KR20210059825A - Apparatus for manufacturing Particles - Google Patents

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KR20210059825A
KR20210059825A KR1020190146450A KR20190146450A KR20210059825A KR 20210059825 A KR20210059825 A KR 20210059825A KR 1020190146450 A KR1020190146450 A KR 1020190146450A KR 20190146450 A KR20190146450 A KR 20190146450A KR 20210059825 A KR20210059825 A KR 20210059825A
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Abstract

The present invention relates to an apparatus for preparing silicon oxide particles. The apparatus according to the present invention includes: a main body unit; a receiving unit disposed inside the main body unit, opened at the top and having an internal space; a mounting unit disposed in the internal space of the receiving unit for mounting powder containing silicon and silicon oxide therein; a heating unit disposed in the main body unit and configured to heat the receiving unit to melt the powder so that silicon oxide gas may be evaporated from the molten powder; a collection unit linked to the main body unit and configured to collect the particles contained in the evaporated silicon oxide gas; and a gas supplying unit linked to the receiving unit and configured to supply a carrier gas from the bottom of the loading unit upwardly to force the evaporated silicon oxide gas to flow toward the collection unit.

Description

실리콘 산화물 입자 제조장치{Apparatus for manufacturing Particles}Silicon oxide particle manufacturing apparatus {Apparatus for manufacturing Particles}

본 발명은 실리콘 산화물 입자 제조장치에 관한 것이다.The present invention relates to an apparatus for producing silicon oxide particles.

일반적으로 실리콘(Si) 또는 실리콘 산화물(SiOx)은 태양전지와, 리튬이온 이차전지 음극재와, LED(Light Emitting Device)와 같은 광전변환 및 광변환 소재로 사용된다.In general, silicon (Si) or silicon oxide (SiOx) is used as a photoelectric conversion and photoconversion material such as a solar cell, a lithium ion secondary battery negative electrode material, and a light emitting device (LED).

상기와 같은 실리콘 산화물은 습식방식 또는 건식방식을 통해 제조된다.The silicon oxide as described above is manufactured through a wet method or a dry method.

상기 습식방식은 대부분 졸-겔(sol-gel)법을 사용한다. 상기 습식방식은 수십 시간의 다단계 화학공정을 거치기 때문에 대량생산이 어렵고 실리콘 산화물의 입자 조성이 불균일하다.Most of the wet method uses a sol-gel method. Since the wet method undergoes a multi-step chemical process of several tens of hours, mass production is difficult and the particle composition of silicon oxide is non-uniform.

또한 상기 건식방식은 고온의 도가니와 같은 증기로 또는 플라즈마를 통해 실리콘 산화물 가스를 생성시킨다. 그리고 상기 건조방식은 상기와 같이 생성된 실리콘 산화물 가스를 냉각 및 응집시켜 미립자로 회수한다.In addition, in the dry method, silicon oxide gas is generated through a steam furnace or plasma such as a high temperature crucible. In the drying method, the silicon oxide gas generated as described above is cooled and agglomerated and recovered as fine particles.

이러한 실리콘은 도가니 내에서 가열되면서 실리콘 산화물 가스를 이루어 증발한다. 증발하는 실리콘 산화물 가스에는 실리콘 산화물 입자가 포함된다.As the silicon is heated in the crucible, it forms a silicon oxide gas and evaporates. Silicon oxide particles are contained in the evaporating silicon oxide gas.

상기 산화물 가스에는 실리콘 산화물 입자는 가스의 유동에 의해 포집부로 이동된다.In the oxide gas, silicon oxide particles are moved to the collecting portion by the flow of the gas.

이때 실리콘 산화물 입자가 증발되는 가스의 유동에만 의지하여 이동되는 경우 도가니를 포함하는 장치의 챔버 내벽에 증착되어 실리콘 산화물 입자를 효율적으로 포집할 수 없는 문제를 갖는다.In this case, when the silicon oxide particles are moved only depending on the flow of the evaporated gas, they are deposited on the inner wall of the chamber of the device including the crucible, so that the silicon oxide particles cannot be efficiently collected.

이에 근래에 들어 실리콘 산화물 가스의 유동을 강제함과 아울러 입자의 특성 변화 없이 포집율을 상승시킬 수 있는 기술의 개발이 요구된다.Accordingly, in recent years, there is a need to develop a technology capable of forcing the flow of silicon oxide gas and increasing the collection rate without changing the properties of the particles.

대한민국 공개특허 공개번호 제10-2014-0098547호(공개일자: 2014년 08월 08일)Korean Patent Application Publication No. 10-2014-0098547 (Publication date: August 08, 2014)

본 발명의 목적은 증발되는 실리콘 산화물 가스의 유동을 포집부로 강제 이동되도록 함으로써 실리콘 산화물 입자의 포집율을 상승시킬 수 있는 실리콘 산화물 입자 제조장치를 제공하는 것이다.It is an object of the present invention to provide a silicon oxide particle manufacturing apparatus capable of increasing the collecting rate of silicon oxide particles by forcibly moving the flow of the evaporated silicon oxide gas to the collecting portion.

또한 본 발명의 다른 목적은 증발되는 실리콘 산화물 가스가 챔버의 내벽에 증착되지 않도록 하여 입자의 고유 특성의 변화를 방지할 수 있는 실리콘 산화물 입자 제조장치를 제공하는 것이다.In addition, another object of the present invention is to provide a silicon oxide particle manufacturing apparatus capable of preventing a change in intrinsic properties of the particles by preventing evaporation of the silicon oxide gas from being deposited on the inner wall of the chamber.

