KR20210088249A - Method for manufacturing plastic substrate - Google Patents

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KR20210088249A
KR20210088249A KR1020200001459A KR20200001459A KR20210088249A KR 20210088249 A KR20210088249 A KR 20210088249A KR 1020200001459 A KR1020200001459 A KR 1020200001459A KR 20200001459 A KR20200001459 A KR 20200001459A KR 20210088249 A KR20210088249 A KR 20210088249A
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plastic substrate
substrate
curable composition
carbon atoms
manufacturing
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김영석
최희정
장영래
정순화
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주식회사 엘지화학
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Abstract

The present specification relates to a method for manufacturing a plastic substrate for an optical lens that is excellent in surface flatness and thickness uniformity, is excellent in strength and hardness, is capable of realizing various colors, and is capable of realizing a high refractive index. The present invention comprises the steps of: preparing a mold apparatus comprising a flat lower substrate, a flat upper substrate, and a cushioning spacer between the flat lower substrate and the flat upper substrate, wherein a molding space is partitioned by the cushioning spacer; buffering a curable composition in the molding space; compressing the curable composition under the load of the flat upper substrate, and curing the curable composition; and removing the flat upper substrate and the flat lower substrate to obtain a plastic substrate.

Description

플라스틱 기판의 제조방법{METHOD FOR MANUFACTURING PLASTIC SUBSTRATE}Manufacturing method of a plastic substrate {METHOD FOR MANUFACTURING PLASTIC SUBSTRATE}

본 발명은 플라스틱 기판의 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method for manufacturing a plastic substrate.

최근 가상 현실 디바이스(Virtual Reality Device) 및 증강 현실 디바이스(Augmented Reality Device) 등을 이용하여, 사용자에게 3차원의 화상을 제공하는 장치의 개발이 이루어지고 있다.Recently, a device for providing a 3D image to a user using a virtual reality device and an augmented reality device has been developed.

가상 현실 디바이스 또는 증강 현실 디바이스는 일반적인 안경과 같은 렌즈에 회절 도광 패턴을 형성하여 원하는 이미지를 사용자에게 보이도록 할 수 있다. 일반적으로, 가상 현실 디바이스 또는 증강 현실 디바이스 용도의 렌즈는 굴절율이 높은 유리 기재를 사용하게 되는데, 유리 기재는 높은 굴절율 및 광투과도를 가지는 장점이 있으나, 파손 시 사용자의 안구에 치명적인 손상을 가할 수 있고, 무게가 무거워 장시간 착용에 불편함이 존재한다.A virtual reality device or an augmented reality device may form a diffraction light guide pattern on a lens such as general glasses to display a desired image to a user. In general, a lens for a virtual reality device or an augmented reality device uses a glass substrate having a high refractive index, but the glass substrate has the advantage of having a high refractive index and light transmittance, but when it is broken, fatal damage to the user's eye can be applied. , It is heavy and uncomfortable to wear for a long time.

이에 따라, 가상 현실 디바이스 또는 증강 현실 디바이스 용도로 사용할 수 있도록, 높은 광투과도, 높은 굴절율을 가지며, 나아가 가볍고 파손 시 상대적으로 안전한 렌즈 기재에 대한 연구가 필요하다.Accordingly, there is a need for research on a lens base material that has high light transmittance, a high refractive index, and is lightweight and relatively safe when damaged, so that it can be used as a virtual reality device or an augmented reality device.

유리 기재를 대체하기 위한 플라스틱 기판의 경우, 표면 평탄도 및 두께 균일도와 같은 물성이 기존의 유리 기재에 크게 미치지 못하고, 유리에 비해 고굴절률을 구현하기 어려운 문제점이 있으므로, 이의 개선을 위한 연구가 필요한 실정이다.In the case of a plastic substrate to replace a glass substrate, physical properties such as surface flatness and thickness uniformity do not significantly reach the existing glass substrate, and there is a problem in that it is difficult to implement a high refractive index compared to glass. the current situation.

한국 공개공보: KR 10-2015-0060562 AKorean Publication: KR 10-2015-0060562 A

본 발명은 기존의 디스플레이용 기판 등에 사용되던 유리 혹은 강화 유리에 비해 가볍고, 표면 평탄도 및 두께 균일도가 우수하고, 강도 및 경도가 우수하고, 다양한 색 구현이 가능하고, 고굴절률 구현이 가능한 광학 렌즈용 플라스틱 기판 제조방법을 제공하기 위한 것이다.The present invention is an optical lens that is lighter than glass or tempered glass used for conventional display substrates, has excellent surface flatness and thickness uniformity, has excellent strength and hardness, can implement various colors, and can implement high refractive index. To provide a method for manufacturing a plastic substrate for

평판형 하부 기판, 평판형 상부 기판, 및 상기 평판형 하부 기판과 상기 평판형 상부 기판 사이에 완충형 스페이서를 포함하고, 상기 완충형 스페이서에 의하여 몰딩 공간이 구획되는 몰드 장비를 준비하는 단계;Preparing a mold equipment comprising a flat lower substrate, a flat upper substrate, and a cushioning spacer between the flat lower substrate and the flat upper substrate, wherein a molding space is partitioned by the cushioning spacer;

상기 몰딩 공간에 경화성 조성물을 완충하는 단계;buffering a curable composition in the molding space;

상기 평판형 상부 기판의 하중으로 상기 경화성 조성물을 압축하며, 상기 경화성 조성물을 경화하는 단계; 및compressing the curable composition under a load of the flat upper substrate, and curing the curable composition; and

상기 평판형 상부 기판 및 상기 평판형 하부 기판을 제거하여 플라스틱 기판을 수득하는 단계;를 포함하고,Including; removing the flat upper substrate and the flat lower substrate to obtain a plastic substrate;

상기 경화성 조성물은 에피설파이드 화합물, 티올 화합물, 및 2개 이상의 수산기를 갖는 방향족 고리 화합물을 포함하고,The curable composition includes an episulfide compound, a thiol compound, and an aromatic ring compound having two or more hydroxyl groups,

상기 티올 화합물 및 2개 이상의 수산기를 갖는 방향족 고리 화합물의 중량비는 7:3 내지 9:1이고,The weight ratio of the thiol compound and the aromatic ring compound having two or more hydroxyl groups is 7:3 to 9:1,

상기 평판형 상부 기판의 하중으로 상기 경화성 조성물을 압축하며, 상기 경화성 조성물을 경화하는 단계는, 하기 식 1을 만족하는 플라스틱 기판의 제조방법을 제공한다.Compressing the curable composition under a load of the flat upper substrate, and curing the curable composition, provides a method of manufacturing a plastic substrate satisfying Equation 1 below.

[식 1][Equation 1]

{(평판형 상부 기판의 하중 + 경화성 조성물의 경화 수축력) Х 0.95} ≤ 완충형 스페이서의 압축 응력 ≤ {(평판형 상부 기판의 하중 + 경화성 조성물의 경화 수축력) Х 1.05}.{(load of flat top substrate + curing shrinkage force of curable composition) Х 0.95} ≤ compressive stress of cushioning spacer ≤ {(load of flat top substrate + curing shrinkage force of curable composition) Х 1.05}.

이하 발명의 구체적인 구현예에 따른 플라스틱 기판 제조방법에 관하여 보다 상세하게 설명하기로 한다. Hereinafter, a method for manufacturing a plastic substrate according to a specific embodiment of the present invention will be described in more detail.

본 명세서에 있어서, 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함" 한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성 요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.In the present specification, when a part "includes" a certain component, this means that other components may be further included rather than excluding other components unless otherwise stated.

본 명세서에 있어서, 어떤 부재가 다른 부재 "상에" 위치하고 있다고 할 때, 이는 어떤 부재가 다른 부재에 접해 있는 경우뿐 아니라 두 부재 사이에 또 다른 부재가 존재하는 경우도 포함한다.In the present specification, when a member is said to be located "on" another member, this includes not only a case in which a member is in contact with another member but also a case in which another member exists between the two members.

본 명세서에 있어서, 사용되는 정도의 용어 "~(하는) 단계" 또는 "~의 단계"는 "~를 위한 단계"를 의미하지 않는다.In the present specification, the term "step of (to)" or "step of" as used does not mean "step for".

본 명세서에 있어서, 제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성 요소들을 설명하는데 사용되며, 상기 용어들은 하나의 구성 요소를 다른 구성 요소와 구별하기 위한 목적으로만 사용된다. In this specification, terms such as first and second are used to describe various components, and the terms are used only for the purpose of distinguishing one component from another.

본 명세서에서 사용되는 ‘에피설파이드 화합물’의 정의는 1개 이상의 에피설파이드를 포함한 화합물을 의미하는 것으로, 이때 에피설파이드는 에폭사이드의 산소(O) 원자가 황(S) 원자로 치환된 화합물을 의미한다.As used herein, the definition of 'episulfide compound' refers to a compound containing one or more episulfide, wherein the episulfide refers to a compound in which the oxygen (O) atom of the epoxide is substituted with a sulfur (S) atom.

본 명세서에서 사용되는 ‘티올 화합물’의 정의는 1개 이상의 티올기(-SH)를 포함한 화합물을 의미한다.As used herein, the definition of 'thiol compound' refers to a compound containing at least one thiol group (-SH).

본 명세서에서 ‘경화’는 열경화 및 광경화 양쪽 모두를 포함하는 의미로, ‘경화성 조성물’은 열경화 및/또는 광경화 가능한 조성물을 의미한다.As used herein, the term 'curing' includes both thermosetting and photocuring, and the term 'curable composition' refers to a composition capable of being thermosetting and/or photocuring.

본 명세서에서 고굴절은 350 내지 800nm의 파장 영역 또는 532nm의 파장에서 약 1.6 이상을 의미한다.In the present specification, high refractive index means about 1.6 or more in a wavelength region of 350 to 800 nm or a wavelength of 532 nm.

발명의 일 구현예에 따르면, 평판형 하부 기판, 평판형 상부 기판, 및 상기 평판형 하부 기판과 상기 평판형 상부 기판 사이에 완충형 스페이서를 포함하고, 상기 완충형 스페이서에 의하여 몰딩 공간이 구획되는 몰드 장비를 준비하는 단계; 상기 몰딩 공간에 경화성 조성물을 완충하는 단계; 상기 평판형 상부 기판의 하중으로 상기 경화성 조성물을 압축하며, 상기 경화성 조성물을 경화하는 단계; 및 상기 평판형 상부 기판 및 상기 평판형 하부 기판을 제거하여 플라스틱 기판을 수득하는 단계;를 포함하고, 상기 경화성 조성물은 에피설파이드 화합물, 티올 화합물, 및 2개 이상의 수산기를 갖는 방향족 고리 화합물을 포함하고, 상기 티올 화합물 및 2개 이상의 수산기를 갖는 방향족 고리 화합물의 중량비는 7:3 내지 9:1, 7:3 내지 8.5:1.5, 또는 7:3 내지 8:2이고, 상기 평판형 상부 기판의 하중으로 상기 경화성 조성물을 압축하며, 상기 경화성 조성물을 경화하는 단계는, 상기 식 1을 만족하는 플라스틱 기판의 제조방법이 제공된다.According to an embodiment of the invention, a flat lower substrate, a flat upper substrate, and a cushioning spacer between the flat lower substrate and the flat upper substrate, wherein a molding space is partitioned by the cushioning spacer preparing the mold equipment; buffering a curable composition in the molding space; compressing the curable composition under a load of the flat upper substrate, and curing the curable composition; and removing the flat upper substrate and the flat lower substrate to obtain a plastic substrate, wherein the curable composition contains an episulfide compound, a thiol compound, and an aromatic ring compound having two or more hydroxyl groups, , The weight ratio of the thiol compound and the aromatic ring compound having two or more hydroxyl groups is 7:3 to 9:1, 7:3 to 8.5:1.5, or 7:3 to 8:2, and the load of the flat upper substrate In the step of compressing the curable composition, and curing the curable composition, a method of manufacturing a plastic substrate satisfying Equation 1 is provided.

본 발명자들은 에피설파이드 화합물, 티올 화합물, 및 2개 이상의 수산기를 갖는 방향족 고리 화합물을 특정 중량비로 포함하는 경화성 조성물을 상술한 특정 구조의 몰드 장비의 몰딩 공간에 주입한 후 상기 식 1을 만족하도록 경화하는 상술한 제조방법으로 플라스틱 기판을 제조하는 경우, 상기 경화성 조성물의 경화시 수축에 따른 몰드 장비의 기판에서 박리되는 현상을 최소화하여, 표면 평탄도 및 두께 균일도가 매우 우수하고, 강도 및 경도가 우수하고, 다양한 색 구현이 가능하고, 고굴절률 구현이 가능한 플라스틱 기판을 제조할 수 있다는 점을 발견하여, 본 발명에 이르게 되었다.The present inventors inject a curable composition containing an episulfide compound, a thiol compound, and an aromatic ring compound having two or more hydroxyl groups in a specific weight ratio into the molding space of the mold equipment having the above-described specific structure, and then cure it to satisfy Equation 1 In the case of manufacturing a plastic substrate by the above-described manufacturing method, it minimizes the phenomenon of peeling from the substrate of the mold equipment due to shrinkage during curing of the curable composition, so that the surface flatness and thickness uniformity are very excellent, and the strength and hardness are excellent And, it was discovered that a plastic substrate capable of implementing various colors and realizing a high refractive index can be manufactured, leading to the present invention.

구체적으로, 상기 플라스틱 기판의 제조방법에 포함되는, 상기 평판형 상부 기판의 하중으로 상기 경화성 조성물을 압축하며 상기 경화성 조성물을 경화하는 단계는, 하기 식 1을 만족할 수 있다.Specifically, the step of compressing the curable composition under the load of the flat upper substrate and curing the curable composition included in the method for manufacturing the plastic substrate may satisfy Equation 1 below.

[식 1][Equation 1]

{(평판형 상부 기판의 하중 + 경화성 조성물의 경화 수축력) Х 0.95} ≤ 완충형 스페이서의 압축 응력 ≤ {(평판형 상부 기판의 하중 + 경화성 조성물의 경화 수축력) Х 1.05}.{(load of flat top substrate + curing shrinkage force of curable composition) Х 0.95} ≤ compressive stress of cushioning spacer ≤ {(load of flat top substrate + curing shrinkage force of curable composition) Х 1.05}.

구체적으로, 상기 식 1에서, 상기 완충형 스페이서의 압축 응력은 상기 평판형 상부 기판의 하중과 상기 경화성 조성물의 경화 수축력의 합의 5 % 이내의 차이를 가지고 있으므로, 상기 경화성 조성물을 경화하는 단계에서 상기 경화성 조성물의 경화시 수축에 따라 상기 평판형 상부 기판이 상기 경화성 조성물에 밀착될 수 있다. 이에 따라, 제조되는 플라스틱 기판은 우수한 표면 평탄도를 나타내게 되며, 나아가, 두께 균일도도 우수하게 구현될 수 있다. Specifically, in Equation 1, since the compressive stress of the cushioning spacer has a difference within 5% of the sum of the load of the flat upper substrate and the curing shrinkage force of the curable composition, in the step of curing the curable composition, the When the curable composition is cured, the flat upper substrate may be in close contact with the curable composition according to shrinkage. Accordingly, the manufactured plastic substrate exhibits excellent surface flatness, and furthermore, excellent thickness uniformity can be achieved.

한편, 상기 완충형 스페이서의 압축 응력이 {(평판형 상부 기판의 하중 + 경화성 조성물의 경화 수축력) Х 0.95} 보다 작은 경우, 평형이 도달하기 전에 경화가 완료되어 플라스틱 기판 두께의 불균일이 발생할 수 있다. 그리고, 상기 완충형 스페이서의 압축 응력이 {(평판형 상부 기판의 하중 + 경화성 조성물의 경화 수축력) Х 1.05} 보다 큰 경우, 경화시 수축의 불균일이 발생하여 플라스틱 기판의 외관 특성이 불량할 수 있다.On the other hand, if the compressive stress of the cushioning spacer is less than {(load of flat upper substrate + curing shrinkage force of curable composition) Х 0.95}, curing may be completed before equilibrium is reached, resulting in non-uniformity in the thickness of the plastic substrate. . And, when the compressive stress of the cushioning spacer is greater than {(load of flat upper substrate + curing shrinkage force of curable composition) Х 1.05}, non-uniformity of shrinkage occurs during curing, and the appearance characteristics of the plastic substrate may be poor. .

