KR20210078595A - 기판 처리 방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 기판을 처리하는 방법을 제공한다. 기판을 처리하는 방법은, 고압 챔버가 가지는 처리 공간으로 초임계 상태의 처리 유체를 공급하여 상기 처리 공간에서 지지되는 상기 기판에 잔류하는 유기 용제를 제거하되, 상기 처리 공간의 압력을 제1압력에서 상기 제1압력보다 큰 제2압력으로 승압시키는 승압 공정과; 상기 처리 공간의 압력을 상기 제2압력에서 상기 제1압력으로 감압시키는 감압 공정을 포함하고, 상기 승압 공정과 상기 감압 공정은 교번되게 반복 수행되고, 상기 제1압력과 상기 제2압력의 차이는 40 Bar를 초과하고 60 Bar 이하일 수 있다.

Description

기판 처리 방법{Method for treating substrate}

본 발명은 기판을 처리하는 방법에 관한 것이다.

반도체 소자를 제조하기 위해서, 기판에 사진, 식각, 애싱, 이온 주입, 그리고 박막 증착 등의 다양한 공정들을 통해 원하는 패턴을 기판에 형성한다. 각각의 공정에는 다양한 처리액들이 사용되며, 공정 진행 중에는 오염물 및 파티클이 생성된다. 이러한 오염물 및 파티클을 기판으로부터 제거하기 위해 각각의 공정 전후에는 세정 공정이 필수적으로 수행된다.

일반적으로, 세정 공정은 기판을 케미칼 및 린스액으로 처리한 후에 건조 처리한다. 건조 처리 단계에는 기판 상에 잔류된 린스액을 건조하기 위한 공정으로, 이소프로필알코올(IPA)과 같은 유기 용제로 기판을 건조 처리한다. 그러나, 기판에 형성된 패턴과 패턴 사이의 거리(CD:Critical Dimension)가 미세화 됨에 따라 그 패턴들의 사이 공간에 유기 용제가 잔류 된다.

최근에는 기판 상에 잔류되는 유기 용제를 제거하기 위해, 초임계 처리 공정을 수행한다. 초임계 처리 공정에서는 내부가 밀폐된 공정 챔버로 처리 유체를 공급하고, 처리 유체를 가열 및 가압하여 처리 유체의 온도 및 압력을 모두 임계점 이상으로 올려 초임계 상태로 변화시킨다. 이러한 초임계 상태의 처리 유체는 높은 용해력과 침투성을 가진다. 즉, 기판 상에 초임계 상태의 처리 유체가 공급되면, 처리 유체는 기판 상의 패턴으로 쉽게 침투하며, 기판 상에 잔류하는 유기 용제 또한 처리 유체에 쉽게 용해된다. 이에, 기판에 형성된 패턴과 패턴 사이에 잔류하는 유기 용제를 용이하게 제거할 수 있게 된다.

그러나, 공정 챔버 내로 공급된 초임계 상태의 처리 유체는 공정 챔버 내에서 유동이 적다. 이에, 기판 상에 잔류되는 유기 용제가 적절히 제거되지 못하거나, 유기 용제가 용해된 초임계 상태의 처리 유체가 외부로 배기되지 못하는 문제가 발생한다. 기판 상에 잔류되는 유기 용제가 적절히 제거되지 못하면 공정 처리 불량을 일으킨다. 또한, 유기 용제가 용해된 초임계 생태의 처리 유체가 외부로 배기되지 못하는 경우, 초임계 처리 공정이 끝난 이후 공정 챔버 내 온도 및 압력이 변화하면서 초임계 상태의 처리 유체에 용해되었던 유기 용제가 처리 유체로부터 분리된다. 처리 유체로부터 분리된 유기 용제는 기판에 재부착되어 공정 처리 불량을 일으킨다.

본 발명은 기판을 효율적으로 처리할 수 있는 기판 처리 방법을 제공하는 것을 일 목적으로 한다.

또한, 본 발명은 초임계 상태의 처리 유체의 유동을 크게 하여 초임계 처리 공정 이후 챔버 내에 유기 용제가 잔류하는 것을 최소화 할 수 있는 기판 처리 방법을 제공하는 것을 일 목적으로 한다.

또한, 본 발명은 유기 용제에 대한 처리 유체의 치환능을 개선할 수 있는 기판 처리 방법을 제공하는 것을 일 목적으로 한다.

본 발명이 해결하고자 하는 과제는 여기에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.

본 발명은 기판을 처리하는 방법을 제공한다. 기판을 처리하는 방법은, 고압 챔버가 가지는 처리 공간으로 초임계 상태의 처리 유체를 공급하여 상기 처리 공간에서 지지되는 상기 기판에 잔류하는 유기 용제를 제거하되, 상기 처리 공간의 압력을 제1압력에서 상기 제1압력보다 큰 제2압력으로 승압시키는 승압 공정과; 상기 처리 공간의 압력을 상기 제2압력에서 상기 제1압력으로 감압시키는 감압 공정을 포함하고, 상기 승압 공정과 상기 감압 공정은 교번되게 반복 수행되고, 상기 제1압력과 상기 제2압력의 차이는 40 Bar를 초과하고 60 Bar 이하일 수 있다.

일 실시 예에 의하면, 상기 제1압력은 상기 처리 유체의 상 변화 압력보다 클 수 있다.

일 실시 예에 의하면, 상기 처리 유체는 이산화탄소를 포함하고, 상기 유기 용제는 이소프로필알코올을 포함할 수 있다.

일 실시 예에 의하면, 상기 승압 공정에는 상기 처리 공간으로 공급되는 상기 처리 유체의 단위 시간당 공급 유량이 상기 처리 공간의 분위기를 배기하는 단위 시간당 배기 유량보다 크고, 상기 감압 공정에는 상기 처리 공간으로 공급되는 상기 처리 유체의 단위 시간당 공급 유량이 상기 처리 공간의 분위기를 배기하는 단위 시간당 배기 유량보다 작을 수 있다.