상기의 과제를 달성하기 위해, 본 발명은 장치 몸체부와; 상기 장치 몸체부의 내부에 배치되며, 상부가 개방되고 내부 공간이 형성되는 수용부와; 상기 수용부의 내부 공간에 배치되며, 실리콘 및 실리콘 산화물을 포함하는 분말이 안착되는 안착부와; 상기 장치 몸체부에 배치되며, 상기 수용부를 가열하여 상기 분말을 용융시켜, 용융된 상기 분말로부터 실리콘 산화물 가스를 증발시키는 가열부와; 상기 장치 몸체부와 연결되며, 증발되는 상기 실리콘 산화물 가스에 포함되는 입자를 포집하는 포집부; 및, 상기 수용부와 연결되며, 상기 안착부의 하부에서 상방을 따라 캐리어 가스를 공급하여, 증발되는 상기 실리콘 산화물 가스를 상기 포집부로 강제 유동시키는 가스 공급부;를 포함하는 실리콘 산화물 입자 제조장치를 제공한다.In order to achieve the above object, the present invention comprises a device body; A receiving portion disposed inside the device body portion and having an upper portion open and an inner space formed therein; A seating portion disposed in the inner space of the receiving portion and on which a powder including silicon and silicon oxide is seated; A heating unit disposed in the body of the apparatus and heating the receiving unit to melt the powder, thereby evaporating silicon oxide gas from the molten powder; A collecting unit connected to the device body and collecting particles contained in the evaporated silicon oxide gas; And a gas supply unit connected to the receiving unit and supplying a carrier gas from a lower portion of the seating unit along the upper side to forcibly flow the evaporated silicon oxide gas to the collecting unit. .

여기서 상기 안착부는, 하단이 상기 수용부의 내부 공간 바닥면에 지지되는 중공 형상의 지지 부재와, 상기 지지 부재의 상단에 배치되며, 분사홀들이 형성되고, 상기 분말이 안착되는 안착 플레이트를 구비할 수 있다.Here, the seating portion may include a support member having a hollow shape whose lower end is supported on the bottom surface of the inner space of the receiving portion, and a seating plate disposed on the upper end of the support member, forming spray holes, and seating the powder. have.

상기의 해결 수단에 의해 본 발명에 따른 실리콘 산화물 입자 제조장치는 증발되는 실리콘 산화물 가스의 유동을 포집부로 강제 이동되도록 함으로써 실리콘 산화물 입자의 포집율을 상승시킬 수 있는 효과를 갖는다.According to the above solution, the apparatus for producing silicon oxide particles according to the present invention has the effect of increasing the collecting rate of silicon oxide particles by forcibly moving the flow of the evaporated silicon oxide gas to the collecting unit.

또한 본 발명에 따른 실리콘 산화물 입자 제조장치는 실리콘 산화물 가스가 챔버의 내벽에 증착되지 않도록 하여 입자의 고유 특성의 변화를 방지할 수 있는 효과를 갖는다.In addition, the silicon oxide particle manufacturing apparatus according to the present invention has an effect of preventing a change in intrinsic properties of the particles by preventing silicon oxide gas from being deposited on the inner wall of the chamber.

도 1은 본 발명에 따른 실리콘 산화물 입자 제조장치의 전체적인 구성을 보여주는 도면이다.
도 2는 본 발명에 따른 수용부 및 안착부, 포집 부재의 배치 구성을 보여주는 사시도이다.
도 3은 본 발명에 따른 실리콘 산화물 입자 제조장치의 구성을 보여주는 단면도이다.
도 4는 본 발명에 따른 안착부의 제 1예를 보여주는 단면도이다.
도 5는 도 4의 안착 플레이트를 보여주는 단면도이다.
도 6은 본 발명에 따른 안착부의 제 2예를 보여주는 단면도이다.
도 7은 본 발명에 따른 분사홀의 홀 사이즈의 예를 보여주는 도면이다.
도 8은 본 발명에 따른 안착 플레이트의 다른 예를 보여주는 단면도이다.
1 is a view showing the overall configuration of a silicon oxide particle manufacturing apparatus according to the present invention.
2 is a perspective view showing an arrangement configuration of a receiving portion, a seating portion, and a collecting member according to the present invention.
3 is a cross-sectional view showing the configuration of a silicon oxide particle manufacturing apparatus according to the present invention.
4 is a cross-sectional view showing a first example of a seating unit according to the present invention.
5 is a cross-sectional view showing the seating plate of FIG. 4.
6 is a cross-sectional view showing a second example of a seating unit according to the present invention.
7 is a view showing an example of the hole size of the injection hole according to the present invention.
8 is a cross-sectional view showing another example of the seating plate according to the present invention.

이하, 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings so that those of ordinary skill in the art may easily implement the present invention.

본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다.The present invention may be implemented in various different forms and is not limited to the embodiments described herein.

본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 동일 또는 유사한 구성요소에 대해서는 동일한 참조 부호를 붙이도록 한다.In order to clearly describe the present invention, parts irrelevant to the description have been omitted, and the same reference numerals are attached to the same or similar components throughout the specification.

이하에서 기재의 "상부 (또는 하부)" 또는 기재의 "상 (또는 하)"에 임의의 구성이 구비 또는 배치된다는 것은, 임의의 구성이 상기 기재의 상면 (또는 하면)에 접하여 구비 또는 배치되는 것을 의미한다.Hereinafter, it means that an arbitrary configuration is provided or disposed on the "top (or bottom)" of the base material or the "top (or bottom)" of the base material is provided or disposed in contact with the top (or bottom) of the base material. Means that.

또한, 상기 기재와 기재 상에 (또는 하에) 구비 또는 배치된 임의의 구성 사이에 다른 구성을 포함하지 않는 것으로 한정하는 것은 아니다.In addition, it is not limited to not including other configurations between the base material and any configurations provided or disposed on (or under) the base material.

이하, 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings so that those of ordinary skill in the art may easily implement the present invention.

본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다.The present invention may be implemented in various different forms and is not limited to the embodiments described herein.

본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 동일 또는 유사한 구성요소에 대해서는 동일한 참조 부호를 붙이도록 한다.In order to clearly describe the present invention, parts irrelevant to the description have been omitted, and the same reference numerals are attached to the same or similar components throughout the specification.

이하에서 기재의 "상부 (또는 하부)" 또는 기재의 "상 (또는 하)"에 임의의 구성이 구비 또는 배치된다는 것은, 임의의 구성이 상기 기재의 상면 (또는 하면)에 접하여 구비 또는 배치되는 것을 의미한다.Hereinafter, it means that an arbitrary configuration is provided or disposed on the "top (or bottom)" of the base material or the "top (or bottom)" of the base material is provided or disposed in contact with the top (or bottom) of the base material. Means that.

