KR20210041411A - 발광 다이오드 모듈 - Google Patents

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KR20210041411A KR1020190124103A KR20190124103A KR20210041411A KR 20210041411 A KR20210041411 A KR 20210041411A KR 1020190124103 A KR1020190124103 A KR 1020190124103A KR 20190124103 A KR20190124103 A KR 20190124103A KR 20210041411 A KR20210041411 A KR 20210041411A
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Abstract

본 발명은 발광 다이오드 모듈에 관한 것으로, 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드 모듈은, 발광 다이오드 모듈에 있어서, 기판; 및 상기 기판 상에 배치되며, 소정의 규칙을 따라 배치되는 다수의 발광 다이오드를 포함하고, 상기 다수의 발광 다이오드 중 일부는, 상기 발광 다이오드 모듈의 설정된 규격 범위에 포함되지 않는 비규격 발광 다이오드를 포함하며, 상기 다수의 발광 다이오드 중 나머지는 상기 발광 다이오드 모듈의 설정된 규격을 만족하도록 상기 비규격 발광 다이오드를 보상하는 보상 발광 다이오드를 포함할 수 있다. 본 발명에 의하면, 광량, 색온도, 순방향 전압 및 연색성 등의 설정된 규격을 벗어난 비규격 발광 다이오드를 이용하더라도 발광 다이오드 모듈이 방출하는 광에 대한 설정된 규격의 범위를 충족할 수 있도록 발광 다이오드 모듈을 제조함으로써, 폐기처분되거나 유휴재고로 처리되는 발광 다이오드를 활용할 수 있는 효과가 있다.

Description

발광 다이오드 모듈{LIGHT EMITTING DIODE MODULE}
본 발명은 발광 다이오드 모듈에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 조명 장치 등에 사용되는 발광 다이오드의 설정된 규격에 맞지 않게 제조된 발광 다이오드를 활용할 수 있는 발광 다이오드 모듈에 관한 것이다.
발광 다이오드는 전자와 정공의 재결합을 통해 발생되는 광을 방출하는 무기 반도체 소자이다. 최근 발광 다이오드는 디스플레이 장치, 차량용 램프, 일반 조명 등의 여러 분야에 이용한다. 발광 다이오드는 수명이 길고, 소비전력이 낮으며 응답 속도가 빠른 장점이 있어, 이러한 발광 다이오드는 종래의 광원을 점차 대체하고 있다.
발광 다이오드를 구성하는 발광 다이오드 칩은 상대적으로 좁은 반치폭을 갖는 광을 방출하기 때문에 대체로 단색에 가까운 광을 방출한다. 따라서 하나의 발광 다이오드에서 여러 색이 혼합된 백색광을 방출하기 위해서는 청색광을 방출하는 발광 다이오드 칩과 황색 형광체를 조합하여 백색광이 방출하도록 발광 다이오드를 제조한다.
청색 발광 다이오드 칩과 황색 형광체를 조합하여 패키지를 구성한 것을 발광 다이오드라 한다. 이렇게 제조된 발광 다이오드는 제조 공정에 따라 광량, 색온도, 전압 및 연색성 등과 같은 다양한 규격의 백색광을 방출할 수 있다. 즉, 동일한 백색광이라 하더라도 규격에 따라 광량의 크기가 다르고, 색온도가 다르며, 사용 전압이 다르고, 또한, 다른 연색성을 갖는 백색광을 방출하는 발광 다이오드가 제조될 수 있다.
하지만, 상기와 같이, 제조 공정에 따라 사용하고자 하는 규격에 맞도록 발광 다이오드를 제조하는 경우에도 제조된 발광 다이오드가 설정된 규격의 범위를 벗어나는 경우가 발생한다. 이렇게 설정된 규격에 맞지 않는 발광 다이오드(또는 발광 다이오드 패키지)는 잘못 제조된 것으로 처리되어 조명 장치 등의 제품에 이용되지 못하는 경우가 있다.