또한, 본 발명은 기판을 처리하는 방법을 제공한다. 기판을 처리하는 방법은, 고압 챔버가 가지는 처리 공간으로 초임계 상태의 처리 유체를 공급하여 상기 처리 공간에서 지지되는 상기 기판에 잔류하는 유기 용제를 제거하되, 상기 처리 공간의 압력을 제1압력에서 상기 제1압력보다 큰 제2압력으로 승압시키는 승압 공정과; 상기 처리 공간의 압력을 상기 제2압력에서 상기 제1압력으로 감압시키는 감압 공정을 포함하고, 상기 승압 공정과 상기 감압 공정은 교번되게 반복 수행되고, 상기 제1압력은 90 Bar보다 크고, 상기 제2압력은 150 Bar보다 작을 수 있다.

일 실시 예에 의하면, 상기 제1압력은 상기 처리 유체의 상 변화 압력보다 클 수 있다.

일 실시 예에 의하면, 상기 처리 유체는 이산화탄소를 포함하고, 상기 유기 용제는 이소프로필알코올을 포함할 수 있다.

일 실시 예에 의하면, 상기 승압 공정에는 상기 처리 공간으로 공급되는 상기 처리 유체의 단위 시간당 공급 유량이 상기 처리 공간의 분위기를 배기하는 단위 시간당 배기 유량보다 크고, 상기 감압 공정에는 상기 처리 공간으로 공급되는 상기 처리 유체의 단위 시간당 공급 유량이 상기 처리 공간의 분위기를 배기하는 단위 시간당 배기 유량보다 작을 수 있다.

본 발명의 일 실시 예에 의하면, 기판을 효율적으로 처리할 수 있다.

또한, 본 발명의 일 실시 예에 의하면, 초임계 상태의 처리 유체의 유동을 크게 하여 초임계 처리 공정 이후 챔버 내에 유기 용제가 잔류하는 것을 최소화 할 수 있다.

또한, 본 발명의 일 실시 예에 의하면, 유기 용제에 대한 처리 유체의 치환능을 개선할 수 있다.

본 발명의 효과가 상술한 효과들로 한정되는 것은 아니며, 언급되지 아니한 효과들은 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확히 이해될 수 있을 것이다.

도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 기판 처리 설비를 보여주는 평면도이다.
도 2는 도 1의 제1공정 챔버에서 기판을 세정하는 기판 처리 장치를 보여주는 단면도이다.
도 3는 도 1의 제2공정 챔버에서 기판을 건조하는 기판 처리 장치를 보여주는 단면도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 방법을 보여주는 플로우 차트이다.
도 5는 도 4의 기판 처리 방법을 수행시 고압 챔버 내의 압력 변화를 시간에 따라 나타낸 도면이다.
도 6은 고압 챔버 내의 유기 용제 흄(Fume) 농도 변화를 고압 챔버 내 압력의 변화에 따라 나타낸 도면이다.
도 7은 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 방법에서 초임계 상태의 처리 유체가 유동하는 모습을 보여주는 도면이다.
도 8은 본 발명의 다른 실시 예에 따른 기판 처리 방법을 보여주는 플로우 차트이다.
도 9는 도 8의 기판 처리 방법을 수행시 고압 챔버 내의 압력 변화를 시간에 따라 나타낸 도면이다.

아래에서는 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시 예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시 예에 한정되지 않는다. 또한, 본 발명의 바람직한 실시예를 상세하게 설명함에 있어, 관련된 공지 기능 또는 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명을 생략한다. 또한, 유사한 기능 및 작용을 하는 부분에 대해서는 도면 전체에 걸쳐 동일한 부호를 사용한다.

어떤 구성요소를 '포함'한다는 것은, 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있다는 것을 의미한다. 구체적으로, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.

단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 또한 도면에서 요소들의 형상 및 크기 등은 보다 명확한 설명을 위해 과장될 수 있다.

이하, 도 1 내지 도 10을 참조하여 본 발명의 실시 예를 상세히 설명한다.

도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 기판 처리 설비를 보여주는 평면도이다. 도 1을 참조하면, 기판 처리 설비(1)는 인덱스 모듈(10)과 공정 처리 모듈(20)을 가지고, 인덱스 모듈(10)은 로드 포트(120) 및 이송 프레임(140)을 가진다. 로드 포트(120), 이송 프레임(140), 그리고 공정 처리 모듈(20)은 순차적으로 일렬로 배열된다. 이하, 로드 포트(120), 이송 프레임(140), 그리고 공정 처리 모듈(20)이 배열된 방향을 제1방향(12)이라 하고, 상부에서 바라볼 때, 제1방향(12)과 수직한 방향을 제2방향(14)이라 하며, 제1방향(12)과 제2방향(14)을 포함한 평면에 수직인 방향을 제3방향(16)이라 칭한다.

로드 포트(120)에는 기판(W)이 수납된 캐리어(18)가 안착 된다. 로드 포트(120)는 복수 개가 제공되며 이들은 제2방향(14)을 따라 일렬로 배치된다. 도 1에서는 네 개의 로드 포트(120)가 제공된 것으로 도시하였다. 그러나 로드 포트(120)의 개수는 공정 처리 모듈(20)의 공정 효율 및 풋 프린트 등의 조건에 따라 증가하거나 감소할 수도 있다. 캐리어(18)에는 기판의 가장자리를 지지하도록 제공된 슬롯(도시되지 않음)이 형성된다. 슬롯은 제3방향(16)을 복수 개가 제공되고, 기판은 제3방향(16)을 따라 서로 이격된 상태로 적층되게 캐리어 내에 위치된다. 캐리어(18)로는 전면 개방 일체형 포드(Front Opening Unified Pod;FOUP)가 사용될 수 있다.

