KR20210050045A - Member with multi layers and method of manufacturing of the same - Google Patents

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Abstract

The present invention relates to a member having multiple thin film layers in which the thin film layers having a plurality of layers are formed on a base material made of a metal or non-metal material, and a manufacturing method thereof. Specifically, the present invention relates to the member having the multiple thin film layers in which the thin film layer of the member is formed in multiples to keep the same dense, and the multiple thin film layers can be formed even on the base material made of the metal or non-metal material, and the manufacturing method thereof.

Description

다중 박막층을 구비한 부재 및 그 제조 방법{MEMBER WITH MULTI LAYERS AND METHOD OF MANUFACTURING OF THE SAME}A member having multiple thin-film layers and its manufacturing method {MEMBER WITH MULTI LAYERS AND METHOD OF MANUFACTURING OF THE SAME}

본 발명은 금속 또는 비금속 재질의 모재에 복수층의 박막층이 형성된 다중 박막층을 구비한 부재 및 그 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a member having multiple thin-film layers in which a plurality of thin-film layers are formed on a metal or non-metallic base material, and a method of manufacturing the same.

다양한 산업분야에서 모재의 내열성, 내식성 등을 향상시키기 위해, 모재의 표면에 박막층을 형성시키는 기술이 널리 사용되어 왔다.In various industrial fields, in order to improve the heat resistance and corrosion resistance of the base material, a technique of forming a thin film layer on the surface of the base material has been widely used.

특히, 반도체 공정 분야에서 반도체를 제조하기 위해 사용되는 대부분의 공정가스는 금속, 비금속 재질의 모재를 부식시키는 성분으로 이루어져, 공정가스가 접촉하는 부분은 모재에 박막층을 형성한 부재를 사용하게 된다.In particular, in the semiconductor processing field, most of the process gases used to manufacture semiconductors are composed of components that corrode the base material of metal and non-metal materials, and a member formed with a thin film layer on the base material is used for the part where the process gas contacts.

모재에 박막층을 형성하는 방법의 한 예로써, 금속 재질의 모재를 양극산화하여, 모재의 표면, 즉, 모재의 상부에 양극산화막을 형성시키는 방법이 사용되었다. 그러나, 양극산화막의 경우, 금속 재질의 모재에만 양극산화를 행할 수 있다는 측면에서, 모재의 재질이 한정되는 문제점이 있었다. 또한, 양극산화막을 성장시켜, 두께를 확보하는 과정에서, 그 내부에 기공이 형성되는 다공층이 형성되게 되는데, 이러한 다공층은 기공의 내부에 이물질이 들어가 차후 용출되는 아웃가싱(Out-gasing) 현상이 발생하는 문제점이 있었다.As an example of a method of forming a thin film layer on a base material, a method of anodizing a base material made of a metal material to form an anodic oxide film on the surface of the base material, that is, on the base material, has been used. However, in the case of the anodic oxide film, there is a problem in that the material of the base material is limited in that anodization can be performed only on the base material made of a metal material. In addition, in the process of growing the anodic oxide film to secure the thickness, a porous layer in which pores are formed is formed, and this porous layer is out-gasing that foreign substances enter into the pores and are subsequently eluted. There was a problem that the phenomenon occurs.

위와 같은 아웃가싱 현상을 방지하기 위해, 양극산화막을 비다공층으로만 구성할 경우, 비다공층의 두께가 너무 얇아서 내부 응력의 변화 또는 열팽창의 영향에 의해 양극산화막에 크랙(Crack)이 발생하거나 양극산화막이 박리되는 문제가 발생한다. 또한, 비다공층만으로 이루어진 얇은 양극산화막은 수명이 짧아 금속 재질의 모재가 쉽게 노출되고, 이렇게 노출된 상기 모재 부위로 플라즈마가 몰리는 플라즈마 아킹(Plasma Arcing)이 발생하여 상기 모재의 표면이 부분적으로 녹거나 결손되는 문제점이 발생한다.In order to prevent the above outgassing, when the anodic oxide film is composed of only a non-porous layer, the thickness of the non-porous layer is too thin, and a crack occurs in the anodic oxide film due to changes in internal stress or the effect of thermal expansion This peeling problem occurs. In addition, a thin anodic oxide film made of only a non-porous layer has a short lifespan, so that the metal base material is easily exposed, and plasma arcing occurs in which plasma is concentrated in the exposed base material area, so that the surface of the base material partially melts. A problem of being lost occurs.

위와 같은 문제점들로 인해, 부재의 박막층을 치밀하게 유지하면서도, 모재의 재질에 한정이 없고, 아웃가싱 등의 문제점이 발생을 방지할 수 있는 부재 및 이를 제조하는 방법에 대한 개발의 필요성이 대두되고 있다.Due to the above problems, there is a need for development of a member capable of preventing the occurrence of problems such as outgassing and a method of manufacturing the same, while maintaining the thin film layer of the member densely, there is no limitation on the material of the base material. have.

한국등록특허 제0482862호.Korean Patent Registration No. 0482862. 한국공개특허 제2011-0130750호.Korean Patent Publication No. 2011-0130750. 한국공개특허 제2008-0000112호.Korean Patent Publication No. 2008-0000112.

본 발명은 전술한 문제를 해결하기 위해 안출된 것으로서, 부재의 박막층을 다중으로 형성하여 치밀하게 유지하고, 금속 재질 및 비금속 재질의 모재에도 다중 박막층의 형성이 가능한 다중 박막층을 구비한 부재 및 그 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.The present invention was conceived to solve the above-described problem, and a member having multiple thin-film layers capable of forming multiple thin-film layers on a base material of a metallic material and a non-metallic material, and manufacturing the same It aims to provide a method.

본 발명의 일 특징에 따른 다중 박막층을 구비한 부재는, 모재의 상부에 금속 재질 또는 비금속 재질의 도금층이 형성되고, 상기 도금층의 상부에 제1-1차 전구체를 흡착시키고, 상기 제1-1차 전구체와는 다른 종류의 제1-2차 반응체를 공급하여 상기 제1-2차 반응체와 상기 제1-1차 전구체와의 화학적 치환으로 제1단원자층을 생성시켜 상기 제1단원자층으로 구성되는 제1박막층이 상기 도금층의 상부에 형성되는 것을 특징으로 한다.In the member having a multi-thin film layer according to an aspect of the present invention, a plating layer made of a metal material or a non-metal material is formed on an upper portion of a base material, and the 1-1st precursor is adsorbed on the plating layer, and the 1-1 By supplying a first-secondary reactant of a different kind from a secondary precursor, the first-secondary reactant and the first-first precursor are chemically substituted to generate a first monoatomic layer to form the first monoatomic layer. It characterized in that the first thin film layer composed of is formed on the plating layer.

또한, 상기 제1박막층은, 상기 제1단원자층을 생성시키는 사이클을 반복적으로 수행하여 복수층의 제1단원자층으로 구성되는 것을 특징으로 한다.In addition, the first thin film layer is characterized in that it is formed of a plurality of first monoatomic layers by repeatedly performing a cycle for generating the first monoatomic layer.

또한, 상기 제1박막층의 두께는 20㎚ 이상 ~ 3㎛ 이하 사이인 것을 특징으로 한다.In addition, the thickness of the first thin film layer is characterized in that between 20nm or more ~ 3㎛ or less.

또한, 상기 제1박막층의 상부에 제2-1차 전구체를 흡착시키고, 상기 제2-1차 전구체와는 다른 종류의 제2-2차 반응체를 공급하여 상기 제2-2차 반응체와 상기 제2-1차 전구체와의 화학적 치환으로 제2단원자층을 생성시켜 상기 제2단원자층으로 구성되는 제2박막층이 상기 제1박막층의 상부에 형성되고, 상기 제1박막층과 상기 제2박막층은 서로 다른 구성 성분을 갖는 것을 특징으로 한다.In addition, by adsorbing a second-primary precursor on the top of the first thin film layer, and supplying a second-secondary reactant of a different type from the second-first-order precursor, the second-secondary reactant and the A second thin film layer composed of the second monoatomic layer is formed on the first thin film layer by creating a second monoatomic layer by chemical substitution with the second-first precursor, and the first thin film layer and the second thin film layer Is characterized by having different constituents.

또한, 상기 모재는 금속 재질이고, 상기 도금층은 상기 금속 재질의 모재에 전해 도금 공정, 무전해 도금 공정, 스퍼터링 공정 및 용사(溶射) 공정 중 어느 하나의 공정을 통해 형성되는 도금층인 것을 특징으로 한다.In addition, the base material is a metal material, and the plating layer is a plating layer formed on the base material of the metal material through any one of an electroplating process, an electroless plating process, a sputtering process, and a thermal spraying process. .

또한, 상기 모재는 비금속 재질이고, 상기 도금층은 상기 비금속 재질의 모재에 무전해 도금 공정, 스퍼터링 공정 및 용사(溶射) 공정 중 어느 하나의 공정을 통해 통해 형성되는 도금층인 것을 특징으로 한다.In addition, the base material is a non-metal material, and the plating layer is a plating layer formed on the base material of the non-metal material through any one of an electroless plating process, a sputtering process, and a thermal spraying process.

또한, 상기 다중 박막층을 구비한 부재는, 화학 기상 증착 공정이 수행되는 공정챔버의 내부면을 이루거나 상기 화학 기상 증착 공정이 수행되는 공정챔버의 내부에 설치되는 부품을 이루는 부재이고, 상기 내부 부품은 디퓨져, 백킹 플레이트, 쉐도우 프레임, 서셉터, 가드링 및 슬릿밸브 중 적어도 어느 하나인 것을 특징으로 한다.In addition, the member having the multi-thin film layer is a member that forms an inner surface of a process chamber in which a chemical vapor deposition process is performed or a component that is installed inside a process chamber in which the chemical vapor deposition process is performed, and the internal component Is characterized in that at least one of a diffuser, a backing plate, a shadow frame, a susceptor, a guard ring, and a slit valve.

또한, 상기 다중 박막층을 구비한 부재는, 건식 식각 공정이 수행되는 공정챔버의 내부면을 이루거나 상기 건식 식각 공정이 수행되는 공정챔버의 내부에 설치되는 부품을 이루는 부재이고, 상기 내부 부품은 하부 전극, 하부 전극의 정전척, 하부 전극의 베플, 상부 전극, 월 라이너, 가드링 및 슬릿밸브 중 적어도 어느 하나인 것을 특징으로 한다.In addition, the member having the multi-thin layer is a member that forms an inner surface of a process chamber in which a dry etching process is performed or a component that is installed inside a process chamber in which the dry etching process is performed, and the inner part is a lower part. It is characterized in that at least one of an electrode, an electrostatic chuck of a lower electrode, a baffle of a lower electrode, an upper electrode, a wall liner, a guard ring, and a slit valve.

본 발명의 일 특징에 따른 다중 박막층을 구비한 부재의 제조 방법은, 모재의 상부에 금속 재질 또는 비금속 재질의 도금층을 형성시키고, 상기 도금층의 상부에 제1-1차 전구체를 흡착시키고, 상기 제1-1차 전구체와는 다른 종류의 제1-2차 반응체를 공급하여 상기 제1-2차 반응체와 상기 제1-1차 전구체와의 화학적 치환으로 제1단원자층을 생성시켜 상기 제1단원자층으로 구성되는 제1박막층을 상기 도금층의 상부에 형성시키는 것을 특징으로 한다.In a method of manufacturing a member having a multi-thin film layer according to an aspect of the present invention, a plating layer made of a metal material or a non-metal material is formed on an upper portion of a base material, a first-order precursor is adsorbed on the plating layer, and the first By supplying a first-secondary reactant of a different type from the first-first precursor, the first-secondary reactant and the first-first precursor are chemically substituted to generate a first monoatomic layer, It characterized in that the first thin film layer consisting of a single atomic layer is formed on the plating layer.

또한, 상기 제1박막층의 두께가 20㎚ 이상 ~ 3㎛ 이하가 될 때까지 상기 제1단원자층을 생성시키는 사이클을 반복적으로 수행하여 상기 제1박막층을 복수층의 제1단원자층으로 구성시키는 것을 특징으로 한다.In addition, by repeatedly performing the cycle of generating the first monoatomic layer until the thickness of the first thin film layer becomes 20 nm or more to 3 μm or less, the first thin film layer is composed of a plurality of first monoatomic layers. It is characterized.

또한, 상기 제1박막층의 상부에 제2-1차 전구체를 흡착시키고, 상기 제2-1차 전구체와는 다른 종류의 제2-2차 반응체를 공급하여 상기 제2-2차 반응체와 상기 제2-1차 전구체와의 화학적 치환으로 제2단원자층을 생성시켜 상기 제2단원자층으로 구성되는 제2박막층을 상기 제1박막층의 상부에 형성시키며, 상기 제1박막층과 상기 제2박막층은 서로 다른 구성 성분을 갖는 것을 특징으로 한다.In addition, by adsorbing a second-primary precursor on the top of the first thin film layer, and supplying a second-secondary reactant of a different type from the second-first-order precursor, the second-secondary reactant and the The second monoatomic layer is formed by chemical substitution with the second-first precursor to form a second thin film layer composed of the second monoatomic layer on the first thin film layer, and the first thin film layer and the second thin film layer Is characterized by having different constituents.