또한, 상기 기재와 기재 상에 (또는 하에) 구비 또는 배치된 임의의 구성 사이에 다른 구성을 포함하지 않는 것으로 한정하는 것은 아니다.In addition, it is not limited to not including other configurations between the base material and any configurations provided or disposed on (or under) the base material.

이하, 첨부되는 도면들을 참조하여, 본 발명에 따른 실리콘 산화물 입자 제조장치를 설명한다.Hereinafter, an apparatus for manufacturing silicon oxide particles according to the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명에 따른 실리콘 산화물 입자 제조장치의 전체적인 구성을 보여주는 도면이다. 도 2는 본 발명에 따른 수용부 및 안착부, 포집 부재의 배치 구성을 보여주는 사시도이다. 도 3은 본 발명에 따른 실리콘 산화물 입자 제조장치의 구성을 보여주는 단면도이다.1 is a view showing the overall configuration of a silicon oxide particle manufacturing apparatus according to the present invention. 2 is a perspective view showing an arrangement configuration of a receiving portion, a seating portion, and a collecting member according to the present invention. 3 is a cross-sectional view showing the configuration of a silicon oxide particle manufacturing apparatus according to the present invention.

도 1 내지 도 3을 참조 하면 본 발명에 따른 실리콘 산화물 입자 제조장치는 크게 장치 몸체부(100)와, 수용부(200)와, 안착부(300)와, 가열부(400)와, 포집부(500) 및 가스 공급부(600)를 갖는다.1 to 3, the silicon oxide particle manufacturing apparatus according to the present invention is largely a device body part 100, a receiving part 200, a seating part 300, a heating part 400, and a collecting part. It has 500 and a gas supply part 600.

상기 각 구성을 설명한다.Each of the above configurations will be described.

장치 몸체부(100)Device body part (100)

장치 몸체부(100)는 내부에 공간이 형성되는 챔버이다.The device body 100 is a chamber in which a space is formed.

수용부Receptacle

본 발명에 따른 수용부(200)는 장치 몸체부(100)의 내부 공간에 배치된다. 상기 수용부(200)는 흑연 도가니인 것이 좋다.The receiving part 200 according to the present invention is disposed in the inner space of the device body part 100. It is preferable that the receiving part 200 is a graphite crucible.

상기 수용부(200)에는 내부 공간이 형성된다. 상기 수용부(200)의 상단은 개방된다.An inner space is formed in the receiving part 200. The upper end of the receiving part 200 is opened.

가열부(400)Heating part 400

본 발명에 따른 가열부(400)는 상기 수용부(200)의 외측 둘레를 감싸도록 설치될 수 있다. 상기 가열부(400)는 외부로부터 일정의 전류를 제공 받아 상기 수용부(200)를 일정의 온도로 가열한다.The heating part 400 according to the present invention may be installed to surround the outer periphery of the receiving part 200. The heating unit 400 receives a predetermined current from the outside and heats the receiving unit 200 to a predetermined temperature.

그리고 상기 가열부(400)의 외측 둘레는 인슐레이터(110)에 의해 에워싸일 수 있다.In addition, the outer periphery of the heating unit 400 may be surrounded by the insulator 110.

상기 가열부(400)는 후술되는 안착 플레이트(320) 상에 안착되는 실리콘 및 실리콘 산화물을 포함하는 분말을 설정된 온도로 가열하여 분말을 용융시킨다. 이에 실리콘 산화물 가스는 용융된 분말로부터 증발될 수 있다.The heating unit 400 heats the powder including silicon and silicon oxide mounted on the mounting plate 320 to be described later to a set temperature to melt the powder. Accordingly, the silicon oxide gas may be evaporated from the molten powder.

안착부(300)Seating part (300)

도 4는 본 발명에 따른 안착부의 제 1예를 보여주는 단면도이다. 도 5는 도 4의 안착 플레이트를 보여주는 단면도이다.4 is a cross-sectional view showing a first example of a seating unit according to the present invention. 5 is a cross-sectional view showing the seating plate of FIG. 4.

도 1 내지 도 5를 참조 하면 본 발명에 따른 안착부(300)는 상기 수용부(200)의 내부 공간에 배치된다.1 to 5, the seating part 300 according to the present invention is disposed in the inner space of the receiving part 200.

본 발명에 따른 안착부(300)는 중공을 이루는 지지 부재(310)와, 안착 플레이트(320)를 갖는다.The seating part 300 according to the present invention has a support member 310 forming a hollow and a seating plate 320.

상기 지지 부재(310)는 설정된 높이를 이룬다. 상기 지지 부재(310)의 하단은 수용부(200)의 내부 공간 바닥에 고정된다.The support member 310 achieves a set height. The lower end of the support member 310 is fixed to the bottom of the inner space of the receiving part 200.

도면에 도시되지는 않았지만, 상기 지지 부재(310)의 하단은 수용부(200)의 내부 공간 바닥에 형성되는 홈에 끼워져 고정될 수 있다. 또한 지지 부재(310)의 하단과 상기 홈은 스크류 방식으로 결합될 수도 있다.Although not shown in the drawings, the lower end of the support member 310 may be fitted and fixed in a groove formed in the bottom of the inner space of the receiving part 200. In addition, the lower end of the support member 310 and the groove may be coupled by a screw method.

여기서 상기 지지 부재(310)의 하단과 상기 수용부(200)의 내부 공간 바닥의 사이는 별도의 내열성 기밀 부재(미도시)를 통해 기밀되는 것이 좋다.Here, between the lower end of the support member 310 and the bottom of the inner space of the receiving part 200 may be airtight through a separate heat-resistant airtight member (not shown).

이와 같은 지지 부재(310)의 상단에는 상기 안착 플레이트(320)가 배치된다. 상기 안착 플레이트(320)는 설정된 두께를 이루는 판 형상으로 형성된다. The mounting plate 320 is disposed on the upper end of the support member 310. The seating plate 320 is formed in a plate shape having a set thickness.

상기 안착 플레이트(320)는 상기 지지 부재(310)의 상단에 일체를 이루도록 형성될 수 있다. 물론 상기 안착 플레이트(320)는 지지 부재(310)의 상단과 스크류 방식으로 결합되어 탈착이 가능할 수도 있다. 이에 다른 안착 플레이트를 지지 부재에 채택할 수도 있다.The seating plate 320 may be formed integrally with the upper end of the support member 310. Of course, the mounting plate 320 may be coupled to the upper end of the support member 310 in a screw manner to be detachable. Accordingly, another seating plate may be adopted for the support member.

