 차폐판(20)과, 스퍼터 입자 방출부(30a, 30b)와, 기판 지지부(40)와, 기판 이동 기구(50)와, 배기 장치(60)를 구비한다. 기판 처리 장치(1)는 예를 들면, PVD(Physical Vapor Deposition) 장치이며, 처리 챔버(10) 내에서, 스퍼터 입자 방출부(30a, 30b)로부터 방출된 스퍼터 입자(성막 원자)를 기판 지지부(40)에 탑재된 반도체 웨이퍼 등의 기판(W)의 표면에 부착시켜서 성막하는 스퍼터 장치이다.The substrate processing apparatus 1 includes a processing chamber 10 , a sputtered particle shielding plate 20 , sputtered particle discharging portions 30a and 30b , a substrate supporting portion 40 , a substrate moving mechanism 50 , and an exhaust. A device (60) is provided. The substrate processing apparatus 1 is, for example, a PVD (Physical Vapor Deposition) apparatus, and in the processing chamber 10, sputtered particles (film-forming atoms) emitted from the sputtered particle emission portions 30a and 30b are transferred to the substrate support portion ( 40) is a sputtering device that forms a film by attaching it to the surface of a substrate W such as a semiconductor wafer.

처리 챔버(10)는 상부가 개구된 챔버 본체(10a)와, 챔버 본체(10a)의 상부 개구를 막도록 마련된 덮개체(10b)를 갖는다. 덮개체(10b)는 측면이 경사면으로서 형성되어 있다. 처리 챔버(10)의 내부는, 성막 처리가 실행되는 처리 공간(S)이 된다.The processing chamber 10 has a chamber body 10a having an open top, and a cover body 10b provided to close the upper opening of the chamber body 10a. The cover body 10b is formed as a side surface as an inclined surface. The inside of the processing chamber 10 becomes a processing space S in which a film forming process is performed.

처리 챔버(10)의 바닥부에는, 배기구(11)가 형성되어 있다. 배기구(11)에는, 배기 장치(60)가 접속되어 있다. 배기 장치(60)는 압력 제어 밸브, 및 진공 펌프를 포함한다. 처리 공간(S)은 배기 장치(60)에 의해, 소정의 진공도까지 진공 배기된다.An exhaust port 11 is formed at the bottom of the processing chamber 10 . An exhaust device 60 is connected to the exhaust port 11 . The exhaust device 60 includes a pressure control valve and a vacuum pump. The processing space S is evacuated to a predetermined degree of vacuum by the exhaust device 60 .

처리 챔버(10)의 정상부에는, 처리 공간(S) 내에 가스를 도입하기 위한 가스 도입 포트(12)가 삽입되어 있다. 가스 도입 포트(12)에는, 가스 공급부(도시되지 않음)가 접속되어 있다. 가스 공급부로부터 가스 도입 포트(12)에 공급된 스퍼터 가스(예를 들면, 비활성 가스)는 처리 공간(S) 내에 도입된다.A gas introduction port 12 for introducing a gas into the processing space S is inserted at the top of the processing chamber 10 . A gas supply unit (not shown) is connected to the gas introduction port 12 . The sputtering gas (eg, inert gas) supplied from the gas supply unit to the gas introduction port 12 is introduced into the processing space S.

처리 챔버(10)의 측벽에는, 기판(W)을 반입출하기 위한 반입출구(13)가 형성되어 있다. 반입출구(13)는 게이트 밸브(14)에 의해 개폐된다. 처리 챔버(10)는 반송 챔버(80)에 인접하여 마련되어 있고, 게이트 밸브(14)가 개방되는 것에 의해, 처리 챔버(10)와 반송 챔버(80)가 연통하도록 되어 있다. 반송 챔버(80) 내는 소정의 진공도로 보지되고, 그 중에 기판(W)을 처리 챔버(10)에 대해서 반입출하기 위한 반송 장치(도시되지 않음)가 마련되어 있다.A carry-in/out port 13 for carrying in/out of the substrate W is formed on the side wall of the processing chamber 10 . The inlet/outlet 13 is opened and closed by the gate valve 14 . The processing chamber 10 is provided adjacent to the transfer chamber 80 , and when the gate valve 14 is opened, the processing chamber 10 and the transfer chamber 80 communicate with each other. The inside of the transfer chamber 80 is maintained at a predetermined degree of vacuum, and a transfer device (not shown) for carrying the substrate W into and out of the processing chamber 10 is provided.

스퍼터 입자 차폐판(20)은 대략 판 형상의 부재로서 구성되어 있고, 처리 공간(S)의 높이 방향의 중간 위치에 수평하게 배치되어 있다. 스퍼터 입자 차폐판(20)의 가장자리는 챔버 본체(10a)의 측벽에 고정되어 있다. 스퍼터 입자 차폐판(20)은 처리 공간(S)을 제 1 공간(S1)과 제 2 공간(S2)으로 구획하고 있다. 제 1 공간(S1)은 스퍼터 입자 차폐판(20)의 상방의 공간이다. 제 2 공간(S2)은 스퍼터 입자 차폐판(20)의 하방의 공간이다.The sputtered particle shielding board 20 is comprised as a substantially plate-shaped member, and is arrange|positioned horizontally at the intermediate position of the height direction of the process space S. The edge of the sputtered particle shielding plate 20 is fixed to the side wall of the chamber body 10a. The sputtered particle shielding plate 20 divides the processing space S into a first space S1 and a second space S2 . The first space S1 is a space above the sputtered particle shielding plate 20 . The second space S2 is a space below the sputtered particle shielding plate 20 .

스퍼터 입자 차폐판(20)에는, 스퍼터 입자를 통과시키는 슬릿 형상을 이루는 통과 구멍(21)이 형성되어 있다. 통과 구멍(21)은 스퍼터 입자 차폐판(20)의 판두께 방향(Z방향)으로 관통하여 있다. 통과 구멍(21)은 도면 중의 수평한 일방향인 Y방향을 길이방향으로 하여 가늘고 길게 형성되어 있다. 통과 구멍(21)의 Y방향의 길이는 기판(W)의 직경보다 길게 형성된다. 또한, 통과 구멍(21)에는, 저해판(22)이 마련되어 있다. 또한, 통과 구멍(21)에는, 통과 구멍(21)의 개구 형상(개구 면적)을 조정하기 위한 조정 부재(23a, 23b)가 마련되어 있다. 또한, 저해판(22) 및 조정 부재(23a, 23b)에 대해서는, 도 3 및 도 4를 이용하여 후술한다.The sputtered particle shielding plate 20 is provided with a passage hole 21 having a slit shape through which the sputtered particles pass. The through hole 21 penetrates in the plate thickness direction (Z direction) of the sputtered particle shielding plate 20 . The through hole 21 is formed long and thin with the Y direction, which is one horizontal direction in the drawing, as the longitudinal direction. The length in the Y direction of the through hole 21 is formed to be longer than the diameter of the substrate (W). In addition, the barrier plate 22 is provided in the through hole 21 . Moreover, the adjustment members 23a, 23b for adjusting the opening shape (opening area) of the through-hole 21 are provided in the through-hole 21. As shown in FIG. In addition, the inhibition plate 22 and the adjustment members 23a, 23b are mentioned later using FIG.3 and FIG.4.

스퍼터 입자 방출부(30a)는 타겟(31a)과, 타겟 홀더(32a)와, 절연 부재(33a)와, 전원(34a)과, 마그넷(35a)과, 마그넷 주사 기구(36a)를 갖는다. 또한, 스퍼터 입자 방출부(30b)는 타겟(31b)과, 타겟 홀더(32b)와, 절연 부재(33b)와, 전원(34b)과, 마그넷(35b)과, 마그넷 주사 기구(36b)를 갖는다.The sputtered particle emission part 30a has a target 31a, a target holder 32a, an insulating member 33a, a power source 34a, a magnet 35a, and a magnet injection mechanism 36a. Further, the sputtered particle emitting portion 30b has a target 31b, a target holder 32b, an insulating member 33b, a power source 34b, a magnet 35b, and a magnet injection mechanism 36b. .

타겟(31a, 31b)은 성막하려고 하는 막의 구성 원소를 포함하는 재료로 이루어지고, 도전성 재료여도 유전체 재료여도 좋다. 또한, 타겟(31a, 31b)은 동일한 재료여도 좋고, 상이한 재료여도 좋다.The targets 31a and 31b are made of a material containing the constituent elements of the film to be formed, and may be a conductive material or a dielectric material. In addition, the same material may be sufficient as the targets 31a, 31b, and different materials may be sufficient as them.

타겟 홀더(32a, 32b)는 도전성을 갖는 재료로 이루어지고, 스퍼터 입자 차폐판(20)의 상방에 배치되고, 절연 부재(33a, 33b)를 거쳐서, 처리 챔버(10)의 덮개체(10b)의 경사면의, 서로 상이한 위치에 장착되어 있다. 도 1에 도시되는 예에 있어서, 타겟 홀더(32a, 32b)는 통과 구멍(21)을 사이에 두고, 서로 대향하는 위치에 마련되어 있지만, 이에 한정하는 것이 아니고, 임의의 위치에 마련될 수 있다. 타겟 홀더(32a, 32b)는 통과 구멍(21)에 대해서 경사 상방에 타겟(31a, 31b)이 위치하도록 타겟(31a, 31b)을 보지한다.The target holders 32a and 32b are made of a conductive material, are disposed above the sputtered particle shielding plate 20 , and pass through the insulating members 33a and 33b, and the cover body 10b of the processing chamber 10 . are mounted at different positions on the inclined surface of In the example shown in FIG. 1 , the target holders 32a and 32b are provided at positions opposite to each other with the through hole 21 interposed therebetween, but the present invention is not limited thereto, and may be provided at any position. The target holders 32a and 32b hold the targets 31a and 31b so that the targets 31a and 31b are located obliquely upward with respect to the through hole 21 .

전원(34a, 34b)은 각각 타겟 홀더(32a, 32b)에 전기적으로 접속되어 있다. 전원(34a, 34b)은 타겟(31a, 31b)이 도전성 재료인 경우에는, 직류 전원이어도 좋고, 타겟(31a, 31b)이 유전성 재료인 경우에는, 고주파 전원이어도 좋다. 전원(34a, 34b)이 고주파 전원인 경우에는, 정합기를 거쳐서 타겟 홀더(32a, 32b)에 접속된다. 타겟 홀더(32a, 32b)에 전압이 인가되는 것에 의해, 타겟(31a, 31b)의 주위에서 스퍼터 가스가 해리(解離)한다. 그리고, 해리한 스퍼터 가스 중 이온이 타겟(31a, 31b)에 충돌하고, 타겟(31a, 31b)으로부터 그 구성 재료의 입자인 스퍼터 입자가 방출된다.The power sources 34a and 34b are electrically connected to the target holders 32a and 32b, respectively. The power sources 34a and 34b may be a direct current power source when the targets 31a and 31b are made of a conductive material, or a high frequency power source when the targets 31a and 31b are made of a dielectric material. When the power sources 34a and 34b are high-frequency power sources, they are connected to the target holders 32a and 32b via a matching device. When a voltage is applied to the target holders 32a and 32b, the sputtering gas dissociates around the targets 31a and 31b. Then, ions in the dissociated sputtering gas collide with the targets 31a and 31b, and sputter particles that are particles of the constituent material are emitted from the targets 31a and 31b.