이상에서 살펴본 바와 같은 본 발명의 다중 박막층을 구비한 부재 및 그 제조 방법에 따르면 다음과 같은 효과가 있다.According to the member having a multi-thin film layer and a method of manufacturing the same according to the present invention as described above, the following effects are obtained.

모재의 상부에 도금층을 형성하고, 그 상부에 제1박막층 및 제2박막층을 형성함으로써, 모재의 재질에 상관 없이 다중 박막층을 쉽게 형성시킬 수 있다.By forming a plating layer on the top of the base material and forming the first thin film layer and the second thin film layer thereon, it is possible to easily form multiple thin film layers regardless of the material of the base material.

모재의 상부에 도금층이 형성되고, 그 상부에 제1박막층 및/또는 제2박막층이 구비되어 있으므로, 모재의 내부의 첨가성분 등 이물질이 제1박막층에 막혀 용출되지 못한다.Since the plating layer is formed on the base material and the first thin film layer and/or the second thin film layer are provided thereon, foreign substances such as additives inside the base material are blocked by the first thin film layer and cannot be eluted.

도금층으로 인해, 비평탄한 모재의 평탄화를 쉽게 달성할 수 있으며, 이를 통해, 다중 박막층을 구비한 부재가 플라즈마 환경 등에 있을 경우, 다중 박막층을 구비한 부재의 일정 부분에 전류가 몰려 발생되는 아킹 현상으로 인해 다중 박막층을 구비한 부재의 박막층들이 박리되거나 파손되는 것을 효과적으로 방지할 수 있다.Due to the plating layer, it is possible to easily achieve flattening of the non-flat base material.Through this, when a member with multiple thin-film layers is in a plasma environment, etc., it is caused by an arcing phenomenon caused by current concentrating in a certain portion of the member with multiple thin-film layers. Therefore, it is possible to effectively prevent the thin film layers of the member having the multiple thin film layers from being peeled off or damaged.

상대적으로 얇은 두께를 갖는 제1박막층 및 제2박막층 대신에 상대적으로 두꺼운 두께를 갖는 도금층이 형성됨으로써, 다중 박막층의 두꺼운 두께를 쉽게 확보할 수 있고, 도금층을 통해 비평탄한 모재를 쉽게 평탄화할 수 있으며, 이를 통해, 아킹 현상의 방지 및 다중 박막층 파손의 방지를 쉽게 달성할 수 있다.By forming a plating layer having a relatively thick thickness instead of the first thin film layer and the second thin film layer having a relatively thin thickness, the thick thickness of the multiple thin film layers can be easily secured, and an uneven base material can be easily flattened through the plating layer. , Through this, it is possible to easily achieve the prevention of the arcing phenomenon and the prevention of breakage of the multiple thin film layers.

다중 박막층에 종래의 양극산화막의 기공이 형성되어 있지 않으므로, 종래의 양극산화막에서 발생되는 아웃가싱 현상을 원천적으로 차단할 수 있다.Since pores of the conventional anodic oxide film are not formed in the multiple thin film layers, the outgassing phenomenon occurring in the conventional anodic oxide film can be fundamentally blocked.

제2박막층과 제3박막층이 서로 다른 구성 성분을 갖음으로써, 다양한 특성을 갖는 다중 박막층을 구비한 부재를 제작할 수 있다.Since the second thin film layer and the third thin film layer have different constituent components, a member having multiple thin film layers having various characteristics can be manufactured.

도 1은 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 다중 박막층을 구비한 부재를 도시한 도.
도 2(a) 내지 도 2(d)는 도 1의 다중 박막층을 구비한 부재의 도금층, 제1박막층 및 제2박막층을 형성하는 과정을 도시한 도.
도 3은 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 다중 박막층을 구비한 부재의 제조 방법의 개략도.
도 4(a) 내지 도 4(c)는 종래의 박막층을 구비한 부재의 모재에서 이물질이 용출되는 과정을 도시한 도.
도 5(a) 내지 도 5(c)는 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 다중 박막층을 구비한 부재의 모재에서 이물질이 용출되지 않는 과정을 도시한 도.
도 6(a) 및 도 6(b)는 종래의 박막층을 구비한 부재의 비평탄한 모재에 단원자층이 형성된 것을 도시한 도.
도 7(a) 및 도 7(b)는 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 다중 박막층을 구비한 부재의 비평탄한 모재에 도금층 및 제1박막층이 형성된 것을 도시한 도.
도 8은 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 다중 박막층을 구비한 부재가 그 내부면을 이루거나 그 내부에 설치되는 부품을 이루는 화학 기상 증착 공정이 수행되는 화학 기상 증착 공정용 공정챔버를 도시한 도.
도 9는 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 다중 박막층을 구비한 부재가 그 내부면을 이루거나 그 내부에 설치되는 부품을 이루는 건식 식각 공정이 수행되는 건식 식각 공정용 공정챔버를 도시한 도.1 is a view showing a member having multiple thin film layers according to a preferred embodiment of the present invention.
2(a) to 2(d) are views showing a process of forming a plated layer, a first thin film layer, and a second thin film layer of the member having multiple thin film layers of FIG. 1;
3 is a schematic diagram of a method of manufacturing a member having multiple thin film layers according to a preferred embodiment of the present invention.
4(a) to 4(c) are diagrams showing a process in which foreign substances are eluted from the base material of a member having a conventional thin film layer.
5(a) to 5(c) are diagrams showing a process in which foreign substances are not eluted from the base material of a member having a multi-thin layer according to a preferred embodiment of the present invention.
6(a) and 6(b) are views showing that a single-atomic layer is formed on a non-flat base material of a member having a conventional thin film layer.
7(a) and 7(b) are views showing that a plating layer and a first thin film layer are formed on a non-flat base material of a member having multiple thin film layers according to a preferred embodiment of the present invention.
FIG. 8 is a diagram showing a process chamber for a chemical vapor deposition process in which a chemical vapor deposition process is performed in which a member having multiple thin film layers forms an inner surface or forms a component installed therein according to a preferred embodiment of the present invention. .
9 is a diagram illustrating a process chamber for a dry etching process in which a dry etching process is performed in which a member having multiple thin film layers forms an inner surface or forms a component installed therein according to a preferred embodiment of the present invention.

이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예를 상세히 설명하기로 한다. 본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부한 도면들과 함께 상세히 후술된 실시 예를 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 여기서 설명하는 실시 예에 한정된 것이 아니라 서로 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 오히려, 여기서 소개되는 실시 예는 개시된 내용이 철저하고 완전해질 수 있도록, 그리고 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 명세서 전문에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. Advantages and features of the present invention, and a method of achieving them will become apparent with reference to embodiments described in detail later with reference to the accompanying drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments described herein and may be embodied in different forms. Rather, the embodiments introduced herein are provided so that the disclosed contents may be thorough and complete, and the spirit of the present invention may be sufficiently conveyed to those skilled in the art, and the present invention is only defined by the scope of the claims. The same reference numerals refer to the same constituent elements throughout the entire specification.

본 명세서에서 사용된 용어는 실시 예들을 설명하기 위한 것이며 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다. 본 명세서에서, 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 복수형도 포함한다. 명세서에서 사용되는 '포함한다(comprises)' 및/또는 '포함하는(comprising)'은 언급된 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자는 하나 이상의 다른 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자의 존재 또는 추가를 배제하지 않는다.The terms used in this specification are for describing exemplary embodiments and are not intended to limit the present invention. In this specification, the singular form also includes the plural form unless specifically stated in the phrase. As used in the specification,'comprises' and/or'comprising' refers to the presence of one or more other elements, steps, actions and/or elements in the referenced elements, steps, actions and/or elements. Or does not preclude additions.

또한, 바람직한 실시 예에 따른 것이기 때문에, 설명의 순서에 따라 제시되는 참조 부호는 그 순서에 반드시 한정되지는 않는다. In addition, since it is according to a preferred embodiment, reference numerals presented in the order of description are not necessarily limited to the order.

또한, 본 명세서에서 기술하는 실시 예들은 본 발명의 이상적인 예시 도인 단면도 및/또는 평면도들을 참고하여 설명될 것이다. 도면들에 있어서, 막 및 영역들의 두께는 기술적 내용의 효과적인 설명을 위해 과장된 것이다. 따라서, 제조 기술 및/또는 허용 오차 등에 의해 예시 도의 형태가 변형될 수 있다. 따라서, 본 발명의 실시 예들은 도시된 특정 형태로 제한되는 것이 아니라 제조 공정에 따라 생성되는 형태의 변화도 포함하는 것이다. 따라서, 도면에서 예시된 영역들은 개략적인 속성을 가지며, 도면에서 예시된 영역들의 모양은 소자의 영역의 특정 형태를 예시하기 위한 것이며 발명의 범주를 제한하기 위한 것이 아니다.In addition, embodiments described in the present specification will be described with reference to cross-sectional views and/or plan views that are ideal examples of the present invention. In the drawings, thicknesses of films and regions are exaggerated for effective description of technical content. Accordingly, the shape of the exemplary diagram may be modified by manufacturing technology and/or tolerance. Accordingly, embodiments of the present invention are not limited to the specific form shown, but also include a change in form generated according to a manufacturing process. Accordingly, the regions illustrated in the drawings have schematic properties, and the shapes of the regions illustrated in the drawings are for illustrating a specific shape of the region of the device and are not intended to limit the scope of the invention.

다양한 실시 예들을 설명함에 있어서, 동일한 기능을 수행하는 구성요소에 대해서는 실시 예가 다르더라도 편의상 동일한 명칭 및 동일한 참조번호를 부여하기로 한다. 또한, 이미 다른 실시 예에서 설명된 구성 및 작동에 대해서는 편의상 생략하기로 한다.In describing various embodiments, components that perform the same function will be given the same name and the same reference number for convenience even though the embodiments are different. In addition, configurations and operations that have already been described in other embodiments will be omitted for convenience.

이하, 도 1 내지 도 7(b)를 참조하여, 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 다중 박막층을 구비한 부재(1)에 대해 설명한다.Hereinafter, a member 1 having multiple thin film layers according to a preferred embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 1 to 7(b).

도 1은 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 다중 박막층을 구비한 부재를 도시한 도이고, 도 2(a) 내지 도 2(d)는 도 1의 다중 박막층을 구비한 부재의 도금층, 제1박막층 및 제2박막층을 형성하는 과정을 도시한 도이고, 도 3은 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 다중 박막층을 구비한 부재의 제조 방법의 개략도이고, 도 4(a) 내지 도 4(c)는 종래의 박막층을 구비한 부재의 모재에서 이물질이 용출되는 과정을 도시한 도이고, 도 5(a) 내지 도 5(c)는 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 다중 박막층을 구비한 부재의 모재에서 이물질이 용출되지 않는 과정을 도시한 도이고, 도 6(a) 및 도 6(b)는 종래의 박막층을 구비한 부재의 비평탄한 모재에 단원자층이 형성된 것을 도시한 도이고, 도 7(a) 및 도 7(b)는 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 다중 박막층을 구비한 부재의 비평탄한 모재에 도금층 및 제1박막층이 형성된 것을 도시한 도이다.1 is a diagram showing a member having multiple thin film layers according to a preferred embodiment of the present invention, and FIGS. 2(a) to 2(d) are a plating layer and a first thin film layer of the member having multiple thin film layers of FIG. And a diagram showing a process of forming a second thin film layer, and FIG. 3 is a schematic diagram of a method of manufacturing a member having multiple thin film layers according to a preferred embodiment of the present invention, and FIGS. 4(a) to 4(c) are A diagram showing a process in which foreign matters are eluted from the base material of a member with a conventional thin film layer, and FIGS. 5(a) to 5(c) are in the base material of a member with multiple thin film layers according to a preferred embodiment of the present invention. Fig. 6(a) and Fig. 6(b) are diagrams showing a process in which foreign substances are not eluted, and Figs. 6(a) and 6(b) are diagrams showing that a monoatomic layer is formed on a non-flat base material of a member having a conventional thin film layer, and Fig. ) And FIG. 7(b) are diagrams showing a plating layer and a first thin film layer formed on an uneven base material of a member having multiple thin film layers according to a preferred embodiment of the present invention.

도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 다중 박막층을 구비한 부재(1)는, 모재(10)와, 모재(10)의 상부에 형성되는 금속 재질 또는 비금속 재질의 도금층(20)과, 도금층(20)의 상부에 제1-1차 전구체를 흡착시키고, 제1-1차 전구체와는 다른 종류의 제1-2차 반응체를 공급하여 제1-2차 반응체와 제1-1차 전구체와의 화학적 치환으로 제1단원자층을 생성시켜 제1단원자층으로 구성되며, 도금층(20)의 상부에 형성되는 제1박막층(30)과, 제1박막층(30)의 상부에 제2-1차 전구체를 흡착시키고, 제2-1차 전구체와는 다른 종류의 제2-2차 반응체를 공급하여 제2-2차 반응체와 제2-1차 전구체와의 화학적 치환으로 제2단원자층을 생성시켜 제2단원자층으로 구성되며, 제1박막층(30)의 상부에 형성되는 제2박막층(40)을 포함하여 구성될 수 있다.As shown in FIGS. 1 and 2, a member 1 having a multi-thin layer according to a preferred embodiment of the present invention includes a base material 10 and a metal material or a non-metal material formed on the base material 10. The first-second precursor is adsorbed on the plating layer 20 of the and the plating layer 20, and a first-second reactant of a different type from the first-first precursor is supplied to The first monoatomic layer is formed by chemical substitution of the reactant and the first-order precursor to form a first monoatomic layer, and the first thin film layer 30 formed on the plating layer 20 and the first thin film layer ( 30) by adsorbing the second-primary precursor and supplying a second-secondary reactant of a different type from the second-first precursor to the second-secondary reactant and the second-first-order precursor. The second monoatomic layer is formed by chemical substitution with and may be composed of a second monoatomic layer, and may include a second thin film layer 40 formed on the first thin film layer 30.

