KR20210052098A - 샌드 블라스트 공법을 이용한 웨이퍼 식각방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 실리콘 웨이퍼(Silicon Wafer)의 식각(Etching)방법 관한 것으로, 좀 더 구체적으로 설명하면
샌드 블라스트(Sand Blast) 공법을 사용해 실리콘의 결정방향에 상관없이 용이하게 원하는 모양으로 식각할 수 있을 뿐만 아니라, 슬로프(Slope)의 각도 제어가 가능하고, 제조시간이 단축되어 전체 생산성이 향상된 웨이퍼 식각방법에 관한 것이다.

Description

샌드 블라스트 공법을 이용한 웨이퍼 식각방법{the wafer etching method using the sand blast method of construction}
본 발명은 실리콘 웨이퍼(Silicon Wafer)의 식각(Etching)방법 관한 것으로, 좀 더 구체적으로 설명하면 샌드 블라스트(Sand Blast) 공법을 사용해 실리콘의 결정방향에 상관없이 용이하게 원하는 모양으로 식각할 수 있을 뿐만 아니라, 슬로프(Slope)의 각도 제어가 가능하고, 제조시간이 단축되어 전체 생산성이 향상된 웨이퍼 식각방법에 관한 것이다.
일반적으로 실리콘 웨이퍼의 식각기술은 고성능 마이크로 센서, 엑츄에이터, 마이크로 메카트로닉스, MEMS(Micro Electro Mechanical System)개발에 사용된다.
간단한 예를 들면 MEMS 공정을 이용하여 센서를 제작할 때에, 도 1 또는 도 2에 도시된 바와 같이 웨이퍼의 표면을 식각하여 캔틸레버 구조를 제작하거나 혹은 멤브레인 떨림구조를 위한 공기유입구 같은 구조를 제작하는데 사용된다.
즉, 상기와 같은 구조는 웨이퍼 표면에 LPCVD(Low Pressure Chemical Vapor Deposition)공법을 통해 Nitride를 증착하여 균일한 두께의 피막(Barrier Layer)을 형성하고,
상기 피막 위로 감광제를 도포하여 포토리소그래피 공정을 통해 피막의 일부가 식각하여 음각패턴을 구비하고 있는 Nitride 마스크를 형성하고,
상기 마스크 위로 식각액(예, KOH, EDP, 히드라진, NaOH, CsOH 등)을 투입하여 습식식각(Wet etching) 공정을 통해 이방성 식각되게 하는 한편,
식각되는 깊이가 타겟이 되는 깊이만큼 도달하게 되면 상기 Nitride 마스크를 제거하는 과정을 거쳐 완성하는 것이다.
따라서 종래의 웨이퍼 식각방법은 복잡한 포토리소그래피 공정과 습식식각 공정을 거치면서 전체 작업시간이 오래 걸릴 뿐만 아니라,
특히 습식식각 공정 진행시 결합에너지의 차이에 의해 단결정 실리콘의 결정방향을 따라 식각되면서 사용자가 원하는 모양으로 식각하기 어렵다는 문제점과,
식각방향이 결정방향에 의해 결정되면서 슬로프의 각도 제어가 불가능하다는 문제점이 있었던 것이다.
더욱이 식각액의 농도와 온도에 따라 습식양이 서로 다르지만 일반적으로 평균 40um의 경우 8 내지 10시간이 소요되는 등 전체 작업시간이 오래 걸리는 문제점도 있었던 것이다.
따라서 본 발명이 해결하고자 하는 과제는, 실리콘 웨이퍼의 결정방향에 상관없이 용이하게 사용자가 원하는 모양으로 식각할 수 있을 뿐만 아니라,
슬로프의 각도 제어가 가능하고,
제조시간이 단축되어 생산성을 향상시킨 웨이퍼 식각방법을 목적으로 하는 것이다.
