KR20210113806A - Cmp pad conditioner manufacturing method and cmp pad conditioner using the same - Google Patents

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KR20210113806A
KR20210113806A KR1020200029009A KR20200029009A KR20210113806A KR 20210113806 A KR20210113806 A KR 20210113806A KR 1020200029009 A KR1020200029009 A KR 1020200029009A KR 20200029009 A KR20200029009 A KR 20200029009A KR 20210113806 A KR20210113806 A KR 20210113806A
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Abstract

The present invention provides a method for manufacturing a CMP pad conditioner and a CMP pad conditioner made thereby, wherein the CMP pad conditioner comprises: a metal base material; a diamond abrasive grain whose lower end is fixed to a surface of the metal base material; a setting plating portion formed on a surface of a lower layer of the diamond abrasive grain and the surface of the metal base material, and fixing the diamond abrasive grain by being attached and coated on the surface of the metal base material and the lower layer of the diamond abrasive grain; a first plating layer formed on surfaces of the lower layer of the diamond abrasive grain, the metal base material, and the setting plating portion, exposing an upper layer of the diamond abrasive grain to the outside, and plated on a support layer supporting the diamond abrasive grain and an upper surface of the support layer; and a second plating layer coated on an upper surface of the first plating layer to protect the first plating layer. In accordance with the present invention, it is possible to increase corrosion resistance by additionally forming the first plating layer before forming the second plating layer.

Description

CMP 패드 컨디셔너 제조방법 및 이를 이용한 CMP 패드 컨디셔너{CMP PAD CONDITIONER MANUFACTURING METHOD AND CMP PAD CONDITIONER USING THE SAME}CMP pad conditioner manufacturing method and CMP pad conditioner using the same

본 발명은 CMP 패드 컨디셔너 제조방법 및 이를 이용한 CMP 패드 컨디셔너에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 다이아몬드 지립들의 지지층을 보호하기 위해 내식성이 강한 금속들을 적용하는 것으로, 내식성을 향상시킬 수 있으며 제품 생산 비용을 낮출 수 있는 CMP 패드 컨디셔너 제조방법 및 이를 이용한 CMP 패드 컨디셔너에 관한 것이다.The present invention relates to a method of manufacturing a CMP pad conditioner and a CMP pad conditioner using the same, and more particularly, by applying metals with strong corrosion resistance to protect a support layer of diamond abrasive grains, corrosion resistance can be improved and product production cost can be lowered It relates to a method for manufacturing a CMP pad conditioner that can be used and to a CMP pad conditioner using the same.

일반적으로, CMP패드 컨디셔너는 CMP(화학기계적 연마; Chemical Mechanical Polishing)공정이 많은 산업 분야에서 특정 피 가공물의 표면을 연마하는데 이용되고 있다.In general, a CMP pad conditioner is used to polish the surface of a specific workpiece in an industrial field that has many CMP (Chemical Mechanical Polishing) processes.

특히, 반도체 소자, 마이크로 전자소자 또는 컴퓨터 제품 등의 제조 분야에서, 세라믹, 실리콘, 유리, 석영, 금속 및/또는 이들의 웨이퍼를 연마하는 용도로 CMP 공정이 많이 이용되고 있다.In particular, in the field of manufacturing semiconductor devices, microelectronic devices, or computer products, the CMP process is widely used for polishing ceramics, silicon, glass, quartz, metals, and/or wafers thereof.

CMP 공정은, 웨이퍼 등의 피 가공물에 대면하여 회전하는 CMP 패드의 이용을 수반한다.The CMP process involves the use of a CMP pad that rotates to face a workpiece such as a wafer.

또한, CMP 공정 중 CMP 패드에는 화학물질을 함유하는 액체 슬러리와 연마 입자가 첨가된다.Additionally, during the CMP process, a liquid slurry containing chemicals and abrasive particles are added to the CMP pad.

반도체 소자의 제조 분야에서, CMP 공정 중 웨이퍼(wafer)에 생기는 스크래치나 결함이 반도체 소자의 수율 및 생산성을 떨어뜨린다. 특히, 상대적으로 큰 직경의 웨이퍼(wafer)를 그에 상응하게 큰 CMP 패드를 이용해 평탄화하는 CMP 공정에서는 웨이퍼와 CMP 패드에 가해지는 충격과 스트레스가 더욱 커지며, 이에 따라, 웨이퍼에 발생하는 스크래치 등의 결함 발생 빈도도 더 높다.In the field of manufacturing a semiconductor device, a scratch or defect occurring on a wafer during a CMP process reduces the yield and productivity of the semiconductor device. In particular, in the CMP process of planarizing a relatively large-diameter wafer using a correspondingly large CMP pad, the impact and stress applied to the wafer and the CMP pad are further increased. The incidence is also higher.

CMP 공정에 의한 연마 품질에 있어서, 특히 중요한 것은 CMP 패드 전체에 넓게 퍼져 유지되는 연마 입자들의 분포이다. CMP 패드의 상부는 통상적으로 섬유 또는 소형 공극과 같은 메커니즘에 의해 연마 입자들을 지지하며, 그와 같은 섬유 또는 소형의 공극이 CMP 패드 성능을 결정한다. In terms of the quality of the polishing by the CMP process, particularly important is the distribution of the abrasive particles maintained widely throughout the CMP pad. The top of the CMP pad typically supports abrasive particles by a mechanism such as fibers or small pores, which fibers or small pores determine CMP pad performance.

따라서 CMP 패드의 성능 유지를 위해서는, CMP 패드의 상부 섬유 조직을 가능한 플렉시블한 직립 상태로 유지하고, 새로운 연마 입자들을 수용할 수 있는 여분의 공극들이 충분히 확보되어야 한다.Therefore, in order to maintain the performance of the CMP pad, it is necessary to maintain the upper fiber structure of the CMP pad in an upright state as flexible as possible, and to ensure sufficient extra voids to accommodate new abrasive particles.

이를 위해, CMP 패드 컨디셔너에 의한 CMP 패드 컨디셔닝 또는 드레싱 공정이 필요하다.For this, a CMP pad conditioning or dressing process by a CMP pad conditioner is required.

CMP 패드 컨디셔너는 CMP 패드에 대면하여 회전하면서, CMP 패드 상부를 컨디셔닝 또는 드레싱하는 공구로서, 금속 모재 상에 다수의 다이아몬드 지립들을 고착된 구조를 포함한다.The CMP pad conditioner is a tool for conditioning or dressing an upper portion of a CMP pad while rotating against the CMP pad, and includes a structure in which a plurality of diamond abrasive grains are fixed on a metal base material.

전형적인 CMP 패드 컨디셔너에 있어서, 그것에 구비된 다이아몬드 지립들은 CMP 패드에 적당히 침투하여 실제적인 드레싱을 한다. In a typical CMP pad conditioner, the diamond abrasive grains provided therein adequately penetrate the CMP pad to perform actual dressing.