이렇게 제품에 이용되지 못하게 규격을 벗어나게 제조된 발광 다이오드는 그대로 폐기처분되거나 재고로 처리되어 다시 사용되지 못하는 문제가 있다.
대한민국 등록특허 제10-1881065호 (2018.07.17.) 대한민국 등록특허 제10-1791380호 (2017.10.23.) 대한민국 등록특허 제10-1692290호 (2016.12.28.)
본 발명이 해결하고자 하는 과제는, 설정된 규격을 벗어나도록 제조된 발광 다이오드를 이용하여 설정된 규격의 광을 방출하는 발광 다이오드 모듈을 제공하는 것이다.
본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드 모듈은, 발광 다이오드 모듈에 있어서, 기판; 및 상기 기판 상에 배치되며, 소정의 규칙을 따라 배치되는 다수의 발광 다이오드를 포함하고, 상기 다수의 발광 다이오드 중 일부는, 상기 발광 다이오드 모듈의 설정된 규격 범위에 포함되지 않는 비규격 발광 다이오드를 포함하며, 상기 다수의 발광 다이오드 중 나머지는 상기 발광 다이오드 모듈의 설정된 규격을 만족하도록 상기 비규격 발광 다이오드를 보상하는 보상 발광 다이오드를 포함할 수 있다.
상기 보상 발광 다이오드는 상기 발광 다이오드 모듈의 설정된 규격의 범위를 만족하는 발광 다이오드일 수 있다.
상기 발광 다이오드 모듈의 설정된 규격은, 상기 발광 다이오드의 순방향 전압, 상기 발광 다이오드 모듈에서 방출된 광의 연색성, 상기 발광 다이오드 모듈에서 방출된 광의 광량 및 상기 발광 다이오드 모듈에서 방출된 광의 색온도 중 적어도 하나일 수 있다.
상기 보상 발광 다이오드는, 상기 순방향 전압, 연색성, 광량 및 색온도 중 어느 하나 이상에 대한 규격 범위에 포함되지 않는 비규격 발광 다이오드를 보상할 수 있다.
상기 다수의 발광 다이오드는 상기 기판 상에 행과 열을 따라 배치될 수 있다.
상기 비규격 발광 다이오드는 상기 행의 홀수 행 및 짝수 행 중 어느 하나에 배치되고, 상기 보상 발광 다이오드는 상기 행의 홀수 행 및 짝수 행 중 다른 하나에 배치될 수 있다.
상기 비규격 발광 다이오드는 상기 열의 홀수 열 및 짝수 열 중 어느 하나에 배치되고, 상기 보상 발광 다이오드는 상기 행의 홀수 열 및 짝수 열 중 다른 하나에 배치될 수 있다.
상기 다수의 발광 다이오드는 상기 기판 상에 엇갈린 상태로 배치될 수 있다.
상기 보상 발광 다이오드의 개수는 상기 비규격 발광 다이오드의 개수와 동일할 수 있다.
본 발명에 의하면, 광량, 색온도, 순방향 전압 및 연색성 등의 설정된 규격을 벗어난 비규격 발광 다이오드를 이용하더라도 발광 다이오드 모듈이 방출하는 광에 대한 설정된 규격의 범위를 충족할 수 있도록 발광 다이오드 모듈을 제조함으로써, 폐기처분되거나 유휴재고로 처리되는 발광 다이오드를 활용할 수 있는 효과가 있다.
더욱이, 종래에 색온도의 관점에서만 비규격 발광 다이오드를 다시 활용할 수 있는 기술에 비해, 발광 다이오드의 색온도뿐만 아니라 광량, 순방향 전압 및 연색성의 특성을 이용하여 비규격 발광 다이오드를 이용할 수 있어 보다 복합적으로 비규격 발광 다이오드를 다시 활용할 수 있는 효과가 있다.
또한, 규격을 벗어난 비규격 발광 다이오드를 활용함으로써, 발광 다이오드 모듈의 제조 단가를 낮출 수 있으며, 기존에 사용하지 않고 유휴보관 처리된 비규격 발광 다이오드를 활용하여 안정적으로 재고 운영을 할 수 있는 효과가 있다.