공정 처리 모듈(20)은 버퍼 유닛(220), 이송 챔버(240), 제1공정 챔버(260), 그리고 제2공정 챔버(280)를 가진다. 이송 챔버(240)는 그 길이 방향이 제1방향(12)과 평행하게 배치된다. 제2방향(14)을 따라 이송 챔버(240)의 일측에는 제1공정 챔버들(260)이 배치되고, 이송 챔버(240)의 타측에는 제2공정 챔버들(280)이 배치된다. 제1공정 챔버들(260)과 제2공정 챔버들(280)은 이송 챔버(240)를 기준으로 서로 대칭이 되도록 제공될 수 있다. 제1공정 챔버들(260) 중 일부는 이송 챔버(240)의 길이 방향을 따라 배치된다. 또한, 제1공정 챔버들(260) 중 일부는 서로 적층되게 배치된다. 즉, 이송 챔버(240)의 일측에는 제1공정 챔버들(260)이 A X B(A와 B는 각각 1이상의 자연수)의 배열로 배치될 수 있다. 여기서 A는 제1방향(12)을 따라 일렬로 제공된 제1공정 챔버(260)의 수이고, B는 제3방향(16)을 따라 일렬로 제공된 제2공정 챔버(260)의 수이다. 이송 챔버(240)의 일측에 제1공정 챔버(260)가 4개 또는 6개 제공되는 경우, 제1공정 챔버들(260)은 2 X 2 또는 3 X 2의 배열로 배치될 수 있다. 제1공정 챔버(260)의 개수는 증가하거나 감소할 수도 있다. 제2공정 챔버(280)들도 제1공정 챔버(260) 들과 유사하게 M X N(M과 N은 각각 1 이상의 자연수)의 배열로 배치될 수 있다. 여기에서 M, N은 각각 A, B와 동일한 수일 수 있다. 상술한 바와 달리, 제1공정 챔버(260)와 제2공정 챔버(280)는 모두 이송 챔버(240)의 일측에만 제공될 수 있다. 또한, 상술한 바와 달리, 제1공정 챔버(260)와 제2공정 챔버(280)는 각각 이송 챔버(240)의 일측 및 타측에 단층으로 제공될 수 있다. 또한, 제1공정 챔버(260)와 제2공정 챔버(280)는 상술한 바와 달리 다양한 배치로 제공될 수 있다.

버퍼 유닛(220)은 이송 프레임(140)과 이송 챔버(240) 사이에 배치된다. 버퍼 유닛(220)은 이송 챔버(240)와 이송 프레임(140) 간에 기판(W)이 반송되기 전에 기판(W)이 머무르는 공간을 제공한다. 버퍼 유닛(220)은 그 내부에 기판(W)이 놓이는 슬롯(미도시)이 제공되며, 슬롯(미도시)들은 서로 간에 제3방향(16)을 따라 이격되도록 복수 개 제공된다. 버퍼 유닛(220)에서 이송 프레임(140)과 마주보는 면과 이송 챔버(240)와 마주보는 면 각각이 개방된다.

이송 프레임(140)은 로드 포트(120)에 안착된 캐리어(18)와 버퍼 유닛(220) 간에 기판(W)을 반송한다. 이송 프레임(140)에는 인덱스 레일(142)과 인덱스 로봇(144)이 제공된다. 인덱스 레일(142)은 그 길이 방향이 제2방향(14)과 나란하게 제공된다. 인덱스로봇(144)은 인덱스레일(142) 상에 설치되며, 인덱스레일(142)을 따라 제2방향(14)으로 직선 이동된다. 인덱스로봇(144)은 베이스(144a), 몸체(144b), 그리고 인덱스암(144c)을 가진다. 베이스(144a)는 인덱스레일(142)을 따라 이동 가능하도록 설치된다. 몸체(144b)는 베이스(144a)에 결합된다. 몸체(144b)는 베이스(144a) 상에서 제3방향(16)을 따라 이동 가능하도록 제공된다. 또한, 몸체(144b)는 베이스(144a) 상에서 회전 가능하도록 제공된다. 인덱스암(144c)은 몸체(144b)에 결합되고, 몸체(144b)에 대해 전진 및 후진 이동 가능하도록 제공된다. 인덱스암(144c)은 복수 개 제공되어 각각 개별 구동되도록 제공된다. 인덱스암(144c)들은 제3방향(16)을 따라 서로 이격된 상태로 적층되게 배치된다. 인덱스암(144c)들 중 일부는 공정 처리 모듈(20)에서 캐리어(18)로 기판(W)을 반송할 때 사용되고, 다른 일부는 캐리어(18)에서 공정 처리 모듈(20)로 기판(W)을 반송할 때 사용될 수 있다. 이는 인덱스로봇(144)이 기판(W)을 반입 및 반출하는 과정에서 공정 처리 전의 기판(W)으로부터 발생된 파티클이 공정 처리 후의 기판(W)에 부착되는 것을 방지할 수 있다.

이송 챔버(240)는 버퍼 유닛(220), 제1공정 챔버(260), 그리고 제2공정 챔버(280) 간에 기판(W)을 반송한다. 이송 챔버(240)에는 가이드 레일(242)과 메인 로봇(244)이 제공된다. 가이드 레일(242)은 그 길이 방향이 제1방향(12)과 나란하도록 배치된다. 메인 로봇(244)은 가이드 레일(242) 상에 설치되고, 가이드 레일(242) 상에서 제1방향(12)을 따라 직선 이동된다.

제1공정 챔버(260)와 제2공정 챔버(280)는 하나의 기판(W)에 대해 순차적으로 공정을 수행하도록 제공될 수 있다. 예컨대, 기판(W)은 제1공정 챔버(260)에서 케미칼 공정, 린스 공정, 그리고 1차 건조 공정이 수행되고, 제2공정 챔버(260)에서 2차 건조 공정이 수행될 수 있다. 이 경우, 1차 건조 공정은 유기 용제에 의해 이루어지고, 2차 건조 공정은 초임계 유체에 의해 이루어질 수 있다. 유기 용제로는 이소프로필 알코올(IPA) 액이 사용되고, 초임계 유체로는 이산화탄소(CO₂)가 사용될 수 있다. 이와 달리 제1공정 챔버(260)에서 1차 건조 공정은 생략될 수 있다.

아래에서는 제1공정 챔버(260)에 제공된 기판 처리 장치(300)에 대해 설명한다. 도 2는 도 1의 제1공정 챔버에서 기판을 세정하는 기판 처리 장치를 보여주는 단면도이다. 도 2를 참조하면, 기판 처리 장치(300)는 처리 용기(320), 스핀 헤드(340), 승강 유닛(360), 그리고 분사 부재(380)를 가진다.

