KR20210070695A - Wafer chucking device to improve wafer flatness - Google Patents

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Abstract

In order to achieve the above object, the wafer chucking device of the present invention includes a wafer chuck (100) for holding a wafer (W), and a plurality of variable region parts (V), on the upper surface (101) of the wafer chuck (100) corresponding to the wafer (W), that form a pressurized state to raise the wafer (W) to an upper side or form a reduced pressure state to lower the wafer (W) to a lower side.

Description

웨이퍼의 평탄도를 향상시킬 수 있는 웨이퍼 척킹 장치{Wafer chucking device to improve wafer flatness}Wafer chucking device to improve wafer flatness

본 발명은 웨이퍼 척킹 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 웨이퍼의 평탄도를 향상시킬 수 있는 웨이퍼 척킹 장치에 관한 것이다. The present invention relates to a wafer chucking apparatus, and more particularly, to a wafer chucking apparatus capable of improving the flatness of a wafer.

반도체 산업에서 최근 메모리 용량은 증가시키고 규격은 소형화하려는 업계의 요구에 대한 미세회로 형성에 있어서 한계가 있어 왔다. Recently, in the semiconductor industry, there has been a limit in the formation of a microcircuit in response to the industry's demand for an increase in memory capacity and miniaturization of a standard.

이러한 문제점을 해결하기 위해 3D 집적 회로가 제시 되었으며 3D 집적 회로는 기본적으로 칩 스택(chip stack) 방식으로 이루어지는데, 웨이퍼로부터 절단된 여러 개의 칩을 수직으로 적층하여 하나의 소자를 형성하는 것이다.To solve this problem, a 3D integrated circuit has been proposed, and the 3D integrated circuit is basically formed in a chip stack method, in which several chips cut from a wafer are vertically stacked to form a single device.

이때, 칩들 가의 전기적 연결은 각 칩에 수직으로 홀(hole)을 관통하는 전기적 연결 방식을 사용한다. In this case, the electrical connection between the chips uses an electrical connection method that penetrates a hole perpendicular to each chip.

또한, 3D 집적 회로와 같이 단일 반도체 패키지로서 적층된 칩들의 전체 두께를 보다 얇게 하기 위해서는 각 칩들이 절단 공정을 거치기 전 상태인 웨이퍼의 두께를 얇게 할 필요가 있으며, 이러한 분야에서 사용되는 웨이퍼에 형성된 기판 층의 두께는 보통 얇은 종이 한 장 두께인 10~500μm 정도로 매우 얇다. In addition, in order to make the overall thickness of the stacked chips as a single semiconductor package, such as a 3D integrated circuit, thinner, it is necessary to reduce the thickness of the wafer before each chip is subjected to a cutting process. The thickness of the substrate layer is usually very thin, about 10 to 500 μm, which is the thickness of a sheet of thin paper.

위와 같은 웨이퍼는 다양한 공정을 거쳐 최종적으로 전자 소자로 완성되며, 각 공정 단계를 거치는 동안에 웨이퍼를 그립(grip)하고 이송하고 안착시키는 반복적인 동작이 이루진다.The above wafer is finally completed as an electronic device through various processes, and repetitive operations of gripping, transferring, and seating the wafer are performed during each process step.

또한, 반도체 소자 제조 공정에서 웨이퍼의 형상이나 평탄도 등과 같은 기하학적인 모양은 반도체 칩의 수율에 크게 영향을 미치므로 엄격하게 관리되고 있다.In addition, in the semiconductor device manufacturing process, geometric shapes such as wafer shape and flatness greatly affect the yield of semiconductor chips, and thus are strictly managed.

즉, 최근 반도체 소자의 선폭 감소와 집적도의 증가로 인해 웨이퍼의 평탄도는 반도체 제조 공정에서의 생산성과 수율에 커다란 영향을 미친다. That is, the flatness of the wafer has a great influence on the productivity and yield in the semiconductor manufacturing process due to the recent decrease in the line width of the semiconductor device and the increase in the degree of integration.

그러나 위와 같은 웨이퍼는 두께가 매우 얇아 비교적 플렉시블 하기 때문에 공정 수행 동안 웨이퍼의 평탄도를 유지하기는 매우 어려움이 있다. However, since the above wafer is very thin and relatively flexible, it is very difficult to maintain the flatness of the wafer during the process.

도 1에 도시된 바와 같이, 종래에는 웨이퍼의 평탄도를 유지하기 위해 진공 흡입(Vacuum Sucking) 방식을 사용하였지만, 웨이퍼의 안장 모양 굽힘(Saddle-shaped warpage)은 기존의 진공 흡입 방식으로는 해결할 수 없으며, Non-flatten 현상에 기이한 공정불량 및 수율 감소 발생 가능성이 커지는 문제가 있다.As shown in FIG. 1, a vacuum sucking method is conventionally used to maintain the flatness of the wafer, but the saddle-shaped warpage of the wafer cannot be solved by the conventional vacuum suction method. There is a problem in that the possibility of abnormal process defects and yield reduction increases due to the non-flatten phenomenon.