본 발명은 상기와 같은 과제를 해결하기 위하여, 웨이퍼 표면에 음각패턴이 형성된 마스크가 형성되는 단계와,
상기 마스크 위로 미세입자의 연마재와 압축공기를 분사하여 물리 에너지로 음각패턴을 따라 웨이퍼의 표면을 식각하는 샌드 블라스트 공정을 진행하여 식각패턴을 형성하는 단계와,
식각된 웨이퍼의 표면을 세정하는 단계 및,
상기 마스크를 제거하는 단계와,
마스크가 제거된 웨이퍼의 표면을 세정하는 단계로 이루어져, 실리콘의 결정방향에 상관없이 웨이퍼의 표면을 식각하는 방법을 특징으로 하는 것이다.
또한, 본 발명은 사선 방향으로 미세입자의 연마재와 압축공기를 분사하여 웨이퍼의 표면을 식각하는 측면 샌드 블라스트 공정을 진행하는 단계를 진행하여, 슬로프의 각도를 제어할 수 있는 것을 특징으로 하는 것이다.
또한, 본 발명은 웨이퍼의 표면이 식각되는 깊이에 따라 연마재의 크기와, 압력, 속도, 노즐의 높이를 설정하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 것이다.
따라서 본 발명은 웨이퍼의 표면에 음각패턴이 형성된 마스크를 형성하고, 상기 마스크 위로 미세입자의 연마재와 압축공기를 분사하여 물리 에너지로 음각패턴을 따라 웨이퍼의 표면을 식각하는 샌드 블라스트 공정을 진행함으로써, 실리콘 웨이퍼의 결정방향에 상관없이 용이하게 사용자가 원하는 모양으로 식각할 수 있게 되었을 뿐만 아니라, 슬로프의 각도 제어가 가능하고, 제조시간이 단축되어 생산성이 향상되게 되었다.
도 1과 도 2는 종래의 웨이퍼 식각기술을 통해 형성된 웨이퍼의 모습을 보여주는 평면도와 단면도.
도 3은 본 발명의 실시 예에 따른 웨이퍼 식각방법을 보여주는 순서도.
도 4는 상기 도 3의 식각방법을 통해 웨이퍼의 표면에 마스크가 형성된 모습을 보여주는 평면도.
도 5와 도 6은 상기 도 3의 샌드 블라스트 공정을 통해 형성된 웨이퍼의 모습을 보여주는 단면도와 평면도.
도 7은 본 발명의 실시 예에 따른 샌드 블라스트 공정을 통해 슬로프(Slope)의 각도를 제어하는 모습을 보여주는 단면도.
먼저, 본 발명의 명세서 및 청구범위에 사용되는 용어는 사전적인 의미로 한정 해석되어서는 아니되며, 발명자는 자신의 발명을 최선의 방법으로 설명하기 위해 용어의 개념을 적절히 정의할 수 있다는 원칙에 입각하여, 본 발명의 기술적인 사상에 부합되는 의미와 개념으로 해석되어야 할 것이다.
따라서 본 명세서에 기재된 실시 예 및 도면에 도시된 구성은 본 발명의 바람직한 실시 예에 불과할 뿐이고, 본 발명의 기술적 사상을 모두 표현하는 것은 아니므로, 출원 시점에 있어서 이들을 대체할 수 있는 다양한 균등물과 변형 예들이 존재할 수 있음을 이해하여야 할 것이다.
이하, 본 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용은 첨부된 도면을 참고하여 상세히 설명하기로 한다.
도3은 본 발명의 실시 예에 따른 웨이퍼 식각방법을 보여주는 것이고, 도4는 상기 도3의 웨이퍼 표면에 마스크가 형성된 모습을 보여주는 것이고, 도5와 도6은 상기 도3의 샌드 블라스트 공정 및 웨이퍼의 모습을 보여주는 것이고, 도7은 샌드 블라스트 공정을 통해 슬로프의 각도를 조정하는 모습을 보여주는 것이다.
이를 참고하여 설명하면, 본 발명은 실리콘 웨이퍼(이하 웨이퍼라고 함)의 표면에 음각패턴(11)이 형성된 마스크(10)를 형성하는 단계(S100)와, 상기 마스크(10) 위로 미세입자의 연마재(22)와 압축공기를 분사하여 물리 에너지로 음각패턴(11)을 따라 웨이퍼(11)의 표면을 식각하는 샌드 블라스트 공정을 진행하는 단계(S110)와, 식각된 웨이퍼의 표면을 세정하는 단계(S120)와, 마스크를 제거하는 단계(S130)와, 마스크(10)가 제거된 웨이퍼(1)의 표면을 세정하는 단계(S140)로 이루어진다.