그러나, 위와 같은 CMP 공정에 적용되는 슬러리의 화학성이 강해 컨디셔너의 표면 부식을 발생시키는 문제가 발생하고 있다.However, there is a problem in that the surface corrosion of the conditioner is caused due to the strong chemical properties of the slurry applied to the above CMP process.

관련된 선행 문헌으로는 등록특허 제10-1131496호(2012.03.22.)가 있으며, 상기 선행문헌에는 CMP 패드 컨디셔너 및 그 제조방법이 개시되어 있다.As a related prior art, there is Patent Registration No. 10-1131496 (Mar. 22, 2012), and the prior document discloses a CMP pad conditioner and a manufacturing method thereof.

그런데, 종래의 CMP 패드 컨디셔너는 웨이퍼(wafer) 연마 공정 시 화학성이 강한 슬러리로 인하여 다이아몬드 지립 탈락의 문제점이 있으며, 내식성을 높이기 위해 백금족의 고가 금속을 적용하는 경우 제품 생산비용이 높다는 문제점을 가지고 있었다.However, the conventional CMP pad conditioner has a problem in that diamond abrasive grains fall off due to the strong chemical slurry during the wafer polishing process. .

대한민국 등록특허 제10-1131496호(공고일 2012.03.22.)Republic of Korea Patent Registration No. 10-1131496 (published on March 22, 2012)

본 발명의 목적은 도금 방식을 이용해 금속 모재와 다이아몬드 지립들의 계면에 지지층을 형성하여 다이아몬드 지립의 결합력을 향상시킬 수 있고, 지지층을 보호할 수 있는 백금족의 금속 및 크롬 도금이 진행되는 제2 도금층을 형성하기 전에 지지층 보다 내식성이 강한 도금을 진행하여 추가적으로 제1 도금층을 형성함으로써 내식성이 강하며, 백금족의 고가 금속의 사용을 줄여 제품의 생산비용을 절감할 수 있는 CMP 패드 컨디셔너 제조 방법 및 이를 이용한 CMP 패드 컨디셔너를 제공하는 것이다.An object of the present invention is to form a support layer at the interface between the metal base material and the diamond abrasive grains using a plating method to improve the bonding force of the diamond abrasive grains, and to protect the support layer. CMP pad conditioner manufacturing method and CMP using the same, which has strong corrosion resistance by performing plating with stronger corrosion resistance than the support layer before forming and additionally forming the first plating layer To provide a pad conditioner.

본 발명에 따른 CMP 패드 컨디셔너의 제조방법에 있어서, 금속 모재의 표면에 다수의 삽입홈을 갖는 마스크층을 형성시키는 마스크층 형성단계; 상기 삽입홈들에 다이아몬드 지립들을 각각 배치시키는 다이아몬드 지립 배치단계; 상기 금속 모재의 표면에 상기 다이아몬드 지립의 하층부를 상기 금속 모재의 표면에 고정시키기 위해 상기 삽입홈들에 셋팅 도금부를 형성시키는 다이아몬드 지립 고정단계; 상기 마스크층을 상기 금속 모재의 표면으로부터 제거하여, 상기 셋팅 도금부와 상기 다이아몬드 지립들의 상층부를 외부로 노출시키는 마스크층 제거단계; 상기 다이아몬드 지립의 상층부가 외부로 노출된 상태로 상기 금속 모재와 셋팅 도금부와 상기 다이아몬드 지립의 하층부 표면에 다이아몬드 지립을 지지하는 지지층을 형성하는 지지층 형성단계; 상기 지지층 상부 표면에 지지층 보다 내식성이 강한 도금층을 형성시키는 제1 도금층 형성단계; 및 상기 제1 도금층 상부 표면에 보호성으로 코팅하는 제2 도금층 형성단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.A method of manufacturing a CMP pad conditioner according to the present invention, comprising: a mask layer forming step of forming a mask layer having a plurality of insertion grooves on a surface of a metal base material; a diamond abrasive grain arrangement step of disposing each of the diamond abrasive grains in the insertion grooves; a diamond abrasive grain fixing step of forming a setting plating part in the insertion grooves to fix the lower layer of the diamond abrasive grain to the surface of the metal base material on the surface of the metal base material; a mask layer removing step of removing the mask layer from the surface of the metal base material, exposing the setting plating part and the upper layer part of the diamond abrasive grains to the outside; a support layer forming step of forming a support layer for supporting the diamond abrasive grains on the surface of the metal base material, the setting plating part, and the lower layer of the diamond abrasive grains while the upper layer of the diamond abrasive grains are exposed to the outside; a first plating layer forming step of forming a plating layer having stronger corrosion resistance than the support layer on the upper surface of the support layer; and a second plating layer forming step of protectively coating the upper surface of the first plating layer.

바람직하게는, 상기 지지층 형성단계에서 상기 지지층은, 니켈(Ni)이 도금되어 형성되는 것을 특징으로 한다.Preferably, in the step of forming the support layer, the support layer is formed by plating nickel (Ni).

더욱 바람직하게는, 상기 제1 도금층 형성단계에서 제1 도금층은, 상기 지지층 보다 내식성이 강한 금(Au), 은(Ag), 주석(Sn) 및 백금(Pt) 중 적어도 하나가 도금되어 형성되거나, 금(Au), 은(Ag), 주석(Sn) 및 백금(Pt) 중 적어도 하나를 포함하는 합금(合金)이 도금되어 형성되는 것을 특징으로 한다.More preferably, in the first plating layer forming step, the first plating layer is formed by plating at least one of gold (Au), silver (Ag), tin (Sn), and platinum (Pt), which has stronger corrosion resistance than the support layer. , an alloy including at least one of gold (Au), silver (Ag), tin (Sn), and platinum (Pt) is plated and formed.

또한 바람직하게는, 상기 제2 도금층 형성단계에서 제2 도금층은, 팔라듐(Pd)과 크롬(Cr)이 도금되어 형성되거나PNC(Pd+Ni+Cr)가 도금되어 형성되는 것을 특징으로 한다.Also preferably, in the second plating layer forming step, the second plating layer is formed by plating palladium (Pd) and chromium (Cr) or PNC (Pd+Ni+Cr) is plated.

또한 바람직하게는, 상기 제2 도금층 형성단계에서 제2 도금층은, 제1 도금층의 두께와 동일하거나 더 얇은 도금층을 형성하는 것을 특징으로 한다.Also preferably, in the second plating layer forming step, the second plating layer is characterized in that a plating layer equal to or thinner than the thickness of the first plating layer is formed.

