KR20210106907A - Antena segment and inductive coupling plasma processing apparatus - Google Patents

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KR20210106907A
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Abstract

The present invention relates to an antenna segment and an inductively coupling plasma processing device. The antenna segment formed by winding an antenna wire and forming a first plane by a part of the antenna wire comprises a first antenna line at least a part of which forms the first plane on one side in a winding axis direction and a second antenna wire forming the first plane from the other side in the winding axis direction. And the first antenna line has a planar antenna unit forming the first plane, a stacked antenna unit spaced apart from the upper side of the second antenna line, and a connection unit for connecting the planar antenna unit and the stacked antenna unit.

Description

안테나 세그먼트 및 유도 결합 플라스마 처리 장치{ANTENA SEGMENT AND INDUCTIVE COUPLING PLASMA PROCESSING APPARATUS}ANTENA SEGMENT AND INDUCTIVE COUPLING PLASMA PROCESSING APPARATUS

본 개시는, 안테나 세그먼트 및 유도 결합 플라스마 처리 장치에 관한 것이다.The present disclosure relates to an antenna segment and an inductively coupled plasma processing device.

특허문헌 1에는, 코너부를 구성하는 4개의 제1 안테나 세그먼트와, 변 중앙부를 구성하는 4개의 제2 안테나 세그먼트의 합계 8개의 안테나 세그먼트로 구성되는 환상 안테나가 개시되어 있다. 또한, 제1 안테나 세그먼트 및 제2 안테나 세그먼트를, 기판에 교차하는 방향으로 안테나선을 권회하여 세로 권취 나선상으로 구성함으로써, 유전체벽에 면한 플라스마에 기여하는 유도 전계를 생성하는 부분인 평면부의 유도 전계의 방향이 환상 영역을 따른 일방향으로 하는 것이 개시되어 있다.Patent Document 1 discloses a ring-shaped antenna composed of a total of eight antenna segments including four first antenna segments constituting a corner portion and four second antenna segments constituting a side center portion. In addition, the first antenna segment and the second antenna segment are configured in a vertical spiral shape by winding the antenna wire in a direction intersecting the substrate, thereby generating an induced electric field in a plane portion that is a portion that generates an induced electric field that contributes to the plasma facing the dielectric wall. It is disclosed that the direction of is unidirectional along the annular region.

일본 특허 공개 제2013-162035호 공보Japanese Patent Laid-Open No. 2013-162035

본 개시는, 플라스마 밀도의 균일성을 향상시키는 안테나 세그먼트 및 유도 결합 플라스마 처리 장치를 제공한다.The present disclosure provides an antenna segment and an inductively coupled plasma processing apparatus that improve the uniformity of plasma density.

본 개시의 일 양태에 의한 안테나 세그먼트는, 통상으로 안테나선을 권회하여 형성하고, 상기 안테나선의 일부에 의해 제1 평면을 형성하는 안테나 세그먼트이며, 권회축 방향의 일방측에서, 적어도 일부가 상기 제1 평면을 형성하는 제1 안테나선과, 상기 권회축 방향의 타방측에서, 상기 제1 평면을 형성하는 제2 안테나선을 구비하고, 상기 제1 안테나선은, 상기 제1 평면을 형성하는 평면 상 안테나부와, 상기 제2 안테나선의 상방에 이격하여 배치되는 적층 안테나부와, 상기 평면 상 안테나부와 상기 적층 안테나부를 접속하는 연결부를 갖는다.An antenna segment according to an aspect of the present disclosure is an antenna segment formed by winding an antenna wire normally, and forming a first plane by a part of the antenna wire, and at least a part of the first plane is formed on one side in the winding axis direction. A first antenna line forming a first plane, and a second antenna line forming the first plane on the other side in the winding axis direction, wherein the first antenna line is on a plane forming the first plane It has an antenna unit, a laminated antenna unit arranged to be spaced apart above the second antenna line, and a connection unit for connecting the planar antenna unit and the laminated antenna unit.

본 개시에 의하면, 플라스마 밀도의 균일성을 향상시키는 안테나 세그먼트 및 유도 결합 플라스마 처리 장치를 제공할 수 있다.According to the present disclosure, it is possible to provide an antenna segment and an inductively coupled plasma processing apparatus for improving the uniformity of plasma density.

도 1은 제1 실시 형태에 관한 기판 처리 장치의 일례를 도시하는 종단면도.
도 2는 금속 창 및 고주파 안테나의 배치의 일례를 도시하는 평면도.
도 3은 제2 안테나 세그먼트의 일례를 도시하는 사시도.
도 4는 제1 안테나 세그먼트의 일례를 도시하는 사시도.
도 5는 제1 안테나 세그먼트의 일례를 도시하는 정면도.
도 6은 제1 안테나 세그먼트의 일례를 도시하는 B-B 단면도.
도 7은 제1 안테나 세그먼트의 일례를 도시하는 C-C 단면도.
도 8은 제1 안테나 세그먼트의 일례를 도시하는 D-D 단면도.
도 9는 제1 안테나 세그먼트의 다른 일례를 도시하는 사시도.
도 10은 직경 방향의 유도 전계의 변화를 나타내는 그래프의 일례.
도 11은 제1 안테나 세그먼트의 다른 일례를 도시하는 사시도.
도 12는 제2 안테나 세그먼트의 다른 일례를 도시하는 사시도.
도 13은 전류의 흐름을 도시하는 모식도.
도 14는 제1 안테나 세그먼트의 다른 일례를 도시하는 사시도.
도 15는 제1 안테나 세그먼트의 다른 일례를 도시하는 사시도.
1 is a longitudinal cross-sectional view showing an example of a substrate processing apparatus according to a first embodiment.
Fig. 2 is a plan view showing an example of arrangement of a metal window and a high-frequency antenna;
Fig. 3 is a perspective view showing an example of a second antenna segment;
Fig. 4 is a perspective view showing an example of a first antenna segment;
Fig. 5 is a front view showing an example of a first antenna segment;
Fig. 6 is a BB cross-sectional view showing an example of a first antenna segment;
Fig. 7 is a CC sectional view showing an example of a first antenna segment;
Fig. 8 is a DD cross-sectional view showing an example of a first antenna segment;
Fig. 9 is a perspective view showing another example of a first antenna segment;
Fig. 10 is an example of a graph showing a change in an induced electric field in the radial direction;
11 is a perspective view showing another example of a first antenna segment;
Fig. 12 is a perspective view showing another example of a second antenna segment;
Fig. 13 is a schematic diagram showing the flow of electric current;
Fig. 14 is a perspective view showing another example of a first antenna segment;
Fig. 15 is a perspective view showing another example of a first antenna segment;

이하, 본 개시의 실시 형태에 관한 가스 공급 방법 및 기판 처리 장치(유도 결합 플라스마 처리 장치)(10)에 대하여, 첨부의 도면을 참조하면서 설명한다. 또한, 본 명세서 및 도면에 있어서, 실질적으로 동일한 구성 요소에 대해서는, 동일한 부호를 부여함으로써 중복된 설명을 생략하는 경우가 있다.Hereinafter, a gas supply method and a substrate processing apparatus (inductively coupled plasma processing apparatus) 10 according to an embodiment of the present disclosure will be described with reference to the accompanying drawings. In addition, in this specification and drawing, about the substantially same component, the overlapping description may be abbreviate|omitted by attaching|subjecting the same code|symbol.

[제1 실시 형태에 관한 기판 처리 장치][Substrate processing apparatus according to the first embodiment]

도 1을 참조하여, 본 개시의 제1 실시 형태에 관한 기판 처리 장치(10)에 대하여 설명한다. 여기서, 도 1은 제1 실시 형태에 관한 기판 처리 장치(10)의 일례를 도시하는 종단면도이다.With reference to FIG. 1, the substrate processing apparatus 10 which concerns on 1st Embodiment of this indication is demonstrated. Here, FIG. 1 is a longitudinal cross-sectional view showing an example of the substrate processing apparatus 10 according to the first embodiment.

도 1에 도시한 기판 처리 장치(10)는, 플랫 패널 디스플레이(Flat Panel Display, 이하, 「FPD」라 말함)용의 평면으로 보아 직사각형의 기판 G(이하, 간단히 「기판」이라 함)에 대하여, 각종 기판 처리 방법을 실행하는 유도 결합형 플라스마(Inductive Coupled Plasma: ICP) 처리 장치이다. 기판 G의 재료로서는, 주로 유리가 사용되고, 용도에 따라서는 투명한 합성 수지 등이 사용되는 경우도 있다. 여기서, 기판 처리에는, 에칭 처리나, CVD(Chemical Vapor Deposition)법을 사용한 성막 처리 등이 포함된다. FPD로서는, 액정 디스플레이(Liquid Crystal Display: LCD)나 일렉트로 루미네센스(Electro Luminescence: EL), 플라스마 디스플레이 패널(Plasma Display Panel; PDP) 등이 예시된다. 기판 G는, 그 표면에 회로가 패터닝되는 형태 외에, 지지 기판도 포함된다. 또한, FPD용 기판의 평면 치수는 세대의 추이와 함께 대규모화되고 있으며, 기판 처리 장치(10)에 의해 처리되는 기판 G의 평면 치수는, 예를 들어 제6세대의 1500㎜×1800㎜ 정도의 치수로부터, 제10.5세대의 3000㎜×3400㎜ 정도의 치수까지를 적어도 포함한다. 또한, 기판 G의 두께는 0.2㎜ 내지 수㎜ 정도이다.The substrate processing apparatus 10 shown in FIG. 1 is a flat panel display (hereinafter, referred to as "FPD") for a rectangular substrate G (hereinafter simply referred to as "substrate") in plan view. , an inductively coupled plasma (ICP) processing apparatus for performing various substrate processing methods. Glass is mainly used as a material of the board|substrate G, and a transparent synthetic resin etc. may be used depending on a use. Here, the substrate treatment includes an etching treatment, a film forming treatment using a CVD (Chemical Vapor Deposition) method, and the like. Examples of the FPD include a liquid crystal display (LCD), an electroluminescence (EL), a plasma display panel (PDP), and the like. The substrate G includes a supporting substrate in addition to the form in which a circuit is patterned on the surface thereof. Moreover, the planar dimension of the board|substrate for FPD is enlarged with the change of generation, and the planar dimension of the board|substrate G processed by the substrate processing apparatus 10 is about 1500 mm x 1800 mm of the 6th generation, for example. It includes at least a dimension of about 3000 mm x 3400 mm of the 10.5th generation from the dimension. In addition, the thickness of the board|substrate G is about 0.2 mm - several mm.

도 1에 도시한 기판 처리 장치(10)는, 직육면체상의 상자형의 처리 용기(20)와, 처리 용기(20) 내에 배치되어 기판 G가 적재되는 평면으로 보아 직사각형의 외형의 기판 적재대(70)와, 제어부(90)를 갖는다. 또한, 처리 용기는, 원통상의 상자형이나 타원 통상의 상자형 등의 형상이어도 되고, 이 형태에서는, 기판 적재대도 원형 혹은 타원형이 되고, 기판 적재대에 적재되는 기판도 원형 등이 된다.The substrate processing apparatus 10 shown in FIG. 1 includes a rectangular parallelepiped box-shaped processing container 20 , and a substrate mounting table 70 arranged in the processing container 20 and having a rectangular outline in plan view on which a substrate G is mounted. ) and a control unit 90 . Further, the processing container may have a shape such as a cylindrical box shape or an elliptical cylindrical box shape. In this form, the substrate mounting table is also circular or elliptical, and the substrate mounted on the substrate mounting table is also circular or the like.

처리 용기(20)는, 금속 창(50)에 의해 상하 2개의 공간으로 구획되어 있고, 상방 공간인 안테나실 A는 상부 챔버(13)에 의해 형성되고, 하방 공간인 처리 영역 S(처리실)는 하부 챔버(17)에 의해 형성된다. 처리 용기(20)에 있어서, 상부 챔버(13)와 하부 챔버(17)의 경계가 되는 위치에는 직사각형 환상의 지지 프레임(14)이 처리 용기(20)의 내측에 돌출 마련되도록 하여 배치되어 있고, 지지 프레임(14)에 금속 창(50)이 설치되어 있다.The processing chamber 20 is partitioned into two upper and lower spaces by a metal window 50 , an antenna chamber A as an upper space is formed by the upper chamber 13 , and a processing area S (process chamber) as a lower space is It is formed by the lower chamber 17 . In the processing container 20, a rectangular annular support frame 14 is disposed to protrude from the inside of the processing container 20 at a position forming the boundary between the upper chamber 13 and the lower chamber 17, A metal window 50 is provided on the support frame 14 .

안테나실 A를 형성하는 상부 챔버(13)는, 측벽(11)과 천장판(12)에 의해 형성되며, 전체로서 알루미늄이나 알루미늄 합금 등의 금속에 의해 형성된다.The upper chamber 13 forming the antenna chamber A is formed by the side wall 11 and the ceiling plate 12, and is formed as a whole by metal such as aluminum or an aluminum alloy.

처리 영역 S를 내부에 갖는 하부 챔버(17)는, 측벽(15)과 저판(16)에 의해 형성되며, 전체로서 알루미늄이나 알루미늄 합금 등의 금속에 의해 형성된다. 또한, 측벽(15)은, 접지선(21)에 의해 접지되어 있다.The lower chamber 17 having the processing region S therein is formed by the side wall 15 and the bottom plate 16, and is formed as a whole by a metal such as aluminum or an aluminum alloy. In addition, the side wall 15 is grounded by a ground wire 21 .

또한, 지지 프레임(14)은, 도전성의 알루미늄이나 알루미늄 합금 등의 금속에 의해 형성되어 있고, 금속 프레임이라 칭할 수도 있다.In addition, the support frame 14 is formed of metals, such as electroconductive aluminum and an aluminum alloy, and can also be called a metal frame.

하부 챔버(17)의 측벽(15)의 상단에는, 직사각형 환상(무단상)의 시일 홈(22)이 형성되어 있어, 시일 홈(22)에 O링 등의 시일 부재(23)가 끼워 넣어지고, 시일 부재(23)를 지지 프레임(14)의 맞닿음면이 보유 지지함으로써, 하부 챔버(17)와 지지 프레임(14)의 시일 구조가 형성된다.At the upper end of the side wall 15 of the lower chamber 17, a rectangular annular (stepless) seal groove 22 is formed, and a sealing member 23 such as an O-ring is fitted into the seal groove 22, , when the abutting surface of the support frame 14 holds the sealing member 23 , the seal structure of the lower chamber 17 and the support frame 14 is formed.

하부 챔버(17)의 측벽(15)에는, 하부 챔버(17)에 대하여 기판 G를 반출입하기 위한 반출입구(18)가 개설되어 있고, 반출입구(18)는 게이트 밸브(24)에 의해 개폐 가능하게 구성되어 있다. 하부 챔버(17)에는 반송 기구를 내포하는 반송실 (모두 도시하지 않음)이 인접해 있고, 게이트 밸브(24)를 개폐 제어하고, 반송 기구로 반출입구(18)를 통해 기판 G의 반출입이 행해진다.On the side wall 15 of the lower chamber 17 , a carry-in/out port 18 for carrying in/out of the substrate G is opened with respect to the lower chamber 17 , and the carrying-in/out port 18 can be opened and closed by a gate valve 24 . is well composed. A transfer chamber (not shown) containing a transfer mechanism is adjacent to the lower chamber 17 , and the gate valve 24 is opened/closed to control the opening and closing of the gate valve 24, and the substrate G is carried in and out through the transfer port 18 by the transfer mechanism. all.

또한, 하부 챔버(17)가 갖는 저판(16)에는 복수의 배기구(19)가 개설되어 있고, 각 배기구(19)에는 가스 배기관(25)이 접속되고, 가스 배기관(25)은 개폐 밸브(26)를 개재하여 배기 장치(27)에 접속되어 있다. 가스 배기관(25), 개폐 밸브(26) 및 배기 장치(27)에 의해, 가스 배기부(28)가 형성된다. 배기 장치(27)는 터보 분자 펌프 등의 진공 펌프를 갖고, 프로세스 중에 하부 챔버(17) 내를 소정의 진공도까지 진공화 가능하게 구성되어 있다. 또한, 하부 챔버(17)의 적소에는 압력계(도시하지 않음)가 설치되어 있고, 압력계에 의한 모니터 정보가 제어부(90)에 송신되도록 되어 있다.In addition, a plurality of exhaust ports 19 are provided in the bottom plate 16 of the lower chamber 17 , and a gas exhaust pipe 25 is connected to each exhaust port 19 , and the gas exhaust pipe 25 has an on/off valve 26 . ) is connected to the exhaust device 27 . A gas exhaust portion 28 is formed by the gas exhaust pipe 25 , the on-off valve 26 , and the exhaust device 27 . The exhaust device 27 has a vacuum pump such as a turbo molecular pump, and is configured to be capable of evacuating the inside of the lower chamber 17 to a predetermined degree of vacuum during the process. In addition, a pressure gauge (not shown) is provided in the lower chamber 17 at the appropriate position, and monitor information by the pressure gauge is transmitted to the control unit 90 .

기판 적재대(70)는, 기재(73)와, 기재(73)의 상면(73a)에 형성되어 있는 정전 척(76)을 갖는다.The substrate mounting table 70 includes a substrate 73 and an electrostatic chuck 76 formed on an upper surface 73a of the substrate 73 .

기재(73)는, 평면으로 본 형상은 직사각형이며, 기판 적재대(70)에 적재되는 FPD와 동일 정도의 평면 치수를 갖는다. 예를 들어, 기재(73)는, 적재되는 기판 G와 동일 정도의 평면 치수를 갖고, 긴 변의 길이는 1800㎜ 내지 3400㎜ 정도이고, 짧은 변의 길이는 1500㎜ 내지 3000㎜ 정도의 치수로 설정할 수 있다. 이 평면 치수에 대하여, 기재(73)의 두께는, 예를 들어 50㎜ 내지 100㎜ 정도가 될 수 있다.The base material 73 has a rectangular shape in a plan view, and has a planar dimension about the same as the FPD mounted on the substrate mounting table 70 . For example, the base material 73 has a planar dimension about the same as the substrate G to be loaded, the long side length is about 1800 mm to 3400 mm, and the short side length can be set to a dimension of about 1500 mm to 3000 mm. have. With respect to this planar dimension, the thickness of the substrate 73 may be, for example, on the order of 50 mm to 100 mm.

기재(73)에는, 직사각형 평면의 전체 영역을 커버하도록 사행한 온도 조절 매체 유로(72a)가 마련되어 있고, 스테인리스강이나 알루미늄, 알루미늄 합금 등으로 형성된다. 또한, 기재(73)가, 도시 예와 같이 단일의 부재가 아니라, 상방 기재와 하방 기재의 2부재의 적층체로 형성되어도 된다. 그때, 온도 조절 매체 유로(72a)는, 하방 기재에 마련되어도 되고, 상방 기재에 마련되어도 된다.The substrate 73 is provided with a temperature control medium flow path 72a meandering so as to cover the entire area of a rectangular plane, and is formed of stainless steel, aluminum, an aluminum alloy, or the like. In addition, the base material 73 may not be a single member like the example of illustration, but may be formed in the laminated body of two members of an upper base material and a lower base material. In that case, the temperature control medium flow path 72a may be provided in the lower base material, and may be provided in the upper base material.

