KR20210090608A - Surface-treated copper foil, copper foil with carrier, copper clad laminate and printed wiring board - Google Patents

Surface-treated copper foil, copper foil with carrier, copper clad laminate and printed wiring board Download PDF

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KR20210090608A
KR20210090608A KR1020217008111A KR20217008111A KR20210090608A KR 20210090608 A KR20210090608 A KR 20210090608A KR 1020217008111 A KR1020217008111 A KR 1020217008111A KR 20217008111 A KR20217008111 A KR 20217008111A KR 20210090608 A KR20210090608 A KR 20210090608A
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Abstract

SAP법에 사용한 경우에, 무전해 구리 도금층의 에칭 공정에 있어서, 회로에 발생할 수 있는 깎임의 발생을 효과적으로 억제할 수 있는 표면 프로파일을 수지 기재에 부여 가능한, 표면 처리 구리박이 제공된다. 이 표면 처리 구리박은, 적어도 한쪽 측에 처리 표면을 갖는 표면 처리 구리박이며, 처리 표면에 수지 필름을 열압착하여 처리 표면의 표면 형상을 수지 필름의 표면에 전사하고, 에칭에 의해 표면 처리 구리박을 제거한 경우에, 남겨진 수지 필름의 표면에 있어서의, ISO25178에 준거하여 측정되는 스큐니스 Ssk가 -0.6 이하가 된다.When used for the SAP method, the etching process of the electroless copper plating layer WHEREIN: The surface-treated copper foil which can provide the surface profile which can suppress effectively generation|occurrence|production of the chipping which may generate|occur|produce in a circuit to a resin base material is provided. This surface-treated copper foil is a surface-treated copper foil having a treated surface on at least one side, thermocompression bonding a resin film to the treated surface, transferring the surface shape of the treated surface to the surface of the resin film, and etching the surface-treated copper foil When , the skewness Ssk measured based on ISO25178 on the surface of the remaining resin film is -0.6 or less.

Description

표면 처리 구리박, 캐리어 구비 구리박, 동장 적층판 및 프린트 배선판Surface-treated copper foil, copper foil with carrier, copper clad laminate and printed wiring board

본 발명은, 표면 처리 구리박, 캐리어 구비 구리박, 동장 적층판 및 프린트 배선판에 관한 것이다.This invention relates to surface-treated copper foil, copper foil with a carrier, a copper clad laminated board, and a printed wiring board.

근년, 회로의 미세화에 적합한 프린트 배선판의 제조 공법으로서, 세미애디티브법(SAP법)이 널리 채용되고 있다. SAP법은 매우 미세한 회로를 형성하기에 적합한 방법이며, 그 일례로서 캐리어 구비 조화 처리 구리박을 사용하여 행해지고 있다. 예를 들어, 도 1 및 2에 나타낸 바와 같이, 조화 표면을 구비한 극박 구리박(10)을, 하지 기재(11a)에 하층 회로(11b)를 구비한 절연 수지 기판(11) 상에 프리프레그(12)와 프라이머층(13)을 사용하여 프레스하여 밀착시키고(공정 (a)), 캐리어(도시하지 않음)를 박리한 후, 필요에 따라서 레이저 천공에 의해 비아 홀(14)을 형성한다(공정 (b)). 이어서, 극박 구리박을 에칭에 의해 제거하여, 조화 표면 프로파일이 부여된 프라이머층(13)을 노출시킨다(공정 (c)). 이 조화 표면에 무전해 구리 도금(15)을 실시한(공정 (d)) 후에, 드라이 필름(16)을 사용한 노광 및 현상에 의해 소정의 패턴으로 마스킹하고(공정 (e)), 전기 구리 도금(17)을 실시한다(공정 (f)). 드라이 필름(16)을 제거하여 배선 부분(17a)을 형성한(공정 (g)) 후, 인접하는 배선 부분(17a, 17a)간의 불필요한 무전해 구리 도금(15)을 에칭에 의해 제거하여(공정 (h)), 소정의 패턴으로 형성된 배선(18)을 얻는다.In recent years, a semi-additive method (SAP method) has been widely adopted as a manufacturing method of a printed wiring board suitable for circuit miniaturization. The SAP method is a method suitable for forming a very fine circuit, and it is performed using the roughening process copper foil with a carrier as the example. For example, as shown in FIGS. 1 and 2, the ultra-thin copper foil 10 provided with the roughened surface is prepreg on the insulated resin substrate 11 provided with the underlayer circuit 11b in the base material 11a. (12) and the primer layer 13 are pressed to adhere (step (a)), the carrier (not shown) is peeled, and if necessary, via holes 14 are formed by laser drilling ( process (b)). Next, the ultra-thin copper foil is removed by etching to expose the primer layer 13 provided with the roughened surface profile (step (c)). After electroless copper plating 15 is applied to this roughened surface (step (d)), it is masked in a predetermined pattern by exposure and development using a dry film 16 (step (e)), and electrolytic copper plating ( 17) is carried out (step (f)). After the dry film 16 is removed to form the wiring portion 17a (step (g)), unnecessary electroless copper plating 15 between the adjacent wiring portions 17a and 17a is removed by etching (step (g)). (h)), a wiring 18 formed in a predetermined pattern is obtained.

이렇게 조화 처리 구리박을 사용한 SAP법은, 조화 처리 구리박 자체는 레이저 천공 후에 에칭에 의해 제거되게 된다(공정 (c)). 그리고, 조화 처리 구리박이 제거된 적층체 표면에는 조화 처리 구리박의 조화 처리면의 요철 형상이 전사되어 있으므로, 그 후의 공정에 있어서 절연층(예를 들어 프라이머층(13) 또는 그것이 없는 경우에는 프리프레그(12))과 도금 회로(예를 들어 배선(18))의 밀착성을 확보할 수 있다. 또한, 공정 (c)에 상당하는 구리박 제거 공정을 행하지 않는 모디파이드 세미애디티브법(MSAP법)도 널리 채용되고 있지만, 드라이 필름 제거 후의 에칭 공정(공정 (h)에 상당)에서 구리박층과 무전해 구리 도금층의 2개의 층을 에칭으로 제거해야만 하기 때문에, 무전해 구리 도금층 1층의 에칭 제거로 마치는 SAP법보다도 에칭을 깊이 행할 필요가 있다. 그 때문에, 보다 많은 에칭양을 감안하여 회로 스페이스를 어느 정도 좁게 할 필요가 발생하는 점에서, MSAP법은 미세 회로 형성성에 있어서 SAP법보다는 어느 정도 떨어진다고 할 수 있다. 즉, 더 한층의 미세한 회로 형성이라는 목적에 있어서는 SAP법쪽이 유리하다.Thus, as for the SAP method using roughening process copper foil, roughening process copper foil itself will be removed by etching after laser drilling (process (c)). And since the uneven|corrugated shape of the roughening process surface of the roughening process copper foil is transcribe|transferred by the laminated body surface from which the roughening process copper foil was removed, in the process after that, the insulating layer (for example, the primer layer 13 or, when there is not it, prep The adhesion between the legs 12) and the plating circuit (eg, the wiring 18) can be ensured. In addition, although the modified semi-additive method (MSAP method) which does not perform the copper foil removal process corresponding to the step (c) is also widely adopted, in the etching step after the dry film removal (corresponding to the step (h)), the copper foil layer and Since two layers of the electroless copper plating layer must be removed by etching, it is necessary to perform etching deeper than the SAP method which ends with the etching removal of one electroless copper plating layer. Therefore, it can be said that the MSAP method is somewhat inferior to the SAP method in the fine circuit formability in that it is necessary to narrow the circuit space to some extent in consideration of a larger etching amount. That is, for the purpose of forming a further fine circuit, the SAP method is advantageous.

그런데, 드라이 필름 제거 후의 에칭 공정(공정 (h)에 상당)에 있어서, 회로(예를 들어 배선(18))와 절연층의 계면 부분이 에칭되고, 그 결과, 회로의 근원이 도려내지도록 침식되는 「깎임」이라고 불리는 현상이 발생하는 경우가 있다. 이 깎임이 발생하면, 회로와 절연층의 밀착력이 저하되어, 회로 박리의 원인이 된다.By the way, in the etching step (corresponding to step (h)) after the dry film removal, the interface portion between the circuit (for example, the wiring 18) and the insulating layer is etched, and as a result, the circuit is eroded so that the root of the circuit is cut out. A phenomenon called "cutting" may occur. When this shearing generate|occur|produces, the adhesive force of a circuit and an insulating layer will fall, and it will become a cause of circuit peeling.

한편, 조화 입자의 형상을 제어한 조화 처리 구리박이 알려져 있다. 예를 들어, 특허문헌 1(일본 특허 제6293365호 공보)에는, 복수의 대략 구상 돌기를 구비한 조화 처리면을 갖는 조화 처리 구리박에 있어서, 대략 구상 돌기의 평균 높이를 2.60㎛ 이하로 하고, 또한 대략 구상 돌기의 평균 넥 직경 aave에 대한 대략 구상 돌기의 평균 최대 직경 bave의 비 bave/aave를 1.2 이상으로 함으로써, SAP법에 사용한 경우에, 우수한 도금 회로 밀착성뿐만 아니라, 무전해 구리 도금에 대한 에칭성도 우수한 표면 프로파일을 적층체에 부여 가능하게 되어 있다.On the other hand, the roughening process copper foil which controlled the shape of roughening particle|grains is known. For example, in patent document 1 (Japanese Patent No. 6293365), the roughening process copper foil which has a roughening process surface provided with several substantially spheroidal process WHEREIN: The average height of the substantially spheroidal process shall be 2.60 micrometers or less, In addition, by making the ratio b ave /a ave of the average maximum diameter b ave of the approximately nodules to the average neck diameter a ave of the approximately nodal projections 1.2 or more, when used in the SAP method, not only excellent adhesion to the plating circuit but also electroless It becomes possible to provide the surface profile excellent also in the etching property with respect to copper plating to a laminated body.

일본 특허 제6293365호 공보Japanese Patent Publication No. 6293365

근년, 회로의 더 한층의 미세화에 수반하여, 미세 회로 형성에 유리한 SAP법의 채용이 확대되고 있다. 이 점에서, 회로 패턴폭이 좁아짐에 따라서, 허용되는 깎임폭도 상대적으로 축소된다고 할 수 있다. 또한, SAP법에서는, 드라이 필름 제거 후의 에칭 공정에 있어서, 무전해 구리 도금층만을 에칭 제거하면 충분하기 때문에, 전해 구리가 아니라 무전해 구리를 선택적으로 제거 가능한 에칭액을 사용할 수 있다. 이렇게 함으로써, 대부분이 전해 구리로 구성된 회로의 가늘어짐을 억제할 수 있다. 따라서, 미세 회로 형성성이라는 점에서, SAP법은 MSAP법과 비교하여 한층 더 유리하다고 할 수 있다. 한편, SAP법에 의해 형성된 회로는 최하부가 무전해 구리로 구성되기 때문에, 상기 에칭액을 사용한 경우, 깎임이 보다 발생하기 쉬워진다.In recent years, with the further miniaturization of circuits, adoption of the SAP method advantageous for fine circuit formation is expanding. In this regard, it can be said that, as the circuit pattern width becomes narrow, the allowable cutting width is also relatively reduced. In addition, in the SAP method, in the etching process after dry film removal, since it is enough to etch away only the electroless copper plating layer, not electrolytic copper but the etching liquid which can selectively remove electroless copper can be used. By doing in this way, the thinning of the circuit mainly comprised by electrolytic copper can be suppressed. Accordingly, it can be said that the SAP method is more advantageous than the MSAP method in terms of fine circuit formation properties. On the other hand, since the lowermost part of the circuit formed by the SAP method is comprised with electroless copper, when the said etching liquid is used, it becomes more easy to generate|occur|produce chamfering.

본 발명자들은 이번에, 수지 기재의 표면에, ISO25178에 준거하여 측정되는 스큐니스 Ssk에서 규정되는 특유의 표면 프로파일을 부여함으로써, SAP법에 있어서의 무전해 구리 도금층의 에칭 공정에 있어서, 회로에 발생할 수 있는 깎임의 발생을 효과적으로 억제할 수 있다는 지견을 얻었다. 또한, SAP법에 사용한 경우에, 상기 특유의 표면 프로파일을 수지 기재에 부여 가능한, 표면 처리 구리박을 제공할 수 있다는 지견도 얻었다.This time, the present inventors give the surface of the resin substrate a unique surface profile defined by skewness Ssk measured in accordance with ISO25178, so that in the etching process of the electroless copper plating layer in the SAP method, it can occur in the circuit. The knowledge that it can effectively suppress the occurrence of chamfering was obtained. Moreover, when it used for the SAP method, the knowledge that the surface-treated copper foil which can provide the said specific surface profile to a resin base material can be provided was also acquired.

따라서, 본 발명의 목적은, SAP법에 사용한 경우에, 무전해 구리 도금층의 에칭 공정에 있어서, 회로에 발생할 수 있는 깎임의 발생을 효과적으로 억제할 수 있는 표면 프로파일을 수지 기재에 부여 가능한, 표면 처리 구리박을 제공하는 데 있다.Therefore, it is an object of the present invention, when used in the SAP method, in the etching process of the electroless copper plating layer, a surface treatment capable of imparting a surface profile capable of effectively suppressing the occurrence of chipping that may occur in the circuit to the resin substrate. To provide copper foil.

본 발명의 일 양태에 의하면, 적어도 한쪽 측에 처리 표면을 갖는 표면 처리 구리박으로서,According to one aspect of the present invention, as a surface-treated copper foil having a treatment surface on at least one side,

상기 처리 표면에 수지 필름을 열압착하여 상기 처리 표면의 표면 형상을 상기 수지 필름의 표면에 전사하고, 에칭에 의해 상기 표면 처리 구리박을 제거한 경우에, 남겨진 상기 수지 필름의 상기 표면에 있어서의, ISO25178에 준거하여 측정되는 스큐니스 Ssk가 -0.6 이하가 되는, 표면 처리 구리박이 제공된다.When a resin film is thermocompression-bonded to the treated surface to transfer the surface shape of the treated surface to the surface of the resin film, and the surface-treated copper foil is removed by etching, in the surface of the resin film remaining, The surface-treated copper foil from which skewness Ssk measured based on ISO25178 will be -0.6 or less is provided.

본 발명의 다른 일 양태에 의하면, 캐리어와, 해당 캐리어 상에 마련된 박리층과, 해당 박리층 상에 상기 처리 표면을 외측으로 하여 마련된 상기 표면 처리 구리박을 구비한, 캐리어 구비 구리박이 제공된다.According to another one aspect|mode of this invention, the copper foil with a carrier provided with a carrier, the peeling layer provided on the said carrier, and the said surface-treated copper foil provided on this peeling layer with the said process surface outward is provided.

본 발명의 다른 일 양태에 의하면, 상기 표면 처리 구리박 또는 상기 캐리어 구비 구리박을 구비한 동장 적층판이 제공된다.According to another one aspect|mode of this invention, the copper clad laminated board provided with the said surface-treated copper foil or the said copper foil with a carrier is provided.

본 발명의 다른 일 양태에 의하면, 상기 표면 처리 구리박 또는 상기 캐리어 구비 구리박을 사용하여 얻어진 프린트 배선판이 제공된다.According to another one aspect|mode of this invention, the printed wiring board obtained using the said surface-treated copper foil or the said copper foil with a carrier is provided.