상기 안착 플레이트(320)에는 분사홀들(321)이 형성된다. 상기 분사홀들(321)은 균등 간격을 이룰 수 있다. Injection holes 321 are formed in the mounting plate 320. The injection holes 321 may be equally spaced.

상기 실리콘 및 실리콘 산화물을 포함하는 분말은 상기 안착 플레이트(320) 상단에 안착될 수 있다.The powder including silicon and silicon oxide may be mounted on the mounting plate 320.

한편 상기 지지 부재(310)의 중공 상단은 안착 플레이트(320)에 의해 에워싸여 일정의 공간을 형성한다.Meanwhile, the hollow upper end of the support member 310 is surrounded by the seating plate 320 to form a predetermined space.

상기 지지 부재(310)는 안착 플레이트(320)를 상기 수용부(200)의 내부 공간 바닥으로부터 상방으로 일정 높이로 이격시키는 스페이서 역할을 한다.The support member 310 serves as a spacer to space the seating plate 320 upward from the bottom of the inner space of the receiving part 200 to a predetermined height.

도면에 도시되지는 않았지만 본 발명에 따른 지지 부재(310)는 단위 지지 부재들이 적층되어 구성될 수도 있다. 단위 지지 부재들은 서로 스크류 결합될 수 있다.Although not shown in the drawings, the support member 310 according to the present invention may be configured by stacking unit support members. The unit support members may be screw-coupled to each other.

이에 단위 지지 부재들의 결합 개수에 따라 안착 플레이트(320)의 상하 위치를 가변적으로 조절할 수 있다. 동시에 지지 부재(310)의 중공 공간의 부피를 조절할 수 있다.Accordingly, the upper and lower positions of the seating plate 320 may be variably adjusted according to the number of couplings of the unit support members. At the same time, the volume of the hollow space of the support member 310 can be adjusted.

포집부(500)Collection unit (500)

본 발명에 따른 포집부(500)는 포집 부재(560)와, 포집관(510)과, 저장부(520)와, 배출관(530)과, 진공 펌프(540)를 갖는다.The collecting part 500 according to the present invention has a collecting member 560, a collecting pipe 510, a storage part 520, a discharge pipe 530, and a vacuum pump 540.

상기 포집관(510)의 일단은 수용부(200)의 상부에 배치된다. 바람직하게 상기 포집관(510)의 일단은 상기 안착 플레이트(320)의 상단으로부터 일정 높이 이격되는 위치에 배치된다.One end of the collecting pipe 510 is disposed above the receiving part 200. Preferably, one end of the collecting pipe 510 is disposed at a position spaced apart from the upper end of the mounting plate 320 by a predetermined height.

상기 포집관(510)의 타단은 장치 몸체부(100)의 상단을 관통하여 외부로 연장된다.The other end of the collecting pipe 510 passes through the upper end of the device body 100 and extends to the outside.

상기 포집 부재(560)는 상기 포집관(510)의 일단에 구비된다.The collecting member 560 is provided at one end of the collecting pipe 510.

상기 포집 부재(560)는 하방이 개구되는 깔대기 형상으로 형성된다. 상기 포집 부재(560)의 중앙은 상기 포집관(510)의 일단과 연통된다. 상기 포집 부재(560)는 상단 중앙에서 하단을 따라 내경이 점진적으로 벌어지는 형상으로 형성된다.The collecting member 560 is formed in the shape of a funnel that is opened downward. The center of the collecting member 560 communicates with one end of the collecting pipe 510. The collecting member 560 is formed in a shape in which the inner diameter gradually opens from the upper center to the lower end.

바람직하게 상기 포집 부재(560)의 하단 내경은 상기 수용부(200)의 상단 내경과 실질적으로 동일하거나 더 크게 형성되는 것이 좋다.Preferably, the lower inner diameter of the collecting member 560 is substantially the same as or larger than the upper inner diameter of the receiving portion 200.

이에 포집 부재(560)는 안착 플레이트(320) 상에 안착되어 증발되어 상방으로 유동되는 실리콘 산화물 가스를 포집하여 상기 포집관(510)의 내부로 모이도록 유도할 수 있다.Accordingly, the collecting member 560 may be seated on the mounting plate 320 and evaporated to collect the silicon oxide gas flowing upward and induce it to be collected in the collecting pipe 510.

상기 포집관(510)의 타단은 저장부(520)와 연결된다. 상기 저장부(520)는 내부에는 저장 공간이 형성된다.The other end of the collection pipe 510 is connected to the storage unit 520. The storage unit 520 has a storage space therein.

상기 배출관(530)은 상기 저장부(520)와 연결된다. 상기 진공 펌프(540)는 상기 배출관(530) 상에 설치된다.The discharge pipe 530 is connected to the storage unit 520. The vacuum pump 540 is installed on the discharge pipe 530.

상기 진공 펌프(540)는 진공을 형성하여 실리콘 산화물 가스를 포집관(510)을 통해 강제 흡입하여 저장부(520)로 유동시킨다. 그리고 저장부(520)로 유동된 실리콘 산화물 가스를 외부로 배출한다.The vacuum pump 540 forcibly sucks the silicon oxide gas through the collecting pipe 510 by forming a vacuum to flow to the storage unit 520. Then, the silicon oxide gas flowing to the storage unit 520 is discharged to the outside.

여기서 상기 저장부(520)의 내부에는 상기 배출관(530)의 일단에 연결된 다공성 세라믹 필터(550)가 배치된다.Here, a porous ceramic filter 550 connected to one end of the discharge pipe 530 is disposed inside the storage unit 520.

이에 실리콘 산화물 가스는 저장부(520)로 유동된다. 상기 다공성 세라믹 필터(550)에 의해 상기 가스에 포함되는 입자는 필터링된다. 그리고 입자를 제외한 나머지 가스만이 배출관(530)을 통해 외부로 배출된다.Accordingly, the silicon oxide gas flows to the storage unit 520. Particles included in the gas are filtered by the porous ceramic filter 550. And only the remaining gas except for the particles is discharged to the outside through the discharge pipe 530.

