KR20210077614A - Resist composition and method of forming resist pattern - Google Patents

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도모유키 히라노
고지 요네무라
유스케 나카가와
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도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤
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Abstract

A negative resist composition comprises: a polymer compound (A1) having a structural unit (a10) containing a phenolic hydroxyl group; an acid generator (B0) represented by general formula (b0-1); a crosslinking agent (C); and aromatic compound (Z) having 1 or 2 phenolic hydroxyl groups in a molecule and having no carboxyl group, wherein, Rb1 is an organic group, and Rb2 is a group represented by following general formula (b0-r-1) or (b0-r-2). Accordingly, the present invention provides a resist composition capable of forming a resist pattern with good etching resistance, and a method of forming a resist pattern.

Description

레지스트 조성물 및 레지스트 패턴 형성 방법 {RESIST COMPOSITION AND METHOD OF FORMING RESIST PATTERN}RESIST COMPOSITION AND METHOD OF FORMING RESIST PATTERN

본 발명은, 레지스트 조성물 및 레지스트 패턴 형성 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a resist composition and a method for forming a resist pattern.

본원은, 2019년 12월 17일에 일본에 출원된, 일본 특허출원 2019-227234호에 근거해 우선권 주장하고, 그 내용을 여기에 원용한다.This application claims priority based on Japanese Patent Application No. 2019-227234 for which it applied to Japan on December 17, 2019, and uses the content here.

최근, 반도체 소자나 액정 표시 소자의 제조에 있어서는, 리소그래피 기술의 진보에 의해 급속히 패턴의 미세화가 진행되고 있다. 미세화의 수법으로는, 일반적으로, 노광 광원의 단파장화 (고에너지화) 가 실시되고 있다.In recent years, in manufacture of a semiconductor element and a liquid crystal display element, pattern refinement|miniaturization is advancing rapidly with the progress of lithography technology. As a method of miniaturization, the wavelength reduction (higher energy) of an exposure light source is generally implemented.

레지스트 재료에는, 이들의 노광 광원에 대한 감도, 미세한 치수의 패턴을 재현할 수 있는 해상성 등의 리소그래피 특성이 요구된다. The resist material is required to have lithographic properties such as sensitivity to these exposure light sources and resolution capable of reproducing patterns with fine dimensions.

이와 같은 요구를 만족하는 레지스트 재료로서, 종래, 산의 작용에 의해 현상액에 대한 용해성이 변화하는 기재 성분과, 노광에 의해 산을 발생하는 산발생제 성분을 함유하는 화학 증폭형 레지스트 조성물이 사용되고 있다.As a resist material that satisfies these requirements, conventionally, a chemically amplified resist composition containing a base component whose solubility in a developer changes due to the action of an acid and an acid generator component that generates an acid upon exposure has been used. .

레지스트 재료에는, 이들의 노광 광원에 대한 감도, 미세한 치수의 패턴을 재현할 수 있는 해상성 등의 리소그래피 특성이 요구된다.The resist material is required to have lithographic properties such as sensitivity to these exposure light sources and resolution capable of reproducing patterns with fine dimensions.

이와 같은 요구를 만족하는 레지스트 재료로서, 종래, 산의 작용에 의해 현상액에 대한 용해성이 변화하는 기재 성분과, 노광에 의해 산을 발생하는 산발생제 성분을 함유하는 화학 증폭형 레지스트 조성물이 사용되고 있다.As a resist material that satisfies these requirements, conventionally, a chemically amplified resist composition containing a base component whose solubility in a developer changes due to the action of an acid and an acid generator component that generates an acid upon exposure has been used. .

예를 들어 상기 현상액이 알칼리 현상액 (알칼리 현상 프로세스) 인 경우, 포지티브형의 화학 증폭형 레지스트 조성물로는, 산의 작용에 의해 알칼리 현상액에 대한 용해성이 증대하는 수지 성분 (베이스 수지) 과 산발생제 성분을 함유하는 것이 일반적으로 사용되고 있다. 이러한 레지스트 조성물을 사용하여 형성되는 레지스트막은, 레지스트 패턴 형성 시에 선택적 노광을 실시하면, 노광부에 있어서, 산발생제 성분으로부터 산이 발생하고, 그 산의 작용에 의해 베이스 수지의 극성이 증대하여, 레지스트막의 노광부가 알칼리 현상액에 대해 가용이 된다. 그 때문에 알칼리 현상함으로써, 레지스트막의 미노광부가 패턴으로서 남는 포지티브형 패턴이 형성된다.For example, when the developer is an alkali developer (alkali developing process), the positive chemically amplified resist composition includes a resin component (base resin) that increases solubility in an alkali developer by the action of an acid (base resin) and an acid generator Those containing ingredients are generally used. When a resist film formed using such a resist composition is selectively exposed during resist pattern formation, an acid is generated from the acid generator component in the exposed portion, and the polarity of the base resin is increased by the action of the acid, The exposed portion of the resist film becomes soluble to the alkali developer. Therefore, by alkali development, a positive pattern in which the unexposed portion of the resist film remains as a pattern is formed.

또, 레지스트 재료로서, 종래, 알칼리 현상액에 가용성의 기재 성분 (알칼리 가용성 기재 성분) 과, 노광에 의해 산을 발생하는 산발생제 성분과, 가교제 성분을 함유하는 화학 증폭형 레지스트 조성물도 사용되고 있다. 이러한 화학 증폭형 레지스트 조성물은, 예를 들어, 노광에 의해 산발생제 성분으로부터 산이 발생하면, 그 산이 작용하여 그 알칼리 가용성 기재 성분과 가교제 성분 사이에서 가교가 일어나고, 이 결과, 알칼리 현상액에 대한 용해성이 감소한다. 그 때문에, 레지스트 패턴의 형성에 있어서, 이러한 화학 증폭형 레지스트 조성물을 지지체 상에 도포하여 얻어지는 레지스트막을 선택적으로 노광하면, 레지스트막 노광부는 알칼리 현상액에 대해 난용성으로 변하는 한편으로, 레지스트막 미노광부는 알칼리 현상액에 대해 가용성인 채 변화하지 않기 때문에, 알칼리 현상액으로 현상함으로써 네거티브형 레지스트 패턴이 형성된다.As a resist material, conventionally, a chemically amplified resist composition containing a base component soluble in an alkali developer (alkali-soluble base component), an acid generator component that generates an acid upon exposure, and a crosslinking agent component have also been used. In such a chemically amplified resist composition, for example, when an acid is generated from an acid generator component by exposure, the acid acts to crosslink between the alkali-soluble base component and the crosslinking agent component, and as a result, solubility in an alkali developer solution this decreases Therefore, when a resist film obtained by applying such a chemically amplified resist composition on a support is selectively exposed in the formation of a resist pattern, the exposed portion of the resist film changes to be poorly soluble in an alkali developer, while the unexposed portion of the resist film is Since it remains soluble and does not change with respect to an alkali developing solution, a negative resist pattern is formed by developing with an alkali developing solution.

예를 들어, 특허문헌 1 에는, 알칼리 가용성 폴리하이드록시스티렌계 수지, 산가교성 물질, 특정 광산 발생제 및 용해 촉진제를 함유하는 네거티브형 화학 증폭형 레지스트 조성물이 기재되어 있다. For example, Patent Document 1 describes a negative chemically amplified resist composition containing an alkali-soluble polyhydroxystyrene-based resin, an acid crosslinking substance, a specific photoacid generator, and a dissolution accelerator.

일본 특허 제3655030호Japanese Patent No. 3655030

본 발명들이 검토한 결과, 기재 성분으로서 알칼리 가용성 폴리하이드록시스티렌계 수지를 채용한 네거티브형 레지스트 조성물을 사용하여 레지스트 패턴을 형성한 경우, 웨트 에칭 내성을 이용하여 미크론 오더의 후막 레지스트막을 성막하고, 레지스트 패턴을 형성하여 에칭을 실시한 경우, 에칭 내성이 불충분한 경우가 있었다.As a result of the studies of the present invention, when a resist pattern is formed using a negative resist composition employing an alkali-soluble polyhydroxystyrene-based resin as a base component, a micron-order thick resist film is formed using wet etching resistance, When etching was performed by forming a resist pattern, the etching resistance was insufficient in some cases.

본 발명은, 상기 사정을 감안하여 이루어진 것으로, 에칭 내성이 양호한 레지스트 패턴을 형성할 수 있는 레지스트 조성물, 및 그 레지스트 조성물을 사용한 레지스트 패턴 형성 방법을 제공하는 것을 과제로 한다. The present invention has been made in view of the above circumstances, and an object of the present invention is to provide a resist composition capable of forming a resist pattern with good etching resistance, and a method for forming a resist pattern using the resist composition.

상기 과제를 해결하기 위해서, 본 발명은 이하의 구성을 채용했다.In order to solve the said subject, this invention employ|adopted the following structures.

즉, 본 발명의 제 1 양태는, 하기 일반식 (a10-1) 로 나타내는 구성 단위 (a10) 을 갖는 고분자 화합물 (A1) 과, 하기 일반식 (b0-1) 로 나타내는 산발생제 (B0) 과, 가교제 (C) 와, 분자 내에 페놀성 수산기를 1 개 또는 2 개 갖고, 카르복시기를 갖지 않는 방향족 화합물 (Z) 를 함유하는 네거티브형 레지스트 조성물이다.That is, the first aspect of the present invention provides a polymer compound (A1) having a structural unit (a10) represented by the following general formula (a10-1) and an acid generator (B0) represented by the following general formula (b0-1) A negative resist composition comprising: a crosslinking agent (C); and an aromatic compound (Z) having one or two phenolic hydroxyl groups in the molecule and not having a carboxyl group.

[화학식 1] [Formula 1]

Figure pat00001
Figure pat00001

[식 중, R 은, 수소 원자, 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬기 또는 탄소수 1 ∼ 5 의 할로겐화알킬기이다. Yax1 은, 단결합 또는 2 가의 연결기이다. Wax1 은, 치환기를 가지고 있어도 되는 방향족 탄화수소기이다. nax1 은, 1 이상의 정수이다.] [In the formula, R is a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, or a halogenated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms. Ya x1 is a single bond or a divalent linking group. Wa x1 is an aromatic hydrocarbon group which may have a substituent. n ax1 is an integer greater than or equal to 1.]

[화학식 2] [Formula 2]

Figure pat00002
Figure pat00002

[식 중, Rb1 은 유기기이다. Rb2 는, 하기 일반식 (b0-r-1) 또는 하기 일반식 (b0-r-2) 로 나타내는 기이다.] [Wherein, Rb 1 is an organic group. Rb 2 is a group represented by the following general formula (b0-r-1) or the following general formula (b0-r-2).]

[화학식 3] [Formula 3]

Figure pat00003
Figure pat00003

[식 (b0-r-1) 중, Rb201 및 Rb202 는, 각각 독립적으로, 유기기이다. * 는 결합손을 나타낸다. 식 (b0-r-2) 중, Xb 는, -(O=)C-N-C(=O)- 와 함께 고리형 이미드 구조를 갖는 고리형기를 형성하는 기이다. * 는 결합손을 나타낸다.] [In formula (b0-r-1), Rb 201 and Rb 202 are each independently an organic group. * indicates a bond. In the formula (b0-r-2), Xb is a group that together with -(O=)CNC(=O)- forms a cyclic group having a cyclic imide structure. * indicates a bond hand.]

본 발명의 제 2 양태는, 지지체 상에, 상기 제 1 양태에 관련된 레지스트 조성물을 사용하여 레지스트막을 형성하는 공정, 상기 레지스트막을 노광하는 공정, 및 상기 노광 후의 레지스트막을 현상하여 레지스트 패턴을 형성하는 공정을 갖는, 레지스트 패턴 형성 방법이다. A second aspect of the present invention provides a step of forming a resist film on a support using the resist composition according to the first aspect, exposing the resist film, and developing the resist film after exposure to form a resist pattern. A method of forming a resist pattern having

본 발명에 의하면, 에칭 내성이 양호한 레지스트 패턴을 형성할 수 있는 레지스트 조성물, 및 그 레지스트 조성물을 사용한 레지스트 패턴 형성 방법을 제공할 수 있다. ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the resist composition which can form a resist pattern with favorable etching resistance, and the resist pattern formation method using the resist composition can be provided.

본 명세서 및 본 특허 청구 범위에 있어서, 「지방족」이란, 방향족에 대한 상대적인 개념으로서, 방향족성을 가지지 않는 기, 화합물 등을 의미하는 것으로 정의한다.In the present specification and claims, "aliphatic" is a concept relative to aromatic, and is defined as meaning a group, compound, etc. that do not have aromaticity.

「알킬기」는, 특별히 언급이 없는 한, 직사슬형, 분기 사슬형 및 고리형의 1 가의 포화 탄화수소기를 포함하는 것으로 한다. 알콕시기 중의 알킬기도 동일하다.Unless otherwise specified, "alkyl group" includes linear, branched and cyclic monovalent saturated hydrocarbon groups. The alkyl group in the alkoxy group is the same.

「알킬렌기」는, 특별히 언급이 없는 한, 직사슬형, 분기 사슬형 및 고리형의 2 가의 포화 탄화수소기를 포함하는 것으로 한다.The "alkylene group" includes divalent saturated hydrocarbon groups of linear, branched and cyclic unless otherwise specified.

「할로겐 원자」는, 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자, 요오드 원자를 들 수 있다. 「구성 단위」란, 고분자 화합물 (수지, 중합체, 공중합체) 을 구성하는 모노머 단위 (단량체 단위) 를 의미한다.Examples of the "halogen atom" include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, and an iodine atom. A "structural unit" means a monomer unit (monomer unit) constituting a high molecular compound (resin, polymer, copolymer).

「치환기를 가져도 된다」라고 기재하는 경우, 수소 원자 (-H) 를 1 가의 기로 치환하는 경우와, 메틸렌기 (-CH2-) 를 2 가의 기로 치환하는 경우의 양방을 포함한다.When describing "you may have a substituent", both a case where a hydrogen atom (-H) is substituted with a monovalent group and a case where a methylene group (-CH 2 -) is substituted with a divalent group is included.

「노광」은, 방사선의 조사 전반을 포함하는 개념으로 한다."Exposure" is a concept including radiation irradiation in general.

「산분해성기」는, 산의 작용에 의해, 당해 산분해성기의 구조 중의 적어도 일부의 결합이 개열할 수 있는 산분해성을 갖는 기이다.The "acid-decomposable group" is a group having acid-decomposable properties in which at least a part of bonds in the structure of the acid-decomposable group can be cleaved by the action of an acid.

산의 작용에 의해 극성이 증대하는 산분해성기로는, 예를 들어, 산의 작용에 의해 분해하여 극성기를 생성시키는 기를 들 수 있다.As an acid-decomposable group whose polarity increases by the action of an acid, for example, a group which decomposes by the action of an acid to generate a polar group is exemplified.

극성기로는, 예를 들어 카르복시기, 수산기, 아미노기, 술포기 (-SO3H) 등을 들 수 있다.As a polar group, a carboxy group, a hydroxyl group, an amino group, a sulfo group (-SO 3 H), etc. are mentioned, for example.

산분해성기로서 보다 구체적으로는, 상기 극성기가 산해리성기로 보호된 기 (예를 들어 OH 함유 극성기의 수소 원자를, 산해리성기로 보호한 기) 를 들 수 있다.More specific examples of the acid-decomposable group include a group in which the polar group is protected by an acid-dissociable group (eg, a group in which a hydrogen atom of an OH-containing polar group is protected by an acid-dissociable group).

「산해리성기」란, (i) 산의 작용에 의해, 당해 산해리성기와 그 산해리성기에 인접하는 원자 사이의 결합이 개열할 수 있는 산해리성을 갖는 기, 또는, (ii) 산의 작용에 의해 일부의 결합이 개열한 후, 추가로 탈탄산 반응이 일어남으로써, 당해 산해리성기와 그 산해리성기에 인접하는 원자 사이의 결합이 개열할 수 있는 기의 쌍방을 말한다.The term "acid dissociable group" refers to (i) a group having acid dissociability in which the bond between the acid dissociable group and an atom adjacent to the acid dissociable group can be cleaved by the action of an acid, or (ii) by the action of an acid It refers to both groups in which the bond between the acid dissociable group and the atom adjacent to the acid dissociable group can be cleaved by further decarboxylation reaction after cleavage of some bonds.

산분해성기를 구성하는 산해리성기는, 당해 산해리성기의 해리에 의해 생성하는 극성기보다 극성이 낮은 기일 필요가 있고, 이로써, 산의 작용에 의해 그 산해리성기가 해리했을 때에, 그 산해리성기보다 극성이 높은 극성기가 생성되어 극성이 증대한다. 그 결과, (A1) 성분 전체의 극성이 증대한다. 극성이 증대함으로써, 상대적으로, 현상액에 대한 용해성이 변화하여, 현상액이 알칼리 현상액인 경우에는 용해성이 증대하고, 현상액이 유기계 현상액인 경우에는 용해성이 감소한다.The acid-dissociable group constituting the acid-dissociable group must be a group having a lower polarity than the polar group formed by dissociation of the acid-dissociable group, and thus, when the acid-dissociable group is dissociated by the action of an acid, it has a higher polarity than the acid-dissociable group A polar group is created and the polarity increases. As a result, the polarity of the whole component (A1) increases. As the polarity increases, the solubility with respect to the developer relatively changes, and solubility increases when the developer is an alkaline developer, and the solubility decreases when the developer is an organic developer.

「기재 성분」이란, 막 형성능을 갖는 유기 화합물이다. 기재 성분으로서 사용되는 유기 화합물은, 비중합체와 중합체로 크게 나누어진다. 비중합체로는, 통상, 분자량이 500 이상 4000 미만인 것이 사용된다. 이하 「저분자 화합물」이라고 하는 경우에는, 분자량이 500 이상 4000 미만인 비중합체를 나타낸다. 중합체로는, 통상, 분자량이 1000 이상인 것이 사용된다. 이하 「수지」, 「고분자 화합물」 또는 「폴리머」라고 하는 경우에는, 분자량이 1000 이상인 중합체를 나타낸다. 중합체의 분자량으로는, GPC (겔 퍼미에이션 크로마토그래피) 에 의한 폴리스티렌 환산의 질량 평균 분자량을 사용하는 것으로 한다.A "base component" is an organic compound having film-forming ability. Organic compounds used as the base material are broadly classified into non-polymers and polymers. As a non-polymer, the thing of molecular weight 500 or more and less than 4000 is used normally. Hereinafter, when referred to as a "low molecular weight compound", molecular weights are 500 or more and less than 4000 nonpolymers. As a polymer, a thing with a molecular weight of 1000 or more is used normally. Hereinafter, when referred to as "resin", "polymer compound", or "polymer", a polymer having a molecular weight of 1000 or more is indicated. As molecular weight of a polymer, the mass average molecular weight of polystyrene conversion by GPC (gel permeation chromatography) shall be used.

「유도되는 구성 단위」란, 탄소 원자 간의 다중 결합, 예를 들어, 에틸렌성 이중 결합이 개열하여 구성되는 구성 단위를 의미한다."Structural unit derived" means a structural unit constituted by cleavage of multiple bonds between carbon atoms, for example, ethylenic double bonds.

「아크릴산에스테르」는, α 위치의 탄소 원자에 결합한 수소 원자가 치환기로 치환되어 있어도 된다. 그 α 위치의 탄소 원자에 결합한 수소 원자를 치환하는 치환기 (Rαx) 는, 수소 원자 이외의 원자 또는 기이다. 또, 치환기 (Rαx) 가 에스테르 결합을 포함하는 치환기로 치환된 이타콘산디에스테르나, 치환기 (Rαx) 가 하이드록시알킬기나 그 수산기를 수식한 기로 치환된 α 하이드록시아크릴에스테르도 포함하는 것으로 한다. 또한, 아크릴산에스테르의 α 위치의 탄소 원자란, 특별히 언급이 없는 한, 아크릴산의 카르보닐기가 결합하고 있는 탄소 원자이다.In "acrylic acid ester", the hydrogen atom couple|bonded with the carbon atom at the α-position may be substituted with a substituent. The substituent (R αx ) for substituting the hydrogen atom bonded to the carbon atom at the α-position is an atom or group other than the hydrogen atom. In addition, itaconic acid diesters in which the substituent (R αx ) is substituted with a substituent containing an ester bond, and α hydroxyacrylic esters in which the substituent (R αx ) is substituted with a hydroxyalkyl group or a group modified with a hydroxyl group thereof are also included. do. In addition, unless otherwise indicated, the carbon atom at the alpha-position of an acrylic acid ester is a carbon atom to which the carbonyl group of acrylic acid is couple|bonded.

이하, α 위치의 탄소 원자에 결합한 수소 원자가 치환기로 치환된 아크릴산에스테르를, α 치환 아크릴산에스테르라고 하는 경우가 있다.Hereinafter, the acrylic acid ester in which the hydrogen atom couple|bonded with the carbon atom at the α-position was substituted with a substituent may be referred to as an α-substituted acrylic acid ester.

「유도체」란, 대상 화합물의 α 위치의 수소 원자가 알킬기, 할로겐화알킬기 등의 다른 치환기로 치환된 것, 그리고 그들의 유도체를 포함하는 개념으로 한다. 그들의 유도체로는, α 위치의 수소 원자가 치환기로 치환되어 있어도 되는 대상 화합물의 수산기의 수소 원자를 유기기로 치환한 것 ; α 위치의 수소 원자가 치환기로 치환되어 있어도 되는 대상 화합물에, 수산기 이외의 치환기가 결합한 것 등을 들 수 있다. 또한, α 위치란, 특별히 언급이 없는 한, 관능기와 인접한 1 번째의 탄소 원자를 말한다.The "derivative" is a concept including those in which the hydrogen atom at the α-position of the target compound is substituted with another substituent such as an alkyl group or a halogenated alkyl group, and derivatives thereof. As those derivatives, the hydrogen atom of the hydroxyl group of the target compound in which the hydrogen atom at the α-position may be substituted with a substituent is substituted with an organic group; and those in which a substituent other than a hydroxyl group is bonded to the target compound in which the hydrogen atom at the α-position may be substituted with a substituent. In addition, the α-position refers to the first carbon atom adjacent to the functional group, unless otherwise specified.

하이드록시스티렌의 α 위치의 수소 원자를 치환하는 치환기로는, Rαx 와 동일한 것을 들 수 있다.Examples of the substituent for substituting the hydrogen atom at the α-position of hydroxystyrene include the same as those for R αx .

본 명세서 및 본 특허 청구 범위에 있어서, 화학식으로 나타내는 구조에 따라서는, 부제 탄소가 존재하고, 에난티오 이성체 (enantiomer) 나 디아스테레오 이성체 (diastereomer) 가 존재할 수 있는 것이 있다. 그 경우는 하나의 화학식으로 그것들 이성체를 대표해 나타낸다. 그들 이성체는 단독으로 사용해도 되고, 혼합물로서 사용해도 된다.In this specification and claims, depending on the structure represented by the chemical formula, an asymmetric carbon may exist, and an enantiomer or a diastereomer may exist. In that case, one chemical formula represents those isomers. These isomers may be used independently and may be used as a mixture.

(레지스트 조성물) (resist composition)

본 발명의 제 1 양태에 관련된 레지스트 조성물은, 네거티브형 레지스트 조성물이다. The resist composition according to the first aspect of the present invention is a negative resist composition.

이러한 레지스트 조성물의 일 실시형태로는, 산의 작용에 의해 현상액에 대한 용해성이 변화하는 기재 성분 (A) (이하 「(A) 성분」이라고도 한다) 와, 노광에 의해 산을 발생하는 산발생제 성분 (B) (이하 「(B) 성분」이라고도 한다) 와, 가교제 (C) (이하 「(C) 성분」이라고도 한다) 와, 분자 내에 페놀성 수산기를 1 개 또는 2 개 갖고, 카르복시기를 갖지 않는 방향족 화합물 (Z) (이하 「(Z) 성분」이라고도 한다) 를 함유하는 레지스트 조성물을 들 수 있다.In one embodiment of such a resist composition, the base component (A) whose solubility in a developer changes due to the action of an acid (hereinafter also referred to as "component (A)"), and an acid generator that generates an acid upon exposure Component (B) (hereinafter also referred to as “component (B)”), a crosslinking agent (C) (hereinafter also referred to as “component (C)”), has one or two phenolic hydroxyl groups in the molecule, and has no carboxyl group and a resist composition containing an aromatic compound (Z) (hereinafter also referred to as “component (Z)”) that is not present.

본 실시형태의 레지스트 조성물에 있어서, (A) 성분은, 일반식 (a10-1) 로 나타내는 구성 단위 (a10) 을 갖는 고분자 화합물 (A1) (이하 「(A1) 성분」이라고 한다.) 을 포함하고, (B) 성분은, 일반식 (b0-1) 로 나타내는 산발생제 (B0) (이하 「(B0) 성분」이라고 한다.) 을 포함한다.In the resist composition of the present embodiment, component (A) includes a polymer compound (A1) having a structural unit (a10) represented by the general formula (a10-1) (hereinafter referred to as “component (A1)”). And (B) component contains the acid generator (B0) (henceforth "(B0) component") represented by general formula (b0-1).

본 실시형태의 레지스트 조성물을 사용하여 레지스트막을 형성하고, 그 레지스트막에 대해 선택적 노광을 실시하면, 그 레지스트막의 노광부에서는 산이 발생하고, 그 산의 작용에 의해 (A) 성분의 현상액에 대한 용해성이 변화하는 한편으로, 그 레지스트막의 미노광부에서는 (A) 성분의 현상액에 대한 용해성이 변화하지 않기 때문에, 레지스트막의 노광부와 미노광부 사이에서 현상액에 대한 용해성의 차가 발생한다. 그 때문에, 그 레지스트막을 알칼리 현상하면, 레지스트막 미노광부가 용해 제거되어, 네거티브형의 레지스트 패턴이 형성된다.When a resist film is formed using the resist composition of the present embodiment and the resist film is selectively exposed, an acid is generated in the exposed portion of the resist film, and by the action of the acid, the solubility of component (A) in a developer solution is performed. On the other hand, since the solubility of component (A) in the developer does not change in the unexposed portion of the resist film, a difference in solubility in the developer occurs between the exposed portion and the unexposed portion of the resist film. Therefore, when the resist film is developed with alkali, the unexposed portion of the resist film is dissolved and removed, and a negative resist pattern is formed.

본 명세서에 있어서는, 레지스트막 노광부가 용해 제거되어 포지티브형 레지스트 패턴을 형성하는 레지스트 조성물을 포지티브형 레지스트 조성물이라고 하고, 레지스트막 미노광부가 용해 제거되어 네거티브형 레지스트 패턴을 형성하는 레지스트 조성물을 네거티브형 레지스트 조성물이라고 한다. 본 실시형태의 레지스트 조성물은, 네거티브형 레지스트 조성물이다.In the present specification, the resist composition in which the resist film exposed portion is dissolved and removed to form a positive resist pattern is referred to as a positive resist composition, and the resist composition in which the unexposed portion of the resist film is dissolved and removed to form a negative resist pattern is referred to as a negative resist composition. It is called composition. The resist composition of the present embodiment is a negative resist composition.

<(A) 성분> <(A) component>

(A) 성분은, 산의 작용에 의해 현상액에 대한 용해성이 변화하는 기재 성분이다.Component (A) is a base component whose solubility in a developing solution changes by the action of an acid.

본 발명에 있어서 「기재 성분」이란, 막 형성능을 갖는 유기 화합물이며, 바람직하게는 분자량이 500 이상인 유기 화합물이 사용된다. 그 유기 화합물의 분자량이 500 이상임으로써, 막 형성능이 향상되고, 또한, 나노 레벨의 레지스트 패턴을 형성하기 쉬워진다.In the present invention, the "base component" is an organic compound having film-forming ability, and preferably an organic compound having a molecular weight of 500 or more is used. When the molecular weight of the organic compound is 500 or more, the film-forming ability improves, and it becomes easy to form a nano-level resist pattern.

기재 성분으로서 사용되는 유기 화합물은, 비중합체와 중합체로 크게 나누어진다.Organic compounds used as the base material are broadly classified into non-polymers and polymers.

비중합체로는, 통상, 분자량이 500 이상 4000 미만인 것이 사용된다. 이하 「저분자 화합물」이라고 하는 경우에는, 분자량이 500 이상 4000 미만인 비중합체를 나타낸다. 중합체로는, 통상, 분자량이 1000 이상인 것이 사용된다. 이하 「수지」, 「고분자 화합물」 또는 「폴리머」라고 하는 경우에는, 분자량이 1000 이상인 중합체를 나타낸다. 중합체의 분자량으로는, GPC (겔 퍼미에이션 크로마토그래피) 에 의한 폴리스티렌 환산의 중량 평균 분자량을 사용하는 것으로 한다.As a non-polymer, the thing of molecular weight 500 or more and less than 4000 is used normally. Hereinafter, when referred to as a "low molecular weight compound," a non-polymer having a molecular weight of 500 or more and less than 4000 is indicated. As a polymer, a thing with a molecular weight of 1000 or more is used normally. Hereinafter, when referred to as "resin", "polymer compound", or "polymer", a polymer having a molecular weight of 1000 or more is indicated. As molecular weight of a polymer, the weight average molecular weight of polystyrene conversion by GPC (gel permeation chromatography) shall be used.

본 실시형태의 레지스트 조성물에 있어서, (A) 성분에는, 일반식 (a0-1) 로 나타내는 구성 단위 (a10) 을 갖는 고분자 화합물 (A1) 이 적어도 사용되고, 또한, 그 (A1) 성분 이외의 고분자 화합물 및/또는 저분자 화합물이 병용되어도 된다.In the resist composition of the present embodiment, at least a polymer compound (A1) having a structural unit (a10) represented by the general formula (a0-1) is used for the component (A), and a polymer other than the component (A1). A compound and/or a low molecular weight compound may be used together.

(A1) 성분을 적어도 함유하는 레지스트 조성물을 사용하여, 레지스트막을 형성하고, 그 레지스트막에 대해 선택적으로 노광을 실시하면, 그 레지스트막의 노광부에서는, 예를 들어 레지스트 조성물이 (B) 성분을 함유하는 경우에는 그 (B) 성분으로부터 산이 발생하고, 그 산의 작용에 의해, 가교성을 갖는 구성 단위 (a10) 을 개재하여 (A1) 성분 간에서 가교가 일어나고, 이 결과, 그 레지스트막 노광부의 알칼리 현상액에 대한 용해성이 감소한다. 그 때문에, 레지스트 패턴의 형성에 있어서, 본 실시형태의 레지스트 조성물을 지지체 상에 도포하여 얻어지는 레지스트막을 선택적으로 노광하면, 레지스트막 노광부는 알칼리 현상액에 대해 난용성으로 변하는 한편으로, 레지스트막 미노광부는 알칼리 현상액에 대해 가용성인 채 변화하지 않기 때문에, 알칼리 현상액으로 현상함으로써, 네거티브형 레지스트 패턴이 형성된다.When a resist film is formed using a resist composition containing at least component (A1) and the resist film is selectively exposed to light, for example, the resist composition contains component (B) in the exposed portion of the resist film. In this case, an acid is generated from the component (B), and crosslinking occurs between the component (A1) through the structural unit (a10) having crosslinkability by the action of the acid, and as a result, the resist film exposed portion The solubility in alkaline developer decreases. Therefore, in the formation of a resist pattern, when a resist film obtained by applying the resist composition of the present embodiment on a support is selectively exposed to light, the resist film-exposed portion becomes poorly soluble in an alkali developer, while the unexposed portion of the resist film is Since it remains soluble and does not change with respect to an alkali developing solution, a negative resist pattern is formed by developing with an alkali developing solution.

·(A1) 성분에 대해 ・(A1) About component

(A1) 성분은, 일반식 (a0-1) 로 나타내는 구성 단위 (a10) 을 갖는 고분자 화합물이다.The component (A1) is a polymer compound having a structural unit (a10) represented by the general formula (a0-1).

(A1) 성분으로는, 구성 단위 (a10) 에 더하여, 추가로, 방향 고리 (하이드록시기가 결합한 방향 고리를 제외한다) 를 측사슬에 포함하는 구성 단위 (a11) 을 갖는 공중합체가 바람직하다.(A1) As a component, in addition to a structural unit (a10), the copolymer which has a structural unit (a11) which further contains an aromatic ring (except the aromatic ring to which the hydroxyl group couple|bonded) in a side chain is preferable.

또, (A1) 성분은, 구성 단위 (a10), 구성 단위 (a11) 이외의 기타 구성 단위를 갖는 것이어도 된다.Moreover, the component (A1) may have other structural units other than a structural unit (a10) and a structural unit (a11).

구성 단위 (a10) 에 대해 : For the constituent unit (a10):

구성 단위 (a10) 은, 하기 일반식 (a10-1) 로 나타내는 구성 단위이다.The structural unit (a10) is a structural unit represented by the following general formula (a10-1).

[화학식 4] [Formula 4]

Figure pat00004
Figure pat00004

[식 중, R 은, 수소 원자, 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬기 또는 탄소수 1 ∼ 5 의 할로겐화알킬기이다. Yax1 은, 단결합 또는 2 가의 연결기이다. Wax1 은, 치환기를 가지고 있어도 되는 방향족 탄화수소기이다. nax1 은, 1 이상의 정수이다.] [In the formula, R is a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, or a halogenated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms. Ya x1 is a single bond or a divalent linking group. Wa x1 is an aromatic hydrocarbon group which may have a substituent. n ax1 is an integer greater than or equal to 1.]

상기 식 (a10-1) 중, R 은, 수소 원자, 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬기 또는 탄소수 1 ∼ 5 의 할로겐화알킬기이다.In said formula (a10-1), R is a hydrogen atom, a C1-C5 alkyl group, or a C1-C5 halogenated alkyl group.

R 에 있어서의 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬기는, 탄소수 1 ∼ 5 의 직사슬형 또는 분기 사슬형의 알킬기가 바람직하고, 구체적으로는, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, 이소부틸기, tert-부틸기, 펜틸기, 이소펜틸기, 네오펜틸기 등을 들 수 있다.The C1-C5 alkyl group for R is preferably a C1-C5 linear or branched alkyl group, specifically, a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group, an n-butyl group, isobutyl group, tert-butyl group, pentyl group, isopentyl group, neopentyl group, etc. are mentioned.

R 에 있어서의 탄소수 1 ∼ 5 의 할로겐화알킬기는, 상기 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬기의 수소 원자의 일부 또는 전부가 할로겐 원자로 치환된 기이다. 그 할로겐 원자로는, 특히 불소 원자가 바람직하다.The halogenated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms for R is a group in which part or all of the hydrogen atoms of the alkyl group having 1 to 5 carbon atoms are substituted with halogen atoms. As the halogen atom, a fluorine atom is particularly preferable.

R 로는, 수소 원자, 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬기 또는 탄소수 1 ∼ 5 의 불소화알킬기가 바람직하고, 공업상 입수의 용이함으로부터, 수소 원자, 메틸기 또는 트리플루오로메틸기가 보다 바람직하고, 수소 원자 또는 메틸기가 더욱 바람직하고, 메틸기가 특히 바람직하다.R is preferably a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, or a fluorinated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, more preferably a hydrogen atom, a methyl group, or a trifluoromethyl group from the viewpoint of industrial availability, and a hydrogen atom or a methyl group more preferably, a methyl group is particularly preferable.

상기 식 (a10-1) 중, Yax1 은, 단결합 또는 2 가의 연결기이다.In the formula (a10-1), Ya x1 is a single bond or a divalent linking group.

상기 화학식 중, Yax1 에 있어서의 2 가의 연결기로는, 특별히 한정되지 않지만, 치환기를 가져도 되는 2 가의 탄화수소기, 헤테로 원자를 포함하는 2 가의 연결기 등을 바람직한 것으로서 들 수 있다.In the above formula, the divalent linking group for Ya x 1 is not particularly limited, and preferable examples include a divalent hydrocarbon group which may have a substituent, a divalent linking group containing a hetero atom, and the like.

·치환기를 가져도 되는 2 가의 탄화수소기 : · A divalent hydrocarbon group which may have a substituent:

Yax1 이 치환기를 가져도 되는 2 가의 탄화수소기인 경우, 그 탄화수소기는, 지방족 탄화수소기여도 되고, 방향족 탄화수소기여도 된다.When Ya x 1 is a divalent hydrocarbon group which may have a substituent, the hydrocarbon group may be an aliphatic hydrocarbon group or an aromatic hydrocarbon group.

··Yax1 에 있어서의 지방족 탄화수소기 ... aliphatic hydrocarbon group for Ya x1

지방족 탄화수소기는, 방향족성을 가지지 않는 탄화수소기를 의미한다. 그 지방족 탄화수소기는, 포화여도 되고, 불포화여도 되고, 통상은 포화인 것이 바람직하다. 상기 지방족 탄화수소기로는, 직사슬형 혹은 분기 사슬형의 지방족 탄화수소기, 또는 구조 중에 고리를 포함하는 지방족 탄화수소기 등을 들 수 있다.An aliphatic hydrocarbon group means a hydrocarbon group which does not have aromaticity. The aliphatic hydrocarbon group may be saturated or unsaturated, and it is usually preferable that it is saturated. Examples of the aliphatic hydrocarbon group include a linear or branched aliphatic hydrocarbon group or an aliphatic hydrocarbon group having a ring in its structure.

···직사슬형 혹은 분기 사슬형의 지방족 탄화수소기 ... linear or branched aliphatic hydrocarbon group

그 직사슬형의 지방족 탄화수소기는, 탄소수가 1 ∼ 10 인 것이 바람직하고, 탄소수 1 ∼ 6 이 보다 바람직하고, 탄소수 1 ∼ 4 가 더욱 바람직하고, 탄소수 1 ∼ 3 이 가장 바람직하다. The linear aliphatic hydrocarbon group preferably has 1 to 10 carbon atoms, more preferably 1 to 6 carbon atoms, still more preferably 1 to 4 carbon atoms, and most preferably 1 to 3 carbon atoms.

직사슬형의 지방족 탄화수소기로는, 직사슬형의 알킬렌기가 바람직하고, 구체적으로는, 메틸렌기 [-CH2-], 에틸렌기 [-(CH2)2-], 트리메틸렌기 [-(CH2)3-], 테트라메틸렌기 [-(CH2)4-], 펜타메틸렌기 [-(CH2)5-] 등을 들 수 있다.As the linear aliphatic hydrocarbon group, a linear alkylene group is preferable, and specifically, a methylene group [-CH 2 -], an ethylene group [-(CH 2 ) 2 -], a trimethylene group [-( CH 2 ) 3 -], tetramethylene group [-(CH 2 ) 4 -], pentamethylene group [-(CH 2 ) 5 -], and the like.

그 분기 사슬형의 지방족 탄화수소기는, 탄소수가 2 ∼ 10 인 것이 바람직하고, 탄소수 3 ∼ 6 이 보다 바람직하고, 탄소수 3 또는 4 가 더욱 바람직하고, 탄소수 3 이 가장 바람직하다.The branched aliphatic hydrocarbon group preferably has 2 to 10 carbon atoms, more preferably 3 to 6 carbon atoms, still more preferably 3 or 4 carbon atoms, and most preferably 3 carbon atoms.

분기 사슬형의 지방족 탄화수소기로는, 분기 사슬형의 알킬렌기가 바람직하고, 구체적으로는, -CH(CH3)-, -CH(CH2CH3)-, -C(CH3)2-, -C(CH3)(CH2CH3)-, -C(CH3)(CH2CH2CH3)-, -C(CH2CH3)2- 등의 알킬메틸렌기 ; -CH(CH3)CH2-, -CH(CH3)CH(CH3)-, -C(CH3)2CH2-, -CH(CH2CH3)CH2-, -C(CH2CH3)2-CH2- 등의 알킬에틸렌기 ; -CH(CH3)CH2CH2-, -CH2CH(CH3)CH2- 등의 알킬트리메틸렌기 ; -CH(CH3)CH2CH2CH2-, -CH2CH(CH3)CH2CH2- 등의 알킬테트라메틸렌기 등의 알킬알킬렌기 등을 들 수 있다. 알킬알킬렌기에 있어서의 알킬기로는, 탄소수 1 ∼ 5 의 직사슬형의 알킬기가 바람직하다.The branched chain aliphatic hydrocarbon group is preferably a branched chain alkylene group, specifically, -CH(CH 3 )-, -CH(CH 2 CH 3 )-, -C(CH 3 ) 2 -, Alkylmethylene groups, such as -C(CH 3 )(CH 2 CH 3 )-, -C(CH 3 )(CH 2 CH 2 CH 3 )-, -C(CH 2 CH 3 ) 2 -; -CH(CH 3 )CH 2 -, -CH(CH 3 )CH(CH 3 )-, -C(CH 3 ) 2 CH 2 -, -CH(CH 2 CH 3 )CH 2 -, -C(CH 2 CH 3) 2 -CH 2 - alkyl group such as ethylene; Alkyltrimethylene groups, such as -CH(CH 3 )CH 2 CH 2 -, -CH 2 CH(CH 3 )CH 2 -; Alkylalkylene groups, such as alkyltetramethylene groups, such as -CH(CH 3 )CH 2 CH 2 CH 2 -, -CH 2 CH(CH 3 )CH 2 CH 2 -, etc. are mentioned. As the alkyl group in the alkylalkylene group, a linear alkyl group having 1 to 5 carbon atoms is preferable.

