KR20210052339A - 기본 센서들이 함께 맞대어져 있는 감광 센서 - Google Patents

기본 센서들이 함께 맞대어져 있는 감광 센서 Download PDF

Info

Publication number
KR20210052339A
KR20210052339A KR1020200142508A KR20200142508A KR20210052339A KR 20210052339 A KR20210052339 A KR 20210052339A KR 1020200142508 A KR1020200142508 A KR 1020200142508A KR 20200142508 A KR20200142508 A KR 20200142508A KR 20210052339 A KR20210052339 A KR 20210052339A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
conductors
sensor
conductor
col
basic
Prior art date
Application number
KR1020200142508A
Other languages
English (en)
Inventor
마르땡 시오
브뤼노 보세
Original Assignee
트릭셀
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 트릭셀 filed Critical 트릭셀
Publication of KR20210052339A publication Critical patent/KR20210052339A/ko

Links

Images

Classifications

    • H04N5/3694—
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/40—Extracting pixel data from image sensors by controlling scanning circuits, e.g. by modifying the number of pixels sampled or to be sampled
    • H04N25/41—Extracting pixel data from a plurality of image sensors simultaneously picking up an image, e.g. for increasing the field of view by combining the outputs of a plurality of sensors
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
    • H04N25/701—Line sensors
    • H04N25/7013—Line sensors using abutted sensors forming a long line
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
    • H04N25/76—Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/1446—Devices controlled by radiation in a repetitive configuration
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14643—Photodiode arrays; MOS imagers
    • H01L27/14658—X-ray, gamma-ray or corpuscular radiation imagers
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/40—Extracting pixel data from image sensors by controlling scanning circuits, e.g. by modifying the number of pixels sampled or to be sampled
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/60—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise
    • H04N25/67—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise applied to fixed-pattern noise, e.g. non-uniformity of response
    • H04N25/671—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise applied to fixed-pattern noise, e.g. non-uniformity of response for non-uniformity detection or correction
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/60—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise
    • H04N25/67—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise applied to fixed-pattern noise, e.g. non-uniformity of response
    • H04N25/671—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise applied to fixed-pattern noise, e.g. non-uniformity of response for non-uniformity detection or correction
    • H04N25/672—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise applied to fixed-pattern noise, e.g. non-uniformity of response for non-uniformity detection or correction between adjacent sensors or output registers for reading a single image
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
    • H04N25/76—Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
    • H04N25/766—Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors comprising control or output lines used for a plurality of functions, e.g. for pixel output, driving, reset or power
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
    • H04N25/76—Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
    • H04N25/78—Readout circuits for addressed sensors, e.g. output amplifiers or A/D converters
    • H04N5/3741—
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/30—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof for transforming X-rays into image signals

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Multimedia (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
  • Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
  • Facsimile Heads (AREA)

Abstract

본 발명은 함께 맞대어져 있는 다수의 기본 센서들 (32) 을 포함하는 감광 센서에 관한 것이며, 각 기본 센서는 행들로 구성된 픽셀 매트릭스 (Q1, Q2) 를 포함하고, 각 행의 픽셀들은 다수의 유형의 도체들 (Col, Sel, Vdd, VRst, Rst) 에 연결되고, 열 도체들 (Col) 은 센서의 판독 회로들 (L) 에 연결된다. 또한 센서는, 열 도체들 (Col) 각각에 연결되고, 해당 열 도체와 별개인 컴포넌트들의 그룹 (40) 을 포함하며, 그 컴포넌트들의 그룹 (40) 은 해당 열 도체 (Col) 의 정합 임피던스를 형성한다. 각 기본 센서 (32) 의 임피던스는 동일한 값을 가지며 상이한 기본 센서의 임피던스는 여러 기본 센서에 대한 여러 판독 회로 (L) 와 대응하는 열 도체 (Col) 간의 링크 임피던스의 균형을 맞추기 위해 서로 다른 임피던스 값을 갖는다.