또한 바람직하게는, CMP 패드 컨디셔너에 있어서, 금속 모재와, 상기 금속 모재의 표면에 하단이 고정되는 다이아몬드 지립; 상기 다이아몬드 지립의 하층부 표면과 상기 금속 모재의 표면에 형성되며, 상기 금속 모재 표면과 상기 다이아몬드 지립의 하층부에 부착된 상태로 도금되어 상기 다이아몬드 지립을 고정시키는 셋팅 도금부; 상기 셋팅 도금부와 상기 금속 모재와 상기 다이아몬드 지립의 하층부 표면에 형성되고, 상기 다아이몬드 지립의 상층부를 외부로 노출시키며, 다이아몬드 지립을 지지하는 지지층; 상기 지지층의 상부 표면에 지지층 보다 내식성이 강한 도금이 진행되는 제1 도금층; 및 상기 제1 도금층의 상부 표면에 도금되어 제1 도금층을 보호하도록 코팅되는 제2 도금층을 포함하는 것을 특징으로 한다.Also preferably, in the CMP pad conditioner, a metal base material, and diamond abrasive grains having a lower end fixed to the surface of the metal base material; a setting plating part formed on the surface of the lower layer of the diamond abrasive grain and the surface of the metal base material and plated while attached to the surface of the metal base material and the lower layer of the diamond abrasive grain to fix the diamond abrasive grain; a support layer formed on the surface of the lower layer of the setting plating part, the metal base material, and the diamond abrasive grain, exposing the upper layer of the diamond abrasive grain to the outside, and supporting the diamond abrasive grain; a first plating layer on the upper surface of the support layer, which is plated with a stronger corrosion resistance than the support layer; and a second plating layer coated on the upper surface of the first plating layer to protect the first plating layer.

또한 바람직하게는, 상기 제1 도금층은, 상기 지지층 보다 내식성이 강한 금(Au), 은(Ag), 주석(Sn) 및 백금(Pt) 중 적어도 하나가 도금되어 형성되거나, 금(Au), 은(Ag), 주석(Sn) 및 백금(Pt) 중 적어도 하나를 포함하는 합금(合金)이 도금되어 형성되는 것을 특징으로 한다.Also preferably, the first plating layer is formed by plating at least one of gold (Au), silver (Ag), tin (Sn), and platinum (Pt), which has stronger corrosion resistance than the support layer, or gold (Au); It is characterized in that it is formed by plating an alloy containing at least one of silver (Ag), tin (Sn), and platinum (Pt).

또한 바람직하게는, 상기 제2 도금층은, 팔라듐(Pd)과 크롬(Cr)이 도금되어 형성되거나PNC(Pd+Ni+Cr)가 도금되어 형성되는 것을 특징으로 한다.Also preferably, the second plating layer is formed by plating palladium (Pd) and chromium (Cr) or PNC (Pd+Ni+Cr) by plating.

또한 바람직하게는, 상기 제2 도금층은, 제1 도금층의 두께와 동일하거나 더 얇은 도금층을 형성하는 것을 특징으로 한다.Also preferably, the second plating layer is the same as or thinner than the thickness of the first plating layer to form a plating layer.

본 발명은 도금 방식을 이용해 금속 모재와 다이아몬드 지립들의 계면에 지지층을 형성하여 다이아몬드 지립의 결합력을 향상시킬 수 있고, 지지층을 보호할 수 있도록 백금족의 금속 및 크롬 도금이 진행되는 제2 도금층을 형성하기 전에 지지층 보다 내식성이 강한 도금을 진행하여 추가적으로 제1 도금층을 형성함으로써 내식성이 향상 시킬 수 있으며, 백금족의 고가 금속의 사용을 줄여 제품의 생산비용을 절감할 수 있으며, 제1 도금층의 상부 표면에 제2 도금층으로 코팅함으로써 표면의 거칠기를 조절할 수 있는 효과를 갖는다.The present invention can improve the bonding force of the diamond abrasive grains by forming a support layer at the interface between the metal base material and the diamond abrasive grains using a plating method, and to form a second plating layer in which platinum group metal and chrome plating are performed to protect the support layer Corrosion resistance can be improved by additionally forming the first plating layer by performing plating with stronger corrosion resistance than the support layer before, and it is possible to reduce the production cost of products by reducing the use of expensive metals of the platinum group. 2 By coating with a plating layer, it has the effect of controlling the roughness of the surface.

도 1은 본 발명에 따른 CMP 패드 컨디셔너 제조방법을 보여주기 위한 블록도이다.
도 2는 본 발명에 따른 CMP 패드 컨디셔너 제조방법에서 마스크층 형성단계를 보여주기 위한 도면이다.
도 3은 본 발명에 따른 CMP 패드 컨디셔너 제조방법에서 지립 배치단계 및 지립 고정단계를 보여주기 위한 도면이다.
도 4는 본 발명에 따른 CMP 패드 컨디셔너 제조방법에서 마스크층 제거 단계를 보여주기 위한 도면이다.
도 5는 본 발명에 따른 CMP 패드 컨디셔너 제조방법에서 지지층 형성단계를 보여주기 위한 도면이다.
도 6은 본 발명에 따른 CMP 패드 컨디셔너 제조방법에서 제1 도금층 형성단계를 보여주기 위한 도면이다.
도 7은 본 발명에 따른 CMP 패드 컨디셔너 제조방법에서 제2 도금층 형성단계를 보여주기 위한 도면이다.
도 8은 본 발명에 따른 CMP 패드 컨디셔너를 보여주기 위한 저면도이다.1 is a block diagram illustrating a method for manufacturing a CMP pad conditioner according to the present invention.
2 is a view for showing a mask layer forming step in the CMP pad conditioner manufacturing method according to the present invention.
3 is a view for showing the abrasive placing step and the abrasive fixing step in the CMP pad conditioner manufacturing method according to the present invention.
4 is a view for showing a mask layer removal step in the CMP pad conditioner manufacturing method according to the present invention.
5 is a view for showing the step of forming a support layer in the CMP pad conditioner manufacturing method according to the present invention.
6 is a view for showing a first plating layer forming step in the CMP pad conditioner manufacturing method according to the present invention.
7 is a view for showing a second plating layer forming step in the CMP pad conditioner manufacturing method according to the present invention.
8 is a bottom view for showing a CMP pad conditioner according to the present invention.

이하 첨부된 도면을 참조하면서 본 발명에 따른 바람직한 실시 예를 상세히 설명하기로 한다.Hereinafter, preferred embodiments according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것을 달성하는 방법은 첨부된 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다.Advantages and features of the present invention, and a method of achieving the same, will become apparent with reference to the embodiments described below in detail in conjunction with the accompanying drawings.

그러나 본 발명은 이하에 개시되는 실시예들에 의해 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명에 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.However, the present invention is not limited by the embodiments disclosed below, but will be implemented in a variety of different forms, and only these embodiments allow the disclosure of the present invention to be complete, and common knowledge in the art to which the present invention pertains. It is provided to fully inform those who have the scope of the invention, and the present invention is only defined by the scope of the claims.

또한, 본 발명을 설명함에 있어 관련된 공지 기술 등이 본 발명의 요지를 흐리게 할 수 있다고 판단되는 경우 그에 관한 자세한 설명은 생략하기로 한다.In addition, in the description of the present invention, if it is determined that related known technologies may obscure the gist of the present invention, detailed description thereof will be omitted.