이때 웨이퍼(1)의 표면에 음각패턴(11)이 형성된 마스크(10)를 형성하는 단계(S100)는,
샌드 블라스트 공정 진행시 압축공기(23)와 미세입자의 연마재(22)에 의해 분리되지 않게 필름을 라미네이트하고, 상기 필름에 음각패턴을 형성하여, 음각패턴을 따라 대응하는 식각패턴이 형성되도록 하기 위한 것이다.
대표적으로 도4a에 도시된 바와 같이 웨이퍼의 표면에 드라이 필름을 라미네이트 하고, 노광 및 에칭을 통해 상기 드라이 필름에 음각패턴(11)을 형성하여 상기 웨이퍼 표면에 음각패턴에 대응하는 패턴이 식각되도록 마스킹하거나,
혹은 도4b에 도시된 바와 같이 마스킹필름을 라미네이트 하고, 레이저를 통해 상기 마스킹필름에 음각패턴을 형성하는 마스킹 과정을 진행하거나,
혹은 도4c에 도시된 바와 같이 웨이퍼의 표면에 잉크를 분사하여 층을 형성하는 동시에 음각패턴을 형성하는 마스킹 과정을 진행하는 것이며, 한정하지는 않는다.
또한, 샌드 블라스트 공정을 진행하는 단계(S110)는, 가공장치(20)의 노즐(21)이 압축공기(23)와 미세입자의 연마재(22)를 웨이퍼(1)의 표면에 분사하여 물리 에너지로 상기 음각패턴(11)에 대응하는 식각패턴(2)을 형성하는 공정이다.
이때 샌드 블라스트 공정을 진행하기 위한 가공장치(20)는, 노즐(21)이 상하방향으로 이동 가능할 뿐만 아니라 세로방향과 가로방향으로 자유롭게 이동 가능하게 구성되고,
특히 상기 노즐(21)의 기울기도 미세하게 조정가능하여 사선 방향으로 미세입자의 연마재(22)와 압축공기(23)를 분사할 수 있게 구성된다.
따라서 도 7에 도시된 바와 같이 상기 노즐(21)이 사선방향으로 미세입자의 연마재(22)와 압축공기(23)를 분사할 수 있게 구성됨에 따라, 식각패턴(2) 형성시 슬러프(3)의 경사각도를 조정할 수 있게 되는 것이다.
더불어 샌드 블라스트 공정 진행시 분사장치(20)는, 식각되는 깊이 또는 가공량에 따라 연마재의 크기 및 압축공기의 분사압력, 그리고 노즐의 이동속도와 높이 등의 상관관계를 고려하여 설정하도록 구성된다.
즉, 식각되는 깊이가 14 내지 20um 일 때에는, 압축공기와 함께 분사되는 미세입자의 연마재(22) 크기는 600 내지 800 메쉬의 비율을 유지하는 것이 바람직하다.
참고로 식각되는 깊이가 14 내지 20um 일 때에, 미세입자의 연마재 크기가 800메쉬 미만일 경우에는 분사시 물리에너지의 충격량이 작아 웨이퍼의 표면이 원하는 깊이로 식각되지 않고,
반대로 연마재 크기가 600메쉬를 초과할 경우에는, 분사시 물리에너지의 충격량이 크고 불규칙한 표면을 형성하기 때문에,
식각되는 깊이가 14 내지 20um 일 때에 미세입자의 연마재 크기가 600 내지 800 메쉬의 비율을 유지하는 것이 바람직한 것이다.
또한, 식각되는 깊이가 14 내지 20um 일 때에는, 압축공기(23)와 미세입자의 연마재(22)를 분사하는 압력이 2.5 내지 5.5kg의 비율을 유지하는 것이 바람직하다.