하부 챔버(17)의 저판(16) 상에는, 절연 재료에 의해 형성되며 내측에 단차부를 갖는 상자형의 받침대(78)가 고정되어 있고, 받침대(78)의 단차부 상에 기판 적재대(70)가 적재된다.On the bottom plate 16 of the lower chamber 17, a box-shaped pedestal 78 formed of an insulating material and having a step portion inside is fixed, and a substrate mounting table 70 is provided on the step portion of the pedestal 78. is loaded

기재(73)의 상면에는, 기판 G가 직접 적재되는 정전 척(76)이 형성되어 있다. 정전 척(76)은, 알루미나 등의 세라믹스를 용사하여 형성되는 유전체 피막인 세라믹스층(74)과, 세라믹스층(74)의 내부에 매설되어 정전 흡착 기능을 갖는 도전층(75)(전극)을 갖는다.An electrostatic chuck 76 on which the substrate G is directly mounted is formed on the upper surface of the substrate 73 . The electrostatic chuck 76 includes a ceramic layer 74, which is a dielectric film formed by thermal spraying of ceramics such as alumina, and a conductive layer 75 (electrode) embedded in the ceramic layer 74 and having an electrostatic adsorption function. have

도전층(75)은, 급전선(84)을 통해 직류 전원(85)에 접속되어 있다. 제어부(90)에 의해, 급전선(84)에 개재되는 스위치(도시하지 않음)가 온되면, 직류 전원(85)으로부터 도전층(75)에 직류 전압이 인가됨으로써 쿨롱력이 발생한다. 이 쿨롱력에 의해, 기판 G가 정전 척(76)의 상면에 정전 흡착되어, 기재(73)의 상면에 적재된 상태에서 보유 지지된다.The conductive layer 75 is connected to a DC power supply 85 via a power supply line 84 . When a switch (not shown) interposed in the power supply line 84 is turned on by the control unit 90 , a DC voltage is applied from the DC power supply 85 to the conductive layer 75 , thereby generating a Coulombic force. By this Coulomb force, the substrate G is electrostatically attracted to the upper surface of the electrostatic chuck 76 , and is held while being mounted on the upper surface of the substrate 73 .

기판 적재대(70)를 구성하는 기재(73)에는, 직사각형 평면의 전체 영역을 커버하도록 사행한 온도 조절 매체 유로(72a)가 마련되어 있다. 온도 조절 매체 유로(72a)의 양단에는, 온도 조절 매체 유로(72a)에 대하여 온도 조절 매체가 공급되는 이송 배관(72b)과, 온도 조절 매체 유로(72a)를 유통하여 승온 또는 강온된 온도 조절 매체가 배출되는 복귀 배관(72c)이 연통되어 있다.The substrate 73 constituting the substrate mounting table 70 is provided with a temperature control medium flow path 72a meandering so as to cover the entire area of the rectangular plane. At both ends of the temperature control medium flow path 72a, a transfer pipe 72b to which a temperature control medium is supplied with respect to the temperature control medium flow path 72a, and a temperature control medium whose temperature is increased or decreased by flowing through the temperature control medium flow path 72a A return pipe 72c from which is discharged is communicated.

도 1에 도시한 바와 같이, 이송 배관(72b)과 복귀 배관(72c)에는 각각, 이송 유로(87)와 복귀 유로(88)가 연통되어 있고, 이송 유로(87)와 복귀 유로(88)는 온도 조절 수단, 예를 들어 칠러(86)에 연통되어 있다. 칠러(86)는, 온도 조절 매체의 온도나 토출 유량을 제어하는 본체부와, 온도 조절 매체를 압송하는 펌프를 갖는다(모두 도시하지 않음). 온도 조절 매체로서는, 예를 들어 냉매가 적용되고, 이 냉매에는, 갈덴(등록 상표)이나 플루오리너트(등록 상표) 등이 적용된다. 이송 유로(87), 복귀 유로(88) 및 칠러(86)에 의해, 온도 제어 장치(89)가 구성된다.As shown in Fig. 1, the conveying pipe 72b and the return pipe 72c communicate with the conveying flow path 87 and the return flow path 88, respectively, and the conveying flow path 87 and the return flow path 88 are It is in communication with a temperature control means, for example a chiller 86 . The chiller 86 has a main body for controlling the temperature and discharge flow rate of the temperature control medium, and a pump for pressurizing the temperature control medium (both not shown). As a temperature control medium, a refrigerant|coolant is applied, for example, Galden (registered trademark), fluorine nut (registered trademark), etc. are applied to this refrigerant|coolant. The temperature control device 89 is constituted by the transfer flow path 87 , the return flow path 88 , and the chiller 86 .

기재(73)에는 열전대 등의 온도 센서가 배치되어 있고, 온도 센서에 의한 모니터 정보는, 제어부(90)에 수시로 송신된다. 그리고, 송신된 모니터 정보에 기초하여, 기재(73) 및 기판 G의 온도 조절 제어가 제어부(90)에 의해 실행된다. 보다 구체적으로는, 제어부(90)에 의해, 칠러(86)로부터 이송 유로(87)에 공급되는 온도 조절 매체의 온도나 유량이 조정된다. 그리고, 온도 조정이나 유량 조정이 행해진 온도 조절 매체가 온도 조절 매체 유로(72a)에 순환됨으로써, 기판 적재대(70)의 온도 조절 제어가 실행된다. 또한, 열전대 등의 온도 센서는, 예를 들어 정전 척(76)에 배치되어도 된다.A temperature sensor such as a thermocouple is disposed on the substrate 73 , and monitor information by the temperature sensor is transmitted to the control unit 90 at any time. And based on the transmitted monitor information, temperature adjustment control of the base material 73 and the board|substrate G is performed by the control part 90. As shown in FIG. More specifically, the temperature and flow volume of the temperature control medium supplied from the chiller 86 to the conveyance flow path 87 are adjusted by the control part 90 . And temperature control of the board|substrate mounting table 70 is performed by circulating in the temperature control medium flow path 72a the temperature control medium to which temperature adjustment and flow volume adjustment were performed. In addition, a temperature sensor such as a thermocouple may be disposed on the electrostatic chuck 76 , for example.

정전 척(76) 및 기재(73)의 외주와, 받침대(78)의 상면에 의해 단차부가 형성되고, 이 단차부에는, 직사각형 프레임상의 포커스 링(79)이 적재되어 있다. 단차부에 포커스 링(79)이 설치된 상태에 있어서, 포커스 링(79)의 상면쪽이 정전 척(76)의 상면보다도 낮아지도록 설정되어 있다. 포커스 링(79)은, 알루미나 등의 세라믹스 혹은 석영 등으로 형성된다.A step portion is formed by the outer periphery of the electrostatic chuck 76 and the base material 73 and the upper surface of the pedestal 78 , and a rectangular frame-shaped focus ring 79 is mounted on the step portion. In a state in which the focus ring 79 is provided in the step portion, the upper surface of the focus ring 79 is set to be lower than the upper surface of the electrostatic chuck 76 . The focus ring 79 is formed of ceramics such as alumina or quartz.

기재(73)의 하면에는, 급전 부재(80)가 접속되어 있다. 급전 부재(80)의 하단에는 급전선(81)이 접속되어 있고, 급전선(81)은 임피던스 정합을 행하는 정합기(82)를 개재하여 바이어스 전원인 고주파 전원(83)에 접속되어 있다. 기판 적재대(70)에 대하여 고주파 전원(83)으로부터 예를 들어 3.2㎒의 고주파 전력이 인가됨으로써, RF 바이어스를 발생시켜, 이하에서 설명하는 플라스마 발생용의 소스원인 고주파 전원(59)에서 생성된 이온을 기판 G로 끌어당길 수 있다. 따라서, 플라스마 에칭 처리에 있어서는, 에칭 레이트와 에칭 선택비를 모두 높이는 것이 가능해진다. 이와 같이, 기판 적재대(70)는, 기판 G를 적재하고 RF 바이어스를 발생시키는 바이어스 전극을 형성한다. 이때, 챔버 내부의 접지 전위가 되는 부위가 바이어스 전극의 대향 전극으로서 기능하고, 고주파 전력의 리턴 회로를 구성한다. 또한, 금속 창(50)을 고주파 전력의 리턴 회로의 일부로서 구성해도 된다.A power feeding member 80 is connected to the lower surface of the base 73 . A power feed line 81 is connected to the lower end of the power feed member 80 , and the feed line 81 is connected to a high frequency power supply 83 serving as a bias power source via a matching device 82 that performs impedance matching. By applying, for example, 3.2 MHz of high-frequency power from the high-frequency power supply 83 to the substrate mounting table 70, an RF bias is generated and generated by the high-frequency power supply 59, which is a source source for plasma generation described below. ions can be attracted to the substrate G. Therefore, in a plasma etching process, it becomes possible to raise both an etching rate and an etching selectivity. In this way, the substrate mounting table 70 forms a bias electrode for mounting the substrate G and generating an RF bias. At this time, the portion serving as the ground potential inside the chamber functions as a counter electrode of the bias electrode, and constitutes a return circuit of high frequency power. Further, the metal window 50 may be configured as a part of a return circuit of high frequency power.

금속 창(50)은, 복수의 분할 금속 창(57)에 의해 형성된다. 금속 창(50)을 형성하는 분할 금속 창(57)의 수(도 1에는 단면 방향으로 6개가 도시되어 있음)는, 12개, 24개 등, 다양한 개수로 설정할 수 있다.The metal window 50 is formed by a plurality of divided metal windows 57 . The number of divided metal windows 57 forming the metal window 50 (six are shown in the cross-sectional direction in FIG. 1 ) may be set to various numbers, such as 12, 24, and the like.

각각의 분할 금속 창(57)은, 절연 부재(56)에 의해, 지지 프레임(14)이나 인접하는 분할 금속 창(57)과 절연되어 있다. 여기서, 절연 부재(56)는, PTFE(Polytetrafluoroethylene) 등의 불소 수지에 의해 형성된다.Each of the divided metal windows 57 is insulated from the supporting frame 14 and the adjacent divided metal windows 57 by the insulating member 56 . Here, the insulating member 56 is formed of a fluororesin such as PTFE (Polytetrafluoroethylene).

분할 금속 창(57)은, 도체 플레이트(30)와, 샤워 플레이트(40)를 갖는다. 도체 플레이트(30)와 샤워 플레이트(40)는 모두, 비자성이며 도전성을 갖고, 또한 내식성을 갖는 금속 혹은 내식성의 표면 가공이 실시된 금속인, 알루미늄이나 알루미늄 합금, 스테인리스강 등에 의해 형성되어 있다. 내식성을 갖는 표면 가공은, 예를 들어 양극 산화 처리나 세라믹스 용사 등이다. 또한, 처리 영역 S에 면하는 샤워 플레이트(40)의 하면에는, 양극 산화 처리나 세라믹스 용사에 의한 내플라스마 코팅이 실시되어 있어도 된다. 도체 플레이트(30)는 접지선(도시하지 않음)을 통해 접지되어 있어도 된다. 샤워 플레이트(40)와 도체 플레이트(30)는, 서로 도통하도록 접합되어 있다.The divided metal window 57 has a conductor plate 30 and a shower plate 40 . The conductor plate 30 and the shower plate 40 are both formed of aluminum, an aluminum alloy, stainless steel, etc., which are nonmagnetic, conductive, corrosion-resistant metals or metals subjected to corrosion-resistant surface processing. The surface treatment having corrosion resistance is, for example, anodizing treatment, ceramic spraying, or the like. Further, the lower surface of the shower plate 40 facing the treatment region S may be subjected to anodizing treatment or plasma-resistant coating by ceramic thermal spraying. The conductor plate 30 may be grounded via a ground wire (not shown). The shower plate 40 and the conductor plate 30 are joined so as to be electrically connected to each other.

도 1에 도시한 바와 같이, 각각의 분할 금속 창(57)의 상방에는, 절연 부재에 의해 형성되는 스페이서(도시하지 않음)가 배치되고, 해당 스페이서에 의해 도체 플레이트(30)로부터 이격하여 고주파 안테나(54)가 배치되어 있다. 고주파 안테나(54)는, 구리 등의 도전성이 양호한 금속으로 형성되는 안테나선을, 환상 혹은 와권상으로 권취 장착함으로써 형성된다. 예를 들어, 환상의 안테나선을 다중으로 배치해도 된다.As shown in Fig. 1, a spacer (not shown) formed of an insulating member is disposed above each divided metal window 57, and is spaced apart from the conductor plate 30 by the spacer to provide a high-frequency antenna. (54) is arranged. The high-frequency antenna 54 is formed by winding and attaching an antenna wire made of a metal having good conductivity such as copper in an annular or spiral wound shape. For example, you may arrange|position multiple annular antenna wires.

또한, 고주파 안테나(54)에는, 상부 챔버(13)의 상방으로 연장 마련되는 급전 부재(57a)가 접속되어 있고, 급전 부재(57a)의 상단에는 급전선(57b)이 접속되고, 급전선(57b)은 임피던스 정합을 행하는 정합기(58)를 통해 고주파 전원(59)에 접속되어 있다. 고주파 안테나(54)에 대하여 고주파 전원(59)으로부터 예를 들어 13.56㎒의 고주파 전력이 인가됨으로써, 분할 금속 창(57)에 유도 전류가 유기되고, 분할 금속 창(57)에 유기된 유도 전류에 의해, 하부 챔버(17) 내에 유도 전계가 형성된다. 이 유도 전계에 의해, 샤워 플레이트(40)로부터 처리 영역 S에 공급된 처리 가스가 플라스마화되어 유도 결합형 플라스마가 생성되고, 플라스마 중의 이온이 기판 G에 제공된다. 또한, 각 분할 금속 창(57)이 고유의 고주파 안테나를 갖고, 각 고주파 안테나에 대하여 개별로 고주파 전력이 인가되는 제어가 실행되어도 된다.Further, a power feeding member 57a extending upwardly of the upper chamber 13 is connected to the high frequency antenna 54, and a feeding line 57b is connected to the upper end of the feeding member 57a, and the feeding line 57b. is connected to the high frequency power supply 59 through a matching device 58 that performs impedance matching. When a high-frequency power of, for example, 13.56 MHz is applied from the high-frequency power source 59 to the high-frequency antenna 54 , an induced current is induced in the divided metal window 57 , and an induced current induced in the divided metal window 57 is applied to the induced current As a result, an induced electric field is formed in the lower chamber 17 . By this induced electric field, the processing gas supplied from the shower plate 40 to the processing region S is converted into a plasma to generate an inductively coupled plasma, and ions in the plasma are provided to the substrate G. In addition, each of the divided metal windows 57 may have a unique high-frequency antenna, and control may be executed in which high-frequency power is applied individually to each high-frequency antenna.

고주파 전원(59)은 플라스마 발생용의 소스원이며, 기판 적재대(70)에 접속되어 있는 고주파 전원(83)은, 발생한 이온을 끌어당겨 운동 에너지를 부여하는 바이어스원이 된다. 이와 같이, 이온 소스원에는 유도 결합을 이용하여 플라스마를 생성하고, 다른 전원인 바이어스원을 기판 적재대(70)에 접속하여 이온 에너지의 제어를 행함으로써, 플라스마의 생성과 이온 에너지의 제어가 독립적으로 행해져, 프로세스의 자유도를 높일 수 있다. 고주파 전원(59)으로부터 출력되는 고주파 전력의 주파수는, 0.1 내지 500㎒의 범위 내에서 설정되는 것이 바람직하다.The high frequency power supply 59 is a source source for generating plasma, and the high frequency power supply 83 connected to the substrate mounting table 70 serves as a bias source that attracts generated ions and provides kinetic energy. In this way, plasma is generated by using inductive coupling to the ion source source, and a bias source, which is another power source, is connected to the substrate mounting table 70 to control ion energy, so that generation of plasma and control of ion energy are independent. , so that the degree of freedom of the process can be increased. The frequency of the high frequency power output from the high frequency power supply 59 is preferably set within the range of 0.1 to 500 MHz.

금속 창(50)은, 복수의 분할 금속 창(57)에 의해 형성되고, 각 분할 금속 창(57)은 복수개의 서스펜더(도시하지 않음)에 의해, 상부 챔버(13)의 천장판(12)으로부터 현수되어 있다. 플라스마의 생성에 기여하는 고주파 안테나(54)는 분할 금속 창(57)의 상면에 배치되어 있기 때문에, 고주파 안테나(54)는 분할 금속 창(57)을 통해 천장판(12)으로부터 현수되어 있다.The metal window 50 is formed by a plurality of divided metal windows 57 , and each divided metal window 57 is separated from the ceiling plate 12 of the upper chamber 13 by a plurality of suspenders (not shown). is suspended Since the high-frequency antenna 54 contributing to plasma generation is disposed on the upper surface of the divided metal window 57 , the high-frequency antenna 54 is suspended from the ceiling plate 12 through the divided metal window 57 .

도체 플레이트(30)를 형성하는 도체 플레이트 본체(31)의 하면에는, 가스 확산 홈(32)이 형성되어 있다. 또한, 가스 확산 홈은, 샤워 플레이트의 상면에 개설되어도 된다. 또한, 가스 확산 홈을 구성하는 형상에는, 장척상으로 형성된 오목부 형상뿐만 아니라, 면상으로 형성된 오목부 형상도 포함한다.A gas diffusion groove 32 is formed in the lower surface of the conductor plate body 31 forming the conductor plate 30 . Further, the gas diffusion groove may be provided on the upper surface of the shower plate. In addition, the shape constituting the gas diffusion groove includes not only the shape of the concave portion formed in the shape of a long picture, but also the shape of the shape of the concave portion formed in the shape of a planar shape.

샤워 플레이트(40)를 형성하는 샤워 플레이트 본체(41)에는, 샤워 플레이트 본체(41)를 관통하여 도체 플레이트(30)의 가스 확산 홈(32)과 처리 영역 S에 연통하는, 복수의 가스 토출 구멍(42)이 개설되어 있다.In the shower plate body 41 forming the shower plate 40 , a plurality of gas discharge holes passing through the shower plate body 41 and communicating with the gas diffusion groove 32 of the conductor plate 30 and the processing region S (42) is outlined.

도 1에 도시한 바와 같이, 각각의 분할 금속 창(57)이 갖는 가스 도입관(55)은, 안테나실 A 내에서 1개소에 통합되고, 상방으로 연장되는 가스 도입관(55)은 상부 챔버(13)의 천장판(12)에 개설되어 있는 공급구(12a)를 기밀하게 관통한다. 그리고, 가스 도입관(55)은, 기밀하게 결합된 가스 공급관(61)을 개재하여 처리 가스 공급원(64)에 접속되어 있다.As shown in Fig. 1, the gas introduction pipe 55 included in each of the divided metal windows 57 is integrated into one place in the antenna chamber A, and the gas introduction pipe 55 extending upward is the upper chamber. The supply port 12a provided in the top plate 12 of (13) is airtightly penetrated. The gas introduction pipe 55 is connected to the processing gas supply source 64 via a gas supply pipe 61 that is hermetically coupled.