상기 직사슬형 또는 분기 사슬형의 지방족 탄화수소기는, 치환기를 가지고 있어도 되고, 가지고 있지 않아도 된다. 그 치환기로는, 불소 원자, 불소 원자로 치환된 탄소수 1 ∼ 5 의 불소화알킬기, 카르보닐기 등을 들 수 있다.The linear or branched aliphatic hydrocarbon group may or may not have a substituent. Examples of the substituent include a fluorine atom, a fluorinated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms substituted with a fluorine atom, and a carbonyl group.

···구조 중에 고리를 포함하는 지방족 탄화수소기 ... an aliphatic hydrocarbon group containing a ring in its structure

그 구조 중에 고리를 포함하는 지방족 탄화수소기로는, 고리 구조 중에 헤테로 원자를 포함하는 치환기를 포함해도 되는 고리형의 지방족 탄화수소기 (지방족 탄화수소 고리로부터 수소 원자를 2 개 제거한 기), 상기 고리형의 지방족 탄화수소기가 직사슬형 또는 분기 사슬형의 지방족 탄화수소기의 말단에 결합한 기, 상기 고리형의 지방족 탄화수소기가 직사슬형 또는 분기 사슬형의 지방족 탄화수소기의 도중에 개재하는 기 등을 들 수 있다. 상기 직사슬형 또는 분기 사슬형의 지방족 탄화수소기로는 상기와 동일한 것을 들 수 있다.Examples of the aliphatic hydrocarbon group having a ring in its structure include a cyclic aliphatic hydrocarbon group (a group in which two hydrogen atoms are removed from an aliphatic hydrocarbon ring) which may contain a substituent containing a hetero atom in the ring structure, and the cyclic aliphatic group described above. and a group in which a hydrocarbon group is bonded to a terminal of a linear or branched aliphatic hydrocarbon group, and a group in which the cyclic aliphatic hydrocarbon group is interposed in the middle of a linear or branched aliphatic hydrocarbon group. Examples of the linear or branched aliphatic hydrocarbon group include the same as those described above.

고리형의 지방족 탄화수소기는, 탄소수가 3 ∼ 20 인 것이 바람직하고, 탄소수 3 ∼ 12 인 것이 보다 바람직하다.The cyclic aliphatic hydrocarbon group preferably has 3 to 20 carbon atoms, and more preferably 3 to 12 carbon atoms.

고리형의 지방족 탄화수소기는, 다고리형기여도 되고, 단고리형기여도 된다. 단고리형의 지환형 탄화수소기로는, 모노시클로알칸으로부터 2 개의 수소 원자를 제거한 기가 바람직하다. 그 모노시클로알칸으로는, 탄소수 3 ∼ 6 의 것이 바람직하고, 구체적으로는 시클로펜탄, 시클로헥산 등을 들 수 있다. 다고리형의 지환형 탄화수소기로는, 폴리시클로알칸으로부터 2 개의 수소 원자를 제거한 기가 바람직하고, 그 폴리시클로알칸으로는, 탄소수 7 ∼ 12 의 것이 바람직하고, 구체적으로는 아다만탄, 노르보르난, 이소보르난, 트리시클로데칸, 테트라시클로도데칸 등을 들 수 있다.The cyclic aliphatic hydrocarbon group may be a polycyclic group or a monocyclic group. As the monocyclic alicyclic hydrocarbon group, a group obtained by removing two hydrogen atoms from a monocycloalkane is preferable. The monocycloalkane is preferably a monocycloalkane having 3 to 6 carbon atoms, and specific examples thereof include cyclopentane and cyclohexane. The polycyclic alicyclic hydrocarbon group is preferably a group obtained by removing two hydrogen atoms from a polycycloalkane, and the polycycloalkane is preferably a polycycloalkane having 7 to 12 carbon atoms, specifically adamantane, norbornane; isobornane, tricyclodecane, tetracyclododecane, and the like.

고리형의 지방족 탄화수소기는, 치환기를 가져도 되고, 가지고 있지 않아도 된다. 그 치환기로는, 알킬기, 알콕시기, 할로겐 원자, 할로겐화알킬기, 수산기, 카르보닐기 등을 들 수 있다.The cyclic aliphatic hydrocarbon group may or may not have a substituent. Examples of the substituent include an alkyl group, an alkoxy group, a halogen atom, a halogenated alkyl group, a hydroxyl group, and a carbonyl group.

상기 치환기로서의 알킬기로는, 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬기가 바람직하고, 메틸기, 에틸기, 프로필기, n-부틸기, tert-부틸기인 것이 보다 바람직하다.The alkyl group as the substituent is preferably an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, more preferably a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an n-butyl group or a tert-butyl group.

상기 치환기로서의 알콕시기로는, 탄소수 1 ∼ 5 의 알콕시기가 바람직하고, 메톡시기, 에톡시기, n-프로폭시기, 이소-프로폭시기, n-부톡시기, tert-부톡시기가 보다 바람직하고, 메톡시기, 에톡시기가 더욱 바람직하다.The alkoxy group as the substituent is preferably an alkoxy group having 1 to 5 carbon atoms, more preferably a methoxy group, ethoxy group, n-propoxy group, iso-propoxy group, n-butoxy group or tert-butoxy group, and methoxy time, an ethoxy group is more preferable.

상기 치환기로서의 할로겐 원자로는, 불소 원자가 바람직하다.As a halogen atom as said substituent, a fluorine atom is preferable.

상기 치환기로서의 할로겐화알킬기로는, 상기 알킬기의 수소 원자의 일부 또는 전부가 상기 할로겐 원자로 치환된 기를 들 수 있다.Examples of the halogenated alkyl group as the substituent include a group in which a part or all of the hydrogen atoms of the alkyl group are substituted with the halogen atoms.

고리형의 지방족 탄화수소기는, 그 고리 구조를 구성하는 탄소 원자의 일부가 헤테로 원자를 포함하는 치환기로 치환되어도 된다. 그 헤테로 원자를 포함하는 치환기로는, -O-, -C(=O)-O-, -S-, -S(=O)2-, -S(=O)2-O- 가 바람직하다.In the cyclic aliphatic hydrocarbon group, a part of carbon atoms constituting the ring structure may be substituted with a substituent containing a hetero atom. As a substituent containing the hetero atom, -O-, -C(=O)-O-, -S-, -S(=O) 2 -, -S(=O) 2 -O- are preferable. .

··Yax1 에 있어서의 방향족 탄화수소기 ··Aromatic hydrocarbon group for Ya x1

그 방향족 탄화수소기는, 방향 고리를 적어도 1 개 갖는 탄화수소기이다.The aromatic hydrocarbon group is a hydrocarbon group having at least one aromatic ring.

이 방향 고리는, 4n + 2 개의 π 전자를 가지는 고리형 공액계이면 특별히 한정되지 않고, 단고리형이어도 되고, 다고리형이어도 된다. 방향 고리의 탄소수는 5 ∼ 30 인 것이 바람직하고, 탄소수 5 ∼ 20 이 보다 바람직하고, 탄소수 6 ∼ 15 가 더욱 바람직하고, 탄소수 6 ∼ 12 가 특히 바람직하다. 단, 그 탄소수에는, 치환기에 있어서의 탄소수를 포함하지 않는 것으로 한다.The aromatic ring is not particularly limited as long as it is a cyclic conjugated system having 4n + 2 π electrons, and may be monocyclic or polycyclic. It is preferable that carbon number of an aromatic ring is 5-30, C5-C20 is more preferable, C6-C15 is still more preferable, C6-C12 is especially preferable. However, carbon number in a substituent shall not be included in the carbon number.

방향 고리로서 구체적으로는, 벤젠, 나프탈렌, 안트라센, 페난트렌 등의 방향족 탄화수소 고리 ; 상기 방향족 탄화수소 고리를 구성하는 탄소 원자의 일부가 헤테로 원자로 치환된 방향족 복소 고리 등을 들 수 있다. 방향족 복소 고리에 있어서의 헤테로 원자로는, 산소 원자, 황 원자, 질소 원자 등을 들 수 있다. 방향족 복소 고리로서 구체적으로는, 피리딘 고리, 티오펜 고리 등을 들 수 있다.Specific examples of the aromatic ring include aromatic hydrocarbon rings such as benzene, naphthalene, anthracene, and phenanthrene; and aromatic heterocyclic rings in which some of the carbon atoms constituting the aromatic hydrocarbon ring are substituted with hetero atoms. As a hetero atom in an aromatic heterocyclic ring, an oxygen atom, a sulfur atom, a nitrogen atom, etc. are mentioned. Specific examples of the aromatic heterocyclic ring include a pyridine ring and a thiophene ring.

방향족 탄화수소기로서 구체적으로는, 상기 방향족 탄화수소 고리 또는 방향족 복소 고리로부터 수소 원자를 2 개 제거한 기 (아릴렌기 또는 헤테로아릴렌기) ; 2 이상의 방향 고리를 포함하는 방향족 화합물 (예를 들어 비페닐, 플루오렌 등 ) 로부터 수소 원자를 2 개 제거한 기 ; 상기 방향족 탄화수소 고리 또는 방향족 복소 고리로부터 수소 원자를 1 개 제거한 기 (아릴기 또는 헤테로아릴기) 의 수소 원자의 1 개가 알킬렌기로 치환된 기 (예를 들어, 벤질기, 페네틸기, 1-나프틸메틸기, 2-나프틸메틸기, 1-나프틸에틸기, 2-나프틸에틸기 등의 아릴알킬기에 있어서의 아릴기로부터 수소 원자를 추가로 1 개 제거한 기) 등을 들 수 있다. 상기 아릴기 또는 헤테로아릴기에 결합하는 알킬렌기의 탄소수는, 1 ∼ 4 인 것이 바람직하고, 탄소수 1 ∼ 2 인 것이 보다 바람직하고, 탄소수 1 인 것이 특히 바람직하다.Specific examples of the aromatic hydrocarbon group include groups in which two hydrogen atoms have been removed from the aromatic hydrocarbon ring or aromatic heterocycle (arylene group or heteroarylene group); a group obtained by removing two hydrogen atoms from an aromatic compound containing two or more aromatic rings (eg, biphenyl, fluorene, etc.); A group in which one hydrogen atom of the group in which one hydrogen atom has been removed from the aromatic hydrocarbon ring or aromatic heterocyclic ring (aryl group or heteroaryl group) is substituted with an alkylene group (eg, benzyl group, phenethyl group, 1-naph group in which one hydrogen atom has been further removed from the aryl group in arylalkyl groups such as tylmethyl group, 2-naphthylmethyl group, 1-naphthylethyl group, and 2-naphthylethyl group); It is preferable that carbon number of the alkylene group couple|bonded with the said aryl group or heteroaryl group is 1-4, It is more preferable that it is C1-C2, It is especially preferable that it is C1.

상기 방향족 탄화수소기는, 당해 방향족 탄화수소기가 갖는 수소 원자가 치환기로 치환되어 있어도 된다. 예를 들어 당해 방향족 탄화수소기 중의 방향 고리에 결합한 수소 원자가 치환기로 치환되어 있어도 된다. 그 치환기로는, 예를 들어, 알킬기, 알콕시기, 할로겐 원자, 할로겐화알킬기, 수산기 등을 들 수 있다.As for the said aromatic hydrocarbon group, the hydrogen atom which the said aromatic hydrocarbon group has may be substituted by the substituent. For example, the hydrogen atom couple|bonded with the aromatic ring in the said aromatic hydrocarbon group may be substituted by the substituent. Examples of the substituent include an alkyl group, an alkoxy group, a halogen atom, a halogenated alkyl group, and a hydroxyl group.

상기 치환기로서의 알킬기로는, 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬기가 바람직하고, 메틸기, 에틸기, 프로필기, n-부틸기, tert-부틸기인 것이 보다 바람직하다.The alkyl group as the substituent is preferably an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, more preferably a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an n-butyl group or a tert-butyl group.

상기 치환기로서의 알콕시기, 할로겐 원자 및 할로겐화알킬기로는, 상기 고리형의 지방족 탄화수소기가 갖는 수소 원자를 치환하는 치환기로서 예시한 것을 들 수 있다. Examples of the alkoxy group, halogen atom and halogenated alkyl group as the substituent include those exemplified as substituents for substituting a hydrogen atom in the cyclic aliphatic hydrocarbon group.

·헤테로 원자를 포함하는 2 가의 연결기 : · A divalent linking group containing a hetero atom:

Yax1 이 헤테로 원자를 포함하는 2 가의 연결기인 경우, 그 연결기로서 바람직한 것으로는, -O-, -C(=O)-O-, -O-C(=O)-, -C(=O)-, -O-C(=O)-O-, -C(=O)-NH-, -NH-, -NH-C(=NH)- (H 는 알킬기, 아실기 등의 치환기로 치환되어 있어도 된다.), -S-, -S(=O)2-, -S(=O)2-O-, 일반식 -Y21-O-Y22-, -Y21-O-, -Y21-C(=O)-O-, -C(=O)-O-Y21-, -[Y21-C(=O)-O]m"-Y22-, -Y21-O-C(=O)-Y22- 또는 -Y21-S(=O)2-O-Y22- 로 나타내는 기 [식 중, Y21 및 Y22 는 각각 독립적으로 치환기를 가져도 되는 2 가의 탄화수소기이며, O 는 산소 원자이며, m" 는 0 ∼ 3 의 정수이다.] 등을 들 수 있다.When Ya x1 is a divalent linking group containing a hetero atom, the linking group is preferably -O-, -C(=O)-O-, -OC(=O)-, -C(=O)- , -OC(=O)-O-, -C(=O)-NH-, -NH-, -NH-C(=NH)- (H may be substituted with substituents, such as an alkyl group and an acyl group. ), -S-, -S(=O) 2 -, -S(=O) 2 -O-, general formula -Y 21 -OY 22 -, -Y 21 -O-, -Y 21 -C(= O)-O-, -C(=O)-OY 21 -, -[Y 21 -C(=O)-O] m" -Y 22 -, -Y 21 -OC(=O)-Y 22 - or a group represented by -Y 21 -S(=O) 2 -OY 22 - [wherein Y 21 and Y 22 are each independently a divalent hydrocarbon group which may have a substituent, O is an oxygen atom, and m" is an integer of 0 to 3.] and the like.

상기 헤테로 원자를 포함하는 2 가의 연결기가 -C(=O)-NH-, -C(=O)-NH-C(=O)-, -NH-, -NH-C(=NH)- 인 경우, 그 H 는 알킬기, 아실 등의 치환기로 치환되어 있어도 된다. 그 치환기 (알킬기, 아실기 등) 는, 탄소수가 1 ∼ 10 인 것이 바람직하고, 1 ∼ 8 인 것이 더욱 바람직하고, 1 ∼ 5 인 것이 특히 바람직하다.The divalent linking group containing the hetero atom is -C(=O)-NH-, -C(=O)-NH-C(=O)-, -NH-, -NH-C(=NH)- In this case, H may be substituted with substituents, such as an alkyl group and acyl. It is preferable that carbon number is 1-10, as for the substituent (an alkyl group, an acyl group, etc.), it is more preferable that it is 1-8, It is especially preferable that it is 1-5.

일반식 -Y21-O-Y22-, -Y21-O-, -Y21-C(=O)-O-, -C(=O)-O-Y21-, -[Y21-C(=O)-O]m"-Y22-, -Y21-O-C(=O)-Y22- 또는 -Y21-S(=O)2-O-Y22- 중, Y21 및 Y22 는, 각각 독립적으로, 치환기를 가져도 되는 2 가의 탄화수소기이다. 그 2 가의 탄화수소기로는, 상기 Yax1 에 있어서의 2 가의 연결기로서의 설명에서 든 (치환기를 가져도 되는 2 가의 탄화수소기) 와 동일한 것을 들 수 있다.Formula -Y 21 -OY 22 -, -Y 21 -O-, -Y 21 -C(=O)-O-, -C(=O)-OY 21 -, -[Y 21 -C(=O )-O] m" -Y 22 -, -Y 21 -OC(=O)-Y 22 - or -Y 21 -S(=O) 2 -OY 22 -, wherein Y 21 and Y 22 are each independently is a divalent hydrocarbon group which may have a substituent.The divalent hydrocarbon group includes the same (divalent hydrocarbon group which may have a substituent) in the description of the divalent linking group in Ya x1 above. .

Y21 로는, 직사슬형의 지방족 탄화수소기가 바람직하고, 직사슬형의 알킬렌기가 보다 바람직하고, 탄소수 1 ∼ 5 의 직사슬형의 알킬렌기가 더욱 바람직하고, 메틸렌기 또는 에틸렌기가 특히 바람직하다.As Y 21 , a linear aliphatic hydrocarbon group is preferable, a linear alkylene group is more preferable, a linear alkylene group having 1 to 5 carbon atoms is still more preferable, and a methylene group or an ethylene group is particularly preferable.

Y22 로는, 직사슬형 또는 분기 사슬형의 지방족 탄화수소기가 바람직하고, 메틸렌기, 에틸렌기 또는 알킬메틸렌기가 보다 바람직하다. 그 알킬메틸렌기에 있어서의 알킬기는, 탄소수 1 ∼ 5 의 직사슬형의 알킬기가 바람직하고, 탄소수 1 ∼ 3 의 직사슬형의 알킬기가 보다 바람직하고, 메틸기가 가장 바람직하다. As Y 22 , a linear or branched aliphatic hydrocarbon group is preferable, and a methylene group, an ethylene group, or an alkylmethylene group is more preferable. A C1-C5 linear alkyl group is preferable, as for the alkyl group in this alkylmethylene group, a C1-C3 linear alkyl group is more preferable, A methyl group is the most preferable.

식 -[Y21-C(=O)-O]m"-Y22- 로 나타내는 기에 있어서, m" 는 0 ∼ 3 의 정수이며, 0 ∼ 2 의 정수인 것이 바람직하고, 0 또는 1 이 보다 바람직하고, 1 이 특히 바람직하다. 요컨대, 식 -[Y21-C(=O)-O]m"-Y22- 로 나타내는 기로는, 식 -Y21-C(=O)-O-Y22- 로 나타내는 기가 특히 바람직하다. 그 중에서도, 식 -(CH2)a'-C(=O)-O-(CH2)b'- 로 나타내는 기가 바람직하다. 그 식 중, a' 는, 1 ∼ 10 의 정수이며, 1 ∼ 8 의 정수가 바람직하고, 1 ∼ 5 의 정수가 보다 바람직하고, 1 또는 2 가 더욱 바람직하고, 1 이 가장 바람직하다. b' 는, 1 ∼ 10 의 정수이며, 1 ∼ 8 의 정수가 바람직하고, 1 ∼ 5 의 정수가 보다 바람직하고, 1 또는 2 가 더욱 바람직하고, 1 이 가장 바람직하다.In the group represented by the formula -[Y 21 -C(=O)-O] m" -Y 22 -, m" is an integer of 0 to 3, preferably an integer of 0 to 2, more preferably 0 or 1 and 1 is particularly preferred. That is, the group represented by the formula -[Y 21 -C(=O)-O] m" -Y 22 - is particularly preferably a group represented by the formula -Y 21 -C(=O)-OY 22 -. , a group represented by the formula -(CH 2 ) a' -C(=O)-O-(CH 2 ) b' - is preferable, wherein a' is an integer of 1 to 10, and 1 to 8 An integer is preferable, an integer of 1 to 5 is more preferable, 1 or 2 is still more preferable, and most preferably 1. b' is an integer of 1 to 10, preferably an integer of 1 to 8, 1 The integer of -5 is more preferable, 1 or 2 is still more preferable, and 1 is the most preferable.

상기 중에서도, Yax1 로는, 단결합, 에스테르 결합 [-C(=O)-O-, -O-C(=O)-], 에테르 결합 (-O-), 직사슬형 혹은 분기 사슬형의 알킬렌기, 또는 이들의 조합인 것이 바람직하고, 단결합, 에스테르 결합 [-C(=O)-O-, -O-C(=O)-] 가 보다 바람직하다.Among the above, as Ya x1 , a single bond, an ester bond [-C(=O)-O-, -OC(=O)-], an ether bond (-O-), a linear or branched alkylene group , or a combination thereof, and a single bond or an ester bond [-C(=O)-O-, -OC(=O)-] is more preferable.

상기 식 (a10-1) 중, Wax1 은, 치환기를 가져도 되는 방향족 탄화수소기이다.In the formula (a10-1), Wa x1 is an aromatic hydrocarbon group which may have a substituent.

Wax1 에 있어서의 방향족 탄화수소기로는, 치환기를 가져도 되는 방향 고리로부터 (nax1 + 1) 개의 수소 원자를 제거한 기를 들 수 있다. 여기서의 방향 고리는, 4n + 2 개의 π 전자를 가지는 고리형 공액계이면 특별히 한정되지 않고, 단고리형이어도 되고 다고리형이어도 된다. 방향 고리의 탄소수는 5 ∼ 30 인 것이 바람직하고, 탄소수 5 ∼ 20 이 보다 바람직하고, 탄소수 6 ∼ 15 가 더욱 바람직하고, 탄소수 6 ∼ 12 가 특히 바람직하다. 그 방향 고리로서 구체적으로는, 벤젠, 나프탈렌, 안트라센, 페난트렌 등의 방향족 탄화수소 고리 ; 상기 방향족 탄화수소 고리를 구성하는 탄소 원자의 일부가 헤테로 원자로 치환된 방향족 복소 고리 등을 들 수 있다. 방향족 복소 고리에 있어서의 헤테로 원자로는, 산소 원자, 황 원자, 질소 원자 등을 들 수 있다. 방향족 복소 고리로서 구체적으로는, 피리딘 고리, 티오펜 고리 등을 들 수 있다.Aromatic hydrocarbon group in the Wa x1, there may be mentioned aromatic ring is also brought from a substituent (ax1 n + 1) of a group removed a hydrogen atom. The aromatic ring here is not particularly limited as long as it is a cyclic conjugated system having 4n + 2 π electrons, and may be monocyclic or polycyclic. It is preferable that carbon number of an aromatic ring is 5-30, C5-C20 is more preferable, C6-C15 is still more preferable, C6-C12 is especially preferable. Specific examples of the aromatic ring include aromatic hydrocarbon rings such as benzene, naphthalene, anthracene, and phenanthrene; and aromatic heterocyclic rings in which some of the carbon atoms constituting the aromatic hydrocarbon ring are substituted with hetero atoms. As a hetero atom in an aromatic heterocyclic ring, an oxygen atom, a sulfur atom, a nitrogen atom, etc. are mentioned. Specific examples of the aromatic heterocyclic ring include a pyridine ring and a thiophene ring.

또, Wax1 에 있어서의 방향족 탄화수소기로는, 2 이상의 치환기를 가져도 되는 방향 고리를 포함하는 방향족 화합물 (예를 들어 비페닐, 플루오렌 등) 로부터 (nax1 + 1) 개의 수소 원자를 제거한 기도 들 수 있다.Further, the aromatic hydrocarbon group for Wa x1 is a group obtained by removing (n ax1 +1) hydrogen atoms from an aromatic compound containing an aromatic ring optionally having two or more substituents (eg, biphenyl, fluorene, etc.) can be heard

상기 중에서도, Wax1 로는, 벤젠, 나프탈렌, 안트라센 또는 비페닐로부터 (nax1 + 1) 개의 수소 원자를 제거한 기가 바람직하고, 벤젠 또는 나프탈렌으로부터 (nax1 + 1) 개의 수소 원자를 제거한 기가 보다 바람직하고, 벤젠으로부터 (nax1 + 1) 개의 수소 원자를 제거한 기가 더욱 바람직하다.Among the above, as Wa x1 , a group obtained by removing (n ax1 +1) hydrogen atoms from benzene, naphthalene, anthracene or biphenyl is preferable, and a group obtained by removing (n ax1 +1) hydrogen atoms from benzene or naphthalene is more preferable, , a group in which (n ax1 + 1) hydrogen atoms have been removed from benzene is more preferable.

Wax1 에 있어서의 방향족 탄화수소기는, 치환기를 가지고 있어도 되고, 가지고 있지 않아도 된다. 상기 치환기로는, 예를 들어, 알킬기, 알콕시기, 할로겐 원자, 할로겐화알킬기 등을 들 수 있다. 상기 치환기로서의 알킬기, 알콕시기, 할로겐 원자, 할로겐화알킬기로는, Yax1 에 있어서의 고리형의 지방족 탄화수소기의 치환기로서 든 것과 동일한 것을 들 수 있다. 상기 치환기는, 탄소수 1 ∼ 5 의 직사슬형 혹은 분기 사슬형의 알킬기가 바람직하고, 탄소수 1 ∼ 3 의 직사슬형 혹은 분기 사슬형의 알킬기가 보다 바람직하고, 에틸기 또는 메틸기가 더욱 바람직하고, 메틸기가 특히 바람직하다. Wax1 에 있어서의 방향족 탄화수소기는, 치환기를 가지고 있지 않은 것이 바람직하다.The aromatic hydrocarbon group in Wa x1 may or may not have a substituent. Examples of the substituent include an alkyl group, an alkoxy group, a halogen atom, and a halogenated alkyl group. Examples of the alkyl group, alkoxy group, halogen atom, and halogenated alkyl group as the substituent include the same groups as the substituents for the cyclic aliphatic hydrocarbon group in Ya x 1 . The substituent is preferably a linear or branched alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, more preferably a linear or branched alkyl group having 1 to 3 carbon atoms, still more preferably an ethyl group or a methyl group, and a methyl group is particularly preferred. It is preferable that the aromatic hydrocarbon group in Wa x1 does not have a substituent.

상기 식 (a10-1) 중, nax1 은, 1 이상의 정수이며, 1 ∼ 10 의 정수가 바람직하고, 1 ∼ 5 의 정수가 보다 바람직하고, 1, 2 또는 3 이 더욱 바람직하고, 1 또는 2 가 특히 바람직하다.In the formula (a10-1), n ax1 is an integer of 1 or more, preferably an integer of 1 to 10, more preferably an integer of 1 to 5, still more preferably 1, 2 or 3, and 1 or 2 is particularly preferred.

이하에, 상기 식 (a10-1) 로 나타내는 구성 단위 (a10) 의 구체예를 나타낸다.Specific examples of the structural unit (a10) represented by the formula (a10-1) are shown below.

이하의 각 식 중, Rα 는, 수소 원자, 메틸기 또는 트리플루오로메틸기를 나타낸다.In each of the following formulas, R α represents a hydrogen atom, a methyl group, or a trifluoromethyl group.

[화학식 5] [Formula 5]

Figure pat00005
Figure pat00005

[화학식 6] [Formula 6]

Figure pat00006
Figure pat00006

[화학식 7] [Formula 7]

Figure pat00007
Figure pat00007

[화학식 8] [Formula 8]

Figure pat00008
Figure pat00008

(A1) 성분이 갖는 구성 단위 (a10) 은, 1 종이어도 되고 2 종 이상이어도 된다.(A1) The number of structural units (a10) which a component has may be 1 type, or 2 or more types may be sufficient as it.

(A1) 성분 중의 구성 단위 (a10) 의 비율은, (A1) 성분을 구성하는 전체 구성 단위의 합계 (100 몰%) 에 대해, 70 ∼ 99 몰% 가 바람직하고, 75 ∼ 99 몰% 가 보다 바람직하고, 80 ∼ 99 몰% 가 더욱 바람직하고, 85 ∼ 95 몰% 가 특히 바람직하다.(A1) The proportion of the structural unit (a10) in the component is preferably 70 to 99 mol%, more preferably 75 to 99 mol% with respect to the total (100 mol%) of all the structural units constituting the component (A1). It is preferable, 80-99 mol% is more preferable, 85-95 mol% is especially preferable.

구성 단위 (a10) 의 비율을 하한값 이상으로 함으로써, 현상 특성이나 리소그래피 특성이 보다 향상된다. 한편, 상한값 이하로 함으로써, 다른 구성 단위와의 밸런스를 잡기 쉬워진다.By making the ratio of the structural unit (a10) equal to or more than the lower limit, the developing characteristics and the lithographic characteristics are further improved. On the other hand, by setting it as below an upper limit, it becomes easy to balance with another structural unit.

구성 단위 (a11) 에 대해 : For the constituent unit (a11):

(A1) 성분은, 상기 서술한 구성 단위 (a10) 에 더하여, 추가로, 방향 고리 (하이드록시기가 결합한 방향 고리를 제외한다) 를 측사슬에 포함하는 화합물로부터 유도되는 구성 단위 (a11) 을 갖는 공중합체가 바람직하다.(A1) component, in addition to the structural unit (a10) described above, further has a structural unit (a11) derived from a compound containing an aromatic ring (excluding the aromatic ring to which a hydroxyl group is bonded) in a side chain Copolymers are preferred.

방향 고리 (하이드록시기가 결합한 방향 고리를 제외한다) 를 측사슬에 포함하는 화합물로는, 예를 들어, 하기 일반식 (a11-1) 로 나타내는 화합물을 바람직하게 들 수 있다.As a compound containing an aromatic ring (except the aromatic ring to which the hydroxyl group couple|bonded) in a side chain, the compound represented, for example by the following general formula (a11-1) is mentioned preferably.

[화학식 9] [Formula 9]

Figure pat00009
Figure pat00009

[식 (a11-1) 중, Rax2 는 중합성기 함유기이다. Wax2 는, (nax2 + 1) 가의 방향족 탄화수소기이다. 단, Rax2 와 Wax2 로 축합 고리 구조가 형성되어 있어도 된다. Rax02 는, Wax2 (방향족 탄화수소기) 를 구성하는 수소 원자를 치환하는 치환기이다. nax2 는, 0 ∼ 3 의 정수이다. nax2 가 2 이상인 경우, 복수의 Rax02 가 서로 결합하여 고리 구조를 형성해도 된다.] [In formula (a11-1), Ra x2 is a polymerizable group-containing group. Wa x2 is a (n ax2 +1) valent aromatic hydrocarbon group. However, a condensed ring structure may be formed by Ra x2 and Wa x2. Ra x02 is a substituent substituting a hydrogen atom constituting Wa x2 (aromatic hydrocarbon group). n ax2 is an integer of 0-3. When n ax2 is 2 or more, a plurality of Ra x02 may combine with each other to form a ring structure.]

상기 식 (a11-1) 중, Rax2 는, 중합성기 함유기이다. In the formula (a11-1), Ra x2 is a polymerizable group-containing group.

Rax2 에 있어서의 「중합성기」란, 중합성기를 갖는 화합물이 라디칼 중합 등에 의해 중합하는 것을 가능하게 하는 기이며, 예를 들어 에틸렌성 이중 결합 등의 탄소 원자 간의 다중 결합을 포함하는 기를 말한다.The "polymerizable group" in Ra x2 is a group that enables a compound having a polymerizable group to polymerize by radical polymerization or the like, and refers to, for example, a group containing multiple bonds between carbon atoms such as ethylenic double bonds.

중합성기로는, 예를 들어 비닐기, 알릴기, 아크릴로일기, 메타크릴로일기, 플루오로비닐기, 디플루오로비닐기, 트리플루오로비닐기, 디플루오로트리플루오로메틸비닐기, 트리플루오로알릴기, 퍼플루오로알릴기, 트리플루오로메틸아크릴로일기, 노닐플루오로부틸아크릴로일기, 비닐에테르기, 함불소 비닐에테르기, 알릴에테르기, 함불소 알릴에테르기, 스티릴기, 비닐나프틸기, 함불소 스티릴기, 함불소 비닐나프틸기, 노르보르닐기, 함불소 노르보르닐기, 실릴기 등을 들 수 있다.Examples of the polymerizable group include a vinyl group, an allyl group, an acryloyl group, a methacryloyl group, a fluorovinyl group, a difluorovinyl group, a trifluorovinyl group, a difluorotrifluoromethylvinyl group, and a tri Fluoroallyl group, perfluoroallyl group, trifluoromethyl acryloyl group, nonylfluorobutyl acryloyl group, vinyl ether group, fluorinated vinyl ether group, allyl ether group, fluorinated allyl ether group, styryl group, A vinyl naphthyl group, a fluorinated styryl group, a fluorine-containing vinyl naphthyl group, a norbornyl group, a fluorine-containing norbornyl group, a silyl group, etc. are mentioned.

중합성기 함유기로는, 중합성기만으로 구성되는 기여도 되고, 중합성기와 그 중합성기 이외의 다른 기로 구성되는 기여도 된다. 그 중합성기 이외의 다른 기로는, 치환기를 가져도 되는 2 가의 탄화수소기, 헤테로 원자를 포함하는 2 가의 연결기 등을 들 수 있다.As a polymeric group-containing group, the contribution comprised only by a polymeric group may be sufficient, and the contribution comprised by a polymeric group and groups other than this polymeric group may be sufficient. As groups other than the polymerizable group, the divalent hydrocarbon group which may have a substituent, the divalent coupling group containing a hetero atom, etc. are mentioned.

Rax2 로는, 예를 들어, 화학식 : CH2=C(R)-Yax0- 로 나타내는 기를 바람직하게 들 수 있다. 이 화학식 중, R 은, 수소 원자, 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬기 또는 탄소수 1 ∼ 5 의 할로겐화알킬기이며, Yax0 는, 2 가의 연결기이다.As Ra x2 , for example, a group represented by the general formula: CH 2 =C(R)-Ya x0 - is preferably exemplified. Of the formula, R is a halogenated alkyl group of a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, or 1 to 5 carbon atoms of, Ya x0 is a divalent linking group.

상기 식 (a11-1) 중, Wax2 는, (nax2 + 1) 가의 방향족 탄화수소기이며, 상기 (a10-1) 중의 Wax1 과 동일한 것을 들 수 있다.In the formula (a11-1), Wa x2 is an aromatic hydrocarbon group having a valence of (n ax2 +1), and examples of the same as those of Wa x1 in (a10-1) are mentioned.

단, Rax2 와 Wax2 로 축합 고리 구조가 형성되어 있어도 된다.However, a condensed ring structure may be formed by Ra x2 and Wa x2.

Rax2 와 Wax2 로 축합 고리 구조를 형성하는 경우, 그 축합 고리 구조에는, Wax2 에서 유래하는 방향 고리가 포함된다. 또, Rax2 에서 유래하는 중합성기의, 탄소 원자 간의 다중 결합이 개열하여, (A1) 성분의 주사슬을 형성한다. 즉, 그 축합 고리를 구성하는 탄소 원자의 일부가 (A1) 성분의 주사슬을 구성한다.When a condensed ring structure is formed by Ra x2 and Wa x2 , an aromatic ring derived from Wa x2 is included in the condensed ring structure. Moreover, multiple bonds between carbon atoms of the polymerizable group derived from Ra x2 are cleaved to form the main chain of component (A1). That is, a part of the carbon atoms constituting the condensed ring constitutes the main chain of component (A1).

상기 식 (a11-1) 중, Rax02 는, Wax2 (방향족 탄화수소기) 를 구성하는 수소 원자를 치환하는 치환기이다.In the formula (a11-1), Ra x02 is a substituent for substituting a hydrogen atom constituting Wa x2 (aromatic hydrocarbon group).

Rax02 에 있어서의 치환기로는, 예를 들어, 알킬기, 알콕시기, 아실옥시기 등을 들 수 있다.As a substituent in Ra x02 , an alkyl group, an alkoxy group, an acyloxy group, etc. are mentioned, for example.

Rax02 에 있어서의 치환기로서의 알킬기는, 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬기가 바람직하고, 메틸기, 에틸기, 프로필기, n-부틸기, tert-부틸기가 보다 바람직하다.The alkyl group as the substituent in Ra x02 is preferably an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, more preferably a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an n-butyl group or a tert-butyl group.

Rax02 에 있어서의 치환기로서의 알콕시기는, 탄소수 1 ∼ 5 의 알콕시기가 바람직하고, 메톡시기, 에톡시기, n-프로폭시기, 이소-프로폭시기, n-부톡시기, tert-부톡시기가 보다 바람직하고, 메톡시기, 에톡시기가 특히 바람직하다.The alkoxy group as the substituent in Ra x02 is preferably an alkoxy group having 1 to 5 carbon atoms, more preferably a methoxy group, ethoxy group, n-propoxy group, iso-propoxy group, n-butoxy group or tert-butoxy group. and a methoxy group and an ethoxy group are particularly preferable.

Rax02 에 있어서의 치환기로서의 아실옥시기는, 그 탄소수가 2 ∼ 6 인 것이 바람직하고, CH3C(=O)-O- (아세톡시기), C2H5C(=O)-O- 가 보다 바람직하고, CH3C(=O)-O- (아세톡시기) 가 특히 바람직하다. The acyloxy group as a substituent in Ra x02 preferably has 2 to 6 carbon atoms, and CH 3 C(=O)-O- (acetoxy group), C 2 H 5 C(=O)-O- is more preferable, and CH 3 C(=O)-O- (acetoxy group) is particularly preferable.

상기 식 (a11-1) 중, nax2 는, 0 ∼ 3 의 정수이며, 0, 1 또는 2 가 바람직하고, 0 또는 1 이 보다 바람직하다.In said formula (a11-1), n ax2 is an integer of 0-3, 0, 1 or 2 is preferable, and 0 or 1 is more preferable.

nax2 가 2 이상인 경우, 복수의 Rax02 가 서로 결합하여, 고리 구조를 형성해도 된다. 여기서 형성하는 고리 구조는, 탄화수소 고리여도 되고 복소 고리여도 된다. 예를 들어, Wax2 에 있어서의 동일한 방향 고리에 결합하는 2 개의 Rax02 와, 이 2 개의 Rax02 가 결합하는 방향 고리 (Wax2) 의 한 변 (탄소 원자 간의 결합) 에 의해 형성하는 고리 구조를 들 수 있다.When n ax2 is 2 or more, a plurality of Ra x02 may be bonded to each other to form a ring structure. A hydrocarbon ring may be sufficient as the ring structure formed here, and a heterocyclic ring may be sufficient as it. For example, ring structures formed by (bond between carbon atoms), one side of the aromatic ring (Wa x2) and the two Ra x02 that, that the two Ra x02 bond bonded to the same aromatic ring in the Wa x2 can be heard

이러한 구성 단위 (a11) 로는, 예를 들어, 하기 일반식 (a11-u1-1) ∼ (a11-u1-6) 으로 각각 나타내는 구성 단위를 바람직하게 들 수 있다.As such structural unit (a11), for example, structural units each represented by the following general formulas (a11-u1-1) to (a11-u1-6) are preferably exemplified.

[화학식 10] [Formula 10]

Figure pat00010
Figure pat00010

[식 중, Rα 는, 수소 원자, 메틸기 또는 트리플루오로메틸기이다. Rβ 는, 알킬기, 알콕시기 또는 아실옥시기이다. nax2 는, 0 ∼ 3 의 정수이다. nax2 가 2 이상인 경우, 복수의 Rβ 가 서로 결합하여, 고리 구조를 형성해도 된다. n21, n22, n24 및 n25 는, 각각 독립적으로, 0 또는 1 이다. n23 및 n26 은, 각각 독립적으로, 1 또는 2 이다.] [In the formula, R α is a hydrogen atom, a methyl group, or a trifluoromethyl group. R β is an alkyl group, an alkoxy group or an acyloxy group. n ax2 is an integer of 0-3. When n ax2 is 2 or more, a plurality of R β may be bonded to each other to form a ring structure. n 21 , n 22 , n 24 and n 25 are each independently 0 or 1. n 23 and n 26 are each independently 1 or 2.]

상기 식 (a11-u1-1) ∼ (a11-u1-6) 중, Rβ 에 있어서의 알킬기, 알콕시기, 아실옥시기는, 상기 식 (a11-1) 중의 Rax02 에 있어서의 치환기로서 예시한 알킬기, 알콕시기, 아실옥시기와 동일하다.In the formulas (a11-u1-1) to (a11-u1-6), the alkyl group, alkoxy group, and acyloxy group for R β are exemplified as substituents for Ra x02 in the formula (a11-1). It is the same as an alkyl group, an alkoxy group, and an acyloxy group.