Description

기본 센서들이 함께 맞대어져 있는 감광 센서{PHOTOSENSITIVE SENSOR WITH ELEMENTARY SENSORS BUTTED TOGETHER}
본 발명은 특히 반도체 재료 증착 기법에 의해 생성된 유형의 감광성 픽셀 매트릭스를 포함하는 감광성 디바이스에 관한 것이다. 본 발명은 전리 방사선 및 특히 의료 분야에서 방사선 이미지를 검출하기 위한 x-선 이미징 또는 산업 또는 안전 분야의 비파괴 검사의 x-선 이미징을 위해 구현될 수 있다.
전자 감광 센서는 평면 패널 형태로 생산된다. 이들은 기본 전자 회로들의, 즉 컴포넌트들의 블록들의 매트릭스를 포함한다. 기본 전자 회로들은 행들로 배열되고, 더 정확하게는 행과 열로 배열되어 매트릭스를 형성한다. 기본 전자 회로들은 이미지 센서 내의 픽셀이라고도 한다. 픽셀은 예를 들어 수신하는 광자의 스트림에 기초하여 전하의 전류를 공급하는 감광 구역으로부터 그리고 이러한 전류를 처리하기 위한 전자 회로로부터 형성된다. 감광 구역은 예를 들어 포토 다이오드, 포토 레지스터 또는 포토 트랜지스터와 같은 광검출기를 포함한다. 픽셀은 또한 감광성 엘리먼트에 더하여 픽셀 내부의 전자 회로를 포함하며, 그것의 기능은 전하 수집기, 제어 또는 처리의 기능이다. 이러한 회로는 종종 다이오드 또는 트랜지스터와 같은 반도체 컴포넌트로부터 생성되어, 회로의 개방 또는 폐쇄, 광 검출기 리셋팅, 증폭 등과 같은 기능을 제공할 수 있다.
또한 감광 센서는 픽셀을 연결하는 도체들을 포함한다. 이러한 도체들은 행 단위로 픽셀을 연결하기 위해 행으로 이어지거나 열 단위로 픽셀을 연결하기 위해 열로 이어질 수 있다. 행 및/또는 열 도체들은 각 픽셀에 의해 검출된 정보에 대해 필요한 편극, 제어 및 출력 채널을 제공한다. 실제로, 행 또는 열이라는 용어는 순전히 임의적이다. 이들 용어들은 물론 교환될 수도 있다.
감광 센서는 종종 유리 또는 실리콘 기반 기판상에 반도체 재료에 대한 박막 증착 기법을 통해 제조된다. 전리 방사선 및 특히 X-선을 구현하는 이미징에서, 이러한 유형의 방사선을 포커싱하는 데 있어서의 어려움은 큰 치수의 감광 센서가 제조되는 것을 초래한다. 센서의 치수는 종종 종래의 기판 치수를 초과한다. 예로서, 직경 200 또는 300mm의 기판이 일반적으로 발견된다. 반대로, 감광 센서들은 일반적으로 직사각형이며 그들의 가장 큰 치수는 400 mm 를 초과할 수 있다. 치수가 큰 이러한 센서를 제조하려면, 다수의 기판을 함께 맞대는 것이 알려져 있다. 신틸레이터가 센서에 의해 수신된 X-광자의 파장이 광 검출기가 민감한 파장으로 바뀌는 것을 허용하는, 함께 맞대어있는 이러한 센서들을 제조하는 방법은 예를 들어 본 출원인의 이름으로 출원된 특허 출원 WO2008/142135 A1 에 설명되어 있다. 이 특허는 각각 그 자신의 기판상에 제조되는 여러 기본 센서들의 물리적 정렬을 설명한다. 이 특허는 여러 기본 센서간에 발생할 수 있는 전기적 차이와 관련이 없다. 다른 특허 출원: WO02/41621 A2 에서, 출원인은 여러 기본 센서의 픽셀의 편극의 개별적 조정에 관심이 있다. 이러한 조정은 상기 픽셀이 포화되는 경우 인접 픽셀의 출력 레벨에서의 차이의 제한을 허용한다. 이는 여러 픽셀의 출력 레벨이 기본 센서마다 다를 수 있기 때문이다. 특허 출원 WO02/41621 A2 는 또한 여러 픽셀들이 특히 상이한 기본 센서들에 속할 때 그들의 응답 곡선의 적응을 허용하는 오프셋 및 이득 보정의 적용을 설명한다. 이러한 다양한 조정은 픽셀들 각각의 출력의 수준에서 그리고 픽셀 매트릭스가 저속으로 판독될 때 잘 작동한다. 그러나, 행 도체의 길이는 픽셀 매트릭스의 구동 및 판독을 방해할 수 있다. 이것은 매트릭스가 구동되고 판독되는 속도가 증가할 때 더욱더 가혹하다. 사내 테스트는 도체의 임피던스가 특히 도체가 함께 맞대어 진 별도의 기본 센서에 속할 때 크게 다를 수 있음을 보여주었다. 도체의 임피던스에서의 엄격한 허용 오차를 특정하는 것이 가능하다. 이러한 엄격한 허용 오차는 센서를 제조하는 전체 비용을 증가시키는 경향이 있다.
본 발명은 매트릭스 외부에서 볼 때 인접한 도체들의 전체 임피던스의 균형을 맞추기 위해 각 도체와 병렬 또는 직렬로 배열된 특정 컴포넌트들의 추가를 제공함으로써 도체 자체의 임피던스의 값에 대한 허용 오차를 없애는 것을 목표로 한다.
이를 위해, 본 발명의 주제는 함께 맞대어져 있는 여러 개의 기본 센서들을 포함하는 감광 센서이며, 각 기본 센서는 행들로 구성된 픽셀 매트릭스를 포함하고, 각 행의 픽셀은 다수의 유형의 도체에 연결되고, 열 도체는 센서의 판독 회로들에 연결된다. 또한 감광 센서는, 열 도체들 각각에 연결되어, 고려 중인 도체와 분리된 컴포넌트들의 그룹을 포함하며, 그 컴포넌트들의 그룹은 고려 중인 도체의 정합 임피던스를 형성한다. 각 기본 센서의 임피던스는 동일한 값을 가지며 상이한 기본 센서의 임피던스는 여러 기본 센서에 대한 여러 판독 회로와 대응하는 열 도체 간의 링크 임피던스의 균형을 맞추기 위해 서로 다른 임피던스 값을 갖는다.
또한, 각 행의 픽셀은 센서에 전력을 공급하기 위한 회로에 연결되는 전력 공급 장치 도체 유형의 도체에 연결된다. 유리하게는, 감광 센서는, 전력 공급 장치 도체들 각각에 연결되어, 고려 중인 도체와 분리된 컴포넌트들의 그룹을 포함하며, 그 컴포넌트들의 그룹은 고려 중인 도체의 정합 임피던스를 형성한다. 각 기본 센서의 임피던스는 동일한 값을 가지며 상이한 기본 센서에서의 임피던스는 여러 기본 센서에 대한 여러 전력 공급 장치 회로와 대응하는 전력 공급 장치 도체 간의 링크 임피던스의 균형을 맞추기 위해 서로 다른 임피던스 값을 갖는다.