본 발명의 다른 일 양태에 의하면, 적어도 한쪽 표면이, ISO25178에 준거하여 측정되는 스큐니스 Ssk가 -0.6 이하인, 수지 기재가 제공된다.According to another aspect of the present invention, there is provided a resin substrate in which at least one surface has a skewness Ssk measured in accordance with ISO25178 of -0.6 or less.

도 1은 SAP법을 설명하기 위한 공정 흐름도이며, 전반의 공정(공정 (a)로부터 공정 (d))을 나타내는 도면이다.
도 2는 SAP법을 설명하기 위한 공정 흐름도이며, 후반의 공정(공정 (e)로부터 공정 (h))을 나타내는 도면이다.
도 3a는 ISO25178에 준거하여 결정되는 스큐니스 Ssk를 설명하기 위한 도면이며, Ssk<0인 경우의 표면 및 그 높이 분포를 나타내는 도면이다.
도 3b는 ISO25178에 준거하여 결정되는 스큐니스 Ssk를 설명하기 위한 도면이며, Ssk>0인 경우의 표면 및 그 높이 분포를 나타내는 도면이다.
도 4는 ISO25178에 준거하여 결정되는 부하 곡선 및 부하 면적률을 설명하기 위한 도면이다.
도 5는 ISO25178에 준거하여 결정되는 돌출 산부와 코어부를 분리하는 부하 면적률 Smr1, 및 돌출 골부와 코어부를 분리하는 부하 면적률 Smr2를 설명하기 위한 도면이다.
도 6은 ISO25178에 준거하여 결정되는 극점 높이 Sxp를 설명하기 위한 도면이다.
도 7은 ISO25178에 준거하여 결정되는 코어부의 실체 체적 Vmc를 설명하기 위한 도면이다.
도 8a는 MSAP법에 의한 회로 형성의 일례를 나타내는 공정 흐름도이며, 회로 가늘어짐이 발생하는 것을 설명하기 위한 도면이다.
도 8b는 SAP법에 의한 회로 형성의 일례를 나타내는 공정 흐름도이며, 깎임이 발생하는 것을 설명하기 위한 도면이다.
도 9a는 Ssk 및 Spc가 작으면서, 또한 Spd 및 Vmc/Sxp가 큰 수지 레플리카 상에 회로가 형성된 적층체에 있어서의, 깎임 발생 전후의 상태를 나타내는 단면 모식도이다.
도 9b는 Ssk 및 Spc가 크면서, 또한 Spd 및 Vmc/Sxp가 작은 수지 레플리카 상에 회로가 형성된 적층체에 있어서의, 깎임 발생 전후의 상태를 나타내는 단면 모식도이다.
도 10a는 도 9a의 적층체에 있어서의 수지 레플리카의 볼록부를 발출한 다음, 볼록부의 높이 보정을 행하는 것을 나타내는 도면이다.
도 10b는 도 9b의 적층체에 있어서의 수지 레플리카의 볼록부를 발출한 다음, 볼록부의 높이 보정을 행하는 것을 나타내는 도면이다.
도 11은 깎임량의 측정 방법을 설명하기 위한 도면이다.
BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS It is a process flow chart for demonstrating the SAP method, and is a figure which shows the process (process (a) to process (d)) of the first half.
Fig. 2 is a process flow chart for explaining the SAP method, and is a diagram showing the latter step (step (e) to step (h)).
FIG. 3A is a diagram for explaining skewness Ssk determined based on ISO25178, and is a diagram showing a surface and height distribution thereof when Ssk<0.
3B is a diagram for explaining skewness Ssk determined based on ISO25178, and is a diagram showing a surface and height distribution thereof when Ssk>0.
4 is a diagram for explaining a load curve and a load area ratio determined based on ISO25178.
5 is a view for explaining the load area ratio Smr1 for separating the protruding ridge and the core, and the load area ratio Smr2 for separating the protruding valley and the core, which are determined based on ISO25178.
6 is a diagram for explaining the pole height Sxp determined based on ISO25178.
Fig. 7 is a diagram for explaining the substantial volume Vmc of the core part determined based on ISO25178.
It is a process flowchart which shows an example of circuit formation by the MSAP method, and is a figure for demonstrating that circuit thinning generate|occur|produces.
It is a process flowchart which shows an example of circuit formation by the SAP method, and is a figure for demonstrating that chamfering generate|occur|produces.
Fig. 9A is a schematic cross-sectional view showing a state before and after the occurrence of chipping in a laminate in which circuits are formed on a resin replica having small Ssk and Spc and large Spd and Vmc/Sxp.
Fig. 9B is a schematic cross-sectional view showing a state before and after the occurrence of chipping in a laminate in which circuits are formed on a resin replica having large Ssk and Spc and small Spd and Vmc/Sxp.
Fig. 10A is a view showing that the convex portion of the resin replica in the laminate of Fig. 9A is taken out and then the height of the convex portion is corrected.
Fig. 10B is a view showing that the convex portion of the resin replica in the laminate of Fig. 9B is taken out and then the height of the convex portion is corrected.
11 is a view for explaining a method of measuring the amount of clipping.

정의Justice

본 발명을 특정하기 위해 사용되는 용어 내지 파라미터의 정의를 이하에 나타낸다.Definitions of terms and parameters used to specify the present invention are shown below.

본 명세서에 있어서 「스큐니스 Ssk」란, ISO25178에 준거하여 측정되는, 높이 분포의 대칭성을 나타내는 파라미터이다. 이 값이 0인 경우에는, 높이 분포가 상하로 대칭인 것을 나타낸다. 또한, 도 3a에 나타낸 바와 같이, 이 값이 0보다 작은 경우에는, 미세한 골이 많은 표면인 것을 나타낸다. 한편, 도 3b에 나타낸 바와 같이, 이 값이 0보다 큰 경우에는, 미세한 산이 많은 표면인 것을 나타낸다. 스큐니스 Ssk는, 처리 표면에 있어서의 소정의 측정 면적(예를 들어 57074.677㎛2의 이차원 영역)의 표면 프로파일을 시판되고 있는 레이저 현미경으로 측정함으로써 산출할 수 있다.In this specification, "skewness Ssk" is a parameter which shows the symmetry of height distribution measured based on ISO25178. When this value is 0, it indicates that the height distribution is vertically symmetrical. Moreover, as shown in FIG. 3A, when this value is smaller than 0, it indicates that it is a surface with many fine troughs. On the other hand, as shown in FIG. 3B, when this value is larger than 0, it indicates that it is a surface with many fine acids. Skewness Ssk can be calculated by measuring the surface profile of a predetermined measurement area (for example, a two-dimensional area of 57074.677 µm 2 ) on the treated surface with a commercially available laser microscope.

본 명세서에 있어서 「산 정점의 산술 평균 곡(曲) Spc」란, ISO25178에 준거하여 측정되는, 표면의 산 정점의 주 곡률의 산술 평균을 나타내는 파라미터이다. 이 값이 작은 것은, 다른 물체와 접촉하는 점이 둥그스름해져 있는 것을 나타낸다. 한편, 이 값이 큰 것은, 다른 물체와 접촉하는 점이 뾰족해져 있는 것을 나타낸다. 단적으로 말하면, 산 정점의 산술 평균 곡 Spc는, 레이저 현미경으로 측정 가능한, 융기물(瘤)의 둥근 정도를 나타내는 파라미터라고 할 수 있다. 산 정점의 산술 평균 곡 Spc는, 처리 표면에 있어서의 소정의 측정 면적(예를 들어 57074.677㎛2의 이차원 영역)의 표면 프로파일을 시판되고 있는 레이저 현미경으로 측정함으로써 산출할 수 있다.In this specification, "arithmetic mean curve Spc of mountain vertices" is a parameter which shows the arithmetic mean of the principal curvatures of the mountain vertices of a surface measured based on ISO25178. A small value indicates that the point in contact with another object is rounded. On the other hand, a large value indicates that the point in contact with another object is sharp. Put simply, the arithmetic mean curve Spc of the peak of the mountain can be said to be a parameter indicating the degree of roundness of the ridges that can be measured with a laser microscope. The arithmetic mean curve Spc of the peak can be calculated by measuring the surface profile of a predetermined measurement area (for example, a two-dimensional region of 57074.677 µm 2 ) on the treated surface with a commercially available laser microscope.

본 명세서에 있어서 「산의 정점 밀도 Spd」란, ISO25178에 준거하여 측정되는, 단위 면적당 산 정점의 수를 나타내는 파라미터이다. 이 값이 크면 다른 물체와의 접촉점의 수가 많은 것을 시사한다. 산의 정점 밀도 Spd는, 처리 표면에 있어서의 소정의 측정 면적(예를 들어 57074.677㎛2의 이차원 영역)의 표면 프로파일을 시판되고 있는 레이저 현미경으로 측정함으로써 산출할 수 있다.In this specification, "the peak density Spd of a mountain" is a parameter which shows the number of mountain peaks per unit area measured based on ISO25178. A large value suggests that the number of contact points with other objects is large. The peak density Spd of the acid can be calculated by measuring the surface profile of a predetermined measurement area (for example, a two-dimensional region of 57074.677 µm 2 ) on the treated surface with a commercially available laser microscope.

본 명세서에 있어서 「면의 부하 곡선」(이하, 간단히 「부하 곡선」이라고 함)이란, ISO25178에 준거하여 측정되는, 부하 면적률이 0%에서 100%가 되는 높이를 나타낸 곡선을 말한다. 부하 면적률이란, 도 4에 도시된 바와 같이, 어떤 높이 c 이상의 영역의 면적을 나타내는 파라미터이다. 높이 c에서의 부하 면적률은 도 4에 있어서의 Smr(c)에 상당한다. 도 5에 도시된 바와 같이, 부하 면적률이 0%로부터 부하 곡선에 따라서 부하 면적률의 차를 40%로 하여 그은 부하 곡선의 할선을, 부하 면적률 0%로부터 이동시켜가며, 할선의 경사가 가장 완만해지는 위치를 부하 곡선의 중앙 부분이라고 한다. 이 중앙 부분에 대하여, 종축 방향의 편차의 제곱합이 최소가 되는 직선을 등가 직선이라고 한다. 등가 직선의 부하 면적률 0%에서 100%의 높이의 범위에 포함되는 부분을 코어부라고 한다. 코어부보다 높은 부분을 돌출 산부라고 하고, 코어부보다 낮은 부분은 돌출 골부라고 한다. 코어부는, 초기 마모가 끝난 후에 다른 물체와 접촉하는 영역의 높이를 나타낸다.In this specification, the "load curve of a surface" (hereinafter simply referred to as a "load curve") refers to a curve showing the height at which the load area ratio is 0% to 100%, measured in accordance with ISO25178. The load area ratio is a parameter indicating the area of a region having a certain height c or higher, as shown in FIG. 4 . The load area ratio at the height c corresponds to Smr(c) in FIG. 4 . As shown in Fig. 5, the secant line of the load curve drawn with the difference of the load area ratio from 0% to 40% according to the load curve according to the load area ratio is shifted from the load area ratio 0%, and the inclination of the secant line is The most gradual position is called the central part of the load curve. A straight line in which the sum of squares of deviations in the longitudinal direction is minimized with respect to this central portion is called an equivalent straight line. The part included in the range of the height of 0% to 100% of the load area ratio of an equivalent straight line is called a core part. A portion higher than the core portion is referred to as a protruding ridge, and a portion lower than the core portion is referred to as a protruding valley. The core part represents the height of the area in contact with another object after the initial wear is finished.

본 명세서에 있어서 「극점 높이 Sxp」란, 도 6에 나타낸 바와 같이, ISO25178에 준거하여 측정되는, 부하 면적률 p%와 부하 면적률 q%의 높이의 차분을 나타내는 파라미터이다. Sxp는, 표면 중에서 특히 높은 산을 제거한 후의, 표면의 평균면과 표면의 높이의 차분을 나타낸다. 본 명세서에서는, Sxp는 부하 면적률 2.5% 및 부하 면적률 50%의 높이의 차분을 나타내는 것으로 한다. 극점 높이 Sxp는, 처리 표면에 있어서의 소정의 측정 면적(예를 들어 57074.677㎛2의 이차원 영역)의 표면 프로파일을 시판되고 있는 레이저 현미경으로 측정함으로써 산출할 수 있다.In this specification, "pole height Sxp" is a parameter which shows the difference between the height of the load area ratio p% and the load area ratio q% measured based on ISO25178, as shown in FIG. Sxp represents the difference between the average surface of the surface and the height of the surface after removing a particularly high acid from the surface. In this specification, Sxp shall represent the difference of the height of 2.5% of a load area ratio and 50% of a load area ratio. The pole height Sxp can be calculated by measuring the surface profile of a predetermined measurement area (for example, a two-dimensional area of 57074.677 µm 2 ) on the treated surface with a commercially available laser microscope.

본 명세서에 있어서 「돌출 산부와 코어부를 분리하는 부하 면적률 Smr1」이란, 도 5에 도시된 바와 같이, ISO25178에 준거하여 측정되는, 코어부의 상부의 높이와 부하 곡선의 교점에 있어서의 부하 면적률(즉, 코어부와 돌출 산부를 나누는 부하 면적률)을 나타내는 파라미터이다. 이 값이 클수록, 돌출 산부가 차지하는 비율이 큰 것을 의미한다. 또한, 본 명세서에 있어서 「돌출 골부와 코어부를 분리하는 부하 면적률 Smr2」란, 도 5에 도시된 바와 같이, ISO25178에 준거하여 측정되는, 코어부의 하부의 높이와 부하 곡선의 교점에 있어서의 부하 면적률(즉, 코어부와 돌출 골부를 나누는 부하 면적률)을 나타내는 파라미터이다. 이 값이 클수록 돌출 골부가 차지하는 비율이 큰 것을 의미한다.As used herein, the term “load area ratio Smr1 that separates the protruding ridge and the core” means the load area ratio at the intersection of the height of the upper part of the core and the load curve, measured in accordance with ISO25178, as shown in FIG. 5 . It is a parameter indicating (that is, the load area ratio dividing the core portion and the protruding ridge portion). It means that the ratio occupied by a protrusion ridge part is so large that this value is large. In addition, in this specification, "the load area ratio Smr2 which separates the protruding valley part and the core part" means, as shown in FIG. 5, the load at the intersection of the height of the lower part of the core part and the load curve, which is measured based on ISO25178. It is a parameter representing the area ratio (that is, the load area ratio dividing the core part and the protruding valley part). A larger value means that the proportion of the protruding valleys is larger.

본 명세서에 있어서 「코어부의 실체 체적 Vmc」란, ISO25178에 준거하여 측정되는, 코어부의 체적을 나타내는 파라미터이다. Vmc는, 도 7에 나타낸 바와 같이, 돌출 골부와 코어부를 분리하는 부하 면적률 Smr2에 있어서의 실체 체적과, 돌출 산부와 코어부를 분리하는 부하 면적률 Smr1에 있어서의 실체 체적 사이의 차를 나타낸다. 코어부의 실체 체적 Vmc는, 처리 표면에 있어서의 소정의 측정 면적(예를 들어 57074.677㎛2의 이차원 영역)의 표면 프로파일을 시판되고 있는 레이저 현미경으로 측정함으로써 산출할 수 있다. 본 명세서에서는, 돌출 산부와 코어부를 분리하는 부하 면적률 Smr1을 10%, 돌출 골부와 코어부를 분리하는 부하 면적률 Smr2를 80%로 각각 지정하여, 코어부의 실체 체적 Vmc를 산출하는 것으로 한다.In this specification, "the substantial volume Vmc of a core part" is a parameter which shows the volume of a core part measured based on ISO25178. As shown in FIG. 7, Vmc represents the difference between the substantial volume in the load area ratio Smr2 which separates the protruding valley part and the core part, and the substance volume in the load area ratio Smr1 which separates the protruding ridge part and the core part. The solid volume Vmc of the core portion can be calculated by measuring the surface profile of a predetermined measurement area (for example, a two-dimensional region of 57074.677 µm 2 ) on the treated surface with a commercially available laser microscope. In this specification, it is assumed that the load area ratio Smr1 that separates the protruding ridge and the core part is designated as 10%, and the load area ratio Smr2 that separates the protruding valley part and the core part is designated as 80%, respectively, to calculate the substantial volume Vmc of the core part.