구체적으로, 상기 식 1은 하기 식 1-1, 식 1-2, 또는 식 1-3을 만족할 수 있다.Specifically, Equation 1 may satisfy Equation 1-1, Equation 1-2, or Equation 1-3 below.

[식 1-1][Equation 1-1]

{(평판형 상부 기판의 하중 + 경화성 조성물의 경화 수축력) Х 0.97} ≤ 완충형 스페이서의 압축 응력 ≤ {(평판형 상부 기판의 하중 + 경화성 조성물의 경화 수축력) Х 1.03}{(Load of flat top substrate + curing shrinkage of curable composition) Х 0.97} ≤ Compressive stress of cushioning spacer ≤ {(Load of flat top substrate + curing shrinkage of curable composition) Х 1.03}

[식 1-2][Equation 1-2]

{(평판형 상부 기판의 하중 + 경화성 조성물의 경화 수축력) Х 0.98} ≤ 완충형 스페이서의 압축 응력 ≤ {(평판형 상부 기판의 하중 + 경화성 조성물의 경화 수축력) Х 1.02}{(Load of the flat top substrate + curing shrinkage force of the curable composition) Х 0.98} ≤ Compressive stress of the cushioning spacer ≤ {(Load of the flat top substrate + curing shrinkage force of the curable composition) Х 1.02}

[식 1-3][Equation 1-3]

{(평판형 상부 기판의 하중 + 경화성 조성물의 경화 수축력) Х 0.99} ≤ 완충형 스페이서의 압축 응력 ≤ {(평판형 상부 기판의 하중 + 경화성 조성물의 경화 수축력) Х 1.01}{(Load of flat top substrate + curing shrinkage force of curable composition) Х 0.99} ≤ Compressive stress of cushioning spacer ≤ {(Load of flat top substrate + curing shrinkage force of curable composition) Х 1.01}

구체적으로, 상기 완충형 스페이서의 압축 응력은 상기 평판형 상부 기판의 하중과 상기 경화성 조성물의 경화 수축력의 합의 3 % 이내, 2 % 이내, 또는 1 % 이내의 차이를 가질 수 있으며, 이에 따라 제조되는 플라스틱 기판은 보다 우수한 표면 평탄도를 나타내게 되며, 두께 균일도도 보다 우수하게 구현될 수 있다.Specifically, the compressive stress of the buffer-type spacer may have a difference of within 3%, within 2%, or within 1% of the sum of the load of the flat upper substrate and the curing shrinkage force of the curable composition, and thus manufactured The plastic substrate exhibits better surface flatness, and thickness uniformity may also be better implemented.

상기 평판형 상부 기판의 하중, 상기 경화 수축력 및 상기 압축 응력의 단위는 kgf 또는 N일 수 있다.The unit of the load of the flat upper substrate, the curing shrinkage force, and the compressive stress may be kgf or N.

상기 완충형 스페이서는 상기 경화성 조성물의 경화에 따른 수축에 따라 상기 경화성 조성물이 상기 평판형 상부 기판과 박리되는 것을 방지하도록 하는 역할을 한다. 구체적으로, 상기 완충형 스페이서는 상기 경화성 조성물이 경화됨에 따라 수축하는 정도 및 상기 평판형 상부 기판의 하중을 고려한 압축 응력을 가지므로, 상기 경화성 조성물의 수축에 따라 상기 평판형 상부 기판의 하중에 의해 압축되어, 상기 경화성 조성물을 경화하는 단계에서 상기 경화성 조성물과 상기 평판형 상부 기판이 밀착된 상태를 유지하도록 하는 역할을 할 수 있다.The buffer-type spacer serves to prevent the curable composition from being peeled off from the flat upper substrate according to shrinkage due to curing of the curable composition. Specifically, since the cushioning spacer has a compressive stress in consideration of the degree of shrinkage as the curable composition is cured and the load of the flat upper substrate, by the load of the flat upper substrate according to the shrinkage of the curable composition. Compressed, in the step of curing the curable composition, the curable composition and the flat upper substrate may serve to maintain a state in close contact.

상기 평판형 상부 기판의 하중은 3.4 N 내지 34 N, 5.9 N 내지 27 N, 6.5 N 내지 15 N, 또는 7.5 N 내지 10 N일 수 있다. 상기 평판형 상부 기판의 하중이 상기 범위 내인 경우, 상기 경화성 조성물의 경화시 경화 수축에 의한 변형을 최소화할 수 있고, 경화성 조성물의 광경화시 투과율 저하를 최소화할 수 있고, 또한 상기 경화성 조성물의 열경화시 반응열의 배출 불균일을 최소화하여, 상기 경화성 조성물의 균일한 경화를 유도할 수 있다.The load of the flat upper substrate may be 3.4 N to 34 N, 5.9 N to 27 N, 6.5 N to 15 N, or 7.5 N to 10 N. When the load of the flat upper substrate is within the above range, it is possible to minimize deformation due to curing shrinkage during curing of the curable composition, it is possible to minimize a decrease in transmittance during photocuring of the curable composition, and the heat of the curable composition It is possible to induce uniform curing of the curable composition by minimizing the non-uniformity of discharging reaction heat during curing.

상기 평판형 하부 기판 및 상기 평판형 상부 기판은 각각 투명 기판일 수 있다. 구체적으로, 상기 평판형 하부 기판 및 상기 평판형 상부 기판은 각각 유기 기판일 수 있으며, 이는 우수한 투광성에 의하여 효과적으로 상기 경화성 조성물의 광경화를 수행할 수 있다.Each of the flat lower substrate and the flat upper substrate may be a transparent substrate. Specifically, each of the flat lower substrate and the flat upper substrate may be an organic substrate, which can effectively photo-cur the curable composition due to excellent light transmittance.

한편, 상기 경화성 조성물의 경화 수축력은 하기와 같은 방법으로 측정될 수 있다. 구체적으로, 25 ℃ 및 50 RH% 분위기에서 TA 사의 Texure Analyzer 장비를 사용하여, 하부 지그 위에 일정량의 경화성 조성물을 도포후 상부 지그를 하강하여 경화성 조성물과 접촉시켜 힘의 초기값을 기록한다. 그리고, 온도를 90 ℃로 상승시켜 5시간 유지한 후 힘의 최종값을 기록하여 힘의 최종값과 초기값 간의 차이로 얻어진 값으로 측정될 수 있다. 상기 경화성 조성물의 경화 수축력은, 예를 들어, 1 내지 5 N, 1.5 내지 4.8 N, 1.6 내지 4.7 N, 또는 1.7 내지 4.5 N일 수 있다.Meanwhile, the curing shrinkage force of the curable composition may be measured by the following method. Specifically, at 25° C. and 50 RH% atmosphere, using TA's Texure Analyzer equipment, a predetermined amount of the curable composition is applied on the lower jig, and then the upper jig is lowered to contact the curable composition to record the initial value of the force. Then, after raising the temperature to 90° C. and maintaining it for 5 hours, the final value of the force is recorded, and it can be measured as a value obtained as a difference between the final value of the force and the initial value. The curing shrinkage force of the curable composition may be, for example, 1 to 5 N, 1.5 to 4.8 N, 1.6 to 4.7 N, or 1.7 to 4.5 N.

상기 경화성 조성물의 경화 수축력을 경화성 조성물의 부피로 나누어 계산한 값을 압축응력계수라 할 수 있으며, 상기 경화성 조성물의 압축응력계수는 0.00001 내지 0.00100 N/m3, 0.00010 내지 0.00080 N/m3, 또는 0.00015 내지 0.00050 N/m3일 수 있다.A value calculated by dividing the curing shrinkage force of the curable composition by the volume of the curable composition may be referred to as a compressive stress coefficient, and the compressive stress coefficient of the curable composition is 0.00001 to 0.00100 N/m 3 , 0.00010 to 0.00080 N/m 3 , or It may be 0.00015 to 0.00050 N/m 3 .

상기 완충형 스페이서의 압축 응력은 25 ℃ 및 50 RH% 분위기에서, TA 사의 Texture Analyzer를 사용하여 시편 면적 5 Х 5 ㎟, 압축 속도 1 mm/min으로 압축 시, 시편의 변형((초기 두께-변형 후 두께)/초기 두께)에 도달하는 순간의 힘의 측정값일 수 있다. 상기 완충형 스페이서의 압축 응력은, 예를 들어, 4.4 내지 39 N, 5.4 내지 32 N, 7.4 내지 25 N, 또는 8.4 내지 20 N일 수 있다.The compressive stress of the cushioning spacer is 25 ℃ and 50 RH% atmosphere, using TA's Texture Analyzer, the specimen area 5 Х 5 ㎟, when compressed at a compression rate of 1 mm / min, the deformation of the specimen ((initial thickness-deformation) After thickness)/initial thickness) may be a measurement value of the force at the moment. The compressive stress of the cushioning spacer may be, for example, 4.4 to 39 N, 5.4 to 32 N, 7.4 to 25 N, or 8.4 to 20 N.

상기 몰드 장비에 포함되는 완충형 스페이서의 높이(H)는 하기 식 2를 만족할 수 있다.The height (H) of the buffer spacer included in the mold equipment may satisfy Equation 2 below.

[식 2][Equation 2]

A X 0.95 ≤ H ≤ A X 1.05A X 0.95 ≤ H ≤ A X 1.05

상기 식 2에서,In Equation 2 above,

A는 (플라스틱 기판의 두께)/{1 - (평판형 상부 기판의 하중 + 경화성 조성물의 경화 수축력)/(완충형 스페이서의 압축 탄성 계수 X 완충형 스페이서의 단면적)}이다.A is (thickness of plastic substrate)/{1 - (load of flat top substrate + curing shrinkage force of curable composition)/(compressive elastic modulus of buffer type spacer X cross-sectional area of buffer type spacer)}.

상기 완충형 스페이서의 높이는, 상기 완충형 스페이서가 상기 평판형 상부 기판과 맞닿는 면과, 상기 평판형 하부 기판과 맞닿는 면 사이의 최소 길이를 의미한다. 즉, 상기 완충형 스페이서의 높이는 상기 평판형 상부/하부 기판의 두께 방향과 평행하는 완충형 스페이서의 두께를 의미한다. The height of the buffer-type spacer means a minimum length between a surface of the buffer-type spacer in contact with the flat upper substrate and a surface in contact with the flat lower substrate. That is, the height of the buffer-type spacer means the thickness of the buffer-type spacer parallel to the thickness direction of the flat upper/lower substrate.

상기 식 2의 A에서 분모의 (평판형 상부 기판의 하중 + 경화성 조성물의 경화 수축력)/(완충형 스페이서의 압축 탄성 계수 X 완충형 스페이서의 단면적)는, 스페이서에 작용하는 두 외력과 스페이서의 압축 응력이 동일할 때의 스페이서 변형률을 의미한다. 이때, 상기 스페이서에 작용하는 두 외력은 평판형 상부 기판의 하중 및 경화성 조성물의 수축력을 의미하고, 상기 스페이서의 압축 응력은 스페이서 변형률 X 스페이서의 압축 탄성 계수를 의미하고, 보다 구체적으로 스페이서 변형률 = (스페이서 두께 - 플라스틱 기판 두께)/스페이서 두께)이다.In A of Equation 2 above, the denominator (load of the flat upper substrate + curing shrinkage force of the curable composition)/(compressive elastic modulus of the cushioning spacer X the cross-sectional area of the cushioning spacer) is, It means the spacer strain when the stress is the same. In this case, the two external forces acting on the spacer mean the load of the flat upper substrate and the shrinkage force of the curable composition, and the compressive stress of the spacer means the spacer strain X the compressive elastic modulus of the spacer, and more specifically, the spacer strain = ( spacer thickness - plastic substrate thickness)/spacer thickness).

따라서, 상기 A는 특정 두께의 플라스틱 기판 제작 시 힘의 평형 상태에 도달할 수 있는 스페이서의 초기 높이를 나타내며, 상기 완충형 스페이서의 높이는 A의 5 % 이내, 3 % 이내, 2 % 이내, 또는 1 % 이내의 차이를 만족함에 따라, 제조되는 플라스틱 기판의 두께가 균일한 효과 외에도, 경화 수축을 흡수하여 플라스틱 기판의 뒤틀림을 방지하는 효과를 나타낼 수 있다.Therefore, A represents the initial height of the spacer that can reach the equilibrium state of force when manufacturing a plastic substrate of a certain thickness, and the height of the buffer spacer is within 5%, within 3%, within 2%, or 1 of A. As the difference within % is satisfied, in addition to the effect that the thickness of the manufactured plastic substrate is uniform, the effect of absorbing curing shrinkage to prevent distortion of the plastic substrate may be exhibited.

상기 식 A에서 플라스틱 기판의 두께는, 상기 플라스틱 기판의 제조방법에서 최종적으로 제조된 플라스틱 기판의 두께, 또는 상기 플라스틱 기판의 제조방법에서 얻고자 하는 플라스틱 기판의 두께일 수 있다. 상기 플라스틱 기판의 두께는 400 ㎛ 내지 2,000 ㎛, 400 ㎛ 내지 1,500 ㎛, 또는 405 ㎛ 내지 1,200 ㎛일 수 있다.In Formula A, the thickness of the plastic substrate may be the thickness of the plastic substrate finally manufactured in the method for manufacturing the plastic substrate, or the thickness of the plastic substrate to be obtained in the manufacturing method of the plastic substrate. The thickness of the plastic substrate may be 400 μm to 2,000 μm, 400 μm to 1,500 μm, or 405 μm to 1,200 μm.

상기 식 A에서 상기 완충형 스페이서의 압축 탄성 계수는 0.1 MPa 내지 10 MPa, 0.1 MPa 내지 5 MPa, 0.1 MPa 내지 3 MPa, 또는 0.1 MPa 내지 2 MPa일 수 있다. 상기 완충형 스페이서의 압축 탄성 계수가 상기 범위 내인 경우, 상기 평판형 상부 기판의 접촉시 균일하게 상기 경화성 조성물에 하중을 전달하여, 상기 플라스틱 기판의 두께 균일도를 높일 수 있다.In Formula A, the compressive elastic modulus of the cushioning spacer may be 0.1 MPa to 10 MPa, 0.1 MPa to 5 MPa, 0.1 MPa to 3 MPa, or 0.1 MPa to 2 MPa. When the compressive elastic modulus of the cushioning spacer is within the above range, the load is uniformly transmitted to the curable composition when the flat upper substrate is in contact, thereby increasing the thickness uniformity of the plastic substrate.

상기 완충형 스페이서의 압축 탄성 계수는 25 ℃ 및 50 RH%의 분위기에서, TA 사의 Texture Analyzer를 사용하여 시편 면적 5 Х 5 ㎟, 압축 속도 1 mm/min으로 압축 시 측정되는 힘의 시편 변형 ((초기 두께-변형 후 두께)/초기 두께)에 대한 기울기를 의미할 수 있다. 또한, 완충형 스페이서가 2 이상의 상이한 층으로 구성되는 경우의 완충형 스페이서의 압축 탄성 계수는, 적층된 시편을 면적 5 Х 5 ㎟로 준비하여 압축 속도 1 mm/min으로 압축 시 측정되는 힘의 시편 변형 ((초기 두께-변형 후 두께)/초기 두께)에 대한 기울기를 의미할 수 있다.The compressive elastic modulus of the cushioning spacer was measured at 25 ° C and 50 RH% in an atmosphere of 50 RH%, using the TA's Texture Analyzer with a specimen area of 5 Х 5 ㎟, and a compression rate of 1 mm/min. It may mean a slope with respect to the initial thickness-thickness after deformation)/initial thickness). In addition, the compressive elastic modulus of the cushioning spacer when the cushioning spacer is composed of two or more different layers is the force measured when a laminated specimen is prepared with an area of 5 Х 5 ㎟ and compressed at a compression rate of 1 mm/min. It may mean a slope with respect to deformation ((initial thickness - thickness after deformation)/initial thickness).