대한민국 등록특허공보 등록번호 제10-1404463호Republic of Korea Patent Publication Registration No. 10-1404463 대한민국 등록특허공보 등록번호 제10-1187684호Republic of Korea Patent Publication No. 10-1187684 대한민국 등록특허공보 등록번호 제10-1423822호Republic of Korea Patent Publication Registration No. 10-1423822 대한민국 등록특허공보 등록번호 제10-1324711호Republic of Korea Patent Publication Registration No. 10-1324711

본 발명은 상술한 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 반도체 제조 공정 중 웨이퍼의 평탄도를 향상시켜 반도체 제조 공정에서의 생산성과 수율을 향상 시킬 수 있는 웨이퍼 척킹 장치를 제공하고자 하는데 그 목적이 있다.An object of the present invention is to provide a wafer chucking apparatus capable of improving the productivity and yield in the semiconductor manufacturing process by improving the flatness of the wafer during the semiconductor manufacturing process.

그러나 본 발명의 목적은 상기에 언급된 목적으로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 목적은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.However, the object of the present invention is not limited to the above-mentioned object, and another object not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the following description.

상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은 웨이퍼 척킹 장치에 있어서, 상기 웨이퍼(W)를 파지하는 웨이퍼 척(100) 및 상기 웨이퍼(W)와 대응되는 웨이퍼 척(100)의 상면(101)에는, 상기 웨이퍼(W)를 상부측으로 상승시킬 수 있도록 가압 상태를 형성하거나 상기 웨이퍼(W)를 하부측으로 하강시킬 수 있도록 감압 상태를 형성하는 가변 영역부(V)가 다수개 형성되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 척킹 장치가 제공된다. In order to achieve the above object, the present invention in the wafer chucking device, the wafer chuck 100 for holding the wafer (W) and the upper surface 101 of the wafer chuck 100 corresponding to the wafer (W), A wafer characterized in that a plurality of variable region portions (V) are formed to form a pressurized state to raise the wafer (W) to the upper side or to form a reduced pressure state to lower the wafer (W) to the lower side A chucking device is provided.

또한, 상기 다수개의 가변 영역부(V) 각각에는, 상기 웨이퍼 척(100)의 상면(101) 위의 웨이퍼(W)를 상승시키도록 구성된 가압 수단(200)과, 상기 웨이퍼 척(100)의 상면(101) 위의 웨이퍼(W)를 하강시키도록 구성된 감압 수단(300)이 형성된다. In addition, each of the plurality of variable region portions V includes a pressing means 200 configured to raise the wafer W on the upper surface 101 of the wafer chuck 100 , and A pressure reducing means 300 configured to lower the wafer W on the upper surface 101 is formed.

또한, 상기 웨이퍼(W)의 일부영역이 하부측으로 굽혀진 경우, 상기 웨이퍼(W)의 하부 굽힘 영역에 해당하는 가변 영역부(V)의 가압 수단(200)을 통해 압축가스를 배출(blowing)함으로써, 상기 웨이퍼(W)의 하부 굽힘 영역을 상부측으로 상승시켜 상기 웨이퍼(W)를 평탄화 하는 것을 특징으로 한다.In addition, when a partial region of the wafer W is bent downward, the compressed gas is blown through the pressurizing means 200 of the variable region V corresponding to the lower bent region of the wafer W. By doing so, the lower bent area of the wafer W is raised to the upper side, and the wafer W is flattened.

또한, 상기 웨이퍼(W)의 일부영역이 상부측으로 굽혀진 경우, 상기 웨이퍼(W)의 상부 굽힘 영역에 해당하는 가변 영역부(V)의 감압 수단(300)을 통해 상기 가변 영역부(V)를 감압하여 흡입(sucking)함으로써, 상기 웨이퍼(W)의 상부 굽힘 영역을 하부측으로 하강시켜 상기 웨이퍼(W)를 평탄화 하는 것을 특징으로 한다.In addition, when the partial region of the wafer W is bent upward, the variable region V through the decompression means 300 of the variable region V corresponding to the upper bent region of the wafer W. By reducing the pressure and sucking (sucking), the upper bent region of the wafer (W) is lowered to the lower side, characterized in that the wafer (W) is planarized.

또한, 상기 가변 영역부(V)는 상기 웨이퍼 척의 상면(101)과 동일한 면에 형성 되거나 일정 깊이만큼 더 들어갈 수도 있으며, 가로 방향(x축 방향)과 세로방향(y축 방향)이 일정한 간격으로 배치되며, 상기 상면(101)에는 상기 가변 영역부(V) 사이에서 내입된 배기홈(102)이 연속적으로 형성된다. In addition, the variable region portion V may be formed on the same surface as the upper surface 101 of the wafer chuck or may be further inserted by a predetermined depth, and the horizontal direction (x-axis direction) and the vertical direction (y-axis direction) are spaced at regular intervals. is disposed, and the exhaust groove 102 inserted between the variable region portions V is continuously formed on the upper surface 101 .

또한, 상기 가압 수단(200)은, 상기 웨이퍼 척의 상면(101)으로부터 압축가스를 상부 수직 방향으로 제공하기 위해 구성된 가압 가스 노즐을 포함하되, 상기 상면(101)에는 상기 가압 가스 노즐이 구비되는 하나 이상의 가스 배출홀(111)이 형성된다.In addition, the pressurizing means 200 includes a pressurized gas nozzle configured to supply compressed gas from the upper surface 101 of the wafer chuck in an upper vertical direction, wherein the upper surface 101 is provided with the pressurized gas nozzle. The above gas discharge hole 111 is formed.

또한, 상기 감압 수단(300)은, 상기 웨이퍼(W)와 상면(101) 사이의 가스를 외부로 배출 시키도록 구성되어 진공 흡입력이 인가되는 진공 노즐을 포함하되, 상기 상면(101)에는 상기 진공 노즐이 구비되는 하나 이상의 진공 흡입홀(112)이 형성된다.In addition, the pressure reducing means 300 is formed between the wafer W and the upper surface 101 . One or more vacuum suction holes 112 provided with the vacuum nozzle are formed in the upper surface 101, including a vacuum nozzle configured to discharge gas to the outside and to which a vacuum suction force is applied.