더욱이, 규격을 벗어난 비규격 발광 다이오드를 이용하더라도 발광 다이오드 모듈의 성능을 안정적으로 구현하여 신뢰성을 높일 수 있을 뿐만 아니라, 안정적으로 발광 다이오드의 규격을 관리할 수 있는 효과가 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드 모듈을 예시적으로 도시한 도면이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드 모듈의 설정 규격 외 발광 다이오드와 설정 규격 발광 다이오드가 행을 따라 교번하여 배열된 것을 설명하기 위한 도면이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드 모듈의 색온도의 규격을 설명하기 위한 도면이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드 모듈의 설정 규격 외 발광 다이오드와 설정 규격 발광 다이오드가 열을 따라 교번하여 배열된 것을 설명하기 위한 도면이다.
본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 첨부된 도면을 참조하여 더 구체적으로 설명한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드 모듈을 예시적으로 도시한 도면이다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드 모듈은 다수의 발광 다이오드를 포함한다. 그리고 다수의 발광 다이오드는 도시된 바와 같이, 행과 열을 따라 배열된다.
본 실시예에서, 총 120개의 발광 다이오드가 배열된 것에 대해 설명하며, 설명의 편의를 위해 12행 및 10열로 배열된 것에 대해 설명한다. 또한, 각 행 및 각 열에 배치된 발광 다이오드들은 각각 행과 열을 따라 규칙적으로 배열된 것에 대해 설명한다.
하지만, 이에 한정되는 것은 아니며, 필요에 따라 각 발광 다이오드들의 배열은 변형될 수 있다. 예컨대, 각 열에 배치된 발광 다이오드들은 동일한 간격으로 배열될 수 있고, 각 열은 발광 다이오드들이 서로 엇갈린 상태로 배열될 수 있다. 또한, 다른 예로, 각 행에 배치된 발광 다이오드들은 동일한 간격으로 배열될 수 있으며, 각 행은 발광 다이오드들이 서로 엇갈린 상태로 배열될 수 있다.
본 실시예에서, 각 발광 다이오드들은 기판 상에 실장되어 배치될 수 있다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드 모듈의 설정 규격 외 발광 다이오드와 설정 규격 발광 다이오드가 행을 따라 교번하여 배열된 것을 설명하기 위한 도면이고, 도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드 모듈의 색온도의 규격을 설명하기 위한 도면이다.
도 2를 참조하여, 본 실시예에 따른 발광 다이오드 모듈에 대해 설명한다.
본 실시예에서, 발광 다이오드 모듈은, 다수의 발광 다이오드를 포함한다. 이때, 다수의 발광 다이오드는, 두 종류 이상의 발광 다이오드들이 이용될 수 있다. 일례로, 두 종류 이상의 발광 다이오드 중 한 종류는 발광 다이오드 모듈이 설정된 규격의 범위를 벗어난 비규격 발광 다이오드들일 수 있으며, 다른 하나의 종류는 발광 다이오드 모듈이 설정된 규격 범위를 만족하는 보상 발광 다이오드들일 수 있다.
예컨대, 발광 다이오드 모듈의 연색성이 80Ra 이상인 규격을 갖는 광을 방출하도록 설정된 경우에 대해 설명한다.
표 1을 참조하면, 제조된 발광 다이오드들의 연색성이 A 랭크(rank), B 랭크 및 C 랭크에 해당하도록 제조된 경우에 대해 설명한다. 이때, 전류는 150mA, 온도는 25℃, RH(상대습도) 30%이다.
RANK Parameter Symbol Value Unit
A CRI Ra 75 이상
B 80 이상
C 85 이상
발광 다이오드 모듈의 연색성에 대한 규격이 80Ra 이상으로 설정됨에 따라 B 랭크 및 C 랭크에 해당하는 발광 다이오드는 발광 다이오드 모듈에 이용될 수 있지만, A 랭크에 해당하는 발광 다이오드는 발광 다이오드 모듈에 이용되지 못한다. 통상적으로, 발광 다이오드 모듈을 구성할 때, B 랭크 및 C 랭크의 발광 다이오드들을 이용하여 구성할 수 있다. 하지만, A 랭크에 해당하는 비규격 발광 다이오드를 이용하기 위한 방안을 설명한다.