본 명세서에 있어서, 전해 구리박의 「전극면」이란 전해 구리박 제작 시에 음극과 접해 있던 측의 면을 가리킨다.In this specification, the "electrode surface" of an electrolytic copper foil refers to the surface on the side which was in contact with the negative electrode at the time of electrolytic copper foil preparation.

본 명세서에 있어서, 전해 구리박의 「석출면」이란 전해 구리박 제작 시에 전해 구리가 석출되어 가는 측의 면, 즉 음극과 접하지 않은 측의 면을 가리킨다.In this specification, the "precipitation surface" of an electrolytic copper foil refers to the surface on the side where electrolytic copper precipitates at the time of electrolytic copper foil preparation, ie, the surface on the side which does not contact a cathode.

표면 처리 구리박surface treatment copper foil

본 발명에 의한 구리박은 표면 처리 구리박이다. 이 표면 처리 구리박은, 처리 표면에 수지 필름을 열압착하여 처리 표면의 표면 형상을 수지 필름의 표면에 전사하고, 에칭에 의해 표면 처리 구리박을 제거한 경우에, 남겨진 수지 필름(이하, 수지 레플리카라고도 함)의 표면(이하, 전사 표면이라고도 함)에 있어서의, ISO25178에 준거하여 측정되는 스큐니스 Ssk가 -0.6 이하가 되는 것이다.The copper foil by this invention is surface-treated copper foil. This surface-treated copper foil is a resin film (hereinafter also referred to as a resin replica) left when a resin film is thermocompression-bonded to the treated surface, the surface shape of the treated surface is transferred to the surface of the resin film, and the surface-treated copper foil is removed by etching. The skewness Ssk measured in accordance with ISO25178 on the surface (hereinafter also referred to as transfer surface) of the surface (hereinafter referred to as "transfer surface") is -0.6 or less.

전술한 바와 같이, 회로의 더 한층의 미세화의 요구에 수반하여, 미세 회로 형성에 유리한 SAP법의 채용이 확대되고 있다. 이 점에서, 회로 패턴폭이 좁아짐에 따라서, 허용되는 깎임폭도 상대적으로 축소된다고 할 수 있다. 즉, 종래의 패턴폭(예를 들어 30㎛)에서는 허용되어 있던 깎임폭이, 보다 미세한 회로 패턴폭(예를 들어 10㎛)에 있어서는, 회로 붕괴의 리스크가 높아지는 등의 이유에 의해 규격으로부터 벗어나는 경우가 생길 수 있다.As described above, with the demand for further miniaturization of circuits, the adoption of the SAP method advantageous for fine circuit formation is expanding. In this regard, it can be said that, as the circuit pattern width becomes narrow, the allowable cutting width is also relatively reduced. That is, the cut width allowed for a conventional pattern width (for example, 30 µm) is out of the standard for a finer circuit pattern width (for example, 10 µm), for reasons such as increasing the risk of circuit collapse. cases may arise.

또한, SAP법은 MSAP법 등의 다른 공법과 비교하여 회로의 미세화라는 점에서 유리하지만, 깎임 억제라는 점에 대하여는 불리해지는 경우가 있다. 이 점에서, 예를 들어 MSAP법에 의한 회로 형성에서는, 도 8a에 예시되는 바와 같이, 수지 기재(112) 상에, 캐리어 구비 구리박에서 유래하는 방청층(114) 및 전해 구리층(116)이 순서대로 적층된 적층체(110)를 준비하고(공정 (i)), 전해 구리층(116)이 잔존한 그대로의 상태에서, 무전해 구리 도금(118)을 형성한다. 이어서, 드라이 필름에 의해 소정의 패턴으로 마스킹하고, 그 후 전기 구리 도금을 실시하여 배선 부분(120)을 형성한다(공정 (ii)). 이와 같이, MSAP법에서는, 수지 기재(112) 상에 전해 구리층(116)이 잔존하고 있기 때문에, 인접하는 배선 부분(120, 120) 사이의 불필요 부분의 에칭 제거 공정에 있어서, 전해 구리층(116) 및 무전해 구리 도금(118)의 2개의 층을 에칭으로 제거해야만 한다. 그 때문에, 도 8a의 공정 (iii)에 나타낸 바와 같이, 얻어진 배선(122)에는 회로 가늘어짐이 발생하기 쉽다. 그 한편, MSAP법에서는, 상술한 바와 같이 전해 구리층(116)의 완전 제거를 행하지 않기 때문에, 방청층(114)이 수지 기재(112) 및 배선(122) 사이에 존재하게 되고, 이 방청층(114)이 깎임의 발생 방지에 기여한다. 이에 비해, SAP법에 의한 회로 형성에서는, 도 8b에 예시되는 바와 같이, 수지 기재(112) 상에 방청층(114) 및 전해 구리층(116)이 순서대로 형성된 적층체(110)의 준비(공정 (i)), 전해 구리층(116)의 완전 제거(공정 (ii)), 무전해 구리 도금(118)의 형성, 드라이 필름에 의한 마스킹, 및 전기 구리 도금에 의한 배선 부분(120)의 형성을 순차로 행한다(공정 (iii)). 이와 같이, SAP법에서는, 수지 기재(112) 상에 전해 구리층(116)이 잔존하지 않기 때문에, 인접하는 배선 부분(120, 120) 사이의 불필요한 부분의 에칭 공정에 있어서, 무전해 구리 도금(118)만을 에칭 제거하면 되고, 이에 의해 얻어진 배선(122)의 회로 가늘어짐을 억제할 수 있다. 또한, SAP법에서는, 전해 구리가 아니라 무전해 구리를 선택적으로 제거 가능한 에칭액을 사용하는 것이 가능해지기 때문에, 대부분이 전해 구리로 구성된 배선(122)의 가늘어짐을 한층 더 효과적으로 억제할 수 있다. 그 때문에, 회로의 미세화에 대하여, SAP법은 MSAP법 등의 다른 공법과 비교하여 유리하다고 할 수 있다. 그러나, 도 8b의 공정 (iv)에 나타낸 바와 같이, SAP법에 의해 형성된 배선(122)은, 최하부가 무전해 구리 도금(118)으로 구성되기 때문에, 무전해 구리를 선택적으로 제거 가능한 에칭액을 사용한 경우, 배선(122)과 수지 기재(112)의 계면에 깎임(124)이 발생하기 쉬워진다. 이 점에서, 전해 구리층(116) 상에 방청층(114)을 마련한 표면 처리 구리박을 SAP용 구리박으로서 사용한 경우에도, SAP법에 있어서는, 전해 구리층(116)을 에칭에 의해 완전히 제거하기 때문에, 당해 에칭 시에 방청 금속도 에칭되어버린다(도 8b의 공정 (ii) 참조). 또한, 도 8a 및 8b에 있어서는, 강조를 위해, 방청층(114)의 두께를 크게 나타내고 있고, 반드시 실제 적층체에 있어서의 두께의 비를 반영한 것이 아니다. 이와 같이, SAP법에 있어서, 회로에 발생할 수 있는 깎임을 억제하는 것이 용이한 일은 아니다.In addition, the SAP method is advantageous compared with other construction methods such as the MSAP method in terms of circuit miniaturization, but there are cases where it is disadvantageous in terms of cutting suppression. From this point, for example, in circuit formation by the MSAP method, as illustrated in FIG. 8A, the rust prevention layer 114 and the electrolytic copper layer 116 derived from copper foil with a carrier on the resin base material 112. The laminate 110 laminated in this order is prepared (step (i)), and the electroless copper plating 118 is formed in the state in which the electrolytic copper layer 116 remains. Next, it is masked in a predetermined pattern with a dry film, and then electroplated with copper to form the wiring portion 120 (step (ii)). As described above, in the MSAP method, since the electrolytic copper layer 116 remains on the resin substrate 112, in the etching removal step of the unnecessary portion between the adjacent wiring portions 120 and 120, the electrolytic copper layer ( 116) and two layers of electroless copper plating 118 must be removed by etching. Therefore, as shown in step (iii) of FIG. 8A , circuit thinning tends to occur in the obtained wiring 122 . On the other hand, in the MSAP method, since the electrolytic copper layer 116 is not completely removed as described above, the rust preventive layer 114 is present between the resin substrate 112 and the wiring 122 , and this rust preventive layer (114) contributes to the prevention of the occurrence of chamfering. In contrast, in the circuit formation by the SAP method, as illustrated in FIG. 8B , the antirust layer 114 and the electrolytic copper layer 116 are sequentially formed on the resin substrate 112 by preparing the laminate 110 ( Step (i)), complete removal of electrolytic copper layer 116 (step (ii)), formation of electroless copper plating 118, masking with dry film, and electrolytic copper plating of wiring portion 120 Formation is performed sequentially (step (iii)). As described above, in the SAP method, since the electrolytic copper layer 116 does not remain on the resin substrate 112, in the etching process of the unnecessary portion between the adjacent wiring portions 120 and 120, electroless copper plating ( It is sufficient to remove only 118 by etching, whereby the circuit thinning of the obtained wiring 122 can be suppressed. Moreover, in the SAP method, since it becomes possible to use the etching liquid which can selectively remove electroless copper instead of electrolytic copper, the thinning of the wiring 122 mostly comprised by electrolytic copper can be suppressed further more effectively. Therefore, with respect to circuit miniaturization, it can be said that the SAP method is advantageous compared with other construction methods such as the MSAP method. However, as shown in step (iv) of Fig. 8B, since the lowermost portion of the wiring 122 formed by the SAP method is composed of the electroless copper plating 118, an etching solution capable of selectively removing electroless copper is used. In this case, the chamfer 124 tends to occur at the interface between the wiring 122 and the resin substrate 112 . From this point, even when the surface-treated copper foil which provided the rust prevention layer 114 on the electrolytic copper layer 116 is used as copper foil for SAP, in the SAP method, the electrolytic copper layer 116 is completely removed by etching. Therefore, the rust-preventing metal is also etched at the time of the etching (refer to step (ii) of Fig. 8B). In addition, in FIGS. 8A and 8B, the thickness of the rust prevention layer 114 is shown large for emphasis, and the ratio of the thickness in an actual laminated body is not necessarily reflected. As described above, in the SAP method, it is not easy to suppress the chipping that may occur in the circuit.

이 점에서, 본 발명의 표면 처리 구리박을 SAP법에 사용함으로써, 수지 기재의 표면에 ISO25178에 준거하여 측정되는 스큐니스 Ssk가 -0.6 이하라는 특유의 표면 프로파일을 부여할 수 있다. 이와 같이 함으로써, 무전해 구리 도금층의 에칭 공정에 있어서, 회로에 발생할 수 있는 깎임의 발생을 효과적으로 억제하는 것이 가능해진다. 수지 기재 표면이 상기 표면 프로파일을 가짐으로써 회로에 발생하는 깎임을 억제할 수 있는 메커니즘은 반드시 분명하지는 않지만, 하나의 요인으로서 이하와 같은 것을 들 수 있다. 즉, 회로가 형성되는 수지 기재의 표면(즉, 수지 레플리카의 전사 표면)의 볼록부는, SAP법에 있어서의 무전해 구리 도금의 에칭 공정에 있어서, 에칭액의 침입을 막는 방호벽으로서 기능한다. 그 때문에, 이 방호벽이 두꺼울수록 깎임은 발생하기 어려워진다고 할 수 있다. 이 점에서, 전술한 스큐니스 Ssk의 정의에 기초하면, 도 9a 및 9b에 나타낸 바와 같이, 스큐니스 Ssk가 작은 수지 레플리카(20)(도 9a 참조)는, 스큐니스 Ssk가 큰 수지 레플리카(20)(도 9b 참조)와 비교하여 볼록부(20a)의 벽 두께가 두꺼워진다고 할 수 있다(도면 중의 동그라미 표시를 첨부한 개소를 참조). 따라서, 수지 레플리카의 스큐니스 Ssk를 -0.6 이하로 충분히 작게 함으로써, 상기 방호벽을 두껍게 할 수 있고, 그 때문에, 회로(22)에 발생하는 깎임을 효과적으로 억제할 수 있다고 생각된다.In this regard, by using the surface-treated copper foil of the present invention for the SAP method, the surface of the resin substrate can be provided with a unique surface profile in which skewness Ssk measured in accordance with ISO25178 is -0.6 or less. By doing in this way, in the etching process of an electroless copper plating layer, it becomes possible to suppress effectively generation|occurrence|production of the chipping which may generate|occur|produce in a circuit. Although the mechanism by which the surface of a resin base material can suppress the chipping|wound which arises in a circuit by having the said surface profile is not necessarily clear, the following are mentioned as one factor. That is, the convex portions of the surface of the resin substrate on which the circuit is formed (that is, the transfer surface of the resin replica) function as a barrier to prevent the ingress of the etchant in the etching step of the electroless copper plating in the SAP method. Therefore, it can be said that chipping becomes difficult to occur, so that this protective wall is thick. In this regard, based on the definition of skewness Ssk described above, as shown in Figs. 9A and 9B, the resin replica 20 having a small skewness Ssk (see Fig. 9A) is a resin replica 20 having a large skewness Ssk. ) (refer to Fig. 9B), it can be said that the wall thickness of the convex portion 20a is increased (refer to the circled portion in the drawing). Therefore, by making the skewness Ssk of the resin replica sufficiently small to -0.6 or less, it is considered that the above-mentioned protective wall can be thickened, and therefore it is possible to effectively suppress the chipping generated in the circuit 22 .

상기 관점에서, 본 발명의 표면 처리 구리박은, SAP법에 의한 프린트 배선판의 제작에 사용되는 것이 바람직하다. 다른 표현을 하면, 본 발명의 표면 처리 구리박은, 프린트 배선판용 절연 수지층에 요철 형상을 전사하기 위해 사용하는 것이 바람직하다고도 할 수 있다.It is preferable that the said viewpoint to surface-treated copper foil of this invention is used for preparation of the printed wiring board by SAP method. It can also be said that it is preferable to use the surface-treated copper foil of this invention in order to transcribe|transfer an uneven|corrugated shape to the insulating resin layer for printed wiring boards if another expression is made.