또한, 각 행의 픽셀들은 센서를 제어하기 위한 회로에 연결되는 제어 도체 유형의 도체에 연결된다. 유리하게는, 감광 센서는, 제어 도체들 각각에 연결되어, 고려 중인 도체와 분리된 컴포넌트들의 그룹을 포함하며, 그 컴포넌트들의 그룹은 고려 중인 도체의 정합 임피던스를 형성한다. 각 기본 센서에서의 임피던스는 동일한 값을 가지며 상이한 기본 센서의 임피던스는 여러 기본 센서에 대한 여러 제어 회로와 대응하는 제어 도체 간의 링크 임피던스의 균형을 맞추기 위해 서로 다른 임피던스 값을 갖는다.
두 개의 개별 기본 센서의 경우, 적어도 하나의 유형의 도체들은 상이한 길이들을 가질 수 있으며, 이 경우, 적어도 하나의 유형의 도체들과 연관된 컴포넌트들의 그룹들의 임피던스 값들은 그들 각각의 길이에 기초하여 정합된다.
컴포넌트들의 그룹들은 유리하게는 고려중인 도체에 직렬로 연결된 저항과 고려중인 도체와 디바이스의 접지 사이에 연결된 커패시턴스를 포함한다.
컴포넌트들의 각 그룹은 유리하게는 픽셀 매트릭스와 연관된 도체가 연결되는 회로 사이의 대응하는 기본 센서의 기판 상에 배열된다.
기본 센서는 유리하게는 각각 독립적인 기판 상에 형성된다.
첨부 도면에 의해 기재가 설명되는, 예시로서 제공되는 일 실시형태의 상세한 설명을 읽으면 발명이 더 잘 이해될 것이고 추가 이점들이 명백해질 것이다.
도 1 은 본 발명에 따른 센서에서 구현될 수 있는 예시적인 픽셀 매트릭스 (1T) 를 개략적으로 도시한다.
도 2 는 본 발명에 따른 센서에서 구현될 수 있는 예시적인 픽셀 매트릭스 (3T) 를 개략적으로 도시한다.
도 3 은 함께 맞대어진 다수의 기본 센서들로부터 생성된 예시적인 센서를 개략적으로 도시한다.
도 4 는 기본 센서 중 하나의 일부를 더 자세히 보여준다.
명료함을 위해, 동일한 엘리먼트는 다양한 도면들에서 동일한 참조 번호를 가질 것이다.
이하의 설명은 각각이 물리량에 민감한 엘리먼트를 포함하는, 픽셀들로 지칭되는 다수의 기본 전자 회로들로부터 형성된 매트릭스-어레이 검출기를 참조하여 제공된다. 설명된 예에서, 기본 전자 회로는 광 방사선에 민감한 픽셀들이다. 본 발명은 임의의 형태의 물리량에 민감한 다른 검출기에 구현될 수도 있으며, 예를 들어 압력 또는 온도 맵들이 생성되게 하는 것이 명백하다.
도 1 은 이해를 돕기 위해 2 개의 행들과 2 개의 열들의 매트릭스 (10) 를 개략적으로 도시한다. 각각 하나의 행과 하나의 열의 교차점에 있는 4 개의 픽셀들 (P) 이 형성된다. 물론, 실제 매트릭스 어레이는 일반적으로 훨씬 더 크고 많은 수의 행들과 열들을 특징으로 한다. 매트릭스 (10) 는 디지털화된 이미지가 생성되게 하는 매트릭스 어레이 검출기에 속한다.
각각의 픽셀 (P) 은 여기에서 포토다이오드 (D) 로 표현된 감광성 구역, 및 도 1 의 예에서 단일 트랜지스터 (T) 로 형성된 전자 프로세싱 회로를 포함한다. 컴포넌트들 (D 및 T) 에 대한 레퍼런스들 다음에는 i 에 대해 행의 랭크 및 j 에 대해 열의 랭크를 취할 수 있는 2 개의 좌표들 (i, j) 이 뒤따른다. 이러한 픽셀은 또한 그것이 하나의 트랜지스터를 소유하기 때문에 1T 픽셀로 알려져 있으며, 그 기능은 아래에서 설명될 것이다.
일반적으로, "상보적 금속 산화물 반도체 (complementary metal oxide semiconductor)" 를 의미하는 약어 CMOS로 알려진 상보적 결정성 실리콘 반도체를 구현하는 트랜지스터를 포함하는 픽셀 매트릭스를 생성하는 것이 알려져 있다. 본 발명은 이러한 유형의 트랜지스터로 제한되지 않는다; 예를 들어, 그것은 TFT 라는 이름으로 알려진 박막 전계 효과 트랜지스터를 포함하는 매트릭스에 대해 구현될 수 있으며, 여기서 TFT 는 "박막 트랜지스터"를 의미한다. TFT 는 예를 들어, 약어 IGZO 로 알려진 비정질 또는 결정질 인듐, 갈륨 및 산화 아연에 기초한 트랜지스터와 같은 금속 산화물에 기초할 수도 있다. 예를 들어, 유기 TFT, 비정질 실리콘 TFT 또는 다결정 실리콘 TFT 와 같은 다른 패밀리들의 TFT 유형 트랜지스터들이 구현될 수도 있다.
하나의 동일한 열의 픽셀들 (P) 은 열 도체 (Col) 에 접속된다. 이 도체는 그에 접속된 픽셀로부터의 정보가 수집되게 한다. 하나의 동일한 행의 픽셀들 (P) 은 픽셀들의 행들 각각이 제어되도록 하는 신호를 전달하는 행 도체 (Sel) 에 접속된다.
이미지 캡처 페이즈 (phase) 동안, 각 포토 다이오드 (D) 에 의해 수신된 조명은 수신된 조명의 함수로 전하가 축적되는 그것의 캐소드의 전위를 감소시킨다. 이러한 이미지 캡처 페이즈 다음에 포토 다이오드 (D) 의 전위가 판독되는 판독 페이즈가 뒤따른다. 이를 위해, 트랜지스터 (T) 는 턴 온되며, 따라서 도체 (Sel) 에 의해 반송되는 그리고 상기 트랜지스터의 게이트에 인가되는 행 선택 제어에 의해 스위치로서 작용한다. 픽셀들의 여러 행들이 순차적으로 판독된다. 열 도체 (Col) 는 상기 정보가 선택될 때 여러 열의 픽셀로부터 정보를 수집하기 위해 순차적으로 사용된다. 판독 페이즈는 포토 다이오드 (D) 의 전하를 배출하고 그것이 새로운 이미지 캡처 페이즈 전에 리셋되는 것을 허용한다.
특히 행 선택 신호에 의해 턴 온되는 간단한 다이오드로 트랜지스터 (T) 를 교체함으로써, 픽셀이 더 간단한 검출기에서 본 발명을 구현할 수도 있다.