다시 말해, 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 다중 박막층을 구비한 부재(1)는, In other words, the member 1 having multiple thin film layers according to a preferred embodiment of the present invention,

모재(10)의 상부에 금속 재질 또는 비금속 재질의 도금층(20)이 형성되고, 도금층(20)의 상부에 제1-1차 전구체를 흡착시키고, 제1-1차 전구체와는 다른 종류의 제1-2차 반응체를 공급하여 제1-2차 반응체와 제1-1차 전구체와의 화학적 치환으로 제1단원자층을 생성시켜 제1단원자층으로 구성되는 제1박막층(30)이 도금층(20)의 상부에 형성되고, 제1박막층(30)의 상부에 제2-1차 전구체를 흡착시키고, 제2-1차 전구체와는 다른 종류의 제2-2차 반응체를 공급하여 제2-2차 반응체와 제2-1차 전구체와의 화학적 치환으로 제2단원자층을 생성시켜 제2단원자층으로 구성되는 제2박막층(40)이 제1박막층(30)의 상부에 형성된다.A plating layer 20 made of a metallic material or a non-metal material is formed on the top of the base material 10, and the first-first precursor is adsorbed on the top of the plating layer 20, and a different kind of agent from the first-first precursor is formed. By supplying the first and second reactants, the first thin film layer 30 composed of the first atomic layer is formed by chemical substitution between the first and second reactants and the first and second precursors to create a first monoatomic layer. It is formed on the top of (20), adsorbs the second-primary precursor on the top of the first thin film layer 30, and supplies a second-secondary reactant of a different type from the second-first-order precursor. A second thin film layer 40 composed of a second monoatomic layer is formed on the first thin film layer 30 by creating a second monoatomic layer by chemical substitution of the second-second reactant and the second-first precursor. .

제1박막층(30)은 제1단원자층을 생성시키는 사이클을 반복적으로 수행하여 복수층의 제1단원자층으로 구성될 수 있다. The first thin film layer 30 may be formed of a plurality of first monoatomic layers by repeatedly performing a cycle of generating the first monoatomic layer.

제1박막층(30)은 제2단원자층을 생성시키는 사이클을 반복적으로 수행하여 복수층의 제2단원자층으로 구성될 수 있다. The first thin film layer 30 may be formed of a plurality of second monoatomic layers by repeatedly performing a cycle of generating the second monoatomic layer.

모재(10)는 알루미늄(Al), 티타늄(Ti), 텅스텐(W), 아연(Zn), 기타 합금 재질 등의 금속 재질로 이루어지거나, 세라믹, 합성수지 등의 비금속 재질로 이루어질 수 있다.The base material 10 may be made of a metal material such as aluminum (Al), titanium (Ti), tungsten (W), zinc (Zn), or other alloy material, or may be made of a non-metal material such as ceramic or synthetic resin.

도금층(20)은 모재(10)의 표면, 즉, 모재(10)의 상부에 형성되며, 금속 재질 또는 비금속 재질로 구성된다.The plating layer 20 is formed on the surface of the base material 10, that is, on the base material 10, and is made of a metal material or a non-metal material.

도금 공정은 모재(10)의 표면, 즉, 모재(10)의 상부에 다른 물질의 얇은 층(즉, 도금층)으로 피복하는 공정으로서, 도금층의 재질은 금속 재질 또는 비금속 재질일 수 있으며, 도금 공정은 전해 도금 공정, 무전해 도금 공정, 스퍼터링 공정, 용사(溶射) 공정 등을 포함한다.The plating process is a process of covering the surface of the base material 10, that is, on the top of the base material 10 with a thin layer (ie, a plating layer) of another material, and the material of the plating layer may be a metal material or a non-metal material, and the plating process Silver electrolytic plating process, electroless plating process, sputtering process, thermal spraying process, etc. are included.

도금층(20)은 모재(10)의 재질에 맞는 도금 공정이 수행되는 도금층(20)일 수 있다.The plating layer 20 may be a plating layer 20 in which a plating process suitable for the material of the base material 10 is performed.

예컨데, 모재(10)의 재질이 금속 재질일 경우, 도금층(20)은 금속 재질의 모재(10)에 전해 도금 공정, 무전해 도금 공정, 스퍼터링 공정 및 용사(溶射) 공정 중 어느 하나의 공정을 통해 형성되는 도금층(20)으로 이루어질 수 있다. 또한, 모재(10)의 재질이 비금속 재질일 경우, 도금층(20)은 비금속 재질의 모재(10)에 무전해 도금 공정, 스퍼터링 공정 및 용사(溶射) 공정 중 어느 하나의 공정을 통해 형성되는 도금층으로 이루어질 수 있다.For example, when the material of the base material 10 is a metal material, the plating layer 20 may perform any one of an electroplating process, an electroless plating process, a sputtering process, and a thermal spraying process on the metal base material 10. It may be made of a plating layer 20 formed through. In addition, when the material of the base material 10 is a non-metallic material, the plating layer 20 is a plating layer formed on the base material 10 of a non-metallic material through any one of an electroless plating process, a sputtering process, and a thermal spraying process. Can be made.

도금층(20)이 모재(10)에 전해 도금 공정 또는 무전해 도금 공정을 수행하여 형성되는 도금층(20)인 경우, 도금층(20)은 니켈(Ni), 구리(Cu), 은(Ag), 금(Au), 텅스텐(W) 등의 금속 재질일 수 있다.When the plating layer 20 is a plating layer 20 formed by performing an electrolytic plating process or an electroless plating process on the base material 10, the plating layer 20 is nickel (Ni), copper (Cu), silver (Ag), It may be a metal material such as gold (Au) or tungsten (W).

제1박막층(30)은 도금층(20)의 상부, 즉, 도금층(20)의 표면에 형성되며, 복수층의 제1단원자층으로 구성된다.The first thin film layer 30 is formed on the top of the plating layer 20, that is, on the surface of the plating layer 20, and is composed of a plurality of first single atomic layers.

제1박막층(30)은 도금층(20)의 상부, 즉, 표면에 제1-1차 전구체를 흡착시키고, 제1-1차 전구체와는 다른 종류의 제1-2차 반응체를 공급하여 제1-2차 반응체와 제1-1차 전구체와의 화학적 치환으로 제1단원자층을 생성시키는 사이클을 반복적으로 수행하여 형성될 수 있다.The first thin film layer 30 adsorbs the first-order precursor on the upper portion, that is, the surface of the plating layer 20, and supplies a first-secondary reactant of a different type from the first-order precursor. It may be formed by repeatedly performing a cycle of generating the first monoatomic layer by chemical substitution of the first and second reactants and the first and second precursors.

이러한 복수의 제1단원자층, 즉, 제1박막층(30)의 구성성분은 산화 알루미늄(Al2O3), 산화 이트륨(Y2O3), 질화 알루미늄(AlN), 이산화 규소(SiO2), 질화 규소(Si3N4) , 탄화 규소(SiC) 중 적어도 어느 하나로 이루어질 수 있다.Components of the plurality of first monoatomic layers, that is, the first thin film layer 30 are aluminum oxide (Al 2 O 3 ), yttrium oxide (Y 2 O 3 ), aluminum nitride (AlN), and silicon dioxide (SiO 2 ). , Silicon nitride (Si 3 N 4 ), and silicon carbide (SiC).

제1박막층(30)의 두께는 20㎚ 이상 ~ 3㎛ 이하 사이로 이루어지는 것이 바람직하다.The thickness of the first thin film layer 30 is preferably made between 20 nm or more and 3 μm or less.

제1박막층(30)의 제1단원자층은 결정질의 특성을 갖는다.The first monoatomic layer of the first thin film layer 30 has crystalline properties.

제2박막층(40)은 제1박막층(30)의 상부, 즉, 제1박막층(30)의 표면에 형성되며, 복수층의 제2단원자층으로 구성된다.The second thin film layer 40 is formed on the top of the first thin film layer 30, that is, on the surface of the first thin film layer 30, and is composed of a plurality of second monoatomic layers.

제2박막층(40)은 제1박막층(30)의 상부, 즉, 표면에 제2-1차 전구체를 흡착시키고, 제2-1차 전구체와는 다른 종류의 제2-2차 반응체를 공급하여 제2-2차 반응체와 제2-1차 전구체와의 화학적 치환으로 제2단원자층을 생성시키는 사이클을 반복적으로 수행하여 형성될 수 있다.The second thin film layer 40 adsorbs the second-primary precursor on the top, that is, the surface of the first thin-film layer 30, and supplies a second-secondary reactant of a different kind from the second-first precursor. Thus, it may be formed by repeatedly performing a cycle of generating the second monoatomic layer by chemical substitution of the second-second reactant and the second-first precursor.

이러한 복수의 제2단원자층, 즉, 제2박막층(40)의 구성성분은 산화 알루미늄(Al2O3), 산화 이트륨(Y2O3), 질화 알루미늄(AlN), 이산화 규소(SiO2), 질화 규소(Si3N4) , 탄화 규소(SiC) 중 적어도 어느 하나로 이루어질 수 있다.Components of the plurality of second monoatomic layers, that is, the second thin film layer 40, are aluminum oxide (Al 2 O 3 ), yttrium oxide (Y 2 O 3 ), aluminum nitride (AlN), and silicon dioxide (SiO 2 ). , Silicon nitride (Si 3 N 4 ), and silicon carbide (SiC).

제2단원자층, 즉, 제2박막층(40)의 구성 성분은 제1단원자층, 즉, 제1박막층(30)의 구성 성분과 서로 다른 구성 성분을 갖는다.The constituent components of the second monoatomic layer, that is, the second thin film layer 40, have a constituent component different from that of the first monoatomic layer, that is, the first thin film layer 30.

예컨데, 제2단원자층, 즉, 제2박막층(40)의 구성 성분이 산화 알루미늄(Al2O3)인 경우, 제1단원자층, 즉, 제1박막층(30)의 구성 성분은 이산화 규소(SiO2)이다.For example, when the constituent component of the second monoatomic layer, that is, the second thin film layer 40 is aluminum oxide (Al 2 O 3 ), the constituent of the first monoatomic layer, that is, the first thin film layer 30 is silicon dioxide ( SiO 2 ).

제2박막층(40)의 두께는 20㎚ 이상 ~ 3㎛ 이하 사이로 이루어지는 것이 바람직하다.It is preferable that the second thin film layer 40 has a thickness of 20 nm or more to 3 μm or less.

제2박막층(40)의 제2단원자층은 결정질의 특성을 갖는다.The second monoatomic layer of the second thin film layer 40 has crystalline properties.

이하, 도 1 내지 도 3을 참조하여, 전술한 구성을 갖는 다중 박막층을 구비한 부재(1)의 제조 방법에 대해 상세하게 설명한다.Hereinafter, a method of manufacturing a member 1 having multiple thin film layers having the above-described configuration will be described in detail with reference to FIGS. 1 to 3.

다중 박막층을 구비한 부재(1)의 제조 방법은, 도 3에 도시된 바와 같이, 모재(10)의 상부에 금속 재질 또는 비금속 재질의 도금층(20)을 형성시키는 도금층 형성 단계(S10)와, 도금층(20)의 상부에 제1단원자층으로 이루어진 제1박막층(30)을 형성시키는 제1박막층 형성 단계(S20)와, 제1박막층(30)의 상부에 제2단원자층으로 이루어지며, 제2박막층(40)과는 서로 다른 구성 성분을 갖는 제2박막층(40)을 형성시키는 제2박막층 형성 단계(S30)를 포함하여 구성될 수 있다.The manufacturing method of the member 1 having a multi-thin film layer, as shown in FIG. 3, includes a plating layer forming step (S10) of forming a plating layer 20 made of a metal material or a non-metal material on the top of the base material 10, A first thin film layer forming step (S20) of forming a first thin film layer 30 made of a first single atomic layer on top of the plating layer 20, and a second single atomic layer on top of the first thin film layer 30, It may be configured to include a second thin film layer forming step (S30) of forming the second thin film layer 40 having a component different from the two thin film layer 40.

다시 말해, 다중 박막층을 구비한 부재(1)의 제조 방법은, 모재(10)의 상부에 금속 재질 또는 비금속 재질의 도금층(20)을 형성시키고, 도금층(20)의 상부에 제1-1차 전구체를 흡착시키고, 제1-1차 전구체와는 다른 종류의 제1-2차 반응체를 공급하여 제1-2차 반응체와 상기 제1-1차 전구체와의 화학적 치환으로 제1단원자층을 생성시켜 제1단원자층으로 구성되는 제1박막층(30)을 도금층(20)의 상부에 형성시키고, 제1박막층(30)의 상부에 제2-1차 전구체를 흡착시키고, 제2-1차 전구체와는 다른 종류의 제2-2차 반응체를 공급하여 제2-2차 반응체와 상기 제2-1차 전구체와의 화학적 치환으로 제2단원자층을 생성시켜 제2단원자층으로 구성되는 제2박막층(40)을 상기 제1박막층(30)의 상부에 형성시키는 과정이 수행된다.In other words, in the method of manufacturing the member 1 having a multi-thin film layer, a plating layer 20 made of a metal material or a non-metal material is formed on the base material 10, and the first 1st order is formed on the top of the plating layer 20. Adsorption of a precursor and supplying a first-second reactant of a different type from the first-order precursor, and chemical substitution between the first-second reactant and the first-order precursor, the first monoatomic layer To form a first thin film layer 30 composed of a first monoatomic layer on top of the plating layer 20, adsorb the second-first precursor on the top of the first thin film layer 30, and 2-1 By supplying a second-secondary reactant of a different kind from the primary precursor, a second monoatomic layer is formed by chemical substitution between the second-secondary reactant and the second-first precursor to form a second monoatomic layer. A process of forming the second thin film layer 40 to be formed on the first thin film layer 30 is performed.