본 발명의 표면 처리 구리박은, 적어도 한쪽 측에 처리 표면을 갖는다. 처리 표면은 어떤 표면 처리가 실시되어 있는 면이며, 전형적으로는 조화 처리면이다. 처리 표면은 전형적으로는 복수의 융기물(예를 들어 조화 입자)을 구비하여 이루어진다. 어떻든, 표면 처리 구리박은 양측에 처리 표면(예를 들어 조화 처리면)을 갖는 것이어도 되고, 한쪽 측에만 처리 표면을 갖는 것이어도 된다. 양측에 처리 표면을 갖는 경우에는, SAP법에 사용한 경우에 레이저 조사측의 면(절연 수지에 밀착시키는 면과 반대측의 면)도 표면 처리되어 있게 되므로, 레이저 흡수성이 높아지는 결과, 레이저 천공성도 향상시킬 수 있다.The surface-treated copper foil of this invention has a process surface on at least one side. The treated surface is a surface to which a certain surface treatment is given, and is typically a roughened surface. The treated surface is typically provided with a plurality of ridges (eg roughened particles). In any case, a surface-treated copper foil may have a process surface (for example, roughening process surface) on both sides, and may have a process surface only on one side. In the case of having treated surfaces on both sides, when used in the SAP method, the surface on the laser irradiation side (the surface on the opposite side to the surface to be in close contact with the insulating resin) is also surface-treated. can

본 발명의 표면 처리 구리박은, 처리 표면에 수지 필름을 열압착하여 처리 표면의 표면 형상을 수지 필름의 표면에 전사하고, 에칭에 의해 표면 처리 구리박을 제거한 경우에, 남겨진 수지 필름의 표면(즉, 수지 레플리카의 전사 표면)에 있어서의 스큐니스 Ssk가 -0.6 이하이고, 바람직하게는 -1.7 이상 -0.6 이하, 보다 바람직하게는 -1.6 이상 -0.7 이하, 더욱 바람직하게는 -1.5 이상 -0.9 이하, 특히 바람직하게는 -1.5 이상 -1.1 이하이다. 상기 바람직한 범위 내이면, SAP법의 에칭 공정에서의 깎임의 발생을 한층 더 억제하면서, 표면 처리 구리박의 처리 표면의 융기물을 너무 가늘고 길지 않은 적당한 형상으로 제어할 수 있고, 그것에 의해 표면 처리 구리박에 있어서의 융기물의 꺾임이나 탈락 등에 의한 분말 낙하의 발생을 효과적으로 억제할 수 있다. 수지 필름은 열경화성 수지 필름이 바람직하고, 프리프레그의 형태여도 된다. 열경화성 수지의 예로서는, 에폭시 수지, 시아네이트 수지, 비스말레이미드 트리아진 수지(BT 수지), 폴리페닐렌에테르 수지, 페놀 수지, 폴리이미드 수지 등을 들 수 있다. 열압착은, 표면 처리 구리박의 처리 표면의 요철 형상을 수지 필름에 전사 가능한 조건에서 행하면 되고, 특별히 한정되지 않는다. 예를 들어, 압력 3.0MPa 이상 5.0MPa 이하, 온도 200℃ 이상 240℃ 이하, 60분간 이상 120분간 이하의 조건에서 열압착을 행하는 것이 바람직하다.The surface-treated copper foil of the present invention is the surface of the resin film left when the resin film is thermocompression-bonded to the treated surface to transfer the surface shape of the treated surface to the surface of the resin film, and the surface-treated copper foil is removed by etching (i.e. , the transfer surface of the resin replica) has skewness Ssk of -0.6 or less, preferably -1.7 or more -0.6 or less, more preferably -1.6 or more -0.7 or less, still more preferably -1.5 or more -0.9 or less. , particularly preferably -1.5 or more and -1.1 or less. If it is in the said preferable range, while suppressing generation|occurrence|production of chamfering in the etching process of SAP method further, the protrusion on the processing surface of surface-treated copper foil can be controlled to a suitable shape which is not too thin and long, and, thereby, surface-treated copper Generation|occurrence|production of the powder fall due to the bend|folding, drop-off|omission, etc. of the raised material in foil can be suppressed effectively. A thermosetting resin film is preferable and the form of a prepreg may be sufficient as a resin film. Examples of the thermosetting resin include an epoxy resin, a cyanate resin, a bismaleimide triazine resin (BT resin), a polyphenylene ether resin, a phenol resin, and a polyimide resin. Thermocompression bonding may be performed on the conditions which can transfer the uneven|corrugated shape of the process surface of surface-treated copper foil to a resin film, and is not specifically limited. For example, it is preferable to perform thermocompression bonding under the conditions of a pressure of 3.0 MPa or more and 5.0 MPa or less, a temperature of 200 degreeC or more and 240 degrees C or less, and 60 minutes or more and 120 minutes or less.

본 발명의 표면 처리 구리박은, 상기 에칭 후에 남겨진 수지 필름의 표면(즉, 수지 레플리카의 전사 표면)이, 산 정점의 산술 평균 곡 Spc가 5000mm-1 이상 13000mm-1 이하인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 7000mm-1 이상 13000mm-1 이하, 더욱 바람직하게는 9000mm-1 이상 13000mm-1 이하, 특히 바람직하게는 10000mm-1 이상 13000mm-1 이하이다. 이러한 범위 내이면, 표면 처리 구리박의 처리 표면의 융기물을 너무 가늘고 길지 않은 적당한 형상으로 제어하여, 표면 처리 구리박에 있어서의 융기물의 꺾임이나 탈락 등에 의한 분말 낙하의 발생을 효과적으로 억제하면서, SAP법의 에칭 공정에서의 깎임의 발생을 한층 더 억제할 수 있다. 깎임의 발생을 억제할 수 있는 하나의 요인으로서는, 이하와 같은 것을 들 수 있다. 즉, 전술한 산 정점의 산술 평균 곡 Spc의 정의에 기초하면, 도 9a 및 9b에 나타낸 바와 같이, 산 정점의 산술 평균 곡 Spc가 작은 수지 레플리카(20)(도 9a 참조)는, 산 정점의 산술 평균 곡 Spc가 큰 수지 레플리카(20)(도 9b 참조)와 비교하여, 볼록부(20a)의 정점이 평탄해진다. 그 결과, 깎임 방호벽으로서 기능하는 볼록부(20a)의 벽 두께가 두꺼워지기 때문이라고 생각된다.The surface-treated copper foil of the present invention, (i.e., the transfer surface of the resin replica) surface of the resin film left after the etching, and that the arithmetic mean of the Song Spc acid vertex 5000mm -1 -1 preferably less than 13000mm, more preferably is more than 7000mm 13000mm -1 -1 or less, more preferably more than 9000mm 13000mm -1 -1 or less, and particularly preferably more than 13000mm 10000mm -1 -1 or less. If it is within this range, controlling the bumps on the treated surface of the surface-treated copper foil to an appropriate shape that is not too thin and long, effectively suppressing the occurrence of powder fall due to the bending or dropping of the bumps in the surface-treated copper foil, while SAP It is possible to further suppress the occurrence of chipping in the etching process of the method. The following are mentioned as one factor which can suppress generation|occurrence|production of chamfering. That is, based on the definition of the arithmetic mean song Spc of the mountain vertex described above, as shown in FIGS. 9A and 9B , the resin replica 20 (see FIG. 9A ) having a small arithmetic mean song Spc of the mountain vertex is Compared with the resin replica 20 (refer to Fig. 9B) having a large arithmetic mean grain Spc, the apex of the convex portion 20a becomes flat. As a result, it is thought that it is because the wall thickness of the convex part 20a functioning as a cut|disconnection protection wall becomes thick.

본 발명의 표면 처리 구리박은, 상기 에칭 후에 남겨진 수지 필름의 표면(즉, 수지 레플리카의 전사 표면)이, 산의 정점 밀도 Spd가 1.13×106mm-2 이상 1.50×106mm-2 이하인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 1.13×106mm-2 이상 1.40×106mm-2 이하, 더욱 바람직하게는 1.14×106mm-2 이상 1.30×106mm-2 이하, 특히 바람직하게는 1.15×106mm-2 이상 1.20×106mm-2 이하이다. 이러한 범위 내이면, 표면 처리 구리박의 처리 표면의 융기물을 적당한 수로 제어하여 분말 낙하의 발생을 효과적으로 억제하면서, SAP법의 에칭 공정에서의 깎임의 발생을 한층 더 억제할 수 있다. 즉, 전술한 바와 같이, 회로의 깎임은 수지 레플리카의 볼록부로 막을 수 있기 때문에, 볼록부가 높은 빈도로 존재하는 수지 레플리카쪽이, 깎임의 진행을 억제할 수 있다고 할 수 있다. 이 점에서, 전술한 산의 정점 밀도 Spd의 정의에 기초하면, 도 9a 및 9b에 나타낸 바와 같이, 산의 정점 밀도 Spd가 큰 수지 레플리카(20)(도 9a 참조)는, 산의 정점 밀도 Spd가 작은 수지 레플리카(20)(도 9b 참조)와 비교하여, 볼록부(20a)가 높은 빈도로 존재한다. 그 때문에, 깎임이 발생한 경우에도, 그 진행을 이른 단계에서 막을 수 있다고 생각된다.In the surface-treated copper foil of the present invention, the surface of the resin film remaining after the etching (that is, the transfer surface of the resin replica) has an acid peak density Spd of 1.13 × 10 6 mm -2 or more and 1.50 × 10 6 mm -2 or less. Preferably, more preferably 1.13×10 6 mm -2 or more and 1.40×10 6 mm -2 or less, still more preferably 1.14×10 6 mm -2 or more and 1.30×10 6 mm -2 or less, particularly preferably 1.15 ×10 6 mm -2 or more and 1.20×10 6 mm -2 or less. If it exists in such a range, generation|occurrence|production of the chamfering in the etching process of SAP method can be suppressed further, controlling the protrusion on the processing surface of surface-treated copper foil to an appropriate number, and suppressing generation|occurrence|production of powder fall effectively. That is, as described above, since chipping of the circuit can be prevented by the convex portions of the resin replica, it can be said that the resin replica in which the convex portions are present at a high frequency can suppress the progress of chamfering. In this regard, based on the definition of the peak density Spd of the mountain described above, as shown in Figs. 9A and 9B, the resin replica 20 (see Fig. 9A) having a large peak density Spd of the mountain has the peak density Spd of the mountain. Compared with the small resin replica 20 (see Fig. 9B), the convex portions 20a are present at a higher frequency. Therefore, it is thought that the progress can be prevented at an early stage even when chamfering generate|occur|produces.

본 발명의 표면 처리 구리박은, 상기 에칭 후에 남겨진 수지 필름의 표면(즉, 수지 레플리카의 전사 표면)이, 극점 높이 Sxp(㎛)에 대한 코어부의 실체 체적 Vmc(mL/m2)의 비인 Vmc/Sxp가 0.39 이상 0.44 이하인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 0.39 이상 0.43 이하, 더욱 바람직하게는 0.39 이상 0.42 이하, 특히 바람직하게는 0.39 이상 0.41 이하, 가장 바람직하게는 0.39 이상 0.40 이하이다. 이러한 범위 내이면, 표면 처리 구리박의 처리 표면의 융기물을 너무 가늘고 길지 않은 적당한 형상으로 제어하여, 표면 처리 구리박에 있어서의 융기물의 꺾임이나 탈락 등에 의한 분말 낙하의 발생을 효과적으로 억제하면서, SAP법의 에칭 공정에서의 깎임의 발생을 한층 더 억제할 수 있다. 또한, 기재와 회로의 밀착력을 증대시키는 것도 가능해진다. 즉, 전술한 바와 같이, 수지 레플리카의 볼록부는 에칭액의 침입을 막는 방호벽으로서 기능하는 바, 전술한 코어부의 실체 체적 Vmc의 정의에 기초하면, 코어부의 실체 체적 Vmc가 클수록 수지 레플리카의 볼록부도 커지고, 깎임이 한층 더 억제된다고 할 수 있다. 한편, 전술한 코어부의 실체 체적 Vmc 및 극점 높이 Sxp의 정의에 기초하면, 도 10a 및 10b에 나타낸 바와 같이, 코어부의 실체 체적 Vmc는 수지 레플리카(20)의 볼록부(20a)의 높이에도 의존하기 때문에, 볼록부(20a)의 높이에 관계되는 파라미터인 극점 높이 Sxp로 나눈 Vmc/Sxp를 비교함으로써, 볼록부(20a)의 높이를 일률적으로 정렬시킨 환산값으로서 볼록부(20a)의 크기를 평가할 수 있다. 또한, Vmc/Sxp를 크게 함으로써(예를 들어 0.39 이상), 회로(22)에 도입되는 수지 레플리카(20)의 볼록부(20a)의 면적도 커지기(즉, 회로(22)에 둘러싸여서 유지되는 수지량이 많아지기) 때문에, 앵커 효과의 향상에 의해, 기재와 회로의 밀착력도 증대된다.In the surface-treated copper foil of the present invention, the surface of the resin film remaining after the etching (ie, the transfer surface of the resin replica) is the ratio of the substantial volume Vmc (mL/m 2 ) of the core part to the pole height Sxp (μm) Vmc/ Sxp is preferably 0.39 or more and 0.44 or less, more preferably 0.39 or more and 0.43 or less, still more preferably 0.39 or more and 0.42 or less, particularly preferably 0.39 or more and 0.41 or less, and most preferably 0.39 or more and 0.40 or less. If it is within this range, controlling the bumps on the treated surface of the surface-treated copper foil to an appropriate shape that is not too thin and long, effectively suppressing the occurrence of powder fall due to the bending or dropping of the bumps in the surface-treated copper foil, while SAP It is possible to further suppress the occurrence of chipping in the etching process of the method. Moreover, it also becomes possible to increase the adhesive force of a base material and a circuit. That is, as described above, the convex portion of the resin replica functions as a barrier to prevent the intrusion of the etching solution. It can be said that shaving is further suppressed. On the other hand, based on the above-described definitions of the solid volume Vmc and the pole height Sxp of the core part, as shown in FIGS. 10A and 10B, the actual volume Vmc of the core part depends also on the height of the convex part 20a of the resin replica 20. Therefore, by comparing Vmc/Sxp divided by the pole height Sxp, which is a parameter related to the height of the convex part 20a, the size of the convex part 20a can be evaluated as a converted value in which the height of the convex part 20a is uniformly aligned. can Further, by increasing Vmc/Sxp (for example, 0.39 or more), the area of the convex portion 20a of the resin replica 20 introduced into the circuit 22 also increases (that is, the area of the convex portion 20a surrounded by the circuit 22 is maintained. amount of resin increases), so the adhesion between the substrate and the circuit is also increased by the improvement of the anchor effect.

표면 처리 구리박의 제조 방법Method for producing surface-treated copper foil

본 발명에 의한 표면 처리 구리박의 바람직한 제조 방법의 일례를 설명하지만, 본 발명에 의한 표면 처리 구리박은, 이하에 설명하는 방법에 한정되지 않고, 수지 필름 표면에 상술한 표면 프로파일을 부여 가능한 한, 모든 방법에 의해 제조된 것이어도 된다.Although an example of the preferable manufacturing method of the surface-treated copper foil by this invention is demonstrated, the surface-treated copper foil by this invention is not limited to the method demonstrated below, As long as it can provide the above-mentioned surface profile to the resin film surface, What was manufactured by any method may be sufficient.