도 2 는 본 발명에 따른 이미지 검출기에 놓일 수 있는 Q 의 참조부호를 갖는 픽셀 매트릭스 (20) 의 다른 예를 개략적으로 도시한다. 각 픽셀 (Q) 에는 포토 다이오드 (D) 및, 이 예시에서 3 개의 트랜지스터 (T1, T2, T3) 에 의해 형성된 전자 프로세싱 회로가 존재한다. 이전과 같이, 포토 다이오드 (D) 와 3 개의 트랜지스터의 참조부호 뒤에는 i 에 대한 행의 랭크와 j 에 대한 열의 랭크를 취할 수 있는 두 좌표 (i, j) 가 이어진다. 실제로, 이러한 유형의 픽셀은 다른 컴포넌트들, 특히 다른 트랜지스터들을 포함할 수 있다. 이것이 이 픽셀이 적어도 3 개의 트랜지스터를 가지고 있기 때문에 3T 픽셀로도 알려진 이유이다.
하나의 동일한 열에 있는 픽셀들 (Q) 는 열 도체 (Col) 의 종단에 위치한 트랜지스터 (T5) 를 공유한다. 하나의 동일한 행에 있는 픽셀들 (Q) 는 4 개의 행 도체에 연결된다: 픽셀들의 행들 각각이 제어되는 것을 허용하는 Sel (i), Vdd, VRst 및 Rst (i).
트랜지스터 (T1) 는 포토 다이오드 (D) 의 캐소드상의 전압이 도체 (VRst) 에 의해 전달되는 전압으로 리셋되는 것을 허용한다. 처음에, 이러한 전압은 고정된 상태로 유지되며 이미지 캡처 및 판독 페이즈 동안 변하지 않는다. 전압 (VRst) 은 리셋 동작 동안 다이오드 (D) 의 캐소드에 인가되며, 그 동안 도체 (Rst) 에 의해 전달되는 제어 신호는 활성이다.
리셋 동작 후에 발생하는 이미지 캡처 페이즈에서, 픽셀 (P) 에 대해서와 같이, 픽셀 (Q) 의 포토다이오드 (D) 에 의해 수신된 조명은 그것의 캐소드의 전위를 감소시킨다. 이 이미지 캡처 페이즈 다음에 포토 다이오드 (D) 의 전위가 판독되는 판독 페이즈가 뒤따른다. 이를 위해, 트랜지스터 (T3) 는 턴 온되며, 따라서 도체 (Sel) 에 의해 전달되는 그리고 상기 트랜지스터의 게이트에 인가되는 픽셀 선택 제어에 의해 스위치로서 작용한다. 3T 픽셀의 트랜지스터 (T3) 는 도 1 을 참조하여 설명한 1T 픽셀의 트랜지스터 (T) 와 동일한 기능적 역할을 수행한다.
트랜지스터 (T2) 는 팔로워 역할을 하며 도체 (Vdd) 에 의해 전달되는 전압에 의해 전력이 공급된다. 트랜지스터 (T5) 는 전류원으로 작용한다. 그런 다음, 트랜지스터들 (T2 및 T5) 은 포토 다이오드 (D) 의 캐소드에 존재하는 전압을 복사하여 트랜지스터 (T3) 가 온일 때 열 도체 (Col) 상에서, 오프셋 내에서, 그것을 재생하는 전압 팔로워 스테이지를 형성한다. 그것의 복사를 생성하기 위해, 트랜지스터 (T2) 는 그것의 드레인과 소스를 통해 흐르는 편극 전류가 필요하다. 이러한 전류는 다수의 픽셀들에 공통일 수도 있고 그렇지 않을 수도 있는 트랜지스터 (T5) 에 의해 형성된 전류 발생기에 의해 부과된다. 도시된 예에서, 트랜지스터 (T5) 는 픽셀들의 열에 공통이다. 단일의 트랜지스터 (T5) 가 이들 열들이 판독됨에 따라 여러 열들로 연속적으로 스위칭된다면, 전체 매트릭스에 대해, 그것만을 전류원으로서 사용하는 것도 가능하다. 열 도체 (Col) 는 픽셀이 신호 (Sel) 에 의해 선택될 때 트랜지스터 (T2) 를 편극화하고 대응하는 열에서의 상기 픽셀로부터 정보를 수집하는데 사용된다. 또는, 두 기능을 분리하기 위해 열 도체 (Col) 를 분할하는 것이 가능하다.
본 발명은 그 동작이 상이한 픽셀들에 대해 구현될 수 있다. 예로서, 본 발명은 4T 픽셀들에 대해 구현될 수 있다. 트랜지스터 (T1, T2 및 T3) 에 추가하여, 4T 픽셀은 포토 다이오드 (D)의 캐소드와 픽셀의 노드를 형성하는 트랜지스터 (T2) 의 게이트 사이에 배열된 추가의 트랜지스터를 포함한다. 이러한 추가의 트랜지스터는 포토 다이오드 (D) 에 축적된 전하가 선택한 순간에 픽셀의 노드로 전송되도록 한다.
도 1 의 예에서의 한 행 도체 및 도 2 의 예에서의 다수의 행 도체들은 하나의 동일한 행에서 다양한 픽셀들 (P 또는 Q) 에 연결된다. 도 1 및 도 2 에 도시되지 않은 제어 회로들, 일반적으로 구현될 때 도체 Sel (i) 및 도체 Rst (i) 에 의해 전달되는 제어 신호들을 생성하는 시프트 레지스터들이 대응하는 행 도체들에 연결된다. 도 2 의 변형예에서, 또한 도시되지 않고 도체들 (Vdd 및 Vrst) 에 의해 전달되는 전압들을 생성하는 전력공급회로들이 대응하는 행 도체들에 연결된다. 도체들 (Vdd 및 Vrst) 에 의해 전달되는 신호들의 전압들은 일정하며 동일할 수 있으며, 이를 위해 단일 유형의 행 도체가 사용되어 두 신호를 전달할 수 있고 이러한 유형의 도체에 대한 전력의 공급은 하나의 동일한 전력공급회로에 의해 제공된다. 그런 다음 이러한 유형의 공통 도체는 픽셀들 (Q) 각각의 트랜지스터들 (T1 및 T2) 에 연결된다. 도체들 (Vdd 및 Vrst) 은 또한 그것들에 인가되는 전압의 불변성 때문에 전력 공급 도체들로서 지칭된다. 제어 회로 및, 필요한 경우, 전력 공급 회로는 행 종단에 배열된다. 또한, 판독 회로는 열 도체 (Col) 의 각각의 단부에 배열된다.
행과 열이라는 용어는 순전히 임의적이며 전환 될 수 있다. 실제로, 제어 회로 및 전력 공급 회로는 매트릭스의 일측상에 배열될 수 있고 판독 회로는 제어 회로 및 전력 공급 회로가 위치한 측면에 수직인 매트릭스의 측면에 배열될 수 있다. 여러 회로들의 연결을 단순화하기 위해, 모든 회로, 즉 제어, 전력 공급 및 판독 회로들을 매트릭스의 동일한 측면상에 배열하는 것도 가능하다.