마그넷(35a, 35b)은 타겟 홀더(32a, 32b)의 이면측에 배치되고, 마그넷 주사 기구(36a, 36b)에 의해서 Y방향으로 왕복 운동(요동)할 수 있도록 구성되어 있다. 마그넷 주사 기구(36a, 36b)는 예를 들면, 가이드(37a, 37b)와, 구동부(38a, 38b)를 갖는다. 마그넷(35a, 35b)은 가이드(37a, 37b)에 의해 Y방향으로 왕복 운동할 수 있도록 안내되어 있다. 구동부(38a, 38b)는 가이드(37a, 37b)를 따라서, 마그넷(35a, 35b)을 왕복 운동시킨다.The magnets 35a and 35b are arranged on the back side of the target holders 32a and 32b, and are configured to be reciprocally moved (oscillated) in the Y direction by the magnet scanning mechanisms 36a and 36b. The magnet injection mechanism 36a, 36b has, for example, guides 37a, 37b and drive parts 38a, 38b. The magnets 35a and 35b are guided so as to reciprocate in the Y direction by the guides 37a and 37b. The driving units 38a and 38b reciprocate the magnets 35a and 35b along the guides 37a and 37b.

해리한 스퍼터 가스 중 이온은 마그넷(35a, 35b)의 자장에 의해서 인입되고, 타겟(31a, 31b)에 충돌한다. 마그넷 주사 기구(36a, 36b)가 마그넷(35a, 35b)을 Y방향으로 왕복 운동시키는 것에 의해, 이온이 타겟(31a, 31b)에 충돌하는 위치, 바꿔말하면, 스퍼터 입자가 방출되는 위치가 변화한다.Ions in the dissociated sputtering gas are drawn in by the magnetic field of the magnets 35a and 35b, and collide with the targets 31a and 31b. When the magnet scanning mechanisms 36a and 36b reciprocate the magnets 35a and 35b in the Y direction, the position at which the ions collide with the targets 31a and 31b, in other words, the position at which the sputtered particles are emitted changes. .

기판 지지부(40)는 처리 챔버(10)의 챔버 본체(10a) 내에 마련되고, 지지 핀(41)을 거쳐서 기판(W)을 수평하게 지지한다. 기판 지지부(40)는 기판 이동 기구(50)에 의해 수평한 일방향인 X방향으로 직선적으로 이동 가능하게 되어 있다. 따라서, 기판 지지부(40)에 지지되는 기판(W)은 기판 이동 기구(50)에 의해 수평면 내에서 직선 이동된다. 기판 이동 기구(50)는 다관절 아암부(51)와, 구동부(52)를 갖고 있고, 구동부(52)에 의해 다관절 아암부(51)를 구동하는 것에 의해, 기판 지지부(40)를 X방향으로 이동 가능하게 되어 있다.The substrate support part 40 is provided in the chamber body 10a of the processing chamber 10 and horizontally supports the substrate W via the support pins 41 . The board|substrate support part 40 is linearly movable in the X direction which is one horizontal direction by the board|substrate moving mechanism 50. Accordingly, the substrate W supported by the substrate support unit 40 is linearly moved in the horizontal plane by the substrate moving mechanism 50 . The substrate moving mechanism 50 has an articulated arm unit 51 and a driving unit 52 , and by driving the articulated arm unit 51 by the driving unit 52 , the substrate support unit 40 is moved to the X It is movable in the direction.

즉, 마그넷(35a, 35b)의 이동 방향(Y방향)과, 기판(W)의 이동 방향(X방향)은 직교하여 있다. 또한, 스퍼터 입자 방출부(30a)와 스퍼터 입자 방출부(30b)는 기판(W)의 이동 방향(X방향)으로 바라볼 때, 양단에 배치되어 있다.That is, the moving direction (Y direction) of the magnets 35a, 35b and the moving direction (X direction) of the board|substrate W are orthogonal to each other. In addition, the sputtered particle emitting part 30a and the sputtered particle emitting part 30b are disposed at both ends when viewed in the moving direction (X direction) of the substrate W.

제어부(70)는 컴퓨터로 이루어져 있고, 기판 처리 장치(1)의 각 구성부, 예를 들면, 전원(34a, 34b), 구동부(38a, 38b), 구동부(52), 배기 장치(60) 등을 제어한다. 제어부(70)는 실제로 이들의 제어를 실행하는 CPU로 이루어지는 주 제어부와, 입력 장치, 출력 장치, 표시 장치, 기억 장치를 갖고 있다. 기억 장치에는, 기판 처리 장치(1)에서 실행되는 각종 처리의 파라미터가 기억되어 있고, 또한, 기판 처리 장치(1)에서 실행되는 처리를 제어하기 위한 프로그램, 즉, 처리 레시피가 격납된 기억 매체가 세트되도록 되어 있다. 제어부(70)의 주 제어부는 기억 매체에 기억되어 있는 소정의 처리 레시피를 호출하고, 그 처리 레시피에 근거하여 기판 처리 장치(1)에 소정의 처리를 실행시킨다.The control unit 70 is composed of a computer, and each component of the substrate processing apparatus 1, for example, the power supply 34a, 34b, the driving units 38a, 38b, the driving unit 52, the exhaust device 60, etc. to control The control unit 70 has a main control unit composed of a CPU that actually executes these controls, an input device, an output device, a display device, and a storage device. In the storage device, parameters of various processes executed by the substrate processing apparatus 1 are stored, and a program for controlling the processing executed by the substrate processing apparatus 1 , that is, a storage medium storing a processing recipe is stored in the storage device. is to be set. The main control unit of the control unit 70 calls a predetermined processing recipe stored in the storage medium, and causes the substrate processing apparatus 1 to execute the predetermined processing based on the processing recipe.

다음에, 제 1 실시형태에 따른 기판 처리 장치(1)에 있어서의 성막 방법에 대해서 설명한다.Next, the film-forming method in the substrate processing apparatus 1 which concerns on 1st Embodiment is demonstrated.

우선, 처리 챔버(10) 내의 처리 공간(S)을 배기한 후, 가스 도입 포트(12)로부터 처리 공간(S)에 스퍼터 가스(예를 들면, 비활성 가스)를 도입하여 소정 압력으로 조압(調壓)한다.First, after evacuating the processing space S in the processing chamber 10 , a sputtering gas (eg, inert gas) is introduced into the processing space S from the gas introduction port 12 to adjust the pressure to a predetermined pressure.壓) do.

그 다음에, 기판 지지부(40)를 기판 주고받음 위치에 위치시키고, 게이트 밸브(14)를 개방하고, 반송 챔버(80)의 반송 장치(도시되지 않음)에 의해, 기판(W)을 기판 지지부(40)(지지 핀(41) 상)에 탑재한다. 그 다음에, 반송 장치를 반송 챔버(80)로 되돌리고, 게이트 밸브(14)를 폐쇄한다.Then, the substrate support part 40 is placed in the substrate transfer position, the gate valve 14 is opened, and the substrate W is transferred to the substrate support part by a transfer device (not shown) of the transfer chamber 80 . It is mounted on (40) (on the support pin 41). Then, the conveying apparatus is returned to the conveying chamber 80, and the gate valve 14 is closed.

그 다음에, 제어부(70)는 기판 이동 기구(50)(구동부(52))를 제어하여, 기판 지지부(40) 상의 기판(W)을 X방향으로 이동시키는 동시에, 스퍼터 입자 방출부(30a, 30b)(전원(34a, 34b), 구동부(38a, 38b))를 제어하여, 타겟(31a, 31b)으로부터 스퍼터 입자를 비스듬하게 방출시킨다.Then, the control unit 70 controls the substrate moving mechanism 50 (the driving unit 52) to move the substrate W on the substrate support unit 40 in the X direction, and at the same time, the sputtered particle discharging unit 30a, 30b) (power supply 34a, 34b, drive part 38a, 38b) is controlled, and the sputter|spatter particle is emitted obliquely from target 31a, 31b.

본 명세서에서, 스퍼터 입자의 방출은 전원(34a, 34b)으로부터 타겟 홀더(32a, 32b)에 전압을 인가하여, 타겟(31a, 31b)의 주위에서 해리한 스퍼터 가스 중 이온이 타겟(31a, 31b)에 충돌하는 것에 의해 된다. 또한, 마그넷 주사 기구(36a, 36b)에 의해 마그넷(35a, 35b)이 Y방향으로 왕복 운동함으로써, 이온이 타겟(31a, 31b)에 충돌하는 위치, 바꿔말하면, 스퍼터 입자의 방출되는 위치가 변화한다.In this specification, the emission of sputtered particles applies a voltage to the target holders 32a and 32b from the power sources 34a and 34b, so that ions in the sputtering gas dissociated around the targets 31a and 31b are generated by the targets 31a and 31b. ) by colliding with Further, by reciprocating the magnets 35a and 35b in the Y direction by the magnet scanning mechanisms 36a and 36b, the position at which ions collide with the targets 31a and 31b, in other words, the position where the sputtered particles are emitted changes. do.

스퍼터 입자 방출부(30a, 30b)의 타겟(31a, 31b)으로부터 비스듬하게 방출된 스퍼터 입자는 스퍼터 입자 차폐판(20)에 형성된 통과 구멍(21)을 통과하여 기판(W)에 비스듬하게 입사되고, 기판(W) 상에 퇴적된다.The sputtered particles obliquely emitted from the targets 31a and 31b of the sputtered particle emitting units 30a and 30b pass through the through hole 21 formed in the sputtered particle shielding plate 20 and are incident on the substrate W obliquely and , deposited on the substrate W.

도 3은 스퍼터 입자 차폐판(20)의 통과 구멍(21)을 상방으로부터 바라본 평면도의 일례이다. 또한, 도 3에 있어서, 타겟(31a, 31b)을 스퍼터 입자 차폐판(20) 상에 투영한 위치를 파선으로 나타내고 있다. 또한, 저해판(22)을 스퍼터 입자 차폐판(20) 상에 투영한 위치를 파선으로 나타내고 있다. 또한, 기판 이동 기구(50)에 의해 반송되는 기판(W)의 일례를 이점 쇄선으로 나타내고 있다. 또한, 기판 이동 기구(50)에 의해 반송되는 기판(W)의 반송 경로의 궤적(500)의 일례를 이점 쇄선으로 나타내고 있다.3 : is an example of the top view which looked at the passage hole 21 of the sputter|spatter particle shielding plate 20 from upper direction. In addition, in FIG. 3, the position which projected the targets 31a, 31b on the sputtering particle shielding plate 20 is shown with the broken line. In addition, the position where the inhibition plate 22 was projected on the sputtered particle shielding plate 20 is shown by the broken line. In addition, an example of the board|substrate W conveyed by the board|substrate moving mechanism 50 is shown by the double-dotted line. In addition, an example of the locus|trajectory 500 of the conveyance path|route of the board|substrate W conveyed by the board|substrate moving mechanism 50 is shown by the double-dotted line.