가스 공급관(61)의 도중 위치에는 개폐 밸브(62)와 매스 플로우 컨트롤러와 같은 유량 제어기(63)가 개재되어 있다. 가스 공급관(61), 개폐 밸브(62), 유량 제어기(63) 및 처리 가스 공급원(64)에 의해, 가스 공급 장치(60)가 형성된다. 또한, 처리 영역 S 내의 복수의 영역에 가스를 공급하기 위해, 가스 공급관(61)은 도중에서 분기되어 있고, 각 분기관에는 개폐 밸브와 유량 제어기, 및 처리 가스종에 따른 처리 가스 공급원이 연통되어 있다(도시하지 않음).An on-off valve 62 and a flow rate controller 63 such as a mass flow controller are interposed at an intermediate position of the gas supply pipe 61 . A gas supply device 60 is formed by the gas supply pipe 61 , the on/off valve 62 , the flow rate controller 63 , and the processing gas supply source 64 . In addition, in order to supply gas to a plurality of regions in the processing region S, a gas supply pipe 61 is branched on the way, and an on/off valve, a flow controller, and a processing gas supply source according to the type of processing gas are communicated to each branch pipe. Yes (not shown).

플라스마 처리에 있어서는, 가스 공급 장치(60)로부터 공급되는 처리 가스가 가스 공급관(61) 및 가스 도입관(55)을 통해, 각 분할 금속 창(57)이 갖는 도체 플레이트(30)의 가스 확산 홈(32)에 공급된다. 그리고, 각 가스 확산 홈(32)으로부터 각 샤워 플레이트(40)의 가스 토출 구멍(42)을 통해, 처리 영역 S에 토출된다.In the plasma processing, the processing gas supplied from the gas supply device 60 passes through the gas supply pipe 61 and the gas introduction pipe 55 , and the gas diffusion groove of the conductor plate 30 included in each of the divided metal windows 57 . (32) is supplied. Then, the gas is discharged from each gas diffusion groove 32 through the gas discharge hole 42 of each shower plate 40 to the processing region S.

또한, 각 분할 금속 창(57)이 고유의 고주파 안테나(후술하는 안테나 세그먼트(111, 112))를 갖고, 각 고주파 안테나에 대하여 개별로 고주파 전력이 인가되는 제어가 실행되어도 된다.In addition, each of the divided metal windows 57 may have a unique high frequency antenna (antenna segments 111 and 112 to be described later), and a control in which high frequency power is individually applied to each high frequency antenna may be executed.

제어부(90)는, 기판 처리 장치(10)의 각 구성부, 예를 들어 칠러(86)나, 고주파 전원(59, 83), 가스 공급 장치(60), 압력계로부터 송신되는 모니터 정보에 기초하는 가스 배기부(28) 등의 동작을 제어한다. 제어부(90)는, CPU(Central Processing Unit), ROM(Read Only Memory) 및 RAM(Random Access Memory)을 갖는다. CPU는, RAM이나 ROM의 기억 영역에 저장된 레시피에 따라, 소정의 처리를 실행한다. 레시피에는, 프로세스 조건에 대한 기판 처리 장치(10)의 제어 정보가 설정되어 있다. 제어 정보에는, 예를 들어 가스 유량이나 처리 용기(20) 내의 압력, 처리 용기(20) 내의 온도나 기재(73)의 온도, 프로세스 시간 등이 포함된다.The control unit 90 is configured based on the monitor information transmitted from each component of the substrate processing apparatus 10 , for example, the chiller 86 , the high frequency power supplies 59 and 83 , the gas supply device 60 , and the pressure gauge. The operation of the gas exhaust unit 28 and the like is controlled. The control unit 90 includes a central processing unit (CPU), a read only memory (ROM), and a random access memory (RAM). The CPU executes a predetermined process according to a recipe stored in a storage area of the RAM or ROM. Control information of the substrate processing apparatus 10 with respect to process conditions is set in a recipe. The control information includes, for example, a gas flow rate, a pressure in the processing container 20 , a temperature in the processing container 20 , a temperature of the substrate 73 , a process time, and the like.

레시피 및 제어부(90)가 적용하는 프로그램은, 예를 들어 하드 디스크나 콤팩트 디스크, 광자기 디스크 등에 기억되어도 된다. 또한, 레시피 등은, CD-ROM, DVD, 메모리 카드 등의 가반성의 컴퓨터에 의한 판독이 가능한 기억 매체에 수용된 상태에서 제어부(90)에 세트되어, 판독되는 형태여도 된다. 제어부(90)는 그 밖에, 커맨드의 입력 조작 등을 행하는 키보드나 마우스 등의 입력 장치, 기판 처리 장치(10)의 가동 상황을 가시화하여 표시하는 디스플레이 등의 표시 장치, 및 프린터 등의 출력 장치와 같은 사용자 인터페이스를 갖고 있다.The recipe and the program applied by the control unit 90 may be stored in, for example, a hard disk, a compact disk, a magneto-optical disk, or the like. In addition, the recipe or the like may be set in the control unit 90 and read while being accommodated in a portable computer-readable storage medium such as a CD-ROM, DVD, or memory card. In addition, the control unit 90 includes an input device such as a keyboard or mouse for performing command input operation, a display device such as a display that visualizes and displays the operation status of the substrate processing apparatus 10, and an output device such as a printer; It has the same user interface.

도 2는 금속 창(50) 및 고주파 안테나(54)의 배치의 일례를 도시하는 평면도이다. 또한, 도 2에 있어서, 금속 창(50)의 중앙으로부터 외주를 향하는 방향을 직경 방향으로 하고, 금속 창(50)의 외주를 따라가는 방향을 둘레 방향으로 하여, 설명한다. 또한, 도 2에 있어서, 고주파 안테나(54)의 형상 및 배치는, 모식적으로 도시하고 있고, 도 2에 도시한 형상이나 배치에 한정되는 것은 아니다.FIG. 2 is a plan view showing an example of the arrangement of the metal window 50 and the high-frequency antenna 54 . In addition, in FIG. 2, the direction from the center to the outer periphery of the metal window 50 is made into a radial direction, and the direction along the outer periphery of the metallic window 50 is made into a circumferential direction, and it demonstrates. In addition, in FIG. 2, the shape and arrangement|positioning of the high frequency antenna 54 are shown typically, and it is not limited to the shape and arrangement|positioning shown in FIG.

금속 창(50)은, 절연 부재(56)를 개재하여, 복수의 분할 금속 창(57)으로 분할된다. 구체적으로는, 금속 창(50)은, 직경 방향에 관하여, 3분할된다. 또한, 직경 방향으로 3분할된 금속 창(50)은, 둘레 방향에 관하여, 중앙측으로부터 순서대로 4분할, 8분할, 12분할된다.The metal window 50 is divided into a plurality of divided metal windows 57 via an insulating member 56 . Specifically, the metal window 50 is divided into three in the radial direction. In addition, the metal window 50 divided into three in the radial direction is divided into 4, 8, and 12 in order from the center side in the circumferential direction.

또한, 절연 부재(56)에 의해 분할되는 금속 창(50)은, 금속 창(50)의 4구석으로부터 45°의 방향으로 연장되는 제1 분할선(51)과, 금속 창(50)의 짧은 변을 사이에 두는 2개의 제1 분할선(51)이 교차하는 2개의 교점을 연결하는 긴 변에 평행한 제2 분할선(52)을 갖고 있다. 여기서, 금속 창(50)의 짧은 변의 길이를 W라 한다. 금속 창(50)의 짧은 변 및 2개의 제1 분할선(51)으로 둘러싸인 삼각형의 영역의 직경 방향의 폭은, W/2가 된다. 또한, 금속 창(50)의 긴 변, 2개의 제1 분할선(51) 및 제2 분할선(52)으로 둘러싸인 사다리꼴의 영역의 직경 방향의 폭은, W/2가 된다. 이와 같은 구성에 의해, 삼각형의 영역 및 사다리꼴의 영역에 있어서, 고주파 안테나(54)의 권취수를 동일하게 하고, 직경 방향의 폭을 동일하게 함으로써, 분할 금속 창(57)을 통해 형성되는 유도 전계의 전계 강도를 동일하게 할 수 있다. 이에 의해, 균일한 플라스마를 형성할 수 있다.In addition, the metal window 50 divided by the insulating member 56 includes a first dividing line 51 extending in a direction of 45° from the four corners of the metal window 50 , and the short length of the metal window 50 . Two first dividing lines 51 intersecting the sides have a second dividing line 52 parallel to the long side connecting the two intersections. Here, the length of the short side of the metal window 50 is referred to as W. The width in the radial direction of the triangular region surrounded by the short side of the metal window 50 and the two first dividing lines 51 is W/2. In addition, the radial width of the trapezoidal region surrounded by the long side of the metal window 50 and the two first dividing lines 51 and the second dividing line 52 is W/2. With this configuration, in the triangular region and the trapezoidal region, the induced electric field formed through the divided metal window 57 by making the number of turns of the high-frequency antenna 54 the same and making the width in the radial direction the same. can be made equal to the electric field strength of Thereby, a uniform plasma can be formed.

또한, 절연 부재(56)에 의해 분할되는 금속 창(50)은, 각 변의 둘레 방향에 대해, 외주측에서 3분할, 중간측에서 2분할되어 있다. 이와 같은 구성에 의해, 금속 창(50)의 분할수를 증가시켜 각 분할 금속 창(57)의 크기를 작게 할 수 있어, 유도 전계의 전계 강도 분포를 미세하게 조정할 수 있다. 이에 의해, 플라스마 분포를 고정밀도로 제어할 수 있다.Further, the metal window 50 divided by the insulating member 56 is divided into three sections on the outer peripheral side and two sections on the middle side in the circumferential direction of each side. With such a configuration, the size of each divided metal window 57 can be reduced by increasing the number of divisions of the metal window 50, so that the electric field intensity distribution of the induced electric field can be finely adjusted. Thereby, plasma distribution can be controlled with high precision.

고주파 안테나(54)는, 외측 안테나(110)와, 중간 안테나(120)와, 내측 안테나(130)를 갖는다. 이들 외측 안테나(110), 중간 안테나(120), 내측 안테나(130)는, 플라스마 생성에 기여하는 유도 전계를 생성하는 평면 영역, 구체적으로는 평면상의 액연(額緣)상 영역(141, 142, 143)을 갖고 있다. 액연상 영역(141, 142, 143)은, 도체 플레이트(30)에 면하여 기판 G에 대향하도록 형성되어 있다. 또한, 액연상 영역(141, 142, 143)은 동심상을 이루도록 배치되어 있고, 전체로서 직사각형의 기판 G에 대응하는 직사각형 평면을 구성하고 있다.The high frequency antenna 54 includes an outer antenna 110 , an intermediate antenna 120 , and an inner antenna 130 . The outer antenna 110, the intermediate antenna 120, and the inner antenna 130 are a planar region that generates an induced electric field contributing to plasma generation, specifically, planar frame-like regions 141, 142, 143) have. The frame regions 141 , 142 , 143 are formed so as to face the conductor plate 30 and face the substrate G. Further, the frame regions 141 , 142 , 143 are arranged so as to form a concentric shape, and constitute a rectangular plane corresponding to the rectangular substrate G as a whole.

또한, 외측 안테나(110)와 대응하는 액연상 영역(141)은, 직경 방향에 관하여 3분할된 금속 창(50) 중, 외주측의 분할 금속 창(57) 상에 배치된다. 중간 안테나(120)와 대응하는 액연상 영역(142)은, 직경 방향에 관하여 3분할된 금속 창(50) 중, 중간의 분할 금속 창(57) 상에 배치된다. 내측 안테나(130)와 대응하는 액연상 영역(143)은, 직경 방향에 관하여 3분할된 금속 창(50) 중, 중앙측의 분할 금속 창(57) 상에 배치된다.In addition, the frame region 141 corresponding to the outer antenna 110 is disposed on the divided metal window 57 on the outer peripheral side among the metal windows 50 divided into three in the radial direction. The frame region 142 corresponding to the intermediate antenna 120 is disposed on the middle divided metal window 57 among the metal windows 50 divided into three with respect to the radial direction. The frame region 143 corresponding to the inner antenna 130 is disposed on the central divided metal window 57 among the metal windows 50 divided into three in the radial direction.

외측 안테나(110)는, 액연상 영역(141)의 코너부를 구성하는 4개의 제1 안테나 세그먼트(111)와, 액연상 영역(141)의 변 중앙부를 구성하는 4개의 제2 안테나 세그먼트(112)의 합계 8개의 안테나 세그먼트로 구성되어 있고, 전체로서 환상 안테나가 되는 다분할 환상 안테나로서 구성되어 있다. 안테나 세그먼트(111, 112)의 배치 영역을 포괄하여 액연상 영역(141)을 구성하고 있다.The outer antenna 110 includes four first antenna segments 111 constituting a corner portion of the frame region 141 and four second antenna segments 112 constituting a side center portion of the frame region 141 . is constituted by a total of eight antenna segments, and is constituted as a multi-segmented annular antenna that becomes a ring-shaped antenna as a whole. The frame region 141 is constituted by encompassing the arrangement regions of the antenna segments 111 and 112 .

또한, 제1 안테나 세그먼트(111)는, 금속 창(50)의 외주측에 마련되는 분할 금속 창(57) 중, 금속 창(50)의 코너부(4구석)에 마련되는 2개의 분할 금속 창(57)에 걸쳐 배치된다. 제2 안테나 세그먼트(112)는, 금속 창(50)의 외주측에 마련되는 분할 금속 창(57) 중, 금속 창(50)의 변 중앙부에 마련되는 분할 금속 창(57)에 배치된다. 또한, 제1 안테나 세그먼트(111) 및 제2 안테나 세그먼트(112)에 대해서는, 상세는 후술한다.In addition, the first antenna segment 111 includes two divided metal windows provided at the corners (four corners) of the metal window 50 among the divided metal windows 57 provided on the outer peripheral side of the metal window 50 . (57) is placed over. The second antenna segment 112 is disposed in the divided metal window 57 provided in the central portion of the side of the metal window 50 among the divided metal windows 57 provided on the outer peripheral side of the metal window 50 . In addition, about the 1st antenna segment 111 and the 2nd antenna segment 112, the detail is mentioned later.

중간 안테나(120) 및 내측 안테나(130)는, 모두 와권상의 평면 안테나로서 구성되고(도 2에서는 편의상, 동심상으로 도시되어 있음), 각각의 안테나가 도체 플레이트(30)에 면하여 형성하는 평면 전체가 액연상 영역(142) 및 액연상 영역(143)을 구성하고 있다. 중간 안테나(120), 내측 안테나(130)는, 도전성 재료, 예를 들어 구리 등으로 이루어지는 복수개(예를 들어, 4개)의 안테나선을 권회하여 전체가 와권상이 되도록 한 다중(4중) 안테나를 구성해도 된다. 또한, 중간 안테나(120), 내측 안테나(130)는, 1개의 안테나선을 와권상으로 권회하여 구성해도 된다. 예를 들어, 4개의 안테나선을 권회하여 4중 안테나를 구성하는 경우, 안테나선을 90°씩 위치를 어긋나게 하여 권회함과 함께, 플라스마가 약해지는 경향이 있는 코너부의 권취수를 변의 중앙부의 권취수보다도 많아지도록 해도 된다. 중간 안테나(120)의 안테나선의 배치 영역이 액연상 영역(142)을 구성하고 있다. 내측 안테나(130)의 안테나선의 배치 영역이 액연상 영역(143)을 구성하고 있다.The intermediate antenna 120 and the inner antenna 130 are both configured as a spiral wound planar antenna (shown concentrically for convenience in FIG. 2 ), and each antenna is formed facing the conductor plate 30 . The entire plane constitutes the frame region 142 and the frame region 143 . The intermediate antenna 120 and the inner antenna 130 are multiple (quadruped) in which a plurality of (for example, four) antenna wires made of a conductive material, for example, copper, etc. are wound so that the entirety is spiral wound. An antenna may be configured. Further, the intermediate antenna 120 and the inner antenna 130 may be configured by winding one antenna wire in a spiral wound shape. For example, when four antenna wires are wound to form a quadruple antenna, the antenna wires are wound by shifting their positions by 90°, and the number of turns of the corner portion where plasma tends to be weakened is determined by winding the central portion of the side. You may make it more than the number. An antenna line arrangement area of the intermediate antenna 120 constitutes a frame-like area 142 . An antenna line arrangement area of the inner antenna 130 constitutes a frame-like area 143 .

또한, 고주파 안테나(54)는, 3개의 환상 안테나(외측 안테나(110), 중간 안테나(120), 내측 안테나(130))를 갖는 구성에 한정되는 것은 아니고, 2개 또는 4개 이상의 환상 안테나를 갖는 구성이어도 된다. 즉, 안테나 세그먼트를 환상으로 배치한 구조의 다분할 환상 안테나 외에, 1 또는 2 이상의 단일의 환상 안테나를 마련한 구성으로 해도 된다. 또한, 외측 안테나(110)와 마찬가지의, 안테나 세그먼트를 환상으로 배치한 구조의 다분할 환상 안테나만을 1 또는 2 이상 마련하여 고주파 안테나(54)를 구성해도 된다.In addition, the high frequency antenna 54 is not limited to the configuration having three annular antennas (outer antenna 110, intermediate antenna 120, and inner antenna 130), and two or four or more annular antennas are used. It may have a structure. That is, it is good also as a structure in which one or two or more single annular antennas are provided in addition to the multi-segmented annular antenna having a structure in which antenna segments are arranged in an annular shape. In addition, the high frequency antenna 54 may be constituted by providing only one or two or more multi-segment annular antennas having the same structure as the outer antenna 110 in which antenna segments are arranged in an annular shape.

<안테나 세그먼트><Antenna segment>

다음에, 외측 안테나(110)의 안테나 세그먼트(111, 112)에 대하여, 더 설명한다.Next, the antenna segments 111 and 112 of the outer antenna 110 are further described.

먼저, 제2 안테나 세그먼트(112)에 대하여, 도 3을 사용하여 설명한다. 도 3은 제2 안테나 세그먼트(112)의 일례를 도시하는 사시도이다.First, the second antenna segment 112 will be described with reference to FIG. 3 . 3 is a perspective view showing an example of the second antenna segment 112 .

