KR20210108716A - 용접 불량 검사 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명의 용접 불량 검사 방법은, 표본 집단의 용접부의 저항을 측정하여 약용접의 판단 기준이 되는 임계 저항값을 도출하는 임계 저항 설정 단계(S100); 검사 대상 용접부의 저항값을 측정하는 저항 측정 단계(S200); 및 상기 저항 측정 단계에서 측정된 저항값이 상기 임계 저항값을 초과하는 경우, 약용접으로 판단하는 단계(S300)를 포함하고, 상기 임계 저항 설정 단계(S100) 및 상기 저항 측정 단계(S200)는, 분해능이 나노 옴 내지 마이크로 옴 단위인 미세 저항 측정기를 이용하여 저항을 측정한다.
본 발명의 용접 불량 검사 방법은, 약용접에 의한 용접 불량의 검출력이 우수한 효과가 있다.

Description

용접 불량 검사 방법{A detecting method of welding defect}
본 발명은 용접 불량을 검사하는 방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 리튬 이차전지에 있어서, 전극 탭과 전극 탭의 용접부 또는 전극 탭과 전극 리드의 용접부의 약용접 여부를 검사하는 방법에 관한 것이다.
일반적으로, 이차전지는 충전이 불가능한 일차 전지와 달리, 충방전이 가능한 전지를 의미하며, 휴대폰, 노트북 컴퓨터, 캠코더 등의 전자기기 또는 전기 자동차 등에 널리 사용되고 있다. 특히, 리튬 이차전지는 니켈-카드뮴 전지 또는 니켈-수소 전지보다 큰 용량을 가지며, 단위 중량당 에너지 밀도가 높기 때문에 그 활용 정도가 급속도로 증가되는 추세에 있다.
한편, 리튬 이차전지는 양극/분리막/음극 구조의 전극조립체가 어떠한 구조로 이루어져 있는지에 따라 분류되기도 하는 바, 대표적으로 긴 시트형의 양극들과 음극들을 분리막이 개재된 상태에서 권취한 구조의 젤리-롤 전극조립체, 소정 크기의 단위로 절취한 다수의 양극과 음극들을 분리막을 개재한 상태로 순차적으로 적층한 스택형 전극조립체, 소정 단위의 양극과 음극들을 분리막을 개재한 상태로 적층한 바이 셀 또는 풀 셀들을 권취한 구조의 스택/폴딩형 전극조립체 등을 들 수 있다.
최근에는, 스택형 또는 스택/폴딩형 전극조립체를 알루미늄 라미네이스 시트의 파우치형 전지케이스에 내장한 구조의 파우치형 전지가, 낮은 제조비, 작은 중량, 용이한 형태의 변형 등을 이유로 많은 관심을 모으고 있고 또한 그것의 사용량이 점차적으로 증가하고 있다.
이러한 리튬 이차전지는 주로 리튬계 산화물과 탄소재를 각각 양극 활물질과 음극 활물질로 사용한다. 리튬 이차전지는, 이러한 양극 활물질과 음극 활물질이 각각 도포된 양극판과 음극판이 세퍼레이터를 사이에 두고 배치된 전극조립체와, 전극조립체를 전해액과 함께 밀봉 수납하는 외장재를 구비한다.
이 때, 전극조립체에는 복수 개의 양극판으로부터 연장되어 있는 복수 개의 양극 탭과 복수 개의 음극판으로부터 연장되어 있는 복수 개의 음극 탭이 형성되어 있으며, 이러한 복수 개의 양극 탭 및 복수 개의 음극 탭은 각각 양극 리드 및 음극 리드와 용접 결합된다. 여기서, 복수 개의 양극 탭과 복수 개의 음극 탭이 전극 탭을 구성하고, 양극 리드와 음극 리드가 전극 리드를 구성하게 된다.
