KR20210060273A - 신경전극 배열체 및 이의 제조방법 - Google Patents

신경전극 배열체 및 이의 제조방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 수용부 하층, 수용부 하층의 일면에 형성되어 수용부 하층과 이루는 채널부를 형성하는 수용부 상층, 적어도 일부가 채널부에 위치하고 적어도 다른 일부가 수용부 하층 및 수용부 상층의 외부로 노출되는 적어도 하나의 신경전극부 및 수용부 하층과 수용부 상층이 접하는 접합부 중 채널부와 인접한 접합부를 제외한 접합부에 형성되어 수용부 하층과 적어도 하나의 수용부 상층을 지지하는 적어도 하나의 보강부를 포함하고, 적어도 하나의 신경자극부는 채널부로 인입되거나 채널부의 외부로 인출됨에 따라 선택적으로 교체가 가능한 신경전극 배열체를 제공한다.

Description

신경전극 배열체 및 이의 제조방법{A neural electrode arrangement and method for manufacturing the same}
본 발명은 신경전극 배열체 및 이의 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 신경전극부의 양단의 위치를 조절하고 신경전극부를 선택적으로 교체할 수 있는 신경전극 배열체 및 이의 제조방법에 관한 것이다.
신경 세포로부터 신경 신호의 기록을 목적으로 하는 생체 내(in vivo) 또는 생체 외(in vitro) 신경 인터페이스 분야에서 신경전극의 성능 향상을 위한 소재 개발에 대한 연구가 진행되고 있다.
신경전극은 백금, 금, 텅스텐 이리듐과 같은 금속 선으로 제작된 1세대 전극에서, 반도체나 다중 어레이로 제작된 2세대 전극을 거쳐서, 나노구조체로 표면 개질된 3세대 전극이 연구 개발되고 있다.
보다 정확한 신경의 상태를 파악하기 위하여, 신경 세포 단위로 신경 신호의 기록이 필수적이며, 이를 위해 전극의 크기가 신경 세포의 크기(약 10μm) 수준으로 작아지고 있다.
한편, 상기한 신경전극뿐만 아니라 신경전극을 포함하는 배열체에 대한 중요성도 대두되고 있는데, 종래기술의 다채널 신경전극 배열체는 대부분 신경전극의 끝부분이 한 평면에 존재하는 경우가 대부분이다.
가장 널리 알려져 있는 유타(UItah) 타입의 신경전극이나 미시건(Michigan) 타입의 신경전극 또한 마찬가지인데, 이러한 종래기술은 신경 매핑(mapping) 연구에 커다란 한계를 가지는 문제점이 있었다.
또한, 상기한 종래기술은 제작과정의 어려움으로 인하여 상기한 구조의 다채널 신경전극 배열체가 많이 존재한다.
또한, 상기한 종래기술의 다채널 신경전극 배열체는 한 묶음인 경우가 많이 각각의 신경전극의 교체가 어려운 문제점이 있었다.
공개특허공보 제10-2019-0030810호(2019.03.25.) 등록특허공보 제10-1362750호(2014.02.07.)
상기와 같은 문제를 해결하기 위한 본 발명의 목적은 수용부 하층과 수용부 상층이 이루는 채널부로 적어도 하나의 신경전극부가 인입 또는 인출 가능한 구조를 도입하여 신경전극부의 양단의 위치를 조절하고 각각의 신경전극부를 선택적으로 교체할 수 있는 신경전극 배열체 및 이의 제조방법을 제공하는 것이다.
또한, 상기와 같은 문제를 해결하기 위한 본 발명의 목적은 수용부 하층과 수용부 상층을 플렉서블한 소재로 제조하여 외과의가 파지하기 편한 형태로 형상을 구현함에 따라 외과의에게 편의성을 제공하는 신경전극 배열체 및 이의 제조방법을 제공하는 것이다.