통과 구멍(21)은 Y방향으로 신장되는 에지(101, 102)와, X방향으로 신장되는 에지(103, 104)에 의해서 형성되는 대략 장방형 형상을 갖고 있다. 에지(101, 102)는 기판(W)의 반송 경로의 궤적(500)과 교차하는 에지이다. 또한, 에지(101)는 통과 구멍(21)의 중심보다 타겟(31a)의 측에 형성되어 있다. 에지(102)는 통과 구멍(21)의 중심보다 타겟(31b)의 측에 형성되어 있다. 에지(103, 104)는 기판(W)의 반송 방향과 동일 방향으로 신장되는 에지이며, 기판(W)의 반송 경로의 궤적(500)보다 외측에 형성되어 있다.The through hole 21 has a substantially rectangular shape formed by the edges 101 and 102 extending in the Y direction and the edges 103 and 104 extending in the X direction. The edges 101 , 102 are edges that intersect the trajectory 500 of the transport path of the substrate W . Moreover, the edge 101 is formed in the side of the target 31a rather than the center of the through-hole 21. As shown in FIG. The edge 102 is formed on the side of the target 31b rather than the center of the through hole 21. As shown in FIG. The edges 103 and 104 are edges extending in the same direction as the transport direction of the substrate W, and are formed outside the trajectory 500 of the transport path of the substrate W.

에지(101)에는, 조정 부재(23a)가 마련되어 있다. 조정 부재(23a)는 예를 들면, 에지(101)로부터 통과 구멍(21)을 향해 돌출하도록 배치되는 것에 의해, 통과 구멍(21)의 개구 형상(개구 면적)을 조정한다. 또한, 에지(102)에는, 조정 부재(23b)가 마련되어 있다. 조정 부재(23b)는 예를 들면, 에지(102)로부터 통과 구멍(21)을 향해서 돌출하도록 배치되는 것에 의해, 통과 구멍(21)의 개구 형상(개구 면적)을 조정한다.The edge 101 is provided with an adjustment member 23a. The adjustment member 23a adjusts the opening shape (opening area) of the through-hole 21 by being arrange|positioned so that it may protrude toward the through-hole 21 from the edge 101, for example. Moreover, the edge 102 is provided with the adjustment member 23b. The adjusting member 23b adjusts the opening shape (opening area) of the through-hole 21 by being arrange|positioned so that it may protrude toward the through-hole 21 from the edge 102, for example.

저해판(22)은 통과 구멍(21)을 분할하도록 배치된다. 예를 들어, 조정 부재(23a)가 마련되는 에지(101)와, 조정 부재(23b)가 마련되는 에지(102)를 분할하도록 Y방향으로 신장되는 판으로서 배치되어 있다.The inhibition plate 22 is arranged to divide the through hole 21 . For example, it is arranged as a plate extending in the Y direction so as to divide the edge 101 on which the adjustment member 23a is provided and the edge 102 where the adjustment member 23b is provided.

도 4는 타겟(31a)으로부터 방출되는 스퍼터 입자의 궤적을 모식적으로 도시하는 도면이다. 또한, 도 4에 있어서는, 조정 부재(23a, 23b)의 도시를 생략하고 있다.4 : is a figure which shows typically the trajectory of the sputter|spatter particle emitted from the target 31a. In addition, in FIG. 4, illustration of the adjustment members 23a, 23b is abbreviate|omitted.

저해판(22)은 통과 구멍(21)을, 개구 영역(201) 및 개구 영역(202)으로 분할한다. 이에 의해, 도 4의 파선으로 나타내는 바와 같이, 타겟(31a)으로부터 방출된 스퍼터 입자는 에지(101)와 저해판(22) 사이에 형성되는 개구 영역(201)을 통과하여, 기판(W)에 입사한다. 마찬가지로, 타겟(31b)으로부터 방출된 스퍼터 입자는 에지(102)와 저해판(22) 사이에 형성되는 개구 영역(202)을 통과하여, 기판(W)에 입사한다.The inhibition plate 22 divides the passage hole 21 into an opening region 201 and an opening region 202 . As a result, as shown by the broken line in FIG. 4 , the sputtered particles emitted from the target 31a pass through the opening region 201 formed between the edge 101 and the inhibition plate 22 to reach the substrate W. enter the company Similarly, the sputtered particles emitted from the target 31b pass through the opening region 202 formed between the edge 102 and the inhibition plate 22 to be incident on the substrate W.

이러한 구성에 의하면, 에지(101)의 조정 부재(23a)를 조정하는 것의 의해, 타겟(31a)으로부터 방출되는 스퍼터 입자에 의한 성막의 막두께 분포를 조정할 수 있다. 또한, 에지(102)의 조정 부재(23b)를 조정하는 것에 의해, 타겟(31b)으로부터 방출되는 스퍼터 입자에 의한 성막의 막두께 분포를 조정할 수 있다. 즉, 타겟(31a, 31b)에 의한 성막을 각각 독립하여 조정(제어)할 수 있다.According to this structure, by adjusting the adjustment member 23a of the edge 101, the film-thickness distribution of the film-forming by the sputtering particle|grains emitted from the target 31a can be adjusted. Moreover, by adjusting the adjustment member 23b of the edge 102, the film-thickness distribution of the film-forming by the sputter|spatter particle emitted from the target 31b can be adjusted. That is, film formation by the targets 31a and 31b can be adjusted (controlled) independently of each other.

바꿔말하면, 도 4의 이점 쇄선으로 나타내는 바와 같이, 저해판(22)은 타겟(31a)에서 바라볼 때, 에지(102)를 감추도록 배치된다. 마찬가지로, 저해판(22)은 타겟(31b)에서 바라볼 때, 에지(101)를 감추도록 배치된다. 이러한 구성에 의해, 에지(102)의 조정 부재(23b)를 조정해도, 타겟(31a)으로부터 방출되는 스퍼터 입자에 의한 성막에 영향을 미치는 것을 저지할 수 있다. 또한, 에지(101)의 조정 부재(23a)를 조정해도, 타겟(31b)으로부터 방출되는 스퍼터 입자에 의한 성막에 영향을 미치는 것을 저지할 수 있다. 즉, 타겟(31a, 31b)에 의한 성막을 각각 독립하여 조정(제어)할 수 있다.In other words, as indicated by the dashed-dotted line in FIG. 4 , the inhibition plate 22 is disposed so as to hide the edge 102 when viewed from the target 31a. Likewise, the inhibition plate 22 is arranged to hide the edge 101 when viewed from the target 31b. With this structure, even when the adjustment member 23b of the edge 102 is adjusted, it can be prevented from affecting the film formation by the sputtered particles emitted from the target 31a. Moreover, even if it adjusts the adjustment member 23a of the edge 101, it can prevent influence on the film-forming by the sputter|spatter particle discharged|emitted from the target 31b. That is, film formation by the targets 31a and 31b can be adjusted (controlled) independently of each other.

또한, 저해판(22)은 타겟(31a)에서 바라볼 때 에지(102)를 감추도록 배치되고, 또한, 타겟(31b)에서 바라볼 때 에지(101)를 감추도록 배치되어 있으면 좋다. 이 때문에, 저해판(22)의 하단은 스퍼터 입자 차폐판(20)의 상면보다 위에 형성되어 있어도 좋고, 통과 구멍(21)을 통해서 스퍼터 입자 차폐판(20)의 하면보다 아래까지 형성되어 있어도 좋다. 또한, 스퍼터 입자 차폐판(20)의 하면보다 아래까지 형성하면, 기판(W)에 입사하는 스퍼터 입자가 줄어들고, 성막 레이트가 저하한다. 이 때문에, 성막 레이트의 점에 있어서는, 저해판(22)의 하단은 스퍼터 입자 차폐판(20)의 상면보다 위에 형성되는 것이 바람직하다.In addition, the inhibition plate 22 should just be arrange|positioned so that the edge 102 may be hidden when seen from the target 31a, and it may be arrange|positioned so that the edge 101 may be hidden when seen from the target 31b. For this reason, the lower end of the inhibition plate 22 may be formed above the upper surface of the sputtered particle shielding plate 20 , or may be formed to a lower surface than the lower surface of the sputtered particle shielding plate 20 through the through hole 21 . . In addition, when it is formed below the lower surface of the sputtering particle shielding plate 20, the sputtered particle which injects into the board|substrate W decreases, and the film-forming rate falls. For this reason, in terms of film formation rate, it is preferable that the lower end of the inhibition plate 22 is formed above the upper surface of the sputtered particle shielding plate 20 .

또한, 저해판(22)은 에지(101, 102) 중, 타겟(31a)에서 바라볼 때 먼 측의 에지(102)를 감추도록 배치된다. 또한, 저해판(22)은 에지(101, 102) 중, 타겟(31b)에서 바라볼 때 먼 측의 에지(101)를 감추도록 배치된다. 이 때문에, 저해판(22)은 타겟(31a, 31b)으로부터 기판(W)으로 입사하는 스퍼터 입자 중, 입사각이 낮은 성분을 차단한다. 이에 의해, 저해판(22)은 스퍼터 입자의 입사각을 제한할 수 있다.In addition, the inhibition plate 22 is disposed so as to hide the edge 102 on the far side when viewed from the target 31a among the edges 101 and 102 . In addition, the inhibition plate 22 is arranged so as to hide the edge 101 on the far side when viewed from the target 31b among the edges 101 and 102 . For this reason, the inhibition plate 22 blocks the component with a low incidence angle among the sputtered particles which inject into the board|substrate W from the targets 31a, 31b. Thereby, the inhibition plate 22 can limit the incident angle of the sputtered particles.

<제 2 실시형태><Second embodiment>

제 2 실시형태에 따른 기판 처리 장치(스퍼터 장치)(1A)에 대해서, 도 5를 이용하여 설명한다. 도 5는 제 2 실시형태에 따른 기판 처리 장치(1A)의 단면 모식도의 일례이다. 본 명세서에서, 제 2 실시형태에 따른 기판 처리 장치(1A)는 제 1 실시형태에 따른 기판 처리 장치(1)(도 1 참조)와 비교하여, 스퍼터 입자 차폐판(20A)의 구성이 상이하여 있다. 그 외의 구성은 마찬가지이며, 중복하는 설명을 생략한다.A substrate processing apparatus (sputtering apparatus) 1A according to a second embodiment will be described with reference to FIG. 5 . 5 is an example of a schematic cross-sectional view of the substrate processing apparatus 1A according to the second embodiment. In this specification, the substrate processing apparatus 1A according to the second embodiment is different from the substrate processing apparatus 1 (refer to FIG. 1) according to the first embodiment in the configuration of the sputtered particle shielding plate 20A. have. Other structures are the same, and overlapping description is abbreviate|omitted.

스퍼터 입자 차폐판(20A)에는, 스퍼터 입자를 통과시키는 통과 구멍(21)이 형성되어 있다. 구체적으로는, 통과 구멍(21)은 슬릿 형상을 이루는 2개의 통과 구멍(21a, 21b)으로서 형성되어 있다. 통과 구멍(21a, 21b)은 스퍼터 입자 차폐판(20A)의 판두께 방향(Z방향)으로 관통하여 있다. 통과 구멍(21a, 21b)은 도면 중의 수평한 일방향인 Y방향을 길이방향으로 하여 가늘고 길게 형성되어 있다. 통과 구멍(21a, 21b)의 Y방향의 길이는 기판(W)의 직경보다 길게 형성된다. 또한, 통과 구멍(21a)에는, 차양 부재(24a)가 마련되어 있다. 통과 구멍(21b)에는, 차양 부재(24b)가 마련되어 있다. 통과 구멍(21a)에는, 통과 구멍(21a)의 개구 형상(개구 면적)을 조정하기 위한 조정 부재(23a)가 마련되어 있다. 통과 구멍(21b)에는, 통과 구멍(21b)의 개구 형상(개구 면적)을 조정하기 위한 조정 부재(23b)가 마련되어 있다.The sputtering particle shielding plate 20A has a passage hole 21 through which the sputtered particles pass. Specifically, the through hole 21 is formed as two through holes 21a and 21b forming a slit shape. The through holes 21a and 21b penetrate in the plate thickness direction (Z direction) of the sputtered particle shielding plate 20A. The through-holes 21a and 21b are formed long and thin with the Y-direction, which is one horizontal direction in the drawing, as the longitudinal direction. The length in the Y direction of the through holes 21a and 21b is formed to be longer than the diameter of the substrate W. As shown in FIG. Moreover, the awning member 24a is provided in the through hole 21a. A shading member 24b is provided in the passage hole 21b. The through-hole 21a is provided with the adjustment member 23a for adjusting the opening shape (opening area) of the through-hole 21a. The through-hole 21b is provided with the adjustment member 23b for adjusting the opening shape (opening area) of the through-hole 21b.