이와 같이 전극 탭 및 전극 리드를 용접할 때, 전극 탭과 전극 탭 사이, 전극 탭과 전극 리드 사이의 용접을 약하게 행하는 경우에는 용접 불량이 발생하므로, 이 같은 약용접에 의한 용접 불량 여부를 검사하는 과정이 필요하다.
용접부의 약용접 불량을 검사하기 위한 방법으로, 종래에는 피용접물에 대해 용접부를 중심으로 반대 방향으로 잡아당겨 인장 강도를 측정하는 방식을 사용하였다. 그러나, 이 같은 방식은 인장 강도를 측정하는 과정에서 전극 탭이나 전극 리드가 손상되므로, 전수 조사가 불가능한 한계가 있었다.
한국공개특허 제2017-0125707호는, 전극 호일 요소 및 단자를 접합하는 용접부를 복수의 구역으로 분할하고, 상기 각각의 구역에 대해 전류를 인가해 저항을 측정한 후, 측정된 저항이 임계 저항보다 큰 경우, 용접 불량으로 검출하는 기술을 개시하고 있다. 그러나, 상기 문헌은 임계 저항을 도출함에 있어서 용접부에서 인장 강도와 저항의 상관 관계를 이용하므로, 임계 저항을 도출하기 위해서는 용접부의 인장 강도를 측정하는 과정이 필요할 수 밖에 없다.
그런데, 널리 사용되는 용접부의 인장 강도 측정 방식은 전술한 바와 같이, 피용접물에 대해 용접부를 중심으로 반대 방향으로 잡아당기는 방식에 의하는데, 이는 오차 발생의 가능성이 크므로, 인장 강도와 저항의 상관 관계로부터 도출된 임계 저항값은 신뢰도가 떨어지는 문제가 있다.
따라서, 용접부의 약용접 여부를 검사함에 있어서, 전수 조사가 가능하면서도 검출력이 우수한 검사 방법에 대한 기술 개발이 필요한 실정이다.
한국공개특허 2017-0125707
이에 본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위해 안출된 것으로서, 용접부의 약용접 불량을 검출함에 있어서, 전수 조사가 가능하면서도 불량 검출력이 우수한 검사 방법을 제공하는 것이다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 용접 불량 검사 방법은, 표본 집단의 용접부의 저항을 측정하여 약용접의 판단 기준이 되는 임계 저항값을 도출하는 임계 저항 설정 단계(S100); 검사 대상 용접부의 저항값을 측정하는 저항 측정 단계(S200); 및 상기 저항 측정 단계에서 측정된 저항값이 상기 임계 저항값을 초과하는 경우, 약용접으로 판단하는 단계(S300)를 포함하고, 상기 임계 저항 설정 단계(S100) 및 상기 저항 측정 단계(S200)는, 분해능이 나노 옴 내지 마이크로 옴 단위인 미세 저항 측정기를 이용하여 저항을 측정하는 것을 특징으로 한다.
하나의 구체적 예에서, 상기 미세 저항 측정기는 2 개의 저항 측정 프로브를 포함하고, 용접부에 2 개의 저항 측정 프로브를 접촉하여 저항을 측정하는 것이다.
하나의 구체적 예에서, 용접부의 일단에 하나의 저항 측정 프로브를, 타단에 다른 하나의 저항 측정 프로브를 접촉시켜, 용접부 전체의 저항을 측정할 수 있다.
하나의 구체적 예에서, 상기 저항 측정 프로브는 전압 프로브 및 전류 프로브를 포함한다.
하나의 구체적 예에서, 상기 저항 측정 단계(S200)는, 4 선식 측정 방식으로 용접부의 저항을 측정하는 것이다.
하나의 구체적 예에서, 상기 저항 측정 단계(S200)는, 직류 방식으로 용접부의 저항을 측정하는 것이다.