상기와 같은 문제를 해결하기 위한 본 발명의 목적은 수용부 하층, 수용부 상층 및 보강부를 적층 구조로 제조함에 따라 종래기술보다 간단한 공정으로 비교적 쉽게 제조할 수 있는 신경전극 배열체 및 이의 제조방법을 제공하는 것이다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 이상에서 언급한 기술적 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 구성은 수용부 하층; 상기 수용부 하층의 일면에 형성되어 상기 수용부 하층과 이루는 채널부를 형성하는 수용부 상층; 적어도 일부가 상기 채널부에 위치하고 적어도 다른 일부가 상기 수용부 하층 및 상기 수용부 상층의 외부로 노출되는 적어도 하나의 신경전극부; 및 상기 수용부 하층과 상기 수용부 상층이 접하는 접합부 중 상기 채널부와 인접한 접합부를 제외한 접합부에 형성되어 상기 수용부 하층과 상기 적어도 하나의 수용부 상층을 지지하는 적어도 하나의 보강부;를 포함하고, 상기 적어도 하나의 신경자극부는 상기 채널부로 인입되거나 상기 채널부의 외부로 인출됨에 따라 선택적으로 교체가 가능한 것을 특징으로 하는, 신경전극 배열체를 제공한다.
본 발명의 실시예에 있어서, 상기 적어도 하나의 신경전극부는 서로 다른 길이를 가지면서 서로 평행하도록 위치할 수 있다.
본 발명의 실시예에 있어서, 상기 적어도 하나의 신경전극부는 상기 적어도 하나의 신경전극부의 양단 중 적어도 어느 하나가 절곡된 평면상에 위치할 수 있다.
본 발명의 실시예에 있어서, 상기 적어도 하나의 신경전극부는 상기 적어도 하나의 신경전극부의 양단 중 적어도 어느 하나가 동일평면상에 위치할 수 있다.
본 발명의 실시예에 있어서, 상기 수용부 하층은 플렉서블한 소재로 구성되어 굽힘이 가능할 수 있다.
본 발명의 실시예에 있어서, 상기 수용부 하층 및 상기 수용부 상층은 패럴린인 것을 특징으로 할 수 있다.
본 발명의 실시예에 있어서, 상기 보강부는 포토레지스트인 것을 특징으로 할 수 있다.
또한, 상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 구성은 (a) 희생층에 수용부 하층을 증착하는 단계; (b) 상기 수용부 하층에 보강부 및 수용부 상층 내부 구조물을 패터닝 및 리플로우하는 단계; (c) 상기 수용부 하층과 상기 보강부 및 상기 수용부 상층 패턴 위에에 상기 수용부 하층을 증착하는 단계; (d) 상기 수용부 상층의 상면의 일부를 식각하는 단계; 및 (e) 상기 수용부 상층 내부에 패턴 구조물을 제거하여 채널을 형성하는 단계;를 포함하는, 신경전극 배열체의 제조방법을 제공한다.
본 발명의 실시예에 있어서, 상기 (b) 단계는, (b1) 상기 수용부 하층에 포토레지스트를 이용하여 상기 보강부 및 상기 수용부 상층을 패터닝하는 단계; (b2) 리플로우하는 단계;를 포함할 수 있다.
본 발명의 실시예에 있어서, 상기 (c) 단계에서, 상기 수용부 상층은 상기 수용부의 하면과 상기 보강부에 적층되어 증착될 수 있다.
본 발명의 실시예에 있어서, 상기 (c) 단계 이후, 상기 수용부 상층의 상면 중에 상기 채널부 형성을 위한 식각을 위해 상기 포토레지스트를 패터닝하는 단계;를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 실시예에 있어서, 상기 (a) 단계 이전에, 웨이퍼를 준비하는 단계; 및 상기 웨이퍼에 상기 희생층을 증착하는 단계;를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 실시예에 있어서, 상기 (d) 단계 이후, 상기 수용부 하층과 상기 수용부 상층이 이루는 채널부로 신경전극부의 적어도 일부가 인입되는 단계;를 더 포함할 수 있다.