도 6은 스퍼터 입자 차폐판(20A)의 통과 구멍(21a, 21b)을 상방으로부터 바라본 평면도의 일례이다. 또한, 도 6에 있어서, 타겟(31a, 31b)을 스퍼터 입자 차폐판(20A) 상에 투영한 위치를 파선으로 나타내고 있다. 또한, 차양 부재(24a, 24b)를 스퍼터 입자 차폐판(20A) 상에 투영한 위치를 파선으로 나타내고 있다. 또한, 기판 이동 기구(50)에 의해 반송되는 기판(W)의 일례를 이점 쇄선으로 나타내고 있다. 또한, 기판 이동 기구(50)에 의해 반송되는 기판(W)의 반송 경로의 궤적(500)의 일례를 이점 쇄선으로 나타내고 있다.Fig. 6 is an example of a plan view of the passage holes 21a and 21b of the sputtered particle shielding plate 20A as viewed from above. In addition, in FIG. 6, the position which projected the targets 31a, 31b on the sputtering particle shielding board 20A is shown with the broken line. In addition, the position which projected the awning members 24a, 24b on the sputtering particle shielding plate 20A is shown with the broken line. In addition, an example of the board|substrate W conveyed by the board|substrate moving mechanism 50 is shown by the double-dotted line. In addition, an example of the locus|trajectory 500 of the conveyance path|route of the board|substrate W conveyed by the board|substrate moving mechanism 50 is shown by the double-dotted line.

통과 구멍(21a)은 Y방향으로 신장되는 에지(111, 112)와, X방향으로 신장되는 에지(113, 114)에 의해서 형성되는 대략 장방형 형상을 갖고 있다. 에지(111, 112)는 기판(W)의 반송 경로의 궤적(500)과 교차하는 에지이다. 또한, 에지(111)는 통과 구멍(21a)의 중심보다 타겟(31a)의 측에 형성되어 있다. 에지(112)는 통과 구멍(21a)의 중심보다 타겟(31b)의 측에 형성되어 있다. 에지(113, 114)는 기판(W)의 반송 방향과 동일 방향으로 신장되는 에지이며, 기판(W)의 반송 경로의 궤적(500)보다 외측에 형성되어 있다.The through hole 21a has a substantially rectangular shape formed by the edges 111 and 112 extending in the Y direction and the edges 113 and 114 extending in the X direction. The edges 111 , 112 are edges that intersect the trajectory 500 of the transport path of the substrate W . In addition, the edge 111 is formed in the side of the target 31a rather than the center of the through-hole 21a. The edge 112 is formed on the side of the target 31b rather than the center of the through hole 21a. The edges 113 and 114 are edges extending in the same direction as the transport direction of the substrate W, and are formed outside the trajectory 500 of the transport path of the substrate W.

통과 구멍(21b)은 Y방향으로 신장되는 에지(121, 122)와, X방향으로 신장되는 에지(123, 124)에 의해서 형성되는 대략 장방형 형상을 갖고 있다. 에지(121, 122)는 기판(W)의 반송 경로의 궤적(500)과 교차하는 에지이다. 또한, 에지(121)는 통과 구멍(21b)의 중심보다 타겟(31b)의 측에 형성되어 있다. 에지(122)는 통과 구멍(21b)의 중심보다 타겟(31a)의 측에 형성되어 있다. 에지(123, 124)는 기판(W)의 반송 방향과 동일 방향으로 신장되는 에지이며, 기판(W)의 반송 경로의 궤적(500)보다 외측에 형성되어 있다.The through hole 21b has a substantially rectangular shape formed by the edges 121 and 122 extending in the Y direction and the edges 123 and 124 extending in the X direction. The edges 121 , 122 are edges that intersect the trajectory 500 of the transport path of the substrate W . Moreover, the edge 121 is formed in the side of the target 31b rather than the center of the through-hole 21b. The edge 122 is formed on the side of the target 31a rather than the center of the through hole 21b. The edges 123 and 124 are edges extending in the same direction as the transport direction of the substrate W, and are formed outside the trajectory 500 of the transport path of the substrate W.

에지(111)에는, 조정 부재(23a)가 마련되어 있다. 조정 부재(23a)는 예를 들면, 에지(111)로부터 통과 구멍(21a)을 향해 돌출하도록 배치되는 것에 의해, 통과 구멍(21a)의 개구 형상(개구 면적)을 조정한다. 또한, 에지(121)에는, 조정 부재(23b)가 마련되어 있다. 조정 부재(23b)는 예를 들면, 에지(121)로부터 통과 구멍(21b)을 향해 돌출하도록 배치되는 것에 의해, 통과 구멍(21b)의 개구 형상(개구 면적)을 조정한다.The edge 111 is provided with an adjustment member 23a. The adjustment member 23a adjusts the opening shape (opening area) of the through-hole 21a by being arrange|positioned so that it may protrude toward the through-hole 21a from the edge 111, for example. Moreover, the edge 121 is provided with the adjustment member 23b. The adjustment member 23b adjusts the opening shape (opening area) of the through-hole 21b by being arrange|positioned so that it may protrude toward the through-hole 21b from the edge 121, for example.

차양 부재(24a)는 스퍼터 입자 차폐판(20A)과 이격되어 배치되는 판부(24a1)와, 스퍼터 입자 차폐판(20A)의 상면으로부터 입설(立設)되어 판부(24a1)를 지지하는 다리부(24a2)를 갖는다. 차양 부재(24a)의 판부(24a1)는 타겟(31a)에서 바라볼 때, 통과 구멍(21a)의 적어도 일부를 덮도록 배치된다.The awning member 24a includes a plate portion 24a1 that is disposed to be spaced apart from the sputtered particle shielding plate 20A, and a leg portion that stands up from the upper surface of the sputtered particle shielding plate 20A and supports the plate portion 24a1. 24a2). The plate part 24a1 of the awning member 24a is arrange|positioned so that it may cover at least a part of the passage hole 21a, when it sees from the target 31a.

또한, 차양 부재(24b)는 타겟(31b)에서 바라볼 때, 통과 구멍(21b)의 적어도 일부를 덮도록 배치된다. 차양 부재(24b)는 스퍼터 입자 차폐판(20A)과 이격되어 배치되는 판부(24b1)와, 스퍼터 입자 차폐판(20A)의 상면으로부터 입설되어 판부(24b1)를 지지하는 다리부(24b2)를 갖는다. 차양 부재(24b)의 판부(24b1)는 타겟(31b)에서 바라볼 때, 통과 구멍(21b)의 적어도 일부를 덮도록 배치된다.Further, the shading member 24b is disposed so as to cover at least a portion of the through hole 21b when viewed from the target 31b. The awning member 24b has a plate portion 24b1 disposed to be spaced apart from the sputtered particle shielding plate 20A, and a leg portion 24b2 that is erected from the upper surface of the sputtered particle shielding plate 20A to support the plate portion 24b1. . The plate part 24b1 of the awning member 24b is arrange|positioned so that it may cover at least a part of the passage hole 21b, when seen from the target 31b.

도 7은 타겟(31a)으로부터 방출되는 스퍼터 입자의 궤적을 모식적으로 도시하는 도면이다. 또한, 도 7에 있어서는, 조정 부재(23a, 23b)의 도시를 생략하고 있다.7 : is a figure which shows typically the trajectory of the sputter|spatter particle emitted from the target 31a. In addition, in FIG. 7, illustration of the adjustment members 23a, 23b is abbreviate|omitted.

차양 부재(24a, 24b)는 통과 구멍(21)(21a, 21b)을, 개구 영역(203) 및 개구 영역(204)으로 분할한다. 이에 의해, 도 7의 파선으로 나타내는 바와 같이, 타겟(31a)으로부터 방출된 스퍼터 입자는 에지(121)와 에지(122) 사이에 형성되는 개구 영역(203)을 통과하여, 기판(W)에 입사한다. 마찬가지로, 타겟(31b)으로부터 방출된 스퍼터 입자는 에지(111)와 에지(112) 사이에 형성되는 개구 영역(204)을 통과하여, 기판(W)에 입사한다.The shading members 24a and 24b divide the through holes 21 ( 21a , 21b ) into an opening region 203 and an opening region 204 . As a result, as shown by the broken line in FIG. 7 , the sputtered particles emitted from the target 31a pass through the opening region 203 formed between the edge 121 and the edge 122 and are incident on the substrate W. do. Similarly, the sputtered particles emitted from the target 31b pass through the opening region 204 formed between the edge 111 and the edge 112 to be incident on the substrate W.

이러한 구성에 의하면, 에지(111)의 조정 부재(23a)를 조정하는 것에 의해, 타겟(31b)으로부터 방출되는 스퍼터 입자에 의한 성막의 막두께 분포를 조정할 수 있다. 또한, 에지(121)의 조정 부재(23b)를 조정하는 것에 의해, 타겟(31a)으로부터 방출되는 스퍼터 입자에 의한 성막의 막두께 분포를 조정할 수 있다. 즉, 타겟(31a, 31b)에 의한 성막을 각각 독립하여 조정(제어)할 수 있다.According to this structure, by adjusting the adjustment member 23a of the edge 111, the film-thickness distribution of the film-forming by the sputtering particle|grains emitted from the target 31b can be adjusted. Moreover, by adjusting the adjustment member 23b of the edge 121, the film thickness distribution of the film-forming by the sputter|spatter particle emitted from the target 31a can be adjusted. That is, film formation by the targets 31a and 31b can be adjusted (controlled) independently of each other.

바꿔말하면, 도 7의 이점 쇄선으로 나타내는 바와 같이, 차양 부재(24a)는 타겟(31a)에서 바라볼 때, 에지(111)를 감추도록 배치된다. 이러한 구성에 의해, 에지(111)의 조정 부재(23a)를 조정해도, 타겟(31a)으로부터 방출되는 스퍼터 입자에 의한 성막에 영향을 미치는 것을 저지할 수 있다. 또한, 차양 부재(24b)는 타겟(31b)에서 바라볼 때, 에지(121)를 감추도록 배치된다. 이러한 구성에 의해, 에지(121)의 조정 부재(23b)를 조정해도, 타겟(31b)으로부터 방출되는 스퍼터 입자에 의한 성막에 영향을 미치는 것을 저지할 수 있다. 즉, 타겟(31a, 31b)에 의한 성막을 각각 독립하여 조정(제어)할 수 있다.In other words, as shown by the dashed-dotted line in FIG. 7 , the shading member 24a is disposed so as to hide the edge 111 when viewed from the target 31a. Even if it adjusts the adjustment member 23a of the edge 111 with such a structure, it can prevent influence on the film-forming by the sputter|spatter particle radiated|emitted from the target 31a. Further, the shading member 24b is arranged to hide the edge 121 when viewed from the target 31b. Even if it adjusts the adjustment member 23b of the edge 121 with such a structure, it can prevent influence on the film-forming by the sputter|spatter particle emitted from the target 31b. That is, film formation by the targets 31a and 31b can be adjusted (controlled) independently of each other.