도금층 형성 단계(S10)에서는, 모재(10)의 표면, 즉, 모재(10)의 상부에 모재(10)에 도금층(20)을 형성시키는 과정이 수행된다.In the plating layer forming step (S10), a process of forming the plating layer 20 on the base material 10 on the surface of the base material 10, that is, on the base material 10 is performed.

도금층 형성 단계(S10)에서는, 모재(10)의 재질이 금속 재질일 경우, 금속 재질의 모재(10)에 전해 도금 공정, 무전해 도금 공정, 스퍼터링 공정 및 용사(溶射) 공정 중 어느 하나의 공정을 수행함으로써, 도금층(20)을 형성(또는 생성)시키게 된다.In the plating layer formation step (S10), when the material of the base material 10 is a metal material, any one of an electroplating process, an electroless plating process, a sputtering process, and a thermal spraying process on the base material 10 made of a metal material. By performing, the plating layer 20 is formed (or generated).

도금층 형성 단계(S10)에서는, 모재(10)의 재질이 비금속 재질일 경우, 비금속 재질의 모재(10)에 무전해 도금 공정, 스퍼터링 공정 및 용사(溶射) 공정 중 어느 하나의 공정을 수행함으로써, 도금층(20)을 형성(또는 생성)시키게 된다.In the plating layer forming step (S10), when the material of the base material 10 is a non-metal material, by performing any one of an electroless plating process, a sputtering process, and a thermal spraying process on the base material 10 of the non-metal material, The plating layer 20 is formed (or generated).

도금층 형성 단계(S10)에서 형성된 도금층(20)은 금속 재질 또는 비금속 재질일 수 있다.The plating layer 20 formed in the plating layer forming step S10 may be made of a metal material or a non-metal material.

도금층 형성 단계(S10)가 완료된 후, 제1박막층 형성 단계(S20)가 수행된다.After the plating layer forming step S10 is completed, the first thin film forming step S20 is performed.

제1박막층 형성 단계(S20)에서는, 제1단원자층을 생성시키는 사이클을 반복적으로 수행하여 복수층의 제1단원자층으로 구성되는 제1박막층(30)을 형성시키는 과정이 수행된다. In the first thin film layer forming step (S20), a process of forming the first thin film layer 30 composed of a plurality of first monoatomic layers by repeatedly performing a cycle of generating the first monoatomic layer is performed.

제1박막층 형성 단계(S20)는, 제1-1차 전구체 흡착 단계(S21)와, 제1차 불활성기체 공급 단계(S22)와, 제1-2차 반응체 흡착 및 치환 단계(S23)와, 제1차 사이클 반복 단계(S24)를 포함하여 구성될 수 있다.The first thin film layer forming step (S20) includes the first-first precursor adsorption step (S21), the first inert gas supply step (S22), the first-second reactant adsorption and replacement step (S23), and , It may be configured to include a first cycle repetition step (S24).

제1-1차 전구체 흡착 단계(S21)에서는, 코팅층으로 이루어진 도금층(20)의 상부, 즉, 도금층(20)의 표면에 제1-1차 전구체를 공급하여 도금층(20)의 상부, 즉, 도금층(20)의 표면에 제1-1차 전구체를 흡착시켜 제1-1차 전구체 흡착층을 형성시키는 과정이 수행된다. 이 경우, 제1-1차 전구체 흡착층 자기 제한적 반응에 의해 1개의 층만으로 형성된다.In the first-first precursor adsorption step (S21), the first-first precursor is supplied to the top of the plating layer 20 made of the coating layer, that is, the surface of the plating layer 20, and the top of the plating layer 20, that is, A process of forming the first-first precursor adsorption layer by adsorbing the first-first precursor on the surface of the plating layer 20 is performed. In this case, the first-order precursor adsorption layer is formed with only one layer by self-limiting reaction.

제1-1차 전구체 흡착 단계(S21)가 완료된 후, 제1차 불활성기체 공급 단계(S22)가 수행된다.After the first-first precursor adsorption step (S21) is completed, the first inert gas supply step (S22) is performed.

제1차 불활성기체 공급 단계(S22)에서는, 불활성 기체를 공급하여 제1-1차 전구체 흡착층에서 과잉의 제1-1차 전구체를 제거하는 과정이 수행된다. 이 경우, 불활성 기체는 자기 제한적 반응에 의해 1개의 층만을 형성한 제1-1차 전구체 흡착층에 잔존하는 과잉의 제1-1차 전구체를 제거하게 된다.In the first inert gas supply step (S22), a process of supplying an inert gas to remove excess first-first precursor from the first-first precursor adsorption layer is performed. In this case, the inert gas removes the excess first-order precursor remaining in the first-first precursor adsorption layer in which only one layer is formed by a self-limiting reaction.

제1차 불활성기체 공급 단계(S22)가 완료된 후, 제1-2차 반응체 흡착 및 치환 단계(S23)가 수행된다.After the first inert gas supply step (S22) is completed, the first-second reactant adsorption and replacement step (S23) is performed.

제1-2차 반응체 흡착 및 치환 단계(S23)에서는, 제1-1차 전구체 흡착층의 상부, 즉, 제1-1전구체 흡착층의 표면에 제1-2차 반응체를 공급하여 제1-1전구체 흡착층의 상부, 즉, 제1-1전구체 흡착층의 표면에 제1-2차 반응체를 흡착시키고, 제1-1차 전구체 흡착층과 제1-2차 반응체의 화학적 치환에 의해 제1단원자층을 생성시키는 과정이 수행된다.In the first-second reactant adsorption and substitution step (S23), the first-second reactant is supplied to the upper portion of the first-first precursor adsorption layer, that is, the surface of the first-first precursor adsorption layer. The first-second reactant is adsorbed on the upper portion of the 1-1 precursor adsorption layer, that is, the surface of the first-first precursor adsorption layer, The process of generating the first monoatomic layer is performed by substitution.

제1-2차 반응체와 제1-1차 전구체는 서로 다른 구성 성분을 갖는다.The first-second reactant and the first-order precursor have different constituents.

제1단원자층은 제1-1차 전구체로 이루어진 제1-1차 전구체 흡착층과 제1-2차 반응체의 화학적 치환에 의해 생성되므로, 제1단원자층의 구성 성분은 제1-1차 전구체 및 제1-2차 반응체와 서로 다른 구성 성분을 갖는다.Since the first monoatomic layer is formed by chemical substitution of the first-order precursor adsorption layer composed of the first-order precursor and the first-second reactant, the constituents of the first-order atomic layer are It has different constituents from the precursor and the first-second reactant.

화학적 치환에 의해 제1단원자층이 생성되는 과정에서 제1-1차 전구체와 제1-2차 반응체의 구성 성분 중 남게된 구성 성분은 가스로 배출된다.In the process of generating the first monoatomic layer by chemical substitution, the remaining constituents among the constituents of the first-first precursor and the first-second reactant are discharged as gas.

제1-2차 반응체 흡착 및 치환 단계(S23)가 완료된 후, 제1차 사이클 반복 단계(S24)가 수행된다.After the first-second reactant adsorption and substitution step (S23) is completed, the first cycle repeat step (S24) is performed.

제1차 사이클 반복 단계(S24)는 전술한 제1-1차 전구체 흡착 단계(S21), 제1차 불활성기체 공급 단계(S22), 제1-2차 반응체 흡착 및 치환 단계(S23)를 순차적으로 수행하는 사이클을 반복하여, 복수층의 제1단원자층을 생성시켜 복수층의 제1단원자층으로 구성되는 제1박막층(30)을 형성시키는 과정이 수행된다.The first cycle repeating step (S24) includes the above-described first-first precursor adsorption step (S21), the first inert gas supply step (S22), and the first-second reactant adsorption and substitution step (S23). By repeating the sequentially performed cycle, a process of forming a first thin film layer 30 composed of a plurality of first monoatomic layers by generating a plurality of first monoatomic layers is performed.

이러한 제1차 사이클 반복 단계(S24)를 통해, 복수층의 제1단원자층으로 이루어지는 제1박막층(30)의 두께를 소정의 두께까지 형성시킬 수 있다.Through this first cycle repetition step (S24), the thickness of the first thin film layer 30 made of a plurality of first monoatomic layers may be formed to a predetermined thickness.

다시 말해, 제1차 사이클 반복 단계(S24)는 복수층의 제1단원자층으로 이루어지는 제1박막층(30)을 소정의 두께만큼 형성시킬 때까지 수행되며, 제1박막층(30)의 두께는 20㎚ 이상 ~ 3㎛ 이하가 되도록 하는 것이 바람직하다.In other words, the first cycle repetition step (S24) is performed until the first thin film layer 30 made of a plurality of first monoatomic layers is formed by a predetermined thickness, and the thickness of the first thin film layer 30 is 20 It is preferable to make it to be not less than nm and not more than 3 μm.

전술한 제1-1차 전구체 흡착 단계(S21)와, 제1차 불활성기체 공급 단계(S22)와, 제1-2차 반응체 흡착 및 치환 단계(S23)와, 제1차 사이클 반복 단계(S24)의 수행을 통해 제1박막층 형성 단계(S20)가 완료된 후, 제2박막층 형성 단계(S30)가 수행된다.The above-described first-first precursor adsorption step (S21), the first inert gas supply step (S22), the first-second reactant adsorption and substitution step (S23), and the first cycle repeating step ( After the first thin film forming step S20 is completed through the execution of S24), the second thin film forming step S30 is performed.

제2박막층 형성 단계(S30)에서는, 제2단원자층을 생성시키는 사이클을 반복적으로 수행하여 복수층의 제2단원자층으로 구성되는 제2박막층(40)을 형성시키는 과정이 수행된다.In the second thin film layer forming step (S30), a process of forming the second thin film layer 40 composed of a plurality of second monoatomic layers by repeatedly performing a cycle of generating the second monoatomic layer is performed.

제2박막층 형성 단계(S30)는, 제2-1차 전구체 흡착 단계(S31)와, 제2차 불활성기체 공급 단계(S32)와, 제2-2차 반응체 흡착 및 치환 단계(S33)와, 제2차 사이클 반복 단계(S34)를 포함하여 구성될 수 있다.The second thin film layer forming step (S30) includes a second-first precursor adsorption step (S31), a second inert gas supply step (S32), a second-second reactant adsorption and replacement step (S33), and , It may be configured to include a second cycle repetition step (S34).

제2-1차 전구체 흡착 단계(S31)에서는, 복수층의 제1단원자층으로 이루어진 제1박막층(30)의 상부, 즉, 제1박막층(30)의 표면에 제2-1차 전구체를 공급하여 제1박막층(30)의 상부, 즉, 제1박막층(30)의 표면에 제2-1차 전구체를 흡착시켜 제2-1차 전구체 흡착층을 형성시키는 과정이 수행된다. 이 경우, 제2-1차 전구체 흡착층 자기 제한적 반응에 의해 1개의 층만으로 형성된다.In the second-first precursor adsorption step (S31), the second-first precursor is supplied to the upper portion of the first thin film layer 30 consisting of a plurality of first monoatomic layers, that is, to the surface of the first thin film layer 30. Thus, a process of forming the second-first precursor adsorption layer by adsorbing the second-first precursor on the upper portion of the first thin film layer 30, that is, on the surface of the first thin film layer 30 is performed. In this case, the second-first precursor adsorption layer is formed by only one layer by self-limiting reaction.

제2-1차 전구체 흡착 단계(S31)가 완료된 후, 제2차 불활성기체 공급 단계(S32)가 수행된다.After the second-first precursor adsorption step (S31) is completed, the second inert gas supply step (S32) is performed.

제2차 불활성기체 공급 단계(S32)에서는, 불활성 기체를 공급하여 제2-1차 전구체 흡착층에서 과잉의 제2-1차 전구체를 제거하는 과정이 수행된다. 이 경우, 불활성 기체는 자기 제한적 반응에 의해 1개의 층만을 형성한 제2-1차 전구체 흡착층에 잔존하는 과잉의 제2-1차 전구체를 제거하게 된다.In the second inert gas supply step (S32), a process of supplying an inert gas to remove the excess second-first precursor from the second-first precursor adsorption layer is performed. In this case, the inert gas removes the excess second-primary precursor remaining in the second-first-order precursor adsorption layer in which only one layer is formed by a self-limiting reaction.

제2차 불활성기체 공급 단계(S32)가 완료된 후, 제2-2차 반응체 흡착 및 치환 단계(S33)가 수행된다.After the second inert gas supply step (S32) is completed, the second-second reactant adsorption and replacement step (S33) is performed.