하나의 구체적 예에서, 상기 임계 저항 설정 단계(S100)는, 표본 집단에 대해 나노 옴 내지 마이크로 옴 단위의 미세 저항을 측정하고, 이를 저장하는 데이터 구축 단계(S110); 및 상기 데이터 구축 단계(S110)에 의해 축적된 자료를 통계적 방식으로 처리하여 임계값을 도출하는 임계 저항값 도출단계(S120)를 포함한다.
하나의 구체적 예에서, 상기 표본 집단의 개체 수는 적어도 100,000 이상이다.
하나의 구체적 예에서, 상기 표본 집단의 저항값들은 정규 분포 곡선을 이룬다.
하나의 구체적 예에서, 상기 임계 저항값은, 평균값 + 6δ이다.
하나의 구체적 예에서, 상기 용접부는 초음파 용접에 의해 형성된 것이다. 이때, 용접부의 경계면에 상기 저항 측정 프로브를 접촉하여 저항을 측정하는 것이 바람직하다.
하나의 구체적 예에서, 상기 용접부는 레이저 용접에 의해 형성된 것이다. 이때, 용접부의 외주면에 상기 저항 측정 프로브를 접촉하여 저항을 측정하는 것이 바람직하다.
본 발명의 용접 불량 검사 방법은, 파우치형 이차전지의 전극 탭과 전극 리드 간의 용접부 또는 전극 탭과 전극 탭 간의 용접부에 적용하는 것이 바람직하다.
본 발명의 용접 불량 검사 방법은, 임계 저항 설정 단계에서 표본 집단에 대해 저항을 측정해, 측정된 저항값의 정규 분포 곡선으로부터 임계 저항값을 설정하고, 표본 집단 및 검사 대상 용접부에 대한 저항 측정 시, 분해능이 나노 옴 내지 마이므로 옴 수준의 미세 저항 측정기를 이용하여, 정밀하게 저항을 측정하므로, 약용접 불량의 검출력이 매우 우수한 효과가 있다.
도 1은 본 발명의 용접 불량 검사 방법의 흐름도이다.
도 2는 용접강도와 저항의 상관관계를 나타내는 그래프이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 표본 집단의 저항값들의 정규 분포 곡선의 개형이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 저항 측정 방법을 나타낸 모식도이다.
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 저항 측정 방법을 나타낸 모식도이다.
도 6은 본 발명의 저항 측정 프로브의 모식도이다.
도 7은 본 발명의 실시예에 따라 초음파 용접에 의한 용접부의 저항을 측정하는 방법을 나타낸 모식도이다.
도 8은 본 발명의 실시예에 따라 레이저 용접에 의한 용접부의 저항을 측정하는 방법을 나타낸 모식도이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다. 이에 앞서, 본 명세서 및 청구범위에 사용된 용어나 단어는 통상적이거나 사전적인 의미로 한정해서 해석되어서는 아니 되며, 발명자는 그 자신의 발명을 가장 최선의 방법으로 설명하기 위해 용어의 개념을 적절하게 정의할 수 있다는 원칙에 입각하여 본 발명의 기술적 사상에 부합하는 의미와 개념으로 해석되어야 한다.
따라서, 본 명세서에 기재된 실시예와 도면에 도시된 구성은 본 발명의 가장 바람직한 일 실시예에 불과할 뿐이고 본 발명의 기술적 사상을 모두 대변하는 것은 아니므로, 본 출원시점에 있어서 이들을 대체할 수 있는 다양한 균등물과 변형예들이 있을 수 있음을 이해하여야 한다.
명세서 전체에서, 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함"한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라, 다른 구성요소를 더 포함할 수 있다는 것을 의미한다.