한편, 상기 웨이퍼 척킹 장치는, 상기 웨이퍼 척(100)의 상부에 구비되어 상기 웨이퍼 척의 상면(101)에 구비된 웨이퍼(W)의 평탄도를 측정하는 웨이퍼 평탄도 측정장치(400)와, 상기 가압 수단(200)과 감압 수단(300)의 작동을 제어하는 제어부(500)를 포함하여 이루어진다.Meanwhile, the wafer chucking apparatus includes a wafer flatness measuring apparatus 400 provided on the wafer chuck 100 to measure the flatness of the wafer W provided on the upper surface 101 of the wafer chuck; It comprises a control unit 500 for controlling the operation of the pressure means 200 and the pressure reduction means (300).

또한, 상기 웨이퍼 측정장치(400)는, 상기 웨이퍼 척의 상면(101)에 구비된 웨이퍼(W) 전체에 대해 광을 조사한 후 반사된 광을 간섭계를 이용하여 촬상된 정보로부터 웨이퍼(W)의 평탄도를 산출한다.In addition, the wafer measuring apparatus 400 irradiates light to the entire wafer W provided on the upper surface 101 of the wafer chuck and then reflects the reflected light from information captured using an interferometer to flatten the wafer W. calculate the figure

또한, 상기 제어부(500)는, 상기 웨이퍼 평탄도 측정장치(400)에 의해 산출된 평탄도를 통해 웨이퍼(W)의 굽힘 영역을 확인하고, 상기 웨이퍼(W)의 굽힘 상태에 따라 상기 굽힘 영역에 해당하는 가변 영역부(V)의 가압 수단(200)과 감압 수단(300)의 작동을 제어하여 웨이퍼(W)를 상승시키거나 하강시켜 웨이퍼(W)를 평탄화할 수 있다.In addition, the control unit 500 checks the bending area of the wafer W through the flatness calculated by the wafer flatness measuring device 400 , and the bending area according to the bending state of the wafer W The wafer W may be planarized by raising or lowering the wafer W by controlling the operation of the pressing means 200 and the pressure reducing means 300 of the variable region V corresponding to .

또한 상기 가변 영역부(V)는 다수개 배치되며 상기 각각의 가변 영역부에 배치되는 각각의 가압 수단(200)과 각각의 감압 수단(300)은 각각으로 제어되어 웨이퍼(W)를 상승시키거나 하강시켜 웨이퍼(W)를 평탄화 할 수 있다.In addition, a plurality of the variable region parts V are arranged, and each of the pressing means 200 and each of the pressure reducing means 300 arranged on each of the variable region parts is controlled individually to raise the wafer W or By descending, the wafer W may be planarized.

또한 상기 가변 영역부(V)는 다수개 배치되며 상기 각각의 가변 영역부에 배치되는 각각의 가압 수단(200)과 각각의 감압 수단(300)은 각각으로 제어됨에 따라 가압력과 감압력이 동일하거나 다르게 제어되어 웨이퍼(W)를 상승시키거나 하강시켜 웨이퍼(W)를 평탄화 할 수 있다.In addition, a plurality of the variable region parts V are disposed, and each of the pressing means 200 and each of the decompression means 300 disposed in the respective variable region parts is individually controlled so that the pressing force and the decompression force are the same or The wafer W may be planarized by raising or lowering the wafer W by being controlled differently.

즉 웨이퍼가 다양한 형상으로 굽힘이 발생되었을 때 필요에 따라 각각의 가변 영역부에 배치되는 각각의 가압 수단과 각각의 감압 수단은 각각으로 제어되어 웨이퍼의 굽힘을 평탄하게 한다, That is, when the wafer is bent into various shapes, each pressing means and each of the pressure reducing means arranged in each variable region portion are individually controlled as needed to flatten the bending of the wafer.

나아가 웨이퍼의 굽힘정도가 각각 다를 때 각각의 가압 수단(200)과 각각의 감압 수단(300)은 각각으로 제어됨에 따라 가압력과 감압력을 다르게 제어하여 웨이퍼의 굽힘을 평탄하게 한다, Further, when the bending degree of the wafer is different, each pressing means 200 and each of the pressure reducing means 300 are respectively controlled to control the pressing force and the pressure reducing force differently to flatten the bending of the wafer,

이렇게 하여 굽힘정도가 심한 경우는 가압력과 강압력을 강하게 하고 굽힘정도가 약할경우는 가압력과 강압력을 약하게 함으로써 웨이퍼의 굽힘을 평탄하게 할 수 있다.In this way, the bending of the wafer can be flattened by increasing the pressing force and the downward force when the bending degree is severe and the pressing force and the downward pressure when the bending degree is weak.

본 발명의 특징 및 이점들은 첨부도면에 의거한 다음의 상세한 설명으로 더욱 명백해질 것이다.The features and advantages of the present invention will become more apparent from the following detailed description taken in conjunction with the accompanying drawings.

이에 앞서 본 명세서 및 청구범위에 사용된 용어나 단어는 통상적이고 사전적인 의미로 해석되어서는 아니 되며, 발명자가 그 자신의 발명을 가장 최선의 방법으로 설명하기 위해 용어의 개념을 적절하게 정의할 수 있다는 원칙에 입각하여 본 발명의 기술적 사상에 부합되는 의미와 개념으로 해석되어야 한다.Prior to this, the terms or words used in the present specification and claims should not be construed in a conventional and dictionary meaning, and the inventor may properly define the concept of the term to describe his invention in the best way. Based on the principle that there is, it should be interpreted as meaning and concept consistent with the technical idea of the present invention.