도 1은 본 발명에 따른 CMP 패드 컨디셔너 제조방법을 보여주기 위한 블록도이고, 도 2는 본 발명에 따른 CMP 패드 컨디셔너 제조방법에서 마스크층 형성단계를 보여주기 위한 도면이며, 도 3은 본 발명에 따른 CMP 패드 컨디셔너 제조방법에서 지립 배치단계 및 지립 고정단계를 보여주기 위한 도면이고, 도 4는 본 발명에 따른 CMP 패드 컨디셔너 제조방법에서 마스크층 제거 단계를 보여주기 위한 도면이며, 도 5는 본 발명에 따른 CMP 패드 컨디셔너 제조방법에서 지지층 형성단계를 보여주기 위한 도면이고, 도 6은 본 발명에 따른 CMP 패드 컨디셔너 제조방법에서 제1 도금층 형성단계를 보여주기 위한 도면이며, 도 7은 본 발명에 따른 CMP 패드 컨디셔너 제조방법에서 제2 도금층 형성단계를 보여주기 위한 도면이고, 도 8은 본 발명에 따른 CMP 패드 컨디셔너를 보여주기 위한 저면도이다.1 is a block diagram illustrating a method of manufacturing a CMP pad conditioner according to the present invention, FIG. 2 is a diagram illustrating a mask layer forming step in a method of manufacturing a CMP pad conditioner according to the present invention, and FIG. It is a view for showing the step of placing an abrasive grain and the step of fixing the abrasive in the CMP pad conditioner manufacturing method according to the present invention. It is a view for showing the step of forming a support layer in the method for manufacturing a CMP pad conditioner according to It is a view for showing the second plating layer forming step in the CMP pad conditioner manufacturing method, and FIG. 8 is a bottom view for showing the CMP pad conditioner according to the present invention.

도 1 내지 도 7에 도시한 바와 같이, 본 발명에 따른 CMP 패드 컨디셔너 제조방법은 마스크층 형성단계(S100)와, 다이아몬드 지립 배치단계(S200)와, 다이아몬드 지립 고정단계(S300)와, 마스크층 제거단계(S400)와, 지지층 형성단계(S500)와 제1 도금층 형성단계(S600) 및 제2 도금층 형성단계(S700)를 포함한다.1 to 7, the method for manufacturing a CMP pad conditioner according to the present invention includes a mask layer forming step (S100), a diamond abrasive grain arrangement step (S200), a diamond abrasive grain fixing step (S300), and a mask layer It includes a removing step (S400), a support layer forming step (S500), a first plating layer forming step (S600), and a second plating layer forming step (S700).

먼저, 마스크층 형성단계(S100)는 도 2에서처럼 금속 모재(metal plate shank,10)의 표면에 다수의 삽입홈(111)을 가는 마스크층(110)을 형성시키는 과정이다.First, the mask layer forming step S100 is a process of forming the mask layer 110 having a plurality of insertion grooves 111 on the surface of the metal plate shank 10 as shown in FIG. 2 .

여기서, 삽입홈(111)은 후술 될 다이아몬드 지립(120)들이 삽입되는 공간으로, 삽입홈(111)을 통해 금속 모재(10)의 표면이 외부로 노출된다.Here, the insertion groove 111 is a space into which the diamond abrasive grains 120 to be described later are inserted, and the surface of the metal base material 10 is exposed to the outside through the insertion groove 111 .

그리고, 마스크층 형성단계(S100)에서 금속 모재(10)는 스테인리스(Stainless) 등의 소재를 이용해 원판 형상으로 제작할 수 있고, 금속 모재(10)의 표면에 일정 두께의 마스크층(110)을 형성시킨다.And, in the mask layer forming step (S100), the metal base material 10 can be manufactured in a disk shape using a material such as stainless, and a mask layer 110 of a certain thickness is formed on the surface of the metal base material 10. make it

또한, 마스크층 형성단계(S100)에서 형성시킨 마스크층(110)은 포토 에칭(리소그래피: lithography) 방식 등을 이용해 일정 두께로 형성될 수 있다.In addition, the mask layer 110 formed in the mask layer forming step S100 may be formed to a predetermined thickness using a photo-etching (lithography) method or the like.

예를 들어, 광을 조사하는 노광 공정과, 그에 뒤 이은 현상 공정 등이 수행될 수 있으며, 노광 공정과 현상 공정에 의해 마스크층(110)에는 금속 모재(10)를 상방으로 노출시키는 다수의 삽입홈(111)들을 형성시킬 수 있다.For example, an exposure process of irradiating light and a subsequent development process may be performed, and a plurality of insertions for exposing the metal base material 10 upwardly into the mask layer 110 by the exposure process and the developing process may be performed. Grooves 111 may be formed.

다음으로, 다이아몬드 지립 배치단계(S200)는 도 3에서처럼 삽입홈(111)들에 다수의 다이아몬드 지립(120)들을 각각 배치시키는 과정이다.Next, the diamond abrasive grain arrangement step ( S200 ) is a process of disposing a plurality of diamond abrasive grains 120 in the insertion grooves 111 , respectively, as shown in FIG. 3 .

여기서 다이아몬드 지립 배치단계(S200)는 금속 모재(10)의 표면에 다이아몬드 지립(120)들을 위치시킨 후, 금속 모재(10)에 초음파 진동을 가해 다이아몬드 지립(120)들을 삽입홈(111)들에 각각 배치시킬 수 있다.Here, in the diamond abrasive grain arrangement step (S200), after placing the diamond abrasive grains 120 on the surface of the metal base material 10, ultrasonic vibration is applied to the metallic base material 10 to insert the diamond abrasive grains 120 into the insertion grooves 111. Each can be placed.

이때, 다이아몬드 지립(120)들은 도 3에서처럼 다이아몬드 지립(120)들의 하층부(121)가 삽입홈(111)의 내부에 각각 삽입될 수 있고, 다이아몬드 지립(120)들의 상층부(122)가 삽입홈(111)의 상부로 돌출될 수 있다.At this time, in the diamond abrasive grains 120, the lower layer 121 of the diamond abrasive grains 120 may be inserted into the insertion groove 111, respectively, as shown in FIG. 3, and the upper layer part 122 of the diamond abrasive grain 120 is inserted into the insertion groove ( 111) may protrude upward.

또한, 다이아몬드 지립(120)들은 200 내지 300㎛의 입자 크기를 가지는 것이 바람직하나 이에 제한되는 것은 아니며, 다이아몬드 지립(120)들의 입자 크기는 필요에 따라 다양하게 적용이 가능하다.In addition, the diamond abrasive grains 120 preferably have a particle size of 200 to 300 μm, but is not limited thereto, and the particle size of the diamond abrasive grains 120 may be variously applied as needed.