상기 완충형 스페이서는 비탄성층과 탄성층이 적층된 구조, 비탄성층 사이에 탄성층이 구비된 구조, 또는 탄성층 사이에 비탄성층이 구비된 구조일 수 있다. 상기 완충형 스페이서는 상기 경화성 조성물의 수축 정도를 고려하여 설계될 수 있으므로, 상기 비탄성층으로 지지 역할을 수행하고, 상기 탄성층으로 상기 경화성 조성물의 수축에 따른 높이 변화를 조절하는 역할을 수행할 수 있다.The buffer spacer may have a structure in which an inelastic layer and an elastic layer are laminated, a structure in which an elastic layer is provided between the inelastic layers, or a structure in which an inelastic layer is provided between the elastic layers. Since the buffer spacer may be designed in consideration of the degree of shrinkage of the curable composition, the inelastic layer may serve as a support, and the elastic layer may serve to adjust the height change according to the shrinkage of the curable composition. have.

한편, 상기 완충형 스페이서가 비탄성층과 탄성층이 적층된 구조, 비탄성층 사이에 탄성층이 구비된 구조, 또는 탄성층 사이에 비탄성층이 구비된 구조인 경우, 상기 식 2에서 상기 완충형 스페이서의 압축 탄성 계수는 탄성층의 압축 탄성 계수를 의미하는 것일 수 있고, 상기 식 2에서 상기 완충형 스페이서의 높이는 플라스틱 기재의 두께에서 비탄성층의 높이를 제한 수치(플라스틱 기재의 두께 - 비탄성층의 높이)를 의미하는 것일 수 있다.On the other hand, when the buffer-interface of the between the two elastic layer provided between the non-elastic layer and the elastic layer is a laminate structure, the non-elastic layer structure, or the elastic layer comprises a non-elastic layer structure, the buffer-interface by the formula 2 The compressive elastic modulus of may mean the compressive elastic modulus of the elastic layer, and in Equation 2, the height of the cushioning spacer is a value limiting the height of the inelastic layer from the thickness of the plastic substrate (thickness of the plastic substrate - the height of the inelastic layer) ) may mean

한편, 상기 비탄성층의 압축 탄성 계수는 60,000 내지 80,000 MPa, 63,000 내지 78,000 MPa, 또는 68,000 내지 72,000 MPa일 수 있다.Meanwhile, the compressive elastic modulus of the inelastic layer may be 60,000 to 80,000 MPa, 63,000 to 78,000 MPa, or 68,000 to 72,000 MPa.

상기 완충형 스페이서가 탄성층만을 포함하는 경우, 완충형 스페이서의 높이는 800 내지 1,200 ㎛, 900 내지 1,100 ㎛ 또는 950 내지 1,050일 수 있다. 한편, 완충형 스페이서가 탄성층과 비탄성층을 모두 포함하는 경우, 탄성층의 높이는 200 내지 600 ㎛, 250 내지 500㎛, 또는 300 내지 450 ㎛일 수 있고, 비탄성층의 높이는 400 내지 950 ㎛, 450 내지 900 ㎛, 480 내지 850 ㎛일 수 있다.When the buffer spacer includes only an elastic layer, the height of the buffer spacer may be 800 to 1,200 μm, 900 to 1,100 μm, or 950 to 1,050. On the other hand, when the buffer spacer includes both an elastic layer and an inelastic layer, the height of the elastic layer may be 200 to 600 μm, 250 to 500 μm, or 300 to 450 μm, and the height of the inelastic layer is 400 to 950 μm, 450 to 900 μm, and 480 to 850 μm.

상기 식 2에서 완충형 스페이서의 단면적은, 상기 완충형 스페이서의 높이 방향과 수직한 방향에서의 완충형 스페이서의 단면적의 총합을 의미한다. 상기 완충형 스페이서의 단면적의 형상은 이로써 특별히 한정하지 않으나, 예를 들어, 사각형, 삼각형, 오각형, 육각형, 원형 등의 형상을 가질 수 있다. 상기 형상의 완충형 스페이서를 하부 주형 외곽에 균일한 간격으로 3점 이상 배치할 수 있다. 또한, 상기 완충형 스페이서의 단면적의 총합은 300 내지 1600 mm2, 400 내지 1000 mm2, 또는 600 내지 800 mm2일 수 있으며, 상기 완충형 스페이서의 단면적이 사각형인 경우, 사각형 일면의 길이가 5 mm 내지 20 mm, 10 mm 내지 15mm일 수 있다.In Equation 2, the cross-sectional area of the buffer-type spacer means the sum of the cross-sectional areas of the buffer-type spacer in a direction perpendicular to the height direction of the buffer-type spacer. The shape of the cross-sectional area of the cushioning spacer is not particularly limited thereto, but may have, for example, a shape such as a square, a triangle, a pentagon, a hexagon, or a circle. Three or more points of the buffer-type spacer of the above shape may be arranged at uniform intervals outside the lower mold. In addition, the sum of the cross-sectional areas of the cushioning spacer may be 300 to 1600 mm 2 , 400 to 1000 mm 2 , or 600 to 800 mm 2 When the cross-sectional area of the cushioning spacer is a rectangle, the length of one side of the rectangle is 5 mm to 20 mm, 10 mm to 15 mm.

상기 플라스틱 기판의 제조방법은, 상기 평판형 하부 기판, 평판형 상부 기판, 및 상기 평판형 하부 기판과 상기 평판형 상부 기판 사이에 완충형 스페이서를 포함하고, 상기 완충형 스페이서에 의하여 몰딩 공간이 구획되는 몰드 장비를 준비하는 단계를 포함할 수 있다.The manufacturing method of the plastic substrate, Preparing a mold equipment comprising the flat lower substrate, the flat upper substrate, and a cushioning spacer between the flat lower substrate and the flat upper substrate, the molding space being partitioned by the cushioning spacer may include

상기 평판형 하부 기판 및 상기 평판형 상부 기판의 굴곡 탄성율은 각각 3 GPa 이상, 10 GPa 이상, 20 GPa 이상, 40 GPa 이상, 40 내지 200GPa일 수 있다. 상기 평판형 하부 기판 및 상기 평판형 상부 기판의 굴곡 탄성율이 상기 범위 내인 경우, 상기 평판형 상부 기판의 보잉(bowing) 현상을 최소화할 수 있으므로, 제조되는 플라스틱 기판의 두께 균일도를 크게 증가시킬 수 있는 장점이 있다.The flexural modulus of the flat lower substrate and the flat upper substrate may be 3 GPa or more, 10 GPa or more, 20 GPa or more, 40 GPa or more, and 40 to 200 GPa, respectively. When the flexural modulus of the flat lower substrate and the flat upper substrate is within the above range, the bowing phenomenon of the flat upper substrate can be minimized, and thus the thickness uniformity of the manufactured plastic substrate can be greatly increased. There are advantages.

상기 평판형 하부 기판 및 상기 평판형 상부 기판의 표면 평탄도는 각각 5 ㎛ 이하, 2 ㎛ 이하, 1 ㎛ 이하, 또는 0.001 내지 1㎛일 수 있다. 상기 평판형 하부 기판 및 상기 평판형 상부 기판의 표면 평탄도가 상기 범위 내인 경우, 제조되는 플라스틱 기판의 표면 평탄도도 일반적인 플라스틱 기판보다 매우 향상될 수 있다. Surface flatness of the flat lower substrate and the flat upper substrate may be 5 μm or less, 2 μm or less, 1 μm or less, or 0.001 to 1 μm, respectively. When the surface flatness of the flat lower substrate and the flat upper substrate is within the above range, the surface flatness of the manufactured plastic substrate may also be significantly improved compared to that of a general plastic substrate.

상기 표면 평탄도는 25 ℃ 및 50 RH% 분위기에서, QED 사의 ASI(aspheric stitching interferometry) 장비로 지름 200 ㎜ 영역에서 0.16 Х 0.16 ㎟ 당 한 점을 측정하거나, 또는 덕인 사의 3차원 형상 측정기 장비를 사용하여, 지름 200 ㎜ 영역에서 임의의 원점을 기준으로 반지름 5 ㎜ 및 11.25 도 간격으로 측정된 높이의 최고값과 최저값 간의 차이를 의미할 수 있다.The surface flatness was measured at 25 ℃ and 50 RH% atmosphere by QED's ASI (aspheric stitching interferometry) equipment in a 200 mm diameter area, measuring one point per 0.16 Х 0.16 ㎟, or using a three-dimensional shape measuring instrument of Deokin Corporation. Thus, it may mean the difference between the highest and lowest values of heights measured at intervals of 5 mm and 11.25 degrees with respect to an arbitrary origin in the area of 200 mm in diameter.

상기 몰딩 공간은 상기 완충형 스페이서에 의하여 구획되는, 상기 평판형 하부 기판과 상기 평판형 상부 기판 사이에 구비되는 빈 공간을 의미할 수 있다.The molding space may refer to an empty space provided between the flat lower substrate and the flat upper substrate, partitioned by the buffer spacer.

상기 플라스틱 기판의 제조방법은, 상기 몰드 장비를 준비한 이후, 상기 몰딩 공간에 경화성 조성물을 완충하는 단계를 포함할 수 있다.The manufacturing method of the plastic substrate, After preparing the molding equipment, it may include buffering the curable composition in the molding space.

상기 몰딩 공간에 경화성 조성물을 완충하는 단계는, 상기 몰딩 공간에 상기 경화성 조성물을 주입하여 상기 경화성 조성물이 상기 평판형 하부 기판과 상기 평판형 상부 기판과 밀착되도록 충분히 채워 넣는 것을 의미할 수 있다. 구체적으로, 상기 경화성 조성물을 완충하는 단계는, 상기 몰딩 공간에 상기 경화성 조성물은 95 vol% 이상, 97 vol% 이상, 99 vol% 이상, 또는 100 vol%로 주입하는 것을 의미할 수 있다.The step of buffering the curable composition in the molding space may refer to injecting the curable composition into the molding space to sufficiently fill the curable composition to closely contact the flat lower substrate and the flat upper substrate. Specifically, the step of buffering the curable composition may mean injecting the curable composition into the molding space at 95 vol% or more, 97 vol% or more, 99 vol% or more, or 100 vol%.

또한, 상기 몰딩 공간에 경화성 조성물을 완충하는 단계는, 상기 완충형 스페이서가 구비된 평판형 하부 기판의 몰딩 공간에 상기 경화성 조성물을 주입하고, 상기 평판형 상부 기판을 적층하는 방법, 또는 상기 몰드 장비에 주입구를 구비하여 상기 경화성 조성물을 주입하는 방법 등 다양한 방법을 이용할 수 있다.In addition, the step of buffering the curable composition in the molding space includes injecting the curable composition into the molding space of the flat lower substrate provided with the buffer spacer, and laminating the flat upper substrate, or the mold equipment A variety of methods such as a method of injecting the curable composition by providing an injection hole in the can be used.

상기 플라스틱 기판의 제조방법은, 상기 몰딩 공간에 경화성 조성물을 완충한 이후, 상기 평판형 상부 기판의 하중으로 상기 경화성 조성물을 압축하며, 상기 경화성 조성물을 경화하는 단계를 포함할 수 있다.The method of manufacturing the plastic substrate may include, after buffering the curable composition in the molding space, compressing the curable composition under a load of the flat upper substrate, and curing the curable composition.

도 1은 상기 경화성 조성물을 경화하는 단계에서의 단면을 도시한 것이다. 구체적으로, 도 1은 평판형 하부 기판(101)과 평판형 상부 기판(102) 사이에 구비되는 완충형 스페이서(201, 202)를 포함하는 몰딩 장비의 몰딩 공간에 경화성 조성물(300)을 주입하여 완충된 것을 나타낸 것이다. 이와 같이, 경화성 조성물이 완충된 후, 광경화 및/또는 열경화를 하여 플라스틱 기판을 제조할 수 있다.1 shows a cross-section in the step of curing the curable composition. Specifically, FIG. 1 shows that the curable composition 300 is injected into the molding space of the molding equipment including the buffer spacers 201 and 202 provided between the flat lower substrate 101 and the flat upper substrate 102. indicates that it is fully charged. In this way, after the curable composition is buffered, a plastic substrate may be manufactured by photocuring and/or thermal curing.

상기 열경화를 하기 위하여 상기 경화성 조성물에 열처리 시 승온 속도는 2 ℃/min 이하 또는 1 ℃/min 이하일 수 있다. 상기 승온 속도가 상기 범위 내인 경우, 상기 경화성 조성물에 전달되는 열의 위치 간 편차를 최소화하고 반응열의 배출 불균일을 최소화하여 상기 경화성 조성물의 균일한 경화를 유도할 수 있다.In order to perform the thermosetting, a temperature increase rate during heat treatment of the curable composition may be 2 °C/min or less or 1 °C/min or less. When the temperature increase rate is within the above range, it is possible to induce uniform curing of the curable composition by minimizing the deviation between positions of heat transferred to the curable composition and minimizing the non-uniformity of discharging reaction heat.

상기 열경화 시 최종 온도는 85 ℃ 내지 100 ℃, 87 ℃ 내지 98 ℃, 또는 89 ℃ 내지 95 ℃일 수 있으며, 상기 최종 온도 도달 전 최종 온도보다 낮은 온도에서 등온 유지 구간을 세 번 이상 둠으로써 상기 경화성 조성물에 전달되는 열의 위치 간 편차를 최소화할 수 있다. 상기 등온 유지 구간 사이의 온도 차이는 10 ℃ 내지 20 ℃, 12 ℃ 내지 18 ℃, 또는 14 ℃ 내지 16℃일 수 있으며, 상기 등온 유지 구간의 유지 시간은 각각 1 시간 내지 5 시간, 또는 2 시간 내지 4시간일 수 있다. 예를 들어, 상기 경화성 조성물을 상온(25 ℃)에서 2 시간 방치 한 후, 45 ℃에서 2 시간, 60 ℃에서 2 시간, 75 ℃에서 2 시간, 90 ℃에서 4 시간 동안 열경화하여 플라스틱 기판을 제조할 수 있다.The final temperature during thermosetting may be 85 °C to 100 °C, 87 °C to 98 °C, or 89 °C to 95 °C, and by placing an isothermal holding section at a temperature lower than the final temperature before reaching the final temperature three times or more It is possible to minimize the deviation between positions of heat transferred to the curable composition. The temperature difference between the isothermal holding sections may be 10 ℃ to 20 ℃, 12 ℃ to 18 ℃, or 14 ℃ to 16 ℃, the holding time of the isothermal holding section is 1 hour to 5 hours, or 2 hours to respectively It can be 4 hours. For example, after leaving the curable composition at room temperature (25° C.) for 2 hours, thermosetting at 45° C. for 2 hours, 60° C. for 2 hours, 75° C. for 2 hours, and 90° C. for 4 hours to form a plastic substrate can be manufactured.

상기 일 구현예에 따른 플라스틱 기판의 제조방법은, 상기 평판형 상부 기판의 하중으로 상기 경화성 조성물을 압축하며, 상기 경화성 조성물을 경화한 이후, 상기 평판형 상부 기판 및 상기 평판형 하부 기판을 제거하여 플라스틱 기판을 수득하는 단계를 포함할 수 있다. In the method for manufacturing a plastic substrate according to an embodiment, the curable composition is compressed with a load of the flat upper substrate, and after curing the curable composition, the flat upper substrate and the flat lower substrate are removed, and obtaining a plastic substrate.

상기 평판형 상부 기판 및 상기 평판형 하부 기판을 제거하는 것은, 상기 경화성 조성물의 경화가 완료된 이후, 상기 평판형 상부 기판과 상기 평판형 하부 기판을 상기 경화성 조성물의 경화물인 플라스틱 기판에서 분리하는 것을 의미할 수 있다.Removing the flat upper substrate and the flat lower substrate means separating the flat upper substrate and the flat lower substrate from a plastic substrate that is a cured product of the curable composition after curing of the curable composition is completed can do.