제2 안테나 세그먼트(112)는, 도전성 재료, 예를 들어 구리 등으로 이루어지는 안테나선(200)을 기판 G(도체 플레이트(30))의 표면에 직교하는 방향인 세로 방향이 권회 방향이 되는 세로 권취로, 또한 권회축이 기판 G의 표면과 평행하게 되는 나선상으로 권회하여 구성되어 있다. 도체 플레이트(30)에 면한 제1 평면(201)에는, 복수의 안테나선(200)이 배치되어 있다. 제1 평면(201)에 배치된 안테나선(200)은, 플라스마에 기여하는 유도 전계를 생성하는 액연상 영역(141)의 일부(변 중앙부)를 구성하고 있다. 제1 평면(201)에 있어서는 안테나선(200)이 7개 평행하게 배치되어 있다.The second antenna segment 112 is vertically wound in a direction perpendicular to the surface of the substrate G (conductor plate 30) of the antenna wire 200 made of a conductive material, for example, copper, in which the longitudinal direction is the winding direction. It is constituted by winding in a spiral shape with a winding shaft parallel to the surface of the substrate G. A plurality of antenna wires 200 are arranged on the first plane 201 facing the conductor plate 30 . The antenna wire 200 arranged on the first plane 201 constitutes a part (side center portion) of the frame region 141 that generates an induced electric field that contributes to plasma. In the first plane 201, seven antenna lines 200 are arranged in parallel.

구체적으로는, 제2 안테나 세그먼트(112)는, 안테나선(211 내지 217, 221 내지 226, 231 내지 236, 241 내지 246), 접속부(251, 252)를 갖고 있다. 또한, 도 3의 설명에 있어서, 제1 평면(201) 상의 안테나선(211 내지 217)이 일단으로부터 타단으로 신장되는 방향을 X 방향으로 하고, 안테나선(211 내지 217)의 안테나선(211)으로부터 안테나선(217)으로의 배열 방향을 Y 방향으로 하고, 제1 평면(201)에 수직인 방향(세로 방향)을 Z 방향으로 하여, 설명한다.Specifically, the second antenna segment 112 includes antenna wires 211 to 217 , 221 to 226 , 231 to 236 , 241 to 246 , and connection portions 251 and 252 . In addition, in the explanation of FIG. 3 , the direction in which the antenna wires 211 to 217 on the first plane 201 extend from one end to the other is the X direction, and the antenna wires 211 of the antenna wires 211 to 217 are set as the X direction. The direction of the arrangement from the antenna line 217 to the Y direction and the direction perpendicular to the first plane 201 (vertical direction) to the Z direction will be described.

7개의 안테나선(211 내지 217)은, 제1 평면(201)에 배치되어 있고, 또한, 서로 평행하게 배치되어 있다. 환언하면, 안테나선(211 내지 217)에 의해, 제1 평면(201)이 형성된다. 또한, 제1 평면(201)은, 액연상 영역(141)의 일부를 구성한다.The seven antenna lines 211 to 217 are arranged on the first plane 201 and are arranged parallel to each other. In other words, the first plane 201 is formed by the antenna wires 211 to 217 . In addition, the first plane 201 constitutes a part of the frame region 141 .

안테나선(211)의 일단에는, 접속부(251)가 접속되어 있다. 안테나선(217)의 타단에는, 접속부(252)가 접속되어 있다. 접속부(251, 252)는, 급전 부재(57a)(도 1 참조)를 통해, 고주파 전원(59)과 접속된다.A connection part 251 is connected to one end of the antenna wire 211 . A connection part 252 is connected to the other end of the antenna wire 217 . The connection parts 251 and 252 are connected to the high frequency power supply 59 via the power supply member 57a (refer FIG. 1).

안테나선(211 내지 216)의 타단에는, +Z 방향(제1 평면(201)으로부터 이격되는 방향)으로 연장되는 안테나선(221 내지 226)이 각각 접속되어 있다. 또한, 안테나선(212 내지 217)의 일단에는, +Z 방향(제1 평면(201)으로부터 이격되는 방향)으로 연장되는 안테나선(241 내지 246)이 각각 접속되어 있다. 또한, 안테나선(221 내지 226)의 상단과, 안테나선(241 내지 246)의 상단은, 수평(대략 X 방향)으로 신장되는 안테나선(231 내지 236)으로 각각 접속되어 있다. 안테나선(231 내지 236)의 일단은 안테나선(221 내지 226)의 상단에 접속되고, 안테나선(231 내지 236)의 타단은 안테나선(241 내지 246)의 상단에 접속된다. 즉, 안테나선(231 내지 236)은, 제1 평면(201)과 평행한 제2 평면(도시하지 않음)에 배치되어 있다. 또한, 안테나선(241 내지 246)의 상단은, 안테나선(221 내지 226)의 상단에 대하여, 안테나선(211 내지 217)이 배열되는 피치만큼 +Y 방향으로 어긋나 있다. 이 때문에, 평면으로 보아, 안테나선(231 내지 236)은, 안테나선(211 내지 217)이 신장되는 방향에 대하여, 비스듬히 형성되어 있다.Antenna wires 221 to 226 extending in the +Z direction (direction spaced apart from the first plane 201) are connected to the other ends of the antenna wires 211 to 216, respectively. Further, antenna lines 241 to 246 extending in the +Z direction (direction spaced apart from the first plane 201) are connected to one end of the antenna lines 212 to 217, respectively. Further, the upper ends of the antenna wires 221 to 226 and the upper ends of the antenna wires 241 to 246 are connected to each other by antenna wires 231 to 236 extending horizontally (approximately in the X direction). One end of the antenna wires 231 to 236 is connected to the upper ends of the antenna wires 221 to 226 , and the other end of the antenna wires 231 to 236 is connected to the upper ends of the antenna wires 241 to 246 . That is, the antenna lines 231 to 236 are arranged on a second plane (not shown) parallel to the first plane 201 . Further, the upper ends of the antenna lines 241 to 246 are shifted in the +Y direction by the pitch at which the antenna lines 211 to 217 are arranged with respect to the upper ends of the antenna lines 221 to 226 . For this reason, in a plan view, the antenna wires 231 to 236 are formed obliquely with respect to the direction in which the antenna wires 211 to 217 extend.

또한, 제2 안테나 세그먼트(112)는, 권회축 방향의 일방측에 있어서, 접속부(251), 안테나선(211), 안테나선(221), 안테나선(231)으로 둘러싸인 제1 단부를 갖고 있다. 또한, 제2 안테나 세그먼트(112)는, 권회축 방향의 타방측에 있어서, 안테나선(236), 안테나선(246), 안테나선(217), 접속부(252)로 둘러싸인 제2 단부를 갖고 있다. 또한, 제1 단부와 제2 단부를 관통하는 권회축은, Y 방향으로 배치되어 있다.Further, the second antenna segment 112 has a first end portion surrounded by a connecting portion 251 , an antenna wire 211 , an antenna wire 221 , and an antenna wire 231 on one side in the winding axis direction. . In addition, the second antenna segment 112 has a second end portion surrounded by the antenna wire 236 , the antenna wire 246 , the antenna wire 217 , and the connecting portion 252 on the other side in the winding axis direction. . Further, the winding shaft passing through the first end and the second end is arranged in the Y direction.

여기서, 접속부(251)로부터 접속부(252)의 방향으로 전류가 흐르는 경우, 플라스마의 생성에 기여하는 유도 전계를 생성하는 제1 평면(201) 상의 안테나선(211 내지 217)에는, 액연상 영역(141)을 따른 동일한 방향(+X 방향)으로 전류가 흐른다.Here, when an electric current flows from the connecting portion 251 to the connecting portion 252, the antenna lines 211 to 217 on the first plane 201 that generate an induced electric field that contributes to the generation of plasma have a frame-like region ( 141), the current flows in the same direction (+X direction).

또한, 안테나선(221 내지 226)에는 +Z 방향으로 전류가 흐르고, 안테나선(241 내지 246)에는 -Z 방향으로 전류가 흐른다. 또한, 제1 평면(201)으로부터 이격된 안테나선(231 내지 236)에는, 대략 -X 방향으로 전류가 흐른다. 안테나선(231 내지 236)은, 제1 평면(201)으로부터 이격되어 있기 때문에, 안테나선(231 내지 236)의 유도 전계가 플라스마의 생성을 저해하는 것을 억제한다.In addition, a current flows in the +Z direction in the antenna lines 221 to 226, and a current flows in the -Z direction in the antenna lines 241 to 246. In addition, current flows in the antenna lines 231 to 236 separated from the first plane 201 in a substantially -X direction. Since the antenna wires 231 to 236 are spaced apart from the first plane 201, the induced electric field of the antenna wires 231 to 236 inhibits the generation of plasma.

다음에, 제1 안테나 세그먼트(111)에 대하여, 도 4 내지 도 8을 사용하여 설명한다. 도 4는 제1 안테나 세그먼트(111)의 일례를 도시하는 사시도이다. 도 5는 제1 안테나 세그먼트(111)의 일례를 도시하는 정면도이다. 도 6은 제1 안테나 세그먼트(111)의 일례를 도시하는 B-B 단면도이다. 도 7은 제1 안테나 세그먼트(111)의 일례를 도시하는 C-C 단면도이다. 도 8은 제1 안테나 세그먼트(111)의 일례를 도시하는 D-D 단면도이다. Next, the first antenna segment 111 will be described with reference to FIGS. 4 to 8 . 4 is a perspective view showing an example of the first antenna segment 111 . 5 is a front view showing an example of the first antenna segment 111 . 6 is a B-B cross-sectional view showing an example of the first antenna segment 111 . 7 is a C-C cross-sectional view showing an example of the first antenna segment 111 . 8 is a D-D cross-sectional view showing an example of the first antenna segment 111 .

제1 안테나 세그먼트(111)는, 도전성 재료, 예를 들어 구리 등으로 이루어지는 안테나선(300)을 기판 G(도체 플레이트(30))의 표면에 직교하는 방향인 세로 방향이 권회 방향이 되는 세로 권취로, 또한 권회축이 기판 G의 표면과 평행하게 되는 나선상으로 권회하여 구성되어 있다. 도체 플레이트(30)에 면한 제1 평면(301)에는, 복수의 안테나선(300)이 배치되어 있다. 제1 평면(301)에 배치된 안테나선(300)은, 플라스마에 기여하는 유도 전계를 생성하는 액연상 영역(141)의 일부(코너부)를 구성하고 있다. 제1 평면(301)에 있어서는 안테나선(300)이 7개 평행하게 또한 코너부를 형성하도록 배치되어 있다. 또한, 7개의 안테나선(300) 중, 내측의 안테나선(300)은, 외측의 안테나선(300)까지 외측 주회하여 배치되어 있다.The first antenna segment 111 is vertically wound in a direction perpendicular to the surface of the substrate G (conductor plate 30) of the antenna wire 300 made of a conductive material, for example, copper, in which the longitudinal direction is the winding direction. It is constituted by winding in a spiral shape with a winding shaft parallel to the surface of the substrate G. A plurality of antenna wires 300 are arranged on the first plane 301 facing the conductor plate 30 . The antenna wire 300 arranged on the first plane 301 constitutes a part (corner portion) of the frame region 141 that generates an induced electric field that contributes to plasma. In the 1st plane 301, seven antenna lines 300 are arrange|positioned so that they may parallel and form a corner part. In addition, among the seven antenna wires 300 , the inner antenna wire 300 is arranged so as to go around the outer side to the outer antenna wire 300 .

구체적으로는, 제1 안테나 세그먼트(111)는, 안테나선(311 내지 317, 321 내지 326, 331 내지 336, 341 내지 346), 접속부(351, 352)를 갖고 있다. 또한, 도 4 등의 설명에 있어서, 제1 평면(301) 상의 안테나선(311 내지 317)의 일단측이 일단측의 단부(일단)로부터 코너부를 향하여 신장되는 방향을 Y 방향으로 하고, 제1 평면(301) 상의 안테나선(311 내지 317)의 타단측이 코너부로부터 타단측의 단부(타단)를 향하여 신장되는 방향을 X 방향으로 하고, 제1 평면(301)에 수직인 방향(세로 방향)을 Z 방향으로 하여, 설명한다.Specifically, the first antenna segment 111 includes antenna lines 311 to 317 , 321 to 326 , 331 to 336 , 341 to 346 , and connection portions 351 and 352 . In addition, in the explanation of FIG. 4 and the like, the direction in which one end of the antenna wires 311 to 317 on the first plane 301 extends from the end (one end) of the one end toward the corner is the Y direction, and the first The direction in which the other end side of the antenna wires 311 to 317 on the plane 301 extends from the corner portion toward the end (the other end) on the other end side is the X direction, and the direction perpendicular to the first plane 301 (vertical direction) ) as the Z-direction.

7개의 안테나선(311 내지 317)은, 적어도 일부가 제1 평면(301)에 배치되어 있다. 환언하면, 안테나선(311 내지 317)에 의해, 제1 평면(301)이 형성된다. 또한, 제1 평면(301)은, 액연상 영역(141)의 일부를 구성한다.At least a part of the seven antenna lines 311 to 317 is arranged on the first plane 301 . In other words, the first plane 301 is formed by the antenna lines 311 to 317 . In addition, the first plane 301 constitutes a part of the frame region 141 .

외주측의 안테나선(314 내지 317)은, 코너부를 형성하도록 L자상으로 형성되어 있다. 즉, 안테나선(314 내지 317)은, +Y 방향으로 연장되는 일단측의 직선 부분과, 90° 굴곡하는 코너부와, +X 방향으로 연장되는 타단측의 직선 부분을 갖는다. 또한, 안테나선(314 내지 317)의 일단측의 직선 부분은, 간격(한쪽의 안테나선의 근접면과 다른 쪽의 안테나선의 근접면의 거리) G1을 두고 서로 평행하게 배치되어 있다. 또한, 안테나선(314 내지 317)의 타단측의 직선 부분은, 간격 G1을 두고 서로 평행하게 배치되어 있다. 또한, 간격 G1은, 예를 들어 10㎜ 이상 30㎜ 이하가 적합하다. 이에 의해, 안테나선간의 이상 방전을 방지할 수 있다.The antenna wires 314 to 317 on the outer peripheral side are formed in an L-shape so as to form a corner portion. That is, the antenna lines 314 to 317 have a straight line portion at one end extending in the +Y direction, a corner portion bent by 90°, and a straight line portion at the other end extending in the +X direction. Further, the straight line portions on one end of the antenna wires 314 to 317 are arranged parallel to each other with an interval (distance between the proximal surface of one antenna line and the proximal surface of the other antenna line) G1. Further, the straight portions on the other end side of the antenna lines 314 to 317 are arranged in parallel with each other with a gap G1. Moreover, as for the space|interval G1, 10 mm or more and 30 mm or less are suitable, for example. Thereby, abnormal discharge between antenna lines can be prevented.

안테나선(311)은, 평면 상 안테나부(311a, 311e)와, 외측 주회부(적층 안테나부)(311c)와, 연결부(311b, 311d)를 구비한다.The antenna wire 311 includes planar antenna portions 311a and 311e, an outer circumferential portion (stacked antenna portion) 311c, and connection portions 311b and 311d.

평면 상 안테나부(311a, 311e)는, 안테나선(314 내지 317)과 마찬가지로, 제1 평면(301) 상에 배치된다. 평면 상 안테나부(311a)는, 안테나선(312 내지 317)의 일단측의 직선 부분과 평행하게 배치된다. 평면 상 안테나부(311e)는, 안테나선(312 내지 317)의 타단측의 직선 부분과 평행하게 배치된다.The planar antenna units 311a and 311e are arranged on the first plane 301, similarly to the antenna lines 314 to 317. The planar antenna part 311a is arrange|positioned parallel to the linear part of the one end side of the antenna lines 312 - 317. The planar antenna part 311e is arrange|positioned parallel to the linear part of the other end side of the antenna lines 312 - 317.

외측 주회부(311c)는, 코너부를 형성하도록 L자상으로 형성되어 있다. 즉, 외측 주회부(311c)는, +Y 방향으로 연장되는 일단측의 직선 부분과, 90° 굴곡하는 코너부와, +X 방향으로 연장되는 타단측의 직선 부분을 갖는다. 또한, 외측 주회부(311c)는, 평면으로 보아, 안테나선(315)의 코너부 상에 겹치도록 배치된다. 또한, 외측 주회부(311c)는, 수평으로 보아, 안테나선(315)의 상단으로부터 외측 주회부(311c)의 하단까지, 높이 H의 간극을 두고 배치된다. 여기서, 높이 H는, 간격 G1 이하로 하는 것이 바람직하다(H≤G1). 또한, 높이 H는, 외측 주회부(311c)와 안테나선(315) 사이에서 이상 방전이 발생하지 않는 간격 이상으로 하는 것이 바람직하다.The outer circumferential portion 311c is formed in an L-shape so as to form a corner portion. That is, the outer circumferential portion 311c has a linear portion at one end extending in the +Y direction, a corner portion bent by 90°, and a linear portion at the other end extending in the +X direction. Moreover, the outer circumferential part 311c is arrange|positioned so that it may overlap on the corner part of the antenna line 315 in planar view. Further, the outer circumferential portion 311c is arranged from the upper end of the antenna wire 315 to the lower end of the outer circumferential portion 311c with a gap of height H in a horizontal view. Here, it is preferable that the height H is made into the space|interval G1 or less (H≤G1). In addition, the height H is preferably set to be equal to or greater than the interval at which abnormal discharge does not occur between the outer circumferential portion 311c and the antenna wire 315 .

연결부(311b)는, 평면 상 안테나부(311a)의 타단과 외측 주회부(311c)의 일단을 접속한다. 연결부(311b)는, 예를 들어 평면 상 안테나부(311a)의 타단으로부터 기립하는 기립부와, 직경 방향으로 연장되어 외측 주회부(311c)의 일단과 접속하는 연신부를 갖고 있다. 또한, 도 4 내지 도 8의 예에 있어서, 연결부(311b)의 연신부는, 평면으로 보아, 평면 상 안테나부(311a)에 대하여 90° 굴곡되어 있다. 연결부(311d)는, 평면 상 안테나부(311e)의 일단과 외측 주회부(311c)의 타단을 접속한다. 연결부(311d)는, 예를 들어 평면 상 안테나부(311e)의 일단으로부터 기립하는 기립부와, 직경 방향으로 연장되어 외측 주회부(311c)의 타단과 접속하는 연신부를 갖고 있다. 또한, 도 4 내지 도 8의 예에 있어서, 연결부(311d)의 연신부는, 평면으로 보아, 평면 상 안테나부(311e)에 대하여 90° 굴곡되어 있다.The connecting portion 311b connects the other end of the antenna portion 311a in plan view and one end of the outer circumferential portion 311c. The connecting portion 311b has, for example, a standing portion standing up from the other end of the antenna portion 311a on a plane, and an extending portion extending in the radial direction and connecting to one end of the outer circumferential portion 311c. In addition, in the example of FIGS. 4-8, the extending|stretching part of the connection part 311b is bent 90 degrees with respect to the antenna part 311a in planar view. The connecting portion 311d connects one end of the antenna portion 311e in plan view and the other end of the outer circumferential portion 311c. The connecting portion 311d has, for example, a standing portion standing up from one end of the antenna portion 311e on a plane, and an extending portion extending in the radial direction and connecting to the other end of the outer circumferential portion 311c. In addition, in the example of FIGS. 4-8, the extending|stretching part of the connection part 311d is bent 90 degrees with respect to the antenna part 311e in planar view.