또한, 도 7에 도시되는 예에 있어서는, 차양 부재(24a)는 타겟(31a)에서 바라볼 때, 통과 구멍(21a)을 감추고, 차양 부재(24b)는 타겟(31b)에서 바라볼 때, 통과 구멍(21b)을 감추는 것으로서 도시하고 있지만, 이에 한정되는 것은 아니다. 차양 부재(24a)는 타겟(31a)에서 바라볼 때, 조정 부재(23a)가 마련되는 에지(111)를 감추고, 차양 부재(24b)는 타겟(31b)에서 바라볼 때, 조정 부재(23b)가 마련되는 에지(121)를 감추는 구성이면 좋다. 이러한 구성에 있어서도, 타겟(31a, 31b)에 의한 성막을 각각 독립하여 조정(제어)할 수 있다.In addition, in the example shown in Fig. 7, the awning member 24a hides the passage hole 21a when viewed from the target 31a, and the awning member 24b passes through when viewed from the target 31b. Although it is shown as hiding the hole 21b, it is not limited to this. The shading member 24a, when viewed from the target 31a, conceals the edge 111 on which the adjustment member 23a is provided, and the shading member 24b, when viewed from the target 31b, the adjustment member 23b What is necessary is just a structure which hides the edge 121 in which is provided. Also in such a structure, film-forming by the targets 31a, 31b can be adjusted (controlled) independently, respectively.

또한, 제 2 실시형태에 따른 기판 처리 장치(1A)에서는, 차양 부재(24a, 24b)에 의해서 차단된 스퍼터 입자는 판부(24a1, 24b1)의 상면에 부착하여 성막한다. 이러한 구성에 의해, 판부(24a1, 24b1)의 상면에 성막된 막에서 막 박리가 생겼다고 해도, 박리된 막이 기판(W)에 부착하는 것을 방지할 수 있다.Further, in the substrate processing apparatus 1A according to the second embodiment, the sputtered particles blocked by the awning members 24a and 24b adhere to the upper surfaces of the plate portions 24a1 and 24b1 to form a film. With this structure, even if film peeling occurs in the film formed on the upper surface of the plate portions 24a1 and 24b1, it is possible to prevent the peeled film from adhering to the substrate W.

또한, 차양 부재(24a)는 에지(111, 121) 중, 타겟(31a)에서 바라볼 때 가까운 측의 에지(111)를 감추도록 배치된다. 또한, 차양 부재(24b)는 에지(111, 121) 중, 타겟(31b)에서 바라볼 때 가까운 측의 에지(121)를 감추도록 배치된다. 이 때문에, 차양 부재(24a, 24b)는 타겟(31a, 31b)으로부터 기판(W)으로 입사하는 스퍼터 입자 중, 입사각이 높은 성분을 차단한다. 이에 의해, 차양 부재(24a, 24b)는 스퍼터 입자의 입사각을 제한할 수 있다.In addition, the shading member 24a is arranged so as to hide the edge 111 of the edge 111 of the edge 111, 121 on the side closer when viewed from the target 31a. In addition, the shading member 24b is arranged so as to hide the edge 121 of the edge 121 of the edge 111, 121 on the side closer when viewed from the target 31b. For this reason, the shading members 24a, 24b block the component with a high incident angle among the sputtered particles which inject into the board|substrate W from the targets 31a, 31b. Thereby, the shading member (24a, 24b) can limit the incident angle of the sputtered particles.

이상, 기판 처리 장치(1 및 1A)에 대해서 설명했지만, 본 개시는 상기 실시형태 등으로 한정되는 것이 아니며, 특허청구범위에 기재된 본 개시의 요지의 범위 내에 있어서, 여러 가지의 변형, 개량이 가능하다.As mentioned above, although the substrate processing apparatuses 1 and 1A were demonstrated, this indication is not limited to the said embodiment etc., Within the scope of the summary of this indication as described in a claim, various deformation|transformation and improvement are possible. do.

도 1에 도시되는 저해판(22)을 갖는 기판 처리 장치(1)에 있어서, 1개의 통과 구멍(21)이 형성되는 것으로서 설명했지만, 이에 한정되는 것이 아니고, 복수의 통과 구멍(21a, 21b)이 형성되는 구성이어도 좋다. 도 8은 제 1 변형예에 따른 기판 처리 장치에 있어서의 타겟(31a)으로부터 방출되는 스퍼터 입자의 궤적을 모식적으로 도시하는 도면이다. 본 명세서에서, 제 1 변형예에 따른 기판 처리 장치는 스퍼터 입자 차폐판(20B)의 구성이 상이하여 있다. 그 외의 구성은 마찬가지이며, 중복하는 설명을 생략한다.In the substrate processing apparatus 1 with the inhibition plate 22 shown in FIG. 1, although it demonstrated as that one through-hole 21 was formed, it is not limited to this, The some through-hole 21a, 21b This configuration may be formed. FIG. 8 is a diagram schematically showing the trajectory of sputtered particles emitted from the target 31a in the substrate processing apparatus according to the first modification. In the present specification, the substrate processing apparatus according to the first modification has a different configuration of the sputtered particle shielding plate 20B. Other structures are the same, and overlapping description is abbreviate|omitted.

스퍼터 입자 차폐판(20B)에는, 스퍼터 입자를 통과시키는 통과 구멍(21)이 형성되어 있다. 구체적으로는, 통과 구멍(21)은 슬릿 형상을 이루는 2개의 통과 구멍(21a, 21b)으로서 형성되어 있다. 또한, 통과 구멍(21a)에는, 통과 구멍(21a)의 개구 형상(개구 면적)을 조정하기 위한 조정 부재(도 8에 있어서 도시되지 않음)가 마련되어 있다. 통과 구멍(21b)에는, 통과 구멍(21b)의 개구 형상(개구 면적)을 조정하기 위한 조정 부재(도 8에 있어서 도시되지 않음)가 마련되어 있다.The sputtering particle shielding plate 20B is provided with a passage hole 21 through which the sputtered particles pass. Specifically, the through hole 21 is formed as two through holes 21a and 21b forming a slit shape. Moreover, the adjustment member (not shown in FIG. 8) for adjusting the opening shape (opening area) of the through-hole 21a is provided in the through-hole 21a. The through-hole 21b is provided with the adjustment member (not shown in FIG. 8) for adjusting the opening shape (opening area) of the through-hole 21b.

저해판(22)은 통과 구멍(21)을, 개구 영역(203) 및 개구 영역(204)으로 분할한다. 이에 의해, 도 8의 파선으로 나타내는 바와 같이, 타겟(31a)으로부터 방출된 스퍼터 입자는 에지(111)와 에지(112) 사이에 형성되는 개구 영역(204)을 통과하여, 기판(W)에 입사한다. 마찬가지로, 타겟(31b)으로부터 방출된 스퍼터 입자는 에지(121)와 에지(122) 사이에 형성되는 개구 영역(203)을 통과하여, 기판(W)에 입사한다.The inhibition plate 22 divides the passage hole 21 into an opening region 203 and an opening region 204 . As a result, as shown by the broken line in FIG. 8 , the sputtered particles emitted from the target 31a pass through the opening region 204 formed between the edge 111 and the edge 112 and are incident on the substrate W do. Similarly, the sputtered particles emitted from the target 31b pass through the opening region 203 formed between the edge 121 and the edge 122 to be incident on the substrate W.

이러한 구성에 의하면, 에지(111)의 조정 부재를 조정하는 것에 의해, 타겟(31a)으로부터 방출되는 스퍼터 입자에 의한 성막의 막두께 분포를 조정할 수 있다. 또한, 에지(121)의 조정 부재를 조정하는 것에 의해, 타겟(31b)으로부터 방출되는 스퍼터 입자에 의한 성막의 막두께 분포를 조정할 수 있다. 즉, 타겟(31a, 31b)에 의한 성막을 각각 독립하여 조정(제어)할 수 있다.According to such a structure, the film-thickness distribution of the film-forming by the sputter|spatter particle discharge|released from the target 31a can be adjusted by adjusting the adjustment member of the edge 111. Moreover, by adjusting the adjustment member of the edge 121, the film-thickness distribution of the film-forming by the sputter|spatter particle discharged|emitted from the target 31b can be adjusted. That is, film formation by the targets 31a and 31b can be adjusted (controlled) independently of each other.

바꿔말하면, 도 8의 이점 쇄선으로 나타내는 바와 같이, 저해판(22)은 타겟(31a)에서 바라볼 때, 에지(121)를 감추도록 배치된다. 이러한 구성에 의해, 에지(121)의 조정 부재를 조정해도, 타겟(31a)으로부터 방출되는 스퍼터 입자에 의한 성막에 영향을 미치는 것을 저지할 수 있다. 또한, 저해판(22)은 타겟(31b)에서 바라볼 때, 에지(111)를 감추도록 배치된다. 이러한 구성에 의해, 에지(111)의 조정 부재를 조정해도, 타겟(31b)으로부터 방출되는 스퍼터 입자에 의한 성막에 영향을 미치는 것을 저지할 수 있다. 즉, 타겟(31a, 31b)에 의한 성막을 각각 독립하여 조정(제어)할 수 있다.In other words, as indicated by the dashed-dotted line in FIG. 8 , the inhibition plate 22 is disposed so as to hide the edge 121 when viewed from the target 31a. Even if it adjusts the adjustment member of the edge 121 by such a structure, it can prevent influence on the film-forming by the sputter|spatter particle discharged|emitted from the target 31a. In addition, the inhibition plate 22 is disposed so as to hide the edge 111 when viewed from the target 31b. With this configuration, even if the adjustment member of the edge 111 is adjusted, it can be prevented from affecting the film formation by the sputtered particles emitted from the target 31b. That is, film formation by the targets 31a and 31b can be adjusted (controlled) independently of each other.

도 5에 도시되는 차양 부재(24a, 24b)를 갖는 기판 처리 장치(1A)에 있어서, 복수의 통과 구멍(21)(21a, 21b)이 형성되는 것으로서 설명했지만, 이에 한정되는 것이 아니고, 1개의 통과 구멍(21)이 형성되는 구성이어도 좋다. 도 9는 제 2 변형예에 따른 기판 처리 장치에 있어서의 타겟(31a, 31b)으로부터 방출되는 스퍼터 입자의 궤적을 모식적으로 도시하는 도면이다. 본 명세서에서, 제 2 변형예에 따른 기판 처리 장치는 스퍼터 입자 차폐판(20C)의 구성이 상이하여 있다. 그 외의 구성은 마찬가지이며, 중복하는 설명을 생략한다.In the substrate processing apparatus 1A having the awning members 24a and 24b shown in FIG. 5 , the plurality of through holes 21 ( 21a , 21b ) have been described as being formed, but it is not limited thereto, and one The structure in which the through hole 21 is formed may be sufficient. 9 is a diagram schematically showing the trajectories of sputtered particles emitted from the targets 31a and 31b in the substrate processing apparatus according to the second modification. In the present specification, the substrate processing apparatus according to the second modification has a different configuration of the sputtered particle shielding plate 20C. Other structures are the same, and overlapping description is abbreviate|omitted.