제2-2차 반응체 흡착 및 치환 단계(S33)에서는, 제2-1차 전구체 흡착층의 상부, 즉, 제2-1전구체 흡착층의 표면에 제1-2차 반응체를 공급하여 제2-1전구체 흡착층의 상부, 즉, 제2-1전구체 흡착층의 표면에 제2-2차 반응체를 흡착시키고, 제2-1차 전구체 흡착층과 제2-2차 반응체의 화학적 치환에 의해 제2단원자층을 생성시키는 과정이 수행된다.In the second-secondary reactant adsorption and replacement step (S33), the first-second reactant is supplied to the upper portion of the second-first precursor adsorption layer, that is, the surface of the second-first precursor adsorption layer. The second-second reactant is adsorbed on the top of the 2-1 precursor adsorption layer, that is, the surface of the 2-1 precursor adsorption layer, and the chemical of the second-first precursor adsorption layer and the second-second reactant The process of generating the second monoatomic layer is performed by substitution.

제2-2차 반응체와 제2-1차 전구체는 서로 다른 구성 성분을 갖는다.The second-secondary reactant and the second-first-order precursor have different constituents.

제2단원자층은 제2-1차 전구체로 이루어진 제2-1차 전구체 흡착층과 제2-2차 반응체의 화학적 치환에 의해 생성되므로, 제2단원자층의 구성 성분은 제2-1차 전구체 및 제2-2차 반응체와 서로 다른 구성 성분을 갖는다.Since the second monoatomic layer is formed by chemical substitution of the second-first precursor adsorption layer composed of the second-first precursor and the second-second reactant, the constituents of the second monoatomic layer are It has different constituents from the precursor and the second-secondary reactant.

화학적 치환에 의해 제2단원자층이 생성되는 과정에서 제2-1차 전구체와 제2-2차 반응체의 구성 성분 중 남게된 구성 성분은 가스로 배출된다.In the process of generating the second monoatomic layer by chemical substitution, the remaining constituents of the constituents of the second-primary precursor and the second-secondary reactant are discharged as gas.

제2-2차 반응체 흡착 및 치환 단계(S33)가 완료된 후, 제2차 사이클 반복 단계(S34)가 수행된다.After the second-second reactant adsorption and substitution step (S33) is completed, the second cycle repeating step (S34) is performed.

제2차 사이클 반복 단계(S34)는 전술한 제2-1차 전구체 흡착 단계(S31), 제2차 불활성기체 공급 단계(S32), 제2-2차 반응체 흡착 및 치환 단계(S33)를 순차적으로 수행하는 사이클을 반복하여, 복수층의 제2단원자층을 생성시켜 복수층의 제2단원자층으로 구성되는 제2박막층(40)을 형성시키는 과정이 수행된다.The second cycle repetition step (S34) includes the second-first precursor adsorption step (S31), the second inert gas supply step (S32), and the second-second reactant adsorption and substitution step (S33). By repeating the sequentially performed cycle, a process of forming a second thin film layer 40 composed of a plurality of second monoatomic layers by generating a plurality of second monoatomic layers is performed.

이러한 제2차 사이클 반복 단계(S34)를 통해, 복수층의 제2단원자층으로 이루어지는 제2박막층(40)의 두께를 소정의 두께까지 형성시킬 수 있다.Through this second cycle repetition step (S34), the thickness of the second thin film layer 40 comprising a plurality of second monoatomic layers may be formed to a predetermined thickness.

다시 말해, 제2차 사이클 반복 단계(S34)는 복수층의 제2단원자층으로 이루어지는 제2박막층(40)을 소정의 두께만큼 형성시킬 때까지 수행되며, 제2박막층(40)의 두께는 20㎚ 이상 ~ 3㎛ 이하가 되도록 하는 것이 바람직하다.In other words, the second cycle repeating step (S34) is performed until a second thin film layer 40 comprising a plurality of second monoatomic layers is formed to a predetermined thickness, and the thickness of the second thin film layer 40 is 20 It is preferable to make it to be not less than nm and not more than 3 μm.

전술한 제2-1차 전구체 흡착 단계(S31)와, 제2차 불활성기체 공급 단계(S32)와, 제2-2차 반응체 흡착 및 치환 단계(S33)와, 제2차 사이클 반복 단계(S34)의 수행을 통해 제2박막층 형성 단계(S30)가 완료되면, 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 다중 박막층을 구비한 부재(1)의 다중 박막층 형성이 완료된다.The second-first precursor adsorption step (S31), the second inert gas supply step (S32), the second-second reactant adsorption and substitution step (S33), and the second cycle repeating step ( When the second thin film layer forming step S30 is completed through the execution of S34), the formation of the multiple thin film layers of the member 1 having the multiple thin film layers according to the preferred embodiment of the present invention is completed.

전술한 제2단원자층, 즉, 제2박막층(40)의 구성 성분은 제1단원자층, 즉, 제1박막층(30)의 구성 성분과 서로 다른 구성 성분을 갖는다.The constituent components of the above-described second monoatomic layer, that is, the second thin film layer 40, have a constituent component different from that of the first monoatomic layer, that is, the first thin film layer 30.

예컨데, 제2단원자층, 즉, 제2박막층(40)의 구성 성분이 산화 알루미늄(Al2O3)인 경우, 제1단원자층, 즉, 제1박막층(30)의 구성 성분은 이산화 규소(SiO2)이다.For example, when the constituent component of the second monoatomic layer, that is, the second thin film layer 40 is aluminum oxide (Al 2 O 3 ), the constituent of the first monoatomic layer, that is, the first thin film layer 30 is silicon dioxide ( SiO 2 ).

위와 같이, 제1박막층(30) 및 제2박막층(40)이 서로 다른 구성 성분을 갖음에 따라, 제1-1차 전구체 및 제2-1차 전구체는 서로 다른 구성 성분을 갖거나, 제2-1반응체 및 제2-2반응체는 서로 다른 구성 성분을 갖게 된다.As above, as the first thin film layer 30 and the second thin film layer 40 have different constituents, the first-first precursor and the second-first precursor have different constituents or the second Reactant -1 and reactant 2-2 have different constituents.

예컨데, 제1-1차 전구체 및 제2-1차 전구체가 서로 동일한 구성 성분을 갖는다하여도, 제2-1반응체 및 제2-2반응체는 서로 다른 구성 성분을 갖음으로써, 복수층의 제1단원자층으로 구성되는 제1박막층(30)의 구성 성분과, 복수층의 제2단원자층으로 구성되는 제2박막층(40)의 구성 성분은 서로 다른 구성 성분을 갖을 수 있는 것이다. 다시 말해, 제1-1차 전구체 및 제2-1차 전구체 또는 제2-1반응체 및 제2-2반응체 중 적어도 어느 한 쌍은 서로 다른 구성 성분을 갖아야 한다.For example, even if the first-first precursor and the second-first precursor have the same constituent components, the 2-1 reactant and the 2-2 reactant have different constituents, The constituent components of the first thin film layer 30 composed of the first monoatomic layer and the constituent components of the second thin film layer 40 composed of a plurality of second monoatomic layers may have different constituents. In other words, at least one pair of the first-first precursor and the second-first precursor or the second-first and second-second reactants must have different constituents.

전술한 구성을 갖는 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 다중 박막층을 구비한 부재(1)는 다음과 같은 효과를 갖는다.The member 1 having multiple thin film layers according to a preferred embodiment of the present invention having the above-described configuration has the following effects.

모재(10)의 상부에 도금층(20)을 형성하고, 그 상부에 제1박막층(30) 및 제2박막층(40)을 형성함으로써, 모재(10)의 재질에 상관 없이 다중 박막층을 쉽게 형성시킬 수 있다.By forming the plating layer 20 on the top of the base material 10, and forming the first thin film layer 30 and the second thin film layer 40 on the top, it is possible to easily form multiple thin film layers regardless of the material of the base material 10. I can.

모재(10)의 상부에 도금층(20)이 형성되고, 그 상부에 제1박막층(30) 및/또는 제2박막층(40)이 구비되어 있으므로, 모재(10)의 내부의 첨가성분 등 이물질(도 6(a)의 도면부호 11)이 제1박막층(30)에 막혀 용출되지 못한다.Since the plating layer 20 is formed on the top of the base material 10 and the first thin film layer 30 and/or the second thin film layer 40 is provided thereon, foreign substances such as additives inside the base material 10 ( Reference numeral 11) of FIG. 6(a) is blocked by the first thin film layer 30 and cannot be eluted.

상세하게 설명하면, 도 4(a)에 도시된 바와 같이, 종래의 박막층을 구비한 부재(1')의 모재(10')의 내부에 이물질(11')이 있을 경우, 시간이 지남에 따라, 이물질(11')의 모재(10')의 표면, 즉, 도 4(a)에서 상부로 용출되려 한다.In detail, as shown in Fig. 4(a), when there is a foreign material 11' inside the base material 10' of the member 1'having a conventional thin film layer, as time passes , The surface of the base material 10' of the foreign matter 11', that is, is about to be eluted upward in FIG. 4(a).

이물질(11')은 모재(11') 자체에 포함된 이물질 성분이거나, 모재(11')가 합금일 경우, 첨가성분 중 어느 하나일 수 있다. 이 경우, 첨가성분은 합금을 제조할 때 첨가되는 각종 원소(Mn, Si, Mg, Cu, Zn, Cr 등)를 의미한다.The foreign material 11 ′ may be a foreign material component contained in the base material 11 ′ itself, or when the base material 11 ′ is an alloy, may be any one of the additive components. In this case, the additive component refers to various elements (Mn, Si, Mg, Cu, Zn, Cr, etc.) added when preparing the alloy.

도 4(b)와 같이, 이물질(11')이 모재(10')의 내부에서 표면으로 이동될 경우, 모재(10')의 표면의 박막층(20')은 이물질(11')로 인해, 크랙이 발생하게 된다.As shown in FIG. 4(b), when the foreign material 11' moves from the inside of the base material 10' to the surface, the thin film layer 20' on the surface of the base material 10' is due to the foreign material 11', Cracks will occur.

이후, 도 4(c)와 같이, 이물질(11')이 모재(10')의 표면으로 더욱 이동될 경우, 상기 크랙은 더욱 크게 발생되어, 박막층(20')의 파손 및 결손이 발생하고, 이로 인해, 이물질(11')이 박막층을 구비한 부재(1')의 외부로 용출되어 공정챔버 등의 오염의 주원인이 된다.Thereafter, as shown in FIG. 4(c), when the foreign material 11' is further moved to the surface of the base material 10', the crack is generated even more, resulting in breakage and defect of the thin film layer 20', For this reason, the foreign matter 11' is eluted to the outside of the member 1'provided with the thin film layer, which becomes the main cause of contamination of the process chamber or the like.

그러나, 도 5(a) 내지 도 5(c)에 도시된 바와 같이, 본 발명의 다중 박막층을 구비한 부재(1)의 경우, 모재(10)의 이물질(11)이 모재(10)의 표면으로 이동되어 도금층(20)에 크랙이 발생하게 되더라도, 도금층(20)의 상부에 형성된 제1박막층(30)이 이물질(11)의 용출을 저지하게 되며, 이로 인해, 이물질(11)이 다중 박막층을 구비한 부재(1)의 외부로 용출되는 것을 효과적으로 방지할 수 있다.However, as shown in FIGS. 5(a) to 5(c), in the case of the member 1 having multiple thin film layers of the present invention, the foreign matter 11 of the base material 10 is the surface of the base material 10 Even if a crack occurs in the plating layer 20 by moving to the plating layer 20, the first thin film layer 30 formed on the plating layer 20 prevents the elution of the foreign material 11, and thus, the foreign material 11 becomes a multi-thin film layer. It is possible to effectively prevent elution to the outside of the member 1 provided with.

특히, 본 발명의 경우, 도 5(a) 내지 도 5(c)에는 도시되지 않았으나, 제1박막층(30)의 상부에 형성된 제2박막층(40)이 형성된 경우, 위와 같은 이물질(11)의 용출 저지 효과는 더욱 두드러지게 나타난다.In particular, in the case of the present invention, although not shown in FIGS. 5(a) to 5(c), when the second thin film layer 40 formed on the first thin film layer 30 is formed, The dissolution inhibiting effect is more pronounced.

위와 같이, 제1박막층(30) 또는 제2박막층(40)이 이물질(11)의 용출을 쉽게 저지할 수 있는 것은 제1박막층(30) 및 제2박막층(40)의 구조가 도금층(20)에 비해 치밀하기 때문이다. 따라서, 이물질(11)의 이동으로 인해, 제1박막층(30) 및 제2박막층(40)의 크랙이 쉽게 발생되지 않는다.As above, the first thin film layer 30 or the second thin film layer 40 can easily prevent the elution of the foreign matter 11, the structure of the first thin film layer 30 and the second thin film layer 40 is the plating layer 20 This is because it is more compact than. Accordingly, cracks in the first thin film layer 30 and the second thin film layer 40 are not easily generated due to the movement of the foreign material 11.