이하에, 상기 일반식 (a11-1) 로 나타내는 화합물로부터 유도되는 구성 단위 (구성 단위 (a11)) 의 구체예를 나타낸다.Specific examples of the structural unit (structural unit (a11)) derived from the compound represented by the general formula (a11-1) are shown below.

이하의 각 식 중, Rα 는, 수소 원자, 메틸기 또는 트리플루오로메틸기를 나타낸다.In each of the following formulas, R α represents a hydrogen atom, a methyl group, or a trifluoromethyl group.

[화학식 11] [Formula 11]

Figure pat00011
Figure pat00011

[화학식 12] [Formula 12]

Figure pat00012
Figure pat00012

[화학식 13] [Formula 13]

Figure pat00013
Figure pat00013

[화학식 14] [Formula 14]

Figure pat00014
Figure pat00014

[화학식 15] [Formula 15]

Figure pat00015
Figure pat00015

상기 예시 중에서도, 구성 단위 (a11)는, 일반식 (a11-u1-1) ∼ (a11-u1-3) 으로 각각 나타내는 구성 단위로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종이 바람직하고, 일반식 (a11-u1-1) 로 나타내는 구성 단위가 보다 바람직하다.Among the above examples, the structural unit (a11) is preferably at least one selected from the group consisting of structural units represented by the general formulas (a11-u1-1) to (a11-u1-3), and the general formula (a11-) The structural unit represented by u1-1) is more preferable.

이들 중에서도, 구성 단위 (a11) 은, 화학식 (a11-u1-11), (a11-u1-21) 또는 (a11-u1-31) 중 어느 것으로 나타내는 구성 단위가 바람직하다.Among these, the structural unit (a11) is preferably a structural unit represented by any of the formulas (a11-u1-11), (a11-u1-21) or (a11-u1-31).

(A1) 성분이 갖는 구성 단위 (a11) 은, 1 종이어도 되고 2 종 이상이어도 된다.(A1) The number of structural units (a11) which a component has may be one, or 2 or more types may be sufficient as it.

(A1) 성분이 구성 단위 (a11) 을 갖는 경우, (A1) 성분 중의 구성 단위 (a11) 의 비율은, (A1) 성분을 구성하는 전체 구성 단위의 합계 (100 몰%) 에 대해, 1 ∼ 30 몰% 인 것이 바람직하고, 1 ∼ 25 몰% 가 보다 바람직하고, 1 ∼ 20 몰% 가 더욱 바람직하고, 5 ∼ 15 몰% 가 특히 바람직하다.When the component (A1) has a structural unit (a11), the proportion of the structural unit (a11) in the component (A1) is 1 to (100 mol%) with respect to the total (100 mol%) of all the structural units constituting the component (A1). It is preferable that it is 30 mol%, 1-25 mol% is more preferable, 1-20 mol% is still more preferable, 5-15 mol% is especially preferable.

구성 단위 (a11) 의 비율을 하한값 이상으로 함으로써, 내에칭성이나 리소그래피 특성이 보다 향상된다. 한편, 상한값 이하로 함으로써, 다른 구성 단위와의 밸런스를 잡기 쉬워진다.By making the ratio of the structural unit (a11) equal to or more than the lower limit, etch resistance and lithographic characteristics are further improved. On the other hand, by setting it as below an upper limit, it becomes easy to balance with another structural unit.

≪기타 구성 단위≫ ≪Other constituent units≫

(A1) 성분은, 구성 단위 (a10), 구성 단위 (a11) 이외의 기타 구성 단위를 가져도 된다.(A1) The component may have other structural units other than a structural unit (a10) and a structural unit (a11).

이러한 기타 구성 단위를 유도하는 화합물로는, 예를 들어, 아크릴산, 메타크릴산, 크로톤산 등의 모노카르복실산류 ; 말레산, 푸마르산, 이타콘산 등의 디카르복실산류 ; 2-메타크릴로일옥시에틸숙신산, 2-메타크릴로일옥시에틸말레산, 2-메타크릴로일옥시에틸프탈산, 2-메타크릴로일옥시에틸헥사하이드로프탈산 등의 카르복시기 및 에스테르 결합을 갖는 메타크릴산 유도체류 ; 메틸(메트)아크릴레이트, 에틸(메트)아크릴레이트, 부틸(메트)아크릴레이트 등의 (메트)아크릴산알킬에스테르류 ; 2-하이드록시에틸(메트)아크릴레이트, 2-하이드록시프로필(메트)아크릴레이트 등의 (메트)아크릴산하이드록시알킬에스테르류 ; 페닐(메트)아크릴레이트, 벤질(메트)아크릴레이트 등의 (메트)아크릴산아릴에스테르류 ; 말레산디에틸, 푸마르산디부틸 등의 디카르복실산디에스테르류 ; 아세트산비닐 등의 비닐기 함유 지방족 화합물류 ; 부타디엔, 이소프렌 등의 공액 디올레핀류 ; 아크릴로니트릴, 메타크릴로니트릴 등의 니트릴기 함유 중합성 화합물류 ; 염화비닐, 염화비닐리덴 등의 염소 함유 중합성 화합물 ; 아크릴아미드, 메타크릴아미드 등의 아미드 결합 함유 중합성 화합물류 ; 에폭시기 함유 중합성 화합물류 등을 들 수 있다.As a compound which induces such other structural unit, For example, Monocarboxylic acids, such as acrylic acid, methacrylic acid, and a crotonic acid; dicarboxylic acids such as maleic acid, fumaric acid, and itaconic acid; 2-methacryloyloxyethylsuccinic acid, 2-methacryloyloxyethylmaleic acid, 2-methacryloyloxyethylphthalic acid, 2-methacryloyloxyethylhexahydrophthalic acid having a carboxyl group and an ester bond methacrylic acid derivatives; (meth)acrylic acid alkyl esters, such as methyl (meth)acrylate, ethyl (meth)acrylate, and butyl (meth)acrylate; (meth)acrylic acid hydroxyalkyl esters, such as 2-hydroxyethyl (meth)acrylate and 2-hydroxypropyl (meth)acrylate; (meth)acrylic acid aryl esters, such as phenyl (meth)acrylate and benzyl (meth)acrylate; dicarboxylic acid diesters such as diethyl maleate and dibutyl fumarate; vinyl group-containing aliphatic compounds such as vinyl acetate; conjugated diolefins such as butadiene and isoprene; nitrile group-containing polymerizable compounds such as acrylonitrile and methacrylonitrile; chlorine-containing polymerizable compounds such as vinyl chloride and vinylidene chloride; amide bond-containing polymerizable compounds such as acrylamide and methacrylamide; Epoxy group-containing polymerizable compounds, etc. are mentioned.

본 실시형태의 레지스트 조성물에 있어서, (A) 성분은, 구성 단위 (a10) 을 갖는 고분자 화합물 (A1) ((A1) 성분) 을 포함하는 것이다.In the resist composition of the present embodiment, the component (A) contains the polymer compound (A1) (component (A1)) having the structural unit (a10).

바람직한 (A1) 성분으로는, 구성 단위 (a10) 을 적어도 갖는 고분자 화합물을 들 수 있다. 구체적으로는, 구성 단위 (a10) 의 반복 구조를 갖는 고분자 화합물 (구성 단위 (a10) 으로 이루어지는 호모폴리머) ; 구성 단위 (a10) 과 구성 단위 (a11) 의 반복 구조를 갖는 고분자 화합물을 바람직하게 들 수 있다.As a preferable component (A1), the high molecular compound which has a structural unit (a10) at least is mentioned. Specifically, a polymer compound having a repeating structure of the structural unit (a10) (a homopolymer comprising the structural unit (a10)); A polymer compound having a repeating structure of a structural unit (a10) and a structural unit (a11) is preferably exemplified.

(A1) 성분의 중량 평균 분자량 (Mw) (겔 퍼미에이션 크로마토그래피 (GPC) 에 의한 폴리스티렌 환산 기준) 은, 특별히 한정되는 것이 아니고, 500 ∼ 50000 이 바람직하고, 1000 ∼ 30000 이 보다 바람직하고, 2000 ∼ 20000 이 더욱 바람직하다.(A1) The weight average molecular weight (Mw) of the component (based on polystyrene conversion by gel permeation chromatography (GPC)) is not particularly limited, preferably 500 to 50000, more preferably 1000 to 30000, and 2000 - 20000 are more preferable.

(A1) 성분의 Mw 가 이 범위의 바람직한 상한값 이하이면, 레지스트로서 사용하는 데에 충분한 레지스트 용제에 대한 용해성이 있고, 이 범위의 바람직한 하한값 이상이면, 내드라이 에칭성이나 레지스트 패턴 단면 형상이 보다 양호해진다. If the Mw of the component (A1) is below the preferable upper limit of this range, there is sufficient solubility in a resist solvent for use as a resist. If it is more than the preferable lower limit of this range, the dry etching resistance and resist pattern cross-sectional shape are better. becomes

(A1) 성분의 분산도 (Mw/Mn) 는, 특별히 한정되지 않고, 1.0 ∼ 4.0 이 바람직하고, 1.0 ∼ 3.0 이 보다 바람직하고, 1.5 ∼ 2.5 가 특히 바람직하다. 또한, Mn 은 수평균 분자량을 나타낸다.(A1) The dispersion degree (Mw/Mn) of a component is not specifically limited, 1.0-4.0 are preferable, 1.0-3.0 are more preferable, 1.5-2.5 are especially preferable. In addition, Mn represents a number average molecular weight.

이러한 (A1) 성분은, 각 구성 단위를 유도하는 모노머를 중합 용매에 용해하고, 여기에, 예를 들어 아조비스이소부티로니트릴 (AIBN), 아조비스이소부티르산디메틸 (예를 들어 V-601 등) 등의 라디칼 중합 개시제를 첨가하여 중합함으로써 제조할 수 있다.The component (A1) is obtained by dissolving a monomer inducing each structural unit in a polymerization solvent, and therein, for example, azobisisobutyronitrile (AIBN), dimethyl azobisisobutyrate (for example, V-601, etc.) ) can be produced by adding a radical polymerization initiator such as a polymerization initiator.

혹은, 이러한 (A1) 성분은, 구성 단위 (a10) 을 유도하는 모노머와, 필요에 따라 구성 단위 (a10) 이외의 구성 단위를 유도하는 모노머를 중합 용매에 용해하고, 여기에, 상기와 같은 라디칼 중합 개시제를 첨가하여 중합하고, 그 후, 탈보호 반응을 실시함으로써 제조할 수 있다.Alternatively, the component (A1) is obtained by dissolving a monomer that induces the structural unit (a10) and, if necessary, a monomer that induces a structural unit other than the structural unit (a10) in a polymerization solvent, and therein, the radicals as described above. It can manufacture by adding a polymerization initiator, superposing|polymerizing, and performing a deprotection reaction after that.

또한, 중합 시에, 예를 들어, HS-CH2-CH2-CH2-C(CF3)2-OH 와 같은 연쇄 이동제를 병용하여 사용함으로써, 말단에 -C(CF3)2-OH 기를 도입해도 된다. 이와 같이, 알킬기의 수소 원자의 일부가 불소 원자로 치환된 하이드록시알킬기가 도입된 공중합체는, 현상 결함의 저감이나 LER (라인 에지 러프니스 : 라인 측벽의 불균일한 요철) 의 저감에 유효하다.In addition, at the time of polymerization, for example, by using in combination with a chain transfer agent such as HS-CH 2 -CH 2 -CH 2 -C(CF 3 ) 2 -OH, -C(CF 3 ) 2 -OH at the terminal may be introduced. As described above, a copolymer in which a hydroxyalkyl group in which a part of the hydrogen atoms of the alkyl group is substituted with a fluorine atom is introduced is effective in reducing development defects and LER (line edge roughness: unevenness of line sidewalls).

·(A2) 성분에 대해 ・(A2) About ingredients

본 실시형태의 레지스트 조성물은, (A) 성분으로서, 상기 (A1) 성분에 해당하지 않는, 산의 작용에 의해 현상액에 대한 용해성이 변화하는 기재 성분 (이하 「(A2) 성분」이라고 한다.) 을 병용해도 된다.The resist composition of the present embodiment is a component (A), a base component that does not correspond to component (A1) and whose solubility in a developer changes due to the action of an acid (hereinafter referred to as “component (A2)”). may be used together.

(A2) 성분으로는, 특별히 한정되지 않고, 화학 증폭형 레지스트 조성물용의 기재 성분으로서 종래부터 알려져 있는 다수의 것으로부터 임의로 선택하여 사용하면 된다.The component (A2) is not particularly limited, and may be arbitrarily selected from a number of conventionally known base components for chemically amplified resist compositions.

(A2) 성분은, 고분자 화합물 또는 저분자 화합물의 1 종을 단독으로 사용해도 되고 2 종 이상을 조합하여 사용해도 된다.(A2) A component may be used individually by 1 type of a high molecular compound or a low molecular compound, and may be used in combination of 2 or more type.

(A) 성분 중의 (A1) 성분의 비율은, (A) 성분의 총질량에 대해, 25 질량% 이상이 바람직하고, 50 질량% 이상이 보다 바람직하고, 75 질량% 이상이 더욱 바람직하고, 100 질량% 여도 된다. 그 비율이 25 질량% 이상이면, 고감도화나 해상성, 러프니스 개선 등의 여러 가지 리소그래피 특성이 우수한 레지스트 패턴이 형성되기 쉬워진다.25 mass % or more is preferable with respect to the total mass of (A) component, as for the ratio of (A1) component in (A) component, 50 mass % or more is more preferable, 75 mass % or more is still more preferable, 100 It may be mass %. When the ratio is 25 mass% or more, a resist pattern excellent in various lithography characteristics such as high sensitivity, resolution and roughness improvement is likely to be formed.

본 실시형태의 레지스트 조성물 중, (A) 성분의 함유량은, 형성하고자 하는 레지스트막 두께 등에 따라 조정하면 된다.In the resist composition of the present embodiment, the content of component (A) may be adjusted according to the thickness of the resist film to be formed or the like.

<(B) 성분> <(B) component>

·(B0) 성분에 대해 ・(B0) Component

(B) 성분은, 노광에 의해 산을 발생하는 산발생제 성분이다. 본 실시형태의 레지스트 조성물은, (B) 성분은, 적어도 하기 일반식 (b0-1) 로 나타내는 산발생제 (B0) ((B0) 성분) 을 포함한다.(B) Component is an acid generator component which generate|occur|produces an acid by exposure. In the resist composition of the present embodiment, component (B) contains at least an acid generator (B0) (component (B0)) represented by the following general formula (b0-1).

[화학식 16][Formula 16]

Figure pat00016
Figure pat00016

[식 중, Rb1 은 유기기이다. Rb2 는, 하기 일반식 (b0-r-1) 또는 하기 일반식 (b0-r-2) 로 나타내는 기이다.] [Wherein, Rb 1 is an organic group. Rb 2 is a group represented by the following general formula (b0-r-1) or the following general formula (b0-r-2).]

[화학식 17] [Formula 17]

Figure pat00017
Figure pat00017

[식 (b0-r-1) 중, Rb201 및 Rb202 는, 각각 독립적으로, 유기기이다. * 는 결합손을 나타낸다. 식 (b0-r-2) 중, Xb 는, -(O=)C-N-C(=O)- 와 함께 고리형 이미드 구조를 갖는 고리형기를 형성하는 기이다. * 는 결합손을 나타낸다.] [In formula (b0-r-1), Rb 201 and Rb 202 are each independently an organic group. * indicates a bond. In the formula (b0-r-2), Xb is a group that together with -(O=)CNC(=O)- forms a cyclic group having a cyclic imide structure. * indicates a bond hand.]

본 실시형태에 있어서, (B0) 성분은, 상기 식 (b0-1) 로 나타내는 화합물이면 특별히 한정되지 않고, 예를 들어 하기 일반식 (b0-1-1) ∼ (b0-1-6) 으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종의 화합물 등을 들 수 있다.In the present embodiment, the component (B0) is not particularly limited as long as it is a compound represented by the formula (b0-1), and is, for example, represented by the following general formulas (b0-1-1) to (b0-1-6). and at least one compound selected from the group consisting of.

[화학식 18] [Formula 18]

Figure pat00018
Figure pat00018

[식 중, Rb11 및 Rb21 은, 각각 독립적으로, 비방향족성기이다.] [Wherein, Rb 11 and Rb 21 are each independently a non-aromatic group.]

[화학식 19] [Formula 19]

Figure pat00019
Figure pat00019

[식 중, Rb12 는, 알킬기 또는 할로겐화알킬기이다. Rb22 는, 방향족성기이다.] [In the formula, Rb 12 is an alkyl group or a halogenated alkyl group. Rb 22 is an aromatic group.]

[화학식 20] [Formula 20]

Figure pat00020
Figure pat00020

[식 중, Rb13 은 치환을 가져도 되는 탄화수소기이다. nb3 은, 2 또는 3 이다. Ab 는 2 가 또는 3 가의 유기기이다.] [In the formula, Rb 13 is a hydrocarbon group which may have substitution. nb3 is 2 or 3. Ab is a divalent or trivalent organic group.]

[화학식 21] [Formula 21]

Figure pat00021
Figure pat00021

[식 중, Rb14 는, 방향족성 다고리형 탄화수소기, 포화 혹은 불포화의 비방향족성 다고리형 탄화수소기 또는 그들의 치환 유도체의 기이다. Rb24 는, 불활성 유기기이다.] [Wherein, Rb 14 is an aromatic polycyclic hydrocarbon group, a saturated or unsaturated non-aromatic polycyclic hydrocarbon group, or a group of a substituted derivative thereof. Rb 24 is an inert organic group.]

[화학식 22] [Formula 22]

Figure pat00022
Figure pat00022

[식 중, Rb15 는, 치환 혹은 미치환의 1 가의 포화 탄화수소기, 불포화 탄화수소기 또는 방향족성기이다. Xb5 는, -(O=)C-N-C(=O)- 와 함께 고리형 이미드 구조를 갖는 고리형기를 형성하는 기이다.] [In the formula, Rb 15 is a substituted or unsubstituted monovalent saturated hydrocarbon group, an unsaturated hydrocarbon group, or an aromatic group. Xb 5 is a group that together with -(O=)CNC(=O)- forms a cyclic group having a cyclic imide structure.]

[화학식 23] [Formula 23]

Figure pat00023
Figure pat00023

[식 중, Rb16 은, 치환기를 가져도 되는 알킬기 또는 치환기를 가져도 되는 방향족 탄화수소기이다. Rb261 ∼ Rb263 은, 각각 독립적으로, 할로겐 원자, 탄소수 1 ∼ 6 의 알킬기 또는 탄소수 1 ∼ 6 의 알콕시기이다. nb6 은, 0 ∼ 5 의 정수이다.] [In the formula, Rb 16 is an optionally substituted alkyl group or an optionally substituted aromatic hydrocarbon group. Rb 261 to Rb 263 are each independently a halogen atom, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, or an alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms. nb6 is an integer of 0 to 5.]

상기 식 (b0-1-1) 중, Rb11 및 Rb21 에 있어서의 비방향족성기로는, 각각 알킬기, 할로게노알킬기, 알케닐기, 시클로알킬기, 시클로알케닐기, 알콕시기, 시클로알콕시기 및 아다만틸기 등을 들 수 있다.In the formula (b0-1-1), the non-aromatic group for Rb 11 and Rb 21 is an alkyl group, a halogenoalkyl group, an alkenyl group, a cycloalkyl group, a cycloalkenyl group, an alkoxy group, a cycloalkoxy group and a A danthyl group etc. are mentioned.

Rb11 및 Rb21 에 있어서의 알킬기로는, 바람직하게는 탄소수 1 ∼ 12 의 직사슬형 또는 분지 사슬형의 알킬기, 예를 들어 메틸기, 에틸기, n-프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, 이소부틸기, sec-부틸기, tert-부틸기, n-펜틸기, n-옥틸기, n-도데실기 등을 들 수 있다.The alkyl group for Rb 11 and Rb 21 is preferably a linear or branched alkyl group having 1 to 12 carbon atoms, for example, a methyl group, an ethyl group, n-propyl group, isopropyl group, or n-butyl group. , isobutyl group, sec-butyl group, tert-butyl group, n-pentyl group, n-octyl group, n-dodecyl group, and the like.

Rb11 및 Rb21 에 있어서의 할로게노알킬기는, 할로겐 원자의 수에 대해서는 특별히 제한은 없고, 1 개 도입되어 있어도 되고, 복수개 도입되어 있어도 된다. 또 할로겐 원자로는, 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자, 요오드 원자 중 어느 것이어도 된다. 이 할로게노알킬기로서, 바람직한 것은 탄소수 1 ∼ 4 의 할로게노알킬기, 예를 들어 클로로메틸기, 트리클로로메틸기, 트리플루오로메틸기, 2-브로모프로필기 등이다.Halogenoalkyl group in Rb 11 and Rb 21 are, as for the number of halogen atoms is not particularly limited, and may be introduced into one, or may be introduced into a plurality. Moreover, as a halogen atom, any of a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, and an iodine atom may be sufficient. As this halogenoalkyl group, a C1-C4 halogenoalkyl group, for example, a chloromethyl group, a trichloromethyl group, a trifluoromethyl group, 2-bromopropyl group, etc. are preferable.

Rb11 및 Rb21 에 있어서의 알케닐기로는, 탄소수 2 ∼ 6 의 직사슬형 또는 분기 사슬형의 알케닐기, 예를 들어 비닐기, 1-프로페닐기, 이소프로페닐기, 2-부테닐기 등이 바람직하다.Examples of the alkenyl group for Rb 11 and Rb 21 include a linear or branched alkenyl group having 2 to 6 carbon atoms, for example, a vinyl group, 1-propenyl group, isopropenyl group, 2-butenyl group, and the like. desirable.

Rb11 및 Rb21 에 있어서의 시클로알킬기로는, 탄소수 5 ∼ 12 의 시클로알킬기, 예를 들어 시클로펜틸기, 시클로헥실기, 시클로옥틸기, 시클로도데실기 등이, 또, 시클로알케닐기로는, 탄소수 4 ∼ 8 의 시클로알케닐기, 예를 들어 1-시클로부테닐기, 1-시클로펜테닐기, 1-시클로헥세닐기, 1-시클로헵테닐기, 1-시클로옥테닐기 등이 바람직하다.Examples of the cycloalkyl group for Rb 11 and Rb 21 include a cycloalkyl group having 5 to 12 carbon atoms, for example, a cyclopentyl group, a cyclohexyl group, a cyclooctyl group, a cyclododecyl group, and the like. A C4-C8 cycloalkenyl group, for example, 1-cyclobutenyl group, 1-cyclopentenyl group, 1-cyclohexenyl group, 1-cycloheptenyl group, 1-cyclooctenyl group, etc. are preferable.

Rb11 및 Rb21 에 있어서의 알콕시기로는, 탄소수 1 ∼ 8 의 알콕시기, 예를 들어 메톡시기, 에톡시기, 프로폭시기, 부톡시기, 펜톡시기 등이 바람직하다.The alkoxy group for Rb 11 and Rb 21 is preferably an alkoxy group having 1 to 8 carbon atoms, for example, a methoxy group, an ethoxy group, a propoxy group, a butoxy group, and a pentoxy group.

Rb11 및 Rb21 에 있어서의 시클로알콕시기로는, 탄소수 5 ∼ 8 의 시클로알콕시기, 예를 들어 시클로펜톡시기, 시클로헥실옥시기 등이 바람직하다.The cycloalkoxy group for Rb 11 and Rb 21 is preferably a cycloalkoxy group having 5 to 8 carbon atoms, for example, a cyclopentoxy group or a cyclohexyloxy group.

상기 식 (b0-1-1) 중, Rb11 로는, 알킬기, 할로게노알킬기 및 시클로알킬기, 특히 알킬기가 바람직하다. Rb21 로는, 알킬기, 시클로알킬기 및 시클로알케닐기, 특히 시클로알케닐기가 바람직하다. 그 중에서도, Rb11 이 탄소수 1 ∼ 4 의 알킬기이며, Rb21 이 시클로펜테닐기인 것이 보다 바람직하다.In the formula (b0-1-1), as Rb 11 , an alkyl group, a halogenoalkyl group and a cycloalkyl group, particularly an alkyl group are preferable. Rb 21 is preferably an alkyl group, a cycloalkyl group and a cycloalkenyl group, particularly a cycloalkenyl group. Especially, it is more preferable that Rb 11 is a C1-C4 alkyl group and Rb 21 is a cyclopentenyl group.

상기 식 (b0-1-1) 로 나타내는 화합물의 구체예로는, α-(메틸술포닐옥시이미노)-1-시클로펜테닐아세토니트릴, α-(메틸술포닐옥시이미노)-1-시클로헥세닐아세토니트릴, α-(메틸술포닐옥시이미노)-1-시클로헵테닐아세토니트릴, α-(메틸술포닐옥시이미노)-1-시클로옥테닐아세토니트릴, α-(트리플루오로메틸술포닐옥시이미노)-1-시클로펜테닐아세토니트릴, α-(트리플루오로메틸술포닐옥시이미노)-시클로헥실아세토니트릴, α-(에틸술포닐옥시이미노)-에틸아세토니트릴, α-(프로필술포닐옥시이미노)-프로필아세토니트릴, α-(시클로헥실술포닐옥시이미노)-시클로펜틸아세토니트릴, α-(시클로헥실술포닐옥시이미노)-시클로헥실아세토니트릴, α-(시클로헥실술포닐옥시이미노)-1-시클로펜테닐아세토니트릴, α-(에틸술포닐옥시이미노)-1-시클로펜테닐아세토니트릴, α-(이소프로필술포닐옥시이미노)-1-시클로펜테닐아세토니트릴, α-(n-부틸술포닐옥시이미노)-1-시클로펜테닐아세토니트릴, α-(에틸술포닐옥시이미노)-1-시클로헥세닐아세토니트릴, α-(이소프로필술포닐옥시이미노)-1-시클로헥세닐아세토니트릴, α-(n-부틸술포닐옥시이미노)-1-시클로헥세닐아세토니트릴 등을 들 수 있다. Specific examples of the compound represented by the formula (b0-1-1) include α-(methylsulfonyloxyimino)-1-cyclopentenylacetonitrile, α-(methylsulfonyloxyimino)-1-cyclohexyl Cenylacetonitrile, α-(methylsulfonyloxyimino)-1-cycloheptenylacetonitrile, α-(methylsulfonyloxyimino)-1-cyclooctenylacetonitrile, α-(trifluoromethylsulfonyloxyi Mino)-1-cyclopentenylacetonitrile, α-(trifluoromethylsulfonyloxyimino)-cyclohexylacetonitrile, α-(ethylsulfonyloxyimino)-ethylacetonitrile, α-(propylsulfonyloxyimino) Mino)-propylacetonitrile, α-(cyclohexylsulfonyloxyimino)-cyclopentylacetonitrile, α-(cyclohexylsulfonyloxyimino)-cyclohexylacetonitrile, α-(cyclohexylsulfonyloxyimino)- 1-cyclopentenylacetonitrile, α-(ethylsulfonyloxyimino)-1-cyclopentenylacetonitrile, α-(isopropylsulfonyloxyimino)-1-cyclopentenylacetonitrile, α-(n- Butylsulfonyloxyimino)-1-cyclopentenylacetonitrile, α-(ethylsulfonyloxyimino)-1-cyclohexenylacetonitrile, α-(isopropylsulfonyloxyimino)-1-cyclohexenylaceto and nitrile and α-(n-butylsulfonyloxyimino)-1-cyclohexenylacetonitrile.

상기 식 (b0-1-2) 중, Rb12 에 있어서의 알킬기로는, 탄소수 1 ∼ 4 의 직사슬형 또는 분지 사슬형의 알킬기, 예를 들어, 메틸기, 에틸기, n-프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, 이소부틸기, sec-부틸기, tert-부틸기 등을 들 수 있다.In the formula (b0-1-2), the alkyl group for Rb 12 is a linear or branched alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, for example, a methyl group, an ethyl group, an n-propyl group, or isopropyl group. group, n-butyl group, isobutyl group, sec-butyl group, tert-butyl group, and the like.

Rb12 에 있어서의 할로겐화알킬기로는, 탄소수 1 ∼ 4 의 할로겐화알킬기, 예를 들어 클로로메틸기, 트리클로로메틸기, 트리플루오로메틸기, 2-브로모프로필기 등을 들 수 있다.Examples of the halogenated alkyl group for Rb 12 include a halogenated alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, for example, a chloromethyl group, a trichloromethyl group, a trifluoromethyl group, and a 2-bromopropyl group.

상기 식 (b0-1-2) 중, Rb22 에 있어서의 방향족성기란, 방향족 화합물에 특유한 물리적·화학적 성질을 나타내는 기를 의미하고, 예를 들어 페닐기, 나프틸기, 푸릴기, 티에닐기 등을 들 수 있다. Rb22 에 있어서의 방향족성기는, 그 방향족성기를 구성하는 방향 고리의 수소 원자의 일부가 치환기로 치환되어 있어도 된다. 그 치환기로는, 할로겐 원자, 알킬기, 알콕시기, 니트로기 등을 들 수 있다.In the formula (b0-1-2), the aromatic group in Rb 22 means a group exhibiting physical and chemical properties specific to an aromatic compound, and examples include a phenyl group, a naphthyl group, a furyl group, and a thienyl group. can In the aromatic group for Rb 22 , a part of hydrogen atoms of an aromatic ring constituting the aromatic group may be substituted with a substituent. As the substituent, a halogen atom, an alkyl group, an alkoxy group, a nitro group, etc. are mentioned.

상기 식 (b0-1-2) 로 나타내는 화합물로는, 구체적으로는, α-(메틸술포닐옥시이미노)-페닐아세토니트릴, α-(메틸술포닐옥시이미노)-4-메톡시페닐아세토니트릴, α-(메틸술포닐옥시이미노)-4-메틸페닐아세토니트릴, α-(트리플루오로메틸술포닐옥시이미노)-페닐아세토니트릴, α-(트리플루오로메틸술포닐옥시이미노)-4-메톡시페닐아세토니트릴, α-(에틸술포닐옥시이미노)-4-메톡시페닐아세토니트릴, α-(프로필술포닐옥시이미노)-4-메틸페닐아세토니트릴, α-(메틸술포닐옥시이미노)-4-브로모페닐아세토니트릴 등을 들 수 있다.Specifically, as the compound represented by the formula (b0-1-2), α-(methylsulfonyloxyimino)-phenylacetonitrile, α-(methylsulfonyloxyimino)-4-methoxyphenylacetonitrile , α-(methylsulfonyloxyimino)-4-methylphenylacetonitrile, α-(trifluoromethylsulfonyloxyimino)-phenylacetonitrile, α-(trifluoromethylsulfonyloxyimino)-4-methyl Toxyphenylacetonitrile, α-(ethylsulfonyloxyimino)-4-methoxyphenylacetonitrile, α-(propylsulfonyloxyimino)-4-methylphenylacetonitrile, α-(methylsulfonyloxyimino)-4 -Bromophenylacetonitrile, etc. are mentioned.

상기 식 (b0-1-3) 중, Rb13 에 있어서의 탄화수소기로는, 방향족성기 또는 비방향족성 탄화수소기를 들 수 있다. 여기서, 방향족성기로는, 탄소수 6 ∼ 14 의 것이 바람직하고, 예를 들어 페닐기, 톨릴기, 메톡시페닐기, 크실릴기, 비페닐기, 나프틸기, 안트릴기 등의 방향족 탄화수소기나 푸라닐기, 피리딜기, 퀴놀릴기 등의 복소 고리기를 들 수 있다. 또, 비방향족성 탄화수소기에는 벤젠 고리, 나프탈렌 고리, 푸란 고리, 티오펜 고리, 피리딘 고리와 같은 방향족성을 나타내는 고리를 가지지 않는 탄화수소기, 예를 들어 지방족 탄화수소기, 지환형 탄화수소기, 예를 들어 알킬기, 알케닐기, 시클로알킬기, 시클로알케닐기 등이 포함된다. 이 알킬기, 알케닐기는, 직사슬형, 분지형 중 어느 것이어도 되지만, 탄소수 1 ∼ 12 의 것이, 또 시클로알킬기, 시클로알케닐기는, 탄소수 4 ∼ 12 의 것이 바람직하다. 이 알킬기의 예로는, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, sec-부틸기, tert-부틸기, n-펜틸기, n-옥틸기, n-도데실기 등을, 알케닐기의 예로는, 에테닐기, 프로페닐기, 부테닐기, 부타디에닐기, 헥세닐기, 옥타디에닐기 등을, 시클로알킬기의 예로는, 시클로펜틸기, 시클로헥실기, 시클로옥틸기, 시클로도데실기를, 시클로알케닐기의 예로는, 1-시클로부테닐기, 1-시클로펜테닐기, 1-시클로헥세닐기, 1-시클로헵테닐기, 1-시클로옥테닐기 등을 각각 들 수 있다.In the formula (b0-1-3), examples of the hydrocarbon group for Rb 13 include an aromatic group or a non-aromatic hydrocarbon group. Here, the aromatic group preferably has 6 to 14 carbon atoms, for example, an aromatic hydrocarbon group such as a phenyl group, a tolyl group, a methoxyphenyl group, a xylyl group, a biphenyl group, a naphthyl group, and an anthryl group, a furanyl group, and a pyri group. Heterocyclic groups, such as a dil group and a quinolyl group, are mentioned. In addition, the non-aromatic hydrocarbon group includes a hydrocarbon group that does not have an aromatic ring such as a benzene ring, a naphthalene ring, a furan ring, a thiophene ring, and a pyridine ring, for example, an aliphatic hydrocarbon group, an alicyclic hydrocarbon group, for example Examples thereof include an alkyl group, an alkenyl group, a cycloalkyl group, and a cycloalkenyl group. Although linear or branched may be sufficient as this alkyl group and an alkenyl group, a C1-C12 thing and a C4-C12 thing of a cycloalkyl group and a cycloalkenyl group are preferable. Examples of the alkyl group include methyl group, ethyl group, propyl group, isopropyl group, n-butyl group, sec-butyl group, tert-butyl group, n-pentyl group, n-octyl group, n-dodecyl group, etc. Examples of the nyl group include an ethenyl group, propenyl group, butenyl group, butadienyl group, hexenyl group, octadienyl group, and the like, and examples of the cycloalkyl group include a cyclopentyl group, a cyclohexyl group, a cyclooctyl group, and a cyclododecyl group. , Examples of the cycloalkenyl group include 1-cyclobutenyl group, 1-cyclopentenyl group, 1-cyclohexenyl group, 1-cycloheptenyl group and 1-cyclooctenyl group, respectively.

상기 식 (b0-1-3) 중, Rb13 에 있어서의 탄화수소기는, 치환기를 가져도 된다. 그 치환기로는, 할로겐 원자, 수산기, 알콕시기, 아실기 등을 들 수 있다. In the formula (b0-1-3), the hydrocarbon group for Rb 13 may have a substituent. As the substituent, a halogen atom, a hydroxyl group, an alkoxy group, an acyl group, etc. are mentioned.

상기 식 (b0-1-3) 중, Ab 에 있어서의 2 가 또는 3 가의 유기기로는, 2 가 또는 3 가의 지방족 탄화수소기 및 방향족 탄화수소기를 들 수 있다.In the formula (b0-1-3), examples of the divalent or trivalent organic group for Ab include a divalent or trivalent aliphatic hydrocarbon group and an aromatic hydrocarbon group.

상기 식 (b0-1-3) 으로 나타내는 화합물의 구체예를 이하에 나타낸다.Specific examples of the compound represented by the formula (b0-1-3) are shown below.

[화학식 24] [Formula 24]

Figure pat00024
Figure pat00024

[화학식 25] [Formula 25]

Figure pat00025
Figure pat00025

상기 식 (b0-1-4) 중, Rb14 에 있어서의 방향족성 다고리형 탄화수소기로는, 예를 들어, 2-인데닐기, 1-나프틸기, 2-나프틸기, 2-안트릴기 등의 방향족성 축합 다고리형 탄화수소기, 비페닐기, 테르페닐기 등의 방향족성 비축합 다고리형 탄화수소기를 들 수 있다. 또, 그 치환 유도체기로는, 이들 기의 방향 고리가, 염소 원자, 브롬 원자, 요오드 원자와 같은 할로겐 원자, 니트로기, 아미노기, 하이드록실기, 알킬기, 알콕실기 등의 치환기로 치환된 것, 예를 들어, 5-하이드록시-1-나프틸기, 4-아미노-1-나프틸기 등을 들 수 있다.In the formula (b0-1-4), the aromatic polycyclic hydrocarbon group for Rb 14 includes, for example, 2-indenyl group, 1-naphthyl group, 2-naphthyl group, 2-anthryl group and the like. and aromatic non-condensed polycyclic hydrocarbon groups such as an aromatic condensed polycyclic hydrocarbon group, a biphenyl group and a terphenyl group. Further, as the substituted derivative group, the aromatic ring of these groups is substituted with a halogen atom such as a chlorine atom, a bromine atom, or an iodine atom, a nitro group, an amino group, a hydroxyl group, an alkyl group, an alkoxyl group, etc. For example, 5-hydroxy-1-naphthyl group, 4-amino-1-naphthyl group, etc. are mentioned.

상기 식 (b0-1-4) 중, Rb14 에 있어서의 포화 혹은 불포화의 비방향족성 다고리형 탄화수소기로는, 예를 들어, 다고리형 테르펜 잔기나 아다만틸기 등이 있지만, 다고리형 테르펜 잔기가 바람직하다. 또, 그 치환 유도체기로는, 고리 상에 염소 원자, 브롬 원자, 요오드 원자와 같은 할로겐 원자, 니트로기, 아미노기, 하이드록실기, 옥소기, 알킬기, 알콕실기 등의 적당한 치환기를 갖는 것을 들 수 있다. 이와 같은 것의 예로는 캠퍼-3-일기, 캠퍼-8-일기, 캠퍼-10-일기, 3-브로모캠퍼-10-일기 등이 있다.In the formula (b0-1-4), the saturated or unsaturated non-aromatic polycyclic hydrocarbon group for Rb 14 includes, for example, a polycyclic terpene residue and an adamantyl group, but the polycyclic terpene residue is desirable. Examples of the substituted derivative group include those having suitable substituents on the ring, such as a halogen atom such as a chlorine atom, a bromine atom, and an iodine atom, a nitro group, an amino group, a hydroxyl group, an oxo group, an alkyl group, an alkoxyl group, etc. . Examples of such a group include a camphor-3-yl group, a camphor-8-yl group, a camphor-10-yl group, and a 3-bromocamphor-10-yl group.

이 Rb14 로는, 나프틸기 및 캠퍼-10-일기가 바람직하고, 특히 1-나프틸기가 해상성이 우수한 점에서 바람직하다.As this Rb 14 , a naphthyl group and a camphor-10-yl group are preferable, and 1-naphthyl group is especially preferable at the point excellent in resolution.

상기 식 (b0-1-4) 중, Rb24 에 있어서의 불활성 유기기란 사용 조건하에 있어서, 공존하는 성분에 대해 불활성인 유기기이며, 특별히 제한은 없지만, 엑시머 레이저, 전자선, X 선에 대한 감수성의 점에서 방향족성기가 바람직하다. 이 방향족성기로는, 예를 들어, 페닐기, 나프틸기, 푸릴기, 티에닐기 등을 들 수 있다. 또, 이들 방향족성기는 염소 원자, 브롬 원자, 요오드 원자와 같은 할로겐 원자, 알킬기, 알콕실기, 니트로기 등의 불활성인 치환기를 가져도 된다.In the formula (b0-1-4), the inactive organic group in Rb 24 is an organic group that is inactive to components coexisting under the conditions of use, and is not particularly limited, but is sensitive to excimer lasers, electron beams, and X-rays. An aromatic group is preferable at the point. As this aromatic group, a phenyl group, a naphthyl group, a furyl group, a thienyl group etc. are mentioned, for example. Moreover, these aromatic groups may have inactive substituents, such as a halogen atom like a chlorine atom, a bromine atom, and an iodine atom, an alkyl group, an alkoxyl group, and a nitro group.