스퍼터 입자 차폐판(20C)에는, 스퍼터 입자를 통과시키는 슬릿 형상을 이루는 통과 구멍(21)이 형성되어 있다. 또한, 통과 구멍(21)의 에지(101)에는, 통과 구멍(21)의 개구 형상(개구 면적)을 조정하기 위한 조정 부재(도 9에 있어서 도시되지 않음)가 마련되어 있다. 통과 구멍(21)의 에지(102)에는, 통과 구멍(21)의 개구 형상(개구 면적)을 조정하기 위한 조정 부재(도 9에 있어서 도시되지 않음)가 마련되어 있다.The sputtering particle shielding plate 20C is provided with a passage hole 21 having a slit shape through which the sputtered particles pass. Moreover, the edge 101 of the through hole 21 is provided with the adjustment member (not shown in FIG. 9) for adjusting the opening shape (opening area) of the through hole 21. As shown in FIG. The edge 102 of the through hole 21 is provided with an adjustment member (not shown in FIG. 9 ) for adjusting the opening shape (opening area) of the through hole 21 .

차양 부재(24a, 24b)는 통과 구멍(21)을, 개구 영역(205) 및 개구 영역(206)으로 분할한다. 이에 의해, 도 9의 파선으로 나타내는 바와 같이, 타겟(31a)으로부터 방출된 스퍼터 입자는 에지(102)와 차양 부재(24a) 사이에 형성되는 개구 영역(205)을 통과하여, 기판(W)에 입사한다. 마찬가지로, 타겟(31b)으로부터 방출된 스퍼터 입자는 에지(101)와 차양 부재(24b) 사이에 형성되는 개구 영역(206)을 통과하여, 기판(W)에 입사한다.The shading members 24a and 24b divide the through hole 21 into an opening region 205 and an opening region 206 . As a result, as shown by the broken line in FIG. 9 , the sputtered particles emitted from the target 31a pass through the opening region 205 formed between the edge 102 and the shading member 24a to the substrate W. enter the company Similarly, the sputtered particles emitted from the target 31b pass through the opening region 206 formed between the edge 101 and the shading member 24b, and enter the substrate W.

이러한 구성에 의하면, 에지(101)의 조정 부재를 조정하는 것에 의해, 타겟(31b)으로부터 방출되는 스퍼터 입자에 의한 성막의 막두께 분포를 조정할 수 있다. 또한, 에지(102)의 조정 부재를 조정하는 것에 의해, 타겟(31a)으로부터 방출되는 스퍼터 입자에 의한 성막의 막두께 분포를 조정할 수 있다. 즉, 타겟(31a, 31b)에 의한 성막을 각각 독립하여 조정(제어)할 수 있다.According to this structure, by adjusting the adjustment member of the edge 101, the film thickness distribution of the film-forming by the sputter|spatter particle emitted from the target 31b can be adjusted. Moreover, by adjusting the adjustment member of the edge 102, the film-thickness distribution of the film-forming by the sputter|spatter particle emitted from the target 31a can be adjusted. That is, film formation by the targets 31a and 31b can be adjusted (controlled) independently of each other.

바꿔말하면, 도 9의 이점 쇄선으로 나타내는 바와 같이, 차양 부재(24a)는 타겟(31a)에서 바라볼 때, 에지(101)를 감추도록 배치된다. 이러한 구성에 의해, 에지(101)의 조정 부재를 조정해도, 타겟(31a)으로부터 방출되는 스퍼터 입자에 의한 성막에 영향을 미치는 것을 저지할 수 있다. 또한, 차양 부재(24b)는 타겟(31b)에서 바라볼 때, 에지(102)를 감추도록 배치된다. 이러한 구성에 의해, 에지(102)의 조정 부재를 조정해도, 타겟(31b)으로부터 방출되는 스퍼터 입자에 의한 성막에 영향을 미치는 것을 저지할 수 있다. 즉, 타겟(31a, 31b)에 의한 성막을 각각 독립하여 조정(제어)할 수 있다.In other words, as indicated by the dashed-dotted line in FIG. 9 , the shading member 24a is disposed so as to hide the edge 101 when viewed from the target 31a. Even if it adjusts the adjustment member of the edge 101 with such a structure, it can prevent influence on the film-forming by the sputter|spatter particle discharged|emitted from the target 31a. Also, the shading member 24b is arranged to hide the edge 102 when viewed from the target 31b. With such a configuration, even if the adjustment member of the edge 102 is adjusted, it can be prevented from affecting the film formation by the sputtered particles emitted from the target 31b. That is, film formation by the targets 31a and 31b can be adjusted (controlled) independently of each other.

<제 3 실시형태><Third embodiment>

제 3 실시형태에 따른 기판 처리 장치(스퍼터 장치)에 대해서, 도 10 내지 도 12를 이용하여 설명한다. 도 10은 제 3 실시형태에 따른 기판 처리 장치에 있어서의 스퍼터 입자 차폐판(20D) 및 타겟(31a, 31b)으로부터 방출되는 스퍼터 입자의 궤적을 모식적으로 도시하는 도면이다. 본 명세서에서, 제 3 실시형태에 따른 기판 처리 장치는 제 1 실시형태에 따른 기판 처리 장치(1)(도 1 참조) 및 제 2 실시형태에 따른 기판 처리 장치(1A)(도 5 참조)와 비교하여, 스퍼터 입자 차폐판(20D)의 구성이 상이하여 있다. 그 외의 구성은 마찬가지이며, 중복하는 설명을 생략한다.A substrate processing apparatus (sputter apparatus) according to a third embodiment will be described with reference to FIGS. 10 to 12 . 10 is a diagram schematically showing the trajectories of sputtered particles emitted from the sputtered particle shielding plate 20D and the targets 31a and 31b in the substrate processing apparatus according to the third embodiment. In this specification, the substrate processing apparatus according to the third embodiment includes the substrate processing apparatus 1 (see FIG. 1 ) according to the first embodiment and the substrate processing apparatus 1A (see FIG. 5 ) according to the second embodiment; In comparison, the configuration of the sputtered particle shielding plate 20D is different. Other structures are the same, and overlapping description is abbreviate|omitted.

스퍼터 입자 차폐판(20D)에는, 스퍼터 입자를 통과시키는 통과 구멍(21)이 형성되어 있다. 구체적으로는, 통과 구멍(21)은 슬릿 형상을 이루는 4개의 통과 구멍(21a1, 21b1, 21a2, 21b2)으로서 형성되어 있다. 통과 구멍(21a1, 21b1, 21a2, 21b2)은 -X방향(기판(W)의 반송 방향)에서 바라볼 때, 통과 구멍(21a1), 통과 구멍(21b1), 통과 구멍(21a2), 통과 구멍(21b2)의 순서로 마련되어 있다. 통과 구멍(21a1, 21b1, 21a2, 21b2)은 스퍼터 입자 차폐판(20D)의 판두께 방향(Z방향)으로 관통하여 있다. 통과 구멍(21a1, 21b1, 21a2, 21b2)은 도면 중의 수평한 일방향인 Y방향을 길이방향으로 하여 가늘고 길게 형성되어 있다. 통과 구멍(21a1, 21b1, 21a2, 21b2)의 Y방향의 길이는 기판(W)의 직경보다 길게 형성된다. 또한, 통과 구멍(21)에는, 스퍼터 입자 차폐판(20D)으로부터 입설되는 저해판(25a, 25b)이 마련되어 있다. 또한, 통과 구멍(21)에는, 차양 부재(26a, 26b)가 마련되어 있다. 또한, 통과 구멍(21a1, 21b1, 21a2, 21b2)에는, 통과 구멍의 개구 형상(개구 면적)을 조정하기 위한 조정 부재(도시되지 않음)가 마련되어 있어도 좋다.The sputtering particle shielding plate 20D has a passage hole 21 through which the sputtered particles pass. Specifically, the through hole 21 is formed as four through holes 21a1 , 21b1 , 21a2 , 21b2 forming a slit shape. The through-holes 21a1, 21b1, 21a2, and 21b2 are viewed from the -X direction (the conveyance direction of the substrate W), the through-holes 21a1, the through-holes 21b1, the through-holes 21a2, the through-holes ( 21b2) is provided. The through holes 21a1 , 21b1 , 21a2 , and 21b2 penetrate in the plate thickness direction (Z direction) of the sputtered particle shielding plate 20D. The through holes 21a1 , 21b1 , 21a2 , and 21b2 are formed to be long and thin with the Y direction, which is one horizontal direction in the figure, as the longitudinal direction. The length in the Y direction of the through holes 21a1 , 21b1 , 21a2 , and 21b2 is formed to be longer than the diameter of the substrate W . Moreover, the barrier plates 25a and 25b erected from the sputtered particle shielding plate 20D are provided in the through hole 21 . In addition, the awning members 26a and 26b are provided in the through hole 21 . In addition, the through-holes 21a1, 21b1, 21a2, 21b2 may be provided with the adjustment member (not shown) for adjusting the opening shape (opening area) of the through-hole.

도 11은 스퍼터 입자 차폐판(20D)의 통과 구멍(21a1, 21b1, 21a2, 21b2)을 상방에서 바라본 평면도의 일례이다. 또한, 도 11에 있어서, 타겟(31a, 31b)을 스퍼터 입자 차폐판(20D) 상에 투영한 위치를 파선으로 나타내고 있다. 또한, 차양 부재(26a, 26b)를 스퍼터 입자 차폐판(20D) 상에 투영한 위치를 파선으로 나타내고 있다. 또한, 기판 이동 기구(50)에 의해 반송되는 기판(W)의 일례를 이점 쇄선으로 나타내고 있다. 또한, 기판 이동 기구(50)에 의해 반송되는 기판(W)의 반송 경로의 궤적(500)의 일례를 이점 쇄선으로 나타내고 있다.11 : is an example of the top view which looked at the through-holes 21a1, 21b1, 21a2, 21b2 of the sputter|spatter particle shielding plate 20D from upper direction. In addition, in FIG. 11, the position which projected the targets 31a, 31b on the sputter|spatter particle shielding board 20D is shown with the broken line. In addition, the position where the awning members 26a, 26b were projected on the sputter|spatter particle shielding board 20D is shown by the broken line. In addition, an example of the board|substrate W conveyed by the board|substrate moving mechanism 50 is shown by the double-dotted line. In addition, an example of the locus|trajectory 500 of the conveyance path|route of the board|substrate W conveyed by the board|substrate moving mechanism 50 is shown by the double-dotted line.

통과 구멍(21a1)은 Y방향으로 신장되는 에지(131, 132)와, X방향으로 신장되는 에지(133, 134)에 의해서 형성되는 대략 장방형 형상을 갖고 있다. 에지(131, 132)는 기판(W)의 반송 경로의 궤적(500)과 교차하는 에지이다. 또한, 에지(131)는 통과 구멍(21a1)의 중심보다 타겟(31b)측에 형성되어 있다. 에지(132)는 통과 구멍(21a1)의 중심보다 타겟(31a)측에 형성되어 있다. 에지(133, 134)는 기판(W)의 반송 방향과 동일 방향으로 신장되는 에지이며, 기판(W)의 반송 경로의 궤적(500)보다 외측에 형성되어 있다.The through hole 21a1 has a substantially rectangular shape formed by the edges 131 and 132 extending in the Y direction and the edges 133 and 134 extending in the X direction. The edges 131 and 132 are edges that intersect the trajectory 500 of the transport path of the substrate W. As shown in FIG. Moreover, the edge 131 is formed in the target 31b side rather than the center of the through-hole 21a1. The edge 132 is formed in the target 31a side rather than the center of the through-hole 21a1. The edges 133 and 134 are edges extending in the same direction as the transport direction of the substrate W, and are formed outside the trajectory 500 of the transport path of the substrate W.