이상에서 살펴본 바와 같이 본 발명에 따르면, 웨이퍼의 평탄도를 향상시킬 수 있는 웨이퍼 척킹 장치를 제공함으로써 웨이퍼 제조 공정 중 웨이퍼의 생산성과 생산 수율을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.As described above, according to the present invention, there is an effect of improving the productivity and production yield of the wafer during the wafer manufacturing process by providing a wafer chucking apparatus capable of improving the flatness of the wafer.

도 1은 웨이퍼의 굽힘 상태를 나타내는 도,
도 2는 본 발명의 바람직한 일실시예에 따른 웨이퍼 척킹 장치의 구성을 나타낸 블록도,
도 3은 본 발명의 바람직한 일실시예에 따른 웨이퍼 척킹 장치를 개략적으로 나타낸 평면도,
도 4는 도 3의 "A-A"부의 단면도,
도 5는 본 발명의 바람직한 일실시예에 따른 웨이퍼의 굽힘 상태를 평탄화 하는 방법을 개략적으로 나타낸 도,
도 6은 본 발명의 바람직한 또 다른 일실시예에 따른 웨이퍼 척킹 장치를 개략적으로 나타낸 평면도,
도 7은 도 6의 "B-B"부의 단면도이다.1 is a view showing the bending state of the wafer;
2 is a block diagram showing the configuration of a wafer chucking apparatus according to a preferred embodiment of the present invention;
3 is a plan view schematically showing a wafer chucking apparatus according to a preferred embodiment of the present invention;
4 is a cross-sectional view of part "AA" of FIG. 3;
5 is a diagram schematically showing a method for flattening a bent state of a wafer according to a preferred embodiment of the present invention;
6 is a plan view schematically showing a wafer chucking apparatus according to another preferred embodiment of the present invention;
7 is a cross-sectional view of a portion “BB” of FIG. 6 .

이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 설명하기로 한다. 이 과정에서 도면에 도시된 선들의 두께나 구성요소의 크기 등은 설명의 명료성과 편의상 과장되게 도시되어 있을 수 있다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings. In this process, the thickness of the lines or the size of the components shown in the drawings may be exaggerated for clarity and convenience of explanation.

또한, 후술되는 용어들은 본 발명에서의 기능을 고려하여 정의된 용어들로서 이는 사용자, 운용자의 의도 또는 관례에 따라 달라질 수 있다. 그러므로 이러한 용어들에 대한 정의는 본 명세서 전반에 걸친 내용을 토대로 하여 내려져야 할 것이다.In addition, the terms to be described later are terms defined in consideration of functions in the present invention, which may vary according to the intention or custom of the user or operator. Therefore, definitions of these terms should be made based on the content throughout this specification.

아울러, 아래의 실시예는 본 발명의 권리범위를 한정하는 것이 아니라 본 발명의 청구범위에 제시된 구성요소의 예시적인 사항에 불과하며, 본 발명의 명세서 전반에 걸친 기술사상에 포함되고 청구범위의 구성요소에서 균등물로서 치환 가능한 구성요소를 포함하는 실시예는 본 발명의 권리범위에 포함될 수 있다.In addition, the following embodiments do not limit the scope of the present invention, but are merely exemplary of the elements presented in the claims of the present invention, and are included in the technical spirit throughout the specification of the present invention and constitute the scope of the claims Embodiments including substitutable elements as equivalents in elements may be included in the scope of the present invention.

첨부된 도 1은 웨이퍼의 굽힘 상태를 나타내는 도, 도 2는 본 발명의 바람직한 일실시예에 따른 웨이퍼 척킹 장치의 구성을 나타낸 블록도, 도 3은 본 발명의 바람직한 일실시예에 따른 웨이퍼 척킹 장치를 개략적으로 나타낸 평면도, 도 4는 도 3의 "A-A"부의 단면도, 도 5는 본 발명의 바람직한 일실시예에 따른 웨이퍼의 굽힘 상태를 평탄화 하는 방법을 개략적으로 나타낸 도, 도 6은 본 발명의 바람직한 또 다른 일실시예에 따른 웨이퍼 척킹 장치를 개략적으로 나타낸 평면도, 도 7은 도 6의 "B-B"부의 단면도이다.1 is a diagram showing a bending state of a wafer, FIG. 2 is a block diagram showing the configuration of a wafer chucking apparatus according to a preferred embodiment of the present invention, and FIG. 3 is a wafer chucking apparatus according to a preferred embodiment of the present invention. 4 is a cross-sectional view of section "AA" of FIG. 3, FIG. 5 is a diagram schematically showing a method of flattening a bent state of a wafer according to a preferred embodiment of the present invention, and FIG. A plan view schematically showing a wafer chucking apparatus according to another preferred embodiment, FIG. 7 is a cross-sectional view of a portion “BB” of FIG. 6 .

도 1 이하에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 웨이퍼 척킹 장치는 상기 웨이퍼(W)를 파지하는 웨이퍼 척(100) 및 상기 웨이퍼(W)와 대응되는 웨이퍼 척(100)의 상면(101)에는, 상기 웨이퍼(W)를 상부측으로 상승시킬 수 있도록 가압 상태를 형성하거나 상기 웨이퍼(W)를 하부측으로 하강시킬 수 있도록 감압 상태를 형성하는 가변 영역부(V)가 다수개 형성된다.1, the wafer chucking apparatus according to the present invention includes a wafer chuck 100 for holding the wafer W and an upper surface 101 of the wafer chuck 100 corresponding to the wafer W. , a plurality of variable region portions V are formed to form a pressurized state to raise the wafer W upward or to form a reduced pressure state to lower the wafer W to the lower side.