도 2에 도시된 바와 같이, 제 2열, 제 4열, 제 6열, 제 8열 및 제 10열에 A 랭크에 속하는 비규격 발광 다이오드들을 배치하고, 제 1열, 제3 열, 제5 열, 제7 열 및 제 9열에 각각 C 랭크에 속하는 보상 발광 다이오드들을 배치하는 경우, 발광 다이오드 모듈에서 방출되는 광의 연색성은 A 랭크와 C 랭크의 연색성이 혼합되어 B 랭크의 광이 방출될 수 있다.
즉, 짝수 열에 규격을 벗어난 비규격 발광 다이오드들을 배치하고, 홀수 열에 규격에 맞는 보상 발광 다이오드들을 배치함으로써, 발광 다이오드 모듈에서 방출되는 광의 연색성이 원하는 규격 범위에 포함되도록 할 수 있다. 물론, 필요에 따라 홀수 열에 규격을 벗어난 비규격 발광 다이오드들을 배치하고, 짝수 열에 규격에 맞는 보상 발광 다이오드들을 배치할 수 있다.
이때, 규격에 맞는 발광 다이오드들은 발광 다이오드 모듈에서 방출되는 광이 규격의 범위 포함될 수 있도록 규격에 맞지 않는 비규격 발광 다이오드들을 보상할 수 있는 보상 발광 다이오드들이 이용될 수 있다.
다른 예로, 발광 다이오드 모듈의 광량이 30.5lm 이상인 규격을 갖는 광을 방출하도록 설정된 경우에 대해 설명한다.
표 2를 참조하면, 제조된 발광 다이오드들의 광량이 S2 랭크 내지 S5 랭크에 해당하도록 제조된 경우에 대해 설명한다. 이때, 온도는 25℃이다.
Nominal
CCT
Product Code Flux Rank Sorting Condition lm @65mA
Flux Range(lm)
5700K SPMWHT541MD5WAQ☆SB S2 28.5 ~ 30.5
S3 30.5 ~ 32.5
SPMWHT541MD5WAQ☆SC S3 30.5 ~ 32.5
S4 32.5 ~ 34.5
SPMWHT541MD5WAQ☆SD S4 32.5 ~ 34.5
S5 34.5 ~ 36.5
즉, 발광 다이오드 모듈의 광량에 대한 규격이 30.5 이상으로 설정됨에 따라 S3 랭크, S4 랭크 및 S5 랭크에 해당하는 발광 다이오드는 발광 다이오드 모듈에 이용될 수 있지만, S2 랭크에 해당하는 발광 다이오드는 발광 다이오드 모듈에 이용되지 못한다. 다시 말해, 발광 다이오드 모듈을 구성할 때, S3 랭크 내지 S5 랭크의 발광 다이오드들을 이용하여 구성할 수 있다. 하지만, S2 랭크에 해당하는 비규격 발광 다이오드를 이용하기 위한 방안을 설명한다.
도 2에 도시된 바와 같이, 짝수 열에 S2 랭크에 해당하는 비규격 발광 다이오드들을 배치하고, 홀수 열에 S4 랭크에 해당하는 보상 발광 다이오드들을 배치하는 경우, 발광 다이오드 모듈에서 방출되는 광의 광량은 홀수 열과 짝수 열에서 방출되는 광량이 혼합되어 대략 S3 랭크에 해당하는 광량이 방출될 수 있다.
또한, 짝수 열에 S2 랭크에 해당하는 비규격 발광 다이오드들을 배치하고, 홀 수열에 S5 랭크에 해당하는 보상 발광 다이오드들을 배치하는 경우, 발광 다이오드 모듈에서 방출되는 광의 광량은 홀수 열과 짝수 열에서 방출되는 광량이 혼합되어 S3 랭크와 S4 랭크의 사이 값에 해당하는 광량이 방출될 수 있다.