상기 식 (b0-1-4) 로 나타내는 화합물의 구체예로는, α-(1-나프틸술포닐옥시이미노)-4-메톡시벤질시아니드, α-(2-나프틸술포닐옥시이미노)-4-메톡시벤질시아니드, α-(1-나프틸술포닐옥시이미노)벤질시아니드, α-(2-나프틸술포닐옥시이미노)벤질시아니드, α-(10-캠퍼술포닐옥시이미노)-4-메톡시벤질시아니드, α-(10-캠퍼술포닐옥시이미노)벤질시아니드, α-(3-캠퍼술포닐옥시이미노)-4-메톡시벤질시아니드, α-(3-브로모-10-캠퍼술포닐옥시이미노)-4-메톡시벤질시아니드 등을 들 수 있다.Specific examples of the compound represented by the formula (b0-1-4) include α-(1-naphthylsulfonyloxyimino)-4-methoxybenzylcyanide, α-(2-naphthylsulfonyloxyimino)- 4-Methoxybenzylcyanide, α-(1-naphthylsulfonyloxyimino)benzylcyanide, α-(2-naphthylsulfonyloxyimino)benzylcyanide, α-(10-camphorsulfonyloxyimino)- 4-Methoxybenzylcyanide, α-(10-camphorsulfonyloxyimino)benzylcyanide, α-(3-camphorsulfonyloxyimino)-4-methoxybenzylcyanide, α-(3-bromo -10-camphorsulfonyloxyimino)-4-methoxybenzylcyanide etc. are mentioned.

상기 식 (b0-1-5) 중, Rb15 에 있어서의 치환 혹은 미치환의 1 가의 포화 탄화수소기, 불포화 탄화수소기로는, 예를 들어 탄소수 1 ∼ 8 의 직사슬 또는 분지형의 포화 혹은 불포화의 탄화수소기 및 이들이 할로겐 원자, 니트로기, 아세틸아미노기, 저급 알콕시기, 단고리 아릴기 등으로 치환된 기를 들 수 있지만, 특히 할로겐 원자, 저급 알콕시기 등의 치환기를 갖는 것이 바람직하다. 또, Rb15 에 있어서의 치환 혹은 미치환의 1 가의 방향족성기로는, 예를 들어 단고리 또는 2 고리의 것을 들 수 있지만, 특히 벤젠 고리에 비닐기, 알킬기, 알콕시기, 할로겐 원자 등이 치환한 것이 바람직하다.In the formula (b0-1-5), the substituted or unsubstituted monovalent saturated hydrocarbon group or unsaturated hydrocarbon group for Rb 15 is, for example, a linear or branched saturated or unsaturated group having 1 to 8 carbon atoms. Hydrocarbon groups and groups in which these are substituted with a halogen atom, a nitro group, an acetylamino group, a lower alkoxy group, a monocyclic aryl group, etc. are mentioned, but those having a substituent such as a halogen atom and a lower alkoxy group are particularly preferable. In addition, the substituted or unsubstituted monovalent aromatic group for Rb 15 includes, for example, monocyclic or bicyclic ones, in particular, a benzene ring in which a vinyl group, an alkyl group, an alkoxy group, a halogen atom, or the like is substituted. it is preferable

상기 식 (b0-1-5) 중, Xb5 가 -(O=)C-N-C(=O)- 와 함께 형성하는 고리형 이미드 구조를 갖는 고리형기로는, 숙신이미드 고리, 말레이미드 고리, 글루타르이미드 고리, 프탈이미드 고리, 1,8-나프탈렌디카르복시이미드 고리 등을 들 수 있다. Xb5 가 -(O=)C-N-C(=O)- 와 함께 형성하는 고리형 이미드 구조를 갖는 고리형기는, 치환기를 가져도 된다. 그 치환기로는, 할로겐 원자, 니트로기, 아세틸아미노기, 알콕시기, 단고리의 아릴기 등을 들 수 있다.In the formula (b0-1-5), as the cyclic group having a cyclic imide structure formed by Xb 5 together with -(O=)CNC(=O)-, a succinimide ring, a maleimide ring, glutarimide ring, phthalimide ring, 1,8-naphthalenedicarboxyimide ring, etc. are mentioned. The cyclic group having a cyclic imide structure formed by Xb 5 together with -(O=)CNC(=O)- may have a substituent. Examples of the substituent include a halogen atom, a nitro group, an acetylamino group, an alkoxy group, and a monocyclic aryl group.

상기 식 (b0-1-5) 로 나타내는 화합물의 구체예로는, N-메틸술포닐옥시숙신이미드, N-이소프로필술포닐옥시숙신이미드, N-클로로에틸술포닐옥시숙신이미드, N-(p-메톡시페닐)술포닐옥시숙신이미드, N-(p-비닐페닐)술포닐옥시숙신이미드, N-나프틸술포닐옥시숙신이미드, N-페닐술포닐옥시숙신이미드, N-(2,4,6-트리메틸페닐)술포닐옥시숙신이미드, N-메틸술포닐옥시말레이미드, N-이소프로필술포닐옥시말레이미드, N-클로로에틸술포닐옥시말레이미드, N-(p-메톡시페닐)술포닐옥시말레이미드, N-(p-비닐페닐)술포닐옥시말레이미드, N-나프틸술포닐옥시말레이미드, N-페닐술포닐옥시말레이미드, N-(2,4,6-트리메틸페닐)술포닐옥시말레이미드, N-메틸술포닐옥시프탈이미드, N-이소프로필술포닐옥시프탈이미드, N-클로로에틸술포닐옥시프탈이미드, N-(p-메톡시페닐)술포닐옥시프탈이미드, N-(p-비닐페닐)술포닐옥시프탈이미드, N-나프틸술포닐옥시프탈이미드, N-페닐술포닐옥시프탈이미드, N-(2,4,6-트리메틸페닐)술포닐옥시프탈이미드, 일본 공개특허공보 평10-097075호의 단락 [0089]-[0091] 에 기재되어 있는 화합물 등을 들 수 있다.Specific examples of the compound represented by the formula (b0-1-5) include N-methylsulfonyloxysuccinimide, N-isopropylsulfonyloxysuccinimide, N-chloroethylsulfonyloxysuccinimide, N-(p-methoxyphenyl)sulfonyloxysuccinimide, N-(p-vinylphenyl)sulfonyloxysuccinimide, N-naphthylsulfonyloxysuccinimide, N-phenylsulfonyloxysuccinimide , N-(2,4,6-trimethylphenyl)sulfonyloxysuccinimide, N-methylsulfonyloxymaleimide, N-isopropylsulfonyloxymaleimide, N-chloroethylsulfonyloxymaleimide, N -(p-methoxyphenyl)sulfonyloxymaleimide, N-(p-vinylphenyl)sulfonyloxymaleimide, N-naphthylsulfonyloxymaleimide, N-phenylsulfonyloxymaleimide, N-(2 ,4,6-trimethylphenyl)sulfonyloxymaleimide, N-methylsulfonyloxyphthalimide, N-isopropylsulfonyloxyphthalimide, N-chloroethylsulfonyloxyphthalimide, N-(p -Methoxyphenyl)sulfonyloxyphthalimide, N-(p-vinylphenyl)sulfonyloxyphthalimide, N-naphthylsulfonyloxyphthalimide, N-phenylsulfonyloxyphthalimide, N-( 2,4,6-trimethylphenyl)sulfonyloxyphthalimide, the compound described in paragraphs [0089] to [0091] of JP-A-10-097075, and the like.

상기 식 (b0-1-6) 중, Rb16 에 있어서의 알킬기로는, 탄소수 1 ∼ 18 의 직사슬, 분기 사슬형 또는 고리형의 알킬기가 바람직하고, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, sec-부틸기, 이소부틸기, tert-부틸기, 펜틸기, 헥실기, 헵틸기, 2,4,4-트리메틸펜틸기, 2-에틸헥실기, 옥틸기, 노닐기, 데실기, 운데실기, 도데실기, 테트라데실기, 펜타데실기, 헥사데실기, 헵타데실기, 옥타데실기, 시클로펜틸기, 시클로헥실기, 시클로옥틸기, 시클로도데실기 등을 들 수 있다.In the formula (b0-1-6), as the alkyl group for Rb 16 , a linear, branched or cyclic alkyl group having 1 to 18 carbon atoms is preferable, and a methyl group, an ethyl group, a propyl group, or an isopropyl group is preferable. , n-butyl group, sec-butyl group, isobutyl group, tert-butyl group, pentyl group, hexyl group, heptyl group, 2,4,4-trimethylpentyl group, 2-ethylhexyl group, octyl group, nonyl group , decyl group, undecyl group, dodecyl group, tetradecyl group, pentadecyl group, hexadecyl group, heptadecyl group, octadecyl group, cyclopentyl group, cyclohexyl group, cyclooctyl group, cyclododecyl group, and the like. .

그 중에서도, Rb16 에 있어서의 알킬기로는, 탄소수 1 ∼ 10 의 직사슬 또는 분기 사슬형의 알킬기가 바람직하고, 탄소수 1 ∼ 5 의 직사슬 또는 분기 사슬형의 알킬기가 보다 바람직하다. Especially, as an alkyl group in Rb 16 , a C1-C10 linear or branched alkyl group is preferable, and a C1-C5 linear or branched alkyl group is more preferable.

Rb16 에 있어서의 알킬기는, 치환기를 가져도 된다. 그 치환기로는, 할로겐 원자, 할로겐화알킬기, CN, NO2, 페닐기, 알콕시기, 카르복시기, 카르보닐기, 술포닐기, 아미노기 등을 들 수 있다.The alkyl group for Rb 16 may have a substituent. Examples of the substituent include a halogen atom, a halogenated alkyl group, CN, NO 2 , a phenyl group, an alkoxy group, a carboxy group, a carbonyl group, a sulfonyl group, and an amino group.

상기 식 (b0-1-6) 중, Rb16 에 있어서의 방향족 탄화수소기로는, 페닐기, 나프틸기, 페난트릴기, 안트라실기, 헤테로아릴기 등을 들 수 있다. Rb16 에 있어서의 방향족 탄화수소기는, 치환기를 가져도 된다. 그 치환기로는, 할로겐 원자, 할로겐화알킬기, CN, NO2, 페닐기, 알콕시기, 카르복시기, 카르보닐기, 술포닐기, 아미노기 등을 들 수 있다.In the formula (b0-1-6), examples of the aromatic hydrocarbon group for Rb 16 include a phenyl group, a naphthyl group, a phenanthryl group, an anthracyl group, and a heteroaryl group. The aromatic hydrocarbon group for Rb 16 may have a substituent. Examples of the substituent include a halogen atom, a halogenated alkyl group, CN, NO 2 , a phenyl group, an alkoxy group, a carboxy group, a carbonyl group, a sulfonyl group, and an amino group.

상기 식 (b0-1-6) 으로 나타내는 화합물의 구체예로는, 하기 화학식 (b0-1-61) 로 나타내는 화합물, 일본 공표특허공보 2002-508774호의 실시예 25 ∼ 40 및 53 의 화합물 등을 들 수 있다.Specific examples of the compound represented by the formula (b0-1-6) include a compound represented by the following formula (b0-1-61), the compounds of Examples 25 to 40 and 53 of Japanese Patent Application Laid-Open No. 2002-508774, and the like. can be heard

[화학식 26] [Formula 26]

Figure pat00026
Figure pat00026

(B0) 성분의 기타 구체예로는, 일본 특허 제4110392호의 단락 [0056], [0058], [0060], [0063] 에 기재되어 있는 화합물, 일본 특허 제4000469호의 단락 [0053], [0054], [0056], [0058], [0060]-[0062] 에 기재되어 있는 화합물 등을 들 수 있다. (B0) Other specific examples of the component include the compounds described in paragraphs [0056], [0058], [0060], and [0063] of Japanese Patent No. 4110392, paragraphs [0053] and [0054] of Japanese Patent No. 4000469 ], [0056], [0058], [0060]-[0062], and the like.

그 중에서도, (B1) 성분으로는, 상기 식 (b0-1-2) 로 나타내는 화합물, 상기 식 (b0-1-3) 으로 나타내는 화합물, 상기 식 (b0-1-5) 로 나타내는 화합물 및 상기 식 (b0-1-6) 으로 나타내는 화합물로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종이 바람직하고, 상기 식 (b0-1-2) 로 나타내는 화합물, 상기 식 (b0-1-3) 으로 나타내는 화합물 및 상기 식 (b0-1-6) 으로 나타내는 화합물로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종이 보다 바람직하다. Among them, as the component (B1), the compound represented by the formula (b0-1-2), the compound represented by the formula (b0-1-3), the compound represented by the formula (b0-1-5), and the above At least one selected from the group consisting of compounds represented by the formula (b0-1-6) is preferable, and the compound represented by the formula (b0-1-2), the compound represented by the formula (b0-1-3), and the At least 1 type selected from the group which consists of a compound represented by a formula (b0-1-6) is more preferable.

이하에, (B0) 성분의 바람직한 구체예를 든다.Below, the preferable specific example of (B0) component is given.

[화학식 27] [Formula 27]

Figure pat00027
Figure pat00027

본 실시형태의 레지스트 조성물이 함유하는 (B0) 성분은, 1 종을 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 병용해도 된다. The component (B0) contained in the resist composition of this embodiment may be used individually by 1 type, and may use 2 or more types together.

본 실시형태의 레지스트 조성물 중, (B0) 성분의 함유량은, (A) 성분 100 질량부에 대해, 50 질량부 이하가 바람직하고, 0.1 ∼ 40 질량부가 보다 바람직하고, 0.1 ∼ 30 질량부가 더욱 바람직하고, 0.1 ∼ 20 질량부가 특히 바람직하다.In the resist composition of the present embodiment, the content of component (B0) is preferably 50 parts by mass or less, more preferably 0.1 to 40 parts by mass, and still more preferably 0.1 to 30 parts by mass relative to 100 parts by mass of component (A). And 0.1-20 mass parts is especially preferable.

(B) 성분의 함유량을 상기 범위로 함으로써, 패턴 형성이 충분히 실시된다.(B) By making content of a component into the said range, pattern formation is fully performed.

·(B1) 성분에 대해 ・(B1) About component

본 실시형태의 레지스트 조성물은, (B) 성분으로서, (B0) 성분 이외의 산발생제 (이하, 「(B1) 성분이라고 한다」) 를 포함해도 된다.The resist composition of the present embodiment may contain, as component (B), an acid generator other than component (B0) (hereinafter referred to as “component (B1)”).

(B1) 성분으로는, 특별히 한정되지 않고, 지금까지 화학 증폭형 레지스트 조성물용의 산발생제로서 제안되어 있는 것을 사용할 수 있다.The component (B1) is not particularly limited, and those previously proposed as acid generators for chemically amplified resist compositions can be used.

이와 같은 산발생제로는, 요오드늄염이나 술포늄염 등의 오늄염계 산발생제, 옥심술포네이트계 산발생제 ; 비스알킬 또는 비스아릴술포닐디아조메탄류, 폴리(비스술포닐)디아조메탄류 등의 디아조메탄계 산발생제 ; 니트로벤질술포네이트계 산발생제, 디술폰계 산발생제 등 다종의 것을 들 수 있다.As such an acid generator, Onium salt-type acid generators, such as an iodonium salt and a sulfonium salt, an oxime sulfonate-type acid generator; diazomethane-based acid generators such as bisalkyl or bisarylsulfonyldiazomethanes and poly(bissulfonyl)diazomethanes; and various kinds of nitrobenzylsulfonate-based acid generators and disulfone-based acid generators.

오늄염계 산발생제로는, 예를 들어, 하기 일반식 (b-1) 로 나타내는 화합물 (이하 「(b-1) 성분」이라고도 한다), 일반식 (b-2) 로 나타내는 화합물 (이하 「(b-2) 성분」이라고도 한다) 또는 일반식 (b-3) 으로 나타내는 화합물 (이하 「(b-3) 성분」이라고도 한다) 을 들 수 있다.Examples of the onium salt-based acid generator include a compound represented by the following general formula (b-1) (hereinafter also referred to as “(b-1) component”), a compound represented by general formula (b-2) (hereinafter referred to as “( b-2) component") or a compound represented by general formula (b-3) (hereinafter also referred to as "(b-3) component") is mentioned.

[화학식 28] [Formula 28]

Figure pat00028
Figure pat00028

[식 중, R101, R104 ∼ R108 은 각각 독립적으로, 치환기를 가져도 되는 고리형기, 치환기를 가져도 되는 사슬형의 알킬기, 또는 치환기를 가져도 되는 사슬형의 알케닐기이다. R104, R105 는, 서로 결합하여 고리를 형성하고 있어도 된다. R102 는 불소 원자 또는 탄소수 1 ∼ 5 의 불소화알킬기이다. Y101 은 단결합, 또는 산소 원자를 포함하는 2 가의 연결기이다. V101 ∼ V103 은 각각 독립적으로 단결합, 알킬렌기 또는 불소화알킬렌기이다. L101 ∼ L102 는 각각 독립적으로 단결합 또는 산소 원자이다. L103 ∼ L105 는 각각 독립적으로 단결합, -CO- 또는 -SO2- 이다. m 은 1 이상의 정수이고, M'm+ 는 m 가의 오늄 카티온이다.] [wherein, R 101 , R 104 to R 108 are each independently a cyclic group which may have a substituent, a chain alkyl group which may have a substituent, or a chain alkenyl group which may have a substituent. R 104 and R 105 may be bonded to each other to form a ring. R 102 is a fluorine atom or a fluorinated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms. Y 101 is a single bond or a divalent linking group containing an oxygen atom. V 101 to V 103 are each independently a single bond, an alkylene group, or a fluorinated alkylene group. L 101 to L 102 are each independently a single bond or an oxygen atom. L 103 to L 105 each independently represent a single bond, -CO-, or -SO 2 -. m is an integer greater than or equal to 1, and M' m+ is an m-valent onium cation.]

{아니온부} {Anion part}

·(b-1) 성분의 아니온부 · (b-1) the anion part of the component

식 (b-1) 중, R101 은, 치환기를 가져도 되는 고리형기, 치환기를 가져도 되는 사슬형의 알킬기, 또는 치환기를 가져도 되는 사슬형의 알케닐기이다.In formula (b-1), R 101 is a cyclic group which may have a substituent, a chain alkyl group which may have a substituent, or a chain alkenyl group which may have a substituent.

치환기를 가지고 있어도 되는 고리형기 : Cyclic group which may have a substituent:

그 고리형기는, 고리형의 탄화수소기인 것이 바람직하고, 그 고리형의 탄화수소기는, 방향족 탄화수소기여도 되고, 지방족 탄화수소기여도 된다. 지방족 탄화수소기는, 방향족성을 가지지 않는 탄화수소기를 의미한다. 또, 지방족 탄화수소기는, 포화여도 되고, 불포화여도 되고, 통상은 포화인 것이 바람직하다.The cyclic group is preferably a cyclic hydrocarbon group, and the cyclic hydrocarbon group may be an aromatic hydrocarbon group or an aliphatic hydrocarbon group. An aliphatic hydrocarbon group means a hydrocarbon group which does not have aromaticity. Moreover, saturated or unsaturated may be sufficient as an aliphatic hydrocarbon group, and it is preferable that it is usually saturated.

R101 에 있어서의 방향족 탄화수소기는, 방향 고리를 갖는 탄화수소기이다. 그 방향족 탄화수소기의 탄소수는 3 ∼ 30 인 것이 바람직하고, 탄소수 5 ∼ 30 이 보다 바람직하고, 탄소수 5 ∼ 20 이 더욱 바람직하고, 탄소수 6 ∼ 15 가 특히 바람직하고, 탄소수 6 ∼ 10 이 가장 바람직하다. 단, 그 탄소수에는, 치환기에 있어서의 탄소수를 포함하지 않는 것으로 한다.The aromatic hydrocarbon group for R 101 is a hydrocarbon group having an aromatic ring. The aromatic hydrocarbon group preferably has 3 to 30 carbon atoms, more preferably 5 to 30 carbon atoms, still more preferably 5 to 20 carbon atoms, particularly preferably 6 to 15 carbon atoms, and most preferably 6 to 10 carbon atoms. . However, carbon number in a substituent shall not be included in the carbon number.

R101 에 있어서의 방향족 탄화수소기가 갖는 방향 고리로서 구체적으로는, 벤젠, 플루오렌, 나프탈렌, 안트라센, 페난트렌, 비페닐, 또는 이들 방향 고리를 구성하는 탄소 원자의 일부가 헤테로 원자로 치환된 방향족 복소 고리 등을 들 수 있다. 방향족 복소 고리에 있어서의 헤테로 원자로는, 산소 원자, 황 원자, 질소 원자 등을 들 수 있다. R101 에 있어서의 방향족 탄화수소기로서 구체적으로는, 상기 방향 고리로부터 수소 원자를 1 개 제거한 기 (아릴기 : 예를 들어 페닐기, 나프틸기 등), 상기 방향 고리의 수소 원자의 1 개가 알킬렌기로 치환된 기 (예를 들어 벤질기, 페네틸기, 1-나프틸메틸기, 2-나프틸메틸기, 1-나프틸에틸기, 2-나프틸에틸기 등의 아릴알킬기 등) 등을 들 수 있다. 상기 알킬렌기 (아릴알킬기 중의 알킬 사슬) 의 탄소수는, 1 ∼ 4 인 것이 바람직하고, 탄소수 1 ∼ 2 가 보다 바람직하고, 탄소수 1 이 특히 바람직하다.Specifically, the aromatic ring of the aromatic hydrocarbon group for R 101 is benzene, fluorene, naphthalene, anthracene, phenanthrene, biphenyl, or an aromatic heterocyclic ring in which some of the carbon atoms constituting these aromatic rings are substituted with hetero atoms. and the like. As a hetero atom in an aromatic heterocyclic ring, an oxygen atom, a sulfur atom, a nitrogen atom, etc. are mentioned. Specifically, the aromatic hydrocarbon group for R 101 is a group in which one hydrogen atom is removed from the aromatic ring (aryl group: for example, a phenyl group, a naphthyl group, etc.), and one hydrogen atom in the aromatic ring is an alkylene group. Substituted groups (For example, arylalkyl groups, such as a benzyl group, a phenethyl group, 1-naphthylmethyl group, 2-naphthylmethyl group, 1-naphthylethyl group, 2-naphthylethyl group, etc.) etc. are mentioned. It is preferable that carbon number of the said alkylene group (the alkyl chain in an arylalkyl group) is 1-4, C1-C2 is more preferable, C1 is especially preferable.

R101 에 있어서의 고리형의 지방족 탄화수소기는, 구조 중에 고리를 포함하는 지방족 탄화수소기를 들 수 있다. Examples of the cyclic aliphatic hydrocarbon group for R 101 include an aliphatic hydrocarbon group having a ring in its structure.

이 구조 중에 고리를 포함하는 지방족 탄화수소기로는, 지환형 탄화수소기 (지방족 탄화수소 고리로부터 수소 원자를 1 개 제거한 기), 지환형 탄화수소기가 직사슬형 또는 분기 사슬형의 지방족 탄화수소기의 말단에 결합한 기, 지환형 탄화수소기가 직사슬형 또는 분기 사슬형의 지방족 탄화수소기의 도중에 개재하는 기 등을 들 수 있다. Examples of the aliphatic hydrocarbon group containing a ring in this structure include an alicyclic hydrocarbon group (a group in which one hydrogen atom has been removed from an aliphatic hydrocarbon ring), a group in which an alicyclic hydrocarbon group is bonded to the terminus of a linear or branched aliphatic hydrocarbon group , a group in which an alicyclic hydrocarbon group is interposed in the middle of a linear or branched aliphatic hydrocarbon group.

상기 지환형 탄화수소기는, 탄소수가 3 ∼ 30 인 것이 바람직하고, 탄소수가 3 ∼ 20 인 것이 보다 바람직하다.It is preferable that carbon number is 3-30, and, as for the said alicyclic hydrocarbon group, it is more preferable that carbon number is 3-20.

상기 지환형 탄화수소기는, 다고리형기여도 되고, 단고리형기여도 된다. 단고리형의 지환형 탄화수소기로는, 모노시클로알칸으로부터 1 개 이상의 수소 원자를 제거한 기가 바람직하다. 그 모노시클로알칸으로는, 탄소수 3 ∼ 6 의 것이 바람직하고, 구체적으로는 시클로펜탄, 시클로헥산 등을 들 수 있다. 다고리형의 지환형 탄화수소기로는, 폴리시클로알칸으로부터 1 개 이상의 수소 원자를 제거한 기가 바람직하고, 그 폴리시클로알칸으로는, 탄소수 7 ∼ 30 의 것이 바람직하다. 그 중에서도, 그 폴리시클로알칸으로는, 아다만탄, 노르보르난, 이소보르난, 트리시클로데칸, 테트라시클로도데칸 등의 가교 고리계의 다고리형 골격을 갖는 폴리시클로알칸 ; 스테로이드 골격을 갖는 고리형기 등의 축합 고리계의 다고리형 골격을 갖는 폴리시클로알칸이 보다 바람직하다.The alicyclic hydrocarbon group may be a polycyclic group or a monocyclic group. As the monocyclic alicyclic hydrocarbon group, a group obtained by removing one or more hydrogen atoms from a monocycloalkane is preferable. The monocycloalkane is preferably a monocycloalkane having 3 to 6 carbon atoms, and specific examples thereof include cyclopentane and cyclohexane. The polycyclic alicyclic hydrocarbon group is preferably a group in which one or more hydrogen atoms have been removed from the polycycloalkane, and the polycycloalkane preferably has 7 to 30 carbon atoms. Among them, examples of the polycycloalkane include polycycloalkanes having a polycyclic skeleton of a bridged ring system such as adamantane, norbornane, isobornane, tricyclodecane and tetracyclododecane; A polycycloalkane having a polycyclic skeleton of a condensed ring system such as a cyclic group having a steroid skeleton is more preferable.

그 중에서도, R101 에 있어서의 고리형의 지방족 탄화수소기로는, 모노시클로알칸 또는 폴리시클로알칸으로부터 수소 원자를 1 개 이상 제거한 기가 바람직하고, 폴리시클로알칸으로부터 수소 원자를 1 개 제거한 기가 보다 바람직하고, 아다만틸기, 노르보르닐기, 스테로이드 골격을 갖는 고리형기가 특히 바람직하고, 아다만틸기, 스테로이드 골격을 갖는 고리형기가 가장 바람직하다.Among them, the cyclic aliphatic hydrocarbon group for R 101 is preferably a group in which one or more hydrogen atoms are removed from a monocycloalkane or polycycloalkane, more preferably a group in which one hydrogen atom is removed from a polycycloalkane, An adamantyl group, a norbornyl group, or a cyclic group having a steroid skeleton is particularly preferred, and an adamantyl group or a cyclic group having a steroid skeleton is most preferred.

지환형 탄화수소기에 결합해도 되는, 직사슬형 또는 분기 사슬형의 지방족 탄화수소기는, 탄소수가 1 ∼ 10 인 것이 바람직하고, 탄소수 1 ∼ 6 이 보다 바람직하고, 탄소수 1 ∼ 4 가 더욱 바람직하고, 탄소수 1 ∼ 3 이 특히 바람직하다.The linear or branched aliphatic hydrocarbon group which may be bonded to the alicyclic hydrocarbon group preferably has 1 to 10 carbon atoms, more preferably 1 to 6 carbon atoms, still more preferably 1 to 4 carbon atoms, and still more preferably has 1 carbon atom. to 3 are particularly preferred.

직사슬형의 지방족 탄화수소기로는, 직사슬형의 알킬렌기가 바람직하고, 구체적으로는, 메틸렌기 [-CH2-], 에틸렌기 [-(CH2)2-], 트리메틸렌기 [-(CH2)3-], 테트라메틸렌기 [-(CH2)4-], 펜타메틸렌기 [-(CH2)5-] 등을 들 수 있다.As the linear aliphatic hydrocarbon group, a linear alkylene group is preferable, and specifically, a methylene group [-CH 2 -], an ethylene group [-(CH 2 ) 2 -], a trimethylene group [-( CH 2 ) 3 -], tetramethylene group [-(CH 2 ) 4 -], pentamethylene group [-(CH 2 ) 5 -], and the like.

분기 사슬형의 지방족 탄화수소기로는, 분기 사슬형의 알킬렌기가 바람직하고, 구체적으로는, -CH(CH3)-, -CH(CH2CH3)-, -C(CH3)2-, -C(CH3)(CH2CH3)-, -C(CH3)(CH2CH2CH3)-, -C(CH2CH3)2- 등의 알킬메틸렌기 ; -CH(CH3)CH2-, -CH(CH3)CH(CH3)-, -C(CH3)2CH2-, -CH(CH2CH3)CH2-, -C(CH2CH3)2-CH2- 등의 알킬에틸렌기 ; -CH(CH3)CH2CH2-, -CH2CH(CH3)CH2- 등의 알킬트리메틸렌기 ; -CH(CH3)CH2CH2CH2-, -CH2CH(CH3)CH2CH2- 등의 알킬테트라메틸렌기 등의 알킬알킬렌기 등을 들 수 있다. 알킬알킬렌기에 있어서의 알킬기로는, 탄소수 1 ∼ 5 의 직사슬형의 알킬기가 바람직하다.The branched chain aliphatic hydrocarbon group is preferably a branched chain alkylene group, specifically, -CH(CH 3 )-, -CH(CH 2 CH 3 )-, -C(CH 3 ) 2 -, Alkylmethylene groups, such as -C(CH 3 )(CH 2 CH 3 )-, -C(CH 3 )(CH 2 CH 2 CH 3 )-, -C(CH 2 CH 3 ) 2 -; -CH(CH 3 )CH 2 -, -CH(CH 3 )CH(CH 3 )-, -C(CH 3 ) 2 CH 2 -, -CH(CH 2 CH 3 )CH 2 -, -C(CH 2 CH 3) 2 -CH 2 - alkyl group such as ethylene; Alkyltrimethylene groups, such as -CH(CH 3 )CH 2 CH 2 -, -CH 2 CH(CH 3 )CH 2 -; Alkylalkylene groups, such as alkyltetramethylene groups, such as -CH(CH 3 )CH 2 CH 2 CH 2 -, -CH 2 CH(CH 3 )CH 2 CH 2 -, etc. are mentioned. As the alkyl group in the alkylalkylene group, a linear alkyl group having 1 to 5 carbon atoms is preferable.

또, R101 에 있어서의 고리형의 탄화수소기는, 복소 고리 등과 같이 헤테로 원자를 포함해도 된다. 구체적으로는, 상기 일반식 (a2-r-1) ∼ (a2-r-7) 로 각각 나타내는 락톤 함유 고리형기, 상기 일반식 (a5-r-1) ∼ (a5-r-4) 로 각각 나타내는 -SO2- 함유 고리형기, 그 외 하기 화학식 (r-hr-1) ∼ (r-hr-16) 으로 각각 나타내는 복소 고리형기를 들 수 있다.Moreover, the cyclic hydrocarbon group for R 101 may contain a hetero atom like a heterocyclic ring. Specifically, the lactone-containing cyclic groups represented by the general formulas (a2-r-1) to (a2-r-7), and the general formulas (a5-r-1) to (a5-r-4), respectively -SO 2 - containing cyclic groups shown, and heterocyclic groups each represented by the following formulas (r-hr-1) to (r-hr-16) are mentioned.

[화학식 29] [Formula 29]

Figure pat00029
Figure pat00029

R101 의 고리형기에 있어서의 치환기로는, 예를 들어, 알킬기, 알콕시기, 할로겐 원자, 할로겐화알킬기, 수산기, 카르보닐기, 니트로기 등을 들 수 있다. 치환기로서의 알킬기로는, 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬기가 바람직하고, 메틸기, 에틸기, 프로필기, n-부틸기, tert-부틸기가 가장 바람직하다.Examples of the substituent in the cyclic group of R 101 include an alkyl group, an alkoxy group, a halogen atom, a halogenated alkyl group, a hydroxyl group, a carbonyl group, and a nitro group. As the alkyl group as the substituent, an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms is preferable, and a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an n-butyl group and a tert-butyl group are most preferable.

치환기로서의 알콕시기로는, 탄소수 1 ∼ 5 의 알콕시기가 바람직하고, 메톡시기, 에톡시기, n-프로폭시기, 이소-프로폭시기, n-부톡시기, tert-부톡시기가 보다 바람직하고, 메톡시기, 에톡시기가 가장 바람직하다.The alkoxy group as the substituent is preferably an alkoxy group having 1 to 5 carbon atoms, more preferably a methoxy group, an ethoxy group, an n-propoxy group, an iso-propoxy group, an n-butoxy group, or a tert-butoxy group, and a methoxy group , an ethoxy group is most preferred.

치환기로서의 할로겐 원자로는, 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자, 요오드 원자 등을 들 수 있고, 불소 원자가 바람직하다.As a halogen atom as a substituent, a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, an iodine atom, etc. are mentioned, A fluorine atom is preferable.

치환기로서의 할로겐화알킬기로는, 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬기, 예를 들어 메틸기, 에틸기, 프로필기, n-부틸기, tert-부틸기 등의 수소 원자의 일부 또는 전부가 상기 할로겐 원자로 치환된 기를 들 수 있다.Examples of the halogenated alkyl group as the substituent include an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, for example, a group in which some or all of the hydrogen atoms such as a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an n-butyl group, and a tert-butyl group are substituted with the above halogen atoms. have.

치환기로서의 카르보닐기는, 고리형의 탄화수소기를 구성하는 메틸렌기 (-CH2-) 를 치환하는 기이다.The carbonyl group as a substituent is a group that substitutes for the methylene group (-CH 2 -) constituting the cyclic hydrocarbon group.

치환기를 가지고 있어도 되는 사슬형의 알킬기 : A chain alkyl group which may have a substituent:

R101 의 사슬형의 알킬기로는, 직사슬형 또는 분기 사슬형 중 어느 것이어도 된다.The linear alkyl group for R 101 may be either linear or branched.

직사슬형의 알킬기로는, 탄소수가 1 ∼ 20 인 것이 바람직하고, 탄소수 1 ∼ 15 인 것이 보다 바람직하고, 탄소수 1 ∼ 10 이 가장 바람직하다. 구체적으로는, 예를 들어, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 부틸기, 펜틸기, 헥실기, 헵틸기, 옥틸기, 노닐기, 데카닐기, 운데실기, 도데실기, 트리데실기, 이소트리데실기, 테트라데실기, 펜타데실기, 헥사데실기, 이소헥사데실기, 헵타데실기, 옥타데실기, 노나데실기, 이코실기, 헨이코실기, 도코실기 등을 들 수 있다.The linear alkyl group preferably has 1 to 20 carbon atoms, more preferably 1 to 15 carbon atoms, and most preferably 1 to 10 carbon atoms. Specifically, for example, a methyl group, an ethyl group, a propyl group, a butyl group, a pentyl group, a hexyl group, a heptyl group, an octyl group, a nonyl group, a decanyl group, an undecyl group, a dodecyl group, a tridecyl group, an isotridecyl group , tetradecyl group, pentadecyl group, hexadecyl group, isohexadecyl group, heptadecyl group, octadecyl group, nonadecyl group, icosyl group, henicosyl group, docosyl group and the like.

분기 사슬형의 알킬기로는, 탄소수가 3 ∼ 20 인 것이 바람직하고, 탄소수 3 ∼ 15 인 것이 보다 바람직하고, 탄소수 3 ∼ 10 이 가장 바람직하다. 구체적으로는, 예를 들어, 1-메틸에틸기, 1-메틸프로필기, 2-메틸프로필기, 1-메틸부틸기, 2-메틸부틸기, 3-메틸부틸기, 1-에틸부틸기, 2-에틸부틸기, 1-메틸펜틸기, 2-메틸펜틸기, 3-메틸펜틸기, 4-메틸펜틸기 등을 들 수 있다.The branched alkyl group preferably has 3 to 20 carbon atoms, more preferably 3 to 15 carbon atoms, and most preferably 3 to 10 carbon atoms. Specifically, for example, 1-methylethyl group, 1-methylpropyl group, 2-methylpropyl group, 1-methylbutyl group, 2-methylbutyl group, 3-methylbutyl group, 1-ethylbutyl group, 2 -Ethylbutyl group, 1-methylpentyl group, 2-methylpentyl group, 3-methylpentyl group, 4-methylpentyl group, etc. are mentioned.

치환기를 가지고 있어도 되는 사슬형의 알케닐기 : A chain alkenyl group which may have a substituent:

R101 의 사슬형의 알케닐기로는, 직사슬형 또는 분기 사슬형 중 어느 것이어도 되고, 탄소수가 2 ∼ 10 인 것이 바람직하고, 탄소수 2 ∼ 5 가 보다 바람직하고, 탄소수 2 ∼ 4 가 더욱 바람직하고, 탄소수 3 이 특히 바람직하다. 직사슬형의 알케닐기로는, 예를 들어, 비닐기, 프로페닐기 (알릴기), 부티닐기 등을 들 수 있다. 분기 사슬형의 알케닐기로는, 예를 들어, 1-메틸비닐기, 2-메틸비닐기, 1-메틸프로페닐기, 2-메틸프로페닐기 등을 들 수 있다.The chain alkenyl group for R 101 may be either linear or branched, preferably having 2 to 10 carbon atoms, more preferably 2 to 5 carbon atoms, still more preferably 2 to 4 carbon atoms. and having 3 carbon atoms is particularly preferable. As a linear alkenyl group, a vinyl group, a propenyl group (allyl group), a butynyl group etc. are mentioned, for example. As a branched alkenyl group, 1-methylvinyl group, 2-methylvinyl group, 1-methylpropenyl group, 2-methylpropenyl group etc. are mentioned, for example.

사슬형의 알케닐기로는, 상기 중에서도, 직사슬형의 알케닐기가 바람직하고, 비닐기, 프로페닐기가 보다 바람직하고, 비닐기가 특히 바람직하다.As the chain alkenyl group, among the above, a linear alkenyl group is preferable, a vinyl group and a propenyl group are more preferable, and a vinyl group is particularly preferable.

R101 의 사슬형의 알킬기 또는 알케닐기에 있어서의 치환기로는, 예를 들어, 알콕시기, 할로겐 원자, 할로겐화알킬기, 수산기, 카르보닐기, 니트로기, 아미노기, 상기 R101 에 있어서의 고리형기 등을 들 수 있다.Examples of the substituent in the chain alkyl or alkenyl group for R 101 include an alkoxy group, a halogen atom, a halogenated alkyl group, a hydroxyl group, a carbonyl group, a nitro group, an amino group, and a cyclic group for R 101 . can

그 중에서도, R101 은, 치환기를 가져도 되는 고리형기가 바람직하고, 치환기를 가져도 되는 고리형의 탄화수소기인 것이 보다 바람직하다. 보다 구체적으로는, 페닐기, 나프틸기, 폴리시클로알칸으로부터 1 개 이상의 수소 원자를 제거한 기 ; 상기 일반식 (a2-r-1), (a2-r-3) ∼ (a2-r-7) 로 각각 나타내는 락톤 함유 고리형기 ; 상기 일반식 (a5-r-1) ∼ (a5-r-4) 로 각각 나타내는 -SO2- 함유 고리형기 등이 바람직하다.Among them, R 101 is preferably a cyclic group which may have a substituent, and more preferably a cyclic hydrocarbon group which may have a substituent. More specifically, a group in which one or more hydrogen atoms have been removed from a phenyl group, a naphthyl group, or a polycycloalkane; lactone-containing cyclic groups each represented by the general formulas (a2-r-1) and (a2-r-3) to (a2-r-7); -SO 2 - containing cyclic groups each represented by the above general formulas (a5-r-1) to (a5-r-4) are preferable.

상기 식 (b-1) 중, Y101 은, 단결합 또는 산소 원자를 포함하는 2 가의 연결기이다. Y101 이 산소 원자를 포함하는 2 가의 연결기인 경우, 그 Y101 은, 산소 원자 이외의 원자를 함유해도 된다. 산소 원자 이외의 원자로는, 예를 들어 탄소 원자, 수소 원자, 황 원자, 질소 원자 등을 들 수 있다.In the formula (b-1), Y 101 is a single bond or a divalent linking group containing an oxygen atom. When Y 101 is a divalent linking group containing an oxygen atom, Y 101 may contain atoms other than an oxygen atom. As atoms other than an oxygen atom, a carbon atom, a hydrogen atom, a sulfur atom, a nitrogen atom, etc. are mentioned, for example.

이러한 산소 원자를 포함하는 2 가의 연결기로는, 예를 들어, 상기 일반식 (y-al-1) ∼ (y-al-8) 로 각각 나타내는 연결기를 들 수 있다.Examples of the divalent linking group containing such an oxygen atom include linking groups represented by the general formulas (y-al-1) to (y-al-8).

Y101 로는, 에스테르 결합을 포함하는 2 가의 연결기, 또는 에테르 결합을 포함하는 2 가의 연결기가 바람직하고, 상기 일반식 (y-al-1) ∼ (y-al-5) 로 각각 나타내는 연결기가 보다 바람직하다.As Y 101 , a divalent linking group containing an ester bond or a divalent linking group containing an ether bond is preferable, and the linking groups each represented by the general formulas (y-al-1) to (y-al-5) are more desirable.