(1) 구리박의 준비(1) Preparation of copper foil

표면 처리 구리박의 제조에 사용하는 구리박으로서, 전해 구리박 및 압연 구리박의 양쪽의 사용이 가능하다. 구리박의 두께는 특별히 한정되지 않지만, 0.1㎛ 이상 18㎛ 이하가 바람직하고, 보다 바람직하게는 0.5㎛ 이상 10㎛ 이하, 더욱 바람직하게는 0.5㎛ 이상 7㎛ 이하, 특히 바람직하게는 0.5㎛ 이상 5㎛ 이하, 가장 바람직하게는 0.5㎛ 이상 3㎛ 이하이다. 구리박이 캐리어 구비 구리박의 형태로 준비되는 경우에는, 구리박은 무전해 구리 도금법 및 전해 구리 도금법 등의 습식 성막법, 스퍼터링 및 화학 증착 등의 건식 성막법, 또는 그들의 조합에 의해 형성한 것이어도 된다.As copper foil used for manufacture of surface-treated copper foil, use of both electrolytic copper foil and rolled copper foil is possible. Although the thickness of copper foil is not specifically limited, 0.1 micrometer or more and 18 micrometers or less are preferable, More preferably, 0.5 micrometer or more and 10 micrometers or less, More preferably, 0.5 micrometer or more and 7 micrometers or less, Especially preferably, 0.5 micrometer or more 5 μm or less, and most preferably 0.5 μm or more and 3 μm or less. When the copper foil is prepared in the form of a copper foil with a carrier, the copper foil may be formed by a wet film forming method such as an electroless copper plating method and an electrolytic copper plating method, a dry film forming method such as sputtering and chemical vapor deposition, or a combination thereof. .

(2) 표면 처리(조화 처리)(2) Surface treatment (roughening treatment)

구리 입자를 사용하여 구리박의 적어도 한쪽 표면을 조화한다. 이 조화는 조화 처리용 구리 전해 용액을 사용한 전해에 의해 행해진다. 이 전해는 2단계 또는 3단계의 도금 공정을 거쳐서 행해지는 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 3단계의 도금 공정을 거쳐서 행해진다. 1단계째의 도금 공정에서는, 구리 농도 5g/L 이상 20g/L 이하, 황산 농도 30g/L 이상 200g/L 이하, 염소 농도 20mg/L 이상 100mg/L 이하 및 9-페닐아크리딘(9PA) 농도 20mg/L 이상 80mg/L 이하를 포함하는 황산구리 용액을 사용하여, 액온 20℃ 이상 40℃ 이하, 전류 밀도 5A/dm2 이상 25A/dm2 이하, 시간 2초 이상 10초 이하의 도금 조건에서 전착을 행하는 것이 바람직하다. 이 1단계째의 도금 공정은, 2개의 조를 사용하여 합계 2회 행해도 되지만, 합계 1회로 완료시키는 것이 바람직하다. 2단계째의 도금 공정에서는, 구리 농도 65g/L 이상 80g/L 이하 및 황산 농도 200g/L 이상 280g/L 이하를 포함하는 황산구리 용액을 사용하여, 액온 45℃ 이상 55℃ 이하, 전류 밀도 1A/dm2 이상 10A/dm2 이하, 시간 2초 이상 25초 이하의 도금 조건에서 전착을 행하는 것이 바람직하다. 3단계째의 도금 공정에서는, 구리 농도 10g/L 이상 20g/L 이하, 황산 농도 30g/L 이상 130g/L 이하, 염소 농도 20mg/L 이상 100mg/L 이하 및 9PA 농도 100mg/L 이상 200mg/L 이하를 포함하는 황산구리 용액을 사용하여, 액온 20℃ 이상 40℃ 이하, 전류 밀도 10A/dm2 이상 40A/dm2 이하, 시간 0.3초 이상 1.0초 이하의 도금 조건에서 전착을 행하는 것이 바람직하다. 특히, 1단계째의 도금 공정이 9PA 등의 첨가제 등을 사용하여 행해지는 것이 바람직하고, 1단계째의 도금 공정에서의 전기량 Q1과 2단계째의 도금 공정에서의 전기량 Q2의 합계 전기량(Q1+Q2)이 100C/dm2 이하가 되도록 설정하는 것이 바람직하다. 또한, 처리의 균일화 및 작업성의 점에서, 1단계째의 도금 공정에서의 정극 및 부극간의 거리가 45mm 이상 90mm 이하로 하는 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 50mm 이상 80mm 이하이다.At least one surface of the copper foil is roughened using copper particles. This roughening is performed by electrolysis using the copper electrolytic solution for a roughening process. This electrolysis is preferably performed through a two- or three-step plating process, and more preferably through a three-stage plating process. In the plating process of the first step, copper concentration of 5 g/L or more and 20 g/L or less, sulfuric acid concentration of 30 g/L or more and 200 g/L or less, chlorine concentration of 20 mg/L or more and 100 mg/L or less, and 9-phenylacridine (9PA) Using a copper sulfate solution containing a concentration of 20 mg/L or more and 80 mg/L or less, a liquid temperature of 20 ° C or more and 40 ° C or less, a current density of 5 A/dm 2 or more and 25 A/dm 2 or less, and a time of 2 seconds or more and 10 seconds or less It is preferable to perform electrodeposition. Although the plating process of this 1st stage may be performed twice in total using two tanks, it is preferable to complete it once in total. In the plating process of the 2nd step, a copper sulfate solution containing a copper concentration of 65 g/L or more and 80 g/L or less and a sulfuric acid concentration of 200 g/L or more and 280 g/L or less is used, the liquid temperature is 45°C or more and 55°C or less, and the current density is 1A/ to carry out the electrodeposition in dm 2 plating conditions of more than 10A / dm 2 or less, the time for 2 seconds or more than 25 seconds is preferred. In the plating process of the 3rd step, copper concentration of 10 g/L or more and 20 g/L or less, sulfuric acid concentration of 30 g/L or more and 130 g/L or less, chlorine concentration of 20 mg/L or more and 100 mg/L or less, and 9PA concentration of 100 mg/L or more and 200 mg/L or less It is preferable to use a copper sulfate solution containing the following to perform electrodeposition under plating conditions of a liquid temperature of 20°C or more and 40°C or less, a current density of 10A/dm 2 or more and 40A/dm 2 or less, and a time of 0.3 seconds or more and 1.0 second or less. In particular, it is preferable that the first-stage plating process be performed using an additive such as 9PA, and the total electric quantity of the electric quantity Q 1 in the first-stage plating process and the electric quantity Q 2 in the second-stage plating process ( Q 1 +Q 2 ) is preferably set to be 100C/dm 2 or less. Moreover, it is preferable that the distance between a positive electrode and a negative electrode in the plating process of a 1st stage set it as 45 mm or more and 90 mm or less, More preferably, it is 50 mm or more and 80 mm or less from the point of uniformity of a process and workability|operativity.

(3) 방청 처리(3) Anti-rust treatment

원한다면, 조화 처리 후의 구리박에 방청 처리를 실시해도 된다. 방청 처리는, 아연을 사용한 도금 처리를 포함하는 것이 바람직하다. 아연을 사용한 도금 처리는, 아연 도금 처리 및 아연 합금 도금 처리 중 어느 것이어도 되고, 아연 합금 도금 처리는 아연-니켈 합금 처리가 특히 바람직하다. 아연-니켈 합금 처리는 적어도 Ni 및 Zn을 포함하는 도금 처리이면 되고, Sn, Cr, Co 등의 다른 원소를 더 포함하고 있어도 된다. 아연-니켈 합금 도금에 있어서의 Ni/Zn 부착 비율은, 질량비로 1.2 이상 10 이하가 바람직하고, 보다 바람직하게는 2 이상 7 이하, 더욱 바람직하게는 2.7 이상 4 이하이다. 또한, 방청 처리는 크로메이트 처리를 더 포함하는 것이 바람직하고, 이 크로메이트 처리는 아연을 사용한 도금 처리 후에, 아연을 포함하는 도금의 표면에 행해지는 것이 보다 바람직하다. 이렇게 함으로써 방청성을 더욱 향상시킬 수 있다. 특히 바람직한 방청 처리는, 아연-니켈 합금 도금 처리와 그 후의 크로메이트 처리의 조합이다.If desired, you may give a rust prevention process to the copper foil after a roughening process. It is preferable that a rust prevention process includes the plating process using zinc. The plating treatment using zinc may be either a zinc plating treatment or a zinc alloy plating treatment, and the zinc alloy plating treatment is particularly preferably a zinc-nickel alloy treatment. The zinc-nickel alloy treatment may be a plating treatment containing at least Ni and Zn, and may further contain other elements such as Sn, Cr, and Co. As for the Ni/Zn adhesion ratio in zinc-nickel alloy plating, 1.2 or more and 10 or less are preferable in mass ratio, More preferably, they are 2 or more and 7 or less, More preferably, they are 2.7 or more and 4 or less. Moreover, it is preferable that a rust prevention process further includes a chromate process, It is more preferable that this chromate process is performed on the surface of the plating containing zinc after the plating process using zinc. By doing in this way, rust prevention property can further be improved. A particularly preferable antirust treatment is a combination of a zinc-nickel alloy plating treatment and a subsequent chromate treatment.

(4) 실란 커플링제 처리(4) Silane coupling agent treatment

원한다면, 구리박에 실란 커플링제 처리를 실시하여, 실란 커플링제층을 형성해도 된다. 이에 의해 내습성, 내약품성 및 접착제 등과의 밀착성 등을 향상시킬 수 있다. 실란 커플링제층은 실란 커플링제를 적절히 희석하여 도포하고, 건조시킴으로써 형성할 수 있다. 실란 커플링제의 예로서는, 4-글리시딜부틸트리메톡시실란, 3-글리시독시프로필트리메톡시실란 등의 에폭시 관능성 실란 커플링제, 또는 3-아미노프로필트리에톡시실란, N-2(아미노에틸)3-아미노프로필트리메톡시실란, N-3-(4-(3-아미노프로폭시)부톡시)프로필-3-아미노프로필트리메톡시실란, N-페닐-3-아미노프로필트리메톡시실란 등의 아미노 관능성 실란 커플링제, 또는 3-머캅토프로필트리메톡시실란 등의 머캅토 관능성 실란 커플링제, 또는 비닐트리메톡시실란, 비닐페닐트리메톡시실란 등의 올레핀 관능성 실란 커플링제, 또는 3-메타크릴옥시프로필트리메톡시실란 등의 아크릴 관능성 실란 커플링제, 또는 이미다졸실란 등의 이미다졸 관능성 실란 커플링제, 또는 트리아진 실란 등의 트리아진 관능성 실란 커플링제 등을 들 수 있다.If desired, a silane coupling agent process may be given to copper foil, and a silane coupling agent layer may be formed. Thereby, moisture resistance, chemical resistance, adhesiveness with an adhesive, etc. can be improved. A silane coupling agent layer can be formed by suitably diluting a silane coupling agent, apply|coating, and drying. Examples of the silane coupling agent include an epoxy functional silane coupling agent such as 4-glycidylbutyltrimethoxysilane and 3-glycidoxypropyltrimethoxysilane, or 3-aminopropyltriethoxysilane, N-2 ( Aminoethyl) 3-aminopropyltrimethoxysilane, N-3-(4-(3-aminopropoxy)butoxy)propyl-3-aminopropyltrimethoxysilane, N-phenyl-3-aminopropyltrime Amino functional silane coupling agent such as toxysilane, or mercapto functional silane coupling agent such as 3-mercaptopropyltrimethoxysilane, or olefin functional silane such as vinyltrimethoxysilane or vinylphenyltrimethoxysilane A coupling agent or an acrylic functional silane coupling agent such as 3-methacryloxypropyltrimethoxysilane, or an imidazole functional silane coupling agent such as imidazole silane, or a triazine functional silane coupling agent such as triazine silane and the like.

캐리어 구비 구리박Copper foil with carrier

본 발명의 표면 처리 구리박은 캐리어 구비 구리박의 형태로 제공할 수 있다. 이 경우, 캐리어 구비 구리박은 캐리어와, 이 캐리어 상에 마련된 박리층과, 이 박리층 상에 처리 표면(전형적으로는 조화 처리면)을 외측으로 하여 마련된 본 발명의 표면 처리 구리박을 구비하여 이루어진다. 무엇보다, 캐리어 구비 구리박은, 본 발명의 표면 처리 구리박을 사용하는 것 이외에는, 공지된 층 구성이 채용 가능하다.The surface-treated copper foil of this invention can be provided in the form of copper foil with a carrier. In this case, copper foil with a carrier is equipped with a carrier, the peeling layer provided on this carrier, and the surface-treated copper foil of this invention provided on this peeling layer with a process surface (typically a roughening process surface) turned outward. . Above all, as for copper foil with a carrier, a well-known laminated constitution is employable except using the surface-treated copper foil of this invention.

캐리어는, 표면 처리 구리박을 지지하여 그 핸들링성을 향상시키기 위한 층(전형적으로는 박)이다. 캐리어의 예로서는, 알루미늄박, 구리박, 표면을 구리 등으로 메탈 코팅한 수지 필름이나 유리판 등을 들 수 있고, 바람직하게는 구리박이다. 구리박은 압연 구리박 및 전해 구리박 중 어느 것이어도 된다. 캐리어의 두께는 전형적으로는 200㎛ 이하이고, 바람직하게는 12㎛ 이상 35㎛ 이하이다.A carrier is a layer (typically foil) for supporting surface-treated copper foil and improving the handling property. As an example of a carrier, aluminum foil, copper foil, the resin film and glass plate etc. which metal-coated the surface with copper etc. are mentioned, Preferably it is copper foil. Any of a rolled copper foil and an electrolytic copper foil may be sufficient as copper foil. The thickness of the carrier is typically 200 µm or less, and preferably 12 µm or more and 35 µm or less.

캐리어의 박리층측의 면은, 0.5㎛ 이상 1.5㎛ 이하의 10점 표면 조도 Rz를 갖는 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 0.6㎛ 이상 1.0㎛ 이하이다. Rz는 JIS B 0601-1994에 준거하여 결정할 수 있다. 이러한 10점 표면 조도 Rz를 캐리어의 박리층측의 면에 부여해둠으로써, 그 위에 박리층을 개재하여 제작되는 본 발명의 표면 처리 구리박에 바람직한 표면 프로파일을 부여하기 쉽게 할 수 있다.It is preferable that the surface by the side of the peeling layer of a carrier has 10-point surface roughness Rz of 0.5 micrometer or more and 1.5 micrometers or less, More preferably, they are 0.6 micrometer or more and 1.0 micrometer or less. Rz can be determined based on JIS B 0601-1994. By providing such 10-point surface roughness Rz to the surface by the side of the peeling layer of a carrier, it can be made easy to provide a preferable surface profile to the surface-treated copper foil of this invention produced through a peeling layer on it.