다음으로, 다이아몬드 지립 고정단계(S300)는 금속 모재(10)의 표면에 다이아몬드 지립(120)의 하층부(121)를 금속 모재(10)의 표면에 고정시키기 위해 삽입홈(111)들에 셋팅 도금부(130)를 형성시키는 과정이다.Next, the diamond abrasive grain fixing step (S300) is set plating in the insertion grooves 111 to fix the lower layer 121 of the diamond abrasive grain 120 to the surface of the metal base material 10 on the surface of the metal base material 10. This is the process of forming the part 130 .

여기서, 셋팅 도금부(130)는 다이아몬드 지립(120)의 하층부(121) 즉, 다이아몬드 지립(120)의 하단 테두리 부위와 금속 모재(10)의 표면에 함께 부착되어, 다이아몬드 지립(120)을 금속 모재(10)의 표면에 고정적으로 위치시킨다.Here, the setting plating unit 130 is attached to the lower layer 121 of the diamond abrasive grain 120, that is, the lower edge portion of the diamond abrasive grain 120 and the surface of the metal base material 10, and the diamond abrasive grain 120 is metal. It is fixedly positioned on the surface of the base material (10).

즉, 다이아몬드 지립(120)들이 셋팅 도금부(130)에 의해 금속 모재(10)의 표면에 흔들림 없이 위치될 수 있으며, 이 상태에서 다이아몬드 지립(120)들의 상단이 웨이퍼(wafer)와 접촉된 상태로 연마 과정을 수행한다.That is, the diamond abrasive grains 120 can be positioned without shaking on the surface of the metal base material 10 by the setting plating unit 130 , and in this state, the upper ends of the diamond abrasive grains 120 are in contact with the wafer. perform the polishing process with

다음으로, 마스크층 제거단계(S400)는 마스크층(110)을 금속 모재의 표면으로부터 제거하여, 도 4에서처럼 셋팅 도금부(130)와 다이아몬드 지립(120)들의 상층부(122)를 외부로 노출시키는 과정이다.Next, the mask layer removing step (S400) removes the mask layer 110 from the surface of the metal base material, exposing the upper layer part 122 of the setting plating part 130 and the diamond abrasive grains 120 to the outside as shown in FIG. It is a process.

이 상태에서, 다이아몬드 지립(120)들의 하층부(121)는 셋팅 도금부(130)에 의해 금속 모재(10)의 표면에 고정적으로 부착된다.In this state, the lower layer portion 121 of the diamond abrasive grains 120 is fixedly attached to the surface of the metal base material 10 by the setting plating portion 130 .

다음으로, 지지층 형성단계(S500)에서는 도 5에서처럼 다이아몬드 지립(120)의 상층부(122)가 외부로 노출된 상태로 금속 모재(10)와 셋팅 도금부(130)와 다이아몬드 지립(120)의 하층부(121) 표면에 니켈(Ni) 도금을 통해 지지층(140)을 형성시키는 과정이다.Next, in the support layer forming step (S500), the upper layer 122 of the diamond abrasive grain 120 is exposed to the outside as shown in FIG. (121) This is a process of forming the support layer 140 on the surface through nickel (Ni) plating.

일 실시예로, 지지층 형성단계(S500)에서 지지층(140)은 니켈(Ni)도금을 통하여 다이아몬드 지립을 더 안전하게 잡아주는 공정을 진행하는 것을 나타낸다. In one embodiment, the support layer 140 in the step of forming the support layer ( S500 ) represents a process of more safely holding the diamond abrasive grains through nickel (Ni) plating.

여기서, 지지층 형성단계(S500)에서는 지지층(140)이 금속 모재(10)와 셋팅 도금부(130)의 표면 및 다이아몬드 지립(120)의 하층부(121)를 외부에서 감싸며, 이때 지지층(140)은 다이아몬드 지립(120)의 하단을 감싸는 상태로 형성된다.Here, in the support layer forming step (S500), the support layer 140 surrounds the surface of the metal base material 10 and the setting plating part 130 and the lower layer part 121 of the diamond abrasive grain 120 from the outside, at this time the support layer 140 is It is formed in a state surrounding the lower end of the diamond abrasive grain (120).

지지층(140)의 두께는 50 내지 250㎛로 진행될 수 있으나, 다이아몬드 지립(120)의 크기에 따라 60 내지 160㎛의 두께로 진행하는 것이 바람직하다.The thickness of the support layer 140 may be 50 to 250 μm, but it is preferable to proceed to a thickness of 60 to 160 μm depending on the size of the diamond abrasive grains 120 .

이것에 의해, 지지층(140)은 다이아몬드 지립(120)의 결합력이 향상될 수 있도록 지지하여, 이에 따라 다이아몬드 지립의 탈락이 거의 없도록 구성할 수 있는 것을 나타낸다.Thereby, the support layer 140 supports so that the bonding force of the diamond abrasive grains 120 can be improved, thereby indicating that the diamond abrasive grains can be configured to hardly fall off.

다음으로, 제1 도금층 형성단계(S600)는 도 6에서처럼 지지층(140)의 상부 표면에 제1 도금층(150)을 형성하여 지지층(140) 보다 내식성이 강한 금속을 도금하는 과정이다.Next, the first plating layer forming step ( S600 ) is a process of plating a metal having stronger corrosion resistance than the support layer 140 by forming the first plating layer 150 on the upper surface of the support layer 140 as shown in FIG. 6 .

여기서 제1 도금층 형성단계(S600)에서 제1 도금층은, 상기 지지층 보다 내식성이 강한 금(Au), 은(Ag), 주석(Sn) 및 백금(Pt) 중 적어도 하나가 도금되어 형성되거나, 금(Au), 은(Ag), 주석(Sn) 및 백금(Pt) 중 적어도 하나를 포함하는 합금(合金)이 도금되어 형성될 수 있다.Here, in the first plating layer forming step (S600), the first plating layer is formed by plating at least one of gold (Au), silver (Ag), tin (Sn), and platinum (Pt), which has stronger corrosion resistance than the support layer, or gold An alloy including at least one of (Au), silver (Ag), tin (Sn), and platinum (Pt) may be plated and formed.

최종적으로, 제2 도금층 형성단계(S700)는 도 7에서처럼 제1 도금층(150)의 상부 표면에 제2 도금층(160)을 형성하여 제1 도금층(150) 보호할 수 있도록 코팅하는 과정이다.Finally, the second plating layer forming step S700 is a process of forming the second plating layer 160 on the upper surface of the first plating layer 150 to protect the first plating layer 150 as shown in FIG. 7 .

여기서, 제2 도금층 형성단계(S700)에서 제2 도금층(160)은 팔라듐(Pd)과 크롬(Cr)이 도금되어 형성되거나 PNC(Pd+Ni+Cr)가 도금되어 형성될 수 있다.Here, in the second plating layer forming step S700 , the second plating layer 160 may be formed by plating palladium (Pd) and chromium (Cr) or PNC (Pd+Ni+Cr) plating.