또한, 상기 다수개의 가변 영역부(V) 각각에는, 상기 웨이퍼 척(100)의 상면(101) 위의 웨이퍼(W)를 상승시키도록 구성된 가압 수단(200)과, 상기 웨이퍼 척(100)의 상면(101) 위의 웨이퍼(W)를 하강시키도록 구성된 감압 수단(300)이 형성된다. In addition, each of the plurality of variable region portions V includes a pressing means 200 configured to raise the wafer W on the upper surface 101 of the wafer chuck 100 , and A pressure reducing means 300 configured to lower the wafer W on the upper surface 101 is formed.

이때, 상기 웨이퍼(W)의 일부영역이 하부측으로 굽혀진 경우, 상기 웨이퍼(W)의 하부 굽힘 영역에 해당하는 가변 영역부(V)의 가압 수단(200)을 통해 압축가스를 배출(blowing)함으로써, 상기 웨이퍼(W)의 하부 굽힘 영역을 상부측으로 상승시켜 상기 웨이퍼(W)를 평탄화 하는 것을 특징으로 한다.At this time, when a partial region of the wafer W is bent downward, the compressed gas is blown through the pressurizing means 200 of the variable region V corresponding to the lower bent region of the wafer W. By doing so, the lower bent area of the wafer W is raised to the upper side, and the wafer W is flattened.

또한, 상기 웨이퍼(W)의 일부영역이 상부측으로 굽혀진 경우, 상기 웨이퍼(W)의 상부 굽힘 영역에 해당하는 가변 영역부(V)의 감압 수단(300)을 통해 상기 가변 영역부(V)를 감압하여 흡입(sucking)함으로써, 상기 웨이퍼(W)의 상부 굽힘 영역을 하부측으로 하강시켜 상기 웨이퍼(W)를 평탄화 하는 것을 특징으로 한다.In addition, when the partial region of the wafer W is bent upward, the variable region V through the decompression means 300 of the variable region V corresponding to the upper bent region of the wafer W. By reducing the pressure and sucking (sucking), the upper bent area of the wafer (W) is lowered to the lower side, characterized in that the wafer (W) is planarized.

한편, 상기 웨이퍼 척킹 장치는, 상기 웨이퍼 척(100)의 상부에 구비되어 상기 웨이퍼 척의 상면(101)에 구비된 웨이퍼(W)의 평탄도를 측정하는 웨이퍼 평탄도 측정장치(400)와, 상기 가압 수단(200)과 감압 수단(300)의 작동을 제어하는 제어부(500)를 포함하여 이루어질 수 있다. Meanwhile, the wafer chucking device includes a wafer flatness measuring device 400 provided on the wafer chuck 100 to measure the flatness of the wafer W provided on the upper surface 101 of the wafer chuck; The pressurization means 200 and the control unit 500 for controlling the operation of the pressure reducing means 300 may be included.

또한, 상기 웨이퍼 측정장치(400)는, 상기 웨이퍼 척의 상면(101)에 구비된 웨이퍼(W) 전체에 대해 광을 조사한 후 반사된 광을 간섭계를 이용하여 촬상된 정보로부터 웨이퍼(W)의 평탄도를 산출한다.In addition, the wafer measuring apparatus 400 irradiates light to the entire wafer W provided on the upper surface 101 of the wafer chuck and then reflects the reflected light from information captured using an interferometer to flatten the wafer W. calculate the figure

따라서 상기 제어부(500)는, 상기 웨이퍼 평탄도 측정장치(400)에 의해 산출된 평탄도를 통해 웨이퍼(W)의 굽힘 영역을 확인하고, 상기 웨이퍼(W)의 굽힘 상태에 따라 상기 굽힘 영역에 해당하는 가변 영역부(V)의 가압 수단(200)과 감압 수단(300)의 작동을 제어하여 웨이퍼(W)를 상승시키거나 하강시켜 웨이퍼(W)를 평탄화할 수 있다.Therefore, the control unit 500 checks the bending area of the wafer W through the flatness calculated by the wafer flatness measuring device 400, and according to the bending state of the wafer W, the bending area is The wafer W may be planarized by controlling the operation of the pressing means 200 and the pressure reducing means 300 of the corresponding variable region V to raise or lower the wafer W.

즉, 상기 제어부(500)는 상기 웨이퍼(W)의 굽힘이 하부측으로 굽혀진 경우, 상기 웨이퍼(W)의 하부 굽힘 영역에 해당하는 가변 영역부(V)의 가압 수단(200)을 제어하여 상기 웨이퍼(W)의 하부 굽힘 영역을 상부측으로 상승시키고, 상기 웨이퍼(W)의 굽힘이 상부측으로 굽혀진 경우, 상기 웨이퍼(W)의 상부 굽힘 영역에 해당하는 가변 영역부(V)의 감압 수단(300)을 제어하여 상기 웨이퍼(W)의 상부 굽힘 영역을 하부측으로 하강시켜 상기 웨이퍼(W)를 평탄화 하도록 한다. That is, when the bending of the wafer W is bent downward, the controller 500 controls the pressing means 200 of the variable region V corresponding to the lower bending region of the wafer W to The lower bending area of the wafer W is raised to the upper side, and when the bending of the wafer W is bent to the upper side, the pressure reducing means of the variable area portion V corresponding to the upper bending area of the wafer W ( 300) to lower the upper bent area of the wafer W to the lower side to planarize the wafer W.