마찬가지로, 안테나선(312)은, 평면 상 안테나부(312a, 312e)와, 외측 주회부(312c)와, 연결부(312b, 312d)를 구비한다. 또한, 안테나선(313)은, 평면 상 안테나부(313a, 313e)와, 외측 주회부(313c)와, 연결부(313b, 313d)를 구비한다. 외측 주회부(312c)는, 평면으로 보아, 안테나선(316)의 코너부 상에 겹치도록 배치된다. 외측 주회부(313c)는, 평면으로 보아, 안테나선(317)의 코너부 상에 겹치도록 배치된다. 또한, 외측 주회부(312c, 313c)는, 수평으로 보아, 안테나선(316, 317)의 상단으로부터 외측 주회부(312c, 313c)의 하단까지, 높이 H의 간극을 두고 배치된다. 즉, 외측 주회부(311c 내지 313c)는, 제1 평면(301)과 평행한 제3 평면(도시하지 않음)에 배치되어 있다. 환언하면, 외측 주회부(311c 내지 313c)에 의해, 제3 평면이 형성된다. 또한, 제3 평면은, 안테나선(311 내지 317)에 의해 형성되는 제1 평면(301)과 안테나선(331 내지 336)에 의해 형성되는 제2 평면(도시하지 않음) 사이에 배치된다.Similarly, the antenna wire 312 includes planar antenna portions 312a and 312e, an outer circumferential portion 312c, and connection portions 312b and 312d. Further, the antenna wire 313 includes planar antenna portions 313a and 313e, an outer circumferential portion 313c, and connection portions 313b and 313d. The outer circumferential portion 312c is arranged so as to overlap on the corner portion of the antenna wire 316 in plan view. The outer circumferential portion 313c is disposed so as to overlap on the corner portion of the antenna wire 317 in plan view. Further, the outer circumferential parts 312c and 313c are arranged from the upper ends of the antenna wires 316 and 317 to the lower ends of the outer circumferential sections 312c and 313c with a gap of height H in a horizontal view. That is, the outer circumferential portions 311c to 313c are arranged on a third plane (not shown) parallel to the first plane 301 . In other words, the third plane is formed by the outer circumferential portions 311c to 313c. Further, the third plane is disposed between the first plane 301 formed by the antenna lines 311 to 317 and the second plane (not shown) formed by the antenna wires 331 to 336 .

또한, 기판 적재대(70)에 적재되는 기판 G와 안테나선의 위치 관계에 대해서는, 예를 들어 안테나선(315)은, 평면으로 보았을 때, 기판 G의 단부 상에 배치되어 있다. 그때, 외측 주회부(312c, 313c)는, 평면으로 보았을 때, 기판 적재대(70)에 적재되는 기판 G의 단부 상으로부터 외측에 배치되어 있다.In addition, about the positional relationship between the board|substrate G mounted on the board|substrate mounting table 70, and an antenna wire, the antenna wire 315 is arrange|positioned on the edge part of the board|substrate G in planar view, for example. In that case, the outer circumferential parts 312c and 313c are arrange|positioned outside from the edge part of the board|substrate G mounted on the board|substrate mounting table 70 in planar view.

또한, 평면 상 안테나부(311a 내지 313a), 안테나선(314 내지 317)의 일단측의 직선 부분은, 간격 G1로 서로 평행하게 배치되어 있다. 또한, 평면 상 안테나부(311e 내지 313e), 안테나선(314 내지 317)의 타단측의 직선 부분은, 간격 G1로 서로 평행하게 배치되어 있다. 또한, 연결부(311b 내지 313b)의 연신부는, 예를 들어 간격 G1을 두고 서로 평행하게 배치되어 있다. 또한, 연결부(311d 내지 313d)의 연신부는, 예를 들어 간격 G1을 두고 서로 평행하게 배치되어 있다.Further, the linear portions of the antenna sections 311a to 313a and one end of the antenna lines 314 to 317 are arranged in parallel with each other at an interval G1 in a plane view. Further, in a plane, the antenna portions 311e to 313e and the straight portions on the other end side of the antenna lines 314 to 317 are arranged parallel to each other at an interval G1. In addition, the extending|stretching parts of the connection parts 311b - 313b are mutually arrange|positioned in parallel with the space|interval G1, for example. In addition, the extending|stretching parts of the connection parts 311d - 313d are arrange|positioned in parallel with each other with the space|interval G1, for example.

또한, 연결부(311b)와 연결부(311d)는, 간격 G2를 갖고 있다. 간격 G2는, 간격 G1 이상으로 하는 것이 바람직하다. 이에 의해, 이상 방전을 확실하게 방지할 수 있다. Moreover, the connection part 311b and the connection part 311d have the space|interval G2. It is preferable that the space|interval G2 sets it as the space|interval G1 or more. Thereby, abnormal discharge can be prevented reliably.

또한, 연결부(313b)와 안테나선(341 내지 346)은, 간격 G3을 갖고 있다. 간격 G3은, 간격 G1 이상으로 하는 것이 바람직하다. 이에 의해, 이상 방전을 확실하게 방지할 수 있다.Further, the connecting portion 313b and the antenna lines 341 to 346 have a gap G3. It is preferable that the space|interval G3 sets it as the space|interval G1 or more. Thereby, abnormal discharge can be prevented reliably.

안테나선(311)의 일단에는, 접속부(351)가 접속되어 있다. 안테나선(317)의 타단에는, 접속부(352)가 접속되어 있다. 접속부(351, 352)는, 급전 부재(57a) (도 1 참조)를 통해, 고주파 전원(59)과 접속된다.A connection part 351 is connected to one end of the antenna wire 311 . A connection part 352 is connected to the other end of the antenna wire 317 . The connection parts 351 and 352 are connected to the high frequency power supply 59 via the power feeding member 57a (refer FIG. 1).

안테나선(311 내지 316)의 타단에는, +Z 방향(제1 평면(301)으로부터 이격되는 방향)으로 연장되는 안테나선(321 내지 326)이 각각 접속되어 있다. 또한, 안테나선(312 내지 317)의 일단에는, +Z 방향(제1 평면(301)으로부터 이격되는 방향)으로 연장되는 안테나선(341 내지 346)이 각각 접속되어 있다. 또한, 안테나선(321 내지 326)의 상단과, 안테나선(341 내지 346)의 상단은, 수평(X 방향 및 Y 방향)으로 신장되는 안테나선(331 내지 336)으로 각각 접속되어 있다. 즉, 안테나선(331 내지 336)은, 제1 평면(301)과 평행한 제2 평면(도시하지 않음)에 배치되어 있다. 안테나선(331 내지 336)은, 코너부를 형성하도록 L자상으로 형성되어 있다. 즉, 안테나선(331 내지 336)은, 각각, 일단이 안테나선(321 내지 326)의 상단에 접속되고, -X 방향으로 연장되는 일단측의 직선 부분과, 90° 굴곡하는 코너부와, -Y 방향으로 연장되며, 안테나선(341 내지 346)의 상단에 타단이 접속되는 타단측의 직선 부분을 갖는다.Antenna lines 321 to 326 extending in the +Z direction (direction spaced apart from the first plane 301) are connected to the other ends of the antenna lines 311 to 316, respectively. In addition, antenna lines 341 to 346 extending in the +Z direction (direction spaced apart from the first plane 301) are connected to one end of the antenna lines 312 to 317, respectively. The upper ends of the antenna lines 321 to 326 and the upper ends of the antenna lines 341 to 346 are respectively connected to each other by antenna lines 331 to 336 extending horizontally (in the X and Y directions). That is, the antenna lines 331 to 336 are arranged on a second plane (not shown) parallel to the first plane 301 . The antenna lines 331 to 336 are formed in an L-shape so as to form a corner portion. That is, the antenna wires 331 to 336 each have one end connected to the upper end of the antenna wires 321 to 326, a straight portion on one end side extending in the -X direction, a corner portion bent by 90°, - It extends in the Y direction and has a straight line portion on the other end side to which the other end is connected to the upper end of the antenna wires 341 to 346 .

안테나선(331)의 일단측의 직선 부분은, 평면으로 보아, 평면 상 안테나부(311e)와 겹치도록 배치된다. 안테나선(331)의 타단측의 직선 부분은, 평면으로 보아, 평면 상 안테나부(312a)와 겹치도록 배치된다.A straight portion on one end side of the antenna wire 331 is arranged so as to overlap the antenna portion 311e in plan view. The straight line portion on the other end side of the antenna wire 331 is arranged so as to overlap the antenna portion 312a in plan view.

안테나선(332)의 일단측의 직선 부분은, 평면으로 보아, 평면 상 안테나부(312e)와 겹치도록 배치된다. 안테나선(332)의 타단측의 직선 부분은, 평면으로 보아, 평면 상 안테나부(313a)와 겹치도록 배치된다.A straight line portion at one end of the antenna line 332 is arranged so as to overlap the antenna portion 312e in plan view. The straight line portion on the other end side of the antenna wire 332 is arranged so as to overlap the antenna portion 313a in plan view.

안테나선(333)의 일단측의 직선 부분은, 평면으로 보아, 평면 상 안테나부(313e)와 겹치도록 배치된다. 안테나선(333)의 타단측의 직선 부분은, 평면으로 보아, 안테나선(314)의 일단측의 직선 부분과 겹치도록 배치된다.A straight line portion at one end of the antenna wire 333 is arranged so as to overlap the antenna portion 313e in plan view. The straight line portion on the other end side of the antenna line 333 is arranged so as to overlap with the straight line portion on the one end side of the antenna line 314 in plan view.

안테나선(334)의 일단측의 직선 부분은, 평면으로 보아, 안테나선(314)의 타단측의 직선 부분과 겹치도록 배치된다. 안테나선(334)의 타단측의 직선 부분은, 평면으로 보아, 안테나선(315)의 일단측의 직선 부분과 겹치도록 배치된다.The straight line portion on the one end side of the antenna line 334 is arranged so as to overlap the straight line portion on the other end side of the antenna line 314 in plan view. The straight line portion on the other end side of the antenna line 334 is arranged so as to overlap the straight line portion on the one end side of the antenna line 315 in plan view.

안테나선(335)의 일단측의 직선 부분은, 평면으로 보아, 안테나선(315)의 타단측의 직선 부분과 겹치도록 배치된다. 안테나선(335)의 타단측의 직선 부분은, 평면으로 보아, 안테나선(316)의 일단측의 직선 부분과 겹치도록 배치된다.The straight line portion on the one end side of the antenna wire 335 is arranged so as to overlap the straight line portion on the other end side of the antenna wire 315 in plan view. The straight line portion on the other end side of the antenna wire 335 is arranged so as to overlap the straight line portion on the one end side of the antenna wire 316 in plan view.

안테나선(336)의 일단측의 직선 부분은, 평면으로 보아, 안테나선(316)의 타단측의 직선 부분과 겹치도록 배치된다. 안테나선(336)의 타단측의 직선 부분은, 평면으로 보아, 안테나선(317)의 일단측의 직선부와 겹치도록 배치된다.The linear portion on one end of the antenna wire 336 is arranged so as to overlap the linear portion on the other end of the antenna wire 316 in plan view. The straight line portion on the other end side of the antenna line 336 is arranged so as to overlap the straight line portion on the one end side of the antenna line 317 in plan view.

또한, 제2 평면(도시하지 않음)에 배치되는 안테나선(331 내지 336)은, 도 4 등에 도시한 바와 같이 L자상으로 형성되어 있어도 되고, 안테나선(321 내지 326)의 상단과, 안테나선(341 내지 346)의 상단을 각각 직선적으로 접속하도록(비스듬히 신장하도록) 형성되어 있어도 된다.The antenna wires 331 to 336 arranged on the second plane (not shown) may be formed in an L-shape as shown in Fig. 4 or the like, and the upper ends of the antenna wires 321 to 326 and the antenna wires It may be formed so that the upper ends of (341-346) may be connected linearly (so that it may extend diagonally), respectively.

또한, 제1 안테나 세그먼트(111)는, 권회축 방향의 일방측에 있어서, 접속부(351), 안테나선(311)(평면 상 안테나부(311a, 311e)), 안테나선(321), 안테나선(331)으로 둘러싸인 제1 단부를 갖고 있다. 제1 단부는, 오목상(골접기)으로 굴곡한다. 또한, 제1 안테나 세그먼트(111)는, 권회축 방향의 타방측에 있어서, 안테나선(336), 안테나선(346), 안테나선(317), 접속부(352)로 둘러싸인 제2 단부를 갖고 있다. 제2 단부는, 볼록상(산접기)으로 굴곡한다. 또한, 제1 단부와 제2 단부를 관통하는 권회축은, 직경 방향(수평 방향)으로 배치되어 있다.In addition, the first antenna segment 111 has a connection part 351, an antenna wire 311 (planar antenna parts 311a, 311e), an antenna wire 321, and an antenna wire, on one side in the winding axis direction. It has a first end surrounded by (331). The first end is bent in a concave shape (bone fold). Further, the first antenna segment 111 has a second end portion surrounded by an antenna wire 336 , an antenna wire 346 , an antenna wire 317 , and a connecting portion 352 on the other side in the winding axis direction. . The second end is bent in a convex shape (mountain fold). In addition, the winding shaft passing through the 1st end and the 2nd end is arrange|positioned in the radial direction (horizontal direction).

또한, 제1 안테나 세그먼트(111)를 제1 평면(301)에 투영한 투영 형상은, 제1 단부의 측에서 오목상으로 굴곡하고, 제2 단부의 측에서 볼록상으로 굴곡하여 형성되는 L자 형상을 갖고 있다.In addition, the projection shape of the 1st antenna segment 111 projected on the 1st plane 301 is an L shape formed by bending concavely on the side of a 1st edge part and bending convexly on the side of a 2nd edge part. has a shape.

여기서, 접속부(351)로부터 접속부(352)의 방향으로 전류가 흐르는 경우, 플라스마의 생성에 기여하는 유도 전계를 생성하는 제1 평면(301) 상의 평면 상 안테나부(311a, 311e, 312a, 312e, 313a, 313e), 및, 안테나선(314 내지 317)에는, 액연상 영역(141)을 따른 동일한 방향(+Y 방향 및 +X 방향)으로 전류가 흐른다.Here, when a current flows in the direction of the connection part 352 from the connection part 351, the on-plane antenna parts 311a, 311e, 312a, 312e on the first plane 301 which generate an induced electric field contributing to the generation of plasma, Currents flow in the same direction (+Y direction and +X direction) along the frame region 141 in 313a and 313e and the antenna lines 314 to 317 .

또한, 안테나선(321 내지 326)에는 +Z 방향으로 전류가 흐르고, 안테나선(341 내지 346)에는 -Z 방향으로 전류가 흐른다. 또한, 제1 평면(301)으로부터 이격된 안테나선(331 내지 336)에는, 제1 평면(301) 상의 안테나선과는 역방향으로 전류가 흐른다. 안테나선(331 내지 336)은, 제1 평면(301)으로부터 이격되어 있기 때문에, 안테나선(331 내지 336)의 유도 전계가 플라스마의 생성을 저해하는 것을 억제한다.In addition, current flows in the +Z direction in the antenna lines 321 to 326, and current flows in the -Z direction in the antenna lines 341 to 346. In addition, current flows in the antenna lines 331 to 336 separated from the first plane 301 in a direction opposite to that of the antenna lines on the first plane 301 . Since the antenna wires 331 to 336 are spaced apart from the first plane 301, the induced electric field of the antenna wires 331 to 336 inhibits the generation of plasma.

또한, 외측 주회부(311c 내지 313c)에는, 제1 평면(301) 상의 안테나선과 동일한 방향으로 전류가 흐른다. 외측 주회부(311c 내지 313c)는, 플라스마의 생성에 기여하는 유도 전계를 생성한다. 이에 의해, 액연상 영역(141)(도 2 참조)의 코너부에 있어서, 외측의 유도 전계를 강하게 할 수 있다.Further, current flows through the outer circumferential portions 311c to 313c in the same direction as the antenna line on the first plane 301 . The outer circumferential parts 311c to 313c generate an induced electric field that contributes to the generation of plasma. Thereby, in the corner part of the frame-like region 141 (refer FIG. 2), the outside induced electric field can be strengthened.

즉, 제1 안테나 세그먼트(111)는, 제1 평면(301) 상에 배치되는 제1 안테나군(311a, 312a, 313a, 311e, 312e, 313e, 314, 315, 316, 317)과, 제1 안테나군의 상방에 이격하여 제2 평면 상에 배치되는 제2 안테나군(331 내지 336)과, 제1 안테나군의 상방에 근접하여 제3 평면 상에 배치되는 제3 안테나군(311c, 312c, 313c)을 갖고 있다. 또한, 제1 안테나 세그먼트(111)에 전류를 흘렸을 때, 제1 안테나군과 제3 안테나군의 전류가 흐르는 방향이 동일해지도록 구성되어 있다. 그리고, 제1 안테나군 및 제3 안테나군에 의해 플라스마를 생성하기 위한 유도 전계를 형성한다. 이에 의해, 액연상 영역(141)(도 2 참조)의 코너부에 있어서, 외측의 유도 전계를 강하게 할 수 있다.That is, the first antenna segment 111 includes the first antenna groups 311a , 312a , 313a , 311e , 312e , 313e , 314 , 315 , 316 , and 317 arranged on the first plane 301 , and the first The second antenna groups 331 to 336 arranged on a second plane spaced apart above the antenna group, and third antenna groups 311c and 312c arranged on a third plane close to the upper side of the first antenna group; 313c). Moreover, it is comprised so that when a current flows through the 1st antenna segment 111, the direction which the 1st antenna group and the 3rd antenna group flow in the same direction. Then, an induced electric field for generating plasma is formed by the first antenna group and the third antenna group. Thereby, in the corner part of the frame-like region 141 (refer FIG. 2), the outside induced electric field can be strengthened.

또한, 제1 안테나 세그먼트(111)의 형상은, 도 4 등에 도시한 것에 한정되지 않는다. 도 9는 제1 안테나 세그먼트(111A)의 다른 일례를 도시하는 사시도이다. 도 9에 도시한 제1 안테나 세그먼트(111A)는, 도 4에 도시한 제1 안테나 세그먼트(111)와 비교하여, 연결부(311b, 311d, 312b, 312d, 313b, 313d)의 형상이 다르다. 구체적으로는, 연결부(311b)의 연신부는, 평면으로 보아, 평면 상 안테나부(311a)에 대하여 비스듬히 신장하도록 형성되어 있다. 연결부(311d)의 연신부는, 평면으로 보아, 평면 상 안테나부(311e)에 대하여 비스듬히 신장하도록 형성되어 있다. 마찬가지로, 연결부(312b, 312d, 313b, 313d)에 대해서도 비스듬히 신장하도록 형성되어 있다. 그 밖의 구성은 마찬가지이며, 중복되는 설명은 생략한다.In addition, the shape of the 1st antenna segment 111 is not limited to what is shown in FIG. 4 etc. FIG. 9 is a perspective view showing another example of the first antenna segment 111A. The first antenna segment 111A shown in FIG. 9 is different from the first antenna segment 111 shown in FIG. 4 in the shape of the connecting portions 311b, 311d, 312b, 312d, 313b, and 313d. Specifically, the extending portion of the connecting portion 311b is formed so as to extend obliquely with respect to the antenna portion 311a in plan view. The extension portion of the connecting portion 311d is formed so as to extend obliquely with respect to the antenna portion 311e in plan view. Similarly, the connecting portions 312b, 312d, 313b, and 313d are formed so as to extend obliquely. Other configurations are the same, and overlapping descriptions are omitted.