도 1은 본 발명에 따른 용접 불량 검사 방법의 흐름도이다. 도 1을 참조하면 본 발명의 용접 불량 검사 방법은, 표본 집단의 용접부의 저항을 측정하여 약용접의 판단 기준이 되는 임계 저항값을 도출하는 임계 저항 설정 단계(S100); 검사 대상 용접부의 저항값을 측정하는 저항 측정 단계(S200); 및 상기 저항 측정 단계에서 측정된 저항값이 상기 임계 저항값을 초과하는 경우, 약용접으로 판단하는 단계(S300)를 포함하고, 상기 임계 저항 설정 단계(S100) 및 상기 저항 측정 단계(S200)는, 분해능이 나노 옴 내지 마이크로 옴 단위인 미세 저항 측정기를 이용하여 저항을 측정하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 발명자들은 용접강도가 약한 용접부의 전기저항을 측정하였을 때, 정상적인 용접강도를 가지는 용접부의 전기저항값 보다 크다는 사실을 발견하고, 본 발명에 이르게 되었다. 도 2를 참조하면, 용접강도가 22kgf 이상으로 정상인 용접부의 저항값은, 용접강도가 22kgf 미만으로 약용접인 용접부의 저항값 보다 작은 것을 알 수 있다. 종래에도 용접부의 저항을 측정하고, 측정된 저항값과 임계 저항값을 비교하여 용접 불량을 판단하는 기술은 존재하였으나, 상기 종래의 기술은 임계 저항값을 도출하는 방법이 구체적이지 않거나, 임계 저항값을 도출함에 있어서, 용접부의 인장강도와 저항의 상관관계를 이용하므로 용접부의 인장강도를 측정하는 과정이 필요하였다.
그러나, 본 발명은 임계 저항값을 도출함에 있어서, 용접부의 인장강도와 저항의 상관관계에 의존하는 것이 아니라, 통계적 방식을 도입하고, 저항을 측정함에 있어서, 분해능을 높여 나노 옴 내지 마이크로 옴 단위까지로 미세저항을 측정해 정밀하게 저항을 측정한 데에 특징이 있다.
즉, 대량의 표본 집단을 이루는 개체들에 대해 저항을 측정하면, 측정된 저항값들은 정규분포 곡선을 이루게 되는데, 상기 정규분포 곡선에서 편차가 큰 개체는, 통계적 확률상 불량으로 추정해도 무방하므로, 소정의 편차를 임계 저항값으로 정하는 것이고, 이 같은 방식은 표본 집단에 대한 자료가 신뢰성이 있음을 전제로 하는 것이므로, 임계값을 설정하는 과정에서 표본 집단에 대해 나노 옴 내지 마이크로 옴 단위까지로 정밀하게 저항을 측정할 수 있는 미세 저항 측정기를 이용하고, 검사 대상에 대해서 저항을 측정할 때에도 나노 옴 내지 마이크로 옴 단위로 정밀하게 저항을 측정할 수 있는 미세 저항 측정기를 이용하는 것이다. 이와 같이 본 발명은, 임계 저항값을 도출함에 있어서 대량의 표본 집단에서 통계적으로 임계 저항값을 도출하므로, 종래의 기술과는 달리 임계 저항값 설정을 위해서, 용접부의 인장강도를 별도로 측정할 필요가 없다.
우선, 상기 임계 저항 설정 단계(S100)에 대하여 설명하기로 한다.
본 발명의 하나의 실시예에 따른, 임계 저항 설정 단계(S100)는, 표본 집단에 대해 나노 옴 내지 마이크로 옴 단위의 미세 저항을 측정하고, 이를 저장하는 데이터 구축 단계(S110); 및 상기 데이터 구축 단계(S110)에 의해 축적된 자료를 통계적 방식으로 처리하여 임계값을 도출하는 임계 저항값 도출단계(S120)를 포함한다.
상기 데이터 구축 단계(S110)는 표본 집단을 이루는 개체들에 대해 용접부의 저항을 측정하는 과정을 포함한다. 이 때 상기 표본 집단의 개체 수는 적어도 100,000 이상이고, 바람직하게는 200,000이며, 가능한 표본 집단의 개체 수가 많은 것이 신뢰성 측면에서 바람직하다.