또한, 상기 제어부(500)는 상기 평탄화가 이루어진 후, 다시 한 번 상기 웨이퍼 평탄도 측정장치(400)에 의해 평탄도를 산출하고, 굽힘 영역을 확인, 판별하여 평탄화 작업을 반복 실행한 후, 만족하는 웨이퍼의 평탄도를 이루면 상기 웨이퍼(W)의 제조공정이 이루어지도록 한다. In addition, after the planarization is made, the control unit 500 calculates the flatness by the wafer flatness measuring device 400 once again, checks and determines the bending area, repeats the planarization operation, and then satisfies When the flatness of the wafer is achieved, the manufacturing process of the wafer W is made.

한편, 도 3 및 도 4에 도시된 바와 같이, 상기 가변 영역부(V)는 상기 웨이퍼 척의 상면(101)과 동일한 면에 형성되거나 일정 깊이 만큼 더 들어갈 수도 있으며, 가로 방향(x축 방향)과 세로방향(y축 방향)이 일정한 간격으로 직각이 되도록 배치될 수 있다.Meanwhile, as shown in FIGS. 3 and 4 , the variable region V may be formed on the same surface as the upper surface 101 of the wafer chuck or may be further inserted by a predetermined depth, and may be formed in a horizontal direction (x-axis direction) and The vertical direction (y-axis direction) may be disposed at a right angle at regular intervals.

또한, 상기 웨이퍼 척의 상면(101)에는 상기 가변 영역부(V) 사이에서 내입된 배기홈(102)이 연속적으로 형성되어 가압과 감압이 원활히 이루어지는 형상을 가질 수 있다. In addition, the exhaust groove 102 inserted between the variable region portions V may be continuously formed on the upper surface 101 of the wafer chuck to have a shape in which pressurization and decompression are smoothly performed.

이때, 상기 가압 수단(200)은, 상기 웨이퍼 척의 상면(101)으로부터 압축가스를 상부 수직 방향으로 제공하기 위해 구성된 가압 가스 노즐을 포함하되, 상기 상면(101)에는 상기 가압 가스 노즐이 구비되는 하나 이상의 가스 배출홀(111)이 형성될 수 있다. In this case, the pressurizing means 200 includes a pressurized gas nozzle configured to provide a pressurized gas from the upper surface 101 of the wafer chuck in an upper vertical direction, and the upper surface 101 is provided with the pressurized gas nozzle. The above gas discharge hole 111 may be formed.

또한, 상기 감압 수단(300)은, 상기 웨이퍼(W)와 상면(101) 사이의 가스를 외부로 배출 시키도록 구성되어 진공 흡입력이 인가되는 진공 노즐을 포함하되, 상기 상면(101)에는 상기 진공 노즐이 구비되는 하나 이상의 진공 흡입홀(112)이 형성될 수 있다. In addition, the pressure reducing means 300 is formed between the wafer W and the upper surface 101 . One or more vacuum suction holes 112 provided with the vacuum nozzles may be formed in the upper surface 101, including a vacuum nozzle configured to discharge gas to the outside and to which a vacuum suction force is applied.

또한, 상기 진공 흡입홀(112)은 상기 가스 배출홀(111)과 이격되어 형성되며, 서로 대칭을 이루도록 배치될 수 있다.In addition, the vacuum suction hole 112 is formed to be spaced apart from the gas discharge hole 111, and may be arranged to form a symmetry with each other.

또한, 상기 가스 배출홀(111)들과 진공 흡입홀(112)들은 상기 가변 영역부(V)의 중심을 중심으로 등각을 이루어 방사형으로 배치될 수도 있으며, 이때, 상기 가스 배출홀(111)들과 진공 흡입홀(112)들은 서로 교번하여 배치될 수 있다.In addition, the gas discharge holes 111 and the vacuum suction holes 112 may be radially disposed to form an angle with the center of the variable region V as a center, and in this case, the gas discharge holes 111 and the vacuum suction holes 112 may be alternately disposed with each other.

여기서, 상기 가압수단(200)의 또 다른 일실시예로써, 상기 상면(101)에 리프트 핀이 관통하여 구비되는 리프트 핀 홀이 하나 이상 형성될 수 있다. Here, as another embodiment of the pressing means 200 , one or more lift pin holes through which the lift pins pass may be formed in the upper surface 101 .

이때, 상기 리프트 핀은 상기 리프트 핀 홀을 통해 상측 및 하측으로 이동하여 웨이퍼 척의 상면(101)에 안착된 웨이퍼(W)의 하면을 들어 올릴 수 있도록 구성될 수 있다. In this case, the lift pin may be configured to move upward and downward through the lift pin hole to lift the lower surface of the wafer W seated on the upper surface 101 of the wafer chuck.

또한, 상기 리프트 핀 홀들은 평탄면(110)의 중심을 중심으로 등각을 이루어 방사형으로 배치되는 것이 바람직하다. In addition, it is preferable that the lift pin holes are radially arranged at an equal angle with respect to the center of the flat surface 110 .