처리 용기(320)는 기판 처리 공정이 수행되는 공간을 제공하며, 그 상부는 개방된다. 처리 용기(320)는 내부 회수통(322) 및 외부 회수통(326)을 가진다. 각각의 회수통(322,326)은 공정에 사용된 처리액 중 서로 상이한 처리액을 회수한다. 내부 회수통(322)은 스핀 헤드(340)를 감싸는 환형의 링 형상으로 제공되고, 외부 회수통(326)은 내부 회수통(322)을 감싸는 환형의 링 형상으로 제공된다. 내부 회수통(322)의 내측공간(322a) 및 외부 회수통(326)과 내부 회수통(322)의 사이 공간(326a)은 각각 내부 회수통(322) 및 외부 회수통(326)으로 처리액이 유입되는 유입구로서 기능한다. 각각의 회수통(322,326)에는 그 저면 아래 방향으로 수직하게 연장되는 회수라인(322b,326b)이 연결된다. 각각의 회수라인(322b,326b)은 각각의 회수통(322,326)을 통해 유입된 처리액을 배출한다. 배출된 처리액은 외부의 처리액 재생 시스템(미도시)을 통해 재사용될 수 있다.

스핀 헤드(340)는 처리 용기(320) 내에 배치된다. 스핀 헤드(340)는 공정 진행 중 기판(W)을 지지하고 기판(W)을 회전시킨다. 스핀 헤드(340)는 몸체(342), 지지핀(334), 척핀(346), 그리고 지지축(348)을 가진다. 몸체(342)는 상부에서 바라볼 때 대체로 원형으로 제공되는 상부면을 가진다. 몸체(342)의 저면에는 모터(349)에 의해 회전가능한 지지축(348)이 고정결합된다. 지지핀(334)은 복수 개 제공된다. 지지핀(334)은 몸체(342)의 상부면의 가장자리부에 소정 간격으로 이격되게 배치되고 몸체(342)에서 상부로 돌출된다. 지지핀들(334)은 서로 간에 조합에 의해 전체적으로 환형의 링 형상을 가지도록 배치된다. 지지핀(334)은 몸체(342)의 상부면으로부터 기판(W)이 일정거리 이격되도록 기판의 후면 가장자리를 지지한다. 척핀(346)은 복수 개 제공된다. 척핀(346)은 몸체(342)의 중심에서 지지핀(334)보다 멀리 떨어지게 배치된다. 척핀(346)은 몸체(342)에서 상부로 돌출되도록 제공된다. 척핀(346)은 스핀 헤드(340)가 회전될 때 기판(W)이 정 위치에서 측 방향으로 이탈되지 않도록 기판(W)의 측부를 지지한다. 척핀(346)은 몸체(342)의 반경 방향을 따라 대기위치와 지지위치 간에 직선 이동 가능하도록 제공된다. 대기위치는 지지위치에 비해 몸체(342)의 중심으로부터 멀리 떨어진 위치이다. 기판(W)이 스핀 헤드(340)에 로딩 또는 언 로딩시에는 척핀(346)은 대기위치에 위치되고, 기판(W)에 대해 공정 수행시에는 척핀(346)은 지지위치에 위치된다. 지지위치에서 척핀(346)은 기판(W)의 측부와 접촉된다.

승강 유닛(360)은 처리 용기(320)를 상하 방향으로 직선 이동시킨다. 처리 용기(320)가 상하로 이동됨에 따라 스핀 헤드(340)에 대한 처리 용기(320)의 상대 높이가 변경된다. 승강 유닛(360)은 브라켓(362), 이동축(364), 그리고 구동기(366)를 가진다. 브라켓(362)은 처리 용기(320)의 외벽에 고정설치되고, 브라켓(362)에는 구동기(366)에 의해 상하 방향으로 이동되는 이동축(364)이 고정결합된다. 기판(W)이 스핀 헤드(340)에 놓이거나, 스핀 헤드(340)로부터 들어올려 질 때 스핀 헤드(340)가 처리 용기(320)의 상부로 돌출되도록 처리 용기(320)는 하강된다. 또한, 공정이 진행될 시에는 기판(W)에 공급된 처리액의 종류에 따라 처리액이 기설정된 회수통(322, 326)으로 유입될 수 있도록 처리 용기(320)의 높이가 조절한다. 상술한 바와 달리 승강 유닛(360)은 처리 용기(320) 대신 스핀 헤드(340)를 상하 방향으로 이동시킬 수 있다.

분사 부재(380)는 기판(W) 상에 처리액을 공급한다. 분사 부재(380)는 노즐 지지대(382), 노즐(384), 지지축(386), 그리고 구동기(388)를 가진다. 지지축(386)은 그 길이 방향이 제3방향(16)을 따라 제공되고, 지지축(386)의 하단에는 구동기(388)가 결합된다. 구동기(388)는 지지축(386)을 회전 및 승강 운동한다. 노즐 지지대(382)는 구동기(388)와 결합된 지지축(386)의 끝단 반대편과 수직하게 결합된다. 노즐(384)은 노즐 지지대(382)의 끝단 저면에 설치된다. 노즐(384)은 구동기(388)에 의해 공정 위치와 대기 위치로 이동된다. 공정 위치는 노즐(384)이 처리 용기(320)의 수직 상부에 배치된 위치이고, 대기 위치는 노즐(384)이 처리 용기(320)의 수직 상부로부터 벗어난 위치로 정의한다. 분사 부재(380)는 하나 또는 복수 개가 제공될 수 있다. 분사 부재(380)가 복수 개 제공되는 경우, 케미칼, 린스액, 그리고 유기 용제 각각은 서로 상이한 분사 부재(380)를 통해 제공될 수 있다. 케미칼은 강산 또는 강염기의 성질을 가지는 액일 수 있다. 린스액은 순수일 수 있다. 유기 용제는 이소프로필 알코올 증기와 비활성 가스의 혼합물이거나 이소프로필 알코올 액일 수 있다.

제2공정 챔버(280)에는 기판의 2차 건조 공정이 수행하는 기판 처리 장치(400)가 제공된다. 기판 처리 장치(400)는 제1공정 챔버에서 1차 건조 처리된 기판(W)을 2차 건조 처리한다. 기판 처리 장치(400)는 유기 용제가 잔류된 기판(W)을 건조 처리한다. 기판 처리 장치(400)는 초임계 상태의 처리 유체를 이용하여 기판(W)을 건조 처리할 수 있다.