열 도체 (Col) 와 연관된 판독 회로는 예를 들어 열 도체에서 수집된 신호가 디지털화되는 것을 허용한다. 여러 판독 회로들은 픽셀들의 전체 행에서 발생하는 신호들이 어셈블되는 것을 허용하는 멀티플렉서를 포함할 수 있다. 일단 행이 판독 회로에 의해 판독되면, 새로운 행을 선택하여 판독 동작을 반복하는 것이 가능하다.
도 3 은 각각 독립적인 기판 (32b, 34b, 36b 및 38b) 상에 형성된 4 개의 기본 센서 (32, 34, 36 및 38) 를 포함하는 센서 (30) 의 예를 개략적으로 도시한다. 기본 센서 및 따라서 각각의 기판은 동일한 모양을 갖는다. 도시된 예에서, 기본 센서 (32, 34, 36 및 38) 는 직사각형 형상을 가지며 일측을 따라 함께 맞대어 있다. 직사각형 모양은 행과 열이 서로에 대해 수직으로 연장되는 픽셀 매트릭스에 적합된다. 기본 센서의 다른 다각형 형상에 대해 본 발명을 구현하는 것이 가능하다. 본 발명은 기본 센서의 수에 관계없이 구현될 수 있다. 기본 센서들 (32, 34, 36 및 38) 각각은 도 1 또는 도 2 에 설명된 바와 같은 픽셀 매트릭스를 포함한다. 이러한 4 개의 기본 센서들 (32, 34, 36 및 38) 은 함께 맞대어 센서 (30) 를 형성한다. 각각의 센서는 각각 구역들 (32a, 34a, 36a 및 38a) 을 포함하며, 여기에 판독 회로 및 트랜지스터 (T5) 가 배열된다. 구역들 (32a, 34a, 36a 및 38a) 은 임의의 픽셀들을 포함하지 않는다. 구역들 (32a, 34a, 36a 및 38a) 은 열들의 자유 단부, 즉 다른 기본 센서와 접촉하지 않는 단부의 레벨에 위치한다. 기본 센서들이 함께 맞대어 있는 경우, 픽셀들은 최대한 가깝다. 기본 센서들이 함께 맞대어 있는 경우 이미지의 깨짐을 방지하기 위해, 서로 다른 기본 센서의 픽셀들은 하나의 동일한 기본 센서의 두 인접 픽셀을 분리하는 스텝과 동일 간격 떨어져 있다. 여러 기본 센서들의 도체들은 기본 센서들이 함께 맞대어있는 경우 서로 연결되지 않는다. 즉, 기본 센서들이 함께 맞대어있는 경우 하나의 기본 센서를 다른 기본 센서에 연결하는 도체가 없다. 각각의 기본 센서 (32, 34, 36 및 38) 에서, 행 도체는 여러 행의 픽셀 사이에서 매트릭스를 통과한다. 보다 정확하게는, 도체들 (Sel, Vdd, VRst 및 Rst) 은 픽셀들의 행들 사이에서 그들 각각의 기본 센서를 통과하고, 도체들 (Col) 은 픽셀들의 열들 사이에서, 여전히 그들 각각의 기본 센서에서 통과한다. 각각의 기본 센서들 (32, 34, 36 및 38) 은 그 자신의 도체들 (Sel 및 Rst) 에 의해 전달되는 신호들의 생성을 허용하는 제어 회로들을 포함한다. 각각의 기본 센서들 (32, 34, 36 및 38) 은 또한 그 자신의 도체들 (Vdd 및 VRst) 에 의해 전달되는 신호의 생성을 허용하는 전력 공급 회로를 포함한다. 제어 회로와 전력 공급 회로는 행의 자유 단부에 배열될 수 있다. 대안적으로, 그것들은 구역들 (32a, 34a, 36a 및 38a) 에 배열 될 수 있다. 도체 (Sel, Vdd, VRst 및 Rst) 는 도체 (Col) 와 마찬가지로 열들에 배열된다. 픽셀이 판독되는 것을 허용하는 열 도체도 마찬가지이다. 각 기본 센서는 그 자신의 판독 회로를 포함한다. 여러 기본 센서들의 열 도체들 (Col) 은 그것들이 서로로부터 계속 주행할지라도 서로 연결되지 않는다. 도체의 배향은 이후에 구별되지 않을 것이며, 본 발명은 이러한 배향에 관계없이 구현 될 수 있다. 반면에, 여러 유형의 도체가 구별될 것이다.
도 4 는 기본 센서 중 하나의 일부, 보다 정확하게는 기본 센서 (32) 및 그것의 구역 (32a) 을 보다 상세히 도시한다. 이러한 세부 사항은 모든 기본 센서에 적용된다. 도시된 부분에는 동일한 열 도체 (Col) 에 연결된 두 개의 픽셀들 (Q1 및 Q2) 이 보이고 있다. 1T 픽셀 (P) 을 구현하는 센서를 위해 도 4 에 도시된 다이어그램을 바꾸는 것은 쉽다. 구역 (32a) 에는 트랜지스터 (T5) 로 표시되는 전류원과 예를 들어 아날로그-디지털 변환기 (ADC) 를 포함하는 판독 회로 (L) 가 존재하여 픽셀 행렬 (Q) 의 여러 행들에 대한 여러 판독 동작들 동안 도체 (Col) 에 존재하는 전압의 디지털화를 허용한다.
도 4 에는, 도체 (Col) 과 별개이고 도체 (Col) 의 정합 임피던스를 형성하는 컴포넌트들의 그룹 (40) 이 열 도체 (Col) 에 연결되어 있다. 센서 (30) 는 그것의 열 도체들 (Col) 각각에 대해 고려중인 도체의 정합 임피던스를 형성하는 컴포넌트들의 그룹을 포함한다.
하나의 동일한 기본 센서 (32, 34, 36 또는 38) 내부에서, 여러 열 도체들 (Col) 에 연결된 임피던스들은 동일한 값을 갖는다. 각 기본 센서의 임피던스는 상이한 값을 가져서 여러 기본 센서에 대한 여러 판독 회로와 대응하는 열 도체 (Col) 간의 링크 임피던스의 균형을 맞춘다.
도 4 에서, 컴포넌트들의 그룹 (40) 은 저항기 (42) 및 커패시터 (44) 를 포함한다. 저항 (42) 은 판독 회로 (L) 와 판독 회로 (L) 에 가장 가까운 픽셀 (Q2) 사이에 직렬로 연결된다. 커패시터 (44) 는 저항 (42) 의 단자 중 하나와 센서 (30) 의 접지 (46) 사이에 연결된다. 이 RC 회로는 예제로 제공된다. 컴포넌트들의 그룹은 커패시터없이 저항만을 포함할 수 있다. 즉, 컴포넌트들의 그룹 (40) 은 단지 단일의 컴포넌트만을 포함할 수 있다. 임피던스 매칭의 필요성에 따라 그룹 (40) 에 인덕터를 추가하는 것도 가능하다.