또한 상기 포집 부재(560)는 수용부(200)의 상부에 이격되어 배치된다.In addition, the collecting member 560 is disposed to be spaced apart from the upper portion of the receiving part 200.

여기서 상기 수용부(200)의 외측 둘레에는 중공 형상의 가이드(700)가 설치된다. 상기 가이드(700)의 하단부는 수용부(200)의 외측 둘레에 끼워지고, 상단은 수용부(200)의 상방으로 돌출된다.Here, a guide 700 having a hollow shape is installed around the outer periphery of the receiving part 200. The lower end of the guide 700 is fitted around the outer periphery of the receiving part 200, and the upper end protrudes upward of the receiving part 200.

수용부(200)의 상방으로 돌출되는 상기 가이드(700)의 상단은 상기 포집 부재(560)의 외측 둘레에 밀착된다.The upper end of the guide 700 protruding upward of the receiving part 200 is in close contact with the outer periphery of the collecting member 560.

이에 상기 포집 부재(560)와 상기 수용부(200)의 사이는 상기 가이드(700)에 의해 에워싸일 수 있다.Accordingly, between the collecting member 560 and the receiving part 200 may be surrounded by the guide 700.

가스 공급부(600)Gas supply unit (600)

본 발명에 따른 가스 공급부(600)는 안착부(300)의 하부에서 상방을 따라 캐리어 가스를 공급하여, 증발되는 상기 실리콘 산화물 가스를 상기 포집부(500)로 강제 유동시킨다.The gas supply unit 600 according to the present invention supplies a carrier gas from the lower portion of the seating unit 300 along the upper side to forcibly flow the evaporated silicon oxide gas to the collecting unit 500.

상기 가스 공급부(610)는 가스 공급관(610)과, 가스 공급기(620)를 포함한다.The gas supply unit 610 includes a gas supply pipe 610 and a gas supply unit 620.

상기 가스 공급기(620)는 아르곤과 같은 캐리어 가스를 상기 가스 공급관(610)을 통해 공급한다.The gas supplier 620 supplies a carrier gas such as argon through the gas supply pipe 610.

도 2 및 도 3을 참조 하면 본 발명에 따른 수용부(200)의 하단에는 가스 공급홀(210)이 형성된다.2 and 3, a gas supply hole 210 is formed at the lower end of the receiving part 200 according to the present invention.

상기 가스 공급홀(210)은 상기 가스 공급관(610)의 일단과 연결된다.The gas supply hole 210 is connected to one end of the gas supply pipe 610.

상기 가스 공급홀(210)은 상술한 지지 부재(310)의 중공에 노출된다. 바람직하게 상기 가스 공급홀(210)의 천공 위치는 지지 부재의 중공 중심 위치를 이루는 것이 좋다.The gas supply hole 210 is exposed to the hollow of the support member 310 described above. Preferably, the perforation position of the gas supply hole 210 is a hollow center position of the support member.

또한 상기 가스 공급홀(210)의 내경은 하단에서 상단을 따라 점진적으로 벌어지는 형상으로 형성될 수도 있다.In addition, the inner diameter of the gas supply hole 210 may be formed in a shape that gradually opens from the bottom to the top.

따라서 가스 공급관(610)으로 공급된 캐리어 가스는 지지 부재(310)의 중공을 통해 안착 플레이트(320)의 하단으로 강제 공급된다. 이 캐리어 가스는 안착 플레이트(320)에 형성된 분사홀들(321)을 통해 상방으로 분사될 수 있다.Accordingly, the carrier gas supplied to the gas supply pipe 610 is forcibly supplied to the lower end of the seating plate 320 through the hollow of the support member 310. The carrier gas may be injected upward through the injection holes 321 formed in the mounting plate 320.

다음은 상기의 구성 및 도 1 내지 도 5를 참조하여 본 발명에 따른 안착부의 제 1예를 갖는 실리콘 산화물 입자 제조장치의 작용을 설명한다.Next, with reference to the above configuration and FIGS. 1 to 5, the operation of the apparatus for manufacturing silicon oxide particles having a first example of the seating portion according to the present invention will be described.

도 1 내지 도 5를 참조 하면, 실리콘 및 실리콘 산화물을 포함하는 분말은 안착 플레이트(320) 상에 일정량으로 안착된다.Referring to FIGS. 1 to 5, the powder including silicon and silicon oxide is mounted on the mounting plate 320 in a predetermined amount.

제어기(미도시)는 가열부(400)를 구동시킨다. 상기 가열부(400)는 수용부(200)를 일정 온도로 가열한다. 상기 수용부(200)의 내부 공간은 일정 온도로 가열된다.A controller (not shown) drives the heating unit 400. The heating unit 400 heats the receiving unit 200 to a predetermined temperature. The inner space of the receiving part 200 is heated to a certain temperature.

안착 플레이트(320) 상에 안착된 상기 분말은 용융된다. 이때 용융되는 분말로부터 실리콘 산화물 가스가 증발된다.The powder seated on the seating plate 320 is melted. At this time, silicon oxide gas is evaporated from the melted powder.

이와 동시에 또는 그 이전에 제어기는 가스 공급기(620)를 구동시킨다.At the same time or prior to this, the controller drives the gas supply 620.

상기 가스 공급기(620)는 아르곤과 같은 캐리어 가스를 설정된 공급압으로 가스 공급관(610)으로 공급한다.The gas supplier 620 supplies a carrier gas such as argon to the gas supply pipe 610 at a set supply pressure.

상기 가스 공급관(610)으로 공급되는 캐리어 가스는 수용부(200)의 바닥에 천공된 가스 공급홀(210)을 통해 지지 부재(310)의 중공으로 강제 공급된다.The carrier gas supplied to the gas supply pipe 610 is forcibly supplied into the hollow of the support member 310 through the gas supply hole 210 drilled in the bottom of the receiving part 200.

이어 상기 캐리어 가스는 안착 플레이트(320)에 형성된 분사홀(321)을 통해 상방을 따라 분사된다.Subsequently, the carrier gas is injected along the upper side through the injection hole 321 formed in the mounting plate 320.