본 발명의 다중 박막층을 구비한 부재(1)는 도금층(20)으로 인해, 비평탄한모재(10)의 평탄화를 쉽게 달성할 수 있으며, 이를 통해, 다중 박막층을 구비한 부재(1)가 플라즈마 환경 등에 있을 경우, 다중 박막층을 구비한 부재(1)의 일정 부분에 전류가 몰려 발생되는 아킹 현상으로 인해 다중 박막층을 구비한 부재(1)의 박막층들이 박리되거나 파손되는 것을 효과적으로 방지할 수 있다.The member 1 having multiple thin-film layers of the present invention can easily achieve flattening of the non-flat base material 10 due to the plating layer 20, and through this, the member 1 having multiple thin-film layers can be used in a plasma environment. In the case of the like, it is possible to effectively prevent the thin film layers of the member 1 provided with the multiple thin film layers from being peeled off or damaged due to the arcing phenomenon caused by the current being concentrated in a certain part of the member 1 provided with the multi thin film layer.

상세하게 설명하면, 도 6(a) 및 도 6(b)에 도시된 바와 같이, 종래의 박막층을 구비한 부재(1")의 박막층(30")이 단원자층으로 이루어진 경우, 비평탄한 모재(10")의 굴곡진 형상을 따라 박막층(30")이 형성되게 된다. 이는 단원자층이 상대적으로 얇은 두께를 갖고 있으며, 단차 피복성이 높기 때문이다.In detail, as shown in Figs. 6(a) and 6(b), when the thin film layer 30" of the member 1" having a conventional thin film layer is made of a single-atomic layer, a non-flat base material ( The thin film layer 30" is formed along the curved shape of 10"). This is because the monoatomic layer has a relatively thin thickness and has high step coverage.

따라서, 종래의 박막층을 구비한 부재(1")는 박막층(30")이 형성되더라도, 볼록한 부분인 X 영역과, 오목한 부분인 Y 영역이 발생되게 되며, 종래의 박막층을 구비한 부재(1")가 플라즈마 환경 등에 노출될 경우, X 영역 및 Y 영역에 아킹현상이 발생되어 박막층(30")이 박리 또는 파손될 수 있으며, 이로 인해, 모재(10")의 파손이 발생할 수 있다.Accordingly, in the conventional member 1" having a thin film layer, even if the thin film layer 30" is formed, an X region as a convex portion and a Y region as a concave portion are generated, and the member 1" having a conventional thin film layer ) Is exposed to a plasma environment, etc., an arcing phenomenon occurs in the X region and the Y region, so that the thin film layer 30" may be peeled or damaged, and thus, the base material 10" may be damaged.

그러나, 도 7(a) 및 도 7(b)에 도시된 바와 같이, 본 발명의 다중 박막층을 구비한 부재(1)의 경우, 비평탄한 모재(10)의 상부에 상대적으로 두꺼운 두께를 갖는 도금층(20)이 형성되고, 도금층(20)의 상부에 제1단원자층으로 이루어진 제1박막층(30)이 형성되므로, 도금층(20)이 모재(10)의 굴곡진 부분을 모두 메꾸게 되며, 이를 통해, 평탄한 도금층(20)의 상부에 제1박막층(30)이 형성될 수 있다.However, as shown in FIGS. 7(a) and 7(b), in the case of the member 1 having multiple thin film layers of the present invention, a plating layer having a relatively thick thickness on the top of the non-flat base material 10 Since (20) is formed, and the first thin film layer 30 made of a first single atomic layer is formed on the top of the plating layer 20, the plating layer 20 fills all the curved portions of the base material 10, and this Through this, the first thin film layer 30 may be formed on the flat plating layer 20.

따라서, 다중 박막층을 구비한 부재(1)가 플라즈마 환경 등에 노출되더라도 X' 영역 및 Y' 영역에 아킹현상이 발생하는 것을 효과적으로 방지할 수 있는 것이다.Accordingly, even if the member 1 having multiple thin film layers is exposed to a plasma environment, it is possible to effectively prevent the occurrence of arcing in the X'region and the Y'region.

다시 말해, 본 발명의 경우, 상대적으로 얇은 두께를 갖는 제1박막층(30) 및 제2박막층(40) 대신에 상대적으로 두꺼운 두께를 갖는 도금층(20)이 형성됨으로써, 다중 박막층의 두꺼운 두께를 쉽게 확보할 수 있고, 도금층(20)을 통해 비평탄한 모재(10)를 쉽게 평탄화할 수 있으며, 이를 통해, 아킹 현상의 방지 및 다중 박막층 파손의 방지를 쉽게 달성할 수 있다.In other words, in the case of the present invention, a plating layer 20 having a relatively thick thickness is formed instead of the first thin film layer 30 and the second thin film layer 40 having a relatively thin thickness, so that the thick thickness of the multiple thin film layers is easily reduced. It can be secured, and it is possible to easily flatten the non-flat base material 10 through the plating layer 20, and through this, it is possible to easily achieve the prevention of arcing phenomenon and the prevention of breakage of multiple thin film layers.

본 발명의 다중 박막층을 구비한 부재(1)의 경우, 도금층(20)의 두께는 제1박막층(30) 및 제2박막층(40)의 두께보다 두꺼운 것이 바람직하며, 특히, 도금층(20)의 두께는 3㎛ 초과인 것이 바람직하다.In the case of the member 1 having multiple thin film layers of the present invention, the thickness of the plating layer 20 is preferably thicker than the thickness of the first thin film layer 30 and the second thin film layer 40, and in particular, the thickness of the plating layer 20 It is preferable that the thickness is more than 3 μm.

본 발명의 다중 박막층을 구비한 부재(1)는 다중 박막층에 종래의 양극산화막의 기공이 형성되어 있지 않으므로, 종래의 양극산화막에서 발생되는 아웃가싱 현상을 원천적으로 차단할 수 있다.In the member 1 having a multiple thin film layer of the present invention, since pores of the conventional anodic oxide film are not formed in the multiple thin film layers, the outgassing phenomenon occurring in the conventional anodic oxide film can be fundamentally blocked.

제1박막층(30)과 제2박막층(40)이 서로 다른 구성 성분을 갖음으로써, 다양한 특성을 갖는 다중 박막층을 구비한 부재(1)를 제작할 수 있다.Since the first thin film layer 30 and the second thin film layer 40 have different constituent components, a member 1 having multiple thin film layers having various characteristics can be manufactured.

예컨데, 제1박막층(30)이 내열성의 특성을 갖는 구성 성분으로 형성되고, 제2박막층(40)이 내식성의 특성을 갖는 구성 성분으로 형성될 경우, 다중 박막층을 구비한 부재(1)는 높은 내열성과 높은 내식성의 특성을 동시에 갖을 수 있는 것이다.For example, when the first thin film layer 30 is formed of a component having heat resistance properties, and the second thin film layer 40 is formed of a component having corrosion resistance properties, the member 1 having multiple thin film layers is high. It can have heat resistance and high corrosion resistance at the same time.

또한, 내전압성의 특성을 갖는 구성 성분으로 형성되고, 제2박막층(40)이 내플라즈마성의 특성을 갖는 구성 성분으로 형성될 경우, 다중 박막층을 구비한 부재(1)는 높은 내전압성과 높은 내플라즈마성의 특성을 동시에 갖을 수 있는 것이다.In addition, when the second thin film layer 40 is formed of a component having a characteristic of plasma resistance, and the second thin film layer 40 is formed of a component having a characteristic of plasma resistance, the member 1 having multiple thin film layers has high voltage resistance and high plasma resistance. It can have characteristics at the same time.

전술한 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 다중 박막층을 구비한 부재(1)는 제2박막층(40)의 상부에 형성되는 단원자층으로 구성되는 복수개의 단원자 박막층을 더 포함하여 구성될 수 있다.The member 1 having a multi-thin film layer according to the preferred embodiment of the present invention may further include a plurality of monoatomic thin film layers composed of a monoatomic layer formed on the second thin film layer 40.

예컨데, 전술한 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 다중 박막층을 구비한 부재(1)는 제2박막층(40)의 상부에 형성되는 제3박막층(미도시)과, 제3박막층의 상부에 형성되는 제4박막층(미도시)과, 제4박막층의 상부에 형성되는 제5박막층(미도시)을 더 포함하여 구성될 수 있다. 이 경우, 복수개의 단원자 박막층(즉, 제3박막층 내지 제5박막층)의 형성 방법 및 구성은 전술한 제2박막층(40)과 동일하며, 이에 대한 설명은 생략한다. 여기서, 단원자 박막층의 개수에는 한정이 없다.For example, the member 1 having multiple thin film layers according to the preferred embodiment of the present invention described above includes a third thin film layer (not shown) formed on the second thin film layer 40, and a third thin film layer formed on the third thin film layer. A fourth thin film layer (not shown) and a fifth thin film layer (not shown) formed on the fourth thin film layer may be further included. In this case, the method and configuration of the plurality of monoatomic thin film layers (ie, the third thin film layer to the fifth thin film layer) are the same as those of the second thin film layer 40 described above, and a description thereof will be omitted. Here, there is no limit to the number of monoatomic thin film layers.

위와 같은 복수개의 단원자 박막층은 전술한 제1박막층(30) 및 제2박막층(40)과 서로 다른 구성 성분을 갖는 것이 바람직하다.It is preferable that the plurality of monoatomic thin film layers as described above have components different from those of the first thin film layer 30 and the second thin film layer 40 described above.

다시 말해, 복수개의 단원자 박막층, 제1박막층(30) 및 제2박막층(40)은 서로 다른 구성 성분을 갖는 것이 바람직하며, 이를 통해, 다중 박막층을 구비한 부재(1)에 서로 다른 특성을 부여할 수 있다.In other words, it is preferable that the plurality of monoatomic thin film layers, the first thin film layer 30 and the second thin film layer 40 have different constituents, and through this, different characteristics are provided to the member 1 provided with the multiple thin film layers. Can be given.

제1박막층(30)은 복수층의 제1단원자층이 아닌, 1개층, 즉, 단수층의 제1단원자층으로 구성될 수 있으며, 제2박막층(40) 또한 복수층의 제2단원자층이 아닌, 1개층, 즉, 단수층의 제2단원자층으로 구성될 수도 있다.The first thin film layer 30 may be composed of a single layer, that is, a first single atomic layer of a single layer, rather than a first single atomic layer of a plurality of layers, and the second thin film layer 40 is also composed of a second single atomic layer of a plurality of layers. Alternatively, it may be composed of one layer, that is, the second monoatomic layer of a single layer.

또한, 복수개의 단원자 박막층(즉, 제3박막층 내지 제5박막층)의 경우에도, 복수층의 단원자층으로 구성될 수도 있고, 단수층의 단원자층으로도 구성될 수 있다. 여기서, 단원자 박막층의 개수에는 한정이 없다.In addition, even in the case of a plurality of monoatomic thin-film layers (ie, the third to fifth thin-film layers), it may be composed of a plurality of monoatomic layers, or may be composed of a single monoatomic layer. Here, there is no limit to the number of monoatomic thin film layers.

따라서, 제1박막층(30), 제2박막층(40) 및 복수개의 단원자 박막층(제3박막층 내지 제5박막층)은 단수층의 단원자층으로 구성되거나, 복수층의 단원자층으로 구성되는 조합을 선택적으로 형성시킬 수 있다.Therefore, the first thin film layer 30, the second thin film layer 40, and a plurality of monoatomic thin film layers (third to fifth thin film layers) are composed of a single layer of a single layer or a combination consisting of a plurality of layers of a single layer. It can be formed selectively.

예컨데, 제1박막층(30)의 제1단원자층은 복수층으로 구성되고, 제2박막층(40)은 단수층의 제2단원자층으로 구성되고, 제3박막층은 단수층의 제3단원자층으로 구성되고, 제4박막층은 단수층의 제4단원자층으로 구성되고, 제5박막층은 단수층의 제5단원자층으로 구성될 수도 있다. 이와 달리, 2박막층(30)의 제1단원자층은 복수층으로 구성되고, 제2박막층(40)은 복수층의 제2단원자층으로 구성되고, 제3박막층은 단수층의 제3단원자층으로 구성되고, 제4박막층은 단수층의 제4단원자층으로 구성되고, 제5박막층은 복수층의 제5단원자층으로 구성될 수도 있다.For example, the first single atomic layer of the first thin film layer 30 is composed of a plurality of layers, the second thin film layer 40 is composed of a second single atomic layer of a single layer, and the third thin film layer is composed of a third terminal atomic layer of a single layer. The fourth thin film layer may be composed of a fourth atomic layer of a single layer, and the fifth thin film layer may be composed of a fifth atomic layer of a singular layer. In contrast, the first single atomic layer of the two thin film layer 30 is composed of a plurality of layers, the second thin film layer 40 is composed of a plurality of second single atomic layers, and the third thin film layer is composed of a third single atomic layer of a single layer. The fourth thin film layer may be composed of a fourth atomic layer of a single layer, and the fifth thin film layer may be composed of a plurality of fifth atomic layers.