즉, 상기와 같이, 규격에 맞지 않는 비규격 발광 다이오드들을 보상할 수 있는 보상 발광 다이오드들을 함께 이용함으로써, 발광 다이오드 모듈에서 방출되는 광의 광량은 규격의 범위에 포함될 수 있다. 물론, 필요에 따라 홀수 열에 규격을 벗어난 비규격 발광 다이오드들을 배치하고, 짝수 열에 규격에 맞는 보상 발광 다이오드들을 배치할 수 있다.
또 다른 예로, 발광 다이오드 모듈의 순방향 전압의 범위가 3.1V 내지 3.3V의 규격을 갖는 경우에 대해 설명한다.
표 3을 참조하면, 제조된 발광 다이오드들의 순방향 전압이 1Bin 내지 4Bin에 해당하도록 제조된 경우에 대해 설명한다. 이때, 전류는 150mA이다.
Bin Vf(V)
Min. Max.
1 3.0 3.1
2 3.1 3.2
3 3.2 3.3
4 3.3 3.4
발광 다이오드 모듈의 순방향 전압에 대한 규격이 3.1V 내지 3.3V로 설정됨에 따라 2Bin 및 3Bin에 해당하는 발광 다이오드 모듈에 이용될 수 있지만, 1Bin 및 4Bin에 해당하는 발광 다이오드는 발광 다이오드 모듈에 이용되지 못한다. 하지만, 1Bin 및 4Bin에 해당하는 비규격 발광 다이오드를 이용하기 위한 방안을 설명한다.
도 2에 도시된 바와 같이, 짝수 열에 1Bin에 해당하는 비규격 발광 다이오드들을 배치하고, 홀수 열에 3Bin에 해당하는 보상 발광 다이오드들을 배치하는 경우, 발광 다이오드 모듈의 순방향 전압은 홀수 열과 짝수 열의 순방향 전압이 혼합되어 대략 2Bin에 해당하는 순방향 전압을 가질 수 있다. 또한, 짝수 열에 4Bin에 해당하는 비규격 발광 다이오드들을 배치하고, 홀 수열에 2Bin에 해당하는 보상 발광 다이오드들을 배치하는 경우, 발광 다이오드 모듈의 순방향 전압은 홀수 열과 짝수 열의 순방향 전압이 혼합되어 3Bin에 해당하는 순방향 전압을 가질 수 있다.
또는, 필요에 따라 홀수 열에 1Bin에 해당하는 비규격 발광 다이오드들을 배치하고, 짝수 열에 4Bin에 해당하는 비규격 발광 다이오드들을 배치하는 경우, 발광 다이오드 모듈의 순방향 전압은 홀수 열과 짝수 열에서 방출되는 순방향 전압이 혼합되어 대략 2Bin 및 3Bin의 사이 값에 해당하는 순방향 전압을 가질 수 있다. 이때, 홀수 열에 배치된 1Bin에 해당하는 발광 다이오드들이 비규격 발광 다이오드인 것으로 보는 경우, 짝수 열에 배치된 4Bin에 해당하는 발광 다이오드들은 보상 발광 다이오드일 수 있다. 물론, 짝수 열에 배치된 4Bin에 해당하는 발광 다이오드들이 비규격 발광 다이오드인 것으로 보는 경우, 홀 수 열에 배치된 1Bin에 해당하는 발광 다이오드들은 보상 발광 다이오드일 수 있다.
상기와 같이, 규격에 맞지 않는 비규격 발광 다이오드들을 보상할 수 있는 보상 발광 다이오드들을 함께 이용함으로써, 발광 다이오드 모듈의 순방향 전압이 규격에 맞도록 설정할 수 있다.
즉, 본 실시예에서, 홀수 열에 배치되는 발광 다이오드들 및 짝수 열이 배치되는 발광 다이오드들 중 어느 하나가 순방향 전압의 규격을 벗어난 비규격 발광 다이오드가 이용되는 경우, 다른 하나는 발광 다이오드 모듈의 순방향 전압이 설정된 규격의 범위에 포함되도록 보상할 수 있는 보상 발광 다이오드들이 이용될 수 있다.