박리층은 캐리어의 박리 강도를 약하게 하고, 해당 강도의 안정성을 담보하며, 나아가 고온에서의 프레스 성형 시에 캐리어와 구리박 사이에 일어날 수 있는 상호 확산을 억제하는 기능을 갖는 층이다. 박리층은 캐리어의 한쪽 면에 형성되는 것이 일반적이지만, 양면에 형성되어도 된다. 박리층은 유기 박리층 및 무기 박리층 중 어느 것이어도 된다. 유기 박리층에 사용되는 유기 성분의 예로서는, 질소 함유 유기 화합물, 황 함유 유기 화합물, 카르복실산 등을 들 수 있다. 질소 함유 유기 화합물의 예로서는, 트리아졸 화합물, 이미다졸 화합물 등을 들 수 있고, 그 중에서 트리아졸 화합물은 박리성이 안정되기 쉬운 점에서 바람직하다. 트리아졸 화합물의 예로서는, 1,2,3-벤조트리아졸, 카르복시벤조트리아졸, N',N'-비스(벤조트리아졸릴메틸)우레아, 1H-1,2,4-트리아졸 및 3-아미노-1H-1,2,4-트리아졸 등을 들 수 있다. 황 함유 유기 화합물의 예로서는, 머캅토벤조티아졸, 티오시아누르산, 2-벤즈이미다졸티올 등을 들 수 있다. 카르복실산의 예로서는, 모노카르복실산, 디카르복실산 등을 들 수 있다. 한편, 무기 박리층에 사용되는 무기 성분의 예로서는, Ni, Mo, Co, Cr, Fe, Ti, W, P, Zn, 크로메이트 처리막 등을 들 수 있다. 또한, 박리층의 형성은 캐리어의 적어도 한쪽 표면에 박리층 성분 함유 용액을 접촉시켜, 박리층 성분을 캐리어의 표면에 고정시키는 것 등에 의해 행하면 된다. 캐리어의 박리층 성분 함유 용액에의 접촉은, 박리층 성분 함유 용액에의 침지, 박리층 성분 함유 용액의 분무, 박리층 성분 함유 용액의 유하 등에 의해 행하면 된다. 또한, 박리층 성분의 캐리어 표면에의 고정은, 박리층 성분 함유 용액의 흡착이나 건조, 박리층 성분 함유 용액 중의 박리층 성분의 전착 등에 의해 행하면 된다. 박리층의 두께는 전형적으로는 1nm 이상 1㎛ 이하이고, 바람직하게는 5nm 이상 500nm 이하이다.The release layer is a layer having a function of weakening the peel strength of the carrier, guaranteeing the stability of the strength, and further suppressing the interdiffusion that may occur between the carrier and the copper foil during press molding at high temperatures. The release layer is generally formed on one side of the carrier, but may be formed on both sides. The release layer may be either an organic release layer or an inorganic release layer. Examples of the organic component used for the organic release layer include nitrogen-containing organic compounds, sulfur-containing organic compounds, and carboxylic acids. A triazole compound, an imidazole compound, etc. are mentioned as an example of a nitrogen-containing organic compound, Among them, a triazole compound is preferable at the point which peelability is easy to stabilize. Examples of the triazole compound include 1,2,3-benzotriazole, carboxybenzotriazole, N',N'-bis(benzotriazolylmethyl)urea, 1H-1,2,4-triazole and 3-amino -1H-1,2,4-triazole and the like. Examples of the sulfur-containing organic compound include mercaptobenzothiazole, thiocyanuric acid, and 2-benzimidazolethiol. Monocarboxylic acid, dicarboxylic acid, etc. are mentioned as an example of carboxylic acid. On the other hand, as an example of the inorganic component used for an inorganic peeling layer, Ni, Mo, Co, Cr, Fe, Ti, W, P, Zn, a chromate-treated film, etc. are mentioned. The release layer may be formed by, for example, bringing the release layer component-containing solution into contact with at least one surface of the carrier and fixing the release layer component to the surface of the carrier. The carrier may be brought into contact with the release layer component-containing solution by immersion in the release layer component-containing solution, spraying the release layer component-containing solution, flowing down the release layer component-containing solution, or the like. The release layer component may be fixed to the carrier surface by adsorption or drying of the release layer component-containing solution, electrodeposition of the release layer component in the release layer component-containing solution, or the like. The thickness of the release layer is typically 1 nm or more and 1 µm or less, and preferably 5 nm or more and 500 nm or less.

표면 처리 구리박으로서는, 상술한 본 발명의 표면 처리 구리박을 사용한다. 본 발명의 조화 처리는 구리 입자를 사용한 조화가 실시된 것이지만, 수순으로서는, 우선 박리층의 표면에 구리층을 구리박으로서 형성하고, 그 후 적어도 조화를 행하면 된다. 조화의 상세에 대하여는 전술한 바와 같다. 또한, 구리박은 캐리어 구비 구리박으로서의 이점을 살리기 위해, 극박 구리박의 형태로 구성되는 것이 바람직하다. 극박 구리박으로서의 바람직한 두께는 0.1㎛ 이상 7㎛ 이하이고, 보다 바람직하게는 0.5㎛ 이상 5㎛ 이하, 더욱 바람직하게는 0.5㎛ 이상 3㎛ 이하이다.As surface-treated copper foil, the surface-treated copper foil of this invention mentioned above is used. Although the roughening process using a copper particle was performed, the roughening process of this invention forms a copper layer as copper foil on the surface of a peeling layer first as a procedure, What is necessary is just to roughen at least after that. The details of harmony are the same as described above. Moreover, in order that copper foil may make use of the advantage as copper foil with a carrier, it is preferable to be comprised in the form of ultra-thin copper foil. Preferred thickness as an ultra-thin copper foil is 0.1 micrometer or more and 7 micrometers or less, More preferably, they are 0.5 micrometer or more and 5 micrometers or less, More preferably, they are 0.5 micrometer or more and 3 micrometers or less.

박리층과 캐리어 및/또는 구리박 사이에 다른 기능층을 마련해도 된다. 그러한 다른 기능층의 예로서는 보조 금속층을 들 수 있다. 보조 금속층은 니켈 및/또는 코발트를 포함하는 것이 바람직하다. 보조 금속층의 두께는, 0.001㎛ 이상 3㎛ 이하로 하는 것이 바람직하다.You may provide another functional layer between a peeling layer and a carrier and/or copper foil. An example of such another functional layer is an auxiliary metal layer. The auxiliary metal layer preferably includes nickel and/or cobalt. The thickness of the auxiliary metal layer is preferably 0.001 µm or more and 3 µm or less.

동장 적층판copper clad laminate

본 발명의 표면 처리 구리박 내지 캐리어 구비 구리박은 프린트 배선판용 동장 적층판의 제작에 사용되는 것이 바람직하다. 즉, 본 발명의 바람직한 양태에 의하면, 상기 표면 처리 구리박 또는 상기 캐리어 구비 구리박을 구비한 동장 적층판이 제공된다. 본 발명의 표면 처리 구리박 내지 캐리어 구비 구리박을 사용함으로써, SAP법에 특히 적합한 동장 적층판을 제공할 수 있다. 이 동장 적층판은, 본 발명의 표면 처리 구리박과, 이 표면 처리 구리박의 조화 처리면에 밀착하여 마련되는 수지층을 구비하여 이루어지거나, 혹은 본 발명의 캐리어 구비 구리박과, 이 캐리어 구비 구리박에 있어서의 표면 처리 구리박의 조화 처리면에 밀착하여 마련되는 수지층을 구비하여 이루어진다. 표면 처리 구리박 또는 캐리어 구비 구리박은 수지층의 편면에 마련되어도 되고, 양면에 마련되어도 된다. 수지층은 수지, 바람직하게는 절연성 수지를 포함하여 이루어진다. 수지층은 프리프레그 및/또는 수지 시트인 것이 바람직하다. 프리프레그란, 합성 수지판, 유리판, 유리 직포, 유리 부직포, 종이 등의 기재에 합성 수지를 함침시킨 복합 재료의 총칭이다. 절연성 수지의 바람직한 예로서는, 에폭시 수지, 시아네이트 수지, 비스말레이미드 트리아진 수지(BT 수지), 폴리페닐렌에테르 수지, 페놀 수지 등을 들 수 있다. 또한, 수지 시트를 구성하는 절연성 수지의 예로서는, 에폭시 수지, 폴리이미드 수지, 폴리에스테르 수지 등의 절연 수지를 들 수 있다. 또한, 수지층에는 절연성을 향상시키는 등의 관점에서 실리카, 알루미나 등의 각종 무기 입자를 포함하는 필러 입자 등이 함유되어 있어도 된다. 수지층의 두께는 특별히 한정되지 않지만, 1㎛ 이상 1000㎛ 이하가 바람직하고, 보다 바람직하게는 2㎛ 이상 400㎛ 이하이고, 더욱 바람직하게는 3㎛ 이상 200㎛ 이하이다. 수지층은 복수의 층으로 구성되어 있어도 된다. 프리프레그 및/또는 수지 시트 등의 수지층은 미리 표면 처리 구리박의 조화 처리 표면에 도포되는 프라이머 수지층을 개재하여 표면 처리 구리박 내지 캐리어 구비 구리박에 마련되어 있어도 된다.It is preferable that the surface-treated copper foil thru|or copper foil with a carrier of this invention is used for preparation of the copper clad laminated board for printed wiring boards. That is, according to the preferable aspect of this invention, the copper clad laminated board provided with the said surface-treated copper foil or the said copper foil with a carrier is provided. By using the surface-treated copper foil thru|or copper foil with a carrier of this invention, the copper clad laminated board suitable especially for SAP method can be provided. This copper clad laminated board is provided with the surface-treated copper foil of this invention, and the resin layer provided in close contact with the roughening process surface of this surface-treated copper foil, Or the copper foil with a carrier of this invention, and this copper with a carrier A resin layer provided in close contact with the roughened surface of the surface-treated copper foil in foil is provided. Surface-treated copper foil or copper foil with a carrier may be provided in the single side|surface of a resin layer, and may be provided in both surfaces. The resin layer comprises a resin, preferably an insulating resin. The resin layer is preferably a prepreg and/or a resin sheet. A prepreg is a generic term for composite materials in which a synthetic resin is impregnated into a base material such as a synthetic resin plate, a glass plate, a glass woven fabric, a glass nonwoven fabric, and paper. Preferred examples of the insulating resin include an epoxy resin, a cyanate resin, a bismaleimide triazine resin (BT resin), a polyphenylene ether resin, and a phenol resin. Moreover, as an example of insulating resin which comprises a resin sheet, insulating resin, such as an epoxy resin, a polyimide resin, and a polyester resin, is mentioned. Moreover, the filler particle etc. containing various inorganic particles, such as a silica and an alumina, from a viewpoint of improving insulation etc. may be contained in a resin layer. Although the thickness of a resin layer is not specifically limited, 1 micrometer or more and 1000 micrometers or less are preferable, More preferably, they are 2 micrometers or more and 400 micrometers or less, More preferably, they are 3 micrometers or more and 200 micrometers or less. The resin layer may be constituted by a plurality of layers. Resin layers, such as a prepreg and/or a resin sheet, may be provided in the surface-treated copper foil thru|or copper foil with a carrier via the primer resin layer previously apply|coated to the roughening process surface of surface-treated copper foil.

프린트 배선판printed wiring board

본 발명의 표면 처리 구리박 내지 캐리어 구비 구리박은 프린트 배선판의 제작에 사용되는 것이 바람직하고, 특히 바람직하게는 세미애디티브법(SAP)에 의한 프린트 배선판의 제작에 사용된다. 즉, 본 발명의 바람직한 양태에 의하면, 전술한 표면 처리 구리박 또는 상기 캐리어 구비 구리박을 사용하여 프린트 배선판을 제조하는 것을 특징으로 하는, 프린트 배선판의 제조 방법, 혹은 전술한 표면 처리 구리박 또는 상기 캐리어 구비 구리박을 사용하여 얻어진 프린트 배선판이 제공된다. 본 발명의 표면 처리 구리박 내지 캐리어 구비 구리박을 사용함으로써, 상술한 표면 프로파일을 적층체에 부여할 수 있고, 프린트 배선판 제조의 일 공정인 에칭 공정에 있어서, 깎임을 효과적으로 억제하는 것이 가능해진다. 본 형태에 의한 프린트 배선판은, 수지층과, 구리층이 적층된 층 구성을 포함하여 이루어진다. SAP법의 경우에는 본 발명의 표면 처리 구리박은 도 1의 공정 (c)에 있어서 제거되기 때문에, SAP법에 의해 제작된 프린트 배선판은 본 발명의 표면 처리 구리박을 이제는 포함하지 않고, 표면 처리 구리박의 조화 처리면으로부터 전사된 표면 프로파일이 잔존할 뿐이다. 또한, 수지층에 대하여는 동장 적층판에 관하여 전술한 바와 같다. 어떻든간에, 프린트 배선판은 공지된 층 구성이 채용 가능하다. 프린트 배선판에 관한 구체예로서는, 프리프레그의 편면 또는 양면에 본 발명의 표면 처리 구리박 내지 캐리어 구비 구리박을 접착시켜 경화한 적층체로 한 후에 회로 형성한 편면 또는 양면 프린트 배선판이나, 이들을 다층화한 다층 프린트 배선판 등을 들 수 있다. 또한, 기타 구체예로서는, 수지 필름 상에 본 발명의 표면 처리 구리박 내지 캐리어 구비 구리박을 형성하여 회로를 형성하는 플렉시블 프린트 배선판, COF, TAB 테이프 등도 들 수 있다. 또 다른 구체예로서는, 본 발명의 표면 처리 구리박 내지 캐리어 구비 구리박에 상술한 수지층을 도포한 수지 구비 구리박(RCC)을 형성하고, 수지층을 절연 접착재층으로서 상술한 프린트 기판에 적층한 후, 표면 처리 구리박을 배선층의 전부 또는 일부로서 모디파이드 세미애디티브(MSAP)법, 서브트랙티브법 등의 방법으로 회로를 형성한 빌드업 배선판이나, 표면 처리 구리박을 제거하여 세미애디티브(SAP)법으로 회로를 형성한 빌드업 배선판, 반도체 집적 회로 상에 수지 구비 구리박의 적층과 회로 형성을 교대로 반복하는 다이렉트·빌드업·온·웨이퍼 등을 들 수 있다. 보다 발전적인 구체예로서, 상기 수지 구비 구리박을 기재에 적층하여 회로 형성한 안테나 소자, 접착제층을 개재하여 유리나 수지 필름에 적층하여 패턴을 형성한 패널·디스플레이용 전자 재료나 창 유리용 전자 재료, 본 발명의 표면 처리 구리박에 도전성 접착제를 도포한 전자파 실드·필름 등도 들 수 있다. 특히, 본 발명의 표면 처리 구리박 내지 캐리어 구비 구리박은 SAP법에 적합하다. 예를 들어, SAP법에 의해 회로 형성한 경우에는 도 1 및 2에 나타낸 바와 같은 구성이 채용 가능하다.It is preferable that the surface-treated copper foil thru|or copper foil with a carrier of this invention is used for manufacture of a printed wiring board, Especially preferably, it is used for manufacture of the printed wiring board by a semi-additive method (SAP). That is, according to a preferred aspect of the present invention, a printed wiring board is manufactured using the above-described surface-treated copper foil or the copper foil with a carrier, a method for manufacturing a printed wiring board, or the above-mentioned surface-treated copper foil or the above The printed wiring board obtained using copper foil with a carrier is provided. By using the surface-treated copper foil thru|or copper foil with a carrier of this invention, the above-mentioned surface profile can be provided to a laminated body, and the etching process which is one process of printed wiring board manufacture WHEREIN: It becomes possible to suppress chamfering effectively. The printed wiring board by this aspect consists of the laminated constitution in which the resin layer and the copper layer were laminated|stacked. In the case of the SAP method, since the surface-treated copper foil of the present invention is removed in the step (c) of Fig. 1, the printed wiring board produced by the SAP method no longer contains the surface-treated copper foil of the present invention, and the surface-treated copper Only the surface profile transferred from the roughened surface of the foil remains. In addition, about a resin layer, it is as above-mentioned about a copper clad laminated board. In any case, as for a printed wiring board, a well-known layer structure is employable. Specific examples of the printed wiring board include a single-sided or double-sided printed wiring board in which a circuit is formed after bonding the surface-treated copper foil or copper foil with a carrier of the present invention to one or both sides of the prepreg to obtain a cured laminate, and a multilayered printed circuit board with these A wiring board etc. are mentioned. Moreover, as another specific example, the flexible printed wiring board, COF, TAB tape, etc. which form the surface-treated copper foil of this invention thru|or the copper foil with a carrier on a resin film to form a circuit are mentioned. As another specific example, a copper foil with resin (RCC) in which the above-described resin layer is applied to the surface-treated copper foil or copper foil with a carrier of the present invention is formed, and the resin layer is laminated on the above-described printed circuit board as an insulating adhesive layer. Then, a build-up wiring board in which a circuit is formed by a modified semi-additive (MSAP) method, a subtractive method, etc. as all or a part of the surface-treated copper foil as a wiring layer, or a semi-additive by removing the surface-treated copper foil A buildup wiring board in which a circuit is formed by the (SAP) method, and a direct buildup on a wafer in which lamination of a copper foil with resin and circuit formation are alternately repeated on a semiconductor integrated circuit. As a more advanced specific example, an antenna element formed by laminating the copper foil with resin on a substrate to form a circuit, an electronic material for panel/display electronic material or window glass electronic material in which a pattern is formed by laminating on glass or a resin film through an adhesive layer , the electromagnetic shielding film etc. which apply|coated the conductive adhesive to the surface-treated copper foil of this invention are also mentioned. In particular, the surface-treated copper foil of this invention thru|or the copper foil with a carrier is suitable for SAP method. For example, when a circuit is formed by the SAP method, the structure as shown in FIGS. 1 and 2 is employable.