상기 식 (b-1) 중, V101 은, 단결합, 알킬렌기 또는 불소화알킬렌기이다. V101 에 있어서의 알킬렌기, 불소화알킬렌기는, 탄소수 1 ∼ 4 인 것이 바람직하다. V101 에 있어서의 불소화알킬렌기로는, V101 에 있어서의 알킬렌기의 수소 원자의 일부 또는 전부가 불소 원자로 치환된 기를 들 수 있다. 그 중에서도, V101 은, 단결합, 또는 탄소수 1 ∼ 4 의 불소화알킬렌기인 것이 바람직하다.In the formula (b-1), V 101 is a single bond, an alkylene group, or a fluorinated alkylene group. The alkylene group and the fluorinated alkylene group for V 101 preferably have 1 to 4 carbon atoms. A fluorinated alkylene group in the V 101 is, a part or all of the hydrogen atoms of the alkylene group of the 101 V may be substituted with a fluorine atom. Among them, V 101 is preferably a single bond or a fluorinated alkylene group having 1 to 4 carbon atoms.

상기 식 (b-1) 중, R102 는, 불소 원자 또는 탄소수 1 ∼ 5 의 불소화알킬기이다. R102 는, 불소 원자 또는 탄소수 1 ∼ 5 의 퍼플루오로알킬기인 것이 바람직하고, 불소 원자인 것이 보다 바람직하다.In the formula (b-1), R 102 is a fluorine atom or a fluorinated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms. It is preferable that it is a fluorine atom or a C1-C5 perfluoroalkyl group, and, as for R 102, it is more preferable that it is a fluorine atom.

(b-1) 성분의 아니온부의 구체예로는, 예를 들어, Y101 이 단결합이 되는 경우, 트리플루오로메탄술포네이트 아니온이나 퍼플루오로부탄술포네이트 아니온 등의 불소화알킬술포네이트 아니온을 들 수 있고 ; Y101 이 산소 원자를 포함하는 2 가의 연결기인 경우, 하기 식 (an-1) ∼ (an-3) 중 어느 것으로 나타내는 아니온을 들 수 있다.Specific examples of the anion moiety of the component (b-1) include, for example, when Y 101 is a single bond, fluorinated alkylsulfo such as trifluoromethanesulfonate anion and perfluorobutanesulfonate anion nate anions; When Y 101 is a divalent linking group containing an oxygen atom, an anion represented by any of the following formulas (an-1) to (an-3) is exemplified.

[화학식 30] [Formula 30]

Figure pat00030
Figure pat00030

[식 중, R"101 은, 치환기를 가져도 되는 지방족 고리형기, 상기 화학식 (r-hr-1) ∼ (r-hr-6) 으로 각각 나타내는 1 가의 복소 고리형기, 또는 치환기를 가져도 되는 사슬형의 알킬기이다. R"102 는, 치환기를 가져도 되는 지방족 고리형기, 상기 일반식 (a2-r-1), (a2-r-3) ∼ (a2-r-7) 로 각각 나타내는 락톤 함유 고리형기, 또는 상기 일반식 (a5-r-1) ∼ (a5-r-4) 로 각각 나타내는 -SO2- 함유 고리형기이다. R"103 은, 치환기를 가져도 되는 방향족 고리형기, 치환기를 가져도 되는 지방족 고리형기, 또는 치환기를 가져도 되는 사슬형의 알케닐기이다. V"101 은, 단결합, 탄소수 1 ∼ 4 의 알킬렌기, 또는 탄소수 1 ∼ 4 의 불소화알킬렌기이다. R102 는, 불소 원자 또는 탄소수 1 ∼ 5 의 불소화알킬기이다. v" 는 각각 독립적으로 0 ∼ 3 의 정수이며, q" 는 각각 독립적으로 1 ∼ 20 의 정수이며, n" 는 0 또는 1 이다.] [wherein, R" 101 is an aliphatic cyclic group which may have a substituent, a monovalent heterocyclic group each represented by the formulas (r-hr-1) to (r-hr-6), or a substituent which may be It is a chain alkyl group. R" 102 is an optionally substituted aliphatic cyclic group, and a lactone represented by the general formulas (a2-r-1) and (a2-r-3) to (a2-r-7), respectively. a containing cyclic group, or a -SO 2 - containing cyclic group each represented by the general formulas (a5-r-1) to (a5-r-4). R" 103 is an optionally substituted aromatic cyclic group, an optionally substituted aliphatic cyclic group, or an optionally substituted chain alkenyl group. V" 101 is a single bond, an alkyl having 1 to 4 carbon atoms. a lene group or a fluorinated alkylene group having 1 to 4 carbon atoms. R 102 is a fluorine atom or a fluorinated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms. v" is each independently an integer from 0 to 3, q" is each independently an integer from 1 to 20, and n" is 0 or 1.]

R"101, R"102 및 R"103 의 치환기를 가져도 되는 지방족 고리형기는, 상기 R101 에 있어서의 고리형의 지방족 탄화수소기로서 예시한 기인 것이 바람직하다. 상기 치환기로는, R101 에 있어서의 고리형의 지방족 탄화수소기를 치환해도 되는 치환기와 동일한 것을 들 수 있다.R "101, R" 102 and R "aliphatic cyclic group which may have a 103 substituent group is a group exemplified as the aliphatic hydrocarbon group of annular in said R 101 is preferably In the above substituents, R 101 The same thing as the substituent which may substitute the cyclic aliphatic hydrocarbon group in this is mentioned.

R"103 에 있어서의 치환기를 가져도 되는 방향족 고리형기는, 상기 R101 에 있어서의 고리형의 탄화수소기에 있어서의 방향족 탄화수소기로서 예시한 기인 것이 바람직하다. 상기 치환기로는, R101 에 있어서의 그 방향족 탄화수소기를 치환해도 되는 치환기와 동일한 것을 들 수 있다.R "aromatic cyclic group which may have a substituent in the 103 is preferably a group exemplified as the aromatic hydrocarbon group in groups a hydrocarbon of type rings in the above-mentioned R 101. As the substituent of the R 101 The same thing as the substituent which may substitute the aromatic hydrocarbon group is mentioned.

R"101 에 있어서의 치환기를 가져도 되는 사슬형의 알킬기는, 상기 R101 에 있어서의 사슬형의 알킬기로서 예시한 기인 것이 바람직하다. R"104 에 있어서의 치환기를 가지고 있어도 되는 사슬형의 알케닐기는, 상기 R101 에 있어서의 사슬형의 알케닐기로서 예시한 기인 것이 바람직하다.R "group of the chain which may have a substituent in the 101, is due exemplified as the alkyl group of the chain-like in the above-mentioned R 101 is preferable. R" 104 Al of chain which may have a substituent in the The kenyl group is preferably the group exemplified as the chain alkenyl group for R 101 .

V"101 은, 바람직하게는 단결합 또는 불소화알킬렌기이며, 보다 바람직하게는 단결합 또는 탄소수 1 ∼ 3 의 불소화알킬렌기이다. V"101 이 불소화알킬렌기인 경우 -V"101-C(F)(R"102)-SO3 - 에 있어서의 V"101 은, -CF2-, -CHF-, -CF2CF2-, -CHFCF2-, -CF(CF3)CF2-, -CH(CF3)CF2- 인 것이 바람직하고, -CF2-, -CHF- 가 보다 바람직하다.V" 101 is preferably a single bond or a fluorinated alkylene group, more preferably a single bond or a fluorinated alkylene group having 1 to 3 carbon atoms. When V" 101 is a fluorinated alkylene group -V" 101 -C(F V" 101 in (R" 102 )-SO 3 - is -CF 2 -, -CHF-, -CF 2 CF 2 -, -CHFCF 2 -, -CF(CF 3 )CF 2 -, - It is preferable that it is CH(CF 3 )CF 2 -, and -CF 2 -, -CHF- are more preferable.

R102 는, 불소 원자 또는 탄소수 1 ∼ 5 의 불소화알킬기이다. R102 는, 불소 원자 또는 탄소수 1 ∼ 5 의 퍼플루오로알킬기인 것이 바람직하고, 불소 원자인 것이 보다 바람직하다.R 102 is a fluorine atom or a fluorinated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms. It is preferable that it is a fluorine atom or a C1-C5 perfluoroalkyl group, and, as for R 102, it is more preferable that it is a fluorine atom.

v" 는, 0 ∼ 3 의 정수이며, 바람직하게는 0 또는 1 이다. q" 는, 1 ∼ 20 의 정수이며, 바람직하게는 1 ∼ 10 의 정수이며, 보다 바람직하게는 1 ∼ 5 의 정수이며, 더욱 바람직하게는 1, 2 또는 3 이며, 특히 바람직하게는 1 또는 2 이다. n" 는, 0 또는 1 이다.v" is an integer of 0-3, Preferably it is 0 or 1. q" is an integer of 1-20, Preferably it is an integer of 1-10, More preferably, it is an integer of 1-5 , more preferably 1, 2 or 3, particularly preferably 1 or 2. n" is 0 or 1.

·(b-2) 성분의 아니온부 -(b-2) anion part of component

식 (b-2) 중, R104, R105 는, 각각 독립적으로, 치환기를 가져도 되는 고리형기, 치환기를 가져도 되는 사슬형의 알킬기, 또는 치환기를 가져도 되는 사슬형의 알케닐기이며, 각각, 상기 식 (b-1) 중의 R101 과 동일한 것을 들 수 있다. 단, R104, R105 는, 서로 결합하여 고리를 형성하고 있어도 된다.In formula (b-2), R 104 and R 105 are each independently a cyclic group which may have a substituent, a chain alkyl group which may have a substituent, or a chain alkenyl group which may have a substituent, The same thing as R 101 in said Formula (b-1) is mentioned, respectively, respectively. However, R 104 and R 105 may be bonded to each other to form a ring.

R104, R105 는, 치환기를 가져도 되는 사슬형의 알킬기가 바람직하고, 직사슬형 혹은 분기 사슬형의 알킬기, 또는 직사슬형 혹은 분기 사슬형의 불소화알킬기인 것이 보다 바람직하다. R 104 and R 105 are preferably a linear alkyl group which may have a substituent, and more preferably a linear or branched alkyl group, or a linear or branched fluorinated alkyl group.

그 사슬형의 알킬기의 탄소수는, 1 ∼ 10 인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 탄소수 1 ∼ 7, 더욱 바람직하게는 탄소수 1 ∼ 3 이다. R104, R105 의 사슬형의 알킬기의 탄소수는, 상기 탄소수의 범위 내에 있어서, 레지스트용 용제에 대한 용해성도 양호하다는 등의 이유에 의해, 작을수록 바람직하다. 또, R104, R105 의 사슬형의 알킬기에 있어서는, 불소 원자로 치환되어 있는 수소 원자의 수가 많을수록, 산의 강도가 강해지기 때문에, 바람직하다. 상기 사슬형의 알킬기 중의 불소 원자의 비율, 즉 불소화율은, 바람직하게는 70 ∼ 100 %, 더욱 바람직하게는 90 ∼ 100 % 이며, 가장 바람직하게는, 모든 수소 원자가 불소 원자로 치환된 퍼플루오로알킬기이다.The chain alkyl group preferably has 1 to 10 carbon atoms, more preferably 1 to 7 carbon atoms, and still more preferably 1 to 3 carbon atoms. The carbon number of the chain alkyl group of R 104 and R 105 is preferably smaller within the above carbon number range for reasons such as good solubility in the resist solvent. Also, R 104, in the alkyl chain of R 105, the more the number of hydrogen atoms being substituted by fluorine atoms, it is, preferable, since the strength of the strong acid. The proportion of fluorine atoms in the chain alkyl group, that is, the fluorination rate, is preferably 70 to 100%, more preferably 90 to 100%, and most preferably, a perfluoroalkyl group in which all hydrogen atoms are substituted with fluorine atoms. to be.

식 (b-2) 중, V102, V103 은, 각각 독립적으로, 단결합, 알킬렌기, 또는 불소화알킬렌기이며, 각각, 식 (b-1) 중의 V101 과 동일한 것을 들 수 있다.In formula (b-2), V 102 and V 103 each independently represent a single bond, an alkylene group, or a fluorinated alkylene group, and the same as those of V 101 in formula (b-1) can be mentioned.

식 (b-2) 중, L101, L102 는, 각각 독립적으로 단결합 또는 산소 원자이다. In formula (b-2), L 101 and L 102 are each independently a single bond or an oxygen atom.

·(b-3) 성분의 아니온부 -(b-3) anion part of component

식 (b-3) 중, R106 ∼ R108 은, 각각 독립적으로, 치환기를 가져도 되는 고리형기, 치환기를 가져도 되는 사슬형의 알킬기, 또는 치환기를 가져도 되는 사슬형의 알케닐기이며, 각각, 식 (b-1) 중의 R101 과 동일한 것을 들 수 있다.In formula (b-3), R 106 to R 108 are each independently a cyclic group which may have a substituent, a chain alkyl group which may have a substituent, or a chain alkenyl group which may have a substituent, The same thing as R 101 in Formula (b-1) is mentioned, respectively.

L103 ∼ L105 는, 각각 독립적으로, 단결합, -CO- 또는 -SO2- 이다.L 103 to L 105 are each independently a single bond, -CO-, or -SO 2 -.

{카티온부} {Cathion part}

식 (b-1), (b-2) 및 (b-3) 중, m 은 1 이상의 정수이고, M'm+ 는 m 가의 오늄 카티온이며, 술포늄 카티온, 요오드늄 카티온을 바람직하게 들 수 있고, 예를 들어 하기 일반식 (ca-1) ∼ (ca-4) 로 각각 나타내는 유기 카티온을 들 수 있다.In formulas (b-1), (b-2) and (b-3), m is an integer of 1 or more, M' m+ is an m-valent onium cation, preferably a sulfonium cation or an iodonium cation Examples thereof include organic cations represented by the following general formulas (ca-1) to (ca-4).

[화학식 31] [Formula 31]

Figure pat00031
Figure pat00031

[식 중, R201 ∼ R207 및 R211 ∼ R212 는 각각 독립적으로, 치환기를 가져도 되는 아릴기, 치환기를 가져도 되는 알킬기, 또는 치환기를 가져도 되는 알케닐기를 나타낸다. R201 ∼ R203, R206 ∼ R207, R211 ∼ R212 는 각각, 서로 결합하여 식 중의 황 원자와 함께 고리를 형성하고 있어도 된다. R208 ∼ R209 는, 각각 독립적으로, 수소 원자 혹은 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬기를 나타내거나, 또는 서로 결합하여 식 중의 황 원자와 함께 고리를 형성하고 있어도 된다. R210 은, 치환기를 가져도 되는 아릴기, 치환기를 가져도 되는 알킬기, 치환기를 가져도 되는 알케닐기, 또는 치환기를 가져도 되는 -SO2- 함유 고리형기이다. L201 은, -C(=O)- 또는 -C(=O)-O- 를 나타낸다. 복수의 Y201 은 각각 독립적으로, 아릴렌기, 알킬렌기 또는 알케닐렌기를 나타낸다. x 는, 1 또는 2 이다. W201 은, (x + 1) 가의 연결기를 나타낸다.] [wherein, R 201 to R 207 and R 211 to R 212 each independently represent an optionally substituted aryl group, optionally substituted alkyl group, or optionally substituted alkenyl group. R 201 to R 203 , R 206 to R 207 , and R 211 to R 212 may each be bonded to each other to form a ring together with the sulfur atom in the formula. R 208 to R 209 each independently represent a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, or may be bonded to each other to form a ring together with the sulfur atom in the formula. R 210 is an aryl group which may have a substituent, an alkyl group which may have a substituent, an alkenyl group which may have a substituent, or a —SO 2 — containing cyclic group which may have a substituent. L 201 represents -C(=O)- or -C(=O)-O-. A plurality of Y 201 each independently represents an arylene group, an alkylene group, or an alkenylene group. x is 1 or 2. W 201 represents a (x+1) valent linking group.]

R201 ∼ R207 및 R211 ∼ R212 에 있어서의 아릴기로는, 탄소수 6 ∼ 20 의 아릴기를 들 수 있고, 페닐기, 나프틸기가 바람직하다.Examples of the aryl group for R 201 to R 207 and R 211 to R 212 include an aryl group having 6 to 20 carbon atoms, and a phenyl group and a naphthyl group are preferable.

R201 ∼ R207 및 R211 ∼ R212 에 있어서의 알킬기로는, 사슬형 또는 고리형의 알킬기이고, 탄소수 1 ∼ 30 의 것이 바람직하다.The alkyl group for R 201 to R 207 and R 211 to R 212 is a chain or cyclic alkyl group, and preferably has 1 to 30 carbon atoms.

R201 ∼ R207 및 R211 ∼ R212 에 있어서의 알케닐기로는, 탄소수가 2 ∼ 10 인 것이 바람직하다.The alkenyl group for R 201 to R 207 and R 211 to R 212 preferably has 2 to 10 carbon atoms.

R201 ∼ R207 및 R211 ∼ R212 가 가져도 되는 치환기로는, 예를 들어, 알킬기, 할로겐 원자, 할로겐화알킬기, 카르보닐기, 시아노기, 아미노기, 아릴기, 하기 일반식 (ca-r-1) ∼ (ca-r-7) 로 각각 나타내는 기를 들 수 있다.Examples of the substituent which R 201 to R 207 and R 211 to R 212 may have include an alkyl group, a halogen atom, a halogenated alkyl group, a carbonyl group, a cyano group, an amino group, an aryl group, and the following general formula (ca-r-1 ) to (ca-r-7).

[화학식 32] [Formula 32]

Figure pat00032
Figure pat00032

[식 중, R'201 은, 각각 독립적으로, 수소 원자, 치환기를 가지고 있어도 되는 고리형기, 치환기를 가지고 있어도 되는 사슬형의 알킬기, 또는 치환기를 가지고 있어도 되는 사슬형의 알케닐기이다.] [ Wherein, R'201 is each independently a hydrogen atom, a cyclic group which may have a substituent, a chain alkyl group which may have a substituent, or a chain alkenyl group which may have a substituent.]

R'201 의 치환기를 가지고 있어도 되는 고리형기, 치환기를 가지고 있어도 되는 사슬형의 알킬기, 또는 치환기를 가지고 있어도 되는 사슬형의 알케닐기는, 상기 서술하는 식 (b-1) 중의 R101 과 동일한 것을 들 수 있는 외에, 치환기를 가지고 있어도 되는 고리형기 또는 치환기를 가지고 있어도 되는 사슬형의 알킬기로서, 상기 서술한 식 (a1-r-2) 로 나타내는 산해리성기와 동일한 것도 들 수 있다. The cyclic group which may have a substituent for R' 201 , the chain alkyl group which may have a substituent, or the chain alkenyl group which may have a substituent is the same as R 101 in the above formula (b-1). Examples of the cyclic group which may have a substituent or the chain-like alkyl group which may have a substituent other than those mentioned above include those similar to the acid dissociable group represented by the above formula (a1-r-2).

R201 ∼ R203, R206 ∼ R207, R211 ∼ R212 는, 서로 결합하여 식 중의 황 원자와 함께 고리를 형성하는 경우, 황 원자, 산소 원자, 질소 원자 등의 헤테로 원자나, 카르보닐기, -SO-, -SO2-, -SO3-, -COO-, -CONH- 또는 -N(RN)- (그 RN 은 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬기이다.) 등의 관능기를 개재하여 결합해도 된다. 형성되는 고리로는, 식 중의 황 원자를 그 고리 골격에 포함하는 1 개의 고리가, 황 원자를 포함하여, 3 ∼ 10 원 고리인 것이 바람직하고, 5 ∼ 7 원 고리인 것이 특히 바람직하다. 형성되는 고리의 구체예로는, 예를 들어 티오펜 고리, 티아졸 고리, 벤조티오펜 고리, 티안트렌 고리, 벤조티오펜 고리, 디벤조티오펜 고리, 9H-티오크산텐 고리, 티오크산톤 고리, 티안트렌 고리, 페녹사티인 고리, 테트라하이드로티오페늄 고리, 테트라하이드로티오피라늄 고리 등을 들 수 있다.When R 201 to R 203 , R 206 to R 207 , and R 211 to R 212 are bonded to each other to form a ring together with a sulfur atom in the formula, a hetero atom such as a sulfur atom, an oxygen atom or a nitrogen atom, or a carbonyl group; -SO-, -SO 2 -, -SO 3 -, -COO-, -CONH-, or -N(R N )- (R N is an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms). You can do it. As a ring to be formed, it is preferable that it is a 3-10 membered ring including a sulfur atom, and it is especially preferable that one ring which contains the sulfur atom in the formula is a 5-7 membered ring. Specific examples of the ring to be formed include, for example, a thiophene ring, a thiazole ring, a benzothiophene ring, a thianthrene ring, a benzothiophene ring, a dibenzothiophene ring, a 9H-thioxanthene ring, a thioxanthone ring a ring, a thianthrene ring, a phenoxatiin ring, a tetrahydrothiophenium ring, a tetrahydrothiopyranium ring, etc. are mentioned.

R208 ∼ R209 는, 각각 독립적으로, 수소 원자 또는 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬기를 나타내고, 수소 원자 또는 탄소수 1 ∼ 3 의 알킬기가 바람직하고, 알킬기가 되는 경우, 서로 결합하여 고리를 형성해도 된다.R 208 to R 209 each independently represent a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, preferably a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 3 carbon atoms, and when they become an alkyl group, they may combine with each other to form a ring.

R210 은, 치환기를 가지고 있어도 되는 아릴기, 치환기를 가지고 있어도 되는 알킬기, 치환기를 가지고 있어도 되는 알케닐기, 또는 치환기를 가지고 있어도 되는 -SO2- 함유 고리형기이다.R 210 is an aryl group which may have a substituent, an alkyl group which may have a substituent, an alkenyl group which may have a substituent, or -SO 2 - containing cyclic group which may have a substituent.

R210 에 있어서의 아릴기로는, 탄소수 6 ∼ 20 의 무치환의 아릴기를 들 수 있고, 페닐기, 나프틸기가 바람직하다.Examples of the aryl group for R 210 include an unsubstituted aryl group having 6 to 20 carbon atoms, and a phenyl group and a naphthyl group are preferable.

R210 에 있어서의 알킬기로는, 사슬형 또는 고리형의 알킬기이고, 탄소수 1 ∼ 30 의 것이 바람직하다.The alkyl group for R 210 is a chain or cyclic alkyl group, and preferably has 1 to 30 carbon atoms.

R210 에 있어서의 알케닐기로는, 탄소수가 2 ∼ 10 인 것이 바람직하다. R210 에 있어서의, 치환기를 가지고 있어도 되는 -SO2- 함유 고리형기로는, 「-SO2- 함유 다고리형기」가 바람직하고, 상기 일반식 (a5-r-1) 로 나타내는 기가 보다 바람직하다.The alkenyl group for R 210 preferably has 2 to 10 carbon atoms. As the -SO 2 - containing cyclic group which may have a substituent in R 210 , "-SO 2 - containing polycyclic group" is preferable, and the group represented by the general formula (a5-r-1) is more preferable. Do.

Y201 은, 각각 독립적으로, 아릴렌기, 알킬렌기 또는 알케닐렌기를 나타낸다.Y 201 each independently represents an arylene group, an alkylene group, or an alkenylene group.

Y201 에 있어서의 아릴렌기는, 후술하는 식 (b-1) 중의 R101 에 있어서의 방향족 탄화수소기로서 예시한 아릴기로부터 수소 원자를 1 개 제거한 기를 들 수 있다.Examples of the arylene group for Y 201 include groups in which one hydrogen atom has been removed from the aryl group exemplified as the aromatic hydrocarbon group for R 101 in Formula (b-1) to be described later.

Y201 에 있어서의 알킬렌기, 알케닐렌기는, 상기 서술하는 식 (b-1) 중의 R101 에 있어서의 사슬형의 알킬기, 사슬형의 알케닐기로서 예시한 기로부터 수소 원자를 1 개 제거한 기를 들 수 있다.Examples of the alkylene group and the alkenylene group for Y 201 include groups in which one hydrogen atom has been removed from the groups exemplified as the chain alkyl group and chain alkenyl group for R 101 in the formula (b-1) described above. can

상기 식 (ca-4) 중, x 는, 1 또는 2 이다.In the formula (ca-4), x is 1 or 2.

W201 은, (x + 1) 가, 즉 2 가 또는 3 가의 연결기이다. W 201 is a (x+1) valent, that is, a divalent or trivalent linking group.

W201 에 있어서의 2 가의 연결기로는, 치환기를 가지고 있어도 되는 2 가의 탄화수소기가 바람직하고, 상기 서술한 일반식 (a2-1) 중의 Ya21 과 동일한, 치환기를 가지고 있어도 되는 2 가의 탄화수소기를 예시할 수 있다. W201 에 있어서의 2 가의 연결기는, 직사슬형, 분기 사슬형, 고리형 중 어느 것이어도 되고, 고리형인 것이 바람직하다. 그 중에서도, 아릴렌기의 양단에 2 개의 카르보닐기가 조합된 기가 바람직하다. 아릴렌기로는, 페닐렌기, 나프틸렌기 등을 들 수 있고, 페닐렌기가 특히 바람직하다.As the divalent linking group for W 201 , a divalent hydrocarbon group which may have a substituent is preferable, and examples of the same divalent hydrocarbon group which may have a substituent as for Ya 21 in the above-mentioned general formula (a2-1) are exemplified. can The divalent linking group for W 201 may be linear, branched or cyclic, and is preferably cyclic. Among them, a group in which two carbonyl groups are combined at both ends of an arylene group is preferable. As an arylene group, a phenylene group, a naphthylene group, etc. are mentioned, A phenylene group is especially preferable.

W201 에 있어서의 3 가의 연결기로는, 상기 W201 에 있어서의 2 가의 연결기로부터 수소 원자를 1 개 제거한 기, 상기 2 가의 연결기에 추가로 상기 2 가의 연결기가 결합한 기 등을 들 수 있다. W201 에 있어서의 3 가의 연결기로는, 아릴렌기에 2 개의 카르보닐기가 결합한 기가 바람직하다.Connection of the trivalent group is 201 W, and 201 W the group 1 to remove the hydrogen atom from the divalent linking group in, in addition to the divalent linking group, and the like which combines the divalent connecting group. The trivalent linking group for W 201 is preferably a group in which two carbonyl groups are bonded to an arylene group.

상기 식 (ca-1) 로 나타내는 바람직한 카티온으로서 구체적으로는, 하기 화학식 (ca-1-1) ∼ (ca-1-78), (ca-1-101) ∼ (ca-1-149) 로 각각 나타내는 카티온을 들 수 있다.Specifically, as a preferable cation represented by the formula (ca-1), the following formulas (ca-1-1) to (ca-1-78), (ca-1-101) to (ca-1-149) and cations each represented by .

하기 화학식 중, g1 은 반복수를 나타내고, g1 은 1 ∼ 5 의 정수이다. g2 는 반복수를 나타내고, g2 는 0 ∼ 20 의 정수이다. g3 은 반복수를 나타내고, g3 은 0 ∼ 20 의 정수이다.In the following formula, g1 represents the number of repetitions, and g1 is an integer of 1 to 5. g2 represents the number of repetitions, and g2 is an integer of 0-20. g3 represents the number of repetitions, and g3 is an integer of 0-20.

[화학식 33] [Formula 33]

Figure pat00033
Figure pat00033

[화학식 34] [Formula 34]

Figure pat00034
Figure pat00034

[화학식 35] [Formula 35]

Figure pat00035
Figure pat00035

[화학식 36] [Formula 36]

Figure pat00036
Figure pat00036

[화학식 37] [Formula 37]

Figure pat00037
Figure pat00037

[화학식 38] [Formula 38]

Figure pat00038
Figure pat00038

[화학식 39] [Formula 39]

Figure pat00039
Figure pat00039

[화학식 40] [Formula 40]

Figure pat00040
Figure pat00040

[화학식 41] [Formula 41]

Figure pat00041
Figure pat00041

[화학식 42] [Formula 42]

Figure pat00042
Figure pat00042

[식 중, R"201 은 수소 원자 또는 치환기이다. 그 치환기로는, 상기 R201 ∼ R207 및 R211 ∼ R212 가 가져도 되는 치환기로서 든, 알킬기, 할로겐 원자, 할로겐화알킬기, 카르보닐기, 시아노기, 아미노기, 아릴기, 일반식 (ca-r-1) ∼ (ca-r-7) 로 각각 나타내는 기를 들 수 있다.] [Wherein, R" 201 is a hydrogen atom or a substituent. Examples of the substituent include an alkyl group, a halogen atom, a halogenated alkyl group, a carbonyl group, and cya, which R 201 to R 207 and R 211 to R 212 may have. and a no group, an amino group, an aryl group, and groups each represented by the general formulas (ca-r-1) to (ca-r-7).]

상기 식 (ca-2) 로 나타내는 바람직한 카티온으로서 구체적으로는, 하기 식 (ca-2-1) ∼ (ca-2-3) 으로 각각 나타내는 카티온, 디페닐요오드늄 카티온, 비스(4-tert-부틸페닐)요오드늄 카티온을 들 수 있다.As a preferable cation represented by said formula (ca-2), specifically, a cation, diphenyliodonium cation, and bis(4) respectively represented by the following formulas (ca-2-1) to (ca-2-3) -tert- butylphenyl) iodonium cation is mentioned.

[화학식 43] [Formula 43]

Figure pat00043
Figure pat00043

상기 식 (ca-3) 으로 나타내는 바람직한 카티온으로서 구체적으로는, 하기 식 (ca-3-1) ∼ (ca-3-7) 로 각각 나타내는 카티온을 들 수 있다. Specific examples of preferred cations represented by the formula (ca-3) include cations represented by the following formulas (ca-3-1) to (ca-3-7).

[화학식 44] [Formula 44]

Figure pat00044
Figure pat00044

상기 식 (ca-4) 로 나타내는 바람직한 카티온으로서 구체적으로는, 하기 식 (ca-4-1) ∼ (ca-4-2) 로 각각 나타내는 카티온을 들 수 있다.Specific examples of preferred cations represented by the formula (ca-4) include cations represented by the following formulas (ca-4-1) to (ca-4-2).

[화학식 45] [Formula 45]

Figure pat00045
Figure pat00045

상기 중에서도, 카티온부 ((Mm+)1/m) 는, 일반식 (ca-1) 또는 (ca-2) 로 나타내는 카티온이 바람직하고, 화학식 (ca-1-1) ∼ (ca-1-78), (ca-1-101) ∼ (ca-1-149) 및 화학식 (ca-2-1) ∼ (ca-2-3) 으로 각각 나타내는 카티온이 보다 바람직하다.Among the above, as for the cation moiety ((M m+ ) 1/m ), a cation represented by the general formula (ca-1) or (ca-2) is preferable, and the cation moiety ((M m+ ) 1/m ) is preferably a cation represented by the general formulas (ca-1-1) to (ca-1). -78), (ca-1-101) to (ca-1-149) and a cation represented by the formulas (ca-2-1) to (ca-2-3) are more preferable.

본 실시형태의 레지스트 조성물에 있어서, (B1) 성분은, 1 종을 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 병용해도 된다.In the resist composition of this embodiment, the component (B1) may be used individually by 1 type, and may use 2 or more types together.

레지스트 조성물이 (B1) 성분을 함유하는 경우, 레지스트 조성물 중, (B1) 성분의 함유량은, (A) 성분 100 질량부에 대해, 50 질량부 이하가 바람직하고, 0.1 ∼ 40 질량부가 보다 바람직하고, 0.1 ∼ 30 질량부가 더욱 바람직하고, 0.1 ∼ 20 질량부가 특히 바람직하다.When the resist composition contains component (B1), the content of component (B1) in the resist composition is preferably 50 parts by mass or less, more preferably 0.1 to 40 parts by mass, based on 100 parts by mass of component (A), , 0.1-30 mass parts is more preferable, and 0.1-20 mass parts is especially preferable.

<(C) 성분> <(C) component>

(C) 성분은, 가교제이다. (C) 성분으로는 특별히 한정되지 않고, 지금까지 네거티브형 레지스트 조성물의 가교제로서 알려져 있는 것 중에서 임의로 선택하여 사용할 수 있다. 이와 같은 산가교성 물질로는, 하이드록실기 또는 알콕실기를 갖는 아미노 수지, 예를 들어 멜라민 수지, 우레아 수지, 구아나민 수지, 아세토구아나민 수지, 벤조구아나민 수지, 글리콜우릴-포름알데하이드 수지, 숙시닐아미드-포름알데하이드 수지, 에틸렌우레아-포름알데하이드 수지 등을 들 수 있다. 이들은 멜라민, 우레아, 구아나민, 아세토구아나민, 벤조구아나민, 글리콜우릴, 숙시닐아미드, 에틸렌우레아를 비등수 중에서 포르말린과 반응시켜 메틸올화, 혹은 이것에 추가로 저급 알코올을 반응시켜 알콕실화함으로써 용이하게 얻어진다. 실용상은 니카락 MX-750, 니카락 MW-30, 니카락 MW100LM 등의 멜라민 수지, 니카락 MX-290 등의 우레아 수지 (모두 산와 케미컬사 제조) 로서 입수할 수 있다. 또, 사이멜 1123, 사이멜 1128 (미츠이 사이아나드사 제조) 등의 벤조구아나민 수지도 시판품으로서 입수할 수 있다.(C) A component is a crosslinking agent. The component (C) is not particularly limited, and can be arbitrarily selected from those known as crosslinking agents for negative resist compositions. Examples of such an acid-crosslinking material include an amino resin having a hydroxyl group or an alkoxyl group, for example, a melamine resin, a urea resin, a guanamine resin, an acetoguanamine resin, a benzoguanamine resin, a glycoluril-formaldehyde resin, and succinate. nylamide-formaldehyde resin, ethylene urea-formaldehyde resin, etc. are mentioned. These are easily methylolated by reacting melamine, urea, guanamine, acetoguanamine, benzoguanamine, glycoluril, succinylamide, and ethyleneurea with formalin in boiling water, or alkoxylation by further reacting a lower alcohol with it. is obtained A practical phase can be obtained as melamine resins, such as Nikalac MX-750, Nikalac MW-30, and Nikalac MW100LM, and urea resins, such as Nikalac MX-290 (all are the Sanwa Chemicals make). Moreover, benzoguanamine resins, such as Cymel 1123 and Cymel 1128 (made by Mitsui Cyanad), can also be obtained as a commercial item.

또, (C) 성분으로는, 1,3,5-트리스(메톡시메톡시)벤젠, 1,2,4-트리스(이소프로폭시메톡시)벤젠, 1,4-비스(sec-부톡시메톡시)벤젠 등의 알콕실기를 갖는 벤젠 화합물, 2,6-디하이드록시메틸-p-tert-부틸페놀 등의 하이드록실기 또는 알콕실기를 갖는 페놀 화합물 등도 사용할 수 있다.In addition, as component (C), 1,3,5-tris(methoxymethoxy)benzene, 1,2,4-tris(isopropoxymethoxy)benzene, 1,4-bis(sec-butoxy) A phenol compound having an alkoxyl group, such as a benzene compound having an alkoxyl group such as methoxy)benzene, or a hydroxyl group or an alkoxyl group such as 2,6-dihydroxymethyl-p-tert-butylphenol can also be used.

그 중에서도, (C) 성분으로는, -NCH2-OCH3 기를 갖는 것이 바람직하고, 하기 식 (c1-1) 또는 (c1-2) 로 나타내는 화합물이 보다 바람직하고, 하기 식 (c1-1) 또는 (c1-2) 로 나타내는, 멜라민 골격을 갖는 화합물이 더욱 바람직하다. Especially, as (C)component, it is preferable to have a -NCH 2 -OCH 3 group, the compound represented by following formula (c1-1) or (c1-2) is more preferable, following formula (c1-1) Or the compound which has a melamine skeleton represented by (c1-2) is more preferable.

[화학식 46] [Formula 46]

Figure pat00046
Figure pat00046

[식 중, nc1 및 nc2 는, 각각 독립적으로, 1 ∼ 3 의 정수이다.] [In the formula, nc1 and nc2 are each independently an integer of 1 to 3.]

(C) 성분은, 1 종을 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 조합하여 사용해도 된다. 본 실시형태의 레지스트 조성물 중, (C) 성분의 함유량은, (A) 성분 100 질량부에 대해, 1 ∼ 50 질량부인 것이 바람직하고, 3 ∼ 40 질량부가 보다 바람직하고, 3 ∼ 30 질량부가 더욱 바람직하고, 5 ∼ 25 질량부가 가장 바람직하다.(C) A component may be used individually by 1 type, and may be used in combination of 2 or more type. In the resist composition of the present embodiment, the content of component (C) is preferably from 1 to 50 parts by mass, more preferably from 3 to 40 parts by mass, and further from 3 to 30 parts by mass relative to 100 parts by mass of component (A). It is preferable, and 5-25 mass parts is the most preferable.

(C) 성분의 함유량이 하한값 이상이면, 가교 형성이 충분히 진행되어, 해상 성능, 리소그래피 특성이 보다 향상된다. 또, 팽윤이 적은 양호한 레지스트 패턴이 얻어진다. 또, 이 상한값 이하이면, 레지스트 조성물의 보존 안정성이 양호하여, 감도의 시간 경과적 열화가 억제되기 쉬워진다. (C) Crosslinking formation fully advances that content of a component is more than a lower limit, and resolution performance and a lithographic characteristic improve more. Moreover, a favorable resist pattern with little swelling is obtained. Moreover, when it is below this upper limit, the storage stability of a resist composition is favorable and it becomes easy to suppress deterioration of sensitivity with time.

<(Z) 성분> <(Z) component>

(Z) 성분은, 분자 내에 페놀성 수산기를 1 개 또는 2 개 갖고, 카르복시기를 갖지 않는 방향족 화합물이면 특별히 한정되지 않는다.(Z) The component will not be specifically limited if it is an aromatic compound which has one or two phenolic hydroxyl groups in a molecule|numerator and does not have a carboxyl group.

(Z) 성분으로는, 하기 일반식 (z1-1) 로 나타내는 화합물 및 하기 일반식 (z2-1) 로 나타내는 화합물로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종을 함유하는 것이 바람직하다.As (Z) component, it is preferable to contain at least 1 sort(s) chosen from the group which consists of a compound represented by the following general formula (z1-1), and a compound represented by the following general formula (z2-1).

[화학식 47] [Formula 47]

Figure pat00047
Figure pat00047

[식 (z1-1) 중, Vz 1 은 하이드록시기 및 카르복시기를 갖지 않는 2 가의 연결기이다. 식 (z2-1) 중, Rz2 는, 탄화수소기이다. n1 은 1 또는 2 이다. n2 는 2 ∼ 5 의 정수이다. 단, n1 + n2 ≤ 6 이다.] [In formula (z1-1), V z 1 is a divalent linking group having no hydroxy group and no carboxy group. In formula (z2-1), Rz 2 is a hydrocarbon group. n1 is 1 or 2. n2 is an integer of 2-5. However, n1 + n2 ≤ 6.]

상기 식 (z1-1) 중, Vz 1 에 있어서의 하이드록시기 및 카르복시기를 갖지 않는 2 가의 연결기로는, 상기 서술한 일반식 (a10-1) 중의 Yax1 에 있어서의 2 가의 연결기 중, 하이드록시기 및 카르복시기를 갖지 않는 것을 들 수 있다. 또, Vz 1 의 2 가의 연결기로는, 상기 서술한 일반식 (a10-1) 중의 Yax1 에 있어서의 2 가의 연결기로서의 직사슬형 혹은 분기 사슬형의 지방족 탄화수소기를 구성하는 수소 원자의 일부가 방향족 탄화수소기로 치환된 기도 들 수 있다.In the formula (z1-1), as the divalent linking group not having a hydroxy group or a carboxy group in V z 1 , among the divalent linking groups in Ya x 1 in the general formula (a10-1) described above, The thing which does not have a hydroxyl group and a carboxy group is mentioned. In addition, as the divalent linking group of V z 1 , a part of the hydrogen atoms constituting the linear or branched aliphatic hydrocarbon group as the divalent linking group in Ya x 1 in the above-mentioned general formula (a10-1) is and groups substituted with aromatic hydrocarbon groups.