도 3는 도 1의 제2공정 챔버에서 기판을 건조하는 기판 처리 장치를 보여주는 단면도이다. 도 3을 참조하면, 기판 처리 장치(400)는 고압 챔버(410), 바디 승강 부재(430), 가열 부재(440), 유체 공급 유닛(450), 배기 유닛(460), 그리고 제어기(미도시)를 포함할 수 있다.

고압 챔버(410)는 내부에 기판(W)을 처리하는 처리 공간(411)을 가질 수 있다. 기판(W)은 처리 공간(411)에서 기판(W)을 지지하는 지지 부재(미도시)에 의해 지지될 수 있다. 고압 챔버(410)는 기판(W)을 처리하는 동안에 처리 공간(411)을 외부로부터 밀폐할 수 있다. 고압 챔버(410)는 하부 바디(412), 그리고 상부 바디(414)를 포함할 수 있다. 하부 바디(412)는 상부가 개방된 컵 형상을 가질 수 있다. 상부 바디(414)는 하부 바디(412)와 조합되어 내부에 처리 공간(411)을 형성할 수 있다. 상부 바디(414)는 하부 바디(412)의 상부에 배치될 수 있다. 상부 바디(414)는 사각의 판 형상을 가질 수 있다. 또한, 상부 바디(414) 및 하부 바디(412) 각각은 금속 재질로 제공될 수 있다.

바디 승강 부재(430)는 상부 바디(414) 및 하부 바디(412) 간에 상대 위치를 변경할 수 있다. 바디 승강 부재(430)는 상부 바디(414) 및 하부 바디(412) 중 어느 하나를 상하 방향으로 이동시킬 수 있다. 본 실시 예에는 상부 바디(414)의 위치가 고정되고, 하부 바디(412)를 이동시켜 상부 바디(414)와 하부 바디(412) 간의 상대 위치를 조절하는 것으로 설명한다. 선택적으로, 하부 바디(414)의 위치가 고정되고, 상부 바디(414)가 바디 승강 부재(430)에 의해 이동될 수 있다. 바디 승강 부재(430)는 상부 바디(414) 및 하부 바디(412) 간에 상대 위치가 밀폐 위치, 일부 개방 위치, 그리고 완전 개방 위치를 가지도록 하부 바디(412)를 이동시킬 수 있다. 여기서 밀폐 위치는 상부 바디(414) 및 하부 바디(412)가 서로 접촉되어 처리 공간(411)을 외부로부터 밀폐하는 위치이다. 일부 개방 위치는 상부 바디(414) 및 하부 바디(412) 간에 틈이 형성되도록 이격되는 위치이다. 완전 개방 위치는 기판(W)의 반출입 가능하도록 상부 바디(414) 및 하부 바디(412)가 서로 이격되는 위치로, 일부 개방 위치에 비해 상부 바디(414) 및 하부 바디(412)가 더 멀리 이격되는 위치로 정의한다.

바디 승강 부재(430)는 하부 바디(412)를 승하강시켜 처리 공간(411)을 개방 또는 밀폐시킬 수 있다. 바디 승강 부재(430)는 상부 바디(414) 및 하부 바디(412)를 서로 연결할 수 있다. 바디 승강 부재(430)는 하부 바디(420)의 상단의 가장 자리를 따라 배열되게 위치될 수 있다. 바디 승강 부재(430)는 복수로 제공되어, 각각 상부 바디(414)를 관통하고, 하부 바디(412)의 상단에 고정 결합될 수 있다. 바디 승강 부재(430)가 승강 또는 하강 이동함에 따라 하부 바디(412)의 높이가 변경되고, 상부 바디(414)와 하부 바디(412) 간에 거리를 조절할 수 있다.

가열 부재(440)는 처리 공간(411)을 가열할 수 있다. 가열 부재(440)는 처리 공간(411)으로 공급된 처리 유체를 임계 온도 이상으로 가열하여 처리 유체가 초임계 상태를 유지하도록 할 수 있다. 가열 부재(440)는 상부 바디(414) 및 하부 바디(412) 중 적어도 하나의 벽 내에 매설되어 설치될 수 있다. 예를 들어, 가열 부재(440)는 외부로부터 전원을 받아 열을 발생시키는 히터로 제공될 수 있다.

유체 공급 유닛(450)은 처리 공간(411)으로 처리 유체를 공급할 수 있다. 또한, 유체 공급 유닛(450)은 처리 공간(411)으로 처리 유체를 공급함과 동시에, 처리 공간(411)의 압력을 조절할 수 있다. 유체 공급 유닛(450)은 유체 공급원(452), 유체 공급 라인(454), 그리고 공급 밸브(456)를 포함할 수 있다. 유체 공급원(452)은 처리 유체를 저장 및/또는 공급할 수 있다. 처리 유체는 이산화탄소를 포함할 수 있다. 유체 공급원(452)은 상부 바디(414)와 연결된 유체 공급 라인(454)과 연결될 수 있다. 유체 공급원(452)에 저장된 처리 유체는 유체 공급 라인(454)을 통해 처리 공간(411)으로 전달될 수 있다. 또한, 유체 공급 라인(454)에는 공급 밸브(456)가 설치될 수 있다. 공급 밸브(456)는 온/오프 밸브일 수 있다. 그러나, 이에 한정되는 것은 아니고 공급 밸브(456)는 유량 조절 밸브 일 수 있다.

배기 유닛(460)은 처리 공간(411)의 분위기를 배기할 수 있다. 배기 유닛(460)은 처리 공간(411)에서 발생된 공정 부산물과 처리 공간(411)으로 공급된 처리 유체는 배기 유닛(460)을 통해 외부로 배기될 수 있다. 또한, 배기 유닛(460)은 공정 부산물 및/또는 처리 유체를 배기함과 동시에, 처리 공간(411)의 압력을 조절할 수 있다. 배기 유닛(460)은 배기 부재(462), 배기 라인(464), 그리고 배기 밸브(466)를 포함할 수 있다. 배기 부재(462)는 처리 공간(411)으로 감압을 제공할 수 있다. 배기 부재(462)는 하부 바디(412)와 연결된 배기 라인(464)과 연결될 수 있다. 배기 부재(462)가 제공하는 감압은 배기 라인(464)을 통해 처리 공간(411)으로 전달될 수 있다. 배기 부재(462)는 펌프일 수 있다. 그러나, 이에 한정되는 것은 아니고 배기 부재(462)는 감압을 제공하는 공지의 장치로 다양하게 변형될 수 있다. 또한, 배기 라인(464)에는 배기 밸브(466)가 설치될 수 있다. 배기 밸브(466)는 온/오프 밸브일 수 있다. 그러나, 이에 한정되는 것은 아니고 배기 밸브(466)는 유량 조절 밸브 일 수 있다.