또한, 도 4 및 도 9에 도시한 제1 안테나 세그먼트(111)에서는, 외측 주회하는 안테나(311c 내지 313c)의 개수는 3개인 것으로 하여 설명하였지만, 이것에 한정되는 것은 아니고, 1개 이상이면 된다. 또한, 외측 주회하는 안테나(311c 내지 313c)의 개수(도 4의 예에서는 3개)는, 총 권취수(도 4의 예에서는 7개)의 절반 이하인 것이 바람직하다.In the first antenna segment 111 shown in Figs. 4 and 9, the number of antennas 311c to 313c circling outside has been described as being three. . In addition, it is preferable that the number (three in the example of FIG. 4) of the antennas 311c - 313c revolving outside is less than half of the total number of turns (seven in the example of FIG. 4).

도 10은 직경 방향의 유도 전계의 변화를 나타내는 그래프의 일례이다. 여기에서는, 도 6의 선분(302) 상에 있어서의 유도 전계의 변화를 나타낸다. 횡축은, 직경 방향(중앙측으로부터 외측을 향하는 방향)의 위치를 나타내고, 종축은, 전계의 강도를 나타낸다. 또한, 도 10에 있어서, 본 실시 형태에 있어서의 제1 안테나 세그먼트(111)는, 도 9에 도시한 연결부가 비스듬히 신장되는 구성의 안테나 세그먼트이고, 외측 주회 개수가 2개인 경우를 예로 나타낸다. 또한, 참고예에 있어서의 제1 안테나 세그먼트는, 안테나선(311 내지 317)이 모두 제1 평면(301) 상에 있는 경우, 즉, 외측 주회 개수가 0개(외측 주회부가 없음)인 경우를 예로 나타낸다. 또한, 참고예의 제1 안테나 세그먼트에 있어서의 안테나선이 배치되는 범위의 경계를 굵은 실선(401, 402)으로 나타내고, 기판 G의 기판단의 위치를 파선(403)으로 나타낸다.10 is an example of a graph showing the change of the induced electric field in the radial direction. Here, the change of the induced electric field on the line segment 302 of FIG. 6 is shown. The horizontal axis indicates the position in the radial direction (direction from the center side to the outside), and the vertical axis indicates the strength of the electric field. In addition, in FIG. 10, the 1st antenna segment 111 in this embodiment is an antenna segment of the structure in which the connection part shown in FIG. 9 extends diagonally, The case where the number of outer windings is two is shown as an example. Note that, as for the first antenna segment in the reference example, the case where all of the antenna lines 311 to 317 are on the first plane 301, that is, the case where the number of outer windings is 0 (there is no outer winding portion) shown as an example. In addition, the boundary of the range in which the antenna line in the 1st antenna segment of the reference example is arrange|positioned is shown with thick solid lines 401 and 402, and the position of the board|substrate end of the board|substrate G is shown with the broken line 403. As shown in FIG.

그래프를 대비하여 나타내는 바와 같이, 본 실시 형태의 안테나 세그먼트(111)에 의하면, 액연상 영역(141)의 코너부(외주측)의 유도 전계를 강하게 할 수 있다. 이에 의해, 플라스마가 약해지는 경향이 있는 액연상 영역(141)의 코너부에 대하여, 플라스마를 강하게 할 수 있다.As shown by contrast with the graph, according to the antenna segment 111 of the present embodiment, the induced electric field at the corner (outer peripheral side) of the frame region 141 can be strengthened. Thereby, the plasma can be strengthened with respect to the corner portion of the frame region 141 in which the plasma tends to be weakened.

고주파 안테나(54)의 또 다른 일례에 대하여, 도 11 및 도 12를 사용하여 더 설명한다. 도 11은 제1 안테나 세그먼트(111B)의 다른 일례를 도시하는 사시도이다. 도 12는 제2 안테나 세그먼트(112B)의 다른 일례를 도시하는 사시도이다. 도 11에 도시한 제1 안테나 세그먼트(111B)는, 도 4에 도시한 제1 안테나 세그먼트(111)와 비교하여, 안테나선(321 내지 326) 및 안테나선(341 내지 346)의 형상이 다르다. 도 12에 도시한 제2 안테나 세그먼트(112B)는, 도 3에 도시한 제2 안테나 세그먼트(112)와 비교하여, 안테나선(221 내지 226) 및 안테나선(241 내지 246)의 형상이 다르다. 구체적으로는, 안테나선(321)은, 내측(권회축측)을 향하여 굴곡하는 굴곡부와, +Z 방향으로 연장되는 직립부를 갖는다. 안테나선(322 내지 326, 341 내지 346, 221 내지 226, 241 내지 246)에 대해서도 마찬가지이다. 그 밖의 구성은 마찬가지이며, 중복되는 설명은 생략한다. 또한, 도 9에 도시한 제1 안테나 세그먼트(111A)에 있어서, 안테나선(321 내지 326) 및 안테나선(341 내지 346)에 굴곡부를 마련하는 구성이어도 된다.Another example of the high-frequency antenna 54 is further described with reference to FIGS. 11 and 12 . 11 is a perspective view showing another example of the first antenna segment 111B. 12 is a perspective view showing another example of the second antenna segment 112B. The first antenna segment 111B shown in FIG. 11 has different shapes of the antenna lines 321 to 326 and the antenna lines 341 to 346 from the first antenna segment 111 shown in FIG. 4 . The second antenna segment 112B shown in FIG. 12 has different shapes of the antenna wires 221 to 226 and the antenna wires 241 to 246 from the second antenna segment 112 shown in FIG. 3 . Specifically, the antenna wire 321 has a bent portion bent toward the inside (winding axis side) and an upright portion extending in the +Z direction. The same applies to the antenna lines 322 to 326, 341 to 346, 221 to 226, and 241 to 246. Other configurations are the same, and overlapping descriptions are omitted. Moreover, in the 1st antenna segment 111A shown in FIG. 9, the structure in which the antenna wires 321-326 and the antenna wires 341-346 are provided with a bending part may be sufficient.

도 13은 전류의 흐름을 도시하는 모식도이다. 제1 안테나 세그먼트(111B)는, 제2 안테나 세그먼트(112B)와 인접하는 측에, 안테나선(321)을 갖고 있다. 안테나선(321)은 권회축의 내측을 향하여 굴곡하는 굴곡부(321a)와, 직립부(321b)를 갖는다. 마찬가지로, 제2 안테나 세그먼트(112B)는, 제1 안테나 세그먼트(111B)와 인접하는 측에, 안테나선(241)을 갖고 있다. 안테나선(241)은 권회축의 내측을 향하여 굴곡하는 굴곡부(241a)와, 직립부(241b)를 갖는다. 또한, 제1 안테나 세그먼트(111B)와 제2 안테나 세그먼트(112B) 사이에는, 자장의 간섭을 방지하기 위한 금속으로 이루어지는 실드(150)가 배치되어 있다. 또한, 제1 안테나 세그먼트(111B)에는, 전류 Ia가 흐른다. 굴곡부(321a)를 흐르는 전류 Ia는, 수평 방향 성분 Iax 및 수직 방향 성분 Iaz를 갖는다. 또한, 제2 안테나 세그먼트(112B)에는, 전류 Ib가 흐른다. 굴곡부(241a)를 흐르는 전류 Ib는, 수평 방향 성분 Ibx 및 수직 방향 성분 Ibz를 갖는다.13 is a schematic diagram showing the flow of current. The first antenna segment 111B has an antenna line 321 on the side adjacent to the second antenna segment 112B. The antenna wire 321 has a bent portion 321a that bends toward the inside of the winding shaft and an upright portion 321b. Similarly, the second antenna segment 112B has an antenna wire 241 on the side adjacent to the first antenna segment 111B. The antenna wire 241 has a bent portion 241a that bends toward the inside of the winding shaft and an upright portion 241b. Further, between the first antenna segment 111B and the second antenna segment 112B, a shield 150 made of metal for preventing interference of a magnetic field is disposed. Further, a current Ia flows through the first antenna segment 111B. The current Ia flowing through the bent portion 321a has a horizontal component Iax and a vertical component Iaz. Further, a current Ib flows through the second antenna segment 112B. The current Ib flowing through the bent portion 241a has a horizontal component Ibx and a vertical component Ibz.

이와 같은 구성을 가짐으로써, 직립부(241b)와 직립부(321b)의 간격을 넓혀, 자장의 간섭을 억제한다. 또한, 제1 안테나 세그먼트(111B)는, 안테나선(311)의 단부에 있어서, 안테나선(311)을 흐르는 전류 Ia에 의한 자장이, 굴곡부(321a)를 흐르는 전류의 수평 방향 성분 Iax에 의한 자장으로 상쇄된다. 마찬가지로, 제2 안테나 세그먼트(112B)는, 안테나선(212)의 단부에 있어서, 안테나선(212)을 흐르는 전류 Ib에 의한 자장이, 굴곡부(241a)를 흐르는 전류의 수평 방향 성분 Ibx에 의한 자장으로 상쇄된다. 이에 의해, 제1 안테나 세그먼트(111B)와 제2 안테나 세그먼트(112B) 사이에 있어서 한쪽의 안테나 세그먼트의 자장 제어가 다른 쪽의 안테나 자장 제어에 간섭하는 것을 방지할 수 있다.By having such a structure, the space|interval of the upright part 241b and the upright part 321b is widened, and interference of a magnetic field is suppressed. Further, in the first antenna segment 111B, at the end of the antenna line 311 , a magnetic field caused by a current Ia flowing through the antenna line 311 is a magnetic field caused by a horizontal component Iax of a current flowing through the bent portion 321a . is offset by Similarly, in the second antenna segment 112B, at the end of the antenna line 212 , a magnetic field caused by a current Ib flowing through the antenna line 212 is a magnetic field caused by a horizontal component Ibx of a current flowing through the bent portion 241a . is offset by Accordingly, it is possible to prevent the magnetic field control of one antenna segment from interfering with the other antenna magnetic field control between the first antenna segment 111B and the second antenna segment 112B.

환언하면, 실드(150)의 두께를 얇게 하여, 제1 안테나 세그먼트(111B)의 단부로부터 제2 안테나 세그먼트(112B)의 단부까지의 간격 G4를 짧게 할 수 있다. 이에 의해, 외측 안테나(110)에서 형성되는 유도 자장에 있어서, 안테나 세그먼트간의 불균일성을 저감할 수 있다. 또한, 생성되는 플라스마의 불균일성을 저감할 수 있다.In other words, by reducing the thickness of the shield 150 , the interval G4 from the end of the first antenna segment 111B to the end of the second antenna segment 112B can be shortened. Thereby, in the induced magnetic field formed in the outer antenna 110, the non-uniformity between antenna segments can be reduced. In addition, the non-uniformity of the generated plasma can be reduced.

고주파 안테나(54)의 또 다른 일례에 대하여, 도 14를 사용하여 더 설명한다. 도 14는 제1 안테나 세그먼트(111C)의 다른 일례를 도시하는 사시도이다. 도 14에 도시한 제1 안테나 세그먼트(111C)는, 도 11에 도시한 제1 안테나 세그먼트(111B)와 비교하여, 플라스마의 생성에 기여하지 않는 안테나선(331 내지 336)에 각각 콘덴서(361 내지 366)가 삽입되어 있다. 그 밖의 구성은 마찬가지이며, 중복되는 설명은 생략한다. 또한, 도 4에 도시한 제1 안테나 세그먼트(111), 도 9에 도시한 제1 안테나 세그먼트(111A)에 있어서, 안테나선(331 내지 336)에 각각 콘덴서(361 내지 366)가 삽입되는 구성이어도 된다.Another example of the high-frequency antenna 54 is further described with reference to FIG. 14 . 14 is a perspective view showing another example of the first antenna segment 111C. The first antenna segment 111C shown in Fig. 14 has capacitors 361 to 336 in the antenna lines 331 to 336 that do not contribute to the generation of plasma, respectively, compared to the first antenna segment 111B shown in Fig. 11 . 366) is inserted. Other configurations are the same, and overlapping descriptions are omitted. Further, in the first antenna segment 111 shown in Fig. 4 and the first antenna segment 111A shown in Fig. 9, the capacitors 361 to 366 are respectively inserted into the antenna lines 331 to 336. do.

이에 의해, 안테나선간의 전위차의 상승을 억제할 수 있다. 특히, 외측 주회부(311c 내지 313c)와, 안테나선(314 내지 317)의 전위차는, 권회될 때의 전위차(1권취당의 전위차)보다도 커진다. 콘덴서(361 내지 366)를 개재시켜, 안테나선간의 전위차를 저감함으로써, 이상 방전을 방지할 수 있다.Accordingly, it is possible to suppress an increase in the potential difference between the antenna lines. In particular, the potential difference between the outer winding portions 311c to 313c and the antenna wires 314 to 317 is larger than the potential difference when wound (potential difference per winding). By interposing the capacitors 361 to 366 to reduce the potential difference between the antenna lines, abnormal discharge can be prevented.

[제2 실시 형태에 관한 기판 처리 장치][Substrate processing apparatus according to the second embodiment]

본 개시의 제2 실시 형태에 관한 기판 처리 장치(10)에 대하여 설명한다. 제2 실시 형태에 관한 기판 처리 장치(10)는, 도 1에 도시한 제1 실시 형태에 관한 기판 처리 장치(10)와 마찬가지의 구성을 갖고 있다. 또한, 제2 실시 형태에 관한 기판 처리 장치(10)의 고주파 안테나(54)는, 제1 실시 형태에 관한 기판 처리 장치(10)의 고주파 안테나(54)(도 2 참조)와 마찬가지로, 외측 안테나(110)와, 중간 안테나(120)와, 내측 안테나(130)를 갖는다. 외측 안테나(110)는, 액연상 영역(141)의 코너부를 구성하는 4개의 제1 안테나 세그먼트(111D)와, 액연상 영역(141)의 변 중앙부를 구성하는 4개의 제2 안테나 세그먼트(112D)의 합계 8개의 안테나 세그먼트로 구성되어 있고, 전체로서 환상 안테나가 되는 다분할 환상 안테나로서 구성되어 있다. 안테나 세그먼트(111D, 112D)의 배치 영역을 포괄하여 액연상 영역(141)을 구성하고 있다. 제2 실시 형태는 제1 실시 형태의 일례와 마찬가지로 제1 안테나 세그먼트 및 제2 세그먼트에 있어서 Z 방향의 안테나선이 내측으로 굴곡되어 있지만, 제1 실시 형태와 다른 점은, 제1 안테나 세그먼트가 외측 주회부를 갖지 않는 것이다.A substrate processing apparatus 10 according to a second embodiment of the present disclosure will be described. The substrate processing apparatus 10 according to the second embodiment has the same configuration as the substrate processing apparatus 10 according to the first embodiment shown in FIG. 1 . Further, the high frequency antenna 54 of the substrate processing apparatus 10 according to the second embodiment is an external antenna, similarly to the high frequency antenna 54 (refer to FIG. 2 ) of the substrate processing apparatus 10 according to the first embodiment. 110 , an intermediate antenna 120 , and an inner antenna 130 . The outer antenna 110 includes four first antenna segments 111D constituting a corner portion of the frame region 141 and four second antenna segments 112D constituting a side center portion of the frame region 141 . is constituted by a total of eight antenna segments, and is constituted as a multi-segmented annular antenna that becomes a ring-shaped antenna as a whole. The frame region 141 is constituted by encompassing the arrangement regions of the antenna segments 111D and 112D. In the second embodiment, as in the example of the first embodiment, the antenna lines in the Z direction are bent inward in the first antenna segment and in the second segment, but the difference from the first embodiment is that the first antenna segment is in the outside It doesn't have a weekly meeting.

<안테나 세그먼트><Antenna segment>

다음에, 외측 안테나(110)의 안테나 세그먼트(111D, 112D)에 대하여, 더 설명한다.Next, the antenna segments 111D and 112D of the outer antenna 110 are further described.

먼저, 제2 안테나 세그먼트(112D)에 대하여, 도 12를 사용하여 설명한다. 도 12는 제2 안테나 세그먼트(112D)의 일례를 도시하는 사시도이다.First, the second antenna segment 112D will be described with reference to FIG. 12 . 12 is a perspective view showing an example of the second antenna segment 112D.

제2 안테나 세그먼트(112D)는, 도전성 재료, 예를 들어 구리 등으로 이루어지는 안테나선(200)을 기판 G(도체 플레이트(30))의 표면에 직교하는 방향인 세로 방향이 권회 방향이 되는 세로 권취로, 또한 권회축이 기판 G의 표면과 평행하게 되는 나선 형상으로 권회하여 구성되어 있다. 도체 플레이트(30)에 면한 제1 평면(201)에는, 복수의 안테나선(200)이 배치되어 있다. 제1 평면(201)에 배치된 안테나선(200)은, 플라스마에 기여하는 유도 전계를 생성하는 액연상 영역(141)의 일부(변 중앙부)를 구성하고 있다. 제1 평면(201)에 있어서는 안테나선(200)이 7개 평행하게 배치되어 있다.The second antenna segment 112D is vertically wound in a direction perpendicular to the surface of the substrate G (conductor plate 30) of the antenna wire 200 made of a conductive material, for example, copper, in which the longitudinal direction is the winding direction. It is constituted by winding in a spiral shape with a winding shaft parallel to the surface of the substrate G. A plurality of antenna wires 200 are arranged on the first plane 201 facing the conductor plate 30 . The antenna wire 200 arranged on the first plane 201 constitutes a part (side center portion) of the frame region 141 that generates an induced electric field that contributes to plasma. In the first plane 201, seven antenna lines 200 are arranged in parallel.

구체적으로는, 제2 안테나 세그먼트(112D)는, 안테나선(211 내지 217, 221 내지 226, 231 내지 236, 241 내지 246), 접속부(251, 252)를 갖고 있다. 또한, 도 12의 설명에 있어서, 제1 평면(201) 상의 안테나선(211 내지 217)이 일단으로부터 타단으로 신장되는 방향을 X 방향으로 하고, 안테나선(211 내지 217)의 안테나선(211)으로부터 안테나선(217)으로의 배열 방향을 Y 방향으로 하고, 제1 평면(201)에 수직인 방향(세로 방향)을 Z 방향으로 하여, 설명한다.Specifically, the second antenna segment 112D includes antenna lines 211 to 217 , 221 to 226 , 231 to 236 , 241 to 246 , and connecting portions 251 and 252 . 12, the direction in which the antenna wires 211 to 217 on the first plane 201 extend from one end to the other is the X direction, and the antenna wires 211 of the antenna wires 211 to 217 are The direction of the arrangement from the antenna line 217 to the Y direction and the direction perpendicular to the first plane 201 (vertical direction) to the Z direction will be described.