상기와 같은 구성에 따르는 본 발명의 효과는, 수용부 하층과 수용부 상층이 이루는 채널부로 적어도 하나의 신경전극부가 인입 또는 인출 가능한 구조를 도입하여 신경전극부의 양단의 위치를 조절하고 각각의 신경전극부를 선택적으로 교체할 수 있다.
또한, 상기와 같은 구성에 따르는 본 발명의 효과는, 수용부 하층과 수용부 상층을 플렉서블한 소재로 제조하여 외과의가 파지하기 편한 형태로 형상을 구현함에 따라 외과의에게 편의성을 제공한다.
또한, 상기와 같은 구성에 따르는 본 발명의 효과는, 수용부 하층, 수용부 상층 및 보강부를 적층 구조로 제조함에 따라 종래기술보다 간단한 공정으로 비교적 쉽게 제조할 수 있다.
본 발명의 효과는 상기한 효과로 한정되는 것은 아니며, 본 발명의 상세한 설명 또는 특허청구범위에 기재된 발명의 구성으로부터 추론 가능한 모든 효과를 포함하는 것으로 이해되어야 한다.
도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 신경전극 배열체가 원기둥 형상으로 구부러진 것을 나타낸 일 방향에서의 사시도이다.
도 2는 도 1의 수용부 하층 및 수용부 상층을 펼친 상태로 도시한 일 방향에서의 사시도이다.
도 3은 도 2에 신경전극부가 삽입되는 것을 나타낸 일 방향에서의 사시도이다.
도 4는 도 1의 A-A'선에 따른 단면도이다.
도 5의 (a)는 본 발명의 일실시예에 따른 신경전극 배열체에서 인출되기 전의 신경전극부를 표시한 일 방향에서의 사시도이다.
도 5의 (b)는 본 발명의 일실시예에 따른 신경전극 배열체에서 인출된 후의 신경전극부를 표시한 일 방향에서의 사시도이다.
도 6은 본 발명의 일실시예에 따른 신경전극 배열체로 두개골의 내부에 있는 뇌로 삽입되는 것을 나타낸 도면이다.
도 7은 본 발명의 일실시예에 따른 신경전극 배열체가 납작하게 접힌 형상으로 구부러진 것을 나타낸 일 방향에서의 사시도이다.
도 8은 본 발명의 일실시예에 따른 신경전극 배열체의 제조방법을 나타낸 순서도이다.
도 9의 (a), (b), (c), (d), (e)는 도 8에 따라 순서대로 신경전극 배열체가 제조되는 과정을 나타낸 단면도이다.
이하에서는 첨부한 도면을 참조하여 본 발명을 설명하기로 한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며, 따라서 여기에서 설명하는 실시예로 한정되는 것은 아니다. 그리고 도면에서 본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 유사한 도면 부호를 붙였다.
명세서 전체에서, 어떤 부분이 다른 부분과 "연결(접속, 접촉, 결합)"되어 있다고 할 때, 이는 "직접적으로 연결"되어 있는 경우뿐 아니라, 그 중간에 다른 부재를 사이에 두고 "간접적으로 연결"되어 있는 경우도 포함한다. 또한 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함"한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 구비할 수 있다는 것을 의미한다.
본 명세서에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 명세서에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
이하 첨부된 도면을 참고하여 본 발명의 실시예를 상세히 설명하기로 한다.
1. 신경전극 배열체의 구조
도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 신경전극 배열체가 원기둥 형상으로 구부러진 것을 나타낸 일 방향에서의 사시도이다.
본 발명의 일 실시예에 따른 신경전극 배열체(100)는 수용부 하층(110), 수용부 상층(120), 신경전극부(130) 및 보강부(140)를 포함한다.
도 2는 도 1의 수용부 하층 및 수용부 상층을 펼친 상태로 도시한 일 방향에서의 사시도이다.