상기 평판형 하부 기판 및 상기 평판형 상부 기판의 표면은 각각 이형제로 표면 처리된 것일 수 있다. 상기 이형제는 당업계에서 일반적으로 사용되는 것이라면 제한 없이 적용할 수 있다. 일 예로 상기 이형제로 표면 처리한 것은 불소계 실란 커플링제를 이용하여 표면 코팅된 것 일 수 있다.Surfaces of the flat lower substrate and the flat upper substrate may be surface-treated with a release agent, respectively. The release agent may be applied without limitation as long as it is generally used in the art. For example, the surface-treated material with the release agent may be surface-coated using a fluorine-based silane coupling agent.

상기 이형제를 이용하여 표면 코팅된 경우, 상기 플라스틱 기판을 수득하는 단계에서, 상기 플라스틱 기판의 표면에 손상을 최소화하며 상기 평판형 하부 기판 및 상기 평판형 상부 기판을 제거할 수 있다.When the surface is coated using the release agent, in the step of obtaining the plastic substrate, damage to the surface of the plastic substrate is minimized and the flat lower substrate and the flat upper substrate may be removed.

상기 경화성 조성물은 에피설파이드 화합물, 티올 화합물 및 2개 이상의 수산기를 포함하는 방향족 고리 화합물을 포함을 포함할 수 있다. The curable composition may include an episulfide compound, a thiol compound, and an aromatic ring compound including two or more hydroxyl groups.

상기 티올 화합물 및 2개 이상의 수산기를 포함하는 방향족 고리 화합물의 중량비는 7:3 내지 9:1, 7:3 내지 8.5:1.5, 또는 7:3 내지 8:2일 수 있다. 상기 티올 화합물 및 2개 이상의 수산기를 포함하는 방향족 고리 화합물의 중량비가 7:3 미만이면 플라스틱 기판의 황색도가 높아지고 고굴절률을 구현하기 어려울 수 있고, 9:1 초과하면 상기 경화성 조성물의 경화시 경화 속도 제어가 어려워 플라스틱 기판에서 맥리 현상이 발생할 수 있다.The weight ratio of the thiol compound and the aromatic ring compound including two or more hydroxyl groups may be 7:3 to 9:1, 7:3 to 8.5:1.5, or 7:3 to 8:2. If the weight ratio of the thiol compound and the aromatic ring compound containing two or more hydroxyl groups is less than 7:3, the yellowness of the plastic substrate may increase and it may be difficult to implement a high refractive index, and if it exceeds 9:1, the curable composition is cured during curing Because it is difficult to control the speed, streaking may occur in the plastic substrate.

상기 에피설파이드 화합물은 하기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함할 수 있다.The episulfide compound may include a compound represented by Formula 1 below.

[화학식 1][Formula 1]

Figure pat00001
Figure pat00001

상기 화학식 1에서, In Formula 1,

R1 및 R2는 각각 독립적으로, 수소 또는 탄소수 1 내지 10의 알킬이고,R 1 and R 2 are each independently hydrogen or alkyl having 1 to 10 carbon atoms,

R3 및 R4는 각각 독립적으로, 단일결합 또는 탄소수 1 내지 10의 알킬렌이고,R 3 and R 4 are each independently a single bond or alkylene having 1 to 10 carbon atoms,

a는 0 내지 4의 정수이고, a is an integer from 0 to 4,

b는 0 내지 6의 정수이다.b is an integer from 0 to 6.

상기 화학식 1로 표시되는 에피설파이드 화합물은, 분자의 양 말단에 에피설파이드가 연결된 지방족 사슬형 골격을 가지고 있으며, 지방족 사슬 내에서는 알킬렌 그룹이 황(S) 원자에 의해 연결되는 티오에터(thio ether) 형태의 반복 단위를 구비할 수 있다.The episulfide compound represented by Formula 1 has an aliphatic chain-like skeleton in which episulfide is linked to both ends of the molecule, and in the aliphatic chain, an alkylene group is linked by a sulfur (S) atom. ether) in the form of a repeating unit.

상기 에피설파이드 화합물은 상술한 특정 화학 구조로 인하여 분자 내에 원자 굴절이 큰 황(S) 원자를 높은 함량으로 포함할 수 있는데, 이러한 높은 황 원자 함량에 의해 플라스틱 기판의 굴절률을 높일 수 있다. 또한, 상기 에피설파이드 화합물은 개환 중합에 의해 경화가 가능한데, 에피설파이드기의 개환 중합에 의해 형성되는 알킬렌 설파이드 그룹은, 플라스틱 기판의 굴절률을 더욱 높일 수 있다. The episulfide compound may contain a high content of sulfur (S) atoms having high atomic refraction in the molecule due to the specific chemical structure described above, and the refractive index of the plastic substrate may be increased by this high content of sulfur atoms. In addition, the episulfide compound can be cured by ring-opening polymerization, and the alkylene sulfide group formed by ring-opening polymerization of the episulfide group may further increase the refractive index of the plastic substrate.

한편, 상기 화학식 1에서, R1 및 R2는 각각 독립적으로 수소 또는 메틸기일 수 있지만, 이에 한정되는 것은 아니다.Meanwhile, in Formula 1, R 1 and R 2 may each independently be hydrogen or a methyl group, but is not limited thereto.

또한, R3 및 R4는 각각 독립적으로 단일결합, 메틸렌, 에틸렌, 프로필렌, 이소프로필렌, 부틸렌, 또는 이소부틸렌일 수 있지만, 이에 한정되는 것은 아니다.In addition, R 3 and R 4 may each independently be a single bond, methylene, ethylene, propylene, isopropylene, butylene, or isobutylene, but is not limited thereto.

또한, a 및 b는 각각 독립적으로 0 또는 1일 수 있다.In addition, a and b may each independently be 0 or 1.

화학식 1의 a는, 티오에터 반복 단위에 포함된 알킬렌 그룹의 탄소수에 관한 것으로, a가 지나치게 큰 경우, 분자 내에 탄소 사슬의 길이가 길어지게 되어, 플라스틱 기판의 유리 전이 온도가 낮아지게 되고, 이에 따라 플라스틱 기판의 내열성이 저하되는 문제점이 발생할 수 있으며, 또한, 상대적인 황의 함량이 낮아지게 되어 플라스틱 기판의 굴절률이 낮아지는 문제점이 발생할 수 있다. a in Formula 1 relates to the number of carbon atoms of the alkylene group included in the thioether repeating unit. When a is too large, the length of the carbon chain in the molecule becomes long, and the glass transition temperature of the plastic substrate is lowered. , this may cause a problem in that the heat resistance of the plastic substrate is lowered, and also, a problem in that the refractive index of the plastic substrate is lowered because the relative sulfur content is lowered.

화학식 1의 b는, 알킬렌 그룹이 황(S) 원자에 의해 연결되는 티오에터(thio ether) 반복 단위의 반복 수로, b가 지나치게 큰 경우, 분자의 사슬 길이가 길어지게 되어 경화 시 플라스틱 기판의 유리 전이 온도가 낮아지게 되고, 이에 따라 플라스틱 기판의 내열성이 저하되는 문제점이 발생할 수 있다. b in Formula 1 is the number of repeats of thioether repeating units in which an alkylene group is connected by a sulfur (S) atom. When b is too large, the chain length of the molecule becomes longer and thus the plastic substrate is cured. The glass transition temperature is lowered, and accordingly, there may be a problem in that the heat resistance of the plastic substrate is lowered.

또한, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 단독으로 사용하거나, 혹은 2종 이상 혼합하여 사용할 수도 있다.In addition, the compound represented by the above formula (1) may be used alone or in combination of two or more.

상기 에피설파이드 화합물은, 예를 들어, 비스(β-에피티오프로필)설파이드, 비스(β-에피티오프로필)디설파이드, 비스(β-에피티오프로필티오)메탄, 1,2-비스(β-에피티오프로필티오)에탄, 1,3-비스(β-에피티오프로필티오)프로판, 1,4-비스(β-에피티오프로필티오)부탄 등으로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있지만, 본 발명이 반드시 이에 한정되는 것은 아니다. The episulfide compound is, for example, bis(β-epithiopropyl)sulfide, bis(β-epithiopropyl)disulfide, bis(β-epithiopropylthio)methane, 1,2-bis(β-epi). It may include at least one selected from the group consisting of thiopropylthio)ethane, 1,3-bis(β-epithiopropylthio)propane, 1,4-bis(β-epithiopropylthio)butane, and the like. The invention is not necessarily limited thereto.

상기 에피설파이드 화합물의 함량은, 전체 플라스틱 기판 100중량%에 대하여, 50 내지 99중량%, 60 내지 95중량%, 또는 70 내지 90중량%일 수 있다. 상기 에피설파이드 화합물의 함량이 지나치게 많으면, 플라스틱 기판의 유리 전이 온도를 낮추고 황색도(YI; Yellow Index)를 높이는 문제점이 있다. 반면, 상기 에피설파이드 화합물의 함량이 지나치게 적으면 플라스틱 기판의 유리 전이 온도를 낮추고 황색도(YI; Yellow Index)를 높이는 문제점이고, 경도 및 강도 등의 기계적 물성이 저하되는 문제점이 발생할 수 있다.The content of the episulfide compound may be 50 to 99% by weight, 60 to 95% by weight, or 70 to 90% by weight based on 100% by weight of the total plastic substrate. When the content of the episulfide compound is too large, there is a problem in that the glass transition temperature of the plastic substrate is lowered and the yellow index (YI) is increased. On the other hand, when the content of the episulfide compound is too small, the glass transition temperature of the plastic substrate is lowered and the yellow index (YI) is increased, and mechanical properties such as hardness and strength may be deteriorated.

상기 티올 화합물은 하기 화학식 2 및 3으로 표시되는 화합물 중에서 선택되는 적어도 하나를 포함할 수 있다.The thiol compound may include at least one selected from compounds represented by the following Chemical Formulas 2 and 3.

[화학식 2][Formula 2]

Figure pat00002
Figure pat00002

상기 화학식 2에서,In Formula 2,

R5 및 R6은 각각 독립적으로, 단일결합 또는 탄소수 1 내지 10의 알킬렌이고,R 5 and R 6 are each independently a single bond or alkylene having 1 to 10 carbon atoms,

c는 0 내지 4의 정수이고, c is an integer from 0 to 4,

d는 0 내지 6의 정수이고,d is an integer from 0 to 6,

[화학식 3][Formula 3]

Figure pat00003
Figure pat00003

상기 화학식 3에서, In Formula 3,

A 고리는 질소(N) 및 황(S) 원자 중 1개 이상을 포함하는 5원 또는 6원의 방향족 헤테로 고리이고,Ring A is a 5-membered or 6-membered aromatic heterocyclic ring containing at least one of nitrogen (N) and sulfur (S) atoms,

e는 1 내지 3의 정수이고,e is an integer from 1 to 3,

구체적으로, 상기 화학식 2로 표시되는 티올 화합물은, 분자의 양 말단에 티올기(-SH)가 연결된 지방족 사슬형 골격을 가지고 있으며, 지방족 사슬 내에서는, 알킬렌 그룹이 황(S) 원자에 의해 연결되는 티오에터(thio ether) 형태의 반복 단위를 구비할 수 있다. Specifically, the thiol compound represented by Formula 2 has an aliphatic chain skeleton in which thiol groups (-SH) are linked to both ends of the molecule, and in the aliphatic chain, an alkylene group is formed by a sulfur (S) atom. It may include a repeating unit in the form of a linked thioether.

한편, 화학식 3으로 표시되는 티올 화합물은, 질소(N) 및/또는 황(S)과 같은 헤테로 원자를 포함하는, 5원 또는 6원 방향족 고리에, 1개 이상의 티올기가 연결될 수 있다.Meanwhile, in the thiol compound represented by Formula 3, one or more thiol groups may be connected to a 5- or 6-membered aromatic ring including a hetero atom such as nitrogen (N) and/or sulfur (S).

상기 화학식 2 또는 3으로 표시되는 티올 화합물은, 상기 에피설파이드 화합물과의 경화 반응, 즉, 에피설파이드 그룹의 개환 중합 반응에서, 에피설파이드 그룹과 반응하여 이황화 결합 등을 형성할 수 있으며, 분자 내에 원자 굴절이 큰 황(S) 원자를 높은 함량으로 포함하여 플라스틱 기판의 굴절률을 더욱 높이고, 플라스틱 기판의 물리적 강도를 향상시킬 수 있다. The thiol compound represented by Formula 2 or 3 may react with an episulfide group in a curing reaction with the episulfide compound, that is, a ring-opening polymerization reaction of the episulfide group, to form a disulfide bond, etc., and atoms in the molecule It is possible to further increase the refractive index of the plastic substrate and improve the physical strength of the plastic substrate by including high refractive index sulfur (S) atoms in a high content.

한편, 상기 화학식 2에서, R5 및 R6은 각각 독립적으로 단일결합, 메틸렌, 에틸렌, 프로필렌, 이소프로필렌, 부틸렌, 또는 이소부틸렌일 수 있지만, 이에 한정되는 것은 아니다.Meanwhile, in Formula 2, R 5 and R 6 may each independently be a single bond, methylene, ethylene, propylene, isopropylene, butylene, or isobutylene, but is not limited thereto.

또한, c 및 d는 각각 독립적으로 0 또는 1일 수 있다.Also, c and d may each independently be 0 or 1.

화학식 2의 c는, 티오에터 반복 단위에 포함된 알킬렌 그룹의 탄소 수에 관한 것으로, c가 지나치게 큰 경우, 분자 내에 탄소 사슬의 길이가 길어지게 되어, 플라스틱 기판의 유리 전이 온도가 낮아지게 되고, 이에 따라 플라스틱 기판의 내열성이 저하되는 문제점이 발생할 수 있으며, 또한, 상대적인 황의 함량이 낮아지게 되어 플라스틱 기판의 굴절률이 낮아지는 문제점이 발생할 수 있다. c in Formula 2 relates to the number of carbon atoms in the alkylene group included in the thioether repeating unit. When c is too large, the length of the carbon chain in the molecule becomes long, so that the glass transition temperature of the plastic substrate is lowered. Accordingly, there may be a problem in that the heat resistance of the plastic substrate is lowered, and also, a problem in that the refractive index of the plastic substrate is lowered due to a decrease in the relative sulfur content may occur.

화학식 2의 d는, 알킬렌 그룹이 황(S) 원자에 의해 연결되는 티오에터(thio ether) 반복 단위의 반복 수로, d가 지나치게 큰 경우, 분자의 사슬 길이가 길어지게 되어 플라스틱 기판의 유리 전이 온도가 낮아지게 되고, 이에 따라 플라스틱 기판의 내열성이 저하되는 문제점이 발생할 수 있다. d in Formula 2 is the number of repeats of thioether repeating units in which an alkylene group is connected by a sulfur (S) atom. When d is too large, the chain length of the molecule becomes long, resulting in glass of a plastic substrate. The transition temperature is lowered, and accordingly, there may be a problem in that the heat resistance of the plastic substrate is lowered.

또한, 상기 화학식 3에서, A 고리는 피리딘, 피리미딘, 트리아진, 이미다졸, 싸이오펜, 티아졸 또는 티아디아졸일 수 있지만, 이에 한정되는 것은 아니다.In addition, in Formula 3, ring A may be pyridine, pyrimidine, triazine, imidazole, thiophene, thiazole or thiadiazole, but is not limited thereto.

또한, e는 2 또는 3일 수 있다.Also, e may be 2 or 3.

또한, 상기 화학식 2 또는 3으로 표시되는 화합물을 단독으로 사용하거나, 혹은 2종 이상 혼합하여 사용할 수도 있다.In addition, the compound represented by Formula 2 or 3 may be used alone or in combination of two or more.

상기 티올 화합물은, 예를 들어, 하기 화합물 중에서 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있다.The thiol compound may include, for example, at least one selected from the following compounds.