참고로 압축공기와 미세입자의 연마재를 분사하는 압력이 2.5 kg 미만일 경우에는 연마재 분사시 물리에너지의 충격량이 작아 웨이퍼의 표면에 원하는 깊이의 식각패턴을 형성하기가 곤란하고,
반대로 압축공기와 미세입자의 연마재를 분사하는 압력이 5.5kg를 초과할 경우에는 연마재 분사시 물리에너지의 충격량이 너무 커서 웨이퍼의 표면에 불규칙한 표면을 형성하기 때문에,
식각되는 깊이가 14 내지 20um 일 때에 압축공기와 연마재를 분사하는 압력이 2.5 내지 5.5kg의 비율을 유지하는 것이 바람직한 것이다.
또한, 식각되는 깊이가 14 내지 20um 일 때에 노즐의 이동속도는 50mm/min 내지 max의 비율을 유지하는 것이 바람직하다.
참고로 노즐의 이동속도가 50mm/min 미만으로 연마재를 분사할 경우에는 불필요하게 많은 량의 연마재가 웨이퍼의 표면에 분사되고, 반대로 노즐의 이동속도가 MAX일 경우에는 연마재의 분사량이 상대적으로 적어지게 되면서 불규칙하게 식각되는 문제점이 생기게 됨으로, 식각되는 깊이가 14 내지 20um 일 때에 이동속도는 50mm/min 내지 max의 비율을 유지하는 것이 바람직한 것이다.
또한, 식각되는 깊이가 14 내지 20um 일 때에 노즐의 높이는 50 내지 200mm 비율을 유지하는 것이 바람직하다.
참고로 노즐의 높이가 50mm 미만일 때에는 연마재가 집중되게 분사되면서 물리에너지의 충격량이 지나치게 커지고, 반대로 노즐의 높이가 200mm를 초과할 경우에는 연마재가 넓게 분산되고 물리에너지의 충격량이 지나치게 작아지는 단점이 있기 때문에, 식각되는 깊이가 14 내지 20um 일 때에는 노즐의 높이가 50 내지 200mm 비율을 유지하는 것이 바람직한 것이다.
참고로, 식각된 웨이퍼의 표면을 세정하는 단계(S120)는 식각패턴 안쪽에 잔존하는 미세입자의 연마재를 제거하기 위한 것이고,
마스크를 제거하는 단계(S130)는 식각패턴 형성후 불필요하게 남겨진 마스크를 제거하고, 웨이퍼 표면이 노출되게 하는 것이며,
마스크(10)가 제거된 웨이퍼(1)의 표면을 세정하는 단계(S140)는 마스크 제거시 웨이퍼의 표면에 남겨진 이물질이나 흔적들을 지우기 위한 것이다.
지금까지 설명한 바와 같이, 본 발명을 도면에 도시된 실시 예를 참고로 하여 설명되었으나, 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 기술이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양하게 변형 및 균등이론에 의해 실시할 수 있을 것이다. 따라서 본 발명의 진정한 기술적 보호범위는 특허청구범위에 의해서 정하여져야 할 것이다.
1:웨이퍼 2:식각패턴
3:슬로프 10:마스크
11:음각패턴 20:분사장치
21:노즐 22:미세입자의 연마재

Claims (9)

  1. 웨이퍼 표면에 음각패턴이 형성된 마스크가 형성되는 단계와,
    상기 마스크 위로 미세입자의 연마재와 압축공기를 분사하여 물리 에너지로 음각패턴을 따라 웨이퍼의 표면을 식각하는 샌드 블라스트 공정을 진행하여 상기 음각패턴에 대응하는 식각패턴을 단계와,
    식각된 웨이퍼의 표면을 세정하는 단계 및,
    상기 마스크를 제거하는 단계와,
    마스크가 제거된 웨이퍼의 표면을 세정하는 단계로 이루어져,
    실리콘의 결정방향에 상관없이 웨이퍼의 표면을 식각할 수 있을 뿐만 아니라 제조시간이 단축되어 생산성이 형성된 샌드 블라스트 공법을 이용한 웨이퍼 식각방법.
  2. 제1항에 있어서,
    샌드 블라스트 공정을 진행하는 단계는,
    사선 방향으로 미세입자의 연마재와 압축공기를 분사하여 웨이퍼의 표면을 식각하는 측면 샌드 블라스트 공정을 진행하는 단계로 이루어진 샌드 블라스트 공법을 이용한 웨이퍼 식각방법.