수용부 하층(110)은 소정의 두께를 가진 박막일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 다만, 본 발명에서 수용부 하층(110)은 사람에게 시술하기 적합한 구조로 변형이 가능해야 하기 때문에 말아서 사용하기 쉬운 원통형의 롤형태나 납작하게 접혀서 구부리지는 형상으로 형태로 쉽게 변형할 수 있도록 상기한 소정의 두께를 가진 박막으로 형성되는 것이 바람직하다.
또한, 수용부 하층(110)은 플렉서블한 소재로 구성되어 굽힘이 가능하다. 구체적으로 수용부 하층(110)은 유연하게 굽혀지거나 구부러짐에 따라 도 1에 도시된 롤 형태로 말릴 수 있다. 이를 위한 수용부 하층(110)은 패럴린으로 구성될 수 있다.
다만, 도 1에는 원기둥 형상으로 말려 있는 상태를 도시하였으나, 이외에도 다각형 기둥(사각 기둥, 오각 기둥, 육각 기둥 등)형상으로 구현될 수 있음은 물론이다.
상기한 수용부(110) 하층의 일면에는 적어도 하나의 수용부 상층(120)이 형성된다.
도 3은 도 2에 신경전극부가 삽입되는 것을 나타낸 일 방향에서의 사시도이다.
수용부 상층(120)은 수용부 하층(110)의 일면에 형성되어 수용부 하층(110)과 이루는 채널부(S)를 형성한다. 구체적으로 수용부 상층(120)은 반호 형상이 길이방향으로 길게 형성될 수 있다.
또한, 수용부 상층(120)은 도 2 및 도 3에 도시된 바와 같이 수용부 하층(110)의 일면에 서로 소정거리 이격되도록 배열되되, 서로 평행하도록 적어도 하나가 형성된다. 도 2 및 도 3에서 수용부 상층(120)은 9개가 형성되는 것으로 도시되어 있으나, 수용부 하층(110)의 면적이나 적어도 하나의 수용부 상층(120) 간의 간격에 따라 수용부 상층(120)의 개수가 달라질 수 있다.
이때, 수용부 상층(120)의 간격은 수용부 하층(110)이 쉽게 구부러질 수 있을 정도로 조절되는 것이 바람직하다.
전술한 수용부(110) 하층 및 수용부 상층(120) 사이에는 수용부 하층(110)과 수용부 상층(120)이 이루는 채널부(S)가 형성된다. 상기한 구조에 따라 수용부 하층(110) 및 수용부 상층(120)이 결합된 상태에서의 양단은 개방됨에 따라 신경전극부(130)가 인입될 수 있는 구조를 가진다.
신경전극부(130)는 금속재질로 이루어져 통전이 가능한 와이어 전극일 수 있다. 또한, 신경전극부(130)는 적어도 일부가 채널부(S)에 위치하고 적어도 다른 일부가 수용부 하층(110) 및 수용부 상층(120)의 외부로 노출된다. 또한, 신경전극부(130)는 적어도 하나의 수용부 상층(120)의 채널부(S)로 삽입되기 위하여 적어도 하나가 형성될 수 있다.
구체적으로 적어도 하나의 신경전극부(130)는 서로 다른 길이를 가지면서 서로 평행하도록 위치한다. 다만, 필요에 따라 적어도 하나의 신경전극부(130)는 도 3에 도시된 바와 같이 동일한 길이를 가지되, 적어도 하나의 신경전극부(130)의 양단의 위치를 서로 다르게 위치시킬 수 있다.
더욱 상세하게, 적어도 하나의 신경전극부(130)는 적어도 하나의 신경전극부(130)의 양단 중 적어도 어느 하나가 절곡된 평면상에 위치한다. 즉, 적어도 하나의 신경전극부(130)의 일단 또는 타단의 위치가 서로 다르게 위치한다는 것이다.
한편, 필요에 따라 적어도 하나의 신경전극부(130)는 적어도 하나의 신경전극부(130)의 양단 중 적어도 어느 하나가 동일평면상에 위치할 수도 있다.