Figure pat00004
Figure pat00004

상기 티올 화합물의 함량은, 전체 플라스틱 기판 100중량%에 대하여, 1 내지 30중량%, 5 내지 25중량%, 또는 7 내지 10중량%일 수 있다. 상기 티올 화합물의 함량이 지나치게 많으면 플라스틱 기판의 유리 전이 온도를 낮추고 황색도(YI; Yellow Index)를 높이고, 경도 및 강도 등의 물리적 특성이 저하되는 문제점이 발생할 수 있다. 반면, 상기 티올 화합물의 함량이 지나치게 적으면 플라스틱 기판의 유리 전이 온도를 낮추고 황색도(YI; Yellow Index)를 높이는 문제점이 있다.The content of the thiol compound may be 1 to 30% by weight, 5 to 25% by weight, or 7 to 10% by weight based on 100% by weight of the total plastic substrate. When the content of the thiol compound is excessively large, there may be problems in that the glass transition temperature of the plastic substrate is lowered, the yellow index (YI) is increased, and physical properties such as hardness and strength are lowered. On the other hand, when the content of the thiol compound is too small, there is a problem of lowering the glass transition temperature of the plastic substrate and increasing the yellow index (YI).

상기 2개 이상의 수산기를 갖는 방향족 고리 화합물은 하기 화학식 4 및 5로 표시되는 화합물 중에서 선택되는 적어도 하나를 포함할 수 있다.The aromatic ring compound having two or more hydroxyl groups may include at least one selected from compounds represented by the following Chemical Formulas 4 and 5.

[화학식 4][Formula 4]

Figure pat00005
Figure pat00005

상기 화학식 4에서,In Formula 4,

R7 및 R8은 각각 독립적으로, 중수소, 할로겐, 시아노, 니트릴, 니트로, 아미노, 탄소수 1 내지 40의 알킬, 탄소수 1 내지 40의 알콕시, 탄소수 3 내지 40의 사이클로알킬, 탄소수 1 내지 40의 알케닐, 탄소수 6 내지 60의 아릴, 또는 O, N, Si 및 S 중 1개 이상을 포함하는 탄소수 1 내지 40의 헤테로아릴이고,R 7 and R 8 are each independently deuterium, halogen, cyano, nitrile, nitro, amino, alkyl having 1 to 40 carbon atoms, alkoxy having 1 to 40 carbon atoms, cycloalkyl having 3 to 40 carbon atoms, cycloalkyl having 1 to 40 carbon atoms alkenyl, aryl having 6 to 60 carbon atoms, or heteroaryl having 1 to 40 carbon atoms including at least one of O, N, Si and S;

f 및 g는 각각 독립적으로, 1 내지 7의 정수이고,f and g are each independently an integer of 1 to 7,

h 및 i는 각각 독립적으로, 0 내지 6의 정수이고,h and i are each independently an integer of 0 to 6,

f+h는 7 이하의 정수이고, f+h is an integer less than or equal to 7,

g+i는 7 이하의 정수이고,g+i is an integer of 7 or less,

[화학식 5] [Formula 5]

Figure pat00006
Figure pat00006

상기 화학식 5에서,In Formula 5,

Ar1 및 Ar2는 각각 독립적으로, 1개 이상의 수산기가 치환된 탄소수 6 내지 60의 아릴이고,Ar 1 and Ar 2 are each independently an aryl having 6 to 60 carbon atoms substituted with one or more hydroxyl groups,

R9 및 R10은 각각 독립적으로, 중수소, 할로겐, 시아노, 니트릴, 니트로, 아미노, 탄소수 1 내지 40의 알킬, 탄소수 1 내지 40의 알콕시, 탄소수 3 내지 40의 사이클로알킬, 탄소수 1 내지 40의 알케닐, 탄소수 6 내지 60의 아릴, 또는 O, N, Si 및 S 중 1개 이상을 포함하는 탄소수 1 내지 40의 헤테로아릴이고,R 9 and R 10 are each independently deuterium, halogen, cyano, nitrile, nitro, amino, alkyl having 1 to 40 carbon atoms, alkoxy having 1 to 40 carbon atoms, cycloalkyl having 3 to 40 carbon atoms, cycloalkyl having 1 to 40 carbon atoms alkenyl, aryl having 6 to 60 carbon atoms, or heteroaryl having 1 to 40 carbon atoms including at least one of O, N, Si and S;

m 및 n은 각각 독립적으로, 0 내지 4의 정수이다.m and n are each independently an integer of 0 to 4.

구체적으로, 상기 화학식 4로 표시되는 2개 이상의 수산기를 갖는 방향족 고리 화합물은, 2개의 나프탈렌이 연결된 골격을 가지고 있으며, 각각의 나프탈렌에 1개 이상의 수산기가 연결될 수 있다. Specifically, the aromatic ring compound having two or more hydroxyl groups represented by Chemical Formula 4 has a skeleton in which two naphthalenes are connected, and one or more hydroxyl groups may be connected to each naphthalene.

한편, 화학식 5로 표시되는 2개 이상의 수산기를 갖는 방향족 고리 화합물은, 플루오렌의 9번 위치에 1개 이상의 수산기가 치환된 아릴기가 2개 치환된 형태를 나타낼 수 있다.On the other hand, the aromatic ring compound having two or more hydroxyl groups represented by Formula 5 may represent a form in which two aryl groups substituted with one or more hydroxyl groups at the 9th position of fluorene are substituted.

상기 화학식 4 또는 5로 표시되는 상기 2개 이상의 수산기를 갖는 방향족 고리 화합물은, 방향족 작용기의 컨쥬게이션(Conjugation)계에 의해 플라스틱 기판의 고굴절률을 구현할 수 있고, 또한, 이러한 방향족 작용기로 인해, 플라스틱 기판에서 상기 방향족 고리 화합물을 포함함에 따라 황 원자의 함량이 감소하더라도, 굴절률 감소를 최소화시킬 수 있으며, 나아가, 상기 플라스틱 기판의 유리 전이 온도(Tg)를 증가시켜 기계적 특성을 향상시킬 수 있다.The aromatic ring compound having two or more hydroxyl groups represented by Formula 4 or 5 can implement a high refractive index of a plastic substrate by a conjugation system of an aromatic functional group, and also, due to this aromatic functional group, plastic Even if the content of sulfur atoms is reduced by including the aromatic ring compound in the substrate, a decrease in refractive index may be minimized, and further, mechanical properties may be improved by increasing the glass transition temperature (Tg) of the plastic substrate.

한편, 상기 화학식 4에서, R7 및 R8은 각각 독립적으로 중수소, 할로겐, 시아노, 니트릴, 니트로, 아미노, 메틸 또는 에틸일 수 있지만, 이에 한정되는 것은 아니다.Meanwhile, in Formula 4, R 7 and R 8 may each independently be deuterium, halogen, cyano, nitrile, nitro, amino, methyl, or ethyl, but is not limited thereto.

또한, f 및 g는 각각 독립적으로 1 또는 2일 수 있다.Also, f and g may each independently be 1 or 2.

또한, h 및 i는 각각 독립적으로 0 또는 1일 수 있다.Also, h and i may each independently be 0 or 1.

또한, 상기 화학식 5에서, Ar1 및 Ar2는 각각 독립적으로 1 또는 2개의 수산기가 치환된 페닐 또는 나프탈레닐일 수 있지만, 이에 한정되는 것은 아니다.In addition, in Formula 5, Ar 1 and Ar 2 may each independently be phenyl or naphthalenyl substituted with one or two hydroxyl groups, but is not limited thereto.

또한, R9 및 R10은 각각 독립적으로 중수소, 할로겐, 시아노, 니트릴, 니트로, 아미노, 메틸 또는 에틸일 수 있지만, 이에 한정되는 것은 아니다.In addition, R 9 and R 10 may each independently be deuterium, halogen, cyano, nitrile, nitro, amino, methyl or ethyl, but is not limited thereto.

또한, m 및 n은 각각 독립적으로 0 또는 1일 수 있다.In addition, m and n may each independently be 0 or 1.

또한, 상기 화학식 4 또는 5로 표시되는 화합물을 단독으로 사용하거나, 혹은 2종 이상 혼합하여 사용할 수도 있다.In addition, the compound represented by the formula (4) or (5) may be used alone or in combination of two or more.

상기 2개 이상의 수산기를 갖는 방향족 고리 화합물은, 예를 들어, 하기 화합물 중에서 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있다.The aromatic ring compound having two or more hydroxyl groups may include, for example, at least one selected from the following compounds.

Figure pat00007
Figure pat00007

상기 2개 이상의 수산기를 갖는 방향족 고리 화합물의 함량은, 전체 플라스틱 기판 100중량%에 대하여, 0.1 내지 10중량%, 0.5 내지 5중량%, 또는 1 내지 3중량%일 수 있다. 상기 2개 이상의 수산기를 갖는 방향족 고리 화합물의 함량이 지나치게 많으면 플라스틱 기판의 굴절률이 저하되는 문제점이 있고, 함량이 지나치게 적으면 경화 반응속도가 지나치게 빨라 플라스틱 기판에서 맥리 현상이 발생하는 문제점이 있다.The content of the aromatic ring compound having two or more hydroxyl groups may be 0.1 to 10% by weight, 0.5 to 5% by weight, or 1 to 3% by weight based on 100% by weight of the total plastic substrate. When the content of the aromatic ring compound having two or more hydroxyl groups is too large, there is a problem in that the refractive index of the plastic substrate is lowered, and when the content is too small, the curing reaction rate is too fast, and streaks occur in the plastic substrate.

또한, 상기 경화성 조성물은, 상술한 화합물의 중합 및 경화를 촉진시키기 위하여, 촉매를 더 포함할 수도 있다. In addition, the curable composition may further include a catalyst in order to promote polymerization and curing of the above-described compound.

상기 촉매는, 예를 들어, 아민, 암모늄 염, 혹은 인산염 등을 들 수 있고, 구체적으로 예를 들어, N,N-디메틸시클로헥실아민 등의 3차 아민이나, 테트라-n-부틸암모늄 염, 트리에틸벤질암모늄 염 등의 암모늄 염을 들 수 있다. Examples of the catalyst include amines, ammonium salts, and phosphates, and specifically, for example, tertiary amines such as N,N-dimethylcyclohexylamine, tetra-n-butylammonium salt, and ammonium salts such as triethylbenzylammonium salt.

상기 촉매의 함량은, 상술한 경화성 조성물 전체 중량에 대하여, 약 0.001 내지 약 10중량%, 0.001 내지 약 5중량%, 또는 약 0.01 내지 약 1.5중량%일 수 있다. The content of the catalyst may be from about 0.001 to about 10% by weight, from 0.001 to about 5% by weight, or from about 0.01 to about 1.5% by weight, based on the total weight of the above-described curable composition.

또한, 상기 경화성 조성물은, 이 외에도, 자외선 흡수제, 블루잉제, 안료 등 기타 첨가제를 더 포함할 수도 있다. In addition, the curable composition may further include other additives such as a UV absorber, a bluing agent, and a pigment.

상기 경화성 조성물은 광경화성 조성물 또는 열경화성 조성물일 수 있다. 구체적으로, 상기 경화성 조성물은 열경화성 조성물일 수 있다.The curable composition may be a photocurable composition or a thermosetting composition. Specifically, the curable composition may be a thermosetting composition.

상술한 경화성 조성물의 경화 수축률은 15 % 이하, 1 % 내지 15 %, 1 % 내지 12 %, 또는 1 % 내지 10 %일 수 있다.The curing shrinkage of the above-described curable composition may be 15% or less, 1% to 15%, 1% to 12%, or 1% to 10%.

또한, 상기 경화성 조성물의 경화 수축률은 하기 식 3과 같이 도출될 수 있다.In addition, the cure shrinkage of the curable composition may be derived as shown in Equation 3 below.

[식 3][Equation 3]

경화 수축률(%) = {(경화 전 부피 - 완전 경화 후 부피) / 경화 전 부피} Х 100Curing shrinkage (%) = {(Volume before curing - Volume after complete curing) / Volume before curing} Х 100

한편, 상기 경화성 조성물은 초기 즉, 각 구성의 혼합 직후 점도는 80 내지 120 cP, 90 내지 110 cP, 또는 95 내지 105 cP일 수 있다. 한편, 상기 경화성 조성물의 12시간 보관 후 점도는 4500 cP 이하, 4000 cP 이하, 200 내지 3500 cP일 수 있다.Meanwhile, the curable composition may have an initial viscosity of 80 to 120 cP, 90 to 110 cP, or 95 to 105 cP immediately after mixing of each component. Meanwhile, the viscosity of the curable composition after storage for 12 hours may be 4500 cP or less, 4000 cP or less, or 200 to 3500 cP.

상기 플라스틱 기판의 제조방법에 의하여 제조된 플라스틱 기판은, 에피설파이드 화합물, 티올 화합물, 및 2개 이상의 수산기를 갖는 방향족 고리 화합물의 경화물을 포함할 수 있다. 또한, 상기 경화물은 상기 티올 화합물 및 2개 이상의 수산기를 갖는 방향족 고리 화합물의 중량비를 7:3 내지 9:1로 포함할 수 있다.The plastic substrate manufactured by the method for manufacturing the plastic substrate may include a cured product of an episulfide compound, a thiol compound, and an aromatic ring compound having two or more hydroxyl groups. In addition, the cured product may include a weight ratio of the thiol compound and the aromatic ring compound having two or more hydroxyl groups in a ratio of 7:3 to 9:1.

상기 플라스틱 기판은, 두께가 400 ㎛ 내지 2,000 ㎛, 400 ㎛ 내지 1,500 ㎛, 또는 405 ㎛ 내지 1,200 ㎛이고, 상기 플라스틱 기판의 두께 편차는 1 % 이하, 0.8 % 이하, 0.7 % 이하, 또는 0.0001 내지 0.7 %일 수 있다.The plastic substrate has a thickness of 400 μm to 2,000 μm, 400 μm to 1,500 μm, or 405 μm to 1,200 μm, and the thickness deviation of the plastic substrate is 1% or less, 0.8% or less, 0.7% or less, or 0.0001 to 0.7 It can be %.

상기 플라스틱 기판의 두께는 상기 평판형 하부 기판 및 상기 평판형 상부 기판의 이격 거리 및 상기 경화성 조성물의 경화 수축률에 따라 조절될 수 있다. 나아가, 상기 플라스틱 기판의 용도에 따라 상기 범위 내에서 상기 플라스틱 기판의 두께를 조절할 수 있다.The thickness of the plastic substrate may be adjusted according to the separation distance between the flat lower substrate and the flat upper substrate and the curing shrinkage of the curable composition. Furthermore, the thickness of the plastic substrate may be adjusted within the above range according to the use of the plastic substrate.

상기 플라스틱 기판은 두께 편차 값이 낮을수록 상기 플라스틱 기판의 두께 균일도는 높을 수 있다. 즉, 상기 플라스틱 기판은 두께 편차가 1 % 이하로서 매우 우수한 두께 균일도를 가질 수 있다. 상기 플라스틱 기판의 두께 편차는 하기 식 4와 같이 도출될 수 있다.As the thickness deviation value of the plastic substrate decreases, the thickness uniformity of the plastic substrate may be high. That is, the plastic substrate may have very good thickness uniformity with a thickness deviation of 1% or less. The thickness deviation of the plastic substrate may be derived as shown in Equation 4 below.

[식 4][Equation 4]

두께 편차(%) = (최대 편차/평균 두께) Х 100Thickness deviation (%) = (maximum deviation/average thickness) Х 100

부재의 두께는 25 ℃ 및 50 RH% 분위기에서, Mitsutoyo사의 Digimatic Thick 547-401 장비를 이용한 접촉식 측정방법을 이용하여, 최대 두께 또는 최소 두께를 측정할 수 있다. 또한, 부재의 두께는 25 ℃ 및 50 RH%에서 Micro-Epsilon 사의 IFS-2405-1 또는 IFC-2451-MP 장비를 이용한 비접촉식 측정 방법을 이용하여 최대 두께 또는 최소 두께를 측정할 수 있다.The thickness of the member can be measured at 25 ℃ and 50 RH% atmosphere, using the contact measurement method using Mitsutoyo Digimatic Thick 547-401 equipment, the maximum thickness or the minimum thickness can be measured. In addition, the thickness of the member can be measured at 25 ℃ and 50 RH% using a non-contact measurement method using Micro-Epsilon's IFS-2405-1 or IFC-2451-MP equipment to measure the maximum thickness or the minimum thickness.