컴포넌트들의 유형과 그것들의 크기의 선택은 여러 기본 센서들 (32, 34, 36 및 38) 간의 도체의 길이에 있어서의 차이의 영향의 보상을 허용한다. 저항기 (42) 는 도체의 저항에서의 차이에 대한 보상을 허용한다. 커패시터 (44) 및 가능하게는 연관련 인덕터는 픽셀의 트랜지스터 (T3) 가 턴 온하는 순간과 판독 회로 (L) 가 신호를 수신하는 순간 사이의 판독 페이즈 동안 신호의 안정화 시간에서 발생할 수 있는 차이에 대한 보상을 허용한다.
그룹 (40) 의 컴포넌트들은 구역 (32a) 의 제 1 부분 (48) 에서 그것들이 연관되는 기본 센서의 기판 상에 직접 생성될 수 있다. 구역 (32a) 의 제 2 부분 (50) 에서도 생성될 수 있는 판독 회로 (L) 에 대해서도 마찬가지이다. 판독 회로 (L) 의 하류에서, 기본 센서는 그것의 주변에의 센서 (30) 의 연결을 허용하는 구역 (32a) 의 제 3 부분 (52) 을 포함할 수 있다. 센서 (30) 는 기판들이 함께 맞대어 진 후 기판들 상에 존재하는 모든 컴포넌트들이 누설 방지되는 것을 보장하는 밀봉 조인트 (54) 를, 부분 (52) 주변에, 포함할 수 있다. 밀봉 조인트 (54) 는 도시되지 않은 진입 윈도우와 기본 센서들 (32 내지 38) 의 여러 기판들 사이에 생성된다. 감광 엘리먼트들은 센서 (30) 가 민감한 방사선에 직접적으로 민감할 수 있다. X-선 분야에서는, 진입 윈도우와 기본 센서들 (32 내지 38) 사이에 신틸레이터를 배열하는 것이 일반적이다. 신틸레이터는 X-광자를 수신하고 감광 엘리먼트가 민감한 파장 대역에서 더 낮은 에너지를 갖는 광자들을 재전송한다. 신틸레이터는 픽셀이 존재하는 구역을 커버한다. 부분들 (48 및 50) 은 신틸레이터에 대한 포지셔닝 허용 오차 구역으로서 사용될 수 있다.
열 도체 (Col) 와 연관된 컴포넌트들의 그룹 (40) 과 독립적으로, 센서 (30) 는 각각 전력 공급 도체 (Vdd) 및/또는 전력 공급 도체 (VRst) 와 연관된 컴포넌트들의 다른 그룹 (56 및 58) 을 포함할 수 있다. 컴포넌트들의 그룹 (40) 에 대해서와 같이, 컴포넌트들의 그룹들 (56 및 58) 은 그것들이 연관되는 도체 (Vdd 또는 VRst) 와 별개이고 각각의 전력 공급 도체의 정합 임피던스를 형성한다. 도 4 에 도시된 예에서, 컴포넌트들의 그룹 (56) 은 저항기 (60) 및 커패시터 (62) 를 포함한다. 컴포넌트들의 그룹 (58) 은 저항기 (64) 및 커패시터 (66) 를 포함한다. 컴포넌트들의 그룹들 (56 및 58) 은 컴포넌트들의 그룹 (40) 이 열 도체 (Col) 에 연결되는 것과 동일한 방식으로 그것들의 각각의 도체들 (Vdd 및 VRst) 에 연결된다.
전력 공급 도체 (VRst) 와 관련하여, 제어 도체 (Rst) 에 의해 전달된 제어에 의해 픽셀이 리셋 될 때, 여러 픽셀의 포토 다이오드 (D) 가 도체 (VRst) 를 통해 방전되어 이 도체에서의 전압 강하를 초래할 것이다. 상기 도체가 위치하는 기본 센서에 따른 이러한 도체의 길이에서의 차이는 서로 다른 전압 강하를 초래한다. 결과적으로, 여러 포토 다이오드 (D) 의 방전은 동일하지 않아 여러 픽셀들 사이에 오프셋 차이를 야기할 것이다. 연관된 도체 (VRst) 가 위치하는 기본 센서에 기초하여 다양한 저항기 (64) 의 값을 적응시킴으로써 이러한 차이를 보정하는 것이 가능하다. 더욱이, 픽셀을 리셋하는 것은 도체 (VRst) 에 돌입 전류를 발생시켜, 도체 (VRst) 의 길이에 따라 다양한 지속 시간의 순간적인 전압 강하를 초래한다. 이 돌입 전류에 후속하여, 도체는 평형 상태로 돌아간다. 이러한 평형 복귀의 지속 시간은 도체 (VRst) 의 길이에 따라 달라진다. 커패시터 (66) 의 값 및 가능하게는 연관된 인덕터의 값을 적응시킴으로써 이러한 지속 시간의 균형을 맞출 수 있다.
여러 픽셀들의 트랜지스터들 (T2) 에 전력을 공급하는 전력 공급 도체 (Vdd) 와 관련하여, 포토 다이오드 (D) 의 캐소드에 존재하는 전압을 가능한 한 충실히 복사하기 위해, 여러 기본 센서를 기반으로 가능한 한 잘 이 도체에 존재하는 전압의 균형을 맞출 필요가 있다. 도체 (Vdd) 상의 전압 차이는 여러 기본 센서들이 함께 맞대어있는 곳 근처에 가장 큰 영향을 미칠 수 있으며, 이는 서로 다른 기본 센서에 속하는 인접 픽셀의 이미지에 가시적인 차이를 야기할 수 있다. 기본 센서가 함께 맞대어있는 곳에서 문턱 효과를 제한하기 위해 여러 도체들 (Vdd) 의 전압들의 균형은 전압들의 평균값에 대해 저항기 (60) 에 의해 또는 이러한 전압들의 안정화 시간에 대해 커패시터 (62) 및 가능하게는 연관된 인덕터에 의해 달성된다.
제어 도체 (Sel 및 Rst) 의 임피던스들의 균형을 예측하는 것도 가능하다. 앞서 설명한 바와 같이, 이러한 임피던스의 균형은 대응하는 도체들에 연결되고 픽셀 매트릭스와 연관된 제어 회로 사이에 배열된 컴포넌트들의 그룹들에 의해 달성된다. 도 4 에 과부하가 걸리지 않도록, 이러한 컴포넌트들의 그룹들은 도시되지 않는다. 그것들은 또한 각각의 기본 센서의 부분 (48) 에 배열될 수 있다.
그룹들 (40, 56 및 50) 의 여러 컴포넌트들은 해당 기본 센서의 기판에 금속층을 증착하여 생성될 수 있다. 다른 제조 방법은 특히 예를 들어 기판의 도핑에 반대되는 도핑을 갖는 구역의 사용과 같은 저항을 획득하는 것을 가능하게 한다. 이 방법은 영어 문헌에서 "well resistor" 라는 이름으로 알려진 저항의 생성을 야기한다. 커패시터는 드레인과 소스가 단락된 트랜지스터로서 생성될 수 있다.