제어기(미도시)는 기판 처리 설비(1)를 제어할 수 있다. 예컨대, 제어기는 기판 처리 장치(400)를 제어할 수 있다. 제어기는 바디 승강 부재(430), 유체 공급 유닛(450), 그리고 배기 유닛(460)을 제어할 수 있다. 제어기는 후술하는 기판 처리 방법을 수행할 수 있도록 기판 처리 장치(400)를 제어할 수 있다.

다음은 상술한 기판 처리 장치(400)를 이용하여 기판(W)을 처리하는 방법을 설명한다. 기판 처리 장치(400)를 이용하여 기판(W)을 처리하는 방법은 고압 챔버(410)가 가지는 처리 공간(411)으로 초임계 상태의 처리 유체를 공급하여 기판(W) 상에 잔류하는 유기 용제를 제거하는 방법일 수 있다. 기판(W)에 대한 처리가 수행되는 동안 기판(W)은 처리 공간(411)에서 지지 부재에 의해 지지될 수 있다. 도 4는 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 방법을 보여주는 플로우 차트이고, 도 5는 도 4의 기판 처리 방법을 수행시 고압 챔버 내의 압력 변화를 시간에 따라 나타낸 도면이다. 도 4와 도 5를 참조하면, 본 발명의 기판 처리 방법은, 가압 및 가열 단계(S10), 처리 단계(S20), 그리고 배기 단계(S30)를 포함할 수 있다.

가압 및 가열 단계(S10)는 고압 챔버(410) 내로 처리 유체를 공급하고, 공급된 처리 유체를 초임계 상태로 변화시키는 단계일 수 있다. 가압 및 가열 단계(S10)에는 기판(W)을 처리 공간(411)으로 반입한 후, 바디 승강 부재(430)가 하부 바디(412)를 상승시킬 수 있다. 가압 및 가열 단계(S10)에는 바디 승강 부재(430)가 고압 챔버(410) 내의 처리 공간(411)을 밀폐할 수 있다. 이후, 유체 공급 유닛(450)은 처리 공간(411)으로 처리 유체를 공급할 수 있다. 유체 공급 유닛(450)은 처리 공간(411)으로 처리 유체를 지속 공급하여 처리 공간(411)의 압력을 대기압과 유사한 내 초기 압력에서 제2압력(P2)까지 상승시킬 수 있다. 제2압력(P2)은 처리 유체의 포화 증기압 또는 처리 유체의 임계 압력보다 큰 압력일 수 있다. 또한, 제2압력(P2)은 바디 승강 부재(430)가 고압 챔버(410)를 밀폐 위치로 유지할 수 있는 밀폐 임계 압력과 같거나 이보다 작을 수 있다. 처리 공간(411) 내에 처리 유체가 공급되어 처리 공간(411)의 압력이 제2압력(P2)에 도달하고 난 이후 또는 제2압력(P2)으로 승압되는 도중 가열 부재(440)는 처리 공간(411)의 온도를 높일 수 있다. 가열 부재(440)는 처리 공간(411)의 온도를 처리 유체의 임계 온도 이상으로 높일 수 있다.

처리 단계(S20)는 감압 공정(S21), 그리고 승압 공정(S22)을 포함할 수 있다. 감압 공정(S21)은 처리 공간(411)의 압력을 낮추는 공정이다. 승압 공정(S22)은 처리 공간(411)의 압력을 높이는 공정이다. 감압 공정(S21)과 승압 공정(S22)은 교번되게 반복 수행될 수 있다. 감압 공정(S21)과 승압 공정(S22)은 교번되게 적어도 2회 이상 반복 수행될 수 있다. 처리 단계(S20)에 감압 공정(S21), 그리고 승압 공정(S22)을 교번되게 반복 수행함으로써, 처리 공간(411) 내의 초임계 상태 처리 유체의 유동을 크게 할 수 있다.

감압 공정(S21)에는 처리 공간(411)의 압력을 제2압력(P2)에서 제1압력(P1)으로 감압할 수 있다. 제1압력(P1)은 제2압력(P2)보다 작은 압력일 수 있다. 감압 공정(S21)이 수행되는 동안에는 처리 공간(411)으로 공급되는 처리 유체의 단위 시간당 공급 유량과 처리 공간(411)의 분위기를 배기하는 단위 시간당 배기 유량을 조절하여 처리 공간(411)의 압력을 감압할 수 있다. 예컨대, 감압 공정(S21)이 수행되는 동안에는 처리 공간(411)으로 공급되는 처리 유체의 단위 시간당 공급 유량이 처리 공간(411)의 분위기를 배기하는 단위 시간당 배기 유량보다 작을 수 있다. 예컨대, 감압 공정(S21)이 수행되는 동안에는 유체 공급 유닛(450)이 처리 공간(411)으로 공급하는 처리 유체의 단위 시간당 공급 유량이 배기 유닛(460)이 처리 공간(411)의 분위기를 배기하는 단위 시간당 배기 유량보다 작을 수 있다.

승압 공정(S22)에는 처리 공간(411)의 압력을 제1압력(P1)에서 제2압력(P2)으로 승압할 수 있다. 제2압력(P2)은 제1압력(P1)보다 큰 압력일 수 있다. 승압 공정(S22)이 수행되는 동안에는 처리 공간(411)으로 공급되는 처리 유체의 단위 시간당 공급 유량과 처리 공간(411)의 분위기를 배기하는 단위 시간당 배기 유량을 조절하여 처리 공간(411)의 압력을 승압할 수 있다. 예컨대, 승압 공정(S22)이 수행되는 동안에는 처리 공간(411)으로 공급되는 처리 유체의 단위 시간당 공급 유량이 처리 공간(411)의 분위기를 배기하는 단위 시간당 배기 유량보다 클 수 있다. 예컨대, 승압 공정(S22)이 수행되는 동안에는 유체 공급 유닛(450)이 처리 공간(411)으로 공급하는 처리 유체의 단위 시간당 공급 유량이 배기 유닛(460)이 처리 공간(411)의 분위기를 배기하는 단위 시간당 배기 유량보다 클 수 있다.