  3. 제1항에 있어서,
    샌드 블라스트 공정을 진행하는 단계는,
    웨이퍼의 표면이 식각되는 두께에 따라 연마재의 크기와, 압력, 속도, 노즐의 높이를 설정하는 단계로 이루어진 샌드 블라스트 공법을 이용한 웨이퍼 식각방법.
  4. 제3항에 있어서,
    샌드 블라스트 공정을 진행하는 단계는,
    식각되는 깊이가 14 내지 20um 일 때 연마재의 크기는 600 내지 800mesh의 비율을 유지하는 샌드 블라스트 공법을 이용한 웨이퍼 식각방법.
  5. 제3항에 있어서,
    샌드 블라스트 공정을 진행하는 단계는,
    식각되는 깊이가 14 내지 20um 일 때 압축공기와 미세입장의 연마재를 분사하는 압력은 2.5 내지 5.5kgh의 비율을 유지하는 샌드 블라스트 공법을 이용한 웨이퍼 식각방법.
  6. 제3항에 있어서,
    샌드 블라스트 공정을 진행하는 단계는,
    식각되는 깊이가 14 내지 20um 일 때 이동속도는 50mm/min 내지 max의 비율을 유지하는 샌드 블라스트 공법을 이용한 웨이퍼 식각방법.
  7. 제3항에 있어서,
    샌드 블라스트 공정을 진행하는 단계는,
    식각되는 깊이가 14 내지 20um 일 때 노즐의 높이는 50 내지 200mm 비율을 유지하는 샌드 블라스트 공법을 이용한 웨이퍼 식각방법.
  8. 제1항에 있어서,
    웨이퍼 표면에 음각패턴이 형성된 마스크가 형성되는 단계는,
    상기 웨이퍼의 표면에 마스킹 필름을 라미네이트 하는 단계와,
    상기 마스킹필름에 노광 및 에칭 또는 레이저를 통해 하단에 위치한 웨이퍼의 표면이 노출되게 음각패턴을 형성하여,
    상기 웨이퍼 표면에 음각패턴에 대응하는 패턴이 식각되도록 마스킹하는 단계로 이루어진 샌드 블라스트 공법을 이용한 웨이퍼 식각방법.
  9. 제1항에 있어서,
    웨이퍼 표면에 음각패턴이 형성된 마스크가 형성되는 단계는,
    웨이퍼 표면에 음각패턴이 구비되게 잉크를 분사하여,
    상기 웨이퍼 표면에 음각패턴에 대응하는 패턴이 식각되도록 마스킹하는 단계로 이루어진 샌드 블라스트 공법을 이용한 웨이퍼 식각방법.
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Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR19980032599A (ko) * 1996-10-30 1998-07-25 빈센트 비. 인그라시아 반도체 디바이스 제조 방법
JP2004306219A (ja) * 2003-04-09 2004-11-04 Shin Etsu Chem Co Ltd サンドブラストによる基板加工方法
JP2007109838A (ja) * 2005-10-13 2007-04-26 Disco Abrasive Syst Ltd デバイスおよびその製造方法
JP2011093080A (ja) * 2009-11-03 2011-05-12 Elfo-Tec:Kk 加工基板にライン形状のパターン切削を行うためのサンドブラスト加工方法及び装置
JP2012049424A (ja) * 2010-08-30 2012-03-08 Shin Etsu Chem Co Ltd 太陽電池及びその製造方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR19980032599A (ko) * 1996-10-30 1998-07-25 빈센트 비. 인그라시아 반도체 디바이스 제조 방법
JP2004306219A (ja) * 2003-04-09 2004-11-04 Shin Etsu Chem Co Ltd サンドブラストによる基板加工方法
JP2007109838A (ja) * 2005-10-13 2007-04-26 Disco Abrasive Syst Ltd デバイスおよびその製造方法
JP2011093080A (ja) * 2009-11-03 2011-05-12 Elfo-Tec:Kk 加工基板にライン形状のパターン切削を行うためのサンドブラスト加工方法及び装置
JP2012049424A (ja) * 2010-08-30 2012-03-08 Shin Etsu Chem Co Ltd 太陽電池及びその製造方法

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