통과 구멍(21b1)은 Y방향으로 신장되는 에지(141, 142)와, X방향으로 신장되는 에지(143, 144)에 의해서 형성되는 대략 장방형 형상을 갖고 있다. 에지(141, 142)는 기판(W)의 반송 경로의 궤적(500)괴 교차하는 에지이다. 또한, 에지(141)는 통과 구멍(21b1)의 중심보다 타겟(31b)측에 형성되어 있다. 에지(142)는 통과 구멍(21b1)의 중심보다 타겟(31a)측에 형성되어 있다. 에지(143, 144)는 기판(W)의 반송 방향과 동일 방향으로 신장되는 에지이며, 기판(W)의 반송 경로의 궤적(500)보다 외측에 형성되어 있다.The through hole 21b1 has a substantially rectangular shape formed by the edges 141 and 142 extending in the Y direction and the edges 143 and 144 extending in the X direction. The edges 141 and 142 are edges that intersect the trajectory 500 of the transport path of the substrate W. Moreover, the edge 141 is formed in the target 31b side rather than the center of the through-hole 21b1. The edge 142 is formed on the target 31a side rather than the center of the through hole 21b1. The edges 143 and 144 are edges extending in the same direction as the transport direction of the substrate W, and are formed outside the trajectory 500 of the transport path of the substrate W.

통과 구멍(21a2)은 Y방향으로 신장되는 에지(151, 152)와, X방향으로 신장되는 에지(153, 154)에 의해서 형성되는 대략 장방형 형상을 갖고 있다. 에지(151, 152)는 기판(W)의 반송 경로의 궤적(500)과 교차하는 에지이다. 또한, 에지(151)는 통과 구멍(21a2)의 중심보다 타겟(31a)측에 형성되어 있다. 에지(152)는 통과 구멍(21a2)의 중심보다 타겟(31b)측에 형성되어 있다. 에지(153, 154)는 기판(W)의 반송 방향과 동일 방향으로 신장되는 에지이며, 기판(W)의 반송 경로의 궤적(500)보다 외측에 형성되어 있다.The through hole 21a2 has a substantially rectangular shape formed by the edges 151 and 152 extending in the Y direction and the edges 153 and 154 extending in the X direction. The edges 151 , 152 are edges that intersect the trajectory 500 of the transport path of the substrate W . Moreover, the edge 151 is formed in the target 31a side rather than the center of the through-hole 21a2. The edge 152 is formed on the target 31b side rather than the center of the through hole 21a2. The edges 153 and 154 are edges extending in the same direction as the transport direction of the substrate W, and are formed outside the trajectory 500 of the transport path of the substrate W.

통과 구멍(21b2)은 Y방향으로 신장되는 에지(161, 162)와, X방향으로 신장되는 에지(163, 164)에 의해서 형성되는 대략 장방형 형상을 갖고 있다. 에지(161, 162)는 기판(W)의 반송 경로의 궤적(500)과 교차하는 에지이다. 또한, 에지(161)는 통과 구멍(21b2)의 중심보다 타겟(31a)측에 형성되어 있다. 에지(162)는 통과 구멍(21b2)의 중심보다 타겟(31b)측에 형성되어 있다. 에지(163, 164)는 기판(W)의 반송 방향과 동일 방향으로 신장되는 에지이며, 기판(W)의 반송 경로의 궤적(500)보다 외측에 형성되어 있다.The through hole 21b2 has a substantially rectangular shape formed by the edges 161 and 162 extending in the Y direction and the edges 163 and 164 extending in the X direction. The edges 161 , 162 are edges that intersect the trajectory 500 of the transport path of the substrate W . In addition, the edge 161 is formed in the target 31a side rather than the center of the through-hole 21b2. The edge 162 is formed on the target 31b side rather than the center of the through hole 21b2. The edges 163 and 164 are edges extending in the same direction as the transport direction of the substrate W, and are formed outside the trajectory 500 of the transport path of the substrate W.

에지(131) 및/또는 에지(132)에는, 통과 구멍(21a1)의 개구 형상(개구 면적)을 조정하는 조정 부재(도시되지 않음)가 마련되어 있어도 좋다. 또한, 에지(141) 및/또는 에지(142)에는, 통과 구멍(21b1)의 개구 형상(개구 면적)을 조정하는 조정 부재(도시되지 않음)가 마련되어 있어도 좋다. 또한, 에지(151) 및/또는 에지(152)에는, 통과 구멍(21a2)의 개구 형상(개구 면적)을 조정하는 조정 부재(도시되지 않음)가 마련되어 있어도 좋다. 또한, 에지(161) 및/또는 에지(162)에는, 통과 구멍(21b2)의 개구 형상(개구 면적)을 조정하는 조정 부재(도시되지 않음)가 마련되어 있어도 좋다. 조정 부재는 예를 들면, 에지로부터 통과 구멍을 향해서 돌출하도록 배치되는 것에 의해, 통과 구멍의 개구 형상(개구 면적)을 조정한다.The edge 131 and/or the edge 132 may be provided with an adjustment member (not shown) which adjusts the opening shape (opening area) of the through hole 21a1. Moreover, the edge 141 and/or the edge 142 may be provided with the adjustment member (not shown) which adjusts the opening shape (opening area) of the through-hole 21b1. Moreover, the edge 151 and/or the edge 152 may be provided with the adjustment member (not shown) which adjusts the opening shape (opening area) of the through-hole 21a2. Moreover, the edge 161 and/or the edge 162 may be provided with the adjustment member (not shown) which adjusts the opening shape (opening area) of the through-hole 21b2. The adjusting member adjusts the opening shape (opening area) of the through hole, for example, by being disposed so as to protrude from the edge toward the through hole.

도 10으로 돌아와서, 더욱 설명한다. 도 10의 이점 쇄선으로 나타내는 바와 같이, 저해판(25a)은 타겟(31b)에서 바라볼 때 통과 구멍(21a2)(에지(151, 152))을 감추도록 배치된다. 마찬가지로, 저해판(25b)은 타겟(31a)에서 바라볼 때 통과 구멍(21b1)(에지(141, 142))을 감추도록 배치된다.Returning to Fig. 10, further explanation will be made. As shown by the dashed-dotted line in Fig. 10, the inhibition plate 25a is disposed so as to hide the through hole 21a2 (edges 151 and 152) when viewed from the target 31b. Similarly, the inhibition plate 25b is arranged so as to hide the through hole 21b1 (edges 141 and 142) when viewed from the target 31a.

차양 부재(26a)는 스퍼터 입자 차폐판(20D)과 이격되어 배치되는 판부(26a1)와, 스퍼터 입자 차폐판(20D)의 상면으로부터 입설되어 판부(26a1)를 지지하는 다리부(26a2)를 갖는다. 도 10의 이점 쇄선으로 나타내는 바와 같이, 차양 부재(26a)의 판부(26a1)는 타겟(31a)에서 바라볼 때, 통과 구멍(21b2)을 덮도록 배치된다. 또한, 차양 부재(26b)는 스퍼터 입자 차폐판(20D)과 이격되어 배치되는 판부(26b1)와, 스퍼터 입자 차폐판(20D)의 상면으로부터 입설되어 판부(26b1)를 지지하는 다리부(26b2)를 갖는다. 도 10의 이점 쇄선으로 나타내는 바와 같이, 차양 부재(26b)의 판부(26b1)는 타겟(31b)에서 바라볼 때, 통과 구멍(21a1)을 덮도록 배치된다.The awning member 26a has a plate portion 26a1 disposed to be spaced apart from the sputtered particle shielding plate 20D, and a leg portion 26a2 that is erected from the upper surface of the sputtered particle shielding plate 20D to support the plate portion 26a1. . As shown by the two-dot chain line in FIG. 10, the board part 26a1 of the awning member 26a is seen from the target 31a, it is arrange|positioned so that it may cover the passage hole 21b2. In addition, the awning member 26b has a plate portion 26b1 disposed to be spaced apart from the sputtered particle shielding plate 20D, and a leg portion 26b2 that is erected from the upper surface of the sputtered particle shielding plate 20D to support the plate portion 26b1. has As shown by the two-dot chain line in FIG. 10, the board part 26b1 of the awning member 26b is arrange|positioned so that it may cover the passage hole 21a1, when it sees from the target 31b.

저해판(25a, 25b) 및 차양 부재(26a, 26b)는 통과 구멍(21)(21a1, 21b1, 21a2, 21b2)을 개구 영역(207 내지 210)으로 분할한다. 이에 의해, 도 10의 파선으로 나타내는 바와 같이, 타겟(31a)으로부터 방출된 스퍼터 입자는 에지(131)와 에지(132) 사이에 형성되는 개구 영역(207)을 통과하여, 기판(W)에 입사한다. 또한, 타겟(31b)으로부터 방출된 스퍼터 입자는 에지(141)와 에지(142) 사이에 형성되는 개구 영역(208)을 통과하여, 기판(W)에 입사한다. 또한, 타겟(31a)으로부터 방출된 스퍼터 입자는 에지(151)와 에지(152) 사이에 형성되는 개구 영역(209)을 통과하여, 기판(W)에 입사한다. 또한, 타겟(31b)으로부터 방출된 스퍼터 입자는 에지(161)와 에지(162) 사이에 형성되는 개구 영역(210)을 통과하여, 기판(W)에 입사한다.The inhibition plates 25a, 25b and the shading members 26a, 26b divide the through holes 21 (21a1, 21b1, 21a2, 21b2) into the opening regions 207 to 210. As a result, as shown by the broken line in FIG. 10 , the sputtered particles emitted from the target 31a pass through the opening region 207 formed between the edge 131 and the edge 132 and are incident on the substrate W. do. In addition, the sputtered particles emitted from the target 31b pass through the opening region 208 formed between the edge 141 and the edge 142 to be incident on the substrate W. In addition, the sputtered particles emitted from the target 31a pass through the opening region 209 formed between the edge 151 and the edge 152 to be incident on the substrate W. In addition, the sputtered particles emitted from the target 31b pass through the opening region 210 formed between the edge 161 and the edge 162 to be incident on the substrate W.

도 12는 기판(W)의 볼록부(600)에 입사하는 스퍼터 입자의 입사 방향의 일례를 도시하는 모식도이다. 본 명세서에서는, 기판(W)을 -X방향(도 10에 있어서 우측으로부터 좌측)으로 반송하는 것으로 한다. 또한, 기판(W)의 표면에는, 트렌치 등의 볼록부(600)가 형성되어 있다.12 is a schematic diagram showing an example of the incidence direction of sputtered particles incident on the convex portion 600 of the substrate W. As shown in FIG. In this specification, it is assumed that the board|substrate W is conveyed in the -X direction (from the right to the left in FIG. 10). In addition, protrusions 600 such as trenches are formed on the surface of the substrate W. As shown in FIG.