또한, 제1압력(P1)은 약 90 Bar이고, 제2압력(P2) 약 150 Bar일 수 있다. 또한, 제1압력(P1)은 90 Bar보다 크고, 제2압력(P2)은 150 Bar 보다 작을 수 있다. 또한, 제1압력(P1)과 제2압력(P2)의 차이는 40 Bar를 초과하고 60 Bar 이하일 수 있다.

배기 단계(S30)에는 처리 공간(411) 내 압력을 강압할 수 있다. 배기 단계(S30)는 처리 공간(411)에 반입된 기판(W)에 대한 건조 공정이 완료된 이후 수행될 수 있다. 배기 단계(S30)에는 배기 유닛(460)이 처리 공간(411)의 분위기를 배기할 수 있다. 배기 단계(S30)에는 처리 공간(411)의 압력을 제1압력(P1) 또는 제2압력(P2)에서 대기압과 유사한 초기 압력으로 강압할 수 있다.

도 6은 고압 챔버 내의 유기 용제 흄(Fume) 농도 변화를 고압 챔버 내 압력의 변화에 따라 나타낸 도면이다. 도 6을 참조하면, 고압 챔버(410) 내의 유기 용제 흄(Fume)의 농도 변화는 고압 챔버(410) 내 압력 변화에 영향을 받는다. 예컨대, 고압 챔버(410)의 처리 공간(411)의 압력이 처리 유체의 상 변화 압력(P)보다 작은 경우, 처리 공간(411)의 흄(Fume) 농도는 급격히 상승한다. 처리 공간(411)의 압력이 처리 유체의 상 변화 압력(P)보다 작아지는 경우, 처리 유체는 초임계 상태를 유지하지 못하게 된다. 이에, 처리 유체에 용해되었던 유기 용제가 처리 유체로부터 분리된다. 즉, 처리 공간(411)의 압력이 처리 유체의 상 변화 압력(P)보다 작아지는 경우, 처리 유체로부터 유기 용제가 분리되면서 처리 공간(411)내 유기 용제의 흄(Fume) 농도가 급격히 상승하게 된다. 처리 유체가 이산화탄소인 경우, 처리 유체의 상 변화 압력(P)은 약 90 Bar이다.

이에, 본 발명의 처리 단계(S20)에서 처리 공간(411)의 하한 압력인 제1압력(P1)은 처리 유체의 상 변화 압력(P)과 같거나 이보다 클 수 있다. 제1압력(P1)은 약 90 Bar일 수 있다. 또한, 제1압력(P1)은 90 Bar보다 클 수 있다. 처리 단계(S20)에서 하한 압력인 제1압력(P1)은 처리 유체의 상 변화 압력(P)보다는 크되, 상 변화 압력(P)과 유사할 수 있다.

또한, 본 발명의 처리 단계(S20)에서 처리 공간(411)의 상한 압력인 제2압력(P2)은 약 150 Bar일 수 있다. 또한, 제2압력(P2)은 150 Bar보다 작거나 이와 같을 수 있다. 또한, 제2압력(P2)은 바디 승강 부재(430)가 고압 챔버(410)를 밀폐 위치로 유지할 수 있는 밀폐 임계 압력과 같거나 이보다 작을 수 있다. 처리 단계(S30)에서 상한 압력인 제2압력(P2)은 고압 챔버(410)를 밀폐 위치로 유지할 수 있는 밀폐 임계 압력보다 작되, 밀폐 임계 압력과 유사할 수 있다.

도 7은 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 방법에서 초임계 상태의 처리 유체가 유동하는 모습을 보여주는 도면이다. 도 7을 참조하면, 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 방법의 처리 단계(S20)에는 감압 공정(S21)과 승압 공정(S22)을 교번되게 반복하여 수행한다. 이에, 처리 공간(411)에 공급된 초임계 상태의 처리 유체(F)의 유동을 크게 할 수 있다. 또한, 본 발명의 일 실시 예에 의하면, 처리 단계(S20)에서 하한 압력인 제1압력(P1)을 상 변화 압력(P)보다 크거나 이와 같게 하고, 처리 단계(S30)에서 상한 압력인 제2압력(P2)을 밀폐 임계 압력보다 작거나 같게 하여 처리 공간(411)에서의 초임계 상태 처리 유체의 유동을 더욱 크게 할 수 있다. 즉, 본 발명의 처리 단계(S20)에서 처리 공간(411) 내 압력 을 임계 압력들인 처리 유체의 상 변화 압력과 고압 챔버(410)가 밀폐 위치를 유지할 수 있는 밀폐 임계 압력 사이에서 변화시킴으로써, 처리 공간(411) 내 처리 유체의 유동을 극대화 할 수 있다. 처리 공간(411) 내 초임계 상태의 처리 유체의 유동이 극대화 되면, 유기 용제에 대한 처리 유체의 치환능이 매우 크게 개선된다. 유기 용제에 대한 처리 유체의 치환능이 커지고, 처리 유체의 유동이 커지게 되면 고압 챔버(410) 내에서 유기 용제가 잔류되는 것을 최소화 할 수 있다. 이에, 기판(W)에 대한 처리 효율을 더욱 높일 수 있게 된다.

이하에서는, 본 발명의 다른 실시 예에 따른 기판 처리 방법에 대하여 설명한다. 이하에서는, 본 발명의 다른 실시 예와 본 발명의 일 실시 예와의 차이점을 중심으로 기술하고, 동일 또는 유사한 부분은 설명을 생략한다.

도 8은 본 발명의 다른 실시 예에 따른 기판 처리 방법을 보여주는 플로우 차트이다. 도 8을 참조하면, 본 발명의 다른 실시 예에 따른 기판 처리 방법은 가압 및 가열 단계(S10), 제1처리 단계(S20a), 제2처리 단계(S20b), 그리고 배기 단계(S30)를 포함할 수 있다. 여기서 가압 및 가열 단계(S10), 그리고 배기 단계(S30)는 상술한 내용과 동일 또는 유사하므로 자세한 설명은 생략한다.