수지 기재resin substrate

본 발명의 바람직한 양태에 의하면, 적어도 한쪽 표면이, ISO25178에 준거하여 측정되는 스큐니스 Ssk가 -0.6 이하인, 수지 기재가 제공된다. 이 수지 기재는, 본 발명의 표면 처리 구리박의 표면 형상이 전사된 수지 레플리카에 상당하는 것이다. 따라서, 상술한 표면 처리 구리박의 표면 형상이 전사된 수지 레플리카의 바람직한 형태(스큐니스 Ssk, 산 정점의 산술 평균 곡 Spc, 산의 정점 밀도 Spd 및 극점 높이 Sxp에 대한 코어부의 실체 체적 Vmc의 비 Vmc/Sxp의 각 파라미터)는, 본 형태의 수지 기재에도 그대로 적합하다. 수지 기재는 수지, 바람직하게는 절연성 수지를 포함하여 이루어진다. 수지 기재는 프리프레그 및/또는 수지 시트인 것이 바람직하다. 프리프레그란, 합성 수지판, 유리판, 유리 직포, 유리 부직포, 종이 등의 기재에 합성 수지를 함침시킨 복합 재료의 총칭이다. 절연성 수지의 바람직한 예로서는, 에폭시 수지, 시아네이트 수지, 비스말레이미드 트리아진 수지(BT 수지), 폴리페닐렌에테르 수지, 페놀 수지 등을 들 수 있다. 또한, 수지 기재를 구성하는 절연성 수지의 예로서는, 에폭시 수지, 폴리이미드 수지, 폴리에스테르 수지 등의 절연 수지를 들 수 있다. 또한, 수지 기재에는 절연성을 향상시키는 등의 관점에서, 실리카, 알루미나 등의 각종 무기 입자를 포함하는 필러 입자 등이 함유되어 있어도 된다. 수지 기재의 두께는 특별히 한정되지 않지만, 1㎛ 이상 1000㎛ 이하가 바람직하고, 보다 바람직하게는 2㎛ 이상 400㎛ 이하이고, 더욱 바람직하게는 3㎛ 이상 200㎛ 이하이다. 수지 기재는 복수의 층으로 구성되어 있어도 된다. 본 발명의 수지 기재는 SAP법에 의한 프린트 배선판의 제작에 있어서의 출발 재료 내지 중간 제품으로서 바람직하게 사용할 수 있다.According to a preferred aspect of the present invention, there is provided a resin substrate in which at least one surface has a skewness Ssk measured in accordance with ISO25178 of -0.6 or less. This resin base material corresponds to the resin replica to which the surface shape of the surface-treated copper foil of this invention was transcribe|transferred. Therefore, the preferred form of the resin replica to which the surface shape of the surface-treated copper foil is transferred (skewness Ssk, the arithmetic mean grain Spc of the peaks, the density of the peaks of the peaks Spd, and the ratio of the actual volume Vmc of the core part to the height of the poles Sxp) Each parameter of Vmc/Sxp) is suitable as it is also for the resin base material of this form. The resin substrate comprises a resin, preferably an insulating resin. The resin substrate is preferably a prepreg and/or a resin sheet. A prepreg is a generic term for composite materials in which a synthetic resin is impregnated into a base material such as a synthetic resin plate, a glass plate, a glass woven fabric, a glass nonwoven fabric, and paper. Preferred examples of the insulating resin include an epoxy resin, a cyanate resin, a bismaleimide triazine resin (BT resin), a polyphenylene ether resin, and a phenol resin. Moreover, as an example of insulating resin which comprises a resin base material, insulating resins, such as an epoxy resin, a polyimide resin, and a polyester resin, are mentioned. Moreover, the filler particle etc. containing various inorganic particles, such as a silica and an alumina, from a viewpoint of improving insulation etc. may be contained in the resin base material. Although the thickness of a resin base material is not specifically limited, 1 micrometer or more and 1000 micrometers or less are preferable, More preferably, they are 2 micrometers or more and 400 micrometers or less, More preferably, they are 3 micrometers or more and 200 micrometers or less. The resin substrate may be constituted by a plurality of layers. The resin substrate of the present invention can be preferably used as a starting material or an intermediate product in the production of a printed wiring board by the SAP method.

실시예Example

본 발명을 이하의 예에 의해 더욱 구체적으로 설명한다.The present invention will be more specifically described by way of the following examples.

예 1 내지 6Examples 1 to 6

캐리어 구비 구리박 및 수지 레플리카의 제작 및 평가를 이하와 같이 행하였다.Preparation and evaluation of copper foil with a carrier and a resin replica were performed as follows.

(1) 캐리어의 제작(1) Preparation of carrier

음극으로서 표면을 #2000의 버프로 연마한 티타늄제의 전극을 준비하였다. 또한, 양극으로서 DSA(치수 안정성 양극)를 준비하였다. 이들 전극을 사용하여, 구리 농도 80g/L, 황산 농도 260g/L의 황산구리 용액에 침지시키고, 용액 온도 45℃, 전류 밀도 55A/dm2에서 전해하여, 두께 18㎛의 전해 구리박을 캐리어로서 얻었다.As a cathode, an electrode made of titanium whose surface was polished with a #2000 buff was prepared. In addition, DSA (dimensionally stable positive electrode) was prepared as the positive electrode. These electrodes were immersed in a copper sulfate solution having a copper concentration of 80 g/L and a sulfuric acid concentration of 260 g/L, and electrolysis was performed at a solution temperature of 45° C. and a current density of 55 A/dm 2 to obtain an electrolytic copper foil having a thickness of 18 μm as a carrier. .

(2) 박리층의 형성(2) Formation of a release layer

산세 처리된 캐리어의 전극면측을, CBTA(카르복시벤조트리아졸) 농도 1g/L, 황산 농도 150g/L 및 구리 농도 10g/L의 CBTA 수용액에, 액온 30℃에서 30초간 침지하고, CBTA 성분을 캐리어의 전극면에 흡착시켰다. 이렇게 하여, 캐리어의 전극면의 표면에 CBTA층을 유기 박리층으로서 형성하였다.The electrode surface side of the carrier subjected to pickling is immersed in a CBTA aqueous solution having a CBTA (carboxybenzotriazole) concentration of 1 g/L, a sulfuric acid concentration of 150 g/L and a copper concentration of 10 g/L at a liquid temperature of 30° C. for 30 seconds, and the CBTA component is added to the carrier adsorbed to the electrode surface of In this way, a CBTA layer was formed as an organic peeling layer on the surface of the electrode surface of the carrier.

(3) 보조 금속층의 형성(3) Formation of auxiliary metal layer

유기 박리층이 형성된 캐리어를, 황산니켈을 사용하여 제작된 니켈 농도 20g/L의 용액에 침지시키고, 액온 45℃, pH 3, 전류 밀도 5A/dm2의 조건에서, 두께 0.001㎛ 상당의 부착량의 니켈을 유기 박리층 상에 부착시켰다. 이렇게 하여 유기 박리층 상에 니켈층을 보조 금속층으로서 형성하였다.The carrier on which the organic release layer was formed was immersed in a solution having a nickel concentration of 20 g/L prepared using nickel sulfate, and under the conditions of a liquid temperature of 45° C., pH 3, and a current density of 5 A/dm 2 , an adhesion amount corresponding to a thickness of 0.001 μm Nickel was deposited on the organic release layer. In this way, a nickel layer was formed as an auxiliary metal layer on the organic release layer.

(4) 극박 구리박 형성(4) Formation of ultra-thin copper foil

보조 금속층이 형성된 캐리어를, 구리 농도 60g/L, 황산 농도 200g/L의 황산구리 용액에 침지시키고, 용액 온도 50℃, 전류 밀도 5A/dm2 이상 30A/dm2 이하에서 전해하여, 두께 1.2㎛의 극박 구리박을 보조 금속층 상에 형성하였다.The carrier on which the auxiliary metal layer is formed is immersed in a copper sulfate solution having a copper concentration of 60 g/L and a sulfuric acid concentration of 200 g/L, and electrolyzed at a solution temperature of 50° C. and a current density of 5 A/dm 2 or more and 30 A/dm 2 or less, and has a thickness of 1.2 μm. An ultra-thin copper foil was formed on the auxiliary metal layer.

(5) 조화 처리(5) Harmonization processing

상술한 극박 구리박의 석출면에 대하여 조화 처리를 행하였다. 이 조화 처리는, 1단계째의 도금은 2회로 나누어 행하였다. 각 단계의 도금 공정에서는, 표 1에 나타내는 구리 농도, 황산 농도, 염소 농도 및 9-페닐아크리딘(9PA) 농도를 갖는 황산구리 용액을 사용하고, 표 1에 나타내는 액온에서, 표 2에 나타내는 전류 밀도 및 시간에서 전착을 행하였다. 1단계째의 도금 처리에 있어서의 정극 및 부극간의 거리는 50mm 이상 80mm 이하로 하였다. 이렇게 하여 예 1로부터 예 6까지의 6종류의 조화 처리 구리박을 제작하였다.The roughening process was performed with respect to the precipitation surface of the ultra-thin copper foil mentioned above. In this roughening process, the plating of the 1st stage divided into 2 times, and was performed. In the plating process of each step, a copper sulfate solution having the copper concentration, sulfuric acid concentration, chlorine concentration, and 9-phenylacridine (9PA) concentration shown in Table 1 is used, and at the liquid temperature shown in Table 1, the current shown in Table 2 Electrodeposition was done at density and time. The distance between the positive electrode and the negative electrode in the plating process of the 1st stage was made into 50 mm or more and 80 mm or less. In this way, six types of roughening process copper foil from Example 1 to Example 6 were produced.

Figure pct00001
Figure pct00001

Figure pct00002
Figure pct00002

(6) 방청 처리(6) Anti-rust treatment

얻어진 캐리어 구비 구리박의 조화 처리층의 표면에, 아연-니켈 합금 도금 처리 및 크로메이트 처리를 포함하는 방청 처리를 행하였다. 먼저, 아연 농도 0.2g/L, 니켈 농도 2g/L 및 피로인산칼륨 농도 300g/L의 전해액을 사용하고, 액온 40℃, 전류 밀도 0.5A/dm2의 조건에서, 조화 처리층 및 캐리어의 표면에 아연-니켈 합금 도금 처리를 행하였다. 이어서, 크롬산 1g/L 수용액을 사용하고, pH 11, 액온 25℃, 전류 밀도 1A/dm2의 조건에서, 아연-니켈 합금 도금 처리를 행한 표면에 크로메이트 처리를 행하였다.The surface of the roughening process layer of the obtained copper foil with a carrier was given the rust prevention process containing a zinc- nickel alloy plating process and a chromate process. First, an electrolytic solution having a zinc concentration of 0.2 g/L, a nickel concentration of 2 g/L, and a potassium pyrophosphate concentration of 300 g/L is used, and under the conditions of a liquid temperature of 40° C. and a current density of 0.5 A/dm 2 , the roughening treatment layer and the surface of the carrier was subjected to zinc-nickel alloy plating treatment. Next, using a 1 g/L aqueous solution of chromic acid, chromate treatment was performed on the zinc-nickel alloy plating surface under the conditions of pH 11, liquid temperature 25° C., and current density 1 A/dm 2 .

(7) 실란 커플링제 처리(7) Silane coupling agent treatment

3-아미노프로필트리메톡시실란 3g/L를 포함하는 수용액을 캐리어 구비 구리박의 구리박측의 표면에 흡착시키고, 전열기에 의해 수분을 증발시킴으로써, 실란 커플링제 처리를 행하였다. 이 때, 실란 커플링제 처리는 캐리어측에는 행하지 않았다.The silane coupling agent process was performed by making the aqueous solution containing 3 g/L of 3-aminopropyl trimethoxysilane adsorb|suck to the copper foil side surface of copper foil with a carrier, and evaporating water|moisture content with an electric heater. At this time, the silane coupling agent process was not performed on the carrier side.

(8) 동장 적층판의 제작(8) Production of copper clad laminate

캐리어 구비 구리박을 사용하여 동장 적층판을 제작하였다. 먼저, 내층 기판의 표면에, 수지 필름으로서 BT 수지 프리프레그(미쓰비시 가스 가가꾸 가부시키가이샤제, GHPL-830NS, 두께 0.1mm)를 개재하여 캐리어 구비 구리박의 극박 구리박을 적층하고, 압력 4.0MPa, 온도 220℃에서 90분간 열압착한 후, 캐리어를 박리하여, 동장 적층판을 제작하였다.A copper clad laminate was produced using copper foil with a carrier. First, an ultra-thin copper foil of copper foil with a carrier is laminated on the surface of the inner layer substrate via a BT resin prepreg (manufactured by Mitsubishi Gas Chemical Co., Ltd., GHPL-830NS, thickness 0.1 mm) as a resin film, and a pressure of 4.0 After thermocompression bonding at MPa and a temperature of 220°C for 90 minutes, the carrier was peeled off to prepare a copper clad laminate.

(9) 수지 레플리카의 제작(9) Preparation of resin replicas

동장 적층판의 표면의 구리박을 황산·과산화수소계 에칭액으로 모두 제거하여, 수지 레플리카를 얻었다.All the copper foils on the surface of the copper clad laminate were removed with a sulfuric acid/hydrogen peroxide-based etchant to obtain a resin replica.