기판(W)을 -X방향으로 반송하면, 최초로, 기판(W)은 통과 구멍(21a1) 아래를 통과한다. 도 10에 도시되는 바와 같이, 타겟(31a)으로부터 방출된 스퍼터 입자는 통과 구멍(21a1)을 통과하여, 기판(W)에 입사한다. 한편, 타겟(31b)으로부터 방출된 스퍼터 입자는 차양 부재(26b)의 판부(26b1)로 차단된다. 이 때문에, 도 12의 (a)에 도시되는 바와 같이, 타겟(31a)으로부터 방출된 입사각이 큰 스퍼터 입자가 통과 구멍(21a1)(개구 영역(207))을 통과하여 볼록부(600)에 입사한다.When the substrate W is conveyed in the -X direction, first, the substrate W passes under the through hole 21a1. As shown in FIG. 10 , the sputtered particles emitted from the target 31a pass through the through hole 21a1 and enter the substrate W. As shown in FIG. On the other hand, the sputtered particles emitted from the target (31b) is blocked by the plate portion (26b1) of the shading member (26b). For this reason, as shown in Fig. 12(a), sputtered particles having a large incident angle emitted from the target 31a pass through the passage hole 21a1 (opening region 207) and enter the convex portion 600. do.

또한, 기판(W)을 -X방향으로 반송하면, 기판(W)은 통과 구멍(21b1) 아래를 통과한다. 도 10에 도시되는 바와 같이, 타겟(31b)으로부터 방출된 스퍼터 입자는 통과 구멍(21b1)을 통과하여, 기판(W)에 입사한다. 한편, 타겟(31a)으로부터 방출된 스퍼터 입자는 차폐판(25b)으로 차단된다. 이 때문에, 도 12의 (b)에 도시되는 바와 같이, 타겟(31b)으로부터 방출된 입사각이 작은 스퍼터 입자가 통과 구멍(21b1)(개구 영역(208))을 통과하여 볼록부(600)에 입사한다.Further, when the substrate W is conveyed in the -X direction, the substrate W passes under the passage hole 21b1. As shown in FIG. 10 , the sputtered particles emitted from the target 31b pass through the through hole 21b1 and enter the substrate W. As shown in FIG. Meanwhile, the sputtered particles emitted from the target 31a are blocked by the shielding plate 25b. For this reason, as shown in Fig. 12(b), sputtered particles having a small incident angle emitted from the target 31b pass through the passage hole 21b1 (opening region 208) and enter the convex portion 600. do.

또한, 기판(W)을 -X방향으로 반송하면, 기판(W)은 통과 구멍(21a2) 아래를 통과한다. 도 10에 도시되는 바와 같이, 타겟(31a)으로부터 방출된 스퍼터 입자는 통과 구멍(21a2)을 통과하여, 기판(W)에 입사한다. 한편, 타겟(31b)으로부터 방출된 스퍼터 입자는 차폐판(25a)으로 차단된다. 이 때문에, 도 12의 (c)에 도시되는 바와 같이, 타겟(31a)으로부터 방출된 입사각이 작은 스퍼터 입자가 통과 구멍(21a2)(개구 영역(209))을 통과하여 볼록부(600)에 입사한다.Moreover, when the board|substrate W is conveyed in -X direction, the board|substrate W passes under the passage hole 21a2. As shown in FIG. 10 , the sputtered particles emitted from the target 31a pass through the passage hole 21a2 and enter the substrate W. As shown in FIG. Meanwhile, the sputtered particles emitted from the target 31b are blocked by the shielding plate 25a. For this reason, as shown in Fig. 12(c), sputtered particles having a small incident angle emitted from the target 31a pass through the passage hole 21a2 (opening region 209) and enter the convex portion 600. do.

또한, 기판(W)을 -X방향으로 반송하면, 기판(W)은 통과 구멍(21b2) 아래를 통과한다. 도 10에 도시되는 바와 같이, 타겟(31b)으로부터 방출된 스퍼터 입자는 통과 구멍(21b2)을 통과하여, 기판(W)에 입사한다. 한편, 타겟(31a)으로부터 방출된 스퍼터 입자는 차양 부재(26a)의 판부(26a1)로 차단된다. 이 때문에, 도 12의 (d)에 도시되는 바와 같이, 타겟(31d)으로부터 방출된 입사각이 큰 스퍼터 입자가 통과 구멍(21d2)(개구 영역(210))를 통과하여 볼록부(600)에 입사한다.Further, when the substrate W is conveyed in the -X direction, the substrate W passes under the through hole 21b2. As shown in FIG. 10 , the sputtered particles emitted from the target 31b pass through the passage hole 21b2 and enter the substrate W. As shown in FIG. On the other hand, the sputtered particles emitted from the target (31a) is blocked by the plate portion (26a1) of the shading member (26a). For this reason, as shown in Fig. 12(d), sputtered particles having a large incident angle emitted from the target 31d pass through the passage hole 21d2 (opening region 210) and enter the convex portion 600. do.

이상, 제 3 실시형태에 따른 기판 처리 장치에 의하면, 기판(W)의 1회의 이동(1 스캔)으로, 타겟(31a)으로부터 방출된 스퍼터 입자에 의한 성막과, 타겟(31b)으로부터 방출된 스퍼터 입자에 의한 성막을 교대로 반복(도 10의 예에서는 2번) 실행할 수 있다. 또한, 통과 구멍(21a1, 21b1, 21a2, 21b2)의 위치나 개구 형상을 조정하는 것에 의해, 타겟(31a, 31b)의 재료의 특성에 맞춰서 기판(W)에 입사하는 스퍼터 입자의 입사각 및 통과량을 조정할 수 있다. 이에 의해, 기판(W)에 형성된 패턴의 볼록부(600)의 양측(기판(W)의 반송 방향의 전측 및 후측)에 대칭 형상의 막을 효율적으로 성막할 수 있다.As mentioned above, according to the substrate processing apparatus which concerns on 3rd Embodiment, by one movement (one scan) of the board|substrate W, film-forming by the sputtered particle|grains emitted from the target 31a, and the sputter|spatter emitted from the target 31b. The film formation by the particles can be alternately repeated (twice in the example of FIG. 10 ). In addition, by adjusting the positions and opening shapes of the through holes 21a1 , 21b1 , 21a2 , 21b2 , the incident angle and the passage amount of the sputtered particles incident on the substrate W according to the material properties of the targets 31a and 31b . can be adjusted. Thereby, a symmetrical film|membrane can be efficiently formed into a film on both sides of the convex part 600 of the pattern formed in the board|substrate W (front side and rear side in the conveyance direction of the board|substrate W).

또한, 통과 구멍(21a1)의 개구 형상을 조정하는 것에 의해, 타겟(31a)으로부터 방출되는 입사각이 큰 스퍼터 입자에 의한 성막의 막두께 분포를 조정할 수 있다. 통과 구멍(21b1)의 개구 형상을 조정하는 것에 의해, 타겟(31b)으로부터 방출되는 입사각이 작은 스퍼터 입자에 의한 성막의 막두께 분포를 조정할 수 있다. 통과 구멍(21a2)의 개구 형상을 조정하는 것에 의해, 타겟(31a)으로부터 방출되는 입사각이 작은 스퍼터 입자에 의한 성막의 막두께 분포를 조정할 수 있다. 통과 구멍(21b2)의 개구 형상을 조정하는 것에 의해, 타겟(31b)으로부터 방출되는 입사각이 큰 스퍼터 입자에 의한 성막의 막두께 분포를 조정할 수 있다. 즉, 타겟(31a, 31b)의 차이 및 입사각의 차이에 의한 성막을 각각 독립하여 조정(제어)할 수 있다.Moreover, by adjusting the opening shape of the through hole 21a1, the film-thickness distribution of the film-forming by the sputtering particle with a large incident angle emitted from the target 31a can be adjusted. By adjusting the opening shape of the through hole 21b1, it is possible to adjust the film thickness distribution of the film formation by the sputtered particles having a small incident angle emitted from the target 31b. By adjusting the opening shape of the passage hole 21a2, the film thickness distribution of the film formation by the sputter|spatter particle|grains with a small incident angle emitted from the target 31a can be adjusted. By adjusting the opening shape of the through hole 21b2, the film thickness distribution of the film formation by the sputtered particles having a large incident angle emitted from the target 31b can be adjusted. That is, it is possible to independently adjust (control) film formation by the difference between the targets 31a and 31b and the angle of incidence.

W : 기판
1 : 기판 처리 장치
10 : 처리 챔버
20, 20A 내지 20D : 스퍼터 입자 차폐판
21, 21a, 21b, 21a1, 21b1, 21a2, 21b2 : 통과 구멍
22, 25a, 25b : 저해판(저해 기구)
23a, 23b : 조정 부재
24a, 24b, 26a, 26b : 차양 부재(저해 기구)
30a, 30b : 스퍼터 입자 방출부
31a, 31b : 타겟
40 : 기판 지지부
50 : 기판 이동 기구
60 : 배기 장치
70 : 제어부
80 : 반송 챔버
101 내지 104, 111 내지 114, 121 내지 124, 131 내지 134, 141 내지 144, 151 내지 154, 161 내지 164 : 에지
201 내지 210 : 개구 영역
500 : 반송 경로의 궤적
600 : 볼록부W: substrate
1: Substrate processing device
10: processing chamber
20, 20A to 20D: sputtered particle shielding plate
21, 21a, 21b, 21a1, 21b1, 21a2, 21b2: through hole
22, 25a, 25b: inhibition plate (inhibition mechanism)
23a, 23b: adjustment member
24a, 24b, 26a, 26b: awning member (blocking mechanism)
30a, 30b: sputtered particle emission part
31a, 31b: target
40: substrate support
50: substrate moving mechanism
60: exhaust device
70: control unit
80: transfer chamber
101 to 104, 111 to 114, 121 to 124, 131 to 134, 141 to 144, 151 to 154, 161 to 164: edge
201 to 210: opening area
500: trajectory of the transport path
600: convex part

Claims

first and second targets for emitting sputtered particles;
a substrate support for supporting the substrate;
a shielding plate disposed between the first and second targets and the substrate and having a through hole through which the sputtered particles pass;
the through hole has a first opening region for passing sputtered particles emitted from the first target and a second opening region for passing sputtered particles emitted from the second target;
and an inhibiting mechanism for inhibiting the sputtered particles emitted from the first target from passing through the second opening region, and inhibiting the sputtered particles ejected from the second target from passing through the first opening region.
sputter device.

The method of claim 1,
the through hole has a first edge provided with a first adjusting member for adjusting the opening area of the through hole, and a second edge provided with a second adjusting member for adjusting the opening area of the through hole;
the first opening region is formed including the first edge and not including the second edge;
wherein the second opening region includes the second edge and is formed without the first edge.
sputter device.

3. The method according to claim 1 or 2,
The inhibition mechanism is an inhibition plate disposed over the through hole.
sputter device.

3. The method according to claim 1 or 2,
The inhibition mechanism is a shading member disposed spaced apart from the shielding plate and having a plate portion covering at least a portion of the through hole.
sputter device.

The method of claim 1,
The through hole is
a third opening region through which the sputtered particles emitted from the first target pass; and a fourth opening region through which the sputtered particles emitted from the second target pass;
arranged in the order of the first opening region, the second opening region, the third opening region, and the fourth opening region in the transport direction of the substrate;
The inhibitory mechanism is
inhibiting the sputtered particles emitted from the first target from passing through the fourth opening region, and inhibiting the sputtered particles emitted from the second target from passing through the third opening region
sputter device.

6. The method of claim 5,
The inhibition mechanism has an inhibition plate erected from the shield plate
sputter device.

7. The method according to claim 5 or 6,
The inhibition mechanism has a shading member disposed spaced apart from the shielding plate and having a plate portion covering at least a portion of the through hole.
sputter device.