7개의 안테나선(211 내지 217)은, 제1 평면(201)에 배치되어 있고, 또한, 서로 평행하게 배치되어 있다. 환언하면, 안테나선(211 내지 217)에 의해, 제1 평면(201)이 형성된다.The seven antenna lines 211 to 217 are arranged on the first plane 201 and are arranged parallel to each other. In other words, the first plane 201 is formed by the antenna wires 211 to 217 .

안테나선(211)의 일단에는, 접속부(251)가 접속되어 있다. 안테나선(217)의 타단에는, 접속부(252)가 접속되어 있다. 접속부(251, 252)는, 급전 부재(57a)(도 1 참조)를 통해, 고주파 전원(59)과 접속된다.A connection part 251 is connected to one end of the antenna wire 211 . A connection part 252 is connected to the other end of the antenna wire 217 . The connection parts 251 and 252 are connected to the high frequency power supply 59 via the power supply member 57a (refer FIG. 1).

안테나선(211 내지 216)의 타단에는, +Z 방향(제1 평면(201)으로부터 이격되는 방향)으로 연장되는 안테나선(221 내지 226)이 각각 접속되어 있다. 또한, 안테나선(212 내지 217)의 일단에는, +Z 방향(제1 평면(201)으로부터 이격되는 방향)으로 연장되는 안테나선(241 내지 246)이 각각 접속되어 있다. 또한, 안테나선(221 내지 226)의 상단과, 안테나선(241 내지 246)의 상단은, 수평(대략 X 방향)으로 신장되는 안테나선(231 내지 236)으로 각각 접속되어 있다. 안테나선(231 내지 236)의 일단은 안테나선(221 내지 226)의 상단에 접속되고, 안테나선(231 내지 236)의 타단은 안테나선(241 내지 246)의 상단에 접속된다. 즉, 안테나선(231 내지 236)은, 제1 평면(201)과 평행한 제2 평면(도시하지 않음)에 배치되어 있다. 또한, 안테나선(241 내지 246)의 상단은, 안테나선(221 내지 226)의 상단에 대하여, 안테나선(211 내지 217)이 배열되는 피치만큼 +Y 방향으로 어긋나 있다. 이 때문에, 평면으로 보아, 안테나선(231 내지 236)은, 안테나선(211 내지 217)이 신장되는 방향에 대하여, 비스듬히 형성되어 있다.Antenna wires 221 to 226 extending in the +Z direction (direction spaced apart from the first plane 201) are connected to the other ends of the antenna wires 211 to 216, respectively. Further, antenna lines 241 to 246 extending in the +Z direction (direction spaced apart from the first plane 201) are connected to one end of the antenna lines 212 to 217, respectively. Further, the upper ends of the antenna wires 221 to 226 and the upper ends of the antenna wires 241 to 246 are connected to each other by antenna wires 231 to 236 extending horizontally (approximately in the X direction). One end of the antenna wires 231 to 236 is connected to the upper ends of the antenna wires 221 to 226 , and the other end of the antenna wires 231 to 236 is connected to the upper ends of the antenna wires 241 to 246 . That is, the antenna lines 231 to 236 are arranged on a second plane (not shown) parallel to the first plane 201 . Further, the upper ends of the antenna lines 241 to 246 are shifted in the +Y direction by the pitch at which the antenna lines 211 to 217 are arranged with respect to the upper ends of the antenna lines 221 to 226 . For this reason, in a plan view, the antenna wires 231 to 236 are formed obliquely with respect to the direction in which the antenna wires 211 to 217 extend.

또한, 제2 안테나 세그먼트(112D)는, 권회축 방향의 일방측에 있어서, 접속부(251), 안테나선(211), 안테나선(221), 안테나선(231)으로 둘러싸인 제1 단부를 갖고 있다. 또한, 제2 안테나 세그먼트(112D)는, 권회축 방향의 타방측에 있어서, 안테나선(236), 안테나선(246), 안테나선(217), 접속부(252)로 둘러싸인 제2 단부를 갖고 있다. 또한, 제1 단부와 제2 단부를 관통하는 권회축은, Y 방향으로 배치되어 있다.Further, the second antenna segment 112D has a first end portion surrounded by a connection portion 251 , an antenna wire 211 , an antenna wire 221 , and an antenna wire 231 on one side in the winding axis direction. . Further, the second antenna segment 112D has a second end portion surrounded by the antenna wire 236 , the antenna wire 246 , the antenna wire 217 , and the connecting portion 252 on the other side in the winding axis direction. . Further, the winding shaft passing through the first end and the second end is arranged in the Y direction.

여기서, 접속부(251)로부터 접속부(252)의 방향으로 전류가 흐르는 경우, 플라스마의 생성에 기여하는 유도 전계를 생성하는 제1 평면(201) 상의 안테나선(211 내지 217)에는, 액연상 영역(141)을 따른 동일한 방향(+X 방향)으로 전류가 흐른다.Here, when an electric current flows from the connecting portion 251 to the connecting portion 252, the antenna lines 211 to 217 on the first plane 201 that generate an induced electric field that contributes to the generation of plasma have a frame-like region ( 141), the current flows in the same direction (+X direction).

또한, 안테나선(221 내지 226)에는 +Z 방향으로 전류가 흐르고, 안테나선(241 내지 246)에는 -Z 방향으로 전류가 흐른다. 또한, 제1 평면(201)으로부터 이격된 안테나선(231 내지 236)에는, 대략 -X 방향으로 전류가 흐른다. 안테나선(231 내지 236)은, 제1 평면(201)으로부터 이격되어 있기 때문에, 안테나선(231 내지 236)의 유도 전계가 플라스마의 생성을 저해하는 것을 억제한다.In addition, a current flows in the +Z direction in the antenna lines 221 to 226, and a current flows in the -Z direction in the antenna lines 241 to 246. In addition, current flows in the antenna lines 231 to 236 separated from the first plane 201 in a substantially -X direction. Since the antenna wires 231 to 236 are spaced apart from the first plane 201, the induced electric field of the antenna wires 231 to 236 inhibits the generation of plasma.

다음에, 제1 안테나 세그먼트(111D)에 대하여, 도 15를 사용하여 설명한다. 도 15는 제1 안테나 세그먼트(111D)의 일례를 도시하는 사시도이다.Next, the first antenna segment 111D will be described with reference to FIG. 15 . 15 is a perspective view showing an example of the first antenna segment 111D.

제1 안테나 세그먼트(111D)는, 도전성 재료, 예를 들어 구리 등으로 이루어지는 안테나선(300)을 기판 G(도체 플레이트(30))의 표면에 직교하는 방향인 세로 방향이 권회 방향이 되는 세로 권취로, 또한 권회축이 기판 G의 표면과 평행하게 되는 나선 형상으로 권회하여 구성되어 있다. 도체 플레이트(30)에 면한 제1 평면(301)에는, 복수의 안테나선(300)이 배치되어 있다. 제1 평면(301)에 배치된 안테나선(300)은, 플라스마에 기여하는 유도 전계를 생성하는 액연상 영역(141)의 일부(코너부)를 구성하고 있다. 제1 평면(301)에 있어서는 안테나선(300)이 7개 평행하게 또한 코너부를 형성하도록 배치되어 있다.The first antenna segment 111D is vertically wound in which the vertical direction, which is the direction orthogonal to the surface of the substrate G (conductor plate 30), is the winding direction of the antenna wire 300 made of a conductive material, for example, copper or the like. It is constituted by winding in a spiral shape with a winding shaft parallel to the surface of the substrate G. A plurality of antenna wires 300 are arranged on the first plane 301 facing the conductor plate 30 . The antenna wire 300 arranged on the first plane 301 constitutes a part (corner portion) of the frame region 141 that generates an induced electric field that contributes to plasma. In the 1st plane 301, seven antenna lines 300 are arrange|positioned so that they may parallel and form a corner part.

구체적으로는, 제1 안테나 세그먼트(111D)는, 안테나선(311 내지 317, 321 내지 326, 331 내지 336, 341 내지 346), 접속부(351, 352)를 갖고 있다. 또한, 도 15의 설명에 있어서, 제1 평면(301) 상의 안테나선(311 내지 317)의 일단측이 일단측의 단부(일단)로부터 코너부를 향하여 신장되는 방향을 Y 방향으로 하고, 제1 평면(301) 상의 안테나선(311 내지 317)의 타단측이 코너부로부터 타단측의 단부(타단)를 향하여 신장되는 방향을 X 방향으로 하고, 제1 평면(301)에 수직인 방향(세로 방향)을 Z 방향으로 하여, 설명한다.Specifically, the first antenna segment 111D includes antenna lines 311 to 317 , 321 to 326 , 331 to 336 , 341 to 346 , and connecting portions 351 and 352 . In addition, in the explanation of FIG. 15 , the direction in which one end of the antenna wires 311 to 317 on the first plane 301 extends from the end (one end) of the one end toward the corner is the Y direction, and the first plane The direction in which the other end of the antenna wires 311 to 317 on 301 extends from the corner portion toward the end (the other end) on the other end is the X direction, and the direction perpendicular to the first plane 301 (vertical direction) will be described as the Z-direction.

7개의 안테나선(311 내지 317)은, 제1 평면(301)에 배치되어 있다. 환언하면, 안테나선(311 내지 317)에 의해, 제1 평면(301)이 형성된다.The seven antenna lines 311 to 317 are arranged on the first plane 301 . In other words, the first plane 301 is formed by the antenna lines 311 to 317 .

안테나선(311 내지 317)은, 코너부를 형성하도록 L자상으로 형성되어 있다. 즉, 안테나선(311 내지 317)은, +Y 방향으로 연장되는 일단측의 직선 부분과, 90° 굴곡하는 코너부와, +X 방향으로 연장되는 타단측의 직선 부분을 갖는다. 또한, 안테나선(311 내지 317)의 일단측의 직선 부분은, 간격(한쪽의 안테나선의 근접면과 다른 쪽의 안테나선의 근접면의 거리)을 두고 서로 평행하게 배치되어 있다. 또한, 안테나선(311 내지 317)의 타단측의 직선 부분은, 간격을 두고 서로 평행하게 배치되어 있다. 또한, 간격은, 예를 들어 10㎜ 이상 30㎜ 이하가 적합하다. 이에 의해, 안테나선간의 이상 방전을 방지할 수 있다.The antenna lines 311 to 317 are formed in an L-shape so as to form a corner portion. That is, the antenna lines 311 to 317 have a linear portion at one end extending in the +Y direction, a corner portion bent by 90°, and a linear portion at the other end extending in the +X direction. Further, the straight line portions on one end of the antenna lines 311 to 317 are arranged parallel to each other with an interval (the distance between the proximal surface of one antenna line and the proximal surface of the other antenna line). Further, the straight line portions on the other end side of the antenna lines 311 to 317 are arranged in parallel with each other at intervals. Moreover, as for the space|interval, 10 mm or more and 30 mm or less are suitable, for example. Thereby, abnormal discharge between antenna lines can be prevented.

안테나선(311)의 일단에는, 접속부(351)가 접속되어 있다. 안테나선(317)의 타단에는, 접속부(352)가 접속되어 있다. 접속부(351, 352)는, 급전 부재(57a)(도 1 참조)를 통해, 고주파 전원(59)과 접속된다.A connection part 351 is connected to one end of the antenna wire 311 . A connection part 352 is connected to the other end of the antenna wire 317 . The connection parts 351 and 352 are connected to the high frequency power supply 59 via the power feeding member 57a (refer FIG. 1).

안테나선(311 내지 316)의 타단에는, +Z 방향(제1 평면(301)으로부터 이격되는 방향)으로 연장되는 안테나선(321 내지 326)이 각각 접속되어 있다. 또한, 안테나선(312 내지 317)의 일단에는, +Z 방향(제1 평면(301)으로부터 이격되는 방향)으로 연장되는 안테나선(341 내지 346)이 각각 접속되어 있다. 또한, 안테나선(321 내지 326)의 상단과, 안테나선(341 내지 346)의 상단은, 수평(X 방향 및 Y 방향)으로 신장되는 안테나선(331 내지 336)으로 각각 접속되어 있다. 즉, 안테나선(331 내지 336)은, 제1 평면(301)과 평행한 제2 평면(도시하지 않음)에 배치되어 있다. 안테나선(331 내지 336)은, 코너부를 형성하도록 L자상으로 형성되어 있다. 즉, 안테나선(331 내지 336)은, 각각, 일단이 안테나선(321 내지 326)의 상단에 접속되고, -X 방향으로 연장되는 일단측의 직선 부분과, 90° 굴곡하는 코너부와, -Y 방향으로 연장되며, 안테나선(341 내지 346)의 상단에 타단이 접속되는 타단측의 직선 부분을 갖는다.Antenna lines 321 to 326 extending in the +Z direction (direction spaced apart from the first plane 301) are connected to the other ends of the antenna lines 311 to 316, respectively. In addition, antenna lines 341 to 346 extending in the +Z direction (direction spaced apart from the first plane 301) are connected to one end of the antenna lines 312 to 317, respectively. The upper ends of the antenna lines 321 to 326 and the upper ends of the antenna lines 341 to 346 are respectively connected to each other by antenna lines 331 to 336 extending horizontally (in the X and Y directions). That is, the antenna lines 331 to 336 are arranged on a second plane (not shown) parallel to the first plane 301 . The antenna lines 331 to 336 are formed in an L-shape so as to form a corner portion. That is, the antenna wires 331 to 336 each have one end connected to the upper end of the antenna wires 321 to 326, a straight portion on one end side extending in the -X direction, a corner portion bent by 90°, - It extends in the Y direction and has a straight line portion on the other end side to which the other end is connected to the upper end of the antenna wires 341 to 346 .

안테나선(331)의 일단측의 직선 부분은, 평면으로 보아, 안테나선(311)의 타단측의 직선 부분과 겹치도록 배치된다. 안테나선(331)의 타단측의 직선 부분은, 평면으로 보아, 안테나선(312)의 일단측의 직선 부분과 겹치도록 배치된다.The linear portion on one end of the antenna wire 331 is arranged so as to overlap with the linear portion on the other end of the antenna wire 311 in plan view. The straight line portion on the other end side of the antenna line 331 is arranged so as to overlap the straight line portion on the one end side of the antenna line 312 in plan view.

안테나선(332)의 일단측의 직선 부분은, 평면으로 보아, 안테나선(312)의 타단측의 직선 부분과 겹치도록 배치된다. 안테나선(332)의 타단측의 직선 부분은, 평면으로 보아, 안테나선(313)의 일단측의 직선 부분과 겹치도록 배치된다.The straight line portion on the one end side of the antenna line 332 is arranged so as to overlap the straight line portion on the other end side of the antenna line 312 in plan view. The straight line portion on the other end side of the antenna line 332 is arranged so as to overlap the straight line portion on the one end side of the antenna line 313 in plan view.

안테나선(333)의 일단측의 직선 부분은, 평면으로 보아, 안테나선(313)의 타단측의 직선 부분과 겹치도록 배치된다. 안테나선(333)의 타단측의 직선 부분은, 평면으로 보아, 안테나선(314)의 일단측의 직선 부분과 겹치도록 배치된다.The straight line portion on the one end side of the antenna wire 333 is arranged so as to overlap the straight line portion on the other end side of the antenna wire 313 in plan view. The straight line portion on the other end side of the antenna line 333 is arranged so as to overlap with the straight line portion on the one end side of the antenna line 314 in plan view.

안테나선(334)의 일단측의 직선 부분은, 평면으로 보아, 안테나선(314)의 타단측의 직선 부분과 겹치도록 배치된다. 안테나선(334)의 타단측의 직선 부분은, 평면으로 보아, 안테나선(315)의 일단측의 직선 부분과 겹치도록 배치된다.The straight line portion on the one end side of the antenna line 334 is arranged so as to overlap the straight line portion on the other end side of the antenna line 314 in plan view. The straight line portion on the other end side of the antenna line 334 is arranged so as to overlap the straight line portion on the one end side of the antenna line 315 in plan view.

안테나선(335)의 일단측의 직선 부분은, 평면으로 보아, 안테나선(315)의 타단측의 직선 부분과 겹치도록 배치된다. 안테나선(335)의 타단측의 직선 부분은, 평면으로 보아, 안테나선(316)의 일단측의 직선 부분과 겹치도록 배치된다.The straight line portion on the one end side of the antenna wire 335 is arranged so as to overlap the straight line portion on the other end side of the antenna wire 315 in plan view. The straight line portion on the other end side of the antenna wire 335 is arranged so as to overlap the straight line portion on the one end side of the antenna wire 316 in plan view.

안테나선(336)의 일단측의 직선 부분은, 평면으로 보아, 안테나선(316)의 타단측의 직선 부분과 겹치도록 배치된다. 안테나선(336)의 타단측의 직선 부분은, 평면으로 보아, 안테나선(317)의 일단측의 직선부와 겹치도록 배치된다.The linear portion on one end of the antenna wire 336 is arranged so as to overlap the linear portion on the other end of the antenna wire 316 in plan view. The straight line portion on the other end side of the antenna line 336 is arranged so as to overlap the straight line portion on the one end side of the antenna line 317 in plan view.

또한, 제2 평면(도시하지 않음)에 배치되는 안테나선(311 내지 316)은, 도 4 등에 도시한 바와 같이 L자상으로 형성되어 있어도 되고, 안테나선(321 내지 326)의 상단과, 안테나선(341 내지 346)의 상단을 각각 직선적으로 접속하도록(비스듬히 신장하도록) 형성되어 있어도 된다.The antenna wires 311 to 316 arranged on the second plane (not shown) may be formed in an L-shape as shown in Fig. 4 or the like, and the upper ends of the antenna wires 321 to 326 and the antenna wires It may be formed so that the upper ends of (341 to 346) may be connected linearly (so that they may extend obliquely), respectively.

또한, 제1 안테나 세그먼트(111D)는, 권회축 방향의 일방측에 있어서, 접속부(351), 안테나선(311), 안테나선(321), 안테나선(331)으로 둘러싸인 제1 단부를 갖고 있다. 제1 단부는, 오목상(골접기)으로 굴곡한다. 또한, 제1 안테나 세그먼트(111D)는, 권회축 방향의 타방측에 있어서, 안테나선(336), 안테나선(346), 안테나선(317), 접속부(352)로 둘러싸인 제2 단부를 갖고 있다. 제2 단부는, 볼록상(산접기)으로 굴곡한다. 또한, 제1 단부와 제2 단부를 관통하는 권회축은, 직경 방향(수평 방향)으로 배치되어 있다.Further, the first antenna segment 111D has a first end portion surrounded by a connecting portion 351 , an antenna wire 311 , an antenna wire 321 , and an antenna wire 331 on one side in the winding axis direction. . The first end is bent in a concave shape (bone fold). Further, the first antenna segment 111D has a second end portion surrounded by the antenna wire 336 , the antenna wire 346 , the antenna wire 317 , and the connecting portion 352 on the other side in the winding axis direction. . The second end is bent in a convex shape (mountain fold). In addition, the winding shaft passing through the 1st end and the 2nd end is arrange|positioned in the radial direction (horizontal direction).