따라서 증발됨에 따라 발생되는 실리콘 산화물 가스는 분사홀(321)을 통해 분사되는 캐리어 가스의 분사압에 의해 상방을 따라 강제 유동된다.Accordingly, the silicon oxide gas generated as it is evaporated is forcibly flowed upward by the injection pressure of the carrier gas injected through the injection hole 321.

강제 유동되는 실리콘 산화물 가스는 포집 부재(560)에 의해 포집되면서 포집관(510)으로 강제 유동된다.The silicon oxide gas that is forcibly flowed is forcibly flowed into the collecting pipe 510 while being collected by the collecting member 560.

그리고 실리콘 산화물 가스는 상술한 바와 같이 저장부(520)에서 필터(550)에 의해 입자가 걸러지고 그 외 가스는 배출관(530)을 통해 강제 배출된다.In addition, the silicon oxide gas is filtered by the filter 550 in the storage unit 520 as described above, and other gases are forcibly discharged through the discharge pipe 530.

이에 따라 본 발명은 증발되는 실리콘 산화물 가스의 유동을 포집부(500)로 강제 이동되도록 함으로써 실리콘 산화물 입자의 포집율을 상승시킬 수 있다.Accordingly, the present invention can increase the collection rate of silicon oxide particles by forcibly moving the flow of the evaporated silicon oxide gas to the collecting unit 500.

또한 본 발명은 실리콘 산화물 가스가 챔버의 내벽에 증착되지 않도록 하여 입자의 고유 특성의 변화를 방지할 수 있다.In addition, according to the present invention, since the silicon oxide gas is not deposited on the inner wall of the chamber, it is possible to prevent changes in the inherent properties of the particles.

더하여 본 발명에 따른 안착 플레이트는 상기 수용부의 높이 절반 이하를 이루는 위치에 배치된다.In addition, the seating plate according to the present invention is disposed at a position that forms less than half the height of the receiving portion.

이에 따라 본 발명은 증발되는 가스가 상방으로 유동되어 이동되는 공간을 일정 이상으로 확보할 수 있다.Accordingly, in the present invention, a space in which the evaporated gas flows upward and moves can be secured more than a certain amount.

도 6은 본 발명에 따른 안착부의 제 2예를 보여주는 단면도이다. 6 is a cross-sectional view showing a second example of a seating unit according to the present invention.

도 6을 참조 하여 본 발명에 따른 안착부(800)의 제 2예를 설명한다.A second example of the seating part 800 according to the present invention will be described with reference to FIG. 6.

여기서 안착부(800)를 제외한 나머지 구성은 도 1 내지 도 5를 참조 하여 설명한 예와 실질적으로 동일하기 이하의 설명에서 생략하기로 한다.Here, the rest of the configuration except for the seating part 800 is substantially the same as the example described with reference to FIGS. 1 to 5 and will be omitted in the following description.

도 6를 참조 하면 본 발명에 따른 안착부(800)는 안착부 몸체(810)를 갖는다. 상기 안착부 몸체(810)는 상방이 개방된다. 상기 안착부 몸체(810)의 내부에는 유동 공간이 형성된다. 상기 안착부 몸체(810)는 바닥이 형성되고 측벽을 구비한다.Referring to Figure 6, the seating portion 800 according to the present invention has a seating portion body 810. The seating part body 810 is opened upward. A flow space is formed inside the seat body 810. The seating part body 810 has a bottom and a side wall.

상기 안착부 몸체(810)의 상단에는 안착 플레이트(820)가 상기 안착부 몸체(810)와 일체를 이루어 형성된다.A seating plate 820 is formed integrally with the seating portion body 810 at an upper end of the seating portion body 810.

상기 안착 플레이트(820)에는 분사홀들(821)이 형성된다. 상기 분사홀들(821)은 상술한 제 1예에서와 동일할 수 있다.Injection holes 821 are formed in the mounting plate 820. The injection holes 821 may be the same as in the first example described above.

이에 따라 제 2예를 따른 안착부(800)는 내부에 유동 공간이 형성되며, 상기 유동 공간은 분사홀들(821)을 통해 상방으로 노출된다.Accordingly, the seating portion 800 according to the second example has a flow space formed therein, and the flow space is exposed upward through the injection holes 821.

다만 제 1예에서의 수용부(200)의 하단에는 가스 공급홀이 형성되지 않는다.However, the gas supply hole is not formed at the lower end of the receiving part 200 in the first example.

본 발명에 따른 안착부 몸체(810)는 수용부(200)의 내부 공간 바닥에 설치되는 것이 좋다.The seating part body 810 according to the present invention is preferably installed on the floor of the inner space of the receiving part 200.

또한 가스 공급관(610)의 일단은 유동 공간에 연결되도록 설치된다.In addition, one end of the gas supply pipe 610 is installed to be connected to the flow space.

상기 가스 공급관(610)의 일단은 안착 플레이트(820)의 에지 영역을 관통하여 설치될 수 있다. 상기 가스 공급관(610)은 직립된 상태를 이루어 수용부(200)의 내부 공간에 배치된다.One end of the gas supply pipe 610 may be installed through an edge region of the mounting plate 820. The gas supply pipe 610 is formed in an upright state and is disposed in the inner space of the receiving part 200.

상기 가스 공급관(610)의 타단은 수용부(200)의 상방으로 연장되어 상술한 가스 공급기(620)와 연결된다.The other end of the gas supply pipe 610 extends above the receiving portion 200 and is connected to the gas supply 620 described above.

물론 상기 가스 공급관(610)은 수용부(200)의 하단 또는 측부를 관통하고, 그 일단이 유동 공간에 노출되도록 안착부 몸체(810)를 관통하도록 설치될 수도 있다.Of course, the gas supply pipe 610 may be installed to pass through the lower end or the side of the receiving unit 200 and pass through the receiving unit body 810 so that one end thereof is exposed to the flow space.

상기의 구성에 따라 가스 공급기(620)는 캐리어 가스를 가스 공급관(610)을 통해 안착부(800)의 유동 공간으로 강제 공급한다.According to the above configuration, the gas supplier 620 forcibly supplies the carrier gas to the flow space of the seating unit 800 through the gas supply pipe 610.

상기 캐리어 가스는 유동 공간에서 분사홀들(821)을 통해 일정의 분사압을 이루어 상방을 따라 분사될 수 있다.The carrier gas may be injected along the upper side by forming a predetermined injection pressure through the injection holes 821 in the flow space.