팔라듐(Pd)과 크롬(Cr) 도금 진행 시 팔라듐(Pd) 도금 후 크롬(Cr) 도금이 순차적으로 진행될 수 있다.When palladium (Pd) and chromium (Cr) plating is performed, chromium (Cr) plating may be sequentially performed after palladium (Pd) plating.

또한, 제2 도금층(160)은 제1 도금층(150) 진행 후 표면의 거칠기를 조절할 수 있도록 최종적으로 제2 도금층(160) 도금을 진행하여, 이것에 의해 표면조도를 낮출 수 있도록 PNC(Pd+Ni+Cr)도금을 진행하거나, 팔라듐(Pd) 도금 진행 후 크롬(Cr)도금을 순차적으로 진행하여 코팅하는 것을 나타낸다.In addition, the second plating layer 160 is finally plated with the second plating layer 160 so as to control the roughness of the surface after the first plating layer 150 is processed, thereby reducing the surface roughness of the PNC (Pd+). Ni+Cr) plating or palladium (Pd) plating followed by chrome (Cr) plating sequentially indicates coating.

이하, 도 8을 참조로 본 발명에 따른 CMP 패드 컨디셔너(100)를 설명하면 다음과 같으며, 본 발명에 따른 CMP 패드 컨디셔너(100)는 금속 모재(10)와 다이아몬드 지립(120)과 지지층(140)과 제1 도금층(150) 및 제2 도금층(160)을 포함한다.Hereinafter, the CMP pad conditioner 100 according to the present invention will be described with reference to FIG. 8 as follows, and the CMP pad conditioner 100 according to the present invention includes a metal base material 10, diamond abrasive grains 120 and a support layer ( 140 , and a first plating layer 150 and a second plating layer 160 .

먼저, 금속 모재(10)는 원판 형상을 가질 수 있으며, 다이아몬드 지립(120)은 금속 모재(10)의 표면에 하단이 고정되는 것으로, 도 7에서처럼 하층부(121)들의 내부에 각각 삽입될 수 있고, 다이아몬드 지립(120)의 상층부(122)는 삽입홈(111)의 상부로 돌출될 수 있다.First, the metal base material 10 may have a disk shape, and the diamond abrasive grains 120 have a lower end fixed to the surface of the metal base material 10, and may be respectively inserted into the lower layers 121 as in FIG. , the upper layer 122 of the diamond abrasive grains 120 may protrude above the insertion groove 111 .

지지층(140)은, 금속 모재(10)와 다이아몬드 지립(120)의 하층부(121) 표면에 도금되어, 다이아몬드 지립(120)의 상층부(122)를 외부로 노출시킨다.The support layer 140 is plated on the surface of the lower layer portion 121 of the metal base material 10 and the diamond abrasive grains 120 to expose the upper layer portion 122 of the diamond abrasive grains 120 to the outside.

여기서, 지지층(140)은 다이아몬드 지립(120)의 하층부(121)를 감싸는 상태로 금속 모재(10)의 표면에 도금을 통해 형성되므로, 다이아몬드 지립(120)을 보다 안정적으로 고정하여 지지할 수 있다.Here, the support layer 140 is formed through plating on the surface of the metal base material 10 in a state of surrounding the lower layer portion 121 of the diamond abrasive grain 120, so that the diamond abrasive grain 120 can be fixed and supported more stably. .

한편, 다이아몬드 지립(120)의 하층부(121) 표면과 금속 모재(10)의 표면에는 도 4에서처럼 셋팅 도금부(130)가 도금되어 형성될 수 있다.Meanwhile, the setting plating unit 130 may be plated on the surface of the lower layer portion 121 of the diamond abrasive grain 120 and the surface of the metal base material 10 as shown in FIG. 4 .

여기서, 셋팅 도금부(130)는 금속 모재(10)의 표면과 다이아몬드 지립(120)의 하층부(121)에 부착된 상태로 도금되어, 다이아몬드 지립(120)을 금속 모재(10)의 표면에 고정시킬 수 있다.Here, the setting plating part 130 is plated in a state of being attached to the surface of the metal base material 10 and the lower layer part 121 of the diamond abrasive grain 120 , and the diamond abrasive grain 120 is fixed to the surface of the metal base material 10 . can do it

제1 도금층(150)은, 지지층(140)의 상부 표면에 도금되는 것으로, 제1 도금층(150)은 지지층(140)의 내식성을 강화하기 위해 지지층(140)을 형성한 니켈(Ni)보다 내식성이 강한 금(Au), 은(Ag), 주석(Sn) 및 백금(Pt) 중 적어도 하나가 도금되어 형성되거나, 금(Au), 은(Ag), 주석(Sn) 및 백금(Pt) 중 적어도 하나를 포함하는 합금(合金)이 도금되어 형성될 수 있다.The first plating layer 150 is plated on the upper surface of the support layer 140 , and the first plating layer 150 has more corrosion resistance than nickel (Ni) on which the support layer 140 is formed in order to strengthen the corrosion resistance of the support layer 140 . At least one of the strong gold (Au), silver (Ag), tin (Sn) and platinum (Pt) is plated, or gold (Au), silver (Ag), tin (Sn) and platinum (Pt) are plated. An alloy including at least one may be plated and formed.

제2 도금층(160)은, 제1 도금층(150)의 상부 표면에 도금되는 것으로, 지지층(140)과 제1 도금층(150)을 보호할 수 있도록 코팅하며, 제1 도금층(150) 표면의 거친 조도를 낮출 수 있도록 PNC(Pd+Ni+Cr) 도금을 진행하거나, 팔라듐(Pd) 도금 진행 후 크롬(Cr)도금을 순차적으로 진행하여 코팅하는 것을 나타낸다. 이것에 의해 제1 도금층(150)의 표면 거칠기의 단점을 보완할 수 있다.The second plating layer 160 is plated on the upper surface of the first plating layer 150 , and is coated to protect the support layer 140 and the first plating layer 150 , and the roughness of the surface of the first plating layer 150 . PNC (Pd+Ni+Cr) plating is performed to lower the roughness, or chrome (Cr) plating is sequentially performed after palladium (Pd) plating to indicate coating. Accordingly, the disadvantage of the surface roughness of the first plating layer 150 may be supplemented.

여기서 팔라듐(Pd)과 크롬(Cr)도금 시 팔라듐(Pd) 도금 처리한 후에 최종적으로 크롬(Cr)으로 도금 처리하는 것이 바람직하며, 이에 제한되는 것은 아니다. 여기서 백금족 금속은 팔라듐(Pd)과, 팔라듐(Pd)과 니켈(Ni) 및 크롬(Cr)으로 이루어진 PNC(Pd+Ni+Cr) 중 적어도 어느 하나를 의미한다.Here, in the case of palladium (Pd) and chromium (Cr) plating, it is preferable to finally plated with chromium (Cr) after palladium (Pd) plating, but is not limited thereto. Here, the platinum group metal means at least one of palladium (Pd), palladium (Pd), nickel (Ni), and PNC (Pd+Ni+Cr) made of chromium (Cr).