다시 말해, 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 다중 박막층을 구비한 부재(1)는, ⅰ) 모재(10)의 상부에 형성된 도금층(20)과, 도금층(20)의 상부에 복수개의 단원자 박막층이 형성되되, 복수개의 단원자 박막층은 단원자층이 단수층만으로 이루어진 형태, ⅱ) 모재(10)의 상부에 형성된 도금층(20)과, 도금층(20)의 상부에 복수개의 단원자 박막층이 형성되되, 복수개의 단원자 박막층은 단원자층이 복수층만으로 이루어진 형태, ⅲ) 모재(10)의 상부에 형성된 도금층(20)과, 도금층(20)의 상부에 복수개의 단원자 박막층이 형성되되, 복수개의 단원자 박막층은 단원자층이 단수층 및 복수층이 조합되어 이루어진 형태를 모두 포함하여 구성 될 수 있다.In other words, the member 1 having multiple thin film layers according to a preferred embodiment of the present invention includes: i) a plating layer 20 formed on the base material 10, and a plurality of monoatomic thin film layers on top of the plating layer 20. In the form of a plurality of monoatomic thin film layers, a monoatomic layer is formed of only a single layer, ii) a plating layer 20 formed on the top of the base material 10, and a plurality of monoatomic thin film layers are formed on the top of the plating layer 20. , In the plurality of monoatomic thin film layers, the monoatomic layer is composed of only a plurality of layers, iii) a plating layer 20 formed on the base material 10, and a plurality of monoatomic thin film layers are formed on top of the plating layer 20, The single-atomic thin-film layer may include both a single-layer and a combination of multiple layers.

위와 같이, 제1박막층(30), 제2박막층(40) 및 복수개의 단원자 박막층(제3박막층 내지 제5박막층) 각각의 단원자층을 단수층 또는 복수층으로 선택적으로 형성시킴으로써, 다중 박막층을 구비한 부재(1)의 박막층의 두께를 원하는 두께로 용이하게 형성시킬 수 있는 이점이 있다.As above, the first thin film layer 30, the second thin film layer 40, and a plurality of monoatomic thin-film layers (third to fifth thin-film layers) are selectively formed into a single layer or a plurality of layers, thereby forming a multi-thin layer. There is an advantage that the thickness of the thin film layer of the provided member 1 can be easily formed to a desired thickness.

이하, 도 8을 참조하여, 전술한 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 다중 박막층을 구비한 부재(1)가 그 내부면을 구성하거나, 그 내부에 설치되는 화학 기상 증척 공정용 공정 챔버(100)에 대해 설명한다.Hereinafter, with reference to FIG. 8, the member 1 having a multi-thin layer according to a preferred embodiment of the present invention constitutes an inner surface thereof, or a process chamber 100 for a chemical vapor deposition process installed therein. Explain about.

도 8은 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 다중 박막층을 구비한 부재가 그 내부면을 이루거나 그 내부에 설치되는 부품을 이루는 화학 기상 증착 공정이 수행되는 화학 기상 증착 공정용 공정챔버를 도시한 도이다.FIG. 8 is a diagram showing a process chamber for a chemical vapor deposition process in which a chemical vapor deposition process is performed in which a member having multiple thin film layers forms an inner surface or forms a component installed therein according to a preferred embodiment of the present invention. to be.

본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 다중 박막층을 구비한 부재(1)는 화학 기상 증착 공정용 공정챔버(100)의 내부면을 구성하거나, 내부 부품을 이루게 되어 내부 부품으로 설치될 수 있다.The member 1 having a multi-thin film layer according to an exemplary embodiment of the present invention may constitute an inner surface of the process chamber 100 for a chemical vapor deposition process, or may form an inner part and be installed as an inner part.

화학 기상 증착 공정용 공정챔버(100)는 화학 기상 증착 공정용 공정챔버(100) 외부에 구비되는 기체 유량 장치(MFC, Mass Flow Controller)(110)와, 화학 기상 증착 공정용 공정챔버(100) 내부에 설치되어 기판(S)을 지지하는 서셉터(Susceptor)(120)와, 화학 기상 증착 공정용 공정챔버(100) 상부에 배치되는 백킹 플레이트(Backing plate)(130)와, 백킹 플레이트(130) 하부에 배치되어 기판(S)으로 공정가스를 공급하는 디퓨저(Diffuser)(140)와, 서셉터(120)와 디퓨저(140) 사이에 배치되어 기판(S)의 가장자리를 커버하는 쉐도우 프레임(Shadow frame)(150)와, 공정가스 공급부(미도시)에서 공급되는 공정가스가 배기되는 공정가스 배기부(160)와, 공정가스 공급부 및 공정가스 배기부에 설치되는 가드링(미도시)과, 공정가스 공급부 및 공정가스 배기부에 설치되는 슬릿밸브(미도시)를 포함하여 구성된다.The process chamber 100 for a chemical vapor deposition process includes a gas flow device (MFC, Mass Flow Controller) 110 provided outside the process chamber 100 for a chemical vapor deposition process, and a process chamber 100 for a chemical vapor deposition process. A susceptor 120 installed inside and supporting the substrate S, a backing plate 130 disposed above the process chamber 100 for a chemical vapor deposition process, and a backing plate 130 ) A diffuser 140 disposed below to supply a process gas to the substrate S, and a shadow frame disposed between the susceptor 120 and the diffuser 140 to cover the edge of the substrate S ( Shadow frame) 150, a process gas exhaust unit 160 through which the process gas supplied from the process gas supply unit (not shown) is exhausted, and a guard ring (not shown) installed in the process gas supply unit and the process gas exhaust unit , And a slit valve (not shown) installed in the process gas supply unit and the process gas exhaust unit.

화학 기상 증착 공정용 공정챔버(100)의 기체 유량 장치(110), 서셉터(120), 백킹 플레이트(130), 디퓨저(140), 쉐도우 프레임(150), 상기 공정가스 공급부, 공정가스 배기부(160), 가드링 및 슬릿밸브의 구성 및 기능은 종래의 화학 기상 증착 공정용 공정챔버의 경우와 같으므로 이에 대한 자세한 설명은 생략한다.The gas flow device 110 of the process chamber 100 for a chemical vapor deposition process, the susceptor 120, the backing plate 130, the diffuser 140, the shadow frame 150, the process gas supply part, the process gas exhaust part Since the configuration and function of the guard ring and the slit valve 160 are the same as those of the conventional process chamber for a chemical vapor deposition process, a detailed description thereof will be omitted.

화학 기상 증착 공정용 공정챔버(100)의 내부면, 서셉터(120), 백킹 플레이트(130), 디퓨저(140), 쉐도우 프레임(150), 가드링 및 슬릿밸브 중 적어도 어느 하나는 다중 박막층을 구비한 부재(1)로 이루어질 수 있다. At least one of the inner surface of the process chamber 100 for the chemical vapor deposition process, the susceptor 120, the backing plate 130, the diffuser 140, the shadow frame 150, the guard ring, and the slit valve forms a multi-thin layer. It may be made of the provided member (1).

화학 기상 증착 공정용 공정챔버(100)는 상기 공정가스 공급부에서 공급된 공정 가스가 백킹 플레이트(130)로 유입된 후, 디퓨저(140)의 관통홀(141)을 통해 기판(S)으로 분사됨으로써, 기판(S)에 화학 기상 증착 공정을 수행하게 되며, 상기 공정가스는 플라즈마 상태의 가스로서 강한 부식성과 침식성을 가지고 있고, 화학 기상 증착 공정용 공정챔버(100)의 내부면과 화학 기상 증착 공정용 공정챔버(100) 내부에 설치되는 서셉터(120) 및 백킹 플레이트(130), 디퓨저(140), 쉐도우 프레임(150), 공정가스 배기부(160), 가드링 및 슬릿밸브 등(이하, '내부 부품' 이라 한다)은 상기 공정가스와 접촉하게 된다.The process chamber 100 for a chemical vapor deposition process is injected into the substrate S through the through hole 141 of the diffuser 140 after the process gas supplied from the process gas supply unit flows into the backing plate 130. , A chemical vapor deposition process is performed on the substrate (S), and the process gas is a gas in a plasma state and has strong corrosiveness and erosion, and the inner surface of the process chamber 100 for a chemical vapor deposition process and a chemical vapor deposition process The susceptor 120 and the backing plate 130, the diffuser 140, the shadow frame 150, the process gas exhaust unit 160, the guard ring and the slit valve installed inside the process chamber 100 for use (hereinafter, (Referred to as'internal parts') comes into contact with the process gas.

다중 박막층을 구비한 부재(1)는 도금층(20) 및 제1박막층(30) 또는 도금층(20) 내지 제2박막층(40)이 형성되어 있으므로, 내열성, 내식성, 내전압성 및 내플라즈마성을 향상시키면서 동시에 종래의 다공층에 따른 아웃가싱 및 파티클 생성의 문제가 해소되고, 화학 기상 증착 공정용 공정챔버(100)에 의해 제조되는 완제품의 수율이 향상되며, 화학 기상 증착 공정용 공정챔버(100)의 공정 효율이 향상되고, 유지 보수 사이클이 높아지게 된다.The member 1 having multiple thin-film layers has a plating layer 20 and a first thin film layer 30, or a plating layer 20 to the second thin film layer 40, so that heat resistance, corrosion resistance, voltage resistance, and plasma resistance are improved. At the same time, the problem of outgassing and particle generation due to the conventional porous layer is solved, the yield of the finished product manufactured by the process chamber 100 for a chemical vapor deposition process is improved, and the process chamber 100 for a chemical vapor deposition process Process efficiency is improved, and maintenance cycle is increased.

이하, 도 9를 참조하여, 전술한 본 발명의 바람직한 실시 예의 다중 박막층을 구비한 부재(1)가 그 내부면을 구성하거나, 그 내부에 설치되는 건식 식각 공정용 공정챔버(200)에 대해 설명한다.Hereinafter, with reference to FIG. 9, a description will be given of a process chamber 200 for a dry etching process in which the member 1 having a multi-thin layer according to a preferred embodiment of the present invention constitutes an inner surface thereof or is installed therein. do.

도 9는 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 다중 박막층을 구비한 부재가 그 내부면을 이루거나 그 내부에 설치되는 부품을 이루는 건식 식각 공정이 수행되는 건식 식각 공정용 공정챔버를 도시한 도이다.9 is a diagram illustrating a process chamber for a dry etching process in which a dry etching process is performed in which a member having multiple thin film layers forms an inner surface or forms a component installed therein according to a preferred embodiment of the present invention.

도 9에 도시된 바와 같이, 건식 식각 공정용 공정챔버(200)는 건식 식각 공정용 공정챔버(200)의 외부에 구비되는 기체 유량 장치(210)와, 건식 식각 공정용 공정챔버(200) 내부에 설치되어 기판(S)을 지지하는 하부 전극(Bottom electrode)(220)과, 하부 전극(220) 상부에 배치되어 기판(S)으로 공정가스를 공급하는 상부 전극(Upper eletrode)(230)과, 건식 식각 공정용 공정챔버(200)의 내벽에 설치되는 월 라이너(Wall liner)(240)와, 공정가스 공급부(미도시)에서 공급되는 공정가스가 배기되는 공정가스 배기부(250)와, 공정가스 공급부 및 공정가스 배기부에 설치되는 가드링(미도시)과, 공정가스 공급부 및 공정가스 배기부에 설치되는 슬릿밸브(미도시)를 포함하여 구성된다.As shown in FIG. 9, the process chamber 200 for a dry etching process includes a gas flow device 210 provided outside the process chamber 200 for a dry etching process, and an inside of the process chamber 200 for a dry etching process. A bottom electrode 220 installed on the substrate S to support the substrate S, an upper electrode 230 disposed above the lower electrode 220 to supply a process gas to the substrate S, and , A wall liner 240 installed on the inner wall of the process chamber 200 for a dry etching process, and a process gas exhaust unit 250 through which process gas supplied from a process gas supply unit (not shown) is exhausted, It is configured to include a guard ring (not shown) installed in the process gas supply unit and the process gas exhaust unit, and a slit valve (not shown) installed in the process gas supply unit and the process gas exhaust unit.

건식 식각 공정용 공정챔버(200)의 기체 유량 장치(210), 하부 전극(220), 상부 전극(230), 월 라이너(240), 상기 공정가스 공급부, 공정가스 배기부(250), 가드링 및 슬릿밸브의 구성 및 기능은 종래의 건식 식각 공정용 공정챔버의 경우와 같으므로 이에 대한 자세한 설명은 생략한다.The gas flow device 210, the lower electrode 220, the upper electrode 230, the wall liner 240, the process gas supply unit, the process gas exhaust unit 250, the guard ring of the process chamber 200 for a dry etching process And since the configuration and function of the slit valve are the same as those of the conventional process chamber for a dry etching process, detailed descriptions thereof will be omitted.

다만, 하부 전극(220)에는 기판(S)의 정전기 발생을 최소화시키는 정전척(ESC, Electrode Static Chuck)(미도시)과, 기판(S) 주위의 공정가스의 흐름을 일정하게 유지시켜 주는 베플(Baffle)(미도시)이 구비될 수 있으며, 이로 인해, 기판(S)에 균일한 에칭이 발생할 수 있다.However, the lower electrode 220 includes an electrostatic chuck (ESC) (not shown) that minimizes the generation of static electricity on the substrate S, and a baffle that maintains a constant flow of the process gas around the substrate S. (Baffle) (not shown) may be provided, and thus, uniform etching may occur on the substrate S.

건식 식각 공정용 공정챔버(200)의 내부면, 하부 전극(220), 하부 전극(220)의 정전척, 하부 전극(220)의 베플, 상부 전극(230), 월 라이너(240) 및 공정가스 배기부(250), 가드링 및 슬릿밸브 중 적어도 어느 하나는 다중 박막층을 구비한 부재(1)로 이루어 질 수 있다.The inner surface of the process chamber 200 for a dry etching process, the lower electrode 220, the electrostatic chuck of the lower electrode 220, the baffle of the lower electrode 220, the upper electrode 230, the wall liner 240, and the process gas At least one of the exhaust unit 250, the guard ring, and the slit valve may be formed of a member 1 having multiple thin film layers.