제1처리 단계(S20a)는 제1감압 공정(S21a)과 제1승압 공정(S22a)을 포함할 수 있다. 제1감압 공정(S21a)에는 처리 공간(411)의 압력을 제1-2압력(P2a)에서 제1-1압력(P1a)으로 감압할 수 있다. 제1승압 공정(S22a)에는 처리 공간(411)의 압력을 제1-1압력(P1a)에서 제1-2압력(P2a)으로 승압할 수 있다. 여기서 제1-1압력(P1a)은 상술한 제1압력(P1)과 동일한 크기의 압력일 수 있다. 또한, 제1-2압력(P2a)은 상술한 제2압력(P2)과 동일한 크기의 압력일 수 있다.

제2처리 단계(S20b)는 제2감압 공정(S21b)과 제2승압 공정(S22b)을 포함할 수 있다. 제2감압 공정(S21b)에는 처리 공간(411)의 압력을 제2-2압력(P2b)에서 제2-1압력(P1b)으로 감압할 수 있다. 제2승압 공정(S22b)에는 처리 공간(411)의 압력을 제2-1압력(P1b)에서 제2-2압력(P2b)으로 승압할 수 있다. 여기서 제2-1압력(P1b)은 제1-1압력(P1a)보다 큰 압력일 수 있다. 또한, 제2-2압력(P2b)은 상술한 제1-2압력(P2b)보다 작은 압력일 수 있다.

본 발명의 다른 실시 예에 의하면, 제1처리 단계(S20a)에서의 압력 변화 크기가, 제2처리 단계(S20b)에서의 압력 변화 크기보다 크다. 즉, 기판(W)에 대한 처리 공정 초기(제1처리 단계)에는 처리 공간(411) 내의 압력 변화를 크게 하여 초임계 상태의 처리 유체 유동을 크게 한다. 이에, 처리 유체가 기판(W) 상에 형성된 패턴 사이로 용이하게 침투할 수 있게 한다. 처리 공정 후기(제2처리 단계)에는 처리 공간(411) 내의 압력 변화를 작게하여 초임계 상태의 처리 유체 유동을 작게 한다. 이에, 패턴 사이로 침투된 처리 유체가 패턴 사이에서 상대적으로 긴 시간 동안 잔류하게 하여 유기 용제가 처리 유체에 더욱 효율적으로 용해되도록 할 수 있다. 또한, 제1처리 단계(S20a)와 제2처리 단계(S20b)는 적어도 2회 이상 교번되게 반복하여 수행될 수 도 있다.

이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내어 설명하는 것이며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 전술한 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 구현하기 위한 최선의 상태를 설명하는 것이며, 본 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.

기판 처리 장치 : 400
고압 챔버 : 410
처리 공간 : 411
하부 바디 : 412
상부 바디 : 414
바디 승강 부재 : 430
가열 부재 : 440
유체 공급 유닛 : 450
유체 공급원 : 452
유체 공급 라인 : 454
공급 밸브 : 456
배기 유닛 : 460
배기 부재 : 462
배기 라인 : 464
배기 밸브 : 466

Claims (8)

1. 기판을 처리하는 방법에 있어서,
   고압 챔버가 가지는 처리 공간으로 초임계 상태의 처리 유체를 공급하여 상기 처리 공간에서 지지되는 상기 기판에 잔류하는 유기 용제를 제거하되,
   상기 처리 공간의 압력을 제1압력에서 상기 제1압력보다 큰 제2압력으로 승압시키는 승압 공정과;
   상기 처리 공간의 압력을 상기 제2압력에서 상기 제1압력으로 감압시키는 감압 공정을 포함하고,
   상기 승압 공정과 상기 감압 공정은 교번되게 반복 수행되고,
   상기 제1압력과 상기 제2압력의 차이는 40 Bar를 초과하고 60 Bar 이하인 기판 처리 방법.
2. 제1항에 있어서,
   상기 제1압력은 상기 처리 유체의 상 변화 압력보다 큰 기판 처리 방법.
3. 제1항에 있어서,
   상기 처리 유체는 이산화탄소를 포함하고,
   상기 유기 용제는 이소프로필알코올을 포함하는 기판 처리 방법.
4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
   상기 승압 공정에는 상기 처리 공간으로 공급되는 상기 처리 유체의 단위 시간당 공급 유량이 상기 처리 공간의 분위기를 배기하는 단위 시간당 배기 유량보다 크고,
   상기 감압 공정에는 상기 처리 공간으로 공급되는 상기 처리 유체의 단위 시간당 공급 유량이 상기 처리 공간의 분위기를 배기하는 단위 시간당 배기 유량보다 작은 기판 처리 방법.
5. 기판을 처리하는 방법에 있어서,
   고압 챔버가 가지는 처리 공간으로 초임계 상태의 처리 유체를 공급하여 상기 처리 공간에서 지지되는 상기 기판에 잔류하는 유기 용제를 제거하되,
   상기 처리 공간의 압력을 제1압력에서 상기 제1압력보다 큰 제2압력으로 승압시키는 승압 공정과;
   상기 처리 공간의 압력을 상기 제2압력에서 상기 제1압력으로 감압시키는 감압 공정을 포함하고,
   상기 승압 공정과 상기 감압 공정은 교번되게 반복 수행되고,
   상기 제1압력은 90 Bar보다 크고,
   상기 제2압력은 150 Bar보다 작은 기판 처리 방법.
6. 제5항에 있어서,
   상기 제1압력은 상기 처리 유체의 상 변화 압력보다 큰 기판 처리 방법.
7. 제5항에 있어서,
   상기 처리 유체는 이산화탄소를 포함하고,
   상기 유기 용제는 이소프로필알코올을 포함하는 기판 처리 방법.
8. 제5항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서,
   상기 승압 공정에는 상기 처리 공간으로 공급되는 상기 처리 유체의 단위 시간당 공급 유량이 상기 처리 공간의 분위기를 배기하는 단위 시간당 배기 유량보다 크고,
   상기 감압 공정에는 상기 처리 공간으로 공급되는 상기 처리 유체의 단위 시간당 공급 유량이 상기 처리 공간의 분위기를 배기하는 단위 시간당 배기 유량보다 작은 기판 처리 방법.
   
   
   

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