「직사슬형 혹은 분기 사슬형의 지방족 탄화수소기를 구성하는 수소 원자의 일부가 방향족 탄화수소기로 치환된 기」에 있어서의 직사슬형 혹은 분기 사슬형의 지방족 탄화수소기로는, 메틸렌기 [-CH2-], 에틸렌기 [-(CH2)2-], -CH(CH3)-, -CH(CH2CH3)-, -C(CH3)2-, -C(CH3)(CH2CH3)-, -C(CH3)(CH2CH2CH3)-, -C(CH2CH3)2- 등의 알킬메틸렌기 등을 들 수 있다.As the linear or branched aliphatic hydrocarbon group in "a group in which a part of the hydrogen atoms constituting the linear or branched aliphatic hydrocarbon group is substituted with an aromatic hydrocarbon group", a methylene group [-CH 2 -] , ethylene group [-(CH 2 ) 2 -], -CH(CH 3 )-, -CH(CH 2 CH 3 )-, -C(CH 3 ) 2 -, -C(CH 3 )(CH 2 CH Alkylmethylene groups, such as 3 )-, -C(CH 3 )(CH 2 CH 2 CH 3 )-, and -C(CH 2 CH 3 ) 2 -, etc. are mentioned.

「직사슬형 혹은 분기 사슬형의 지방족 탄화수소기를 구성하는 수소 원자의 일부가 방향족 탄화수소기로 치환된 기」에 있어서의 방향족 탄화수소기로는, 벤젠, 플루오렌, 나프탈렌, 안트라센, 페난트렌, 비페닐 등의 방향 고리로부터 수소 원자 1 개를 제거한 기 등을 들 수 있다.Examples of the aromatic hydrocarbon group in the "group in which a part of the hydrogen atoms constituting the linear or branched aliphatic hydrocarbon group are substituted with an aromatic hydrocarbon group" include benzene, fluorene, naphthalene, anthracene, phenanthrene, biphenyl, etc. and groups in which one hydrogen atom has been removed from an aromatic ring.

「직사슬형 혹은 분기 사슬형의 지방족 탄화수소기를 구성하는 수소 원자의 일부가 방향족 탄화수소기로 치환된 기」에 있어서의 방향족 탄화수소기는, 치환기를 가지고 있어도 된다. 그 치환기로는, 알킬기, 알콕시기, 할로겐 원자, 할로겐화알킬기, 수산기, 아릴알킬기 등을 들 수 있다.The aromatic hydrocarbon group in "a group in which a part of hydrogen atoms constituting a linear or branched aliphatic hydrocarbon group is substituted with an aromatic hydrocarbon group" may have a substituent. Examples of the substituent include an alkyl group, an alkoxy group, a halogen atom, a halogenated alkyl group, a hydroxyl group, an arylalkyl group, and the like.

상기 치환기로서의 알킬기로는, 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬기가 바람직하고, 메틸기, 에틸기, 프로필기, n-부틸기, tert-부틸기인 것이 가장 바람직하다.The alkyl group as the substituent is preferably an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, and most preferably a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an n-butyl group or a tert-butyl group.

상기 치환기로서의 알콕시기, 할로겐 원자 및 할로겐화알킬기로는, 상기 서술한 일반식 (a10-1) 중의 Yax1 에 있어서의 2 가의 연결기에 있어서, 고리형의 지방족 탄화수소기가 갖는 수소 원자를 치환하는 치환기로서 예시한 것을 들 수 있다.As the alkoxy group, halogen atom and halogenated alkyl group as the substituent, in the divalent linking group for Ya x1 in the above-mentioned general formula (a10-1), as a substituent for substituting a hydrogen atom possessed by the cyclic aliphatic hydrocarbon group, exemplified.

상기 치환기로서의 아릴알킬기로는, 벤질기, 페네틸기, 페닐-t-부틸기, 1-나프틸메틸기, 2-나프틸메틸기, 1-나프틸에틸기, 2-나프틸에틸기 등을 들 수 있다. 그 아릴알킬기는, 알킬기, 알콕시기, 할로겐 원자, 할로겐화알킬기, 수산기, 아릴알킬기 등의 치환기를 가져도 된다.Examples of the arylalkyl group as the substituent include a benzyl group, a phenethyl group, a phenyl-t-butyl group, a 1-naphthylmethyl group, a 2-naphthylmethyl group, a 1-naphthylethyl group, and a 2-naphthylethyl group. The arylalkyl group may have a substituent such as an alkyl group, an alkoxy group, a halogen atom, a halogenated alkyl group, a hydroxyl group, or an arylalkyl group.

상기 식 (z1-1) 로 나타내는 화합물로는, 하기 일반식 (z1-1-1) 로 나타내는 화합물이 바람직하다.As the compound represented by the formula (z1-1), a compound represented by the following general formula (z1-1-1) is preferable.

[화학식 48] [Formula 48]

Figure pat00048
Figure pat00048

[식 중, Rz 11 및 Rz 12 는, 각각 독립적으로, 수소 원자 또는 치환기를 가져도 되는 탄화수소기이다. Rz 11 및 Rz 12 는, 서로 결합하여 고리를 형성해도 된다.] [In the formula, R z 11 and R z 12 are each independently a hydrogen atom or a hydrocarbon group which may have a substituent. R z 11 and R z 12 may combine with each other to form a ring.]

상기 식 (z1-1-1) 중, Rz 11 및 Rz 12 의 탄화수소기로는, 직사슬형 또는 분기 사슬형의 알킬기, 치환기를 가져도 되는 방향족 탄화수소기 등을 들 수 있다.In the formula (z1-1-1), examples of the hydrocarbon group for R z 11 and R z 12 include a linear or branched alkyl group, an aromatic hydrocarbon group which may have a substituent, and the like.

그 직사슬형의 알킬기는, 탄소수가 1 ∼ 5 인 것이 바람직하고, 탄소수 1 ∼ 4 가 보다 바람직하고, 탄소수 1 또는 2 가 더욱 바람직하다. 구체적으로는, 메틸기, 에틸기, n-프로필기, n-부틸기, n-펜틸기 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 메틸기, 에틸기 또는 n-부틸기가 바람직하고, 메틸기 또는 에틸기가 보다 바람직하다.The linear alkyl group preferably has 1 to 5 carbon atoms, more preferably 1 to 4 carbon atoms, and still more preferably 1 or 2 carbon atoms. Specifically, a methyl group, an ethyl group, n-propyl group, n-butyl group, n-pentyl group, etc. are mentioned. Among these, a methyl group, an ethyl group, or n-butyl group is preferable, and a methyl group or an ethyl group is more preferable.

그 분기 사슬형의 알킬기는, 탄소수가 3 ∼ 10 인 것이 바람직하고, 탄소수 3 ∼ 5 가 보다 바람직하다. 구체적으로는, 이소프로필기, 이소부틸기, tert-부틸기, 이소펜틸기, 네오펜틸기, 1,1-디에틸프로필기, 2,2-디메틸부틸기 등을 들 수 있고, 이소프로필기인 것이 바람직하다.It is preferable that carbon number is 3-10, and, as for this branched alkyl group, C3-C5 is more preferable. Specific examples thereof include isopropyl group, isobutyl group, tert-butyl group, isopentyl group, neopentyl group, 1,1-diethylpropyl group, 2,2-dimethylbutyl group, etc., which are isopropyl group it is preferable

Rz 11 및 Rz 12 에 있어서의 방향족 탄화수소기로는, 벤젠, 플루오렌, 나프탈렌, 안트라센, 페난트렌, 비페닐 등의 방향 고리로부터 수소 원자 1 개를 제거한 기 등을 들 수 있다.Examples of the aromatic hydrocarbon group for R z 11 and R z 12 include groups in which one hydrogen atom is removed from an aromatic ring such as benzene, fluorene, naphthalene, anthracene, phenanthrene, and biphenyl.

Rz 11 및 Rz 12 에 있어서의 방향족 탄화수소기는, 치환기를 가져도 된다. 그 치환기로는, 상기 「직사슬형 혹은 분기 사슬형의 지방족 탄화수소기를 구성하는 수소 원자의 일부가 방향족 탄화수소기로 치환된 기」에 있어서의 방향족 탄화수소기가 가져도 되는 치환기와 동일하다. The aromatic hydrocarbon group in R z 11 and R z 12 may have a substituent. The substituent is the same as the substituent which the aromatic hydrocarbon group may have in the above "group in which a part of the hydrogen atoms constituting the linear or branched aliphatic hydrocarbon group is substituted with an aromatic hydrocarbon group".

상기 식 (z1-1-1) 중, Rz 11 및 Rz 12 는 서로 결합하여 고리를 형성해도 된다. 형성되는 고리로는, 예를 들어, 시클로펜탄 고리, 시클로헥산 고리, 시클로헵탄 고리 등의 지방족 고리를 들 수 있다.In the formula (z1-1-1), R z 11 and R z 12 may be bonded to each other to form a ring. As a ring to be formed, aliphatic rings, such as a cyclopentane ring, a cyclohexane ring, and a cycloheptane ring, are mentioned, for example.

상기 식 (z1-1-1) 중, Rz 11 및 Rz 12 는, 탄소수 1 ∼ 5 의 직사슬형의 알킬기 혹은 치환기를 가져도 되는 방향족 탄화수소기이거나, 또는, Rz 11 및 Rz 12 는 서로 결합하여 지방족 고리를 형성하는 것이 바람직하고, 메틸기, 페닐기, 혹은 4-(4-하이드록시페닐-t-부틸)페닐기이거나, 또는, Rz 11 및 Rz 12 는 서로 결합하여 시클로헥산 고리를 형성하는 것이 보다 바람직하다.In the formula (z1-1-1), R z 11 and R z 12 are a linear alkyl group having 1 to 5 carbon atoms or an aromatic hydrocarbon group which may have a substituent, or R z 11 and R z 12 are preferably bonded to each other to form an aliphatic ring, a methyl group, a phenyl group, or a 4-(4-hydroxyphenyl-t-butyl)phenyl group, or R z 11 and R z 12 are bonded to each other to form a cyclohexane ring It is more preferable to form

상기 식 (z2-1) 중, Rz2 에 있어서의 탄화수소기로는, 상기 식 (z1-1-1) 중의 Rz 11 및 Rz 12 의 탄화수소기로서 예시한 것을 들 수 있다. 그 중에서도, Rz2 로는, 방향족 탄화수소기가 바람직하고, 페닐기 또는 벤질기가 보다 바람직하고, 페닐기가 더욱 바람직하다.Examples of the hydrocarbon group for Rz 2 in the formula (z2-1) include those exemplified as the hydrocarbon group for R z 11 and R z 12 in the formula (z1-1-1). Among these, as Rz 2 , an aromatic hydrocarbon group is preferable, a phenyl group or a benzyl group is more preferable, and a phenyl group is still more preferable.

상기 식 (z1-2) 중, n1 은 1 이 바람직하다. n2 는 2 또는 3 이 바람직하고, 2 가 보다 바람직하다.In said formula (z1-2), 1 is preferable for n1. 2 or 3 is preferable and, as for n2, 2 is more preferable.

상기 식 (z1-2) 로 나타내는 화합물로는, 하기 일반식 (z1-2-1) 로 나타내는 화합물이 바람직하다.As a compound represented by the said formula (z1-2), the compound represented by the following general formula (z1-2-1) is preferable.

[화학식 49] [Formula 49]

Figure pat00049
Figure pat00049

[식 중, Rz21 및 Rz22 는, 각각 독립적으로, 방향족 탄화수소기이다.] [Wherein, Rz 21 and Rz 22 are each independently an aromatic hydrocarbon group.]

상기 식 (z1-2-1) 중, Rz2 의 탄화수소기로는, 상기 식 (z1-1-1) 중의 Rz 11 및 Rz 12 의 탄화수소기로서 예시한 것을 들 수 있다. 그 중에서도, Rz2 로는, 페닐기 또는 벤질기가 바람직하고, 페닐기가 보다 바람직하다. Examples of the hydrocarbon group for Rz 2 in the formula (z1-2-1) include those exemplified as the hydrocarbon group for R z 11 and R z 12 in the formula (z1-1-1). Among these, as Rz 2 , a phenyl group or a benzyl group is preferable, and a phenyl group is more preferable.

이하에, (Z) 성분의 구체예를 든다. Specific examples of the component (Z) are given below.

[화학식 50] [Formula 50]

Figure pat00050
Figure pat00050

(Z) 성분의 질량 평균 분자량 (Mw) 은, 1000 이하인 것이 바람직하고, 100 ∼ 950 인 것이 보다 바람직하고, 150 ∼ 900 인 것이 더욱 바람직하다.(Z) It is preferable that it is 1000 or less, as for the mass average molecular weight (Mw) of component, it is more preferable that it is 100-950, It is still more preferable that it is 150-900.

(Z) 성분의 질량 평균 분자량이, 상기 바람직한 범위의 상한값 이하이면, 기판 밀착 성능이 향상되기 쉬워지고, 웨트 에칭 내성이 향상되기 쉽다.(Z) When the mass average molecular weight of component is below the upper limit of the said preferable range, board|substrate adhesion|attachment performance will improve easily and wet etching resistance will improve easily.

본 실시형태의 레지스트 조성물이 함유하는 (Z) 성분은, 1 종을 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 병용해도 된다.The component (Z) contained in the resist composition of this embodiment may be used individually by 1 type, and may use 2 or more types together.

본 실시형태의 레지스트 조성물 중, (Z) 성분의 함유량은, (A) 성분 100 질량부에 대해, 0.5 ∼ 30 질량부인 것이 바람직하고, 1 ∼ 25 질량부인 것이 보다 바람직하고, 3 ∼ 20 질량부인 것이 더욱 바람직하다.In the resist composition of the present embodiment, the content of component (Z) is preferably 0.5 to 30 parts by mass, more preferably 1 to 25 parts by mass, and 3 to 20 parts by mass based on 100 parts by mass of component (A). more preferably.

(Z) 성분의 비율이 상기 바람직한 범위의 범위 내이면, 에칭 내성이 양호하고, 또한, 양호한 형상의 패턴을 형성하기 쉽다.When the ratio of the component (Z) is within the above-mentioned preferred range, the etching resistance is good and it is easy to form a pattern having a good shape.

<임의 성분> <Optional ingredients>

≪(D) 성분≫ ≪(D) ingredient≫

본 실시형태에 있어서의 레지스트 조성물은, (A) 성분, (B) 성분, (C) 성분 및 (Z) 성분에 더하여, 추가로, 산 확산 제어제 성분 (이하 「(D) 성분」이라고 한다.) 을 함유해도 된다. (D) 성분은, 레지스트 조성물에 있어서 노광에 의해 발생하는 산을 트랩하는 퀀처 (산 확산 제어제) 로서 작용하는 것이다.In the resist composition of the present embodiment, in addition to component (A), component (B), component (C), and component (Z), an acid diffusion control agent component (hereinafter referred to as “component (D)”) .) may be included. Component (D) acts as a quencher (acid diffusion controlling agent) that traps acids generated by exposure in the resist composition.

(D) 성분으로는, 예를 들어, 함질소 유기 화합물 (D1) (이하 「(D1) 성분」, 그 (D1) 성분에 해당하지 않는 노광에 의해 분해되어 산 확산 제어성을 상실하는 광 붕괴성 염기 (D2) (이하 「(D2) 성분」이라고 한다.) 라고 한다.) 등을 들 수 있다.As the component (D), for example, the nitrogen-containing organic compound (D1) (hereinafter “component (D1)”, decomposed by exposure that does not correspond to the component (D1), light decay that loses acid diffusion controllability) and base (D2) (hereinafter referred to as "component (D2)").) and the like.

(D) 성분을 함유하는 레지스트 조성물로 함으로써, 레지스트 패턴을 형성할 때에, 레지스트막의 노광부와 미노광부의 콘트라스트를 보다 향상시킬 수 있다.By setting it as the resist composition containing component (D), when forming a resist pattern, the contrast of the exposed part and unexposed part of a resist film can be improved more.

·(D1) 성분에 대해 ・(D1) About component

(D1) 성분은, 염기 성분이고, 레지스트 조성물 중에서 산 확산 제어제로서 작용하는 함질소 유기 화합물 성분이다.Component (D1) is a base component and is a nitrogen-containing organic compound component that acts as an acid diffusion control agent in the resist composition.

(D1) 성분으로는, 산 확산 제어제로서 작용하는 것이면 특별히 한정되지 않고, 예를 들어, 지방족 아민, 방향족 아민 등을 들 수 있다.It will not specifically limit as a component (D1), if it acts as an acid diffusion controlling agent, For example, an aliphatic amine, an aromatic amine, etc. are mentioned.

지방족 아민은, 그 중에서도, 제 2 급 지방족 아민이나 제 3 급 지방족 아민이 바람직하다.Among them, the aliphatic amine is preferably a secondary aliphatic amine or a tertiary aliphatic amine.

지방족 아민이란, 1 개 이상의 지방족기를 갖는 아민이며, 그 지방족기는 탄소수가 1 ∼ 12 인 것이 바람직하다.The aliphatic amine is an amine having one or more aliphatic groups, and the aliphatic group preferably has 1 to 12 carbon atoms.

지방족 아민으로는, 암모니아 NH3 의 수소 원자의 적어도 1 개를, 탄소수 12 이하의 알킬기 혹은 하이드록시알킬기로 치환한 아민 (알킬아민 혹은 알킬알코올아민) 또는 고리형 아민을 들 수 있다.Examples of the aliphatic amine include amines (alkylamines or alkylalcoholamines) or cyclic amines in which at least one hydrogen atom of ammonia NH 3 is substituted with an alkyl group having 12 or less carbon atoms or a hydroxyalkyl group.

알킬아민 및 알킬알코올아민의 구체예로는, n-헥실아민, n-헵틸아민, n-옥틸아민, n-노닐아민, n-데실아민 등의 모노알킬아민 ; 디에틸아민, 디-n-프로필아민, 디-n-헵틸아민, 디-n-옥틸아민, 디시클로헥실아민 등의 디알킬아민 ; 트리메틸아민, 트리에틸아민, 트리-n-프로필아민, 트리-n-부틸아민, 트리-n-펜틸아민, 트리-n-헥실아민, 트리-n-헵틸아민, 트리-n-옥틸아민, 트리-n-노닐아민, 트리-n-데실아민, 트리-n-도데실아민 등의 트리알킬아민 ; 디에탄올아민, 트리에탄올아민, 디이소프로판올아민, 트리이소프로판올아민, 디-n-옥탄올아민, 트리-n-옥탄올아민 등의 알킬알코올아민을 들 수 있다. 이들 중에서도, 탄소수 5 ∼ 10 의 트리알킬아민이 더욱 바람직하고, 트리-n-펜틸아민 또는 트리-n-옥틸아민이 특히 바람직하다.Specific examples of the alkylamine and the alkyl alcoholamine include monoalkylamines such as n-hexylamine, n-heptylamine, n-octylamine, n-nonylamine and n-decylamine; dialkylamines such as diethylamine, di-n-propylamine, di-n-heptylamine, di-n-octylamine, and dicyclohexylamine; Trimethylamine, triethylamine, tri-n-propylamine, tri-n-butylamine, tri-n-pentylamine, tri-n-hexylamine, tri-n-heptylamine, tri-n-octylamine, tri trialkylamines such as -n-nonylamine, tri-n-decylamine, and tri-n-dodecylamine; and alkyl alcoholamines such as diethanolamine, triethanolamine, diisopropanolamine, triisopropanolamine, di-n-octanolamine and tri-n-octanolamine. Among these, a C5-C10 trialkylamine is more preferable, and tri-n-pentylamine or tri-n-octylamine is especially preferable.

고리형 아민으로는, 예를 들어, 헤테로 원자로서 질소 원자를 포함하는 복소 고리 화합물을 들 수 있다. 그 복소 고리 화합물로는, 단고리형의 것 (지방족 단고리형 아민) 이어도 되고 다고리형의 것 (지방족 다고리형 아민) 이어도 된다.As a cyclic amine, the heterocyclic compound which contains a nitrogen atom as a hetero atom is mentioned, for example. The heterocyclic compound may be a monocyclic compound (aliphatic monocyclic amine) or a polycyclic compound (aliphatic polycyclic amine).

지방족 단고리형 아민으로서, 구체적으로는, 피페리딘, 피페라진 등을 들 수 있다. 지방족 다고리형 아민으로는, 탄소수가 6 ∼ 10 인 것이 바람직하고, 구체적으로는, 1,5-디아자비시클로[4.3.0]-5-노넨, 1,8-디아자비시클로[5.4.0]-7-운데센, 헥사메틸렌테트라민, 1,4-디아자비시클로[2.2.2]옥탄 등을 들 수 있다.Specific examples of the aliphatic monocyclic amine include piperidine and piperazine. The aliphatic polycyclic amine preferably has 6 to 10 carbon atoms, and specifically, 1,5-diazabicyclo[4.3.0]-5-nonene, 1,8-diazabicyclo[5.4.0] -7-undecene, hexamethylenetetramine, 1,4-diazabicyclo[2.2.2]octane, etc. are mentioned.

그 외 지방족 아민으로는, 트리스(2-메톡시메톡시에틸)아민, 트리스{2-(2-메톡시에톡시)에틸}아민, 트리스{2-(2-메톡시에톡시메톡시)에틸}아민, 트리스{2-(1-메톡시에톡시)에틸}아민, 트리스{2-(1-에톡시에톡시)에틸}아민, 트리스{2-(1-에톡시프로폭시)에틸}아민, 트리스[2-{2-(2-하이드록시에톡시)에톡시}에틸]아민, 트리에탄올아민트리아세테이트 등을 들 수 있고, 트리에탄올아민트리아세테이트가 바람직하다. Examples of other aliphatic amines include tris(2-methoxymethoxyethyl)amine, tris{2-(2-methoxyethoxy)ethyl}amine, tris{2-(2-methoxyethoxymethoxy)ethyl }amine, tris{2-(1-methoxyethoxy)ethyl}amine, tris{2-(1-ethoxyethoxy)ethyl}amine, tris{2-(1-ethoxypropoxy)ethyl}amine , tris[2-{2-(2-hydroxyethoxy)ethoxy}ethyl]amine, triethanolamine triacetate, etc. are mentioned, and triethanolamine triacetate is preferable.

방향족 아민으로는, 4-디메틸아미노피리딘, 피롤, 인돌, 피라졸, 이미다졸 또는 이들의 유도체, 트리벤질아민, 아닐린 화합물, N-tert-부톡시카르보닐피롤리딘 등을 들 수 있다. Examples of the aromatic amine include 4-dimethylaminopyridine, pyrrole, indole, pyrazole, imidazole or derivatives thereof, tribenzylamine, an aniline compound, and N-tert-butoxycarbonylpyrrolidine.

(D1) 성분은, 1 종을 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 조합하여 사용해도 된다. (D1) 성분은, 상기 중에서도, 방향족 아민이 바람직하고, 아닐린 화합물이 보다 바람직하다. 아닐린 화합물로는, 예를 들어, 2,6-디이소프로필아닐린, N,N-디메틸아닐린, N,N-디부틸아닐린, N,N-디헥실아닐린 등을 들 수 있다.(D1) A component may be used individually by 1 type, and may be used in combination of 2 or more type. (D1) Among the above, an aromatic amine is preferable and, as for a component, an aniline compound is more preferable. Examples of the aniline compound include 2,6-diisopropylaniline, N,N-dimethylaniline, N,N-dibutylaniline, and N,N-dihexylaniline.

·(D2) 성분에 대해 ・(D2) About component

(D2) 성분으로는, 노광에 의해 분해되어 산 확산 제어성을 상실하는 것이면 특별히 한정되지 않고, 하기 일반식 (d2-1) 로 나타내는 화합물 (이하 「(d2-1) 성분」이라고 한다.), 하기 일반식 (d2-2) 로 나타내는 화합물 (이하 「(d2-2) 성분」이라고 한다.) 및 하기 일반식 (d2-3) 으로 나타내는 화합물 (이하 「(d2-3) 성분」이라고 한다.) 로 이루어지는 군에서 선택되는 1 종 이상의 화합물이 바람직하다. The component (D2) is not particularly limited as long as it decomposes upon exposure and loses acid diffusion controllability, and a compound represented by the following general formula (d2-1) (hereinafter referred to as “component (d2-1)”). , a compound represented by the following general formula (d2-2) (hereinafter referred to as “(d2-2) component”) and a compound represented by the following general formula (d2-3) (hereinafter referred to as “(d2-3) component”) .) at least one compound selected from the group consisting of

(d2-1) ∼ (d2-3) 성분은, 레지스트막의 노광부에 있어서 분해되어 산 확산 제어성 (염기성) 을 상실하기 때문에 퀀처로서 작용하지 않고, 레지스트막의 미노광부에 있어서 퀀처로서 작용한다.Components (d2-1) to (d2-3) do not act as a quencher because they are decomposed in the exposed portion of the resist film and lose acid diffusion controllability (basicity), but act as a quencher in the unexposed portion of the resist film.

[화학식 51] [Formula 51]

Figure pat00051
Figure pat00051

[식 중, Rd1 ∼ Rd4 는 치환기를 가져도 되는 고리형기, 치환기를 가져도 되는 사슬형의 알킬기, 또는 치환기를 가져도 되는 사슬형의 알케닐기이다. 단, 일반식 (d2-2) 중의 Rd2 에 있어서의, S 원자에 인접하는 탄소 원자에는 불소 원자가 결합하고 있지 않는 것으로 한다. Yd1 은 단결합 또는 2 가의 연결기이다. m 은 1 이상의 정수이고, M'm+ 는 각각 독립적으로 m 가의 오늄 카티온이다.] [Wherein, Rd 1 to Rd 4 are a cyclic group which may have a substituent, a chain alkyl group which may have a substituent, or a chain alkenyl group which may have a substituent. However, it is assumed that the fluorine atom is not bonded to the carbon atom adjacent to the S atom in Rd 2 in the general formula (d2-2). Yd 1 is a single bond or a divalent linking group. m is an integer greater than or equal to 1, and M' m+ is each independently an m-valent onium cation.]

{(d2-1) 성분} {(d2-1) component}

·아니온부 ・Anion part

식 (d2-1) 중, Rd1 은, 치환기를 가져도 되는 고리형기, 치환기를 가져도 되는 사슬형의 알킬기, 또는 치환기를 가져도 되는 사슬형의 알케닐기이며, 각각 상기 식 (b-1) 중의 R101 등과 동일한 것을 들 수 있다.In formula (d2-1), Rd 1 is a cyclic group which may have a substituent, a chain alkyl group which may have a substituent, or a chain alkenyl group which may have a substituent, respectively, in the formula (b-1) ) in R 101 and the like.

이들 중에서도, Rd1 로는, 치환기를 가져도 되는 방향족 탄화수소기, 치환기를 가져도 되는 지방족 고리형기, 또는 치환기를 가져도 되는 사슬형의 알킬기가 바람직하다. 이들 기가 가져도 되는 치환기로는, 수산기, 옥소기, 알킬기, 아릴기, 불소 원자, 불소화알킬기, 상기 일반식 (a2-r-1) ∼ (a2-r-7) 로 각각 나타내는 락톤 함유 고리형기, 에테르 결합, 에스테르 결합, 또는 이들의 조합을 들 수 있다. 에테르 결합이나 에스테르 결합을 치환기로서 포함하는 경우, 알킬렌기를 개재하고 있어도 되고, 이 경우의 치환기로는, 상기 식 (y-al-1) ∼ (y-al-5) 로 각각 나타내는 연결기가 바람직하다.Among these, as Rd 1 , an aromatic hydrocarbon group which may have a substituent, an aliphatic cyclic group which may have a substituent, or a chain alkyl group which may have a substituent is preferable. Examples of the substituent which these groups may have include a hydroxyl group, an oxo group, an alkyl group, an aryl group, a fluorine atom, a fluorinated alkyl group, and a lactone-containing cyclic group each represented by the general formulas (a2-r-1) to (a2-r-7). , an ether bond, an ester bond, or a combination thereof. When an ether bond or an ester bond is included as a substituent, an alkylene group may be interposed, and as a substituent in this case, the linking group respectively represented by said formula (y-al-1) - (y-al-5) is preferable. Do.

상기 방향족 탄화수소기로는, 페닐기, 나프틸기, 비시클로옥탄 골격을 포함하는 다고리 구조 (예를 들어, 비시클로옥탄 골격의 고리 구조와 이것 이외의 고리 구조로 이루어지는 다고리 구조 등) 를 바람직하게 들 수 있다.Preferred examples of the aromatic hydrocarbon group include a polycyclic structure containing a phenyl group, a naphthyl group, and a bicyclooctane skeleton (eg, a polycyclic structure comprising a bicyclooctane skeleton and a ring structure other than this). can

상기 지방족 고리형기로는, 아다만탄, 노르보르난, 이소보르난, 트리시클로데칸, 테트라시클로도데칸 등의 폴리시클로알칸으로부터 1 개 이상의 수소 원자를 제거한 기인 것이 보다 바람직하다.The aliphatic cyclic group is more preferably a group obtained by removing one or more hydrogen atoms from a polycycloalkane such as adamantane, norbornane, isobornane, tricyclodecane or tetracyclododecane.

상기 사슬형의 알킬기로는, 탄소수가 1 ∼ 10 인 것이 바람직하고, 구체적으로는, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 부틸기, 펜틸기, 헥실기, 헵틸기, 옥틸기, 노닐기, 데실기 등의 직사슬형의 알킬기 ; 1-메틸에틸기, 1-메틸프로필기, 2-메틸프로필기, 1-메틸부틸기, 2-메틸부틸기, 3-메틸부틸기, 1-에틸부틸기, 2-에틸부틸기, 1-메틸펜틸기, 2-메틸펜틸기, 3-메틸펜틸기, 4-메틸펜틸기 등의 분기 사슬형의 알킬기를 들 수 있다.The chain alkyl group preferably has 1 to 10 carbon atoms, and specifically, a methyl group, an ethyl group, a propyl group, a butyl group, a pentyl group, a hexyl group, a heptyl group, an octyl group, a nonyl group, a decyl group, etc. A linear alkyl group of ; 1-methylethyl group, 1-methylpropyl group, 2-methylpropyl group, 1-methylbutyl group, 2-methylbutyl group, 3-methylbutyl group, 1-ethylbutyl group, 2-ethylbutyl group, 1-methyl group Branched alkyl groups, such as a pentyl group, 2-methylpentyl group, 3-methylpentyl group, and 4-methylpentyl group, are mentioned.

상기 사슬형의 알킬기가 치환기로서 불소 원자 또는 불소화알킬기를 갖는 불소화알킬기인 경우, 불소화알킬기의 탄소수는, 1 ∼ 11 이 바람직하고, 1 ∼ 8 이 보다 바람직하고, 1 ∼ 4 가 더욱 바람직하다. 그 불소화알킬기는, 불소 원자 이외의 원자를 함유해도 된다. 불소 원자 이외의 원자로는, 예를 들어 산소 원자, 황 원자, 질소 원자 등을 들 수 있다.When the above-mentioned chain alkyl group is a fluorinated alkyl group having a fluorine atom or a fluorinated alkyl group as a substituent, the fluorinated alkyl group preferably has 1 to 11 carbon atoms, more preferably 1 to 8 carbon atoms, and still more preferably 1 to 4 carbon atoms. The fluorinated alkyl group may contain atoms other than a fluorine atom. As atoms other than a fluorine atom, an oxygen atom, a sulfur atom, a nitrogen atom, etc. are mentioned, for example.

Rd1 로는, 직사슬형의 알킬기를 구성하는 일부 또는 전부의 수소 원자가 불소 원자에 의해 치환된 불소화알킬기인 것이 바람직하고, 직사슬형의 알킬기를 구성하는 수소 원자의 모두가 불소 원자로 치환된 불소화알킬기 (직사슬형의 퍼플루오로알킬기) 인 것이 특히 바람직하다.Rd 1 is preferably a fluorinated alkyl group in which some or all of the hydrogen atoms constituting the linear alkyl group are substituted with fluorine atoms, and a fluorinated alkyl group in which all of the hydrogen atoms constituting the linear alkyl group are substituted with fluorine atoms. (a linear perfluoroalkyl group) is particularly preferable.

이하에 (d2-1) 성분의 아니온부의 바람직한 구체예를 나타낸다. Preferred specific examples of the anion moiety of component (d2-1) are shown below.

[화학식 52] [Formula 52]

Figure pat00052
Figure pat00052

·카티온부 ・Cathion

식 (d2-1) 중, M'm+ 는, m 가의 오늄 카티온이다. In formula (d2-1), M' m+ is an m-valent onium cation.

M'm+ 의 오늄 카티온으로는, 상기 일반식 (ca-1) ∼ (ca-4) 로 각각 나타내는 카티온과 동일한 것을 바람직하게 들 수 있고, 상기 일반식 (ca-1) 로 나타내는 카티온이 보다 바람직하고, 상기 식 (ca-1-1) ∼ (ca-1-78), (ca-1-101) ∼ (ca-1-149) 로 각각 나타내는 카티온이 더욱 바람직하다.Examples of the onium cation for M' m+ include the same cations as those represented by the general formulas (ca-1) to (ca-4), preferably the cation represented by the general formula (ca-1). These are more preferable, and the cations respectively represented by said formula (ca-1-1) - (ca-1-78) and (ca-1-101) - (ca-1-149) are still more preferable.

(d2-1) 성분은, 1 종을 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 조합하여 사용해도 된다. (d2-1) A component may be used individually by 1 type, and may be used in combination of 2 or more type.

{(d2-2) 성분} {(d2-2) component}

·아니온부 ・Anion part

식 (d2-2) 중, Rd2 는, 치환기를 가져도 되는 고리형기, 치환기를 가져도 되는 사슬형의 알킬기, 또는 치환기를 가져도 되는 사슬형의 알케닐기이며, 상기 식 (b-1) 중의 R101 등과 동일한 것을 들 수 있다. In formula (d2-2), Rd 2 is a cyclic group which may have a substituent, a chain alkyl group which may have a substituent, or a chain alkenyl group which may have a substituent, wherein the formula (b-1) The same thing as R 101 in R 101 etc. is mentioned.

단, Rd2 에 있어서의, S 원자에 인접하는 탄소 원자에는 불소 원자는 결합하고 있지 않는 (불소 치환되어 있지 않는) 것으로 한다. 이로써, (d2-2) 성분의 아니온이 적당한 약산 아니온이 되어, (D2) 성분으로서의 퀀칭능이 향상된다.However, in Rd 2 , a fluorine atom is not bonded to a carbon atom adjacent to the S atom (not substituted with fluorine). Thereby, the anion of (d2-2) component becomes a suitable weak acid anion, and the quenching ability as (D2) component improves.

Rd2 로는, 치환기를 가져도 되는 사슬형의 알킬기, 또는 치환기를 가져도 되는 지방족 고리형기인 것이 바람직하다. 사슬형의 알킬기로는, 탄소수 1 ∼ 10 인 것이 바람직하고, 3 ∼ 10 인 것이 보다 바람직하다. 지방족 고리형기로는, 아다만탄, 노르보르난, 이소보르난, 트리시클로데칸, 테트라시클로도데칸 등으로부터 1 개 이상의 수소 원자를 제거한 기 (치환기를 가져도 된다) ; 캠퍼 등으로부터 1 개 이상의 수소 원자를 제거한 기인 것이 보다 바람직하다.Rd 2 is preferably a chain alkyl group which may have a substituent or an aliphatic cyclic group which may have a substituent. As a chain|strand-type alkyl group, it is preferable that it is C1-C10, and it is more preferable that it is 3-10. Examples of the aliphatic cyclic group include a group (which may have a substituent) in which one or more hydrogen atoms have been removed from adamantane, norbornane, isobornane, tricyclodecane, tetracyclododecane, or the like; It is more preferable that it is the group which removed 1 or more hydrogen atoms from camphor etc.

Rd2 의 탄화수소기는 치환기를 가져도 되고, 그 치환기로는, 상기 식 (d2-1) 의 Rd1 에 있어서의 탄화수소기 (방향족 탄화수소기, 지방족 고리형기, 사슬형의 알킬기) 가 가져도 되는 치환기와 동일한 것을 들 수 있다. The hydrocarbon group of Rd 2 may have a substituent, and as the substituent, the hydrocarbon group (aromatic hydrocarbon group, aliphatic cyclic group, chain alkyl group) in Rd 1 in the formula (d2-1) may have a substituent can be the same as

이하에 (d2-2) 성분의 아니온부의 바람직한 구체예를 나타낸다.Preferred specific examples of the anion moiety of the component (d2-2) are shown below.

[화학식 53] [Formula 53]

Figure pat00053
Figure pat00053

·카티온부 ・Cathion

식 (d2-2) 중, M'm+ 는, m 가의 오늄 카티온이며, 상기 식 (d2-1) 중의 M'm+ 와 동일하다.In formula (d2-2), M' m+ is an onium cation of m valence, and is the same as M' m+ in said formula (d2-1).

(d2-2) 성분은, 1 종을 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 조합하여 사용해도 된다.(d2-2) A component may be used individually by 1 type, and may be used in combination of 2 or more type.

{(d2-3) 성분} {(d2-3) component}

·아니온부 ・Anion part

식 (d2-3) 중, Rd3 은 치환기를 가져도 되는 고리형기, 치환기를 가져도 되는 사슬형의 알킬기, 또는 치환기를 가져도 되는 사슬형의 알케닐기이며, 상기 식 (b-1) 중의 R101 등과 동일한 것을 들 수 있고, 불소 원자를 포함하는 고리형기, 사슬형의 알킬기, 또는 사슬형의 알케닐기인 것이 바람직하다. 그 중에서도, 불소화알킬기가 바람직하고, 상기 Rd1 의 불소화알킬기와 동일한 것이 보다 바람직하다.In formula (d2-3), Rd 3 is a cyclic group which may have a substituent, a chain alkyl group which may have a substituent, or a chain alkenyl group which may have a substituent, and in the formula (b-1) Examples of the same include R 101 , and a cyclic group containing a fluorine atom, a chain alkyl group, or a chain alkenyl group is preferable. Especially, a fluorinated alkyl group is preferable, and the thing similar to the said fluorinated alkyl group of said Rd 1 is more preferable.

식 (d2-3) 중, Rd4 는, 치환기를 가져도 되는 고리형기, 치환기를 가져도 되는 사슬형의 알킬기, 또는 치환기를 가져도 되는 사슬형의 알케닐기이며, 상기 식 (b-1) 중의 R101 등과 동일한 것을 들 수 있다.In formula (d2-3), Rd 4 is a cyclic group which may have a substituent, a chain alkyl group which may have a substituent, or a chain alkenyl group which may have a substituent, wherein the formula (b-1) The same thing as R 101 in R 101 etc. is mentioned.

그 중에서도, 치환기를 가져도 되는 알킬기, 알콕시기, 알케닐기, 고리형기인 것이 바람직하다. Especially, it is preferable that they are an alkyl group which may have a substituent, an alkoxy group, an alkenyl group, and a cyclic group.

Rd4 에 있어서의 알킬기는, 탄소수 1 ∼ 5 의 직사슬형 또는 분기 사슬형의 알킬기가 바람직하고, 구체적으로는, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, 이소부틸기, tert-부틸기, 펜틸기, 이소펜틸기, 네오펜틸기 등을 들 수 있다. Rd4 의 알킬기의 수소 원자의 일부가 수산기, 시아노기 등으로 치환되어 있어도 된다.The alkyl group for Rd 4 is preferably a linear or branched alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, and specifically, a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group, an n-butyl group, an isobutyl group, tert-butyl group, pentyl group, isopentyl group, neopentyl group, etc. are mentioned. A part of the hydrogen atoms of the alkyl group of Rd 4 may be substituted with a hydroxyl group, a cyano group, or the like.

Rd4 에 있어서의 알콕시기는, 탄소수 1 ∼ 5 의 알콕시기가 바람직하고, 탄소수 1 ∼ 5 의 알콕시기로서 구체적으로는, 메톡시기, 에톡시기, n-프로폭시기, 이소-프로폭시기, n-부톡시기, tert-부톡시기를 들 수 있다. 그 중에서도, 메톡시기, 에톡시기가 바람직하다. The alkoxy group for Rd 4 is preferably an alkoxy group having 1 to 5 carbon atoms, and specifically as an alkoxy group having 1 to 5 carbon atoms, a methoxy group, an ethoxy group, n-propoxy group, iso-propoxy group, n- butoxy group and tert-butoxy group. Especially, a methoxy group and an ethoxy group are preferable.