건식 식각 공정용 공정챔버(220)는 상기 공정가스 공급부에서 공급된 공정가스가 상부 전극(230)으로 유입된 후, 상부 전극(230)의 관통홀(231)을 통해 기판(S)으로 분사됨으로써, 기판(S)에 건식 식각 공정을 수행하게 되며, 상기 공정가스는 플라즈마 상태의 가스로서 강한 부식성과 침식성을 가지고 있고, 건식 식각 공정용 공정챔버(200)의 내부면과 건식 식각 공정용 공정챔버(200)의 하부 전극(220), 하부 전극(220)의 정전척, 하부 전극(220)의 베플, 상부 전극(230), 월 라이너(240), 공정가스 배기부(250), 가드링 및 슬릿밸브 등(이하, '내부 부품' 이라 한다)은 상기 공정가스와 접촉하게 된다. The process chamber 220 for a dry etching process is injected into the substrate S through the through hole 231 of the upper electrode 230 after the process gas supplied from the process gas supply unit flows into the upper electrode 230. , A dry etching process is performed on the substrate S, and the process gas has strong corrosiveness and erosion as a plasma gas, and the inner surface of the process chamber 200 for dry etching process and the process chamber for dry etching process The lower electrode 220 of 200, the electrostatic chuck of the lower electrode 220, the baffle of the lower electrode 220, the upper electrode 230, the wall liner 240, the process gas exhaust unit 250, the guard ring and A slit valve or the like (hereinafter referred to as'internal parts') comes into contact with the process gas.

다중 박막층을 구비한 부재(1)는 도금층(20) 및 제1박막층(30) 또는 도금층(20) 내지 제2박막층(40)이 형성되어 있으므로, 내열성, 내식성, 내전압성 및 내플라즈마성을 향상시키면서 동시에 종래의 다공층에 따른 아웃가싱 및 파티클 생성의 문제가 해소되고, 건식 식각 공정용 공정챔버(200)에 의해 제조되는 완제품의 수율이 향상되며, 건식 식각 공정용 공정챔버(200)의 공정 효율이 향상되고, 유지 보수 사이클이 높아지게 된다.The member 1 having multiple thin-film layers has a plating layer 20 and a first thin film layer 30, or a plating layer 20 to the second thin film layer 40, so that heat resistance, corrosion resistance, voltage resistance, and plasma resistance are improved. At the same time, the problem of outgassing and particle generation due to the conventional porous layer is solved, the yield of the finished product manufactured by the process chamber 200 for a dry etching process is improved, and the process of the process chamber 200 for a dry etching process The efficiency is improved and the maintenance cycle is increased.

전술한 바와 같이, 본 발명의 바람직한 실시 예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술분야의 통상의 기술자는 하기의 특허 청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 또는 변형하여 실시할 수 있다.As described above, although it has been described with reference to a preferred embodiment of the present invention, those skilled in the art will variously modify the present invention within the scope not departing from the spirit and scope of the present invention described in the following claims. Or it can be implemented by modification.

1: 다중 박막층을 구비한 부재
10: 모재 11: 이물질
20: 제1박막층 30: 제2박막층
40: 제3박막층
100: 화학 기상 증착 공정용 공정챔버
110: 기체 유량 장치 120: 서셉터
130: 백킹 플레이트 140: 디퓨저
141: 관통홀 150: 쉐도우 프레임
160: 배기부
200: 건식 식각 공정용 공정챔버
210: 기체 유량 장치 220: 하부 전극
230: 상부 전극 231: 관통홀
240: 월 라이너 250: 배기부
S: 기판
S10: 도금층 형성 단계
S20: 제1박막층 형성 단계
S21: 제1-1차 전구체 흡착 단계
S22: 제1차 불활성 기체 공급 단계
S23: 제1-2차 반응체 흡착 및 치환 단계
S24: 제1차 사이클 반복 단계
S30: 제2박막층 형성 단계
S31: 제2-1차 전구체 흡착 단계
S32: 제2차 불활성 기체 공급 단계
S33: 제2-2차 반응체 흡착 및 치환 단계
S34: 제2차 사이클 반복 단계1: member with multiple thin film layers
10: base material 11: foreign matter
20: first thin film layer 30: second thin film layer
40: third thin film layer
100: a process chamber for a chemical vapor deposition process
110: gas flow device 120: susceptor
130: backing plate 140: diffuser
141: through hole 150: shadow frame
160: exhaust
200: process chamber for dry etching process
210: gas flow device 220: lower electrode
230: upper electrode 231: through hole
240: wall liner 250: exhaust
S: substrate
S10: plating layer formation step
S20: forming the first thin film layer
S21: 1st-1st precursor adsorption step
S22: first inert gas supply step
S23: step of adsorption and substitution of the first-second reactant
S24: 1st cycle repeat step
S30: forming the second thin film layer
S31: second-first precursor adsorption step
S32: Second inert gas supply step
S33: Second-second reactant adsorption and substitution step
S34: Second cycle repeat step

Claims (11)

모재의 상부에 금속 재질 또는 비금속 재질의 도금층이 형성되고, 상기 도금층의 상부에 제1-1차 전구체를 흡착시키고, 상기 제1-1차 전구체와는 다른 종류의 제1-2차 반응체를 공급하여 상기 제1-2차 반응체와 상기 제1-1차 전구체와의 화학적 치환으로 제1단원자층을 생성시켜 상기 제1단원자층으로 구성되는 제1박막층이 상기 도금층의 상부에 형성되는 것을 특징으로 하는 다중 박막층을 구비한 부재.A plating layer made of a metal material or a non-metal material is formed on the top of the base material, the first-order precursor is adsorbed on the top of the plating layer, and a first-second reactant of a different kind from the first-first precursor is formed. Supplying the first-second reactant and the first-order precursor to generate a first monoatomic layer by chemical substitution of the first-second reactant to form a first thin film layer composed of the first monoatomic layer on the plating layer. A member having multiple thin film layers, characterized in that. 제1항에 있어서,
상기 제1박막층은, 상기 제1단원자층을 생성시키는 사이클을 반복적으로 수행하여 복수층의 제1단원자층으로 구성되는 것을 특징으로 하는 다중 박막층을 구비한 부재.The method of claim 1,
The first thin film layer is a member having a multi-thin film layer, characterized in that the cycle of generating the first monoatomic layer is repeatedly performed to consist of a plurality of first monoatomic layers. 제2항에 있어서,
상기 제1박막층의 두께는 20㎚ 이상 ~ 3㎛ 이하 사이인 것을 특징으로 하는 다중 박막층을 구비한 부재.The method of claim 2,
A member having a multi-thin film, characterized in that the thickness of the first thin film layer is between 20 nm and 3 μm. 제1항에 있어서,
상기 제1박막층의 상부에 제2-1차 전구체를 흡착시키고, 상기 제2-1차 전구체와는 다른 종류의 제2-2차 반응체를 공급하여 상기 제2-2차 반응체와 상기 제2-1차 전구체와의 화학적 치환으로 제2단원자층을 생성시켜 상기 제2단원자층으로 구성되는 제2박막층이 상기 제1박막층의 상부에 형성되고,
상기 제1박막층과 상기 제2박막층은 서로 다른 구성 성분을 갖는 것을 특징으로 하는 다중 박막층을 구비한 부재.The method of claim 1,
The second-secondary reactant and the second-secondary reactant are supplied by adsorbing a second-first precursor on the upper portion of the first thin film layer, and supplying a second-secondary reactant of a different type from the second-first precursor. A second thin film layer composed of the second monoatomic layer is formed on the first thin film layer by creating a second monoatomic layer by chemical substitution with the second-first precursor,
A member having multiple thin film layers, wherein the first thin film layer and the second thin film layer have different constituents. 제1항에 있어서,
상기 모재는 금속 재질이고,
상기 도금층은 상기 금속 재질의 모재에 전해 도금 공정, 무전해 도금 공정, 스퍼터링 공정 및 용사(溶射) 공정 중 어느 하나의 공정을 통해 형성되는 도금층인 것을 특징으로 하는 다중 박막층을 구비한 부재.The method of claim 1,
The base material is a metal material,
The plated layer is a plated layer formed on the base material of the metallic material through any one of an electroplating process, an electroless plating process, a sputtering process, and a thermal spraying process. 제1항에 있어서,
상기 모재는 비금속 재질이고,
상기 도금층은 상기 비금속 재질의 모재에 무전해 도금 공정, 스퍼터링 공정 및 용사(溶射) 공정 중 어느 하나의 공정을 통해 통해 형성되는 도금층인 것을 특징으로 하는 다중 박막층을 구비한 부재.The method of claim 1,
The base material is a non-metal material,
The plated layer is a plated layer formed on the base material of the non-metallic material through any one of an electroless plating process, a sputtering process, and a thermal spraying process. 제1항에 있어서,
상기 다중 박막층을 구비한 부재는, 화학 기상 증착 공정이 수행되는 공정챔버의 내부면을 이루거나 상기 화학 기상 증착 공정이 수행되는 공정챔버의 내부에 설치되는 부품을 이루는 부재이고, 상기 내부 부품은 디퓨져, 백킹 플레이트, 쉐도우 프레임, 서셉터, 가드링 및 슬릿밸브 중 적어도 어느 하나인 것을 특징으로 하는 다중 박막층을 구비한 부재.The method of claim 1,
The member having the multiple thin film layers is a member that forms an inner surface of a process chamber in which a chemical vapor deposition process is performed or a component that is installed inside a process chamber in which the chemical vapor deposition process is performed, and the internal component is a diffuser. , A backing plate, a shadow frame, a susceptor, a guard ring, and a member having a multi-thin layer, characterized in that at least one of a slit valve. 제1항에 있어서,
상기 다중 박막층을 구비한 부재는, 건식 식각 공정이 수행되는 공정챔버의 내부면을 이루거나 상기 건식 식각 공정이 수행되는 공정챔버의 내부에 설치되는 부품을 이루는 부재이고, 상기 내부 부품은 하부 전극, 하부 전극의 정전척, 하부 전극의 베플, 상부 전극, 월 라이너, 가드링 및 슬릿밸브 중 적어도 어느 하나인 것을 특징으로 하는 다중 박막층을 구비한 부재.The method of claim 1,
The member having the multiple thin film layers is a member that forms an inner surface of a process chamber in which a dry etching process is performed or a component that is installed inside a process chamber in which the dry etching process is performed, and the internal component includes a lower electrode, A member having multiple thin film layers, characterized in that it is at least one of an electrostatic chuck of a lower electrode, a baffle of a lower electrode, an upper electrode, a wall liner, a guard ring, and a slit valve. 모재의 상부에 금속 재질 또는 비금속 재질의 도금층을 형성시키고, 상기 도금층의 상부에 제1-1차 전구체를 흡착시키고, 상기 제1-1차 전구체와는 다른 종류의 제1-2차 반응체를 공급하여 상기 제1-2차 반응체와 상기 제1-1차 전구체와의 화학적 치환으로 제1단원자층을 생성시켜 상기 제1단원자층으로 구성되는 제1박막층을 상기 도금층의 상부에 형성시키는 것을 특징으로 하는 다중 박막층을 구비한 부재의 제조 방법.A plating layer made of a metal material or a non-metal material is formed on the top of the base material, the first-order precursor is adsorbed on the top of the plating layer, and a first-second reactant of a different kind from the first-order precursor is formed. Supplying the first-second reactant and the first-order precursor to generate a first monoatomic layer by chemical substitution of the first-second reactant to form a first thin film layer composed of the first monoatomic layer on the plating layer. Method for manufacturing a member having a multi-thin film layer, characterized in that. 제9항에 있어서,
상기 제1박막층의 두께가 20㎚ 이상 ~ 3㎛ 이하가 될 때까지 상기 제1단원자층을 생성시키는 사이클을 반복적으로 수행하여 상기 제1박막층을 복수층의 제1단원자층으로 구성시키는 것을 특징으로 하는 다중 박막층을 구비한 부재의 제조 방법.The method of claim 9,
The first thin film layer is composed of a plurality of first monoatomic layers by repeatedly performing a cycle of generating the first monoatomic layer until the thickness of the first thin film layer becomes 20 nm or more to 3 μm or less. Method of manufacturing a member having a multi-thin film layer. 제9항에 있어서,
상기 제1박막층의 상부에 제2-1차 전구체를 흡착시키고, 상기 제2-1차 전구체와는 다른 종류의 제2-2차 반응체를 공급하여 상기 제2-2차 반응체와 상기 제2-1차 전구체와의 화학적 치환으로 제2단원자층을 생성시켜 상기 제2단원자층으로 구성되는 제2박막층을 상기 제1박막층의 상부에 형성시키며,
상기 제1박막층과 상기 제2박막층은 서로 다른 구성 성분을 갖는 것을 특징으로 하는 다중 박막층을 구비한 부재의 제조 방법.The method of claim 9,
The second-secondary reactant and the second-secondary reactant are supplied by adsorbing a second-first precursor on the upper portion of the first thin film layer, and supplying a second-secondary reactant of a different type from the second-first precursor. A second monoatomic layer is formed by chemical substitution with a second-first precursor to form a second thin film layer composed of the second monoatomic layer on top of the first thin film layer,
The first thin film layer and the second thin film layer is a method of manufacturing a member having a multi-thin film layer, characterized in that having different constituents.
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