한편, 본 발명의 다른 일실시예로써, 상기 다수개의 가변 영역부(V)는, 상기 웨이퍼 척의 상면(101) 중심에 코어 가변 영역부(Vc)가 형성되고, 상기 코어 가변 영역부(Vc)를 중심으로 방사상으로 동일 간격을 이루면서 다수개 배치되어 형성될 수 있다. Meanwhile, in another embodiment of the present invention, in the plurality of variable region units V, a core variable region unit Vc is formed in the center of the upper surface 101 of the wafer chuck, and the core variable region unit Vc It may be formed by arranging a plurality of them while forming the same radially spaced apart from each other.

또한, 또 다른 일실시예로써 상기 코어 가변 영역부(Vc)를 중심으로 방사상으로 동일 간격을 이루면서 반경방향으로 순차적으로 배치되어 형성될 수도 있다.In addition, as another embodiment, the core variable region Vc may be radially spaced at equal intervals and sequentially disposed in a radial direction.

이때, 상기 가변 영역부(V)는, 상기 웨이퍼 척의 상면(101)으로부터 일정 깊이만큼 더 들어간 평탄면(110)과, 상기 평탄면(110)의 테두리와 상기 상면(101)을 연결하는 내벽면(120)으로 구성될 수 있다. In this case, the variable region V includes a flat surface 110 that is further recessed from the upper surface 101 of the wafer chuck by a predetermined depth, and an inner wall surface connecting the edge of the flat surface 110 and the upper surface 101 . (120).

또한, 평탄면(110)에는 상기 가압 가스 노즐이 구비되는 하나 이상의 가스 배출홀(111)이 형성되고, 상기 진공 노즐이 구비되는 하나 이상의 진공 흡입홀(112)이 형성될 수도 있다.In addition, one or more gas discharge holes 111 provided with the pressurized gas nozzle may be formed on the flat surface 110 , and one or more vacuum suction holes 112 provided with the vacuum nozzle may be formed on the flat surface 110 .

이때, 상기 웨이퍼 척의 상면(101)에는, 상기 다수개의 가변 영역부(V) 각각에 대하여 상기 가스 배출홀(111)에서 배출되는 압축가스를 배출하기 위한 배기홈(102)이 형성되되, 상기 배기홈(102)은 상기 내벽면(120)의 상단 테두리(121)와 상기 웨이퍼 척(100)의 상면 테두리(T)를 연결하도록 형성될 수 있다.At this time, an exhaust groove 102 for discharging the compressed gas discharged from the gas discharge hole 111 with respect to each of the plurality of variable region portions V is formed in the upper surface 101 of the wafer chuck, and the exhaust The groove 102 may be formed to connect the upper edge 121 of the inner wall surface 120 and the upper edge T of the wafer chuck 100 .

이상 본 발명을 구체적인 실시예를 통하여 상세히 설명하였으나, 이는 본 발명을 구체적으로 설명하기 위한 것으로, 본 발명은 이에 한정되지 않으며, 본 발명의 기술적 사상 내에서 당 분야의 통상의 지식을 가진 자에 의해 그 변형이나 개량이 가능함이 명백하다.Although the present invention has been described in detail through specific examples, this is intended to describe the present invention in detail, and the present invention is not limited thereto, and by those of ordinary skill in the art within the technical spirit of the present invention. It is clear that the modification or improvement is possible.

본 발명의 단순한 변형 내지 변경은 모두 본 발명의 범주에 속하는 것으로 본 발명의 구체적인 보호 범위는 첨부된 특허청구범위에 의해 명확해질 것이다.All simple modifications and variations of the present invention fall within the scope of the present invention, and the specific protection scope of the present invention will be clarified by the appended claims.

100 : 웨이퍼 척 101 : 상면
102 : 배기홈 110 : 평탄면
111 : 가스 배출홀 112 : 진공 흡입홀
120 : 내벽면 200 : 가압 수단
300 : 감압 수단 400 : 웨이퍼 평탄도 측정장치
500 : 제어부 V : 가변 영역부100: wafer chuck 101: upper surface
102: exhaust groove 110: flat surface
111: gas discharge hole 112: vacuum suction hole
120: inner wall surface 200: pressurizing means
300: pressure reducing means 400: wafer flatness measuring device
500: control unit V: variable region unit

Claims (9)