Rd4 에 있어서의 알케닐기는, 상기 식 (b-1) 중의 R101 등과 동일한 것을 들 수 있고, 비닐기, 프로페닐기 (알릴기), 1-메틸프로페닐기, 2-메틸프로페닐기가 바람직하다. 이들 기는 추가로 치환기로서, 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬기 또는 탄소수 1 ∼ 5 의 할로겐화알킬기를 가져도 된다.Examples of the alkenyl group for Rd 4 include the same as those for R 101 in the formula (b-1), and a vinyl group, a propenyl group (allyl group), a 1-methylpropenyl group, and a 2-methylpropenyl group are preferable. . These groups may further have a C1-C5 alkyl group or a C1-C5 halogenated alkyl group as a substituent.

Rd4 에 있어서의 고리형기는, 상기 식 (b-1) 중의 R101 등과 동일한 것을 들 수 있고, 시클로펜탄, 시클로헥산, 아다만탄, 노르보르난, 이소보르난, 트리시클로데칸, 테트라시클로도데칸 등의 시클로알칸으로부터 1 개 이상의 수소 원자를 제거한 지환형기, 또는, 페닐기, 나프틸기 등의 방향족기가 바람직하다. Rd4 가 지환형기인 경우, 레지스트 조성물이 유기 용제에 양호하게 용해함으로써, 리소그래피 특성이 양호해진다.Examples of the cyclic group for Rd 4 include the same as R 101 in the formula (b-1), cyclopentane, cyclohexane, adamantane, norbornane, isobornane, tricyclodecane, and tetracyclo. An alicyclic group obtained by removing one or more hydrogen atoms from a cycloalkane such as dodecane, or an aromatic group such as a phenyl group or a naphthyl group is preferable. When Rd 4 is an alicyclic group, the resist composition dissolves favorably in the organic solvent, thereby improving the lithographic properties.

식 (d2-3) 중, Yd1 은, 단결합 또는 2 가의 연결기이다.In formula (d2-3), Yd 1 is a single bond or a divalent linking group.

Yd1 에 있어서의 2 가의 연결기로는, 특별히 한정되지 않지만, 치환기를 가져도 되는 2 가의 탄화수소기 (지방족 탄화수소기, 방향족 탄화수소기), 헤테로 원자를 포함하는 2 가의 연결기 등을 들 수 있다. 이들은 각각, 상기 식 (a10-1) 중의 Yax1 에 있어서의 2 가의 연결기에 대한 설명 중에서 든, 치환기를 가져도 되는 2 가의 탄화수소기, 헤테로 원자를 포함하는 2 가의 연결기와 동일한 것을 들 수 있다.Although it does not specifically limit as a divalent linking group in Yd 1 , A divalent hydrocarbon group (aliphatic hydrocarbon group, aromatic hydrocarbon group) which may have a substituent, a divalent linking group containing a hetero atom, etc. are mentioned. Examples of these are the same divalent hydrocarbon groups and divalent linking groups containing a hetero atom which may have a substituent, which are mentioned in the description of the divalent linking group for Ya x1 in the formula (a10-1), respectively.

Yd1 로는, 카르보닐기, 에스테르 결합, 아미드 결합, 알킬렌기 또는 이들의 조합인 것이 바람직하다. 알킬렌기로는, 직사슬형 또는 분기 사슬형의 알킬렌기인 것이 보다 바람직하고, 메틸렌기 또는 에틸렌기인 것이 더욱 바람직하다.Yd 1 is preferably a carbonyl group, an ester bond, an amide bond, an alkylene group, or a combination thereof. As an alkylene group, it is more preferable that it is a linear or branched alkylene group, and it is still more preferable that it is a methylene group or an ethylene group.

이하에 (d2-3) 성분의 아니온부의 바람직한 구체예를 나타낸다.Preferred specific examples of the anion moiety of the component (d2-3) are shown below.

[화학식 54] [Formula 54]

Figure pat00054
Figure pat00054

[화학식 55] [Formula 55]

Figure pat00055
Figure pat00055

·카티온부 ・Cathion

식 (d2-3) 중, M'm+ 는, m 가의 오늄 카티온이며, 상기 식 (d2-1) 중의 M'm+ 와 동일하다.In formula (d2-3), M' m+ is an onium cation of m valence, and is the same as M' m+ in said formula (d2-1).

(d2-3) 성분은, 1 종을 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 조합하여 사용해도 된다.(d2-3) A component may be used individually by 1 type, and may be used in combination of 2 or more type.

(D2) 성분은, 상기 (d2-1) ∼ (d2-3) 성분 중 어느 1 종만을 사용해도 되고, 2 종 이상을 조합하여 사용해도 된다.(D2) component may use only 1 type in any one of said (d2-1) - (d2-3) component, and may use it in combination of 2 or more type.

레지스트 조성물이 (D2) 성분을 함유하는 경우, 레지스트 조성물 중, (D2) 성분의 함유량은, (A) 성분 100 질량부에 대해, 0.5 ∼ 35 질량부가 바람직하고, 1 ∼ 25 질량부가 보다 바람직하고, 2 ∼ 20 질량부가 더욱 바람직하고, 3 ∼ 15 질량부가 특히 바람직하다.When the resist composition contains component (D2), the content of component (D2) in the resist composition is preferably 0.5 to 35 parts by mass, more preferably 1 to 25 parts by mass, based on 100 parts by mass of component (A), , 2-20 mass parts is more preferable, and 3-15 mass parts is especially preferable.

(D2) 성분의 함유량이 바람직한 하한값 이상이면, 특히 양호한 리소그래피 특성 및 레지스트 패턴 형상이 얻어지기 쉽다. 한편, 상한값 이하이면, 다른 성분과의 밸런스를 잡을 수 있어, 여러 가지 리소그래피 특성이 양호해진다.When the content of the component (D2) is equal to or more than the preferred lower limit, particularly favorable lithography characteristics and resist pattern shape are easily obtained. On the other hand, if it is below the upper limit, a balance with other components can be achieved, and various lithographic characteristics become favorable.

(D2) 성분의 제조 방법 : (D2) Method of Preparation of Component:

상기 (d2-1) 성분, (d2-2) 성분의 제조 방법은, 특별히 한정되지 않고, 공지된 방법에 의해 제조할 수 있다.The manufacturing method of the said (d2-1) component and (d2-2) component is not specifically limited, It can manufacture by a well-known method.

또, (d2-3) 성분의 제조 방법은, 특별히 한정되지 않고, 예를 들어, US2012-0149916호에 기재된 방법과 동일하게 하여 제조된다.Moreover, the manufacturing method of (d2-3) component is not specifically limited, For example, it carries out similarly to the method of US2012-0149916, and manufactures.

≪(E) 성분 : 유기 카르복실산 그리고 인의 옥소산 및 그 유도체로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종의 화합물≫«Component (E): at least one compound selected from the group consisting of organic carboxylic acids and phosphorus oxo acids and derivatives thereof»

본 실시형태의 레지스트 조성물에는, 감도 열화의 방지나, 레지스트 패턴 형상, 보존 시간 경과적 안정성 등의 향상의 목적으로, 임의의 성분으로서, 유기 카르복실산 그리고 인의 옥소산 및 그 유도체로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종의 화합물 (E) (이하 「(E) 성분」이라고 한다) 를 함유시킬 수 있다.In the resist composition of the present embodiment, for the purpose of preventing sensitivity deterioration and improving resist pattern shape and stability over storage time, as optional components, from the group consisting of organic carboxylic acids and phosphorus oxo acids and derivatives thereof. At least one selected compound (E) (hereinafter referred to as “component (E)”) can be contained.

유기 카르복실산으로는, 예를 들어, 아세트산, 말론산, 시트르산, 말산, 숙신산, 벤조산, 살리실산 등이 바람직하다.As organic carboxylic acid, acetic acid, malonic acid, citric acid, malic acid, succinic acid, benzoic acid, salicylic acid, etc. are preferable, for example.

인의 옥소산으로는, 인산, 포스폰산, 포스핀산 등을 들 수 있고, 이들 중에서도 특히 포스폰산이 바람직하다.Phosphoric acid, phosphonic acid, phosphinic acid etc. are mentioned as an oxo acid of phosphorus, Among these, phosphonic acid is especially preferable.

인의 옥소산의 유도체로는, 예를 들어, 상기 옥소산의 수소 원자를 탄화수소기로 치환한 에스테르 등을 들 수 있고, 상기 탄화수소기로는, 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬기, 탄소수 6 ∼ 15 의 아릴기 등을 들 수 있다. Examples of the derivative of phosphorus oxo acid include esters in which a hydrogen atom of the oxo acid is substituted with a hydrocarbon group. Examples of the hydrocarbon group include an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, an aryl group having 6 to 15 carbon atoms, and the like. can be heard

인산의 유도체로는, 인산디-n-부틸에스테르, 인산디페닐에스테르 등의 인산에스테르 등을 들 수 있다.Phosphoric acid esters, such as phosphoric acid di-n-butyl ester and phosphoric acid diphenyl ester, etc. are mentioned as a derivative|guide_body of phosphoric acid.

포스폰산의 유도체로는, 포스폰산디메틸에스테르, 포스폰산-디-n-부틸에스테르, 페닐포스폰산, 포스폰산디페닐에스테르, 포스폰산디벤질에스테르 등의 포스폰산에스테르 등을 들 수 있다. Examples of the derivative of phosphonic acid include phosphonic acid esters such as dimethyl phosphonic acid, phosphonic acid-di-n-butyl ester, phenylphosphonic acid, phosphonic acid diphenyl ester, and phosphonic acid dibenzyl ester.

포스핀산의 유도체로는, 포스핀산에스테르나 페닐포스핀산 등을 들 수 있다.As a derivative of a phosphinic acid, a phosphinic acid ester, phenylphosphinic acid, etc. are mentioned.

본 실시형태의 레지스트 조성물에 있어서, (E) 성분은, 1 종을 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 병용해도 된다.In the resist composition of this embodiment, the component (E) may be used individually by 1 type, and may use 2 or more types together.

레지스트 조성물이 (E) 성분을 함유하는 경우, (E) 성분의 함유량은, (A) 성분 100 질량부에 대해, 통상, 0.01 ∼ 5 질량부의 범위에서 사용된다.When the resist composition contains component (E), the content of component (E) is usually used in the range of 0.01 to 5 parts by mass with respect to 100 parts by mass of component (A).

≪(F) 성분 : 불소 첨가제 성분≫«Component (F): Fluorine additive component»

본 실시형태의 레지스트 조성물은, 레지스트막에 발수성을 부여하기 위해서, 또는 리소그래피 특성을 향상시키기 위해, 불소 첨가제 성분 (이하 「(F) 성분」이라고 한다) 을 함유해도 된다.The resist composition of the present embodiment may contain a fluorine additive component (hereinafter referred to as "component (F)") in order to impart water repellency to the resist film or to improve lithography characteristics.

(F) 성분으로는, 예를 들어, 일본 공개특허공보 2010-002870호, 일본 공개특허공보 2010-032994호, 일본 공개특허공보 2010-277043호, 일본 공개특허공보 2011-13569호, 일본 공개특허공보 2011-128226호에 기재된 함불소 고분자 화합물을 사용할 수 있다.(F) As a component, Unexamined-Japanese-Patent No. 2010-002870, Unexamined-Japanese-Patent No. 2010-032994, Unexamined-Japanese-Patent No. 2010-277043, Unexamined-Japanese-Patent No. 2011-13569, Unexamined-Japanese-Patent No. The fluorinated polymer compound described in Publication No. 2011-128226 can be used.

(F) 성분으로서 보다 구체적으로는, 하기 식 (f1-1) 로 나타내는 구성 단위 (f1) 을 갖는 중합체를 들 수 있다. 이 중합체로는, 하기 식 (f1-1) 로 나타내는 구성 단위 (f1) 만으로 이루어지는 중합체 (호모폴리머) ; 그 구성 단위 (f1) 과 상기 구성 단위 (a1) 의 공중합체 ; 그 구성 단위 (f1) 과 아크릴산 또는 메타크릴산으로부터 유도되는 구성 단위와 상기 구성 단위 (a1) 의 공중합체인 것이 바람직하다. 여기서, 그 구성 단위 (f1) 과 공중합되는 상기 구성 단위 (a1) 로는, 1-에틸-1-시클로옥틸(메트)아크릴레이트로부터 유도되는 구성 단위, 1-메틸-1-아다만틸(메트)아크릴레이트로부터 유도되는 구성 단위가 바람직하다.(F) The polymer which has a structural unit (f1) represented by a following formula (f1-1) more specifically as a component is mentioned. As this polymer, the polymer (homopolymer) which consists only of the structural unit (f1) represented by a following formula (f1-1); a copolymer of the structural unit (f1) and the structural unit (a1); It is preferable that it is a copolymer of the structural unit (f1), the structural unit derived from acrylic acid or methacrylic acid, and the said structural unit (a1). Here, as the structural unit (a1) copolymerized with the structural unit (f1), a structural unit derived from 1-ethyl-1-cyclooctyl (meth)acrylate, 1-methyl-1-adamantyl (meth) Structural units derived from acrylates are preferred.

[화학식 56] [Formula 56]

Figure pat00056
Figure pat00056

[식 중, R 은 상기와 동일하고, Rf102 및 Rf103 은 각각 독립적으로 수소 원자, 할로겐 원자, 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬기 또는 탄소수 1 ∼ 5 의 할로겐화알킬기를 나타내고, Rf102 및 Rf103 은 동일해도 되고 상이해도 된다. nf1 은 1 ∼ 5 의 정수이며, Rf101 은 불소 원자를 포함하는 유기기이다.] [Wherein, R is the same as above, Rf 102 and Rf 103 each independently represent a hydrogen atom, a halogen atom, an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms or a halogenated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, and Rf 102 and Rf 103 are the same It may or may not be different. nf 1 is an integer of 1 to 5, and Rf 101 is an organic group containing a fluorine atom.]

식 (f1-1) 중, α 위치의 탄소 원자에 결합한 R 은, 상기와 동일하다. R 로는, 수소 원자 또는 메틸기가 바람직하다.In the formula (f1-1), R bonded to the carbon atom at the α-position is the same as described above. As R, a hydrogen atom or a methyl group is preferable.

식 (f1-1) 중, Rf102 및 Rf103 의 할로겐 원자로는, 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자, 요오드 원자 등을 들 수 있고, 특히 불소 원자가 바람직하다. Rf102 및 Rf103 의 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬기로는, 상기 R 의 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬기와 동일한 것을 들 수 있고, 메틸기 또는 에틸기가 바람직하다. Rf102 및 Rf103 의 탄소수 1 ∼ 5 의 할로겐화알킬기로서, 구체적으로는, 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬기의 수소 원자의 일부 또는 전부가, 할로겐 원자로 치환된 기를 들 수 있다. 그 할로겐 원자로는, 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자, 요오드 원자 등을 들 수 있고, 특히 불소 원자가 바람직하다. 그 중에서도 Rf102 및 Rf103 으로는, 수소 원자, 불소 원자, 또는 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬기가 바람직하고, 수소 원자, 불소 원자, 메틸기, 또는 에틸기가 바람직하다. In the formula (f1-1), examples of the halogen atom for Rf 102 and Rf 103 include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom and an iodine atom, and a fluorine atom is particularly preferable. Examples of the alkyl group having 1 to 5 carbon atoms for Rf 102 and Rf 103 include the same groups as the alkyl group having 1 to 5 carbon atoms for R, and a methyl group or an ethyl group is preferable. Specific examples of the halogenated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms for Rf 102 and Rf 103 include groups in which part or all of the hydrogen atoms of the alkyl group having 1 to 5 carbon atoms are substituted with halogen atoms. A fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, an iodine atom etc. are mentioned as this halogen atom, A fluorine atom is especially preferable. Especially, as Rf 102 and Rf 103 , a hydrogen atom, a fluorine atom, or a C1-C5 alkyl group is preferable, and a hydrogen atom, a fluorine atom, a methyl group, or an ethyl group is preferable.

식 (f1-1) 중, nf1 은 1 ∼ 5 의 정수이며, 1 ∼ 3 의 정수가 바람직하고, 1 또는 2 인 것이 보다 바람직하다.Expression, nf 1 of (f1-1) is an integer from 1 to 5, more preferably an integer of 1 to 3 is preferable, 1 or 2;

식 (f1-1) 중, Rf101 은, 불소 원자를 포함하는 유기기이며, 불소 원자를 포함하는 탄화수소기인 것이 바람직하다.In formula (f1-1), Rf 101 is an organic group containing a fluorine atom, and is preferably a hydrocarbon group containing a fluorine atom.

불소 원자를 포함하는 탄화수소기로는, 직사슬형, 분기 사슬형 또는 고리형 중 어느 것이어도 되고, 탄소수는 1 ∼ 20 인 것이 바람직하고, 탄소수 1 ∼ 15 인 것이 보다 바람직하고, 탄소수 1 ∼ 10 이 특히 바람직하다.The hydrocarbon group containing a fluorine atom may be any of linear, branched or cyclic, preferably having 1 to 20 carbon atoms, more preferably 1 to 15 carbon atoms, more preferably 1 to 10 carbon atoms. Especially preferred.

또, 불소 원자를 포함하는 탄화수소기는, 당해 탄화수소기에 있어서의 수소 원자의 25 % 이상이 불소화되어 있는 것이 바람직하고, 50 % 이상이 불소화되어 있는 것이 보다 바람직하고, 60 % 이상이 불소화되어 있는 것이, 침지 노광 시의 레지스트막의 소수성이 높아지는 점에서 특히 바람직하다.Moreover, as for the hydrocarbon group containing a fluorine atom, it is preferable that 25% or more of the hydrogen atoms in the said hydrocarbon group are fluorinated, it is more preferable that 50% or more is fluorinated, that 60% or more is fluorinated, It is especially preferable at the point which the hydrophobicity of the resist film at the time of immersion exposure becomes high.

그 중에서도, Rf101 로는, 탄소수 1 ∼ 6 의 불소화탄화수소기가 보다 바람직하고, 트리플루오로메틸기, -CH2-CF3, -CH2-CF2-CF3, -CH(CF3)2, -CH2-CH2-CF3, -CH2-CH2-CF2-CF2-CF2-CF3 이 특히 바람직하다.Especially, as Rf 101 , a C1-C6 fluorohydrocarbon group is more preferable, and a trifluoromethyl group, -CH 2 -CF 3 , -CH 2 -CF 2 -CF 3 , -CH(CF 3 ) 2 , - CH 2 -CH 2 -CF 3 , -CH 2 -CH 2 -CF 2 -CF 2 -CF 2 -CF 3 are particularly preferred.

(F) 성분의 질량 평균 분자량 (Mw) (겔 퍼미에이션 크로마토그래피에 의한 폴리스티렌 환산 기준) 은, 1000 ∼ 50000 이 바람직하고, 5000 ∼ 40000 이 보다 바람직하고, 10000 ∼ 30000 이 가장 바람직하다. 이 범위의 상한값 이하이면, 레지스트로서 사용하는 데에 레지스트용 용제에 대한 충분한 용해성이 있고, 이 범위의 하한값 이상이면, 레지스트막의 발수성이 양호하다.(F) 1000-50000 are preferable, as for the mass average molecular weight (Mw) (polystyrene conversion standard by gel permeation chromatography) of component, 5000-40000 are more preferable, and 10000-30000 are the most preferable. If it is below the upper limit of this range, there exists sufficient solubility with respect to the solvent for resists for use as a resist, and if it is more than the lower limit of this range, the water repellency of a resist film is favorable.

(F) 성분의 분산도 (Mw/Mn) 는, 1.0 ∼ 5.0 이 바람직하고, 1.0 ∼ 3.0 이 보다 바람직하고, 1.2 ∼ 2.5 가 가장 바람직하다.(F) 1.0-5.0 are preferable, as for the dispersion degree (Mw/Mn) of component, 1.0-3.0 are more preferable, 1.2-2.5 are the most preferable.

본 실시형태의 레지스트 조성물에 있어서, (F) 성분은, 1 종을 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 병용해도 된다.In the resist composition of this embodiment, the component (F) may be used individually by 1 type, and may use 2 or more types together.

레지스트 조성물이 (F) 성분을 함유하는 경우, (F) 성분의 함유량은, (A) 성분 100 질량부에 대해, 통상, 0.5 ∼ 10 질량부의 비율로 사용된다.When the resist composition contains component (F), the content of component (F) is usually used in an amount of 0.5 to 10 parts by mass with respect to 100 parts by mass of component (A).

≪(S) 성분 : 유기 용제 성분≫≪(S) component: organic solvent component≫

본 실시형태의 레지스트 조성물은, 레지스트 재료를 유기 용제 성분 (이하 「(S) 성분」이라고 한다) 에 용해시켜 제조할 수 있다. The resist composition of the present embodiment can be produced by dissolving a resist material in an organic solvent component (hereinafter referred to as "(S) component").

(S) 성분으로는, 사용하는 각 성분을 용해하여, 균일한 용액으로 할 수 있는 것이면 되고, 종래, 화학 증폭형 레지스트 조성물의 용제로서 공지된 것 중에서 임의의 것을 적절히 선택하여 사용할 수 있다.As the component (S), each component to be used can be dissolved to form a uniform solution, and any solvent can be appropriately selected and used from conventionally known solvents for chemically amplified resist compositions.

(S) 성분으로는, 예를 들어, γ-부티로락톤 등의 락톤류 ; 아세톤, 메틸에틸케톤, 시클로헥산온, 메틸-n-펜틸케톤, 메틸이소펜틸케톤, 2-헵탄온 등의 케톤류 ; 에틸렌글리콜, 디에틸렌글리콜, 프로필렌글리콜, 디프로필렌글리콜 등의 다가 알코올류 ; 에틸렌글리콜모노아세테이트, 디에틸렌글리콜모노아세테이트, 프로필렌글리콜모노아세테이트, 또는 디프로필렌글리콜모노아세테이트 등의 에스테르 결합을 갖는 화합물, 상기 다가 알코올류 또는 상기 에스테르 결합을 갖는 화합물의 모노메틸에테르, 모노에틸에테르, 모노프로필에테르, 모노부틸에테르 등의 모노알킬에테르 또는 모노페닐에테르 등의 에테르 결합을 갖는 화합물 등의 다가 알코올류의 유도체 [이것들 중에서는, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트 (PGMEA), 프로필렌글리콜모노메틸에테르 (PGME) 가 바람직하다] ; 디옥산과 같은 고리형 에테르류나, 락트산메틸, 락트산에틸 (EL), 아세트산메틸, 아세트산에틸, 아세트산부틸, 피루브산메틸, 피루브산에틸, 메톡시프로피온산메틸, 에톡시프로피온산에틸 등의 에스테르류 ; 아니솔, 에틸벤질에테르, 크레실메틸에테르, 디페닐에테르, 디벤질에테르, 페네톨, 부틸페닐에테르, 에틸벤젠, 디에틸벤젠, 펜틸벤젠, 이소프로필벤젠, 톨루엔, 크실렌, 시멘, 메시틸렌 등의 방향족계 유기 용제, 디메틸술폭사이드 (DMSO) 등을 들 수 있다.(S) As a component, For example, lactones, such as (gamma)-butyrolactone; ketones such as acetone, methyl ethyl ketone, cyclohexanone, methyl-n-pentyl ketone, methyl isopentyl ketone, and 2-heptanone; polyhydric alcohols such as ethylene glycol, diethylene glycol, propylene glycol and dipropylene glycol; A compound having an ester bond, such as ethylene glycol monoacetate, diethylene glycol monoacetate, propylene glycol monoacetate, or dipropylene glycol monoacetate, monomethyl ether, monoethyl ether of the polyhydric alcohol or compound having an ester bond, Derivatives of polyhydric alcohols such as compounds having an ether bond such as monoalkyl ethers such as monopropyl ether and monobutyl ether or monophenyl ether [among these, propylene glycol monomethyl ether acetate (PGMEA), propylene glycol monomethyl ether (PGME) is preferable]; cyclic ethers such as dioxane, esters such as methyl lactate, ethyl lactate (EL), methyl acetate, ethyl acetate, butyl acetate, methyl pyruvate, ethyl pyruvate, methyl methoxypropionate, and ethyl ethoxypropionate; Anisole, ethylbenzyl ether, cresyl methyl ether, diphenyl ether, dibenzyl ether, phenetol, butylphenyl ether, ethylbenzene, diethylbenzene, pentylbenzene, isopropylbenzene, toluene, xylene, cymene, mesitylene, etc. of aromatic organic solvents, dimethyl sulfoxide (DMSO), and the like.

본 실시형태의 레지스트 조성물에 있어서, (S) 성분은, 1 종 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상의 혼합 용제로서 사용해도 된다.In the resist composition of the present embodiment, the component (S) may be used singly or as a mixed solvent of two or more kinds.

그 중에서도, PGMEA, PGME, γ-부티로락톤, EL, 시클로헥산온이 바람직하다.Especially, PGMEA, PGME, (gamma)-butyrolactone, EL, and cyclohexanone are preferable.

또, PGMEA 와 극성 용제를 혼합한 혼합 용제도 바람직하다. 그 배합비 (질량비) 는, PGMEA 와 극성 용제의 상용성 등을 고려하여 적절히 결정하면 되지만, 바람직하게는 1 : 9 ∼ 9 : 1, 보다 바람직하게는 2 : 8 ∼ 8 : 2 의 범위 내로 하는 것이 바람직하다.Moreover, the mixed solvent which mixed PGMEA and the polar solvent is also preferable. The compounding ratio (mass ratio) may be appropriately determined in consideration of the compatibility of PGMEA and the polar solvent, etc., but preferably within the range of 1: 9 to 9: 1, more preferably 2: 8 to 8: 2. desirable.

보다 구체적으로는, 극성 용제로서 EL 또는 시클로헥산온을 배합하는 경우에는, PGMEA : EL 또는 시클로헥산온의 질량비는, 바람직하게는 1 : 9 ∼ 9 : 1, 보다 바람직하게는 2 : 8 ∼ 8 : 2 이다. 또, 극성 용제로서 PGME 를 배합하는 경우에는, PGMEA : PGME 의 질량비는, 바람직하게는 1 : 9 ∼ 9 : 1, 보다 바람직하게는 2 : 8 ∼ 8 : 2, 더욱 바람직하게는 3 : 7 ∼ 7 : 3 이다. 또한, PGMEA 와 PGME 와 시클로헥산온의 혼합 용제도 바람직하다.More specifically, when EL or cyclohexanone is blended as a polar solvent, the mass ratio of PGMEA:EL or cyclohexanone is preferably 1:9 to 9:1, more preferably 2:8 to 8. : is 2. Moreover, when mix|blending PGME as a polar solvent, the mass ratio of PGMEA:PGME becomes like this. Preferably it is 1:9-9:1, More preferably, 2:8-8:2, More preferably, 3:7- It is 7:3. Moreover, the mixed solvent of PGMEA, PGME, and cyclohexanone is also preferable.

또, (S) 성분으로서, 그 외에는, PGMEA 및 EL 중에서 선택되는 적어도 1 종과 γ-부티로락톤의 혼합 용제도 바람직하다. 이 경우, 혼합 비율로는, 전자와 후자의 질량비가, 바람직하게는 70 : 30 ∼ 95 : 5 가 된다.In addition, as the component (S), a mixed solvent of at least one selected from PGMEA and EL and γ-butyrolactone is also preferable. In this case, as a mixing ratio, the mass ratio of the former and the latter becomes like this. Preferably it becomes 70:30-95:5.

(S) 성분의 사용량은, 특별히 한정되지 않고, 기판 등에 도포 가능한 농도로, 도포막 두께에 따라 적절히 설정된다. 일반적으로는 레지스트 조성물의 고형분 농도가 0.1 ∼ 50 질량%, 바람직하게는 10 ∼ 50 질량% 의 범위 내가 되도록 (S) 성분은 사용된다.(S) The usage-amount of component is not specifically limited, It is a density|concentration which can be apply|coated to a board|substrate etc., and it sets suitably according to the coating film thickness. In general, component (S) is used so that the solid content concentration of the resist composition is in the range of 0.1 to 50 mass%, preferably 10 to 50 mass%.

본 실시형태의 레지스트 조성물에는, 추가로 원하는 바에 따라 혼화성이 있는 첨가제, 예를 들어 레지스트막의 성능을 개량하기 위한 부가적 수지, 용해 억제제, 가소제, 안정제, 착색제, 할레이션 방지제, 염료 등을 적절히, 첨가 함유시킬 수 있다.In the resist composition of the present embodiment, a miscible additive, for example, an additional resin for improving the performance of the resist film, a dissolution inhibitor, a plasticizer, a stabilizer, a colorant, an antihalation agent, a dye, and the like may be suitably added to the resist composition of the present embodiment. , may be added.

본 실시형태의 레지스트 조성물은, 상기 레지스트 재료를 (S) 성분에 용해시킨 후, 폴리이미드 다공질막, 폴리아미드이미드 다공질막 등을 사용하여, 불순물 등의 제거를 실시해도 된다. 예를 들어, 폴리이미드 다공질막으로 이루어지는 필터, 폴리아미드이미드 다공질막으로 이루어지는 필터, 폴리이미드 다공질막 및 폴리아미드이미드 다공질막으로 이루어지는 필터 등을 사용하여, 레지스트 조성물의 여과를 실시해도 된다. 상기 폴리이미드 다공질막 및 상기 폴리아미드이미드 다공질막으로는, 예를 들어, 일본 공개특허공보 2016-155121호에 기재된 것 등이 예시된다.In the resist composition of the present embodiment, after dissolving the resist material in the component (S), impurities and the like may be removed using a porous polyimide film, a porous polyamideimide film, or the like. For example, the resist composition may be filtered using a filter made of a porous polyimide film, a filter made of a porous polyamideimide film, a filter made of a porous polyimide film and a porous polyamideimide film, or the like. As said polyimide porous membrane and said polyamideimide porous membrane, the thing of Unexamined-Japanese-Patent No. 2016-155121 etc. are illustrated, for example.

본 실시형태의 네거티브형 레지스트 조성물은, 고분자 화합물 (A1) 과, 산발생제 (B0) 과, 가교제 (C) 와, 분자 내에 페놀성 수산기를 1 개 또는 2 개 갖고, 카르복시기를 갖지 않는 방향족 화합물 (Z) 와 함유한다.The negative resist composition of the present embodiment comprises a polymer compound (A1), an acid generator (B0), a crosslinking agent (C), and an aromatic compound having one or two phenolic hydroxyl groups in the molecule and not having a carboxyl group. (Z) and contains.

본 발명들이 검토한 결과, 기재 성분으로서 알칼리 가용성 폴리하이드록시스티렌계 수지를 채용한 네거티브형 레지스트 조성물을 사용하여 레지스트 패턴을 형성한 경우, 웨트 에칭 내성을 이용하여 미크론 오더의 후막 레지스트막을 성막하고, 레지스트 패턴을 형성하여 에칭을 실시한 경우, 에칭 내성이 불충분한 경우가 있었다. 이것은, 당해 네거티브형 레지스트 조성물을 사용하여 형성한 레지스트막은, 기판 계면과의 밀착성이 불충분하기 때문이라고 생각된다.As a result of the studies of the present invention, when a resist pattern is formed using a negative resist composition employing an alkali-soluble polyhydroxystyrene-based resin as a base component, a micron-order thick resist film is formed using wet etching resistance, When etching was performed by forming a resist pattern, the etching resistance was insufficient in some cases. It is considered that this is because the resist film formed using the negative resist composition has insufficient adhesion to the substrate interface.

상기 서술한 본 실시형태의 레지스트 조성물에 있어서는, (Z) 성분이 레지스트막의 하층에 편석하여, 기판 밀착성의 향상에 기여하고 있다고 추측된다. 그 때문에, 본 실시형태의 네거티브형 레지스트 조성물을 사용하여 형성한 레지스트 패턴은, 에칭 내성이 양호하게 된다고 추측된다.In the resist composition of the present embodiment described above, it is presumed that component (Z) segregates in the lower layer of the resist film and contributes to the improvement of substrate adhesion. Therefore, it is estimated that the resist pattern formed using the negative resist composition of the present embodiment has good etching resistance.

(레지스트 패턴 형성 방법) (Resist pattern formation method)

본 발명의 제 2 양태는, 지지체 상에, 상기 서술한 제 1 양태에 관련된 레지스트 조성물을 사용하여 레지스트막을 형성하는 공정 (i), 상기 레지스트막을 노광하는 공정 (ii), 및 상기 노광 후의 레지스트막을 현상하여 레지스트 패턴을 형성하는 공정 (iii) 을 갖는 레지스트 패턴 형성 방법이다.A second aspect of the present invention includes a step (i) of forming a resist film on a support using the resist composition according to the first aspect, a step (ii) of exposing the resist film, and a resist film after exposure It is a resist pattern formation method which has the process (iii) of developing and forming a resist pattern.

이러한 레지스트 패턴 형성 방법의 일 실시형태로는, 예를 들어 이하와 같이 하여 실시하는 레지스트 패턴 형성 방법을 들 수 있다. As one embodiment of such a resist pattern formation method, the resist pattern formation method implemented as follows, for example is mentioned.

공정 (i) : Process (i):

먼저, 지지체 상에, 상기 서술한 실시형태의 레지스트 조성물을, 스피너 등으로 도포하고, 베이크 (포스트 어플라이 베이크 (PAB)) 처리를, 예를 들어 80 ∼ 160 ℃ 의 온도 조건으로 40 ∼ 200 초간, 바람직하게는 60 ∼ 150 초간 실시하여 레지스트막을 형성한다.First, on a support body, the resist composition of the above-mentioned embodiment is apply|coated with a spinner etc., and a bake (post-apply bake (PAB)) process is carried out for 40 to 200 second under the temperature conditions of 80-160 degreeC, for example. , preferably for 60 to 150 seconds to form a resist film.

공정 (ii) : Process (ii):

다음으로, 그 레지스트막에 대해, 예를 들어 KrF 노광 장치 등의 노광 장치를 사용하여, 소정의 패턴이 형성된 마스크 (마스크 패턴) 를 개재한 노광 등에 의한 선택적 노광을 실시한 후, 베이크 (포스트 익스포저 베이크 (PEB)) 처리를, 예를 들어 80 ∼ 150 ℃ 의 온도 조건으로 40 ∼ 150 초간, 바람직하게는 60 ∼ 120 초간 실시한다.Next, the resist film is selectively exposed by exposure or the like through a mask (mask pattern) in which a predetermined pattern is formed using an exposure apparatus such as a KrF exposure apparatus, for example, and then baked (post-exposure bake). (PEB)) process is, for example, 80-150 degreeC temperature condition for 40 to 150 second, Preferably it is for 60 to 120 second.

공정 (iii) : Process (iii):

다음으로, 상기 레지스트막을 현상 처리한다. 현상 처리는, 알칼리 현상 프로세스의 경우에는, 알칼리 현상액을 사용하고, 용제 현상 프로세스의 경우에는, 유기 용제를 함유하는 현상액 (유기계 현상액) 을 사용하여 실시한다. Next, the resist film is developed. In the case of an alkali developing process, the developing treatment is performed using an alkali developing solution, and in the case of a solvent developing process, using the developing solution (organic type developing solution) containing an organic solvent.

현상 처리 후, 바람직하게는 린스 처리를 실시한다. 린스 처리는, 알칼리 현상 프로세스의 경우에는, 순수를 사용한 물린스가 바람직하고, 용제 현상 프로세스의 경우에는, 유기 용제를 함유하는 린스액을 사용하는 것이 바람직하다.After the developing treatment, preferably a rinse treatment is performed. As for the rinse treatment, in the case of an alkali developing process, a water rinse using pure water is preferable, and in the case of a solvent developing process, it is preferable to use the rinse liquid containing an organic solvent.

용제 현상 프로세스의 경우, 상기 현상 처리 또는 린스 처리 후에, 패턴 상에 부착되어 있는 현상액 또는 린스액을, 초임계 유체에 의해 제거하는 처리를 실시해도 된다.In the case of a solvent developing process, after the said developing process or a rinse process, you may perform the process which removes the developing solution or rinse liquid adhering on the pattern with a supercritical fluid.

현상 처리 후 또는 린스 처리 후, 건조를 실시한다. 또, 경우에 따라서는, 상기 현상 처리 후에 베이크 처리 (포스트 베이크) 를 실시해도 된다. 여기서의 베이크 처리 (포스트 베이크) 는, 예를 들어 80 ℃ 이상, 바람직하게는 90 ∼ 120 ℃ 의 온도 조건으로 10 ∼ 120 초간, 바람직하게는 30 ∼ 90 초간 실시된다.Drying is performed after developing or rinsing. Moreover, you may implement a baking process (post-baking) after the said developing process depending on the case. The baking process (post-baking) here is 80 degreeC or more, for example, Preferably it is 90 to 120 degreeC temperature conditions for 10-120 second, Preferably it is 30 to 90 second.

이와 같이 하여, 레지스트 패턴을 형성할 수 있다.In this way, a resist pattern can be formed.

지지체로는, 특별히 한정되지 않고, 종래 공지된 것을 사용할 수 있고, 예를 들어, 전자 부품용의 기판이나, 이것에 소정의 배선 패턴이 형성된 것 등을 들 수 있다. 보다 구체적으로는, 실리콘 웨이퍼, 구리, 크롬, 철, 알루미늄 등의 금속제의 기판이나, 유리 기판 등을 들 수 있다. 배선 패턴의 재료로는, 예를 들어 구리, 알루미늄, 니켈, 금 등이 사용 가능하다.It does not specifically limit as a support body, A conventionally well-known thing can be used, For example, the board|substrate for electronic components, the thing in which the predetermined wiring pattern was formed, etc. are mentioned. More specifically, a silicon wafer, a metal substrate, such as copper, chromium, iron, and aluminum, a glass substrate, etc. are mentioned. As a material of a wiring pattern, copper, aluminum, nickel, gold|metal|money, etc. can be used, for example.

또, 지지체로는, 상기 서술한 바와 같은 기판 상에, 무기계 및/또는 유기계의 막이 형성된 것이어도 된다. 무기계의 막으로는, 무기 반사 방지막 (무기 BARC) 을 들 수 있다. 유기계의 막으로는, 유기 반사 방지막 (유기 BARC) 이나, 다층 레지스트법에 있어서의 하층 유기막 등의 유기막을 들 수 있다.Moreover, as a support body, the thing in which the film|membrane of the inorganic type and/or organic type was formed on the above-mentioned board|substrate may be sufficient. Examples of the inorganic film include an inorganic antireflection film (inorganic BARC). As an organic film|membrane, organic films, such as an organic antireflection film (organic BARC) and the lower layer organic film in a multilayer resist method, are mentioned.

여기서, 다층 레지스트법이란, 기판 상에, 적어도 한 층의 유기막 (하층 유기막) 과 적어도 한 층의 레지스트막 (상층 레지스트막) 을 형성하고, 상층 레지스트막에 형성한 레지스트 패턴을 마스크로 하여 하층 유기막의 패터닝을 실시하는 방법이며, 고애스펙트비의 패턴을 형성할 수 있다고 되어 있다. 즉, 다층 레지스트법에 의하면, 하층 유기막에 의해 필요한 두께를 확보할 수 있기 때문에, 레지스트막을 박막화할 수 있어, 고애스펙트비의 미세 패턴 형성이 가능해진다.Here, in the multilayer resist method, at least one organic film (lower organic film) and at least one resist film (upper resist film) are formed on a substrate, and the resist pattern formed on the upper resist film is used as a mask. It is a method of patterning the lower organic film, and it is said that a pattern with a high aspect ratio can be formed. That is, according to the multilayer resist method, since the required thickness can be ensured by the lower organic film, the resist film can be thinned and fine patterns with high aspect ratio can be formed.

다층 레지스트법에는, 기본적으로, 상층 레지스트막과, 하층 유기막의 2 층 구조로 하는 방법 (2 층 레지스트법) 과, 상층 레지스트막과 하층 유기막 사이에 1 층 이상의 중간층 (금속 박막 등) 을 형성한 3 층 이상의 다층 구조로 하는 방법 (3 층 레지스트법) 으로 나누어진다.In the multilayer resist method, basically, the upper resist film and the lower organic film have a two-layer structure (two-layer resist method), and one or more intermediate layers (such as a metal thin film) are formed between the upper resist film and the lower organic film. It is divided into a method of forming a multilayer structure of three or more layers (three-layer resist method).

실시형태의 레지스트 패턴 형성 방법은, 후막의 레지스트막을 성막하여 실시할 때에 유용한 방법이다. 상기 공정 (i) 에서 형성하는 레지스트막의 막두께가, 예를 들어 1 ∼ 10 ㎛ 여도, 레지스트 패턴을 양호한 형상으로 안정적으로 형성할 수 있다.The resist pattern forming method of the embodiment is a method useful when forming and performing a thick resist film. Even if the film thickness of the resist film formed in the said process (i) is 1-10 micrometers, for example, a resist pattern can be formed stably in a favorable shape.