종래기술에서는 보통 신경전극의 양단이 동일평면상에 위치함에 따라 필요에 의해 위치를 조절할 수 없는 단점이 있으나, 본 발명에서는 적어도 하나의 신경전극부(130)가 채널부(S)로 인입 또는 인출이 가능한 구조를 가짐에 따라 적어도 하나의 신경전극부(130)의 양단을 마음대로 조절할 수 있어 시술시 유리한 장점이 있다.
도 4는 도 1의 A-A'선에 따른 단면도이다.
보강부(140)는 수용부 하층(110)과 수용부 상층(120)이 접하는 접합부 중 채널부(S)와 인접한 접합부를 제외한 접합부에 형성되어 수용부 하층(110)과 적어도 하나의 수용부 상층(120)을 지지하는 보강재로서, 도 4에 도시된 바와 같이 적어도 하나가 형성된다.
보강부(140)는 포토레지스트일 수 있으며, 이에 대한 구체적인 설명은 본 발명의 신경전극 배열체의 제조방법에서 구체적으로 후술하도록 한다.
도 5의 (a)는 본 발명의 일실시예에 따른 신경전극 배열체에서 인출되기 전의 신경전극부를 표시한 일 방향에서의 사시도이다. 도 5의 (b)는 본 발명의 일실시예에 따른 신경전극 배열체에서 인출된 후의 신경전극부를 표시한 일 방향에서의 사시도이다.
도 5의 (a) 및 도 5의 (b)와 같이 전술한 적어도 하나의 신경자극부(130)는 채널부(S)로 인입되거나 채널부(S)의 외부로 인출됨에 따라 선택적으로 교체가 가능하다. 도 5의 (a)에서는 인출될 적어도 하나의 신경전극부(130)를 적색으로 표시하였으며, 도 6의 (b)에는 인출된 후의 신경전극 배열체가 도시되어 있다.
도 6은 본 발명의 일실시예에 따른 신경전극 배열체로 두개골의 내부에 있는 뇌로 삽입되는 것을 나타낸 도면이다.
외과의는 본 발명의 일 실시예에 따른 신경자극 배열체를 이용하여 도 6에 도시된 바와 같이 환자의 두개골의 내부에 있는 뇌의 신경을 측정할 수 있다.
도 7은 본 발명의 일실시예에 따른 신경전극 배열체가 납작하게 접힌 형상으로 구부러진 것을 나타낸 일 방향에서의 사시도이다.
또한, 본 발명의 일실시예에 따른 신경전극 배열체(100)는 도 1에 도시된 롤형태 뿐만 아니라 도 7에 도시된 납작하게 접힌 형상으로도 구현이 가능하다. 추가적으로 신경전극 배열체(100)는 도 1 및 도 7에 도시된 형상 이외에 다른 형상으로도 얼마든지 구현 가능하다.
2. 신경전극 배열체의 제조방법
도 8은 본 발명의 일실시예에 따른 신경전극 배열체의 제조방법을 나타낸 순서도이다. 도 9의 (a), (b), (c), (d), (e)는 도 8에 따라 순서대로 신경전극 배열체가 제조되는 과정을 나타낸 단면도이다.
도 8을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 신경전극 배열체(100)의 제조방법은 웨이퍼(10)를 준비하는 단계(S100), 웨이퍼(10)에 희생층(20)을 증착하는 단계(S200), (a) 희생층(20)에 수용부(110) 하층을 증착하는 단계(S300), (b) 수용부 하층(110)에 보강부(140) 및 수용부 상층(120) 내부 구조물을 패터닝 및 리플로우하는 단계(S400), (c) 수용부(110) 하층과 보강부(140) 및 수용부 상층(120) 패턴 위에 수용부 하층(110)의 상층을 증착하는 단계(S500) (d) 수용부 상층(120)의 상면의 일부를 식각하는 단계(600) 및 수용부 상층(120) 내부에 패턴 구조물을 제거하여 채널을 형성하는 단계(S700)를 포함한다.