부재의 평균 두께는 25 ℃ 및 50 RH% 분위기에서, Mitsutoyo사의 Digimatic Thick 547-401 장비를 이용한 접촉식 측정방법을 이용하여, 임의로 배치된 시편의 임의의 점을 원점으로, 반지름 10 ㎜ 및 22.5 도의 간격으로 측정된 두께의 평균값일 수 있다. 또한, 부재의 평균 두께는 25 ℃ 및 50 RH% 분위기에서, 파이버프로 사의 OWTM(Optical Waper Thickness Measurement system) 장비를 이용한 비접촉식 측정방법을 이용하여, 임의로 배치된 시편의 임의의 점을 원점으로, 가로 및 세로 각각에 대하여 1 mm 간격으로 측정된 두께의 평균값일 수 있다.The average thickness of the member is at 25 ℃ and 50 RH% atmosphere, using the contact measurement method using Mitsutoyo's Digimatic Thick 547-401 equipment, at any point on the randomly placed specimen as the origin, with a radius of 10 mm and 22.5 degrees. It may be an average value of thicknesses measured at intervals. In addition, the average thickness of the member is at 25 ℃ and 50 RH% atmosphere, using a non-contact measurement method using FiberPro's OWTM (Optical Waper Thickness Measurement System) equipment, any point of the randomly placed specimen as the origin, horizontal And it may be an average value of the thickness measured at intervals of 1 mm for each length.

상기 플라스틱 기판은, 532 ㎚ 파장에서의 굴절률이 1.70 이상, 약 1.70 내지 약 1.90, 약 1.71 내지 약 1.89, 또는, 약 1.72 내지 약 1.88일 수 있다. 일반적인 유리 기재의 경우, 광굴절율이 532 ㎚ 파장에서 1.65 이상이므로, 상기 플라스틱 기판은 플라스틱 재질임에도 불구하고, 유리 기재와 동등한 수준의 광굴절율을 구현할 수 있으므로, 유리 기재를 대체할 수 있는 장점이 있다.The plastic substrate may have a refractive index of 1.70 or more, about 1.70 to about 1.90, about 1.71 to about 1.89, or about 1.72 to about 1.88 at a wavelength of 532 nm. In the case of a general glass substrate, since the optical refractive index is 1.65 or more at a wavelength of 532 nm, the plastic substrate can implement the same level of optical refractive index as that of the glass substrate, even though the plastic substrate is a plastic material, there is an advantage that can replace the glass substrate .

상기 플라스틱 기판은, 두께가 1 mm일 때 JIS K 7361에 따라 측정된 투과율, 더욱 구체적으로는, 상술한 경화물의 두께가 1 mm일 때 JIS K 7361에 따라 측정된 투과율 값이 약 80% 이상, 약 80 내지 약 99%, 또는 약 85 내지 약 90%로, 매우 높은 투과율을 가질 수 있다. The plastic substrate has a transmittance measured according to JIS K 7361 when the thickness is 1 mm, more specifically, the transmittance value measured according to JIS K 7361 when the thickness of the above-described cured product is 1 mm is about 80% or more, From about 80 to about 99%, or from about 85 to about 90%, it can have a very high transmittance.

또한, 상기 플라스틱 기판은, 두께가 1 mm일 때 JIS K 7136에 따라 측정된 헤이즈 값, 더욱 구체적으로는, 상술한 경화물의 두께가 1 mm일 때 JIS K 7136에 따라 측정된 헤이즈 값이 약 약 1 % 이하, 약 0.01 내지 약 1 %, 또는 약 0.01 내지 약 0.5 %로, 매우 낮은 헤이즈 값을 가질 수 있다. In addition, the plastic substrate has a haze value measured according to JIS K 7136 when the thickness is 1 mm, more specifically, the haze value measured according to JIS K 7136 when the thickness of the cured product is 1 mm about It can have a very low haze value of 1% or less, about 0.01 to about 1%, or about 0.01 to about 0.5%.

또한, 상기 플라스틱 기판은 황색도(YI; Yellow Index), 구체적으로 ASTM E313-1973에 따라 측정된 황색도가 1.0 내지 5.0, 1.5 내지 4.5, 또는 2.0 내지 4.0로, 낮은 황색도를 나타낼 수 있다.In addition, the plastic substrate has a yellowness (YI; Yellow Index), specifically, a yellowness degree measured according to ASTM E313-1973 of 1.0 to 5.0, 1.5 to 4.5, or 2.0 to 4.0, and may exhibit low yellowness.

또한, 상기 플라스틱 기판은 황 원자의 함량이 52.0 내지 59.0 중량%, 52.5 내지 57.0 중량%, 또는 53.0 내지 56.0 중량%일 수 있다.In addition, the content of sulfur atoms in the plastic substrate may be 52.0 to 59.0 wt%, 52.5 to 57.0 wt%, or 53.0 to 56.0 wt%.

상기 플라스틱 기판의 유리전이온도는 40 ℃ 이상, 40 내지 200 ℃, 또는 50 내지 180 ℃일 수 있다. 웨어러블 디바이스의 경우, 지속적인 영상의 전송 및 출력이 진행될 수 있으며, 이에 따라 렌즈 기재의 온도가 상승할 수 있으므로, 유리전이온도를 40 ℃ 이상으로 구현할 수 있는 상기 플라스틱 기판은, 웨어러블 디바이스의 렌즈 기재로 사용하더라도 온도에 따른 물성 변화를 최소화할 수 있다.The glass transition temperature of the plastic substrate may be 40 °C or higher, 40 to 200 °C, or 50 to 180 °C. In the case of a wearable device, continuous image transmission and output may proceed, and accordingly, the temperature of the lens substrate may rise. Therefore, the plastic substrate capable of implementing a glass transition temperature of 40° C. or higher is a lens substrate of a wearable device. Even when used, the change in physical properties according to temperature can be minimized.

상기 플라스틱 기판은 웨어러블 디바이스의 회절 도광 렌즈 기재용일 수 있다. 상기 웨어러블 디바이스는 증강현실 디바이스 또는 가상현실 디바이스일 수 있다. 상기 플라스틱 기판은 상기 웨어러블 디바이스의 렌즈 기재로 포함될 수 있으며, 상기 플라스틱 기판은 일면 상에 회절 도광 패턴부를 포함하여 입력된 광정보의 입력, 이동 및 송출을 하는 기재로서 적용될 수 있다.The plastic substrate may be used as a base material for a diffractive light guide lens of a wearable device. The wearable device may be an augmented reality device or a virtual reality device. The plastic substrate may be included as a lens substrate of the wearable device, and the plastic substrate may include a diffraction light guide pattern part on one surface to be applied as a substrate for inputting, moving, and transmitting input optical information.

상기 플라스틱 기판은 높은 광굴절율을 가지므로, 웨어러블 디바이스의 렌즈 기재로 사용되는 경우, 광손실을 최소화하며 광정보의 이동을 도모할 수 있다. 나아가, 상기 플라스틱 기판은 높은 유리전이온도를 가지므로, 웨어러블 디바이스의 작동에 따른 열에 의하여 물성의 변화를 최소화하여 높은 내구성을 구현할 수 있다.Since the plastic substrate has a high refractive index, when used as a lens substrate of a wearable device, optical loss can be minimized and optical information can be moved. Furthermore, since the plastic substrate has a high glass transition temperature, it is possible to realize high durability by minimizing a change in physical properties due to heat caused by the operation of the wearable device.

본 발명에 따르면, 기존의 디스플레이용 기판 등에 사용되던 유리 혹은 강화 유리에 비해 가볍고, 표면 평탄도 및 두께 균일도가 우수하고, 강도 및 경도가 우수하고, 다양한 색 구현이 가능하고, 고굴절률 구현이 가능한 광학 렌즈용 플라스틱 기판 제조방법을 제공할 수 있다.According to the present invention, it is lighter than glass or tempered glass used in conventional display substrates, etc., has excellent surface flatness and thickness uniformity, has excellent strength and hardness, can implement various colors, and can realize high refractive index. A method for manufacturing a plastic substrate for an optical lens can be provided.

도 1은 본 발명의 일 실시상태에 따른 경화성 조성물을 경화하는 단계에서의 단면을 도시한 것이다.1 shows a cross-section in the step of curing the curable composition according to an embodiment of the present invention.

이하, 본 발명을 구체적으로 설명하기 위해 실시예를 들어 상세하게 설명하기로 한다. 그러나, 본 발명에 따른 실시예들은 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 기술하는 실시예들에 한정되는 것으로 해석되지 않는다. 본 명세서의 실시예들은 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다.Hereinafter, examples will be given to describe the present invention in detail. However, the embodiments according to the present invention may be modified in various other forms, and the scope of the present invention is not to be construed as being limited to the embodiments described below. The embodiments of the present specification are provided to more completely explain the present invention to those of ordinary skill in the art.

제조예 1: 경화성 조성물의 제조Preparation Example 1: Preparation of a curable composition

에피설파이드 화합물인 하기 70A 90 g, 티올 화합물인 하기 70B 9 g, 및 2개 이상의 수산기를 갖는 방향족 고리 화합물인 하기 A1 1 g을, 20 ℃에서 1 시간 동안 격렬하게 혼합한 후, 기공 크기가 1 ㎛인 glass filter를 이용하여 여과하고, 기공 크기가 0.45 ㎛인 PVDF filter를 이용하여 다시 한번 여과를 진행하였다. 이후, 촉매로 N,N-디사이클로헥실메틸아민 1.5 g을 첨가하고, 5분 간 혼합하여 경화성 조성물을 제조하였다. 상기 경화성 조성물의 경화 수축력을 전술한 경화 수축력의 측정 방법으로 측정하고, 측정된 경화 수축력을 시료의 부피로 나누어 계산한 압축응력계수는 0.00022 N/m3였다.90 g of the following 70A as an episulfide compound, 9 g of the following 70B as a thiol compound, and 1 g of the following A1 as an aromatic ring compound having two or more hydroxyl groups were vigorously mixed at 20° C. for 1 hour, and then the pore size was 1 Filtration was performed using a glass filter of ㎛, and filtration was performed once again using a PVDF filter having a pore size of 0.45 ㎛. Thereafter, 1.5 g of N,N-dicyclohexylmethylamine as a catalyst was added and mixed for 5 minutes to prepare a curable composition. The cure shrinkage force of the curable composition was measured by the above-described measuring method of cure shrinkage force, and the compressive stress coefficient calculated by dividing the measured cure shrinkage force by the volume of the sample was 0.00022 N/m 3 .

Figure pat00008
Figure pat00008

제조예 2 내지 9: 경화성 조성물의 제조Preparation Examples 2 to 9: Preparation of a curable composition

상기 에피설파이드 화합물, 티올 화합물, 및 2개 이상의 수산기를 포함하는 방향족 고리 화합물을 하기 표 1에 기재된 화합물 및 함량으로 사용한 것을 제외하고는, 상기 제조예 1과 동일한 방법으로 경화성 조성물을 제조하였다. A curable composition was prepared in the same manner as in Preparation Example 1, except that the episulfide compound, the thiol compound, and the aromatic ring compound containing two or more hydroxyl groups were used in the amounts and compounds shown in Table 1 below.

(단위: g)(Unit: g) 70A70A 70B70B T1T1 A1A1 A2A2 A3A3 압축응력계수 (N/m3)Compressive Stress Coefficient (N/m 3 ) 제조예 1Preparation Example 1 9090 99 -- 1One -- -- 0.000220.00022 제조예 2Preparation 2 9090 -- 99 1One -- -- 0.000240.00024 제조예 3Preparation 3 9090 -- 77 33 -- -- 0.000210.00021 제조예 4Preparation 4 9090 -- 99 -- 1One -- 0.000200.00020 제조예 5Preparation 5 9090 -- 99 -- -- 1One 0.000190.00019 제조예 6Preparation 6 9090 1010 -- -- -- -- 0.000180.00018 제조예 7Preparation 7 9090 -- 1010 -- -- -- 0.000190.00019 제조예 8Preparation 8 9090 9.39.3 -- 0.70.7 -- -- 0.000210.00021 제조예 9Preparation 9 9090 6.76.7 3.33.3 0.000200.00020

Figure pat00009
Figure pat00009

실시예 및 비교예: 플라스틱 기판의 제조Examples and Comparative Examples: Preparation of plastic substrates

실시예 1Example 1

하부 기판으로서 굴곡 탄성률 70 GPa, 표면 평탄도가 0.5 ㎛, 두께가 30 ㎜, 지름이 200 ㎜인 유리 기판을 이용하고, 압축 탄성 계수가 1.0 MPa, 높이가 1,042 ㎛, 단면적이 10 Х 10 ㎟인 실리콘 재질의 완충형 스페이서를 상기 하부 기판의 원주에 접하도록 120° 간격으로 구비하여 몰딩 공간을 형성한 후, 상기 제조예 1에 따라 제조된 경화성 조성물을 몰딩 공간에 주입한 후, 상부 기판으로서 굴곡 탄성률 70 GPa, 하중이 8.2 N, 지름이 200 ㎜, 표면 평탄도가 0.5 ㎛인 유리 기판을 이용하여 상기 경화성 조성물을 몰딩 공간에 완충시켰다.A glass substrate having a flexural modulus of 70 GPa, a surface flatness of 0.5 μm, a thickness of 30 mm, and a diameter of 200 mm was used as the lower substrate, and a compressive elastic modulus of 1.0 MPa, a height of 1,042 μm, and a cross-sectional area of 10 Х 10 mm2 was used. After forming a molding space by providing buffer-type spacers made of silicon at 120° intervals so as to be in contact with the circumference of the lower substrate, the curable composition prepared according to Preparation Example 1 is injected into the molding space, and then bending as an upper substrate The curable composition was buffered in the molding space using a glass substrate having an elastic modulus of 70 GPa, a load of 8.2 N, a diameter of 200 mm, and a surface flatness of 0.5 μm.

나아가, 상기 경화성 조성물을 제이오텍 사의 대류 오븐에 넣고, 상온에서 2 시간 방치 한 후, 승온 속도를 1 ℃/min으로 설정한 후 45 ℃에서 2 시간, 60 ℃에서 2 시간, 75 ℃에서 2 시간, 90 ℃에서 4 시간 동안 열경화하여 플라스틱 기판을 제조하였다.Furthermore, the curable composition was placed in a convection oven of J.O.Tec, and left at room temperature for 2 hours, the temperature increase rate was set to 1°C/min, and then at 45°C for 2 hours, at 60°C for 2 hours, and at 75°C for 2 hours. , and thermosetting at 90 °C for 4 hours to prepare a plastic substrate.

실시예 2Example 2

상기 제조예 2에 따라 제조된 경화성 조성물을 몰딩 공간에 주입하고, 완충형 스페이서의 높이를 423 ㎛로 조절한 것을 제외하고, 실시예 1과 동일한 방법으로 플라스틱 기판을 제조하였다.A plastic substrate was prepared in the same manner as in Example 1, except that the curable composition prepared according to Preparation Example 2 was injected into the molding space, and the height of the buffer spacer was adjusted to 423 μm.

실시예 3Example 3

상기 제조예 2에 따라 제조된 경화성 조성물을 몰딩 공간에 주입한 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 방법으로 플라스틱 기판을 제조하였다.A plastic substrate was prepared in the same manner as in Example 1, except that the curable composition prepared according to Preparation Example 2 was injected into the molding space.