이에 상술한 바와 같이 증발됨에 따라 발생되는 실리콘 산화물 가스는 분사홀(821)을 통해 분사되는 캐리어 가스의 분사압에 의해 상방을 따라 강제 유동된다.Accordingly, as described above, the silicon oxide gas generated by evaporation is forcibly flowed upward by the injection pressure of the carrier gas injected through the injection hole 821.

강제 유동되는 실리콘 산화물 가스는 포집 부재(560)에 의해 포집되면서 포집관(510)으로 강제 유동된다.The silicon oxide gas that is forcibly flowed is forcibly flowed into the collecting pipe 510 while being collected by the collecting member 560.

도 7은 본 발명에 따른 분사홀의 홀 사이즈의 예를 보여주는 도면이다.7 is a view showing an example of the hole size of the injection hole according to the present invention.

도 7을 참조 하면 본 발명에 따른 분사홀들(321)의 홀 사이즈(d1)는 상기 입자의 사이즈(d2) 보다 작게 형성된다.Referring to FIG. 7, the hole size d1 of the injection holes 321 according to the present invention is formed smaller than the size d2 of the particle.

따라서 실리콘 산화물 가스에 포함되는 입자가 분사홀(321)을 통해 지지 부재(310)의 중공 또는 유동 공간으로 역류되지 않도록 한다.Accordingly, particles included in the silicon oxide gas are prevented from flowing back into the hollow or flow space of the support member 310 through the injection hole 321.

즉 캐리어 가스의 공급이 일시적 또는 공정 중지로 인해 중단되는 경우, 가스 공급관(610)에는 배압이 형성될 수 있다.That is, when the supply of the carrier gas is temporarily interrupted due to a temporary or process suspension, back pressure may be formed in the gas supply pipe 610.

이때 실리콘 산화물 가스에 포함되는 입자는 그 직경 보다 작은 분사홀(321)을 통해 지지 부재(310)의 중공 또는 유동 공간으로 역으로 투입되지 않을 수 있다.In this case, the particles included in the silicon oxide gas may not be introduced into the hollow or flow space of the support member 310 through the injection hole 321 smaller than the diameter thereof.

이에 따라 안착부(300) 내부에서 입자가 채워지지 않도록 하여 안착부(300) 내부 공간이 막히거나 분사홀들(321)이 막히는 문제를 방지할 수도 있다.Accordingly, it is possible to prevent a problem that the interior space of the seating portion 300 is blocked or the injection holes 321 are clogged by preventing the particles from being filled inside the seating portion 300.

또한 도면에 도시되지는 않았지만 본 발명에 따른 분사홀들(321)은 서로 다른 형상으로 형성될 수 있다.In addition, although not shown in the drawings, the injection holes 321 according to the present invention may be formed in different shapes.

즉 분사홀들(321)의 형성 위치에 따라 분사홀(321)의 형상을 원형 또는 사각 또는 다각 형상으로 형성함으로써, 분사홀들(321)의 위치에 따라 분사압이 서로 상이하도록 미리 설정할 수도 있다.That is, by forming the shape of the injection hole 321 in a circular, square, or polygonal shape according to the formation position of the injection holes 321, the injection pressure may be set in advance to be different from each other according to the position of the injection holes 321 .

도 8은 본 발명에 따른 안착 플레이트의 다른 예를 보여주는 단면도이다.8 is a cross-sectional view showing another example of the seating plate according to the present invention.

도 8을 참조 하면 본 발명에 따른 안착 플레이트(320')의 상면은, 상기 안착 플레이트(320')의 에지에서 중앙을 따라 오목한 형상의 면(320a)을 이룰 수도 있다.Referring to FIG. 8, the upper surface of the seating plate 320 ′ according to the present invention may form a concave surface 320a along the center at the edge of the seating plate 320 ′.

상기 안착 플레이트(320')의 상단에는 분말이 안착된다. 분말은 안착 플레이트(320') 에지 대지 중앙에서의 수용량이 더 많을 수 있다.The powder is seated on the upper end of the seating plate 320'. The powder may have a larger capacity at the center of the edge site of the seating plate 320 ′.

이에 분말이 용융되는 경우 가스의 발생량은 안착 플레이트(320')의 중앙에서 에지 대비 더 많이 발생될 수 있다.Accordingly, when the powder is melted, the amount of gas generated may be greater than the edge at the center of the seating plate 320 ′.

가스의 발생량을 안착 플레이트(320')의 중앙에 집중되도록 함으로써 가스가 캐리어 가스의 유동에 강제로 상방으로 유동되는 경우, 실리콘 산화물 가스를 안착 플레이트(320')의 상부에 배치되는 포집 부재(560)의 내부 중앙으로 용이하게 유입되도록 할 수도 있다.When the gas is forcibly flowed upward by the flow of the carrier gas by focusing the amount of gas generated in the center of the seating plate 320', the collecting member 560 disposed above the seating plate 320' ) Can be easily introduced into the center of the inside.

도면에 도시되지는 않았지만 이러한 경우 분사홀들(321')은 안착 플레이트(320')의 에지 대비 중앙에서 더 기밀하게 형성되는 것이 바람직할 수도 있다.Although not shown in the drawings, in this case, it may be preferable that the injection holes 321 ′ are formed to be more airtight at the center of the mounting plate 320 ′ than the edge.

이상, 본 발명에 관한 구체적인 실시예에 관하여 설명하였으나, 본 발명의 범위에서 벗어나지 않는 한도 내에서는 여러 가지 실시 변형이 가능함은 자명하다.As described above, specific embodiments related to the present invention have been described, but it is obvious that various implementation modifications are possible within the limit not departing from the scope of the present invention.

그러므로 본 발명의 범위에는 설명된 실시예에 국한되어 전해져서는 안 되며, 후술하는 청구범위뿐만 아니라 이 청구범위와 균등한 것들에 의해 정해져야 한다.Therefore, the scope of the present invention is limited to the described embodiments and should not be transmitted, and should be defined by the claims and equivalents as well as the claims to be described later.