상기 데이터 구축 단계(S110)에서의 저항 측정은, 분해능이 나노 옴(nΩ) 내지 마이크로옴(uΩ) 단위인 미세 저항 측정기를 이용하여, 표본 집단 개체들에 대해 저항 측정을 수행한다. 이는 보다 신뢰성 있는 데이터를 축적하기 위함이다. 또한, 상기 미세 저항 측정방법은, 후술하는 바와 같이 상기 저항 측정 단계(S200)에서 용접부의 저항을 측정하는 방식과 동일한 방법으로 수행한다.
상기 임계 저항값 도출 단계(S120)는, 상기 데이터 구축 단계(S110)에 의해 축적된 자료를 통계적 방식으로 처리하여 임계 저항값을 도출하는 것이다. 본 발명의 일 실시예에 따른 통계적 처리 방식은, 표본 집단의 개체가 가지는 저항값의 정규 분포 곡선을 얻고, 상기 정규 분포 곡선에서 +6δ 값을 임계 저항값으로 설정하는 것이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 표본 집단의 저항의 분포 곡선의 일례이다. 도 3을 참조하면, 표본 집단이 도 3과 같이 정규 분포 곡선을 나타내는 경우, 대다수의 개체들은 평균값(u) 과 근접한 값을 가지게 되고, 평균값(u)과 편차가 큰 개체는 적다. 따라서 확률적으로 보았을 때, 평균값과 편차가 큰 개체는 불량으로 추정할 수 있는 것이다. 구체적으로 1δ(표준편차)의 편차를 가지는 개체가 나타날 확률은 약 32%, 2δ의 편차를 가지는 개체가 나타날 확률은 약 5%, 3δ의 편차를 가지는 개체가 나타날 확률은 약 0.3%, 4δ의 편차를 가지는 개체가 나타날 확률은 약 0.01%, 5δ의 편차를 가지는 개체가 나타날 확률은 약 0.001%, 6δ의 편차를 가지는 개체가 나타날 확률은 약 0.0000001%로 볼 수 있다.
이에 본 발명의 일 실시예에서, 상기 임계 저항값은 평균값에 6δ의 값을 더한 값으로 설정하였다.
이하, 상기 저항 측정 단계(S200)에 대하여 상세히 설명하기로 한다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 저항 측정 방법의 모식도이다. 도 4를 참조하면, 본 발명의 저항 측정 단계(S200)에서 저항 측정을 위해 사용되는 미세 저항 측정기는, 2 개의 저항 측정 프로브(100)를 포함하고, 상기 2 개의 저항 측정 프로브를 용접부(30)에 접촉하여 저항을 측정한다.
이때, 용접부의 일단(31)에, 하나의 저항 측정 프로브를 접촉하고, 용접부의 타단(32)에 나머지 하나의 저항 측정 프로브를 접촉시켜, 용접부(30) 전체의 저항을 측정할 수 있다.
또한, 도 4(b)에 도시한 바와 같이, 용접부(30)는 전극 탭(20)부의 용접부(33)와 전극 리드(10)부의 용접부(34)로 구분될 수 있고, 도 4와 같이 2 개의 저항 측정 프로브 모두를 전극 탭(20)부의 용접부(33) 상에 접촉시킬 수 있다. 이와 달리 2 개의 저항 측정 프로브 모두를 전극 리드(10)부의 용접부(34) 상에 접촉시킬 수도 있으며, 도 5와 같이 1 개의 저항 측정 프로브는 전극 탭(20)부의 용접부(33) 상에, 나머지 1 개의 저항 측정 프로브는 전극 리드(10)부의 용접부(34) 상에 접촉시켜 저항 측정을 수행할 수 있다. 상기 다양한 실시 형태 중, 2 개의 저항 측정 프로브 모두를 전극 탭(10)부의 용접부(33) 상에 접촉하는 형태로 저항을 측정하는 것이 약용접을 검출하는 검출력 면에서 가장 바람직하였다.