Claims (7)

  1. 함께 맞대어있는 다수의 기본 센서들 (32, 34, 36, 38) 을 포함하는 감광 센서로서,
    각각의 기본 센서는 행들로 구성된 픽셀 매트릭스 (P; Q) 를 포함하며, 각 행의 픽셀들은 다수의 유형들의 도체들 (Col, Sel, Vdd, VRst, Rst) 에 연결되며, 상기 각각의 기본 센서의 열 도체들 (Col) 은 상기 센서의 판독 회로들 (L) 에 연결되며,
    상기 감광 센서는, 상기 열 도체들 (Col) 각각에 연결되고, 해당 열 도체와 별개인 컴포넌트들의 그룹 (40) 을 포함하며, 상기 컴포넌트들의 그룹 (40) 은 해당 열 도체 (Col) 의 정합 임피던스를 형성하고,
    각각의 기본 센서 (32, 34, 36, 38) 에서의 임피던스들은 동일한 값을 갖고,
    상이한 기본 센서들에 대한 임피던스들은 여러 판독 회로들 (L) 과 여러 기본 센서들에 대한 대응하는 열 도체들 (Col) 사이의 링크 임피던스들의 균형을 맞추기 위해 상이한 임피던스 값들을 갖는 것을 특징으로 하는 감광 센서.
  2. 제 1 항에 있어서,
    각 행의 픽셀들 (P; Q) 은 상기 센서에 전력을 공급하기 위한 회로들에 연결되는 전력 공급 도체 유형의 도체들 (VRst, Vdd) 에 연결되고,
    상기 감광 센서는, 상기 전력 공급 도체들 각각에 연결되고, 해당 도체와 별개인 컴포넌트들의 그룹 (56, 58) 을 포함하며, 상기 컴포넌트들의 그룹은 해당 도체의 정합 임피던스를 형성하고,
    각각의 기본 센서에서의 임피던스들은 동일한 값을 갖고,
    상이한 기본 센서들에서의 임피던스들은 여러 전력 공급 회로들과 여러 기본 센서들에 대한 대응하는 전력 공급 도체들 사이의 링크 임피던스들의 균형을 맞추기 위해 상이한 임피던스 값들을 갖는 것을 특징으로 하는 감광 센서.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    각 행의 픽셀들 (P; Q) 은 상기 센서를 제어하기 위한 회로들에 연결되는 제어 도체 유형의 도체들 (Sel, Rst) 에 연결되며,
    상기 감광 센서는, 상기 제어 도체들 각각에 연결되고, 해당 도체 (Sel, Rst) 와 별개인 컴포넌트들의 그룹을 포함하며, 상기 컴포넌트들의 그룹은 해당 도체의 정합 임피던스를 형성하고,
    각각의 기본 센서 (32, 34, 36, 38) 에서의 임피던스들은 동일한 값을 갖고,
    상이한 기본 센서들에서의 임피던스들은 여러 제어 회로들과 여러 기본 센서들에 대한 대응하는 제어 도체들 사이의 링크 임피던스들의 균형을 맞추기 위해 상이한 임피던스 값들을 갖는 것을 특징으로 하는 감광 센서.
  4. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    두개의 별개의 기본 센서들 (32, 34, 36, 38) 에 대해, 적어도 하나의 유형의 상기 도체들 (Col, Sel, Vdd, VRst, Rst) 은 상이한 길이들을 가지며,
    적어도 하나의 유형의 상기 도체들과 연관된 컴포넌트들의 그룹들 (40, 56, 58) 의 임피던스 값들은 그들 각각의 길이에 기초하여 정합되는 것을 특징으로 하는 감광 센서.
  5. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 컴포넌트들의 그룹들 (40, 56, 58) 은 해당 도체 (Col, Sel, Vdd, VRst, Rst) 에 직렬로 연결된 저항 (42, 60, 64), 및 해당 도체와 디바이스의 접지 (46) 사이에 연결된 커패시턴스 (44, 62, 66) 를 포함하는 것을 특징으로 하는 감광 센서.
  6. 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
    컴포넌트들의 각 그룹 (40, 56, 58) 은 상기 픽셀 매트릭스와 연관된 도체 (Col, Sel, Vdd, VRst, Rst) 가 연결되는 회로 사이에서의 대응하는 기본 센서 (32, 34, 36, 38) 의 기판 상에 배열되는 것을 특징으로 하는 감광 센서.
  7. 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 기본 센서들 (32, 34, 36, 38) 은 각각 독립적인 기판 (32b, 34b, 36b, 38b) 상에 형성되는 것을 특징으로 하는 감광 센서.
KR1020200142508A 2019-10-31 2020-10-29 기본 센서들이 함께 맞대어져 있는 감광 센서 KR20210052339A (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FR1912268A FR3102885B1 (fr) 2019-10-31 2019-10-31 Capteur photosensible à capteurs élémentaires raboutés
FR1912268 2019-10-31