또한, 제2 도금층(160)을 형성하는 백금족 금속의 경우 도금층의 경도(硬度)와 내부응력(內部應力)이 높아 그 표면에 미세한 균열이 존재할 수 있고, 경제적인 측면에서 위험성이 높다는 문제점이 있으며, 크롬(Cr) 도금층의 경우 경도(硬度)와 내부응력이 높아 도금층의 두께가 제한적이므로, 제2 도금층(160)의 두께는 0.1 내지 3㎛의 두께 범위로 형성시킬 수 있다.In addition, in the case of the platinum group metal forming the second plating layer 160, the hardness and internal stress of the plating layer are high, so there may be microcracks on the surface thereof, and there is a problem that there is a high risk in economic terms. , in the case of the chromium (Cr) plating layer, since the thickness of the plating layer is limited due to high hardness and internal stress, the thickness of the second plating layer 160 may be formed in a thickness range of 0.1 to 3 μm.

또한, 제1 도금층(150)은 경도(硬度)와 내부응력(內部應力)이 높고, 고가의 금속으로 이루어진 제2 도금층(160) 보다 더 두껍게 형성하여 고가의 금속 사용을 줄이고 내식성을 강화하여 지지층을 보호할 수 있으며, 제1 도금층(150)의 두께는 0.1 내지 5㎛의 두께 범위로 형성시킬 수 있다.In addition, the first plating layer 150 has high hardness and high internal stress, and is formed thicker than the second plating layer 160 made of an expensive metal to reduce the use of expensive metals and strengthen corrosion resistance to strengthen the support layer. can be protected, and the thickness of the first plating layer 150 may be formed in a thickness range of 0.1 to 5 μm.

즉, 제2 도금층(160)은 제1 도금층(150)의 두께보다 더 얇은 도금층 형성하는 것이 바람직하나 이에 제한되는 것은 아니다.That is, the second plating layer 160 is preferably formed as a plating layer thinner than the thickness of the first plating layer 150, but is not limited thereto.

이와 같은 지지층(140)과 제1,2 도금층(150,160)을 통하여 웨이퍼(wafer)연마시 다이아몬드 지립(120)들과 금속 모재(10)의 계면으로 수분이 침투하는 것을 방지할 수 있다.Through the support layer 140 and the first and second plating layers 150 and 160 , it is possible to prevent moisture from penetrating into the interface between the diamond abrasive grains 120 and the metal base material 10 during wafer polishing.

결과적으로, 본 발명은 지지층(140)에 내식성이 강한 제1도금층(150)과 제1 도금층을 코팅하기 위한 제2 도금층(160)으로 복수의 도금층을 형성하여, 금속 모재(10)와 다이아몬드 지립(120)들의 계면에 지지층(140)을 형성시킴과 아울러, 지지층(140)의 표면에 내식성이 강한 제1 도금층(150)을 형성하고 제1 도금층(150)의 표면에 보호성 코팅 도금으로 제2 도금층(160)을 일정 두께로 형성함으로써, 다이아몬드 지립(120)의 결합력을 향상시킬 수 있고, 내식성을 향상시킬 수 있으며, 백금족의 고가 금속의 사용을 줄여 제품 생산비용을 절감할 수 있는 효과를 갖는다.As a result, in the present invention, a plurality of plating layers are formed on the support layer 140 with a first plating layer 150 having strong corrosion resistance and a second plating layer 160 for coating the first plating layer, the metal base material 10 and diamond abrasive grains. In addition to forming the support layer 140 on the interface of the 120, a first plating layer 150 with strong corrosion resistance is formed on the surface of the support layer 140, and a protective coating plating is applied to the surface of the first plating layer 150. 2 By forming the plating layer 160 to a certain thickness, the bonding force of the diamond abrasive grains 120 can be improved, corrosion resistance can be improved, and the use of expensive metals of the platinum group can be reduced to reduce product production costs. have

지금까지 본 발명에 따른 CMP 패드 컨디셔너 제조방법 및 이를 이용한 CMP 패드 컨디셔너에 관한 구체적인 실시예에 관하여 설명하였으나, 본 발명의 범위에서 벗어나지 않는 한도 내에서는 여러 가지 실시 변형이 가능함은 자명하다.So far, specific embodiments of the method for manufacturing a CMP pad conditioner according to the present invention and a CMP pad conditioner using the same have been described, but it is apparent that various implementation modifications are possible without departing from the scope of the present invention.

그러므로 본 발명의 범위에는 설명된 실시예에 국한되어 전해져서는 안되며, 후술하는 특허등록 청구범위뿐만 아니라 이 특허등록 청구범위와 균등한 것들에 의해 정해져야 한다.Therefore, the scope of the present invention should not be limited to the described embodiments, and should be defined by the claims and equivalents of the claims as well as the claims described later.

즉, 전술된 실시예는 모든 면에서 예시적인 것이며, 한정적인 것이 아닌 것으로 이해되어야 하며, 본 발명의 범위는 상세한 설명보다는 후술 될 특허등록 청구범위에 의하여 나타내어지며, 그 특허등록 청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.That is, it should be understood that the above-described embodiment is illustrative in all respects and not restrictive, and the scope of the present invention is indicated by the claims to be described later rather than the detailed description, and the meaning and All changes or modifications derived from the scope and its equivalents should be construed as being included in the scope of the present invention.

10: 금속 모재 100: CMP 패드 컨디셔너
110: 마스크 층 111: 삽입홈
120: 다이아몬드 지립 121: 하층부
122: 상층부 130: 셋팅 도금부
140: 지지층 150: 제1 도금층
160: 제2 도금층10: metal base material 100: CMP pad conditioner
110: mask layer 111: insertion groove
120: diamond abrasive grain 121: lower layer
122: upper layer 130: setting plating part
140: support layer 150: first plating layer
160: second plating layer

Claims (9)