도 6은 본 발명의 저항 측정 프로브의 모식도로써, 도 6을 참조하면 본 발명의 저항 측정 프로브(100)는 전류 프로브(110) 및 전압 프로브(120)를 포함하고 있다. 상기 전류 프로브는 측정 대상인 용접부에 전류를 인가하고, 상기 전압 프로브는 전압을 측정한다. 이에 따라 용접부의 저항을 측정할 수 있다.
본 발명은 2 개의 저항 측정 프로브를 용접부에 접촉시켜 저항을 측정하는바, 이에 따라 4 선식 측정 방식으로 용접부의 저항 측정이 가능하다. 4 선식 저항 측정 방식은, 2 선식 저항 측정 방식에 비해 접촉 저항의 영향을 받지 않으므로 보다 정밀하게 미세 저항을 측정할 수 있는바, 나노 옴 단위로도 저항을 측정할 수 있어 바람직하다.
하나의 구체적 예에서, 상기 저항 측정 단계(S200)는, 직류 방식으로 용접부의 저항을 측정할 수 있다. 직류 방식은 교류 방식과 비교하여 고정밀도 저항 측정이 가능한 이점이 있다.
본 발명의 용접 불량 검사 방법은, 이차전지의 용접부에 광범위하게 적용될 수 있으며, 다양한 용접 방법에 따른 용접부에 적용될 수 있다. 즉, 전극 탭과 전극 탭 간의 용접부, 전극 탭과 전극 리드 간의 용접부, 배터리 팩에서 전극 리드와 버스 바와의 용접부 등에서 본 발명의 용접 불량 검사 방법이 적용될 수 있고, 초음파 용접에 의한 용접부, 레이저 용접에 의한 용접부 등에도 모두 적용될 수 있다.
도 7은 초음파 용접 방식에 따른 용접부에 대한 저항 측정방법을 나타낸 모식도로, 도 7을 참조하면, 초음파 용접 방식에 의해 형성된 용접부(30)는 선 또는 면의 형태를 가진다. 이에 따라 저항 측정을 위한 저항 측정 프로브의 접촉 위치(40)는, 용접부의 경계선 상에 위치한다. 용접부 경계선 상에 저항 측정 프로브를 접촉시킴으로써 용접부 전체의 저항을 측정할 수 있다. 저항 측정 프로브의 접촉 위치(40)는 총 4개로써, 이 중 2 개는 전류 프로브가, 나머지 2 개는 전압 프로브가 접촉된다.
도 8은 레이저 용접 방식에 따른 용접부에 대한 저항 측정방법을 나타낸 모식도이다. 도 8을 참조하면, 레이저 용접 방식에 의해 형성된 용접부(30)는 점의 형태를 가진다. 용접부 전체의 저항을 측정하기 위해서는, 이들 점들의 최외곽에 있는 점들을 연결한 가성의 선을 경계로 그 외주면에 저항 측정 프로부의 접촉 위치(40)를 정하는 것이 바람직하다. 저항 측정 프로브의 접촉 위치(40)는 총 4 개로써, 이 중 2 개는 전류 프로브가, 나머지 2 개는 전압 프로브가 접촉된다.
본 발명에 따른 용접 검사 방법은, 임계 저항 설정 단계에서 표본 집단에 대해 저항을 측정해, 측정된 저항값의 정규 분포 곡선으로부터 임계 저항값을 설정하고, 표본 집단 및 검사 대상 용접부에 대한 저항 측정 시, 분해능이 나노 옴 내지 마이므로 옴 수준의 미세 저항 측정기를 이용하여, 정밀하게 저항을 측정하므로, 약용접 불량의 검출력이 매우 우수한 효과가 있다.