또 다른 예로, 발광 다이오드 모듈의 색온도가 도 3에 도시된 바와 같이, 설정되는 경우, A 랭크 및 B 랭크에 해당하는 발광 다이오드는 발광 다이오드 모듈에 이용될 수 있지만, C1 랭크 내지 C4 랭크에 해당하는 발광 다이오드는 발광 다이오드 모듈에 이용될지 못한다. 즉, 발광 다이오드 모듈을 구성할 때, A 랭크 및 B 랭크의 발광 다이오드들을 이용하여 구성할 수 있다. 하지만, C1 랭크 내지 C4 랭크에 해당하는 비규격 발광 다이오드를 이용하기 위한 방안을 설명한다.
도 2에 도시된 바와 같이, 짝수 열에 C1 랭크 내지 C4 랭크에 해당하는 비규격 발광 다이오드들 중 하나를 배치하고, 홀수 열에 A 랭크에 해당하는 보상 발광 다이오드들을 배치하는 경우, 발광 다이오드 모듈에서 방출되는 광의 색온도는 홀수 열과 짝수 열에서 방출되는 색온도가 혼합되어 대략 B 랭크에 해당하는 색온도가 방출될 수 있다.
또한, 짝수 열에 C1 랭크 또는 C2 랭크에 해당하는 비규격 발광 다이오드들 중 하나를 배치하고, 홀수 열에 C4 랭크 또는 C3 랭크에 해당하는 보상 발광 다이오드들을 배치하는 경우, 발광 다이오드 모듈에서 방출되는 광의 색온도는 홀수 열과 짝수 열에서 방출되는 색온도가 혼합되어 대략 A 랭크에 해당하는 색온도가 방출될 수 있다.
상기와 같이, 규격에 맞지 않는 비규격 발광 다이오드들을 보상할 수 있는 보상 발광 다이오드들을 함께 이용함으로써, 발광 다이오드 모듈에서 방출되는 광의 색온도는 규격의 범위에 포함될 수 있다. 물론, 필요에 따라 홀수 열에 규격을 벗어난 비규격 발광 다이오드들을 배치하고, 짝수 열에 규격에 맞는 보상 발광 다이오드들을 배치할 수 있다.
본 발명에서 앞서 설명한 바와 같이, 연색성, 광량, 순방향 전압 및 색온도에 따라 규격을 각각 설정하여 비규격 발광 다이오드와 보상 발광 다이오드를 이용할 수 있지만, 이에 한정되는 것은 아니다.
즉, 색온도 및 순방향 전압의 규격 범위를 모두 벗어난 비규격 발광 다이오드와 이를 보상하기 위한 보상 발광 다이오드가 함께 이용될 수 있다. 예컨대, 짝수 열에 색온도가 C1 랭크에 속하고, 순방향 전압이 1Bin에 해당하는 비규격 발광 다이오드가 배치되며, 홀수 열에 색온도가 C4 랭크에 속하고, 순방향 전압이 4Bin에 해당하는 보상 발광 다이오드가 배치될 수 있다. 이렇게 배치되는 경우, 발광 다이오드 모듈에서 방출되는 광의 색온도는 대략 A 랭크에 해당하고, 발광 다이오드 모듈의 순방향 전압은 2Bin과 3Bin 사이의 값을 가질 수 있다.
다른 예로, 짝수 열에 광량이 S2 랭크에 해당하고, 순방향 전압이 1Bin에 해당하는 비규격 발광 다이오드가 배치되며, 홀수 열에 광량이 S4 랭크 또는 S5 랭크에 해당하고, 순방향 전압이 4Bin에 해당하는 보상 발광 다이오드가 배치되어 발광 다이오드 모듈에서 방출되는 광의 광량 및 순방향 전압이 규격 범위 내의 광이 방출되도록 할 수 있다.