CMP 패드 컨디셔너의 제조방법에 있어서,
금속 모재의 표면에 다수의 삽입홈을 갖는 마스크층을 형성시키는 마스크층 형성단계;
상기 삽입홈들에 다이아몬드 지립들을 각각 배치시키는 다이아몬드 지립 배치단계;
상기 금속 모재의 표면에 상기 다이아몬드 지립의 하층부를 상기 금속 모재의 표면에 고정시키기 위해 상기 삽입홈들에 셋팅 도금부를 형성시키는 다이아몬드 지립 고정단계;
상기 마스크층을 상기 금속 모재의 표면으로부터 제거하여, 상기 셋팅 도금부와 상기 다이아몬드 지립들의 상층부를 외부로 노출시키는 마스크층 제거단계;
상기 다이아몬드 지립의 상층부가 외부로 노출된 상태로 상기 금속 모재와 셋팅 도금부와 상기 다이아몬드 지립의 하층부 표면에 다이아몬드 지립을 지지하는 지지층을 형성하는 지지층 형성단계;
상기 지지층 상부 표면에 지지층 보다 내식성이 강한 도금층을 형성시키는 제1 도금층 형성단계; 및
상기 제1 도금층 상부 표면에 보호성으로 코팅하는 제2 도금층 형성단계;
를 포함하는 것을 특징으로 하는 CMP 패드 컨디셔너 제조방법.
A method for manufacturing a CMP pad conditioner, comprising:
A mask layer forming step of forming a mask layer having a plurality of insertion grooves on the surface of the metal base material;
a diamond abrasive grain arrangement step of disposing each of the diamond abrasive grains in the insertion grooves;
a diamond abrasive fixing step of forming a setting plating part in the insertion grooves to fix the lower layer of the diamond abrasive grain to the surface of the metal base material on the surface of the metal base material;
a mask layer removing step of removing the mask layer from the surface of the metal base material to expose the setting plating part and the upper layer part of the diamond abrasive grains to the outside;
a support layer forming step of forming a support layer for supporting the diamond abrasive grains on the surface of the metal base material, the setting plating part, and the lower layer of the diamond abrasive grains with the upper layer of the diamond abrasive grains exposed to the outside;
a first plating layer forming step of forming a plating layer having stronger corrosion resistance than the support layer on the upper surface of the support layer; and
a second plating layer forming step of protectively coating an upper surface of the first plating layer;
CMP pad conditioner manufacturing method comprising a.
 청구항 1에 있어서,
상기 지지층 형성단계에서 상기 지지층은,
니켈(Ni)이 도금되어 형성되는 것을 특징으로 하는 CMP 패드 컨디셔너 제조방법.
The method according to claim 1,
In the step of forming the support layer, the support layer is
A method for manufacturing a CMP pad conditioner, characterized in that it is formed by plating nickel (Ni).
 청구항 1에 있어서,
상기 제1 도금층 형성단계에서 제1 도금층은,
상기 지지층 보다 내식성이 강한 금(Au), 은(Ag), 주석(Sn) 및 백금(Pt) 중 적어도 하나가 도금되어 형성되거나, 금(Au), 은(Ag), 주석(Sn) 및 백금(Pt) 중 적어도 하나를 포함하는 합금(合金)이 도금되어 형성되는 것을 특징으로 하는 CMP 패드 컨디셔너 제조방법.
The method according to claim 1,
In the first plating layer forming step, the first plating layer is
At least one of gold (Au), silver (Ag), tin (Sn), and platinum (Pt), which is stronger in corrosion resistance than the support layer, is plated, or gold (Au), silver (Ag), tin (Sn) and platinum (Pt) CMP pad conditioner manufacturing method, characterized in that it is formed by plating an alloy containing at least one.
 청구항 1에 있어서,
상기 제2 도금층 형성단계에서 제2 도금층은, 팔라듐(Pd)과 크롬(Cr)이 도금되어 형성되거나PNC(Pd+Ni+Cr)가 도금되어 형성되는 것을 특징으로 하는 CMP 패드 컨디셔너 제조방법.
The method according to claim 1,
In the second plating layer forming step, the second plating layer is formed by plating palladium (Pd) and chromium (Cr) or PNC (Pd+Ni+Cr) plating.
 청구항 1에 있어서,
상기 제2 도금층 형성단계에서 제2 도금층은,
제1 도금층의 두께와 동일하거나 더 얇은 도금층을 형성하는 것을 특징으로 하는 CMP 패드 컨디셔너 제조방법.
The method according to claim 1,
In the step of forming the second plating layer, the second plating layer is
A method for manufacturing a CMP pad conditioner, comprising forming a plating layer equal to or thinner than the thickness of the first plating layer.
 CMP 패드 컨디셔너에 있어서,
금속 모재와,
상기 금속 모재의 표면에 하단이 고정되는 다이아몬드 지립;
상기 다이아몬드 지립의 하층부 표면과 상기 금속 모재의 표면에 형성되며, 상기 금속 모재 표면과 상기 다이아몬드 지립의 하층부에 부착된 상태로 도금되어 상기 다이아몬드 지립을 고정시키는 셋팅 도금부;
상기 셋팅 도금부와 상기 금속 모재와 상기 다이아몬드 지립의 하층부 표면에 형성되고, 상기 다아이몬드 지립의 상층부를 외부로 노출시키며, 다이아몬드 지립을 지지하는 지지층;
상기 지지층의 상부 표면에 지지층 보다 내식성이 강한 금속이 도금되는 제1 도금층; 및
상기 제1 도금층의 상부 표면에 도금되어 제1 도금층을 보호하도록 코팅되는 제2 도금층을 포함하는 것을 특징으로 하는 CMP 패드 컨디셔너.
A CMP pad conditioner comprising:
metal base material,
a diamond abrasive grain having a lower end fixed to the surface of the metal base material;
a setting plating part formed on the surface of the lower layer of the diamond abrasive grain and the surface of the metal base material and plated while attached to the surface of the metal base material and the lower layer of the diamond abrasive grain to fix the diamond abrasive grain;
a support layer formed on the surface of the lower layer of the setting plating part, the metal base material, and the diamond abrasive grain, exposing the upper layer of the diamond abrasive grain to the outside, and supporting the diamond abrasive grain;
a first plating layer in which a metal having a stronger corrosion resistance than that of the support layer is plated on the upper surface of the support layer; and
and a second plating layer coated on the upper surface of the first plating layer to protect the first plating layer.
 청구항 6에 있어서,
상기 제1 도금층은,
상기 지지층 보다 내식성이 강한 금(Au), 은(Ag), 주석(Sn) 및 백금(Pt) 중 적어도 하나가 도금되어 형성되거나, 금(Au), 은(Ag), 주석(Sn) 및 백금(Pt) 중 적어도 하나를 포함하는 합금(合金)이 도금되어 형성되는 것을 특징으로 하는 CMP 패드 컨디셔너.
7. The method of claim 6,
The first plating layer,
At least one of gold (Au), silver (Ag), tin (Sn), and platinum (Pt), which is stronger in corrosion resistance than the support layer, is plated, or gold (Au), silver (Ag), tin (Sn) and platinum (Pt) CMP pad conditioner, characterized in that formed by plating an alloy containing at least one.
 청구항 6에 있어서,
상기 제2 도금층은, 팔라듐(Pd)과 크롬(Cr)이 도금되어 형성되거나 PNC(Pd+Ni+Cr)가 도금되어 형성되는 것을 특징으로 하는 CMP 패드 컨디셔너.
7. The method of claim 6,
CMP pad conditioner, characterized in that the second plating layer is formed by plating palladium (Pd) and chromium (Cr) or PNC (Pd+Ni+Cr) is plated.
 청구항 6에 있어서,
상기 제2 도금층은,
제1 도금층의 두께와 동일하거나 더 얇은 도금층을 형성하는 것을 특징으로 하는 CMP 패드 컨디셔너.7. The method of claim 6,
The second plating layer,
A CMP pad conditioner, characterized in that a plating layer equal to or thinner than the thickness of the first plating layer is formed.
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