10: 전극 리드
20: 전극 탭
30: 용접부
40: 저항 측정 프로브 접촉 위치
100: 저항 측정 프로브

Claims (15)

  1. 표본 집단의 용접부의 저항을 측정하여 약용접의 판단 기준이 되는 임계 저항값을 도출하는 임계 저항 설정 단계(S100);
    검사 대상 용접부의 저항값을 측정하는 저항 측정 단계(S200); 및
    상기 저항 측정 단계에서 측정된 저항값이 상기 임계 저항값을 초과하는 경우, 약용접으로 판단하는 단계(S300)를 포함하고,
    상기 임계 저항 설정 단계(S100) 및 상기 저항 측정 단계(S200)는, 분해능이 나노 옴 내지 마이크로 옴 단위인 미세 저항 측정기를 이용하여 저항을 측정하는 것을 특징으로 하는 용접 불량 검사 방법.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 저항 측정 단계(S200)는, 용접부에 2 개의 저항 측정 프로브를 접촉하여 저항을 측정하는 것인 용접 불량 검사 방법.
  3. 제 2 항에 있어서, 용접부의 일단에 하나의 저항 측정 프로브를, 타단에 다른 하나의 저항 측정 프로브를 접촉시켜, 용접부 전체의 저항을 측정하는 것을 특징으로 하는 용접 불량 검사 방법.
  4. 제 2 항에 있어서, 상기 저항 측정 프로브는 전압 프로브 및 전류 프로브를 포함하는 것을 특징으로 하는 용접 불량 검사 방법.
  5. 제 1 항에 있어서, 상기 저항 측정 단계(S200)는, 4 선식 측정 방식으로 용접부의 저항을 측정하는 것을 특징으로 하는 용접 불량 검사 방법.
  6. 제 1 항에 있어서, 상기 저항 측정 단계(S200)는, 직류 방식으로 용접부의 저항을 측정하는 것을 특징으로 하는 용접 불량 검사 방법.
  7. 제 1 항에 있어서, 상기 임계 저항 설정 단계(S100)는,
    표본 집단에 대해 나노 옴 내지 마이크로 옴 단위의 미세 저항을 측정하고, 이를 저장하는 데이터 구축 단계(S110); 및
    상기 데이터 구축 단계(S110)에 의해 축적된 자료를 통계적 방식으로 처리하여 임계값을 도출하는 임계 저항값 도출단계(S120)를 포함하는 용접 불량 검사 방법.
  8. 제 7 항에 있어서, 상기 표본 집단의 개체 수는 적어도 100,000 이상인 것을 특징으로 하는 용접 불량 검사 방법.
  9. 제 7 항에 있어서, 상기 표본 집단의 저항값들은 정규 분포 곡선을 이루는 것을 특징으로 하는 용접 불량 검사 방법.
  10. 제 9 항에 있어서, 상기 임계 저항값은, 평균값 + 6δ인 것을 특징으로 하는 용접 불량 검사 방법.
  11. 제 3 항에 있어서, 상기 용접부는 초음파 용접에 의해 형성된 것을 특징으로 하는 용접 불량 검사 방법.
  12. 제 11 항에 있어서, 용접부의 경계면에 상기 저항 측정 프로브를 접촉하여 저항을 측정하는 것을 특징으로 하는 용접 불량 검사 방법.
  13. 제 3 항에 있어서, 상기 용접부는 레이저 용접에 의해 형성된 것을 특징으로 하는 용접 불량 검사 방법.
  14. 제 13 항에 있어서, 용접부의 외주면에 상기 저항 측정 프로브를 접촉하여 저항을 측정하는 것을 특징으로 하는 용접 불량 검사 방법.
  15. 제 1 항에 있어서, 상기 용접부는, 파우치형 이차전지의 전극 탭과 전극 리드 간의 용접부 및 전극 탭과 전극 탭 간의 용접부 중에서 선택된 하나인 것을 특징으로 하는 용접 불량 검사 방법.
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