웨이퍼 척킹 장치에 있어서,
상기 웨이퍼(W)를 파지하는 웨이퍼 척(100) 및
상기 웨이퍼(W)와 대응되는 웨이퍼 척(100)의 상면(101)에는,
상기 웨이퍼(W)를 상부측으로 상승시킬 수 있도록 가압 상태를 형성하거나 상기 웨이퍼(W)를 하부측으로 하강시킬 수 있도록 감압 상태를 형성하는 가변 영역부(V)가 다수개 형성되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 척킹 장치. In the wafer chucking device,
A wafer chuck 100 for holding the wafer W, and
On the upper surface 101 of the wafer chuck 100 corresponding to the wafer W,
A wafer, characterized in that a plurality of variable region portions (V) are formed to form a pressurized state to raise the wafer (W) to the upper side or to form a reduced pressure state to lower the wafer (W) to the lower side chucking device. 제1항에 있어서, 상기 다수개의 가변 영역부(V) 각각에는,
상기 웨이퍼 척(100)의 상면(101) 위의 웨이퍼(W)를 상승시키도록 구성된 가압 수단(200)과,
상기 웨이퍼 척(100)의 상면(101) 위의 웨이퍼(W)를 하강시키도록 구성된 감압 수단(300)이 형성된 것을 특징으로 하는 웨이퍼 척킹 장치.According to claim 1, wherein each of the plurality of variable region (V),
a pressing means (200) configured to raise the wafer (W) on the upper surface (101) of the wafer chuck (100);
A wafer chucking apparatus, characterized in that a pressure reducing means (300) configured to lower the wafer (W) on the upper surface (101) of the wafer chuck (100) is formed. 제2항에 있어서,
상기 웨이퍼(W)의 일부영역이 하부측으로 굽혀진 경우, 상기 웨이퍼(W)의 하부 굽힘 영역에 해당하는 가변 영역부(V)의 가압 수단(200)을 통해 압축가스를 배출(blowing)함으로써, 상기 웨이퍼(W)의 하부 굽힘 영역을 상부측으로 상승시켜 상기 웨이퍼(W)를 평탄화 하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 척킹 장치. 3. The method of claim 2,
When a partial region of the wafer W is bent to the lower side, the compressed gas is blown through the pressurizing means 200 of the variable region V corresponding to the lower bent region of the wafer W, Wafer chucking apparatus, characterized in that the lower bent area of the wafer (W) is raised to the upper side to planarize the wafer (W). 제3항에 있어서,
상기 웨이퍼(W)의 일부영역이 상부측으로 굽혀진 경우, 상기 웨이퍼(W)의 상부 굽힘 영역에 해당하는 가변 영역부(V)의 감압 수단(300)을 통해 상기 가변 영역부(V)를 감압하여 흡입(sucking)함으로써, 상기 웨이퍼(W)의 상부 굽힘 영역을 하부측으로 하강시켜 상기 웨이퍼(W)를 평탄화 하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 척킹 장치. 4. The method of claim 3,
When the partial region of the wafer W is bent upward, the variable region V is depressurized through the decompression means 300 of the variable region V corresponding to the upper bent region of the wafer W. A wafer chucking apparatus, characterized in that by sucking the wafer (W), the upper bent area of the wafer (W) is lowered to the lower side to planarize the wafer (W). 제4항에 있어서,
상기 가변 영역부(V)는 상기 웨이퍼 척의 상면(101)과 동일한 면에 형성되거나 일정 깊이 만큼 더 들어갈 수도 있으며, 가로 방향(x축 방향)과 세로방향(y축 방향)이 일정한 간격으로 배치되며, 상기 상면(101)에는 상기 가변 영역부(V) 사이에서 내입된 배기홈(102)이 연속적으로 형성되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 척킹 장치.5. The method of claim 4,
The variable region portion V may be formed on the same surface as the upper surface 101 of the wafer chuck or may be further inserted by a predetermined depth, and the horizontal direction (x-axis direction) and the vertical direction (y-axis direction) are arranged at regular intervals, , Wafer chucking apparatus, characterized in that the exhaust groove (102) inserted between the variable region (V) is continuously formed on the upper surface (101). 제5항에 있어서, 상기 가압 수단(200)은,
상기 웨이퍼 척의 상면(101)으로부터 압축가스를 상부 수직 방향으로 제공하기 위해 구성된 가압 가스 노즐을 포함하되,
상기 상면(101)에는 상기 가압 가스 노즐이 구비되는 하나 이상의 가스 배출홀(111)이 형성된 것을 특징으로 하는 웨이퍼 척킹 장치.According to claim 5, wherein the pressing means 200,
a pressurized gas nozzle configured to provide pressurized gas from the upper surface 101 of the wafer chuck in an upper vertical direction;
One or more gas discharge holes 111 provided with the pressurized gas nozzle are formed on the upper surface 101 . 제6항에 있어서, 상기 감압 수단(300)은,
상기 웨이퍼(W)와 상면(101) 사이의 가스를 외부로 배출 시키도록 구성되어 진공 흡입력이 인가되는 진공 노즐을 포함하되,
상기 상면(101)에는 상기 진공 노즐이 구비되는 하나 이상의 진공 흡입홀(112)이 형성된 것을 특징으로 하는 웨이퍼 척킹 장치.According to claim 6, The pressure reducing means 300,
between the wafer W and the upper surface 101 . A vacuum nozzle configured to discharge gas to the outside and to which a vacuum suction force is applied,
The wafer chucking apparatus, characterized in that at least one vacuum suction hole (112) provided with the vacuum nozzle is formed on the upper surface (101). 제4항에 있어서, 상기 웨이퍼 척킹 장치는,
상기 웨이퍼 척(100)의 상부에 구비되어 상기 웨이퍼 척의 상면(101)에 구비된 웨이퍼(W)의 평탄도를 측정하는 웨이퍼 평탄도 측정장치(400)와,
상기 가압 수단(200)과 감압 수단(300)의 작동을 제어하는 제어부(500)를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 척킹 장치. According to claim 4, The wafer chucking device,
a wafer flatness measuring device 400 provided on the wafer chuck 100 to measure the flatness of the wafer W provided on the upper surface 101 of the wafer chuck;
Wafer chucking apparatus, characterized in that it comprises a control unit (500) for controlling the operation of the pressing means (200) and the pressure reducing means (300). 제8항에 있어서, 상기 웨이퍼 측정장치(400)는,
상기 웨이퍼 척의 상면(101)에 구비된 웨이퍼(W) 전체에 대해 광을 조사한 후 반사된 광을 간섭계를 이용하여 촬상된 정보로부터 웨이퍼(W)의 평탄도를 산출하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 척킹 장치. According to claim 8, The wafer measuring device 400,
Wafer chucking apparatus, characterized in that after irradiating light to the entire wafer (W) provided on the upper surface 101 of the wafer chuck, and calculating the flatness of the wafer (W) from information captured by the reflected light using an interferometer .
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