또한, 제1 안테나 세그먼트(111D)를 제1 평면(301)에 투영한 투영 형상은, 제1 단부의 측에서 오목상으로 굴곡하고, 제2 단부의 측에서 볼록상으로 굴곡하여 형성되는 L자 형상을 갖고 있다.In addition, the projection shape which projected the 1st antenna segment 111D on the 1st plane 301 is an L shape formed by bending concavely on the side of a 1st edge part and bending convexly on the side of a 2nd edge part. has a shape.

여기서, 접속부(351)로부터 접속부(352)의 방향으로 전류가 흐르는 경우, 플라스마의 생성에 기여하는 유도 전계를 생성하는 제1 평면(301) 상의 안테나선(311 내지 317)에는, 액연상 영역(141)을 따른 동일한 방향(+Y 방향 및 +X 방향)으로 전류가 흐른다.Here, when a current flows from the connecting portion 351 to the connecting portion 352, the antenna lines 311 to 317 on the first plane 301 that generate an induced electric field contributing to the generation of plasma have a frame region ( 141), the current flows in the same direction (+Y direction and +X direction).

또한, 안테나선(321 내지 326)에는 +Z 방향으로 전류가 흐르고, 안테나선(341 내지 346)에는 -Z 방향으로 전류가 흐른다. 또한, 제1 평면(301)으로부터 이격된 안테나선(331 내지 336)에는, 제1 평면(301) 상의 안테나선과는 역방향으로 전류가 흐른다. 안테나선(331 내지 336)은, 제1 평면(301)으로부터 이격되어 있기 때문에, 안테나선(331 내지 336)의 유도 전계가 플라스마의 생성을 저해하는 것을 억제한다.In addition, current flows in the +Z direction in the antenna lines 321 to 326, and current flows in the -Z direction in the antenna lines 341 to 346. In addition, current flows in the antenna lines 331 to 336 separated from the first plane 301 in a direction opposite to that of the antenna lines on the first plane 301 . Since the antenna wires 331 to 336 are spaced apart from the first plane 301, the induced electric field of the antenna wires 331 to 336 inhibits the generation of plasma.

또한, 안테나선(321)은, 내측(권회축측)을 향하여 굴곡하는 굴곡부와, +Z 방향으로 연장되는 직립부를 갖는다. 안테나선(322 내지 326, 341 내지 346, 221 내지 226, 241 내지 246)에 대해서도 마찬가지이다.Further, the antenna wire 321 has a bent portion bent toward the inside (winding axis side) and an upright portion extending in the +Z direction. The same applies to the antenna lines 322 to 326, 341 to 346, 221 to 226, and 241 to 246.

도 13은 전류의 흐름을 도시하는 모식도이다. 제1 안테나 세그먼트(111D)는, 제2 안테나 세그먼트(112D)와 인접하는 측에, 안테나선(321)을 갖고 있다. 안테나선(321)은 권회축의 내측을 향하여 굴곡하는 굴곡부(321a)와, 직립부(321b)를 갖는다. 마찬가지로, 제2 안테나 세그먼트(112D)는, 제1 안테나 세그먼트(111D)와 인접하는 측에, 안테나선(241)을 갖고 있다. 안테나선(241)은 권회축의 내측을 향하여 굴곡하는 굴곡부(241a)와, 직립부(241b)를 갖는다. 또한, 제1 안테나 세그먼트(111D)와 제2 안테나 세그먼트(112D) 사이에는, 자장의 간섭을 방지하기 위한 금속으로 이루어지는 실드(150)가 배치되어 있다. 또한, 제1 안테나 세그먼트(111D)에는, 전류 Ia가 흐른다. 굴곡부(321a)를 흐르는 전류 Ia는, 수평 방향 성분 Iax 및 수직 방향 성분 Iaz를 갖는다. 또한, 제2 안테나 세그먼트(112D)에는, 전류 Ib가 흐른다. 굴곡부(241a)를 흐르는 전류 Ib는, 수평 방향 성분 Ibx 및 수직 방향 성분 Ibz를 갖는다.13 is a schematic diagram showing the flow of current. The first antenna segment 111D has an antenna line 321 on a side adjacent to the second antenna segment 112D. The antenna wire 321 has a bent portion 321a that bends toward the inside of the winding shaft and an upright portion 321b. Similarly, the second antenna segment 112D has an antenna line 241 on the side adjacent to the first antenna segment 111D. The antenna wire 241 has a bent portion 241a that bends toward the inside of the winding shaft and an upright portion 241b. Further, between the first antenna segment 111D and the second antenna segment 112D, a shield 150 made of a metal for preventing interference of a magnetic field is disposed. Further, a current Ia flows through the first antenna segment 111D. The current Ia flowing through the bent portion 321a has a horizontal component Iax and a vertical component Iaz. Further, a current Ib flows through the second antenna segment 112D. The current Ib flowing through the bent portion 241a has a horizontal component Ibx and a vertical component Ibz.

이와 같은 구성을 가짐으로써, 직립부(241b)와 직립부(321b)의 간격을 넓혀, 자장의 간섭을 억제한다. 또한, 제1 안테나 세그먼트(111D)는, 안테나선(311)의 단부에 있어서, 안테나선(311)을 흐르는 전류 Ia에 의한 자장이, 굴곡부(321a)를 흐르는 전류의 수평 방향 성분 Iax에 의한 자장으로 상쇄된다. 마찬가지로, 제2 안테나 세그먼트(112D)는, 안테나선(212)의 단부에 있어서, 안테나선(212)을 흐르는 전류 Ib에 의한 자장이, 굴곡부(241a)를 흐르는 전류의 수평 방향 성분 Ibx에 의한 자장으로 상쇄된다. 이에 의해, 제1 안테나 세그먼트(111D)와 제2 안테나 세그먼트(112D) 사이에 있어서 한쪽의 안테나 세그먼트의 자장 제어가 다른 쪽의 안테나의 자장 제어에 간섭하는 것을 방지할 수 있다.By having such a structure, the space|interval of the upright part 241b and the upright part 321b is widened, and interference of a magnetic field is suppressed. In addition, in the first antenna segment 111D, at the end of the antenna line 311 , a magnetic field caused by a current Ia flowing through the antenna line 311 is a magnetic field caused by a horizontal component Iax of a current flowing through the bent portion 321a. is offset by Similarly, in the second antenna segment 112D, at the end of the antenna line 212, a magnetic field caused by the current Ib flowing through the antenna line 212 is a magnetic field caused by a horizontal component Ibx of the current flowing through the bent portion 241a. is offset by Accordingly, it is possible to prevent the magnetic field control of one antenna segment from interfering with the magnetic field control of the other antenna between the first antenna segment 111D and the second antenna segment 112D.

환언하면, 실드(150)의 두께를 얇게 하여, 제1 안테나 세그먼트(111D)의 단부로부터 제2 안테나 세그먼트(112D)의 단부까지의 간격 G4를 짧게 할 수 있다. 이에 의해, 외측 안테나(110)에서 형성되는 유도 자장에 있어서, 안테나 세그먼트간의 불균일성을 저감할 수 있다. 또한, 생성되는 플라스마의 불균일성을 저감할 수 있다.In other words, by reducing the thickness of the shield 150 , the interval G4 from the end of the first antenna segment 111D to the end of the second antenna segment 112D can be shortened. Thereby, in the induced magnetic field formed in the outer antenna 110, the non-uniformity between antenna segments can be reduced. In addition, the non-uniformity of the generated plasma can be reduced.

상기 실시 형태에 든 구성 등에 대해, 그 밖의 구성 요소가 조합되거나 한 다른 실시 형태여도 되고, 또한, 본 개시는 여기에서 나타낸 구성에 전혀 한정되는 것은 아니다. 이 점에 관해서는, 본 개시의 취지를 일탈하지 않는 범위에서 변경하는 것이 가능하고, 그 응용 형태에 따라서 적절하게 정할 수 있다.With respect to the structure etc. mentioned in the said embodiment, another embodiment may be sufficient as other components combined, and this indication is not limited at all to the structure shown here. This point can be changed within the range which does not deviate from the meaning of this indication, and it can determine suitably according to the application form.

예를 들어, 도 1의 기판 처리 장치(10)는, 처리 용기(20)의 상부 벽으로서 금속 창(50)을 구비한 유도 결합형 플라스마 처리 장치로서 설명하였지만, 이것에 한정되는 것은 아니고, 상부 벽으로서 유전체 창을 구비한 유도 결합형 플라스마 처리 장치여도 된다. 또한, 다른 형태의 플라스마 처리 장치여도 된다.For example, although the substrate processing apparatus 10 of FIG. 1 has been described as an inductively coupled plasma processing apparatus having a metal window 50 as an upper wall of the processing vessel 20, it is not limited thereto. It may be an inductively coupled plasma processing device provided with a dielectric window as a wall. Moreover, the plasma processing apparatus of another form may be sufficient.

도 2에 있어서, 외측 안테나(110)는, 세로 권취의 안테나 세그먼트(111, 112)로 구성되고, 중간 안테나(120) 및 내측 안테나(130)는, 와권상의 평면 안테나로 구성되는 것으로서 설명하였지만 이것에 한정되는 것은 아니다. 중간 안테나(120)에 있어서도, 외측 안테나(110)와 마찬가지로 세로 권취의 안테나 세그먼트(111, 112)로 구성되어도 된다.In Fig. 2, it has been described that the outer antenna 110 is composed of vertically wound antenna segments 111 and 112, and the intermediate antenna 120 and the inner antenna 130 are composed of a spirally wound planar antenna. It is not limited to this. Also in the intermediate antenna 120, similarly to the outer antenna 110, it may be comprised with the antenna segments 111, 112 wound vertically.

또한, 액연상 영역(141)의 변부 중앙에 배치되는 제2 안테나 세그먼트(112)가, 각각의 변부에 있어서 1개씩 배치된 경우를 예로 들어 설명하였지만, 이것에 한정되는 것은 아니다. 각각의 변부에 2개 이상의 안테나 세그먼트(112)가 배치되어도 된다.In addition, although the case where the 2nd antenna segment 112 arrange|positioned at the edge part center of the frame-like region 141 is arrange|positioned one by one in each edge part was mentioned as an example and demonstrated, it is not limited to this. Two or more antenna segments 112 may be disposed on each edge.

또한, 액연상 영역(141)의 코너부에 배치되는 제1 안테나 세그먼트(111)에 외측 주회부(111c)를 마련하는 경우를 예로 들어 설명하였지만, 이것에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 변부에 있어서의 플라스마를 강화할 필요가 있는 경우 등에는, 액연상 영역(141)의 변부에 배치되는 제2 안테나 세그먼트(112)에 있어서, 외측 주회부를 마련하는 구성이어도 된다. 예를 들어, 도 3의 안테나선(211 내지 213)에 있어서, 안테나선(215 내지 217)의 상방에 이격하여 배치되는 외측 주회부를 마련해도 된다.In addition, although the case where the outer circumferential part 111c is provided in the 1st antenna segment 111 arrange|positioned at the corner part of the frame-like area|region 141 is mentioned as an example and demonstrated, it is not limited to this. For example, in the case where it is necessary to strengthen the plasma at the edge, the second antenna segment 112 disposed at the edge of the frame region 141 may have a configuration in which an outer circumferential portion is provided. For example, in the antenna wires 211 to 213 of FIG. 3 , an outer circumferential portion disposed above the antenna wires 215 to 217 may be provided to be spaced apart.

Claims (7)

통상으로 안테나선을 권회하여 형성하고, 상기 안테나선의 일부에 의해 제1 평면을 형성하는 안테나 세그먼트이며,
권회축 방향의 일방측에서, 적어도 일부가 상기 제1 평면을 형성하는 제1 안테나선과,
상기 권회축 방향의 타방측에서, 상기 제1 평면을 형성하는 제2 안테나선을 구비하고,
상기 제1 안테나선은,
상기 제1 평면을 형성하는 평면 상 안테나부와,
상기 제2 안테나선의 상방에 이격하여 배치되는 적층 안테나부와,
상기 평면 상 안테나부와 상기 적층 안테나부를 접속하는 연결부를 갖는, 안테나 세그먼트.
It is an antenna segment formed by winding an antenna wire and forming a first plane by a part of the antenna wire,
a first antenna line at least a part of which forms the first plane on one side in the winding axis direction;
a second antenna wire forming the first plane on the other side in the winding axis direction;
The first antenna line is
an antenna unit on a plane forming the first plane;
a stacked antenna unit spaced apart from the upper side of the second antenna line;
An antenna segment having a connecting portion for connecting the on-plane antenna portion and the stacked antenna portion.
제1항에 있어서,
상기 적층 안테나부를 흐르는 전류는, 상기 제2 안테나선을 흐르는 전류와 동일 방향으로 흐르는, 안테나 세그먼트.
According to claim 1,
and a current flowing through the multilayer antenna unit flows in the same direction as a current flowing through the second antenna line.
제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 권회축 방향의 일방측의 제1 단부는, 오목상으로 굴곡하고,
상기 권회축 방향의 타방측의 제2 단부는, 볼록상으로 굴곡하여 형성되는, 안테나 세그먼트.
3. The method of claim 1 or 2,
The first end portion on one side in the winding axis direction is bent in a concave shape,
and a second end portion on the other side in the winding axis direction is formed by bending in a convex shape.
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 적층 안테나부를 구성하는 안테나선의 권취수는, 상기 제1 평면을 형성하는 안테나선의 전체 권취수의 절반 이하인, 안테나 세그먼트.
4. The method according to any one of claims 1 to 3,
The antenna segment, wherein the number of turns of the antenna wire constituting the multilayer antenna unit is less than or equal to half of the total number of turns of the antenna wire forming the first plane.
제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제2 안테나선의 상단으로부터 상기 적층 안테나부의 하단까지의 간격은, 10㎜ 이상, 30㎜ 이하인, 안테나 세그먼트.
5. The method according to any one of claims 1 to 4,
An antenna segment, wherein a distance from an upper end of the second antenna line to a lower end of the laminated antenna unit is 10 mm or more and 30 mm or less.
제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제1 평면과 대향하는 위치에, 상기 안테나선의 다른 일부에 의해 제2 평면을 형성하는, 안테나 세그먼트.
6. The method according to any one of claims 1 to 5,
An antenna segment which forms a second plane by another part of the antenna line at a position opposite to the first plane.
처리 용기를 구성하는 상부 벽과, 상기 처리 용기 내에 있어서 상기 상부 벽에 대향하는 적재대와, 상기 상부 벽의 상방에 배치되는 안테나 유닛을 구비하고, 상기 적재대 상에 적재된 기판을 처리하는 유도 결합 플라스마 처리 장치이며,
상기 안테나 유닛은,
통상으로 안테나선을 권회하여 형성하고, 상기 안테나선의 일부에 의해 제1 평면을 형성하는 안테나 세그먼트를, 상기 제1 평면이 액연상 영역을 형성하도록 배열하여 형성되고,
상기 안테나 유닛은,
복수의 상기 안테나 세그먼트 중, 상기 액연상 영역의 코너부를 구성하는 코너부 안테나 세그먼트를 갖고,
상기 코너부 안테나 세그먼트는,
권회축 방향의 일방측에서, 적어도 일부가 상기 제1 평면을 형성하는 제1 안테나선과,
상기 권회축 방향의 타방측에서, 상기 제1 평면을 형성하는 제2 안테나선을 구비하고,
상기 제1 안테나선은,
상기 제1 평면을 형성하는 평면 상 안테나부와,
상기 제2 안테나선의 상방에 이격하여 배치되는 적층 안테나부와,
상기 평면 상 안테나부와 상기 적층 안테나부를 접속하는 연결부를 갖는, 유도 결합 플라스마 처리 장치.
An induction system comprising an upper wall constituting a processing vessel, a loading table facing the top wall in the processing vessel, and an antenna unit disposed above the top wall, for processing a substrate loaded on the loading table a combined plasma processing device,
The antenna unit is
Usually formed by winding an antenna wire, an antenna segment forming a first plane by a part of the antenna wire is formed by arranging the first plane to form a frame-like region,
The antenna unit is
a corner part antenna segment constituting a corner part of the frame region among the plurality of antenna segments;
The corner part antenna segment,
a first antenna line at least a part of which forms the first plane on one side in the winding axis direction;
a second antenna wire forming the first plane on the other side in the winding axis direction;
The first antenna line is
an antenna unit on a plane forming the first plane;
a stacked antenna unit spaced apart from the upper side of the second antenna line;
an inductively coupled plasma processing device having a connecting portion for connecting the planar antenna portion and the stacked antenna portion.
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Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20130091265A (en) * 2012-02-07 2013-08-16 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 Antenna unit for inductively coupled plasma, inductively coupled plasma processing apparatus and method therefor
KR20140100890A (en) * 2013-02-07 2014-08-18 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 Inductively coupled plasma processing apparatus
KR20180050068A (en) * 2016-11-04 2018-05-14 인베니아 주식회사 Antenna structure for plasma

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003234338A (en) * 2002-02-08 2003-08-22 Tokyo Electron Ltd Inductively coupled plasma treatment apparatus
JP5551343B2 (en) * 2008-05-14 2014-07-16 東京エレクトロン株式会社 Inductively coupled plasma processing equipment
KR101634711B1 (en) * 2010-12-15 2016-06-29 주식회사 원익아이피에스 Vacuum processing apparatus
KR101853370B1 (en) 2011-09-16 2018-04-30 세메스 주식회사 Antenna structure and plasma generating device
KR20130043368A (en) * 2011-10-20 2013-04-30 주성엔지니어링(주) Antenna for generating plasma and plasma processing apparatus comprising the same
JP5894785B2 (en) * 2011-12-19 2016-03-30 東京エレクトロン株式会社 Inductively coupled plasma antenna unit and inductively coupled plasma processing apparatus
JP6135455B2 (en) * 2013-10-25 2017-05-31 東京エレクトロン株式会社 Plasma processing apparatus and plasma processing method
KR101848908B1 (en) 2016-09-19 2018-05-15 인베니아 주식회사 Inductively coupled plasma processing apparatus
JP7138582B2 (en) * 2018-05-24 2022-09-16 東京エレクトロン株式会社 Antenna, plasma processing apparatus and plasma processing method

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20130091265A (en) * 2012-02-07 2013-08-16 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 Antenna unit for inductively coupled plasma, inductively coupled plasma processing apparatus and method therefor
JP2013162035A (en) 2012-02-07 2013-08-19 Tokyo Electron Ltd Antenna unit for inductive coupling plasma, inductive coupling plasma processing device, and inductive coupling plasma processing method
KR20190024946A (en) * 2012-02-07 2019-03-08 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 Antenna unit for inductively coupled plasma, inductively coupled plasma processing apparatus and method therefor
KR20140100890A (en) * 2013-02-07 2014-08-18 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 Inductively coupled plasma processing apparatus
KR20180050068A (en) * 2016-11-04 2018-05-14 인베니아 주식회사 Antenna structure for plasma

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