또 다른 예로, 짝수 열에 색온도가 C1 랭크이고, 순방향 전압이 1Bin이며, 광량이 S2 랭크이고, 연색성이 A 랭크인 비규격 발광 다이오드가 배치되는 경우, 홀수 열에 색온도가 C4 랭크이고, 순방향 전압이 4Bin이며, 광량이 S4 랭크이고, 연색성이 C 랭크인 보상 발광 다이오드가 배치되면, 발광 다이오드 모듈은 규격 범위에 포함되는 광을 방출할 수 있다.
상기와 같이, 규격 범위를 벗어난 비규격 발광 다이오드를 보상 발광 다이오드와 함께 이용함으로써, 다수의 발광 다이오드가 이용된 발광 다이오드 패키지에서 방출되는 광은 규격 범위 내에 속한 광이 방출될 수 있도록 할 수 있다.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 발광 다이오드 모듈의 설정 규격 외 발광 다이오드와 설정 규격 발광 다이오드가 열을 따라 교번하여 배열된 것을 설명하기 위한 도면이다.
도 4를 참조하여, 본 발명의 다른 실시예에 따른 발광 다이오드 모듈에 대해 설명하며, 일 실시예에서와 동일한 설명은 생략한다.
본 실시예에서, 발광 다이오드 모듈은, 비규격 발광 다이오드들과 보상 발광 다이오드들을 포함하고, 비규격 발광 다이오드들이 짝수 열이 배치되며, 보상 발광 다이오드들이 홀수 열에 배치될 수 있다.
이때, 발광 다이오드 모듈의 설정된 규격은, 일 실시예에서 설명한 바와 같이, 연색성, 광량, 순방향 전압 및 색온도일 수 있다. 즉, 발광 다이오드 모듈에서 방출된 광의 연색성, 광량 및 색온도에 대한 규격이 각각 설정되고, 발광 다이오드 모듈의 순방향 전압이 설정된 경우, 각 설정에서 벗어난 비규격 발광 다이오드를 이용하여 발광 다이오드 모듈의 설정된 규격을 만족할 수 있다.
따라서 도 4에 도시된 바와 같이, 행과 열을 따라 규칙적으로 배열된 다수의 발광 다이오드 중 짝수 열에 비규격 발광 다이오드들이 배치되고, 홀수 열에 비규격 발광 다이오드들을 보상하기 위한 보상 발광 다이오드들이 배치될 수 있다. 물론, 짝수 열에 보상 발광 다이오드들이 배치되며, 홀수 열에 비규격 발광 다이오드들이 배치될 수 있다.
위에서 설명한 바와 같이 본 발명에 대한 구체적인 설명은 첨부된 도면을 참조한 실시예에 의해서 이루어졌지만, 상술한 실시예는 본 발명의 바람직한 예를 들어 설명하였을 뿐이므로, 본 발명이 상기 실시예에만 국한되는 것으로 이해돼서는 안 되며, 본 발명의 권리범위는 후술하는 청구범위 및 그 등가개념으로 이해되어야 할 것이다.

Claims (8)

  1. 발광 다이오드 모듈에 있어서,
    기판; 및
    상기 기판 상에 배치되며, 소정의 규칙을 따라 배치되는 다수의 발광 다이오드를 포함하고,
    상기 다수의 발광 다이오드 중 일부는, 상기 발광 다이오드 모듈의 설정된 규격 범위에 포함되지 않는 비규격 발광 다이오드를 포함하며,
    상기 다수의 발광 다이오드 중 나머지는 상기 발광 다이오드 모듈의 설정된 규격을 만족하도록 상기 비규격 발광 다이오드를 보상하는 보상 발광 다이오드를 포함하는 발광 다이오드 모듈.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 보상 발광 다이오드는 상기 발광 다이오드 모듈의 설정된 규격의 범위를 만족하는 발광 다이오드인 발광 다이오드 모듈.