도 9의 (a)를 참조하면, 웨이퍼(10)를 준비하는 단계(S100)는 본 발명의 신경전극 배열체의 제조방법 중 첫 번째 단계로서, 상기 (a) 단계 이전에 수행된다. 여기서, 웨이퍼(10)는 본 발명의 신경전극 배열체(100)를 제조하기 위한 구조물이다.
또한, 상기 (a) 단계 이전에, 웨이퍼(10)에 희생층(20)을 증착하는 단계(S200)가 수행되며, 상기 단계(S200)는 웨이퍼(10)를 준비하는 단계(S100) 이후에 진행된다.
도 9의 (a)에 도시된 바와 같이 희생층(20)은 웨이퍼(10)의 상면에 적층된다.
(a) 희생층(20)에 수용부(110) 하층을 증착하는 단계(S300)는 도 9의 (b)에 도시된 바와 같이 희생층(20)의 상면에 수용부 하층(110)을 증착시켜 수용부 하층(110)가 희생층(20)의 상면에 적층되도록 한다. 이때, 수용부 하층(110)의 소재는 패럴린일 수 있으며, 상기 (a) 단계에서 1차적으로 증착된다.
상기 (b) 단계는, (b1) 수용부(110) 하층에 포토레지스트를 이용하여 보강부(140) 및 수용부 상층(120)을 패터닝하는 단계 및 (b2) 리플로우하는 단계를 포함한다.
도 9의 (b)를 참조하면, 2개의 보강부(140) 사이에는 채널부 형성을 위한 포토레지스트 패턴(140')이 위치한다.
우선, 도 9의 (c)를 참조하면, 수용부 하층(110)의 상면과 보강부(140)의 하면에 접합물질을 도포할 수도 있다. 이때, 접합물질은 접착프로모터(Adhesion promoter)일 수 있고, 수용부 하층(110)의 상면에만 도포될 수도 있다.
다음, 수용부 하층(110)의 상면에 보강부(110)를 패터닝하여 배치한다.
이후, 상기한 (b1) 단계 및 (b2) 단계의 순서대로 수행하면, 수용부 하층(110)와 보강부(140)를 리플로우하여 접합시킴에 따라 보강부(140)가 수용부 하층(110)의 상면에 적층되는 3차원 구조물의 형태를 가지게 된다.
(c) 수용부 하층(110)의 하층과 보강부(140) 및 수용부 상층(120) 패턴 위에 수용부 하층(110)의 상층을 증착하는 단계(S500)는 상기 (a) 단계에서 수용부 하층(110)이 1차적으로 증착된 이후 수용부 하층(110) 및 보강부(140)의 상면에 2차적으로 패럴린이 증착된다.
구체적으로 상기 (c) 단계에서, 수용부 상층(120)은 수용부 하층(110)과 보강부(140)에 적층되어 증착된다. 상기한 (c) 단계를 통하여 신경전극부(130)가 인입될 수 있는 채널부(S)가 확보된다.
상기 (c) 단계 이후, 수용부 상층(120)의 상면 중에 수용부 상층(120) 형성을 위한 식각을 위해 포토레지스트를 패터닝하는 단계가 수행될 수 있다.
또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 신경전극 배열체의 제조방법은 상기 (d) 단계 이후, 수용부 하층(110)과 수용부 상층(120)이 이루는 채널부(S)로 신경전극부(130)의 적어도 일부가 인입되는 단계를 더 포함한다.
전술한 본 발명의 설명은 예시를 위한 것이며, 본 발명이 속하는 기술분야의 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 쉽게 변형이 가능하다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 예를 들어, 단일형으로 설명되어 있는 각 구성 요소는 분산되어 실시될 수도 있으며, 마찬가지로 분산된 것으로 설명되어 있는 구성 요소들도 결합된 형태로 실시될 수 있다.
본 발명의 범위는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 균등 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.