노광에 사용하는 파장은, 특별히 한정되지 않고, g 선, i 선 등의 자외선, ArF 엑시머 레이저광, KrF 엑시머 레이저광, F2 엑시머 레이저광, EUV (극단 자외선), VUV (진공 자외선), EB (전자선), X 선, 연 X 선 등의 방사선을 사용하여 실시할 수 있다.The wavelength used for exposure is not particularly limited, and ultraviolet rays such as g-line and i-ray, ArF excimer laser light, KrF excimer laser light, F 2 excimer laser light, EUV (extreme ultraviolet), VUV (vacuum ultraviolet), EB (electron beam), X-rays, soft X-rays, etc. can be used for carrying out.

상기 서술한 제 1 양태에 관련된 레지스트 조성물은, g 선, i 선 등의 자외선, KrF 엑시머 레이저광, ArF 엑시머 레이저광, EB 또는 EUV 용으로서의 유용성이 높고, g 선, i 선 등의 자외선, KrF 엑시머 레이저광, ArF 엑시머 레이저광용으로서의 유용성이 보다 높고, g 선, i 선 등의 자외선, KrF 엑시머 레이저광용으로서의 유용성이 특히 높다. 제 2 양태에 관련된 레지스트 패턴 형성 방법은, 상기 공정 (ii) 에 있어서, 상기 레지스트막에, g 선, i 선 등의 자외선, KrF 엑시머 레이저광을 조사하는 경우에 특히 바람직한 방법이다. The resist composition according to the first aspect described above has high utility for ultraviolet rays such as g-line and i-ray, KrF excimer laser light, ArF excimer laser light, EB or EUV, and ultraviolet rays such as g-line and i-ray, KrF The usefulness for excimer laser beams and ArF excimer laser beams is higher, and the usefulness for ultraviolet rays such as g-rays and i-rays and KrF excimer laser beams is particularly high. The resist pattern forming method according to the second aspect is particularly preferable when, in the step (ii), the resist film is irradiated with ultraviolet rays such as g-line or i-ray, or KrF excimer laser beam.

레지스트막의 노광 방법은, 공기나 질소 등의 불활성 가스 중에서 실시하는 통상적인 노광 (드라이 노광) 이어도 되고, 액침 노광 (Liquid Immersion Lithography) 이어도 된다.The exposure method of the resist film may be normal exposure (dry exposure) carried out in an inert gas such as air or nitrogen, or may be liquid immersion lithography.

액침 노광은, 미리 레지스트막과 노광 장치의 최하 위치의 렌즈 사이를, 공기의 굴절률보다 큰 굴절률을 갖는 용매 (액침 매체) 로 채우고, 그 상태에서 노광 (침지 노광) 을 실시하는 노광 방법이다.Liquid immersion exposure is an exposure method in which a space between a resist film and a lens at the lowest position of the exposure apparatus is previously filled with a solvent (immersion medium) having a refractive index greater than that of air, and exposure (immersion exposure) is performed in that state.

액침 매체로는, 공기의 굴절률보다 크고, 또한, 노광되는 레지스트막의 굴절률보다 작은 굴절률을 갖는 용매가 바람직하다. 이러한 용매의 굴절률로는, 상기 범위 내이면 특별히 제한되지 않는다.As the immersion medium, a solvent having a refractive index larger than the refractive index of air and smaller than the refractive index of the resist film to be exposed is preferable. The refractive index of the solvent is not particularly limited as long as it is within the above range.

공기의 굴절률보다 크고, 또한, 상기 레지스트막의 굴절률보다 작은 굴절률을 갖는 용매로는, 예를 들어, 물, 불소계 불활성 액체, 실리콘계 용제, 탄화수소계 용제 등을 들 수 있다.Examples of the solvent having a refractive index greater than the refractive index of air and smaller than the refractive index of the resist film include water, a fluorine-based inert liquid, a silicone-based solvent, and a hydrocarbon-based solvent.

불소계 불활성 액체의 구체예로는, C3HCl2F5, C4F9OCH3, C4F9OC2H5, C5H3F7 등의 불소계 화합물을 주성분으로 하는 액체 등을 들 수 있고, 비점이 70 ∼ 180 ℃ 인 것이 바람직하고, 80 ∼ 160 ℃ 인 것이 보다 바람직하다. 불소계 불활성 액체가 상기 범위의 비점을 갖는 것이면, 노광 종료 후에, 액침에 사용한 매체의 제거를, 간편한 방법으로 실시할 수 있는 점에서 바람직하다.Specific examples of the fluorine-based inert liquid include a liquid containing a fluorine-based compound such as C 3 HCl 2 F 5 , C 4 F 9 OCH 3 , C 4 F 9 OC 2 H 5 , and C 5 H 3 F 7 as a main component. It is preferable that it is 70-180 degreeC, and, as for a boiling point, it is more preferable that it is 80-160 degreeC. If the fluorine-based inert liquid has a boiling point within the above range, it is preferable that the medium used for immersion can be removed by a simple method after the exposure is completed.

불소계 불활성 액체로는, 특히, 알킬기의 수소 원자가 모두 불소 원자로 치환된 퍼플루오로알킬 화합물이 바람직하다. 퍼플루오로알킬 화합물로는, 구체적으로는, 퍼플루오로알킬에테르 화합물, 퍼플루오로알킬아민 화합물을 들 수 있다. As the fluorine-based inert liquid, in particular, a perfluoroalkyl compound in which all hydrogen atoms in the alkyl group are substituted with fluorine atoms is preferable. Specific examples of the perfluoroalkyl compound include a perfluoroalkyl ether compound and a perfluoroalkylamine compound.

또한, 구체적으로는, 상기 퍼플루오로알킬에테르 화합물로는, 퍼플루오로(2-부틸-테트라하이드로푸란) (비점 102 ℃) 을 들 수 있고, 상기 퍼플루오로알킬아민 화합물로는, 퍼플루오로트리부틸아민 (비점 174 ℃) 을 들 수 있다.Further, specifically, as the perfluoroalkyl ether compound, perfluoro(2-butyl-tetrahydrofuran) (boiling point 102° C.) is exemplified, and as the perfluoroalkylamine compound, perfluoro and lotributylamine (boiling point 174°C).

액침 매체로는, 비용, 안전성, 환경 문제, 범용성 등의 관점에서, 물이 바람직하게 사용된다.As the immersion medium, water is preferably used from the viewpoints of cost, safety, environmental problems, versatility, and the like.

알칼리 현상 프로세스에서 현상 처리에 사용하는 알칼리 현상액으로는, 예를 들어 0.1 ∼ 10 질량% 테트라메틸암모늄하이드록사이드 (TMAH) 수용액을 들 수 있다.As an alkali developing solution used for developing in an alkali developing process, 0.1-10 mass % tetramethylammonium hydroxide (TMAH) aqueous solution is mentioned, for example.

용제 현상 프로세스에서 현상 처리에 사용하는 유기계 현상액이 함유하는 유기 용제로는, (A) 성분 (노광 전의 (A) 성분) 을 용해할 수 있는 것이면 되고, 공지된 유기 용제 중에서 적절히 선택할 수 있다. 구체적으로는, 케톤계 용제, 에스테르계 용제, 알코올계 용제, 니트릴계 용제, 아미드계 용제, 에테르계 용제 등의 극성 용제, 탄화수소계 용제 등을 들 수 있다.The organic solvent contained in the organic developer used for the developing treatment in the solvent developing process should just be one that can dissolve the component (A) (component (A) before exposure), and can be appropriately selected from known organic solvents. Specific examples thereof include polar solvents such as ketone solvents, ester solvents, alcohol solvents, nitrile solvents, amide solvents and ether solvents, and hydrocarbon solvents.

케톤계 용제는, 구조 중에 C-C(=O)-C 를 포함하는 유기 용제이다. 에스테르계 용제는, 구조 중에 C-C(=O)-O-C 를 포함하는 유기 용제이다. 알코올계 용제는, 구조 중에 알코올성 수산기를 포함하는 유기 용제이다. 「알코올성 수산기」는, 지방족 탄화수소기의 탄소 원자에 결합한 수산기를 의미한다. 니트릴계 용제는, 구조 중에 니트릴기를 포함하는 유기 용제이다. 아미드계 용제는, 구조 중에 아미드기를 포함하는 유기 용제이다. 에테르계 용제는, 구조 중에 C-O-C 를 포함하는 유기 용제이다.A ketone-based solvent is an organic solvent containing C-C(=O)-C in its structure. The ester solvent is an organic solvent containing C-C(=O)-O-C in its structure. The alcohol-based solvent is an organic solvent containing an alcoholic hydroxyl group in its structure. "Alcoholic hydroxyl group" means the hydroxyl group couple|bonded with the carbon atom of the aliphatic hydrocarbon group. The nitrile-based solvent is an organic solvent containing a nitrile group in its structure. The amide-based solvent is an organic solvent containing an amide group in its structure. The etheric solvent is an organic solvent containing C-O-C in its structure.

유기 용제 중에는, 구조 중에 상기 각 용제를 특징짓는 관능기를 복수종 포함하는 유기 용제도 존재하지만, 그 경우는, 당해 유기 용제가 갖는 관능기를 포함하는 어느 용제종에도 해당하는 것으로 한다. 예를 들어, 디에틸렌글리콜모노메틸에테르는, 상기 분류 중의 알코올계 용제, 에테르계 용제의 어느 것에도 해당하는 것으로 한다. In the organic solvent, there is also an organic solvent containing a plurality of types of functional groups that characterize each of the above-mentioned solvents in the structure. In that case, however, it shall be applicable to any type of solvent containing a functional group which the organic solvent has. For example, diethylene glycol monomethyl ether shall correspond to any of the alcohol solvents and ether solvents in the said classification|category.

탄화수소계 용제는, 할로겐화되어 있어도 되는 탄화수소로 이루어지고, 할로겐 원자 이외의 치환기를 갖지 않는 탄화수소 용제이다. 할로겐 원자로는, 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자, 요오드 원자 등을 들 수 있고, 불소 원자가 바람직하다.A hydrocarbon solvent is a hydrocarbon solvent which consists of hydrocarbons which may be halogenated and does not have substituents other than a halogen atom. As a halogen atom, a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, an iodine atom, etc. are mentioned, A fluorine atom is preferable.

유기계 현상액이 함유하는 유기 용제로는, 상기 중에서도, 극성 용제가 바람직하고, 케톤계 용제, 에스테르계 용제, 니트릴계 용제 등이 바람직하다.As the organic solvent contained in the organic developer, among the above, a polar solvent is preferable, and a ketone solvent, an ester solvent, a nitrile solvent, and the like are preferable.

케톤계 용제로는, 예를 들어, 1-옥탄온, 2-옥탄온, 1-노난온, 2-노난온, 아세톤, 4-헵탄온, 1-헥산온, 2-헥산온, 디이소부틸케톤, 시클로헥산온, 메틸시클로헥산온, 페닐아세톤, 메틸에틸케톤, 메틸이소부틸케톤, 아세틸아세톤, 아세토닐아세톤, 이오논, 디아세토닐알코올, 아세틸카비놀, 아세토페논, 메틸나프틸케톤, 이소포론, 프로필렌카보네이트, γ-부티로락톤, 메틸아밀케톤(2-헵탄온) 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 케톤계 용제로는, 메틸아밀케톤(2-헵탄온) 이 바람직하다.Examples of the ketone solvent include 1-octanone, 2-octanone, 1-nonanone, 2-nonanone, acetone, 4-heptanone, 1-hexanone, 2-hexanone, and diisobutyl. Ketone, cyclohexanone, methylcyclohexanone, phenylacetone, methylethylketone, methylisobutylketone, acetylacetone, acetonylacetone, ionone, diacetonyl alcohol, acetylcarbinol, acetophenone, methylnaphthylketone, isophorone, propylene carbonate, γ-butyrolactone, methyl amyl ketone (2-heptanone), and the like. Among these, as the ketone solvent, methyl amyl ketone (2-heptanone) is preferable.

에스테르계 용제로는, 예를 들어, 아세트산메틸, 아세트산부틸, 아세트산에틸, 아세트산이소프로필, 아세트산아밀, 아세트산이소아밀, 메톡시아세트산에틸, 에톡시아세트산에틸, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 에틸렌글리콜모노에틸에테르아세테이트, 에틸렌글리콜모노프로필에테르아세테이트, 에틸렌글리콜모노부틸에테르아세테이트, 에틸렌글리콜모노페닐에테르아세테이트, 디에틸렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 디에틸렌글리콜모노프로필에테르아세테이트, 디에틸렌글리콜모노에틸에테르아세테이트, 디에틸렌글리콜모노페닐에테르아세테이트, 디에틸렌글리콜모노부틸에테르아세테이트, 디에틸렌글리콜모노에틸에테르아세테이트, 2-메톡시부틸아세테이트, 3-메톡시부틸아세테이트, 4-메톡시부틸아세테이트, 3-메틸-3-메톡시부틸아세테이트, 3-에틸-3-메톡시부틸아세테이트, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 프로필렌글리콜모노에틸에테르아세테이트, 프로필렌글리콜모노프로필에테르아세테이트, 2-에톡시부틸아세테이트, 4-에톡시부틸아세테이트, 4-프로폭시부틸아세테이트, 2-메톡시펜틸아세테이트, 3-메톡시펜틸아세테이트, 4-메톡시펜틸아세테이트, 2-메틸-3-메톡시펜틸아세테이트, 3-메틸-3-메톡시펜틸아세테이트, 3-메틸-4-메톡시펜틸아세테이트, 4-메틸-4-메톡시펜틸아세테이트, 프로필렌글리콜디아세테이트, 포름산메틸, 포름산에틸, 포름산부틸, 포름산프로필, 락트산에틸, 락트산부틸, 락트산프로필, 탄산에틸, 탄산프로필, 탄산부틸, 피루브산메틸, 피루브산에틸, 피루브산프로필, 피루브산부틸, 아세토아세트산메틸, 아세토아세트산에틸, 프로피온산메틸, 프로피온산에틸, 프로피온산프로필, 프로피온산이소프로필, 2-하이드록시프로피온산메틸, 2-하이드록시프로피온산에틸, 메틸-3-메톡시프로피오네이트, 에틸-3-메톡시프로피오네이트, 에틸-3-에톡시프로피오네이트, 프로필-3-메톡시프로피오네이트 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 에스테르계 용제로는, 아세트산부틸이 바람직하다.As an ester solvent, for example, methyl acetate, butyl acetate, ethyl acetate, isopropyl acetate, amyl acetate, isoamyl acetate, methoxy ethyl acetate, ethoxy ethyl acetate, propylene glycol monomethyl ether acetate, ethylene glycol Monoethyl ether acetate, ethylene glycol monopropyl ether acetate, ethylene glycol monobutyl ether acetate, ethylene glycol monophenyl ether acetate, diethylene glycol monomethyl ether acetate, diethylene glycol monopropyl ether acetate, diethylene glycol monoethyl ether acetate, Diethylene glycol monophenyl ether acetate, diethylene glycol monobutyl ether acetate, diethylene glycol monoethyl ether acetate, 2-methoxybutyl acetate, 3-methoxybutyl acetate, 4-methoxybutyl acetate, 3-methyl-3 -Methoxybutyl acetate, 3-ethyl-3-methoxybutyl acetate, propylene glycol monomethyl ether acetate, propylene glycol monoethyl ether acetate, propylene glycol monopropyl ether acetate, 2-ethoxybutyl acetate, 4-ethoxybutyl Acetate, 4-propoxybutyl acetate, 2-methoxypentyl acetate, 3-methoxypentyl acetate, 4-methoxypentyl acetate, 2-methyl-3-methoxypentyl acetate, 3-methyl-3-methoxypentyl Acetate, 3-methyl-4-methoxypentyl acetate, 4-methyl-4-methoxypentyl acetate, propylene glycol diacetate, methyl formate, ethyl formate, butyl formate, propyl formate, ethyl lactate, butyl lactate, propyl lactate, Ethyl carbonate, propyl carbonate, butyl carbonate, methyl pyruvate, ethyl pyruvate, propyl pyruvate, butyl pyruvate, methyl acetoacetate, ethyl acetoacetate, methyl propionate, ethyl propionate, propyl propionate, isopropyl propionate, 2-hydroxypropionate methyl, 2 -ethyl hydroxypropionate, methyl-3-methoxypropionate, ethyl-3-methoxypropionate, ethyl-3-ethoxypropionate, propyl-3-methoxypropionate, etc. are mentioned. . Among these, as an ester solvent, butyl acetate is preferable.

니트릴계 용제로는, 예를 들어, 아세토니트릴, 프로피오니트릴, 발레로니트릴, 부티로니트릴 등을 들 수 있다.As a nitrile-type solvent, acetonitrile, propionitrile, valeronitrile, butyronitrile, etc. are mentioned, for example.

유기계 현상액에는, 필요에 따라 공지된 첨가제를 배합할 수 있다. 그 첨가제로는, 예를 들어 계면 활성제를 들 수 있다. 계면 활성제로는, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어 이온성이나 비이온성의 불소계 및/또는 실리콘계 계면 활성제 등을 사용할 수 있다. 계면 활성제로는, 비이온성의 계면 활성제가 바람직하고, 비이온성의 불소계 계면 활성제, 또는 비이온성의 실리콘계 계면 활성제가 보다 바람직하다.A well-known additive can be mix|blended with an organic type developing solution as needed. As the additive, surfactant is mentioned, for example. Although it does not specifically limit as surfactant, For example, ionic or nonionic fluorine type and/or silicone type surfactant etc. can be used. As surfactant, a nonionic surfactant is preferable, and a nonionic fluorochemical surfactant or a nonionic silicone type surfactant is more preferable.

계면 활성제를 배합하는 경우, 그 배합량은, 유기계 현상액의 전체량에 대해, 통상 0.001 ∼ 5 질량% 이며, 0.005 ∼ 2 질량% 가 바람직하고, 0.01 ∼ 0.5 질량% 가 보다 바람직하다. When mix|blending surfactant, the compounding quantity is 0.001-5 mass % normally with respect to the whole quantity of an organic type developing solution, 0.005-2 mass % is preferable, and its 0.01-0.5 mass % is more preferable.

현상 처리는, 공지된 현상 방법에 의해 실시하는 것이 가능하고, 예를 들어 현상액 중에 지지체를 일정 시간 침지하는 방법 (딥법), 지지체 표면에 현상액을 표면 장력에 의해 융기시켜 일정 시간 정지하는 방법 (퍼들법), 지지체 표면에 현상액을 분무하는 방법 (스프레이법), 일정 속도로 회전하고 있는 지지체 상에 일정 속도로 현상액 도출 노즐을 스캔하면서 현상액을 계속 도출하는 방법 (다이나믹 디스펜스법) 등을 들 수 있다.The developing treatment can be carried out by a known developing method, for example, a method in which the support is immersed in a developer for a certain period of time (dip method), a method in which the developer is raised on the surface of the support by surface tension and stopped for a certain period of time (puddle) method), a method of spraying a developer on the surface of a support (spray method), and a method of continuously drawing out a developer while scanning a developer extraction nozzle at a constant speed on a support rotating at a constant speed (dynamic dispensing method). .

용제 현상 프로세스에서 현상 처리 후의 린스 처리에 사용하는 린스액이 함유하는 유기 용제로는, 예를 들어 상기 유기계 현상액에 사용하는 유기 용제로서 든 유기 용제 중, 레지스트 패턴을 용해하기 어려운 것을 적절히 선택하여 사용할 수 있다. 통상, 탄화수소계 용제, 케톤계 용제, 에스테르계 용제, 알코올계 용제, 아미드계 용제 및 에테르계 용제에서 선택되는 적어도 1 종의 용제를 사용한다. 이들 중에서도, 탄화수소계 용제, 케톤계 용제, 에스테르계 용제, 알코올계 용제 및 아미드계 용제에서 선택되는 적어도 1 종이 바람직하고, 알코올계 용제 및 에스테르계 용제에서 선택되는 적어도 1 종이 보다 바람직하고, 알코올계 용제가 특히 바람직하다.As the organic solvent contained in the rinsing solution used for the rinsing treatment after the development in the solvent development process, for example, from among the organic solvents used for the above organic developer, those that do not dissolve the resist pattern are appropriately selected and used. can Usually, at least one solvent selected from hydrocarbon solvents, ketone solvents, ester solvents, alcohol solvents, amide solvents and ether solvents is used. Among these, at least one selected from hydrocarbon solvents, ketone solvents, ester solvents, alcohol solvents and amide solvents is preferable, and at least one solvent selected from alcohol solvents and ester solvents is more preferable, and alcohol Solvents are particularly preferred.

린스액에 사용하는 알코올계 용제는, 탄소수 6 ∼ 8 의 1 가 알코올이 바람직하고, 그 1 가 알코올은 직사슬형, 분기형 또는 고리형 중 어느 것이어도 된다. 구체적으로는, 1-헥산올, 1-헵탄올, 1-옥탄올, 2-헥산올, 2-헵탄올, 2-옥탄올, 3-헥산올, 3-헵탄올, 3-옥탄올, 4-옥탄올, 벤질알코올 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 1-헥산올, 2-헵탄올, 2-헥산올이 바람직하고, 1-헥산올, 2-헥산올이 보다 바람직하다.The alcohol solvent used for the rinse liquid is preferably a monohydric alcohol having 6 to 8 carbon atoms, and the monohydric alcohol may be linear, branched or cyclic. Specifically, 1-hexanol, 1-heptanol, 1-octanol, 2-hexanol, 2-heptanol, 2-octanol, 3-hexanol, 3-heptanol, 3-octanol, 4 - Octanol, benzyl alcohol, etc. are mentioned. Among these, 1-hexanol, 2-heptanol, and 2-hexanol are preferable, and 1-hexanol and 2-hexanol are more preferable.

이들 유기 용제는, 어느 1 종을 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 병용해도 된다. 또, 상기 이외의 유기 용제나 물과 혼합하여 사용해도 된다. 단, 현상 특성을 고려하면, 린스액 중의 물의 배합량은, 린스액의 전체량에 대해, 30 질량% 이하가 바람직하고, 10 질량% 이하가 보다 바람직하고, 5 질량% 이하 더욱 바람직하고, 3 질량% 이하가 특히 바람직하다. These organic solvents may be used individually by any 1 type, and may use 2 or more types together. Moreover, you may use it, mixing with organic solvents and water other than the above. However, in consideration of the development characteristics, the amount of water in the rinse liquid is preferably 30 mass% or less, more preferably 10 mass% or less, still more preferably 5 mass% or less, and 3 mass% with respect to the total amount of the rinse liquid % or less is particularly preferred.

린스액에는, 필요에 따라 공지된 첨가제를 배합할 수 있다. 그 첨가제로는, 예를 들어 계면 활성제를 들 수 있다. 계면 활성제는, 상기와 동일한 것을 들 수 있고, 비이온성의 계면 활성제가 바람직하고, 비이온성의 불소계 계면 활성제, 또는 비이온성의 실리콘계 계면 활성제가 보다 바람직하다. A well-known additive can be mix|blended with a rinse liquid as needed. As the additive, surfactant is mentioned, for example. As for surfactant, the thing similar to the above is mentioned, A nonionic surfactant is preferable, and a nonionic fluorochemical surfactant or a nonionic silicone type surfactant is more preferable.

계면 활성제를 배합하는 경우, 그 배합량은, 린스액의 전체량에 대해, 통상 0.001 ∼ 5 질량% 이며, 0.005 ∼ 2 질량% 가 바람직하고, 0.01 ∼ 0.5 질량% 가 보다 바람직하다.When mix|blending surfactant, the compounding quantity is 0.001-5 mass % normally with respect to the whole quantity of a rinse liquid, 0.005-2 mass % is preferable, and its 0.01-0.5 mass % is more preferable.

린스액을 사용한 린스 처리 (세정 처리) 는, 공지된 린스 방법에 의해 실시할 수 있다. 그 린스 처리의 방법으로는, 예를 들어 일정 속도로 회전하고 있는 지지체 상에 린스액을 계속 도출하는 방법 (회전 도포법), 린스액 중에 지지체를 일정 시간 침지하는 방법 (딥법), 지지체 표면에 린스액을 분무하는 방법 (스프레이법) 등을 들 수 있다.The rinsing process (washing process) using a rinsing liquid can be performed by a well-known rinsing method. As a method of the rinsing treatment, for example, a method of continuously extracting a rinse solution on a support rotating at a constant speed (rotary coating method), a method of immersing the support in a rinse liquid for a certain period of time (dip method), on the surface of the support The method of spraying a rinse liquid (spray method), etc. are mentioned.

이상 설명한 본 실시형태의 레지스트 패턴 형성 방법에 있어서는, 상기 서술한 제 1 양태에 관련된 레지스트 조성물이 사용되고 있기 때문에, 에칭 내성이 양호한 레지스트 패턴이 얻어진다고 추측된다.In the resist pattern formation method of the present embodiment described above, since the resist composition according to the first aspect described above is used, it is estimated that a resist pattern with good etching resistance can be obtained.

실시예Example

이하, 실시예에 의해 본 발명을 더욱 상세하게 설명하지만, 본 발명은 이들 예에 의해 한정되는 것은 아니다.Hereinafter, although an Example demonstrates this invention further in detail, this invention is not limited by these examples.

<레지스트 조성물의 조제> <Preparation of resist composition>

(실시예 1 ∼ 12, 비교예 1 ∼ 5) (Examples 1 to 12, Comparative Examples 1 to 5)

표 1 ∼ 2 에 나타내는 각 성분을 혼합하여 용해해, 각 예의 레지스트 조성물을 각각 조제했다.Each component shown in Tables 1-2 was mixed and melt|dissolved, and the resist composition of each example was prepared, respectively.

Figure pat00057
Figure pat00057

Figure pat00058
Figure pat00058

표 1, 2 중, 각 약호는 각각 이하의 의미를 갖는다. [] 안의 수치는 배합량 (질량부) 이다.In Tables 1 and 2, each abbreviation has the following meaning, respectively. Numerical values in [] are compounding amounts (parts by mass).

(A)-1 : 하기 화학식 (A-1) 로 나타내는 고분자 화합물. 이 고분자 화합물 (A-1) 은, 그 고분자 화합물을 구성하는 구성 단위를 유도하는 모노머를, 소정의 몰비로 사용하여 라디칼 중합시킴으로써 얻었다. 이 고분자 화합물 (A-1) 에 대해, GPC 측정에 의해 구한 표준 폴리스티렌 환산의 중량 평균 분자량 (Mw) 은 2500, 분자량 분산도 (Mw/Mn) 는 1.2. 13C-NMR 에 의해 구해진 공중합 조성비 (구조식 중의 각 구성 단위의 비율 (몰비)) 는 l/m = 90/10.(A)-1: A high molecular compound represented by the following formula (A-1). This high molecular compound (A-1) was obtained by radical polymerization using a monomer that induces structural units constituting the high molecular compound in a predetermined molar ratio. For this high molecular compound (A-1), the weight average molecular weight (Mw) in terms of standard polystyrene determined by GPC measurement was 2500, and the molecular weight dispersion (Mw/Mn) was 1.2. The copolymer composition ratio (ratio (molar ratio) of each structural unit in the structural formula) determined by 13 C-NMR was l/m = 90/10.

[화학식 57] [Formula 57]

Figure pat00059
Figure pat00059

(A)-2 : 하기 화학식 (A-2) 로 나타내는 고분자 화합물 (호모폴리머). 이 고분자 화합물 (A-2) 는, 그 고분자 화합물을 구성하는 구성 단위를 유도하는 모노머 (하이드록시스티렌) 를 라디칼 중합시킴으로써 얻었다. 이 고분자 화합물 (A-2) 에 대해, GPC 측정에 의해 구한 표준 폴리스티렌 환산의 중량 평균 분자량 (Mw) 은 2500, 분자량 분산도 (Mw/Mn) 는 1.2. (A)-2: A high molecular compound (homopolymer) represented by the following formula (A-2). This high molecular compound (A-2) was obtained by radical polymerization of the monomer (hydroxystyrene) which induces|guides|derives the structural unit which comprises this high molecular compound. About this polymer compound (A-2), the weight average molecular weight (Mw) calculated|required by GPC measurement in conversion of standard polystyrene was 2500, and molecular weight dispersion degree (Mw/Mn) was 1.2.

[화학식 58] [Formula 58]

Figure pat00060
Figure pat00060

(B)-1 ∼ (B)-3 : 하기 화학식 (B-1) ∼ (B-3) 으로 각각 나타내는 화합물로 이루어지는 산발생제.(B)-1 to (B)-3: An acid generator comprising a compound represented by the following formulas (B-1) to (B-3).

[화학식 59] [Formula 59]

Figure pat00061
Figure pat00061

(C)-1 : 하기 화학식 (C-1) 로 나타내는 화합물로 이루어지는 가교제.(C)-1: A crosslinking agent comprising a compound represented by the following formula (C-1).

(D)-1 : 하기 화학식 (D-1) 로 나타내는 화합물로 이루어지는 함질소 유기 화합물.(D)-1: A nitrogen-containing organic compound comprising a compound represented by the following formula (D-1).

[화학식 60] [Formula 60]

Figure pat00062
Figure pat00062

(Z)-1 : 하기 화학식 (Z-1) 로 나타내는 화합물. 질량 평균 분자량 (Mw) 은 268.36.(Z)-1: A compound represented by the following formula (Z-1). The mass average molecular weight (Mw) is 268.36.

(Z)-2 : 하기 화학식 (Z-2) 로 나타내는 화합물. 질량 평균 분자량 (Mw) 은 352.43.(Z)-2: A compound represented by the following formula (Z-2). The mass average molecular weight (Mw) was 352.43.

(Z)-3 : 하기 화학식 (Z-3) 으로 나타내는 화합물. 질량 평균 분자량 (Mw) 은 246.31. (Z)-3: A compound represented by the following formula (Z-3). The mass average molecular weight (Mw) is 246.31.

(Z)-11 : 하기 화학식 (Z-11) 로 나타내는 화합물. 질량 평균 분자량 (Mw) 은 230.22.(Z)-11: A compound represented by the following formula (Z-11). The mass average molecular weight (Mw) is 230.22.

(Z)-12 : 하기 화학식 (Z-12) 로 나타내는 화합물. 질량 평균 분자량 (Mw) 은 278.22.(Z)-12: A compound represented by the following formula (Z-12). The mass average molecular weight (Mw) was 278.22.

(Z)-13 : 하기 화학식 (Z-13) 으로 나타내는 화합물. 질량 평균 분자량 (Mw) 은 286.33.(Z)-13: A compound represented by the following formula (Z-13). The mass average molecular weight (Mw) was 286.33.

(S)-1 : 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트.(S)-1: Propylene glycol monomethyl ether acetate.

[화학식 61] [Formula 61]

Figure pat00063
Figure pat00063

<레지스트 패턴의 형성 방법> <Method of forming resist pattern>

공정 (i) : Process (i):

헥사메틸디실라잔 (HMDS) 처리를 실시한 실리콘 기판 상에, 각 예의 레지스트 조성물을 각각, 스피너를 사용하여 도포하고, 핫 플레이트 상에서, 90 ℃ 에서 90 초간의 프리베이크 (PAB) 처리를 실시하고, 건조함으로써, 막두께 3 ㎛ 의 레지스트막을 형성했다.On a silicon substrate subjected to hexamethyldisilazane (HMDS) treatment, each resist composition is applied using a spinner, and a prebaking (PAB) treatment is performed at 90° C. for 90 seconds on a hot plate, By drying, a resist film with a film thickness of 3 µm was formed.

공정 (ii) : Process (ii):

이어서, 상기 레지스트막에 대해, i 선 스테퍼 (축소 투영 노광 장치 : NSR-2205i14E (니콘사 제조 ; NA (개구수) = 0.57, σ = 0.67)) 에 의해, 고압 수은등 (365 nm) 을, 마스크 패턴을 개재하여 선택적으로 조사했다.Next, a high-pressure mercury-vapor lamp (365 nm) is masked with respect to the resist film by an i-line stepper (reduction projection exposure apparatus: NSR-2205i14E (manufactured by Nikon Corporation; NA (numerical aperture) = 0.57, σ = 0.67)). The pattern was interposed and investigated selectively.

이어서, 110 ℃ 에서 60 초간의 노광 후 가열 (PEB) 처리를 실시했다.Then, the post-exposure heating (PEB) process for 60 second was implemented at 110 degreeC.

공정 (iii) : Process (iii):

이어서, 현상액으로서 2.38 질량% 테트라메틸암모늄하이드록사이드 (TMAH) 수용액 「NMD-3」 (상품명, 토쿄 오카 공업 주식회사 제조) 을 사용하고, 23 ℃ 에서 60 초간의 조건에 의해 알칼리 현상을 실시했다.Then, alkali development was performed at 23 degreeC for 60 second conditions using 2.38 mass % tetramethylammonium hydroxide (TMAH) aqueous solution "NMD-3" (trade name, Tokyo Oka Kogyo Co., Ltd. make) as a developing solution.

그 후, 100 ℃ 에서 60 초간의 베이크 처리 (포스트 베이크) 를 실시했다.Then, the baking process (post-baking) for 60 second was implemented at 100 degreeC.

그 결과, 스페이스폭 600 nm 의 고립 라인 패턴 (이하 「IS 패턴」이라고 한다.) 이 형성되었다.As a result, an isolated line pattern (hereinafter referred to as an "IS pattern") having a space width of 600 nm was formed.

<언더 컷의 평가> <Evaluation of undercut>

상기 <레지스트 패턴의 형성 방법> 으로 형성한 IS 패턴의 단면 형상을, 주사형 전자현미경 (제품명 : S4500 ; 히타치 제작소사 제조) 으로 관찰하여, 언더 컷 (기판 상에 형성된 레지스트 패턴 저부의 레지스트 자체의 절입) (nm) 에 대해 평가했다. 결과를 표 3 및 4 에 나타낸다.The cross-sectional shape of the IS pattern formed by the above <Resist pattern formation method> was observed with a scanning electron microscope (product name: S4500; manufactured by Hitachi, Ltd.), and undercut (resist itself at the bottom of the resist pattern formed on the substrate) cut) (nm) was evaluated. The results are shown in Tables 3 and 4.

<내웨트 에칭 평가> <Wet etching resistance evaluation>

상기 서술한 레지스트 패턴의 형성 방법에 의해 IS 패턴이 형성된 기판의 일부를 잘라내고, 23 % 버퍼드 불산에 12 분간 침지했다.A part of the substrate on which the IS pattern was formed by the resist pattern formation method described above was cut out and immersed in 23% buffered hydrofluoric acid for 12 minutes.

침지 후의 IS 패턴의 단면 형상을, 주사형 전자현미경 (제품명 : S4500 ; 히타치 제작소사 제조) 으로 관찰하고, 사이드 에칭 (레지스트막과 기판 계면에 있어서의, 에칭에 의해 생긴 절입) (㎛) 을 평가했다. 결과를 표 3 및 4 에 나타낸다.The cross-sectional shape of the IS pattern after immersion was observed with a scanning electron microscope (product name: S4500; manufactured by Hitachi, Ltd.), and side etching (cut-out caused by etching at the interface between the resist film and the substrate) (µm) was evaluated. did. The results are shown in Tables 3 and 4.

Figure pat00064
Figure pat00064

Figure pat00065
Figure pat00065

표 3 및 4 에 나타내는 결과로부터, 실시예 1 ∼ 12 의 레지스트 조성물을 사용하여 형성한 레지스트 패턴은, 드라이 에칭 내성 및 웨트 에칭 내성이 양호한 것이 확인되었다.From the results shown in Tables 3 and 4, it was confirmed that the resist patterns formed using the resist compositions of Examples 1 to 12 had good dry etching resistance and wet etching resistance.

이상, 본 발명의 바람직한 실시예를 설명했지만, 본 발명은 이들 실시예로 한정되지 않는다. 본 발명의 취지를 일탈하지 않는 범위에서, 구성의 부가, 생략, 치환, 및 그 밖의 변경이 가능하다. 본 발명은 전술한 설명에 의해 한정되지 않고, 첨부의 클레임 범위에 의해서만 한정된다.As mentioned above, although the preferred Example of this invention was described, this invention is not limited to these Examples. In the range which does not deviate from the meaning of this invention, addition, omission, substitution, and other changes of a structure are possible. The present invention is not limited by the foregoing description, but only by the scope of the appended claims.

Claims (4)

하기 일반식 (a10-1) 로 나타내는 구성 단위 (a10) 을 갖는 고분자 화합물 (A1) 과,
하기 일반식 (b0-1) 로 나타내는 산발생제 (B0) 과,
가교제 (C) 와,
분자 내에 페놀성 수산기를 1 개 또는 2 개 갖고, 카르복시기를 갖지 않는 방향족 화합물 (Z) 를 함유하는 네거티브형 레지스트 조성물.
Figure pat00066

[식 중, R 은, 수소 원자, 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬기 또는 탄소수 1 ∼ 5 의 할로겐화알킬기이다. Yax1 은, 단결합 또는 2 가의 연결기이다. Wax1 은, 치환기를 가지고 있어도 되는 방향족 탄화수소기이다. nax1 은, 1 이상의 정수이다.]
Figure pat00067

[식 중, Rb1 은 유기기이다. Rb2 는, 하기 일반식 (b0-r-1) 또는 하기 일반식 (b0-r-2) 로 나타내는 기이다.]
Figure pat00068

[식 (b0-r-1) 중, Rb201 및 Rb202 는, 각각 독립적으로, 유기기이다. * 는 결합손을 나타낸다. 식 (b0-r-2) 중, Xb 는, -(O=)C-N-C(=O)- 와 함께 고리형 이미드 구조를 갖는 고리형기를 형성하는 기이다. * 는 결합손을 나타낸다.]
A polymer compound (A1) having a structural unit (a10) represented by the following general formula (a10-1);
an acid generator (B0) represented by the following general formula (b0-1);
a crosslinking agent (C);
A negative resist composition comprising an aromatic compound (Z) having one or two phenolic hydroxyl groups in a molecule and not having a carboxyl group.
Figure pat00066

[In the formula, R is a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, or a halogenated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms. Ya x1 is a single bond or a divalent linking group. Wa x1 is an aromatic hydrocarbon group which may have a substituent. n ax1 is an integer greater than or equal to 1.]
Figure pat00067

[Wherein, Rb 1 is an organic group. Rb 2 is a group represented by the following general formula (b0-r-1) or the following general formula (b0-r-2).]
Figure pat00068

[In formula (b0-r-1), Rb 201 and Rb 202 are each independently an organic group. * indicates a bond. In the formula (b0-r-2), Xb is a group that together with -(O=)CNC(=O)- forms a cyclic group having a cyclic imide structure. * indicates a bond hand.]
제 1 항에 있어서,
상기 방향족 화합물 (Z) 가, 하기 일반식 (z1-1) 로 나타내는 화합물 및 하기 일반식 (z2-1) 로 나타내는 화합물로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종을 함유하는, 네거티브형 레지스트 조성물.
Figure pat00069

[식 (z1-1) 중, Vz 1 은 하이드록시기 및 카르복시기를 갖지 않는 2 가의 연결기이다. 식 (z2-1) 중, Rz2 는, 탄화수소기이다. n1 은 1 또는 2 이다. n2 는 2 ∼ 5 의 정수이다. 단, n1 + n2 ≤ 6 이다.]
The method of claim 1,
A negative resist composition, wherein the aromatic compound (Z) contains at least one selected from the group consisting of a compound represented by the following general formula (z1-1) and a compound represented by the following general formula (z2-1).
Figure pat00069

[In formula (z1-1), V z 1 is a divalent linking group having no hydroxy group and no carboxy group. In formula (z2-1), Rz 2 is a hydrocarbon group. n1 is 1 or 2. n2 is an integer of 2-5. However, n1 + n2 ≤ 6.]
제 1 항에 있어서,
상기 방향족 화합물 (Z) 의 함유량이, 상기 고분자 화합물 (A1) 100 질량부에 대해, 0.5 ∼ 30 질량부인, 네거티브형 레지스트 조성물.
The method of claim 1,
The negative resist composition, wherein the content of the aromatic compound (Z) is 0.5 to 30 parts by mass based on 100 parts by mass of the high molecular compound (A1).
지지체 상에, 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 기재된 레지스트 조성물을 사용하여 레지스트막을 형성하는 공정, 상기 레지스트막을 노광하는 공정, 및 상기 노광 후의 레지스트막을 현상하여 레지스트 패턴을 형성하는 공정을 갖는, 레지스트 패턴 형성 방법.A step of forming a resist film on a support using the resist composition according to any one of claims 1 to 3, a step of exposing the resist film, and a step of developing the resist film after the exposure to form a resist pattern. A method for forming a resist pattern.
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