(10) 수지 레플리카의 표면 프로파일 측정(10) Measurement of the surface profile of the resin replica

레이저 현미경(가부시키가이샤 키엔스제, VK-X100)을 사용한 표면 조도 해석에 의해, 수지 레플리카의 전사면(조화 처리면의 표면 프로파일이 전사된 면)의 측정을 ISO25178에 준거하여 행하였다. 구체적으로는, 수지 레플리카의 전사면에 있어서의 면적 57074.677㎛2의 영역의 표면 프로파일을 상기 레이저 현미경으로 대물 렌즈 배율 50배로 측정하였다. 얻어진 수지 레플리카의 전사면의 표면 프로파일에 대하여 면 기울기 보정(자동)을 전처리로서 행한 후, 레이저법에 의해 해석하여, 각 파라미터(스큐니스 Ssk, 산 정점의 산술 평균 곡 Spc, 산의 정점 밀도 Spd, 극점 높이 Sxp에 대한 코어부의 실체 체적 Vmc의 비 Vmc/Sxp)를 산출하였다. 이 때, S 필터 및 L 필터 중 어느 것도 사용하지 않고 수치를 계측하였다. 이상의 조작을 각 예에 대하여 3회 행하여, 평균값을 각 예에 있어서의 각 파라미터의 값으로 하였다. 결과는 표 3에 나타내는 바와 같았다.By surface roughness analysis using a laser microscope (manufactured by Keyence Corporation, VK-X100), the transfer surface (surface profile of the roughened surface transferred) of the resin replica was measured in accordance with ISO25178. Specifically, the surface profile of a region having an area of 57074.677 µm 2 on the transfer surface of the resin replica was measured with the above laser microscope at an objective lens magnification of 50 times. The surface profile of the transferred surface of the obtained resin replica is subjected to surface inclination correction (automatic) as a pretreatment, and then analyzed by the laser method, and each parameter (skewness Ssk, arithmetic mean curve of the peaks Spc, and peak density of the peaks Spd) , the ratio of the solid volume Vmc of the core to the height of the pole Sxp (Vmc/Sxp) was calculated. At this time, numerical values were measured without using either the S filter or the L filter. The above operation was performed 3 times with respect to each example, and the average value was made into the value of each parameter in each example. The results were as shown in Table 3.

(11) SAP 평가용 적층체의 제작(11) Production of a laminate for SAP evaluation

수지 레플리카에 대하여, 탈지, Pd계 촉매 부여 및 활성화 처리를 행하였다. 이렇게 하여 활성화된 표면에 무전해 구리 도금(두께: 1㎛)을 행하고, SAP법에 있어서 드라이 필름을 맞대어 붙이기 직전의 적층체(이하, SAP 평가용 적층체라고 함)를 얻었다. 이들 공정은 SAP법의 공지된 조건을 따라서 행하였다.The resin replica was subjected to degreasing, Pd-based catalyst application and activation treatment. In this way, electroless copper plating (thickness: 1 µm) was applied to the activated surface to obtain a laminate (hereinafter, referred to as a laminate for SAP evaluation) just before laminating the dry film in the SAP method. These steps were performed according to the well-known conditions of the SAP method.

(12) SAP 평가용 적층체의 평가(12) Evaluation of the laminate for SAP evaluation

상기 얻어진 SAP 평가용 적층체에 대하여, 각종 특성의 평가를 이하와 같이 행하였다.About the obtained laminated body for SAP evaluation, evaluation of various characteristics was performed as follows.

<깎임 평가><Evaluation of cutting>

SAP 평가용 적층체의 표면에 드라이 필름을 첩부하고, 노광, 드라이 필름 제거 및 전해 도금 등을 행함으로써, 회로 폭 22㎛, 높이 22㎛, 길이 150㎛의 회로(이 단계에서는, 각 회로의 하부는 무전해 구리 도금층에 의해 전기적으로 접속되어 있는 상태임)를 형성하였다. 얻어진 회로를 에칭액(에바라 유지라이트 가부시키가이샤제, SAC-700W3C)으로 처리함으로써, 회로간에 잔존하고 있는 무전해 구리 도금층을 용해 제거하여, 각 회로간을 절연하였다. 이 때의 에칭양은, 미리 구리박의 에칭 속도를 측정해두고, 소위 저스트 에칭보다도 4㎛ 상당을 더 에칭하는, 소위 오버에칭의 조건에서 행하였다. 에칭 처리 후, 회로를 수세하여 건조시켰다. 광학 현미경을 사용하여 회로의 단면을 관찰하고, 깎임량을 구하였다. 구체적으로는, 도 11에 도시된 바와 같이, 수지 레플리카(20) 상에 형성된 회로(22)의 상부 폭 x(㎛) 및 하부 폭 y(㎛)을 측정하고, 그 차(x-y)를 깎임량(㎛)으로 하였다. 각 예에 대하여 2 시야에서 측정을 행하고, 평균값을 각 예의 깎임량으로 하였다. 결과는 표 3에 나타내는 바와 같았다.A circuit having a circuit width of 22 µm, a height of 22 µm, and a length of 150 µm (at this stage, the lower part of each circuit is formed by attaching a dry film to the surface of the laminate for SAP evaluation, performing exposure, dry film removal, electrolytic plating, etc.) is in a state electrically connected by an electroless copper plating layer) was formed. By treating the obtained circuit with an etchant (SAC-700W3C, manufactured by Ebara Yujirite Co., Ltd.), the electroless copper plating layer remaining between circuits was dissolved and removed to insulate each circuit. The etching amount at this time measured the etching rate of copper foil beforehand, and performed on the conditions of what is called overetching which etches 4 micrometers equivalent further rather than what is called just etching. After etching, the circuit was washed with water and dried. The cross section of the circuit was observed using an optical microscope, and the amount of cut was calculated. Specifically, as shown in FIG. 11 , the upper width x (μm) and the lower width y (μm) of the circuit 22 formed on the resin replica 20 are measured, and the difference xy is subtracted from the cut amount. (μm). Measurement was performed in two fields of view about each example, and the average value was made into the amount of shaving of each example. The results were as shown in Table 3.

<도금 회로 밀착성(박리 강도)><Plating circuit adhesion (peel strength)>

SAP 평가용 적층체에 드라이 필름을 맞대어 붙이고, 노광 및 현상을 행하였다. 현상된 드라이 필름으로 마스킹된 적층체에 패턴 도금으로 구리층을 석출시킨 후, 드라이 필름을 박리하였다. 에칭액(에바라 유지라이트 가부시키가이샤제, SAC-700W3C)으로 표출되어 있는 무전해 구리 도금을 제거하여, 높이 20㎛, 폭 10mm의 박리 강도 측정용 샘플을 제작하였다. JIS C 6481(1996)에 준거하여, 평가용 샘플로부터 구리층을 박리할 때의, 박리 강도를 측정하였다. 결과는 표 3에 나타내는 바와 같았다.The dry film was stuck to the laminated body for SAP evaluation, and exposure and image development were performed. After depositing a copper layer by pattern plating on the laminate masked with the developed dry film, the dry film was peeled off. The electroless copper plating exposed with the etching solution (Evara Yujirite Co., Ltd. make, SAC-700W3C) was removed, and the sample for peeling strength measurement of 20 micrometers in height and 10 mm in width was produced. Based on JIS C 6481 (1996), the peeling strength at the time of peeling a copper layer from the sample for evaluation was measured. The results were as shown in Table 3.

Figure pct00003
Figure pct00003

표 3으로부터 알 수 있는 바와 같이, 예 5는 Vmc/Sxp의 값이 큼에도 불구하고, 박리 강도는 그만큼 상승하지 않았다. 이 이유는, 「분말 낙하」가 하나의 요인이라고 생각된다. 즉, 분말 낙하가 발생하면, 이제는 앵커 효과는 얻어지지 않고 박리 강도는 저하되는 경향이 보이지만, Vmc/Sxp가 너무 클 때에 분말 낙하가 일어난다. 예 5는 경미한 분말 낙하가 발생하였기 때문에, 약간 낮은 박리 강도에 머물러 있다고 생각된다.As can be seen from Table 3, in Example 5, although the value of Vmc/Sxp was large, the peel strength did not rise that much. As for this reason, "powder fall" is considered to be one factor. That is, when powder falling occurs, the anchor effect is no longer obtained and the peel strength tends to decrease, but powder falling occurs when Vmc/Sxp is too large. Example 5 is thought to remain at a slightly lower peel strength because slight powder drop occurred.

Claims (11)

적어도 한쪽 측에 처리 표면을 갖는 표면 처리 구리박으로서,
상기 처리 표면에 수지 필름을 열압착하여 상기 처리 표면의 표면 형상을 상기 수지 필름의 표면에 전사하고, 에칭에 의해 상기 표면 처리 구리박을 제거한 경우에, 남겨진 상기 수지 필름의 상기 표면에 있어서의, ISO25178에 준거하여 측정되는 스큐니스 Ssk가 -0.6 이하가 되는, 표면 처리 구리박.
A surface-treated copper foil having a treatment surface on at least one side,
When a resin film is thermocompression-bonded to the treated surface to transfer the surface shape of the treated surface to the surface of the resin film, and the surface-treated copper foil is removed by etching, in the surface of the resin film remaining, Surface-treated copper foil from which skewness Ssk measured based on ISO25178 will be -0.6 or less.
제1항에 있어서, 상기 스큐니스 Ssk가 -1.7 이상 -0.6 이하인, 표면 처리 구리박.The surface-treated copper foil according to claim 1, wherein the skewness Ssk is -1.7 or more and -0.6 or less. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 에칭 후에 남겨진 상기 수지 필름의 상기 표면은, ISO25178에 준거하여 측정되는 산 정점의 산술 평균 곡 Spc가 5000mm-1 이상 13000mm-1 이하인, 표면 처리 구리박.The method of claim 1 or claim 2, wherein the surface of the resin film left after the etching, is in accordance with ISO25178 arithmetic mean of the Song Spc mountain peak, measured over 5000mm -1 13000mm -1 or less, surface-treated copper foil. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 에칭 후에 남겨진 상기 수지 필름의 상기 표면은, ISO25178에 준거하여 측정되는 산의 정점 밀도 Spd가 1.13×106mm-2 이상 1.50×106mm-2 이하인, 표면 처리 구리박.The surface of the resin film remaining after the etching has an acid peak density Spd of 1.13×10 6 mm -2 or more, measured in accordance with ISO25178, of 1.50×10 6 . mm -2 or less, surface-treated copper foil. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 에칭 후에 남겨진 상기 수지 필름의 상기 표면은, ISO25178에 준거하여 측정되는 극점 높이 Sxp에 대한, ISO25178에 준거하여 측정되는 코어부의 실체 체적 Vmc의 비인 Vmc/Sxp가 0.39 이상 0.44 이하인, 표면 처리 구리박.The solid volume Vmc of the core part measured according to ISO25178 with respect to the pole height Sxp measured according to ISO25178, with respect to the said surface of the said resin film left after the said etching, The surface-treated copper foil whose ratio Vmc/Sxp is 0.39 or more and 0.44 or less. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 프린트 배선판용 절연 수지층에 요철 형상을 전사하기 위해 사용되는, 표면 처리 구리박.The surface-treated copper foil as described in any one of Claims 1-5 used in order to transcribe|transfer an uneven|corrugated shape to the insulating resin layer for printed wiring boards. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서, 세미애디티브법(SAP)에 의한 프린트 배선판의 제작에 사용되는, 표면 처리 구리박.The surface-treated copper foil according to any one of claims 1 to 6, which is used for production of a printed wiring board by a semi-additive method (SAP). 캐리어와, 해당 캐리어 상에 마련된 박리층과, 해당 박리층 상에 상기 처리 표면을 외측으로 하여 마련된 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 기재된 표면 처리 구리박을 구비한, 캐리어 구비 구리박.Copper foil with carrier provided with a carrier, the peeling layer provided on this carrier, and the surface-treated copper foil in any one of Claims 1-7 provided on this peeling layer with the said process surface outward. . 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 기재된 표면 처리 구리박 또는 제8항에 기재된 캐리어 구비 구리박을 구비한 동장 적층판.The copper clad laminated board provided with the surface-treated copper foil of any one of Claims 1-7, or the copper foil with a carrier of Claim 8. 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 기재된 표면 처리 구리박 또는 제8항에 기재된 캐리어 구비 구리박을 사용하여 얻어진 프린트 배선판.The printed wiring board obtained using the surface-treated copper foil in any one of Claims 1-7, or the copper foil with a carrier of Claim 8. 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 기재된 표면 처리 구리박 또는 제8항에 기재된 캐리어 구비 구리박을 사용하여 프린트 배선판을 제조하는 것을 특징으로 하는, 프린트 배선판의 제조 방법.A printed wiring board is manufactured using the surface-treated copper foil in any one of Claims 1-7, or the copper foil with a carrier of Claim 8, The manufacturing method of the printed wiring board characterized by the above-mentioned.
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Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN117480282A (en) * 2021-06-03 2024-01-30 三井金属矿业株式会社 Roughened copper foil, copper-clad laminate and printed circuit board
US11540389B1 (en) 2021-07-06 2022-12-27 Chang Chun Petrochemical Co., Ltd. Surface-treated copper foil and copper clad laminate
US12060647B2 (en) 2021-07-06 2024-08-13 Chang Chun Petrochemical Co., Ltd. Surface-treated copper foil and copper clad laminate
TWI756155B (en) * 2021-07-19 2022-02-21 長春石油化學股份有限公司 Surface-treated copper foil and copper clad laminate
CN117981092A (en) * 2021-09-14 2024-05-03 株式会社钟化 Solar cell
CN113943954B (en) * 2021-12-01 2023-06-30 青海诺德新材料有限公司 Preparation method of 2-3 micron pinhole-free carrier electrolytic copper foil
WO2024070248A1 (en) * 2022-09-28 2024-04-04 Jx金属株式会社 Surface-treated copper foil, copper-clad laminate, and printed wiring board
WO2024195537A1 (en) * 2023-03-23 2024-09-26 三井金属鉱業株式会社 Method for manufacturing printed wiring board
WO2024195539A1 (en) * 2023-03-23 2024-09-26 三井金属鉱業株式会社 Method for manufacturing printed wiring board
WO2024202783A1 (en) * 2023-03-27 2024-10-03 三菱マテリアル株式会社 Film-provided copper terminal material and method for producing same
WO2024203977A1 (en) * 2023-03-30 2024-10-03 宇部エクシモ株式会社 Flexible metal-clad laminate and method for manufacturing same

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6293365B2 (en) 2015-03-31 2018-03-14 三井金属鉱業株式会社 Roughened copper foil, copper foil with carrier, copper clad laminate and printed wiring board

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4538375B2 (en) * 2005-05-31 2010-09-08 日鉱金属株式会社 Metal materials for printed wiring boards
KR101716988B1 (en) * 2012-09-10 2017-03-15 제이엑스금속주식회사 Surface-treated copper foil and laminated board using same
TWI515342B (en) 2013-09-05 2016-01-01 三井金屬鑛業股份有限公司 Surface-treated copper foil, and copper clad laminate and printed wiring board obtained by using the same
JP6497881B2 (en) * 2013-10-04 2019-04-10 Jx金属株式会社 Rolled copper foil, copper-clad laminate using the same, printed wiring board, electronic equipment, circuit connecting member manufacturing method, and circuit connecting member
JP5819569B1 (en) * 2013-12-10 2015-11-24 Jx日鉱日石金属株式会社 Surface-treated copper foil, copper-clad laminate, printed wiring board, electronic device, and printed wiring board manufacturing method
JP6193534B2 (en) * 2015-07-03 2017-09-06 三井金属鉱業株式会社 Roughening copper foil, copper clad laminate and printed wiring board
CN109072472B (en) 2016-04-14 2020-10-16 三井金属矿业株式会社 Surface-treated copper foil, copper foil with carrier, and copper-clad laminate and printed wiring board manufacturing method using same
CN108697006B (en) * 2017-03-31 2021-07-16 Jx金属株式会社 Surface-treated copper foil, copper foil with carrier, laminate, method for manufacturing printed wiring board, and method for manufacturing electronic device

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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