  3. 청구항 1에 있어서,
    상기 발광 다이오드 모듈의 설정된 규격은, 상기 발광 다이오드의 순방향 전압, 상기 발광 다이오드 모듈에서 방출된 광의 연색성, 상기 발광 다이오드 모듈에서 방출된 광의 광량 및 상기 발광 다이오드 모듈에서 방출된 광의 색온도 중 적어도 하나인 발광 다이오드 모듈.
  4. 청구항 3에 있어서,
    상기 보상 발광 다이오드는, 상기 순방향 전압, 연색성, 광량 및 색온도 중 어느 하나 이상에 대한 규격 범위에 포함되지 않는 비규격 발광 다이오드를 보상하는 발광 다이오드 모듈.
  5. 청구항 1에 있어서,
    상기 다수의 발광 다이오드는 상기 기판 상에 행과 열을 따라 배치된 발광 다이오드 모듈.
  6. 청구항 5에 있어서,
    상기 비규격 발광 다이오드는 상기 행의 홀수 행 및 짝수 행 중 어느 하나에 배치되고,
    상기 보상 발광 다이오드는 상기 행의 홀수 행 및 짝수 행 중 다른 하나에 배치된 발광 다이오드 모듈.
  7. 청구항 5에 있어서,
    상기 비규격 발광 다이오드는 상기 열의 홀수 열 및 짝수 열 중 어느 하나에 배치되고,
    상기 보상 발광 다이오드는 상기 행의 홀수 열 및 짝수 열 중 다른 하나에 배치된 발광 다이오드 모듈.
  8. 청구항 5에 있어서,
    상기 다수의 발광 다이오드는 상기 기판 상에 엇갈린 상태로 배치된 발광 다이오드 모듈.

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102632501B1 (ko) * 2023-10-24 2024-02-02 주식회사 파인테크닉스 비규격 발광 다이오드를 활용하여 발광 다이오드 모듈의 목표 규격을 구현하는 시스템 및 방법

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20060079969A (ko) * 2005-01-04 2006-07-07 삼성전자주식회사 발광 다이오드 패키지 및 조명장치
KR20110108704A (ko) * 2010-03-29 2011-10-06 엘지이노텍 주식회사 발광 장치 및 이를 구비한 표시 장치
JP2016072584A (ja) * 2014-10-02 2016-05-09 ウシオ電機株式会社 発光モジュール
KR101692290B1 (ko) 2015-03-31 2017-01-04 (주) 디엠라이트 색온도 조절이 가능한 엘이디 조명장치
KR101791380B1 (ko) 2017-02-27 2017-10-27 주식회사 소룩스 Led패널의 led 배열방법 및 이를 적용한 led패널
KR101881065B1 (ko) 2011-12-21 2018-07-24 삼성전자주식회사 광원 모듈 및 백라이트 유닛
KR20180109474A (ko) * 2017-03-28 2018-10-08 메를로랩 주식회사 색온도 제어를 위한 led 조명장치

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20060079969A (ko) * 2005-01-04 2006-07-07 삼성전자주식회사 발광 다이오드 패키지 및 조명장치
KR20110108704A (ko) * 2010-03-29 2011-10-06 엘지이노텍 주식회사 발광 장치 및 이를 구비한 표시 장치
KR101881065B1 (ko) 2011-12-21 2018-07-24 삼성전자주식회사 광원 모듈 및 백라이트 유닛
JP2016072584A (ja) * 2014-10-02 2016-05-09 ウシオ電機株式会社 発光モジュール
KR101692290B1 (ko) 2015-03-31 2017-01-04 (주) 디엠라이트 색온도 조절이 가능한 엘이디 조명장치
KR101791380B1 (ko) 2017-02-27 2017-10-27 주식회사 소룩스 Led패널의 led 배열방법 및 이를 적용한 led패널
KR20180109474A (ko) * 2017-03-28 2018-10-08 메를로랩 주식회사 색온도 제어를 위한 led 조명장치

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102632501B1 (ko) * 2023-10-24 2024-02-02 주식회사 파인테크닉스 비규격 발광 다이오드를 활용하여 발광 다이오드 모듈의 목표 규격을 구현하는 시스템 및 방법

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