10: 웨이퍼
20: 희생층
100: 신경전극 배열체
110: 수용부
120: 수용부 상층
130: 신경전극부
140: 보강부
140': 채널부 형성을 위한 포토레지스트 패턴

Claims (13)

  1. 수용부 하층;
    상기 수용부 하층의 일면에 형성되어 상기 수용부 하층과 이루는 채널부를 형성하는 수용부 상층;
    적어도 일부가 상기 채널부에 위치하고 적어도 다른 일부가 상기 수용부 하층 및 상기 수용부 상층의 외부로 노출되는 적어도 하나의 신경전극부; 및
    상기 수용부 하층과 상기 수용부 상층이 접하는 접합부 중 상기 채널부과 인접한 접합부를 제외한 접합부에 형성되어 상기 수용부 하층과 상기 적어도 하나의 수용부 상층을 지지하는 적어도 하나의 보강부;를 포함하고,
    상기 적어도 하나의 신경자극부는 상기 채널부로 인입되거나 상기 채널부의 외부로 인출됨에 따라 선택적으로 교체가 가능한 것을 특징으로 하는 신경전극 배열체.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 적어도 하나의 신경전극부는 서로 다른 길이를 가지면서 서로 평행하도록 위치하는 것을 특징으로 하는 신경전극 배열체.
  3. 제2 항에 있어서,
    상기 적어도 하나의 신경전극부는 상기 적어도 하나의 신경전극부의 양단 중 적어도 어느 하나가 절곡된 평면상에 위치하는 것을 특징으로 하는 신경전극 배열체.
  4. 제2 항에 있어서,
    상기 적어도 하나의 신경전극부는 상기 적어도 하나의 신경전극부의 양단 중 적어도 어느 하나가 동일평면상에 위치하는 것을 특징으로 하는 신경전극 배열체.
  5. 제1 항에 있어서,
    상기 수용부 하층은 플렉서블한 소재로 구성되어 굽힘이 가능한 것을 특징으로 하는 신경전극 배열체.
  6. 제1 항에 있어서,
    상기 수용부 및 상기 수용부 상층이 패럴린인 것을 특징으로 하는 신경전극 배열체.
  7. 제1 항에 있어서,
    상기 보강부는 포토레지스트인 것을 특징으로 하는 신경전극 배열체.
  8. (a) 희생층에 수용부의 하층을 증착하는 단계;
    (b) 상기 수용부의 하층에 보강부 및 수용부 상층 내부 구조물을 패터닝 및 리플로우하는 단계;
    (c) 상기 수용부의 하층과 상기 보강부 및 상기 수용부 상층 패턴 위에에 상기 수용부 하층의 하면을 증착하는 단계;
    (d) 상기 수용부 상층의 상면의 일부를 식각하는 단계; 및
    (e) 상기 수용부 상층 내부에 패턴 구조물을 제거하여 채널을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 신경전극 배열체의 제조방법.
  9. 제8 항에 있어서,
    상기 (b) 단계는,
    (b1) 상기 수용부 하층에 포토레지스트를 이용하여 상기 보강부 및 상기 수용부 상층을 패터닝하는 단계; 및
    (b2) 리플로우하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 신경전극 배열체의 제조방법.
  10. 제8 항에 있어서,
    상기 (c) 단계에서,
    상기 수용부 상층은 상기 수용부 하층의 하면과 상기 보강부에 적층되어 증착되는 것을 특징으로 하는 신경전극 배열체의 제조방법.
  11. 제8 항에 있어서,
    상기 (c) 단계 이후,
    상기 수용부 상층의 상면 중에 상기 채널부 형성을 위한 식각을 위해 포토레지스트를 패터닝하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 신경전극 배열체의 제조방법.
  12. 제8 항에 있어서,
    상기 (a) 단계 이전에,
    웨이퍼를 준비하는 단계; 및
    상기 웨이퍼에 상기 희생층을 증착하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 신경전극 배열체의 제조방법.
  13. 제8 항에 있어서,
    상기 (d) 단계 이후,
    상기 수용부 하층과 상기 수용부 상층이 이루는 채널부로 신경전극부의 적어도 일부가 인입되는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 신경전극 배열체의 제조방법.
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