실시예 4Example 4

상기 제조예 2에 따라 제조된 경화성 조성물을 몰딩 공간에 주입하고, 압축 탄성계수가 0.16 MPa인 자외선 가교 폴리올레핀계 탄성층 및 압축 탄성계수가 70 GPa인 유리 재질의 비탄성층을 이용하여, 완충형 스페이서의 구조를 탄성층(높이 301 ㎛)/비탄성층(높이 831 ㎛)의 구조(단면적 10 Х 10 ㎟)로 변경한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 플라스틱 기판을 제조하였다.The curable composition prepared according to Preparation Example 2 is injected into the molding space, and a UV-crosslinked polyolefin-based elastic layer having a compressive elastic modulus of 0.16 MPa and a non-elastic layer made of glass having a compressive elastic modulus of 70 GPa are used to form a buffer spacer A plastic substrate was prepared in the same manner as in Example 1 except that the structure of the elastic layer (height 301 μm)/inelastic layer (height 831 μm) was changed (cross-sectional area 10 Х 10 mm 2 ).

실시예 5Example 5

상기 제조예 2에 따라 제조된 경화성 조성물을 몰딩 공간에 주입하고, 압축 탄성계수가 1.0 MPa인 실리콘 재질의 탄성 및 압축 탄성계수가 70 GPa인 유리 재질의 비탄성층을 이용하여, 완충형 스페이서의 구조를 탄성층(높이 442 ㎛)/비탄성층(높이 500 ㎛)의 구조(단면적 10 Х 10 ㎟)로 변경한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 플라스틱 기판을 제조하였다.By injecting the curable composition prepared according to Preparation Example 2 into the molding space, and using a silicone material having a compressive elastic modulus of 1.0 MPa and an inelastic layer made of a glass material having a compressive elastic modulus of 70 GPa, the structure of the buffer spacer A plastic substrate was prepared in the same manner as in Example 1, except that the structure (cross-sectional area 10 Х 10 mm 2 ) was changed to an elastic layer (height 442 μm)/inelastic layer (height 500 μm).

실시예 6Example 6

상기 제조예 3에 따라 제조된 경화성 조성물을 몰딩 공간에 주입한 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 방법으로 플라스틱 기판을 제조하였다.A plastic substrate was prepared in the same manner as in Example 1, except that the curable composition prepared according to Preparation Example 3 was injected into the molding space.

실시예 7Example 7

상기 제조예 4에 따라 제조된 경화성 조성물을 몰딩 공간에 주입한 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 방법으로 플라스틱 기판을 제조하였다.A plastic substrate was prepared in the same manner as in Example 1, except that the curable composition prepared according to Preparation Example 4 was injected into the molding space.

실시예 8Example 8

상기 제조예 5에 따라 제조된 경화성 조성물을 몰딩 공간에 주입한 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 방법으로 플라스틱 기판을 제조하였다.A plastic substrate was prepared in the same manner as in Example 1, except that the curable composition prepared according to Preparation Example 5 was injected into the molding space.

비교예 1Comparative Example 1

상기 제조예 2에 따라 제조된 경화성 조성물을 몰딩 공간에 주입하고, 압축 탄성계수가 2 GPa이고 높이 502 ㎛인 폴리카보네이트계 완충형 스페이서(단면적 10 Х 10 ㎟)를 이용한 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 방법으로 플라스틱 기판을 제조하였다.The curable composition prepared according to Preparation Example 2 was injected into the molding space, and a polycarbonate-based buffer spacer (cross-sectional area 10 Х 10 mm2) having a compressive elastic modulus of 2 GPa and a height of 502 μm was used. A plastic substrate was prepared in the same manner as in 1.

비교예 2Comparative Example 2

상기 제조예 2에 따라 제조된 경화성 조성물을 몰딩 공간에 주입하고, 압축 탄성계수가 0.16 MPa인 자외선 가교 폴리올레핀계 탄성층 및 압축 탄성계수가 70 GPa인 유리 재질의 비탄성층을 이용하여, 완충형 스페이서의 구조를 탄성층(높이 160 ㎛)/비탄성층(높이 829 ㎛)의 구조(단면적 10 Х 10 ㎟)로 변경한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 플라스틱 기판을 제조하였다.The curable composition prepared according to Preparation Example 2 was injected into the molding space, and a UV-crosslinked polyolefin-based elastic layer having a compressive modulus of 0.16 MPa and a non-elastic layer made of a glass material having a compressive modulus of 70 GPa were used. A plastic substrate was prepared in the same manner as in Example 1, except that the structure of the elastic layer (height 160 μm)/inelastic layer (height 829 μm) was changed (cross-sectional area 10 Х 10 mm 2 ).

비교예 3Comparative Example 3

상기 제조예 2에 따라 제조된 경화성 조성물을 몰딩 공간에 주입하고, 완충형 스페이서의 높이를 1,007 ㎛로 조절한 것을 제외하고, 실시예 1과 동일한 방법으로 플라스틱 기판을 제조하였다.A plastic substrate was prepared in the same manner as in Example 1, except that the curable composition prepared according to Preparation Example 2 was injected into the molding space, and the height of the buffer spacer was adjusted to 1,007 μm.

비교예 4Comparative Example 4

상기 제조예 8에 따라 제조된 경화성 조성물을 몰딩 공간에 주입한 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 방법으로 플라스틱 기판을 제조하였다.A plastic substrate was prepared in the same manner as in Example 1, except that the curable composition prepared according to Preparation Example 8 was injected into the molding space.

비교예 5Comparative Example 5

상기 제조예 9에 따라 제조된 경화성 조성물을 몰딩 공간에 주입한 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 방법으로 플라스틱 기판을 제조하였다.A plastic substrate was prepared in the same manner as in Example 1, except that the curable composition prepared according to Preparation Example 9 was injected into the molding space.

상기 실시예 및 비교예에 따른 구체적인 사항은 하기 표 2과 같다. 한편, 하기 표 1의 완충형 스페이서의 압축 응력 및 경화성 조성물의 경화 수축력은 전술한 바와 같이 측정하였다.Specific details according to the Examples and Comparative Examples are shown in Table 2 below. On the other hand, the compressive stress of the buffer-type spacer of Table 1 and the curing shrinkage force of the curable composition were measured as described above.

경화성 조성물curable composition 완충형 스페이서 압축 탄성계수 (MPa)Shock-absorbing spacer Compressive modulus (MPa) 완충형 스페이서의 높이 (㎛)Height of buffer spacer (㎛) 완충형 스페이서의 압축 응력 (N)Compressive stress of cushioning spacer (N) 경화성 조성물의 경화 수축력 (N)Cure shrinkage force of the curable composition (N) 상부 기판의 하중 (N)Load of upper substrate (N) 탄성층elastic layer 비탄성층inelastic layer 탄성층elastic layer 비탄성층inelastic layer 실시예1Example 1 제조예 1Preparation Example 1 1.01.0 -- 1,0421,042 -- 11.5211.52 3.893.89 8.28.2 실시예2Example 2 제조예 2Preparation 2 1.01.0 -- 423423 -- 9.939.93 1.731.73 8.28.2 실시예3Example 3 제조예 2Preparation 2 1.01.0 -- 1,0421,042 -- 12.9612.96 4.254.25 8.28.2 실시예4Example 4 제조예 2Preparation 2 0.160.16 70,00070,000 301301 831831 12.4412.44 4.464.46 8.28.2 실시예5Example 5 제조예 2Preparation 2 1.01.0 70,00070,000 442442 500500 12.0712.07 3.913.91 8.28.2 실시예6Example 6 제조예 3Preparation 3 1.01.0 -- 1,0421,042 -- 11.5211.52 3.723.72 8.28.2 실시예7Example 7 제조예 4Preparation 4 1.01.0 -- 1,0421,042 -- 12.0912.09 3.543.54 8.28.2 실시예8Example 8 제조예 5Preparation 5 1.01.0 -- 1,0421,042 -- 11.8011.80 3.363.36 8.28.2 비교예1Comparative Example 1 제조예 2Preparation 2 2,0002,000 -- 502502 -- 21513.9421513.94 2.142.14 8.28.2 비교예2Comparative Example 2 제조예 2Preparation 2 0.160.16 70,00070,000 160160 829829 8.408.40 4.034.03 8.28.2 비교예3Comparative Example 3 제조예 2Preparation 2 1.01.0 -- 1,0071,007 -- 10.7210.72 4.104.10 8.28.2 비교예4Comparative Example 4 제조예 8Preparation 8 1.01.0 -- 1,0421,042 -- 11.95 11.95 3.723.72 8.28.2 비교예5Comparative Example 5 제조예 9Preparation 9 1.01.0 -- 1,0421,042 -- 11.6611.66 3.543.54 8.28.2

평가evaluation

1. 장기 보관 전후 점도 측정1. Viscosity measurement before and after long-term storage

상기 제조예 1 내지 9의 경화성 조성물 제조 직후, Toki Sangyo사의 Viscometer TV-22 점도계를 이용하여 점도를 측정하고, 이후, 경화성 조성물을 -5℃의 온도에서 12시간 유지된 후, 동일한 방법으로 점도를 측정하고, 그 결과를 하기 표 3에 나타내었다.Immediately after preparing the curable composition of Preparation Examples 1 to 9, the viscosity was measured using a Viscometer TV-22 viscometer manufactured by Toki Sangyo, and then, the curable composition was maintained at a temperature of -5°C for 12 hours, and then the viscosity was measured in the same manner. measured, and the results are shown in Table 3 below.

점도 (cP)Viscosity (cP) 초기Early 12시간 후after 12 hours 제조예1Preparation Example 1 100100 30003000 제조예2Preparation Example 2 100100 25002500 제조예3Preparation 3 100100 200200 제조예4Preparation 4 100100 25002500 제조예5Production Example 5 100100 30003000 제조예6Preparation 6 100100 경화Hardening 제조예7Preparation 7 100100 경화Hardening 제조예8Preparation 8 100100 50005000 제조예9Preparation 9 100100 200200

상기 표 3에 따르면, 제조예 1 내지 5 및 9는 12시간 보관 후에도 경화가 발생하지 않으나, 제조예 8 의 조성물은 2개 이상의 수산기를 갖는 방향족 고리 화합물을 매우 적게 사용하여 5000 cP로 점도가 매우 높음을 확인했고, 제조예 6 및 7의 조성물은 2개 이상의 수산기를 갖는 방향족 고리 화합물을 전혀 사용하지 않아 12시간 후 경화가 발생함을 확인했다.According to Table 3, in Preparation Examples 1 to 5 and 9, curing did not occur even after storage for 12 hours, but the composition of Preparation Example 8 used very little aromatic ring compound having two or more hydroxyl groups and had a very high viscosity at 5000 cP. It was confirmed that high, and the compositions of Preparation Examples 6 and 7 did not use any aromatic ring compound having two or more hydroxyl groups, so it was confirmed that curing occurred after 12 hours.

2. 플라스틱 기판의 지름, 평균 두께 및 두께 편차 측정2. Measurement of diameter, average thickness and thickness deviation of plastic substrates

실시예 및 비교예의 플라스틱 기판에 대해 25 ℃ 및 50 RH% 분위기에서, Mitsutoyo사의 Digimatic Thick 547-401 장비를 이용한 접촉식 측정방법으로 플라스틱 기판의 지름, 최소 두께, 최대 두께 등을 측정하였다.For the plastic substrates of Examples and Comparative Examples, the diameter, minimum thickness, maximum thickness, etc. of the plastic substrate were measured by a contact measurement method using Mitsutoyo's Digimatic Thick 547-401 equipment in an atmosphere of 25 ° C. and 50 RH%.

또한, 평균 두께를 측정하기 위해, 플라스틱 기판의 임의의 점을 원점으로 반지름 10 ㎜ 및 22.5 도의 간격으로 두께를 측정하고, 두께의 평균값을 계산하였다. 나아가, 측정된 최소 두께, 최대 두께 및 계산된 평균값을 이용해 하기 식 4의 두께 편차를 계산하였다.In addition, in order to measure the average thickness, the thickness was measured at an arbitrary point on the plastic substrate with a radius of 10 mm as the origin and an interval of 22.5 degrees, and the average value of the thickness was calculated. Furthermore, the thickness deviation of Equation 4 below was calculated using the measured minimum thickness, maximum thickness, and the calculated average value.

[식 4][Equation 4]

두께 편차(%) = (최대 편차/평균 두께) Х 100Thickness deviation (%) = (maximum deviation/average thickness) Х 100

3. 플라스틱 기판의 외관 평가3. Appearance evaluation of plastic substrates

실시예 및 비교예의 플라스틱 기판에 대해 육안으로 맥리 현상이 있는지 여부를 확인하여 외관을 평가하였다. 구체적으로, 육안으로 맥리 현상이 발견되지 않는 경우 양호, 육안으로 맥리 현상이 발견되는 경우 불량으로 평가하고, 그 결과를 하기 표 4에 나타내었다.For the plastic substrates of Examples and Comparative Examples, the appearance was evaluated by checking whether there was a streaking phenomenon with the naked eye. Specifically, when stria phenomenon is not observed with the naked eye, it is evaluated as good, and when stria phenomenon is detected with the naked eye, it is evaluated as bad, and the results are shown in Table 4 below.

4. 플라스틱 기판의 투과율, 헤이즈 및 황색도 측정4. Measurement of transmittance, haze and yellowness of plastic substrates

실시예 및 비교예의 플라스틱 기판에 대해, 두께 방향으로, Nippon Denshoku Industries Co. LTD 사의 NDH-5000를 이용하여 헤이즈 (JIS K 7136), 투과율 (JIS K 7361) 및 황색도 (ASTM E313-1973)를 측정하고, 그 결과를 하기 표 4에 나타내었다. 한편, 비교예 1 및 2의 경우, 외관이 불량하여 투과율, 헤이즈 및 황색도를 측정하지 않고, ‘-‘로 나타내었다.For the plastic substrates of Examples and Comparative Examples, in the thickness direction, Nippon Denshoku Industries Co. Ltd. Haze (JIS K 7136), transmittance (JIS K 7361) and yellowness (ASTM E313-1973) were measured using NDH-5000 manufactured by LTD, and the results are shown in Table 4 below. On the other hand, in the case of Comparative Examples 1 and 2, the transmittance, haze, and yellowness were not measured due to poor appearance, and were expressed as '-'.

5. 황 원자 함량5. Sulfur atom content

실시예 및 비교예의 플라스틱 기판에 대해, 원소 분석법을 이용하여 황 원자의 함량을 측정하고, 그 결과를 하기 표 4에 나타내었다.For the plastic substrates of Examples and Comparative Examples, the content of sulfur atoms was measured using elemental analysis, and the results are shown in Table 4 below.

6. 굴절률6. refractive index

실시예 및 비교예의 플라스틱 기판에 대해, Ellipso Technology 사의 spectroscopic ellipsometry 를 이용하여 532nm 파장에서의 굴절률 값을 측정하고, 그 결과를 하기 표 4에 나타내었다.For the plastic substrates of Examples and Comparative Examples, refractive index values at a wavelength of 532 nm were measured using spectroscopic ellipsometry manufactured by Ellipso Technology, and the results are shown in Table 4 below.