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20210052339A true KR20210052339A (ko) 2021-05-10

Family

ID=69743351

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020200142508A KR20210052339A (ko) 2019-10-31 2020-10-29 기본 센서들이 함께 맞대어져 있는 감광 센서

Country Status (6)

Country Link
US (1) US11089250B2 (ko)
EP (1) EP3817366B1 (ko)
JP (1) JP2021072628A (ko)
KR (1) KR20210052339A (ko)
CN (1) CN112752040A (ko)
FR (1) FR3102885B1 (ko)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112822421B (zh) * 2019-11-15 2023-04-07 京东方科技集团股份有限公司 像素传感器及其控制方法、探测器

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3183390B2 (ja) * 1995-09-05 2001-07-09 キヤノン株式会社 光電変換装置及びそれを用いた撮像装置
FR2817106B1 (fr) 2000-11-17 2003-03-07 Trixell Sas Dispositif photosensible et procede de commande du dispositif photosensible
JP3992504B2 (ja) * 2002-02-04 2007-10-17 富士通株式会社 Ｃｍｏｓイメージセンサ
FR2916575B1 (fr) 2007-05-23 2009-09-18 Trixell Sas Soc Par Actions Si Procede de realisation d'un detecteur de rayonnement
FR2959013B1 (fr) * 2010-04-16 2012-05-11 Commissariat Energie Atomique Dispositif de detection de rayonnement electromagnetique a sensibilite reduite au bruit spacial

Also Published As

Publication number Publication date
FR3102885A1 (fr) 2021-05-07
FR3102885B1 (fr) 2022-03-18
EP3817366A1 (fr) 2021-05-05
US11089250B2 (en) 2021-08-10
JP2021072628A (ja) 2021-05-06
CN112752040A (zh) 2021-05-04
EP3817366B1 (fr) 2022-09-14
US20210136304A1 (en) 2021-05-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9743026B2 (en) Semiconductor photodetector
KR101511388B1 (ko) 광 감지 어레이 및 그 작동 방법
US6555842B1 (en) Active pixel sensor with intra-pixel charge transfer
US7183555B2 (en) Charge or particle sensing
US9476992B2 (en) Electromagnetic radiation detector with gain range selection
CA2639498C (en) Device and pixel architecture for high resolution digital imaging
JPH03831B2 (ko)
US20140263952A1 (en) High performance digital imaging system
US7346146B2 (en) X-ray detector with photo-gates and dose control
US20190281238A1 (en) Double source follower hdr pixel
US20230261025A1 (en) Image sensor and electronic camera
EP2673951B1 (en) Radiation detector and method
KR102283308B1 (ko) 이미지 검출기의 픽셀들의 2 개의 컬럼들의 풀링
US20020008217A1 (en) Solid imaging device and method for manufacturing the same
EP2648404B1 (en) Floating diffusion pre-charge
KR20210052339A (ko) 기본 센서들이 함께 맞대어져 있는 감광 센서
EP2667591B1 (en) Solid imaging device
US20050007473A1 (en) Reducing image sensor lag
KR20080085798A (ko) 적층형 열화상 센서장치
US20120205549A1 (en) Detector unit for detecting electromagnetic radiation
US7589775B2 (en) Solid-state imaging device
US11330207B1 (en) High dynamic range in direct injection
US11108983B2 (en) Imaging device
GB2508493A (en) Image detector array having respective bias and output line select transistors
JP2003163345A (ja) 放射線変換基板、放射線検出装置