100 : 장치 몸체부 200 : 수용부
300 : 안착부 400 : 가열부
500 : 포집부 510 : 포집관
520 : 저장부 530 : 배출관
540 : 진공 펌프 550 : 다공성 세라믹 필터
560 : 포집 부재 600 : 가스 공급부
700 : 가이드 800 : 안착부
810 : 안착부 몸체 820 : 안착 플레이트
100: device body 200: accommodating portion
300: seating part 400: heating part
500: collection unit 510: collection tube
520: storage unit 530: discharge pipe
540: vacuum pump 550: porous ceramic filter
560: collecting member 600: gas supply unit
700: guide 800: seat
810: seat body 820: seat plate

Claims (10)

장치 몸체부;
상기 장치 몸체부의 내부에 배치되며, 상부가 개방되고 내부 공간이 형성되는 수용부;
상기 수용부의 내부 공간에 배치되며, 실리콘 및 실리콘 산화물을 포함하는 분말이 안착되는 안착부;
상기 장치 몸체부에 배치되며, 상기 수용부를 가열하여 상기 분말을 용융시켜, 용융된 상기 분말로부터 실리콘 산화물 가스를 증발시키는 가열부;
상기 장치 몸체부와 연결되며, 증발되는 상기 실리콘 산화물 가스에 포함되는 입자를 포집하는 포집부; 및,
상기 수용부와 연결되며, 상기 안착부의 하부에서 상방을 따라 캐리어 가스를 공급하여, 증발되는 상기 실리콘 산화물 가스를 상기 포집부로 강제 유동시키는 가스 공급부;
를 포함하는,
실리콘 산화물 입자 제조장치.
Device body;
A receiving portion disposed inside the device body portion and having an upper portion open and an inner space formed therein;
A seating portion disposed in the inner space of the receiving portion and on which a powder including silicon and silicon oxide is seated;
A heating unit disposed on the body of the device and heating the receiving unit to melt the powder, thereby evaporating silicon oxide gas from the molten powder;
A collecting unit connected to the device body and collecting particles contained in the evaporated silicon oxide gas; And,
A gas supply unit connected to the receiving unit and supplying a carrier gas from a lower portion of the seating unit upwardly to force the evaporated silicon oxide gas to flow to the collecting unit;
Containing,
Silicon oxide particle manufacturing apparatus.
제 1항에 있어서,
상기 안착부는,
하단이 상기 수용부의 내부 공간 바닥면에 지지되는 중공 형상의 지지 부재와,
상기 지지 부재의 상단에 배치되며, 분사홀들이 형성되고, 상기 분말이 안착되는 안착 플레이트;
를 구비하는,
실리콘 산화물 입자 제조장치.
The method of claim 1,
The seating part,
A hollow support member whose lower end is supported on the bottom surface of the inner space of the accommodating part,
A seating plate disposed on an upper end of the support member, having spray holes formed thereon, and seating the powder;
Having,
Silicon oxide particle manufacturing apparatus.
제 2항에 있어서,
상기 지지 부재와 상기 안착 플레이트는 탈착 가능한,
실리콘 산화물 입자 제조장치.
The method of claim 2,
The support member and the seating plate are detachable,
Silicon oxide particle manufacturing apparatus.
제 2항 또는 제 3항에 있어서,
상기 수용부의 하단에는,
상기 지지 부재의 중공으로 상기 캐리어 가스의 공급을 안내하는 가스 공급홀이 형성되는,
실리콘 산화물 입자 제조장치.
The method according to claim 2 or 3,
At the bottom of the receiving part,
A gas supply hole for guiding the supply of the carrier gas through the hollow of the support member is formed,
Silicon oxide particle manufacturing apparatus.
제 1항에 있어서,
상기 안착부는,
내부에 유동 공간이 형성되며, 상단에 상기 유동 공간과 연통되는 분사홀들이 형성되되,
상기 가스 공급부는,
상기 캐리어 가스를 상기 유동 공간으로 공급하는 가스 공급관을 포함하는,
실리콘 산화물 입자 제조장치.
The method of claim 1,
The seating part,
A flow space is formed inside, and injection holes communicating with the flow space are formed at the top,
The gas supply unit,
Including a gas supply pipe for supplying the carrier gas to the flow space,
Silicon oxide particle manufacturing apparatus.
제 5항에 있어서,
상기 안착부는,
상기 유동 공간이 내부에 형성되고, 상방이 개방되는 안착부 몸체와,
상기 유동 공간의 상부를 커버하도록 상기 안착부 몸체의 상단에 형성되며, 상기 분사홀들이 형성되는 안착 플레이트;
를 구비하는,
실리콘 산화물 입자 제조장치.
The method of claim 5,
The seating part,
A seating part body having the flow space formed therein and opening the upper side thereof,
A seating plate formed on an upper end of the seating body to cover an upper portion of the flow space, and having the injection holes formed therein;
Having,
Silicon oxide particle manufacturing apparatus.
제 2항 또는 제 5항에 있어서,
상기 분사홀들의 홀 사이즈는,
상기 입자의 사이즈 보다 작게 형성되는,
실리콘 산화물 입자 제조장치.
The method according to claim 2 or 5,
The hole size of the injection holes,
Formed smaller than the size of the particles,
Silicon oxide particle manufacturing apparatus.
제 2항 또는 제 5항에 있어서,
상기 분사홀들은 서로 다른 형상으로 형성되는,
실리콘 산화물 입자 제조장치.
The method according to claim 2 or 5,
The injection holes are formed in different shapes,
Silicon oxide particle manufacturing apparatus.
제 2항 또는 제 6항에 있어서,
상기 안착 플레이트의 상면은,
상기 안착 플레이트의 에지에서 중앙을 따라 오목한 형상을 이루는,
실리콘 산화물 입자 제조장치.
The method according to claim 2 or 6,
The upper surface of the seating plate,
Forming a concave shape along the center at the edge of the seating plate,
Silicon oxide particle manufacturing apparatus.
제 2항 또는 제 6항에 있어서,
상기 안착 플레이트는,
상기 수용부의 높이 절반 이하를 이루는 위치에 배치되는,
실리콘 산화물 입자 제조장치.
The method according to claim 2 or 6,
The seating plate,
Arranged in a position that forms less than half the height of the receiving portion,
Silicon oxide particle manufacturing apparatus.
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