플라스틱 기판의 지름 (mm)Diameter of plastic substrate (mm) 플라스틱 기판의 평균 두께
(㎛)
Average thickness of plastic substrate
(μm)
두께 편차 (%)Thickness deviation (%) 외관Exterior 투과율 (%)Transmittance (%) 헤이즈 (%)Haze (%) 황색도yellowness 황 원자 함량
(중량%)
sulfur atom content
(weight%)
굴절률refractive index
실시예1Example 1 150150 10021002 0.40.4 양호Good 87.487.4 0.30.3 3.23.2 54.1554.15 1.7231.723 실시예2Example 2 150150 409409 0.20.2 양호Good 8888 0.30.3 2.92.9 54.354.3 1.7411.741 실시예3Example 3 150150 997997 0.50.5 양호Good 87.587.5 0.30.3 3.43.4 54.3054.30 1.7411.741 실시예4Example 4 150150 10541054 0.70.7 양호Good 87.587.5 0.30.3 3.33.3 54.354.3 1.7411.741 실시예5Example 5 150150 924924 0.40.4 양호Good 87.487.4 0.40.4 3.23.2 54.354.3 1.7411.741 실시예6Example 6 150150 10021002 0.30.3 양호Good 87.587.5 0.30.3 3.73.7 53.0253.02 1.7361.736 실시예7Example 7 150150 10001000 0.20.2 양호Good 87.787.7 0.30.3 2.42.4 54.3054.30 1.7301.730 실시예8Example 8 150150 10011001 0.10.1 양호Good 87.587.5 0.30.3 3.03.0 54.3054.30 1.7341.734 비교예1Comparative Example 1 150150 484484 7.17.1 불량bad -- -- -- 54.354.3 1.7411.741 비교예2Comparative Example 2 150150 961961 6.46.4 불량bad -- -- -- 54.354.3 1.7411.741 비교예3Comparative Example 3 150150 971971 3.33.3 양호Good 87.587.5 0.30.3 3.33.3 54.354.3 1.7411.741 비교예4Comparative Example 4 150150 10011001 0.40.4 양호Good 87.387.3 0.30.3 6.76.7 54.3354.33 1.7021.702 비교예5Comparative Example 5 150150 10021002 0.60.6 양호Good 87.487.4 0.70.7 8.58.5 52.7152.71 1.6991.699

상기 표 4를 따르면, 실시예에 따라 제조된 플라스틱 기판은 매우 낮은 두께 편차를 나타내므로 높은 두께 균일도를 가지고, 외관 특성 또한 양호하며, 투과율이 매우 높고, 헤이즈 및 황색도가 낮으면서도, 상대적으로 높은 굴절률을 가지는 것을 확인했다.According to Table 4, the plastic substrate manufactured according to the embodiment exhibits a very low thickness deviation, and thus has high thickness uniformity, good appearance characteristics, very high transmittance, low haze and yellowness, and relatively high It confirmed that it has refractive index.

반면, 비교예 1 내지 3의 경우, 완충형 스페이서의 압축 응력이 지나치게 높거나 낮아, 경화성 조성물의 경화에 따른 수축시 상부 기판과의 밀착력을 유지하지 못하여, 매우 불량한 두께 편차를 나타내므로, 낮은 두께 균일도를 가지는 것을 확인했다. 특히, 비교예 1 및 2의 경우, 경화 시 상부 기판과의 이격에 의하여 표면에 맥리 현상이 나타나 외관 특성도 불량한 것을 확인했다.On the other hand, in the case of Comparative Examples 1 to 3, the compressive stress of the buffer-type spacer is too high or low, so that it cannot maintain adhesion with the upper substrate during shrinkage due to curing of the curable composition, thus exhibiting a very poor thickness deviation, low thickness It was confirmed to have uniformity. In particular, in the case of Comparative Examples 1 and 2, it was confirmed that the appearance characteristics were also poor because streaks appeared on the surface due to the separation from the upper substrate during curing.

또한, 비교예 4 및 5는 상기 티올 화합물 및 2개 이상의 수산기를 갖는 방향족 고리 화합물가 7:3 내지 9:1의 중량비를 만족하지 않아, 황색도가 높으면서도, 굴절률이 다소 낮다는 점을 확인했다.In Comparative Examples 4 and 5, it was confirmed that the thiol compound and the aromatic ring compound having two or more hydroxyl groups did not satisfy the weight ratio of 7:3 to 9:1, so that the refractive index was somewhat low while the yellowness was high. .

101: 평판형 하부 기판 102: 평판형 상부 기판
201, 202: 완충형 스페이서 300: 경화성 조성물
101: flat lower substrate 102: flat upper substrate
201, 202: cushioning spacer 300: curable composition

Claims (15)

평판형 하부 기판, 평판형 상부 기판, 및 상기 평판형 하부 기판과 상기 평판형 상부 기판 사이에 완충형 스페이서를 포함하고, 상기 완충형 스페이서에 의하여 몰딩 공간이 구획되는 몰드 장비를 준비하는 단계;
상기 몰딩 공간에 경화성 조성물을 완충하는 단계;
상기 평판형 상부 기판의 하중으로 상기 경화성 조성물을 압축하며, 상기 경화성 조성물을 경화하는 단계; 및
상기 평판형 상부 기판 및 상기 평판형 하부 기판을 제거하여 플라스틱 기판을 수득하는 단계;를 포함하고,
상기 경화성 조성물은 에피설파이드 화합물, 티올 화합물, 및 2개 이상의 수산기를 갖는 방향족 고리 화합물을 포함하고,
상기 티올 화합물 및 2개 이상의 수산기를 갖는 방향족 고리 화합물의 중량비는 7:3 내지 9:1이고,
상기 평판형 상부 기판의 하중으로 상기 경화성 조성물을 압축하며, 상기 경화성 조성물을 경화하는 단계는, 하기 식 1을 만족하는, 플라스틱 기판의 제조방법:
[식 1]
{(평판형 상부 기판의 하중 + 경화성 조성물의 경화 수축력) Х 0.95} ≤ 완충형 스페이서의 압축 응력 ≤ {(평판형 상부 기판의 하중 + 경화성 조성물의 경화 수축력) Х 1.05}.
Preparing a mold equipment comprising a flat lower substrate, a flat upper substrate, and a cushioning spacer between the flat lower substrate and the flat upper substrate, wherein a molding space is partitioned by the cushioning spacer;
buffering a curable composition in the molding space;
compressing the curable composition under a load of the flat upper substrate, and curing the curable composition; and
Including; removing the flat upper substrate and the flat lower substrate to obtain a plastic substrate;
The curable composition includes an episulfide compound, a thiol compound, and an aromatic ring compound having two or more hydroxyl groups,
The weight ratio of the thiol compound and the aromatic ring compound having two or more hydroxyl groups is 7:3 to 9:1,
Compressing the curable composition under a load of the flat upper substrate, and curing the curable composition, satisfies Equation 1 below, a method of manufacturing a plastic substrate:
[Equation 1]
{(load of flat top substrate + curing shrinkage force of curable composition) Х 0.95} ≤ compressive stress of cushioning spacer ≤ {(load of flat top substrate + curing shrinkage force of curable composition) Х 1.05}.
제1항에 있어서,
상기 완충형 스페이서의 높이(H)는 하기 식 2를 만족하는, 플라스틱 기판의 제조방법:
[식 2]
A X 0.95 ≤ H ≤ A X 1.05
상기 식 2에서,
A는 (플라스틱 기판의 두께)/{1 - (평판형 상부 기판의 하중 + 경화성 조성물의 경화 수축력)/(완충형 스페이서의 압축 탄성 계수 X 완충형 스페이서의 단면적)}이다.
According to claim 1,
The height (H) of the buffer-type spacer satisfies the following Equation 2: Manufacturing method of a plastic substrate:
[Equation 2]
AX 0.95 ≤ H ≤ AX 1.05
In Equation 2 above,
A is (thickness of plastic substrate)/{1 - (load of flat top substrate + curing shrinkage force of curable composition)/(compressive elastic modulus of buffer type spacer X cross-sectional area of buffer type spacer)}.
제1항에 있어서,
상기 완충형 스페이서의 압축 탄성 계수는 0.1 내지 10 MPa인, 플라스틱 기판의 제조방법.
According to claim 1,
The compression elastic modulus of the cushioning spacer is 0.1 to 10 MPa, a method of manufacturing a plastic substrate.
제1항에 있어서,
상기 완충형 스페이서는 비탄성층과 탄성층이 적층된 구조, 비탄성층 사이에 탄성층이 구비된 구조, 또는 탄성층 사이에 비탄성층이 구비된 구조인, 플라스틱 기판의 제조방법.
According to claim 1,
The buffer spacer is a structure in which an inelastic layer and an elastic layer are laminated, a structure in which an elastic layer is provided between the inelastic layers, or a structure in which an inelastic layer is provided between the elastic layers, a method of manufacturing a plastic substrate.
제1항에 있어서,
상기 평판형 상부 기판의 하중은 3.4 N 내지 34 N인, 플라스틱 기판의 제조방법.
According to claim 1,
The load of the flat upper substrate is 3.4 N to 34 N, a method of manufacturing a plastic substrate.
제1항에 있어서,
상기 평판형 하부 기판 및 상기 평판형 상부 기판의 굴곡 탄성율은 각각 독립적으로 3 GPa 이상이고,
상기 평판형 하부 기판 및 상기 평판형 상부 기판의 표면 평탄도는 각각 독립적으로 5 ㎛ 이하인, 플라스틱 기판의 제조방법.
According to claim 1,
The flexural modulus of the flat lower substrate and the flat upper substrate are each independently 3 GPa or more,
Surface flatness of the flat lower substrate and the flat upper substrate are each independently 5 μm or less, a method of manufacturing a plastic substrate.
제1항에 있어서,
상기 플라스틱 기판의 두께는 400 내지 2,000 ㎛인, 플라스틱 기판의 제조방법.
According to claim 1,
The thickness of the plastic substrate is 400 to 2,000 μm, a method of manufacturing a plastic substrate.
제1항에 있어서,
상기 경화성 조성물의 경화 수축력은 1 내지 5 N인, 플라스틱 기판의 제조방법.
According to claim 1,
The curing shrinkage force of the curable composition is 1 to 5 N, a method of manufacturing a plastic substrate.
제1항에 있어서,
상기 에피설파이드 화합물은 하기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는, 플라스틱 기판의 제조방법:
[화학식 1]
Figure pat00010

상기 화학식 1에서,
R1 및 R2는 각각 독립적으로 수소 또는 탄소수 1 내지 10의 알킬이고,
R3 및 R4는 각각 독립적으로 단일결합 또는 탄소수 1 내지 10의 알킬렌이고,
a는 0 내지 4의 정수이고,
b는 0 내지 6의 정수이다.
According to claim 1,
The episulfide compound is a method of manufacturing a plastic substrate comprising a compound represented by the following formula (1):
[Formula 1]
Figure pat00010

In Formula 1,
R 1 and R 2 are each independently hydrogen or alkyl having 1 to 10 carbon atoms,
R 3 and R 4 are each independently a single bond or alkylene having 1 to 10 carbon atoms,
a is an integer from 0 to 4,
b is an integer from 0 to 6.
제1항에 있어서,
상기 티올 화합물은 하기 화학식 2 또는 3으로 표시되는 화합물 중에서 선택되는 적어도 하나를 포함하는, 플라스틱 기판의 제조방법:
[화학식 2]
Figure pat00011

상기 화학식 2에서,
R5 및 R6은 각각 독립적으로 단일결합 또는 탄소수 1 내지 10의 알킬렌이고,
c는 0 내지 4의 정수이고,
d는 0 내지 6의 정수이고,
[화학식 3]
Figure pat00012

상기 화학식 3에서,
A 고리는 질소(N) 및 황(S) 원자 중 1개 이상을 포함하는 5원 또는 6원의 방향족 헤테로 고리이고,
e는 1 내지 3의 정수이다.
According to claim 1,
The thiol compound is a method of manufacturing a plastic substrate comprising at least one selected from compounds represented by the following formula (2) or (3):
[Formula 2]
Figure pat00011

In Formula 2,
R 5 and R 6 are each independently a single bond or alkylene having 1 to 10 carbon atoms,
c is an integer from 0 to 4,
d is an integer from 0 to 6,
[Formula 3]
Figure pat00012

In Formula 3,
Ring A is a 5-membered or 6-membered aromatic heterocyclic ring containing at least one of nitrogen (N) and sulfur (S) atoms,
e is an integer from 1 to 3.
제1항에 있어서,
상기 2개 이상의 수산기를 포함하는 방향족 고리 화합물은 하기 화학식 4 및 5로 표시되는 화합물 중에서 선택되는 적어도 하나를 포함하는, 플라스틱 기판의 제조방법:
[화학식 4]
Figure pat00013

상기 화학식 4에서,
R7 및 R8은 각각 독립적으로 중수소, 할로겐, 시아노, 니트릴, 니트로, 아미노, 탄소수 1 내지 40의 알킬, 탄소수 1 내지 40의 알콕시, 탄소수 3 내지 40의 사이클로알킬, 탄소수 1 내지 40의 알케닐, 탄소수 6 내지 60의 아릴, 또는 O, N, Si 및 S 중 1개 이상을 포함하는 탄소수 1 내지 40의 헤테로아릴이고,
f 및 g는 각각 독립적으로 1 내지 7의 정수이고,
h 및 i는 각각 독립적으로 0 내지 6의 정수이고,
f+h는 7 이하이고, g+i는 7 이하이고,
[화학식 5]
Figure pat00014

상기 화학식 5에서,
Ar1 및 Ar2는 각각 독립적으로 1개 이상의 수산기가 치환된 탄소수 6 내지 60의 아릴이고,
R9 및 R10은 각각 독립적으로 중수소, 할로겐, 시아노, 니트릴, 니트로, 아미노, 탄소수 1 내지 40의 알킬, 탄소수 1 내지 40의 알콕시, 탄소수 3 내지 40의 사이클로알킬, 탄소수 1 내지 40의 알케닐, 탄소수 6 내지 60의 아릴, 또는 O, N, Si 및 S 중 1개 이상을 포함하는 탄소수 1 내지 40의 헤테로아릴이고,
m 및 n은 각각 독립적으로 0 내지 4의 정수이다.
According to claim 1,
The method of manufacturing a plastic substrate, wherein the aromatic ring compound including two or more hydroxyl groups includes at least one selected from compounds represented by the following Chemical Formulas 4 and 5:
[Formula 4]
Figure pat00013

In Formula 4,
R 7 and R 8 are each independently deuterium, halogen, cyano, nitrile, nitro, amino, alkyl having 1 to 40 carbon atoms, alkoxy having 1 to 40 carbon atoms, cycloalkyl having 3 to 40 carbon atoms, al having 1 to 40 carbon atoms kenyl, aryl having 6 to 60 carbon atoms, or heteroaryl having 1 to 40 carbon atoms including at least one of O, N, Si and S;
f and g are each independently an integer from 1 to 7,
h and i are each independently an integer from 0 to 6,
f+h is 7 or less, g+i is 7 or less,
[Formula 5]
Figure pat00014

In Formula 5,
Ar 1 and Ar 2 are each independently an aryl having 6 to 60 carbon atoms substituted with one or more hydroxyl groups,
R 9 and R 10 are each independently deuterium, halogen, cyano, nitrile, nitro, amino, alkyl having 1 to 40 carbon atoms, alkoxy having 1 to 40 carbon atoms, cycloalkyl having 3 to 40 carbon atoms, al having 1 to 40 carbon atoms kenyl, aryl having 6 to 60 carbon atoms, or heteroaryl having 1 to 40 carbon atoms including at least one of O, N, Si and S;
m and n are each independently an integer from 0 to 4.
제1항에 있어서,
상기 경화성 조성물의 경화 수축률은 15 % 이하인, 플라스틱 기판의 제조방법.
According to claim 1,
The curing shrinkage of the curable composition is 15% or less, a method of manufacturing a plastic substrate.
제1항에 있어서,
상기 플라스틱 기판의 두께 편차는 1% 이하인, 플라스틱 기판의 제조방법.
According to claim 1,
The thickness deviation of the plastic substrate is 1% or less, a method of manufacturing a plastic substrate.
제1항에 있어서,
상기 플라스틱 기판의 굴절률은 1.65 이상이고,
상기 플라스틱 기판의 투과율은 85 % 이상이고,
상기 플라스틱 기판의 헤이즈 값은 1 % 이하이고,
상기 플라스틱 기판의 황색도는 5 이하인, 플라스틱 기판 제조방법.
According to claim 1,
The refractive index of the plastic substrate is 1.65 or more,
The transmittance of the plastic substrate is 85% or more,
The haze value of the plastic substrate is 1% or less,
The degree of yellowness of the plastic substrate is 5 or less, a method of manufacturing a plastic substrate.
제1항에 있어서,
상기 플라스틱 기판은 웨어러블 디바이스의 회절 도광 렌즈 기재용인, 플라스틱 기판 제조방법.
According to claim 1,
The plastic substrate is a material for a diffractive light guide lens of a wearable device, a method of manufacturing a plastic substrate.
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